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平成３０年１２月２７日判決言渡同日原本交付裁判所書記官
平成２８年（ワ）第２５９５６号特許権侵害損害賠償請求事件（甲事件）
平成２９年（ワ）第２７３６６号特許権侵害損害賠償請求事件（乙事件）
口頭弁論終結日平成３０年１０月１９日
判決5
甲事件・乙事件原告ソニー株式会社
（以下「原告」という。）
同訴訟代理人弁護士鮫島正洋10
小栗久典
栁下彰彦
和田祐造
高橋正憲
丸山真幸15
甲事件被告富士フイルム株式会社
（以下「被告富士フイルム」という。）
乙事件被告富士フイルムメディア
マニュファクチャリング株式会社
（以下「被告ＦＦＭＭ」という。）
被告ら訴訟代理人弁護士片山英二25
服部誠
中村閑
黒田薫
佐志原将吾
高岸亘
被告ら訴訟代理人弁理士黒川恵5
古橋伸茂
主文
１原告の請求をいずれも棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由10
第１請求
１被告富士フイルムは，原告に対し，１億円及びこれに対する平成２８年８月１
３日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
２被告ＦＦＭＭは，原告に対し，１億円及びこれに対する平成２９年９月２日か
ら支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。15
第２事案の概要
本件は，発明の名称を「磁気記録媒体」とする特許権を有する原告が，被告ら
に対し，被告らによる別紙物件目録記載１ないし６の各製品（以下，それぞれの
製品を同目録記載の番号に従い「被告製品１」などといい，各製品を併せて「被
告製品」と総称する。）の製造，販売等が特許権侵害に当たると主張して，民法20
７０９条及び特許法１０２条２項に基づく損害賠償金１億円（内金請求）及びこ
れに対する不法行為後の日である被告富士フイルムについては平成２８年８月
１３日，被告ＦＦＭＭについては平成２９年９月２日（各被告に対する訴状送達
の日の翌日）から各支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支
払を，それぞれ求める事案である。25
１前提事実（当事者間に争いのない事実並びに後掲の証拠及び弁論の全趣旨によ
り容易に認められる事実）
当事者等
原告は，磁気テープカートリッジ等を業として販売する株式会社である。
被告富士フイルムは，磁気テープカートリッジ等を業として製造，販売する
株式会社である。5
被告ＦＦＭＭは，被告富士フイルムがその発行済株式の１００％を保有する
株式会社であり，磁気テープカートリッジ等を業として製造する。
原告の特許権
ア原告は，以下の特許権（以下「本件特許権」といい，その特許を「本件特
許」といい，本件特許に係る明細書及び図面を「本件明細書」という。）を有10
している。（甲１，２）
特許番号第４３７０８５１号
発明の名称磁気記録媒体
出願日平成１５年８月８日（特願２００３－２８９５７７）
登録日平成２１年９月１１日15
イ本件特許権の特許請求の範囲請求項１の記載は以下のとおりである（以下，
同請求項に記載された発明を「本件発明」という。）。
「非磁性支持体の一主面上に，少なくとも無機粉末と結合剤とを含有
する非磁性層と，少なくとも強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性層と
が形成されてなり，20
上記非磁性支持体の他の一主面上に，バック層が形成されてなり，
保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディ
ストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，
上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記
式（２）の関係を有し，25
全厚１２μｍ以下である磁気記録媒体。
２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）
２．２≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）」
ウ本件発明は，以下の構成要件に分説される（以下，それぞれの構成要件を
「構成要件Ａ」などという。）。
Ａ非磁性支持体の一主面上に，5
Ｂ少なくとも無機粉末と結合剤とを含有する非磁性層と，
Ｃ少なくとも強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性層とが形成されてな
り，
Ｄ上記非磁性支持体の他の一主面上に，バック層が形成されてなり，
Ｅ保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディ10
ストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，
Ｆ上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記
式（２）の関係を有し，
Ｇ１全厚１２μｍ以下である
Ｇ２磁気記録媒体。15
Ｈ２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）
Ｉ２．２≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）
訂正請求及び訂正後の特許請求の範囲と構成要件
ア被告富士フイルムは，本件特許について，平成２８年１１月９日付けで特
許無効審判を請求した（無効２０１６－８００１２８。以下「本件無効審判」20
という。）。
原告は，本件無効審判において，平成２９年１月２０日付けで本件特許の
明細書及び特許請求の範囲を訂正することを請求し（甲１２～１４。以下「第
１次訂正請求」という。），その後，平成３０年４月９日付けで改めて本件明
細書及び特許請求の範囲を訂正することを請求した（甲３３。以下「本件訂25
正請求」といい，その訂正を「本件訂正」という。）。本件訂正請求に伴い，
第１次訂正請求は，取り下げられたものとみなされた（特許法１３４条の２
第６項）。
イ本件訂正請求に係る請求項１記載の発明（以下「本件訂正発明」という。）
は以下のとおりである（下線部は訂正箇所。以下，請求項１に係る訂正を「訂
正事項１」といい，そのうち，保磁力Ｈｃの範囲に係る訂正を「訂正事項１5
－１」といい，非磁性層の厚みに係る訂正を「訂正事項１－２」といい，Ｈ
ｃ／Ｒｓの範囲に係る訂正を「訂正事項１－３」という。）。また，訂正事項
１に整合するように本件明細書の段落【００１０】を訂正した（以下「訂正
事項２」という。）。
「非磁性支持体の一主面上に，少なくとも無機粉末と結合剤とを含有する10
非磁性層と，少なくとも強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性層とが形成さ
れてなり，
上記非磁性支持体の他の一主面上に，バック層が形成されてなり，
保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディス
トリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，15
上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式
（２）の関係を有し，上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が，２１０以上，２２１
以下であり，
全厚１２μｍ以下である磁気記録媒体（ただし，上記非磁性層の厚みが１．
１～２μｍである磁気記録媒体を除く。）。20
２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）
２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）」
ウ本件訂正発明は，以下の構成要件に分説される（下線部は訂正箇所）。
Ａ非磁性支持体の一主面上に，
Ｂ少なくとも無機粉末と結合剤とを含有する非磁性層と，25
Ｃ少なくとも強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性層とが形成されて
なり，
Ｄ上記非磁性支持体の他の一主面上に，バック層が形成されてなり，
Ｅ保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・デ
ィストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，
Ｆ１上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，5
下記式（２）の関係を有し，
Ｆ２上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が，２１０以上，２２１以下であり，
Ｇ１全厚１２μｍ以下である
Ｇ２磁気記録媒体
Ｇ３（ただし，上記非磁性層の厚みが１．１～２μｍである磁気記録媒体10
を除く。）。
Ｈ２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）
Ｉ’２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）
被告らの行為
被告富士フイルムは，被告製品１，被告製品２，被告製品５及び被告製品６15
の製造，販売，輸出及び販売の申出をしている。
また，被告富士フイルムは，被告製品３及び被告製品４の製造をし，同製品
をアメリカ合衆国法人であるＯｒａｃｌｅＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ又はそ
の子会社である日本オラクル株式会社に対して販売，輸出及び販売の申出をし
ている。20
２争点
被告製品の本件発明の技術的範囲への属否（なお，被告らは以下のアないし
ウ以外の構成要件の充足性について争っていない。）
ア構成要件Ｃの充足性
イ構成要件Ｇ２の充足性25
ウ構成要件Ｈの充足性
本件特許の無効理由の有無
ア特開２００２－１８３９２９号公報（乙５。平成１４年６月２８日公開。
以下「乙５文献」という。）に記載の発明に基づく新規性欠如（特許法２９条
１項）
イ特開平１１－１８５２４０号公報（乙６。平成１１年７月９日公開。以下5
「乙６文献」という。）に記載の発明に基づく新規性欠如
ウ特開平９－２２５２２号公報（乙７。平成９年１月２１日公開。以下「乙
７文献」という。）に記載の発明に基づく進歩性欠如（特許法２９条２項）
エサポート要件（特許法３６条６項１号）違反
オ実施可能要件（特許法３６条４項１号）違反10
訂正の再抗弁の成否
ア本件訂正請求の適法性
イ本件訂正による無効理由の解消の有無
イ－１乙５文献に記載の発明に基づく新規性欠如（争点－ア）について
イ－２サポート要件違反（争点－エ）について15
ウ被告製品１，２，５及び６の本件訂正発明の技術的範囲への属否（なお，
原告は，被告製品３及び４が本件訂正発明の技術的範囲に属するとは主張し
ていない。）
本件訂正発明と特許法１２３条１項所定の事由の有無
ア乙５文献に記載の発明に基づく進歩性欠如20
イ乙６文献に記載の発明に基づく進歩性欠如
ウ乙７文献に記載の発明に基づく進歩性欠如
被告ＦＦＭＭの不法行為責任（共同不法行為の成否）
原告の損害額
３争点に関する当事者の主張25
被告製品の本件発明の技術的範囲への属否）について
ア－ア（構成要件Ｃの充足性）について
（原告の主張）
被告製品は構成要件Ｃの「磁性層」を充足する。
被告らは，構成要件Ｃの「磁性層」は多磁区粒子によって構成される磁性
層に限られ，被告製品は，磁性層が単磁区粒子によって構成されるから構成5
要件Ｃの「磁性層」を充足しないと主張するが，理由がない。
すなわち，磁性体粒子における粒子単体の元素組成，結晶構造，形状は必
ずしも同一ではなく，現実の磁気記録媒体の磁性層には単磁区粒子のみなら
ず多磁区粒子も存在する上，磁性層中に磁性体粒子を分散させた場合，各磁
性体粒子が配向する方向は必ずしも同一ではないから，磁性体全体（磁性層）10
の磁化を検討する場合には，磁性体粒子一つ一つのＨｃがばらつく事情や，
磁性体粒子の磁性層中での配向の状態を考慮する必要がある。本件発明はこ
の点に着目した発明であって，磁性層が多磁区粒子によって構成される場合
にのみ技術的意義を有するというものではない。本件発明における構成要件
Ｃの「磁性層」を多磁区粒子によって構成される磁性層であると限定する理15
由はなく，被告製品は構成要件Ｃの「磁性層」を充足する。
（被告らの主張）
式（１）は，以下のとおり，磁気記録媒体の磁性層が多磁区粒子によって
構成される場合にのみ技術的意義を有するため，本件発明における構成要件
Ｃの「磁性層」は，多磁区粒子によって構成される磁性層であると解釈すべ20
きである。被告製品の磁性層は単磁区粒子によって構成されるものであるか
ら，構成要件Ｃを充足しない。
原告は，式（１）の技術的意義について，磁性層のＨｃを大きくしつつも
そのばらつき（ΔＨ）を大きくすることで良好なオーバーカレント特性を得
ることにあると主張しており，この主張は，磁気記録媒体に使用されている25
磁性体粒子において，外部磁場の大きさに応じて，記録が消えやすい磁性体
粒子の磁化の程度が連続的に変化することを前提としている。
一般的に，高密度型の磁気記録媒体の磁性層に使用される磁性体粒子はμ
オーダー以下のサイズであり，１つの粒子が１つの磁区を構成する単磁区粒
子である。単磁区粒子の粒子１個の磁化は磁化の回転によってのみ行われ，
磁性体粒子の長軸が長手方向に配列した磁性層内における単磁区粒子の磁5
化は，ある方向に磁化するか，その逆方向に反転するかのいずれかであるた
め，外部磁場の大きさに応じて，磁性体粒子の長軸が長手方向に配列した磁
性層内において，単磁区粒子である磁性体粒子の磁化の程度が連続的に大き
くなったり，小さくなったりするという事態は生じない。
もっとも，磁性体粒子のサイズがμオーダー以上であり１つの粒子が磁壁10
で区切られた複数の磁区を有する多磁区粒子であれば，外部磁場の大きさに
応じて磁化の程度が変わることになるから，外部磁場の大きさに応じて，記
録が消えやすい磁性体粒子の磁化の程度が連続的に変化する状況もあり得
る。
そうすると，式（１）は，磁気記録媒体の磁性層が多磁区粒子によって構15
成される場合にのみ技術的意義を有することとなる。
