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平成１５年（行ケ）第２４３号　審決取消請求事件
平成１６年７月１２日口頭弁論終結
　　　　　判　　　　決
　原　告　ＡＳＭインターナショナルＮ.Ｖ.
　　　　（変更前の名称，審決上の名称：アドバンスドセミコンダクターマテリ
アルズインターナシヨナルＮ.Ｖ.）
　訴訟代理人弁理士　後藤洋介，池田憲保，山本格介
　被　告　特許庁長官　小川洋
　指定代理人　宮崎侑久，神崎孝之，高木進，大橋信彦，井出英一郎
　　　　　主　　　　文
　原告の請求を棄却する。
　訴訟費用は原告の負担とする。
　この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を３０日と定める。
　　　　　事実及び理由
　本判決においては，書証等を引用する場合を含め，公用文の用字用語例に従って
表記を変えた部分がある。例えば，「および」は「及び」と表記する。また，本件
記録中には，「wafer」の日本語表記として，「ウエーファー」，「ウェーファ
ー」，「ウェーハァー」，「ウエーフアー」，「ウエーハ」，「ウェーハ」，「ウ
エハ」，「ウェハ」，「ウエハー」と様々な表記があるが，審決及び各書証を引用
する場合を含め，原告が本件主張において本願発明に関する表記として基本的に用
いている「ウェーファー」に全て統一して表記する。
第１　原告の求めた裁判
　「特許庁が不服２００１－２２５８４号事件について平成１５年１月２０日にし
た審決を取り消す。」との判決。
第２　事案の概要
　本件は，原告が，後記本願発明の特許出願をしたところ，拒絶査定を受け，これ
を不服として審判請求をしたが，審判請求は成り立たないとの審決がされたため，
同審決の取消しを求めた事案である。
　１　特許庁における手続の経緯
　(1)　本願発明
　出願人：原告
　発明の名称：当初は「ウェーファーの形の半導体基質を無接触的に処理する方法
及び装置」であったが，平成１３年７月１２日付け補正により，「半導体基質を無
接触的に処理する方法及び装置」と訂正された。
　出願番号：特願平１０－５０５０９３号
　出願日：平成９年７月８日を国際出願日とするもの（優先権主張：平成８年７月
８日オランダ国）。
　(2)　本件手続
　拒絶査定日：平成１３年９月６日
　審判請求日：平成１３年１２月１７日（不服２００１－２２５８４号）
　手続補正：平成１４年１月１６日（本件補正）
　審決日：平成１５年１月２０日
　審決の結論：「本件審判の請求は，成り立たない。」（理由中で本件補正が却下
された。）
　審決謄本送達日：平成１５年２月１３日（原告に対し。出訴期間９０日附加。）
　２　本件における特許請求の範囲の記載
　(1)　平成１３年７月１２日付け補正後，本件補正前の特許請求の範囲の記載（甲
４。請求項は１ないし１４まであるが，１のみを記載する。以下，請求項１に係る
発明を「本願発明」という。）
　「１　半導体基質を少なくとも部分的に収納する装置の中に該半導体基質を入
れ，互いに相対して配置された第１及び第２の側方部分から該半導体基質の二つの
相対する側へと二つのガス流を反対方向で該半導体基質の両側の平坦な面に流して
該半導体基質を位置付け，該第１及び第２の側方部分の各々と半導体基質との間の
間隔を最大１ｍｍに設定する半導体基質を無接触的に処理する方法において，該側
方部分の少なくとも一つを２００℃より高い温度に加熱し，処理すべき半導体基質
の表面の上に均一に分布するように該半導体基質の両側の平坦な面の全体を越えて
延びる該側方部分からガス流を供給することを特徴とする方法。」
　(2)　本件補正に係る特許請求の範囲の記載（甲５。請求項は１ないし１３まであ
るが，請求項１のみを記載する。以下，請求項１に係る発明を「補正発明」とい
う。）
　「【請求項１】半導体基質を，第１及び第２の側方部分の２つの相対する平面の
間に配置し，互いに相対して配置された第１及び第２の側方部分から該半導体基質
の二つの相対する平坦な側へと二つのガス流を反対方向で流し，該第１及び第２の
側方部分の各々と半導体基質との間の空隙を最大約１ｍｍに設定し，該側方部分の
少なくとも一つを約２００℃より高い温度に加熱する半導体基質を無接触的に処理
する方法において，側方部分を，所定位置において，相互に離れるように移動せし
めて，半導体基質を２つの側方部分の間に比較的低温で導入し，しかる後，側方部
分を，相互に移動せしめて，２つの側方部分の間に半導体基質を囲み，加熱すべき
半導体基質の平面の上に均一に分布するように，側方部分の各々からガス流を供給
することを特徴とする方法。」（判決注：審決と同様に，甲５の記載のうち，「側
部部分」を「側方部分」と，「半導体ウエーファー」を「半導体基質」と，「移動
せして」を「移動せしめて」とそれぞれ改めて記載した。この点は，原告も争う趣
旨ではない。）
　３　審決の理由の要点
　(1)　審決は，本件補正の独立特許要件について検討し，引用例１（特開昭５９－
２１５７１８号公報）に記載の発明ないし技術的事項，引用例２（特公平３－３８
７４０号公報）記載の技術的事項及び参考文献（特開平５－１３３５５号公報）記
載の技術的事項について認定した。
　(2)　審決は，その上で，引用例１に「半導体基板を，石英などの赤外線を透過す
る材料で作られた上蓋及び石英などの赤外線を透過する材料で作られた保持板の２
つの相対する平面の間に配置し，互いに相対して配置された上蓋及び保持板の内の
保持板から該半導体基板の下面の平坦な側へガス流を流し，その際，該半導体基板
の平面の上に均一に分布するようにガス流を供給して該半導体基板を0.5ｍｍ以下の
空隙で浮揚させ，該上蓋の上方及び該保持板の下方から赤外線照射装置により該半
導体基板を無接触的に加熱処理する方法。」の発明（以下「引用発明１」ともい
う。）が記載されていると認定して，補正発明と引用発明１を対比し，一致点につ
き，次のとおり認定した。
　「引用発明１における『半導体基板』，『石英などの赤外線を透過する材料で作
られた上蓋』，『石英などの赤外線を透過する材料で作られた保持板』は，それぞ
れ，補正発明における『半導体基質』，『第１の側方部分』，『第２の側方部分』
に相当する。また，引用発明１における『赤外線照射装置』は，『半導体基板』を
加熱するためのものであるが，『保持板』，『上蓋』も結果的に加熱していること
は明らかである。さらに，引用発明１における『加熱処理方法』は『処理方法』の
一種ということができる。
　よって，両者は以下の点で一致する。
　半導体基質を，第１及び第２の側方部分の２つの相対する平面の間に配置し，互
いに相対して配置された第１及び第２の側方部分の内の第２の側方部分から該半導
体基質の平坦な側へとガス流を流し，その際，該半導体基質の平面の上に均一に分
布するようにガス流を供給して，該第２の側方部分と半導体基質との間に空隙を設
け，該側方部分の少なくとも一つを加熱する半導体基質を無接触的に処理する方
法。」
　(3)　審決は，補正発明と引用発明１との相違点につき，次のとおり認定した。
　「相違点１：補正発明では，半導体基質が第１及び第２の側方部分の各々との空
隙が最大約１ｍｍとなるように，第１及び第２の側方部分の両方からガス流が半導
