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平成１２年（行ケ）第１９６号　審決取消請求事件（平成１３年９月５日口頭弁論
終結）
　　　　　　　　　　判　　　　　　　　　　　決
　　　　　　　原　　　　　　告　　　株式会社デンソー
　　　　　　　訴訟代理人弁理士　　　伊　藤　洋　二
　　　　　　　同　　　　　　　　　　三　浦　高　広
　　　　　　　同　　　　　　　　　　水　野　史　博
　　　　　　　被　　　　　　告　　　特許庁長官　及　川　耕　造
　　　　　　　指定代理人　　　　　　高　瀬　浩　一
　　　　　　　同　　　　　　　　　　吉　村　和　彦
　　　　　　　同　　　　　　　　　　山　口　由　木
　　　　　　　同　　　　　　　　　　宮　川　久　成
　　　　　　　　　　主　　　　　　　　　　　文
　　　　　　原告の請求を棄却する。
　　　　　　訴訟費用は原告の負担とする。
　　　　　　　　　　事実及び理由
第１　当事者の求めた裁判
　１　原告
　　　特許庁が平成１１年審判第３９０２号事件について平成１２年４月１８日に
した審決を取り消す。
　　　訴訟費用は被告の負担とする。
　２　被告
　　　主文と同旨
第２　当事者間に争いのない事実
　１　特許庁における手続の経緯
　　　原告は、平成４年１２月９日、名称を「磁気検出装置」とする発明につき特
許出願をした（特願平４－３２９６７０号）が、平成１１年２月９日に拒絶査定を
受けたので、同年３月１１日、これに対する不服の審判の請求をした。
　特許庁は、同請求を平成１１年審判第３９０２号事件として審理した上、平
成１２年４月１８日に「本件審判の請求は、成り立たない。」との審決をし、その
謄本は同年５月１５日原告に送達された。
　２　平成８年１０月４日付け、平成１０年３月６日付け及び平成１１年４月７日
付け各手続補正書により補正された明細書（以下「本件明細書」という。）の特許
請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）の要旨
　　　磁性材料を有する被検出対象に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石
と、
　　　前記被検出対象の運動に応じた前記バイアス磁界により抵抗変化を生じる磁
気抵抗素子とを備え、
　　　前記磁気抵抗素子の抵抗値変化により前記バイアス磁界の状態変化を検出す
るようにした磁気検出装置において、
　　　前記バイアス磁石を中空形状とし、この中空部を貫通するように、前記磁気
抵抗素子を保持する素子保持部材を配置し、
　　　かつ、前記バイアス磁石の表面と被検出対象との間において当該バイアス磁
石の表面に対し、前記磁気抵抗素子を、近接位置に配置するとともに、前記被検出
対象の運動方向と前記バイアス磁石から前記被検出対象に放射されるバイアス磁界
の方向とから決定される平面に対して平行な面に形成配置し、前記バイアス磁石か
ら前記被検出対象に放射されるバイアス磁界であって、前記被検出対象の運動方向
に対するバイアス磁界の磁気ベクトルの向きを検出するようにしたことを特徴とす
る磁気検出装置。
　３　審決の理由
　　　審決は、別添審決書写し記載のとおり、本願発明が、特開平３－１９５９７
０号公報（甲第３号証、以下「引用例１」という。）及び特開昭５４－１３８４５
７号公報（甲第４号証、以下「引用例２」という。）記載の各発明に基づいて、当
業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定に
より特許を受けることができないとした。
第３　原告主張の審決取消事由
　　　審決の理由中、本願発明の要旨の認定（審決謄本１頁理由欄２行目～２頁３
行目）及び本願発明と引用例１記載の発明との相違点の認定（同４頁２６行目～２
８行目。ただし、相違点は他にも存在する。）は認める。
　審決は、本願発明と引用例１記載の発明との一致点の認定を誤る（取消事由
１）とともに、相違点についての判断を誤り（取消事由２）、また、本願発明の顕
著な効果を看過した（取消事由３）結果、本願発明が、引用例１、２記載の各発明
に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとの誤った結論に至ったもので
