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平成１４年（行ケ）第４２６号　特許取消決定取消請求事件（平成１６年６月２日
口頭弁論終結）
　　　　　　　　　　判　　　　　　　　　　　決
　　　　　　　原　　　　　　告　　　イビデン株式会社
　　　　　　　訴訟代理人弁護士　　　木下洋平
　　　　　　　同　　　　弁理士　　　小川順三
　　　　　　　被　　　　　　告　　　特許庁長官　　今井康夫
　　　　　　　指定代理人　　　　　　出口昌哉
　　　　　　　同　　　　　　　　　　神崎潔
　　　　　　　同　　　　　　　　　　大野克人
　　　　　　　同　　　　　　　　　　高橋泰史
　　　　　　　同　　　　　　　　　　宮川久成
　　　　　　　同　　　　　　　　　　伊藤三男
　　　　　　　　　　主　　　　　　　　　　　文
　　　　　　原告の請求を棄却する。
　　　　　　訴訟費用は原告の負担とする。
　　　　　　　　　　事実及び理由
第１　請求
　　　特許庁が異議２００１－７３４８６号事件について平成１４年７月２日にし
た決定を取り消す。
第２　当事者間に争いのない事実
　１　特許庁における手続の経緯
原告は，名称を「電子回路部品搭載用基板」とする特許第３１８１１９３号
発明（平成７年６月１９日特許出願〔以下「本件特許出願」という。〕，平成１３
年４月２０日設定登録，以下，その特許を「本件特許」という。）の特許権者であ
る。
本件特許について，特許異議の申立てがされ，異議２００１－７３４８６号
事件として特許庁に係属し，原告は，平成１４年６月１１日，本件特許出願の願書
に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）の特許請求の範囲の記載等につ
いて訂正（以下「本件訂正」という。）を求める訂正請求（以下「本件訂正請求」
という。）をした。
　　　特許庁は，同事件について審理した結果，同年７月２日，「訂正を認める。
特許第３１８１１９３号の請求項１，２に係る特許を取り消す。」との決定をし，
その謄本は，同月２２日，原告に送達された。
　２　本件訂正に係る本件明細書の特許請求の範囲記載の発明の要旨
【請求項１】スルーホールを有するベース基板の一方の面の所定箇所に第１
の接続端子群が密集した状態で形成され，その反対側の面の少なくとも外周部に第
２の接続端子群が形成され，第１の接続端子群と第２の接続端子群とがスルーホー
ルを介して電気的に接続されてなる電子回路部品搭載用基板において，
　前記ベース基板の第１の接続端子群が形成される側には，内層導体層と粗
化面が形成された樹脂からなる絶縁層とが交互に積層され，内層導体層同士がバイ
アホールにて電気的に接続され，また内層導体層がスルーホールと電気的に接続さ
れたビルドアップ多層配線層が形成されてなり，前記第１の接続端子群は，該ビル
ドアップ多層配線層の最外層に形成されるとともに，前記第１の接続端子群の中央
部に位置する接続端子は，バイアホールを介して前記ビルドアップ多層配線層の内
層導体層と電気的に接続され，前記第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子
よりも外側に位置する接続端子は，基板外周部に向かって延びる外層導体層に接続
されてなることを特徴とする電子回路部品搭載用基板。
【請求項２】スルーホールを有するベース基板の一方の面の所定箇所に第１
の接続端子群が密集した状態で形成され，その反対側の面の少なくとも外周部に第
２の接続端子群が形成され，第１の接続端子群と第２の接続端子群とがスルーホー
ルを介して電気的に接続されてなる電子回路部品搭載用基板において，
　前記ベース基板の両面には，内層導体層と粗化面が形成された樹脂からな
る絶縁層とが交互に積層され，内層導体層同士がバイアホールにて電気的に接続さ
れ，また内層導体層がスルーホールと電気的に接続されたビルドアップ多層配線層
が形成されてなり，前記第１の接続端子群及び第２の接続端子群は，それぞれ該ビ
ルドアップ多層配線層の最外層に形成されるとともに，前記第１の接続端子群の中
央部に位置する接続端子及び第２の接続端子群を構成する各接続端子は，バイアホ
ールを介して前記ビルドアップ多層配線層の内層導体層と電気的に接続され，前記
第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子よりも外側に位置する接続端子は，
基板外周部に向かって延びる外層導体層に接続されてなることを特徴とする電子回
路部品搭載用基板。
（以下，【請求項１】，【請求項２】の発明を「訂正発明１」，「訂正発明
２」という。）
　３　決定の理由
　　　決定は，別添決定謄本写し記載のとおり，訂正発明１，２は，いずれも，特
開昭５６－１１４３６１号公報（審判第１引用例・本訴甲３，以下「第１引用例」
という。），特開平６－２７５９５９号公報（審判第２引用例・本訴甲４，以下
「第２引用例」という。）及び特開平５－２３５５４６号公報（審判第３引用例・
本訴甲５，以下「第３引用例」という。）記載の発明に基づいて当業者が容易に発
明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けるこ
とができないものであるから，訂正発明１，２に係る本件特許は，拒絶の査定をし
