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平成１３年（行ケ）第５８５号　特許取消決定取消請求事件（平成１５年３月５日
口頭弁論終結）
　　　　　　　　　　判　　　　　　　　　　　決
　　　　　　　原　　　　　　告　　　株式会社半導体エネルギー研究所
　　　　　　　訴訟代理人弁理士　　　玉　　　城　　　信　　　一
　　　　　　　被　　　　　　告　　　特許庁長官　太　田　信一郎
　　　　　　　指定代理人　　　　　　影　　　山　　　秀　　　一
　　　　　　　同　　　　　　　　　　中　　　西　　　一　　　友　
　　　　　　　同　　　　　　　　　　市　　　川　　　裕　　　司
　　　　　　　同　　　　　　　　　　森　　　田　　　ひ　と　み
　　　　　　　同　　　　　　　　　　一　　　色　　　由　美　子
　　　　　　　同　　　　　　　　　　宮　　　川　　　久　　　成
　　　　　　　　　　主　　　　　　　　　　　文
　　　　　　原告の請求を棄却する。
　　　　　　訴訟費用は原告の負担とする。
　　　　　　　　　　事実及び理由
第１　請求
　　　特許庁が異議２００１－７０２９３号事件について平成１３年１１月１９日
にした決定を取り消す。
第２　当事者間に争いのない事実
　１　特許庁における手続の経緯
　　　原告は，下記特許異議の申立てに係る下記特許（以下「本件特許」とい
う。）の特許権者であり，その手続の経緯は次のとおりである。
　　昭和５６年１１月３０日　特許出願（特願昭５６－１９２２９２号）（以下
「本件当初出願」という。）
　　平成　３年　６月１４日　その分割出願（特願平３－１６９０５７号）
　　平成　７年　８月２８日　その分割出願（特願平７－２４０４７７号）
　　平成　９年　３月２８日　その分割出願（特願平９－９５０７０号）（以下
「本件特許出願」という。）
　　平成１２年　５月２６日　本件特許出願に係る特許の設定登録（特許第３０６
９６８２号「反応室のクリーニング方法」）
　　平成１３年　１月２４日　本件特許の全請求項（１，２）につき特許異議の申
立て（異議２００１－７０２９３号）
　　同　　　年　６月２５日　原告による明細書の訂正請求
　　同　　　年１０月２２日　上記訂正請求についての手続補正書
　　同　　　年１１月１９日　訂正を認め，全請求項に係る本件特許を取り消す旨
の決定（以下「本件決定」という。）
　　同　　　年１２月　５日　原告への決定謄本の送達
　２　上記訂正請求（平成１３年１０月２２日付け手続補正書による補正後のも
の）に係る訂正後の明細書（以下「本件明細書」という。）の特許請求の範囲の記
載
１．被膜形成を行う反応室を有する装置において，被膜形成を行わないとき
に，エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うことによ
り，前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング方法。
２．被膜形成を行う複数の反応室と，当該複数の反応室の全てに連結され，減
圧手段，及び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と，から構成される装置に
おいて，被膜の積層形成プロセス時に，前記複数の反応室の一部において被膜形成
を行わずに，エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行うこ
とにより，前記反応室をクリーニングすることを特徴とする反応室のクリーニング
方法。
　（以下，上記請求項１記載の発明を「本件発明１」，同２記載の発明を「本件発
明２」という。）
　３　本件決定の理由
　　　本件決定は，別添決定謄本写し記載のとおり，平成１３年１０月２２日付け
手続補正書による補正及び同補正後の訂正請求に係る訂正を認めた上，本件発明１
は，特開昭５４－８６９６８号公報（本訴甲３，以下「刊行物１」という。），特
開昭５５－１４５３３８号公報（本訴甲４，以下「刊行物２」という。）及び特開
昭５２－１３１４７０号公報（本訴甲５，以下「刊行物３」という。）記載の各発
明に基づいて，本件発明２は，刊行物１～３及び特開昭５５－２１５５３号公報
（本訴甲６，以下「刊行物４」という。）記載の各発明に基づいて，いずれも当業
者が容易に発明をすることができたものであるから，本件発明１，２は特許法２９
条２項の規定により特許を受けることができないものであり，本件特許は，拒絶の
査定をしなければならない特許出願に対してされたものとして，特許法等の一部を
改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）４条
２項の規定により取り消すべきものとした。
第３　原告主張の本件決定取消事由
　本件決定は，本件発明１と刊行物２記載の発明との相違点の認定を誤る（取
消事由１）とともに，同相違点１についての判断を誤り（取消事由２），また，本
件発明２と刊行物２記載の発明との相違点２，３についての判断をそれぞれ誤った
（取消事由３，４）ものであるから，違法として取り消されるべきである。
　１　取消事由１（相違点の認定の誤り）
　(1)　本件決定は，刊行物２に記載された付着生成物の除去とは「『エッチング
用ガスを用いてプラズマエッチングを行うことにより，反応室（の内壁に付着した
生成物）をクリーニングする』ということに他ならず，そうすると，本件発明１と
刊行物２記載のクリーニング方法の相違は，結局，本件発明１ではエッチング用ガ
スとしてＮＦ３を用いているのに対して，刊行物２に記載されたものでは，エッチ
ング用ガスとしてＮＦ３を用いていない点であるといえる」（決定謄本７頁最終段
落～８頁第１段落）と認定するが，この認定は，本件発明１の「プラズマエッチン
グ」の技術的意義と，刊行物２記載の発明のフッ素プラズマ化された洗浄ガスによ
る反応室の洗浄の技術的意義との誤認に基づくものであり，その結果，本件発明１
と刊行物２記載の発明との相違点の認定を誤ったものである。
　(2)　本件発明１の「プラズマエッチング」の意義について，本件明細書（甲１
４添付）は特に説明をしていないため，一般的な技術文献を参照すると，第一に，
刊行物３（甲５）には，「プラズマエッチングは酸素や，ＣＦ４，ＣＣｌ４などのガ
スを数１０～０．０１Ｔｏｒｒの圧力下で反応室内でプラズマ化し，このプラズマ
中に半導体基板を晒してプラズマ化したガスとの化学反応によってその表面を食刻
するものである」（１頁左下欄末行以下）と記載されている。これによれば，「プ
