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平成１８年（行ケ）第１０３６８号審決取消請求事件
平成１９年８月２８日判決言渡，平成１９年６月２１日口頭弁論終結
判決
原告株式会社ケミテック
訴訟代理人弁理士廣江武典，武川隆宣，西尾務，神谷英昭
被告オルガノ株式会社
訴訟代理人弁護士永島孝明，安國忠彦，明石幸二郎
訴訟代理人弁理士中尾俊輔，伊藤高英，磯田志郎
主文
特許庁が無効２００５−８０２８３号事件について平成１８年７月４日にした
審決を取り消す。
訴訟費用は被告の負担とする。
事実及び理由
第１原告の求めた裁判
主文と同旨の判決
第２事案の概要
本件は，被告の有する下記１(1)の特許（以下「本件特許」という）に係る請求。
項６及び１０を除いたその余の各請求項（以下，各請求項に係る発明を請求項番号
「」，「」。，に対応させて本件発明１などといい全体について本件発明というなお
請求項は全１１項である）について，原告が，同１(2)のとおり，無効審判請求を。
したところ，特許庁は「本件審判の請求は成り立たない」との審決をしたため，，。
その取消しを求める事案である。
１特許庁における手続の経緯
(1)出願手続
特許権者：被告
発明の名称：フォトレジスト現像廃液の再生処理方法及び装置
出願日：平成１０年１月５日（特願平１０−１００２５号）
設定登録日：平成１７年４月２８日
特許登録番号：第３６７１６４４号
(2)無効審判手続
審判請求日：平成１７年９月２８日（無効２００５−８０２８３号）
審決日：平成１８年７月４日
審決の結論：本件審判の請求は，成り立たない」「。
原告に対する審決謄本送達日：平成１８年７月１４日
２本件発明の要旨（甲１５）
本件発明の要旨は，本件特許出願に係る明細書（以下「本件明細書」という）。
の特許請求の範囲の請求項１∼５，７∼９及び１１に記載された次のとおりのもの
と認められる。
「請求項１】フォトレジスト及びテトラアルキルアンモニウムイオンを主とし【
て含有するフォトレジスト現像廃液を処理するに当たって，ナノフィルトレーショ
ン膜（ＮＦ膜）によりフォトレジスト現像廃液又はフォトレジスト現像廃液に由来
する処理液を膜分離処理し，フォトレジスト等の不純物を主として含む濃縮液とテ
トラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液を得る膜分離工程（Ａ）を
少なくとも含むことを特徴とするフォトレジスト現像廃液の再生処理方法。
【請求項２】前記膜分離工程（Ａ）を多段に行うことを特徴とする請求項１に記載
のフォトレジスト現像廃液の再生処理方法。
【請求項３】前記のフォトレジスト現像廃液に由来する処理液が，前記現像廃液に
対して，逆浸透膜処理，蒸発，電気透析及び電解の少なくとも一つの濃縮方法で処
理する濃縮処理工程（ａ，クロマト分離法によりテトラアルキルアンモニウムイ）
オン画分を得るクロマト分離工程（ｂ，中和を行い，不溶性となった分のフォト）
レジストを固液分離により除去する中和＋固液分離工程（ｃ，および，イオン交）
換体と接触させて或る程度の不純物を吸着除去するイオン交換処理工程（ｄ）から
選ばれる少なくとも一つの前処理工程を行って得られる処理液であることを特徴と
する請求項１又は２に記載のフォトレジスト現像廃液の再生処理方法。
【請求項４】前記現像廃液又は前記のフォトレジスト現像廃液に由来する処理液の
ｐＨを，前記工程（Ａ）を行うに際して９．５∼１２の範囲内に調整することを特
徴とする請求項１から３のいずれかに記載のフォトレジスト現像廃液再生処理方
法。
【請求項５】前記工程（Ａ）の後に，前記透過液又は前記濃縮液に対して，好まし
くは前記透過液に対して，イオン交換樹脂と接触させて不純物を除去するイオン交
換処理工程（Ｂ，逆浸透膜処理及び蒸発の少なくとも一つの濃縮方法で濃縮する）
濃縮工程（Ｃ，電気透析及び電解の少なくとも一つの方法でテトラアルキルアン）
モニウムイオンを濃縮する濃縮精製工程（Ｄ，および，クロマト分離によりテト）
ラアルキルアンモニウムイオン画分を得るクロマト分離工程（Ｅ）から選ばれる少
なくとも一つの工程を行うことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の
フォトレジスト現像廃液の再生処理方法。
【請求項７】前記工程（ｄ）に用いるイオン交換体及び／又は前記工程（Ｂ）に用
いるイオン交換樹脂が，陰イオン交換樹脂及び／又は水素イオン形（Ｈ形）及びテ
トラアルキルアンモニウムイオン形（ＴＡＡ形）の少なくとも一方の陽イオン交換
樹脂であることを特徴とする請求項３から６のいずれかに記載のフォトレジスト現
像廃液の再生処理方法。
【請求項８】システムの末端又はその近辺に膜処理装置を配設し，再生現像液とし
ての水酸化テトラアルキルアンモニウムの溶液から微粒子を除去することを特徴と
する請求項１から７のいずれかに記載のフォトレジスト現像廃液の再生処理方法。
【請求項９】フォトレジスト及びテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含
有するフォトレジスト現像廃液又はフォトレジスト現像廃液に由来する処理液を膜
分離処理し，フォトレジスト等の不純物を主として含む濃縮液とテトラアルキルア
ンモニウムイオンを主として含む透過液を得るためのＮＦ膜を備えたナノフィル
ターを包含することを特徴とするフォトレジスト現像廃液の再生処理装置。
【請求項１１】蒸発又は逆浸透膜処理装置，前記装置によりフォトレジスト現像廃
液又はフォトレジスト現像廃液に由来する処理液を濃縮して得られる濃縮液をフォ
トレジスト現像廃液に由来する処理液として膜分離処理するＮＦ膜を備えたナノ
フィルター，および，前記ナノフィルターから得られる透過液をイオン交換樹脂に
より処理するイオン交換処理装置を含み，好ましくは更に末端又はその近辺に膜処
理装置を含むことを特徴とする請求項９に記載のフォトレジスト現像廃液の再生処
理装置」。
ただし，請求項７及び８が引用する請求項６の記載は次のとおりである。
「請求項６】前記工程（Ｄ）における電気透析及び／又は電解を行うに際して，【
前記工程（Ａ）を経て得られる前記濃縮液を脱塩される液（被脱塩液）として，ま
た，前記工程（Ａ）を経て得られる前記透過液をテトラアルキルアンモニウムイオ
ンの濃縮用液（回収用液）として用いることを特徴とする請求項５に記載のフォト
レジスト現像廃液の再生処理方法」。
３審決の要旨
原告（無効審判請求人）が，本件発明は，下記①ないし④の刊行物に記載された
発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本件特許
を無効とするべきであると主張したのに対し，審決は，下記①及び②の特許公報を
それぞれ主引例として，いずれも本件発明１及び９について検討し，両発明の相違
点に係る構成は当業者が容易に発明することができたとはいえないから本件発明１
を引用する本件発明２ないし５及び同７，８並びに本件発明９を引用する本件発明
１１についても当業者が容易に発明することができたとはいえないとし，本件特許
を無効とすることはできないとした。審決の理由は以下のとおりである。なお，審
決中の甲第１号証ないし４号証は本訴のものと共通であり証拠番号については甲，「
１」などと略称する。また，章の記号及び番号について，本判決で指定したものに
改めた部分がある。
①特開平８−２８１２９５号公報（甲１）
②特開平５−１０６０７４号公報（甲２）
③松本幹治監修「ユーザーのための実用膜分離技術，日刊工業新聞社，１９９，」
６年４月３０日，５及び６頁（甲３）
④大谷敏郎外著「多彩な用途に対応するナノ分離膜の新展開「化学装置，，」，」
株式会社工業調査会，１９９５年９月１日，３７巻９号４６∼５０頁（甲４）
「(1)当審の判断
アその１（甲１に記載の発明との対比）
(ｱ)本件発明１
甲１にはフォトレジスト含有廃液の処理方法に関する事項が記載されており，その具体的構
成につき検討する。
甲１には・・・フォトレジスト成分含有廃液を限外濾過膜により濾過してレジスト成分濃，
縮廃液を取り出すフォトレジスト含有廃液の処理方法が記載され，そして・・・その処理方，
法の具体例として「フォトレジスト含有廃液は，限外濾過膜を通じて濾過を行い，フォトレ，
ジスト成分のみ通過させずに濃縮液として残し，現像液の主成分であるアルカリ水溶液は限外
濾過膜を自由に透過する」ことが記載され，また，そのフォトレジスト含有廃液としては・，
・・フォトレジストと有機アルカリ現像液を含んだ現像廃液」を対象とすることが示される「
ものである。この場合「現像液の主成分であるアルカリ水溶液」における「現像液」の態様，
には「有機アルカリ現像液」が含まれることは明らかなことである。，
以上のことから，甲第１号証には「限外濾過膜により，フォトレジストと有機アルカリ現，
像液とを含んだ現像廃液を濾過して，フォトレジスト成分濃縮廃液と，有機アルカリ現像液の
主成分であるアルカリ水溶液を含有する透過液を取り出す，フォトレジストと有機アルカリ現
像液とを含んだ現像廃液の処理方法」に関する発明（以下，必要に応じて「甲１発明」とい，
う）が記載されているということができる。
そこで，本件発明１と甲１発明とを対比する。
甲１発明では，限外濾過膜により現像廃液を濾過して上記フォトレジスト成分濃縮廃液と上
記アルカリ水溶液を含有する透過液とを取り出しているのであるから，その現像廃液を膜によ
り膜分離処理するものであるということができるものであり，また，同様な理由により，当該
フォトレジスト成分濃縮廃液と当該透過液を得るところの膜分離工程を具備するということが
できる。
この場合，甲１発明の「フォトレジスト」及び「現像廃液」は本件発明１の「フォトレジス
ト」及び「フォトレジスト現像廃液」にそれぞれ相当し，甲１発明の「フォトレジスト成分濃
縮廃液」及び「透過液」は本件発明１の「フォトレジストを主として含む濃縮液」及び「透過
液」にそれぞれ相当する。
よって，両者は，
「フォトレジストを主として含有するフォトレジスト現像廃液を処理するに当たって，膜に
よりフォトレジスト現像廃液を膜分離処理し，フォトレジストを主として含む濃縮液と透過液
を得る膜分離工程（Ａ）を少なくとも含む，フォトレジスト現像廃液の処理方法」である点で
一致し，以下の点で相違する。
【相違点１】フォトレジスト現像廃液が，本件発明１では「テトラアルキルアンモニウムイ，
オンを主として含有する」というのに対して，甲１発明では，その現像廃液には有機アルカリ
現像液が含まれるものの，当該イオンを含むことまでは明示されず，当該特定事項を具備しな
い点
【相違点２】膜が，本件発明１では「ナノフィルトレーション膜（ＮＦ膜」であるとするの，）
に対して，甲１発明では限外濾過膜を用いるものであって当該特定事項を具備しない点
【相違点３】濃縮液が，本件発明１では，フォトレジスト「等の不純物」を主として含むとす
るのに対して，甲１発明では，フォトレジスト成分濃縮廃液にフォトレジスト以外の不純物を
含有することまでが示されず，当該特定事項を具備しない点
【相違点４】透過液が，本件発明１では「テトラアルキルアンモニウムイオンを主として含，
む」とするのに対して，甲１発明ではその透過液には有機アルカリ現像液の主成分であるアル
カリ水溶液を含有するものの，当該イオンを含むことまでは明示されず，当該特定事項を具備
しない点
【相違点５】処理方法が，本件発明１では「再生」処理方法であるのに対して，甲第１号証，
発明ではその特定事項を具備しない点
以下，上記相違点に係る特定事項が容易に想到できるか否かにつき検討する。
【相違点１及び４について】
甲１発明では，フォトレジストと有機アルカリ現像液とを含んだ現像廃液を処理するもので
あるところ，当該現像分野において有機アルカリ現像液として水酸化テトラメチルアンモニウ
ムを主成分とする現像液は当分野において典型的なもの（例えば，甲第２号証の段落０００９
等を参照）となっており，このことからすれば，甲１発明における現像廃液の有機アルカリ現
像液が水酸化テトラメチルアンモニウムを主成分とする現像液である態様を含み得るものであ
る。そうであれば，この態様においては，その現像廃液には，水酸化テトラメチルアンモニウ
ム由来の水酸化テトラメチルアンモニウムイオン，すなわち，テトラアルキルアンモニウムイ
オンが主要成分の一つとして含有されることになるものである。
また，上記の態様の場合において，甲１発明における現像廃液にはフォトレジストと水酸化
テトラメチルアンモニウムを主成分とする有機アルカリ現像液が含まれるところ，甲１発明で
は，限外濾過膜によりフォトレジストがフォトレジスト成分濃縮廃液として分離され，かつ，
有機アルカリ現像液の主成分であるアルカリ水溶液を含有する透過液が取り出されるのである
から，その透過液においては，水酸化テトラメチルアンモニウム由来のテトラアルキルアンモ
ニウムイオンを主として含むようになることは当然のことである。
このように，甲１発明では，その一態様においては，その現像廃液にテトラアルキルアンモ
ニウムイオンを主として含有し，また，その透過液にテトラアルキルアンモニウムイオンを主
として含有し得るものである。
そうであれば，これらの点が，両者の実質上の相違点とはなり得ないものである。
【相違点２について】
本件請求項１の記載によれば，本件発明１において，膜としての「ナノフィルトレーション
膜（ＮＦ膜（これ以降，必要に応じて「ＮＦ膜」という）は，フォトレジスト及びテトラ）」，
アルキルアンモニウムイオンを主として含有するフォトレジスト現像廃液から，フォトレジス
ト等の不純物を主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過
液とを膜分離するために採択されるものである。
これに対して，甲１発明では，その現像廃液の処理において，限外濾過膜を用いて，フォト
レジスト成分濃縮廃液と，有機アルカリ現像液の主成分であるアルカリ水溶液を含有する透過
液を分離しており，そして・・・その現像廃液と膜分離した透過液にはテトラアルキルアン，
モニウムイオンが主要成分として含まれるものであるとしても，甲１発明では，限外濾過膜に
よる膜分離技術につき示されるに過ぎず，ＮＦ膜を用いた膜分離技術につき教示するものは何
もない。
また，ＮＦ膜とは，分画分子量が２００（又は１００）∼１０００であって，被処理物の阻
止性能に影響を及ぼす電荷を持ち，塩化ナトリウムの阻止率が９０％以下の物性を有するもの
・・・であって，そのＮＦ膜の被処理物の透過性能ないしは阻止性能は，ＮＦ膜に存在する電
荷によっても影響されるものである。そうであれば，テトラアルキルアンモニウムイオンに属
するテトラメチルアンモニウムイオンの分子量がＮＦ膜の分画分子量２００∼１０００よりも
小さい約９１であるとしても，テトラメチルアンモニウムイオンは電荷を保有していることか
らその透過に際して当然のこととしてＮＦ膜の電荷からの影響を受けることとなり，これによ
り，テトラメチルアンモニウムイオンがＮＦ膜を透過できるとは容易には予測できないことと
なる。更に，テトラメチルアンモニウムイオンよりも分子量の大きい他のテトラアルキルアン
