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平成２１年１月２８日判決言渡
平成２０年(行ケ)第１０１７１号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２０年１１月２７日
判決
原告株式会社シンエイ・ハイテック
訴訟代理人弁護士吉原省三
同今野勝彦
訴訟代理人弁理士大岩増雄
同高瀬彌平
被告特許庁長官
指定代理人粟野正明
同北村明弘
同真々田忠博
同徳永英男
同小林和男
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は，原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が不服２００７−１１９００号事件について平成２０年３月２４日に
した審決を取り消す。
第２争いのない事実
１特許庁における手続の経緯
原告は，平成１６年４月２８日，発明の名称を「電子部品及びその表面処理
方法」とする発明について，特許出願（以下「本願」という。）をし，平成１
６年１０月２９日及び平成１８年４月１４日に手続補正をしたが（甲３，７頁
以下，甲４），平成１９年３月１９日に拒絶査定を受けたことから，同年４月
２５日，これに対する不服の審判（不服２００７−１１９００号事件）を請求
するとともに，同年５月２３日に手続補正をした（請求項の数は２，この補正
を「本件補正」といい，本件補正後の明細書を「本件補正後明細書」という。
甲６。なお，本願の出願当初の明細書を「本件明細書」という。）。
特許庁は，平成２０年３月２４日，「本件審判の請求は，成り立たない。」
との審決（以下「審決」という。）をし，その審決の謄本を平成２０年４月８
日に原告に送達した。
２特許請求の範囲
本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである（以
下，本件補正後の請求項１に係る発明を「本願発明１」といい，本件補正後の
請求項２に係る発明と併せて「本願発明」という。）。
「【請求項１】
はんだ付けされるはんだ付け部を有し，このはんだ付け部にはニッケル，パ
ラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされたコネクタ用接続端子におい
て，上記パラジウム層及び金層は，上記パラジウム層の厚さが，０．００７μ
ｍ以上０．１μｍ未満の範囲，上記金層の厚さが，０．００３μｍ以上０．０
１μｍ未満の範囲，かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係を有
すると共に，上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表
面を部分的にラップするように形成されていることを特徴とするコネクタ用接
続端子。」
３審決の理由
審決の理由は，別紙審決書写しのとおりである。要するに，①本願発明１
は，発明が明確ではないから，特許請求の範囲の記載が，特許法３６条６項２
号に規定する要件を満たしていない，②発明の詳細な説明及び図面は，当業者
が本願発明１を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない
から，同法３６条４項１号に規定する要件を満たしていない，③本願発明１
は，特開平１０−３１３０８７号公報（以下「引用例１」という。甲１）に記
載された発明（以下「引用発明」という。）及び特開平４−１９３９８２号公
報（以下「引用例２」という。甲２）に基づいて当業者が容易に発明をするこ
とができたものであるから，同法２９条２項の規定により特許を受けることが
できない，というものである。
なお，審決の認定した，本願発明１と引用発明との一致点及び相違点は，以
下のとおりである。
ア一致点
はんだ付けされるはんだ付け部を有し，このはんだ付け部にはニッケル，
パラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされた接続端子において，上記
パラジウム層及び金層は，上記パラジウム層の厚さが，０．００７μｍ以上
０．１μｍ未満の範囲，上記金層の厚さが，０．００３μｍ以上０．０１μ
ｍ未満の範囲，かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係を有
し，かつ金層がパラジウム層を形成するパラジウムストライク表面に形成さ
れている接続端子。
イ相違点
相違点１：接続端子の用途が，本願発明１においては，「コネクタ用」であ
るのに対し，引用発明においては，リードフレームである点
相違点２：金層とパラジウム層との被覆の態様が，本願発明１においては，
「上記金層が上記パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面を部
分的にラップするように形成されている」のに対し，引用発明において
は，金層がパラジウム層を形成するパラジウムストライク表面に形成され
ているものの，「部分的にラップするように」と記載されていない点
第３当事者の主張
１審決の取消事由に関する原告の主張
審決には，以下のとおり，(1)特許法３６条６項２号の明確性の判断の誤り
（取消事由１），(2)同条４項１号の実施可能要件の判断の誤り（取消事由
