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平成２４年３月１９日判決言渡
平成２３年（行ケ）第１０２００号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２４年２月２７日
判決
原告東京エレクトロン株式会社
訴訟代理人弁護士上谷清
仁田陸郎
萩尾保繁
山口健司
薄葉健司
石神恒太郎
弁理士伊坪公一
下道晶久
河合章
南山知広
被告特許庁長官
指定代理人田中永一
北村明弘
田部元史
田村正明
主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１原告が求めた判決
特許庁が不服２００９－１５６５２号事件について平成２３年５月９日にした審
決を取り消す。
第２事案の概要
本件訴訟は，特許出願拒絶査定を不服とする審判請求を成り立たないとした審決
の取消訴訟である。争点は，進歩性の有無である。
１特許庁における手続の経緯
原告は，平成１５年１０月８日，名称を「プラズマ処理装置，プラズマ処理方法
及びプラズマ生成方法」とする発明につき特許出願したが（特願２００３－３４９
７９０号），平成２１年５月２７日，拒絶査定を受けたので，同年８月２６日，不服
審判請求をするとともに（不服２００９－１５６５２号），特許請求の範囲の記載及
び明細書の発明の詳細な説明の記載の各一部を改める旨の手続補正（本件補正）を
した。
特許庁は，平成２３年５月９日，上記手続補正を却下する決定とともに上記請求
につき「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，この審決の謄本は同月
２４日に原告に送達された。
原告は，本件訴訟において，本件補正前の請求項１の発明の進歩性に係る判断に
ついては，これを争っていない。
２補正発明の要旨
本願発明は，半導体基板に対してプラズマ処理を行う装置やその処理方法等に関
する発明で，請求項の数は１８であるが，本件補正後の請求項１の特許請求の範囲
は以下のとおりである。
【請求項１（補正発明）】
「プラズマエッチング処理される部材が載置される載置台と，
プラズマ生成用のガスを導入するガス導入部と，
プラズマ生成用の高周波電力を前記ガスに供給する高周波電力供給部とを備え，
前記高周波電力供給部は，最初に，壁面からのパーティクルの剥離を抑制し，か
つプラズマ生成に必要な最小限の高周波電力を前記ガスに供給し最小限プラズマを
生成し，その後前記高周波電力を増加し前記部材のプラズマエッチング処理に必要
なプラズマを生成し，壁面から剥離したパーティクルがバルクプラズマ中に侵入す
るのを抑制する一定以上の電位差を有するイオンシースが発生するような高い高周
波電力を印加するように，制御されるプラズマエッチング処理装置。」
３審決の理由の要点
補正発明は下記刊行物１に記載された発明に周知技術を適用して，本件出願当時
当業者において容易に発明することができたものであるから，進歩性を欠く。
【刊行物１】特開平６－３１８５５２号公報（甲８）
【刊行物１に記載された発明（刊行物１発明）】
「プラズマエッチング処理される部材が載置されるサセプタ２２と，
プラズマ生成用のガスを導入するガス供給部４と，
プラズマ生成用の高周波電力を前記ガスに供給する高周波電力印加手段とを備え，
前記高周波電力印加手段は，最初に，プラズマ生成に必要最低限の放電開始電力
を前記ガスに供給し最小限プラズマを生成し，その後前記放電電力を増加し前記部
材のプラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成する高い高周波電力を印加す
るように，制御されるプラズマエッチング装置。」
【一致点】
「プラズマエッチング処理される部材が載置される載置台と，
プラズマ生成用のガスを導入するガス導入部と，
プラズマ生成用の高周波電力を前記ガスに供給する高周波電力供給部とを備え，
前記高周波電力供給部は，最初に，プラズマ生成に必要な最小限の高周波電力を
前記ガスに供給し最小限プラズマを生成し，その後前記高周波電力を増加し前記部
材のプラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成する高い高周波電力を印加す
るように，制御されるプラズマエッチング処理装置」である点
【相違点】
・相違点１
「最初に，プラズマ生成に必要な最小限の高周波電力を前記ガスに供給し最小限
プラズマを生成」する点につき，補正発明では「壁面からのパーティクルの剥離を
抑制」するためであるのに対し，刊行物１発明では，パーティクルの発生を抑制す
るためである点。
・相違点２
「高周波電力を増加し部材のプラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成す
る高い高周波電力を印加する」点につき，補正発明は，「壁面から剥離したパーティ
クルがバルクプラズマ中に侵入するのを抑制する一定以上の電位差を有するイオン
シースが発生するような高い高周波電力を印加する」のに対し，刊行物１発明では，
イオンシースに関する記載がない点。
【相違点に係る構成の容易想到性についての審決の判断（７～１１頁）】
「（２－１）相違点１について