ラズマエッチング」が，プラズマ中で発生する反応ガスによるプラズマ中でのエッ
チングをいうことは明らかであり，エッチングが行われる反応室にはプラズマ発生
装置が備えられていることとなる。この趣旨は，刊行物１（甲３）の「プラズマ・
エッチャーと称する装置が使用されている。この装置は，石英反応管内に被処理品
を配置した状態で，管内に導入したＣＦ，ＣＦ４，Ｃ３Ｆ８のようなフッ化物ガスを
高周波プラズマで励起することによりエッチング反応を起こさせるようにしたもの
であ」る（１頁左下欄下から４行目以下）との記載からも裏付けられるほか，被告
の提出に係る後記第４の１の乙２～５も，これに沿う内容といい得る。第二に，昭
和５９年１１月３０日オーム社発行の「ＬＳＩハンドブック」（甲１０）２６９頁
には，「〔３〕プラズマエッチング」との項目中で，「反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）」等を例にして説明されており，「プラズマエッチング」が，プラズマ
を用いたエッチングであり，エッチングに寄与するエッチング種は少なくともイオ
ンを利用したものであることが分かる。同様に，平成１０年４月３０日オーム社発
行の「応用物理用語大辞典」（甲１１）８４７～８４８頁の「プラズマエッチン
グ」についての説明中には，「反応性プラズマ中でハロゲンガス（ＣＦ４，ＣＣｌ４
，Ｃ３Ｆ８など）の反応性ガスの放電プラズマ中で，反応性のラジカルやイオンの照
射により，固体（半導体，金属，絶縁物など）表面の微細加工を行うこと。・・・
その原理は反応性ラジカルやイオンの元素と基板の元素とが物理化学的に反応し
て・・・されることによる」との記載があり，「プラズマエッチング」が，「ラジ
カル」とともに，少なくとも「イオン」を利用したものであることが分かる。な
お，これらの文献及び後掲の甲１２，１５は，本件当初出願前に刊行されたもので
はないが，その用語の定義は，当該刊行物の刊行前に知られていた技術に関する事
項であるから，「プラズマエッチング」の技術的意義を明らかにする証拠になり得
るものである。
　　　　上記のとおり，「プラズマエッチング」とは，プラズマ中で発生する反応
ガスによるプラズマ中でのエッチングをいうものであり，かつ，エッチングに寄与
するエッチング種は少なくともイオンを利用したものをいうことが明らかであり，
本件発明１にいう「プラズマエッチング」も，この技術用語を用いたものにほかな
らない。
　(3)　これに対し，刊行物２記載の発明は，中性活性種であるラジカルのみによ
るエッチングにより反応管内部を洗浄するものであり，技術的には，ケミカルドラ
イエッチング（甲１０の４２９頁左欄５行目参照），あるいはダウンフローエッチ
ング（甲１２の２１６頁参照）と呼ばれる技術であり，本件発明１の「プラズマエ
ッチング」とは全く異なるものである。以下詳説する。
　　　ア　刊行物２（甲４）に記載されている「フッ素プラズマ化された洗浄ガ
ス」の技術的意義を，その第１，第２図に記載の装置と同じ装置を示している「日
経エレクトロニクス」１９７７年５月２日号（甲７）及び前掲甲１０に基づいて見
るに，甲７には，「輸送管によって，長寿命のエッチャントだけを，エッチング室
に輸送する。・・・長寿命のエッチャントだけがエッチング室に来る」（３５頁左
欄８行目以下）との記載があり，甲１０には，「当初，放電部とエッチング部の分
離を試みたが，ＣＦ４放電のみでは不可能でＯ２添加を行って初めて可能になった。
これは，ＣＦ４＋Ｏ２→ＣＯＦ２＋Ｆ＋ＣＯの反応で，ＣＦ４中のＣをＯによって除
去（scavenge）した結果，再結合相手がいなくなったＦ原子（基底状態）が長寿命
で存在できるようになったからである」（４２８頁右欄最終段落），「これを輸送
して励起光，電界の全くないエッチング室に導き，並べたウェーハに照射して，Ｓ
ｉ＋４Ｆ＊
→ＳｉＦ４↑の反応でエッチングする」（４２９頁左欄第１段落）との記
載があり，これらの記載を総合すれば，刊行物２記載の発明の「フッ素プラズマ化
された洗浄ガス」のエッチング種が，長寿命のフッ素ラジカル（Ｆ＊
）のみであり，
イオンを含まないことを示すものといえる。しかも，長寿命のフッ素ラジカル（Ｆ＊
）は，フレオンＣＦ４に酸素Ｏ２を混合させることにより初めて作り出すことができ
たものであり，フレオンＣＦ４と酸素Ｏ２という特殊な組合せで成り立っているもの
というべきである。
　　　イ　さらに，刊行物２記載の発明のようなダウンフローエッチングと，本件
発明１のようなプラズマエッチングの違いを補足すると，平成２年３月３１日サイ
エンスフォーラム発行の「最新版超ＬＳＩプロセスデータハンドブック」（甲１
２）には，ダウンフローエッチング技術の背景に関して，「反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）に代表されるような，プラズマ中またはプラズマに近接して試料が置
かれ，プラズマから引き出されたイオンの入射によりエッチングを行う方法とは対
照的に，プラズマから離れた場所に試料を置き，プラズマにより生成された活性種
（主に中性粒子）をガスの流れの下流に置かれた試料まで輸送すること（ダウンフ
ロー方式またはダウンストリーム方式）によりエッチングする方法をダウンフロー
エッチングと呼ぶ。・・・歴史的には，化学の分野では，ダウンフロー方法
は，“Discharge-flow”または“Dischargefastflowsystem”と呼ばれ比較的古
くから，中性活性種の生成方法として用いられ，主に，ラジカルの気相反応の研究
に多く使われていたが，半導体プロセスのような固体表面反応の研究例は少ない。
半導体プロセスの分野に導入されたのは，１９７０年代の半ばであり，ＣＦ４＋Ｏ２
ガス放電により生成されるＦ原子によるＳｉやＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４等のエッチング
の研究が行われ，半導体プロセスとしての応用が始まった。・・・しかし，近年，
ＬＳＩの微細化にともない，ＲＩＥでのイオン衝撃等によるダメージの問題がクロ
ーズアップされるにつれ，ダウンフローエッチングが無ダメージであるという大き
な利点が注目されるようになった」（２１６頁左欄）との記載が，ダウンフローエ
ッチングの原理及び特徴に関して，「図－１に，代表的なダウンフローエッチング
装置の概略図を示す。エッチング種の生成は，一般的に，ＲＦ（１３．５６ＭＨ
