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平成２６年５月２２日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２４年（ワ）第１４２２７号損害賠償請求事件
口頭弁論の終結の日平成２６年３月２０日
判決
徳島県阿南市＜以下略＞
原告日亜化学工業株式会社
同訴訟代理人弁護士古城春実
牧野知彦
堀籠佳典
加治梓子
同訴訟復代理人弁護士八木啓介
同補佐人弁理士蟹田昌之
大阪府守口市＜以下略＞
被告三洋電機株式会社
同訴訟代理人弁護士尾崎英男
上野潤一
日野英一郎
今田瞳
鷹見雅和
主文
１被告は，原告に対し，１億円及びこれに対する平成
２４年５月２６日から支払済みまで年５分の割合に
よる金員を支払え。
２訴訟費用は被告の負担とする。
３この判決は仮に執行することができる。
事実及び理由
第１請求
被告は，原告に対し，１億円及びこれに対する訴状送達の日の翌日から支払
済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２事案の概要
本件は，ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法に関する特許権を有し
ていた原告が，(1)被告は，窒化ガリウム系化合物半導体レーザー素子を組み
込んだ半導体レーザー製品を製造，販売して原告の特許権を侵害し，これによ
り損害を受けた，(2)被告は原告に無断で原告の特許権に係る発明を実施して
法律上の原因なく利得し，そのために原告に損失を及ぼしたとして，不法行為
による損害賠償請求権又は不当利得返還請求権に基づき，平成１４年３月から
平成２３年１２月２４日までの間に原告が受けた実施料相当額の損害又は被告
が受けた実施料相当額の利益１２億５０００万円のうちの１億円及びこれに対
する不法行為の後であり，訴状送達により支払を催告した日の翌日から支払済
みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求める事案である。
１前提事実（当事者間に争いのない事実並びに各項末尾掲記の証拠及び弁論の
全趣旨により容易に認められる事実）
(1)原告の特許権
ア原告は，平成３年１２月２４日，発明の名称を「ｐ型窒化ガリウム系化
合物半導体の製造方法」とする発明について特許出願し，平成８年７月２
５日に特許権（特許番号第２５４０７９１号。以下「本件特許権」といい，
この特許を「本件特許」という。）の設定の登録がされた。請求項の数は
４である。
イ本件特許に対し特許異議の申立てがされ，これが特許庁に係属していた
平成９年９月２４日，原告は，特許請求の範囲の減縮又は明りょうでない
記載の釈明を目的として，願書に添付した明細書の訂正を請求した（以下，
この訂正を「本件訂正」という。）。本件訂正は，特許請求の範囲の請求
項１を訂正し，明細書の発明の詳細な説明の段落【０００８】を訂正する
という内容を含むものである。本件訂正前後の特許請求の範囲の請求項１
の記載は次のとおりである。
(ア)本件訂正前の記載
【請求項１】気相成長法により，ｐ型不純物がドープされた窒化ガリ
ウム系化合物半導体を成長させた後，４００℃以上の温度でアニーリン
グを行うことを特徴とするｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
(イ)本件訂正後の記載（訂正部分に下線を付す。）
【請求項１】気相成長法により，ｐ型不純物がドープされた窒化ガリ
ウム系化合物半導体を成長させた後，実質的に水素を含まない雰囲気中，
４００℃以上の温度でアニーリングを行い，上記ｐ型不純物がドープさ
れた窒化ガリウム系化合物半導体層から水素を出すことを特徴とするｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
ウ特許庁は，平成１０年２月１８日，上記特許異議申立事件について，
「訂正を認める。特許第２５４０７９１号の請求項１ないし４に係る特許
を維持する。」との決定をし，上記決定は，そのころ確定した。
（甲２の２・３，乙３の１ないし１２）
(2)被告の行為
被告は，平成２３年１２月２４日までの間，業として，ｐ型窒化ガリウム
系化合物半導体を利用したレーザー素子を組み込んだ半導体レーザー製品
（以下「被告製品」という。）を製造，販売した。
(3)被告製品の中のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法（以下
「被告方法」という。）における本件特許に係る発明の構成要件充足性
ア本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件発明」
という。）を構成要件に分説すると，次のとおりである（以下，分説した
構成要件をそれぞれの符号に従い「構成要件Ａ」のようにいう。）。
