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平成２２年５月１９日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２０年（ワ）第１０６５７号職務発明に対する対価支払請求事件
口頭弁論終結日平成２２年２月２６日
判決
横浜市＜以下略＞
原告Ａ
同訴訟代理人弁護士梶山正三
東京都港区＜以下略＞
被告株式会社東芝
同訴訟代理人弁護士竹田稔
同高橋雄一郎
同服部謙太朗
同補佐人弁理士望月尚子
主文
１原告の請求をいずれも棄却する。
２訴訟費用は，原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
被告は，原告に対し，金１億３０００万円及び内金１億円に対する平成２０
年４月１日から，内金３０００万円に対する平成２１年２月１１日から，それ
ぞれ支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２事案の概要
本件は，被告の従業員であった原告が，被告に在職中に行った発明に係る特
許１７件についての特許を受ける権利を被告に承継させたことによる相当の対
価の一部請求として，平成１６年法律第７９号附則２条１項，同法による改正
前の特許法３５条３項及び４項に基づき，金１億３０００万円及び内金１億円
に対する訴状送達の日の翌日である平成２０年４月１日から，内金３０００万
円に対する訴えの変更申立書送達の日の翌日である平成２１年２月１１日から，
それぞれ支払済みまで，民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求
める事案である。
１争いのない事実等（争いのない事実以外は証拠等を末尾に記載する。）
⑴原告は，被告の元従業員であって，被告に在職中，その職務に属する発明
として，⑶記載の各特許に係る発明（以下「本件各発明」という。）を行っ
たものであり，本件各発明は，職務発明に該当する。なお，(3)の各特許につ
き，発明者の記載がないものは，いずれも原告のみが発明者である（(3)の各
特許に記載された各証拠参照）。
(2)被告は，原告の使用者として，本件各発明に係る特許を受ける権利を承継
した。
⑶被告は，本件各発明に基づき，特許の出願をし，それぞれ特許を受けた
（以下，各特許，各特許に係る特許権及び各特許に係る発明を，それぞれの
登録番号の末尾３桁により特定し（例えば，アの特許については，それぞれ
「９９９号特許」，「９９９号特許権」及び「９９９号発明」という。），
これらの各特許，各特許権を総称して，それぞれ「本件各特許」，「本件各
特許権」という。）。
ア９９９号特許（甲１３，乙１，２の１及び２）
(ア)登録番号第１０６８９９９号
出願日昭和５３年８月２５日
出願番号特願昭５３−１０２８５７
登録日昭和５６年１０月２３日
発明の名称ガラスの潜傷除去方法
特許請求の範囲
「ガラスをエツチング処理した後，加熱しそのままもしくは冷却後
不活性ガスに接触させることを特徴とするガラスの潜傷除去方
法。」
(イ)被告は，平成元年２月１日，東芝ライテック株式会社に対し，９９
９号特許権を譲渡し，その移転登録をした。なお，東芝ライテック株式
会社は，平成元年４月１日，東芝電材株式会社と合併して解散し，東芝
電材株式会社は，同日，その商号を東芝ライテック株式会社に変更した
（以下では，当該合併前の東芝ライテック株式会社と当該合併・商号変
更後の東芝ライテック株式会社とを区別せずに，いずれも「東芝ライテ
ック」という。）。
(ウ)東芝ライテックは，平成４年２月２０日，９９９号特許権を放棄
（特許料不納による消滅をいう。以下同じ。）した。
イ３２１号特許（甲１４，乙３）
(ア)登録番号第１１４５３２１号
出願日昭和５４年３月３０日
出願番号特願昭５４−３６９６６
登録日昭和５８年５月１２日
発明の名称ハロゲンランプ用バルブガラスの潜傷除去方法
特許請求の範囲
「ハロゲンランプ用バルブガラスをエツチング処理した後，加熱し
そのままもしくは冷却後ハロゲンガスに接触させることを特徴とす
るバルブガラスの潜傷除去方法。」
(イ)被告は，平成８年７月２９日，３２１号特許権を放棄した。
ウ３５９号特許（甲１，乙４）
(ア)登録番号第１１４９３５９号
出願日昭和５２年１０月１２日（東レ株式会社との共同出願）
出願番号特願昭５２−１２２２３３
登録日昭和５８年６月１４日
発明者原告外６名
発明の名称二重管形高圧放電灯
特許請求の範囲
「１発光管を，内面に被膜を有しないガラス製外管内に収容して二
重管構造とした高圧放電灯において，上記外管の少なくとも内表面
はエツチングされていることを特徴とする二重管形高圧放電灯。
２上記外管のエツチング層の厚さは５μ以上であることを特徴と
する上記特許請求の範囲第１項記載の二重管形高圧放電灯。
３上記発光管は石英ガラス製バルブを用い，このバルブ内に水銀
と稀ガスと少なくともアルカリ金属ハロゲン化物を含む金属ハロゲ
ン化物を封入してあることを特徴とする前記特許請求の範囲第１項
または第２項記載の二重管形高圧放電灯。」
(イ)被告は，平成元年２月１日，東芝ライテックに対し，３５９号特許
権に係る被告の持分を譲渡し，その移転登録をした。
(ウ)東芝ライテック及び東レ株式会社は，平成９年８月９日，３５９号
特許権を放棄した。
エ３８７号特許（甲２，乙５）
(ア)登録番号第１２３５３８７号
出願日昭和５３年１２月２６日
出願番号特願昭５３−１５９２６３
登録日昭和５９年１０月１７日
発明の名称ガラスの潜傷除去方法
特許請求の範囲
「ガラスをエツチング処理した後，加熱しそのままもしくは冷却後
不活性ガスに接触させる前もしくは後の少なくともいずれかの段階
で排気処理を施すことを特徴とするガラスの潜傷除去方法。」
(イ)被告は，平成元年２月１日，東芝ライテックに対し，３８７号特許
権を譲渡し，その移転登録をした。
(ウ)東芝ライテックは，平成４年３月２日，３８７号特許権を放棄した。
オ１０３号特許（甲３，乙６）
(ア)登録番号第１３９９１０３号
出願日昭和５３年１１月２９日
出願番号特願昭５３−１４６６３１
登録日昭和６２年９月７日
発明の名称ガラスの表面処理法
特許請求の範囲
「ガラスの表面に残存する傷の大きさを１０μ以下０．５μ以上に
する研麿工程と，前記研麿したガラスを１００℃／sec以下の昇温速
