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平成１９年９月２８日判決言渡同日原本領収裁判所書記官岸宏朗
平成１８年(ワ)第１５８０９号損害賠償請求事件
口頭弁論終結日平成１９年７月６日
判決
東京都小平市＜以下略＞
原告ニトマック・イーアール株式会社
東京都東久留米市＜以下略＞
原告旭栄研磨加工株式会社
上記２名訴訟代理人弁護士遠藤源太郎
同訴訟代理人弁理士佐々木定雄
同補佐人弁理士重信和男
同櫻井義宏
同秋庭英樹
石川県白山市＜以下略＞
被告株式会社ビービーエス金明
同訴訟代理人弁護士窪田英一郎
同大西達夫
同柿内瑞絵
同乾裕介
同今井優仁
同訴訟代理人弁理士筒井大和
同小塚善高
同筒井章子
主文
１原告らの請求をいずれも棄却する。
２訴訟費用は原告らの負担とする。
事実及び理由
第１請求
１被告は，原告ニトマック・イーアール株式会社（以下「原告ニトマック」と
いう。）に対し，２５００万円及びこれに対する平成１８年８月５日から支払
済みまで年５分の割合による金員を支払え。
２被告は，原告旭栄研磨加工株式会社（以下「原告旭栄」という。また，原告
ニトマックと原告旭栄とを併せて「原告ら」ということがある。）に対し，２
５００万円及びこれに対する平成１８年８月５日から支払済みまで年５分の割
合による金員を支払え。
第２事案の概要
本件は，円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法についての特許
権を共有する原告らが，半導体ウェーハ外周面取部研磨装置を組み込んだ製品
を製造，販売する被告に対し，上記装置において用いられる外周面取部の研磨
加工方法は，上記特許権に係る発明の技術的範囲に属するものであり，上記装
置を組み込んだ製品を製造，販売する被告の行為は，平成１８年法律第５５号
による改正前の特許法（以下「改正前特許法」という。）１０１条３号又は４
号により，上記特許権を侵害するものとみなされるとして，民法７０９条に基
づき，平成１５年１月１７日から平成１６年１２月３１日までの間に被告が製
造，販売した製品に係る実施料相当額の損害の賠償（原告ら各２分の１の持分
割合）を求める事案である。
なお，附帯請求は，不法行為の後の日である平成１８年８月５日から支払済
みまでの民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払請求である。
１争いのない事実等（証拠を掲げていない事実は当事者間に争いがない。）
(1)当事者
原告ニトマックは，金属加工機械，シリコン，硝子等加工機械及び精密工
具の販売，設計，並びに技術指導等を業とする株式会社である。
原告旭栄は，眼鏡レンズ，写真レンズ，顕微鏡その他各種光学レンズ，光
学機械器具類の製造，加工等を業とする株式会社である。
被告は，工作機械及び弱電機器の製造組立販売等を業とする株式会社であ
る。
（弁論の全趣旨）
(2)原告らの特許権
原告らは，次の特許権（以下「本件特許権」といい，その特許請求の範囲
請求項１の発明を「本件発明」という。また，本件特許権に係る特許を「本
件特許」といい，本件特許に係る明細書（別紙特許公報参照）を「本件明細
書」という。）を共有し，その持分は各２分の１である。
特許番号第３３８９０１４号
発明の名称円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法
出願日平成８年７月１５日
登録日平成１５年１月１７日
特許請求の範囲請求項１
「凹形状をなす研磨面に対して，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部を
ほぼ全周において押し当てた状態で，この研磨面と円盤状半導体ウェーハ
との相対的回転を与えることにより，円盤状半導体ウェーハの外周の面取
部のミラー面取加工を行うようにしたミラー面取加工方法であって，前記
凹形状をなす研磨面が，円盤状半導体ウェーハの外周面取部をほぼ全周に
おいて押し当て可能な曲率半径の球内面形状であり，この球内面の中心点
に円盤状半導体ウェーハの回転軸を一致させ，かつ研磨面の回転軸と前記
円盤状半導体ウェーハの回転軸とを不一致とさせ，少なくとも前記研磨面
をその回転軸で強制的に回転させるようにしたことを特徴とする円盤状半
導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法。」
(3)本件発明の構成要件の分説
本件発明の構成要件を分説すると，次のとおりである（以下分説した各構
成要件をそれぞれ「構成要件Ａ」などという。）。
Ａ凹形状をなす研磨面に対して，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部を
ほぼ全周において押し当てた状態で，この研磨面と円盤状半導体ウェーハ
との相対的回転を与えることにより，円盤状半導体ウェーハの外周の面取
部のミラー面取加工を行うようにしたミラー面取加工方法であって，
Ｂ前記凹形状をなす研磨面が，円盤状半導体ウェーハの外周面取部をほぼ
全周において押し当て可能な曲率半径の球内面形状であり，
Ｃこの球内面の中心点に円盤状半導体ウェーハの回転軸を一致させ，
Ｄかつ研磨面の回転軸と前記円盤状半導体ウェーハの回転軸とを不一致と
させ，
Ｅ少なくとも前記研磨面をその回転軸で強制的に回転させるようにした
Ｆことを特徴とする円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法。
(4)被告の行為
ア被告は，次の製品（以下「被告製品」という。）を製造，販売している。
製品名「ＦＩＮＥＳＵＲＦＡＣＥ」
型式名「Ｅ−２００」
「Ｅ−３００」
「Ｅ−２００ＴＹＰＥ−Ⅱ」
「Ｅ−３００ＴＹＰＥ−Ⅱ」
イ被告製品は，半導体ウェーハ外周面取部研磨装置（以下「被告装置」と
いう。）を含む。
被告装置の構成及び被告装置において使用されている半導体ウェーハの
外周面取部の研磨加工方法（以下「被告方法」という。）については，当
事者間に一部争いがあるものの，当事者間に争いがない範囲の被告装置の
構成及び被告方法は，別紙被告装置目録記載のとおりである（以下におい
て，被告装置の構成を指摘する場合に，同目録の符号を付して特定するこ
とがある。）。
ウ被告装置には，研磨リングの種類に応じ，次の３種類のものが存する。
(ア)直径３００㎜のウェーハを研磨するもので，研磨リングに貼着され
た研磨パッドの中段部に相当する研磨面の高さが５．０９㎜のもの（以
下「３００㎜用被告装置」という。）
(イ)直径２００㎜のウェーハを研磨するもので，研磨リングに貼着され
た研磨パッドの中段部に相当する研磨面の高さが２．０４㎜のもの（以
下「２００㎜用被告装置（２．０４）」という。）
(ウ)直径２００㎜のウェーハを研磨するもので，研磨リングに貼着され
た研磨パッドの中段部に相当する研磨面の高さが４．９３㎜のもの（以
下「２００㎜用被告装置（４．９３）」という。）
（乙９，１０，１３，１８ないし２０，弁論の全趣旨）
(5)構成要件の一部充足
被告方法は，本件発明の構成要件ＤないしＦを充足する。
２争点
(1)被告方法は本件発明の技術的範囲に属するか（被告方法は，構成要件Ａ
ないしＣを充足するか）。（争点１）
ア被告方法は，構成要件Ａの「凹形状をなす研磨面」及び構成要件Ｂの
「凹形状をなす研磨面」を充足するか。（争点１−ａ）
イ被告方法は，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」及び構
成要件Ｂの「ほぼ全周において押し当て可能」を充足するか。（争点１−
ｂ）
ウ被告方法は，構成要件Ｂの「球内面形状」及び構成要件Ｃの「球内面」
を充足するか。（争点１−ｃ）
(2)被告方法は本件発明と均等か。（争点２）
(3)被告の行為は本件特許権の侵害（間接侵害）となるか。（争点３）
(4)本件特許は無効にされるべきものか。（争点４）
ア新規性の有無（特許法２９条１項３号）（争点４−ａ）
イ進歩性の有無（特許法２９条２項）（争点４−ｂ）
ウ記載要件違反の有無（特許法１２３条１項４号，３６条６項２号）（争
点４−ｃ）
(5)損害額（争点５）
第３争点に関する当事者の主張
１争点１（被告方法は本件発明の技術的範囲に属するか）について
〔原告らの主張〕
(1)争点１−ａ（被告方法は，構成要件Ａの「凹形状をなす研磨面」及び構
成要件Ｂの「凹形状をなす研磨面」を充足するか）について
ア被告装置の構成及び被告方法の充足性
被告装置の研磨リング２３は３段に分かれて研磨パッド２５が貼着され，
研磨面２４は３段に分かれた研磨パッド２５の中段部分に相当するもので
ある。そして，研磨リング２３の研磨面２４に相当する部分は球内面形状
に加工されているから，研磨面２４は，凹形状を成している。
したがって，被告方法は，構成要件Ａの「凹形状をなす研磨面」及び構
成要件Ｂの「凹形状をなす研磨面」を充足する。
イ「凹形状をなす研磨面」の意義について
(ア)「凹形状」との用語は，凹んだ形状を意味する。したがって，「凹
形状をなす研磨面」とは，研磨面が，平面形状でも，凸形状でもなく，
面が凹んだ形状であることを意味する。
(イ)被告は，「凹形状をなす研磨面」とは，中央がくぼんだ，底部が存
在する形状の研磨面と解釈されるべきである旨主張する。
しかしながら，本件発明は，研磨面が，本件明細書中で従来技術とし
て紹介されている研磨ドラムのような凸面形状をなす研磨面（【図６】
ないし【図８】）とは対照的な形状，すなわち，凹形状の研磨面で半導
体ウェーハの外周を受け止めて面取加工する点に画期的な特徴があるの
であり，底部が存在する形状である必要はない。
(ウ)被告は，本件明細書中で開示されている研磨面がすべて底部を有す
るお碗のような形状のものである旨主張する。
しかしながら，被告の指摘する「お碗のような形状のもの」は，研磨
面を支持する「研磨台４」である（【図１】ないし【図５】）。「研磨
台４」に固定される「研磨パッド５」が形成する面が研磨面であり，本
件発明においては，上記研磨面が凹面をなすことをいうのみであって，
お碗のような形状であるとは特定されていない。
なお，本件明細書中の【図３】では，研磨面のうちウェーハが接触す
る研磨部分（斜線部分）とは別に，中心部近傍にウェーハが接触しない
部分（白抜き部分）が示されている。このことからも，本件発明におい
て，「凹形状をなす研磨面」が，底部の存在するお椀のような形状のも
のである必要がないことが明らかである。
(エ)被告は，本件明細書には，本件発明の効果として，円盤状半導体ウ
ェーハと研磨面の位置設定が簡素化されることが挙げられており，この
効果を得るためには，研磨面が底部の存在するお碗のような形状をして
いる必要がある旨主張する。
しかしながら，研磨面が底部の存在するお碗のような形状をしていな
くても，研磨面が球内面形状であれば，研磨面に円盤状半導体ウェーハ
の外周を押し当てた状態で入れることは極めて容易なのであって，研磨
面に底部が存在するか否かは，本件発明の上記効果とは関係がない。
(2)争点１−ｂ（被告方法は，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた
状態」及び構成要件Ｂの「ほぼ全周において押し当て可能」を充足するか）
について
ア「ほぼ全周」の意義について
「ほぼ」とは，「おおかた」，「およそ」，「大略」の意味であり（広
辞苑第４版），「ほぼ全周」は，「およそ全周」，あるいは，「おおかた
全周」を意味する。そして，本件発明における「全周」とは，円盤状半導
体ウェーハの外周面取部の全周を意味するから，構成要件Ａ及びＢの「ほ
ぼ全周」とは，「半導体ウェーハの外周面取部の周全体のうちのおおかた
部分」を意味することになる。
本件明細書中には，「ほぼ全周とは，円盤状半導体ウェーハや研磨面に
一部の切欠きが存在していたり，それらの一部形状の変化により１００％
全て当接しなければならないものではないことを意味している。」（段落
【００３５】）との記載があり，半導体ウェーハの外周面取部が研磨面に
対して１００％当接しない状態が包含されることが記載されている。
そして，そもそも，本件発明において，半導体ウェーハの外周面取部を
「ほぼ全周」において押し当てることの技術的意義は，「円盤状半導体ウ
ェーハ２３を押し当てようとする力が円盤状半導体ウェーハ２３の外周部
に位置する面取部のほぼ全域を使用して支えられるため，ミラー面取加工
の速度に最も必要な押し付け力を高めても，円盤状半導体ウェーハ２３に
局部的な荷重が加わらず，加工時の局部欠損を防止できる。」（段落【０
０２２】）ことにあるのであるから，半導体ウェーハの外周面取部の全周
が研磨面に当接しない場合において，その状態が「ほぼ全周」に相当する
か否かは，半導体ウェーハを押し当てた状態が，研磨加工時に局部的欠損
が生じる局部的な荷重が加わるのを排除することができる状態となってい
るか否かによって判断されるものである。
したがって，「ほぼ全周」とは，ウェーハの外周部に位置する面取部の
ほぼ全域を使用してバランス良くウェーハの支えを行えば十分な程度の
「ほぼ全周」を意味する。
イ被告装置の構成及び充足性
被告装置においては，研磨面２４に対して，円盤状半導体ウェーハＷの
外周の面取部の一部を研磨面２４の大径部２６及び小径部２７からそれぞ
れせり出すようにして押し当てた状態で，この研磨面２４と円盤状半導体
ウェーハＷとの相対的回転を与えることにより，円盤状半導体ウェーハＷ
の外周の面取部のミラー面取加工を行うようにしている。
研磨面とウェーハ面取部との当接割合は，両回転軸のなす交差角度だけ
でなく，研磨面の高さ，パッドの厚薄，その他諸条件によって変化するも
のであり，せり出すことによる効果を維持しながら研磨効率を向上させる
には，研磨面とウェーハ外周との当接部分の割合を最大に近づける必要が
ある。
被告装置においては，トラック状の溝が研磨面に生じるのを回避すると
いう効果を得るために，ウェーハを研磨面の大径部と小径部からせり出し
た状態で研磨しているとしても，最も効率的にかつウェーハに欠損が生じ
ない状態で使用することが当然に要請されており，ウェーハの外周欠損の
可能性を低減させつつ，短時間に面取加工するとの課題を解決することが
できる範囲内でウェーハ面取部が研磨面に押し当たっているものといえる
から，被告装置は，「ほぼ全周」において押し当てた状態で加工する装置
とみるのが技術常識に合致する。
そして，本件発明においては，ウェーハの外周面取部の全周を「同時
に」押し当てることを要件とするものではないから，被告装置が半導体ウ
ェーハの一部をせり出すようにしていたとしても，ウェーハの外周面取部
