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平成２７年６月１６日判決言渡
平成２６年（ネ）第１０１０４号特許権侵害差止等請求控訴事件（原審・東京地
方裁判所平成２３年（ワ）第３４２３７号）
口頭弁論終結日平成２７年４月１４日
判決
控訴人（原告）日亜化学工業株式会社
訴訟代理人弁護士古城春実
牧野知彦
堀籠佳典
加治梓子
補佐人弁理士蟹田昌之
被控訴人（被告）三洋電機株式会社
訴訟代理人弁護士尾崎英男
鷹見雅和
日野英一郎
上野潤一
主文
１本件控訴を棄却する。
２控訴費用は控訴人の負担とする。
事実及び理由
第１控訴の趣旨
１原判決を取り消す。
２被控訴人（以下「被告」という。）は原判決別紙物件目録記載の製品（以下「被
告製品」という。）を生産し，譲渡し，輸出若しくは輸入し，又は譲渡の申出をして
はならない。
３被告は，その占有する被告製品を廃棄せよ。
４被告は，控訴人（以下「原告」という。）に対し，１億円及びこれに対する平
成２３年１０月２８日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２事案の概要
１本件は，発明の名称を「窒化物半導体素子」とする特許権を有する原告が，
被告による被告製品の生産，譲渡等が上記特許権の侵害に当たる旨主張して，特許
法１００条１項及び２項に基づき，被告製品の生産，譲渡等の差止め及び廃棄を求
めるとともに，特許権侵害に基づく損害賠償金１億円（一部請求。売上高５８億円，
実施料率３％）及びこれに対する平成２３年１０月２８日（訴状送達日の翌日）か
ら民法所定年５分の割合による遅延損害金の支払を求める事案である。
原判決は，被告製品が本件特許権の技術的範囲に属しないとして，原告の請求を
棄却したので，原告が控訴した。
２争いのない事実
原判決「事実及び理由」第２，「１争いのない事実」記載のとおりである。
なお，本件発明（平成２６年４月３日に確定した審決による訂正（以下「本件訂
正」という。）後の請求項１に係る発明）の構成要件を再掲すると，次のとおりであ
る。
Ａ厚みが５０μｍ以上であり，少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上
の領域では結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下である，ハライド気相成長法
（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板と，
Ｂ前記ＧａＮ基板の上に積層された，活性層を含む窒化物半導体層と，
Ｃ前記窒化物半導体層に形成されたリッジストライプと，該リッジストライプ上
に形成されたｐ電極と，
Ｄ前記ＧａＮ基板の下面に形成されたｎ電極と，
Ｅを備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
３争点及びこれに対する当事者の主張
(1)争点及び争点についての当事者の主張は，以下の(2)において当審における
当事者の主張を追加するほかは，原判決「事実及び理由」の第２，「２争点」及び
「３争点に関する当事者の主張」記載のとおりである。
(2)当審における当事者の主張（争点(1)（被告製品１の構成要件Ａの充足性）
に関し）
（原告の主張）
本件発明の構成要件Ａにいう「ＧａＮ基板」の意義は，少なくとも「下面」，つま
り，「ｎ電極を形成する面」から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数
が１×１０７
個／ｃｍ２
以下であるＧａＮ基板をいうものであり，ＧａＮ基板それ自
体に上下方向を特徴付ける属性を備えるものではなく，原判決の限定解釈は誤りで
ある。
ア特許請求の範囲に基づく解釈について
(ｱ)原判決は，特許請求の範囲の記載に基づき，構成要件Ａの「ＧａＮ基
板」の意味を，「本件発明に係るＧａＮ基板は，それ自体に上下方向を特定すること
ができる属性を備えたものであることを要する」とした上で，本件明細書等をも検
討し，結論としては，「構成要件Ａの『ＧａＮ基板』は，単に，基準面より上の領域
の結晶欠陥の数が所定の数（１×１０７
個／ｃｍ２
）以下であり，基準面より下の領
域との間で結晶欠陥の数の偏在があるというだけでは足りず，後者の数が前者の数
よりも相対的に多いものとして特定されるＧａＮ基板を意味するものと解するのが
相当である。」とした。
しかし，特許請求の範囲（構成要件Ａ）には，ＧａＮ基板について「少なくとも
下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では・・・」と記載されているのみで，
下面から５μｍまでの領域については何も規定されていない。それにもかかわらず，
下面から５μｍまでの当該領域の結晶欠陥の数が５μｍよりも上の領域よりも相対
的に多いとする原判決の上記認定は，当該特許請求の範囲の記載から離れ，そこに
は記載されていない構成要件を付加する不合理な認定であるといわざるを得ない。
(ｲ)ａ本件発明は「窒化物半導体素子」に関する「物の発明」であり，特
許請求の範囲が規定しているのは当該「窒化物半導体素子」の構造である。このよ
うな窒化物半導体素子を対象とする発明において，その一部の構成要素にすぎない
ＧａＮ基板のみを取り出して，ＧａＮ基板自体に「上下方向を特徴付ける属性」な
るものがなければならないなどとの認定は失当である。本件のクレームを見れば，
「窒化物半導体素子」において，構成要件Ｄには「前記ＧａＮ基板の下面に形成さ
れたｎ電極」と記載され，構成要件Ｂには「前記ＧａＮ基板の上に積層された，活
性層を含む窒化物半導体層と」と規定されているから，「下面」や「下」（構成要件
Ａ，Ｄ）とは，「窒化物半導体素子」における「ｎ電極が形成された面」を指し，「上」
（構成要件Ｂ）とは，「窒化物半導体素子」における「活性層を含む窒化物半導体層
が積層された側」を指すことは一義的に明らかである。
原判決は，本件発明においては，ＧａＮ基板自体に最初から「下面」又は「ｎ電
極が形成されるべき面」なるものがあり，そこにｎ電極が形成されると理解してい
るようである。
しかし，本件発明では，窒化物半導体発光素子の構造を示すために，便宜的に，
ｎ電極が形成された面を「下面」と呼んでいるにすぎない。ＧａＮ基板はひっくり
返せば上下が自在に入れ替わるから，常に「上面」は上に位置し，「下面」が下に位
置するということはなく，その結果，同じ基板を使用していても，結晶欠陥の数に
ばらつきのある基板を使用し，どちらかの面の転位密度が所定の数値を超えるなら
ば，それを上面に使用すれば本件発明の範囲外となるし，別の面を上面にすれば本
件発明の範囲内となるというだけのことである。
ｂまた，原判決のように解した場合，本件発明の技術的意義は，最初
にＧａＮ基板があって，その後に電極を付けるというような「方法的な要素」にあ
ることになってしまうが，本件発明は「物の発明」であるから，このような手順（方
法的な要素）に技術的意義があるのではなく，できあがった物の構造に技術的意義
があり，原判決の認定はこの点においても，特許請求の範囲に基づかない認定であ
る。
イ出願経過に基づく解釈について
(ｱ)本来，分割要件を判断する際に問題とされるべきは，特許請求の範囲
に記載された発明が当初明細書に記載されているか否かであって，そこに記載され
ていない内容を検討すること自体が適法な判断手法とはいえない。前記のとおり，
下面から５μｍより下の領域の結晶欠陥の数は特許請求の範囲に記載されていない
のであるから，原判決の認定は，分割出願に関する誤った理解の上で行われたもの
である。
(ｲ)本件当初明細書及び本件分割時明細書（以下，これらを合わせて「本
件当初明細書等」という。）の【０００７】，【００１３】，【００４３】，【００５１】，
【００６１】の記載から明らかなとおり，本件当初明細書等には，原判決が問題と
する「結晶欠陥の数が多い（キャリア濃度が高い）面にｎ電極を形成すること」（以
下「ａ構成」とする。）でコンタクト抵抗を下げる（以下「ａ効果」とする。）発明
（以下「Ａ発明」とする。）に加えて，「結晶欠陥が少ない面に半導体素子層を形成
する」（以下「ｂ構成」とする。）ことで結晶欠陥の少ない半導体素子を形成する（以