ｚ）やマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）による減圧下でのグロー放電が用いられる。
放電領域で生成されるイオン，電子等の荷電粒子や短寿命の励起粒子は輸送の過程
で消滅（失活）するためにエッチングには寄与せず，すなわち，エッチング種は，
中性で長寿命のものということができる。活性化領域と反応領域をどの程度分離す
るかについては，厳密な定義はない。例えば，ＥＣＲプラズマエッチングでは，Ｅ
ＣＲ放電部と試料とは分離されており，方式としてはダウンフローであるが，主に
放電部から引き出されたイオンを用いてエッチングを行うものであり，ダウンフロ
ーエッチングとは区別される。・・・以上述べたダウンフローエッチングの原理か
らもわかるように，その特徴として次のようなことがあげられる。まず，試料への
荷電粒子の入射がないためにダメージの発生がないこと，さらに，中性粒子による
純粋な化学反応によるエッチングであるために，材料間での高選択性エッチングが
可能であるという大きな利点・・・がある」（２１６頁右欄～２１７頁左欄）との
記載がある。以上の記載から，ダウンフローエッチングとは，プラズマから離れた
場所に試料を置き，プラズマにより生成された活性種（主に中性粒子）をガスの流
れの下流に置かれた試料まで輸送することによりエッチングを行う方法であり，こ
の方法にはイオンではなくプラズマにより生成された活性種（主に中性粒子）が利
用されるものであること，この点で，ダウンフローエッチングは，反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）に代表されるようなプラズマエッチングとは全く異なるエッチ
ングであることが分かる。
　　　ウ　同様のことは，平成１１年３月２０日日刊工業新聞社発行の「半導体用
語大辞典」（甲１５）からも裏付けられる。すなわち，同号証には，「ドライエッ
チングのうち，プラズマ発生室内で発生したラジカルにより化学的にエッチングが
進行するものをプラズマエッチングと呼ぶ。同じ化学的ドライエッチングでも，ウ
ェーハ処理室をプラズマ発生室の下流に置きラジカルのみを処理室に移送してエッ
チングする方式はＣＤＥあるいはダウンフロー型と呼ばれ区別される。プラズマエ
ッチング装置はその形状からバレル型エッチング装置とも呼ばれ，設計基準５～
７．５μｍのＤＲＡＭからＳｉ３Ｎ４やＳｉのエッチングに実用化された。プラズマ
エッチングは高い選択性を実現できるが，等方性エッチングであるため微細加工に
は向かない。プラズマエッチング装置は，図に示すように円筒型の石英製反応室の
なかに圧力１０～１００Ｐａの反応性ガスを流し１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を
数百Ｗ印加して低温，低電離プラズマを生成させる。電極構造は石英管の周りに２
枚の電極板を配置する（容量型）のが一般的であるが，石英管の周りにコイル状の
電極を巻いたもの（誘導型）もある。ウェーハは電気的浮遊状態に置かれるため，
プラズマ中のイオンはプラズマ電位と浮遊電位の差によって加速されて入射する
が，その電位差はせいぜい数十Ｖと小さいため，エッチングに対するイオンの寄与
は小さい。エッチングは，主にランダムな速度成分を持ったラジカルによって起こ
るので等方的に進行する」（９６３頁右欄～９６４頁左欄）と記載されており，プ
ラズマエッチングは，プラズマ中のエッチングであり，ダウンフローエッチングと
は区別されていることが示されている。
　２　取消事由２（相違点１についての判断の誤り）
　(1)　本件決定は，本件発明１と刊行物２記載の発明との相違点１として，「本
件発明１では，『エッチング用ガスとしてＮＦ３を用いてプラズマエッチングを行
うことにより』クリーニングするとしているのに対して，刊行物２では，『フッ素
プラズマ化された洗浄ガス，例えばフレオンＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体，により，
その内壁に付着した窒化シリコンや多結晶シリコン等の生成物と反応させてこれを
除去し』クリーニングするとしている点」（決定謄本７頁第２段落）を認定の上，
相違点１について，「刊行物２に記載される反応室のクリーニング方法，即ち，エ
ッチング用ガスを用いてプラズマエッチングを行うことにより，反応室をクリーニ
ングする反応室のクリーニング方法において，そのエッチング用ガスとしてＮＦ３
を用いることは，刊行物３の記載から当業者が容易に想到し得ることと認められ，
そして，これによる効果も，当業者が当然予想し得る程度のものであって，格別顕
著であるとはいえない」（同８頁第３段落）と判断するが，誤りである。
　(2)　まず，上記１のとおり，本件発明１が，エッチング用ガスとしてＮＦ３を
用い，そのＮＦ３を反応室に導入し反応室でプラズマ化させ，プラズマ化したイオ
ン及びラジカル等のエッチング種でプラズマエッチングを行うことにより反応室を
クリーニングするものであるのに対して，刊行物２発明は，反応室の外でＣＦ４と
酸素Ｏ２の混合気体をプラズマ化し，プラズマ化したエッチング種のうちラジカル
のみを反応室に導入し，当該ラジカルでエッチングすることにより反応室をクリー
ニングするものである。したがって，刊行物２記載の発明のエッチング用ガスであ
るＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体をＮＦ３に変更したとしても，それだけで本件発明１
を構成することはできない。さらに刊行物２記載の発明でエッチング用ガスをプラ
ズマ化させる場所を反応室に変更することも考えられるが，そのような変更を行っ
た場合，刊行物２記載の発明自体が成立しなくなり，当業者の想定しないものとい
わざるを得ない。
　(3)　他方，刊行物３（甲５）には，基板表面をエッチングするガスとして，Ｃ
Ｆ４ではなくＮＦ３を用いるため，分離した炭素が反応室側壁に付着して表面が黒変
したり汚染されることがないことが記載されているにすぎず，ＮＦ３をエッチング
用ガスとして反応室のクリーニングを行っているものではない。また，刊行物３
に，三フッ化窒素ＮＦ３のプラズマ化によりフッ素ラジカルが発生することが記載
されていることは被告の指摘するとおりであるが，「長寿命のフッ素ラジカル」に
ついては記載されていない。ところが，刊行物２記載の発明は，「フッ素プラズマ
化された洗浄ガス」のエッチング種である長寿命のフッ素ラジカル（Ｆ＊
）を作り出
