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平成２６年３月２７日判決言渡
平成２５年（ネ）第１００７８号特許権侵害行為差止等請求控訴事件
（原審東京地方裁判所平成２４年（ワ）第８１３５号事件）
口頭弁論終結日平成２６年２月２５日
判決
控訴人株式会社シンクロン
訴訟代理人弁護士服部昌明
同池田和郎
同西川久貴
同山本和彦
同北畑亮
同田中伸英
訴訟代理人弁理士秋山敦
同大倉宏一郎
補佐人弁理士城田百合子
同上西浩史
被控訴人株式会社オプトラン
訴訟代理人弁護士升永英俊
補佐人弁理士佐藤睦
同大石幸雄
主文
１本件控訴を棄却する。
２控訴費用は控訴人の負担とする。
事実及び理由
第１控訴の趣旨
１原判決を取り消す。
２被控訴人は，別紙装置等目録１記載の装置を製造し，譲渡し，輸出若しくは
輸入し，又は貸渡しのために展示してはならない。
３被控訴人は，別紙装置等目録１記載の装置，その半製品（同目録記載の構造
を具備しているが，同目録記載の装置として完成していないもの）を廃棄せよ。
４被控訴人は，別紙装置等目録２記載の方法を使用してはならない。
５被控訴人は，控訴人に対し，７億円及びこれに対する平成２４年４月１７日
から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
６訴訟費用は，第１，２審とも被控訴人の負担とする。
第２事案の概要
以下，原判決における「原告」を「控訴人」，「被告」を「被控訴人」と読み替え，
原判決で用いられた略語はそのまま使用する。
１本件は，発明の名称を「成膜方法及び成膜装置」とする本件特許権を有する
控訴人が，①被控訴人の製造販売する被控訴人装置（別紙装置等目録１）は本件発
明２の技術的範囲に属すると主張し，②被控訴人装置の稼働により使用する成膜方
法（別紙装置等目録２，以下「被控訴人方法」という。）は本件発明１の技術的範囲
に属すると主張して，被控訴人に対し，特許法１００条に基づいて，被控訴人装置
の製造販売等及び被控訴人方法の使用の差止め並びに被控訴人装置等の廃棄を，同
法１０２条１項に基づいて，損害賠償金７億円及びこれに対する不法行為の後の日
である平成２４年４月１７日から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延
損害金の支払を求めた事案である。
原審は，被控訴人製品は本件発明２の構成要件２－Ｂを充足せず，また，被控訴
人方法は本件発明１の構成要件１－Ａを充足しないとして，控訴人の請求をいずれ
も棄却した。控訴人は，原判決の取消し等を求めて，控訴を提起した。
なお，控訴人は，差止等の対象とする「被控訴人方法」について，「基体保持手段
の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前記基体保持面に保持
され回転している基体のすべてに対して前記成膜材料を連続して供給するとともに，
前記基体保持面の一部の領域に向けイオンを照射することによって前記基体の一部
に対して前記イオンを連続して照射することによるアシスト効果を与えながら，前
記基体の表面に薄膜を堆積させることを特徴とする成膜方法。」（原審装置等目録２）
であると特定した。しかし，特許権侵害訴訟において，控訴人が使用の差止等を求
める「被控訴人方法」を，本件発明１の特許請求の範囲と同一の文言を用いて特定
することは，具体的紛争解決を図る上で何らの意味も有しない。したがって，控訴
審においては，原審で指摘したとおり，控訴人が差止等の対象とする「被控訴人方
法」は「防汚膜装置『Ｇｅｎｅｒ－２３５０』の稼働により使用する成膜方法。」を
指すものと理解した上で，審理，判断する。
２前提事実及び争点
以下のとおり付加，訂正するほかは，原判決の「事実及び理由」欄の「第２事
案の概要」の「１前提事実」及び「２争点」（原判決２頁１６行目ないし５頁１
１行目）記載のとおりであるから，これを引用する。
