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平成２３年２月２８日判決言渡
平成２２年（行ケ）第１０１３７号審決取消請求事件
平成２２年１２月２８日口頭弁論終結
判決
原告日立化成工業株式会社
訴訟代理人弁理士長谷川芳樹
同阿部寛
同池田正人
同城戸博兒
同清水義憲
訴訟代理人弁護士尾関孝彰
被告住友金属鉱山株式会社
訴訟代理人弁理士伊東忠彦
同佐々木定雄
同大貫進介
同山口昭則
訴訟代理人弁護士中川康生
同山川博光
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が無効２００６−８０１４２号事件について平成２２年３月２６日に
した審決を取り消す。
第２争いのない事実等
１事案の概要
本訴は，特許第３４１３４１３号（発明の名称：半導体素子搭載用基板及び
その製造方法。以下「本件特許」という。）の請求項６に係る特許の無効審判（無
効２００６−８０１４２号）において特許庁が平成２２年３月２６日にした「請
求項６についての訂正を認める。特許第３４１３４１３号の請求項６に記載さ
れた発明についての特許を無効とする。」との審決の取消しを求めるものである。
２本訴に至る経緯
(1)特許庁における手続の経緯等
ア出願等の経緯
(ｱ)親出願等
ａ原告は，平成７年３月１７日，特許出願をした（特願平７−５２４
５３７号）。この特許出願については，特許査定及び設定登録がされた
（特許第３２４７３８４号）。原告は，上記特許出願について，次の優
先権主張を行っている。
(a)優先権主張番号特願平６−４８７６０号
優先日平成６年３月１８日
優先権主張国日本
(b)優先権主張番号特願平６−２７３４６９号
優先日平成６年１１月８日
優先権主張国日本
(c)優先権主張番号特願平７−７６８３号
優先日平成７年１月２０日
優先権主張国日本
(d)優先権主張番号特願平７−５６２０２号
優先日平成７年３月１５日
優先権主張国日本
ｂ原告は，前記ａの特許出願（特願平７−５２４５３７号）の分割出
願として，平成１３年８月６日，新たな特許出願をした（特願２００
１−２３７７９１号。後記(ｲ）のとおり，この出願の再度の分割出願
として，本件特許の出願が行われた。）。この特許出願については，特
許査定がされ，平成１４年８月９日，設定登録がされた（特許第３３
３７４６７号）。
(ｲ)本件特許出願と手続補正
ａ原告は，前記(ｱ)ｂの特許出願（特願２００１−２３７７９１号）の
分割出願として，平成１４年５月１３日，四つの新たな特許出願をし
た（特願２００２−１３７３５９号，特願２００２−１３７３６０号，
特願２００２−１３７３６１号，特願２００２−１３７３６２号）。こ
れらの特許出願については，次のとおり，特許査定及び設定登録がさ
れた。
(a)特願２００２−１３７３５９号
特許第３４１３４１３号（本件特許）
平成１５年３月２８日設定登録
(b)特願２００２−１３７３６０号
特許第３３５２０８３号
平成１４年９月２０日設定登録
(c)特願２００２−１３７３６１号
特許第３４１３１９１号
平成１５年３月２８日設定登録
(d)特願２００２−１３７３６２号
特許第３３５２０８４号
平成１４年９月２０日設定登録
ｂ本件特許については，平成１４年１０月２８日付け手続補正書によ
る手続補正が行われた（同補正後の請求項の数は９であった。）。
イ新規性，進歩性の判断の基準日
本件特許に係る発明の構成要件の記載事項及び後記の訂正請求により訂
正が行われたと仮定した場合の訂正後の発明の構成要件の記載事項は，前
記ア(ｱ)ａ(d)の特願平７−５６２０２号の願書に添付した明細書及び図面
において初めて開示された事項であるから，本件特許に係る発明，及び訂
正請求により訂正が行われたと仮定した場合の訂正後の発明の新規性，進
歩性の判断の基準日は，前記ア(ｱ)ａ(d)の特願平７−５６２０２号の出願
日である平成７年３月１５日（以下「優先権基準日」という。）となる。
(2)訂正請求に至る経緯
ア第１次審決と取消訴訟
住友金属鉱山パッケージマテリアルズ株式会社（平成２０年１１月１日，
被告に吸収合併され，同月１４日，その旨の登記がされた。）は，平成１８
年７月３１日，本件特許の請求項６に係る発明についての特許の無効審判
（無効２００６−８０１４２号）を請求した。
特許庁は，平成１９年１月２２日，上記無効審判請求に係る特許を無効
とする旨の審決をした。
原告は，平成１９年２月２８日，上記審決につき知的財産高等裁判所（以
下「知財高裁」という。）に審決取消訴訟を提起した（知財高裁平成１９年
（行ケ）第１００８７号）。
イ訂正審判請求と差戻決定
(ｱ)原告は，平成１９年４月２日，本件明細書につき訂正審判請求を行っ
たが，同年６月１２日，この訂正審判請求を取り下げた。
(ｲ)原告は，平成１９年５月２８日，本件明細書につき再度の訂正審判請
求（訂正２００７−３９００６８号）を行った。
(ｳ)知財高裁は，平成１９年７月２０日，事件を審判官に差し戻すため，
前記アの審決を取り消す旨の決定（特許法１８１条２項）をした。
ウ訂正請求と訂正審判のみなし取下げ
原告は，差戻し後の無効審判において，平成１９年８月６日，本件明細
書につき訂正請求を行い，前記イ(ｲ)の訂正審判請求は取り下げられたもの
とみなされた（特許法１３４条の３第４項）。上記訂正請求は，無効審判請
求されている請求項６の訂正を請求するとともに，無効審判請求されてい
ない訂正前の請求項８，９（訂正後の請求項７，８）の訂正をも請求する
ものであった。
エ第２次審決と審決取消訴訟
(ｱ)特許庁は，平成２０年２月５日，請求項６に係る発明についての特許
の無効審判（無効２００６−８０１４２号）について，同特許を無効と
する旨の審決をした。
(ｲ)原告は，平成２０年２月２８日，上記審決中，請求項６に係る部分に
ついての取消のみを求め，知財高裁に審決取消訴訟を提起した（知財高
裁平成２０年（行ケ）第１００９５号）。
(ｳ)知財高裁は，平成２０年１１月２７日，前記(ｱ)の審決を取り消す旨
の判決をした。その判決の理由の要旨は，次のとおりである，
すなわち，特許無効審判手続における特許の有効性の判断及び訂正請
求による訂正の効果は，いずれも請求項ごとに生じ，その確定時期も請
求項ごとに異なるものというべきである。そうすると，２以上の請求項
を対象とする特許無効審判の手続において，無効審判請求がされている
２以上の請求項について訂正請求がされ，それが特許請求の範囲の減縮
を目的とする訂正である場合には，訂正の対象になっている請求項ごと
に個別にその許否が判断されるべきものであるから，そのうちの一つの
請求項についての訂正請求が許されないことのみを理由として，他の請
求項についての訂正事項を含む訂正の全部を一体として認めないとする
ことは許されない。そして，この理は，特許無効審判の手続において，
無効審判請求の対象とされている請求項及び無効審判請求の対象とされ
ていない請求項の双方について訂正請求がされた場合においても同様で
あって，無効審判請求の対象とされていない請求項についての訂正請求
が許されないことのみを理由（この場合，独立特許要件を欠くという理
由も含む。）として，無効審判請求の対象とされている請求項についての
訂正請求を認めないとすることは許されない。前記(ｱ)の審決は，無効審
判請求の対象とされていない請求項８，９についての訂正請求が独立特
許要件を欠くことのみを理由として，前記ウの平成１９年８月６日付け
訂正請求は認められないとした上で，請求項６に係る発明についての特
許を無効と判断したのであるから，前記(ｱ)の審決には，上記説示した点
に反する違法がある。
オ無効審判と訂正請求
(ｱ)前記エ(ｳ)の審決取消後の無効審判において，平成２１年６月９日付
け無効理由通知（甲３７）がされ，原告は，同年７月１３日付け訂正請
求書（甲３６）による訂正（以下「本件訂正」といい，本件訂正後の明
細書を「訂正明細書」という。）を請求した。
請求項６に係る本件訂正の内容は，請求項６を次のとおりに訂正する
というものであった。
「絶縁性支持体と複数の配線とを備えるＢＧＡ用の半導体素子搭載用フ
レキシブル基板において，
半導体素子搭載領域と，該半導体素子搭載領域の外側の樹脂封止用半
導体パッケージ領域とを，複数組備え，
上記配線は銅箔から形成される配線であって，上記絶縁性支持体の半
導体素子を搭載する面側のみに１層あり，
上記配線は，ワイヤボンディング端子と，外部接続端子とを上記絶縁
性支持体上に形成される配線の一部とした配線パターンを備え，
上記外部接続端子は上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ，
上記ワイヤボンディング端子はその反対側の面に備えられ，
上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に，上記外部
接続端子に達する開口部が設けられ，上記開口部の半導体素子を搭載す
る面側は，上記外部接続端子で覆われており，
上記開口部形成後，上記ワイヤボンディング端子の表面にニッケル金
めっきされてなり，
上記絶縁性支持体はポリイミドフィルムであって，上記開口部の側壁
に上記絶縁性支持体が露出しており，
上記ワイヤボンディング端子は上記樹脂封止用半導体パッケージ領域
に設けられ，
上記外部接続端子は上記半導体素子搭載領域に設けられ，
同一の上記配線パターンを有する上記半導体素子搭載領域及び上記半
導体パッケージ領域が複数個配列され上記複数個を一括して封止可能な
ブロックが形成されており，同一の上記ブロックが複数個設けられてい
ることを特徴とするＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板。」
（以下「本件発明６」という。）
(ｲ)特許庁は，平成２２年３月２６日，「請求項６についての訂正を認め
る。特許第３４１３４１３号の請求項６に記載された発明についての特
許を無効とする。」との審決（以下，単に「審決」という場合は，この審
決を指す。）をし，その謄本は，同年４月７日，原告に送達された。
３特許請求の範囲
訂正明細書の特許請求の範囲の請求項６の記載（本件発明６）は，前記２(2)
オ(ｱ)のとおりである。
４審決の理由
(1)別紙審決書写しのとおりであり，請求項６に係る部分の要旨は，次のとお
りである。
ア訂正の適否について
請求項６に係る本件訂正は，平成６年改正前特許法１３４条２項ただし
書に適合し，特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前
特許法１２６条２項の規定に適合するので，訂正を認める。
イ本件発明６についての特許の無効について
本件発明６は，引用刊行物１（特開昭６１−１７７７５９号公報，甲１
〔審判甲２５〕）記載の発明（以下「引用刊行物１発明」という。）及び周
知又は公知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたもの
であるから，本件発明６についての特許は，特許法２９条２項の規定に違
反してされたものであり，特許法１２３条１項２号に該当する。
(2)審決が，本件発明６に進歩性がないとの結論を導く過程において認定した
引用刊行物１発明の内容，本件発明６と引用刊行物１発明の一致点，相違点
は，次のとおりである。
ア引用刊行物１発明の内容
「ガラスエポキシ基板により構成されるベース１に，半導体素子３の搭
載される領域と，その外側にＳｉ系ゲル９により被覆される領域を有し，
ベース１の半導体素子３を搭載する面側のみに，メタライズ層６からなる
複数の配線が設けられ，メタライズ層６はコネクタワイヤボンディング部
とアウターリード４に接続する端子とを配線の一部とした配線パターンを
備え，コネクタワイヤボンディング部はＳｉ系ゲル９により被覆される領
域のメタライズ層６の上面に設けられ，アウターリード４に接続する端子
は半導体素子３の搭載領域及びその外側のＳｉ系ゲル９により被覆される
領域のメタライズ層６の下面に設けられ，アウターリード４に接続する端
