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平成２７年４月１５日判決言渡
平成２６年（行ケ）第１０１９２号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２７年３月９日
判決
原告コニカミノルタ株式会社
訴訟代理人弁護士城山康文
同並木重伸
訴訟代理人弁理士金山賢教
同重森一輝
被告Ｙ
訴訟代理人弁護士尾関孝彰
訴訟代理人弁理士柴山健一
同阿部寛
同寺澤正太郎
同城戸博兒
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が無効２０１１－８００１３０号事件について平成２６年６月２４日
にした審決のうち，「特許第４７２５５３３号の請求項１ないし８に係る発明
についての特許を無効とする。審判費用は，被請求人の負担とする。」との部
分を取り消す。
第２事案の概要
１特許庁における手続の経緯等（以下の事実は，括弧内に証拠を記載したもの
を除き，当事者間に争いがない。）
(1)原告は，発明の名称を「シンチレータパネル」とする特許第４７２５５
３３号（平成１９年２月２３日出願，平成２３年４月２２日設定登録，設定
登録時の請求項の数は７である（甲３３）。以下「本件特許」という。）の
特許権者であったコニカミノルタエムジー株式会社を平成２５年４月１日付
けで吸収合併することにより，同特許権を承継した。
(2)被告は，平成２３年７月２０日，コニカミノルタエムジー株式会社を被
請求人として，本件特許について無効審判を請求し（無効２０１１－８００
１３０号事件），同年１０月４日，訂正請求をした（甲３６）。
特許庁は，平成２４年２月１６日，「平成２３年１０月４日付け訂正請求
書による訂正を認める。本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし
た。
被告は，同年３月２３日，知的財産高等裁判所に上記審決の取消しを求め
て訴えを提起した（平成２４年（行ケ）第１０１１１号。以下「前訴」とい
う。）。
知的財産高等裁判所は，平成２５年１月２８日，上記審決を取り消す旨の
判決（以下「前訴判決」という。）をした。
コニカミノルタエムジー株式会社は，同年２月８日，前訴判決に対し，上
告及び上告受理の申立てをした（平成２５年（行ツ）第１３５号及び平成２
５年（行ヒ）第１７４号）が，最高裁判所は，平成２６年３月４日，上記上
告を棄却するとともに事件を上告審として受理しない旨の決定をし，前訴判
決は確定した。
(3)その後，特許庁において，原告を被請求人として，前記無効審判の審理
が再開された。
原告は，平成２６年４月４日，訂正請求をした（甲３４の１。以下「本件
訂正」という。本件訂正後の請求項の数は８である。）
特許庁は，平成２６年６月２４日，「平成２６年４月４日付け訂正請求書
による訂正を認める。特許第４７２５５３３号の請求項１ないし８に係る発
明についての特許を無効とする。審判費用は，被請求人の負担とする。」と
の審決をし，同年７月３日，その謄本を原告に送達した。
原告は，同年８月４日，上記審決のうち，前記第１記載部分の取消しを求
めて本件訴えを提起した。
２特許請求の範囲の記載
本件訂正後の特許請求の範囲の記載は，次のとおりである〔甲３４の２の
「特許請求の範囲」。以下，各請求項記載の発明を「訂正特許発明１」のよう
にいい，訂正特許発明１ないし８を併せて「訂正特許発明」という。また，本
件訂正後の明細書（甲３４の２の「明細書」）を「本件訂正明細書」という。
〕。
「【請求項１】
基板上に反射層及びヨウ化セシウムと少なくとも１種類以上のタリウムを含む
添加剤を原材料として基板温度１５０℃～２５０℃において蒸着により形成さ
れた柱状結晶構造のシンチレータ層を有するシンチレータパネルであって，
該反射層が，該基板と該柱状結晶構造のシンチレータ層との間に存在し，ア
ルミナ，酸化イットリウム，酸化ジルコニウムおよび酸化チタンから選ばれる
少なくとも一種の白色顔料及びバインダー樹脂からなり，該反射層は，溶剤に
分散または溶解した該白色顔料および該バインダー樹脂を塗布および乾燥して
形成したものであって，該バインダー樹脂が，ポリウレタン，塩化ビニル共重
合体，塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体，塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合
体，塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体，ブタジエン－アクリロニトリル
共重合体，ポリビニルブチラール，ポリエステル，セルロース誘導体，ニトロ
セルロース，スチレン－ブタジエン共重合体，合成ゴム系樹脂，フェノール樹
脂，エポキシ樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，フェノキシ樹脂，シリコン樹脂，
または尿素ホルムアミド樹脂から選ばれる樹脂であり，
該柱状結晶構造のシンチレータ層は，該反射層の表面に柱状結晶体を成長さ
せて形成したものであり，
該シンチレータパネルは，入射された放射線のエネルギーを吸収してその強
度に応じた電磁波を発光し，該電磁波を吸収して画像信号を出力する出力基板
とともに撮像パネルを構成し，該出力基板は，光電変換素子を備え，
さらに，該シンチレータパネルは，該出力基板の光電変換素子面形状に合っ
た形状に変形していること
を特徴とするシンチレータパネル。
【請求項２】
前記反射層表面がカレンダー処理により平滑化されていることを特徴とする請
求項１記載のシンチレータパネル。
【請求項３】
基板上に反射層及びヨウ化セシウムと少なくとも１種類以上のタリウムを含む
添加剤を原材料として基板温度１５０℃～２５０℃において蒸着により形成さ
れた柱状結晶構造のシンチレータ層を有するシンチレータパネルであって，
該反射層が，該基板と該柱状結晶構造のシンチレータ層との間に存在し，ア
ルミナ，酸化イットリウム，酸化ジルコニウムおよび酸化チタンから選ばれる
少なくとも一種の白色顔料及びバインダー樹脂からなり，該反射層は，溶剤に
分散または溶解した該白色顔料および該バインダー樹脂を塗布および乾燥して
形成したものであって，前記白色顔料が，平均粒径０．１～３．０μｍの白色
顔料であり，該バインダー樹脂が，１００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）を
有する樹脂であって，ポリウレタン，塩化ビニル共重合体，塩化ビニル－酢酸
ビニル共重合体，塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体，塩化ビニル－アクリ
ロニトリル共重合体，ブタジエン－アクリロニトリル共重合体，ポリアミド樹
脂，ポリビニルブチラール，ポリエステル，セルロース誘導体，ニトロセルロ
ース，スチレン－ブタジエン共重合体，合成ゴム系樹脂，フェノール樹脂，エ
ポキシ樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，フェノキシ樹脂，シリコン樹脂，アク
リル系樹脂，または尿素ホルムアミド樹脂から選ばれる樹脂であり，
該柱状結晶構造のシンチレータ層は，該反射層の表面に柱状結晶体を成長さ
せて形成したものであり，
該シンチレータパネルは，入射された放射線のエネルギーを吸収してその強
度に応じた電磁波を発光し，該電磁波を吸収して画像信号を出力する出力基板
とともに撮像パネルを構成し，該出力基板は，光電変換素子を備え，
さらに，該シンチレータパネルは，該出力基板の光電変換素子面形状に合っ
た形状に変形していること
を特徴とするシンチレータパネル。
【請求項４】
前記平均粒径０．１～３．０μｍの白色顔料が，二酸化チタンであることを特
徴とする請求項３記載のシンチレータパネル。
【請求項５】
厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下の可とう性を有する高分子フィルムからなる
基板上に反射層及びヨウ化セシウムと少なくとも１種類以上のタリウムを含む
添加剤を原材料として基板温度１５０℃～２５０℃において蒸着により形成さ
れた柱状結晶構造のシンチレータ層を有するシンチレータパネルであって，
該反射層が，該基板と該柱状結晶構造のシンチレータ層との間に存在し，ア
ルミナ，酸化イットリウム，酸化ジルコニウムおよび酸化チタンから選ばれる
少なくとも一種の白色顔料及びバインダー樹脂からなり，該反射層は，溶剤に
分散または溶解した該白色顔料および該バインダー樹脂を塗布および乾燥して
形成したものであって，該バインダー樹脂が，ポリウレタン，塩化ビニル共重
合体，塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体，塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合
体，塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体，ブタジエン－アクリロニトリル
共重合体，ポリビニルブチラール，ポリエステル，セルロース誘導体，ニトロ
セルロース，スチレン－ブタジエン共重合体，合成ゴム系樹脂，フェノール樹
脂，エポキシ樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，フェノキシ樹脂，シリコン樹脂，
または尿素ホルムアミド樹脂から選ばれる樹脂であり，
該柱状結晶構造のシンチレータ層は，該反射層の表面に柱状結晶体を成長さ
せて形成したものであり，
該シンチレータパネルは，入射された放射線のエネルギーを吸収してその強
度に応じた電磁波を発光し，該電磁波を吸収して画像信号を出力する出力基板
とともに撮像パネルを構成し，該出力基板は，光電変換素子を備えていること
を特徴とするシンチレータパネル。
【請求項６】
厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下の可とう性を有する高分子フィルムからなる
基板上に反射層及びヨウ化セシウムと少なくとも１種類以上のタリウムを含む
添加剤を原材料として基板温度１５０℃～２５０℃において蒸着により形成さ
れた柱状結晶構造のシンチレータ層を有するシンチレータパネルであって，
該反射層が，該基板と該柱状結晶構造のシンチレータ層との間に存在し，ア
ルミナ，酸化イットリウム，酸化ジルコニウムおよび酸化チタンから選ばれる
少なくとも一種の白色顔料及びバインダー樹脂からなり，該反射層は，溶剤に
分散または溶解した該白色顔料および該バインダー樹脂を塗布および乾燥して
形成したものであって，前記白色顔料が，平均粒径０．１～３．０μｍの白色
顔料であり，該バインダー樹脂が，１００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）を
有する樹脂であって，ポリウレタン，塩化ビニル共重合体，塩化ビニル－酢酸
ビニル共重合体，塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体，塩化ビニル－アクリ
ロニトリル共重合体，ブタジエン－アクリロニトリル共重合体，ポリアミド樹
脂，ポリビニルブチラール，ポリエステル，セルロース誘導体，ニトロセルロ
ース，スチレン－ブタジエン共重合体，合成ゴム系樹脂，フェノール樹脂，エ
ポキシ樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，フェノキシ樹脂，シリコン樹脂，アク
リル系樹脂，または尿素ホルムアミド樹脂から選ばれる樹脂であり，
該柱状結晶構造のシンチレータ層は，該反射層の表面に柱状結晶体を成長さ
せて形成したものであり，
該シンチレータパネルは，入射された放射線のエネルギーを吸収してその強
度に応じた電磁波を発光し，該電磁波を吸収して画像信号を出力する出力基板
とともに撮像パネルを構成し，該出力基板は，光電変換素子を備え，
さらに，該シンチレータパネルは，該出力基板の光電変換素子面形状に合っ
た形状に変形していること
を特徴とするシンチレータパネル。
【請求項７】
前記高分子フィルムがポリイミド（ＰＩ）またはポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）フィルムであることを特徴とする請求項５又は６に記載のシンチレ
ータパネル。
【請求項８】
前記反射層の厚さが０．２～３．０μｍであることを特徴とする請求項１～７
のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。」
３審決の理由
(1)審決の理由は，別紙審決書写し記載のとおりであり，要するに，訂正特
許発明は，特開２００１－２５５６１０号公報（平成１３年９月２１日公開。
以下「甲１」という。）に記載された発明（以下「甲１発明」という。），
周知技術及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたも
のであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，
というものである。
(2)審決が認定した甲１発明の内容，訂正特許発明１と甲１発明の一致点及
び相違点並びに訂正特許発明３と甲１発明の相違点は，次のとおりである
（なお，明らかに誤記であると認められる部分は，訂正した。）。
ア甲１発明の内容
「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂは，バック側の蛍光スクリーン２
０ｃ，及びその間のセンターの放射線像変換パネル２０ａとともに放射線
画像形成材料２０を形成し，
フロント側蛍光スクリーン２０ｂは順に，支持体２１ｂ，放射線吸収性
蛍光体層２２ｂ，および保護層２４ｂから構成されており，
支持体２１ｂは，ポリイミド樹脂からなる厚みが５０μｍ乃至１ｍｍの
シートあるいはフィルムであり，
放射線吸収性蛍光体層２２ｂは，ＣｓＩ：Ｔｌの針状結晶膜である蒸着
膜からなり，
支持体２１ｂと放射線吸収性蛍光体層２２ｂとの間に，拡散反射層を設
け，
拡散反射層は，平均粒子径が０．１乃至０．５μｍの範囲にある二酸化
チタンおよび結合剤を溶剤中に混合分散して塗布液を調製した後，これを
支持体２１ｂ上に塗布乾燥することにより形成され，層厚が１５乃至１０
０μｍの範囲にあり，
結合剤は樹脂材料であり，
放射線像変換パネル２０ａは順に，保護層２４ａ，蓄積性蛍光体層２３，
および保護層２４ａ’から構成されている，
フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ。」
イ訂正特許発明１と甲１発明の一致点
「基板上に反射層及びヨウ化セシウムと少なくとも１種類以上のタリウ
ムを含む添加剤を原材料として蒸着により形成された柱状結晶構造のシン
チレータ層を有するシンチレータパネルであって，
該反射層が，該基板と該柱状結晶構造のシンチレータ層との間に存在し，
アルミナ，酸化イットリウム，酸化ジルコニウムおよび酸化チタンから選
ばれる少なくとも一種の白色顔料及びバインダー樹脂からなり，該反射層
は，溶剤に分散または溶解した該白色顔料および該バインダー樹脂を塗布
および乾燥して形成したものであって，
該シンチレータパネルは，入射された放射線のエネルギーを吸収してそ
の強度に応じた電磁波を発光し，該電磁波を吸収して画像を形成する基板
とともに撮像パネルを構成する，
シンチレータパネル。」
ウ訂正特許発明１と甲１発明の相違点
(ア)相違点ａ
訂正特許発明１の「柱状結晶構造のシンチレータ層」は，「基板温度
１５０℃～２５０℃において」，「酸化チタンの白色顔料及びバインダ
ー樹脂からな」る「反射層の表面に柱状結晶体を成長させて形成したも
のであ」るのに対し，甲１発明の「ＣｓＩ：Ｔｌの針状結晶膜である蒸
着膜からな」る「放射線吸収性蛍光体層２２ｂ」は，上記発明特定事項
を備えていない点。
(イ)相違点ｂ
訂正特許発明１の「バインダー樹脂」は，「ポリウレタン・・・また
は尿素ホルムアミド樹脂から選ばれる樹脂であ」るのに対して，甲１発
明の「結合剤」は「樹脂材料であ」るとのみ特定されている点。
(ウ)相違点ｃ
訂正特許発明１は，「シンチレータパネル」から発光された電磁波を
吸収するものが，「光電変換素子を備え，」「画像信号を出力する出力
基板」であって，「該シンチレータパネルは，該出力基板の光電変換素
子面形状に合った形状に変形している」のに対して，甲１発明は，「放
射線吸収性蛍光体層２２ｂ」から発光された電磁波を吸収するものが，
「蓄積性蛍光体層２３」を有する「放射線像変換パネル２０ａ」であっ
て，「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」が「蓄積性蛍光体層２３」
の面形状に合った形状に変形しているか否かが不明である点。
エ訂正特許発明３と甲１発明の相違点
(ア)相違点ａ
前記ウ(ア)と同じ。
(イ)相違点ｂ’
訂正特許発明３の「バインダー樹脂」は，「１００℃以下のガラス転
移温度（Ｔｇ）を有する樹脂であって，ポリウレタン，塩化ビニル共重
合体，塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体，塩化ビニル－塩化ビニリデン
共重合体，塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体，ブタジエン－アク
リロニトリル共重合体，ポリアミド樹脂，ポリビニルブチラール，ポリ
エステル，セルロース誘導体，ニトロセルロース，スチレン－ブタジエ
ン共重合体，合成ゴム系樹脂，フェノール樹脂，エポキシ樹脂，尿素樹
脂，メラミン樹脂，フェノキシ樹脂，シリコン樹脂，アクリル系樹脂，
または尿素ホルムアミド樹脂から選ばれる樹脂であ」るのに対して，甲
１発明の「結合剤は樹脂材料であ」るとのみ特定されている点。
(ウ)相違点ｃ
前記ウ(ウ)と同じ。
第３原告主張の取消事由
審決には，甲１発明の認定及び訂正特許発明１と甲１発明の一致点及び相違
点の認定の誤り（取消事由１），訂正特許発明３に関する進歩性判断の誤り
（取消事由２）及び訂正特許発明１，２，４ないし８に関する進歩性判断の誤
り（取消事由３）があり，これらの誤りは，いずれも審決の結論に影響を及ぼ
すものであるから，審決は違法であり，取り消されるべきものである。
１取消事由１（甲１発明の認定及び訂正特許発明１と甲１発明の一致点及び相
違点の認定の誤り）
(1)甲１発明の認定及び訂正特許発明１と甲１発明の一致点の認定について
審決は，「甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」は「放射線
像変換パネル２０ａ」とともに，画像を撮るパネル，すなわち，撮像パネル
を構成する」と述べ（審決３６頁１６行～１８行），甲１発明と訂正特許発
明１とは，「「該シンチレータパネルは，入射された放射線のエネルギーを
吸収しその強度に応じた電磁波を発光し，該電磁波を吸収して画像を形成す
る基板とともに撮像パネルを構成する」ことで一致する」と認定している
（審決３６頁２５行～２７行）。
しかし，以下のとおり，訂正特許発明１は，「該シンチレータパネルは，
・・・該電磁波を吸収して画像を形成する出力基板とともに撮像パネルを構
成する」のに対し，甲１発明は，そのような構成は有しておらず，訂正特許
発明１と甲１発明が一致するのは，「該シンチレータパネルは，入射された
放射線のエネルギーを吸収しその強度に応じた電磁波を発光し」という限度
においてである。したがって，審決の上記認定は誤りである。
ア技術常識について
訂正特許発明の技術分野において，「撮像パネル」という語は，放射線
の吸収により蛍光体層から生じる発光を電気信号に変換するための受光素
子等の読み取り機構を備えるものを意味する（甲４３の【０００２】及び
【０００３】，甲４４の【０００９】）。
イ訂正特許発明１の「撮像パネル」の意味について
上記アの技術常識に基づけば，訂正特許発明１の「撮像パネル」は，シ
ンチレータパネルが出力基板に押し付けられて固定され両者が一体化した
物であり（本件訂正明細書の図５），かつ，シンチレータ層から発光され
た蛍光を，それ自体で電気信号として変換し画像として直ちに出力するこ
とができる物である（同【００７７】及び【００８２】ないし【００９
３】）。
ウ甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」及び「放射線像変換
パネル２０ａ」と訂正特許発明１の「撮像パネル」の対比について
甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」と「放射線像変換パ
ネル２０ａ」とは，飽くまで別個の部材であって，一体化したものではな
い。
仮に，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」と「放射線像
変換パネル２０ａ」をワンセットとして見ても，それ自体で画像を電気信
号として直ちに出力できるものではない。
したがって，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」と「放
射線像変換パネル２０ａ」は，両者が互いに固定されていないという点に
おいても，また，入射された放射線のエネルギーを吸収しその強度に応じ
て発光された電磁波を電気信号に変換する読み取り機構を備えていないと
いう点においても，「撮像パネル」に該当しない。
エ甲１発明の「放射線像変換パネル２０ａ」と訂正特許発明１の「基板」
の対比について
甲１発明の「放射線像変換パネル２０ａ」は，支持体を有さず，保護層
２４ａ及び２４ａ’に挟まれた蓄積性蛍光体層２３で構成されているだけ
である。
したがって，甲１発明の「放射線像変換パネル２０ａ」は，「該電磁波
を吸収して画像を形成する基板」（訂正特許発明１における「出力基板」
に相当）ということもできない。
(2)相違点ｃの認定について
審決は，相違点ｃとして，「訂正特許発明１は，・・・「該シンチレータ
パネルは，該出力基板の光電変換素子面形状に合った形状に変形している」
のに対して，甲１発明は，・・・「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」が
「蓄積性蛍光体層２３」の面形状にあった形状に変形しているか不明であ
る」と認定している。
しかし，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」は，「蓄積性
蛍光体層２３」の面形状にあった形状に変形していない。なぜなら，甲１発
明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」は，「放射線像変換パネル２０
ａ」と固定されておらず，両者は一体化されていないため，「フロント側の
蛍光スクリーン２０ｂ」の形状を「蓄積性蛍光体層２３」の面形状にあった
形状に「変形」させることはできないからである。
また，仮に，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」と「放射
線像変換パネル２０ａ」とが固定されて一体化されたとしても，「フロント
側の蛍光スクリーン２０ｂ」が「蓄積性蛍光体層２３」の面形状にあった形
状に変形することにはならない。なぜなら，甲１発明では，「放射線像変換
パネル２０ａ」を剛直な素材により構成することはできないため，仮に，
「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」と「放射線像変換パネル２０ａ」と
が互いに固定されて一体化されたとしても，「フロント側の蛍光スクリーン
２０ｂ」が「蓄積性蛍光体層２３」の面形状にあった形状に変形することに
はならず，むしろより柔軟な「放射線像変換パネル２０ａ」のほうが変形す
ることになるからである。
したがって，相違点ｃは，正しくは，次のように認定されなければならな
い。
（修正相違点ｃ）
「訂正特許発明１は，「該シンチレータパネルは，・・・該電磁波を吸収
して画像を形成する出力基板とともに撮像パネルを構成する」のに対し，甲
１発明は，そのような構成は有しておらず，訂正特許発明１は，「シンチレ
ータパネル」から発光された電磁波を吸収するものが，「光電変換素子を備
え，」「画像信号を出力する出力基板」であって，「該シンチレータパネル
は，該出力基板の光電変換素子面形状に変形している」のに対して，甲１発
明は，「シンチレータパネル」から発光された電磁波を吸収するものが，
「蓄積性蛍光体層２３」を有する「放射線像変換パネル２０ａ」であって，
「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」が「蓄積性蛍光体層２３」の面形状
に合った形状に変形していない点。」
２取消事由２（訂正特許発明３に関する進歩性判断の誤り）
審決は，相違点ａの判断の誤り（取消事由２ａ），相違点ｂ’の判断の誤り
（取消事由２ｂ）及び相違点ｃ（修正相違点ｃ）の判断の誤り（取消事由２
ｃ）により，訂正特許発明３の進歩性判断を誤ったものである。
(1)取消事由２ａ（相違点ａの判断の誤り）
以下のとおり，相違点ａの容易想到性に係る審決の判断は誤りである。
ア構成の容易性について
審決は，相違点ａに関し，「蒸着によりＣｓＩ：Ｔｌを形成する際の基
板温度を１５０～３００℃の範囲とすること」は，甲２２ないし２４（審
決における乙６ないし８）により技術常識であると認定し（審決３７頁下
から４行目～末行），また，甲８，甲１６及び甲４１に基づき，「バイン
ダー樹脂を含んだ反射層の表面又は反射機能を有する樹脂基板の表面に，
蛍光体層を蒸着により形成することは，周知技術であると認められる」と
認定した（審決３８頁３行目～１６行）上，甲１発明において，相違点ａ
に係る訂正特許発明３の構成にすることは，当業者にとって格別の創意工
夫を要するものとは認められないと判断している。
しかし，以下のとおり，審決の上記認定及び判断は誤りである。
(ア)審決の判断手法について
相違点ａに係る構成は，「特定の基板温度の蒸着条件において軟化す
るバインダー樹脂を含む反射層を形成し，当該反射層の表面にＣｓＩ：
Ｔｌの柱状結晶構造のシンチレータ層を蒸着により形成すること」を規
定したものであり，訂正特許発明３は，かかる技術的特徴により，蒸着
により柱状結晶構造のシンチレータ層を形成する際に，バインダー樹脂
が軟化して，蒸着結晶の種晶が根付き易くなり，根元から結晶をきれい
に成長させることができ，その結果，シンチレータ層と反射層の接着性
が向上し鮮鋭性が向上するという優れた作用効果を奏するものである。
したがって，上記技術的特徴に含まれる基板温度等の各要素を個別に
切り離して議論するべきものではない。
しかるに，審決は，相違点ａにおける基板温度の範囲のみを切り離し
て，それがＣｓＩ：Ｔｌの蒸着における技術常識であると述べるのみで，
訂正特許発明３において特定されている反射層に用いられるバインダー
樹脂と当該基板温度との関係性を看過している。
(イ)技術常識及び周知技術の認定について
以下のとおり，審決が引用するいずれの文献にも，ＣｓＩ：Ｔｌの柱
状結晶構造のシンチレータ層を蒸着により形成する際に，基板温度が１
５０～２５０℃の範囲となる場合に軟化するバインダー樹脂を含む反射
層を用いることは開示されておらず，また，当該構成は当業者にとって
常識的な事項でもない。
この点については，前訴判決も，「「バインダー樹脂のガラス転移温
度が，ヨウ化セシウムと少なくとも１種類以上のタリウムを含む添加剤
を原材料として蒸着により柱状結晶構造のシンチレータ層を形成する際
の基板温度よりも低くなること」は，本件特許の出願当時，当業者に
とって常識的な事項であったとは認められない」と認定している。
ａ甲２２ないし甲２４について
上記文献には，蒸着によりＣｓＩ：Ｔｌを形成する際に１５０～２
５０℃の範囲の基板温度を用い得ることが開示されていたとしても，
訂正特許発明３のように，ＣｓＩ：Ｔｌの蒸着結晶の種晶を根付き易
くし，根元から結晶をきれいに成長させるために，そのような基板温
度と当該基板温度下において軟化するバインダー樹脂を用いるという
着想は何ら示されていない。
ｂ甲８について
(a)甲８には，輝尽性蛍光体であるＣｓＢｒ：Ｅｕの蒸着において，
支持体を２４０℃に加温することが記載されているが（甲８の【０
１７２】），当該支持体上に形成される光反射層は酸化チタンと酸
化ジルコニウムからなる蒸着膜であり（同【０１７１】），バイン
ダー樹脂を含むものではない。反射層として，白色顔料を樹脂中に
分散させ支持体上に塗布乾燥したものが例示されているものの（同
【０１１７】），そのような反射層を用いた場合に，蛍光体層を蒸
着により形成すること，及びその際の基板温度との関係については
明らかにされていない。
(b)甲８に係る発明は，輝尽性蛍光体層を用いて放射線画像を検出
するＣＲシステムに関するものであるところ，甲８の【０１１７】
に記載されている反射層の代表例である酸化チタンと樹脂からなる
層は，輝尽発光光（代表例としてＣｓＢｒ：Ｅｕのピーク波長は４
４０ｎｍ程度）に対して４３０ｎｍ以下の波長の光を吸収してしま
うので（甲１の【００８５】），ＣＲシステムにおける「反射層」
としての機能を果たさない。むしろ，酸化チタンと樹脂からなる層
は読み取り励起光（ピーク波長が６００ｎｍ程度）を反射してしま
うので，蛍光体層で励起光が散乱して分解能が低下することになる。
すなわち，甲８の【０１１７】に反射層として記載されているもの
は，ＣＲシステムにおける反射層としての機能を果たさず，逆に輝
尽発光光を吸収してしまい，反射層の意味をなさないため，当業者
であれば上記の構成を考慮することはない。したがって，甲８には，
バインダー樹脂を含んだ反射層の表面又は反射層機能を有する樹脂
基板の表面に，蛍光体層を蒸着により形成することは実質的に開示
されていないのであり，それが周知技術であるという根拠となるも
のではない。
(c)甲８においては，「反射層」は必須のものではない上（甲８の
【０１１７】），使用できる蛍光体層は，塗布型蛍光体層と蒸着型
蛍光体層があり（同【００６３】），また，反射層には，白色顔料
を樹脂中に分散させたものや（同【０１１７】），発泡性ポリエチ
レンテレフタレート（同【０１２４】），酸化チタンと酸化ジルコ
ニウムの蒸着膜（同【０１７１】）など様々であり，それぞれが独
立して記載されている。このため，甲８においてとりうる構成には
多数の組み合わせがあり，その中には，実際には使用できない組み
合わせも含まれている。したがって，「バインダー樹脂を含んだ反
射層の表面又は反射機能を有する樹脂基板の表面に，蛍光体層を蒸
着により形成すること」が周知技術であることの例示として甲８を
用いることはできない。
ｃ甲１６について
(a)甲１６は，そもそも樹脂製の基材上に直接蛍光体層を形成させ
たものであって反射層を形成しないものであり，実施例を見ても，
蛍光体粒子と樹脂を混合し基材上に塗布することによって蛍光体層
を形成することを前提とするものである（甲１６の【００４２】
等）。
したがって，甲１６は，「バインダー樹脂を含んだ反射層の表面
又は反射層機能を有する樹脂基板の表面に，蛍光体層を蒸着により
形成すること」が周知技術であることを示すものではない。
(b)甲１６において，蛍光体を形成する対象は，プラスチック基板，
シリコン基板，カーボン基板などの「基材」であり，好ましくは０．
１－２ｍｍの厚みを有している。このようなプラスチック基板は，
一般に，溶融させた樹脂を押出して成形する押出成形法等により製
