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平成２５年３月１２日判決言渡
平成２４年（行ケ）第１０２３０号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２５年２月２６日
判決
原告台湾積體電路製造股份有限公司
訴訟代理人弁理士牛木護
高橋知之
清水榮松
守屋嘉高
矢野卓哉
外山邦明
被告特許庁長官
指定代理人早川朋一
鈴木匡明
西脇博志
田部元史
田村正明
主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
この判決に対する上告及び上告受理の申立てのための付加期間を３０日
と定める。
事実及び理由
第１原告の求めた判決
特許庁が不服２００９－７８０９号事件について平成２４年２月１３日にした審
決を取り消す。
第２事案の概要
本件は，特許出願に対する拒絶審決の取消訴訟である。争点は，容易推考性の存
否である。
１特許庁における手続の経緯
原告は，平成１６年（２００４年）６月１４日（米国）の優先権を主張して，平
成１７年６月１３日，名称を「導線近傍にスキャッタリング・バーを配置させてな
る半導体デバイス」とする発明について特許出願（特願２００５－１７２９６０号，
請求項の数２０）をし，平成２０年１２月１日付けの補正（乙１）をしたが，平成
２０年１２月２６日付けで拒絶査定を受けた。そこで，原告は，平成２１年４月９
日，拒絶査定に対する不服審判請求（不服２００９－７８０９号）をし，特許庁に
よる平成２３年８月２９日付けの拒絶理由通知を受けて，平成２３年１２月２６日
付けの補正（甲１０，請求項の数１８）をしたが，特許庁は，平成２４年２月１３
日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，その謄本は平成２４年
２月２７日，原告に送達された。
２本願発明の要旨
平成２３年１２月２６日付けの補正（甲１０）による特許請求の範囲の請求項１
に係る本願発明は，次のとおりである。
【請求項１】
ワークピースと，
前記ワークピース上に配置され，密集領域と孤立領域を備える絶縁材料と，
前記絶縁材料内の前記孤立領域内に配置され，第１の側辺およびこの第１の側辺
に対向する第２の側辺を有すると共に，第１の長さを持っている少なくとも１本の
第１の導線と，
前記絶縁材料内であって前記第１の導線の第１の側辺側近傍に前記第１の導線の
第１の側辺から離間させて配置され，前記第１の長さに略等しい第２の長さを持っ
ているＮ本の第１のスキャッタリング・バーと，
前記絶縁材料内であって前記第１の導線の第２の側辺側近傍に前記第１の導線の
第２の側辺から離間させて配置され，前記第１の長さと略等しい第３の長さを持っ
ているＮ本の第２のスキャッタリング・バーとを含み，
前記第１の導線は電気的に活性であり，前記Ｎ本の第１のスキャッタリング・バ
ーと前記Ｎ本の第２のスキャッタリング・バーは電気的に不活性であり，
前記絶縁材料内の前記密集領域内に，前記第１の導線より高いパターン密度を有
する複数の第２の導線が配置されており，前記第１の導線のシート抵抗と前記第２
の導線のシート抵抗が等しくなるように，前記第１のスキャッタリング・バーと第
２のスキャッタリング・バーを配置した半導体デバイス。
３審決の理由の要点
(1)特開２００１－１４８４２１号公報（引用例１，甲２）に記載された引用
発明，本願発明と引用発明との一致点，相違点は，次のとおりである。
【引用発明】
第１層間絶縁膜１２表面における第２配線層１８ｂ表面の分布に粗密があり，そ
の相対的に粗の領域にダミー配線層１８ｃを形成することにより，第１層間絶縁膜
１２表面における第２配線層１８ｂ表面とダミー配線層１８ｃ表面とを合わせた分
布の粗密を低減化したダマシン構造の多層微細配線を有する半導体装置。
【一致点】
ワークピースと，
前記ワークピース上に配置され，密集領域と孤立領域を備える絶縁材料と，
前記絶縁材料内の前記孤立領域内に配置され，第１の側辺及びこの第１の側辺に
対向する第２の側辺を有するとともに，第１の長さを持っている少なくとも1本の
第１の導線と，
前記絶縁材料内に，電気的に不活性である配線を含み，
前記第１の導線は電気的に活性であり，
前記絶縁材料内の前記密集領域内に，前記第１の導線より高いパターン密度を有
する複数の第２の導線が配置されている半導体デバイス。
【相違点１】
本願発明は，電気的に不活性である配線が「第１の導線の第１の側辺側近傍に前
記第１の導線の第１の側辺から離間させて配置され，前記第１の長さに略等しい第
２の長さを持っているＮ本の第１のスキャッタリング・バー」及び「第１の導線の
第２の側辺側近傍に前記第１の導線の第２の側辺から離間させて配置され，前記第