イ争点－イ（構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」の充足性）について
（原告の主張）
磁性層の膜厚について
被告製品は，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」を充足する。20
被告らは，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」には，記載されざる構成要
件として「磁性層の膜厚が０．１０μｍを超えること」が要件として付加
されていると主張するが，理由がない。
特許請求の範囲の記載には磁性層の膜厚の限定はなく，本件明細書の記
載からも，磁性層の膜厚は本件発明の技術的意義と無関係である。25
被告らは，被告製品を本件明細書記載の記録再生装置（ＨＤＷ－５００
ＶＴＲ）で記録及び再生する実験を行い，いずれもサーボロックはずれが
引き起こされたとして，被告製品は構成要件Ｇ２を充足しない旨主張する
が，被告製品と上記記録再生装置では規格が異なるにすぎない。
また，被告らは，使用する記録再生装置によっては，磁性層の膜厚が薄
すぎるとＣＴＬ信号が検出不能となり，サーボロックはずれが引き起こさ5
れ，磁気テープが正しく再生されなくなるなどと主張するが，記録再生装
置の出力に対してその許容値（閾値）を定め，許容値以上の信号が検出で
きなかったものをサーボはずれと判定するものであるから，磁性層の膜厚
を薄くしても，それに対応して許容値を定めればサーボ信号の検出は可能
である。磁性層の膜厚を薄くしてもサーボの許容値を変更することでサー10
ボの検出は可能であり，磁性層の膜厚は，本件発明における必須の構成要
件ではない。
磁気ヘッドについて
被告らは，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」は，ヘリカル・スキャン方
式の磁気記録媒体に限定される旨主張し，式（１）の技術的意義が，磁気15
テープとの接触により摩耗した磁気ヘッドにおける記録が摩耗前の最適
記録電流値よりもオーバーカレント側での記録となるような関係がある
場合に限られ，このような関係はヘリカル・スキャン方式の磁気記録媒体
の場合にしか発生しないと主張するが，理由はなく，「磁気記録媒体」は，
ヘリカル・スキャン方式の磁気記録媒体に限られない。20
特許請求の範囲の記載に磁気ヘッドの方式の限定はなく，本件明細書に
も磁気ヘッドの方式に関する記載はない。本件発明の技術的意義は記録電
流値の裕度及び充分な再生出力を得るための最適記録電流を有する磁気
記録媒体を提供することにあり，記録電流値の裕度とは，入出力特性にお
いて出力一定の範囲を広げること又は記録電流設定マージンを広くする25
ことを意味するから，本件発明の技術的意義は磁気ヘッドが摩耗した場合
に限定されない。
被告らの主張は，被告製品は本件発明の技術的範囲には属するものの，
被告製品が利用される顧客の記録システムの仕様又は選択によっては，オ
ーバーカレントでの記録が行われないというものにすぎない。原告は，本
件訴訟において，被告らの顧客による記録システムの仕様又は選択に起因5
する被告らの顧客における特許権侵害を問題としているのではなく，被告
製品を製造・販売等する被告らの行為自体を問題としているから，被告ら
の主張は失当である。
また，固定ヘッド方式の磁気記録媒体も，磁気ヘッドは磁気テープとの
接触によって摩耗し，磁気ヘッドがその両サイドに位置する部材に対して10
相対的に奥に引っ込むことにより，磁気ヘッドと磁気テープとの間に隙間
が生じ，記録電流（記録磁界）が最適記録電流（最適記録磁界）からずれ
ていくのと同じ事態が起こり，固定ヘッド方式の磁気記録媒体にも記録電
流値の裕度の課題は生じるから，被告らの主張は失当である。
（被告らの主張）15
磁性層の膜厚について
本件発明は記録再生が可能な磁気記録媒体であることが前提であるか
ら，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」は，記録再生が実用的に不可能な磁
気記録媒体が除かれるように限定的に解釈すべきである。
一般的に，記録再生可能な磁気記録媒体であるためには，磁気再生装置20
において，テープ送りが適切に行われる必要があるが，磁気テープ上に磁
気信号が記録されるトラック（ビデオトラック）の幅は狭く，再生時のテ
ープ送りと磁気再生ヘッドの回転位置との関係を，記録時のテープ送りと
磁気記録ヘッドの回転位置との関係と合わせるように調整する必要があ
る。そこで，記録時に基準となる信号（コントロール信号（ＣＴＬ信号））25
を取り出して記録し，再生時にＣＴＬ信号が記録されるトラック（コント
ロールトラック）からＣＴＬ信号を読み出してテープの走行速度を検出し，
磁気再生ヘッドがトラックからはずれないようにテープの走行速度が調
整される。再生時のテープ送りと磁気再生ヘッドの回転位置との関係を，
記録時のテープ送りと磁気記録ヘッドの回転位置との関係と合わせた状
態をサーボロックといい，記録再生装置において，磁気テープに記録され5
ている磁気信号を正しく再生させるためにはサーボロックがされている
ことが必須となる。
一般的に，ＣＴＬ信号は波長が長い信号が使用されるが，磁気ヘッドか
ら空間に広がる漏れ磁束の大きさは，記録したい信号の波長が長いほど大
きくなることが知られており，ＣＴＬ信号を記録する際に磁気記録ヘッド10
からの漏れ磁束が到達する距離は１μｍに満たない磁性層の膜厚より遥
かに大きいものとなるため，磁性層の磁化の程度は磁性層の膜厚の厚さに
応じることになる。検出可能なＣＴＬ信号が記録されるためには磁性層の
膜厚がある程度厚いことが必要であり，磁性層の膜厚が薄すぎると，ＣＴ
Ｌ信号の出力が小さすぎて検出不能となる，いわゆるサーボロックはずれ15
を引き起こし，磁気テープが正しく再生されなくなる場合がある。
本件明細書の実施例では，磁性層の膜厚を０．１０μｍとした実験例３
のサンプルでは磁性層が薄すぎるため充分なＣＴＬ信号の再生出力が得
られず，サーボロックはずれを引き起したことが報告されている（本件明
細書の段落【００８６】）。つまり，本件明細書記載の記録再生装置を用い20
た場合，磁気記録媒体の磁性層の膜厚が０．１０μｍ程度であると当該磁
気記録媒体は再生不能ということになる。
そして，被告製品の磁性層の膜厚はいずれも０．１０μｍ未満であるこ
とから，本件明細書記載の記録再生装置を用いるとサーボロックはずれが
引き起こされることになる。実際に，本件明細書記載の記録再生装置を用25
いて，被告製品において記録再生を行い，ＣＴＬ信号の再生出力について
確認したところ，ＣＴＬ信号は検出できず，サーボロックはずれが引き起
こされていることが判明した。
そうすると，構成要件Ｈに係る「磁気記録媒体」の磁性層の膜厚は０．
１０μｍを超えるものと解釈されるべきである。そして，被告製品の磁性
層の膜厚はいずれも０．１０μｍ未満であるから，被告製品は構成要件Ｇ5
２の「磁気記録媒体」を充足しない。
磁気ヘッドについて
式（１）の技術的意義は，本件明細書の記載（段落【００７９】【図４】）
を踏まえても，磁気記録媒体の磁気ヘッドが摩耗し，オーバーカレント状
態になった場合の磁気記録特性を改善すること（オーバーカレント特性を10
良好にすること）にあり，本件発明に係る「磁気記録媒体」とは，磁気ヘ
ッドが継続的な使用により摩耗することによって，オーバーカレント状態
で使用されるものを指すと解釈すべきである。そして，このことを前提と
すれば，本件発明の構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」とはヘリカル・スキ
ャン方式の磁気記録媒体に限られる。15
すなわち，ヘリカル・スキャン方式の磁気記録媒体は，磁気テープとの
接触により磁気ヘッドが摩耗する現象が生じ，磁気ヘッドからの漏れ磁束
が次第に強くなるため，最適記録電流値として設定したものと同じ電流値
で記録したとしても，磁気ヘッド摩耗後は，磁気テープ上に生じる漏れ磁
界が強くなり，磁気テープにとってはオーバーカレント状態での記録とな20
る。
他方，磁気ヘッドブロックを含む磁気テープ送り機構を有する固定ヘッ
ド方式の場合，磁気テープとの接触によって磁気ヘッドが摩耗すると磁気
テープと磁気ヘッドとの間の空間が増大する。その結果，固定ヘッド方式
の場合，磁気ヘッドが摩耗すると，ヘリカル・スキャン方式の場合と反対25
に，磁気テープ上に生じる漏れ磁界が弱くなる。したがって，固定ヘッド
の場合は，長期間使用したとしても，オーバーカレント状態になることは
ない。かえって，固定ヘッドが摩耗した場合，磁気ヘッドのコイルに摩耗
前と同じ記録電流を流した場合であっても，磁気テープに及ぶ漏れ磁束が
弱くなり，摩耗前に比べて記録しにくくなるため，磁性体のＨｃを大きく
すると，摩耗前の場合よりも，新たな記録が更に一層行いにくくなり，磁5
気記録特性は悪化することになるから，固定ヘッド方式の磁気記録媒体の
場合，本件発明によって磁気記録特性を改善することは不可能である。
したがって，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」は，本件明細書の段落【０
０７９】記載の「ＶＴＲ用磁気ヘッド」に代表される磁気ヘッド用の磁気
記録媒体，すなわち，継続的な使用による摩耗により最適記録電流が変化10
して，摩耗前の最適記録電流値よりもオーバーカレント側での記録となる
ヘリカルヘッド方式の磁気記録媒体に限定されると解釈すべきである。そ
して，被告製品は，いずれも固定ヘッド方式の磁気記録媒体であるから，
構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」を充足しない。
ウ争点－ウ（構成要件Ｈの充足性－式（１）の上限値）について15
（原告の主張）
被告製品は，構成要件Ｈの式（１）を充足する。被告らは，式（１）には
記載されざる構成要件として上限値が要件として付加されている旨主張す
るが，特許請求の範囲の記載には式（１）の上限値は特定されておらず，本
件明細書においても式（１）の上限値に関する記載はない。20
被告らは，被告製品について，本件明細書に記載された記録再生装置を用
いて記録再生を試みたところ，いずれについても実用的な記録再生が不可能
であることが判明したから，本件発明に係る磁気記録媒体が記録再生可能な
磁気記録媒体であるためには，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の数値が，被
告製品における値である２７０未満である必要があると主張する。しかし，25
実施例は本件発明の技術的意義を裏付けるための実験例であり，また，被告
製品と本件明細書記載の記録再生装置は規格が異なるにすぎない。
したがって，構成要件Ｈの式（１）には，記載されざる構成要件として，
上限値が要件として付加されるとはいえず，被告らの主張は失当である。
（被告らの主張）
前記イの被告らの主張のとおり，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」は，記5
録及び再生が可能な磁気記録媒体であることが前提であるから，「磁気記録
媒体」は，記録再生が実用的に不可能な磁気記録媒体が除かれるように限定
的に解釈すべきである。
オーバーカレント特性は，磁気記録媒体の磁気特性のみでは定まらず，使
用される具体的な記録再生装置の仕様，特に磁気記録ヘッドの仕様と磁気記10
録ヘッドと磁気記録媒体上の磁性層間の距離等に強く依存する。原告も，平
成２０年７月３１日起案の拒絶理由通知に対する意見書（乙２）において，
本件発明は，所定の記録再生装置を用いた実施例１に対して出力，最適記録
電流及び高い再生出力が得られる記録電流範囲が適切な範囲内に収まるよ
うな磁気記録媒体を特定したものであることを明らかにしている。15
そして，本件明細書の実施例におけるＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の最
大値は２４７．５（実施例３）であり，被告製品のＨｃ×（１＋０．５×Ｓ
ＦＤ）の数値は２７０～２９８．３である。被告製品を本件明細書記載の記
録再生装置を用いて記録再生を試みたところ，実用的な記録再生が不可能で
あった。そうすると，本件発明に係る磁気記録媒体が記録再生可能な磁気記20
録媒体であるためには，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の数値が２７０未満
である必要があるといえる。
したがって，構成要件Ｈの「磁気記録媒体」には書かれざる構成要件とし
て，式（１）の上限値が存在するところ，被告製品のＨｃ×（１＋０．５×
ＳＦＤ）の数値は当該上限値を上回るものであるから，被告製品は構成要件25
Ｈを充足しない。
争点（本件特許の無効理由の有無）について
ア争点－ア（乙５文献に記載の発明に基づく新規性欠如）について
（被告らの主張）
乙５文献の実施例１，比較例１，比較例３，実施例２，実施例５，比較例
８及び比較例９には，いずれも，非磁性支持体の一方の面上に，非磁性粉体5
であるα－酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を有し，当該下層非磁性層
上に強磁性粉末及び結合剤を含む磁性層（上層）を有し，前記非磁性支持体
の磁性層側と反対側の面上にバックコート層を有する磁気記録媒体が記載
されている。
そして，上記実施例及び比較例の磁気記録媒体の全厚（総厚さ）及び上記10
実施例及び比較例の各数値に基づき，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨ
ｃ／Ｒｓの数値を算出した結果は以下の表のとおりであり，乙５文献には，
実施例１，比較例１，比較例３，実施例２，実施例５，比較例８及び比較例
９において，以下の発明（以下，それぞれの実施例や比較例の番号に合わせ
て「乙５－実１発明」，「乙５－比１発明」などという。）が記載されていると15
いえる。これらの発明は本件発明の構成要件を全て備えているから，本件発
明は乙５－実１発明等に基づき新規性を欠く。
ａ非磁性支持体の一方の面上に
ｂ非磁性粉体であるα－酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を有し，
ｃ当該下層非磁性層上に強磁性粉末及び結合剤を含む磁性層（上層）を20
有し，
ｄ前記非磁性支持体の磁性層側と反対側の面上にバックコート層を有
し，
ｅ保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・デ
ィストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，25
ｆ上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下
記式（２）の関係を有し，
ｇ１全厚が以下の数値である
ｇ２磁気記録媒体。
ｈＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝以下の数値・・・（１）
ｉＨｃ／Ｒｓ＝以下の数値・・・（２）5
乙5-実1
発明
乙5-比1
発明
乙5-比3
発明
乙5-実2
発明
乙5-実5
発明
乙5-比8
発明
乙5-比9
発明
全厚8.768.738.768.768.758.758.76
Hc×(1+0.5×SFD)237.9257.6245.4240.7246.8238.6237.7
Hc/Rs2.452.572.482.552.592.332.34
（原告の主張）
乙５文献の実施例１，比較例１，比較例３，実施例２，実施例５，比較例
８及び比較例９に記載されている各発明が構成要件Ｅ，Ｆ，Ｈ及びＩ（式（１）
及び式（２））を備えるという点は否認ないし争う。被告らは，乙５文献の実
施例及び比較例記載の各数値から，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨｃ10
／Ｒｓの値を算出して，乙５－実１発明等を認定できると主張するが，式（１）
及び式（２）は乙５文献に記載されておらず，当業者の技術常識に基づき記
載された事項から導き出すこともできないから，式（１）及び式（２）は記
載されているに等しい事項でもない。
したがって，乙５文献に記載の発明と本件発明は構成要件Ｅ，Ｆ，Ｈ及び15
Ｉ（式（１）及び式（２）を満たすようにした点）で相違するから，本件発
明は乙５－実１発明等に基づき新規性を欠くとはいえない。
イ争点－イ（乙６文献に記載の発明に基づく新規性欠如）について
（被告らの主張）
乙６文献には，ポリエチレンナフタレート支持体の一方の面上に，非磁性20
無機粉末と結合剤樹脂を含む非磁性層(下層)を有し，当該非磁性層(下層)上
に強磁性金属粉末と結合剤樹脂を含む磁性層（上層）を有し，前記ポリエチ
レンナフタレート支持体の磁性層側と反対側の面上にバック層を有する磁
気記録媒体が開示されている。
そして，乙６文献の比較例２の数値に基づいて算定すると，Ｈｃ×（１＋
０．５×ＳＦＤ）＝２３０．４，Ｈｃ／Ｒｓ＝２．５６となり，いずれも本
件発明の構成要件Ｈ及びＩの式（１）及び式（２）を満たす。
そうすると，乙６文献記載の比較例２には以下の発明（以下「乙６－比２5
発明」という。）が記載されており，本件発明の構成要件を全て備えているか
ら，本件発明は乙６－比２発明に基づき新規性を欠く。
ａポリエチレンナフタレート支持体の一方の面上に，
ｂ非磁性無機粉末と結合剤樹脂を含む非磁性層(下層)を有し，
ｃ当該非磁性層(下層)上に強磁性金属粉末と結合剤樹脂を含む磁性層10
（上層）を有し，
ｄ前記ポリエチレンナフタレート支持体の磁性層側と反対側の面上にバ
ック層を有し，
ｅ保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・デ
ィストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，15
ｆ上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，下
記式（２）の関係を有し，
ｇ１全厚が６．９９μｍである
ｇ２磁気記録媒体。
ｈＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝２３０．４・・・（１）20
ｉＨｃ／Ｒｓ＝２．５６・・・（２）
（原告の主張）
乙６－比２発明が構成要件Ｅ，Ｆ，Ｈ及びＩ（式（１）及び式（２））を
備えるという点は否認ないし争う。被告らは，乙６文献の比較例２記載の数
値から，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの値を算出して，乙25
６－比２発明を認定できると主張するが，式（１）及び式（２）は乙６文献
に記載されておらず，当業者の技術常識に基づき記載された事項から導き出
すこともできないから，記載されているに等しい事項でもない。
したがって，乙６－比２発明と本件発明は構成要件Ｅ，Ｆ，Ｈ及びＩ（式
（１）及び式（２）を満たすようにした点）で相違するから，本件発明は乙
６－比２発明に基づき新規性を欠くとはいえない。5
ウ争点－ウ（乙７文献に記載の発明に基づく進歩性欠如）について
（被告らの主張）
乙７文献記載の実施例１－３，実施例１－４及び比較例１－４には，い
ずれも，非磁性支持体の一方の面上に，無機質非磁性無機粉末と結合剤樹
脂を含む非磁性層を有し，当該非磁性層上に強磁性金属粉末と結合剤樹脂10
を含む磁性層を有する磁気記録媒体が記載されている。
また，上記実施例及び比較例記載の各数値に基づき，Ｈｃ×（１＋０．
５×ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの値を算出した結果は以下の表のとおりであ
る。
そうすると，乙７文献記載の実施例１－３，実施例１－４及び比較例１15
－４には以下の発明（以下，それぞれの実施例の番号に合わせて「乙７－
実３発明」，「乙７－実４発明」，「乙７－比４発明」という。）が記載されて
おり，いずれも本件発明の構成要件Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｅ，Ｆ及びＧ２を備える
点で，本件発明と一致し，他方，①乙７－実３発明等はいずれもバック層
が形成されていない点（構成要件Ｄ）及び②全厚がバック層を含まないと20
いう点（構成要件Ｇ１）で，本件発明と相違する。
ａ非磁性支持体の一方の面上に
ｂ無機質非磁性無機粉末と結合剤樹脂を含む非磁性層を有し，
ｃ当該非磁性層上に強磁性金属粉末と結合剤樹脂を含む磁性層を有
し，25
ｅ保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・
ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，
ｆ上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，
下記式（２）の関係を有し，
ｇ１全厚が８．９５μｍである
ｇ２磁気記録媒体。5
ｈＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）が以下の数値・・・（１）
ｉＨｃ／Ｒｓが以下の数値・・・（２）
相違点①について，乙７文献には，非磁性支持体の磁性層側と反対側に
バックコート層を設けてもよいことが記載されている（乙７文献の段落
【００６２】）。10
相違点②について，乙７文献におけるバックコート層の厚みは「０．１
～２μｍ，好ましくは０．３～１．０μｍ」との記載（乙７文献の段落【０
０６２】）から，乙７文献記載の発明にバックコート層を設けた場合，磁気
記録媒体の全厚は，乙７－実３発明は９．０５～１０．９５μｍ（好まし
い厚さのバックコート層を設けた場合，９．２５～９．９５μｍ），乙７－15
実４発明は９．０５～１０．９５μｍ（好ましい厚さのバックコート層を
設けた場合，９．２５～９．９５μｍ），乙７－比４発明は９．０５～１０．
９５μｍ（好ましい厚さのバックコート層を設けた場合，９．２５～９．
９５μｍ）となり，いずれも磁気記録媒体の全厚は１２μｍ以下となる。
そうすると，上記各相違点は，乙７文献に記載されている発明から容易20
に想到できるから，本件発明は乙７－実３発明等に基づき進歩性を欠く。
（原告の主張）
乙７文献記載の発明が構成要件Ｅ，Ｆ，Ｈ及びＩ（式（１）及び式（２））
を備えるという点は否認ないし争う。被告らは，乙７文献の実施例及び比較
乙７－実３発明乙７－実４発明乙７－比４発明
Hc×(1+0.5×SFD)246.8237.2238.8
Hc/Rs2.492.422.35
例記載の各数値から，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの数値
を算出しているが，式（１）及び式（２）は乙７文献に記載されておらず，
当業者の技術常識に基づき記載された事項から導き出すこともできないか
ら，式（１）及び式（２）は記載されているに等しい事項でもない。
したがって，乙７－実３発明等と本件発明は，被告主張の相違点①及び②5
（構成要件Ｄ，Ｇ１）に加え，構成要件Ｅ，Ｆ，Ｈ及びＩ（式（１）及び式
（２）を満たすようにした点）で相違する。
そして，当業者が，乙７文献に記載された発明の磁気記録媒体の磁気特性
を，式（１）及び式（２）の関係とすることが容易であるとはいえないから，
本件発明は乙７－実３発明等に基づき進歩性を欠くとはいえない。10
エ争点－エ（サポート要件違反）について
（被告らの主張）
式（１）及び式（２）が示す範囲と得られる効果
式（１）を変形すると，ＳＦＤ≧２×（２３０×（１／Ｈｃ）－１）と
なり，実施例及び比較例に記載されたＨｃの値から１／Ｈｃ及びＳＦＤの15
各数値を算出し，グラフで表記した場合，実施例（実施例２及び実施例４）
と比較例（実施例１及び比較例１，２）との間には，式（１）を表す線以
外にも，他の数式による直線又は曲線等を無数に描くことが可能であり，
本件明細書には式（１）によって所望の効果が得られることの根拠が示さ
れておらず，当業者は式（１）の技術的意義を認識することができない。20
また，式（２）におけるＨｃとＲｓとの関係をグラフで表記した場合，
実施例（実施例２及び実施例４）と比較例（比較例１）との間には，式（２）
を表す線で囲まれた領域以外にも，無数に線により無数の領域を描くこと
が可能であり，本件明細書には，式（２）によって所望の効果が得られる
ことの根拠が示されておらず，当業者は式（２）の技術的意義を認識する25
ことができない。
原告は，式（１）及び式（２）は，磁気記録媒体のヒステリシス曲線に
関連付けられて設計されたものであり，式自体に技術的意義があり，当業
者は，技術常識を参酌して本件明細書からその技術的意義を容易に認識す
ることができると主張するが，当業者は本件明細書から式（１）及び（２）
の技術的意義を理解することはできない。5
実施例及び比較例の記載
式（１）及び式（２）によって画される数値範囲は極めて広範囲であり，
当業者において，本件明細書記載の実施例及び比較例の記載のみで，式（１）
と式（２）によって画される数値範囲の全体について所望の効果が得られ
ると認識することはできない。特に，式（１）は，Ｈｃの上限値やＳＦＤ10
の下限値を特定してないから，ＳＦＤの値を大きくせず，Ｈｃの値を２３
０以上の数値にして式（１）を満たすことも可能である。そして，Ｈｃが
２３０を上回る数であり，ＳＦＤが実施例の数値を大きく下回るような小
さい数値をとる場合にも，式（１）によって所望の効果が得られると本件
明細書の記載から認識することは困難である。15
式（１）の上限値
本件明細書には，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の値について，記録
電流特性については実施例１に対しての差異が±２０％以内であれば実
用上良好であると評価したことが記載されているところ（段落【００７
５】），実施例３，４の記録電流特性は１．２であり，上記差異を許容20
し得る上限値となっている。そして，本件明細書に，本件発明の最適記
録電流は実施例１に対しての差異が１５％以内であれば実用上良好であ
ると評価したことが記載されているところ（段落【００７５】），実施
例３の最適記録電流は実施例１との差異が１６％であり本件発明の実施
例とはならないから，当業者は，本件明細書の記載から，本件発明の式25
（１）について，実施例４のＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の値である
２４５．８が本件発明の上限値があると認識する。しかしながら，本件
発明の特許請求の範囲及び本件明細書において上限値を何ら特定してい
ないから，本件発明はサポート要件に違反する。
式（２）の上限値の根拠5
式（２）の上限値である２．６の数値である実施例は実施例３のみで
ある。しかし，，実施例３は本件発明の実施例ではな
い。なお，実施例３のＨｃ／Ｒｓを正確に算出すると２．６３であり，
式（２）の上限値２．６を上回るから，この点からも実施例３は式
（２）の上限値の根拠にはならない。そして，本件明細書において，実10
施例３以外に式（２）の上限値を２．６とする記載は見当たらないか
ら，式（２）の上限値を２．６とすることの技術的意義が当業者に認識
できる程度に記載されておらず，サポート要件に違反する。
記録再生装置の特定
前記のとおり，本件発明は，本件発明記載の記録15
再生装置かそれと同等の装置を用いることが必須の前提となるが，本件
発明及び本件明細書には記録再生装置の特定がされていないから，サポ
ート要件に違反する。
磁性層の膜厚
本件明細書には，磁性層の膜厚を０．１０μｍ（実験例３），０．１20
５μｍ（実験例１），０．２５μｍ（実験例２），０．３０μｍ（実験
例４）と変化させて作成したサンプルに関して，サーボロックの評価を
行ったことが記載されている。そして，磁性層の膜厚を０．１０μｍと
した実験例３のサンプルでは，磁性層が薄すぎるため充分なＣＴＬ信号
の再生出力が得られず，サーボロックはずれを引き起したことが報告さ25
れている（段落【００８６】）。つまり，本件明細書記載の記録再生装
置を用いた場合，磁気記録媒体の磁性層の膜厚が０．１０μｍ程度であ
ると正しく再生させることができなくなり，当該磁気記録媒体は再生不
能になる。現に，膜厚が０．１０μｍ未満である被告製品について，本
件明細書記載の記録再生装置を用いて記録再生を行ったところ，いずれ
もＣＴＬ信号は検出できず，サーボロックはずれが引き起こされている5
ことが判明した。しかし，本件発明の特許請求の範囲及び本件明細書に
おいて，膜厚は何ら特定されていないから，本件発明はサポート要件に
違反する。
固定ヘッド方式の磁気記録媒体に関する記載
前記イの被告らの主張のとおり，構成要件Ｇ２の「磁気記録媒体」10
に固定ヘッド方式の磁気記録媒体は含まれないが，仮に，構成要件Ｇ２
の「磁気記録媒体」に固定ヘッド方式の磁気記録媒体が含まれると解釈
されるのであれば，本件明細書には固定ヘッド方式の磁気記録媒体の場
合の課題解決手段を何ら示しておらず，サポート要件に違反する。