造されることが周知である。
これに対して，訂正特許発明３では，シンチレータ層を蒸着によ
り形成する対象である反射層は「溶剤に分散または溶解した該白色
顔料および該バインダー樹脂を塗布および乾燥して形成したもの」
である。
甲１６に記載の基板が酸化チタン，酸化アルミニウムなどの顔料
を混入した白色樹脂材料からなるものであったとしても，甲１６の
基材と訂正特許発明３における反射層は，その形成方法が異なるこ
とから，当業者であれば，形成された表面の構造も通常は異なると
理解するのが自然である。
そうすると，前訴判決も認定しているように「蒸着により膜形成
を行う場合，蒸着させる対象の表面の材質，構造により膜の成長が
うまくいくかどうかが左右されること」は技術常識であるから（甲
４２の４５頁１５行～１９行），相違点ａにおける「バインダー樹
脂を含んだ反射層の表面に蛍光体層を蒸着に形成する」という構成
の容易想到性を判断する上で甲１６の基材の構成を参酌することは
できない。
ｄ甲４１について
(a)甲４１には，反射層である鉛含有層の上に蒸着により蛍光体層
を形成することが開示されているが，バインダー樹脂を含む鉛含有
層の表面に蒸着により蛍光体層を蒸着させる旨の直接的な記載はな
く，また基板温度との関係についても何ら言及されていない（甲４
１の【００２８】等）。
(b)甲４１には，結合剤に分散されてポリマー支持体上に被覆され
る鉛塩として炭酸鉛が例示されているが（甲４１の【００４２】），
かかる炭酸鉛は，一般にＣｓＩ蒸着が行われる０．０００００１気
圧程度の減圧下という条件では，基板の加熱温度によって容易に熱
分解し，酸化鉛に変化し変色してしまい好ましくないものである。
この点からも，甲４１では，炭酸鉛等の鉛化合物と結合剤を含む層
の上に蛍光体層を蒸着により形成することは想定されておらず，あ
くまで，結合剤を含まない鉛箔の表面に蛍光体層を蒸着することの
みを開示しているものと認められる。甲４１には，「バインダー樹
脂を含んだ反射層」の表面に，「蛍光体層を蒸着により形成するこ
と」は何ら具体的に開示されていない。
(c)「結合剤に分散された鉛酸化物の層」は「反射層」ではない。
一方，「鉛箔」（鉛含有層）は，Ｘ線吸収層であると同時に反射層
の機能も備えるものである。したがって，反射層として機能する
「鉛箔」（鉛含有層）の代替物として，反射層の機能を有さない
「結合剤に分散された鉛酸化物の層」を使用する場合には，別途反
射層（例えばアルミニウム反射層）を設ける必要がある。そして，
反射層の機能を果たすためには，蛍光体層になるべく近い位置に反
射層を設ける必要があることから，「結合剤に分散された鉛酸化物
の層」／「アルミニウム反射層」／「蛍光体層」の順番となる必要
があり，蛍光体層は，「アルミニウム反射層」の上に蒸着により形
成されることになる。したがって，「バインダー樹脂を含んだ反射
層の表面又は反射機能を有する樹脂基板の表面」に形成することは
開示されていない。
(ウ)構成の容易性について
仮に，上記引用文献によって，蒸着によりＣｓＩ：Ｔｌを形成する際
の一般的な基板温度の範囲と，樹脂を含む層の表面に蒸着により蛍光体
層を形成することが，それぞれ個別に技術常識ないし周知技術と認めら
れたとしても，蒸着結晶の種晶を根付き易くし，根元から結晶をきれい
に成長させるために，特定の基板温度と当該基板温度下において軟化す
るバインダー樹脂を用いるという課題や解決手段は何ら示唆されていな
いから，これら技術常識及び周知技術を組み合わせても相違点ａには至
らないし，そのような動機付けも存在するとはいえない。
イ顕著な効果について
(ア)一般に，蒸着により柱状結晶を成長させて蛍光体層を形成した場合，
それを出力基板に張り合わせていく際に，スプラッシュなど結晶の異常
成長や支持基板の表面粗さを原因として問題が生じる。
これに対し，訂正特許発明３は，以下のとおり，①反射層が一定の厚
みを持つことで支持基板の表面粗さを吸収し，②蒸着の際の基板温度
（１５０℃～２５０℃）よりも低いガラス転移温度を有する樹脂が蒸着
に際して軟化することで，根付きがよく，スプラッシュの発生が低減さ
れて柱状結晶が良好に成長するという効果を奏するものである。
ａ反射層について
従来技術では，基板に直接シンチレータ層を形成するため，基板上
に存在する凹凸などの欠陥により柱状結晶の異常成長によりシンチレ
ータ層表面に凹凸ができ，その結果，平面受光素子との密着性及び鮮
鋭性に劣ることとなる。
これに対し，訂正特許発明３の場合は，基板に凹凸などの欠陥が
あっても，反射層が凹凸などの欠陥を覆い隠すことができ，平滑性に
優れた表面を得ることができ，かつ，蒸着結晶の膜付がよいため，柱
状結晶の根元での乱れがなくなりシンチレータ層表面の凹凸がなく，
その結果，受光素子との密着性に優れ，鮮鋭性の劣化を抑えることが
できる。
実際に，甲２１の報告書から明らかなように，基板上にバインダー
層を設けることによって柱状結晶を根本からきれいに成長させること
ができる。また，甲４６の実験結果からは，訂正特許発明３のシンチ
レータパネルは，シンチレータ層表面の凹凸が良好であり，シンチレ
ータ層と受光素子との密着性に優れ，鮮鋭性も優れることが分かる。
ｂガラス転移温度について
審決は，「樹脂材料層の表面に蛍光体を蒸着するとき，樹脂材料の
ガラス転移温度（Ｔｇ）が蒸着時の基板温度の１５０℃～２５０℃よ
り低いものであれば，樹脂材料層と蛍光体層の接着性が向上すること
は，当業者にはよく知られていることである」と認定している（審決
４２頁３行～５行）。しかし，審決の上記認定は誤りである。
(a)甲１４について
甲１４は，蒸着の際の基板温度について，「１００℃以上に設定
することが好ましく」（甲１４の【００２８】）とする一方，「本
発明に用いることが出来る熱可塑性樹脂はガラス転移点が３０℃～
１５０℃，好ましくは５０℃～１２０℃が好ましい。」（甲１４の
【００７０】）としており，「好ましい」とされる範囲に着目して
も，樹脂のガラス転移温度が蒸着の際の基板温度よりも高い場合を
含んでおり，樹脂のガラス転移温度が蒸着の際の基板温度よりも低
いようにすることについての示唆は何らなされていない。
また，甲１４は，蒸着により蛍光体層を形成する際に，支持体上
に樹脂膜が存在すると，蛍光体成膜時に揮発成分が発生し真空度が
変化し蛍光体膜中の賦活剤量及び膜厚の均一性に劣るという課題を
解決するために（甲１４の【００１３】及び【００２３】），蛍光
体層の蒸着に先立って，樹脂膜を１４０℃～１８０℃の範囲で加熱
処理を施すこととしたものであって（同【００２３】及び【００２
５】），支持体上に樹脂膜を設けることによって，スプラッシュ等
による柱状結晶の異常成長が減り，良好に成長することについては
何ら記載も示唆もなされていない。
(b)甲１５について
甲１５には，確かに，ガラス転移温度が１００℃以下の樹脂を用
いることにより，支持体と蛍光体層との付着性（接着性）を高める
ことができることが開示されている（甲１５の【００１６】，【０
０２４】及び【００２６】）。
しかし，ここで言及されているのは，あくまでも，支持体と蛍光
体層との付着性（接着性）のみであって，スプラッシュ等による柱
状結晶の異常成長が減り，良好に成長することについての知見は開
示されていない。そうすると，甲１５にガラス転移温度が１００℃
以下の樹脂を用いることが開示されていたとしても，蒸着により柱
状結晶を成長させて形成した蛍光体層を出力基板に張り合わせる際
に，スプラッシュ等による結晶の異常成長によって生じる課題に対
処するために，ガラス転移温度が１００℃以下の樹脂を用いようと
いうことにはならない。
(イ)さらに，訂正特許発明３は，修正相違点ｃの「該シンチレータパネ
ルは，該出力基板の光電変換素子面形状に変形している」という構成を
とるものであるために，コンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）で
ある甲１発明と比較した場合はもちろんのこと，該構成を有さない平板
Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）と比べても，より一層，受光面全体で均一な鮮
鋭性を得ることができるものである（本件訂正明細書の【００６２】）。
訂正特許発明３において，修正相違点ｃの構成をとることが可能となる
のは，相違点ａ及びｂ’に係る構成を採用したことによるものである。
(2)取消事由２ｂ（相違点ｂ’の判断の誤り）
以下のとおり，相違点ｂ’の容易想到性に係る審決の判断は誤りである。
ア相違点ｂ’の認定について
審決が認定した，訂正特許発明３と甲１発明との相違点ｂ’は，訂正特
許発明１と甲１発明との相違点ｂ，すなわち「訂正特許発明１の「バイン
ダー樹脂」は，「ポリウレタン，塩化ビニル共重合体，塩化ビニル－酢酸
ビニル共重合体，塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体，塩化ビニル－ア
クリロニトリル共重合体，ブタジエン－アクリロニトリル共重合体，ポリ
ビニルブチラール，ポリエステル，セルロース誘導体，ニトロセルロース，
スチレン－ブタジエン共重合体，合成ゴム系樹脂，フェノール樹脂，エポ
キシ樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，フェノキシ樹脂，シリコン樹脂，ま
たは尿素ホルムアミド樹脂から選ばれる樹脂であ」るのに対して，甲１発
明の「結合剤」は「樹脂材料であ」るとのみ特定されている点。」（審決
３７頁１３行～２１行）に加えて，さらに，「「１００℃以下のガラス転
移温度（Ｔｇ）を有する樹脂であって，」，「ポリアミド樹脂」，「アク
リル系樹脂」が相違する事項として追加されたものである。」（審決４４
頁１５行～１７行）。
しかし，甲１発明の拡散反射層の形成に用いられる塗布液に混合される
「結合剤」については，甲１には「樹脂材料」であることは示されていな
い。審決が引用する「樹脂材料」との記載は，蛍光体層に用いられる結合
剤についてのものである。
したがって，審決の上記認定は誤りである。
イ動機付け及び顕著な効果について
審決は，相違点ｂに関し，「表面に蛍光体を蒸着する樹脂として，ポリ
塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体・・・から選ばれる樹脂を使用すること
は，周知技術であると認められる。」と認定した上（審決３９頁下から２
行目～４０頁１１行），これらの樹脂を甲１発明の拡散反射における結合
剤として使用することは，当業者には容易であると認定している。
そして相違点ｂ’として追加された点に関しては，「甲第１４号証には，
表面に蛍光体を蒸着する熱可塑性樹脂膜の熱可塑性樹脂として，ガラス転
移点が３０℃～１５０℃，好ましくは，５０℃～１２０℃が好ましく，そ
の例として，上述の熱可塑性樹脂が挙げられており，また，甲第１５号証
には，支持体と蛍光体層との付着性（接着性）に優れた効果を奏するため
に，ポリマーのガラス転移点（Ｔｇ）が３０～１００℃であることが好ま
しいことが記載されているように，樹脂材料層の表面に，蛍光体を蒸着す
るとき，樹脂材料のガラス転移温度（Ｔｇ）が，蒸着時の基板温度の１５
０℃～２５０℃より低いものであれば，樹脂材料層と蛍光体層の接着性が
向上することは，当業者にはよく知られていることであり，また，訂正特
許発明３で，「１００℃」という数値に格別な技術的意味（特に，臨界的
意味）がないことも考慮すると，甲１発明の「樹脂材料」として，１００
℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）を有する樹脂を採用することは，当業者
が容易に想到し得ることである。」と判断した（審決４４頁２３行～末
行）。
しかし，以下のとおり，審決の上記認定及び判断は誤りである。
(ア)前記(1)ア(ア)のとおり，訂正特許発明３は，「特定の基板温度の
蒸着条件において軟化するバインダー樹脂（１００℃以下のガラス転移
温度（Ｔｇ）を有する樹脂であって，種類の特定されたもの）を含む反
射層を形成し，当該反射層の表面にＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶構造のシン
チレータ層を蒸着により形成すること」を一体とした技術的特徴の一つ
とするものである。
したがって，相違点ａとの関係性を捨象して，引用文献において，相
違点ｂに含まれる樹脂が，表面に蛍光体を蒸着する樹脂として列挙され
ていることのみをもって，上記のように認定した審決の認定は誤りであ
る。
(イ)そして，上記周知技術又は公知技術の認定と根拠とされた甲８，１
４，１５及び１６は，以下のとおり，蒸着結晶の種晶を根付き易くし，
根元から結晶をきれいに成長させるという課題を有するものではなく，
それらに開示されている樹脂を訂正特許発明３の反射層におけるバイン
ダー樹脂として用いることを何ら示唆しておらず，訂正特許発明３のバ
インダー樹脂とは異なる目的で用いているものである。
ａ甲８について
甲８は，支持体上に塗布乾燥して形成する反射層において，白色顔
料を分散させるために用いられる樹脂の種類が例示されているものの
（甲８の【０１１７】），そのような反射層を用いた場合に，蛍光体
層を蒸着により形成すること，及びその際の基板温度との関係につい
ては明らかにされていない。また，それらの樹脂を用いることによっ
て，蒸着結晶の種晶を根付き易くし，根元から結晶をきれいに成長さ
せることも何ら開示されていない。
ｂ甲１４について
甲１４において，支持体表面に設けられた熱可塑性樹脂膜は，反射
層ではなく，また白色顔料を含むものでもない（甲１４の【００７
５】～【００７７】において白色顔料への言及があるが，これは，
【００７４】に記載されるように，熱可塑性樹脂膜に混合されるので
はなく，蛍光体層の「柱状結晶間の間隙」に充填されるものであ
る。）。むしろ，甲１４には，「基材表面に樹脂が存在するとその樹
脂の製造プロセスにより残留溶媒や揮発性成分が多数存在するために，
蛍光体成膜時に揮発成分が発生し真空度が変化し蛍光体膜中の賦活剤
量及び膜厚の均一性に劣る原因となる。」（同【００１３】），「熱
可塑性樹脂膜を表面に有する支持体は成膜中に，水又は揮発性成分が
あるとＣｓＢｒ蛍光体成膜工程の真空度変動を制御することが難し
かった。」（同【００２３】）と記載されており，蒸着により蛍光体
層を形成する際に，支持体上に樹脂膜を設けることは好ましくないこ
とが開示されている。甲１４は，その課題を解決するために，熱可塑
性樹脂を支持体上に設ける際に，同時に１４０℃～１８０℃の範囲で
加熱処理を施すこととしたものである（同【００２３】及び【００２
５】）。
したがって，甲１４には，審決（４１頁下から４行目～末行）が相
違点ｂ’に関して指摘するように，確かに樹脂のガラス転移温度の記
載があるものの，これは，蛍光体層の蒸着温度との関係ではなく，蛍
光体層の蒸着に先立つ熱可塑性樹脂の加熱処理との関係で意識された
ものと理解するのが自然である。すなわち，甲１４は，バインダー樹
脂と白色顔料からなる反射層を形成し，当該反射層の表面にＣｓＩ：
Ｔｌの柱状結晶構造のシンチレータ層を蒸着により形成することとし
た場合のバインダー樹脂の選択に際し，蒸着温度において軟化するバ
インダー樹脂を選択することやそれによる効果についての示唆や動機
付けを与えるものではない。
ｃ甲１５について
甲１５には，ガラス転移温度が１００℃以下の樹脂を用いることに
より，支持体と蛍光体層の付着性を高めることができるとの記載はあ
るものの，甲１５のポリマー被覆は反射層ではなく，また輝尽性蛍光
体層が基板への形成後に剥離しやすいという課題に対して，放射線画
像変換パネルの耐食性や衝撃耐性の向上を目的とするものであるから，
シンチレータ層と反射層の接着性を向上させて，画像の鮮鋭性を向上
させるという訂正特許発明３とは目的が異なる。加えて，甲１５にお
ける基板温度は１００℃であり（甲１５の【００８７】），これは訂
正特許発明３に規定される範囲とは異なる。
ｄ甲１６について
甲１６は，そもそも樹脂製の基材上に直接蛍光体層を形成させたも
のであって反射層を有さないものであり，実施例を見ても，蛍光体粒
子と樹脂を混合し基材上に塗布することによって蛍光体層を形成する
ことを前提とするものである（甲１６の【００４２】等）。したがっ
て，訂正特許発明３とは何ら関係ない。
ｅ以上のとおり，上記文献は，ＣｓＩ：Ｔｌの蒸着結晶の種晶を根付
き易くし，根元から結晶をきれいに成長させるために，特定の基板温
度と当該基板温度下において軟化するバインダー樹脂を白色顔料とと
もに反射層に用いることを開示するものではなく，また，その用いら
れる目的も異なるものであるから，甲１発明の拡散反射層における結
合剤として当該文献に列挙される樹脂を使用することの動機付けも存
在しない。
(ウ)加えて，前記(1)イ(イ)のとおり，訂正特許発明３は，修正相違点
ｃの「該シンチレータパネルは，該出力基板の光電変換素子面形状に変
形している」という構成をとるものであるために，コンピューテッド・
ラジオグラフィ（ＣＲ）である甲１発明と比較した場合はもちろんのこ
と，該構成を有さない平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）と比べても，より一
層，受光面全体で均一な鮮鋭性を得ることができるものである（本件訂
正明細書の【００６２】）。訂正特許発明３において，修正相違点ｃの
構成をとることが可能となるのは，相違点ａ及びｂ’に係る構成を採用
したことによるものである。
(3)取消事由２ｃ（相違点ｃ（修正相違点ｃ）の判断の誤り）
以下のとおり，相違点ｃの容易想到性に係る審決の判断は誤りである。
ア修正相違点ｃとその効果について
(ア)相違点ｃは，前記１(2)のとおり，修正相違点ｃとして認定される
べきである。これにより，訂正特許発明３は，次の効果を有する。
訂正特許発明３は，甲１発明と異なり，「該シンチレータパネルは，
・・・該電磁波を吸収して画像を形成する出力基板とともに撮像パネル
を構成する」ものであって，甲１発明のように，「蛍光スクリーン２０
ｂ」と分離した「放射線像変換パネル２０ａ」のみをカセッテから取り
出し，「放射線像変換パネル２０ａ」に赤外線を照射して輝尽発光させ
ることで潜像を読み取るという工程を経ることなく，出力基板から直接
に画像情報が電気信号として出力されるものである。したがって，訂正
特許発明３を用いた平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）は，甲１発明やその他
のコンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）と比して，一般的に，鮮
鋭性及び空間分解能が高い（本件訂正明細書の【０００４】）。コンピ
ューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）の場合，一般的に，そもそも赤外
線照射と輝尽発光の読み取りという工程における誤差が避けられないが，
さらに，甲１発明の場合には，「蛍光スクリーン２０ｂ」から「放射線
像変換パネル２０ａ」を引き離す際の「引き離し易さなど取り扱い性を
高めるため」（甲１の【００７４】），むしろ両者が密着することを防
がなければならないからである。両者が密着していると，甲１の【００
７５】に示されるように，放射線像変換パネルを蛍光スクリーンから引
き離すときには剥離帯電（いわゆる静電気）が生じがちであり，そのよ
うな剥離帯電は，放射線像変換パネルに蓄積された潜像を一瞬にして消
し去ってしまうのである。
(イ)その上，訂正特許発明３は，「該シンチレータパネルは，該出力基
板の光電変換素子面形状に変形している」ために，そのような構成を有
さない平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）と比べて，より一層，受光面全体で
均一な鮮鋭性を得ることができるものである（本件訂正明細書の【００
６２】」。
イ動機付けについて
審決は，相違点ｃに関し，「甲１発明の「蓄積性蛍光体層２３」を有す
る「放射線像変換パネル２０ａ」に換えて，周知の光電変換素子を備える
出力基板とすることは，当業者が容易に想到し得ることである。」（審決
４１頁３行～５行），「シンチレータパネルと光電変換素子を備える出力
基板とを，ローラーを用いて貼り合わせていく方法が，・・・一般的な方
法であると認められる。」（審決４１頁７行～１１行），「柔軟な樹脂材
料を基板とするシンチレータパネルと光電変換素子を備える出力基板とを，
ローラを用いて貼り合せれば，シンチレータパネルが光電変換素子面形状
に合った形状となることは自明」（審決４１頁１１行～１４行）と認定し
ている。
しかし，まず，コンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）のシステム
として完成している甲１発明において，そもそも，「甲１発明の「蓄積性
蛍光体層２３」を有する「放射線像変換パネル２０ａ」に換えて，周知の
光電変換素子を備える出力基板とする」ことの動機付けは一切見当たらな
い。
また，前記１(1)のとおり，甲１発明において，「フロント側の蛍光ス
クリーン２０ｂ」は，「放射線像変換パネル２０ａ」と固定されておらず，
ローラーを用いて「放射線像変換パネル２０ａ」に貼り合せるという工程
は採られていない。それは，甲１発明は，コンピューテッド・ラジオグラ
フィ（ＣＲ）に関するものであって，「放射線像変換パネル２０ａ」を
「蛍光スクリーン２０ｂ」から容易にかつ静電気を生じさせることなく引
き離すことができることが原理上必須だからである。
したがって，仮に，審決が言うように，「甲１発明の『蓄積性蛍光体層
２３』を有する『放射線像変換パネル２０ａ』に換えて，周知の光電変換
素子を備える出力基板とすることは，当業者が容易に想到し得る」として
も，そこまでである。それだけでは，甲１発明の「フロント側の蛍光スク
リーン２０ｂ」を出力基板に固定して一体の撮像パネルとすることや，そ
の際に「該シンチレータパネルは，該出力基板の光電変換素子面形状に変
形している」との特徴を備えさせることへの動機付けは生じない。
審決は，「柔軟な樹脂材料を基板とするシンチレータパネルと光電変換
素子を備える出力基板とを，ローラーを用いて貼り合せれば，シンチレー
タパネルが光電変換素子面形状に合った形状となることは自明」（審決４
１頁１１行～１４行）だとするが，樹脂材料を基板とする場合であっても，
その厚さ等の条件によっては，シンチレータパネルが光電変換素子面形状
に合った形状となるとは限らない。そして，いずれの証拠にも「該シンチ
レータパネルは，該出力基板の光電変換素子面形状に変形している」との
特徴が開示されていないことに鑑みれば，本件特許の出願日前においては，
シンチレータパネルの変形は望まれないものであることが技術常識であっ
たことが明らかである。したがって，かかる技術常識に照らせば，仮に，
審決が認定するように，当業者が「甲１発明の『蓄積性蛍光体層２３』を
有する『放射線像変換パネル２０ａ』に換えて，周知の光電変換素子を備
える出力基板とする」場合には，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリー
ン２０ｂ」の支持体もより剛性の高いものとしたであろうと考えるのが合
理的である。光電変換素子を備える出力基板と貼り合せる場合でも，あえ
て，厚みの薄いシートあるいはフィルムを支持体として使い続けるという
構成に想到するためには，より積極的な動機付けが不可欠である。
ウ阻害要因について
(ア)甲１発明の「蓄積性蛍光体層２３」を有する「放射線像変換パネル
２０ａ」に換えて，周知の光電変換素子を備える出力基板とし，甲１発
明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」と出力基板とをローラーを
用いて貼り合わせることには，阻害要因がある。
すなわち，甲９及び甲１０は，以下のとおり，いずれも，シンチレー
タパネルと光電変換素子を備える出力基板とをローラーを用いて貼り合
わせていく方法の問題を提示している。
ａ甲９について
甲９は，センサーパネル１００と蛍光板１１０とを，接着層１２０
を間に塗布した後に，全体をローラーでしごきながら接着層１２０が
厚くならないようにするという従来技術を開示している（甲９の【０
００６】）。しかし，甲９は，その従来技術について，スプラッシュ
や支持基板の表面粗さにより生じた柱状結晶の異常成長により生じた
突起部がフォトセンサーや配線部を破壊するという問題や（同【００
１１】），破壊に至らなくとも解像度を低下させるという問題（同
【００１２】【００１３】）を指摘している。甲９は，突起部を押し
潰す，突起部を削る又は突起部を切り落とす（同【００２１】）とい
う工程を経ることにより，突起部の高さを最大でも５０μｍとするこ
とにより，それらの問題を解決したものである。したがって，甲９は，
蒸着により柱状結晶を成長させて構成した蛍光体層を出力基板にロー
ラーで力をかけて貼り合わせることについての課題を開示するもので
はあっても，それはむしろ，何らの工夫を施すことなくローラーで力
をかけて貼り合わせることに対しては，阻害要因として働くものであ
る。
ｂ甲１０について
甲１０は，光センサー１１１に接着剤を介して蛍光体１２５を重ね
合せ，ローラーで押し付けながら貼り合せを行うことを開示している
（甲１０の【００２１】）。
しかし，甲１０は，蒸着により形成した蛍光体層にはスプラッシュ
が生じ（同【００１６】），それをローラーで押し付けながら貼り合
せを行うと，光センサーの破壊（同【００２３】），保護層の破壊
（同【００２４】），蛍光体層の破壊（同【００２５】）などの問題
が生じることを指摘している。甲１０は，金属又は金属化合物からな
る反射層（同【０００７】）の表面に直接蛍光体層を蒸着しているの
ではなく，反射層の表面にポリパラキシリレン樹脂等の保護膜を形成
してその上に蛍光体層を形成しているのであるが（同【０００８】），
ポリパラキシリレン膜の目的は反射膜と蛍光体層との直接接触による
互いの腐食を抑止するためだけにあるので，訂正特許発明３のように
塗布により形成される層とは違って，これによる良好な接着性の向上
と良好な結晶成長という効果は期待できないのである。
そこで，甲１０は，貼り合せに先立って，蛍光体層にガラス板を載
せてローラーで加圧することにより蛍光体層を平坦化するという工程
（同【００５０】）等を経ることによって，スプラッシュの問題を取
り除き，医療用放射線システムにおけるセンサとして，安定した性能
を保証し，信頼性の高いセンサを提供することを達成することができ
た（同【００３８】）というものである。
したがって，甲１０は，蒸着により柱状結晶を成長させて構成した
蛍光体層を出力基板にローラーで力をかけて貼り合わせることについ
ての課題を開示するものではあっても，それはむしろ，何らの工夫を
施すことなくローラーで力をかけて貼り合わせることに対しては，阻
害要因として働くものである。
(イ)一方，甲１には，「上記のように蛍光体層が蒸着膜などのように放
射線吸収蛍光体の凝集体からなる場合には，クラックを形成させること
により隔壁とすることができる。そのような蛍光体層の例としては，Ｃ
ｓＩ：Ｎａ，ＣｓＩ：Ｔｌ，ＣｓＢｒ：Ｔｌなどの針状結晶膜を挙げる
ことができる。」（甲１の【００５３】）と記載され，ＣｓＩ：Ｔｌの
蒸着膜においてむしろ積極的にクラックを形成されることがむしろ好ま
しいものとして開示されている。当該記載は，甲１発明では，甲９や甲
１０における上記のような課題が認識されていないことを示すものであ
り，すなわち，甲１発明では，「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」
と出力基板とをローラーを用いて貼り合わせることは想定されていない
のである。
エ面形状に変形している構成について
審決も，訂正特許発明３の「該シンチレータパネルは，該出力基板の光
電変換素子面形状に変形している」との構成要件に関し，何らかの証拠に
より開示されていたと認定しているわけではなく，この点について，公知
文献に開示がないことは審決も認めている。
審決は，結局，「甲１発明の「蓄積性蛍光体層２３」を有する「放射線
像変換パネル２０ａ」に換えて，周知の光電変換素子を備える出力基板と
することは，当業者が容易に想到し得ることである。」（審決４１頁３行
～５行）との判断に基づき，訂正特許発明３の「該シンチレータパネルは，
該出力基板の光電変換素子面形状に変形している」との構成要件の開示も
あるものと同視してしまっている。しかし，前記のとおり，そのような論
理必然性は認められない。審決の判断は不合理である。
オ顕著な効果について
(ア)前記(1)イ(イ)のとおり，訂正特許発明３は，修正相違点ｃの「該
シンチレータパネルは，該出力基板の光電変換素子面形状に変形してい
る」という構成をとるものであるために，コンピューテッド・ラジオグ
ラフィ（ＣＲ）である甲１発明と比較した場合はもちろんのこと，該構
成を有さない平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）と比べても，より一層，受光
面全体で均一な鮮鋭性を得ることができるものである（本件訂正明細書
の【００６２】）。訂正特許発明３において，修正相違点ｃの構成をと
ることが可能となるのは，相違点ａ及びｂ’に係る構成を採用したこと
によるものである。
(イ)甲９や甲１０に示されるように，蒸着により柱状結晶を成長させて
蛍光体層を形成した場合，それを出力基板に貼り合わせていく際に，ス
プラッシュなど結晶の異常成長や支持基板の表面粗さを原因として，問
題が生じる。訂正特許発明３は，この問題について，甲９や甲１０とは
異なり，ガラス転移温度が１００℃以下の特定の種類の樹脂を反射層の
結合剤として塗布により用いることにより解決を図った。すなわち，訂
正特許発明３においては，①反射層が一定の厚みを持つことで支持基板
の表面粗さを吸収し，②蒸着の際の基板温度（１５０℃～２５０℃）よ
りも低いガラス転移温度を有する樹脂が蒸着に際して軟化することで，
根付きがよく，スプラッシュの発生が低減されて柱状結晶が良好に成長
するのである。
(4)小括
よって，訂正特許発明３は，甲１発明，周知技術及び技術常識に基づいて
当業者が容易に発明をすることができたとする審決の判断は誤りである。
３取消事由３（訂正特許発明１，２，４ないし８に関する進歩性判断の誤り）
(1)訂正特許発明１について
審決は，訂正特許発明１と甲１発明の相違点として，相違点ａ，ｂ，及び
ｃを認定している。
相違点ｂは，バインダー樹脂のガラス転移温度を具体的に特定していない
点で，訂正特許発明３に係る相違点ｂ’と異なるが，訂正特許発明１に具体
的に列挙されているポリウレタン等のバインダー樹脂は，基板温度が１５０
℃～２５０℃において軟化し，蛍光体層となる蒸着結晶の種晶が根付き易く
なり，根元から結晶をきれいに成長させるという目的及び作用効果の点で訂
正特許発明３の相違点ｂ’と共通するものである。
前記１及び２で述べたとおり，相違点ｃの認定並びに相違点ａ，ｂ’（相
違点ｂに対応）及びｃに係る審決の判断は誤りであるから，訂正特許発明１
についても，上記認定及び判断の誤りは審決取消事由を構成する。
(2)訂正特許発明２について
ア前記１及び２で述べたとおり，相違点ｃの認定並びに相違点ａ，ｂ’
（相違点ｂに対応）及びｃに係る審決の判断は誤りであるから，訂正特許
発明１に従属する訂正特許発明２についても，上記認定及び判断の誤りは
審決取消事由を構成する。