(1)原判決４頁８行目から９行目までの「別紙装置等目録記載２の方法（以下「被
告方法」という。）は，本件発明１の構成要件をすべて充足し，」を「被控訴人方法
は，本件発明１の構成要件１－Ｂ及び１－Ｃを充足し，」と訂正する。
(2)原判決４頁１５行目から１６行目までの「被告装置の稼働により使用する方
法」を「被控訴人方法」と訂正する。
(3)原判決４頁２１行目の「被告装置」から５頁８行目までを，「被控訴人方法
は本件発明１の構成要件１－Ａを充足するか(争点１)」に訂正する。
(4)原判決５頁１１行目末尾を改行して，「(4)損害額（争点４）」を加える。
第３争点についての当事者の主張
以下のとおり付加，訂正するほかは，原判決の「事実及び理由」欄の「３争点
についての当事者の主張」（原判決５頁１２行目ないし１１頁１２行目）記載のとお
りであるから，これを引用する。
１原判決５頁１３行目から６頁１０行目までを，以下のとおり訂正する。
「(1)争点１（被控訴人方法は本件発明１の構成要件１－Ａを充足するか）につ
いて
ア控訴人
(ｱ)構成要件１－Ａ
構成要件１－Ａは，「基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給する
ことによって前記基体保持面に保持され回転している基体のすべてに対して前記成
膜材料を連続して供給するとともに，」とされている。
同構成要件の「基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給する」と
は，蒸発源による蒸発物の蒸発方向が，基体保持面の全域に「向いていればよい」
と理解すべきであって，蒸発源から蒸発した成膜材料が基体保持面に「付着」又は
「堆積」されることを要すると解すべきではない。
また，同構成要件は，基体保持面の「回転」を前提としており，基体保持面にお
いて成膜材料の供給量が多い部分と少ない部分があるとしても，回転により均一化
されるので，成膜材料の基体保持面への供給量・到達量の大小は問題にならない。
本件発明１においては，膜厚補正板の存在を前提としている以上，各基体に到達す
る成膜材料の「量」に差が生じているといえる。構成要件１－Ａの解釈に当たり，
成膜材料が基体保持面に到達する「量の大小」を考慮すべきでない。
以上のとおりであるから，蒸発源と基体保持手段の基体保持面との間に何らかの
障害物が存在する場合であっても，同構成要件を充足すると解するのが相当である。
(ｲ)被控訴人方法の特徴
ａ被控訴人装置の図面（甲６の２）の「９ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＤＯＭＥ」
は「基板ドーム」を指し，構成要件１－Ａの「基体保持手段」に相当する。また，
基板ドームは回転する。上記図面の「５ＨＥＡＲＴＨ］，「６ＲＨＳＯＵＲＣ
Ｅ」は「電子銃１基」，「抵抗加熱１基」を指し，薄膜を形成する成膜材料を供給す
る蒸着源（成膜手段）に当たる。成膜材料は，ハース（「５ＨＥＡＲＴＨ］）及び
ＲＨソース（「６ＲＨＳＯＵＲＣＥ」）からドーム（「９ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ
ＤＯＭＥ」）の基体保持面の全てに対して連続的に供給される。
ｂ控訴人が実施した検証の結果（甲７）により，成膜材料の到達範囲は仕切り
板によって制限されないことが判明した。また，「CoatingsonGlass」（甲８）１９
８頁の記載からは，成膜材料が，残留ガスとの衝突により自由な方向に拡散しなが
ら基体に到達する性質を持ち，直線状に供給範囲を制限できるものではないことが
分かる。このように，被控訴人装置では，成膜材料が基体保持面の全域に供給され
る。
ｃ被控訴人が実施した実験結果（乙１２）によると，被控訴人装置では，Ａ１
ないし１０，Ｂ１ないし１０及びＦ１ないし１０のいずれの基板にも成膜材料が到
達し，膜が形成されている。前記のとおり，いずれの基板にも成膜材料が到達して
