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平成２１年１０月８日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２０年（行ケ）第１０４４８号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２１年９月３日
判決
原告三星エスディアイ株式会社
同訴訟代理人弁理士亀谷美明
同訴訟復代理人弁理士平山淳
被告特許庁長官
同指定代理人三橋健二
稲積義登
岩崎伸二
安達輝幸
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
３この判決に対する上告及び上告受理の申立てのため
の付加期間を３０日と定める。
事実及び理由
第１請求
特許庁が不服２００６−２２９４０号事件について平成２０年７月１６日にした
審決を取り消す。
第２事案の概要
本件は，原告が，下記１のとおりの手続において本願発明の要旨を下記２とする
本件出願に対する拒絶査定不服審判の請求について特許庁が同請求は成り立たない
とした別紙審決書（写し）の本件審決（その理由の要旨は下記３のとおり）には，
下記４の取消事由があると主張して，その取消しを求める事案である。
１特許庁における手続の経緯
(1)出願手続（甲２）及び拒絶査定
発明の名称：「太陽電池用半導体ウェハの製造方法及び太陽電池用半導体ウェ
ハ」（甲１１）
出願番号：特願２００１−３７２２３６号
出願日：平成１３年１２月６日
パリ条約による優先権主張：平成１３年（２００１年）１月３日（以下「本件優
先日」という。），韓国
手続補正日：平成１８年６月６日（甲３。以下「本件補正」という。）
拒絶査定：平成１８年７月６日付け
(2)審判手続及び本件審決
審判請求日：平成１８年１０月１０日（不服２００６−２２９４０号）
本件審決日：平成２０年７月１６日
本件審決の結論：「本件審判の請求は，成り立たない。」
審決謄本送達日：平成２０年７月２９日
２本願発明の要旨
本件審決が対象とした本願発明（本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載
の発明）の要旨は，次のとおりである。なお，文中の「／」は，原文の改行部分を
示す。
太陽電池用半導体ウェハの製造方法において：／半導体ウェハの表面にプロテク
タを形成する第１工程と；／前記半導体ウェハを等方性エッチング溶液に浸漬して，
前記プロテクタの未形成領域をエッチングすることにより，溝を形成する第２工程
と；／前記プロテクタを除去する第３工程と；／を含むことを特徴とする太陽電池
用半導体ウェハの製造方法。
３本件審決の理由の要旨
(1)本件審決の理由は，要するに，本願発明は，特開平１１−２３８６８９号
公報（甲１。以下「引用例」という。）に記載された発明（以下「引用発明」とい
い，本願発明と併せて「両発明」という。）であるから，特許法２９条１項３号の
規定により特許を受けることができない，というものである。
(2)本件審決（２頁３１行∼３頁２行）が認定した引用発明は，次のとおりで
ある。なお，文中の「／」は，原文の改行部分を示す。
半導体基板の上面に所定の細孔を有するマスクを形成する工程と，／基板用のエ
ッチング液により，前記マスクの開孔部表面から深さ２μｍ∼３μｍに達する断面
Ｕ字形状の凹部を前記半導体基板の表面に形成する工程と，及び／前記マスクだけ
を，マスク除去用のエッチング液によって除去する工程と，を含む，ソーラーセル
として用いるエピタキシャル半導体ウエーハの形成工程。
４取消事由
両発明の対比判断の誤り
５エッチングの方法について
なお，本件において問題となるエッチング溶液によるエッチング（以下「ウェッ
トエッチング」という。）の方法は，次のとおりである。
(1)等方性エッチング
等方性エッチングとは，垂直方向及び水平方向に同じ比率でエッチングが行われ，
垂直方向のエッチング速度と水平方向のそれとがほぼ等しいものをいう（平成１２
年１２月１０日発行の前田和夫著「ビギナーズブックス１７はじめての半導体プ
ロセス」と題する文献（甲５。以下「甲５文献」という。），平成９年１１月２０
日発行の社団法人日本半導体製造装置協会編「半導体製造装置用語辞典第４版」と
題する文献（甲６。以下「甲６文献」という。）参照）。
(2)異方性エッチング
異方性エッチングとは，エッチングがほぼ垂直方向にのみ進行し，横方向，すな
わち，水平方向には進行しないものをいう（甲５文献参照）。
第３当事者の主張
〔原告の主張〕
本件審決（３頁２６∼３３行）は，本願発明の第２工程が「半導体ウェハを等方
性エッチング溶液に浸漬して，前記プロテクタの未形成領域をエッチングすること
により，溝を形成する」工程であるのに対し，引用発明の第２工程は「等方性エッ
チング溶液に浸漬して」溝を形成するとの限定を有しない点で一応相違するが，引
用発明の凹部の断面がＵ字形状であることにかんがみると，引用発明の第２工程に
おいても，本願発明と同様，等方性エッチング溶液に浸漬して溝を形成しているこ
とは当業者に自明であると判断したが，以下のとおり，この判断は誤りである。