子の形成される箇所のベース１にこの端子に達するスルホールが穿設され，
スルホールの半導体素子３を搭載する面側がメタライズ層６で覆われてい
るとともに，アウターリード４に接続する端子がベース１の半導体素子３
が搭載される面の裏面に露出している半導体素子搭載用基板。」の発明。
イ本件発明６と引用刊行物１発明の一致点
「絶縁性支持体と複数の配線とを備える半導体素子搭載用基板において，
半導体素子搭載領域と，該半導体素子搭載領域の外側の樹脂封止用半導
体パッケージ領域とを，備え，
上記配線は，上記絶縁性支持体の半導体素子を搭載する面側のみにあり，
上記配線は，ワイヤボンディング端子と，外部接続端子とを上記絶縁性
支持体上に形成される配線の一部とした配線パターンを備え，
上記外部接続端子は上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ，
上記ワイヤボンディング端子はその反対側の面に備えられ，
上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に，上記外部接
続端子に達する開口部が設けられ，上記開口部の半導体素子を搭載する面
側は，上記外部接続端子で覆われており，
上記ワイヤボンディング端子は上記樹脂封止用半導体パッケージ領域に
設けられ，
上記外部接続端子は上記半導体素子搭載領域に設けられることを特徴と
する半導体素子搭載用基板。」である点。
ウ本件発明６と引用刊行物１発明の相違点（相違点の(ｷ）ないし(ｼ)の符号
は，審決において用いられたものである。）
(ｱ)相違点(ｷ)
本件発明６では，１層の銅箔から形成された配線を用いているのに対
し，引用刊行物１発明では，めっきや蒸着などにより形成されたメタラ
イズ層を用いている点。
(ｲ)相違点(ｸ)
本件発明６では，絶縁性支持体がポリイミドフィルムで構成され，絶
縁性支持体の開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出しているのに対し，
引用刊行物１発明では，ベース（絶縁性支持体）がガラスエポキシで構
成され，スルホール（開口部）の側壁にベースが露出しているか否かを
明記していない点。
(ｳ)相違点(ｹ)
本件発明６では，半導体素子搭載領域と樹脂封止用半導体パッケージ
領域とを複数組備え，同一の配線パターンを有する上記半導体素子搭載
領域及び上記半導体パッケージ領域が複数個配列されているのに対し，
引用刊行物１発明では，これらの領域を複数組備え，複数個配列するこ
とを明記していない点。
(ｴ)相違点(ｺ)
本件発明６では，半導体素子搭載領域と半導体パッケージ領域の複数
個を一括して封止可能なブロックが形成され，同一の上記ブロックが複
数個設けられているのに対し，引用刊行物１発明では，このようなブロ
ックの形成がなく，また，複数個設けられていない点。
(ｵ)相違点(ｻ)
本件発明６は，ＢＧＡ用の基板であるのに対して，引用刊行物１発明
は，ＰＧＡ用の基板である点。
(ｶ)相違点(ｼ)
本件発明６では，開口部形成後，上記ワイヤボンディング端子の表面
にニッケル金めっきされるのに対し，引用刊行物１発明では，ワイヤボ
ンディング端子の表面にめっきを施すか否かを明記していない点。
第３取消事由に関する原告の主張
審決には，引用刊行物１発明の認定の誤り及びそれに伴う一致点の認定の誤
り（取消事由１），一致点の認定の誤り及び相違点の看過（取消事由２），相違
点(ｸ)（絶縁性支持体の構成，開口部側壁への絶縁性支持体の露出）に係る容易
想到性の判断の誤り（取消事由３），相違点(ｻ)（ＢＧＡ用の基板とＰＧＡ用の
基板の相違）に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由４）があるから，違法
として取り消されるべきである。
１引用刊行物１発明の認定の誤り及びそれに伴う一致点の認定の誤り（取消事
由１）
審決が，引用刊行物１発明について，「・・・メタライズ層６は・・・アウタ
ーリード４に接続する端子とを配線の一部とした配線パターンを備え，・・・ア
ウターリード４に接続する端子の形成される箇所のベース１にこの端子に達す
るスルホールが穿設され，スルホールの半導体素子３を搭載する面側がメタラ
イズ層６で覆われているとともに，アウターリード４に接続する端子がベース
１の半導体素子３が搭載される面の裏面に露出している」とした認定は誤りで
あり，その認定を前提とした一致点の認定も誤りである。その理由は，以下の
とおりである。
(1)アウターリード４に接続する端子の存否
引用刊行物１発明に係る基板において，メタライズ層６は，アウターリー
ド４に接続する端子を備えていない。
すなわち，引用刊行物１には，「上記メタライズ層６と，アウターリード４
とを，ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に接続している。」と
記載されており（甲１，２頁右下欄１ないし３行），この記載からすると，メ
タライズ層６とアウターリード４とは，ベース１に穿設されたスルホールを
介して，すなわち，スルホールを間において，間接的に電気的に接続されて
いるものと解される。
ガラスエポキシ基板を用いたＰＧＡ半導体素子搭載用基板の技術分野にお
いて，スルホール表面（「スルホール表面」とは，「スルホールの側壁の表面」
との意味である。）にめっき等の導電層が形成され，ガラスエポキシ基板の表
面に設けられた配線（メタライズ層）とリードピン（アウターリード）が，
スルホール表面に形成された導電層を介して電気的に接続されることは，周
知の技術である（甲４６ないし４９）。
そうすると，アウターリード４が挿入されていない基板において，スルホ
ール表面に形成されためっき等の導電層が，アウターリード４が挿入されて
外部と接続する端子に該当する。したがって，メタライズ層６は，アウター
リード４に接続する端子を備えていない。
なお，被告は，乙１３ないし１６には，絶縁性支持体（ベース）の開口部
（スルホール）にピン状のアウターリードを固定する際に，開口部（スルホ
ール）の側面にめっきがされていないことが開示されていると主張するが，
以下のとおり，このような被告の主張に理由はない。
すなわち，乙１３は，ピンを貫通孔内で金ろうにより固定し，乙１４は，
ピンを貫通孔内で銀ろうにより固定するという特殊な手段を用いたものであ
るところ，甲５４の図５．１によれば，金ろうの溶融温度は６５０℃以上，
銀ろうの溶融温度は６００℃以上であるから，耐熱性の点から，乙１３，１
４記載の技術事項をガラスエポキシ基板やポリイミドフィルムのような有機
基板に適用することはできない。また，乙１５記載の半導体装置のパッケー
ジは，ＴＢＡフィルムのスルーホール内に樹脂により導電ピンを固定すると
いう特殊な手段（複数の製造工程を経る構成）を用いたものであり，乙１６
記載のピングリッドアレイは，合成樹脂の基板１を成形する際にピンの基部
を基板内に埋入させるものであり，基板１を貫通するスルホールがないもの
である。さらに，乙１３ないし１６は，引用刊行物１に記載されたような，
リジッドなガラスエポキシ基板のスルホールに，スルホール内径と同じ太さ
のリードピン（アウターリード）を挿入したＰＧＡ半導体素子搭載用基板と
は異なるものである。したがって，乙１３ないし１６が存在するからといっ
て，引用刊行物１発明に適用可能な，開口部（スルホール）の側面にめっき
のない構成が公知であったとはいえず，引用刊行物１の「上記メタライズ層
６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルホールを介して電
気的に接続している。」（甲１，２頁右下欄１ないし３行）との記載に接した
当業者が，アウターリード４が，スルホール表面に形成された導電層を介さ
ず，メタライズ層６と直接電気的に接続していると理解することはない。
(2)アウターリード４に接続する端子の露出の有無
引用刊行物１発明に係る基板は，その製造工程に照らし，メタライズ層６
がベース１の半導体素子３が搭載される面の裏面に露出することはないし，
引用刊行物１の第１図に基づいて，メタライズ層６の露出を認定することは
できない。その理由は，以下のとおりである。
ア製造工程について
(ｱ)ａ引用刊行物１には，「ベース１は例えばガラスエポキシ基板により
構成される」（甲１，２頁右上欄１５ないし１６行），「ベース１には，
第１図にはメタライズ層（配線層）６がメッキ，蒸着などにより設け
られており」（甲１，２頁左下欄１６ないし１７行），「上記メタライ
ズ層６は，例えばＡｌより構成される」（甲１，２頁右下欄６ないし
７行）と記載されている。これらの記載によれば，引用刊行物１発明
のメタライズ層６は，ガラスエポキシ基板により構成されるベース１
に，Ａｌをメッキ，蒸着などして設けるものである。
また，引用刊行物１には，「アウターリード４は，ベース１に融点の
高い半田により，半田付される」（甲１，２頁右下欄４ないし５行）と
記載されているが，引用刊行物１発明はベース１がガラスエポキシ基
板であるので，アウターリード４をベース１に直接はんだ（以下，引
用部分以外は，原則として「はんだ」と表記する。）付けすることはで
きない。ベースとしてガラスエポキシ基板を用いたＰＧＡ基板の場合，
通常は導電層をガラスエポキシ基板下部表面にも形成し，この導電層
にアウターリードがはんだ付けされる（甲４６，５１）から，引用刊
行物１発明においても，導電層をガラスエポキシ基板下部表面にも形
成し，この導電層にアウターリードがはんだ付けされる。
そうすると，引用刊行物１発明に係るＰＧＡ基板は，ベース１に穴
加工を施し，更にベース１表面にレジストを形成した後，穴内面及び
ベース１の露出した部分にメッキ，蒸着等で導電層，メタライズ層６
を形成する工程で製造されると解され，この場合，穴の開口部上面を
覆うようにメタライズ層６を形成することはできない。
ｂ一般的なＰＧＡ基板は，両面銅箔付き積層板に穴加工を施した後，
穴内面及び銅箔表面にメッキ等で導電層を形成し，最後にエッチング
により配線を形成する工程で製造されるところ（例えば甲５２），この
工程によっても，穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層６を形成
することはできない。
ｃ仮に，審決の認定どおりであるとすれば，引用刊行物１に記載され
た基板は，ベース１の一面にＡｌをメッキ又は蒸着してメタライズ層
を形成し，メタライズ層を貫通することなくベース１のみに穴加工を
施し，このメタライズ層に当接するように，アウターリード４を，形
成された穴に打ち込んで製造することになるが，メタライズ層は数μ
ｍの薄さであって脆弱なものであるから，このような方法で基板を製
造することは，通常はあり得ない。
ｄそうすると，引用刊行物１発明は，その製造工程に照らすと，アウ
ターリード４に接続する端子の形成される箇所のベース１に，この端
子に達するスルーホールが穿設されることはなく，また，スルホール
の半導体素子３を搭載する面側がメタライズ層６で覆われることはな
く，メタライズ層６がベース１の半導体素子３が搭載される面の裏面
に露出することはない。
(ｲ)有機基板にアルミニウムのメッキを施すことは難しく，蒸着でアルミ
ニウムのメタライズ層を設けた場合，厚みが薄くなるところ，アルミニ
ウムは，その融点が銅などに比べて低く，レーザーの熱に耐えられない
から，メタライズ層形成後に穴加工を行って穴の開口部上面を覆うよう
にメタライズ層を形成することは不可能である。
イ引用刊行物１の第１図について
特許出願に際して願書に添付された図面は，特許を受けようとする発明
の内容を明らかにするための説明図にとどまるから，明細書の記載及び技
術常識に反する発明を図面のみから認定することは許されない。
引用刊行物１の第１図は，図面の簡単な説明において，「本発明の実施例
を示す断面図」とされているが，第１図は，どの部分の断面図であるか明
確でない。
また，コネクタワイヤ７をメタライズ層６に接続する位置と，アウター
リード４をメタライズ層６に取り付ける位置の関係をみると，第１図（第