Ａ気相成長法により，ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物
半導体を成長させた後，
Ｂ実質的に水素を含まない雰囲気中，
Ｃ４００℃以上の温度でアニーリングを行い，
Ｄ上記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層から水
素を出す
Ｅことを特徴とするｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
イ被告方法
被告方法は，ＭＯＣＶＤにより，Ｍｇがドープされた窒化ガリウム系化
合物半導体を成長させた後，４００度以上の温度でアニーリングを行うこ
とを特徴とするｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法であり，本件
発明の構成要件Ａ，Ｃ及びＥを充足する。
２争点
争点は，本件発明の構成要件Ｂ及びＤに対比される被告方法の構成，被告方
法における本件発明の技術的範囲の属否であり，これに関する当事者の主張は，
次のとおりである。
(1)争点(1)（本件発明の構成要件Ｂ及びＤに対比される被告方法の構成）に
ついて
ア原告
被告方法は，アニーリングにより低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体を得ることの妨げにならない程度にしか水素を含まない雰囲気又はほ
ぼ０％から理論的な最大値で１．３％のアンモニアを含む雰囲気中，４０
０℃以上の温度でアニーリングを行い，これにより，Ｍｇがドープされた
窒化ガリウム系化合物半導体から水素を出すというものである。
イ被告
被告方法は，１．３％のアンモニアを含む，窒素ガスとアンモニアガス
の混合雰囲気中，４００℃以上の温度でアニーリングを行うものであり，
その際に，Ｍｇがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体から水素を出
すかについては確認したことがない。
(2)争点(2)（被告方法における本件発明の技術的範囲の属否）について
ア被告方法が本件発明の構成要件Ｂ及びＤを充足するか。
(ア)原告
ａ本件発明の構成要件Ｂについて
(ａ)従来，窒化ガリウムにおいてｐ型ができなかった理由の一つは，
窒化ガリウムを気相成長法で成長させる場合に，窒素の原料として
用いるアンモニアが半導体層の成長中に原子状水素となって，Ｍｇ
などのｐ型不純物と結合して，ｐ型不純物がアクセプターとして機
能することを妨げたことにある。本件発明は，このような原理的な
問題に対し，半導体層を成長させた後にアニーリングを行い，その
熱によって，Ｍｇ－Ｈ，Ｚｎ－Ｈ等の形で結合している水素を解離
し，当該水素がｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導
体層から出て行くようにすることで，正常にｐ型不純物がアクセプ
ターとして機能するようにしたものである。そして，特許出願にお
いて，「実質的に…含まない」との用語は様々な技術分野において
多用されるが，その使用例からすると，作用効果を基準に，数値的
には数％程度以下をもって「実質的に…含まない」ものと解釈され
ている。そうであるから，構成要件Ｂの「実質的に水素を含まない
雰囲気」は，アニーリングにより低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体を得ることの妨げにならない程度にしか水素を含まない雰
囲気を意味する。
(ｂ)被告方法のアニーリングの雰囲気は，そもそもアニーリングに
より低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を得ることの妨げに
ならない程度にしか水素を含まないし，仮に理論的な最大値で１．
３％までのアンモニアを含有していても，アニーリングにより窒化
ガリウム系化合物半導体がｐ型化しているから，アニーリングによ
り低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を得ることの妨げにな
らない程度にしか水素を含んでいない。そうであるから，被告方法
は構成要件Ｂを充足する。
ｂ本件発明の構成要件Ｄについて
被告方法は，アニーリングを行い，Ｍｇがドープされた窒化ガリウ
ム系化合物半導体から水素を出すものであるから，構成要件Ｄを充足
する。
(イ)被告
ａ本件発明の構成要件Ｂについて
(ａ)「実質的に水素を含まない雰囲気」は，水素を含まない雰囲気
を意味する表現であるが，雰囲気中には通常の方法で除去すること
ができない水素が存在するので，このことを許容するために「実質
的に」という文言を付したものと解される。
このことは，本件特許出願の願書に添付した明細書（以下「本件
明細書」という。）の実施例におけるアニーリング雰囲気が窒素雰
囲気又はアルゴンと窒素の混合ガス雰囲気であり，本件明細書中に
