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平成一〇年（ワ）第一三七五四号　特許権侵害差止等請求事件
　　　　　　　　　　判　　　　　　　　　決
　　　　　　原　　　　　告　　　　　　　日亜化学工業株式会社
　　　　　　右代表者代表取締役　　　　　【Ａ】
　　　　　　右訴訟代理人弁護士　　　　　品　川　澄　雄
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　山　上　和　則
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　吉　利　靖　雄
　　　　　　右補佐人弁理士　　　　　　　【Ｂ】
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　【Ｃ】
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　【Ｄ】
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　【Ｅ】
　　被　　　　　告　　　　　　　豊田合成株式会社
　　　　　　右代表者代表取締役　　　　　【Ｆ】
　　　　　　右訴訟代理人弁護士　　　　　大　場　正　成
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　尾　崎　英　男
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　嶋　末　和　秀
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　黒　田　健　二
　　　　　　右補佐人弁理士　　　　　　　【Ｇ】
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　【Ｈ】
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　【Ｉ】
　　　　　　　　　　主　　　　　　　　　文
一　被告は別紙物件目録四、五記載の発光ダイオードチップを製造し、使用し、販
売し、販売のために展示してはならない。
二　被告は、その所有に係る別紙物件目録四、五記載の発光ダイオードチップを廃
棄せよ。
三　被告は、原告に対し、金一億円及びこれに対する平成一二年三月二八日から支
払済みまで年五分の割合による金員を支払え。
四　訴訟費用は、被告の負担とする。
五　この判決は、第一項及び第三項に限り、仮に執行することができる。
　　　　　　　　　　事　実　及　び　理　由
第一　請求
　主文同旨
第二　事案の概要
　本件は、原告が被告に対し、被告の製造・販売等に係る発光ダイオードチップが
原告の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の特許権を侵害しているとして、その
発光ダイオードチップの製造・販売等の差止め及び損害賠償（平成一二年三月二七
日付け訴変更の申立書送達の日の翌日からの遅延損害金の支払を含む。）等を求め
ている事案である。
　一　争いのない事実
　　１　原告は、蛍光体及び各種の発光材料並びに関連する応用製品、電子工業製
品に関係する部品及び素材の製造・販売並びに研究開発等を業とする株式会社であ
る。
　被告は、自動車・搬送機器・船舶等の各種輸送機器用、農業機械・建設機械・工
作機械用、家庭電気機器用及び給排水等に関する住宅設備機器用のゴム・合成樹
脂・ウレタン製品、半導体を利用する表示・標識器具、電気・電子部品その他の製
造並びに販売等を業とする株式会社である。
　　２　原告は、次の特許権（以下「本件特許権」という。）を有している。
　　　特許番号　　　第二七四八八一八号
　　　発明の名称窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
　出願日　平成五年五月三一日
　　　登録日　平成一○年二月二○日
　　３　本件特許権の願書に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）の特
許請求の範囲の請求項３の記載は、次のとおりである（以下、この発明を「本件発
明」という。）。
「基板上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層とを有し、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ電極が形成され、
ほぼ矩形をなすｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去されて露出された
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面にｎ電極が形成され、ｐ電極とｎ電極とが
同一面側に形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｐ
電極は、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一つの隅部の一部に形成された
ワイヤーボンディング用の台座電極と、その台座電極の下にｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体に接して形成された台座電極よりも大面積を有する電流拡散用、かつオ
ーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極とからなり、前記ｎ電極は、ほぼ矩形を
なすｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層において、前記台座電極と対角をなす位置
で、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がエッチング除去されたｎ型窒化ガリウム
系化合物半導体層表面に形成された、ワイヤーボンディング用の電極からなり、前
記透光性電極が、対角の位置にある台座電極とｎ電極との間で、かつ発光観測面と
なるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面のほぼ全面にあり、台座電極とｎ電極
との通電により、透光性電極の下にあるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に均一
に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される発光面を有することを特徴とする窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子。」
