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平成１５年（行ケ）第１２８号　特許取消決定取消請求事件（平成１６年６月３０
日口頭弁論終結）
　　　　　　　　　　判　　　　　　　　　　　決
　　　　　　原　　　　　　告　　　　　　ＪＳＲ株式会社
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（旧商号）ジェイエスアール株式会社
　　　　　　訴訟代理人弁護士　　　　　　新保克芳
　　　　　　同　　　　弁理士　　　　　　大島正孝
　　　　　　被　　　　　　告　　　　　　特許庁長官　小川洋
　　　　　　指定代理人　　　　　　　　　江藤保子
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　六車江一
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　一色由美子
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　伊藤三男
　　　　　　　　　　主　　　　　　　　　　　文
　　　　　　原告の請求を棄却する。
　　　　　　訴訟費用は原告の負担とする。
　　　　　　　　　　事実及び理由
第１　請求
　　　特許庁が異議２０００－７３１７９号事件について平成１５年２月１８日に
した決定を取り消す。
第２　当事者間に争いのない事実
　１　特許庁における手続の経緯
原告は，名称を「感放射線性樹脂組成物」とする特許第３０１０６０７号発
明（平成４年２月２５日特許出願〔以下「本件特許出願」という。〕，平成１１年
１２月１０日設定登録，以下，その特許を「本件特許」という。）の特許権者であ
る。
本件特許について，特許異議の申立てがされ，異議２０００－７３１７９号
事件として特許庁に係属し，原告は，平成１４年５月１３日，本件特許出願の願書
に添付した明細書の特許請求の範囲の記載等について訂正（以下「本件訂正」とい
う。）を求める訂正請求（以下「本件訂正請求」という。）をした。
　　　特許庁は，同事件について審理した結果，平成１５年２月１８日，「訂正を
認める。特許第３０１０６０７号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。」と
の決定をし，その謄本は，同年３月１０日，原告に送達された。
　２　本件訂正に係る明細書（以下「本件明細書」という。）の特許請求の範囲記
載の発明の要旨
【請求項１】（１）酸性官能基としてフェノール性水酸基またはカルボキシル
基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が，置換メチル基，１－置
換エチル基，アルコキシカルボニル基およびアシル基から選ばれる少なくとも１種
の酸解離性基で，該酸性官能基に対し１５～５２％の割合で置換されたアルカリ不
溶性または難溶性樹脂で，上記の基が酸解離したときにアルカリ可溶性である樹
脂，
（２）下記式(５)，(６)，(１４)，(１５)，(１６)，(１７)または(１８)で表
される化合物から選ばれる感放射線性酸形成剤，
　　　
ここで，Ｒ１
，Ｒ２
およびＲ３
は，同一または異なり，水素原子，アミノ基，ニト
ロ基，シアノ基，炭素数１～４のアルキル基または炭素数１～４のアルコキシ基で
あり，そして
ＸはＳｂＦ６，ＡｓＦ６，ＰＦ６，ＢＦ４，ＣＦ３ＣＯ２，ＣｌＯ４，ＣＦ３ＳＯ３
，
　　　
　または
　　
を示す。また，Ｒ４
は水素原子，アミノ基，アニリノ基，炭素数１～４のアルキル
基または炭素数１～４のアルコキシ基であり，Ｒ５
およびＲ６
は炭素数１～４のアル
コキシ基であり，Ｒ７
は水素原子，アミノ基，アニリノ基，炭素数１～４のアルキル
基または炭素数１～のアルコキシ基である，
ここで，Ｒ１
，Ｒ２
およびＸの定義は上記式（５）に同じである，
　
Ｏ
∥
ここで，Ｙは－Ｃ－または－ＳＯ２－であり，
Ｒ１５
，Ｒ１６
，Ｒ１７
およびＲ１８
は，同一または異なり，炭素数１～４のアルキル基
またはハロゲン原子であり，そして
ｕは０～３の整数である，
　　
ここで，Ｒ１９
は炭素数１～４のアルキル基であり，Ｒ２０
は水素原子またはメチ
ル基であり，
Ｒ２１
は
　　
であり，
（ただし，Ｒ２２
は水素原子またはメチル基であり，そしてＲ２３
およびＲ２４
は，同
一または異なり，炭素数１～４のアルコキシ基である），そしてｖは１～３の整数
である，
　　　
ここで，Ｒ２５
およびＲ２６
は，同一または異なり，水素原子または炭素数１～４
のアルキル基であり，そしてＲ２７
およびＲ２８
は，同一または異なり，水素原子，炭
素数１～４のアルキル基または炭素数６～２０のアリール基である，
　　
ここで，Ｒ２９
は水素原子または炭素数１～４のアルキル基であり，そしてＲ３０
およびＲ３１
は，同一または異なり，炭素数１～４のアルキル基または炭素数６～２
０のアリール基であるか，あるいはＲ３０
とＲ３１
とは互いに結合してそれらが結合し
ている窒素原子と一緒になって環を形成していてもよい，
　　
ここで，Ｚはフッ素原子もしくは塩素原子である，
および
（３）上記アルカリ不溶性または難溶性樹脂（１）１００重量部当り０．００
１～１０重量部の，下記式(１９)～(２３)：
　　　　　Ｒ３８
　　　　　｜
　　Ｒ３７
－Ｎ－Ｒ３９
．．．．．．（１９）
ここで，Ｒ３７
，Ｒ３８
およびＲ３９
は，同一または異なり，水素原子，炭素数１～６
のアルキル基，炭素数１～６のアミノアルキル基，炭素数１～６のヒドロキシアル
キル基または炭素数６～２０の置換もしくは非置換のアリール基であり，ここでＲ３
７
とＲ３８
は互いに結合して環を形成してもよい。
｜｜
　　　　－Ｎ－Ｃ＝Ｎ－．．．．．．．．（２０）
｜　｜
　　　　＝Ｃ－Ｎ＝Ｃ－．．．．．．．．（２１）
｜　｜
　　　　＝Ｃ－Ｎ－．．．．．．．．（２２）
　　　　　　　Ｒ４１
　　Ｒ４２
　　　　　　　｜｜｜
　　　　Ｒ４０
－Ｃ－Ｎ－Ｃ－Ｒ４３
．．．．．．（２３）
｜｜
（式中，Ｒ４０
，Ｒ４１
，Ｒ４２
およびＲ４３
は，同一または異なり，炭素数１～６のア
ルキル基を示す）
で表される構造の少なくとも１種の構造を分子内に有する含窒素塩基性化合
物，を含有することを特徴とする集積回路製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物。
【請求項２】酸解離性基が１－置換エチル基およびアルコキシカルボニル基か
ら選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の集積回路製造用ポジ型感放射線
性樹脂組成物。
【請求項３】酸解離性基がｔ－ブチル基，テトラヒドロピラニル基，ｔ－ブト
キシカルボニル基および１－エトキシエチル基から選ばれる少なくとも１種である
請求項１に記載の集積回路製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物。
（以下，【請求項１】～【請求項３】の発明を「本件発明１」～「本件発明
３」という。）
　３　決定の理由
　　　決定は，別添決定謄本写し記載のとおり，本件発明１～３は，いずれも，特
開平２－１６１４３６号公報（審判刊行物１・本訴甲７，以下「刊行物１」とい
う。），米国特許第４４９１６２８号明細書（審判刊行物２・本訴甲８－１，以下
「刊行物２」という。訳文として，対応特許である特開昭５９－４５４３９号公報
〔本訴甲８－２〕を採用），JournalofPhotopolymerScienceandTechnology
Vol.4,No.3(1991)pp.469-472（審判刊行物３・本訴甲９，以下「刊行物３」とい
う。），特開平２－２０９９７７号公報（審判刊行物４・本訴甲１０，以下「刊行
物４」という。），特開平２－１８５６４号公報（審判刊行物５・本訴甲１１，以
下「刊行物５」という。），特開平２－６２５４４号公報（審判刊行物６・本訴甲
１２，以下「刊行物６」という。），特開平３－２２３８５７号公報（審判刊行物
７・本訴甲１３，以下「刊行物７」という。），特開平３－２２３８６１号公報
（審判刊行物８・本訴甲１４，以下「刊行物８」という。），特開昭６３－２３７
０５３号公報（審判刊行物９・本訴甲１５，以下「刊行物９」という。），特開昭
６４－３３５４６号公報（審判刊行物１０・本訴甲１６，以下「刊行物１０」とい
