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平成１２年（行ケ）第２９６号　特許取消決定取消請求事件
平成１５年２月２７日口頭弁論終結
　　　　　　　　　　　　判　　　　　　　決
　　　　　　原　　　　　　　　告　　　　豊田合成株式会社
　　　　　　原　　　　　　　　告　　　　株式会社豊田中央研究所
　　　　　　２名訴訟代理人弁護士　　　　大　場　正　成
　　　同　　　　　尾　崎　英　男
　　　　　　同　　　　　嶋　末　和　秀
　　　同　　　　　黒　田　健　二
　　　２名訴訟復代理人弁護士　　　吉　村　　　誠
　　　２名訴訟代理人弁理士　　　　平　田　忠　雄
　　　同　　　　　樋　口　武　尚
　　　　　　２名訴訟復代理人弁理士　　　藤　谷　　　修
　　　同　　　　　松　原　　　等
　　　　　　被　　　　　　　　告　　　　特許庁長官　太　田　信一郎
　　　　　　指定代理人　　　　　　　　　平　井　良　憲
　　　同　　　　　小　林　信　雄
　　　同　　　　　涌　井　幸　一
　　　同　　　　　高　橋　泰　史
　　　同　　　　　大　橋　良　三
　　　　　　　　　　　主　　　　　　　文
　　　１　原告らの請求を棄却する。
　　　２　訴訟費用は原告らの負担とする。
　　　　　　　　事実及び理由
第１　当事者の求めた裁判
１　原告ら
(1)特許庁が平成１０年異議第７１５６２号事件について平成１２年６月２３
日にした決定を取り消す。
　　(2)訴訟費用は被告の負担とする。
２　被告
　主文と同旨
第２　当事者間に争いのない事実
１　特許庁における手続の経緯
　　原告らは，発明の名称を「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」とする特
許第２６６１００９号の特許（平成３年１０月３０日に出願された特願平３－３１
３９７７号（以下「本件原出願」といい，その発明を「本件原発明」，その願書に
添付された明細書及び図面をまとめて「本件原明細書」という。）について平成８
年５月１６日になされた分割出願（以下「本件出願」といい，その願書に添付され
た明細書及び図面をまとめて「本件明細書」という。）に基づき，平成９年６月１
３日に設定登録された。以下「本件特許」といい，その発明を「本件発明」とい
う。）の特許権者である。
　　本件特許に対し，請求項１ないし３につき，特許異議の申立てがあり，特許
庁は，この申立てを，平成１０年異議第７１５６２号事件として審理した。原告ら
は，この審理の過程で，平成１０年１１月６日，本件明細書の訂正の請求をし（以
下「本件訂正」といい，本件訂正に係る発明を「本件訂正発明」，本件訂正に係る
明細書及び図面をまとめて「本件訂正明細書」という。），平成１１年５月６日
に，訂正請求書の補正（以下「本件訂正の補正」という。）をした。特許庁は，審
理の結果，平成１２年６月２３日，本件訂正の補正及び本件訂正はいずれも認めら
れないとした上，「特許第２６６１００９号の請求項１ないし３に係る発明の特許
を取り消す。」との決定をし，同年７月１７日にその謄本を原告らに送達した。
２　本件発明の特許請求の範囲は，次のとおりである。
「【請求項１】基板と，この基板上に形成されたｎ型の窒化ガリウム系化合物
半導体から成るｎ層と，ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から
成るｐ型不純物添加層とを有する発光素子において，前記ｐ型不純物添加層上に形
成された透明電極と，前記透明電極上に形成されたニッケル（Ｎｉ）層と金（Ａ
ｕ）層との２重層から成る電極とを設けたことを特徴とする発光素子。　
【請求頃２】前記ｐ型不純物添加層は，ｐ型不純物を添加したＧａＮから成る
層であり，前記透明電極はＩＴＯであることを特徴とする請求項１に記載の発光素
子。　
【請求項３】基板と，この基板上に形成されたｎ型の窒化ガリウム系化合物半
導体から成るｎ層と，ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成
るｐ型不純物添加層とを有する発光素子において，前記ｎ層に対する電極をアルミ
ニウム（Ａｌ）とニッケル（Ｎｉ）層と金（Ａｕ）層との３重層としたことを特徴
とする発光素子。」　
３　本件訂正明細書に記載された特許請求の範囲は，次のとおりである（下線部
が本件訂正による変更箇所である。）。
「【請求項１】基板と，この基板上に形成されたｎ型の窒化ガリウム系化合物
半導体から成るｎ層と，ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から
成る層とを有し，発光する部分が電極下領域に限定される窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子において，
　前記ｐ型不純物を添加した層上に形成された透明電極と，前記透明電極上に
形成されたニッケル（Ｎｉ）層と金（Ａｕ）層との２重層から成る電極とを設けた
ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求頃２】前記ｐ型不純物を添加した層は，ｐ型不純物を添加したＧａＮか
ら成る層であり，前記透明電極はＩＴＯであることを特徴とする請求項１に記載の
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。　
【請求項３】基板と，この基板上に形成されたｎ型の窒化ガリウム系化合物半
導体から成るｎ層と，ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成
る層とを有し，発光する部分が電極下領域に限定される窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子において，前記ｎ層に対する電極をアルミニウム（Ａｌ）とニッケル
（Ｎｉ）層と金（Ａｕ）層との３重層としたことを特徴とする窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子。」　
４　決定の理由
　別紙決定書の写しのとおりである。要するに，本件出願は，本件訂正発明も
本件発明も，本件原明細書に記載されていたものとは認められず，適法な分割出願
ではないため，出願日の遡及が認められず，現実の出願日である平成８年５月１６
日に出願されたものであると認定し，これを前提に，本件訂正発明も本件発明も，
本件原出願の公開公報である特開平５－１２９６５８号（以下「刊行物１」とい
う。）に記載された本件原発明と同一であって，特許法２９条１項３号に該当し，
それぞれ，独立特許要件及び特許要件（新規性）がないものであると認定判断し
て，本件訂正は認められず，本件発明は特許を受けることができないものである，
とするものである。本件訂正の補正については，訂正請求書の要旨を変更するもの
であるとして認めず，本件訂正中の訂正事項１６については，本件明細書に記載し
た範囲内においてなされているものとは認められないと認定判断し，これも，本件
訂正を認めない理由とするものである。
第３　原告ら主張の決定取消事由の要点
　決定は，本件原明細書の記載内容の認定を誤り，その結果，本件訂正発明も
本件発明も本件原明細書に記載されていたものとは認められず，本件出願は，適法
な分割出願ではないため，出願日の遡及は認められないとして，これを前提に論を
進めたため，本件訂正発明の独立特許要件の判断を誤り（取消事由１－１），本件
発明の特許要件（新規性）についての判断も誤ったものである（取消事由２）。ま
た，決定は，本件訂正中の訂正事項１６についても，明りょうではない記載を明り
ょうな記載にしたにすぎないものであるのに，本件明細書に記載した範囲内におい
てなされたものではない，と誤って認定判断し（取消事由１－２），本件訂正を認
めなかったものである。決定のこれらの認定判断の誤りは，結論に影響をすること
が明らかであるから，決定は，違法として取り消されるべきである。
１　取消事由１－１（本件訂正発明の独立特許要件の判断の誤り－本件出願の分
割要件の認定判断の誤り）及び取消事由２（本件発明の新規性の認定判断の誤り－
本件出願の分割要件の認定判断の誤り）
　　決定は，「原明細書の記述においては，本件発明は，ＭＩ
Ｓ（Metal-Insulator-Semiconductor）型，すなわち，金属／半絶縁体／半導体の
組み合わせから成る発光素子に関するものであり，金属に接するのは，半絶縁性の
窒化ガリウム系化合物半導体のｉ層である。そして，段落【０００３】に記載され
ているように，他の化合物半導体においては，ｐｎ接合型が開発されているが，Ｇ
ａＮ系化合物半導体では，低抵抗のｐ型結晶が得られていないためＭＩＳ構造を形
成するのであると記載されており，窒化ガリウムにおけるｐｎ接合型については，
一切記載されていない。」（決定書６頁下４行～７頁４行）と認定した上で，「原
出願明細書において，「ｐ型不純物を添加した半絶縁性のｉ型の窒化ガリウム系化
合物半導体（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ；０≦ｘ＜１）から成るｉ層」とされていたもの
が，分割出願当初の明細書及び訂正された明細書においては，「ｐ型の不純物を添
加した窒化ガリウム系化合物半導体から成る層」とされている。この「ｐ型の不純
物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成る層」という表現は，「ｐ型の不
純物を添加した高抵抗のｉ層」及び「ｐ型の不純物を添加したｐ型の特性を示すｐ
層」の両方を包含するものであるが，原明細書には，ＭＩＳ型の発光素子，すなわ
ち，「ｐ型の不純物を添加した高抵抗のｉ層」を有する発光素子についての発明は
記載されているが，ｐｎ接合型，すなわち，「ｐ型の不純物を添加したｐ型の特性
を示すｐ層」を有する発光素子については記載されていない。そして，ｉ層上に形
成される透明電極とｐ層上に形成される透明電極とが同じ作用及び効果を奏するの
か否かはまったく不明である。したがって，本件出願は，原特許出願に包含されて
いる発明の一部を新たな特許出願，すなわち特許法第４４条第１項の規定に基づく
特許出願とは認められない。よって，本件特許の出願日は，現実の出願日である平
成８年５月１６日である。」（決定書７頁２８行～８頁８行）と認定し，これを前
提として，本件訂正発明の独立特許要件及び本件発明の特許要件（新規性）を認定
判断した。
　　本件訂正発明の「ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から
成る層」あるいは本件発明の「ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導
体から成るｐ型不純物添加層」という構成が，「ｐ型の不純物を添加した高抵抗の
ｉ層」及び「ｐ型の不純物を添加したｐ型の特性を示すｐ層」の両方を包含するも
のであることは事実である。しかしながら，本件原明細書には，次に述べるとお
り，「不純物添加のみによるｐｎ接合型発光素子」が明示的に記載されており，ま