が「ほぼ全周」において押し当てられた状態になるものといえる。
したがって，被告方法は構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状
態」及び構成要件Ｂの「ほぼ全周において押し当て可能」を充足する。
ウ被告の主張に対する反論
被告は，被告装置では，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部の全周が
同時に研磨面に押し当てられることはなく，常時，その一部が研磨面から
せり出しているから，被告方法は，構成要件Ｂの「ほぼ全周において押し
当て可能」，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」をいずれ
も充足しない旨主張する。しかし，被告の上記主張は，次のとおり失当で
ある。
(ア)被告は，被告装置においては，ウェーハの回転軸と研磨面の回転軸
との角度が２度となるように固定されていることを前提として，ウェー
ハの外周面取部のうち研磨面に接する部分は，３００㎜用被告装置を使
用した場合でウェーハ全周の約３２％，２００㎜用被告装置（２．０
４）を使用した場合でウェーハ全周の約１９％，２００㎜用被告装置
（４．９３）を使用した場合でウェーハ全周の約５０％にすぎない旨主
張する。
しかしながら，上記数値を導く際の被告の計算方法は，次のとおり適
切でない。
ａ被告の計算では，研磨パッドの厚み（１．３㎜），研磨パッドの研
磨時の弾性変形量，研磨パッドの研磨経過後の形状，ウェーハの厚み
（０．８６㎜）等が全く考慮されていない。
ｂ被告は，被告装置が研磨リングに段差を設け，研磨リングに貼着さ
れた研磨パッドのうち中段部に相当する部分のみが研磨面であるとし
て他と区別し，研磨リングの上段部及び下段部にも研磨パッドが貼着
されているにもかかわらず，研磨パッドの上段部及び下段部を研磨面
とはしていない。しかしながら，研磨面は，実際にウェーハの外周が
接触し研磨に使用される範囲を指し，上記中段部に限られるものでは
ない。
ｃ被告は，オーバーハング部について，「大まかにいえば，研磨面の
曲率半径，研磨面の高さ，研磨面の下部（研磨面の大径部）の直径，
ウェーハの直径，研磨面の回転軸とウェーハの回転軸とのなす角度が
分かれば，必然的に研磨面とウェーハとの位置関係，迫出し量が決ま
る。」とするが，誤りである。
すなわち，実際に研磨する状況に即してウェーハと研磨面との当接
状態を観察すると，不織布等の材質から成り，所定の厚さ，圧縮率を
有する研磨パッドを研磨リングに周方向に沿って貼着し，この研磨パ
ッドとウェーハとが初めて当接する初期当接状態から，ウェーハを所
定圧力で押し付けることによって，研磨パッドとウェーハとの当接面
積を広げつつ研磨パッドに圧縮が生じた押し当て状態に至るのであり，
この押し当て状態をもって，ウェーハと研磨面とが当接し，研磨が行
われるといえる。
したがって，ウェーハと研磨面との当接割合を正確に算出するため
には，被告主張の上記要素に加え，研磨パッドの厚さ，圧縮率，摩耗
の要素を考慮に入れ，押し当て状態におけるウェーハと研磨面との当
接する割合を算出する必要がある。
(イ)研磨パッドの厚み，ウェーハの厚み，研磨パッドの摩耗による減少
を考慮して，半導体ウェーハ外周面取部と研磨面との当接割合を計算す
ると，３００㎜用被告装置を使用した場合，研磨パッドが摩耗するに従
い，研磨パッドの中段部に相当する研磨面の幅（高さ）は増加し，この
高さが９．０４㎜となった時点では，研磨面を研磨パッドの中段部に相
当する部分に限っても，当接割合が全周の約７１．９％ないし約８０％
にまで達する。実際には，研磨パッドの弾性変形により研磨面の上下端
部において盛上りが生じ，研磨面の高さはもっと増加するはずであるか
ら，より当接割合は大きくなるはずである。
したがって，仮に，研磨面の回転軸と半導体ウェーハの回転軸との角
度が，被告の主張するとおり，２度となるように設定されていたとして
も，研磨パッドの厚みとその変化，ウェーハの厚み等を考慮すれば，当
接割合が全周の約３２％などという割合にとどまることはない。
(ウ)２００㎜用被告装置（４．９３）を使用した場合，研磨パッドの厚
み（１．３㎜）を考慮すれば，ウェーハが研磨パッドに当接した時点
（まだ押圧力を加える前）において，研磨面を研磨パッドの中段部に相
当する部分に限っても，既に全周の約５２％ないし約６５．２％の部分
が研磨パッドに当接している状態にある。
そして，研磨リング上の研磨パッド（厚み１．３㎜）について，約１
５㎏に相当するウェーハの押し付け圧と研磨パッド自体の使用による損
耗により，研磨パッドの研磨に寄与する厚み変化が３０％程度発生した
（研磨パッド厚が１．３㎜から０．８９㎜に変化し，研磨パッドの中段
部に相当する研磨面の高さが６．５６㎜になった）だけで，研磨面を研
磨パッドの中段部に相当する部分に限っても，全周のほぼ１００％が当
接することになる。
したがって，仮に，研磨面の回転軸と半導体ウェーハの回転軸との角
度が２度となるように設定されていたとしても，研磨開始からわずかな
時間の経過で，研磨パッド自体の使用による損耗により，オーバーハン
グ部が減少，若しくは存在しない状態となる。
(エ)２００㎜用被告装置（４．９３）を使用した場合，１枚目のウェー
ハの加工時，すなわち，まだ研磨パッドの摩耗がない状態においても，
傾斜角度２度で直径２００㎜のウェーハを約３．０㎏の押し付け力で押
し付けただけで，ウェーハが研磨パッドに沈み込み，当初の研磨パッド
の厚みが１．３㎜と想定しても，研磨パッドの上段部及び下段部に相当
する部分を研磨面に含めれば，当接割合は１００％に達する。
なお，他の２種類の被告装置（３００㎜用被告装置及び２００㎜用被
告装置（２．０４））については，所定の押し付け力を考慮しても，当
接割合は１００％に達しない。
(オ)実際に，被告製品のカタログ（甲３の１）の「Chamfer」図には，
球内面形状の研磨面にウェーハの外周の全周を押し当てる利用形態が示
されている。
(カ)被告は，被告装置における研磨面の回転軸の傾斜は，研磨面を含め
た研磨台を支える支持部材の傾斜に基づくものであり，研磨面の回転軸
の角度を２度から変更することは不可能であるとするが，支持部材自体
が傾斜しているわけではなく，傾斜面を持つ間座を研磨台と支持部材と
の間に介在させて傾斜角度を作り出しているのであるから，傾斜角度の
異なる間座を使用することにより，傾斜角度はいかようにも変更するこ
とができるものである。そして，ユーザーにおいて，研磨パッドの交換
や研磨するウェーハの直径に対応する調整等を必要とする場合も想定さ
れるのであり，上記角度の調整を行い得る構成をとる必要もある。
そもそも，被告は，上記角度を２度で固定しているというものの，２
度という角度をとることについての技術的な根拠は明らかでない。
(3)争点１−ｃ（被告方法は，構成要件Ｂの「球内面形状」及び構成要件Ｃ
の「球内面」を充足するか）について
ア被告装置は，別紙被告装置目録記載のとおり，研磨リング２３が精密加
工された球内面形状をしている以上，これに貼着された研磨パッド２５の
成す面である研磨面２４も球内面形状となる。
そもそも研磨リングを精密加工する目的は，研磨パッドを貼着した研磨
面を精密な球内面とすることにあり，仮に，研磨パッドの厚みに不均一な
部分が存在したとしても，それによって形成される内面形状が球内面であ
ることに変わりはない。
研磨リングの球内面の中心点と研磨パッドの作る球内面の中心点とは理
論上一致するのであり，仮に，研磨パッドの厚さが均一でないために上記
中心点が一致しないことがあったとしても，誤差の範囲内の問題にすぎな
い。
イ構成要件Ｃの「球内面の中心点」とは，研磨面が完全に外接する球の中
心点を意味する。
被告装置は，球内面の中心点に円盤状半導体ウェーハの回転軸Ｌ１を一
致させている。
なお，円盤状のウェーハを回転させ，その外周の全周を球内面形状の研
磨面に当接させる場合には，円盤状ウェーハの回転軸は研磨面を形成する
球の中心点を通ることになることは，幾何学上自明である。
(4)まとめ（構成要件ＡないしＣの充足性）
以上のとおり，被告方法は，構成要件ＡないしＣをいずれも充足する。
〔被告の主張〕
(1)争点１−ａ（被告方法は，構成要件Ａの「凹形状をなす研磨面」及び構
成要件Ｂの「凹形状をなす研磨面」を充足するか）について
ア「凹形状をなす研磨面」の意義
「凹形状をなす研磨面」とは，次のとおり「中央がくぼんだ，底部が存
在する形状の研磨面」と解釈されるものである。
(ア)「凹」とは，「物の表面が部分的にくぼんでいること。くぼみ。」
を意味し（広辞苑第５版），「表面」あるいは「くぼみ」という表現か
ら明らかなとおり，一連の「面状」であることを前提とし，くぼみの底
部が存在しない形状は含まれない。
本件明細書中で開示されている「凹形状をなす研磨面」は，すべて底
部が存在する「お椀」のような形状をしたものである（【図１】ないし
【図５】）。出願当初の明細書（乙１）には，「凹形状をなす研磨面」
として円錐状の研磨面も開示されており（【図１１】），これも底部が
存在する形状であることに変わりはない。本件特許の出願から登録に至
るまでの間，本件特許に係る明細書において，底部が存在しない形状の
研磨面（リング状のもの）が開示されたことはなく，上記のような形状
の研磨面を指して「凹形状をなす研磨面」という用語が使用されたこと
もない。
(イ)本件発明の効果
本件明細書には，本件発明の効果として，「円盤状半導体ウェーハを
凹状の研磨面に当接するのみで，理論的に常時円盤状半導体ウェーハの
全周が研磨面に当ることになり，両者の位置設定が極めて簡素化される
といった特徴がある。」（段落【００３５】）と記載されている。
上記効果を得るためには，研磨面が球内面形状であるだけでは足りず，
研磨面に底部が存在し，「お椀」のような形状をしている必要がある。
すなわち，研磨面が「お椀」のような形状をしている場合，その「お
椀」の中に円盤状のウェーハを入れさえすれば，研磨面が球内面形状で
あることによって，理論上，自動的にウェーハの全周が研磨面に接する
ことになる。他方，研磨面が底部の存在しないリング状である場合，ウ
ェーハを「リング」の中に入れたとしても，ウェーハの軸と研磨面の軸
との傾斜角を少し大きくしただけで，ウェーハの外周の一部が研磨面の
外に容易にせり出してしまうことになるから，ウェーハの外周の全周が
研磨面に接するようにするためには，ウェーハと研磨面の位置設定に相
当の精密さが要求されることになり，両者の位置設定が簡素化されると
いう本件発明の効果を得ることができない。
イ被告装置の構成及び被告方法の充足性
被告装置における研磨面の形状は，別紙被告装置目録記載のとおり，リ
ング状の研磨面２４であって，底部を有しないから，被告方法は，構成要
件Ａの「凹形状をなす研磨面」及び構成要件Ｂの「凹形状をなす研磨面」
をいずれも充足しない。
(2)争点１−ｂ（被告方法は，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた
状態」及び構成要件Ｂの「ほぼ全周において押し当て可能」を充足するか）
について
ア「ほぼ全周」の意義について
「ほぼ全周において押し当て可能」（構成要件Ｂ）とは，「円盤状半導
体ウェーハや研磨面の一部の切欠き，あるいは，円盤状半導体ウェーハや
研磨面に一部形状の変化が生じた場合のその部分を除いて，円盤状半導体
ウェーハの外周の面取部をすべて押し当てることができる」と解釈される
ものである。また，「ほぼ全周において押し当てた状態」（構成要件Ａ）
とは，「円盤状半導体ウェーハや研磨面の一部の切欠き，あるいは，円盤
状半導体ウェーハや研磨面に一部形状の変化が生じた場合のその部分を除
いて，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部がすべて押し当てられた状
態」と解釈されるものである。
そして，上記可能性及び状態は，円盤状半導体ウェーハや研磨面の回転
を考慮して判断されるものではなく，ある静止状態において同時に「ほぼ
全周」，押し当てることが可能，あるいは，押し当てた状態であることを
意味するものと解釈される。
理由は次のとおりである。
(ア)本件発明においては，研磨面は，円盤状半導体ウェーハの外周の面
取部をほぼ全周において押し当て可能な形状である必要があり（構成要
件Ｂ），かつ，円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工が行われ
る際には，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部は，ほぼ全周において
研磨面に押し当てられた状態である必要がある（構成要件Ａ）。
この「ほぼ全周」において円盤状半導体ウェーハの外周の面取部を研
磨面に押し当てるという要件は，円盤状半導体ウェーハに局部的な荷重
が加わらず，加工時の局部欠損を防止することができ，ひいては，円盤
状半導体ウェーハの面取加工の速度を飛躍的に高めるという本件発明の
効果を得るために必要不可欠な要件であり，本件発明の本質的部分を構
成する要件である。
(イ)「ほぼ全周」という用語の意味は，それ自体不明確であり，請求項
の記載からは必ずしも明確にはならないものの，本件明細書中に上記用
語の意味についての記載が存在する。すなわち，本件明細書の発明の詳
細な説明中には，「ほぼ全周とは，円盤状半導体ウェーハや研磨面に一
部の切欠きが存在していたり，それらの一部形状の変化により１００％
全て当接しなければならないものではないことを意味している。」と記
載されている（段落【０００７】，【００３５】）。
(ウ)「ほぼ全周において押し当てた状態」というのは，回転を考慮して
判断されるものではなく，ある静止状態において同時にほぼ全周押し当
てられていることを意味する。
このことは，本件発明の特許請求の範囲に「凹形状をなす研磨面に対
して，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部をほぼ全周において押し当
てた状態で，この研磨面と円盤状半導体ウェーハとの相対的回転を与え
ることにより，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部のミラー面取加工
を行うようにしたミラー面取加工方法であって，」（構成要件Ａ）と記
載されており，「ほぼ全周において押し当てた状態」から「相対的回転
を与える」こととされていることから明らかである。
イ被告装置の構成及び被告方法の充足性