アニーリング雰囲気中に水素を含むことを許容する記載がないこと
からも明らかである。
しかも，原告は，特許異議申立事件において，特許庁が，異議申
立人が提出した「ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＣＲＹＳＴＡＬＧＲＯ
ＷＴＨ，４２（１９７７）１３６～１４３（以下「本件刊行物」と
いう。）」には，気相成長法により，ｐ型不純物がドープされた窒
化ガリウム系化合物半導体を成長させた後，４００℃以上の温度
（９５０℃）でアニーリングを行うｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体の製造方法が記載され，本件訂正前の請求項１に記載された発明
と本件刊行物に記載されている発明とが同一であるとして，取消理
由を通知したところ，本件訂正により，本件発明が水素を含まない
雰囲気中でアニーリングを行うことを示して，本件刊行物に記載さ
れている発明と区別し，本件特許を維持したのである。
そうであるから，「実質的に水素を含まない雰囲気」は，通常の
方法では除去することができない程度にしか水素を含まない雰囲気
を意味する。
(ｂ)１．３％のアンモニアを含む雰囲気中でアニーリングを行う場
合の作用効果は，窒素雰囲気中でアニーリングした場合の作用効果
と異なり，１０％のアンモニアを含む雰囲気中でアニーリングした
場合の作用効果と同様であり，１．３％のアンモニアを含む雰囲気
は，通常の方法では除去することができない程度にしか水素を含ま
ない雰囲気であるとはいえないから，被告方法は構成要件Ｂを充足
しない。
ｂ本件発明の構成要件Ｄについて
被告方法では，Ｍｇがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体か
ら水素を出すかどうかを確認していないから，構成要件Ｄを充足する
ということはできない。
イ被告方法が本件発明と均等なものであるか。
(ア)原告
仮に構成要件Ｂの「実質的に水素を含まない雰囲気」が通常の方法で
は除去することができない程度にしか水素を含まない雰囲気を意味し，
被告方法が構成要件Ｂを充足しないと認められるとしても，その差異は，
被告方法が理論的最大値で１．３％のアンモニアを含む混合ガスを導入
した雰囲気である点にあるところ，①被告方法において僅かの水素源を
含ませることに課題解決手段としての本質的な差異はなく，②本件発明
の構成を被告方法に置き換えても，特許発明の目的を達成することがで
き，同一の作用効果を奏し，③被告方法実施時の技術水準において，ア
ニーリングの雰囲気に多少の水素源を加えてもｐ型化の妨げにならない
ことは，当業者であれば容易に想到することができ，④被告方法が本件
発明に対する公知技術から容易に推考できたものでなく，⑤本件発明に
は意識的限定などの特段の事情はない。
そうであるから，被告方法は本件発明の構成と均等なものとして本件
発明の技術的範囲に属する。
(イ)被告
本件訂正によれば，「実質的に水素を含まない雰囲気中」でアニーリ
ングを行うのであるから，アニーリングの雰囲気を通常の方法では除去
することができない程度にしか水素を含まない雰囲気とすることが本件
発明の本質的な部分であり，また，本件訂正は，原告が，「実質的に水
素を含まない雰囲気」以外の雰囲気でアニーリングを行う第三者の行為
に対し本件特許権を行使しない意思を表明したものであるから，明確な
意識的限定を示す行為である。
そうであるから，被告方法は，本件発明の構成と均等なものであると
いうことはできず，本件発明の技術的範囲に属しない。
第３当裁判所の判断
１争点(1)（本件発明の構成要件Ｂ及びＤに対比される被告方法の構成）につ
いて
前記前提事実に，証拠（乙７，８，１７ないし１９）を総合すれば，被告方
法は，ＭＯＣＶＤにより，Ｍｇがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体を
成長させた後，１．３％のアンモニアを含む窒素ガスとアンモニアガスの混合
雰囲気中，４００度以上の温度でアニーリングを行うことが認められる。また，
証拠（甲３９）によれば，アンモニアの流量比が２．５％未満の雰囲気におい
て，４００℃以上でアニーリングすると，水素パッシベーション（水素結合）
を発生させることなく，窒化物半導体がｐ型化することが認められる。
これらを総合すれば，被告方法は，１．３％のアンモニアを含む雰囲気中，
４００℃以上の温度でアニーリングを行い，Ｍｇがドープされた窒化ガリウム
系化合物半導体から水素を離脱させるものであることが認められる。
２争点(2)（被告方法における本件発明の技術的範囲の属否）について
(1)被告方法が本件発明の構成要件Ｂ及びＤを充足するか。
ア本件発明の構成要件Ｂについて
(ア)証拠（甲２の３）によれば，(ａ)本件発明は，紫外，青色発光レー
ザーダイオードや紫外，青色発光ダイオード等の発光デバイスに利用さ
れるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法，詳しくは，気相成長
法によりｐ型不純物をドープして形成した窒化ガリウム系化合物半導体
層を低抵抗なｐ型にする方法に関する，(ｂ)青色発光素子は，Ⅱ－Ⅵ族
のＺｎＳｅ，Ⅳ－Ⅳ族のＳｉＣ，Ⅲ－Ⅴ族のＧａＮ等を用いて研究が進
められていて，最近は，その中の窒化ガリウム系化合物半導体［ＧａX
Ａｌ1-XＮ（ただし０≦Ｘ≦１）］が常温で比較的優れた発光を示すこと
が発表されて注目されているが，窒化ガリウム系化合物半導体が低抵抗
なｐ型にできないために，ダブルヘテロ，シングルヘテロ等の数々の構
造の発光素子ができず，窒化ガリウム系化合物半導体を有する青色発光
デバイスは未だ実用化に至っていない，(ｃ)高抵抗なｉ型を低抵抗化し
てｐ型に近づけるための手段として特開平２－２５７６７９号公報に，
ｐ型不純物としてＭｇをドープした高抵抗なｉ型窒化ガリウム化合物半
導体を最上層に形成した後に，加速電圧６ないし３０ｋＶの電子線をそ
の表面に照射して，表面から約０．５μｍの層を低抵抗化する技術が開
示されているが，この方法では電子線の侵入深さ，すなわち，極表面し
か低抵抗化できず，また，電子線を走査しながらウエハー全体を照射し
なければならないために面内均一に低抵抗化できないという問題があっ
た，(ｄ)本件発明は，このような問題を解決するために，ｐ型不純物を
ドープした窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗なｐ型とし，膜厚によ
らず抵抗値がウエハー全体に均一で，発光素子をダブルヘテロ，シング
ルヘテロ構造可能な構造とできるｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製
造方法を提供することを目的として，特許請求の範囲の請求項１の構成
を採用した，(ｅ)本件発明のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方
法は，気相成長法により，ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合
物半導体層を形成した後，実質的に水素を含まない雰囲気中，４００℃
以上の温度でアニーリングを行い，上記ｐ型不純物がドープされた窒化
ガリウム系化合物半導体層から水素を出すことを特徴とするものであり，
これにより，従来ｐ型不純物をドープしても低抵抗なｐ型にならなかっ
た窒化ガリウム系化合物を低抵抗なｐ型にすることができるので，数々
の構造の素子を製造することができ，また，従来の電子線照射による方
法では最上層の極表面しか低抵抗化することができなかったが，アニー
リングによってｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体
層全体をｐ型化することができるので，面内均一に，かつ，深さ方向均
一にｐ型化することができ，しかも，どこの層にでもｐ型層を形成する
ことができ，さらに，厚膜の層を形成することができるので，高輝度な
青色発光素子を得ることができるという作用効果を奏する，以上の事実
が認められる。
(イ)「実質」とは，「物事の内容または本質」を意味し，「実質的」と
は，「実際に内容が備わっているさま。また，外見や形式よりも内容・
実質に重点をおくこと。」を意味する（広辞苑第六版）から，構成要件
Ｂの「実質的に水素を含まない雰囲気」との文言は，文字通り水素を全
く含まない雰囲気ではなく，水素を含んでいても，その内容や本質にお
いて，水素を含まないと認められる雰囲気をいうと解される。
そして，証拠（甲２の３）によれば，本件明細書の発明の詳細な説明
には，「【０００９】アニーリング（Annealing：焼きなまし）はｐ型
不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した後，反応
容器内で行ってもよいし，ウエハーを反応容器から取り出してアニーリ
ング専用の装置を用いて行ってもよい。アニーリング雰囲気は真空中，
Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ等の不活性ガス，またはこれらの混合ガス雰囲
気中で行い，最も好ましくは，アニーリング温度における窒化ガリウム
系化合物半導体の分解圧以上で加圧した窒素雰囲気中で行う。なぜなら，
窒素雰囲気として加圧することにより，アニーリング中に，窒化ガリウ
ム系化合物半導体中のＮが分解して出て行くのを防止する作用があるか
らである。」，「【００２１】アニーリングにより低抵抗なｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体が得られる理由は以下のとおりであると推察され
る。【００２２】即ち，窒化ガリウム系化合物半導体層の成長において，
