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平成１４年（行ケ）第１３０号　特許取消決定取消請求事件
平成１５年５月２２日口頭弁論終結
判　　　　　　決
原　　　　　　告　　　東京応化工業株式会社
訴訟代理人弁護士　　　稲　元　富　保
訴訟代理人弁理士　　　小　山　　　有
被　　　　　　告　　　特許庁長官　太田信一郎
指定代理人　　　　西　川　恵　雄
同　　　　　　　　　　氏　原　康　宏
同　　　　　　　　　　高　木　　　進
同　　　　　　　　　　大　橋　良　三
同　　　　　　　　　　涌　井　幸　一
主　　　　　　文
特許庁が異議２００１－７２２４６号事件について平成１４年１月２８
日にした特許取消決定を取り消す。
訴訟費用は被告の負担とする。
事実及び理由
第１　当事者の求めた裁判
１　原告
主文と同旨。
２　被告
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
第２　当事者間に争いのない事実
１　特許庁における手続の経緯
原告は，発明の名称を「被膜形成方法」とする特許第３１３５８４６号の特
許（平成８年８月２７日に，平成元年９月１３日出願の平成１年特許願第２３８１
４２号の分割出願として特許出願（以下「本件出願」という。），平成１２年１２
月１日に特許権設定登録，以下「本件特許」という。）の特許権者である。
本件特許（請求項の数は１である。）について，特許異議の申立てがなさ
れ，特許庁は，この申立てを，異議２００１－７２２４６号として審理し，その結
果，平成１４年１月２８日に，「特許第３１３５８４６号の請求項１に係る特許を
取り消す。」との決定をし，同年２月１８日にその謄本を原告に送達した。
２　特許請求の範囲（請求項１）
「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って，上流側から
下流側に向かって，塗布装置，減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形成ライ
ンによる被膜形成方法であって，この被膜形成方法は，塗布装置にて表面に塗布液
が塗布された被処理物を減圧乾燥装置に送り込み，この減圧乾燥装置において，被
処理物表面に塗布された塗布液をある程度乾燥せしめ，次いでこのある程度塗布液
が乾燥せしめられた被処理物を洗浄装置に送り込み，被処理物の表面から廻り込ん
で付着し，ある程度乾燥せしめられた余分な塗布液を除去するようにしたことを特
徴とする被膜形成方法。」（以下「本件発明」という。）
３　決定の理由
別紙決定書の写し記載のとおりである。要するに，本件発明は，特開昭６３
－２３４５３０号公報（甲第３号証。以下「刊行物１」という。）記載の発明（以
下「刊行物１発明」という。），米国特許第４５１０１７６号明細書（甲第４号
証。以下「刊行物２」という。）記載の発明（以下「刊行物２発明」という。）及
び周知の事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであって，
特許法２９条２項の規定に該当し，特許を受けることができない，というものであ
る。
決定が上記結論を導くに当たり認定した本件発明と刊行物１発明との一致
点・相違点は，次のとおりである。
（一致点）
「ガラス板や半導体ウェハー等の被処理物の搬送ラインに沿って，上流側か
ら下流側に向かって，塗布装置，減圧乾燥装置及び少なくとも一部の洗浄装置を配
置した被膜形成ラインによる被膜形成方法であって，この被膜形成方法は，塗布装
置にて表面に塗布液が塗布された被処理物を乾燥装置に送り込み，この乾燥装置に
おいて，被処理物表面に塗布された塗布液を乾燥せしめ，次いでこの塗布液が乾燥
せしめられた被処理物を洗浄装置に送り込み，被処理物の表面から廻り込んで付着
し，乾燥せしめられた余分な塗布液を除去するようにしたことを特徴とする被膜形
成方法。」である点
（相違点）
「塗布ラインに配置される洗浄装置が，前者では洗浄装置の全部であるのに