モニウムイオンについても同様に電荷の影響を受けることから，そのテトラアルキルアンモニ
ウムイオンのＮＦ膜に対する透過性が予測できず，少なくとも，それがＮＦ膜を透過可能であ
ることを容易に予測することなどできるものではない。
このように，ＮＦ膜がテトラアルキルアンモニウムイオンを透過させることが容易に予測で
きないのであるから，甲１発明において，仮に，その限外濾過膜をＮＦ膜に置き換えることを
着想したとしても，本件発明１のように，フォトレジスト等の不純物を主として含む濃縮液と
テトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液とを膜分離することを容易に想到す
ることはできない。
したがって，甲１発明において，その膜を，限外濾過膜からＮＦ膜に置き換える動機付けが
存在せず，本件発明１の特定事項を具備するようにすることは当業者といえども容易に想到で
きるものではない。
次に，当該特定事項につき甲２∼４の記載を順次みる。
甲２には・・・水酸化テトラアルキルアンモニウム及びノボラック樹脂を主要成分として，「
含有する現像液廃液を，二酸化炭素等で中和処理した後に，限外ろ過膜を使用して精密ろ過を
行い（ないしは，分離ろ過膜によってろ過し，ノボラック樹脂などからなる不溶解性有機物）
の沈澱物を除去した後，中和現像液廃液を電気分解することにより純度の高い水酸化テトラア
ルキルアンモニウム水溶液を得る水酸化テトラアルキルアンモニウムの再生方法」に関する事
項が示されるが，当該相違点につき示唆するものは何もない。
甲３では「分離膜の種類を適用範囲」と題する図１．４において，分離膜手段として，そ，
の分離対象物が微細な順に，逆浸透膜（ＲＯ，ＮＦ膜，限外ろ過膜（ＵＦ，精密ろ過膜（Ｍ））
Ｆ）と記載され，そのＮＦ膜の分離対象物がしょ糖，卵アルブミン，ヘモグロビン領域である
こと，ＮＦ膜と限外ろ過膜との分離対象範囲が一部重複することが示され，更には，前記(1)
ウ(ｱ)により「化学プロセスなどにおいては，いかに最適な分離・精製法を選定するかが，競
争力を生む重要なポイントとなる」ことが示される。
しかし，甲３においては，テトラアルキルアンモニウムイオンがＮＦ膜を透過することにつ
いて教示するものは何もない。
したがって，ＮＦ膜がテトラアルキルアンモニウムイオンを透過させることが予測できない
のであるから，甲３のＮＦ膜と限外ろ過膜の分離対象範囲が一部重複するとの記載を基に，甲
１発明において，仮に，その限外濾過膜をＮＦ膜に置き換えることを着想したとしても，甲１
発明ないしは本件発明１のように，フォトレジスト等の不純物を主として含む濃縮液とテトラ
アルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液とを膜分離することを容易に想到すること
ができない。
してみれば，甲１発明に甲３に記載のものを併せてみても，その限外濾過膜をＮＦ膜に置き
換え本件発明１のようにする動機付けがない。
甲４では，ＮＦ膜は，その前記(1)エ(ｱ)によれば，従来のＲＯ（逆浸透）法とＵＦ（限外濾
過）法との中間に位置する新たな分離技術に関するものであること，前記(1)エ(ｲ)によれば，
低圧型のＲＯ膜（逆浸透膜）であることと共に，前記(1)エ(ｳ)によれば，ＮＦ膜は「操作圧力
が１５ｋｇ・ｃｍ−２以下，分画分子量が２００から１，０００で，塩化ナトリウムの阻止率
が９０％以下の膜」と定義したうえで，ＮＦ膜はより分画分子量の小さいＵＦ膜といえること
が示される。
そして，テトラアルキルアンモニウムイオンの一種であるテトラメチルアンモニウムイオン
の分子量は，ＮＦ膜の分画分子量よりも小さな約９１であるということができる。
しかし，甲４では・・・ＮＦ膜の特徴の一つは，電荷を持っていることで，このことが低，「
い圧力で高い塩類阻止性能が得られたり，分画分子量が数百の膜でも塩類がある程度阻止され
る大きな原因と考えられている」と記載され，ＮＦ膜は電荷を持つため被処理物の透過性は分
画分子量のみでは予測できないことが示される。
また，甲４においては，アミノ酸，糖類，排水・下水，食品等の膜分離にＮＦ膜を用いた例
が記載されるものの，それらの記載においても，ＮＦ膜がテトラアルキルアンモニウムイオン
を透過性につき示されるものはない。
このように，甲４の記載からは，テトラアルキルアンモニウムイオンがＮＦ膜を透過するこ
とについて教示されるものはない。
したがって，ＮＦ膜がテトラアルキルアンモニウムイオンを透過させることが予測できない
のであるから，甲３及び４の記載を基に，甲１発明において，仮に，その限外濾過膜をＮＦ膜
に置き換えることを着想したとしても，甲１発明ないしは本件発明１のように，フォトレジス
ト等の不純物を主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過
液とを膜分離することを容易に想到することができない。
してみれば，甲１発明に甲２∼４に記載のものを併せてみても，その限外濾過膜をＮＦ膜に
置き換え本件発明１のようにする動機付けがない。
そして，本件明細書の記載（特に，段落００２０，段落００７５の実施例１の表１，段落０
０８８）によれば，本件発明１は，膜として「ナノフィルトレーション膜（ＮＦ膜」を採択）
することにより，その余の特定事項と相俟って，当該フォトレジスト現像廃液からフォトレジ
ストを主として含む濃縮液と，テトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液とを
有効に膜分離することができるものであり，更には，透過液中へのＦｅ，Ａｌの金属成分やシ
リカ等の不純物の混入を抑制できることから，テトラアルキルアンモニウムイオンを主として
含む透過液の純度を簡単に高くすることができ，当該透過液から水酸化テトラアルキルアンモ
ニウム又はそのイオンを含有する現像液を再生するときの不純物除去負荷を軽減できる等，甲
１∼４に記載の発明からは容易に予測することができない有用な効果を奏するものである。
以上のとおり，甲１発明に，甲２∼４に記載される事項を併せてみても，甲１発明において
相違点２に関する特定事項を具備するようにすることが当業者が容易に想到することができな
い。
【相違点３及び５について】
本件請求項１の記載及び本件明細書の発明の詳細な説明の記載（特に段落００２０，段落０
０７５の実施例１の表１，段落００８８）によれば，本件発明１は，その再生方法において，
膜分離処理によって得た濃縮液がフォトレジストだけでなくフォトレジスト等の不純物を主と
して含むとの特定事項を具備することにより，その余の特定事項と相俟って，テトラアルキル
アンモニウムイオンを主として含む透過液の純度を簡単に高くすることができ，当該透過液か
ら水酸化テトラアルキルアンモニウム又はそのイオンを含有する現像液を再生するときの不純
物除去負荷を軽減できるというものである。
これに対して，甲１発明は・・・現像廃液の処理コストを低減することを発明の目的とす，
るものであって，現像廃液に含まれるフォトレジストを取り出して固形化するに過ぎないもの
であり，そこでは，現像廃液の再生につき示唆するものはなく，更には，フォトレジストだけ
でなくフォトレジスト等の不純物を主として含むフォトレジスト成分濃縮廃液を得て，テトラ
アルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液の純度を高くすることにつき教示するもの
は何もない。
したがって，甲１発明において，上記相違点３及び５に係る特定事項を具備するようにする
ことは当業者の容易に想到できるものではない。
次いで，当該相違点につき，甲第２∼４号証の記載を順次みる。
甲２には・・・水酸化テトラアルキルアンモニウム及びノボラック樹脂を主要成分として，「
含有する現像液廃液を，二酸化炭素等で中和処理した後に，限外ろ過膜を使用して精密ろ過を
行い（ないしは，分離ろ過膜によってろ過し，ノボラック樹脂などからなる不溶解性有機物）
の沈澱物を除去した後，中和現像液廃液を電気分解することにより純度の高い水酸化テトラア
ルキルアンモニウム水溶液を得る水酸化テトラアルキルアンモニウムの再生方法」に関する事
項が記載され，このように，そこでは現像廃液の再生方法に関する事項が示されるものの，そ
こでの処理は，予め現像廃液を二酸化炭素等で中和処理してフォトレジストの沈殿物を得なけ
ればならないという特殊な処理を経ることを前提としており，また，そこでの膜分離処理は沈
殿物を濾過するであるから固体の濾過物を得ているに過ぎないものであって，透過液（中和現
像液廃液）の外に濃縮液を得るものではない。一方，甲１発明は，現像廃液を前処理すること
なく直接膜分離をなし，且つ，透過液の外に濃縮液（フォトレジスト成分濃縮廃液）を得るも
のである。
そうであれば，甲２に記載のかかる再生技術を甲１発明のものに適用しようとすること自体
が直ちに想到できるものではないし，また，適用したとしても，甲１発明が，上記相違点３及
び４の特定事項を具備することにはならない。
甲３及び４には，分離膜の種類と適用範囲，ＮＦ膜の開発経緯，ＮＦ膜の特徴，ＮＦ膜の応
用例等につき示されるものの，現像廃液の再生につき教示されるものはない。
したがって，甲２∼４の記載を併せてみても，甲１発明において，フォトレジスト「等の不
純物」を主として含むフォトレジスト濃縮廃液を得ることとなし，かつ，その処理方法を再生
処理方法とすることが当業者の容易に想到できるものではない。
以上のとおり，上記相違点２，３及び５に係る特定事項を当業者が容易に導き出すことはで
きない。
また，本件発明１における，膜分離処理が「フォトレジスト現像液に由来する処理液」を対
象とする態様の場合においても，上記したことと同じことがいえる。
したがって，本件発明１は，甲１∼４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をするこ
とができたものであるということができない。
(ｲ)本件発明２∼５，７及び８
本件発明２∼５，７及び８は，本件発明１の特定事項を直接又は間接的に全て引用するもの
である。
したがって，本件発明１について前記した理由と同じ理由により，本件発明２∼５，７及び
８は甲第１∼４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであ
るということができない。
(ｳ)本件発明９
甲１には・・・フォトレジスト成分含有廃液を限外濾過膜により濾過してレジスト成分濃，
縮廃液を取り出すフォトレジスト含有廃液の処理方法が記載され，そして・・・その処理方，
法の具体例として「フォトレジスト含有廃液は，限外濾過膜を通じて濾過を行い，フォトレ，
ジスト成分のみ通過させずに濃縮液として残し，現像液の主成分であるアルカリ水溶液は限外
濾過膜を自由に透過する」ことが記載され，また，そのフォトレジスト含有廃液としては・，
・・フォトレジストと有機アルカリ現像液を含んだ現像廃液」を対象とすることが示される「
ものである。この場合「現像液の主成分であるアルカリ水溶液」における「現像液」の態様，
には「有機アルカリ現像液」が含まれることは明らかなことである。，
そして，上記の処理方法は，通常，装置により実施されるものである。
以上のことから，甲１には「限外濾過膜により，フォトレジストと有機アルカリ現像液と，
を含んだ現像廃液を濾過して，フォトレジスト成分濃縮廃液と，有機アルカリ現像液の主成分
であるアルカリ水溶液を含有する透過液を取り出す，フォトレジストと有機アルカリ現像液と
を含んだ現像廃液の処理装置」に関する発明（以下，必要に応じて「甲１’発明」という）が
記載されているということができる。
そこで，本件発明９と甲１’発明とを対比する。
甲１’発明では，限外濾過膜により現像廃液を濾過して上記フォトレジスト成分濃縮廃液と
上記アルカリ水溶液を含有する透過液を取り出しているのであるから，その現像廃液を膜分離
処理するものであるということができるものであり，また，同様な理由により，当該フォトレ
ジスト成分濃縮廃液と当該透過液を得るための膜を備えたフィルターを具備するということが
できる。
この場合，甲１’発明の「フォトレジスト」及び「現像廃液」は本件発明９の「フォトレジ
スト」及び「フォトレジスト現像廃液」にそれぞれ相当し，甲１’発明の「フォトレジスト成
分濃縮廃液及び透過液は本件発明９のフォトレジストを主として含む濃縮液及び透」「」「」「
過液」にそれぞれ相当する。
よって，両者は，
「フォトレジストを主として含有するフォトレジスト現像廃液を膜分離処理し，フォトレジス
トを主として含む濃縮液と透過液を得るための膜を備えたフィルターを包含する，フォトレジ
スト現像廃液の処理装置」である点で一致し，以下の点で相違する。
【相違点１】フォトレジスト現像廃液が，本件発明９では「テトラアルキルアンモニウムイ’，
オンを主として含有する」というのに対して，甲１’発明では，その現像廃液には有機アルカ
リ現像液が含まれるものの，当該イオンを含むことまでは明示されず，当該特定事項を具備し
ない点
【相違点２】膜を備えたフィルターが，本件発明９では「ＮＦ膜を備えたナノフィルター」’，
であるとするのに対して，甲１’発明では限外濾過膜を用いるものであって当該特定事項を具
備しない点
【相違点３】濃縮液が，本件発明９では，フォトレジスト「等の不純物」を主として含むと’
いうのに対して，甲１’発明では，フォトレジスト成分濃縮廃液にフォトレジスト以外の不純
物を含有することまでが示されず，当該特定事項を具備しない点
【相違点４】透過液が，本件発明９では「テトラアルキルアンモニウムイオンを主として含’，
む」というのに対して，甲１’発明ではその透過液には有機アルカリ現像液の主成分であるア
ルカリ水溶液を含有するものの，当該イオンを含むことまでは明示されず，当該特定事項を具
備しない点
【相違点５】処理装置が，本件発明９では「再生」処理装置であるのに対して，甲第１’発’，
明ではその特定事項を具備しない点
以下，上記相違点に係る特定事項が容易に想到できるか否かにつき検討する。
【相違点１’及び４’について】
上記・・・の相違点１及び４についての箇所で記載したとおり，甲１’発明では，現像廃液
にテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含有し，また，その透過液にテトラアルキル
アンモニウムイオンを主として含有するとの態様を含み得るものである。
そうであれば，これらの点が，両者の実質上の相違点とはなり得ないものである。
【相違点２’について】
本件請求項９の記載によれば，本件発明９において，その再生処理装置が「ＮＦ膜を備えた
ナノフィルター」を包含するとの特定事項は，フォトレジスト及びテトラアルキルアンモニウ
ムイオンを主として含有するフォトレジスト現像廃液から，フォトレジスト等の不純物を主と
して含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液を膜分離するため
に採択されるものである。
これに対して・・・相違点２についての箇所で記載したとおり，甲１’発明では，限外濾，
