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平成１２年（行ケ）第４７５号　審決取消請求事件
口頭弁論終結日　平成１５年６月５日
判　　　　　　　　　　決
原　　　　　　　告　　　　株式会社半導体エネルギー研究所
訴訟代理人弁理士　　　　渡　邉　順　之
被　　　　　　　告　　　　特許庁長官　太田信一郎
指定代理人　　　　　　　　岡　　　和　久
同　　　　　　　　　　　　内　野　春　喜
同　　　　　　　　　　　　小　林　信　雄
同　　　　　　　　　　　　大　橋　良　三
同　　　　　　　　　　　　涌　井　幸　一
同　　　　　　　　　　　　高　橋　泰　史
同　　　　　　　　　　　　朽　名　一　夫
主　　　　　　　　　　　文
１　原告の請求を棄却する。
２　訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１　当事者の求めた裁判
１　原告
(1)特許庁が，平成１１年審判第６２０２号事件について，平成１２年１０月
２３日にした審決を取り消す。
(2)訴訟費用は被告の負担とする。
２　被告
　　主文と同旨
第２　当事者間に争いのない事実等
１　特許庁における手続の経緯
　　原告は，平成５年８月２７日，名称を「半導体装置およびその作製方法」
（後に「半導体装置の作製方法」と補正された。）とする発明につき特許の出願
（平成５年特許願第２３５４６３号，以下「本件出願」といい，これに係る請求項
１の発明を「本願発明」という。）をし，平成１１年３月５日付けで拒絶査定を受
け，同年４月１５日，これに対する不服の審判を請求した。
　　特許庁は，これを，平成１１年審判第６２０２号事件として審理し，その結
果，平成１２年１０月２３日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決を
し，同年１１月１３日，その謄本を原告に送達した。
２　本願発明に係る特許請求の範囲の記載
(1)絶縁表面上の非晶質珪素膜を熱アニールして，結晶性珪素膜を形成する第
１の工程と，
(2)前記結晶性珪素膜でなる島状の活性層を形成する第２の工程と，
(3)酸化性雰囲気中で熱アニールまたは波長４μm～０．５μmの光を照射する
光アニールによって前記活性層表面を酸化して，酸化珪素膜を形成する第３の工程
と，
(4)前記酸化珪素膜上に，化学的気相反応手段によって絶縁被膜を形成する第
４の工程と，
(5)窒素または窒素化合物を含む雰囲気中で，前記絶縁被膜をアニールする第
５の工程と，
(6)前記絶縁被膜上にゲイト電極を形成する第６の工程と，
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
　（以下，それぞれ，「本願発明の第１の工程」，「本願発明の第２の工程」な
どという。ただし，本願発明の工程であることが明確な場合は，「本願発明の」を
省略することがある。当該工程における処理内容に着目して，特に，非晶質珪素膜
を結晶化する工程（本願発明の第１の工程がこれに当たる。）を「結晶化工程」
と，結晶性珪素膜を熱アニール又は光アニールにより酸化して酸化珪素膜を形成す
る工程（本願発明の第３の工程がこれに当たる。）を「酸化処理工程」ということ
もある。）
３　審決の理由
　　審決の理由は，別紙審決書の写し記載のとおりである。要するに，本願発明
は，特開平４－２２１２７号公報（甲第５号証，以下「引用例」という。）に記載
された発明（以下「引用発明」という。）及び周知技術に基づいて，当業者が容易
に発明できたものであるから，特許法２９条２項の規定に該当し，特許を受けるこ
とができない，というものである。
　　審決が上記結論を導くに当たり認定した本願発明と引用発明との一致点・相
違点は，次のとおりである。
（一致点）
　「酸化性雰囲気中で光を照射する光アニールによって前記活性層表面を酸化
して，酸化珪素膜を形成する第３の工程と，
　　前記酸化珪素膜上に，化学的気相反応手段によって絶縁被膜を形成する第
４の工程と，
　　前記絶縁被膜上にゲイト電極を形成する第６の工程と，
　を有することを特徴とする半導体装置の作製方法」である点（審決書４頁４
０行目～５頁６行目）
（相違点）
「(1)本願第１発明（判決注・本願発明を指す）が絶縁表面上の非晶質珪素膜を
熱アニールして，結晶性珪素膜を形成する第１の工程を有するのに対して，上記引
用例（判決注・甲第５号証を指す。）記載の発明が赤外光を照射しアニールして雰
囲気中の酸素と非晶質半導体薄膜との表面反応により酸化シリコン薄膜を形成する
のと同時に絶縁表面上の非晶質半導体薄膜を結晶化し多結晶半導体薄膜を形成する
工程を有する点
(2)酸化性雰囲気中で光を照射する光アニールによって活性層表面を酸化し
て，酸化珪素膜を形成する工程において照射する光が，本願第１発明においては波
長４μｍ～０．５μｍの光であるのに対し，上記引用例記載の発明においては赤外
光である点。
(3)本願第１発明が窒素または窒素化合物を含む雰囲気中で，前記絶縁被膜
をアニールする第５の工程を有するのに対して，上記引用例記載の発明が，そのよ
うな工程を有していない点。
(4)結晶性珪素膜でなる島状の活性層を形成する工程が，本願第１発明にお
いては第２の工程であるのに対して，上記引用例記載の発明においては，ゲイト電
極形成後である点」（審決書５頁８行目～２２行目）
第３　原告の主張の要点
　　審決は，本願発明と引用発明との一致点の認定の誤り，相違点の認定の誤り
（相違点の誤認ないし看過）があり，これらの誤りがそれぞれ結論に影響すること
は明らかであるから，取り消されるべきである。
１　一致点認定の誤りについて
(1)審決は，引用例に，
「ガラス基板等の耐熱性の低い基板上にピンホール密度の少ない，半導体薄
膜とゲート絶縁膜との界面のトラップ等の欠陥の少ないゲート絶縁膜を形成する薄
膜トランジスタの製造方法であって，
　　上記基板上に非晶質半導体薄膜を形成する工程，
　　酸素，酸素化合物あるいは水蒸気を少なくとも１種類以上含む雰囲気中
で赤外光を照射しアニールして雰囲気中の酸素と非晶質半導体薄膜との表面反応に
より酸化シリコン薄膜を形成し，同時に非晶質半導体薄膜を結晶化し多結晶半導体
薄膜を形成する工程，
　　上記酸化シリコン薄膜上にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形
成する工程，
　　上記酸化シリコン薄膜と窒化シリコン膜の２層ゲート絶縁膜上にゲート
電極を形成する工程，
　　多結晶半導体薄膜の島状の活性層を形成する工程
　からなる薄膜トランジスタの製造方法」（審決書４頁２１行目～３１行
目）（以下，各工程を，それぞれ，「引用発明の第１の工程」，「引用発明の第２
の工程」などと呼ぶ。ただし，引用発明の工程であることが明確な場合は，「引用
発明の」を省略することがある。）
　が記載されていると認定した上で，本願発明と引用発明とが，
　「酸化性雰囲気中で光を照射する光アニールによって前記活性層表面を酸
化して，酸化珪素膜を形成する第３の工程と，
　　前記酸化珪素膜上に，化学的気相反応手段によって絶縁被膜を形成する
第４の工程と，
　　前記絶縁被膜上にゲイト電極を形成する第６の工程と，
　を有することを特徴とする半導体装置の作製方法」（審決書４頁４０行目
～５頁６行目）
　の点で一致する，としている（以下，上記第３の工程，第４の工程，第６の
