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平成１７年（行ケ）第１０６１１号審決取消請求事件
平成１８年６月６日口頭弁論終結
判決
原告日立化成工業株式会社
訴訟代理人弁理士三好秀和
同岩崎幸邦
同高久浩一郎
同原裕子
同渡邊富美子
被告特許庁長官中嶋誠
指定代理人鈴木孝幸
同岡田孝博
同大場義則
同前田幸雄
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１当事者の求めた裁判
１原告
(1)特許庁が不服２００３－１８３２号事件について平成１７年６月２０日に
した審決を取り消す。
(2)訴訟費用は被告の負担とする。
２被告
主文と同旨
第２当事者間に争いのない事実
１特許庁における手続の経緯
原告は，平成９年１月２８日（優先権主張：平成８年９月３０日，日本），
発明の名称を「酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法」とする特許出願（特願
平９－１４３７１号，以下「本願」という。）をした。その後，原告は，本願
に関して，平成１４年１２月１９日付けの拒絶査定を受けたので，これを不服
として，平成１５年２月６日，審判を請求し，同年３月１０日付けで本願に係
る明細書の特許請求の範囲の記載を補正（以下「本件補正」といい，この補正
後の明細書を「本願明細書」という。）した。特許庁は，上記請求を不服２０
０３－１８３２号事件として審理した上，平成１７年６月２０日，本件補正を
却下した上で，「本件審判の請求は成り立たない。」との審決をし，その謄本
は，同年７月５日，原告に送達された。
２特許請求の範囲
(1)本件補正前の請求項１の記載は次のとおりである（以下，この発明を「本
願発明」という。）。
「【請求項１】酸化セリウム粒子，ポリアクリル酸アンモニウム塩及び水
を含む酸化セリウム研磨剤。」
(2)本件補正後の請求項１の記載は次のとおりである（以下，この発明を「本
願補正発明」という。下線部は補正箇所を示す。）。
「【請求項１】酸化セリウム粒子，ポリアクリル酸アンモニウム塩及び水
を含む半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤。」
３審決の理由
別紙審決書の写しのとおりである。要するに，本願補正発明は，本願の優先
権主張日前に頒布された刊行物である特開平８－２２９７０号公報（以下「引
用例」という。甲５）に記載された発明（以下「引用発明」という。）及び周
知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであって，特
許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができ
ないから，本件補正は却下されるべきものであり，本願発明も，本願補正発明
と同様の理由により，引用発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明
をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受
けることができない，としたものである。
審決が，上記判断をするに当たり，本願補正発明と引用発明とを対比して認
定した一致点及び相違点はそれぞれ次のとおりである。
（一致点）
「酸化セリウム粒子及び水を含む半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤」
である点。
（相違点）
本願補正発明は，研磨剤がポリアクリル酸アンモニウム塩を含むのに対し
て，引用発明は，研磨剤がポリアクリル酸アンモニウム塩ではなく，分子量
２００００～３００００のポリビニルアルコールを含む点。
第３原告主張の取消事由の要点
審決は，本願補正発明と引用発明との相違点の判断を誤り，本願補正発明の
顕著な作用効果を看過した結果，本願補正発明の進歩性（独立特許要件）の判
断を誤り，違法に本件補正を却下した結果，本願の請求項１に係る発明の要旨
認定を誤ったものであるから，取り消されるべきである。
１相違点の判断の誤り
審決は，引用発明において，分散剤として機能し得るポリビニルアルコール
に代えて従来周知の分散剤であるポリアクリル酸アンモニウム塩を使用するこ
とは当業者であれば容易に想到し得たことである旨判断したが，以下のとおり，
誤りである。
(1)分散させる粒子の化学的性質や表面電荷の有無等により，分散剤による分
散効果は異なるから，すべての種類のセラミック粒子が，特定の分散剤と組
合わせた場合に，同じ分散挙動を示すわけではない。
また，本願補正発明のように，半導体基板の研磨に用いる研磨剤において
は，分散性が良好であるとともに，半導体基板の研磨特性が良好であること
が必要であるが，分散性と半導体基板の研磨特性は，必ずしも両立するもの
ではないから（例えば，分散剤として，β－ナフタレンスルホン酸ホルマリ
ン縮合物ナトリウムを用いると，分散性は良いが，研磨特性は良くない（研
磨傷が多い）という実験結果が得られており（甲４），分散性が良くなれば，
研磨特性も良くなるという関係があるわけではない。），使用する砥粒との
関係で，分散性と研磨特性という二つの要求を満たす分散剤を，選択しなけ
ればならない。
しかるところ，審決が周知例として例示した特開平７－１７２９３３号公
報（甲６），特開平７－１１６４３１号公報（甲７），特開平６－２６３５
１５号公報（甲８），及び被告が新たに周知例として掲げる特開平５－４８
６８号公報（乙１）における各セラミックスラリーは，分散される粒子が酸
化セリウムではなく，また，半導体基板の研磨に用いるものでもない。さら
に，甲８には，セラミック粉末の分散剤として，ポリアクリル酸アンモニウ