あるから、違法として取り消されるべきである。
　１　取消事由１（一致点の認定誤り）
　(1)　審決は、本願発明と引用例１記載の発明との一致点として、「バイアス磁
石の表面に対し、前記磁気抵抗素子を、近接位置に配置する」（審決謄本４頁１８
行目～１９行目）点を認定したのは、以下のとおり誤りである。
　(2)　本願発明の磁気検出装置は、磁気抵抗素子をバイアス磁石の磁石面に垂直
な方向に配置し、被検出対象の運動方向に対するバイアス磁石の磁気ベクトルの向
きを検出することによってバイアス磁界の状態変化を検出するものであるが、この
ような構造を持つ従来の磁気検出装置においては、磁気抵抗素子の感度が低下する
という課題があったことから、この感度低下を極力抑えるために、磁気抵抗素子を
バイアス磁界の表面に対し近接位置に配置したものである。したがって、本願発明
の要旨に規定する「近接位置」は、このような本願発明の課題からみて、「磁気抵
抗素子の感度低下を極力抑えることができる位置」と解釈されるべきである。
　　　　他方、引用例１記載の発明は、上記の課題に係る従来技術として本件明細
書に記載されているものであって、磁気抵抗素子を形成した絶縁基板を基板ホルダ
に保持し、基板ホルダをバイアス磁石の表面上に配置するという構造上、磁気抵抗
素子とバイアス磁石との距離を短くするにはおのずと限界があり、磁気抵抗素子の
感度が低下せざるを得ないから、その磁気抵抗素子は、「磁気抵抗素子の感度低下
を極力抑えることができる位置」、すなわち「近接位置」に配置されていない。
　　　　したがって、「バイアス磁石の表面に対し、磁気抵抗素子を近接位置に配
置する」点は、本願発明と引用例１記載の発明との一致点とはいえない。
　(3)　この点について、被告は、「磁気抵抗素子の感度低下を極力抑える」との
課題は本件明細書の特許請求の範囲の請求項２の「中空構造による磁気ベクトルの
乱れがない領域において」という構成が備わって初めて達成されるものであって、
同請求項１に係る本願発明にはそのような課題はない旨主張するが、上記請求項２
に規定する「中空構造による磁気ベクトルの乱れがない領域において」との構成
は、バイアス磁界の状態変化を検出する上で前提となる事項であるから、「バイア
ス磁界の状態変化を検出するようにした磁気検出装置において」と規定する本願発
明に元来内在する構成というべきであり、被告の主張は理由がない。
　２　取消事由２（相違点についての判断の誤り）
　(1)　審決は、本願発明と引用例１記載の発明との相違点として、「本願発明で
は、前記バイアス磁石を中空形状とし、この中空部を貫通するように、前記磁気抵
抗素子を保持する素子保持部材を配置しているのに対し、引用例１に記載のものは
そのようになっていない点」（審決謄本４頁２６行目～２８行目）を認定した上、
当該相違点について、①「バイアス磁石を中空形状とすることは引用例２に『中空
の永久磁石５』として記載されており、バイアス磁石を中空形状とすることは、引
用例１に記載されたバイアス磁石として引用例２に記載された『中空のバイアス磁
石』を適用することにより当業者が容易に想到しうる程度のことにすぎない」（同
４頁３０行目～３４行目）、②「そして、引用例１に記載のものは素子保持部材と
して、永久磁石の外周端に設けたリング状保護部材を用い、永久磁石の中空部を貫
通するようにしたものではないが、素子保持部材をバイアス磁石の中空部を貫通す
るように設けるか、バイアス磁石の外周端に設けるかは当業者が適宜選択しうる設
計的事項にすぎない」（同４頁３５行目～３９行目）と判断する。
　(2)　しかし、第一に、審決が、引用例２記載の中空のバイアス磁石を引用例１
記載の発明に適用することは容易であるとした上記①の判断は誤りである。
　　　　本願発明は、磁気抵抗素子の感度低下を極力抑えるために、磁気抵抗素子
をバイアス磁界の表面に対し近接位置に配置すべく、中空形状としたバイアス磁石
の中空部を貫通するように素子保持部を配置したものである。したがって、「バイ
アス磁石を中空形状とする」ことと「素子保持部材をバイアス磁石の中空部を貫通
するように配置する」こととは、課題を解決する上で一体不可分の関係にある。す
なわち、本願発明では、磁気抵抗素子の感度低下を極力抑えるという課題があれば
