戻る

平成１６年（行ケ）第１４６号　特許取消決定取消請求事件
口頭弁論終結日　平成１６年７月２０日
判　　　　　　　　　　決
原　　　　　　告　　　　株式会社ニコン
訴訟代理人弁理士　　　　渡辺隆男
同　　　　　　　　　　　芝山みゆき
　　　被　　　　　　告　　　　特許庁長官　小川洋
　　　　指定代理人　　　　　　　神崎孝之
　　　　同　　　　　　　西川惠雄
　　　　同　　　　　　　小曳満昭
　　　　同　　　　　　　涌井幸一
　　　　同　　　　　　　宮下正之
主　　　　　　　　　　　文
１　特許庁が異議２００３－７１６３０号事件について平成１６年２月２６
日にした決定中，「特許第３３６０６１０号の請求項１ないし３，５，８，９ない
し１１，１４に係る特許を取り消す。」との部分を取り消す。
２　訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
１　原告の請求
(1)主文１項と同旨。
(2)訴訟費用は被告の負担とする。
２　当事者間に争いのない事実
(1)特許庁における手続の経緯
原告は，発明の名称を「検出方法及び検出装置及び研磨装置」とする特許第
３３６０６１０号の特許（平成１０年６月１日出願（優先権主張平成１０年５月２
１日），平成１４年１０月１８日設定登録。以下「本件特許」という。請求項の数
は１４である。）の特許権者である。
本件特許に対し，請求項１ないし６，８ないし１４につき，特許異議の申立
てがあり，特許庁は，この申立てを，異議２００３－７１６３０号事件として審理
した。原告は，この審理の過程で，平成１５年１２月１日，本件特許の出願に係る
願書に添付した明細書の訂正の請求をした。特許庁は，上記事件につき審理し，そ
の結果，平成１６年２月２６日，この訂正を認めた上で（以下「本件第１訂正」と
いう。），「特許第３３６０６１０号の請求項１ないし３，５，８，９ないし１
１，１４に係る特許を取り消す。同請求項４，６ないし７，１２ないし１３に係る
特許を維持する。」（以下，取り消された請求項に係る発明をまとめて「本件発
明」という。）との決定をし，同年３月１３日にその謄本を原告に送達した。
(2)決定の理由
要するに，本件発明は，いずれも公知技術に基づいて当業者が容易に発明を
することができたものであるから，特許法２９条２項の規定に該当する，したがっ
て，本件特許は，請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，１４のいずれについ
ても，この規定に違反して登録されたものである，ということである。
(3)訂正審判の確定
　　原告は，本訴係属中に，本件特許の出願に係る願書に添付した明細書の訂正
をすることについて審判を請求した。特許庁は，これを訂正２００４?３９０７５号
事件として審理し，その結果，平成１６年５月１８日に訂正（以下「本件第２訂
正」という。）することを認める旨の審決（以下「本件訂正審決」という。）を
し，これが確定した。
(4)本件第１訂正後の本件特許の特許請求の範囲
「【請求項１】　半導体装置製造工程における，デバイスパターンが存在し最
上層が金属膜である複数の層を有する半導体素子表面の前記金属層の除去工程にお
いて，前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する多
成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半導体素子表面からの反射光
の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって，前記
金属層の一部または全部にプローブ光を照射する第１の段階と，前記除去工程の進
行に伴い前記金属層の少なくとも一部が除去された状態において，前記プローブ光
が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射する第２の段階と
を有し，前記第２の段階では，前記反射光は，前記プローブ光が照射されているデ
バイスパターンの前記複数の層の各層からの光波の重ね合わせとなり，前記分光特
性の信号から演算されたパラメータを利用して，工程終了点の判定を行うことを特
徴とする検出方法。
【請求項２】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の積
層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層ある
いは電極層の除去工程において，前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に
複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半
導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検
出する方法であって，前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なく
とも数周期分を照射し，前記反射光は，前記プローブ光が照射されているデバイス
パターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり，前記分光特性の信
号から演算されたパラメータを利用して，工程終了点の判定を行い，前記パラメー
タが，前記分光特性の信号の極大値，または極小値，または（極大値－極小値），
または（極小値／極大値）から選ばれた一つ以上であることを特徴とする検出方
法。
【請求項３】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の積
層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層ある
いは電極層の除去工程において，前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に
複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半
導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検
出する方法であって，前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なく
とも数周期分を照射し，前記反射光は，前記プローブ光が照射されているデバイス
パターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり，前記分光特性の信
号から演算されたパラメータを利用して，工程終了点の判定を行い，前記パラメー
タが，前記分光特性の信号の最大極大値，または最小極小値，または（最大極大値
－最小極小値），または（最小極小値／最大極大値）から選ばれた一つ以上である
ことを特徴とする検出方法。
【請求項４】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の積
層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層ある
いは電極層の除去工程において，前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に
複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半
導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検
出する方法であって，前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なく
とも数周期分を照射し，前記反射光は，前記プローブ光が照射されているデバイス
パターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり，前記分光特性の信
号から演算されたパラメータを利用して，工程終了点の判定を行い，前記パラメー
タが，前記分光特性の信号の波長毎の信号値列の分散値であることを特徴とする検
出方法。
【請求項５】　前記パラメータが，前記分光特性の信号の適当なフーリエ変
換の成分であることを特徴とする請求項１記載の検出方法。
【請求項６】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の積
層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層ある
いは電極層の除去工程において，前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に
複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半
導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検
出する方法であって，前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なく
とも数周期分を照射し，前記反射光は，前記プローブ光が照射されているデバイス
パターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり，前記分光特性の信
号と工程終了点に対応する予め記憶された参照分光特性の信号との相互相関関数を
利用して，工程終了点の判定を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項７】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の積