体基質の平面の上に均一に分布するように半導体基質に向けて供給されているのに
対し，引用発明１では，半導体基質と第２の側方部分の間の空隙が０．５ｍｍ以下
となるように，第２の側方部分のみからガス流が半導体基質の平面の上に均一に分
布するように半導体基質に向けて供給されている点。
　相違点２：補正発明では，側方部分の少なくとも一つを約２００℃より高い温度
に加熱しているのに対し，引用発明１では，どの程度まで加熱しているのか明らか
でない点。
　相違点３：補正発明では，側方部分を，所定位置において，相互に離れるように
移動せしめて，半導体基質を２つの側方部分の間に比較的低温で導入し，しかる
後，側方部分を，相互に移動せしめて，２つの側方部分の間に半導体基質を囲むこ
とにより，２つの側方部分の間に半導体基質を配置させているのに対し，引用発明
１では，どのようにして，２つの側方部分の間に半導体基質を配置させているのか
明らかでない点。」
　(4)　審決は，上記相違点につき，次のとおり判断した。
　(a)「相違点１について：シリコンウェーファー等の薄形基板（「半導体基質」に
相当する。）の両面にガス流を供給して，該基板を浮上させることが引用例２に記
載されていることから，引用発明１において，第２の側方部分からだけでなく，第
１の側方部分からもガス流を半導体基質の平面の上に均一に分布するように供給す
ることは，当業者であれば容易に想到したことである。また，その際に，第１の側
方部分と半導体基質の間の空隙を第２の側方部分と半導体基質の間の空隙と同程度
の０．５ｍｍ以下（「最大約１ｍｍ」に含まれる。）とすることも当業者であれば
容易に想到したことである。」
　(b)「相違点２について：引用発明１において，半導体基質は赤外線照射装置によ
り１０００℃以上の高温に加熱されているが，シリコンウェーファー（「半導体基
質」に相当する。）を赤外線照射装置により同程度の温度（約１０００℃）まで加
熱した場合に，特に冷却を施さなければ石英窓の温度が５００℃以上になることが
参考文献に記載されていることから，特に冷却を施していない引用発明１の場合で
も，石英で作られた第２の側方部分の温度は，少なくとも約２００℃より高い温度
になっているといえる。したがって，この相違点２は，実質的な相違点とはいえな
い。」
　(c)「相違点３について：引用発明１において，第１の側方部分と第２の側方部分
の間に半導体基質を配置するには，第１の側方部分と第２の側方部分とを相互に離
間させた状態でなければ，半導体基質を第１の側方部分と第２の側方部分の間に挿
入できないことから，一方の側方部分を他方の側方部分から離れるように相互に移
動せしめ，半導体基質を２つの側方部分の間に導入し，その後，一方の側方部分を
他方の側方部分の方に相互に移動せしめて，２つの側方部分の間に半導体基質を囲
むようにすることは，当業者であれば容易に想到し得た方法であり，また，第１の
側方部分と第２の側方部分の間に半導体基質を配置する間は，加熱をしないことは
当然であるので，引用発明１において，側方部分を，所定位置において，相互に離
れるように移動せしめて，半導体基質を２つの側方部分の間に比較的低温で導入
し，しかる後，側方部分を，相互に移動せしめて，２つの側方部分の間に半導体基
質を囲むことにより，２つの側方部分の間に半導体基質を配置させることは，当業
者であれば容易に想到したことである。」
　(d)「補正発明の効果は，引用例１，２記載の発明ないし技術的事項から当業者が
予測することができる程度のものであって，格別なものとはいえない。」
　(e)「補正発明は，引用例１，２記載の発明ないし技術的事項に基づいて，当業者
が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により独立
して特許を受けることができないものである。」
　(5)　審決は，本件補正の許否について，次のとおり結論付けた。
　「補正後の請求項２～１３に係る発明の独立特許要件を判断するまでもなく，本
件補正は，特許法１７条の２第５項で準用する同法１２６条４項の規定に違反する
ものであり，却下する。」
　(6)　審決は，本件補正が許されないとの判断をふまえて，本願発明について検討
し，次のとおり認定判断した。
　「本願発明は，補正発明と比較して，表現上若干の相違がみられるものの結局の
ところ，当該補正発明から，その発明特定事項である『側方部分』について，『所
定位置において，相互に離れるように移動せしめて，半導体基質を２つの側方部分
の間に比較的低温で導入し，しかる後，側方部分を，相互に移動せしめて，２つの
側方部分の間に半導体基質を囲』むものであるという技術的限定を省いたものであ
る。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに上記技術的限定が加え
られた補正発明が，上記に記載したとおり，引用例１，２記載の発明ないし技術的
事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである以上，本願発
明も，同様の理由により，引用例１，２記載の発明ないし技術的事項に基づいて，
当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることがで
きないので，本件出願の請求項２～１４に係る発明について判断するまでもなく，
本件出願は拒絶されるべきものである。」
第３　原告の主張（審決取消事由）の要点
　１　取消事由１（補正発明と引用発明１との一致点の認定の誤り）
　(1)　補正発明の特徴をまとめると，半導体基質を４秒程度の時間内に２００℃よ
り高い温度まで加熱するために，側方部分を直接的に加熱すること（特徴１），加
熱装置を備えた側方部分が相互に移動可能であること（特徴２），及び，熱伝達を
行うためのガス流を半導体基質の両面から供給し，かつ，半導体基質と各側方部分
との間隔を最大１ｍｍにしたこと（特徴３）を備えていることを特徴としている。
　(2)　引用発明１の「上蓋」及び「保持板」が補正発明の「第１の側方部分」及び
「第２の側方部分」に相当するとの審決の認定は，誤りである。
　引用発明１における「上蓋」及び「保持板」は，いずれも上下方向に移動できる
機構を備えていないし，加熱装置も備えていない。したがって，半導体基板の到来
の度ごとに，上蓋又は保持板のいずれかを半導体基板方向に接近移動させて半導体
基板を加熱処理すること，並びに，上蓋及び保持板により直接半導体基板を加熱す
ることを引用発明１から見いだすことはできない。
　他方，補正発明では，半導体基板（半導体基質）の到来の度ごとに，半導体基質
との間隔が最大１ｍｍとなる位置まで相互に移動させて，半導体基質を囲む構成を
備えた２つの側方部分を要件とし，側方部分の少なくとも一つはそれ自身を約２０
０℃より高い温度に加熱する構成をも要件とし，また，２つの側方部分には，それ
ぞれガス供給通路が設けられている点をも要件としている（請求項１０〔装置の発
明〕もまた上記のような構成を有している。）。
　上記の点を考慮すると，引用発明１の「上蓋」及び「保持板」をもって，補正発
明の「第１の側方部分」及び「第２の側方部分」に相当するとした審決の認定は誤
りである。
　(3)　審決は，「引用発明１における『赤外線照射装置』は，『半導体基板』を加