度で軟化点より低い温度まで加熱する加熱工程と，次に前記加熱処
理したガラスをイオン交換するイオン交換処理工程とを具備して成
るガラスの表面処理法。」
(イ)被告は，平成８年１２月１１日，１０３号特許権を放棄した。
カ４６９号特許（甲４，乙７）
(ア)登録番号第１４３６４６９号
出願日昭和５５年４月２１日
出願番号特願昭５５−５１７１２
登録日昭和６３年４月２５日
発明の名称ガラスの表面処理法
特許請求の範囲
「粒度１００メッシュ以下の研磨材を含有する不水溶性切油剤を用
いガラス研磨処理を施し表面に残存する潜傷を除去又はてい減する
工程と，前記研磨したガラスを１００℃／sec以下の昇温速度で軟化
点より低い温度まで加熱する工程と，前記加熱処理したガラスにつ
いてイオン交換処理を施す工程とを具備して成るガラスの表面処理
法。」
(イ)被告は，平成８年８月２７日，４６９号特許権を放棄した。
キ８４９号特許（甲１５，乙８）
(ア)登録番号第１５１３８４９号
出願日昭和５４年８月１０日
出願番号特願昭５４−１０１３５８
登録日平成元年８月２４日
発明の名称ガラスの表面処理法
特許請求の範囲
「ガラスに研磨処理を施し表面に残存する傷の大きさを１０μ以下
にする工程と，前記研磨したガラスを１００℃／sec以下の昇温速度
でガラスの軟化点より低い温度まで加熱する工程と，前記加熱処理
したガラスについて所定の比較的高温下でイオン交換処理を施す工
程と，前記イオン交換処理面上に金属系の膜を形成する工程とを具
備して成るガラス表面処理法。」
(イ)被告は，平成９年１０月１７日，８４９号特許権を放棄した。
ク７６２号特許（甲１６，乙９）
(ア)登録番号第１５４８７６２号
出願日昭和５６年３月１１日
出願番号特願昭５６−３３８２５
登録日平成２年３月９日
発明の名称ガラスの表面処理方法
特許請求の範囲
「ガラス表面の傷の大きさを１０μ以下に加工する工程とこのガラ
スを１００℃／sec以下の昇温速度かつ軟化点より低い温度で加熱す
る工程と，加熱したガラスをイオン交換する工程と，イオン交換処
理面を光照射する工程とを具備して成るガラスの表面処理方法。」
(イ)被告は，平成９年６月２９日，７６２号特許権を放棄した。
ケ２４７号特許（甲５，乙１０）
(ア)登録番号第１６３８２４７号
出願日昭和５７年３月３１日
出願番号特願昭５７−５３４８９
登録日平成４年１月３１日
発明の名称ガラスの加工処理方法
特許請求の範囲
「ガラス素材を加熱溶融しガラス溶融体の粘性係数を１×１０〔p７
oise〕以下に保持した状態で，上記ガラス溶融体を引き上げ法或い
は引き下げ法によつて固化し徐冷したのち，上記固化されたガラス
体の表面を化学的にエツチングし，かつガラス体の表面に光照射処
理を施すことを特徴とするガラスの加工処理方法。」
(イ)被告は，平成９年１月７日，２４７号特許権を放棄した。
コ２８６号特許（甲６，乙１１）
(ア)登録番号第１６７２２８６号
出願日昭和５９年１１月１５日
出願番号特願昭５９−２３９４７５
登録日平成４年６月１２日
発明の名称半導体デバイスの製造方法
特許請求の範囲
「ＺｎＯ，ＳｉＯ，ＢＯを必須成分とするガラスの熱膨張系数が２２３
４０×１０／ｃから５０×１０／ｃの範囲にあるガラス粉末を，−７−７
電解質液体の中に懸濁させると共に前記電解質液体中にモル分極率
が１から２．５の前記ガラス成分と異なるイオンを分散させて電気
泳動によつて半導体デバイスの表面に前記ガラスを付着させた後，
前記ガラスの流動点以上の温度で流動化及び固化し，徐冷したこと
を特徴とする半導体デバイスの製造方法。」
(イ)２８６号特許権は，平成１６年１１月１５日，存続期間の満了によ
って消滅した。
サ５３４号特許（甲７，乙１２）
登録番号第１９７７５３４号
出願日昭和６３年６月６日
出願番号特願昭６３−１３９０８８
登録日平成７年１０月１７日
発明の名称半導体装置
特許請求の範囲
「【請求項１】多層構造の配線を有する半導体装置において，各配線層間
に介在する層間絶縁膜が酸化膜からなる第１の絶縁層と，モル分極率
が１．０以下である第２の絶縁層を含むようにしたことを特徴とする
半導体装置。
【請求項２】多層構造の配線を有する半導体装置において，各配線層間
に介在する層間絶縁膜が酸化膜からなる第１の絶縁層と，水酸基（Ｏ
Ｈ基）濃度が８００ｐｐｍ以下である第２の絶縁層を含むようにした
ことを特徴とする半導体装置。」
シ２８８号特許（甲３３）
登録番号第１６７２２８８号
出願日昭和５９年１１月２８日
出願番号特願昭５９−２５０７４２
登録日平成４年６月１２日
発明の名称半導体装置およびその製造方法
特許請求の範囲
「１所定の素子領域の形成された基板の表面を覆う第１のガラス層から
なる第１のパツシベーシヨン膜と，前記第１のパツシベーシヨン膜上に
形成され，コンタクトホールを介して前記素子領域にコンタクトする配
線層と，前記配線層の上層に形成され，前記第１のガラス層よりも発生
応力の大なる第２のガラス層からなる第２のパツシベーシヨン膜とを具
備したことを特徴とする半導体装置。
２前記配線層は，その一部にスリツト状の凹部を具備していることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
３前記第１のガラス層はガラス構造の網目修飾イオンの位置にイオン
を導入した構造をなすとともに，熱膨張係数が第２のガラス層よりも大
きいことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
４所定の素子領域の形成された基板上に表面を覆うようにガラス構造
の網目修飾イオンの位置にイオンを導入した構造をなす第１のガラス層
からなる第１のパツシベーシヨン膜を形成する第１のパツシベーシヨン
膜形成工程と，前記第１のパツシベーシヨン膜上に，コンタクトホール
を介して前記素子領域にコンタクトする配線層を形成する配線層形成工
程と，前記配線層の上層に，前記第１のガラス層よりも発生応力の大な
る第２のガラス層からなる第２のパツシベーシヨン膜を形成する第２の
パツシベーシヨン膜形成工程と，熱処理により少なくとも前記第１のガ
ラス層を流動化させる流動化工程とを具備したことを特徴とする半導体
装置の製造方法。」
ス８４４号特許（甲４８）
登録番号第１７６３８４４号
出願日昭和５７年１０月２５日
出願番号特願昭５７−１８６１６８