う。）及び特開昭６３－１４９６４０号公報（審判刊行物１１・本訴甲１７，以下
「刊行物１１」という。）記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることが
できたものであって，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない
ものであり，また，本件特許出願の日前の特許出願であって，その出願後に出願公
開された特願平３－２８５７７５号の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下
「先願明細書」という。特開平５－１２７３６９号公報〔甲１８〕参照）記載の発
明（以下「先願発明」という。）と同一であり，本件特許出願の発明者がその出願
前の特許出願に係る上記発明をした者と同一ではなく，また本件特許出願の時にお
いて，その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもなく，同法２９条の２の規定
により特許を受けることができないものであり，本件発明１～３に係る本件特許
は，拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるから，特
許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則１４条の規定に基づ
く，特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年
政令第２０５号）４条１項及び２項の規定により，取り消すべきものとした。
第３　原告主張の決定取消事由
　決定は，本件発明１と周知技術との相違点についての判断を誤り（取消事由
１），本件発明２，３の進歩性の判断を誤り（取消事由２），また，本件発明１～
３と先願発明との同一性についての認定判断を誤った（取消事由３，４），もので
あるから，違法として取り消されるべきである。
　１　取消事由１（本件発明１と周知技術との相違点についての判断の誤り）
(1)決定は，本件特許出願前の周知技術として，「（１）酸性官能基としてフ
ェノール性水酸基またはカルボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基
の水素原子が，ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基やｔｅｒｔ－ブチル基で置換され
たアルカリ不溶性または難溶性樹脂で，上記の基が酸解離したときにアルカリ可溶
性である樹脂，および（２）感放射線性酸形成剤を含有することを特徴とする集積
回路製造用ポジ型（注，『ボジ型』とあるのは，誤記と認める。以下同じ。）感放
射線性樹脂組成物」（決定謄本２４頁最終段落～２５頁第１段落）を，本件発明１
と周知技術との一致点として，「（１）酸性官能基としてフェノール性水酸基また
はカルボキシル基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が，１－置
換エチル基およびアルコシキカルボニル基から選ばれる少なくとも１種の酸解離性
基で置換されたアルカリ不溶性または難溶性樹脂で，上記の基が酸解離したときに
アルカリ可溶性である樹脂，および（２）感放射線性酸形成剤を含有する集積回路
製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物」（同２５頁第２段落）である点を，相違点と
して，「(ア)：酸性官能基に対する酸解離性基による置換率を『１５～５２％』と
している点（注，以下「相違点ア」という。）。(イ)：感放射線性酸形成剤を，
『式(５)，(６)，(１４)，(１５)，(１６)，(１７)または(１８)で表される化合物
から選ばれる』としている点（注，以下「相違点イ」という。）。(ウ)：『上記ア
ルカリ不溶性または難溶性樹脂（１）１００重量部当り０．００１～１０重量部
の，式(１９)～(２３)で表される構造の少なくとも１種の構造を分子内に有する含
窒素塩基性化合物』を含有する点（注，以下「相違点ウ」という。）」（同段落）
を認定した上，相違点ア，イは，本件特許出願前に既に周知の事項であり，当業者
が創意を要するものではなく，相違点ウは，「刊行物９ないし１１に記載された発
明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができた」（同３１頁第４段落），
相違点ア～ウの組合せについて，「本件明細書をみても，上記(ア)ないし(ウ)の点
（注，相違点ア～ウ）を組み合わせたことにより，予期し得ない格別な作用効果を
奏しているとする根拠もみいだせない」（同頁下から第３段落）と判断した。
　　決定の周知技術の認定並びに本件発明１と周知技術との一致点及び相違点
ア～ウの認定は認めるが，相違点ア～ウについての判断は，誤りである。
(2)化学増幅型ポジ型レジストと含窒素塩基性化合物との組合せを阻害する要
因
　決定は，本件特許願当時，化学増幅型ポジ型レジストにおいて，塩基性化
合物の存在が悪影響をもたらすものと理解されていたことを無視するものである。
化学増幅レジストの化学増幅反応は，
　
　　
1)SbF6Ph3SHその他
90℃
(ﾎﾟﾘ(p-ﾋﾄﾞﾛｷｼｽﾁﾚﾝ))
(ﾎﾟﾘ(p-t-ﾌﾞﾁﾙｵｷｼｶﾙﾎﾞﾆﾙｵｷｼｽﾁﾚﾝ))
CH2CH
OH
CO2
H2C
CH3
C
O
n
hν
SbF6+
2)
H
CH2CH
n
+
O
O
CCH3
CH3
+C
CH3
CH3
+H
の二つの工程から成る。上記１）の工程（以下「工程１」という。）は，酸発
生剤（この場合，Ｐｈ３ＳＳｂＦ６が光（ｈν）により分解して酸（Ｈ）を発生
する反応であり，上記２）の工程（以下「工程２」という。）は，酸（Ｈ）を触
媒とする酸解離性基（この場合，ｔ－ブチルカーボネート基：
CO
O
OC(CH3)3
）の熱分解（９０℃）によりフェノール性水酸基（－ＯＨ）
を生成する反応である。その結果，工程２の左辺のアルカリ不溶性の樹脂（ポリ
（ｐ－ｔ－ブチルオキシカルボニルオキシスチレン））が右辺のアルカリ可溶性の
樹脂（ポリ（ｐ－ヒドロキシスチレン））に変換されるため，現像液（アルカリ）
に対する露光部の溶解速度に変化が生じ，像が形成される。工程２の反応では，左
辺のアルカリ不溶性樹脂に一つのＨ（矢印上のＨ）が作用した結果，右辺の生成
物中に再び一つのＨが生成し，理論的にはＨは消費されず，繰り返して反応に関
与し続けることから，酸（Ｈ）の作用が増幅されるので，化学増幅といわれてい
る。このような反応をする化学増幅型ポジ型レジストにおいて，含窒素塩基性化合
物，例えばアミンが存在すると，塩基性化合物であるアミンは，酸と容易に反応
（中和）するから，工程１の反応で露光により酸発生剤から発生した酸（Ｈ）あ
るいは工程２の反応で生成した酸（Ｈ）と反応し，工程２の反応の進行を妨げる
ことが十分に予想され，実際に，本件特許出願当時の技術水準として，化学増幅型
ポジ型レジストにおいては，塩基性化合物は，光酸発生剤から発生した酸を中和し
てＴ－トップ皮膜を形成し，フォトスピードがかなり遅くなったり，現像が不可能
になったりする悪影響をもたらすものとして知られていた（甲４～６）。したがっ
て，化学増幅型ポジ型レジストと含窒素塩基性化合物との組合せを阻害する要因が
あるにもかかわらず，決定はこれを看過したものというべきである。
(3)相違点ア
　刊行物４，５，７及び８（甲１０，１１，１３及び１４）のいずれにも，
含窒素塩基性化合物を含む化学増幅型ポジ型レジスト組成物については，何ら記載
されていない。含窒素塩基性化合物を含有しない化学増幅型レジストで知られてい
た酸性官能基の酸解離性基による置換率を，含窒素塩基性化合物を含有する化学増
幅型レジストにおける置換率として知られていたとすることはできない。しかも，
刊行物４，７及び８には，レジストが基板に対し密着性が優れていることが記載さ
れているが，含窒素塩基性化合物を含む本件発明１の化学増幅型レジスト組成物
は，接着性（密着性）のみならず，上記刊行物には何ら記載されていないパターン
形状，フォーカス許容性にも優れている。したがって，相違点アに係る構成は，含
窒素塩基性化合物を含む化学増幅型レジスト組成物において，本件特許出願前に周
知事項とはいえない。また，決定は，「本件明細書中には，特に置換割合を『１５
～５２％』とすることによる技術的意義，あるいはそれにより得られる格別な効果