ム塩の使用が好ましくないことが記載されている。
したがって，甲６～８に示される技術（なお，これらが公知であることは
認めるが，周知であることは争う。）は，引用発明において，ポリビニルア
ルコールに代えてポリアクリル酸アンモニウム塩を採用することの起因ない
し動機付けとはなり得ない。乙１に示される技術についても同様である。
(2)引用例（甲５）の「粘度が高くなるにしたがってポリッシング速度が減少
する」（８欄２９行～３０行）との記載によれば，引用発明は，ポリビニル
アルコールを添加することにより，研磨速度が減少するという問題を生ずる
ものである。
したがって，引用発明に基づいて，研磨速度を向上させるために高分子の
分散剤を添加する本願補正発明に当業者が想到することは，そもそも困難で
ある。（なお，引用発明において使用されるポリビニルアルコールが，分散
剤として，公知であることは認めるが，周知であることは争う。）
(3)被告が新たに周知例として掲げる乙２（特開平６－３３００２５公報）に
おけるセラミックスラリーは，研磨材（砥粒）がバストネサイト系あるいは
塩セル系と呼ばれる酸化セリウムを含む希土類酸化物であって，純度の高い
酸化セリウムではなく，また，研磨速度が向上する点も，研磨材の粒子を均
一に分散させることにより研磨材中に含有されているフッ素イオンがガラス
表面のエッチングを促進するという，ガラス研磨に特有の作用効果であって，
本願補正発明とは構成も作用効果も相違する。
また，乙２に例示された分散剤のうち，具体的な効果が確認されているの
はカルボキシメチルセルロースのみであり，それ以外のものについては，分
散剤として使用できるという，いわゆる一行記載があるにすぎない。そして，
ポリアクリル酸ナトリウム等のポリアクリル酸塩などとともに列挙されてい
るポリビニルアルコールは，引用例（甲５）の前記記載からも明らかなよう
に，半導体基板研磨用との分散剤としては，不適当である。
そうすると，乙２に示される技術は，ポリアクリル酸ナトリウム等のポリ
アクリル酸塩，カルボキシメチルセルロース，ポリエチレンオキサイド，ポ
リビニルアルコールのうちから，引用発明におけるポリビニルアルコールに
代わるものとしてポリアクリル酸ナトリウム等のポリアクリル酸塩を分散剤
として選択することの起因ないし動機付けを与えるものではない。そして，
ポリアクリル酸塩を選ぶ動機付けがない以上，たとえアルカリ金属が存在し
ないようにすることが技術常識であったとしても，分散剤として，ポリアク
リル酸アンモニウム塩を採用することの起因ないし動機付けはないというべ
きである。
(4)被告は，分散性や研磨特性等に注目しつつ，実験を行うことにより，本願
補正発明に達することができ，その実験の数は分散剤の種類しかないからそ
れほど多数とはならない旨主張するが，実験の対象は，公知の分散剤すべて
におよび，その数は極めて多いから，被告の主張は誤りである。
２顕著な作用効果の看過
審決は，本願補正発明の奏する効果が引用発明及び周知技術から当業者が予
測できる範囲内であって，格別なものとは認められない旨判断したが，誤りで
ある。本願補正発明は，以下のとおり，ポリアクリル酸アンモニウム塩を酸化
セリウム粒子の分散剤としたことにより，半導体基板の研磨傷の発生を抑制し，
かつ，高速に研磨できるという顕著な作用効果を奏する。審決は，本願補正発
明の上記の顕著な作用効果を看過したものである。
(1)甲４（実験成績証明書）は，酸化セリウム粒子又はアルミナ粒子と１２種
の分散剤（本願補正発明に用いられるポリアクリル酸アンモニウム塩（重量
平均分子量８０００，４０％水溶液，以下「分散剤①」という。），引用例
（甲５），甲６又は甲８に記載された，エタノール（以下「分散剤②」とい
う。），グリセリン（以下「分散剤③」という。），ポリビニルアルコール
５００（以下「分散剤④」という。），ポリオキシエチレン（１２）ラウリ
ルエーテル（以下「分散剤⑤」という。），ポリオキシエチレンモノステア
レート（以下「分散剤⑥」という。），β－ナフタレンスルホン酸ホルマリ
ン縮合物ナトリウム（以下「分散剤⑦」という。），スルホこはく酸ジイソ
オクチルナトリウムの類似の化合物（以下「分散剤⑧」という。），２－ジ
メチルアミノエタノール（以下「分散剤⑨」という。），ポリオキシエチレ
ン（１０）ノニルフェニルエーテル（以下「分散剤⑩」という。），２－
（メトキシ（ポリエチレンオキシ）プロピル）トリメトキシシラン（以下
「分散剤⑪」という。），チタニウムトリイソステアロイルプロポキシドの
類似の有機チタン化合物（以下「分散剤⑫」という。）とを組合わせ，分散
性及び研磨特性を比較した実験に関するものである。
上記甲４では，分散性は，分散剤①，⑦，⑨，⑪を用いる場合がほぼ同等
で，それ以外の分散剤を用いる場合は分散能力が著しく劣る，研磨速度は，
分散剤①と⑪を用いる場合が速く，最も好ましい，欠陥及び研磨傷について
は，分散剤①を用いる場合が最も少なく，分散剤⑪を用いる場合は多いとい
う結果が得られており，ポリアクリル酸アンモニウム塩を酸化セリウム粒子
の分散剤として使用する本願補正発明の組合わせによってのみ，研磨速度と
研磨面の性状とに優れ，半導体基板を傷なく，しかも高速に研磨できるとい
う顕著な作用効果を実現できることが確認された。
また，酸化セリウム粒子と分散剤⑦を組合わせた場合，酸化セリウムと分
散剤①を組合わせた場合に比べ，研磨速度が遅いにもかかわらず，傷数が多
くなるという技術常識に反する結果も得られた。この点からも，分散剤①，
すなわちポリアクリル酸アンモニウム塩を用いた場合には，予測できない格
別の作用効果が奏されることが分かる（分散剤⑦を用いた場合に，研磨傷が
少ない結果も得られたが，実験結果にこのようなバラツキがある場合，逆に