登録日平成５年５月２８日
発明の名称非晶質又は結晶質の低分極性薄膜
特許請求の範囲
「Ｓｉ，Ｂ，Ｇｅから選ばれる少なくとも１種以上のイオンとＢｉ４＋３＋４＋
，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｐｂから選ばれる少なくとも１種以上５＋４＋２＋２＋２＋
のイオンを含有し，且つモル分極率Ｐ＝ΣＰｍ（Ｐは前記イオンのｍｉｉｉ
モル分極率，ｍはこのイオンのモル％）が０．００７から１．００の範ｉ
囲内にあることを特徴とする非晶質又は結晶質の低分極性薄膜。」
セ３００号特許（甲３７）
登録番号第１９５２３００号
出願日昭和６３年１２月２６日
出願番号特願昭６３−３２５８９４
登録日平成７年７月２８日
発明の名称半導体装置の製造方法
特許請求の範囲
「【請求項１】ターゲット材の潜傷を除去した後，これをターゲット材と
して用い，半導体装置の層間絶縁膜をスパッター法で形成した後，そ
の上部に配線を形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】配線を，絶縁膜の点欠陥又は不純物が５００ｐｐｍ以下と
した層間絶縁膜上に形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の製造方法。」
ソ７２４号特許（甲３８）
登録番号第１９７７７２４号
出願日平成元年４月２１日
出願番号特願平１−１０１９１０
登録日平成７年１０月１７日
発明の名称半導体装置の製造方法
特許請求の範囲
「【請求項１】所望の素子が形成された半導体基板上に第１層配線を形成
し，この上に層間絶縁膜を形成して第２層配線を形成する工程を有す
る半導体装置の製造方法において，前記層間絶縁膜を形成する工程は，
アルカリイオン含有量が５ｐｐｍ以下，かつ遷移金属イオン含有量が
１ｐｐｍ以下であるターゲットガラスを，研磨加工した後にその表面
をエッチング処理して用いて，スパッタ法によりガラス絶縁膜を形成
する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】所望の素子が形成された半導体基板上に第１層配線を形成
し，この上に積層構造の層間絶縁膜を形成して第２層配線を形成する
工程を有する半導体装置の製造方法において，前記積層構造の層間絶
縁膜の少なくとも一方を形成する工程は，アルカリイオン含有量が５
ｐｐｍ以下，かつ遷移金属イオン含有量が１ｐｐｍ以下であるターゲ
ットガラスを，研磨加工した後にその表面をエッチング処理して用い
て，スパッタ法によりガラス絶縁膜を形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【請求項３】ターゲットガラスは常磁性欠陥濃度が１ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。」
タ８０５号特許（甲５１）
登録番号第２０１４８０５号
出願日平成２年３月３０日
出願番号特願平２−８１１２１
登録日平成８年２月２日
発明の名称半導体装置及びその製造方法
特許請求の範囲
「【請求項１】半導体素子が形成された基体と，この基体上に形成された
第１層配線と，この第１層配線上に層間絶縁膜を介して形成された第
２層配線とを備えた半導体装置において，前記層間絶縁膜はバイアス
スパッターガラス膜とプラズマ絶縁膜の積層膜である事を特徴とする
半導体装置。
【請求項２】前記バイアススパッターガラス膜の膜厚をＬと前記プラズｓ
マ絶縁膜の膜厚をＬとした場合，Ｌ／Ｌの範囲が１／３∼５であるｐｓｐ
事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
【請求項３】半導体基体上に第１層配線をパターン形成する工程と，前
記半導体基体及び第１層配線上に，バイアススパッターによりバイア
ススパッターガラス膜及びプラズマ堆積によりプラズマ絶縁膜を作成
し，層間絶縁膜を形成する工程と，熱処理を行い前記層間絶縁膜を平
坦化する工程と，前記平坦化された層間絶縁膜上に第２層配線を形成
する事を特徴とする半導体装置の製造方法。」
チ１２７号特許（甲５２）
登録番号第３０４１１２７号
出願日平成４年３月２７日
出願番号特願平４−７１３８１
登録日平成１２年３月３日
発明の名称半導体装置
特許請求の範囲
「【請求項１】メトキシル基（ＣＨＯ），エトキシル基（ＣＨＯ），３２５
−−
プロポキシル基（ＣＨＯ）のうち少なくとも２種以上の官能基を１３７
−
ｐｐｍ∼０．５％含有したアルコキシドガラス層を含むことを特徴と
する半導体装置。
【請求項２】前記アルコキシドガラス層は，式
０．１≦ＣＨＯ／（ＣＨＯ＋ＣＨＯ＋ＣＨＯ）≦２０２５３２５３７
−−−−
を満たすものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。」
(4)原告は，平成１９年６月２６日，被告に対し，９９９号特許，３２１号特
許，３５９号特許，３８７号特許，１０３号特許，４６９号特許，８４９号
特許，７６２号特許，２８６号特許及び５３４号特許（前項のアないしク，
コ及びサの各特許）に係る特許を受ける権利を承継したことの対価の支払を
求めて，東京簡易裁判所に調停の申立てをしたが，同２０年３月１２日，不
成立となった（弁論の全趣旨）。その後，原告は，同月２５日，本件訴えを
提起した。
(5)本件各発明に係る特許を受ける権利の承継は，いずれも平成１６年法律第
７９号の施行（平成１７年４月１日）前にされたものであるから，当該承継
に係る対価については，同法附則２条１項により，同法による改正前の特許
法（以下「旧特許法」という。）３５条３項及び４項が適用される。なお，
当該各項の規定は，次のとおりである。
第３５条（略）
２（略）
３従業者等は，契約，勤務規則その他の定により，職務発明について使用
者等に特許を受ける権利若しくは特許権を承継させ，又は使用者等のため
専用実施権を設定したときは，相当の対価の支払を受ける権利を有する。
４前項の対価の額は，その発明により使用者等が受けるべき利益の額及び
その発明がされるについて使用者等が貢献した程度を考慮して定めなけれ
ばならない。
２争点
⑴被告又は被告が許諾した第三者による本件各発明の実施の有無
(2)被告が原告に対して支払うべき相当の対価の額
(3)対価請求権についての消滅時効の成否