熱するためのものであるが，『保持板』，『上蓋』も結果的に加熱していることは
明らかである。」と認定しているが，誤りである。
　審決は，補正発明と引用発明１が，シリコンウェーファーを石英窓を介して赤外
線を放射するランプによって加熱することを前提として認定を行っている。しかし
ながら，引用発明１は，「保持板」，「上蓋」の外側に赤外線照射装置８を設置し
た構成を開示しているだけで，「保持板」，「上蓋」自身に加熱装置を設ける構成
及び効果について開示していないから，引用発明１から，「保持板」，「上蓋」自
身に加熱装置を設ける構成及び効果を類推することは，不可能である。引用発明１
は，「保持板」及び「上蓋」により直接半導体基板を加熱する構成並びにその構成
による迅速加熱の効果については何ら言及していない。すなわち，赤外線照射装置
自身を半導体基質に対して移動させて半導体基質を加熱することについて，引用発
明１には何ら記載されていない。したがって，審決の上記認定も失当である。
　(4)　審決は，補正発明と引用発明１との一致点として，「半導体基質を，第１及
び第２の側方部分の２つの相対する平面の間に配置し，互いに相対して配置された
第１及び第２の側方部分の内の第２の側方部分から該半導体基質の平坦な側へとガ
ス流を流し，その際，該半導体基質の平面の上に均一に分布するようにガス流を供
給して，該第２の側方部分と半導体基質との間に空隙を設け，該側方部分の少なく
とも一つを加熱する半導体基質を無接触的に処理する方法。」の点を認定するが，
誤っている。
　上記認定は，補正発明の第１及び第２の側方部分に関する誤った認定を前提とし
ている。
　さらに，補正発明は，第１のガス流を第１の側方部分から流し，第２のガス流を
第２の側方部分から流す構成を備えるとともに，ガス流を半導体基板の２つの対向
する平面に互いに対向方向に流す構成を採用しており，これによって，半導体基質
を浮上させるとともに，ガス流による迅速加熱を可能にする構成である。しかし，
審決は，一方からのみガス流を供給する引用発明１と一致すると認定しており，誤
っている。
　(5)　補正発明の「側方部分の少なくとも一つを約２００℃より高い温度に加熱す
る」との記載は，補正発明を論理的，合理的に解釈した場合，側方部分自体を加熱
するとの意味に解釈するのが妥当である。補正発明では，側方部分を半導体基質に
近接，移動させて加熱することにより，短時間内に半導体基質を加熱できる技術を
開示している。補正発明では，側方部分自身に加熱装置を設けるとともに，当該側
方部分を半導体基質に対して接近，移動させることにより，加熱を迅速に行えるこ
とを提案している。補正発明は，加熱を半導体基質に対して接近した位置に移動さ
せて行うことによって始めてその目的を達成できるのである。
　さらに，補正発明は，「側方部分を，相互に移動せしめて，２つの側方部分の間
に半導体基質を囲」むとの記載と併せて，短時間内に加熱するという補正発明の趣
旨を実現する構成を明記している。
　側方部分は，加熱装置を内在しているものと解釈することによって，側方部分を
移動させる補正発明における技術的及び物理的意義を見いだすことができ，かつ，
補正発明に記載されている事項のみによって補正発明の技術的意義を明確に把握で
きる。換言すれば，上記の論理的，合理的な解釈によって，補正発明に記載されて
いない事項を必須の構成要件にすることなく，補正発明の趣旨が明確に理解でき
る。
　(6)　補正発明においては，①ガス流をそれぞれ流すことができ，②半導体基質
（基板）を両側から挟む形で浮上させることができ，③半導体基質を浮上させた状
態で内部に収容でき，④半導体基板に対して移動可能であるとともに，⑤加熱する
ことができる新規な部材（部品）を表現するために，「第１及び第２の側方部分」
との用語が使用されている。上記の新規な機能を全て備えた部材（部品）につい
て，当該技術分野では一義的に明確な定義は存在しないのである。補正発明に記載
された「第１及び第２の側方部分」の技術的意義を特許請求の範囲の記載だけを参
酌して認定することには，若干無理があったとしても，「第１及び第２の側方部
分」は新規な部材であって当該技術分野において一義的な明確な定義がない以上，
明細書の発明の詳細な説明の記載をも参酌して認定しなければならない特段の事情
がある。そこで，本願明細書及び図面を参照すると，実施例として，側方部分６，
７の内部に加熱用コイル８，９が設けられており，それ以外の実施例は示されてい
ない。そして，側方部分６，７は，図１に示された状態から図２に示されたよう
に，互いに間隔を置いて閉じた状態になり，これによって，ウェーファー３を近接
した位置から迅速に加熱することができるのである。このように，本願明細書及び
図面を参酌することにより，補正発明の技術的及び物理的意義はより明確になる。
したがって，補正発明において，加熱を行う側方部分が明記されていることは，補
正発明の趣旨に基づく論理的，合理的解釈，又は，本願明細書及び図面を参酌する
ことによって明らかである。
　(7)　引用発明１における上蓋及び保持板は，それぞれ石英などの赤外線を透過し
易い材料で作られており，赤外線照射装置８は固定された位置に設けられており，
赤外線照射装置８とウェーファー２との間隔を変化させることについては全く記述
していない。したがって，引用発明１の上蓋及び保持板は，赤外線照射装置によっ
て不所望に加熱されることがあっても，固定位置に設けられた赤外線照射装置によ
って，ウェーファーに対して移動する上蓋及び保持板を加熱した場合，赤外線照射
装置から離れるにしたがって，上蓋及び保持板がウェーファーに近づくにしたがっ
て，赤外線照射装置による上蓋及び保持板の加熱温度は低くなり，ウェーファーの
加熱には役立たない。かえって，赤外線照射装置から離れるにしたがって，赤外線
を透過する上蓋及び保持板の温度はウェーファーの温度よりも低くなってしまう。
このように，引用発明１の上蓋及び保持板は，ウェーファー２より低い温度になる
と，ウェーファー２からの熱を吸収して，加熱の代わりに，ウェーファー２を冷却
してしまう。加熱に寄与しない引用発明１の上蓋及び保持板を，補正発明に記述し
た第１及び第２の側方部分と対応付けた審決は，事実を誤認している。
　一方，補正発明の趣旨を考慮して，論理的，合理的に解釈すれば，加熱機能を備
えた側方部分が使用されていることは明らかである。審決は，補正発明には記載さ
れていない赤外線照射装置を構成要素として挙げ，当該赤外線照射装置によって側
方部分を加熱するものと誤解している。
　２　取消事由２（補正発明と引用発明１との相違点の看過）
　(1)　審決は，前記のように，「上蓋」及び「保持板」を補正発明における「第１
の側方部分」及び「第２の側方部分」に誤って対応付けており，すなわち，補正発
明が前記特徴を有することを看過しており，これを前提に相違点の認定をしている
ので，前記の誤りが相違点１ないし３の認定の誤りともなっている。
　また，補正発明は，半導体基質を個別に側方部分間に取り込み，極めて近接した
位置から側方部分により加熱することによって，半導体基質を個別に迅速に加熱す
ることを可能にしており，迅速加熱及び単一ウェーファー処理を無視した審決は，
補正発明の趣旨を誤認している。
　(2)　補正発明においては，第１及び第２の側方部分からガス流を供給するのは，
