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平成１２年（行ケ）第１４３号　特許取消決定取消請求事件
　　　　　判　　　　決
　原　告　豊田合成株式会社
　原　告　Ａ
　原　告　Ｂ
　原告ら訴訟代理人弁護士　大場正成、尾崎英男、嶋末和秀、黒田健二、弁理士　
平田忠雄、藤谷修
　被　告　特許庁長官　及川耕造
　指定代理人　田部元史、青山待子、茂木静代、小林信雄
　被告補助参加人　日亜化学工業株式会社
　訴訟代理人弁護士　品川澄雄、吉利靖雄、野上邦五郎、杉本進介、冨永博之、弁
理士　青山葆、矢野正樹、石井久夫、北原康廣
　　　　　主　　　　文
　特許庁が平成１０年異議第７２５３６号事件について平成１２年３月１３日にし
た決定を取り消す。
　訴訟費用中、参加によって生じたものは被告補助参加人の負担とし、その余は被
告の負担とする。
　　　　　事実及び理由
第１　原告らの求めた裁判
　主文第１項同旨の判決。
第２　事案の概要
　１　特許庁における手続の経緯
　原告らの本件特許２６８１７３３号（発明の名称・窒素－３族元素化合物半導体
発光素子）は、平成４年１０月２９日に出願され、平成９年８月８日登録された。
本件特許に対して２件の異議申立てがあり、平成１０年異議第７２５３６号事件と
して審理された。原告らは、平成１０年１１月９日訂正請求をしたが、平成１２年
３月１３日、請求項１ないし７に係る本件特許を取り消す旨の決定があり、その謄
本は同年４月３日原告らに送達された。
　２　本件発明の要旨（上記訂正後のもの）
　【請求項１】ｎ型の窒素－３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１－Ｘ－ＹＮ；
Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素－３族元素化合
物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１－Ｘ－ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から
なるｐ層とを有する窒素－３族元素化合物半導体発光素子において、
　前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高
キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度が１×１０１４
／cm３
以上の低キ
ャリア濃度ｐ層との２重層で構成され、前記高キャリア濃度ｐ＋層に接合する電極
をニッケル（Ｎｉ）としたことを特徴とする窒素－３族元素化合物半導体発光素
子。
　【請求項２】前記ｐ層はマグネシウム（Ｍｇ）が添加されていることを特徴とす
る請求項１に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素子。
　【請求項３】前記低キャリア濃度ｐ層は、正孔濃度が１×１０１４
～１×１０１６
／
cm３
であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒素－３族元素化合物半
導体発光素子。
　【請求項４】前記高キャリア濃度ｐ＋層は０．１～０．５μｍの厚さを有するこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素
子。
　【請求項５】前記低キャリア濃度ｐ層は０．２～１．０μｍの厚さを有すること
を特徴とする請求項１乃至請求項４に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素
子。
　【請求項６】前記高キャリア濃度ｐ＋層に接合する前記電極と前記ｎ層に接合す
る電極は同一面側に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載
の窒素－３族元素化合物半導体発光素子。
　【請求項７】前記低キャリア濃度ｐ層及び前記高キャリア濃度ｐ＋層は半絶縁性
窒素－３族元素化合物半導体層の一部をｐ型化して形成したことを特徴とする請求
項１乃至請求項６に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素子。
　３　決定の理由の要点
　　(1)　訂正の適否
　　　(1)－１　訂正の目的等
　　　①　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１において、「前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ+層と、その高キャリア濃度ｐ+層よりも正孔濃度が低い低
キャリア濃度ｐ層との2重層で構成され、」を「前記ｐ層は、正孔濃度が1×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ+層と、その高キャリア濃度ｐ+層よりも正孔濃度が低
く、正孔濃度が１×１０１４
／cm３
以上の低キャリア濃度ｐ層との2重層で構成さ
れ、」とする訂正は、低キャリア濃度ｐ層のキャリア濃度を限定するものであるの
で、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事
項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではな
い。
　　　②　訂正事項２
　特許明細書の段落【0005】において、「前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ+層と、その高キャリア濃度ｐ+層よりも正孔濃度が低い低
キャリア濃度ｐ層との2重層で構成され、」を「前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ+層と、その高キャリア濃度ｐ+層よりも正孔濃度が低
く、正孔濃度が１×１０１４
／cm３
以上の低キャリア濃度ｐ層との2重層で構成さ
れ、」と訂正することは、特許請求の範囲の訂正に伴う、課題解決手段の訂正であ
るので、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載し
た事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するもので
はない。
　　　(1)－２　独立特許要件
　　　①　訂正された発明
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１～７に係る発明（以下「訂正第１発明」
ないし「訂正第７発明」という。）は、その明細書及び図面の記載からして、前記
２の本件発明の要旨（上記訂正後のもの）に記載のとおりのものである。
　　　②　刊行物記載の発明
　平成11年2月26日付け取消理由通知書において引用した特開平４－６８５７９号公
報（刊行物１）には、第１の実施例（第１図）に関して、「３はＺｎＯ層（ｎ型）
１μｍであり、４はＧａＮエピタキシャル層（ｎ型）膜厚は３μｍであり、５はＧ
ａＮエピタキシャル層（ｐ型）、膜厚１μｍ、６はＡｌ正電極、そして７はＡｌ負
電極である。」（第５頁左上欄第4行から第7行）及び「このようにして形成したＧ
ａＮ：Ｏエピタキシャル膜４はキャリア濃度５×１０１７
cm－３
、抵抗率０．１Ω・cm
であり、発光中心としては微量のＺｎを添加してある。ｐ型ＧａＮ：Ｚｎエピタキ
シャル層５は、・・・キャリア濃度１×１０１７
cm－３
、抵抗率４Ω・cmである。」
（第５頁右下欄第５行から第１２行）と記載され、Ａｌ電極に関して、「電極形成
用の金属元素としてＡｌに限って説明したがその他Ｉｎ、Ｇａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ等の単体あるいは混合金属膜のいずれもが、オ
ーミック用電極として、適用可能であることは明らかである。」（第８頁左下欄第