１本願発明の「溝」について
(1)本願発明の目的
本願発明は，等方性エッチングにより，半導体ウェハ表面の平坦な部位の面積を
最小限に抑え，溝部分を広く形成して，太陽光の反射率を低減させるものであり，
水平方向のエッチングにより，平坦な部位をなくして溝を隙間なく形成するもので
ある。
(2)本願発明の「溝」の状態
本願発明においては，本件出願に係る図１(ｂ)（甲２。以下，本件出願に係る図
面を「本願図１(ｂ)」などという。）に示されるとおり，溝の深さ方向とともに水
平方向にもエッチングが進行してプロテクタ３の下部にも空間が形成され，また，
本願図３に示されるとおり，半導体ウェハ表面の平坦な部位をできる限り少なくす
ることができ，半導体ウェハ全面に隙間なく溝が形成されている。
２引用発明の「凹部」について
(1)引用発明の目的
ア引用発明は，太陽光から電気への変換効率の向上を目的とし，太陽光に対す
る実効面積を大きくするため，微細な凹凸表面を有する半導体基板を形成する方法
を採用したものである（引用例の【００２０】等）から，エッチングにより凹部を
形成するとともに，凹部と同程度の領域の凸部を形成するため，凸部となる基板表
面を確実に残しておく必要があるものである。
イしたがって，引用発明においては，凸部となる基板表面の平坦部を小さくす
ることが想定されておらず，引用例の図１(ｃ)及び(ｄ)に示されるとおり，凸部の
領域を確保するため，相互に隣り合う２つの凹部の間隔が広くなるようにマスクが
設けられ，また，基板表面において，マスク下部の平坦部の領域が凹部が形成され
た領域と同等の大きさか，これより大きい構造とされているほか，マスク下部の基
板表面は平坦なものとされている。
ウこのような引用発明において仮に等方性エッチングを行うと，凸部が側方か
ら削り取られてしまい，微細な凹凸表面を形成することができなくなるから，引用
発明においてあえて凸部をなくしてしまう等方性エッチングを行うものでないこと
は，技術常識を参酌しても，明らかである。
(2)引用発明の凹部の状況
ア引用発明においては，引用例の図１(ｃ)に示されるとおり，マスク２（ホト
レジストパターンに相当するもの）の開孔部と同じ幅で凹部１ａが形成されており，
これは，甲５文献の図５．３５(ｂ)に示される異方性エッチングに該当するもので
あるから，引用発明においては，実際にも，異方性エッチングにより凹部１ａが形
成されたものと認められる。
イまた，引用発明において，仮に半導体ウェハが等方性エッチング溶液に浸漬
されるとすると，凹部の水平方向にも，深さ方向（マスクの開孔部表面から２∼３
μｍ）と同じ比率でエッチングが進行するところ，引用例の図１(ｃ)によると，凹
部の深さはマスクの幅の２分の１程度であるから，マスクの下部の凸部のほとんど
すべてが削り取られてしまうか，少なくとも，甲５文献の図５．３５(ａ)と同様，
マスクの下部にマスクの側壁面から水平方向に２ないし３μｍの空間が確実に形成
されるはずである。この空間は「アンダーカット」といわれる（平成１０年１１月
３０日発行の丹呉浩侑編「半導体工学シリーズ９半導体プロセス技術」と題する
文献（甲７。なお，甲９は，甲７における抜粋部分（１１０∼１１１頁）を含んだ
同一の文献であるため，以下，甲７及び９を併せて「甲９文献」という。）及び平
成１４年１１月２９日発行のコンパクト版半導体用語辞典編集委員会編「コンパク
ト版半導体用語辞典」と題する文献（甲８。以下「甲８文献」という。））が，異
方性エッチングの場合は，マスクの下部にアンダーカットが形成されることはほと
んどない。
ウこれを引用例の図１(ｃ)についてみると，マスク２の開孔部と同じ幅で凹部
１ａが形成され，凹部１ａの側壁から水平方向にはエッチングが全く進行しておら
ず，マスク２の直下にアンダーカットが形成されていないから，引用発明において
等方性エッチングが行われていないことは明らかである。
３被告の主張に対する反論
(1)引用発明の凹部の形状とエッチングの方法
ア被告は，特開平４−２５０６６８号公報（乙１。以下「乙１公報」とい
う。）及び特開平９−４５８８５号公報（乙２。以下「乙２公報」という。）の図
示を挙げて，等方性エッチングの場合でもマスクの直下にアンダーカットがないよ
うな作図が用いられると主張するが，乙１公報（２欄３８行）及び乙２公報（３欄
２１∼２２行）においては，等方性エッチングが用いられることが明細書中に明確
に記載されており，あえて図面においてアンダーカットを示す必要がなく，アンダ
ーカットの図示を省略したとしても，等方性エッチングが用いられていることが明
らかであるから，乙１公報及び乙２公報の図示をもって，これを引用例の図示と同
列に論じることはできない。
イまた，被告は，特開平７−２４８４０３号公報（乙３。以下「乙３公報」と
いう。）の図示等を挙げ，等方性エッチングを行うことにより断面すり鉢形ないし
断面Ｕ字形状の凹部が形成されることが周知の技術事項であるとして，引用例に図
示された断面Ｕ字形状の凹部も等方性エッチングにより形成されたことが明らかで
あると主張する。
しかしながら，甲９文献に記載されるとおり，マスクの端のコーナー部等におい
