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平成２６年３月２６日判決言渡
平成２５年（行ケ）第１００７１号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２６年３月１２日
判決
原告エヴァーライトエレクトロニクス
カンパニーリミテッド
訴訟代理人弁護士黒田健二
吉村誠
被告日亜化学工業株式会社
訴訟代理人弁護士宮原正志
訴訟復代理人弁護士松本優子
訴訟代理人弁理士鮫島睦
言上惠一
山尾憲人
田村啓
玄番佐奈恵
主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を３０日
と定める。
事実及び理由
第１原告の求めた判決
特許庁が無効２０１１－８００２０６号事件について平成２４年１１月６日にし
た審決を取り消す。
第２事案の概要
本件は，特許無効審判請求不成立審決の取消訴訟である。争点は，①引用発明認
定の誤りの有無，②相違点認定の誤りの有無,及び③相違点判断の誤りの有無である。
１特許庁における手続の経緯
(1)本件特許
被告は，名称を「半導体発光素子」とする発明についての本件特許（特許第４０
５５５０３号）の特許権者である。
本件特許は，平成１３年７月２４日に出願した特願２００１－２２３１１４号（第
１優先権基礎出願）及び平成１４年２月１９日に出願した特願２００２－４１７３
７号（第２優先権基礎出願）を基礎とする優先権を主張して，平成１４年７月２３
日に出願した特願２００２－２１３４９０号に係るものであり，平成１９年１２月
２１日に設定登録（登録時の請求項の数７，平成２４年５月１１日付け手続補正書
により補正された平成２４年１月４日付け訂正請求書による訂正後は４。）された。
（甲２１，２２）
(2)無効審判請求
原告は，平成２３年１０月１２日付けで本件特許の無効審判請求をしたが（無効
２０１１－８００２０６号），被告は，平成２４年１月４日付けで訂正請求をし（平
成２４年５月１１日付け手続補正書で補正），特許庁は，平成２４年１１月６日，「訂
正を認める。本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，その謄本は，同月
１５日，原告に送達された。
２本件発明の要旨
上記平成２４年１月４日付け訂正請求書（同年５月１１日付け手続補正書で補正）
による訂正後（この訂正後の明細書及び図面を「本件訂正明細書等」という。）の本
件特許の請求項１～４の発明（以下，番号順に「本件発明１」などのようにいう。）
に係る特許請求の範囲の記載（本件発明１については分説後のものであり，それぞ
れ「構成要件Ａ」などのようにいう。）は，次のとおりである。（甲２１）
「【請求項１】
【Ａ】基板上に，基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と，前記ＧａＮ
系半導体層の最上層に形成されたオーミック電極とを積層し，前記ＧａＮ系半導体
層で発生した光を前記オーミック電極側又は基板側から取り出すようにした半導体
発光ダイオードにおいて，
【Ｂ】上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり，
上記基板の表面部分には上記ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させ
る凸部が，λ／４（λは上記半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔，１０
μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており，
【Ｃ】その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり，上記ＧａＮ系半導体
層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに上記凸部平面形状の構成辺が上
記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され，
【Ｄ】上記凸部の側面が傾斜しており，その側面のテーパ角が１２０°より大き
く，１４０°以下であり，
【Ｅ】前記基板表面の凸部は，凸部上面，凸部の形成されていない平坦面，及び
凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた
【Ｆ】ことを特徴とする半導体発光ダイオード。
【請求項２】
上記オーミック電極が，上記半導体層の最上層のほぼ全面を覆うことを特徴とす
る請求項１記載の半導体発光ダイオード。
【請求項３】
上記オーミック電極が，透光性であることを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体発光ダイオード。
【請求項４】
上記半導体中における発光波長をλ，上記半導体の屈折率をｎとしたとき，上記
凸部の大きさが，少なくともλ／４ｎ以上，２０μｍ以下である請求項１ないし３
のいずれかに記載の半導体発光ダイオード。」
後記記述の参考として，甲２２の図３，図７及び図９を掲記する。
【図３】【図９】
【図７】
３審決の理由の要点
(1)優先権について
本件発明１～本件発明４は，いずれも構成要件Ｃ～Ｅを構成として含むが，第１
優先権基礎出願又は第２優先権基礎出願のいずれの出願に係る願書に最初に添付し
た明細書及び図面にも，当該構成が記載されておらず，かつ，当該構成が自明な事
項であると認めることもできない。
したがって，第１優先権基礎出願及び第２優先権基礎出願には，優先権主張の効
果は認められない。
(2)無効理由１（特開２００１－１６０５３９号公報に記載の発明との同一性
又は同発明からの容易想到性）について
ア引用発明の認定
特開２００１－１６０５３９号公報（甲１公報）には，次の発明（甲１発明）が
記載されている。
「サファイア基板から順に，ＡｌＧａＮバッファ層２，第１ＧａＮ層４，第２Ｇ
ａＮ層５，ｎ－ＧａＮコンタクト層１０４，ｎ－ＧａＮ第１クラッド層１０７，Ｍ
ＱＷ発光層１０８，ｐ－ＧａＮ第１クラッド層１０９，ｐ－ＧａＮコンタクト層１
１２を順に形成し，最上層にｐ電極１１４を形成した半導体レーザ素子であって，
Ｃ面を基板表面とするサファイア基板の所定領域には，凹部の幅ｗは，数μｍ～
数十μｍとするのが好ましく，凸部の幅ｂは数百ｎｍ～数十μｍとするのが好まし
い，六角形，三角形等の形状を有する複数の凸部が分散配置された凹凸パターンが
形成されており，
（０００１）面を基板表面とするサファイア基板に六角形または三角形の凹凸パ
ターンを形成する場合，各辺が［１－１００］方向または［１１－２０］方
向と等価な方向に一致するように六角形または三角形の凹凸パターンを形成するこ
とが好ましく，
サファイア基板のＣ面に対する凹部側面の角度は，特に限定されるものではなく，
例えば，凹部側面がサファイア基板のＣ面に対してほぼ垂直であり，
サファイア基板の凸部上面，凹部底面および凹部側面に，アンドープのＡｌＧａ
ＮからなるＡｌＧａＮバッファ層１２を成長させ，続いて，ＡｌＧａＮバッファ層
１２上に，アンドープのＧａＮからなるＧａＮ層１３を成長させ，ＧａＮ層１３の
凹部が徐々に埋められていき，ＧａＮ層１３が横方向に成長して，平坦化するまで
ＧａＮ層１３を成長させる窒化物系半導体の形成方法を用いた半導体レーザ素子。」
イ相違点認定
本件発明１と甲１発明とを対比すると，次の点が相違する。
【相違点１】①本件発明１は，半導体発光ダイオードであるのに対して，②甲１
発明は，半導体レーザ素子である点。
【相違点２】①本件発明１の「電極」は，[1]オーミック電極であって，[2]Ｇａ
Ｎ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにした
ものであるのに対して，②甲１発明の「ｐ電極１１４」は，[1]オーミック電極であ
るのか明らかではなく，また，[2]ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４
側又はサファイア基板側から取り出すようにしたものであるのか明らかではない点。
【相違点３】①本件発明１の「凸部」は，[1]基板の表面部分にありＧａＮ系半導
体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部であって，[2]λ/４（λは半導体発光
ダイオードの発光波長）以上の間隔，１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに
形成されているのに対して，②甲１発明の「凹凸パターン」は，[1]ＭＱＷ発光層１
０８で発生した光を散乱又は回折させるものであるのか明らかではなく，また，[2]
λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形
成されているのか明らかではない点。
【相違点４】①本件発明１の「（平面形状が大略三角形又は六角形である）凸部」
は，ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，凸部平面
形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直
交するように形成されているのに対して，②甲１発明の「（六角形，三角形等の形状
を有する複数の凸部が分散配置された）凹凸パターンは，（０００１）面を基板表面
とするサファイア基板に六角形又は三角形の凹凸パターンを形成する場合，各辺が
［１－１００］方向又は［１１－２０］方向と等価な方向に一致するように
六角形又は三角形の凹凸パターンを形成することが好ましいものであるが，ＧａＮ
系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，凸部平面形状の構成
辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交するよう
に形成されているか明らかではない点。
【相違点５】①本件発明１の「凸部」は，側面が傾斜しており，その側面のテー
パ角が１２０°より大きく，１４０°以下であるのに対して，②甲１発明の「凹凸
パターン」は，サファイア基板のＣ面に対する凹（凸）部側面の角度は，特に限定
されるものではなく，例えば，凹（凸）部側面がサファイア基板のＣ面に対してほ
ぼ垂直であって，側面のテーパ角が１２０°より大きく，１４０°以下であるか明
らかではない点。
なお，上記記述の参考として，甲１の図４～６，１１，１２を掲記する。
ウ相違点判断（審決では相違点１についてのみ判断されている。）
相違点１について検討すると，甲１発明の構成を前提として，甲１発明の半導体
レーザ素子を半導体発光ダイオードに変更することについて，当業者が容易に想到
できたものであるとする根拠を見いだすことはできない。
したがって，本件発明が甲１発明と同一であるということはできず，また，本件
発明１が，甲１発明に基づいて当業者が容易に想到できたということもできない。
(3)無効理由２（特開２００２－１６４２９６号公報に記載の発明並びに甲１
発明及び周知技術等からの容易想到性）について
ア引用発明の認定
特開２００２－１６４２９６号公報（甲８公報）には，次の発明（甲８発明）が
記載されている。
「基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって，
前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ，前記半導体結晶は凹部及び／または凸部か
らファセット構造を形成しながら成長されたものであり，
上記基板の結晶成長面の凸部が，平行なストライプ形状からなる凸部であり，
上記半導体結晶がＩｎＧａＡｌＮであって，かつ上記基板に凹凸加工したストラ
イプの長手方向が上記ＩｎＧａＡｌＮ結晶の（１－１００）面もしくは（１１－
２０）面と平行であり，その精度が１°以内であり，
上記基板に凹凸加工した凸部の幅Ａと，これに隣接する凹部の幅Ｂとの合計Ａ＋
Ｂが２０μm以内とされ，前記凹部の深さｈをＡ，Ｂのいずれか長い方の幅の２０％
以上とした半導体基材を用い，
基板としては，サファイア（Ｃ面）を用い，
上記半導体結晶が，上記基板上に成長される半導体層としてＡｌＸＧａ1-Ｘ-ＹＩｎ
ＹＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ+ｙ≦１）であり，
ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層，ＩｎＧａＮ発光層，ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ
型ＧａＮコンタクト層を順に形成し，その後，電極形成を行い，
上記基板に凹凸加工したストライプは，上記基板上に幅：２μｍ，周期：４μｍ，
ストライプ方位：ストライプ延伸方向が上記基板の＜１－１００＞方向で２μｍ
の深さまで断面方形型にエッチングして凹凸を施し，効果が出る凹凸形状であれば
特に制限はなく各種の形状を採用することができ，凹凸面の形成の態様としては，
島状の点在型の凸部などが例示でき，上記基板に凹凸加工した凸部の立上り斜面と
基板平面が成す角度は，６０°以上とすることが好ましく，可及的に直角に近いこ
とが特に望ましく，
上記基板上を断面方形型にエッチングした後，ＧａＮ低温バッファー層を成長し，
ｎ型ＧａＮ層を成長し，凸部，凹部両方での成長が観察され，凹凸部を覆い，平坦