エラーレート特性15
本件明細書には，「安定したエラーレート特性を実現可能」（段落【０
００９】）とすることも本件発明の課題であると記載されている。しかし
ながら，本件明細書には，どのような場合に「安定したエラーレート特
性を実現」しているといえるのかについての説明が全くなく，実施例に
挙げられた磁気記録媒体が「安定したエラーレート特性を実現」してい20
るかを検証するための実験データもない。そのため，当業者は，本件発
明の磁気記録媒体が「安定したエラーレート特性を実現」しているのか
を認識することができず，サポート要件に違反する。
（原告の主張）
式（１）及び式（２）が示す範囲と得られる効果25
式（１）及び式（２）は，磁気記録媒体のヒステリシス曲線に関連付け
られて設計されたものであり，式自体に技術的意義がある。具体的には，
式（１）及び式（２）は，以下の機序により，記録電流値の裕度を確保し，
記録電流値を大きくすることなく，充分な再生出力を得ることができ，実
用上消費電力を低減化できるという効果を奏するものであり，当業者は，
その技術的意義を，技術常識を参酌して本件明細書から容易に認識するこ5
とができる。
ａ式（１）は，ヒステリシス曲線（本件明細書の【図２】）において，
Ｈｃ＋０．５ΔＨの数値を２３０以上にするものである。
磁気記録媒体のＨｃは，磁化された磁性体を磁化されていない状態
（消去状態）に戻すために必要な反対向きの外部磁場の強さを意味し，10
Ｈｃを大きくすることで記録が一旦されれば記録が消えにくい磁気記
録媒体を得られる作用が奏されること，他方，Ｈｃを大きくし過ぎると，
記録電流が大きくなるために実用上の消費電力が低減しにくくなるこ
とは技術常識である。
そこで，式（１）では，Ｈｃと併せてΔＨを大きくすることで，実用15
上の消費電力の増加を抑制しつつ，記録が一旦されれば記録が消えにく
い磁気記録媒体を得られるようにする。
ΔＨ（Ｈｃ×ＳＦＤ）は，磁性層中に存在する磁性体粒子一つ一つの
保磁力のばらつきの指標であり，Ｈｃ＋０．５ΔＨを２３０以上とする
ためにはΔＨを大きくする必要があるが，これはＨｃ近傍のヒステリシ20
ス曲線の傾きを小さく（緩く）することを意味する。ΔＨが大きくなっ
てヒステリシス曲線のＨｃの近傍の傾きを小さく（緩く）すると，磁性
体粒子自体のＨｃのばらつきが大きくなり，磁気記録媒体のＨｃより大
きなＨｃを有する磁性体粒子が多く存在するようになる。その結果，隣
接する記録領域からの漏れ磁界が加わっても（記録磁界が大きくなって25
も），上記磁気記録媒体のＨｃよりも大きなＨｃを有する磁性体粒子の
磁化反転が起きないので，一旦記録がされれば当該記録が消えにくくな
る。
なお，式（１）は，Ｈｃの上限値やＳＦＤの下限値を特定してないか
ら，ＳＦＤの値を大きくせず，Ｈｃの値を２３０以上の数値にして式（１）
を満たすことも可能である。しかしながら，Ｈｃのみを大きくすると，5
記録電流設定マージンが広くなる（電流の裕度が改善する）というメリ
ットはあるものの，消費電力が増加するというデメリットがあるから，
本件発明は，ＨｃのみならずＳＦＤも制御するという式（１）を採用し
て，Ｈｃ及び０．５ΔＨの合算値を２３０以上とするという手法で記録
電流値の裕度の改善を図るものであり，当業者は，実施例２及び実施例10
４の記載に接することで，ＳＦＤが実施例の数値を大きく下回った場合
でも，ＨｃとＳＦＤとで式（１）が満たされれば，Ｈｃによる電流の裕
度改善作用とＳＦＤ（ΔＨ）による電流の裕度改善作用が同時に奏され
ることを理解することできる。また，磁気記録媒体のＳＦＤは０．１～
０．６程度の値をとるのが技術常識であるから（甲３５の段落【００７15
６】，甲３６文献の段落【００１７】及び乙６の【表２】），当業者は，技
術常識に基づき，ＳＦＤを０．１に近い０．０８３程度の値をとる磁気
記録媒体を想定することができる。
ｂ式（２）は，ヒステリシス曲線の横軸の交点であるＨｃと縦軸の交点
である残留磁束密度Ｂｒ及び飽和磁束密度Ｂｍとの比率（Ｒｓ＝Ｂｒ/20
Ｂｍ）との比率を２．２から２．６の範囲にするものである。Ｈｃを大
きくし過ぎないことは実用上消費電力の低減に寄与するものである一
方，安定した記録を確保し，再生出力を向上させるためにはＨｃを一定
程度は大きくする必要がある。他方，Ｒｓの分子であるＢｒは，外部磁
場をゼロとした際に磁気記録媒体に残留する磁束密度ゆえ，Ｂｒが大き25
い程（換言すればＲｓが大きい程），外部磁場ゼロになっても磁気記録
が消失しないことを意味し，再生出力が向上することとなる。また，ヒ
ステリシス曲線から明らかなとおり，Ｒｓを大きくすることは消費電力
の低減にも寄与するものである。
式（２）のＨｃを大きくし過ぎると，最適記録電流が大きくなるため
に実用上の消費電力が低減しにくくなる一方，Ｒｓ（＝Ｂｒ／Ｂｍ）は，5
再生出力の向上及び消費電力の低減の観点から大きい方が好ましい。こ
うした関係から，Ｈｃ／Ｒｓは上限値２．６を有することになる。他方，
安定した記録を確保すること，再生出力を向上させること及び式（１）
における，記録が一旦されれば記録が消えにくい磁気記録媒体が得られ
ることから式（２）の分子であるＨｃは大きいほうが望ましい。これが，10
Ｈｃ／Ｒｓにおいて下限を定める技術的意義である。そして，本件発明
においてはその下限値を２．２とする。
このように，式（２）の上・下限値のいずれにおいても，Ｒｓを大き
くすることで，再生出力を確保し，消費電力の軽減に寄与できる。
他方，式（２）の分子のＨｃは，実用上の消費電力の低減の観点から15
はあまり大きくし過ぎないことが好ましいので，式（２）に上限値が設
けられることになる。もっとも，式（２）のＨｃは，安定した記録を確
保し，再生出力を向上させ，式（１）における記録が一旦されれば記録
が消えにくい磁気記録媒体を得るために，一定以上の大きさである必要
があるので，式（２）に下限値が設けられることになる。そして，Ｈｃ20
にこうした上・下限値を設けることで，再生出力を確保しつつも，実用
上の消費電力の低減が図られることになる。
実施例及び比較例の記載
式（１）及び式（２）の技術的意義は，以下のとおり，本件明細書の実
施例及び比較例の記載から裏付けられる。25
ａまず，式（１）について，実施例２は，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）
が２３０．１となっているところ，リファレンス（実施例１。最適記録
電流：１００％，記録電流特性：１）と比較して，最適記録電流が１０
７％と＋１５％以内の増加に抑えられつつも，記録電流特性は１．０５
となり記録電流の裕度が５％広がっている。また，実施例４は，Ｈｃ×
（１＋０．５×ＳＦＤ）が２４５．８となっているところ，実施例１と5
比較して，最適記録電流が１０４％と＋１５％以内の増加に抑えられつ
つも，記録電流特性は１．２となり記録電流の裕度が２０％広がってい
る。他方，比較例２は，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）が２１１．８と
なっているところ，実施例１と比較して，最適記録電流が８８％と－１
５％以内の減少に抑えられつつも，記録電流特性は０．７となり記録電10
流値の裕度（記録電流設定マージン）が３０％狭くなっている。また，
実施例２と実施例４のＨｃ，ＳＦＤ（ΔＨ）及び式（１）の３つの数値
を比較すると，式（１）の数値の差１５．７（＝実施例４の数値２４５．
８－実施例２の数値２３０．１）は，ＨｃのみならずＳＦＤ（ΔＨ）を
大きくすることで実現していること，Ｈｃ及びＳＦＤ（ΔＨ）の数値を15
利用して式（１）の値を大きくすることによって，最適記録電流の増加
はほとんど変わることなく，記録電流特性（記録電流値の裕度）は１５％
（＝（実施例４の数値１．２－実施例２の数値１．０５）×１００％）
も広くできることが分かる。
ｂ式（２）について，実施例４と比較例１を比較すると，比較例１はＲ20
ｓが小さい分，式（２）の値は２．８となり上限値（２．６）を超えて
いる。他方，実施例４の式（２）の値は２．５であり，式（２）の上限
値以下の値である。また，式（２）の分母のＲｓは，比較例１は７５％
であり，実施例４は８５％となっている。このため，理論上は，実施例
４の磁気記録媒体の方が，再生出力が確保され，消費電力は低減される25
傾向になり，他方，式（２）の分子のＨｃは同一の値なので，Ｈｃによ
る磁気記録媒体に対する記録の安定化，再生出力の向上及び一旦記録さ
れた記録の消去のされにくさの程度において，理論上，実施例４と比較
例１との間に差はないことになる。そして，実験結果をみると，再生出
力は比較例１（０．８ｄＢ）と比べて実施例４（２ｄＢ）の方が向上し
ている。また，最適記録電流値の増加（実用上の消費電力の低減への寄5
与）の程度も，比較例１（１２４％）と比べて，実施例４（１０４％）
の方が向上しているから，上記理論と実験結果とが一致していることを
意味する。さらに，実施例４と比較例２を比較すると，比較例２はＨｃ
が小さい分，式（２）の値は２．２（下限値）となっている。他方，実
施例４の式（２）の値は２．５であり，式（２）の範囲内の値である。10
また，式（２）の分子のＨｃは，比較例２は１９０（ｋＡ／ｍ）であり，
実施例４は２１０（ｋＡ／ｍ）となっている。このため，理論上，実施
例４の磁気記録媒体の方が，消費電力の低減の観点からは不利であるが，
Ｈｃによる磁気記録媒体に対する記録の安定化，再生出力の向上及び一
旦記録された記録の消去のされにくさは確保され，他方，式（２）の分15
母のＲｓは同一の値なので，理論上，Ｒｓによる磁気記録媒体に対する
再生出力の確保及び消費電力の低減への寄与について，実施例４と比較
例２との間に差はないことになる。そして，実験結果をみると，再生出
力は，比較例２（０．８ｄＢ）と比べて，実施例４（２ｄＢ）の方が向
上している。また，最適記録電流値については，比較例２（８８％）よ20
りも実施例４（１０４％）の方が大きくなっているが，これはＨｃの値
による寄与である。もっとも，実施例４の最適記録電流値は，実用上省
電力化の抑制に寄与するものであり，リファレンス（実施例１）に対し
て＋１５％の許容の範囲内であり，上記理論と実験結果とが一致してい
ることを意味する。25
式（１）の上限値
被告らは，式（１）には上限値が存在する旨主張するが，前記の原
告の主張のとおり，式（１）には上限値が存在せず，被告らの主張は失当
である。
式（２）の上限値の根拠
式（２）の上限値を２．６とする根拠は本件明細書の段落【００１5
３】【００１７】ないし【００２０】の記載にされているとおりであり，
実施例３を根拠とするものではない。もっとも，被告らの実験によれ
ば，実施例３のＨｃ／Ｒｓは２．６３であり，最適記録電流は実施例１
の最適記録電流の±１５％をわずかに超える＋１６％という内容である
とのことからすれば，実施例３は，上限値を２．６に設定することを裏10
付ける実験結果となっている。さらに，実施例４ではＨｃ／Ｒｓの値が
２．５であり電磁変換特性が規定の範囲内となっている一方で，Ｈｃ／
Ｒｓの値が２．８である比較例１では電磁変換特性が規定の範囲外とな
っているから，式（２）の上限値を２．６とすることはこれらの実験結
果からも裏付けられる。15
記録再生装置の特定
被告らは，本件発明においては記録再生装置の特定が必須であると主張
するが，のとおり，本件発明においては記録再生装
置を特定する必要性はなく，被告らの主張は失当である。
磁性層の膜厚20
被告らは，本件発明においては磁性層の膜厚の特定が必須であると主張
するが，アの原告の主張のとおり，本件発明においては磁性層の膜
厚を特定する必要性はなく，被告らの主張は失当である。
固定ヘッド方式の磁気記録媒体に関する記載
前記イの原告の主張のとおり，本件発明の特許請求の範囲や本件明細25
書に磁気ヘッドの方式に関する限定はなく，本件発明は磁気ヘッドの方式
に関わらず技術的意義を有するから，本件明細書に固定ヘッド方式の磁気
記録媒体の場合の課題解決手段を記載していないことはサポート要件に
違反しない。
エラーレート特性
本件明細書の「安定したエラーレート特性を実現可能」（段落【０００5
９】）とは，上記再生の際に，磁気記録を正確に読み出す特性が安定して実
現できることをいうところ，本件明細書の記載（段落【００７８】【００７
９】【００８２】）から，当業者は，式（１）を２３０以上とすることで，
記録電流特性の値を大きくすること（極めて広い記録電流範囲において高
い再生出力が得られるようになること）で，良好なエラーレート特性が発10
揮されることを認識することができるといえ，サポート要件に違反しない。
オ争点－オ（実施可能要件）について
（被告らの主張）
前記の被告らの主張のとおり，オーバーカレント特性は，磁気記録媒
体の磁気特性のみでは定まらず，使用される具体的な記録再生装置の仕様，15
特に磁気記録ヘッドの仕様と磁気記録ヘッドと磁気記録媒体上の磁性層間
の距離等に強く依存する。
しかしながら，本件明細書には，記録再生装置で使用される磁気記録ヘッ
ド及び磁気再生ヘッドの仕様，記録回路の仕様，磁気記録ヘッドないし磁気
再生ヘッドと磁気記録媒体上の磁性層間の距離等が記載されておらず，実際20
に，被告製品について，本件明細書記載の記録再生装置を用いて記録再生を
試みたところ，いずれについても実用的な記録再生が不可能であった。
したがって，当業者が本件発明を実施しようとした場合，どのように実施
するかを発見するために，当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤や複雑
高度な実験等を行う必要があるから，本件発明について，実施可能要件の違25
反がある。
（原告の主張）
本件明細書には，本件発明の磁気記録媒体の製造工程及び実施例・比較例
が具体的に記載されており（段落【００２１】～【００６９】），当業者は当
該記載に基づいて，記録電流値の裕度及び充分な再生出力を得るための最適
記録電流を有する磁気記録媒体を製造して使用することができるから，本件5
発明について，実施可能要件に違反するとはいえない。
争点（訂正の再抗弁の成否）について
ア争点－ア（本件訂正請求の適法性）について
（原告の主張）
訂正事項１－１のうちＨｃを２１０以上とする点は，実施例及び比較10
例に記載された実験データに基づき，実施例及び比較例において好まし
いとされるＨｃを下限値に特定するものであり，訂正事項１－１のうち，
Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕を２２１以下とする点は，明細書の実施例及び比較例の