Ｎ源として，一般にＮＨ3が用いられており，成長中にこのＮＨ3が分解
して原子状水素ができると考えられる。この原子状水素がアクセプター
不純物としてドープされたＭｇ，Ｚｎ等と結合することにより，Ｍｇ，
Ｚｎ等のｐ型不純物がアクセプターとして働くのを妨げていると考えら
れる。このため，反応後のｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合
物半導体は高抵抗を示す。【００２３】ところが，成長後アニーリング
を行うことにより，Ｍｇ－Ｈ，Ｚｎ－Ｈ等の形で結合している水素が熱
的に解離されて，ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体
層から出て行き，正常にｐ型不純物がアクセプターとして働くようにな
るため，低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が得られるのである。
従って，アニーリング雰囲気中にＮＨ3，Ｈ2等の水素原子を含むガスを
使用することは好ましくない。また，キャップ層においても，水素原子
を含む材料を使用することは以上の理由で好ましくない。」との記載が
あることが認められる。これらの記載に前記(ア)認定の事実を併せ考え
ると，本件発明は，アニーリングという技術手段を採用して，これによ
り，ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体から水素を出
すという作用が生じ，ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が製造されると
いう効果が得られるというものである。そして，この場合のアニーリン
グ雰囲気は，真空中，Ｎ2，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ等の不活性ガス又はこれ
らの不活性ガスの混合ガス雰囲気中で行うのが好ましく，さらに，アニ
ーリング温度における窒化ガリウム系化合物半導体の分解圧以上で加圧
した窒素雰囲気中で行うのが最も好ましいとされる。これに対し，アニ
ーリング雰囲気中にＮＨ3，Ｈ2等の水素原子を含むガスを使用したりキ
ャップ層に水素原子を含む材料を使用することは，ｐ型不純物に結合し
た水素原子を熱的に解離するというｐ型のための反応が進行せず，上記
作用効果を奏しないことがあるので好ましくないとされるが，逆に，ｐ
型不純物に結合した水素原子を熱的に解離するというｐ型化のための反
応が進行して，上記作用効果を奏することもあると考えられることから，
アニーリング雰囲気中にＮＨ3，Ｈ2等の水素原子を含むガスを使用した
り，キャップ層に水素原子を含む材料を使用することが排除まではされ
ていないということができる。
そうであれば，構成要件Ｂの「実質的に水素を含まない雰囲気」とは，
このような作用効果を奏するような雰囲気，言い換えれば，アニーリン
グにより低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を得ることの妨げに
ならない程度にしか水素を含まない雰囲気を意味するものと解するのが
相当である。
(ウ)被告は，次のように主張して，構成要件Ｂの「実質的に水素を含ま
ない雰囲気」が通常の方法で除去することができない程度にしか水素を
含まない雰囲気を意味するとする。
ａ被告は，本件明細書の実施例におけるアニーリング雰囲気は窒素雰
囲気又はアルゴンと窒素との混合ガス雰囲気であり，本件明細書中に
アニーリング雰囲気中に水素を含むことを許容する記載はないと主張
する。
証拠（甲２の３）によれば，本件明細書の発明の詳細な説明には，
６の実施例が掲げられていて，そのうちの実施例１及び３ないし６で
は，窒素雰囲気中でアニーリングを行い，実施例２では窒素とアルゴ
ンの混合ガス雰囲気中でアニーリングを行っていること（段落【００
２４】ないし【００４１】）が認められる。しかしながら，実施例は
発明の好ましい態様を開示したものであって，特許発明の技術的範囲
が実施例に限定されるわけではないし，本件明細書の発明の詳細な説
明の段落【００２３】には，アニーリング雰囲気中に水素原子を含む
ガスを使用することが「好ましくない」と記載されているものの，水
素を含む雰囲気中でのアニーリングが排除されていないことは，前示
のとおりである。
被告の上記主張は，採用することができない。
ｂ被告は，原告が，本件訂正により，本件発明が水素を含まない雰囲
気中でアニーリングを行うことを示して，本件刊行物に記載されてい
る発明と区別して本件特許を維持したと主張する。
証拠（甲２の１，乙３の７ないし３の９，３の１１，３の１２）に
よれば，原告は，特許異議申立事件において，特許庁から，本件刊行
物には気相成長法により，ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系
化合物半導体を成長させた後，４００℃以上の温度（９５０℃）でア