すため，フレオンＣＦ４と酸素Ｏ２という特殊な組合せで成り立っているものである
から，その「ＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体」に代えて，刊行物３記載のＮＦ３を適用
することはできない。さらに，そもそも刊行物３記載のものは，プラズマエッチン
グを行うものであって，ダウンフローエッチングを行う刊行物２記載の発明とは，
エッチング用ガスをプラズマ化する場所が異なるから，両者を組み合わせることは
できない。
　(4)　本件発明１は，反応室の全内壁面を，クリーニングガス成分の付着もない
清浄状態に保つことができ，成膜時における被膜中への不純物の混入を防ぐことが
できるという効果を奏するところ，刊行物３（甲５）には，「フッ素と分離した窒
素（Ｎ）は反応には直接寄与しないが，従来用いられてきたＣＦ４の炭素Ｃと異な
り，半導体基板上や反応室側壁に付着することもなく，反応の系全体を清浄に保つ
ことができる」（２頁右上欄７行目以下）と記載されており，「反応室側壁」とい
う限定的な記載がされている。すなわち，刊行物３記載の発明の上記効果は，半導
体基板上回りのごく限られた反応室側壁にとどまると解されるものであり，本件発
明１の上記効果を予測することはできない。
　３　取消事由３（相違点２についての判断の誤り）
　(1)　本件決定は，本件発明２と刊行物２記載の発明との相違点２として，本件
発明２は，「複数の反応室と，当該複数の反応室の全てに連結され，減圧手段，及
び基板を移動する移動機構とを備えた共通室と，から構成される装置」における反
応室のクリーニング方法であるのに対して，刊行物２には，これが記載されていな
い点を認定（決定謄本９頁６行目以下）の上，相違点２は，刊行物４の記載から当
業者が容易に想到し得たものと判断する（同頁(1)の項）が，誤りである。
　(2)　本件発明２の「複数の反応室」は，特許請求の範囲の記載から明らかなよ
うに，すべての反応室が連結されていなければならないところ，刊行物４記載の
「複数の薄膜作製室１０」は，真空室２０にどのように連結されるものであるか不
明であるから，本件発明２の「複数の反応室」に相当するとはいえない。また，本
件発明２の「減圧手段」及び「基板を移動する移動機構」は，特許請求の範囲の記
載から明らかなように，共通室に備えられていなければならないところ，刊行物４
記載の発明には，「共通室」に相当する構成はないから，「真空排気系４０，５
０」及び「基板２３を搬送する移送手機構３０」は，本件発明２の「減圧手段」及
び「基板を移動する移動機構」に相当するとはいえない。したがって，これらの対
応関係を前提とする本件決定の上記判断は誤りである。
　(3)　本件決定は，上記容易想到性の判断中で，「複数の反応室と真空室とを連
結するに際し，複数の反応室に夫々対応させて複数の真空室を設けるか，或いは，
複数の真空室を一体化して共通室となし，複数の反応室の全てに対応するように一
体化させた真空室，即ち，共通室，を設けるかは，単なる設計的事項と認められ」
る（決定謄本９頁(1)の項の第３段落）と判断する。しかし，「複数の反応室」と
「真空室」との連結形態は無数に考えられるのであるから，「複数の反応室に夫々
対応させて複数の真空室を設ける」連結形態と，「複数の真空室を一体化して共通
室となし，複数の反応室の全てに対応するように一体化させた真空室，即ち，共通
室，を設ける」連結形態との二者択一の問題ととらえ，これを設計的事項と決めつ
けた判断は誤りというべきである。
　(4)　本件明細書（甲１４添付）の段落【００６６】には，「本発明はプラズマ
気相法に対し多量生産を可能にする横型反応方式を採用し，さらにそれらに共通室
を設け連続的に製造する構造とすることによりバッチ方式と連続方式とを結合させ
ることが可能となった。このためこの思想を基礎とし，２つの反応系，４～８の反
応系等を作ることができ，初めてＰＣＶＤ装置で大量生産可能な方式を開発するこ
とができた」と，その効果が記載されている。すなわち，本件発明２は，共通室を
設けることにより，初めてＰＣＶＤ装置で大量生産可能な方式を開発することがで
きたという特有な効果を奏するものであるから，これを看過した本件決定の判断は
誤りである。
　４　取消事由４（相違点３についての判断の誤り）
　(1)　本件決定は，本件発明２と刊行物２記載の発明との相違点３として，本件
発明２は，「被膜の積層形成プロセス時に，前記複数の反応室の一部において被膜
形成を行わずに」クリーニングするのに対して，刊行物２には，これが記載されて
いない点を認定（決定謄本９頁１０行目以下）の上，相違点３は，当業者が当然に
採用すべき手順にすぎず，格別の困難性を要するものではないと判断する（同頁末
行以下）が，誤りである。
　(2)　本件発明２は，相違点２に係る構成を備えることにより，被膜形成を連続
的に行い，大量生産を可能にするものであるが，このような装置で連続的に被膜形
成を行っていると，複数の反応室のすべてにおいてフレイクが発生するようにな
り，装置を止めてクリーニングを行わざるを得なくなる。すなわち，反応室のクリ
ーニングを行おうとすれば被膜形成を行っていない反応室を対象とすべきことはそ
のとおりであるが，その手順としては，いったん装置を止めてクリーニングを行う
のが自然である。ところが，本件発明２は，「被膜の積層形成プロセス時に，前記
複数の反応室の一部において被膜形成を行わずに，エッチング用ガスとしてＮＦ３
を用いてプラズマエッチングを行うことにより，前記反応室をクリーニングする」
という特殊で新しいクリーニング手法を創作し，このクリーニング手法を上記装置
と一体不可分のものとして組み合わせることにより，高品質で大量の半導体装置を
低価格で製造することができるという特有な効果を達成したものである。
　(3)　また，刊行物４記載の発明は，移送手３１で基板を保持した状態で薄膜作
製室１０内で薄膜を作製するものであり，移送手３１と基板を載せる支持板２９と
は直交し，支持板２９の下側から支持板２９を貫通する形態で移送手３１が上下動
するものであるから，当然移送手３１にもフレークが付着し，クリーニングが必要
となるとともに，薄膜作製室１０内で薄膜を作製しているときには，支持板２９を
移動することができない。そうすると，移送手３１の役割及び移送手３１と支持板
２９の動作関係を維持したまま，本件発明２におけるように，「被膜の積層形成プ
ロセス時に，複数の薄膜作製室の材部において被膜形成を行わずに，薄膜作製室を
クリーニングする」ようにしようとしても，果たしてどのような構成になるのか全