１図のうち，左右両端の，コネクタワイヤ7がメタライズ層６の上部に接
続され，アウターリード４がメタライズ層６の下部に取り付けられている
部分）では，両者の位置がほぼ同じであるのに対し，第３図では，両者の
位置がずれており，第１図は，その部材の位置関係を明確に図示していな
い。
さらに，引用刊行物１には，アウターリード４をはんだ付けすることに
ついて明記されているが，そのことは，第１図には図示されていない。
引用刊行物１発明は，アウターリード４の上部にチップを搭載する構成
としたことに特徴があり，第１図は，その構成のみを明確に図示する断面
図であり，その他の部材の位置関係を明確に図示しているとはいえない。
そうすると，引用刊行物１の第１図には，アウターリード４とメタライ
ズ層６の位置関係（接続関係）が明確に図示されているとはいえないから，
引用刊行物１の第１図に基づいて，メタライズ層６がベース１の半導体素
子３が搭載される面の裏面に露出していると認定することはできない。審
決が，引用刊行物１の第１図，第２図のみから，「スルホールの半導体素子
３を搭載する面側がメタライズ層６で覆われているとともに，アウターリ
ード４に接続する端子がベース１の半導体素子３が搭載される面の裏面に
露出している」とした認定は誤りである。
(3)小括
したがって，審決が，引用刊行物１発明について，「・・・メタライズ層６
は・・・アウターリード４に接続する端子とを配線の一部とした配線パター
ンを備え，・・・アウターリード４に接続する端子の形成される箇所のベース
１にこの端子に達するスルホールが穿設され，スルホールの半導体素子３を
搭載する面側がメタライズ層６で覆われているとともに，アウターリード４
に接続する端子がベース１の半導体素子３が搭載される面の裏面に露出して
いる」とした認定は誤りである。
また，上記認定を前提として，本件発明６と引用刊行物１発明は，「上記配
線は，・・・外部接続端子とを上記絶縁性支持体上に形成される配線の一部と
した配線パターンを備え，上記外部接続端子は上記配線の上記絶縁性支持体
側の面に備えられ，・・・上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支
持体に，上記外部接続端子に達する開口部が設けられ，上記開口部の半導体
素子を搭載する面側は，上記外部接続端子で覆われており」で一致するとし
た審決の認定は誤りである。
２一致点の認定の誤り及び相違点の看過（取消事由２）
審決が，引用刊行物１発明の「アウターリード４に接続する端子」，「スルホ
ール」が，それぞれ本件発明６の「外部接続端子」，「開口部」に該当するとし
て，本件発明６と引用刊行物１発明が，外部接続端子，開口部を備える点で一
致するとした認定は誤りであり，審決は，本件発明６が外部接続端子，開口部
を備えるのに対し，引用刊行物１発明が外部接続端子，開口部を備えないとの
相違点を看過したものである。その理由は，以下のとおりである。
すなわち，本件発明６は，ＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板で
あるから，本件発明６の「外部接続端子」は，はんだボールに接続するもので
ある。これに対し，引用刊行物１発明の「アウターリード４に接続する端子」
は，はんだボールに接続するものではない。そのため，引用刊行物１発明の「ア
ウターリード４に接続する端子」は，本件発明６の「外部接続端子」に該当し
ない。
また，本件発明６は，ＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板である
から，本件発明６の「開口部」は，はんだボールが配置され，溶融されるもの
であり，かつ，外部接続端子で覆われていて，ポリイミドフィルムに設けられ
たものであるから，アウターリードを挿入する使い方はできない。これに対し，
引用刊行物１発明の「スルホール」は，アウターリードを挿入するものである。
そのため，引用刊行物１発明の「スルホール」は，本件発明６の「開口部」に
該当しない。
３相違点(ｸ)（絶縁性支持体の構成，開口部側壁への絶縁性支持体の露出）に係
る容易想到性の判断の誤り（取消事由３）
審決が，相違点(ｸ)に係る本件発明６の構成は容易に想到し得るとした判断は
誤りである。その理由は，以下のとおりである。
(1)絶縁性支持体の構成について
審決は，絶縁性支持体の構成について，甲２〔審判甲７〕，甲３〔審判甲８〕，
甲５〔審判甲２８〕，甲６〔審判甲３５，参考資料１５〕，甲７〔審判甲３６，
参考資料１９〕，甲８〔審判甲６〕，甲９〔審判甲２９〕の記載によれば，半
導体素子搭載用基板において，絶縁性支持体をポリイミド（フィルム）で構
成されるフレキシブル基板とすることは，周知又は公知であったものと認め
られ，当事者が適宜選択し得る設計的事項であったといえると判断した。こ
の審決の判断は，アウターリードを挿入する半導体素子搭載用基板（いわゆ
るＰＧＡ基板）において，絶縁性支持体をポリイミドフィルムで構成するこ
とは，当業者が適宜選択し得る設計的事項であるとするものである。
しかし，審決が周知例として例示した刊行物（甲２，３，５ないし９）に
は，アウターリード（リードピン）を挿入する半導体素子搭載用基板（いわ
ゆるＰＧＡ基板）において，①絶縁性支持体をポリイミドフィルムで構成す
ること，又は②絶縁性支持体をポリイミドフィルムで構成してもアウターリ
ード（リードピン）を支持できることは，何ら記載されていない。
したがって，上記刊行物（甲２，３，５ないし９）の記載に基づき，アウ
ターリードを挿入する半導体素子搭載用基板（いわゆるＰＧＡ基板）におい
て，絶縁性支持体をポリイミドフィルムで構成することは当業者が適宜選択
し得る設計的事項であるとする審決の判断は，誤りである。
(2)開口部側壁への絶縁性支持体の露出について
審決は，本件発明６では，絶縁性支持体の開口部の側壁に絶縁性支持体が
露出しているのに対し，引用刊行物１発明では，スルホール（開口部）の側
壁にベースが露出しているか否かを明記していない点について，引用刊行物
１の第１図には，スルホールの側壁にベースが露出した状態でアウターリー
ドが設けられた様子が示されており，また，スルホールの半導体素子を搭載
する面側にメタライズ層があれば，電気的導通のためにスルホールの側壁を
（めっき等で）メタライズする必要もないことから，実質的な相違点とはい
えないと判断した。
しかし，前記１(1)のとおり，引用刊行物１発明においては，スルホールの
側壁の表面に導電層が形成されていることは明らかである。そうすると，本
件発明６では絶縁性支持体の開口部の側壁に絶縁性支持体が露出しているの
に対し，引用刊行物１発明ではスルホールの側壁の表面に導電層が形成され
ている点は，本件発明６と引用刊行物１発明の相違点である。したがって，
本件発明６では絶縁性支持体の開口部の側壁に絶縁性支持体が露出している
のに対し，引用刊行物１発明ではスルホールの側壁にベースが露出している
か否かを明記していない点は実質的な相違点とはいえないとした審決の判断
は，誤りである。
４相違点(ｻ)（ＢＧＡ用の基板とＰＧＡ用の基板の相違）に係る容易想到性の判
断の誤り（取消事由４）
審決が，相違点(ｻ)に係る本件発明６の構成は容易に想到し得るとした判断は
誤りである。その理由は，以下のとおりである。
(1)審決は，甲２１，甲２２〔審判周知資料１〕，甲２３〔審判周知資料２〕，
甲２４〔審判周知資料３〕，甲２５〔審判周知資料４〕，甲２６〔審判参考資
料１２〕，甲２７〔審判周知資料５〕，甲２８〔審判周知資料６〕，甲２９〔審
判周知資料７〕の記載によれば，半導体素子搭載用基板において，引用刊行
物１発明に使用されているようなピンと，はんだボールとが，相互に置換可
能であることは周知又は公知の技術であったものと認められるところ，引用
刊行物１の４頁右上欄２０行に，「他のパッケージなどにも適用できる。」と
記載されているのであるから，引用刊行物１発明をＢＧＡ用の基板に適用す
ることは，当業者が容易に想到し得たものといえると判断した。また，審決
は，「被請求人は，・・・引用刊行物１発明をＢＧＡ用の基板に適用すること
は当業者が容易に想到し得たものではない旨を主張しているが，・・・絶縁性
支持体としてポリイミド（フィルム）で構成されるフレキシブル基板を選択
することが，当業者が適宜選択し得る設計的事項であるから，それに伴って，
引用刊行物発明（判決注「引用刊行物１発明」の誤記と認められる。）に使
用されているようなピンをはんだボールに置換することも，上記周知または
公知の技術に基づいて当業者が適宜なし得る設計的事項の範囲にすぎない。」
と判断した。
審決の上記判断は，本件発明６の相違点(ｸ)に係る構成を容易に想到し得た
ことを理由として，本件発明６の相違点(ｻ)に係る構成を容易に想到し得たと
判断するものである。
しかし，前記３のとおり，本件発明６の相違点(ｸ)に係る構成を容易に想到
し得たとの判断は誤りである。また，相違点(ｻ)という一つの相違点について，
二段階の容易想到性の判断を経て容易想到と判断している点も誤りである。
(2)引用刊行物１発明のメタライズ層６は，アルミニウムをベース１にメッキ，
蒸着して形成されているところ，はんだはアルミニウムに付着しないとされ
ているし（甲５５，【０００４】参照），有機のフラックスを内蔵する特殊な
アルミニウム用はんだを使用すると煩雑な処理が必要となり，簡便に小型・
高密度の半導体パッケージを製造するとの本件発明６の目的に反することと
なる。そのため，引用刊行物１発明において，アウターリード４がメタライ
ズ層６に直接はんだ付けされることはなく，引用刊行物１発明のアウターリ
ード４に代えてはんだボールを使用することには阻害要因がある。
第４被告の反論
審決の認定，判断に誤りはなく，原告主張の取消事由は，いずれも理由がな
い。
１引用刊行物１発明の認定の誤り及びそれに伴う一致点の認定の誤り（取消事
由１）に対し
審決が，引用刊行物１発明について，「・・・メタライズ層６は・・・アウタ
ーリード４に接続する端子とを配線の一部とした配線パターンを備え，・・・ア
ウターリード４に接続する端子の形成される箇所のベース１にこの端子に達す
るスルホールが穿設され，スルホールの半導体素子３を搭載する面側がメタラ
イズ層６で覆われているとともに，アウターリード４に接続する端子がベース
１の半導体素子３が搭載される面の裏面に露出している」とした認定に誤りは
なく，その認定を前提とした一致点の認定にも誤りはない。その理由は，以下
のとおりである。
(1)アウターリード４に接続する端子の存否
引用刊行物１発明においては，スルホール表面をめっきすることなく，ア
ウターリード４がメタライズ層６に直接接続しており，メタライズ層６は，
アウターリード４に接続する端子を備えている。
引用刊行物１には，メタライズ層６とアウターリード４とが，スルホール
を間において間接的に電気的に接続されているという記載も，スルホール表
面にめっき等で導電層が形成されているという記載もなく，第１図には，ア
ウターリード４の上端がメタライズ層６に直接電気的に接続されている様子
が描かれており，スルホール表面にめっき等がされていることは示されてい
ない。したがって，引用刊行物１の「スルホールを介して」との記載は，第
１図に示されているように，「アウターリード４がスルホールの中を通って」
という意味に解すべきである。
甲４６ないし４９の図面には，スルホール表面にめっき等があることが図
示されているが，甲４６ないし４９に記載された基板は，いずれも基板の両
面に配線を設けた両面配線型基板であり，片面配線型の引用刊行物１発明と
は異なる。乙１３ないし１６には，引用刊行物１発明と同様の片面配線型基
板の場合に，絶縁性支持体（ベース）の開口部（スルホール）にピン状のア
ウターリードを固定する際に，開口部（スルホール）の側面にめっきをする
ことなく，ピン状のアウターリードが開口部の中を通って，開口部を覆う配
線に結合することが示されている。乙１３，１４では，ピンを固着する材料
