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平成１９年９月２６日判決言渡
平成１９年行ケ第１００７６号審決取消請求事件()
平成１９年９月１２日口頭弁論終結
判決
原告株式会社ワコー
同訴訟代理人弁護士鮫島正洋
同岩永利彦
同訴訟代理人弁理士志村浩
被告特許庁長官肥塚雅博
同指定代理人瀧廣往
同山川雅也
同小池正彦
同大場義則
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が訂正２００６−３９１５１号事件について平成１９年１月１７日に
した審決を取り消す。
第２事案の概要
１特許庁における手続の経緯
(1)原告は，発明の名称を「力・加速度・磁気の検出装置」とする特許第３
１４５９７９号（平成２年１０月１２日出願の特願平２−２７４２９９号の
一部を平成１０年７月９日に分割出願，平成１３年１月５日設定登録。以下
「本件特許」という。）の特許の特許権者である。
(2)本件特許について，平成１７年７月１４日，無効審判請求（無効２００
５−８０２２２号，無効２００５−８０２２３号，無効２００５−８０２２
４号）がされ，特許庁は，平成１８年６月１９日に，無効２００５−８０２
２２号及び無効２００５−８０２２４号について，本件特許の請求項１及び
６に係る発明を無効とする審決をした。原告は，平成１８年７月２６日，上
記各審決の取消訴訟を提起し，同訴訟は当庁において係属している（当庁平
成１８年（行ケ）第１０３５１号及び平成１８年（行ケ）第１０３５２号）。
(3)原告は，訴えの提起があった日から起算して９０日以内の平成１８年９
月１２日，本件明細書の訂正審判請求（以下「本件訂正」といい，本件訂正
後の明細書及び図面を「本件訂正明細書」という。）をした。特許庁は，こ
れを訂正２００６−３９１５１号事件として審理し，平成１９年１月１７日，
「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をした。
本件は，同審決の取消訴訟である。
２本件訂正の内容
本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである（下線部
は，本件訂正に係る箇所である。）。
【請求項１】
互いに直交する第１の軸および第２の軸を定義し，前記第１の軸方向に作用
した力および前記第２の軸方向に作用した力をそれぞれ独立して検出する機能
をもった力検出装置であって，
装置筐体に対して変位が生じないように固定された固定要素と，
前記固定要素に可撓性部分を介して接続され，外部から作用した前記第１の
軸方向の力もしくは前記第２の軸方向の力に基いて，前記可撓性部分が撓みを
生じることにより，前記固定要素に対して前記第１の軸方向もしくは前記第２
の軸方向に変位を生じる変位要素と，
前記変位要素の変位にかかわらず固定状態を維持するように前記固定要素上
に形成された第１の固定電極，第２の固定電極，第３の固定電極，第４の固定
電極と，
前記変位要素の変位とともに変位するように前記変位要素上に形成された第
１の変位電極，第２の変位電極，第３の変位電極，第４の変位電極と，
を備え，
前記第１の固定電極と前記第１の変位電極とは互いに対向する位置に配置さ
れ，前記第１の固定電極と前記第１の変位電極とによって第１の容量素子が形
成され，
前記第２の固定電極と前記第２の変位電極とは互いに対向する位置に配置さ
れ，前記第２の固定電極と前記第２の変位電極とによって第２の容量素子が形
成され，
前記第３の固定電極と前記第３の変位電極とは互いに対向する位置に配置さ
れ，前記第３の固定電極と前記第３の変位電極とによって第３の容量素子が形
成され，
前記第４の固定電極と前記第４の変位電極とは互いに対向する位置に配置さ
れ，前記第４の固定電極と前記第４の変位電極とによって第４の容量素子が形
成され，
かつ，前記変位要素が前記第１の軸の正方向に変位した場合，前記第１の容
量素子の電極間距離が減少するとともに前記第２の容量素子の電極間距離が増
加し，前記変位要素が前記第１の軸の負方向に変位した場合，前記第１の容量
素子の電極間距離が増加するとともに前記第２の容量素子の電極間距離が減少
し，前記変位要素が前記第２の軸の正方向に変位した場合，前記第３の容量素
子の電極間距離が減少するとともに前記第４の容量素子の電極間距離が増加し，
前記変位要素が前記第２の軸の負方向に変位した場合，前記第３の容量素子の
電極間距離が増加するとともに前記第４の容量素子の電極間距離が減少するよ
うに，前記各固定電極および前記各変位電極が配置されており，
前記第１の容量素子の容量値と前記第２の容量素子の容量値との差を，前記
第１の軸方向に作用した力方向成分を示す検出信号として出力し，前記第３の
容量素子の容量値と前記第４の容量素子の容量値との差を，前記第２の軸方向
に作用した力方向成分を示す検出信号として出力する検出回路を更に備え，
前記固定要素および前記変位要素がシリコンにより構成されており，前記第
１の固定電極，前記第２の固定電極，前記第３の固定電極，前記第４の固定電
極，前記第１の変位電極，前記第２の変位電極，前記第３の変位電極，前記第
４の変位電極が，不純物を含むシリコンにより構成されていることを特徴とす
る力検出装置（以下「本件訂正発明１」という。）
３審決の内容
(1)別紙審決書の写しのとおりである。要するに，審決は，本件訂正発明１
は，①原出願当初明細書及び図面（以下「本件原出願当初明細書」とい
う。）に記載されたものではないから，特許法４４条１項に規定する分割要
件を満たさず，その出願日は，現実の出願日である平成１０年７月９日であ
ると認められるところ，本件訂正発明１は，原出願の特開平４−１４８８３
３号公報（以下「刊行物１」という。）と同一の発明であり，特許法２９条
１項３号に該当し，また，②米国特許第４９４１３５４号公報（甲２，以下
「刊行物２」という。）記載の発明及び周知技術（甲３，４。以下，それぞ
れ「刊行物３」，「刊行物４」という。）に基づいて容易に発明をすること
ができたものであるから，特許法２９条２項に該当する。したがって，本件
訂正発明１は，いずれの理由によっても，特許出願の際独立して特許を受け
ることができない発明であり，本件訂正は許されないというものである。
(2)審決が認定した本件訂正発明１と刊行物２記載の発明（以下「引用発
明」という。）との一致点及び相違点は次のとおりである。
ア一致点
互いに直交する第１の軸および第２の軸を定義し，前記第１の軸方向に
作用した力および前記第２の軸方向に作用した力をそれぞれ独立して検出
する機能をもった力検出装置であって，装置筐体に対して変位が生じない
ように固定された固定要素と，前記固定要素に可撓性部分を介して接続さ
れ，外部から作用した前記第１の軸方向の力もしくは前記第２の軸方向の
力に基いて，前記可撓性部分が撓みを生じることにより，前記固定要素に
対して前記第１の軸方向もしくは前記第２の軸方向に変位を生じる変位要
素と，前記変位要素の変位にかかわらず固定状態を維持するように前記固
定要素上に形成された第１の固定電極，第２の固定電極，第３の固定電極，
第４の固定電極と，前記変位要素の変位とともに変位するように前記変位
要素上に形成された第１の変位電極，第２の変位電極，第３の変位電極，
第４の変位電極と，を備え，前記第１の固定電極と前記第１の変位電極と
は互いに対向する位置に配置され，前記第１の固定電極と前記第１の変位