１の長さと略等しい第３の長さを持っているＮ本の第２のスキャッタリング・バー」
であるのに対して，引用発明では，ダマシンプロセスにおいて，「導電性物質の研
削スピードを基体全面にわたって略均等」にするための「ダミー配線」であり，ま
た，その具体的な長さ，本数，配置に関して特定がなされていない点。
【相違点２】
本願発明は，「第１の導線のシート抵抗と前記第２の導線のシート抵抗が等しい」
ものであるのに対して，引用発明では，シート抵抗に関して特定がなされていない
点。
(2)相違点に関する審決の判断
ア相違点１について
引用発明は，ダマシンプロセスにおける研削スピードを均等にするためのダミー
配線を有するのに対し，本願発明のスキャッタリング・バーは，「孤立した導線１
０６ｂのリソグラフィープロセスの光近接効果補正（ＯＰＣ）を達成」（段落【０
０４７】）するためのものである。しかしながら，露光工程において，近接露光効
果の影響で，パターン密度に粗密があると現像後のパターン形状（幅等）が異って
しまうため，パターン密度が低い領域にダミーパターンを設けることにより均一の
パターン幅を形成する技術は，特開２００３－２７３２２１号公報（引用例２，甲
６），特開２０００－１７４０２０号公報（引用例３，甲７）に記載されているよ
うに当該技術分野において周知の技術である。また，引用例２（段落【００１０】，
【００１１】）の記載からすると，ダミーパターンを形成し，パターン密度を均一
化することにより，ケミカル・メカニカル・ポリッシング工程のバラツキを解消し，
かつ，露光工程の近接露光効果によるパターン形状が異なるという課題も解決し得
ること（近接効果補正がされること）は，当該技術分野において一般的に知られて
いることである。そうすると，当業者は，引用発明においてダミー配線を設ければ，
近接効果補正もなされることを直ちに理解し得た。したがって，引用発明について，
パターン密度の低い孤立領域にダミーパターンを設けることにより，ダマシンプロ
セスにおける研削スピードを均等にするのみならず，光近接効果補正を行い，均一
のパターン幅を得るようにすることは，当業者ならば適宜なし得たことである。
また，スキャッタリング・バーの長さ，本数，配置などは，目標とするパターン
の精度に応じて，近接効果補正を勘案して，当業者が適宜設定する設計事項である。
そして，引用例１（【図１】～【図５】）及び引用例２（【図４】）に記載される
ように，導線と離間して，導線と略等しい長さを有する複数のスキャッタリング・
バーを導線の両側に設けることはごく普通のことである。したがって，孤立領域に
おいて導線の両側辺近傍に，導線と略等しい長さのスキャッタリング・バーを複数
設けることは，当業者ならば適宜なし得たことである。
以上のとおりで，周知技術を勘案すれば，引用発明について相違点１に係る本願
発明の構成とすることは，当業者であれば適宜なし得たことである。
イ相違点２について
引用発明に引用例２及び３で開示された周知技術を適用し，スキャッタリング・
バーで近接露光効果補正を行うことによって，均一のパターン幅の配線が形成でき
ることは，上記アで検討したとおりであり，そうすることにより，第１の導線のシ
ート抵抗と第２の導線のシート抵抗が等しくなることは，当然の効果であって，当
業者の予測の範囲内であるし，何ら新たな構成要件ではない。したがって，引用発
明について，上記の周知技術を勘案し，第１の導線のシート抵抗と前記第２の導線
のシート抵抗が等しくなるよう第１，第２のスキャッタリング・バーを配置するこ
とは，当業者であれば適宜なし得たことである。
なお，原告は，本願発明について，「導線パターンの両側近傍にスキャッタリン
グ・バーパターンを配置するため，導線パターンの焦点深度が改善するとともに，
リソグラフィープロセスの解像度が向上する。…密集領域と孤立領域における導線
の外形寸法が等しい半導体デバイスを作製することができ，これによって，半導体
デバイスの性能が改善され，ダイの異なる領域における抵抗率Ｒｓが均一となる。」
という作用効果を奏するものであり，引用例１～３には，この点に関する示唆がな
いので，引用発明について，引用例２及び３に開示された周知技術を適用する動機
付けがないと主張する。しかしながら，パターンニングの際，繰り返しのダミーパ
ターン（本願発明のスキャッタリング・バーパターン）を形成することにより，解
像度が向上するとともに，焦点深度の範囲が広がることは，特開平８－４５８１０
号公報（周知例１，甲８），特開平１１－１４５０３０号公報（周知例２，甲９）
にも開示されているように，露光技術の分野において周知である。そして，高精度
のパターンにより外形寸法が等しい半導体デバイスを作成できれば抵抗率Ｒｓすな
わちシート抵抗が均一になることは当業者にとって明らかである。