イ審決は，甲２の記載のみを根拠に，「蛍光体層が設けられる基板表面は
非常に平滑であることが必要であるという課題が当業者には周知の課題で
あると認められる。」と認定している（審決４３頁５行～６行）。
しかし，甲４１には，「エンボスされた層を与えるために，鉛ベースの
塗料を使用し，良く知られた被覆技術（例えばシルクスクリーン印刷）に
よって適用してもよく，その層の上に針状燐光体を蒸着してもよい。」
（甲４１の【００４３】）とあるように，むしろ，エンボス加工によって
凹凸のある表面に針状結晶を蒸着することが好ましい旨が記載されている。
この記載だけを見ても，蛍光体層等を蒸着する際に基板表面を平滑にする
ことが必ずしも常に好ましいものではないことは明らかである。
さらに，本件訂正明細書において，訂正特許発明２に係る実施例のＮｏ．
１は，Ｎｏ．１２（カレンダー処理なし）に比べＭＴＦにおいて更に優れ
ていることが示されている。かかる有利な効果は甲１等から当業者は予期
し得ないものといえる。しかし，審決では当該効果を何ら考慮することな
く，「『拡散反射層』の表面をカレンダー処理によって平滑化することは，
当業者が適宜なし得たことである。」と認定しており（審決４３頁１７行
～１８行），発明の効果を看過している点でも誤りがある。
ウ乙２は，金属基板表面の表面粗さを問題とするものであるが，訂正特許
発明２のように反射層がバインダー樹脂を含む場合にもカレンダー処理に
よる平滑化が必要であることは何ら開示も示唆もなされていない。
(3)訂正特許発明４について
訂正特許発明４は，訂正特許発明３に係る相違点ａ，ｂ’及びｃを含むも
のであり，審決には，前記１及び２で述べた点と同様の認定及び判断の誤り
がある。
(4)訂正特許発明５について
ア訂正特許発明５は，訂正特許発明３に係る相違点ａ，相違点ｂ’に対応
するｂ及び相違点ｃに対応する相違点ｃ’を含むものであり，審決には，
前記１及び２で述べた点と同様の認定及び判断の誤りがある。
イ相違点ｃ’は，シンチレータパネルが「光電変換素子の面形状に合った
形状に変化している」ことを具体的には特定していないが，相違点ａ及び
ｂの構成により訂正特許発明５もかかる効果を奏するものである点で訂正
特許発明３と共通する。
この点に関し，審決は，「柔軟な樹脂材料を基板とするシンチレータパ
ネルと光電変換素子を備える出力基板とを，ローラを用いて貼り合せれば，
シンチレータパネルが光電変換素子面形状に合った形状となることは自明
である」（審決４７頁６行～８行）と認定している。
しかし，前記２(3)イないしオのとおり，シンチレータパネルと出力基
板を単にローラを用いて貼り合わせることで，シンチレータパネルが光電
変換素子面形状に合った形状になり鮮鋭性が向上するわけではない。
したがって，審決の上記認定は誤りである。
(5)訂正特許発明６について
訂正特許発明６は，訂正特許発明３に係る相違点ａ，相違点ｂ’及び相違
点ｃを含むものであり，審決には，前記１及び２で述べた点と同様の認定及
び判断の誤りがある。
(6)訂正特許発明７について
訂正特許発明７は，訂正特許発明３に係る相違点ａ，相違点ｂ’に対応す
る相違点ｂ及び相違点ｃに対応する相違点ｃ’を含むものであり，審決には，
前記１及び２で述べた点と同様の認定及び判断の誤りがある。
(7)訂正特許発明８について
ア訂正特許発明８は，訂正特許発明３に係る相違点ａ，相違点ｂ’に対応
する相違点ｂ及び相違点ｃを含むものであり，審決には，前記１及び２で
述べた点と同様の認定及び判断の誤りがある。
イ審決は，訂正特許発明８は「前記反射層の厚さが０．２～３．０μｍで
ある」のに対し，甲１発明の「拡散反射層」は「層厚が１５乃至１００μ
ｍの範囲」であるという相違点ｅに関して（審決４９頁１１行～１４行），
「厚さのみが「０．２～３．０μｍである」と限定された点に格別な技術
的意味（特に，臨界的意味）が認められない」と認定している（審決４９
頁下から３行目～下から２行目）。
しかし，本件訂正明細書の実施例（表１）では，同一の粒径（０．２μ
ｍ）の白色顔料を用いた場合に，反射層の厚みが，０．２～３．０μｍの
範囲にあるＮｏ．１（１．０μｍ），Ｎｏ．８（０．２μｍ）及びＮｏ．
９（３．０μｍ）の試料は，反射層の厚みが当該範囲外であるＮｏ．７
（０．１μｍ），Ｎｏ．１０（３．５μｍ）の試料に比べて鮮鋭性（ＭＴ
Ｆ）がより顕著に優れていることが示されている。このような反射層の厚
み範囲による有利な効果は，甲１等から当業者が予期し得ないものである。
したがって，相違点ｅに係る審決の判断も誤りである。
第４被告の主張
１取消事由１（甲１発明の認定及び訂正特許発明１と甲１発明の一致点及び相
違点の認定の誤り）について
(1)甲１発明の認定及び訂正特許発明１と甲１発明の一致点の認定について
原告は，審決が，「甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」は
「放射線像変換パネル２０ａ」とともに，画像を撮るパネル，すなわち，撮
像パネルを構成する」と述べ，甲１発明と訂正特許発明１とは，「「該シン
チレータパネルは，入射された放射線のエネルギーを吸収しその強度に応じ
た電磁波を発光し，該電磁波を吸収して画像を形成する基板とともに撮像パ
ネルを構成する」ことで一致する」と認定した点について，訂正特許発明１
の「撮像パネル」は，シンチレータパネルが出力基板に押し付けられて固定
され両者が一体化した物であり，かつ，放射線の吸収により蛍光体層から生
じる発光を電気信号に変換するための受光素子等の読み取り機構を備えるも
のを意味するのに対し，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」
と「放射線像変換パネル２０ａ」は，互いに固定されておらず，また，入射
された放射線のエネルギーを吸収しその強度に応じて発光された電磁波を電
気信号に変換する読み取り機構を備えていないから，訂正特許発明１と甲１
発明が一致するのは，「該シンチレータパネルは，入射された放射線のエネ
ルギーを吸収しその強度に応じた電磁波を発光し」という限度においてで
あって，訂正特許発明１は「該シンチレータパネルは，・・・該電磁波を吸
収して画像を形成する出力基板とともに撮像パネルを構成する」のに対し，
甲１発明は，そのような構成は有していないから，審決の上記認定は誤りで
あると主張する。
しかし，審決は，「甲１発明の「放射線像変換パネル２０ａ」を構成する
「蓄積性蛍光体層２３」が「放射線吸収性蛍光体層２２ｂ」から発光された
電磁波を吸収して画像（潜像）を形成するものであることは技術常識であ
る」ことを前提に（審決３６ページ１３行～１５行），「撮像パネル」とい
う用語を，画像を撮るパネルという意味で用い，その意味において，訂正特
許発明１と甲１発明は，「シンチレータパネルは，・・・該電磁波を吸収し
て画像を形成する基板とともに撮像パネルを構成する」点で共通し，シンチ
レータパネルから発光された電磁波を吸収するものが，訂正特許発明１は，
「光電変換素子を備え，」「画像信号を出力する出力基板」である，すなわ
ち，「シンチレータパネルは，・・・該電磁波を吸収して画像信号を出力す
る出力基板とともに撮像パネルを構成し，該出力基板は，光電変換素子を備
え，」ているのに対して，甲１発明は，「蓄積性蛍光体層２３」を有する
「放射線像変換パネル２０ａ」である点で相違すると認定しているのである。
そして，甲１発明の蓄積性蛍光体層２３は，放射線吸収性蛍光体層２２ｂ
から発光された電磁波を吸収して潜像として蓄積するものであり（甲１の
【０１０６】），潜像として蓄積することも画像を形成するといえるし，甲
１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」は「放射線像変換パネル２
０ａ」とともに，画像を撮るパネルという意味で撮像パネルを構成している
といえる。
したがって，審決の甲１発明の認定及び訂正特許発明１と甲１発明の一致
点の認定に誤りはない。
(2)相違点ｃの認定について
ア原告は，審決が，相違点ｃとして，「訂正特許発明は，・・・「該シン
チレータパネルは，該出力基板の光電変換素子面形状に合った形状に変形
している」のに対して，甲１発明は，・・・「フロント側の蛍光スクリー
ン２０ｂ」が「蓄積性蛍光体層２３」の面形状にあった形状に変形してい
るか不明である」と認定した点について，甲１発明の「フロント側の蛍光
スクリーン２０ｂ」は，「蓄積性蛍光体層２３」の面形状にあった形状に
変形していないとして，相違点ｃは，正しくは，修正相違点ｃのとおり，
「訂正特許発明１は，「該シンチレータパネルは，・・・該電磁波を吸収
して画像を形成する基板とともに撮像パネルを構成する」のに対し，甲１
発明は，そのような構成は有しておらず，・・・」と認定されなければな
らないと主張する。
しかし，前記(1)のとおり，訂正特許発明１と甲１発明は，「該シンチ
レータパネルは，・・・該電磁波を吸収して画像を形成する基板とともに
撮像パネルを構成する」ことで共通している。したがって，「訂正特許発
明１は，「該シンチレータパネルは，・・・該電磁波を吸収して画像を形
成する基板とともに撮像パネルを構成する」のに対し，甲１発明は，その
ような構成は有しておらず，・・・」とは認定できない。
また，甲１には，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」が，
「蓄積性蛍光体層２３」の面形状にあった形状に変形しているとも，して
いないとも記載されていないから，審決が，変形しているか不明と認定し
たことには誤りはない。
イ原告は，甲１発明において，「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」は
「放射線像変換パネル２０ａ」と固定されておらず，両者は一体化されて
いないことを理由に，また，仮に，「フロント側の蛍光スクリーン２０
ｂ」が「放射線像変換パネル２０ａ」と固定され，一体化されていたとし
ても，「放射線像変換パネル２０ａ」を剛直な素材により構成することが
できないことを理由に，「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」は，「蓄
積性蛍光体層２３」の面形状にあった形状に変形していないと主張する。
しかし，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」の支持体２
１ｂ（基板）は，ポリイミド樹脂からなる厚みが５０μｍないし１ｍｍの
シートあるいはフィルムであって，可とう性を有しているから，「フロン
ト側の蛍光スクリーン２０ｂ」と「蓄積性蛍光体層２３」を合わせた際，
「蓄積性蛍光体層２３」が変形しないということはできず，「フロント側
の蛍光スクリーン２０ｂ」が「蓄積性蛍光体層２３」の面形状に合った形
状に変形していないということはできない。
２取消事由２（訂正特許発明３に関する進歩性判断の誤り）について
(1)取消事由２ａ（相違点ａの判断の誤り）について
ア構成の容易性について
(ア)審決の判断手法について
原告は，相違点ａに係る構成は，「特定の基板温度の蒸着条件におい
て軟化するバインダー樹脂を含む反射層を形成し，当該反射層の表面に
ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶構造のシンチレータ層を蒸着により形成するこ
と」を規定したものであり，訂正特許発明３は，かかる技術的特徴によ
り，蒸着により柱状結晶構造のシンチレータ層を形成する際に，バイン
ダー樹脂が軟化して，蒸着結晶の種晶が根付き易くなり，根元から結晶
をきれいに成長させることができ，その結果，シンチレータ層と反射層
の接着性が向上し鮮鋭性が向上するという優れた作用効果を奏するもの
であるから，上記技術的特徴に含まれる基板温度等の各要素を個別に切
り離して議論するべきものではないと主張する。
しかし，審決は，相違点ｂにおいて，基板温度等の各要素の関連性に
ついて議論している。
したがって，原告の上記主張は失当である。
(イ)技術常識及び周知技術の認定について
原告は，審決が引用するいずれの文献にも，ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶
構造のシンチレータ層を蒸着により形成する際に，基板温度が１５０～
２５０℃の範囲となる場合に軟化するバインダー樹脂を含む反射層を用
いることは開示されておらず，また，当該構成は当業者にとって常識的
な事項でもないと主張する。
しかし，以下のとおり，原告の上記主張は失当である。
ａ甲２２ないし甲２４について
甲２２には，「蒸着工程は１８０℃乃至２２０℃の温度域で有利に
行われる」（【００１０】），甲２３には，「蒸着時に基板温度を１
５０℃に維持したまま」（【００１４】），甲２４には，「基板温度
は１５０～３００℃でなければならない」（【００３２】）と記載さ
れている。
これらの記載からみて，「蒸着によりＣｓＩ：Ｔｌを形成する際の
基板温度を１５０～３００℃の範囲にすること」が技術常識であるこ
とは明らかである（前訴判決の第５の２(4)イ（６２頁））。
ｂ甲８について
甲８には，「支持体上に特定の入射角で輝尽性蛍光体の蒸気又は該
原料を供給し，蒸着等の気相成長（堆積）させる方法によって独立し
た細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができる」
（【００９９】），「支持体と輝尽性蛍光体層との間には係る反射層
を設けても良い。《反射層》反射層としては，例えば，白色顔料を樹
脂中に分散含有させたものが用いられる」（【０１１７】），「上記
作製した支持体１を２４０℃に加温し」（【０１６９】～【０１７
２】）と記載されている。
ｃ甲１６について
甲１６には，「基材１の材料として，プラスチック基板，シリコン
基板・・・などを用いることができる。プラスチック材料として，ポ
リエチレンテレフタレート，ポリカーボネート，ポリエチレンナフタ
レートなどの樹脂材料，または樹脂材料に酸化チタン，酸化アルミニ
ウムなどの顔料を混入した白色樹脂材料を用いることができる・・・
また，ＣｓＩ：Ｔｌなどの柱状結晶の層を，基材１に蒸着法により形
成することによっても得られる。」（【００２２】～【００２４】）
と記載されている。
ｄ甲４１について
甲４１には，「支持体をカバーする鉛含有層は刺激する光の少なく
とも８０％（マンモグラフィ用途）を吸収し，刺激された光の少な
くとも８０％（一般に適用される放射線写真）を反射する。・・・鉛
の層は反射特性を有する・・・」（【００２８】），「“蒸着された
燐光体”は・・・さらなる例では鉛又は鉛酸化合物の可撓性層は可撓
性ポリマー支持体上に接着剤層を与えられ，前記接着剤層上に被覆さ
れた結合剤に分散された鉛又は鉛酸化物の層である・・・」（【００
３０】～【００３３】），「結合剤としては例えばポリビニルブチラ
ール，ポリビニルアセテート，ウレタン，ポリビニルアルコール，ポ
リエステル樹脂，ポリメチルメタクリレートなどが挙げられる」
（【００３９】）と記載されている。
これらの記載からみて，「バインダー樹脂を含んだ反射層の表面又
は反射機能を有する樹脂基板の表面に，蛍光体層を蒸着により形成す
ること」が周知技術であることは明らかである（前訴判決の第５の２
(5)ウ（６３頁）。
イ顕著な効果について
原告は，訂正特許発明３は，①反射層が一定の厚みを持つことで支持基
板の表面粗さを吸収し，②蒸着の際の基板温度（１５０℃～２５０℃）よ
りも低いガラス転移温度を有する樹脂が蒸着に際して軟化することで，根
付きがよく，スプラッシュの発生が低減されて柱状結晶が良好に成長する
という効果を奏すると主張し，更に，甲２１（報告書）を提示して，基板
上にバインダー層を設けることによって柱状結晶が根本からきれいに成長
させることができ，また，甲４６（実験成績証明書）を提示して，シンチ
レータ層表面の凹凸が良好であり，シンチレータ層と受光素子の密着性が
優れ，鮮鋭性も優れることが分かると主張する。
しかし，以下のとおり，原告の上記主張は失当である。
(ア)反射層について
ａ原告は，「①反射層が一定の厚みを持つことで支持基板の表面粗さ
を吸収し」と主張している。しかし，このことは本件訂正明細書には
記載されておらず，しかも，反射層の表面が支持基板の表面よりも平
滑であることについて，その理由（平滑となる手段）も含めて訂正特
許発明３の発明特定事項（請求項３の記載）との関係で何ら説明され
ていない。原告の上記主張は，訂正特許発明３（請求項３の記載）に
基づく主張とはいえない。
また，甲２１及び甲４６には，訂正特許発明３の発明特定事項であ
る，基板温度１５０℃～２５０℃の温度条件であること，白色顔料が，
アルミナ，酸化イットリウム，酸化ジルコニウムおよび酸化チタンか
ら選ばれる少なくとも一種から選ばれ，しかも平均粒径０．１～３．
０μｍの白色顔料であること，シンチレータパネルが出力基板の光電
変換素子面形状に合った形状に変形するものであること，について何
ら記載されておらず，更に，甲４６には，バインダー樹脂が，１００
℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）を有する樹脂であること，について
何ら記載されていない。そうすると，甲２１及び甲４６は，訂正特許
発明３のシンチレータパネルを実験により検証したものとはいえない。
したがって，甲２１及び甲４６の結果に基づいて，訂正特許発明３の
効果を主張することは許されない。
ｂ進歩性の判断において，特許明細書に記載されていない効果につい
て主張することは許されない（知財高裁平成２１年（行ケ）第１０２
３８号判決２２頁４行～７行参照）。
訂正特許発明３の効果として，本件訂正明細書には，反射層を白色
顔料及びバインダー樹脂で形成することで，高い発光取り出し効率を
殆ど減じることなく，鮮鋭性が飛躍的に向上すること，基板温度は１
５０℃～２５０℃で実施されるが，反射層にガラス転位温度が３０～
１００℃を含有しておくことで，光反射層が接着層としても有効に機
能するようになること，すなわち，蒸着結晶とバインダー樹脂，基板
との接着性が向上することしか記載されておらず，原告が主張してい
る「スプラッシュの発生が低減されて柱状結晶が良好に成長するとい
う効果を奏する」点は何ら記載されていない（【００２７】，【００
３５】，【００３８】，【００７１】）。
したがって，原告の上記主張は失当である。
(イ)ガラス転移温度について
原告は，審決の「樹脂材料層の表面に蛍光体を蒸着するとき，樹脂材
料のガラス転移温度（Ｔｇ）が蒸着時の基板温度の１５０℃～２５０℃
より低いものであれば，樹脂材料層と蛍光体層の接着性が向上すること
は，当業者にはよく知られていることである」の認定は誤りであると主
張する。
しかし，甲１５の【００１６】，【００１９】，【００２０】，【０
０２４】，【００８６】及び【００８７】の記載からみて，甲１５には，
ガラス転移点（Ｔｇ）が３０℃～１００℃であるポリマー被覆された支
持体の表面温度を１００℃とし，ポリマー被覆上に蒸着により蛍光体層
を形成すると，支持体と蛍光体層との付着性（接着性）がすぐれたもの
となることが記載されているといえる。
そうすると，樹脂材料のガラス転移温度（Ｔｇ）が蒸着時の基板温度
より低いものであれば，樹脂材料層と蛍光体層の接着性が向上すること
は，当業者にはよく知られていることであるといえる。
したがって，樹脂材料層の表面に蛍光体を蒸着するとき，蒸着時の基
板温度を１５０℃～２５０℃とした場合であっても，樹脂材料のガラス
転移温度（Ｔｇ）が蒸着時の基板温度より低いものであれば，樹脂材料
層と蛍光体層の接着性が向上することは，当業者にとって予測可能な範
囲の効果であるといえる。
したがって，原告の上記主張は失当である。
(2)取消事由２ｂ（相違点ｂ’の判断の誤り）について
ア相違点ｂ’の認定について
原告は，甲１発明の拡散反射層の形成に用いられる塗布剤に混合される
「結合剤」については，甲１には「樹脂材料」であることは示されていな
いから，結合剤が樹脂材料であるとした審決の認定は誤りであると主張す
る。
しかし，拡散反射層の形成に用いられる塗布剤に混合される「結合剤」
については，通常樹脂材料が用いられることは当業者にとって技術常識で
ある（例えば，甲８の【０１１８】）。
そうすると，甲１の「拡散反射層は，上記微粒子状の光反射性物質およ
び結合剤を溶剤中に混合分散して塗布液を調製した後，これを支持体上に
塗布乾燥することにより形成することができる。結合剤および溶剤は，前
記蛍光体層に使用することが可能なものの中から適宜選択して用いること
ができる。」（【００８７】）に接した当業者は，結合剤として樹脂材料
が用いられていると理解するのが自然である。
したがって，原告の上記主張は失当である。
イ動機付け及び顕著な効果について
(ア)原告は，甲８，甲１４，甲１５及び甲１６には，ＣｓＩ：Ｔｌの蒸
着結晶の種晶を根付き易くし，根元から結晶をきれいに成長させるため
に，特定の基板温度と当該基板温度下において軟化するバインダー樹脂
を白色顔料とともに反射層に用いることを開示するものではなく，目的
も異なるものであって，甲１発明の拡散反射層における結合剤として当
該文献に列挙される樹脂を使用することの動機付けが存在せず，顕著な
効果を奏するものであるから，相違点ｂ’に係る審決の判断は誤りであ
ると主張する。
しかし，以下のとおり，特に甲１５には，甲１発明の拡散反射層にお
ける結合剤として当該文献に列挙される樹脂を使用することの動機付け
は存在する。また，訂正特許発明３は顕著な効果を奏するものではない。
(イ)訂正特許発明３は，前記(1)イ(ア)ｂのとおり，本件訂正明細書の
記載からみて，基板温度は１５０℃～２５０℃において蒸着により形成
された柱状結晶構造のシンチレータ層を有するシンチレータパネルで
あって，反射層にガラス転位温度が３０～１００℃を含有しておくこと
で，光反射層が接着層としても有効に機能することになる，すなわち，
蒸着結晶とバインダー樹脂，基板との接着性が向上する発明である。
そして，甲８，甲１４，甲１５及び甲１６には，次の事項が記載され
ている。
ａ甲８について
甲８には，訂正特許発明１と同様のポリウレタン，ポリエステル等
の特定材料から選択されるバインダー樹脂を含む反射層，及び基板温
度２４０℃（１５０℃～２５０℃の範囲である）で柱状結晶構造の蛍
光体層を形成することが記載されている（【００９９】，【０１１
７】～【０１２３】，【０１７２】）。
ｂ甲１４について
甲１４には，表面に，ガラス転移点が３０℃～１５０℃，好ましく
は５０℃～１２０℃であるポリウレタン等の熱可塑性樹脂膜を設けた
支持体の温度を１５０℃以上とし，該ポリウレタン等の熱可塑性樹脂
の表面に気相成長法により蛍光体層を形成することが記載されている
（【００２６】，【００２８】，【００７０】）。
ｃ甲１５について
甲１５には，ガラス転位点（Ｔｇ）が３０～１００℃であるポリマ
ー被覆された支持体の表面温度を１００℃とし，ポリマー被覆上に蒸
着により蛍光体層を形成すると，支持体と輝尽性蛍光体層との付着性
（接着性）が優れたものとなることが記載されていて，被覆される
ポリマーとして，ポリエステル樹脂，ポリエステル系，ウレタン系，
エポキシ系樹脂等が記載されている（【００１６】，【００１８】～
【００２０】，【００２４】，【００８７】）。
ｄ甲１６について
甲１６には，反射機能を有する樹脂基板（ポリエチレンテレフタレ
ート，ポリカーボネート，ポリエチレンナフタレート等の樹脂材料に，
酸化チタン，酸化アルミニウム等の顔料を混入した白色樹脂材料から
なる基材１）の表面に，柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌからなるシンチ
レータ層を蒸着によって形成することが記載されている（なお，ポリ
エチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレートは，ポリエステ
ルである）（【００２２】，【００２３】，【００２４】）。
(ウ)以上によれば，ポリウレタン等の熱可塑性樹脂やポリマー樹脂上に，
蒸着によりシンチレータ層を形成する際，当該樹脂のガラス転移温度
（Ｔｇ）と蒸着時の基板温度との関係においてＴｇを基板温度より低く
することは，甲１４，甲１５に記載されているとおり周知技術であり，
特に，当該樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）と蒸着時の基板温度との関係
においてＴｇを基板温度より低くすれば，支持体と輝尽性蛍光体層との
付着性（接着性）が優れたものとなることは当業者にとってよく知られ
たことであるといえる（甲１５）。
したがって，前記のとおり，訂正特許発明３は，基板温度は１５０℃
～２５０℃において蒸着により形成された柱状結晶構造のシンチレータ
層を有するシンチレータパネルであって，反射層にガラス転位温度が３
０～１００℃を含有しておくことで，蒸着結晶とバインダー樹脂，基板
との接着性が向上する発明であるから，特に甲１５には，甲１発明の拡
散反射層における結合剤として当該文献に列挙される樹脂を使用するこ
との動機付けが存在し，しかも，訂正特許発明３は，顕著な効果を奏す
るものではない。
(3)取消事由２ｃ（相違点ｃ（修正相違点ｃ）の判断の誤り）について
ア修正相違点ｃとその効果について
(ア)前記１(2)のとおり，相違点ｃに係る審決の認定に誤りはない。し
たがって，修正相違点ｃを前提とする効果についての原告の主張は失当
である。
(イ)原告は，本件訂正明細書の【００６２】の記載を引用して，訂正特
許発明３は，「該シンチレータパネルは，該出力基板の光電変換面形状
に変形している」ことにより，フラットパネルデテイクタの受光面全体
で均一な鮮鋭性が得られるという効果を奏すると主張する。
しかし，甲１発明は，「支持体２１ｂは，ポリイミド樹脂からなるア
ルミが５０μｍ乃至１ｍｍシートあるいはフィルム」であるから，訂正
特許発明３と同様可とう性を有しており，この甲１発明において，「蓄
積性蛍光体層２３」を有する「放射線像変換パネル２０ａ」に換えて，
周知の光電変換素子を備える出力基板とし，シンチレータパネルを，光
電変換素子を備える出力基板とともに撮像パネルとして構成した際，シ
ンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し，受光面
全体で均一な鮮鋭性が得られるという効果を奏することは，当業者なら
ば容易に予測できるものである。
したがって，原告が主張する上記効果は，甲１発明及び周知技術から
当業者が予測できる範囲のものであって，格別顕著な効果ではない。
イ動機付けについて
原告は，甲１発明において，甲１発明の「蓄積性蛍光体層２３」を有す
る「放射線像変換パネル２０ａ」に換えて，周知の光電変換素子を備える
出力基板とすることの動機付けはなく，仮に，甲１発明の「蓄積性蛍光体
層２３」を有する「放射線像変換パネル２０ａ」に換えて，周知の光電変
換素子を備える出力基板とすることは，当業者が容易に想到し得るとして
も，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」を出力基板に固定
して一体の撮像パネルとすることや，その際に，シンチレータパネルは，
出力基板の光電変換素子面形状に変形しているとの特徴を備えさせること
の動機付けは生じないと主張する。
しかし，そもそも，訂正特許発明３は，シンチレータパネルを，光電変
換素子を備える出力基板とともに撮像パネルとして構成するものであって，
シンチレータパネルを出力基板に「固定して一体の」撮像パネルとするこ
とは発明特定事項とはしていない。
また，訂正特許発明３におけるシンチレータパネルは，入射した放射線
の強度に応じた電磁波を発光するものであって，電磁波を吸収して画像信
号を出力する光電変換素子を備えた出力基板とともに撮像パネルを構成す
るものである。
一方，甲１発明における「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」，すな
わちシンチレータパネルも，入射した放射線の強度に応じた電磁波を発光
するものであって，この電磁波を吸収して画像情報として蓄積する蓄積性
蛍光体層とともに放射線画像形成材料を構成するものである。そして，甲
１発明は，最終的には，放射線画像情報読取装置により，蓄積性蛍光体層
に蓄積された画像情報を画像信号として読み出し，可視画像として再生さ
れるものである。
そうすると，相違点ｃにおける訂正特許発明３と甲１発明のシンチレー
タパネルは，１つの装置で行うか別の装置で行うかの違いはあるが，入射
した放射線の強度に応じた電磁波を発光するものであって，この電磁波を
吸収して画像を得る点では共通するものである。
また，シンチレータパネルを，光電変換素子を備える出力基板とともに
撮像パネルとして構成するものは，審決が述べるとおり，当該シンチレー
タの技術分野においてきわめて周知の技術であり（甲７，甲９，甲１０，
甲１２，甲１６），この周知の技術も，入射した放射線の強度に応じた電
磁波を発光するものであって，光電変換素子を備える出力基板とともに，
この電磁波を吸収して画像を得るものである。
したがって，訂正特許発明３，甲１発明，上記周知の技術は，技術分野，
及び機能が共通するから，甲１発明において，甲１発明の「蓄積性蛍光体
層２３を有する放射線像変換パネル２０ａに換えて，周知の光電変換素子
を備える出力基板とすることの動機付けは明確にあるといえる。
更に，甲１発明は，支持体が，ポリイミド樹脂などの柔軟な樹脂材料か
らなる厚みが５０μｍないし１ｍｍのシートあるいはフィルムであるから
（【００４８】），甲１発明のシンチレータパネルは可とう性を有するも
のである。したがって，甲１発明のシンチレータパネルを，光電変換素子
を備える出力基板とともに撮像パネルとして構成すると，シンチレータパ
ネルは，おのずから出力基板の光電変換素子面形状に変形しているといえ
る。（本件訂正明細書の【００５６】，【００５７】，【００６２】）。
したがって，原告の上記主張は失当である。
ウ阻害要因について
原告は，甲９及び甲１０の記載によると，シンチレータパネルに何らの
工夫を施すことなくローラーで力をかけて貼り合わせることに対しては，
阻害要因があると主張する。
しかし，甲９及び甲１０には，シンチレータパネルを出力基板に，ロー
ラーを用いて貼り合わせることは通常の技術であると記載されていて，甲
９及び甲１０の各発明は，ローラーを用いて貼り合わせることを否定して
いるわけではない。甲９及び甲１０の各発明は，シンチレータパネルを出
力基板に，ローラーを用いて貼り合わせる場合，不都合が生じることがあ
り，その課題を解決することを目的とした発明であるにすぎない。
したがって，甲９及び甲１０の記載から，シンチレータパネルを出力基
板に，ローラーを用いて貼り合わせることに阻害要因があるとはいえない。
また，甲１６には，蒸着により柱状結晶を成長させたものではないもの
の，シンチレータパネルを出力基板に，ローラーを用いて貼り合わせるこ
とが記載されていることには変わりがない。
したがって，ローラーを用いることに阻害要因はなく，原告の上記主張
は失当である。
エ面形状に変形している構成について
原告は，「該シンチレータパネルは，該出力基板の光電変換面形状に変
形している」構成について開示する証拠がないにもかかわらず，審決は，
訂正特許発明３の「該シンチレータパネルは，該出力基板の光電変換面形
状に変形している」との開示もあるものと同視しており，不合理であると
主張する。
しかし，甲１発明は，支持体が，ポリイミド樹脂などの柔軟な樹脂材料