下「ｂ効果」とする。）発明（以下「Ｂ発明」とする）が記載されている。原判決は，
分割要件を考える際に，本件当初明細書等には「Ａ発明＋Ｂ発明」の発明（以下「Ｃ
発明」とする）のみが記載されているから，そのうち，Ｂ発明のみを取り出せば分
割要件違反（補正でいう｢新規事項の追加｣）に当たると理解したと考えられる。
しかし，「発明」とは，ある｢構成｣を有することで一定の｢作用｣をし，それによっ
てある｢効果｣が得られるものであるから，ひとまとまりの｢構成｣｢作用｣｢効果｣があ
れば，それは一つの｢発明｣であるから，本件においては，「ａ構成」に基づく「ａ効
果」を奏する「Ａ発明」と，「ｂ構成」に基づく「ｂ効果」を奏する「Ｂ発明」とは，
二つの異なる構成・効果を有するそれぞれが独立した二つの「発明」である。した
がって，その一つを分割したとしても，何ら新しい発明に分割したことにはならな
い。本件において，Ｂ発明を分割すれば，Ａ発明の作用効果を奏しない発明が含ま
れることにはなるが，それは二つの別個の発明が本件当初明細書等から把握される
以上，何の問題もない。
(ｳ)また，以下に述べるとおり，当業者の通常の理解に基づいて本件当初
明細書等を読めば，結晶欠陥が少ない領域にｎ電極を設ける構成も開示されている
ことが明らかであり，原判決がいう｢基準面｣よりも下の領域の結晶欠陥の数を規定
しない本件発明が記載されていることは明らかである。
a本件原出願及び本件出願時において，一般的な半導体レーザ（例えば
ＧａＡｓ，ＩｎＰ）では，結晶欠陥が少なく，かつ，積層する半導体層と同じ材料
からなるキャリア濃度を高めた導電性基板を使用し（基板の格子定数と活性層等の
格子定数を整合させるために同じ材料を使用し，抵抗を下げるためにキャリア濃度
を高める。），そこに電極を設ける構成が，当然の周知慣用の技術であり，むしろ，
結晶欠陥の少ない基板のキャリア濃度を高めてコンタクト層として，そこに電極を
設ける構成こそが，通常の技術であった。窒化物半導体レーザは，比較的新しい技
術ではあるが，基本的にはそれまでに普及していた半導体レーザに関する上記知見
がそのまま妥当する。
ｂ本件当初明細書等の【００１２】，【００１４】には，結晶欠陥が多
い領域にｎ電極を形成する本質的理由は，そのような領域が「高キャリア濃度」で
あり，閾値（レーザ発振するために必要な電流値）やＶｆ（順方向電圧）が低下し
やすいためであることが明確に示されている。そうすると，上記の技術常識を有す
る当業者が同段落の記載に接した場合には，結晶欠陥が少ない領域に不純物をドー
プするという従来の技術常識と等価な内容を，結晶欠陥が多い領域に電極を設ける
との構成によっても実現できる，との内容が記載されていると理解する。
したがって，当業者は，本件当初明細書等に接した際には，結晶欠陥が少ない高
キャリア濃度とした面にｎ電極を設ける構成を当然に理解することができる。
ｃ本件当初明細書等の【００４４】には，図８のレーザのｎ電極を設
ける層として「ｎ型不純物（例えばＳｉ）をドープしてキャリア濃度を高めた結晶
欠陥が少ない層（コンタクト層（【００３３】）を参照）を使用すること」，すなわち，
上記の技術常識に従った内容が明記されている。その上で，「第２の窒化物半導体層
４の結晶欠陥の多い領域までエッチングを行い，その第２の窒化物半導体層４をコ
ンタクト層とすることもできる。」として，当該技術と「第２の窒化物半導体層４の
結晶欠陥の多い領域に設けること」（この層もキャリア濃度が高い層である。）が等
価の技術であることを明記している。
したがって，この記載に接した当業者であれば，第２の窒化物半導体層にｎ電極
を設ける場合，この層にｎ型不純物をドープしていれば（コンタクト層として使用
できるだけのキャリア濃度になっていれば），必ずしも結晶欠陥の多い領域にｎ電極
を設けなくてもよいことは当然のこととして理解できる。
ｄ本件当初明細書等の【００１５】には，「第２の窒化物半導体層は基
本的にはアンドープの状態であるのが結晶欠陥が最も少なく，かつ移動度が大きく，
キャリア濃度が小さいものが得られる傾向にあるが，キャリア濃度を高めるために，
ｎ型不純物をドープして成長させてもよい。特に，下地層を除去して，その第２の
窒化物半導体層の表面に電極を形成する場合，第２の窒化物半導体層にはＳｉ，Ｇ
ｅ等のｎ型不純物をドープしてキャリア濃度を，例えば１×１０１７
／ｃｍ３
～５×
１０１９
／ｃｍ３
に調整することが望ましい。」として，第２の窒化物半導体層の裏面
に電極を形成する場合の一般的な（結晶欠陥の多い領域に電極を設ける場合に限定
していない）記載がある。本件当初明細書等の【００３３】にはコンタクト層のキ
ャリア濃度が「３×１０１８
／ｃｍ３
」と記載されており，特開平１１－１３５７７
０号公報（甲１９）の【００４７】や特許第３９３３５９２号公報（甲２０）にも，
キャリア濃度が本件当初明細書等の【００１５】記載の数値範囲の下限値である１
×１０１７
／ｃｍ３
であっても良好にｎ電極を形成できることが記載されているから，
上記「１×１０１７
／ｃｍ３
～５×１０１９
／ｃｍ３
」との値はコンタクト層として十
分に機能する数値である。したがって，上記【００１５】には，結晶欠陥が多い領
域でなくとも，不純物をドープしてキャリア濃度を高めた面を使用してｎ電極を形
成できることが示されている。
eさらに，本件当初明細書等の【００５８】には，実施例７に係る記載
があり，ｎ電極を設ける第２の窒化物半導体層にｎ型不純物をドープしてキャリア
濃度が高い層（コンタクト層）にすることが明記されているから，当業者であれば，
結晶欠陥が多い領域にｎ電極を設けなくても，コンタクト層として使用できるだけ
のキャリア濃度を有していれば，結晶欠陥が少ない領域に直接ｎ電極を設けてもよ
いことを当然のこととして理解できる。また，皿のように反ったウェーハから，異
種基板，第１の窒化物半導体層，保護膜を研磨で除去しようとすると，必然的に，
端の部分は，保護膜を超えて，保護膜付近の結晶欠陥が多い領域（第２の窒化物半
導体層の一部）をすべて除去することになるから，そのような箇所を切り出して作
製した窒化物半導体素子については，ｎ電極が形成される面（下面）から５μｍよ
り下の領域の結晶欠陥の数も，５μｍより上の領域と同様に少なくなっている（１
×１０７
／ｃｍ２
以下）ことは明らかである。
（被告の主張）
構成要件Ａの「ＧａＮ基板」は，原判決の述べるように，単に，基準面より上の
領域の結晶欠陥の数が所定の数（１×１０７
個／ｃｍ２
）以下であり，基準面より下
の領域との間で結晶欠陥の数の偏在があるというだけでは足りず，後者の数が前者
の数よりも相対的に多いものとして特定されるＧａＮ基板を意味するものである。
ア原告の主張アに対し
(ｱ)特許法７０条は，特許発明の技術的範囲は，特許請求の範囲の記載に
基づいて定めなければならないこと（同条１項），及び，特許請求の範囲の記載の解
釈において，明細書の記載を考慮すること（同条２項）を規定している。原判決の
解釈は，特許法７０条に従ってなされており，原告は，そのことを理解しないで主
張するものであって，失当である。
本件発明が素子の発明である以上，ＧａＮ基板には，「下面から５μｍまでの領域」
が必ず存在するのであり，そこにも結晶欠陥は存在する。原告は，「下面から５μｍ
までの領域」については何も規定されていないと主張するが，原告は，「何も規定さ
れていない」＝「結晶欠陥の数は，１×１０７
個／ｃｍ２
以下であっても，以上であ
ってもよい」と主張しているに等しい。「何も規定されていない」というのが，本件
発明の明記された構成要件と関係のない事項であれば，記載のない事項を考慮する
必要はない。しかし，原告の主張する「何も規定されていない」の実質的な意味が，
構成要件Ａの明記された事項と密接に関係する「下面から５μｍまでの領域」につ
いて「結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下であってもよい」の意味であり，そ
れが，本件当初明細書等に記載されていない新規事項の追加を意味するとなれば，
「下面から５μｍまでの領域」を技術的範囲の解釈において無視してよいというこ
とにはならない。
(ｲ)a原判決は，本件発明の素子を構成するＧａＮ基板について，「下面」