ては平坦部や表面とエッチング特性が異なることが多く，エッチングの制御が特に
困難であること（１１１頁２１∼２４行）や，被エッチング膜の表面積やパターン
寸法に応じてエッチング特性が変化すること（１１２頁３∼１３行）は，周知の技
術事項であるから，引用例の図１(ｃ)及び(ｄ)に示された凹部の断面形状は，マス
クのコーナー部におけるエッチングの制御困難性，エッチング特性の変化等，凹部
の形状に及ぼす様々な要因を考慮した上，凹部の底面（コーナー部）を単に模式的
に曲面状に表現したものにすぎないと考えられる。
仮に引用例の図１(ｃ)及び(ｄ)が，等方性エッチングが用いられることを想定し
て凹部の断面形状を正確かつ精緻にＵ字形状に示したものであるならば，アンダー
カットについても当然に示されたはずである。現に，乙３公報の図４(ｃ)には，ア
ンダーカットが明確に示されているところである。
また，引用発明の凹部の断面形状を拡大して詳細に示した引用例の図３及び図５
には，凹部の中央部の曲面については凹部の表面の上方に曲率中心が存在するのに
対し，凹部の端部の曲面については下方に曲率中心が存在すること，すなわち，曲
面が反転していることが示されているところ，前記１(1)のとおりの等方性エッチ
ングの性質に照らすと，引用発明において等方性エッチングが用いられているので
あれば，これにより形成された凹部は，曲率中心が凹部の表面の上方の略１点に位
置する曲面となるはずであり，上記のように曲面が反転することなどあり得ない。
現に，引用例の図３及び図５に示された凹部の断面形状は，本願図１(ｃ)及び図３，
甲５文献の図５．３５(ａ)，甲９文献の図４．１(ｂ)，乙１公報の図２(ｂ)，乙２
公報の図２中の上から４番目の図並びに乙３公報の図４(ｃ)に示された凹部の断面
形状と完全に相違するものである。
したがって，乙３公報の図示等を根拠に，単に模式的に表現されたものにすぎな
い引用発明の凹部が等方性エッチングにより形成されたものとみることはできない。
ウ被告は，乙３公報の図示等を挙げ，異方性エッチングを行うことによりエッ
チングされた部分に特定の結晶面が現れることが周知の技術事項であるとして，引
用例に図示された断面Ｕ字形状の凹部は異方性エッチングにより形成されたもので
はないと主張する。
しかしながら，特開２００１−７３２６号公報（甲１０。平成１３年１月１２日
公開（判決注：被告は，原告が引用する同公報の記載及び図示が本件優先日当時の
当業者の技術常識を示すものであることを特に争うものではない。）。以下「甲１
０公報」という。）に，異方性エッチングにより溝（トレンチ３６）を形成した場
合，溝の底面に曲率半径Ｒの曲面が形成され，溝が断面Ｕ字形状となることが記載
されている（２欄１４∼１６行，同欄４３∼４５行，図５。なお，図５に示された
溝をより浅く形成すれば，同図に示された凹部の断面形状は，引用例の図１(ｃ)及
び(ｄ)に示されたものに更に近似したものとなる。）とおり，異方性エッチングを
行った場合であっても，溝の底のコーナー部が曲面となり，溝が断面Ｕ字形状とな
るものである。
また，乙３公報の図４(ａ)に示されるような異方性エッチングによる結晶面は，
引用例の図３及び図５に示された曲率中心の異なる曲面同士が相互に接続する領域
（凹部の断面が直線状になっていると考えられる領域）に存在するとみることがで
きる。
したがって，引用例に図示された断面Ｕ字形状の凹部が異方性エッチングにより
形成されたものでないとはいえない。
(2)引用発明の凸部の状況とエッチングの方法
ア被告は，引用発明において，凸部となる基板表面の平坦部が小さくなっても，
さらには，それがなくなっても，エッチングを行わないものと比較して面積が増大
するから，同発明の目的に反するものではないと主張するが，同平坦部が小さくな
ると，凹凸部の形成による効率的な面積の増大を図ることができず，また，同平坦
部がなくなると，基板表面がすべて平坦であるものと同程度の面積しか確保するこ
とができなくなるのであるから，いずれも引用発明の上記目的に反することは明ら
かである。
イ被告は，引用発明が凸部となる基板表面を確実に残しておく必要のあるもの
であり，同平坦部を小さくすることを想定していないとの原告の主張につき，引用
例にその趣旨の記載が全くないと主張するが，引用例の４欄２７ないし３０行の記
載によると，引用発明が凹部とともに凸部を形成することを積極的に意図している
ことは明らかである。
ウ被告は，引用発明において等方性エッチングにより凹部を形成する場合，マ
スクの開孔部を小さくすることにより，凸部となる基板表面に平坦部が存在するよ
うにすることが可能であると主張するが，引用例には，そのような特別な調整を要
することについて何らの開示も示唆もないし，そのような特別な調整をしなければ
同平坦部が失われてしまうのであれば，太陽光に対する実効面積を大きくするとの
引用発明の目的に照らし，技術常識を参酌すれば引用発明が等方性エッチングを用
いていることが当業者に自明であるとはいえないことになる。
〔被告の主張〕
１本願発明の目的について
原告は，本願発明が，水平方向のエッチングにより，平坦な部位をなくして溝を