が，金ろう，銀ろうとされているが，基板が有機基板の場合に，貫通孔内に
金属製のピンを挿入し，ろう材のうちでも低温で溶融するはんだを用いて固
定することは，優先権基準日以前から周知であったから，乙１３，１４には，
引用刊行物１発明と同様の構造の基板において，スルホール表面にめっき等
のない構成が示されているといえる。
引用刊行物１の「アウターリード４は，ベース１に融点の高い半田により，
半田付される。」（２頁右下欄４ないし５行）という記載は，アウターリード
４がガラスエポキシ基板にはんだ付けされるという意味ではなく，アウター
リード４がベース１に設けられたメタライズ層６にはんだ付けされ，その結
果，ベース１に固定されるという意味と考えるのが自然である。
(2)アウターリード４に接続する端子の露出の有無
引用刊行物１発明に係る基板においては，メタライズ層６を貫通すること
なくスルホールを形成して，メタライズ層６がベース１の半導体素子３が搭
載される面の裏面に露出するようになっている。
ア製造工程について
(ｱ)引用刊行物１発明に係る基板の製造に当たり，メタライズ層６の形成
より穴加工の方を必ず先に行うとは限らず，メタライズ層６の形成と穴
加工のいずれを先に行うかは，当業者が適宜選択し得る設計的事項であ
る。したがって，引用刊行物１発明に係るＰＧＡ基板が，原告が主張す
るように，ベース１に穴加工を施し，穴内面及びベース１の露出した部
分にめっき，蒸着で導電層，メタライズ層６を形成するとの工程で必ず
製造されるとは限らない。
メタライズ層６が数μｍの薄さであるという限定は，引用刊行物１に
はなく，ある程度の厚さがあれば，メタライズ層６を貫通することなく
スルホールを形成することができ，そのことは，乙１５，１７ないし１
９にも示されている。
(ｲ)乙２３，２４によれば，優先権基準日以前から，ガラスエポキシ基板
やポリイミドフィルム基板にアルミニウムの蒸着等を行った後に，数値
制御切削加工機，レーザーエッチング又は湿式エッチング法を用いて基
板に開孔を形成し得ることは，当業者に周知であった。
イ引用刊行物１の第１図について
引用刊行物１の第１図は，中央にアウターリード４が示されていないこ
とから，第２図の中心を通り，かつアウターリード４を通る面で切った断
面図であることが分かり，アウターリード４の上端がメタライズ層６に接
続している様子を明瞭に示している。
審決は，引用刊行物１の第１図，第２図のみではなく，引用刊行物１の
その他の記載も総合して，引用刊行物１発明につき，「スルホールの半導体
素子３を搭載する面側がメタライズ層６で覆われているとともに，アウタ
ーリード４に接続する端子がベース１の半導体素子３が搭載される面の裏
面に露出している」と認定したものであり，その認定に誤りはない。
２一致点の認定の誤り及び相違点の看過（取消事由２）に対し
審決が，引用刊行物１発明の「アウターリード４に接続する端子」，「スルホ
ール」が，それぞれ本件発明６の「外部接続端子」，「開口部」に該当するとし
て，本件発明６と引用刊行物１発明が，外部接続端子，開口部を備える点で一
致するとした認定に誤りはなく，審決に，相違点を看過した誤りもない。
引用刊行物１発明において，ＰＧＡ基板とＢＧＡ基板とを相互に置換する際
に，ピン用の開口部をはんだボール用の開口部へと変更し，またその逆へ変更
することは，当業者が適宜なし得た設計的事項である。ポリイミド等の基板に
もアウターリード４を挿入できることを考慮すると，はんだボール用の開口部
にアウターリードを挿入できないことなどを理由として本件発明６に進歩性が
あるとする原告の主張は，失当である。また，電気信号を外部へ伝えるために
外部の部材に接続するものは，それがアウターリードに接続されようと，はん
だボールに接続されようと，外部接続端子であることに変わりはない。
３相違点(ｸ)（絶縁性支持体の構成，開口部側壁への絶縁性支持体の露出）に係
る容易想到性の判断の誤り（取消事由３）に対し
審決が，相違点(ｸ)に係る本件発明６の構成は容易に想到し得るとした判断に
誤りはない。
(1)絶縁性支持体の構成について
絶縁性支持体としてポリイミドフィルムを用いることは周知又は公知であ
り，引用刊行物１に「他のパッケージなどにも適用できる」（４頁右上欄２０
行）と記載されているから，ピンに代えてはんだボールを用いることは，当
業者が容易に想到し得た。したがって，引用刊行物１発明において，ガラス
エポキシＰＧＡ基板をポリイミドフィルムＢＧＡ基板に置換することは容易
であった。
アウターリードをポリイミドフィルムに挿入するという，引用刊行物１発
明の一部のみを置換した構造が実現できなければ本件発明６は容易想到でな
かったとする原告の主張は理由がないし，仮にそのような構造の実現性を問
題とするとしても，甲１３，乙１５，１６，２０，２１によれば，半導体素
子搭載用基板において，ポリイミドフィルムである絶縁性支持体にピン状の
アウターリードを固定することは周知であった。
(2)開口部側壁への絶縁性支持体の露出について
前記１(1)のとおり，引用刊行物１発明においては，スルホール表面をめっ
きすることなく，アウターリード４がメタライズ層６に直接接続しており，
開口部側壁に絶縁性支持体が露出している。したがって，本件発明６では絶
縁性支持体の開口部の側壁に絶縁性支持体が露出しているのに対し，引用刊
行物１発明ではスルホールの側壁にベースが露出しているか否かを明記して
いない点は実質的な相違点とはいえないとした審決の判断に，誤りはない。
４相違点(ｻ)（ＢＧＡ用の基板とＰＧＡ用の基板の相違）に係る容易想到性の
判断の誤り（取消事由４）に対し
審決が，相違点(ｻ)に係る本件発明６の構成は容易に想到し得るとした判断に
誤りはない
(1)審決は，相違点(ｻ)について，９件の公知文献を引用し，ピンとはんだボ
ールとが相互に置換可能であることは周知又は公知の技術であると認定し，
引用刊行物１の「他のパッケージなどにも適用できる。」（４頁右上欄２０行）
との記載も引用して，引用刊行物１発明をＢＧＡ用の基板に適用することは
当業者が容易に想到し得たものであると判断したものであり，二段階の容易
想到性の判断を経て容易想到であると判断したものではない。
審決の「絶縁性支持体としてポリイミド（フィルム）で構成されるフレキ
シブル基板を選択することが，当業者が適宜選択し得る設計的事項であるか
ら，それに伴って，引用刊行物発明（判決注「引用刊行物１発明」の誤記
と認められる。）に使用されているようなピンをはんだボールに置換すること
も，上記周知または公知の技術に基づいて当業者が適宜なし得る設計的事項
の範囲にすぎない。」との説示は，ポリイミドフィルムの選択も設計的事項で
あるし，それとともに，はんだボールに置換することも設計的事項であると
の趣旨と解される。
(2)優先権基準日前から，アルミニウム用はんだが使用されていることは周知
であったから（乙２２），はんだがアルミニウムに付着しないとの原告の主張
は誤りであり，したがって，アウターリード４がメタライズ層６に直接はん
だ付けされることはないとの原告の主張も誤りである。
第５当裁判所の判断
当裁判所は，原告主張の取消事由は，いずれも理由がなく，審決の認定，判
断に誤りはないと判断する。
１引用刊行物１発明の認定の誤り及びそれに伴う一致点の認定の誤り（取消事
由１）について
(1)引用刊行物１発明の技術的意義
ア引用刊行物１の記載
引用刊行物（甲１）には次の記載がある。
(ｱ)「特許請求の範囲
１．パッケージより，アウターリードを垂直に出した半導体装置であっ
て，前記パッケージ本体内の半導体素子の下部にも前記アウターリード
を有して成ることを特徴とする半導体装置。」（１頁左下欄３ないし７行）
(ｲ)「従来のプラグインパッケージは，一般に，セラミック基板に，半導
体素子（チップ）を搭載できる溝部を溝設し，該溝部内にチップを搭載
し，セラミック基板の裏面に，多数の金属ピンをろう付けし，パッケー
ジ本体から，垂直方向に，多数の当該金属ピンよりなるアウターリード
を引き出しており，前記チップは当該ピン（アウターリード）の内周よ
りも内側に搭載してなる。すなわち，チップの下部にはアウターリード
は設けられていず，チップの周辺に，アウターリードを配設する構造が
とられている。」（「背景技術」の欄，１頁左下欄１４行ないし右下欄４行）
(ｳ)「本発明の目的は，大チップ搭載可能としたプラグインパッケージを
提供することを目的とする。
本発明の他の目的はピン数の増加したプラグインパッケージを提供す
ることを目的とする。
本発明のさらに他の目的は配線の引き回しが容易なプラグインパッケ
ージを提供することを目的とする。
本発明のさらに他の目的はパッケージサイズの小型化を目的とする。」
（「発明の目的」の欄，２頁左上欄７ないし１５行）
(ｴ)「本発明では，チップの下部にもアウターリードを垂直に出した構成，
換言すれば，アウターリードを全面に設け，その上部にチップを搭載す
る構成としたので，チップは大なるサイズのものが搭載でき，ピン数も
増加でき，配線引きまわしも容易となり，かつ，パッケージサイズも小
型化可能となる。」（「発明の概要」の欄，２頁右上欄３ないし９行）
(ｵ)「第１図に示すように，ベース（基板）１の上に接着材料２により半
導体素子（チップ）３を固着する。
ベース１は例えばガラスエポキシ基板により構成される。」（「実施例」
の欄，２頁右上欄１２ないし１６行）
(ｶ)「基板１には第１図および第２図に示すようにその垂直方向に多数の
アウターリード４が立設されている。
本発明では，これら図に示すように，アウターリード４は半導体素子
３の下部にも立設されている。パッケージ本体５の基板１の裏面から基
盤目状に一定のピッチで，金属ピンよりなるアウターリード４が全面に
わたって突出しており」（「実施例」の欄，２頁左下欄５ないし１２行。
なお，「基盤目状」は，「碁盤目状」の誤記と認められる。）
(ｷ)「ベース１には，第１図にはメタライズ層（配線層）６がメッキ，蒸
着などにより設けられており，このメタライズ層６と半導体素子３のパ
ッド（図示せず）とを，コネクタワイヤ７により，第１図に示すように，
超音波ボンディングなどの方法によりボンディングし，上記メタライズ
層６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルホールを介
して電気的に接続している。
アウターリード４は，ベース１に融点の高い半田により，半田付され
る。」（「実施例」の欄，２頁左下欄１６行ないし右下欄５行）
(ｸ)「ベース１上に，ダム８を・・・接合し，このダム８により区画され
たエリア内にＳｉ系ゲル材料をポッティングし，加熱硬化させ，得られ
たＳｉ系ゲル９により，半導体素子３とコネクタワイヤボンディング部
などを被覆する。」（「実施例」の欄，２頁右下欄９ないし１４行）
(ｹ)「第３図は，本発明におけるワイヤボンディングおよびピン間の配線
の要部平面図で，第３図に示すように，半導体素子３のボンディングパ
ッド１１とメタライズ層９とをコネクタワイヤ７によりボンディングす
るが，本発明では配線基板１のメタライズ層（配線）９をボンディング
リードとして利用すると，ピン間に引きまわすコネクタワイヤの本数が
少なくでき，その配線が楽になる。」（「実施例」の欄，３頁右下欄１ない
し８行。なお，「メタライズ層９」，「メタライズ層（配線）９」は，「メ
タライズ層６」，「メタライズ層（配線）６」の誤記と認められる。）
(ｺ)「アウターリードを，従来のごとく，チップの周辺下部に垂設すると
いう制限を取り払い，全面に一定のピッチで基盤目状に配列し，それら
アウターリードの上部にチップを搭載するようにしたので，チップは大
きなサイズであっても搭載可能である。」（「効果」の欄，３頁右下欄１０
ないし１５行。なお，「基盤目状」は，「碁盤目状」の誤記と認められる。）
(ｻ)「上記のようにアウターリードをベース全面にわたり多数垂設してい
るので，多ピン化が可能である。」（「効果」の欄，４頁左上欄３ないし５
行）
(ｼ)「以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をプラグイ