た，「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」も記載されているに等しいというこ
とができるのである。そうすると，たとい，本件訂正発明及び本件発明が，窒化ガ
リウム系化合物半導体から成る層として，「ｐ型の不純物を添加した高抵抗のｉ
層」及び「ｐ型の不純物を添加したｐ型の特性を示すｐ層」の両方を包含するもの
であって，その構成に，「ｐｎ接合型発光素子」を含むものであるとしても，これ
は，本件原明細書に記載されていたというべきであるから，本件出願は，分割出願
の要件を満たしており，その出願日は，本件原出願の出願日に遡及するのである。
(1)「不純物添加のみによるｐｎ接合型発光素子」の本件原明細書における開
示について
　本件原明細書に記載されたＭＩＳ型発光素子（以下「本件ＭＩＳ型発光素
子」という。）は，「ｐ型の不純物を添加した高抵抗のｉ層」が「高抵抗のｐ層」
であり，かつ，発光メカニズムが電流注入型であって，ｐｎ接合型発光素子と共通
するものであるから，ｐｎ接合型発光素子でもある。
(ｱ)本件原明細書における「ｐ型の不純物を添加した高抵抗のｉ層」は，
「高抵抗のｐ層」と解すべきである。
(a)審決が本件訂正発明及び本件発明に包含されると認定した「ｐ型の不
純物を添加したｐ型の特性を示すｐ層」とは，「高抵抗のｐ層」と「低抵抗のｐ
層」を包含するものであり，「高抵抗のｐ層」は，さらに「ｐ型化処理をしていな
い高抵抗のｐ層」と「ｐ型化処理をした高抵抗のｐ層」に分類することができる
（ここでいう「抵抗」とは，横方向の拡散抵抗であり，縦方向の直列抵抗ではな
い。以下同じ。）。なお，「低抵抗のｐ層」は，高ホール濃度のｐ層を十分な厚さ
に形成することによって，初めて得られるものであるため，窒化ガリウム（以下，
単に「ＧａＮ」とも表記する。）系の発光素子においては，現在においても実用化
されていない。
(b)物質は，導体（１０－５
Ω・ｃｍ以下），半導体（１０－５
～１０１２
Ω・ｃ
ｍ）及び絶縁体（１０１２
Ω・ｃｍ以上）に分類される（甲第３３号証２頁下３行～
３頁１行）。
　半導体の導電型は，電子濃度と正孔濃度の大小だけによって一義的に
決まる。ＧａＮでは，正孔濃度＞１０－１０
＞電子濃度のときｐ型，正孔濃度＝１０－１０
＝電子濃度のとき真性半導体，電子濃度＞１０－１０
＞正孔濃度のときｎ型となる。な
ぜなら，電子濃度と正孔濃度との積は，真性濃度の２乗に等しく（甲第３４号証，
２０頁（２４）式），ＧａＮの真性濃度（室温）は２×１０－１０
／ｃｍ３
（甲第３５
号証，１１８頁１３行）であるから，説明を簡略化するため，この真正濃度を１０－
１０
／ｃｍ３
とすると，ＧａＮでは「電子濃度×正孔濃度＝１０－２０
」の関係式が成立す
るからである（ｉ型は絶縁体であるから，ｉ型という伝導型はない。）。
(c)半導体の正孔濃度は，比抵抗から求めることができる。半導体の比抵
抗と正孔濃度との間には，一般式「比抵抗（Ω・ｃｍ）＝１／（電気素量×正孔濃
度（／ｃｍ３
）×正孔移動度）」が認められ（甲第３７号証の３頁），窒化ガリウム
の電気素量は１０－１９
Ｃであり（甲第３８号証１５５１頁），同じく「正孔移動度の
値」は８ｃｍ２
／Ｖ・Ｓ（甲第１３号証表１）であるから，ＧａＮの正孔濃度は上記
一般式により比抵抗から求めることができる。
　「ＧａＮｐｎ接合青色・紫外発光ダイオード」（「応用物理」Ｖｏ
ｌ．６０Ｎｏ．２，１９９１　０２。甲第９号証。以下「甲９文献」という。）に
は，「成長したままの状態では，ＧａＮ：Ｍｇは実験した範囲内ですべて１０８
Ω・
ｃｍ以上の高抵抗率を有し，伝導型の測定も困難であった」（甲第９号証１６４頁
左欄３．２）との記載がある。これによれば，Ｍｇを添加したＧａＮ層は，高抵抗
（１０８
Ω・ｃｍ以上）であり導電型の測定は困難である。しかし，比抵抗１０８
Ω・ｃｍ以上に相当する正孔濃度は，上記一般式によれば１．２５×１０１０
／ｃｍ３
であり，この値は１０－１０
／ｃｍ３
以上であるから，Ｍｇを添加したＧａＮ層の導電
型は，ｐ型である。
　不純物添加により生成されるキャリア濃度の上限値（室温）は，１０２
１
／ｃｍ３
であるから（甲第３６号証２２頁図１．１４），この上限値を１とし，ｐ
型のキャリア濃度の上記最小値１０－１０
／ｃｍ３
を０とすると，「ｐ型の度合」を定
義することができる。これによれば，上記のＭｇを添加したＧａＮ層のｐ型の度合
は，０．６４９である。
(d)「GaNELECTROLUMINESCENTDEVICES:PREPARATIONAND
STUDIES｣(JournalofLuminescence　１７（１９７８）２６３頁～２８２頁。甲第
２９号証。以下「甲２９文献」という。）には，「これらの層が真にｐタイプ物質
かどうかは，ホール測定をやっていないので断言はまだできないが，少なくともこ
れらの層はｐタイプ性向を持つ高抵抗率の物質（以下πで表す）である。このよう
な層の抵抗率は１０６
～１０８
Ω・ｃｍの範囲にある。より低い温度（９２０℃）で
は，ｐタイプ性向の領域が拡大される」（甲第２９号証訳文４頁）との記載があ
る。これによると，Ｚｎを添加したＧａＮ層は，ｐ型かどうかは断言できないもの
の，「ｐ型性向」を持つ高抵抗（１０６
～１０８
Ω・ｃｍ）の層（以下「π層」とい
う。）である。
　特開平５－１８３１８９号公報（甲第２０号証。以下「甲２０文献」
という。）には，「アニーリング前のＧａＮ層は抵抗率２×１０５
Ω・ｃｍ，ホール
キャリア濃度８×１０１０
／ｃｍ３
であった」（甲第２０号証【００１５】）との記載
がある。これによれば，Ｍｇを添加したアニーリング前のＧａＮ層は，高抵抗のｐ
型層（２×１０５
Ω・ｃｍ）である。
(e)本件原明細書及び本件明細書における「電流１０ｍＡ時の立ち上がり
電圧が６Ｖであった。」（甲第２，第４号証【００３０】）との記載によれば，本
件原発明及び本件発明における「ｉ層５」の抵抗Ｒは，６００Ωであり，膜厚を
０．２μｍとすれば，その比抵抗は３×１０５
Ω・ｃｍである。そして，比抵抗と正
孔濃度に関する上記一般式によれば，本件原発明及び本件発明における「ｉ層５」
の上記比抵抗は４×１０１２
／ｃｍ３
の正孔濃度に相当し，ｐ型の度合は０．７２９で
ある。したがって，本件原発明及び本件発明における「ｉ層５」は，ｐ型に近い半
導体層である。
(f)実開平６－３８２６５（甲第２１号証。以下「甲２１文献」とい
う。）には，「３は非常に高抵抗なｐ型ＧａＮ層（ｉ型ＧａＮ）」層，」（甲第２
１号証【０００３】）との記載があり，ｉ型ＧａＮ層は高抵抗のｐ型ＧａＮ層であ
ると記載されている。
　特許第２５６０９６３号公報（甲第２２号証。以下「甲２２文献」と
いう。）には，「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とは，ＧａＮ・・・等・・・
に，・・・ｐ型であれば例えばｚｎ，Ｍｇ・・・等のドーパントをドープして，ｐ
型特性を示すように成長した層をいう。・・・また，ｐ型窒化ガリウム系化合物半
導体層の場合，ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層をさらに低抵抗化する手段とし
て，・・・アニーリング処理を行ってもよい。」（甲第２２号証【０００７】）と
の記載がある。特許第２７７８４０５号公報（甲第４５号証。以下「甲４５文献」
という。）にも，「また，ｐ型Ｇａ１－ｘＡｌｘＮクラッド層６・・・をさらに低抵
抗化する手段として，・・・アニーリング処理を行ってもよい。」（甲第４５号証
【００１４】）との記載がある。これらによれば，アニーリング処理は，ｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層をさらに低抵抗化する手段であり，したがって，アニー
リング処理をする前のｐ型不純物を添加したＧａＮ層がｐ型であることは明らかで
ある。
　上記各文献の各記載によれば，ｐ型不純物を添加しただけのＧａＮ層
は，キャリア濃度の低いｐ－
層と呼ぶべきであって，上記「ｐ型化処理をしていない
高抵抗のｐ層」に相当するものであり，歴史的にはこれが「ｉ層」と称呼されてい
たものである。
　本件原明細書及び本件明細書に記載されている「ｉ層５」は，Ｚｎを
添加しただけのＧａＮ層であるから，「ｐ型化処理をしていない高抵抗のｐ層」で
ある。
(g)以上によれば，本件原明細書に記載された「ｐ型不純物を添加した半
絶縁性のｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（・・・）から成るｉ層」（甲第４号
証【請求項１】）又は「ｉ層５」（同１頁【構成】）は，正孔キャリアが存在し，
電流注入が可能な「高抵抗のｐ層」として当業者に認識されていたことが明らかで
ある。そうすると，本件ＭＩＳ型発光素子は，「ｉ層」をｐ層とする「不純物添加
のみによるｐｎ接合型発光素子」であるということができる。
(ｲ)ＭＩＳ型発光素子は，次に述べるとおり，そのすべてがアバランシェ現
象（なだれ現象）に基づき発光するのではなく，電流注入に基づき発光するものも
ある。すなわち，本件ＭＩＳ型発光素子は，電流注入（ｎ層４からｉ層５への電子
注入と電極からｉ層への正孔注入）に基づき発光するのであり，ｐｎ接合型発光素
子も電流注入により発光するものであるから，本件ＭＩＳ型発光素子の発光メカニ
ズムは，ｐｎ接合型発光素子の発光メカニズムと共通する。
(a)「電子通信ハンドブック」（昭和５４年３月３０日第１版第１刷発
行。甲第３０号証，４６９頁右欄５・１・１）には，エレクトロルミネッセンス
（電界発光，ＥＬ）には，アバランシェ効果に基づき発光する「真性ＥＬ」と，電
流注入メカニズムに基づき発光する「注入形ＥＬ」とがあることが記載されてい
る。
　　ｐｎ接合型の発光メカニズムが，電流注入に基づくものであること
は，明らかである。
(b)特開平２－２２９４７５号公報(甲第３２号証。以下「甲３２文献」と
いう。）における，「この構造はＭＩＳ型である。・・・電極４，５からキャリア
を注入して，高抵抗層内で発光させている」及び「この素子で発光強度を上げるた
めには，・・・注入電流を増加させる必要がある」（甲第３２号証１頁右下欄）と
の記載によれば，ＭＩＳ型発光素子は，アバランシェ効果により発光するものに限
られないのであり，電流注入により発光するものもあるのである。
(c)甲２９文献には，薄い半絶縁性のＺｎ添加ＧａＮ層（厚さ０．０５～
０．５μｍ，比抵抗１０６
～１０８
Ω・ｃｍ（π層））を有し，駆動電圧が３～１０
Ｖである，Ｍ－π－ｎ構造の発光素子が記載されている。甲２９文献における「光
の放射は，ｎ領域からではなく，π層から起きることが示される。従って，ダブル
注入，即ち：（ｉ）ｎからπへの電子の注入，並びに（ⅱ）Ｚｎ準位への正孔の注
入が必要である。・・・正孔の注入については・・・（ｉ）Ｍ－ｉ界面近傍での，
Ｚｎ原子または価電子帯から金属（フェルミ準位より上）へのトンネル放
射。・・・（ⅱ）こうして生成した正孔は，Ｚｎ中心間のトンネル遷移またはフレ
ンケル－プール伝導によって，ｉ層内で移動することができる。」（甲第２９号証
２７９頁１行～下６行，訳文１２頁第６段落～１３頁第２段落）との記載によれ