対して，後者では洗浄装置の一部である点。」（以下「相違点１」という。）
「乾燥装置が，前者は減圧乾燥装置であるのに対して，後者はプリべーク部
である点。」（以下「相違点２」という。）
「乾燥装置及び洗浄装置における塗布液の乾燥の程度が，前者はある程度の
乾燥であるのに対して，後者は，乾燥の程度が明らかではない点。」（以下「相違
点３」という。）
第３　原告主張の決定取消事由の要点
決定は，本件発明と刊行物１発明との一致点・相違点の認定を誤り，相違点
２，３についての判断を誤ったものであり，これらの誤りがそれぞれ結論に影響を
及ぼすことは明らかであるから，違法として取り消されるべきである。
１　本件発明と刊行物１発明との一致点・相違点の認定の誤り
(1)　決定は，「後者（判決注・刊行物１発明）の「レジスト周辺除去装置１
１」及び「現像処理の装置」は，両者で半導体基板４の周辺，側面及び裏面に付着
したレジストを除去する機能を有するものであるから，前者（判決注・本件発明）
の洗浄装置に相当し，後者の「レジスト周辺除去装置１１」は，不要なレジスト部
分を，その後の現像処理により除去し得るように，半導体基板の周辺，側面及び裏
面部分に，紫外線等のレジストを露光する波長の光を含んだ光線を照射するもので
あって，レジスト周辺除去装置１１による紫外線等の照射はレジスト周辺除去工程
の一部と認められるから，前記「レジスト周辺除去装置１１」は，前者の「洗浄装
置の一部」というべきものである。」（決定書４頁第２９行～３７行）と認定し上
で，これを前提として，本件発明と刊行物１発明とは，「ガラス板や半導体ウェハ
ー等の被処理物の搬送ラインに沿って，上流側から下流側に向かって，塗布装置，
減圧乾燥装置及び少なくとも一部の洗浄装置を配置した被膜形成ラインによる被膜
形成方法であって，この被膜形成方法は，塗布装置にて表面に塗布液が塗布された
被処理物を乾燥装置に送り込み，この乾燥装置において，被処理物表面に塗布され
た塗布液を乾燥せしめ，次いでこの塗布液が乾燥せしめられた被処理物を洗浄装置
に送り込み，被処理物の表面から廻り込んで付着し，乾燥せしめられた余分な塗布
液を除去するようにしたことを特徴とする被膜形成方法。」（決定書５頁４行～１
１行）である点で一致し，「塗布ラインに配置される洗浄装置が，前者（判決注・
本件発明）では洗浄装置の全部であるのに対して，後者（判決注・刊行物１発明）
では洗浄装置の一部である点」（決定書５頁１３行～１４行。相違点１）で相違す
る，と認定した。しかし，決定の上記一致点・相違点の認定は，誤りである。
(2)　刊行物１発明の搬送ライン上に存在する「レジスト周辺除去装置１１」
は，露光装置のことである。露光装置が洗浄装置でないことは，技術常識に照らし
明らかである。刊行物１発明においては，現像の後にリンスつまり洗浄工程がある
ため，現像処理も洗浄とは異なるものである。現像液によって不要な部分を除去す
るという機能面からみて，刊行物１発明の現像装置が本件発明の洗浄装置に相当す
る，と解する余地はあるものの，露光装置を，洗浄装置そのものであるとか，洗浄
装置の一部であるとか解する余地はない。
刊行物１発明における「レジスト周辺除去装置と現像処理の装置を合わせ
たもの」は，プリベークが終了したポジ型ホトレジストに光を照射して，照射した
部分をアルカリ可溶化せしめ，この後，現像液（アルカリ液）によって光を照射し
た部分を除去する，というものである。
本件発明の「洗浄装置」は，基板周辺部の生乾き状態の塗布液に洗浄液を
吹き付けて除去するというものである。
刊行物１発明の「レジスト周辺除去装置と現像処理の装置」と本件発明の
「洗浄装置」との間には，上記のような相違がある。決定は，上記相違点を看過し
た結果，誤って両者が一致すると認定した。相違点１の認定は，この誤った認定の
下になされたものである。
２　相違点２についての判断の誤り
決定は，相違点２（乾燥装置が，前者は減圧乾燥装置であるのに対して，後
者はプリべーク部である点）につき，「レジスト塗布後のプリベークによる乾燥を