があると認めるに足りる記載はない」（決定謄本２７頁第３段落）と認定したが，
含窒素塩基性化合物を含有する化学増幅型レジストにおいて，上記置換率を採用す
ることにより基板との密着性や接着性のみならず，従来知られていない優れたパタ
ーン形状やフォーカス許容性を達成できたのであるから，置換率を「１５～５２
％」とすることによる技術的意義がないということはできない。このような優れた
効果は，本件特許出願の願書に最初に添付した明細書（乙３，以下「当初明細書」
という。）に記載されるとおり，置換率が１５％以上であれば達成できるし，５２
％という上限値の技術的意義についても，原告従業員Ａ作成の平成１４年４月２６
日付け実験成績書（甲１９，以下「甲１９実験成績書」という。）に示されてい
る。
(4)相違点イ
　決定が，相違点イについての判断において引用する刊行物２，４，７及び
８（甲８－１，１０，１３及び１４）には，含窒素塩基性化合物を含まない化学増
幅型ポジ型レジスト組成物が開示されているにすぎない。したがって，含窒素塩基
性化合物を含む化学増幅型ポジ型レジスト組成物において，本件発明１で用いられ
る特定の感放射線性酸形成剤が周知であったとすることはできない。
(5)相違点ウ
ア　決定が，相違点ウについての判断において引用する刊行物９（甲１５）
に記載されているポジ型感放射線性樹脂組成物は，アルカリ可溶性樹脂を用いる非
化学増幅型であり，また，本件発明１で用いない１，２－キノンジアジド化合物を
感放射線性酸形成剤に用いる点で基本的に相違する。化学増幅型ポジ型レジスト組
成物では，組成物の大部分を占める樹脂に，アルカリ不溶性あるいは難溶性樹脂が
用いられるために，組成物がアルカリ不溶性を示すのに対し，非化学増幅型ポジ型
レジスト組成物では，アルカリ可溶性樹脂と一緒にアルカリ不溶性の１，２－キノ
ンジアジド化合物が用いられているために，アルカリ不溶性を示している。露光に
よりアルカリ可溶性となる機構についても，化学増幅型ポジ型レジスト組成物で
は，露光により，酸発生剤から発生した酸がアルカリ不溶性樹脂に作用して，これ
をアルカリ可溶性に変換するのに対し，非化学増幅型ポジ型レジスト組成物では，
露光により，１，２－キノンジアジド化合物自体がアルカリ可溶性のカルボン酸に
変換されることによって，もともとアルカリ可溶性である樹脂と共に全体としてア
ルカリ可溶性となる。そして，化学増幅型ポジ型レジスト組成物では，含窒素塩基
性化合物は，アルカリ不溶性樹脂や難溶性樹脂に作用する酸を中和するから，これ
らの樹脂をアルカリ可溶性に変換する化学増幅反応自体を抑制することになって，
その影響は甚大である。これに対し，非化学増幅型ポジ型レジスト組成物では，
１，２－キノンジアジド化合物自体がアルカリ可溶性のカルボン酸に変換される反
応に，含窒素塩基性化合物が影響することは考え難く，また，生成したカルボン酸
を中和したとしても，組成物がアルカリ可溶性となることに変わりはないから，そ
の影響はないに等しい。上記のような構成成分及び露光による反応機構の違い，並
びに含窒素塩基性化合物の影響の大きさの違いを考慮すると，刊行物９に含窒素塩
基性化合物の効果として保存安定性が記載されているからといって，化学増幅型ポ
ジ型レジスト組成物に含窒素塩基性化合物を含ませることも，その結果として優れ
たパターン形状やフォーカス許容性という格別の効果を奏することも，いずれも想
到することはできない。
イ　刊行物１０（甲１６）に記載のフォトレジスト組成物は，アセタール又
はケタール部分に結合したメチロール基又は置換メチロール基によって封鎖された
イミド基を有する重合体を用いる化学増幅型レジスト組成物であって，本件発明１
とは使用する樹脂が全く相違する。また，その製造法によれば，イミド基の封鎖割
合は，実質１００％であるのに対し，本件発明１では，フェノール性水酸基又はカ
ルボキシル基が酸解離性基で封鎖された封鎖率（置換率）が１５～５２％の樹脂が
用いられるから，両者は，酸解離性基による封鎖率（置換率）も相違する。刊行物
１０には，少量の塩基性化合物のレジストへの使用が開示されているが，この少量
の塩基性物質は，レジスト中に存在する痕跡の酸あるいは貯蔵中に発生する痕跡の
酸を掃去すること，及び基板への塗布後，レジスト被膜から容易に除去される程度
に揮発性である場合に最も有利であり，そのことにより，その後の処理の間にレジ
ストが完全に感光性にされることも開示されている。したがって，刊行物１０は，
露光時にレジスト被膜中に塩基性化合物が存在することによる積極的な効果を開示
するものではなく，塩基性化合物の存在により優れたパターン形状やフォーカス許
容性を示すことは何ら示唆していない。刊行物１０に記載された塩基性化合物は，
本件発明１で用いられる塩基性化合物と重複しているが，刊行物１０では，酸の痕
跡を中和する程度の少量を用いるにすぎず，本件特許出願当時，化学増幅型レジス
トにおいて，塩基性化合物は，わずか０．２ｐｐｍの存在によっても甚大な悪影響
を起こすことが知られていた（甲５）ことからすると，少量とは，本件発明１の使
用量の下限値である０．００１％，すなわち１０ｐｐｍよりも，更に少ない量であ
ると認められる。本件発明１は，含窒素塩基性化合物をアルカリ不溶性又は難溶性
樹脂に対し１０ｐｐｍ（樹脂１００重量部に対し０．００１重量部に相当する。）
以上含有させることにより，従来技術では達成されなかった優れたパターン形状や
フォーカス許容性を達成できたものであり，刊行物１０から想到することはできな
いものである。
ウ　刊行物１１（甲１７）に記載された感光性組成物は，平版印刷版に用い
られ，この組成物は，活性光線の照射により酸を発生し得る化合物(酸発生化合
物)，当該酸により分解し得る結合を少なくとも一つ有する化合物，及び当該酸を捕
捉し得，かつ，活性光線の照射により分解しないアミン化合物を含有する。しかし
ながら，刊行物１１には，酸発生化合物として，本件発明１で用いられる特定の感
放射線性酸形成剤，及び酸分解性化合物として本件発明１で用いられる，酸性官能
基に対する酸解離性基による置換率１５～５２％のアルカリ不溶性又は難溶性樹脂
は，いずれも開示していない。また，刊行物１１の感光性組成物は，平版印刷版を
製造するためのもので，集積回路とは全く相違する。刊行物１１は，アミン化合物
を使用することにより，露光後の感度（クリア感度で評価）の安定性が高く，小点
の再現性，調子再現性に優れるという，平版印刷版としての利点を開示しているに
すぎず，本件発明１の集積回路製造用ポジ型レジスト組成物が優れたパターン形状
やフォーカス許容性を示すことを何ら示唆していない。
(6)顕著な作用効果
　本件発明１における，【請求項１】記載の（１），（２）及び（３）の３
成分の組合せに係る集積回路製造用ポジ型レジスト組成物は，本件特許出願当時の
技術水準から，その組合せが当業者に予測し難く，しかも，この組合せによって優
れたパターン形状やフォーカス許容性が達成されることは，当業者が予期し得ない
顕著な作用効果であることが明らかである。
　２　取消事由２（本件発明２，３の進歩性の判断の誤り）
　本件発明２，３は，本件発明１における酸解離性基を更に特定したものであ
るから，本件発明１と周知技術との相違点についての決定の判断が誤りである以
上，これを前提とする本件発明２，３の進歩性の判断も誤りである。
３　取消事由３（本件発明１と先願発明との同一性についての認定判断の誤り）
(1)決定は，本件発明１と先願発明との一致点として，「（１）酸性官能基と
してフェノール性水酸基を持つアルカリ可溶性樹脂の該酸性官能基の水素原子が，
アルコキシカルボニル基で置換されたアルカリ不溶性または難溶性樹脂で，上記の
基が酸解離したときにアルカリ可溶性である樹脂，（２）感放射線性酸形成剤，お
よび（３）下記式(１９)～(２１)・・・で表される構造の少なくとも一種の構造を
分子内に有する含窒素塩基性化合物，を含有する集積回路製造用ポジ型感放射線性
樹脂組成物」（決定謄本３４頁最終段落）である点を認定し，先願明細書（甲１
８）には，本件発明の「ａ：（１）の樹脂について，酸性官能基に対する酸解離性
基による置換率を置換割合を『１５～５２％』と特定している点（注，以下「ａの
点」という。）。ｂ：（２）の感放射線性酸形成剤について，『下記式(５)，
(６)，(１４)，(１５)，(１６)，(１７)または(１８)（式および式中の説明につい
ては，前項に記載したので省略する。）で表される化合物から選ばれる』と特定し
