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平成２４年５月３１日判決言渡
平成２３年（行ケ）第１０３４５号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２４年４月２４日
判決
原告ニッタ・ハース株式会社
訴訟代理人弁理士上羽秀敏
同松山隆夫
同坂根剛
同川上桂子
同竹添忠
被告特許庁長官
指定代理人千葉成就
同長屋陽二郎
同瀬良聡機
同田村正明
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が不服２０１１－２８６２号事件について平成２３年９月１３日にした審
決を取り消す。
第２争いのない事実
１特許庁における手続の経緯
原告は，発明の名称を「半導体研磨用組成物」とする発明について，平成１６年
３月２９日に特許出願したが（以下，「本願」といい，同出願に係る明細書を「本願
明細書」という。）（甲１），平成２２年１１月４日付けで拒絶査定がされ，平成２３
年２月８日，拒絶査定不服審判（不服２０１１－２８６２号事件）を請求した。
特許庁は，同年９月１３日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，
その謄本は同月２７日，原告に送達された。
２特許請求の範囲
本願に係る特許請求の範囲の請求項１は，以下のとおりである（以下，請求項１
に係る発明を「本願発明」という。）。
「ヒュームドシリカの水分散液であって，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリ
カ粒子の粒子数が６０万個／ｍｌ以下であり，かつ粒径１μｍ以上のヒュームドシ
リカ粒子の粒子数が６０００個／ｍｌ以下であることを特徴とする半導体研磨用組
成物。」
３審決の理由
審決の理由は，別紙審決書写しに記載のとおりであり，その要旨は次のとおりで
ある。
(1)本願発明は，本願前に頒布された刊行物である特開２００１－２７７１０６
号公報（甲２。以下「刊行物１」という。）に記載された発明（以下「引用発明」と
いう。）及び特開２００１－２７１０５８号公報（甲３。以下「刊行物２」という。）
記載の事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許
法２９条２項の規定により特許をすることができない。
(2)審決が上記判断に至る過程で認定した引用発明の内容，本願発明と引用発明
の一致点及び相違点は，以下のとおりである。
ア引用発明の内容
「ヒュームドシリカの水分散液であって，砥粒分散液５０μｌ中に含まれる０．
５μｍ以上の凝集粒子数が９１００個又は１万１３００個である半導体研磨用組成
物。」
イ一致点
「ヒュームドシリカの水分散液であって，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリ
カ粒子の粒子数が６２万個／ｍｌ未満である半導体研磨用組成物」である点。
ウ相違点
(ｱ)相違点１
粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数の上限について，本願発明
では，「６０万個／ｍｌ」であるが，引用発明では，「２２万６千個／ｍｌを超え６
２万個／ｍｌ未満」である点。
(ｲ)相違点２
粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数について，本願発明では「６
０００個／ｍｌ以下」であるのに対して，引用発明では具体的範囲が明らかでない
点。
第３当事者の主張
１取消事由に関する原告の主張
審決には，相違点１の認定の誤り（取消事由１），相違点１及び２に係る容易想到
性の判断の誤り（取消事由２）があり，その結論に影響を及ぼすから，審決は違法
であるとして取り消されるべきである。
(1)相違点１の認定の誤り（取消事由１）
審決では，引用発明における粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子
数の上限は「２２万６千個／ｍｌを超え６２万個／ｍｌ未満」であると認定した上
で，本願発明と引用発明の相違点は，「粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子
の粒子数の上限について，本願発明では，『６０万個／ｍｌ』であるが，引用発明で
は，『２２万６千個／ｍｌを超え６２万個／ｍｌ未満』である点。」であると認定し
ている（相違点１）。しかし，以下のとおり，この認定には誤りがある。
刊行物１において，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数が記載
されているのは，実施例１，２及び４であり，上記実施例における粒径０．５μｍ
以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数は，実施例１において９１００個／５０μｌ
（＝１８万２０００個／ｍｌ），実施例２において１万１３００個／５０μｌ（＝２
２万６０００個／ｍｌ），実施例４において１万４０００個／５０μｌ（＝２８万個
／ｍｌ）である。そして，刊行物１には，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ
粒子の粒子数が２８万個／ｍｌを超える実施例は，記載されていない。また，上記
実施例のうち，スクラッチの低減に効果があると記載されているのは，粒径０．５
μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数が２８万個／ｍｌのものだけである。
したがって，引用発明における粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒
子数の上限は，「２８万個／ｍｌ」である。
(2)相違点１及び２に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由２）