ニーリングを行うｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法が記載
されているから，本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１に記載され
た発明と本件刊行物に記載されている発明とは同一であるとして，特
許法２９条１項３号の規定により特許を受けることができないとの取
消しの理由の通知を受けて，本件訂正を請求し，その原因として，
「実質的に水素を含まない雰囲気中，４００℃以上の温度でアニーリ
ングを行い，上記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半
導体層から水素を出す」ことは特許明細書の段落【００２３】に記載
されていたものであると述べ，また，併せて，本件刊行物には，９５
０℃で，高抵抗のＧａＮ：Ｚｎ層をＮＨ３分圧が０．１５気圧である
ＮＨ３－Ｎ２混合雰囲気下でアニールされることが記載されていると
ころ，このような雰囲気条件はアニーリング温度で分解して原子状水
素を供給するので，実質的に水素を含み，本件発明の雰囲気条件「実
質的に水素を含まない」と相異するとの意見を述べたことが認められ
る。
上記認定の事実によれば，原告は，取消理由を解消するために，本
件刊行物に記載されている発明が，実質的に水素を含む雰囲気中でア
ニーリングを行う発明であると評価して，実質的に水素を含まない雰
囲気中でアニーリングを行う本件発明と相違するとの意見を述べてい
るのであって，原告が，「実質的に水素を含まない雰囲気」をもって，
「通常の方法で除去することができない程度にしか水素を含まない雰
囲気」を意味すると主張したということはできない。
被告の上記主張は，採用することができない。
(エ)被告方法は，１．３％のアンモニアを含む雰囲気中でアニーリング
を行い，これにより，ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を製造するので
あって，アニーリング雰囲気中の１．３％のアンモニアから生じる水素
原子は，窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型化することを妨げていない。
そうであるから，被告方法は，アニーリングにより低抵抗なｐ型窒
化ガリウム系化合物半導体を得ることの妨げにならない程度にしか水素
を含まない雰囲気中でアニーリングを行うものであって，本件発明の構
成要件Ｂを充足する。
イ本件発明の構成要件Ｄについて
被告方法は，Ｍｇがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体から水素
を離脱させるというものであって，Ｍｇはｐ型不純物であり，窒化ガリウ
ム系化合物半導体から水素を離脱させることは，窒化ガリウム系化合物半
導体から水素を出すものであるから，被告方法は，本件発明の構成要件Ｄ
を充足する。
(2)したがって，被告方法は，本件発明の技術的範囲に属する。
３以上によれば，被告が被告方法により製造したｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体を利用したレーザー素子を組み込んだ被告製品を製造，販売した行為は本
件特許権を侵害し，かつ，これについて過失があったことを覆すに足りる証拠
はないから，原告は，被告に対し，本件特許権の侵害により自己が受けた損害
の賠償を請求することができる。
平成１５年７月から平成２３年１２月２４日までの間の被告製品の売上額が
５１億７４８７万２４１４円を下らないこと，本件発明の実施に対し原告が受
けるべき金銭の額が被告製品の売上額の５％に相当する額であることは，当事
者間に争いがなく，これらの事実によれば，本件発明の実施に対し原告が受け
るべき金銭の額は，２億５８７４万３６２０円を下らない（５１億７４８７万
２４１４円×５％＝２億５８７４万３６２０円（小数点以下切捨て））。そう
すると，原告は，被告に対し，少なくとも２億５８７４万３６２０円を自己が
受けた損害額としてその賠償を請求することができる。
４以上のとおりであって，原告は，被告に対し，不法行為に基づく損害賠償請
求権に基づき，２億５８７４万３６２０円のうち１億円及びこれに対する不法
行為の後で訴状送達の日の翌日であることが記録上明らかな平成２４年５月２
６日から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求め
ることができる。
よって，原告の請求を認容することとして，主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第４７部
裁判長裁判官高野輝久
裁判官三井大有
裁判官藤田壮

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