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平成１３年（行ケ）第１６７号　審決取消請求事件
口頭弁論終結日　平成１６年６月２４日
判　　　　　　　決
　原　　　　　　告　　　　アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド
訴訟代理人弁理士　　　　小橋正明
　被　　　　　　告　　　　アネルバ株式会社
訴訟代理人弁理士　　　　後藤洋介
同　　　　　　　　　　　池田憲保
同　　　　　　　　　　　山本格介
同　　　　　　　　　　　山崎拓哉
主　　　　　　　文
１　原告の請求を棄却する。
２　訴訟費用は原告の負担とする。
３　この判決に対する上告及び上告受理の申立てのための付加期間を３０
日と定める。
事実及び理由
第１　当事者の求めた裁判
１　原告
(1)特許庁が平成１０年審判第３５０６４号事件について平成１２年１２月５
日にした審決を取り消す。
(2)訴訟費用は被告の負担とする。
２　被告
　主文１，２項と同旨
第２　当事者間に争いのない事実等
１　特許庁における手続の経緯
　　原告は，発明の名称を「改良されたスループットを有する真空処理装置」と
する特許第２５７５２８５号の特許（１９９３年（平成５年）１月２８日米国にお
いてした出願に基づく優先権を主張して，平成６年１月２８日出願（以下「本件出
願」という。同出願に係る願書に添付された明細書及び図面を併せて，「本件明細
書」という。甲第３号証は，公開時のその内容を示す特許公報である。），平成８
年１０月２４日設定登録。以下「本件特許」という。請求項の数は７である。）の
特許権者である。
　　被告は，平成１０年２月２３日，本件特許を無効にすることについて，審判
を請求した。特許庁は，これを平成１０年審判第３５０６４号事件として審理し
た。原告は，審理の過程で，平成１１年１１月２９日，請求項の文言の訂正を含
む，本件明細書の訂正を請求した（以下「本件訂正請求」という。本件訂正請求の
内容は，甲第２７号証（全文訂正明細書）記載のとおりである。）。特許庁は，審
理の結果，平成１２年１２月５日，本件訂正を認めなかった上で，「特許第２５７
５２８５号の請求項１～７に係る発明についての特許を無効とする。」との審決を
し，同月２５日，その謄本を原告に送達した。出訴期間として，９０日が付加され
た。
２　本件訂正請求による訂正前の特許請求の範囲（別紙１参照）
(1)請求項１
　　中に入れられた複数のガラス基板を支持し冷却する複数の棚を有する１ま
たは１を超える数のロードロック（loadlock）／冷却チャンバ，
　　複数のガラス基板を高温に加熱するための加熱チャンバ，
　　前記ガラス基板上に薄膜を蒸着させるための１または１を超える数の単一
基板用処理チャンバ，及び
　　すべての前記チャンバにアクセスし，任意の前記チャンバにガラス基板を
移送する自動化された手段を有する移送チャンバ，
　を備えた，ガラス基板上への単一基板用膜処理のための真空システム。
(2)請求項２
　　前記ロードロック／冷却チャンバが，前記棚を有し且つ上下移動用装
置（elevatorassembly）に取り付けられたカセットを備え，前記加熱チャンバが，
上下移動用装置（elevatorassembly）に取り付けられたカセットを備えている請求
項１記載の真空システム。
(3)請求項３
　　２個のロードロック／冷却チャンバを備えた請求項１記載の真空システ
ム。
(4)請求項４
　　少なくとも２個の処理チャンバを備えた請求項１記載の真空システム。
(5)請求項５
　　前記単一基板用処理チャンバが化学気相成長チャンバである請求項１記載
の真空システム。
(6)請求項６
ａ）複数のガラス基板をロードロック／冷却チャンバ内にロードし，前記チ
ャンバを排気するステップ，
ｂ）すべての前記ガラス基板を，接続する真空移送チャンバを通して前記基
板を高温に加熱するのに適するチャンバまで移送するステップ，
ｃ）ステップｂ）からの加熱された基板のうちの１枚を，移送チャンバを通
して，単一基板用処理チャンバまで移送し，その上に薄膜を蒸着するステップ，及
び
ｄ）ステップｃ）からの基板を，（前記移送チャンバを通して）ステップ
ａ）のロードロック／冷却チャンバまで送り戻し，基板を冷却するステップ，
　を順番に備えた，ガラス基板上に薄膜を蒸着する方法。
(7)請求項７
　　ステップｃ）に続いて，基板を，その上に付加的な薄膜を蒸着するための
１または１を超える数の付加的な処理チャンバに移送するステップを行う請求項６
記載の方法。
（以下，順に「本件発明１」，「本件発明２」・・・「本件発明７」とい
う。）
３　本件訂正請求による訂正後の特許請求の範囲
　　下線部が，付加訂正部分である。
(1)請求項１
　　中に入れられた複数のガラス基板を支持し冷却する複数の棚であってガラ
ス基板を対応する棚との間に隙間を持って支持するために複数の絶縁性マウントを
具備している熱伝導材料から作られている複数の棚を有する１または１を超える数
のロードロック（loadlock）／冷却チャンバ，
　　複数のガラス基板を高温に加熱するための加熱チャンバ，
　　前記ガラス基板上に薄膜を蒸着させるための１または１を超える数の単一
基板用処理チャンバ，及び
　　すべての前記チャンバにアクセスし，任意の前記チャンバにガラス基板を
移送する自動化された手段を有する移送チャンバ，
　を備えた，ガラス基板上への単一基板用膜処理のための真空システム。
(2)請求項２
　　前記ロードロック／冷却チャンバが，前記棚を有し且つ上下移動用装
置（elevatorassembly）に取り付けられたカセットを備え，前記加熱チャンバが，
上下移動用装置（elevatorassembly）に取り付けられたカセットを備えている請求
項１記載の真空システム。
(3)請求項３
　　２個のロードロック／冷却チャンバを備えた請求項１記載の真空システ
ム。
(4)請求項４
　　少なくとも２個の処理チャンバを備えた請求項１記載の真空システム。
(5)請求項５
　　前記単一基板用処理チャンバが化学気相成長チャンバである請求項１記載
の真空システム。
(6)請求項６
ａ）複数のガラス基板を複数の熱伝導材料から作られている棚が取り付けら
れている冷却カセットを具備しているロードロック／冷却チャンバ内にロードし，
前記チャンバを排気するステップ，
ｂ）すべての前記ガラス基板を，接続する真空移送チャンバを通して前記基
板を高温に加熱するのに適するチャンバまで移送するステップ，
ｃ）ステップｂ）からの加熱された基板のうちの１枚を，移送チャンバを通
して，単一基板用処理チャンバまで移送し，その上に薄膜を蒸着するステップ，及
び
ｄ）ステップｃ）からの基板を，前記移送チャンバを通してステップａ）の
ロードロック／冷却チャンバまで送り戻して前記冷却カセット内において棚との間
に隙間を持って支持し，基板を両面から均一に冷却するステップ，
　を順番に備えた，ガラス基板上に薄膜を蒸着する方法。
(7)請求項７
　　ステップｃ）に続いて，基板を，その上に付加的な薄膜を蒸着するための
１または１を超える数の付加的な処理チャンバに移送するステップを行う請求項６
記載の方法。
（以下，順に「本件訂正発明１」，「本件訂正発明２」・・・「本件訂正発明
７」という。）
４　審決の理由
　　審決の理由は，別紙審決書の写しのとおりである。要するに，本件訂正請求
は，本件訂正発明１ないし７が，いずれも，特開昭６０－１６７４２０号公報（以
下「刊行物１」という。）に記載された発明（以下「引用発明１」という。），特
開昭６３－２５２４３９号公報（以下「刊行物２」という。）に記載された発明
（以下「引用発明２」という。），「セミコン関西・京都技術セミナー９１　講演
予稿集」（以下「刊行物３」という。）に記載された発明（以下「引用発明３」と
いう。），「ＷＯ９２／２１１４４号」（その翻訳文として，特表平６－５０７５
２４号公報を代用する。）（以下「刊行物４」という。）に記載された発明（以下
「引用発明４」という。），「ILC-702IN-LINESPUTTERINGSYSTEM」（以下「刊行
物５」という。）に記載された発明（以下「引用発明５」という。），「プラズマ
ＣＶＤ装置　ロードロック式ＩＬＶ－９２００シリーズ」（以下「刊行物６」とい
う。）に記載された発明（以下「引用発明６」という。）及び周知技術により，当
業者が容易に想到できたものであって，独立特許要件を欠くから認められない，と
した上で，本件発明１ないし７は，引用発明１，３及び４に基づいて当業者が容易
に発明できたものである，として，本件特許を無効とする，というものである。
５　審決が認定した，引用発明４の内容，本件訂正発明１と引用発明４との一致
点・相違点
(1)引用発明４の内容（別紙２，３参照）
　「・・・刊行物４には，
　「複数のウェファを担持するカセットを収納する２個のロード－ロック３
２，３４，
　　複数のウェファを２５０℃から５００℃の範囲の所定の予熱温度に予熱す
るための予熱モジュール４２，４４，
　　ウェファを個別に化学蒸着する化学蒸着（ＣＶＤ）モジュール３０，及び
　ロード－ロック及び各モジュール間にウェファを移送する輸送モジュール１２，
１４，
　を備え，化学蒸着（ＣＶＤ）などのモジュール型処理システム内で個別にウ
ェファを処理するクラスタ・ツール。」及び
　「複数のウェファを担持するカセットをロード－ロック３２，３４内にロー
ドし，前記ロード－ロックを排気するステップ，
　　すべての前記ウェファを，接続する輸送モジュール１２を通して前記ウェ
ファを２５０℃から５００℃の範囲の所定の予熱温度に予熱するための予熱モジュ
ール４２，４４まで移送するステップ，
　　加熱されたウェファのうちの１枚を，輸送モジュール１２，１４を通し
て，ウェファを個別に化学蒸着する化学蒸着（ＣＶＤ）モジュール３０まで移送
し，その上に薄膜を蒸着するステップ，及び
　　処理されたウェファを，前記輸送モジュールを通してロード－ロックまで
送り戻すステップ，
　を順番に備えた，ウェファ上に薄膜を蒸着する方法。」が記載されてい
る。」（審決書７頁１６行目～３６行目）
(2)本件訂正発明１と引用発明４との一致点
　「・・・両者は，
　「２個のロードロックチャンバ，
　　複数の基板を高温に加熱するための加熱チャンバ，
　　前記基板上に薄膜を蒸着させるための１個の単一基板用処理チャンバ，及
び
　　すべての前記チャンバにアクセスし，任意の前記チャンバに基板を移送す
る手段を有する移送チャンバ，
　を備えた，基板上への単一基板用膜処理のための真空システム。」である
点」（審決書８頁２９行目～３７行目）
(3)本件訂正発明１と引用発明４との相違点
　「相違点１：基板が，前者ではガラス基板であるのに対して，後者ではウェ
ファである点。
　　相違点２：ロードロックチャンバが，前者は，中に入れられた複数のガラ
ス基板を支持し冷却する複数の棚であってガラス基板を対応する棚との間に隙間を
持って支持するために複数の絶縁性マウントを具備している熱伝導材料から作られ
ている複数の棚を有するロードロック／冷却チャンバであるのに対して，後者は，
複数のウェファを担持するカセットを収納している点。