うちの最も大きいＲｓである８５％（【表１】参照）を，式（２）から導
き出されるＨｃ≦２．６×Ｒｓに代入して算出された値である（２２１＝15
２．６×８５）。
訂正事項１－２は，請求項１に係る「磁気記録媒体」から「非磁性層
の厚みが１．１～２μｍである磁気記録媒体」を除く訂正である。本件
明細書記載の発明は式（１）及び式（２）を満たすことを必須条件とす
るものであるが，「非磁性層の厚みが１．１～２μｍである磁気記録媒20
体」を除く趣旨は，本件明細書記載の技術思想とは全く異なるが，Ｈ
ｃ，ＳＦＤ及びＲｓを計算するとたまたま式（１）及び式（２）の数値
範囲に含まれる乙５文献や乙６文献記載の磁気記録媒体との重複を排除
することにあり，請求項１において除かれる部分と除かれた後の部分と
の間で発明の作用効果に差は生じていない。25
訂正事項１－３は，式（２）の下限値を明細書の実施例２及び実施例４
に基づき，２．５に訂正するものであり，式（２）をより好ましい範囲に
限定するものである。
以上のとおり，訂正事項１は，本件明細書に記載された実施例に基づく
ものであるなど，訂正要件違反はなく，また，訂正事項２は，訂正事項１
の訂正に伴って特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整5
合を図るものであるから訂正要件違反はない。
（被告らの主張）
訂正事項１－１について，Ｈｃの上限値を２２１とする根拠は本件明細
書に記載されていない。
原告は，Ｈｃの上限値２２１は，実施例及び比較例のうちの最も大きい10
Ｒｓである８５％（実施例４）を式（２）から導き出される「Ｈｃ≦２．
６×Ｒｓ」に代入して算出できると主張するが，訂正後の特許請求の範囲
（式（２））を根拠に明細書に記載のない新たなＨｃの値を作り出すこと
は新たな技術的事項を導入するものである。しかも，訂正事項１－１は，
本件訂正発明にとって唯一の実施例であり，単一の測定値を示す実施例４15
（Ｈｃ：２１０，Ｒｓ：８５）のＨｃの値を下限値として用いながら，そ
の実施例４からＲｓの値のみを切り出し，訂正後の特許請求の範囲（式
（２））に代入して得られたＨｃの値を上限値とするものであって，唯一
の実施例４を根拠に幅を持ったＨｃの値に特許請求の範囲を拡張しよう
とするものであり，この点からも，新たな技術的事項を導入するものであ20
るといえる。
原告は，比較例（比較例２）のＲｓの数値８５をも根拠としているが，
特許請求の範囲外である比較例の数値を根拠に訂正後の特許請求の範囲
を画そうとすることは，新たな技術的事項を導入するものである。しかも，
比較例２（Ｒｓ：８５）は，式（２）ではなく，式（１）の臨界値を求め25
るためのサンプルとして本件明細書（段落【００８２】）に挙げられてい
るにすぎない。
さらに，原告がＨｃの上限値２２１を算出するための根拠とする，Ｈｃ
≦２．６×Ｒｓの数値２．６は，前記のとおり，
本件明細書の根拠を欠いた値であり，この点からも，新たな技術的事項を
導入するものであるといえる。5
訂正事項１－２について，当該訂正事項のように除く形式による訂正が
適法であるためには先願発明ないしは引用発明の内容を除いた構成にお
いて発明特定の効果を奏するものと認められることが必要である。しかし
ながら，訂正事項１－３によって訂正された特許請求の範囲に係る構成の
全ての範囲において発明の効果を奏するとは認められないから，訂正事項10
１－２は，本件発明について新たな技術的事項を付加するものである。
訂正事項２は，訂正事項１－１及び１－２を含む訂正事項１の訂正に伴
って，発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載と整合させるもの
であるが，上記のとおり，訂正事項１－１及び１－３は訂正要件を満たさ
ないから，訂正事項１の訂正に伴って，発明の詳細な説明の記載を特許請15
求の範囲の記載と整合させる訂正事項２も本件明細書の範囲内の訂正で
はない。
イ－１（本件訂正による無効理由の解消の有無－乙５文献に記載
の発明に基づく新規性欠如）について
（原告の主張）20
本件訂正によって「上記非磁性層の厚みが１．１～２μｍである磁気記
録媒体を除く」旨の訂正がなされた（訂正事項１－２）。乙５文献の実施
例・比較例に記載された磁気記録媒体の下層非磁性層の厚さは１．５μｍ
であるから，本件訂正によって，乙５文献，乙６文献の実施例・比較例に
記載された全ての磁気記録媒体が除かれたことになる。したがって，本件25
訂正により乙５－実１発明等に基づく新規性欠如の無効理由は解消した。
被告らは，後記被告らの主張のとおり，乙５文献には，実施例２ないし
７に基づく乙５－実２～７発明，乙５－実２～７’発明が記載されていて，
乙５－実２～７’発明は本件訂正発明の構成要件を全て備え，本件訂正に
より新規性欠如の無効理由は解消していない旨主張する。
しかしながら，乙５文献の実施例２ないし７の実験結果からＨｃ，ＳＱ5
及びＳＦＤについて被告らが主張するような連続した範囲の数値の発明
を認定することはできない。また，乙５文献は特許請求の範囲や明細書の
記載に不自然な点や矛盾点があり，実施例２ないし７の実験結果は架空の
数値であると疑われることから，乙５文献から乙５－実２～７発明を認定
することはできない。10
また，乙５文献には非磁性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μｍ未満又
は２．０μｍ超４．０μｍ以下とすることは記載されていないし，これら
が技術常識を参酌して記載されているに等しい事項であるともいえない
から，非磁性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超
４．０μｍ以下とする乙５－実２～７’発明を認定することはできない。15
被告らは，後記被告らの主張のとおり，乙５文献には，実施例５に基づ
く乙５－実５ａ’発明が開示されており，乙５－実５ａ’発明は本件訂正
発明の構成要件を全て備え，本件訂正により新規性欠如の無効理由は解消
していない旨主張する。
しかしながら，前記のとおり，乙５文献には，非磁性層の厚みを０．20
２μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超４．０μｍ以下とすることは
記載されておらず，これらが技術常識を参酌して記載されているに等しい
事項であるともいえないから，非磁性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μ
ｍ未満又は２．０μｍ超４．０μｍ以下とする乙５－実５ａ’発明を認定
することはできない。25
（被告らの主張）
乙５文献の実施例２～７には，以下の発明（以下「乙５－実２～７発明」
という。）が開示されている。
ａ非磁性支持体の一方の面上に，
ｂ非磁性粉末であるα－酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を介し
て，5
ｃ強磁性粉末を結合剤中に分散してなる磁性層が設けられ，
ｄ前記非磁性支持体の前記磁性層側と反対側に，厚みが通常０．１～２
μｍ（実施例ではカレンダ処理前において，０．５μｍ）のバックコー
ト層が設けられ，
ｅ保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・10
ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，
ｆ１上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕と
が，下記式（２）の関係を有し，
ｆ２上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が２５８０～２９４０Ｏｅ（２０
３．８～２３２．３ｋＡ／ｍ）であり，15
ｇ１総厚さが通常４．５～８．５μｍである
ｇ２磁気記録媒体。
ｇ３ただし，非磁性層の厚みは１．５μｍである。
ｈＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）≒２３６．４～２７４．１・・・
（１）20
ｉＨｃ／Ｒｓ≒２．４３～２．９０・・・（２）
そして，乙５文献には，非磁性層（下層）の厚みが，通常０．２～
４．０μｍであり，好ましくは０．３～２．０μｍであること，さらに
好ましくは０．５～１．５μｍ（０．８～２．０μｍ）であることが記
載されている（乙５文献の段落【０００５】【０００６】【００４３】【０25
０５３】【００５４】【００５９】）。そうすると，乙５文献には，乙５－
実２～７発明の構成ｇ３について，非磁性層の厚みが０．２～４．０μ
ｍ，０．３～２．０μｍ，０．５～１．５μｍ又は０．８～２．０μｍ
である発明（以下「乙５－実２～７’発明」という。）が開示されている
といえる。そして，この非磁性層の厚みは，「０．２μｍ以上１．１μｍ
未満」，「２．０μｍ超４．０μｍ以下」において本件構成要件Ｇ３と重5
なるから，乙５－実２～７’発明は，本件訂正発明の構成要件を全て備
える。したがって，本件訂正発明は乙５－実２～７’発明に基づき新規
性を欠く。
乙５の実施例５には，前記アの被告らの主張のとおり，乙５－実５
発明が開示されており，また，実施例５のＨｃは２１０〔ｋＡ／ｍ〕で10
あるから，乙５の実施例５には，以下の発明（以下「乙５－実５ａ発
明」という。）が開示されている。
ａ非磁性支持体の一方の面上に
ｂ非磁性粉体であるα－酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を有し，
ｃ当該下層非磁性層上に強磁性粉末及び結合剤を含む磁性層（上層）を15
有し，
ｄ前記非磁性支持体の磁性層側と反対側の面上にバックコート層を有
し，
ｅ保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・デ
ィストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，20
ｆ１上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，
下記式（２）の関係を有し，
ｆ２上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が２１０であり，
ｇ１全厚が８．７５μｍである
ｇ２磁気記録媒体。25
ｇ３非磁性層の厚みが１．５μｍである
ｈＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝２４６．８・・・（１）
ｉＨｃ／Ｒｓ＝２．５９・・・（２）
そして，前記のとおり，乙５文献には，非磁性層の厚みについて，
０．２～４．０μｍ，０．３～２．０μｍ，０．５～１．５μｍまたは
０．８～２．０μｍの数値が記載されているから，乙５文献には，乙５5
－実５ａ発明の構成ｇ３について，非磁性層の厚みが０．２～４．０μ
ｍ，０．３～２．０μｍ，０．５～１．５μｍ又は０．８～２．０μｍ
である発明（以下「乙５－実５ａ’発明」という。）が開示されている。
そして，この非磁性層の厚みは本件構成要件Ｇ３と重なるから，乙５－
実５ａ’発明は，本件訂正発明の構成要件を全て備える。したがって，10
本件訂正発明は乙５－実５ａ’発明に基づき新規性を欠く。
以上のとおり，本件訂正によっても，乙５文献に記載の発明に基づく新
規性欠如の無効理由は解消していない。
ウ（本件訂正による無効理由の解消の有無－サポート要件違
反）について15
（原告の主張）
前記エの原告の主張のとおり，本件発明はサポート要件に違反しておら
ず，本件発明よりも特許請求の範囲を限定するものである本件訂正発明にも
サポート要件違反はない。
（被告らの主張）20
前記エの被告らの主張のとおり，本件発明はサポート要件違反の無効理
由があり，本件訂正についても，サポート要件違反の無効理由は解消されて
いない。
エ争点－ウ（被告製品１，２，５及び６の本件訂正発明の技術的範囲への
属否）について25
（原告の主張）
前記の原告の主張のとおり，被告製品１，２，５及び６は本件発明の構
成要件を全て充足し，また，本件訂正発明の構成要件も全て充足するから，
被告製品１，２，５及び６は本件訂正発明の技術的範囲に属する。
（被告らの主張）
前記の被告らの主張とおり，被告製品は本件発明の構成要件Ｃ，Ｇ２及5
びＨを充足しないから，被告製品１，２，５及び６は本件訂正発明の技術的
範囲に属しない。
争点（本件訂正発明と特許法１２３条１項所定の事由の有無）
ア争点－ア（乙５文献に記載の発明に基づく進歩性欠如）について
（被告らの主張）10
前記の被告らの主張のとおり，乙５文献に開示されている乙５－
実２～７発明は，本件訂正発明の構成要件Ｇ３を除く，本件訂正発明の構
成要件を全て備える点で，本件訂正発明と一致し，本件訂正発明は「上記
非磁性層の厚みが１．１～２μｍである磁気記録媒体を除く」（構成要件
Ｇ３）のに対し，乙５－実２～７発明では，非磁性層の厚みが１．５μｍ15
である点で相違する。
上記相違点について，前記イの被告らの主張のとおり，乙５文献に
は，非磁性層の厚みについて，０．２～４．０μｍ，０．３～２．０μｍ，
０．５～１．５μｍ又は０．８～２．０μｍの値が開示されており，当業
者であれば，乙５－実２～７発明の下層非磁性層の厚さ１．５μｍを上記20
範囲内において本件訂正発明で除かれていない厚みに変更することは，乙
５文献の記載自体から容易に想到し得る。
したがって，乙５－実２～７発明に基づき，当業者は本件訂正発明を容
易に想到し得るから，本件訂正発明は乙５－実２～７発明に基づき進歩性
を欠く。25
前記
実５ａ発明は，本件訂正発明の構成要件Ｇ３を除く，本件訂正発明の構成
要件を全て備える点で，本件訂正発明と一致し，本件訂正発明は「ただし，
上記非磁性層の厚みが１．１～２μｍである磁気記録媒体を除く」（構成
要件Ｇ３）のに対し，乙５－実５ａ発明では，非磁性層の厚みが１．５μ
ｍである点で相違する。5
上記相違点について，前記イ乙５文献には，
非磁性層の厚みについて，０．２～４．０μｍ，０．３～２．０μｍ，０．
５～１．５μｍ又は０．８～２．０μｍの値が開示されており，当業者で
あれば，乙５－実５ａ発明の下層非磁性層の厚さ１．５μｍを，上記範囲
内において本件訂正発明で除かれていない厚みに変更することは，乙５文10
献の記載自体から容易に想到し得る。
したがって，乙５文献に記載された乙５－実５ａ発明に基づき，当業者
は本件訂正発明を容易に想到し得るから，本件訂正発明は乙５－実５ａ発
明に基づき進歩性を欠く。
原告は，乙５文献に記載された換算法は，同文献記載の換算法に基づい15