減圧条件下で行うことは，刊行物３～７（判決注・後記甲第５ないし第９号証刊行
物）に示されているように，本件特許出願の出願前において，斯界では周知の事項
である。してみると，刊行物１記載の発明のプリベーク部による乾燥を，上記周知
の事項を適用して，減圧条件下で行うようにすることは，当業者が容易に想到し得
ることと認められ，しかも，周知の事項を適用することを阻害する特段の事情も認
められない。したがって，刊行物１記載の発明に周知の事項を適用して，相違点１
（判決注・「相違点２」の誤記であると認める。）に係る構成を本件発明のように
設けることは，当業者が容易になし得るといわざるを得ない。」（決定書５頁２８
行～３７行）とした。しかし，この認定判断は誤りである。
本件発明の「減圧乾燥装置」は，本件出願の願書に添付された明細書及び図
面（以下，両者を併せて「本件明細書」という。甲第２号証はこれに係る特許公報
である。）全体の記載，及び，加熱する場合には塗布液の表面が先に乾燥してしま
い生乾きにすることが困難であるという技術常識に照らすと，加熱を併用する減圧
乾燥装置を除外するものであることが明らかである。
刊行物１発明のプリベーク炉で行われる塗布液の加熱乾燥においては，表層
の固化が優先的に進む。そのため，同炉において塗布液を生乾き状態にするために
は，加熱温度を細かく制御する必要がある。プリベーク炉でこのような制御をする
ことは，極めて困難である。連続して被処理物を処理する場合には，前の処理によ
って炉内が加熱されているので，最初の数枚の被処理物と，処理がある程度進んだ
時点の被処理物とで，加熱時間を変えなければならないことになる。このようなこ
とは極めて困難である。刊行物１に記載されたプリベーク炉での加熱乾燥で，塗布
液を生乾き状態にすることは，実質的に不可能である。
特開昭６２－２２４３１号公報（甲第５号証），特開昭６０－２１５２２号
公報（甲第６号証），特開昭６３－２２９８２９号公報（甲第７号証），特開昭６
３－５２４１０号公報（甲第８号証），特開平１－１３０５２５号（甲第９号
証。）（以下，これらを併せて「甲第５ないし第９号証刊行物」ということがあ
る。）に，「レジスト塗布後のプリベークによる乾燥を減圧条件下で行うこと」が
開示されていることは，決定の述べるとおりである。しかし，上記各刊行物記載の
発明はいずれも加熱処理を行うものであるから，これらの刊行物の記載をもって，
直ちに，刊行物１のプリベーク部を，加熱手段を有さない本件発明の「減圧乾燥装
置」に置換することが容易であるとすることはできない。
３　相違点３についての判断の誤り
(1)　決定は，相違点３（乾燥装置及び洗浄装置における塗布液の乾燥の程度
が，前者はある程度の乾燥であるのに対して，後者は，乾燥の程度が明らかではな
い点）につき，本件発明における「ある程度乾燥」とは，「洗浄に極めて長時間を
要しない乾燥状態」であり，「完全乾燥を除く乾燥の程度が進んだ状態」である
（決定書７頁１１行～１２行），と認定し，これを前提に，「刊行物２には，フォ
トレジストのような塗布液をほとんど乾燥させた後，ほとんど乾燥せしめられた余
分な塗布液を除去することが記載されており，刊行物２記載の発明の「ほとんど乾
燥」は，完全乾燥ではない乾燥が進んだ状態であるから，本件発明の「ある程度乾
燥」の範疇に属する乾燥状態であると認められる。そして，刊行物２記載の発明
は，刊行物１記載の発明と同じく，「半導体ウェハー等の被処理物に対する被膜形
成方法」という技術分野に属するものであるから，刊行物１記載の発明に刊行物２
記載の発明を組み合わせ，相違点３に係る構成を本件発明のように設けることは，
当業者が容易になし得るものである。」（決定書７頁１６行～２５行）と認定判断
した。しかし，決定の上記認定も，これを前提とする認定判断も誤りである。
本件発明の特許請求の範囲にいう「ある程度乾燥」とは，本件明細書中の
発明の目的，作用・効果の記載によれば，基材表面に塗布された塗布液が搬送の振