過膜による膜分離技術につき示されるに過ぎず，ＮＦ膜を用いた膜分離技術につき教示するも
のは何もないものである。
また・・・の相違点２についての箇所で記載したとおり，ＮＦ膜がテトラアルキルアンモ，
ニウムイオンを透過させることが容易に予測できないのであるから，甲１’発明において，仮
に，その限外濾過膜（分離ろ過膜）をＮＦ膜を備えたナノフィルターに置き換えることを着想
したとしても，本件発明９のように，フォトレジスト等の不純物を主として含む濃縮液とテト
ラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液を膜分離することを容易に想到すること
ができない。
したがって，甲１’発明において，その膜を，限外濾過膜（分離ろ過膜）からＮＦ膜を備え
たナノフィルターに置き換える動機付けが存在せず，本件発明９の特定事項を具備するように
することは当業者といえども容易に想到できるものではない。
次に，甲２∼４の記載をみても・・・相違点２についての箇所で記載したとおり，テトラ，
アルキルアンモニウムイオンがＮＦ膜を透過することについて教示するものは何もない。
そして，本件明細書の記載（特に，段落００２０，段落００７５の実施例１の表１，段落０
），，「」０８８によれば本件発明９においてその再生処理装置がＮＦ膜を備えたナノフィルター
を包含するとの特定事項を具備することにより，その余の特定事項と相俟って，当該フォトレ
ジスト現像廃液からフォトレジストを主として含む濃縮液と，テトラアルキルアンモニウムイ
オンを主として含む透過液とを有効に膜分離することができるものであり，更には，透過液中
へのＦｅ，Ａｌの金属成分やシリカ等の不純物の混入を抑制できることから，テトラアルキル
アンモニウムイオンを主として含む透過液の純度を簡単に高くすることができ，当該透過液か
ら水酸化テトラアルキルアンモニウム又はそのイオンを含有する現像液を再生するときの不純
物除去負荷を軽減できる等，甲１∼４に記載の発明からは容易に予測することができない有用
な効果を奏するものである。
以上のとおり，甲１’発明に，甲２∼４に記載される事項を併せてみても，甲１’発明にお
いて相違点２’に関する特定事項を具備するようにすることが当業者が容易に想到することが
できない。
【相違点３’及び５’について】
本件請求項１の記載及び本件明細書の発明の詳細な説明の記載（特に段落００２０，段落０
０７５の実施例１の表１，段落００８８）によれば，本件発明９は，その再生方法において，
膜分離処理によって得た濃縮液がフォトレジストだけでなくフォトレジスト等の不純物を主と
して含むとの特定事項を具備することにより，その余の特定事項と相俟って，テトラアルキル
アンモニウムイオンを主として含む透過液の純度を簡単に高くすることができ，当該透過液か
ら水酸化テトラアルキルアンモニウム又はそのイオンを含有する現像液を再生するときの不純
物除去負荷を軽減できるというものである。
これに対して・・・相違点３及び５についての箇所で記載した理由と同じ理由により，甲，
２∼４の記載を併せてみても，甲１’発明において，フォトレジスト「等の不純物」を主とし
て含むフォトレジスト濃縮廃液を得て，その処理方法を再生処理方法とすることが当業者の容
易に想到できるものではない。
以上のとおり，上記相違点２，３’及び５’に係る特定事項が当業者が容易に導き出すこ’
とはできない。
また，本件発明９における，膜分離処理が「フォトレジスト現像液に由来する処理液」を対
象とする態様の場合においても，上記したことと同じことがいえる。
したがって，本件発明９は，甲１∼４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をするこ
とができたものであるということができない。
(ｴ)本件発明１１
本件発明１１は，本件発明９の特定事項を全て引用するものである。
したがって，本件発明９について前記した理由と同じ理由により，本件発明１１は甲第１∼
４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということ
ができない。
イその２（甲２に記載の発明との対比）
(ｱ)本件発明１
甲２には水酸化テトラアルキルアンモニウムの再生方法に関する事項が記載されており，そ
の具体的構成につき検討する。
甲２には・・・ポジ型レジストの現像液として使用された水酸化テトラアルキルアンモニ，「
ウムを含有する現像液の廃液（必要に応じて「現像液廃液」という）を，二酸化炭素等で中，
和処理した後に，限外ろ過膜を使用して精密ろ過を行い（ないしは，分離ろ過膜によってろ過
し，ノボラック樹脂などからなる不溶解性有機物の沈澱物を除去した後，中和現像液廃液を）
電気分解することにより純度の高い水酸化テトラアルキルアンモニウム水溶液を得る水酸化テ
トラアルキルアンモニウムの再生方法」が記載されており，かつ，その現像液の廃液には・，
・・水酸化テトラアルキルアンモニウムを主要成分として含む外に，ノボラック樹脂も主成分
として含有するものである。
よって，甲２には「水酸化テトラアルキルアンモニウム及びノボラック樹脂を主要成分と，
して含有する現像液廃液を，二酸化炭素等で中和処理した後に，限外ろ過膜を使用して精密ろ
過を行い（ないしは，分離ろ過膜によってろ過し，ノボラック樹脂などからなる不溶解性有）
機物の沈澱物を除去した後（ろ過済みの）中和現像液廃液を電気分解することにより純度の，
高い水酸化テトラアルキルアンモニウム水溶液を得る水酸化テトラアルキルアンモニウムの再
生方法」に関する発明（以下，必要に応じて「甲２発明」という）が記載されているという，
ことができる。
そこで，本件発明１と甲２発明とを対比する。
先ず，甲２発明では，現像液廃液から水酸化テトラアルキルアンモニウムを再生するもので
あるから，現像液廃液の再生処理方法に関するものであるということができる。
次いで，甲２発明では，限外ろ過膜（ないしは分離ろ過膜）により現像液廃液をろ過して上
，，記ノボラック樹脂などからなる沈殿物を除去し中和した現像液廃液を得ているのであるから
現像液廃液を膜により膜分離処理するものであるということができるものであり，また，同様
な理由により（ろ過済みの）中和現像液廃液を得る膜分離工程を具備するということができ，
る。
，「（）」，（）そして甲２発明におけるろ過済みの中和現像液廃液は限外ろ過膜分離ろ過膜
を透過したものであるから，本件発明１の「透過液」に相当し，また，その中和現像液廃液か
らはろ過によってノボラック樹脂が除去されているのであるから，当該中和現像液廃液には，
テトラアルキルアンモニウムイオンが主として含まれるのは当然のことである。
この場合，甲２発明の「ノボラック樹脂」及び「現像液廃液」は本件発明１の「フォトレジ
スト」及び「フォトレジスト現像廃液」にそれぞれ相当する。
よって，両者は，
「フォトレジスト及びテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含有するフォトレジス
ト現像廃液を処理するに当たって，膜によりフォトレジスト現像廃液を膜分離処理し，テトラ
（），アルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液を得る膜分離工程Ａを少なくとも含む
フォトレジスト現像廃液の再生処理方法」である点で一致し，以下の点で相違する。
【相違点イ】膜が，本件発明１では「ナノフィルトレーション膜（ＮＦ膜」であるのに対し，）
て，甲２発明では，限外ろ過膜（分離ろ過膜）を用いており，当該特定事項を具備しない点
【相違点ロ】膜分離工程において透過液と共に得られるものが，本件発明１では「フォトレ，
ジスト等の不純物を主として含む濃縮液」であるのに対して，甲２発明において得られるもの
は，ノボラック樹脂などからなる不溶解性有機物の沈澱物からなるろ過物であり，当該特定事
項を具備しない点
以下，上記相違点に係る特定事項が容易に想到できるか否かにつき検討する。
【相違点イについて】
本件請求項１の記載によれば，本件発明１において，膜としての「ナノフィルトレーション
膜（ＮＦ膜」は，フォトレジスト及びテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含有す）
るフォトレジスト現像廃液から，フォトレジスト等の不純物を主として含む濃縮液とテトラア
ルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液を膜分離するために採択されるものである。
これに対して，甲２発明では，その現像液廃液の処理において，限外ろ過膜を使用して精密
ろ過するものであり，ないしは，分離ろ過膜によりろ過するに止まり，ＮＦ膜を用いた膜分離
技術につき教示するものは何もない。
また・・・ＮＦ膜がテトラアルキルアンモニウムイオンを透過させることが容易に予測で，
きないのであるから，甲２発明において，仮に，その限外濾過膜（ないしは分離ろ過膜）をＮ
Ｆ膜に置き換えることを着想したとしても，本件発明１のように，フォトレジスト等の不純物
を主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液とを膜分離
することを容易に想到できるものではない。
したがって，甲２発明において，その膜を，限外濾過膜（ないしは分離ろ過膜）からＮＦ膜
に置き換える動機付けが存在せず，本件発明１の特定事項を具備するようにすることは当業者
といえども容易に想到できるものではない。
次に，当該特定事項につきその他の甲号各証の記載を順次みる。
甲１には・・・限外濾過膜により，フォトレジストと有機アルカリ現像液とを含んだ現像，「
廃液を濾過して，フォトレジスト成分濃縮廃液と，有機アルカリ現像液の主成分であるアルカ
リ水溶液を含有する透過液を取り出す，フォトレジストと有機アルカリ現像液とを含んだ現像
廃液の処理方法」に関する事項が記載されているものの，当該相違点につき示唆するものは何
もない。
甲３及び４には・・・テトラアルキルアンモニウムイオンがＮＦ膜を透過することについ，
て教示するものは何もない。
したがって，ＮＦ膜がテトラアルキルアンモニウムイオンを透過させることが予測できない
のであるから，甲３及び４の記載を基に，甲２発明において，仮に，その限外濾過膜（ないし
は分離ろ過膜）をＮＦ膜に置き換えることを着想したとしても，本件発明１のように，フォト
レジスト等の不純物を主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含
む透過液とを膜分離することを容易に想到することはできない。
してみれば，甲２発明に甲１，３及び４に記載のものを併せてみても，その限外濾過膜をＮ
Ｆ膜に置き換える動機付けがない。
そして・・・本件発明１は，膜として「ナノフィルトレーション膜（ＮＦ膜」を採択する，）
ことにより，当該フォトレジスト現像廃液からフォトレジストを主として含む濃縮液と，テト
ラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液とを有効に膜分離することができるもの
であり，更には，透過液中へのＦｅ，Ａｌの金属成分やシリカ等の不純物の混入を抑制できる
ことから，テトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液の純度を簡単に高くする
ことができ，当該透過液から水酸化テトラアルキルアンモニウム又はそのイオンを含有する現
像液を再生するときの不純物除去負荷を軽減できる等，甲１∼４に記載の発明からは容易に予
測することができない有用な効果を奏するものである。
以上のとおり，甲２発明に，甲１，３及び４に記載される事項を併せてみても，甲２発明に
おいて相違点イに関する特定事項を具備するようにすることが当業者が容易に想到することが
できない。
また，本件発明１における，膜分離処理が「フォトレジスト現像液に由来する処理液」を対
象とする態様の場合においても，上記したことと同じことがいえる。
したがって，他の相違点につき検討するまでもなく，本件発明１は，甲１∼４に記載の発明
に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
(ｲ)本件発明２∼５，７及び８
本件発明２∼５，７及び８は，本件発明１の特定事項を直接又は間接的に全て引用するもの
である。
したがって，本件発明１について前記した理由と同じ理由により，本件発明２∼５，７及び
８は甲１∼４に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとい
うことができない。
(ｳ)本件発明９
甲２には・・・ポジ型レジストの現像液として使用された水酸化テトラアルキルアンモニ，「
ウムを含有する現像液の廃液（必要に応じて「現像液廃液」という）を，二酸化炭素等で中，
和処理した後に，限外ろ過膜を使用して精密ろ過を行い（ないしは，分離ろ過膜によってろ過
し，ノボラック樹脂などからなる不溶解性有機物の沈澱物を除去した後，中和現像液廃液を）
電気分解することにより純度の高い水酸化テトラアルキルアンモニウム水溶液を得る水酸化テ
トラアルキルアンモニウムの再生方法」が記載されており，かつ，その現像液の廃液には・，
・・水酸化テトラアルキルアンモニウムを主要成分として含む外に，ノボラック樹脂も主成分
として含有するものである。
そして，上記の処理又は再生方法は，通常，装置により実施されるものである。
よって，甲２には「水酸化テトラアルキルアンモニウム及びノボラック樹脂を主要成分と，
して含有する現像液廃液を，二酸化炭素等で中和処理した後に，限外ろ過膜を使用して精密ろ
過を行い（ないしは，分離ろ過膜によってろ過し，ノボラック樹脂などからなる不溶解性有）
機物の沈澱物を除去した後，中和現像液廃液を電気分解することにより純度の高い水酸化テト
ラアルキルアンモニウム水溶液を得る水酸化テトラアルキルアンモニウムの再生装置」に関す
（，，「’」）。る発明以下必要に応じて甲２発明というが記載されているということができる
そこで，本件発明９と甲２’発明とを対比する。
先ず，甲２’発明では，現像液廃液から水酸化テトラアルキルアンモニウムを再生するもの
であるから，現像液廃液の再生処理装置に関するものであるということができる。
次いで，甲２’発明では，限外ろ過膜（ないしは分離ろ過膜）により現像液廃液をろ過して
上記ノボラック樹脂などからなる沈殿物を除去し，中和現像液廃液を得ているのであるから，
現像液廃液を膜分離処理するものであるということができるものであり，また，同様な理由に
より，中和現像液廃液を得るための膜を備えたフィルターを具備するということができる。
そして，甲２’発明における「中和現像液廃液」は，限外ろ過膜（分離ろ過膜）を透過して
取り出されるものであるから，本件発明９の「透過液」に相当し，また，その中和現像液廃液
，，からはろ過によってノボラック樹脂が除去されているのであるから当該中和現像液廃液には
テトラアルキルアンモニウムイオンが主として含まれるのは当然のことである。
この場合，甲２’発明の「ノボラック樹脂」及び「現像液廃液」は本件発明１の「フォトレ