　　相違点３：移送チャンバが，前者は自動化されているのに対して，後者
は，自動化されているか否か不明である点。」（審決書９頁１行目～９行目）
（以下順に，「訂正相違点１」，「訂正相違点２」及び「訂正相違点３」とい
う。）
６　審決が認定した，本件訂正発明６と引用発明４との一致点・相違点
(1)本件訂正発明６と引用発明４との一致点
　「・・・両者は，
　「ａ）複数の基板をロードロックチャンバ内にロードし，前記チャンバを排
気するステップ，
　　ｂ）すべての前記基板を，接続する真空移送チャンバを通して前記基板を
高温に加熱するのに適するチャンバまで移送するステップ，
　　ｃ）ステップｂ）からの加熱された基板のうちの１枚を，移送チャンバを
通して，単一基板用処理チャンバまで移送し，その上に薄膜を蒸着するステップ，
及び
　　ｄ）ステップｃ）からの基板を，前記移送チャンバを通してステップａ）
のロードロックチャンバまで送り戻すステップ，
　を順番に備えた，基板上に薄膜を蒸着する方法。」である点」（審決書１１
頁３０行目～１２頁３行目）
(2)本件訂正発明６と引用発明４との相違点
　「相違点１：基板が，前者ではガラス基板であるのに対して，後者ではウェ
ファである点。
　　相違点２：前者のロードロックが，複数の熱伝導材料から作られている棚
が取り付けられている冷却カセットを具備し，冷却カセット内において棚との間に
隙間を持って支持し，基板を両面から均一に冷却するステップを有しているのに対
して，後者がカセットであり，冷却について記載がない点。」（審決書１２頁５行
目～１０行目）
（以下順に，「訂正相違点４」及び「訂正相違点５」という。）
７　審決が認定した，引用発明４の内容，本件発明１と引用発明４との一致点・
相違点
(1)引用発明４の内容
　　５(1)と同一（審決書１４頁３６行目～１５頁１行目）
(2)本件発明１と引用発明４との一致点
　　５(2)と同一（審決書１５頁５行目～１３行目）
(3)本件発明１と引用発明４との相違点
　「相違点１：基板が，前者ではガラス基板であるのに対して，後者ではウ
ェファである点。
　　相違点２：ロードロックチャンバが，前者は，中に入れられた複数のガ
ラス基板を支持し冷却する複数の棚を有するロードロック／冷却チャンバであるの
に対して，後者は，複数のウェファを担持するカセットを収納している点。
　　相違点３：移送チャンバが，前者は自動化されているのに対して，後者
は，自動化されているか否か不明である点。」（審決書１５頁１４行目～２１行
目）
（以下順に，「相違点１」，「相違点２」及び「相違点３」という。）
８　審決が認定した，本件発明６と引用発明４との一致点・相違点
(1)本件発明６と引用発明４との一致点
　「・・・両者は，
　「ａ）複数の基板をロードロックチャンバ内にロードし，前記チャンバを排
気するステップ，
　　ｂ）すべての前記基板を，接続する真空移送チャンバを通して前記基板を
高温に加熱するのに適するチャンバまで移送するステップ，
　　ｃ）ステップｂ）からの加熱された基板のうちの１枚を，移送チャンバを
通して，単一基板用処理チャンバまで移送し，その上に薄膜を蒸着するステップ，
及び
　　ｄ）ステップｃ）からの基板を，前記移送チャンバを通してステップａ）
のロードロックチャンバまで送り戻すステップ，
　を順番に備えた，基板上に薄膜を蒸着する方法。」である点」（審決書１８
頁１６行目～２６行目）
(2)本件発明６と引用発明４の相違点
　「相違点１：基板が，前者ではガラス基板であるのに対して，後者ではウェ
ファである点。
　　相違点２：前者のロードロックが，冷却チャンバを兼ね，基板を冷却する
ステップを有しているのに対して，後者がカセットであり，冷却について記載がな
い点。」（審決書１８頁２８行目～３２行目）
（以下順に，「相違点４」及び「相違点５」という。）
第３　原告の主張の要点
　　審決は，本件訂正発明１ないし７について，訂正相違点１ないし５に関する
判断を誤り，独立特許要件を欠くとして，本件訂正請求を認めなかったものであ
り，また，本件発明１ないし７について，相違点１ないし５に関する判断を誤り，
その進歩性を否定したものである。さらに，審決は，新たな無効理由に基づき本件
訂正発明の進歩性を否定しているにもかかわらず，その無効理由に対して原告が意
見を申し立てる機会を与えられていないなど，手続違背がある。
　　したがって，審決は，違法として取り消されるべきである。
１　取消事由Ａ１（審判手続における手続違背１）
(1)平成１２年４月２１日付で，審判長は，被告に対し審尋書（以下「本件審
尋書」という。）を送付して審尋（以下「本件審尋」という。）を行い，被告は，
同年６月１６日付で回答書（以下「本件回答書」という。）を提出している。
　　しかし，原告は，本件審尋書の送付を受けておらず，本件回答書を受領し
たのも，審決書の受領と同時であった。すなわち，原告は，審判手続が終了するま
で，本件審尋が行われたことを全く知らなかった。
(2)特許庁は，本件訂正請求に対する拒絶理由通知書において，本件訂正発明
１と引用発明４との相違点を，
　「相違点１：前者がガラス基板であるのに対して，後者がシリコンウエハで
ある点。
　　相違点２：前者がロードロックチャンバで冷却しているのに対して，後者
はそのような記載がない点。
　　相違点３：前者が「基板を対応する棚との間に隙間を持って支持するため
に複数の絶縁性マウントを具備している熱伝導性の複数の棚」を有しているのに対
して，後者がカセットである点。」（甲第８号証４頁５行目～１１行目）
　と認定し，本件審尋書において，上記相違点３に係る構成を開示する文献の
提出を求め，被告は，これに対し，特開昭６３－３１８７３８号公報（甲第１４号
証，以下「甲１４公報」という。）を提出している。
　　さらに，審決は，後記３(1)で引用するとおり，本件訂正発明１の容易推考
性を否定する周知技術に関する証拠として，特開平１－２１６５３１号公報（甲第
１５号証，以下「甲１５公報」という。），特開昭６３－１８１４１５号公報（甲
第１６号証，以下「甲１６公報」という。）も挙げている。
(3)原告は，これらの３つの公報に基づく無効理由について全く知らされてお
らず，これらの公報に対して反論する機会も与えられていない（特許法１３４条１
項，１５３条２項違反）。
(4)また，上記甲１４公報ないし甲１６公報は，本件訂正発明１の進歩性の判
断において極めて重要な証拠であり，特許庁は，職権によりその証拠調べを行った
にもかかわらず，原告に対し，意見を申し立てる機会を与えていない（特許法１５
０条５項違反）。
(5)以上のとおり，本件の無効審判手続には，重大な手続上の瑕疵があるか
ら，そのような瑕疵ある手続によりなされた審決も取り消されるべきである。
２　取消事由Ａ２（審判手続における手続違背２）
(1)審決は，本件訂正請求が認められない理由として，訂正請求ができる期間
を徒過したものであることも挙げている。
(2)審判長は，不適法な手続であってその補正をすることができないときは，
決定をもってその手続を却下することができ，その際，却下の理由を通知し，相当
の期間を指定して，弁明書を提出する機会を与えなければならない（特許法１３３
条の２第１項，第２項）。
　　しかし，訂正拒絶通知理由書（甲第８号証）には，本件訂正請求が，期間
経過後になされた不適法なものである，との理由は付されてない。この理由は，審
決において突如として示されたものである。
　　審決が，上記理由により本件訂正請求を却下したというのであれば，特許
法１３３条の２第２項の手続違背がある。
３　取消事由Ｂ１（本件訂正発明１の進歩性の判断の誤り）
(1)審決は，訂正相違点１及び２について，次のとおり説示している。
　「相違点１，２：刊行物１ではガラスサブストレートをクラスタタイプで
処理しており，刊行物２では半導体ウエハをクラスタタイプで処理しているよう
に，クラスタタイプは，半導体ウエハとガラス基板のどちらでも使えるものである
から，刊行物４のクラスタタイプをガラス基板に応用した点に格別の困難性はな
く，さらに，その際，ガラス基板に対応するよう多少の変更を行うことは，当業者
として当然のことである。
　　また，刊行物３にはガラス基板を冷却パネル内蔵のアンロードチャンバ
で冷却する点が記載されており，刊行物５にはアンロードのためのベンティング前
にクーリング工程を設ける点が記載されており，刊行物６にはロードロック室を水
冷する点が記載されている。そして，これらの技術をクラスタタイプに適用するの
に格別の阻害要因もない。
　　また，基板を冷却するため基板と冷却板（棚）との間に隙間を設けて支
持することは，周知であり（必要なら，特開昭６３－３１８７３８号公報（判決
注・甲１４公報）（ウエーハ１１４を支持ピン１６７により冷却板１６６との間に
隙間を設けて支持している。），特開平１－２１６５３１号公報（判決注・甲１５
公報）（マスク等の基板１を熱伝導性の悪い材質のスペーサ６ａ，６ｂにより冷却
板２との間に隙間を設けて支持し，均一に冷却している。）参照。），冷却するた
めには冷却板を熱伝導材料から作るのは当然のことである。さらに，基板を熱処理
する際は，基板面の均熱性が重要であり，基板を熱伝導性部材で支持したのでは基
板の支持部分のみ熱的に不均一になるので，基板を熱絶縁部材で支持することも，
当然のことである（必要なら，上記特開平１－２１６５３１号公報，特開昭６３－
１８１４１５号公報（判決注・甲１６公報）（被加熱体を熱絶縁部材４で支持して
いる。）参照）。
　　さらに，ロードロックチャンバに複数の棚を設けることは単なる慣用手
段に過ぎない。」（審決書９頁１１行目～３５行目）
　　しかし，審決の上記判断は，以下に述べるとおり，誤っている。
(2)刊行物１ないし６は，半導体ウエハを処理の対象とするものも，ガラス基
板を処理の対象とするものもあり，ガラス基板は，半導体ウエハと比較して著しく
冷めにくくかつもろいという，特性の違いがある。それにもかかわらず，審決は，
刊行物１ないし６記載の各技術を十把一絡げにしており，技術的矛盾を生じてい
る。
　　例えば，刊行物３，５及び６は，インラインタイプの処理装置に関するも
のである。インラインタイプでは，基板は，処理が完了するまで，常時搬送体（ト
レイ）に固定されたままであるから，その一側面は，常に搬送体に取り付けられて
いる。したがって，クラスタタイプと異なり，基板を両側から均一に冷却すること
自体不可能である。
　　このように，構成に大きな違いがあるにもかかわらず，一方の技術を他方
に適用できるとするのは，無理がある。
(3)刊行物４に開示されているのは，ロードロック内で加熱を行う場合に，そ
れを開く前に，ロードロックを冷却する必要があることを開示するものである。ロ
ードロック内で加熱を行うという点で，本件訂正発明１とは逆の技術志向を有する
ものである。
　　刊行物４は，ロードロック内で金属のラック又はホルダを使用することを
否定し（金属原子がウエハを汚染するのを避けるため。），また，工業規格のカセ
ットを使用できるようにするため，特殊なラックを使用することも否定している。
これらのことからも，引用発明４において，ロードロックチャンバ内に複数の棚を
設けることはできない。