(ア)被告装置においては，別紙被告装置目録記載のとおり，円盤状半導
体ウェーハＷの外周の面取部の一部が，研磨面の小径部２７（上方）及
び大径部２６（下方）からそれぞれせり出すよう，研磨台２１，研磨面
２４，ウェーハ保持台１１の位置関係が設定されている（小径部２７か
らせり出したオーバーハング部Ｗａ，大径部２６からせり出したオーバ
ーハング部Ｗｂ）。そして，研磨台２１，研磨面２４及びウェーハ保持
台１１の位置関係は，被告が被告装置を製造する際に設定され，面取加
工時には必ず設定された位置関係となるように固定された状態で出荷さ
れる。ユーザーにおいて上記設定を変更することはできない。
被告装置においては，ウェーハ保持台１１の回転シャフト１２の中心線
Ｌ１と研磨台２１の回転シャフト２２の中心線Ｌ２とは互いに２度で交
差するように設定されている。
ウェーハの回転軸と研磨面の回転軸との角度が２度である場合，円盤
状半導体ウェーハの外周の面取部のうち，研磨パッドの中段部に相当す
る研磨面に同時に接するのは，３００㎜用被告装置を使用した場合で全
周の約３２％（研磨面の高さが５．０９㎜であること及び研磨パッドの
厚さが１．３㎜で一定であることを前提として計算），２００㎜用被告
装置（２．０４）を使用した場合で全周の約１９％（研磨面の高さが２．
０４㎜であること及び研磨パッドの厚さが１．３㎜で一定であることを
前提として計算），２００㎜用被告装置（４．９３）を使用した場合で
全周の約５０％（研磨面の高さが４．９３㎜であること及び研磨パッド
の厚さが１．３㎜で一定であることを前提として計算）にすぎない。
すなわち，被告装置においては，研磨面のみならず，円盤状半導体ウ
ェーハも回転するため，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部は，必ず
研磨面を経由するが，円盤状半導体ウェーハの外周面取部の全周が同時
に研磨面に押し当てられることはなく，常時，その一部が研磨面からせ
り出した状態が維持されることになる。
(ウ)被告装置において，常時，ウェーハの外周の面取部の一部が研磨面
からせり出した状態とし，全周が同時に研磨面に押し当てられることの
ない構成を採用したのは，次の理由による。
すなわち，全周が同時に研磨面に押し当てられた状態で研磨面を回転
させると，研磨面には，ウェーハの外周の面取部に接する部分と接しな
い部分とが生じることになり（本件明細書の【図３】参照。斜線部が面
取部に接する部分であり，その内側及び外側の白い部分が面取部に接し
ない部分である。），面取部の研磨に伴って，研磨面のうち面取部に接
する部分は徐々に削られるのに対し，面取部に接しない部分は削られる
ことはない。そのため，研磨を続けることによって，研磨面上で，面取
部に接する部分と接しない部分との間にトラック状の溝が発生すること
になる。
発生した溝によってウェーハ外周の面取部が研磨されると，研磨面の
溝がウェーハの面取部を超えて本来研磨されるべきではないウェーハの
面を研磨してしまい，半導体ウェーハとして使用することができなくな
ってしまう。他方，このような事態を避けようとすれば，研磨面上に溝
が発生する前に研磨面を交換する必要が生じることになる。
被告装置においては，上記のような事態を避け，かつ，研磨面を長持
ちさせるため，ウェーハのオーバーハング部（Ｗａ，Ｗｂ）が研磨面か
らせり出すようにしているのである。このような構成をとることにより，
研磨中は，研磨面の全面にウェーハの外周の面取部が接することになり，
面取部に全く接しない部分がなくなるため，トラック状の溝が生じるこ
ともなくなる。
もっとも，被告装置においては，ウェーハの外周の面取部の全周が常
時研磨面に接するわけではないため，研磨の効率は本件発明に比して低
下する。しかしながら，被告は，上記デメリットを考慮しても上記メリ
ットが大きいとの判断の下，上記構成を採用しているのである。
なお，ウェーハのオーバーハング部（Ｗａ，Ｗｂ）を研磨面からせり
出させることによって，研磨面上にトラック状の溝が生じることを防止
し，研磨面の寿命を延ばす技術については，システム精工株式会社が平
成１２年１０月２７日に特許出願し，平成１５年６月２７日に特許登録
された（特許番号第３４４５２３７号。乙２）。被告は，同社から上記
特許に係る発明の実施許諾を受け，その実施品である被告装置を製造，
販売している。
(エ)以上のとおり，被告装置では，円盤状半導体ウェーハの外周の面取
部の全周が同時に研磨面に押し当てられることはなく，常時，その一部
が研磨面からせり出しているから，被告方法は，①円盤状半導体ウェー
ハや研磨面の一部の切欠きが存在するために，円盤状半導体ウェーハの
外周の面取部の一部が研磨面に接しない場合にも，②円盤状半導体ウェ
ーハや研磨面に一部形状の変化が生じたために，円盤状半導体ウェーハ
の外周の面取部の一部が研磨面に接しない場合にも該当しない。
したがって，被告方法は，構成要件Ｂの「ほぼ全周において押し当て
可能」，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」をいずれも
充足しない。
ウ原告らの主張に対する反論
(ア)原告らは，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」とは，
「ウェーハの外周部に位置する面取部のほぼ全域を使用してバランスよ
くウェーハの支えを行えば十分な程度のほぼ全周において押し当てた状
態」を意味する旨主張する。しかしながら，このような解釈は，具体的
な構成によらない機能的，抽象的な概念を用いた解釈方法であって不適
当である。
そもそも，本件明細書には，本件発明は，研磨面に対してウェーハの
外周面取部が「ほぼ全周」において押し付けられるという構成を採用す
ることで，ウェーハに局部的な荷重が加わることを防止するという効果
を得る旨が記載されているにすぎない。これに対し，原告らの主張は，
ウェーハに局部的な荷重が加わることを防止するという効果を得られさ
えすれば，「ほぼ全周」において押し付けられている構成を採用したこ
とになると主張するものであり，論理が逆転している。
また，原告らの上記解釈によると，「バランスよくウェーハの支えを
行う」ことのできる状態であれば，すべて「ほぼ全周において押し当て
た状態」に該当することになり，極論すれば，当接割合が２０％程度で
あったとしても，これに該当することになりかねない。これでは，「ほ
ぼ全周」という文言の通常の意味を著しく逸脱することになる。
(イ)被告は，顧客に対して被告装置を納入する際，研磨リングに研磨パ
ッドを貼着しない状態で納入している。研磨パッドを研磨リングに貼着
したり，研磨パッドを交換したりする作業は，顧客が各自研磨パッドを
調達した上で行うものである。
被告は，被告装置を納入する際，ウェーハの回転軸と研磨面の回転軸
との角度を２度に固定しており，かかる角度を顧客において変更するこ
とは不可能である。
すなわち，上記角度は，研磨面を含めた研磨台を支える支持部材（間
座）の傾斜によって生じているものであり，研磨台は支持部材にボルト
で頑丈に固定されているため，角度を変更することは不可能なのである。
(ウ)原告らは，ウェーハが研磨面に当接する割合を算出する際，オーバ
ーハング部が研磨面の大径部の下か，又は小径部の上かいずれか一方に
しか生じない場合を想定している（後記「研磨面の端部を利用」した場
合を指す。）。しかしながら，被告装置では，ウェーハと研磨面とが，
上記のような位置関係となることはあり得ず，必ず，研磨面の大径部の
下及び小径部の上の双方にオーバーハング部が生じる構成となっている。
(エ)原告らは，２００㎜用被告装置（４．９３）を使用した場合，ウェ
ーハの外周面取部の研磨面への当接割合が１００％に達する旨主張する。
ここで，原告らは，研磨リングの上段部及び下段部にも研磨パッドが貼
付されているとして，これらも研磨面に含まれることを前提としている。
しかしながら，研磨リングの上段部及び下段部は，中段部とは異なり，
球内面形状ではないため（円錐面形状である），そこに貼着されている
研磨パッドが球内面形状を成すということはあり得ない。
原告らが主張する「当接割合が１００％となっている」状態とは，ウ
ェーハの外周面取部のうち，球内面形状を形成していない研磨リングの
上段部及び下段部に貼着された研磨パッドに接している部分が存在して
いる状態を指している。
本件発明における「研磨面」は，「円盤状半導体ウェーハの外周面取
部をほぼ全周において押し当て可能な曲率半径の球内面形状である」こ
とを要件としているから，研磨リングの上段部及び下段部に貼着された
部分の研磨パッドは球内面形状ではなく，上記「研磨面」には該当しな
い。
(オ)原告らは，ウェーハの研磨による研磨面の摩耗，研磨時のウェーハ
の研磨面に対する押し付けを考慮すれば，当接割合が増える等と主張す
る。しかしながら，原告らによる上記主張の根拠自体が不明である上，
そもそも，研磨面の摩耗やウェーハの研磨面に対する押し付けが，原告
らが主張するような態様で生じること，さらに，その状態において，研
磨面が球内面形状をしていることを裏付ける証拠は何ら存しない。
(カ)原告らは，被告による当接割合の計算方法は，研磨パッドの厚さを
考慮していない旨主張する。
しかしながら，前記のとおり，被告の計算においては，いずれも研磨
パッドの厚さを考慮しているから（研磨パッドの厚さが１．３㎜で一定
であることを前提として研磨面の高さを計測している。乙９，１０，１
３，１８ないし２０），原告らの上記主張は誤りである。
(3)争点１−ｃ（被告方法は，構成要件Ｂの「球内面形状」及び構成要件Ｃ
の「球内面」を充足するか）について
ア被告装置における研磨面は，研磨リングに研磨パッドを貼着したもので
ある。すなわち，別紙被告装置目録記載のとおり，研磨リング２３は３段
に分かれて研磨パッド２５が貼着され，研磨面２４は，３段に分かれた研
磨パッド２５の中段部に相当するものである。
上記研磨リング２３の研磨面２４に相当する部分は，球内面形状となる
ように加工されている。しかしながら，研磨パッドは厚さ１．２ないし１．
３㎜程度の布であり，その厚さは均一ではないため，これを研磨リング２
３に貼着して成る研磨面２４の内面の形状は，もはや精密な球内面形状で
はない。
したがって，被告方法は，構成要件Ｂの「球内面形状」及び構成要件Ｃ
の「球内面」をいずれも充足しない。
イまた，被告装置においては，研磨面２４が球内面形状ではないから，そ
もそも，球内面の「中心点」（構成要件Ｃ）も観念することができない。
ウ原告らの主張に対する反論
原告らは，被告装置の製造の過程においては，研磨パッドの貼着には凹
凸が生じないように細心の注意が払われているはずである旨主張する。し
かしながら，被告が被告装置を製造する際に，研磨パッドの貼着作業を行
うことはないから，上記主張は誤りである。
(4)まとめ
以上のとおり，被告方法は，構成要件ＡないしＣをいずれも充足しない。
２争点２（被告方法は本件発明と均等か）について
〔原告らの主張〕
(1)仮に，被告装置において，ウェーハの外周面取部のうち研磨面に同時に
接するのが，３００㎜用被告装置を使用した場合で全周の約３２％，２００
㎜用被告装置（２．０４）を使用した場合で約１９％，２００㎜用被告装置
（４．９３）を使用した場合で約５０％にすぎず，この点で，本件発明の構
成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」の要件を充足しないとして
も，被告方法は，次のとおり，本件発明の均等の範囲内にあり，本件発明の
技術的範囲に属するというべきである。
(2)均等の要件の充足性
ア非本質的部分
本件発明の属する技術分野においては，特許出願時における半導体ウェ
ーハ面取部のミラー面取加工方法は，本件明細書に従来技術として記載し
た研磨ドラムのような凸面形状をなす研磨面に面取部を押し付け，回転運
動を与えるというものであった。このような技術水準下において，ウェー
ハの局部欠損を防止し，研磨作業の効率化を図る上で，凹形状をなす研磨
面にウェーハの面取部を押し付ける方法に着目し，これをより効率的かつ
安定的な形態で具体化したのが本件発明である。凹形状をなす面取皿に対
して，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部を全周において押し当てた状
態でラップすること自体は本件発明以前に公知であり，本件発明の特許性
は，凹形状をなす研磨面に対して，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部
をほぼ全周において押し当てた状態でミラー面取りする場合に，いかに安
定的に効率よく研磨するかという点にある。
そして，ウェーハの局部欠損を防止し，研磨作業の効率化を図る上で，
凹形状をなす研磨面にウェーハの面取部を押し付ける方法を具体化するに
当たり，上記構成要件ＢないしＤを採用したものであり，この構成により，
円盤状半導体ウェーハの面取部が球内面形状の研磨面に広い範囲で平均化
して当接するため，研磨面の寿命が延びることになるのである。
したがって，本件発明の本質的部分は構成要件ＢないしＤであり，構成
要件Ａは本質的部分ではない。
また，構成要件Ａが「・・・であって，」と記載されていることからも，
構成要件Ａは，本件発明の方法が適用される前提となる方法を特定してい
るにすぎず，本質的部分ではないことが分かる。
イ置換可能性
被告装置において，前記のように低い当接割合を採用する利点は何ら存
しないにもかかわらず，このような当接割合を採用している理由は，本件
発明の充足関係を逃れることにあるとしか考えられない。被告装置が本件
発明の構成要件ＢないしＤを充足する以上，程度の差こそあれ，ウェーハ
が研磨面に広い範囲で平均化して当接するという本件発明の作用効果と同
一の作用効果は生じるのであるから，置換可能性がある。
ウ置換容易性
本件明細書中に，「ほぼ全周とは，円盤状半導体ウェーハや研磨面に一
部の切欠きが存在していたり，それらの一部形状の変化により１００％全
て当接しなければならないものではないことを意味している。」と記載さ
れているように（段落【０００７】），研磨面とウェーハの当接形状を変
化させて当接割合を少なくすることは当業者であれば，容易に想到するこ
とができる。
そして，被告装置は，前記のとおり，本件発明の「ほぼ全周」の要件の
充足を避けるために，前記のような低い当接割合を採用したにすぎず，被
告装置の製造当時，当業者にとって，上記置換は，本件発明に基づいて容
易になし得たものであって，置換容易性がある。
エ非容易推考性