なければならない特許出願に対してされたものであって，平成６年法律第１１６号
附則１４条の規定に基づく，平成７年政令第２０５号４条２項の規定により，取り
消すべきものとした。
第３　原告主張の決定取消事由
　決定は，第１引用例記載の発明（以下「第１引用例発明」という。）の認定
を誤り（取消事由１），訂正発明１と第１引用例発明との一致点の認定を誤り（取
消事由２），訂正発明１と第１引用例発明との相違点についての判断を誤り（取消
事由３），また，訂正発明２の進歩性の判断を誤った（取消事由４）ものであるか
ら，違法として取り消されるべきである。
　１　取消事由１（第１引用例発明の認定の誤り）
(1)決定は，第１引用例（甲３）について，「第１引用例の第１図に示されて
いる，半導体容器（２）の絶縁体層の表面（上面）には，半導体装置（１）の各端
子（１１）と対応関係にある接続端子群が形成されているとみるべきであって，そ
の形成の態様は，第３図に示されている配置状態からみて，『密集した状態』とい
えるし，同様に，半導体容器（２）の絶縁体層の裏面（下面）側の『少なくとも外
周部』に，上記イでいう『各外部リード端子』（２１４）を接続するための『接続
端子群』が形成されている」（決定謄本４頁「ヘ」の項），「同じく第１図では，
半導体装置（１）の各端子（１１）と対応関係にある接続端子群のうちの，中央部
に位置する接続端子は実質上スルーホールを介して内層の導体層と接続され，外側
に位置する接続端子は外周に向かって延びる外層導体層に接続されることが示され
ている」（同４頁「ト」の項）と認定したが，誤りである。
(2)上記認定ヘについて，第１引用例の第３図は，第２図の拡大図であって，
第１図とは無関係であり，第３図に示されているものが密集しているからといっ
て，第１図の端子（１１）も密集していることにはならない。また，第１図は，外
周部分が省略された図面であり，「少なくとも外周部」に接続端子が形成されてい
るかどうかが全く不明である上，第１図に開示されている３本のピンのうち裏面側
の２本が，半導体装置（１）の直下にあり，外周に存在しているものとはいえな
い。
(3)また，上記認定トについて，第１引用例の第１図からは，訂正発明１の第
１接続端子群に相当するもののうち，基板中央部に位置する接続端子よりも外側に
位置する接続端子への接続を，ビルドアップ樹脂絶縁層の外表面に形成されてい
る，基板外周部に向って延びる外層導体層に接続することによって果たすという構
成を読み取ることはできない。半導体装置（１）よりも外側のピンにつながる配線
の引き回しは，いったん内側へ寄せて，再び外側へ引き出されている。すなわち，
最も右側に位置する接続端子は，外周導体によって外側へ引き出された後，再び内
側に戻されており，ピンの一つの位置が，たまたま半導体装置（１）の直下から外
れているからといって，直ちに，接続端子群が外周にあることにはならない。
(4)さらに，第１引用例の第１図記載の半導体容器の基板は，セラミック基板
であることを必須の要件としているから，そのセラミック基板を含んだ半導体容器
の基板と樹脂絶縁層とを同時に高温焼成することになるが，その結果として，当
然，樹脂絶縁層は焼失してしまうため，厚い樹脂絶縁層を採用した場合に層数を少
なくすることができ，小型化を実現できるとともに，外層導体層のはく離を防止す
ることができるという訂正発明１の効果を得ることはできないから，第２引用例及
び第３引用例に開示されたビルドアップ多層配線層の形成手法に適用する阻害要因
を有するものである。決定は，第１引用例が，上記適用阻害要因，すなわち，セラ
ミック基板であることを必須の要件としていることを看過したものである。
　２　取消事由２（訂正発明１と第１引用例発明との一致点の認定の誤り）
(1)決定は，訂正発明１と第１引用例発明とを対比し，「第１引用例の・・・
『複数の絶縁体層』（２１１）及び『絶縁体面に選択的位置を占めて形成された導
電体層』（２１２）は，『スルーホールを通して両面の導電体層（２１２）間を接
続する接続部』（２１３）が設けられているところから，本件発明（注，訂正発明
１）でいう『スルーホールを有するベース基板』に相当する」（決定謄本４頁最終
段落～５頁第１段落）とした上，両者の一致点として，「スルーホールを有するベ
ース基板の一方の面の所定箇所に第１の接続端子群が密集した状態で形成され，そ
の反対側の面の少なくとも外周部に第２の接続端子群が形成され，第１の接続端子
群と第２の接続端子群とがスルーホールを介して電気的に接続されてなる電子回路
部品搭載用基板において，前記第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子より
も外側に位置する接続端子は，基板外周部に向かって延びる外層導体層に接続され
てなる電子回路部品搭載用基板」（同５頁＜一致点＞）である点を認定したが，誤
りである。
(2)訂正発明１のベース基板は，層間絶縁層をビルドアップするための樹脂製
の土台であるからこそ「ベース基板」なのである。しかし，第１引用例（甲３）の
第１図に示されているものは，導体層を印刷した複数枚のセラミック製グリーンシ
ートを積層して一体に成形し，これを１６００℃から１９００℃という高温で焼成
したものであるから，ビルドアップ配線層を形成するためのベース基板が存在して