く不明である。
第４　被告の反論
　　　本件決定の認定判断は正当であり，原告主張の取消事由は理由がない。
　１　取消事由１（相違点の認定の誤り）について
　　　刊行物２に記載されたものでは，洗浄ガスとして，ＣＦ４と酸素の混合気体
が使用され，プラズマ化された洗浄ガスは，その内壁に付着した窒化シリコンや多
結晶シリコンと反応してこれを除去する，とされているのであるから，付着物の除
去がエッチング反応によって行なわれることは明らかである。
　　　そして，本件明細書及び図面には，本件発明１でいう「プラズマエッチン
グ」について，その技術的な意義が特別定義されているわけではないから，本件発
明１でいう「プラズマエッチング」の意味する技術内容については，本件当初出願
当時（昭和５６年１１月３０日当時）の技術水準及び当業者の技術常識から判断さ
れることとなるが，乙２（特開昭５０－１１６７２号公報），乙３（特開昭５２－
８７９８５号公報），乙４（特開昭５４－１０７８４０号公報）及び乙５（特開昭
５４－１６２９６９号公報）にも示されるように，ＣＦ４（あるいは酸素Ｏ２との混
合ガス）から生成したプラズマ中に存在する活性化フッ素との反応によるエッチン
グは，本件特許出願前より「プラズマエッチング」と称されているものであること
は明らかである。また，前掲甲７には，ＣＦ４＋Ｏ２の混合ガスを使い，プラズマ発
生室とエッチング室を分離し，長寿命のエッチャントＦ＊
によるエッチング装置が
「プラズマ・エッチング」装置として記載され，前掲甲１０には，甲７に記載され
たものと実質的に同じ構造のドライエッチング装置（図４・１１（ｂ）参照）が，
代表的な「プラズマエッチング」装置の一つであると記載されているから，これら
の証拠に照らしても，刊行物２に記載されるようなＣＦ４（あるいは酸素Ｏ２との混
合ガス）から生成したプラズマに存在する活性化フッ素との反応によるエッチング
が，「プラズマエッチング」と称される技術であることは明らかである。
　　　したがって，刊行物２に記載された技術は，まさに，「プラズマエッチン
グ」に関する技術にほかならず，これと異なる前提の下に本件決定の誤りをいう原
告の取消事由１の主張は失当である。
　２　取消事由２（相違点１についての判断の誤り）について
　　　原告は，刊行物２に記載された技術が「プラズマエッチング」と異なるとの
主張を前提として，相違点１についての本件決定の判断の誤りを主張するが，その
前提が失当であることは，上記１のとおりである。
　　　刊行物２には，フッ素ラジカルが洗浄作用物質として記載されている一方，
刊行物３には，三フッ化窒素ＮＦ３をプラズマ化することでフッ素ラジカルが発生
することが記載されているのであるから，これを刊行物２記載の発明に適用するこ
とは，当業者の容易に想到し得たものというべきである。また，原告の主張する相
違点１に係る本件発明１の効果は，当業者が当然に予期し得る程度のものであり，
格別顕著な効果とはいえない。
　３　取消事由３（相違点２についての判断の誤り）について
　　　原告は，刊行物４に記載の「複数の薄膜製作室１０」が真空室２０にどのよ
うに連結されるものであるか不明であると主張するが，刊行物４（甲６）記載の薄
膜作製装置においては，「基板２３を収納した治具２２を真空室２０に入れ・・・
真空室２０内を高真空にまで排気を行なう。・・・次に薄膜作製室１０と真空室２
０とを隔てているバルブ４７を開き・・・ウエハー表面に所定の厚さの膜の付着を
行なう」（２頁右上欄最終段落以下）と記載されているように，薄膜作製室１０と
真空室２０とは，バルブ４７を介して連結されているのであるから，「複数の薄膜
製作室１０」と真空室とは，少なくとも，バルブを介して連結されることは明らか
であり，その連結形態はどのような構造からなるものか不明であるとはいえない。
　　　また，原告は，「複数の反応室」と「真空室」との連結形態は無数に考えら
れるとして，これを二者択一の問題として設計的事項と決めつけた判断は誤りであ
ると主張するが，刊行物４記載のものにおいては，単に，複数の反応室と真空室と
を連結すればよいというものではなく，前述のとおり，「複数の反応室」と「真空
室」とは，少なくとも，バルブを介して連結するものであるから，これを前提とし
て連結形態を考えた場合には，本件決定の挙げる２種の連結形態が，当業者が難な
く想起し得る連結形態であるといえる。なお，本件発明２におけるように真空室を
共通にする例としては，すでに，特開昭５５－１４１５７０号公報（乙７）が提案
されている。
　４　取消事由４（相違点３についての判断の誤り）について
　　　原告は，相違点３についての本件決定の容易想到性の判断の誤りを主張する
が，被膜形成を行わない反応室は，被膜形成の面からは非稼働であって生産に寄与
しないものであり，一方，高品質化のためには，被膜形成を行わない反応室に対し
てクリーニングをする必要があるのであるから，被膜の積層形成プロセス時に，被
膜形成を行わない非稼働の反応室に対してクリーニングを行うという手順を採用す
ることは，製品の高品質化，生産の効率化という観点を考慮すれば，当業者にとっ
て特段の困難性を要することではない。
第５　当裁判所の判断
　１　取消事由１（相違点の認定の誤り）について
　(1)　原告は，本件決定は，本件発明１の「プラズマエッチング」の技術的意義
と，刊行物２記載の発明のフッ素プラズマ化された洗浄ガスによる反応室の洗浄の
技術的意義とを誤認していると主張するので，その根拠とするところにつき，順次
検討する。
　　　ア　原告は，「プラズマエッチング」とは，プラズマ中で発生する反応ガス
によるプラズマ中でのエッチングをいい，エッチングが行われる反応室にはプラズ
マ発生装置が備えられている旨主張し，その根拠として，刊行物３（甲５），刊行
物１（甲３），乙２～５を援用する。
　　　　　確かに，原告も引用するとおり，刊行物３（甲５）には，「プラズマエ
ッチングは酸素や，ＣＦ４，ＣＣｌ４などのガスを数１０～０．０１Ｔｏｒｒの圧力
下で反応室内でプラズマ化し，このプラズマ中に半導体基板を晒してプラズマ化し
たガスとの化学反応によってその表面を食刻するものである」（１頁左下欄末行以
下）との記載が，刊行物１（甲３）には，「プラズマ・エッチャーと称する装置が
使用されている。この装置は，石英反応管内に被処理品を配置した状態で，管内に
導入したＣＦ，ＣＦ４，Ｃ３Ｆ８のようなフッ化物ガスを高周波プラズマで励起する
ことによりエッチング反応を起こさせるようにしたものであり，微細パターンの加