になったＧａＮ膜が得られたＬＥＤ素子。」
イ相違点認定
本件発明１と甲８発明とを対比すると，次の点が相違する。
【相違点６】①本件発明１の「電極」は，[1]オーミック電極であって，[2]Ｇａ
Ｎ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにした
ものであるのに対して，②甲８発明の「電極」は，[1]オーミック電極であるのか明
らかではなく，また，[2]ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を電極側又は基板側から取
り出すようにしたものであるのか明らかではない点。
【相違点７】①本件発明１の「凸部」は，[1]基板の表面部分にありＧａＮ系半導
体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部であって，[2]λ/４（λは半導体発光
ダイオードの発光波長）以上の間隔，１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに
形成されているのに対して，②甲８発明の「凹凸部」は，[1]ＭＱＷ発光層１０８で
発生した光を散乱又は回折させるものであるのか明らかではなく，また，[2]λ/４
（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成さ
れているのか明らかではない点。
【相違点８】①本件発明１の「凸部」は，[1]その凸部の平面形状が大略三角形又
は六角形であり，[2]ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したと
きに，上記凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂
点を結ぶ線分に，直交するように形成されているのに対して，②甲８発明の「凹凸
部」は，[1]基板上に幅を２μｍ，周期を４μｍ，ストライプ方位をストライプ延伸
方向が基板の＜１－１００＞方向とし，２μｍの深さまで断面方形型にエッチン
グして凹凸を施し，効果が出る凹凸形状であれば特に制限はなく各種の形状を採用
することができ，凹凸面の形成の態様としては，島状の点在型の凸部，ストライプ
型の凸条からなる凸部，格子状の凸部，これらを形成する線が曲線である凸部など
が例示できるものであるが，その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であるか
明らかではなく，また，[2]ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定
したときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と
頂点を結ぶ線分に，直交するように形成されているか明らかではない点。
【相違点９】①本件発明１の「凸部」は，側面が傾斜しており，その側面のテー
パ角が１２０°より大きく，１４０°以下であるのに対して，②甲８発明の「凹凸
部」は，基板に凹凸加工した凸部１１の立上り斜面と基板平面が成す角度は，６０°
以上とすることが好ましく，可及的に直角に近いことが特に望ましいものであって，
側面のテーパ角が１２０°より大きく，１４０°以下であるか明らかではない点。
なお，上記記述の参考として，甲８の図１を掲記する。
ウ相違点判断（審決では相違点７及び９についてのみ判断されている。）
①相違点７について検討すると，甲８発明の「凸部」は，基板表面近傍に基板
からの転位の伝播がない低転位密度領域を形成することを目的とするものと認めら
れ，光を散乱又は回折させるものであるとは想定し難く，そのような構成とするこ
とが当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る根拠を見いだすことができな
い。
②相違点９について検討すると，甲８発明の「凸部」は，ファセット形成及び
その後の平坦化が実質的に阻害されないように，基板に凹凸加工した凸部１１の立
上り斜面と基板平面がなす角度は，６０°以上（本件発明１の表現に即していえば
１２０°以下である。）とすることが好ましく，可及的に直角に近いことが特に望ま
しいとしたものと認められ，かかる角度について，１２０°より大きく，１４０°
以下とする理由は見当たらず，そのような構成とすることが当業者にとって容易に
想到し得ると認めるに足る根拠を見いだすことができない。
③したがって，本件発明１が，甲８発明，甲１発明及び周知慣用技術に基づい
て当業者が容易に発明をすることができたということはできない。
(4)まとめ
本件発明１についての特許は，特許法２９条２項の規定に違反してなされたもの
ということはできず，同法１２３条１項２号に該当しない。
また，本件発明２～本件発明４は，本件発明１の特定事項をすべて備え，更に他
の特定事項を付加したものであるから，本件発明２～本件発明４についての特許は，
特許法２９条２項の規定に違反してなされたものということはできず，同法１２３
条１項２号に該当しない。
第３原告主張の審決取消事由
１取消事由１（甲１発明の認定誤り）
(1)発光ダイオードの点について（相違点１関係）
①審決は，甲１発明を半導体レーザ素子であると認定し，発光ダイオードであ
るとは認定しなかったが，甲１公報には発光ダイオードの発明の開示があることは
明らかである。
すなわち，甲１発明の製造方法は，発光ダイオードを含む半導体素子の問題点を
解決するための発明であって，ＧａＮ系半導体素子におけるサファイア基板とＧａ
Ｎ系半導体の格子定数の差に起因する転位（格子欠陥）という課題（【０００３】）
を解決するために，サファイア基板に凹凸パターンを設ける発明であり，半導体レ
ーザ素子のみを念頭においた発明ではない。そして，甲１公報には，「【０２３５】
上記においては，第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造
した半導体レーザ素子について説明したが，第１～第３の発明に係る窒化物系半導
体の形成方法は，半導体レーザ素子以外の半導体素子，例えば発光ダイオード等の
半導体発素子（判決注「発光素子」の誤り。以下同じ。），フォトダイオード等の
受光素子，トランジスタ等の電子素子の製造に適用することも可能である。」と発光
ダイオードが明示されている。
②（被告の反論に対して）甲１公報で第２の発明として開示されている発明（甲
１第２発明）は，Ｃ面を基板表面とするサファイア基板を用いているから（【０１１
７】），甲１第２発明を適用する発光ダイオード（【０２３５】）においても，サファ
イア基板を用いるものであることは明らかである。また，本件特許出願当時，ｐｎ
接合型の発光ダイオードが当然に用いられていた以上，甲１第２発明を適用した発
光ダイオードがＭＩＳ型であるなどと考える当業者はいない。さらに，本件特許出
願当時，発光ダイオードといえば，面発光型が通常であった以上，甲１公報の「発
光ダイオード」という記載に接した当業者が，当該発光ダイオードを端面発光型な
どと考える合理的理由もない。
③したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(2)オーミック電極の点について（相違点２関係）
審決は，甲１発明には，ｐ電極１１４がオーミック電極であることは開示されて
いない，と認定した。
しかしながら，次のとおり，ＧａＮ系発光ダイオードにおいて，ＧａＮ系半導体
層の最上層にオーミック電極を形成することは周知慣用技術であったから，甲１公
報に接した当業者は，甲１発明の発光ダイオードはオーミック電極を備えていると
当然に考えるのであり，甲１発明のｐ電極１１４がオーミック電極であるとの構成
は，甲１公報に記載されているに等しい事項である。
①本件特許出願時，ほとんどすべてのＧａＮ系発光ダイオードにおいて，Ｇａ
Ｎ系半導体層の最上層にオーミック電極を形成する構成が採用されていた。
②ＧａＮ系半導体層の最上層にオーミック電極を形成し，ＧａＮ系半導体層で
発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出す構成は，特開２０００－１
１４５９５号公報（甲２９。【０００３】～【０００５】【００２８】参照。），特開
平６－３３８６３２号公報（甲３０。【０００２】【０００３】【００１１】【００１
２】【００１５】参照。），特開平７－１０６６３３号公報（甲３１。【０００３】【０
００４】【００１０】【００１９】参照。）など極めて多数の文献で開示されている。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(3)光の取り出しの点（相違点２関係）
審決は，甲１発明には，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４側又は
サファイア基板側から取り出すようにしたことは開示されていない，と認定した。
しかしながら，次のとおり，ＧａＮ系発光ダイオードにおいて，ＧａＮ系半導体
層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにすることは周知
慣用技術であったから，甲１公報に接した当業者は，甲１発明が，ＭＱＷ発光層１
０８で発生した光をｐ電極１１４側又はサファイア基板側から取り出すようにした
と当然に考えるのであり，甲１発明が，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極
１１４側又はサファイア基板側から取り出すとの構成は，甲１公報に記載されてい
るに等しい事項である。
①本件特許出願時，ほとんどすべてのＧａＮ系発光ダイオードにおいて，Ｇａ
Ｎ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出す構成が採用
されていた。
②ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出す
構成は，前記(2)②のとおり，極めて多数の文献で開示されている。
③発光に寄与する活性層の厚さが極めて薄いため，発光ダイオードは平面方向
ではほぼ全面が発光するが，端面（横面）では発光面をほとんど確保できず，光を
多く取り出すためには，ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基
板側から取り出すようにすることが周知慣用技術であった。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(4)光の散乱又は回折の点（相違点３関係）
審決は，甲１発明の凹凸パターンは，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光を散乱又
は回折させるものであるのか明らかではない，と認定した。
①しかしながら，発光ダイオードの光は，半導体層（発光層）から全方位に向
かって放射されるため，その光は基板に設けた凹凸パターンにも到達する。そして，
半導体層とサファイア基板とでは屈折率が異なるから，基板表面に凹凸を設けた場
合であれば，基板に到達した光が散乱又は回折することは自明である。このことは，
特開平１１－２７４５６８号（甲５。図２参照。），国際公開０１/４７０３９号公報
（甲７。ＦＩＧ.１３(b)参照。）から見ても明らかである。
したがって，発光ダイオードとした甲１発明の凹凸パターンが，ＭＱＷ発光層１
０８で発生した光を散乱又は回折させることは，甲１公報に記載されているに等し
い事項である。
②甲５，甲７及び特開２００１－７３９３号公報（甲１３）には，サファイア
基板の規則的な粗面化技術が開示されており，国際公開０１/４１２２５号公報（甲
４２の１）の【図７】にも規則的な粗面化技術が開示されている。したがって，サ
ファイア基板の表面を規則的にパターニングして光の取り出し効率を上げることは，
周知技術である。
③（被告の反論に対し）転位低減技術と多重反射抑制技術とは，密接に関連して
おり，転位低減のために基板に凹凸を設け，その結果として，光の導波方向を変え
ているものである。このように，転位低減のために基板に凹凸を設ければ，必然的
に光の導波方向が変わるのであるから，転位低減技術は，多重反射抑制技術と一体
的に理解されるべきものである。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(5)繰り返しパターンの点（相違点３関係）
審決は，甲１発明の凹凸パターンは，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波
長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されているのか明らかではない，と認定
した。
しかしながら，一方で，審決は，甲１発明の凹凸のパターンにつき，「甲１発明の
凸部のピッチである凹部の幅ｗは，数μｍ～数十μｍであるから，１０μｍ以下の
ピッチ（凹部の幅ｗ）を含む」と認定している（２９頁３１～３２行目）。そして，
甲１発明の発光層はＩｎＧａＮであり，ＩｎＧａＮのバンド間発光波長はＩｎの組
成を変えることにより３６４ｎｍ～６３６ｎｍまで変化することは自明なことであ
るから（甲３８応用物理第６５巻７号，１９９６年７月「ＧａＮ系発光素子の現状
と将来」６８０頁右欄１９～２１行目），甲１発明のＩｎＧａＮ発光層の発光波長は，
０.３６４～０.６３６μｍであり，そこから，甲１発明のλ/４は，０.０９１～０.