ンパッケージに適用した例を示したが，他のパッケージなどにも適用で
きる。」（「産業上の利用分野」の欄，４頁右上欄１８ないし２０行）
(ｽ)引用刊行物１には，図面（第１図，第２図，第３図）が示されている。
イ引用刊行物１発明の技術的意義
前記アの引用刊行物１の記載によれば，引用刊行物１に記載された発明
は，半導体素子を搭載するベース（基板）１にアウターリード４（リード
ピン）を立設した半導体装置（プラグインパッケージ）において，大チッ
プ搭載可能とし，ピン数の増加（多ピン化）を可能とし，配線の引き回し
を容易にし，パッケージサイズを小型化するという課題を解決するために，
アウターリード４を基板全面に設け，搭載される半導体素子の下部にもア
ウターリード４が立設された構成とした発明であり，アウターリード４の
配置に技術的な特徴を有するものである。そして，引用刊行物１の記載に
基づいて，アウターリード４が立設される前の状態の半導体素子搭載用基
板を認定することができるものと認められ，審決は，引用刊行物１発明と
して，アウターリード４が立設される前の状態の半導体素子搭載用基板を
認定したものと認められる。
(2)アウターリード４に接続する端子の存否について
引用刊行物１発明において，メタライズ層６は，アウターリード４に接続
する端子を備えているものと認められる。その理由は，以下のとおりである。
ア引用刊行物１に基づく認定
引用刊行物１には，スルホールに関連して，「上記メタライズ層６と，ア
ウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルホールを介して電気的に
接続している。」（２頁右下欄１ないし３行）と記載されており，第１図に
は，ベース（基板）１にメタライズ層（配線層）６が設けられるとともに，
ベース１を貫通するスルホールにアウターリード４（リードピン）が立設
された状態が図示されていることから，少なくとも，スルホールにはアウ
ターリード４が立設され，メタライズ層６とアウターリード４とが電気的
に接続されることが理解できる。しかし，引用刊行物１（図面を含む）に
は，メタライズ層６とアウターリード４との電気的接続の態様やスルホー
ルの構造は，具体的には明示されていない。
前記(1)イのとおり，引用刊行物１の特許請求の範囲に記載された発明は，
半導体装置（プラグインパッケージ）におけるピン数の増加や小型化等の
課題を解決するために，アウターリード４（リードピン）を基板全面に設
け，搭載される半導体素子の下部にもアウターリード４が立設された構成
としたものであり，アウターリード４の配置に技術的な特徴を有するもの
であって，その技術的意義に照らすと，メタライズ層６とアウターリード
４との電気的接続の態様やスルホールの構造は，発明の構成や作用効果に
直接影響するものではないから，引用刊行物１においてそれらは特に限定
されていないものと解される。
そうすると，引用刊行物１発明は，原告主張のようにスルホール表面に
めっき等で導電層が形成されているものと特定することはできず，メタラ
イズ層６とアウターリード４との電気的接続の態様やスルホールの構造は，
限定されていないものと解される。そして，メタライズ層６とアウターリ
ード４との電気的接続の態様が間接的か直接的かにかかわらず，メタライ
ズ層６は，アウターリード４に電気的に接続されるから，メタライズ層６
は，アウターリード４に電気的に接続される部位として，端子を備えるも
のと認められる。
したがって，引用刊行物１発明に係る基板において，メタライズ層６は，
アウターリード４に接続する端子を備えているものと認められる。
イ原告の主張に対し
原告は，①引用刊行物１の「上記メタライズ層６と，アウターリード４
とを，ベース１に穿設されたスルーホールを介して電気的に接続してい
る。」（甲１，２頁右下欄１ないし３行）との記載からすると，メタライズ
層６とアウターリード４とは，ベース１に穿設されたスルホールを介して，
すなわち，スルホールを間において，間接的に電気的に接続されているも
のと解されること，②ガラスエポキシ基板を用いたＰＧＡ半導体素子搭載
用基板の技術分野において，スルホール表面にめっき等の導電層が形成さ
れ，ガラスエポキシ基板の表面に設けられた配線（メタライズ層）とリー
ドピン（アウターリード）が，スルホール表面に形成された導電層を介し
て電気的に接続することは，周知の技術であること（甲４６ないし４９）
から，アウターリード４が挿入されていない基板において，スルホール表
面に形成されためっき等の導電層が，アウターリード４が挿入されて外部
と接続する端子に該当するとした上，メタライズ層６は，アウターリード
４に接続する端子を備えていないと主張する。しかし，原告の上記主張は，
以下のとおり，採用することができない。
(ｱ)引用刊行物１には，メタライズ層６とアウターリード４とが，スルホ
ールを間において間接的に電気的に接続されているという記載はなく，
スルホール表面にめっき等で導電層が形成されているという記載もない。
引用刊行物１には，「上記メタライズ層６と，アウターリード４とを，
ベース１に穿設されたスルーホールを介して電気的に接続している。」
（甲１，２頁右下欄１ないし３行）との記載があるが，その記載の文言，
引用刊行物１のその余の部分の記載，及び引用刊行物１発明の技術的意
義に照らすならば，上記の記載（甲１，２頁右下欄１ないし３行）によ
り，メタライズ層６とアウターリード４の接続について，スルホールが
導電性を有することにより電気的に接続されているものと限定して解す
ることはできない。
(ｲ)ａまた，リードピンが立設される半導体素子搭載用基板として，スル
ホールにあらかじめめっき等で導電層が形成された基板を用いること
は，以下の優先権基準日前に発行された複数の公開公報の記載によれ
ば，周知であったものと認められる。
①特開平５−２１６２１号公報（発明の名称：半導体装置のパツケ
ージ基板，甲４７）
「本発明は，ＰＧＡなど，ＩＣチップ等を実装する半導体装置の
パッケージ基板に関するものである。」（【０００１】）
「・・・また基板１の数カ所には表裏に貫通するスルーホール１
２を設けてその内周にスルーホールメッキ１２ａが形成してあ
る。」（【０００８】）
②特開平５−２１６３４号公報（発明の名称：半導体装置，甲４８）
「本発明は，ＰＧＡやＱＦＰなど，ＩＣチップ等を実装した半導
体装置に関するものである。」（【０００１】）
「・・・図３の例では，基板１にスルーホール１１を設けてスル
ーホール１１内のスルーホールメッキ１１ａを回路３に導通させ，
スルーホール１１内に端子ピン１２を差し込んで取り付けてあ
る。・・・」（【０００２】）
③特開平５−２１６４６号公報（発明の名称：半導体装置，甲４９）
「本発明は，ＰＧＡなど，ＩＣチップ等を実装するパッケージと
して用いられる半導体装置に関するものである。」（【０００１】）
「・・・また基板１の数カ所に表裏に貫通するスルーホール１１
を設けてその内周にスルーホールメッキ１１ａが形成してある。」
（【０００８】）
ｂ他方，リードピンが立設される半導体素子搭載用基板として，スル
ホールにあらかじめめっき等で導電層が形成されていない基板を用い
ることも，以下の優先権基準日前に発行された複数の公開公報の記載
によれば，周知であったものと認められる。
①特開昭６３−２５３６５７号公報（発明の名称：半導体装置，乙
１３）
「本発明は，安価で気密封止が可能な半導体装置に関する。」（１
頁左下欄１４ないし１５行）
「この気密封止型半導体装置はピングリツドアレイ（ＰＧＡ）と
呼ばれるもので・・・」（１頁左下欄２０行ないし右下欄１行）
「本発明においては，穴開き絶縁基板を使用し，配線層と外部と
を連絡する導電媒体として，表面に金めつき層を有する金属製のピ
ンを穴開き絶縁基板の貫通孔内に挿入し，その内部で金ロウにより
固着してある。・・・」（２頁右下欄２ないし６行）
②特開昭６３−２５３６５８号公報（発明の名称：半導体装置，乙
１４）
「本発明は，安価で気密封止が可能な半導体装置に関する。」（１
頁左下欄１４ないし１５行）
「この気密封止型半導体装置はピングリッドアレイ（ＰＧＡ）と
呼ばれるもので・・・」（１頁左下欄２０行ないし右下欄１行）
「本発明においては，穴開き絶縁基板を使用し，配線層と外部と
を連絡する導電媒体として，金属製のピンを穴開き絶縁基板の貫通
孔内に挿入し，その内部で銀ロウにより固着してある。・・・」（２
頁右下欄２ないし５行）
③特開平６−１４０４６２号公報（発明の名称：半導体装置のパッ
ケージ，甲２１，乙１５）
「本発明は，半導体装置のパッケージに関し，特に絶縁フィルム
上に半導体チップを搭載するＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅ
ｄＢｏｎｄｉｎｇ）型パッケージに関する。」（【０００１】）
「次に，スルーホール３を形成したＴＡＢフィルム１の裏面から
露出した配線の部分に，金等の導電ピンを熱圧着等の手段例えば，
予備半田された導電ピン５ａを熱圧で接合する方法で接続し，ＴＡ
Ｂフィルム１と垂直方向に立てて接続し，ＴＡＢフィルム１より１
ｍｍ程度の長さで突出させ切断する。次に，スルーホール３に樹脂
６ａをポッティングし，導電ピン５ａを固定し，これを外部端子と
する。」（【００２０】）
ｃ上記ａ，ｂのとおり，スルホールにめっき等で導電層が形成された
基板を用いることも，導電層が形成されていない基板を用いることも
周知であった。そうすると，スルホールにめっき等で導電層が形成さ
れた基板を用いることが周知であったことから，直ちに，引用刊行物
１発明においても，スルホールにめっき等で導電層が形成されていた
ということはできない。
(ｳ)なお，乙１３，１４には，金ろう，銀ろうを用いることが記載されて
おり，甲５４（「電子材料のはんだ付技術」大澤直，昭和６３年（１９８
８年）１０月１日第４版発行）の図５．１には，金ろうの溶融温度は６
５０℃以上，銀ろうの溶融温度は６００℃以上であることが記載されて
いるところ，原告は，乙１３，１４に記載された技術事項は，耐熱性の
問題から，有機基板には適用不能であると主張する。
しかし，乙２２（「エレクトロニクスのはんだ付け」はんだ付技術編集
委員会編，昭和５１年１月２０日第１版発行）には，（融点が）「通常４
５０℃以上になると，硬ろうといい，それ以下の温度のものを，はんだ
とよんでいる」（１７７頁５ないし６行）と記載され，甲５４には，「融
点が４５０℃以下のろうを『はんだ』（solder）と呼んでいる。」と記載
され，その図５．１には，はんだに属する複数のろう材の構成金属と溶
融温度が示されていることから，ろう材の中で，融点が４５０℃以下の
ものは「はんだ」と呼ばれており，その構成金属や溶融温度も優先権基
準日前に周知であったものと認められる。そうすると，貫通孔内に金属
製のピンを挿入し，ろう材を用いて固定することが知られていれば，基
板の耐熱性を考慮してろう材を選択し，基板が有機基板の場合に，融点
の低いろう材であるはんだを用いることは，単なる設計的事項であり，
当業者であれば容易に行い得たものと推認される。したがって，乙１３，
１４も参酌して，スルホールにめっき等で導電層が形成されていない基
板を用いることが公知であったと認定することに誤りはないと解される。
(3)アウターリード４に接続する端子の露出の有無について
引用刊行物１発明において，アウターリード４に接続する端子は，ベース
１の半導体素子３が搭載される面の裏面にスルホールを介して露出している
ものと認められる。その理由は，以下のとおりである。
ア引用刊行物１に基づく認定
引用刊行物１には，「基板１には第１図および第２図に示すようにその垂
直方向に多数のアウターリード４が立設されている。本発明では，これら
図に示すように，アウターリード４は半導体素子３の下部にも立設されて
いる。パッケージ本体５の基板１の裏面から基盤目状に一定のピッチで，
金属ピンよりなるアウターリード４が全面にわたって突出しており」（２頁