動で波打ったり，裏面に回りこんだり，塗布液を除去した跡に新たな塗布液が流れ
込んだりしない範囲で，できるだけ液体に近い状態の乾燥，すなわち，「生乾き」
状態を指すことが明確である。すなわち，本件発明における「ある程度乾燥」と
は，決定のいう「洗浄に極めて長時間を要しない乾燥状態」とは異なる状態であ
る。あえて洗浄時間を基準として規定するならば，「洗浄に長時間を要しない乾燥
状態」である。ここに「洗浄に長時間を要しない乾燥状態」とは「完全乾燥」と
「ほとんど乾燥」とを除く乾燥の程度が進んだ状態のことである。
(2)　刊行物２発明における「ほとんど乾燥」は，フォトレジストが最終的な厚
さになるまで基板を２０００ｒｐｍから５０００ｒｐｍで高速回転させた場合の乾
燥状態であるから，「完全乾燥」に近い状態，完全ではないが極めて完全に近い，
あるいは完全とみなしてもよい程度の乾燥のことをいい，本件発明における「ある
程度乾燥」とは異なる，というべきである。
第４　被告の反論の要点
決定の認定判断は正当であり，決定に取消事由となるような誤りはない。
１　本件発明と刊行物１発明との一致点・相違点の認定の誤り，の主張について
刊行物１には，「次にレジストを塗布された半導体基板４は・・・レジスト
周辺除去装置１１（第１図）に搬送される。・・・このときに光源１より発生する
光線例えば４３６ｎｍの波長を含んだ光線を，・・・半導体基板４の周辺，側面及
び裏面部に照射する。・・・次に本発明によるレジスト周辺除去装置による処理が
終了した後，半導体基板４はアンローダー部１２に収納され，後で行われる現像処
理時に半導体基板４のレジスト不要部分が完全に除去される。」（甲第３号証第２
頁左下欄２０行～右下欄２０行），「本発明はレジストの回転塗布終了後に，レジ
ストを塗布された半導体基板の周辺，側面及び裏面部分に被着している不要なレジ
スト部分のみに，紫外線等のレジストを露光する波長の光を含んだ光線を照射した
後，その後の現像処理により不要なレジスト部分を完全に除去できる効果があ
る。」（同３頁左上欄９行～１５行）との記載がある。
刊行物１のこれらの記載によれば，刊行物１発明において，露光を行う「レ
ジスト周辺除去装置１１」と「現像処理の装置」とは，両者が一体不可分の関係
で，半導体基板４の周辺，側面及び裏面に付着したレジストを除去するという，作
用・機能を発揮しているということができる。
本件明細書の特許請求の範囲には，「被処理物を洗浄装置に送り込み，被処
理物の表面から廻り込んで付着し，ある程度乾燥せしめられた余分な塗布液を除去
するようにした」（甲第２号証１欄９行～１２行）との記載があり，同記載によれ
ば，本件発明の「洗浄装置」は，被処理物周辺部の塗布液を除去するという，作
用・機能を発揮する装置であるということができる。
決定は，刊行物１発明における「レジスト周辺除去装置１１」と「現像処理
の装置」とを合わせたものと，本件発明の「洗浄装置」とが，共に，被処理物周辺
部の塗布液を除去するという，同一の作用・機能を発揮していることをとらえて，
その同一の作用・機能を発揮している限りにおいて刊行物１記載の発明の「レジス
ト周辺除去装置１１」及び「現像処理の装置」が本件発明の「洗浄装置」に相当す
る，と認定したものである。決定の上記認定に誤りはなく，この認定を前提とする
本件発明と刊行物１発明との一致点・相違点の認定にも誤りはない。
２　相違点２についての判断の誤り，の主張について
レジスト塗布後のプリベークによる乾燥を減圧下で行うことは，甲第５ない
し第９号証刊行物に示されているように，刊行物１発明の属する「半導体ウェハー
のレジスト被膜形成」の技術分野において周知の事項であり，刊行物１発明に上記
周知の事項を適用することを阻害する特段の事情も認められない。刊行物１発明の
プリベーク部による乾燥を減圧条件下で行うようにすることは当業者が容易に想到
し得るとした，決定の判断に誤りはない。
原告の主張は，本件発明の減圧乾燥が，非加熱乾燥であることを前提とする
ものである。しかし，①本件明細書には，特許請求の範囲はもちろん発明の詳細な