構成要件ＢないしＤを備える被告装置は，本件特許出願時において，公
知技術と同一，又は当業者にとって容易に推考することができたものでは
ない。
オ意識的除外
本件発明の出願経過において，被告装置におけるようなウェーハと研磨
面との当接割合が意識的に除外されたなどの事情はない。
〔被告の主張〕
(1)時機に後れた攻撃方法であることについて
原告らの上記均等侵害に係る主張は，第１回口頭弁論期日に陳述された答
弁書において，被告が，被告装置が本件発明の技術的範囲に属さないとして
原告らの主張を争っていたにもかかわらず，これに近接した時点で提出され
ることはなく，審理も終盤に至った第７回弁論準備手続期日になって，かつ，
侵害論に関する裁判所の心証が開示された後になって初めて主張されたもの
である。
上記事情に照らせば，原告らの上記主張は時機に後れた攻撃方法として却
下されるべきである。
(2)均等侵害に当たらないことについて
ア被告方法は，次のとおり，本件特許の特許請求の範囲に記載された構成
と均等であるとみなされるための要件のうち，少なくとも４つの要件を充
足しないから，本件発明の技術的範囲に属しない。
イ均等の要件の非充足について
(ア)非本質的部分について
本件明細書には，本件発明の従来技術として，特開昭６４−７１６５
７号公報及び特開昭６４−７１６５６号公報記載の発明が挙げられてい
る。これらの発明は，ウェーハと円筒状の研磨ドラムとを一箇所で当接
させながら，ウェーハの外周面取部を面取加工するものである（段落
【０００３】２ページ３欄１行目ないし８行目，【図６】ないし【図
８】）。
しかしながら，これらの発明においては，ウェーハを研磨ドラムに強
く押し当てることにより，ウェーハの外周面取部の加工時間を短縮しよ
うとすると，ウェーハは薄く脆性が高いものであるため，研磨ドラムに
接触するウェーハの端部に，集中荷重が加わることになり，ウェーハが
欠損することになる（段落【０００５】２ページ３欄２４行目ないし３
０行目）。
本件発明は，かかる従来技術の問題点を，ウェーハの外周面取部がそ
の全周において研磨面に押し付けられているという構成をとり，「研磨
面に円盤状半導体ウェーハを押し当てようとする力を円盤状半導体ウェ
ーハの外周部に位置する面取部のほぼ全域を使用して支えるようにした
もので，ミラー面取加工の速度に最も必要な押し付け力を高めても，円
盤状半導体ウェーハに局部的な荷重が加わらず，加工時の局部欠損を防
止でき，延いては円盤状半導体ウェーハの面取部のミラー面取加工速度
を飛躍的に高める」（段落【０００７】２ページ４欄３行目ないし９行
目）ことによって解決したものである。
したがって，少なくとも，ウェーハの外周面取部をその全周において
研磨面に押し付ける点（構成要件Ａ及びＢ）が本件発明の本質的部分で
あることは明らかである。
本件特許の出願手続において提出された平成１４年７月１５日付けの
早期審査に関する事情説明書（乙２１）には，「従来技術の大部分がウ
ェハ外周の一点にのみ加圧をかけ研磨する方法に対し，本発明は外周全
体を同時に研磨することに有用性を見出したものである。」との記載が
ある（乙２１の２枚目１０行目ないし１２行目）。また，同年１１月１
５日付けの意見書（乙４）には，「確かに，半導体ウェーハを円錐状の
研磨面の中心に設置すると半導体ウェーハの外周面取部をほぼ全周が研
磨面に当接しますが，半導体ウェーハの回転軸と研磨面の回転軸とを不
一致とさせたような（中略）状態では，原理的に，半導体ウェーハの外
周面取部の２点（中略）のみしか当接せず，本発明のように，円盤状半
導体ウェーハの外周面取部のほぼ全周を均等にミラー面加工できるもの
ではありません。」との記載がある（乙４の４枚目１８行目ないし２４
行目）。ウェーハの外周面取部の数点に止まらず，その全周において研
磨面に押し当てる点に本件発明の有用性を見出す旨の原告らのこれらの
陳述は，かかる点が本件発明の本質であることを原告ら自ら認めている
ことを示すものといえる。
原告らは，ウェーハの外周面取部をその全周において研磨面に押し当
てるという点は，本件特許出願前に公知であるから本質的部分ではない，
本件発明の構成要件Ａは，発明の前提となる方法を特定したものにすぎ
ないから，発明の本質的部分をいうものではないと主張する。
しかしながら，「発明の本質的部分」とは，発明の進歩性が認められ
た部分のみを意味するものではなく，当該部分が依拠する，欠くことの
できない前提部分をも含むものである。したがって，発明のある部分が
公知技術であることやクレームの記載において前提として位置付けられ
ていることは，それが発明の本質的部分でないことを当然に意味するも
のではない。
(イ)置換可能性，置換容易性について
本件発明の作用効果は，「ミラー面取加工の速度に最も必要な押し付
け力を高めても，円盤状半導体ウェーハに局部的な荷重が加わらず，加
工時の局部欠損を防止でき，延いては円盤状半導体ウェーハの面取部の
ミラー面取加工速度を飛躍的に高める」というものである（段落【００
０７】２ページ４欄５行目ないし９行目）。
他方，被告方法は，ウェーハの外周面取部の全周を常に研磨面に当接
させて研磨するわけではないため，研磨の効率は本件発明のように，全
周が常に研磨面に当接する場合と比較して低下するものの，ウェーハ研
磨時に研磨面に生じるトラック状の溝の発生を防止することができると
いう作用効果を有する。
したがって，本件発明と被告方法との作用効果は同一ではないから，
本件において，置換可能性を欠き，当然に置換容易性も充足されない。
(ウ)意識的除外について
原告らは，本件特許の出願手続において提出された平成１４年７月１
５日付けの早期審査に関する事情説明書（乙２１）では，「従来技術の
大部分がウェハ外周の一点にのみ加圧をかけ研磨する方法に対し，本発
明は外周全体を同時に研磨することに有用性を見出したものである。」
（乙２１の２枚目１０行目ないし１２行目）と，同年１１月１５日付け
の意見書（乙４）では，「確かに，半導体ウェーハを円錐状の研磨面の
中心に設置すると半導体ウェーハの外周面取部をほぼ全周が研磨面に当
接しますが，半導体ウェーハの回転軸と研磨面の回転軸とを不一致とさ
せたような（中略）状態では，原理的に，半導体ウェーハの外周面取部
の２点（中略）のみしか当接せず，本発明のように，円盤状半導体ウェ
ーハの外周面取部のほぼ全周を均等にミラー面加工できるものではあり
ません。」（乙４の４枚目１８行目ないし２４行目）と述べている。
上記本件特許の出願経過に鑑みると，原告らは，ウェーハの外周面取
部をほぼ全周において押し当てた状態で研磨を行う以外のミラー面取加
工方法を，本件発明から意識的に除外したものというべきである。
３争点３（被告の行為は本件特許権の侵害（間接侵害）となるか）について
〔原告らの主張〕
(1)被告装置は，半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工を行う装置であり，
被告装置において使用されている被告方法は，本件発明の構成要件をすべて
充足し，かつ，被告方法以外の方法を行うものではないから，被告装置は，
本件発明の方法の使用にのみ用いるものである。
したがって，被告が，業として，被告装置をその構成として含む被告製品
を生産，販売する行為は，改正前特許法１０１条３号により，本件特許権を
侵害するものとみなされる。
(2)仮に，被告装置が本件発明の方法の使用にのみ用いられるものではない
としても，被告装置は，本件発明の方法の使用に用いるものであって，本件
発明による課題の解決に不可欠なものである。
そして，被告が，平成１５年８月１３日に本件特許について特許異議を申
し立て（平成１５年法律第４７号による改正前の特許法１１３条。甲４），
上記申立てについて，平成１６年８月２日付けで本件発明に係る特許を維持
する旨の決定を受けたこと（甲５），原告らから，被告製品を生産，販売す
ることは原告らの有する本件特許権を侵害するものである旨の平成１６年１
１月１１日付けの通知を受けたこと（甲６）に照らすと，被告は，本件発明
の方法が特許発明であること及び被告装置が本件発明の実施に用いられるこ
とを知っていたものといえる。
したがって，被告が，業として，被告装置をその構成として含む被告製品
を生産，販売する行為は，改正前特許法１０１条４号により，本件特許権を
侵害するものとみなされる。
〔被告の主張〕
(1)原告らの主張(1)のうち，被告が業として被告製品（被告装置）を生産，
販売していることは認め，その余は否認ないし争う。
(2)同(2)のうち，被告が平成１５年８月１３日に本件特許について特許異議
を申し立てたこと，平成１６年８月２日付けで本件発明に係る特許を維持す
る旨の決定を受けたこと，原告らから上記主張に係る内容の平成１６年１１
月１１日付けの通知を受けたこと，被告が業として被告製品（被告装置）を
生産，販売していることは認め，その余は否認ないし争う。
４争点４（本件特許は無効にされるべきものか）について
〔被告の主張〕
(1)争点４−ａ（新規性の有無（特許法２９条１項３号））について
本件発明は，特開昭５４−４０５６５号公報（乙３。以下「乙３公報」と
いう。）記載の発明と同一であって新規性を欠くから，特許法１２３条１項
２号により無効審判で無効とされるべきものであって，本件特許権に基づく
権利行使は許されない（同法１０４条の３）。
ア乙３公報の記載
(ア)従来技術として，ウェーハの外周の面取部を面取皿に押し当てた状
態で，面取皿を回転させてウェーハの面取部の面取加工を行う構成が記
載されている（１ページ左欄１０行目ないし１２行目，１９行目の「盤
回転中」）。
(イ)凹形状で球内面形状の面取皿を使用する構成，ウェーハの外周の面
取部が全周にわたって面取皿に押し当てられる構成，面取皿をその回転
軸で強制的に回転させて面取加工を行う構成が開示されている（２ペー
ジ第１図）。
(ウ)ウェーハの回転軸と面取皿の回転軸とが不一致となる構成が開示さ
れている。すなわち，乙３公報には，「又ウエイトの荷重も平面ラップ
時と違い，盤が彎曲している為，盤回転中にずれるという事より」（１
ページ左欄１８行目ないし２０行目）と記載されている。このことは，
ウエイトの配置が面取皿に対して鉛直とはならず，斜めになること，つ
まり，ウエイトの回転軸と面取皿の回転軸とが不一致となることを意味
している。そして，ウエイトとウェーハとは一体となっているのである
から（２ページ第１図），ウエイトの回転軸はウェーハの回転軸と一致
しており，上記記載は，ウェーハの回転軸と面取皿の回転軸とが不一致
となる構成を示していることになる。
(エ)ウェーハの回転軸が球内面形状を有する面取皿の中心点を通る構成
が開示されている。すなわち，ウェーハの面取部の全周が面取皿に押し
当てられている場合，必然的に，ウェーハの回転軸は球内面形状を有す
る面取皿の中心点を通ることになるからである。
イ対比
アで述べたところによれば，乙３公報には，次のａないしｆの構成を備
えた発明が記載されているということができる。
ａ凹形状をなす研磨面に対して，半導体ウェーハの外周の面取部をほぼ
全周において押し当てた状態で，この研磨面と半導体ウェーハとの相対
的回転を与えることにより，半導体ウェーハの外周の面取部の面取加工
を行う構成
ｂ研磨面が球内面形状をなす構成
ｃ半導体ウェーハの回転軸が球内面形状をなす研磨面の中心点を通る構
成，すなわち，球内面形状をなす研磨面の中心点に半導体ウェーハの回
転軸を一致させている構成
ｄ研磨面の回転軸と半導体ウェーハの回転軸とを不一致とさせている構
成
ｅ研磨面をその回転軸で強制的に回転させるようにしている構成
ｆ半導体ウェーハ面取部の面取加工方法である構成
上記ａないしｆの構成は，本件発明の構成要件ＡないしＦと一致する。
よって，本件発明と乙３公報記載の発明とは同一であって，本件発明は
新規性を欠く。
ウ原告らの主張に対する反論
(ア)原告らは，上記ｄについて，乙３公報には，皿を回転させ，ウェー
ハを固定させることのみが記載されている旨主張する。
しかしながら，ウェーハが円盤状である以上，回転軸を観念すること
は可能であるし，乙３公報記載の発明においては，相対的にみれば，ウ
ェーハの皿に対する回転は存在し，ウェーハの回転軸も存在しているか
ら，原告らの上記主張は失当である。
(イ)原告らは，上記ｄについて，乙３公報からは，ウエイトの荷重が盤
回転中にずれるためウエイトとウェーハを貼り付ける必要があることし
か把握することができない旨主張する。
しかしながら，乙３公報の「ウエイトの荷重も平面ラップ時と違い，
盤が彎曲している為，盤回転中にずれるという事よりウエイトとウエハ
を貼り付け数㎏以上の荷重をかける必要があり」（１ページ左欄１８行
目ないし右欄１行目）との記載を，「ウエイトの荷重が盤回転中にずれ
る」と読むのは，あまりに不自然な読み方であるといわざるを得ない。
上記「ウエイトの荷重も平面ラップ時と違い，盤が彎曲している為」
との記載から明らかなように，「ずれる」のは盤が彎曲していることに
より生じるものであって，これに該当するのは「ウェーハがずれる」こ
と以外には考えられない。乙３公報記載の発明のように彎曲した球内面
形状の面取皿を用いてラップする場合は，ウェーハの配置が不安定とな
り「盤回転中にずれる」のであって，ウエイトとウェーハとの接触部が
「盤回転中にずれる」としても，それは「盤が彎曲している」ことを理
由とするものではないから，原告らの上記主張は失当である。
(ウ)原告らは，上記ｄについて，乙３公報において面取皿が彎曲してい
るのは，ウェーハの周面を同時に面取皿に押し当てて面取するためにほ
かならないから，面取皿の軸とウェーハの軸が不一致となることは記載
されていない旨主張する。
しかしながら，ウェーハの周面を同時に面取皿に押し当てて面取する
ためには，例えば，面取皿は円錐の形状であれば足り，面取皿を彎曲さ
せて球内面形状にする必要は全くない。乙３公報記載の発明において面
取皿が彎曲しているのは，軸不一致となる場合があることを許容するた
めであることは明らかであるから，原告らの上記主張は失当である。
(2)争点４−ｂ（進歩性の有無（特許法２９条２項））について
仮に，本件発明と乙３公報記載の発明とが同一でないとしても，本件発明
は，乙３公報記載の発明と特開昭５４−１２１６７７号公報（乙５。以下
「乙５公報」という。），又は特開平７ー１４８６５４号公報（乙６。以下
「乙６公報」という。）記載の技術とを組み合わせることによって，容易に
想到することが可能であるから，特許法１２３条１項２号により無効審判に
より無効とされるべきものであって，本件特許権に基づく権利行使は許され
ない（同法１０４条の３）。