いるということはできない。また，第１引用例の基板は，セラミックから成るもの
であって，訂正発明１のような樹脂製のベース基板上にビルドアップ配線層を形成
したものとは明らかに区別されるものである。なお，第１引用例においては，絶縁
体としてセラミック板を使用しているため，絶縁体層と導体との接触面には粗化層
を設けないで焼き付けるのであるから，そもそも訂正発明１のような粗化の必要性
は全くない。
　　また，第１引用例は，第１の接続端子群が密集した状態で形成されている
ものではなく，中央部しか図示していない第１図において，「その反対側の面の少
なくとも外周部に第２の接続端子群が形成され」ているということはできない。こ
のような違いは，そもそも第１引用例のものは，ベース基板がない一体焼結したセ
ラミック配線板であるから，絶縁性に優れ，もともと薄いものであることによる。
したがって，訂正発明１のような樹脂基板の場合に問題となる，小型化しなければ
ならないという課題が生じない。少なくとも，第１引用例の第１図のものでは，訂
正発明１の前提である，「第１接続端子群が密集した状態で形成され」，「少なく
とも外周部に第２の接続端子群」との構成があるということはできず，外周への配
線の引き回しの必要もなく，すなわち，これを薄くすべき課題がないのであるか
ら，配線の引き回しのためのビルドアップ層を増やす必要もない。
３　取消事由３（訂正発明１と第１引用例発明との相違点についての判断の誤
り）
(1)決定は，訂正発明１と第１引用例発明との相違点として認定した，「本件
発明（注，訂正発明１）では，ベース基板の第１の接続端子群を設ける側に，『内
層導体層と粗化面が形成された樹脂からなる絶縁層とが交互に積層され，内層導体
層同士がバイアホールにて電気的に接続され，また内層導体層がスルーホールと電
気的に接続されたビルドアップ多層配線層』が形成され，第１の接続端子群は，
『該ビルドアップ多層配線層の最外層』に形成されると共に『第１の接続端子群の
中央部に位置する接続端子は，バイアホールを介して前記ビルドアップ多層配線層
の内層導体層と電気的に接続され』るのに対して，第１引用例（注，甲３）の上記
イ［注，「従来のこの種の半導体装置を収容した容器構成の概要を第１図に示して
ある。この第１図において，（１）は半導体装置を示し，（１１）はこの半導体装
置（１）に設けられた各端子である。また，（２）は半導体容器を示し，（２１
１）は通常，セラミックからなる複数の絶縁体層，（２１２）はこの絶縁体面に選
択的位置を占めて形成された導電体層，（２１３）はこの絶縁体層（２１１）のス
ルーホールを通して両面の導電体層（２１２）間を接続する接続部，（２１４）は
各外部リード端子である」との甲３の１頁左下欄最終段落～右下欄第１段落の記
載］及び第１図では，『ビルドアップ多層配線層』を形成することに関する言及や
記載はなく，したがって，第１引用例記載の発明では第１の接続端子群が『該ビル
ドアップ多層配線層の最外層』に形成されることや，『第１の接続端子群の中央部
に位置する接続端子は，バイアホールを介して前記ビルドアップ多層配線層の内層
導体層と電気的に接続され』ることについての言及がない点」（決定謄本５頁＜相
違点＞）について，「第１引用例の上記ハ［注，「第２図および第３図において，
前記第１図と同一符号は同一又は相当部分を示しており，この実施例では，従来と
同様に一層からなる絶縁体層（２１１），導電体層（２１２），接続部（２１３）
および外部リード端子（２１４）によるモジュール基板部分（２１）と，この基板
部分（２１）上に形成された絶縁体層（２２１），導電体層（２２２）およびスル
ーホールを通した接続部（２２３）による多層配線部分（２２）とによって半導体
容器（２）を構成させ，半導体装置（１）は多層配線部分（２２）上の導電体層
（２２２）に接続配置したものである」との甲３の２頁左上欄最終段落～右上欄第
１段落の記載］における『多層配線部分（２２）』に関する記載は，ベースとなる
基板（『モジュール基板部分（２１）』）に対して，本件発明（注，訂正発明１）
における『ビルドアップ多層配線層』に対応するものを形成することを示唆したも
のといえる」（同５頁最終段落～６頁第１段落）と認定した上，「第１引用例記載
の発明（注，第１引用例発明）における，半導体容器基板の表面に，上記のような
周知の技術事項に基づいた『ビルドアップ』による多層配線層を形成することは格
別困難とはいえない」（同６頁第２段落）と判断したが，誤りである。
(2)上記ハでいう第２図，第３図というのは，第１図の従来例の発明とは異な
り，第１引用例発明に係る特許請求の範囲記載のように，「モジュール基板部とこ
の基板部分上により低温で形成され，かつ絶縁体層面に用途に合わせパターンの導
電体層をもつ多層配線層部分」で構成されたものである。この記載から分かるよう
に，形成温度が異なる以上，モジュール基板と多層配線層部分とは別々に作る必要
がある。また，発明の効果から考えても，モジュール部分は共通で大量生産してお
き，多層配線層を用途に合わせてモジュール基板上に作るのであるから，モジュー
ル基板と多層配線層部分は別々に作らなければならない。一方，第１図の従来例の
基板とは，「（２１１）は通常セラミックからなる複数の絶縁体層」と記載してい
ることから，グリーンシートを一体成形して多層化したものであり，一体成形品と