　　４　本件発明の構成要件を分説すれば、次のとおりである（以下、分説した各
構成要件を、その符号に従い、「構成要件Ａ」のように表記する。）。
　　　Ａ　基板上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層とを有している発光素子である。
　　　Ｂ　ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｐ電極を形成している。
　　　Ｃほぼ矩形をなすｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が除去されて
露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に、ｎ電極を形成している。
　　　Ｄ　ｐ電極とｎ電極とを同一面側に形成している。
　　　Ｅ　前記ｐ電極は、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一つの隅部の
一部に形成されたワイヤーボンディング用の台座電極と、その台座電極の下にｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成された台座電極よりも大面積を有する電
流拡散用、かつオーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極とからなる。
　　　Ｆ　前記ｎ電極は、ほぼ矩形をなすｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層にお
いて、前記台座電極と対角をなす位置にあり、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
がエッチング除去されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成された、ワ
イヤーボンディング用の電極からなる。
　　　Ｇ　前記透光性電極が、対角の位置にある台座電極とｎ電極との間で、かつ
発光観測面となるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面のほぼ全面にある。
　　　Ｈ　台座電極とｎ電極との通電により、透光性電極の下にあるｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層に均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される発光面を
有する。
　　５　被告は、平成一〇年二月二〇日から平成一二年一月末日までの間、青色発
光ダイオードチップ及び緑色発光ダイオードチップ（以下、それぞれ「ニ号物
件」、「ホ号物件」といい、これらを「被告製品」と総称する。なお、イ号ないし
ハ号は欠番である。）を製造し、使用し、販売していた（被告が現在も被告製品の
製造・販売等をしているかどうかについては、争いがある。）。被告製品は、別紙
物件目録四、五（以下、これらを「物件目録」と総称する。なお、物件目録一ない
し三は欠番である。）記載の構成のうち、少なくとも物件目録添付の各図面（以下
「目録図面」という。）の符号４－４の層が活性層、符号４－３の層がクラッド層
である点（この構成を備えているかどうかについては、争いがある。）を除いた構
成を備えている。
　　６　被告製品は、構成要件ＡないしＤをそれぞれ充足する。
　　７　被告は、被告製品の製造・販売によって、少なくとも一億円の利益を得
た。
　二　争点
　　１　被告製品が物件目録記載の構成を備えているか。すなわち、目録図面の符
号４－４の層が活性層であり、符号４－３の層がクラッド層であるかどうか。
　　２　被告製品が本件発明の技術的範囲に属し、その製造・販売等が本件特許権
を侵害する行為に該当するかどうか。
　　（一）　被告製品が構成要件Ｅを充足するか。殊に、被告製品の台座電極８が
「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一つの隅部の一部に形成された」ものとい
えるか。
　　（二）　被告製品が構成要件Ｆを充足するか。殊に、被告製品のｎ電極６がｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体層において「台座電極と対角をなす位置にある」と
いえるか。
　　（三）　被告製品が構成要件Ｇを充足するか。殊に、被告製品の透光性電極７
が「台座電極とｎ電極との間‥‥にある」といえるか。
　　（四）　被告製品が構成要件Ｈを充足するか。殊に、被告製品において、台座
電極８とｎ電極６との通電により、「透光性電極の下にあるｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層に均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される」といえるか。
　　３　先願特許実施の抗弁の成否
　　４　差止請求の可否
　　５　原告の損害額
　三　当事者の主張
　　１　争点１（被告製品が物件目録記載の構成を備えているか）について
（原告の主張）
　被告製品は、目録図面の符号４－４の層が活性層、符号４－３の層がクラッド層
であり、物件目録記載の構成を備えている。
　被告は、被告製品の構成について、目録図面の符号４－２の層の上には、InGaN
層（５）、GaN層（６）、InGaN層（７）、GaN層（８）、InGaN層（９）、GaN
層（10）、InGaN層（11）、GaN層（12）、符号５－１の層が順次積層されてお
り、右の層（７）ないし層（11）が発光層、層（６）がクラッド層であって、
層（12）及び層（５）は、それぞれ発光層、クラッド層ではないと主張する。しか
し、被告発行の「豊田合成技報Vol.39No.11997」（甲第一七号証）によれば、
右の層（７）ないし層（11）に層（６）及び層（12）を加えたものが、活性層でも
あり発光層でもある「GaInN/GaNMQW層」に該当することは明らかであり、これ
は、目録図面の符号４－４の層に相当する。また、「分析結果報告書」（甲第六号
証）によれば、被告製品における「MQW層」の下方（基板側）にある「ｎ型Ga０．９
８In０．０２N層」が「ｎ型クラッド層」であるといえ、これは、被告主張の層（５）
に該当するとともに、目録図面の符号４－３の層に相当する。
（被告の主張）
　被告製品の構成については、目録図面の符号４－４の層が活性層であり、符号４