と「上」の文言が記載されていることから，ＧａＮ基板自体に「上下方向を特徴付
ける属性」がなければならないと述べているのである。「下」や「上」という文言で
は，ＧａＮ基板において，どちらが「下」でｎ電極を形成する側か，どちらが「上」
で窒化物半導体層を積層する側かが分からないので，「上下方向を特徴付ける属性」
がなければならない。
ところが，特許請求の範囲の記載を見ても，ｎ電極が形成される側と，窒化物半
導体層が積層される側が，ＧａＮ基板のどちら側であるのかが明記された構成によ
って特定されていない。特許請求の範囲の記載からは，ｎ電極と窒化物半導体層は，
ＧａＮ基板を挟んで，相互に反対側に存在することしかわからず，「下面」や「下」
が「ｎ電極が形成された面」を指し，「上」が「窒化物半導体層が積層された側」を
指すことが一義的に明らかであるとはいえない。ＧａＮ基板の属性は，当該ＧａＮ
基板を用いる素子の構成でもあるから，本件発明が物の発明であることと何ら矛盾
しない。
本件発明の素子の構成要件要素であるＧａＮ基板には，構成要件上，上下を区別
する関係が存在し，「上」が窒化物半導体層を積層すべきＧａＮ基板の面に対応し，
「下」がｎ電極を形成すべきＧａＮ基板の面に対応しているが，ＧａＮ基板のどち
らが「上」で，どちらが「下」であるかを特定する構成要件は，原判決が認定する
ように，特許請求の範囲の記載上，結晶欠陥の数のみである。
b本件当初明細書等には，そこに記載されている結晶成長法により作製
したＧａＮ基板を上下自在にひっくり返して使用することなど記載されていない。
本件当初明細書等には，結晶成長法に由来する結晶欠陥の数のばらつきで特定され
る上下方向に従って，結晶欠陥の数の少ない「上」に窒化物半導体層を積層し，結
晶欠陥の数の多い「下面」にｎ電極を形成することしか記載されていない。この点，
本件補正をした平成１７年当時であれば，基板メーカーである住友電気工業が，結
晶欠陥の数が非常に少なく，厚み方向に均一であるＧａＮ基板を販売していたから，
このような基板であれば，原告が主張するように「ひっくり返して使う」ことも可
能であるかもしれないが，本件原出願時である平成１０年において，本件当初明細
書には，市販の厚み方向に均一なＧａＮ基板を用いて素子を作製することなど記載
されていない。現に，基板メーカーの日立電線の販売するＧａＮ基板では，低い結
晶欠陥数は結晶成長の上方向の面でしか保証されておらず，「ひっくり返して使う」
ことは可能でない。
イ原告の主張イに対し
(ｱ)本件補正後を経た本件発明は，原告の主張するｂ構成のみからなるＢ
発明ではなく，特許請求の範囲の構成要件ＡないしＤからなる発明である。原告の
主張は，適法な分割であるためには，分割出願及びその後の補正に係る，構成要件
ＡないしＤからなる発明が，本件当初明細書等の記載事項の範囲内でなければなら
ず，新規事項の追加は許されないということを全く無視するものである。原判決が，
特許法１７条の２第３項に言及しているように，まさに，本件発明は，新規事項の
追加とならないように解釈されなければならない。
そもそも，本件当初明細書等に原告の主張するＢ発明の事項，すなわち，結晶欠
陥が少ない面に半導体素子層を形成することで結晶欠陥の少ない素子を形成するこ
とが記載されていたとしても，それは，本件当初明細書等においては，第２の窒化
物半導体層の厚さ方向に結晶欠陥の数の偏在があることと不可分の事項であって，
Ｂ発明の事項のみを一つの発明として分割出願することはできない。
本件当初明細書等に，基準面より下の領域の結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
より多いことが記載されていることは明らかであるから，原告は，本件当初明細書
等に，基準面より下の領域でも，結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下であるこ
との記載も存在することを示さなければならない。
(ｲ)a原告が，ＧａＡｓやＩｎＰの半導体レーザに関する本件原出願時の
知見を，本件当初明細書等の記載に加えて，本件発明の構成を導き出そうとするこ
とは，新規事項の追加に外ならない。原告が主張する周知慣用技術は，ＧａＡｓや
ＩｎＰの半導体レーザにあてはまるものであっても，本件当初明細書等に記載され
ているＧａＮ半導体レーザにおいて周知慣用技術ではない。本件当初明細書等では，
下地層が残された素子構造と，下地層が除去された素子構造が開示され，下地層が
除去された素子構造では，結晶欠陥が多い領域側の第２の窒化物半導体層にｎ電極
が形成されてなることを特徴とし（【請求項７】），結晶欠陥が少ない領域の第２の窒
化物半導体層にｎ電極を形成することの記載は全く存在しない。
b本件当初明細書等の【００１２】，【００１４】に結晶欠陥が多い領域
側にｎ電極を形成する理由が，この領域が高キャリア濃度であることを述べている
としても，結晶欠陥の少ない領域にｎ電極を形成することも記載されているもので
はない。特許法１７条の２第３項の「記載した事項の範囲内」には，記載されてい
ると同視できる事項が含まれ得るが，当業者が，ＧａＡｓやＩｎＰの半導体レーザ
の知見を適用して理解し得ることがあったとしても，そのような知見を適用して得
られた結果の事項は，記載されていると同視できる事項ではなく，本件当初明細書
等に記載のない事項であり，新規事項である。
c原告が根拠とする本件当初明細書等の【００４４】に記載のある図８
は，異種基板（サファイア基板）を含む下地層を残した素子構造の素子の図で，【０
０３３】も，下地層を残した素子構造に関する記載であるから，本件発明のような
ＧａＮ基板を有する（下地層を除去した）素子構造ではない。
また，【００４４】のｎ側バッファ層１１によるコンタクト層は，【００３３】に
記載されているように，第２の窒化物半導体層の上に別個に設けられた層である。
このような別個のコンタクト層を設ける理由は，【００１１】に，「この第２の窒化
物半導体層をアンドープＧａＮとして結晶性を良くすると，抵抗率が高くなるため，
その上にｎ型不純物がドープした窒化物半導体，好ましくはＳｉドープＧａＮ層を
コンタクト層とすると，結晶欠陥の転位を少なくして，信頼性に高い素子が得られ
る」と記載されているとおりである。すなわち，まず，不純物をドープしたコンタ
クト層を設ける場合，その下の第２の窒化物半導体層はアンドープ（不純物がドー
プされていない状態）とする。第２の窒化物半導体層をアンドープとする理由は，
「結晶性を良くする」ためである。第２の窒化物半導体層の結晶性が良くなれば，
その上に積層するコンタクト層は不純物をドープしていても結晶性が良くなると考
えられる。一方，第２の窒化物半導体層をアンドープとする理由は，「結晶性を良く
する」ためであるから，これを成長させる際に，コンタクト層同様に不純物をドー
プすると，第２の窒化物半導体層の結晶性が悪くなると考えられる。そうすると，
その上に積層される層の結晶性も悪くなる。つまり，本件当初明細書等に記載され
た素子においては，第２の窒化物半導体層はアンドープとして，その上の不純物を
ドープしたコンタクト層とは別個の層とすることで，結晶性を良くしているのであ
る。第２の窒化物半導体層を，その上のコンタクト層よりも不純物ドープ量の少な
い別個の層とすることは，結晶性を良くする（結晶欠陥を少なくする）ために必須
の構成であると理解される。このような記載に接した当業者が，第２の窒化物半導
体層自体をコンタクト層同様に高濃度にドープし，コンタクト層に代えて，第２の
窒化物半導体層の結晶欠陥の少ない領域にｎ電極を形成する構成が記載されている
も同然とみなすはずがない。
d原告の指摘する【００１５】は，【００１４】に続く記載であり，結
晶欠陥の多い高キャリア濃度領域にｎ電極を設けることを前提として，当該結晶欠
陥の多い高キャリア濃度領域のキャリア濃度が不足する場合には，ｎ型不純物をド
ープしてキャリア濃度を高めることを述べているのであり，結晶欠陥の少ない領域
にｎ電極を設ける構成が開示されているものではない。
e原告の指摘する【００５８】の実施例７では，第２の窒化物半導体層
４にｎ型不純物であるＳｉをドープしているが，実施例７について更に記載する【０