１１行から第１５行）と記載され、第２の実施例（第２図）に関して、「ＧａＮ：
Ｍｇ層１３は・・・・にて成膜した２μｍ厚、ｐ型抵抗率１０Ω・cm、キャリア濃
度６×１０１６
cm－３
の低抵抗ｐ型エピタキシャル膜である。」（第６頁右上欄第１６
行から左下欄第１行）と記載されている。
　すなわち、刊行物１には、ｎ型のＧａＮからなるｎ層と、ｐ型のＧａＮからなる
ｐ層とを有する窒素－３族元素化合物半導体発光素子において、前記Ｍｇをドープ
したｐ層の正孔濃度が６×１０１６
／cm３
であり、前記ｐ層に接合する電極は、Ａｌで
ある窒素－３族元素化合物半導体発光素子が記載されているとともに、上記Ａｌ電
極はＮｉでも適用可能であると記載されている。
　同じく特開昭５８－２１９７９０号公報（刊行物２）には、
　「第１図は従来例としてＧａＡｌＡｓ系材料から成る半導体レーザを示し、(1)
は、ｎ型ＧａＡｓ（ガリウム砒素）基板、(2)は該基板上に積層されたレーザ光を発
する発光層であり、該発光層はｎ型Ｇａ１－ＸＡｌＸＡｓ（０＜Ｘ＜１）からなる第１
クラッド層(3)、Ｇａ１－ＹＡｌＹＡＳ（Ｘ＞Ｙ、０≦Ｙ＜１）からなる活性層(4)、ｐ
型Ｇａ１－ＸＡｌＸＡＳからなる第２クラッド層(5)を順次エピタキシャル成長にて積
層したものである。斯る発光層(2)では第１、第２クラッド層(3)(5)のＡｌ（アルミ
ニウム）濃度が活性層(4)のそれより大であるため、両クラッド層(3)(5)は活性
層(4)よりバンドギャップが大でかつ光屈折率が小となる。従って、斯る発光層(2)
に順方向バイアスを印加すると活性層(4)よりレーザ光が得られる。
　(6)は上記発光層(2)上に積層されｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層であり、該キ
ャップ層は、将来斯る層上に形成される金属電極（図示せず）とのオーミック接触
を良好となすものである。
　通常、上記第２クラッド層(5)のキャリア濃度は約５×１０１７
／cm３
であり、また
キャップ層(6)のキャリア濃度は、５×１０１８
／cm３
以上である。」（第１頁左下欄
第１６頁～右上欄第１７行）
　と記載されている。
　すなわち、刊行物２には、ＧａＡｓ系の化合物半導体発光素子において、ｐ層を
二重構造とし、高キャリア濃度のｐ＋層のキャリア濃度は５×１０１８
／cm３
以上と
し、低キャリア濃度のｐ層のキャリア濃度は約５×１０１７
／cm３
である発光素子が記
載されている。
　同じく特開昭５９－２２８７７６号公報（刊行物３）には、「実施例３
　第４図はサファイア等の絶縁性基板上に作製したダブル・ヘテロ接合素子の実施
例の側断面図であって、３，５は実施例１で述べた絶縁性基板、オーミック電極、
９はｎ＋型ＡｌＸＧａ１－ＸＮ（０＜Ｘ≦１）、１０はｎ＋型ＡｌＸ’Ｇａ１－Ｘ’Ｎ
（０＜Ｘ’≦１、Ｘ’＞Ｘ）、１１はｎ型またはｐ型のＡｌＹＧａ１－ＹＮ（０＜Ｙ
≦１、Ｘ’＞Ｙ）、１２はｐ＋型ＡｌＸ’Ｇａ１－Ｘ’Ｎ（０＜Ｘ’≦１）であ
る。・・・・さらにこの上に活性層であるｎ型またはｐ型ＡｌＹＧａ１－ＹＮ（０＜
Ｙ≦１、Ｘ’＞Ｙ）を０．１μｍ～０．４μｍ厚程度成長させる。・・・・・活性
層の上にｐ＋型ＡｌＸ’Ｇａ１－Ｘ’Ｎ（０＜Ｘ’≦１）を０．４～１μｍ厚程度に
成長させる。ｐ＋型にするために実施例１で述べたアクセプター添加量をｐ型に比
べ多くする。」（第３頁左上欄第１９行から右上欄第１９行）と記載されている。
　すなわち、刊行物３には、活性層として「ｎ型またはｐ型」と記載されているの
で、ｐ型を選択すると、低キャリア濃度ｐ層の厚さを０．１μｍ～０．４μｍ程度
とし、それより高キャリア濃度ｐ＋層の厚みを０．４～１μｍ程度としたＧａＮ系
化合物半導体発光素子が記載されている。
　　　③　訂正第１発明について
　訂正第１発明と刊行物１に記載された発明とを比較すると、後者における「Ｇａ
Ｎ」は、前者における「窒素－３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１－Ｘ－Ｙ
Ｎ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）」に包含されるので、両者は、
「ｎ型の窒素－３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１－Ｘ－ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝
０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素－３族元素化合物半導体（Ａ
ｌＸＧａＹＩｎ１－Ｘ－ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層と
を有する窒素－３族元素化合物半導体発光素子において、
前記ｐ層に接合する電極をニッケル（Ｎｉ）とした窒素－３族元素化合物半導体発
光素子」
である点において一致し、
　訂正第１発明においては、ｐ層は、１×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ＋層
と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりもキャリア濃度が低く、１×１０１４
／cm３
以上の
低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成されているのに対し、刊行物１記載の発明に
おいては、キャリア濃度が６×１０１６
／cm３
である単層のｐ層が記載されている点に
おいて相違している。
　そこで上記相違点について検討すると、ｐ層を高キャリア濃度のｐ＋層とそれよ
り低いキャリア濃度のｐ層との２重層とする化合物半導体発光素子は刊行物２及び
刊行物３に記載されているようによく知られており、また、ＧａＮ系においても、
電極と接触する部分を高キャリア濃度にすることは周知である（特開平４－２４２
９８５号公報、段落【0038】及び【0039】参照）ところ、刊行物１に記載されてい
るように、ＧａＮ系発光素子におけるｐ層のキャリア濃度を６×１０１６
／cm３
とする
ことが知られており、かつ、訂正発明における「１×１０１６
／cm３
以上」及び「１×
１０１４
／cm３
以上」という数値に臨界的意義があるとも認められないので、ｐ層を１
×１０１６
／cm３
」以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも
キャリア濃度が低く、１×１０１４
／cm３
以上の低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成
することは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　　　④　訂正第２発明について
　訂正第２発明は、訂正第１発明に対して、ｐ層にはマグネシウム（Ｍｇ）が添加
されていることを付加したものであるが、刊行物１においてもｐ層にはＭｇが付加
されているので、この点に格別の発明はない。
　　　⑤　訂正第３発明について
　訂正第３発明は、訂正第１発明及び第２発明に対して、上記低キャリア濃度ｐ層
は、正孔濃度が１×１０１４
～１×１０１６
／cm３
であることを付加したものであるが、
高キャリア濃度ｐ＋層のキャリア濃度を１×１０１６
／cm３
以上とする場合には、低キ
ャリア濃度ｐ層のキャリア濃度は、高キャリア濃度のキャリア濃度よりも１桁程度
低くすることは刊行物２にも示されているように周知であり、かつ、それらの限定
された値に臨界的意義があるとも認められないので、１×１０１４
～１×１０１６
／cm３
程度とすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　　　⑥　訂正第４発明について
　訂正第４発明は、訂正第１発明ないし第３発明に対して、上記高キャリア濃度ｐ