隙間なく形成するものであると主張するが，本件補正後の特許請求の範囲の請求項
１は，半導体ウェハ表面の平坦部の有無について規定するものではなく，同平坦部
が存在する場合を排除するものではないし，本件出願に係る本件補正後の明細書
（甲２，３）の発明の詳細な説明の記載を参酌しても，半導体ウェハ表面の平坦部
をなくすことについての記載・示唆はないから，単に本願図１(ｃ)及び図３に示さ
れた形状をもって，本願発明を，半導体ウェハ表面に平坦部が存在しないものに限
定して解釈することはできない。
２引用発明の「凹部」について
(1)引用発明の凹部の状況
ア引用例の図１(ｃ)及び(ｄ)には，マスクの開孔部と同じ幅で凹部が形成され
ている様子が示されているが，乙１公報（２欄３４∼３９行，図２(ｂ)）及び乙２
公報（３欄１７∼２３行，図２中の上から３番目及び４番目の各図）にみられると
おり，エッチングの工程を表す場合に，マスクの開孔部と同じ幅で凹部が形成され
ているような作図，すなわち，マスクの直下に空間（アンダーカット）がないよう
な作図は，等方性エッチングについても用いられるものであるから，引用例の図１
(ｃ)及び(ｄ)の図示をもって直ちに，それが異方性エッチングについてのものであ
って等方性エッチングについてのものでないということはできない。
イかえって，等方性エッチングを行うことにより，形成された凹部が断面すり
鉢形（甲５文献の図５．３５(ａ)及びその説明）ないし断面Ｕ字形状（乙１公報の
図２(ｂ)，乙２公報の図２中の上から４番目の図，乙３公報の段落【００９１】及
び図４(ｃ)）のものとなることは，この種の技術分野における周知の技術事項であ
る。
ウ他方，異方性エッチングを行うことにより，エッチングされた部分に特定の
結晶面が現れること（乙３公報の段落【００５４】∼【００５７】及び図４(ａ)，
特開平３−２０６６６９号公報（乙４。以下「乙４公報」という。）の１頁左下欄
１９行∼右下欄１３行，２頁左下欄１２行∼右下欄２行，３頁右下欄９行∼４頁左
上欄５行，第１図(ｃ)，第３図(ｂ)及び第４図(ｃ)）も，この種の技術分野におけ
る周知の技術事項である。
エなお，引用例の図１(ｃ)及び(ｄ)の図示が，引用発明においてマスクの直下
にアンダーカットが形成されることを否定するものでないことは，後記(2)のとお
りである。
(2)引用発明の目的
ア引用発明の目的（引用例の段落【００２０】）は，原告が主張するとおりで
あるが，引用発明において等方性エッチングにより凹部を形成した結果，マスクの
直下にアンダーカットが生じて凸部が側方から削り取られ，凸部となる基板表面の
平坦部が小さくなったとしても，さらには，凸部となる基板表面の平坦部がなくな
ったとしても，エッチングを行わないもの（基板表面がすべて平坦であるもの）と
比較して面積が増大することは明らかであるから，引用発明において等方性エッチ
ングを用いることは，同発明の目的に反するものではない。
イ原告は，引用発明が，エッチングにより凹部を形成するとともに，凸部とな
る基板表面を確実に残しておく必要のあるものであり，凸部となる基板表面の平坦
部を小さくすることを想定していないと主張するが，引用例には，原告が主張する
ような趣旨の記載は全くないし，また，そもそも，引用発明において等方性エッチ
ングにより凹部を形成する場合，マスクの開孔部を小さくすることにより，凸部と
なる基板表面に平坦部が存在するようにすることが可能である（例えば，引用例の
図１(ｄ)に示された形状を得るようにマスクを構成することは，何ら困難なことで
はない。）から，原告の主張するところは，引用発明において等方性エッチングが
用いられることを否定するものではないというべきである。
３引用発明におけるエッチングの方法について
以上のとおり，引用発明において等方性エッチングが行われていることは明らか
であるから，本件審決の両発明の対比判断に誤りはない。
第４当裁判所の判断
１本件訴訟における争点について
本願発明が「前記半導体ウェハを等方性エッチング溶液に浸漬して，前記プロテ
クタの未形成領域をエッチングすることにより，溝を形成する第２工程」との構成
を，また，引用発明が「基板用のエッチング液により，前記マスクの開孔部表面か
ら深さ２μｍ∼３μｍに達する断面Ｕ字形状の凹部を前記半導体基板の表面に形成
する工程」との構成をそれぞれ有し，両発明が「半導体ウェハをエッチング溶液に
より，前記プロテクタ（引用発明にいうマスク）の未形成領域をエッチングするこ
とにより，溝（引用発明にいう凹部）を構成する第２工程」を有する点で一致する
ことは，いずれも当事者間に争いがない。
そこで，両発明が採用するウェットエッチングに係る当業者の技術常識に照らし，
本願発明の「半導体ウェハを等方性エッチング溶液に浸漬して，…溝を形成する」
との構成が引用発明の「基板用のエッチング液により，…断面Ｕ字形状の凹部を…
形成する」との構成と同一のものと認めることができるか否か，すなわち，引用発
明において半導体ウェハを等方性エッチング溶液に浸漬して凹部を形成していると
認めることができるか否かについて，以下，検討することとする。
２ウェットエッチングによる等方性エッチングについて