ジスト」及び「フォトレジスト現像廃液」にそれぞれ相当する。
よって，両者は，
「フォトレジスト及びテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含有するフォトレジス
ト現像廃液を膜分離処理し，テトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液を得る
ための膜を備えたフィルターを包含する，フォトレジスト現像廃液の再生処理装置」である点
で一致し，以下の点で相違する。
【相違点イ】膜を備えたフィルターが，本件発明９では「ＮＦ膜を備えたナノフィルター」’，
であるのに対して，甲２’発明では，限外ろ過膜（分離ろ過膜）を用いており，当該特定事項
を具備しない点
【相違点ロ】膜を備えたフィルターが，本件発明９では「フォトレジスト等の不純物を主と’，
して含む濃縮液をうるための」ものであるのに対して，甲２’発明において得られるものは，
ノボラック樹脂などからなる不溶解性有機物の沈澱物からなるろ過物であり，当該特定事項を
具備しない点
以下，上記相違点につき検討する。
【相違点イ’について】
本件請求項９の記載によれば，本件発明９において，その再生処理装置が「ＮＦ膜を備えた
ナノフィルター」を包含するとの特定事項は，フォトレジスト及びテトラアルキルアンモニウ
ムイオンを主として含有するフォトレジスト現像廃液から，フォトレジスト等の不純物を主と
して含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液を膜分離するため
に採択されるものである。
これに対して，甲２’発明では，現像液廃液の処理において，限外ろ過膜を使用して精密ろ
過するものであり，ないしは，分離ろ過膜によりろ過するに止まり，ＮＦ膜を用いた膜分離技
術につき教示するものは何もない。
また・・・ＮＦ膜がテトラアルキルアンモニウムイオンを透過させることが容易に予測で，
きないのであるから，甲２’発明において，仮に，その限外濾過膜（分離ろ過膜）をＮＦ膜を
備えたナノフィルターに置き換えることを着想したとしても，本件発明９のように，フォトレ
ジスト等の不純物を主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む
透過液とを膜分離することを容易に想到することはできない。
したがって，甲２’発明において，その膜を，限外濾過膜（分離ろ過膜）からＮＦ膜を備え
たナノフィルターに置き換える動機付けが存在せず，本件発明９の特定事項を具備するように
することは当業者といえども容易に想到できるものではない。
次に，甲１，３及び４の記載をみても・・・テトラアルキルアンモニウムイオンがＮＦ膜，
を透過することについて教示するものは何もない。
そして，本件明細書の記載（特に，段落００２０，段落００７５の実施例１の表１，段落０
），，「」０８８によれば本件発明９においてその再生処理装置がＮＦ膜を備えたナノフィルター
を包含することにより，その余の特定事項と相俟って，当該フォトレジスト現像廃液からフォ
トレジストを主として含む濃縮液と，テトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過
液とを有効に膜分離することができるものであり，更には，透過液中へのＦｅ，Ａｌの金属成
分やシリカ等の不純物の混入を抑制できることから，テトラアルキルアンモニウムイオンを主
として含む透過液の純度を簡単に高くすることができ，当該透過液から水酸化テトラアルキル
アンモニウム又はそのイオンを含有する現像液を再生するときの不純物除去負荷を軽減できる
等，甲１∼４に記載の発明からは容易に予測することができない有用な効果を奏するものであ
る。
以上のとおり，甲２’発明に，甲１，３及び４に記載される事項を併せてみても，甲２’発
明において相違点イ’に関する特定事項を具備するようにすることが当業者が容易に想到する
ことができない。
また，本件発明９における，膜分離処理が「フォトレジスト現像液に由来する処理液」を対
象とする態様の場合においても，上記したことと同じことがいえる。
したがって，他の相違点につき検討するまでもなく，本件発明９は，甲１∼４に記載の発明
に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
(ｴ)本件発明１１
本件発明１１は，本件発明９の特定事項を全て引用するものである。
したがって，本件発明９について前記した理由と同じ理由により，本件発明１１は甲１∼４
に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということができ
ない。
ウ請求人の主張について
(ｱ)請求人は「本件の請求項１，９に係る特許発明では，そのようなフォトレジスト現像，
廃液を単にＮＦ膜を用いて膜処理すれば「フォトレジスト等の不純物を主として含む濃縮液，
とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液を得る」としており，本件特許出
願時の当該技術分野の技術常識に照らしても，また今日の技術常識に照らしても，そのような
効果を奏するとは到底考えられるものではない・・・と主張するので，以下に検討する。。」
まず本件請求項１では・・・ナノフィルトレーション膜ＮＦ膜により・・・フォ，，「（），
トレジスト等の不純物を主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として
含む透過液を得る膜分離工程（Ａ）を少なくとも含む・・・」と記載され，このように，本件
発明１は，単に，ＮＦ膜を具備するものではなく，ＮＦ膜により上記濃縮液と上記透過液を得
る工程をその特定事項として具備することが示されるのである。
また，本件請求項９では「・・・フォトレジスト等の不純物を主として含む濃縮液とテト，
ラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液を得るためのＮＦ膜を備えたナノフィル
ターを包含する・・・と記載されこのように本件発明９は単にＮＦ膜を備えたナノフィ」，，，
ルターを具備するものではなく，上記濃縮液と上記透過液を得るためのＮＦ膜を具備するもの
である。
そうであれば，特殊な条件により，ＮＦ膜でフォトレジスト現像液を上記の如く濃縮液と透
過液に膜分離できない態様が仮に存在したとしても，それは当然のこととして除外されるもの
である。
したがって，請求人の上記主張は合理的でない。
更に，本件発明においてＮＦ膜を用いることにより奏するところの効果を重ねて説明すると
以下のとおりである。
本件明細書の実施例１の表１等の記載，同段落００２０の記載をはじめ，乙６の表１∼５の
記載において，各種ＮＦ膜を用いた場合，種々の条件において，フォトレジストを主として含
む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液を得ることができること
が示されるものである。
更に，上記各表においては，Ｆｅ３＋，Ａｌ３＋，Ｃａ２＋，イオン状シリカがＮＦ膜を透
過して透過液中に混入することが抑制されるものである。
なお，この場合，現像廃液中においては，イオン半径が０．１０２ｎｍであるＮａ＋に比べ
て，イオン半径が小さいところの，Ｆｅ３＋（０．０６４５ｎｍ，Ａｌ３＋（０．０５３５）
ｎｍ）及びＣａ２＋（０．１００ｎｍ）の方が，総じて，ＮＦ膜に対する透過性が抑制される
ものであり，この点においてもＮＦ膜の特異性が示される。
(ｲ)請求人は「本件特許発明の構成（ア）及び（エ）を示す甲２に記載の再生方法におい，
て甲４に示された周知慣用技術すなわち本件発明の構成イであるナノフィルトレーショ，，（）
ン膜（ＮＦ膜）を用いて「濃縮液」と「透過液」を得ることで再生処理する，という技術を，
適用することに何ら困難性はないと考えられ・・・と，甲２に記載の発明において甲４に示，」
されたＮＦ膜を用いることが困難でない旨主張するので以下に検討する。
甲２発明において，その限外ろ過膜（分離ろ過膜）をＮＦ膜とすることが容易に想到できな
い・・・。
更に付言すると以下のとおりとなる。
甲２発明においては，中和後の現像液中のノボラック樹脂などからなる不溶解性有機物の沈
澱物を限外ろ過膜等により除去分離するものである。
一方，ＮＦ膜の適用範囲につき，甲３・・・を見ると・・・ＮＦ膜は，しょ糖，卵アルブ，
ミン，ヘモグロビンという溶質ないしコロイドを対象とするものであり，また，甲第４号証を
みると，ＮＦ膜の応用例としては，かん水の脱塩，上水原水中の有害物質の除去，排水・下水
処理，食品及び農業が挙げられているが，いずれの応用例においても，分離の対象は沈殿物な
いしは粒子ではなく，塩類や着色物質等の溶質であり，更に，乙４には，ＮＴＲ−７４１０，
ＮＴＲ−７４５０，ＮＴＲ−７２５０，ＮＴＲ−７２９ＨＦ，ＮＴＲ−７６９ＳＲで示される
ＮＦ膜（本件明細書段落００１０参照）についての主な用途として，アミノ酸，糖類の濃縮・
精製，医療品バルクの濃縮・精製，半導体超純水システム，河川水，かん水などの脱塩，下水
の高度処理などの脱塩，パルプなどの廃水処理，有価物の脱塩処理が記載されており，その用
途からみて明らかなように，分離の対象は沈殿物ないしは粒子ではないものである。
このように，ＮＦ膜は分子，イオン等の微細な処理物の分離に用いられるものであって，嵩
高である沈殿物や粒子などの固形物の膜分離には通常用いられないものである。
更に，ＮＦ膜は固形物の分離に用いられている精密濾過膜や限外ろ過膜に比べてその分画分
子量が相対的に小さいことから，膜を透過させるために被透過液に加える圧力が相対的に高く
なり，エネルギー的に不利になることが想定され，したがって，ＮＦ膜を，精密濾過膜や限外
ろ過膜に替えてそのような固形物の分離に実際に用いようとは当業者であれば試みないもので
ある。
そうであれば，甲２発明において，沈澱物を除去分離する分離膜として用いられている限外
ろ過膜等を，ＮＦ膜に置き換えることは当業者であれば，想到できないものである。
したがって，請求人の上記主張は失当という外はない。
(ｳ)請求人は「参考資料６から，被請求人がＮＦ膜の顕著な効果として挙げている膜性能，
は，ＮＦ膜特有のものとは言い難く，ＵＦ膜においてもその分画分子量の小なるものはＮＦ膜
と同じような特性を示すことが明らかである・・・と主張するので，参考資料６をみても本。」
件発明の奏する効果が有用でないとはいえないことを以下に説明する。
請求人の提出した参考資料６においては，分離膜として，ＮＴＲ−７４１０（ＮＦ膜）とＤ
ＥＳＡＬ−ＧＨ／Ｇ−１０〔請求人はＵＦ膜（限外濾過膜）であると主張〕につき，現像廃液
，，「」の膜分離試験を行った結果が記載されており請求人の主張はそこでの分析結果のまとめ
の表（参考資料６の第３頁目上段）において，「ＴＭＡ−ＯＨ（水酸化テトラメチルアンモ
ニウム）の除去率とＰＲ（レジスト）の除去率が，ＤＥＳＡＬ−ＧＨ／Ｇ−１０膜で，それぞ
れ，７．６％及び７０．２％であり，ＮＴＲ−７４１０膜で，それぞれ，１．２％及び１７．
８％である」とのことに基づくものである。
しかし，参考資料６の試験では，被請求人の提出して乙第６号証の同種の実験報告の場合と
は異なり，各種の圧力，温度の濾過条件下で試験が実施されたものではなく，しかも，その試
験では，現像廃液を３０ｃｃ透過毎に追い添えする，追い添え時に透過を停止するなど，特別
な通液条件で試験がなされているものである。
そして，現像廃液中のフォトレジストの分子量は，甲１の前記（Ａ−３）によれば一般的に
５０００∼１００００程度である一方，ＮＦ膜の分画分子量の上限が１０００であって，当該
ＮＦ膜が当該フォトレジストを大部分透過することなど想定できるものではないところ，参考
資料６の上記試験結果は，ＮＴＲ−７４１０のレジストの除去率が１７．８％（すなわち，透
過率が８２．２％）であるというものであり，通常の条件下の膜分離では想定することができ
ない特異なものとなっている。
そうであれば，参考資料６における試験結果からはＮＦ膜につきフォトレジストとＴＭＡ＋
（テトラメチルアンモニウムイオン）とが良好に分離できなかったとしても，それは，特定の
，，，，試験条件下で偶々そのような結果が得られたということに過ぎずその試験結果のみから
本件発明の奏する効果が有用でないとまではいえない。
この外，参考資料６の考察（第３頁目上段）をみると，ＤＥＳＡＬ−ＧＨ／Ｇ−１０のもの
は同ＮＴＲ−７４１０に比べ，その現像廃液の膜分離に約１０倍もの時間を費やすものである
から，ＤＥＳＡＬ−ＧＨ／Ｇ−１０のものよりも，ＮＦ膜であるＮＴＲ−７４１０のほうが工
業的に有用であるといえる。
したがって，本件発明が有用な効果を奏さないといえるものではない。
(2)まとめ
以上のとおり，本件請求項１∼５，７∼９及び１１に係る発明についての特許は，請求人の
主張する理由によっては，無効とすることができない」。
第３審決取消事由の要点
１取消事由１（進歩性の判断における誤り）
膜分離の技術分野において，被分離物質を分離する際，いかなる分離法，分離膜
を選定するかについては，対象とする被分離物質に対して様々な分離膜，分離プロ
セスを適用して試してみるというのが，当該分野の当業者の常識である。
審決は，被分離物質の分離膜に対する透過可能性の予測の可否を検討し，その検
討結果のみに基づいて本件発明の容易想到性の判断を行っており，かかる判断方法
は当該分野の上記の現実を無視した判断であり，その誤りは明白である。
２取消事由２（相違点２についての判断の誤り）
審決が「テトラメチルアンモニウムイオンが，膜の透過に際してＮＦ膜の荷電，
効果の影響を受けることにより，テトラメチルアンモニウムイオンがＮＦ膜を透過
できるとは容易には予測できない」とした判断は「ＮＦ膜は，分子量１３０程度，
の（＋）電荷（窒素原子由来）を有する有機物を透過する（甲４の図１）との事。」
実を看過してされたものであり，上記の透過を予測することに何ら困難性はない。
本件特許明細書の段落番号００１２に記載されたテトラアルキルアンモニウムイ
オンの分画分子量は約９１∼１４７であり，ＮＦ膜の分画分子量は２００∼１００
０である。またこれらのイオンはいずれも窒素原子由来の（＋）の電荷を保有して
いるので，ＮＦ膜のふるい効果及び荷電効果により，膜を透過することは容易に予
測できるのであり，むしろ，透過できないことの予測が困難なのである。したがっ
て「透過することの予測ができない」ことを前提とした判断は誤りである。，
一方，フォトレジスト現像廃液中に含まれるフォトレジストの分子量は５０００
∼１００００程度であり（甲１の段落【０００９，テトラアルキルアンモニウム】）
と結合することから明らかなように，その電荷は（−）である。ＮＦ膜のふるい効
果及び荷電効果により，現像廃液中のフォトレジストが阻止されることは容易に予
測できる。
また，ＮＦ膜と限外濾過膜の適用範囲は一部重複する（甲３の図１．４）ので，
甲１発明における限外濾過膜に替えて，ＮＦ膜を適用する動機付けは充分にあり，
甲１発明に甲３に記載のものを併せてみたとき，本件発明１は当業者が容易に想到