１５９μｍと計算できる。そうであれば，甲１発明の凸部のピッチである凹部の幅
ｗが数μｍ～数十μｍであり，甲１発明のλ/４は０.０９１～０.１５９μｍである
から，甲１発明の凹凸パターンがλ/４以上の間隔で繰り返しパターンに形成されて
いることは明らかであり，このことは甲１公報に開示されている。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(6)凸部の配置の点（相違点４関係）
審決は，甲１発明の「（六角形，三角形等の形状を有する複数の凸部が分散配置さ
れた）凹凸パターン」は，ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定
したときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と
頂点を結ぶ線分に，直交するように形成されているか明らかではない，と認定した。
しかしながら，甲１公報には，「【０１４９】なお，図６(b)に示すような六角形の
凹凸パターンを有する基板３１を作製する場合，あるいは三角形の凹凸パターンを
有する基板を作製する場合において，六角形または三角形の各辺を形成する方向は，
基板のいかなる結晶方位と一致してもよい。【０１５０】なお，（０００１）面を
基板表面とするサファイア基板またはＳｉＣ基板に六角形または三角形の凹凸パタ
ーンを形成する場合，各辺が［１－１００］方向または［１１－２０］方向
と等価な方向に一致するように六角形または三角形の凹凸パターンを形成すること
が好ましい。」と記載されている。一方，サファイア基板上にＧａＮ系半導体層を成
長させた場合，ＧａＮ系半導体層のＡ軸がサファイア基板のＡ軸に対して３０度ず
れることは，特開２０００－２１６４９７号公報（甲２。【０００８】，【００５９】
～【００６７】参照。），特開平１１－４０８４９号公報（甲３。【００３３】参照），
特開平１０－２７０８０１号公報（甲４。【００３６】参照）に記載があるとおり，
技術常識である。したがって，サファイア基板の［１１－２０］方向と等価な方
向とは，その上のＧａＮ系半導体層のＭ軸と等価な方向となる。また，ＧａＮ系半
導体層のＭ軸と等価な方向とは，サファイア基板上にＧａＮ系半導体層のＡ軸を構
成辺とする正六角形を想定したときに，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と
頂点を結ぶ線分に，直交する方向のことである。
したがって，甲１発明の凹凸パターンを，ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とす
る正六角形を想定したときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする
正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交する平面形状を有する凸部として形成す
ることは，甲１公報に開示されている。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
２取消事由２（甲１発明に係る相違点認定の誤り）
審決は，前記第２，３(2)イのとおりに相違点１～相違点５を認定したが，上記１
に記載のとおり，①甲１公報には発光ダイオードと記載されているから，相違点１
はなく，②発光ダイオードである甲１発明において，ｐ電極１１４をオーミック電
極とし，また，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４側又はサファイア
基板側から取り出すことは，甲１発明に実質的に開示されているから，相違点２は
実質的には相違点ではなく，③発光ダイオードである甲１発明において，凹凸パタ
ーンはＭＱＷ発光層１０８で発生した光を散乱又は回折させるものであることは明
らかであり，また，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰
り返しパターンに形成されていることも明らかであるから，相違点３はなく，④甲
１発明では，凹凸パターンが，ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を
想定したときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中
心と頂点を結ぶ線分に，直交するように形成されていることも明らかであるから，
相違点４はない。
したがって，審決の相違点認定には，誤りがある。
３取消事由３（甲１発明に係る相違点判断の誤り）
(1)相違点１について
①審決は，[1]甲１第２発明の半導体層の構成（甲１第２発明構成）に，[2]甲
１第２発明構成を前提とする半導体レーザ素子の構成（甲１第４発明構成）を適用
した半導体レーザ素子，又は，上記[1]及び[2]との構成からなる半導体レーザ素子
として，甲１発明を認定した。
一方，審決は，甲１公報の「【０２３５】上記においては，第１～第３の発明に係
る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子について説明した
が，第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法は，半導体レーザ素子以外
の半導体素子，例えば発光ダイオード等の半導体発素子，フォトダイオード等の受
光素子，トランジスタ等の電子素子の製造に適用することも可能である。」との記載
について，「第１～第３発明」に係る窒化物系半導体を発光ダイオードに適用できる
ということを示すだけであって，「第１～第３の発明」に含まれる甲１第２発明構成
を半導体素子に適用した半導体レーザ素子（甲１第４発明構成）を発光ダイオード
に変更できることを示すものではないと判断した（３２頁２３～３３頁１４行目）。
しかしながら，甲１第４発明構成は，ごくごく基本的な窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子（半導体レーザ及び発光ダイオード）の層構成と変わりがないもので
あり（特開平１０－２７０８０１号公報〔甲４〕の図１３，甲１４のＦｉｇ.１.，
甲１５のＦｉｇ.1.参照），甲１発明の特徴部分は，甲１第２発明構成部分である。
そうであれば，甲１第２発明構成を用いた甲１第４発明構成の半導体レーザ素子の
ほかに，甲１公報の段落【０２３５】の記載に基づき，甲１第２発明構成を発光ダ
イオードに適用して甲１第２発明構成を用いた発光ダイオードとすることは容易で
ある。
②（被告の主張に対する反論）甲１公報には，甲１第２発明として，サファイア
基板のＣ面を凹凸パターンを設けて窒化物系半導体を形成することが明示されてお
り（【０１１６】～【０１２９】），凹凸パターンについては，円形，六角形，三角形
等の形状としてもよいことが記載され（【０１４０】），その一例として，具体的に六
角形の凹凸パターンとすることの詳細な説明がされ（【０１４１】～【０１５０】），
その中において，六角形の凹凸パターンの方位についても，本件発明の構成に係る
方位が記載されている（【０１５０】）。よって，甲１第２発明における六角形の凸部
を発光ダイオードに適用できることは明らかである。
③したがって，審決の相違点１に係る判断には，誤りがある。
(2)相違点５について
①本件発明１の凸部のテーパ角は，１２０°超１４０°以下であるが，甲１発明
の凹凸パターンの側面の角度は，特に限定されるものではないから（甲１公報【０
１１９】），９０°以上１８０°未満ということになり，本件発明１の凸部側面のテ
ーパ角を含んでいるから，本件発明１の凸部側面のテーパ角である１２０°超１４
０°以下とすることは，当業者が適宜行う設計事項である。
②（被告の反論に対し）甲１公報には，「【０１２１】…サファイア基板１１の凸
部上面，凹部底面および凹部側面に，アンドープのＡｌＧａＮからなる膜厚約１５
ｎｍのＡｌＧａＮバッファ層１２を成長させる。この場合，ＡｌＧａＮバッファ層
１２は，サファイア基板１１の凸部上面，凹部底面および凹部側面において，図中
の矢印Ｙの方向（ｃ軸方向）および矢印Ｘの方向（横方向）に成長する。…【０１
２２】…成長初期のＧａＮ層１３は，ＡｌＧａＮバッファ層１２の凸部上面，凹部
底面および凹部側面において，図中の矢印Ｙの方向（ｃ軸方向）に成長し，その後
矢印Ｘの方向（横方向）にも成長する。」と記載されているとおり，凹部の側面でも
結晶は成長する。また，甲８公報の【図６】や特開２００１－５７３４１号公報（甲
４４）の【図６】に示されているとおり，基板上に形成された凸部の側面が傾斜し
ていても，当該側面から半導体層が成長し，側面は半導体層に覆われる。
③したがって，本件発明１の凸部側面のテーパ角は，甲１発明のそれに含まれ
るか，又は少なくとも容易想到である。
４取消事由４（甲８発明の認定誤り）
(1)オーミック電極の点（相違点６関係）
審決は，甲８発明には，その電極がオーミック電極であることが開示されていな
い，と認定した。
しかしながら，前記１(2)のとおり，ＧａＮ系発光ダイオードにおいて，ＧａＮ系
半導体層の最上層にオーミック電極を形成することは当然のことであり，甲８発明
のＬＥＤ素子が，ＧａＮ系半導体層の最上層にオーミック電極を形成していること
は，甲８公報に記載されているに等しい事項である。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(2)光の取り出しの点（相違点６関係）
審決は，甲８発明には，ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を電極側又は基板側から
取り出すようにしたものであることは開示されていない，と認定した。
しかしながら，前記１(3)のとおり，ＧａＮ系発光ダイオードにおいて，ＧａＮ系
半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにすること
は技術常識であるから，甲８発明のＬＥＤ素子が，ＧａＮ系半導体層で発生した光
をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにしたものであることは，甲８公
報に記載されているに等しい事項である。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(3)光の散乱又は回折の点（相違点７関係）
審決は，甲８発明の凹凸部は，ＭＱＷ発光層１０８（ＩｎＧａＮ発光層）で発生
した光を散乱又は回折させるものではない，と認定した。
しかしながら，前記１(4)のとおり，発光ダイオードの光は，半導体層（発光層）
から全方位に向かって放射されるため，光は基板に設けた凹凸部にも到達する。そ
して，半導体層とサファイア基板とでは屈折率が異なるから，基板表面に凹凸を設
けた場合であれば，基板に到達した光が散乱又は回折することは自明である。
また，甲８公報の【００５１】【表２】には，凹凸部を設けることにより発光出力
が増大していることが示されている。
そうすると，甲８発明の凹凸部が，ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を散乱又は回
折させることは，甲８公報に記載されているに等しい事項である。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(4)繰り返しパターンの点（相違点７関係）
審決は，甲８発明の凹凸部は，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以
上の間隔で繰り返しパターンに形成されているのか明らかではない，と認定した。
しかしながら，甲８発明のＩｎＧａＮ発光層の発光波長λは３７０ｎｍであるか
ら（【００５０】），λ/４は０.０９２５μｍとなる。一方，甲８発明の凹凸部は，幅
２μｍ，周期４μｍの断面方形型の凹凸であるから，凸部がλ/４以上の間隔で繰り
返しパターンに形成されていることは明らかである。
そうすると，甲８発明の凹凸部が，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）
以上の間隔で繰り返しパターンに形成されていることは，甲８公報に開示されてい
る。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
５取消事由５（甲８発明に係る相違点認定の誤り）
審決は，前記第２，３(3)イのとおりに相違点６～相違点９を認定したが，上記４
に記載のとおり，①甲８発明のＬＥＤ素子が，ＧａＮ系半導体層の最上層にオーミ
ック電極を形成し，ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側
から取り出すようにした発光ダイオードであることは，甲８公報に記載されている
に等しい事項といえるから，相違点６は実質的には相違点ではなく，②甲８発明の
凹凸部は，ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を散乱又は回折させ，また，λ/４（λは
半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されてい
ることも明らかであるから，相違点７はない。
したがって，審決の相違点認定には，誤りがある。
６取消事由６（甲８発明に係る相違点判断の誤り）
(1)相違点７の判断について
審決は，甲８発明の凸部を，ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させ
る凸部とすることは当業者にとって容易に想到できたとすることはできない，とし
た。
しかしながら，前記４(3)に記載のとおり，甲８発明の凹凸部が，ＩｎＧａＮ発光
層で発生した光を散乱又は回折させることは，甲８公報に記載されているに等しい
事項である。
したがって，相違点７に係る審決の判断には，誤りがある。
(2)相違点９の判断について
①審決は，甲８発明における凸部は，「『ファセット形成並びにその後の平坦化
が実質的に阻害されない』ように，『基板に凹凸加工した凸部１１の立上り斜面と基
板平面が成す角度は，６０°以上（本件訂正発明１の表現に即していえば１２０°
以下である。）とすることが好ましく，可及的に直角に近いことが特に望まし』いと
したものと認められ，かかる角度について，『側面が傾斜しており，その側面のテー
パ角が１２０°より大きく，１４０°以下』とする理由は見当たらないし，かかる
構成とすることが，当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る根拠は，本件
各証拠を通じてみても見いだすことができない。」と判断した（４３頁１０～１７行
目）。