工程で一致する点を，それぞれ，「一致点１」，「一致点２」，「一致点３」とい
う。）。
(2)以下のとおり，引用例には，そもそも，本願発明の第１ないし第６の工程
が全く記載されていない。
ア　引用例には，本願発明の第１の工程は開示されていない。
　　引用発明の第２の工程には「非晶質半導体薄膜を結晶化し多結晶半導体
薄膜を形成する」工程が含まれている。しかし，これは，本願発明の第１の工程に
相当するものではない。引用例の第２の工程は，酸化性雰囲気中で専ら酸化シリコ
ン薄膜を形成するため短時間エネルギービームを照射する工程であり，この工程
で，非晶質半導体薄膜が結晶化するのは，付随的に発生する現象にすぎない。この
ように付随的に非晶質半導体薄膜が結晶化することと，本願発明が，その第１の工
程で，非酸化性雰囲気中で長期間熱アニールを行い非晶質半導体薄膜を結晶化する
ことを，同一視することはできない。
　　引用例には，本願発明の第１の工程は，開示されていない。
イ　本願発明の第２の工程が，引用例に開示されていないことは，審決も認
めている。
ウ　本願発明の第３の工程は，島状の活性層表面に酸化珪素膜を形成するも
のである。引用発明の第２の工程は，半導体膜を島状に形成する前に，酸化珪素膜
を形成している。本願発明の第３の工程も，引用例に開示されていない。
エ　本願発明の第４の工程は，第３の工程で形成された酸化珪素膜上に，化
学的気相反応手段によって，絶縁被膜を形成する工程である。
　　引用発明の第３の工程は，島状に活性層を形成する前に，絶縁被膜を形
成するものであるから，本願発明の第４の工程を開示するものではない。
オ　本願発明の第５の工程は，第４の工程で形成した絶縁膜をアニールする
工程である。引用例には，このような工程は記載されていない。
カ　本願発明の第６の工程で，ゲイト電極を形成する対象は，引用発明の第
４の工程でゲート電極を形成する対象とは異なる。したがって，引用例には，本願
発明の第６の工程は開示されていない。
　　本願発明は，後記３(2)のとおり，その工程内容・順序を採用することによ
り，顕著な効果を生ずる。工程内容・順序が異なる本願発明と引用発明のそれぞれ
から，その中の特定の工程のみを取り出して，両発明の全体としての工程内容・順
序の相違を無視してこれらを比較することはできないのである。
(3)一致点１の認定の誤りについて
　　審決は，本願発明と引用発明との一致点の一つとして，「酸化性雰囲気中
で光を照射する光アニールによって前記活性層表面を酸化して，酸化珪素膜を形成
する第３の工程」を有する点（一致点１）を認めた。しかし，この認定は誤りであ
る。
　　本願発明において，表面に酸化珪素膜が形成される「前記活性層」とは，
その第２の工程で形成された「島状」のものである。これに対し，引用発明におい
て，表面に酸化シリコン（珪素）膜が形成される「非晶質半導体膜」は，島状のも
のとはなっておらず，「活性層」とも呼ばれていない。
　　引用発明では，酸化シリコン薄膜の形成と多結晶半導体薄膜の形成とは同
時に行うものとされており，引用例には，この両者の形成を分離して行ってもよい
ことは記載されていない。まして，この両者の形成の間に，他の工程を介在させる
ことは，何ら記載されていない。すなわち，引用例には，「あらかじめ形成された
活性層を酸化する」ことなどは全く記載されていないから，審決が，「前記活性層
表面を酸化」する点を一致点として認定したことは，誤りである。
　　引用例には，引用発明の第２の工程として，酸化性雰囲気中で光を照射す
る光アニールによって，活性層表面を酸化して，酸化珪素膜を形成すると同時に，
非晶質半導体薄膜を結晶化する工程が記載されている。これに対し，本願発明で
は，結晶化工程（第１の工程）と酸化処理工程（第３の工程）は別々のものであ
る。審決は，引用発明の一つの工程を，重複して本願発明の上記二つの工程と対比
している。この点でも，審決の一致点１の認定は誤りである。
(4)一致点２の認定の誤りについて
　　審決は，本願発明と引用発明との一致点の一つとして，「前記酸化珪素膜
上に，化学的気相反応手段によって絶縁被膜を形成する第４の工程」を有する点
（一致点２）を認定した。この認定も誤りである。引用発明の第３の工程は，技術
的に見て，本願発明の第４の工程とは異なる。この認定も誤りである。
(5)一致点３の誤りについて
　　引用発明では，工程は全部で５個である。したがって，引用発明に，「第
６の」工程が存在するとして，一致点３を認定したのは誤りである。
２　相違点の看過ないし誤認について
(1)審決は，本願発明と引用発明との相違点を，
「(1)本願第１発明（判決注・本願発明を指す）が絶縁表面上の非晶質珪素膜
を熱アニールして，結晶性珪素膜を形成する第１の工程を有するのに対して，上記
引用例（判決注・甲第５号証を指す。）記載の発明が赤外光を照射しアニールして
雰囲気中の酸素と非晶質半導体薄膜との表面反応により酸化シリコン薄膜を形成す
るのと同時に絶縁表面上の非晶質半導体薄膜を結晶化し多結晶半導体薄膜を形成す
る工程を有する点。
(2)酸化性雰囲気中で光を照射する光アニールによって活性層表面を酸化し
て，酸化珪素膜を形成する工程において照射する光が，本願第１発明においては波
長４μｍ～０．５μｍの光であるのに対して，上記引用例記載の発明においては赤
外光である点。
(3)本願第１発明が窒素または窒素化合物を含む雰囲気中で，前記絶縁被膜
をアニールする第５の工程を有するのに対して，上記引用例記載の発明がそのよう
な工程を有していない点。
(4)結晶性珪素膜でなる島状の活性層を形成する工程が，本願第１発明にお
いては第２の工程であるのに対して，上記引用例記載の発明においてはゲイト電極
形成後である点」（審決書５頁８行目～２２行目）
　を認定した。以下，それぞれを「相違点１」，「相違点２」，「相違点
３」，「相違点４」という。）。
(2)引用発明には，本願発明にある，絶縁表面上の非晶質珪素膜を熱アニール
して結晶性珪素膜を形成する第１の工程と，島状の活性層を形成する第２の工程が
存在しない。これらの２工程が存在しないことを明示しなかった審決には，相違点
の看過がある。
　　また，引用発明には，相違点１で摘示された工程の前に，１番目の工程が
あることを，審決は摘示していない。
(3)相違点１の認定は，引用発明の第２の工程と，本願発明の第１の工程とを
対比していることになる。しかし，工程の内容に照らすと，本願発明の第１ないし
第３工程と，引用発明の第１の工程及び第２の工程とを対比するのが合理的であ
る。そうすることによって，前記のとおり，引用発明には，本願発明の第１の工程
及び第２の工程がないことが明らかになるのである。
　　審決の相違点１の認定は，工程の対比を誤っている。
(4)引用発明は，酸化珪素薄膜を形成する工程と，非晶質半導体薄膜を結晶化
し多結晶半導体薄膜を形成する工程とを同時に行っている。すなわち，引用発明に
は，本願発明における，酸化珪素膜だけを形成する工程は存在しない。また，引用
発明では，酸化珪素膜を形成する対象も，結晶化され，パターニングされたもので
はない。審決は，相違点２の認定において，そもそも対比の前提を誤っている。
　　酸化珪素膜を形成する工程に関して，本願発明の第３の工程では，光アニ
ールと熱アニールの二つの処理を採用し得ることが述べられている。しかし，審決
は，相違点２で，第３の工程（酸化処理工程）における光アニールの方法の違いに
言及しているものの，本願発明の第３の工程が，熱アニールによる処理も採用し得