(4)刊行物２の装填ロックチャンバ１４は，本件訂正発明１の移送チャンバに
対応するものである。
　　刊行物２には，移送チャンバとは別に，ロードロックチャンバを設け，そ
の中に，ガラス基板を支持し冷却する複数の棚を設けるという，本件訂正発明１の
構成は記載も示唆もされていない。
(5)基板を熱絶縁部材で支持することは，周知技術とはいえない。逆に，基板
を熱処理する場合，熱伝導性部材で支持する例が，刊行物２及び甲１５公報に開示
されている。
(6)甲１５公報は，本件訂正発明１の構成に想到させる起因ないし動機付けを
欠くものである。
　　特許庁の審査基準は，その「２．６　先行技術の引用上の留意事項」の(1)
として，「引用文献中の技術が，一見，請求項に係る発明の一部の構成と類似して
いても，その文献に，請求項に係る発明に対して契機ないし起因（動機づけ）とな
ることを妨げる記載があるときは，引用発明としての適格を欠く。」としている
（甲第１２号証１６頁２８行目～３１行目）。
　　甲１５公報には，「スペーサ６ａ，６ｂを介することなく，下部冷却板２
の表面３にマスク１を接触させた場合熱伝導による冷却が主となるので，その間に
空気層がはいらないようにすれば熱輻射の場合と同様均一な冷却が可能となる。」
（甲第１５号証２頁左下欄４行目～８行目）と記載されている。甲１５公報記載の
発明は，基板と棚との間に隙間を設けることを必須の要件とする本件訂正発明１と
異なるものであり，引用発明としての適格性を欠く。
　　また，甲第１５号証は，その実施例２において明らかなとおり，相対的に
平行状態を維持したまま，離隔自在な一対の上部及び下部冷却板を備えるものであ
り，下部冷却板と上部冷却板を常時平行且つ近接した状態（本件訂正発明１におけ
る，ガラス基板が挿入される上下の棚の関係）においたのでは，その作用効果（マ
スク１の均一冷却によるレジスト感度の均一化）が達成できなくなる。この，甲１
５公報に開示された技術をいかに適用すれば，訂正相違点２に係る構成に想到でき
るのか，理解困難である。
　　甲１５公報の技術は，基板上に塗布されパターン形成されるレジスト膜に
寸法誤差を発生させることのないよう冷却を行うものである。レジスト材料が塗布
された基板上面が均一に冷却されればよいから，基板自体の均一な冷却を目的とす
る本件訂正発明１とは技術的課題が異なる。
　　甲１５公報の上部冷却板と下部冷却板とは，実施例の記載から，複数のマ
スクを冷却処理するものではない。また，上部冷却板は，基板を支持しない。本件
訂正発明１の棚は，「中に入れられた複数のガラス基板を支持する」ものであるか
ら，甲１５公報の上部冷却板は，これに相当するものではない。
(7)本件訂正発明１は，真空システムに関するものである。そこでは，熱輻射
が，支配的な伝熱原理となり，基板を，棚との間に隙間を設けて支持すれば，均一
な冷却が可能となる。
　　これに対し，甲１４公報及び甲１５公報は，大気中において使用される技
術であり，ガスを介しての伝熱や対流も，基板の冷却に関与する。そのため，基板
が大きくかつ高温である場合，それを，棚との間に隙間を設けて支持しても，なお
均一な冷却が不可能となる場合がある。
　　大気中において使用される装置における技術が，真空中においてガラス基
板を冷却する，本件訂正発明１に適用できる周知技術ということはできない。
　　また，真空中では対流や熱伝導がないため，大気中におけるより冷却効率
が劣る。真空中で冷却を行うことは，当業者の技術常識に反するものでもある。本
件発明は，ひび割れやそりが発生しやすい，大型のガラス基板を処理するために，
均一な冷却環境ができることを重視して，あえて冷却効率の悪い真空中における冷
却を選択したのである。
(8)刊行物５及び刊行物６は，特許出願前に日本国内又は外国において頒布さ
れた刊行物ではない。これを周知技術を立証するための証拠として用いることはで
きない。
　　甲１４公報記載の発明は，半導体ウェハの処理装置の発明であり，ま
た，絶縁性マウントであることについて，記載も示唆もされていない（別紙４参
照）。
　　甲１６公報は，基板の加熱装置に関するものであって，冷却装置ではな
い。既にこの点で，引用発明としての適格性を欠いている。
(9)ロードロックチャンバに，複数の棚を設けることも，単なる慣用手段とは
いえない。その構成が慣用手段であることを指摘する文献は提出されていない。
(10)審決は，訂正相違点２を，さらに部分に分解して，その各部分が，甲１４
公報ないし甲１６公報に記載されている，としている。
　　特許庁の審査基準は，「２．９　その他の留意事項」の(3)において，「進
歩性の判断にあたって，請求項に係る発明は全体として考察されなければならず，
発明の構成の各部分が複数の引用文献にそれぞれ記載されているということだけで
は，この発明の進歩性を否定する理由とはならない。」（甲第１２号証１８頁２９
行目～３１行目）としている。
　　審決の上記認定構造は，この審査基準に反するものである。
(11)本件訂正発明１には，格別の作用効果がある。
　　本件訂正発明１は，真空中では，均一な冷却制御が容易であることに着目
し，技術常識に反し，あえて冷却効率の悪い真空中での冷却を選択した。これによ
り，大型のガラス基板の処理における，ひび割れ，そりの発生を防止できた。
　　また，ロードロックチャンバと冷却チャンバとを一体とすることとし，装
置の小型化を可能とし，冷却チャンバに対する移送処理を不要としている。
　　これらは，格別な作用効果である。
４　取消事由Ｂ２（本件訂正発明２の進歩性の判断の誤り）
(1)本件訂正発明２は，ロードロック冷却／チャンバに設けられているカセッ
トが，本件訂正発明１の「中に入れられた複数のガラス基板を支持し冷却する複数
の棚であってガラス基板を対応する棚との間に隙間を持って支持するために複数の
絶縁性マウントを具備している熱伝導材料から作られている複数の棚」（以下「本
件訂正棚」という。）を有し，かつ，上下移動用装置に取り付けられている，さら
に，加熱チャンバが，上下移動用装置に取り付けられたカセットを備えている，と
いうものである。
(2)刊行物２では，保管エレベータ組立体５０とロボット式ウエハ移送システ
ム８０を備えた装填ロックチャンバが，冷却機能を備えていることは記載されてお
らず，これは，ロードロック／冷却チャンバではない。ウエハは水平支持プレート
５４上に直接対置されており，絶縁性マウントもないから，本件訂正棚の構成の棚
は存在しない。
(3)刊行物４には，カセットがない。ウエハは，上端部プレート６７，始端部
プレート６９，それらにより固定されている，ノッチを刻設された４本のラッチ
で，支持されているだけである。
(4)したがって，刊行物４及び２を組み合わせただけでは，本件訂正発明２の
構成に想到することはできない。
５　取消事由Ｂ３（本件訂正発明３の進歩性の判断の誤り）
　　本件訂正発明３は，本件訂正発明１において，２個のロードロック／冷却チ
ャンバを備えさせたものである。
　　刊行物４には，２個のロードロックチャンバを設けることが開示されてい
る。しかし，それは，複数個のウエハを収納する，ポリプロピレンのようなプラス
チック製の規格カセットを搬出入するものであり，冷却機能を持たない。本件訂正
発明３のロードロック／冷却チャンバとは構造が異なる。
６　取消事由Ｂ４（本件訂正発明４の進歩性の判断の誤り）
　　本件訂正発明４は，本件訂正発明１において，少なくとも２個の処理チャン
バを備えさせたものである。
　　本件訂正発明１に進歩性が認められる（ガラス基板を，ひび割れまたはそり
を発生させることなく，両側から均一にかつ迅速に冷却させる）以上，本件訂正発
明４にも，進歩性がある。
７　取消事由Ｂ５（本件訂正発明５の進歩性の判断の誤り）
　　本件訂正発明５は，本件訂正発明１において，化学蒸着（ＣＶＤ）処理モジ
ュールを備えさせたものである。
　　本件訂正発明１に進歩性が認められる（ガラス基板を，ひび割れ又はそりを
発生させることなく，両側から均一にかつ迅速に冷却させる）以上，本件訂正発明
５にも，進歩性がある。
８　取消事由Ｂ６（本件訂正発明６の進歩性の判断の誤り）
　　前記の本件訂正発明１における，訂正相違点１，２に対する主張（刊行物
３，５，６記載の技術をクラスタタイプに適用することの阻害要因と，基板と冷却
棚との間に隙間を設けて支持することが周知技術ではないこと）と同じ。
　　本件訂正発明６は，その構成により，基板を均一に冷却できる。この，基板
を均一に冷却することは，周知の技術ではない。
９　取消事由Ｂ７（本件訂正発明７の進歩性の判断の誤り）
　　審決は，薄膜を複数工程で積層することは単なる慣用手段に過ぎない，とす
る。
　　しかし，そのとおりであるとしても，本件訂正発明７は，本件訂正発明６の
ステップｃ）のあとに，上記工程を設けるものである。そのことが，慣用手段であ
るとはいえない。
　　本件訂正発明７は，本件訂正発明６に，上記工程を付加するものである。本
件訂正発明６が進歩性を有する以上，本件訂正発明７の進歩性も肯定される。
１０　取消事由Ｂ８（本件訂正請求が期間を徒過したものとする判断の誤り）
(1)審決は，本件訂正請求の適否について，
　「訂正請求ができる期間は，手続補正書（無効審判請求書）の発送日であ
る平成１０年１０月６日から６月後（期間延長含む）の平成１１年４月６日までの
間であるが，当該訂正請求書は，この期間を過ぎた平成１１年１１月２９日になさ
れているので，特許法第１３４条第２項の規定に適合せず，この点においても当該
訂正は認められない。」（審決書１３頁２０行目～２４行目）
　とも説示している。
(2)しかし，そもそも，答弁書の提出期間は指定期間であって，法定期間では
ない。指定期間経過後であっても，審理終結通知がなされるまで答弁書の提出がで
きるのと同様，訂正請求書も，審理終結通知がなされるまでの間，提出できると解
すべきである。
　　また，本件においては，原告は，審判長が平成１１年９月９日の口頭審理
において指定した期間内に，本件訂正請求書を提出しているから，審決の上記説示
は、誤っている。
１１　取消事由Ｃ１（本件発明１の進歩性の判断の誤り）
(1)審決は，
　「相違点１，２：刊行物１ではガラスサブストレートをクラスタタイプで処
理しているように，クラスタタイプは，ガラス基板にも使えるものであるから，刊
行物４のクラスタタイプをガラス基板に応用した点に格別の困難性はなく，さら
に，その際，ガラス基板に対応するよう多少の変更を行うことは，当業者として当
然のことである。
　　また，刊行物３にはガラス基板を冷却パネル内蔵のアンロードチャンバで
冷却する点が記載されており，この技術をクラスタタイプに適用するのに格別の阻
害要因もない。
　　さらに，ロードロックチャンバに複数の棚を設けることは単なる慣用手段
に過ぎない。」（審決書１５頁２３行目～３２行目）
　としている。
　　しかし，審決は，刊行物１のクラスタタイプと刊行物４のクラスタタイプ
との差異，刊行物４のクラスタタイプをガラス基板に応用した場合の問題点を看過
している。
(2)刊行物１は，ロードチャンバとアンロードチャンバを別々に設けている。
本件発明１のように，両方の機能を設けたロードロックチャンバを有していない。