左下欄５ないし１２行。なお，「基盤目状」は，「碁盤目状」の誤記と認め
られる。）と記載されており，第１図及び第２図を参照すると，アウターリ
ード４は，半導体素子３の搭載領域及びその外側のＳｉ系ゲル９により被
覆される領域に立設されていることが認識できる。
また，引用刊行物１には，「ベース１には，第１図にはメタライズ層（配
線層）６がメッキ，蒸着などにより設けられており，・・・上記メタライズ
層６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルホールを介し
て電気的に接続している。」（２頁左下欄１６行ないし右下欄３行）と記載
されていることから，メタライズ層６は，ベース１上に形成され，アウタ
ーリード４と電気的に接続されていることが認められ，更に第１図及び第
３図を参照すると，メタライズ層６のアウターリード４との接続部，すな
わち端子は，半導体素子３の搭載領域及びその外側のＳｉ系ゲル９により
被覆される領域のメタライズ層６の下面側にあり，スルホールに立設され
たアウターリード４に接続されていることが認められるから，メタライズ
層６のアウターリード４との接続部である端子は，アウターリード４が立
設される前の状態においては，ベース１の半導体素子３が搭載される面の
裏面に，スルホールを介して露出しているものと認められる。
したがって，アウターリード４に接続する端子は，ベース１の半導体素
子３が搭載される面の裏面にスルホールを介して露出しているものと認め
られ，また，スルホールは，半導体素子３を搭載する面側が，アウターリ
ード４に接続する端子によって覆われていると認められる。
イ原告の主張に対し
(ｱ)製造工程について
ａ原告は，引用刊行物１には，「アウターリード４は，ベース１に融点
の高い半田により，半田付される。」（甲１，２頁右下欄４ないし５行）
と記載されているが，引用刊行物１はベース１がガラスエポキシ基板
であるので，アウターリード４をベース１に直接はんだ付けすること
はできず，そのため，引用刊行物１発明において，導電層をガラスエ
ポキシ基板下部表面にも形成し，この導電層にアウターリードがはん
だ付けされると主張する。しかし，以下のとおり，原告の上記主張は，
採用することができない。
すなわち，引用刊行物１には，アウターリード４をベース１に電気
的に接続することや，ガラスエポキシ基板下部表面に導電層を形成す
ることは，記載されていない。他方，前記(2)イ(ｲ)ｂ，(ｳ)のとおり，
乙１３ないし１５によれば，基板に設けた穴にリードピンをはんだ等
により固定することは公知であったことが認められる。そうすると，
引用刊行物１の上記記載（甲１，２頁右下欄４ないし５行）は，アウ
ターリード４をベース１に固定することを主な目的とするものと解す
るのが自然であり，導電層をガラスエポキシ基板下部表面にも形成す
ることが記載されているとはいえない。
ｂまた，原告は，「引用刊行物１発明に係るＰＧＡ基板は，ベース１に
穴加工を施し，更にベース１表面にレジストを形成した後，穴内面及
びベース１の露出した部分にメッキ，蒸着等で導電層，メタライズ層
６を形成する工程で製造されると解され，この場合，穴の開口部上面
を覆うようにメタライズ層６を形成することはできない。」，「仮に，審
決の認定どおりであるとすれば，引用刊行物１に記載された基板は，
ベース１の一面にＡｌをメッキ又は蒸着してメタライズ層を形成し，
メタライズ層を貫通することなくベース１のみに穴加工を施し，この
メタライズ層に当接するようにアウターリード４を，形成された穴に
打ち込んで製造することになるが，メタライズ層は数μｍの薄さであ
って脆弱なものであるから，このような方法で基板を製造することは，
通常はあり得ない。」などと主張する。しかし，以下のとおり，原告の
上記主張は，採用することができない。
すなわち，引用刊行物１には，メタライズ層６やスルホールの製造
方法は特定されておらず，特定の製造方法や工程を前提とした原告の
主張は，採用することができない。また，基板に導電層を形成した後，
導電層に達する穴を形成する技術は，以下の優先権主張日前に発行さ
れた複数の公開公報の記載によれば周知であったと認められるから，
穴の開口部上面を覆うようにメタライズ層６を形成することは可能と
解される。メタライズ層が数μｍの薄さであるという限定は，引用刊
行物１にはないし，以下の②，③には，導電層の厚さが１０μｍ，１
８μｍでも導電層に達する穴の加工が可能である旨の記載があり，導
電層が相当程度に薄くても，導電層を貫通することなく導電層に達す
る穴を形成できることは，周知であったものと認められる。
①特開平６−１４０４６２号公報（発明の名称：半導体装置のパッ
ケージ，甲２１，乙１５）
「まず，ＴＡＢフィルム１の面に金属膜を被着し，選択的にエッ
チングして，例えば，図１（ａ）に示すようなパターンで配線２ａ
を形成する。次に，ＴＡＢフィルム１に形成された配線２ａの部分
がＴＡＢフィルム１より露呈するように，配線形成面の反対面から
フォトリソグラフィ技術で選択的にエッチングし，スルーホール３
を形成する。・・・」（【００１４】）
②特開昭６４−８９５９６号公報（発明の名称：フレキシブル配線
板の製造法，乙１７）
「まず，厚さ０．０５ｍｍのポリイミドフィルム１・・・を洗浄・
乾燥後，スパツタリング装置・・・を用いて銅層（厚さ０．５μｍ）
２を設け，電気めつき法で全体の銅厚さを１０μｍとした（第１図
（ａ））。」（２頁右上欄１ないし６行）
「次に，炭酸ガスレーザ・・・を照射し，銅層２に達する凹部・・・
３を形成した（第１図（ｂ））。他の穴加工法としては，ＹＡＧレー
ザやエキシマレーザといったレーザ法に加え，ＲＩＥ法やイオンミ
リング法のようなドライエツチング法の適用も可能である。」（２頁
左下欄６ないし１３行）
③特開平７−５８１６５号公報（発明の名称：探針付き回路検査素
子及びその製造方法，乙１８）
「・・・ポリイミド薄膜１０の裏面１０ｂに，銅からなる導電性
薄膜１５（膜厚１８μｍ）を形成した（図３(a)参照）。この導電性
薄膜１５は以下の手順で形成した。最初に・・・スパッタリングに
より，・・・その後，・・・電気めっき処理により銅薄膜の膜厚が１
８μｍになるまで銅薄膜上に銅を析出させて導電性薄膜１５を得
た。」（【００１８】）
「・・・導電性薄膜１５をエッチングした。その後，残存レジス
トパターン１６をアセトン等の有機溶剤で除去し，導電性パターン
１３を得た。」（【００２０】）
「次に，導電性パターン１３の図中下方に位置する，ポリイミド
薄膜１０及びフォトレジスト層１７の各部分に後述する微小探針
１１を埋設する貫通孔１８（内径：３０μｍ）を形成した（図３（ｅ）
参照）。この貫通孔１８の形成はＸｅｃｌエキマレーザ光（波長３
０８ｍｍ，ビーム径約３０μｍ）を，各導電性パターン１３の図中
下方に位置するフォトレジスト層１７の部分に照射し，これにより
フォトレジスト層１７及びポリイミド膜１０を順次，穿孔すること
により行なった。尚，このエキシマレーザ光による穿孔の際，エキ
シマレーザ光の出力条件を下記の通り選定することにより，導電性
パターン１３のポリイミド膜１０側の端面１３ａの損傷を防止し
た。・・・」（【００２２】）
④特開平５−２５１５１２号公報（発明の名称：エリアテープ上へ
の金属バンプの形成方法，乙１９）
「本実施例のエリアテープ上への金属バンプの形成方法は，先ず
図１に示す工程でエリアテープを作成する。この工程は，先ず図１
(a)の如くポリイミド等の誘電体フィルムよりなる基材１０の一
方の面にフラッシュメッキ１１を施す。・・・」（【０００９】）
「次いで図１(e)の如くフラッシュメッキ１１が露出している
部分に銅メッキして金属配線１４を形成し，他方の面は基体１０を
エッチングしてビアホール１５を形成する。・・・」（【００１０】）
ｃ原告は，有機基板にアルミニウムのめっきを施すことは難しく，蒸
着でアルミニウムのメタライズ層を設けた場合，厚みが薄くなるとこ
ろ，アルミニウムは，その融点が銅などに比べて低く，レーザーの熱
に耐えられないから，メタライズ層形成後に穴加工を行って穴の開口
部上面を覆うようにメタライズ層を形成することは不可能であると主
張する。
しかし，引用刊行物１には，メタライズ層６の材質に関連して，「上
記メタライズ層６は，例えばＡｌより構成される。」（２頁右下欄６な
いし７行）と記載されているだけなので，メタライズ層６がアルミニ
ウムに限定されることはなく，また，仮にメタライズ層６がアルミニ
ウムであったとしても，以下の公開公報の記載によれば，優先権基準
日以前においても，ガラスエポキシ基板やポリイミドフィルム基板に
アルミニウム膜が蒸着により形成され，又はアルミニウム箔膜の回路
配線パターンが設けられている場合に，数値制御切削加工機，レーザ
ーエッチング又は湿式エッチング法を用いて，基板への開孔を形成す
ることができ，そのことは公知であったことが認められるから，原告
の上記主張は，採用することができない。
①特開平４−２５０３９号公報（発明の名称：キャリアーテープお
よび半導体装置の組立法，乙２３）
「有機絶縁フィルム（A）は，厚さ１０∼１３０μｍのポリイミ
ド，PET，ガラスエポキシのフィルムが好ましく，特にポリイミド
フィルムは，・・・回路基盤として最適である。
導電性箔（B）としては，厚さ１０∼８０μｍの電解銅または圧
延銅箔が好ましいが，蒸着，無電解メッキ等の方法で形成された銅，
アルミニュウム，金薄膜であってもよい。」（３頁左上欄９ないし１
８行）
「または有機絶縁フィルム（A）に蒸着，無電解メッキ等の方法
で形成された導電性箔（B）構造の第6図（イ）に示すテープを」（３
頁右上欄８ないし１１行）
「デバイスホール（８）の開孔及び固定支持体（５）の形成法と
しては例えば数値制御切削加工機，レーザーエッチング又は湿式エ
ッチング法等が挙げられる。数値制御切削加工機を用いる場合に
は・・・目的を達することができる。レーザーエッチングの場合に
は例えば照射時間を変える等の手法により同様に目的を達するこ
とができる。又湿式エッチング法の場合には・・・目的を達するこ
とができる。」（３頁右上欄１７行ないし３頁左下欄１１行）
②特開平４−１３９７３５号公報（発明の名称：ＩＣ搭載用可撓性
回路基板及びその製造法，乙２４）
「第１図に於いて，１１は，ポリイミド，ポリエステル，ガラス
エポキシ等の絶縁シート材からなる絶縁基材で，その一面に銅箔，
アルミ箔等の金属箔膜からなる回路配線パターン１２が設けてあ
る。」（２頁左下欄１１ないし１５行）
「絶縁基材１１のマスクメタルパターン１６側にエキシマレー
ザAによるフォトアブレーション加工が施され」（２頁右下欄１２
ないし１４行）
「次にエキシマレーザBによるフォトアブレーションにより前記
中間孔１８の部位に穿孔１５と，その周囲に中間孔１８の深さに相
当するＩＣ搭載用陥部１０とを穿設する。」（３頁左上欄１ないし４
行）
(ｲ)引用刊行物１の第１図について
原告は，引用刊行物１の第１図に基づいて，メタライズ層６がベース
１の半導体素子３が搭載される面の裏面に露出していると認定すること
はできず，審決が，引用刊行物１の第１図，第２図のみから，「スルホー
ルの半導体素子３を搭載する面側がメタライズ層６で覆われているとと
もに，アウターリード４に接続する端子がベース１の半導体素子３が搭
載される面の裏面に露出している」とした認定は誤りであると主張する。
しかし，以下の理由により，原告の上記主張は，採用することができな
い。
すなわち，これまで述べたとおり，引用刊行物１の第１図，第２図の
みではなく，その余の記載と図面も併せて参照することにより，引用刊
行物１発明において，メタライズ層６は，アウターリード４に接続する
端子を備えていること，アウターリード４に接続する端子は，ベース１
の半導体素子３が搭載される面の裏面に露出していることが認められる
ものであり，審決も，引用刊行物１の第１図，第２図のみではなく，そ
の余の記載と図面を総合することにより，引用刊行物１発明を認定した
ものである（審決第５．［２−２］２．２−２．，２−３．）。
(4)小括