０５９】で，「保護膜が除去されて露出された結晶欠陥が多い側の第２の窒化物半導
体層表面のほぼ全面にＴｉ／Ａｌよりなるｎ電極を設け」ることが記載されている。
すなわち，本件当初明細書等には，第２の窒化物半導体層４にｎ型不純物をドープ
した場合であっても，ｎ電極は，結晶欠陥の多い領域に設けることが記載されてい
る。
また，同段落で除去されるのは，異種基板１，第１の窒化物半導体層２，及び保
護膜３であって，ウェーハの端の部分において第２の窒化物半導体層の結晶欠陥の
多い領域を除去するということは全く記載されていない。実際のところ，反ったウ
ェーハを研磨する工程では，反ったウェーハを研磨治具に固定する際に，ウェーハ
貼付治具で押し付けてウェーハを固定するため，ウェーハは成長用の反応容器から
取り出されたときの反りの状態よりも平坦な状態で研磨治具に固定され，反りが減
少された状態で，ウェーハは，研磨する面を研磨定盤に向けて，研磨定盤上で研磨
されるのだから，ウェーハの端の部分において保護膜付近の結晶欠陥が多い領域（第
２の窒化物半導体層の一部）がすべて除去されることは，必然的に起こることでは
ない。
第３当裁判所の判断
当裁判所も，原告の請求を棄却した原判決は正当であって，以下の理由により，
原告の請求は理由がないものと判断する。
１原告は，本件発明の構成要件Ａにいう「ＧａＮ基板」の意義について，少な
くとも「下面」，つまり，「ｎ電極を形成する面」から厚さ方向に５μｍよりも上の
領域では結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下であるＧａＮ基板をいうもので
あり，ＧａＮ基板それ自体に上下方向を特徴付ける属性を備えるものではない旨主
張する。これに対し，被告は，上記「ＧａＮ基板」は，基準面より上の領域の結晶
欠陥の数が所定の数（１×１０７
個／ｃｍ２
）以下であり，基準面より下の領域との
間で結晶欠陥の数の偏在があり，かつ，後者の数が前者の数よりも相対的に多いも
のとして特定されるＧａＮ基板を意味すると主張する。
ところが，本件発明の請求項１では，「少なくとも下面から厚さ方向に５μｍより
も上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下である…ＧａＮ基板」とい
う限定があるのみで，下面から厚さ方向に５μｍ隔たったＧａＮ基板内部に想定さ
れる仮想的な面（基準面）より下の領域における結晶欠陥の数について限定がなく，
基準面の上の領域と比較してそれより下の領域の結晶欠陥の数が，多いもの，同数
のもの，少ないもの，のいずれについても含み得るか否かが明らかでないため，構
成要件Ａにいう「ＧａＮ基板」の意義について，以下のとおり，本件特許の特許請
求の範囲及び本件明細書の詳細な説明の記載並びに本件特許の出願経過を踏まえて
検討する。
(1)本件特許の特許請求の範囲及び本件明細書の詳細な説明に関し
ア本件特許の特許請求の範囲及び本件明細書の詳細な説明の記載事項
本件明細書（甲２，１１の１の２）によれば，本件発明について，以下の記載が
ある（なお，本件補正による補正箇所には下線を付し，本件訂正による訂正箇所に
は二重線を付した。）。
【請求項１】
厚みが５０μｍ以上であり，少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領
域では結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下である，ハライド気相成長法（ＨＶ
ＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板と，
前記ＧａＮ基板の上に積層された，活性層を含む窒化物半導体層と，
前記窒化物半導体層に形成されたリッジストライプと，該リッジストライプ上に
形成されたｐ電極と，
前記ＧａＮ基板の下面に形成されたｎ電極と，
を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は基板となり得るような結晶欠陥の少ない窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ
１－Ｘ－ＹＮ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）の成長方法と，発光ダイオード（ＬＥＤ），
レーザダイオード（ＬＤ），太陽電池，光センサー等の発光素子，受光素子，ある
いはトランジスタ，パワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導体素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
青色ＬＥＤ，純緑色ＬＥＤの材料と知られている窒化物半導体は，サファイア基
板上に格子不整合の状態で成長されている。格子不整合で半導体材料を成長させる
と，半導体中に結晶欠陥が発生し，その結晶欠陥が半導体デバイスの寿命に大きく
影響することは知られている。窒化物半導体の場合，結晶欠陥として非常に多い貫
通転位がある。しかし，窒化物半導体ＬＥＤ素子の場合，その貫通転位が例えば１
０１０
／ｃｍ２
以上と多いにも関わらず，その寿命にはほとんど影響しない。これは
窒化物半導体が他の半導体材料と異なり，非常に劣化に強いことを示している。
【０００３】
一方，窒化物半導体レーザ素子では，ＬＥＤと同様にサファイア基板の上に成長
されるが，サファイアの上に例えばＬＥＤと同じようにバッファ層を介して素子構
造となる窒化物半導体を積層すると結晶欠陥はＬＥＤと同じである。しかし，レー
ザ素子の場合は，ＬＥＤに比較して電流密度が１～２桁も大きいので，結晶欠陥が
ＬＥＤと異なり直接寿命に影響する傾向にある。レーザ素子のような極微小な領域
に電流を集中させるデバイスでは，半導体中の結晶欠陥を少なくすることが非常に
重要である。
【０００４】
そこで，例えばサファイアのような窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上
に，窒化物半導体基板となるような結晶欠陥の少ない窒化物半導体を成長させる試
みが，最近盛んに行われるようになった…。これらの技術は，サファイア基板上に，
従来の結晶欠陥が非常に多いＧａＮ層を薄く成長させ，その上にＳｉＯ２よりなる
保護膜を部分的に形成し，その保護膜の上からハライド気相成長法（ＨＶＰＥ），
有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）等の気相成長法により，再度ＧａＮ層を横方向
に成長させる技術である。この方法は窒化物半導体を保護膜上で横方向に成長させ
ることから，一般にラテラルオーバーグロウス（lateralovergrowth:ＬＯＧ）と
呼ばれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の窒化物半導体の成長方法によると，確かに異種基板上に直接成長させた窒
化物半導体よりも，結晶欠陥の数は減少する。これはＬＯＧによって，結晶欠陥を
部分的に集中させられることによる。この方法では，保護膜の上部に結晶欠陥を集
中させて，窓部に結晶欠陥の少ない領域を作製することができる。即ち，意図的に
結晶欠陥を偏在させることができる。
【０００７】
しかしながら，従来の成長方法では，未だ窒化物半導体表面に現れている結晶欠
陥の数は多く未だ十分満足できるものではなかった。また窒化物半導体素子につい
ても，結晶欠陥が未だ偏在するため，信頼性も十分とは言えない。そのため一枚の
ウェーハからレーザ素子を多数作製しても，満足できる寿命を有しているものはわ
ずかしか得られない。寿命に優れた素子を作製するためには，窒化物半導体表面に
現れた結晶欠陥の数をさらに減少させる必要がある。従って，本発明はこのような
事情を鑑みてなされたものであって，その目的とするところは，基板となり得るよ
うな結晶欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法を提供すると共に，主として信頼性
に優れた窒化物半導体素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体素子は，厚みが５０μｍ以上であり，少なくとも下面から
厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下で
ある，ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有する
ＧａＮ基板と，前記ＧａＮ基板の上に積層された，活性層を含む窒化物半導体層と，
前記窒化物半導体層の表面層に形成されたｐ電極と，前記ＧａＮ基板の下面に形成
されたｎ電極と，を備えたことを特徴とする。
【０００９】前記ＧａＮ基板は，結晶欠陥が１×１０６
個／ｃｍ２
以下の領域を有す
ることが望ましい。
【００１０】
本発明の窒化物半導体の成長方法は，窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基
板の上に成長された第１の窒化物半導体層と，その第１の窒化物半導体層の表面に
部分的に形成され，表面に窒化物半導体が成長しにくい性質を有する保護膜とから
なる下地層を加熱し，その下地層の表面に窒素源のガスと，３族源のガスとを同時
に供給して，前記保護膜及び下地層の上に，連続した第２の窒化物半導体層を成長
させる窒化物半導体基板の成長方法において，前記３族源のガスに対する窒素源の
ガスのモル比（窒素源／３族源：以下，Ｖ／ＩＩＩ比という。）を２０００以下に
調整することを特徴とする。好ましいモル比としては１８００以下，さらに望まし
くは１５００以下に調整する。下限は化学量論比以上であれば特に限定するもので
はないが，望ましくは１０以上，さらに好ましくは３０以上，最も好ましくは５０
以上に調整する。本発明において，窒素源のガスとは，アンモニア，ヒドラジン等
の水素化物ガスが相当し，Ｇａ源のガスとしては…ＨＶＰＥでは，ＨＣｌのような
ＩＩＩ族源と反応するハロゲン化水素ガス，若しくはハロゲン化水素ガスと反応し
たハロゲン化ガリウム（特にＧａＣｌ３）等が…相当する。
【００１１】
本発明の窒化物半導体素子は，窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上
に成長された第１の窒化物半導体層と，その第１の窒化物半導体層の上に部分的に
形成され，表面に窒化物半導体が成長しにくい性質を有する保護膜とからなる下地
層の上に，下地層に接近した側に結晶欠陥が多い領域と，下地層より離れた側に結
晶欠陥が少ない領域とを有する第２の窒化物半導体層を有し，その第２の窒化物半
導体層の上に活性層を含む複数の窒化物半導体層が成長されてなることが望ましい。
…
【００１２】
…第２の窒化物半導体層をアンドープＧａＮとして結晶性を良くすると，抵抗率
が高くなる…。
また前記下地層が残されて素子構造とされる場合，結晶欠陥が多い領域側の第２
の窒化物半導体層にｎ電極が形成されてなることが望ましい。窒化物半導体では結
晶欠陥が多いものは，結晶欠陥が少ないものよりもキャリア濃度が大きくなる傾向
にある。従って，第２の窒化物半導体層の結晶欠陥の多い領域は自然とｎ＋となっ
ており，このｎ＋の方にｎ電極を設けると，閾値，Ｖｆ（順方向電圧）が低下しや
すい。
【００１３】
…下地層が除去されて素子構造とされる場合，第２の窒化物半導体層の厚さが５
０μｍ以上であることが望ましい。これは５０μｍ以上の膜厚であると，結晶欠陥
の少ない領域がさらに多くなって，その上に活性層を含む窒化物半導体を成長させ
ると，非常に結晶欠陥の少ない素子構造が形成できることによる。
【００１４】
…下地層が除去される場合，結晶欠陥が多い領域の第２の窒化物半導体層にｎ電
極が形成されてなることが望ましい。下地層は例えばエッチング，研磨等の手法に
より窒化物半導体基板と分離できる。下地層が除去された第２の窒化物半導体層は
その裏面が露出するが，ｎ電極とｐ電極とを設けて最終的な素子とする場合，ｎ電
極をその裏面全体に形成して，活性層を含む窒化物半導体層側に設けられるｐ電極
と，前記ｎ電極とが対向した状態とする。第２の窒化物半導体層が同一組成で結晶
欠陥の少ない低キャリア濃度領域と，結晶欠陥の多い高キャリア濃度領域とを有し
ているので，この高キャリア濃度領域にｎ電極を設けることにより，効率のよい素
子を作製することができる。
【００１５】
第２の窒化物半導体層は基本的にはアンドープの状態であるのが結晶欠陥が最も
少なく，かつ移動度が大きく，キャリア濃度が小さいものが得られる傾向にあるが，
キャリア濃度を高めるために，ｎ型不純物をドープして成長させてもよい。特に，
下地層を除去して，その第２の窒化物半導体層の表面に電極を形成する場合，第２
の窒化物半導体層にはＳｉ，Ｇｅ等のｎ型不純物をドープしてキャリア濃度を，例
えば１×１０１７
／ｃｍ３
～５×１０１９
／ｃｍ３
に調整することが望ましい。
【００１６】
…本発明の素子では，第２の窒化物半導体層の結晶欠陥の多い領域と，少ない領
域とが窒化物半導体積層方向に対してほぼ同じ方向にあれば，その成長方法は特に
限定されない。
【００２２】
…成長後の第２の窒化物半導体層４は，図４に示すように第２の窒化物半導体層
の結晶欠陥が，第２の窒化物半導体の成長方向に合わせて，横方向にのみ伸びて，
表面にまで繋がって貫通転位とならないため，表面に現れてくるものは非常に少な
くなるのである。さらに厚膜で成長させると結晶欠陥が成長中に止まるものもある。
このため，下地層の上に第２の窒化物半導体層を厚膜で成長していくに従って結晶
欠陥は少なくなる傾向にあり，例えば第２の窒化物半導体層を３０μｍ以上で成長
させると，表面に現れる結晶欠陥が非常に少ない第２の窒化物半導体層が得られ，
特に現実的なＧａＮ基板として作用する。
【００２３】
このように第２の窒化物半導体を成長することにより，下地層に接近した側に結
晶欠陥が多い領域と，下地層より離れた側に結晶欠陥の少ない領域を有する第２の
窒化物半導体層を成長できる。本発明の成長方法によると，例えば表面に現れる結
晶欠陥の数は，断面ＴＥＭで観察すると，１×１０８
個／ｃｍ２
以下，さらには１×
１０６
個／ｃｍ２
以下にすることができる。
【００２８】
【実施例】
［実施例１］
図８は本発明の一実施例に係るレーザ素子の形状を示す模式的な斜視図であり，
リッジストライプに垂直な方向で切断した際の断面も同時に示している。…
「【００３１】
（第２の窒化物半導体層４）
保護膜３形成後，ウェーハを再度ＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし，温度を１
０５０℃にして，アンモニアを０．２７ｍｏｌ／ｍｉｎ，ＴＭＧを２２５μｍｏｌ
／ｍｉｎ（Ｖ／ＩＩＩ比＝１２００）でアンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半
導体層４を３０μｍの膜厚で成長させる。成長後，第２の窒化物半導体層を断面Ｔ
ＥＭにより観察すると，第１の窒化物半導体層の界面からおよそ５μｍ程度までの
領域は結晶欠陥の数が多く（１０８
個／ｃｍ２
以上），５μｍよりも上の領域では結
晶欠陥が少なく（１０６
個／ｃｍ２
以下），十分に窒化物半導体基板として使用でき
るものであった。また成長後の表面は，保護膜上部にはほとんど結晶欠陥が見られ
ず，窓部上部（ストライプ中央部）にはやや結晶欠陥が表出する傾向があるが，従
来の方法（Ｖ／ＩＩＩ比が２０００より大）に比べて結晶欠陥の数は２桁以上少な
い。
【００３２】
第２の窒化物半導体層はハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて成長させるこ
とができるが，このようにＭＯＶＰＥ法により成長させることもできる。…また，
この第２の窒化物半導体層にＳｉ，Ｇｅ等のｎ型不純物をドープしてキャリア濃度
を適当な範囲に調整してもよい。特に異種基板，第１の窒化物半導体層，保護膜を
除去する場合には，この第２の窒化物半導体層にｎ型不純物をドープすることが望
ましい。
【００３３】
（ｎ側バッファ層１１＝兼ｎ側コンタクト層）
次に，アンモニアとＴＭＧ，不純物ガスとしてシランガスを用い，第２の窒化物
半導体層４の上にＳｉを３×１０１８
／ｃｍ３
ドープしたＧａＮよりなるｎ側バッフ
ァ層１１を５μｍの膜厚で成長させる。このバッファ層は，図８のような構造の発