また，刊行物１の堆積室４～８は，２枚のガラス基板を同時に処理できるものであ
り，単一処理用基板チャンバではない。
　　さらに，引用発明１で処理されるガラス基板は，本件発明１のそれより小
さく，処理温度も低いものである。刊行物１はひび割れやそりの問題について開示
も示唆もしていない。
(3)引用発明４は，ウエハが処理対象であり，そのロードロックチャンバは，
アンロード機能を備えてはいる。しかし，ウエハは金属であり，熱しやすく冷めや
すいものである。
　　引用発明４を，そのままガラス基板に用いようとすると，未だ高温なガラ
ス基板がプラスチック製の規格カセットに収納され，同カセットが損傷することに
なる。これを防止するためには，ガラス基板を冷却するための何らかの手段を講じ
る必要がある。しかし，刊行物４は，そのようなことは何も開示していない。
　　審決は，上記のような問題点の解決を，「多少の変更」というが，この
「多少の変更」の意味が全く不明であり，進歩性の判断の基準としては極めて不明
瞭である。
(4)審決は，「また，刊行物３にはガラス基板を冷却パネル内蔵のアンロード
チャンバで冷却する点が記載されており，この技術をクラスタタイプに適用するの
に格別の阻害要因もない。」（審決書１５頁２８行目～３０行目），としている。
　　引用発明３は，加熱機構を有するロードチャンバと冷却機構を有するアン
ロードチャンバを別々に有している。各処理室も，複数個の基板をバッチ処理する
ものである。
　　引用発明３の構成を適用しても，ロードチャンバとアンロードチャンバを
別々に設けることになるから（引用発明３において，加熱を行うロードチャンバと
冷却を行うアンロードチャンバとを兼ねることは技術的に不可能である。），本件
発明１の構成が得られるものではない。
　　以上のとおり，ロードロックチャンバで冷却を行うことが周知であると認
めるに足りる証拠はない。そして，加熱を行うロードチャンバと冷却を行うアンロ
ードチャンバを別々に設けると，処理室の数が限られてしまうことになる。
(5)審決は，ロードロックチャンバに，複数の棚を設けることは慣用手段に過
ぎない，と認定している。しかし，そのような証明はなされていない。
　　本件発明１は，ガラス基板を「支持」することもその構成要件としてい
る。そのことが容易推考であるとの理由付けも不明確である。
(6)審決は，ＴＦＴ－ＬＣＤの製造工程は，半導体製造工程と類似しているこ
とを挙げ，その根拠として甲第３０号証（「月刊SemiconductorWorld増刊号　９
３’　最新液晶プロセス技術」）を引用する。しかし，処理対象が，前者は熱しや
すく冷ましにくいガラス基板であり，後者はその逆である半導体ウエハであること
から，後者の技術が前者にそのまま適用できるものではない，という点を看過して
いる。
１２　取消事由Ｃ２（本件発明２の進歩性の判断の誤り）
　　取消事由Ｂ２で述べたとおり，刊行物４には，カセットがない。引用例４
において，ロードロックチャンバ／冷却チャンバ及び加熱チャンバに，カセットを
備えさせることができるとはいえない。
１３　取消事由Ｃ３（本件発明３の進歩性の判断の誤り），取消事由Ｃ４（本件
発明４の進歩性の判断の誤り）及び取消事由Ｃ５（本件発明５の進歩性の判断の誤
り）
　　取消事由Ｂ３ないしＢ５と同じ。
１４　取消事由Ｃ６（本件発明６の進歩性の判断の誤り）
　　本件発明１の相違点１，２についての判断に対する主張と同旨。
１５　取消事由Ｃ７（本件発明７の進歩性の判断の誤り）
　　取消事由Ｂ７と同じ。
第４　被告の反論の要点
１　取消事由Ａ１（審判手続における手続違背１）に対して
　　甲１４公報ないし甲１６公報は，周知技術に関する証拠である。周知技術の
立証について，原告に意見を述べる機会を与えなくても手続違背に当たらないこと
は，多くの判決例が述べるところである。
　　原告が主張するような手続違背はない。
２　取消事由Ａ２（審判手続における手続違背２）に対して
　　本件訂正請求は，手続補正書（無効審判請求書）の発送日である平成１０年
１０月６日から６か月後（期間延長含む。）の平成１１年４月６日を経過した後に
されているから，不適法なものであったが，審決は，本件訂正請求を却下せずに，
訂正の適否について判断したものであって，特許法１３３条の２第２項の問題は生
じない。
３　取消事由Ｂ１（本件訂正発明１の進歩性の判断の誤り）に対して
(1)被告は，刊行物５及び刊行物６を，周知技術を立証するための文献として
提出したものである。刊行物５及び６がなくても，審決の結論には影響しない。
　　なお，刊行物５及び６は実際に頒布されている（乙第８号証ないし第
１２号証）。
(2)本件訂正発明１の特徴は，複数のガラス基板の加熱及び冷却のためのバッ
チ処理を，単一基板用チャンバの処理に組み合わせることにより，ガラス基板の加
熱及び冷却のための適当な時間を許容しつつ，連続的ですばやい基板処理の流れを
提供することにある，というものである（訂正明細書【００１０】及び【００１
１】）。
　　本件訂正発明１は，もともと，ロードロック／冷却チャンバ及び当該チャ
ンバ内のカセットの構造を重要視してはいない。そのため，それらの構造について
は，周知技術そのものないしそれらの組み合わせに近いものを，簡単に例示してい
るにとどめている。
　　審決は，そのこと，すなわち本件訂正発明１のロードロック／冷却チャン
バの構造が，周知技術の寄せ集めにすぎず，ガラス基板処理に特有のものでないこ
とを適確に把握し，半導体ウエハの処理に関する技術が適用できる，としているの
である。
(3)本件出願当時，熱伝導材料（金属）から成るラック又はホルダを備えたロ
ードロックチャンバ，及び加熱されたロードロックを冷却する必要があることは，
周知であった。このことは，刊行物１に開示されている。
　　複数の棚を備えるロードロックチャンバも，周知であり，刊行物２はこの
ことを開示している。
　　熱い基板を，温度の低い棚の上で冷却する場合，棚を熱伝導性のものにす
ることは当然のことである。また，その場合，熱い基板を熱伝導性の高い部材で直
接支持したのでは，その支持された部分だけが早く冷え，熱的に不均一の状態にな
るので，熱絶縁性部材で支持することも当然のことである。引用文献などなくて
も，上記各点が周知技術であると認定することに，何ら問題はない。
　　更に，ガラス基板を冷却パネル内蔵のアンロードチャンバで冷却すること
も，刊行物３で開示されている。
　　以上の各点が，単なる慣用手段にすぎないとした審決の判断は，正当であ
る。
(4)原告は，甲１４公報ないし甲１６公報記載の発明と，本件訂正発明１との
微細な差異を縷々論じている。しかし，審決は，上記各発明と本件訂正発明１とが
同一であるなどと論じているものではなく，周知技術を示すものとして例示してい
るものである。上記各発明と，本件訂正発明１との差異を個別に論じることは，意
味がない。
　　原告は，甲１４公報ないし甲１６公報の理解も誤っている。例えば，甲１
４公報は，真空中において基板処理を行うことも示唆している。
(5)原告は，インラインタイプの技術をクラスタタイプに適用することには，
技術的矛盾がある，と主張し，その例として，インラインタイプでは，基板を両面
から均一に冷却することが不可能である，とする。
　　しかし，インラインタイプにおいても，ロードロックチャンバ内で，基板
を積層した状態で冷却することは，周知技術である。
　　そのほかに，原告は，具体的にどのような矛盾が生じるのか，明らかにし
ていない。
(6)本件訂正発明１は，その処理の対象を，ガラス基板から半導体ウェハにそ
のまま置き換えても，何ら支障は生じない。すなわち，本件訂正発明１は，ガラス
基板を処理する装置としての特有な構成を備えるものではないのである。したがっ
て，半導体ウエハの処理装置の技術を参酌して，本件訂正発明１の構成に至ること
は容易である。
４　取消事由Ｂ２（本件訂正発明２の進歩性の判断の誤り）に対して
　　原告の主張は，刊行物２及び４についてのみ言及し，本件訂正発明２の進歩
性を強調するものにすぎない。刊行物１，３ないし６記載の周知技術との組み合わ
せを考慮していない点で，審決に対する反論になっていない。
５　取消事由Ｂ３（本件訂正発明３の進歩性の判断の誤り）に対して
　　原告の主張は，本件訂正発明３と刊行物４の差異についてのみ言及するもの
である。刊行物１ないし３，５及び６の周知技術について言及していない。
　　原告は，カセットの違いについても述べている。しかし，本件訂正発明３
は，カセットについて記載がない本件訂正発明１に従属するものである。
６　取消事由Ｂ４（本件訂正発明４の進歩性の判断の誤り）及びＢ５（本件訂正
発明５の進歩性の判断の誤り）に対して
　　原告の主張は，本件訂正発明４及び５についても，刊行物４との相違につい
て言及しているにすぎない。
７　取消事由Ｂ６（本件訂正発明６の進歩性の判断の誤り）に対して
　　本件訂正発明１についての原告の主張が成り立たないことは前記のとおりで
あるから，これを引用する本件訂正発明６に関する原告の主張も成り立たない。
８　取消事由Ｂ７（本件訂正発明７の進歩性の判断の誤り）に対して
　　本件訂正発明６が進歩性を有していない以上，それを前提とする本件訂正発
明７も、進歩性を有しない。
９　取消事由Ｂ８（本件訂正請求が期間を徒過したものとする判断の誤り）に対
して
　　原告は，答弁書の提出期間経過後であっても，審理終結通知がなされるまで
は，訂正請求ができる，との主張をする。しかし，そのような扱いは，無効審判に
おいて訂正請求をすることができなかった時のものである。
　　原告は，本件訂正請求は審判長が指定した期間内に提出したと主張するが，
そのような事実はない。
１０　取消事由Ｃ１（本件発明１の進歩性の判断の誤り）に対して
(1)目的・用途に応じてチャンバの機能を変更する程度のことは，当業者の常
識である。ロードチャンバとアンロードチャンバを別々に設けるか，兼ねさせる
か，処理室で何枚の基板を処理するかは，当業者が適宜決められることである。
　　本件発明１は，処理対象となるガラス基板の大きさを何ら限定していな
い。その大ききが異なることを根拠とする主張は，失当である。
　　インラインタイプの技術をクラスタタイプに転用することは，容易であ
る。
　　複数の棚を備えたロードロックチャンバが周知であると，半導体ウエハの
処理装置の技術を，ガラス基板のそれに適用できることは，取消事由Ｂ１で述べた
とおりである。
(2)審決が，「支持」の存在について認定していないとしても，そのことだけ
をもって，審決を取り消す理由とはできない。
１１　取消事由Ｃ２（本件発明２の進歩性の判断の誤り）に対して
(1)本件発明１は，特許性がないものであり，これに従属する本件発明２も，
特許性を欠く。
(2)原告は，刊行物４のラックと本件発明２のカセットとの違いを強調する。
しかし，そもそも本件発明２のカセットの構造は，特許請求の範囲の文言の記載
上，何ら限定がされていない。カセットといっても，種々の構成のものが知られて
いるのであるから，カセットの構成自体を根拠に，新規性及び進歩性を認めること
はできない。
１２　取消事由Ｃ３（本件発明３の進歩性の判断の誤り）に対して
　　原告は，刊行物４との差異のみを主張しているにすぎない。刊行物１及び３