２），(3)同法２９条２項の容易想到性の判断の誤り（取消事由３）がある。
(1)取消事由１（特許法３６条６項２号の明確性の判断の誤り）
審決は，「本件明細書の記載からは，本件発明の特徴である金ラップめっ
きについて，単なる金めっきとは異なる技術的意義が明らかではない。この
ため，金ラップめっきを行う『部分的にラップするように形成されている』
との発明特定事項についても，単なる部分的に被覆するという以上の技術的
意義も明らかでない。したがって，本願請求項１に係る発明は，不明確であ
る。」（審決書５頁２行∼７行）と判断し，その理由として，①本件明細書
の段落【００１６】∼【００１８】に「金ラップめっき４（金めっき）」と
あって，金ラップめっきと金めっきが併記されているので両者は同じもので
ある疑いがあること，②本件明細書の段落【００１６】∼【００１８】には
金ラップめっきを行うことと金めっきを行うことの製造工程上の違いを明示
していないこと，③本件明細書の段落【００１６】∼【００１８】に示され
る金ラップめっきの厚さ条件が特許請求の範囲の金めっきの厚さ条件と同一
であることを挙げる。
しかし，審決の上記判断は，以下のとおり誤りである。
ア以下の本件明細書（甲３）の記載から，本願発明１の「金ラップめっ
き」の意義は明確である。すなわち，
「図５は，この発明の実施の形態１による電子部品の表面処理を示す原
理図である。図５において，１∼４は，図１におけるものと同一のもので
ある。図５では，金ラップめっき４は，パラジウムストライクめっき３の
表面を部分的にラップするように形成されている。」（甲３の段落【００
１１】）。
「金ラップめっき４が，０．００３∼０．０２μｍの厚さに形成され，
金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストライクめっき３の厚さの関係に
あると，図５に示されるように，パラジウムストライクめっき３の核を覆
うようになる。この状態では，はんだぬれ性のよい表面処理が得られる。
また，金ラップめっき４の上述の厚さでは，金色を発色しない。」（甲３
の段落【００１３】）。
以上によれば，本願発明１の「金ラップめっき」は，厚さが０．００３
∼０．０２μｍで，かつパラジウムストライクめっき層より薄く形成さ
れ，金めっきがパラジウムストライクめっきの核を部分的に覆い金色を発
色しないように形成された金めっきを指す。本願発明１の「金ラップめっ
き」は，金めっきの一種であるが，パラジウムストライクめっきの核の表
面を部分的に覆い金色を発色しないように形成されている点において通常
の金めっきとは異なる技術的意義を有する。
よって，本願発明１の特徴である「金ラップめっき」の技術的意義が不
明確であるとした審決の判断には誤りがある。
イまた，審決が挙げた①ないし③の理由については，次のとおり，失当で
ある。すなわち，①本件明細書（甲３）の段落【００１６】∼【００１
８】に「金ラップめっき４（金めっき）」と両者を併記したのは，金ラッ
プめっきが金めっきの一種であることから当然であり，②金ラップめっき
は金めっきの一種であることから，両者の製造工程に重複した部分が存在
するのも当然であり，製造工程の違いについては，金ラップめっきは，
「通常市販されている濃度より薄い濃度に調合された金液に漬し，電流密
度０．０５∼０．１Ａ／ｄｍの条件で，金電解めっきを行い，厚さ０．２
００３∼０．０２μｍの金ラップメッキ４を形成する。」（段落【００１
８】）に記載があり，③本願発明１の金層が金ラップめっきにより形成さ
れるものであるから，金ラップめっきの厚さを金層の厚さとして特許請求
の範囲に記載したものである。したがって，金ラップめっきの厚さ条件が
特許請求の範囲の金めっきの厚さ条件と同一であることに問題はない。
以上のとおり，本願発明１の発明特定事項である「部分的にラップするよ
うに形成されている」という記載の意味は明確であるから，本願発明１の特
許請求の範囲の記載は，特許法３６条６項２号の規定に違反するものではな
い。
(2)取消事由２（特許法３６条４項１号の実施可能要件の判断の誤り）
審決は，「本件明細書には，本願発明における特有の技術事項である金ラ
ップめっきについて具体的めっき条件が記載されているとはいえず，また，
当業者が容易に実施しうるともいえない。したがって，金ラップめっきを行
う『部分的にラップするように形成されている』との発明特定事項を有す
る，本願の請求項１に係る発明は，当業者が実施しうる程度に明確かつ十分
に発明の詳細な説明が記載されているとはいえない。」と判断し（審決書５
頁１８行∼２４行），その理由として，「金の電流密度の値については，上
記（本【００１６】∼【００１８】）に『電流密度０．０５∼０．１Ａ／ｄ
ｍ２の条件で，』と記載されているところ，単に電流密度の値を０．０５∼
０．１Ａ／ｄｍに調整することで，形成されるめっきが金ラップめっきに２
なるのか不明である。また，金液の濃度については，上記（本【００１６】
∼【００１８】）に具体的値は記載されておらず，金ラップめっきの具体的
条件とは，具体的にいかなる金液の濃度とすることを指すのか，不明であ
る。」点を挙げる（審決書５頁１０行∼１７行）。
しかし，上記審決の判断は，以下のとおり誤りである。
ア本件明細書の記載
本件明細書の段落【００１６】∼【００１８】には，本願発明のめっき