電極とによって第１の容量素子が形成され，前記第２の固定電極と前記第
２の変位電極とは互いに対向する位置に配置され，前記第２の固定電極と
前記第２の変位電極とによって第２の容量素子が形成され，前記第３の固
定電極と前記第３の変位電極とは互いに対向する位置に配置され，前記第
３の固定電極と前記第３の変位電極とによって第３の容量素子が形成され，
前記第４の固定電極と前記第４の変位電極とは互いに対向する位置に配置
され，前記第４の固定電極と前記第４の変位電極とによって第４の容量素
子が形成され，かつ，前記変位要素が前記第１の軸の正方向に変位した場
合，前記第１の容量素子の電極間距離が減少するとともに前記第２の容量
素子の電極間距離が増加し，前記変位要素が前記第１の軸の負方向に変位
した場合，前記第１の容量素子の電極間距離が増加するとともに前記第２
の容量素子の電極間距離が減少し，前記変位要素が前記第２の軸の正方向
に変位した場合，前記第３の容量素子の電極間距離が減少するとともに前
記第４の容量素子の電極間距離が増加し，前記変位要素が前記第２の軸の
負方向に変位した場合，前記第３の容量素子の電極間距離が増加するとと
もに前記第４の容量素子の電極間距離が減少するように，前記各固定電極
および前記各変位電極が配置されており，前記第１の容量素子の容量値と
前記第２の容量素子の容量値との差を，前記第１の軸方向に作用した力方
向成分を示す検出信号として出力し，前記第３の容量素子の容量値と前記
第４の容量素子の容量値との差を，前記第２の軸方向に作用した力方向成
分を示す検出信号として出力する検出回路を更に備え」た「力検出装置」
である点。
イ相違点
本件訂正発明１では「前記固定要素および前記変位要素がシリコンによ
り構成されており，前記第１の固定電極，前記第２の固定電極，前記第３
の固定電極，前記第４の固定電極，前記第１の変位電極，前記第２の変位
電極，前記第３の変位電極，前記第４の変位電極が，不純物を含むシリコ
ンにより構成されている」のに対し，引用発明ではこのような構成を備え
ていない点。
第３取消事由に関する原告の主張
審決には，①特許法４４条１項柱書きの充足性の有無に関する判断の誤り
（取消事由１），②引用発明の認定及び一致点の認定の誤り（取消事由２），
③相違点の容易想到性の判断の誤り（取消事由３）があるから，取り消される
べきである。
１取消事由１（特許法４４条１項柱書きの充足性の有無に関する判断の誤り）
について
審決は，下記に要約した理由により本件出願が分割要件に違反すると判断し
たが，その判断は誤りである（以下，原告が要約した審決の①ないし④の各判
断部分を「審決の判断１」などという。）。
①「変位要素」という用語は，本件原出願当初明細書には記載されていな
い。
②「固定された部分に対して『可撓性部分を介して接続され』・・る変位
要素」は，本件原出願頭書明細書には記載されていない。
③上記変位要素が，「第１の軸方向，第２の軸方向に変位を生じること」
は，本件原出願頭書明細書には記載されていない。
④変位要素が前記第１の軸方向又は前記第２の軸方向のみに変位し，電極
間距離が増加又は減少して容量値が変化する力検出装置の発明は，本件原
出願頭書明細書に記載されていない。
(1)審決の判断１，２の誤り
ア本件原出願当初明細書に記載されていない「変位要素」を，請求項に記
載したからといって発明の変更となるものではない。
本件明細書における，「固定された部分に対して『可撓性部分を介して
接続され』・・る変位要素」との記載は，本件原出願当初明細書の記載か
らみて，自明な事項を書き換えたものといえる。すなわち，本件原出願当
初明細書において，「装置筐体４０」，「可撓基板２０＋作用体３０」と
記載されている部分について，「装置筐体」を「固定された部分」に，
「可撓基板の中心部分＋作用体」を「変位要素」に，それぞれ書き換える
ことは，発明の変更に当たらない。本件原出願当初明細書からみて，「固
定された部分」と「変位要素」が可撓性部分によって接続していることは
明らかである。
イ「固定された部分に対して『可撓性部分を介して接続され』・・る変位
要素」は，本件訂正発明１の本質ないしは実体に実質的な変動を生じさせ
るものではない。すなわち，本件訂正発明１は，温度補償が不要でかつ安
価に供給し得る検出装置を提供するという課題を解決するために，①一方
が固定され，他方が変位する一対の対向電極からなる容量素子を２組設け
る，②検出対象となる所定方向の力が作用したときに，上記２組の容量
素子の電極間隔が相補的な変化を生じるような構成とする（一方の電極
間隔が狭くなったら，他方の電極間隔が広くなるような構成とする），
③２組の容量素子の静電容量値の差を電気的に検出し，検出対象となる力
の大きさとして出力する，という構成を採用した点に発明の本質的な特徴
がある。この技術的思想を前提とすると，「装置筐体４０」，「可撓基板
２０＋作用体３０」と記載した部分について，「装置筐体４０」を「固定
された部分」と書き換え，「可撓基板の中心部分＋作用体」を「変位要
素」と書き換え，これによって「固定された部分に対して可撓性部分
を介して接続され・・る変位要素」に書き換えたとしても，発明の本
質ないし実体を変更したことにならない。
審決の判断３の誤り(2)
変位要素が，「第１の軸方向，第２の軸方向に変位を生じること」は，本
件原出願当初明細書の記載からみて自明であり，原出願に記載されているに
等しい事項である。すなわち，本件原出願当初出願明細書添付の第１図及び
第４図を検討すれば，変位要素が第１の軸方向若しくは第２の軸方向に変位
することは当業者にとって自明である。
(3)審決の判断４の誤り
上記(2)のとおり，変位要素が第１の軸方向若しくは第２の軸方向に変位
することは本件原出願当初明細書に記載されているから，変位要素が前記第
１の軸方向又は前記第２の軸方向に変位し，電極間距離が増加又は減少して
容量値が変化する力検出装置の発明が，本件原出願当初明細書に記載されて
いると認められる。そして，本件原出願当初明細書には，変位電極と固定電
極の配置構造については，単に「対向面に形成された」とあり，この変位
電極が形成された可撓基板と固定電極が形成された固定基板の配置構造に
ついても，単に「対向する」と記載されているだけであって，その変位方
向については格別限定はない。
２取消事由２（引用発明の認定及び一致点の認定の誤り）について
審決は，引用発明は，矩形波電圧ＶとＶとの差に応じた直流出力によりＸＡＸＢ
復帰電力を生じさせているとしても，同時に，静電容量の差を所定軸方向に作
用した力として検出していると認定した上で，本件訂正発明１と引用発明とは，
「前記第１の容量素子の容量値と前記第２の容量素子の容量値との差を，前記
第１の軸方向に作用した力方向成分を示す検出信号として出力し，前記第３の
容量素子の容量値と前記第４の容量素子の容量値との差を，前記第２の軸方向
に作用した力方向成分を示す検出信号として出力する検出回路を備えた」との
点で一致すると認定した。
しかし，以下のとおりの理由により，審決の上記認定には誤りがある。
引用発明における加速度の検出原理は，「常にマグネット６を中立位置に維
持させるように，フォースコイルに復帰電流を流すような制御を行い，中立維
持に必要とされた復帰電流の大きさによって，作用した加速度の大きさを判定
する」とするものである。大きな加速度が作用すると，当該加速度によって
マグネット６を変位させようとする大きな力が加わることになるので，中立