－３の層がクラッド層であることを否認する。
　原告各目録の符号４－２の層の上には、InGaN層（５）、GaN層（６）、InGaN
層（７）、GaN層（８）、InGaN層（９）、GaN層（10）、InGaN層（11）、GaN
層（12）、符号５－１の層が順次積層されており、右の層（７）ないし層（11）が
発光層、層（６）がクラッド層であって、層（12）及び層（５）は、それぞれ発光
層、クラッド層ではない。
　　２　争点２（被告製品が本件発明の技術的範囲に属するか）について
（原告の主張）
　　（一）　被告製品の台座電極８は、目録図面記載のとおり、符号５－２の層上
の、模式平面図に示されている位置にあり、「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
の一つの隅部の一部に形成された」ものといえる。したがって、被告製品は、構成
要件Ｅを充足する。
　　（二）　被告製品のｎ電極６は、目録図面記載のとおり、符号４－２の層上
の、模式平面図に示されている位置にあり、ｎ電極６は、ほぼ矩形をなすｎ型窒化
ガリウム系化合物半導体層において、「台座電極と対角をなす位置にある」といえ
る。したがって、被告製品は、構成要件Ｆを充足する。
　　（三）　被告製品の透光性電極７は、目録図面記載のとおり、断面的に見て
も、平面的に見ても、「台座電極とｎ電極との間‥‥にある」といえる。したがっ
て、被告製品は、構成要件Ｇを充足する。
　　（四）　被告製品は、右のとおり、構成要件ＥないしＧを充足しており、それ
に伴って本件発明と同じ作用効果（すなわち、（１）ｎ型電極はｎ型層の隅部で、
ｐ型電極はｐ型層の隅部でそれぞれワイヤーボンディングされているため、電極で
発光が遮られることなく効率よく外部へ発光を取り出せること。（２）チップサイ
ズが小さくでき生産性が向上すること。（３）ｎ型層の電極とｐ型層の電極とを対
角線上、つまり最も距離の離れた位置に配置することにより、電流を均一に広げる
ことができ、発光効率がさらに向上すること。（４）ｐ型層の電極を透光性にし、
ｐ型層のほぼ全面に形成することにより電流がｐ型層全面に均一に流れ、しかも発
光は透光性電極を通して電極側から観測できること。）を奏していることは明らか
であり、構成要件Ｈを充足する。
　　（五）　被告は、本件発明について、台座電極やｎ電極の大きさがチップ（基
板）及び透光性電極の大きさに対し相対的に小さい場合を前提とするものと捉えた
上、被告製品のｎ電極６及び台座電極８がチップや透光性電極７の大きさに対し相
対的に大きな面積を占めていることなどを理由として、台座電極８がｐ型窒化ガリ
ウム系化合物半導体層の一つの隅部の一部に形成されているとはいえず、また、ｎ
電極６が台座電極８と対角をなす位置にあるとはいえないなどと主張する。しかし
ながら、本件発明においては、電極の面積がある程度大きいことが前提とされてお
り、被告製品のように、電極がチップの大きさに対し相対的に大きな面積を有して
いるからこそ、対角線上の隅部の一部を利用する必要性が生じるのであって、被告
の主張は失当である。
　　（六）以上によれば、被告製品は、本件発明の技術的範囲に属し、その製
造・販売等は、本件特許権を侵害する行為に該当する。
（被告の主張）
　　（一）　本件発明は、台座電極、ｎ電極、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
の位置関係によって、電流の広がりを均一とし、均一の発光を得ることを特徴とす
るものであるが、公知技術（昭六二－二六七五号公開特許公報（乙第七号証）
等）、本件特許出願の経緯（殊に、平成九年八月一九日付け拒絶理由通知書（乙第
六号証）に対する同年一一月一〇日付け手続補正書（乙第八号証）及び同日付け意
見書（乙第九号証）の記載）等に照らせば、本件特許権の願書に添付した図面（以
下「本件図面」という。）・図３のように、チップ（基板）及び透光性電極の大き
さが台座電極やｎ電極に比べてはるかに大きい場合を前提として、ｎ電極と台座電
極を対角線上の最も遠く離れた位置に配置することにより、電流の広がりや発光の
均一性を向上させようとするものというべきである。
　　（二）　右（一）によれば、構成要件Ｅにいう「ｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層の一つの隅部の一部に形成された‥‥台座電極」とは、構成要件Ｆにいうｎ
電極が「台座電極と対角をなす位置にある」という構成と相まって、電極の大きさ
がチップ全体の大きさに対し相対的に小さい素子を前提に、台座電極がｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層の対角線上、ｎ電極から最も離れた位置にあることを意味
するというべきである。しかるに、被告製品の台座電極８は、チップの大きさに対
し相対的に大きな面積を占めており（基板を四等分した領域に収まる程度の大きさ
である。）、目録図面の符号５－２の層の対角線上、ｎ電極６から最も離れた、右
層の隅部の一部に形成されているとはいえない。したがって、被告製品は、構成要
件Ｅのうち「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一つの隅部の一部に形成された
‥‥台座電極」という構成を備えておらず、構成要件Ｅを充足しない。
　　（三）　前記（一）によれば、構成要件Ｆにいうｎ電極が「台座電極と対角を
なす位置にある」とは、構成要件Ｅにいう「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の
一つの隅部の一部に形成された‥‥台座電極」という構成と相まって、電極の大き
さがチップ全体の大きさに対し相対的に小さい素子を前提に、ｎ電極と台座電極と
が対角線上の最も離れた位置にあることを意味するというべきである。そして、構
成要件Ｆにいう「対角をなす位置」が、均一な電流の広がりと発光を実現するため
に採用されている構成であることに照らせば、単に電極部分だけではなく、実質的
に電極として機能する部分が「対角をなす位置にある」ことが必要であると解され
る。しかるに、被告製品のｎ電極６及び台座電極８は、目録図面の模式平面図上、
その中心点が符号４－２の層の正方形の対角をなす位置にあるものの、チップの大
きさに対し相対的に大きな面積を占めており（基板を四等分した領域に収まる程度
の大きさである。）、また、両電極が近接して配置されているので、電極として有
効に機能する部分が広がりを有している。したがって、被告製品は、ｎ電極６が
「台座電極と対角をなす位置にある」とはいえず、構成要件Ｆを充足しない。