ている点（注，以下「ｂの点」という。）。ｃ：（３）の含窒素塩基性化合物の含
有率について，『上記アルカリ不溶性または難溶性樹脂（１）１００重量部当り
０．００１～１０重量部』と特定している点（注，以下「ｃの点」という。）」
（同頁最終段落～３５頁第１段落）について具体的な記載がないが，ａ，ｂの点
は，周知技術であり，ｃの点は，先願明細書記載の「微量」（段落【０００７】）
と実質的に同一であるから，本件発明１と先願発明とは実質的に同一であると判断
したが，誤りである。
(2)ａの点
　刊行物４，５（甲１０，１１）には，ポリビニルフェノールのフェノール
基の「１５～４０％」及び「５～３５％」をｔ－ブトキシカルボニル基で保護した
樹脂を用いることがそれぞれ開示されているが，これらは，いずれも含窒素塩基性
化合物を含まない化学増幅型レジスト組成物を開示したものにすぎない。また，先
願明細書には，ポリビニルフェノール基のｔ－ブトキシカルボニル基による保護率
（置換率）については何ら記載されていない。したがって，ａの点は，本件特許出
願当時の技術水準から，含窒素塩基性化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物
において，周知技術とはいえず，また，先願明細書（甲１８）に置換率の具体的数
値の記載はないから，先願明細書に記載されているとはいえない。
(3)ｂの点
　本件発明１で用いられる特定の感放射線性酸形成剤は，含窒素塩基性化合
物を含有しない化学増幅型レジスト組成物において知られていただけで，それを含
窒素塩基性化合物を含有する化学増幅型レジスト組成物に使用できることが知られ
ていたとはいえないから，ｂの点は，本件特許出願当時において周知であったとは
いえない。
(4)ｃの点
　先願明細書（甲１８）には，「微量」（段落【０００７】）とあるだけで
具体的数値の記載はない。本件発明１によれば，含窒素塩基性化合物を，ｃの点に
係る割合で，特定のアルカリ不溶性又は難溶性樹脂及び特定の感放射線性酸形成剤
と一緒に用いることによって，先願明細書に記載されていない優れたパターン形状
及びフォーカス許容性を達成することができたのであるから，含窒素塩基性化合物
の含有量と直結した表現ではないとはいえ，含有量をｃの点のように特定した技術
的意義は十分に存在するのであるから，ｃの点が先願明細書に記載されているとは
いえない。
(5)以上のとおり，本件発明１は，先願発明とａ～ｃの点で相違し，これらの
点は周知事項ではなく，本件発明１の優れた効果をもたらす点で技術的意義を有す
るから，本件発明１は先願発明と実質的に同一ではない。
４　取消事由４（本件発明２，３と先願発明との同一性についての認定判断の誤
り）
　本件発明２，３は，本件発明１における酸解離性基を更に特定したものであ
るから，本件発明１と先願発明との同一性についての認定判断が誤りである以上，
これを前提とする本件発明２，３と先願発明との同一性についての認定判断も誤り
である。
第４　被告の反論
　　　決定の認定判断に誤りはなく，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。
　１　取消事由１（本件発明１と周知技術との相違点についての判断の誤り）につ
いて
(1)化学増幅型ポジ型レジストと含窒素塩基性化合物との組合せを阻害する要
因について
　　平成元年６月２６日工業調査会発行，フォトポリマー懇話会編「フォトポ
リマーハンドブック」７０頁～７６頁（乙１，以下「乙１刊行物」という。）の
「１．５酸触媒と化学増幅効果を利用したレジストの高感度化」の章によれば，刊
行物１０，１１（甲１６，１７）に記載されたポジ型レジストが，化学増幅型ポジ
型レジストであることが明らかであり，刊行物１０には，貯蔵の間の安定化のため
に含窒素塩基性化合物を添加することが，刊行物１１には，露光後の感度の安定化
のために含窒素塩基性化合物を添加することが，それぞれ記載されている。また，
特開平２－２９６２５０号公報（乙２，以下「乙２公報」という。）に記載される
ように，化学増幅型ポジ型レジストにおいては，含窒素塩基性化合物の存在による
感放射線性酸形成剤から発生した酸（Ｈ）の中和は，レジストに悪影響を及ぼす
ものではなく，むしろパターン形状を良好にするものであることが，本件特許出願
前に既に公知である。
　　以上のとおり，化学増幅型ポジ型レジストに関し，刊行物１０には，貯蔵
の間の安定化のために含窒素塩基性化合物を添加することが，また，刊行物１１に
は，露光後の感度の安定化のために含窒素塩基性化合物を添加することがそれぞれ
記載され，さらに，乙２公報には，酸発生剤から発生した酸がアミンで中和される
ことを利用して，パターン形状を良好にすることが記載されているのであるから，
化学増幅型ポジ型レジストと含窒素塩基性化合物との組合せを阻害する要因がある
ということはできない。これらの記載からみて，原告の上記第３の１(2)の主張が失
当であることは明らかである。
(2)相違点アについて
　　当初明細書（甲２）の実施例１における置換率６３％と本件明細書（甲
３）の実施例１における置換率５２％とを比較すると，解像度，パターン形状，接
着性及びフォーカスにおいて差異はなく，差異があるのは最適露光量だけである。
すなわち，露光直後に露光後ベークを行った場合の最適露光量は，それぞれ３０ｍ
Ｊ・ｃｍ－２
及び３８ｍＪ・ｃｍ－２
であり，露光後，２時間してから露光後ベークを
行った場合（安定性）の最適露光量は，それぞれ２９ｍＪ・ｃｍ－２
及び３８ｍＪ・
ｃｍ－２
であり，いずれも置換率６３％のものの方が最適露光量が少なく，高感度と
なっているのであって，５２％という上限値に，技術上の臨界的意義がないことは
明らかである。甲１９実験成績書に基づく原告の主張は，本件明細書の記載に基づ
かない主張であって，失当であり，また，甲１９実験成績書は，本件発明１におけ
る置換率の上下限値である１５％と５２％に臨界的意義があることを示しているも
のでもない。
(3)相違点イについて
　　審判における原告の平成１４年５月１３日付け特許異議意見書（乙７，以
下「乙７意見書」という。）によれば，本件発明１において，刊行物１～９（甲７
～１５）記載の発明と同一であるとの取消理由を回避するためにされた訂正により
感放射線性酸形成剤が限定されたことが明らかであり，同限定に技術上の意義がな
いことは明白である。
(4)相違点ウについて
ア　刊行物９（甲１５）には，アルカリ可溶性樹脂と１，２－キノンジアジ
ド化合物とからなるポジ型レジストを溶剤に溶解して長期間保存すると，アルカリ
可溶性樹脂の劣化及び１，２－キノンジアジド化合物の変質が徐々に進み，感度変
化，異物の増加等を起こす問題があり，これを解決するために，アルキルアミン，
アリールアミン，アラルキルアミン及び含窒素複素環式化合物から選ばれる少なく
とも１種類の含窒素化合物を０．００１～５重量部含有させることが記載されてお
り，同記載から，長期間の保存中における１，２－キノンジアジドからのカルボン
酸の発生を除去するために，アルキルアミン，アリールアミン，アラルキルアミン
及び含窒素複素環式化合物から選ばれる少なくとも１種の含窒素化合物を添加する
ものであることは，当業者が当然に理解するところである。そうすると，１，２－
キノンジアジド化合物は，感放射線性酸形成剤の一種であるから，感放射線性化合
物として感放射線性酸形成剤を用いる化学増幅型ポジ型レジストにおいても，刊行
物９に記載された含窒素化合物を添加することにより，当該感放射線性酸形成剤の
変質を防止し得ることは，当業者が当然に予期し得ることにすぎない。そして，含
窒素塩基性化合物が化学増幅型ポジ型レジストに悪影響をもたらすものではないこ
とは上記(1)のとおりである。
イ　刊行物１０（甲１６）記載のポジ型レジストは，樹脂は異なるが，本件
発明１と同様の化学増幅型ポジ型レジストであり，置換率に関する記載はないもの
の，本件発明１における置換率の範囲「１５～５２％」に技術的意義がないこと
は，上記(2)のとおりである。さらに，刊行物１０には，揮発性である場合に最も有
利であると記載されているのであって，それ以外の場合に使用できないわけではな
い。本件特許出願当時，塩基性化合物が悪影響を与えるものとして認識されていた
との前提が誤りであることは上記のとおりであって，化学増幅型ポジ型レジストに
おいて，露光後の感度の安定性を高くする目的で，塗布後もレジスト被膜に存在す