間隙を最大１ｍｍに維持して半導体基質を浮揚するためにだけ供給するのではな
く，半導体基質を均一に加熱するために供給するのであり，最大１ｍｍの間隙は半
導体基質を迅速に加熱するための条件である。審決の相違点１の認定は，このこと
について無視している点で失当である。
　(3)　審決は，相違点３の認定において，「補正発明では，側方部分を，所定位置
において，相互に離れるように移動せしめて，半導体基質を２つの側方部分の間に
比較的低温で導入し，しかる後，側方部分を，相互に移動せしめて，２つの側方部
分の間に半導体基質を囲むことにより，２つの側方部分の間に半導体基質を配置さ
せている」とだけ認定し，２つの側方部分を相互に移動させることによる物理的な
意義について全く考慮していない点で誤りである。。
　３　取消事由３（補正発明と引用発明１との相違点の判断の誤り）
　(1)　相違点１についての判断の誤り
　審決の判断の前提に誤りがあることは前記のとおりであるが，さらに，ガス流の
供給を基板を浮上させるためだけの条件と認定している点で誤っている。すなわ
ち，審決においては，熱伝達を迅速に均一に行うための媒体としても機能するガス
の供給について全く認識されていないし，ガスを半導体基質の両面から供給するこ
とが均一に加熱することの条件であるとの認識もない。
　審決は，引用発明１の０.５ｍｍ以下の空隙を各側方部分と半導体基質との間隔と
解釈しているが，補正発明における最大１ｍｍの間隙とは，加熱装置を有する側方
部分と半導体基質との間隙，つまり，加熱装置と半導体基質との間隙であって，引
用発明１についていえば，ウェーファー２と，赤外線照射装置８との間の間隔に相
当するものであり，間隙の意味について，審決は誤認している。
　(2)　相違点２についての判断の誤り
　(a)　前記のとおり，上蓋及び保持板のほかに赤外線照射装置を備え，当該赤外線
照射装置によりウェーファーを加熱する引用発明１の装置と，側方部分で直接半導
体基質を加熱する補正発明とを同一視している点で，審決は，誤っている。
　また，補正発明における第２の側方部分が引用発明１における上蓋，保持板と同
様に石英で作られているかのような誤認もある。
　(b)　赤外線を透過する材料によって形成された上蓋，保持板はウェーファーに比
較して低温に保たれるのが普通であり，参考文献では，短い波長から長い波長の赤
外線（０.５～１０μｍ）を発光する石英ランプを使用した場合，波長の長い赤外線
によって石英窓が不所望に加熱されることを開示しているだけであり，加熱された
石英窓によってウェーファーを加熱することを企図したものではない。石英窓の加
熱とは，逆に，参考文献は石英窓を冷却することを明らかにしており，石英窓の加
熱を有効に利用することについては何ら開示されていない。さらに，石英窓を移動
させ，急速加熱を行う点についても参考文献は全く示唆していない。
　(c)　審決は，石英からなる参考文献の石英窓と，補正発明における側方部分とを
同一視している点で誤っている。すなわち，参考文献における石英窓は，ウェーフ
ァーを加熱するものではなく，かつ，当該石英窓を移動させるものでもない。ま
た，引用例１に記載された上蓋及び保持板は，石英等の赤外線を透過し易い材料で
構成されていることは明白である。したがって，引用発明１のように，赤外線を透
過し易い材料で作られた上蓋及び保持板に赤外線を照射しても，赤外線は上蓋及び
保持板を透過するだけで，上蓋及び保持板は赤外線によって加熱されることはない
のであるから，引用発明１から上蓋及び保持板を用いてウェーファーを加熱すると
いう発想自体を導きだすことはできない。
　たとえ，参考文献に記載されたように，長波長の赤外線によって石英で作られた
石英窓が５００℃以上に不所望に加熱されることがあったとしても，引用発明１の
上蓋及び保持板が５００℃以上に加熱される根拠とはならない。まして，引用発明
１は，赤外線によって上蓋及び保持板を赤外線を透過する材料によって形成して，
当該上蓋及び保持板が加熱されるのを防止することを明らかにしているのであるか
ら，審決のように，参考文献と引用発明１との組み合わせを論じることには誤りが
ある。しかも，参考文献及び引用発明１を組み合わせても，上蓋及び保持板を半導
体基板に対して接近，移動させること，及び，接近した位置で半導体基板を加熱す
ることによって加熱を迅速に短時間内に行えることについて類推することは，不可
能である。
　(3)　相違点３についての判断の誤り
　前記のとおり，引用発明１の上蓋及び保持板を補正発明の第１及び第２の側方部
分と同一視している点で判断を誤っている。
　さらに，審決は，移動する機構を備えていない引用発明１の上蓋及び保持板か
ら，上蓋及び保持板とは明らかに構造の異なる補正発明における第１及び第２の側
方部分を相互に移動させることは容易に想到し得たと判断しているが，全く根拠が
ない。
　また，引用発明１は，上蓋及び保持板を移動させることによる効果について全く
開示していないし，たとえ引用発明１において，上蓋及び保持板を移動させたとし
ても，加熱装置である赤外線照射装置の位置は固定されているのであるから，補正
発明における迅速加熱を実現することはできない。換言すれば，引用発明１は，ウ
ェーファーを近接した位置で加熱することについて，全く開示していない。むし
ろ，引用発明１における赤外線照射装置の位置は固定されているのであるから，引
用発明１から，半導体基質の加熱を近接した位置で行うこと，及び，近接した位置
における加熱により半導体基質を迅速に加熱することを見いだすことは不可能であ
る。
　(4)　効果に関する認定判断の誤り
　前記のとおり，審決は，補正発明の技術的事項及び迅速加熱の効果について誤解
し，その結果，半導体基質を迅速に加熱する効果について全く記載のない引用例１
及び２記載の発明から，補正発明を容易に想到できるものと誤認している。
　補正発明を論理的，合理的に解釈すれば，側方部分により近接して直接加熱する
ことにより迅速加熱の効果が得られることは明らかであるから，効果においても，
審決には誤認がある。
　４　取消事由４（本願発明の進歩性についての認定判断の誤り）
　本件補正が却下されたとしても，本願発明は，側方部分自体に備えられた加熱装
置により，半導体基質を近接した位置（１ｍｍ）から加熱することにより，迅速に
半導体基質を加熱できる点では，補正発明と共通している。
　一方，引用例１及び２並びに参考文献には，加熱装置を有する側方部分及びその
側方部分を移動させることについて何ら記載されていないし，また，迅速加熱装置
について全く示唆されていない。したがって，本件出願の請求項１ないし１４に係
る発明は特許されるべきものである。
第４　被告の主張の要点
　１　取消事由１（補正発明と引用発明１との一致点の認定の誤り）に対して
　(1)　審決で独立特許要件について判断した発明は，特許請求の範囲の請求項１に
係る補正発明であり，「側方部分の少なくとも一つを約２００℃より高い温度に加
熱する」というものであって，本件補正に係る請求項１０と比較すれば明らかなと
おり，側方部分が加熱装置を有することを限定事項とするものではない。したがっ
て，特許請求の範囲の請求項１の記載に基づかない原告の主張は，失当である。