したがって，審決が，引用刊行物１発明について，「・・・メタライズ層６
は・・・アウターリード４に接続する端子とを配線の一部とした配線パター
ンを備え，・・・アウターリード４に接続する端子の形成される箇所のベース
１にこの端子に達するスルホールが穿設され，スルホールの半導体素子３を
搭載する面側がメタライズ層６で覆われているとともに，アウターリード４
に接続する端子がベース１の半導体素子３が搭載される面の裏面に露出して
いる」とした認定に誤りはない。また，上記認定を前提として，本件発明６
と引用刊行物１発明は，「上記配線は，・・・外部接続端子とを上記絶縁性支
持体上に形成される配線の一部とした配線パターンを備え，上記外部接続端
子は上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えられ，・・・上記外部接続端子
の形成される箇所の上記絶縁性支持体に，上記外部接続端子に達する開口部
が設けられ，上記開口部の半導体素子を搭載する面側は，上記外部接続端子
で覆われており」で一致するとした審決の認定に誤りはない。
２一致点の認定の誤り及び相違点の看過（取消事由２）について
審決が，引用刊行物１発明の「アウターリード４に接続する端子」，「スルホ
ール」が，それぞれ本件発明６の「外部接続端子」，「開口部」に該当するとし
て，本件発明６と引用刊行物１発明が，外部接続端子，開口部を備える点で一
致するとした認定に誤りはない。その理由は，以下のとおりである。
(1)本件発明６の外部接続端子及び開口部の構成・機能
ア構成
(ｱ)訂正明細書の特許請求の範囲の請求項６には，外部接続端子及び開口
部について，次のとおりの記載がある。
ａ「上記配線は，ワイヤボンディング端子と，外部接続端子とを上記
絶縁性支持体上に形成される配線の一部とした配線パターンを備え」
ｂ「上記外部接続端子は上記配線の上記絶縁性支持体側の面に備えら
れ」
ｃ「上記外部接続端子の形成される箇所の上記絶縁性支持体に，上記
外部接続端子に達する開口部が設けられ，上記開口部の半導体素子を
搭載する面側は，上記外部接続端子で覆われており」
ｄ「上記開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出しており」
ｅ「上記外部接続端子は上記半導体素子搭載領域に設けられ」
(ｲ)前記(ｱ)の請求項６の記載から，本件発明６の外部接続端子は，次の
構成を備えたものであると認められる。
①外部接続端子は，絶縁性支持体上に形成される配線の一部であり，
配線の絶縁性支持体側の面に設けられている（前記(ｱ)ａ，ｂ）
②外部接続端子は，半導体素子搭載領域に設けられている（前記(ｱ)
ｅ）
③外部接続端子は，絶縁性支持体に設けられた開口部の半導体素子を
搭載する面側を覆う（前記(ｱ)ｃ）
また，開口部は，絶縁性支持体に設けられており，開口部の半導体素
子を搭載する面側は，上記外部接続端子で覆われているから（前記(ｱ)
ｃ），開口部は絶縁性支持体を貫通しているものと認められる。そうする
と，前記(ｱ)の請求項６の記載から，本件発明６の開口部は，次の構成
を備えたものであると認められる。
④開口部は，絶縁性支持体を貫通し，半導体素子を搭載する面側は，
外部接続端子で覆われている（前記(ｱ)ｃ）
⑤開口部の側壁には，絶縁性支持体が露出している（前記(ｱ)ｄ）
イ外部接続端子の機能
訂正明細書の発明の詳細な説明の「発明の開示」の欄には，「本発明の半
導体パッケージにおいては，配線は１層の配線においてその配線の片面が
半導体チップと接続する第１の接続機能を持ち，その配線の反対面が外部
の配線と接続する第２の接続機能をもつように構成されている。」（【００３
５】），「外部の配線と接続する外部接続端子は，例えばはんだバンプ，金バ
ンプ等が好的に使用できる。」（【００３６】）と記載されていることから，
本件発明６の外部接続端子は，半導体素子と外部の配線とを接続する接続
機能を有するものであり，開口部に，はんだボール，はんだバンプ等（以
下，「はんだボール」という。）が配置されることにより，外部の配線と接
続されるものであることが認められる。そして，前記ア(ｲ)⑤のとおり，開
口部の側壁に絶縁性支持体が露出していることからすると，本件発明６は，
開口部にはんだボールを配置する前の状態の半導体素子搭載用基板を特定
したものと認められる。
(2)引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子及びスルホールの
構成・機能
ア構成
(ｱ)前記１のとおり，審決による引用刊行物１発明の認定に誤りはない。
引用刊行物１発明は，次の構成を備える。
ａ「ベース１の半導体素子３を搭載する面側のみに，メタライズ層６
からなる複数の配線が設けられ，メタライズ層６は・・・アウターリ
ード４に接続する端子・・・を配線の一部とした配線パターンを備え」
ｂ「アウターリード４に接続する端子は半導体素子３の搭載領域及び
その外側のＳｉ系ゲル９により被覆される領域のメタライズ層６の下
面に設けられ」
ｃ「アウターリード４に接続する端子の形成される箇所のベース１に
この端子に達するスルホールが穿設され，スルホールの半導体素子３
を搭載する面側がメタライズ層６で覆われている」
(ｲ)前記(ｱ)ｂのとおり，アウターリード４に接続する端子はメタライズ
層６の下面に設けられ，前記(ｱ)ｃのとおり，アウターリード４に接続す
る端子の形成される箇所のベース１にこの端子に達するスルホールが穿
設され，スルホールの半導体素子３を搭載する面側がメタライズ層６で
覆われているから，アウターリード４に接続する端子は，ベース１に穿
設されたスルホールの半導体素子３を搭載する面側を覆うものと認めら
れる。そうすると，前記(ｱ)の引用刊行物１発明の構成から，アウターリ
ード４に接続する端子及びスルホールは，次の構成を備えたものである
と認められる。
①アウターリード４に接続する端子は，ベース１上に形成されるメタ
ライズ層６からなる配線の一部であり，メタライズ層６の下面に設け
られている（前記(ｱ)ａ，ｂ）
②アウターリード４に接続する端子は，半導体素子３の搭載領域に設
けられている（前記(ｱ)ｂ）
③アウターリード４に接続する端子は，ベース１に穿設されたスルホ
ールの半導体素子３を搭載する面側を覆う（前記(ｱ)ｂ，ｃ）
また，スルホールは，ベース１に穿設されており，スルホールの半導
体素子３を搭載する面側は，アウターリード４に接続する端子で覆われ
ているから（上記③），スルホールはベース１を貫通しているものと認め
られる。そうすると，前記(ｱ)の引用刊行物１発明の構成から，引用刊行
物１発明のスルホールは，次の構成を備えたものであると認められる。
④スルホールは，ベース１を貫通し，半導体素子３を搭載する面側は，
アウターリード４に接続する端子で覆われている。
イアウターリード４に接続する端子の機能
引用刊行物１には，「ベース１には，第１図にはメタライズ層（配線層）
６がメッキ，蒸着などにより設けられており，このメタライズ層６と半導
体素子３のパッド（図示せず）とを，コネクタワイヤ７により，第１図に
示すように，超音波ボンディングなどの方法によりボンディングし，上記
メタライズ層６と，アウターリード４とを，ベース１に穿設されたスルホ
ールを介して電気的に接続している。」（「実施例」の欄，２頁左下欄１６行
ないし右下欄３行）との記載があり，引用刊行物１のその余の記載も考慮
すると，引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子は，半導体
素子と外部の配線とを接続する接続機能を有するものであり，スルホール
にアウターリード４を立設することにより，外部の配線と接続されるもの
であることが認められる。
(3)本件発明６の外部接続端子及び開口部と引用刊行物１発明のアウターリ
ード４に接続する端子及びスルホールの対比
ア本件発明６と引用刊行物１発明を対比すると，本件発明６の「ベース」，
「メタライズ層」は，引用刊行物１発明の「絶縁性支持体」，「配線」に該
当し，また，本件発明６では，配線は絶縁性支持体上に形成されるから（前
記(1)ア(ｱ)ａ），配線の絶縁性支持体側の面（前記(1)ア(ｲ)①）とは，配線
の下部を意味すると認められる。このような認定を前提として，本件発明
６の外部接続端子及び開口部と引用刊行物１発明のアウターリードに接続
する端子及びスルホールの構成を対比すると，前記(2)ア(ｲ)①ないし③の
引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子の構成は，前記(1)
ア(ｲ)①ないし③の本件発明６の外部接続端子の構成と一致し，前記(2)ア
(ｲ)④の引用刊行物１発明のスルホールの構成は，前記(1)ア(ｲ)④の本件発
明６の開口部の構成と一致する。
さらに，本件発明６の外部接続端子と引用刊行物１発明のアウターリー
ド４に接続する端子は，半導体素子と外部の配線とを接続する接続機能を
有する点で，一致する（前記(1)イ，(2)イ）。
イそうすると，審決が，引用刊行物１発明のアウターリードに接続する端
子，スルホールが，それぞれ本件発明６の外部接続端子，開口部に該当す
るとして，本件発明６と引用刊行物１発明が，外部接続端子，開口部を備
える点で一致するとした認定に誤りはない。
(4)原告の主張に対し
原告は，「本件発明６は，ＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板で
あり，本件発明６の外部接続端子は，はんだボールに接続するものであるの
に対し，引用刊行物１発明のアウターリード４に接続する端子は，はんだボ
ールに接続するものではないから，引用刊行物１発明のアウターリード４に
接続する端子は，本件発明６の外部接続端子に該当しない」旨主張し，また，
「本件発明６の開口部は，はんだボールが配置され，溶融されるものであり，
外部接続端子で覆われていて，ポリイミドフィルムに設けられたものである
から，アウターリードを挿入する使い方はできないのに対し，引用刊行物１
発明のスルホールは，アウターリードを挿入するものであるから，引用刊行
物１発明のスルホールは本件発明６の開口部に該当しない」旨主張する。
しかし，原告の上記主張は，以下の理由により，いずれも採用することが
できない。
すなわち，訂正明細書の特許請求の範囲の請求項６の記載に基づいて認め
られる本件発明６の外部接続端子，開口部の構成は，前記(1)アのとおりであ
る。それらの構成は，開口部の側壁に絶縁性支持体が露出していることから
すると，開口部にはんだボールを配置する前の状態の半導体素子搭載用基板
を特定したものと認められ，その内容に照らし，ＢＧＡ基板でない場合（Ｐ
ＧＡ基板等である場合），フレキシブル基板でない場合，又ははんだボールを
用いない場合（アウターリード等を用いる場合）にも採用され得る構成を特
定したにとどまるものと認められ，ＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブ
ル基板であること，開口部にはんだボールを配置することを前提としてそれ
らに特有の構成が採用されているとは認められない。
そして，本件発明６では，絶縁性支持体がポリイミドフィルムで構成され，
絶縁性支持体の開口部の側壁に上記絶縁性支持体が露出しているのに対し，
引用刊行物１発明では，ベース（絶縁性支持体）がガラスエポキシで構成さ
れ，スルホール（開口部）の側壁にベースが露出しているか否かを明記して
いない点（相違点(ｸ)），本件発明６は，ＢＧＡ用の基板であるのに対して，
引用刊行物１発明は，ＰＧＡ用の基板である点（相違点(ｻ)）は，相違点とし
て挙げられている。
したがって，審決が，引用刊行物１発明のアウターリードに接続する端子，
スルホールが，それぞれ本件発明６の外部接続端子，開口部に該当するとし
て，本件発明６と引用刊行物１発明が，外部接続端子，開口部を備える点で
一致するとした認定に誤りはなく，相違点の看過もない。
上記のとおり，本件発明６は，開口部にはんだボールを配置する前の状態