研磨傷が多くなるという結果も出る蓋然性も高い。一方，分散剤①を用いた
場合には，バラツキの少ない結果が得られている。なお，この点については，
同一の条件で実験を繰り返し，研磨特性に関する再現性を確認した（甲１
０）。）。
(2)被告は，ポリアクリル酸アンモニウム塩が最も優れているとしても，格段
に優れているものとまではいえない旨主張する。
しかし，研磨において発生する幅広の傷は，半導体素子の歩留りに大きな
影響を与えるものであって，幅広の傷が少ないということは，半導体基板研
磨における研磨剤の選定において極めて重要である。また，研磨速度は，処
理速度と研磨コストに大きく影響を与えるため，研磨剤の選定において極め
て重要である。
したがって，被告の主張は失当である。
(3)被告は，甲４における実験に供されたポリアクリル酸アンモニウム塩の重
量平均分子量は８，０００であるが，分子量は作用効果に相当の影響を与え
るものであるから，甲４に記載の作用効果が本願補正発明において常に生ず
るものとすることができない旨主張する。
しかし，ポリアクリル酸アンモニウム塩の分子量が３，０００の場合及び
１７，０００の場合についても実験を行ったところ，重量平均分子量が８，
０００のものと比較して，研磨速度と研磨傷の点において，ほぼ同様の結果
を示すことがわかった（甲１０）。また，本願の審査過程で提出された平成
１６年９月２１日付け回答書（乙５）に記載された実験結果によれば，重量
平均分子量の異なるポリアクリル酸アンモニウム塩で，経時的には分散性に
相違があるものの，いずれのポリアクリル酸アンモニウム塩でも分散性が良
好であったこともわかる。
したがって，被告の主張は失当である。
第４被告の反論の要点
審決の認定及び判断に誤りはなく，原告主張の取消事由は理由がない。
１相違点の判断の誤りについて
(1)研磨剤（スラリー）を作製するため，研磨特性を考慮して，研磨粒子と分
散剤とをそれぞれを選択するとすれば，その組合わせは多数になることが考
えられる。
しかしながら，引用発明は，酸化セリウム粒子を砥粒とし，分散剤として
機能することが明らかなポリビニルアルコールを用いる半導体基板研磨用酸
化セリウム研磨剤であって，引用例（甲５）の「粘度が高くなるにしたがっ
てポリッシング速度が減少する」（８欄２９行～３０行）との記載のとおり
の課題を有している。そうすると，引用発明において，酸化セリウム粒子と
のなじみのよい分散剤を，ポリビニルアルコール以外の公知の分散剤の中か
ら，分散性や研磨特性等を実験により調査し，選び出そうとすることは，当
業者であれば当然想起することである。そして，この作業における選択肢の
数は，分散剤の種類の数しかないから，それほど多数とはならない。
(2)ポリアクリル酸アンモニウム塩は，チタン酸バリウム，酸化チタン，チタ
ン酸ジルコン酸鉛，チタン酸ストロンチウム，チタン酸マグネシウム，酸化
アルミニウムなどの各種セラミック粒子の分散剤として（甲６，段落【００
３２】。ただし，「酸化アルミニウル」は，「酸化アルミニウム」の誤記と
認める。），アルミナ，窒化硅素，炭化硅素，サイアロン，チタン酸バリウ
ム，酸化ジルコニウム，酸化マグネシウム，酸化チタン，酸化亜鉛，酸化カ
ルシウム，窒化ホウ素，窒化チタン，フオルステライト，ステアタイト，ム
ライト，コーディエライト，炭化タングステン，二酸化硅素，モンモリロナ
イト，カオリン，タルク，セピオライト，アタパルジャイトといった各種セ
ラミック粒子の分散剤として（甲７，段落【０００６】），アルミナ，ジル
コニア，窒化珪素，炭化珪素等といった各種セラミック粒子の分散剤として
（甲８，段落【００１９】），酸化イットリウム，酸化セリウム，酸化マグ
ネシウムおよび酸化カルシウムから選ばれる少なくとも１種を含有する酸化
ジルコニウム粒子の分散剤として（特開平５－４８６８号公報（乙１），
【請求項１】，段落【００２７】，【００２９】），それぞれ使用できるこ
とが，本願の優先権主張日前に知られている。
このように，広範囲のセラミック粒子の分散剤として使用できることが公
知のポリアクリル酸アンモニウム塩を，セラミックの一種である酸化セリウ
ム粒子を砥粒として用いる引用発明の分散剤として用いることに，格別な困
難性はない。
(3)ガラスを研磨するに際して，酸化セリウム粒子を含む研磨剤スラリーの分
散剤としてポリアクリル酸ナトリウム等のポリアクリル酸塩を用いることは，
本願の優先権主張日前において周知の事項である（乙２，請求項１及び段落
【００１８】）。
そして，半導体基板を研磨する際に，当該半導体基板の特性劣化を防止す
るために，ナトリウム等のアルカリ金属が存在しないようにすることは，技
術常識である（特開平８－１５３６９６号公報（乙３）の段落【０００７】，
【０００９】及び【００１５】，特開平８－１３４４３５号公報（乙４）の
段落【００１１】）。
そうすると，乙２に示される周知の酸化セリウム研磨剤を半導体基板の研
磨に使用しようとする場合，分散剤として使用するポリアクリル酸塩を，例
えばアンモニウム塩のようなアルカリ金属を含まないものとすることは，当
業者が当然に想起することであり，半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤に
関する引用発明において，分散剤としてポリアクリル酸アンモニウム塩を採
用することの起因ないし動機付けはあるといえる。
(4)以上のとおりであるから，上記組合わせを選択する起因ないし動機付けが
存在しないとする原告の主張は失当である。
２顕著な作用効果の看過について
(1)本願明細書（甲２，３）に示される実験結果（段落【００１８】～【００
２０】）は，砥粒として酸化セリウム粒子を用いる場合とシリカ粒子を用い
る場合とを比較したものであり，甲４に示される実験結果のうち，１２種の