　そして，上記記載は，それ自体発明特定事項として明確であるので，発明の要旨
認定に際しては，明細書の記載を参酌する余地はない。
　(2)　審決では，「第１の側方部分」及び「第２の側方部分」が相互に移動する
点，「側方部分」の各々からガス流を供給する点については，「上蓋」及び「保持
板」との相違点として認定している。また，「上蓋」及び「保持板」についても，
それらが加熱装置を備えているものと認定しているのではなく，「半導体基板」を
加熱する「赤外線照射装置」により加熱されるものとして認定しており，認定に誤
りはない。
　審決では，補正発明につき，赤外線を放射するランプによって加熱することを前
提として認定しているのではなく，補正発明における「側方部分の少なくとも一つ
を約２００℃より高い温度に加熱する」という発明特定事項が加熱装置について限
定するものでないことから，補正発明をそのようなものと認定し，対比・判断を行
っているものであって，原告の主張は失当である。
　また，審決では，補正発明と引用発明１とは，第１のガス流を第１の側方部分か
ら流している限りで一致し，「第１のガス流を第１の側方部分から流し，第２のガ
ス流を第２の側方部分から流す構成を備えるとともに，ガス流を半導体基板の２つ
の対向する平面に互いに対向方向に流す構成」は相違点１としたものであって，誤
りはない。
　２　取消事由２（補正発明と引用発明１との相違点の看過）に対して
　審決は，「保持板の加熱」及び「保持板の移動」に関する補正発明との相違につ
いては，相違点２及び相違点３で認定している。
　また，審決は，補正発明が半導体基質と各側方部分との間隙について特定した部
分も含めて相違点１として認定している。
　補正発明の「側方部分の少なくとも一つを約２００℃より高い温度に加熱する」
との記載の意味するところは，前記のとおりである。本件補正に係る請求項１０に
おいて「側方部分が加熱装置を有している」点が限定されているとしても，そのよ
うな限定のない補正発明において，側方部分が加熱装置を有しているかどうかは，
独立して認定すべき事項である。
　半導体基質を個別に側方部分間に取り込むことを目的とするにせよ，極めて近接
した位置から側方部分により加熱することを目的とするにせよ，審決では，２つの
側方部分を相互に移動させることを含めて引用発明１と補正発明との相違点３であ
ると認定している。
　以上のとおり，審決の相違点の認定に誤りはない。
　３　取消事由３（補正発明と引用発明１との相違点の判断の誤り）に対して
　(1)　相違点１についての判断の誤りに対して
　ガスを半導体基質の両面から供給して浮揚させることが引用例２に記載されてお
り，引用発明１においてガスを両面から供給することは容易に想到することができ
たとする審決の判断に誤りはない。そして，引用発明１も半導体基質を加熱する技
術分野における発明であるから，加熱の際にガスの供給が両面から均一に分布する
ように行われていれば，結果として半導体基質の加熱も当然均一に行われるであろ
うことは，当業者であれば容易に理解できることである。
　補正発明の「第１及び第２の側方部分の各々と半導体基質との間の空隙」が，側
方部分と半導体基質との間を指すことは記載上明白であり，審決に誤りはない。ま
た，前記のとおり，補正発明は「側方部分が加熱装置を有する」と限定されている
ものではない。
　(2)　相違点２についての判断の誤りに対して
　審決では，側方部分の加熱について，赤外線照射装置により半導体基質を約１０
００℃の高温に加熱するものでも石英窓の温度が５００℃以上になることを示す参
考文献を例示し，上蓋及び保持板を石英とし，半導体基質を１０００℃以上の高温
に加熱する引用発明１においても，その側方部分の温度が約２００℃より高い温度
に加熱されていることがうかがえるとして，実質的な相違点として認められないと
判断したものであり，誤りはない。また，前記のとおり，補正発明は「側方部分が
加熱装置を有する」と限定されているものではない。
　(3)　相違点３についての判断の誤りに対して
　審決では，側方部分の移動について，引用発明１の上蓋及び保持板に移動する機
構がないことを相違点３として認定し，その上で，第１及び第２の側方部分を相互
に離間させた状態でなければ，半導体基質を第１及び第２の側方部分に挿入できな
いのであれば，当業者であれば当然第１及び第２の側方部分を離間させて半導体基
質を挿入し，その後第１及び第２の側方部分を元の位置に戻して加熱を行う程度の
ことは，容易に想到し得ると判断したものであり，誤りはない。また，前記のとお
り，補正発明は「側方部分が加熱装置を有する」と限定されているものではない。
　(4)　効果に関する認定判断の誤りに対して
　側方部分が加熱装置を有するとの発明特定事項が補正発明にない以上，原告の効
果に関する主張は，補正発明の発明特定事項に基づかない主張であり，失当であ
る。
　４　取消事由４（本願発明の進歩性についての認定判断の誤り）に対して
　審決の認定判断に誤りはない。
第５　当裁判所の判断
　１　取消事由１（補正発明と引用発明１との一致点の認定の誤り）について
　(1)　引用発明１の「上蓋」及び「保持板」が補正発明の「第１の側方部分」及び
「第２の側方部分」に相当するとした審決の認定について
　(1-1)　引用発明１は，審決が認定したように，「半導体基板を，石英などの赤外
線を透過する材料で作られた上蓋及び石英などの赤外線を透過する材料で作られた
保持板の２つの相対する平面の間に配置し…該上蓋の上方及び該保持板の下方から
赤外線照射装置により該半導体基板を無接触的に加熱処理する方法」であるところ
（甲６。原告もこの点を争う趣旨ではない。），引用例１（甲６）の第１図によれ
ば，上記「上蓋」及び「保持板」がウェーファー（半導体基板）の側方に配置され
ていることは，明らかである。このように，引用発明１の「上蓋」及び「保持板」
は，半導体基板の側方に配置される部分であるから，「側方部分」といえる。そし
て，両者は，互いに相対して配置され，その相対する平面の間に半導体基板を配置
して処理するのに用いられる点において，補正発明の「第１の側方部分」及び「第
２の側方部分」に相当することは明らかであって，少なくともこの限りにおいて審
決の認定に誤りはない。
　(1-2)　原告は，前掲第３，１(1)で主張の補正発明の特徴をふまえ，同(2)におい
て，審決の上記認定が誤りである理由の１つとして，補正発明は，「側方部分自身
に加熱装置」を設けているが，引用発明１における「上蓋」及び「保持板」は，こ
の構成を有しないと主張する。
　これに対し，被告は，補正発明の側方部分が加熱装置を有していること自体を否
定し，審決も同旨の認定に立っていることが明らかである。したがって，補正発明
の要旨認定が実質的な争点である。
　(a)　原告は，前掲第３，１(5)のとおり述べて，請求項１の記載の論理的，合理
的な解釈により，側方部分は加熱装置を内在しているものと解釈し得ると主張す
る。
　そこで，検討するに，補正発明に係る特許請求の範囲請求項１の記載は，前掲の
とおりであり，このうち，加熱に関する構成は，単に「該側方部分の少なくとも一
つを約２００℃より高い温度に加熱する」というものである。これによれば，補正
発明において，「約２００℃より高い温度に加熱」されるのは，「（少なくとも一