ば，同発光素子は，順方向のバイアスによってのみ発光し，その発光メカニズムは
ｎ層からπ層への電子の注入，及び，電極からｉ層への正孔の注入に基づくもので
ある。
(d)本件ＭＩＳ型発光素子は，薄い半絶縁性のＺｎ添加ＧａＮ層（厚さ
０．２μｍ，比抵抗３×１０５
Ω・ｃｍ（ｉ層））を有し，駆動電圧は６Ｖである。
これらの厚さ，比抵抗及び駆動電圧は，甲２９文献記載の発光素子のものと近似す
る。そうすると，本件ＭＩＳ型発光素子は，甲２９文献に記載の「Ｍ－π－ｎ構
造」に相当し，同構造と同様に，ｎ層４からｉ層５（π層）への電子注入と，電極
からｉ層５（Ｚｎ準位）への正孔注入に基づき発光するものであることは明らかで
ある。
(e)本件原発明のｉ層５の厚さ（０．２μｍ）は，結晶中の電子の平均自
由行程（０．１μｍ程度，甲第３４号証（３０頁））と同じ位の数字のものであ
る。アバランシェ現象は，電子が結晶原子に多数回にわたって衝突することにより
発生するものであり，膜厚が前記平均自由行程と同じオーダーまで薄くなると，同
衝突はほとんど生じないのである。したがって，本件原発明及び本件発明のＭＩＳ
型発光素子は，電流注入（ｎ層４からｉ層５への電子注入と電極からｉ層５への正
孔注入）に基づき発光するものであり，アバランシェ現象に基づき発光するもので
はない。
(f)以上のとおり，本件ＭＩＳ型発光素子は，電流注入に基づき発光する
ものであり，その発光メカニズムは，ｐｎ接合型発光素子のものと共通する。この
ような発光メカニズムの共通性が認められる以上，本件原明細書には「不純物添加
のみによるｐｎ接合型発光素子」が記載されているということができる。
(2)「ｐ型化処理によるｐｎ接合発光素子」の本件原明細書における開示につ
いて
(ｱ)当業者は，本件原明細書の「ｉ層５」をｐ型化処理を受ける層であると
認識し，「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」を容易に想起するから，「ｐ型
化処理をしたｐ型不純物添加層（ｐ層）を有する発光素子」は，本件原明細書に記
載されているに等しい，ということができる。
(a)本件原出願時におけるｐ型化処理をしたｐ型不純物添加層についての
技術水準
　特開平３－２１８６２５号公報（甲第７号証。以下「甲７文献」とい
う。）及び甲９文献並びに甲第１２ないし甲第１６号証の各文献においては，不純
物Ｍｇを添加したＧａＮ系化合物半導体層（ｉ層）をｐ型化する処理方法（電子線
照射法）と，同電子線照射法によりｐ型化した層（ｐ層）を有するｐｎ接合型発光
素子についての記載がある（甲７文献は，Ｍｇだけでなく，ＺｎとＣを不純物とし
て添加したｐ層の例も示している。）。また，甲２０文献の「アニーリング後のＧ
ａＮ層は抵抗率２Ω・ｃｍ，ホールキャリア濃度２×１０１７
／ｃｍ３
であった。」
（甲第２０号証【００１５】）との記載は，Ｍｇを添加したＧａＮ層を低抵抗化す
る処理方法としてのアニール法と，同アニール法により低抵抗化した層（ｐ層）を
有するｐｎ接合型発光素子を開示するものである。
　これらの記載によれば，ｐ型不純物添加層（ｉ層）をｐ型化（低抵抗
化）する処理方法である電子線照射法及びアニール法，並びに，ｐ型化処理をした
ｐ型不純物添加層（ｐ層）を有するｐｎ接合型発光素子は，本件原出願時におい
て，既に周知であった。
(b)ＭＩＳ型発光素子の利用
　「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」は，本件ＭＩＳ型発光素子
の製造プロセスに，本件原出願時の技術水準になっている製造プロセスである上記
ｐ型化処理を加えるだけで製造できる素子である。すなわち，本件ＭＩＳ型発光素
子のｉ層のみをｐ型化処理（低抵抗化）によりｐ層に改良したものが「ｐ型化処理
によるｐｎ接合型発光素子」である。この「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素
子」におけるｐ層は，低抵抗化されたとはいえ，依然として高抵抗であることに変
わりはなく，同ｐ層は，本件ＭＩＳ型発光素子のｉ層の延長線上に位置するものと
してとらえるべきものである。「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」は，ＭＩ
Ｓ型発光素子を利用し発展させた素子であるから，その特徴は本件ＭＩＳ型発光素
子の特徴とそのまま共通する。「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」は，ＭＩ
Ｓ型発光素子と比べて，明るさにおいて相違するだけである。
(c)課題の共通性
①　本件ＭＩＳ型発光素子の課題
　本件原明細書には，ＡｌＧａＡｓ系では，ｐ型ＡｌＧａＡｓ層
（１．０×１０－４
Ω・ｃｍ，甲第５号証４頁左下欄第１段落参照）及びｐ型ＡｌＧ
ａＡｓ層（１０－２
～１０－１
Ω・ｃｍ，甲第６号証２頁右下欄第２段落参照）という
「低抵抗のｐ型結晶」を得ることができ，この「低抵抗のｐ型結晶」をｐ層とする
ｐｎ接合発光素子では，ｐ層中を接合面に平行な方向（以下，単に「横方向」とも
いう。）の発光に寄与する電流が拡散し，接合面全体で均一に発光するのに対し，
ＧａＮ系ではＭＩＳ型構造を採用せざるを得ず，ＭＩＳ型発光素子のｉ層中では，
横方向へ電流が拡散せず，発光電極の直下だけで発光するため，その発光は発光電
極に遮光され光の取出効率が低いとの課題がある，と記載されている（甲第４号証
【０００３】ないし【０００５】）。
　このような課題は，材質によるものではなく，電流路の抵抗率とそ
の厚さにのみ依存するものであることは，当業者の技術常識である。特開昭５６－
８１９８６号公報（甲第２５号証），特開昭６１－５５８５号公報（甲第２６号
証），特開昭６１－６８８０号公報（甲第２７号証），特開平３－１７１６７９号
公報（甲第２８号証）は，その解決手段として，透明電極，パターン電極及び電流
拡散層等の各手段を開示している。
②　ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子の課題
　ｐ型化処理をしたｐ型不純物添加層（ｐ層）の比抵抗は，３５Ω・
ｃｍ（甲第７号証４頁表２，甲第１３号証），１２～４０Ω・ｃｍ（甲第９号証１
６４頁３．２，甲第１４号証）又は２Ω・ｃｍ（甲第２０号証【００１５】）であ
り，まだ高抵抗である（ＡｌＧａＡｓ系と比べて２桁以上も高い）。したがって，
ｐ型処理によるｐｎ接合型発光素子も，ｐ層の厚さが０．４～０．５μｍと薄いこ
ととも相まって，横方向に電流が拡散し難く，発光領域は電極直下に限られる。こ
のことは，甲２１文献（３頁下２行～末行），特開平８－３４０１３１号公報（甲
第４８号証），特許第２７７０７２０号公報（甲第５０号証），特開平１０－１６
３５２９号公報（甲第５１号証）等からも明らかである。ｐ型化処理によるｐｎ接
合型発光素子の現実の製品のすべてが透光性ｐ層電極を有していることも，ｐ層に
おいては横方法に電流が流れないことを示しているのである。
　ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子は，ｐ型化したとはいえ，ｐ
層がまだ高抵抗であり厚さも薄いために，ＭＩＳ型の様相を呈し，ＭＩＳ型発光素
子と同様の課題を有するのである。
　原告らが行った実験（甲第５４，第５５号証）によれば，ＭＩＳ型
発光素子とｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子とは，いずれも横方向に電流が広
がらず，台座電極直下のみが発光しているのである。
(d)発光強度及び発光メカニズムの共通性
　ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子は，甲７文献，甲９文献及び甲
第１３ないし第１５号証の各文献に示されるように，その発光メカニズムが電流注
入型である点において，ＭＩＳ型発光素子と共通する。
(e)以上を総合すると，本件原明細書の「ｉ層」の記載に接した当業者
が，同層をｐ型化処理を受ける層として認識し，これに周知技術であるｐ型化処理
をしてｐｎ接合型発光素子を想起することは自明であるので，本件原明細書には，
ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子が記載されているに等しいということができ
る。
(ｲ)被告は，ＭＩＳ型発光素子は，ｐ型ＧａＮ結晶が得られていない時期に
採用されていた素子構造であるのに対し，ｐｎ接合型発光素子は，電子線照射法に
よりＭｇ添加ＧａＮ層（ｉ層）のｐ型化（低抵抗化）に成功して初めて実現した素
子構造である，と主張する。
　しかし，ｐ型化（低抵抗化）とは，「半絶縁性のｐ型不純物添加層（ｉ
層）」を低抵抗化して「高抵抗のｐ層」とすることをいうのであり，「低抵抗のｐ
層」とすることをいうわけではない。被告の主張は，「低抵抗化」という結晶層の
処理方法と「低抵抗」という結晶層の性質とを混同しているものである。
　ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子のｐ層は，前記のとおり，ＭＩＳ
型発光素子のｉ層を単に低抵抗化したものにすぎず，依然として「高抵抗のｐ層」
であって「低抵抗のｐ層」ではないのであるから，ＭＩＳ型発光素子に属するもの
である。
(3)本件原明細書の段落【０００３】の解釈について
　本件原明細書の段落【０００３】には，「このようなＧａＮ系の化合物半
導体は，低抵抗ｐ型結晶が得られていないため，これを用いた発光ダイオードは金
属電極（Metal）－半絶縁性のＧａＮから成るｉ層（Insurator（判決注・Insulator
の誤り。））の構造を持つ，いわゆるMIS型構造をとる。」との記載がある。
　「低抵抗ｐ型結晶」とは，ＡｌＧａＡｓ系のｐ型結晶（１．０×１０－４
Ω・ｃｍ（甲５））のような１０－４
Ω・ｃｍ級の低抵抗の結晶を指し，ＧａＮ系の
ｐ型結晶では，この級の結晶は現在も得られていない。ｐ型化処理によるｐ型Ｇａ
Ｎ層の比抵抗は，１２ないし４０Ω・ｃｍであり，これは「低抵抗ｐ型結晶」には
含まれないと解すべきである。
　特開昭５９－２２８７７６号公報（甲第３１号証。以下「甲３１文献」と
いう。）は，ｐ型ＧａＮ層を成長させることができないため，ＭＩＳ型構造をとら
なければならないと記載する一方で（甲第３１号証１頁右欄５行～１１行，下４行
～２頁左上欄５行），ｐ型ＡｌＧａＮ層をｐ層とするｐｎ接合型を開示している
（同２頁右欄下７行～下３行，第２図）。これによれば，本件原出願時において
は，ＡｌＧａＮではｐｎ接合構造が実現されていたことは明らかである。したがっ
て，本件原明細書の段落【０００３】は，すべてのｐｎ接合型ＧａＮ系化合物半導
体発光素子を排除する記載ではないと解すべきである。
(4)透明電極の作用効果について
　決定は，「そして，ｉ層上に形成される透明電極とｐ層上に形成される透
明電極とが同じ作用及び効果を奏するのか否かはまったく不明である。」（決定書
８頁１行～３行）と認定判断した。しかし，この認定判断は，誤りである。
(ｱ)本件原明細書には，「【作用】半絶縁性のｉ層に対して透明導電膜から
成る第１の電極を形成している。この第１の電極を介して光が放射される。この第