工が可能なため近年各種半導体装置の製造過程にて好んで用いられるようになって
いる」（１頁左下欄下から４行目以下）との記載が認められ，これらの記載におい
ては，直接的には，原告の上記主張にいう「プラズマエッチング」が念頭に置かれ
ていると解する余地もあるが，その記載内容及び特許公報という刊行物の性格に照
らすと，技術用語としての「プラズマエッチング」の内包と外延を過不足なく定義
するような記載であるとは到底認められず，このことは，乙２～５の記載について
も同様である。
　　　　　かえって，「日経エレクトロニクス」１９７７年５月２日号（甲７）３
５頁の図３では，明らかにダウンフローエッチングに係るものと認められる装置
を，「プラズマ・エッチング装置」として紹介していることが認められる。しか
も，その目次中で，記事の内容がいかなる技術分野に関するものであるかを示す表
示として，下位概念順に「プラズマ・エッチング，エッチング，半導体製造技術」
と記載されており，これは，ダウンフローエッチングが「プラズマ・エッチング」
の技術分野に属することを明らかに示すものである。そして，このような用法が甲
７のみに特異なものということはできず，本件当初出願から間もない時期に刊行さ
れている一般的な技術文献である，昭和５９年１１月３０日オーム社発行の「ＬＳ
Ｉハンドブック」（甲１０）においても，４２９頁図４．１１（ｂ）で，甲７の上
記「プラズマ・エッチング装置」と実質的に同じ構造の装置を，「代表的なプラズ
マエッチング装置」（４２８頁右欄７行目以下）の一つとして紹介しており，これ
らを総合すれば，本件当初出願当時，プラズマ発生室とエッチング室を分離して，
プラズマ外に導入された長寿命エッチング種でエッチングを行うもの（ダウンフロ
ーエッチング）も，広い意味で「プラズマエッチング」の範ちゅうに属するものと
して当業者に理解されていたと認めることができる。
　　　イ　次に，原告は，「ダウンフローエッチング」と「プラズマエッチング」
が異なるものとして区別されていた根拠として，甲１２，１５を援用する。
　　　　　しかし，甲１２は，平成２年３月３１日サイエンスフォーラム発行の
「最新版超ＬＳＩプロセスデータハンドブック」であり，本件当初出願から約９年
も後に刊行されたものである上，原告が引用するその記載内容（前記第３の１(3)
イ）によっても，「反応性イオンエッチング（ＲＩＥ)に代表されるような，プラズ
マ中またはプラズマに近接して試料が置かれ，プラズマから引き出されたイオンの
入射によりエッチングを行う方法」と，「プラズマから離れた場所に試料を置き，
プラズマにより生成された活性種（主に中性粒子）をガスの流れの下流に置かれた
試料まで輸送すること（ダウンフロー方式またはダウンストリーム方式）によりエ
ッチングする方法」の原理及び特徴を対比検討しているにとどまり，これらの方法
のうちの前者のみが「プラズマエッチング」の範ちゅうに入るのか，両者を含めて
「プラズマエッチング」といえるのかについては，何らの言及もないといわざるを
得ないものである。したがって，甲１２は，原告の上記主張を何ら基礎付けるもの
とはいえない。
　　　　　次に，甲１５は，平成１１年３月２０日日刊工業新聞社発行の「半導体
用語大辞典」であり，本件当初出願から約１８年も後の刊行に係るものである。こ
の間，半導体関連技術が飛躍的に進歩していることは当裁判所に顕著であり，技術
の進歩に伴う技術用語の細分化が進行している可能性が強いことを考えると，本件
発明１における「プラズマエッチング」の用語の技術的意義の解釈に当たり，これ
を参酌することはできないというべきである。
　　　　　したがって，「ダウンフローエッチング」と「プラズマエッチング」が
異なるものとして区別されていたとの原告の主張は根拠がない。
　　　ウ　また，原告は，「プラズマエッチング」とは，プラズマを用いたエッチ
ングであり，エッチングに寄与するエッチング種は少なくともイオンを利用したも
のである旨主張し，その根拠として甲１０，１１を援用する。
　　　　　しかし，甲１０の昭和５９年１１月３０日オーム社発行の「ＬＳＩハン
ドブック」２６９頁には，「プラズマエッチング」の一例としての「反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）」等について記載されているにすぎず，「プラズマエッチン
グ」のエッチングに寄与するエッチング種が少なくともイオンを利用したものであ
ることを説明するものとは認められない。また，甲１１の平成１０年４月３０日オ
ーム社発行の「応用物理用語大事典」は，その刊行時期に照らし，本件発明１にお
ける「プラズマエッチング」の用語の技術的意義の解釈上これを参酌し得ないこと
は，上記イで述べたところと同様である上，原告の引用する「反応性プラズマ中で
ハロゲンガス（ＣＦ４，ＣＣｌ４，Ｃ３Ｆ８など）の反応性ガスの放電プラズマ中
で，反応性のラジカルやイオンの照射により，固体（半導体，金属，絶縁物など）
表面の微細加工を行うこと。・・・その原理は反応性ラジカルやイオンの元素と基
板の元素とが物理化学的に反応して・・・されることによる」との記載も，プラズ
マエッチングではラジカルやイオンが反応することを述べているにとどまり，イオ
ンがエッチング種として必ず必要であることを述べているものとはいえない。
　　　　　したがって，「プラズマエッチング」とは，プラズマを用いたエッチン
グであり，エッチングに寄与するエッチング種は少なくともイオンを利用したもの
であるとの原告の上記主張は根拠がない。
　(2)　以上のとおり，本件発明１の「プラズマエッチング」の技術的意義に関す
る原告の上記主張は，採用することができず，原告の取消事由１の主張は理由がな
い。
　２　取消事由２（相違点１についての判断の誤り）について
　(1)　刊行物２記載の発明のエッチング用ガスである「フレオンＣＦ４と酸素Ｏ２
の混合気体」に代えて，三フッ化窒素ＮＦ３を用いることが，刊行物３の記載から
当業者が容易に想到し得たかどうかについて検討する。
　　　ア　刊行物２（甲４）には，「このように構成される装置においては・・・
さらに洗浄ガスを用いた洗浄作業が行なわれる。この反応管１１の内部の洗浄作業
は，真空ポンプ１３を作動させ，反応管１１内部を減圧状態にし，洗浄ガス導入管
２４より洗浄ガスとして，例えばフレオンＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体を導入する。
この混合気体は，電離室２１においてマグナトロン２２で発生し矩形導波管２３で