分散剤をアルミナ粒子と組み合わせた実験結果は，酸化セリウム粒子を用い
るものではないから，いずれも，酸化セリウム砥粒を用いる研磨剤において，
ポリアクリル酸アンモニウム塩を分散剤として使用する場合の作用効果が顕
著なものか否かを判断する根拠とはなり得ない。
また，乙５（審理過程で提出された平成１６年９月２１日付け回答書）に
示される実験結果も，酸化セリウム砥粒を用いる研磨剤において，分散剤と
してポリアクリル酸アンモニウム塩以外のものを用いる場合でも，ポリアク
リル酸アンモニウム塩を用いる場合と同等の優れた分散性を得られることが，
甲４に示される実験結果に示されている以上，根拠たり得ない。
そして，甲４に示される酸化セリウム研磨剤の実験結果を子細にみると，
分級後固形分濃度については分散剤⑦が最も優れ，次いで分散剤⑪，そして
分散剤①，⑨の順であり，粒径分布については分散剤⑦が最も優れ，研磨速
度については分散剤⑪が最も優れ，次いで分散剤①，⑨，⑦の順である。ま
た，欠陥数及び傷数については，分散剤①が最も優れ，次いで分散剤⑦，⑨，
⑪の順であるが，分散剤①と⑦との欠陥数は９３と１０２で傷数は２０と２
７と大差ない。
そうすると，甲４に示される酸化セリウム研磨剤の実験結果から，原告が
主張するように，ポリアクリル酸アンモニウム塩を酸化セリウム粒子の分散
剤として使用する本願補正発明の組合わせによってのみ，研磨速度と研磨面
の性状とに優れ，半導体基板を傷なく，しかも高速に研磨できるという顕著
な作用効果を実現できることが確認されたということはできないし，仮に，
分散性，研磨速度，欠陥及び研磨傷についての総合判断で，分散剤①（ポリ
アクリル酸アンモニウム塩）が最も優れているとしても，格段に優れている
とまではいえない。
(2)甲４に示される酸化セリウム研磨剤の実験で使用したポリアクリル酸アン
モニウム塩は，重量平均分子量８，０００のものである。
ところで，本願明細書（甲１，３）の段落【００１０】には，「ポリアク
リル酸アンモニウム塩の分子量（重量平均分子量）は，１０００～１０００
０が好ましく，３０００～８０００がより好ましい。」との記載がある。ま
た，平成１６年９月２１日付け回答書（乙５）に示される分子量約１０，０
００の例４と，分子量約２２，０００の例５との対比実験結果によれば，ポ
リアクリル酸アンモニウム塩の分子量（重量平均分子量）は，作用効果に相
当の影響を与えていることが分かる。
しかし，本願補正発明は，ポリアクリル酸アンモニウム塩の重量平均分子
量が８，０００であることを構成要件とするものではないから，甲４の実験
成績証明書に記載の作用効果が，本願補正発明において常に生ずるものとす
ることはできない。
第５当裁判所の判断
１相違点の判断の誤りについて
原告は，引用発明におけるポリビニルアルコールに代えて，分散剤として，
ポリアクリル酸アンモニウム塩を採用することの起因ないし動機付けがない旨
主張する。
(1)ア甲６～８には，ポリアクリル酸アンモニウム塩が，それぞれ，チタン酸
バリウム，酸化チタン，チタン酸ジルコン酸鉛，チタン酸ストロンチウム，
チタン酸マグネシウムといった各種セラミック粒子の分散剤として（甲６
の段落【００３２】，但し，「酸化アルミニウル」は「酸化アルミニウ
ム」の誤記と認める。），アルミナ，窒化硅素，炭化硅素，サイアロン，
チタン酸バリウム，酸化ジルコニウム，酸化マグネシウム，酸化チタン，
酸化亜鉛，酸化カルシウム，窒化ホウ素，窒化チタン，フオルステライト，
ステアタイト，ムライト，コーディエライト，炭化タングステン，二酸化
硅素，モンモリロナイト，カオリン，タルク，セピオライト，アタパルジ
ャイトといった各種セラミック粒子の分散剤として（甲７の段落【０００
６】），アルミナ，ジルコニア，窒化珪素，炭化珪素等といった各種セラ
ミック粒子の分散剤として（甲８の段落【００１９】），使用できること
が記載されている。
イ乙１には，次の記載がある。
「【請求項１】（Ａ）酸化イットリウム，酸化セリウム，酸化マグネシ
ウムおよび酸化カルシウムから選ばれる少なくとも１種を含有する酸
化ジルコニウム粉体，（Ｂ）バインダーおよび（Ｃ）溶剤からなり，
該酸化ジルコニウム粉体（Ａ）の結晶子径が０．０５～０．５μｍの
範囲にあることを特徴とするジルコニアグリーンシート用組成物。」
「【００２３】本発明においては，上記成分（Ａ）の酸化ジルコニウム
粉体にバインダー（成分（Ｂ））および溶媒（成分（Ｃ）），さらに，
必要に応じて分散剤，可塑剤などを配合し，通常のボールミル法など
の手段によりスラリー化して，ジルコニアグリーンシート用組成物を
調製する。」
「【００２７】成分（Ｃ）の溶媒としては，使用する成分（Ｂ）のバイ
ンダーの溶解性によって水あるいは有機溶剤が選択される。」
「【００２９】上記スラリーの調整に当たっては，成分（Ａ）のジルコ
ニア粉体の解膠，分散を良くするためにポリアクリル酸，ポリアクリ
ル酸アンモニウムなどの高分子電解質，……を必要に応じて添加する
ことができる。」
上記によれば，乙１には，酸化セリウム粉体等から選ばれる少なくとも
１種を含有する酸化ジルコニウム粉体，バインダーおよび水からなるスラ
リーの調製に当たって，酸化ジルコニウム粉体の分散を良くするために，
ポリアクリル酸アンモニウムを添加することが記載されているということ
ができる。
ウ乙２には，次の記載がある。
「【請求項１】酸化セリウムを含む希土類酸化物を主成分とする研磨材
において，フッ素化合物を２．０～２０．０重量％，カルシウム化合
物をカルシウム換算で０．０１～０．９重量％含有することを特徴と
するガラス研磨用研磨材。」
「【０００５】このガラス研磨用の研磨材としては，砥粒を水等の液体
に分散させてスラリーの状態で使用するのが一般的である。しかし，
このようなスラリー状の研磨材においては，分散質である砥粒が容易