ることを前提として，レジスト中にアミン化合物を含有させることは，本件特許出
願前に既に公知である。したがって，少量とは，本件発明１の使用量の下限値であ
る０．００１％，すなわち１０ｐｐｍよりも更に少ない量であるとする原告主張は
失当である。
ウ　本件発明１で用いられる感放射線性酸形成剤は，いずれも化学増幅型ポ
ジ型レジストに用いる感放射線性酸形成剤として本件特許出願前に周知のものであ
り，刊行物１１（甲１７）にも，「例えばジアゾニウム塩，ホスホニウム塩，スル
ホニウム塩，及びヨードニウムのＢＦ４
－
，ＰＦ６
－
，ＳｂＦ６
－
，ＳｉＦ６
－－
，ＣｌＯ４
－
などの塩，有機ハロゲン化合物，オルトキノン－ジアジドスルホニルクロリド，及
び有機金属／有機ハロゲン化合物も活性光線の照射の際に酸を形成又は分離する活
性光線感受性成分であり，本発明の酸発生化合物として使用することができる」
（２頁右上欄最終段落）と記載されており，刊行物１１記載の「酸発生化合物」に
本件発明１で用いられる感放射線性酸形成剤が包含されることは明らかである。ま
た，刊行物１１記載の樹脂が３成分系であり，本件発明１のものが２成分系である
違いはあるものの，両者は，共に化学増幅型ポジ型レジストであるから，当業者
が，刊行物１１に記載された技術的事項を，２成分系ポジ型レジストにおいて適用
する程度のことは，容易に想到し得ることである。さらに，刊行物１１には，露光
後の感度の安定性の低さをアミン化合物を含有する感光性組成物により改善すると
いう目的が記載されており，これは，本件発明１における，「感度は良好である
が，安定性に問題があり，例えば放射線照射から現像までの時間や放射線照射後の
加熱温度の違いなどにより性能が大きく変化するという問題がある」（甲３の段落
【０００３】）という課題と同じである。そうすると，化学増幅型ポジ型レジスト
である点は共通しているのであるから，２成分系のレジストにおいても，露光後の
安定性を向上させることを目的として，刊行物１１に記載された技術手段を適用す
る程度のことは，当業者が容易にし得ることである。しかも，刊行物１１に記載の
アミン化合物は，本件発明１における含窒素塩基性化合物と一致するばかりでな
く，「感光性組成物の固形分の全重量に対して０．１重量％～１０重量％が適当で
ある」（５頁右上欄第１段落）との記載からみて，添加量においても格別異なるも
のではない。また，乙２公報には，化学増幅型ポジ型レジストにおいては，放射線
照射により発生した酸がアミンにより中和される現象を利用して，レジスト膜の形
状を良好にし得ることが記載されている。そうすると，当業者であれば，露光後の
安定性ばかりでなく，パターン形状も向上するであろうことは，容易に予期し得る
ことである。
(5)顕著な作用効果について
　　本件発明１における，【請求項１】記載の（１），（２）及び（３）の３
成分は，非常に広範囲の物質を含むものであり，特定の組合せが明記されているも
のではないし，これらの樹脂あるいは化合物を個々の物質として示す場合には無数
の物質群となり，その組合せも無数に存在するものである。他方，本件明細書（甲
３）の発明の詳細な説明における実施例は，わずか３例のみであり，仮に，実施例
の効果が認められるとしても，本件発明１の無数の組合せのすべてにおいて，同様
の作用効果が奏されることを裏付けるに足りるものではない。また，（３）の成分
の添加量に関しても，発明で特定する範囲は，「０．００１～１０重量部」という
広範囲にわたるのに対し，実施例では，ポリマー１０ｇに対して，ニコチン酸アミ
ドを「０．０２ｇ」添加した実施例１，３と，チアベンダゾールを「０．０３ｇ」
添加した実施例２の，オーダー的にはほとんど変わらない２例のみであり，本件発
明１で特定する上記範囲のすべてにおいて，本件発明の作用効果を奏することは，
何ら裏付けられていない。
　２　取消事由２（本件発明２，３の進歩性の判断の誤り）について
　本件発明１と周知技術との相違点についての決定の判断に誤りがないこと
は，上記１のとおりであるから，その誤りを前提とする原告の取消事由２の主張
も，理由がない。
３　取消事由３（本件発明１と先願発明との同一性についての認定判断の誤り）
について
(1)ａの点について
　　本件発明１において，本件発明１における置換率の範囲「１５～５２％」
に技術的意義がないことは，上記１(2)のとおりである。
(2)ｂの点について
　　本件発明１において，感放射線性酸形成剤の限定に技術上の意義がないこ
とは，上記１(3)のとおりである。
(3)ｃの点について
　　本件発明１における，「樹脂１００重量部当り，０．００１～１０重量
部」という範囲は，極めて広範囲であって，先願明細書（甲１８）に記載された
「微量」も，当然にこの範囲に含まれるものであるから，実質的な相違があるとす
ることはできない。
(4)以上のとおり，本件発明１と先願発明とは実質的に同一であるとした決定
の判断に誤りはなく，原告の取消事由３の主張は理由がない。
４　取消事由４（本件発明２，３と先願発明との同一性についての認定判断の誤
り）について
　本件発明１と先願発明との同一性についての決定の認定判断に誤りがないこ
とは，上記３のとおりであるから，その誤りを前提とする原告の取消事由４の主張
も，理由がない。
第５　当裁判所の判断
　１　取消事由１（本件発明１と周知技術との相違点についての判断の誤り）につ
いて
(1)化学増幅型ポジ型レジストと含窒素塩基性化合物との組合せを阻害する要
因について
ア　原告は，本件発明１と周知技術との相違点についての決定の判断は，化
学増幅型ポジ型レジストと含窒素塩基性化合物との組合せを阻害する要因を看過し
た誤りがある旨主張するので，検討する。
　刊行物１０（甲１６）には，「（ａ）アセタールまたはケタール部分に
結合したメチロール基または置換メチロール基によって封鎖されたイミド基を有す
る重合体：（ｂ）望ましい波長の輻射線に暴露することによってフォト酸から得ら
れた酸の作用によって（ａ）のアセタールまたはケタール基を除去するのに十分な
量の潜伏性フォト酸：（ｃ）（ａ）の重合体および（ｂ）の潜伏性フォト酸を溶解
することができる溶剤からなることを特徴とするフォトレジスト組成物」（特許請
求の範囲の請求項１），「重合体は，酸に敏感なアセタールまたはケタール部分を
有し，このアセタールまたはケタール部分は，フォト酸を輻射線に暴露した場合に
接触反応によって除去され，メチロール基または置換メチロール基によってなお封
鎖されたイミド窒素原子を留どめ，このメチロール基または置換メチロール基は，
露光した組成物を水性アルカリ液中で現像した場合に除去される」（５頁左上欄最
終段落～右上欄第１段落），「工業界で公知のフォト酸，例えばジアゾナフチキノ
ンスルホン酸，アルキルハロゲン化物およびオニウム塩は，使用することができ
る。好ましい組成物は，ヨードニウムまたはスルホニウム塩，例えばジフェニルヨ
ードニウムトリフルオルメタンスルホネート・・・を使用する」（同頁右下欄最終
段落～６頁左上欄第１段落），「前記に記載した重合体以外に，フォトレジスト組
成物は，潜伏性フォト酸および溶剤を包含し，かつ場合によっては安定剤または他
の添加剤を包含することができる」（８頁右上欄下から第２段落），「少量の塩基
性物質，例えばトリアルキルアミンは，存在するか，または貯蔵の間に発生する酸
の痕跡を掃去する能力のためにレジスト溶液を安定化することが見い出された。塩
基性物質は，それが基板上への塗布後にレジスト被膜から容易に除去されるような
程度に揮発性である場合に最も有利である。このことにより，その後の処理の間に
レジストが完全に感光性にされる。しかし，幾つかの理由のために化学線に対して
殆ど感光性でないレジストが望まれる場合には，発生されたフォト酸の部分を掃去
するために被膜中に残存する非揮発性の塩基性物質は，有利であることができる」
（９頁右上欄最終段落～左下欄第１段落），「例１７・・・レジスト溶液を・・・
トリエチルアミンの痕跡を含有する２－メトキシエチルエーテル４３．５部から得
た。・・・この例は，ウェファーが露光前に軟質に焼き付けられる場合，掃去酸に
添加された揮発性アミンの痕跡がリソグラフィーに支障をきたさないことを示す」
（１３頁左上欄第２段落～右上欄第１段落）との記載がある。
　刊行物１１（甲１７）には，「活性光線の照射により酸を発生し得る化
合物，該酸により分解し得る結合を少なくとも１つ有する化合物，および該酸を捕