刊行物１発明におけるパーティクルの発生について，プラズマ生成開始時に，チャンバ内壁
などに堆積した生成物が剥離してパーティクルが発生することは，下記周知文献１ないし３（判
決注：特開平６－１９６４２１号公報（甲９），特開２００３－６８７０８号公報（甲１０），
特開平１１－１２１４３５号公報（甲１１））に記載されたように従来から周知の事項である。
また，刊行物１の前記摘記事項（１ｂ）（判決注：段落【００１５】）に『放電開始時に多量の
パーティクルが発生し成長すること，このパーティクルは，放電開始時の印加電圧が大きく，
反射電力が大きいほど多量に発生することを見出した。』と記載されるように，このパーティク
ルの発生は，反射電力が１つの原因であるところ，本願明細書の段落【００４０】に『・・・・
通常のシーケンスによると，高周波の反射波Ｒをみて分るように，最初のステップで大きいプ
ラズマポテンシャルが生成されるため，プラズマが不安定な状態で多くのパーティクルが剥離
してしまうからである。』と記載されるように，高周波の反射波によりパーティクルが剥離する
ことから，刊行物１発明におけるパーティクルには，壁面からの剥離より発生したものも含ま
れるといえる。
そして，パーティクル発生の抑制手段について，刊行物１発明は，摘記事項（１ｃ）（判決注：
段落【００１６】，【００２２】～【００２４】）の『この実施例では，電極３への高周波電力印
加にあたり，当初，換言すれば電力印加開始にあたって，先ず，望ましくはプラズマ生成に必
要最低限の放電開始電圧を印加し，そのあと，次第に成膜に要求される放電電力へ増加させる。
これによって，当初から成膜に要求される放電電力を印加すれば電力の多くがパーティクル発
生，成長に費やされ，多量のパーティクルが生成するという事態を避けることができる。』（【０
０２４】）と記載されるように，『最初に，プラズマ生成に必要最低限の放電開始電力をガスに
供給し最小限プラズマを生成』することによって『パーティクルの発生』を抑制するのである
から，その時点では，『壁面からのパーティクルの剥離』も抑制されていることは明らかである。
よって，相違点１は，実質的な相違点であるとはいえない。」
「（２－２）相違点２について
プラズマ処理において，高周波電力印加により生成されたイオンシースによってパーティク
ルがトラップされること，及び，パーティクルがイオンシースによってトラップされるために
は，一定以上の高周波電力の印加が必要であることは，上記周知文献３，下記周知文献４及び
５（判決注：特開平１１－１２１４３５号公報（甲１１），特開２０００－２８６２４９号公報
（甲１２），特開２００３－２３４３３９号公報（甲１３））に記載されたように周知事項であ
る。また，イオンシースの電位差が，印加される高周波電力に依存するものであって，一定以
上の高周波電力の印加により，一定以上の電位差を有するイオンシースが発生することは，下
記周知文献６ないし８（判決注：特開平１１－１３５５２２号公報（甲１４），特開２００１－
３５８３９号公報（甲１５），特開平４－１２５２７号公報（甲１６））に記載されたように周
知事項である。
してみると，摘記事項（１ａ）（判決注：段落【００１４】）に記載されるように，刊行物１
発明の目的がパーティクルの発生を抑制することであることを考慮すれば，刊行物１発明にお
いて，パーティクルをイオンシース中にトラップするために，つまり，パーティクルがバルク
プラズマ中に侵入するのを抑制するために，『一定以上の電位差を有するイオンシースが発生す
るような高い高周波電力を印加すること』は容易に想到するものであり，そのことによる作用
効果も予測し得るものにすぎない。」
「以上のとおり，補正発明は，刊行物１発明及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をす
ることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際に独立して特
許を受けることはできない。
したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の
例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条
５項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の
規定により却下すべきものである。」
第３原告主張の審決取消事由
１刊行物１発明の認定の誤り及び刊行物１発明と補正発明との一致点及び相違
点の認定の誤り（取消事由１）
プラズマＣＶＤ装置では，原料ガスをプラズマにより励起し，プラズマ中の気相
反応で生成された生成物を用いて薄膜の形成等が行われるが，プラズマエッチング
装置では，塩素ガス等のエッチングガスをプラズマにより励起し，プラズマ中の中
性活性種を半導体基板や薄膜等の被エッチング材料に吸着させて表面反応を生じさ
せ，揮発性のエッチング生成物を生じることで，薄膜等の一部の被エッチング材料
からの除去が行われる。そうすると，プラズマＣＶＤ装置とプラズマエッチング装
置とでは，その機能も技術的課題も大きく異なる。
また，刊行物１発明は，従来のプラズマＣＶＤ装置において，プラズマ中で気相