　　（四）　透光性電極は、台座電極との関係では、必ずその下に存在するもので
あり、厳密には透光性電極がｎ電極と台座電極との間にあるということはあり得な
いこと、前記（一）のとおり、本件発明がチップ（基板）及び透光性電極の大きさ
が台座電極やｎ電極に比べてはるかに大きい場合を前提としていることなどに照ら
せば、構成要件Ｇにいう透光性電極が「台座電極とｎ電極との間‥‥にある」とい
う構成は、電極の平面的な位置関係について述べたものであり、透光性電極の上で
台座電極の占有する部分が小さく、透光性電極の大部分が台座電極とｎ電極の間に
あるといえるようなものを表わしていると解される。しかるに、被告製品において
は、ｎ電極６及び台座電極８が透光性電極７の大きさに対し相対的に大きな面積を
占め、透光性電極７は、ｎ電極６に対する位置関係において、台座電極８の前方ば
かりでなく側方にも後方にも広がっており、台座電極８とｎ電極６との間にあると
はいえない。したがって、被告製品は、構成要件Ｇを充足しない。
　　（五）　構成要件Ｈの「均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される」と
いう作用効果は、本件発明における台座電極、ｎ電極及びｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体層の配置によって実現される効果である。しかるに、被告製品において
は、ｎ電極６及び台座電極８が極めて近接して配置されており、本件発明に係る電
極配置を備えていない。
　また、前記（一）のとおり、本件発明は、チップ（基板）及び透光性電極の大き
さが台座電極やｎ電極に比べてはるかに大きい場合を前提としており、被告製品の
ように、ｎ電極と台座電極とが近接して配置され、それらの大きさがチップ全体の
大きさに対し相対的に大きい場合には、構成要件Ｈにいう「台座電極とｎ電極との
通電により、透光性電極の下にあるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に均一に電
流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される」という効果を奏しない。これは、乙第一
〇号証（試験・研究報告書）のコンピュータ・シミュレーションの結果からも明ら
かである。すなわち、被告製品とほぼ同じチップ及び電極の大きさを有する発光素
子のモデルを用いてコンピュータ・シミュレーションを行い、台座電極とｎ電極と
を被告製品のように矩形の対角線上で対向する位置に配置したもの（モデルＡ）
と、中心線上で対向する位置に配置したもの（モデルＢ）とで、電流密度（発光強
度）分布を比較したところ、そのシミュレーション結果によれば、両者の間に有意
な差異はみられず、台座電極とｎ電極とを矩形の対角線上で対向する位置に配置し
たものが中心線上で対向する位置に配置したものと比べてチップ全体の電流密度の
均一性が優れているとはいえない。したがって、被告製品のように、ｎ電極と台座
電極とが近接して配置され、それらの大きさがチップ全体の大きさに対し相対的に
大きい場合には、構成要件Ｈにいう「台座電極とｎ電極との通電により、透光性電
極の下にあるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に均一に電流を広げ、ほぼ均一な
発光が観測される」という効果を奏するものではない。
　したがって、被告製品は、構成要件Ｈを充足しない。
　　（六）以上によれば、被告製品は、本件発明の技術的範囲に属するものでは
なく、その製造・販売等は、本件特許権を侵害する行為に該当しない。
　　３　争点３（先願特許実施の抗弁の成否）について
（被告の主張）
　被告は、本件発明の特許出願の日である平成五年五月三一日より前に出願された
第二六二三四六六号特許（平成二年二月二八日出願。以下「被告第一特許」とい
う。）及び第二六六六二二八号特許（平成三年一〇月三〇日出願。以下「被告第二
特許」という。）に係る特許権を有しており、特許法六八条によってこれを専ら実
施する権利を有しているところ、被告製品は、いずれも被告第一特許及び被告第二
特許の各発明を実施したものである。したがって、被告は、被告製品が本件特許権
を侵害することを理由とする本訴請求に対し、特許法六八条に基づき、「先願特許
実施の抗弁」を有する。
（原告の主張）
　被告第一特許及び被告第二特許の各発明と本件発明とは、異なる構成要件からな
る異なる発明であり、ある技術態様が被告第一特許及び被告第二特許の各発明の技
術的範囲に属すると同時に、本件発明の技術的範囲にも属することがあり得ること
は、多言を要しない。その場合には、被告第一特許及び被告第二特許の各発明の技
術的範囲に属する技術態様であっても、これを原告に無断で実施した場合には、本
件特許権の侵害となる。このように、たとえ先願特許発明の実施であっても、後願
の他の特許発明の技術的範囲にも属し、その特許権の侵害を構成することがあり得
るのであるから、「先願特許の実施」であるからといって、それだけで直ちに本件
特許権の侵害に対する抗弁が成立することにはならない。したがって、被告の「先
願特許実施の抗弁」は、適法な抗弁たり得ない。
　　４　争点４（差止請求の可否）について
（原告の主張）
　被告は、平成一二年二月一日以降も被告製品を製造し、使用し、販売しており、
仮にそうでなくとも、将来において、被告製品を製造し、使用し、販売するおそれ
がある。したがって、原告は、被告に対し、被告製品の製造・販売等の差止めを求
めることができる。
（被告の主張）
　被告は、平成一一年秋以降新製品への移行を進めていたところ、平成一二年一月
末までにこれを完了し、現在は、被告製品を製造・販売していない。したがって、
原告の差止請求は理由がない。
　　５　争点５（原告の損害額）について
（原告の主張）
　被告は、平成一〇年二月二〇日から平成一二年一月末日までの間、被告製品を製
造・販売し、一〇六億三七八三万九一七三円の利益を得た。
　よって、特許法一〇二条二項に基づき、損害賠償として、一〇六億三七八三万九
一七三円の内金一億円の支払を求める。
（被告の主張）
　被告製品の製造・販売によって被告の得た利益が一〇六億三七八三万九一七三円
であったことは否認するが、それが少なくとも一億円であったことは認める。
第三　当裁判所の判断
　一　争点１（被告製品が物件目録記載の構成を備えているか）について
　甲第一七号証は、被告発行の技術雑誌「豊田合成技報Vol.39No.11997」に掲
載された、被告従業員らの開発に係るGaInN/GaN多重量子井戸構造を用いた青／緑