の半導体素子搭載用基板を特定したものと認められ，ＢＧＡ基板でない場合
（ＰＧＡ基板等である場合），フレキシブル基板でない場合，又ははんだボー
ルを用いない場合（アウターリード等を用いる場合）にも採用され得る構成
を特定したにとどまり，ＢＧＡ用の半導体素子搭載用フレキシブル基板であ
ること，開口部にはんだボールを配置することを前提としてそれらに特有の
構成が採用されているものではないから，原告の主張は，その主張自体失当
であり，採用することができない。
３相違点(ｸ)（絶縁性支持体の構成，開口部側壁への絶縁性支持体の露出）に係
る容易想到性の判断の誤り（取消事由３）について
審決が，相違点(ｸ)に係る本件発明６の構成は容易に想到し得るとした判断に
誤りはない。その理由は，以下のとおりである。
(1)絶縁性支持体の構成
甲２，３，５ないし９の記載によれば，半導体素子搭載用基板において，
絶縁性支持体をポリイミド（フィルム）で構成されるフレキシブル基板とす
ることは，周知又は公知であったものと認められる。
他方，前記１(1)イのとおり，引用刊行物１に記載された発明は，半導体素
子を搭載するベース（基板）１にアウターリード４（リードピン）を立設し
た半導体装置（プラグインパッケージ）において，大チップ搭載可能とし，
ピン数の増加（多ピン化）を可能とし，配線の引き回しを容易にし，パッケ
ージサイズを小型化するという課題を解決するために，アウターリード４を
基板全面に設け，搭載される半導体素子の下部にもアウターリード４が立設
された構成とした発明であり，アウターリード４の配置に技術的な特徴を有
するものである。そして，引用刊行物１に記載された発明の技術的特徴であ
るアウターリード４の配置は，その技術的内容に照らして，特定の材質の絶
縁性支持体（ベース）と関連性を有するわけではなく，絶縁性支持体（ベー
ス）の材質を問うものではない。
さらに，引用刊行物１には，「以上の説明では主として本発明者によってな
された発明をプラグインパッケージに適用した例を示したが，他のパッケー
ジなどにも適用できる。」（４頁右上欄１８ないし２０行）と記載されており，
ＰＧＡ用の基板だけでなく，他の基板に適用できることが記載されているか
ら，引用刊行物１には，そこに記載された発明を，ＰＧＡ用の基板以外の，
はんだボールにより外部と接続するＢＧＡ用の基板等に適用することについ
て示唆があると解することができる。
したがって，引用刊行物１発明において，絶縁性支持体をポリイミドフィ
ルムで構成することは，容易に想到し得たといえる。
(2)開口部側壁への絶縁性支持体の露出について
前記２(4)のとおり，本件発明６は，開口部にはんだボールを配置する前の
状態の半導体素子搭載用基板を特定したものであり，開口部の側壁に絶縁性
支持体が露出している。
他方，前記１(2)のとおり，引用刊行物１発明は，原告主張のようにスルホ
ールの表面にめっき等で導電層が形成されているものと特定することはでき
ず，メタライズ層６とアウターリード４との電気的接続の態様やスルホール
の構造は，限定されていないものと解される。そして，引用刊行物１に記載
された発明は，半導体素子搭載用基板の発明であるところ，この半導体素子
搭載用基板とは，半導体素子の搭載に使うための基板という意味と解され，
引用刊行物１の記載に照らしても，半導体素子を直ちに搭載できる状態の基
板に限る根拠はなく，製造工程のある時点のものも含まれると解される。そ
うすると，仮に，引用刊行物１の半導体素子搭載用基板において，最終的に
スルホールの側壁に導電層が形成されるとしても，その製造過程においては，
スルホールにベースが露出した状態の半導体素子搭載用基板が存在し，それ
をもって，引用刊行物１に記載された半導体素子搭載用基板の発明というこ
とができる。
したがって，相違点(ｸ)のうち，本件発明６では，絶縁性支持体の開口部の
側壁に絶縁性支持体が露出しているのに対し，引用刊行物１発明ではスルホ
ールの側壁にベースが露出しているか否かを明記していない点は，実質的な
相違点でないということができ，審決は，同旨の結論を採る点において誤り
があるとはいえない。
(3)小括
以上によれば，審決が，相違点(ｸ)に係る本件発明６の構成が容易に想到し
得るとした判断に誤りはない。
４相違点(ｻ)（ＢＧＡ用の基板とＰＧＡ用の基板の相違）に係る容易想到性の判
断の誤り（取消事由４）について
審決が，相違点(ｻ)に係る本件発明６の構成は容易に想到し得るとした判断に
誤りはない。その理由は，以下のとおりである。
(1)引用刊行物１発明をＢＧＡ用の基板に適用することの容易想到性の有無
ア引用刊行物１発明に使用されているようなピン（アウターリード）を，
本件発明６に使用されているようなはんだボールと置き換えることは，以
下の優先権基準日前に発行された複数の文献の記載によれば，周知であっ
たものと認められる。
①特開平６−１４０４６２号公報（発明の名称：半導体装置のパッケー
ジ，甲２１，乙１５）
「図３は図１のＴＡＢ型パッケージを適用した他の例を示す半導体装置
の部分破断側面図である。この実施例のパッケージでは，・・・外部端
子を形成するバンプの代わりに・・・導電ピン・・・を用いている。」
（【００１８】）
②特開平６−２１１７３号公報（発明の名称：試験専用接点を有する半
導体デバイスの製造方法，甲２２〔審判周知資料１〕）
「・・・外部接点は，導電ピン，ハンダボール・・・などいくつかある
形態の内の１つをとることができる。・・・」（【０００２】）
③特開平６−２５２２８６号公報（発明の名称：チップキャリア，甲２
３〔審判周知資料２〕）
「・・・近年は端子ピンに替えて，・・・半田バンプ（２）を用い，半
導体装置とマザーボードに間隔を保持する方法が多用されている。」（【０
００３】）
④特開平６−３２６２１１号公報（発明の名称：半導体パッケージと回
路基板およびそれを用いた電子機器，甲２４〔審判周知資料３〕）
「・・・半導体パッケージの接続端子として・・・はんだボールの代わ
りに，バッド接続用ピン９をはんだで接続した点である。・・・」（【０
０１３】）
⑤特開平４−６２８６５号公報（発明の名称：半導体装置及びその製造
方法，甲２５〔審判周知資料４〕）
「リードを球形状のように転動可能な形状とすることで，高さ調整が容
易でモールド後の変形もなく，良好なリード平坦性が得られる。すなわ
ち，ＰＧＡ型の半導体装置を安価，かつリードを高密度に製造すること
が可能となる。」（３頁左上欄９ないし１３行）
⑥「日経エレクトロニクス」平成６年（１９９４年）２月１４日号，日
経ＢＰ社刊（甲２６〔審判参考資料１２〕）
「プラスチックＢＧＡの基板は樹脂製であり，プリント配線基板と基
本的に同じ材料である。これにＬＳＩチップを載せ，基板の上面をモー
ルド樹脂で覆っている。プラスチックＰＧＡに近い組み立て技術であ
る。」（６５頁６ないし１１行）
⑦「日経エレクトロニクス」平成６年（１９９４年）１月３日号，日経
ＢＰ社刊（甲２７〔審判周知資料５〕）
「ＢＧＡ（ballgridarray）が米国を中心に普及し始めている・・・
ＰＧＡ（pingridarray）のピンがハンダボールに変更されたような形
態のパッケージである。」（１３２頁中欄３０ないし３４行）
⑧「日経マイクロデバイス」平成５年（１９９３年）９月１日号，日経
ＢＰ社刊（甲２８〔審判周知資料６〕）
「ＢＧＡ（ballgridarray）パッケージ・・・は本質的にはＰＧＡパ
ッケージと同じだが，挿入ピンの代わりに半田ボールが使われている点
が違う。・・・ＱＦＰのように周りにリードを配置する代わりにボール
を平面的に並べるので，リード・ピッチの微細化を強硬に推し進めなく
ても多ピンに対応できる」（８４頁右欄２３ないし３１行）
⑨「電子材料」平成６年（１９９４年）５月号，株式会社工業調査会刊
（甲２９〔審判周知資料７〕）
「Ｐ−ＢＧＡパッケージ技術と表面実装」と題する論文に，「Ｐ−ＰＧ
Ａのピンをハンダボールに変えることにより，表面実装形パッケージと
なり，かつ実装技術も容易になるとの提案であった。」（２２頁左欄下
から４行目ないし２行目）と記載されている。
そして，引用刊行物１には，「他のパッケージにも適用できる」（４頁
右上欄２０行）と記載されており，前記３(1)のとおり，引用刊行物１には，
そこに記載された発明を，ＰＧＡ用の基板以外の，はんだボールにより外
部と接続するＢＧＡ用の基板等に適用することについて示唆があると解す
ることができる。
イ原告は，メタライズ層６がアルミニウムであることを前提として，アル
ミニウムにはんだは付着しないとされていること，特殊なアルミニウム用
はんだを使用すると煩雑な処理が必要となり，簡便に小型・高密度の半導
体パッケージを製造するとの本件発明６の目的に反することから，引用刊
行物１発明において，アウターリード４がメタライズ層６に直接はんだ付
けされることはなく，引用刊行物１発明のアウターリード４に代えてはん
だボールを使用することには阻害要因があると主張する。
しかし，前記１(3)イ(ｱ)ｃのとおり，引用刊行物１発明のメタライズ層
６は，アルミニウムに限定されるものではないから，原告の上記主張の前
提及びその前提に基づくその余の主張は，いずれも採用することができな
い。
ウそうすると，引用刊行物発明１をＢＧＡ用の基板に適用することは，当
業者が容易に想到し得たものと認められる。
したがって，審決が，相違点(ｻ)に係る本件発明６の構成は容易に想到し
得るとした判断に誤りはない。
(2)審決の説示について
審決は，「被請求人は，平成２２年１月２１日付け意見書及び平成２１年
７月１３日付け意見書において，引用刊行物１発明をＢＧＡ用の基板に適用
することは当業者が容易に想到し得たものではない旨を主張しているが，上
記『相違点（イ）について』の項で述べたとおり，絶縁性支持体としてポリ
イミド（フィルム）で構成されるフレキシブル基板を選択することが，当業
者が適宜選択し得る設計的事項であるから，それに伴って，引用刊行物発明
（判決注「引用刊行物１発明」の誤記と認められる。）に使用されているよ
うなピンをはんだボールに置換することも，上記周知または公知の技術に基
づいて当業者が適宜なし得る設計的事項の範囲にすぎない。よって，被請求
人の主張は採用できない。」と述べる。
ポリイミドフィルムで構成されたフレキシブル基板を採用するとの相違点
(ｸ)（審決にいう本件訂正発明７と引用刊行物１発明の相違点(ｲ）と同じ）に
係る本件発明６の構成の容易想到性と，ピンに換えてはんだボールを採用す
るとの相違点(ｻ)（審決にいう本件訂正発明７と引用刊行物１発明の相違点
(ｵ)と同じ）に係る本件発明６の構成の容易想到性は，特段の関連がないこと
から，審決の上記説示は，相違点(ｸ)と相違点(ｻ)の双方について容易想到性
を要するとしても，なお双方の相違点につき容易想到性が認められ，本件発
明６が容易に想到し得たことを確認的に述べたものと解される。
原告は，審決の上記説示は，本件発明６の相違点(ｸ)に係る構成が容易に想
到し得たことを理由として，本件発明６の相違点(ｻ)に係る構成は容易に想到
し得たと判断するものであると主張し，相違点(ｻ)という一つの相違点につい
て，二段階の容易想到性の判断を経て容易想到と判断している点で誤りがあ
ると主張する。しかし，審決の上記説示は，相違点(ｻ)という一つの相違点に
ついて，二段階の容易想到性の判断を経て容易想到と判断しているとは解さ
れないから，原告の上記主張は，採用することができない。
５結論
以上のとおり，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。原告は，その他
縷々主張するが，審決にこれを取り消すべきその他の違法もない。
よって，原告の本訴請求を棄却することとし，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第３部
裁判長裁判官
飯村敏明
裁判官
中平健
裁判官
知野明

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