に分離し，沈殿するという問題がある。……」
「【００１７】……研磨中に泡がでることはできるだけ避けなければな
らないので，発砲が生じない分散剤を選定する必要がある。よって高
分子の有機分散剤が有効である。」（判決注：「発砲」は「発泡」の
誤記と認められる。）
「【００１８】それ故，本発明では，さらに高分子の有機分散剤を含有
することが望ましい。有機分散剤としては，ポリアクリル酸ナトリウ
ム等のポリアクリル酸塩，カルボキシメチルセルロース，ポリエチレ
ンオキサイド，ポリビニルアルコール等が例示される。」
上記によれば，乙２には，酸化セリウムを主成分とするガラス研磨用研
磨材であって，分散剤としてポリアクリル酸塩やポリビニルアルコールが
含有されるものが記載され，半導体基板研磨用であることは明示されてい
ないものの，酸化セリウム粒子，水，ポリアクリル酸塩（あるいはポリビ
ニルアルコール）を含む酸化セリウム研磨剤が開示されているということ
ができる（なお，ポリアクリル酸塩は，ポリアクリル酸アンモニウム塩を
包含する上位概念である。）。
さらに，乙３には，酸化セリウム研磨剤に含まれるＮａ等の金属成分が
半導体集積回路の特性に影響を与えていたことに鑑み，金属を構成要素と
して含まないようにすることが記載されていること（【請求項１９】，
【請求項２４】，【請求項２６】，段落【０００１】～【０００４】，
【０００７】），乙４には，酸化セリウムを主成分とした研磨材は，半導
体デバイスの製造工程で用いるためには，Ｎａ等のアルカリ金属イオンを
含有しないようにする必要があること，コロイダルシリカ等のシリカ研磨
材は，その微粉が被研磨加工物に比べて硬度が高く，研磨加工表面にダメ
ージを生じやすいこと，そして，酸化セリウムの平均粒径（一次粒径）は，
被研磨加工物表面の研磨精度，研磨傷の発生などの表面状態並びに被研磨
加工物表面との反応速度（したがって，研磨速度）等に影響を及ぼすこと
が記載されていること（【請求項１】，段落【０００１】，【０００４】，
【０００５】，【０００７】，【００１１】，【００１３】，【００１
９】）が，それぞれ認められる。
エ上記アないしウによれば，水を媒体とするセラミックスラリーの分散剤
としてポリアクリル酸アンモニウム塩を用いることは，審決が例示した甲
６～８に加え，乙１にも記載されているところであって，従来周知の事項
と認めるのが相当であり，また，審決が例示した，化学大辞典編集委員会
編集「化学大辞典８」共立出版株式会社１９８７年２月１５日縮刷版第
３０刷発行７６７頁（乙６）に加え，前記ウで認定した乙２の記載に照ら
せば，引用発明において使用されるポリビニルアルコールは，従来周知の
分散剤と認めるのが相当である。
原告は，これらの点につき，周知性を争うが，採用の限りでない。
オそうすると，水を媒体とするセラミックスラリーの分散剤としてポリア
クリル酸アンモニウム塩を用いることは，従来周知の事項であるから，半
導体基板研磨用酸化セリウム研磨材に係る引用発明において，従来周知の
分散剤であるポリビニルアルコールに代えてポリアクリル酸アンモニウム
塩を用いることは，当業者であれば容易に想到し得たものというべきであ
る。なお，このことは，本願の優先権主張日当時，現に酸化セリウム粒子
及び水を含む研磨材の分散剤として，ポリアクリル酸アンモニウム塩（乙
１）あるいはポリアクリル酸塩（乙２）を用いることが知られており，か
つ，半導体基板研磨に用いるためにはＮａ等の金属成分を含まないように
すべきことが知られていたこと（乙３，４）に照らしても，明らかである。
(2)原告は，分散させる粒子の化学的性質や表面電荷の有無等により，分散剤
による分散効果は異なるから，すべての種類のセラミック粒子が，特定の分
散剤と組合わせた場合に，同じ分散挙動を示すわけではない旨主張する。
しかし，①半導体基板研磨に用いるためにはＮａ等の金属成分を含まない
ようにすべきことは，前記のとおりであり（乙３，４），また，②粒子径が
大きいガラス表面研磨用酸化セリウム研磨剤をそのまま絶縁膜研磨に適用す
ると傷が入ってしまうという問題があるとされていたところであり（乙３に
は，「従来の不純物が多く含まれているセリア研磨剤を用いて研磨すると，
半導体集積回路用などの配線基板の製造では不良の原因となる研磨傷が多発
した。……これは，従来の酸化セリウム粒子の平均粒子サイズが１μｍを超
えるものであったことによる。そこで，平均粒子サイズを１μｍ未満にする
と研磨傷の発生が抑制されることがわかった。」（段落【００１１】）との
記載がある。），上記①，②の点はいずれも本件優先日前に知られていたも
のと認められる。
そうすると，ある分散剤との組合せにおいて，すべての種類のセラミック
粒子が同じ分散挙動を示すわけではないとしても，当業者であれば，①の課
題を解決するために，引用発明に記載された周知の分散剤であるポリビニル
アルコールに代えて，従来周知の分散剤から，Ｎａ等の金属成分を含まない
分散剤として，酸化セリウム粒子及び水を含む研磨材の分散剤として用いる
ことが知られていたポリアクリル酸アンモニウム塩を選択することは，当然
に想起することというべきである。
(3)原告は，引用発明は，ポリビニルアルコールを添加することにより研磨速
度が減少するという問題を有するから，引用発明に基づいて，研磨速度を向
上させるために高分子の分散剤を添加することに当業者が想到することは困
難である，周知例（甲６～８，乙１）には，研磨特性を向上する分散剤を選
択することは記載されていない，甲４によれば，分散性と研磨特性等の間に
は分散性が良くなれば，必ず研磨特性等も良くなるという関係が存在するも
のではないことが分かるなどと主張する。
しかし，引用発明及び周知技術に基づいて，当業者が本願補正発明を容易