できたものといえるのである。
また，甲４の４９頁右欄の表２には，ＮＦ膜の金属成分に対する透過率が示され
ており，それらの透過率は水分の透過率を１としたとき，１価の陽イオンであるＫ
やＮａの場合，０．２５，０．１５であるが，２価の陽イオンであるＣａやＭｇの
，．，．，。，場合０２００５とその透過率は大きく低下しているこれらの記載から
ＮＦ膜の金属成分に対する透過率（阻止性能）は，価数の増加に伴って低下してい
く（大きくなる）と予想される。一方，甲６の第４−３−６頁の表２には，本件発
明１において用いられているＮＦ膜（ＮＴＲ−７２５０）のＳｉＯ２（シリカ）に
対する阻止率が４０％であることが示されている。そうすると「…透過液中への，
Ｆｅ，Ａｌの金属成分やシリカ等の不純物の混入を抑制できること…当該透過液か
ら水酸化テトラアルキルアンモニウム又はそのイオンを含有する現像液を再生する
ときの不純物除去負荷を軽減できる等，…容易に予測することができない有用な効
果を奏する…（審決１６頁３∼９行）との判断は誤りであり，前記効果を奏する」
ことは容易に予測できるから，相違点２の判断が誤っていることは明らかである。
３取消事由３（相違点３及び５についての判断の誤り）
相違点５は，本件発明１が「再生」処理であるのに対し，甲１発明ではその特定
事項を具備しない点である。しかし甲１発明には「一層の無公害化と生物処理等の
廃液処理工程が削減でき，コスト低減が図れる」との記載がある「一層の無公害。。
化」を目的とする以上，甲１発明において廃液として捨てるものを，再生利用すれ
ば良いことは，通常人でも容易に想到するところであるから，甲１発明に接した当
事者が相違点５に係る特定事項を具備するようにすることに何らの阻害要因はな
い。まして，甲２には「同様な廃液の再生方法」についての記載があることからす
れば，甲１発明のものに適用すること自体直ちに想到できるのである。
また，相違点３は，本件発明１がフォトレジスト「等の不純物」を主として含む
とするのに対して，甲１発明ではフォトレジスト以外の不純物を含有することまで
が示されていない点である。しかし，ＮＦ膜を使用すればシリカは少なくとも４０
％阻止される（甲６）のであるから，仮に元の現像廃液にシリカがふくまれていた
場合に，甲１発明にＮＦ膜を適用するだけで，フォトレジストとシリカを含む濃縮
液が当然に得られるのである。
したがって，上記相違点３および５に係る特定事項は，当業者が容易に導き出す
ことができるから，審決の判断は誤りである。
４取消事由４（本件発明２∼５，７及び８に関する判断の誤り−甲１発明との対
比）
本件発明２∼５，７及び８は，本件発明１の特定事項を直接又は間接にすべて引
用するものである。したがって，本件発明１と同じ理由により，これらの発明と甲
１発明との対比に関する審決の判断は誤りである。
５取消事由５（相違点２，３’及び５’についての判断の誤り）’
前記取消事由２（相違点２についての判断の誤り）と取消事由３（相違点３及び
５についての判断の誤り）と同趣旨により，審決の判断は誤りである。
なお，本件発明９（装置の発明）は本件発明１（方法の発明）を具現化した装置
に関するものであると言えるが，両発明の特定事項には実質的相違がない。
６取消事由６（本件発明１１に関する判断の誤り−甲１発明との対比）
本件発明１１は，本件発明９の特定事項をすべて引用するものである。したがっ
て，取消事由５と同様の理由により，審決の判断は誤りである。
７取消事由７（相違点イについての判断の誤り）
相違点イは，本件発明１ではＮＦ膜を使用しているのに対し，甲２発明では限外
濾過膜を用いている点である。しかし，この相違点の判断についても，取消事由２
（相違点２についての判断の誤り）で述べたのと同様の誤りがある。
８取消事由８（本件発明２∼５，７及び８に関する判断の誤り−甲２発明との対
比）
本件発明２∼５，７及び８は，本件発明１の特定事項を直接又は間接にすべて引
用するものであり，したがって，本件発明１と同じ理由により，これらの発明と甲
２発明との対比に関する審決の判断は誤りである。
９取消事由９（相違点イ’についての判断の誤り）
取消事由７（相違点イについての判断の誤り）と同様である。
１０取消事由１０（本件発明１１に関する判断の誤り−甲２発明との対比）
本件発明１１は，本件発明９の特定事項をすべて引用するものであり，したがっ
て，取消事由９と同様の理由により，審決の判断は誤りである。
１１「請求人の主張について」との判断部分について
審決は，請求人（原告）の「本件の請求項１，９に係る特許発明では，そのよう
なフォトレジスト現像廃液を単にＮＦ膜を用いて膜処理すれば『フォトレジスト，
等の不純物を主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として
含む透過液を得る』としており，本件特許出願時の当該技術分野の技術常識に照ら
しても，また今日の技術常識に照らしても，そのような効果を奏するとは到底考え
られるものではない」との主張に対して「本件発明１は，単に，ＮＦ膜を具備す。
るものではなく，ＮＦ膜により上記濃縮液と上記透過液を得る工程をその特定事項
として具備」し「また・・・本件発明９は，単にＮＦ膜を備えたナノフィルター，，
を具備するものではなく，上記濃縮液と上記透過液を得るためのＮＦ膜を具備する
ものである。そうであれば，特殊な条件により，ＮＦ膜でフォトレジスト現像液を
上記の如く濃縮液と透過液に膜分離できない態様が仮に存在したとしても，それは
当然のこととして除外されるものである」と判断している。。
しかし「ＮＦ膜」といっても甲４の４７頁の表１に示すように，さまざまな種，
，（）「」，類のものがあり−に荷電しているＮＦ膜を使用すれば本件発明のとおり
テトラメチルアンモニウムイオンが透過することが予測されるものの（＋）に荷，
電している「ＮＦ膜」を使用した場合には，テトラメチルアンモニウムイオンが透
過しないことが予測される。
すなわち，請求人（原告）は「現在の請求項記載の発明特定事項には，特殊な，
条件の場合を除外して考えればよいのではなく，殆ど当然に除外される場合をも含
んでいるため，発明を明確に把握することができず，効果に疑問が生じる」旨を主
張しているのである。
また，請求人（原告）は「甲３や甲４には，ＮＦ膜について①分離膜として特，
殊なものではないこと，②その分離適用範囲には限外濾過膜と一部重なりがあるこ
と，③また膜の荷電と分離対象の荷電状態を利用して同じ大きさの分子でも分離が
可能であること，④ＮＦ膜の各種応用例が記載されているが，固形物の膜分離には
不向きであるといった記載は何処にもないこと」などからすれば，ＮＦ膜を甲１発
明や甲２発明に記載の限外濾過膜に替えて実際に用いようとすることは，当業者な
らば容易になし得る程度のことであると主張しているのである。
さらに，審決は「ＮＦ膜につきフォトレジストとＴＭＡ＋(テトラメチルアンモ
ニウムイオン)とが良好に分離できなかったとしても，それは，特定の試験条件下
で，偶々，そのような結果が得られたということに過ぎ」ない旨認定している。
しかし，請求人（原告）は「請求項記載の発明特定事項には分離条件などが規定
されていないのであるから，どのような条件下で行っても，良好に分離できて当然
なのではないか」と主張しているのである。
したがって審決が請求人の主張についてとして判断した内容は請求人原，「」，（
告）の主張を正しく理解した上での判断とは到底考えられない。
第４被告の主張の要点
１取消事由１（進歩性の判断における誤り）について
(1)原告は，審決の判断が「当該分野の当業者の常識に反する「当該分野の現」，
実をまったく無視した判断である」等と非難する。
しかし，原告こそが技術常識の認定を誤っているのであり，取消事由１は，その
前提を誤るものであって明らかに失当である。
(2)原告が依拠する甲３には「同一被分離物質を分離する場合に競合する分離，
プロセスがあり，化学プロセスなどにおいては，いかに最適な分離・精製法を選定
するかが，競争力を生む重要なポイントとなる」と記載されている（６頁２∼４。
行。ここで，競合する分離プロセスとは，被分離物質を分離できるプロセスであ）
るから，分離膜を用いたプロセスであれば，その前提として，分離膜に対する被分
離物質の透過可能性が予め検討されていることは自明である。したがって，原告の
「被分離物質の分離膜に対する透過可能性の予測などはしない」という主張は甲３
の記載に反する。
さらに，甲３の上記記載から，最適な分離・精製法の選定が，競争力を生む重要
なポイントとなるのであるから，最適な分離膜の選定が商業的に重要な発見である
ことは明らかである。膜であればいずれの種類のものでも容易に取捨選択できる旨
の原告の主張は全く根拠がない。
，，甲３によれば被分離物質を分離できる複数のプロセスを適用することによって
最適な分離法，分離膜の選定を行うことが開示されているところ，本件特許出願当
時，ＮＦ膜によって，テトラアルキルアンモニウムイオンとフォトレジストとを分
離できることは，いかなる証拠にも開示されていなかったので，そもそもＮＦ膜に
よる膜分離工程は，テトラアルキルアンモニウムイオンとフォトレジストとを分離
できるプロセスとして認識されていなかったのである。さらに，ＮＦ膜に対するテ
トラアルキルアンモニウムイオン及びフォトレジストの透過可能性が予測できな
かったのであるから，当業者がＮＦ膜による膜分離工程を適用する動機付けが存在
しないことは明らかである。したがって，審決が進歩性を判断するに際し，テトラ
アルキルアンモニウムイオンのＮＦ膜に対する透過可能性を検討したのは正当であ
る。
(3)以上のとおり，取消事由１に理由がないことは明らかである。また，後述す
るとおり，審決は，本件特許出願当時の当業者に認識されていたＮＦ膜の特性を考
慮した上で，ＮＦ膜の透過可能性を判断したものであり，正当である。
２取消事由２（相違点２についての判断の誤り）について
(1)原告は，審決の「テトラメチルアンモニウムイオンが，膜の透過に際してＮ
Ｆ膜の荷電効果の影響を受けることにより，テトラメチルアンモニウムイオンがＮ
Ｆ膜を透過できるとは容易には予測できない」との判断は「＋）に荷電したテト，（
ラメチルアンモニウムイオンは，本件発明において用いられている（−）に荷電し
たＮＦ膜を透過する」という周知の事実を看過してされたものであり，予測するこ
とに何ら困難性はないと主張し，その根拠として「テトラアルキルアンモニウム，
イオンの分子量は９１∼１４７であり，ＮＦ膜の分画分子量は２００∼１０００で
ある。またこれらのイオンはいずれも（＋）の電荷を保有しているので，ＮＦ膜の
ふるい効果及び荷電効果により膜を透過することは容易に予想できる」と述べる。
(2)まず，原告の提出した甲１ないし１３には，テトラアルキルアンモニウムイ
オン及びＮＦ膜の双方を記載したものは存在せず，テトラアルキルアンモニウムイ
オンがＮＦ膜を透過することも記載されていない。つまり，本件特許出願前におい
て，テトラアルキルアンモニウムイオンがＮＦ膜を透過することは周知の事実では
なかったばかりかそもそも知られていなかったのである。換言すれば，原告の主張
は，テトラアルキルアンモニウムイオンがＮＦ膜を透過することを初めて開示した
本件発明に基づく後知恵であり，それ自体失当である。
(3)次に，甲４には，ＮＦ膜について次のように記載されている。
「ＮＦ膜の特徴の一つは，荷電を持っていることで，このことが低い圧力で高い
塩類阻止性能が得られたり，分画分子量が数百の膜でも塩類がある程度阻止される
大きな原因と考えられている。また，膜の荷電と分子の荷電状態を利用して，同じ
ような大きさの分子でも分離が可能である（４７頁右欄５∼１０行）。」
さらに，本件特許出願日（１９９８年１月５日）前の１９９６年３月６日に発表
された「河田一郎著『ＮＦ膜による浄水処理，ニューメンブレンテクノロジーシ，』
ンポジウム’９６日本膜学会及び社団法人日本能率協会，１９９６年３月６日」
（。），，，甲６審決における乙５の表２にはＮＦ膜によって分子量５８のＮａＣｌ
，，，分子量９４のＭｇＣｌ２分子量１２０のＭｇＳＯ４分子量８０のＮＨ４ＮＯ３
分子量６０のＳｉＯ２，分子量４６のエチルアルコール，分子量６０のイソプロピ
ルアルコール，分子量１８０のグルコース，分子量３４２のショ糖が阻止されるこ
とが示されている。
このように，ＮＦ膜は，分画分子量よりも小さい塩類も阻止することができ，ま
た同程度の分子であっても分離可能なものであるから，ふるい効果によって孔径よ
りも小さいものを通過させる単純な限外ろ過膜とは異なるのであり，テトラアルキ
ルアンモニウムイオンの分子量がＮＦ膜の分画分子量よりも小さいからといって当
然に透過するものとは予想できないのである。
(4)また，原告は，甲４及び日東電工株式会社のメンブレン事業部が頒布したＮ
ＴＲ−７４５０ＨＧ，ＮＴＲ−７４１０ＨＧの商品カタログ５頁の第６図（甲８）
にＮＦ膜が正荷電を持つアミノ酸を透過することが記載されていることについて，
テトラアルキルアンモニウムイオンは正荷電を持つので，ＮＦ膜を透過することが
予測されると主張する。
しかし，上述したとおり，ＮＦ膜は，塩類を阻止する膜であるから，塩類を構成
する正荷電を持つ陽イオンを阻止するのである。甲４の表２（４９頁）には，牛乳
中のミネラルの透過率として，ＮＦ膜のカリウム（Ｋ）及びナトリウム（Ｎａ）の
透過率が０．５，０．２５，０．１５であり，カルシウム（Ｃａ）及びマグネシウ
ム（Ｍｇ）の透過率が０．２，０．０５，０．０３であることが示されている。カ
リウム（Ｋ）及びナトリウム（Ｎａ）は溶液中では一価の正荷電を持つカリウムイ
オン（Ｋ＋）及びナトリウムイオン（Ｎａ＋）の状態で，カルシウム（Ｃａ）及び
マグネシウム（Ｍｇ）は二価の正荷電を持つカルシウムイオン（Ｃａ２＋）及びマ
グネシウムイオン（Ｍｇ２＋）の状態で存在しており，透過率は，逆から読めば阻
止率（１−透過率）を表わすものであるから，ＮＦ膜によって，Ｋ＋及びＮａ＋は
．，．，．，．，０５０７５０８５の阻止率で除去されＣａ２＋及びＭｇ２＋は０８
０．９５，０．９７の阻止率で除去されている。
したがって，ＮＦ膜は，テトラアルキルアンモニウムイオンよりも更に小さい正
荷電を持つ金属イオンを阻止するものであるから，テトラアルキルアンモニウムイ
オンが正荷電を持つことを理由として透過可能性を予測する原告の主張には全く理
由がない。
さらに，テトラアルキルアンモニウムは，分子内にアミノ基（−ＮＨ２）とカル
ボキシル基（−ＣＯＯＨ）とを有する両性電解質のアミノ酸ではないことは明らか
であるから，正荷電を持つアミノ酸がＮＦ膜を透過することを理由として，テトラ
アルキルアンモニウムの透過可能性を予測する原告の主張は論理が飛躍している。
(5)加えて，原告は，甲４の上記表２（４９頁）について「ＮＦ膜の金属成分，
に対する透過率阻止性能は正荷電の価数の増加に伴って低下していく阻（），［］（［
止性能が］大きくなる）と予想される」と主張する。原告のこの主張によれば，。
ＮＦ膜は，正荷電を有するイオンを阻止するものであり，イオンの正の電気量が増