１の電極の面積が発光面積を規定している。又，第１の電極は導電性を有するの
で，第１の電極に対してスポットで電流を注入させても，第１の電極全体を均一の
電位とし，第１の電極の下方の全面から発光する。」（甲第４号証【００１
１】），及び，「【発明の効果】上述のように，本発明の窒化ガリウム系化合物半
導体発光素子は，第１の電極（発光電極）として透明導電膜を用いており，透明導
電膜が可視光に対して透明であることを利用しているので，発光電極側からの光の
取り出しが可能である。このため以下に例示する種々の作用効果を奏する。」（同
【００１２】）との記載がある。
　本件原明細書の上記記載によれば，①電極側からの光の取出しが可能で
あること，②スポットで電流を注入しても電極の下方全面で発光すること，等が透
明電極の作用効果であることが理解できる。
(ｲ)甲７文献の（第１図）には，ｐ層３上にｐ電極４Ａを形成したｐｎ接合
型発光素子が示されている。同素子では，ｐ層３の比抵抗（３５Ω・ｃｍ）が大き
いため，横方向に電流が拡散せず，ｐ電極の直下でのみ発光し，ｐ電極で遮光され
る。そのため，ｐ電極４Ａを透明電極にすると電極側へも光が出射し，本件ＭＩＳ
型発光素子と同一の作用効果が得られることが明らかである。
(5)以上によれば，本件訂正発明及び本件発明は，本件原明細書に記載されて
いた発明であり，本件出願は分割出願として適法であるから，その出願日は平成３
年１０月３０日に遡及するとみるべきである。
２　取消事由１－２（本件訂正における訂正事項１６に係る訂正要件の判断の誤
り）
　決定は，訂正事項１６につき，「本件特許明細書の段落【００３６】におい
て，「高キャリア濃度ｎ＋層３に対する第２の電極８は，ｐ型不純物添加層５に対
する第１の電極７との位置関係の対象性から，」を「高キャリア濃度ｎ＋層３と層
５に対する第１の電極７との位置関係から，」とする訂正に関しては，訂正前にお
いては，第２の電極と第１の電極の平面的な配置における対称性を述べているのに
対し，訂正後は高キャリア濃度ｎ＋層３と第１の電極７との縦方向の位置関係に変
更するものである。したがって，この訂正は，願書に添付した明細書又は図面に記
載した範囲内においてなされているとは認められない。」（決定書３頁１３行～２
０行）と認定判断した。しかし，決定のこの認定判断は誤りである。
　本件明細書の図１１及び図１５において，電極７及び電極８は，それぞれ発
光ダイオード１０ｂ，１０ｃの垂直中心線に対して対称に形成されているものの，
同明細書において，「電極８と電極７との位置関係の対象性（対称性）」という意
味が明りょうではない。
　電極７をｎ＋層３とｉ層５に対して図１４の位置関係に配置することによ
り，電流が電極７からｉ層５及びｎ層４を垂直に流れてｎ＋層３に達し，ｎ＋層３
を横方向に３６０°の全方位に流れて電極８に達し，「電極間を流れる電流を発光
領域の部位に拘らずほぼ同じにすることができる」のである。
　本件明細書においても，「ｎ＋層３とｉ層５に対する電極７の位置関係」に
意味があるのであり，訂正事項１６は，明りょうでない記載を明りょうにしたもの
であり，本件明細書に記載された範囲内においてなされたものである。
第４　被告の反論の骨子
　決定の認定・判断には何ら誤りはなく，原告の主張する取消事由は，いずれ
も理由がない。
１　取消事由１－１（本件訂正発明の独立特許要件の判断の誤り－本件出願の分
割要件の認定判断の誤り）及び取消事由２（本件発明の新規性の認定判断の誤り－
本件出願の分割要件の認定判断の誤り）について
(1)「不純物添加のみのｐｎ接合型発光素子」の本件原明細書における開示に
ついて
(ｱ)本件原明細書に記載された「半絶縁性のｉ層」は，ＭＩＳ型発光素子と
結びつくものであるのに対し，本件出願において導入された「ｐ層」は，ＭＩＳ型
発光素子とは発光メカニズムも構造も異なるｐｎ接合型発光素子と結びつくもので
ある。両者は，本件原出願当時，この点において，全く異質のものとして当業者に
認識されていたものである。
　「ｐ層」とは，ｐ型導電性を示し，ｐｎ接合型発光素子のｐ層として作
用する層のことである。原告らが主張するように，この「ｐ層」を「高抵抗のｐ
層」と「低抵抗のｐ層」に分類することは，本件原明細書に記載されておらず，本
件原出願時において，当業者に広く知られた事項でもない。また，原告らが主張す
る本件原出願前に発行された甲２９文献には，ｐ型不純物を添加しただけのＧａＮ
層につき，「高抵抗」，「半絶縁性のｉ層（π層）」との記載はあるものの，「高
抵抗のｐ層」との記載はない。「高抵抗のｐ層」との語句は，原告らの造語であ
る。原告らは，「ｉ層」が「ｐ層」として作用しないにもかかわらず，「高抵抗の
ｐ層」と勝手に名付けているだけである。「ｉ層」と「ｐ層」とを同じｐ型導電性
を示す層として分類すること自体が誤りである。
　したがって，ｐ層を「高抵抗のｐ層」と「低抵抗のｐ層」とに分類した
上で，「高抵抗のｐ層」から成る発光素子が本件原明細書に記載されていたとする
原告らの主張は失当である。
(ｲ)原告らが主張する「ｐ型の度合」は，原告らが独自に考案した指標であ
る。仮に，本件原明細書に記載された「ｉ層５」のｐ型の度合が０．７２９である
としても，「ｉ層」がＭＩＳ型発光素子と結び付くのに対し，ｐ型化処理をしたｐ
層がｐｎ接合型発光素子と結び付くことに変わりはないから，同度合を考慮する意
味はなく，両者は明確に区別することができるものである。したがって，「ｐ型の
度合」を根拠として，「ｉ層」と「ｐ層」とを同一視する原告らの主張は失当であ
る。
(ｳ)原告らは，ＧａＮ半導体にはｉ型という定義はなく，「正孔濃度＞真性
濃度（１０－１０
／ｃｍ３
）＞電子濃度」であればｐ型である，と主張する。
　　しかし，「化合物半導体の基礎物性入門」（株式会社培風館１９９１年
９月１０日初版発行。乙第５号証２９頁）には，「電子が圧倒的に電気伝導に寄与
するような半導体をｎ形半導体，正孔が圧倒的に電気伝導に寄与するような半導体
をｐ形半導体という」との記載がある。実際に各導電型が認められるには，キャリ
ア濃度が真性濃度より大きいだけでなく，「１０１６
／ｃｍ３
以上」のキャリア濃度が
必要である。したがって，正孔濃度が１０１２
／ｃｍ３
の「ｉ層５」は，キャリアがほ
とんど存在しないといってよく，半絶縁性のｉ型であってｐ型ではない。
(2)「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」の本件原明細書における開示に
ついて
(ｱ)原告らは，ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子は，課題などがＭＩＳ
型発光素子と共通するので，本件原明細書にはｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素
子が記載されているに等しい，と主張する。しかし，当業者は，両者を別個のもの
として認識しているものであるから，原告らの主張は誤りである。
(a)ＭＩＳ型発光素子は，ｐ型ＧａＮ結晶が得られていない時期に採用さ
れていた素子構造であるのに対し，ｐｎ接合型発光素子は，電子線照射法によりＭ
ｇ添加ＧａＮ層（ｉ層）のｐ型化（低抵抗化）に成功して初めて実現した素子構造
である。
　ＭＩＳ型発光素子は，電極（Ｍ）と半絶縁層（Ｉ）及び半導体層
（Ｓ）を必須の構成としたものである（乙第１１号証８６頁左欄８行～１３行参
照）。電極は，電流供給機能に加え，半絶縁層とともにショットキーダイオードを
形成する機能も果たす。
　これに対し，ｐｎ接合型発光素子は，ｐ層とｎ層を必須の構成とする
ものであり，その電極は電流供給機能しか果たさない。また，ｐｎ接合型発光素子
においては，ホモ接合やダブルへテロ接合など多様な素子構造が可能である。
(b)ＭＩＳ型発光素子では，電流がｉ層中を横方向に拡散せず電極直下で
のみ発光するため，電極が光を遮り，発光を電極側から観測することができず，フ
リップチップ方式（電極を固定し基板側から発光を観測する方式）を採用せざるを
得ない。これに対し，ｐｎ接合型発光素子では，電流がｐ型層中を横方向にも流れ
るため発光を電極側から観測することができ，ワイヤーボンディング方式（基板を
固定し電極側から発光を観測する方式）を採用することができる（甲第７号証第１
図，甲第１２号証図２，甲第１３号証図３，甲第１４号証第１０図）。
　したがって，発光を電極側から観測できずフリップチップ方式を採用
せざるを得ないとの課題は，ＭＩＳ型発光素子に特有のものであり，ｐｎ接合型発
光素子には，このような課題は存在しない。
(c)ｐ型化処理をしたＭｇ添加ＧａＮ層（ｐ層）の比抵抗は，ＡｌＧａＡ
ｓの比抵抗よりも２桁以上高いとしても，ｐ型化処理をしないＭｇ添加ＧａＮ層
（ｉ層）の比抵抗よりは５桁以上も低い。したがって，本件原明細書においては，
「（ＡｌＧａＡｓの）ｐｎ接合型構造の発光素子においては，素子内での接合面に
平行な横方向への電流の拡散のために，接合面に垂直に且つ均一に電流が流れる」
（甲第４号証【０００４】），及び「ＭＩＳ型構造をとるＧａＮ青色ＬＥＤは，発
光電極直下のｉ層中では，接合面に平行な横方向への電流拡散はほとんど起こらな
い」（同【０００５】）と記載されており，これを前提とすれば，ｐｎ接合型発光
素子では電流は横方向にある程度拡散すると考えるのが相当であり，フリップチッ
プ方式を採用せざるを得ないとの課題は，ＭＩＳ型発光素子に特有のものである。
(d)本件ＭＩＳ型発光素子は，「アドバンスト　エレクトロニクス　シリ
ーズ　Ⅰ－１　Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体」（株式会社培風館１９９４年５月２０日初
版発行。乙第１号証。以下「乙１文献」という。）に記載された「ＧａＮ－ｍｉｎ
構造ＬＥＤ」と同じものである。乙１文献の「発光過程は，同図に示すように，①
トンネル効果で注入された電子が②発光中心を衝突励起し③発光再結合することに
よるものと考えられている」（乙第１号証３４４頁末行～３４５頁２行）との記載
によれば，ＭＩＳ型発光素子は，電子と発光中心の衝突励起により発生するキャリ
アのなだれ増倍現象（アバランシェ効果）により発光するものである。このＭＩＳ
型発光素子は，電極直下のｉ層内でのみ発光しｎ層内では発光しない（甲第４号証
【０００３】）。
　　これに対し，ｐｎ接合型発光素子では，甲９文献の「ＬＥＤの紫外発
光はｎ層内で，青色発光はｐ層内で生じていることがわかった。少数キャリアの注
入はｐ層からｎ層への正孔注入，およびｎ層からｐ層への電子注入の二種類が考え
られる」（甲第９号証１６５頁右欄下１行～１６６頁左欄３行）との記載によれ
ば，ｎ層からｐ層に電子が，ｐ層からｎ層に正孔がそれぞれ注入されて，発光再結
合するものであり，ｐ層内とｎ層内の両方で発光する。
　原告らは，本件ＭＩＳ型発光素子は，「Ｍ－π－ｎ型」に相当し，そ
の発光メカニズムはアバランシェ効果に基づくものではなく，電流注入型であるか
ら，ｐｎ接合型発光素子と発光メカニズムが共通する，と主張する。しかし，本件
原明細書には，そもそもＭ－π－ｎ構造に関する記載は全くない。このようなと