説明，図面のいずれにも，本件発明の減圧乾燥を非加熱条件下で行う，との記載が
全くないこと，②甲第５ないし第９号証刊行物には，減圧乾燥として，加熱条件下
の乾燥（甲第５ないし第８号証刊行物参照）と非加熱条件下の乾燥（甲第９号証刊
行物第３頁右上欄１８行～左下欄３行参照）との双方が存在することが示されてい
ることからすれば，原告の主張は，本件明細書の記載に基づかないものというべき
であり，失当である。
３　相違点３についての判断の誤り，の主張について
(1)　本件発明にいう「ある程度乾燥」の文言も，刊行物２記載の「ほとんど乾
燥」の文言も，いずれも乾燥の程度を定量的に厳密に表現するものでないため，両
者を文言のみで対比してその関係を判断することはできない。本件発明にいう「あ
る程度乾燥」と刊行物２発明の「ほとんど乾燥」の関係は，それぞれの発明の作
用・効果を含めた技術的意義に照らして判断する必要がある。
決定は，本件明細書の発明の詳細な説明中の「【発明が解決しようとする
課題】しかしながら，被処理物の裏面を洗浄液によって裏面に廻り込んだ塗布液を
除去しても，またすぐに表面側から塗布液が廻り込んでしまう。逆に，表面側の塗
布液を完全に乾燥させ塗布液が廻り込まないようにしてから洗浄すると，洗浄に極
めて長時間を要することになる。」（甲第２号証段落【０００５】），「【課題を
解決するための手段】・・・被処理物に塗布した液体がある程度乾燥した後に，裏
面洗浄を行なうので，塗布した液体が再び裏面に廻り込むことがない。ここで，
「ある程度乾燥せしめる」とは所謂「生乾き」状態を指し，完全乾燥を含まないの
は，発明の目的から当然である。」（同号証段落【０００６】，「【発明の効
果】・・・塗布装置にて被処理物に塗布された塗布液を，減圧乾燥装置にて所謂生
乾きの状態にして洗浄装置に送り込むようにしたので，表面に塗布された塗布液が
搬送の振動で波打ったり，表面に塗布した塗布液が裏面に過度に廻り込んだり，更
には裏面に廻り込んだ塗布液が落下することを防止でき，しかも完全に乾燥させて
いないので，簡単に溶媒（洗浄液）に溶解し，裏面洗浄の時間を短縮することがで
きる。」（同号証段落【００１８】）との記載に基づいて，本件発明における「あ
る程度乾燥」の語について，「塗布液が裏面に廻り込むことがなく，しかも，洗浄
に極めて長時間を要しない，乾燥状態」を意味し，「洗浄に極めて長時間を要しな
い」乾燥状態とは，完全乾燥を除く乾燥の程度が進んだ状態であると解したもので
あり，その認定判断に誤りはない。
(2)　刊行物２発明は，「ほとんど乾燥」の状態で，溶媒噴流によってレジスト
周辺部を除去しているから，当該「ほとんど乾燥」は，周辺部の除去を円滑に行い
得る乾燥状態というべきであり，また，乾燥状態であることから，当然に塗布液が
裏面に廻り込まない状態である。そして，「ほとんど乾燥」の状態において周辺部
を除去した後に，レジストを完全に乾燥させているから，「ほとんど乾燥」が完全
乾燥でもないことは明らかである。
(3)　上に述べたところによれば，決定が，作用・効果を含めた技術的意義に明
確な差異がないことを根拠に，刊行物２記載の「ほとんど乾燥」を本件発明の「あ
る程度乾燥」の範疇に属する，とした上で，刊行物１発明の乾燥装置及び洗浄装置
に，「ウエハ表面に塗布されたフォトレジストをほとんど乾燥させた後，ほとんど
乾燥せしめられたウエハ周囲の余分なフォトレジストを除去すること」という，刊
行物２発明を組み合わせ，相違点３に係る本件発明の構成とすることは，当業者が
容易になし得ることである，とした決定の判断にも誤りはない。
第５　当裁判所の判断
１　本件発明と刊行物１発明との一致点・相違点の認定の誤り，の主張について
(1)　原告は，決定が，刊行物１発明における「レジスト周辺除去装置１１」及
び「現像処理の装置」を合わせたものが，本件発明の「洗浄装置」に相当すると認
定した上で，この認定に基づき，両発明は，「洗浄装置」を備えている点において
一致する，と認定したことは，誤りである，と主張する。