色発光ダイオードについての報告記事であるが、その「Fig.1」においては、Siド
ープｎ型GaN層の上に順次積層された、GaN層、GaInN層、GaN層、GaInN層、GaN
層、GaInN層、GaN層からなる層について、MQW層（多重量子井戸層）と図示さ
れ、その本文においては、このGaInN/GaNMQW層が「活性層」でもあり「発光層」
でもある旨が記載されている。
　また、甲第六号証は、被告製品の構造・組成を分析した結果についての総合報告
書であるが（甲第七号証ないし第一三号証は、その個別分析結果についての報告書
である。）、これには、ニ号物件について、Siドープｎ型GaN層の真上に、ｎ型Ga
０．９８In０．０２N層;160～180nmが形成され、その上に、多重積層構造(MQW)
層（GaN;6nm,Ga０．９０In０．１０N;2nm,GaN;8nm,Ga０．９０In０．１０Ｎ;2nm,GaN;8nm,
Ga０．９０In０．１０N;2nm,GaN;6nm）が形成されており、この多重積層構造層上に、
ｐ型のMgドープ(0.9～8×10１９
/cm３
　)Al０．１７Ga０．８３N層;46nm、さらにその上
に、ｐ型のMgドープ(4～6×10１９
/cm３
　)GaN層;70nmが順次形成されていること、
ホ号物件について、Siドープｎ型GaN層の真上に、ｎ型Ga０．９７In０．０３N層;160～
180nmが形成され、その上に、多重積層構造(MQW)層（GaN;18nm,Ga０．９０In０．１０
N;2nm,GaN;19nm,Ga０．９０In０．１０N;2nm,GaN;19nm,Ga０．９０In０．１０N;2nm,
GaN;16nm）が形成されており、この多重積層構造層上に、ｐ型のMgドープ(1×10１９
～1×10２０
/cm３
　)Al０．２０Ga０．８０N層;46nm、さらにその上に、ｐ型のMgドープ(6×
10１９
/cm３
　)GaN層;52nmが順次形成されていることが記載されており、Siドープｎ
型GaN層の真上に形成されているｎ型GaInN層は、MQW層を形成する各層の膜厚に
比べて相当大きい膜厚を有し、また、層中のInの含有比率がMQW層を形成する各層
のそれに比して少なく、そのバンドギャップエネルギーが大きいことが示されてい
る。
　これらの証拠に照らせば、被告製品は、目録図面の符号４－４の、GaN層とGaInN
層との積層構造からなる層が活性層であり、その層の下方の符号４－３の層がクラ
ッド層であるといえ、物件目録記載の構成を備えているものと認められる（なお、
仮に被告製品が被告の主張するような構成を有していたとしても、その点は、被告
製品が本件発明の技術的範囲に属するかどうかの判断に、影響しない。）。
　二　争点２（被告製品が本件発明の技術的範囲に属するか）について
　　１　構成要件Ｅ及びＦの充足性
　　（一）　本件明細書の「作用」欄には、「本発明の発光素子はｎ型層の電極が
そのｎ型層の隅部でワイヤーボンディングされており、さらに、ｐ型層の電極がそ
のｐ型層の隅部でワイヤーボンディングされているため、電極で発光を遮られるこ
となく効率よく外部へ発光を取り出すことができる。‥‥さらに、ｎ型層の電極と
ｐ型層の電極とを対角線上、つまり最も距離の離れた位置に配置することにより、
電流を均一に広げることができ、発光効率がさらに向上する。」と記載されており
（特許公報（甲第二号証。以下「本件公報」という。）七欄二三行ないし三三
行）、「発明の効果」欄には、「本発明の発光素子はボンディング位置がその発光
素子の隅部にあるため、電極、ボンディング用電極、ボール等で発光を遮ることが
少なくなり発光素子の発光効率を向上させることができる。‥‥さらに好ましくは
両電極を隅と隅との対角線上に配置することにより、ｐ型層の電流を均一に広げる
ことができ均一な発光が得られる。」と記載されている（同八欄二二行ないし三一
行）。また、「課題を解決するための手段」欄には、「電極４をｎ型層２の隅部と
してワイヤーボンディングすることにより、ｐ型層３の面積を大きくすることがで
き、広範囲の面積で発光を得ることができる。さらに、電極５のワイヤーボンディ
ング位置をｐ型層３の隅部とすることにより、発光をボール６で遮ること少なく外
部に取り出すことができる。」（同六欄八行ないし一三行）、「ｐ型層３に形成さ
れた電極５をワイヤーボンディングするには、他にｐ型層３の隅（例えば、図１に
示すａ点、ｂ点）でも良いが、図１に示すように、それらが対角線上の端にあるこ
と、つまりｎ型層の電極４をワイヤーボンディングする位置と、ｐ型層の電極５を
ワイヤーボンディングする位置とは、同一側面からみて対角線上の端にあることが
特に好ましい。なぜなら、ワイヤーボンディング位置を互いに対角線上の端とする
ことにより、電流が電極５から電極４に流れ、均一な面発光が得られる。‥‥従っ
て、同一窒化ガリウム系化合物半導体層から正、負両極を取り出す場合、そのワイ
ヤーボンディング位置を電極４から最も離れた位置とすることにより、ｐ型層３内
に均一に電流を流すことができるため、均一な面発光が得られることによる。」
（同六欄一四行ないし三〇行）と記載されている。
　本件明細書の右各記載を総合すれば、構成要件Ｅにいう「ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体層の一つの隅部の一部に形成された‥‥台座電極」、構成要件Ｆにいう
ｎ電極が「台座電極と対角をなす位置にある」という構成は、それぞれ他方の構成
と相まって、平面的にみて、台座電極とｎ電極とが矩形の対角線上の端の、最も離
れた位置にあることを意味するものというべきである。
　　（二）　被告は、本件発明について、公知技術、本件特許出願の経緯等を根拠
に、本件図面・図３のように、チップ（基板）及び透光性電極の大きさが台座電極
やｎ電極に比べてはるかに大きい場合、すなわち、台座電極やｎ電極の大きさがチ
ップ（基板）及び透光性電極の大きさに対し相対的に小さい場合を前提とするもの
である旨を主張する。
　しかしながら、昭六二－二六七五号公開特許公報（乙第七号証）、平成九年一一
月一〇日付け手続補正書（乙第八号証）及び同日付け意見書（乙第九号証）の各記
載は、本件発明が台座電極やｎ電極の大きさがチップ（基板）全体の大きさに対し
相対的に小さい場合を前提とするものであることを認めるに足りるものではない。
本件明細書の「発明が解決しようとする課題」欄の記載（本件公報四欄一四行ない
し二三行等）に照らしても、本件発明は、電極がチップに対してある程度の大きさ
を必要とすることを前提に、その電極によって発光が可能な限り遮られることのな
いようにすることを目的の一つとしていることは明らかであって、本件発明におい