ることについて，何ら言及していない。この点，相違点の看過がある。
(5)審決は，前記相違点４の認定で，島状の活性層を形成する工程（本願発明
の第２の工程）の前後の工程の存在及びそれらとの相互の関係における相違点につ
いて，何ら具体的に言及していない。
　　このような相違点の摘示では，引用発明に，本願発明の第１の工程及び第
２の工程に相当する工程がないことが，明確にならない。
３　相違点についての判断の誤り
(1)１で述べたとおり，引用例には，本願発明の六つの工程は全く開示されて
おらず，本願発明の半導体製造方法は，引用発明のそれと全く異なる。強いていう
としても，せいぜい，非晶質珪素膜を形成し半導体装置を作成する方法である点で
一致している，というにすぎない。しかし，この点で一致するとしても，そのこと
は，両者を比較する上で全く意味がない。このように極端に異なる技術を開示する
引用例から，本願発明に容易に想到することはできない。
(2)本願発明のような製造方法の発明においては，それぞれが，たとい，対応
する個々の工程同士をとれば同一であるとしても，個々の工程を組み合わせる順番
自体が極めて重要である。本願発明でも，その工程順序により，下記のとおり，顕
著な効果を生ずる。工程の順番の変更，削除又は追加は，極めて重要な技術的意義
を有するのである。審決は，この重要性を全く認識せず，あるいは配慮の外に置い
ている。
ア　本願発明の第１の工程及び第２の工程は，珪素膜を結晶化し，その後で
パターニングするものである。
　　引用発明におけるように，パターニングした後で結晶化すると，熱アニ
ールによる結晶化の際，基板に収縮が生じるなどして，島状の珪素膜の位置のずれ
あるいは形状の変化が生じる。本願発明によれば，そのようなことはない。
イ　本願発明において，その第２の工程の後に第３の工程を実施することに
より，酸化珪素膜を，活性層上面だけでなく，側面にも形成することができる。
　　これにより，本願発明の第４の工程で，形成した絶縁被膜にクラックが
発生した場合でも，リーク電流の発生を防止することができる。
ウ　本願発明の第３の工程により，①熱アニールを採用した場合，第１の工
程で結晶化した領域の結晶性を更に向上させることができる，②光アニールを採用
した場合，第１の工程で結晶化した珪素膜中の欠陥や不対結合手を減少させること
ができる，などの効果がある。
エ　本願発明の第４の工程で，第３の工程により形成された酸化珪素膜表面
上に，更に厚い酸化珪素膜等の絶縁膜を重ねて形成させる。これにより，ピンホー
ルに起因するリーク電流が小さくなり，歩留まりが向上するなどする。
オ　本願発明の第５の工程で，第４の工程で形成した島状活性層表面上の酸
化珪素膜等の絶縁膜をアニールする。これにより，より安定した特性のＴＦＴを得
ることができる。
(3)相違点１に係る容易想到性の判断の誤りについて
　　本願発明では，結晶化工程（第１の工程）と，酸化処理工程（第３の工
程）を分離し，これにより，上述のような顕著な作用効果を得ている。
　　引用例からは，上記２工程を分離する思想は，うかがうこともできない。
　　審決は，特開平３－６８６５号公報（甲第６号証，以下「甲６公報」とい
う。）により，非晶質珪素膜を熱アニールして結晶性珪素膜を形成することは周知
であるとし，この周知技術を引用発明に採用することに格別の困難もないとする。
　　しかし，引用発明は，結晶化工程と酸化処理工程を同時に行う（引用発明
の第２の工程）ものであり，その中の結晶化工程だけを取り出し，甲６公報記載の
技術に変更することに，何ら合理性はない（なお，甲６公報記載の技術はボロンを
ドープしたシリコン薄膜に関するものであって，引用例の技術的課題とは何の関係
もない技術的課題を解決するためのものである。引用例と甲６公報を結び付ける必
然性は何ら存しない。）。
　　本訴において被告が乙第４号証ないし第６号証として提出した各公報（以
下「乙４公報」などという。）によっても，上記変更に合理性を認めることはでき
ない。
　　被告は，いったん，今後準備書面を提出する意思はないと述べたにもかか
わらず，後に被告準備書面（第３回）を提出し，併せて乙４公報ないし乙６公報を
証拠として提出した。原告は，被告が上記準備書面及び証拠を提出することは，信
義に反するものであり許されない，と主張する。
(4)相違点２に係る容易想到性の判断の誤りについて
　　審決は，「珪素膜に光が吸収され，絶縁基板を光が透過するようにして絶
縁基板が過熱するのを防止するために波長０．３～１．０μｍまたは０．３～３．
０μｍの光を採用することは特開昭５９－７５６７０号公報（判決注・甲第７号
証，以下「甲７公報」という。）に示すように周知であり，」（審決書６頁１０行
目～１３行目）として，この周知技術を引用発明に適用して，赤外光に代えて波長
４μｍ～０．５μｍの光を採用することに，格別の創意工夫を要しない，としてい
る。
　　審決が，対比の前提を誤っていることは，既に述べたとおりである。すな
わち，審決が認定したような周知技術が甲７公報に記載されていたとしても，前記
のとおり，引用例には，本願発明の第３の工程「酸化性雰囲気中で光を照射する光
アニールによって前記活性層表面を酸化して，酸化珪素膜を形成する工程」（すな
わち，酸化処理だけを行う工程）は存しないのである。
　　また，甲７公報記載の光照射は，イオン注入領域を活性化するものである
から，本願発明の第３の工程に係る技術とは何の関係もない。
(5)相違点(3)に係る容易想到性の判断の誤りについて
　　審決は，「窒素を含む雰囲気中で，絶縁被膜をアニールすることは特開昭
６３－１３３６７３号公報（判決注・甲第８号証，以下「甲８公報」という。）及
び特開平１－１２８４７１号公報（判決注・甲第９号証，以下「甲９公報」とい
う。）に示すように周知であり，」（６頁１７行目～１９行目）として，本願発明
が，第５の工程として絶縁被膜をアニールする工程を採用したことに格別の意義は
なく，引用発明において，絶縁被膜をアニールする工程を採用することに格別の創
意工夫は生じない，としている。
　　しかし，甲８公報及び甲９公報は，本願発明における，第１ないし第４の
工程の後，第６の工程の前に実施される第５の工程としてのアニールを開示するも
のではない。これらには，引用発明と組み合わせて，その第４の工程と第５の工程
の間に，アニールを介在させることを示唆する記載もない。
　　甲８公報に記載されているアニールは，ゲイト酸化膜とゲイト電極の形成
後に行われるものであり，本願発明の第５の工程のように，ゲイト電極形成前の絶
縁膜のアニールを開示するものではない。甲９公報は，活性層表面に形成された熱
酸化膜をアニールする技術であり，本願発明の第５の工程のように，熱酸化膜上に
ＣＶＤ法により形成された絶縁膜をアニールする技術ではない。
　　特開昭６３－１５４６８号公報（乙第７号証，以下「乙７公報」とい
う。）には，窒素を含む雰囲気中で絶縁膜をアニールすることは記載されていな
い。特開平１－１６２３７７号公報（乙第８号証，以下「乙８公報」という。）に
は，窒素を含む雰囲気中で絶縁被膜をアニールすることが記載されている。しか
し，それを引用発明に組み合わせることができるとする事情は何らうかがわれな
い。
　　原告は，乙７公報及び乙８公報を証拠として提出することについても，こ
れに基づく主張をすることについても，上記(4)で述べたところと同様の理由から，
信義に反するものであり許されない，と主張する。