光素子を作製した場合にはｎ電極を形成するためのコンタクト層としても作用する。
また異種基板，及び保護膜を除去して，第２の窒化物半導体層に電極を設ける場合
には，省略することもできる。…
【００４４】
次に…ＲＩＥにてエッチングを行い，ｎ側バッファ層１１の表面を露出させる。
露出させたこのｎ側バッファ層１１はｎ電極２３を形成するためのコンタクト層と
しても作用する。なお図８ではｎ側バッファ層１１をコンタクト層としているが，
第２の窒化物半導体層４の結晶欠陥の多い領域までエッチングを行い，その第２の
窒化物半導体層４をコンタクト層とすることもできる。
【００４６】
…ＴｉとＡｌよりなるｎ電極２２を先ほど露出させたｎ側バッファ層１１の表面
にストライプ状に形成する。ｎ側バッファ層１１，またはＧａＮ基板１０と好まし
いオーミックが得られるｎ電極２２の材料としてはＡｌ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，
Ｓｎ，Ｉｎ等の金属若しくは合金が好ましい。
【００５２】
［実施例３］
図９は本発明の他の実施例に係る一レーザ素子の構造を示す模式断面図であり，
図８と同一符号は同一箇所を示している。以下この図を基に実施例２について説明
する。
【００５３】
実施例１において第２の窒化物半導体層４を成長させる際に，アンモニアを０．
２７ｍｏｌ／ｍｉｎ，ＴＭＧを１５０μｍｏｌ／ｍｉｎ（Ｖ／ＩＩＩ比＝１８００）
とし，さらにシランガスを加えてＳｉドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層
を３０μｍの膜厚で成長させる。この第２の窒化物半導体層４，第１の窒化物半導
体層２界面からおよそ５μｍ程度までの領域は結晶欠陥の数が多く，５μｍよりも
上の領域では結晶欠陥が少なく（１０７
個／ｃｍ２
以下），十分に窒化物半導体基板
として使用できるものであった。
【００５４】
後は実施例１と同様にして活性層を含む窒化物半導体を積層した後，図９に示す
ように，エッチングにより第２の窒化物半導体層の上からおよそ６μｍ程度をエッ
チングにより除去して，結晶欠陥の多い領域の第２の窒化物半導体層４の表面を露
出させ，その面にｎ電極２２を形成してレーザ素子とする。…
【００５８】
［実施例７］
実施例１において，第２の窒化物半導体層４を成長させる際に，Ｓｉをドープし
て膜厚を９０μｍの膜厚で成長させる。後は実施例１と同様にしてその第２の窒化
物半導体層の上に活性層を含む窒化物半導体層を成長させる。成長後，反応容器か
らウェーハを取り出したところ，サファイアと第２の窒化物半導体層との熱膨張係
数差の関係で，ウェーハが皿のように反っていた。そこで，このウェーハの異種基
板側を研磨して，異種基板１，第１の窒化物半導体層２，及び保護膜３を除去する。
この異種基板の除去によってウェーハはほぼ平面が得られるようになった。
【００５９】
…保護膜が除去されて露出された結晶欠陥が多い側の第２の窒化物半導体層表面
のほぼ全面にＴｉ／Ａｌよりなるｎ電極を設け，ｐ電極とｎ電極とが対向した状態
のレーザ素子とする。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明の窒化物半導体の成長方法によると，一ヶ所に結晶
欠陥が集中しないで，表面に現れた結晶欠陥が非常に少ない窒化物半導体素子を実
現できる。そのため，結晶欠陥が第２の窒化物半導体層全体に渡って少なくできる
ため，レーザ素子を作製した場合において，信頼性の高い素子が従来よりも高い歩
留まりで得られるようになる。また，本発明の素子では表面に現れた結晶欠陥が少
ない第２の窒化物半導体層の上に活性層を含む窒化物半導体層を積層しているので，
非常に信頼性の高い素子が実現できる。
イ以上によれば，本件発明の技術的意義について，以下のことを認めるこ
とができる。
本件発明は，基板となり得るような結晶欠陥の少ない窒化物半導体（ＩｎＸＡｌＹ
Ｇａ１－Ｘ－ＹＮ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）を用いたレーザダイオード（ＬＤ）
等の電子デバイスに使用される窒化物半導体素子に関する（【０００１】）。
従来，窒化物半導体は，サファイア基板上に格子不整合の状態で成長されている
が，格子不整合で半導体材料を成長させると，半導体中に結晶欠陥が発生し，その
結晶欠陥が半導体デバイスの寿命に大きく影響するため，サファイア基板上に，結
晶欠陥が非常に多いＧａＮ層を薄く成長させ，その上にＳｉＯ２よりなる保護膜を
部分的に形成し，その保護膜の上からハライド気相成長法（ＨＶＰＥ），有機金属気
相成長法（ＭＯＶＰＥ）等の気相成長法を用いて，再度ＧａＮ層を横方向に成長さ
せるというラテラルオーバーグロウス（ＬＯＧ）と呼ばれる成長方法により，結晶
欠陥の少ない窒化物半導体を成長させる試みが行われた（【０００２】～【０００４】）。
この従来の方法によると，保護膜の上部に結晶欠陥を集中させて，窓部に結晶欠陥
の少ない領域を作製すること，すなわち，意図的に結晶欠陥を偏在させることがで
きるので，異種基板上に直接成長させた窒化物半導体よりも，結晶欠陥の数は減少
するが（【０００６】），窒化物半導体表面に現れている結晶欠陥の数は多く未だ十分
満足できるものではなく，また，窒化物半導体素子についても，結晶欠陥が偏在す
るため，信頼性も十分とはいえず，そのため一枚のウェーハからレーザ素子を多数
作製しても，満足できる寿命を有しているものはわずかしか得られないので，寿命
に優れた素子を作製するためには，窒化物半導体表面に現れた結晶欠陥の数を更に
減少させる必要があった（【０００７】）。
そこで，本件発明は，基板となり得る窒化物半導体の結晶欠陥を少なくして，信
頼性に優れた窒化物半導体素子を提供することを目的とし（【０００７】），厚みが５
０μｍ以上であり，少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶
欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下である，ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用
いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板と，前記ＧａＮ基板の上に積層さ
れた，活性層を含む窒化物半導体層と，前記窒化物半導体層に形成されたリッジス
トライプと，該リッジストライプ上に形成されたｐ電極と，前記ＧａＮ基板の下面
に形成されたｎ電極と，を備えるたものであり（【０００８】，【０００９】），その結
果，結晶欠陥が少ないＧａＮ基板の上に活性層を含む窒化物半導体層を積層してい
るので，非常に信頼性の高い素子が実現できるという効果を奏するものである（【０
０６１】）。
ウ上記のように解されるから，本件発明において，結晶欠陥の数が多い高
キャリア領域にｎ電極を設けることによって，効率のよい素子を作製することまで
がその技術的意義に含まれるとはいえず，したがって，この観点から，「ＧａＮ基板」
の解釈を導くことはできない。
また，本件発明は，物の発明に関するものであり，ハライド気相成長法（ＨＶＰ
Ｅ）を用いることを除き，結晶成長方法を特許請求の範囲に含めておらず，本件明
細書において，ｎ型不純物を含有するＧａＮ基板をハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）
で形成するに際し，新たに３族源のガスに対する窒素源のガスのモル比（窒素源／
３族源）を２０００以下に調整することで，結晶欠陥を横方向に伸ばすことが記載
されている（【００１０】，【００１９】，【００２２】）としても，結晶成長方
法をこれに限定するものでない（【００１６】）旨も記載されている。
エ(ｱ)しかし，その一方，上記【００１６】は，「第２の窒化物半導体層の
結晶欠陥の多い領域と，少ない領域とが窒化物半導体積層方向に対してほぼ同じ方
向にあれば，」成長方法は特に限定されない旨が記載されているのであり，第２の
窒化物半導体層は，結晶欠陥の多い領域と少ない領域が積層する厚み方向に対して
上下方向に位置するものであることを前提としている。