第３争点についての当事者の主張
１争点(1)（本件各発明の実施）について
（原告の主張）
(1)９９９号発明
東芝ライテックは，昭和５３（１９７８）年から平成８（１９９６）年
（少なくとも昭和６２（１９８７）年）までの間，９９９号発明を実施して
製造されたエッチング強化ガラスを用いて，産業用大型放電灯（直径約３０
㎝，高さ約３ｍ。波長領域は可視光∼紫外線。）を製品化して，販売した。
９９９号発明を実施することにより，ガラスの強度は，２５倍になる。
(2)３２１号発明
東芝ライテックは，昭和５４（１９７９）年から平成元（１９８９）年ま
での間，３２１号発明を実施して製造されたハロゲンランプ用バルブを用い
て，ハロゲンランプを製品化して，販売した。
３２１号発明を実施することにより，ガラスの強度が増加して，ガス放出
が減少し，ランプの効率が１０％増加する。
(3)３５９号発明
東芝ライテックは，昭和５３（１９７８）年から平成８（１９９６）年
（少なくとも昭和６２（１９８７）年）までの間，３５９号発明を実施して
製造された二重管形高圧放電灯を組み込んだ産業用大型放電灯を製品化して，
販売した。
３５９号発明を実施することにより，ガラス強度の増加，ガス放出の減少
及びランプの光束維持率が上昇した。
(4)３８７号発明
被告及び東芝ライテックは，昭和５３（１９７８）年から平成８（１９９
６）年（少なくとも，昭和６２（１９８７）年）までの間，３８７号発明を
実施して製造されたエッチング強化ガラスを用いて，産業用大型放電灯を製
品化して，販売した。
３８７号発明は，外管ガラスと発光管ガラスの双方に実施されており，こ
れによりガス放出が大幅に減少した。
(5)１０３号発明
株式会社トプコン（以下「トプコン」という。）及び旭テクノグラス株式
会社（以下「旭テクノグラス」という。）は，１０３号発明を実施して，眼
鏡レンズ（実施期間は，昭和５３（１９７８）年から昭和６３（１９８８）
年まで。商品名「TAF-LUX」及び「TAF-BROWN」。甲３０）及び時計用ガラス
（実施期間は，昭和５３（１９７８）年から昭和５８（１９８３）年まで。
甲３５）を製品化して，販売した。
１０３号発明を実施することにより，ガラス表面の平滑度が高められ，歩
留まりが著しく向上した。
⑹４６９号発明
トプコンは，昭和５５（１９８０）年から昭和６３（１９８８）年までの
間，４６９号発明を実施した眼鏡レンズを製品化して，販売した（甲３０，
３１，３５）。
また，岩城硝子のHardlexにも，４６９号発明が実施されている（甲４１，
４２）。
４６９号発明を実施することにより，潜傷除去，イオン交換処理に先立つ
一定の昇温速度による加熱によってガラス強度の改善が成し遂げられた。
⑺８４９号発明
トプコンは，昭和５４（１９７９）年から昭和６３（１９８８）年までの
間，８４９号発明を実施した眼鏡レンズを製品化して，販売した（甲３０）。
⑻７６２号発明
トプコン及び旭テクノグラスは，昭和５６（１９８１）年から平成２（１
９９０）年までの間，７６２号発明を実施した眼鏡レンズ及び時計用ガラス
を製品化して，販売した。
７６２号発明を実施することにより，ガラス強度の著しい改善が成し遂げ
られた。
⑼２４７号発明
被告は，昭和５７（１９８２）年から平成１４（２００２）年までの間，
２４７号発明を実施したエッチング強化ガラスを用いて産業用大型放電灯を
製品化して，販売した。
２４７号発明は，外管バルブと発光管の双方に実施されており，これが実
施されないと，放電灯の生産ができない。
(10)２８６号発明
ア被告は，２８６号発明を実施して，昭和５９（１９８４）年から平成１
６（２００４）年までの間，ガラス被覆Ｓｉ整流器，高耐圧ダイオード，
トライアックペレット等の個別素子を含む電子デバイス全般（フラッシュ
メモリー等の各種メモリー，高速デバイス，ＣＭＯＳ，ゲートアレイ，マ
イクロプロセッサ等）を製品化して販売した。
イ甲３９文献について
(ア)２８６号発明の被告製品への実施例は，原告が著者である「半導体
用ガラス」（化学工業Ｖｏｌ．３７，Ｎｏ．６所収。甲３９。以下「甲
３９文献」という。）において，示されており，同文献の図７のガラス
被覆した整流素子のうち，ガラスが通常の薄い膜である場合や，同文献
の図８のトライアックペレットにおいて，実施されている。また，被告
製品に実施された際のガラスの組成及び物性は，甲３９文献の表１及び
表２に示されており，そのうちのガラスＮｏ．(1)及び(2)は，２８６号
特許の特許請求の範囲に含まれるものである。
同特許の特許請求の範囲に記載された必須成分がないと，個別素子用
のガラスができないし，さらに，熱膨張係数が２８６号発明の要件を満
たさないと，クラックが発生してパッシべーションの用をなさない。す
なわち，電着法（電気泳動法）による限り，２８６号発明に抵触せずに
個別素子のパッシべーション膜を形成することは困難である。
現に，被告は，原告に対し，２８６号特許につき実績補償を支払って
おり，甲３９文献の内容，２８６号特許の特許公報の実施例からみても，
２８６号発明が，被告において実施されてきたものと推定されることは
当然である。
(イ)甲３９文献に関する被告の主張について
ａ被告は，甲３９文献には，２８６号発明の一部しか記載されていな
いと主張する。
しかしながら，甲３９文献は，業界のＰＲ誌であり，原告が半導体
用ガラスについてレビューを書いたものであって，個々の発明を具体
的かつ詳細に説明するものではないので，記述の全体やデータ，図面
から，２８６号発明を用いた製品の紹介が含まれていると理解されれ
ば足りる。
そして，甲３９文献には「電気泳動法」との記載があり，電気泳動
は電解質液体中でないとできないから，「電解質溶液」という言葉が
なくても，それが用いられていることは当然の前提である。また，甲
３９文献の図８は，２８６号特許の明細書（甲６）の第１図に該当す
るものである。
さらに，甲３９文献は，「東芝において，最近発表された」ものと
して言及されており，これが発表のための社内審査を通過しているこ
と，甲３９文献の表１のガラスの組成と２８６号特許の実施例のガラ
スの組成は酷似していることからすれば，甲３９文献に示されたガラ
スは，２８６号発明に係るものである。
加えて，①甲３９文献は，論文等の発表のための被告の社内審査基
準にあるように，●（省略）●と判断されていること，②甲３９文献