いえるものである。すなわち，第１図のものには，訂正発明１及び上記第２図，第
３図のような，ビルドアップ配線層を形成する方法を適用することはできないか
ら，第２図，第３図及びその説明は，第１図の基板に適用できるという根拠にはな
らない。しかも，第２図のものは，「表面平滑度が良好」であることが望まれてお
り，平滑であれば，はく離しやすいから，外周に向かって延びる外層導体回路は形
成することができず，現に，第２図のものには，外周に向かって延びる外層導体が
存在しない。第１引用例発明において，セラミック基板上にポリイミド絶縁層を形
成した場合に，ポリイミド絶縁層に良好な表面平滑度が要求される理由は，セラミ
ック基板は，樹脂に比して誘電率や誘電正接が大きく，そのセラミック基板に高周
波信号を伝播させると伝播遅延が発生し，また，高周波信号は，導体の表面近傍だ
けに伝播して，導体内部には伝播しないことが知られている（表皮効果）ので，導
体表面に凹凸が存在すると，セラミック基板で遅延した信号が更に遅延するという
問題が生じてしまうためであると考えられる。第１図のものは，焼結して一体に製
造するから外周に向かって延びる外層導体を形成できるのである。
(3)また，第１引用例（甲３）の第１図の基板は，セラミック，すなわち，高
温焼成品であり，焼結品であるから，外層導体を焼き付け形成できるが，このよう
な高温焼成品の基板に樹脂のビルドアップ法を適用すれば，絶縁層の樹脂が燃焼し
てしまうことになるから，上記第１図の基板に樹脂のビルドアップ法を適用するこ
とはできない。
４　取消事由４（訂正発明２の進歩性の判断の誤り）
　決定は，訂正発明２について，「本件発明（注，訂正発明１）と同様に，上
記第１～第３引用例（注，甲３～５）に記載された発明に基づき，当業者が容易に
発明をすることができたものといえる」（決定謄本７頁第２段落）と判断したが，
上記のとおり，決定の訂正発明１についての進歩性の判断は誤りであるから，これ
を前提とする訂正発明２についての進歩性の判断も誤りである。
第４　被告の反論
　　　決定の認定判断に誤りはなく，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。
　１　取消事由１（第１引用例発明の認定の誤り）について
(1)第１引用例（甲３）の第１図においては，中央部の端子（１１）よりも外
側に位置する両端の端子（１１）が直接接する導電体層（２１２）は，基板である
半導体容器（２）の外周に向かって延びていることから，同図には，「中央部に位
置する接続端子よりも外側に位置する接続端子は，基板外周部に向かって延びる外
層導体層に接続されて」（決定謄本５頁＜一致点＞）いることが明確に示され，ま
た，同図において，基板上部に配置された半導体素子（１）の端子（１１）の端子
間間隔と，基板下方に設けられた外部リード端子（２１４）の端子間間隔とを比較
すると，明らかに後者の端子間間隔の方が大きくなっていることからも，半導体素
子（１）の端子（１１）のうち，外側に位置する端子が，基板外周に向かって延び
る外層導体層に接続されていると読み取ることができる。また，第１引用例には，
「第２図および第３図において，前記第１図と同一符号は同一または相当部分を示
しており，この実施例では，従来と同様に・・・半導体容器（２）を構成させ，半
導体装置（１）は多層配線部分（２２）上の導電体層（２２２）に接続配置したも
のである」（２頁左上欄最終段落～右上欄第１段落）と記載されるとともに，第１
図においても，第２図及び第３図と同一の符号「（１）」により半導体装置が示さ
れているところから，半導体装置自体の態様は，第１図に示されているものと第２
図及び第３図に示されているものとの間で基本的に相違していないとみるべきであ
る。そして，半導体装置の接続端子（電極）群は，通常は「密集した状態」で設け
られるから，当該「半導体装置の接続端子群」と対応関係にある半導体容器（２）
側の接続端子群も，同様に「密集した状態」となることは明らかである。
(2)第１引用例（甲３）の第１図において，図中の最も左に位置する外部リー
ド端子（２１４）は，リード端子接続面への半導体装置（１）の投影面の外部であ
る外周部に位置していること，及び基板上部の半導体素子（１）の端子（１１）の
端子間間隔と，基板下部の外部リード端子（２１４）の端子間間隔とを比較する
と，明らかに後者の端子間間隔の方が大きくなっていることから，第１引用例の第
１図においても，スルーホールを有するベース基板の一方の面の所定箇所に第１の
接続端子群が密集した状態で形成され，その反対側の面の少なくとも外周部に第２
の接続端子群が形成されている構成の開示があることは明らかである。
　　ビルドアップ樹脂絶縁層について，決定は，第１引用例の第１図の記載の
みから，ビルドアップ樹脂絶縁層に関する上記構成を読み取れるとしているわけで
はない。
　　原告は，上記第１図の最も右側に位置する接続端子は，外周導体によって
外側へ引き出された後，再び内側に戻されており，ピンの一つの位置が，たまたま
半導体装置（１）の直下から外れているからといって，直ちに，接続端子群が外周
にあることにはならないとも主張するが，基板下部の外部リード端子（２１４）の
端子間間隔が，基板上部の半導体素子（１）の端子（１１）の端子間間隔よりも明