いれば，その量の大小にかかわらず，基板保持面の全域に向けて成膜材料が供給さ
れているといえる。
ｄＲＨソースは，蒸発源の高さや仕切り板の高さがハースと異なっており，Ｒ
Ｈソースからはドームの全域が見渡せるのであるから，ＲＨソースを稼働させれば
基体保持面の全域に向け成膜材料の供給が可能となる。そして，被控訴人装置にお
いて，ＲＨソースとイオンソースの同時稼働が行われないとしても，レシピの設定
変更により，ＲＨソースとイオンソースを同時に稼働させることは可能である。
また，被控訴人装置は，レシピの設定変更により，ＲＨソースとハースを同時稼
働とすることも可能である。ＲＨソースとハースの同時稼働がされれば，成膜材料
は基板ドームの全領域に供給される。
(ｳ)以上のとおり，被控訴人方法は，本件発明１の構成要件１－Ａを充足する。」
２原判決６頁１７行目の末尾に，次のとおり加える。
「また，被控訴人装置では，ＲＨソースとイオンソースの同時稼働は行われない。」
３原判決６頁１９行目末尾に，次のとおり加える。
「さらに，イオンアシストを行う際のガスを導入することにより，イオンアシス
トを行う際の真空度（圧力）と同一の値の真空度（０．００９Ｐａ）にして行われ
た実験の結果（乙１２）でも，ドーム左側のＡ７点より左側には成膜材料は実質的
に供給されておらず，被控訴人装置における成膜材料の供給範囲がドームの基体保
持面の一部の領域であることは変わらない。」
４原判決６頁２２行目の「被告装置の稼働」から７頁２行目末尾までを「被控
訴人方法は，本件発明１の構成要件１－Ａを充足しない。」に訂正する。
５原判決７頁５行目から１８行目までを，以下のとおり訂正する。
「(ｱ)構成要件２－Ｂ
構成要件２－Ｂは，「前記基体保持手段の基体保持面の全領域に対して成膜材料を
供給可能となるような配置及び向きで前記真空容器内に設置された成膜手段と，」と
されている。
同構成要件の「前記基体保持手段の基体保持面の全領域に対して成膜材料を供給
可能となるような配置及び向きで」とは，蒸発源による蒸発物の蒸発方向が，基体
保持面の全域に「向いていればよい」と理解すべきであって，蒸発源から蒸発した
成膜材料が基体保持面に「付着」又は「堆積」されることを要すると解すべきでは
ない。
また，同構成要件は，基体保持面の「回転」を前提としており，基体保持面にお
いて成膜材料の供給量が多い部分と少ない部分があるとしても，回転により均一化
されるので，成膜材料の基体保持面への供給量・到達量の大小は問題にならない。
本件発明２においては，膜厚補正板の存在を前提としている以上，各基体に到達す
る成膜材料の「量」に差が生じているといえる。構成要件２－Ｂの解釈に当たり，
成膜材料が基体保持面に到達する「量の大小」を考慮すべきでない。
以上のとおりであるから，蒸発源と基体保持手段の基体保持面との間に何らかの
障害物が存在する場合であっても，同構成要件を充足すると解するのが相当である。
(ｲ)被控訴人装置の特徴
ａ被控訴人装置の図面（甲６の２）の「９ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＤＯＭＥ」
は「基板ドーム」を指し，構成要件２－Ｂの「基体保持手段」に相当する。また，
基板ドームは回転する。上記図面の「５ＨＥＡＲＴＨ］，「６ＲＨＳＯＵＲＣ
Ｅ」は「電子銃１基」，「抵抗加熱１基」を指し，薄膜を形成する成膜材料を供給す
る蒸着源（成膜手段）に当たる。成膜材料は，ハース（「５ＨＥＡＲＴＨ］）及び
ＲＨソース（「６ＲＨＳＯＵＲＣＥ」）からドーム（「９ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ
ＤＯＭＥ」）の基体保持面の全てに対して連続的に供給される。
ｂ控訴人が実施した検証の結果（甲７）及び「CoatingsonGlass」（甲８）１
９８頁の記載によれば，被控訴人装置では，成膜材料が基体保持面の全域に供給さ
れる。
ｃ被控訴人が実施した実験結果（乙１２）によると，被控訴人装置では，Ａ１