層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層ある
いは電極層の除去工程において，前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ
光を照射して得られる反射光または透過光の分光特性の信号により前記除去工程の
工程終了点を検出する方法であって，前記プローブ光は前記デバイスパターンの最
小単位の少なくとも数周期分を照射し，前記反射光または透過光は，前記プローブ
光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わ
せであり，前記分光特性の信号と工程終了点に対応する予め記憶された参照分光特
性の信号との相互相関関数を利用して，工程終了点の判定を行い，研磨の進行に伴
い変化する分光反射特性信号がｆ（λ），参照分光反射特性信号がｇ（λ）とし，
前記相互相関関数の定義式Ｒxy（τ）を，
　　【数１】
（判決注・数式省略）
で表すことを特徴とする検出方法。
【請求項８】　請求項１～７の検出方法から選ばれた二つ以上を併用して判
定を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項９】　半導体装置製造工程における，デバイスパターンが存在し最
上層が金属膜である複数の層を有する半導体素子表面の前記金属層の除去工程の工
程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有す
る多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号によ
り検出する検出装置において，前記照射光源を有し，前記照射光源から発したプロ
ーブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し，前記半導体素子表面の一
部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と，前記検出
された分光特性の信号が入力される信号処理部と，を備え，前記測定光学系は，前
記除去工程の進行に伴い前記金属層の少なくとも一部が除去された状態において，
前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射
し，前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記複数の
層の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され，前記信号処理部は，前記
分光特性の信号からパラメータを演算し，このパラメータを利用して研磨終了点を
検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１０】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の
積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あ
るいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連
続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる
反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において，前記照射光源を有し，
前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射
し，前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出
する測定光学系と，前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と，を
備え，前記測定光学系は，前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少
なくとも数周期分を照射し，前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイ
スパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され，
前記信号処理部は，前記分光特性の信号から前記分光特性の信号の極大値，または
極小値，または（極大値－極小値），または（極小値／極大値）から選ばれた一つ
以上をパラメータとして演算し，このパラメータを利用して研磨終了点を検出する
ことを特徴とする検出装置。
【請求項１１】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の
積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あ
るいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連
続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる
反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において，前記照射光源を有し，
前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射
し，前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出
する測定光学系と，前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と，を
備え，前記測定光学系は，前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少
なくとも数周期分を照射し，前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイ
スパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され，
前記信号処理部は，前記分光特性の信号から前記分光特性の信号の最大極大値，ま
たは最小極小値，または（最大極大値－最小極小値），または（最小極小値／最大
極大値）から選ばれた一つ以上をパラメータとして演算し，このパラメータを利用
して研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１２】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の
積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あ
るいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連
続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる
反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において，前記照射光源を有し，
前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射
し，前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出
する測定光学系と，前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と，を
備え，前記測定光学系は，前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少
なくとも数周期分を照射し，前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイ
スパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され，
前記信号処理部は，前記分光特性の信号から前記分光反射特性の信号の波長毎の信
号値列の分散値をパラメータとして演算し，このパラメータを利用して研磨終了点
を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１３】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の
積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あ
るいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連
続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる
反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において，前記照射光源を有し，
前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射
し，前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出
する測定光学系と，前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と，を