て算出されているところ，当該換算法は技術常識とは異なる不正確な換算
方法であり，当業者が採用する方法ではないなどと主張するが，乙５文献
に記載された換算法は技術常識と異なるものではない。
また，仮に原告の主張するとおり，乙５に記載された換算方法を発明の
認定に用いずに，原告の主張する換算式を用いるとすると，乙５文献の実20
施例５から以下の発明（以下「乙５－実５ｂ発明」という。）を認定するこ
とができる。
ａ非磁性支持体の一方の面上に
ｂ非磁性粉体であるα－酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を有
し，25
ｃ当該下層非磁性層上に強磁性粉末及び結合剤を含む磁性層（上層）
を有し，
ｄ前記非磁性支持体の磁性層側と反対側の面上にバックコート層を有
し，
ｅ保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・
ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，5
ｆ１上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕と
が，下記式（２）の関係を有し，
ｆ２上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が２１０であり，
ｇ１全厚が８．７５μｍである
ｇ２磁気記録媒体。10
ｇ３非磁性層の厚みが１．５μｍである
ｈＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝２４９．１・・・（１）
ｉＨｃ／Ｒｓ＝２．６２・・・（２）
本件訂正発明と乙５－実５ｂ発明とを対比すると，①構成要件Ｇ３が異
なるほか，②本件訂正発明は「２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６」であるのに15
対し，乙５－実５ｂ発明のＨｃは２１２ｋＡ／ｍであり，Ｈｃ／Ｒｓは２．
６２である点で相違する。
相違点乙５文献の記載自体から容易に想到し得
る。
相違点②について，乙５文献に記載された発明の目的は良好なエラーレ20
ートと耐久性を有する磁気記録媒体の提供であり，これらの記載に接した
当業者は，磁気記録媒体をＨｃ１９７．５～２７６．５ｋＡ／ｍの範囲内
にＲｓを０．７５～０．８０の範囲内に調整すれば当該目的をよりよく達
成できると理解する（乙５文献の【０００４】～【０００６】）。そうする
と，当業者は，乙５文献に記載された実施例５の磁気記録媒体のＨｃ及び25
Ｒｓの値を前記範囲内で適宜調整しようとする。
したがって，乙５－実５ｂ発明のＨｃを乙５文献に記載された発明の目
的を達成できる範囲内（例えば，Ｈｃ２１０ｋＡ／ｍ）に変更することは
当業者が適宜調整する事項の範囲内であり，設計事項といえる。そして，
このようにＨｃを２１０ｋＡ／ｍに変更した磁気記録媒体におけるＨｃ
／Ｒｓの値は２．５９であり，式（２）の条件を満たす。5
したがって，乙５文献記載の換算式ではなく，原告が主張する換算式を
用いたとしても，本件訂正発明は，当該換算式に基づいて認定される乙５
－実５ｂ発明に基づき進歩性を欠く。
乙５文献の実施例９には，以下の発明（以下「乙５－実９発明」という。）
が記載されている。10
ａ非磁性支持体の一方の面上に
ｂ非磁性粉体であるα－酸化鉄及び結合剤を含む下層非磁性層を有し，
ｃ当該下層非磁性層上に強磁性粉末及び結合剤を含む磁性層（上層）を
有し，
ｄ前記非磁性支持体の磁性層側と反対側の面上にバックコート層を有15
し，
ｅ保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・
ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，
ｆ１上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕と
が，下記式（２）の関係を有し，20
ｆ２上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が２１９であり，
ｇ１全厚が８．７５μｍである
ｇ２磁気記録媒体。
ｇ３上記非磁性層の厚みが１．５μｍである
ｈＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝２５９．３・・・（１）25
ｉＨｃ／Ｒｓ＝２．８４・・・（２）
本件訂正発明と乙５－実９発明とは，①本件訂正発明は「上記非磁性層
の厚みが１．１～２μｍである磁気記録媒体を除く」（構成要件Ｇ３）もの
であるのに対し，乙５－実９発明は非磁性層の厚みが１．５μｍである点，
②本件訂正発明は「２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）」であるのに
対し，乙５－実９発明のＨｃ／Ｒｓは２．８４である点で相違し，他の構5
成要件は一致する。
相違点①について，前記の被告らの主張のとおり，乙５文献の記載か
ら，当業者であれば，乙５－実９発明の下層非磁性層の厚さ１．５μｍを
本件訂正発明で除かれていない厚みに変更することは乙５文献の記載自
体から容易に想到し得る。10
また，相違点②について，式（２）で求められる特性に基づいて磁気記
録媒体の磁気特性を調整することは当業者の技術常識であること，また，
乙５文献の記載（【請求項１】及び段落【０００４】【０００６】）から，当
業者が，乙５－実９発明の磁気記録媒体の磁気特性を，本件訂正発明の目
的を達成するために肝要とされるＲｓ０．７～０．８５の範囲に調整する15
ことは当業者が容易に想到し得るといえ，この調整によって製造される磁
気記録媒体のＨｃ／Ｒｓの数値は式（２）の条件を満たすから，当業者は
乙５－実９発明のＨｃ／Ｒｓを式（２）の範囲（２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．
６）に変更することは容易に相当し得る。
したがって，本件訂正発明は，乙５－９発明に基づき進歩性を欠く。20
（原告の主張）
前記の原告の主張のとおり，乙５文献に乙５－実２～７発明が開
示されているとはいえない。
仮に，乙５文献に乙５－実２～７発明が開示されているとしても，乙５
－実２～７発明と本件訂正発明は以下の点で相違する。25
①本件訂正発明は非磁性層の厚みが１．１～２μｍである磁気記録媒体
を除いているのに対し，乙５－実２～７発明の非磁性層の厚みはカレン
ダ処理前で１．５μｍであるので，カレンダ処理での厚さの減少を考慮
しても，非磁性層の厚みが相違する点
②本件訂正発明においては，Ｈｃを２１０～２２１ｋＡ／ｍとするのに
対し，乙５－実２～７発明のＨｃは２０５．３～２３４ｋＡ／ｍである5
点（選択的関係になっていること）
③本件訂正発明においては「２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６」であるのに
対し，乙５－実２～７発明のＨｃ／Ｒｓは２．４３～２．９０程度とな
る点（選択的関係になっていること）
そして，当事者間で争いがない相違点①について，乙５文献には，非磁10
性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超４．０μｍ
以下の数値範囲とすることは記載されておらず，乙５文献に基づき相違点
①を解消することはできない。
被告らは，乙５文献の実施例５には乙５－実５ａ発明が開示されており，
本件訂正発明とは構成要件Ｇ３の点で相違すると主張する。15
前記の原告の主張のとおり，乙５文献には，非磁性層の厚みを０．２
μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超４．０μｍ以下の数値範囲とす
ることは記載されておらず，乙５文献の記載に基づき上記相違点を解消す
ることはできない。
また，乙５文献の実施例５のＨｃ／Ｒｓの２．５９（構成ｉ）は，乙５20
文献記載の換算法に基づいて算出されているところ，当該換算方法は技術
常識とは異なる不正確な換算方法であり，当業者は乙５文献の記載に限ら
れた特殊な換算法であると認識する。そして，当業者は，本件訂正発明と
乙５文献の記載とを対比する際には，本件訂正発明を特定し，これと乙５
文献に記載された発明を対比する必要があるので，技術常識に従った換算25
方法を使用する。
したがって，乙５文献から乙５－実５ａ発明を正確に認定することはで
きず，乙５－実５ａ発明と本件訂正発明を対比すると，被告らが主張する
相違点（構成要件Ｇ３）のほかに，構成要件Ｉ’についても相違し，乙５
文献の実施例５に記載された発明から本件訂正発明が容易に想到するこ
とはできない。5
被告らは，乙５に記載された換算方法ではなくても，乙５文献の実施例
５から乙５－実５ｂ発明を認定することができ，乙５－実５ｂ発明のＨｃ
を乙５文献に記載された発明の目的を達成できる数値範囲内（Ｈｃ１９７．
５～２７６．５ｋＡ／ｍ）の２１０ｋＡ／ｍに変更することは当業者が適
宜調整する事項の範囲内であると主張する。10
しかしながら，磁気記録媒体の設計においては，Ｈｃのみを制御できず，
Ｈｃを変化させるとＲｓ及びＳＦＤも同時に変化する。さらには，Ｈｃの
変化の際，Ｒｓ及びＳＦＤは，このＨｃの変化と相関することなく変化す
るから，式（１）及び式（２）を満たす磁気記録媒体を設計するため，Ｈ
ｃ，Ｒｓ及びＳＦＤの数値を制御する必要があるが，乙５文献には式（１）15
及び式（２）の記載も示唆もなく，式（１）及び式（２）を満たすために
Ｈｃ，Ｒｓ及びＳＦＤの数値を制御する動機付けは存在しない。
被告らは，乙５文献の実施例９には乙５－実９発明が開示されており，
本件訂正発明とは①構成要件Ｇ３及び②構成要件Ｉ’の点で相違すると主
張する。20
相違点①について，前記の原告の主張のとおり，乙５文献には，非磁
性層の厚みを０．２μｍ以上１．１μｍ未満又は２．０μｍ超４．０μｍ
以下の数値範囲とすることは記載されておらず，相違点を解消することは
できない。
相違点②について，被告らは，Ｒｓを０．７～０．８５の範囲に調整す25
ることは当業者が容易に想到し得えると主張するが，磁気記録媒体の設計
においてＲｓの数値のみを意図して変化させることはできない。
イ争点－イ（乙６文献に記載の発明に基づく進歩性欠如）について
（被告らの主張）
乙６文献の実施例４及び実施例５には，それぞれ，以下の発明（以下，
実施例４記載の発明を「乙６－実４発明」，実施例５記載の発明を「乙６－5
実５発明」という。）が開示されている。
ａポリエチレンナフタレート支持体の一方の面上に，
ｂ非磁性無機粉末と結合剤樹脂を含む非磁性層(下層)を有し，
ｃ当該非磁性層(下層)上に強磁性金属粉末と結合剤樹脂を含む磁性層
（上層）を有し，10
ｄ前記ポリエチレンナフタレート支持体の磁性層側と反対側の面上に
バック層を有し，
ｅ保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・デ
ィストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，
ｆ１上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，15
下記式（２）の関係を有し，
ｆ２上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が以下の数値であり，
ｇ１全厚が６．５４μｍである
ｇ２磁気記録媒体。
ｇ３上記非磁性層の厚みが１．２μｍである20
ｈＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝以下の数値・・・（１）
ｉＨｃ／Ｒｓ＝以下の数値・・・（２）
乙６－実４発明乙６－実５発明
Hc187185
Hc×(1+0.5×SFD)205.8205.9
Hc/Rs2.152.13
本件訂正発明と乙６－実４発明及び乙６－実５発明は以下の点で相違
し，他の構成要件は一致する。
①本件訂正発明は「上記非磁性層の厚みが１．１～２μｍである磁気記
録媒体を除く」（構成要件Ｇ３）ものであるのに対し，乙６－実４発明及
び乙６－実５発明は非磁性層の厚みが１．２μｍである点
②本件訂正発明はＨｃが２１０～２２１（構成要件Ｆ２）であるのに対5
し，乙６－実４発明のＨｃは１８７，乙６－実５発明のＨｃは１８５ｋ
Ａ／ｍである点
③本件訂正発明は「２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）」
（構成要件Ｈ）であるのに対し，乙６－実４発明は２０５．８，乙６－
実５発明は２０５．９である点10
④本件訂正発明は「２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）」（構成要件
Ｉ’）であるのに対し，乙６－実４発明のＨｃ／Ｒｓは２．１５，乙６－
実５発明のＨｃ／Ｒｓは２．１３である点
相違点①について，非磁性支持体の上に非磁性層および磁性層が形成さ
れた磁気記録媒体において，非磁性層の厚みを０．５～１０μｍ，１～４15
μｍ，０．５～３μｍ等に調整することは本件特許出願時において技術常
識ないし周知技術といえる。したがって，乙６－実４発明及び乙６－実６
発明において，非磁性層の厚みを１．２μｍから調整し，上記範囲内にお
いて，本件訂正発明で除かれていない厚みに変更することは容易に想到し
得る。20
相違点②ないし④について，磁気記録媒体のＨｃを，発明の課題を解決
するための手段として記載された数値の２１９ｋＡ／ｍに調整すること
は当業者が容易に想到することであり，このような調整によって製造され
る磁気記録媒体のＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの値はい
ずれも本件訂正発明に規定する範囲である。25
したがって，乙６文献に記載された発明に基づき，当業者は本件訂正発
明を容易に想到し得るから，本件訂正発明は進歩性を欠く。
（原告の主張）
本件訂正発明と乙６－実４発明及び乙６－実５発明の相違点②～④につ
いて，被告らは，磁気記録媒体のＨｃを，発明の課題を解決するための手段
として記載された数値である２１９ｋＡ／ｍに調整することは当業者が容5
易に想到することができると主張するが，式（１）及び式（２）を満たすよ
うにＨｃの数値を選択すること自体が後知恵を持ち込むものであること，磁
気記録媒体の設計においては，Ｈｃのみを意図的に変化させることはできず，
ＳＦＤ（＝ΔＨ／Ｈｃ）やＲｓも同時かつ複雑に変化することから，いすれ
も当業者にとって容易に想到できるとはいえない。10