ア相違点２に関し，課題解決のために複数の手段を重畳的に採用することの困
難性についての判断の誤り（取消事由２の１）
(ｱ)引用発明は，高圧ホモジナイザーによってヒュームドシリカを分散させるこ
とを特徴とし（刊行物１の請求項１参照），刊行物１の実施例１，４では，高圧ホモ
ジナイザーによってヒュームドシリカを分散させるときの圧力は７０ＭＰａである。
刊行物２記載の発明も，高圧ホモジナイザーによってヒュームドシリカを分散させ
ることを特徴とし（刊行物２の請求項１参照），刊行物２のスラリー４では，高圧ホ
モジナイザーによってヒュームドシリカを分散させるときの圧力は１５００ｋｇ／
ｃｍ２
（約１５０ＭＰａ）である。
前記のとおり，刊行物１の実施例１における粒径０．５μｍ以上のヒュームドシ
リカ粒子の粒子数は１８万２０００個／ｍｌであり，実施例４における上記粒子数
は２８万個／ｍｌである。一方，刊行物２のスラリー４における粒径１．０μｍ以
上のヒュームドシリカ粒子の粒子数は，約２万個／０．５ｍｌ（＝約４万個／ｍｌ）
である。
(ｲ)刊行物１記載の方法によって製造された砥粒分散液と刊行物２記載の方法
によって製造されたスラリーとを混合した場合，粒径０．５μｍ以上のヒュームド
シリカ粒子及び粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子が新たに凝集するため，
混合後の砥粒分散液における粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子及び粒径
１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の各粒子数は，それぞれ，混合前の砥粒分
散液における粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子及び粒径１．０μｍ以上
のヒュームドシリカ粒子の各粒子数とは異なる。
(ｳ)また，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子と粒径１．０μｍ以上の
ヒュームドシリカ粒子の各粒子数とが所望の粒子数になるように高圧ホモジナイザ
ーによってヒュームドシリカを分散させる場合，高圧ホモジナイザーによってヒュ
ームドシリカを分散させるときの圧力は，刊行物１と刊行物２に記載されている７
０ＭＰａ又は１５０ＭＰａとすることとなる。そして，上記圧力を７０ＭＰａとし
た場合，この圧力は刊行物２に記載されている１５０ＭＰａよりも低く，圧力が低
くなれば凝集粒子数が増加するため，粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子
の粒子数は約４万個／ｍｌよりも多くなる。一方，上記圧力を１５０ＭＰａとした
場合，この圧力は刊行物１に記載されている７０ＭＰａよりも高く，圧力が高くな
れば凝集粒子数が減少するため，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒
子数は１８万２０００個／ｍｌ又は２８万個／ｍｌよりも少なくなる。
(ｴ)このように，刊行物２に記載された事項を引用発明に適用するだけでは，本
願発明におけるように，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数が６
０万個／ｍｌ以下であり，粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数が
６０００個／ｍｌ以下である半導体研磨用組成物を得ることはできない。したがっ
て，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子及び粒径１．０μｍ以上のヒュー
ムドシリカ粒子の各粒子数を本願発明のように制限するには，格別の創意が必要で
あり，これを容易想到であると判断した審決には誤りがある。
イ相違点１及び２の臨界的意義についての判断の誤り（取消事由２の２）
本願発明において，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数を６０
万個／ｍｌ以下としたことに臨界的意義，顕著な効果はなく，粒径１．０μｍ以上
のヒュームドシリカ粒子の粒子数を６０００個／ｍｌ以下に限定したことに臨界的
効果はないとした審決の判断には，以下のとおり誤りがある。
(ｱ)別紙図１は，本願明細書の表１に示す粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリ
カ粒子の粒子数と径０．２μｍ以上の研磨傷数との関係を示すグラフであり，直線
ｋ１は，本願明細書の実施例１，２における上記の関係を，直線ｋ２は，本願明細
書の比較例１における上記の関係を示している。
別紙図２は，本願明細書の表１に示す粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒
子の粒子数と径０．２μｍ以上の研磨傷数との関係を示すグラフであり，直線ｋ３
は，本願明細書の実施例１，２における上記の関係を，直線ｋ４は，本願明細書の
比較例１における上記の関係を示している。
なお，別紙図３は別紙図１のグラフに，別紙図４は別紙図２のグラフに，いずれ
も“＊”によって示される実験結果を追加したものであり，“＊”によって示される
実験結果は，比較例１に関する実験結果である。別紙図３及び別紙図４が示すよう
に，“＊”によって示される実験結果は，直線ｋ２上及び直線ｋ４上に位置する。
別紙図１及び別紙図３に示されるように，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリ
カ粒子の粒子数が８２万４６８８個／ｍｌから減少した場合，６９万９５７４個／
ｍｌと５４万８６５２個／ｍｌとの間，すなわち６０万個／ｍｌ辺りに，研磨傷数
が大幅に減少する変曲点が存在する。つまり，直線ｋ１によって得られる研磨傷数
は，当業者が予測可能な研磨傷数の範囲を超えて大幅に減少しており，顕著な効果