こそ、素子保持部材をバイアス磁石に貫通させるという着想が生まれ、そのために
バイアス磁石を中空形状としているのであって、このような課題が存在しない引用
例２において、「素子保持部材をバイアス磁石の中空部を貫通するように配置す
る」ことと切り離し、「中空のバイアス磁石」だけを取り上げて、引用例１記載の
発明に適用する動機付けは生じない。
　　　　引用例２記載の発明は、円筒状の永久磁石がつくる磁束０点（円筒内側を
通る磁束と円筒外側を通る磁束との接合点）に配置した磁気抵抗素子に印加される
磁束強度が、磁性体の通過に伴う磁束０点の移動により、零から変化することを検
出するものであり、バイアス磁石を中空形状とすることは、その動作原理から必要
となる磁束０点をつくるためのものであって、上記のような動機付けに欠くものと
いうべきである。
　(3)　次に、審決が、素子保持部材をバイアス磁石の中空部を貫通するように設
けることが設計的事項であるとした上記②の判断も誤りである。
　　　　すなわち、引用例１記載の発明は、磁気抵抗素子を形成した絶縁基板を基
板ホルダに保持する構造であるため、バイアス磁石の表面に対し磁気抵抗素子を近
接位置に配置することができず、また、引用例２記載の発明では、磁束０点に磁気
抵抗素子を配置する構造であるため、磁束０点以外の位置に磁気抵抗素子を配置す
ることができないため、いずれにも、磁気抵抗素子をバイアス磁界の表面に近づけ
て磁気抵抗素子の感度低下を極力抑えるという本願発明の課題が存在しない。この
ような課題が存在しない以上、バイアス磁石の中空部を貫通するように、磁気抵抗
素子を保持する素子保持部材を配置することは、当業者において容易に想到するこ
とはできず、設計的事項であるとはいえない。
　(4)　なお、被告は、後記乙第１～第５号証に基づいて、磁気センサの素子保持
部材を中空の磁石に貫通するように設けることは本願発明の特許出願前から周知で
あると主張する。しかし、本願発明が、被検出対象の運動方向に対するバイアス磁
界の磁気ベクトルの向きを検出するものであり、磁気ベクトルの振れ角が感度に影
響することに基づき、磁気抵抗素子をバイアス磁石の表面に近づけることにより振
れ角を大きくして感度を向上させるものであるのに対し、乙第１～第５号証は、い
ずれも、中空磁石の軸方向における磁束強度の変化を検出するものであって、磁気
ベクトルの振れ角が感度に影響するものではないので、磁気抵抗素子をバイアス磁
石の表面に近づけることにより感度低下を抑えるという課題は存在しない。このこ
とは、引用例２についても同様である。したがって、引用例２及び乙第１～第５号
証は、審決の上記判断の根拠となるものではない。
　３　取消事由３（顕著な効果の看過）
　審決は、「本願発明の効果は、引用例１及び引用例２から当業者であれば予
測できる程度のものである」（審決謄本５頁１行目～２行目）と判断するが、誤り
である。すなわち、引用例１、２からは、磁気抵抗素子をバイアス磁石の表面に近
づけることによって磁気抵抗素子の感度低下を極力抑えるという効果を予測するこ
とはできない。
第４　被告の反論
　　　審決の認定判断は正当であり、原告主張の取消事由は理由がない。
　１　取消事由１（一致点の認定誤り）について
　(1)　原告は、本願発明が「磁気抵抗素子の感度低下を極力抑える」との課題を
解決するために磁気抵抗素子を近接位置に配置したものであるとの立論を前提に、
一致点の認定の誤りを主張するが、その前提において誤りというべきである。
　(2)　すなわち、本件明細書（甲第２号証）の「図１６に示すように、中空状の
磁石３の０〔ｍｍ〕付近の磁気ベクトルが、ギヤ５との磁気回路に関係なく貫通孔
４（中空部）方向に引き寄せられ、ギヤ５の回転に対する正確な感度が得られない
領域がある。この磁束の乱れる領域は、磁石３の表面磁界強度と、中空の形状に関
係してくると考えられ、実際には図１４、１５で示すように、磁気抵抗素子７、８
と磁石３との距離が０～１〔ｍｍ〕の範囲で発生する。よって、この磁気回路の最
適設計として、上記磁束の乱れる領域の発生しない範囲にて、磁気低抗素子７、８
と磁石３との距離を最も近くなるように、その距離を１ｍｍにすれば、最大感度が
得られる」（段落【００２１】、【００２２】）及び「磁気抵抗素子７、８とバイ