反応を生じさせる際に随伴して発生する微粒子（パーティクル）を抑制するべく，
高周波電圧の印加を多段階で行うというものであるが，プラズマエッチング装置で
は，プラズマ中で生成する中性活性種は，被エッチング材料とすぐに結合して分離
し，系外に排出され，プラズマ中で原料ガス（エッチングガス）の気相反応によっ
て微粒子が発生することはないから，上記のような微粒子の発生の抑制のための構
成を採用する必要がない。
なお，刊行物１発明でその発生を抑制すべき微粒子は，あくまでプラズマ中の気
相反応によって生ずるものに限られ，プラズマＣＶＤ装置で何らかの原因によって
生じるもの一般を対象とするわけではない。また，気相－固相の界面において気相
を介して進行する反応は，プラズマ中の気相反応とはあくまで別個のものであって，
刊行物１の段落【００１３】にいう「気相反応」に気相－固相の界面において気相
を介して進行する反応が含まれるということはできない。乙第１ないし第５号証に
も，プラズマ中の気相反応で発生するパーティクルについての記載はない。
そうすると，刊行物１発明は実質的にプラズマＣＶＤ装置を対象とし，プラズマ
エッチング装置を対象としないものであるから，刊行物１にプラズマエッチング装
置に関する発明が記載されているとした審決の刊行物１発明の認定及びかかる認定
に基づく補正発明と刊行物１発明の一致点及び相違点の認定はいずれも誤りである。
２相違点に係る構成の容易想到性の判断の誤り（取消事由２）
(1)前記１のとおり，刊行物１発明でその発生を抑制するパーティクルはプラ
ズマの気相反応によって生じるものであって，補正発明でその発生を抑制する真空
容器壁面から剥離するパーティクルとは異なるから，相違点１は実質的なものであ
って，これと異なる審決の判断には誤りがある。なお，被告は，本件訴訟になって
から初めて周知技術を持ち出して，相違点１の実質性を裏付けようとするが，被告
のかかる主張は不適切である。
(2)刊行物１発明の目的はプラズマ中の気相反応で生じるパーティクルの抑
制にあり，刊行物１中には，既に発生してしまったパーティクルをどう処理するか
について記載も示唆もない。したがって，既に発生してしまったパーティクルのプ
ラズマへの侵入を抑制するために，イオンシースが発生するような高周波電圧を印
加する構成は，刊行物１発明において全く想定されていない。
プラズマ中の気相反応によって発生するパーティクルを抑制（低減）して，これ
が真空容器の壁や基板に付着する事態を防止することと，真空容器壁面から剥離し
たパーティクルがプラズマ中に侵入することを防止することとは，解決すべき技術
的課題が異なるし，刊行物１中にはイオンシースの利用について記載も示唆もない。
そうすると，真空容器壁面から剥離したパーティクルがバルクプラズマ中に侵入す
るのを抑制する作用効果を見出すことはできない。
したがって，本件出願当時，当業者において，刊行物１発明に基づいて相違点２
に係る構成に容易に想到することはできないのであって，「刊行物１発明の目的がパ
ーティクルの発生を抑制することであることを考慮すれば，刊行物１発明において，
パーティクルがバルクプラズマ中に侵入するのを抑制するために，『一定以上の電位
差を有するイオンシースが発生するような高い高周波電力を印加すること』は容易
に想到するもので」あるとする審決の判断には誤りがある。
(3)刊行物１発明の作用効果は「プラズマ中の気相反応により発生するパーテ
ィクルが低減する」というものであるところ，補正発明の作用効果である「パーテ
ィクルがバルクプラズマ中に侵入するのを抑制する」という作用効果はこれと全く
異質のものであって，当業者が刊行物１発明に基づいて予測し得るものではない。
したがって，補正発明は当業者が容易に予測し得ない格別の作用効果を奏するので
あって，「その作用効果も予測し得るものにすぎない。」との審決の判断には誤りが
ある。
第４取消事由に対する被告の反論
１取消事由１に対し
(1)刊行物１の段落【０００１】ないし【００３６】の記載のとおり，刊行物
１では，技術的課題，作用効果，実施例等の各点において，プラズマＣＶＤとプラ
ズマエッチングとが並列して記載されており，両者に係る処理方法及び処理装置で
ある，真空容器内にプラズマ処理用ガスを導入し，該ガスを所定真空状態下で放電
電力印加によりプラズマ化させ，該プラズマの下で処理対象基体表面に目的とする
処理，すなわちプラズマ処理を行う方法及びこの処理を行う装置が開示されている。
そうすると，刊行物１発明をプラズマエッチング装置の発明であるとした審決の
認定に誤りはない。
(2)乙第１ないし第５号証中に記載されているように，プラズマエッチングに
おいて，エッチングによる反応生成物やエッチングガスによる生成物に起因してパ
ーティクルが発生することは当業者に周知の事項にすぎない。また，「気相反応」は
乙第６ないし第１０号証からも明らかなように，一般に気相を介して進行する反応
であって，原料ガスの反応に限定する必要はないから，刊行物１の段落【００１２】，
【００１３】にいう「気相反応」の意義も原告主張のように限定して解する必要は
ない。そうすると，刊行物１では，プラズマエッチング工程の気相反応によるエッ