(6)相違点(4)に係る容易想到性の判断の誤りについて
　　審決は，「何れの工程で結晶性珪素膜でなる島状の活性層を形成するかは
単なる設計的事項にすぎず」（審決書６頁２５行目～２６行目）として，本願発明
で島状の活性層の形成を第２の工程としたことは，当業者が任意になし得たことと
認めている。
　　しかし，前記のとおり，島状活性層の形成を，結晶化工程と酸化処理工程
との間に実施することは，顕著な作用効果を有するから，これを単なる設計的事項
であるとすることはできない。
　　島状領域を形成した後，表面に酸化膜を形成することが周知であり，その
際，基板絶縁膜がオーバーエッチングされること，クラックが発生するという問題
が発生し得ることが周知であったとしても，これらと引用例とから，工程が引用発
明と全く異なる本願発明に，容易に想到し得るとすることはできない。
第４　被告の反論の要点
１　一致点の認定の誤り，の主張に対して
(1)審決は，本願発明と引用発明との対比において，これらの各工程を比較
し，同じ工程，類似した工程を対比し，一致点・相違点を抽出したものである。
　　原告は，工程の順序が重要であると主張する。しかし，審決は，工程の順
序の相違を相違点として正しく抽出し，それについて判断を加えているのである。
(2)審決は，一致点の一つ（一致点１）として，「酸化性雰囲気中で光を照射
する光アニールによって前記活性層表面を酸化して，酸化珪素膜を形成する第３の
工程」を認定している。この，審決の一致点の認定における「前記活性層」に関
し，前記として引用すべき「活性層」は引用発明に存在しないから，この「前記」
は誤記であり，「前記活性層」は，単に「活性層」の意味である。そして，活性層
そのものは，引用例に記載されているから，一致点として抽出することについて何
ら問題はない。
　　本願発明は，活性層の「側面」を酸化することを構成要件とするものでは
ない。結局，「活性層表面を酸化」している点で，本願発明と引用発明は，何ら相
違するものではない。そして，島状の活性層を形成する工程を実行する時点の相違
は，相違点４で正しく指摘されている。
　　本願発明で，活性層が島状であることの意義は，島の周囲にオーバーエッ
チが生ずることである。しかし，基板絶縁膜がオーバーエッチングされること，絶
縁膜にリークがあること，クラックが発生することも，周知である（甲第５号証，
乙第２号証）。島状であることに，格別の意義はない。そして，審決は，島状活性
層の工程順序が格別の意義を持たないことを，相違点４で論じているのである。
(3)原告は，引用例の工程数は５であり，「第６の工程」はなく，また，引用
例の第３，第４の工程も，審決が認定したような内容のものではない，と主張す
る。
　　審決に記載された引用発明の各工程の序数は，本願発明と対比しやすくす
るために，本願発明の請求項の記載された表現を合わせたにすぎない。引用発明の
内容の理解に関して，その工程に付せられた序数に，特段意味はない。
２　相違点の誤認及び看過，の主張に対して
(1)前述のとおり，審決は，本願発明と引用発明の各工程を比較し，同じ工
程，類似した工程同士を対比し，一致点・相違点を抽出したものである。原告が重
要であるとする工程の順序も，正しく抽出して指摘している。
(2)相違点１で，本願発明が，熱アニールによる結晶化工程と光アニールによ
る酸化処理工程とを分けて，前者を先に行うのに対し，引用発明ではこれらを同時
に行うことを挙げている。島状活性層を形成する工程の順序についても，相違点４
で摘示している。
　　原告の主張するような相違点の看過はない。
(3)相違点２について，本願発明の請求の範囲は，「熱アニールまたは・・・
光アニールによって」と，「熱アニール」と「光アニール」が択一的に記載されて
おり，そのどちらか一方で発明が構成される。審決は，このうち，光アニールを構
成要件とする発明について論じたものである。
３　相違点の判断の誤りに対して
(1)非晶質珪素膜を熱アニールすることにより結晶性珪素膜を形成する技術
は，周知である（甲第６号証，乙第４号証ないし第６号証）。
(2)半導体膜を島状とすることは，周知である。いずれの工程で島状とするか
も，業者が適宜設定し得ることであり，それによる効果も容易に予測可能なもので
ある。
　　本件明細書でも，その実施例１として，「Ｐチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ
という）とＮチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴという）とを相補型に組み合せた回路を
形成する例である。」（甲第２号証７頁４行目～６行目），「上記に示す回路は，
ＰＴＦＴとＮＴＦＴとを相補型に設けたＣＭＯＳ構造であるが，上記工程におい
て，２つのＴＦＴを同時に作り，中央で切断することにより，独立したＴＦＴを２
つ同時に作製することも可能である。」（同２号証１０頁１２行目～１４行目）と
記載している。このように，本願発明自体，実施例において，トランジスタ間を分
離せずに連続させて作製した後で，分離することも許容している。この，トランジ
スタ構造を形成した後に，トランジスタを分離することは，まさに，「・・・何れ
の工程で結晶性珪素膜でなる島状の活性層を形成するかは単なる設計的事項にすぎ
ず，本願第１発明が第２工程としたことに格別の意義も認められないから，上記相
違点は当業者が任意になし得たことと認められる。」（審決書６頁２５行目～２８
行目）ことを示す一つの例に該当する。
(3)島状活性層を形成して，その側面に絶縁膜を形成することは，甲６公報，
甲７公報，特開平４－１５２６２４号公報（乙第１号証，以下「乙１公報」とい
う。）に記載されており，周知の技術である。
(4)窒素を含む雰囲気中で，絶縁膜をアニールすることは，周知技術である
（甲８公報，乙７公報，乙８公報）。当業者が，引用発明を適宜変更して，本願発
明の構成に至ることは容易である。
(5)原告は，本願発明の作用効果，とりわけ，島状珪素膜の位置のずれないし
形状の変化が生じないことについて述べる。しかし，これは，本件明細書の記載に
基づかない主張である。
第５　当裁判所の判断
１　本願発明と引用発明との，一致点・相違点の認定について
(1)本願発明の構成要件が，
「絶縁表面上の非晶質珪素膜を熱アニールして，結晶性珪素膜を形成する第
１の工程と，
　前記結晶性珪素膜でなる島状の活性層を形成する第２の工程と，
　　酸化性雰囲気中で熱アニールまたは波長４μm～０．５μmに光を照射す
る光アニールによって前記活性層表面を酸化して，酸化珪素膜を形成する第３の工
程と，
　　前記酸化珪素膜上に，化学的気相反応手段によって絶縁被膜を形成する
第４の工程と，
　　窒素または窒素化合物を含む雰囲気中で，前記絶縁被膜をアニールする
第５の工程と，
　　前記絶縁被膜上にゲイト電極を形成する第６の工程と，
　を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。」
　であること，及び引用発明が，
「ガラス基板等の耐熱性の低い基板上にピンホール密度の少ない，半導体薄
膜とゲート絶縁膜との界面のトラップ等の欠陥の少ないゲート絶縁膜を形成する薄
膜トランジスタの製造方法であって，
　　上記基板上に非晶質半導体薄膜を形成する工程，
　　酸素，酸素化合物あるいは水蒸気を少なくとも１種類以上含む雰囲気中
で赤外光を照射しアニールして雰囲気中の酸素と非晶質半導体薄膜との表面反応に