しかしながら，甲８公報には，「【請求項１】基板と該基板上に気相成長された半
導体結晶とからなる半導体基材であって，前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ，
前記半導体結晶は凹部及び／または凸部からファセット構造を形成しながら成長さ
れたものであることを特徴とする半導体基材。」「【請求項７】上記基板に凹凸加工し
た凸部の立上り斜面と基板平面とが成す角度が６０°以上であることを特徴とする
請求項１記載の半導体基材。」と記載され，甲８公報の請求項７に係る発明は，請求
項１に係る発明から凸部の立ち上がり角に限定を加えたものである。甲８公報にも，
「６０°以上とすることが好ましく」と記載されているにすぎない（【００３２】）。
そうすると，甲８公報には，凸部の立ち上がり斜面と基板平面とがなす角度を６０°
以上とする請求項７に係る発明と，凸部の立ち上がり斜面と基板平面とがなす角度
が６０°未満（本件発明１の表現に即していえば，凸部側面のテーパ角が１２０°
超）のものを含む請求項１に係る発明が開示されていることになる。しかも，甲８
公報の【００５１】【表２】では，甲８発明の実施例サンプルの発光出力が増大して
いることから，甲８発明の凸部により光取り出し効率が上がったと考えられ，本件
発明１と甲８発明とは課題も共通するといえる。
したがって，甲８発明の凸部側面のテーパ角を１２０°超１４０°以下とするこ
とは，容易に想到できる。
②（被告の反論に対して）甲８公報の段落【００３２】に記載されたのは，凸部
１１の立ち上がり斜面と基板平面とがなす角度であり，これは，甲８の【図６】の
とおり，垂直に近い（９０°に近い）角度とはなっているが，本件発明１の凸部側
面のテーパ角に相応する凸部上面と凸部側面とがなす角度は，甲８公報の【図６】
に基づき測定すれば，おおむね１３０°である。
③したがって，相違点９に係る審決の判断には，誤りがある。
第４被告の反論
１取消事由１（甲１発明の認定誤り）に対して
(1)発光ダイオードの点について（相違点１関係）
甲１公報の段落【０２３５】は，単に甲１第２発明の製造方法が発光ダイオード
にも適用できるとしているだけであり，ここから発光ダイオードである甲１発明を
認定しようにも，その発光ダイオードには基板があるのか否か，その基板として何
を用いるのか（【０１３１】参照），オーミック電極のないＭＩＳ型なのか否か，面
発光型なのか端面発光型なのかなど，その具体的構造は甲１公報には開示されてい
ない。
したがって，審決が，甲１発明を発光ダイオードと認定した上で本件発明１と対
比しなかったことは，誤りではない。
(2)オーミック電極の点について（相違点２関係）
審決が，甲１発明のｐ電極１１４がオーミック電極であるのか明らかではないと
したのは，甲１公報にはｐ電極１１４がオーミック電極であると明示的に記載され
ていないという程度の意味に解される。
(3)光の取り出しの点について（相違点２関係）
①審決が認定した甲１発明は，半導体レーザー素子であり，光は端面から取り
出すことが一般であるから，審決が，甲１発明について，ＭＱＷ発光層１０８で発
生した光をｐ電極１１４側又はサファイア基板側から取り出すようにしたものであ
るのか明らかではない，としたことには，誤りはない。
②仮に甲１公報に発光ダイオードが開示されているとしても，次のとおり，審
決が，甲１発明について，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４側又は
サファイア基板側から取り出すようにしたものであるのか明らかではないとしたこ
とに，誤りはない。
[1]発光ダイオードには，端面から光を取り出す端面発光ダイオードもあるか
ら（甲１８の１～１０参照），光の取り出し方向が，いずれかに限定されるものでは
ない。そして，発光領域が広いからといって，端面発光型よりも面発光型の発光ダ
イオードの方が有利であるとは限らないし，発光ダイオードの優劣は，発光領域の
面積のみで決まるものでもない。
[2]甲１発明は，基板上に凹凸を形成することで転位を所定の領域に集中させ
る技術を開示するものであり，その転位集中領域と半導体レーザの発光部の空間的
な位置関係が重要な教示となっている（【００６６】【０１３０】【０１４６】【０２
２３】参照）。これらは，発光部がストライプ状の特定領域に限定された半導体レー
ザでこそ意味のある教示であるところ，このような半導体レーザに構造が類似して
いるのは，面発光ダイオードではなく，端面発光ダイオードである。そうすると，
甲１公報に接した当業者は，「発光ダイオード」という教示からは，むしろ端面発光
ダイオードを想起する。
③したがって，審決の甲１発明の認定には，誤りはない。
(4)光の散乱又は回折の点（相違点３関係）
①審決が認定した甲１発明は，半導体レーザー素子であるところ，半導体レー
ザにおいては，通常，その発光部はリッジ下にあるストライプ状の領域に限定され，
そのレーザ出力は，半導体層の端面から取り出される。したがって，少なくとも，
レーザ出力として取り出される光が基板上の凹凸パターンに照射されることはない
し，逆に，レーザ出力として取り出される光が散乱又は回折してしまうと，指向性
及び収束性の高い光(可視光とは限らない)を発生させるという半導体レーザ素子の
目的又は思想に反することになる。
したがって，少なくとも，ＧａＮ系半導体層で発生した光の主要な部分が到達す
る位置に凹凸部がなければ，ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる
のに適切な凹凸部といえない。
②甲５（【００１８】～【００２０】），甲７（１６頁３～５行目）及び甲１３（【０
０２４】）は，ＧａＮ系半導体のエピタキシャル成長の妨げにならないように，サフ
ァイア基板の表面を光の波長オーダでランダムに粗面化することを開示しているだ
けであり，本件特許出願当時において，サファイア基板の表面を規則的にパターニ
ングして光を散乱又は回折させるというサファイア基板の表面加工による多重反射
抑制技術は，周知ではなかった。
③サファイア基板の表面を光の波長オーダで荒らして粗面化する多重反射抑制
技術と，平滑なサファイア基板の表面に数μｍ～数１０μｍの大きさのストライプ
状などの立体構造を形成する転位低減技術とは，解決すべき課題も解決手段も大き
く異なり，両者は一体的に理解すべきものではない。
④したがって，審決の甲１発明の認定には，誤りはない。
(5)繰り返しパターンの点（相違点３関係）
審決が，甲１発明の凸部を，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上
の間隔で繰り返しパターンに形成されているのか明らかでない，としたのは，甲１
発明の凸部がＧａＮ系半導体の発光を散乱又は回折するのか否か明らかではないと
した以上，同凸部がＧａＮ系半導体の発光波長λを基準とした散乱又は回折の要件
であるλ/４以上の間隔で繰り返しパターンに形成されているものに該当するのか
も明らかではなくなる，という程度の意味に解される。
(6)凸部の配置の点（相違点４関係）
本件発明１は，凸部側面が平面視でＧａＮの成長安定面に平行であると，凸部側
面が埋まりにくく，散乱又は回折を阻害する空洞が発生しやすい一方，凸部側面が
ＧａＮの成長安定面に交差していると，凸部の周囲を平坦に埋めて空洞発生を抑制
できることを見いだしたものである（本件明細書等【００３８】【００３９】）。一方，
甲１発明は，六角形又は三角形の凸部各辺を形成する方向は，基板のいかなる方位
でも良く，甲１公報には，全く同等の好ましい例として，凸部各辺を基板の［１－
１００］方向又は［１１－２０］方向にすることを挙げている（甲１公報【０
１４９】【０１５０】）。
甲１公報が挙げた後者の［１１－２０］方向は，本件発明1が特定する方位に
相当するものではあるが，前者の［１－１００］方向は，本件発明1において空
洞発生が起きやすいとされた方位に相当する。本件発明１は，光の散乱又は回折を
阻害する空洞発生を抑制する重要な技術的意義があるとして，凸部各辺を後者の［１
１－２０］方向にすることに限定したのであるから，本件発明１とは課題の異な
る甲１発明に本件発明１の凸部各辺の方位を含めて並列的に例示されているからと
いって，甲１発明が本件発明１と同一の特定事項を開示したものとはいえない。
したがって，審決が，ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定し
たときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂
点を結ぶ線分に，直交するように形成されているか明らかではない，と認定したこ
とは，誤りではない。
２取消事由２（甲１発明に係る相違点認定の誤り）に対して
上記１のとおり，審決の甲１発明認定に誤りはないから，その相違点認定にも誤
りはない。
３取消事由３（甲１発明に係る相違点判断の誤り）に対して
(1)相違点１の判断について
甲１公報には，種々の窒化物系半導体の形成方法が開示されており，甲１第２発
明についても，凸部を形成するか凹部を形成するか，凸部又は凹部の形状をストラ
イプ，円形，三角形，六角形のいずれにするか，凸部又は凹部の寸法をどうするか，
凸部又は凹部の各辺の方位をどうするか，凸部又は凹部の側面の傾斜角をどうする
か，といった点について多数の選択枝がある。これら種々の条件を，すべてそのま
ま発光ダイオードに適用できるわけではない。
また，甲１第２発明に係る窒化物系半導体形成方法を発光ダイオードへ適用しよ
うとすれば，発光面において暗線となる転移集中部分の密度を減らそうとするから，
転移集中部分の密度が高くなるような凸部形状である三角形又は六角形を選択した
りする動機付けはないし，あるいは，凸部間のピッチを１０μｍ以下という極めて
小さな値を選択したりする動機付けもない。逆に，凸部の形状・ピッチについてそ
のような選択をした場合には，甲１第２発明に係る窒化物系半導体素形成方法を発
光ダイオードに適用する阻害要因となる。
したがって，凸部が１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており，
その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形である半導体発光素子，との構成を前
提として，甲１発明の半導体レーザ素子を半導体発光ダイオードに変更することは
当業者が容易に想到できたものではない，とした審決の判断には，誤りはない。
(2)相違点５について
①本件発明１の課題は，サファイア基板上にＧａＮ系半導体層を形成した面発
光ダイオードにおいて，サファイア基板に凸部を形成して光の多重反射を抑制しよ
うとしても，凸部がＧａＮ系半導体層の成長に影響するために，発光ダイオードと
しての出力が十分に向上しないという点にある。この知見は，本件発明１により新
たに見いだされたものであるから，本件発明１の凸部側面のテーパ角を１２０°超
１４０°以下と数値限定したことの効果の異質性又は予測不可能性等を考慮するま
でもなく，この構成に想到することは容易とはいえない。
②ＧａＮは，サファイア基板のＣ面（０００１），Ａ面などの特定の結晶面
以外の面ではエピタキシャル成長をしないか又は成長しにくいため，傾斜した凸部
側面を平坦に埋めるためには，Ｃ面である凸部上面と同凸部間の平坦面とからそれ
ぞれ成長したＧａＮ同士が，凸部側面付近で速やかに接合される必要がある。この
ため凸部側面が大きなテーパ角を持つように傾斜していると，凸部上面と凸部間の
平坦面との間の距離が大きくなり，凸部側面付近が平坦に埋まり難くなり（本件明
細書等【００３８】～【００４１】【００５０】，甲８公報【００３２】参照。），凸
部の周囲に空洞が発生しやすくなり，そして，その空洞が，凸部による散乱又は回
折を妨げる（本件明細書【００１４】【００１５】）。
本件発明１は，凸部の各辺の方位がＧａＮの成長安定面と一致していると，Ｇａ
Ｎ系半導体層と凸部側面の間に空洞が発生しやすく，凸部の各辺の方位が成長安定
面と交差していると，凸部側面付近の空洞発生が抑制されることに着目し，凸部の
各辺の位をその構成にある所定の方位とした上で，さらに，凸部側面のテーパ角を
１２０°超１４０°以下に制御することにより，ＧａＮ系半導体層によって凸部を
平坦に埋めつつ，効率の良い散乱又は回折を可能としたものである（本件明細書等
【００３８】～【００４１】【００５０】【図１０】）。本件発明１において，凸部側
面のテーパ角を１２０°超１４０°以下とすることの効果は，本件特許出願時の技
術水準に基づいても，甲１発明からは予測不能である。
③甲１発明の目的は，選択成長マスクを用いることなく転位の低減を図ること
にあり（【００１８】），甲１発明においてサファイア基板に凹凸パターンを設ける目
的は，それと同様の凹凸パターンを窒化物半導体に再現することにより，サファイ
ア基板に平行な横方向に結晶を成長させることにある。しかるところ，半導体結晶
は，基本的に成長させる面に対して垂直に成長するから，凹部側面から窒化物半導
体をサファイア基板に平行な横方向に成長させるには，凹部側面をサファイア基板
に垂直にすることが必要となる。したがって，甲１発明は，基板に形成される凹凸
パターンの凹部側面が垂直である場合が基本となり，甲１公報において凹部側面を
垂直に限定しなかったのは，サファイア基板の加工上の制約等にかんがみて，凹部
側面が垂直から多少外れる場合も許容されるという程度のためにすぎない。
したがって，本件発明１は，公知発明とは異なる目的又は効果を有する数値範囲
を限定した発明であって，容易想到ではない。
４取消事由４（甲８発明の認定誤り）に対して
(1)オーミック電極の点（相違点６関係）
審決が，甲８発明の電極がオーミック電極であるのか明らかではないとしたのは，
甲８公報には電極がオーミック電極であるとは明示的に記載されていない，という
程度の意味に解される。
(2)光の取り出しの点（相違点７関係）
甲８発明は，半導体基材及びその作製方法に関するものであり（【０００１】），そ
の開示の大部分は，サファイア基板上にＧａＮ層を成長した半導体基材についての
ものであって（【００１０】～【００４９】），発光ダイオードに関する具体的な記載
としては，実施例４において紫外ＬＥＤチップを作製したことが開示されているに
すぎない。また，この紫外ＬＥＤチップの構造については，「【００５０】[実施例４]
実施例１で得られた膜に連続してｎ型ＡｌＧａＮクラッド層，ＩｎＧａＮ発光層，
ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ型ＧａＮコンタクト層を順に形成し，発光波長３７
０ｎｍの紫外ＬＥＤウエハーを作製した。その後，電極形成，素子分離を行い，Ｌ
ＥＤ素子とした。」と記載されるのみであり，この記載からは，光の取り出し方向が，