の個別素子に関する記述は，原告本人が，２８６号発明の内容を紹介
したものであることを明言しており，かつ，甲３９文献の公刊は，２
８６号特許の出願が公開されたのとほぼ同時期であること，③実学と
しての工学系の論文・報告においては，特段の留保がない限り，実施
済みであることは当然の前提であることから，甲３９文献により，実
施していることは明らかといえる。
ｂ被告は，甲３９文献には，２８６号特許の出願以前に公知の内容し
か記載されていないと主張する。
しかしながら，このような被告の主張は，①甲３９文献の記載等を
総合すれば，甲３９文献には２８６号特許のほぼすべてが記載されて
いること，②２８６号特許は既に出願公開されていることから，公知
であって，機密情報を含まないのは当然であること，③●（省略）●
であるから発表が許可されたことを，いずれも見落としたものである。
ウ原告が執筆した論文（甲６４ないし６６）は，２８６号発明のＭＯＳデ
バイスへの実施が示されており，その中には，２８６号発明の組成を満た
す物が記載されている。
そして，被告においては，論文を発表するには，社外発表許可を取る必
要があり，その際，出願又は取得した特許との関係を明らかにする必要が
あること（甲７３）からすれば，原告が，２８６号発明に関連した論文を
社外に公表している以上，これが被告製品に実施されていることは，疑問
の余地がない。
エ(ア)そもそも，被告においては，原則として，●（省略）●のものでな
ければ，出願した特許の審査請求をすることが認められていなかったの
であるから（甲６３），審査請求がされている発明は，現実に●（省
略）●する必要性が高い発明である。
現に，被告は，原告に対し，２８６号発明に関して，実績補償を支払
っており，被告製品への実施がなければ支払われないものである。原告
と被告との力関係からすれば，被告が主張するような，事を荒立てたく
ないので支払うということはあり得ない。
(イ)原告は，すべて審査請求依頼書（甲６３。以下「甲６３依頼書」と
いう。）の様式の用紙を使って審査請求をしており，２８６号特許の審
査請求をした昭和５９年でも同じである。
そして，審査請求をするには，費用を要するから，相当の実益がある
ことが見込まれる場合に限られることは当然であり，また，２８６号特
許は，他社実施も共願先もないから，審査請求がされたのは，甲６３依
頼書にいう●（省略）●以外には考えられない。
なお，被告は，甲６３依頼書の書込内容が不自然である等主張するが，
甲６３依頼書の書込内容や日付には意味がなく，不動文字部分が証拠と
して意味のある部分であるから，被告の主張は，意味がない主張である。
オ被告は，平成９年以降は，２８６号発明を実施して製造された製品は存
在しないと主張する。
しかしながら，このことは，被告が２８６号発明を実施したことがない
という意味にはならない。すなわち，被告は，かつては，自ら個別素子を
製造していた。そして，被告が使用した個別素子のガラスは，東芝ガラス，
イノテック，日本電気ガラスの三社が製品化したが，その必須成分は，い
ずれも２８６号発明の必須成分に一致し，原告が，これらを必須成分とす
るガラスについて，物性の測定，微量成分のＣ−Ｖ特性への影響等を自ら
詳細に調査したので，これらの製品が２８６号特許に係る物であり，被告
において大量に使用された経緯を周知している（甲１２５，甲１３１ない
し１３３）。
その後（おそらくは，平成９年ころ），被告は，２８６号発明の実施権
を，１００％出資の子会社である東芝コンポーネンツ株式会社（以下「東
芝コンポーネンツ」という。）に移管しているから，現在，被告が実施し
ていないのであって，現在の被告製品においても，東芝コンポーネンツに
おいて製造された２８６号発明の実施に係る個別素子が組み込まれている。
(11)５３４号発明
ア被告は，昭和６３（１９８８）年から平成１５（２００３）年までの間
に製品化された，１Ｍ−ＤＲＡＭ，４Ｍ−ＤＲＡＭ，１６Ｍ−ＤＲＡＭ，
１Ｇ−ＤＲＡＭ，Ｓ−ＲＡＭ，ＥＰ−ＲＯＭ，フラッシュメモリー，バイ
ポーラ，Ｂｉ−ＣＭＯＳ等，被告の半導体すべてについて，５３４号発明
を実施している。
５３４号特許に係る請求項は，いずれも多層構造を有する半導体装置に
関して極めて基本的な特許であるから，これに抵触しない半導体装置を想
定することは困難である。
現に，被告は，原告に対し，少額ではあるが，５３４号特許につき，実
績補償を支払っている。
イ被告が製造するバイポーラにおいて５３４号発明が実施されていること。
(ア)被告の工場で製造されていたバイポーラの断面構造図（甲２７。以
下「甲２７図面」という。）には，●（省略）●第１の層間絶縁膜とし
て●（省略）●酸化膜（ＳｉＯ）が存在し，●（省略）●，ＬＰ−ＢＰ２
ＳＧ（減圧ホウリンケイ酸ガラス）による第２の層間絶縁膜がある。そ
して，ＬＰ−ＢＰＳＧのモル分極率は，０．０６２∼０．０７１の間に
ある（甲５６。以下，この論文を「甲５６論文」という。）。
また，甲２７図面における各多層配線は，●（省略）●が層間絶縁膜
となっており，これも５３４号特許の請求項１に含まれる。
なお，被告は，同図に基づく製品は製造していないと主張するが，同
図は例示にすぎず，この図面そのものによる製品が販売されていたか否
かは，５３４号発明の被告製品への実施を否定する根拠にはならない。
(イ)モル分極率について
ａモル分極率は，ガラスとしての構造（結晶質か，非結晶質か等），
酸素欠陥の有無・割合，ガラスの三次元構造を規定する網目構造イオ
ンと網目修飾イオンの入り込み方等によって異なり，成分比のみで決
まるものではない。そして，ＵＬＳＩで用いるガラスについては，ど
のような誘電体の，どのような構造の物を，どのような周波数で測定
したかを捨象してはならない。
ｂ被告がその主張の根拠とするシャノン論文（乙２１。シャノン「酸
化物及びフッ化物におけるイオンの誘電分極」をいう。以下同じ。）
は，周波数１ｋＨｚないし１０ＭＨｚの領域で分極の測定をしており，
これによって求められるのはイオン分極である。他方で，ＵＬＳＩの
材料として必要なのは，周波数１ＧＨｚの領域であって，これにより
求められるのは，主として電子分極であり，イオン分極を考慮すると
しても，わずかである。
また，シャノン論文で測定に用いたと思われる化合物は，多結晶又
は単結晶であって，膜形成ができないものであり，また，誘電率は，