ア本件発明と乙３公報記載の発明との相違点
両者の相違点は，次の２点である。
(ア)本件発明はミラー面取加工方法であるのに対し，乙３公報記載の発
明はウェーハ面取法である点（以下「相違点１」という。）
(イ)本件発明においては，球内面の中心点に半導体ウェーハの回転軸を
一致させ，かつ，研磨面の回転軸と前記円盤状半導体ウェーハの回転軸
とを不一致とさせているのに対し，乙３公報記載の発明においてはかか
る構成が採用されていない点（以下「相違点２」という。）
イ乙３公報記載の発明に乙５公報記載の技術を組み合わせることによる容
易想到
(ア)相違点１について
ウェーハ面取法に関する技術である乙３公報記載の発明に，同じ面取
加工方法で周知・慣用技術である（乙１６，１７）ミラー面取加工方法
を適用することは当業者が容易になし得ることである。
(イ)相違点２について
研磨面の回転軸と半導体ウェーハの回転軸とを不一致とする点は，乙
５公報に開示されている。
すなわち，乙５公報には，従来のベベリング方法の内容として，「こ
の半導体素子を（中略），上部より球面治具６を押しつけつつ矢印１３，
１４に示すように首振り回転運動をさせて半導体ペレットの周辺部をベ
ベリング加工する。」（１ページ２欄６行目ないし１１行目）と記載さ
れている。そして，当該ベベリング方法を示す図として，２ページ第１
図（Ｂ）が挙げられており，そこには，上記球面治具６が回転しつつ，
左右に振動することが示されている。ここで，半導体素子の回転軸は，
上記図では上から下へと縦方向に存在するところ，前記球面治具６が左
右に振動し，その回転軸が上記図の縦方向ではなく，斜め方向に存在し
ているときは，前記球面治具６の回転軸と半導体素子の回転軸とは不一
致となっている。乙５公報において，上記の「首振り回転運動」をする
意味は，球面治具の研磨面を広く使うためであることは，当業者であれ
ば容易に理解し得ることである。
そうすると，乙３公報記載の発明も乙５公報記載の発明も，いずれも，
球内面形状のものを用いて，半導体の外周部を加工するという技術であ
り，両発明は同一の技術分野に属するものであるから，当業者にとって，
乙３公報記載の発明に乙５公報記載の上記技術を適用することは容易で
あるといえる。
ウ乙３公報記載の発明に乙６公報記載の技術を組み合わせることによる容
易想到
(ア)相違点１について
ウェーハ面取法に関する技術である乙３公報記載の発明に，同じ面取
加工方法で周知・慣用技術であるミラー面取加工方法を適用することは
当業者が容易になし得ることである。
(イ)相違点２について
研磨面の回転軸と半導体ウェーハの回転軸とを不一致とする点は，乙
６公報に開示されている。
すなわち，乙６公報には，レンズの研磨方法として，レンズを研磨面
に押し当て，研磨面を回転，揺動させる方法が挙げられている（段落
【従来の技術】）。この「揺動」とは，同公報４ページの【図１】，
【図２】及び【図７】に示されているように，研磨面自体が左右に振れ
ることを指す。ここで，研磨面自体が左右に傾いている時点においては，
【図１】及び【図２】に示されているように，研磨面の回転軸とレンズ
の回転軸とは一致しない。
そうすると，乙３公報記載の発明も乙６公報記載の発明も，いずれも，
球内面形状の研磨面を用いて，円盤状の物体を研磨するという技術であ
り，両技術は同一の技術分野に属するものであるから，当業者にとって，
乙３公報記載の発明に乙６公報記載の上記技術を適用することは容易で
あるといえる。
エ原告らの主張に対する反論
(ア)原告らは，上記相違点２について，乙５公報には，球面治具を左右
に平行移動させることが記載されているにとどまる旨主張する。
しかしながら，乙５公報に記載されている「首振り回転運動」という
文言の意味（首を中心軸にして円弧を描くように頭部を移動させるこ
と），球面治具が単に左右に平行移動するだけでは，砥石と水の混合物
が球面治具と半導体素子との間の隙間からとめどなく流出するという問
題が生じること，さらには，球面治具を上部より押し付けた場合，必然
的に，半導体素子はその全周において球面治具と接することになるため，
球面治具を左右に平行移動させることは不可能となってしまうことから
すれば，原告らの上記主張は失当である。
(イ)原告らは，上記相違点２について，乙６公報には，研磨皿の回転軸
とレンズの回転軸とは一致・不一致の状態を繰り返す状態が記載されて
いるにとどまる旨主張する。
しかしながら，乙６公報には，少なくとも，研磨面の回転軸とレンズ
の回転軸とが不一致となっている構成が記載されていることには変わり
がないのであるから，原告らの上記主張は失当である。
(ウ)原告らは，上記相違点２について，乙６公報記載の技術を乙３公報
記載の発明に適用することに関し，乙３公報記載の発明と乙６公報記載
の発明とは，加工対象物，加工部位が異なるから，技術分野，技術的課
題が異なる旨主張する。
しかしながら，両発明とも，ウェーハやレンズといった円形の物体を，
球内面形状の研磨皿を用いて効率よく研磨するという点では共通し，両
発明は技術分野や技術的課題を同じくしているのであるから，原告らの
上記主張は失当である。
(エ)本件発明が相違点１及び２に係る構成を有することにより，乙３公
報記載の発明に乙５公報記載の技術を組み合わせること，あるいは，乙
３公報記載の発明に乙６公報記載の技術を組み合わせることからは予測
することができない優れた効果を生じる旨の原告らの主張は，否認ない
し争う。
(3)争点４−ｃ（記載要件違反の有無（特許法１２３条１項４号，３６条６
項２号））について
ア原告らは，構成要件Ａの「ほぼ全周」とは，円盤状半導体ウェーハや研
磨面にそれぞれ一部の切欠きが存在している状態等を包含した，おおよそ
全周，又はおおかた全周のことであるとしている。
イ仮に，「ほぼ全周」について，原告らの解釈に従った場合，ウェーハの
外周と研磨面とが，完全に全周において当接していなくても，具体的に，
いかなる割合，いかなる形態において当接していれば「ほぼ全周」にあた
るのか，不明であり，第三者において，本件発明の内容を正確に判断する
ことはできない。
ウ以上によれば，本件特許は，その発明の内容が明確ではなく，特許請求
の範囲の記載要件（特許法３６条６項２号）を充足せず，特許無効審判に
より無効とされるべきものである（同法１２３条１項４号）から，原告ら
は，本件特許権に基づいて権利を行使することができない（同法１０４条
の３第１項）。
〔原告らの主張〕
(1)争点４−ａ（新規性の有無（特許法２９条１項３号））について
ア乙３公報の記載
(ア)本件発明の円盤状半導体ウェーハの外周の面取部のミラー面取加工
はポリッシングの工程（ウェーハの表面を極微細な砥粒で研磨し，高平
坦でキズや不純物のない高品質な鏡面を持つミラーウェーハに磨き上げ
る工程）に関する技術であるのに対し，乙３公報記載の発明は，ラッピ
ングの工程（スライスに残されたウェーハ表面の加工歪層を薄くし，厚
さのばらつきを小さくするために両面を研磨する工程）に関する技術で
ある。
(イ)乙３公報記載の発明は，同公報に「皿２を用い，皿中央部にウエハ
１をおさえつけ」（１ページ左欄１１行目ないし１２行目）とあるよう
に，ウェーハにウエイトを用いて鉛直下方向の荷重を与えつつウェーハ
の動きを拘束するものであって，皿の回転に対してウェーハは固定され
ていなければならないものである。
したがって，ウェーハの回転軸はそもそも存在せず，ウェーハの回転
軸と面取皿の回転軸とが不一致となる構成は示されていない。
乙３公報には，「ウエイトとウエハを貼り付け数㎏以上の荷重をかけ
る必要があり，」（１ページ左欄２０行目ないし右欄１行目）と記載さ
れているから，乙３公報記載の発明で表現される「盤回転中にずれる」
のは貼り付けを必要とするウエイトとウェーハとの接触部であり，ウエ
イトの配置が面取皿に対して鉛直とならないことなど記載されていない。
イ対比
以上によれば，本件発明と乙３公報記載の発明は，次の２点で相違する。
(ア)本件発明が，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部のミラー面取加
工，すなわち，円盤状半導体ウェーハの外周が所定の角度で面取加工さ
れて成る面取部のミラー面取加工（鏡面に磨き仕上げる）を行うのに対
し（構成要件Ａ），乙３公報記載の発明は，シリコンウェーハのコーナ
ーのラッピング（表面の加工歪層を削り取る）を行う点（相違点１）
(イ)本件発明が，球内面の中心点に円盤状半導体ウェーハの回転軸を一
致させ，かつ，研磨面の回転軸と円盤状半導体ウェーハの回転軸とを不
一致とさせているのに対し（構成要件Ｃ，Ｄ），乙３公報記載の発明は，
単に，球内面の中心点にシリコンウェーハの中心軸を一致させ，かつ，
研磨面の回転軸とシリコンウェーハの中心軸とを一致させた状態でシリ
コンウェーハを固定している点（相違点２）
ウ本件発明は，その出願前に公開された乙３公報記載の発明と同一ではな
いから，特許無効審判により無効とされるべきものではない。
(2)争点４−ｂ（進歩性の有無（特許法２９条２項））について
本件発明は，乙３公報記載の発明に乙５公報記載の技術を組み合わせるこ
とにより，あるいは，乙３公報記載の発明に乙６公報記載の技術を組み合わ
せることにより当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえ
ないから，特許無効審判により無効とされるべきものではない。
ア乙３公報記載の発明に乙５公報記載の技術を組み合わせることによる容
易想到について
(ア)相違点１について
乙５公報記載の技術は，ベベリングの工程（１枚毎にウェーハの外周
部を面取加工する工程）に関する技術であり，ミラー面取加工に関する
技術ではない。
(イ)相違点２について
乙５公報記載の発明において，球面治具は，２ページ第１図（Ｂ）の
水平方向の矢印１３及び球面治具６が示すように，その回転軸は同図の
鉛直方向を向いた状態で左右に平行移動するものであり，球面治具６の
内面が半導体ペレット１の周辺部に左右交互に当接したときに，その間
に介在する砥粒の研削作用で半導体ペレット１周辺部をベベリングする
ものである。あらかじめ半導体ペレット１と球面治具６との上下の距離
関係は厳密に規定される必要があり，球面治具６の回転軸が鉛直方向を
向いた状態で左右に平行移動する構造しか考えられない。球面治具の球
内面の中心点に半導体ペレットの回転軸が一致しているときは球面治具
の回転軸と半導体ペレットの回転軸とは一致しており，球内面の中心点
に半導体ペレットの回転軸が不一致のときは，球面治具の回転軸と半導
体ペレットの回転軸も不一致となる。
したがって，乙５公報記載の発明は，球内面の中心点に円盤状半導体
ウェーハの回転軸を一致させ，かつ，研磨面の回転軸と円盤状半導体ウ
ェーハの回転軸とを不一致とさせる構成を備えていない。
(ウ)以上のとおり，乙５公報には，相違点１及び２に関する構成は何ら
開示されていない。
イ乙３公報記載の発明に乙６公報記載の技術を組み合わせることによる容
易想到について
(ア)相違点１について
乙６公報記載の発明は，レンズを研磨するものであり，乙３公報記載
の発明が行う半導体ウェーハの加工とは技術分野が相違する。また，乙
６公報記載の発明は，レンズの凸側外面全体を研磨するものであり，面
取部をミラー面取加工するものでもない。
(イ)相違点２について
乙６公報記載の発明においては，レンズの研磨作業中，研磨皿を回転
及び揺動することとしているから，研磨皿の回転軸とレンズの回転軸と
は，一致又は不一致の状態を繰り返すものにすぎず，研磨作業中に，研
磨皿の回転軸とレンズの回転軸とが不一致となるように設定するもので
はない。乙６公報記載の発明においては，研磨皿を絶えず揺動させるこ
とが想定されているのであるから，研磨皿が左右に傾いている時点のみ
をとらえて，本件発明にある「研磨面の回転軸と円盤状半導体ウェーハ
の回転軸とを不一致とさせる」という技術に当たるということはできな
いというべきである。
(ウ)以上のとおり，乙６公報には，相違点１及び２に関する構成は何ら
開示されていない。
さらに，乙６公報記載の発明と乙３公報記載の発明とは技術分野，技
術的課題が異なり，乙６公報記載の発明を乙３公報記載の発明に適用す
る動機付けは存在しない。
むしろ，乙３公報記載の発明では，ウェーハの中心軸と皿の回転軸と
を不一致とすると，ウェーハに与えられる皿からの荷重ベクトルが変化
し，ウェーハの周縁を均等に面取りすることができなくなるのであるか
ら，乙３公報記載の発明に乙６公報記載の研磨面を揺動させるという技
術を適用することは，乙３公報記載の発明の技術目的に反するものであ
り，適用阻害要因がある。
ウ本件発明の効果
本件発明は，相違点１及び２に係る構成を有するために，次のとおり，
乙３公報記載の発明に乙５公報記載の技術，又は乙６公報記載の技術を組
み合わせることからは予測できない優れた効果を生じる。
(ア)本件発明では，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部のミラー面取
加工，すなわち，円盤状半導体ウェーハの外周がすでに所定の角度で面
取加工（ベベリング）されている面取部をミラー面取加工するものであ
るから，円盤状半導体ウェーハ外周の面取部を鏡面状に研磨することに
より，高品質の半導体ウェーハを提供することができる。
(イ)本件発明は，研磨面の回転軸と円盤状半導体ウェーハの回転軸とを
不一致とさせる構成になっているため，両者の位置設定が極めて簡素化
されるとともに，円盤状半導体ウェーハの面取部が球内面形状の研磨面
のほとんど全面に平均化して当接するため，研磨面の寿命が延び，さら
に，極めて短時間にミラー面取加工を行うことができる。
(3)争点４−ｃ（記載要件違反（特許法１２３条１項４号，３６条６項２
号））について
否認ないし争う。
５争点５（損害額）について
〔原告らの主張〕
(1)被告は，本件特許権が登録された平成１５年１月１７日から平成１６年
１２月３１日までの間に，被告製品のうち「Ｅ−２００」，「Ｅ−３００」
の型式名の製品を少なくとも合計５０台製造し，上記期間のころ，「Ｅ−３
００」の型式名の製品を１台当たり８５００万円から１億２０００万円の価
格で３０台販売した。
被告は，原告らから再三にわたり警告を受けていたにもかかわらず，本件
特許権の侵害行為を行ったものであり，上記侵害行為につき少なくとも過失
があったものといえる。
(2)被告製品のうち被告装置に係る部分の価格は，被告製品の販売価格の７
０パーセントを下らない。
そして，本件発明の実施料率は，被告装置の価格の３パーセントとみるの
が相当である。