き，本件ＭＩＳ型発光素子がＭ－π－ｎ構造の発光素子であるということはできな
いのである。
(ｲ)原告らは，本件原明細書の「ｉ層」の記載に接した当業者が，同層をｐ
型化処理を受ける層として認識し，周知技術であるｐ型化処理によるｐｎ接合型発
光素子を想起することは自明である，と主張する。
　しかし，「ｐ型化処理」及び「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」
が周知の事項であることと，それらの事項が本件原明細書に記載されていることと
は，無関係である。本件出願が分割出願として適法であるためには，「ｐ型化処理
によるｐｎ接合型発光素子」が，本件原明細書の記載に基づき容易に想起すること
ができるものであるだけでは足りず，本件原明細書に実際に記載されているもので
あることが必要である。しかし，本件原明細書には，前記のとおり，ｐ型化処理及
びｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子に関しては，その記載はおろか示唆もない
のである。
　本件ＭＩＳ型発光素子は，ｎ電極８とｉ層５とが接触する構造である。
この構造でｉ層５をｐ型化すると，電流はｐ型化されたｉ層を通って直接ｎ電極８
に流れｐｎ接合部には流れないので発光素子として機能しない。したがって，本件
ＭＩＳ型発光素子は，ｐｎ接合型には適用できない構造である。また，本件原出願
当時は，Ｍｇ添加のＧａＮ層のｐ型化のみが確認されていたにすぎず，本件原明細
書に記載されたＺｎを添加した「ｉ層」にｐ型化処理をしてもｐ型化しないのであ
る。したがって，当業者が，「ｉ層」をｐ型化処理を受ける層として認識すること
は，この点からもあり得ない。
(3)本件原明細書の段落【０００３】の解釈について
　本件原明細書の段落【０００３】にいう「このようなGaN系の化合物半導体
は，低抵抗ｐ型結晶が得られていないため」における「低抵抗ｐ型結晶」とは，Ａ
ｌＧａＡｓ系のｐ型結晶（例えば１０－１
Ω・ｃｍ）やｐ型ＧａＮ結晶（１２～４０
Ω・ｃｍ程度）を指す。ｐ型化処理によるｐ型ＧａＮ層（１２～４０Ω・ｃｍ）
は，「低抵抗のｐ型結晶」に含まれるのである。
　本件原明細書の段落【０００３】における「低抵抗のｐ型結晶が得られて
いないため」とは，本件原発明がＭＩＳ型構造をとる理由としての記載であり，本
件原明細書の全体を通じてｐｎ接合型ＧａＮ系化合物半導体発光素子の記載はない
のであるから，本件原明細書の【０００３】は，ｐ型化処理によるｐ型ＧａＮ層
（１２～４０Ω・ｃｍ）を含めてｐｎ接合型発光素子を構成するｐ型結晶をすべて
排除する記載であることが明らかである。
２　取消事由１－２（本件訂正における訂正事項１６に係る訂正要件の判断の誤
り）に対して
　原告らは，訂正事項１６は「明りょうでない記載の釈明」に該当するとし，
その根拠として，本件明細書にいう「電極８と電極７との位置関係の対称性」は明
りょうではなく明白な誤記であると主張する。
　本件明細書の図１５において，電極８は発光ダイオード１０ｃのほぼ中央部
に位置し，電極８と電極７とは，上下及び左右方向共に対称の位置関係となってい
ること，及び，図１１において，電極７は発光ダイオード１０ｂのほぼ中央部に位
置し，電極８と電極７とは上下及び左右方向共に対称の位置関係となっていること
は，明らかである。
　したがって，電極８と電極７との間には平面的な配置において明確に対称性
があり，この点は明りょうであるし，誤記でもない。
第５　当裁判所の判断
１　取消事由１－１（本件訂正発明の独立特許要件の判断の誤り－本件出願の分
割要件の認定判断の誤り）及び取消事由２（本件発明の新規性の認定判断の誤り－
本件出願の分割要件の認定判断の誤り）について
(1)特許法４４条は，２以上の発明を包含する１個の特許出願をした出願人に
対し，当該特許出願の１部を１又は２以上の新たな特許出願とする手続をすること
を認め，その新たな特許出願は，もとの特許出願のときに出願したものとみなす，
と規定している。この分割出願制度の趣旨及び特許法４４条の規定の文言に照らす
と，分割出願が適法であるためには，①分割前のもとの出願が，その願書に添附し
た明細書又は図面の記載において２以上の発明を包含し，分割出願に係る発明がそ
の２以上の発明の一部であること，②分割出願に係る発明と分割後の原出願の発明
とは同一ではないことを要する，と解すべきである。
(2)本件原明細書に記載された発明と本件発明及び本件訂正発明との比較
(ｱ)本件原明細書の特許請求の範囲の記載は，次のとおりである（甲第４号
証。下線付加）。
　「【請求項１】ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１－Ｘ
Ｎ；０≦Ｘ＜１）から成るｎ層と，前記ｎ層に接合するｐ型不純物を添加した半絶
縁性のｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ；０≦Ｘ＜１）か
ら成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において，前記ｉ層の
表面に形成された透明導電膜から成る第１の電極と，前記ｉ層の側から前記ｎ層に
接続するように形成された第２の電極とから成り前記ｉ層の側から外部に発光させ
ることを特徴とする半導体発光素子。」
(ｲ)本件発明及び本件訂正発明の特許請求の範囲の請求項１ないし３は，そ
れぞれ前記第２・２及び３記載のとおりであり，本件で争点となっているところに
係る部分に下線を付加して請求項１を明示すれば，次のとおりである。
　【本件発明】
【請求項１】基板と，この基板上に形成されたｎ型の窒化ガリウム系化合
物半導体から成るｎ層と，ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体か
ら成るｐ型不純物添加層とを有する発光素子において，　
前記ｐ型不純物添加層上に形成された透明電極と，　
前記透明電極上に形成されたニッケル（Ｎｉ）層と金（Ａｕ）層との２重
層から成る電極とを設けたことを特徴とする発光素子。　
　【本件訂正発明】
【請求項１】基板と，この基板上に形成されたｎ型の窒化ガリウム系化合
物半導体から成るｎ層と，ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体か
ら成る層とを有し，発光する部分が電極下領域に限定される窒化ガリウム系化合物
半導体発光素子において，
　前記ｐ型不純物を添加した層上に形成された透明電極と，前記透明電極
上に形成されたニッケル（Ｎｉ）層と金（Ａｕ）層との２重層から成る電極とを設
けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
(3)決定は，「原出願明細書において，「ｐ型不純物を添加した半絶縁性のｉ
型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ；０≦ｘ＜１）から成るｉ
層」とされていたものが，分割出願当初の明細書及び訂正された明細書において
は，「ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成る層」とされて
いる。この「ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成る層」と
いう表現は，「ｐ型の不純物を添加した高抵抗のｉ層」及び「ｐ型の不純物を添加
したｐ型の特性を示すｐ層」の両方を包含するものであるが，原明細書には，ＭＩ
Ｓ型の発光素子，すなわち，「ｐ型の不純物を添加した高抵抗のｉ層」を有する発
光素子についての発明は記載されているが，ｐｎ接合型，すなわち，「ｐ型の不純
物を添加したｐ型の特性を示すｐ層」を有する発光素子については記載されていな
い。そして，ｉ層上に形成される透明電極とｐ層上に形成される透明電極とが同じ
作用及び効果を奏するのか否かはまったく不明である。したがって，本件出願は，
原特許出願に包含されている発明の一部を新たな特許出願，すなわち特許法第４４
条第１項の規定に基づく特許出願とは認められない。よって，本件特許の出願日
は，現実の出願日である平成８年５月１６日である。」（決定書７頁２８行～８頁
８行）と認定判断した。すなわち，決定は，本件原明細書には，「ｐ型の不純物を
添加したｐ型の特性を示すｐ層」は記載されていなかった，と認定し，これを前提
に，本件出願により，「ｐ型の不純物を添加したｐ型の特性を示すｐ層」が新たに
追加された，と判断したものである。
　本件訂正発明における「ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半
導体から成る層」及び本件発明における「ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系
化合物半導体から成るｐ型不純物添加層」は，本件原明細書において，「ｐ型不純
物を添加した半絶縁性のｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ；
０≦ｘ＜１）から成るｉ層」とされていたものと比べると，「半絶縁性のｉ型」及
び「ｉ層」との限定がないのであるから，窒化ガリウム系化合物半導体から成る層
のうち，「半絶縁性のｉ型から成るｉ層」のみならず，「ｐ型の不純物を添加した
ｐ型の特性を示すｐ層」も文言上包含するものと認められる（このことは，原告ら
も明示的には争わないところである。すなわち，原告らは，①本件訂正発明におけ
る「ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成る層」及び本件発
明における「ｐ型の不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体から成るｐ型不
純物添加層」には，「ｐ型の不純物を添加した高抵抗のｉ層」及び「ｐ型の不純物
を添加したｐ型の特性を示すｐ層」の両方を包含する，との決定の認定を争うもの
ではなく，②本件原明細書における「ｐ型不純物を添加した半絶縁性のｉ型の窒化
ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ；０≦ｘ＜１）から成るｉ層」には，
「ｐ型の不純物を添加したｐ型の特性を示すｐ層」も当然に含まれると主張し，こ
の点を本訴の中心的争点として争っているものである。）。
　そこで，本件原明細書において，窒化ガリウム系化合物半導体から成る
「ｐ型の不純物を添加したｐ型の特性を示すｐ層」及びこの層から成る「ｐｎ接合
型発光体素子」が開示されていたかどうかを，検討する。
(4)本件原明細書の記載について
(ｱ)本件原明細書の【発明の詳細な説明】には，次の記載がある（甲第４号
証）。
「【０００１】　
【産業上の利用分野】本発明は青色や短波長領域発光の窒化ガリウム系
化合物半導体発光素子に関する。　
【０００２】　
【従来技術】従来，青色や短波長領域発光の発光ダイオードとしてＧａ
Ｎ系の化合物半導体（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ；０≦Ｘ＜１）を用いたものが知られて