ウ争点－ウ（乙７文献に記載の発明に基づく進歩性欠如）について
（被告らの主張）
乙７文献の実施例１－１及び１－２には，それぞれ，以下の発明（以
下，実施例１－１記載の発明を「乙７－実１発明」，実施例１－２記載の発
明を「乙７－実２発明」という。）が開示されている。15
ａ非磁性支持体の一方の面上に
ｂ無機質非磁性無機粉末と結合剤樹脂を含む非磁性層を有し，
ｃ当該非磁性層上に強磁性金属粉末と結合剤樹脂を含む磁性層を有
し，
ｅ保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，ＳＦＤ（スイッチング・フィールド・20
ディストリビューション）が，下記式（１）の関係を有し，
ｆ１上記磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，角形比Ｒｓ〔％〕とが，
下記式（２）の関係を有し，
ｆ２上記保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕が以下の数値であり，
ｇ１全厚が８．９５μｍである25
ｇ２磁気記録媒体。
ｇ３上記非磁性層の厚みが１．８μｍである
ｈＨｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）＝以下の数値・・・（１）
ｉＨｃ／Ｒｓ＝以下の数値・・・（２）
乙７－実１発明乙７－実２発明
Hc164181
Hc×(1+0.5×SFD)200.9220.5
Hc/Rs1.982.15
本件訂正発明と乙７－実１発明及び乙７－実２発明とを対比すると，以
下の相違点があり，他の構成要件は一致する。5
①本件訂正発明は「上記非磁性層の厚みが１．１～２μｍである磁気記
録媒体を除く」（構成要件Ｇ３）ものであるのに対し，乙７－実１発明及
び乙７－実２発明は非磁性層の厚みが１．８μｍである点
②本件訂正発明はＨｃが２１０～２２１（構成要件Ｆ２）であるのに対
し，乙７－実１発明はＨｃが１６４，乙７－実２発明はＨｃが１８１ｋ10
Ａ／ｍである点
③本件訂正発明は「２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）」
（構成要件Ｈ）であるのに対し，乙７－実１発明のＨｃ×（１＋０．５
×ＳＦＤ）は２００．９，乙７－実２発明のＨｃ×（１＋０．５×ＳＦ
Ｄ）は２２０．５である点15
④本件訂正発明は「２．５≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）」（構成要件
Ｉ’）であるのに対し，乙７－実１発明のＨｃ／Ｒｓは１．９８，乙７－
実２発明のＨｃ／Ｒｓは１２．１５である点
⑤本件訂正発明はバック層が形成されており，バック層を含めた全厚が
１２μｍであるのに対し（構成要件Ｄ，Ｇ１），乙７－実１発明及び乙７20
－実２発明ではバック層が形成されていない全厚が８．９５μｍである
点
相違点①について，乙７文献には，非磁性層の好ましい厚さが１～４μ
ｍであることが開示されているから（段落【００６２】），乙７－実１発明
及び乙７－実２発明における非磁性層の厚さ１．８μｍを上記範囲内にお
いて本件訂正発明で除かれていない厚みに変更することは容易に想到し
得る。
相違点②ないし④について，磁気記録媒体の磁気特性を調整することは5
当業者の技術常識であること，また，乙７文献には，Ｈｃが２０００～３
０００Ｏｅ，好ましくは２１００～２８００Ｏｅとの記載（段落【００１
５】【００３１】）との記載があるから，当業者であれば，乙７文献記載の
磁気記録媒体を好ましいＨｃの範囲内に調整することは容易である。した
がって，乙７－実１発明及び乙７－実２発明を，乙７文献の上記記載に基10
づきＨｃを好ましい範囲に調整することは当業者が容易に想到し得ると
いえ，この調整によって製造される磁気記録媒体のＨｃ×（１＋０．５×
ＳＦＤ）及びＨｃ／Ｒｓの数値は本件訂正発明の構成要件Ｈ及びＩ’の範
囲内である。このように，当業者は，相違点②に係る本件訂正発明の構成
を容易に想到でき，また，これによって相違点③及び④に係る本件訂正発15
明の構成を容易に想到できる。
相違点⑤について，乙７文献には，非磁性支持体の磁性層側と反対側に
バックコート層を設けてもよいこと，バックコート層の厚みは「０．１～
２μｍ，好ましくは０．３～１．０μｍ」である旨記載されているから（段
落【００６２】），乙７文献の上記記載に基づいて，乙７－実１発明及び乙20
７－実２発明の磁気記録媒体に，０．１～２μｍ，好ましくは０．３～１．
０μｍのバック層を設けることは容易に想到でき，この場合の磁気記録媒
体の全厚は１２μｍ以下である。
したがって，乙７文献に記載された乙７－実１発明及び乙７－実２発明
に基づき，当業者は本件訂正発明を容易に想到し得るから，本件訂正発明25
は進歩性を欠く。
（原告の主張）
本件訂正発明と乙７－実１発明及び乙７－実２発明は，相違点①ないし⑤
のほか，乙７の実施例１－１に記載された発明にはバック層が設けられてい
ない点においても相違する（相違点⑥）。
相違点②ないし④について，被告らは，磁気記録媒体のＨｃを，発明の課5
題を解決するための手段として記載された上記Ｈｃの２７００Ｏｅ（２１５
ｋＡ／ｍ）に調整することは当業者が容易に想到することができると主張す
るが，式（１）及び式（２）を満たすように抗磁力Ｈｃの値を２１００～２
８００Ｏｅの間から選択すること自体が後知恵を持ち込むものであること，
磁気記録媒体の設計においては，Ｈｃのみを意図的に変化させることはでき10
ず，ＳＦＤ（＝ΔＨ／Ｈｃ）やＲｓも同時かつ複雑に変化することから，い
すれも当業者にとって容易に想到できるとはいえない。
相違点⑤について，乙７文献の実施例の磁気記録媒体にはバックコート層
を設ける必要はなく，あえて設ける必要がないバックコート層を実施例に記
載された磁気記録媒体に設けること及び全厚としてもバック層を含むよう15
に構成することは，当業者にとって容易に想到できるとはいえない。
争点（被告ＦＦＭＭの不法行為責任（共同不法行為の成否））について
（原告の主張）
被告ＦＦＭＭは，被告富士フイルムの子会社であり，同社の指揮監督の下，
その手足として，被告製品を製造し，製造した被告製品の全量を被告富士フイ20
ルムに販売し，被告富士フイルムは被告ＦＦＭＭから購入した同製品について
販売，輸出及び販売の申出をしていることからすると，被告ＦＦＭＭ及び富士
フイルムは，被告製品の製造及び販売を業として実施するとの目的の下，一体
的に活動しており，被告製品の製造及び販売という一連の侵害行為に関し，互
いに相手方がどのような行為を分担するかについて共通の認識を有した上で25
これを行っていたものであるから，被告ＦＦＭＭが富士フイルムのために被告
製品を製造し，富士フイルムに販売する行為及び富士フイルムが被告製品を被
告ＦＦＭＭに自己の手足として製造させ，自ら販売する行為のそれぞれにつき，
被告ＦＦＭＭ及び富士フイルムによる共同不法行為が成立する（民法７１９条
1項）。
（被告ＦＦＭＭの主張）5
被告ＦＦＭＭは，被告富士フイルムによる被告製品１～６の第三者への販売
等に関与していない。また，被告ＦＦＭＭは，被告製品１，被告製品２，被告
製品５及び被告製品６のテープの製造工程のみ行っており，カートリッジの製
造工程には関与していない。さらに，被告ＦＦＭＭは，被告富士フイルムから
委託を受けて，被告製品３及び被告製品４の製造を行っているにすぎない。し10
たがって，被告製品の製造，販売等の行為について，被告ＦＦＭＭ及び富士フ
イルムによる共同不法行為が成立するとはいえない。
争点（原告の損害額）について
（原告の主張）
ア被告富士フイルムは，本件特許権の設定登録後から本件訴訟提起時までに，15
被告製品を日本国内において製造し，日本を含む全世界に出荷して販売し，
少なくとも４０２億３８８０万円の利益を得たから，同額が原告の損害額で
あると推定される（特許法１０２条２項）。
イ被告ＦＦＭＭは，本件特許権の設定登録後から本件訴訟提起時までに，被
告製品を日本国内において製造し，被告富士フイルムに対して同製品を販売20
し，少なくとも３３１億９５７７万５０００円の利益を得たから，同額が原
告の損害額であると推定される（特許法１０２条２項）。
ウ本件訴訟と因果関係のある弁護士費用相当額（被告ＦＦＭＭについての損
害）は２０００万円を下らない。
エよって，原告は，被告らに対し，民法７０９条及び特許法１０２条２項に25
基づく損害賠償金１億円（内金請求）及びこれに対する不法行為後の日であ
る被告富士フイルムについては平成２８年８月１３日，被告ＦＦＭＭについ
ては平成２９年９月２日（各被告に対する訴状送達の日の翌日）から支払済
みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を，それぞれ求める。
（被告らの主張）
否認ないし争う。5
第３当裁判所の判断
１本件発明の技術的意義
本件明細書（甲２）の発明の詳細な説明欄には，次の記載がある。
ア技術分野
「本発明は，特に大容量データの記録用として好適な高密度型の磁気記録10
媒体に関するものである。」（段落【０００１】）
イ背景技術
「磁気記録技術は，記録媒体が繰り返して使用可能であること，他の記録
媒体に比較してランニングコストが安価であること等の利点を有している
ので，ビデオ，オーディオ，コンピューター用途などを初めとして様々な分15
野で幅広く利用されている。」
「近年においては，特に機器の小型化，記録再生信号の高品位化，及び記
録容量の増大等の要求に対応するために，磁気記録媒体を薄層化し，記録密
度を向上させる様々な検討がなされている。」
「記録密度の向上に関しては，例えばビデオ信号の圧縮技術の進歩により，20
記録データの圧縮が一般的に行われるようになっているが，これと共に，デ
ータの圧縮率を比較的低く抑え高い信号品質を維持した，いわゆる高品位の
ビデオ信号への要求が強まっている。」
「記録密度を向上させる方法としては，単位ｂｉｔ当たりの記録データ信
号の長さを短くする短波長化と，書き込み幅を狭くする狭トラック化とが挙25
げられる。
例えば，ソニー社製１／２ｉｎｃｈデジタルビデオのＨＤＣＡＭフォーマ
ットにおいては，トラック幅が約２０μｍ，単位２ｂｉｔ当たりの記録デー
タ信号の長さが約０.５μｍである。またデータ転送レートはビデオネットで
１４０Ｍｂｐｓであるとされている。」
「上述したことを鑑みて，例えば，ビデオネットで３００Ｍｂｐｓ，ある5
いはそれ以上の転送レートを実現するためには，磁気記録媒体について大幅
な高密度化を図ることは必須の課題であると言える。そのためには記録デー
タ信号の大幅な短波長化，狭トラック化を図ることが必要であるが，一方に
おいて短波長化や狭トラック化は，記録データ信号の再生出力，及びＳ/Ｎの
低下を招来するという問題を有している。」10
「従来においては，転送レートの向上を図り，同時に良好な電磁変換特性
を実現する高密度型の磁気記録媒体として，磁性層の膜厚と磁性層の磁束を
規定したものが提案されている（例えば，特許文献１参照。）。
しかしながら，この従来提案されている技術によっては，未だ実用的な磁
気記録再生システムにおいて高い適応性を有しているとは言えない。すなわ15
ち，磁気記録媒体に関して実用的な面から考えれば，記録電流と再生出力と
のバランス，すなわち記録電流値の裕度，及び充分な再生出力を得るための
最適記録電流を考慮しながら磁気記録媒体の特性を規定することは必須で
あると言えるが，下記特許文献１に開示されている技術によっては，未だ上
記のような実用上の特性に関しての検討がなされていない。」（段落【０００20
２】～【０００７】）
ウ発明が解決しようとする課題
「そこで本発明においては，上述したような従来技術の問題点に鑑み，磁
気記録媒体に関して実用的な面から検討し，電磁変換特性が良好で，かつ安
定したエラーレート特性を実現可能な，大容量型の磁気記録媒体を提供する25
こととした。」（段落【０００９】）
エ課題を解決するための手段
「本発明においては，非磁性支持体の一主面上に，無機粉末と結合剤とを
含有する下層非磁性層と，強磁性粉末と結合剤とを含有する磁性層とが形成
されてなり，他の一主面上にバック層が形成された構成を有し，保磁力Ｈｃ
〔ｋＡ／ｍ〕とＳＦＤ（スイッチング・フィールド・ディストリビューショ5
ン）が，下記式（１）の関係を有し，磁性層の保磁力Ｈｃ〔ｋＡ／ｍ〕と，
角形比Ｒｓ〔％〕とが，下記式（２）の関係を有し，全厚１２μｍ以下であ
る磁気記録媒体を提供する。
２３０≦Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）・・・（１）
２．２≦Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６・・・（２）」10
「本発明によれば，実用上充分な再生出力を得るための記録電流特性の向
上が図られ，記録電流値を大きくすることなく，充分な再生出力が得られる
ようになる。」（段落【００１０】【００１１】）
オ発明の効果
「非磁性支持体上に非磁性層と磁性層とが積層形成されてなる，全厚１２15
μｍ以下の磁気記録媒体において，磁性層の保磁力ＨｃとＳＦＤが，上記式
（１）の関係を満たすようにしたことにより，記録電流ｖｓ再生出力特性カ
ーブ，いわゆる記録電流カーブにおいて，良好なオーバーカレント特性が得
られた。」
「また，磁性層２の保磁力Ｈｃと角形比Ｒｓにおいて，上記式（２）の関20
係を満たすようにしたことにより，記録電流値を大きくすることなく，充分
な再生出力を得ることができ，実用上消費電力を低減化できた極めて有用な
磁気記録媒体が得られた。」
「また，磁性層２の膜厚を０．１５～０．２５μｍとすることにより，安
定したエラーレートのマージンが確保され，磁気記録装置のおける媒体走行25
時のサーボが安定して行うことができた。」（段落【００１２】～【００１４】）
本件発明の技術的意義
前記の記載によれば，本件発明は，記録電流値の裕度（記録電流設定マー
ジン）及び充分な再生出力を得るための最適記録電流を考慮しながら磁気記録
媒体の特性を規定する（電磁変換特性が良好な磁気記録媒体を提供すること）
という課題を解決するため，本件発明の構成，特に式（１）の関係を満たすよ5
うにしたことによって，良好なオーバーカレント特性が得られ，記録電流値の
裕度を確保し，また，式（２）の関係を満たすようにしたことによって，記録
電流値を大きくすることなく，充分な再生出力を得ることができ，実用上消費
電力を低減化できるという効果を奏するものである点に技術的意義があると
認められる。10
２本件発明のサポート）について