そうすると，原告らの本件発明の実施料相当額の損害額は５０００万円を
下回ることはない（特許法１０２条３項）。
したがって，原告らは，それぞれ本件特許権の持分２分の１を有するから，
被告に対し，それぞれ２５００万円の不法行為に基づく損害賠償請求権を有
する。
〔被告の主張〕
否認ないし争う。
第４当裁判所の判断
１争点１（被告方法は，構成要件ＡないしＣを充足するか）について
まず，争点１のうち，被告方法が構成要件Ａを充足するか否か，すなわち，
争点１−ａの「凹形状をなす研磨面」及び争点１−ｂの「ほぼ全周において押
し当てた状態」の充足性について検討する。
(1)争点１−ａ（構成要件Ａの「凹形状をなす研磨面」）について
ア「凹形状をなす研磨面」の意義
(ア)本件発明の「凹形状をなす研磨面」の意義について，被告は，中央
がくぼんだ，底部が存在する形状の研磨面を意味すると主張するのに対
して，原告らは，研磨面が平面形状でも，凸形状でもなく，面が凹んだ
形状であることを意味し，底部が存在する形状である必要はない，と主
張する。
(イ)本件明細書（甲２）には，「円盤状半導体ウェーハの直径に基づき，
研磨面としての球内面形状の曲率半径を算出することにより，容易に球
内面形状が決まり，このようにすることにより円盤状半導体ウェーハを
凹状の研磨面に当接するのみで，理論的に常時円盤状半導体ウェーハの
全周が研磨面に当ることになり，両者の位置設定が極めて簡素化される
といった特徴がある。」（２ページ４欄１６行目ないし２２行目，４ペ
ージ７欄１７行目ないし２３行目）との記載がある。
上記記載によれば，本件発明において，研磨面を凹形状とする技術的
意義は，円盤状半導体ウェーハを研磨面に押し当てるのみで，円盤状半
導体ウェーハの全周が研磨面に当たるようにし，両者の位置設定を簡素
化することにあるということができ，上記効果を得るためには，「凹形
状をなす研磨面」が球内面形状を構成する必要があるものの，必ずしも
底部が存在する形状である必要はないというべきである。すなわち，研
磨面が球内面形状を構成していれば，底がふさがっていなくても，円盤
状半導体ウェーハの全周が研磨面に当たるようにすることが可能である
し，この場合に，円盤状半導体ウェーハと研磨面の位置設定は容易にな
され得る（被告は，研磨面がリング状である場合，ウェーハと研磨面の
位置設定に相当の精密さが要求されることになる旨主張する。しかしな
がら，ウェーハの直径が球内面形状の曲率半径と相応していれば，底部
が存在しなくとも，研磨面にウェーハの外周を押し当てて入れることは
容易であるということができる。）。
実際，本件明細書には，実施例として，球内面形状の研磨面の底部が
円盤状半導体ウェーハの研磨に供されていないか，あるいは，お椀状の
研磨台の底部中央部付近に研磨面である研磨パッドが貼着される必要の
ない例が開示されている（【図３】。面取部のミラー面取加工に供され
る部分は【図３】の斜線部分であり，斜線部分の内側白抜きの部分は加
工に供されない部分である。この白抜き部分は存在しなくとも発明の実
施に支障はない。）。
(ウ)そもそも，「凹」とは，「物の表面が部分的にくぼんでいること。
くぼみ」（広辞苑第５版）を意味し，上記用語から，「凹形状」が底部
の存在する形状であると限定的に解釈すべき必然性はない。また，本件
発明の特許請求の範囲には，研磨面について，面が凹んだ形状であるこ
とに加え，底部が存在する形状であってリング状のものは含まないと限
定する記載はない。
被告は，本件明細書中で実施例として開示されている「凹形状をなす
研磨面」がすべて底部が存在する形状である（【図１】ないし【図
５】）旨主張する。しかしながら，本件発明を実施例に限定して解すべ
き根拠は見当たらない。
(エ)したがって，本件発明の構成要件Ａ及びＢの「凹形状をなす研磨
面」は，「凹んだ形状の研磨面」を意味するにとどまり，底部が存在す
る形状である必要はないと解するのが相当である。
この点についての被告の主張は採用することができない。
イ対比
被告装置の研磨面は，別紙被告装置目録記載のとおり，研磨リング２３
に貼着された研磨パッド２５のうち，３段に分かれた研磨リング２３の中
段部分に相当するものであり，研磨リング２３の中段部分は球内面形状に
加工されている。
したがって，被告装置の研磨面は，構成要件Ａの「凹形状をなす研磨
面」を充足する。
(2)争点１−ｂ（構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」）につ
いて
ア「ほぼ全周において押し当てた状態」の意義
(ア)「ほぼ全周において押し当てた状態」の意義について，原告らは，
半導体ウェーハの外周面取部の全周が研磨面に当接しない場合において
も，半導体ウェーハを押し当てた状態が，研磨加工時に半導体ウェーハ
に局部的欠損が生じる局部的な荷重が加わるのを排除することができる
程度に，おおかたの部分において押し当てた状態であれば良い旨主張す
る。これに対し，被告は，円盤状半導体ウェーハや研磨面の一部の切欠
き，あるいは，円盤状半導体ウェーハや研磨面に一部形状の変化が生じ
た場合のその部分を除いて，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部がす
べて押し当てられた状態を意味すると主張する。
そして，原告らは，上記状態について，ウェーハの外周面取部の全周
を同時に押し当てることを要件とするものではない旨主張するのに対し，
被告は，上記状態は，回転を考慮して判断されるものではなく，ある静
止状態において同時にほぼ全周押し当てられていることを要する旨主張
する。
(イ)本件明細書（甲２）には，「ほぼ全周とは，円盤状半導体ウェーハ
や研磨面に一部の切欠きが存在していたり，それらの一部形状の変化に
より１００％全て当接しなければならないものではないことを意味して
いる。」（２ページ４欄１０行目ないし１３行目，４ページ７欄１１行
目ないし１４行目）との記載がある。
そして，ウェーハには，位置決め用の切欠きが付されることが知られ
ている（甲３の２の「VNotchPolishingStation」とは，位置決めの
ために付されたＶ字型の切欠きを研磨する装置である（弁論の全趣旨）。
また，甲９は，シリコンウェーハの製造工程を説明したものであり，こ
の中においても，スライスされたウェーハの模式図に，Ｖ字型の切欠き
が付されている様子が描かれている。）。また，本件明細書の実施例
（【図２】）には，「図２に示されるように所定間隔で溝６が上方に延
びており，これは後述する研磨剤の流通通路となる」（２ページ４欄４
５行目ないし４７行目）として，研磨剤の流通通路となる「溝６」を研
磨面上に設けることが開示されている。これらのことからすれば，上記
の「円盤状半導体ウェーハや研磨面に一部の切欠きが存在」するとの記
載は，ウェーハに位置決め用の切欠きが存在することや，研磨面に研磨
剤の流通通路となる溝が存在することなどを意味するものと解される。
そうすると，本件明細書の上記記載は，上記位置決め用の切欠きや研
磨剤の流通通路である溝が存在したり，あるいは，円盤状半導体ウェー
ハや研磨面自体に一部形状の変化が生じたりして，半導体ウェーハの外
周の面取部の一部が研磨面に接触しない状態が生じたとしても，このよ
うな状態が本件発明の技術的範囲から除外されないことを意味するもの
と解される。
したがって，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」とは，
円盤状半導体ウェーハの外周の面取部の全周のうち円盤状半導体ウェー
ハや研磨面上の切欠きや溝の存在，あるいは，円盤状半導体ウェーハや
研磨面自体の一部形状の変化などによって生じた非当接領域を除いたす
べての部分を押し当てた状態を意味するものと解するのが相当である。
(ウ)また，構成要件Ａの記載は「凹形状をなす研磨面に対して，円盤状
半導体ウェーハの外周の面取部をほぼ全周において押し当てた状態で，
この研磨面と円盤状半導体ウェーハとの相対的回転を与えることによ
り」となっており，この記載は，円盤状半導体ウェーハを研磨面に対し
て「ほぼ全周において押し当てた状態」とした後に，円盤状半導体ウェ
ーハと研磨面に「相対的回転を与える」ことを前提としているものと解
されること，本件明細書の段落【０００７】や【００３５】には，「円
盤状半導体ウェーハを凹状の研磨面に当接するのみで，理論的に常時円
盤状半導体ウェーハの全周が研磨面に当ることになり」（２ページ４欄
１９行目ないし２１行目，４ページ７欄２０行目ないし２２行目）との
記載があり，「常時全周が研磨面に当たる」ためには，静止状態におい
て同時に全周が研磨面に当接する必要があることに照らし，「ほぼ全周
において押し当てた状態」は，円盤状半導体ウェーハや研磨面の回転を
考慮して判断されるものではなく，静止状態において同時に，ほぼ全周
において押し当てられていることを意味するものと解すべきである。
(エ)これらの解釈は，本件発明の目的が，硬脆材である円盤状の半導体
ウェーハの外周欠損の可能性を低減させつつ，短時間にミラー面取加工
をすることにあること（本件明細書の段落【０００６】），本件発明の
効果として，研磨面に円盤状半導体ウェーハを押し当てようとする力を
円盤状半導体ウェーハの外周部に位置する面取部のほぼ全域を使用して
支えるようにしたため，ミラー面取加工の速度に最も必要な押し付け力
を高めても，円盤状半導体ウェーハに局部的な荷重が加わらず，加工時
の局部欠損を防止することができ，さらに，円盤状半導体ウェーハの面
取部のミラー面取加工速度を飛躍的に高める点が挙げられていること
（本件明細書の段落【００３５】）から，上記の目的効果を得るために
は，半導体ウェーハの外周面取部のうち可能な限り多くの面積を研磨面
に同時に接触させることが必要であることに照らしても，合理的である
といえる。
(オ)原告らは，本件発明の技術的意義は，研磨面に円盤状半導体ウェー
ハを押し当てようとする力を円盤状半導体ウェーハの外周部に位置する
面取部のほぼ全域を使用して支えるようにしたもので，ミラー面取加工
の速度に最も必要な押し付け力を高めても，円盤状半導体ウェーハに局
部的な荷重が加わらず，加工時の局部欠損を防止できることにあるから，
「ほぼ全周において押し当てた状態」とは，上記の目的効果を得られる
程度に半導体ウェーハの外周面取部の周全体のうちのおおかたの部分に
おいて押し当てた状態であれば良い旨主張する。
しかしながら，上記解釈では，本件発明の目的効果を得られる構成で
あることを抽象的に述べたにすぎず，それだけではそのような目的効果
を得るためにとるべき構成を具体的に示したことにはならず，適当でな
い。
この点についての原告らの上記主張を採用することはできない。
イ対比
(ア)被告装置の構成
前記争いのない事実等，証拠（甲３の１・２，乙７ないし１５，１８
ないし２０）及び弁論の全趣旨によれば，被告装置の構成について，以
下の事実が認められる。
ａ被告装置の構造
(ａ)被告装置は，外周面取部を研磨する半導体ウェーハＷを保持す
るウェーハ保持台１１を有する。ウェーハ保持台１１には回転シャ
フト１２が固定されて，ウェーハ保持台１１をモーターにより回転
駆動する。ウェーハ保持台１１はウェーハ保持部１３を有し，半導
体ウェーハ保持台１１は上下駆動機構により上下に移動することが
できる。
(ｂ)ウェーハ保持台１１の上方にはこれに対向して研磨台２１が配
置されている。研磨台２１には回転シャフト２２が固定され，モー
タにより回転駆動する。研磨台２１には研磨リング２３が固定され，
この研磨リング２３には研磨パッド２５が貼着されている。研磨パ
ッド２５は，別紙被告装置目録第１図（ｂ）に示すとおり３段に分
かれており，そのうちの中段が研磨面２４を形成している。
研磨リング２３の中段部は球内面形状に加工されているのに対し，
上段部及び下段部は球内面形状ではない（円錐面形状である。）。
(ｃ)また，ウェーハ保持台１１の回転シャフト１２の中心線Ｌ１と
研磨台２１の回転シャフト２２の中心線Ｌ２とは互いに２度で交差
するように設定されている（上記角度は，研磨面を含めた研磨台を
支える支持部材（間座）の傾斜によって生じているものであり，研
磨台は支持部材にボルトで頑丈に固定されているため，任意に角度
を変更することはできない。）。
なお，原告らは，上記角度について，２度以外の設定も可能であ
る旨主張し，上記主張の根拠として，傾斜角度の異なる間座を使用
することにより，傾斜角度を変更することができるとする。しかし
ながら，被告装置において，被告が被告装置において使用するもの
であるとして開示する間座（乙１１，１２，１４，１５）以外の別
の間座が使用されていることを示す証拠は何ら存しない（被告装置
が，上記角度の設定を任意に選択，変更する機能を有するなどの事
情も認められない。）。
ｂ被告装置の方法
(ａ)研磨すべき円盤状半導体ウェーハＷをウェーハ保持台１１の保
持部１３に装着する。
(ｂ)ウェーハ保持台１１を上下機構を駆動させて上昇させ，円盤状
半導体ウェーハＷの外周面の一部を研磨台２１の研磨リング２３の
研磨面２４に押し当てる。
円盤状半導体ウェーハＷの外周の面取部のうち，オーバーハング
部Ｗａ及びＷｂは，研磨面２４の大径部２６及び小径部２７からそ
れぞれせり出す。
(ｃ)円盤状半導体ウェーハＷの外周面取部を研磨面２４に押し当て
た状態でウェーハ保持台１１の回転シャフト１２及び研磨台２１の
回転シャフト２２をそれぞれ回転させる。
(ｄ)円盤状半導体ウェーハＷの外周面取部は，研磨面２４に対して
別紙被告装置目録第３図に示すように傾斜した状態で当接するため，
円盤状半導体ウェーハＷと研磨面２４の相対的な回転運動の結果，
円盤状半導体ウェーハＷの外周面取部は研磨面２４の全面と摺動し，
この摺動の過程において外周面取部が研磨される。
ｃ被告装置の種類
被告装置には，研磨リングの種類に応じ，３００㎜用被告装置，２
００㎜用被告装置（２．０４），２００㎜用被告装置（４．９３）の
３種類のものが存する。
(イ)以上のとおり，被告装置においては，研磨面２４に対して，円盤状
半導体ウェーハＷの外周の面取部の一部Ｗａ，Ｗｂを研磨面２４の大径
部２６及び小径部２７からそれぞれせり出すようにして押し当てた状態
で，研磨面２４と円盤状半導体ウェーハＷとの相対的回転を与えること
により，円盤状半導体ウェーハＷの外周の面取部のミラー面取加工を行
うようにしている。
被告装置において，上記のようにオーバーハング部を設ける構成をと
っているのは，次の理由による。すなわち，全周が同時に研磨面に押し
当てられた状態で研磨面を回転させると，研磨面には，ウェーハの外周