いる。そのＧａＮ系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効率が高いこ
と，光の３原色の１つである青色を発光色とすること等から注目されている。　
【０００３】このようなＧａＮ系の化合物半導体は，低抵抗ｐ型結晶が
得られていないため，これを用いた発光ダイオードは金属電極（Metal）－半絶縁性
のＧａＮから成るｉ層（Insurator（判決注・Insulatorの誤り）－ｎ型ＧａＮから
成るｎ層（Semiconductor）の構造を持つ，いわゆるＭＩＳ型構造をとる。発光はｉ
層への電極（発光電極）の直下で見られる。すなわち，この電極形成部分がＭＩＳ
構造を形成する。このようなＭＩＳ構造のＧａＮ青色ＬＥＤにおいては，光を効率
よく取り出すための素子構造および実装方法の確立が不可欠となっている。　
【０００４】ＡｌＸＧａ１－ＸＡｓなどの他の３－５族化合物半導体を
用いたｐｎ接合型構造の発光素子においては，素子内での接合面に平行な横方向へ
の電流の拡散のために，接合面に垂直に且つ均一に電流が流れる。この結果，ＭＩ
Ｓ型ＬＥＤのように電極直下部分のみが発光するのと異なり，電極の大きさに関係
なく接合面全体が発光する。接合面全体がほぼ均一に発光するため，光の取り出し
が容易である。　
【０００５】しかし，ＭＩＳ型構造をとるＧａＮ　青色ＬＥＤは，発光
電極直下のｉ層中では，接合面に平行な横方向への電流拡散はほとんど起こらな
い。このため，発光する部分は発光電極直下の領域に限られる。したがって，通常
電極は金属を用いるため，発光電極側からは，発光は電極のかげになってほとんど
見えない。　
【０００６】そこで，従来のＧａＮ　青色ＬＥＤは，サファイア基板と
ＧａＮとが発光に対して透明であることを利用して，発光電極を下面にしてのフリ
ップチップ方式により，光を基板を通して裏面より取り出す方法をとっている。す
なわち，発光電極と，ｎ層と電気的に接続された電極（ｎ層側電極）とをＧａＮエ
ピタキシャル層表面に形成し，これらの電極とリードフレームとをハンダによって
接合することにより，基板を通して光を取り出すことを可能にしたものである。　
【０００７】　
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，フリップチップ方式を
用いた場合，発光電極（ｉ層電極）およびｎ層電極とリードフレームはハンダによ
って接合されているため，以下にあげる理由により，素子の電気的な直列抵抗成分
が大きくならざるを得ない。　
１．　発光電極（ｉ層電極）とｎ層電極とのハンダの短絡を防ぐため電
極間隔を余り狭くできず，電気的な抵抗成分が大きくなってしまう。　
２．　発光電極（ｉ層電極）とｎ層電極の形状が大きく異なると，ハン
ダバンプ形成時においてハンダバンプの高さも異なってしまうため，リードフレー
ムとの接合不良が起こり易くなる。　
【０００８】したがって，両電極の面積は略同じ形状としなければなら
ない。このため，電極パターンの自由度がなくなり，電気的な抵抗成分を減少させ
るための最適なパターンをとれなくなる。又，素子の電気的な直列抵抗成分が大き
いということは素子の発光効率を低下させるためばかりではなく，素子の発熱を誘
因し，素子の劣化や発光強度の低下を引き起こすことになり好ましくない。　
【０００９】本発明は，発光素子において，光の取り出し効率を向上さ
せると共に電気的な抵抗成分を低く抑えることでさらに発光効率を向上させること
である。　
【００１０】　
【課題を解決するための手段】上記裸題を解決するための発明の構成
は，ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ；０≦Ｘ＜１）から
成るｎ層と，前記ｎ層に接合するｐ型不純物を添加した半絶縁性のｉ型の窒化ガリ
ウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１－ＸＮ；０≦Ｘ＜１）から成るｉ層とを有する
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において，ｉ層の表面に形成された透明導電
膜から成る第１の電極と，ｉ層の側からｎ層に接続するように形成された第２の電
極とから成りｉ層の側から外部に発光させることを特徴とする。　
【００１１】　
【作用】半絶縁性のｉ層に対して透明導電膜から成る第１の電極を形成
している。この第１の電極を介して光が放射される。この第１の電極の面積が発光
面積を規定している。又，第１の電極は導電性を有するので，第１の電極に対して
スポットで電流を注入させても，第１の電極全体を均一の電位とし，第１の電極の
下方の全面から発光する。　
【００１２】　
【発明の効果】上述のように，本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発
光素子は，第１の電極（発光電極）として透明導電膜を用いており，透明導電膜が
可視光に対して透明であることを利用しているので，発光電極側からの光の取り出
しが可能である。このため以下に例示する種々の作用効果を奏する。
【００１３】１．電極を上面にして実装できるため，ハンダを用いずに
通常のワイヤボンディングによって接続でき，第１の電極に対してスポット的にリ
ード線を接続しても，第１の電極の導電性により，平面方向にも電流が拡散するの
で，第１の電極全体を均一電位とすることができる。よって，第１の電極に対する
ワイヤボンディングパッドは狭くできる。従って，第１の電極（発光電極）と第２
の電極（ｎ層電極）は，フォトリソグラフやエッチング，リフトオフなど，素子作
製のプロセスにおいて短絡を防ぐために必要とされる間隔があれば良い。即ち，従
来のフリップチップ方式では，２つの電極間距離は，２つの電極に対するハンダ間
の短絡を防止することから，フォトリソグラフやエッチング技術の限界からくる距
離よりも遥に長い距離を必要とするので，第１の電極の面積を広くできない。本発
明では，この点，チップ面積に対する第１の電極面積の占有率を向上させることが
できるので，発光効率を向上させることができる。　
また，二つの電極間距離は，従来のフリップ方式よりもかなり小さくで
き，素子の電気的な抵抗成分を減少させることができる。　
【００１４】２．フリップチッブ方式では第１の電極（発光電極）と第
２の電極（ｎ層電極）のパターンは同じにする必要があったが，本発明では，２つ
の電極のパターンの自由度が増し，素子の電気的な抵抗成分を減少させる最適なパ
ターンを設計することができる。　
【００１５】３．第１の電極（発光電極）と第２の電極（ｎ層電極）と
の間隔を小さくできること，および電極のパターンの自由度が増えることにより，
発光面積に対するチップサイズの小型化，あるいは発光面積の拡大が可能となり，
経済的な素子作製を容易に行うことができる。　
【００１６】４．ＡｌＧａＡｓ赤色ＬＥＤなど他の発光素子と，同一の
リードフレーム内でのハイブリッド化が可能となることから，一つの素子で青や
緑，赤などの多色を表示するＬＥＤの実現が容易となる。　
【００１７】　
　【実施例】以下，本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。図１
は，本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を適用した発光ダイオードの構
成を示す断面図である。発光ダイオード１０はサファイア基板１を有しており，そ
のサファイア基板１上には５００ÅのＡｌＮのバッファ層２が形成されている。そ
のバッファ層２の上には，膜厚約２．５μｍのｎ型ＧａＮから成るｎ層４が形成さ
れている。さらに，ｎ層４の上に膜厚約０．２μｍの半絶縁性ＧａＮから成るｉ層
５が形成されている。そしてｉ層５の表面からｉ層５を貫通しｎ層４に達する凹部
２１が形成されている。この凹部２１を覆うようにｎ層４に接続する金属製のｎ層
４のための第２の電極８が形成されている。この第２の電極８と離間してｉ層５上
に錫添加酸化インジウム（以下ＩＴＯと略す）から成る透明導電膜のｉ層５のため
の第１の電極７が形成されている。第１の電極７の隅の一部分には取出電極９が形
成されている。その取出電極９はＮｉ層９ｂとＡｕ層９ｃとの２層で構成されてい
る。又，第２の電極８はｎ層４に接合するＡｌ層８ａとＮｉ層８ｂとＡｕ層８ｃと
の３層で構成されている。この構造の発光ダイオード１０のサファイア基板１の裏
面にはＡｌの反射膜１３が蒸着されている。
【００２９】このようにして，図２に示す構造のＭＩＳ・・・構造の発
光ダイオードを製造することができた。第２の電極８に対して透明導電膜の第１の
電極７を正電位となるように電圧を印加することにより，第１の電極７直下のｉ層
５にて発光を得ることができた。そして，この発光は透明の第１の電極７を介して
直接取り出すことができ・・・た。」
(ｲ)本件原明細書の上記の各記載によれば，本件原明細書には，Ｚｎを添加
しただけの半絶縁性のGaNから成る「ｉ層５」をＩ層とする上記ＭＩＳ型発光素子に
つき記載されていることは，明らかである。しかし，本件原明細書をよくみても，
原告らが主張するような，高抵抗のｐ層，電子線照射又はアニーリングによるｐ型
化処理方法，「ｉ層５」に対して行うｐ型化処理に関する記載は全く見いだすこと
ができない（甲第４号証）。すなわち，本件原明細書には，ｐ型化処理をしたｐ型
不純物添加層に関する記載，及び同層をｐ層とするｐｎ接合型発光素子に関する記
載は認められない。
(5)原告らは，本件原出願時の技術水準からみて，本件原明細書には，「不純
物添加のみによるｐｎ接合型発光素子」及び「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素
子」が開示されていたと主張する。
(ｱ)本件原出願時の技術水準について
(a)甲３１文献（特開昭５９－２２８７７６）には，次の記載がある。
　「ＧａＮ材料は，通常不純物未添加の状態ではＮの空格子点のためｎ
型になり，ＺｎまたはＭｇなどのアクセプター・ドーパントを添加しても，高抵抗
になるだけでｐ型エピ膜を形成することができない。従つてＧａＮの場合も通常は
発光素子としてＭＩＳ構造をとる。たとえば（Ｓ）層としてノンドープＧａＮを用
い，（Ｉ）層としてＺｎ添加ＧａＮを用い，（Ｍ）としてＩｎを用いてＭＩＳを形
成するが，動作電圧が７．５～１０Ｖと高くなる欠点がある。」（甲第３１号証１
頁右下欄１７行～２頁左上欄５行）
　「本発明はこれらの欠点を解決するために，・・・ＡｌｘＧａ１－ｘＮ
（０＜ｘ＜１）がｐ，ｎ両型形成できること・・・ＧａＮとの格子整合性のよいこ
とに注目して，ＧａＮとＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０＜ｘ≦１）とでヘテロ接合素子を形
成するようにしたもので，青色領域近傍の可視光領域での高効率な発光素子を得る
ことを目的とする。」（同２頁左上欄１１行～１７行）
　「第２図は絶縁性基板上に作成したシングル・ヘテロ接合素子の実施
例の縦断面図であつて，・・・４はｎ型ＧａＮまたはｎ型ＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０＜