端面であるのか又はオーミック電極側若しくは基板側であるのかは，特定できない。
したがって，審決が，甲８発明が，ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を電極側又は
基板側から取り出すようにしたものであるのか明らかではない，としたことには，
誤りはない。
(3)光の散乱又は回折の点（相違点７関係）
甲８発明は，端面発光ダイオードをも含むものであるところ，端面発光ダイオー
ドにおいては，その発光部はリッジ下にあるストライプ状の領域に限定され，その
発光出力は，半導体層の端面から取り出される。したがって，端面発光ダイオード
の場合，少なくとも，発光出力として取り出される光が基板上の凹凸部に照射され
ることはないし，逆に，発光出力として取り出される光が散乱又は回折してしまう
と，指向性及び収束性の高い光(可視光とは限らない)を発生させるという端面発光
ダイオード素子の目的又は思想に反することになる。
なお，甲８公報の【００５１】【表２】は，凸部が適切に光を散乱又は回折させる
ものであることにより光取り出し効率が上がったことを示すものではなく，従来の
ＥＬＯ技術に比して結晶転位が減少するという甲８発明の目的又は作用効果によっ
て，発光出力が向上したことを示すものである。
したがって，審決が，甲８公報に記載された凹凸部は，少なくとも散乱又は回折
のために適切な形状のものであるかどうか明らかではないとしたことには，誤りは
ない。
(4)繰り返しパターンの点（相違点７関係）
審決が，甲８発明の凹凸部がλ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上
の間隔で繰り返しパターンに形成されているのか明らかでないとしたのは，甲８発
明の凹凸部が，ＧａＮ系半導体の発光を散乱又は回折するのか否かが明らかでない
とした以上，同凹凸部がＧａＮ系半導体の発光波長λを基準とした散乱又は回折の
要件であるλ/４以上の間隔で繰り返しパターンに形成されているものに該当する
かも明らかではなくなる，という程度の意味に解される。
５取消事由５（甲８発明に係る相違点認定の誤り）に対して
上記４のとおり，審決の甲８発明認定に誤りはないから，その相違点認定にも誤
りはない。
６取消事由６（甲８発明に係る相違点判断の誤り）に対して
(1)相違点７の判断について
本件発明１の相違点７に係る構成は，凸部の繰り返しパターンが，基板に届いた
光を散乱又は回折させるのに適したものであることを要求する趣旨，すなわち，そ
の凸部の位置が適切であるとともに，構成要件Ｂに規定する間隔及びピッチ，構成
要件Ｃで規定する形状及び方位，並びに構成要件Ｄに規定する側面テーパ角をすべ
て満たすことを要件とするものである。本件発明１は，これら構成を組み合わせ，
その相互作用によって，サファイア基板を用いたＧａＮ系半導体発光ダイオードに
おいて，ＧａＮ系半導体の結晶品質を維持しながら，多重反射を有効に抑制できる
という従来はなし得なかった実用的な技術を初めて実現したものである。
かかる技術的意義を甲８発明から容易に想到しえないことは，甲８公報に，凸部
の形状を三角形又は六角形とすること，その凸部の各辺を本件発明１に特定する所
定の方位とすることが記載されていないこと（相違点８），凸部の繰り返しパターン
の間隔をλ/４以上とすることが記載されていないこと（相違点７），及び側面テー
パ角を１２０°超１４０°以下とすることが記載されていないこと（相違点９），並
びに甲８発明の目的に照らせば明らかである。
したがって，相違点７に係る審決の判断に，誤りはない。
(2)相違点９の判断について
①相違点９に係る本件発明１の凸部側面のテーパ角は，これによってＧａＮ系
半導体層へのピット発生を抑制しながら，光の散乱又は回折の効率を高めて発光ダ
イオードの出力を高めるという，甲８公報には記載も示唆もない課題に基いてなさ
れたものである（本件明細書等【００２５】【００５０】【図１０】参照）。
かえって，甲８公報には，凸部側面の立ち上がり角が６０°よりも小さい場合（本
件発明１の表現に即していえば，凸部側面のテーパ角が１２０°超）には，ファセ
ット成長後の平坦化が良好に行えないという問題が生じ，これを６０°以上（本件
発明１の表現に即していえば，凸部側面のテーパ角が１２０°以下），とりわけ直角
に近い角度にすると，かかる弊害が起きないと記載されている（【００３２】）。甲８
公報の請求項１に係るの発明も，凸部の立ち上がり角が６０°未満であることを積
極的に許容するものではない。
したがって，甲８公報には，本件発明１の凸部側面のテーパ角を１２０°超にす
るのとは正反対の教示が明示されており，相違点９の構成に至ることは容易想到で
はない。
なお，甲８公報の【００５１】【表２】は，従来のＥＬＯ技術に比して結晶転位が
減少するという甲８発明の目的又は作用効果によって発光出力が向上したことを示
すものであって，凸部における光の散乱又は回折により光取り出し効率が上がった
ことを示すものではない。
②甲８公報の段落【００３２】は，凸部側面全体と基板平面との間の角度を記
載しているのであって，側面の一部（例えば，立ち上がり部分のみ）が基板平面と
なす角度を記載しているのではないから，甲８公報が，凸部側面の立ち上がり部分
のみが基板平面と６０°以上の角度をなしていれば，他の部分の傾斜角が６０°未
満であってよいということを開示しているものではない。
第５当裁判所の判断
１認定事実
(1)本件発明１
本件明細書等によれば，本件発明１の特徴は，次のとおりのものと認められる。
（甲２１，２２）
本件発明１は，窒化物系化合物半導体発光素子において，半導体に欠陥が発生し
ない凹凸を基板に設け，半導体層での光の導波方向を変えて，外部量子効率を上げ
るようにした素子に関するものである（【０００１】）。
従来の構造の発光ダイオードでは，基板の平坦性を鏡面レベルに加工しているの
で，基板上の半導体層，発光領域及び電極は相互に平行な積層構造をなし，しかも
屈折率の大きな半導体層を，屈折率の小さな基板と透光性電極によって挟む構造に
よって光の導波路が形成されるので（【０００３】），臨界角よりも大きな角度で基板
又は電極との界面に入射した光は，全反射を繰り返して導波路内を伝播し，その間
に吸収されるため，発光の一部は減衰して有効に外部に取り出すことができず，外
部量子効率が低下してしまった（【０００４】）。
これに対し，基板の表面に凹部又は凸部を形成して発光領域で発生した光を散乱
させることによって外部量子効率を向上させるようにした方法が提案されているが
（【０００７】），これらの発光ダイオードでは，凹部又は凸部の形状や大きさを制御
せずに粗面化を行った場合，成長したＧａＮの結晶性が低下してしまうため，かえ
ってＧａＮ半導体層における発光効率が下がってしまっていた（【０００８】）。
そこで，本件発明１は，外部量子効率を安定的に確保できるようにした半導体発
光素子を提供することを目的とし（【０００９】），①基板上に，基板とは材質の異な
る複数のＧａＮ系半導体層と，前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成されたオーミ
ック電極とを積層し，前記ＧａＮ系半導体層で発生した光を前記オーミック電極側
又は基板側から取り出すようにした半導体発光ダイオードにおいて（【００１０】），
②基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり（【００２１】【００３０】），上
記基板の表面部分には，上記ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる
凸部を，十分に光を散乱又は回折させるために，λ/４（λは半導体発光ダイオード
の発光波長）以上の間隔とし（【００２３】），ＧａＮ層のピット発生の防止及び光の
散乱又は回折の確率を高め，これにより出力を一層向させるために，１０μｍ以下
（【００２４】）のピッチで繰り返しパターンに形成し（【００１９】），③平坦で結晶
性に優れたＧａＮ系半導体を成長させるために，その凸部の平面形状を大略三角形
又は六角形で，上記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したと
きに，上記凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂
点を結ぶ線分に，直交するように形成し（【００１８】【００３１】【００３９】），④
散乱又は回折による出力向上の観点から，上記凸部側面を傾斜させるとともに，そ
の側面のテーパ角を１２０°より大きくし（【００２５】【００５０】【００８１】），
一方，凸部側面のテーパ角が余りに大き過ぎるとかえって光の散乱又は回折の効率
が低下するほか，半導体層にピットが発生しやすくなるために，これを１４０°以
下とし（【００２５】【００５０】），⑤前記基板表面の凸部は，凸部上面，凸部の形
成されていない平坦面，及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋めら
れるようにし，もって，凹凸による光の散乱・回折効果により，基板上方又は下方
への光束が多くなり，発光素子の発光面を正面から観察したときの輝度を高めるこ
とができ，また，半導体層中を横方向に伝播する光を減らし，伝播中の吸収ロスを
低減して発光の総量を高めることができ（【００１３】），しかも，基板表面部分に凹
部又は凸部を形成しても，半導体層には凹凸による結晶欠陥がほとんど成長しない
ため，高い外部量子効率を安定的に確保できるという効果を奏する（【００１４】），
というものである。
(2)甲１発明
甲１公報によれば，甲１発明の特徴は，次のとおりのものと認められる。
甲１発明は，窒化物系半導体素子に関するものである（【０００１】）。
従来，サファイア等からなる基板上にＧａＮ系半導体層をエピタキシャル成長さ
せているが（【０００２】），サファイア等の基板とＧａＮとでは格子定数が異なるた
め，サファイア等の基板上に成長させたＧａＮ系半導体層は，基板から上下方向に
延びる転位（格子欠陥）が存在しており，半導体素子の素子特性の劣化及び信頼性
の低下を招いていた（【０００３】）。このようなＧａＮ系半導体層における転位を低
減する方法である選択横方向成長は（【０００４】），再成長ＧａＮ層の選択横方向成
長を行うことにより，再成長ＧａＮ層において転位の低減を図ることを可能として
いたが（【００１２】），この方法では，選択成長マスクとＧａＮとの熱膨張係数の違
いから，再成長ＧａＮ層においてクラックが発生しやすくなるなどし，このような
クラックの発生は，半導体素子において，素子特性の劣化及び信頼性の低下を招く
とともに，歩留りの低下を招いていたほか（【００１４】【００１６】），窒化物系半
導体においては更なる格子欠陥の低減を図ることも望まれた（【００１７】）。
そこで，甲１発明は，選択成長マスクを用いることなく，より転位の低減が図ら
れ，かつ，クラックの発生が防止された半導体素子を提供することを目的とし（【０
００１９】），①Ｃ面を基板表面とするサファイア基板の所定領域に，凹部の幅ｗを
好ましくは数μｍ～数十μｍと，凸部の幅を好ましくは数百ｎｍ～数十μｍと，形
状を六角形，三角形等とした複数の凹部又は凸部が分散配置された凹凸パターンを
形成し（【０１１７】【０１１８】【０１４０】），②（０００１）面を基板表面と
するサファイア基板に六角形又は三角形の凹凸パターンを形成する場合には，好ま
しくは各辺を［１－１００］方向又は［１１－２０］方向と等価な方向に一
致するように六角形又は三角形の凹凸パターンを形成し（【０１５０】），③サファイ
ア基板のＣ面に対する凹部側面の角度は，特に限定されるものではなく，例えば，
凹部側面がサファイア基板のＣ面に対してほぼ垂直であり（【０１１９】），その上で，
④サファイア基板の凸部上面，凹部底面及び凹部側面に，アンドープのＡｌＧａＮ
からなるＡｌＧａＮバッファ層を成長させ（【０１２１】），続いて，ＡｌＧａＮバッ
ファ層上に，アンドープのＧａＮからなるＧａＮ層を成長させることによって（【０
１２２】），ＧａＮ層の凹部が徐々に埋められていき，ＧａＮ層が横方向に成長して
（【０１２３】），平坦化するまでＧａＮ層を成長させる（【０１２５】）という窒化物
系半導体の形成方法により，サファイア基板付近で発生したＣ軸方向に伝播した転
位が一様に低減され（【０１２４】），良好な結晶性を有するＧａＮ層を形成すること
ができるという効果を奏する（【０１２６】），というものである。
そして，この窒化物系半導体の形成方法を用いて，ＡｌＧａＮバッファ層，第１
ＧａＮ層，第２ＧａＮ層，ｎ－ＧａＮコンタクト層，ｎ－ＧａＮ第１クラッド層，
ＭＱＷ発光層，ｐ－ＧａＮ第１クラッド層，ｐ－ＧａＮコンタクト層を順に形成し，
最上層にｐ電極を形成した半導体レーザ素子は（【０１９１】【０１９４】【０１９５】
【０１９８】【０１９９】【０２１５】【図１１】），良好な素子特性を有するとともに
高い信頼性を有するという効果を奏する（【０２００】【０２０８】【０２１６】），と
いうものである。
(3)甲８発明
甲８公報によれば，甲８発明の特徴は，次のとおりのものと認められる。
甲８発明は，半導体基材に関し，特に転位欠陥が生じやすい半導体材料を用いる
場合に有用な構造に関するものである（【０００１】）。
従来，ＧａＮ系材料を結晶成長する場合，ＧａＮ系材料は格子整合する基板がな
いために，サファイアなどの格子整合しない基板を用いていたが，近年実現されて
いる高輝度の発光ダイオード，半導体レーザーなどは，特性向上を図るために更な
る転位密度の低減が望まれた（【０００２】）。この転位密度低減を図る方法として前
記基板上に部分的なマスクを設けて選択成長する方法が提案されているが（【０００
３】），この方法によれば，ラテラル成長方向にＣ軸が微小量ながら傾斜して結晶品
質が低下するという新たな問題が有ることが判明した（【０００４】）。また，マスク
層材料として汎用されているものはＳｉＯ２などであるが，その上に結晶成長層が
積重されると，Ｓｉ成分がこの結晶成長層中に移行するというオートドーピング汚
染の問題があることも判明するなど（【０００５】），種々の問題が判明した。
そこで，甲８発明は，マスク層を用いることに起因するなどの種々の問題を回避
することを目的とし（【０００９】），①基板と該基板上に気相成長された半導体結晶
とからなる半導体基材であって，前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ，前記半導
体結晶は凹部又は凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものであり
（【請求項１】【００１０】），②上記基板の結晶成長面の凸部が，平行なストライプ
形状からなる凸部であり（【請求項３】），③上記半導体結晶がＩｎＧａＡｌＮであっ