より酸化シリコン薄膜を形成し，同時に非晶質半導体薄膜を結晶化し多結晶半導体
薄膜を形成する工程，
　　上記酸化シリコン薄膜上にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形
成する工程，
　　上記酸化シリコン薄膜と窒化シリコン膜の２層ゲート絶縁膜上にゲート
電極を形成する工程，
　　多結晶半導体薄膜の島状の活性層を形成する工程
　からなる薄膜トランジスタの製造方法」（審決書４頁２１行目～３１行
目）
　であることについては，当事者間に争いがなく，また，甲第２号証ないし第
５号証によりこれを認めることができる。
(2)引用例の「基板」，「非晶質半導体薄膜」，「プラズマＣＶＤ法」，「窒
化シリコン膜」，「多結晶半導体薄膜」及び「薄膜トランジスタ」が，それぞれ，
本願発明の「絶縁表面」，「非晶質珪素膜」，「化学的気相反応手段」，「絶縁被
膜」，「結晶性珪素膜」及び「半導体装置」に相当することは，甲第１号証ないし
第５号証により明らかである。
(3)上記の本願発明と引用発明とを比較すると，引用発明では，多結晶島状半
導体薄膜における島状の活性層を形成する工程は，一番最後とされており，活性層
が形成されるのは最後の工程においてであるとされているのであるから，審決の認
定した一致点の一つ「酸化性雰囲気中で光を照射する光アニールによって前記活性
層表面を酸化して，酸化珪素膜を形成する第３の工程」を有する点中の「前記活性
層表面」を酸化して，ということはあり得ない。この点において，審決には一致点
認定の誤りがある。
　　しかし，両発明は，「酸化性雰囲気中で光を照射する光アニールによっ
て，半導体薄膜（珪素膜）を酸化して酸化珪素膜を形成する工程」を有するという
点では共通しており，一致点１の認定も，その限度では正しい。また，「（光アニ
ールによって形成された）酸化珪素膜上に，化学的気相反応手段によって絶縁被膜
を形成する工程があること」も，「前記絶縁被膜上にゲイト電極を形成する工程が
あること」も，一致している。したがって，一致点２及び同３の認定も誤りではな
い。
(4)原告は，審決には，一致点の認定において，引用発明の工程の数，工程の
摘示内容において誤りがある，と主張する。しかし，審決は，発明の対比の便宜
上，本願発明の記載に合わせて，一致点・相違点の認定を記載しているものであ
る。このような手法自体に何の問題もないことは，いうまでもないところである。
原告が主張するような誤りはない。
(5)本願発明と引用発明とが，工程数や各工程の内容，工程の順序で，相違し
ていることは事実である。しかし，両者を比較した場合，引用発明において，①結
晶化工程と酸化処理工程とを分離し，結晶化工程で熱アニールを用いることとし，
②結晶化工程を第１の工程とし，③活性層を島状に形成する工程を，前記結晶化工
程の直後，酸化処理工程の直前におき，④酸化処理工程において，光アニールに用
いる光を，赤外光に替えて，波長４μｍ～０．５μｍの光とし，⑤第４の工程で化
学的気相反応手段により形成した絶縁被膜をアニールする工程（本願発明の第５の
工程）を設ければ，本願発明と同一の構成となることは明らかである。
　　そして，上記①の点は相違点１に，②及び③の点は相違点１及び４に，④
は相違点２に，⑤の点は相違点３において，それぞれ抽出されているから，審決の
相違点の認定に看過・誤認はない。そして，前記一致点１における認定の誤りにつ
いても，島状に活性層を形成する工程の順序が，本願発明と引用発明とで異なるこ
とは，相違点４において正しく指摘されているから，結局，相違点認定の誤りをも
たらしていない。前記一致点１の認定の誤りは，単なる誤記であるというべきであ
る。
　　以上のとおり，審決には，原告が指摘するような一致点・相違点の認定の
誤りはない。
(6)原告は，本願発明の工程は，引用例に全く記載されていない，と主張す
る。しかし，個々の工程の内容を比較すれば，上記認定のとおり，一致点があるこ
とは明らかである。
　　原告の主張は，要するに，製造方法の発明で，特定の工程順序によらなけ
ればならないとされている場合は，これと最初の工程が少しでも異なる発明との比
較は全くできない，というに等しい。しかし，そのように考えるときは，製造方法
の発明において，ある工程で差異があるときは，その後の工程において，いかに共
通点があっても，引用例との比較は一切できない，ということになる。そのような
判断が適切でないことは明らかである。
　　原告は，本願発明のような製造方法の発明においては，たとい，対応する
個々の工程同士をとればそれぞれ同一であるとしても，個々の工程を組み合わせる
順番自体が極めて重要である，と主張する。製造方法の発明において，工程順序の
差異は，進歩性の判断，すなわち，引用例記載の個々の工程の内容の分離や併合，
工程の順序の入れ替え，ある工程の付加をすることによって，特許性が問題となっ
ている発明の工程と同一のものにすることが，当業者にとって容易に想到できるこ
とであるか否か，の観点から検討すれば足りるものであることが，明らかである。
本願発明と引用例に示された方法（引用発明）との間には，工程の内容・順序にお
いて異なるものがある以上，引用例中に，本願発明の内容の開示は一切ない，とす
る原告の主張は，失当という以外にない。　　
　　以下，証拠上開示されている周知技術事項の内容，これを引用発明に適用
する動機，適用を阻害する要因の有無を検討して，当業者が，引用発明の工程順序
を組み替え，あるいは，引用発明にない工程を付加するなどして，本願発明の工程
の内容・順序に想到することが，容易であるか否かを検討する。
２　相違点についての判断について
(1)相違点１について
ア(ｱ)甲６公報（特開平３－６８６５号公報・出願日平成元年６月５日，公
開日平成３年１月１４日）には，「［従来の技術］非晶質絶縁基板あるいは非晶質
絶縁膜上に，結晶方位の揃った結晶粒径の大きな多結晶シリコン薄膜・・・を形成
する方法は，・・・知られている。・・・大きく分類すると，再結晶化法・・・が
ある。再結晶化法には，・・・溶融する温度までは昇温させずに固相成長させる固
相成長法の２つに分類される。比較的低温で再結晶化できるという点で固相成長法
が優れている。」（甲第６号証１頁右欄３行目～１７行目），「［実施例］・・・
はじめに非晶質絶縁基板１－１上にボロンドープ非晶質シリコン薄膜１－２を堆積
させる。・・・次に，前記ボロンドープ非晶質薄膜１－２を固相成長させる。固相
成長方法は，石英管による炉アニールが便利である。アニール雰囲気としては，窒
素ガス，水素ガス，アルゴンガス，ヘリウムガスなどを用いる。・・・固相成長ア
ニール温度は，５００℃～７００℃とする。」（２頁右上欄１２行目～右下欄１３
行目），「次に・・・ゲート酸化膜１－５を形成する。該ゲート酸化膜の形成方法
としてはＬＰＣＶＤ法，あるいは光励起ＣＶＤ法・・・などのような５００℃以下
の低温方法がある。該低温方法で成膜されたゲート酸化膜は，熱処理することによ
ってより緻密で界面準位の少ない優れた膜となる。非晶質絶縁基板１－１として石
英基板を用いる場合は，熱酸化法によることができる。」（３頁左上欄６行目～１
６行目），「ボロンドープ非晶質シリコン薄膜を固相成長させるので，・・・より
大きな結晶粒を持つシリコン薄膜が得られる。結晶粒径が大きくなれば薄膜トラン
ジスタのＯＮ電流は増大する。」（４頁左上欄１行目～５行目）との記載がある。