からなる厚みが５０μｍないし１ｍｍのシートあるいはフィルムであるか
ら（【００４８】），甲１発明のシンチレータパネルは可とう性を有する
ものである。したがって，当業者は，甲１発明のシンチレータパネルを，
光電変換素子を備える出力基板とともに撮像パネルとして構成すると，シ
ンチレータパネルは，おのずから出力基板の光電変換素子面形状に変形し
ていると理解するのが自然である。（本件訂正明細書【００５６】，【０
０５７】，【００６２】）。
したがって，原告の上記主張は失当である。
オ顕著な効果について
原告は，訂正特許発明３は，修正相違点ｃの「該シンチレータパネルは，
該出力基板の光電変換素子面形状に変形している」ために，コンピューテ
ッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）である甲１発明と比較した場合はもちろん
のこと，該構成を有さない平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）と比べても，より
一層，受光面全体で均一な鮮鋭性を得ることができるものであり（本件訂
正明細書の【００６２】），訂正特許発明３において，修正相違点ｃに係
る構成が可能となったのは，相違点ａ及び相違点ｂ’に係る構成を採用し
たことによると主張する。
しかし，前記(1)イのとおり，訂正特許発明３は，原告が主張するよう
な発明ではない。
したがって，原告の上記主張は失当である。
(4)小括
よって，訂正特許発明３は，甲１発明，周知技術及び技術常識に基づいて
当業者が容易に発明をすることができたとする審決の判断に誤りはない。
３取消事由３（訂正特許発明１，２，４ないし８に関する進歩性判断の誤り）
について
(1)訂正特許発明１について
原告は，相違点ｃの認定並びに相違点ａ，ｂ’（相違点ｂに対応）及びｃ
に係る審決の判断は誤りであるから，訂正特許発明１についても，上記認定
及び判断の誤りは審決取消事由を構成すると主張する。
しかし，前記１及び２で述べたとおり，原告の上記主張は失当である。
(2)訂正特許発明２について
ア原告は，相違点ｃの認定並びに相違点ａ，ｂ’（相違点ｂに対応）及び
ｃに係る審決の判断は誤りであるから，訂正特許発明１に従属する訂正特
許発明２についても，上記認定及び判断の誤りは審決取消事由を構成する
と主張する。
しかし，前記１及び２で述べたとおり，原告の上記主張は失当である。
イ原告は，甲４１の【００４３】には，エンボス加工によって凹凸のある
表面に針状結晶を蒸着することが好ましいと記載されていることから，審
決の「蛍光体層が設けられる基板表面は非常に平滑であることが必要であ
るという課題が当業者には周知の課題であると認められる」との認定は誤
りであり，しかも，訂正特許発明２に関る実施例のＮｏ．１は，Ｎｏ．１
２（カレンダー処理なし）に比べてＭＴＦにおいて優れていると主張する。
しかし，甲４１の【００４３】には，「エンボスされた層を与えるため
に，鉛ベースの塗料を使用し，良く知られた被覆技術（例えばシルクスク
リーン印刷）によって適用してもよく，その層の上に針状燐光体を蒸着し
てもよい。」と記載されているだけであって，原告が主張するように，
「・・・蒸着することが好ましい。」とは記載されていない。
したがって，甲４１の【００４３】の記載をもって，審決の上記認定が
誤りであるとはいえない。
むしろ，乙１（【請求項６】，【０００８】，【００２１】，【００２
９】【００４０】）及び乙２（【００１０】，【００１２】，【００１
３】，【００１９】，【００２７】，【００２８】）の記載からしても，
審決の上記認定のとおり，蛍光体層が設けられる基板表面は非常に平滑で
あることが必要であるという課題が当業者には周知の課題であるといえる。
そして，蛍光体層が設けられる基板表面を平滑にすることによって，画
像特性等を向上することができることは，当業者にとって周知であるから，
原告が主張している効果も，当業者ならば予測し得る範囲の効果であって，
格別なものであるとはいえない。
したがって，上記原告の主張は失当である。
(3)訂正特許発明４について
原告は，訂正特許発明４は，訂正特許発明３に係る相違点ａ，ｂ’及びｃ，
を含むものであり，審決には，相違点ｃの認定並びに相違点ａ，ｂ’及びｃ
に係る判断の誤りがあると主張する。
しかし，前記１及び２で述べたとおり，原告の上記主張は失当である。
(4)訂正特許発明５について
原告は，訂正特許発明５は，訂正特許発明３に係る相違点ａ，相違点ｂ’
に対応するｂ及び相違点ｃに対応する相違点ｃ’を含むものであり，審決に
は，審決には，相違点ｃの認定並びに相違点ａ，ｂ’及びｃに係る判断の
誤りがあると主張する。
しかし，前記１及び２で述べたとおり，原告の上記主張は失当である。
(5)訂正特許発明６について
原告は，訂正特許発明６は，訂正特許発明３に係る相違点ａ，相違点ｂ’
及び相違点ｃを含むものであり，審決には，相違点ｃの認定並びに相違点ａ，
ｂ’及びｃに係る判断の誤りがあると主張する。
しかし，前前記１及び２で述べたとおり，原告の上記主張は失当である。
(6)訂正特許発明７について
原告は，訂正特許発明７は，訂正特許発明３に係る相違点ａ，相違点ｂ’
に対応する相違点ｂ及び相違点ｃに対応する相違点ｃ’を含むものであり，
審決には，前記１及び２で述べた点と同様の認定及び判断の誤りがあると主
張する。
しかし，前記１及び２で述べたとおり，原告の上記主張は失当である。
(7)訂正特許発明８について
ア原告は，訂正特許発明８は，訂正特許発明３に係る相違点ａ，相違点ｂ
’に対応する相違点ｂ及び相違点ｃを含むものであり，審決には，相違点
ｃの認定並びに相違点ａ，ｂ’及びｃに係る判断の誤りがあると主張する。
しかし，前記１及び２で述べたとおり，原告の上記主張は失当である。
イ原告は，訂正特許発明８と甲１発明の相違点ｅについて，反射層の厚み
が，０．２～３．０μｍの範囲にあるＮｏ．１（１．０μｍ），Ｎｏ．８
（０．２μｍ）及びＮｏ．９（３．０μｍ）の試料は，反射層の厚みが当
該範囲外であるＮｏ．７（０．１μｍ），Ｎｏ．１０（３．５μｍ）の試
料に比べて鮮鋭性（ＭＴＦ）がより顕著に優れていることを示しており，
このような反射層の厚み範囲による有利な効果は，甲１等から当業者が予
期し得ないものであるから，相違点ｅに係る審決の判断は誤りであると主
張する。
しかし，訂正特許発明８は，訂正特許発明１ないし７を引用した発明で
ある。ところで，訂正特許発明１，２及び５において，白色顔料の粒径は
何ら特定されていないから，訂正特許発明８においては，白色顔料の粒径
が異なる試料も比較対象とすべきである。
ところが，Ｎｏ．１１及びＮｏ．１２の試料は，反射層の厚さが０．２
～３．０μｍの範囲に入っているが，反射層の厚みが当該範囲外であるＮ
ｏ，７及びＮ０．１０の試料よりも鮮鋭性が劣っている。
したがって，訂正特許発明８は，原告の主張している効果を奏するとは
いえないから，原告の上記主張は失当である。
第５当裁判所の判断
当裁判所は，原告主張の取消事由はいずれも理由がないものと判断する。そ
の理由は以下のとおりである。
１取消事由１（甲１発明の認定及び訂正特許発明１と甲１発明の一致点及び相
違点の認定の誤り）について
(1)訂正特許発明１にいう「撮像パネル」の意味について
アはじめに
審決は，「甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」は「放射
線像変換パネル２０ａ」とともに，画像を撮るパネル，すなわち，撮像パ
ネルを構成する」と述べ（審決３６頁１６行～１８行），甲１発明と訂正
特許発明１とは，「「該シンチレータパネルは，入射された放射線のエネ
ルギーを吸収しその強度に応じた電磁波を発光し，該電磁波を吸収して画
像を形成する基板とともに撮像パネルを構成する」ことで一致する」と認
定した（審決３６頁２５行～２７行）。
これに対し，原告は，訂正特許発明の技術分野において，「撮像パネ
ル」という語は，放射線の吸収により蛍光体層から生じる発光を電気信号
に変換するための受光素子等の読み取り機構を備えるものを意味する（甲
４３の【０００２】及び【０００３】，甲４４の【０００９】）として，
かかる技術常識に基づけば，訂正特許発明１の「撮像パネル」は，シンチ
レータパネルが出力基板に押し付けられて固定され両者が一体化した物で
あり（本件訂正明細書の図５），かつ，シンチレータ層から発光された蛍
光を，それ自体で電気信号として変換し画像として直ちに出力することが
できる物である（同【００７７】及び【００８２】ないし【００９３】）
ところ，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」と「放射線像
変換パネル２０ａ」は，互いに固定されておらず，また，入射された放射
線のエネルギーを吸収しその強度に応じて発光された電磁波を電気信号に
変換する読み取り機構を備えていないから，「撮像パネル」には該当しな
いし，また，甲１発明の「放射線像変換パネル２０ａ」は，支持体を有さ
ず，保護層２４ａ及び２４ａ’に挟まれた蓄積性蛍光体層２３で構成され
ているだけであるから，「該電磁波を吸収して画像を形成する基板」（訂
正特許発明１における「出力基板」に相当）ということもできないとして，
審決の上記認定は誤りであると主張する（前記第３の１(1)）。
そこで，まず，原告の指摘する甲４３及び甲４４の記載を参照して，本
件特許の出願時（平成１９年２月２３日）における技術常識を確認する
（後記イないしエ）。そして，取消事由２として訂正特許発明３に関する
進歩性判断の誤りが主張されており，訂正特許発明３は，訂正特許発明１
と同様に，「該シンチレータパネルは，・・・該電磁波を吸収して画像を
形成する出力基板とともに撮像パネルを構成し」との発明特定事項を有す
るものであることから，本件訂正明細書の記載に基づいて訂正特許発明３
の概要について確認し（後記オ），その上で，本件訂正発明１にいう「撮
像パネル」の意味について検討する（後記カ）。
イ甲４３について
(ア)甲４３は，発明の名称を「光導電層および放射線撮像パネル」とす
る特開２００７－１２８４３号公報（平成１９年１月１８日公開）であ
る。
(イ)甲４３には，以下の記載がある。
ａ「【請求項１】
放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成
する・・・光導電層であって，・・・光導電層。」
ｂ「【背景技術】
【０００２】
従来より，・・・・Ｘ線に感応する光導電層を感光体として用い，
この光導電層にＸ線により形成された静電潜像を，光或いは多数の電
極で読み取って記録するＸ線撮像パネルが知られている。・・・
【０００３】
上述したＸ線撮像パネルは，この撮像パネル内に設けられた電荷生
成層にＸ線を照射することによって，Ｘ線エネルギーに相当する電荷
を生成し，生成した電荷を電気信号として読み出すようにしたもので
あって，上記光導電層は電荷生成層として機能する。」
ｃ「【発明を実施するための最良の形態】
・・・
【００２３】
・・・光読取方式に用いられる放射線撮像パネルを例にとって説明
する。図１は本発明の光導電層を有する放射線撮像パネルの一実施の
形態を示す断面図を示すものである。
【００２４】
この放射線撮像パネル３０は，・・・第１の導電層３１，・・・記
録用放射線導電層３２，・・・電荷輸送層３３，・・・読取用光導電
層３４，・・・第２の導電層３５を，この順に積層してなるものであ
る。
・・・
【００２９】
・・・静電潜像を読み取るために光を用いる方式について簡単に説
明する。図２は放射線撮像パネル３０を用いた記録読取システム（静
電潜像記録装置と静電潜像読取装置を一体にしたもの）の概略構成図
を示すものである。この記録読取システムは，放射線撮像パネル３０，
記録用照射手段９０，電源５０，電流検出手段７０，読取用露光手段
９２並びに接続手段Ｓ１，Ｓ２とからなり，静電潜像記録装置部分は
放射線撮像パネル３０，電源５０，記録用照射手段９０，接続手段Ｓ
１とからなり，静電潜像読取装置部分は放射線撮像パネル３０，電流
検出手段７０，接続手段Ｓ２とからなる。
【００３０】
放射線撮像パネル３０の導電層３１は接続手段Ｓ１を介して電源５
０の負極に接続されるとともに，接続手段Ｓ２の一端にも接続されて
いる。接続手段Ｓ２の他端の一方は電流検出手段７０に接続され，放
射線撮像パネル３０の導電層３５，電源５０の正極並びに接続手段Ｓ
２の他端の他方は接地されている。・・・
【００３１】
導電層３１の上面には被写体２９が配設されており，被写体２９は
放射線Ｌ１に対して透過性を有する部分２９ａと透過性を有しない遮
断部（遮光部）２９ｂが存在する。記録用照射手段９０は放射線Ｌ１
を被写体２９に一様に曝射するものであり，読取用露光手段９２は赤
外線レーザ光やＬＥＤ，ＥＬ等の読取光Ｌ２を図２中の矢印方向へ走
査露光するものであり，読取光Ｌ２は細径に収束されたビーム形状を
していることが望ましい。
【００３２】
以下，上記構成の記録読取システムにおける静電潜像記録過程につ
いて電荷モデル（図３）を参照しながら説明する。図２において接続
手段Ｓ２を開放状態（接地，電流検出手段７０の何れにも接続させな
い）にして，接続手段Ｓ１をオンし導電層３１と導電層３５との間に
電源５０による直流電圧Ｅｄを印加し，電源５０から負の電荷を導電
層３１に，正の電荷を導電層３５に帯電させる（図３（Ａ）参照）。
これにより，放射線撮像パネル１０には導電層３１と３５との間に平
行な電場が形成される。
【００３３】
次に記録用照射手段９０から放射線Ｌ１を被写体２９に向けて一様
に曝射する。・・・
【００３６】
・・・このようにして，被写体２９に放射線Ｌ１を曝射することに
より，被写体像に応じた電荷を放射線導電層３２と電荷輸送層３３と
の界面に蓄積することができるようになる。なお，この蓄積せしめら
れた電荷による被写体像を静電潜像という。
【００３７】
次に静電潜像読取過程について電荷モデル（図４）を参照しつつ説
明する。接続手段Ｓ１を開放し電源供給を停止すると共に，Ｓ２を一
旦接地側に接続し…た後に（図４（Ａ）参照），接続手段Ｓ２を電流
検出手段７０側に接続する。
【００３８】
読取用露光手段９２により読取光Ｌ２を放射線撮像パネル３０の導
電層３５側に走査露光する・・・
【００４０】
このように，読取光Ｌ２を走査露光しながら，放射線撮像パネル３
０から流れ出す電流を検出することにより，走査露光された各部（画
素に対応する）の蓄積電荷量を順次読み取ることができ，これにより
静電潜像を読み取ることができる。・・・」
ｄ「【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法により製造される光導電層を有する放射線
撮像パネルの一実施の形態を示す断面図
【図２】放射線撮像パネルを用いた記録読取システムの概略構成図」
ｅ「
」
ウ甲４４について
(ア)甲４４は，発明の名称を「撮像装置」とする特開２００３－３２９
７７７号公報（平成１５年１１月１９日公開）である。
(イ)甲４４には，以下の記載がある。
「【発明の実施の形態】
【０００９】・・・被写体の動画像を得る場合は，放射線源であるパル
スＸ線発生器・・・からＸ線パルスを発生させ，被写体を透過した撮像
パネル・・・内のＸ線がシンチレータによって可視光に変換される。こ
の光を撮像パネル・・・内の撮像素子で電気信号に変換する。・・・」
エ「撮像パネル」に係る技術常識について
(ア)前記ウのとおり，甲４４には，原告が主張するように，撮像パネル
が，それ自体で画像を電気信号として直ちに出力できるものとして記載
されている。
(イ)他方，前記イによれば，甲４３には，「放射線画像情報を静電潜像
として記録する放射線撮像パネル」（【請求項１】）が記載されており，
光読取方式に用いられる放射線撮像パネルの例として，第１の導電層３
１，記録用放射線導電層３２，電荷輸送層３３，読取用光導電層３４，
第２の導電層３５がこの順に積層された放射線撮像パネル３０が記載さ
れている（【００２４】）。
この放射線撮像パネル３０の静電潜像記録過程では，放射線撮像パネ
ル３０に加え，別途設けた電源５０，記録用照射手段９０，接続手段Ｓ
１からなる静電潜像記録装置部分を用いて（【００２９】），初めに，
接続手段Ｓ２を開放状態にした上で接続手段Ｓ１をオンし導電層３１と
導電層３５との間に電源５０による直流電圧を印加し（【００３２】），
次に，記録用照射手段９０から放射線Ｌ１を被写体２９に向けて一様に
曝射することにより（【００３３】），被写体像に応じた電荷を放射線
導電層３２と電荷輸送層３３との界面に静電潜像として蓄積する（【０
０３６】）。
次に，静電潜像読取過程では，放射線撮像パネル３０に加え，別途設
けた電流検出手段７０，読取用露光手段９２，接続手段Ｓ２からなる静
電潜像読取部分を用いて（【００２９】），初めに，接続手段Ｓ１を開
放し電源供給を停止するとともに，接続手段Ｓ２を一旦接地側に接続し，
その後，接続手段Ｓ２を電流検出手段７０側に接続する。そして，読取
用露光手段９２により読取光Ｌ２を放射線撮像パネル３０の導電層３５
側に走査露光することによって（【００３８】），放射線撮像パネル３
０から流れ出す電流を検出することにより，走査露光された各部の蓄積
電荷量を順次読み取り，これにより静電潜像を読み取っている（【００
４０】）。
このように，甲４３に記載された「放射線撮像パネル３０」は，放射
線撮像パネル３０に加えて，それとは別に設けた電流検出手段７０，読
取用露光手段９２，接続手段Ｓ２からなる静電潜像読取部分を用いて，
読取用露光手段９２により読取光Ｌ２を放射線撮像パネル３０の導電層
３５側に走査露光して蓄積された静電潜像を読み取っており，蓄積され
た静電潜像は，放射線撮像パネル３０とは別に設けた読取用露光手段９
２の読取光Ｌ２の照射によって初めて読取可能となるものである。
(ウ)そうすると，本件特許の出願時において，当業者は，「撮像パネ
ル」と呼ばれるものには，甲４４に記載された「撮像パネル」のように，
それ自体で画像を電気信号として直ちに出力できるものもあれば，甲４
３に記載された「放射線撮像パネル３０」のように，それ自体では画像
を電気信号として直ちに出力できないものも「撮像パネル」の概念に含
まれるものとして認識していたものと認められる。
そして，当業者の上記のような認識こそが，本件特許の出願時におけ
る技術常識であったものと認められ，原告が主張するような，「撮像パ
ネル」という語が，放射線の吸収により蛍光体層から生じる発光を電気
信号に変換するための受光素子等の読み取り機構を備えるもののみを意
味するという技術常識があったものとは認められない。
以上によれば，「撮像パネル」とは，入射するＸ線等の放射線によっ
て形成される潜像を保持するとともに，それ自体で潜像を電気信号とし
て直ちに出力できるものに限られず，他の手段を用いて潜像を読み出す
ことが可能なものであれば，「撮像パネル」に含まれる，というのが，
本件特許の出願時における技術常識であったものというべきである。
オ訂正特許発明３について
(ア)本件訂正明細書の記載
本件訂正明細書には，以下の記載がある。
ａ「【技術分野】
【０００１】
本発明は，被写体の放射線画像を形成する際に用いられるシンチレ
ータパネルに関する。」
ｂ「【背景技術】
・・・
【０００３】
・・・近年ではコンピューテッドラジオグラフィ（ｃｏｍｐｕｔｅｄ
ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ：ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテ
クタ（ｆｌａｔｐａｎｅｌｄｅｔｅｃｔｏｒ：ＦＰＤ）等に代表
されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。・・・
【０００４】
Ｘ線画像のデジタル技術の一つとしてコンピューテッド・ラジオグ
ラフィ（ＣＲ）が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら
鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不十分であり，スクリーン・フィル
ムシステムの画質レベルには到達していない。そして，更に新たなデ
ジタルＸ線画像技術として，例えば，薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を
用いた平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）が開発されて・・・いる。
【０００５】
放射線を可視光に変換するために，放射線により発光する特性を有
するＸ線蛍光体で作られたシンチレータパネルが使用されるが，低線
量の撮影においてのＳＮ比を向上するためには，発光効率の高いシン
チレータパネルを使用することが必要になってくる。一般にシンチレ
ータパネルの発光効率は，シンチレータ層（蛍光体層）の厚さ，蛍光
体のＸ線吸収係数によって決まるが，蛍光体層の厚さは厚くすればす
るほど，蛍光体層内での発光光の散乱が発生し，鮮鋭性は低下する。
そのため，画質に必要な鮮鋭性を決めると，膜厚が決定する。
【０００６】
・・・ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）はＸ線から可視光に対する変更率
が比較的高く，蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来
るため，光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ，蛍
光体層の厚さを厚くすることが可能であった。
【０００７】
しかしながらＣｓＩのみでは発光効率が低いために，例えば，Ｃｓ
Ｉとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものを，
蒸着を用いて基板上にナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎ
ａ）として堆積，又近年ではＣｓＩとヨウ化タリウム（ＴｌＩ）を任
意のモル比で混合したしたものを，蒸着を用いて基板上にタリリウム
賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）として堆積したものに，後工程
としてアニールを行うことで可視変換効率を向上させ，Ｘ線蛍光体と
して使用している。
【０００８】
また他の光出力を増大する手段として，シンチレータを形成する基
板を反射性とする方法・・・，基板上に反射層を設ける方法・・・，
基板上に設けられた反射性金属薄膜と，金属薄膜を覆う透明有機膜上
にシンチレータを形成する方法・・・などが提案されているが，これ
らの方法は得られる光量は増加するが，鮮鋭性が著しく低下するとい
う欠点がある。
【０００９】
またシンチレータパネルを平面受光素子面上に配置する方法…があ
るが生産効率が悪く，シンチレータパネルと平面受光素子面での鮮鋭
性の劣化は避けられない。
【００１０】
従来，気体層法によるシンチレータの製造方法としては，アルミや
アモルファスカーボンなど剛直な基板上に蛍光体層を形成し，その上
にシンチレータの表面全体を保護膜で被覆させる・・・ことが一般的
である。しかしながら，自由に曲げることのできないこれらの基板上
に蛍光体層を形成した場合，シンチレータパネルと平面受光素子面を
貼り合せる際に，基板の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け，フラ
ットパネルデテイクタの受光面内で均一な画質特性が得られないとい
う欠点がある。この問題は近年のフラットパネルデテイクタの大型化
に伴い深刻化してきている。
【００１１】
この問題を回避するために撮像素子上に直接，蒸着でシンチレータ
を形成する方法や，鮮鋭性の低いが，可とう性を有する医用増感紙な
どをシンチレータパネルの代用として用いることが一般的に行われて
いる。また，保護層としてポリパラキシリレン等の柔軟な保護層を使
用した例が示されて・・・いる。しかしながら，基板として使用して
いるアルミやアモルファスカーボンなどは剛直であり，基板の凹凸や
反りなどの影響により，シンチレータパネル面と平面受光素子面の均
一接触は達成し難い。
【００１２】
この様な状況から，放出される光量や鮮鋭性に優れ，シンチレータ
パネルと平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ない放射線フラット
パネルデテイクタを開発することが望まれている。・・・」
ｃ「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は，上記状況に鑑み成されたものであり，その課題はシンチ
レータの発光取り出し効率，鮮鋭性が高く，平面受光素子面間での鮮
鋭性の劣化が少ないシンチレータパネルを提供することである。」
ｄ「【発明の効果】
【００２４】
本発明の上記手段により，シンチレータの発光取り出し効率，鮮鋭
性が高く，平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータ
パネルを提供することができる。」
ｅ「【発明を実施するための最良の形態】
・・・
【００２７】
本発明者らは，上記課題を達成するために鋭意検討を加えた結果・
・・反射層を白色顔料及びバインダー樹脂で形成することで，高い発
光取り出し効率を殆ど減じることなく，鮮鋭性が飛躍的に向上するこ
とを見出した。
・・・
【００２９】
（シンチレータパネルの構成）
本発明のシンチレータパネルは，基板上に反射層及びシンチレータ
層を設けて成るシンチレータパネルであって，反射層を平均粒径０．
１～３．０μｍを中心にした白色顔料及びバインダー樹脂で形成する
ことが好ましい。
・・・
【００３１】
（反射層）
本発明に係る反射層は，基板とシンチレータ層の間に存在し，アル
ミナ，酸化イットリウム，酸化ジルコニウムおよび酸化チタンから選
ばれる少なくとも一種の白色顔料及びバインダー樹脂からなる。
【００３２】
当該反射層の厚さは，０．２～３．０μｍであることが，発光光取
り出し効率の観点から好ましい。
【００３３】
以下，反射層の構成要素について説明する。
【００３４】
〈白色顔料〉
白色顔料としては，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＴｉＯ２，Ｙ２Ｏ３を挙げ
ることができる。これらの物質は単独で用いてもよいし，あるいは組
み合わせて用いてもよい。これらの高い屈折率を有する物質は，その
高い屈折率によって本発明の効果を高めることができる。特にＴｉＯ
２が好ましい。
【００３５】
〈バインダー樹脂〉
本発明において白色顔料は，バインダー樹脂中に分散されて用いら
れる。分散剤は，用いるバインダーと白色顔料とに合わせて種々のも
のを用いることができる。バインダーとしては，ガラス転位温度（Ｔ
ｇ）が３０～１００℃のポリマーであることが，蒸着結晶と基板との
膜付の点で好ましく，特にポリエステル樹脂であることが好ましい。
・・・
【００３８】
本発明に係る反射層は，溶剤に溶解した樹脂を塗布，乾燥して形成
することが好ましい。前記樹脂としては，具体的には，ポリウレタン，
塩化ビニル共重合体，塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体，塩化ビニル
－塩化ビニリデン共重合体，塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体，
ブタジエン－アクリロニトリル共重合体，ポリアミド樹脂，ポリビニ
ルブチラール，ポリエステル，セルロース誘導体（ニトロセルロース
等），スチレン－ブタジエン共重合体，各種の合成ゴム系樹脂，フェ
ノール樹脂，エポキシ樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，フェノキシ樹
脂，シリコン樹脂，アクリル系樹脂，尿素ホルムアミド樹脂等が挙げ
られる。なかでもポリウレタン，ポリエステル，塩化ビニル系共重合
体，ポリビニールブチラール，ニトロセルロースを使用することが好
ましい。特にガラス転位温度が３０～１００℃のバインダー樹脂を含
有することが好ましい。通常，蒸着によるシンチレータを形成するに
あたっては，基板温度は１５０℃～２５０℃で実施されるが，反射層
にガラス転位温度が３０～１００℃を含有しておくことで，光反射層
が接着層としても有効に機能するようになる。
・・・
【００４０】
（シンチレータ層）
シンチレータ層（「蛍光体層」ともいう。）を形成する材料として
は・・・Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く，蒸着によって
容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成出来るため，光ガイド効果により
結晶内での発光光の散乱が抑えられ，シンチレータ層（蛍光体層）の
厚さを厚くすることが可能であることから，ヨウ化セシウム（Ｃｓ
Ｉ）が好ましい。
・・・
【００４２】
・・・本発明においては，特に，１種類以上のタリウム化合物を含
む添加剤とヨウ化セシウムとを原材料とすることが好ましい。すなわ
ち，タリリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）は４００ｎｍか
ら７５０ｎｍまでの広い発光波長をもつことから好ましい。」
・・・
【００５６】
特に，ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子
フィルム等が，ヨウ化セシウムを原材料として気相法にて柱状シンチ
レータを形成する場合に，好適である。特に基板が厚さ５０～５００
μｍの可とう性を有する高分子フィルムであることが好ましい。
・・・
【００６２】
・・・シンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に，基
板の変形や蒸着時の反りなどの影響を受け，フラットパネルデテイク
タの受光面内で均一な画質特性が得られないという点に関して，該基
板を，厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下の高分子フィルムとすること
でシンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し，
フラットパネルデテイクタの受光面全体で均一な鮮鋭性が得られる。
【００６３】
（シンチレータパネルの作製方法）
本発明のシンチレータパネルの作製方法の典型的例について，図を
参照しながら説明する。なお，図１は，放射線用シンチレータパネル
１０の概略構成を示す断面図である。図２は，放射線用シンチレータ
パネル１０の拡大断面図である。
・・・
【００７５】
（放射線画像検出器）
以下に，上記放射線用シンチレータパネル１０の一適用例として，
図４及び図５を参照しながら，当該放射線用シンチレータプレート１
０を具備した放射線画像検出器１００の構成について説明する。なお，
図４は放射線画像検出器１００の概略構成を示す一部破断斜視図であ
る。また，図５は撮像パネル５１の拡大断面図である。
【００７６】
図４に示す通り，放射線画像検出器１００には，撮像パネル５１，
放射線画像検出器１００の動作を制御する制御部５２，書き換え可能
な専用メモリ（例えばフラッシュメモリ）等を用いて撮像パネル５１
から出力された画像信号を記憶する記憶手段であるメモリ部５３，撮
像パネル５１を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供