加するほど阻止し易いことになる。しかし，かかる主張は，原告の「正電荷「＋」
を保有するイオンはほとんど阻止されずに透過することは当業者にとって至極当た
り前の周知の事実である」という主張を完全に否定するものである。さらに，正の
電気量が増加すれば，負荷電を有するＮＦ膜との間の荷電効果も増加するにも拘わ
らず，ＮＦ膜によって阻止し易くなるのであるから，原告の上記主張は，テトラア
ルキルアンモニウムイオンの正荷電とＮＦ膜の負荷電に基づく荷電効果を理由とし
て「テトラアルキルアンモニウムイオンがＮＦ膜を透過することが予測される」と
いう原告の主張とも矛盾するのである。このように，ＮＦ膜の阻止性能は，非常に
複雑であり，正荷電の有無によって単純に予測可能となるものではないのである。
この点について，甲６には，以下の記載がある。
「ＲＯ膜（逆浸透膜，ＮＦ膜（ルースＲＯ膜ともいう）による処理方法が従来）
の浄水処理技術では除去が困難な低分子量有機物，農薬，硝酸性窒素等の除去に有
効な方法であることを示している（４−３−１頁右欄１５∼１９行）。」
「。ＮＦ膜の阻止率は表２に示すように溶質に大きく依存しておりさまざまである
例えば，多数の溶質が存在する混合イオン系でのＮＴＲ−７２５０，ＮＴＲ−７４
００などの阻止性能は単一溶質系とは異なった複雑な挙動を示し，各イオンの存在
比により特定のイオン濃度が供給水より透過水の方が高濃度になるという特異な性
能が報告されている。また，ＮＦ膜は，一般には無機化合物に比較して有機化合物
の阻止率が高いのが特徴となっている。…ＮＦ膜は各社からさまざまな性能のもの
が開発・製品化されているが，その有用性は有機物阻止性能にあると言える（４。」
−３−２頁右欄１９∼３３行）
これらの記載によれば，ＮＦ膜は，低分子量有機物を阻止し，液中の有機物を除
去する有機物阻止性能を有することが本件特許出願前の当業者に知られていた。ま
，，，，，た甲４及び６の上記記載によればＮＦ膜の阻止性能はＮＦ膜が荷電を有し
分画分子量よりも小さい塩類も阻止することができ，また同程度の分子であっても
分離可能であり，溶質に大きく依存し，しかも多数の溶質が存在する混合イオン系
における挙動は複雑なものであるから，当業者にとって阻止性能が未確認の溶質に
対するＮＦ膜の阻止性能を予測するのは困難であった。
これに対し，本件発明は，フォトレジスト現像廃液又はフォトレジスト現像廃液
に由来する処理液中のフォトレジスト等の不純物を阻止し，テトラアルキルアンモ
ニウムイオンを透過するというＮＦ膜の特性を発見し，かかる特性を利用してされ
たものである。
すなわち，第一に，テトラアルキルアンモニウムイオンは有機物であり，本件特
許出願当時，ＮＦ膜の有機物阻止性能が知られていたのであるから，本件特許出願
当時の当業者にとって，ＮＦ膜がテトラアルキルアンモニウムイオンを透過すると
いう特性は容易に予測できるものではない。したがって，当業者は，ＮＦ膜がテト
ラアルキルアンモニウムイオンを透過することを利用した本件発明を想到すること
は困難なのである。第二に，フォトレジスト現像廃液又はフォトレジスト現像廃液
に由来する処理液中には，少なくともフォトレジスト及びテトラアルキルアンモニ
ウムイオンという２つの溶質が存在し，更に他の溶質も含まれる可能性が高い。本
件特許の明細書は，この点について「現像工程から排出される廃液（フォトレジ，「
スト現像廃液」…）には，通常，溶解したフォトレジストとテトラアルキルアンモ
ニウムイオンが含有されている。…廃液（廃水）は工場によって異なってくるもの
であり，何が混入してくるか分からず，また，場合によっては他の廃水と混合され
，。」ることがあり得るので他種のイオンを対イオンとする塩の形の場合もあり得る
（０００３）と記載しており，本件特許の実施例においても，廃液中にはＮａ，【】
Ｆｅ，Ａｌ及びＳｉＯ２が含まれているのである。
このように，本件発明は複数の溶質を含有する混合イオン系の処理液を対象とす
るものであるから，混合イオン系の処理液に対するＮＦ膜の阻止性能を予測するこ
とは当業者にとって困難であった。したがって，当業者は，処理液中のフォトレジ
スト等の不純物を阻止し，テトラアルキルアンモニウムイオンを透過するという特
性を利用した本件発明を想到できないのである。
(6)原告は「甲３には，ＮＦ膜と限外ろ過膜との分離対象範囲が一部重複する，
ことが示されている。このことから，甲１発明における限外ろ過膜に代えてＮＦ膜
を適用したとき，テトラアルキルアンモニウムイオンがＮＦ膜を透過可能であろう
。」。，．，ことは容易に予測できると主張するしかしながら甲３の図１４において
ＮＦ膜と限外ろ過膜とが一部重複するとしても，甲３にはテトラアルキルアンモニ
ウムイオンについて一切記載されておらず，テトラアルキルアンモニウムイオンが
ＮＦ膜を透過可能であることを示唆するものではない。上記のとおり，ＮＦ膜の特
，。性からＮＦ膜の阻止性能を予測することは当業者にとって困難であったのである
(7)また，本件特許出願当時，ＮＦ膜は，一般的に逆浸透膜の一種として認識さ
れており，後記のように逆浸透膜によってフォトレジスト現像廃液中のレジストと
テトラアルキルアンモニウムイオンとを分離することができなかったことが知られ
ていたので，当業者にとって，ＮＦ膜がテトラアルキルアンモニウムイオンを透過
することを予測することは困難であった。
ＮＦ膜は「ルーズＲＯ（甲３の図１．４）及び「低圧低阻止率型ＲＯ膜（甲，」」
４の４６頁右欄３０行）と同義であり，ＲＯとは逆浸透（ReverseOsmosis）のこ
とであるからＮＦ膜は逆浸透膜の一種として認識されていたまた甲４の低，，。，「
塩濃度の地下水や河川水などの淡水化や排水処理，半導体や医療用の超純水の製造
にまでＲＯ膜の用途が広がると，それぞれの使用目的にあった膜が必要になった。
中略このような背景から最近２種類の新しい膜が開発された１つは１５kg（），。
･cm以下の圧力で操作でき，しかも塩化ナトリウムの阻止率が９０％以上の低圧-2
高阻止率型のＲＯ膜である。もう１つは，塩化ナトリウムの阻止率が９０％以下と
低いが１５kg･cm以下の操作圧力で従来のＲＯ膜よりはるかに高い透過流束単，（-2
位時間，単位面積当たり，透過する溶液の量）が得られる，低圧低阻止率型（低圧
高透過水型ともいう）のＲＯ膜である。このうちの低圧低阻止率型ＲＯ膜が，一。
般的にナノ濾過膜と呼ばれるものである（４６頁右欄１０∼３１行）という記載。」
から，ＮＦ膜は，逆浸透（ＲＯ）膜の応用分野の拡大に伴って開発されたものであ
，。りこの点からも逆浸透膜の一種であると認識されていたことは明白な事実である
甲３の図１．４においても，ＮＦ膜の被分離物質の大きさ，孔径の範囲は逆浸透膜
の範囲内に位置しているのである。
また，本件特許の明細書には，従来技術として「逆浸透膜法により濃縮する方，
法は，アルカリ可溶性のフォトレジストとテトラアルキルアンモニウムイオンが共
に濃縮されるため，処理後の廃液は廃棄処分せざるを得ない（０００５）と。」【】
記載されているが，本願出願前から逆浸透膜によってフォトレジスト現像廃液を処
理することが行われていた。例えば，特開昭６０−１１８２８２号公報（乙１）に
は「このような処理により，逆浸透膜によるテトラアルキルアンモニウム・ハイ，
ドロオキシドの除去率は高く，９９．８％前後を得ることができる。したがって，
処理水は殆どテトラアルキルアンモニウム・ハイドロオキシドを含まず，また，原
水濃度が高い場合でも，逆浸透膜装置を２段に設けることにより処理水水質は極め
て良好にすることができる（２頁左下欄６∼１３行）及び「この結果から明らか。」
なように，導電率の除去率は，９９．７∼９９．８％，ＴＯＣ除去率は９９．９％
となり，テトラメチルアンモニウム・ハイドロオキシドは膜によりほとんど排除さ
れた（同頁右下欄下から４行∼末行）と記載されている。このように，逆浸透膜。」
によってフォトレジスト現像廃液を処理しても，レジストだけではなくテトラアル
キルアンモニウムイオンも逆浸透膜を透過することができないため，フォトレジス
ト現像廃液中のレジストとテトラアルキルアンモニウムイオンとを分離することが
できなかったのである。
以上のとおり，当業者は，レジストとテトラアルキルアンモニウムイオンとを分
離することができないことが知られていた逆浸透膜の一種であるＮＦ膜において，
レジストとテトラアルキルアンモニウムイオンとを分離可能な透過可能性を有する
ことは予想することができなかったのである。
(8)原告は，甲６の４−３−６頁の表２に「ＳｉＯ２（シリカ）の阻止率が４０
％であることが示されている」こと及び甲４の４９頁右欄の表２に「ＮＦ膜の金属
成分に対する透過率」が示されていることを根拠として「ＮＦ膜の透過液中への，
Ｆｅ，Ａｌの金属成分やシリカ等の不純物の混入を抑制できるという効果は，甲１
∼４に記載の発明から予測可能なものである」と主張する。
しかし，甲４及び６に示された透過率又は阻止率は，現像廃液中のものではない
ので，本件発明の「ＮＦ膜によって現像廃液中のＦｅ，Ａｌの金属成分やシリカ等
の不純物の混入を抑制できる」という効果を示すものではない。しかも，甲４に示
された金属成分は，Ｋ，Ｎａ，Ｃａ及びＭｇであり，Ｆｅ及びＡｌについては記載
されていない。したがって，甲１∼４には，本件発明の「ＮＦ膜によって現像廃液
中のＦｅ，Ａｌの金属成分やシリカ等の不純物の混入を抑制できる」という効果は
示されておらず，前記のとおり，当業者にとってＮＦ膜の阻止性能を予測するのは
困難であったから，本件発明の上記効果は甲１∼４から容易に予測できるものでは
ない。したがって，原告の上記主張には理由がない。
(9)以上詳述したとおり，甲１∼４から，テトラアルキルアンモニウムイオンが
ＮＦ膜を透過できることは容易に予測できなかったのであり，ＮＦ膜により現像廃
液を膜分離処理し，フォトレジスト等の不純物を主として含む濃縮液とテトラアル
キルアンモニウムイオンを主として含む透過液を得る膜分離工程を採用すること
，，。は当業者にとって容易に想到できるものではないから取消事由２は理由がない
３取消事由３（相違点３及び５についての判断の誤り）について
(1)原告は，取消事由３として，本件発明１と甲１発明との相違点３である「濃
縮液が，本件発明１では，フォトレジスト『等の不純物』を主として含むとするの
に対して，甲１発明では，フォトレジスト成分濃縮廃液にフォトレジスト以外の不
純物を含有することまでが示されず，当該特定事項を具備しない点」及び相違点５
である「処理方法が，本件発明１では『再生』処理方法であるのに対して，甲１，
発明ではその特定事項を具備しない点」について「当業者が容易に導き出すこと，
ができる」ものであると主張する。
(2)まず，原告は，相違点５について，甲１の「一層の無公害化と生物処理等の
廃液処理工程が削減でき，コスト低減が図れる（段落【００１２）という記載。」】
における「一層の無公害化」という記載の範疇には当然に「再生」も含まれると主
張する。しかし，原告のかかる主張は甲１発明を誤解するものである。
甲１には「廃液処理コストの低減されたフォトレジスト含有廃液処理方法を提，
供すること（段落【０００５）を目的として「フォトレジスト成分含有廃液を」】，
限外濾過膜により濾過してレジスト成分濃縮廃液を取り出し，前記フォトレジスト
成分濃縮廃液に熱エネルギーを加えてフォトレジスト成分を重合させ固形化させて
処理することを特徴とするフォトレジスト含有廃液の処理方法（請求項１）が記。」
載されているが甲１の図１によれば限外濾過処理により得られる透過液は中，，，「
和・無害化処理を行い廃液する」と記載されている。このように，甲１発明は，廃
液の処理コストを低減することを目的とするものであるが，あくまで廃液を廃棄す
，，ることを前提として廃液中の高分子量のフォトレジストを濃縮廃液として回収し
その後熱エネルギーでフォトレジストを重合固形化して処理するものであり，透過
，，。したアルカリ水溶液については従来と同様の処理が行われ廃棄されるのである
よって，甲１は，透過液としてテトラアルキルアンモニウムを回収することも，テ
トラアルキルアンモニウムを再生することも開示していない。
また，甲１における「一層の無公害化」という記載は，甲１の図２に示された従
来の「酸溶剤を添加し，中和」し「生物処理・活性炭吸着等によりＢＯＤ・ＣＯ，
Ｄを基準以下にして放流」だけしていた廃液処理方法に対し，透過した廃液中のＢ
ＯＤ・ＣＯＤをより低減したことを意味しているに過ぎないのである。この点，同
号証の図１には，透過液について「中和・無害化処理を行い廃液する」と記載さ，
れており，この無害化処理が，従来の「生物処理・活性炭吸着等」に該当すること
は明らかであるから，無公害化とは生物処理・活性炭吸着等によるＢＯＤ・ＣＯＤ
の低減を意味するのである。
(3)さらに，原告は，甲２には同様な廃液の再生方法についての記載があること
から，甲１発明のものに適用することを直ちに想到できると主張する。しかし，原
告のこの主張は，単に本件審決の判断を否定するだけであり，甲２に記載の再生技
術に基づいて甲１において再生処理方法を想到できることについて，何ら具体的な
理由付けを行うものではない。
甲２に記載された再生処理方法は，中和処理して析出させた不溶性有機物を限外
濾過膜を使用した精密ろ過装置により固液分離した後，電気分解することで再生処
理するものであり，限外濾過膜によって高分子量のフォトレジストを濃縮廃液とし
て回収し，その後熱エネルギーでフォトレジストを重合固形化して処理し，透過し
たアルカリ水溶液については，従来と同様の処理が行なわれ廃棄される甲１発明と
は全く異なるものである。よって，甲２に記載の再生技術に基づいて，甲１発明に
おいて，従来と同様の処理が行なわれ廃棄される透過液を再生させることは，容易
に想到し得るものではないのである。加えて，既述のとおり，テトラアルキルアン
モニウムイオンがＮＦ膜を透過することを予測することはできなかったのであるか
ら，仮に甲１の「限外濾過膜」をＮＦ膜に変更したとしても，その透過液を再生し
て利用することは想到できないのである。したがって，審決の判断は正当である。
(4)なお，原告は，相違点３について，ＮＦ膜を使用すればシリカは少なくとも
４０％阻止される（甲６）のであるから，仮に元の現像廃液にシリカが含まれてい
た場合に，甲１発明にＮＦ膜を適用するだけで，フォトレジストとシリカを含む濃
縮液が当然に得られるのであると主張するが，ＮＦ膜を適用することが困難である
ことは，上述したとおりであるから，原告の上記主張は，前提において成り立たな
い。さらに，甲６の阻止率は，現像廃液中のものではないので「当然に得られる，
はず」という原告の主張には何ら根拠がない。
(5)以上のとおり，甲１発明において，相違点３及び相違点５に係る構成を想到
することは当業者にとって容易に成し得るものではないから，取消事由３は理由が
ない。
４取消事由４（本件発明２∼５，７及び８に関する判断の誤り−甲１発明との対
比）について
既述のとおり，原告が本件発明１について主張した取消事由１ないし３はいずれ
も理由がないから，取消事由４についても同様に理由がない。
５取消事由５（相違点２，３’及び５’についての判断の誤り）について’