ては、台座電極やｎ電極の大きさがチップ（基板）全体の大きさに対し相対的に大
きい場合も想定されているというべきである。本件図面・図３は、あくまで本件発
明の一実施例についての図面にすぎないのであり、被告の右主張は、失当である。
　　（三）　被告製品の台座電極８は、目録図面記載のとおり、符号５－２の層上
の、模式平面図に示されている位置にあり、また、被告製品のｎ電極６は、目録図
面記載のとおり、符号４－２の層上の、模式平面図に示されている位置にある。そ
うすると、台座電極８とｎ電極６とは、電極として有効に機能する部分が広がりを
有しているとしても、平面的にみて、矩形の対角線上の端の、最も離れた位置にあ
るといえ、被告製品の台座電極８は、「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一つ
の隅部の一部に形成された」ものであり、ｎ電極６は、「台座電極と対角をなす位
置にある」ものと認められる。
　なお、被告製品の台座電極８が、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成され
たワイヤーボンディング用の台座電極であり、被告製品の透光性電極７が、台座電
極８の下にｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に接して形成された台座電極８よりも
大面積を有する電流拡散用・オーミック用の金属薄膜よりなる透光性電極であるこ
と、被告製品のｎ電極６が、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がエッチング除去
されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に形成された、ワイヤーボンディン
グ用の電極であることは、いずれも当事者間に争いがない。
　　（四）　したがって、被告製品は、構成要件Ｅ及びＦを充足する。
　　２　構成要件Ｇの充足性
　　（一）　構成要件Ｇは、「前記透光性電極が、対角の位置にある台座電極とｎ
電極との間で、かつ発光観測面となるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面のほ
ぼ全面にある」というものであるところ、その文理に加えて、前記のとおり、構成
要件Ｅ及びＦが、台座電極とｎ電極との平面的な位置関係を規定していること、本
件発明が、電極で発光を遮られることなく効率よく外部へ発光を取り出し、均一に
電流を広げて、発光効率を向上させるという作用効果を有するものであること、本
件発明においては、台座電極が透光性電極上に形成され、透光性電極が必ず台座電
極の下に存在するものであることなどを併せ考えれば、構成要件Ｇにいう透光性電
極が「台座電極とｎ電極との間‥‥にある」という構成は、平面的にみて、透光性
電極のかなりの面積を占める部分がｎ電極と台座電極との間にあることを意味する
というべきである。
　　（二）　被告は、本件発明について、本件図面・図３のように、透光性電極の
大きさが台座電極やｎ電極に比べてはるかに大きい場合を前提とするものである旨
を主張するが、右主張が失当であることは、前記１（二）において説示したとおり
である。
　　（三）　被告製品のｎ電極６、透光性電極７及び台座電極８は、目録図面記載
のとおり、模式平面図に示されている位置関係にあり、透光性電極７は、台座電極
８の前方ばかりでなく側方や後方にも広がっているとしても、平面的にみて、透光
性電極のかなりの面積を占める部分がｎ電極と台座電極との間にあるといえ、「台
座電極とｎ電極との間‥‥にある」ものと認められる。
　なお、被告製品の透光性電極７が「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のほぼ全
面にある」ことは、当事者間に争いがない。
　　（四）したがって、被告製品は、構成要件Ｇを充足する。
　　３　構成要件Ｈの充足性
　　（一）　本件明細書の「作用」欄には、「ｎ型層の電極とｐ型層の電極とを対
角線上、つまり最も距離の離れた位置に配置することにより、電流を均一に広げる
ことができ、発光効率がさらに向上する。またｐ型層の電極を透光性にしてｐ型層
のほぼ全面に形成することにより、電流がｐ型層全面に均一に流れ、しかも発光は
透光性電極を通して電極側から観測することができる。」と記載されており（本件
公報七欄三〇行ないし三六行）、「発明の効果」欄には、「両電極を隅と隅との対
角線上に配置することにより、ｐ型層の電流を均一に広げることができ均一な発光
が得られる。」と記載されている（同八欄二九行ないし三一行）。また、「課題を
解決するための手段」欄には、「ワイヤーボンディング位置を互いに対角線上の端
とすることにより、電流が電極５から電極４に流れ、均一な面発光が得られる。」
（同六欄二〇行ないし二三行）、「同一窒化ガリウム系化合物半導体層から正、負
両極を取り出す場合、そのワイヤーボンディング位置を電極４から最も離れた位置
とすることにより、ｐ型層３内に均一に電流を流すことができるため、均一な面発
光が得られる」（同六欄二六行ないし三〇行）と記載されている。
　本件明細書の右各記載に照らせば、構成要件Ｈは、構成要件ＥないしＧの各構成
を備えることによって得られる作用効果に関するものといえる。そして、前記認定
のとおり、被告製品は、構成要件ＥないしＧを充足するから、台座電極８とｎ電極
６との通電により、「透光性電極の下にあるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に
均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測される」ものと認められ、構成要件Ｈを
充足するというべきである。
　　（二）　被告は、乙第一〇号証（試験・研究報告書）を提出し、被告製品とほ
ぼ同じチップ及び電極の大きさを有する発光素子のモデルを用いてコンピュータ・
シミュレーションを行い、台座電極とｎ電極とを被告製品のように矩形の対角線上
で対向する位置に配置したものと、中心線上で対向する位置に配置したものとで、
電流密度分布を比較したところ、そのシミュレーション結果によれば、両者の間に
有意な差異はみられないとし、台座電極とｎ電極とを矩形の対角線上で対向する位
置に配置したものが中心線上で対向する位置に配置したものと比べてチップ全体の
電流密度の均一性が優れているとはいえず、被告製品のように、ｎ電極と台座電極
とが近接して配置され、それらの大きさがチップ全体の大きさに対し相対的に大き
い場合には、構成要件Ｈにいう「台座電極とｎ電極との通電により、透光性電極の
下にあるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光
が観測される」という効果を奏しないと主張する。
　しかし、同号証のシミュレーション結果からは、台座電極とｎ電極とを矩形の対
角線上で対向する位置に配置したものが中心線上で対向する位置に配置したものと
比べてチップ全体の電流密度の均一性が優れているとはいえないとは、必ずしも結
論付けることはできないし、被告の主張するように、ｎ電極と台座電極とが近接し
て配置され、それらの大きさがチップ全体の大きさに対し相対的に大きい場合に
は、構成要件Ｈにいう「台座電極とｎ電極との通電により、透光性電極の下にある
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に均一に電流を広げ、ほぼ均一な発光が観測さ
れる」という効果を奏しないと直ちに認めることはできない。
　　４以上によれば、被告製品は、本件発明の技術的範囲に属し、その製造・販
売等は、本件特許権を侵害する行為に該当するというべきである。
　三　争点３（先願特許実施の抗弁の成否）について
　被告は、本件特許権より先願の被告第一特許及び被告第二特許に係る特許権を有
しているところ、被告製品はいずれも被告第一特許及び被告第二特許の各発明を実
施したものであるから、被告製品が本件特許権を侵害することを理由とする本訴請
求に対し、特許法六八条に基づく「先願特許実施の抗弁」を有する旨を主張する。
　そこで検討するに、特許法は、六八条本文において、特許権者が業として特許発
明の実施をする権利を専有する旨を規定するが、特許権者による特許発明の実施で
あっても、他人の権利との関係において制限され得ることは当然であり、ある特許
発明の実施であっても、それがその特許とは別個の他人の特許発明の技術的範囲に
属するような態様でされる場合には、その他人の特許権を侵害する行為に該当する
ものとして、許されるものではない。そして、この理は、その他人の特許発明が先
願であると後願であるとで異なるところはなく、例えば、ある特許発明が先願の特
許発明を利用するものであり、特許法七二条により、その実施について当該先願の
特許発明に係る特許権者の許諾が必要な場合であっても、その利用発明が特許とし
て有効に成立している以上、当該利用発明により付加された発明部分はその先願の
特許発明の技術的範囲に属しないものであり、当該先願の特許発明の特許権者が当
該利用発明により付加された発明部分までをも自由に実施し得るというものではな
い。そうすると、被告製品が本件特許権より先願の被告第一特許及び被告第二特許
の各発明を実施したものであるからといって、それだけで直ちに本訴請求に対する
適法な抗弁が成立するものではない。
　したがって、被告の「先願特許実施の抗弁」は、その主張自体失当というべきで
ある。
　四　争点４（差止請求の可否）について
　被告が平成一二年二月一日まで被告製品を製造販売していたことは、当事者間に
争いがなく、これに弁論の全趣旨を併せみれば、被告が将来において、被告製品を
製造し、使用し、販売するおそれがあることが認められる。被告は、平成一二年一
月末までに新製品への移行を完了し、現在は被告製品を製造・販売していない旨を
主張するが、右以上に、被告において被告製品を今後製造・販売しないことを取引
先等に表明する措置をとったなどの、主張・立証はなく、被告による被告製品の製
造販売のおそれがあるという右認定を覆すに足りるものではない。したがって、原
告は、被告に対し、被告製品の製造、使用、販売及び販売のための展示の差止め並
びに被告の所有に係る被告製品の廃棄を請求し得るというべきである。
　五　争点５（原告の損害額）について
　本訴請求は、損害賠償金の一部請求として、一億円及びこれに対する平成一二年
三月二八日（同月二七日付け訴変更の申立書送達の日の翌日）からの遅延損害金の
各支払を求めるものであるところ、被告が平成一〇年二月二〇日から平成一二年一
月末日までの間、被告製品を製造・販売し、少なくとも一億円の利益を得たこと
は、当事者間に争いがない。そうすると、原告は、特許法一〇二条二項に基づき、
被告に対し、損害賠償として少なくとも一億円及びこれに対する平成一二年三月二
八日から支払済みまで年五分の割合による遅延損害金の各支払を求めることができ
るというべきである。
　六　以上によれば、原告の請求は、いずれも理由があるから、主文のとおり判決
する。
（口頭弁論の終結の日　平成一二年六月一九日）
　　東京地方裁判所民事第四六部
　　　　　　裁判長裁判官　　　三　村　量　一
　　　　　　　　　裁判官　　　村　越　啓　悦
　　　　　　　　　裁判官　　中　吉　徹　郎
　　　　　　　　　　物件目録四
一　名称
　青色発光ダイオードチップ
二　構成の説明
　図面に示す青色発光ダイオードチップは、サファイア単結晶からなる基板２の上
に、AlNからなるバッファ層３を形成している。このバッファ層３の上に、ｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層４を形成している。ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層４は、Siがドープされたｎ型GaNよりなる層４－２と、InGaNからなるｎ型クラ
ッド層４－３とを順次形成し、さらにこの上に、電子と正孔とが再結合して発光す
る発光層として機能するInGaNを含んでなるｎ型活性層４－４を形成している。こ
のｎ型活性層４－４は、InGaN層とGaN層との積層構造からなる。
ｎ型活性層４－４の上に、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５を形成してい
る。ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５は、Mgがドープされたｐ型AlGaNからな
るｐ型クラッド層５－１とMgがドープされたｐ型GaNよりなる層５－２とを順次形
成した層である。
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５－２に、ｐ電極７、８を形成している。
ほぼ矩形をなすｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５と、ｎ型窒化ガリウム系化
合物半導体層４の一部がエッチング除去されて、露出されたｎ型窒化ガリウム系化
合物半導体層４－２の表面にV及びAlからなるｎ電極６を形成している。
　ｐ電極７、８とｎ電極６とを同一面側に形成している。