の製造条件が次のとおり記載されている（甲３）。
「【００１６】実施の形態１によれば，はんだ付けされる電子部品の金
属母材を，順次，ニッケルめっき，パラジウムストライクめっき，金ラッ
プめっきにより表面処理するので，鉛フリーで，かつはんだぬれ性がよ
く，金使用量を少なくして経済的な電子部品が得られる効果がある。
【００１７】次に上述した電子部品の表面処理方法について具体的に説明
する。上述したように，厚さ１∼３μｍのニッケルめっき２，厚さ０．０
０７∼０．１μｍのパラジウムストライクめっき３（パラジウムストライ
ク），及び厚さ０．００３∼０．０２μｍの金ラップめっき４（金めっ
き）を形成し，かつ金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストライクめっ
き３の厚さの関係になるようにすれば，はんだぬれ性の良好な表面処理を
行うことができる。この３層の形成は，次のようにして行われる。まず，
厚さ１∼３μｍのニッケルめっき２が形成された母材１を，通常市販され
ている濃度より薄い濃度に調合されたパラジウム液に漬し，電流密度１∼
１０Ａ／ｄｍの条件で，パラジウム電解めっきを行い，厚さ０．００７２
∼０．１μｍのパラジウムストライクめっき３を形成する。
【００１８】次いで，このパラジウムストライクめっき３された母材１
を，通常市販されている濃度より薄い濃度に調合された金液に漬し，電流
密度０．０５∼０．１Ａ／ｄｍの条件で，金電解めっきを行い，厚さ２
０．００３∼０．０２μｍの金ラップめっき４を形成する。このパラジウ
ムストライクめっき３及び金ラップめっき４は，パラジウム液の収容され
たパラジウム槽及び金液の収容された金槽を含むめっきラインを，順次，
電子部品を一定速度で連続して移動させることによって，形成することが
できる。パラジウム，金の液濃度及び電流密度により，それぞれ析出速度
が変化するので，パラジウム，金の液濃度は，使用しているめっきライン
（装置）性能に応じて設定される。」
イ製造条件の記載について
電流密度については，上記段落【００１８】に「通常市販されている濃
度より薄い濃度に調合された金液に漬し，電流密度０．０５∼０．１Ａ／
ｄｍの条件で，金電解めっきを行い，厚さ０．００３∼０．０２μｍの２
金ラップめっき４を形成する。」と記載されているとおり，０．０５∼
０．１Ａ／ｄｍの条件とすれば金ラップめっきを形成するのであるか２
ら，「単に電流密度の値を０．０５∼０．１Ａ／ｄｍに調整すること２
で，形成されるめっきが金ラップめっきになるのか不明である。」という
審決の判断は，誤りである。
金液の濃度については，本件明細書に，通常市販されている濃度より薄
い濃度に調合された金液に漬すことが記載されているから，当業者であれ
ば，「通常市販されている濃度より薄い濃度に調合された金液に漬し，電
流密度０．０５∼０．１Ａ／ｄｍの条件」で金液の濃度及び電流密度を２
適宜調整し，かつ金色が発色しないようにして電解めっきすることによっ
て，過度の試行錯誤を伴うことなく金ラップめっきとすることができる。
以上によれば，本件明細書の発明の詳細な説明は，当業者が本願発明１
を実施できる程度に明確かつ十分に記載されており，特許法３６条４項１
号の規定に違反するものではないから，実施可能要件がないとした審決の
判断は誤りである。
(3)取消事由３（特許法２９条２項の容易想到性の判断の誤り）
ア相違点の看過
審決は，引用発明について，「JIS0400：1998『電気めっき及び関連
処理用語』によれば，『ストライクめっき』とは，『後工程で行われる被
膜の析出を促進するための電着金属の薄膜』）をいうから，引用例１記載
発明の『めっき厚０．０５μｍのＰｄ層の上にさらに，めっき厚０．００
３μｍのＡｕ層』を形成することは，本願発明１の『金層が上記パラジウ
ム層を形成するパラジウムストライク表面に形成されている』ことに対応
する。」（審決書９頁１８行∼２３行）と認定した。
しかし，審決の上記認定は，以下のとおり誤りである。
引用例１においては，パラジウムめっき層の上に金めっき層が形成され
ている点の記載はあるが，パラジウムめっき層が金めっき層の析出を促進
しているとの記載はない。ストライクめっきとは，「密着力の弱いめっき
素材に対して行う処理で，めっき層をより強く素地に密着させるために行
う一種の下地めっき」を意味するものであって（Ｙ著「めっき作業入門」
理工学社，甲９，２４頁），下地めっきの一種である。下地めっきには，
ストライクめっき以外のめっきも存在する。したがって，その次に形成さ
れるめっき層の下地となるめっきであることから，直ちにストライクめっ
きであると認定することはできない。
以上のとおり，引用例１記載のパラジウムめっき層は，「ストライクめ
っき」に該当しない。
したがって，審決は，引用発明のパラジウム層がパラジウムストライク
に相当すると認定した点に誤りがあり，この点において相違点の看過があ
る。
イ本願発明１と，引用例１及び２記載の発明の効果の相違
審決は，「本願発明１の効果も引用例１∼２の記載から予測できるもの
で，顕著でない。」として，本願発明１は，容易想到であると判断した
（審決書１１頁１６行，１７行）。
しかし，上記判断は，以下のとおり誤りである。
本願発明１は，パラジウム層がパラジウムストライクを形成しているの