が得られる。したがって，本願発明において，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシ
リカ粒子の粒子数を６０万個／ｍｌ以下と特定したことに臨界的意義が存在する。
また，別紙図２及び別紙図４に示されるように，粒径１．０μｍ以上のヒューム
ドシリカ粒子の粒子数が８７１０個／ｍｌから減少した場合，７０００個／ｍｌと
５５４８個／ｍｌとの間，すなわち６０００個／ｍｌ辺りに，研磨傷数が大幅に減
少する変曲点が存在する。つまり，直線ｋ３によって得られる研磨傷数は，当業者
が予測可能な研磨傷数の範囲を超えて大幅に減少しており，顕著な効果が得られる。
したがって，本願発明において，粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒
子数を６０００個／ｍｌ以下と特定したことに臨界的意義が存在する。
(ｲ)別紙図５は，粒子数に対する研磨傷数の増加割合と，粒径０．５μｍ以上の
ヒュームドシリカ粒子の粒子数との関係を示すグラフであり，別紙図６は，別紙図
５に示す点線で囲った領域の拡大図である。また，別紙図７は，粒子数に対する研
磨傷数の増加割合と，粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数との関
係を示すグラフであり，別紙図８は，別紙図７に示す点線で囲った領域の拡大図で
ある。別紙表Ａは，別紙図５及び別紙図６のグラフの基となったデータであり，別
紙表Ｂは，別紙図７及び別紙図８のグラフの基となったデータである。
別紙図５及び別紙図６によると，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子
の粒子数と研磨傷数との相関関係を検討すると，粒子数が８２万４６８８個／ｍ
ｌと９１万１６４２個／ｍｌとの間及び５４万８６５２個／ｍｌと６９万９５７４
個／ｍｌとの間に，変曲点が存在する。
また，別紙図７及び別紙図８によると，粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ
粒子の粒子数と研磨傷数との相関関係を検討すると，粒子数が８７１０個／ｍｌと
１万１６３８個／ｍｌとの間及び５５４８個／ｍｌと７０００個／ｍｌとの間に，
変曲点が存在する。
本願発明は，研磨傷数を著しく少なくできるという理由から，粒径０．５μ
ｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数については，５４万８６５２個／ｍｌ
と６９万９５７４個／ｍｌとの間に存在する変曲点に注目し，また，粒径１．
０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数については，５５４８個／ｍｌと
７０００個／ｍｌとの間に存在する変曲点に注目してなされたものである。以
上のとおり，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数を６０万個
／ｍｌ以下と特定したこと，及び粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子
の粒子数を６０００個／ｍｌ以下と特定したことに，臨界的意義が存在する。
(ｳ)本願明細書の段落【００２６】【００２７】【００７９】の記載によれば，本
願発明は，粒子数と研磨傷数との相関関係に着目した発明であるといえる。また，
本願明細書の表１には粒子数及び研磨傷数に関するデータが記載されているので，
当業者は，表１を参酌すれば，技術的意義を理解するために，通常，粒子数と研磨
傷数との相関関係に着目する。
２被告の反論
(1)相違点１の認定の誤り（取消事由１）に対して
刊行物１において，砥粒がヒュームドシリカ，ｐＨが１１である実施例１及び２
における粒径０．５μｍ以上の粒子の数は「１８万２０００個／ｍｌ，２２万６０
００個／ｍｌ」であり，実施例１及び２と，砥粒，ｐＨが同じである比較例１にお
ける粒径０．５μｍ以上の粒子の数は「６２万個／ｍｌ」である。
そうすると，刊行物１の記載及び当業者の技術常識から，粒子数の望ましい範囲
の限界が，実施例２（２２万６０００個／ｍｌ）と比較例１（６２万個／ｍｌ）と
の間であることは明らかであり，引用発明における粒径０．５μｍ以上のヒューム
ドシリカ粒子の粒子数の上限は，「２２万６０００個／ｍｌを超え６２万個／ｍｌ未
満」にあるといえる。したがって，審決の相違点１の認定に誤りはない。
なお，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数は，引用発明におい
ては「１８万２０００個／ｍｌ」，「２２万６０００個／ｍｌ」であり，本願発明で
は「６０万個／ｍｌ以下」であるから，両者は「１８万２０００個／ｍｌ」，「２２
万６０００個／ｍｌ」である点で一致し，「６０万個／ｍｌ以下」である点で，実質
的に相違しないといえる。
(2)相違点１及び２に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由２）に対して
ア相違点２に関し，課題解決のために複数の手段を重畳的に採用することの困
難性についての判断の誤り（取消事由２の１）に対して
(ｱ)本願発明が相違点２に係る構成を有することの技術的意義は，粒径１．０μ
ｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数を６０００個／ｍl以下とすることで半導
体デバイス表面における研磨傷の発生を抑制する点にあるところ，このような技術
思想については，刊行物２に開示がある。そうすると，引用発明において，半導体
デバイス表面における研磨傷の発生を抑制しようとするに当たり，刊行物２に接し
た当業者が，１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子に着目してその粒子数を適切
な範囲に抑える（その粒子数の上限値を適宜設定する）ことに，格別の困難性はな
い。