との組み合わせについて，何ら言及していない。
　　カセットの材料，形状の違いに基づく主張については，前記のとおりであ
る。
１３　取消事由Ｃ４（本件発明４の進歩性の判断の誤り）及びＣ５（本件発明５
の進歩性の判断の誤り）に対して
　　本件発明１に進歩性がない以上，本件発明４及び５にも，進歩性は認められ
ない。
１４　取消事由Ｃ６（本件発明６の進歩性の判断の誤り）に対して
　　取消事由Ｂ６に対する主張と同旨。
１５　取消事由Ｃ７（本件発明７の進歩性の判断の誤り）に対して
　　本件発明６が進歩性を否定される以上，本件発明７の進歩性も否定される。
第５　当裁判所の判断
１　取消事由Ａ１（審判手続における手続違背１）について
(1)原告は，甲１４公報ないし甲１６公報に基づく無効理由について，全く知
らされておらず，反論の機会も与えられていないなど，審判手続に特許法１３４条
１項，１５０条５項，１５３条２項違反の違法がある，と主張する。
　　しかし，審判長は、本件審尋書をもって，被告に対し，「棚であって基板
を対応するとの間に隙間を持って支持するための複数の絶縁性マウントを具備して
いる熱伝導性の複数の棚を有するロードロックチャンバ」，「複数の熱伝導性の棚
が取り付けられているカセットを具備し，前記カセット内において棚のとの間に隙
間を持って支持し，基板を両面から均一に冷却する」点が記載された引用文献があ
れば，提出するよう求めたものであり，これに対し，被告は，本件回答書をもっ
て，甲１４公報を提出したものである（甲第９号証，第１０号証）。
　　そして，審決は，訂正相違点２についての判断において，
　「また，基板を冷却するための基板と冷却板（棚）との間に隙間を設けて
支持することは，周知であり（必要なら，特開昭６３－３１８７３８号公報（判決
注・甲１４公報）（ウエーハ１１４を支持ピン１６７により冷却板１６６との間に
隙間を設けて支持している。），特開昭１－２１６５３１号公報（判決注・甲１５
公報）（マスク等の基板１を熱伝導性の悪い材質のスペーサ６ａ，６ｂにより冷却
板２との間に隙間を設けて支持し，均一に冷却している。）参照。），冷却するた
めには冷却板を熱伝導材料から作るのは当然のことである。さらに，基板を熱処理
する際は，基板面の均熱性が重要であり，基板を熱伝導製材料で支持したのでは基
板の支持部分の熱的に不均一になるので，基板を熱絶縁部材で支持することも，当
然のことである（必要なら，上記特開平１－２１６５３１号公報，特開昭６３－１
８１４１５号公報（判決注・甲１６公報）（被加熱体を熱絶縁部材４で支持してい
る。）参照）。」（審決書９頁２２行目～３３行目）
　と説示したものである。
(2)以上のとおり，本件審尋は，訂正相違点２に係る上記の各構成が周知技術
であることについての文献の提出を被告に促したものであり，被告が提出した甲第
１４号証を含め審決がかっこ書きで引用する甲１４公報ないし甲１６公報は，いず
れも上記各構成が周知技術であることを示すものとして例示されているにすぎない
のであって，このことをもって，審判体が，当事者の申し立てない理由について審
理したことになるといえないことは明らかであり，特許法１５３条２項の手続違反
をいう原告の主張は，採用できない。
　　また，上記のように，審決が周知技術であることを示すものとして文献を
引用したことをとらえて，職権で証拠調べをしたことに当たるとすることもできな
いから，特許法１５０条５項の手続違反があるということもできない（なお，甲１
４公報は，被告が本件回答書に添付して提出したもので，書証として取り調べられ
ているものではないことが窺われる。仮に書証として取り調べられているとすれ
ば，それは被告が提出したものであって，職権で取り調べた証拠とはいえな
い。）。
　　もっとも，本件審尋書は，原告に送付されておらず，また，本件回答書
（それに添付されている甲１４公報）も，平成１２年１２月２５日に審決書謄本と
ともに原告に送付されているに過ぎないのであって（甲第１０号証，弁論の全趣
旨），このような手続運営は，本件のように当事者対立構造をとる審判手続におけ
る当事者の反論の機会の保障という点で，適切さを欠くものであったといわざるを
得ない。しかし，審決の前記説示からすると，甲１４公報がなくても，審決は，基
板の冷却において，基板と冷却板（棚）との間に隙間を設けて基板を支持すること
は，周知であると認めることができるとしているのであって，審決は，その結論を
導くために，甲１４公報を必要不可欠なものとしては用いていないということがで
きる（なお，甲１５公報及び甲１６公報についても同様である。）。そうすると，
その審決の判断の当否は別として，本件審尋や被告が提出した本件回答書について
原告に意見を述べる機会が与えられなかったことをもって，本件審判手続に特許法
１３４条１項などの手続違背があったとまではいえないし，少なくとも審決の結論
に影響を及ぼすような手続違背ということはできない。
２　取消事由Ａ２（審判手続における手続違背２）について
(1)原告は，審決が，本件訂正請求を却下したものであるならば，その理由を
原告に通知し，相当の期間を指定して，弁明書を提出する機会が原告に与えられな
ければならない（特許法１３３条の２第２項）にもかかわらず，その手続が採られ
ていないことについて，手続違背がある，と主張する。
(2)審決は，「２．４　「２．訂正の適否」の結び」において，本件訂正請求
は独立特許要件を欠くため認められない，とするとともに，本件訂正請求は，訂正
請求ができる期間後になされたものであるから，「この点においても当該訂正は認
められない。」（審決書１３頁２４行目），としている。
　　しかし，審決が，本件訂正発明１ないし７について，独立特許要件を具備
しているかどうかを検討，判断した上で，本件訂正請求はその要件を欠き認められ
ないと判断したことは明らかであり，上記説示は，単に付加的，補足的にされたも
のに過ぎないのであって，審決が，期間徒過を理由として，本件訂正請求を却下し
たものでないことは明らかである。
　　したがって，本件訂正請求が期間徒過を理由に却下されたことを前提に，
その手続違背をいう原告の主張は，採用できない。
３　取消事由Ｂ１（本件訂正発明１の進歩性の判断の誤り）について
(1)審決の，引用発明４の認定，本件訂正発明１との一致点，相違点の認定に
ついては，当事者間に争いはない。
(2)処理対象の違いについて（訂正相違点１）
ア　訂正相違点１は，本件訂正発明１が，処理対象がガラス基板であるのに
対し，引用発明４では処理対象がウエハである，ということである。
　　審決が指摘するとおり，刊行物１は，ガラスサブストレート（ガラス基
板）をクラスタタイプで処理する技術を開示しており，刊行物２は，半導体ウエハ
をクラスタタイプで処理する技術を開示している。そして，甲第３０号証には，
　「ＴＦＴ－ＬＣＤの製造工程は，半導体製造工程と類似している点が多
い。そのため，半導体用スパッタ装置の主流となっている枚葉式装置のニーズがあ
る。枚葉式装置は，キャリヤの不要，カセット・トゥ・カセット，省スペースなど
の特徴があるが，８インチウェーハの約５倍の大面積基板に対する，停止成膜用カ
ソードの開発が課題だった。日本真空技術の枚葉式スパッタリング装置「SMD-450」
は，この課題を解決したＬＣＤ用としては初めての枚葉式スパッタ装置であり，今
後の量産ラインでの使用が期待される。ただし，量産性ではインライン式装置が有
利なため，ラインの位置付けに合わせてインライン式装置と枚葉式装置の選択が必
要となる。」（２０４頁左欄３行目～１４行目）
　との記載があり，加熱を含め，ガラス基板の処理ができるクラスタタイプ
（枚葉式）の装置が周知であった，との事実を認めることができる。
　　したがって，クラスタタイプの，半導体ウエハの処理装置である引用発
明４を，ガラス基板の処理に転用することは，可能であり，省スペース等の長所を
重視すると，クラスタタイプの処理装置をガラス基板の処理に用いようとする積極
的動機付けもある，と認めることができる。現実に，クラスタタイプの処理装置に
おいて，ガラス基板の処理を行うことは，刊行物１に開示されている。
イ　もっとも，以上のようにいえるということは，一般的に，クラスタタイ
プの処理装置でガラス基板の処理をすることが可能であるから，引用発明４におい
ても，その可能性がある，ということを意味するにとどまる。
　　進んで，引用発明４において，現実にガラス基板の処理が可能である
か，可能であるとして，どのような改変が必要であるか，その改変は，当業者が容
易に推考できるものであるか，さらに，相違点２に係る構成を備えさせることは可
能か，（必要な改変を含めて）それは当業者が容易に推考できるものであるか，を
検討する必要があることはいうまでもない。
ウ　原告が，審決の訂正相違点１についての判断を論難する論拠の１つは，
ガラス基板と半導体ウエハとの間には，前者が後者と比較して著しく冷めにくくか
つもろいという，特性の違いがあり，半導体ウエハの処理に関する技術を，そのま
まガラス基板に関する処理に適用することはできない，というものである。
　　原告の主張するような，半導体基板とガラス基板との間に，熱伝導率等
熱的特性の違いがあること，ガラス基板が，加熱・冷却の工程において，ひび割れ
やそりの問題が生じやすいことは，ごく一般的な技術常識であると認められる。本
件明細書（甲第３号証）及び訂正明細書（甲第２７号証）も，例えば「【０００
５】ガラスは，室温から，真空処理に典型的に用いられる約３００～４５０℃まで
の温度変化における大型ガラス板のひび割れや応力を防ぐためには例えば約５分か
それ以上のゆっくりとした加熱及び冷却を必要とするもろい絶縁材料である。」
（甲第３号証２頁右欄１５行目～１９行目）として，そのことについて言及してい
る。
　　そして，原告が指摘するようなガラス基板の熱的特性に起因する処理の
困難（ひび割れやそりの発生）は，加熱及び冷却に時間をかければ解決すること
は，当業者にとって自明のことである，と認められる。したがって，半導体基板と
ガラス基板との間に上記のような熱的特性の差異があっても，冷却に時間をかける
という周知の解決方法を選択する限度で，半導体ウエハの処理技術を，ガラス基板
の処理技術に適用することは極めて容易である，と認められる。
エ　本件訂正発明１は，
　「【０００８】・・・ガラス基板は，典型的に非常に大型，すなわち例
えば３５０×４５０mmであるから，基板を処理温度まで加熱し，膜処理完了後にそ
れを再び周囲温度まで下げるには数分もかかる。この加熱及び冷却の遅れは，失わ
れた反応器時間の点で非常に高コストになる。従って，数個のチャンバによる蒸着
は，長い加熱及び冷却時間が扱われないかぎり待ち時間のない効果的な動作にはな
らない。
　　【０００９】このように，大型ガラス基板を連続的な単一処理チャン
バ内で処理することができ，加熱及び冷却の遅れ時間の問題を解決する，改良され
たスループットを有する真空システムが，非常に望まれている。
　　【００１０】
　　【課題を解決するための手段】
　　この発明の真空システムは，複数のガラス基板の加熱及び冷却のため
のバッチ処理を，単一基板用チャンバの処理に組み合わせる。この発明の真空シス