既述のとおり，取消事由２及び３はいずれも理由がないから，取消事由５につい
ても同様に理由がない。
６取消事由６（本件発明１１に関する判断の誤り−甲１発明との対比）について
既述のとおり，本件発明９に係る取消事由５は理由がないから，取消事由６につ
いても同様に理由がない。
７取消事由７（相違点イについての判断の誤り）について
既述のとおり，取消事由２は理由がないから，取消事由７についても同様に理由
がない。
８取消事由８（本件発明２∼５，７及び８に関する判断の誤り−甲２発明との対
比）について
既述のとおり，取消事由７は理由がないから，取消事由８についても同様に理由
がない。
９取消事由９（相違点イ’についての判断の誤り）について
既述のとおり，取消事由７は理由がないから，取消事由９についても同様に理由
がない。
１０取消事由１０（本件発明１１に関する判断の誤り−甲２発明との対比）につ
いて
既述のとおり，本件発明９に係る取消事由９は理由がないから，取消事由１０に
ついても理由がない。
１１請求人の主張に対する判断について
原告は，審決の請求人（原告）の主張に対する判断が，請求人（原告）の主張を
正しく理解した上で判断していないと主張するが，以下に述べるとおり，失当であ
る。
(1)原告は「本件発明１の『ＮＦ膜により濃縮液と上記透過液を得る』との特，
定事項，或いは本件発明９の『濃縮液と上記透過液を得るためのＮＦ膜』との特定
事項だけでは，フォトレジストを主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウ
ムイオンを含む透過液とを膜分離できる効果，さらには透過液中へのＦｅ，Ａｌの
金属成分やシリカ等の不純物の混入を抑制できる効果を奏するとは到底考えられな
い」と主張する。原告の主張は，そもそも進歩性欠如の無効理由における位置づけ
が不明であるが，この点を措くとしても，単に独自の見解を述べたものに過ぎず，
到底取消事由となり得るものではない。
本件発明１及び９は，フォトレジストを主として含む濃縮液とテトラアルキルア
ンモニウムイオンを主として含む透過液とを膜分離できる効果を奏するものが対象
なのであるからそもそも原告の主張は的はずれであるまたＮＦ膜によって透，。，「
過液中へのＦｅ，Ａｌの金属成分やシリカ等の不純物の混入を抑制できる効果を奏
するとは到底考えられない」という原告の主張には何らの根拠もない。
この点，本件明細書には，ＮＦ膜によってフォトレジストを主として含む濃縮液
とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む透過液とを膜分離できる効果
及び透過液中へのＦｅ，Ａｌの金属成分やシリカ等の不純物の混入を抑制できる効
果を奏することが具体的に示されている（段落【００７５】の表１。さらに，２）
００４年１２月２７日付「実験成績証明書（乙２）の表１においても，本件特許」
明細書に示された現像廃液とは異なる現像廃液において，ＮＦ膜によってフォトレ
ジストを主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオンを主として含む
透過液とを膜分離できる効果及び透過液中へのＦｅ，Ａｌの金属成分やシリカ等の
不純物の混入を抑制できる効果が確認されている。
，「」（。）加えて２００６年４月２１日付実験成績証明書乙３審決における乙６
は，日東電工株式会社製「ＮＴＲ−７４５０ＨＧ−Ｓ２Ｆ（ＮＦ膜１，日東電工」）
株式会社製「ＮＴＲ−７４１０ＨＧ−Ｓ２Ｆ（ＮＦ膜２）及びダウ・ケミカル社」
製「ＮＦ４５−２５４０（ＮＦ膜３）という３種類のＮＦ膜（いずれの膜も本件」
明細書の段落【００１０】に記載されている）について，温度又は入口圧力を変。
化させた時のＮＦ膜による阻止性能等の変化を確認したものである。
乙３からは，具体的に以下の事実が判明する。
乙３の表１ないし表３は，ＮＦ膜１による除去率（阻止性能）を示しており，表
１は入口圧力１０ｋｇｆ／ｃｍ２液温２５℃の条件であり表２は入口圧力５ｋｇ，，
ｆ／ｃｍ２，液温２５℃の条件であり，表３は入口圧力１０ｋｇｆ／ｃｍ２，液温
３５℃の条件である。これら表１ないし表３から明らかなように，入口圧力を変化
，，（）させても温度を変化させてもＴＭＡ−ＯＨ水酸化テトラメチルアンモニウム
（．，．，．），（．の除去率８０％４９％１００％に比べてレジストの除去率９２
７％，９２．５％，９２．９％）は大きく異なっており，ＮＦ膜１によってＴＭＡ
−ＯＨとレジストは分離可能である。また，表１ないし表３のいずれにおいても，
ＮＦ膜１によってＦｅやＡｌ等の金属成分の不純物をある程度除去することができ
ることが分かる。
乙３の表４及び表５は，ＮＦ膜２による除去率（阻止性能）を示しており，表４
は入口圧力５ｋｇｆ／ｃｍ２，液温２５℃の条件であり，表５は入口圧力５ｋｇｆ
／ｃｍ２，液温３５℃の条件である。これら表４及び表５から明らかなように，温
，（）（．度を変化させてもＴＭＡ−ＯＨ水酸化テトラメチルアンモニウムの除去率０
０％）に比べて，レジストの除去率（５０．３％，５１．７％）は大きく異なって
おり，ＮＦ膜２によってＴＭＡ−ＯＨとレジストとは分離可能である。また，表４
及び表５のいずれにおいても，ＮＦ膜２によってＦｅやＡｌ等の金属成分の不純物
をある程度除去することができることが分かる。
乙３の表６及び表７は，ＮＦ膜３による除去率（阻止性能）を示しており，表６
は入口圧力９ｋｇｆ／ｃｍ２，液温２５℃の条件であり，表７は入口圧力９ｋｇｆ
／ｃｍ２，液温３５℃の条件である。これら表６及び表７から明らかなように，温
，（）（．度を変化させてもＴＭＡ−ＯＨ水酸化テトラメチルアンモニウムの除去率４
４％，３．５％）に比べて，レジストの除去率（７４．０％，６９．３％）は大き
く異なっており，ＮＦ膜３によってＴＭＡ−ＯＨとレジストとは分離可能である。
また，表６及び表７のいずれにおいても，ＮＦ膜３によってＦｅやＡｌ等の金属成
分の不純物をある程度除去することができることが分かる。
以上のことから，ＮＦ膜は，フォトレジスト現像廃液又はフォトレジスト現像廃
液に由来する処理液中のフォトレジスト等の不純物を阻止し，テトラアルキルアン
モニウムイオンを透過するという特性を有しており，フォトレジスト現像廃液又は
フォトレジスト現像廃液に由来する処理液中のＦｅやＡｌ等の金属成分やシリカ等
の不純物をある程度阻止する阻止性能を具備することは明らかである。
さらに，原告の上記主張は「ＮＦ膜でフォトレジストとテトラアルキルアンモ，
ニウムイオンを分離できることが容易に予測できる」という原告主張の「取消事由
２」と矛盾するものである。原告は，本件発明の効果について，本件発明による開
示によって，ＮＦ膜でフォトレジストとテトラアルキルアンモニウムイオンを分離
できることが明らかになった後においては効果が奏するとは考えられないとし，Ｎ
Ｆ膜でフォトレジストとテトラアルキルアンモニウムイオンを分離できることが不
明であった本件特許出願前においては効果が予測できるとするものであり，論理が
破綻していることは明らかである。
本件特許出願前の当業者は，以上に述べたとおり，ＮＦ膜が逆浸透膜の一種であ
ることやＮＦ膜の特性から，ＮＦ膜でフォトレジストとテトラアルキルアンモニウ
ムイオンを分離できると予測することは困難なのである。他方で，本件特許出願後
の本件発明に接した当業者は，本件明細書の記載及び図面にフォトレジストとテト
ラアルキルアンモニウムイオンを分離できるというＮＦ膜の特性が開示されている
ので，そのＮＦ膜の特性を利用して，フォトレジストとテトラアルキルアンモニウ
ムイオンを分離可能であることを予測できるのである。
したがって，原告の主張は失当である。
(2)原告は「どのような試験条件下で行ったところで，本件特許明細書に記載，
，」されているＮＦ膜で膜処理すれば濃縮液と透過液の分離がなされて当然と言える
と主張するが，この主張も，何の論拠もない原告独自の見解に過ぎない。本件特許
の明細書乙２及び３に示されているとおりＮＦ膜で膜処理することによりフォ，，，
トレジスト等の不純物を主として含む濃縮液とテトラアルキルアンモニウムイオン
を主として含む透過液を得ることができているのであり，原告の提出した甲１４に
よってかかる効果を否定することはできないのである。
第５当裁判所の判断
１審決における本件発明１と甲１発明との一致点及び相違点の認定並びに本件発
明１と甲２発明との一致点及び相違点の認定については，当事者間に争いがない。
審決は，本件発明１と甲１発明との相違点２について「甲１発明に甲第２∼４，
号証に記載のものを併せてみても，その限外濾過膜をＮＦ膜に置き換え本件発明１
のようにする動機付けがない」とした上「甲１発明に，甲第２∼４号証に記載さ。，
れる事項を併せてみても，甲１発明において相違点２に関する特定事項を具備する
ようにすることが当業者が容易に想到することができない」と判断した。また，。
本件発明１と甲２発明との相違点イについても同様に「甲２発明に甲１，３及び４
に記載のものを併せてみても，その限外濾過膜をＮＦ膜に置き換える動機付けがな
い」とした上「甲２発明に，甲１，３及び４に記載される事項を併せてみても，。，
甲２発明において相違点イに関する特定事項を具備するように当業者が容易に想到
することができない」と判断した。。
これに対して，原告は，審決の相違点２及び同イについての判断はいずれも誤り
であるとし，取消事由２及び７を主張するので，以下，上記取消事由について検討
する。
２本件明細書（甲１５）には以下の記載がある。
「従来の技術】半導体デバイス，液晶ディスプレイ，プリント基板等の電子部品【
等を製造するには，ウェハー等の基板上にネガ型又はポジ型のフォトレジストの皮
膜を形成しパターンマスクを通して光等を照射し次いで現像液により不要のフォ，，
トレジストを溶解して現像し，更にエッチング等の処理を行った後，基板上の不溶
性のフォトレジスト膜を剥離しなければならない。フォトレジストは，露光部分が
可溶性となるポジ型と露光部分が不溶性となるネガ型があり，ポジ型フォトレジス
トの現像液としてはアルカリ現像液が主流であり，ネガ型フォトレジストの現像液
としては有機溶剤系現像液が主流であるが，アルカリ現像液を用いるものもある。
・・・上記アルカリ現像液としては通常水酸化テトラアルキルアンモニウムテ，，（
トラアルキルアンモニウムヒドロオキシド）の水溶液が用いられる。従って，かか
る現像工程から排出される廃液（フォトレジスト現像廃液」又は「フォトレジス「
トアルカリ現像廃液」と言い，時に「現像廃液」と略称する）には，通常，溶解し
たフォトレジストとテトラアルキルアンモニウムイオンが含有されている・・・。
従来，かかるフォトレジスト及びテトラアルキルアンモニウムイオンを含有する
フォトレジスト現像廃液を処理する方法には，全量業者引取する方法，蒸発法や逆
浸透膜法により濃縮し廃棄処分（焼却又は業者引取）する方法，活性汚泥により生
物分解処理し放流する方法がある。また，上記のようにして得た濃縮廃液或いはも
ともとテトラアルキルアンモニウムイオン濃度の高い濃厚現像廃液については，電
気透析法や電解法によりテトラアルキルアンモニウムイオンを好ましくは水酸化物
の形（電解法では必然的に水酸化物の形となる）で濃縮回収し，再利用するといっ
た試みがなされている（特開平７−３２８６４２号公報，特開平５−１７８８９号
公報参照・・・蒸発法や逆浸透膜法により濃縮する方法は，アルカリ可溶性の）。
フォトレジストとテトラアルキルアンモニウムイオンが共に濃縮されるため，処理
後の廃液は廃棄処分せざるを得ない。活性汚泥により生物分解処理する方法は，テ
トラアルキルアンモニウムイオンの生物分解性が悪く，また，他の有機物成分が廃
液に混在している場合は，該他の有機物成分を分解する微生物の方の増殖が活発と
なり，テトラアルキルアンモニウムイオンを分解する微生物の増殖が不活発となる
ので更にその生物分解性が悪くなるため，低濃度の廃液の場合しか処理できず，大
規模な処理施設が必要となる。また，電気透析や電解によりテトラアルキルアンモ
ニウムイオンを好ましくは水酸化物の形で濃縮回収する方法が公害対策や資源の有
効活用等の点でベストであるが，高純度とするためにはランニングコストが掛り，
また，脱塩廃液として排出される排水の量（容積）が殆ど又は余り減らないという
問題がある・・・発明が解決しようとする課題】従って，本発明の目的は，フォ。【
トレジスト及びテトラアルキルアンモニウムイオンを含有する現像廃液の上述のよ
うな従来の処理方法の欠点を解消し，ランニングコストを低減でき，処分される排
水の量（容積）も減少できるフォトレジスト現像廃液の再生処理方法及び装置を提
供することである（段落【０００２】∼【０００６）。」】
「発明の効果】本発明のフォトレジスト現像廃液の再生処理方法では，少なくと【
もフォトレジストを含むテトラアルキルアンモニウムイオン含有フォトレジスト現
像廃液に対して，ランニングコストが低く且つ操作が容易なＮＦ膜分離処理を行う
ことによって，フォトレジスト及びその他の不純物をＮＦ濃縮液側に除去し，ＴＡ
Ａイオンを主として含むＮＦ透過液の純度を簡単に高くすることができる・・・。
このＮＦ膜分離処理によって，フォトレジストと共にイオン交換処理でも除去が難
しいＦｅやＡｌ等の金属成分やシリカ等の不純物をかなり除去できるので，イオン
交換処理の代わり又はイオン交換処理と組み合わせてＮＦ膜分離処理を有効に用い
ることができる・・・半導体デバイス，液晶ディスプレイ，プリント基板等の特。
に不純物を嫌う電子部品の製造等に用いる現像液としてフォトレジスト現像廃液を
再生処理するに当たって，例えば，電気透析及び／又は電解，必要に応じて更にイ
オン交換処理等の精製処理操作を行う場合は，前もってＮＦ膜分離処理を行うこと
によりこのような操作に対する不純物（特にフォトレジスト）負荷の軽減を図るこ
とができ，システムのトータルランニングコストを低減することができる・・・。
また，ＮＦ透過液を電気透析装置又は電解装置の濃縮セルに通液し，一方，ＮＦ濃
縮液を同装置の脱塩セルに通液すれば，脱塩廃液として排出する排水の量を少なく
することができる（段落【００８８】∼【００９１）。」】
以上の記載によると，本件発明は，フォトレジスト及びテトラアルキルアンモニ
ウムイオンを含有する現像廃液の従来の再生処理方法の問題点を解消し，ランニン
グコストを低減し，処分される排水の量（容積）を減少させることができる再生処
理方法及び装置を提供することを目的として，ＮＦ膜による膜分離処理という手段
を採用したものであることが認められる。
３甲２（特開平５−１０６０７４号公報）には，名称を「水酸化テトラアルキル
アンモニウムの再生方法」とする発明に関し「本発明はＬＳＩ，超ＬＳＩ等の集，
積回路の製造工程，液晶表示装置の製造工程等に回路パターン等のフォトリソグラ
フィーによる微細加工の際に現像剤として使用される，水酸化テトラアルキルアン
モニウムの再生方法に関する（段落【０００１【産業上の利用分野「ポジ。」】】），
型レジストの現像液として使用した水酸化テトラメチルアンモニウム等のテトラア