(ｲ)原告は，刊行物１記載の砥粒分散液（スラリー）に刊行物２記載の砥粒分散
液を単に適用しただけでは，本願発明の条件を満たす砥粒分散液を製造することは
できず，ヒュームドシリカの粒子径・粒子数を本願発明のように制限するには，格
別の創意が必要であると主張する。
しかし，原告の主張は，以下のとおり理由がない。
本願発明はヒュームドシリカの粒子径・粒子数を特定した半導体研磨用組成物に
関する発明であって，そのような条件の組成物を製造する方法に関する発明ではな
い。また，本願明細書には，本願発明における半導体研磨用組成物を得る方法とし
て，粒子捕集フィルターを用いた分級と所定の濃度への希釈というありふれた方法
が示されているだけで，格別の創意を有する製造方法は示されていない。
そして，引用発明も刊行物２記載の技術事項も，スクラッチの発生の低減・防止
を目的とするものであり，引用発明は粒径０．５μｍ以上の，刊行物２記載の技術
事項は粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数に着目したものである
ところ，同一の課題を解決するに当たり，複数の解決手段に接した当業者が，より
良い課題解決のために，これら複数の解決手段を重畳的に用いることを試みること
は，本願時において普通に行われている。
なお，本願明細書には，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子及び粒径１．
０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子が共に数値範囲を満足することにより，相乗的
効果が生じる旨の記載はない。
したがって，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数の制限と粒径
１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数の制限を重畳的に採用することに，
格別の困難性はない。
イ相違点１及び２の臨界的意義についての判断の誤り（取消事由２の２）に対
して
本願明細書には，本願発明の効果に関して，研磨傷の絶対的個数についての記載
があるにとどまり，原告主張のように，粒子数と研磨傷数との相関関係に着目した
と解される記載はない。
本願明細書は，大径の粒子が多いほど研磨傷数も多くなるという当業者にとって
常識的なデータを開示しているにすぎず，本願発明の臨界的意義や格別な効果があ
ることを示していない。
また，原告主張のように，粒子数と研磨傷数との相関関係に着目したとしても，
別紙図１ないし別紙図４は，本願明細書の実施例１及び２並びに比較例１のみを採
用して描かれたものであり，比較例２及び４を無視している。本願明細書の表１に
おけるヒュームドシリカ粒子の粒子数と研磨傷数との関係を，比較例２及び４のデ
ータを含めてグラフ化すると，別紙図Ａ，別紙図Ｂのとおりであり，粒子数と研磨
傷数の間に，大径の粒子が多いほど研磨傷数も多くなるという常識的なデータが認
められるにすぎず，粒子数６０万個又は６０００個辺りに段差又は変曲点は存在し
ない。
したがって，本願発明においてヒュームドシリカ粒子の粒子数を特定したことに
は，臨界的意義はない。
第４当裁判所の判断
当裁判所は，審決の相違点１の認定内容に誤りはあるものの，同認定の誤りは審
決の結論に影響を与えるものではないから，原告の取消請求は理由がないと判断す
る。その理由は，以下のとおりである。
１相違点１の認定の誤り（取消事由１）について
(1)事実認定（刊行物１の記載）
審決が認定した引用発明の内容は，第２の３(2)ア記載のとおりである。
刊行物１（発明の名称を「研磨方法及び研磨装置」とする特許発明の公開特許公
報）には，以下の記載がある（甲２）。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】砥粒分散液を研磨装置に供給しながら被研磨面を研磨する方法にお
いて，上記砥粒分散液を高圧ホモジナイザー及び／又は超音波ホモジナイザーによ
り分散処理した後，直ちに研磨装置に供給することを特徴とする研磨方法。
【請求項２】砥粒がヒュームドシリカである請求項１記載の研磨方法。」
「【０００２】
【従来の技術】シリコンに代表される半導体ウェハの研磨やＩＣ製造工程中での
絶縁膜や金属膜の研磨，或いはガラス基板や各種セラミックスの研磨には，研磨剤
として砥粒分散液が一般に使用されている。」
「【０００４】このような砥粒分散液は，輸送中や保管中などにおいて，分散して
含まれる砥粒が液中で経時的に凝集して凝集粒子が生成したり，砥粒分散液の容器
や配管の壁面での乾燥により砥粒が凝集粒子となって混入する現象が起こり易く，
研磨時の被研磨面におけるスクラッチ（研磨傷）の発生原因の一つとなっていた。」
「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従って，本発明の目的は，上記の種々の原因に
より生成した砥粒分散液中の凝集粒子を，該凝集粒子の量等を問わず確実に除去し，
これを使用して得られる研磨面におけるスクラッチの発生を効果的に防止できる研
磨方法を提供することにある。」
「【００１７】上記溶媒としては，水が一般的である。」
「【００５５】
【発明の効果】以上の説明により理解されるように，砥粒分散液を研磨装置に供
給しながら被研磨面を研磨する本発明の研磨方法において，該砥粒分散液を高圧ホ
モジナイザー及び／又は超音波ホモジナイザーによって分散処理し，直ちに該研磨
装置に供給する，本発明の研磨方法によれば，砥粒分散液中に存在する砥粒の凝集
粒子の量を確実に低減させることができるので，研磨の安定性が高く，スクラッチ
の発生を極めて効果的に抑えることが可能である。」
「【００５７】
【実施例】以下，本発明の実施例を挙げて具体的に説明するが，本発明はこれら
の実施例に何ら制限されるものではない。」
「【００６０】２．粗粒子濃度
・・・凝集粒子濃度は，シリカ濃度１．５重量％に純水で希釈した砥粒分散液５０
μｌ中に含まれる０．５μｍ以上の凝集粒子の個数と定義した。」