ｘ≦１）膜・・・６はｐ型ＡｌｙＧａ１－ｙＮ（０＜ｙ≦１）膜である。」（同２頁
右上欄１５行～１９行）
　「このシングル・ヘテロ接合素子を動作させるには，第２図に示すよ
うに，ｐ型上の電極に＋極性，ｎ型上の電極に－極性の直流電圧を付加し，ｐ－ｎ
接合部で発光させる。」（同２頁右下欄１１行～１４行）
(b)「ＧａＮ青色ＬＥＤ」（NationalTechnicalReportVol.28　No.1
Feb.1982，８３頁～９２頁。乙第１１号証，以下「乙１１文献」という。）には，
次の記載がある。
　　「ＧａＮはｐ型結晶を得ることができない。・・・後にいわゆるＭＩ
Ｓ型構造を用いた素子で発光が得られるようになった。これは，金属電極（Ｍ）－
半絶縁性ＧａＮ層（Ｉ層）－ｎ型半導体層（Ｓ層）の構造をもち，Ｓ層からＩ層へ
の電子注入により発光を得るものである。」（乙１１号証８８頁右欄３行～９
行），「両図とも直線関係は，電流がトンネル注入機構によることを示している。
とくに，Ｂにおいては，トンネル誘起による衝突イオン化が起こっていることが判
明した」（同９０頁右欄１０行～１３行）
(c)甲３２文献（特開平２－２２９４７５）には，次の記載がある。
　「従来の可視光短波長領域の半導体発光素子としては，ＧａＮを用い
たものがある。第１２図にその基本構造を示す。この構造はＭＩＳ型である。図に
おいて１は基板のサファイアを示す。その上にエピタキシャル成長したｎ型ＧａＮ
層２と，Ｚｎドープ高抵抗ＧａＮ層３を有し，電極４，５からキャリアを注入し
て，高抵抗層内で発光させている。」（甲第３２号証１頁左下欄２０行～右下欄６
行）
　「今までに製作されているＧａＮを用いた発光素子の全てが，原理的
に低発光効率であるＭＩＳ型である。」（同２頁左上欄３行～５行）
(d)「ＧａＮ青色光・紫外線発光素子」（固体物理Ｖｏｌ．２５　Ｎｏ．
６　１９９０，３９９頁～４０５頁。甲第１４号証。以下「甲１４文献」とい
う。）には，次の記載がある。
　「窒化ガリウム（galliumnitride:GaN）単結晶は，禁制帯幅（Ｅｇ）
が室温で約３．３９ｅＶと近紫外域に属し，バンド構造が直接遷移型であるため特
にアクセプター不純物の関与した発光を利用した青色発光ダイオード（Light
EmittingDiode:LED）への応用が期待されている。またバンド間遷移を利用するこ
とにより紫外線ＬＥＤあるいは紫外線レーザーダイオード（LaserDiode:LD）も実
現可能と思われる。」（甲第１４号証３９９頁左欄第１段落）
　「§５　青色紫外光発光素子　・・・Ｍｇ添加したＧａＮをＬＥＥＢ
Ｉ処理することによりｐ型結晶の作製が可能であることがわかったので，・・・ｐ
ｎ接合ＬＥＤを試作した。・・・ｐｎ接合からは紫外発光および青色発光の二つの
発光ピークが観測される。紫外発光はｎ型ＧａＮへの正孔注入によるバンド間遷
移，青色発光はｐ型ＧａＮへの電子注入によるＭｇが関与した青色発光中心による
遷移に基づく。」（同４０４頁§５）
(e)１９９１年２月に発行された甲９文献には，次の記載がある。
　「ｎ型はＳｉドーピングにより低抵抗化を図った。ｐ型はＭｇドーピ
ングにより高抵抗化させ，さらにそのＭｇドープＧａＮに電子線照射処理を施すこ
とにより初めて実現させた。・・・ＧａＮによるｐｎ接合型ＬＥＤを初めて試作
し，ｎ層内でのバンド間遷移に基づく紫外発光，およびｐ層内でのＭｇの関与した
青色発光準位に基づく青色発光を利用できることがわかった。」（甲第９号証１６
３頁要約）
　「ＧａＮの禁制帯幅は室温で３．３９ｅＶであり，バンド端発光は紫
外域に属するがⅡ族元素，例えば，亜鉛（Ｚｎ）などをドープすると青色発光準位
が形成され”よく光る”ことから，以前から”かなり明るい”青色ＬＥＤが試作さ
れている。」（同１６３頁左欄５行～９行）
　「３．２　ｐ型ＧａＮの実現と低抵抗化およびその発光特性
　電気的には，成長したままの状態ではＧａＮ：Ｍｇは実験した範囲内
ですべて１０８
Ω・ｃｍ以上の高抵抗率を有し，伝導型の測定も困難であった。これ
らのＧａＮ：Ｍｇに電子線照射処理を行うと，低抵抗化しｐ型伝導性を示すように
なった。・・・室温での自由正孔濃度最大～１０１７
ｃｍ－３
，抵抗率については最小
１２Ω・ｃｍのｐ型ＧａＮを実現できた。」（同１６４頁）
　「４．ｐｎ接合型ＧａＮ－ＬＥＤの特性　・・・作製したＬＥＤの立
ち上がり電圧は，だいたい３Ｖから３．５Ｖの間にあり・・・ｐｎ接合構造ではｎ
層およびｐ層の抵抗率を制御することにより，ｍｉｓ構造と比較して，低電圧動作
するＬＥＤを容易に作製できる。・・・電子線照射処理した・・・ｐｎ接合型ＬＥ
Ｄからは，主に二つの発光ピークが観測される。・・・ピークエネルギー約３．３
５ｅＶの紫外発光・・・および・・・約２．９ｅＶの青色発光である。・・・紫外
発光の起源はｎ層内のバンド間遷移によると思われる。・・・青色発光の起源は，
ｐ層内のＭｇの関与した青色発光準位による。」（同１６５頁右欄第３段落～１６
６頁左欄第１段落）
(f)甲２０文献（特開平５－１８３１８９（出願日平成３年１２月２４
日）。本件原出願後の公開公報である。）には，次の記載がある。
　「窒化ガリウム系化合物半導体を有する青色発光デバイスは未だ実用
化には至っていない。なぜなら，窒化ガリウム系化合物半導体が低抵抗なｐ型にで
きないため，ダブルヘテロ，シングルヘテロ等の数々の構造の発光素子ができない
からである。気相成長法でｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を
成長しても，得られた窒化ガリウム系化合物半導体はｐ型とはならず，抵抗率が１
０８
Ω・ｃｍ以上の高抵抗な半絶縁材料，即ちｉ型となってしまうのが実状であっ
た。このため現在，青色発光素子の構造は基板の上にバッファ層，ｎ型層，その上
にｉ型層を順に積層した，いわゆるＭＩＳ構造のものしか知られていない。」（甲
第２０号証【０００５】）
　「本発明のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は，気相成長
法により，ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した後，
４００℃以上の温度でアニーリングを行う」（同【０００８】）
　「アニーリング前のＧａＮ層は抵抗率２×１０５
Ω・ｃｍ，ホールキャ
リア濃度８×１０１０
／ｃｍ３
であったのに対し，アニーリング後のＧａＮ層は抵抗率
２Ω・ｃｍ，ホールキャリア濃度２×１０１７
／ｃｍ３
であった。」（同【００１
５】）
　「このようにしてサファイア基板上にｐ型ＧａＮ層とｎ型Ｇａ０．９Ａ
ｌ０．１Ｎ層が順に積層されたシングルヘテロ構造の素子ができた。・・・発光ダイ
オードを作製した。この発光ダイオードの特性は・・・青色発光を示し，ピーク波
長は４３０ｎｍであった。」（同【００３５】）
　「一方，アニーリングをせず，同様の・・・発光ダイオードを製作し
たところ，・・・発光は微かには黄色っぽく光るのみで，すぐに壊れてしまい，発
光出力は測定不能であった。」（同【００３６】）
(g)以上によれば，本件原出願当時，ｐ型不純物を添加したＧａＮ層は，
高抵抗であり導電型の測定も困難であったこと，そのためＧａＮを用いた発光素子
ではＭＩＳ型構造の素子しか知られていなかったこと，後に，ｐ型不純物Ｍｇを添
加したＧａＮ層を低抵抗化しｐ型化する技術である電子線照射法又はアニーリング
法が開発され，ｐ型導電性を示すｐ型ＧａＮ層が作成されたこと，上記ｐ型化技術
によりｐ型化したｐ型ＧａＮ層をｐ層とするｐｎ接合型発光素子が作製され，同ｐ
ｎ接合型発光素子は，立上り電圧がＭＩＳ型発光素子より低く低電圧動作が可能で
あること，上記ｐｎ接合型発光素子は，紫外発光（ｎ層内のバンド間遷移）及び青
色発光（ｐ層内のＭｇが関与する青色発光準位）が観測されることが認められる。
　そうすると，ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子は，不純物を添加
した高抵抗のＧａＮ層をｐ型化処理した層（ｐ層）をｐ層とするｐｎ接合を有し，
接合面付近のｐ層内とｎ層内の両方が発光領域となり，ｎ層からｐ層に電子が注入
されて青色発光（ｐ層内のＭｇが関与する青色発光準位）をするとともに，ｐ層か
らｎ層に正孔が注入されて紫外発光（ｎ層内のバンド間遷移）をする素子であり，
「ＭＩＳ型発光素子」と比較して，動作電圧が低く，発光強度が格段に向上した素
子であることが認められる。
　したがって，本件原明細書に「ｐ型不純物を添加したｐ型導電性を示
すｐ層」が記載されている，又は，本件原明細書に「ｐ型化処理によるｐｎ接合型
発光素子」が記載されているに等しい，とする原告らの主張は到底認めることはで
きない。
(ｲ)「不純物添加のみによるｐｎ接合型発光素子」が本件原明細書に開示さ
れているとの原告らの主張について
(a)原告らは，「ｐ層」を「高抵抗のｐ層」と「低抵抗のｐ層」とに分類
する。
　しかし，本件原明細書には，ｐ層をこのように分類することは一切記
載されておらず，ＭＩＳ型構造を構成する半絶縁性のｉ層の開示しかないのである
から，このｉ層をｐｎ接合構造を構成するｐ層として認識するものということはで
きない。
(b)原告らは，甲９文献等を提示し，本件原明細書に記載されたｐ型不純
物を添加しただけの「ｉ層」は「高抵抗のｐ層」であるから，本件ＭＩＳ型発光素
子はｐｎ接合型発光素子でもある，と主張する。
　しかし，本件原明細書に記載された半絶縁性の「ｉ層」が，仮に，分
析の結果，多少なりともｐ型導電性を示すことが明らかになったとしても，前記の
とおり，本件原明細書には，「ｉ層」はＭＩＳ型構造を構成する層としてのみ記載
されているものであり，当業者はこれをＭＩＳ型構造を構成する層として認識する
ものであって，ｐｎ接合構造を構成する層として認識するものではない。したがっ
て，本件原明細書に記載された本件ＭＩＳ型発光素子の半絶縁性の「ｉ層」を「高
抵抗のｐ層」であるとする原告らの主張は失当である。
(c)原告らは，ＧａＮ半導体では「正孔濃度＞真性濃度（１０－１０
／ｃｍ３
）＞電子濃度」であればｐ型であるとした上で，甲９文献に記載された層（比抵抗
１０８
Ω・ｃｍ以上，正孔濃度１．２５×１０１０
／ｃｍ３
），甲２９文献に記載され
た層（比抵抗１０６
～１０８
Ω・ｃｍ），甲２０文献に記載された層（２×１０５
Ω・
ｃｍ，正孔濃度８×１０１０
／ｃｍ３
），及び本件ＭＩＳ型発光素子の「ｉ層５」（比
抵抗３×１０５
Ω・ｃｍ，正孔濃度は４×１０１２
／ｃｍ３
）はいずれも真性濃度（１
０－１０
／ｃｍ３
）よりも大きいから，高抵抗ではあるものの，ｐ層である，と主張す
る。
　しかし，甲第９号証，甲第１４号証，甲第２０号証，乙第１１号証に
よれば，電子線照射やアニーリングなどのｐ型化処理をすることなく形成すること
ができる，ｐｎ接合を構成することのできるｐ型ＧａＮ層の存在は，本件原出願
時，当業者に広く知られていた技術でも，実用化されていた技術でもなかったこ
と，及び，上記ｐ型化処理をして形成したｐｎ接合を構成することが可能なｐ型Ｇ
ａＮ層の比抵抗及び正孔濃度は，「比抵抗１２～４０Ω・ｃｍ，正孔濃度１０１６