らかに大きくなっている以上，接続端子群の少なくとも一部は，基板外周部に存在
することが明らかである。
(3)原告は，第１引用例発明に第２引用例及び第３引用例に開示されたビルド
アップ多層配線層の形成手法を適用すると，セラミック基板を含んだ半導体容器の
基板と樹脂絶縁層とを同時に高温焼成する結果，樹脂絶縁層は焼失してしまうこと
になり，上記適用には阻害要因がある旨を主張する。しかしながら，セラミック基
板に樹脂絶縁層を設ける場合は，セラミック部分はあらかじめ焼成しておけばよい
のであるから，セラミック基板を使用することが樹脂絶縁層適用の阻害要因となる
ことはない。
　２　取消事由２（訂正発明１と第１引用例発明との一致点の認定の誤り）につい
て
(1)原告は，第１引用例（甲３）の第１図は，セラミック基板しか開示してお
らず，ベース基板は存在しないと主張するが，セラミック基板の表面に多層配線層
を形成する場合，当該セラミック基板がべース基板となることは明らかである。原
告は，第１引用例の基板は，セラミックから成るもので，訂正発明１のような樹脂
製のべース基板とは明らかに区別されるものであり，セラミック基板では訂正発明
１のような粗化の必要性は全くないとも主張するが，訂正発明１のベース基板が樹
脂製であることは特許請求の範囲に記載がなく，第１引用例の基板は，セラミック
から成るものであるとしても，その表面に形成される多層配線層が樹脂製であれ
ば，樹脂表面の粗化が必要となり得るから，上記主張は根拠がない。半導体容器を
構成する基板の素材としては，セラミック系材料と樹脂系材料のいずれを用いるこ
とも慣用されており，誘電率や加工条件等の差異を考慮して，一方を他方に変更す
ることは，通常の設計変更ということができ，第１引用例のモジュール基板２１
は，ビルドアップのための基台となる基板以上の格別のものを想定しているわけで
はないから，当該基板の素材として樹脂系の材料を採用することは，困難なことで
はない。
　　また，原告は，第１引用発明のものは，小型化しなければならないという
課題が生じないし，外周への配線引きまわしの必要もないと主張する。しかしなが
ら，装置小型化という技術課題は，あらゆる技術分野において普遍的なものという
ばかりでなく，半導体容器のような電子部品等では，その材質等にかかわらず，小
型化や薄型化の要請が特に強いものであることが，よく知られている。また，第１
引用例の第１図に，少なくとも外周部に第２の接続端子群が形成されている構成の
開示があることは，上記１(2)のとおりである。
３　取消事由３（訂正発明１と第１引用例発明との相違点についての判断の誤
り）について
(1)第１引用例（甲３）の第２図及び第３図において，半導体容器（２）を構
成している一方のモジュール基板部分（２１）は，従来例と同様の手段で形成され
ること，すなわち，第１図に示されているようなセラミックを基体とするものに，
ポリイミド等の絶縁体層（２２１）を含む多層配線部分（２２）が設けられること
がに明記されているから，訂正発明１及び上記第２図，第３図のようなビルドアッ
プ配線層を形成することができる。
　　原告は，第１引用例に，多層配線部分の絶縁体層（２２１）の材料とし
て，表面平滑度が良好なポリイミドが挙げられていることをもって，表面が粗化さ
れた樹脂絶縁層の表面に外層導体層が形成された基板を想到することはできない旨
の主張をするが，ポリイミドは，単に有機物の一例として挙げられているにすぎな
いから，他の樹脂を用いてもよいことは明らかであり，仮に，ポリイミドに限定す
るとしても，表面が平滑であるからこそ，導体等に対する接着性を改善するため
に，表面粗化の必要があるともいえるのであって，事実，そのような目的のため
に，ポリイミド絶縁層の表面を粗化することは当該技術分野において周知の技術で
ある。
(2)原告は，引用発明１のセラミック基板に樹脂のビルドアップ法を適用すれ
ば，樹脂が燃焼する旨主張するが，理由がないことは上記１(3)のとおりである。
４　取消事由４（訂正発明２の進歩性の判断の誤り）について
　上記のとおり，決定の訂正発明１についての進歩性の判断に誤りはないか
ら，その誤りを前提とする取消事由４は，理由がない。
第５　当裁判所の判断
　１　取消事由１（第１引用例発明の認定の誤り）について
(1)原告は，第１引用例（甲３）の第３図は，第２図の拡大図であって，第１
図とは無関係であり，第３図に示されているものが密集しているからといって，第
１図の端子（１１）も密集していることにはならず，また，第１図は，外周部分が
省略された図面であり，「少なくとも外周部」に接続端子が形成されているかどう
かが全く不明である上，第１図に開示されている３本のピンのうち裏面側の２本
が，半導体装置（１）の直下にあり，外周に存在しているものとはいえないから，
第１引用例について，「第１引用例の第１図に示されている，半導体容器（２）の
絶縁体層の表面（上面）には，半導体装置（１）の各端子（１１）と対応関係にあ
る接続端子群が形成されているとみるべきであって，その形成の態様は，第３図に
示されている配置状態からみて，『密集した状態』といえるし，同様に，半導体容
器（２）の絶縁体層の裏面（下面）側の『少なくとも外周部』に，上記イでいう
『各外部リード端子』（２１４）を接続するための『接続端子群』が形成されてい