(ｲ)乙４公報（特開平４－１９６３１２号公報・出願日平成２年１１月２
８日，公開日平成４年７月１６日）には，「［従来の技術］従来，非晶質材料上に
半導体薄膜を成長させるさまざまな結晶形成技術が提案されている。そのうちの一
つの方法として，基板上にあらかじめ形成された非晶質薄膜を融点以下の低温にお
ける熱処理によって固相成長させる方法が提案されている。これは例えば，非晶質
酸化シリコン上に形成された，膜厚１００ｎｍ程度でイオン注入によって非晶質化
されたシリコン薄膜を，窒素雰囲気中において６００℃，数十時間熱処理すること
により，前記非晶質シリコン薄膜を結晶化すると，ミクロンオーダーの大粒径樹枝
状多結晶薄膜が得られ，そこに作製されたトランジスタ特性が良好であることが報
告された。（T.Noguchi,H.Hayashi,andH.Ohshima1987
Mat.Res.Sor.Symp.Proc.,106,PolysilliconandInterfaces293,Elsevier
SciencePublishing,NewYork1988）．」（乙第４号証２頁左上欄１行目～１８行
目），「（実施例１）・・・多結晶シリコン薄膜１０２を０．１μｍ堆積し・・・
非晶質化した。さらにこのシリコン薄膜１０２を，窒素中で６００℃で５０時間加
熱し，固相成
長により最大５μｍにも達する大粒径樹枝状多結晶を得た。・・・この基体をラン
プアニール装置内に設置し，酸素雰囲気中でタングステンハロゲンランプのインコ
ヒーレント光で上下より照射した。・・・この後，温度を下げて取り出し，シリコ
ン薄膜１０２上に形成された保護膜１０４としての酸化シリコン薄膜１０４の膜厚
を測定した・・・」（３頁右下欄７行目～４頁左上欄８行目），「（実施例
５）・・・非晶質シリコン薄膜を０．１μｍ堆積した。・・・このシリコン薄膜４
０２を，窒素中で６００℃で５０時間加熱し，固相成長により最大５μｍにも達す
る大粒径樹枝状多結晶を得た・・・この基体をランプアニール装置内に設置し，酸
素雰囲気中でタングステンハロゲンランプで上下より照射した。・・・この後，温
度を下げてこの試料を取り出し，シリコン薄膜４０２上に形成された酸化シリコン
薄膜４０４の膜厚を測定した・・・」（６頁左上欄１０行目～右上欄９行目）との
記載がある。
(ｳ)乙５公報（特開昭６４－２２０６０号公報・出願日昭和６２年７月１
７日，公開日平成元年１月２５日）には，「〔従来の技術〕・・・多結晶シリコン
（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）を成膜し，・・・ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を作製してい
た。この場合，Ｐｏｌｙ－Ｓｉの結晶粒径は２０００～３０００Å以下であり，電
子の移動度も１０～２０ｃｍ２
／Ｖ・ｓｅｃ以下であった。」（乙第５号証１頁右欄
５行目～１４行目），「［問題点を解決するための手段］本発明に基づく固体撮像
装置は・・・石英基板上にシリコン層を形成する工程，熱処理により該シリコン層
を多結晶化する工程，ゲート絶縁膜を形成する工程を有する・・・」（２頁左上欄
８行目～１６行目），「その製造方法としては，石英基板上に，非晶質シリコン
（ａ－Ｓｉ）・・・を・・・成膜する工程，上記シリコン層を５００～１２００℃
程度で熱処理を行ない，非晶質シリコン・・・を多結晶化・・を行う工程・・を有
する。上述の製造方法によれば，Ｐｏｌｙ－Ｓｉの結晶粒径は１μｍ以上に成長さ
せることができる。又，・・・結晶粒径を数百μｍ以上まで増大させることも可能
である。その結果，結晶粒径に応じて，電子の移動度を２０～８００ｃ
ｍ２
／Ｖ・ｓｅｃの広範囲にわたり制御が可能となった。これは，Ｃ－Ｓｉ（判決
注・単結晶シリコンを指す。）を素子材としたＭＯＳトランジスタに近い特性であ
り，固体撮像装置の高解像度化，高速化が，容易となる。」（２頁右上欄７行目～
左下欄７行目），「〔実施例〕・・・（ａ）は石英基板１０１上に非晶質シリコ
ン・・・を・・・成膜する工程。（ｂ）は上記シリコン層・・・を・・・熱処理を
行い，非晶質シリコン又は微結晶シリコンの多結晶化，（多結晶シリコンの場合は
粒径の増大）を行ない，多結晶シリコン層・・・を形成し，パターン形成を行う工
程。（ｃ）はゲート絶縁膜１０３を熱酸化法により形成し，・・・」（２頁左下欄
８行目～右下欄１行目），との記載がある。
(ｴ)乙７公報（特開昭６３－１５４６８号公報・出願日昭和６１年７月８
日，公開日昭和６３年１月２２日）には，「薄膜トランジスタの活性層としては，
通常，アモルファスシリコンや多結晶シリコンが用いられるが，駆動回路まで一体
化して薄膜トランジスタで形成しようとする場合には動作速度の速い多結晶シリコ
ンが有望視されている。・・・」（２頁左上欄３行目～７行目）と記載されてい
る。
イ　上記各公報のこれらの記載によれば，本件出願時（平成５年８月２７
日）において，非晶質珪素膜を結晶化すると，そこに作製されるトランジスタの特
性（高速動作性）がよくなるという事実も，このようにトランジスタの特性をよく
するため，絶縁表面上に形成した非晶質珪素膜をアニールして，結晶性珪素膜を形
成する技術も，まずこの結晶化工程を行ってから，熱処理によりゲート酸化膜を形
成する酸化処理工程を別途実施する工程順序も，いずれも周知であったと認められ
る。そして，同じ半導体に関する「絶縁膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造
方法」に係る引用発明に，これら周知の技術事項を適用する動機があることは当然
というべきである。
　　甲６公報，乙４公報，乙５公報及び乙７公報に記載された上記周知技術
を引用発明に適用することは，同業者が，容易に想到し得ることであったと認めら
れる。
ウ　原告は，甲６公報は，ボロンドープ半導体に関するものであり，引用発
明に適用することはできない，と主張する。しかし，ボロンドープ半導体において
用いられている結晶化及び酸化処理並びにこれらの分離（別の工程で行うこと）の
技術のノンドープ半導体への適用を阻害する具体的事実は，本件全証拠によっても
何ら認められない。かえって，甲６公報には「・・・ボロンなどの不純物を含む非
晶質シリコン薄膜は，ノンドープシリコン薄膜に比べて固相成長し易いことが知ら
れている・・・」（甲第６号証２頁右下欄１８行目～３頁左上欄１行目），との記
載がある。この記載からは，むしろ，ノンドープ半導体では，よりよい結晶を得る
ために，結晶化工程を別に設けて実施することへの誘因の存在をうかがうことがで
きる。
エ　原告は，乙４公報ないし乙６公報と，後掲の乙７公報及び乙８公報につ
いて，被告がこれらを提出しこれらに基づく主張をすることが信義則に反すると主
張する。しかし，訴訟の過程のある段階で，被告が主張立証を補充する意図がない
ことを表明したからといって，そのことにより当然に，その後の弁論準備手続での
主張立証の補充が禁止されると解すべき理由はない。この点に関する原告の主張は
失当である。
　　他にも，被告が上記主張立証をすることを禁止すべき理由は見当たらな
い。
オ　原告は，引用例からは，結晶化工程と酸化処理工程とを分離する思想を
うかがうことはできない，と主張する。
　　引用例は，「・・・本発明の製造方法を用いることにより，電気的特性
に優れた絶縁膜を低温で形成することが可能である。」（甲第５号証３頁左下欄１