＋層の厚さを０．１～０．５μｍとすることを付加したものであるが、刊行物３に
は、ｐ＋層の厚さを０．４～１μｍ厚程度に成長させることが示されており、か
つ、それらの限定された値に臨界的意義があるとも認められないので、高キャリア
濃度ｐ＋層の厚さを０．１～０．５μｍとすることは当業者が容易になし得たこと
と認められる。
　　　⑦　訂正第５発明について
　訂正第５発明は、訂正第１発明ないし第４発明において、上記低キャリア濃度ｐ
層の厚みを０．２～１．０μｍとしたものであるが、刊行物３には、キャリア濃度
の低いｐ型層の厚みを０．１～０．４μｍ程度成長させることが示されており、か
つ、それらの限定された値に臨界的意義があるとも認められないので、低キャリア
濃度ｐ層の厚さを０．２～１．０μｍ程度とすることは当業者が容易になし得たこ
とと認められる。
　　　⑧　訂正第６発明について
　訂正第６発明は、訂正第１発明ないし第５発明において、前記高キャリア濃度ｐ
＋層に接合する前記電極と前記ｎ層に接合する電極とを同一面側に形成したもので
あるが、刊行物１の第５図及び第６図にも記載されているように、ｐ電極とｎ電極
とを同一面側に形成したものはよく知られているので、前記高キャリア濃度ｐ＋層
に接合する前記電極と前記ｎ層に接合する電極とを同一面側に形成することは当業
者が容易になし得たことと認められる。
　　　⑨　訂正第７発明について
　訂正第７発明は、訂正第１発明ないし第６発明において、前記低キャリア濃度ｐ
層及び前記高キャリア濃度ｐ＋層を半絶縁性窒素－３族元素化合物半導体層の一部
をｐ型化して形成したものであるが、刊行物１には、電極が形成されるｐ－ＧａＮ
層としてｉ－ＧａＮ層の一部をｐ型化した発光素子が第９図に開示されているの
で、低キャリア濃度ｐ層及び前記高キャリア濃度ｐ＋層を半絶縁性窒素－３族元素
化合物半導体層の一部をｐ型化して形成することは当業者が容易になし得たことと
認められる。
　　　(1)－３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるので、訂正第１発明ないし第７発明は、刊行物１ないし３に
記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められるので、特許出
願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正は、平成６
年法律第１１６号附則第６条第１項により、なお従前の例とされる改正前の特許法
第１２６条第３項の規定を適用し、これを認めることができない。　　
　　(2)　本件発明
　本件発明は、特許明細書の特許請求の範囲請求項１ないし７に記載された事項に
より特定された以下のとおりのものである（以下「本件第１発明」ないし「本件第
７発明」という。）。
「【請求項１】ｎ型の窒素－３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１－Ｘ－ＹＮ；
Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素－３族元素化合
物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１－Ｘ－ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から
なるｐ層とを有する窒素－３族元素化合物半導体発光素子において、
前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キ
ャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低い低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成さ
れ、前記高キャリア濃度ｐ＋層に接合する電極をニッケル（Ｎｉ）としたことを特
徴とする窒素－３族元素化合物半導体発光素子。
　【請求項２】前記ｐ層はマグネシウム（Ｍｇ）が添加されていることを特徴とす
る請求項１に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素子。
　【請求項３】前記低キャリア濃度ｐ層は、正孔濃度が１×１０１４
～１×１０１６
／
cm３
であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒素－３族元素化合物半
導体発光素子。
　【請求項４】前記高キャリア濃度ｐ＋層は０．１～０．５μｍの厚さを有するこ
とを特徴とする請求項１ないし請求項３に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光
素子。
　【請求項５】前記低キャリア濃度ｐ層は０．２～１．０μｍの厚さを有すること
を特徴とする請求項１乃至請求項４に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素
子。
　【請求項６】前記高キャリア濃度ｐ＋層に接合する前記電極と前記ｎ層に接合す
る電極は同一面側に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載
の窒素－３族元素化合物半導体発光素子。
　【請求項７】前記低キャリア濃度ｐ層及び前記高キャリア濃度ｐ＋層は半絶縁性
窒素－３族元素化合物半導体層の一部をｐ型化して形成したことを特徴とする請求
項１乃至請求項６に記載の窒素－３族元素化合物半導体発光素子。」
　　(3)　対比及び判断
　本件第１発明ないし第７発明は、上記訂正第１発明ないし第７発明と比較する
と、低キャリア濃度ｐ層のキャリア濃度を「１×１０１４
／cm３
以上」にするという限
定が付与されていないものであるが、上記限定が付与されていなければなおさら、
上記(1)－２の③ないし⑨において述べた理由と同じ理由により、刊行物１ないし３
に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められ、特許法第２
９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　　(4)　決定のむすび
　以上のとおりであるから、本件第１発明ないし第７発明に係る特許は、拒絶の査
定をしなければならない特許出願に対してなされたものであり、特許法等の一部を
改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等
の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第
２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
第３　原告ら主張の決定取消事由
　１　取消事由１（一致点の認定の誤り）
　決定は、訂正第１発明と刊行物１記載の発明につき、「両者は、「ｎ型の窒素－
３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１－Ｘ－ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０
を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素－３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１
－Ｘ－ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素－３
族元素化合物半導体発光素子において、前記ｐ層に接合する電極をニッケル（Ｎ
ｉ）とした窒素－３族元素化合物半導体発光素子」である点において一致し」と認
定したが、刊行物１には「ｐ層に接合する電極をニッケル（Ni）とした」構成は開
示されておらず、この点で両者は相違している。決定は、この点において相違点を
看過し、一致点の認定を誤ったものである。