捉し得るかつ活性光線の照射により分解しないアミン化合物を含有することを特徴
とする感光性組成物」（特許請求の範囲の請求項１），「ポジ型感光性組成物とし
ては，活性光線の照射により酸を生成する第１の反応と，生成した酸による第２反
応，すなわち酸分解反応とにより，露光部が現像液に可溶化するという原理を利用
したものが種々知られている。・・・これらの感光性組成物はいずれも，露光後直
ちに現像した場合と，露光後しばらくしてから現像した場合とで感度が異なる，す
なわち露光後の感度の安定性が低かった。露光後の感度の安定性を向上させるた
め，光照射によりラジカル禁止種を発生する化合物を添加する技術が特開昭６１－
１６７９４５号公報に開示されているが，感度の安定性は未だ充分とはいえず，更
に改良が望まれていた」（１頁右下欄第２段落～２頁左上欄第１段落），「本発明
の目的は，露光後の感度の安定性が高く，小点（小さい網点）の再現性，調子再現
性が優れた感光性平版印刷版，およびそれに用いられる感光性組成物を提供するこ
とにある」（２頁左上欄第２段落），「本発明の酸発生化合物としては，各種の公
知化合物及び混合物が挙げられる。例えばジアゾニウム塩，ホスホニウム塩，スル
ホニウム塩，及びヨードニウムのＢＦ４
－
，ＰＦ６
－
，ＳｂＦ６
－
，ＳｉＦ６
－－
，ＣｌＯ４
－
などの塩，有機ハロゲン化合物，オルトキノン－ジアジドスルホニルクロリド，及
び有機金属／有機ハロゲン化合物も活性光線の照射の際に酸を形成又は分離する活
性光線感受性成分であり，本発明の酸発生化合物として使用することができる。原
理的には遊離基形成性の光開始剤として知られるすべての有機ハロゲン化合物は，
ハロゲン化水素酸を形成する化合物で，本発明の酸発生化合物として使用すること
ができる」（同頁右上欄最終段落），「本発明のアミン化合物とは，本発明の酸発
生化合物から発生した酸を捕捉し得る性質を有するものであり，波長が５００ｎｍ
以上の光を吸収しないアミン化合物である。具体的にはメチルアミン，ジメチルア
ミン，トリメチルアミン，エチルアミン，・・・ピペラジン，尿素などが挙げられ
る。・・・本発明の感光性組成物の固形分の全重量に対して０．１重量％～１０重
量％が適当である」（４頁右下欄最終段落～５頁右上欄第１段落），「本発明によ
り，露光後の感度の安定性が高く，小点の再現性，調子再現性に優れ，かつ感光性
平版印刷版を長期生保存した後にも感度を安定化する効果が減少しない感光性平版
印刷版，およびそれに用いられる感光性組成物が得られた」（７頁右上欄第２段
落）との記載がある。
　また，乙１刊行物には，「１．５．２　３成分系レジスト（3Component
System,3CS）　基本的には基材高分子，光酸発生剤および感酸物質からなり光によ
って発生した酸を触媒として感酸物質が反応しポリマーの溶解性などが変化し，ポ
ジ型あるいはネガ型レジストが得られる。この際，光照射後の加熱プロセスにより
酸触媒反応が促進され高感度化され，これを化学増幅と呼んでいる」（７１頁下か
ら第２段落），「１．５．３　Photodeblocking型　高分子中で現像液にたいする溶
解性を支配している官能基をブロックして不溶性にしておき，光によって生成した
酸によりブロックをはずしてポリマーの溶解性を復元させる機構のレジストであ
る」（７４頁最終段落～７５頁下から第２段落）との記載が，乙２公報には，「従
来の化学増幅型レジストにあっては，例えば，光強度のコントラストが低下する
０．３５μｍ程度のパターンルールの場合において十分なパターン形状が得られな
いという問題点があった。第３図は，従来の化学増幅型レジスト塗布膜を露光した
場合の変化を見たものであるが，露光後のベークを行なって酸を拡散させても，第
４図に示すように，パターン形状は良好でない」（２頁右上欄第１段落～第２段
落），「［作用］一般式
　　　　　　　　　　　Ｒ’
　　　　　　／
　　　　　　　　　　Ｒ－Ｃ－Ｏ－Ｎ＝Ｃ
　　　　　　　　　　　　∥＼
　　　　　　　　　　　　Ｏ　Ｒ”
（但し，Ｒ，Ｒ’，Ｒ”は各々炭化水素基又はその置換基を表わす）で示
され化合物をレジスト中に混入させたことにより，光照射時にアミンが発生し，こ
のアミンが同時に発生した酸を中和する。かかる化合物を化学増幅型レジストのベ
ースポリマー１００重量部に対し，０．１～３重量部の割合で含有させることによ
り，酸の深さ方向の分布を第１図に示すグラフのように均一化して，レジストパタ
ーン形状を良好にする」（同頁左下欄最終段落～右下欄第１段落），「本実施例に
おいて，ベースポリマーとして，一般式（１）（省略）で示されるブチルフェニル
ケトンの重合体を用いた。なお，ｔＢＯＣは，ｔ－ブチルケトンを示している」
（２頁右下欄最終段落～３頁第１段落），「本発明に係る高感度レジスト及びレジ
ストパターンの形成方法にあっては，固相中で発生したアミンと酸が中和するた
め，レジスト膜上下方向に均一化した酸濃度に依存して，微細なパターンにおいて
も良好なレジスト形状を得ることが出来る効果がある。特に，パターンルール０．
３５μｍ付近の光強度のコントラストが低下する領域においても良好なパターン形
状が得られる」（４頁左上欄第１段落～第２段落）との記載がある。
　これらの記載によれば，本件特許出願前から，活性光線などの光を照射
することにより，酸を発生する物質を含有し，発生した酸によって，アルカリ性溶
液に対する溶解度が変化する高分子物質を基材とした感光性組成物が，化学増幅型
レジスト組成物として知られていたこと，刊行物１０，１１に記載されたものが，
それぞれ化学増幅型ポジ型感光性レジスト及び化学増幅型ポジ型感光性組成物に相
当するものであることが認められる。そして，刊行物１０には，貯蔵の間の安定化
のために含窒素塩基性化合物を添加することが，刊行物１１には，露光後の感度の
安定化のために含窒素塩基性化合物を添加することが，それぞれ記載され，さら
に，乙２公報には，酸発生剤から発生した酸がアミンで中和されることを利用し
て，パターン形状を良好にすることが記載されているところ，集積回路製造技術に
欠かせない複雑，微細なパターンのレジスト膜を作製する技術は，要求される精細
度のオーダーにおいて，通常の印刷技術とは異なるものの，その本質が印刷技術そ
のものであることは周知であるから，集積回路技術は平版印刷版に用いられる感光
性組成物と技術分野が異なるということはできず，高精細な再現性が求められてい
る点で，両者は目的を一にするものであるから，両者間で技術を相互に適用する点
に何らの困難性は見いだせない。
イ　原告は，甲４～６を引用して，化学増幅型ポジ型レジストにおいては，
塩基性化合物は，光酸発生剤から発生した酸を中和してＴ－トップ皮膜を形成し，
フォトスピードがかなり遅くなったり，現像が不可能になったりする悪影響をもた
らすものとして知られていたと主張する。
　　そこで，更に検討すると，確かに，甲４（SPIEPROCEEDINGSAdvances
inResistTechnologyandProcessingVIII，Vol.1466,March1991,pp2-12）には，
「我々は，ｔ－ＢＯＣ／オニウム塩レジストシステムの性能は有機塩基から発生す
る蒸気によって激しく低下せしめられることを発見した。・・・ネガティブトーン
システムの場合，適正な線幅を得るために必要とされる紫外線照射線量が増加す
る。一方，ポジティブトーンシステムの場合，レジストと空気の界面に皮膜の生成
が見られる。両効果とも，光生成された酸が空中の有機塩基によって中和されるこ
とによって生ずる」（訳文１頁）との記載が，甲５（同IX,Vol.1672,March
1992,pp46-55）には，「『化学増幅』システムにおいて，例えばポリ－（ｔ－ＢＯ
Ｃ－スチレン）３
またはポリ－(ｔ－ＢＯＣ－スチレン－スルホン）４
と光酸発生剤と
を含有するレジストでは露光と露光後の焼成との間の遅延時間が長くなり，そのた
めレジスト表面におけるｔ－ＢＯＣ基の非ブロック化が不完全となり，結果として
塩基に溶けない層すなわち『Ｔ－トップ』プロファイルが表面に形成されることが
示された。これは明らかに『遅延問題』であるが，その理由は多岐にわたる。ま
ず，下記を区別したい。Ａ．ＰＡＣの分散または塩基性汚染物といった『内部的
な』レジスト要因　Ｂ．汚染物の外部根源，すなわち，空気中の塩基」（訳文２頁
下から第２段落），「塩基の作用をシミュレートするために，少量のメチルジエタ
