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平成２１年１１月１０日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２１年（行ケ）第１０１２０号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２１年１０月６日
判決
原告シコー株式会社
同訴訟代理人弁理士佐野惣一郎
被告特許庁長官
同指定代理人江塚政弘
岩崎伸二
安達輝幸
森口正治
主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が不服２００７−１９１４６号事件について，平成２１年３月３１日にし
た審決を取り消す。
第２事案の概要
本件は，原告が，下記１のとおりの手続において，特許請求の範囲の記載を下記
２とする本件出願に対する拒絶査定不服審判の請求について，特許庁が同請求は成
り立たないとした別紙審決書（写し）の本件審決（その理由の要旨は下記３のとお
り）には，下記４の取消事由があると主張して，その取消しを求める事案である。
１特許庁における手続の経緯
(1)原告は，発明の名称を「磁気式位置検出装置」とする発明について，平成
１６年１１月１６日特許出願（特願２００４−３３１６１９）したが，平成１９年
６月１３日付けの拒絶査定を受けたので，同年７月９日，これに対する不服の審判
を請求するとともに，手続補正（以下「本件補正」という。）をした。
(2)特許庁は，上記請求を不服２００７−１９１４６号事件として審理した上，
平成２１年３月３１日，本件補正を却下した上，「本件審判の請求は成り立たな
い。」との本件審決をし，その謄本は同年４月１０日原告に送達された。
２本願発明の要旨
本件審決が対象とした，特許請求の範囲請求項１の記載は，以下のとおりである。
以下，本件補正前の請求項１に記載された発明を「本願発明」，本件補正後の請求
項１に記載された発明を「本件補正発明」という。また，本件出願に係る本件補正
後の明細書（甲３，図面につき甲１）を「本願明細書」という。
(1)本願発明
異なる磁極を交互に配置した着磁面に対向して配置され，着磁面の磁界強度に応
じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる一方及び他方の磁気抵抗回路と，
各磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と，出力端子とを備え，一方及び他方の磁気
抵抗回路は各々磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路
を互いに平行になるように櫛歯状に配置し，一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間
に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置してあり，一方及び他方の磁気抵抗回
路うちの少なくとも一方の磁気抵抗回路を構成する磁気抵抗素子は基準磁気抵抗素
子と基準磁気抵抗素子から（λ／ｎ）及び（λ／２ｍ）ずらして配置した補正用磁
気抵抗素子を有し，λは着磁面の磁極の並び方向における磁極の巾であり，ｎは０
を除く偶数，ｍは１を除く奇数であり，一方の磁気抵抗回路と他方の磁気抵抗回路
とは，出力波形の位相差を９０°ずらしていることを特徴とする磁気式位置検出装
置。
(2)本件補正発明
異なる磁極を交互に配置した着磁面に対向して配置され，着磁面の磁界強度に応
じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる一方及び他方の磁気抵抗回路と，
各磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と，出力端子とを形成したパターン回路にお
いて，一方及び他方の磁気抵抗回路は各々磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ
各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し，一方の磁気
抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置してあり，
一方及び他方の磁気抵抗回路うちの少なくとも一方の磁気抵抗回路を構成する磁気
抵抗素子は基準磁気抵抗素子と基準磁気抵抗素子から（λ／ｎ）及び（λ／２ｍ）
ずらして配置した補正用磁気抵抗素子を有し，λは着磁面の磁極の並び方向におけ
る磁極の巾であり，ｎは０を除く偶数，ｍは１を除く奇数であり，一方の磁気抵抗
回路と他方の磁気抵抗回路とは，出力波形の位相差を９０°ずらしていることを特
徴とする磁気式位置検出装置。
３本件審決の理由の要旨
(1)本件審決の理由は，要するに，本件補正発明は，特開２００２−２０６９
５０号公報（甲４。以下「引用例」という。）に記載された発明及び周知の事項に
基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項
の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから，
平成１８年法律第５５号による改正前の特許法（以下「法」という。）１７条の２
第５項において準用する法１２６条５項の規定に違反するものであるとして，法１
５９条１項の規定において準用する法５３条１項の規定により本件補正を却下すべ