で，引用例１及び２に比して，めっきの密着性が優れている。
すなわち，ストライクめっきとは，「密着力の弱いめっき素材に対して
行う処理で，めっき層をより強く素地に密着させるために行う一種の下地
めっき」であり（甲９），ストライクめっき処理を施したものは，同様の
処理を施さなかったものと比較して，めっきの密着力が優れている。した
がって，ストライクめっき処理を施した本願発明１は，ストライクめっき
処理を施していない引用発明に比しめっきの密着力が優れているという顕
著な効果上の相違を有する。本願発明１は，引用発明に比較して，パラジ
ウム層がパラジウムストライクを形成している点において構成上の差異を
有し，かつその差異が顕著な効果上の差異をもたらすから，引用発明並び
に引用例１及び２に基づいて当業者が容易に想到し得たものとすることは
できない。したがって，容易想到であると判断した審決には誤りがある。
２被告の反論
(1)取消事由１（特許法３６条６項２号の明確性の判断の誤り）に対し
原告の主張は，以下のとおり失当である。
ア「部分的にラップするように形成」の明確性について
特許請求の範囲の請求項１には，「上記金層が上記パラジウム層を形成
するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように形成されてい
る」と記載されているが，「部分的にラップ」は，通常の技術用語ではな
く，また，本件明細書にも「部分的にラップ」に関する定義は存在しな
い。願書（甲３）には，【図５】が添付されているが，同図は，金ラップ
めっきがパラジウムストライクめっきを部分的にラップするように形成さ
れている状態を模式的に示したものにすぎないのであって（原告もその点
を認めている。甲５，４頁参照），パラジウムストライクめっきの表面が
現実にどのように形成されれば「部分的にラップするように形成され」る
のかを理解することはできない。以上のとおり，「部分的にラップするよ
うに形成」という発明特定事項の明確性を欠くとした審決の判断に誤りは
ない。
イ「金ラップめっき」の明確性について
特許請求の範囲の請求項１には，「金ラップめっき」が「金色を発色し
ないように形成されたもの」であることの記載はなく（甲６），本件明細
書中にも，そのような記載はない（甲３）。また，「金色を発色しないよ
うに形成されたもの」について，本件明細書又は本件補正後明細書には，
金ラップめっきが金色を発色しているかどうかを判定するための方法は記
載されていない（甲３，６）。さらに，「パラジウムストライク表面」上
に金のめっき層を形成する過程においては，「パラジウムストライク表
面」の下地の上に徐々に金層が形成されていくにしたがって，表面の色が
徐々に金色に変化することにかんがみると，金色を発色したか否かを判定
する客観的な基準を示すことなく表面が金色に発色したか否かを判定する
ことはできない。
そして，本願発明１の「部分的にラップするように形成された金層」
は，その厚さが「０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の範囲」であるこ
とからすると，仮に，原告の主張するように，「パラジウムストライクめ
っきの核の表面を部分的に覆い金色を発色しないように形成された」もの
が「金ラップめっき」に当たるとしても，その厚さを確定できる程度以上
に金層が形成されていなければならないが，例えば，願書に添付した【図
５】の原理図に示されるような程度の割合，密度でしか金層が形成されて
いないのでは，通常の意味での厚さを確定することは困難である。
(2)取消事由２（特許法３６条４項１号の実施可能要件の判断の誤り）に対
し
原告の主張は，以下のとおり，失当である。
すなわち，原告主張の「通常市販されている濃度より薄い濃度に調合され
た金液」が，どの程度の濃度のものであるのかについて，本件明細書又は本
件補正後明細書中に具体的な記載はないし（甲３，６），出願時の技術常識
に照らしても，どの程度の濃度のものを意味するのかを理解することは困難
である。また，前記のとおり単に所定の厚さに金めっき層を形成するのみで
は，「金ラップめっきがパラジウムストライクめっきを部分的にラップされ
るように形成されている状態」を達成することはできず，このような状態を
達成するためには，製造条件の設定ないし制御が必要不可欠である。本件明
細書又は本件補正後明細書には，具体的な設定条件や制御方法についての記
載はないから（甲３，６），上記の特殊な製造条件及びその制御方法を確定
するためには相当回数以上の試行錯誤が必要となる。
よって，本件補正後明細書の発明の詳細な説明の記載は，当業者が本願発
明１を実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえな
い。
なお，請求項１の「部分的にラップするように形成されている」の記載が
不明確であることからも，発明の詳細な説明の記載は，当業者が本願発明１
を実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえない。
(3)取消事由３（特許法２９条２項の容易想到性の判断の誤り）に対し
ア相違点の看過について
(ア)本願発明１における「パラジウム層」又は「パラジウム層を形成す
るパラジウムストライク表面」について
本願発明１の「パラジウムストライク」又は「ストライク」との用語