結晶構造のものと非晶質のものとでは全く異なるので，絶縁膜の分極
率計算の基礎とする数値は，これからは求められない。
さらに，シャノン論文は，圧電材料に関する調査を目的とするもの
であって，ＵＬＳＩに関するものではない。
加えて，被告がモル分極率の計算に使用しているシャノン論文の図
１は，イオン誘電分極率の値であって，モル分極率とは区別される。
したがって，そもそも，分極率の計算に関してシャノン論文に依拠
することはできないのであり，被告の主張は誤りである。
被告は，層間絶縁膜では，配向分極率は，大きく見積もっても１０
％以下と考えられるとして，これを無視した上で，１ｋＨｚと１ＧＨ
ｚのモル分極率は，ほぼ同じ値であると主張するが，１ＧＨｚより低
周波数の領域において，配向分極は生じており，１ｋＨｚと１ＧＨｚ
の周波数領域では，配向分極の分が全く違ってくるから，被告の主張
は失当である。
なお，仮に，被告の計算によるモル分極率が正しいとすると，電子
デバイスの絶縁膜で通常計算されている値よりも３桁も大きくなり，
デバイスとして全く動かないことになる。
ｃ被告は，原告が陰イオンの影響を失念していると主張する。
しかしながら，モル分極率の計算は，クラウジウス・モソッティの
式で行われるのが本則である（甲３６）ところ，陰イオンの寄与は，
この式の計算においてはマイナスで計算されるため，陰イオンの影響
を加味しても，モル分極率は，より低下することになるから，陰イオ
ンの寄与を示さなかった。
また，ＵＬＳＩに用いられるＢＰＳＧ膜は，単純なＳｉＯ，ＢＯ２２
，ＰＯの加重平均の成分ではなく，これでは，膜形成に失敗するか３２５
ら，有機ＢＰＳＧ膜を前提に計算すべきである。現実に，被告製品も
有機ＢＰＳＧ膜を使用している（甲２９）。したがって，有機官能基
に相当する分極率を加除しなければならないところ，有機官能基は，
ＯＣＨ等のアルコキシド基であり，被告こそ，陰イオンを失念して２５
−
いる。
さらに，ここで問題とするのは，一つのイオンの内部変位の問題で
あり，異なるイオンとイオンの間に生ずる変位の問題ではなく，被告
の主張は，両者の相違を区別しないものである。
ｄ被告は，甲５６論文の引用の誤りを指摘する。
しかしながら，ポーリング論文（乙２３。ポーリング「多電子原子
及びイオンの物理的性質の理論予測。モル屈折率，反磁性磁化率，空
間における拡張」をいう。以下同じ。）において，「Ｒ」を定義した
計算式（Ｒ＝Ｖ（ｎ−１／ｎ＋２））をみれば，そこに示された２２
「Ｒ」は，モル分極率を示すものであるということができ，これを誤
って「MoleRefraction」と表示したものと推測される。そして，クラ
ウジウス・モソッティの式で求めたモル分極率とブァン・ブレック論
文（乙２２。ブァン・ブレック「物質の電気分極と磁性」をいう。以
下同じ。）の表から求めたモル分極率を比較しても，良い一致を見て
いる（甲８２，８３）。また，用語の問題としても，ポーリング論文
が用いている「MoleRefraction」は，本来的には屈折率を表す言葉で
はない。したがって，ポーリング論文及びブァン・ブレック論文の表
は，モル分極率を記載したものであって，モル屈折率を表示したもの
ではない。
なお，このポーリング論文の数値が主として電子分極を考慮したも
のであることは，被告の主張のとおりである。しかしながら，ＵＬＳ
Ｉの領域では，イオン分極や配向分極も存在するが，主として電子分
極であることは間違いないので，ポーリング論文を用いることに問題
はない。
そして，甲５６論文において示した計算方法は，特許庁の審査，論
文の掲載に当たっての被告の社内での審査等において，内容の正当性
が認められたものである。
(ウ)ＢＰＳＧ膜について
被告は，ＢＰＳＧ膜が５３４号特許の請求項１（以下「５３４−１特
許」といい，当該特許に係る発明を「５３４−１発明」という。）の第
２の絶縁膜に該当すると解すると，その有効性を維持できないと主張す
る。
しかしながら，５３４−１発明にいう第２の絶縁膜に該当するＢＰＳ
Ｇ膜には，モル分極率その他の限定がある。そもそも，５３４−１特許
が維持できるか否かは，特許無効審判等の手続によるべきであって，本
件訴訟のテーマではなく，議論すべきことではない。
また，現に，５３４−１特許が，何らの異議を受けることなく維持さ
れていることは，原告の解釈の正しさを証明している。
ウ被告が製造するＤＲＡＭにおいて５３４号発明が実施されていること。
(ア)被告の工場で製造されていた１Ｍ−ＤＲＡＭの工程及び断面図（甲
２８。以下「甲２８図面」という。）中の完成図によれば，その●（省
略）●ＳｉＯ膜が第１の絶縁膜の役割を果たしており，更に●（省略）２
●ＢＰＳＧガラスの膜が第２の絶縁膜の役割を果たしているので，これ
も５３４−１発明に含まれる。
また，同完成図のプラズマＳｉＯ膜は，「水酸基(ＯＨ基）濃度が８２
００ｐｐｍ以下」の要件を満たすものである（甲５１，５７参照）から，
５３４号特許の請求項２（以下「５３４−２特許」といい，当該特許に
係る発明を「５３４−２発明」という。）にも含まれる。なお，水酸基
濃度が８００ｐｐｍを超えると，半導体の層間絶縁膜としては，リーク
電流が多すぎて，使用に耐えなくなる（甲５８。以下，これを「甲５８
論文」という。）。
４Ｍ，１６Ｍ，６４ＭのＤＲＡＭについても，同様である。
(イ)甲２８図面に関する被告の主張について
甲２８図面は例示にすぎず，この図面そのものによる製品が販売され
ていたか否かは，５３４号発明の被告製品への実施を否定する根拠には
ならない。
(ウ)水酸基濃度に関する被告の主張について
ａ被告は，甲５８論文には，何ら前記(ア)のような記載はないと主張
する。
確かに，甲５８論文に８００ｐｐｍがリーク電流の技術的限界との
記載はないが，５３４号特許の特許公報の，水酸基濃度が８００ｐｐ
ｍ以下とそれを超える場合とは，比抵抗が２桁も違うとの記載を前提
に，甲５８文献を引用したものである。
ｂ被告は，プラズマＳｉＯ膜が５３４−２特許の第２の絶縁膜に該当２
すると解すると，その有効性を維持できないと主張するが，これが無
効かどうかは，本件訴訟のテーマではない。
また，５３４−２特許に対して異議申立てがされていないことだけ
で，原告の解釈が正しいことが裏付けられる。
なお，プラズマＳｉＯ膜は例示であるから，これのみについて５３２
４−２発明の第２の絶縁膜に該当することを否定しても，被告製品へ