きものであり，また，本願発明も，引用発明及び周知の事項に基づいて，当業者が
容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特
許を受けることができない，というものである。
(2)本件審決は，その判断の前提として，引用例に記載された発明（以下「引
用発明」という。）並びに本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点（以下
「本件相違点」という。）を，以下のとおり認定した。
ア引用発明：異なる磁極を交互に配置した磁気ドラム８の表面（着磁面に相
当。）に対向して配置され，磁気ドラム８の表面（着滋面に相当。）の磁界強度に
応じた電流を出力する複数のＭＲ膜５１ａ，５２ａ，５３ａ，５４ａ，５１ｂ，５
２ｂ，５３ｂ，５４ｂ（磁気抵抗素子に相当。）からなるＡ相のＭＲ膜５１ａ，５
３ａ，５３ｂ，５１ｂ（一方に相当。）及びＢ相のＭＲ膜５２ａ，５４ａ，５４ｂ，
５２ｂ（他方の磁気抵抗回路に相当。）と，各相のＭＲ膜（各磁気抵抗回路に相
当。）に設けた電源Ｖｃｃに相当する電極膜及び接地電位ＧＮＤとなる電極膜（電
力供給端子に相当。）と，出力電極Ａ，Ａ′，Ｂ，Ｂ′（出力端子に相当。）とを
形成した，磁気ドラム８の表面に対し垂直にして配列された回路（回路に相当。）
において，Ａ相のＭＲ膜５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ（一方に相当。）及びＢ
相のＭＲ膜５２ａ，５４ａ，５４ｂ，５２ｂ（他方の磁気抵抗回路に相当。）はＡ
相のＭＲ膜５１ａと５３ａ，５３ｂと５１ｂそしてＢ相のＭＲ膜５２ａと５４ａ，
５４ｂと５２ｂ（各々磁気抵抗素子に相当。）が直列に接続してあり且つＭＲ膜５
１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ，５２ａ，５４ａ，５４ｂ，５２ｂ（各磁気抵抗素
子に相当。）の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し，Ａ相のＭＲ膜
５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ（一方の磁気抵抗回路に相当。）のＭＲ膜５１ａ，
５１ｂとＭＲ膜５３ａ，５３ｂとの間に（磁気抵抗素子間に相当。）Ｂ相のＭＲ膜
５２ａ，５４ａ，５４ｂ，５２ｂ（他方の磁気抵抗回路に相当。）のＭＲ膜５２ａ，
５２ｂ（磁気抵抗素子に相当。）が配置してあり，Ａ相のＭＲ膜５１ａ，５３ａ，
５３ｂ，５１ｂ（一方に相当。）及びＢ相のＭＲ膜５２ａ，５４ａ，５４ｂ，５２
ｂ（他方の磁気抵抗回路に相当。）うちのＡ相のＭＲ膜５１ａ，５３ａ，５３ｂ，
５１ｂ（少なくとも一方の磁気抵抗回線に相当。）を構成するＭＲ膜５１ａ，５３
ａ，５３ｂ，５１ｂ（磁気抵抗素子に相当。）はＭＲ膜５１ａ（基準磁気抵抗素子
に相当。）とＭＲ膜５１ａ（基準抵抗素子に相当。）から（λ／２）（λ／ｎに相
当。）及び（λ／２・５）（λ／２ｍに相当。）ずらして配置したＭＲ膜５３ａ，
５１ｂ（補正用磁気抵抗素子に相当。）を有し，λ（λに相当。）は磁気ドラム８
の表面（着滋面に相当。）の着滋ピッチ（磁極の並び方向における磁極の巾に相
当。）であり，２（ｎに相当。）は０を除く偶数，５（ｍに相当。）は１を除く奇
数であり，Ａ相のＭＲ膜５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ（一方の磁気抵抗回路に
相当。）とＢ相のＭＲ膜５２ａ，５４ａ，５４ｂ，５２ｂ（他方の磁気抵抗回路に
相当。）とは，出力波形の位相差をλ／４（９０゜に相当。）ずらしていることを
特徴とする位置検出に用いられる磁気センサー（磁気式位置検出装置に相当。）。
イ一致点：異なる磁極を交互に配置した着磁面に対向して配置され，着磁面の
磁界強度に応じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる一方及び他方の磁気
抵抗回路と，各磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と，出力端子とを形成した回路
において，一方及び他方の磁気抵抗回路は各々磁気抵抗素子が直列に接続してあり
且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し，一方の
磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置してあ
り，一方及び他方の磁気抵抗回路うちの少なくとも一方の磁気抵抗回路を構成する
磁気抵抗素子は基準磁気抵抗素子と基準磁気抵抗素子から（λ／ｎ）及び（λ／２
ｍ）ずらして配置した補正用磁気抵抗素子を有し，λは着磁面の磁極の並び方向に
おける磁極の巾であり，ｎは０を除く偶数，ｍは１を除く奇数であり，一方の磁気
抵抗回路と他方の磁気抵抗回路とは，出力波形の位相差を９０°ずらしていること
を特徴とする磁気式位置検出装置。
ウ相違点：本件補正発明では，回路が，パターン回路であるのに対して，引用
発明では，回路が，磁気ドラム８の表面に対し垂直にして配列された回路である点。
４取消事由
(1)一致点認定の誤り及び相違点の看過（取消事由１）
(2)本件相違点についての判断の誤り（取消事由２）
第３当事者の主張
１取消事由１（一致点認定の誤り及び相違点の看過）について
〔原告の主張〕
(1)本件審決は，引用発明を「且つＭＲ膜５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ，