(2)　刊行物１（甲第３号証）には，半導体基板周辺のレジストの不用部分の除
去方法に関し，次の記載がある。
ア「〔産業上の利用分野〕本発明は，マスクを用いて半導体基板（ウェハ
ー）の表面にパターンの転写を行うに先だって，ウェハー周辺，側面及び裏面部に
付着したレジストを除去する装置に関する。」（１頁左下欄１０行～１４行），
イ「第２図（判決注・別紙図面２参照）は本発明のレジスト周辺除去装置を
塗布機に組み込んだ一実施例である。
７はＣＲＴ（操作部を含む），８はローダー部，９は塗布処理部，１０
はプリベーク部，１１はレジスト周辺除去装置（第１図）（判決注・別紙図面２参
照），１２はアンローダーである。
半導体基板４はローダー部８より塗布処理部９に搬送され，その後レジ
ストを所望の膜厚に回転塗布をする。・・・次にレジストを塗布された半導体基板
４はプリベーク部１０において１００℃～１３０℃の範囲内の任意の温度でプリベ
ークを行い，レジスト周辺除去装置１１（第１図）に搬送される。ここで，半導体
基板４はチャック５により吸着固定され，モーター６により１０００～５０００ｒ
ｐｍの範囲内の任意の回転数で半導体基板４を回転させる。このときに光源１によ
り発生する光線例えば４３６ｎｍの波長を含んだ光線を，光ファイバー２を介して
投光器３から半導体基板４の周辺，側面及び裏面部に照射する。・・光線を照射す
る時間はレジストが完全に露光される時間以上照射する必要がある。次に本発明に
よるレジスト周辺除去装置による処理が終了した後，半導体基板４はアンローダー
部１２に収納され，後で行われる現像処理時に半導体基板４のレジスト不要部分が
完全に除去される。」（２頁左下欄１１行～右下欄２０行）
ウ「本発明はレジストの回転塗布終了後に，レジストを塗布された半導体基
板の周辺，側面及び裏面部分に被着している不要なレジスト部分のみに，紫外線等
のレジストを露光する波長の光を含んだ光線を照射した後，その後の現像処理によ
り不要なレジスト部分を完全に除去できる効果がある。」（３頁左上欄９行～１５
行）
上に認定した刊行物１の記載及び図面１，２によれば，刊行物１発明におけ
る「レジスト周辺除去装置１１」は，半導体基板の周辺，側面及び裏面部分に被着
しているレジストの不要部分のみに，紫外線等のレジストを露光する波長の光を含
んだ光線を照射する装置であり，「レジスト周辺除去装置１１」において可溶化さ
れたレジストは，その後，ライン上に設置されていない現像装置において現像液に
より溶解除去されるものであるということができる。
すなわち，刊行物１発明における「レジスト周辺除去装置１１」は，レジス
トを塗布され，プリベーク部１０において１００℃～１３０℃の範囲内の任意の温
度でプリベークをされた半導体基板周辺のレジストの不要部分を，その後の現像処
理により完全に溶解除去できるように，これを現像液との関係で可溶化する（現像
液によって溶解させられる状態にする）ものである。刊行物１発明においては，
「レジスト周辺除去装置１１」においてレジストを可溶化して初めて，「現像装
置」においてレジストの不要部分を除去できるものであるから，「レジスト周辺除
去装置１１」及び「現像装置」の両者を合わせたものが半導体基板周辺部の不要な
レジストの除去処理装置であり，搬送ラインには，このような除去処理装置のうち
の一部の装置が設置されているということができる。
(3)　本件明細書（甲第２号証はこれに係る特許公報である。）には，本件発明の
「洗浄装置」に関し，次の記載がある（別紙図面１参照）。
ア「【従来の技術】液晶基板として用いるガラス板にはガラス中のナトリウム
が液晶に悪影響を及ぼすのを防止したり，ガラス板の屈折率を調整するため，ガラ
ス板表面に所定の性質を有する被膜を形成している。斯かる被膜を形成するには，
被処理物の表面に被膜形成用の塗布液を滴下し，これをスピンナーによって均一に
拡げ，次いで加熱することで被膜とするようにしている。
上述した従来の装置において，スピンナーによって被膜形成用の液体を被