の実施を否定したことにはならない。
ｃ被告は，現実の製品において，絶縁膜の水酸基濃度を測定すること
が困難であると主張する。しかしながら，水酸基の定量は，赤外吸収
スペクトルにおいて，水酸基に特有な３つの吸収バンドの吸光度から
計算することができる（甲５８）。透過光が測定できる場合は，分光
吸光光度計を用い，透過光が測定できない場合はこれを用いて反射光
を測定すればよく，製品になったものの水酸基濃度を直接測定するに
は，透過光ではなく，反射光の測定で可能である。
また，層間絶縁膜やパッシべーション膜の水酸基濃度は，材料段階
で決まるから，材料としてのガラス膜の水酸基を測定すれば足りる。
５３４−２発明が特許となっているのも，水酸基濃度が定量可能で
あるからである。
エ平成元（１９８９）年３月１７日から平成２（１９９０）年１月１９日
にかけて行われた技術移転会議（研究部門から製造部門への技術移転を目
的とする会議）の議事録（甲２６の１ないし９）において，ＢＰＳＧの濃
度振り（これが，頻繁に議事事項に取り上げられているのは，低温流動化
の鍵を握るからである（甲５９）。）や●（省略）●が検討されており，
５３４号発明の技術移転が議論されていること，原告が，１回を除いて全
部出席していることからも，５３４号発明が被告製品に実施されてきたこ
とは，明らかである。
オ被告製品（ＬＳＩ及び超ＬＳＩ）に関する外部雑誌の解説（甲２９）も，
被告製品に５３４号発明が実施されていることを裏付けている。
カそもそも，①被告の主張は，被告が自ら費用を負担して出願し，審査請
求をしたという事実と矛盾すること，②被告の主張は，特許庁の審査によっ
ても，５３４号発明の新規性，進歩性が認められ，特許されていることとも
矛盾すること，③原告は，内外の雑誌に多数の論文等を発表し，社内審査の
みならず，いわば社会的な幅広い層による審査にさらされたにもかかわらず，
何らクレームを受けたことはないこと等からすれば，被告の主張は，非常識
である。
また，特許の実施に関する直接的証拠は，すべて被告が持っており，被
告を退職した原告がこれを取得することは困難であることから，実施につい
て一応の立証がされたならば，被告の側で実施していないことの証明責任を
負うと解すべきである（最高裁昭和６０年（行ツ）第１３３号平成４年１０
月２９日第一小法廷判決・民集４６巻７号１１７４頁）。
キ以上のことから，被告が５３４号発明を実施していることは，明らかで
ある。
(12)２８８号発明
ア被告は，昭和５９（１９８４）年から平成１６（２００４）年までの間，
２８８号発明を実施して，１Ｍ∼１ＧのＤ−ＲＡＭ，Ｓ−ＲＡＭ，ＥＰ−
ＲＯＭ，バイポーラ，Ｂｉ−ＣＭＯＳ，フラッシュメモリーを製造・販売
していた（甲１５４）。
イ多層構造の半導体デバイスは，その大部分が２８８号特許に抵触するも
のであり，この要件を満たさなければ，層間絶縁膜やパッシべーションに
クラックが発生して，リーク電流が増加し，歩留まりを低下させることに
なる。
２８８号特許の特許公報に記載された実施例は，いずれも被告における
実施例であり，同特許は，●（省略）●を前提に審査請求がされたもので
ある（甲６３）。
２８８号発明のポイントは，基板を覆う第１のガラス層にあり，２８８
号特許の請求項３及び４におけるガラス構造の中に，網目修飾イオンを導
入して低温平坦化を実現する技術は，原告の発明に係る別出願の特許発明
（甲１１１）において示されており，これらに関する詳細な研究は，原告
が被告在職中に書き上げた博士論文（甲７９）に，その内容が記述されて
いる。また，第２のガラス層において，リフロー形状の段差部におけるｔ
ａｎθを小さくすることが重要であるが，そのために，第２のガラス層に
おいても，低温リフローの実現が必要であり，その技術に関する原告の寄
与も大きい（甲１１０）。さらに，甲３９文献にも，２８８号特許の特許
請求の範囲と同じ内容に関する説明がある。
２８８号発明は，半導体デバイスの低温リフローを実現し，Ｃ−Ｖ特性
を改良し，更にはクラックの発生，リーク電流を低減すること等に関する
原告の発明の一翼を担うものである。
(13)８４４号発明
ア被告は，昭和５７（１９８２）年から平成１４（２００２）年までの間，
８４４号発明を実施して，各種個別素子（高耐圧トランジスタ，トライア
ック，ダイオード，低温ポリシリコン液晶用テレビＦＥＴ，薄膜トランジ
スタ等）を自ら製造し，東芝コンポーネンツに製造させた。
イ(ア)ガラス保護膜として，Ｓｉ，Ｂ，Ｇｅのいずれかはほとんど４＋３＋４＋
必須といってよく，また，Ｂｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｐｂの５＋４＋２＋２＋２＋
いずれをも含まないガラスはほとんど想定できず，モル分極率１．０以
下のガラス保護膜を実現しようとすると，ほとんどの場合，８４４号特
許に抵触する。そして，保護膜の分極率が１．０を超えるとデバイスの
Ｃ−Ｖ特性が悪化し，逆に０．００７以下では，非晶質被膜が形成でき
ないことからすれば，８４４号発明は，極めて広汎に被告製品に実施さ
れている。
被告のソルダーガラスのカタログ（甲１０９。以下「甲１０９カタロ
グ」という。）を見ても，その大部分は，成分として８４４号特許の特
許請求の範囲内にあることは明らかである。
また，甲３９文献で「東芝において，最近発表された」と明示された
ガラス組成（同文献表１参照）は，８４４号特許の特許請求の範囲に完
全に包含される。
さらに，被告製品に使用されてきたガラスの成分は，甲１３１ないし
甲１３３の論文に示されているが，いずれもその成分組成に関して，８
４４号特許の特許請求の範囲に含まれる。
(イ)デバイスの保護膜又は層間絶縁膜に関して，モル分極率１．０以下
を実現した発明及びその技術に言及した論文は多数に上るが，これらは，
被告社内の審査を通り，特許庁の審査も通って，正当性が認められたも
のである。また，被告社内の審査において，●（省略）●との評価も受
けたものである。
ウ被告は，甲１０９カタログは東芝硝子株式会社（以下「東芝硝子」とい
う。）のものであると主張するが，被告が使用するデバイス用のガラスは，
日本電気硝子，東芝硝子，旭ガラスのいずれかの納入品を用いることが圧
倒的に多い。
また，被告は，甲１０９カタログに記載されたガラスを「個別素子の保
護膜」として用いたことはないと主張するが，主要成分以外の微量成分が