給する電力供給手段である電源部５４，等が筐体５５の内部に設けら
れている。・・・
【００７７】
ここで，放射線画像検出器１００に電源部５４を設けるとともに放
射線画像の画像信号を記憶するメモリ部５３を設け，コネクタ５６を
介して放射線画像検出器１００を着脱自在にすれば，放射線画像検出
器１００を持ち運びできる可搬構造とすることができる。
【００７８】
図５に示すように，撮像パネル５１は，放射線用シンチレータパネ
ル１０と，放射線用シンチレータパネル１０からの電磁波を吸収して
画像信号を出力する出力基板２０と，から構成されている。
・・・
【００８０】
出力基板２０は，放射線用シンチレータパネル１０の放射線照射面
と反対側の面に設けられており，放射線用シンチレータパネル１０側
から順に，隔膜２０ａ，光電変換素子２０ｂ，画像信号出力層２０ｃ
及び基板２０ｄを備えている。
・・・
【００８２】
光電変換素子２０ｂは，透明電極２１と，透明電極２１を透過して
入光した電磁波により励起されて電荷を発生する電荷発生層２２と，
透明電極２１に対しての対極になる対電極２３とから構成されており，
隔膜２０ａ側から順に透明電極２１，電荷発生層２２，対電極２３が
配置される。
【００８３】
透明電極２１とは，光電変換される電磁波を透過させる電極であり，
例えばインジウムチンオキシド（ＩＴＯ），ＳｎＯ2，ＺｎＯなどの
導電性透明材料を用いて形成される。
【００８４】
電荷発生層２２は，透明電極２１の一面側に薄膜状に形成されてお
り，光電変換可能な化合物として光によって電荷分離する有機化合物
を含有するものであり，電荷を発生し得る電子供与体及び電子受容体
としての導電性化合物をそれぞれ含有している。電荷発生層２２では，
電磁波が入射されると，電子供与体は励起されて電子を放出し，放出
された電子は電子受容体に移動して，電荷発生層２２内に電荷，すな
わち，正孔と電子のキャリアが発生するようになっている。
【００８５】
ここで，電子供与体としての導電性化合物としては，ｐ型導電性高
分子化合物が挙げられ，ｐ型導電性高分子化合物としては，ポリフェ
ニレンビニレン，ポリチオフェン，ポリ（チオフェンビニレン），ポ
リアセチレン，ポリピロール，ポリフルオレン，ポリ（ｐ－フェニレ
ン）又はポリアニリンの基本骨格を持つものが好ましい。
【００８６】
また，電子受容体としての導電性化合物としては，ｎ型導電性高分
子化合物が挙げられ，ｎ型導電性高分子化合物としては，ポリピリジ
ンの基本骨格を持つものが好ましく，特にポリ（ｐ－ピリジルビニレ
ン）の基本骨格を持つものが好ましい。
【００８７】
電荷発生層２２の膜厚は，光吸収量を確保するといった観点から，
１０ｎｍ以上（特に１００ｎｍ以上）が好ましく，また電気抵抗が大
きくなりすぎないといった観点から，１μｍ以下（特に３００ｎｍ以
下）が好ましい。
【００８８】
対電極２３は，電荷発生層２２の電磁波が入光される側の面と反対
側に配置されている。対電極２３は，例えば，金，銀，アルミニウム，
クロムなどの一般の金属電極や，透明電極２１の中から選択して用い
ることが可能であるが，良好な特性を得るためには仕事関数の小さい
（４．５ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれらの混合
物を電極物質とするのが好ましい。
【００８９】
また，電荷発生層２２を挟む各電極（透明電極２１及び対電極２
３）との間には，電荷発生層２２とこれら電極が反応しないように緩
衝地帯として作用させるためのバッファー層を設けてもよい。バッフ
ァー層は，例えば，フッ化リチウム及びポリ（３，４－エチレンジオ
キシチオフェン）：ポリ（４－スチレンスルホナート），２，９－ジ
メチル－４，７－ジフェニル［１，１０］フェナントロリンなどを用
いて形成される。
【００９０】
画像信号出力層２０ｃは，光電変換素子２０ｂで得られた電荷の蓄
積および蓄積された電荷に基づく信号の出力を行うものであり，光電
変換素子２０ｂで生成された電荷を画素毎に蓄積する電荷蓄積素子で
あるコンデンサ２４と，蓄積された電荷を信号として出力する画像信
号出力素子であるトランジスタ２５とを用いて構成されている。
【００９１】
トランジスタ２５は，例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いる
ものとする。このＴＦＴは，液晶ディスプレイ等に使用されている無
機半導体系のものでも，有機半導体を用いたものでもよく，好ましく
はプラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴである。プラスチック
フィルム上に形成されたＴＦＴとしては，アモルファスシリコン系の
ものが知られているが，その他，米国ＡｌｉｅｎＴｅｃｈｎｏｌｏ
ｇｙ社が開発しているＦＳＡ（ＦｌｕｉｄｉｃＳｅｌｆＡｓｓｅｍ
ｂｌｙ）技術，即ち，単結晶シリコンで作製した微小ＣＭＯＳ（Ｎａ
ｎｏｂｌｏｃｋｓ）をエンボス加工したプラスチックフィルム上に配
列させることで，フレキシブルなプラスチックフィルム上にＴＦＴを
形成するものとしても良い。さらに，Ｓｃｉｅｎｃｅ，２８３，８２
２（１９９９）やＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，７７１４８８（１
９９８），Ｎａｔｕｒｅ，４０３，５２１（２０００）等の文献に記
載されているような有機半導体を用いたＴＦＴであってもよい。
【００９２】
このように，本発明に用いられるトランジスタ２５としては，上記
ＦＳＡ技術で作製したＴＦＴ及び有機半導体を用いたＴＦＴが好まし
く，特に好ましいものは有機半導体を用いたＴＦＴである。この有機
半導体を用いてＴＦＴを構成すれば，シリコンを用いてＴＦＴを構成
する場合のように真空蒸着装置等の設備が不要となり，印刷技術やイ
ンクジェット技術を活用してＴＦＴを形成できるので，製造コストが
安価となる。さらに，加工温度を低くできることから熱に弱いプラス
チック基板上にも形成できる。
【００９３】
トランジスタ２５には，光電変換素子２０ｂで発生した電荷を蓄積
するとともに，コンデンサ２４の一方の電極となる収集電極（図示せ
ず）が電気的に接続されている。コンデンサ２４には光電変換素子２
０ｂで生成された電荷が蓄積されるとともに，この蓄積された電荷は
トランジスタ２５を駆動することで読み出される。すなわちトランジ
スタ２５を駆動させることで放射線画像の画素毎の信号を出力させる
ことができる。」
ｆ「【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】放射線用シンチレータパネル１０の概略構成を示す断面図
【図２】放射線用シンチレータパネル１０の拡大断面図
・・・
【図５】撮像パネル５１の拡大断面図
【符号の説明】
【０１１９】
１基板
２シンチレータ（蛍光体）層
３反射層
１０放射線用シンチレータパネル
・・・」
ｇ「【図１】
」
「【図２】
」
「【図５】
」
(イ)訂正特許発明３の概要
上記記載によれば，訂正特許発明３は，概要，次のとおりの発明であ
ることが認められる。
ａ訂正特許発明３は，被写体の放射線画像を形成する際に用いられる
シンチレータパネルに関する（【０００１】）。
ｂ近年，コンピューテッドラジオグラフィ（ｃｏｍｐｕｔｅｄｒａ
ｄｉｏｇｒａｐｈｙ：ＣＲ）等に代表されるデジタル方式の放射線画
像検出装置が登場しており（【０００３】），放射線を可視光に変換
するために，放射線により発光する特性を有するＸ線蛍光体で作られ
たシンチレータパネルが使用されている（【０００５】）。
また，シンチレータ層（蛍光体層）（【０００５】）の形成材料と
して用いられるヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は，Ｘ線から可視光に対す
る変換率が比較的高く，蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に
形成できるため，光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑え
られ，蛍光体層を厚くすることが可能であるが（【０００６】），近
年では，ＣｓＩとヨウ化タリウム（ＴｌＩ）を任意のモル比で混合し
たものを，蒸着を用いて基板上に堆積したタリリウム賦活ヨウ化セシ
ウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）が可視光変換効率の向上したＸ線蛍光体として
使用されている（【０００７】）。
しかし，従来，気体層法によるシンチレータの製造方法としては，
アルミやアモルファスカーボンなど剛直な基板上に蛍光体層を形成す
ることが一般的であったため，シンチレータパネルと平面受光素子面
を貼り合わせる際に（【００１０】），基板の凹凸や反りなどの影響
により，シンチレータパネル面と平面受光素子面の均一接触は達成し
難いという状況にあった（【００１１】）。
ｃ訂正特許発明３は，上記状況に鑑み成されたものであり，その課題
はシンチレータの発光取り出し効率，鮮鋭性が高く，平面受光素子面
間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータパネルを提供することであ
る（【００１３】）。
訂正特許発明３の発明者らは，反射層を白色顔料及びバインダー樹
脂で形成することで，高い発光取り出し効率を殆ど減じることなく，
鮮鋭性が飛躍的に向上することを見出した（【００２７】）。
ｄ訂正特許発明３は，基板上に反射層及びヨウ化セシウムと少なくと
も１種類以上のタリウムを含む添加剤を原材料（【００４０】，【０
０４２】）として基板温度１５０℃～２５０℃において蒸着により形
成された柱状結晶構造のシンチレータ層（【００３８】）を有するシ
ンチレータパネルであって，該反射層が，該基板と該柱状結晶構造の
シンチレータ層との間に存在し，アルミナ，酸化イットリウム，酸化
ジルコニウムおよび酸化チタンから選ばれる少なくとも一種の白色顔
料及びバインダー樹脂からなり，該反射層は，溶剤に分散または溶解
した該白色顔料および該バインダー樹脂を塗布および乾燥して形成し
たものであって，前記白色顔料が，平均粒径０．１～３．０μｍの白
色顔料であり（【００２９】，【００３４】，【００３８】），該バ
インダー樹脂が，１００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）を有する樹
脂であって（【００３５】，【００３８】），ポリウレタン，塩化ビ
ニル共重合体，塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体，塩化ビニル－塩化
ビニリデン共重合体，塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体，ブタ
ジエン－アクリロニトリル共重合体，ポリアミド樹脂，ポリビニルブ
チラール，ポリエステル，セルロース誘導体，ニトロセルロース，ス
チレン－ブタジエン共重合体，合成ゴム系樹脂，フェノール樹脂，エ
ポキシ樹脂，尿素樹脂，メラミン樹脂，フェノキシ樹脂，シリコン樹
脂，アクリル系樹脂，または尿素ホルムアミド樹脂から選ばれる樹脂
（【００３８】）であり，該柱状結晶構造のシンチレータ層は，該反
射層の表面に柱状結晶体を成長させて形成したものであり，該シンチ
レータパネルは，入射された放射線のエネルギーを吸収してその強度
に応じた電磁波を発光し，該電磁波を吸収して画像信号を出力する出
力基板とともに撮像パネルを構成し，該出力基板は，光電変換素子を
備え（【００７８】，【００８０】），さらに，該シンチレータパネ
ルは，該出力基板の光電変換素子面形状に合った形状に変形している
こと（【００５６】，【００６２】）を特徴とするシンチレータパネ
ルである。
ｅ訂正特許発明３では，基板温度１５０℃～２５０℃において蒸着に
より柱状結晶構造のシンチレータ層を形成する際に，バインダー樹脂
のガラス転移温度（Ｔｇ）を１００℃以下にすることで，反射層が接
着層としても有効に機能し（【００３５】，【００３８】），また，
シンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形するこ
とで，受光面全体で均一な鮮鋭性を得ることができる（【００６
２】）ため，シンチレータの発光取り出し効率，鮮鋭性が高く，平面
受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータパネルを提供す
ることができる（【００２４】）。
カ「撮像パネル」の意味について
(ア)原告は，訂正特許発明の技術分野において，「撮像パネル」という
語は，放射線の吸収により蛍光体層から生じる発光を電気信号に変換す
るための受光素子等の読み取り機構を備えるものを意味すると主張する
（前記第３の１(1)ア）。
しかし，まず，前記エにおいて説示したとおり，「撮像パネル」とは，
入射するＸ線等の放射線によって形成される潜像を保持するとともに，
それ自体で潜像を電気信号として直ちに出力できるものに限られず，他
の手段を用いて潜像を読み出すことが可能なものであれば，「撮像パネ
ル」に含まれる，というのが，本件特許の出願時における技術常識で
あったものである。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
(イ)原告は，訂正特許発明１の「撮像パネル」は，シンチレータパネル
が出力基板に押し付けられて固定され両者が一体化した物である（本件
訂正明細書の図５）とも主張する（前記第３の１(1)イ）。
しかし，請求項１には，シンチレータパネルと出力基板との関係につ
いて，「該シンチレータパネルは，入射された放射線のエネルギーを吸
収してその強度に応じた電磁波を発光し，該電磁波を吸収して画像信号
を出力する出力基板とともに撮像パネルを構成し，該出力基板は，光電
変換素子を備え」と記載されているのみであり，原告が主張するように，
「押し付けられて固定され両者が一体化した物である」ことは，発明特
定事項としては記載されていない。そして，請求項１に記載されている
上記の態様に照らせば，シンチレータパネルは，出力基板に押し付けら
れて固定され両者が一体化した物であるまでの必要はなく，放射線照射
時において，出力基板と密着した状態で配置されていることをもって足
りるというべきである。
したがって，訂正特許発明１の「撮像パネル」は，原告が主張するよ
うに，シンチレータパネルが出力基板に押し付けられて固定され両者が
一体となった物である必要はなく，放射線照射時において，出力基板と
密着した状態で配置されていることをもって足りると認めるのが相当で
ある。原告の上記主張は採用することができない。
(ウ)原告は，訂正特許発明１の「撮像パネル」は，シンチレータ層から
発光された蛍光を，それ自体で電気信号として変換し画像として直ちに
出力することができる物である（本件訂正明細書の【００７７】及び
【００８２】ないし【００９３】）と主張する（前記第３の１(1)イ）。
しかし，前記(ア)の技術常識に照らせば，本件訂正明細書において用
いられている「撮像パネル」という語が，技術常識とは異なり，入射す
るＸ線等の放射線によって形成される潜像を保持するとともに，それ自
体で潜像を電気信号として直ちに出力できるものに限られ，他の手段を
用いて初めて潜像を読み出すことが可能となるようなものは，「撮像パ
ネル」には含まれない，ということが本件訂正明細書において記載又は
示唆されていれば格別，そのような記載がなければ，本件訂正明細書に
おいて用いられている「撮像パネル」の語は，前記技術常識に従い，入
射するＸ線等の放射線によって形成される潜像を保持するとともに，そ
れ自体で潜像を電気信号として直ちに出力できるものに限られず，他の
手段を用いて潜像を読み出すことが可能なものを含むというべきである。
このような観点から前記オ(ア)の本件訂正明細書の記載を見ると，原
告の指摘する【００７７】及び【００８２】ないし【００９３】には，
「撮像パネル５１」が，シンチレータ層から発光された蛍光を，それ自
体で電気信号として変換し画像として直ちに出力する，という動作をす
るということは，記載されているといえるものの，本件訂正明細書には，
「撮像パネル５１」が，シンチレータ層から発光された蛍光を，それ自
体で潜像を電気信号として直ちに出力できるものに限られ，他の手段を
用いて初めて潜像を読み出すことが可能となるようなものは，「撮像パ
ネル」には含まれないということについては，明示的な記載はもとより，
これを示唆する記載もない。
そうすると，本件訂正明細書において用いられている「撮像パネル」
の語も，前記技術常識に従い，入射するＸ線等の放射線によって形成さ
れる潜像を保持するとともに，それ自体で潜像を電気信号として直ちに
出力できるものに限られず，他の手段を用いて潜像を読み出すことが可
能なものを含む概念というべきである。
したがって，訂正特許発明１の「撮像パネル」は，原告が主張するよ
うに，シンチレータ層から発光された蛍光を，それ自体で電気信号とし
て変換し画像として直ちに出力することができる物である必要はなく，
入射するＸ線等の放射線によって形成される潜像を保持するとともに，
それ自体で潜像を電気信号として直ちに出力できるものに限られず，他
の手段を用いて潜像を読み出すことが可能なものを含む概念であると認
めるのが相当である。原告の上記主張は採用することができない。
(2)甲１発明について
原告は，審決による甲１発明の認定及び訂正特許発明１と甲１発明の一致
点の認定は誤りであると主張する（前記第３の１(1)）ので，以下，甲１の
記載に基づいて甲１発明の概要について確認し（後記ア），その上で，審決
による上記認定について検討する（後記イ）。
ア甲１発明の概要について
(ア)甲１発明の記載
甲１には，以下の記載がある。
ａ「【請求項１９】・・・放射線吸収性蛍光体層をそれぞれ有する二
枚の蛍光スクリーンの間に・・・蓄積性蛍光体層を有する放射線像変
換パネルを，それぞれ密着状態で配置し，いずれか一方のスクリーン
の側から・・・放射線を照射して，パネルに該放射線の空間的エネル
ギー分布情報を潜像として記録させた後，パネルを両方のスクリーン
より引き離し・・・」
ｂ「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，蓄積性蛍光体を利用する放射線
画像形成方法・・・に有利に用いられる放射線画像形成材料に関する
ものである。」
ｃ「【従来の技術】
・・・
【０００７】・・・放射線像変換方法において，これまで数々の輝尽
性蛍光体が提案され，実用化されてきたが，いずれの輝尽性蛍光体も
放射線を直接吸収してそのエネルギーを蓄積するものであった。言い
換えれば，放射線を吸収する蛍光体がエネルギーを蓄積する蛍光体を
兼ねているため，蛍光体を選択する際に，放射線吸収性の高さを充分
に考慮して最適な蛍光体を選ぶことができなかった。従って，これま
でに提案または実用化された輝尽性蛍光体は，必ずしもその放射線吸
収が充分に満足できるレベルの蛍光体であるとは言えなかった。」
ｄ「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】・・・本発明は，高感度の放射線像
変換パネルと蛍光スクリーンとからなる放射線画像形成材料を提供す
ることにもある。」
ｅ「【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は・・・従来の輝尽性蛍光体
における放射線吸収機能とエネルギー蓄積機能を分離して，二種類の
蛍光体に各機能を分担させることにより，放射線吸収の優れた蛍光体
を用いることが可能となり，その結果，上記方法の放射線吸収率を高
められることを見い出した。・・・
【００１４】・・・放射線吸収性蛍光体層をそれぞれ有する二枚の蛍
光スクリーンの間に・・・蓄積性蛍光体層を有する放射線像変換パネ
ルを，それぞれ密着状態で配置し，いずれか一方のスクリーンの側か
ら・・・放射線を照射して，パネルに該放射線の空間的エネルギー分
布情報を潜像として記録させた後，パネルを両方のスクリーンより引
き離し・・・」
ｆ「【発明の実施の形態】
・・・
【００２９】フロント側の放射線吸収性蛍光体層１２ａの層厚は，一
般には５０乃至２００μｍの範囲にあり，好ましくは１００乃至１５
０μｍの範囲にある。・・・
【００３０】一方，蓄積性蛍光体層１３は，・・・その層厚は薄くす
ることができて，一般には１乃至５０μｍの範囲にあり，好ましくは
５乃至２０μｍの範囲にある。好ましくは，蓄積性蛍光体層１３は放
射線吸収性蛍光体層１２ａよりも薄く，さらに好ましくは，蓄積性蛍
光体層１３の層厚は，放射線吸収性蛍光体層１２ａおよび１２ｂの全
層厚の０．２乃至２０％の範囲にある。
【００３１】・・・保護層１４ａ，１４ｂの層厚は，一般には約１μ
ｍ乃至２０μｍの範囲にあり，好ましくは３乃至１５μｍの範囲にあ
る。
【００３２】図２において，放射線画像形成材料２０は，フロント側
の蛍光スクリーン２０ｂ，バック側の蛍光スクリーン２０ｃ，及びそ
の間のセンターの放射線像変換パネル２０ａからなる。フロント側ス
クリーン２０ｂは順に，支持体２１ｂ，放射線吸収性蛍光体層２２ｂ，
および保護層２４ｂから構成されている。バック側スクリーン２０ｃ
は順に，支持体２１ｃ，放射線吸収性蛍光体層２２ｃ，および保護層
２４ｃから構成されている。センターパネル２０ａは順に，保護層２
４ａ，蓄積性蛍光体層２３，および保護層２４ａ’から構成されてい
る。
・・・
【００４２】（放射線吸収蛍光体）本発明の放射線画像形成材料の放
射線吸収性蛍光体層および蛍光スクリーンで用いられる放射線吸収蛍
光体は，本発明の方法による画像形成に用いられる，Ｘ線，γ線，β
線，α線，紫外線，中性子線等の放射線を吸収して，通常は瞬時に紫
外乃至可視領域に発光を示す蛍光体である。本発明で用いる放射線吸
収蛍光体は…特に好ましいのは・・・ＣｓＸ系（Ｘはハロゲン）・・
・等を挙げることができる。・・・
【００４８】（支持体）支持体は通常，柔軟な樹脂材料からなる厚み
が５０μｍ乃至１ｍｍのシートあるいはフィルムである。…支持体の
形成に用いることのできる樹脂材料の例としては，ポリエチレンテレ
フタレート，ポリエチレンナフタレート，アラミド樹脂，ポリイミド
樹脂などの各種樹脂材料を挙げることができる。・・・
【００４９】（放射線吸収性蛍光体層）まず，上記の放射線吸収蛍光
体粒子と結合剤とを溶剤に加え，これを十分に混合して，結合剤溶液
中に放射線吸収蛍光体粒子が均一に分散した塗布液を調製する。蛍光
体粒子を分散支持する結合剤については様々な種類の樹脂材料が知ら
れており，本発明の放射線像変換パネルの製造においても，それらの
公知の結合剤樹脂を中心とした任意の樹脂材料から適宜選択して用い
ることができる。・・・
【００５１】本発明に係る放射線吸収性蛍光体層は，放射線吸収蛍光
体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とからなるのものばかりで
なく・・・蒸着膜・・・などでもよい。
【００５２】（隔壁）また，放射線吸収性蛍光体層には，発光光の散
乱を防止して得られる画像の画質を高める目的で，蛍光体層を平面方
向に沿って細分区画する隔壁が設けられていてもよい。放射線吸収性
蛍光体層は層厚が比較的厚いので，隔壁を設けることにより発光光の
拡散を有効に防止することができる。・・・
【００５３】・・・上記のように蛍光体層が蒸着膜などのように放射
線吸収蛍光体の凝集体からなる場合には，クラックを形成させること
により隔壁とすることができる。そのような蛍光体層の例としては・
・・ＣｓＩ：Ｔｌ・・・などの針状結晶膜を挙げることができる。
・・・
【００８４】（拡散反射層）また，この放射線像変換パネルがフロン
ト側となる場合には，支持体と放射線吸収性蛍光体層との間に，図１
４に示すように，拡散反射層を設けることが好ましい。本発明の画像
形成材料に用いることのできる拡散反射層は，放射線吸収蛍光体から
の発光光を反射する機能を有する層である。この拡散反射層の設置に
よって，蓄積性蛍光体層に入射する放射線吸収蛍光体からの発光光
（一次励起光）の光量を増加させて，高感度の放射線像変換パネルと
することができる。図１４において，放射線像変換パネル１０ａ”は
順に，支持体１１ａ，拡散反射層１６，放射線吸収性蛍光体層１２ａ，
蓄積性蛍光体層１３，および保護層１４ａから構成されている。
【００８５】拡散反射層は，二酸化チタン，酸化イットリウム，酸化
ジルコニウム，酸化アルミニウム（アルミナ）などの光反射性物質を
含有する層である。・・・光反射性物質として好ましいのは二酸化チ
タンであり，特により屈折率の高いルチル型が好ましい。・・・
【００８６】・・・光反射性物質の平均粒子径は，一般には０．１乃
至０．５μｍの範囲にあり…拡散反射層の層厚は一般に１５乃至１０
０μｍの範囲にある。
【００８７】拡散反射層は，上記微粒子状の光反射性物質および結合
剤を溶剤中に混合分散して塗布液を調製した後，これを支持体上に塗
布乾燥することにより形成することができる。結合剤および溶剤は，
前記蛍光体層に使用することが可能なものの中から適宜選択して用い
ることができる。」
ｇ「【０１０３】
［放射線画像形成方法］次に，・・・本発明の放射線画像形成方法に
ついて，・・・説明する。
・・・
【０１０６】放射線は，・・・被検体に関する空間的エネルギー分布
情報を有する放射線としてフロント側パネル１０ａに入射する。入射
した放射線の一部は，放射線吸収性蛍光体層１２ａの放射線吸収蛍光
体に吸収されて，紫外乃至可視領域の波長の光（瞬時発光光）に変換
される。この発光光は，隣接する蓄積性蛍光体層１３に入射し，蛍光
体層中の輝尽性蛍光体に吸収されてそのエネルギーが蓄積され，蓄積
性蛍光体層１３には被検体の空間的エネルギー分布情報が潜像として
記録される。
・・・
【０１０９】・・・放射線画像情報読取装置を用いて，フロント側パ
ネル１０ａに記録された被検体の空間的エネルギー情報を読み取る。
・・・」
ｈ「【０１４０】
【発明の効果】本発明によれば，放射線画像形成に関わる蛍光体の放
射線吸収機能とエネルギー蓄積機能を分離して，二種類の蛍光体に各
機能を分担させ，放射線吸収機能を担う蛍光体には放射線吸収率の高
い蛍光体を用いることにより…検出量子効率の高い画像形成を実現す
ることができる。・・・」
ｉ「【図２】
」
「【図１４】
」
(イ)甲１発明の概要
上記記載によれば，甲１発明は，概要，次のとおりの発明であること
が認められる。
ａ甲１発明は，蓄積性蛍光体を利用する放射線画像形成方法に有利に
用いられる放射線画像形成材料に関するものである（【０００１】）。
従来，放射線像変換方法において，これまで数々の輝尽性蛍光体が
提案され，実用化されてきたが，いずれも放射線を吸収する蛍光体が
エネルギーを蓄積する蛍光体を兼ねているため，蛍光体を選択する際
に，放射線吸収性の高さを充分に考慮して最適な蛍光体を選ぶことが
できなかった。従って，これまでに提案または実用化された輝尽性蛍
光体は，必ずしもその放射線吸収が充分に満足できるレベルの蛍光体
であるとはいえなかった（【０００７】）。
そこで，甲１発明は，高感度の放射線像変換パネルと蛍光スクリー
ンとからなる放射線画像形成材料を提供すること等を課題とする
（【００１１】）。
ｂ甲１発明のフロント側の蛍光スクリーン２０ｂは，バック側の蛍光
スクリーン２０ｃ，及びその間のセンターの放射線像変換パネル２０
ａとともに放射線画像形成材料２０を形成し，フロント側蛍光スクリ
ーン２０ｂは順に，支持体２１ｂ，放射線吸収性蛍光体層２２ｂ及び
保護層２４ｂから構成されており（図２，【００３２】），支持体２
１ｂは，ポリイミド樹脂からなる厚みが５０μｍないし１ｍｍのシー
トあるいはフィルムであり（【００４８】），放射線吸収性蛍光体層
２２ｂは，ＣｓＩ：Ｔｌの針状結晶膜である蒸着膜からなり（【００
５１】～【００５３】），支持体２１ｂと放射線吸収性蛍光体層２２
ｂとの間に，拡散反射層を設け（【００８４】），拡散反射層は，平
均粒子径が０．１ないし０．５μｍの範囲にある二酸化チタンおよび
結合剤を溶剤中に混合分散して塗布液を調製した後，これを支持体２
１ｂ上に塗布乾燥することにより形成され，層厚が１５ないし１００
μｍの範囲にあり（【００８５】～【００８７】），結合剤は樹脂材
料であり（【００４９】，【００８７】），放射線像変換パネル２０
ａは順に，保護層２４ａ，蓄積性蛍光体層２３及び保護層２４’ａか
ら構成されている（図２，【００３２】），フロント側の蛍光スクリ
ーン２０ｂである。
ｃ甲１発明は，以上のような構成により，放射線画像形成に関わる蛍
光体の放射線吸収機能とエネルギー蓄積機能を分離して，二種類の蛍
光体に各機能を分担させ，放射線吸収機能を担う蛍光体には放射線吸
収率の高い蛍光体を用いることにより検出量子効率の高い画像形成を
実現するという効果を奏するものである（【０１４０】）。
イ甲１発明の認定及び訂正特許発明１と甲１発明の一致点の認定について
(ア)原告は，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」と「放
射線像変換パネル２０ａ」は，両者が互いに固定されていない
という点においても，また，入射された放射線のエネルギーを吸収しそ
の強度に応じて発光された電磁波を電気信号に変換する読み取り機構を
備えていないという点においても，「撮像パネル」に該当しないと主張
する（前記第３の１(1)ウ）。
ａしかし，まず，訂正特許発明１の「撮像パネル」は，入射するＸ線
等の放射線によって形成される潜像を保持するとともに，それ自体で
潜像を電気信号として直ちに出力できるものに限られず，他の手段を
用いて潜像を読み出すことが可能なものを含む概念である（前記(1)
カ(ア)）。
これを甲１発明についてみると，「フロント側の蛍光スクリーン２
０ｂ」と「放射線像変換パネル２０ａ」との接触状態については，
「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂは・・・センターの放射線像変
換パネル２０ａとともに放射線画像形成材料２０を形成し」とされて
おり，甲１には，「放射線吸収性蛍光体層をそれぞれ有する二枚の蛍
光スクリーンの間に・・・蓄積性蛍光体層を有する放射線像変換パネ
ルを，それぞれ密着状態で配置し，・・・放射線を照射して，パネル
に該放射線の空間的エネルギー分布情報を潜像として記録させた後，
パネルを両方のスクリーンより引き離し」（【請求項１９】，【００
１４】），「放射線画像形成材料が別の構成（例えば，図４または図
２，３）であっても，カセッテを上記と同様の構成，機構とすること
により，カセッテを閉蓋した状態で放射線像変換パネルと蛍光スクリ
ーンが密着して重ね合わされ」（【０１２６】）と記載されている。
そうすると，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」と
「放射線像変換パネル２０ａ」は，放射線照射時には，密着状態で配
置されているということができる。
ｂまた，訂正特許発明１の「撮像パネル」は，シンチレータパネルが
出力基板に押し付けられて固定され両者が一体となった物である必要
はなく，放射線照射時において，出力基板と密着した状態で配置され
ていることをもって足りる（前記(1)カ(イ)）。
これを甲１発明についてみると，甲１には，「被検体に関する空間
的エネルギー分布情報を有する放射線としてフロント側パネル１０ａ
に入射した放射線の一部は，放射線吸収性蛍光体層１２ａの放射線吸