に発明することができたと認められることは，既に説示したとおりであり，
また，後記２(1)において説示するとおり，そもそも分散剤と研磨速度の向上
あるいは研磨特性の改善という作用効果との関係について説明した記載は，
本願明細書（甲１，３）には見当たらないから，原告の主張は採用すること
ができない。
(4)原告は，甲８には，セラミック粉末の分散剤としてのポリアクリル酸アン
モニウム塩の使用が好ましくないことも記載されている旨主張するが，甲８
においてポリアクリル酸アンモニウム塩を使用することの課題は，泥漿の鋳
込不良に関するものであって，本願補正発明に係る酸化セリウム粒子に関す
るものではないから，採用することができない。
(5)原告は，乙２に記載された研磨材（砥粒）は，純度の高い酸化セリウムで
はないし，ガラスの研磨速度が向上する理由も，ガラス研磨の際にみられる
特有の作用効果であって，本願補正発明とは，その構成も作用効果も相違す
る。また，乙２に例示された高分子の有機分散剤のうち，分散剤としての具
体的な効果が確認されているのはカルボシキメチルセルロースのみであるし，
ポリビニルアルコールは甲５からも明らかなように，半導体基板研磨用との
分散剤として不適なものであり，乙２には，酸化セリウムの半導体基板研磨
用の分散剤として使用することが示唆されているということもできないから，
アルカリ金属が存在しないようにすることが技術常識であったとしても，分
散剤としてポリアクリル酸アンモニウム塩を採用することの起因ないし動機
付けはない旨主張する。
しかしながら，半導体基板研磨に用いるためにはＮａ等の金属成分を含ま
ないようにすべきことは前記のとおりであるから，乙２に示される酸化セリ
ウム研磨剤を半導体基板の研磨に使用しようとする場合，分散剤として使用
するポリアクリル酸塩を，例えばアンモニウム塩のような，アルカリ金属を
含まないものとすることは，当業者が当然に想起することであり，半導体基
板研磨用酸化セリウム研磨剤に関する引用発明において，分散剤としてポリ
アクリル酸アンモニウム塩を採用することの起因ないし動機付けがないとい
うことはできない。原告の主張は採用することができない。
(6)原告は，本願補正発明に到達するために実験などを行う必要のある分散剤
の種類は，公知の分散剤のすべてに及び，その数は極めて多い旨主張する。
しかし，すでに説示したとおり，本願の優先権主張日当時，半導体基板研
磨に用いるためにはＮａ等の金属成分を含まないようにすべきこと（乙３，
４），酸化セリウム研磨剤における分散剤としてポリアクリル酸アンモニウ
ム塩を用いること（乙１）は，いずれも知られていたところであるから，必
ずしも公知の分散剤すべてについて漫然と実験を行うことが必要であったと
は認められず，原告の主張は採用の限りでない。
(7)以上のとおりであるから，審決における相違点の判断に誤りがあるとする
原告の主張は採用することができない。
２顕著な作用効果の看過について
原告は，本願補正発明は，ポリアクリル酸アンモニウム塩を酸化セリウム粒
子の分散剤としたことにより，半導体基板の研磨傷の発生を抑制し，かつ，高
速に研磨できるという顕著な作用効果を奏する旨主張する。
(1)本願明細書（甲１，３）には，次の記載がある。
「【請求項１】酸化セリウム粒子，ポリアクリル酸アンモニウム塩及び
水を含む半導体基板研磨用酸化セリウム研磨剤。」
「【０００２】
【従来の技術】従来，半導体装置の製造工程において，プラズマ－ＣＶ
Ｄ，低圧－ＣＶＤ等の方法で形成されるＳｉＯ絶縁膜等無機絶縁膜層を２
平坦化するための化学機械研磨剤としてコロイダルシリカ系の研磨剤が
一般的に検討されている。コロイダルシリカ系の研磨剤は，シリカ粒子
を四塩化珪酸を熱分解する等の方法で粒成長させ，アンモニア等のアル
カリ金属を含まないアルカリ溶液でｐＨ調整を行って製造している。し
かしながら，この様な研磨剤は無機絶縁膜の研磨速度が充分な速度を持
たず，実用化には低研磨速度という技術課題がある。
【０００３】一方，フォトマスクやレンズ等のガラス表面研磨として，
酸化セリウム研磨剤が用いられている。酸化セリウム粒子はシリカ粒子
やアルミナ粒子に比べ硬度が低く，したがって研磨表面に傷が入りにく
いことから仕上げ鏡面研磨に有用である。また，酸化セリウムは強い酸
化剤として知られるように化学的活性な性質を有している。この利点を
活かし，絶縁膜用化学機械研磨剤への適用が有用である。しかしながら，
ガラス表面研磨用酸化セリウム研磨剤にはＮａ塩を含む分散剤を使用し
ているためそのまま半導体用研磨剤として適用することはできない。さ
らに，ガラス表面研磨用酸化セリウム研磨剤をそのまま無機絶縁膜研磨
に適用すると，酸化セリウム粒子径（一次粒子や凝集粒子）が大きく，
そのため絶縁膜表面に目視で観察できる研磨傷が入ってしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，ＳｉＯ絶縁膜等の被研磨面２
にＮａ等のアルカリ金属汚染をせずに，傷なく高速に研磨することが可
能な酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の酸化セリウム研磨剤は，酸化セ
リウム粒子，ポリアクリル酸アンモニウム塩及び水を含むものである。
ポリアクリル酸アンモニウム塩の添加量は，酸化セリウム粒子１００重
量に対して必要有効量～２．０重量部が好ましい。有効必要量は０．０
１重量部が好ましい。ポリアクリル酸アンモニウム塩の分子量（重量平
均分子量）は，１０００～１００００が好ましく，３０００～８０００
がより好ましい。酸化セリウム研磨剤のｐＨは７以上１０以下がより好
ましい。本発明の基板の研磨法は，上記の酸化セリウム研磨剤で所定の
基板例えばＳｉＯ絶縁膜が形成された基板でを研磨することを特徴とす２