テムは，複数の単一基板処理チャンバ及び中央の移送チャンバに接続されたバッチ
型の加熱及び冷却チャンバを備えている。移送チャンバは，種々のチャンバ間で任
意の予め選択された順序で基板を移送することができる。
　　【００１１】バッチ型の加熱及び冷却チャンバと単一基板処理チャン
バとの組み合わせは，ガラス基板の加熱及び冷却のための適当な時間を許容しつ
つ，連続的ですばやい基板処理の流れを提供する。」（甲第２７号証中の明細書５
頁３行目～２３行目）
　というものである。また，実施例の記載として，
　　「【００３３】
　　大型ガラス基板の上に薄膜トランジスタを製造するためには，ロード
ロック／冷却チャンバに対してガラス基板のロード及びアンロードをする平均の時
間は，各工程について約１５秒である。しかるに，ガラス基板を薄膜蒸着温度まで
加熱する平均時間は，約３００秒である。処理または大気圧への通気（venting
back）の順番を待つすでに加熱されているガラス基板の１組を備えることにより，
基板の長い平均加熱時間は，それぞれ処理または通気を待つ時間に含まれて隠され
てしまう（ishidden）。」（同１１頁２１行目～２８行目）
　と記載されている。つまり，本件訂正発明１は，ガラス基板にひび割れや
そりが発生しないようにしつつ，加熱及び冷却の時間を短縮することを実現するも
のではなく，主として，複数のガラス基板の加熱処理及び冷却のバッチ処理に単一
基板処理を組み合わせることにより，長い加熱及び冷却の処理時間が，装置全体の
基板処理の速度に影響しないようにした，というものであると認めることができ
る。このことは，原告自身，「本件特許発明においては，真空状態における冷却
は，熱伝導及び対流が存在しないので大気状態におけるそれと比較して効率の点で
は劣るが，熱伝導及び対流が存在しないことにより寧ろ制御した冷却環境が与えら
れることに着目したものであり・・・」（原告第５準備書面１４頁６行目～９行
目）と述べているところである。
　　引用発明４において，単に加熱及び冷却に時間をかけることによって，
ガラス基板を処理するようにすることは，本件訂正発明１自体が採用する構成とし
て，許されるものである。
オ　原告は，引用発明４は，ロードロック内で加熱を行うという点で，本件
訂正発明とは逆の技術志向を有するものである，と主張する。これは，引用発明４
に，本件訂正発明１の構成に至ることを阻害する事由が内在されている，というこ
とを指摘する主張であると解される。
　　引用発明４は，
　「本発明の好適な実施例によれば，クラスタ・ツールが複数個の，好適
には２個のバッチ予熱室を有し，これら予熱室がそれぞれ輸送モジュール，好適に
は同じ輸送モジュールに結合し，そしてこの輸送モジュールからのみ予熱室に対す
る装入と装出が行われるような，クラスタ・ツールの構成が提供される。予熱室が
結合される輸送モジュールは更に１つ又はそれ以上のロード－ロック・モジュール
に結合され，そしてこのロードロック・モジュールを通して輸送モジュールに対す
るウェファの装入と装出が行われ，これにより外部環境からウェファが取入れら
れ，又はそこへ取出され，そしてこの間輸送モジュールは外部環境から連続的に隔
離されている。
　　上記対のモジュールは，その一方が最初に輸送モジュールからウェフ
ァを逐次的に装入され，それからバッチとして加熱される。・・・第１バッチのウ
ェファが所要の長時間加熱された後，それらウェファはそこから逐次的に別の処理
ステーションへ移送され，それからロード－ロックへ送られて機械から取出され，
そしてこの間に第２ロード－ロック内の第２バッチのウェファが加熱される。」
（乙第１号証中の公表特許公報５頁右下欄２行目～２２行目）
　としている。
　　上記の記載及びFIG.1及びFIG.2からは，引用発明４も，ロードロックチ
ャンバとは別に，基板を加熱するチャンバを備えているものと認めることができ
る。原告の主張は，引用発明４が，ロードロックチャンバにおいて基板を加熱する
ものである，という前提において既に誤っている。
　　そもそも，ロードロックチャンバで基板の加熱を行う構成が，冷却を行
う構成と異なることは当然であるとしても，前者を後者に変更することが技術的に
困難であるとは，本件全証拠によっても認められない。確かに，前者を後者の構成
にするときは，例えば両者を兼用しないときは，加熱用のチャンバを別に設けるこ
とになり，その分装置が大型になることは事実である。しかし，これは，本件訂正
発明１自体が採用するものであり，そのような構成がおよそ不適切で採用できない
ものである，とはいえないことは，明らかである。
(3)ロードロック内で冷却を行う構成の容易推考性について（訂正相違点２）
ア　刊行物４は，「内容物が高温であるときにロードロックが開かれた場
合，ロード－ロックへの装入装出を行う人物をその高温に晒す危険性もある。この
危険を避けるためには，費用を掛けて機械に前端ロボットを備えるか，あるいは生
産時間を犠牲にしてロード－ロックが冷却するのを待たなければならない。」（乙
第１号証中の公表特許広報５頁右上欄１６行目～２２行目），としており，ロード
ロック内で冷却を行うことは，周知であったことが記載されている。
　　また，刊行物３は，「本装置の場合SiN→a-Si→n＋
a-Siの３層膜をそれぞ
れ異なるチャンバで，トレイが真空中で移動して成膜する。トレイは大気に出て入
り口側に返され・・・冷却パネルを内蔵したアンロードチャンバなどがあるが，全
て基本構造は同じであり，これらの組み合わせで各目的の装置が構成される。」と
いうインライン型のプラズマＣＶＤ装置（処理対象はガラス基板である。）を開示
し（甲第２３号証６９頁右欄１０行目～２３行目），この記載と刊行物３の６４頁
のFig２からは，上記装置は，冷却パネルを内蔵したアンロードチャンバを備えたも
のを開示している（甲第２３号証）（別紙５参照）。
　　そうすると，同じくアンロードを行う引用発明４のロードロックチャン
バにおいて，処理済みガラス基板の冷却を行う構成を備えさせることは，当業者が
容易に推考できることである，と認められる。
イ　原告は，刊行物３は，インラインタイプの処理装置であり，そこに開示
された技術をクラスタタイプである刊行物４に適用できる，とすることには無理が
ある，と主張する。
　　しかし，クラスタタイプ（刊行物４）であっても，インラインタイプ
（刊行物３）であっても，処理済みの基板を大気に晒す前に，それを冷却する必要
があることは当然であり，しかも，その直前に冷却を行うことに何ら差し支えはな
いものと認められる。したがって，引用発明４においてアンロードを行うチャン
バ，すなわちロードロックチャンバにおいて，冷却を行えることは当然である。
　　クラスタタイプとインラインタイプとの差は，前者の特徴がキャリヤの
不要，カセット・トゥ・カセット，省スペースであるのに対し，後者の特徴が高い
量産能力である，という程度のものであると認められ（甲第３０号証），そのこと
が，後者における，アンロードを行うチャンバで冷却を行う，という構成を，前者
において適用することの妨げになるとは，到底認められない。
ウ　原告は，インラインタイプにおいては，トレイに基板を乗せることか
ら，その両面を均一に冷却することはできない，ということを挙げる。しかし，こ
こで問題としているのは，アンロードを行うチャンバで，処理済みの基板の冷却を
行うという構成の適用の容易推考性だけである。基板をトレイに乗せて搬送する構
成を適用することを検討しているものではない。原告の主張は失当である。
　　また，原告は，引用発明４のロードロックチャンバが加熱を行うこと
を，冷却の機能を持たせることができない根拠の一つとして挙げる。しかし，引用
発明４のロードロックチャンバが加熱を行わないことは，前記認定のとおりであ
る。
　　上記の点以外に，インラインタイプとクラスタタイプとが，処理装置の
構造が異なることを理由に，前者の技術を後者に適用することが困難であるとする
原告の理由は，その適用を妨げる具体的な理由について述べるものではなく，採用
できない。
(4)ロードロックチャンバ内に，複数のガラス基板を収納するための，熱伝導
性の棚を設けることの容易推考性について（訂正相違点２）
ア　刊行物２（甲第２５号証）は，その特許請求の範囲(2)で，
　「上記装填ロックチャンバ内に取り付けられた第１エレベータを更に備
え，この第１エレベータは，多数のウェハ取り付け位置を有していて，上記装填ロ
ックチャンバの入口付近でその中にある第１の選択された装填ロック位置へウェハ
を選択的に移動するようにされ，・・・」と，その構成を規定し，また，実施例に
おいて，「装填ロックチャンバは，内部の保管エレベータ組立体５０を備えてお
り，このエレベータ組立体５０は，ここに示す例では８つまでである多数のウェハ
１５－１５を水平支持プレート５４に保持する。」（甲第２５号証８頁左下欄６行
目～１０行目）との構成を開示している。そのFIG.2には，ウエハ１５を支持する水
平支持プレート５４を図示している。引用発明２は，その構成により，「本発明の
更に別の関連した目的は，統合的な処理能力を有する多チャンバの半導体処理シス
テムを提供することである。即ち，プラズマエッチングや，ＣＶＤ付着や，物理的
なスパッタリングや，急速な熱アニーリングといった別々の種々の形式のプロセス
を伴う多数の別々の処理段階を，システムが真空状態に閉じられている間に，１つ
以上のウェハに対して同時に又は順次に実行することができる。」（甲第２５号証
６頁左下欄１０行目～１８行目）
　としている（別紙６参照）。
　　以上から，ロードロックチャンバ（刊行物２では装填ロックチャンバ）
において，複数の処理基板（刊行物２では半導体ウエハ）を支持する棚を設ける構
成は，周知であったと認めることができる。
イ　引用発明４も，ロードロック内，すなわち真空状態下で，多数の処理基
板（半導体ウエハ）を導入し，これをバッチ加熱し，各種処理を行うものであるこ
とは，前記のとおりである。そうすると，同じく，多数の基板をロードロック内に
取り込む構成を備える引用発明２の構成のうち，基板を支持するものとしてロード
ロック内に棚を設ける構成を，引用発明４に適用することを容易に推考できること
は，明らかである。
ウ　原告は，刊行物２には，移送チャンバとは別に，ロードロックチャンバ
を設け，その中に，ガラス基板を支持し冷却する複数の棚を設けるという，本件訂
正発明１の構成は記載も示唆もされていない，と主張する。
　　刊行物２の装填ロックチャンバは，移送チャンバでもあることは，原告
が指摘するとおりである。しかし，ここで検討するのは，ロードロックの役割を果
たすチャンバにおいて，棚を設けて処理対象を保持する，という構成を読み取り，
この構成を刊行物４に適用することの容易推考性である。刊行物２の装填ロックチ
ャンバが，移送チャンバでもあるからといって，そのことが，上記構成を読み取る
こと及びそれを引用発明４に適用することの容易推考性を阻害するとは認められな
い。
エ　原告は，引用発明４は，金属原子がウエハを汚染するのを避けるため，
ロードロック内で金属のラック又はホルダを使用することを禁止している，と主張
する。