「【００６８】実施例１
比表面積が９０ｍ２
／ｇのヒュームドシリカを固形分濃度が１３重量％になるよ
うに純水と混合すると共に，ｐＨが１１になるようにアンモニア水を加えて分散処
理することによって砥粒分散液を調製した。
【００６９】上記の砥粒分散液を数週間貯蔵後，その一部を高圧ホモジナイザ
ー・・・を用いて分散処理し，そのまま研磨試験に供した。」
「【００７２】比較例１
実施例１において，分散機による砥粒分散液の分散処理を，タービンステーター
型のホモジナイザー・・・による約２０分間の処理に代えた以外は同様にして研磨
試験を行った。」
「【００７５】実施例２
実施例１において，高圧ホモジナイザーによる分散処理に代えて，超音波ホモジ
ナイザー・・・による分散処理を施し，分散処理後そのまま研磨試験に供した。」
段落【００７８】の【表１】の「凝集粒子数（個）」の欄の記載
実施例１：９，１００
比較例１：３１，０００
実施例２：１１，３００
「【００９４】実施例４
比表面積が２００ｍ２
／ｇのヒュームドシリカを７重量％，シュウ酸アンモニウ
ムを０．７重量％含む砥粒分散液を，アンモニア水を用いてｐＨを７に調整した。
上記の砥粒分散液を実施例１と同様の高圧ホモジナイザーを用いて，同条件で分散
処理し，金属用砥粒分散液を調整した。」
段落【０１０４】の【表４】の「凝集粒子数（個）」欄の記載
実施例４：１４，０００
「【０１０５】上記表４の結果について，研磨後の銅板の表面を光学顕微鏡で観察
したところ，砥粒分散液が製造直後のもの（参考例）や高圧ホモジナイザーで処理
した直後のもの（実施例４）はスクラッチの発生は認められなかった。」
(2)相違点１の認定
上記記載によれば，刊行物１には，ヒュームドシリカの水分散液である半導体研
磨用組成物のうち，砥粒分散液５０μｌ中に含まれる０．５μｍ以上の凝集粒子数
が，それぞれ，実施例１では９１００個（＝１８万２０００個／ｍｌ），実施例２で
は１万１３００個（＝２２万６０００個／ｍｌ），及び実施例４では１万４０００個
（＝２８万個／ｍｌ）である半導体研磨用組成物が開示されている。そうすると，
本願発明と引用発明とは，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数に
ついて，本願発明では「６０万個／ｍｌ以下」であるのに対して，引用発明では，
「１８万２０００個／ｍｌ，２２万６０００個／ｍｌ又は２８万個／ｍｌ」である
点において相違すると認定されるべきである。
なお，刊行物１における比較例１として，「砥粒分散液５０μｌ中に含まれる０．
５μｍ以上の凝集粒子数が３万１０００個（＝６２万個／ｍｌ）である半導体研磨
用組成物」が記載されているが，刊行物１中の上記比較例の記載から直ちに，刊行
物１において，０．５μｍ以上の凝集粒子数の「上限」が「６２万個／ｍｌ未満」
であるとの技術が開示されていると認定することはできない。
(3)小括
以上のとおり，本願発明と引用発明との間の，粒径０．５μｍ以上のヒュームド
シリカ粒子の粒子数に関する相違点は，「本願発明では『６０万個／ｍｌ以下』であ
るのに対して，引用発明では，『１８万２０００個／ｍｌ，２２万６０００個／ｍｌ
又は２８万個／ｍｌ』である点。」と認定されるべきであり，審決が，これを超えて，
「粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数の上限について，本願発明
では，『６０万個／ｍｌ』であるが，引用発明では，『２２万６千個／ｍｌを超え６
２万個／ｍｌ未満』である点。」と認定したことには，その限りにおいて，誤りがあ
る。
２相違点１及び２に係る容易想到性の判断の誤り（取消事由２）について
そこで，以下，本願発明と引用発明との間の，粒径０．５μｍ以上のヒュームド
シリカ粒子の粒子数に関する相違点１が，当裁判所の認定した限度であることを前
提として，相違点１及び２に係る構成に関する容易想到性の有無について判断する。
(1)事実認定
ア本願明細書の記載
本願明細書には，以下の記載がある（甲１）。
「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】本発明は，半導体研磨用組成物に関する。」
「【０００４】研磨用組成物は，研磨剤を分散させた水性スラリーであり，ウエハ
の被研磨面に形成される膜の材質などに応じて，種々の研磨剤の中から適当なもの
が選択される。その中でも，コロイダルシリカ，ヒュームドシリカなどのシリカ系
研磨剤が汎用される・・・。」
「【０００６】・・・ヒュームドシリカは，水中での分散性が不充分である。した
がって，ヒュームドシリカの水分散液である研磨用組成物は，ＣＭＰ工程に供給す
る際の配管負荷（配管内壁への衝突など），供給ポンプの負荷（供給ポンプによる圧
力負荷など），加圧ヘッドの負荷（加圧ヘッドによる圧力負荷など），輸送時の環境
条件などの外的負荷によって，ヒュームドシリカの凝集が起こり易い。さらに，長
期保存時にもヒュームドシリカが凝集し易い。凝集により大粒化したヒュームドシ
リカは，ウエハに研磨傷を多数発生させる。このような研磨傷は，ウエハの電気接
続的な信頼性を損なうものであり，特にウエハ一枚当たりの径０．２μｍ以上の研
磨傷数が１００個を超える場合，そのウエハは不良品になり，研磨工程における歩
留まりが低下する。」
「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】本発明の目的は，ヒュームドシリカの水分散液であって，ウエハな
どの半導体デバイスを，研磨傷を発生させることなく，高い研磨速度で効率良く研
磨することができる半導体研磨用組成物を提供することである。」
「【発明の効果】
【００２０】本発明によれば，ヒュームドシリカの水分散液であって，粒径０．
５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数が６０万個／ｍｌ以下であり，かつ粒
径１μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数が６０００個／ｍｌ以下である，半