つの）側方部分」である。しかし，「側方部分」の加熱方法を特に限定する記載は
見当たらず，ましてや，側方部分自身に加熱装置が設けられていると理解し得る記
載は存在しない。
　また，請求項１には，「加熱すべき半導体基質」との記載があることから，半導
体基質を加熱することが示されていると解し得るとしても，その加熱方法について
は，特段の記載はない。なお，請求項１には，２つの側方部分の間に半導体基質を
導入した後，側方部分を相互に移動せしめて，２つの側方部分の間に半導体基質を
囲むこと，側方部分の各々と半導体基質との間の空隙が最大約１ｍｍに設定される
ことが記載されていることから，約２００℃より高い温度に加熱された側方部分か
ら輻射される熱あるいはガスを介して伝達される熱によって，半導体基質が加熱さ
れる可能性があることはうかがえるものの，側方部分が半導体基質を加熱するとの
み限定して解釈すべき理由は見当たらず，ましてや，側方部分自身に加熱装置が設
けられ，これにより半導体基質を加熱するものと理解し得る記載は存在しない。
　なお，補正発明（請求項１）は，方法に関する発明であるが，装置に関する発明
を記載した請求項１０においては，「該側方部分の少なくとも一つが，該側方部分
を２００℃より高い温度に加熱する加熱装置を有し」と，側方部分の少なくとも一
つが加熱装置を有することが明記されている（甲５）。しかし，両者は，独立の請
求項であり，方法と装置という異なった観点から発明を構成するものであるから，
請求項１０に側方部分が加熱装置を有する旨の構成が明記されているからといっ
て，直ちに，請求項１も同様の構成を有するものと解すべき根拠はない。むしろ，
請求項１０で明記しながら，請求項１であえて記載していないことからすると，補
正発明である請求項１においては，側方部分が加熱装置を有すること，つまり，側
方部分に内在された加熱装置で加熱するというような限定を加えていないと解すべ
きものである。
　したがって，原告の上記主張は，採用することができない。
　(b)　原告は，前掲第３，１(6)のとおり述べて，補正発明について，特許請求の
範囲の記載だけを参酌して技術的意義を認定することには若干無理があったとして
も，明細書の発明の詳細な説明の記載をも参酌して認定しなければならない特段の
事情があり，本願明細書及び図面（甲４）を参照すると，補正発明において，加熱
を行う側方部分が明記されていることが明らかであると主張する。
　補正発明に係る特許請求の範囲請求項１の記載は，前掲のとおりであり，その記
載，特に原告が問題としている「第１及び第２の側方部分」に関する記載は，発明
特定事項として技術内容を明確に理解し得るものである。
　第１及び第２の側方部分が原告の主張するような新規な部材であるとしても，上
記請求項１の記載に基づいて，その技術的意義を一義的に明確に理解することがで
きるものである。その他，上記請求項１記載の技術的意義が一義的に明確に理解す
ることができないとか，あるいは，一見してその記載が誤記であることが明細書の
発明の詳細な説明の記載に照らして明らかであるなどの特段の事情があるとは認め
られず，明細書の発明の詳細な説明の記載をも参酌して認定しなければならないも
のとはいえない。
　そうすると，補正発明の特許請求の範囲の記載においては，前認定のとおり，側
方部分の加熱方法について限定する旨の記載はなく，本願明細書の実施例の記載及
び図１（甲４，図１は甲２）において，加熱用コイル８が第１の側方部分の内部に
取り付けられていることが記載されているからといって，補正発明の側方部分につ
いて，加熱装置を内在しているものと限定して解することはできないというべきで
ある。原告の上記主張は，採用することができない。
　(c)　原告は，前掲第３，１(7)のとおりの主張もするが，上記判示の点に照らせ
ば，理由がないことが明らかである。
　(1-3)　原告は，前掲第３，１(2)において，審決の上記認定が誤りである理由と
して，引用発明１における「上蓋」及び「保持板」は，いずれも上下方向に移動で
きる機構を備えていないとも主張する。
　検討するに，そもそも，補正発明である請求項１は，「第１の側方部分」及び
「第２の側方部分」の移動に関し，「側方部分を，所定位置において，相互に離れ
るように移動せしめて，半導体基質を２つの側方部分の間に比較的低温で導入し，
しかる後，側方部分を，相互に移動せしめて，２つの側方部分の間に半導体基質を
囲み」と規定しているにすぎず，両者が「上下方向に移動」するとは何ら規定して
いない。したがって，「上下方向に移動」する機構を備えているか否かを理由とし
て審決の認定を非難する原告の主張は失当である。
　補正発明における２つの側方部分の移動状況は，上記記載のとおり正確に認定さ
れるべきところ，この点については，審決は，別途，相違点３として認定した上
で，判断しているのであるから，この点をもって，審決の上記認定を誤りであると
いうことはできない。
　いずれにしても，原告の上記主張は，採用することができない。
　(2)　引用発明１における「赤外線照射装置」は，「半導体基板」を加熱するため
のものであるが，「保持板」，「上蓋」も結果的に加熱していることは明らかであ
るとした審決の認定について
　原告は，前掲第３，１(3)のように上記認定を非難するが，補正発明が側方部分自
身に加熱装置を設ける構成を有することを前提とする主張であって，この点におい
て採用することができないことは，前判示のとおりである。
　よって，上記に関する原告の主張も採用し得ない。
　(3)　一致点として記載された審決の認定について
　原告は，前掲第３，１(4)のように上記認定を非難する。
　原告が主張する理由の１つは，補正発明の第１及び第２の側方部分に関する誤っ
た認定を前提としているというものであるが，その主張に理由がないことは前判示
のとおりである。
　次に，原告は，補正発明は，第１のガス流を第１の側方部分から流し，第２のガ
ス流を第２の側方部分から流す構成を備えるとともに，ガス流を半導体基板の２つ
の対向する平面に互いに対向方向に流す構成を採用しており，これによって，半導
体基質を浮上させるとともに，ガス流による迅速加熱を可能にする構成であるにも
かかわらず，一方からのみガス流を供給する引用発明１と一致すると認定した点が
誤りであると主張する。
　しかし，原告が主張する上記のガス流を流す構成について，審決は，別途，相違
点１として認定し，判断をしているのであるから，審決の一致点としての認定に誤
りがあるとはいえない。なお，仮に，原告が主張するように，補正発明が上記構成
を採用することによって，半導体基質を浮上させるとともに，ガス流による迅速加
熱を可能にすることができるとしても，そのことは，補正発明の効果に係る事項で
あって，後記の効果に関する認定判断の当否として検討対象となり得るとしても，
一致点及び相違点の認定自体を左右するものではない。
　審決の一致点の認定に誤りはなく，原告の主張は，採用することができない。
　２　取消事由２（補正発明と引用発明１との相違点の看過）について
　(1)　原告は，審決の相違点の認定は，「上蓋」及び「保持板」を補正発明におけ
る「第１の側方部分」及び「第２の側方部分」に誤って対応付けることによってさ
れたものであるから，相違点の認定の誤りともなっていると主張する。また，審決