５２ａ，５４ａ，５４ｂ，５２ｂ（各磁気抵抗素子に相当。）の電流通路を互いに
平行となるように櫛歯状に配置し，」と認定し，また，本件補正発明との一致点に
おいて，「一方及び他方の磁気抵抗回路は各々磁気抵抗素子が直列に接続してあり
且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置している」
と認定したが，以下のとおり，これらの認定は誤りである。
(2)本件補正発明の「櫛歯状」については，本件補正発明の磁気抵抗回路を
「髪をとかす櫛」に見立てた場合には，一方及び他方の磁気抵抗回路が各々櫛歯状
を成すものと解すべきである。一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気
抵抗回路の磁気抵抗素子を配置することから，隣り合う櫛歯がその基端部でつなが
っていることが必要であり，そのような回路の配置状態となるべきものである。
(3)引用例の図６(ａ)（磁気センサの断面図）には，各ＭＲ膜（磁気抵抗素
子）５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂを互いに
平行に配置した状態が示されているが，繋がっていない櫛歯部分のみが平行に配置
され，明らかに磁気抵抗回路を「櫛歯状」に配置したものではない。
一方，引用例の図６(ｂ)（磁気センサの等価回路を説明した図）は，回路の構成
自体を示したものではなく，その回路の電気的な状態を表したものにすぎず，そこ
には，各ＭＲ膜，電力供給端子，出力端子，接地を電気的に接続した回路が示され
ているが，三次元的な回路を二次元的（平面的）に表しているだけであり，この図
を見ても磁気抵抗回路を「櫛歯状」に配置したものではない。
また，本件審決が引用した引用例の【００２２】【００２７】ないし【００２
９】には，磁気抵抗回路が櫛歯状に配置しているとはどこにも記載されていないし，
示唆する記載もない。
〔被告の主張〕
(1)引用発明においても，一方（Ａ相のＭＲ膜５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１
ｂ）及び他方の磁気抵抗回路（Ｂ相のＭＲ膜５２ａ，５４ａ，５４ｂ，５２ｂ）は，
①各々磁気抵抗素子（Ａ相のＭＲ膜５１ａと５３ａ，５３ｂと５１ｂそしてＢ相の
ＭＲ膜５２ａと５４ａ，５４ｂと５２ｂ）が直列に接続してあり，かつ②各磁気抵
抗素子（Ａ相のＭＲ膜５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ及びＢ相のＭＲ膜５２ａ，
５４ａ，５４ｂ，５２ｂ）の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置した
ものである。
ア上記①について
【００２９】の記載によれば，引用発明は，「Ａ相のＭＲ膜５１ａと５３ａ，５
３ｂと５１ｂそしてＢ相のＭＲ膜５２ａと５４ａ，５４ｂと５２ｂ（各々磁気抵抗
素子に相当。）が直列に接続して」いる。
イ上記②について
【００２９】の記載とＭＲ膜を８層にした磁気センサ（図６(ａ)）の等価回路
（図６(ｂ)）から，各ＭＲ膜（磁気抵抗素子）の電流通路を確認すると，ＭＲ膜５
１ａ，５２ａ，５３ｂ，５４ｂに関しては，電源Ｖｃｃから出力電極Ａ，Ｂ，Ａ′，
Ｂ′に向けて（上方へ）電流が流れ，ＭＲ膜５１ｂ，５２ｂ，５３ａ，５４ａに関
しては，出力電極Ａ′，Ｂ′，Ａ，Ｂから接地電位ＧＮＤに向けて（下方へ）電流
が流れるものである。そして，図６が示す８層のＭＲ膜の場合も，４層のＭＲ膜の
場合の等価回路を示した図２の概略斜視図と基本的には同じ配置構造であるから
（図２の４層の構成に加えて，端子Ａ′及び端子Ｂ′を有するもう１組の４層構成
を加えた２重構造的な配置構造となる。），各ＭＲ膜（磁気抵抗素子）５１ａ，５
３ａ，５３ｂ，５１ｂ（以上，Ａ相），及び各ＭＲ膜（磁気抵抗素子）５２ａ，５
４ａ，５４ｂ，５２ｂ（以上，Ｂ相）が，各々電流通路を互いに平行にして配置さ
れていることは，容易に認識し得る事項である。
そこで，磁気抵抗素子を直列に接続する接続部を含めた，磁気抵抗素子の電流通
路の配置を「髪をとかす櫛」に見たてると，引用例の記載から認識される上記平行
になるように配置されている磁気抵抗素子自体の電流通路は，櫛における平行にな
るように配置された櫛歯に対応するといえ，また，当該接続部の電流通路は，手で
持つ櫛本体部分であって当該櫛歯の基端部を接続する部分に対応するといえるから，
各ＭＲ膜（磁気抵抗素子）５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ（以上，Ａ相）及び各
ＭＲ膜（磁気抵抗素子）５２ａ，５４ａ，５４ｂ，５２ｂ（以上，Ｂ相）が，各々
電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置されていることは，容易に認識し
得る事項である。
(2)本件補正発明について，原告は，櫛歯状に配置される主体を，一方及び他
方の磁気抵抗回路であると解釈するが，以下のとおり，誤りである。
ア本願明細書【００２５】の記載によると，櫛歯状に配置されるものは，磁気
抵抗素子＋Ａ２と＋Ａ３に例示される，各磁気抵抗素子であり，一方及び他方の磁
気抵抗回路ではないし，櫛歯状に形成されるものは，一方及び他方の磁気抵抗回路
であり，各磁気抵抗素子ではない。
イ本願明細書【００２８】の記載からみて，互いに櫛歯状を成すものは，一方
磁気抵抗回路と他方の磁気抵抗回路であり，各磁気抵抗素子でない。