以上のとおりで，本願発明は，引用発明と周知技術に基づき，当業者が容易に発
明をすることができたものである。
第３原告主張の審決取消事由（相違点２の判断の誤り）
審決は，引用発明に引用例２及び３で開示された周知技術を適用することで，均
一なパターン幅の配線が形成され得るので，第１の導線のシート抵抗と第２の導線
のシート抵抗が等しいという相違点２に係る本願発明の構成は，当然の効果である
などと判断した。
しかしながら，「シート抵抗」（Ｒｓ）は，導体の単位正方形シート（ｕｎｉｔ
ｓｑｕａｒｅｓｈｅｅｔ）の抵抗として定義され，導体の抵抗率（ρ）を導体の
厚さ（ｔ）で割ったものと等しい（Ｒｓ＝ρ/ｔ）。すなわち，シート抵抗は，導体
の抵抗率と厚さによって決定されるが，導体の幅と長さには無関係である。このた
め，単に第１の導線と第２の導線の幅が均一であるだけでは，第１の導線のシート
抵抗と第２の導線のシート抵抗が均一とはならない。したがって，引用例１～３に
は，シート抵抗が等しいという技術的事項は教示も示唆もされていないことになる
から，これらを組み合わせたとしても，相違点２に係る本願発明の構成には至らな
い。
なお，被告は，本願明細書には，「導線」の抵抗率（ρ）や「導線」の厚さ（ｔ）
の変動を防止する旨の記載がないと反論する。しかしながら，本願明細書の段落【０
０３１】に記載された導線の「外形寸法」が導線の「厚み」を意味することは，シ
ート抵抗に関する上記の既知の定義と，本願発明の教示に基づき，当業者であれば
一義的に認識可能であり，このことは，本願明細書の段落【００７７】に，スキャ
ッタリング・バーのサイズをスキャッタリング・バーの厚みとして明記しているこ
とからも理解できる。
また，周知例１及び２は，所定のパターンに近接してダミーパターンを形成する
技術的事項を開示しているが，そこでは，ダミーパターンの除去等により，ダミー
パターンは露光フォトレジストに残存しない。これに対し，引用例１～３は，フォ
トマスクでダミーパターンが残存する技術的事項を開示するものであるから，周知
例１及び２に開示された技術的事項を引用発明に適用する動機付けは存在しない。
したがって，相違点２に関する審決の判断は誤りである。
第４被告の反論
本願明細書の記載によれば，本願発明は，フォトリソグラフィー工程における近
接効果による孤立領域でのパターンの形状の歪みに起因する「導線の外形寸法」の
変動を防止するため，また，この「導線の外形寸法」の変動の結果として生じる孤
立領域と密集領域での「導線の抵抗率Ｒｓ」の変動を防止するために，孤立領域の
導線パターンの両側近傍にスキャッタリング・バーパターンを配置するという解決
手段によって，導線パターンの焦点深度が改善するとともに，リソグラフィープロ
セスの解像度が向上し，密集領域と孤立領域における導線の「外形寸法」が等しい
半導体デバイスを作製することができ，結果として，密集領域における導線と孤立
領域における導線との「抵抗率Ｒｓが揃う」，すなわち「抵抗率Ｒｓ」が等しくな
るという発明であり，本願発明の「シート抵抗」は，「抵抗率Ｒｓ」に対応するも
のである。
審決は，引用発明に引用例２及び３で開示された周知技術を適用することで，本
願発明と同じ手法となることから，シート抵抗が等しくなるという本願発明の効果
を奏するのは当然であると判断したのであって，審決の判断に誤りはない。
なお，原告は，「シート抵抗」は導体の抵抗率（ρ）と厚さ（ｔ）によって決定
される旨主張しているが，本願明細書には，「シート抵抗」に対応する「抵抗率Ｒ
ｓ」の変動を防止する旨の記載があるのみで，「導線」の抵抗率（ρ）の変動を防
止する旨の記載も，「導線」の厚さ（ｔ）の変動を防止する旨の記載も，存在しな
い。
また，原告は，周知例１及び２に関して，引用発明に適用する動機付けがない旨
主張している。しかしながら，審決は，周知例１及び２に開示された技術的事項を
引用発明に適用したのではなく，審判段階において原告がした，本願発明によって
解像度の向上とともに焦点深度が改善するという作用効果がある旨の主張に対し
て，そのような作用効果が周知であることを示すために周知例１及び２を提示した
にすぎない。したがって，周知例１及び２につき動機付けが求められるものではな
い。
第５当裁判所の判断（相違点２に関する判断の当否について）
１本願明細書（甲１０，１５）の記載によれば，本願発明について，次のとお
り認められる。
本願発明は，半導体デバイスに導電構造を形成するためのダマシン法に関するも
のである（段落【０００１】）。半導体デバイスに導線を形成するためのダマシン
プロセスでは，絶縁材料等からなる層に光学的なフォトリソグラフィーによってパ
ターンを形成するところ，光の近接効果により所望のパターンの形状が歪むことが
あり（段落【０００３】，【０００７】，【０００８】），半導体デバイスのデザ