るものである。本発明は，ＳｉＯ絶縁膜等の被研磨面にＮａ等のアルカ２
リ金属汚染をせずに，傷なく高速に研磨することを見い出したことによ
りなされたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】一般に酸化セリウムは，炭酸塩，硝酸塩，硫酸塩，
しゅう酸塩等のセリウム化合物を焼成することによって得られる。ＴＥ
ＯＳ－ＣＶＤ法等で形成されるＳｉＯ絶縁膜は一次粒子径が大きく，か２
つ結晶歪が少ないほど，すなわち結晶性がよいほど高速研磨が可能であ
るが，研磨傷が入りやすい傾向がある。そこで，本発明で用いる酸化セ
リウム粒子は，その製造法を限定するものでないが，あまり結晶性を上
げないで作製されることが好ましい。酸化セリウム一次粒子径は５ｎｍ
以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。また半導体チップ研磨に使
用することから，アルカリ金属およびハロゲン類の含有率は１ｐｐｍ以
下に抑えることが好ましい。」
「【００１０】本発明における酸化セリウムスラリーは例えば上記の特徴
を有する酸化セリウム粒子とポリアクリル酸アンモニウム塩を含む分散
剤と水からなる組成物を分散させることによって得られる。ここで，酸
化セリウム粒子の濃度に制限はないが，懸濁液の取り扱いやすさから０．
５以上２０重量％以下の範囲が好ましい。また，分散剤として，半導体
チップ研磨に使用することからＮａ，Ｋ等のアルカリ金属および，ハロ
ゲン，イオウを含まないものとしてポリアクリル酸アンモニウム塩が好
ましい。また，ポリアクリル酸アンモニウム塩と水溶性有機高分子類
（ポリグリセリン脂肪酸エステル等），水溶性陰イオン性界面活性剤
（アルキルエーテルカルボン酸塩），水溶性非イオン性界面活性剤（ポ
リエチレングリコールモノステアレート等），水溶性アミン類（モノエ
タノールアミン等）から選ばれた少なくとも１種類を含む２種類以上の
分散剤を使用してもよい。これらの分散剤添加量は，スラリー中の粒子
の分散性および沈降防止，さらに研磨傷と分散剤添加量との関係から酸
化セリウム粒子１００重部に対して０．０１以上２．０重部以下の範囲
が好ましい。ポリアクリル酸アンモニウム塩の分子量（重量平均分子
量）は，１０００～１００００が好ましく，３０００～８０００がより
好ましい。これらの酸化セリウム粒子を水中に分散させる方法としては
通常の撹拌機による分散処理の他にホモジナイザ－，超音波分散機など
を用いることができる。」
「【００１６】
【実施例】
（酸化セリウム粒子の作製１）炭酸セリウム水和物２ｋｇを白金製容器
に入れ，７００℃で２時間空気中で焼成することにより黄白色の粉末を
約１ｋｇ得た。この粉末をＸ線回折法で相同定を行ったところ酸化セリ
ウムであることを確認した。酸化セリウム粉末１０重量％になるように
脱イオン水と混合し，横型湿式超微粒分散粉砕機を用いて１４００ｒｐ
ｍで１２０分間粉砕処理をした。得られた懸濁液を１１０℃で３時間乾
燥することにより酸化セリウム粒子を得た。透過型電子顕微鏡による観
察で粒子が１０～６０ｎｍであること，さらにＢＥＴ法による比表面積
測定の結果，３９．５ｍ／ｇであることがわかった。２
【００１７】（酸化セリウム粒子の作製２）炭酸セリウム水和物２ｋｇ
を白金製容器に入れ，７００℃で２時間空気中で焼成することにより黄
白色の粉末を約１ｋｇ得た。この粉末をＸ線回折法で相同定を行ったと
ころ酸化セリウムであることを確認した。酸化セリウム粉末１ｋｇをジ
ェットミルを用いて乾式粉砕を行った。透過型電子顕微鏡による観察で
粒子が１０～６０ｎｍであること，さらにＢＥＴ法による比表面積測定
の結果，４１．２ｍ／ｇであることがわかった。２
【００１８】（酸化セリウムスラリーの作製）上記作製１，２の酸化セ
リウム粒子１２５ｇとポリアクリル酸アンモニウム塩水溶液（４０重量
％）３ｇと脱イオン水２３７２ｇを混合し，撹拌をしながら超音波分散
を施した。超音波周波数は４０ｋＨｚで分散時間１０分間行った。得ら
れたスラリーを０．８ミクロンフィルターでろ過をし，さらに脱イオン
水を加えることにより３ｗｔ．％研磨剤を得た。スラリーｐＨはともに
８．５であった。スラリーの粒度分布を調べたところ，平均粒子径がと
もに２９０ｎｍと小さく，その半値幅も３００ｎｍと比較的分布も狭い
ことがわかった。最大粒子径はともに８００ｎｍ以下の粒子が９９．９
％であった。
【００１９】（絶縁膜層の研磨）保持する基板取り付け用の吸着パッド
２を貼り付けたホルダーにＴＥＯＳ-プラズマＣＶＤ法で作製したＳｉＯ
絶縁膜を形成させたＳｉウエハをセットし，多孔質ウレタン樹脂製の研
磨パッドを貼り付けた定盤上に絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ，さ
らに加工加重が３００ｇ／ｃｍになるように重しを載せた。定盤上に上２
記の酸化セリウムスラリー（固形分：３重量％）を３５ｃｃ／ｍｉｎの
速度で滴下しながら，定盤を３０ｒｐｍで１分間回転させ，絶縁膜を研
磨した。研磨後ウエハをホルダーから取り外して，流水で良く洗浄後，
超音波洗浄機によりさらに２０分間洗浄した。洗浄後，ウエハをスピン
ドライヤーで水滴を除去し，１２０℃の乾燥機で１０分間乾燥させた。
光干渉式膜厚測定装置を用いて，研磨前後の膜厚変化を測定した結果，
この研磨により２種の研磨剤はそれぞれ３００ｎｍ／ｍｉｎの絶縁膜が
削られ，ウエハ全面に渡って均一の厚みになっていることがわかった。
また，目視では絶縁膜表面には傷が見られなかった。
【００２０】比較例
実施例と同様にＴＥＯＳ－ＣＶＤ法で作製したＳｉＯ2絶縁膜を形成させ
たＳｉウエハについて，市販シリカスラリー（キャボット社製，商品名
ＳＳ２２５）を用いて研磨を行った。この市販スラリーのｐＨは１０．