(1)等方性エッチングの意義
前記第２の５(1)のとおり。
(2)刊行物の記載及び図示
等方性エッチングに関し，乙１公報及び乙３公報には，次の各記載及び図示があ
る。
ア乙１公報の記載
【０００８】…ＭＯＳＦＥＴの製造方法を図２を用いて説明する。…先ず，同図
(ａ)のように，Ｐ型不純物をドープした半導体基板１上に選択酸化法により素子分
離シリコン酸化膜２を形成する。次いで，同図(ｂ)のようにフォトリソグラフィ技
術によりゲート幅方向に沿って複数個の開口を配列したフォトレジストマスク８を
形成する。しかる後，ＨＦ＋ＨＮＯ等を用いたウェットエッチングによって半導３
体基板１の表面を等方性エッチングし，ゲート幅方向に並んだ複数個の凹部６を形
成し，凹領域７を形成する。このエッチングに際しては，プラズマを用いた異方性
エッチングではないので，反応性イオン等による半導体基板１へのダメージはない。
【０００９】次に，同図(ｃ)のようにフォトレジスト８を除去し，半導体基板１の
全面にゲートシリコン酸化膜３を形成する。
イ乙１公報の図示
図２(ｂ)及び(ｃ)には，断面Ｕ字形状の凹部が形成された様子が示されている。
ウ乙３公報の記載
【００５４】…図４(ａ)において，デバイス材料１０ＡはＳｉ材料で構成され，Ｓ
ｉ（１００）面を選択的に形成した，または選択的に（１００）面を有する面で研
磨した平滑な面を有する。
【００５５】このようなデバイス材料１０Ａの上記（１００）面上に，ＳｉＯ膜２
を設け，その上にフォトレジストの層を設け，これらＳｉＯ膜とフォトレジスト２
の層とでマスク層２０Ａを構成している。
【００５６】マスク層２０Ａに対し，所定のパターン（図の例ではスリット状）を
パターニングして，デバイス材料の表面をパターンに従って露呈させる。
【００５７】この状態において，酸化剤，キレート剤，水から構成される異方性エ
ッチング液で「異方性エッチング」を施す。すると，Ｓｉの〈１００〉方向のエッ
チング速度が速く，〈１１１〉方向のエッチング速度が最も遅いため，図のように，
側壁に（１１１）面が表れ，断面形状がＶ字型の溝が形成される。
【００６１】図４(ｃ)は，図４(ａ)に即して説明した例において，マスク層をスリ
ット状にパターニングして，スリット部分でデバイス材料面（Ｓｉ（１００）面）
を露呈させ，フッ酸，硝酸，酢酸から構成される等方性エッチング液で等方性エッ
チングを施した状態を示している。この場合は，Ｓｉに対するエッチング速度が全
ての結晶面に対して等しいため，図のように，シリンダ面形状の凹面形状が得られ
ることになる。
【００９１】具体例６デバイス材料１０ＡとしてＳｉ結晶板を用い，その（１０
０）面上に，…マスク層２０Ａを形成した。…幅：３０μｍ，ピッチ：１００μｍ
の１次元格子状パタ−ンをマスク層２０Ａにパターニングした。デバイス材料１０
Ａをエッチング液（フッ酸，硝酸，酢酸の混合液）でエッチングすると，等方性エ
ッチングにより横断面形状がＵ字型で略半円形に近い溝（図４(ｃ)）の１次元配列
が形成された。
エ乙３公報の図示
図４(ｃ)には，【００６１】の等方性エッチングを施して断面Ｕ字形状の凹部が
形成された様子が示されている。
(3)上記(1)及び(2)によると，ウェットエッチングによる等方性エッチングを
行うと，垂直方向のエッチング速度と水平方向のそれとがほぼ等しいため，エッチ
ングの対象とされる半導体基板に断面Ｕ字形状の凹部が形成されること，当該凹部
はさらにエッチングが進行すると，Ｕ字形状の底部が平坦になるが，その場合でも，
その側面部分は曲線の断面形状を有していることが認められるのであって，それは
また，本件優先日当時の当業者の技術常識であったということができる。
３ウェットエッチングによる異方性エッチングについて
(1)異方性エッチングの意義
前記第２の５(2)のとおり。
(2)刊行物の記載及び図示
異方性エッチングに関し，乙３公報及び乙４公報には，次の各記載及び図示があ
る。
ア乙３公報の記載
前記【００５４】ないし【００５７】のとおり。
イ乙３公報の図示
図４(ａ)には，異方性エッチングを施した段階において，その断面形状がＶ字型
の溝（凹部）が形成された様子が示されている。
ウ乙４公報の記載
〔従来の技術〕第４図(ａ)∼(ｄ)は，従来の高効率太陽電池の一例の構造を，そ
の製造過程にしたがって示した断面概略図である。第４図において，１は単結晶シ
リコン基板（以下，シリコン基板と略称する），２はシリコン酸化膜，５は拡散層
である。シリコン基板１は，ｐ型で，面方位は〈１００〉であり，その両面をシリ
コン酸化膜２で覆う（第４図(ａ)）。次いで，シリコン酸化膜２を写真製版その他
の手法によりパターニングし，その一部を残してエッチング除去し，シリコン基板
１の両面に一定の間隔をおいて，表裏で互い違いとなるようにパターニングする
（第４図(ｂ)）。次に，シリコン基板１の両面から，ＫＯＨなどを用いて異方性エ
ッチングする（第４図(ｃ)）。シリコン基板１は面方位が〈１００〉であるので，
異方性エッチングにより，面方位〈１１１〉の面が現れる。」（１頁左欄１６行∼
右欄１３行（６頁４∼５行の補正後のもの））
エ乙４公報の図示