位置に維持させるために，大きな復帰電流が必要になり，中立維持に必要な
復帰電流の大きさ（図５の回路の電圧Ｖに対応）を検出することにより，作Ｘ
用した加速度の大きさを検出するという原理を応用している。これに対し，本
件訂正発明１における加速度の検出原理は，検出回路は，変位要素の変位の大
きさを一対の容量素子の静電容量の差として捉え，これを検出軸方向に作用
した力方向成分を示す検出信号として出力するものである。したがって，両
者は，加速度の検出原理において相違する。
３取消事由３（相違点の容易想到性の判断の誤り）について
審決は，本件訂正発明１と引用発明との相違点に関し，センサにおいて基板
にシリコンを用いることは周知であること（甲３），シリコンに不純物を導入
することによって導電性を高めることは周知であること（甲４）から，引用発
明における「回路板１５等の固定された部分」及び「可動プレート１３を構
成する環状のフランジ等の変位する部分」にシリコンを用い，導電性を高め
る必要のある電極を不純物を含むシリコンとして，本件訂正発明１の構成と
することは当業者が適宜行い得ると判断した。
しかし，以下のとおりの理由により，審決の上記判断は誤りである。
(1)甲３の加速度センサにおける「振子構造」は，本件訂正発明１の「作用
体３０」に対応する部分であるから，甲３は，せいぜい，本件訂正発明１に
おける「作用体３０」にシリコンを用いることが周知であることを示してい
るにすぎない。
(2)一般に，シリコンは半導体部品等において用いられる素材であり，甲４
にも開示されているように，結晶性ウエハを微細機械加工して形成されるも
のであるため，シリコンが適用される部材は基本的には平面状である。しか
し，引用発明の装置は，平面構造を採用したものではなく，シリコンを加
工して引用発明の装置を形成するのは極めて困難であるから，当業者が容
易に想到し得たということはできない。
本件訂正発明１は，温度補償を行なうことなく，力，加速度，磁気など(3)
の物理量を検出することができる検出装置を安価に実現し得るようになると
いう予測できない顕著で有利な効果をもたらすから，引用発明から本件訂正
発明１を容易に想到することはできない。
第４被告の反論
審決の認定判断はいずれも正当であって，審決を取り消すべき理由はない。
１取消事由１（特許法４４条１項柱書きの充足性の有無に関する判断の誤り）
について
本件原出願当初明細書には，一貫して可撓基板を用いることのみが記載され
ていたのであり，固定された部分に対して「可撓性部分を介して接続され」，
第１の軸方向，第２の軸方向に変位を生じる「変位要素」を用いることは記載
されていない。
本件原出願当初明細書の第４図に基づいて原告の作成した模式図は原出願に
最初に添付した図面には存在しないものである。固定された部分に対して「可
撓性部分を介して接続され」，第１の軸方向，第２の軸方向に変位を生じる
「変位要素」を用いることは，上記第４図に基づいて原告の作成した模式図に
よって初めて示される技術事項である。
したがって，原告の主張は，本件原出願当初明細書の記載に基づくものでは
なく，失当である。
２取消事由２（引用発明の認定及び一致点の認定の誤り）について
(1)本件訂正発明１の検出回路と刊行物２に記載された回路とが「一対の容
量素子の容量値の差を求める」点で共通することは，原告も認めている。と
ころで，刊行物２には，「本発明によれば，３軸の加速度計が提供される。
この加速度計は，ハウジングと，加えられた力に応答して３つの測定軸に対
して変位可能なようにそのハウジング内に取り付けられたマグネットと，マ
グネットの変位を検知し，３つの測定軸のそれぞれに沿って加えられた力の
成分に比例する出力信号を提供する検知手段とを含む。」（原文１欄３２∼
４０行），「図３を再び参照して，・・・横方向のマグネット６の移動は，
可動プレート１３とそれに対向するプレート部分１９および２１（もしくは，
１８および２０）との間の差動静電容量に変化を生じさせる。」（原文３欄
１５∼３３行）等の記載がされており，上記の容量値の差の信号は，軸方向
に作用した力方向成分を示す信号であるということができる。
(2)原告は，本件訂正発明１の検出回路では，「ある時点における一対の容
量素子の容量値の差がそのまま，当該時点で作用している力の検出値を示
す」のに対して，引用発明の回路では，「ある時点における一対の容量素子
の容量値の差は，当該時点の制御誤差を示すものであって，当該時点で作用
している力の検出値を示すものではない点で相違するとも主張する。しかし，
本件訂正発明１は，前記第１の容量素子の容量値と前記第２の容量素子の容
量値との差を，前記第１の軸方向に作用した力方向成分を示す検出信号とし
て出力し，前記第３の容量素子の容量値と前記第４の容量素子の容量値との
差を，前記第２の軸方向に作用した力方向成分を示す検出信号として出力す
る検出回路を更に備え，と記載され，「そのまま」と記載されていない。し
たがって，原告の主張は，本件訂正後の請求項１の記載に基づくものではな
い。
３取消事由３（相違点の容易想到性の判断の誤り）について
加速度センサなどの分野で「導電性を高める必要のある電極を不純物を含む
シリコン」とすることは，周知技術である（甲４，原告も認めている。）。
そうすると，引用発明にこのような加速度センサなどの分野における周知技
術を適用してシリコンを用い，導電性を高める必要のある部分を不純物を含む
シリコンとすることが格別困難なものであるということはできない。
原告は，本件訂正発明１の効果について，「温度補償を行うことなく，力，
加速度，磁気などの物理量を検出することができる検出装置を安価に実現しう
るようになる。」という予測できない顕著で有利な効果であると主張する。し
かし，このような効果は引用発明及び周知の技術手段が奏する効果でもあり，
格別のものであるということはできない。
第５当裁判所の判断
１取消事由１（特許法４４条１項柱書きの充足性の有無に関する判断の誤り）
について
(1)本件原出願当初明細書の記載
ア本件原出願当初明細書（甲１）の特許請求の範囲には，以下の記載があ
る。
「（１）装置筐体に固定される固定部と，外部からの力が伝達される作用
部と，前記固定部と前記作用部との間に形成され可撓性をもった可撓部と，
を有する可撓基板と，前記可撓基板に対向するように，装置筐体に固定さ
れた固定基板と，外部からの力を受け，この力を前記可撓基板の前記作用
部に伝達する作用体と，前記可撓基板の前記固定基板に対する対向面に形
成された変位電極と，前記固定基板の前記可撓基板に対する対向面に形成
された固定電極と，を備え，前記変位電極と前記固定電極との間に生じる
静電容量の変化に基づいて，前記作用体に作用した力を険出することを特
徴とする力検出装置。・・・
（４）請求項１∼３のいずれかに記載の力検出装置において，固定基板，
可撓基板，補助基板，の順にそれぞれが対向して並ぶように，更に補助基
板を設け，前記可撓基板の前記補助基板に対する対向面に第１補助電極を
形成し，前記補助基板の前記可撓基板に対する対向面に第２補助電極を形
成し，前記第１補助電極と前記第２補助電極との間あるいは変位電極と固
定電極との間に所定の電圧を印加し，両者間に作用するクーロン力によっ
て前記可撓基板に変位を生じさせ，外部から力が作用したのと等価な状態
におくことができるようにしたことを特徴とする力検出装置。
（５）請求項４に記載の力検出装置において，可撓基板を導電性材料で構