チング反応生成物やエッチングガス生成物が原因となってパーティクルが生じるこ
とを前提に，このパーティクルの発生の抑制の手段が開示されている。
(3)以上のとおり，審決がした刊行物１発明の認定及びかかる認定に基づく補
正発明と刊行物１発明の一致点及び相違点の認定に誤りはない。
２取消事由２に対し
(1)刊行物１発明でその発生を抑制すべきパーティクルには真空容器内壁面
から剥離するパーティクルも含まれるところ，刊行物１の段落【００２４】にはパ
ーティクル発生抑制手段について記載されているから，当業者が刊行物１発明に基
づいて相違点１に係る構成に想到することは容易である。仮に刊行物１発明でその
発生を抑制すべきパーティクルに真空容器内壁面から剥離するパーティクルが含ま
れないとしても，甲第９ないし第１１号証中に記載されているように，真空容器内
壁面に付着した生成物が剥離してパーティクルが発生することは当業者に周知の事
項にすぎないから，当業者が刊行物１発明に基づいて発生を抑制するパーティクル
に真空容器内壁面から剥離するパーティクルを含め，相違点１に係る構成に想到す
ることは容易である。
(2)前記のとおり，刊行物１発明でその発生を抑制すべきパーティクルには真
空容器内壁面から剥離するパーティクルも含まれるし，甲第９ないし第１１，第１
３号証のとおり，半導体装置の製造の分野において，基板（半導体ウエハ）にパー
ティクルが付着する事態を防止することは，当業者の技術常識であるところ，刊行
物１の段落【００１３】のとおり，刊行物１発明においても，基板に対するパーテ
ィクルの付着の防止が解決すべき技術的課題とされている。
そして，イオンシースによってパーティクルが捕捉（トラップ）されて基板に付
着しないようにすること，かかるトラップを実現するために一定以上の高周波電力
の印加が必要であることは，甲第１１ないし１６号証に記載された当業者の周知事
項である。
そうすると，刊行物１発明のプラズマエッチング装置に上記周知事項を適用する
程度のことは，当業者が容易に想到し得た設計的事項であるということができる。
また，かかる周知事項を適用し，イオンシースによって奏されることとなる，真
空容器内壁面から剥離したパーティクルのプラズマ中への侵入の抑制という作用効
果は，刊行物１発明や上記周知事項（甲１１等）から当業者が容易に予測できる事
柄にすぎない。
したがって，当業者が刊行物１発明に基づいて相違点２に係る構成に容易に想到
することができ，補正発明に想到したことによる作用効果も当業者において容易に
予測することができたものにすぎないとする審決の判断に誤りはない。
第５当裁判所の判断
１取消事由１（刊行物１発明の認定の誤り及び刊行物１発明と補正発明との一
致点及び相違点の認定の誤り）について
(1)刊行物１（特開平６－３１８５５２号公報，甲８）の発明の詳細な説明に
は次のとおりの記載がある。
・段落【０００１】
「本発明は，薄膜トランジスタ，半導体利用の各種センサのような半導体を利用
したデバイスや太陽電池その他を製造するにあたり，基板上に成膜したり，配線パ
ターン等を得るために，形成した膜を所定パターンに従ってエッチングしたりする
プラズマＣＶＤ，プラズマエッチングのようなプラズマ処理方法及びそれを実施す
る装置に関する。」
・段落【００１２】
「しかしながら，このような従来プラズマＣＶＤでは，プラズマ中の気相反応に
より発生するパーティクルが基板表面に形成される膜に付着したり，その中に混入
したりして膜質を悪化させるという問題があり，また，発生したパーティクルが真
空容器内各部に付着してそれを汚染するという問題がある。真空容器内各部に付着
するパーティクルについては，これがやがて剥落して，処理対象基板に付着する恐
れがあるので，除去清掃しなければならず，手間を要する。」
・段落【００１３】
「また，プラズマエッチングにおいても，同様に気相反応によりパーティクルが
形成され，これが被エッチング面に付着したり，真空容器内各部に付着する等の問
題がある。例えば，エッチングにより配線パターンを形成する場合において，かか
るパーティクルはパターンニングの精度の悪化をもたらし，細線形成においては断
線を招くことがある。」
・段落【００１４】
「そこで本発明は，真空容器内にプラズマ処理用ガスを導入し，該ガスを所定真
空状態下で放電電力印加によりプラズマ化させ，該プラズマの下で処理対象基体表
面に目的とする処理を行うプラズマ処理方法及び装置であって，各種の問題を引き
起こす原因となるパーティクルの発生を抑制しつつプラズマ処理を行うことができ
るプラズマ処理方法及び装置を提供することを課題とする。」
・段落【００１５】
「本発明者は前記課題を解決するため研究を重ねたところ，プラズマを生成する
ために高電圧を印加開始すると，その電力の多くがパーティクル発生に費やされ，
放電開始時に多量のパーティクルが発生し成長すること，このパーティクルは，放
電開始時の印加電圧が大きく，反射電力が大きいほど多量に発生することを見出し
た。」
・段落【００２１】
「本発明のプラズマ処理方法及び装置によると，放電空間に印加される放電電力
は，電力印加開始時には，目的とする処理に要求される放電電力より低い放電電力
とされ，該低放電電力を一定時間印加したのち，次第に要求される放電電力印加へ