(ｲ)本件明細書において，下地層が残されて素子構造とされる場合，第２
の窒化物半導体層の上に成長されｎ型不純物がドープされた窒化物半導体よりなる
ｎ側コンタクト層か，あるいは，結晶欠陥が多い領域側の第２の窒化物半導体層に
ｎ電極が形成されてなることが望ましいとされ，（【００１２】），下地層が除去され
て素子構造とされる場合には，結晶欠陥が多い領域の第２の窒化物半導体層にｎ電
極が形成されてなることが望ましい（【００１４】）旨が記載されている。この点に
ついて，【００１２】，【００１４】によれば，窒化物半導体では，結晶欠陥が多いも
のは，結晶欠陥が少ないものよりキャリア濃度が大きくなる傾向があるため，第２
の窒化物半導体層の結晶欠陥の多い領域はｎ＋になっており，第２の窒化物半導体
層が同一組成で結晶欠陥の少ない低キャリア濃度領域と，結晶欠陥の多い高キャリ
ア濃度領域とを有しているため，下地層を除去した素子構造の場合には，この高キ
ャリア濃度領域（ｎ＋領域）にｎ電極を設けると閾値，Ｖｆ（順方向電圧）が低下
しやすく，効率のよい素子を作製できることが記載されており，結晶欠陥の多い領
域にｎ電極を設ける理由が開示されている。
しかし，本件明細書には，第２の窒化物半導体層にＳｉ，Ｇｅ等のｎ型不純物を
ドープしてキャリア濃度を高めることのみによって，適切なキャリア濃度に調整で
きるとする記載はない。すなわち，下地層を除去する場合についての唯一の実施例
である実施例７に関する【００５８】，【００５９】には，Ｓｉをドープして第２
の窒化物半導体層を成長させた上で，保護膜が除去されて露出した上記第２の窒化
物半導体層の結晶欠陥が多い側の表面にｎ電極が設けられるとともに，第２の窒化
物半導体層にドープをすることが記載されているが，結晶欠陥が多い側にｎ電極を
設けることなく，ドープのみで必要なキャリア濃度を確保し，動作させることは記
載されていない。また，下地層を除去しない場合で，第２の窒化物半導体層にｎ電
極を形成した実施例である実施例３においても，【００５３】にあるとおり，結晶
欠陥が多い領域を露出させてｎ電極を形成して使用するとともに，ドープが併用さ
れることが記載されているが，本件明細書中に，ドープのみで必要なキャリア濃度
を確保して動作させることができることについては一切記載がない。
そうすると，本件明細書では，下地層が除去されて素子構造を形成する場合には，
ｎ型不純物のドープと併せて，結晶欠陥の多い領域を残存させることによって，高
キャリア濃度を確保する手段が記載されており，結晶欠陥の少ない領域にドープを
することによって適切なキャリア濃度に調整することや，そのようなドープのみで
適切なキャリア濃度を確保して動作をさせることが可能か否かについても明らかで
はないといわざるを得ない。
(ｳ)さらに，本件明細書には，下地層を除去した構造の素子を形成する場
合に，下地層の除去に続いて，第２の窒化物半導体層の結晶欠陥が多い領域を除去
することについては何ら明示的な記載はない。また，前記のように，本件明細書に
は，結晶欠陥の多い領域である高キャリア濃度領域にｎ電極を設けると，閾値，Ｖ
ｆ（順方向電圧）が低下しやすく，効率のよい素子を作製できることが記載されて
いるのに，あえて高キャリア濃度領域として有効利用できるこの結晶欠陥の多い領
域を除去することについて，何らかの利点をもたらす旨の記載も見出せない。
(ｴ)以上によれば，平成１７年４月１８日受付の手続補正書（乙９）の【０
００９】に「前記ＧａＮ基板は，結晶欠陥が少ない領域と結晶欠陥が多い領域とを
有することが望ましい。」とあるとしても，本件明細書の記載に接した当業者にお
いて，「ＧａＮ基板」に，上記のような偏在があるものだけでなく，結晶欠陥の偏
在のないものが含まれると直ちに理解するとは考えられない。
(2)出願経過
さらに，出願経過を見るに，本件原出願及び本件出願，並びに本件補正の内容等
について，原判決第３，１(1)ウ(ｱ)のとおり認められる。これによれば，本件発明
の「ＧａＮ基板」は，本件当初明細書等における「第２の窒化物半導体」に相当す
るものであり，本件原出願及びこれからの分割出願である本件出願においては，窒
化物半導体素子の発明は，いずれも，下地層に接近した側に結晶欠陥が多い領域と，
下地層より離れた側に結晶欠陥が少ない領域とを有する第２の窒化物半導体層を備
えることを必須の構成としていたことが明らかである。
そして，本件原出願等においても，結晶欠陥が少ないＧａＮ基板の上に活性層を
含む窒化物半導体層を積層することによって，信頼性の高い素子を提供することを
技術的意義とするものであるから，下地層より離れた結晶欠陥が少ない側に活性層
を，下地層に接近した結晶欠陥が多い側にｎ電極を設けることは必至であって，逆
の領域に活性層を設けることはあり得ない。
したがって，本件当初明細書等において，第２の窒化物半導体の基準面より上の，
活性層を設ける側の領域と比較してそれより下の領域の結晶欠陥の数が少ない構成
や，両領域の結晶欠陥が同数の構成は，特許請求の範囲及び発明の詳細な説明に記
載されていなかったものと認められる。
(3)以上のとおり，特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載の検討に加え，
本件補正を経て成立した本件発明の構成要件の解釈に当たっては，原告において，
本件補正に際し，本件当初明細書書等に記載されていない事項を含むような補正を
する意思ではなかったと解されること（特許法（平成１８年法律第５５号による改
正前のもの）１７条の２第３項参照）を踏まえると，本件発明の構成要件Ａの「Ｇ
ａＮ基板」は，基準面より下の領域の結晶欠陥の数が上の領域のそれよりも相対的
に多いものとして特定されるＧａＮ基板を意味するものと解するほかはない。
(4)原告の主張について
ア(ｱ)原告は，特許請求の範囲（構成要件Ａ）には，ＧａＮ基板について「少
なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では・・・」と記載されている
のみで，下面から５μｍまでの領域については何も規定されていないのであるから，
下面から５μｍまでの当該領域の結晶欠陥の数が５μｍよりも上の領域よりも相対
的に多いとする認定は，当該特許請求の範囲の記載から離れ，特許請求の範囲には
記載されていない構成要件を付加する不合理な認定である旨主張する。
しかし，特許請求の範囲に記載された用語について，発明の詳細な説明等にその
意味するところや定義が記載されているときは，それらを考慮して特許発明の技術
的範囲の認定を行うことは当然に許されるものであるところ（特許法７０条１，２
項），本件発明の「ＧａＮ基板」は素子を構成する物の一部であり，当然に下面から
厚さ方向に５μｍ以下の領域を有するものであるから，「少なくとも下面から厚さ方
向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下である，ハ
ライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基
板」との用語の意義を解釈するため，発明の詳細な説明の記載等を斟酌し，その技
術的意義を明らかにすることは，特許請求の範囲に記載のない構成要件を付加する
ことにはならない。また，この技術的意義を明らかにする過程において，本件明細
書のほかに，出願経過を踏まえて，出願人の合理的意思を斟酌することは，当然の
ことといえる。
よって，原告の主張は採用できない。
(ｲ)原告は，「物の発明」である本件発明に，最初にＧａＮ基板があって，
その後に電極を付けるというような「方法的な要素」に技術的意義を見出すのは誤
りである旨主張する。
しかし，上記の解釈は，原告の主張するような手順を定めるものでなく，結晶欠
陥の偏在を有するＧａＮ基板という物自体の属性を定め，結晶欠陥の少ない積層成
長側に活性層が（構成要件Ｂ），それと反対側の保護膜の側にｎ電極が（構成要件Ｄ）
設けられたことなどを特徴とする「素子」をいうものであるから，原告の主張は失
当である。
イまた，原告は，本件当初明細書等には，原判決が問題とする「結晶欠陥
の数が多い（キャリア濃度が高い）面にｎ電極を形成すること」でコンタクト抵抗
を下げるＡ発明に加えて，「結晶欠陥が少ない面に半導体素子層を形成する」ことで