成し，第１補助電極と変位電極とが，この導電性の可撓基板の一部分によ
り形成されていることを特徴とする力検出装置。
（６）装置筐体に固定される固定部と，外部からの力が伝達される作用部
と，前記固定部と前記作用部との間に形成され可撓性をもった可撓部と，
を有する可撓基板と，前記可撓基板に対向するように，装置筐体に固定さ
れた固定基板と，外部からの力を受け，この力を前記可撓基板の前記作用
部に伝達する作用体と，前記可撓基板の前記固定基板に対する対向面に形
成された変位電極と，前記固定基板の前記可撓基板に対する対向面に形成
された固定電極と，前記変位電極と前記固定電極との間に挟まれるように
形成され，前記両電極によって加わる圧力を電気信号に変換して前記両電
極に出力する圧電素子と，を備え，前記作用体に作用した力を前記圧電素
子から出力される電気信号によって検出することを特徴とする力検出装
置。」
イ本件原出願当初明細書（甲１）の発明の詳細な説明欄には，以下の記載
がある。
(ア)「〔発明が解決しようとする課題〕一般に，ゲージ抵抗やピエゾ抵
抗係数には温度依存性があるため，上述した検出装置では，使用する環
境の温度に変動が生じると検出値が誤差を含むようになる。したがって，
正確な測定を行うためには，温度補償を行う必要がある。特に，自動車
などの分野で用いる場合，−４０Ｃ∼＋１２０℃というかなり広い動°
作温度範囲について温度補償が必要になる。
また，上述した検出装置を製造するには，半導体基板を処理する高度
なプロセスが必要になり，イオン注入装置などの高価な装置も必要にな
る。このため，製造コストが高くなるという問題がある。
そこで本発明は，温度補償を行うことなく，力，加速度，磁気などの
物理量を検出することができ，しかも安価に供給しうる検出装置を提供
することを目的とする。」（３頁左上欄３∼２０行）
(イ)「（１）本願第１の発明による力検出装置では，外部からの力が作
用体に加わると，可撓基板が撓み，変位電極と固定電極との間の距離が
変わることになる。したがって，両電極間の静電容量が変化する。この
静電容量の変化は，外部から加えられた力に依存したものであり，静電
容量の変化を検出することにより力の検出が可能になる。・・・（４）
本願第４の発明による力検出装置では，各電極の間に所定の電圧を印加
すると，両者間に作用するクーロン力によって可撓基板に変位を生じさ
せることができる。すなわち，外部からのカが作用したのと等価な状態
におくことができる。このような状態をつくり出すことができれば，装
置が正常に動作するか否がを試験することが容易になる。（５）本願第
５の発明による力検出装置では，第１補助電極と変位電極とが，可撓基
板の一部により形成される。したがって，可撓基板上には，特にあらた
めて電極を形成する工程は必要はなく，構造が単純になるとともに製造
コストを低下させることができる。（６）本願第６の発明による力検出
装置では，外部からの力が作用体に加わると，可撓基板が撓み，変位電
極と固定電極とによって挾まれた圧電素子に圧力が加わることになる。
この圧力は電気信号として出力されるので，外方をそのまま電気信号と
して検出することが可能になる。」（４頁右上欄１１行∼５頁左上欄２
行）
(ウ)「この装置の主たる構成要素は，固定基板１０，可撓基板２０，作
用体３０，そして装置筐体４０である。・・・第３図に，可撓基板２０
の上面図を示す。第３図の可撓基板２０をＸ軸に沿って切断した断面が
第１図に示されている。可撓基板２０も，図示のとおり円盤状の基板で
あり，周囲は装置筐体４０に固定されている。この上面には，四分円盤
状の変位電極２１∼２４が形成されている。作用体３０は，その上面が
第３図に破線で示されているように，円柱状をしており，可撓基板２０
の下面に，同軸接合されている。装置筐体４０は，円筒状をしており，
固定基板１０および可撓基板２０の周囲を固着支持している。
固定基板１０および可撓基板２０は，互いに平行な位置に所定間隔を
おいて配設されている。いずれも円盤状の基板であるが，固定基板１０
は剛性が高く撓みを生じにくい基板であるのに対し，可撓基板２０は可
撓性をもち，力が加わると撓みを生じる基板となっている。いま，第１
図に示すように，作用体３０の重心に作用点Ｐを定義し，この作用点Ｐ
を原点とするＸＹＺ三次元座標系を図のように定義する。すなわち，第
１図の右方向にＸ軸，上方向にＺ軸，紙面に対して垂直に紙面裏側へ向
かう方向にＹ軸，をそれぞれ定義する。
ここで，この装置全体をたとえば自動車に搭載したとすると，自動車
の走行に基づき作用体３０に加速度が加わることになる。この加速度に
より，作用点Ｐに外力が作用する。作用点Ｐに力が作用していない状態
では，第１図に示すように，固定電極１１と変位電極２１∼２４とは所
定間隔をおいて平行な状態を保っている。ところが，たとえば，作用点
ＰにＸ軸方向の力Ｆｘが作用すると，この力Ｆｘは可撓基板２０に対し
てモーメント力を生じさせ，第４図に示すように，可撓基板２０に撓み
が生じることになる。この撓みにより，変位電極２１と固定電極１１と
の間隔は大きくなるが，変位電極２３と固定電極１１との間隔は小さく
なる。作用点Ｐに作用した力が逆向きの−Ｆｘであったとすると，これ
と逆の関係の撓みが生じることになる。一方，Ｙ方向の力Ｆｙまたは−
Ｆｙが作用した場合は，変位電極２２と固定電極１１との間隔，および
変位電極２４と固定電極１１との間隔，について同様の変化が生じる。
また，Ｚ軸方向の力Ｆｚが作用した場合は，第５図に示すように，変位
電極２１∼２４のすべてが固定電極１１に接近することになり，逆向き
の力−Ｆｚが作用した場合は，変位電極２１∼２４のすべてが固定電極
１１から遠ざかるようになる。」（５頁左上欄１９行∼右下欄１３行）
(エ)「各部の材質を示す実施例続いて，上述した力検出装置を構成す
る各部の材質について説明する。上述した原理による検出を行うために，
材質の面では次のような条件を満たせばよい。
（１）各電極が導電性の材質からなること。
（２）各局在電極は電気的に互いに絶縁されていること。
（３）可撓基板は可撓性をもった材質からなること。
このような条件を満足する限り，どのような材質を用いてもかまわな
いが，ここでは，実用的な材質を用いた好ましい実施例をいくつか述べ
ることにする。」（７頁右上欄７∼２０行）
(オ)「第８図に示す実施例は，固定基板１０ａ，可撓基板２０ａ，作用
体３０ａ，のすべてに金属を使用した例である。可撓基板２０ａと作用
体３０ａとは一体に形成されている。もちろん，これらを別々に作った
後，互いに接合するようにしてもよい。装置筐体４０は，たとえば，金
属やプラスチックなどで形成され，内面に形成された支持溝４１に各基
板の周囲を嵌合させて固着支持している。固定基板１０ａ自身がそのま
ま固定電極１１として機能するため，固定電極１１を別個に形成する必
要はない。変位電極２１ａ∼２４ａは，可撓基板２０ａが金属であるた
め，その上に直接形成することはできない。そこで，ガラスやセラミッ
クといった材質による絶縁層２５ａを介して，変位電極２１ａ∼２４ａ
を可撓基板２０ａ上に形成している。なお，可撓基板２０ａに可撓性を
もたせるためには，その厚みを小さくしたり，波状にして変形しやすく
すればよい。」（７頁左下欄１∼１８行）
(カ)「第９図に示す実施例は，固定基板１０ｂ，可撓基板２０ｂ，作用
体３０ｂ，のすべてにガラスやセラミックといった絶縁体を使用した例
である。可撓基板２０ｂと作用体３０ｂとは一体に形成されている。装