に関して，本件明細書又は本件補正後明細書には，その定義をした記載
がない（甲３，６）。また，本件明細書又は本件補正後明細書には，本
願発明１の「パラジウム層」又は「パラジウム層を形成するパラジウム
ストライク表面」の具体的な態様が記載されているが，本願発明１の
「ストライクめっき」又は「ストライク」との用語を，このような具体
的な態様のもの又は製造方法によるものに限定して解釈すべき理由もな
い。むしろ，「ストライクめっき」又は「ストライク」との用語の定義
としては，「密着力の弱いめっき素材に対してめっき層をより強く密着
させるために行う一種の下地めっき」（甲９，２４頁）又は「後工程で
行われる皮膜の析出を促進するための電着金属の薄膜」（乙１，番号４
０３３）というように，具体的なめっき層の材料，構造及び製造方法を
特定することなく一般的に定義をすることが，本願出願時における技術
常識であったといえる。そうすると，本願発明１の「パラジウム層」又
は「パラジウム層を形成するパラジウムストライク表面」とは，その厚
さが「０．００７μｍ以上０．１μｍ未満の範囲」でかつ金層の厚さよ
りも小さく，「密着力の弱いめっき素材に対してめっき層をより強く密
着させる」か，又は「後工程で行われる皮膜の析出を促進する」ように
作用するものをいうと解すべきである。
(イ)引用発明における「Ｐｄ層」について
引用例１（甲１の段落【０００８】，【００１０】∼【００１２】，
【００１４】），特開平１０−２３７６９１号公報（乙２の段落【００
３５】∼【００３８】）及び特開平９−２６６２８０号公報（乙３の段
落【００１４】，【００１６】）の各記載を総合すると，引用例１に従
来例２として記載された発明における「Ｐｄ層」は，１．０μｍの厚さ
のＮｉめっき層上に電気めっき法によって形成され，かつ半導体チップ
の接合性，ワイヤボンディング性，はんだ付け性を確保する等の観点か
ら，その厚さを０．０５μｍとしたものであり，乙２及び乙３の各記載
を勘案すると，引用例１記載の「１．０μｍの厚さのＮｉめっき層」
は，気孔が存在することにより表面が粗面化しており，その上に電気め
っき法により形成された厚さ０．０５μｍのＰｄ層は，乙２及び乙３記
載のパラジウムメッキ層又はＰｄストライクめっき層と同様，その下地
のＮｉめっき層表面の気孔を詰めて表面粗度を均一化することによりそ
の上に形成されるＡｕ層の厚さを均一に保つように作用するものである
のみならず，上記Ｎｉめっき層と上記Ａｕ層との結合力を高めるように
作用するものであるといえる。
これに対して，原告は，甲１２の写真を根拠として，甲１２のＰｄめ
っき層は，ニッケルメッキ層の表面粗度を均一化して最外郭めっき層の
厚さを均一に維持するという乙２のパラジウムめっき層の作用を奏する
ものでないことは明らかであると主張する。しかし，同写真は，Ｎｉめ
っき層表面が粗面化しているか否か又は該Ｎｉめっき層上のＰｄめっき
層が上記Ｎｉめっき層表面の表面粗度を均一化しているか否かを明確に
判別し得るほど鮮明なものではないから，同写真を原告の上記主張の根
拠とすることはできない。
また，仮に，甲１２の上記写真からＮｉめっき層表面が粗面化してい
るか否か又は該Ｎｉめっき層上のＰｄめっき層が上記Ｎｉめっき層表面
の表面粗度を均一化しているか否かの判別が可能であったとしても，当
該写真からは，せいぜいそのニッケルメッキないしＮｉめっき層の膜厚
が「平均０．８１μｍ以上」であるといえるのみであって，引用例１
（甲１）に従来例２として記載された発明における「１．０μｍの厚さ
のＮｉめっき層」や，乙２記載の「０．０１乃至１０μｍの厚さのニッ
ケルメッキ層」と膜厚の点で一致するとまではいえないから，甲１２に
基づく原告の主張は，失当である。
(ウ)本願発明１の「パラジウム層」と引用発明の「Ｐｄ層」との対比
以上を前提として，本願発明１の「パラジウム層」と引用発明の「Ｐ
ｄ層」とを対比すると，引用発明の「Ｐｄ層」は，厚さが０．０５μｍ
で，その上に形成されるＡｕ層の厚さ（０．００３μｍ）よりも厚く形
成されたものであるから，本願発明１の「厚さが，０．００７μｍ以上
０．１μｍ未満の範囲，かつ金層の厚さ＜パラジウム層の厚さの関係を
有する」ような「パラジウム層」と膜厚の点で一致する。
また，引用発明の「Ｐｄ層」は，下地のＮｉめっき層表面の気孔を詰
めて表面粗度を均一化するものであるのみならず，上記Ｎｉめっき層と
Ａｕ層との結合力を高めるように作用するものであるところ，このよう
にＮｉめっき層とＡｕ層との結合力が高まれば，該Ｎｉめっき層とＡｕ
層との密着性が高まることは自明であり，さらに，このことは，上記Ｐ
ｄ層を形成することによる表面粗度の均一化と相まって，その後工程で
行われる皮膜，すなわちＡｕ層の析出を促進するように作用することも
明らかである。したがって，作用の点においても，引用発明の「Ｐｄ
層」と本願発明１の「パラジウム層」とは一致する。
以上のとおり，本願発明１の「パラジウム層」と引用発明の「Ｐｄ
層」とは，膜厚の点においても，作用の点においても，一致するから，
実質的には同一のものである。
また，引用発明の「Ｐｄ層」は，本願発明１の「パラジウム層」と実
質的に同じものであり，当該パラジウム層上に形成されるめっき層との
密着性においても特段異なるものではないので，本願発明１の効果を引
用例１及び２の記載から予測されるものであって，格別顕著なものとは