収蛍光体に吸収されて，紫外ないし可視領域の波長の光（瞬時発光
光）に変換される。この発光光は，隣接する蓄積性蛍光体層１３に入
射し，蛍光体層中の輝尽性蛍光体に吸収されてそのエネルギーが蓄積
され，蓄積性蛍光体層１３には被検体の空間的エネルギー分布情報が
潜像として記録される」（【０１０６】），「放射線画像情報読取装
置を用いて，フロント側パネル１０ａに記録された被検体の空間的エ
ネルギー情報を読み取る。」（【０１０９】）と記載されている。
そうすると，甲１発明の「放射線画像変換パネル２０ａ」の「蓄積
性蛍光体２３」は，潜像を保持する機能を有し，放射線画像情報読取
装置を用いて，潜像を読み出すことが可能なものであるということが
できる。
ｃしたがって，原告の上記主張は採用することができない。
(イ)原告は，甲１発明の「放射線像変換パネル２０ａ」は，支持体を有
さず，保護層２４ａ及び２４ａ’に挟まれた蓄積性蛍光体層２３で構成
されているだけであるから，これが審決の一致点の認定における「該電
磁波を吸収して画像を形成する基板」（訂正特許発明１における「出力
基板」に相当）ということもできないとも主張する（前記第３の１(1)
エ）。
しかし，審決は，訂正特許発明１と甲１発明との相違点ｃとして，
「訂正特許発明１は，「シンチレータパネル」から発光された電磁波を
吸収するものが，「光電変換素子を備え，」「画像信号を出力する出力
基板」であ・・・るのに対して，甲１発明は，「放射線吸収性蛍光体層
２２ｂ」から発光された電磁波を吸収するものが，「蓄積性蛍光体層２
３」を有する「放射線像変換パネル２０ａ」であ・・・る点。」と認定
した上で，甲１発明における「放射線像変換パネル２０ａ」を，訂正特
許発明１の「光電変換素子を備え，」「画像信号を出力する出力基板」
に相当する事項に置き換えることの容易想到性について検討している。
そうすると，審決が，訂正特許発明１と甲１発明の一致点として，
「該電磁波を吸収して画像を形成する基板」を認定したことの適否は，
訂正特許発明１の容易想到性に係る審決の判断を左右するものではない。
したがって，原告の上記主張は，それのみでは，審決の取消事由の主
張としては失当である。
ウまとめ
以上によれば，審決による甲１発明の認定及び訂正特許発明１と甲１発
明の一致点の認定に誤りはない。
(3)相違点ｃの認定について
原告は，審決が，相違点ｃとして，「訂正特許発明１は，・・・「該シン
チレータパネルは，該出力基板の光電変換素子面形状に合った形状に変形し
ている」のに対して，甲１発明は，・・・「フロント側の蛍光スクリーン２
０ｂ」が「蓄積性蛍光体層２３」の面形状にあった形状に変形しているか不
明である」と認定した点について，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリー
ン２０ｂ」は，「蓄積性蛍光体層２３」の面形状にあった形状に変形してい
ないから，審決の上記認定は誤りであると主張する（前記第３の１(2)）の
で，以下，検討する。
ア甲１発明における「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」については，
「フロント側蛍光スクリーン２０ｂは順に，支持体２１ｂ，放射線吸収性
蛍光体層２２ｂ，および保護層２４ｂから構成されており，支持体２１ｂ
は，ポリイミド樹脂からなる厚みが５０μｍ乃至１ｍｍのシートあるいは
フィルムであり，放射線吸収性蛍光体層２２ｂは，ＣｓＩ：Ｔｌの針状結
晶膜である蒸着膜からなり，支持体２１ｂと放射線吸収性蛍光体層２２ｂ
との間に，拡散反射層を設け，拡散反射層は，平均粒子径が０．１乃至０．
５μｍの範囲にある二酸化チタンおよび結合剤を溶剤中に混合分散して塗
布液を調製した後，これを支持体２１ｂ上に塗布乾燥することにより形成
され，層厚が１５乃至１００μｍの範囲にあり，結合剤は樹脂材料であ
り」とされている。
また，甲１には，放射線吸収性蛍光体層と保護層の厚さについて，「フ
ロント側の放射線吸収性蛍光体層・・・の層厚は，一般には５０乃至２０
０μｍの範囲にあり，好ましくは１００乃至１５０μｍの範囲にある。」
（【００２９】），「保護層・・・の層厚は，一般には約１μｍ乃至２０
μｍの範囲にあり，好ましくは３乃至１５μｍの範囲にある。」（【００
３１】）と記載されている。
以上に加えて，本件訂正明細書に，シンチレータパネルの基板について，
「特に基板が厚さ５０～５００μｍの可とう性を有する高分子フィルムで
あることが好ましい」（【００５６】），「基板を，厚さ５０μｍ以上５
００μｍ以下の高分子フィルムとすることでシンチレータパネルが平面受
光素子面形状に合った形状に変形し」（【００６２】）と記載されている
ことも併せて勘案すると，甲１発明における「フロント側の蛍光スクリー
ン２０ｂ」は，可とう性を有しているということができる。
イ一方，甲１発明における「放射線像変換パネル２０ａ」については，
「放射線像変換パネル２０ａは順に，保護層２４ａ，蓄積性蛍光体層２３，
および保護層２４ａ’から構成されている」とされており，また，甲１に
は，蓄積性蛍光体層の厚さについて，「蓄積性蛍光体層１３・・・の層厚
は・・・一般には１乃至５０μｍの範囲にあり，好ましくは５乃至２０μ
ｍの範囲にある。好ましくは，蓄積性蛍光体層１３は放射線吸収性蛍光体
層１２ａよりも薄く，さらに好ましくは，蓄積性蛍光体層１３の層厚は，
放射線吸収性蛍光体層１２ａおよび１２ｂの全層厚の０．２乃至２０％の
範囲にある。」（【００３０】）と記載され，保護層の厚さについては，
前記アのとおりである。
したがって，甲１発明における「放射線像変換パネル２０ａ」も，可と
う性を有しているということができる。
ウまた，前記(2)イ(ア)ａのとおり，甲１発明の「フロント側の蛍光スク
リーン２０ｂ」と「放射線像変換パネル２０ａ」は，放射線照射時には，
密着状態で配置されているということができる。
エ以上のとおり，甲１発明における「フロント側の蛍光スクリーン２０
ｂ」と「放射線像変換パネル２０ａ」は，共に可とう性を有しており，放
射線照射時には，密着状態で配置されている。そして，密着して配置され
た状態では，一方が変形せず，他方が変形して両者が密着する態様だけで
はなく，両者がそれぞれ一定程度変形した状態で密着する態様も想定する
ことができるのであるから，両者の接触状態が，「フロント側の蛍光スク
リーン２０ｂ」は変形せず，「放射線像変換パネル２０ａ」のみが「フロ
ント側の蛍光スクリーン２０ｂ」に追従して変形する態様に限定されると
いうことはできない。
オしたがって，審決による相違点ｃの認定に誤りはない。
(4)小括
よって，原告主張の取消事由１は理由がない。
２取消事由２ａ（相違点ａの判断の誤り）について
原告は，取消事由２（訂正特許発明３に関する進歩性判断の誤り）として，
取消事由２ａないし２ｃを主張するので，以下，順次判断する。
まず，原告は，相違点ａに係る訂正特許発明３の構成は容易想到ではなく，
また，同構成により訂正特許発明３は顕著な効果を奏するものであるとして，
相違点ａに係る審決の判断は誤りであると主張する（前記第３の２(1)・取消
事由２ａ）ので，以下，検討する。
(1)相違点ａの容易想到性について
ア技術常識について
(ア)甲２２について
甲２２（特開２０００－１８０５９７号公報）には，以下の記載があ
る。
「【０００８】
【発明の実施の形態】・・・基板ホルダ４に支えられた基板５は，ガラ
スから成ることが好ましい。アルカリハロゲン化物，例えばヨウ化タリ
ウムのようなドーピング剤を含むヨウ化セシウムは，ガラス基板上に蒸
着される。・・・」
「【００１０】・・・ＴｌでドープされたＣｓ：Ｉに対しては，蒸着
工程は１８０℃乃至２２０℃の温度域で有利に行われることが知られて
いる。蛍光層を作る全工程中この温度を持続させるには，基板と基板ホ
ルダの間で熱結合が実現される。・・・」
(イ)甲２３について
甲２３（特開平６－３６７１４号公報）には，以下の記載がある。
「【０００７】この図９に示す入力蛍光スクリーンは，アルミニウム
基板１上によう化セシウム（ＣｓＩ）の不連続蛍光体層２を形成し，こ
の不連続蛍光体層２上によう化セシウムの連続蛍光体層３を積層させ，
光電面４を連続して形成している。」
「【００１４】また，不連続蛍光体層２の径は，スクリーン蒸着工程
における基板温度に依存するので，蒸着時に基板温度を１５０℃に維持
したまま，４．５Ｐａの圧力下でよう化セシウム膜を形成させたところ，
６μｍの結晶柱の不連続蛍光体層２が形成され，基板温度を１８０℃に
維持したところ，９μｍの不連続蛍光体層２が形成された。」
(ウ)甲２４について
甲２４（特開２００４－１１７３４７号公報）には，以下の記載があ
る。
「【００２３】
図６には本発明による蛍光体シート，例えば蓄積性蛍光体シートが示
す。この蛍光体シートはガラス又はアルミニウム製の基板１を備えてい
る。基板１上に・・・補助層２を取り付けている。・・・この補助層２
により構造化される基板上に蓄積性蛍光体を蒸着させる・・・。」
「【００２５】
・・・好ましくは，補助層２はプラスチック，特に・・・パリレンＣ
又はポリイミド層から構成する。・・・」
「【００３２】
ＣｓＢｒ：Ｅｕに代えてＣｓＩ：Ｔｌ又はＣｓＩ：Ｎａも使用できる。
基板材料としては，表１に列挙した材料を使用できる。圧力は０．００
０５～０．９Ｐａの間であってよい。基板温度は１５０～３００℃でな
ければならない。」
(エ)上記(ア)ないし(ウ)の記載によれば，蒸着によりＣｓＩ：Ｔｌを形
成する際の基板温度を１５０～３００℃の範囲にすることは，技術常識
であり，この基板温度の範囲は，ＣｓＩ：Ｔｌを形成する基板，層の材
質が異なっても大きく変わるものではないものと認められる。
イ周知技術について
(ア)甲７について
甲７（特開２００１－１８３４６４号公報）には，以下の記載がある。
「【００１３】・・・図１に示すように，シンチレータパネル８は，
平面形状を有するガラス製の基板２６を備えており，その一方の表面に
は，真空蒸着法により１００ｎｍの厚さで形成された反射膜としてのＡ
ｌ膜１３が形成されている。このＡｌ膜１３の表面には，入射した放射
線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が２５０μｍの厚さ
で形成されている。このシンチレータ１６には，蒸着法によって成長さ
せたＴｌドープのＣｓＩが用いられている。」
(イ)甲４１について
甲４１（特開２００４－１６３４１０号公報）には，以下の記載があ
る。
「【００２８】
本発明によれば支持体をカバーする鉛含有層は刺激する光の少なくと
も８０％（マンモグラフィ用途）を吸収し，刺激された光の少なくとも
８０％（一般に適用される放射線写真）を反射する。特別な例では前記
層は上述の値を達成するために隣接する薄い層，例えばアルミニウム又
は別の反射層でカバーされる。鉛の層は反射特性を有するので，貯蔵燐
光体パネルにおける層配置をさらに最適化するため，及び最適化された
解像度を得るため，このように使用することができる。あるいは，反射
特性に関して，薄い反射アルミニウム箔と組合わせた鉛箔を使用するこ
とができる。」
「【００３０】
貯蔵燐光体パネルは“結合剤のない貯蔵燐光体”に限定されないこと
は明らかである。“蒸着された燐光体”はさらにこの明細書全体を通じ
て，熱蒸着，化学蒸着，電子ビーム蒸着，無線周波数蒸着及びパルス化
レーザ蒸着からなる群から選択されたいずれかの方法によって生成され
た燐光体を意味する。・・・
【００３１】
・・・図１は刺激性燐光体（ＢａＦＢｒ：Ｅｕ，ＣｓＢｒ：Ｅｕ）で
被覆された，支持体（３）（ＰＥＴ，Ａｌ，ガラス，非晶質炭素）と燐
光体層（１）の間の中間層として鉛箔を有する貯蔵燐光体パネルを示し，
そこでは鉛箔（２）は燐光体層（１）と支持体（３）の間の中間層とし
て位置される。
【００３２】
・・・所望の吸収及び反射特性を達成するため，本発明のスクリーン
に使用される支持体は，特別な層として所望の鉛含有層を別にして，針
状燐光体の蒸着の場合において支持体上にさらに被覆される特別な層は
全くないように処理される。…鉛含有層は燐光体を蒸着するための支持
体における不均一性をさらに描くかもしれない。これは極めて望ましい
例である。なぜならばそれはもし望むなら針状形態で燐光体結晶を蒸着
することを助けるからである。
【００３３】
さらなる例では鉛又は鉛酸化合物の可撓性層は可撓性ポリマー支持体
上に接着剤層を与えられ，前記接着剤層上に被覆された結合剤に分散さ
れた鉛又は鉛酸化物の層である。・・・」
「【００３９】
好適な結合剤に分散されかつ好ましいポリマー支持体上に層で被覆さ
れる鉛酸化物を鉛箔のための代替物として使用してもよい。増感スクリ
ーンの層中の燐光体の分散のために使用されるもののような従来の結合
剤のいずれかをここで使用してもよい。かかる結合剤としては例えばポ
リビニルブチラール，ポリビニルアセテート，ウレタン，ポリビニルア
ルコール，ポリエステル樹脂，ポリメチルメタクリレートなどが挙げら
れる。本発明によれば貯蔵燐光体スクリーン又はパネルでは鉛化合物を
含有する前記結合剤はポリビニルブチラール，ポリビニルアセテート，
ウレタン，ポリビニルアルコール，ポリエステル樹脂及びポリメチルメ
タクリレートからなる群から選択される。通常，結合剤は好適な溶媒及
びその中の鉛酸化物の分散助剤としての通常の湿潤剤と混合される。存
在する結合剤のレベルは鉛で被覆された薄い支持体を与えるために分散
された鉛酸化物に対して低く維持されるべきである。」
「【００６０】
本発明は下記工程を含む貯蔵燐光体パネルの製造方法をさらに含む：
－燐光体プレート又はパネルのための支持体材料として中間鉛含有シ
ート又は箔でカバーされた好適な支持体（例えば非晶質炭素フィル
ム）を与える；
－前記支持体材料上に貯蔵燐光体層を真空蒸着する；
－所望により，前記燐光体によってカバーされない支持体材料の側上
にポリマーフィルムを積層する。
【００６１】
本発明は下記工程を含む貯蔵燐光体パネルの製造方法をさらに含む：
－燐光体プレート又はパネルのための支持体材料として中間鉛含有シ
ート又は箔でカバーされた好適な支持体（例えば非晶質炭素フィル
ム）を与える；
－その上に正反射層を適用する；
－前記反射層上に貯蔵燐光体層をさらに蒸着する；及び
－所望により，前記燐光体によってカバーされない反射層の側上にポ
リマーフィルムを積層する。」
(ウ)甲８について
甲８（特開２００３－２０７８６２号公報）には，以下の記載がある。
「【００９７】特に，アルカリハライド蛍光体は，蒸着，スパッタリ
ング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。
【００９８】又，前述のように，アルカリハライド蛍光体の中でもＲｂ
Ｂｒ及びＣｓＢｒ系蛍光体が高輝度，高画質である点，好ましく，中で
もＣｓＢｒ系蛍光体が特に，好ましい。
【００９９】支持体上に，蒸着型の蛍光体層を形成する方法としては，
例えば，支持体上に特定の入射角で輝尽性蛍光体の蒸気又は該原料を供
給し，蒸着等の気相成長（堆積）させる方法によって独立した細長い柱
状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができる。蒸着時の輝尽性蛍
光体の蒸気流の入射角に対し約半分の成長角で該柱状結晶は結晶成長す
ることができる。・・・」
「【０１１７】また，支持体と輝尽性蛍光体層との間には係る反射層
を設けても良い。《反射層》反射層としては，例えば，白色顔料を樹脂
中に分散含有させたものが用いられるが，これにより感度を向上させる
ことができる。この反射層の製造方法としては，例えば，以下の方法が
挙げられる。
【０１１８】（１）有機溶剤中に樹脂及び白色顔料を分散し支持体上に
塗布乾燥させ，反射層とする。」
「【０１２１】白色顔料としては酸化チタン，酸化亜鉛，酸化アルミ
ニウム，炭酸カルシウム，硫酸バリウム等が挙げられる。…顔料を分散
する樹脂としては，例えばポリウレタン，ポリエステル（例えば，ポリ
エチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート），塩化ビニル共
重合体（例えば，塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体，塩化ビニル－塩化
ビニリデン共重合体，塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体等），ブ
タジエン－アクリロニトリル共重合体，ポリアミド樹脂，ポリビニルブ
チラール，セルロース誘導体（ニトロセルロース等），スチレン－ブタ
ジエン共重合体，各種の合成ゴム系樹脂，フェノール樹脂，エポキシ樹
脂，メラミン樹脂，フェノキシ樹脂，シリコン樹脂，アクリル系樹脂，
尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。・・・」
「【０１６９】《蒸着型の放射線画像変換パネル４，５の作製》以下
に記載の方法に従って，蒸着型蛍光体層を有する放射線画像変換パネル
４，５を作製した。
【０１７０】（支持体１の作製）厚さ５００μｍの透明結晶化ガラス上
に下記のようにして光反射層を設け，支持体１を作製した。
【０１７１】（光反射層の形成）フルウチ化学社製酸化チタンとフルウ
チ化学社製酸化ジルコニウムとを，４００ｎｍでの反射率が８５％，６
６０ｎｍでの反射率が２０％となるように，蒸着装置を用いて支持体１
の表面に膜形成を行った。
【０１７２】（輝尽性蛍光体プレートの作製）上記作製した支持体１を
２４０℃に加温し，真空チャンバー中に窒素ガスを導入し，真空度を０．
１Ｐａとした後，支持体１の一方の面に，公知の蒸着装置を用いて，Ｃ
ｓＢｒ：Ｅｕからなるアルカリハライド蛍光体を支持体表面の法線方向
に対して３０°の角度で，アルミニウム製のスリットを用いて，支持体
とスリット（蒸着源）の距離を６０ｃｍとして，支持体と平行な方向に
支持体を搬送しながら蒸着を行って，３００μｍ厚の柱状構造を有する
蛍光体層Ａを形成した。」
(エ)甲１６について
甲１６（特開２００４－６１１７２号公報）には，以下の記載がある。
「【００２２】
基材１は蛍光体層形成のための基材シートの役割をする。基材１とし
てはＸ線を透過させる材料が好ましい。基材１の材料として，プラスチ
ック基板，シリコン基板，カーボン基板などを用いることができる。
【００２３】
プラスチック材料として，ポリエチレンテレフタレート，ポリカーボ
ネート，ポリエチレンナフタレートなどの樹脂材料，または樹脂材料に
酸化チタン，酸化アルミニウムなどの顔料を混入した白色樹脂材料を用
いることができる。基材１の厚さとしては，Ｘ線の透過量を十分に確保
するために０．１－２ｍｍが好ましい。
【００２４】
蛍光体層２はＸ線を可視光に変換する機能を有する。蛍光体材料とバ
インダ樹脂から成る粒子状蛍光体層が用いられる。蛍光体材料としては，
Ｇｄ３Ｏ２Ｓ２：Ｔｂ，Ｇｄ３Ｏ２Ｓ２：Ｅｕなどの粒子が用いられる。ま
た，ＣｓＩ：Ｔｌなどの柱状結晶の層を，基材１に蒸着法により形成す
ることによっても得られる。」
(オ)上記(ア)ないし(ウ)の記載によれば，基板と蛍光体層との間に反射
層が設けられている蛍光体パネル／スクリーンにおいて，蛍光体層を反
射層の表面に蒸着により形成することは，周知技術であると認められる。
また，上記(イ)ないし(エ)の記載によれば，バインダー樹脂を含んだ
反射層の表面又は反射機能を有する樹脂基板の表面に，蛍光体層を蒸着
により形成することも，周知技術であると認められる。
ウまた，上記イ(ア)及び(エ)の記載によれば，甲７及び甲１６には，柱状
結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを蒸着する際の具体的な条件については何ら記載
されておらず，このことからすると，Ａｌ膜や樹脂基板上に柱状結晶構造
のＣｓＩ：Ｔｌを蒸着することは，格別の困難を伴わずに普通に行われて
いる事項であると認められる。
エそして，本件訂正明細書には，以下の記載がある。
「【００３８】
・・・通常，蒸着によるシンチレータを形成するにあたっては，基板温
度は１５０℃～２５０℃で実施される・・・」
「【０１０８】
（シンチレータ層の形成）
上述した反射層試料１～１３を形成した基板の反射層側にシンチレータ
蛍光体（ＣｓＩ：ＴｌＩ（０．３ｍｏｌ％））を，図３に示す蒸着装置を
使用して蒸着させシンチレータ（蛍光体）層をそれぞれ形成した。
【０１０９】
すなわち，まず，上記蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充
填し，また回転する支持体ホルダに支持体を設置し，支持体と蒸発源との
間隔を４００ｍｍに調節した。
【０１１０】
続いて蒸着装置内を一旦排気し，Ａｒガスを導入して０．５Ｐａに真空
度を調整した後，１０ｒｐｍの速度で支持体を回転しながら基板の温度を
１５０℃に保持した。次いで，抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体を蒸着し
シンチレータ層の膜厚が５００μｍとなったところで蒸着を終了させ表１
に示すシンチレータパネル（放射線像変換パネル）を得た。」
これらの記載によれば，訂正特許発明３のシンチレータ層は，格別特殊
な条件で形成されているものとは認められず，蒸着時の基板温度１５０℃
～２５０℃についても，通常実施される基板温度の範囲を確認的に記載し
たものにすぎず，その上限値及び下限値のいずれにも臨界的意義を含めた
格別の技術的意義を認めることはできない。
オまとめ
以上によれば，甲１発明，すなわち，放射線吸収性蛍光体層２２ｂが，
ＣｓＩ：Ｔｌの針状結晶膜である蒸着膜からなり，支持体２１ｂと放射線
吸収性蛍光体層２２ｂとの間に，拡散反射層を設け，拡散反射層は，二酸
化チタンおよび結合剤を溶剤中に混合分散して塗布液を調製した後，これ
を支持体上に塗布乾燥することにより形成する発明において，上記拡散反
射層上にＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶を，基板温度１５０℃～２５０℃の蒸着
によって成長させることは，当業者にとって格別の創意工夫を要するもの
とは認められない。
(2)原告の主張について
ア構成の容易性について
(ア)審決の判断手法について
原告は，相違点ａに係る構成は，「特定の基板温度の蒸着条件におい
て軟化するバインダー樹脂を含む反射層を形成し，当該反射層の表面に
ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶構造のシンチレータ層を蒸着により形成するこ
と」を規定したものであり，訂正特許発明３は，かかる技術的特徴によ
り，蒸着により柱状結晶構造のシンチレータ層を形成する際に，バイン
ダー樹脂が軟化して，蒸着結晶の種晶が根付き易くなり，根元から結晶
をきれいに成長させることができ，その結果，シンチレータ層と反射層
の接着性が向上し鮮鋭性が向上するという優れた作用効果を奏するもの
であるから，審決のように，上記技術的特徴に含まれる基板温度等の各
要素を個別に切り離して議論するべきものではないと主張する（前記第
３の２(1)ア(ア)）。
しかし，前記(1)アのとおり，蒸着によりＣｓＩ：Ｔｌを形成する際
の基板温度を１５０～３００℃の範囲にすることは，技術常識であり，
一方，前記(1)エのとおり，訂正特許発明３における蒸着時の基板温度
１５０℃～２５０℃については，通常実施される基板温度の範囲を単に
確認的に記載したものにすぎず，その上限値及び下限値のいずれにも臨
界的意義を含めた格別の技術的意義を認めることはできない。そのため，
審決は，訂正特許発明３における蒸着時の基板温度の限定に格別の創意
工夫を要するものとは認められないとした上で，相違点ｂ’について，
このような通常実施される基板温度の範囲を前提とした上で，甲１５の
記載事項に基づいてガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃以下の樹脂材料
を選択することの容易想到性を検討しているのであって，審決は，原告
が主張するように，基板温度とバインダー樹脂材料のガラス転移温度
（Ｔｇ）との関係を個別に切り離して検討しているものではない。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
(イ)技術常識及び周知技術の認定について
ａ甲２２ないし甲２４について
原告は，上記文献には，蒸着によりＣｓＩ：Ｔｌを形成する際に１
５０～２５０℃の範囲の基板温度を用い得ることが開示されていたと
しても，訂正特許発明３のように，ＣｓＩ：Ｔｌの蒸着結晶の種晶を
根付き易くし，根元から結晶をきれいに成長させるために，そのよう
な基板温度と当該基板温度下において軟化するバインダー樹脂を用い
るという着想は何ら示されていないと主張する（前記第３の２(1)ア(
イ)ａ）。
しかし，前記(1)アでは，甲２２ないし甲２４によって，蒸着によ
りＣｓＩ：Ｔｌを形成する際の基板温度を１５０～２５０℃の範囲に
することが技術常識であり，この基板温度の範囲は，ＣｓＩ：Ｔｌを
形成する基板，層の材質が異なっても大きく変わるものではないこと
を認定したものである。原告の上記主張は，同認定を左右するもので
はない。
ｂ甲８について
(a)原告は，甲８には，輝尽性蛍光体であるＣｓＢｒ：Ｅｕの蒸着
において，支持体を２４０℃に加温することが記載されているが
（甲８の【０１７２】），当該支持体上に形成される光反射層は酸
化チタンと酸化ジルコニウムからなる蒸着膜であり（同【０１７
１】），バインダー樹脂を含むものではないし，反射層として，白
色顔料を樹脂中に分散させ支持体上に塗布乾燥したものが例示され
ているものの（同【０１１７】），そのような反射層を用いた場合
に，蛍光体層を蒸着により形成すること，及びその際の基板温度と
の関係については明らかにされていないと主張する（前記第３の２
(1)ア(イ)ｂ(a)）。
しかし，甲８には，支持体の表面に，輝尽蛍光体層を，細長い柱
状結晶を成長させて形成すること（【００９９】），支持体と輝尽
蛍光体層との間に反射層を設けてもよいこと（【０１１７】），反
射層の製造方法としては，有機溶剤中に樹脂及び白色顔料を分散し
支持体上に塗布乾燥させ，反射層とすること（【０１１８】），支
持体の表面に形成した光反射層の表面に輝尽蛍光体層を蒸着により
形成すること（【０１７１】，【０１７２】），蒸着型の放射線画
像変換パネルの作成方法として，反射層の表面に蛍光体層を蒸着に
より形成すること（【０１６９】～【０１７２】）が記載されてい
る。
上記記載によれば，甲８には，有機溶剤中に樹脂及び酸化チタン
を分散して支持体上に塗布乾燥させて設けた反射層の表面に，輝尽
性蛍光体層である蛍光体層を蒸着により形成することが記載されて
いると認められる。
したがって，甲８は，「基板と蒸着により形成された蛍光体層と
の間に反射層が設けられている蛍光体パネル／スクリーンにおいて，
蛍光体層を反射層の表面に蒸着により形成すること」及び「バイン
ダー樹脂を含んだ反射層の表面に，蛍光体層を蒸着により形成する
こと」が周知技術であることを認定する根拠となるものである。原
告の上記主張は，同認定を左右するものではない。
(b)原告は，甲８に係る発明は，輝尽性蛍光体層を用いて放射線画
像を検出するＣＲシステムに関するものであるところ，甲８の【０
１１７】に記載されている反射層として記載されているものは，Ｃ
Ｒシステムにおける反射層としての機能を果たさず逆に輝尽発光光
を吸収してしまい，反射層の意味をなさないため，当業者であれば
上記の構成を考慮することはないと主張する（前記第３の２(1)ア(
イ)ｂ(b)）。
しかし，当業者であれば，反射層を構成する材料のうち，一定の
ものについて，その表面に蛍光体層を蒸着により形成することが記
載ないし示唆されていれば，同記載ないし示唆に基づいて好適な材
料を選択して用いることは可能である。
したがって，甲８に記載されている反射層を構成する材料の中に，
機能しないものが含まれるとしても，甲８に基づいて，「基板と蒸
着により形成された蛍光体層との間に反射層が設けられている蛍光
体パネル／スクリーンにおいて，蛍光体層を反射層の表面に蒸着に
より形成すること」及び「バインダー樹脂を含んだ反射層の表面に，
蛍光体層を蒸着により形成すること」が周知技術であることを認定
することの支障になるものではない。原告の上記主張は，同認定を
左右するものではない。
(c)原告は，甲８においては，「反射層」は必須のものではない上
（甲８の【０１１７】），使用できる蛍光体層は，塗布型蛍光体層
と蒸着型蛍光体層があり（同【００６３】），また，反射層には，
白色顔料を樹脂中に分散させたものや（同【０１１７】），発泡性
ポリエチレンテレフタレート（同【０１２４】），酸化チタンと酸
化ジルコニウムの蒸着膜（同【０１７１】）など様々であり，それ
ぞれが独立して記載されているため，甲８においてとりうる構成に
は多数の組み合わせがあり，その中には，実際には使用できない組
み合わせも含まれているから，「バインダー樹脂を含んだ反射層の
表面又は反射機能を有する樹脂基板の表面に，蛍光体層を蒸着によ
り形成すること」が周知技術であることの例示として甲８を用いる
ことはできないと主張する（前記第３の２(1)ア(イ)ｂ(c)）。
しかし，上記(b)に説示したところと同様の理由により，原告の
上記主張は，甲８に基づく上記周知技術の認定を左右するものでは
ない。
ｃ甲１６について
(a)原告は，甲１６は，そもそも樹脂製の基材上に直接蛍光体層を
形成させたものであって反射層を形成しないものであり，実施例を
見ても，蛍光体粒子と樹脂を混合し基材上に塗布することによって
蛍光体層を形成することを前提とするものである（甲１６の【００
４２】等）から，甲１６は「バインダー樹脂を含んだ反射層の表面
又は反射層機能を有する樹脂基板の表面に，蛍光体層を蒸着により
形成すること」が周知技術であることを示すものではないと主張す
る（前記第３の２(1)ア(イ)ｃ(a)）。
しかし，前記(1)イでは，甲１６に加えて，甲４１及び甲８の記
載も含めて，バインダー樹脂を含んだ反射層の表面又は反射機能を
有する樹脂基板の表面に，蛍光体層を蒸着により形成することが周
知技術であると認定したものである。そして，甲１６は，蛍光体層
を蒸着により形成する際に，バインダー樹脂を含んだ反射層の表面
のみならず，反射機能を有する樹脂基板の表面にも形成することを
開示していることから，広い範囲の樹脂材料について蛍光体層を蒸
着により形成できることを推認する一材料となり得るものであり，
そのようなものとして，上記周知技術の認定の根拠となるものであ
る。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
(b)原告は，甲１６に記載の基板が酸化チタン，酸化アルミニウム
などの顔料を混入した白色樹脂材料からなるものであったとしても，
甲１６の基材と訂正特許発明３における反射層は，その形成方法が
異なることから，当業者であれば，形成された表面の構造も通常は
異なると理解するのが自然であり，「蒸着により膜形成を行う場合，
蒸着させる対象の表面の材質，構造により膜の成長がうまくいくか
どうかが左右されること」は技術常識であるから，相違点ａにおけ
る「バインダー樹脂を含んだ反射層の表面に蛍光体層を蒸着に形成
する」という構成の容易想到性を判断する上で甲１６の基材の構成
を参酌することはできないと主張する（前記第３の２(1)ア(イ)ｃ
(b)）。
しかし，上記(a)のとおり，周知技術の認定は，甲１６に加えて，
甲４１及び甲８の記載も含めて，バインダー樹脂を含んだ反射層の