３で，ＳｉＯ粒子を１２．５ｗｔ％含んでいるものである。研磨条件は２
実施例と同一である。その結果，研磨による傷は見られず，また均一に
研磨がなされたが，３分間の研磨により７５ｎｍの絶縁膜層しか削れな
かった（２５ｎｍ／ｍｉｎ）。」
「【００２１】
【発明の効果】本発明の研磨材により，ＳｉＯ絶縁膜等の被研磨面を傷２
なく高速に研磨することが可能となる。」
本願明細書の上記記載によれば，①本願補正発明は，ＳｉＯ絶縁膜等無機２
絶縁膜層を平坦化するための化学機械研磨剤として，十分な研磨速度を持た
ないコロイダルシリカ系の研磨剤に代えて，酸化セリウム研磨剤を提供する
ものであること，②酸化セリウム粒子は，シリカ粒子やアルミナ粒子に比べ
硬度が低く，研磨表面に傷が入りにくいこと，③酸化セリウム粒子は，一次
粒子径が大きいほど，また，結晶性がよいほど，高速研磨が可能である反面，
研磨傷が入りやすいという傾向があるので，あまり結晶性を上げないで作製
されることが好ましく，また，一次粒子径が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であ
ることが好ましいとされていること，④酸化セリウムスラリーに係る実施例
（粒子径が１０～６０ｎｍ）では３００ｎｍ／ｍｉｎ，シリカスラリーに係
る比較例では２５ｎｍ／ｍｉｎの研磨速度が得られたことなどが認められる。
上記によれば，本願補正発明が奏するとされる研磨傷の発生の抑制あるいは
研磨速度の向上は，酸化セリウム粒子の一次粒子径や結晶性に左右されるも
のであることがうかがわれるが，本願の特許請求の範囲は，酸化セリウム粒
子の一次粒子径や結晶性について規定していない。
他方，酸化セリウム粒子の分散剤としてポリアクリル酸アンモニウム塩を
用いることと，研磨傷の発生の抑制あるいは研磨速度の向上，作用効果との
関係について，説明した記載は本願明細書には見当たらない。
そうすると，本願補正発明において，ポリアクリル酸アンモニウム塩を酸
化セリウム粒子の分散剤としたことにより，研磨傷の発生の抑制あるいは研
磨速度の向上という作用効果が奏されることは，本件明細書の記載から直ち
に認めることはできないものというべきである。
(2)原告は，ポリアクリル酸アンモニウム塩を酸化セリウム粒子の分散剤とし
て使用する本願補正発明の組合せによってのみ，研磨速度と研磨面の性状と
に優れ，半導体基板を傷なくしかも高速に研磨できるという顕著な効果を実
現できることは，甲４の実験結果から認められる旨主張する。
しかし，甲４に示される実験結果は，本願明細書に記載されておらず，ま
た，これから明らかであるともいえない。
この点をひとまず措くとしても，甲４に示される酸化セリウム研磨剤の実
験結果を子細にみると（以下，分散剤の略称は，前記第３，２(1)による。），
分級後固形分濃度については分散剤⑦が最も優れ，次いで分散剤⑪，①，⑨
の順であり，粒径分布については分散剤⑦が最も優れ，次いで分散剤①，⑨，
⑪の順であり，研磨速度については分散剤⑪が最も優れ，次いで分散剤①，
⑨，⑦の順である。また，欠陥数及び傷数については分散剤①が最も優れ，
次いで分散剤⑦，⑨，⑪の順であるが，分散剤①と⑦とを比較すると，欠陥
数は９３と１０２，傷数は２０と２７で，さほど変わらないことがうかがわ
れる。
また，本願明細書（甲１，３）の「ポリアクリル酸アンモニウム塩の分子
量（重量平均分子量）は，１０００～１００００が好ましく，３０００～８
０００がより好ましい。」（段落【００１０】）との記載，及び，平成１６
年９月２１日付け回答書（乙５）に示される分子量約１０，０００の例４と
分子量約２２，０００の例５との対比実験の結果に照らせば，ポリアクリル
酸アンモニウム塩の分子量（重量平均分子量）が影響することがうかがわれ
る。そして，甲４の実験で使用した分散剤①，すなわちポリアクリル酸アン
モニウム塩は重量平均分子量８０００のもののみであるところ，本願補正発
明はポリアクリル酸アンモニウム塩の重量平均分子量を規定しておらず，こ
れが８，０００であることを構成要件とするものではない。
そうすると，甲４に示される酸化セリウム研磨剤の実験結果は，直ちに本
願補正発明の作用効果の顕著性を裏付けるものとはいえない。
なお，原告は，実験成績証明書２（甲１０）に基づいて，ポリアクリル酸
アンモニウム塩の分子量が３，０００の場合及び１７，０００の場合につい
ても実験し，研磨速度と研磨傷の点において，８，０００のものとほぼ同様
の結果を示すことがわかった旨主張するが，上記のとおり，本願補正発明は
ポリアクリル酸アンモニウム塩の重量平均分子量を規定していないから，甲
１０の実験結果は，直ちに本願補正発明の作用効果の顕著性を裏付けるもの
とはいえない。
(3)以上のとおりであるから，本願補正発明が，ポリアクリル酸アンモニウム
塩を酸化セリウム粒子の分散剤としたことにより，半導体基板の研磨傷の発
生を抑制し，かつ，高速に研磨できるという顕著な作用効果を奏するとの原
告の主張は，採用することができない。
３上記１で検討したとおり，本願補正発明に関する審決の判断に誤りはないの
で，審決が，本件補正を却下し，本願の請求項１に係る発明の要旨として本願
発明を認定し，その進歩性を否定したことに誤りはない。
４結論
以上によれば，原告主張の取消事由は理由がなく，その他，審決に，これを
取り消すべき誤りがあるとは認められない。
よって，原告の本訴請求は理由がないから，これを棄却することとし，主文
のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第３部
三村量一裁判長裁判官
古閑裕二裁判官
嶋末和秀裁判官

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