ノールアミンをレジスト液に添加した。図３から分かるように，たった０．２ｐｐ
ｍでもレジストのフォトスピードにかなりの影響を及ぼした。このシステムの遅延
の問題は塩基の添加によって強化された。塩基を含んだレジストは１時間経っただ
けで現像不可能となる」（訳文６頁下から第３段落～第２段落）との記載が，甲６
（同pp24-32）には，「酸触媒作用に基づいた数多くの化学増幅レジストは，微量の
空中浮遊有機汚染物質に対して極度に敏感である。・・・例えば，空中に浮遊して
いるＮ，Ｎ－ジメチルアニリンは，１００ｐｐｂをかなり下回る量で存在していて
も，ＴＢＯＣレジストの感放射線性を大幅に低下させることが明らかとなった。マ
イクロ電子機器の製造において有機フィルムのキャスティングおよびストリッピン
グに広く用いられている１－メチル－２－ピロリドン（Ｎ－メチルピロリドンまた
はＮＭＰ）は，ＣＡレジストを劣化させるもう１つの物質であることが判明した」
（訳文１頁第１段落～最終段落）との記載がある。そうすると，甲４には，化学増
幅反応を示すレジストシステムの性能は，有機塩基から発生する蒸気によって激し
く低下されること，光生成された酸が空気中の有機塩基によって中和されることに
よりレジストと空気の界面に皮膜を生成することが，甲５には，化学増幅システム
において，露光と，露光後の焼成との間の遅延時間が長くなると「Ｔ－トップ」形
状が表面に形成されるが，その原因としてレジスト中に塩基性汚染物が存在するこ
と，この塩基性汚染物の作用をシミュレートするため，レジストに少量のメチルジ
エタノールアミンを添加したところ，レジスト溶液中に０．２ｐｐｍの添加により
光照射速度がかなり遅くなり，１時間の経過で現像が不可能となることが，甲６に
は，化学増幅レジストは微量の空中浮遊有機汚染物質に対して極度に敏感であるこ
とが開示されているものと認められる。
　　しかしながら，他方において，刊行物１０，１１に記載されたものが，
それぞれ化学増幅型ポジ型感光性レジスト及び化学増幅型ポジ型感光性組成物に相
当するものであること，刊行物１０には，貯蔵の間の安定化のために含窒素塩基性
化合物を添加することが，刊行物１１には，露光後の感度の安定化のために含窒素
塩基性化合物を添加することが，乙２公報には，酸発生剤から発生した酸がアミン
で中和されることを利用して，パターン形状を良好にすることが，それぞれ記載さ
れ，集積回路技術は平版印刷版に用いられる感光性組成物と技術分野が異なるとい
うことはできないことは，上記アのとおりである。以上の点に，甲４～６が，ＳＰ
ＩＥと称する学会が主催する第８回と第９回の会議において，２名の報告者（Ｂ
〔甲４〕とＣ〔甲５，６〕）によりされた報告にすぎないことを併せ考えると，当
業者は，甲４～６の上記記載があっても，刊行物１０，１１及び乙２公報に記載さ
れた良好な結果を得るための試行をするものというべきであり，本件特許出願当
時，化学増幅型ポジ型レジストと含窒素塩基性化合物との組合せを阻害する要因が
存在したものと認めることはできない。
(2)相違点アについて
ア　原告は，相違点アに係る構成は，含窒素塩基性化合物を含む化学増幅型
レジスト組成物において，本件特許出願前に周知事項とはいえないと主張する。し
かしながら，決定は，化学増幅型ポジ型レジスト組成物において，酸性官能基に対
する酸解離性基の置換率が「１５～５２％」であることは，刊行物４，５，７及び
８に記載されているとおり，本件特許出願前に既に周知の技術事項であるとしてい
るのであって，含窒素塩基性化合物を含む化学増幅型レジスト組成物において周知
の技術事項であると認定したものではないから，原告の上記主張は，その前提にお
いて誤りである。そして，含窒素塩基性化合物の含有の有無によって，酸性官能基
に対する酸解離性基による置換率が左右される格別の理由は見当たらないから，含
窒素塩基性化合物を含有しない化学増幅型ポジ型レジスト組成物における置換率
を，含窒素塩基性化合物を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物における置換
率に適用できないとする合理的理由はなく，原告の上記主張は理由がない。
イ　さらに，原告は，「１５～５２％」の置換率を採用することにより基板
との密着性や接着性のみならず，従来知られていない優れたパターン形状やフォー
カス許容性を達成できたのであるから，上記置換率とすることによる技術的意義が
ないということはできず，５２％という上限値の技術的意義については，甲１９実
験成績書に示されていると主張する。
　　しかしながら，本件特許出願において，酸性官能基に対する酸解離性基
による置換率について，当初明細書（乙３）では，特許請求の範囲にその記載はな
く，発明の詳細な説明に「置換基Ｂは，樹脂（Ａ）の全酸性官能基に対し，好まし
くは１５～１００％，さらに好ましくは３０～１００％導入する」（段落【００２
５】）と記載されていたものであるところ，平成１０年１１月２７日付け手続補正
書（乙４）により，特許請求の範囲に，「【請求項１】・・・少なくとも１種の酸
解離性基で，該酸性官能基に対し１５～６３％の割合で置換されたアルカリ不溶性
または難溶性樹脂」と，発明の詳細な説明に，「置換基Ｂは，樹脂（Ａ）の全酸性
官能基に対し，１５～６３％，好ましくは３０～６３％導入する」（段落【００２
３】）と記載するよう補正され，次いで，本件訂正請求により，上記第２の２のと
おり，特許請求の範囲の上記記載を「【請求項１】・・・少なくとも１種の酸解離
性基で，該酸性官能基に対し１５～５２％の割合で置換されたアルカリ不溶性また
は難溶性樹脂」と減縮し，これに伴い，発明の詳細な説明の上記「１５～６３％，
好ましくは３０～６３％」との記載を「１５～５２％，好ましくは３０～５２％」
と訂正したものである。上記手続補正書に伴って提出された原告の平成１０年１１
月２７日付け意見書（乙５）及び本件訂正請求に伴って提出された乙７意見書によ
れば，上記減縮は，拒絶理由が引用する先願明細書（甲１８）及び特願平３－３５
３０１５号に開示された置換率との同一性を回避する目的でされたものであり，そ
れ以上の技術的意義を認めるに足りる証拠はないから，「１５～５２％」の置換率
を採用することの技術的意義を認めることはできない。また，甲１９実験成績書に
基づく原告の主張は，本件明細書の記載に基づかない主張である上，甲１９実験成
績書は，本件発明１における置換率の上下限値である１５％と５２％に臨界的意義
があることを示しているものとも認められないから，採用することができない。
(3)相違点イについて
　　原告は，決定が引用する刊行物２，４，７及び８（甲８－１，１０，１３
及び１４）には，含窒素塩基性化合物を含まない化学増幅型ポジ型レジストが開示
されているにすぎないから，含窒素塩基性化合物を含む化学増幅型ポジ型レジスト
組成物において，本件発明１で用いられる特定の感放射線性酸形成剤が周知であっ
たとすることはできないと主張する。しかしながら，決定は，化学増幅型ポジ型レ
ジスト組成物において，本件発明１の式(５)又は(６)で表されるオニウム塩，式(１
４)で表されるスルホン化合物，式(１５)で表されるニトロベンジル化合物，式(１
６)，(１７)又は(１８)で表されるスルホン酸化合物が，集積回路製造用の化学増幅
型ポジ型レジストに用いる感放射線性酸形成剤として本件特許出願前に既に周知で
あるとしているのであって，含窒素塩基性化合物を含む化学増幅型レジスト組成物
において周知であると認定したものではないから，原告の上記主張は，その前提に
おいて誤りである。そして，含窒素塩基性化合物の含有の有無によって，感放射線
性酸形成剤の選択が左右される格別の理由は見当たらないから，含窒素塩基性化合
物を含有しない化学増幅型ポジ型レジスト組成物における周知の感放射線性酸形成
剤置換率を，含窒素塩基性化合物を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物に適
用できないとする合理的理由はなく，原告の上記主張は理由がない。
(4)相違点ウについて
ア　原告は，決定が引用する刊行物９（甲１５）に記載されているポジ型感
放射線性樹脂組成物は，アルカリ可溶性樹脂を用いる非化学増幅型であり，また，
本件発明１で用いない１，２－キノンジアジド化合物を感放射線性酸形成剤に用い
る点で基本的に相違し，構成成分及び露光による反応機構の違い，並びに含窒素塩
基性化合物の影響の大きさの違いを考慮すると，刊行物９に含窒素塩基性化合物の