て（【請求項４】），上記基板に凹凸加工したストライプの長手方向が上記ＩｎＧａＡ
ｌＮ結晶の（１－１００）面又は（１１－２０）面と平行であり，その精度
が１°以内であり（【請求項５】），④上記基板に凹凸加工した凸部の幅Ａと，これに
隣接する凹部の幅Ｂとの合計Ａ＋Ｂが２０μｍ以内とされ，前記凹部の深さｈをＡ，
Ｂのいずれか長い方の幅の２０％以上とする（【請求項６】）ものであって，バッフ
ァ層等すら形成していない状態の基板に対して凹凸面を設けることで，結晶成長当
初からファセット面が形成可能な素地面をあらかじめ提供し（【００１６】），基板か
らＣ軸方向に伸びる転位線がファセット面で横方向に曲げられ，上方に伝播しなく
なることで，成長面の表面近傍は基板からの転位の伝播がないために低転位密度領
域となるようにしたものであり（【００１７】），これにより，甲８発明の半導体基材
は，マスク層を形成することに起因する問題点などを回避できるという効果を奏す
るものである（【００５８】）。
そして，甲８発明の半導体基材を用いて，⑤基板としては，サファイア（Ｃ面）
を用い（【００１９】），⑥半導体結晶が，上記基板上に成長される半導体層としてＡ
ｌＸＧａ１－Ｘ－ＹＩｎＹＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）であり（【０
０２０】），⑥ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層，ＩｎＧａＮ発光層，ｐ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層，ｐ型ＧａＮコンタクト層を順に形成し，その後，電極形成を行い（【００５
０】），⑦上記基板に凹凸加工したストライプは，幅を２μｍ，周期を４μｍ，スト
ライプ方位をストライプ延伸方向が上記基板の＜１－１００＞方向であって，２
μｍの深さまで断面方形型にエッチングして凹凸を施したものであるほか（【００４
１】），効果が出る凹凸形状であれば特に制限はなく各種の形状を採用することもで
き，凹凸面の形成の態様としては，島状の点在型の凸部，ストライプ型の凸条から
なる凸部などが例示でき（【００２３】），上記基板に凹凸加工した凸部の立ち上がり
斜面と基板平面が成す角度は，６０°以上とすることが好ましく，可及的に直角に
近いことが特に望ましいものであって（【００３２】），⑧上記基板を断面方形型にエ
ッチングした後，ＧａＮ低温バッファー層を成長し，ｎ型ＧａＮ層を成長し，凸部，
凹部両方での成長が観察され（【００４１】），凹凸部を覆い平坦になったＧａＮ膜が
得られたる（【００４２】）ＬＥＤ素子（【００５０】）とすることができ，このＬＥ
Ｄ素子は，従来例に比べ出力が高く，リーク電流の少ないという効果を奏する（【０
０５２】），というものである。
２取消事由１（甲１発明認定の誤り）について
(1)発光ダイオードの点
ア検討
上記１(2)に認定のとおり，甲１発明は，窒化物系半導体素子に関するものであっ
て，選択成長マスクを用いることなく，より転位の低減が図られ，かつ，クラック
の発生が防止された半導体素子を提供することを目的とし，その構成から，転位の
低減により良好な結晶性を有するＧａＮ層を形成することができるという効果を奏
するものである。その上で，この窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導
体レーザ素子は，良好な素子特性を有するとともに高い信頼性を有するという効果
を奏するとしている。
甲１公報は，その窒化物系半導体の形成方法を開示した後，「【０１９１】続いて，
第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体素子に
ついて説明する。なお，この場合においては，半導体素子の例として半導体レーザ
素子について説明する。」として，第４から第６の発明に係る半導体レーザー素子に
ついて開示をし（【０１９２】～【０２３４】），その上で「【０２３５】上記におい
ては，第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体
レーザ素子について説明したが，第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方
法は，半導体レーザ素子以外の半導体素子，例えば発光ダイオード等の半導体発素
子，フォトダイオード等の受光素子，トランジスタ等の電子素子の製造に適用する
ことも可能である。」と開示している。
以上から，甲１発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体素
子は，ＧａＮ層の表面においては転位が低減され良好な結晶性が実現されているの
であるから，半導体素子の具体的な構成に関係なく，良好な素子特性を有するとと
もに高い信頼性を有するという効果を奏するといえ，半導体レーザ素子もまた，甲
１発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体素子の一例にすぎ
ないものといえる。
そうすると，段落【０２３５】に例示された発光ダイオードは，同段落限りでは
具体的な構成が記載されたものではないものの，当業者は，甲１発明に係る窒化物
系半導体の形成方法を用いて発光ダイオードを製造すれば，甲１発明に係る窒化物
系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子と同様に，良好な素子特性
を有するとともに高い信頼性を有するという効果を奏するものが得られると理解す
るといえ，そうであれば，甲１公報には，甲１発明に係る窒化物系半導体の形成方
法を用いて製造した半導体素子として発光ダイオードも開示されていると認めるの
が相当である。
よって，甲１発明を半導体レーザ素子と認定し，本件発明１と甲１発明との対比
において，本件発明１は，「半導体発光ダイオード」であるのに対して，甲１発明は，
「半導体レーザ素子」である点を相違点１とした審決の認定は，本件発明１と対比
すべき発明を甲１公報から抽出するに当たり，本件発明１により類似する発明が認
識できたにもかかわらず，これを認定しなかった点において，当を得たものとはい
えないというべきである。
したがって，審決の甲１発明の認定には誤りがある。
イ被告の主張に対して
被告は，甲１公報から引用発明となり得る「発光ダイオード」が認定できるため
には，その発光ダイオードの具体的構造が開示されていなければならない旨の主張
をする。
しかしながら，甲１公報には，甲１発明に係る窒化物系半導体の形成方法が記載
されているのであるから，甲１公報の段落【０２３５】に例示された発光ダイオー
ドは，それを用いて製造した半導体素子にほかならず，進歩性判断のための本件発
明１との対比において，甲１公報に記載されていない発光ダイオードの更なる具体
的な構成が問題となるのであれば，それを相違点として認定すれば足りることであ
って，甲１公報に発光ダイオードの更なる具体的な構成が記載されていないからと
いって，甲１公報に，本件発明１との対比可能な程度の発光ダイオードが記載され
ていないと認定することはできない。
したがって，被告の上記主張は，採用することができない。
(2)小括
よって，相違点１に係る取消事由１には，理由がある。ただし，当該取消事由の
みでは審判を取り消すことはできず，更に甲１発明から本件発明１を容易に想到で
きるか否かの検討を進めることとする。
３取消事由３（甲１発明に係る相違点判断の誤り）について
(1)相違点５について
原告は，甲１発明の認定誤り（取消事由１）を前提として，同発明に係る相違点
１～相違点４の認定の誤り（取消事由２）を主張する。しかしながら，審決は，本
件発明１と甲１発明との相違点として，相違点１～相違点４以外に，前記第２，３
(2)イの【相違点５】（凸部側面のテーパ角）を認定しているところ，甲１発明の認
定がどのようなものであっても相違点５が存することは，当事者間に争いがない。
したがって，相違点５に係る判断についての審決の判断に誤りがなければ，審決の
結論は左右されないことになるから，以下，この点を検討する。
ア本件発明１の凸部側面のテーパ角の技術的意義
前記１(1)の認定及び本件明細書等の記載（【００２５】【００４７】～【００５１】
【００８１】【図７】～【図１０】）によれば，本件発明１の凸部の側面のテーパ角
は，サファイア基板上に形成したＧａＮ系半導体発光ダイオードにおいて，半導体
層の結晶性を維持しつつ光の散乱又は回折による出力を向上させることを考慮して，
１２０°超１４０°以下にしたものと理解される。
イ甲１発明における凸部側面角の技術的意義
甲１公報には，「【０１１９】サファイア基板のＣ面に対する凹部側面の角度は，
特に限定されるものではなく，例えば，本例においては凹部側面がサファイア基板
のＣ面に対してほぼ垂直である。」との記載があるから，甲１発明の凸部側面角が例
示されている垂直又は垂直に近いものに限定されているとはいえず，その範囲から，
相違点５に係る構成を排除していると解することはできない。
しかしながら，甲１発明は，前記１(2)に認定のとおりのものであって，本件発明
１のように，半導体層の結晶性を維持しつつ光の散乱又は回折による出力を向上さ
せることを目的とするものではないから，そのような観点から凸部側面角が決定さ
れたものではない。
そうすると，甲１発明において，凸部側面角を相違点５に係る構成に特定するこ
とは開示されておらず，また，当該構成を採用することの示唆ないし動機付けを認
めることはできない。そこで，当業者が，他の公知文献又は周知技術に基づいてこ
れを採用することが容易であるか否かを，以下検討することとする。
ウ甲５公報
(ｱ)記載事項
特開平１１－２７４５６８号公報（甲５）には，次の記載がある。
「【００１６】次に，ＧａＮベースのＬＥＤ１１０の断面図である図２を参照する。…粗面仕
上げによって，界面に当たる光を散乱させ，その結果，ＧａＮ／電極／空気，または，エポキ
シ界面の臨界角より小さい角度で，光の一部が反射するようにする特徴１１８及び１１９が形
成される。上部表面の臨界角内に含まれる円錐内に散乱する光は，１１１で示すように，上部
表面を通ってＬＥＤから脱出する。浅い角度で散乱する光１１７は，ＧａＮ層の上部表面から
反射されて，もう一度基板表面に当たる。この光の一部は，１１２で示すように，ＬＥＤの上
部表面からの脱出を可能にする角度で散乱することになる。浅すぎる角度で散乱する光は，も
う一度上部表面で跳ね返り，該プロセスが繰り返される。
【００１７】サファイア表面の散乱を生じる特徴は，陥凹部１１９または突出部１１８であ
り，ＬＥＤによって生じる光のＧａＮにおける波長より大きいか，あるいは，ほぼその程度で
あることが望ましい。特徴が光の波長よりあまりにも小さいと光は有効に散乱しない。特徴が
ＧａＮ層の厚さに対し相対的に大きくなると，粗面仕上げによって，ＧａＮの上部表面に欠陥
を生じる可能性がある。これらの制限内において，ＬＥＤ表面の特徴を変更しなくても，粗面
仕上げによって，光の結合効率が大幅に向上する。」
「【００２１】基板表面の粗面仕上げは，光が基板から出射する幾何学的構造としても有効で
あることが分かっている。こうした幾何学的構造において，上部電極は反射材料から形成され，
上部電極に当たった光が反射して基板に戻される。」
「【図２】
」
(ｲ)検討
上記(ｱ)の記載によれば，甲５公報には，サファイア基板上に形成したＧａＮベー
スのＬＥＤにおいて，基板表面の粗面仕上げによって，界面に当たる光が散乱し，
光の結合効率が大幅に向上すること，及び，粗面仕上げは，幾何学的構造としても
有効であることが記載されているとはいえるものの，そもそも，基板に形成した凸
部側面にテーパを設けることは記載されていないし，半導体層の結晶性を維持しつ
つ光の散乱又は回折による出力を向上させることを考慮して，基板表面に形成した
凸部側面のテーパ角を決定することも記載されていない。
エ甲６公報
(ｱ)記載事項
特開平１０－４２０９号公報（甲６）には，次の記載がある。
「【請求項１】発光素子，該発光素子は以下（ａ）および（ｂ）を含むことを特徴とする，
（ａ）素子，該素子は，以下（ａ－１）ないし（ａ－４）を含む，（ａ－１）基板，（ａ－２）
ｐ－ｎ接合領域，該ｐ－ｎ接合領域は複数の層を備え，その部分組をなす複数層の極性が，ｐ
－ｎ接合を形成するように逆極性になっており，層の１つが基板に隣接している，（ａ－３）透
過性ウインドウ層，該透過性ウインドウ層は前記ｐ－ｎ接合領域に隣接して配置され，及び，
（ａ－４）電気接点，該電気接点は前記ｐ－ｎ接合領域に接続し，前記ｐ－ｎ接合に順バイア
スをかける働きをする，
（ｂ）主界面であって，該主界面は前記素子内に配置され，少なくとも1つの選択方向にお
いて繰り返される特徴によってテクスチャが形成されており，選択された方向のそれぞれにお
いて関連する周期性を備えて，光の抽出を増すようになっており，１つの周期内において，少
なくとも１つの山と少なくとも１つの谷を有する断面プロフィールを備える主界面。」
「【００１２】
【課題を解決するため手段】ＬＥＤの任意のまたは全ての界面における少なくとも１つの次
元において周期的な規則的界面テキスチャを備えるＬＥＤによって，第１のパス光の抽出が改
善される。界面のパターン形成は，脱出のために素子による多重パスを必要とせずに，より多
くの光を周囲に送り込めるように制御される。さらに，規則的なテキスチャ界面によって，光
線が周囲に脱出する場合のフレネル損失を減少させることが可能になる。規則的にパターン化
されたテキスチャ形成界面は，素子内における光の単一波長に相当する特徴間隔を備えること
が可能である。テキスチャ特徴の形状及び寸法は，光の抽出が問題となる用途にとって最適に
なるように選択される。
【００１３】規則的な制御された界面テキスチャ形成の結果，素子／周囲界面における有効
脱出円錐の変化または拡大によって光抽出の利得を向上させることが可能になる。マクロ整形
技法に比べると，規則的テキスチャ形成が必要とする製作プロセスはより単純である。ほぼ反
射防止コーティングによって反射を最小限に抑えるやり方で，フレネル損失を減少させること
が可能である。最後に，第１のパス光に関して，光抽出の利得がすぐに得られ，光は素子内か
ら放出する前に素子構造内において多重パスを繰り返さなくてよい。」
「【００２６】最適性能に必要な規則的テキスチャ形成の特定の形状，寸法，及び，構成は，
用途によって決まる。特徴形状は，円錐状の隆起及び窪みとすることが可能である。典型的な
規則的構成は，方形，矩形，または，六角形（ＨＣＰ，HexagonalClosedPacked）アレイとする
ことが可能である。これらの構成が，それぞれ，規則的なテキスチャ形成界面の平面図を示す
図５ａ～５ｃに示されている。周期的間隔は，おそらく，素子内の光の波長と同じか，あるい