アス磁石３との距離を、中空構造による磁気ベクトルの乱れがない領域において最
も近い距離である１ｍｍとすることにより、最大感度が得られる」（段落【００２
５】）との記載からすれば、磁気抵抗素子と中空状の磁石との距離を近づけると、
１ｍｍのところで最大感度となるものの、それ以上近づけると感度はむしろ低下す
るものと考えられる。そうすると、「磁気抵抗素子の感度低下を極力抑える」との
課題は、本件明細書の特許請求の範囲の請求項２に規定する「磁気抵抗素子とバイ
アス磁石の最適距離は、中空構造による磁気ベクトルの乱れがない領域において最
も近い距離である」との構成が備わって初めて達成されるものであって、同請求項
１に係る本願発明の課題とはいえない。
　(3)　また、引用例１（甲第３号証）の第２図の図示によれば、引用例１記載の
発明は、基板ホルダ１１０に接着された絶縁基板２と、内プレート１０３に固定さ
れた磁石１３０とが接するような位置に配置されていることは明らかであるから、
引用例１の磁気抵抗素子もバイアス磁石に対し「近接位置」に配置されているもの
ということができる。なお、引用例１記載の発明の上記構造は、磁気抵抗素子と中
空磁石との間に若干の距離を有する構造であるが、本願発明にいう「近接位置」
も、磁気抵抗素子と中空磁石との間に若干の距離を有する構成を含むことは明らか
である。
　　　　そうすると、磁気抵抗素子をバイアス磁石の表面に対し近接位置に配置し
たことを一致点と認定した審決の認定に誤りはないというべきである。
　２　取消事由２（相違点についての判断の誤り）について
　(1)　原告は、引用例２記載のバイアス磁石の中空形状は磁束０点をつくるため
のものにすぎないところ、磁気抵抗素子の感度低下を極力抑えるという課題が存在
しないところで、中空のバイアス磁石だけを取り上げて、引用例１記載の発明に適
用する動機付けは生じない旨主張する。
　　　　しかし、審決は、引用例２記載の発明における中空の永久磁石を、単なる
バイアス磁石として使用する点に着目して引用したのであって、磁束０点をつくる
点に着目したものではない。そして、引用例２記載の発明の中空の永久磁石もバイ
アス磁石であるという限りでは、本願発明の「中空形状のバイアス磁石」と変わり
はないから、引用例１記載の発明のバイアス磁石として引用例２記載の発明の中空
の永久磁石を適用することは容易に想到し得る程度のことである。なお、引用例２
記載の発明のバイアス磁石が磁束０点をつくるためのものであるとしても、上記の
組合せを阻害する要因となるものではない。
　(2)　次に、原告は、引用例１、２記載の各発明において、磁気抵抗素子をバイ
アス磁界の表面に近づけて磁気抵抗素子の感度低下を極力抑えるという本願発明の
課題が存在しない以上、バイアス磁石の中空部を貫通するように、磁気抵抗素子を
保持する素子保持部材を配置することが設計的事項であるとはいえない旨主張す
る。しかし、特開昭５９－３５１０６号公報（乙第１号証）、特開昭６３－１３５
８１６号公報（乙第２号証）、特開平１－１３２１８３号公報（乙第３号証）、特
開平１－１７５１４１号公報（乙第４号証）及び特開昭６３－９５３２２号公報
（乙第５号証）によれば、磁気センサの素子保持部材を中空の磁石に貫通するよう
に設けることは本願発明の特許出願前において周知であるから、このような周知技
術に照らしても、素子保持部材をバイアス磁石に貫通するようにするか、それとも
引用例２記載の発明のように素子保持部材をバイアス磁石の外周端とするかは、当
業者が適宜選択し得る設計的事項にすぎないことは明らかである。
　(3)　なお、原告の取消事由２に係る主張は、いずれも、本願発明が「磁気抵抗
素子の感度低下を極力抑える」との課題に基づくことを前提とするところ、この前
提において誤りであることは取消事由１に関して述べたとおりであり、この点にお
いても原告の主張は失当である。
　３　取消事由３（顕著な効果の看過）について
　原告は、引用例１、２からは、磁気抵抗素子をバイアス磁石の表面に近づけ
ることによって磁気抵抗素子の感度低下を極力抑えるという効果を予測することは
できない旨主張するが、「出力波形の波形割れも生じない」（本件明細書〔甲第２
号証〕段落【００３８】）との効果は、引用例１（甲第３号証）に記載されている