る」（決定謄本４頁「ヘ」の項）とした決定の認定は誤りであると主張する。
　　第１引用例（甲３）には，第１図に示される「従来例による半導体容
器」，及び第２図とその拡大斜視図である第３図に示される「この発明に係わる半
導体容器」に関して，「従来のこの種の半導体装置を収容した容器構成の概要を第
１図に示してある。この第１図において，（１）は半導体装置を示し，（１１）は
この半導体装置（１）に設けられた各端子である」（１頁左下欄最終段落～右下欄
第１段落），「第２図および第３図において，前記第１図と同一符号は同一または
相当部分を示しており」（２頁左上欄第４段落）との記載があり，これらの記載に
よれば，第１引用例の第１図ないし第３図においては，いずれも同一符号が同一又
は相当部分を示すのであるから，第１図の半導体装置（１）と第３図の半導体装置
（１）は同一又は相当な装置であるということができ，これらが異なる構成の装置
であると理解すべき理由はない。そして，半導体容器（２）上面の端子は，半導体
装置（１）の端子（１１）に対応して設けられるものであり，半導体装置の接続端
子（電極）群は，通常は「密集した状態」で設けられるものであるところ，第３図
に示されている配置状態からみて，「密集した状態」ということができる。また，
第１図の半導体装置１の下面側に設けられる，外部リード端子を接続するための接
続端子群の配置については，第１引用例には明確な記載はないが，第１引用例の半
導体容器（２）は，半導体装置（１）の端子の密集して配置された状態を緩和し
て，外部リードに引き出すものであることは，図面の記載及び技術常識に照らして
明らかである。また，第１図及び第２図には，半導体容器（２）の下面に外部リー
ドが均等に配置されていることが図示されているから，第１引用例発明の半導体容
器の下面側に配置される接続端子群は，下面一面に均等に配置されているものと認
められる。したがって，原告の上記主張は，理由がない。
(2)原告は，第１引用例（甲３）の第１図からは，ビルドアップ樹脂絶縁層の
外表面に形成されている外層導体層に接続するという構成を読み取ることができ
ず，また，同図の最も右側に位置する接続端子は，外周導体によって外側へ引き出
された後，再び内側に戻されており，ピンの一つの位置が，たまたま半導体装置
（１）の直下から外れているからといって，直ちに，接続端子群が外周にあること
にはならないから，「同じく第１図では，半導体装置（１）の各端子（１１）と対
応関係にある接続端子群のうちの，中央部に位置する接続端子は実質上スルーホー
ルを介して内層の導体層と接続され，外側に位置する接続端子は外周に向かって延
びる外層導体層に接続されることが示されている」（決定謄本４頁「ト」の項）と
した決定の認定は誤りであると主張する。
　　しかしながら，決定が，同図に示される半導体容器にビルドアップ樹脂絶
縁層が存在すると認定したものではないことは，その説示に照らして明らかである
から，ビルドアップ樹脂絶縁層に関する原告の主張は理由がない。また，第１引用
例の第１図には，半導体装置（１）の端子（１１）のうち，左外側にある端子は，
半導体容器（２）の上面に設けられる導電体層（２１２）のうち，左側に延びる導
電体層に接続され，右外側にある端子は，同じく導電体層（２１２）のうちの右側
に延びる導電体層に接続されることが示されている。さらに，第１図の最も右側に
位置する接続端子は，外周導体によって右側に延びる導電体層に接続された後，左
側に延びる導電体層に接続されているが，同図は断面図であり，その図示自体か
ら，上記左側に延びる導電体層が内側に延びているということはできず，同図の上
記図示から，原告主張のように，最も右側に位置する接続端子は，外周導体によっ
て外側へ引き出された後，再び内側に戻されていることを読み取ることはできな
い。したがって，「外側に位置する接続端子は外周に向かって延びる外層導体層に
接続されることが示されている」とした上記決定の認定に原告主張の誤りはない。
(3)さらに，原告は，第１引用例（甲３）の第１図記載の半導体容器の基板
は，セラミック基板であることを必須の要件としているから，そのセラミック基板
を含んだ半導体容器の基板と樹脂絶縁層とを同時に高温焼成することになるが，そ
の結果として，当然，樹脂絶縁層は焼失してしまうため，厚い樹脂絶縁層を採用し
た場合に層数を少なくすることができ，小型化を実現できるとともに，外層導体層
のはく離を防止することができるという訂正発明１の効果を得ることはできないか
ら，第２引用例（甲４）及び第３引用例（甲５）に開示されたビルドアップ多層配
線層の形成手法に適用する阻害要因を有すると主張する。しかしながら，第１引用
例の第２図及び第３図に，「従来例と同様の手段でセラミックを基体とする絶縁体
層（２１１）に導電体層（２１２）および接続部（２１３）を配し」（２頁右上欄
第２段落）たモジュール基板部分に多層配線部分を形成した半導体容器が図示され
ていることから示唆されるように，あらかじめ焼成したセラミック基板を用いれ
ば，樹脂絶縁層を焼成する必要はないから，原告の上記主張が理由のないことは明
らかである。
(4)以上のとおりであるから，第１引用例発明の認定の誤りをいう原告の取消
事由１の主張は，理由がない。
　２　取消事由２（訂正発明１と第１引用例発明との一致点の認定の誤り）につい