の面取部に接する部分と接しない部分とが生じることになり，面取部の
研磨に伴って，研磨面のうち面取部に接する部分は徐々に削られるのに
対し，面取部に接しない部分は削られることはないため，研磨面上で，
面取部に接する部分と接しない部分との間にトラック状の溝が発生する
ことになる。このような溝が発生した研磨面でウェーハを研磨すると，
上記溝によって，ウェーハの本来研磨されるべきではない部分が研磨さ
れるという事態が生じ，これを避けようとすれば，研磨面上に上記溝が
発生する前に，研磨パッドを交換する必要が生じる。被告装置において
は，上記の事態を避け，かつ，研磨パッドの寿命を延ばすことを目的と
して，研磨面２４に対して，円盤状半導体ウェーハＷの外周の面取部の
一部Ｗａ，Ｗｂを研磨面２４の大径部２６及び小径部２７からそれぞれ
せり出すようにしている。
上記のような課題が存在し，これを解決するための手段として，オー
バーハング部を設けることが有効であることは，被告が被告装置の製造，
販売につき，システム精工株式会社から実施許諾を受けている「ワーク
外周の研磨方法及び研磨装置」に関する特許権（特許番号第３４４５２
３７号。弁論の全趣旨）の特許明細書（乙２）の次の記載から認められ
る。
ａ「半導体ウエハの外周部に加工されたチャンファ面をラッピング加
工したりポリッシング加工するために，従来では，半球形状の研磨面
を有する研磨パッドを回転し，円板状の半導体ウエハのチャンファ面
を球形状の研磨面に押し付けた状態として，半導体ウエハつまりワー
クを回転させている。」（段落【０００４】２ページ４欄４８行目な
いし３ページ５欄３行目）
ｂ「このような従来の面取り加工装置を用いて半導体ウエハのチャン
ファ面の研磨加工を行うと，チャンファ面のみならず，半導体ウエハ
の表面のうちチャンファ面に隣接した部位が研磨パッドにより研磨加
工されてしまい，その部分に段差が発生することがあった。特に，同
じ研磨パッドで繰り返して多数枚の半導体ウエハの加工を行い，研磨
パッドの研磨面に半導体ウエハの押し付け力によるトラック状の溝が
発生すると，半導体ウエハの表面に段差が顕著に発生した。」（段落
【０００５】３ページ５欄７行目ないし１６行目）
ｃ「段差が発生した半導体ウエハは使用することができないので，研
磨パッドを頻繁に新品と交換しなければならず，加工能率を向上させ
る上でネックとなっている。また，面取り加工時に半導体ウエハの表
面に段差が発生すると，その半導体ウエハを使用することができない
ので，加工歩留りを低下させることになる。」（段落【０００６】３
ページ５欄１７行目ないし２２行目）
ｄ「本発明にあっては，チャンファ面の研磨加工の開始から終了まで
オーバーハング研磨加工を行ったり，全周研磨加工に加えてオーバー
ハング加工を行うようにしたので，チャンファ面の内側のワーク表面
に段差が形成されることが防止される。」（段落【００１６】４ペー
ジ７欄２４行目ないし２８行目）
(ウ)被告の計算結果に基づく考察
ａ前記のとおり，被告装置においては，研磨面２４に対して，円盤状
半導体ウェーハＷの外周の面取部の一部Ｗａ，Ｗｂを研磨面２４の大
径部２６及び小径部２７からそれぞれせり出すようにしている。被告
の主張によれば，上記せり出し量は，以下のとおりである（平成１９
年２月７日付け被告準備書面（３））。なお，被告は上記計算に当た
って，研磨パッドの厚さを考慮した上で，研磨面の高さが，３００㎜
用被告装置で５．０９㎜であること，２００㎜用被告装置（２．０
４）で２．０４㎜であること，２００㎜用被告装置（４．９３）で４．
９３㎜であることを前提としている。
上部（Ｗａ）下部（Ｗｂ）
３００㎜用被告装置２．４３㎜２．９５㎜
２００㎜用被告装置（２．０４）１．８７㎜３．０７㎜
２００㎜用被告装置（４．９３）０．９２㎜１．１３㎜
ｂ上記せり出し量を用いて被告が計算した，円盤状半導体ウェーハの
研磨面（研磨パッドの中段部に相当する部分）に対する当接割合は，
次のとおりである（平成１９年２月７日付け被告準備書面（３））。
ウェーハと研磨面との当接割合
３００㎜用被告装置約３２．３８％
２００㎜用被告装置（２．０４）約１９．２０％
２００㎜用被告装置（４．９３）約４９．９８％
ｃ前記のとおり，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」
とは，円盤状半導体ウェーハや研磨面上の切欠きや溝の存在，あるい
は，円盤状半導体ウェーハや研磨面自体の一部形状の変化によって生
じた非当接領域を除いて，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部のす
べての領域を押し当てた状態を意味するものと解されることからすれ
ば，被告の計算に係る上記各ウェーハと研磨面との当接割合は，これ
を充足しないことが明らかである。
なお，原告らは，本件発明においては，ウェーハの外周面取部の全
周を「同時に」押し当てることを要件とするものではないことを前提
に，被告装置が半導体ウェーハの一部をせり出すようにしていたとし
ても，「ほぼ全周において押し当てた状態」を充足する旨主張する。
しかしながら，そもそも上記前提自体に理由がないことは，前記アの
(ウ)で認定説示したとおりである。
(エ)原告らの計算結果に基づく考察
ａ原告らは，被告の計算方法においては，研磨パッドの厚みや研磨パ
ッドの弾性変形量，研磨パッドの摩耗，ウェーハの厚み等が考慮され
ておらず，適切なものとはいえないから，被告の計算結果は，ウェー
ハと研磨面との当接割合を正確に示すものではないとして，独自に計
算を行っている。
そこで，上記要素をも考慮して計算したものであると原告らが主張
する計算結果について，検討する。
ｂ３００㎜用被告装置について
(ａ)原告らの主張によれば，３００㎜用被告装置について，研磨パ
ッドの厚み，ウェーハの厚み，研磨パッドの摩耗による減少を考慮
して計算した円盤状半導体ウェーハの研磨面（研磨パッドの中段部
に相当する部分）に対する当接割合は，次のとおりである（平成１
８年１０月２７日付け原告ら準備書面（第１回））。
研磨面の研磨パッドのウェーハと研磨面との当接割合ウェーハと研磨面との当接割合
高さ摩耗状況（研磨面の中央部を利用）（研磨面の端部を利用）
５．０９研磨パッドの厚み約３２．３％約４９．１％
㎜を考慮しない
９．０４０．５０㎜約６６．３％（ウェーハ厚を約７５．９％（ウェーハ厚を考
㎜（摩耗０．８㎜）考慮した場合約７１．９％）慮した場合約８０．０％）
なお，上記表中の「研磨面の端部を利用」とは，研磨面の大径部
又は小径部のどちらか一方からのオーバーハング部しか生じないよ
うな押し当て状態を意味する（以下においても同様である。）。
(ｂ)原告らは，３００㎜用被告装置において，研磨パッドの厚みを
考慮しない場合でも，研磨面の高さが５．０９㎜となることを前提
に上記計算を行っているものの，この前提自体が誤りである（乙９，
１８，弁論の全趣旨。乙９，１８においては，研磨リングに研磨パ
ッドが貼着された状態における中段部の高さが計測されている。）。
したがって，この点において，既に，原告らの計算方法及びその計
算結果の考察についての原告らの主張を採用することができないこ
とは明らかであるが，念のため，原告らの上記計算結果についても
検討することとする。
(ｃ)原告らの計算結果によると，研磨パッドの厚みを考慮しない場
合でも，「研磨面の端部を利用」した場合には，ウェーハと研磨面
との当接割合が約４９．１％になるという。仮に，被告装置におい
て，上記「研磨面の端部を利用」する態様をとり得たとしても，上
記当接割合は，円盤状半導体ウェーハや研磨面上の切欠きや溝の存
在，あるいは，円盤状半導体ウェーハや研磨面自体の一部形状の変
化によって生じた非当接領域を除いて，円盤状半導体ウェーハの外
周の面取部のすべての領域を押し当てた状態には当たらないことが
明らかであるから，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状
態」を充足しない。
(ｄ)原告らは，原告らの計算結果によれば，研磨面の高さが９．０
４㎜になるまで研磨パッドが摩耗した時点（当初１．３㎜の厚さで
あった研磨パッドが０．５㎜の厚さになるまで摩耗した時点）で，
円盤状半導体ウェーハと研磨面との当接割合は，最も高い数値で約
８０．０％に達すると主張する。
しかしながら，研磨パッドの摩耗が原告らの主張する態様で生じ
ること，被告装置において，研磨パッドが原告ら主張の摩耗状態，
あるいは，それ以上の摩耗状態において使用されていることを認め
るに足りる証拠は何ら存しない。
仮に，被告装置が上記摩耗状態で使用されることがあったとして
も，研磨パッドがそれほど摩耗していないときの当接割合は，円盤
状半導体ウェーハや研磨面上の切欠きや溝の存在，あるいは，円盤
状半導体ウェーハや研磨面自体の一部形状の変化によって生じた非
当接領域を除いて，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部のすべて
の領域を押し当てた状態であるとは言えないものであるから，被告
装置が，研磨面に対し，ウェーハの外周の面取部を「ほぼ全周にお
いて押し当てた状態」で面取加工するように設計されたものである
とは言えない。
そもそも，上記のような当接割合の変化は，研磨パッドの摩耗に
よる厚みの減少を理由とするものであり，研磨パッドの摩耗いかん
によって，当初は構成要件Ａを充足せず，本件発明の技術的範囲に
属していなかったものが，後に突如として，本件発明の技術的範囲
に属することになるなどというのは不合理であると言うほかなく，
上記構成要件の充足性を判断するにつき，研磨パッドの摩耗を考慮
すること自体が相当でないというべきである。
以上のとおり，原告らの上記計算結果を前提としても，被告方法
は，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」を充足しな
い。
ｃ２００㎜用被告装置（４．９３）について
(ａ)原告らの主張によれば，２００㎜用被告装置（４．９３）につ
いて，研磨パッドの厚み，ウェーハの厚み，研磨パッドの摩耗及び
ウェーハの押し付け力による減少を考慮して計算した円盤状半導体
ウェーハの研磨面（研磨パッドの中段部に相当する部分）に対する
当接割合は，次のとおりである（平成１９年２月１日付け原告ら準
備書面（第６回））。
研磨面の研磨パッドのウェーハと研磨面との当接割合ウェーハと研磨面との当接割合
高さ摩耗状況（研磨面の中央部を利用）（研磨面の端部を利用）
４．９３研磨パッドの厚み約４９．９％約６３．５％
㎜を考慮しない
５．０９１．３０㎜約５２．０％（ウェーハ厚を約６５．２％（ウェーハ厚を考
㎜（摩耗及び圧縮な考慮した場合約５８．１％）慮した場合約６９．８％）
し）
６．５６０．８９㎜約７７．８％（ウェーハ厚を約８４．２％（ウェーハ厚を考
㎜（摩耗及び圧縮考慮した場合約１００％）慮した場合約１００％）
０．４１㎜）
(ｂ)原告らは，２００㎜用被告装置（４．９３）において，研磨パ
ッドの厚みを考慮しない場合でも，研磨面の高さが４．９３㎜とな
ることを前提に上記計算を行っているものの，この前提自体が誤り
である（乙１３，２０，弁論の全趣旨。乙１３，２０においては，
研磨リングに研磨パッドが貼着された状態における中段部の高さが
計測されている。）。したがって，この点において，既に，原告ら
の計算方法及びその計算結果の考察についての原告らの主張を採用
することができないことは明らかであるが，念のため，原告らの上
記計算結果についても検討することとする。
(ｃ)原告らの計算結果によると，研磨パッドの厚みを考慮しない場
合でも，「研磨面の端部を利用」した場合には，ウェーハと研磨面
との当接割合が約６３．５％になるという。仮に，被告装置におい
て，上記「研磨面の端部を利用」する態様をとり得たとしても，上
記当接割合は，円盤状半導体ウェーハや研磨面上の切欠きや溝の存
在，あるいは，円盤状半導体ウェーハや研磨面自体の一部形状の変
化によって生じた非当接領域を除いて，円盤状半導体ウェーハの外
周の面取部のすべての領域を押し当てた状態には当たらないことが
明らかであるから，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状
態」を充足しない。
(ｄ)原告らの計算結果によっても，研磨面の高さが５．０９㎜であ
る場合（すなわち，研磨パッドの摩耗及び圧縮が生じていない時
点）の円盤状半導体ウェーハと研磨面との当接割合は，約５２．０
％（ウェーハ厚を考慮した場合約５８．１％）であり，仮に，被告
装置において，原告らが主張するように，「研磨面の端部を利用」
する態様をとり得たとしても，当接割合は約６５．２％（ウェーハ
厚を考慮した場合約６９．８％）にすぎないというのであるから，
上記当接割合は，円盤状半導体ウェーハや研磨面上の切欠きや溝の
存在，あるいは，円盤状半導体ウェーハや研磨面自体の一部形状の
変化によって生じた非当接領域を除いて，円盤状半導体ウェーハの
外周の面取部のすべての領域を押し当てた状態には当たらないこと
が明らかであり，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状
態」を充足しない。
(ｅ)原告らは，原告らの計算結果によれば，研磨面の高さが６．５
６㎜になるまで研磨パッドが摩耗及びウェーハの押し付け力により
厚みが変化した時点（当初１．３㎜の厚さであった研磨パッドが０．
８９㎜の厚さに変化した時点）で，円盤状半導体ウェーハと研磨面
との当接割合は，最も高い数値をとると約１００％に達すると主張
する。
しかしながら，被告装置において，研磨パッドの摩耗及び押圧状
態が，原告らが主張する態様で生じること，原告らの主張する摩耗
及び押圧状態において被告装置が使用されることを認めるに足りる
証拠は何ら存しない。
仮に，被告装置が上記摩耗及び押圧状態で使用されることがあっ
たとしても，研磨パッドがそれほど摩耗していないときの当接割合
は，円盤状半導体ウェーハや研磨面上の切欠きや溝の存在，あるい
は，円盤状半導体ウェーハや研磨面自体の一部形状の変化によって
生じた非当接領域を除いて，円盤状半導体ウェーハの外周の面取部
のすべての領域を押し当てた状態であるとは言えないものであるか
ら，被告装置が，研磨面に対し，ウェーハの外周の面取部を「ほぼ
全周において押し当てた状態」で面取加工するように設計されたも
のであるとは言えない。
そもそも，上記のような当接割合の変化は，研磨パッドの摩耗に
よる厚みの減少を理由とするものであり，研磨パッドの摩耗いかん
によって，当初は構成要件Ａを充足せず，本件発明の技術的範囲に