効果であるし、良好な素子特性を得ることができる（本件明細書〔甲第２号証〕段
落【００３８】）との効果は、中空部のサイズを小さくする構成によるところ、本
願発明はそのサイズを規定するものではないから、本願発明の効果とはいえない。
　結局、原告の主張する効果は、引用例１から予測し得る程度のものか、又は
本願発明の効果とはいえないものにすぎない。
第５　当裁判所の判断
　１　取消事由１（一致点の認定誤り）について
　(1)　原告は、本願発明は、磁気抵抗素子の感度低下を極力抑えるという課題に
基づいて磁気抵抗素子をバイアス磁界の表面に対し近接位置に配置したものである
から、本願発明の要旨に規定する「近接位置」は、「磁気抵抗素子の感度低下を極
力抑えることができる位置」と解釈されるべきであって、当該構成において、引用
例１記載の発明と相違する旨主張する。
　(2)　確かに、本件明細書（甲第２、第６号証の２、第９号証の２）の発明の詳
細な説明中の【従来の技術】欄には、「特開平３－１９５９７０号公報（注、引用
例１）においては、センサ素子の配置を磁石面に対し垂直とし、しかもセンサ素子
内の磁気抵抗素子を４５度配置とすることにより波形割れの対策ができる構造とし
た」（段落【０００３】）との記載が、【発明が解決しようとする課題】欄には、
「ところが、この磁気回路の構造をとったために、磁気抵抗素子（センサ）の感度
が低くなることが挙げられる。そこで、この発明の目的は、磁気抵抗素子の感度低
下を極力抑えたうえで出力波形の波形割れも生じない磁気検出装置を提供すること
にある」（段落【０００４】、【０００５】）等の記載があり、本願発明が「磁気
抵抗素子の感度低下を極力抑える」ことをその課題の一つとしていること自体は明
らかである。
　(3)　しかし、そもそも、検出装置一般において、検出感度の向上ないし検出感
度の低下の抑制は、普遍的な技術課題であるというべきであって、「極力抑える」
との用語も、本願発明の要旨の規定するところではなく、あくまで課題を記述する
にとどまるものである。したがって、本願発明の要旨に規定する「近接位置」は、
これが磁気検出装置として当然に必要な検出感度を保つに足りる程度に近接した位
置を意味するということはいえても、具体的な位置（例えば、本件明細書の図１４
及び図１５に記載された１mmの点のような磁束が乱れる直前の位置など）を特定す
ることなく単に「近接位置」と記載しているにすぎない文言に照らしても、それ以
上の特別な意味を有するとまでは解することはできない。
　　　　他方で、引用例１（甲第３号証）にも、「本発明は・・・ＭＲＥ（注、磁
気抵抗素子）と被検出対称（注、「被検出対象」の誤記と認める。）との間の距離
に関わらず、良好に被検出対称（注、前同）の運動を検出できる磁気検出装置を提
供することを目的とする」（３頁右下欄５行目～８行目）、「従来パターンでは従
来変化分が（ΔＲｌ－ΔＲｓ）であるのに対し、本実施例によるパターンではΔＲ
ｌとなり、全抵抗に対する抵抗変化分は大きくなり、検出感度を向上させることが
できる」（６頁右上欄１６行目～末行）、「略４５度傾けた場合が、第３図（ｂ）
からわかるように磁界角度変化に対して抵抗変化が最も急峻となるため、感度よく
検出できることになる」（６頁左下欄１６行目～１９行目）との記載があるよう
に、上記認定の本願発明と同様の課題が示されている上、その第２図には、磁気抵
抗素子がバイアス磁石３に近接している状態が図示されているところである。
　(4)　そうすると、本願発明が「磁気抵抗素子の感度低下を極力抑える」ことを
その課題の一つとしているからといって、本願発明の要旨に規定する「近接位置」
との要件それ自体が、引用例１記載の発明における磁気抵抗素子の位置と異なる特
定の位置を規定するものということはできない。
　　　　なお、本件明細書の上記(2)の記載及び本願発明の要旨からすると、本願発
明は、「バイアス磁石を中空形状とし、この中空部を貫通するように、前記磁気抵
抗素子を保持する素子保持部材を配置し」た構成を採ることによって、引用例１記
載の発明よりもバイアス磁石と磁気抵抗素子とをより近接位置に配置することがで
きるようにしたものであることが認められるが、本願発明の要旨は、上記構成と
「バイアス磁石の表面と被検出対象との間において当該バイアス磁石の表面に対