７行目～１９行目）としており，その発明の名称及び特許請求の範囲を見ても，絶
縁膜の形成に関する発明に係る公報であることが明らかである。赤外光を照射して
非晶質半導体薄膜を結晶化することは，引用発明の第一次的な目的とはなっていな
い。
　　引用例には，「実施例・・・エネルギービーム照射によって非晶質半導
体薄膜２は部分的に溶融あるいは半溶融状態となり，雰囲気ガス中の酸素との表面
反応を起こし非晶質半導体薄膜表面に酸化シリコン膜３を形成する。また，同時
に，非晶質半導体薄膜はエネルギービームの照射により結晶化し多結晶半導体薄膜
となる。・・・」（甲第５号証３頁左下欄２０行目～右下欄１４行目），「・・・
本発明によれば，半導体薄膜の表面に低温で良質な絶縁膜を形成することが可能で
ある。また，絶縁膜の形成と同時に半導体薄膜の改質を同時に行うことが出来
る。」（４頁右上欄１４行目～１７行目）とあり，確かに，結晶化工程と酸化処理
工程を同時に行う構成が記載されている。しかし，これらの工程を分離して，結晶
化工程を先に行う構成を採用することを阻害する要因も，何ら記載されていない。
　　結局，結晶化工程と酸化処理工程を同時に行うか，別々に行うかは，工
程を簡便なものにするか，設計の自由度をどれだけ取るかの観点から，適宜選択し
得るものと認められる。
カ　原告は，結晶化工程の後に酸化処理工程を設けることにより，結晶性を
更に向上させることができること，光アニールで酸化処理をする場合，結晶化工程
で結晶化された珪素膜中の欠陥や不対結合手を減少させることができるとの顕著な
効果がある，主張する。
　　しかし，結晶化を先ず行った後，光アニールにより酸化処理を行うこと
自体は周知であったこと，この周知事項を引用発明に適用することに困難は認めら
れないことは前記のとおりである。そして，原告主張のような効果は，上記工程順
序を採用することにより当然得られるものにすぎない。このようなとき，原告主張
の効果が本件発明の特許性（進歩性）の根拠となることはあり得ない。
キ　以上のとおりであるから，相違点１に係る本願発明の構成は，当業者が
容易に想到し得ることであるというべきである。
(2)相違点２について
　　甲７公報（特開昭５９－７５６７０号公報・出願日昭和５７年１０月２５
日，公開日昭和５９年４月２８日）には，「本発明は，絶縁基板透過波長領域のイ
ンコヒーレント放射光により，選択的に薄膜能動素子部のみを高温に熱処理す
る・・・」（２頁左上欄１０行目～１２行目），「・・・ＣＶＤ法によりｐｏｌｙ
Ｓｉ膜ゲート電極４を形成した後，大電流イオン注入によりソース，ドレイン領域
６を形成する。イオン注入後，アーク放電フラッシュ・ランプ（放射光波長０．３
～１．０μｍ）又はタングステン抵抗ハロゲンランプ（放射光波長０．３～３．０
μｍ）で，短時間高温熱処理を行ない，イオン注入領域の活性化及びゲート電極下
のＳｉＯ２膜質を緻密にする。」（２頁左上欄２行目～１０行目）との記載があ
る。甲７公報のこの記載からは，酸化処理の方法として，光アニールを採用し得る
こと，アニールする部分を選択的に加熱するために，絶縁基板を透過する波長のイ
ンコヒーレント放射光を使用すべきことが周知技術であった，と認めることができ
る。そうすると，この周知技術を引用発明に適用し，基板の材質に応じ，それに実
質的に吸収されないような波長の赤外光を採用する程度のことは，当業者が容易に
想到し得る，と認めることができる。
　　審決の相違点２の判断にも，誤りはない。
(3)相違点３について
ア(ｱ)甲９公報（特開平１－１２８４７１号公報・出願日昭和６２年１１月
１３日，公開日平成元年５月２２日）には，「構成・・・絶縁基板としての透明石
英ガラス１を十分に洗浄した後，活性層となる多結晶シリコン半導体層１１
を・・・堆積する。・・・しかる後，多結晶半導体層１１をパターニングす
る。・・・多結晶シリコン半導体層１１を１，０００℃で乾燥酸素中で熱酸化し，
熱酸化膜４を・・・形成する。・・・前記ゲート熱酸化膜４をＮ２またはＨｅ，Ａ
ｒなどの不活性ガスの雰囲気中で・・・熱処理する。」（２頁右上欄１４行目～右
下欄４行目），「効果・・・ゲート絶縁膜を熱処理することによって，ゲート絶縁
膜の膜質を改良して多結晶シリコン上の熱酸化膜と多結晶シリコンとの界面の固定
電荷及び界面準位密度を低減し，動作の安定なオン・オフ比の高い薄膜トランジス
タを得ることができる。」（３頁右上欄１２行目～１８行目），との記載がある。
(ｲ)乙７公報（特開昭６３－１５４６８号公報・出願日昭和６１年７月８
日，公開日昭和６３年１月２２日）には，「（へ）実施例・・・バイレックスガラ
ス基板１上面に，真空蒸着法により多結晶シリコン薄膜２を蒸着する。・・・この
多結晶シリコン薄膜２をパターン化して活性層部を形成する。・・・次いで，常圧
ＣＶＤ法により４２０℃でゲート絶縁膜となるシリコン酸化膜３をその膜厚が５０
０Åとなるまで推積（判決注・「堆積」の誤記と認める。）し，窒素雰囲気中でア
ニールする。・・・」（２頁左下欄１５行目～右下欄１３行目）），との記載があ
る。
(ｳ)乙８公報（特開平１－１６２３７７号公報・出願日昭和６２年１２月
１８日，公開日平成元年６月２６日）には，「実施例１　第１図（ａ）～（ｄ）は
本発明の工程を説明するための断面図である。第１図（ａ）は絶縁基板１上にＰ型
半導体膜２を形成し，次にＮ型半導体膜３を形成し，ビームエネルギー３でアニー
ルする工程である。・・・次にＰ型半導体膜２とＮ型半導体膜３を５５０℃Ｎ２中
で６０分アニールし，・・・次にビームエネルギー３でアニールする。・・・この
結果，２層構造半導体は溶融し再結晶半導体膜４になる。・・・第１図（ｃ）
は，・・・酸素５雰囲気中でにアニールを行う工程である。・・・これにより再結
晶半導体膜４のチャネル部表面が薄く酸化され，チャネル部の界面が改善される。
第１図（ｄ）は，ゲート絶縁膜７を堆積し，・・形成する工程である。ゲート絶縁
膜７は，・・・ここではＳｉＮｘをプラズマＣＶＤ法で堆積する。・・・堆積後
Ｎ２雰囲気中で５５０℃６０分のアニールを行い，ゲート絶縁膜を緻密なものにす
る。・・・」（２頁左上欄６行目～右下欄７行目）との記載がある。
イ　上記各工法のこれらの記載によれば，化学的気相反応手段によって形成
された（ただし，甲９刊行物のものは異なる。）絶縁被膜を，窒素又は窒素化合物
を含む雰囲気中でアニールして改良することは，周知であり，アニールにより絶縁
膜の膜質を改良するということが，引用発明にとっても好ましいことは明らかであ
る。このアニールの工程を引用発明に適用することは，絶縁膜を改良する当業者が
容易に想到し得ることと認めることができる。
ウ　原告は，甲９公報のものは，絶縁被膜をアニールする段階が，本願発明
におけるそれと異なり，これと引用発明とを組み合せても，本願発明の構成に至る
ことはない，また，乙７公報及び乙８公報を，引用発明に組み合わせることができ
る事情はない，と主張する。しかし，上記のとおり，窒素雰囲気中で熱アニールす
ることにより，ゲート絶縁膜を改質できることは技術常識であったのであるから，
当業者が，これを，引用例のゲート絶縁膜に適用することができると考え，薄膜ト
ランジスタの特性を高めるためにはそれが望ましいと考えることは，当然である。
　　原告は，被告が乙７公報及び乙８公報を証拠として提出し，これらに基
づく主張をすることは，信義則に反し許されない，と主張する。しかし，前記のと
おり，採用できない。
(4)相違点４について