，。ルキルアンモニウムの水酸化物の水溶液は従来は単に廃液として処分されていた
この廃液には，フォトレジストの主要な成分であるノボラック樹脂をはじめとする
有機物が含まれており，また，テトラアルキルアンモニウム水酸化物には窒素が含
まれているために，水質汚染の原因となるためにそのまま投棄することはできず，
各種の処理工程を経て処分されていた。また使用量の増加によって処理すべき廃液
量も多くなっており，廃液の活用，廃液量の減少が求められていた（段落【００。」
１０【発明が解決しようとする課題「特願平２−４０８０５２号・・・の方】】），
法では・・・廃液中のテトラアルキルアンモニウムを完全に再生利用することは，
できなかった（段落【００１１「特願平３−１７１８３１号・・・の方法で。」】），
は・・・ＣＯＤ（Ｍｎ）値は，約１０００ｐｐｍにも達し，現像液として市販さ，
れている高純度水酸化テトラアルキルアンモニウム中の１０ｐｐｍと比べるとはる
かに大きく，用途によっては好ましくないというという問題点を有していた（段。」
落【００１２】∼【００１４）との記載がある。】
甲２の以上の記載によれば，同引用例にはフォトレジスト現像廃液からテトラア
ルキルアンモニウムイオンを効率的に回収再生するという本件発明１と近似した課
題が記載されているということができる。
４本件発明１と甲２発明の相違点イについての審決の認定判断について検討す
る。
(1)本件特許出願前におけるＮＦ膜に関する技術状況
ア甲４（大谷敏郎外著「多彩な用途に対応するナノ分離膜の新展開「化学，」，
装置，株式会社工業調査会，１９９５年９月１日）には，ＮＦ膜の開発の経緯と」
して「低塩濃度の地下水や河川水などの淡水化や廃水処理，半導体や医療用の超，
純水の製造にまでＲＯ膜の用途が広がると，それぞれの使用目的にあった膜が必要
になった。特に操作圧力が高いことは，高圧用のポンプや耐圧性の高い配管材が必
要なだけではなく，ランニングコストの増加も招くため，操作圧力を下げることが
ＲＯ膜を導入する際に必要になった。また，膜の用途が広がるにつれ，従来の塩類
だけを分離の対象としていたＲＯ膜と高分子物質を分離の対象としていたＵＦ膜の
中間の分離特性を持つ膜，分子量で数百程度の物質を分離する膜が望まれるように
なったこのような背景から最近２種類の新しい膜が開発された１つは１５ｋｇ。，。
・ｃｍ以下の圧力で操作でき，しかも塩化ナトリウムの阻止率が９０％以上の−２
低圧高阻止率型のＲＯ膜である。もう１つは，塩化ナトリウムの阻止率が９０％以
下と低いが，１５ｋｇ・ｃｍ以下の操作圧力で従来のＲＯ膜よりはるかに高い−２
透過流束（単位時間，単位膜面積当り，透過する溶液の量）が得られる，低圧低阻
止率型（低圧高透過水型ともいう）のＲＯ膜である。このうちの低圧低阻止率型Ｒ
Ｏ膜が，一般的にナノ濾過膜と呼ばれるものである。ＮＦ膜は，分子量百から数百
程度の物質をきわめて良く阻止し，この点からは，より分画分子量の小さいＵＦ膜
といえよう。ＮＦ膜のおおまかな定義は『操作圧力が１５ｋｇ・ｃｍ以下，分，−２
画分子量が２００から１，０００で，塩化ナトリウムの阻止率が９０％以下の膜』
とされる（４６頁右欄１０行から末行）との記載がある。。」
また，ＮＦ膜の特徴について「ＮＦ膜の特徴の一つは，荷電を持っていること，
で，このことが低い圧力で高い塩類阻止性能が得られたり，分画分子量が数百の膜
でも塩類がある程度阻止される大きな原因であると考えられている。また，膜の荷
電と分子の荷電状態を利用して，同じような大きさの分子でも分離が可能である。
アスパラギン酸，イソロイシン，オルニチンの分子量はそれぞれ１３３，１３１，
１３２とほとんど同じであるが，等電点はｐＨ２．８，５．９，９．７と異なって
いる。アミノ酸は水溶液中で等電点を境に，アルカリ側で負荷電，酸側で正荷電を
持つことが知られている。図１に示したようにｐＨによって上記のアミノ酸の阻止
率は大きく異なり，ｐＨによってはアミノ酸同士の分離が可能である（４７頁右。」
欄５行から４８頁左欄３行）との記載がある。
，（），，以上の記載によると１９９５平成７年当時膜分離技術の分野においては
従来の塩類だけを分離の対象としていたＲＯ膜，高分子物質を分離の対象としてい
たＵＦ膜に加え，分子量１００から数１００程度の物質を分離できる膜が求められ
ていたところ，これに対応するものとして，前記の分離膜（ＲＯ膜及びＵＦ膜）の
（），（，中間特性を有するナノ濾過膜ＮＦ膜が開発され注目を集めていたことなお
甲４の筆者はＮＦ膜を「操作圧力が１５ｋｇ・ｃｍ以下，分画分子量が２００−２
から１，０００で塩化ナトリウムの阻止率が９０％以下の膜」と定義している，。）
当時開発されたナノ濾過膜ＮＦ膜のうち我が国で入手可能なものとしてメー（），，
カー７社から２０種類以上が発売されており（甲４の４７頁表１。なお，本件明細
書中の実施例１で使用されたＮＦ膜である日東電工(株)のＮＴＲ−７４５０も同表
中に含まれている，ＮＦ膜は，分子量１００から数１００程度の物質を極めて良。）
く阻止していたこと，ＮＦ膜の特徴の１つとして，荷電を持っていることが指摘さ
れ，この特徴が物質の阻止性能に大きく影響するものと思われていたこと，また，
ＮＦ膜の分離特性は，供給液濃度，操作圧力，供給液温度などの操作条件により阻
止性能が大きく変化することが指摘されていたことが認められる。
イ甲６（ニューメンブレンテクノロジーシンポジウム’９６」１９９６年日「
本膜学会）には，ＮＦ膜の開発の経緯に関して「・・・このような低レベルの有，
機物の除去に対して，従来の凝集−沈殿−ろ過による浄水処理技術のみでは対応で
きなくなる可能性がある・・・わが国でも１９９１年度より官民共同研究として。
，，（），３ヶ年のＭＡＣ２１計画がスタートし・・・そこでは主にＭＦ膜精密ろ過膜
ＵＦ膜（限外ろ過膜）が用いられ，水道原水中の懸濁物の除去が検討され，水道用
の凝集−沈殿−ろ過の代替技術として信頼性，経済性の両面で適用可能であること
が実証された。しかし，ＵＦ膜やＭＦ膜では，低分子量有機化合物である消毒副生
成物や有機塩素系化合物及び農薬，硝酸性窒素などの除去は困難である。そこで，
１９９４年度より３ヶ年の第２期研究がニューＭＡＣ２１としてスタートした。こ
の研究では・・・最近注目されているＮＦ膜（ナノろ過膜）による浄水処理方法，
の可能性が検討されている・・・一般の河川水を各処理方法で処理した場合，各。
水質項目の基準値を満足するかどうかの概略の評価を表１に示す。特にＲＯ膜（逆
浸透膜，ＮＦ膜（ルースＲＯ膜ともいう）による処理方法が従来の浄水処理技術）
では除去が困難な低分子量有機物，農薬，硝酸性窒素等の除去に有効な方法である
。」（）。ことを示している４−３−１左欄下から１３行∼右欄１９行との記載がある
また，ＮＦ膜の性能に関して「ＮＦ膜の阻止率は表２に示すように溶質に大きく，
依存しておりさまざまである・・・また，ＮＦ膜は，一般には無機化合物に比較。
して有機化合物の阻止率が高いのが特徴となっている。各種ＮＦ膜の分画分子量を
表３に示す。分画分子量は１００∼１０００と膜の種類によって異なるが，食塩阻
止率の高い膜ほど分画分子量は小さい。ＮＦ膜は各社からさまざまな性能のものが
開発・製品化されているが，その有用性は有機物阻止性能にあるといえる（４−。」
），「，，３−２右欄１９行から３３行との記載があるほか国内においてはＲＯ膜が
浄水処理技術として検討されはじめてまだ日が浅い・・・一方，浄水用途におけ。
るＮＦ膜の選定に際し，その要求機能が『有害物質のみを除去し，他の成分は膜を
透過する』というものである以上ＮａＣｌの阻止率のみからはその適用の可否は判
断できず，実際の浄水用途への類似の適用事例データが不可欠となる。早急にその
ような事例データが蓄積されることが望まれる（４−３−５左欄１０行から３１。」
行）との記載がある。
，（），，以上の記載によると１９９６平成８年当時浄水処理の技術分野において
従来の凝集−沈殿−ろ過に代替する技術として，ＭＦ膜（精密ろ過膜）及びＵＦ膜
（限外ろ過膜）が開発されていたが，水道原水中の低分子量有機化合物の除去は困
，，難であったためその除去を可能にする分離膜としてＮＦ膜が注目されていたこと
ＮＦ膜には様々な種類があり，ＮＦ膜の阻止性能は種類によって異なるため，浄水
処理の用途に応じたＮＦ膜を選定するには，各種のＮＦ膜に関する適用事例データ
が必要となることなどが指摘されていたと認められる。
ウ前記３に説示した本件発明１に近似した課題，すなわち，フォトレジスト現
像廃液からテトラアルキルアンモニウムイオンを効率的に回収再生する課題の解決
を目的とした甲２発明の課題解決手段についてみると，甲２（特開平５−１０６０
７４号公報）によれば，甲２発明の構成において，分離濾過膜による濾過は，ノボ
ラック樹脂などからなる不溶解性有機物の沈澱物を除去する目的で，回収対象物で
ある水酸化テトラアルキルアンモニウムとそれ以外の物質との分離を図る一連の工
程の中の一工程と位置付けられていること，実施例１においては，中和後の現像廃
液を分画分子量１５０００の限外ろ過膜で精密ろ過していることが認められる。
エ以上のアないしウに説示したところによれば，膜を用いて様々な物質が混在
する液体から所定の物質を分離する技術においては，主として塩類を分離対象とす
るＲＯ膜と高分子物質を分離対象とするＵＦ膜（限外ろ過膜）が主流であったが，
平成６∼７年ころからこれらの膜では分離することができなかった低分子量の有機
化合物を分離対象としたＮＦ膜が注目を集めるようになり，平成７年ころには我が
国で２０種類以上のＮＦ膜が入手可能な状況にあったこと，ＮＦ膜の特徴の１つと
して，電荷を有することが指摘され，この性質がＮＦ膜の濾過性能に大きな影響を
及ぼすと考えられていたことなどが認められる。
５前項に認定した本件特許出願前におけるＮＦ膜に関する技術状況を踏まえ，相
違点イに関する審決の認定判断を検討する。
前項に認定したところによれば，本件特許出願前の膜分離技術の一般的状況につ
いては，従来のＲＯ膜やＵＦ膜では分離することができない分子量１００から数１
００程度の物質を分離することができる膜が求められていたところ，この要求を満
たすものとしてＮＦ膜が開発され，メーカー各社から２０種類を超える製品が販売
されている状況にあり，甲７によると，テトラアルキルアンモニウムイオンに属す
るテトラメチルアンモニウムイオンの分子量は約９１であることが認められるので
あるから，テトラアルキルアンモニウムイオンを分離するために，従来の分離膜に
代えてＮＦ膜を採用してみようとする程度のことは，当業者にとって極めて普通の
着想であるといわなければならない。特にこの点は，ＮＦ膜を格別限定することな
くＮＦ膜一般を構成要件とする本件発明１においては，要するに，ＮＦ膜を分離膜
として採用したというに止まるのであるからなおさらである。もっとも，ＮＦ膜の
特徴の１つとして電荷を有する点が指摘されており，この電荷が分離対象物質の有
する電荷との関係で，透過性にいかなる影響を及ぼすかについては，必ずしも十分
に解明されておらず，法則性をもってその影響を予測することは困難な状況にあっ
たものであるが，この点は，事前にＮＦ膜の分離効果を確実性をもって予測し難い
というにとどまるものであるから，低分子量の物質を膜分離する目的でＮＦ膜を採
用してみる程度の企図にとって，障害となるものとまでいうことはできない。
したがって，フォトレジスト廃液中のテトラアルキルアンモニウムイオンをろ過
膜を使用して分離しようとする当業者が，従来の膜に替えてＮＦ膜を採用しようと
することは，当時の周知の膜分離に関する技術状況からすると，格別困難なことと
はいえないから，審決の相違点イの判断は誤りといわざるを得ない。
６被告は，本件発明１の相違点イに係る構成は当業者が容易に想到し得るもので
はないと主張する。
被告の多岐にわたる主張の要点は，審決と同様，本件特許出願前，当業者がテト
ラアルキルアンモニウムイオンのＮＦ膜の透過可能性を予測することは困難であっ
たという点にあり，このような予測可能性がなければＮＦ膜を採用しようと動機付
けられることもないとするものである。
そこで検討するに，確かに，本件特許出願前にＮＦ膜がテトラアルキルアンモニ
ウムイオンを透過することを指摘した技術文献がないことは被告の主張するとおり
である。しかし，このことから直ちにＮＦ膜を採用しようと動機付けられないとい
えないことは，前項に説示したところに照らして明らかである。ＮＦ膜が有する電
荷の影響が分離対象物質の挙動に複雑な影響を及ぼすものであり，テトラアルキル
アンモニウムイオンのＮＦ膜の透過可能性について予測することが困難であったと
しても，このような事情は，ＮＦ膜のテトラアルキルアンモニウムイオンの透過可
能性を否定したものではないのであるから，ＮＦ膜の持つ低分子量の化合物の分離
に極めて有効であるという従来の膜にない一般的特徴を根拠に，優れた透過性能を
期待してこれを分離膜として採用してみようとする動機付けの障害となるものでは
ないというべきである。
以上の次第であるから，ＮＦ膜をテトラアルキルアンモニウムイオンが透過する
ことの予測が困難であったことを理由とする被告の主張は，採用することができな
い。
７そうすると，取消事由７に係る原告の主張は理由があり，本件発明１は甲２発
明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるというべきであるか
，，。ら審決はこの点の判断を誤ったものと言わざるを得ず取消事由７は理由がある
８本件発明２∼５，７及び８は，いずれも本件発明１の特定事項のすべてを引用
するものであり，当該引用部分については，本件発明１と同様の理由により，甲２
発明に基づいて当業者が容易に想到することができたというべきであるし，また，
その余の各構成部分について格別の主張もないことからみて，上記各発明は，甲２
発明に基づいて当業者が容易に発明することができたというべきであり，取消事由
８は理由がある。
９審決は，本件発明９と甲２’発明との相違点について，相違点イと同様の内容
の相違点イ’を認定し，甲２’発明に基づいて相違点イ’に関する特定事項を具備
するようにすることは当業者が容易に想到することはできないとした。
しかし，相違点イ’についての審決の判断は，取消事由７についての上記説示と
同様の理由により誤りであるから，取消事由９は理由がある。
１０本件発明１１は本件発明９の特定事項をすべて引用するものであり，当該引
用部分については，本件発明９と同様の理由により，甲２’発明に基づいて当業者
が容易に想到することができたというべきである。また，その余の構成部分につい
て格別の主張もないことからみて，本件発明１１は甲２’発明に基づいて当業者が
容易に発明することができたものというべきであり，取消事由１０は理由がある。
第６結論
以上のとおりであるから，その余の点について検討するまでもなく，審決は取消
しを免れない。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官
田中信義
裁判官
石原直樹
裁判官
杜下弘記

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