結晶欠陥の少ない半導体素子を形成するＢ発明が記載されているのであり，そのう
ち，Ｂ発明のみを取り出せば分割要件違反（補正でいう｢新規事項の追加｣）に当た
るとするのは誤りであると主張する。
確かに，本件発明の技術的意義は，前記１(1)イにおいて述べたとおりであって，
結晶欠陥が少ないＧａＮ基板の上に活性層を含む窒化物半導体層を積層した信頼性
の高い素子を実現する点にあるものと解され，結晶欠陥の数が多い高キャリア領域
にｎ電極を設け効率のよい素子を形成する点とは，一応別の技術思想であると捉え
られる。
しかし，そのことと，本件発明（上記でいうＢ発明）において記載された「Ｇａ
Ｎ基板」が，本件当初明細書等に記載されていたか否かを検討することとは別問題
である。本件発明における「ＧａＮ基板」には，前記のとおり，基準面より上の，
活性層を設ける側の領域と比較してそれより下の領域の結晶欠陥の数が少ない構成
や，両領域の結晶欠陥が同数の構成は含まれていない以上，そのような構成を含む
分割出願又は補正は，新規事項の追加に当たることとなるから，原告の上記主張は
採用できない。
ウさらに，原告は，下面から５μｍまでの当該領域の結晶欠陥の数が５μ
ｍよりも上の領域よりも相対的に多いことは，本件発明に係る特許請求の範囲に記
載されたものではないから，出願経過の斟酌に当たって，基準面より下の結晶欠陥
の数を問題とするのは誤りである旨主張する。
しかし，本件発明が，当初明細書等において記載された範囲内か否かを検討する
に当たっては，その対象が特許請求の範囲の記載に限定されるものではない。そし
て，当初明細書等において，下面から５μｍまでの当該領域の結晶欠陥の数が基準
面上よりも相対的に少ない構成が記載されていない以上，そのような窒化物半導体
素子の出願は，新規事項を追加するものであることは明らかである。
エ原告は，本件当初明細書等の記載事項に関し，当業者の通常の理解に基
づいて本件当初明細書等を読めば，結晶欠陥が少ない領域にｎ電極を設ける構成も
開示されていることが明らかであるとし，本件原出願及び本件出願においても，原
判決がいう｢基準面｣よりも下の領域の結晶欠陥の数を規定しない本件発明が記載さ
れていることは明らかであると主張し，その根拠について，以下のように述べるが，
いずれも採用することができない。
(ｱ)原告は，まず，本件原出願及び本件出願時において，一般的な半導体
レーザ（例えばＧａＡｓ，ＩｎＰ）では，結晶欠陥の少ない基板のキャリア濃度を
高めてコンタクト層として，そこに電極を設ける構成こそが通常の技術であり，こ
の知見は窒化物半導体レーザにもそのまま妥当する旨主張し，また，本件当初明細
書等の【００１２】，【００１４】によって高キャリア濃度領域に電極を設ける記載
に接した当業者は，結晶欠陥が少ない高キャリア濃度とした領域にｎ電極を設ける
構成を理解する旨主張する。
しかし，一般的な半導体レーザに関する知見が，本件原出願時における窒化物半
導体素子にそのまま妥当することを証する証拠はなく，これを前提とする原告の主
張はいずれも採用できない。
(ｲ)また，原告は，本件当初明細書等の【００１５】には，第２の窒化物
半導体層の裏面に電極を形成する場合に関する一般的な記載があり，そのキャリア
濃度が「１×１０１７
／ｃｍ３
～５×１０１９
／ｃｍ３
」とされているところ，同明細
書等の【００３３】には，コンタクト層のキャリア濃度について「３×１０１８
／ｃ
ｍ３
」と記載され，特開平１１－１３５７７０号公報（甲１９）の【００４７】や
特許第３９３３５９２号公報（甲２０）において，キャリア濃度が本件当初明細書
等の【００１５】記載の数値範囲の下限値である１×１０１７
／ｃｍ３
であっても良
好にｎ電極を形成できることが記載されていることに照らすと，結晶欠陥が多い領
域でなくとも，不純物をドープしてキャリア濃度を高めた領域を使用してｎ電極を
形成できることが示されている旨主張する。
しかし，上記の文献（甲１９，２０）は，いずれも本件原出願後に公表された知
見であるから，これをもって，本件原出願時において，窒化物半導体層にドープを
施すのみで，「１×１０１７
／ｃｍ３
～５×１０１９
／ｃｍ３
」のキャリア濃度に調整で
きることが自明の技術であったことを示す証左とはいえず，他にこれを示す証拠は
ない。また，上記【００１５】は，「第２の窒化物半導体層が同一組成で結晶欠陥の
少ない低キャリア濃度領域と，結晶欠陥の多い高キャリア濃度領域とを有している
ので，この高キャリア濃度領域にｎ電極を設けることにより，効率のよい素子を作
製することができる。」とする【００１４】に引き続く記載であり，原告の指摘する
「１×１０１７
／ｃｍ３
～５×１０19
／ｃｍ３
」とのキャリア濃度は，「下地層を除去し
て，その第２の窒化物半導体層の表面に電極を形成する場合」，すなわち，結晶欠陥
の多い下地層側にｎ電極を設ける構成に関するものであること，前記のとおり，実
施例においても，結晶欠陥が多い下地層側にｎ電極が設けられるとともに，ドープ
も行った例のみが記載されていることに照らすと，結晶欠陥の多い高キャリア濃度
領域にｎ電極を設けることに加えて，キャリア濃度を高めるために更にｎ型不純物
をドープすることが記載されていると解され，上記の数値も，下地層を除去した後
の表面に関する記載であることからすると，この記載をもって，結晶欠陥が少ない
側（すなわち，上面）にｎ電極を設けることが記載されているとはいえない。
(ｳ)さらに，原告は，本件当初明細書等の【００４４】の記載を根拠に，
「第２の窒化物半導体層４の結晶欠陥の多い領域までエッチングを行い，その第２
の窒化物半導体層４をコンタクト層とすること」と，窒化物半導体層にドープをし
てキャリア濃度を高めることが等価の技術であることが理解できると主張する。
しかし，【００４４】にいう，コンタクト層として使用されたドープされたｎ側バ
ッファ層（【００３３】参照）は，第２の窒化物半導体層の結晶欠陥の少ない表面に
更に積層されたより結晶性のよいものであるから，第２の窒化物半導体層とは異な
っており，上記記載をもって，これらの技術が等価であるということはできない。
(ｴ)原告は，本件当初明細書等の【００５８】において，第２の窒化物半
導体にドープをした実施例７の記載があることを指摘するが，この実施例７は，【０
０５９】から明らかなように，結晶欠陥の多い下地層側にｎ電極を設けるものであ
るから，ドープのみで必要なキャリア濃度を確保した事例ではない。
(ｵ)加えて，原告は，本件当初明細書等の【００５８】の記載を根拠に，
皿のように反ったウェーハから，異種基板，第１の窒化物半導体層，保護膜を研磨
で除去しようとすると，必然的に，端の部分は，保護膜を超えて，保護膜付近の結
晶欠陥が多い領域（第２の窒化物半導体層の一部）をすべて除去することになる旨
主張する。
しかし，上記【００５８】は，ウェーハの研磨に関して，「ウェーハの異種基板側
を研磨して，異種基板１，第１の窒化物半導体層２，及び保護層３を除去する。」と
記載されているのみで，具体的な態様についての記載はなく，研磨が，ウェーハが
反った状態で行われたのか否かについても明らかではないから，原告主張のように
「保護膜を超えて，更に保護膜付近の結晶欠陥が多い領域（第２の窒化物半導体層
の一部）をすべて除去することになる」ということはできない。
２被告製品１の構成要件Ａの充足性（争点(1)）について
以上を踏まえて検討するに，原判決第２，１(4)のとおり，被告製品１のＧａＮ基
板における結晶欠陥の数は，ＧａＮ基板の厚さ方向において略均一（８×１０６
個
／ｃｍ２
以下）であって（構成ａ），厚さ方向に結晶欠陥の数の偏在がないのである
から，構成要件Ａの「ＧａＮ基板」を充足しないものと判断することが相当である。
３以上によれば，その余の点について判断するまでもなく，原告の請求はいず
れも理由がない。
第４結論
よって，本件控訴には理由がないから，これを棄却することとし，主文のとおり
判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
清水節
裁判官
中村恭
裁判官
中武由紀

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