置筐体４０は，金属またはプラスチックで形成され，内面に形成された
支持溝４１に各基板の周囲を嵌合させて固着支持している。固定基板１
０ｂの下面には，金属からなる固定電極１１ｂが形成され，可撓基板２
０ｂの上面には，金属からなる変位電極２１ｂ∼２４ｂが形成されてい
る。可撓基板２０ｂに可撓性をもたせるためには，その厚みを小さくし
てもよいし，ガラスやセラミックの代わりに可撓性をもった合成樹脂を
用いるようにすればよい。あるいは，部分的に貫通孔を設けることによ
り変形しやすくしてもよい。」（７頁左下欄１９行∼右下欄１３行）
(キ)「第１０図に示す実施例は，固定基板１０ｃ，可撓基板２０ｃ，作
用体３０ｃ，のすべてにシリコンなどの半導体を使用した例である。可
撓基板２０ｃと作用体３０ｃとは一体に形成されている。装置筐体４０
は，金属またはプラスチックで形成され，内面に形成された支持溝４１
に各基板の周囲を嵌合させて固着支持している。固定基板１０ｃの下面
内部に位置する固定電極１１ｃ，および可撓基板２０ｃの上面内部に位
置する変位電極２１ｃ∼２４ｃは，不純物を高濃度で拡散することによ
り形成されたものである。可撓基板２０ｃに可撓性をもたせるためには，
やはりその厚みを小さくしたり部分的に貫通孔を設ければよい。」（７
頁右下欄１４行∼８頁左上欄７行）
(ク)「ここで述べる実施例では，三軸方向成分を，全く独立した専用電
極によって検出している。第１１図に，この実施例で用いる可撓基板２
０ｄの上面図を示す。第３図に示す基本的な実施例における可撓基板２
０と比べ，局在電極の形成パターンかやや複雑であり，合計で８枚の局
在電極が形成されている。この８枚の局在電極は，基本的にはやはり４
つのグループに分類される。第１のグループに属する局在電極は，Ｘ軸
の負方向に配された電極２１ｄと２１ｅであり，第２のグループに属す
る局在電極は，Ｙ軸の正方向に配された電極２２ｄと２２ｅであり，第
３のグループに属する局在電極は，Ｘ軸の正方向に配された電極２３ｄ
と２３ｅであり，第４のグループに属する局在電極は，Ｙ軸の負方向に
配された電極２４ｄと２４ｅである。」（８頁左上欄１８行∼右上欄１
３行）
(ケ)「第１４図は，このテスト機能をもった実施例に係る加速度検出装
置の構造を示す側断面図である。この装置の主たる構成要素は，固定基
板６０，可撓基板７０，作用体７５，補助基板８０，そして装置筐体４
０である。・・・可撓基板７０は，可撓性をもった金属製の円盤であり，
周囲はやはり装置筐体４０に固定されている。この可撓基板７０の下面
には，円柱状をした作用体７５が同軸接合されている。可撓基板７０の
上面は，固定電極６１∼６４に対向する１枚の変位電極を構成している。
・・・このように，可撓基板７０は，作用体７５と一体に形成された金
属塊であるが，その上面は，固定電極６１∼６４に対向する１枚の変位
電極として作用し，その下面は，補助電極８１∼８４に対向する１枚の
補助電極として作用する。」（９頁右上欄１６行∼９頁右下欄１０行）
(コ)「第１８図に示す実施例は，圧電素子を利用することにより，この
ような処理回路を不要にしたものである。この実施例の装置の基本的構
成は，前述した種々の実施例と共通している。すなわち，固定基板１０
ｆと可撓基板２０ｆとが対向して装置筐体４０内に取り付けられている。
この実施例では，両基板とも絶縁体となっているが，金属や半導体で構
成してもよい。作用体３０ｆに外力が作用すると，可撓基板２Ｏｆが撓
むことになり，この結果，固定電極１１ｆ，１２ｆとこれに対向する変
動電極２１ｆ，２２ｆとの距離が変化する。前述の実施例では，両電極
間距離の変化を静電容量の変化として検出していたが，本実施例ではこ
れを電圧値として検出できる。そのために，固定電極１１ｆ，１２ｆと
変動電極２１ｆ，２２ｆとの間に挟むように，圧電素子１０１，１０２
を形成している。両電極間距離が縮めば圧縮力が，伸びれば引張力が，
それぞれ圧電素子１０１，１０２に作用するので，圧電効果によってそ
れぞれに応じた電圧が発生される。この電圧は，画電極からそのまま取
り出すことができるので，結局，作用した外力を直接電圧値として出力
することが可能になる。」（１０頁左下欄１８行∼１０頁右下欄２０
行）
(2)本件訂正明細書の記載
アこれに対して，本件訂正明細書の特許請求の範囲（請求項１）は，第２
のとおりである。このうち，以下の記載部分がある。
「【請求項１】互いに直交する第１の軸および第２の軸を定義し，前記第
１の軸方向に作用した力および前記第２の軸方向に作用した力をそれぞれ
独立して検出する機能をもった力検出装置であって，
装置筐体に対して変位が生じないように固定された固定要素と，
前記固定要素に可撓性部分を介して接続され，外部から作用した前記第１
の軸方向の力もしくは前記第２の軸方向の力に基いて，前記可撓性部分が
撓みを生じることにより，前記固定要素に対して前記第１の軸方向もしく
は前記第２の軸方向に変位を生じる変位要素と，・・・」
イまた，本件訂正明細書の発明の詳細な説明欄には，以下の記載がある。
(ア)「【０００８】【課題を解決するための手段】本発明の第１の態(1)
様は，互いに直交する第１の軸および第２の軸を定義し，第１の軸方向
に作用した力および第２の軸方向に作用した力をそれぞれ独立して検出
する機能をもった力検出装置において，装置筐体に対して変位が生じな
いように固定された固定要素と，この固定要素に可撓性部分を介して接
続され，外部から作用した第１の軸方向の力もしくは第２の軸方向の力
に基いて，可撓性部分が撓みを生じることにより，固定要素に対して第
１の軸方向もしくは第２の軸方向に変位を生じる変位要素と，・・・」
(イ)「【００１６】１．本発明の基本的な実施形態図１は，本発明§
に係る力検出装置を，加速度検出装置として用いた基本的な実施形態の
構造を示す側断面図である。この装置の主たる構成要素は，固定基板１
０，変位基板２０，作用体３０，そして装置筐体４０である。・・・一
方，図２に，変位基板２０の上面図を示す。図２の変位基板２(b)(b)
０をＸ軸に沿って切断した断面が図１に示されている。変位基板２０も，
図示のとおり円盤状の基板であり，周囲は装置筐体４０に固定されてい
る。この上面には，四分円盤状の変位電極２１∼２４が形成されている。
作用体３０は，その上面が図２に破線で示されているように，円柱(b)
状をしており，変位基板２０の下面に，同軸接合されている。装置筐体
４０は，円筒状をしており，固定基板１０および変位基板２０の周囲を
固着支持している。」
(ウ)「【００１７】固定基板１０および変位基板２０は，互いに平行な
位置に所定間隔をおいて配設されている。いずれも円盤状の基板である
が，固定基板１０は剛性が高く撓みを生じにくい基板であるのに対し，
変位基板２０は可撓性をもち，力が加わると撓みを生じる基板となって
いる。結局，固定基板１０は装置筐体４０に固定された固定要素として
機能するのに対し，変位基板２０はこの固定要素に対して可撓性部分を
介して接続されており，変位基板２０の中央部分は作用体３０とともに
変位要素（固定要素に対して相対的な変位を生じる要素）として機能す
ることになる。いま，図１に示すように，作用体３０の重心に作用点Ｐ
を定義し，この作用点Ｐを原点とするＸＹＺ三次元座標系を図のように
定義する。すなわち，図１の右方向にＸ軸，上方向にＺ軸，紙面に対し
て垂直に紙面裏側へ向かう方向にＹ軸，をそれぞれ定義する。すると，