導体研磨用組成物（以後特に断らない限り単に「研磨用組成物」と称す）が提供さ
れる。
【００２１】本発明の研磨用組成物は，外的負荷および／または長期保存による
ヒュームドシリカの凝集が極めて少ない。したがって，該研磨用組成物を用いて半
導体デバイスを研磨すると，半導体デバイスに研磨傷をほとんど発生させることが
なく，半導体デバイスの研磨後の電気接続的な信頼性を一層向上させることができ
る。しかも，高い研磨速度で，効率良く，半導体デバイスの研磨（平坦化）を行う
ことができる。よって，研磨後の半導体デバイスの歩留りを向上させ，生産効率を
高めることができる。」
「【００２７】粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数が６０万個／
ｍｌを超えるか，または，粒径１μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数が６０
００個／ｍｌを超えると，半導体デバイス表面に多数の研磨傷を発生させる原因に
なる。」
「【００７７】
【表１】
（判決注：粒子数は１ｍｌ当たりの粒子数に換算したものであり，研磨傷数は，半
導体ウエハ１枚当たりの研磨傷数である。）」
「【００７９】表１から，実施例１～２の研磨用組成物は，径０．２μｍ以上の大
きさの研磨傷は５０個に満たないのに対し，比較例１～４のものは１００個を大幅
に超える研磨傷が発生するのが明らかである。ウエハの電気接続的な信頼性の確保
を目的とし，径０．２μｍ以上の研磨傷が１００個未満であることが求められてい
るので，実施例１～２の組成物を用いれば，従来に比べ，研磨傷の発生数を著しく
少なくでき，顕著に優れた平坦化性能を有する，優れた研磨用組成物であることが
明らかである。」
イ刊行物２の記載
刊行物２は，発明の名称を「研磨スラリーの製造方法」とする特許発明の公開特
許公報である。刊行物２には，以下の記載がある。（甲３）
「【特許請求の範囲】
【請求項１】砥粒が水系媒体中に分散された砥粒の水性分散体を，高圧ホモジナ
イザーで分散処理する工程と，得られた砥粒の水性分散体に増粘剤を添加混合する
工程と，を包含する研磨スラリーの製造方法。」
「【請求項６】シリカ粒子が水系媒体中に分散されたシリカの水性分散体であって，
０．５ｍｌの水性分散体中における，１μｍ以上の粒径を有するシリカ粒子が０～
１００，０００個であり，２μｍ以上の粒径を有するシリカ粒子が０～３，０００
個であり，３μｍ以上の粒径を有するシリカ粒子が０～１,０００個であり，５μｍ
以上の粒径を有するシリカ粒子が０～５００個であり，１０μｍ以上の粒径を有す
るシリカ粒子が０～１００個であり，増粘剤を０．００１～１重量％含有する研磨
スラリー。」
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体，電子部品の製造工程で使用する研
磨スラリーの製造方法に関するものである。」
「【０００４】従来，半導体ウエハの研磨スラリーには，不純物がきわめて少ない
高純度な原料として，例えば，ヒュームド法のような気相法で合成したシリカ粒子
が用いられている。しかし，ヒュームド法によるシリカ粒子は，二次凝集が激しく，
ヒュームド法シリカの研磨スラリーを製造する場合，水中で凝集体を破壊，解砕す
る必要がある。凝集体の破壊が不十分であると，保管中に研磨スラリーが増粘した
り，研磨後にウエハ表面上にスクラッチ等を生じる等の欠点がある。」
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこれらの課題を解決するためになされ
たもので，ＣＭＰ研磨後，ウエハ表面のスクラッチを低減できる研磨スラリーと研
磨スラリーの製造方法を提供する事を目的としている。」
「【００１７】また，本発明で好ましく使用されるシリカ粒子は，通常，乾式法，
湿式法，ゾル－ゲル法等で製造されたシリカ粒子があげられ，中でも乾式法の中の
一つであるヒュームド法シリカの粒子が高純度である点で好ましい。分散に供する
シリカ粒子は一般に粉体であり，小さな粒子（一次粒子）の凝集体（二次粒子）と
して存在している。この一次粒子の平均粒子径は通常０．００５～１μｍである。」
「【００４１】上記範囲を外れる場合には，ウエハ表面へのスクラッチが大きくな
る傾向にある。」
「【００６２】・・・この結果から，新規分散方法により作成したスラリーにおい
て，かなりの欠陥の減少が見られた。このことは，上記の粒子個数の結果からも裏
付けされる。本発明の方法による粗大粒子の減少が，欠陥の減少をもたらしたと考
える。また，増粘剤に関しても，添加量が増えるにして欠陥が減少している。」
「【００６４】
【発明の効果】本発明によれば，擬集粗大粒が原因で起こすスクラッチの発生が
ない研磨スラリーを提供することができる。得られた研磨スラリーは，例えば半導
体ウエハ表面の研磨用に使用することができる。」
(2)相違点２に関し，課題解決のために複数の手段を重畳的に採用することの困
難性についての判断の誤り（取消事由２の１）について
ア引用発明に刊行物２に開示された発明を組み合わせて，本願発明の相違点２
に係る構成に至ることは，当業者が容易になし得ることであると解する。その理由
は，以下のとおりである。
本願明細書の記載によると，本願発明は，ヒュームドシリカの水分散液である半
導体研磨用組成物において，凝集により大粒化したヒュームドシリカ粒子により半
導体デバイスに研磨傷が発生するのを防止するという課題を解決するため，粒径０．
５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数を６０万個／ｍｌ以下とし，かつ粒径
１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数を６０００個／ｍｌ以下とする発
明である。
前記の刊行物１の記載によると，引用発明における解決課題は，ヒュームドシリ
カの水分散液である半導体研磨用組成物において，水分散液中の凝集粒子を除去し