前記ｐ電極７、８は、Auを含む台座電極８と、Au及びCoからなる薄膜の透光性電
極７とからなる。台座電極８は、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５－２の
別紙模式平面図に示す位置に形成されたワイヤーボンディング用の電極である。透
光性電極７は台座電極８の下にあって、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５－２
に接して形成され、台座電極８よりも大面積を有する電流拡散用、かつオーミック
用の金属薄膜からなる電極であって、発光観測面となるｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層５－２の表面のほぼ全面にある。
　ｎ電極６、透光性電極７、台座電極８は模式平面図に示す位置関係にある。
金線よりなるワイヤー１０２をボンディングした台座電極８と、金線よりなるワ
イヤー８２をボンディングしたｎ電極６との通電により、透光性電極７の下にあ
る、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５－２、５－１に電流を流し、発光面に
は、青色発光が観測される。なお台座電極８の上にある金よりなるボール１０１、
及びｎ電極６の上にあるボール８１は、それぞれワイヤーを電極にボンディングす
る際にできるものである。
三　図面符号の説明
１　窒化ガリウム系化合物半導体青色発光ダイオードチップ
２　サファイア単結晶からなる基板
３　AlNからなるバッファ層
４　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
　４－２　Siがドープされたｎ型GaNからなる層
　４－３　InGaNからなるｎ型クラッド層
　４－４　InGaNを含んでなるｎ型活性層
５　ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
　５－１　MgがドープされたAlGaNからなるｐ型クラッド層
　５－２　Mgがドープされたｐ型GaNからなる層
６　V及びAlからなるｎ電極
７　Au及びCoからなる薄膜の透光性電極
８　Auを含む台座電極
９シリコン酸化膜
８１　ボール
８２　ワイヤー
１０１　ボール
１０２　ワイヤー
　　図面（外観・模式平面図）　図面（ａ－ａ’線　模式断面図）
　　　　　　　　　　物件目録五
一　名称
　緑色発光ダイオードチップ
二　構成の説明
図面に示す緑色発光ダイオードチップは、サファイア単結晶からなる基板２の上
に、AlNからなるバッファ層３を形成している。このバッファ層３の上に、ｎ型窒
化ガリウム系化合物半導体層４を形成している。ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層４は、Siがドープされたｎ型GaNよりなる層４－２と、InGaNからなるｎ型クラ
ッド層４－３とを順次形成し、さらにこの上に、電子と正孔とが再結合して発光す
る発光層として機能するInGaNを含んでなるｎ型活性層４－４を形成している。こ
のｎ型活性層４－４は、InGaN層とGaN層との積層構造からなる。
ｎ型活性層４－４の上に、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５を形成してい
る。ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５は、Mgがドープされたｐ型AlGaNからな
るｐ型クラッド層５－１とMgがドープされたｐ型GaNよりなる層５－２とを順次形
成した層である。
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５－２に、ｐ電極７、８を形成している。
ほぼ矩形をなすｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５と、ｎ型窒化ガリウム系化
合物半導体層４の一部がエッチング除去されて、露出されたｎ型窒化ガリウム系化
合物半導体層４－２の表面にV及びAlからなるｎ電極６を形成している。
ｐ電極７、８とｎ電極６とを同一面側に形成している。
前記ｐ電極７、８は、Auを含む台座電極８と、Au及びCoからなる薄膜の透光性電
極７とからなる。台座電極８は、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５－２の
別紙模式平面図に示す位置に形成されたワイヤーボンディング用の電極である。透
光性電極７は台座電極８の下にあって、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５－２
に接して形成され、台座電極８よりも大面積を有する電流拡散用、かつオーミック
用の金属薄膜からなる電極であって、発光観測面となるｐ型窒化ガリウム系化合物
半導体層５－２の表面のほぼ全面にある。
ｎ電極６、透光性電極７、台座電極８は模式平面図に示す位置関係にある。
金線よりなるワイヤー１０２をボンディングした台座電極８と、金線よりなるワ
イヤー８２をボンディングしたｎ電極６との通電により、透光性電極７の下にあ
る、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層５－２、５－１に電流を流し、発光面に
は、緑色発光が観測される。なお台座電極８の上にある金よりなるボール１０１、
及びｎ電極６の上にあるボール８１は、それぞれワイヤーを電極にボンディングす
る際にできるものである。
三　図面符号の説明
１　窒化ガリウム系化合物半導体緑色発光ダイオードチップ
２　サファイア単結晶からなる基板
３　AlNからなるバッファ層
４　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
　４－２　Siがドープされたｎ型GaNからなる層
　４－３　InGaNからなるｎ型クラッド層
　４－４　InGaNを含んでなるｎ型活性層
５　ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
　５－１　MgがドープされたAlGaNからなるｐ型クラッド層
　５－２　Mgがドープされたｐ型GaNからなる層
６　V及びAlからなるｎ電極
７　Au及びCoからなる薄膜の透光性電極
８　Auを含む台座電極
９シリコン酸化膜
８１　ボール
８２　ワイヤー
１０１　ボール
１０２　ワイヤー
　　図面（外観・模式平面図）　図面（ａ－ａ’線　模式断面図）

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