備え，前記測定光学系は，前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少
なくとも数周期分を照射し，前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイ
スパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され，
前記信号処理部は，前記分光特性の信号と予め記憶された参照分光特性の信号との
相互相関係数をパラメータとして演算し，このパラメータを利用して研磨終了点を
検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１４】　請求項９から１３のいずれか１項に記載の検出装置と研磨
パッドと被研磨部材を保持する研磨ヘッドとを具え，前記研磨パッドと前記被研磨
部材との間に相対運動を与えることにより前記被研磨部材を研磨する研磨装置。」
(5)本件第２訂正後の本件特許の特許請求の範囲（下線部が本件第１訂正後の
ものと比較した場合の訂正箇所である。）
「【請求項１】　半導体装置製造工程における，デバイスパターンが存在し
最上層が金属膜である複数の層を有する半導体素子表面の前記金属層の除去工程に
おいて，前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有する
多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半導体素子表面からの反射
光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検出する方法であって，前
記金属層の一部または全部にプローブ光を照射する第１の段階と，前記除去工程の
進行に伴い前記金属層の少なくとも一部が除去された状態において，前記プローブ
光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射する第２の段階
とを有し，前記第２の段階では，前記反射光は，前記プローブ光が照射されている
デバイスパターンの前記複数の層の各層からの光波の重ね合わせとなり，前記分光
特性の信号から演算されたパラメータを利用して，該パラメータが急激に変化する
タイミングで工程終了点の判定を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項２】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の積
層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層ある
いは電極層の除去工程において，前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に
複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半
導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検
出する方法であって，前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なく
とも数周期分を照射し，前記反射光は，前記プローブ光が照射されているデバイス
パターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり，前記分光特性の信
号から演算されたパラメータを利用して，該パラメータが急激に変化するタイミン
グで工程終了点の判定を行い，前記パラメータが，前記分光特性の信号の極大値，
または極小値，または（極大値－極小値），または（極小値／極大値）から選ばれ
た一つ以上であることを特徴とする検出方法。
【請求項３】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の積
層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層ある
いは電極層の除去工程において，前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に
複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半
導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検
出する方法であって，前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なく
とも数周期分を照射し，前記反射光は，前記プローブ光が照射されているデバイス
パターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり，前記分光特性の信
号から演算されたパラメータを利用して，該パラメータが急激に変化するタイミン
グで工程終了点の判定を行い，前記パラメータが，前記分光特性の信号の最大極大
値，または最小極小値，または（最大極大値－最小極小値），または（最小極小値
／最大極大値）から選ばれた一つ以上であることを特徴とする検出方法。
【請求項４】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の積
層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層ある
いは電極層の除去工程において，前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に
複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半
導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検
出する方法であって，前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なく
とも数周期分を照射し，前記反射光は，前記プローブ光が照射されているデバイス
パターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり，前記分光特性の信
号から演算されたパラメータを利用して，工程終了点の判定を行い，前記パラメー
タが，前記分光特性の信号の波長毎の信号値列の分散値であることを特徴とする検
出方法。
【請求項５】　前記パラメータが，前記分光特性の信号の適当なフーリエ変
換の成分であることを特徴とする請求項１記載の検出方法。
【請求項６】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の積
層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層ある
いは電極層の除去工程において，前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に
複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる前記半
導体素子表面からの反射光の分光特性の信号により前記除去工程の工程終了点を検
出する方法であって，前記プローブ光は前記デバイスパターンの最小単位の少なく
とも数周期分を照射し，前記反射光は，前記プローブ光が照射されているデバイス
パターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせであり，前記分光特性の信
号と工程終了点に対応する予め記憶された参照分光特性の信号との相互相関関数を
利用して，工程終了点の判定を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項７】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の積
層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層ある
いは電極層の除去工程において，前記半導体素子表面の一部または全部にプローブ
光を照射して得られる反射光または透過光の分光特性の信号により前記除去工程の
工程終了点を検出する方法であって，前記プローブ光は前記デバイスパターンの最
小単位の少なくとも数周期分を照射し，前記反射光または透過光は，前記プローブ
光が照射されているデバイスパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わ
せであり，前記分光特性の信号と工程終了点に対応する予め記憶された参照分光特
性の信号との相互相関関数を利用して，工程終了点の判定を行い，研磨の進行に伴
い変化する分光反射特性信号がｆ（λ），参照分光反射特性信号がｇ（λ）とし，
前記相互相関関数の定義式Ｒxy（τ）を，
　　【数１】
（判決注・数式省略）
で表すことを特徴とする検出方法。
【請求項８】　請求項１～７の検出方法から選ばれた二つ以上を併用して判
定を行うことを特徴とする検出方法。
【請求項９】　半導体装置製造工程における，デバイスパターンが存在し最
上層が金属膜である複数の層を有する半導体素子表面の前記金属層の除去工程の工
程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連続的に複数の波長成分を有す
る多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる反射光の分光特性の信号によ