電離室２１に導かれた電磁波が照射されており，導入管２４よりの洗浄ガスをフッ
素プラズマ化されたものである。このようにして発生したフッ素プラズマは，その
寿命が非常に長く，電離室２１より数ｍ離れた場所でも活性化している。このこと
は・・・（注，本訴甲７）に示されているように広く知られていることである。こ
のようにして，反応管１１に導入されたフッ素プラズマ化された洗浄ガスは，その
内壁に付着した窒化シリコンや多結晶シリコンと反応してこれを除去する。・・・
なお，この実施例の場合は，マグネトロン２２による電磁波照射により，フッ素プ
ラズマの発生する例を示したが，塩素等の他の洗浄ガスや高周波誘導加熱等による
プラズマの発生方法も，もちろん可能であることは言うまでもない」（２頁５欄最
終段落～３頁７欄第２段落）との記載が認められ，これによれば，刊行物２記載の
発明の洗浄ガスにおいては，プラズマ化したフッ素が洗浄作用を担う，すなわちエ
ッチング種として機能することが示されており，また，エッチング用ガスである
「フレオンＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体」は，「例えば」と例示の位置付けで示され
ているように，代替可能なものとして示唆されているということができる。
　　　イ　他方，刊行物３（甲５）には，「三フッ化窒素（ＮＦ３）を用いたプラ
ズマエッチングを行なう場合について説明する。ＮＦ３－１２０℃以上では気体で
あって，これを反応室内に導入して高周波電力を印加するとＮとＦとは分離してプ
ラズマ化して，一般にフッ素ラジカルと呼ばれる活性な原子状のフッ素が発生し，
これが半導体基板上のＳｉやＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４と反応して，これらを食刻する。
この食刻の速度はプラズマエッチングの条件によって変化するが，ＣＦ４ガスを用
いた場合とほぼ同様な食刻速度を得ることができる。・・・フッ素と分離した窒素
（Ｎ）は反応には直接寄与しないが，従来用いられてきたＣＦ４の炭素Ｃと異な
り，半導体基板上や反応室側壁に付着することもなく，反応の系全体を清浄に保つ
ことができる」（２頁左上欄最終段落～右上欄第１段落）との記載が認められ，こ
れによれば，刊行物３記載の発明における三フッ化窒素（ＮＦ３）を用いたプラズ
マエッチングにおいても，プラズマ化されたフッ素がエッチング種として機能する
ことが示されており，しかも，従来技術として言及されているＣＦ４ガスを使用す
る方法との代替可能性が示唆されているということができる。
　　　ウ　上記ア，イの認定判断を総合すれば，刊行物２において，プラズマ化し
たフッ素がエッチング種として機能して洗浄作用を担うことに着目した反応室の洗
浄（クリーニング）技術が開示されており，他方，刊行物３において，ＮＦ３をエ
ッチング用ガスとした場合にもフッ素ラジカルがエッチング種として機能すること
及び反応の系を清浄に保つという利点のあることが開示されているということがで
きる。そうとすれば，エッチング種としての共通性，クリーニング技術に応用する
上での利点等から，刊行物２記載の発明のエッチング用ガスである「フレオンＣＦ
４と酸素Ｏ２の混合気体」に代えて，刊行物３記載のエッチング用ガスである三フッ
化窒素ＮＦ３を用いる十分な動機付けが存在し，相違点１については，これら刊行
物の記載に基づいて，当業者の容易に想到し得たことというべきである。
　(2)　取消事由２に関する原告のその余の主張について検討する。
　　　ア　原告は，本件発明１の「プラズマエッチング」は刊行物２記載の発明の
エッチングとは異なることを前提として，本件決定の上記判断の誤りを主張する
が，その前提を採用し得ないことは，上記１で述べたとおりである。また，刊行物
３には，反応室のクリーニングへの応用技術についての記載がないことは原告の主
張するとおりであるが，この点については，刊行物２にフッ素プラズマによる反応
室の洗浄技術が開示されており，当業者が，これらの組合せにより，本件発明１の
相違点１に係る構成に至ることは容易に想到し得たものというべきであって，原告
主張の点は，その容易想到性を否定する根拠となるものではない。
　　　イ　原告は，刊行物３には，「長寿命のフッ素ラジカル」については記載さ
れていない一方，刊行物２記載の発明は，長寿命のフッ素ラジカルを作り出すため
のフレオンＣＦ４と酸素Ｏ２という特殊な組合せで成り立っているものであるから，
「ＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体」に代えて，刊行物３記載のＮＦ３を適用することは
できない旨主張する。
　　　　　しかし，刊行物２の記載上，「フレオンＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体」が
長寿命のフッ素ラジカルを作り出すための特有の組合せであるとの趣旨は読みとれ
ず，かえって，「フレオンＣＦ４と酸素Ｏ２の混合気体」を例示的に位置付けている
ことは前記アのとおりであるし，また，刊行物２記載の発明のエッチング種である
プラズマ化したフッ素が長寿命であることを必須の構成とすることを基礎付ける記
載もない。さらに，ダウンフローエッチングと，ＲＩＥに代表されるようなプラズ
マ中でイオンの入射によりエッチングを行う方法とが，ともに周知の技術として当
業者に慣用されていたことは，以上の認定判断から明らかであるところ，プラズマ
エッチングを反応室の洗浄（クリーニング）に応用する技術が，上記のいずれかの
方法に固有のものであって，相互に転用することのできないといった阻害要因も認
められない。
　　　ウ　原告は，本件発明１の顕著な効果について主張するが，その主張に係る
本件発明１の効果は，刊行物２（甲４）の「この発明は・・・反応管１１をつけた
まま反応管内部の洗浄が効果的に行なわれ，非稼動時間を短縮して効率のよい，半
導体ウエーハ１７表面上に不純物の付着されない効果的な半導体ウエーハ１７の被
膜形成作業を行なわせることのできる」（２頁右上欄第２段落）との記載，刊行物
３（甲５）の「フッ素と分離した窒素（Ｎ）は反応には直接寄与しないが，従来用
いられてきたＣＦ４の炭素Ｃと異なり，半導体基板上や反応室側壁に付着すること
もなく，反応の系全体を清浄に保つことができる」（２頁右上欄７行目以下）との
記載から，当業者が当然に予想し得るものであって，格別顕著なものとはいえな