は，迅速加熱及び単一ウェーファー処理について無視し，補正発明の趣旨を誤認し
ていると主張する。
　しかし，補正発明における加熱装置及び加熱に関しては，前判示のとおりであっ
て，原告の上記主張は，その前提において採用し得ない。
　(2)　相違点１の認定について
　仮に，原告が主張するように，補正発明において，第１及び第２の側方部分から
ガス流を供給するのは，半導体基質を均一に加熱するためであり，最大１ｍｍの間
隙は半導体基質を迅速に加熱するための条件であるとしても，そのことは，補正発
明の効果の認定判断の当否として検討対象となり得るとしても，相違点１の認定自
体を左右するものではない。原告の主張は，採用し得ない。
　(3)　相違点３の認定について
　原告が主張する２つの側方部分を相互に移動させることによる物理的な意義は，
補正発明の効果の点に関係しなくはないが，相違点３の認定自体を左右するもので
はない。原告の主張は，採用し得ない。
　３　取消事由３（補正発明と引用発明１との相違点の判断の誤り）について
　(1)　相違点１についての判断の誤りについて
　(a)　原告は，まず，審決が，ガス流の供給を基板を浮上させるためだけの条件と
認定している点で誤っており，熱伝達を迅速に均一に行うための媒体としても機能
するガスの供給について全く認識されていないし，ガスを半導体基質の両面から供
給することが均一に加熱することの条件であるとの認識もないと主張する。
　そこで，検討するに，一致点に関して判示したように，引用発明１は，「第２の
側方部分から該半導体基質の平坦な側へとガス流を流し，その際，該半導体体基質
の平面の上に均一に分布するようにガス流を供給して，該第２の側方部分と半導体
基質との間に空隙を設け」るものである。また，引用例２には，「ガス流をシリコ
ンウェーファー等の薄形基板の両面に供給することによって，該基板を通路から浮
上させて搬送すること。」が記載されている（甲７。審決が認定したところであ
り，原告もこの点は争わない。）。そして，ここにおける「シリコンウェーファー
等の薄形基板」は，補正発明の「半導体基質」に相当することは明らかである。そ
うすると，引用例２記載の「通路」を形成する部材は，「シリコンウェーファー等
の薄形基板」（半導体基質）の側方に位置し，補正発明の「側方部分」に相当する
といえるので，引用例２には「半導体基質の平坦な両面側へガス流を流し，側方部
分と半導体基質との間に空隙を設ける」ことが記載されていると認められる。した
がって，引用発明１と引用例２記載の技術事項とは，半導体基質の平坦な側へガス
流を流し，側方部分と半導体基質との間に空隙を設ける点で一致するので，引用発
明１に引用例２記載の技術事項を適用して，半導体基質の平坦な両面側へガス流を
流し，側方部分と半導体基質との間に空隙を設けるようにすることを妨げる理由は
ない。そして，引用発明１に引用例２記載の技術事項を適用して，半導体基質の平
坦な両面側へガス流を流し，側方部分と半導体基質との間に空隙を設けるに当た
り，第１の側方部分の側からガス流を流して半導体基質との間に空隙を設ける構成
を第２の側方部分に係る構成と同じものとすることは，当業者が適宜選択し得るこ
とにすぎない。以上によれば，相違点１についての前掲審決の判断は，是認し得る
ものである。
　以上の検討結果に照らせば，審決が，熱伝達を迅速に均一に行うための媒体とし
ても機能するガスの供給について認識しているか否か，ガスを半導体基質の両面か
ら供給することが均一に加熱することの条件であると認識しているか否かは，相違
点１に係る構成の容易想到性を左右するものではないのであって，審決の判断に誤
りがあるということはできない。
　(b)　原告は，また，間隙の意味について，審決は誤認していると主張する。
　しかしながら，補正発明は，空隙について，「該第１及び第２の側方部分の各々
と半導体基質との間の空隙を最大約１ｍｍに設定し」と規定しているのであるか
ら，空隙が各側方部分と半導体基質との間隔であることは明らかである。また，補
正発明における加熱装置及び加熱に関しては，前判示のとおりであって，原告の上
記主張は，その前提において採用し得ない。
　(2)　相違点２についての判断の誤りについて
　(a)　原告は，前掲第３，３(2)(a)のように上記判断を非難する。
　しかし，補正発明が側方部分自身に加熱装置を設ける構成を有することを前提と
する主張部分が採用することができないことは，前判示のとおりである。また，審
決には，補正発明における第２の側方部分が引用発明１における上蓋，保持板と同
様に石英で作られているかのような誤認は見当たらない。原告の上記主張は，いず
れも採用することができない。
　(b)　原告は，参考文献に関し，前掲第３，３(2)(b)のように主張する。
　検討するに，参考文献（甲８）においては，「石英窓は，可視～４μｍの波長の
赤外線をほとんど透過するためシリコンウェーファーに比べて温まりにくい」との
記載があり，さらに，「シリコンウェーファーを赤外線を放射するランプにより約
１０００℃に加熱する場合に，石英窓は，可視～４μｍの波長の赤外線をほとんど
透過するためシリコンウェーファーに比べて温まりにくいものの，ランプから放射
される波長４μｍ以上の赤外線を吸収するため，特別に冷却を施さなければ５００
℃以上の温度に上昇すること。」という技術的事項が記載されている（審決が認定
するところであり，原告もこの点を争うものではない。）。そうすると，引用発明
１の上蓋，保持板が赤外線を透過する材料によって形成されていることは，相違点
２についての認定判断に当たって，参考文献記載の技術事項を参照することの妥当
性を否定する理由とはならない。また，そもそも，審決は，引用発明１において，
シリコンウェーファーを赤外線照射装置によって加熱した際の上蓋や保持板の温度
を認定するに当たって，参考とすべき客観的技術事項を認定するために，参考文献
を引用したにすぎないのであるから，原告が主張する点は，相違点２についての判
断に当たって，参考文献記載の技術事項を参照することの妥当性を否定する理由と
はならない。
　(c)　原告は，前掲第３，３(2)(c)のように主張する。
　しかし，前判示のとおり，審決は，引用発明１において，シリコンウェーファー
を赤外線照射装置によって加熱した際の上蓋や保持板の温度を認定するに当たっ
て，参考とすべき客観的技術事項を認定するために，参考文献を引用したにすぎな
い。よって，原告の主張のうち，参考文献に関して述べる点については，相違点２
についての判断に当たって参考文献記載の技術事項を参照することの妥当性を否定
する理由とはならないし，また，審決の判断の趣旨を正解しないで非難するもので
あって（例えば，審決は，引用発明１と参考文献とを組み合わせて容易想到性を判
断したものではない。），いずれも採用することができない。
また，原告は，参考文献に記載されたように，長波長の赤外線によって石英で作
られた石英窓が５００℃以上に不所望に加熱されることがあったとしても，引用発
明１の上蓋及び保持板が５００℃以上に加熱される根拠とはならないなどと主張す
る。
　しかし，原告の主張は，合理的根拠を見いだせず，採用の限りではない。
　なお，念のため，相違点２についてみておくと，引用発明１は，前判示のとお