は，それより短い。テキスチャ形成界面の断面プロフィールは，隆起または窪みによる山と谷
を示し，高さまたは深さによって決まるＦＷＨＭ幅（Full-Width-at-Half-Maximum,最大値の１／
２における全幅）のように界面の平面に沿った個々の特徴の範囲も，素子内における光の波長
の数倍以下と同等にすることが可能である。隆起または窪みの最大高さまたは深さは，素子内
における光の１～数波長分と同等にすることが可能である。規則的パターンの間隔は，波長に
よって決まる。従って，界面における電磁位相整合条件を最適に変更して，周囲に伝搬する全
パワーを増大させるのは重要である。パターンの局部的特徴の範囲及び深さは，光を透過する
ための位相条件の変更効率に影響を及ぼす。また，全光学透過及び素子性能を最大にするため，
その個々の局部的特徴のサイズ及び／または形状に関して，パターンの周期を少しづつ変化さ
せてチャープを生じさせるか，あるいは，別の変化をつけることが可能である。」
「【図５ａ】【図５ｂ】【図５ｃ】
」
(ｲ)検討
上記(ｱ)の記載によれば，甲６公報には，発光素子の主界面は前記素子内に配置さ
れ，少なくとも1つの選択方向のそれぞれにおいて関連する周期性を備え，１つの
周期内において，少なくとも１つの山と少なくとも１つの谷を有する断面プロフィ
ールを備えるテクスチャが形成されることによって，光の抽出が増すこと，及び，
規則的テクスチャの特徴形状は，円錐状の隆起及び窪みとすることが記載されてい
るとはいえるものの，半導体層の結晶性を維持しつつ光の散乱又は回折による出力
を向上させることを考慮して，基板表面に形成した凸部側面のテーパ角を決定する
ことは記載されていない。
オ甲７公報
(ｱ)記載事項
国際公開０１／４７０３９号公報（甲７）には，次の記載がある（訳文は，審決，
弁論の全趣旨による。）。
「（１６頁３～１８行目）LightextractionoftheLEDcanbeincreasedbyproviding
atexturedsurfaceatoneoftheinterfacesoftheIII-nitrideheterostructure.The
texturingmayberandomorordered.ThisisillustratedinFigures13a-c.Figure1
3ashowsaninverteddeviceemployingasapphiresuperstrate.Thelargerefractive
indexmismatch(n～0.6)betweenthesapphiresuperstrateandtheIII-nitrideepitaxi
allayersresultsinalargeportionofthelightgeneratedfromtheactiveregionto
betotally-internally-reflectedatthesapphire/III-nitrideinterface.Thislightistr
appedandguidedlaterallyalongthedevicetowardsthesidesofthedie.However,
becauseofthemanylossmechanismspresentintheIII-nitrideepilayersandelec
trodes,mostofthewaveguidedlightislostbeforeescapingthedevice.InFigure1
3b,theinterfacebetweentheIII-nitrideheterostructureandthesapphiresuperstrat
eistexturedinordertoscatterlightoutoftheIII-nitridelayers.Thisreducesth
emeanphotonpath-lengthwithintheheterostructureandreducestheeffectofint
ernalabsorption,thusimprovinglightextraction.Asimilareffectcanbeachievedb
ytexturingthebottomsurfaceoftheIII-nitrideheterstructure,oratoneofthein
terfaceswithintheheterostructure.Multipleinterfacesmaybetexturedincombinati
ontofurtherincreaselightextraction.」
（〔訳文〕ＬＥＤの光抽出は，Ⅲ族窒化物ヘテロ構造の１つの界面において表面テクスチャを施
すことにより増加できる。テクスチャ加工は，不規則でも規則的でもよい。これは，図１３(ａ)
から図１３(ｃ)に示されている。図１３(ａ)は，サファイア上層基板を利用する逆転装置を示す。
サファイア上層基板とⅢ族窒化物エピタキシャル層との間の屈折率の不釣合が大きい（ｎが約
０.６）と，活性領域から発生する大部分の光がサファイア・Ⅲ族窒化物の界面で完全に内部に
反射されることになる。この光は捕らえられ，装置に沿って横方向へ，ダイの側面に向かって
誘導される。しかし，Ⅲ族窒化物エピ層と電極とに存在する多くの損失機構のために，導波光
のほとんどは，装置から逃げる前に失われる。図１３(ｂ)において，Ⅲ族窒化物ヘテロ構造とサ
ファイア上層基板との間の界面が，光をⅢ族窒化物層から散乱させるためにテクスチャ加工さ
れる。これにより，ヘテロ構造内の平均光子路程長が減少して内部吸収効果が減少し，すなわ
ち，光抽出が改善される。同様な効果は，Ⅲ族窒化物ヘテロ構造の底面，又は，ヘテロ構造内
の界面の１つにおいてテクスチャ加工することにより達成できる。多くの界面は，光抽出の更
なる増大と関連してテクスチャ加工され得る。）
「ＦＩＧ.１３（ｂ）
」
(ｲ)検討
上記(ｱ)の記載によれば，甲７公報には，Ⅲ族窒化物ヘテロ構造とサファイア上層
基板との間の界面をテクスチャ加工して，光をⅢ族窒化物層から散乱させることに
よって，ＬＥＤの光抽出が増加すること，及び，テクスチャ加工は，不規則でも規
則的でもよいことが記載されているとはいえるものの，そもそも，基板に形成した
凸部の側面にテーパを設けることは記載されていないし，半導体層の結晶性を維持
しつつ光の散乱又は回折による出力を向上させることを考慮して，基板表面に形成
した凸部側面のテーパ角を決定することも記載されていない。
カ甲１３公報
(ｱ)記載事項
特開２００１－７３９３号公報（甲１３）には，次の記載がある。
「【００２２】ＡｌＧａＩｎＮ／サファイア界面に粗さを持たせた，即ちテクスチャを付けた
素子の場合であっても，多層エピタキシャル構造の厚さを大きくすると光抽出効率が改善され
る。図５は，図４にて利用したものと同様であるがＡｌＧａＩｎＮ／サファイア界面にテクス
チャをつけた素子の相対的光抽出効率をモデリングしたものである。テクスチャをつけたＡｌ
ＧａＩｎＮ／サファイア界面は，そこに入射する光を０次反射に対して±１１°の標準偏差で
ランダム化する。多層エピタキシャル構造の厚みを増大させたことによる光抽出率の改善はこ
れらのケースにおいては２２～２７％である。」
「【００２４】本発明に基づくＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤの製造方法を，図７を参照しつつ
説明する。ステップ６２においては基板が用意される。基板はサファイアで作られたものが望
ましい。…次にステップ６５においては，基板の上面にテクスチャがつけられる。テクスチャ
づけは数ある技術のうちのいずれによって実施しても良い。…また，かわりに基板をウエット
又はドライエッチング技術によりパターニングしても良い。」
「【００２８】ＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤ３２は，半透明金属層５４を介して表面光を放射
する素子として説明したが，ＬＥＤは半透明金属層のかわりに高い反射率を持つメタライズ層
を有する反転素子とすることも出来る。この反転ＬＥＤにおいては，表面光は透明基板を通し
て放射される。」
(ｲ)検討
上記(ｱ)の記載によれば，甲１３公報には，ＡｌＧａＩｎＮ/サファイア界面に粗
さを持たせた，すなわち，テクスチャを付けたＡｌＧａＩｎＮベースＬＥＤは，光
抽出効率が改善されること，及び，基板の上面につけるテクスチャは，基板をウエ
ット又はドライエッチング技術によりパターニングしても良いことが記載されてい
るとはいえるものの，そもそも，基板に形成した凸部の側面にテーパを設けること
は記載されていないし，半導体層の結晶性を維持しつつ光の散乱又は回折による出
力を向上させることを考慮して，基板表面に形成した凸部側面のテーパ角を決定す
ることも記載されていない。
キ甲１４刊行物
(ｱ)記載事項
「HighOutputPowerInGaNUltravioletLight-EmittingDiodesFabricatedonPat
ternedSubstratesUsingMetalorganicVaporPhaseEpitaxy」Jpn.J.Appl.Phys.Vo
1.40(2001)pp.L583-L585（Part2,No.6B,15June2001）（甲１４）には，以下
の記載がある（訳文は，審決，甲１４添付訳文，弁論の全趣旨による。）。
「（Ｌ５８３頁要約９～１０行目）Ultraviolet(UV)light-emittingdiodes(LEDs)withanInGaN
multi-quantum-well(MQW)structurewerefabricatedonapatternedsapphiresubstrate(PSS)usin
gasinglegrowthprocessofmetalorganicvaporphaseepitaxy.」
（〔訳文〕有機金属気相成長法という単一成長プロセスを用い，パターン化されたサファイア基
板（ＰＳＳ）上にＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する紫外線（ＵＶ）発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）を形成した。）
「（Ｌ５８３頁右欄３～５行目）EpitaxiallayersofUV-LEDdevicesweregrownonapattern
edsapphiresubstrate(PSS)bytheMOVPEtechniqueunderatmosphericpressureusingasingle
growthprocess.」
（〔訳文〕単一成長プロセスを用い，大気圧下においてＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）技術
により，パターン化されたサファイア基板（ＰＳＳ）上にＵＶ－ＬＥＤデバイスのエピタキシ
ャル層を成長させた。）
「（Ｌ５８３頁右欄１３～１４行目）thewidthsoftheridgesandgroovesandthedepthof
grooveswere3μm,3μmand1.5μum,respectively.」
（〔訳文〕凸部の幅，凹部の幅，及び凹部の深さはそれぞれ，３μｍ，３μｍ及び１.５μｍで
あった。）
「（Ｌ５８４頁左欄１６～２１行目）Theflip-chipLEDswereplacedonleadframes,andthe
nmoldedbyepoxyresin.ThemoldedLEDsweremeasuredatRT.StandardmountedLEDs,w
hichweregrownonaconventionalsapphiresubstrate(CSS),werealsofabricatedandevaluated
(CSS-UV-LED,sampleB).」
（〔訳文〕フリップチップＬＥＤをリードフレーム上に載置した後，エポキシ樹脂により成形し
た。形成した発光ダイオード（ＬＥＤ）を室温（ＲＴ）で計測した。従来のサファイア基板（Ｃ
ＳＳ）上に成長させ，標準的にマウントしたＬＥＤも作製し，評価した（ＣＳＳ－ＵＶ－ＬＥ
Ｄ，サンプルＢ）。）
「
」
（〔訳文〕図１．ＰＳＳ上に作製されたＵＶ－ＬＥＤの概略図）
「
」
（〔訳文〕（表１．ＬＥＰＳ－ＵＶ－ＬＥＤ（サンプルＡ）とＣＳＳ－ＵＶ－ＬＥＤ（サンプ
ルＢ）の比較
サンプルＡサンプルＢ
基板ＰＳＳＣＳＳ
〈11
＿
00〉ｻﾌｧｲｱ
〈112
＿
0〉GaN
転位密度１．５×１０８
ｃｍ－２
４×１０８
ｃｍ－２
ダイボンディングフリップチップ標準型
２０ｍＡ順方向電流時３．４Ｖ３．４Ｖ
の動作電圧
出力Ｐｏ１５．６ｍＷ～３．５ｍＷ
（２０ｍＡ時）
外部量子効率ηｅ２４％～５．４％
（２０ｍＡ時）
１００μＡ逆バイアス電流時１７．８Ｖ１１．５Ｖ
の電圧
）
(ｲ)検討
上記(ｱ)の記載によれば，甲１４刊行物には，凸部の幅３μｍ，凹部の幅３μｍ，
凹部の深さ１.５μｍの凹凸を設けたサファイア基板上に作製したＧａＮ系ＬＥＤ
は，従来のサファイア基板を用いたＬＥＤよりも，転位密度が小さく，出力及び外
部量子効率が高くなることが記載されているとはいえるものの，そもそも，基板に
形成した凸部の側面にテーパを設けることは記載されていないし，半導体層の結晶
性を維持しつつ光の散乱又は回折による出力を向上させることを考慮して，基板表
面に形成した凸部側面のテーパ角を決定することは記載されていない。
ク甲１５刊行物
(ｱ)記載事項
「HighOutputPowerInGaNUltravioletLight-EmittingDiodesFabricatedon
PatternedSubstratesUsingMetalorganicVaporPhaseEpitaxy」phys.stat.sol.(a)188,
No.1,121-125(2001)（甲１５）には，次の記載がある（訳文は，審決，甲１５添付
訳文，弁論の全趣旨）。
「（１２１頁要約１～３行目）Ultraviolet(UV)light-emittingdiodes(LEDs)withanInGaNmult
i-quantum-well(MQW)structurewerefabricatedonapatternedsapphiresubstrate(PSS)usinga
singlegrowthprocessofmetalorganicvaporphaseepitaxy.」
（〔訳文〕有機金属気相成長法という単一成長プロセスを用い，パターン化されたサファイア基
板（ＰＳＳ）上にＩｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する紫外線（ＵＶ）発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）を形成した。）