て，研磨面におけるスクラッチの発生を防止することであり，その課題解決方法と
して，砥粒分散液を高圧ホモジナイザー及び／又は超音波ホモジナイザーにより分
散処理した後，直ちに研磨装置に供給することにより，砥粒分散液中に含まれる０．
５μｍ以上の凝集粒子数を１８万２０００個／ｍｌ，２２万６０００個／ｍｌ又は
２８万個／ｍｌとする発明である。
また，刊行物２には，ヒュームドシリカの水性分散体である半導体研磨用組成物
において，凝集粗大粒子が原因であるスクラッチの発生を低減させるとの課題を解
決するために，ヒュームドシリカの水性分散体における１．０μｍ以上の粒径を有
するヒュームドシリカに着目して，ヒュームドシリカの水性分散体を高圧ホモジナ
イザーで分散処理等することにより，０．５ｍｌの水性分散体中における，１．０
μｍ以上の粒径を有するヒュームドシリカ粒子を１０万個以下とする発明が開示さ
れている。
上記のとおり，引用発明及び刊行物２に記載された発明は，本願発明と同様に，
半導体研磨用のヒュームドシリカの水分散液において，凝集粒子が原因で発生する
スクラッチを低減させることを解決課題としたものであり，解決課題において共通
する。引用発明に接した当業者が，引用発明における，ヒュームドシリカの水分散
液中の０．５μｍ以上の粒径を有するヒュームドシリカの凝集粒子を適宜選択した
範囲の個数とし，かつ，スクラッチの発生をより確実に防止するために，刊行物２
に開示された発明を組み合わせ，ヒュームドシリカの水分散液中の１．０μｍ以上
の粒径を有するヒュームドシリカに着目して，その凝集粒子数を適宜選択した範囲
の個数とすることに，困難な点はない。
イ原告の主張に対して
原告は，①刊行物１記載の方法によって製造された砥粒分散液と刊行物２記載の
方法によって製造されたスラリーとを混合した場合，粒径０．５μｍ以上のヒュー
ムドシリカ粒子及び粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子が新たに凝集し，
混合前の粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子及び粒径１．０μｍ以上のヒ
ュームドシリカ粒子とは粒子数が異なってしまうこと，②刊行物１と刊行物２とで
は，ヒュームドシリカを分散させるときの高圧ホモジナイザーの圧力が異なるため，
どちらの圧力で分散させるとしても，刊行物１又は刊行物２に記載された実施例と
はヒュームドシリカ粒子数が異なってしまうことから，刊行物２に記載された事項
を引用発明に適用するだけでは，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子及び
粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の各粒子数を本願発明の範囲内とする
ことは容易ではないと主張する。
しかし，本願発明は，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子及び粒径１．
０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の各粒子数を一定の範囲内とする半導体研磨用
組成物についての製造方法の発明ではなく，物の発明である。粒子数を一定の範囲
内とする方法は，上記①（混合）や②（高圧ホモジナイザーによる分散）に限られ
ず，分級や加水による希釈などの周知技術も採用し得るのであり（乙１ないし４），
これらの手段を適用することによって，粒子数を一定の範囲内とすることは可能で
あるから，半導体研磨用組成物の製造方法が容易でないことを理由に，本願発明が
容易でないとする原告の主張は，主張自体失当である。
(3)相違点１及び２の臨界的意義についての判断の誤り（取消事由２の２）につ
いて
ア相違点１について
前記のとおり，引用発明では，ヒュームドシリカの水散液中の０．５μｍ以上の
凝集粒子数が，１８万２０００個／ｍｌ，２２万６０００個／ｍｌ，又は２８万個
／ｍｌである実施例の開示がされ，これらはいずれも本願発明における粒径０．５
μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数である「６０万個／ｍｌ以下」に該当す
る。さらに，本願明細書の記載からは，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒
子の粒子数として「６０万個／ｍｌ以下」の数値を採用したことに格別な技術的意
義があるとは認められない。したがって，引用発明に接した当業者が，本願発明の
相違点１に係る構成を採用することは容易であると認められる。
イ相違点２について
本願明細書，刊行物１及び刊行物２の前記各記載によると，ヒュームドシリカの
水分散液である半導体研磨用組成物において，ヒュームドシリカの凝集粒子が少な
いほど，研磨面におけるスクラッチを低減させることができるということは，本願
時において，当業者の技術常識であったと認められる。さらに，本願明細書からは，
粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数として「６０００個／ｍｌ以
下」の数値を採用したことに格別な技術的意義があるとは認められない。
したがって，刊行物１及び刊行物２に接した当業者が，引用発明に刊行物２に開
示された発明を組み合わせた上で，１．０μｍ以上の粒径を有するヒュームドシリ
カ粒子の粒子数を，刊行物２では，０．５ｍｌの水性分散体中に１０万個以下とな
っているところ，スクラッチの発生をより低減させるため，さらにその粒子数を減
少させて，本願発明の相違点２に係る構成である６０００個／ｍｌ以下とすること
は，容易であると認められる。
ウ原告の主張に対して
(ｱ)原告は，別紙図１及び別紙図３から，本願発明において，粒径０．５μｍ以
上のヒュームドシリカ粒子の粒子数を６０万個／ｍｌ以下と特定したことによる臨
界的意義が，また，別紙図２及び別紙図４から，本願発明において，粒径１．０μ
ｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数を６０００個／ｍｌ以下と特定したことに
よる臨界的意義が，それぞれ存在するといえる旨主張する。
しかし，原告の主張は，以下のとおり理由がない。
すなわち，本願明細書の表１には，実施例１及び２並びに比較例１，２及び４に
ついての実験結果の数値が記載され，また，表１には，粒径０．５μｍ以上のヒュ
ームドシリカ粒子及び粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の各粒子数の増
加に伴って，径０．２μｍ以上の研磨傷も増加することが示されている。しかし，
同表から，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子については粒子数を６０万
個／ｍｌ以下とすること，粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子については
粒子数を６０００個／ｍｌ以下とすることに，臨界的意義を見いだすことはできな
い。本願明細書の段落【０００６】には，ウエハ一枚当たりの径０．２μｍ以上の
研磨傷数は１００個を超えないことが要求されるという趣旨の記載があるが，表１
によると，粒径０．５μｍ以上のヒュームドシリカ粒子については粒子数８２万４
６８８個／ｍｌ，粒径１．０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子については粒子数８
７１０個／ｍｌの場合（比較例１の２回目）でも，径０．２μｍ以上の研磨傷数は
１００個未満であり，上記の要求が満たされている（この点に関し，本件明細書の
段落【００７９】の記載には誤りがあると解される。）。
また，別紙図１ないし別紙図４は，測定結果に基づき，ヒュームドシリカ粒子の
粒子数と研磨傷数（個数）との関係を図示したものである。同各図によれば，直線
ｋ１と直線ｋ２とは，一方が他方の延長線上に存在するように表記されてはいない
（直線ｋ３と直線ｋ４も同様である。）。しかし，そのようなデータが示されていた
からといって，原告主張のように，ヒュームドシリカ粒子の粒子数が「６０万個／
ｍｌ」ないし「６０００個／ｍｌ」を境にして，同個数以下になると，当業者の予
測可能な範囲を超えて，研磨傷数（個数）が大幅に減少するとの事実を認めること
はできない。また，直線ｋ１とｋ３は，実施例についての４個の測定値，直線ｋ２
とｋ４は，比較例についての２又は３個の測定値に基づいて表記したものにすぎな
いこと，並びに比較例２及び４の測定値も取り込んでグラフにした別紙図Ａ及び別
紙図Ｂも斟酌すると，原告主張に係るヒュームドシリカ粒子の粒子数における「６
０万個／ｍｌ」ないし「６０００個／ｍｌ」の値に臨界的意義を認めることはでき
ない。
(ｲ)さらに，原告は，粒子数に対する研磨傷数の増加割合と粒子数との関係を示
したグラフである別紙図５ないし別紙図８を根拠として，粒径０．５μｍ以上のヒ
ュームドシリカ粒子の粒子数を６０万個／ｍｌ以下と特定したこと，及び粒径１．
０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数を６０００個／ｍｌ以下と特定したこ
とによる臨界的意義が存在すると主張する。
しかし，原告のこの主張も，以下のとおり，理由がない。
粒子数に対する研磨傷数の増加割合と粒子数との関係については，本願明細書に
記載がなく，原告の主張は本願明細書に基づかない主張であって，採用できない。
本願発明が粒子数と研磨傷数との相関関係に着目したものであるとしても，本願明
細書の記載から，別紙図５ないし別紙図８の関係が存在することが，当業者にとっ
て自明のこととはいえない。さらに，別紙図５ないし別紙図８から，粒径０．５μ
ｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数については「６０万個／ｍｌ」，粒径１．
０μｍ以上のヒュームドシリカ粒子の粒子数については「６０００個／ｍｌ」
という数値が変曲点であると理解することもできない。
(4)小括
以上のとおり，相違点１に関し，本願発明と引用発明とは，粒径０．５μｍ以上
のヒュームドシリカ粒子の粒子数について，本願発明では「６０万個／ｍｌ以下」
であるのに対して，引用発明では，「１８万２０００個／ｍｌ，２２万６０００個／
ｍｌ又は２８万個／ｍｌ」である点において相違すると認定されるべきであるから，
これと異なる審決の認定は，その限度で誤りがある。しかし，本願発明の上記相違
点１に係る構成は，当業者において容易に想到することができるものであるから，
相違点１に係る審決の認定の誤りは，結論に影響を及ぼす違法とはいえない。また，
当業者が本願発明の相違点２に係る構成に至ることも容易であるといえる。原告主
張に係る取消事由はいずれも採用の限りでない。
３結論
以上のとおり，審決にはこれを取り消すべき違法はない。その他，原告は，縷々
主張するが，いずれも理由がない。よって，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第１部
裁判長裁判官
飯村敏明
裁判官
八木貴美子
裁判官
小田真治
別紙
別紙
別紙
別紙
図Ａ
拡大図
0200,000400,000600,000800,0001,000,000
0.5μｍ以上の粒子数
傷数
傷数
0.5μｍ以上の粒子数と傷数の関係
05,000,00010,000,00015,000,00020,000,000
0.5μｍ以上の粒子数
傷数
傷数
別紙
図Ｂ
拡大図
05,00010,00015,000
1.0μｍ以上の粒子数
傷数
傷数
1.0μｍ以上の粒子数と傷数の関係
0500,0001,000,0001,500,0002,000,0002,500,0003,000,0003,500,000
1.0μｍ以上の粒子数
傷数
傷数

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