切り換えられ，この電力印加パターンにより，プラズマ中の気相反応により発生す
るパーティクルが低減する。」
・段落【００３４】
「以上，プラズマＣＶＤ法及び装置について説明したが，本発明はプラズマエッ
チング法及び装置にも適用できる。」
そうすると，刊行物１は，プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置一般に関する
文献であって，プラズマ処理装置一般においてみられ，各種の問題を引き起こすパ
ーティクル（微粒子）の発生を抑制することをその技術的課題とすることが明らか
であって，プラズマ処理装置のうちプラズマを利用して基板表面にエッチング（食
刻）処理を施すプラズマエッチング装置もその対象となるものである。
したがって，段落【００１４】ないし【００１６】，【００２２】ないし【００２
４】，【００３４】の記載に基づいて，刊行物１には「・・・サセプタ２２と，・・・
ガス供給部４と，・・・高周波電力印加手段とを備え，前記高周波電力印加手段は，
最初に，プラズマ生成に必要最低限の放電開始電力を前記ガスに供給し最小限プラ
ズマを生成し，その後前記放電電力を増加し前記部材のプラズマエッチング処理に
必要なプラズマを生成する高い高周波電力を印加するように，制御されるプラズマ
エッチング装置。」の発明が記載されているとした審決の認定に誤りはない。
(2)原告は，プラズマＣＶＤ装置とプラズマエッチング装置とでは，その機能
も技術的課題も大きく異なるし，プラズマエッチング装置では，プラズマ中の原料
ガス（エッチングガス）の気相反応によって微粒子が発生することはないから，微
粒子の発生の抑制のための構成を採用する必要がないのであって，刊行物１発明は
実質的にプラズマＣＶＤ装置を対象とし，プラズマエッチング装置を対象としない
などと主張する。
確かに，プラズマＣＶＤ装置（プラズマ化学気相成長装置）は，原料ガスをプラ
ズマ状態にした上で，プラズマ中の気相反応で生成された生成物を基板表面に定着
させて薄膜の形成等を行うのに対し，プラズマエッチング装置は，エッチングガス
をプラズマ状態にした上で，プラズマ中の中性活性種を基板表面に吸着させて，基
板表面で化学反応を生じさせ，反応後に分離した揮発性の生成物を反応系外に除去
することで，基板表面のエッチング（食刻）を行うものであって，その機能が異な
り，かかる機能の相違に関係する技術的課題も異なる場合もある。しかしながら，
刊行物１の段落【００１２】中では，プラズマＣＶＤ装置において原料ガスをプラ
ズマ状態にして気相反応を生じさせる際に，活性種が凝集した微粒子であるパーテ
ィクルが派生的に生じ，これが基板表面に付着して薄膜形成上不都合であったり，
いったん発生したパーティクルが真空容器内の各所に付着し，後に真空容器から剥
落して基板表面に付着して同様に不都合を引き起こす旨が記載されているが，段落
【００１３】には，「また，プラズマエッチングにおいても，同様に気相反応により
パーティクルが形成され，これが被エッチング面に付着したり，真空容器内各部に
付着する等の問題がある。」との記載があるから，プラズマエッチング装置において
も，プラズマエッチング処理の過程で何らかの原因で真空容器内部（内壁面）に派
生的に生じたパーティクルが基板表面に付着して不都合を引き起こすことが刊行物
１において技術的課題として示されている。そうすると，刊行物１発明においては，
基板表面に付着して不都合を引き起こすパーティクルを抑制すべき点において，プ
ラズマＣＶＤ装置もプラズマエッチング装置も異なるものではなく，両装置につい
てのかかる点を共通の技術的課題として念頭に置いているということができる。ま
た，段落【００１３】中には「プラズマエッチングにおいても，同様に気相反応に
よりパーティクルが形成され，」との記載があるが，その後に「真空容器内各部に付
着する等の問題がある。」との記載があるから，刊行物１発明は，エッチングガスを
プラズマ状態にした際に生じたプラズマ中のパーティクルが直接基板表面に付着し
て不都合を引き起こす事態のみを想定しているものではなく，プラズマエッチング
の過程で何らかの原因でパーティクルがいったん真空容器内部に付着し，後に真空
容器内部（内壁面）から剥離（剥落）して基板表面に付着し，不都合を引き起こす
事態も想定している（なお，前記のとおり，プラズマエッチング装置においても気
相反応によってパーティクルが形成されるとの記載があるのは，刊行物１ではプラ
ズマＣＶＤ装置についても合わせて記載されているため，プラズマＣＶＤ装置に係
る記載に引きずられたものにすぎない。）。
ところで，半導体プロセス技術についての一般的な文献である丹呉浩侑編「半導
体プロセス技術」（１９９８年（平成１０年）培風館発行，乙１）１１２，１１３頁
中には，「パーティクルがエッチング前，途中に付着するとこれがマスクとなり，エ
ッチング残りが発生する。配線の加工ではショートの原因となり，接続孔（viahole）
では接続不良（オープン）となる。・・・発塵の原因のほとんどはプロセス装置にあ
る。特にエッチングでは，エッチング生成物やプラズマ重合によってチャンバ内壁
に堆積膜が付着し，これが何らかの原因で剥がれてパーティクルとなる。」との記載