表面又は反射機能を有する樹脂基板の表面に，蛍光体層を蒸着によ
り形成することを根拠としたものである（前記(1)イ）。原告の上
記主張は，上記周知技術の認定を左右するものではない。
ｄ甲４１について
(a)原告は，甲４１には，バインダー樹脂を含む鉛含有層の表面に
蒸着により蛍光体層を蒸着させる旨の直接的な記載はなく，また基
板温度との関係についても何ら言及されていない（甲４１の【００
２８】等）と主張する（前記第３の２(1)ア(イ)ｄ(a)）。
しかし，前記(1)イ(イ)のとおり，甲４１には，反射層である鉛
含有層（【００２８】）の上に蒸着により蛍光体層を形成すること
が開示されており（【００３０】～【００３２】），また，「鉛又
は鉛酸化合物の可撓性層は・・・結合剤に分散された鉛又は鉛酸化
物の層である」（【００３３】），「好適な結合剤に分散されかつ
好ましいポリマー支持体上に層で被覆される鉛酸化物を鉛箔のため
の代替物として使用してもよい。増感スクリーンの層中の燐光体の
分散のために使用されるもののような従来の結合剤のいずれかをこ
こで使用してもよい。かかる結合剤としては例えばポリビニルブチ
ラール，ポリビニルアセテート，ウレタン，ポリビニルアルコール，
ポリエステル樹脂，ポリメチルメタクリレートなどが挙げられ
る。」（【００３９】）との記載がある。
したがって，甲４１記載の鉛含有層が，鉛又は鉛酸化物が結合剤
すなわちバインダー樹脂に分散された反射層を含むものであること
は明らかである。原告の上記主張は，前記周知技術の認定を左右す
るものではない。
(b)原告は，甲４１には，結合剤に分散されてポリマー支持体上に
被覆される鉛塩として炭酸鉛が例示されているが（甲４１の【００
４２】），甲４１では，炭酸鉛等の鉛化合物と結合剤を含む層の上
に蛍光体層を蒸着により形成することは想定されておらず，あくま
で，結合剤を含まない鉛箔の表面に蛍光体層を蒸着することのみを
開示しているものと認められ，「バインダー樹脂を含んだ反射層」
の表面に，「蛍光体層を蒸着により形成すること」は何ら具体的に
開示されていないと主張する（前記第３の２(1)ア(イ)ｄ(b)）。
しかし，甲４１記載の鉛含有層が，鉛又は鉛酸化物が結合剤すな
わちバインダー樹脂に分散された反射層を含むものであることは，
前記(a)のとおりである。原告の上記主張は採用することができな
い。
(c)原告は，「結合剤に分散された鉛酸化物の層」は「反射層」で
はないとして，甲４１には，「バインダー樹脂を含んだ反射層の表
面又は反射機能を有する樹脂基板の表面」に形成することは開示さ
れていないと主張する（前記第３の２(1)ア(イ)ｄ(c)）。
しかし，前記(a)のとおり，甲４１には，「鉛又は鉛酸化物の可
撓性層は・・・結合剤に分散された鉛又は鉛酸化物の層である」
（【００３３】）との記載があり，「結合剤に分散された鉛酸化物
の層」は「反射層」ではないとする点には根拠がない。
したがって，原告の上記主張は，前提において誤りがあり，採用
することができない。
(ウ)まとめ
以上のとおりであり，相違点ａに係る訂正特許発明３の構成は容易想
到ではないとの原告の主張はいずれも採用することができない。
イ顕著な効果について
(ア)原告は，訂正特許発明３においては，①反射層が一定の厚みを持つ
ことで支持基板の表面粗さを吸収し，②蒸着の際の基板温度（１５０℃
～２５０℃）よりも低いガラス転移温度を有する樹脂が蒸着に際して軟
化することで，根付きがよく，スプラッシュの発生が低減されて柱状結
晶が良好に成長するという効果を奏するものであると主張する（前記第
３の２(1)イ(ア)）。
前記１(1)オ(イ)によれば，本件訂正明細書には，訂正特許発明の効
果について，「反射層を白色顔料及びバインダー樹脂で形成することで，
高い発光取り出し効率を殆ど減じることなく，鮮鋭性が飛躍的に向上す
ること」（【００２７】），「バインダーとしては，ガラス転位温度
（Ｔｇ）が３０～１００℃のポリマーであることが，蒸着結晶と基板と
の膜付の点で好ましく，特にポリエステル樹脂であることが好まし」い
こと（【００３５】），「反射層は，溶剤に溶解した樹脂を塗布，乾燥
して形成することが好まし」く，「特にガラス転位温度が３０～１００
℃のバインダー樹脂を含有することが好ましい。通常，蒸着によるシン
チレータを形成するにあたっては，基板温度は１５０℃～２５０℃で実
施されるが，反射層にガラス転位温度が３０～１００℃を含有しておく
ことで，光反射層が接着層としても有効に機能するようになる」こと
（【００３８】），「バインダー樹脂としては接着性の観点でポリエス
テル樹脂，ポリウレタン樹脂等の疎水性樹脂が好ましい」こと（【００
７１】）が記載されている。
上記記載によれば，本件訂正明細書には，蒸着によってシンチレータ
層を形成する際の基板温度を通常の１５０℃～２５０℃で実施する際に，
反射層を形成する樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）を３０～１００℃とす
ると，シンチレータ層と反射層との膜付，接着性の点で望ましいことは
記載されているといえる。
しかし，原告の主張するような，反射層が一定の厚みを持つことで支
持基板の表面粗さを吸収することや，スプラッシュの発生が低減されて
柱状結晶が良好に成長することについては，何ら記載されていない。ま
た，それらの事項が本件訂正明細書に記載されているに等しいと評価し
得る根拠もない。また，仮に，上記の事項が記載されているに等しいと
評価し得るとしても，そうであれば，もはや，当業者が予測できない格
別の効果であるとはいえない。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
(イ)原告は，訂正特許発明３は，修正相違点ｃの「該シンチレータパネ
ルは，該出力基板の光電変換素子面形状に変形している」という構成を
とるものであるために，コンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）で
ある甲１発明と比較した場合はもちろんのこと，該構成を有さない平板
Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）と比べても，より一層，受光面全体で均一な鮮
鋭性を得ることができるものであり，修正相違点ｃの構成をとることが
可能となるのは，相違点ａ及びｂ’に係る構成を採用したことによるも
のでもあると主張する（前記第３の２(1)イ(イ)）。
しかし，前記１(3)において説示したとおり，審決による相違点ｃの
認定に誤りはなく，原告主張の修正相違点ｃなるものは認められない。
したがって，原告の上記主張は，その前提を欠き，採用することがで
きない。
(3)小括
よって，原告主張の取消事由２ａは理由がない。
３取消事由２ｂ（相違点ｂ’の判断の誤り）について
原告は，相違点ｂ’に係る訂正特許発明３の構成は容易想到ではなく，また，
同構成により訂正特許発明３は顕著な効果を奏するものであるとして，相違点
ｂ’に係る審決の判断は誤りであると主張する（前記第３の２(2)・取消事由
２ｂ）ので，以下，検討する。
(1)相違点ｂ’の認定について
原告は，甲１発明の拡散反射層の形成に用いられる塗布液に混合される
「結合剤」については，甲１には「樹脂材料」であることは示されていない
と主張する（前記第３の２(2)ア）。
しかし，前記１(2)ア(ア)ｆのとおり，甲１には，「拡散反射層は，上記
微粒子状の光反射性物質および結合剤を溶剤中に混合分散して塗布液を調製
した後，これを支持体上に塗布乾燥することにより形成することができる。
結合剤および溶剤は，前記蛍光体層に使用することが可能なものの中から適
宜選択して用いることができる。」（【００８７】）とされているように，
拡散反射層を形成する際の結合剤については，蛍光体層に使用することが可
能なものの中から選択できることが記載されている。
また，蛍光体層の形成については，「（放射線吸収性蛍光体層）まず，上
記の放射線吸収蛍光体粒子と結合剤とを溶剤に加え，これを十分に混合して，
結合剤溶液中に放射線吸収蛍光体粒子が均一に分散した塗布液を調製する。
蛍光体粒子を分散支持する結合剤については様々な種類の樹脂材料が知られ
ており，本発明の放射線像変換パネルの製造においても，それらの公知の結
合剤樹脂を中心とした任意の樹脂材料から適宜選択して用いることができ
る。」（【００４９】）と記載されている。
これらの記載によれば，甲１には，結合剤として様々な種類の樹脂材料を
用いることが記載されているといえるから，甲１には，甲１発明の拡散反射
層の形成に用いられる塗布液に混合される「結合剤」が「樹脂材料」である
ことは開示されているといえる。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
(2)相違点ｂ’の容易想到性について
ア甲８について
(ア)前記２(1)イ(ウ)のとおり，甲８（特開２００３－２０７８６２号
公報）には，有機溶媒中に樹脂及び酸化チタン，酸化亜鉛，酸化アルミ
ニウム，炭酸カルシウム，硫酸バリウム等からなる白色顔料を分散した
ものを支持体上に塗布乾燥させて反射層を形成し（【０１１７】，【０
１１８】，【０１２１】），この反射層上に，蒸着等の気相成長（堆
積）によってアルカリハライド蛍光体等の輝尽性蛍光体層を柱状結晶構
造で形成する際に用いる上記樹脂材料として，例えば，ポリウレタン，
ポリエステル（例えば，ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナ
フタレート），塩化ビニル共重合体（例えば，塩化ビニル－酢酸ビニル
共重合体，塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体，塩化ビニル－アクリ
ロニトリル共重合体等），ブタジエン－アクリロニトリル共重合体，ポ
リアミド樹脂，ポリビニルブチラール，セルロース誘導体（ニトロセル
ロース等），スチレン－ブタジエン共重合体，各種の合成ゴム系樹脂，
フェノール樹脂，エポキシ樹脂，メラミン樹脂，フェノキシ樹脂，シリ
コン樹脂，アクリル系樹脂，尿素ホルムアミド樹脂等（【０１２１】）
が記載されている。
(イ)また，前記２(1)ウのとおり，Ａｌ膜や樹脂基板上に柱状結晶構造
のＣｓＩ：Ｔｌを蒸着することは，格別の困難を伴わずに普通に行われ
ている事項であると認められ，甲８にも「アルカリハライド蛍光体は，
蒸着，スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやす
く好ましい」（【００９７】）と記載されているから，当業者であれば，
甲８に例示列挙された上記樹脂材料を用いた反射層上にアルカリハライ
ド蛍光体であるＣｓＩ：Ｔｌからなる輝尽性蛍光体層を柱状結晶構造で
形成できることを容易に理解する。
イ甲１５について
(ア)甲１５（特開２００６－１３８６４２号公報）には，以下の記載が
ある。
「【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
・・・本発明の目的は支持体と輝尽性蛍光体層との付着性（接着性）を
改良した放射線画像変換パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の上記目的は以下の構成により達成される。
【００１１】
（請求項１）
支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて，少
なくとも１層の輝尽性蛍光体層が気相堆積法（気相法）により５０μｍ
～２０ｍｍの膜厚に形成され，該支持体がポリマーで被覆されたアルミ
ニウム基板であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【００１２】
（請求項２）
輝尽性蛍光体が下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴と
する請求項１に記載の放射線画像変換パネル。
【００１３】
一般式（１）
Ｍ１
Ｘ・ａＭ２
Ｘ′２・ｂＭ３
Ｘ″３：ｅＡ
〔式中，Ｍ１
はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，ＲｂおよびＣｓから選ばれる少なくと
も１種のアルカリ金属原子であり，Ｍ２
はＭ１
以外のＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒ
ｂおよびＣｓから選ばれる少なくとも一種の金属原子であり，Ｍ３
はＳ
ｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎから選ばれ
る少なくとも１種の三価金属原子であり，Ｘ，Ｘ′およびＸ″は各々Ｆ
原子，Ｃｌ原子，Ｂｒ原子およびＩ原子から選ばれる少なくとも１種の
ハロゲン原子であり，Ａは，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｉｎ，Ｃｅ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｐ
ｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎａ，Ａ
ｇ，Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種の金属原子であり，また，
ａ，ｂ，ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５，０≦ｂ＜０．５，０＜ｅ≦０．
２の範囲の数値を表す。〕・・・
【００１４】
（請求項４）
前記アルミニウム基板を被覆するポリマーのガラス転位点が３０～１０
０℃であることを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の放射線
画像変換パネル。
【００１５】
（請求項５）
前記ポリマーがポリエステル樹脂であることを特徴とする請求項１～４
の何れか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による放射線画像変換パネルは，支持体と輝尽性蛍光体層との
付着性（接着性）に優れた効果を有する。」
「【００２４】
また，ガラス転位点（Ｔｇ）が３０～１００℃であることが本発明の効
果をより奏する点で好ましい。」
「【００２６】
ガラス転位点（Ｔｇ）は３０℃未満であると，輝尽性蛍光体のヒビワレ
耐性が低下し，１００℃を超えると輝尽性蛍光体の接着性が低下す
る。」
「【００４３】
蛍光体原料としては，例えば，
（ａ）ＮａＦ，ＮａＣｌ，ＮａＢｒ，ＮａＩ，ＫＦ，ＫＣｌ，ＫＢｒ，
ＫＩ，ＲｂＦ，ＲｂＣｌ，ＲｂＢｒ，ＲｂＩ，ＣｓＦ，ＣｓＣｌ，Ｃｓ
Ｂｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物
が用いられる。」
「【００４６】
（ｄ）賦活部の原料としては，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｉｎ，Ｃｓ，Ｃｅ，Ｔｍ，
Ｄｙ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｍ，Ｙ，Ｔｌ，
Ｎａ，Ａｇ，Ｃｕ及びＭｇ等の各原子から選ばれる金属原子を有する化
合物が用いられる。」
「【００８５】
（実施例）
《放射線画像変換パネル試料１～７（試料Ｎｏ．１～７）の作製》
以下にしめすように，０．５ｍｍ厚のアルミニウム板支持体の表面（平
均表面粗さ０．０２μｍ）に図１で示した蒸着装置を用いて，輝尽性蛍
光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍光体層を形成した。
【００８６】
尚，アルミ基板への樹脂被覆はスピンコーターを用いて膜厚が１．５μ
ｍとなるように行った。・・・
【００８７】
真空チャンバー内を一旦排気した後，Ａｒガスを導入して１．０×１０
－２
Ｐａとなるように真空度を調整し，支持体の表面温度を１００℃とな
るように保持しながら，輝尽性蛍光体層の膜厚が４００μｍとなるまで
蒸着を行ない放射線像変換パネル試料を形成した。」
(イ)上記(ア)の記載によれば，甲１５には，支持体と輝尽性蛍光体層と
の付着性（接着性）を改良した放射線画像変換パネルを提供するために
（【０００９】），ポリマー（樹脂）で被覆されたアルミニウム基板上
に気相堆積法（気相法）によって輝尽性蛍光体層を形成する発明が記載
されており（【００１１】），発明の効果をより奏する点で，ポリマー
（樹脂）のガラス転位点（Ｔｇ）が３０～１００℃であることが好まし
いこと（【００１４】，【００２４】，【００２６】），樹脂被覆を塗
布で形成すること（【００８６】），輝尽性蛍光体層を蒸着によって形
成する際の支持体の表面温度を１００℃となるように保持すること
（【００８７】）も記載されている。
甲１５には，樹脂のガラス転位点（Ｔｇ）と，輝尽性蛍光体層を蒸着
によって形成する際の支持体の表面温度との関係について明記はされて
いない。しかし，甲１５に記載された発明の目的が，支持体と輝尽性蛍
光体層との付着性（接着性）を改良することにあり，樹脂のガラス転位
点（Ｔｇ）を３０～１００℃とすることで発明の効果をより奏すること
ができるものであって，輝尽性蛍光体層を蒸着によって形成する際の支
持体の表面温度を１００℃となるように保持していることに鑑みれば，
樹脂のガラス転位点（Ｔｇ）を，輝尽性蛍光体層を蒸着によって形成す
る際の支持体の表面温度以下とすることによって，樹脂が軟化して輝尽
性蛍光体との接着性が増すことは，当業者であれば容易に理解すること
である。そして，前記２(1)アのとおり，蒸着によりＣｓＩ：Ｔｌを形
成する際の基板温度を１５０～３００℃の範囲にすることは，技術常識
であるものと認められるから，この通常用いられる基板温度範囲におい
て，樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）を１００℃以下にすれば，蛍光体層
と樹脂との接着性が改善することも，当業者であれば容易に理解できる
ことである。
また，甲１発明においても，ＣｓＩ：Ｔｌの針状結晶膜である蒸着膜
からなる放射線吸収性蛍光体層２２ｂと，二酸化チタンおよび結合剤を
溶剤中に混合分散して塗布液を調製した後，これを支持体上に塗布乾燥
することにより形成拡散反射層との間で良好な接着性を確保することが
望ましいことも明らかである。
ウ以上によれば，甲１発明，すなわち，放射線吸収性蛍光体層２２ｂが，
ＣｓＩ：Ｔｌの針状結晶膜である蒸着膜からなり，支持体２１ｂと放射線
吸収性蛍光体層２２ｂとの間に，拡散反射層を設け，拡散反射層は，二酸
化チタンおよび結合剤を溶剤中に混合分散して塗布液を調製した後，これ
を支持体上に塗布乾燥することにより形成する発明において，結合剤とな
る樹脂材料として，放射線吸収性蛍光体層２２ｂと拡散反射層との良好な
接着性の確保も考慮して，甲８に記載された樹脂材料の中から，ガラス転
移温度（Ｔｇ）が１００℃以下のものを選択することは，当業者にとって
格別の創意工夫を要するものとは認められない。
(3)原告の主張について
ア原告は，相違点ｂ’に含まれる相違点ｂに係る審決の認定について，相
違点ａとの関係性を捨象して，引用文献において，相違点ｂに含まれる樹
脂が，表面に蛍光体を蒸着する樹脂として列挙されていることのみをもっ
て認定したのは誤りであると主張する（前記第３の２(2)イ(ア)）。
しかし，まず，前記２(1)ア及びエにおいて説示したとおり，蒸着によ
りＣｓＩ：Ｔｌを形成する際の基板温度を１５０～３００℃の範囲にする
ことは，技術常識であり，一方，訂正特許発明３における蒸着時の基板温
度１５０℃～２５０℃については，通常実施される基板温度の範囲を確認
的に記載したものにすぎず，その上限値及び下限値のいずれにも臨界的意
義を含めた格別の技術的意義を認めることはできない。
そのため，審決は，訂正特許発明３における蒸着時の基板温度の限定に
格別の創意工夫を要するものとは認められないとした上で，相違点ｂ’に
ついて，このような通常実施される基板温度の範囲を前提として，甲１５
の記載事項に基づいてガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃以下の樹脂材料
を選択することの容易想到性を検討しているのであって，審決は，原告が
主張するように，相違点ｂ’の検討に際して，相違点ａとの関係性を捨象
しているものではない。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
イ原告は，甲１５には，ガラス転移温度が１００℃以下の樹脂を用いるこ
とにより，支持体と蛍光体層の付着性を高めることができるとの記載はあ
るものの，甲１５のポリマー被覆は反射層ではなく，また輝尽性蛍光体層
が基板への形成後に剥離しやすいという課題に対して，放射線画像変換パ
ネルの耐食性や衝撃耐性の向上を目的とするものであるから，シンチレー
タ層と反射層の接着性を向上させて，画像の鮮鋭性を向上させるという訂
正特許発明３とは目的が異なる上，甲１５における基板温度は１００℃で
あり（甲１５の【００８７】），これは訂正特許発明３に規定される範囲
とは異なると主張する（前記第３の２(2)イ(イ)ｃ）。
しかし，前記(2)イ(イ)において説示したとおり，甲１５には，樹脂の
ガラス転位点（Ｔｇ）と，輝尽性蛍光体層を蒸着によって形成する際の支
持体の表面温度との関係について明記はされていないものの，甲１５に記
載された発明の目的が，支持体と輝尽性蛍光体層との付着性（接着性）を
改良することにあり，樹脂のガラス転位点（Ｔｇ）を３０～１００℃とす
ることで発明の効果をより奏することができるものであって，輝尽性蛍光
体層を蒸着によって形成する際の支持体の表面温度を１００℃となるよう
に保持していることに鑑みれば，樹脂のガラス転位点（Ｔｇ）を，輝尽性
蛍光体層を蒸着によって形成する際の支持体の表面温度以下とすることに
よって，樹脂が軟化して輝尽性蛍光体との接着性が増すことは，当業者で
あれば容易に理解することである。
そして，当業者であれば，甲１発明においても，ＣｓＩ：Ｔｌの針状結
晶膜である蒸着膜からなる放射線吸収性蛍光体層２２ｂと，二酸化チタン
および結合剤を溶剤中に混合分散して塗布液を調製した後，これを支持体
上に塗布乾燥することにより形成拡散反射層との間で良好な接着性を確保
することを志向するのは明らかであるといえるから，甲１５の記載に基づ
いて相違点ｂ’に係る構成を採用することは当業者であれば容易になし得
たことである。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。
ウ原告は，訂正特許発明３は，修正相違点ｃの「該シンチレータパネルは，
該出力基板の光電変換素子面形状に変形している」という構成をとるもの
であるために，コンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）である甲１発
明と比較した場合はもちろんのこと，該構成を有さない平板Ｘ線検出装置
（ＦＰＤ）と比べても，より一層，受光面全体で均一な鮮鋭性を得ること
ができるものであり（本件訂正明細書の【００６２】），訂正特許発明３
において，修正相違点ｃの構成をとることが可能となるのは，相違点ａ及
びｂ’に係る構成を採用したことによるものであると主張する（前記第３
の２(2)イ(ウ)）。
しかし，前記１(3)において説示したとおり，審決による相違点ｃの認
定に誤りはなく，原告主張の修正相違点ｃなるものは認められない。
したがって，原告の上記主張は，その前提を欠き，採用することができ
ない。
(4)小括
よって，原告主張の取消事由２ｂは理由がない。
４取消事由２ｃ（相違点ｃの判断の誤り）について
原告は，相違点ｃの容易想到性に係る審決の判断は誤りであると主張する
（前記第３の２(3)・取消事由２ｃ）ので，以下，判断する。
まず，原告は，相違点ｃについては，修正相違点ｃとして認定されるべき旨
を主張する（前記第３の２(3)ア）が，この点については，前記１(3)において
説示したとおり，審決による相違点ｃの認定に誤りはなく，原告主張の修正相
違点ｃなるものは認められない。
そこで，以下，相違点ｃの容易想到性について判断する。
(1)相違点ｃの容易想到性について
ア周知技術について
(ア)甲７について
甲７（特開２００１－１８３４６４号公報）には，以下の記載がある。
「【００１５】放射線イメージセンサは，図２に示すように，シンチ
レータパネル８のシンチレータ１６の先端部側に撮像素子２０を対向さ
せて貼り付けた構造を有している。」
(イ)甲９について
甲９（特開２００２－２４３８５９号公報）には，以下の記載がある。
「【００２６】・・・図１において，１１０は蛍光板で，柱状結晶化
した蛍光体よりなる蛍光体層１１３と，蛍光体層１１３を支持するため
の基材１１１と，蛍光体層１１３で変換された光を後述するセンサーパ
ネル１００側へ反射するアルミニウム薄膜よりなる反射層１１２と，蛍
光体層１１３等を外気から保護する有機樹脂よりなる保護層１１４とを
備えている。」
「【００２８】また，図１において，１００はセンサーパネルであり，
ガラス基板１０１と，アモルファスシリコンを用いたフォトセンサー及
びＴＦＴからなる光電変換素子部１０２と，光電変換素子部１０２で変
換された電気信号を伝送する配線部１０３と，光電変換素子部１０２及
び配線部１０３を保護する窒化シリコン等よりなる保護層１０４とを備
えている。」
「【００６７】・・・図９（ａ）に示すように，蛍光体１１０の周囲
部の構造上の弱さによって発生する接着材の厚さのばらつきや，蛍光体
１１０の端部の破壊を抑えるために，蛍光板１１０の周囲にスペーサ１
３０を設ける。
【００６８】この状態で，接着材を塗布したセンサーパネル１００上に，
蛍光板１１０を載せて，図９（ｂ）に示すように，上からローラー３０
１でしごく。・・・」
【図９】（ｂ）
(ウ)甲１０について
甲１０（特開２００６－３３５８８７号公報）には，以下の記載があ
る。
「【０００４】
現在，光センサー１１１上に柱状形状の蛍光体１１４を形成する手段
として，光センサー１１１上に蛍光体１１４を直接蒸着する手法と，図
１６のように光センサー１１１とは別基台１２１上に反射層１２４及び
蛍光体１２５を蒸着形成し，保護層１２８で覆ったのちローラー等を使
い，接着剤１４０を介し光センサー１１１に貼り合せる手法とがあ
る。」
「【００２１】
蛍光体１２５の一般的な貼り合せとしては，接着剤１４０を光センサ
ー１１１上に塗布し，その上に蛍光体１２５を重ね合せ，ローラーで押
し付けながら貼り合せを行う。・・・」
(エ)甲１２について
甲１２（特表２００２／０２３２２０号公報）には，以下の記載があ
る。
「図３は，本発明に係る放射線イメージセンサの第１の実施形態の縦
断面図である。この放射線イメージセンサ２は，図１に示されたシンチ
レータパネル１のシンチレータ１０に対して，撮像素子２０を対向配置
した状態で組み合わせることで構成されている。撮像素子２０はシンチ
レータ１０により発生した光を電気信号に変換するものである。撮像素
子２０としては，例えば，２次元的に配列されたＳｉフォトダイオード
を有するＭＯＳ型のイメージセンサが使用される。」
【図３】
(オ)甲１６について
甲１６（特開２００４－６１１７２号公報）には，以下の記載がある。
「【０００５】
デジタルＸ線撮影装置を作製するためには，光電変換撮像素子とシン
チレーターを積層することが必須である。光電変換撮像素子とシンチレ
ーターを積層するために，粘着剤を介して光電変換撮像素子の上にシン
チレーターを積層している。」
「【００３８】
【実施例】
実施例１・・・」
「【００４１】
厚さ１８８μｍの白色ＰＥＴ材料（東レ製：Ｅ４００）１１の１００
ｍの巻物を用意した。
【００４２】
白色ＰＥＴ材料１１の表面に第一の蛍光体層３１（厚さ３０μｍ）を
塗布し，次に第二の蛍光体層３２（厚さ１５０μｍ）を塗布したのち溶
媒を乾燥し，蛍光体層２を得た。・・・」
「【００４６】
実施例３
実施例１で得られたデジタルＸ線撮影用放射線変換シートの剥離フィ
ルム４１を剥離したのちすぐに，ロールラミネータを用いて室温でアモ
ルファスシリコンから成る半導体光電変換撮像素子（センサー）の表面
に積層し，図４に示されるデジタルＸ線撮影装置を得た。」
(カ)上記(ア)ないし(オ)の記載によれば，放射線を吸収してその強度に
応じた電磁波を発光するシンチレータパネルを，光電変換素子を備える
出力基板とともに撮像パネルとして構成することは周知技術であると認
められる。
また，上記(イ)，(ウ)及び(オ)の記載によれば，シンチレータパネル
と光電変換素子を備える出力基板とから撮像パネルを形成する方法とし
て，シンチレータパネルと光電変換素子を備える出力基板とをローラー
を用いて貼り合わせる方法も周知技術であると認められる。
イまた，上記ア(イ)及び(オ)にもあるように，シンチレータパネルと光電
変換素子を備える出力基板を貼り合わせて用いる際には，光電変換素子を
備える出力基板をガラス基板等の可とう性を有さない剛性の高い基板を用
いて形成することが一般的であるといえる。
ウ一方，前記１(2)ウにおいて説示したとおり，甲１には，放射線照射時
に，放射線吸収性蛍光体層を備える蛍光スクリーン（シンチレータパネ
ル）と，蛍光スクリーンからの発光を受けて潜像を形成する蓄積性蛍光体
層を備える放射線像変換パネルとを密着状態で配置することが記載されて
おり（【請求項１９】，【００１４】，【０１２６】），この記載に接し
た当業者であれば，両者が密着しない状態では，蛍光スクリーン（シンチ
レータパネル）から発光した電磁波が両者の界面付近で拡散，散乱，減衰
等して効率的に放射線像変換パネルに到達しないために，潜像を形成する
上での支障があることを理解する。
また，前記２(2)イ(イ)において説示したとおり，甲１発明における
「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」の支持体２１ｂは，ポリイミド樹
脂からなる厚みが５０μｍないし１ｍｍのシートあるいはフィルムであり，
本件訂正明細書には，シンチレータパネルの基板について，「基板を，厚
さ５０μｍ以上５００μｍ以下の高分子フィルムとすることでシンチレー
タパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形し」（【００６２】）
と記載されていることも併せて勘案すると，甲１発明における「フロント
側の蛍光スクリーン２０ｂ」は，訂正特許発明３のシンチレータパネルと
同程度に可とう性を有しているということができる。
エそうすると，前記ア(カ)で説示した周知の光電変換素子を備える出力基
板と，甲１発明の「蓄積性蛍光体層２３」を有する「放射線像変換パネル
２０ａ」は，シンチレータパネル（蛍光スクリーン）から発光された電磁
波を受けて画像を得る手段である点で共通するから，甲１発明の「放射線
像変換パネル２０ａ」を周知の光電変換素子を備える出力基板に換えるこ
とは，当業者であれば容易に想到し得ることであって，甲１発明の「放射
線像変換パネル２０ａ」を周知の光電変換素子を備える出力基板に換えた
場合であっても，「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」と周知の光電変
換素子を備える出力基板の両者が密着していない状態では，両者の界面付
近で「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」から発光した電磁波が拡散，