ないし１０，Ｂ１ないし１０及びＦ１ないし１０のいずれの基板にも成膜材料が到
達し，膜が形成されている。前記のとおり，いずれの基板にも成膜材料が到達して
いれば，その量の大小にかかわらず，基板保持面の全域に対して成膜材料が供給さ
れているといえる。
ｄ前記のとおり，ＲＨソースを稼働させれば基体保持面の全域に対して成膜材
料の供給が可能となり，レシピの設定変更により，ＲＨソースとイオンソースを同
時に稼働させることは可能である。また，被控訴人装置は，レシピの設定変更によ
り，ＲＨソースとハースを同時稼働とすることも可能である。
(ｳ)以上のとおり，被控訴人装置は，本件発明２の構成要件２－Ｂを充足する。」
６原判決８頁２行目の末尾に「（争点３）」を加える。
７原判決１１頁１２行目末尾を改行して，次のとおり加える。
「(4)損害額（争点４）
ア控訴人
被控訴人は，平成２３年３月１日からこれまでに，被控訴人製品を少なくとも７
０台製造，販売等している。控訴人の本件発明２の実施品の販売による利益額は１
台当たり１０００万円である。
したがって，控訴人の損害額は７億円（１０００万円×７０台）である。
イ被控訴人
控訴人の主張は否認する。」
第４当裁判所の判断
１原判決の「事実及び理由」欄の「第３当裁判所の判断」の「１」及び「２」
（原判決１１頁１４行目ないし１４頁１４行目）記載のとおりであるから，これを
引用する。ただし，以下のとおり付加，訂正する。
(1)原判決１１頁１４行目から１５行目にかけての「(被告装置の稼働により使
用する方法が被告方法の構成ａを充足するか否か)について」を「(被控訴人方法は
本件発明１の構成要件１－Ａを充足するか)について」に訂正する。
(2)原判決１２頁４行目の「被告装置を用いて，」の後に「成膜中の真空度を０．
００５Ｐａとして，」を加え，「ＳｉＯ２」を「ＳｉＯ２」に訂正する。
(3)原判決１２頁６行目の「測定する実験」の後に「（乙７）」を加える。
(4)原判決１２頁１１行目から１２行目にかけての「極めて薄くしか形成されな
かったこと」の後に，次のとおり加える。
「（最も厚い膜とほぼ同程度の厚さの膜が形成された右端のＢ１０の膜厚を１００．
０とした場合に，その２．０未満の膜厚であった。），(ｴ)さらに，被控訴人補佐人は，
被控訴人装置を用いて，成膜中の真空度を０．００９Ｐａ（イオンアシストがある
場合の真空度と同一の真空度）として，上記と同様の実験（乙１２）をしたところ，
ハース用仕切り板を設置した状態では，最も厚い膜とほぼ同程度の厚さの膜が形成
された右端のＢ１０の膜厚を１００．０とした場合の左側のＡ６ないし８の膜厚は
２．０未満，Ａ９と１０の膜厚は１．０未満であり，ハース用仕切り板を設置しな
い状態では，Ｂ１０の膜厚を１００．０とした場合のＡ７ないし１０の膜厚は１０．
０未満であったこと，」
(5)原判決１２頁１３行目の「被告補佐人がした実験」の後に「（乙７）」を加え
る。
(6)原判決１２頁１５行目から１７行目までの「真空蒸着では，基板近傍に遮蔽
板を設置しない限り，急激な膜厚変化は極めて困難であるのに，」を「特表２０１２
－５２５４９５号公報（甲３３），特許第５１７１５８３号公報（甲３４），ＷＯ２
０１２／００８４５５（甲３５）によると，真空蒸着においてはいわゆる回り込み
等が生じるため，蒸発源に隣接して仕切り板を設置しても，急激な膜厚変化は通常
起こり得ないはずであるのに，」と訂正する。
(7)原判決１２頁１７行目の「減少している」の後に「，③蒸発源からの距離を
考えると，Ａ９やＦ２に膜が形成されているにもかかわらず，蒸発源からの距離が
Ａ９より近いＡ７や８，Ｆ２より近いＡ１０に膜が形成されていないことはあり得
ない」と加える。
(8)原判決１２頁１８行目の「作出した」を「作出するなどした」に訂正する。
(9)原判決１２頁２０行目の「図２」を「図１」と訂正する。
(10)原判決１２頁２２行目から１３頁２行目までの「真空蒸着において，蒸発
源に隣接して仕切り板を設置したのでは，急激な膜厚変化が生じないことを裏付け