て
(1)原告は，訂正発明１のベース基板は，層間絶縁層をビルドアップするため
の樹脂製の土台であるからこそ「ベース基板」なのであるが，第１引用例（甲３）
の第１図に示されているものは，導体層を印刷した複数枚のセラミック製グリーン
シートを積層して一体に成形し，これを１６００℃から１９００℃という高温で焼
成したものであるから，ビルドアップ配線層を形成するためのベース基板が存在し
ているということはできないと主張する。
　　そこで，訂正発明１の「ビルドアップ多層配線層」と「ベース基板」につ
いて検討すると，訂正発明１に係る特許請求の範囲の【請求項１】は，「スルーホ
ールを有するベース基板の一方の面の所定箇所に第１の接続端子群が密集した状態
で形成され，その反対側の面の少なくとも外周部に第２の接続端子群が形成され，
第１の接続端子群と第２の接続端子群とがスルーホールを介して電気的に接続され
てなる電子回路部品搭載用基板において（注，以下，上記部分を「第１段落」とい
う。），前記ベース基板の第１の接続端子群が形成される側には，内層導体層と粗
化面が形成された樹脂からなる絶縁層とが交互に積層され，内層導体層同士がバイ
アホールにて電気的に接続され，また内層導体層がスルーホールと電気的に接続さ
れたビルドアップ多層配線層が形成されてなり，前記第１の接続端子群は，該ビル
ドアップ多層配線層の最外層に形成されるとともに，前記第１の接続端子群の中央
部に位置する接続端子は，バイアホールを介して前記ビルドアップ多層配線層の内
層導体層と電気的に接続され，前記第１の接続端子群の中央部に位置する接続端子
よりも外側に位置する接続端子は，基板外周部に向かって延びる外層導体層に接続
されてなることを特徴とする電子回路部品搭載用基板（注，以下，上記部分を「第
２段落」という。）と記載されている。これによれば，「スルーホールを有するベ
ース基板」は，第１段落では，「一方の面の所定箇所に第１の接続端子群が密集し
た状態で形成され，その反対側の面の少なくとも外周部に第２の接続端子群が形成
され，第１の接続端子群と第２の接続端子群とがスルーホールを介して電気的に接
続されてなる」と特定されるのに対し，第２段落では，「第１の接続端子群が形成
される側には，内層導体層と粗化面が形成された樹脂からなる絶縁層とが交互に積
層され，内層導体層同士がバイアホールにて電気的に接続され，また内層導体層が
スルーホールと電気的に接続されたビルドアップ多層配線層が形成されてなり」，
「前記第１の接続端子群は，該ビルドアップ多層配線層の最外層に形成される」と
特定されるものである。
　　決定は，訂正発明１と第１引用例発明とを対比して，「スルーホールを有
するベース基板の一方の面の所定箇所に第１の接続端子群が密集した状態で形成さ
れ，その反対側の面の少なくとも外周部に第２の接続端子群が形成され，第１の接
続端子群と第２の接続端子群とがスルーホールを介して電気的に接続されてなる電
子回路部品搭載用基板」（決定謄本５頁＜一致点＞）である点で一致するとしたも
のであるから，上記第１段落の特定事項を一致点として認定したことは明らかであ
る。他方，原告主張に係る，訂正発明の「ベース基板」が，ビルドアップ多層配線
層を形成するために必要なものであって，第１引用例の第１図に記載のものが，訂
正発明１のような，上にビルドアップ多層配線層を設けたものとは異なるとの点
は，上記第２段落の特定事項に基づくものであるところ，決定は，この点を相違点
として認定しているのであるから，原告の上記主張は，決定を正解しないものとい
うほかなく，採用の限りではない。
(2)原告は，第１引用例（甲３）の第１図に示されているものは，セラミック
製グリーンシートを積層して一体に成形し，焼成したものであるから，ビルドアッ
プ配線層を形成するためのベース基板が存在しているということはできず，訂正発
明１のような樹脂製のベース基板上にビルドアップ配線層を形成したものとは明ら
かに区別されるものであると主張するので，第１引用例発明の半導体容器の基体
（絶縁体層と導電体層からなる構成）が，その上に多層配線層を形成可能なベース
基板になり得るものであるかについて検討する。
　　第１引用例（甲３）には，決定が第１引用例発明として認定した第１図に
図示される半導体容器の改良として，第２図及び第３図に示される半導体容器が記
載され，これは，「この実施例では，従来と同様に一層からなる絶縁体層（２１
１），導電体層（２１２），接続部（２１３）および外部リード端子（２１４）に
よるモジュール基板部分（２１）と，この基板部分（２１）上に形成された絶縁体
層（２２１），導電体層（２２２）およびスルーホールを通した接続部（２２３）
による多層配線部分（２２）とによって半導体容器（２）を構成させ」（２頁左上
欄最終段落），「モジュール基板部分（２１）は，特に用途に限定されることなし
に，従来例と同様の手段でセラミックを基体とする絶縁体層（２１１）に導電体層
（２１２）および接続部（２１３）を配し」（同頁右上欄第２段落），「この多層
配線部分（２２）の絶縁体層（２２１）は，表面平滑度が良好でしかも低温形成可
能なポリイミドなどの有機物でも，あるいは比較的高温ではあるが後につづく熱処
理に安定な低融点ガラスなどの無機物でもよく」（同），「モジュール基板部分
（２１）について，絶縁体層（２１１）が一層の場合を述べたが，従来例でのよう