があるし，ドライエッチング装置に関する発明に係る特開平２－３９５３０号公報
（乙２）中にも，「従来のドライエッチング装置を用いてエッチングを行う場合には，
エッチングガス，被エッチング材及びフォトレジストよりプラズマ反応で生じる反
応生成物７がチャンバ１の内壁及び電極２ａ，２ｂに付着してパーティクルが発生
し，このパーティクルがエッチングのマスクとなって所要のパターンが得られない
という問題がある。」（１頁右下欄１０～１７行），「チャンバ１内でウェハのエッチ
ングが行われると，チャンバ１内は，エッチングガスであるハロカーボン，被エッ
チング材料であるシリコン化合物及びフォトレジストの構成元素である有機物がプ
ラズマ中で化学反応して生じた反応生成物によって汚染される。」（２頁右上欄９～
１４行）との記載があるし，プラズマ処理装置に関する発明に係る特開平１－２８
３３６３号公報（乙３）中にも，「プラズマ処理装置では，プラズマ８が両電極間に
留らず，プラズマ処理室４の壁方向へ漏洩するため，試料３のエツチング速度ある
いは薄膜形成速度が充分に得られず，またプラズマ処理室４の壁にエツチングの反
応生成物や薄膜生成物が付着して発塵の原因となつていた。」（２頁左上欄９～１５
行）との記載がある。そうすると，本件出願当時（平成１５年１０月８日），プラズ
マエッチング装置においても，エッチングガスと被エッチング物とが反応して生ず
る生成物が真空容器内部（内壁面）に付着し，その後これが剥離してパーティクル
を生じ，このパーティクルが基板表面を汚染して不都合を引き起こすことは，当業
者に周知の事項にすぎなかったということができる。そうすると，刊行物１の記載
は，かかる周知事項を踏まえてなされたもので，エッチングガスと被エッチング物
とが反応して生ずる生成物に起因するパーティクルが考慮されているということが
できる。
したがって，原告の前記主張を採用することはできないし，そもそも，刊行物１
は，プラズマＣＶＤ装置においては，原料ガスを導入する真空容器の両電極間に高
周波電力（高周波電圧）を印加して原料ガスをプラズマ状態にし，プラズマエッチ
ング装置においては，エッチングガスを導入する真空容器の両電極間に高周波電力
（高周波電圧）を印加してエッチングガスをプラズマ状態にするというほぼ共通の
過程を経ることを踏まえて，真空容器の両電極間に印加する高周波電力（高周波電
圧）の印加方法を改良し，「最初に，プラズマ生成に必要最低限の放電開始電力を前
記ガスに供給し最小限プラズマを生成し，その後前記放電電力を増加し前記部材の
プラズマエッチング処理に必要なプラズマを生成する高い高周波電力を印加するよ
うに，制御」することでパーティクルの発生自体を抑制してパーティクルの付着か
ら生じる不都合を回避しようとする技術的事項を記載したものであるから，刊行物
１に記載されているのはプラズマＣＶＤ装置に係るものに限られるものではない。
(3)以上のとおり，審決がした刊行物１発明の認定に誤りはなく，また刊行物
１発明と補正発明との一致点及び相違点の認定にも誤りはない。そうすると，原告
が主張する取消事由１は理由がない。
２取消事由２（相違点に係る構成の容易想到性の判断の誤り）について
(1)まず相違点１について判断する。
前記１のとおり，刊行物１発明はプラズマエッチング装置も対象としており，
その発生を抑制すべきパーティクルも，エッチングガスと被エッチング物とが反応
して生ずる生成物が真空容器内部（内壁面）に付着し，その後これが剥離して生ず
るものが含まれるものであるが，プラズマ装置に関する発明に係る特開平６－１９
６４２１号公報（甲９）の段落【０００９】には，「ベルジャに堆積した生成物及び
防着板に付着された生成物は，プラズマ加工の開始時及び終了時の温度変化によっ
て剥離し，パーティクルを発生するといった問題があった。」との記載があるし，半
導体の製造方法等に関する発明に係る特開２００３－６８７０８号公報（甲１０）
中にも，「図１４は，・・・エッチング処理開始直後の時点において発生したパーテ
ィクルの挙動を示す写真である。同図からは，半導体基板（ウエハ）の周辺部から
飛び上がるように発生したパーティクルが観測される。これらのパーティクルは，
チャンバ内部品に堆積した絶縁膜や導電膜から成る薄膜に応力がかかることによっ
て，剥離し発生すると推定される。」（段落【００２８】），「図１４を参照して説明し
た観測結果のように，特に半導体基板の周辺部から飛来してきたパーティクルが，
半導体基板へ付着するのを防止することができる。すなわち，前述した観測結果か
ら，最初のステップの高周波電力の印加開始時に，半導体基板の周囲に接地された
絶縁物上の薄膜にマックスウエルの応力が加わり，剥離してパーティクルとなって
飛び上がるので，・・・なだらかに増加する補助ステップ２４を挿入することにより，
薄膜に加わる応力の変動をなだらかにして剥離を防止し，パーティクルの発生を減
少させることができる。」（段落【００５１】）との記載があるし，基板処理装置に関
する発明に係る特開平１１－１２１４３５号公報（甲１１）の段落【０００９】に
も，「処理チャンバ内でプラズマ照射を開始すると，処理チャンバ内壁に付着してい
る反応生成物が温度変化により剥離し易くなり，パーティクルが発生する。・・・一