ウそして，上記以外，一方及び他方の磁気抵抗回路，各磁気抵抗素子，櫛歯状
の３者の関係について説明する箇所はない。また，本願明細書に記載された，櫛歯
状に配置されることと，櫛歯状に形成されることと，互いに櫛歯状を成すこととは，
技術的な意味が同一ではない。
したがって，本件補正発明において，櫛歯状に配置されるものは，各磁気抵抗素
子の電流通路であって，「一方及び他方の磁気抵抗回路」ではないことは明らかで
ある。
(3)原告の主張について
ア原告は，引用例の図６(ｂ)の等価回路について，回路の構成自体を示したも
のではなく，その回路の電気的な状態を表したものにすぎず，三次元的な回路を二
次元的（平面的）に表しているだけであり，この図を見ても磁気抵抗回路を「櫛歯
状」に配置したものではないと主張する。
しかしながら，本件補正後の請求項１の記載から，磁気抵抗回路について，「一
方及び他方の磁気抵抗回路は各々磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵
抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し，一方の磁気抵抗回路
の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置してあり」と特定し
ているのみで，磁気抵抗回路の構成につき，それが三次元的な回路の構成であるか
二次元的な回路の構成であるかを何ら特定するものでも排除するものでもないから，
原告の主張は，請求項１の記載に基づくものではない。
イ原告は，本件補正発明の「櫛歯状」について，隣り合う櫛歯がその基端部で
つながっていることが必要であると主張する。
しかしながら，櫛歯状に配置されるものは，各磁気抵抗素子の電流通路であって，
決して「一方及び他方の磁気抵抗回路」ではなく，補正された請求項１の記載から
みて「一方及び他方の磁気抵抗回路が各々櫛歯状を成すこと」が記載されていない
ことは明らかであり，原告の主張は補正された請求項１の記載に基づく主張ではな
い。
２取消事由２（本件相違点についての判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)本件審決は，「上記（１−１）に記載されているように，回路を図７に示
されるようなＭＲ膜を所定間隔で配置したパターン回路とすることは，従来から行
われていたこと（周知）である」と認定したが，以下のとおり，誤りである。
ア引用例の図６(ａ)に示されているように互いに平行に並べられた各ＭＲ膜に
対して，電力供給端子，出力端子，接地はその後側で配線して構成されるものであ
るから，引用例の磁気式位置検出装置は，立体的に大きなものとなり，引用例の図
７のプリント配線回路に設けられているものに比較すると明らかに大型化し，大き
な配置スペースが必要となる。すなわち，引用例の図６(ｂ)に示されている回路は，
立体的な回路を平面的に表したものであるから，磁気抵抗回路の配線が交差してお
り，仮に引用例の図６(ｂ)の回路をそのままパターン回路に用いるとすれば，同図
から明らかなように，配線が交差しているので，ショートしてしまうのは明らかで
ある。つまり，引用例の図６(ｂ)に示すような回路構成ではパターン回路にするこ
とができない。
イよって，本件補正発明の構成及び本願明細書【００１２】に記載の効果は，
引用例の図６の回路を図７のパターン回路に適用しても達成できないものであり，
引用発明に基づいて当業者が容易に発明できないものである。
(2)被告の主張について
ア文言だけみれば，引用例には，本件補正発明の効果と同様な効果の記載があ
る。しかし，本願発明はパターン回路で形成された磁気式位置検出装置であるから，
回路をプリント等により簡単に製造できるものが前提であり，小型化等を図るとい
う文言のみでは同じであっても，引用例の複層に形成されるものとは効果を達成す
るための具体的な手段が異なっている。目的や効果が新規でなければ進歩性がない
という，審査基準はない。
イパターニングした回路，すなわちパターン回路は一層のみを意味するもので
あり，「複層回路（三次元的な回路）」はパターン回路ではないことは，乙１から
明らかである。
ウ本件審決がわざわざ図７を引用したことからも，パターン回路は引用例の図
１に示すような複層回路を含まないと解釈していることは明らかである。もし，本
件補正発明が引用例の図１の構成を含むのであれば，図１を引用すれば足りるはず
である。また，引用例の【０００３】には，図７に示す従来技術の説明で「ＭＲ膜
を基板１３２の同一面上に配置することにより感磁部１３１を構成している」と記
載されているから，本件審決ではパターン回路は二次元的なものと認識して図７を
引用したことが明らかであり，パターン回路には複層の回路を含むという主張は，
本件審決と矛盾する。
〔被告の主張〕
(1)原告は，引用例の図６(ａ)に示される構成による磁気式位置検出装置は，
立体的に大きなものとなり，大きな配置スペースが必要となる旨主張するが，以下
のとおり失当である。
ア本件補正後の請求項１は，磁気抵抗回路について，「異なる磁極を交互に配
置した着磁面に対向して配置され」と記載して，磁気抵抗回路と着磁面との配置関
係を特定し，また，「一方及び他方の磁気抵抗回路と，各磁気抵抗回路に設けた電
力供給端子と，出力端子とを形成したパターン回路」と記載して，一方及び他方の
磁気抵抗回路と電力供給端子と出力端子とを形成したパターン回路を構成要件とし
て備える点を特定しているが，その構造に関して，平面的（二次元的）又は立体的
（三次元的）にどのような形状（形態）を呈するものかについての記載又は示唆は