　　本件訂正発明１は，「熱伝導材料」から作られている棚，としているこ
とから，その棚は，例えば金属から成るものであると認めることができる。
　　他方，引用発明４は，発明の背景として，「金属のウェファ・ホルダで
は，これはウェファとの接触地点又はこれの近傍でホルダから金属原子がウェファ
内へ伝播するため，場合によってはウェファを汚染する。」（同５頁右上欄３行目
～５行目）とし，金属製のホルダやラックの使用は好ましくないとする記載があ
る。
　　しかし，引用発明４のこの記載は，処理対象が半導体ウエハであり，し
かも，それと金属製のホルダとの接触地点ないしその近傍において，汚染が生じる
場合があることを指摘するものにすぎない。そうすると，処理対象をガラス基板と
し，かつ，ガラス基板上に形成された半導体部分（層）に，金属が接触ないし近づ
かないようにすれば，金属製のラック又はホルダを使用することは，何ら制限され
ない。しかも，刊行物４は，前記記載の直前で，「ロード－ロック内でバッチ加熱
を行うことにも，幾つかの問題がある。ウェファ処理クラスタ・ツールで使用され
る工業規格のカセットは普通ポリプロピレンのようなプラスチックで作られてい
る。理想的には，カセットは，ウェファを予装入されて外部からロード－ロック内
に置かれ，そしてそのロード－ロックの中でウェファと共に緘封される。しかしプ
ラスチック材料は，ウェファからガスを除去する効果的な加熱に要する温度に耐え
ることができない。」（同５頁左上欄１５行目～２３行目）としている。このこと
からは，ロードロック内で，まだ冷め切っていないガラス基板を収納するための棚
を設ける場合，それを熱に弱いプラスチック製ではなく，金属製とすることは，む
しろ当然のことといえる。
オ　原告は，引用発明４では，工業規格のカセットを使用できるようにする
ため，特殊なラックを使用することはできず，そのため，ロードロックチャンバ内
に複数の棚を設けることはできない，と主張する。
　　刊行物４は，発明の背景において，工業規格カセットを用いることので
きない問題点を開示し，実施例として工業規格カセットを用いることを開示してい
る。しかし，補正の前後を通じて，刊行物４の特許請求の文言の範囲には，カセッ
トを用いることは記載されているものの，それが工業規格であるとの限定はない。
　　刊行物４は，「以上の説明から当該技術者には明らかなように，ここに
記述してきた実施例は，本発明の原理から外れることなしに，なお様々な変化形が
可能である。従って本発明は請求の範囲によってのみ規定される。」（同９頁左下
欄１２行目～１５行目），としている。そして，引用発明４の原理とは，
　「本発明の主要な目的は，ウェファと，予処理に使用される構造体との
両方を外気に接触させないようにしながらウェファを予処理できる，ウェファ処理
機械，特にモジュール・クラスタ・ツール型の機械のバッチ予熱性能を提供するこ
とである。
　　本発明の他の目的は，ウェファ処理装置の速度と融通性を落さず，む
しろ増加する，バッチ予処理性能を提供することである。
　　本発明の更に特別な目的は，クラスタ・ツールの操作中その内部環境
とのみ連絡する，シリコン半導体ウェファの予処理を行う，バッチ予熱，脱気，及
び脱着モジュールを提供することである。
　　本発明の更に特殊な目的は，機械のより高速な処理を行うのに要求さ
れるスループット率を維持しながら，ウェファを長い時間の制御される予処理に掛
けることができる，ウェファ処理クラスタ・ツールのバッチ予熱モジュール構成を
提供することである。
　　本発明の原理によれば，ロード－ロックより先方の機械の不活性真空
環境に連続的に維持される地点，好適にはハブ又は輸送モジュールにおいてウェフ
ァ処理クラスタ・ツールの内部環境に結合する，そのクラスタ・ツールのためのバ
ッチ予熱モジュールが提供される。」（同５頁左下欄５行目～右下欄１行目）
　というものである。
　　この記載からは，工業規格のカセットを用いることは，引用発明４の好
ましい構成の一つとはいえても，必須の構成とまではいえない。当業者が，工業規
格カセットを用いない構成のものも，引用発明４の一態様として含まれると理解す
ることに何ら支障はない。まして，刊行物４において，ガラス基板を処理すること
とし，かつロードロック内で冷却する以上，前記のとおり，プラスチック製の工業
規格カセットを用いる必然性などないことは，明白である。
　　したがって，工業規格カセットが用いられることを根拠に，引用発明４
のロードロックチャンバ内に複数の棚を設けることができない，という原告の主張
も，採用できない。
(5)ガラス基板を熱絶縁性部材で支持することの容易推考性について（訂正相
違点２）
ア　ガラスが，熱伝導性の悪い物質であること，その熱分布が不均等になる
と，ひび割れやそりが発生することは，原告自身主張するところであり（原告第４
準備書面，第５準備書面），一般的な科学常識である，と認められる。真空中にお
かれた物体は，熱輻射により冷却することもまた，一般的な科学常識である，と認
められる。
　　真空中でガラス基板を冷却する場合，金属等熱伝導性の高い物質でガラ
ス基板を支持すると，接触箇所及びその周辺が急速に冷却され，熱伝導性が悪い
（熱的に不均衡な状態が生じやすい）ガラス基板において，他の部分と熱的に不均
衡な状態となり，ひび割れやそりが発生する可能性があることは，少なくとも当業
者であれば，一般的な科学常識に基づき，極めて容易に推測できるものである，と
いうべきである。
　　したがって，そのような事態を避けるために，ガラス基板を棚に収納す
る場合でも，棚にその片面の全面を接触させるのではなく，局所的に，熱絶縁性の
材料で支持することもまた，当業者が容易に推考できることというべきである。
　　審決の認定に誤りはない。
イ　甲第１５号証は，「熱伝導性の悪い材質，例えば弗化樹脂のスペーサ６
ａ，６ｂでマスク１と下部冷却板２の表面３とのギャップを２mm程度のギャップに
することにより，熱輻射を用いてマスク１を冷却すると均一な冷却が達成され
る。」（甲第１５号証２頁右上欄１９行目～左下欄３行目）として，絶縁性の部材
を用いて冷却対象を支持すると，熱輻射によりこれを均一に冷却できる，という技
術常識を開示している。
　　これをも参酌すれば，熱輻射により均一に冷却するという効果を狙っ
て，真空中で，棚に保持されるガラス基板を，熱絶縁性部材で支持するという構成
を，引用発明４に適用することは，当業者にとって容易に推考できることがより明
らかとなる（甲第１５号証は，周知技術を立証するための証拠であるから，審決が
用いていないものであっても，訴訟において提出し，これを認定に用いることがで
きるのは当然である。）。
ウ　原告は，甲第１５号証の前記引用部分に続く，「スペーサ６ａ，６ｂを
介することなく，下部冷却板２の表面３にマスク１を接触させた場合熱伝導による
冷却が主となるので，その間に空気層がはいらないようにすれば熱輻射の場合と同
様均一な冷却が可能となる。」（甲第１５号証２頁左下欄４行目～８行目）を引用
して，同号証は，基板と棚との間に隙間を設けることを必須の要件とする本件訂正
発明１とは異なる，と主張する。
　　そもそも，本件訂正発明１と甲第１５号証記載の発明とが異なるからと
いって，そのことが，当然に同号証記載の技術を引用発明４に適用することの阻害
理由となるものでないことはいうまでもない。
　　上記記載は，マスク面を均一に冷却する方法として，熱輻射だけにより
冷却する方法と，冷却板に隙間なく密着させて熱伝導により冷却する方法とを併記
したものと解される。そのうち，前者に着目して，これを採用することに何ら困難
はない（甲第１５号証記載の技術では，マスク面だけを均一に冷却すればよいのに
対し，引用発明４において棚に保持するガラス基板を冷却する場合，このガラス基
板は熱伝導性が低く，かつ，ひび割れやそりを防ぐために，全体的に均一に冷却す
る必要がある，という差異がある点を考慮する必要がある。そうすると，接触面だ
けがよく冷却される，後者の方法が適切でないことは，当業者が容易に認識できる
ことである，と認められる。）。
　　その他，原告が挙げる本件訂正発明１と甲第１５号証記載の発明の差異
は，甲第１５号証から，上記周知技術（熱絶縁性部材で支持して，熱輻射により均
一に冷却すること）だけを読み取り，これを引用例４に適用することを阻害するも
のではない。
エ　原告は，甲第１５号証は大気中における処理に関するものであり，真空
中における冷却を行う本件訂正発明１の容易推考性を判断するための周知技術とは
ならない，と主張する。
　　前記のとおり，甲第１５号証から抽出するのは，熱輻射により，冷却対
象が均一に冷えるという周知技術である。これを，真空中で熱輻射による冷却がな
される引用発明４に適用することは，容易であることは明らかである。
　　原告は，この点について，真空中の冷却に比較して，大気中の冷却の方
が，効率的であるものの，対流による冷却作用もあり，冷却が均一に進むよう制御
するのは困難である，との違いを強調する。このような違いがあることはそのとお
りであると認められる。しかし，例えば，甲第１５号証が真空中における熱輻射に
よる冷却を開示し，これに対し，本件訂正発明１が，大気中における熱輻射等にお
ける均一な冷却にかかるものであれば，単純に甲第１５号証における冷却の構成を
引用発明４に適用しただけでは，より工夫を要する本件訂正発明１の構成に至るこ
とはできない，とはいい得ても，本件はその逆であり，熱輻射による均一な冷却と
いう周知技術を，対流による冷却を考慮する必要がない（熱輻射と熱伝導だけを考
慮すればよい），真空中の冷却を行う引用発明４に適用し，同じく真空中の冷却を
行う本件訂正発明１の構成に想到することに，何らかの困難があるとは認められな
い。
オ　本件訂正発明は，【実施例】中の記載ではあるものの，「ガラス基板
は，棚６０上に載せられるか取り付けられた複数の絶縁性のマウント７０の上に載
せられており，基板と棚６０との間には隙間がある。ガラス基板は，従って，放射
熱によって均一に両面から加熱または冷却されて，すばやく均一な加熱または冷却
が可能になり，約４００度の温度範囲以上に加熱または冷却されたときでさえ基板
のひび割れまたはそりが防止される。」（甲第２７号証１０頁１８行目～２３行
目），としている。
　　この「すばやく」という点については，その程度が明らかでなく，ま
た，真空中での熱輻射による冷却が効率が悪い，との原告の主張とも矛盾してい
る。
　　少なくとも，既に述べてきたところから明らかなとおり，「すばやく」
冷却するということを全く考慮しなくても，基板の均一な冷却等から本件訂正発明
１の構成に容易に至ることができる以上，そのことを当業者が認識する必要はな
い。
(6)移送チャンバを自動化することの容易推考性について（訂正相違点３）
　　移送チャンバを自動化することについては，例えば，刊行物２の９頁左上
欄１１行目「ロボット８０」以下の記載に，ロボット組立体８０の機構，動作が記
載され，その制御が，「第３図を更に参照すれば，容量性センサ１１４－１１４
は，真空中の取り上げ端上或いはポケット１０８内におけるウエハ１５の有無を感
知するのに用いるために，真空穴１１０－１１０のすぐ後ろでブレード１０６の前