る的確な証拠はないのである。」を「実験報告書（乙７）の図１（被控訴人装置の図
面）によると，基板Ｂ１とＡ１との間には基板数枚分の間隔があることを考慮する
と，Ａ１から極端に膜厚が減少しているとは必ずしもいえない。③については，Ａ
９やＦ２に形成された膜は極めて薄いものであり，後記のとおり，成膜材料は残留
ガスとの衝突により自由な方向に拡散しながら基体に到達する性質を持っていると
すると，Ａ９やＦ２よりも蒸発源に近いＡ７・８やＡ１０に膜が形成されなかった
としても，必ずしも不自然であるとはいえない。」と訂正する。
(11)原判決１３頁５行目末尾を改行して，次のとおり加える。
「また，控訴人は，被控訴人補佐人が行った実験（乙１２）について，①実験（乙
１２）と実験（乙７）の違いは成膜中の真空度（圧力）のみであり，実験（乙１２）
の方が成膜中の圧力が高かったにもかかわらず，電子銃（ハース）に近い基板の膜
厚が厚く形成された点は，光学薄膜の膜厚分布の技術常識に反し，不自然である，
②実験（乙１２）と実験（乙７）は，同一成膜レート，同一成膜時間で成膜したも
のであるから，全体の蒸着量（絶対量）はほぼ同一となるにもかかわらず，実験（乙
１２）の方がドームに付着した成膜材料が多くなっている点において不自然である，
③実験（乙７）では，仕切り板を設置した場合と設置しなかった場合とで，ドーム
の右側の膜厚分布に違いはないのに対し，実験（乙１２）では，仕切り板を設置し
た場合は，仕切り板を設置しなかった場合と比較して，ドームの右側の膜厚が異常
に増加しており，同一成膜レート，同一成膜時間での実験において，このような著
しい違いが生じる点が不自然である等の理由を挙げて，実験結果（乙１２）は信用
できないと主張する。
しかし，実験（乙１２）は実験（乙７）よりも成膜中の圧力が高くなっているこ
とからすると，実験（乙１２）において，実験（乙７）と同様にドームの中心部に
設置された膜厚計における成膜レートを０．８Åとなるようにするために，単位時
間当たりに蒸発させる成膜材料の量の調整等をしていることが考えられる。仮に，
調整等がされていない場合には，実験（乙７）又は実験（乙１２）のいずれかにお
いて，膜厚計における成膜レートが０．８Åに達していないと解するのが合理的で
あり，その点においては，乙７及び乙１２に係る実験結果には，正確性の点で難が
ないわけではない。いずれにしろ，両実験は，圧力以外の条件において，同一性が
確保されているとはいえない。控訴人の上記各主張は，実験（乙７）と実験（乙１
２）との違いは成膜中の圧力のみであるとの前提に立つものであって，採用できず，
前記認定を覆すものではない。」
(12)原判決１３頁６行目ないし１２行目を，次のとおり訂正する。
「(2)前記のとおり，被控訴人装置を用いて，成膜中の真空度（圧力）を０．０
０５Ｐａとした実験の結果（乙７）では，ハース用仕切り板を設置した場合，左側
の１０か所（Ａ１ないし１０）は全く膜が形成されないか，又は最も厚い膜とほぼ
同程度の厚さの膜が形成された右端のＢ１０の２パーセント未満の厚さの膜しか形
成されず，被控訴人装置を用いて，成膜中の真空度（圧力）をイオンアシストがあ
る場合と同一の０．００９Ｐａとした実験の結果（乙１２）では，ハース用仕切り
板を設置した場合，Ａ６ないし８の膜厚はＢ１０の２パーセント未満，Ａ９と１０
の膜厚はＢ１０の１パーセント未満であり，これらによると，最も厚い膜とほぼ同
程度の厚さの膜が形成されたＢ１０に比べ，Ａ６ないし１０に形成された膜は極め
て薄く，少なくとも，Ａ６ないし１０は実質的には膜が形成されているとはいえな
い。そうすると，被控訴人装置では，ハースを蒸発源とする成膜材料の供給が，基
板保持面全域に向けてなされているとはいえず，したがって，被控訴人方法は，本
件発明１の構成要件１－Ａを充足しない。」
(13)原判決１４頁５行目の「実験」の後に「（乙７及び１２）」を，「形成されな
い」の後に「，又は実質的に膜が形成されたとはいえない」を加える。