し、前記磁気抵抗素子を、近接位置に配置する」構成とを別個の要件として規定し
ているのであるから、本願発明と引用例１記載の発明との具体的な構成上の相違点
として、前者の構成のみを挙げた審決の認定が誤りであるとはいえない。
　(5)　したがって、本願発明と引用例１記載の発明との一致点として、「バイア
ス磁石の表面に対し、磁気抵抗素子を近接位置に配置する」点を認定した審決の認
定に誤りはないというべきである。
　２　取消事由２（相違点についての判断の誤り）について
　(1)　原告は、当事者間に争いのない本願発明と引用例１記載の発明との相違点
である「本願発明では、前記バイアス磁石を中空形状とし、この中空部を貫通する
ように、前記磁気抵抗素子を保持する素子保持部材を配置しているのに対し、引用
例１に記載のものはそのようになっていない点」について、①「バイアス磁石を中
空形状とする」ことと「素子保持部材をバイアス磁石の中空部を貫通するように配
置する」こととは、課題を解決する上で一体不可分の関係にあるから、磁束０点を
つくるためにバイアス磁石を中空形状としている引用例２記載の発明から「中空の
バイアス磁石」だけを取り上げて、引用例１記載の発明に適用する動機付けは生じ
ない、②引用例１、２記載の各発明には、磁気抵抗素子をバイアス磁界の表面に近
づけて磁気抵抗素子の感度低下を極力抑えるという本願発明の課題が存在しないか
ら、バイアス磁石の中空部を貫通するように、磁気抵抗素子を保持する素子保持部
材を配置することが設計的事項であるとはいえない旨主張する。
　(2)　しかし、まず、磁気抵抗素子をバイアス磁界の表面に近づけて磁気抵抗素
子の感度低下を極力抑えるという課題が引用例１に開示されているかどうかを見る
に、引用例１（甲第３号証）には、「この様な構成の磁気検出装置の感度や精度
は、バイアス磁石の発生するバイアス磁界の強度および角度に大きく依存してい
る」（２頁左下欄６行目～８行目）、「エアギャップ（注、被検出対象とＭＲＥ
（磁気抵抗素子）との離隔）が大な時はこの変化する磁界角度は小さい・・・。し
かしながら、エアギャップが小となると、第１０図（ｂ）に示すように変化する磁
界角度が大きくなる」（３頁右上欄８行目～１７行目）、「通常ＭＲＥにバイアス
するための磁石を有し被検出対象の運動を検出する磁気検出装置では前述した磁界
角度の変化は、ギアのピッチ、エアギャップ長にもよる」（５頁左下欄１行目～４
行目）、「本実施例によるパターンでは・・・全抵抗に対する抵抗変化分は大きく
なり、検出感度を向上させることができる」（６頁右上欄１８行目～末行）との記
載があり、これに第４図（ａ）（ｂ）及び第３図（ｂ）の図示を総合すれば、引用
例１には、エアギャップを小さくして「磁界角度」（磁界の振れ）を大きくする配
置を採用することにより、磁気抵抗素子の抵抗変化を大きくし、検出感度を向上さ
せることが開示されていると認められる。
　　　　そして、ここでいう「磁界角度」（バイアス磁石の中心軸とバイアス磁界
とのなす角度）の変化は、バイアス磁石が磁性材料を有する被検出対象に引かれて
向きを変える磁気ベクトルの変化によって生ずるのであるから、「磁界角度」を大
きくするためには、被検出対象とバイアス磁石との距離、すなわち被検出対象から
磁気抵抗素子との距離及び磁気抵抗素子とバイアス磁石との距離の和を短くすれば
足りることが明らかである。そうすると、「磁界角度」を大きくする配置として
は、引用例１に直接記載されているようなエアギャップ（被検出対象と磁気抵抗素
子との離隔）を小さくする方法だけでなく、バイアス磁石と磁気抵抗素子との距離
を短くする方法も当然に想定されているというべきである。しかも、検出装置一般
において、検出感度の向上ないし検出感度の低下の抑制は、普遍的な技術課題であ
り、引用例１記載の発明においてもこれが妥当することは前示のとおりである。
　　　　そうすると、引用例１には、磁界角度を大きくする配置を採用するという
観点から、被検出対象とバイアス磁石との距離を短かくすること、すなわち、磁気
抵抗素子をバイアス磁界の表面に近づけることによって、磁気抵抗素子の感度低下
を極力抑えるという本願発明の課題が開示されているというべきである。
　(3)　そこで、次に、上記の課題に基づいて、バイアス磁石を中空形状とし、こ