～
１０１７
／ｃｍ－３
」（甲第９号証１６４頁左欄３．２），「比抵抗５３．２Ω・ｃ
ｍ，正孔濃度２．６×１０１６
／ｃｍ－３
」（甲第１４号証３９頁第３表），「比抵抗
２Ω・ｃｍ，２×１０１７
／ｃｍ３
」（甲第２０号証）の範囲にあることが認められ
る。
　上記の各数値に照らせば，原告らが上記において，高抵抗ではあるも
ののｐ層である，と主張する各層は，その比抵抗及び正孔濃度の数値からみても，
ｐｎ接合を構成することが可能な上記のｐ型ＧａＮ層とは，明らかに異なるもので
あり，これとは区別されるものであることは明らかである。原告らの主張は失当で
ある。
(d)原告らは，自らが「ｐ型の度合」と呼ぶ指標により，本件原明細書に
記載された「ｉ層」がｐ型導電型である，と主張する。しかし，原告らが主張する
「ｐ型の度合」は，正孔濃度が真性濃度のときに「０」，上限値１０２１
／ｃｍ３
のと
きに「１」となるように，単に正孔濃度を規格化したものにすぎない。同度合を用
いた議論は，基本的に正孔濃度の大小を比較することにほかならず，上記(c)の議論
と何ら異なるものではなく，原告らの主張は理由がないことは明らかである。
(e)原告らは，甲２１文献には，「ｉ型ＧａＮ層」は「非常に高抵抗なｐ
型ＧａＮ層」である，との記載がある，と主張し，甲２２文献及び甲４５文献によ
れば，アニーリング処理は，ｐ型不純物を添加したＧａＮ層を「さらに低抵抗化す
る手段」であるから，本件原明細書に記載されたｐ型不純物を添加したアニーリン
グ前のＧａＮ層はｐ型である，と主張する。
　しかし，甲２１文献（実開平６－３８２６５），甲２２文献（特許公
報，公開日平成６年９月１６日）及び甲４５文献（特許公報，公開日平成６年９月
２２日）は，いずれも本件原出願後に公開された文献であり，本件原出願時の技術
水準を示すものではない。したがって，原告らの上記主張は採用し得ない。
(f)原告らは，本件ＭＩＳ型発光素子は電流注入に基づき発光するので，
ｐｎ接合型発光素子の発光メカニズムと共通する，と主張する。
　しかし，本件原明細書において記載されていたｉ層は，前記のとお
り，本件原出願時において，抵抗率の大小とその開発経緯により，ＭＩＳ型を構成
する半絶縁性の層として，当業者により認識され，理解されていたものであり，こ
れに対し，ｐ層は，ｐｎ接合型を構成する層として，当業者により認識され理解さ
れていたものであるから，仮に，ＭＩＳ型とｐｎ接合型の間に，何らかの発光メカ
ニズムの共通性があったとしても，ｐｎ接合型を構成するｐ層が本件原明細書に開
示されていないことに変わりはない。
　また，ＭＩＳ型発光素子とｐｎ接合型発光素子との各発光メカニズム
（発光方法及び発光領域等）を比較検討すれば，次のとおり異なるものであること
も明らかである。
　甲３２文献の「この構造はＭＩＳ型である。・・・電極４，５からキ
ャリアを注入して，高抵抗層内で発光させている」及び「この素子で発光強度を上
げるためには，・・・注入電流を増加させる必要がある」（甲第３２号証１頁右欄
２行～１０行）との記載，及び，乙１１文献の「ｎ型層からＩ層への電子のトンネ
ル注入のほかに，電極金属側からＩ層内へのホールによるトンネル電流が生じてい
る」（乙第１１号証９０頁右欄第３段落）との記載によれば，ＭＩＳ型発光素子に
は，電流注入に基づき高抵抗層内で発光するものもあることが認められる。
　しかし，甲９文献の「ＬＥＤの紫外発光はｎ層内で，青色発光はｐ層
内で生じていることがわかった。少数キャリアの注入はｐ層からｎ層への正孔注
入，およびｎ層からｐ層への電子注入の二種類が考えられる」（甲第９号証１６５
頁右欄下１行～１６６頁左欄３行）との記載，及び，甲１４文献の「ＭＩＳ型ＬＥ
Ｄからの発光はきわめて弱いのに対しｐｎ接合からは紫外発光および青色発光の二
つの発光ピークが観測される。紫外発光はｎ型ＧａＮへの正孔注入によるバンド間
遷移，青色発光はｐ型ＧａＮへの電子注入によるＭｇが関与した青色発光中心によ
る遷移に基づく。」（甲第１４号証４０４頁右欄３行～８行）との記載によれば，
ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子は，ｎ層からｐ層に電子が，ｐ層からｎ層に
正孔がそれぞれ注入されて，発光再結合し，ｐ層内とｎ層内の両方で発光するもの
である。
　したがって，ＭＩＳ型発光素子には，電流注入型のものもあり，ｉ層
内で発光するものであるのに対し，ｐｎ接合型発光素子は，電流注入型である点に
おいては共通性が認められるものの，ｎ層内及びｐ層内で発光するものであり，そ
の発光領域及び発光メカニズムは上記のとおり異なるものである。したがって，原
告らの上記主張はその前提においても理由がない。
(g)原告らは，本件ＭＩＳ型発光素子は，Ｍ－π－ｎ構造に相当すると主
張する。
　確かに，甲２９文献には，Ｍ－π－ｎ構造の発光素子が電流注入型で
ある，との記載が認められる（甲第２９号証）。しかし，甲２９文献には，πｎ接
合構造のものが，ｐｎ接合発光素子と同一の発光メカニズムであるとの記載はない
（甲第２９号証）。したがって，仮に，原告らの主張のとおり，本件ＭＩＳ型発光
素子がＭ－π－ｎ構造に相当するとしても，本件ＭＩＳ型発光素子とｐｎ接合型発
光素子の各発光メカニズムが同じであるということにはならず，原告らの主張は失
当である。
(ｳ)「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」が本件原明細書に開示されて
いるに等しいとの原告らの主張について
(a)原告らは，当業者は，本件原明細書の「ｉ層５」をｐ型化処理を受け
る層であると認識し，「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」を容易に想起する
から，「ｐ型化処理をしたｐ型不純物添加層（ｐ層）を有する発光素子」は本件原
明細書に記載されているに等しい，と主張する。
　しかし，本件原発明は，前記認定のとおり，半絶縁性ｉ層に接続する
電極の直下でしか発光しないことにより生じる課題を，同電極を透明電極とするこ
とにより解決するものであり，半絶縁性ｉ層自体の改良ないし改質に着目したもの
ではない。また，本件原明細書には，半絶縁性のｉ層をｐ型化処理するとの記載
も，ｉ層の改質ないし改良を示唆する記載も，ｐｎ接合型発光素子についての記載
も，一切ない。したがって，本件原明細書には，ｉ層をｐ型化処理するとの技術思
想は，全く開示されておらず，「ｐ型化処理をしたｐ型不純物添加層（ｐ層）を有
する発光素子」との発明は，本件原明細書に記載されていない発明であることが明
らかである。原告らの上記主張は，本件原明細書から，「ｐ型化処理によるｐｎ接
合型発光素子」との発明を容易に相当し得るとの主張に等しい。原告らは，本件出
願が分割出願として適法であるというためには，本来，本件訂正発明及び本件発明
が本件原明細書に記載されていることを主張すべきなのであるから，その主張自体
失当であることが明らかである。
(b)原告らは，「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」は，ＭＩＳ型発
光素子を利用したものであり，本件ＭＩＳ型発光素子とその課題を共通にし，発光
メカニズムなども共通であることから，本件原明細書に記載されているに等しい，
と主張する。
　しかし，本件原明細書には，そもそもｐ型化処理をしたｐ型不純物添
加層をｐ層とするｐｎ接合型発光素子自体について記載がないことは前記のとおり
である。また，「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」がＭＩＳ型発光素子をさ
らに改良したものであったとしても，甲第９号証によれば，ｐ型化処理後のｐ層
は，ｉ層と比べ特段に抵抗率が低く，そのために，両者は，発光素子の発光強度に
おいて顕著に相違し，層の内部的構造，素子の性能などの点においても明りょうに
区別されるものであることが明らかである。しかも，両者は，発光領域において相
違するのみならず，発光メカニズムにおいてもまた相違することも，前記のとおり
である。
　また，仮に，原告らが主張するように，本件原発明とｐｎ接合型発光
素子とは，横方向に電流が拡散せず電極直下でしか発光しないとの課題が共通する
としても，本件原明細書においては，ｐ型化処理をしたｐ型不純物添加層について
の記載も，ｐｎ接合発光素子についての記載もないのであるから，そもそも本件原
発明とｐｎ接合発光素子との課題の共通性について論じる必要はないのである。し
たがって，本件原明細書において，「ｐ型化処理によるｐｎ接合型発光素子」が記
載されているに等しいとは到底いえないことは明らかであり，原告らの主張は失当
である。
(ｴ)原告らは，決定が，「ｉ層上に形成される透明電極とｐ層上に形成され
る透明電極とが同じ作用及び効果を奏するのか否かはまったく不明である。」（決
定書８頁第１段落）と認定したことが誤りである，と主張する。
　　しかし，本件原明細書には，ＭＩＳ型発光素子を構成するｉ層は記載さ
れているものの，そこにｐｎ接合型発光素子を構成するｐ層が記載されていると認
めることができないことは，前記のとおりである以上，このｐ層を包含する本件出
願は，本件原出願に記載されていない発明をその内容に包含する分割出願であるこ
とが明らかであり，ｉ層上に形成される透明電極とｐ層上に形成される透明電極と
が同じ作用効果を奏するかどうかについては，そもそも検討する必要のない事柄で
ある。そうである以上，両者の作用効果の同一性についての議論は，本件出願が分
割出願の要件を備えていないとした決定の結論には，何ら影響しない。決定の上記
認定について判断する必要はない。
２　取消事由１－２（本件訂正における訂正事項１６に係る訂正要件の判断の誤
り）について
　原告らは，訂正事項１６は，明りょうでない記載を明りょうにするものであ
り，本件明細書に記載された範囲内においてなされたものであるから，これが本件
明細書に記載されていないとした決定の判断は誤りである，と主張する。
　しかし，本件訂正については，本件訂正発明についてその独立特許要件が認
められないことは，前記のとおりであるから，仮に，原告らの訂正事項１６につい
ての主張が認められるとしても，本件訂正が認められないとした決定の結論に影響
するものではない。したがって，取消事由１－２についても判断する必要がない。
３　結論
　以上に検討したところによれば，原告らの主張する取消事由にはいずれも理
由がなく，その他，決定には，これを取り消すべき誤りは見当たらない。そこで，
原告らの本訴請求を棄却することとし，訴訟費用の負担について，行政事件訴訟法
７条，民事訴訟法６１条を適用して，主文のとおり判決する。
　　東京高等裁判所第６民事部
　　　　　　　　　　　裁判長裁判官　　　　　　山　　下　　和　　明
　　　　　　　　　　　　　　裁判官　　　　　　設　　樂　　隆　　一
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　裁判官　　　　　　高　　瀬　　順　　久

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