属していなかったものが，後に突如として，本件発明の技術的範囲
に属することになるなどというのは不合理であると言うほかなく，
上記構成要件の充足性を判断するにつき，研磨パッドの摩耗を考慮
すること自体が相当でないというべきである。
以上のとおり，原告らの上記計算結果を前提としても，被告方法
は，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」を充足しな
い。
ｄ２００㎜用被告装置（４．９３）において，研磨パッドの上段部及
び下段部に相当する部分も研磨面に含めた場合
(ａ)原告らは，２００㎜用被告装置（４．９３）の場合，研磨パッ
ドの摩耗がない状態（研磨パッドの厚みが１．３㎜の状態）におい
ても，ウェーハを約３.０㎏の押し付け力で押し付けただけで，ウ
ェーハが研磨パッドに沈み込み，研磨パッドの上段部及び下段部に
相当する部分を研磨面に含めれば，ウェーハと研磨面との当接割合
は約１００％に達する旨主張する。
しかしながら，上記主張は，２００㎜用被告装置（４．９３）に
おいて，研磨パッドの厚みを考慮しない場合でも，研磨面の高さが
４．９３㎜となることを前提としているものの（甲１３の２・５，
弁論の全趣旨），この前提自体が誤りであることは，前述のとおり
である。したがって，この点において，原告らの上記主張を採用す
ることはできない。
また，原告らが主張する態様で研磨パッドの押圧状態が生じるこ
と，被告装置が原告ら主張の態様で使用されていることを認めるに
足りる証拠は存しない。
そもそも，原告らの上記計算結果は，本件発明における「研磨
面」に研磨リングの中段部に相当する研磨パッドのみならず，研磨
リングの上段部及び下段部に相当する研磨パッド部分をも含めるこ
とを前提とするものであり，この前提自体誤りというべきである。
すなわち，本件発明の「研磨面」は，「凹形状をなす」ことに加え，
「円盤状半導体ウェーハの外周面取部をほぼ全周において押し当て
可能な曲率半径の球内面形状」であること（構成要件Ｂ）を要する。
そして，前記のとおり，本件発明において，研磨面を球内面形状と
する技術的意義が，円盤状半導体ウェーハを研磨面に当接するのみ
で，円盤状半導体ウェーハの全周が研磨面に当たるようにし，両者
の位置設定を簡素化することにもあることからすれば，ウェーハを
当接する前の状態において，研磨面が球内面形状であることを意味
するものと解される。ウェーハを押し当てた後の状態では，研磨パ
ッドには，必ず沈み込みが生じており（甲１３の３の左側の図１−
２，甲１３の６の左側の図２−２参照），このような状態の下では，
研磨面がこれに当接している面取部をすべて包含する球内面形状を
しているということができないことは明らかであり，このことから
も，上記解釈は合理的であるといえる。
前記イ(ア)ａの(ｂ)記載のとおり，研磨リングの上段部及び下段
部は球内面形状に加工されていないから，これに貼着された研磨パ
ッドにより形成される面も球内面形状ではない。したがって，研磨
リングの上段部及び下段部に相当する研磨パッド部分は本件発明に
おける「研磨面」には該当しない（仮に，研磨リングの上段部及び
下段部も球内面形状をしているとしても，本件発明の「凹形状をな
す研磨面」は，「ウェーハの外周面取部をほぼ全周において押し当
て可能な曲率半径の球内面形状」であるから，一様な曲率半径の球
内面形状でなければならず，複数の曲率半径の曲面を組み合わせた
ものはこれに該当しないというべきである。被告装置においては，
研磨リングの上段部，中段部，下段部は，一様な曲率半径の球内面
形状であるとは認められない（別紙被告装置目録第１図（ｂ））か
ら，本件発明の「ウェーハの外周面取部をほぼ全周において押し当
て可能な曲率半径の球内面形状」とはなり得ない。）。
(ｂ)以上によれば，原告らの上記計算結果をもって，被告方法が構
成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」を充足すると判断
することはできない。
(オ)原告らは，被告方法が構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた
状態」を充足することを示す証拠として，被告製品のカタログ（甲３の
１）の「Chamfer」図において，球内面形状の研磨面にウェーハの外周
の全周を押し当てる利用形態が示されていることを挙げる。
しかしながら，上記カタログは，被告装置の概略を簡単に説明するこ
とを目的としたものにすぎず，被告装置の構造やそこで用いられている
方法を正確に表現したものではないことが明らかであるから，上記証拠
をもって，被告方法が，構成要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状
態」を充足するものと認めることはできない。
(カ)まとめ
被告装置においては，研磨面２４に対して，円盤状半導体ウェーハＷ
の外周の面取部の一部Ｗａ，Ｗｂを研磨面２４の大径部２６及び小径部
２７からそれぞれせり出すようにして押し当てた状態で，研磨面２４と
円盤状半導体ウェーハＷとの相対的回転を与えることにより，円盤状半
導体ウェーハＷの外周の面取部のミラー面取加工を行うようにしており，
原告らの計算結果及び被告の計算結果に基づき考察しても，ウェーハ外
周面取部と研磨面とは，「円盤状半導体ウェーハや研磨面上の切欠きや
溝の存在，あるいは，円盤状半導体ウェーハや研磨面自体の一部形状の
変化によって生じた非当接領域を除いて，円盤状半導体ウェーハの外周
の面取部のすべてを押し当てた状態」にはないから，被告方法は，構成
要件Ａの「ほぼ全周において押し当てた状態」を充足しない。
(3)以上によれば，被告方法は，構成要件Ａを充足しない。
２争点２（被告方法は本件発明と均等か）について
(1)原告らは，仮に，被告方法が構成要件Ａの「研磨面に対して，円盤状半
導体ウェーハの外周の面取部をほぼ全周において押し当てた状態」との要件
を充足しないとしても，被告方法は，本件発明の構成と均等である旨主張す
る。
(2)しかし，本件発明と被告方法との相違する部分である「研磨面に対して，
円盤状半導体ウェーハの外周の面取部をほぼ全周において押し当てた状態」
との方法を含む構成要件Ａは，次のとおり本件発明の本質的部分であること
は明らかであるから，これを充足しない被告方法が本件発明の構成と均等で
あると言うことはできない。
ア特許発明の本質的部分とは，明細書の特許請求の範囲に記載された特許
発明の構成のうち，当該発明特有の課題解決のための手段を基礎付ける技
術的思想の中核をなす特徴的部分を意味するものと解される。
本件明細書（甲２）には，次のとおりの記載がある。
(ア)従来の技術
「ミラー面取化処理は現在以下のような方法で行われている。」（１
ページ２欄１４行目ないし１５行目）との記載に続けて，「すなわち，
図６，図７，図８でその概略を示す特開昭６４−７１６５７号，または
特開昭６４−７１６５６号公報に見られるように，表面に研磨布０６を
付した研磨ドラム０１を所定速度で回転させつつ，吸着チャック０２で
固定した円盤状の半導体ウェーハ０３をこの研磨ドラム０１に加圧用ウ
ェート０４等を利用して押し付け，半導体ウェーハ０３の面取部０７を
ミラー面取加工している。」（２ページ３欄１行目ないし８行目）
(イ)発明が解決しようとする課題
「図７，図８に示されるように回転ドラム０１の研磨布０６に対して
円盤状の半導体ウェーハ０３の面取部０７が上下に線接触（厳密には研
磨布０６の弾力で所定の面積で接触）状態でミラー面取加工が行われる
ため，円盤状の半導体ウェーハ０３の片面の面取部０７をミラー面取加
工するには時間がかかってしまう。そこで例えば加圧用ウェイト０４を
重くし半導体ウェーハ０３を回転ドラム０１に強く押し付けることによ
り，加圧時間は短縮できるのであるが，半導体ウェーハ０３は薄い肉厚
でかつ脆性が高いため，吸着チャック０２の外周に位置する半導体ウェ
ーハ０３端部に過度な集中荷重が加わると，一部が欠損することになる
ため，ミラー面取加工速度を高めることには限界がある。」（２ページ
３欄１８行目ないし３１行目）
(ウ)課題を解決するための手段
「この特徴を有する本発明のミラー面取加工方法によれば，研磨面に
円盤状半導体ウェーハを押し当てようとする力を円盤状半導体ウェーハ
の外周部に位置する面取部のほぼ全域を使用して支えるようにしたもの
で，ミラー面取加工の速度に最も必要な押し付け力を高めても，円盤状
半導体ウェーハに局部的な荷重が加わらず，加工時の局部欠損を防止で
き，延いては円盤状半導体ウェーハの面取部のミラー面取加工速度を飛
躍的に高めるものである。」（２ページ４欄２行目ないし１０行目）
(エ)発明の効果
「請求項１の発明によると，研磨面に円盤状半導体ウェーハを押し当
てようとする力を円盤状半導体ウェーハの外周部に位置する面取部のほ
ぼ全域を使用して支えるようにしたもので，ミラー面取加工の速度に最
も必要な押し付け力を高めても，円盤状半導体ウェーハに局部的な荷重
が加わらず，加工時の局部欠損を防止でき，延いては円盤状半導体ウェ
ーハの面取部のミラー面取加工速度を飛躍的に高めるものである。」
（４ページ７欄３行目ないし１０行目）
上記の記載によれば，本件発明は，従来技術には，研磨面に対して円盤
状半導体ウェーハの面取部の一部を押し当てた状態でミラー面取加工が行
われるため加工時間が長くなるので，加工時間を短縮しようとして，押し
付け力を強くすると，今度は，硬脆材であるウェーハの端部に欠損が生じ，
結局ミラー面取加工速度を高めることには限界があるとの課題があるとの
認識のもと，同課題を解決するための手段として，研磨面に円盤状半導体
ウェーハを押し当てようとする力を円盤状半導体ウェーハの外周部に位置
する面取部のほぼ全域を使用して支えるようにしたものであり，このこと
により，ミラー面取加工の速度に最も必要な押し付け力を高めても，円盤
状半導体ウェーハに局部的な荷重が加わらず，加工時の局部欠損を防止す
ることができ，かつ，円盤状半導体ウェーハの面取部のミラー面取加工速
度を飛躍的に高めるという作用効果を奏し，従来技術における上記課題を
解決するに至ったものであるから，「研磨面に対して，円盤状半導体ウェ
ーハの外周の面取部をほぼ全周において押し当てた状態」との方法は，ま
さに本件発明に特有の課題解決のための手段を基礎付ける技術的思想の中
核をなす特徴的部分に当たるというべきである。
イ原告らは，本件発明において本質的な部分は構成要件ＢないしＤである
旨主張する。しかしながら，構成要件ＢないしＤのみでは，研磨面の形状，
円盤状半導体ウェーハの回転軸と研磨面との関係，研磨面の回転軸と円盤
状半導体ウェーハの回転軸との関係をいうのみで，研磨面と円盤状半導体
ウェーハの位置関係（当接関係）を何ら特定していない（構成要件Ｂは，
単に「ほぼ全周において押し当て可能」としているにすぎない。）ことに
なるから，構成要件ＢないしＤだけを充足する方法の中には，円盤状半導
体ウェーハの外周面取部のごく一部しか研磨面に当接しない場合まで含ま
れてしまい，このような方法が，本件発明の上記作用効果を得られるとは
限らないことになる。
すなわち，構成要件Ａを欠く場合には，上記作用効果を奏するとは限ら
ないのであるから，構成要件Ａは本件発明の中核をなす本質的部分である
ことが明らかである。
ウまた，原告らは，構成要件Ａの末尾の体裁が，「・・・であって，」と
なっていることをもって，構成要件Ａが本件発明の本質的部分ではないこ
との証左である旨主張する。しかしながら，記載の体裁のみで当該発明の
本質的部分が決まるものではない。構成要件Ａが上記体裁をとっていたと
しても，前記アの判断を左右するものではないことは既に説示したところ
から明らかである。
(3)なお，被告は，原告らの上記主張は時機に後れた攻撃方法であるから，
却下されるべきである旨主張する。
しかしながら，弁論の全趣旨により認められる本件訴訟の進行に照らせば，
原告らによる上記予備的主張の提出により，訴訟の完結を遅延させることに
なるとは認められない。
したがって，原告らの上記主張を却下すべきであるとはいえない。
３結論
よって，原告らの本訴請求は，その余の点について判断するまでもなく，理
由がないから，これをいずれも棄却することとして，主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第４７部
阿部正幸裁判長裁判官
平田直人裁判官
柵木澄子裁判官
（別紙）特許公報省略
（別紙）
被告装置目録
【被告装置の構成】
ａ研磨面２４に対して，円盤状半導体ウェーハＷの外周の面取部の一部Ｗａ，
Ｗｂを研磨面２４の大径部２６及び小径部２７からそれぞれせり出すようにし
て押し当てた状態（第２図，第３図）で，この研磨面２４と円盤状半導体ウェ
ーハＷとの相対的回転を与えることにより，円盤状半導体ウェーハＷの外周の
面取部のミラー面取加工を行うようにしている。研磨リング２３は３段に分か
れて研磨パッド２５が貼着され，研磨面２４は，３段に分かれた研磨パッド２
５の中段部分に相当するものであり，その研磨リング２３の研磨面２４に相当
する部分は球内面形状に加工されている。
ｂ３段に分かれた研磨リング２３には研磨パッド２５が貼着されており，研磨
面２４はその中段に位置する（第１図（ｂ），第３図）。
ｃ研磨リング２３の中段部分は，球内面形状となるように精密に加工されてい
る。
ｄ研磨面２４の回転軸Ｌ２と前記円盤状半導体ウェーハＷの回転軸Ｌ１とを不
一致とさせている（第３図）。
ｅ研磨面２４を回転シャフト２２で強制的に回転させるようにしている（第２
図）。
ｆ円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工に使用する装置である。
【図面の説明】
第１図（ａ）被告装置要部断面図
第１図（ｂ）研磨リング図
第２図半導体ウェーハの研磨状態図
第３図半導体ウェーハの研磨リング研磨面当接状態図
【符号の説明】
１１ウェーハ保持台
１２回転シャフト（ウェーハ保持台）
１３ウェーハ保持部
２１研磨台
２２回転シャフト（研磨台）
２３研磨リング
２４研磨面
２５研磨パッド
２６研磨面の大径部
２７研磨面の小径部
Ｗ円盤状半導体ウェーハ
Ｗａオーバーハング部
Ｗｂオーバーハング部
Ｌ１半導体ウェーハの回転軸
Ｌ２研磨面の回転軸
※２点破線で示されているのは，半導体ウェーハの回転軸と研磨面の回転軸とが一致
していると仮定した場合における，半導体ウェーハ，ウェーハ保持台等の位置である。

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