変位要素は，Ｘ，Ｙ，Ｚの各軸方向に変位可能な状態で，固定要素に対
して接続されていることになる。
(エ)「【００１８】ここで，この装置全体をたとえば自動車に搭載した
とすると，自動車の走行に基づき作用体３０に加速度が加わることにな
る。この加速度により，作用点Ｐに外力が作用する。作用点Ｐに力が作
用していない状態では，図１に示すように，固定電極１１と変位電極２
１∼２４とは所定間隔をおいて平行な状態を保っている。ところが，た
とえば，作用点ＰにＸ軸方向の力Ｆｘが作用すると，この力Ｆｘは変位
基板２０に対してモーメント力を生じさせ，図３に示すように，変位基
板２０に撓みが生じることになる。この撓みにより，変位電極２１と固
定電極１１との間隔は大きくなるが，変位電極２３と固定電極１１との
間隔は小さくなる。作用点Ｐに作用した力が逆向きの−Ｆｘであったと
すると，これと逆の関係の撓みが生じることになる。一方，Ｙ方向の力
Ｆｙまたは−Ｆｙが作用した場合は，変位電極２２と固定電極１１との
間隔，および変位電極２４と固定電極１１との間隔，について同様の変
化が生じる。また，Ｚ軸方向の力Ｆｚが作用した場合は，図４に示すよ
うに，変位電極２１∼２４のすべてが固定電極１１に接近することにな
り，逆向きの力−Ｆｚが作用した場合は，変位電極２１∼２４のすべて
が固定電極１１から遠ざかるようになる。」
(オ)「【００２５】２．各部の材質を示す実施形態続いて，上述し§
た加速度検出装置を構成する各部の材質について説明する。上述した原
理による検出を行うために，材質の面では次のような条件を満たせばよ
い。
各電極が導電性の材質からなること。(1)
各局在電極は電気的に互いに絶縁されていること。(2)
変位基板が作用体に作用した外力に基づいて変位しうること。」(3)
(カ)「【００２７】図７に示す実施形態は，固定基板１０ａ，変位基板
２０ａ，作用体３０ａ，のすべてに金属を使用した例である。変位基板
２０ａと作用体３０ａとは一体に形成されている。もちろん，これらを
別々に作った後，互いに接合するようにしてもよい。装置筐体４０は，
たとえば，金属やプラスチックなどで形成され，内面に形成された支持
溝４１に各基板の周囲を嵌合させて固着支持している。固定基板１０ａ
自身がそのまま固定電極１１として機能するため，固定電極１１を別個
に形成する必要はない。変位電極２１ａ∼２４ａは，変位基板２０ａが
金属であるため，その上に直接形成することはできない。そこで，ガラ
スやセラミックといった材質による絶縁層２５ａを介して，変位電極２
１ａ∼２４ａを変位基板２０ａ上に形成している。なお，変位基板２０
ａに可撓性をもたせるためには，その厚みを小さくしたり，波状にして
変形しやすくすればよい。」
(キ)「【００２８】図８に示す実施形態は，固定基板１０ｂ，変位基板
２０ｂ，作用体３０ｂ，のすべてにガラスやセラミックといった絶縁体
を使用した例である。変位基板２０ｂと作用体３０ｂとは一体に形成さ
れている。装置筐体４０は，金属またはプラスチックで形成され，内面
に形成された支持溝４１に各基板の周囲を嵌合させて固着支持している。
固定基板１０ｂの下面には，金属からなる固定電極１１ｂが形成され，
変位基板２０ｂの上面には，金属からなる変位電極２１ｂ∼２４ｂが形
成されている。変位基板２０ｂに可撓性をもたせるためには，その厚み
を小さくしてもよいし，ガラスやセラミックの代わりに可撓性をもった
合成樹脂を用いるようにすればよい。あるいは，部分的に貫通孔を設け
ることにより変形しやすくしてもよい。」
(ク)「【００２９】図９に示す実施形態は，固定基板１０ｃ，変位基板
２０ｃ，作用体３０ｃ，のすべてにシリコンなどの半導体を使用した例
である。変位基板２０ｃと作用体３０ｃとは一体に形成されている。装
置筐体４０は，金属またはプラスチックで形成され，内面に形成された
支持溝４１に各基板の周囲を嵌合させて固着支持している。固定基板１
０ｃの下面内部に位置する固定電極１１ｃ，および変位基板２０ｃの上
面内部に位置する変位電極２１ｃ∼２４ｃは，不純物を高濃度で拡散す
ることにより形成されたものである。変位基板２０ｃに可撓性をもたせ
るためには，やはりその厚みを小さくしたり部分的に貫通孔を設ければ
よい。」
(ケ)「【００３１】３．三軸方向成分を独立した電極で検出する実施§
形態・・・ここで述べる実施形態では，三軸方向成分を，全く独立した
専用電極によって検出している。図１０に，この実施形態で用いる変位
基板２０ｄの上面図を示す。図２に示す基本的な実施形態における(b)
変位基板２０と比べ，局在電極の形成パターンがやや複雑であり，合計
で８枚の局在電極が形成されている。この８枚の局在電極は，基本的に
はやはり４つのグループに分類される。第１のグループに属する局在電
極は，Ｘ軸の負方向に配された電極２１ｄと２１ｅであり，第２のグル
ープに属する局在電極は，Ｙ軸の正方向に配された電極２２ｄと２２ｅ
であり，第３のグループに属する局在電極は，Ｘ軸の正方向に配された
電極２３ｄと２３ｅであり，第４のグループに属する局在電極は，Ｙ軸
の負方向に配された電極２４ｄと２４ｅである。」
(コ)「【００３３】以上，説明の便宜上，電極２１ｅ∼２４ｅをそれぞ
れ独立した電極で構成した例を示したが，実際には図１１の回路図から
明らかなように，電極２１ｅ∼２４ｅで構成される容量素子は並列接続
される。したがって，これら４枚の電極は可撓基盤２０ｄ上で一体形成
してもよい。」
(3)取消事由１（特許法４４条１項柱書きの充足性の有無）について
以上の各明細書の記載を前提として，本件訂正発明１が，特許法４４条１
項所定の「二以上の発明を包含する特許出願の一部を一又は二以上の新たな
特許出願」としたものに該当するか否かについて検討する。
ア審決の判断１，２について
(ア)前記(2)で認定した本件訂正明細書によれば，本件訂正発明１の
「変位要素」は，①固定要素に対して可撓性部分を介して接続されてい
ること，②固定要素に対して相対的な変位を生じるものであること，③
Ｘ，Ｙの各軸方向に変位可能なものであること，④詳細な説明中の「変
位基板２０の中央部分と作用体３０」が「変位要素」の実施例の１つに
当たることが記載されている。そうすると，本件訂正発明１の「変位要
素」とは，「変位基板２０の中央部分と作用体３０」に限定されるもの
ではなく，「固定要素に対して相対的な変位を生じるもの」一般を指す
ものと理解するのが相当である。
これに対して，前記(1)で認定した本件原出願当初明細書の記載によ
ると，「変位要素」という用語は記載がないのみならず，固定要素に対
して相対的な変位を生じるものについて，何ら開示がないというべきで
ある。
したがって，本件訂正発明１の「変位要素」は，本件原出願当初明細
書に記載されているということはできず，本件原出願当初明細書に記載
された事項から自明であるということもできない。
(イ)この点について，原告は，本件訂正発明１の「変位要素」とは，本
件原出願当初明細書においては「可撓基板の中心部分＋作用体」を書き
換えたものであり，本件原出願当初明細書の記載によれば，「固定され
た部分」と「変位要素」が，「撓んでいる部分」によって接続されてい
ることは自明であるから，本件訂正発明１における「固定された部分に
対して可撓性部分を介して接続される変位要素」は，本件原出願当初明
細書の記載からみて自明な事項であると主張する。
しかし，①本件原出願当初明細書の第４図によれば，「固定基板」に
対して変位を生じる部分は，「作用体及び可撓基板の中心部」だけでは