ア(ｱ)甲６公報には，「・・・次に前記固相成長したボロンド－プシリコン
薄膜１－３をフォトリソグラフィ法によりパターニングして第１図（ｃ　）に示す
ように島状にする。次に，第１図（ｄ）に示されているように，ゲート酸化膜１－
５を形成する。」（３頁左上欄３行目～７行目），との記載がある。
(ｲ)甲８公報（特開昭６３－１３３６７３号公報・出願日昭和６１年１１
月２６日，公開日昭和６３年６月６日）には，「・・・酸素雰囲気中で熱処理を施
すことによって，・・・ゲート酸化膜(3)を再酸化する。・・・このため，イオン注
入も含めてゲートのパターニング，レジストの剥離等の工程においてゲート酸化
膜(3)に絶縁破壊が生じている場合であっても・・・」（２頁右上欄９行目～１９行
目），との記載がある。
(ｳ)甲９公報には，「絶縁基板としての透明石英ガラス１を十分に洗浄し
た後，活性層となる多結晶シリコン半導体膜１１を・・・堆積する。しかる後，多
結晶シリコン半導体層１１をパターニングする。・・・多結晶シリコン半導体層１
１を・・・乾燥酸素中で熱酸化し，熱酸化膜４を・・・形成する。・・・前記ゲー
ト熱酸化膜４をＮ２またはＨｅ，Ａｒなどの・・・雰囲気中で熱処理する。・・・
前記熱処理されたゲート熱酸化膜４上にゲート電極６となる多結晶シリコン・・・
被覆し，通常のフォトリソグラフィー技術によってパターニングする。」（２頁左
下欄８行目～右下欄９行目），との記載がある。
(ｴ)乙１公報には，「［実施例］・・・石英基板１－１上に，・・・非晶
質Ｓｉ膜１－２を堆積させる。・・・続いて，該非晶質Ｓｉ膜を，４００℃～５０
０℃で熱処理して水素を放出させる。・・・次に前記非晶質シリコン薄膜１－２を
フォトリソグラフィ法によりパターニングして・・・島状非晶質シリコン薄膜にす
る。次に，前記島状非晶質シリコン薄膜１－３を固相成長させる。」（３頁右上欄
６行目～左下欄１６行目），との記載がある。
(ｵ)乙２公報（特開昭５８－６１６７１号公報・出願日昭和５６年１０月
８日，公開日昭和５８年４月１２日）には，「第１図は従来の一般的な薄膜トラン
ジスターの製造工程を示す断面図である。先ず・・・石英基板１上にＣＶＤ酸化膜
２を被着しさらに多結晶シリコン膜３を形成する。次に第１図－ｂで前記多結晶シ
リコン膜３を写真蝕刻し所定のパターニングを行ない表出している多結晶シリコン
膜表面層を熱酸化しゲート膜４を形成し，つづいて基板全面に多結晶シリコン膜５
を形成する。」（２頁左上欄１行目～９行目），との記載がある。
(ｶ)乙３公報（特開昭６４－６５８７５号公報・出願日昭和６２年９月４
日，公開日平成元年３月１３日）には，「〔従来の技術〕従来の薄膜トランジスタ
は，・・・絶縁性基板上に１１に半導体層の島１２を形成したのちに，ゲート膜と
なる絶縁性膜１３を形成し，引続きゲート電極１４を形成する。次にゲート電極を
マスクに絶縁性膜をエッチング除去するとともに，ソースおよびドレイン領域１５
を形成する。次に層間絶縁膜となる酸化シリコン膜１６等をＣＶＤ法等により形成
したのちにコンタクトホールを開口し，ソース配線１７およびドレイン電極１８を
形成する。」（１頁右欄１２行目～２頁左上欄５行目），「〔実施例〕・・・絶縁
性基板１上に多結晶シリコン膜の島２を形成したのちに，表面を酸化し，ゲート電
極となる多結晶シリコン膜４を形成したのちにホトリソグラフィー技術により所望
の形状に加工する。次にゲート電極をマスクに絶縁性膜をエッチング除去するとと
もに，ソース・ドレイン領域に不純物を拡散し，ソースドレイン部を形成し
た・・・」（２頁左下欄５行目～１６行目），との記載がある。
(ｷ)乙５公報には，「〔実施例〕本発明の・・・一例を示す。・・・石英
基板１０１上に多結晶シリコン・・・等のシリコン層１０２を・・・成膜する工
程。・・・上記シリコン層１０２を５００～１２００℃程度で熱処理を行ない，非
晶質シリコン又は微結晶の多結晶化・・・を行ない，多結晶シリコン膜１０２を形
成し，パターン形成を行なう工程。（ｃ）はゲート絶縁膜１０３を熱酸化法により
形成し，続いて，ゲート電極１０４を形成し，該ゲート電極をマスクとしてイオン
打込み等の方法により，ソース，ドレイン領域１０５を形成する工程。・・・」
（２頁左下欄８行目～右下欄４行目），との記載がある。
(ｸ)乙７公報には，「・・・バイレックスガラス基板１上面に・・・多結
晶シリコン薄膜２を蒸着する。・・・この多結晶薄膜２をパターン化して活性層部
を形成する。・・・次いで，・・・ゲート絶縁膜となるシリコン酸化膜３を・・・
堆積し，窒素雰囲気中でアニールする。次いで，・・・シリコン酸化膜３の全面に
酸素プラズマを照射する。・・・」（２頁右下欄３行目～１５行目）
(ｹ)乙８公報には，「２．特許請求の範囲・・・(a)絶縁基板上に非晶質ま
たは多結晶Ｐ型半導体膜を形成し，その上に非晶質または多結晶のＮ型半導体を形
成した後，エネルギービームで前記半導体膜をアニールして再結晶半導体膜にする
工程。(b)前記再結晶半導体膜に，イオン注入若しくは低抵抗半導体によりソース領
域とドレイン領域を形成する工程。(c)素子を分離するために，前記再結晶半導体膜
を島状にエッチングした後アニールし，次に全面にゲート絶縁膜を堆積する工
程・・・」（１頁左欄４行目～１６行目），との記載がある。
イ　上記各公報の以上の記載によると，活性層を島状に形成する工程は，適
宜の段階で行うことができるものであることのみならず，結晶化工程の直後に活性
層を島状に形成する工程を行う構成（甲６公報，乙５公報）を採り得ること自体も
周知であったことが認められる。したがって，相違点(4)も，当業者が容易に想到し
得たものと認めることができる。
ウ　原告は，結晶化，島状の活性層の形成，酸化処理の順序に工程を設ける
ことにより，顕著な作用効果を生じるものであること，その具体的な内容として，
島状活性層を形成した後に結晶化を行うと，熱アニールの際，基板に収縮が生じる
などして，島状の珪素膜の位置のずれや形状の変化が生じるが，本願発明の構成で
はそのようなことはないこと，及び，本願発明では，その第２の工程（島状活性層
の形成）の後に第３の工程（酸化処理工程）を行うことにより，酸化珪素膜を，活
性層上面だけでなく，側面にも形成できること，を主張する。
　　しかしながら，原告の上記主張は，本願発明の効果がその構成のものと
して予測される効果の比較において顕著であるとするものではなく，本願発明とは
異なる構成の発明の効果との比較において顕著であるとするものにすぎない。そし
て，本願発明の構成を引用発明及び周知技術に基づいて容易に推考できたものであ
ることは，上述のとおりである。そうだとすると，本願発明の効果自体は原告主張
のとおりであったとしても，この効果が，本願発明の特許性（進歩性）の根拠とな
ることはあり得ない，という以外にない。原告の上記主張は，主張自体失当であ
る。
３　結論
　　以上のとおりであるから，原告主張の取消事由は，いずれも理由がなく，そ
の他，審決には，取消しの事由となるべき誤りは認められない。そこで，原告の本
訴請求を棄却することとし，訴訟費用の負担について，行政事件訴訟法７条，民事
訴訟法６１条を適用して，主文のとおり判決する。
東京高等裁判所第６民事部
裁判長裁判官　　　　　山　　下　　和　　明
裁判官　　　　　阿　　部　　正　　幸
裁判官　　　　　高　　瀬　　順　　久

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