いえない。
イ本願発明１の容易想到性について
本願発明１の「パラジウム層」と引用発明の「Ｐｄ層」とは実質的に同
一のものであるし，本願発明１の効果も引用例１及び２の記載から予測さ
れるものであって，顕著なものではないため，引用発明及び引用例２に基
づいて当業者が容易に本願発明１に想到し得たから特許法２９条２項の規
定により特許を受けることができないとした審決の判断に，誤りはない。
第４当裁判所の判断
当裁判所は，本願発明１の金層が「部分的にラップするように形成されている
こと」という発明特定事項の明確性を欠くとした審決の判断に誤りはなく，ま
た，明細書の発明の詳細な説明において，当業者が本願発明１の実施をすること
ができる程度に明確かつ十分に記載されていると認めることはできないとした判
断にも誤りはないと解する。
その理由は，以下のとおりである。
１取消事由１（特許法３６条６項２号の明確性の判断の誤り）について
(1)本願発明１の特許請求の範囲の「上記金層が上記パラジウム層を形成す
るパラジウムストライク表面を部分的にラップするように形成されている」
中の「部分的にラップ」との記載は，通常の技術用語ではなく，本件補正後
明細書中の発明の詳細な説明の記載（甲６）及び図面の記載によっても，そ
の意義を明確に示した部分はない。
この点，原告は，①本願発明の実施の形態１による電子部品ないしコネク
タ用接続端子の表面処理を示す原理図である【図５】（甲３，７頁）につい
て，「図５では，金ラップめっき４は，パラジウムストライクめっき３の表
面を部分的にラップするように形成されている。」（甲６の段落【００１
１】）との記載，②「金ラップめっき４」について，「金ラップめっき４
が，０．００３∼０．０１μｍ未満の厚さに形成され，金ラップめっき４の
厚さ＜パラジウムストライクめっき３の厚さの関係にあると，図５に示され
るように，パラジウムストライクめっき３の核を覆うようになる。この状態
では，はんだぬれ性のよい表面処理が得られる。また，金ラップめっき４の
上述の厚さでは，金色を発色しない。」（甲６の段落【００１３】）との記
載から，「金ラップめっきとは，厚さが０．００３∼０．０２μｍで，かつ
パラジウムストライクめっき層より薄く形成され，金めっきがパラジウムス
トライクめっきの核を部分的に覆い金色を発色しないように形成された金め
っきである」と主張する。
しかし，原告の上記主張は採用することができない。
すなわち，まず，上記【図５】は，原告自ら，平成１９年５月２３日付け
手続補正書（方式）において，金ラップめっきがパラジウムストライクめっ
きを部分的にラップするように形成されている状態を模式的に示したものと
説明している（甲５，４頁）とおり，模式図にすぎないから，同図によっ
て，パラジウムストライクめっきがどのように覆われていた場合に「部分的
にラップするように形成されている」と解すべきかを判断することはできな
い。
また，本願発明１の「部分的にラップするように形成され」ている金層
は，その厚さが「０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の範囲」であるとさ
れていることからすると，金層の厚さが基準であると解する余地もあるが，
前記平成１９年５月２３日付け手続補正書（方式）において，原告自ら「上
記の記述は部分的なラップが所定の金層の厚さによって必然的に達成される
ことを示したものではなく，・・・・」と説明していることに照らすならば
（甲５，４頁），金層の厚さにより，「部分的にラップするように形成され
ている」ことの基準とすることもできない。
さらに，仮に原告が主張するように，パラジウムストライクめっきの核の
表面を部分的に覆い「金色を発色しないように形成された」ことを基準とす
るとしたとしても，「パラジウムストライク表面」上に金のめっき層を形成
する過程においては，金色でない「パラジウムストライク表面」の下地の上
に層が形成されていくことによって，その表面の色が徐々に金色に変化する
であろう点にかんがみると，金色を発色したか否かにより，「部分的にラッ
プするように形成されている」ことの基準とすることもできない。
なお，原告は，前記の各主張を裏付けるものとして，実験報告書（甲１
０）を提出するが，「金ラップめっき」又は「Ａｕラップめっき」が「金色
を発色しないように形成された」もの，すなわち原告主張の本願発明１の金
ラップめっきであるのかどうかも画像からは不明であり，同実験報告書（甲
１０）をもって，本願発明１の「金ラップめっき」の意味が明確にされてい
るとすることはできない。
(2)以上のとおり，本願発明１の金層が「部分的にラップするように形成さ
れていること」という発明特定事項について明確性を欠くとした審決の判断
に誤りはない。
２取消事由２（特許法３６条４項１号の実施可能要件の判断の誤り）について
(1)本件補正後明細書の記載
ア本件補正後明細書（甲６）には，次の記載がある。
「【発明が解決しようとする課題】【０００５】・・・接続端子，金属
筐体などのはんだ付けされる電子部品は，鉛フリーで，しかもウイスカの
発生がなく，はんだぬれ性がよく，耐腐食性がよく，さらに金使用量が少
なく，めっき生産性の良いものが望まれる。・・・
【０００６】この発明は，上述のような課題を解決するためになされたも