に絶縁体層（２１１），導電体層（２１２）を多層構造としてもよい」（２頁左下
欄第２段落）というものである。これによれば，従来例である第１引用例発明と同
様の手段で形成されたセラミックを基体とするモジュール基板部分の上に樹脂絶縁
層を有する多層配線部分を形成した半導体容器が開示されており，これは，その上
に多層配線層を形成可能なベース基板になり得るものであることが明らかである。
　　また，訂正発明１のベース基板が樹脂製であることは，訂正発明１に係る
特許請求の範囲【請求項１】に記載がなく，ビルドアップ配線層を形成する点につ
いては，上記(1)のとおりであり，これらの点に係る原告の主張も理由がない。
(3)原告は，第１引用例は，第１の接続端子群が密集した状態で形成されてい
るものではなく，中央部しか図示していない第１図において，「その反対側の面の
少なくとも外周部に第２の接続端子群が形成され」ているということはできないと
主張するが，第１引用例発明の認定ヘ，トに誤りがないことは，上記１(1)，(2)の
とおりである。また，原告は，第１引用例の第１図のものは，これを薄くすべき課
題がないのであるから，配線の引き回しのためのビルドアップ層を増やす必要もな
いとも主張するが，装置小型化という技術課題は，あらゆる技術分野において普遍
的なものというばかりでなく，半導体容器のような電子部品等では，その材質等に
かかわらず，小型化や薄型化の要請が特に強いものであることが，よく知られてい
るというべきである。
(4)以上のとおりであるから，訂正発明１と第１引用例発明との一致点の認定
の誤りをいう原告の取消事由２の主張は，理由がない。
３　取消事由３（訂正発明１と第１引用例発明との相違点についての判断の誤
り）について
(1)原告は，第１引用例（甲３）の第２図及び第３図において，モジュール基
板と多層配線層部分は別々に作らなければならず，第１引用例発明である第１図の
従来例とは異なるから，ビルドアップ配線層を形成する方法を適用することはでき
ないと主張する。
　　しかしながら，第１引用例（甲３）には，「前記半導体容器（２）を
構成している一方のモジュール基板部分（２１）は，特に用途に限定されることな
しに，従来例と同様の手段でセラミックを基体とする絶縁体層（２１１）に導電体
層（２１２）および接続部（２１３）を配し，かつ外部リード端子（２１４）を引
き出して形成され，例えば数種類の用途に亘って共通なパターンを有するようにし
て，通常の印刷法などで形成される」（２頁右上欄第２段落），「この多層配線部
分（２２）の絶縁体層（２２１）は，表面平滑度が良好でしかも低温形成可能なポ
リイミドなどの有機物でも，あるいは比較的高温ではあるが後につづく熱処理に安
定な低融点ガラスなどの無機物でもよく」（同），「モジュール基板部分（２１）
について，絶縁体層（２１１）が一層の場合を述べたが，従来例でのように絶縁体
層（２１１），導電体層（２１２）を多層構造としてもよいことは勿論である」
（同頁左下欄第２段落）と記載されている。第１引用例の第２図及び第３図に図示
される半導体容器は，第１図の半導体容器を改良するために発明されたものである
から，第１図の半導体容器，すなわち，第１引用例発明の絶縁体層上に，樹脂絶縁
層と内部導体層から成る多層配線層を形成したり，あるいは，絶縁体層自体を，ベ
ース基板上に樹脂絶縁層と内部導体層を交互に積層した多層配線層を有する基体に
置き換えることが示唆されているというべきである。そして，粗化面が形成された
樹脂から成る絶縁層を積層するビルドアップによる多層配線層の形成手法は，周知
の技術事項であることを考慮すれば，第１図のものが，グリーンシートを一体成形
したものであるとしても，ビルドアップ配線層を形成する方法を適用することに何
ら阻害要因はない。
(2)原告は，第１引用例（甲３）の第２図のものは，「表面平滑度が良好」で
あることが望まれており，平滑であれば，はく離しやすいから，外周に向かって延
びる外層導体回路は形成することができないと主張するが，基板表面の粗化は，周
知の技術であり，これを適用すればよいのであるから，理由がない。
(3)また，原告は，第１引用例（甲３）の第１図の基板に樹脂のビルドアップ
法を適用すれば，絶縁層の樹脂が燃焼してしまうことになるとも主張するが，理由
がないことは上記１(3)のとおりである。
(4)以上のとおりであるから，相違点についての決定の判断に，原告主張の誤
りがあるということはできない。
４　取消事由４（訂正発明２の進歩性の判断の誤り）について
　上記のとおり，決定の訂正発明１についての進歩性の判断に誤りはないか
ら，その誤りを前提とする取消事由４は，理由がない。
５　以上のとおり，原告主張の取消事由はいずれも理由がないから，訂正発明
１，２の進歩性を否定した決定の判断に誤りはなく，他に決定を取り消すべき瑕疵
は見当たらない。
　よって，原告の請求は理由がないから棄却することとし，主文のとおり判決
する。
　　　　　東京高等裁判所知的財産第２部
　　　　　　　　　　　裁判長裁判官　　　　篠　　原　　勝　　美
　　　　　　裁判官　　　　岡　　本　　　　　岳
　　　　　　裁判官　　　　早　　田　　尚　　貴

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