図４(ｃ)には，断面形状がＶ字型の溝（凹部）が形成された様子が示されている。
(3)上記(1)及び(2)によると，ウェットエッチングによる異方性エッチングを
行うと，方向によってエッチング速度が異なるため，エッチング速度が小さい方向
に特定の結晶面が現れ，形成された凹部が特定の結晶面（平面）で囲まれることに
より，エッチングの対象とされる半導体基板に少なくとも側面部分が直線の断面形
状を有する凹部（断面Ｖ字形状の凹部等）が形成されることが認められ，それはま
た，本件優先日当時の当業者の技術常識であったということができる。
この点に関し，原告は，甲１０公報の記載及び図示を根拠に，異方性エッチング
を行っても断面Ｕ字形状の凹部が形成されると主張するが，同公報に記載された異
方性エッチングは，エッチング溶液を用いないエッチング（以下「ドライエッチン
グ」という。）によるものである（段落【０００４】，甲９文献の１１３頁の表４．
１）から，同公報は，ウェットエッチングによる異方性エッチングに係る本件優先
日当時の当業者の技術常識を示すものとはいえず，原告の主張は失当といわなけれ
ばならない。
４引用発明におけるエッチングの方法について
(1)引用発明の側面部分の断面形状
引用発明の凹部が断面Ｕ字形状（具体的には，引用例の図１(ｃ)及び(ｄ)に示さ
れた形状）のものであることは当事者間に争いがないところ，その側面部分の断面
形状についてみると，直線ではなく，曲線となっているから，前記２及び３におい
て認定したウェットエッチングに係る当業者の技術常識に照らすと，引用発明の凹
部は，等方性エッチングにより形成されたものと認めることができる。
(2)引用発明におけるアンダーカットの有無
原告は，引用例の図１(ｃ)に，凹部の深さと同程度の幅のアンダーカットが示さ
れていないこと（マスクの開孔部と同じ幅で凹部が形成されていること）を根拠に，
引用発明において等方性エッチングは行われていないと主張する。
確かに，等方性エッチングの性質（前記２(1)）からすると，引用発明において
等方性エッチングが行われているならば，引用例の図１(ｃ)が示す工程においてア
ンダーカットが形成されるはずであるから，これが示されていない同図は，その限
りにおいて不正確なものであるといわざるを得ない。
しかしながら，等方性エッチングにより凹部を形成するとの技術が記載された乙
１公報の図２(ｂ)には，引用例の図１(ｃ)と同様，フォトレジストマスクの開孔部
と同じ幅で凹部が形成されている様子，すなわち，アンダーカットが形成されてい
ない様子が示されており，また，乙３公報の図４(ｃ)には，アンダーカットが形成
された様子が示されているものの，その幅は，凹部の深さと比較して著しく小さい
（原告の主張によれば，同図におけるアンダーカットの幅は，凹部の深さと同程度
のものとなるはずである。）ものとされている。
これらの図面における図示の仕方からすると，等方性エッチングにより形成され
る凹部を図示する際，アンダーカットの有無又はその程度を正確に表現するのが当
業者の作図慣行であるとまでいうことはできないところ，等方性エッチングにより
形成される凹部と，異方性エッチングにより形成される凹部と，それぞれの断面形
状について，前記２及び３のとおりの顕著な相違，すなわち，前者は少なくとも側
面部分が曲線の断面形状となるのに対し，後者は少なくとも側面部分が直線の断面
形状となるとの相違がある。そして，上記(1)のとおり，引用発明の側面部分の断
面形状は直線ではなく，曲線となっていることを考慮すると，引用例の図１(ｃ)に
アンダーカットの有無の点で不正確な面があるとしても，そのことが，引用発明の
凹部が等方性エッチングにより形成されたとの前記認定を妨げるものということは
できない。
この点に関し，原告は，発明の詳細な説明中に等方性エッチングを行うことが明
確に記載された乙１公報の図２(ｂ)を，そのような記載のない引用例の図１(ｃ)と
同列に論じることはできないと主張するが，発明の詳細な説明中に等方性エッチン
グを行う旨の記載がある場合にのみアンダーカットの図示を省略し得るとすること
に合理的な根拠があるということはできず（なお，発明の詳細な説明中に等方性エ
ッチングを行う旨の記載がある乙１公報の図２(ｂ)においても，形成された凹部が
曲線の断面形状を有することは省略されずに図示されている。），また，そのよう
な省略の仕方が当業者の作図慣行であるともいい難いから，原告の主張を採用する
ことはできないというべきである。
(3)引用例に示された断面Ｕ字形状の意味
原告は，甲９文献の記載を根拠に，引用例の図１(ｃ)及び(ｄ)に示された凹部の
断面形状は凹部の形状に及ぼす様々な要因が考慮された上で単に模式的に曲面状に
表現されたものにすぎないと主張するが，甲９文献は，ドライエッチングについて
述べたものであるから，原告の主張は失当である。
(4)引用発明における曲率中心の位置
原告は，引用例の図３及び図５に記載された曲面の曲率中心が凹部の表面の上方
の略１点に位置しておらず，また，曲率中心を異にする曲面が相互に接続する領域
に異方性エッチングによる結晶面が存在するとして，引用発明において等方性エッ