のであり，鉛及びすずを含まず，ウィスカの発生が無く，かつはんだぬれ
性のよい金属による安価な信頼性のよいコネクタ用接続端子及びその表面
処理方法を得ることを目的にしている。」
「【発明の効果】【０００８】この発明は，以上説明したように，はんだ
付けされるコネクタ用接続端子の金属母材を，順次，ニッケルめっき，パ
ラジウムストライクめっき，金ラップめっきにより表面処理するので，鉛
フリーで，ウィスカの発生が無く，かつはんだぬれ性がよく，金使用量を
少なくして経済的なコネクタ用接続端子が得られる効果がある。」
「【発明を実施するための最良の形態】【０００９】
実施の形態１．
図１は，この発明の実施の形態１によるコネクタ用接続端子の表面処理
を示す説明図である。
図１において，銅合金などからなる母材１上に，順次，ニッケルめっき
２（ニッケル層），パラジウムストライクめっき３（パラジウム層），金
ラップめっき４（金層）が３層に形成されている。」
「【００１１】図５は，この発明の実施の形態１によるコネクタ用接続端
子の表面処理を示す原理図である。
図５において，１以上４は，図１におけるものと同一のものである。図
５では，金ラップめっき４は，パラジウムストライクめっき３の表面を部
分的にラップするように形成されている。・・・
【００１２】次に，実施の形態１によるコネクタ用接続端子の表面処理に
ついて説明する。
図１のニッケルめっき２は，母材配線を被覆するために１以上３μｍの
厚さに形成される。パラジウムストライクめっき３は，ニッケルめっき２
上にあって，核を形成するように，０．００７以上０．１μｍ未満の厚さ
に形成される。ストライク被覆が０．００７μｍより薄ければ，密着性が
劣ると共に，０．１μｍ未満より厚すぎても同様に密着性が悪くなる。こ
のため，密着性が確保される厚さの範囲である０．００７以上０．１μｍ
未満に形成される。
【００１３】次いで，金ラップめっき４が，０．００３μｍ以上０．０１
μｍ未満の厚さに形成され，金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストラ
イクめっき３の厚さの関係にあると，図５に示されるように，パラジウム
ストライクめっき３の核を覆うようになる。この状態では，はんだぬれ性
のよい表面処理が得られる。また，金ラップめっき４の上述の厚さでは，
金色を発色しない。
金ラップめっき４は，パラジウムストライクめっき３表面の保護（酸化
などによる劣化に対する）を行うものである。このため，金ラップめっき
４の厚さは，パラジウムストライクめっき３の核を覆うように，０．００
３μｍ以上にする必要がある。一方，はんだ付けを行う場合には，まず，
最初にこの保護部分の金ラップめっき４が，はんだ中に拡散していき，清
浄なパラジウム表面が顕われてはんだ付けされる。このとき，金ラップめ
っき４のめっき厚が，厚くなり金色が出る厚さ（約０．０３μｍ以上）に
なると，金の拡散量が多くなり，最近のファインピッチ製品のはんだ付け
時などには，はんだ中の金濃度が濃くなり，はんだ強度が低下する。した
がって，金ラップめっき４の厚さを，金色を発色しない０．０２μｍ以下
に形成する必要がある。すなわち，金ラップめっき４の厚さを，０．００
３μｍ以上０．０１μｍ未満の範囲に形成すれば，パラジウムストライク
めっき３の核を覆うと共に，はんだ付け時のはんだ強度の低下も見られな
い。さらに，この金めっき厚さでは，金の消費量も少なく，また，めっき
生産性もよく，経済的である。」
「【００１７】次に上述したコネクタ用接続端子の表面処理方法につい
て具体的に説明する。
上述したように，厚さ１∼３μｍのニッケルめっき２，厚さ０．００７
μｍ以上０．１μｍ未満のパラジウムストライクめっき３（パラジウムス
トライク），及び厚さ０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の金ラップめ
っき４（金めっき）を形成し，かつ金ラップめっき４の厚さ＜パラジウム
ストライクめっき３の厚さの関係になるようにすれば，はんだぬれ性の良
好な表面処理を行うことができる。この３層の形成は，次のようにして行
われる。
まず，厚さ１以上３μｍのニッケルめっき２が形成された母材１を，通
常市販されている濃度より薄い濃度に調合されたパラジウム液に漬し，電
流密度１乃至１０Ａ／ｄｍの条件で，パラジウム電解めっきを行い，厚２
さ０．００７μｍ以上０．１μｍ未満のパラジウムストライクめっき３を
形成する。
【００１８】次いで，このパラジウムストライクめっき３された母材１
を，通常市販されている濃度より薄い濃度に調合された金液に漬し，電流
密度０．０５乃至０．１Ａ／ｄｍの条件で，金電解めっきを行い，厚さ２
０．００３μｍ以上０．０１μｍ未満の金ラップめっき４を形成する。
このパラジウムストライクめっき３及び金ラップめっき４は，パラジウ
ム液の収容されたパラジウム槽及び金液の収容された金槽を含むめっきラ
インを，順次，コネクタ用接続端子を一定速度で連続して移動させること
によって，形成することができる。
パラジウム，金の液濃度及び電流密度により，それぞれ析出速度が変化
するので，パラジウム，金の液濃度は，使用しているめっきライン（装
置）性能に応じて設定される。」
イ本願発明１の内容
上記記載によれば，本願発明１は，はんだ付けされるコネクタ用接続端