　　(1)　訂正第１発明は、発光素子の「駆動電圧の低下」を目的とし、「ｐ層を、
正孔濃度が１×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ
＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度が１×１０１４
／cm３
以上の低キャリア濃度ｐ層
との２重層で構成した上で、高キャリア濃度ｐ＋層に接合する電極をニッケル（Ｎ
ｉ）とした」ことにより、ｐ＋層とＮｉ電極との間のオーミック特性が良好となり
駆動電圧が低下した結果、注入電流が大きくなり発光輝度が向上するとの効果を得
るものである。
　　(2)　刊行物１には、「ｐ層に接合する電極をニッケル（Ni）とした」との記載
はない。
　ｐ－GaN層（キャリア濃度：１×１０１７
／cm３
）にAl金属電極を形成した実施例の
説明に続いて「電極形成用の金属としてはＡｌに限って説明したがその他
In、Ga、Ni、Ti、Cu、Au、Ag、Cr、Si、Ge等の単体あるいは混合金属膜のいずれも
オーミック用電極として適用可能であることは明らかである」（８頁左下欄１１行
～１５行）の記載があるが、この記載は、単元素半導体（Si等）に接合するオーミ
ック電極の材料として一般的である「In、Ga、Ni、Ti、Cu、Au、Ag、Cr、Si、Ge
等」を例示列挙し、これらを化合物半導体（ｐ－GaN）に接合しても単元素半導体に
接合したときと同様なオーミック性が得られることを単に予測したものにすぎな
い。Ｎｉを含め列挙した電極材料の駆動電圧特性については何ら実験・実証がない
ばかりか、列挙した電極材料が接合される半導体につき、導電型がｎ型かｐ型か、
単元素半導体か化合物半導体かについての考察も見られない。また、列挙した電極
材料のうち、特別Ｎｉに関する記載もない。上記記載はｐ型化合物半導体に接合す
る電極材料としてNiを選択するものではない。
　　(3)　したがって、刊行物１には、訂正第１発明の「ｐ層に接合する電極をニッ
ケル（Ni）とした」構成は開示されていない。
　２　取消事由２（相違点の判断の誤り）
　決定は、訂正第１発明と刊行物１記載の発明との間の相違点について、「ｐ層を
高キャリア濃度のｐ＋層とそれより低いキャリア濃度のｐ層との２重層とする化合
物半導体発光素子は刊行物２及び刊行物３に記載されているようによく知られてお
り、また、ＧａＮ系においても、電極と接触する部分を高キャリア濃度にすること
は周知である（特開平４－２４２９８５号公報、段落【0038】及び【0039】参照）
ところ、刊行物１に記載されているように、ＧａＮ系発光素子におけるｐ層のキャ
リア濃度を６×１０１６
／cm３
とすることが知られており、かつ、訂正発明における
「１×１０１６
／cm３
以上」及び「１×１０１４
／cm３
以上」という数値に臨界的意義があ
るとも認められないので、ｐ層を１×１０１６
／cm３
」以上の高キャリア濃度ｐ＋層
と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりもキャリア濃度が低く、１×１０１４
／cm３
以上の
低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成することは、当業者が容易になし得たことと
認められる。」と認定、判断したが、誤りである。
　　(1)　刊行物１は、正負電極の対向配置に基づく「電流流路断面積の拡大」によ
る発光輝度の向上を目的とするもので、「駆動電圧の低下」による発光輝度の向上
を目的とするものではない。
　化合物半導体は単元素半導体に比較してオーミック性が得難いので、化合物半導
体に対して良好なオーミック性が得られる電極材料を見つけることは、重要な技術
課題である。しかしながら、上述したとおり、刊行物１には、Niを含め列挙した電
極材料の駆動電圧特性については何ら実験・実証がないばかりか、列挙した電極材
料が接合される半導体につき、導電型がｎ型かｐ型か、単元素半導体か化合物半導
体かについての考察も見られない。また、列挙した材料のうち、特別Niに関する記
載もない。
　以上、刊行物１には、電極材料としてNiの記載があるにせよ、発光素子の「駆動
電圧の低下」を目的としてNiを転用する動機付けがない。
　　(2)　刊行物２はAlGaAs系半導体に関するものでありGaN系とは組成元素が異な
るので、GaN系半導体への転用は困難である。また、キャップ層の多層構造は、高正
孔濃度のキャップ層からクラッド層へアクセプタ不純物が拡散するのを防止するも
ので、「駆動電圧の低下」を目的とするものではない。さらに、上記キャップ層と
クラッド層との層構造が訂正第１発明の２重層に対応するとしても、２重層を構成
する各層の正孔濃度の各下限値は示唆されない。
　なお、正孔濃度に関する「５×１０１８
／cm３
以上」（キャップ層）及び「５×１０
１７
／cm３
」（クラッド層）という数値は、実際は不純物濃度を意味する。しか
し、GaAs半導体と異なり、GaN半導体では不純物濃度と正孔濃度とが比例せず不純物
濃度から正孔濃度を予測できないという特殊事情があるので、刊行物２に記載され
たGaAs半導体の正孔濃度又は不純物濃度の数値から直ちに訂正第１発明のような
GaN半導体の正孔濃度の数値を予測することはできない。
　刊行物３の２層構造（ｐ型発光層とｐ＋層）は、ヘテロ接合であるため必然的に
なる構造であって、「駆動電圧の低下」を目的としたものではない。「駆動電圧の
低下」を目的とした２重層の構成や２重層を構成する各層の正孔濃度の各下限値は
示唆されない。
　このように、刊行物２及び刊行物３のいずれにも、「ｐ層を、正孔濃度が１×１
０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃
度が低く、正孔濃度が１×１０１４
／cm３
以上の低キャリア濃度ｐ層と２重層で形成し
た」構成（２重層を構成する各層の正孔濃度の各下限値）が記載されていない。
　　(3)　以上、刊行物１には、電極材料に「駆動電圧の低下」を目的としてNiを転
用する動機付けがないので、Ni電極と刊行物２又は刊行物３の半導体とを組み合わ
せることはできず、組み合わせたとしても刊行物２又は刊行物３には、２重層を構
成する各層の正孔濃度の各下限値につき記載がないから、「ｐ層を１×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりもキャリア濃度が
低く、１×１０１４
／cm３
以上の低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成する」構成を導
くことはできない。
　　(4)　決定は、「１×１０１６
／cm３
以上」及び「１×１０１４
／cm３
」という数値に
臨界的意義が認められないとするが、以下のとおり誤りである。
　　(4)－１　特許庁の平成６年改正に伴う審査運用指針によると、「課題が異な
り、有利な効果が異質である場合は、数値限定を除いて両者が同じ発明を特定する
ための事項を有していたとしても、数値限定に臨界的意義を要しない。」とされ、
進歩性の判断において数値限定に臨界的意義を要するのは、数値限定を除いて両者
が同じ発明を特定するための事項を有する場合だけである。訂正第１発明が刊行物
１記載の発明と対比して数値限定のほかに更に異なる発明を特定するための事項を
有するときは、数値限定に臨界的意義が求められることはない。これに対し、決定
は、訂正第１発明が刊行物１記載の発明と対比して数値限定の外にさらに異なる発
明を特定するための事項を有することを認めている。
　同じく、「課題が異なり、有利な効果が異質である場合」にも数値限定に臨界的
意義を要しない。他方、上記のとおり訂正第１発明の「駆動電圧の低下」効果は刊
行物１に記載もなく異質であることは明らかである。
　以上のとおり、「１×１０１６
／cm３
」及び「１×１０１４
／cm３