事案に鑑み，まず，本件発明につい
て検討する。
特許法３６条６項１号は，特許請求の範囲の記載は，特許を受けようとする
発明が発明の詳細な説明に記載したものでなければならないとしており，いわ15
ゆるサポート要件を規定している。
特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許
請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記
載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の
記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のもので20
あるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照
らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検
討して判断すべきである。
本件発明の技術的意義は１）の関係を満たす
ことで，良好なオーバーカレント特性が得られ，記録電流値の裕度を確保する25
ことができるというものである。被告は，当業者は式（１）の関係を満たすこ
とで上記課題を解決できると認識できないと主張するので，以下，当業者が，
式（１）の関係を満たすことで上記課題を解決できることを認識できるかにつ
いて検討する。
ア式（１）について，磁気記録媒体の技術分野で広く知られている式である
ことを認めるに足りる証拠はない。また，本件明細書において，式（１）の5
意義に関する記載はない。
イ原告は，式（１）は，磁気記録媒体のヒステリシス曲線に関連付けられて
設計されたものであり，式自体に技術的意義があり，当業者は，技術常識を
参酌して，磁気記録媒体のヒステリシス曲線に基づき，式（１）によって課
題を解決できると容易に認識することができると主張する。そして，その内10
容として，式（１）は，Ｈｃ＋０．５ΔＨの数値を２３０以上とし（ＳＦＤ
は，ΔＨ／Ｈｃであるから，式（１）は，Ｈｃ＋０．５ΔＨと変形される。），
Ｈｃと併せてΔＨを大きくすることで，実用上の消費電力の増加を抑制しつ
つ一旦記録がされれば記録が消えにくい磁気記録媒体を得られるようにす
るものであること，ΔＨは，磁性層中に存在する磁性体粒子一つ一つの保持15
力のばらつきの指標であるところ，ΔＨが大きくなってヒステリシス曲線の
Ｈｃの近傍の傾きを小さくすると，磁性体粒子自体のＨｃのばらつきが大き
くなり，記録が一旦されれば当該記録が消えにくくなることを主張する。
本件発明は，式（１）の関係を満たすことによって，前記のとおり，オ
ーバーカレント特性が良好となり，記録電流値の裕度が大きくなるというの20
であるから，原告の上記主張は，式（１）の意義に関して，オーバーカレン
ト状態において，磁性粒子自体のＨｃのばらつき（ΔＨ）が大きくなること
によって，そのばらつきが大きくない場合に比べ，再生出力が大きくなり記
録電流値の裕度が大きくなるというものといえる。
しかし，本件明細書には，上記の内容を述べる記載がないだけでなく，当25
業者にとって，本件出願当時，Ｈｃが大きくなれば記録電流値の裕度が大き
くなることが技術常識であったとしても（乙９），オーバーカレント状態に
おいて，磁性粒子一つ一つのＨｃのばらつき（ΔＨ）が大きくなることによ
って，そのばらつきが大きくない場合に比べ，再生出力が大きくなり記録電
流値の裕度が大きくなることが，技術常識であったことを認めるに足りる証
拠はない。5
ア本件明細書をみると，本件明細書の発明の詳細な説明には，実施例１な
いし４及び比較例１及び２を作製し，それぞれ測定及び評価を行ったこと
が記載されており，各具体例の数値は以下のとおりである。なお，実施例
１は，式（１）の関係を満たさず，本件明細書においても「比較例（参考
例）に相当する例であって，実施例２～４及び比較例１～２との比較対象10
となるリファレンスである。」（段落【００５４】）とされているとおり，比
較例である（段落【００５４】～【００６５】，【００７０】～【００８２】）。
HcRs
Hc/
Rs
SFD
磁性層膜
厚（µm）
Hc×(1+0.5
×SFD)
出力
(dB)
最適記録
電流(%)
記録電
流特性
実施例１190802.40.330.2221.201001
実施例２200802.50.300.2230.10.61071.05
実施例３210802.60.3570.2247.511161.2
実施例４210852.50.3410.2245.821041.2
比較例１210752.80.3500.2246.80.81241.2
比較例２190852.20.2290.2211.80.6880.7
イ本件明細書には，「最適記録電流」について，「最適記録電流は，リファレ
ンス（実施例１）に対してのズレが±１５％以内であれば，実用上良好であ
ると評価した。」（段落【００７５】），「これによると，最適記録電流のリフ15
ァレンス（実施例１）に対するズレが±１５％以内であるものは，２．２≦
Ｈｃ／Ｒｓ≦２．６の範囲であることが分かる。Ｈｃ／Ｒｓの値が２．６を
超える比較例１のサンプルにおいては，最適記録電流の値が１２４％と大き
くなってしまい，リファレンスとのズレが大きく，充分な出力を得るための
消費電力が大きくなってしまった。」（段落【００８０】）との記載がある。20
これらによれば，最適記録電流については，実施例１の±１５％以内が実用
上良好と判断できる上限であるといえる。そうすると，最適記録電流が実施
例１の＋１６％である実施例３は本件発明の実施例とはならないともいえ
る。そして，実施例３が実施例とならないとすると，実施例となるのは実施
例２と実施例４であり，本件明細書上，式（１）によって，記録電流値の裕
度を確保するという課題を解決できると認識できるＨｃ×（１＋０．５×Ｓ5
ＦＤ）の範囲は，２３０．１（実施例２）～２４５．８（実施例４）の範囲
となる。また，実施例３を本件発明の実施例としても，上記の範囲は，２３
０．１（実施例２）～２４７．５（実施例３）となる。
なお，本件明細書には，「記録電流特性」の評価について，「記録電流特性
については，リファレンス（実施例１）に対してのズレが±２０％以内であ10
れば，実用上良好であると評価した。」（段落【００７５】）との記載があり，
実施例３，４について，記録電流特性がリファレンス（実施例１）の１に対
して１．２となっていることを評価していて（段落【００７９】），記録電流
特性における１．２を記録電流特性が実用上良好と判断できる上限であると
している。15
ウ以上によれば，式（１）には上限値は定められておらず，下限値である２
３０以上の数値の全てにわたり式（１）を満たすことになるにもかかわらず，
本件明細書記載の実施例において課題を解決できることが裏付けられるＨ
ｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の範囲は，２３０．１～２４５．８（又は２４
７．５）に限られることになる。そして，本件明細書にはこの範囲よりも大20
きい数値の磁気録媒体の記録電流値の裕度を大きくすることができること
に関する記載はない。
これらによれば，式（１）には，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の値の上
限値がないところ，実施例で示されているのは前記の範囲であって，その値
が実施例で示されたものよりも大きくなった場合などを含めた，式（１）の25
関係が満たされることとなる場合において，当業者が，前記の課題を解決で
きると認識できたとはいえないとするのが相当である。
エ更に，本件発明においては，Ｈｃの上限値やＳＦＤの下限値は定められて
いないから，ΔＨ，ひいてはＳＦＤの値を大きくせず，Ｈｃの値を例えば２
３０以上の数値にすると，ＳＦＤの値が実施例を大きく下回る場合も式（１）
の関係を満たすこととなる。しかし，このように実施例を大きく下回るＳＦ5
Ｄの値の場合に当業者が前記課題を解決できると認識できるとはいえない。
原告は，文献（乙９），実施例２及び実施例４の記載に接することで，ＳＦＤ
が実施例の数値を大きく下回るなどの場合でも，式（１）によって課題を解
決できると認識することできると主張するが，式（１）の技術的意義，実施
例が示す範囲や本件明細書の記載は前記のとおりであり，採用することがで10
きない。
オしたがって，当業者は，本件明細書の記載から，式（１）によって記録電
流値の裕度を確保するという課題を解決できると認識できるとはいえず，ま
た，本件出願当時の技術常識から，上記課題を解決できると認識できるとも
いえない。15
以上によれば，本件発明に係る特許請求の範囲の記載が，本件明細書の記載
により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである
とはいえず，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照
らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるともいえな
いから，本件発明にはいわゆるサポート要件違反がある。20
３本件訂正発明によるサポート要件違反の解消の有無について（争点）
原告は，本件訂正によって，いわゆるサポート要件違反が解消したと主張す
るので，以下，この点について検討する。
訂正事項１－１は，保持力Ｈｃを２１０以上，２２１以下とするものである
（構成要件Ｆ２）。25
前記２アのとおり，式（１）について，磁気記録媒体の技術分野で広く
知られている式であることを認めるに足りる証拠はなく，本件明細書におい
て，式（１）の意義に関する記載はない。また，同イのとおり，原告の主張
は，式（１）の意義に関して，オーバーカレント状態において，磁性粒子自
体のＨｃのばらつきが大きくなることによって，そのばらつきが大きくない
場合に比べ，再生出力が大きくなり記録電流値の裕度が大きくなることをい5
うものといえるが，本件明細書にそのことを述べる記載がなく，また，本件
出願当時，当業者にとってそのことが技術常識であったことを認めるに足り
る証拠はない。
イ本件明細書をみると，本件明細書の発明の詳細な説明には，前記２アの
とおり，実施例１ないし４及び比較例１及び２の数値が記載されている。10
そして，Ｈｃが２１０以上という本件訂正事項１－１によって，実施例２
は本件訂正発明の実施例でなくなる。したがって，実施例は，実施例３及び
実施例４のみであり，また，前記２のとおり，「最適記録電流」の点から
実施例３が実施例とならないとすると，実施例は，実施例４のみとなる。
そうすると，式（１）には上限値は定められておらず，下限値である２３15
０以上の数値の全てにわたり式（１）を満たすことになるにもかかわらず，
本件明細書記載の実施例において課題を解決できることが裏付けられるＨ
ｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の数値（範囲）は，２４５．８（又は２４５．
８～２４７．５）に限られることになる。そして，本件明細書にはこの数値
（範囲）よりも大きい数値の磁気録媒体の記録電流値の裕度を確保すること20
ができることに関する記載はない。
これらによれば，式（１）には，Ｈｃ×（１＋０．５×ＳＦＤ）の値の上
限値がないところ，実施例で示されているのは前記の数値（範囲）であり，
その値が実施例で示されたものよりも大きくなった場合なども含めた，式
（１）の関係が満たされるといえる場合において，当業者が，前記の課題を25
解決できると認識することができたとはいえないとするのが相当である。
ウ更に，本件訂正発明においては，Ｈｃの上限値は定められたが，ＳＦＤの
下限値は定められていない。そして，例えば，Ｈｃが上限値である２２１の
場合，ＳＦＤが０．０８２であっても，式（１）を満たすこととなるが，実
施例４のＳＦＤは０．３４１であり，実施例よりも大幅に小さいＳＦＤの値
の場合に，当業者が前記の課題を解決できると認識できたとはいえない。被5
告は，上記のような場合でも，文献（乙９），実施例２及び実施例４の記載に
接することで，式（１）によって課題を解決できると認識することできると
主張するが，式（１）の技術的意義，実施例が示す範囲や本件明細書の記載
は前記のとおりであり，採用することができない。
以上によれば，当業者は，本件訂正後も，本件明細書の記載から，式（１）10
によって記録電流値の裕度を確保するという課題を解決できると認識できる
とはいえず，また，本件出願当時の技術常識から，上記課題を解決できると認
識できるともいえない。
そうすると，本件特許には特許法１２３条１項４号の事由があり（前記２），
本件訂正によってもその事由が解消したとは認められないから，本件訂正請求15
が訂正要件を満たすか（争点）など，その他の争点を検討するまでもな
く，原告は，特許法１０４条の３第１項により，本件特許権を行使することが
できない。
４結論
よって，原告の請求はいずれも理由がないから，これらを棄却することとし，20
主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第４６部
裁判長裁判官柴田義明
裁判官佐藤雅浩
裁判官大下良仁
（別紙）
物件目録
１被告製品１：以下のいずれかの型番の磁気テープカートリッジ5
ＬＴＯＦＢＵＬ－５１．５ＴＪ
ＬＴＯＦＢＵＬ－５１．５ＴＥＣＯＪ
ＬＴＯＦＢＵＬ－５１．５ＴＳＥＥＣＯＪ
２被告製品２：以下の型番の磁気テープカートリッジ10
ＬＴＯＦＢＵＬ－５ＷＯＲＭ１．５ＴＪ
３被告製品３：米国法人ＯｒａｃｌｅＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ又はその子会社
である日本オラクル株式会社）が，以下の型番で（以下が型番の
一部を構成する場合を含む）販売する磁気テープカートリッジ15
ＳｔｏｒａｇｅＴｅｋＴ１００００Ｄａｔａ
４被告製品４：米国オラクル又は日本オラクルが，以下の型番で（以下が型番の
一部を構成する場合を含む）販売する磁気テープカートリッジ
ＳｔｏｒａｇｅＴｅｋＴ１００００ＶｏｌＳａｆｅ20
５被告製品５：以下のいずれかの型番の磁気テープカートリッジ
ＬＴＯＦＢＵＬ－４８００ＧＵ
ＬＴＯＦＢＵＬ－４８００ＧＥＣＯＪ
ＬＴＯＦＢＵＬ－４８００ＧＳＥＥＣＯＪ25
６被告製品６：以下の型番の磁気テープカートリッジ
ＬＴＯＦＢＵＬ－４ＷＯＲＭ８００ＧＵ
以上

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