なく，変位電極が形成されている部分全体であって，可撓性部分を含む
ことは，明らかであること，また，②本件原出願当初明細書の記載全体
をみても，「作用体及び可撓基板の中心部」のみが変位することを窺わ
せる記載はない。したがって，本件原出願当初明細書における「作用体
及び可撓基板の中心部」が，「固定基板」に対して「可撓性部分」を介
して接続される「変位要素」であると，当業者であれば認識できるほど
に自明であるとはいえない（のみならず，正しい認識であるともいえな
い。）。
イ審決の判断３，４について
(ア)前記(1)で認定した本件原出願当初明細書の記載によると，「可撓
基板」は，「装置筐体４０」に固定されているから，固定基板に対して，
Ｘ方向又はＹ方向に変位することはないのであって，Ｆｘ方向の力が作
用したときには，第４図に記載のように，可撓基板に撓みが生じること
で「可撓基板」及び「作用体」は，固定基板に対して変位するものの，
原告が，「変位要素」であると主張する「可撓基板の中心部分と作用
体」は，全体として，Ｆｘ方向に変位しているものとは認められない。
(イ)この点について，原告は，本件原出願当初明細書の第１図及び第４
図を比較すれば，作用体上の各点がＸ方向に変位していると主張する。
しかし，原告の主張は採用できない。すなわち，本件訂正発明の特許
請求の範囲には，「外部から作用した前記第１の軸方向の力もしくは第
２の軸方向の力に基づいて，前記可撓性部分が撓みを生じることにより，
前記固定要素に対して，前記第１の軸方向もしくは前記第２の軸方向に
変位を生じる変位要素」と規定されていることに照らすならば，「第１
または第２の軸方向に作用した力により固定要素に対して「第１または
第２の軸方向変位する」部分は，「変位要素」の各点を指すのではなく，
「変位要素」全体を指すと理解すべきである。しかるに「変位要素」全
体が，Ｆｘ方向の力が作用したときにＦｘ方向に変位するとはいえない
から，原告の主張は，前提において失当である。
したがって，本件原出願当初明細書には，「第１の軸方向または第２
の軸方向に変位する変位要素」が記載されているとはいえない。
以上のとおりであって，審決の判断１ないし４には誤りはない。
ウしたがって，本件原出願当初明細書には，「第１の軸方向または第２の
軸方向に変位する」「変位要素」が記載されているとはいえない。以上の
とおり，審決の判断１ないし４には誤りはない。
２取消事由２（引用発明の認定及び一致点の認定の誤り）について
刊行物２（甲２）の記載(1)
証拠（甲２，１２）によると，刊行物１には次の記載がある。
ア「本発明によれば，３軸の加速度計が提供される。この加速度計は，ハ
ウジングと，加えられた力に応答して３つの測定軸に対して変位可能なよ
うにそのハウジング内に取り付けられたマグネットと，マグネットの変位
を検知し，３つの測定軸のそれぞれに沿って加えられた力の成分に比例す
る出力信号を提供する検知手段とを含む。」（１欄３２∼４０行）
イ「図１を参照して，図示される加速度計１は，導電性のハウジング２を
含む。ハウジング２は，下部ハウジング部分３と上部ハウジング部分４と
から構成されており，ハウジング２とは電気的に絶縁されているケーシン
グ５によって囲まれている。ケーシング５は，磁気的なスクリーニングを
提供するために，ラジオメタルのような軟磁性アロイから作成されている。
サマリウムコバルトの永久マグネット６は，導電性の支持部材７内の円柱
状のボア５０の中に受容されることによってハウジング２内に取り付けら
れている。支持部材７は，中央孔８を介して下部ハウジング部分３の中を
延びている。支持部材７は，ネジ５１によって導電性の円形の支持ダイヤ
フラム９の中央に接続されている。ネジ５１は，ダイヤフラム９を介して
支持部材７の中をネジがきられたボア５２に延びている。支持部材７の軸
方向のマグネット６の移動は，Ｚ測定軸に沿っており，ダイヤフラム９の
平面と垂直な方向にダイヤフラム９が変形することによって許容される。
さらに，支持部材７の軸に対して横方向のマグネット６の移動は，ダイヤ
フラム９に平行な平面内で直交するＸおよびＹ測定軸に沿っており，ダイ
ヤフラム９の中心を軸として支持部材７を回転させるようにダイヤフラム
９が撓むことによって許容される。」（２欄１４∼３９行）
ウ「支持部材７の上部分には，ピックオフキャパシタ１４の可動プレート
１３を構成する環状のフランジが設けられている。キャパシタ１４は，従
来のプリント回路プロセスによって回路板１５の下側に形成された固定さ
れた円状のプレートをさらに含み，ネジ１６によってハウジング固定され
ている。ネジ１６はまた，下部ハウジング部分３と上部ハウジング部分４
とを接続する。図３に示されるように，固定プレート１７は，４つのプレ
ート部分１８，１９，２０，２１を含む。これらのプレート部分は，互い
に電気的に絶縁されており，中央点２２の周りにある共通のプレートに配
置されている。」（２欄４７∼５７行）。
エ「図３を再び参照して，ピックオフキャパシタ１４の４つのプレート部
分１８∼２１をＹＡ，ＸＡ，ＹＢ，ＸＢと表記し，これらのプレート部分
のそれぞれと可動プレート１３との間の静電容量をＣ，Ｃ，Ｃ，ＣＹＡＸＡＹＢ
と表記すると，Ｘ，Ｙ，Ｚ軸に沿ってそれぞれ△Ｘ，△Ｙ，△Ｚ移動すＸＢ
ることにより，その変形に比例して静電容量が変化する。
ＸＡＸＢ△Ｘ∝Ｃ−Ｃ
ＹＡＹＢ△Ｙ∝Ｃ−Ｃ
ＸＡＸＢＹＡＹＢ△Ｚ∝Ｃ＋Ｃ＋Ｃ＋Ｃ
このような軸方向のマグネット６の移動は，可動プレート１３と固定プ
レート１７との間の静電容量を変化させる。横方向のマグネット６の移動
は，可動プレート１３とそれに対向するプレート部分１９および２１（も
しくは，１８および２０）との間の差動静電容量に変化を生じさせる。」
（３欄１５∼３３行）
オ「マグネット６が，可動プレート１３とプレート部分１９との間の間隔
が増加するように中立位置から移動すると，ＣはＣより小さくなり，ＸＡＲＥＦ
Ｖは励起電圧に対して１８０゜位相がずれることになる。逆に，マグＸＡΦ
ネット６が，その間隔が減少するように中立位置から移動すると，ＣはＸＡ
Ｃより大きくなり，Ｖはと同位相になる。出力電圧Ｖ，Ｖ，ＲＥＦＸＡＸＢＹＡΦ
Ｖは，プレート部分２１，１８，２０にそれぞれ関連する同様のピックＹＢ
オフ増幅回路によって供給される。」（３欄５４∼６３行）
カ「増幅器４９は，矩形波電圧ＶとＶとの差に応じた直流出力を発生ＸＡＸＢ
させ，この直流出力は，Ｘ軸フォースコイル３０，３２および電流検出抵
抗５８を流れる復帰電流を生じさせる。フォースコイル３０，３２を流れ
る電流の方向は，マグネット６を中立位置に戻す方向であり，ピックオフ
キャパシタ１４の可動プレート１３がプレート部分１９，２１に関して左
右対称に配置されるようにする方向である。」（４欄３０∼３８行）
(2)以上認定した刊行物１の記載から，引用発明に関して次の事実が認めら
れる。
ア加えられた力に応答してＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸の３つの測定軸に対して変位
可能にそのハウジング内に取り付けられたマグネットと，マグネットの変
位を検知し，３つの測定軸のそれぞれに沿って加えられた力の成分に比例
する出力信号を提供する検知手段を有する。
イピックオフキャパシタ１４の４つのプレート部分１８ないし２１をＹＡ，
ＸＡ，ＹＢ，ＸＢとし，それらと可動プレート１３との間の静電容量Ｃ，ＹＡ