チングが行われているはずがないと主張する。
ア図３に基づく主張について
(ア)引用例の図３には，確かに，金属シリコン基板の断面形状に関し，下に凸
の曲線（曲率中心が上部にある曲線）と上に凸の曲線（曲率中心が下部にある曲
線）とが連続している様子が示されている。
(イ)しかしながら，引用例には，次の記載がある。
【００１９】…半導体ウェーハをソーラーセルに用いる場合，太陽光から電気への
変換効率を向上するためには，次の２つの項目が最重要である。
【００２０】ａ）光電変換するＰ−Ｎ接合面の実効面積を拡大することｂ）光電
変換するＰ−Ｎ接合面における光通過量を増加することそこで，本発明は，…ウ
ェーハ表面，就中，Ｐ−Ｎ接合面に積極的に微細な凹凸部を形成することにより，
光電変換用の面積を増大させ，ソーラーセルとしての効率向上を図ることを目的と
する。
【００２１】また，光電変換するＰ−Ｎ接合面を，上下に挟んだ光反射面を生成し，
これらの反射面間に入射した光を内面反射させることにより，単一の入射光におい
てもＰ−Ｎ接合面の通過回数を増加させて，上記とは異なる手法で，ソーラーセル
としての変換効率の向上を図ったものである。
【００２２】すなわち，半導体基板における下敷部分（例えば，Ｐ++）とＣＶＤ層
（例えば，Ｐ+）とにおいて，それぞれの比抵抗値を，その下側の方が小さく，且
つ，異なるように設定すれば，これらの間の接触面は，両者の抵抗値の違いから，
光反射面として機能する。
【００２３】また，Ｐ−Ｎ接合面の上の層（例えばＮ層）の上には，反射膜を覆う。
【００２４】従って，図３に示すように，例えば，太陽光のような入射光は，まず，
上部の反射層を通過し，そして，Ｐ−Ｎ接合面を通過する際に，その２０％程の光
エネルギーが電気エネルギーに変換され，残りの８０％程の光エネルギーは，Ｐ−
Ｎ接合面を突き抜ける。次に，この突き抜けた８０％程の光エネルギーは，そのま
ま下部の第２光反射面に到達する。そして，この第２光反射面に到達した８０％程
の光エネルギーの４０％程度は，反射される。そして，再び，突き抜けた光エネル
ギーの２０％（これは，最初に入射した光エネルギーの６％程度に相当する）が，
Ｐ−Ｎ接合面で，電気エネルギーに変換される。そして，これ以降にも，このよう
なＰ−Ｎ接合面を突き抜けた光の反射運動が繰り返される。すなわち，Ｐ−Ｎ接合
面を突き抜けた光は，上部の反射層に到達し，そして，反射層で，Ｐ−Ｎ接合面に
向けて，反射される。
【００７６】従って，図３に示すように，太陽光の如き入射光は，まず，Ｐ−Ｎ接
合面で，その光エネルギーの２０％程が電気変換され，残りの８０％程の光エネル
ギーはＰ−Ｎ接合面を突き抜けて，下のＰ++−Ｐ＋接触層の反射面に到達し，次に，
この反射面によって，その突き抜けた光エネルギーの５０％以上は，Ｐ−Ｎ接合面
に向けて反射される。そして，この反射光が再びＰ−Ｎ接合面を通過して，その光
エネルギーの２０％程度が光電変換され，突き抜けた残りの光エネルギーが，更に，
上層の反射膜６でＰ−Ｎ接合面に向けて反射され，また再びＰ−Ｎ接合面を通過し
て光電変換される。このような入射光の反射運動は，その光が，各反射面における
反射率やＰ−Ｎ接合面による光電変換率によって，所定に減衰されるまで，繰り返
される。
【図面の簡単な説明】
【図３】本具体例に係り，本例の半導体ウエーハをソーラー・セルとして用いた場
合に，入射光を捕捉する構成を示す概念説明図。
(ウ)以上の記載によると，図３は，微細な凹凸部を有する引用発明の半導体ウ
ェハをソーラーセルとして用いた場合に，入射光（太陽光）を捕捉する構成（上下
の反射面間における入射光の内面反射を繰り返させることにより，単一の入射光が
Ｐ−Ｎ接合面を何度も通過するようにして同面を通過する光量を増加させるための
構成）を示す概念説明図にすぎないし，前記３において認定したところに照らすと，
仮に引用発明において異方性エッチングが行われているならば，下に凸の面（凹
部）の側面部分に同図が示すような曲線の断面形状が現れるはずがなく，また，異
方性エッチングによる結晶面は，エッチング速度が小さい方向に一様に現れるもの
であって，２つの曲面が接続する領域に部分的に現れるようなものではないから，
いずれにせよ，同図を根拠に引用発明において等方性エッチングが行われているは
ずがないとする原告の主張は失当である。
イ図５に基づく主張について
(ア)引用例の図５には，確かに，層１３及び層１４の断面形状に関し，下に凸
の曲線と上に凸の曲線とが幾つか接続して凹凸状の曲線を形成している様子が示さ
れている。
(イ)しかしながら，引用例には，次の記載がある。
【００８７】図４に示すように，…半導体基板１１を取鍋から取り出した後（図４
(ａ)），直ちに気相成長装置に搬入し，…Ｐ型の層１３を一定の膜厚で形成する
（図４(ｂ)）。
【００８８】次に，前記Ｐ型の層１３の上面に細孔を有するマスク１２を形成し
（図４(ｃ)），基板用のエッチング液により前記マスク１２の開孔部の表面から深
さ２μｍ∼３μｍに達する溝１３ａをＰ型の層１３に形成する（図４(ｄ)）。その
後，前記マスク１２をマスク用のエッチング液によって除去し，Ｐ型の層１３に微