処理物表面に塗布する場合，被処理物の外端部まで拡がった塗布液の一部が被処理
物の裏面まで廻り込んでそのまま固まってしまう。
斯かる不利を解消するため，従来にあってはスピンナー装置と同一箇所に
おいて，被処理物の裏面に洗浄液を吹き付け，裏面まで廻り込んだ塗布液を除去す
るようにしている。」（段落【０００２】～【０００４】）
イ「【発明が解決しようとする課題】しかしながら，被処理物の裏面を洗浄液
によって裏面に廻り込んだ塗布液を除去しても，またすぐに表面側から塗布液が廻
り込んでしまう。逆に，表面側の塗布液を完全に乾燥させ塗布液が廻り込まないよ
うにしてから洗浄すると，洗浄に極めて長時間を要することになる。」（段落【０
００５】）
ウ「【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本発明に係る被膜形
成方法は，ガラス板や半導体ウェーハ等の被処理物の搬送ラインに沿って，上流側
から下流側に向かって，塗布装置，減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置した被膜形成
ラインによる被膜形成方法を前提とし，前記塗布装置にて表面に塗布液が塗布され
た被処理物を減圧乾燥装置に送り込み，この減圧乾燥装置において，被処理物表面
に塗布された塗布液をある程度まで乾燥せしめ，次いでこのある程度塗布液が乾燥
せしめられた被処理物を洗浄装置に送り込み，被処理物表面に既に廻り込んでいる
塗布液を除去するようにした。このように本発明によれば，被処理物に塗布した液
体がある程度乾燥した後に，裏面洗浄を行なうので，塗布した液体が再び裏面に廻
り込むことがない。ここで，「ある程度乾燥せしめる」とは所謂「生乾き」状態を
指し，完全乾燥を含まないのは，発明の目的から当然である。」（段落【０００
６】）
エ「以上において被処理物Ｗの表面に被膜を形成する方法を以下に述べる。先
ず投入部１まで搬送されてきた被処理物Ｗを搬送装置６を用いて塗布用スピンナー
２のチャック２２上に移載する。この場合，被処理物はその前後端下面を一対の水
平バー６２，６２の支持爪６３にて係止された状態で移される。
この後ノズル２３からチャック２２上に保持されている被処理物２表面の
中央に被膜形成用の塗布液をを均一に拡げる。この時，被処理物Ｗの外端部下面に
は被膜形成用の液体の一部が廻り込んでいるがそのまま減圧乾燥装置３に搬送して
ある程度まで乾燥せしめる。
次いで搬送装置６によって被処理物を洗浄用スピンナー４のチャック４２
上に移載し，チャック４２で吸着した状態で被処理物Ｗを高速回転せしめるととも
に仮面にノズル４３から洗浄液を噴出し，下面に廻り込んである程度固まった塗布
液を洗い落とす。」（段落【００１４】～【００１６】）
オ「【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば，被処理物の搬送ラ
インの上流側から下流側に向かって，塗布装置，減圧乾燥装置及び洗浄装置を配置
した被膜形成ラインによって被膜を形成するにあたり，塗布装置にて被処理物に塗
布された塗布液を，減圧乾燥装置にて所謂生乾きの状態にして洗浄装置に送り込む
ようにしたので，表面に塗布された塗布液が搬送の振動で波打ったり，表面に塗布
した塗布液が裏面に過度に廻り込んだり，更には裏面に廻り込んだ塗布液が落下す
ることを防止でき，しかも完全に乾燥させていないので，簡単に溶媒（洗浄液）に
溶解し，裏面洗浄の時間を短縮することができる。」（段落【００１８】）　
上に認定した本件明細書の記載によれば，本件発明は，塗布液を塗布され減
圧乾燥装置である程度乾燥された被処理物の洗浄を行うことにより，被処理物の表
面から廻り込んで裏面に付着した塗布液を除去するものであり，本件発明における
「洗浄装置」とは，溶媒（洗浄液）を被処理物表面に吹き付ける等して適用し，被
除去対象を被処理物から除去する装置であるということができる。
(4)　上記(2)及び(3)でそれぞれ認定した刊行物１及び本件明細書の各記載によれ