ないから，原告の上記主張は，本件補正後の請求項１の記載に基づく主張ではない。
イ確かに，本願明細書【００１２】には，請求項１に記載の発明による効果と
して，磁気式位置検出装置の小型化が図られること，着磁面の磁極巾に対する磁気
抵抗素子の配置の集約化による磁気式位置検出装置全体の回路巾，特にその検知巾
を小さくできることにより検知精度や解像度を高めることができることが記載され
ている。しかし，引用例の【０００４】【００１５】【００３０】の記載によると，
引用発明においても，磁気センサーの小型化が図られ，磁気ドラムの径の小型化に
対しても位置検出誤差や感度の低下を抑制することができる効果を奏するものであ
るから，本件補正発明と引用発明とはその効果の面において大差はない。
(2)原告は，引用例の図６(ｂ)の回路構成をそのままパターン回路に用いると
すれば，配線が交差しているのでショートしてしまうから，その回路構成ではパタ
ーン回路にすることができない旨主張するが，以下のとおり失当である。
ア本件補正後の請求項１によれば，本件補正発明の「パターン回路」は，「着
磁面の磁界強度に応じた電流を出力する複数の磁気抵抗素子からなる一方及び他方
の磁気抵抗回路と，各磁気抵抗回路に設けた電力供給端子と，出力端子とを形成し
た」パターンにより回路として機能するものである。
イ確かに，引用例の図６(ｂ)の等価回路のみを着目すれば，直ちにパターン回
路に結びつけることは困難といえるが，引用例の図１・２には，ＭＲ膜が４層の場
合の，磁気センサーの断面図と平面図及びＭＲ膜の回路の概略斜視図が図示され，
引用例の図１(ａ)の断面図と図１(ｂ)の平面図（Ｘ方向からみたもの）及び【００
１９】【００２０】の記載から，各層のＭＲ膜（磁気抵抗素子），電力供給端子又
は出力端子となる電極膜，及び両者をつなぐ配線膜により，各層毎の回路が形成さ
れるものであり，それらが積層されて図１(ａ)の断面図のとおり，４層分が配線を
交差させずショートすることなく回路構成されていることは明らかである。よって，
上記各層毎に，ＭＲ膜（磁気抵抗素子），電極膜及び配線膜により形成される回路
が，すなわち回路パターンであり，本件審決でいう「図７に示されるようなパター
ン回路」に対応する。なお，「パターン回路」なる用語は，配線が積層してなる回
路においても，一般的に用いられているものである。
ウよって，引用例の図１・２に示される上記ＭＲ膜が４層の場合を基に，図６
に示されるＭＲ膜が８層の場合に拡張してパターン回路とすることは，当業者が容
易になし得ることといえるから，本件審決の判断に誤りはない。
第４当裁判所の判断
１取消事由（一致点認定の誤り及び相違点の看過）について
(1)本件補正発明における「櫛歯状」の意義
ア本件補正発明の発明特定事項
本件補正発明は，特許請求の範囲請求項１に記載のとおり，「一方及び他方の磁
気抵抗回路」の構成に関し，「一方及び他方の磁気抵抗回路は各々磁気抵抗素子が
直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯
状に配置し，一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵
抗素子が配置してあり」との構成を備えている。
これによると，「各々磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の
電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置」は，「一方及び他方の磁気抵抗
回路」のそれぞれにおける回路構成及び磁気抵抗素子の配置を特定するものであり，
各磁気抵抗回路は，それぞれ各磁気抵抗素子が「直列に接続」された回路構成であ
り，また，それぞれ各磁気抵抗素子が「電流通路を互いに平行になるように櫛歯
状」に配置されていることを特定していると解される。また，「一方の磁気抵抗回
路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置」は，各磁気抵抗
回路を構成する磁気抵抗素子相互の配置関係を特定するものと解される。
以上のことから，上記請求項１における「各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平
行になるように櫛歯状に配置」は，「一方及び他方の磁気抵抗回路」の磁気抵抗素
子の配置を特定するものであり，したがって，本件補正発明における「櫛歯状」の
用語は，磁気抵抗素子が，各磁気抵抗素子の電流通路が互いに平行になるように配
置された状態を表現したものと解するのが相当である。
イ本願明細書の記載事項
(ア)本願明細書には，「櫛歯状」の意味は定義されていないが，「櫛歯状」に
関連して，以下の記載がある(甲３）。
【００２５】各磁気抵抗素子＋Ａ１∼＋Ａ４，−Ａ１∼−Ａ４，＋Ｂ１∼＋Ｂ４，
−Ｂ１∼−Ｂ４は各々電流通路を互いに平行にして配置されている。更に，一方の
磁気抵抗回路＋Ａ及び他方の磁気抵抗回路＋Ｂは各々櫛歯状を形成するように磁気
抵抗回路＋Ａ１∼＋Ａ４，＋Ｂ１∼＋Ｂ４が配置されており，一方の磁気抵抗回路
＋Ａの櫛歯状に配置した磁気抵抗素子＋Ａ２と＋Ａ３との間に他方の磁気抵抗回路
＋Ｂの磁気抵抗素子＋Ｂ２と＋Ｂ１とが配置されている。磁気抵抗回路−Ａ及び−
Ｂにおいても同様に，磁気抵抗素子＋Ａ４と−Ａ４との間に磁気抵抗素子＋Ｂ３，
＋Ｂ４が配置され，磁気抵抗素子−Ａ３と−Ａ１との間に磁気抵抗素子−Ｂ４，−
Ｂ３が配置されて，磁気抵抗素子−Ｂ１と−Ｂ３との間に−Ａ１，−Ａ２が配置さ