」という数値に臨界的
意義が要求される理由はなく、そこに臨界的意義を求めた決定の認定は誤りであ
る。
　　(4)－２　仮に、数値限定の臨界的意義が要求されるとしても、「１×１０１６
／
cm３
以上」の数値限定には臨界的意義があるから、この点でも誤りである。
　すなわち、下記図１及び図２のNi電極及びAl電極の接触抵抗の正孔濃度特性の測
定結果（被告補助参加人が特許異議手続において平成１０年１１月９日付け特許異
議意見書＝甲第９号証に添付したもの）によると、「１×１０１６
／cm３
以上」の正孔
濃度にして電極を形成すると接触抵抗は臨界的に小さくなること、Niの方がAlより
も接触抵抗が２～５桁小さいことが理解できる。以上から、「１×１０１６
／cm３
以
上」には接触抵抗の観点から臨界的意義が存在し、また「１×１０１６
／cm３
以上」に
Ni電極を接合することによりAl電極に比べ駆動電圧を低くできることから電極材料
と半導体材料との組合せの観点からも意義が認められる。「１×１０１６
／cm３
以上」
は単なる設計事項ではない。
　　図１
　　　　
　　図２　
　　　　　
　なお、上記測定結果と同じ結果を示す書面（被告補助参加人担当者の研究報告
書。甲第１６号証）との対比からみて、上記測定結果を示した実験報告には客観性
がある。
　被告は、４測定点の一つを測定誤差とみなして除いた残り３測定点はほぼ直線関
係を示すこと、４測定点を採用するにしても１０１５
／cm３
台に測定点がないこと、
「１×１０１６
／cm３
」を超えたところで接触抵抗が減少し「１×１０１６
／cm３
」で急減
するわけではないことを理由に、上記測定結果が臨界的意義を示すとはいえないと
主張する。
　しかし、被告の主張は、真正な測定点である左端又は左から２番目の測定点を勝
手に除外して測定結果を議論するもので、客観性がなく恣意的である。また、１×
１０１６
／cm３
から２×１０１６
／cm３
にかけて接触抵抗が１／１０以下に急減する上、１
×１０１６
／cm３
から２×１０１６
／cm３
にかけての範囲は、３桁にわたって変化する全測
定範囲に比べると無視できるわずかな範囲にすぎないから、１×１０１６
／㎝３
で臨界
的に接触抵抗が低下しているということができる。
　　(4)－３　訂正第１発明の数値限定の臨界的意義は、本件明細書の【0025】及
び【0026】に記載されている。
　被告は、【0025】及び【0026】には、低キャリア濃度ｐ層が１×１０１４
／cm３
以下
となり、又は高キャリア濃度ｐ＋層が１×１０１６
／cm３
より小さくなると、直列抵抗
が高くなりすぎて望ましくないとする根拠につき記載がないので、臨界的意義を示
す記載ではないと主張するが、本件明細書には、発明者の実験による確認を含む認
識が記載されているのであって、その根拠の記載まで求められるものではない。数
値限定の意義は、出願当初に発明者によって認識されている。
　３　取消事由３（顕著な効果の看過）　
　　(1)　訂正第１発明は、ｐ層を高キャリア濃度層と低キャリア濃度層からなる２
重層とし各層の正孔濃度の数値範囲を限定したこと、高キャリア濃度層に接合する
電極の材料をNiとしたことの相乗効果により、①駆動しきい値電圧が７Ｖ（従来例
のAl電極）から３Ｖ（本件のNi）へと１／２以下に低下した、②立ち上がり電圧が
17Ｖ（従来例のAl電極）から５Ｖ（本件のNi）へと１／３以下に低下したとの「駆
動電圧の低下」効果を得、発光輝度が向上した。
　この効果は各刊行物には記載がなく、予測することができない効果である。訂正
第１発明は、各刊行物の記載から容易に発明をすることができたものではない。
　　(2)　被告は、甲第８号証（SPIEVol.1361(1990)p138以下の「High
efficiencyUVandblueemittingdevicespreparedbyMOVPEandlowenergy
electronbeamirradiationtreatment」と題する論文）中の「ｐ型GaNのオーミッ
ク用電極としてAuを用いたGaNからなるｐｎ接合発光ダイオードのしきい値が約３Ｖ
である」旨の記載をとらえて、従来から「駆動電圧の低下」の効果は達成されてお
り異質の効果とはいえないと主張するが、訂正第１発明「駆動電圧の低下」の効果
はNi電極によるものでAu電極によるものではないので、「Au電極による駆動電圧の
低下の達成」によって異質性の判断が阻害されることはない。
第４　決定取消事由に対する被告の反論
　１　取消事由１（一致点の認定の誤り）に対して
　刊行物１の「電極形成用の金属元素としてはAlに限って説明したがその他
In、Ga、Ni、Ti、Cu、Au、Ag、Cr、Si、Ge等の単体あるいは混合金属のいずれもオ
ーミック用電極として適用可能であることは明らかである」との記載は、オーミッ
ク性を単に予測する記載ではなく、窒化ガリウム化合物半導体発光素子のｐ層に対
して電極形成用の金属元素として列記されたものの中からNiを選択することは任意
になし得ることを示す記載である。
　単体のNiをｐ層の電極としたGaN化合物半導体発光素子が実質的に刊行物１に記載
されているのは明らかであるから、「ｐ＋層に接合する電極をニッケル（Ni）とし
た」をもって一致点とした決定の認定に誤りはない。
　２　取消事由２（相違点の判断の誤り）に対して
　　(1)　原告らは、刊行物１には駆動電圧の低下を目的としてＮｉを用いる動機付
けがなく、刊行物２及び刊行物３には、「窒素－３族元素化合物半導体発光素子に
おいて、ｐ層を正孔濃度が１×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高
キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度が１×１０１４
／cm３
以上の低キ
ャリア濃度ｐ層との２重層で形成した」が示唆されておらず、刊行物１、刊行物２
及び刊行物３を組み合わせても、ｐ層を２層にした各層の正孔濃度の下限値や高キ
ャリア濃度ｐ＋層の電極をNiとすることは導き得ず、駆動電圧がAlに比べて１／２
以下となるという優れた効果は予測し得ないので、訂正第１発明は各刊行物記載の
発明から容易に発明をすることができたものではない、と主張する。
　しかしながら、刊行物１には単体のNiをｐ＋層の電極としたGaN化合物半導体発光
素子が実質的に記載されており、「GaN系化合物半導体発光素子のｐ層を高キャリア
濃度の層とそれより低いキャリア濃度の層との２重層とすること」及び「GaN系化合
物半導体発光素子において電極と接触する層を高キャリア濃度にすること」は刊行
物２、刊行物３及び特開平４－２４２９８５号公報（乙第１号証）に記載のように
周知であり、訂正第１発明の数値限定に臨界的意義が認められず、そして、「駆動
電圧の低下」という効果は、GaN系化合物半導体発光素子のｐ層に接合する電極材料
をNiにしたことによる効果にすぎないから、訂正第１発明は、刊行物１記載の発明
及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。原告ら
の主張は失当である。
　　(2)　原告らは、刊行物２につき、GaN系半導体の正孔濃度はアクセプタ濃度と
比例しないから、他の半導体と違ってアクセプタ濃度から正孔濃度を予測すること
はできない、刊行物３の２重層（ｐ型発光層とｐ＋層）はヘテロ接合であるために
必然的になる構造である、刊行物２及び刊行物３には、「駆動電圧の低下」を目的
とした２重層の構成や２重層を構成する各層の正孔濃度の各下限値の示唆がない、
と主張する。
　しかしながら、決定が刊行物２及び刊行物３において認定する事項は「ｐ層を高
キャリア濃度のｐ＋層とそれより低いキャリア濃度ｐ層との２重層とする化合物半
導体発光素子」だけであるから、原告らの主張はこの認定と関連がない。
　特開平４－２４２９８５号公報には、「ヘテロ接合を利用する場合も、同一組成
の結晶によるｐｎ接合の場合と同様に、オーム性電極組成を容易にするため電極と