(14)原判決１４頁７行目末尾を改行して，次のとおり加える。
「また，控訴人は，①本件発明１においては，基体保持面の「回転」を前提とし
ており，回転により均一化されるので，成膜材料の基体保持面への供給量・到達量
の大小は問題にならない，②本件発明１においては，膜厚補正板の存在を前提とし
ているから，その点に照らすならば，各基板に到達する成膜材料の「量」に差があ
るものを含むと合理的に考えられ，したがって，構成要件１－Ａは，成膜材料が基
体保持面に到達する量が僅かな場合であっても含まれると解すべきであると主張す
る。
しかし，以下のとおり，控訴人の上記主張は失当である。
構成要件１－Ａは，「基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給する
ことによって前記基体保持面に保持され回転している基体のすべてに対して前記成
膜材料を連続して供給するとともに，」とされている。そして，本件特許明細書（甲
２）の段落【００３３】には「本実施形態の蒸発源３４は，成膜材料を，・・・基板
ホルダ１２に保持されるすべての基板１４に対して連続して付着させることが可能
となるような配置及び向きで設置されている。」との記載があることからすると，構
成要件１－Ａは，回転による膜厚の均一化とは関わりなく，基体の全てが，連続し
て成膜材料が付着されることを要すると解すべきである。
また，成膜補正板は，基体保持面の各所に取り付けられた基体に成膜材料が一定
程度蒸着することを前提として，種々の要因によりその膜厚分布が均一とならない
ことから，均一を図る目的で設置されるものである（甲４１）。
したがって，基板保持面に到達する成膜材料の量が僅かであっても足りるとの控
訴人の主張は採用できない。
控訴人は，構成要件１－Ａは，基体保持面が「回転」することを前提としている
ことから，「基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給する」は，蒸発
源から蒸発した成膜材料が基体保持面に「付着」又は「堆積」することと解すべき
ではなく，蒸発源による蒸発物の蒸発方向が，基体保持面の全域に「向いていれば
よい」と解すべきであると主張する。しかし，上記のとおり，構成要件１－Ａは，
基体の全てが，実質的に連続して成膜材料が付着されることを要すると解すべきで
あるから，控訴人の上記主張は失当である。
以上によれば，成膜材料が付着しているとは評価できない基体が存在するような
場合には，構成要件１－Ａを充足しないと解すべきである。
なお，控訴人は，被控訴人装置においては，レシピの設定変更により，ＲＨソー
スとイオンソースを同時稼働とすることも，ＲＨソースとハースを同時稼働とする
ことも可能であると主張するが，これを認めるに足りる証拠はない。ＲＨソースと
イオンソースを同時稼働とする公知例や，ＲＨソースとハースを同時稼働とする公
知例があるとしても，そのことから，被控訴人装置において同時稼働が可能である
と認定することはできない。」
(15)原判決１４頁８行目の「被告装置の稼働により使用する方法は，被告方法
の構成ａ」を「被控訴人方法は，構成要件１－Ａ」と訂正する。
(16)原判決１４頁１３行目の「基板保持手段の基板保持面の全域に向け成膜材
料を供給する」を「基板保持手段の基板保持面の全領域に対して成膜材料を供給可
能となる」と訂正する。
２結論
以上のとおり，控訴人の請求はいずれも理由がない。したがって，本件控訴は理
由がないので，これを棄却することとして，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第１部
裁判長裁判官
飯村敏明
裁判官
八木貴美子
裁判官
小田真治
別紙装置等目録
１防汚膜装置「Ｇｅｎｅｒ－２３５０」
２上記装置の稼働により使用する方法

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