れている。
【００２８】本実施の形態によれば，一方の磁気抵抗回路Ａと他方の磁気抵抗回路
Ｂとは互いに櫛歯状を成して，一方の磁気抵抗回路Ａにおける磁気抵抗素子＋Ａ１
∼＋Ａ４，−Ａ１∼−Ａ４間に他方の磁気抵抗回路Ｂにおける磁気抵抗素子＋Ｂ１
∼＋Ｂ４，−Ｂ１∼−Ｂ４を配置しているので，磁気式位置検知装置（位置セン
サ）１の回路９を集約して面積を小さくすることができ，位置センサ１の小型化を
図ることができる。
(イ)前記記載によれば，各磁気抵抗素子は，各々電流通路が互いに平行になる
ように「櫛歯状」に配置されており，また，各磁気抵抗回路は，一方の磁気抵抗回
路の「櫛歯状」に配置された磁気抵抗素子の間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素
子が配置されるよう組み合わされていることが記載されており，このように各磁気
抵抗回路の磁気抵抗素子を配置することにより，磁気式位置検知装置の面積を小さ
くでき，ひいては磁気式位置検知装置の小型化が図れるという効果が得られること
がわかる。
また，本件補正発明の実施形態に係る図１を参照すれば，各磁気抵抗回路の磁気
抵抗素子＋Ａ１ないし＋Ａ４，−Ａ１ないし−Ａ４，＋Ｂ１ないし＋Ｂ４，−Ｂ１
ないし−Ｂ４は，電流通路が互いに平行になるように配置され，また，磁気抵抗素
子＋Ａ２と＋Ａ３との間に，磁気抵抗素子＋Ｂ２，＋Ｂ１が，磁気抵抗素子＋Ａ４
と−Ａ４との間に磁気抵抗素子＋Ｂ３，＋Ｂ４が，磁気抵抗素子−Ａ３と−Ａ１と
の間に磁気抵抗素子−Ｂ４，−Ｂ３が，磁気抵抗素子−Ｂ１と−Ｂ３との間に−Ａ
１，−Ａ２がそれぞれ配置されていることから，一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素
子の間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置されていることが示されている。
(ウ)以上のことから，本願明細書の記載において，「櫛歯状」は，磁気抵抗素
子の配置に関連して用いられており，発明の効果も，磁気抵抗素子を前記のように
配置したことによる効果ということができるから，本願明細書における「櫛歯状」
の用語は，各磁気抵抗素子が，電流通路が互いに平行になるように配置された状態
を表現したものであり，各磁気抵抗回路の接続部分の構成を含む概念とは解されな
い。また，上記「櫛歯状」の意義は，前記アで認定した本件補正発明における「櫛
歯状」の用語の意義とも整合する。
(2)引用発明におけるＭＲ膜の配置
ア引用例（甲４）の特許請求の範囲請求項１の記載によると，引用例に記載さ
れた磁気センサーは，複数のＭＲ膜が絶縁層を介して基板上に積層され，前記基板
の側面が磁気ドラムと対向する媒体対向面の一部となり，前記ＭＲ膜の膜面が媒体
対向面に対して略垂直に配置された構成である。また，【００１９】ないし【００
２２】に記載された４層のＭＲ膜を積層した磁気センサーの媒体対向面は，図３の
とおり，各層のＭＲ膜が電流通路が互いに平行になるように配置された構成である
ことにかんがみれば，図６(ａ)にその断面図が示された，ＭＲ膜を８層とした磁気
センサーの媒体対向面においても，図６(ｂ)の概略図に示されるように，各層のＭ
Ｒ膜が，電流通路が互いに平行になるように配置されていることは明らかである。
イまた，各ＭＲ膜の配置については，引用例の【００２７】ないし【００２
９】の記載から，ＭＲ膜を８層にした磁気センサーの媒体対向面には，各相のＭＲ
膜５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ，５３ａ，５３ｂ，５４ａ，５４ｂが，電流通
路が互いに平行になるように配置され，ＭＲ膜５１ａ，５１ｂ，５３ａ，５３ｂが
Ａ相を，また，ＭＲ膜５２ａ，５２ｂ，５４ａ，５４ｂがＢ相をそれぞれ構成し，
Ａ相のＭＲ膜５１ｂとＭＲ膜５３ａとの間にＢ相のＭＲ膜５２ａ，５２ｂが配置さ
れ，また，Ｂ相のＭＲ膜５２ｂとＭＲ膜５４ａとの間にＡ相のＭＲ膜５３ａ，５３
ｂが配置された構成であることが認められる。
そうすると，引用例に記載された磁気センサーにおけるＡ相及びＢ相のＭＲ膜の
配置は，上記(1)認定の本願明細書及び図面に記載された各磁気抵抗素子の配置と
実質的な差異はないから，引用例に記載された各ＭＲ膜の配置も，「櫛歯状」とい
うことができる。
(3)引用発明の認定及び一致点の認定
前記(1)(2)のとおり，本件補正発明の「櫛歯状」は，各磁気抵抗回路の各磁気抵
抗素子が，電流通路が互いに平行になるよう配置されている状態を表したものであ
り，引用例の図６(ａ)に示される磁気センサーも，各磁気抵抗素子を「櫛歯状」に
配置したものということができる。よって，本件審決において，引用例に，「且つ
ＭＲ膜５１ａ，５３ａ，５３ｂ，５１ｂ，５２ａ，５４ａ，５４ｂ，５２ｂ（各磁
気抵抗素子に相当。）の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に配置し」が記
載されていると認定し，「一方及び他方の磁気抵抗回路は各々磁気抵抗素子が直列
に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互いに平行になるように櫛歯状に
配置し」を本件補正発明と引用発明との一致点と認定し，本件相違点を認定したこ
とに誤りはない。
(4)原告の主張について
ア原告は，「櫛歯状に配置」の主語は，磁気抵抗素子ではなく，「一方及び他
方の磁気抵抗回路」であり，本件補正発明は，一方及び他方の磁気抵抗回路が各々