接触する部分付近のキャリア濃度は高濃度にしても良い」（【0038】）の記載が、
また、【0039】には、「ｎ型結晶のキャリア濃度はドナー不純物のドーピング濃度
により、またｐ型結晶のキャリア濃度はアクセプタ不純物のドーピング濃度及び電
子線照射処理条件により制御する。又、特にオーム性電極形成を容易にするため高
キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との接触用に更に接合してもよい。」の記載
があり、「ＧａＮ系発光素子において電極と接触する部分を高キャリア濃度とする
こと」が記載されている。
　　(3)　原告らは、Ni電極及びAl電極の接触抵抗の正孔濃度特性の測定結果によれ
ば、「１×１０１６
／cm３
以上」には臨界的意義が存在すると主張するが、その測定結
果を示す書面には作成者及び作成時期の記載がないので、客観的な実験報告とはい
えない。また、そこには測定点が４点しかなく、臨界的意義を示すとはいえない。
すなわち、原告ら主張の図１において、１×１０１６
／cm３
近傍の測定点又は１０１４
／
cm３
台の測定点を測定誤差とみなして除くと、それぞれ、残り３測定点はほぼ直線関
係を示す。また、４測定点を採用するにしても１０１５
／cm３
台に測定点がないので、
１×１０１６
／cm３
に臨界的意義があるのか不明である。さらに、接触抵抗が急減する
値は１×１０１６
／cm３
を超えたところにあり１×１０１６
／cm３
にあるわけではない。し
たがって、上記測定結果は、１×１０１６
／cm３
に臨界的意義が存在することを示すも
のではない。
　原告らは、数値限定の意義は本件明細書の【0025】及び【0026】に記載されてい
ると主張するが、【0025】及び【0026】には、低キャリア濃度ｐ層が１×１０１４
／
cm３
以下となり、又は高キャリア濃度ｐ＋層が１×１０１６
／cm３
より小さくなると、
直列抵抗が高くなりすぎて望ましくない、とする根拠につき記載がないので、臨界
的意義を示す記載ではない。
　３　取消事由３（顕著な効果の看過）に対して
　本件許明細書には従来技術として、「最近、・・・ｐｎ接合を有するGaN発光ダイ
オードが提案されている。この発光ダイオードの電極は、ｎ層がアルミニウ
ム（Al）、ｐ層が金（Au）である。」（【0003】）と記載されている。一方、甲第
８号証（SPIEVol.1361(1990)p138以下の「HighefficiencyUVandblue
emittingdevicespreparedbyMOVPEandlowenergyelectronbeamirradiation
treatment」と題する論文）における「LEEBI（低エネルギー電子線照射）処理され
たGaN：Mgへのオーミックコンタクトは、Fig.7に示されるように堆積したAuにより
達成された。」（第144頁第６行～７行）、及び「p-n接合LEDのしきい値電圧
は、GaNp-n接合のビルトイン電圧を考慮して妥当な約３Ｖである」（第147頁第７行
～８行）の記載によれば、ｐ型GaNのオーミック用電極として金（Au）を用いたとき
の駆動電圧は約３Ｖである。
　そうすると、本件明細書に従来技術として記載された「ｐ型GaNとAuとの接合」に
おいても駆動電圧は３Ｖであるということができ、したがって、駆動電圧が３Ｖに
低下したという訂正第１発明の「駆動電圧の低下」効果は、実は従来技術（ｐ型
GaNとAuとの接合）において既に達成されていた効果である。予測不可能な効果であ
るとも、異質の効果であるともいえない。
第５　当裁判所の判断
　取消事由２（相違点に関する判断の誤り）について判断する。
　１　訂正第１発明
　　(1)　甲第２号証及び第３号証によれば、本件明細書に以下の記載があることが
認められる。
　　①「本発明の目的は、窒素－３族元素化合物半導体発光ダイオードの発光輝度
を向上させること及び駆動電圧を低下させることである。」（第２頁左欄第２６～
２９行）
　②「ｐ層を、正孔濃度が１×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その
高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度が１×１０１４
／cm３
以上の低
キャリア濃度ｐ層との２重層で構成し、高キャリア濃度ｐ＋層に接合する電極をニ
ッケル（Ｎｉ）とすることにより、良好なオーミック特性を得ると共に駆動電圧が
低下した。又、駆動電圧の低下により同一電圧では注入電流を大きくすることがで
き、発光輝度が向上した。」（第２頁右欄第８行～１５行）
　　③「又、低キャリア濃度ｐ層の正孔濃度を１×１０１４
～１×１０１６
／cm３
とする
ことで、発光効率を向上させることができる。」（第２頁右欄第１６行～１８行）
　　④「又、上記低キャリア濃度ｐ層51の正孔濃度は１×１０１４
cm３
～１×１０１６
／
cm３
・・・が望ましい。正孔濃度が１×１０１４
／cm３
以下となると、直列抵抗が高く
なり過ぎるので望ましくなく、正孔濃度が１×１０１６
／cm３
以上になると、低キャリ
ア濃度ｎ層４とのマッチングが悪くなり発光効率が低下するので望ましくない。」
（第４頁左欄第９行～１５行）
　　⑤「更に、高キャリア濃度ｐ＋層52の正孔濃度は１×１０１６
／cm３
以上・・・が
望ましい。正孔濃度が１×１０１６
／cm３
より小さくなると、直列抵抗が高くなるので
望ましくない。」（第４頁左欄第１８～２１行）
　　(2)　上記記載①～⑤から、訂正第１発明は、ｐｎ接合型のGaN系発光素子の
「駆動電圧の低下」を目的とし、
　　(ｱ)　オーミック性を良好にする（正孔濃度を高くする、電極材料を選定する）
　　(ｲ)　ｐ層の直列抵抗を高くしない（正孔濃度を高くする）
　　(ｳ)　ｎ層とのマッチングを悪くしない（正孔濃度を高くし過ぎない）
ことを考慮して、ｐ層を、電極側の正孔濃度をオーミック性を良好にし直列抵抗を
高くしないように高くし、ｎ層側の正孔濃度を直列抵抗を高くしない限度において
ｎ層とのマッチングを悪くしないように低くした２重層とし、良好なオーミック性
に好適な電極材料としてＮｉを選択したものと認められる。
　２　刊行物１の記載
　　(1)　甲第４号証によれば、刊行物１に以下の記載があることが認められる。
　　①「本発明の第１の実施例を第１図に示す。・・・３はZnO層（ｎ型）１μｍで
あり、４はGaNエピタキシャル層（ｎ型）膜厚は３μｍであり、５はGaNエピタキシ
ャル層（ｐ型）膜厚１μｍ、６はAl正電極、そして７はAl負電極である。・・・こ
のようにして形成したGaN:Oエピタキシャル膜４はキャリア濃度５×１０１７
cm－３
、・・・ｐ型GaN:Znエピタキシャル膜５は、・・・キャリア濃度１×１０１７
cm－３
・・・である。」（第４頁右下欄第１０行、第５頁左上欄第４行～７行、右下欄第
５行～第１２行）
　　②「本発明の第２の実施例を第２図に示す。・・・GaN:O層１２は・・・キャリ
ア濃度４×１０１７
cm－３
の低抵抗GaN:O（０００１）発光層であり、GaN:Mg層１３
は・・・ｐ型抵抗率１０Ω･cm、キャリア濃度６×１０１６
cm－３
の低抵抗ｐ型エピタキ
シャル膜である。」（第６頁左上欄第７行、右上欄第９行～左下欄第１行）
　　③「電極形成用の金属元素としてはAlに限って説明したがその他
In、Ga、Ni、Ti、Cu、Au、Ag、Cr、Si、Ge等の単体あるいは混合金属膜のいずれも
がオーミック用電極として適用可能であることは明らかである。」（第８頁左下欄
第１１行～１５行）
　　④「第３の問題点として、・・・透明なα－Al２O３基板を光取出窓として利用
したフリップ・チップ構造の基本であるプレーナ型においてはエピタキシャル層内
面方向の電気抵抗のために素子全体としての電力損失ならびに印加電圧の増大とい
う因子を十分に除去することは出来ず、素子特性向上、特に低電圧駆動（５Ｖ以下