効果として保存安定性が記載されているからといって，化学増幅型ポジ型レジスト
組成物に含窒素塩基性化合物を含ませることも，その結果として優れたパターン形
状やフォーカス許容性という格別の効果を奏することも，いずれも想到することは
できないと主張する。
　　しかしながら，化学増幅型も非化学増幅型も，感光により感放射線性酸
発生剤から発生した酸により，アルカリ不溶性となっていた樹脂組成物が，可溶性
に変化してパターンが形成される点では一致しているものである。そして，刊行物
９には，「アルカリ可溶性樹脂と１，２－キノンジアジド化合物とからなるポジ型
レジストを溶剤に溶解して長期間保存すると，アルカリ可溶性樹脂の劣化および
１，２－キノンジアジド化合物の変質が徐々に進み，感度変化，異物の増加等を起
こす問題がある。・・・このような感度変化や異物の発生は，解像度，感度，現像
性等のレジスト性能に大きな影響を与え，集積回路作製時の歩留まり悪化の原因と
なる」（２頁左上欄第２段落），「〔発明が解決しようとする問題点〕本発明の目
的は，・・・長期間または室温よりも高い温度で保存しても，感度変化や異物の増
加がほとんどない保存安定性に優れたポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する」
（同頁左上欄最終段落～右上欄第１段落），「〔問題点を解決するための手段〕本
発明は，アルカリ可溶性樹脂１００重量部と，１，２－キノンジアジド化合物５～
１００重量部と，アルキルアミン，アリールアミン，アラルキルアミンおよび含窒
素複素環式化合物から選ばれる少なくとも１種類の含窒素化合物０．００１～５重
量部とを含有することを特徴とする」（同頁右上欄第２段落）と記載されている。
ここで，上記１，２－キノンジアジド化合物は，感放射線性酸発生剤であるから，
刊行物９に記載された非化学増幅型ポジ型レジスト組成物においても，感放射線性
酸発生剤の一つである１，２－キノンジアジド化合物の変換によるレジスト性能へ
の悪影響は知られていたのであり，刊行物９には，この悪影響を防止するために，
含窒素塩基性化合物を加える技術が記載されているのであるから，非化学増幅型ポ
ジ型レジスト組成物と同等以上に発生した酸の悪影響が懸念される感放射線性酸発
生剤を含む化学増幅型ポジ型レジスト組成物に上記技術を適用して，感放射線性酸
発生剤の変質を防止しようとすることは，当業者が容易に想到し得ることといわな
ければならない。
　　したがって，原告の上記主張は，採用することができない。
イ　また，原告は，刊行物１０（甲１６）に記載のフォトレジスト組成物
は，本件発明１とは使用する樹脂が全く相違すること，本件発明１とは，酸解離性
基による封鎖率（置換率）も相違すること，少量の塩基性化合物のレジストへの使
用が開示されているが，レジスト被膜から容易に除去される程度に揮発性である場
合に最も有利であり，そのことにより，その後の処理の間にレジストが完全に感光
性にされることも開示されているから，露光時にレジスト被膜中に塩基性化合物が
存在することによる積極的な効果を開示するものではなく，塩基性化合物の存在に
より優れたパターン形状やフォーカス許容性を示すことは何ら示唆していないこ
と，塩基性化合物の具体例が本件発明１で用いられる含窒素塩基性化合物と重複し
ているが，その量は，酸の痕跡を中和する程度の少量を用いるにすぎず，本件発明
１における下限値よりも更に少ない量であることを理由に，本件発明１は，従来技
術では達成されなかった優れたパターン形状やフォーカス許容性を達成できたもの
であり，刊行物１０から想到することはできないと主張する。
　　確かに，刊行物１０記載のフォトレジスト組成物は，本件発明１と使用
する樹脂が相違するが，刊行物１０記載のものも，本件発明１と同様の化学増幅型
ポジ型レジスト組成物であるところ，樹脂の相違によって，刊行物１０記載の技術
事項を適用することが左右される格別の理由は見当たらず，刊行物１０には，置換
率に関する記載はないものの，本件発明１における置換率の範囲に技術的意義がな
いことは，上記(2)のとおりである。また，刊行物１０には，揮発性である場合に最
も有利であると記載されているのであって，それ以外の場合に使用できない理由は
ないから，露光時にレジスト被膜中に塩基性化合物が存在することによる積極的な
効果を開示するものではないということはできない。さらに，刊行物９（甲１５）
の上記アの記載にあるように，非化学増幅型ポジ型レジストではあるが，感放射線
性酸発生剤である１，２－キノンジアジド化合物５～１００重量部を含むレジスト
樹脂１００重量部当り，すなわち，これらの合計量１０５～２００重量部当り，含
窒素塩基性化合物を０．００１～５重量部含有させること，換言すれば，１，２－
キノンジアジド化合物により，アルカリ不溶化されたアルカリ可溶性樹脂を含むレ
ジスト組成物１００重量部当り，０．０００５～４．７６重量部の含窒素塩基性化
合物を添加することが公知であるから，この値を参考として，刊行物１０に記載さ
れた「少量」を，本件発明１に規定される「アルカリ不溶性樹脂１００重量部当り
０．００１～１０重量部」との添加量を設定することは，当業者が容易にし得るこ
とというべきである。
ウ　刊行物１１（甲１７）に記載された感光性組成物が平版印刷版用の樹脂
であることは，原告主張のとおりであり，要求される精細度に差があることが認め
られるが，高精細な再現性が求められている点で，両者は目的を一にするものであ
るから，両者間で技術を相互に適用する点に何らの困難性は見いだせないことは，
上記(1)のとおりである。そして，刊行物１１の上記(1)の記載によれば，本件発明
１における含窒素塩基性化合物の具体例と重複するアミン化合物を，本件発明１で
規定される添加量と十分重複する範囲内の添加量で含有させることにより，露光後
の感度の安定性が高く，小点の再現性及び調子再現性が優れた感光性平版印刷版に
使用する感光性組成物を提供できることが開示されていると認められるから，同じ
く化学増幅型感光性組成物であるポジ型レジストに適用した場合においても，露光
後の感度の安定性の効果が得られることは，当業者が当然に予測し得ることであ
る。
(5)顕著な作用効果について
　原告は，本件発明１における，【請求項１】記載の（１），（２）及び
（３）の３成分の組合せに係る集積回路製造用ポジ型レジスト組成物は，本件特許
出願当時の技術水準から，その組合せが当業者に予測し難く，しかも，この組合せ
によって優れたパターン形状やフォーカス許容性が達成されることは，当業者が予
期し得ない顕著な作用効果であると主張する。しかしながら，相違点ア～ウに係る
構成は当業者が容易に想到し得るものであることは，上記のとおりであり，その組
合せを困難とする理由も見当たらないから，当業者が予測し難い組合せであるとい
うことはできず，その奏する作用効果も，当業者が予期し得ない顕著なものとは認
め難い。乙２公報には，本件発明１が採用するフォーカス許容性０．４μｍのライ
ンアンドスペースに比較し，更に間隔の狭い０．３５μｍのパターンルール（ライ
ンアンドスペース）を採用した場合においても良好なパターン形状が得られること
が記載されているが，同記載は，原告主張の作用効果が顕著なものといえないこと
を裏付けるものである。
(6)以上によれば，原告の取消事由１の主張は理由がないというべきである。
　２　取消事由２（本件発明２，３の進歩性の判断の誤り）について
　本件発明１と周知技術との相違点ア～ウについての決定の判断に誤りがない
ことは，上記１のとおりであるから，その誤りを前提とする原告の取消事由２の主
張も，理由がない。
３　以上のとおり，原告主張の取消事由１，２はいずれも理由がなく，本件発明
１～３の進歩性を否定した決定の判断に誤りはないから，その余の取消事由につい
て判断するまでもなく，本件発明１～３に係る本件特許は拒絶の査定をしなければ
ならない特許出願に対してされたものであるとした決定に誤りはなく，他に決定を
取り消すべき瑕疵は見当たらない。
　よって，原告の請求は理由がないから棄却することとし，主文のとおり判決
する。
　　　　　東京高等裁判所知的財産第２部
　　　　　　　　　　　裁判長裁判官　　　篠　　原　　勝　　美
　　　　　　裁判官　　　岡　　本　　　　　岳
　　　　　　裁判官　　　早　　田　　尚　　貴

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