櫛歯状をなすものであり，一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗
回路の磁気抵抗素子を配置することから，隣り合う櫛歯がその基端部でつながって
いるような回路の配置状態となるべきであると主張する。
しかし，上記(1)イのとおり，本願明細書には，「櫛歯状」の意味は定義されて
おらず，本願明細書の記載を参酌しても，「櫛歯状」が各磁気抵抗素子の接続部分
の構成を含む概念，すなわち，櫛歯に相当する磁気抵抗素子がその基端部でつなが
っている構成を意味するということはできないから，本件補正発明における「櫛歯
状」の用語は，磁気抵抗素子の配置を表現したものであり，各磁気抵抗素子が，電
流通路が互いに平行になるように配置された状態を表現したものと解するべきであ
る。そして，「一方及び他方の磁気抵抗回路は…櫛歯状に配置し」が，隣り合う磁
気抵抗素子がその基端部でつながれた一方及び他方の磁気抵抗回路が，一方の磁気
抵抗回路の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置されるよう
に，組み合わされて対向配置された状態に限定されるものということはできない。
イ原告は，引用例の図６(ａ)は，磁気センサーの断面図で，磁気抵抗回路を
「櫛歯状」に配置したものではなく，また，同図６(ｂ)は，回路の等価回路を表し
たものにすぎず，磁気抵抗素子が平行に配置されていることが開示されているだけ
で，磁気抵抗回路を櫛歯状に配置することは記載も示唆もされていないと主張する。
しかし，引用例の図６には，上記(2)イのとおり，ＭＲ膜を８層にした磁気セン
サーの媒体対向面は，Ａ相のＭＲ膜５１ａ，５１ｂ，５３ａ，５３ｂ及びＢ相のＭ
Ｒ膜５２ａ，５２ｂ，５４ａ，５４ｂが，それぞれ電流通路が互いに平行になるよ
うに配置された構成が記載されており，各磁気抵抗回路は，それぞれ各磁気抵抗素
子が，電流通路が互いに平行になるよう「櫛歯状」に配置されているものである。
また，図６に示される磁気センサーは，上記(2)イのとおり，一方の磁気抵抗回路
の磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子を配置した構成であり，本
件補正発明の配置状態と実質的な差異はない。
ウしたがって，原告の主張は採用できない。
(5)小括
以上のとおり，取消事由１は理由がない。
２取消事由２（本件相違点についての判断の誤り）について
(1)本件補正発明の「パターン回路」の意義
ア本件補正発明の特許請求の範囲請求項１には，「異なる磁極を交互に配置し
た着磁面に対向して配置され，着磁面の磁界強度に応じた電流を出力する複数の磁
気抵抗素子からなる一方及び他方の磁気抵抗回路と，各磁気抵抗回路に設けた電力
供給端子と，出力端子とを形成したパターン回路において」と記載されているから，
本件補正発明に係る「磁気式位置検出装置」の，一方及び他方の磁気抵抗回路，電
力供給端子及び出力端子は，「パターン回路」として構成されることが特定されて
いる。
また，本件補正発明の特許請求の範囲請求項１には，「一方及び他方の磁気抵抗
回路は各々磁気抵抗素子が直列に接続してあり且つ各磁気抵抗素子の電流通路を互
いに平行になるように櫛歯状に配置し，一方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子間に他
方の磁気抵抗回路の磁気抵抗素子が配置してあり，一方及び他方の磁気抵抗回路う
ちの少なくとも一方の磁気抵抗回路を構成する磁気抵抗素子は基準磁気抵抗素子と
基準磁気抵抗素子から（λ／ｎ）及び（λ／２ｍ）ずらして配置した補正用磁気抵
抗素子を有し，λは着磁面の磁極の並び方向における磁極の巾であり，ｎは０を除
く偶数，ｍは１を除く奇数であり，一方の磁気抵抗回路と他方の磁気抵抗回路とは，
出力波形の位相差を９０°ずらしている」と記載されていることにより，各磁気抵
抗回路を構成する磁気抵抗素子の配置関係が特定されている。
イ本願明細書の【００１６】【００１８】の記載によると，本件補正発明の実
施例において，磁気式位置検出装置は，基材表面に磁気抵抗回路がパターン回路と
して形成されていることが認められる。
また，本願明細書の【００１２】には，本件補正発明の磁気式位置検出装置は，
パターン回路において，一方の磁気抵抗回路と他方の磁気抵抗回路とを櫛歯状に形
成して，一方の磁気抵抗回路における磁気抵抗素子間に他方の磁気抵抗回路におけ
る磁気抵抗素子を配置する構成であることにより，以下の効果を奏すると記載され
ている。
①磁気抵抗回路を配置する面積を小さくすることができ，磁気式位置検出装置
の小型化を図ることができる。
②増幅用の磁気抵抗回路や出力波形を整形する補正用磁気抵抗素子を設けるた
めに多数の磁気抵抗素子を配置する場合にも磁気式位置検出装置全体の回路幅を小
さくでき，検知精度や解像度を高めることができる。
③磁気式位置検出装置の検知巾を小さくすることにより，着磁面が円形や湾曲
した形状になっている場合にも各磁気抵抗素子と着磁面と間の間隔誤差を小さくで
き，磁界強度の差が少なくなるので解像度の高い出力波形を得ることができる。
(2)周知技術
ア引用例には，図７に示された従来の磁気センサーは，基板上に，所定間隔で
配置された複数のＭＲ膜からなる感磁部と，各々のＭＲ膜から端子に引き回される
配線を備えていること（【０００２】【０００３】），従来技術の課題として，着
磁ピッチや磁気ドラムの径が小さい場合，ＭＲ膜のパターン幅（素子のパターン
幅）を細くしないと所定間隔で複数のＭＲ膜を配置することが難しくなること