り検出する検出装置において，前記照射光源を有し，前記照射光源から発したプロ
ーブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射し，前記半導体素子表面の一
部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出する測定光学系と，前記検出
された分光特性の信号が入力される信号処理部と，を備え，前記測定光学系は，前
記除去工程の進行に伴い前記金属層の少なくとも一部が除去された状態において，
前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少なくとも数周期分を照射
し，前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイスパターンの前記複数の
層の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され，前記信号処理部は，前記
分光特性の信号からパラメータを演算し，このパラメータを利用して該パラメータ
が急激に変化するタイミングで研磨終了点を検出することを特徴とする
検出装置。
【請求項１０】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の
積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あ
るいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連
続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる
反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において，前記照射光源を有し，
前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射
し，前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出
する測定光学系と，前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と，を
備え，前記測定光学系は，前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少
なくとも数周期分を照射し，前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイ
スパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され，
前記信号処理部は，前記分光特性の信号から前記分光特性の信号の極大値，または
極小値，または（極大値－極小値），または（極小値／極大値）から選ばれた一つ
以上をパラメータとして演算し，このパラメータを利用して該パラメータが急激に
変化するタイミングで研磨終了点を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１１】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の
積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あ
るいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連
続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる
反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において，前記照射光源を有し，
前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射
し，前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出
する測定光学系と，前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と，を
備え，前記測定光学系は，前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少
なくとも数周期分を照射し，前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイ
スパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され，
前記信号処理部は，前記分光特性の信号から前記分光特性の信号の最大極大値，ま
たは最小極小値，または（最大極大値－最小極小値），または（最小極小値／最大
極大値）から選ばれた一つ以上をパラメータとして演算し，このパラメータを利用
して該パラメータが急激に変化するタイミングで研磨終了点を検出することを特徴
とする検出装置。
【請求項１２】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の
積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あ
るいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連
続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる
反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において，前記照射光源を有し，
前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射
し，前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出
する測定光学系と，前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と，を
備え，前記測定光学系は，前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少
なくとも数周期分を照射し，前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイ
スパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され，
前記信号処理部は，前記分光特性の信号から前記分光反射特性の信号の波長毎の信
号値列の分散値をパラメータとして演算し，このパラメータを利用して研磨終了点
を検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１３】　半導体装置製造工程における，二次元的に分布した複数の
積層薄膜パターンから成るデバイスパターンが存在する半導体素子表面の絶縁層あ
るいは電極層の除去工程の工程終了点を前記半導体素子表面の一部または全部に連
続的に複数の波長成分を有する多成分波長光であるプローブ光を照射して得られる
反射光の分光特性の信号により検出する検出装置において，前記照射光源を有し，
前記照射光源から発したプローブ光を前記半導体素子表面の一部または全部に照射
し，前記半導体素子表面の一部または全部にて反射された反射光の分光特性を検出
する測定光学系と，前記検出された分光特性の信号が入力される信号処理部と，を
備え，前記測定光学系は，前記プローブ光が前記デバイスパターンの最小単位の少
なくとも数周期分を照射し，前記反射光が前記プローブ光が照射されているデバイ
スパターンの前記積層薄膜の各層からの光波の重ね合わせとなるように構成され，
前記信号処理部は，前記分光特性の信号と予め記憶された参照分光特性の信号との
相互相関係数をパラメータとして演算し，このパラメータを利用して研磨終了点を
検出することを特徴とする検出装置。
【請求項１４】　請求項９から１３のいずれか１項に記載の検出装置と研磨
パッドと被研磨部材を保持する研磨ヘッドとを具え，前記研磨パッドと前記被研磨
部材との間に相対運動を与えることにより前記被研磨部材を研磨する研磨装置。」
３　当裁判所の判断
上記当事者間に争いのない事実によれば，本件第２訂正前の特許請求の範囲
（本件第１訂正後の特許請求の範囲）請求項１ないし３，５，８，９ないし１１，
１４の記載に基づき，その発明を認定し，これを前提に，特許法２９条２項の規定
に違反して登録された特許であることを理由に，同請求項のいずれについても本件
特許を取り消した決定の取消しを求める訴訟の係属中に，当該特許に係る特許請求
の範囲の減縮を含む訂正の審判が請求され，特許庁は，これを認める本件訂正審決
をし，これが確定したということができる。
決定は，これにより，結果として，上記請求項１ないし３，５，８，９ないし
１１，１４のいずれについても判断の対象となるべき発明の要旨の認定を誤ったこ
とになり，この誤りが上記各請求項のいずれについても決定の結論に影響を及ぼす
ことは明らかである。したがって，決定は，上記各請求項のすべてにつき，取消し
を免れない。
４　以上によれば，本訴請求は理由がある。そこで，これを認容し，訴訟費用の負
担については，原告に負担させるのを相当と認め，行政事件訴訟法７条，民事訴訟
法６２条を適用して，主文のとおり判決する。
東京高等裁判所知的財産第３部
　　裁判長裁判官　　　　　　佐　　藤　　久　　夫
　　裁判官　　　　　　設　　樂　　隆　　一
　　裁判官　　　　　　高　　瀬　　順　　久

戻る