「（１２２頁９～１１行目）EpitaxiallayersofUV-LEDdevicesweregrownonapatterneds
apphiresubstrate(PSS)bytheMOVPEtechniqueusingasinglegrowthprocess,withoutamask
oranyinterruption.」
（〔訳文〕単一成長プロセスを用い，マスクも一切の中断もない状態で，ＭＯＶＰＥ（有機金属
気相成長法）技術により，パターン化されたサファイア基板（ＰＳＳ）上にＵＶ－ＬＥＤデバ
イスのエピタキシャル層を成長させた。）
「（１２２頁１４～１５行目）Thedimensionsofthestructurewereasfollows:thewidthsof
theridgesandgroovesandthedepthofgrooveswere3μm,3μmand1.5μm,respectively.」
（〔訳文〕当該構造の寸法は以下のとおりであった：凸部の幅，凹部の幅，及び凹部の深さはそ
れぞれ，３μｍ，３μｍ及び１．５μｍであった。）
「（１２２頁２７～３５行目）Theflip-chipLEDswereplacedonleadframes,andthencaps
ulatedbyepoxyresin.FourtypesofLEDswerefabricatedandmeasuredatRT.SampleAwas
fabricatedonthePSSwithparallelgroovesalongthe〈11
＿
00〉sapphire(〈112
＿
0〉GaN)direction,
SampleBwasfabricatedonthePSSwithparallelgroovesalongthe〈112
＿
0〉sapphire(〈11
＿
00〉G
aN)direction,sampleCwasastandardmounted(p-sideup)LEDwithatransparentp-typeele
ctrodefabricatedonthesamewaferassampleA,andsampleDwasstandardmountedLEDwi
thatransparentp-typeelectrode,whichwasgrownonaconventionalsapphiresubstrate(CSS),
aslistedinTable1.」
（〔訳文〕フリップチップＬＥＤをリードフレーム上に載置した後，エポキシ樹脂でカプセル化
した。室温で，４種類のＬＥＤが形成され，計測された。表１に記載されているとおり，サン
プルＡは〈11
＿
00〉サファイア(〈112
＿
0〉ＧａＮ)）方向の平行な溝を有するＰＳＳ上に形成され，
サンプルＢは〈112
＿
0〉サファイア(〈11
＿
00〉ＧａＮ)方向の平行な溝を有するＰＳＳ上に形成され，
サンプルＣは，サンプルＡと同じウエハ上に形成された透明のｐ型電極を有する（ｐ面が上の）
標準型ＬＥＤであり，サンプルＤは，従来のサファイア基板（ＣＳＳ）上に成長させ，標準的
にマウントした，ｐ型透明電極を有するＬＥＤであった。）
「
」
（〔訳文〕図１．ＰＳＳ上に作製されたＵＶ－ＬＥＤの概略図）
「
」
（〔訳文〕表１
ＬＥＰＳ－ＵＶ－ＬＥＤとＣＳＳ－ＵＶ－ＬＥＤの特徴
サンプルＡサンプルＢサンプルＣサンプルＤ
基板ＰＳＳＰＳＳＰＳＳＣＳＳ
〈11
＿
00〉ｻﾌｧｲｱ〈112
＿
0〉ｻﾌｧｲｱ〈11
＿
00〉ｻﾌｧｲｱ
〈112
＿
0〉GaN〈11
＿
10〉GaN〈112
＿
0〉GaN
転位密度１．５×１０８＊
）１．５×１０８
４×１０８
ｃｍ－２
ｃｍ－２
ｃｍ－２
ダイボンフリップチップフリップチップ標準型標準型
ディング
出力１５．６ｍＷ～１５ｍＷ～９ｍＷ～３．５ｍＷ
（２０ｍＡ時）
外部量子効率２４％～２３％～１３．８％～５．４％
＊凸領域に集中）
(ｲ)検討
上記(ｱ)の記載によれば，甲１５刊行物には，サファイア基板に凸部の幅３μｍ，
凹部の幅３μｍ，凹部の深さ１.５μｍの凹凸を設けたＬＥＤは，従来のサファイア
基板を用いたＬＥＤよりも，転位密度が小さく，出力及び外部量子効率が高くなる
ことが記載されているとはいえるものの，そもそも，基板に形成した凸部の側面に
テーパを設けることは記載されていないし，半導体層の結晶性を維持しつつ光の散
乱又は回折による出力を向上させることを考慮して，基板表面に形成した凸部側面
のテーパ角を決定することは記載されていない。
ケ甲４２の１刊行物
(ｱ)記載事項
国際公開０１／４１２２５号公報（甲４２の１）には，次の記載がある（訳文は
弁論の全趣旨）。
「図７
」
(ｲ)検討
特許出願に際して，願書に添付された図面は，設計図ではなく，特許を受けよう
とする発明の内容を明らかにするための説明図にとどまり，同図上に，当業者に理
解され得る程度に技術内容が明示されていれば足り，これによって当該部分の角度
や寸法等が特定されるものではない。しかるところ，上記(ｱ)の図面が説明図にすぎ
ないことはその体裁から明らかである。
したがって，上記(ｱ)の記載のみから，基板に形成された凸部のテーパ角が１２
０°～１４０°の範囲にあるという特定の構成が開示されているとはいえない。
コ周知技術
サファイア基板において，規則的な凹凸パターンを設けることで，ＧａＮ系半導
体の結晶品質を改善し（すなわち，内部量子効率を向上させ），多重反射を有効に抑
制できる（すなわち，外部量子効率を向上させる）という技術が，周知技術であっ
たことを認めるに足りる証拠はない。
甲１４刊行物や甲１５刊行物には，サファイア基板に規則的なパターンを設ける
ことで，ＧａＮ系半導体の転位密度を小さくできること，すなわち，結晶品質を改
善できることは記載されているものの，多重反射を有効に抑制できることは記載も
示唆もされていない。
サ小括
以上イ～コによれば，サファイア基板上に形成したＧａＮ系半導体発光ダイオー
ドにおいて，半導体層の結晶性を維持しつつ光の散乱又は回折による出力を向上さ
せることを考慮し，基板表面に形成した凸部の側面のテーパ角を１２０°超１４
０°以下とすることは，甲１発明に記載ないし示唆はなく，また，その外のいずれ
の公知文献及び周知技術にも記載ないし示唆されてはいない。
したがって，甲１発明において，本件発明１の相違点５に係る構成とすることは，
当業者にとって容易に想到し得たものとはいえない。
(2)まとめ
以上のとおりであるから，その余の点について判断するまでもなく，本件発明１
が，甲１発明に公知技術又は周知技術を適用して当業者が容易に想到することがで
きたとはいえない。また，本件発明１の特定事項に更に他の特定事項を付加した本
件発明２～４が，甲１発明に公知技術又は周知技術を適用して当業者が容易に想到
し得たものでないことも明らかである。
よって，取消事由３は，理由がなく，甲１発明に基づいて本件発明１の進歩性を
否定できない以上，取消事由１及び２について検討するまでもなく，これに基づい
て審決を取り消すことはできない。
４取消事由６について
(1)相違点８について
審決は，本件発明１と甲８発明とに前記第２，３(3)イの【相違点８】（凸部の配
置）のとおりの相違点があると認定しているところ，甲８発明の認定がどのような
ものであっても相違点８があることは，当事者間に争いがない。しかるに，原告は
相違点８に係る構成の容易想到性について何ら主張しないから，本件主張立証上，
甲８発明につき，本件発明１の相違点８に係る構成とすることは当業者にとって容
易想到でないことに帰する。したがって，このこと自体からして審決の結論には誤
りがないことになる。
ただし，審決において相違点８についての判断がなされず，この点についての容
易想到性の検討が行われていないことに鑑み，審決において判断が示された相違点
９について，更に検討する。
(2)相違点９について
審決は，本件発明１と甲８発明との相違点として，相違点６～相違点８以外に，
前記前記第２，３(3)イの【相違点９】（凸部側面のテーパ角）を認定しているとこ
ろ，甲８発明の認定がどのようなものであっても，相違点９があることは，当事者
間に争いがない。そうすると，相違点９に係る判断についての審決の判断に誤りが
なければ，審決の結論は左右されないことになるから，以下検討する。
ア本件発明１の凸部側面のテーパ角の技術的意義
本件発明１の凸部の側面のテーパ角の技術的意義は，前記３(1)アに認定判断のと
おりである。
イ甲８発明の凸部側面の立ち上がり角の技術的意義
(ｱ)検討
甲８公報の特許請求の範囲には，「【請求項１】基板と該基板上に気相成長された
半導体結晶とからなる半導体基材であって，前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ，
前記半導体結晶は凹部及び／または凸部からファセット構造を形成しながら成長さ
れたものであることを特徴とする半導体基材。」と記載されており，凸部の立ち上が
り傾斜と基板平面とがなす角度について特定されていないところ，「【請求項７】上
記基板に凹凸加工した凸部の立上り斜面と基板平面とが成す角度が６０°以上であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体基材。」との記載があるから，請求項１に
係る発明にはそのような限定がされていない態様のものを含むことになり，甲８公
報には，凸部側面の立ち上がり角が６０°未満のもの（本件明細書等の段落【００
２５】に係る凹部の底面と側面のなす角度が１２０°以上であるものに相応する。）
を必ずしも形式的・論理的な文言上からは排除していないと解される。
しかしながら，甲８公報には「【００３２】また基板に凹凸加工した凸部１１の立
上り斜面と基板平面が成す角度は，６０°以上とすることが好ましく，可及的に直
角に近いことが特に望ましい。角度が６０°よりも小さい場合，凸部斜面から成長
が始まりファッセット成長進行後の平坦化が良好に行えない問題が発生した。本発
明者らの検討の結果，６０°以上の角度を形成する事で，とりわけ直角に近い立上
り斜面にすると，ファセット形成並びにその後の平坦化が実質的に阻害されないこ
とを見出した。なお可能であれば，９０°を超える斜面角度とするのも好ましい。」
と記載されているから，当業者は，甲８発明の凸部側面の立ち上がり角を６０°未
満とすると甲８発明の効果が阻害されると理解し，たとえ甲８公報の請求項１の記
載に接したとしても，凸部立ち上がり角として６０°未満のものまで開示されてい
るとは考えない。また，前記１(3)に認定のとおり，甲８発明の凸部は，結晶成長当
初からファセット面が形成可能な素地面をあらかじめ提供し，基板からＣ軸方向に
伸びる転位線がファセット面で横方向に曲げられ上方に伝播しなくなることで，成
長面の表面近傍に基板からの転位の伝播がない低転位密度領域を形成するために設
けたものであって（【００１６】【００１７】），光を散乱又は回折させるために設け
たものではなく，また，甲８公報には，半導体層の結晶性を維持しつつ光の散乱又
は回折による出力を向上させることを考慮して凸部側面の立ち上がり角を決定する
ことは，記載も示唆もされていない。そうであれば，甲８公報に，半導体層の結晶
性を維持しつつ光の散乱又は回折による出力を向上させることを考慮して，基板表
面に形成した凸部側面のテーパ角を１２０°超１４０°以下とするという特定の構
成は開示されていないというべきである。
(ｲ)原告の主張に対して
原告は，本件発明１の凸部側面のテーパ角は，本件明細書等の段落【００２５】
及び【図９】に記載されているとおり，凸部上面と側面とがなす角をいうところ，
下記のとおり，甲８公報の【図６】（断面写真）によれば，甲８発明の凸部側面の立
ち上がり角を図上測定すれば，その角度は，本件発明１の測定方法に即して，おお
むね１３０°であるとも主張している。
しかしながら，本件発明１の凸部側面のテーパ角を凸部上面と側面とがなす角を
いうものと解するとしても，甲８公報には，凸部上面と凸部側面とがなす角度につ
いての具体的な記載はなく，かつ，凸部の立上り傾斜面と基板平面とがなす角度と
同傾斜面と凸部上面とがなす角度とを変えることについての記載もないのであるか
ら，上記(ｱ)に摘示した段落【００３２】の記載にしか接していない当業者であれば，
甲８公報の【図６】（断面写真）は，工業技術上の制約から凸部の肩が丸くなってい
るにすぎないと理解するといえる。そうすると，甲８公報において，甲８発明の凸
部上面と側面とがなす角度が，本件発明１の凸部側面のテーパ角として特定された
の範囲内にあることが開示されているとはいえない。
したがって，原告の上記主張は，採用することができない。
ウ甲１発明における凸部側面のテーパ角の技術的意義
甲１公報に，半導体層の結晶性を維持しつつ光の散乱又は回折による出力を向上
させることを考慮して，基板表面に形成した凸部側面角を決定することが記載も示
唆にされていないことは，前記３(1)イに認定判断のとおりである。
エその他公報等
本件証拠上，半導体層の結晶性を維持しつつ光の散乱又は回折による出力を向上
させることを考慮して，基板表面に形成した凸部側面のテーパ角を決定することを
記載又は示唆している文献が認められないことは，前記３(1)ウ～コに認定判断のと
おりである。
オ小括
以上イ～エによれば，サファイア基板上に形成したＧａＮ系半導体発光ダイオー
ドにおいて，半導体層の結晶性を維持しつつ光の散乱又は回折による出力を向上さ
せることを考慮し，基板表面に形成した凸部側面のテーパ角を１２０°超１４０°
以下とすることは，甲８発明に記載又は示唆はなく，また，その外のいずれの公知
文献及び周知技術にも記載又は示唆されていない。
したがって，甲８発明において，本件発明１の相違点９に係る構成とすることは，
当業者にとって容易に想到し得たものとはいえない。
(3)まとめ
以上のとおりであるから，その余の点について判断するまでもなく，本件発明１
が甲８発明に公知技術又は周知技術を適用して当業者が容易に想到することができ
たものとはいえない。また，本件発明１の特定事項に更に他の特定事項を付加した
本件発明２～４が，甲８発明に公知技術又は周知技術を適用して当業者が容易に想
到し得たものでないことも明らかである。
よって，取消事由６は，理由がなく，甲８公報に基づいて本件発明１の進歩性が
否定できない以上，取消事由４及び５について検討するまでもなく，これに基づい
て審決を取り消すことはできない。
第６結論
以上の次第であり，取消事由１の一部には理由があるものの，取消事由３及び
取消事由６には理由がないから，その余の取消事由について判断するまでもなく，
原告の請求は理由がない。
よって，原告の請求を棄却することとして，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
清水節
裁判官
中村恭
裁判官
中武由紀

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