り，「半導体基板を，石英などの赤外線を透過する材料で作られた上蓋及び石英な
どの赤外線を透過する材料で作られた保持板の２つの相対する平面の間に配置し，
…該上蓋の上方及び該保持板の下方から赤外線照射装置により該半導体基板を無接
触的に加熱処理する」というものであり，さらに，「上蓋７を閉じ，赤外線照射装
置８を点灯すれば，ウェーファー２は上下から赤外線の照射を受け，急速に加熱さ
れる。実施例では赤外線のエネルギー照射密度を２０～３０Ｗ／ｃｍ2
程度とすると
ウェーファー２は約１０秒で常温から１０００℃以上の高温にすることができ
る。」ことが記載されていることは，審決認定のとおりである（引用例１の４頁右
上欄～左下欄の記載）。また，参考文献には，「シリコンウェーファーを赤外線を
放射するランプにより約１０００℃に加熱する場合に，石英窓は，可視～４μｍの
波長の赤外線をほとんど透過するためシリコンウェーファーに比べて温まりにくい
ものの，ランプから放射される波長４μｍ以上の赤外線を吸収するため，特別に冷
却を施さなければ５００℃以上の温度に上昇すること。」が記載されている。そし
て，参考文献記載の石英窓を形成する石英あるいは引用発明１の上蓋及び保持板を
形成する石英，さらには両者で加熱に使用される赤外線波長域が，当該技術分野に
おいて通常採用されるものではないと解すべき根拠はないので，引用発明１と参考
文献に記載の技術的事項との間で特段の相違があるとは認められず，また，参考文
献記載の石英窓と赤外線照射装置との配置関係と，引用発明１の上蓋及び保持板と
赤外線照射装置との配置関係との間においても特段の相違があるとは認められな
い。そうすると，引用発明１において，半導体基板が赤外線照射装置により１００
０℃以上の高温とされているが，特に冷却を施していない引用発明１の石英で作ら
れた第２の側方部分の温度は，審決が認定するように，少なくとも約２００℃（５
００℃の半分より低い）よりは高い温度になっていることが推認される。よって，
審決の認定判断に誤りがあるとはいえない。
　(3)　相違点３についての判断の誤りについて
　(a)　原告は，前掲第３，３(3)において，審決は，移動する機構を備えていない
引用発明１の上蓋及び保持板から，上蓋及び保持板とは明らかに構造の異なる補正
発明における第１及び第２の側方部分を相互に移動させることは容易に想到し得た
と判断しているが，全く根拠がないと主張する。
　そこで，検討するに，引用例１（甲６）には，第１実施例について，ウェーファ
ー２を載置する前に各噴出口から必要量のガスを噴出させておくこと，このような
状態のときにウェーファー２を所定の位置に置くと，５から噴出する浮揚ガスによ
り保持板１上に浮揚状態で保持されること，このような状態で上蓋７を閉じ，赤外
線照射装置８を点灯すれば，ウェーファー２は上下から赤外線の照射を受け，急速
に加熱されることが記載されている。この加熱処理動作は，ウェーファーを加熱処
理するごとに繰り返されるのであるから，保持板と上蓋は，加熱処理に当たって，
所定位置において，あらかじめ上蓋が保持板から離れるように移動させられている
ことは明らかである。また，ウェーファーは，保持板と上蓋との間にウェーファー
を囲んでから加熱するので，当初は比較的低温で保持板上に置かれることが明らか
である。そうすると，引用例１には，第１の側方部分を所定の位置において，第２
の側方部分から離れるように移動させて，半導体基質を第２の側方部分の上に比較
的低温で置き，その後，第１の側方部分を閉じ，２つの側方部分の間に半導体基質
を囲むことが記載されていると認められる。そして，第１の側方部分を所定の位置
において，第２の側方部分から離れるように移動させたり，第１の側方部分を閉
じ，２つの側方部分の間に半導体基質を囲む際に，第１と第２の側方部分を相互に
移動させるようにすること，及び，半導体基質を第２の側方部分の上に比較的低温
で置くことに代えて，半導体基質を２つの側方部分の間に比較的低温で導入するよ
うにすることは，いずれも当業者が必要に応じて適宜なし得る設計事項である。そ
うすると，相違点３についての前掲審決の判断は，是認し得るものである。
　審決の判断に誤りはなく，原告の上記主張は，採用することができない。
　(b)　原告が上記のほかに前掲第３，３(3)において主張する点は，補正発明が側
方部分自身に加熱装置を設ける構成を有することを主張するに帰するものであっ
て，この点については前判示のとおり採用し得ない上，審決の相違点３についての
判断が是認し得ることは，前判示のとおりであるから，いずれにしても，原告の主
張は，採用することができない。
　(4)　効果に関する認定判断の誤りについて
　(a)　原告は，前掲第３，３(4)のとおり，補正発明を論理的，合理的に解釈すれ
ば，側方部分により近接して直接加熱することにより迅速加熱の効果が得られるこ
とは明らかであるから，効果においても，審決には誤認があると主張する。
　しかしながら，補正発明における加熱装置及び加熱に関しては，既に判示したと
おりであって，原告の主張は，その前提において理由を欠くものである。
　なお，仮に，原告が主張するように，補正発明の側方部分により半導体基質を加
熱することができるとしても，加熱された側方部分と半導体基質とが接近してその
間隔が小さければ小さいほど，半導体基質が側方部分から受け取る輻射やガスを介
した伝達による熱の量が大きくなり，迅速な加熱が可能となることは明らかである
から，原告が主張する上記の迅速加熱の効果は，補正発明の構成から客観的に予測
可能なものにすぎない。
　(b)　原告は，前記のように，補正発明のガス流に係る構成に関し，ガスが熱伝達
を迅速かつ均一に行う媒体としても機能すると主張する。
　しかし，仮に，原告が主張するように，ガスが熱伝達を迅速かつ均一に行う媒体
としても機能するとしても，加熱の際にガスの供給が両面から均一に分布するよう
に行われていれば，結果として半導体基質の加熱も均一に行われるであろうこと
は，当業者であれば容易に予測されるのであり，原告主張の効果は，補正発明の構
成から予測可能なものにすぎない。
　その他，原告が種々主張する中で，補正発明の効果について関係し得るものをす
べて検討しても，進歩性を肯定し得るほど格別のものであるとはいえない。
　よって，効果に関する認定判断の誤りをいう原告の主張もまた採用し得ない。
　４　取消事由４（本願発明の進歩性についての認定判断の誤り）について
　原告は，前掲第３，４のとおり主張するが，本願発明である本件補正前の請求項
１の記載（甲４）及び各引用例の記載内容（この認定自体は原告も争わない。）を
ふまえ，既に判示したところにかんがみれば，本願発明に関する審決の対比，判断
は，是認し得るものであって，審決に原告主張の誤りはない。
　原告の上記主張は，採用することができない。
　５　結論
　以上のとおり，原告主張の審決取消事由は理由がないので，原告の請求は棄却さ
れるべきである。
　　　　東京高等裁判所知的財産第４部
　　　　　　　　　　裁判長裁判官　　　　　　塩　　月　　秀　　平
　　　　　　　　　　　　　裁判官　　　　　　田　　中　　昌　　利
　　　　　　　　　　　　　裁判官　　　　　　高　　野　　輝　　久

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