方，基板に高周波電力を印加している間は，パーティクルはイオンシースの上層部
（ゼロ電位に近い箇所）に浮遊するから，基板への付着は僅少となる。」との記載が
ある。そうすると，真空容器の両電極間に対する高周波電力（高周波電圧）の印加
を開始し，プラズマ生成を開始したときに，真空容器の内壁等（内部）に付着した
反応生成物が剥離してパーティクルを生じ，基板を汚染するおそれがあることは，
本件出願当時において，当業者に周知の事項にすぎず，またかかるプラズマ生成開
始時のパーティクルの発生の抑止ないし発生したパーティクルからの基板の汚染の
防止は，当業者に共通する技術的課題にすぎなかったということができる。
ここで，刊行物１発明は，「放電電力印加開始時に投入する電力を，前記目的とす
る処理に要求される放電電力より低い放電電力とし，該低放電電力を一定時間印加
したのち，次第に前記要求される放電電力印加へ切り換えていくこと」（段落【００
１６】，より詳しくは，「電力印加開始にあたって，先ず，望ましくはプラズマ生成
に必要最低限の放電開始電圧を印加し，そのあと，次第に成膜に要求される放電電
力へ増加させる」（段落【００２４】）ことによって，「電力の多くがパーティクル発
生，成長に費やされ，多量のパーティクルが生成するという事態を避けることがで
きる」（段落【００２４】）ようにするものである。そうすると，刊行物１発明は，
上記の当業者に周知の事項に従い，また上記の当業者に周知の技術的課題を解決す
るべく，真空容器の両電極間に対する高周波電力（高周波電圧）の印加を開始し，
プラズマ生成を開始したときに，真空容器の内壁等（内部）から剥離して生じるパ
ーティクルを抑制するべく，上記開始時に真空容器の両電極間に印加する高周波電
圧（高周波電力）の大きさを必要最小限度とするものであるということができる。
したがって，相違点１は実質的なものではなく，その旨をいう審決の判断に誤り
はない。
(2)次に相違点２について判断する。
ア前記のとおり，特開平１１－１２１４３５号公報（甲１１）の段落【０
００９】には，「基板に高周波電力を印加している間は，パーティクルはイオンシー
スの上層部（ゼロ電位に近い箇所）に浮遊するから，基板への付着は僅少となる。」
との記載があるし，パーティクル除去システム等に関する発明に係る特開２０００
－２８６２４９号公報（甲１２）の段落【００７８】には，「プラズマ装置（処理装
置１００）内では，高周波電力がかかっているとき，すなわちプラズマが存在する
とき，処理チャンバ１１内の電子密度は，図１１に示すようになっている。具体的
には，電極の近傍，すなわち，イオンシースの中では，電子密度が非常に小さく，
プラズマ中では，イオン密度が非常に高い状態になっている。また，プラズマ装置
内に生成されたプラズマの電位ポテンシャルは，図８の右側（又は図６の右側）に
示すようになっている。以上のように高周波電力が印加されてプラズマが生成され
ている場合，イオンシース内にトラップされているパーティクルは，イオン流の流
れ込みによって正に帯電する。そして，正のプラズマポテンシャルからの反発力に
よって，イオンシース内にトラップされる。しかし，高周波電力を徐々に下げてい
くと，高周波電力が所定値以下となった時に重力と静電気力の釣り合いが崩れ，パ
ーティクルは重力によってイオンシースからプラズマ中へと落ちていく。そして，
プラズマ中へ入射したパーティクルは，電子電流が流れ込むことによって負に帯電
する。」との記載がある。また，プラズマ処理装置等に関する発明に係る特開平２０
０３－２３４３３９号公報（甲１３）中にも，「クリスタル電極１３と被処理基板２
６との間では，細孔１７を通して処理室内に導入されたガスがプラズマ化される。
そして，プラズマが存在する領域を取り囲むように，高密度の陽イオンが存在する
領域（イオンシース）が形成される。これは，上部電極１４や被処理基板２６が，
プラズマの存在する領域（バルク）の電位との関係で陽イオンを引寄せるからであ
る。」（段落【００５６】），「上部電極１４近傍のイオンシースでは，この陽イオンに
より，処理容器１１の内壁や上部電極１４に成長した膜の剥離物などを由来として
浮遊するフレーク３０１が正に帯電する。正に帯電したフレーク３０１は，図示す
るように，イオンシースで，下向きに，重力ｇによる力と細孔１７からの流体抗力
Ｆとを，上向きに，電界Ｅによる力とイオン抗力ｉとを受ける。」（段落【００５７】），
「これらの力により，フレーク３０１は，イオンシース中で上下に振動（浮遊）し
つつイオンシース中に閉じ込められる。」（段落【００５８】）との記載がある。そう
すると，本件出願当時，真空容器の両電極間に高周波電力（高周波電圧）を印加し
て生じるプラズマの電極側端部付近（電極近傍）では，電子密度が低く，陽イオン
密度が高く，プラズマの端部から電極に向かって電位の勾配がある領域であるイオ
ンシースが形成されるところ（例えば，下記特開２０００－２８６２４９号公報（甲
１２）の図８の右側を参照。），上記高周波電力の電圧が十分に高いとき（一定以上
の大きさであるとき）にはこのイオンシースでパーティクルがトラップ（捕捉。イ
オンシース内でパーティクルが浮遊するだけで，イオンシース外に逸脱できない現