散乱，減衰等して，効率的に周知の光電変換素子を備える出力基板に到達
しないために，電気信号を取り出す上での支障があることは，当業者であ
れば当然に理解することである。
そして，周知の光電変換素子を備える出力基板は剛性を有することが一
般的である一方で，甲１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」は
可とう性を有することを併せて勘案すると，甲１発明において，「放射線
像変換パネル２０ａ」を周知の光電変換素子を備える出力基板に置き換え
る際に，可とう性を有する「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」を剛性
の高い周知の光電変換素子を備える出力基板に合った形状にローラー等を
用いて変形させることで両者を密着させることは，当業者であれば容易に
想到し得ることである。
(2)原告の主張について
ア動機付けについて
原告は，コンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）のシステムとして
完成している甲１発明において，そもそも，「甲１発明の「蓄積性蛍光体
層２３」を有する「放射線像変換パネル２０ａ」に換えて，周知の光電変
換素子を備える出力基板とする」ことの動機付けは一切見当たらない，も
し仮に百歩譲って，審決が言うように，「甲１発明の「蓄積性蛍光体層２
３」を有する「放射線像変換パネル２０ａ」に換えて，周知の光電変換素
子を備える出力基板とすることは，当業者が容易に想到し得る」としても，
そこまでである，光電変換素子を備える出力基板と貼り合せる場合でも，
あえて，厚みの薄いシートあるいはフィルムを支持体として使い続けると
いう構成に想到するためには，より積極的な動機づけが不可欠である，と
主張する（前記第３の２(3)イ）。
しかし，前記(1)エにおいて説示したとおり，光電変換素子を備える出
力基板と，甲１発明の「蓄積性蛍光体層２３」を有する「放射線像変換パ
ネル２０ａ」は，シンチレータパネル（蛍光スクリーン）から発光された
電磁波を受けて画像を得る手段である点で共通するから，甲１発明の「放
射線像変換パネル２０ａ」を周知の光電変換素子を備える出力基板に換え
る動機付けはあるというべきである。そして，その際に，可とう性を有す
る「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」を剛性の高い周知の光電変換素
子を備える出力基板に合った形状にローラー等を用いて変形させることで
両者を密着させることが容易想到であることも，前記(1)エにおいて説示
したとおりである。
イ阻害要因について
原告は，甲９は，蒸着により柱状結晶を成長させて構成した蛍光体層を
出力基板にローラーで力をかけて貼り合わせることについての課題を開示
するものではあっても，それはむしろ，何らの工夫を施すことなくローラ
ーで力をかけて貼り合わせることに対しては，阻害要因として働くもので
あり，また，甲１０は，蒸着により柱状結晶を成長させて構成した蛍光体
層を出力基板にローラーで力をかけて貼り合わせることについての課題を
開示するものではあっても，それはむしろ，何らの工夫を施すことなくロ
ーラーで力をかけて貼り合わせることに対しては，阻害要因として働くも
のであると主張する（前記第３の２(3)ウ）。
なるほど，甲９及び甲１０には，蛍光体層表面の突起等による凹凸を小
さくしてから，蛍光体層と出力基板とをローラーで貼り合わせる技術が開
示されている。
しかし，甲９及び甲１０には，いずれも，ローラーによる貼り合わせが
従来から行われていたことが記載されており，蛍光体層表面の突起等によ
る凹凸を小さくしなければ，ローラーによる貼り合わせができないという
ことまでは記載されていない。
また，甲１発明において，可とう性を有する「フロント側の蛍光スクリ
ーン２０ｂ」を剛性の高い周知の光電変換素子を備える出力基板に合った
形状にローラー等を用いて変形させることで両者を密着させるに際して，
「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」を構成する放射線吸収性蛍光体層
２２ｂ表面の凹凸をあらかじめ小さくすることが禁じられているともいえ
ない。
したがって，甲１発明の「蓄積性蛍光体２３」を有する「放射線像変換
パネル２０ａ」に換えて，周知の光電変換素子を備える出力基板とし，甲
１発明の「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」と出力基板とをローラー
を用いて貼り合わせることについて，甲９及び甲１０が阻害要因として働
くということはいえない。原告の上記主張は採用することができない。
ウ面形状に変形している構成について
原告は，審決も，訂正特許発明３の「該シンチレータパネルは，該出力
基板の光電変換素子面形状に変形している」との構成要件に関し，何らか
の証拠により開示されていたと認定しているわけではなく，この点につい
て，公知文献に開示がないことは審決も認めていると主張する（前記第３
の２(3)エ）。
しかし，前記(1)のとおり，甲１発明において，相違点ｃに係る構成を
採用することは，容易想到であり，「該シンチレータパネルは，該出力基
板の光電変換素子面形状に変形している」との構成要件に関して単に公知
文献がないということだけでは，上記判断を左右するものではない。
エ顕著な効果について
原告は，訂正特許発明３は，修正相違点ｃの「該シンチレータパネルは，
該出力基板の光電変換素子面形状に変形している」という構成をとるもの
であるために，コンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ）である甲１発
明と比較した場合はもちろんのこと，該構成を有さない平板Ｘ線検出装置
（ＦＰＤ）と比べても，より一層，受光面全体で均一な鮮鋭性を得ること
ができるものであり（本件訂正明細書の【００６２】），訂正特許発明３
において，修正相違点ｃの構成をとることが可能となるのは，相違点ａ及
びｂ’に係る構成を採用したことによるものであると主張する（前記第３
の２(3)オ(ア)）。
また，原告は，訂正特許発明３においては，①反射層が一定の厚みを持
つことで支持基板の表面粗さを吸収し，②蒸着の際の基板温度（１５０℃
～２５０℃）よりも低いガラス転移温度を有する樹脂が蒸着に際して軟化
することで，根付きがよく，スプラッシュの発生が低減されて柱状結晶が
良好に成長するのであると主張する（前記第３の２(3)オ(イ)）。
しかし，前記２(2)イにおいて説示したとおり，原告の上記主張は，い
ずれも採用することができない。
(3)小括
よって，原告主張の取消事由２ｃは理由がない。
５取消事由２（訂正特許発明３に関する進歩性判断の誤り）についてのまとめ
前記２ないし４のとおり，原告主張の取消事由２ａないし２ｃは，いずれも
理由がなく，訂正特許発明３に係る審決の進歩性判断に誤りはない。
よって，原告主張の取消事由２は理由がない。
６取消事由３（訂正特許発明１，２，４ないし８に関する進歩性判断の誤り）
について
原告は，訂正特許発明１，２，４ないし８のそれぞれについて，いずれも進
歩性を否定した審決の判断には誤りがあると主張する（前記第３の３）ので，
以下，順次判断する。
(1)訂正特許発明１について
ア原告は，訂正特許発明３と甲１発明との相違点ｃの認定並びに相違点ａ，
ｂ’（相違点ｂに対応）及びｃに係る審決の判断の誤りに照らし，訂正特
許発明１についての審決の判断も誤りであると主張する（前記第３の３
(1)）。
訂正特許発明１と甲１発明は，相違点ａ，ｂ及びｃで相違し，このうち，
相違点ａ及びｃに係る構成を採用することについては，前記２及び３にお
いて説示したとおり容易想到である。そこで，相違点ｂに係る構成を採用
することの容易想到性について検討する。
イ相違点ｂは，訂正特許発明３と甲１発明の相違点ｂ’から「バインダー
樹脂」に対する「１００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）を有する樹脂で
あって，」という限定を削除し，樹脂材料の中から「ポリアミド樹脂」及
び「アクリル系樹脂」が除外されたものである。
そうすると，相違点ｂに係る構成を採用することは，相違点ｂ’の容易
想到性について説示したのと同様の理由により，当業者であれば容易にな
し得たことであるといえる。
ウよって，訂正特許発明１の進歩性に係る審決の判断に誤りはない。原告
の上記主張は採用することができない。
(2)訂正特許発明２について
ア原告は，訂正特許発明３と甲１発明との相違点ｃの認定並びに相違点ａ，
ｂ’（相違点ｂに対応）及びｃに係る審決の判断の誤りに照らし，訂正特
許発明２についての審決の判断も誤りであると主張する（前記第３の３
(2)）。訂正特許発明２は，訂正特許発明１に対して「反射層表面がカレ
ンダー処理により平滑化されていること」を限定するものである。
イ訂正特許発明２と甲１発明は，訂正特許発明１と同様，相違点ａ，ｂ，
及びｃで相違するのに加え，以下の相違点ｄで相違する（審決４２頁）。
（相違点ｄ）
「訂正特許発明２は，「前記反射層表面がカレンダー処理により平滑化
されている」のに対し，甲１発明の「拡散反射層」がカレンダー処理によ
り平滑化されているか否かが不明である点。」
ウ相違点ａ，ｂ及びｃに係る構成を採用することについては，訂正特許発
明１について説示したのと同様の理由により，当業者であれば容易になし
得たことである。そこで，相違点ｄに係る構成を採用することの容易想到
性について検討する。
(ア)周知技術について
ａ甲２について
甲２（特開２００６－１９４８６０号公報）は，以下の記載がある。
「【０００２】
従来，放射線画像を得るために，放射線照射によって得られた潜像
をレーザー光等を使い光信号を取り出す法がとられてきた。放射線を
吸収してからある時間経過後に光信号を取り出すには，輝尽性蛍光体
層が必要で，その輝尽性蛍光体層を設けるには，従来より塗布による
塗設方法があったが，塗布液にはバインダー等の発光に寄与しない成
分を含むため，最近では蒸着等の気相堆積法による技術が用いられる
ようになってきた。
【０００３】
蒸着法等による輝尽性蛍光体の形成では，蒸着時の蒸気流またはル
ツボ輻射熱，基板加熱の必要有る可能性等から，基板は耐熱性（８０
℃～２００℃程度）があることが必要であった。かつ蛍光体層が設け
られる基板表面は非常に平滑であることが求められていた。」
「【００１７】
・・・放射線画像変換パネルの蛍光体層中の輝尽性蛍光体が下記一
般式（１）で表される輝尽性蛍光体である・・・
【００１８】
一般式（１）ＣｓＸ：ｙＡ
（式中，ＸはＣｌ，Ｂｒ又はＩを表し，ＡはＥｕ，Ｓｍ，Ｉｎ，ＴＩ，
Ｇａ又はＣｅを表す。ｙは１×１０－７
～１×１０－２
である）・・
・」
ｂ甲３について
甲３（特開２００１－５９８９８号公報）には，以下の記載がある。
「【請求項１】少なくとも支持体と該支持体に積層される蛍光体
層とからなる放射線像変換パネルの製造方法において，前記支持体に
前記蛍光体層を積層する前に，該蛍光体層の前記支持体に接触する側
の表面を平滑化処理することを特徴とする放射線像変換パネルの製造
方法。」
「【請求項３】前記平滑化処理をカレンダーロールにより行うこ
とを特徴とする請求項１または２記載の放射線像変換パネルの製造方
法。」
「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで，蛍光体層と支持体との接
触面（界面）が乱れていると高画質が望めなくなることがある。これ
は，蛍光体層と支持体の界面の乱れにより，励起光が不均一に散乱し，
粒状が悪化するためである…」
「【００１５】
【発明の効果】本発明の放射線像変換パネルの製造方法は…支持体に
前記蛍光体層を積層する前に，該蛍光体層の前記支持体に接触する側
の表面を平滑化処理するので，支持体と蛍光体層の接触する界面を平
滑化することができ，貼り合わせ界面における微妙な凹凸に起因する
と考えられる画像ノイズを効果的に抑制し，画質の向上を図ることが
できる。」
「【００３１】平滑化処理は，たとえばカレンダーロールにより行
うことができる。カレンダーロールは，通常一対のロール（金属ロー
ルと金属ロールとの組合せ，金属ロールとゴムロールとの組合せ，ゴ
ムロールとゴムロールとの組合せなど）からなる。・・・」
ｃ乙２について
乙２（特開２００５－２９２１３０号公報）には，以下の記載があ
る。
「【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明者の研究により，蒸着法などの気相堆積法により金属シート
（基板）の表面に柱状結晶構造の蛍光体層を堆積形成する際に，用い
る金属シートの表面が滑らかでなく，小さなものであっても凹凸が存
在すると，即ち，粗面であると，その基板表面の凹凸が起点となって
蛍光体結晶の異常成長が現われ，この異常成長した結晶のサイズが蓄
積画像の読み取り時の画素サイズや画像再生時の画素サイズを越えて
しまうと，再生された放射線画像上で，周囲と極端に濃度の異なる点
欠陥として視認されるようになり，各種の診断や検査に支障を来すこ
とが分かった。また，気相堆積法により形成される蛍光体層の透明性
が高いために，表面が粗面の金属シート表面に気相堆積法により蛍光
体層を形成して得た放射線像変換パネルを用いて放射線画像を再生す
ると，金属シート表面の凹凸が直接，再生される放射線画像上に現れ
て，構造モトル（画素間の粒子ゆらぎ）を増大させ，再生放射線画像
の粒状性の低下を招くことが判明した。
【００１１】
従って，本発明は，高画質の放射線画像を与える放射線像変換パネ
ルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は，上記の問題点について検討を重ねた結果，金属シート
（金属製基板）の表面に気相堆積法により蛍光体層を形成して放射線
像変換パネルを得る場合に，金属シートの表面粗さ（Ｒａ）を一定値
以下とすることによって，再生放射線画像の粒状性に影響を及ぼす構
造モトルを低減し，再生放射線画像に現われる点欠陥を減少させるこ
とができることを見い出し，本発明に到達したものである。
【００１３】
本発明は，金属シート及びその上に気相堆積法により形成された蛍
光体層を有する放射線像変換パネルにおいて，該金属シートの蛍光体
層側の表面の表面粗さＲａが０．１μｍ以下であることを特徴とする
放射線像変換パネルにある。」
「【００２２】
蛍光体は，蓄積性蛍光体であることが好ましく，特に下記基本組成
式（Ｉ）を有するアルカリ金属ハロゲン化物系輝尽性蛍光体であるこ
とが好ましい。・・・
ＭＩ
Ｘ・ａＭＩＩ
Ｘ’２・ｂＭＩＩＩ
Ｘ”３：ｚＡ・・・・（Ｉ）
【００２３】
［ただし，ＭＩ
はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓからなる群より選ば
れる少なくとも一種のアルカリ金属を表し・・・Ｘ，Ｘ’及びＸ”は
それぞれ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも
一種のハロゲンを表し；ＡはＹ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｃｕ，
Ａｇ，Ｔｌ及びＢｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類
元素又は金属を表し；そしてａ，ｂ及びｚはそれぞれ，０≦ａ＜０．
５，０≦ｂ＜０．５，０＜ｚ＜１．０の範囲内の数値を表す］」
ｄ上記ａ及びｃの記載によれば，ＣｓＩ：Ｔｌ等の輝尽性蛍光体から
なる層を蒸着法等の気相堆積法によって形成する際には，蛍光体層が
設けられる基板表面は平滑であることが求められていたことは，周知
の技術課題であったと認められる。
また，平滑化の手段としてカレンダーロールを用いることは，周知
技術であったと認められ，上記ｂの記載によれば，蛍光体層を積層す
る支持体表面を平滑化する手段としてカレンダーロールを用いること
も知られていたことである。
(イ)また，甲３には，ＣｓＩ：Ｔｌを含む柱状結晶構造の蛍光体層を蒸
着法などの気相堆積法により形成する際の基板として金属シートを用い
ることが記載されているが，乙２に課題として記載された蛍光体結晶の
異常成長は，基板表面の凹凸に起因するものであって，基板の材質自体
に直接依存するものではないことは，当業者であれば容易に理解すると
いえる。
(ウ)以上によれば，甲１発明において，上記周知の課題に鑑み，ＣｓＩ
：Ｔｌの針状結晶膜である蒸着膜からなる放射線吸収性蛍光体層２２ｂ
の形成に先立って，「拡散反射層」の表面を，必要に応じてカレンダー
処理によって平滑化することは，当業者であれば容易になし得たことで
ある。
エ原告の主張について
(ア)原告は，審決は，甲２の記載のみを根拠に，「蛍光体層が設けられ
る基板表面は非常に平滑であることが必要であるという課題が当業者に
は周知の課題であると認められる。」と認定しているが，甲４１には，
「エンボスされた層を与えるために，鉛ベースの塗料を使用し，良く知
られた被覆技術（例えばシルクスクリーン印刷）によって適用してもよ
く，その層の上に針状燐光体を蒸着してもよい。」（甲４１の【００４
３】）とあるように，むしろ，エンボス加工によって凹凸のある表面に
針状結晶を蒸着することが好ましい旨が記載されており，この記載だけ
を見ても，蛍光体層等を蒸着する際に基板表面を平滑にすることが必ず
しも常に好ましいものではないことは明らかであると主張する（前記第
３の３(2)イ）。
しかし，甲４１には，「前記中間層が微細な凹凸パターンを形成する
ためのエンボシングに供された表面を有する請求項１～７のいずれかに
記載の燐光体スクリーン又はパネル。」（請求項８），「鉛含有層は燐
光体を蒸着するための支持体における不均一性をさらに描くかもしれな
い。これは極めて望ましい例である。なぜならばそれはもし望むなら針
状形態で燐光体結晶を蒸着することを助けるからである。」（【００３
２】），「エンボスされた層を与えるために，鉛ベースの塗料を使用し，
良く知られた被覆技術（例えばシルクスクリーン印刷）によって適用し
てもよく，その層の上に針状燐光体を蒸着してもよい。」（【００４
３】），「本発明によれば中間層における支持体として鉛層でカバーさ
れたポリマーフィルム上に結合剤のない刺激性燐光体スクリーンを与え
ることがさらに好ましく，前記中間層は微細な凹凸パターンを形成する
ためのエンボシングを受けた表面を有する。」（【００５１】）との記
載がある。
これらの記載は，中間層表面に微細な凹凸パターンを形成すると，針
状形態の燐光体結晶層（蛍光体層）を蒸着で形成する際の助けとなる点
において好ましいことを意味するものと解されるが，甲４１には，微細
な凹凸パターンについて，どの程度の寸法や形状であれば，針状形態の
燐光体結晶層（蛍光体層）を蒸着で形成する際の助けになるのか，微細
な凹凸パターンは針状形態の燐光体結晶層（蛍光体層）を蒸着で形成す
る際に常に助けとなるのか，微細な凹凸パターン上に燐光体結晶層（蛍
光体層）を蒸着形成しても異常成長は生じないのか等を含め，作用機序
についての具体的な記載は何らされていない。
したがって，甲４１は，ＣｓＩ：Ｔｌ等の輝尽性蛍光体からなる層を
蒸着法等の気相堆積法によって形成する際には，蛍光体層が設けられる
基板表面は平滑であることが求められていたことが周知の技術課題であ
るとの認定（前記ウ(ア)ｄ）を左右するものではない。原告の上記主張
は採用することができない。
(イ)原告は，訂正特許発明２に係る実施例のＮｏ．１は，Ｎｏ．１２
（カレンダー処理なし）に比べＭＴＦにおいて更に優れていることが示
されており，かかる有利な効果は甲１等から当業者は予期し得ないもの
といえるが，審決では訂正特許発明２の効果を何ら考慮することなく，
「『拡散反射層』の表面をカレンダー処理によって平滑化することは，
当業者が適宜なし得たことである。」と認定しており，発明の効果を看
過している点でも誤りがあると主張する（前記第３の３(2)ウ）。
しかし，本件訂正明細書に「ＭＴＦ値が高いほど鮮鋭性に優れている
ことを示す。」（【０１１４】）と記載されているとおり，ＭＴＦ値は
鮮鋭性の指標であるところ，蒸着法などの気相堆積法により柱状結晶構
造の蛍光体層を堆積形成する際に，基板表面が平滑でなく凹凸があると
鮮鋭性が損なわれることは，例えば，乙２に「基板表面の凹凸が起点と
なって蛍光体結晶の異常成長が現われ，この異常成長した結晶のサイズ
が蓄積画像の読み取り時の画素サイズや画像再生時の画素サイズを越え
てしまうと，再生された放射線画像上で，周囲と極端に濃度の異なる点
欠陥として視認されるようになり，各種の診断や検査に支障を来す」
（【００１０】）と記載されているように，当業者にとって周知の事項
であったと認められる。
したがって，蛍光体層を堆積形成する前に基板表面をカレンダー処理
により平滑化すれば鮮鋭性が改善することは，当業者が予測できる効果
である。原告の上記主張は採用することができない。
(ウ)原告は，乙２は，金属基板表面の表面粗さを問題とするものである
が，訂正特許発明２のように反射層がバインダー樹脂を含む場合にもカ
レンダー処理による平滑化が必要であることは何ら開示も示唆もなされ
ていないと主張する（前記第３の３(2)イ）。
しかし，前記ウ(ア)ａ及びｃのとおり，甲２及び乙２には，いずれも，
ＣｓＩ：Ｔｌ等の輝尽性蛍光体からなる層を蒸着法等の気相堆積法に
よって形成する際には，蛍光体層が設けられる基板表面は平滑であるこ
とが求められていたことが記載されており，当裁判所は，これらの記載
に基づいて，ＣｓＩ：Ｔｌ等の輝尽性蛍光体からなる層を蒸着法等の気
相堆積法によって形成する際には，蛍光体層が設けられる基板表面は平
滑であることが求められていたことが周知の技術課題であることを認定
したものである。原告の上記主張は，周知の技術課題に係る上記認定を
左右するものではない。
オよって，訂正特許発明２の進歩性に係る審決の判断に誤りはない。
(3)訂正特許発明４について
ア原告は，訂正特許発明３と甲１発明との相違点ｃの認定並びに相違点ａ，
ｂ’（相違点ｂに対応）及びｃに係る審決の判断の誤りに照らし，訂正特
許発明４についての審決の判断も誤りであると主張する（前記第３の３
(3)）。
訂正特許発明４は，訂正特許発明３の「反射層」を構成する「平均粒径
０．１～３．０μｍの」「アルミナ，酸化イットリウム，酸化ジルコニウ
ムおよび酸化チタンから選ばれる少なくとも一種の白色顔料」を「二酸化
チタン」に限定したものである。甲１発明は，「拡散反射層」に「平均粒
子径が０．１乃至０．５μｍの範囲にある二酸化チタン」を有しているか
ら，上記限定によって新たな相違点が生じることはない。
そうすると，訂正特許発明４と甲１発明は，既に説示した訂正特許発明
３と同様，相違点ａ，ｂ’及びｃで相違する。
イしたがって，訂正特許発明３について説示したところと同様の理由によ
り，訂正特許発明４について進歩性を認めることはできない。
ウよって，訂正特許発明４の進歩性に係る審決の判断に誤りはない。原告
の上記主張は採用することができない。
(4)訂正特許発明５について
ア原告は，訂正特許発明３と甲１発明との相違点ｃの認定並びに相違点ａ，
ｂ’（相違点ｂに対応）及びｃに係る審決の判断の誤りに照らし，訂正特
許発明５についての審決の判断も誤りであると主張する（前記第３の３
(4)）。
訂正特許発明５は，訂正特許発明３の基板に対して，「厚さ５０μｍ以
上５００μｍ以下の可とう性を有する高分子フィルムからなる」という限
定を付し，訂正特許発明３の「前記白色顔料が，平均粒径０．１～３．０
μｍの白色顔料であり，」という限定を削除し，バインダー樹脂について
は，「１００℃以下のガラス転移温度（Ｔｇ）を有する樹脂であって，」
という限定を削除するとともに，樹脂材料の中から「ポリアミド樹脂」及
び「アクリル系樹脂」を除外したものである。
イ甲１発明の「支持体２１ｂは，ポリイミド樹脂からなる厚みが５０μｍ
乃至１ｍｍのシートあるいはフィルムであ」ることは，訂正特許発明５の
「厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下の可とう性を有する高分子フィルムか
らなる」ことに相当する。
したがって，訂正特許発明５と甲１発明は，相違点ａ，ｂ及びｃ’で相
違し，相違点ｃ’は以下のとおりである（審決４６頁）。
（相違点ｃ’）
「訂正特許発明５は，「シンチレータパネル」から発光された電磁波を
吸収するものが，「光電変換素子を備え，」「画像信号を出力する出力基
板」であるのに対して，甲１発明は，「放射線吸収性蛍光体層２２ｂ」か
ら発光された電磁波を吸収するものが，「蓄積性蛍光体層２３」を有する
「放射線像変換パネル２０ａ」である点。」
ウ相違点ｃ’は，相違点ｃから，訂正特許発明３における「シンチレータ
パネルは，該出力基板の光電変換素子面形状に合った形状に変形してい
る」のに対して，甲１発明では「フロント側の蛍光スクリーン２０ｂ」が
「蓄積性蛍光体層２３」の面形状に合った形状に変形している否かが不明
である点を除外したものである。
したがって，相違点ｃの容易想到性について説示したところと同様の理
由により，相違点ｃ’に係る構成を採用することは，当業者であれば容易
になし得たことであり，訂正特許発明５について進歩性を認めることはで
きない。
エよって，訂正特許発明５の進歩性に係る審決の判断に誤りはない。原告
の上記主張は採用することができない。
(5)訂正特許発明６について
ア原告は，訂正特許発明３と甲１発明との相違点ｃの認定並びに相違点ａ，
ｂ’（相違点ｂに対応）及びｃに係る審決の判断の誤りに照らし，訂正特
許発明６についての審決の判断も誤りであると主張する（前記第３の３
(5)）。
訂正特許発明６は，訂正特許発明３の基板に対して，「厚さ５０μｍ以
上５００μｍ以下の可とう性を有する高分子フィルムからなる」という限
定を付したものである。甲１発明の「支持体２１ｂは，ポリイミド樹脂か
らなる厚みが５０μｍ乃至１ｍｍのシートあるいはフィルムであ」ること
は，訂正特許発明６の「厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下の可とう性を有
する高分子フィルムからなる」ことに相当する。したがって，訂正特許発
明６と甲１発明は，訂正特許発明３と同様，相違点ａ，ｂ’及びｃで相違
する。
イしたがって，訂正特許発明３について説示したところと同様の理由によ
り，訂正特許発明６について進歩性を認めることはできない。
ウよって，訂正特許発明６の進歩性に係る審決の判断に誤りはない。原告
の上記主張は採用することができない。
(6)訂正特許発明７について
ア原告は，訂正特許発明３と甲１発明との相違点ｃの認定並びに相違点ａ，
ｂ’（相違点ｂに対応）及びｃに係る審決の判断の誤りに照らし，訂正特
許発明７についての審決の判断も誤りであると主張する（前記第３の３
(6)）。
訂正特許発明７は，訂正特許発明５又は６の「高分子フィルムからなる
基板」に対して，その材料を「ポリイミド（ＰＩ）またはポリエチレンナ
フタレート（ＰＥＮ）フィルムである」ことを限定するものである。甲１
発明の「支持体２１ｂは，ポリイミド樹脂からなる厚みが５０μｍ乃至１
ｍｍのシートあるいはフィルムであ」ることは，訂正特許発明７の「前記
高分子フィルムがポリイミド（ＰＩ）またはポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）フィルムである」ことに相当するから，上記限定によって新た
な相違点は生じない。
イそうすると，訂正特許発明５及び６について説示したところと同様の理
由により，訂正特許発明７について進歩性を認めることはできない。
ウよって，訂正特許発明７の進歩性に係る審決の判断に誤りはない。原告
の上記主張は採用することができない。
(7)訂正特許発明８について
ア原告は，訂正特許発明３と甲１発明との相違点ｃの認定並びに相違点ａ，
ｂ’（相違点ｂに対応）及びｃに係る審決の判断の誤りに照らし，訂正特
許発明８についての審決の判断も誤りであると主張する（前記第３の３
(7)）。
訂正特許発明８は，訂正特許発明１ないし７のいずれかにおいて，「反
射層の厚さが０．２～３．０μｍであること」を限定するものであり，こ
の限定により，訂正特許発明８は，既に検討した相違点に加えて，以下の
相違点ｅで甲１発明と相違する（審決４９頁）。
（相違点ｅ）
「訂正特許発明８は，「前記反射層の厚さが０．２～３．０μｍであ
る」のに対し，甲１発明の「拡散反射層」の「層厚が１５乃至１００μｍ
の範囲にあ」る点。」
イ訂正特許発明８における上記数値限定の臨界的意義も含めた技術的意義
について検討すると，本件訂正明細書の【００３２】には，「反射層の厚
さは，０．２～３．０μｍであることが，発光光取り出し効率の観点から
好ましい。」とあるように，発光光取り出し効率の観点で反射層の厚さを
設定することは記載されているが，上記数値限定の臨界的意義については
記載されていない。
次に，本件訂正明細書に実施例として記載されたシンチレータパネルＮ
ｏ．１～１３（【０１１６】，【表１】）のうち，基板がアルミ板（３０
０μｍ）で可とう性を有さないと考えられるＮｏ．１１及び，比較例のＮ
ｏ．１３を除外して検討すると，訂正特許発明８に相当する反射層の厚さ
が０．２～３．０μｍの範囲にあるシンチレータパネルは，Ｎｏ．１～６，
８，９，１２であり，このうち，鮮鋭性の評価指標であるＭＴＦ値を参照
すると，Ｎｏ．１及び３が０．６５の最大値である一方，Ｎｏ．１２では
０．５３の最小値となっているから，その範囲は０．５３～０．６５であ
る。
一方，反射層の厚さが上記範囲外であるＮｏ．７（０．１μｍ）及びＮ
ｏ．１０（３．５μｍ）については，いずれのＭＴＦ値も０．５５となっ
ている。
そうすると，ＭＴＦ値は高いほど鮮鋭性に優れているから（【０１１
４】），反射層の厚さが上記範囲内にあるＮｏ．１２のＭＴＦ値（０．５
３）は，反射層の厚さが上記範囲外にあるＮｏ．７，１０のＭＴＦ値（０．
５５）よりも低くなっており，Ｎｏ．１２は，Ｎｏ．７，１０よりも鮮鋭
性の点で劣っていることになり，【表１】に記載された結果からは，訂正
特許発明８に相当する反射層の厚さが０．２～３．０μｍの範囲のシンチ
レータパネルは，その全範囲にわたって，上記範囲外のシンチレータパネ
ルと比較して顕著な効果を奏するとはいえない。
したがって，訂正特許発明８における反射層の厚さについての上記数値
限定に対して臨界的意義を認めることはできない。
ウ一方，甲１には，反射層の厚さについて，「拡散反射層は，感度および
鮮鋭度の点から，できるだけ薄い層厚で高い光反射率を達成することが望
ましい。」（【００８６】）との記載があり，その厚さを薄くすることが
志向されていることを併せて勘案すると，甲１発明において，反射層を０．
２～３．０μｍに設定することは，当業者にとって格別の創意工夫を要す
ることとは認められない。
したがって，訂正特許発明８について進歩性を認めることはできない。
エよって，訂正特許発明８の進歩性に係る審決の判断に誤りはない。原告
の上記主張は採用することができない。
⑻小括
よって，原告主張の取消事由３には理由がない。
７結論
以上によれば，原告主張の取消事由はいずれも理由がなく，審決に取り消す
べき違法はない。
よって，原告の請求は理由がないからこれを棄却することとし，主文のとお
り判決する。
知的財産高等裁判所第３部
裁判長裁判官石井忠雄
裁判官西理香
裁判官田中正哉

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