の中空部を貫通するように、磁気抵抗素子を保持する素子保持部材を配置すること
が当業者の容易に想到し得たことであるかどうかについて判断する。
　　　ア　引用例２（甲第４号証）には、「第７図に本発明の一実施例における構
成を示す。・・・５は前述した内側が中空の永久磁石・・・である。・・・ハウジ
ング１０ａ内の開口端側に永久磁石５が内蔵され、この永久磁石５の外側端には非
磁性体製のリング状保護部材１５が設けてある。また、磁気抵抗素子１１は永久磁
石５の中心線上の磁束零の付近であるリング状保護部材１５の中心に配設され、こ
れら磁気抵抗素子１１、永久磁石５およびリング状保護部材１５は、このリング状
保護部材１５およびハウジング１０ａ内に充填した接着剤１３によりハウジング１
０ａに固着保持される」（３頁左上欄末行～右上欄１９行目）との記載及び第７図
によれば、引用例２には、バイアス磁石の表面に対し磁気抵抗素子を近接位置に配
置する手段として、「バイアス磁石を中空形状とし、バイアス磁石の端面に、磁気
抵抗素子を保持する素子保持部材を配置する」構成が開示されていることが認めら
れる。
イ　特開昭５９－３５１０６号公報（乙第１号証）には、「第２図・・・に
示す回転検出器１０は、磁性体からなる棒状の磁極片１１と・・・円筒状のケース
１２と、円柱状の中心に上記磁極片１１が貫挿されて、上記ケース１２の略中央に
挿入され、かつその中心部と外周部とが互いに異極となるように半径方向に着磁さ
れた磁石１３と・・・から概略構成されている」（２頁右上欄２行目～１３行
目）、「第６図・・・に示す回転検出器４０は・・・磁極片１１の後端に、前記磁
気検出素子４１を取付けるとともに、上記磁極片１１の先端にも同一特性の磁気検
出素子４２を取付けてなるものである」（３頁右下欄１１行目～１９行目）との記
載及び第２、第６図の図示によれば、乙第１号証には、磁気検出素子４２を取り付
けた磁極片１１を円柱状磁石１３に貫挿して支持することが記載されている。すな
わち、バイアス磁石の表面に対し磁気抵抗素子を前方に配置する手段として、本願
発明の「バイアス磁石を中空形状とし、この中空部を貫通するように、磁気抵抗素
子を保持する素子保持部材を配置する」に相当する構成が開示されている。
ウ　特開昭６３－１３５８１６号公報（乙第２号証）には、「本発明は次の
構成を有する。即ち永久磁石とホール発電機を有する磁界発信器において、永久磁
石としてリング磁石を設け、さらにホール発電機をリング磁石の開口に配置するよ
うにし・・・たのである。有利な実施例は次の構成を有する。即ち磁界発信器の電
気部品を支持するプリント配線板に、リング磁石の開口の中を挿入される付加部材
を設け、さらにホール発電機をプリント配線板の、リング磁石の中へ導入される前
記付加部材の端面に設けるようにし、さらにリング磁石をプリント配線板の前記付
加部材の上に固定したのである」（２頁右下欄２行目～１９行目）、「第５図は組
み込み可能な磁界発信器の実施例を示す。図示されているようにホール発電機３
は、プリント配線板５に形成される付加部材の端面に設けられている。この場合こ
の付加部材は、リング磁石１の円筒の開口６の中へ挿入される。・・・リング磁石
１とプリント配線板５との結合は、ホール発電機３をリング磁石１の磁界の存在し
ない“室”２の中に位置固定してから、例えば適切な接着剤８を用いて行われる」
（３頁左下欄１６行目～左下欄１０行目）との記載があり、これによれば、乙第２
号証には、永久磁石としてリング磁石を設け、リング磁石の開口の中に挿入される
付加部材を設け、磁気抵抗素子に相当するホール発電機を付加部材の端面に設け、
さらに付加部材をリング磁石に固定する構成が記載されている。すなわち、バイア
ス磁石の表面に対し磁気抵抗素子を近接位置に配置する手段として、本願発明の
「バイアス磁石を中空形状とし、この中空部を貫通するように、磁気抵抗素子を保
持する素子保持部材を配置する」に相当する構成が開示されている。
エ　特開平１－１３２１８３号公報（乙第３号証）及び特開平１－１７５１
４１号公報（乙第４号証）には、バイアス磁石として中空状磁石を使用することが
記載されている。
　(4)　上記(3)の認定によれば、バイアス磁石として中実形状及び中空形状のいず