子の表面について，所定の条件で形成された「金層が上記パラジウム層を
形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように形成され
ていること」により，鉛フリーで，ウイスカ（メッキ皮膜表面に発生する
ヒゲ状の金属結晶）の発生がなく，かつはんだぬれ性がよく，金使用量を
少なくして経済的なコネクタ用接続端子を提供するといった課題解決を図
ろうとするものであると認められる。
(2)判断
そこで，出願時の技術常識に照らして，本件補正後明細書に，当業者がそ
の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されているかについ
て，以下検討する。
本件補正後明細書の段落【００１７】及び【００１８】の記載並びに甲１
０を総合すれば，本願発明１所定のめっきを形成するための製造条件とし
て，めっき液の濃度，電流密度，液温の全部又は一部の組合せによる特定が
不可欠であると解される。
しかるに，本件補正後明細書全体をみても，「金層が上記パラジウム層を
形成するパラジウムストライク表面を部分的にラップするように形成」する
ための条件としては，電流密度及び金液の濃度についての記載がうかがえる
にとどまる。そして，電流密度については，「電流密度０．０５乃至０．１
Ａ／ｄｍ」（段落【００１８】）と記載されており，製造条件の一つが記２
載されている。しかし，金液の濃度については，「通常市販されている濃度
より薄い濃度に調合された金液に漬（す）」（段落【００１８】）と記載が
されているにすぎず，「通常市販されている濃度」がどの程度の濃度の範囲
を指すかは，出願時の技術常識を踏まえても，当業者が理解できる程度に明
確かつ十分に記載されているということはできない。また，その他の製造条
件の記載はない。
(3)これに対し，原告は，実験報告書（甲１０）を提出し，本件明細書の記
載により，発明の実施は可能である旨主張する。
ア甲１０の実験は，次のようなものである。
「２．実験方法
−１【００１７】【００１８】の方法でめっきを形成する。
Ａ（対象検体）
めっき液濃度及びめっき条件
パラジウムめっき液濃度塩化Ｐｄアンモニウム２．０ｇ／ℓ
２
電流密度１．０Ａ／ｄｍ
液温５０℃
パラジウムストライク厚０．０１μｍ
金めっき液濃度シアン化金カリウム１．０ｇ／ℓ
２
電流密度０．０５Ａ／ｄｍ
液温５５℃
金ラップめっき厚０．００３μｍ
−２引用例１の方法でめっきを形成する。
Ｂ（比較検体）
めっき液濃度及びめっき条件
パラジウムめっき液濃度塩化Ｐｄアンモニウム５．０ｇ／ℓ
２
電流密度０．５Ａ／ｄｍ
液温室温（２５℃）
パラジウムめっき厚０．０５μｍ
金めっき液濃度シアン化金カリウム２．０ｇ／ℓ
２
電流密度０．０５Ａ／ｄｍ
液温室温（２５℃）
金フラッシュめっき厚０．００３μｍ」
イ原告は，上記実験結果により，本件明細書の段落【００１７】及び【０
０１８】に基づいた製造条件の下で行ったＡ（対象検体）では，緑矢印で
示す様に島状に粒を成し，表面に付着しており「金ラップめっき」を形成
したのに対して，Ｂ（比較検体）では，青矢印で示す様に大きな固まりを
成し全表面に均一に付着し「金フラッシュめっき」を形成したことが示さ
れた旨主張する。
しかし，本件補正後明細書全体をみても，本件補正後明細書にはパラジ
ウムめっき液濃度及び金めっき液濃度について「通常市販されている濃度
より薄い濃度に調合された」との記載があるのみで，それが「２．０ｇ／
ℓの濃度の塩化Ｐｄアンモニウム」や「１．０ｇ／ℓの濃度のシアン化金カ
リウム」であることの記載，開示はなく，液温についての記載もない。
以上のとおり，甲１０記載の対象検体Ａのめっき方法は，本件補正後明
細書の段落【００１７】及び【００１８】に記載されているか，または記
載されているに等しい方法であるとはいえず，本件補正後明細書の発明の
詳細な説明において，当業者が本願発明１の実施をすることができる程度
に明確かつ十分に記載されていることを根拠づけるものと認めることは到
底できない。
３結論
以上によれば，本願発明１の特許請求の範囲の記載は特許法３６条６項２号
に規定する要件を満たしておらず，本件補正後明細書の発明の詳細な説明の記
載は同条４項１号に規定する要件を満たしていないから，これと同旨の審決の
判断に誤りはなく，原告主張の取消事由１及び２は理由がないから，その余の
原告の主張について判断するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである
（なお，特許法３６条６項２号及び同条４項１号の要件充足性については，本
件補正後明細書の記載に基づいて判断すべきところ，審決は，「本件特許出願
の出願当初の明細書（以下，本件明細書という）の記載を参酌して解釈すべき
ことになる」（審決書２頁１９行目，２０行目）としている点に誤りがある
が，審決の実質的な判断内容及び前記説示によれば，その誤りは審決の結論に
影響を及ぼすものではない。）。
よって，原告の本件審決取消請求は理由がないから，これを棄却することと
し，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第３部
裁判長裁判官飯村敏明
裁判官齊木教朗
裁判官嶋末和秀

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