Ｃ，Ｃ，Ｃは，マグネットがＸ，Ｙ，Ｚ軸に沿ってそれぞれ△Ｘ，ＸＡＹＢＸＢ
△Ｙ，△Ｚ移動することにより，その移動に比例して静電容量が変化する。
ウＶは，ＣがＣよりも大きくなる場合には，と同相の矩形電圧ＸＡＸＡＲＥＦφ
であって，そのパルス幅がＣとＣとの差に応じた出力信号を生成し，ＸＡＲＥＦ
逆に，ＣがＣよりも小さくなる場合には，と逆相の矩形電圧であＸＡＲＥＦφ
って，そのパルス幅がＣとＣとの差に応じた出力信号を生成するもＸＡＲＥＦ
のである。そして，Ｖは，Ｃについてのものであることを除いて，ＶＸＢＸＢ
と同様である。ＸＡ
エ増幅器４９は，矩形波電圧ＶとＶとの差に応じた直流出力を発生さＸＡＸＢ
せ，この直流出力は，Ｘ軸フォースコイル３０，３２および電流検出抵抗
５８を流れる復帰電流を生じさせる。
この復帰電流は，外部から加えられた力によって変位するマグネットを，
中立位置に復帰させるとともに，その位置に留まらせるためのものである
から，加えられた力の成分の大きさに応じて変化する。また，この復帰電
流は，ＶとＶの差に応じた直流電流であるのであるから，復帰電流のＸＡＸＢ
大きさは，ＣとＣの容量差に相当する量である。ＸＡＸＢ
オＹ軸方向も，Ｘ軸方向と同様に，ＣとＣの容量差を検出して，Ｙ軸ＹＡＹＢ
方向に加えられた力の方向と大きさを検出するから，Ｙ軸方向に加えられ
た力の方向と大きさを検出する検出回路を有する。
カ以上を総合すると，引用発明は，Ｘ軸方向又はＹ軸方向に加えられた力
により，変位するマグネットの変位量をＣとＣ又はＣとＣの容量ＸＡＸＢＹＡＹＢ
値の差として検出し，マグネットを中立位置に戻す為にＣとＣまたはＸＡＸＢ
ＣとＣの容量差に応じた復帰電流の大きさにより，Ｘ軸方向またはＹＹＡＹＢ
軸方向に加えられた力の方向と大きさを検出する検出回路が記載されてい
るものと認められる。
(3)そうすると，引用発明には，「前記第１の容量素子の容量値と前記第２
の容量素子の容量値との差を，前記第１の軸方向に作用した力方向成分を示
す検出信号として出力し，前記第３の容量素子の容量値と前記第４の容量素
子の容量値との差を，前記第２の軸方向に作用した力方向成分を示す検出信
号として出力する検出回路」が記載されているものと認められる。
この点について，原告は，本件訂正発明１が，作用体に作用する力により
変位した容量差を測定することで，加えられた力の大きさを測定するもので
あるのに対して，引用発明は，加えられた力によりマグネットが変位しない
ようにするための力を復帰電流の大きさで検出している点で相違するとして，
両者は検出原理が異なると主張する。
しかし，原告の主張する本件訂正発明１の検出原理は，特許請求の範囲の
記載から窺えるものではなく，本件訂正明細書の実施例の記載を参酌しては
じめて窺えるものであり，その参酌の必要がないにもかかわらず実施例の構
成に限定するものであるから，失当である。
よって，取消事由２は理由がない。
３取消事由３（相違点の容易想到性の判断の誤り）について
刊行物の記載(1)
ア刊行物３（甲３）には，次の記載がある。
(ア)「本発明は，フラット形振子構造を用い，該構造体の面内に感応軸
線がある加速度計用センサに関する。特に本発明は，前記振子構造が例
えばシリコン或いは石英からなる結晶性ウエハを微細機械加工して形成
され，且つ平形試験体の面内の２つの可撓性平行ブレードにより懸架さ
れた前記試験体よりなる加速度計用センサに関する。」（３頁左上欄１
７行∼右上欄４行）
(イ)「第１図は本発明による振子構造の基本的配置を示すものである。
上記のように，この構造は平面状であり，結晶性シリコン或いは石英ウ
エハの微細機械加工により単一片に形成され，これは更に集積電子回路
の基板として用いられる。」（４頁右上欄１２∼１６行）
(ウ)「この振子構造は固定部分又はベース１からなり，これには同じ長
さの２つの平行する可撓性ブレード４，５の下端部，即ち足部２，３が
固着され，それ等の上端部に，２つの可撓性ブレード４，５間空間内に
大部分が延在するほぼ直線状の試験体６を支承する。」（４頁右上欄１
７行∼左下欄２行）
(エ)「この図からわかるように，振子構造は，結晶性ウエハ内に，可撓
性ブレード４，５の内部エッジ７と，２つの横方向エッジ９，１０，及
び試験体６の長手方向内部エッジ１１と，更に振子構造の固定部分の1
内部エッジ１２とを形成するＵ字形窪みを形成して得られる。同様に，
可撓性ブレード４，５の外部エッジ８と試験体６の長手方向外部エッジ
１３とは逆Ｕ字形切欠きにより得られる。」（４頁右下欄１０行∼１８
行）
イ刊行物４（甲４）には，その従来技術として「第５図は微小加速度セン
サーを示す断面図である。これはＳｉ基板１の上に，不純物をドープした
ポリＳｉ層２をＳｉＮ等の絶縁層３でサンドイッチした微小な片持梁４を
設けると共に，該片持梁４に対向してＳｉ基板１に不純物を拡散させて高
導電層５を形成したものである。」（１頁右欄１５行∼２０行）との記載
がある。
(2)判断
以上によると，甲３の「振子構造」は，シリコンにより形成され，固定部
分又はベース１と，可撓性ブレード４，５と，試験体６とを有しているもの
であると認められる。そして，「固定部分又はベース１」は本件訂正発明１
の「固定要素」に相当し，「試験体６」は，固定部分に又はベース１に対し
て，可撓性ブレードを介して取り付けられるものであるから，本件訂正発明
１の「変位要素」に相当するものといえる。そうすると，甲３では，「固定
部分又はベース１」及び「試験体６」に相当する本件訂正発明１の「固定要
素」及び「変位要素」をシリコンによって形成するとの技術事項が開示され
ているといえる。また，加速度センサの分野において，導電性を高める必要
のある電極を不純物を含むシリコンとすることは周知である（甲４）。
(3)原告の主張に対し
この点について，原告は，シリコンが適用される部材は平面状であるのに
対し，引用発明の装置の構造は，平面構造を採用するものではないから，
シリコンを加工して引用発明の装置を形成することは困難であると主張す
る。しかし，審決がシリコンを用いることを当業者が適宜なし得ると判断し
ている部分は，「回路板１５等」，「可動プレート１３を構成する環状フラ
ンジ等」であり，これらはいずれも平面構造の部材である。そして，可動プ
レート１３を構成する環状フランジを，シリコンにより形成すれば，可動プ
レート１３は，シリコンにより形成された環状フランジにより構成されるこ
とになる。そうすると，引用発明の構造が平面構造ではないことを理由とし
て，引用発明に甲３記載の周知技術を適用することが困難であるとする原告
の主張は失当である。
また，原告は，本件訂正発明１は，温度補償を行なうことなく，力，加速
度，磁気などの物理量を検出することができる検出装置を安価に実現し得る
ようになるという予測できない顕著で有利な効果を奏すると主張する。しか
し，これらの効果は，上記認定の引用発明から予測可能な効果であるから，
原告の上記主張は理由がない。
４結論
以上のとおり，本件訂正発明１は，特許出願の際独立して特許を受けること
ができない発明であり，本件訂正は許されないとした審決には，原告主張の取
消事由はなく，その他，審決の結論に影響を及ぼす誤りも認められない。
よって，原告の請求は理由がないから棄却することとし，主文のとおり判決
する。
知的財産高等裁判所第３部
裁判長裁判官飯村敏明
裁判官三村量一
裁判官上田洋幸

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