インとして，パターンが密集して配置される密集領域と，間隔を広くとって配置さ
れる孤立領域がある場合，上記の近接効果は，密集領域では通常問題とならないが，
孤立領域で特に問題となるため，密集領域と孤立領域とで，導線の寸法が異なり，
導線の抵抗率Ｒｓも異なることとなり，集積回路のパフォーマンスに悪影響を与え
るという問題があった（段落【０００９】，【００１０】）。そこで，本願発明は，
密集領域と孤立領域を備える集積回路のリソグラフィー技術を改善することを目的
として（段落【００１１】，【００１２】），上記第２の２の構成を採用し，孤立
領域の導線パターンの両側近傍にスキャッタリング・バーパターンを配置すること
によって，導線パターンの焦点深度が改善するとともに，リソグラフィープロセス
の解像度が向上し，密集領域と孤立領域における導線の外形寸法が等しい半導体デ
バイスを作製することができ，これによって，異なる領域における抵抗率Ｒｓも均
一になるという効果を奏するものである（段落【００３１】，【００３７】）。
２上記認定によれば，本願発明は，ダマシン法により半導体デバイスに導線を
形成する際，孤立領域の導線パターンの両側近傍にスキャッタリング・バーパター
ンを配置するという構成によって，密集領域と孤立領域における導線の「外形寸法」
が等しくなり，これによって，導線の抵抗率Ｒｓも均一になるという効果を奏する
ものであるところ，本願発明が，フォトリソグラフィー技術により半導体デバイス
の材料層にパターンを形成する技術，すなわち，「平面的な」パターンを材料層に
転写する技術の問題点を解消するものであることに照らすと，本願発明の解決課題
及び作用効果にいう導線の「外形寸法」が，立体的形状に関係する導線の「厚さ」
ではなく，平面的な形状に関係する導線の「幅」を指すことは，当業者にとって自
明であるといえる。
また，引用発明との間の相違点２に係る本願発明の構成の「シート抵抗」という
用語は，当初明細書（甲１５）に一切記載がなく，平成２０年１２月１日付けの補
正によって加えられたものであるところ，原告自身が，この補正と同日付けで提出
した意見書（乙２）において，請求項１の「前記第１の導線のシート抵抗と前記第
２の導線のシート抵抗が等しい」という補正事項は，当初明細書の「半導体デバイ
ス１００の密集領域１０２における導線１０６ａと孤立領域１０４における導線１
０６ｂとの抵抗率Ｒｓが揃うこととなる。」（段落【００４７】）という記載に基
づくものである旨主張していることや，上記１で認定したように，本願発明の効果
が導線の抵抗率Ｒｓを均一にする点にあることに照らすと，相違点２に係る本願発
明の構成の「シート抵抗」は，導線の抵抗率Ｒｓを言い換えたものと認められる。
したがって，本願発明は，孤立領域の導線パターンの両側近傍にスキャッタリン
グ・バーパターンを配置するという構成によって，密集領域と孤立領域における導
線の「幅」が等しくなり，これによって，それらの導線の抵抗率Ｒｓ，すなわちシ
ート抵抗も等しくなるという効果を奏するものといえる。
そして，パターン密度が低い領域にダミーパターンを設けることにより，均一の
パターン幅の配線（導線）を形成するという技術が，引用例２及び３に開示される
ように周知の技術であって，これを引用発明に適用することが，当業者にとって適
宜なし得るものであることは，審決が相違点１について説示するとおりであり（相
違点１に関する審決の判断を原告は争っていない。），そのようにして密集領域と
孤立領域とで導線の幅が均一になれば，それらのシート抵抗も等しくなることは当
然の帰結というべきであるから，審決が，引用発明について，相違点１に係る本願
発明の構成を採用することが容易であり，そうであれば，相違点２に係る構成を採
用することも容易である旨判断したことに誤りはない。
原告が，「シート抵抗」や導線の「外形寸法」の意義について主張するところに
よっても，上記判断は動かない。
３原告は，周知例１及び２に関して，そこに記載の技術的事項を引用発明に適
用する動機付けがない旨主張するが，審決は，繰り返しのダミーパターンを形成し
た場合に，「解像度の向上と焦点深度の範囲が広がるという効果が奏されること」
が周知であることを示すために，周知例１及び２に言及したにすぎず，そこに記載
された技術的事項を引用発明に適用したのではないから，原告の上記主張は失当で
ある。
第６結論
以上のとおり，原告主張の取消事由は理由がない。
よって，原告の請求を棄却することとして，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
塩月秀平
裁判官
池下朗
裁判官
古谷健二郎

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