れも適用が可能であり、バイアス磁石を中空形状とし、この中空部を貫通するよう
に、磁気抵抗素子を保持する素子保持部材を配置することは、本願発明の特許出願
以前から周知の事項というべきである。
　　　　そうすると、本願発明と引用例１記載の発明との相違点である「バイアス
磁石を中空形状とし、この中空部を貫通するように、磁気抵抗素子を保持する素子
保持部材を配置する」構成は、当業者が、引用例１に開示されている「磁気抵抗素
子とバイアス磁石との距離を短かくすることにより検出感度を向上させること」を
動機とし、その磁気抵抗素子の取付けに当たって、それ自体周知技術にすぎない当
該構成を設計的事項として参酌することにより、容易に想到し得たものというべき
である。
　　　　なお、原告は、「バイアス磁石を中空形状とする」ことと「素子保持部材
をバイアス磁石の中空部を貫通するように配置する」こととは、課題を解決する上
で一体不可分の関係にある旨主張するが、バイアス磁石として中実形状及び中空形
状のいずれも適用が可能であり、かつ、中空形状としたバイアス磁石の中空部を貫
通するように磁気抵抗素子を保持する素子保持部材を配置することが周知の事項で
ある以上、これを一体とした構成も当業者が適宜選択し得る設計的事項というべき
である。
　(5)　また、原告は、本願発明が、被検出対象の運動方向に対するバイアス磁界
の磁気ベクトルの向きを検出するものであり、磁気ベクトルの振れ角が感度に影響
することに基づき、磁気抵抗素子をバイアス磁石の表面に近づけることにより振れ
角を大きくして感度を向上させるものであるのに対し、引用例２及び乙第１～第５
号証は、いずれも、中空磁石の軸方向における磁束強度の変化を検出するものであ
って、磁気ベクトルの振れ角が感度に影響するものではないので、磁気抵抗素子を
バイアス磁石の表面に近づけることにより感度低下を抑えるという課題は存在しな
い旨主張する。
　　　　確かに、本願発明が、その要旨に規定するとおり、「被検出対象の運動方
向に対するバイアス磁界の磁気ベクトルの向きを検出するようにした」磁気検出装
置であるのに対し、引用例２及び乙第１～第５号証は、このような磁気ベクトルの
向き（磁界角度ないし磁界の振れ）を検出するものではない。しかし、引用例１記
載の発明が、被検出対象の運動方向に対するバイアス磁界の磁気ベクトルの向きを
検出するものであり、したがって、磁気抵抗素子をバイアス磁石の表面に近づける
ことにより振れ角を大きくして感度を向上させ得る点で本願発明と軌を一にするも
のであること、引用例１に示されるこの課題に基づいて、上記相違点に係る構成を
適用する動機付けが得られることは前示のとおりである。そして、引用例２及び乙
第１～第５号証を引用する趣旨は、この課題を実現するための磁気抵抗素子のバイ
アス磁石への取付手段という意味にとどまるのであるから、引用例２及び乙第１～
第５号証が磁気ベクトルの向きを検出するものではないことは、これを引用例１記
載の発明に適用する阻害要因となるものではない。
　(6)　よって、原告の取消事由２の主張は理由がない。
　３　取消事由３（顕著な効果の看過）について
　原告は、引用例１、２からは、磁気抵抗素子をバイアス磁石の表面に近づけ
ることによって磁気抵抗素子の感度低下を極力抑えるという効果を予測することは
できない旨主張するが、引用例１（甲第３号証）には、磁気抵抗素子と被検出対象
との距離を小さくすると磁界の振れが大きくなり、磁界の振れが大きくなると抵抗
変化が大きくなり、検出感度が向上することが開示されていることは前示のとおり
であるから、原告の主張する上記の効果は、引用例１から当業者が容易に予測する
ことのできる程度のものにすぎないというべきである。
　４　以上のとおり、原告主張の審決取消事由はいずれも理由がなく、他に審決を
取り消すべき瑕疵は見当たらない。
　　　よって、原告の請求は理由がないから棄却することとし、訴訟費用の負担に
つき行政事件訴訟法７条、民事訴訟法６１条を適用して、主文のとおり判決する。
　　　　　東京高等裁判所第１３民事部
　　　　　　　　　裁判長裁判官　篠　　原　　勝　　美
　　　　裁判官　長　　沢　　幸　　男
　　　　裁判官　宮　　坂　　昌　　利

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