い。原告の主張は，刊行物３の上記記載を不自然に限定的に解釈すべきことをいう
ものであって，採用することができない。
　(3)　したがって，原告の取消事由２の主張は理由がない。
　３　取消事由３（相違点２についての判断の誤り）について
　(1)　原告は，刊行物４記載の「複数の薄膜作製室１０」は，真空室２０にどの
ように連結されるものであるか不明である，あるいは，複数の反応室と真空室との
連結形態は無数に考えられるのであるから，複数の反応室とそのすべてに対応する
真空室を設ける連結形態を選択することが設計的事項とはいえないと主張する。確
かに，刊行物４（甲６）の第１図に図示されているものは，一つの「薄膜作製室１
０」を設置する実施例に関するものであり，「複数の薄膜作製室１０」について
は，発明の詳細な説明中で，「勿論これに限らず，例えば・・・多層膜をつけるた
めに薄膜製作室や薄膜源を複数個設けて・・・使用することができる」（３頁左下
欄１行目以下）との記載があるにすぎず，その場合の具体的な連結形態が明示され
ているものではない。しかしながら，この記載は，むしろ，「複数の薄膜作製室１
０」を真空室２０にどのように連結するかは，当業者の必要に応じて適宜採用する
ことのできる事項にすぎないことを前提とするものと理解されるものであって，そ
の選択肢の一つとして，「複数の薄膜作製室１０」のすべてと，共通の真空室とを
連結して，相違点２に係る本件発明２の構成のようにすることも，当業者の適宜採
用し得るものというべきである。このことは，例えば，特開昭５５－１４１５７０
号公報（乙７）に，真空室を共通にする構造が開示されていることによっても基礎
付けられるものであり，原告の上記主張は理由がない。
　　　　なお，原告は，刊行物４には「共通室」に相当する構成がないことを前提
に本件決定の認定の誤りを主張するが，上記認定判断に照らして，採用することが
できない。
　(2)　次に，原告は，本件発明２の特有な効果について主張するが，その根拠と
する本件明細書（甲１４添付）の段落番号【００６６】には，「本発明はプラズマ
気相法に対し多量生産を可能にする横型反応方式を採用し，さらにそれらに共通室
を設け連続的に製造する構造とすることによりバッチ方式と連続方式とを結合させ
ることが可能となった。このためこの思想を基礎とし，２つの反応系，４～８の反
応系等を作ることができ，初めてＰＣＶＤ装置で大量生産可能な方式を開発するこ
とができた」と記載されており，この記載は，横型反応方式の採用，共通室の設
置，バッチ方式と連続方式との結合等により，ＰＣＶＤ装置で大量生産可能な方式
を開発することができたことを述べたものであって，これが本件発明２の構成に基
づく効果であるとはいえない。また，前掲乙７に「エッチング室をエッチング終了
毎に基板交換のため大気にさらすことなしに，前記圧力を保持しエッチング開始前
までの排気時間を短縮しエッチングサイクルを高め，基板のエッチング処理能力
（単位時間に処理する基板の数量）を改善することにあり，かかる処理能力の改善
は，エッチング室の複数個設置によりさらに向上する。本発明の目的を遂行するた
め，複数個の個々のエッチング室への基板の搬送及び電極への配置を該エッチング
室と接続された他の減圧された真空室から行うことになる」（１頁右下欄下から２
行目以下），「基板の処理時間の短縮を可能とし，生産量の増大に寄与することが
できる」（２頁左下欄５行目以下）と記載されているように，共通室を設けること
により大量生産可能になるということは，当業者が当然予想し得る程度の効果にす
ぎない。
　(3)　したがって，原告の取消事由３の主張は理由がない。
　４　取消事由４（相違点３についての判断の誤り）について
　(1)　原告は，被膜形成を連続的に行う装置においては，いったん装置を止めて
クリーニングを行う手順になるのが自然であるから，相違点３に係る構成を採用す
ることが容易に想到し得るものではない旨主張する。しかし，フレイクの発生した
反応室のクリーニングを行おうとすれば，少なくとも，被膜形成を行っていない反
応室を対象とせざるを得ないことは，原告も自認するとおり，自明の事項であり，
しかも，刊行物２（甲４）に「この発明は・・・反応管１１をつけたまま反応管内
部の洗浄が効果的に行なわれ，非稼動時間を短縮して効率のよい，半導体ウェーハ
１７表面上に不純物の付着されない効果的な半導体ウェーハ１７の被膜形成作業を
行なわせることのできる減圧ＣＶＤ装置を提供することを目的とする」（２頁４欄
第２段落）と記載されているように，反応管の非稼働時間を短縮することで生産効
率を向上させるということは，それ自体，自明の課題というべきであるから，複数
の反応室を設けた装置における被膜の積層形成プロセスにおいて，被膜形成を行っ
ていない反応室を対象としてクリーニングを行うことは，当業者の当然に採用する
手順にすぎないというべきである。したがって，上記自明の技術事項に基づいて，
当業者が相違点３に係る本件発明２の構成を採用することに格別の困難性はないと
いうべきであり，これと同趣旨をいう本件決定の判断に誤りはない。また，刊行物
２（甲４）の上記記載に照らせば，原告の主張する，高品質で大量の半導体装置を
低価格で製造することができるとの効果は，当業者の予測し得る程度のものにすぎ
ないというべきである。
　(2)　原告は，刊行物４記載の発明の移送手３１の役割及び移送手３１と支持板
２９の動作関係を維持したまま，本件発明２のように構成しようとしても，どのよ
うな構成になるのか全く不明である旨主張するが，相違点３に係る本件発明２の構
成である，「被膜の積層形成プロセス時に，前記複数の反応室の一部において被膜
形成を行わずに」クリーニングするという手順が決まれば，これを実現するための
装置の具体的な構成は，当業者の適宜採用する方法により実施し得る程度のものに
すぎないというべきであり，上記の点は，容易想到性の判断を左右するものとはい
えない。
　(3)　したがって，原告の取消事由４の主張は理由がない。
　５　以上のとおり，原告主張の本件決定取消事由は理由がなく，他に本件決定を
取り消すべき瑕疵は見当たらない。
　　　よって，原告の請求は理由がないから棄却することとし，主文のとおり判決
する。
　　　　　東京高等裁判所第１３民事部
　　　　　　　　　裁判長裁判官　篠　　　原　　　勝　　　美
　　　　裁判官　長　　　沢　　　幸　　　男
　　　　裁判官　宮　　　坂　　　昌　　　利

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