動作）、高輝度、高効率安定発光素子を製作するうえでは、極めて大きな問題であ
る。」（第３頁右上欄第１５行～左下欄第８行）
　　⑤「従来の第３の問題点であった、素子構造により起因する発光素子の電気的
特性（駆動電圧低減、消費電力削減、発光輝度・効率）の向上は従来素子において
不可欠であった。絶縁性サファイア基板が除去され、低抵抗ZnS基板が使用できるこ
とにより対向電極構造［第１～４図参照］の運用が可能となった。」（第４頁左下
欄第１５行～右下欄第１行）
　　⑥「このようにして形成されたｐ型GaN:Zn層５の移動度は、15cm３
/V･secとな
り、従来のサファイア上に形成されたGaN:Znに比較してアクセプタ不純物Znの活性
化率で１桁以上の向上かつ移動度は約２倍増大する。このようにして製作された
GaNpn接合型発光ダイオードは、立ち上がり電圧３Ｖ、電圧3.5Ｖ印加時の電流１０
mAなる動作条件下において発光ピーク波長480nm、発光輝度30mcdを示した。」（第
５頁右下欄第１３行～第６頁左上欄第２行）
　　(2)　上記記載①、②及び③によれば、ｐｎ接合型のGaN系発光素子について記
載され、そのｐ層に接合する金属電極の材料としてNiを適用すること、ｐ層の正孔
濃度を１×１０１７
／cm３
又は６×１０１６
／cm３
とすることが記載されていることは、明
らかである。
　また、ｐ層の正孔濃度の「１×１０１７
／cm３
又は６×１０１６
／cm３
」が訂正第１発明
の「正孔濃度が１×１０１６
／cm３
以上の高キャリア濃度ｐ＋層」に相当することも、
明らかである。
　上記記載④、⑤及び⑥によれば、刊行物１の発明は「駆動電圧の低下」を目的と
しており、目的において訂正第１発明と共通するものということができる。そし
て、上記のとおり、電極材料をNiとすること、ｐ層の正孔濃度を１×１０１７
／cm３
又
は６×１０１６
／cm３
とすることの記載からみて、刊行物１が目的とする「駆動電圧の
低下」には、訂正第１発明と同様、良好なオーミック性と低直列抵抗が寄与してい
ると認められる。
　しかし、刊行物１の「駆動電圧の低下」は、基板を従来の絶縁性サファイア基板
から低抵抗ZnS基板とし正電極及び負電極を対向電極構造とすることによって、従来
のプレーナ型におけるエピタキシャル層内面方向の電気抵抗を低減することによる
ものであり、訂正第１発明のように、電極側の正孔濃度と電極材料の選定によりオ
ーミック性を良好にし直列抵抗を高くしないようにしたことによるものではないこ
とは明らかである。
　　(3)　そうすると、刊行物１には、オーミック性と低直列抵抗による「駆動電圧
の低下」を目的とする点において共通すると認められるものの、訂正第１発明のよ
うな「ｐ層のｎ層側をｎ層とのマッチングを悪くしないよう低濃度とする」ことに
ついては開示がないというべきである。
　３　刊行物２の記載
　　(1)甲第５号証によれば、刊行物２に以下の記載があることが認められる。
　　①「本発明は、半導体発光素子に関し、特に発光層とオーミック特性の優れた
キャップ層とを有したものに関する。」（第１頁左下欄第１０行～１２行）
　　②「第１図は従来例としてGaAlAs系材料からなる半導体レーザを示し、(1)は、
ｎ型GaAs（ガリウム砒素）基板、(2)は該基板上に積層されたレーザ光を発する発光
層であり、該発光層はｎ型Ga1-xAlxAs（０＜ｘ＜１）からなる第１クラッド
層(3)、Ga1-yAlyAs（ｘ＞ｙ、０≦ｙ＜１）からなる活性層(4)、ｐ型Ga1-xAlxAsから
なる第２クラッド層(5)を順次エピタキシャル成長にて積層したものであ
る。・・・(6)は上記発光層(2)上に積層されｐ型GaAsからなるキャップ層であり、
該キャップ層は、将来斯る層上に形成される金属電極（図示せず）とのオーミック
接触を良好となすものである。通常、上記第２クラッド層(5)のキャリア濃度は約５
×１０１７
／cm３
であり、またキャップ層(6)のキャリア濃度は、５×１０１８
／cm３
以上
である。」（第１頁左下欄第１６行～右下欄第１７行）
　　③「第２図は本発明の一実施例を示し、従来例との相違は、キャップ層(6)をキ
ャリア濃度の異なる第１、第２、第３層(7)(8)(9)から構成したことである。・・・
上記第２クラッド層(5)のキャリア濃度は７～８×１０１７
／cm３
とした。また、上記
第１～第３層(7)～(9)のキャリア濃度は夫々、２～３×１０１８
／cm３
、６～７×１０
１８
／cm３
、１～1.5×１０１９
／cm３
とし・・・た。」（第２頁左上欄第１４行～右上欄
第３行）
　　④「第３図は半導体発光素子のキャップ層表面から厚み方向のキャリア濃度変
化を示す。」（第２頁右上欄第１０行、第１１行）
　　(2)　上記記載①～④によれば、キャップ層(6)及び第２クラッド層(5)はいずれ
もｐ型であること、キャリア濃度は、第１図（従来例）では「５×１０１８
／cm３
以
上」（キャップ層）及び「約５×１０１７
／cm３
」（クラッド層）であり、第２図
（実施例）では「２～３×１０１８
／cm３
、６～７×１０１８
／cm３
、１～1.5×１０１９
／
cm３
」（キャップ層）及び「７～８×１０１７
／cm３
」（第２クラッド層）であること
から、キャップ層(6)の正孔濃度が第２クラッド層(5)の正孔濃度よりも大きいこと
は、それぞれ明らかである。
　したがって、刊行物２には「ｐ層を高キャリア濃度ｐ＋層とそれより低い正孔濃
度の低キャリア濃度ｐ層との２重層とする化合物半導体発光素子」が記載されてい
るものということができるが、この２重層は、「オーミック接触を良好となす」
（刊行物２第１頁右下欄第１４行）ために電極側を高キャリア濃度とするという従
来周知の考え（甲第１２号証）によるもので、ｎ層側が低キャリア濃度となる構造
は単なるその結果にすぎないものである。また、ｎ層とのマッチングを悪くしない
ように低濃度とすることの開示もない。
　　(3)　また、刊行物２に記載の発光素子のｐ層の材料は、上記のとおりGaAlAsで
あってGaNではないのみならず、GaAlAs半導体とNi電極とのオーミック特性について
の記載もない。したがって、刊行物２に記載の発明は、「ｐ層を高キャリア濃度ｐ
＋層とそれより低い正孔濃度の低キャリア濃度ｐ層との２重層とする化合物半導体
発光素子」との構成の範囲においてGaN化合物半導体発光素子に採用することが可能
であるにとどまり、具体的な正孔濃度値までを示すものではないし、ましてや本件
発明のように、Ni電極に接合するとの構成の採用までを示すものではない。
　仮に、刊行物２の記載から何らかの正孔濃度値を採用することができるとして
も、キャップ層(6)の正孔濃度（５×１０１８
／cm３
以上（従来例）、２～３×１０１８
／
cm３
、６～７×１０１８
／cm３
、１～1.5×１０１９
／cm３
（いずれも実施例））は、訂正第
１発明の高キャリア濃度ｐ＋層の範囲内（１×１０１６
／cm３
以上）にあるものの、第
２クラッド層(5)の正孔濃度（５×１０１７
／cm３
（従来例）、７～８×１０１７
／cm３
（実施例））も訂正第１発明の高キャリア濃度ｐ＋層の範囲内にあるのであって、
低キャリア濃度ｐ層の範囲（１×１０１４
／cm３
以上（実施例の１×１０１４
～１×１０１
６
／cm３
））を予測することも困難であるというべきであり、まして第２クラッド
層(5)の下限値についての記載は、刊行物２にはないのである。
　　(4)　以上要するに、刊行物２には「ｐ層を高キャリア濃度ｐ＋層とそれより低
い正孔濃度の低キャリア濃度ｐ層との２重層とする化合物半導体発光素子」の開示
はあるものの、２重層は電極側を高濃度としたことによるものでｎ層側をｎ層との
マッチングを悪くしないように低濃度としたことによるものではなく、さらに、２
重層を構成する各層の正孔濃度の各下限値、とりわけ低濃度層の濃度範囲につき記
載がないということができる。
　４　刊行物３の記載
　　(1)　甲第６号証によれば、刊行物３に以下の記載があることが認められる。