（【０００４】）が記載されている（甲４）。当業者の技術常識をもってすれば，
引用例の７図の従来の磁気センサーの感磁部及び配線は，パターン回路として形成
されているということができる。
イしたがって，磁気センサーの感磁部の回路を，ＭＲ膜を所定間隔で配置した
パターン回路とすることは，従来行われていた周知技術であるものと認められる。
(3)容易想到性
以上のとおり，回路を引用例の図７に示されるようなＭＲ膜を所定間隔で配置し
たパターン回路とすることは，本件出願当時，周知であったから，引用発明におい
て，回路を本件補正発明のようなパターン回路とすることは，当業者が容易になし
得ることである。
よって，本件審決の判断に誤りはない。
(4)原告の主張について
ア原告は，引用例の図６の回路は，三次元的（立体的）な回路であるから，プ
リント配線回路に設けられているものと比較すると大型化し，大きな配置スペース
を必要とし，また，磁気抵抗回路の配線が交差しており，そのままパターン回路に
するとショートしてしまうから，パターン回路にすることができないと主張する。
しかしながら，本件補正発明には，一方及び他方の磁気抵抗回路，電力供給端子
及び出力端子がパターン回路として構成されること及び前記各磁気抵抗回路を構成
する磁気抵抗素子の配置関係が特定されているものの，磁気抵抗回路を構成する各
磁気抵抗素子，電力供給端子及び出力端子相互の配線は特定されていないから，本
件補正発明が三次元的（立体的）な回路を含まず，磁気抵抗回路の配線が交差して
いないということはできない。
確かに，本願明細書の図１，図５及び図６において，磁気抵抗回路を構成する各
磁気抵抗素子，電力供給端子及び出力端子が二次元的（平面的）に配置されており，
配線は交差していないが，これらの記載は，本件補正発明の「磁気式位置検出装
置」の実施形態にすぎず，本件補正発明が三次元的（立体的）な回路を含まないと
する根拠たり得ない。
また，上記(1)イのとおり，本願明細書の記載を参酌しても，基材表面に磁気抵
抗回路がパターン回路として形成されていることが記載されているだけで，磁気抵
抗素子の配置関係と「パターン回路」であることとの関連性は認められない。
さらに，後記ウのとおり，「パターン回路」は二次元的なものに限定されないの
であるから，引用例の図６の回路構成が三次元的であるからといって，パターン回
路を採用することの阻害要因になるともいえない。
以上のとおり，原告の上記主張は採用できない。
イ原告は，本件補正発明の構成及び効果は，引用例の図６の回路を図７のパタ
ーン回路に適用しても達成できないと主張する。
しかしながら，本願明細書に記載された上記(1)イ認定の効果は，いずれも磁気
抵抗回路の磁気抵抗素子の配置関係を特定したことによる効果であり，磁気抵抗回
路をパターン回路として構成したことによる効果ということはできない。
よって，原告の上記主張は採用できない。
ウ原告は，パターニングした回路，すなわちパターン回路は一層のみを意味す
るものであり，「複層回路（三次元的な回路）」はパターン回路ではないことは，
乙１から明らかであると主張する。
しかしながら，乙１には，「液晶表示パネルのパターン回路試験方法」に関し，
「ＴＦＴアクティブマトリックス型の液晶表示パネルにおいては，透明基板の上に
第５図に示すように列方向に沿う複数本のドレインライン１，および行方向に沿う
複数本のゲートライン２をそれぞれパターニングにより配列形成し，これらドレイ
ンライン１およびゲートライン２への通電によりＴＦＴ３を介して所要の画素電極
４を駆動して所要の画像を表示するようになっている。」（１頁右下欄１３行∼２
頁左上欄１行）と記載されており，ドレインライン及びゲートラインが積層して配
列形成された回路も「パターン回路」と呼称されていることから，「パターン回
路」が，原告が主張するように，一層のみを意味するものであるということはでき
ない。なお，「パターニング」は，パターン回路を形成するプロセスであり，乙１
においてドレインライン及びゲートラインを「それぞれパターニングにより配列形
成」と記載されているとしても，「パターン回路」が一層のみあることの根拠とは
なり得ない。
したがって，パターン回路は一層のみを意味するものであるとの原告の主張は，
失当である。
エ原告は，本件審決は，引用例の図７を引用していることから，パターン回路
は二次元的なものと認識していたことが明らかであり，パターン回路が「複層回
路」を含むとの被告の主張は，本件審決と矛盾すると主張する。
しかし，上記アのとおり，本件補正発明には，回路が二次元的な回路構成に限定
されることは特定されていないから，本件審決に，「複層回路」がパターン回路に
含まれることが記載されていないとしても当然である。
また，上記ウのとおり，パターン回路は，二次元的なものに限定されないのであ
り，引用例の図７に示されるパターン回路も，二次元的な回路に特定されるもので
はなく，本件審決が引用例の図７を引用していることをもって，パターン回路が二
次元的なものと認識していたとはいえない。
したがって，原告の主張は採用できない。
(5)小括
以上によれば，取消事由２は，理由がない。
３結論
以上の次第であるから，原告主張の取消事由はいずれも理由がなく，原告の請求
は棄却されるべきものである。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官滝澤孝臣
裁判官高部眞規子
裁判官杜下弘記

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