端に取り付けられている。センサ用の電気リード線１１５は，内部シャフト９８を
通じてコンピュータ７０に接続することができ，ここで，センサ１１４－１１４か
らの出力信号を用いて，ブレード上のウェハの有無が判断される。」（甲第２５号
証１０頁左上欄１５行目～右上欄４行目），ようになされることが開示されてい
る。
　　これが，自動化に該当することは明らかであるから，移送チャンバを自動
化することは，周知技術であると認められ，かつこれを刊行物４において採用する
ことに，阻害事由があるとは認められない。
(7)原告は，特許庁の審査基準を挙げ，発明は全体として考察しなければなら
ず，本件訂正発明１の構成の各部分が，複数の引用文献に記載されていることをも
って，その進歩性を否定することはできない，との主張をする。
　　しかし，複数の相違点に係る構成について，個別に主引例にはない構成が
周知技術であることを認定し，これを主引例に適用する動機付けがあるとして（あ
るいは，採用することは適宜選択できる設計事項にすぎないとして），主引例の構
成を改変し，特許性が問題となっている発明の構成に想到することが容易である，
と認定する手法は，ごく一般的なものである。この手法が，原告がいうような，単
に相違点に係る構成が複数の引用文献に記載されていることだけをもって，進歩性
を否定するものではないことは明らかである。
(8)本件訂正発明１に，顕著な作用効果があるとは認められない。
　　本件訂正発明１が，真空中において，均一な冷却制御が容易であることに
着目し，大型のガラス基板の処理における，ひび割れ，そりの発生を防止するとと
もに，ロードロックチャンバと冷却チャンバとを一体とすることとし，装置の小型
化を可能とし，冷却チャンバに対する移送処理を不要とするものであるとしても，
これは，当業者が，本件訂正発明１の構成から当然に予測できる程度のものに過ぎ
ない。これをもって，特許性を認める根拠とするとこはできない。
(9)以上のとおりであるから，本件訂正発明１の進歩性を否定した審決の判断
は，相当である。
４　取消事由Ｂ２（本件訂正発明２の進歩性の判断の誤り）について
(1)原告は，引用発明２には，本件訂正発明２のロードロックチャンバ／冷却
チャンバがなく，また，引用発明２の支持プレートには，絶縁性マウントもないか
ら，本件訂正発明２の構成の棚もない，さらに，刊行物４にはカセットもない，と
主張する。
(2)前記のとおり，刊行物２は，保管エレベータ組立体５０は，半導体ウエハ
を支持する複数の水平支持プレート５４を有している。そして，
　「・・・内部の保管エレベータカセット組立体５０は，ベースプレート５
８とスロット付きの垂直フロントプレート５９とを備えており，この垂直フロント
プレート５９には水平のウェハ支持プレート５４－５４が取り付けられている。こ
こに示す実施例において，１対のガイドシャフト６０－６０と駆動シャフト６１
は，エレベータ組立体５０を案内して移動させるように，ベースプレート５８から
装填ロックチャンバの底壁６２を通じてシール６３－６３を経て下方に延びること
ができる。エレベータ組立体５０は，垂直インデックスシステム６４によって上下
させることができ，・・・」（甲第２５号証８頁左下欄１５行目～右下欄７行目）
　との記載及びFIG.2によれば，刊行物２は，処理対象である基板（刊行物２で
は半導体ウエハ）を支持する複数の棚を有し，上下移動装置に取り付けられたカセ
ットを有している，と認められる。
　　そして，同様に複数の処理対象となる基板を装置内に取り込む引用発明４
においても，現実に多数の基板を同時に保持するロードロック／冷却チャンバ及び
加熱チャンバに，基板を収納し，選択して取り出すための構成として，上記エレベ
ータ装置及びカセットを備えさせることは，当業者が容易に推考できることであ
り，かつ，そのことに何らかの阻害事由があるとは認められない。
　　ロードロックチャンバで冷却を行うこと，ガラス基板を処理する場合，こ
れを均一に冷却するため，このカセットの棚に絶縁性のマウントを設けてガラス基
板を支持することを容易に推考できることは，３において述べたとおりである。引
用発明２が，ロードロックチャンバ／冷却チャンバを備えているか否か，その支持
プレートが絶縁性マウントを備えているか否かは，全く関係がない。
(3)よって，本件訂正発明２の進歩性を否定した審決の判断は，相当である。
５　取消事由Ｂ３（本件訂正発明３の進歩性の判断の誤り）について
　　原告は，刊行物４には，２個のロードロックチャンバを設けることが開示さ
れているものの，それは，複数個のウエハを収納する，ポリプロピレンのようなプ
ラスチック製の規格カセットを搬出入するものであり，冷却機能を持たないから，
本件訂正発明３のロードロック／冷却チャンバとは構造が異なる，と主張する。
　　しかし，刊行物４のロードロックチャンバにおいて，冷却をすることが容易
推考であることは，既に述べたとおりである。また，そこで，加熱されたガラス基
板を冷却する以上，その収納に熱に弱いプラスチック製のカセットを用いないよう
にすることも，前記のとおり，当然である。
　　原告の主張は採用できず，本件訂正発明３の進歩性を否定した審決の判断に
誤りはない。
６　取消事由Ｂ４（本件訂正発明４の進歩性の判断の誤り），取消事由Ｂ５（本
件訂正発明５の進歩性の判断の誤り）及び取消事由Ｂ６（本件訂正発明６の進歩性
の判断の誤り）について
　　原告の主張は，本件訂正発明１が進歩性を有することを前提に，本件訂正発
明４及び５に進歩性がある，と主張するものであるが，本件訂正発明１に進歩性が
ないことは，前記のとおりである。
　　本件訂正発明６に進歩性がある，とする原告の主張の根拠は，訂正相違点１
及び２に係る審決の判断に誤りがあることを根拠とするものであるが，この点に関
する審決の判断が相当であることは，既に述べたとおりである。本件訂正発明１
の，基板を均一に冷却する構成が周知技術であることも，既に述べたとおりであ
る。
７　取消事由Ｂ７（本件訂正発明７の進歩性の判断の誤り）について
　　原告は，本件訂正発明６が進歩性を有することを前提に，本件訂正発明７に
も進歩性がある，と主張するほか，薄膜を複数工程で積層することが単なる慣用手
段に過ぎないとしても，本件訂正発明６のステップｃ）のあとに，上記工程を設け
ることは，慣用手段であるとはいえない，と主張する。
　　本件訂正発明６に進歩性がないことは，前記のとおりである。
　　処理対象の基板に薄膜を蒸着した後，さらに付加的な薄膜を蒸着すること
は，周知である（例えば，刊行物１には，「ガラスサブストレートの酸化被覆面上
にアモルフアスシリコンのｐドープ層を堆積する。・・・ｐドープ層の頂部に約５
００nmの厚さの真性シリコン層を堆積する。・・・堆積室７内で約８０nmの厚さの
アモルフアスシリコンのｎドープ層を真性シリコン層上に上述と同様にして堆積さ
せる。・・・堆積室８に転送し，既知の方法でｎドープシリコン層上に２００nmの
厚さのアルミニウム層を堆積させる。」（甲第２９号証７頁左下欄１３行目～８頁
左上欄１３行目）との記載がある。）。
　　原告の主張は、失当である。
８　取消事由Ｂ８（本件訂正請求を認めなかった判断の誤り～指定期間の徒過）
について
　　審決が，本件訂正発明１ないし７について独立特許要件を具備しているかど
うかの実体判断をして，本件訂正請求を認めなかったものであることは明らかであ
り，その判断に誤りがないことは，前記のとおりであるから，原告主張の取消事由
Ｂ８は，審決の結論に影響を及ぼさない単なる傍論部分に対する非難に過ぎず，そ
の当否を判断するまでもなく，失当というべきである。
９　取消事由Ｃ１（本件発明１の進歩性の判断の誤り）について
　　取消事由Ｂ１についての判断において述べたとおり，刊行物４を，ガラス基
板の処理に転用して，ロードロックチャンバに複数の棚を設け，これにガラス基板
を支持させる構成を備えさせること，ロードロックチャンバで処理済み基板の冷却
を行うことは，いずれも当業者が容易に推考できることである。
　　引用発明１から読み取る周知技術は，クラスタタイプの処理装置で，ガラス
基板の処理を行う，ということだけである。引用発明１が，ロードチャンバとアン
ロードチャンバとを別々に設けていること，その堆積室４ないし８が，単一基板処
理チャンバでないことは，上記判断に全く影響しない。本件発明１は，処理対象で
あるガラス基板の大きさを限定しているものではないから，その大きさが，引用発
明１のガラス基板の大きさと異なることを根拠とする主張も，理由がない。
　　原告は，審決が「支持」の存在について判断していない，と主張する。しか
し，審決は，「ロードロックチャンバに複数の棚を設けることは単なる慣用手段に
過ぎない。」（審決書１５頁３１行目～３２行目）と認定している。これは，ガラ
ス基板を支持するものとしての棚を設けることの容易推考性の判断としてなされた
説示であることは，明らかである。
　　したがって，審決の判断は相当である。
１０　取消事由Ｃ２（本件発明２の進歩性の判断の誤り）について
　　取消事由Ｂ２において述べたところから，引用発明４において，ガラス基板
を処理することとし，エレベータ駆動装置８０を，ガラス基板を収納する複数の棚
を有するカセットが取り付けられたものとすることは，容易推考である，と認めら
れる。
１１　取消事由Ｃ３（本件発明３の進歩性の判断の誤り）について
　　前記のとおり，刊行物４のロードロックチャンバにおいて，冷却を行うよう
にすることは容易推考である，と認められる。それが，冷却機能を持たないとし
て，本件訂正発明３のロードロック／冷却チャンバとは構造が異なることを根拠
に，審決の認定を争う原告の主張は，採用できない。
１２　取消事由Ｃ４（本件発明４の進歩性の判断の誤り）及び取消事由Ｃ５（本
件発明５の進歩性の判断の誤り）について
　　本件発明１に進歩性があることを根拠に，本件発明４及び５にも進歩性があ
るとする原告の主張は，その根拠を欠き，理由がない。
１３　取消事由Ｃ６（本件発明６の進歩性の判断の誤り）について
　　本件訂正発明１についての相違点１，２に対する審決の認定の誤りを根拠
に，本件発明６に進歩性があるとする原告の主張は，その根拠を欠き，理由がな
い。
１４　取消事由Ｃ７（本件発明７の進歩性の判断の誤り）について
　　本件発明７が，本件発明６のステップｃ）のあとに，上記工程を設けるもの
であり，そのことが，慣用手段であるとはいえないとの原告の主張が理由がないこ
とは，取消事由Ｂ７についての判断において述べたとおりである。
１５　結論
　　以上のとおりであるから，原告主張の取消事由は，いずれも理由がなく，そ
の他，審決には，取消しの事由となるべき誤りは認められない。
　　よって，原告の本訴請求を棄却することとし，訴訟費用の負担，上告及び上
告受理の申立てのための付加期間について，行政事件訴訟法７条，民事訴訟法６１
条，９６条２項を適用して，主文のとおり判決する。
東京高等裁判所知的財産第３部
　裁判長裁判官　　　　　佐　　藤　　久　　夫
　裁判官　　　　　設　　樂　　隆　　一
　裁判官　　　　　高　　瀬　　順　　久
（別紙）
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