細凹凸面１３ｂが形成される（図４(ｅ)）。
【００８９】次に，前記半導体基板１１を，再び気相成長装置に搬入し，前記Ｐ型
の層１３と反対のＮ型不純物…を含有した一定膜厚…の層１４を形成し，エピタキ
シャル半導体ウエーハ１５を形成する（図４(ｆ)）。
【０１０１】…本例のようにＣＶＤによってＰＮ接合面を形成する場合であっても，
結晶欠陥を伴う場合がある。図４（判決注：「図５」の誤記であると認められる。
段落【０１０２】において同じ。）は，このような結晶欠陥を伴った半導体ウエー
ハの一部断面図を示す。
【０１０２】図４に示すように，化学気相反応によりエピタキシャルした場合であ
ってもＰＮ接合面から表面までの距離が一定とならず，膜厚変化による欠陥を生じ
る場合がある。図４中，２０，２１，２２は，膜厚変化による欠陥を示す。
【図面の簡単な説明】
【図５】本発明に係り，欠陥を伴う半導体ウエーハの断面図である。
(ウ)以上の記載によると，図５は，半導体基板上にＣＶＤによりＰ型の薄膜層
をエピタキシャル成長させた上，この層上にエッチング液により微細凹凸面を形成
した後，さらに，ＣＶＤによりＮ型不純物を含有する膜層をエピタキシャル成長さ
せるとの工程において，ＣＶＤによるエピタキシャル成長によっても，結晶欠陥に
より膜厚変化（同図の２０ないし２２）が生じる場合があることを示すものという
ことができるから，同図に示された凹凸状の曲線は，等方性エッチングが行われな
かったことによって生じたものではなく，Ｐ型の層及びＮ型不純物を含有する層の
結晶欠陥によって生じたものであると認められ，したがって，同図を根拠に引用発
明において等方性エッチングが行われているはずがないとする原告の主張も失当で
あるといわざるを得ない。
(5)引用発明の目的とエッチングの方法
ア原告は，引用発明は太陽光に対する実効面積を大きくするため，微細な凹凸
表面を有する半導体基板を形成することを目的とするものであるところ，仮に引用
発明において等方性エッチングが行われるとすれば，マスク下部の凸部が側方から
削り取られて微細な凹凸表面を形成することができなくなり，引用発明の目的に反
することになると主張する。
イ引用発明がそのような目的を有することは，当事者間に争いがないが，他方
で，引用例の発明の詳細な説明には，凸部の大きさ，凹部と凸部の大小関係等につ
いての具体的な記載は一切みられず，また，そのことに加え，前記(2)において説
示したところをも併せ考慮すると，図１(ｃ)及び(ｄ)も，凸部の大きさ，凹部と凸
部の大小関係等を正確に示すものではないと認めるのが相当であり，さらに，引用
発明におけるエッチングは，マスクを形成して行われるものである（段落【００５
９】，図１(ｂ)及び(ｃ)）ところ，そのような工法において，マスクの下部の半導
体基板がすべて削り取られてしまうといった事態が想定されているとはおよそ考え
難い。したがって，引用発明において等方性エッチングが行われると凸部が側方か
ら削り取られてしまうとの原告の主張に合理的な根拠があるということはできない。
ウ原告は，引用発明においては，凸部が凹部と同程度の大きさを有すること又
は凸部が凹部より大きいことが前提とされ，凸部を小さくすることは想定されてい
ないとも主張するが，上記説示したとおり，引用例にはそのような主張を合理的に
根拠付ける記載及び図示はないというべきであるから，原告のこの主張も理由がな
い。
エこの点に関し，原告は，凸部（平坦部）が小さくなると，凹凸部の形成によ
る実効面積の増大を効率的に図ることができないと主張するが，半導体ウェハの表
面に微細な凹凸部が形成されること（特に，Ｐ−Ｎ接合面に微細な凹凸部が形成さ
れること（引用例の段落【００２０】））自体により，そのような凹凸部が形成さ
れない場合と比較して，太陽光に対する実効面積が増大することは明らかであると
ころ，上記説示したとおり，引用例には，実効面積の増大を「効率的に」図るため
に，凸部の大きさ，凹部と凸部の大小関係等を具体的にどのようにするかについて
の記載又は図示はみられないというべきであるし，そもそも，平坦な部分（凸部）
と比較して，平坦でない部分（凹部）のほうが実効面積の増大に寄与するものであ
ることは明らかであるから，結局，原告のこの主張も採用することができない。
(6)小括
以上の検討結果によれば，引用発明においては，引用例にエッチングの方法は明
記されていないが，等方性エッチングによっていると認定し得るものというべきで
あって，この認定を妨げる証拠はない。
５本件審決の当否について
したがって，引用発明の第２工程において等方性エッチング溶液に浸漬して溝を
形成していることは当業者に自明であるとして，両発明が同一であるとした本件審
決の対比判断に誤りはないというべきである。
６結論
以上の次第であるから，原告主張の取消事由は理由がなく，原告の請求は棄却さ
れるべきものである。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官滝澤孝臣
裁判官本多知成
裁判官浅井憲

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