象。）されて，一方の電極の上に置かれた基板に接近できないが，他方上記高周波電
力の電圧が小さくなるとパーティクルが上記トラップから逃れて基板に落下，付着
してこれを汚染することがあることは，当業者に周知の技術的事項にすぎなかった
ということができる。
【甲第１２号証の図８】
そして，前記特開２０００－２８６２４９号公報（甲１２）の段落【００７８】
の記載に加えて，半導体装置の製造方法に関する発明に係る特開平１１－１３５５
２２号公報（甲１４）の段落【０１２２】には，「平行平板型ＲＩＥでは結晶面を露
出するため，第２の実施の形態で述べたように高周波電力を弱めイオンシース電圧
を下げ，損傷を少くする必要がある。」との記載があり，プラズマ生成装置等に関す
る発明に係る特開２００１－３５８３９号公報（甲１５）の段落【０００５】には，
「通常の平行平板型高周波放電プラズマ源の場合は，装置の生産性を上げるために
投入する高周波電力を増やすと高周波を印加するカソード電極表面に大きいシース
電圧が形成され易い・・・。ここでシース電圧とは，プラズマ空間の平均電位に対
する基板表面の電位をいう。」との記載があり，プラズマエッチング装置に関する発
明に係る特開平４－１２５２７号公報（甲１６）の４頁左下欄１８ないし２０行に
は，「同様に高周波電圧を低くすることによってシース電圧を低くできるがエッチン
グ時間がかかる。」との記載があるから，前記イオンシースにおける電位差が真空容
器の両電極間に印加される高周波電力の電圧の大きさに依存して増減し，一定以上
の大きさの電圧の高周波電力を上記両電極間に印加することにより，一定以上の電
位差を有するイオンシースが電極近傍に生じることも，本件出願当時の当業者に周
知の技術的事項にすぎなかったということができる。
そうすると，審決が説示するとおり（９頁），本件出願当時，刊行物１発明に上記
各周知事項を適用することにより，「刊行物１発明の目的がパーティクルの発生を抑
制することであることを考慮すれば，刊行物１発明において，パーティクルをイオ
ンシース中にトラップするために，つまり，パーティクルがバルクプラズマ中に侵
入するのを抑制するために，『一定以上の電位差を有するイオンシースが発生するよ
うな高い高周波電力を印加すること』（相違点２）は容易に想到するものであり，そ
のことによる作用効果も予測し得るものにすぎない」ということができる。
イ原告は，刊行物１中には，既に発生してしまったパーティクルをどう処理
するかについて記載も示唆もなく，既に発生してしまったパーティクルのプラズマ
への侵入を抑制するために，イオンシースが発生するような高周波電圧を印加する
構成は，刊行物１発明において全く想定されていないなどと主張する。しかしなが
ら，前記１のとおり，刊行物１には，その発生を抑制すべきパーティクルにつき，
エッチングガスと被エッチング物とが反応して生ずる生成物が真空容器内部に付着
し，その後これが剥離して生ずるものを含めて記載されているし，また前記(2)アの
とおり，真空容器の両電極間に印加する高周波電力の電圧が一定以上の大きさであ
るときにはイオンシースでパーティクルがトラップされ，上記電圧が小さくなると
パーティクルが上記トラップから逃れて基板に落下，付着してこれを汚染すること
があることも，イオンシースにおける電位差が上記電圧の大きさに依存し，上記電
圧を一定以上のものとすることで，一定以上の電位差を有するイオンシースが電極
近傍に生じさせることができることも，いずれも本件出願当時の当業者に周知の技
術的事項にすぎない。そうすると，刊行物１発明においては，既に発生してしまっ
たパーティクルの処理が想定されているし，刊行物１に接した当業者において，真
空容器の両電極間に印加する高周波電力の電圧の大きさを一定以上に制御してパー
ティクルをイオンシース内にトラップするようにする動機付けがあるということが
できる。したがって，原告の上記主張を採用することはできない。
また，原告は補正発明の作用効果は刊行物１発明の作用効果とは全く異質のもの
であって，当業者が容易に予測し得ない格別のものであると主張するが，前記のと
おりのイオンシースによるパーティクルのトラップ機能に照らせば，補正発明の作
用効果は，刊行物１発明に前記の周知の技術的事項を適用して相違点２を解消する
ことによる作用効果として，当業者において容易に予測し得る程度のものにすぎな
いから，原告の上記主張を採用することはできない。
(3)結局，相違点１は実質的なものでなく，相違点２に係る構成も，本件出願
当時，刊行物１発明に甲第１１ないし第１６号証に記載された周知事項を適用する
ことで，当業者において容易に想到し得たもので，補正発明の作用効果も刊行物１
発明及び上記周知事項から予測される範囲内のものにすぎないから，補正発明は進
歩性を欠き，この旨をいう審決の判断に誤りはない。したがって，原告が主張する
取消事由２は理由がない。
第６結論
以上によれば，原告が主張する取消事由はいずれも理由がないから，主文のとお
り判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
塩月秀平
裁判官
古谷健二郎
裁判官
田邉実

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