ば，刊行物１発明における「レジスト周辺除去装置１１」及び「現像処理の装置」
と，本件発明の「洗浄装置」とは，被除去対象である被処理物周辺の不要部分を被
処理物から除去するという機能において一致する。決定が，このような機能におけ
る一致点に着目して，刊行物１発明における「レジスト周辺除去装置１１」及び
「現像処理の装置」が，本件発明の「洗浄装置」に相当する，と認定したこと自体
は，何ら，誤りではない。
しかしながら，上記認定の本件明細書及び刊行物１の各記載によれば，本件
発明と刊行物１発明とは，被除去対象である被処理物周辺の不用部分の具体的な除
去方法において異なることが明らかである。すなわち，本件発明においては，「洗
浄装置」により溶媒を用いた洗浄処理によって不要部分の除去を行うのに対し，刊
行物１発明においては，搬送ラインに設けられた「露光装置」及び搬送ラインに設
けられていない「現像装置」とから成る装置により，光の照射及び現像液による溶
解処理を行うことによって不要部分の除去を行うものである。
決定は，本件発明と刊行物１発明とは，「ガラス板や半導体ウェハー等の被
処理物の搬送ラインに沿って，上流側から下流側に向かって，塗布装置，減圧乾燥
装置及び少なくとも一部の洗浄装置を配置した被膜形成ラインによる被膜形成方法
であって，この被膜形成方法は，塗布装置にて表面に塗布液が塗布された被処理物
をを洗浄装置に送り込み，この乾燥装置において，被処理物表面に塗布された塗布
液を乾燥せしめ，次いでこの塗布液が乾燥せしめられた被処理物を洗浄装置に送り
込み，被処理物の表面から廻り込んで付着し，乾燥せしめられた余分な塗布液を除
去するようにしたことを特徴とする被膜形成方法。」で一致」（決定書５頁４行～
１１行）するとし，洗浄装置についての相違点（相違点１）として「塗布ラインに
配置される洗浄装置が，前者では洗浄装置の全部であるのに対して，後者では洗浄
装置の一部である点」を挙げるのみで，上記被処理物周辺の不要部分の具体的な除
去方法における相違を相違点として認定していない。
上記のとおり，刊行物１発明において搬送ラインに設けられるものは，洗浄
機能を有しない，溶解処理装置の一部である露光装置であって，これを「洗浄装
置」の一部ということはできない。決定が「少なくとも一部の洗浄装置を配置」す
る点及び「被処理物を洗浄装置に送り込」む点を両発明の一致点と認定したのは誤
りであり，決定は，被処理物周辺の不要部分の除去方法が，本件発明においては
「洗浄装置」によるものであるのに対し，刊行物１発明においては「露光装置」及
び「現像装置」によるものであるという相違点を看過したものというべきである。
決定は，上記相違点を看過した結果，刊行物１発明から同相違点に係る本件
発明の構成に想到することの容易性，例えば，刊行物１発明の露光装置及び現像装
置によるものを洗浄装置によるものに置換する点の容易想到性，さらに，置換した
場合において，洗浄のために搬送ライン上に乾燥のための減圧乾燥装置を前置する
点等の容易想到性については，何ら判断をしないままに，結論に至っているのであ
る。
２　以上のとおりであるから，決定は，本件発明と刊行物１発明との一致点・相
違点の認定を誤って相違点を看過し，その結果，同相違点に係る本件発明の構成の
容易想到性についての検討を欠いたまま結論に至ったものであり，この誤りが決定
の結論に影響を及ぼすことは明らかである。決定は，取消しを免れない。
第６　結論
以上によれば，その余の原告主張について検討するまでもなく，原告の本訴
請求は，理由があることが明らかである。そこで，これを認容することとし，訴訟
費用の負担につき行政事件訴訟法７条，民事訴訟法６１条を適用して，主文のとお
り判決する。
東京高等裁判所第６民事部
裁判長裁判官　　山　　下　　和　　明
裁判官　　設　　樂　　隆　　一
裁判官　　阿　　部　　正　　幸
　
(別紙）
別紙図面１別紙図面２

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