　　①「GaNの場合も通常は発光素子としてＭＩＳ構造をとる・・・が、動作電圧が
7.5～10Ｖと高くなる欠点がある。・・・本発明はこれらの欠点を解決するため
に、・・・GaNとAlxGa1-xN（0＜ｘ≦1）とでヘテロ接合素子を形成するようにした
もので、青色領域近傍の可視光領域での高効率な発光素子を得ることを目的とす
る。」（第２頁左上欄第１行～１７行）
　　②「第４図はサファイア等の絶縁性基板上に作製したダブル・ヘテロ接合素子
の実施例の側断面図であって、３，５は実施例１で述べた絶縁性基板、オーミック
電極、９はｎ＋型AlxGa1-xN（0＜ｘ≦1）、10はｎ＋型Alx'Ga1-x'N（0＜ｘ'≦1、
ｘ'＞ｘ）、11はｎ型またはｐ型AlyGa1-yN（0＜ｙ≦1、ｘ'＞ｙ）、12はｐ＋型
Alx'Ga1-x'N（0＜ｘ'≦1）である。」（第３頁左上欄第２０行～右上欄第６行）
　　③「活性層であるｎ型またはｐ型のAlyGa1-yN（0＜ｙ≦1、ｘ'＞ｙ）」（第３
頁右上欄第１２行、第１３行）
　　④「ｎ＋型にするため、ｎ型よりもドナーを多く添加する。・・・ｐ＋型にす
るため実施例１で述べたアクセプター添加量をｐ型に比べ多くする。」（第３頁右
上欄第９行、第１７行～第１９行）
　　⑤「ｐ＋型Alx'Ga1-x'N層12とｎ＋型AlxGa1-xN層９の上に、第４図に示すよう
に、Inオーミック電極５を真空蒸着により取り付ける。」（第３頁右上欄第１９行
～左下欄第１行）。
　　(2)　上記記載①によれば、刊行物３の発明は、訂正第１発明と同様「駆動電圧
の低下」を目的とするものということができる。しかし、それは、発光層をヘテロ
接合とすることにより「駆動電圧の低下」を図るもので、訂正第１発明のような、
ｐ層の直列抵抗及びｎ層とのマッチングを考慮しつつｐ層の正孔濃度に変更を加え
て２重層構造とすることにより「駆動電圧の低下」を図るとの思想はないというべ
きである。
　　(3)　上記記載②～⑤によれば、刊行物３の発明における発光層はダブル・ヘテ
ロ接合素子であるところ、「ｎ型またはｐ型のAlyGa1-yN層11」はダブル・ヘテロ接
合の活性層であるのに対して「ｐ＋型Alx'Ga1-x'N（0＜ｘ'≦1）層12」は電荷注入
層であるから、両層は異なる作用をなす層である。したがって、「ｎ型またはｐ型
のAlyGa1-yN層11」のうち選択したｐ型層と「ｐ＋型Alx'Ga1-x'N（0＜ｘ'≦1）層
12」とを組み合わせてｐ層としても、同ｐ層を同一の作用をなす一つの層とみなす
ことはできない。そうすると、「ｐ層を高キャリア濃度ｐ＋層とそれより低い正孔
濃度の低キャリア濃度ｐ層との２重層とする化合物半導体発光素子」が記載されて
いるとは認められない。
　５　特開平４－２４２９８５号公報の記載
　乙第１号証によれば、特開平４－２４２９８５号公報に「又、特にオーム性電極
形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との接触用に更に接
合してもよい。」（第４頁左欄第４２～４４行）との記載があることが認められ
る。しかし、この記載もGaN半導体について「ｐ層を高キャリア濃度ｐ＋層とそれよ
り低い正孔濃度の低キャリア濃度ｐ層との２重層とする化合物半導体発光素子」を
開示するものの、２重層は電極側を高濃度としたことによるものでｎ層側をｎ層と
のマッチングを悪くしないように低濃度としたことによるものではなく、さらに、
２重層を構成する各層の正孔濃度の各下限値、とりわけ低濃度層の濃度範囲につい
ての記載はない。
　６　相違点に関する判断のまとめ
　以上、刊行物１には、Ni電極と高キャリア濃度のｐ層とのオーミック性を維持し
つつｎ層とのマッチングを考慮してｎ層側を低濃度にして２重層とする考えはな
い。刊行物３には２重層の記載がない。刊行物２又は特開平４－２４２９８５号公
報に記載の２重層は、いずれも電極側を高濃度とする考えに基づくもので、ｎ層側
を低濃度とする考えに基づくものではなく、訂正第１発明の低キャリア濃度ｐ層の
正孔濃度範囲に相当する範囲の開示もない。
　したがって、刊行物２又は特開平４－２４２９８５号公報に記載の２重層を刊行
物１のｐ層（正孔濃度：１×１０１７
／cm３
又は６×１０１６
／cm３
）に適用してｐ層を２
重層とすると、電極側は訂正第１発明の高キャリア濃度ｐ＋層の範囲内（１×１０１
６
／cm３
以上）になるものの、ｎ層側の正孔濃度も訂正第１発明の高キャリア濃度ｐ
＋層の範囲内のままである。刊行物１のｐ層を訂正第１発明の高濃度キャリアｐ＋
層に対応させたとしても、訂正第１発明の低キャリア濃度ｐ層の範囲（１×１０１４
／cm３
以上（実施例の１×１０１４
～１×１０１６
／cm３
））を導くことはできない。
　すなわち、高キャリア濃度ｐ＋層とそれよりも正孔濃度が高いｐ＋層との２重層
を導くことはできても、「高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度
が１×１０１４
／cm３
以上の低キャリア濃度ｐ層」を備える２重層を導くことはできな
いというべきである。
　７　被告の主張に対する判断
　　(1)　被告は、「低キャリア濃度ｐ層の正孔濃度を１×１０１４
／cm３
以上とす
る」及び「高キャリア濃度ｐ＋層の正孔濃度を１×１０１６
／cm３
以上とする」ことの
臨界的意義は認められない、と主張する。
　しかしながら、訂正第１発明と刊行物１記載の発明との間には、数値範囲の構成
上の差異以外に２重層の有無の構成の差異が存するとの相違も認められるのである
から、被告主張に係る正孔濃度に関する臨界的意義の存否をもって、刊行物１記載
の発明との対比において訂正第１発明との間の相違がないとすることはできない。
被告の上記主張は理由がない。
　　(2)　被告は、本件明細書の【0025】及び【0026】の記載は、直列抵抗が高くな
りすぎて望ましくないとするが、その根拠についての記載がないので、臨界的意義
を示す記載ではないと主張する。
　しかしながら、直列抵抗が高くなることは、刊行物１の「透明なα－Al２O３基板
を光取出窓として利用したフリップ・チップ構造の基本であるプレーナ型において
はエピタキシャル層内面方向の電気抵抗のために素子全体としての電力損失ならび
に印加電圧の増大という因子を十分に除去することは出来ず、」（甲第４号証第３
頁右上欄第２０行～左下欄第５行）との記載にもみられるように、「駆動電圧の低
下」をもたらす要因であり望ましくないことが明らかである。
　そして、訂正第１発明は「直列抵抗を考慮して低濃度層の正孔濃度を定める」こ
とに基づくのに対して、各刊行物には同事項自体の開示がないのであるから、各刊
行物との対比における訂正第１発明の進歩性の有無を判断するに際しては、正孔濃
度の下限値に対応する望ましくない直列抵抗の値までは必ずしも必要とするもので
はない。したがって、被告の主張は理由がない。
　８　そうすると、決定は、訂正第１発明の独立特許要件中進歩性の有無を判断す
るに当たり、刊行物１に記載の発明との対比において相違点に関する判断を誤った
ものであり、この誤りは、訂正第１発明の進歩性判断の結論に影響を及ぼし、ま
た、訂正第１発明の進歩性を否定したことを前提としてした訂正第２ないし第７発
明の独立特許要件の判断にも影響を及ぼすものである。そして、訂正第１ないし第
７発明の独立特許要件の判断における誤りは、本件特許を取り消すべきものとした
決定の結論に影響を及ぼすものである。
第６　結論
　以上のとおりであり、原告らの請求は認容されるべきである。
（平成１３年９月２７日口頭弁論終結）
　東京高等裁判所第１８民事部
　　　　　　　　　裁判長裁判官　　　永　　　井　　　紀　　　昭
　　　　　　　　　　　　裁判官　　　塩　　　月　　　秀　　　平
　　　　　　　　　　　　裁判官　　　古　　　城　　　春　　　実

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