カタログに記載されることはないものの，主要成分のみで比較すれば，被
告は，甲１０９カタログ記載の製品を使用している。
そして，被告が東芝硝子等の子会社に製造させ，納入を受けた場合であ
っても，原告の発明により被告が利益を受けている点では，同じである。
(14)３００号発明
ア被告は，昭和６３（１９８８）年から平成７（１９９５）年までの間，
３００号発明を実施して，１Ｍ∼１Ｇの高速バイポーラ，Ｂｉ−ＣＭＯＳ，
ゲートアレイ等を製造した。
イ(ア)３００号特許は，スパッター法により形成した層間絶縁膜を有する
半導体デバイスの基本特許というべきであり，ターゲット材の潜傷を除
去しなければ，デバイスの中に不純物等が入り込んで，デバイスが動か
なくなるから（甲１４３），ターゲット材を用いたＰＶＤ法によって層
間絶縁膜を形成する限り，すべてこの特許請求の範囲に含まれる。
そして，被告において，ターゲット材を用いたスパッター法による層
間絶縁膜の形成方法を採用していることは明らかであり（甲９８，１０
９），原告自身，このような製造方法を被告在職中に指導したことがあ
る。
(イ)被告は，甲９８には「電極形成」にスパッタ装置を用いることが記
載されているにすぎないと主張するが，電極と絶縁膜とは，一つの単位
として製造されるものであるから，被告の主張は，理由がない。
また，甲１０９カタログは，東芝硝子のカタログではあるが，ガラス
の製造者が被告でないことが，当該ガラスを被告が使用していない根拠
とはならない。
ウ３００号特許の請求項２は，請求項１の範囲に包含されるものであるが，
点欠陥又は不純物濃度で限定したものである。そして，水酸基の測定が可
能であることは，５３４号特許に関して述べたとおりである（甲１２３，
１２８，１２９）。
(15)７２４号発明
ア被告は，平成元（１９８９）年から平成８（１９９６）年までの間，７
２４号発明を実施して，１Ｍ∼１Ｇの高速バイポーラ，Ｂｉ−ＣＭＯＳ，
ゲートアレイ等を製造した。
イ７２４号特許は，３００号特許に包含されるものであり，３００号発明
につき，ターゲットガラスのアルカリイオン含有量や遷移金属イオン含有
量，常磁性欠陥濃度に限定を加えるものであるが，デバイスとして使用す
る場合には，このような条件が必要であり（甲５５，１１６），被告の社
内評価でも，Ａランクである（甲１３０）。
なお，被告は，特許出願日と実施との関係を問題とするが，出願日以前
に実施されることについては，何ら不思議はない。
(16)８０５号発明
ア被告は，平成２（１９９０）年から平成２０（２００８）年までの間，
８０５号発明を実施して，１Ｍ∼１Ｇの高速バイポーラ，Ｂｉ−ＣＭＯＳ，
ゲートアレイ等の電子デバイスを製造した。
イ８０５号特許は，ターゲットガラスのアルカリイオン含有量，遷移金属
イオン含有量，常磁性欠陥等に限定を加え，当該ターゲットガラスからス
パッタ法で製造された電子デバイスに関する特許であって，バイアススパ
ッターガラス膜とプラズマ絶縁膜を併用する半導体デバイスの基本特許で
ある。そして，バイアススパッターガラス膜とプラズマ絶縁膜の積層膜の
作り方とそのメリットは，甲３８にも述べられているが，実用化されてい
る方法としては，甲１１０の論文に図解入りで記載されている。また，バ
イアススパッターガラスの使用について，被告社内で実施されていたこと
は，甲７７の文献にも明記されている。
(17)１２７号発明
ア被告は，平成４（１９９２）年から平成２０（２００８）年までの間，
１２７号発明を実施して，１Ｍ∼１ＧのＤ−ＲＡＭ，フラッシュメモリー，
高速バイポーラ，Ｂｉ−ＣＭＯＳ，ゲードアレイ等を製造した。
イ１２７号特許は，アルコキシド基を導入した有機ガラス（アルコキシド
ガラス）を，デバイスのパッシべーション又は層間絶縁膜に導入するため
の基本特許であり，この特許に抵触せずにアルコキシドガラスをデバイス
に使用することは困難である。
１２７号特許の請求項２において，アルコキシド基相互の組成比を０．
１以上としたのは，これより小さい値の場合はリフロー温度が９００℃以
上となり，２０以下としたのは，これを超えるとエトキシル基が均等に混
合せず，薄膜の均質性が失われ，クラックが生じたりするからである。し
たがって，１２７号特許の請求項２の組成比以外のアルコキシドガラスを
実用化するのは難しく，アルコキシドガラスをデバイスに使用する場合に
は，１２７号特許を使用せざるを得ない。
そして，被告が半導体デバイスにアルコキシドガラスを使用しているこ
とは周知の事実であり（甲２９，６０。ＴＥＯＳ−ＢＰＳＧは，アルコキ
シドガラスの主要なものの一つである。），１２７号特許の特許公報の実
施例３及び５におけるガラス成分と同じ絶縁膜が，被告製品のＤＲＡＭ，
ＳＲＡＭ，フラッシュメモリー，ＥＰＲＯＭ等に使用されている（甲１２，
４３）。
(18)被告における事業部と総合研究所の関係について
以上の１７件の本件各発明は，すべて被告の事業部からの依頼による開発
研究の成果であり，当該事業部と被告の総合研究所との契約により，事業化
を前提として，行われたものである。
そして，出願に係る費用は，すべて事業部の負担であり，審査請求するか
どうかも，「●（省略）●」の場合に限って，事業部の判断でされたもので
あるから，本件各発明は，被告等の製品において，実施されているというこ
とができる。
（被告の主張）
(1)９９９号発明
被告は，９９９号発明を東芝ライテックに実施させたことはない。
また，被告は，平成元（１９８９）年２月１日，９９９号特許権を東芝ラ
イテックに譲渡しており，その後の東芝ライテックの実施の有無は，被告に
は関係がない。
(2)３２１号発明
被告は，３２１号発明を東芝ライテックに実施させたことはない。
(3)３５９号発明
被告は，３５９号発明を東芝ライテックに実施させたことはない。
また，被告は，平成元（１９８９）年２月１日，３５９号特許権の被告の
持分を東芝ライテックに譲渡しており，その後の東芝ライテックの実施の有
無は，被告には関係がない。
(4)３８７号発明
被告は，３８７号発明を東芝ライテックに実施させたことはない。
また，被告は，平成元（１９８９）年２月１日，３８７号特許権を東芝ラ
イテックに譲渡しており，その後の東芝ライテックの実施の有無は，被告に
は関係がない。
(5)１０３号発明
被告は，１０３号発明を，トプコン及び旭テクノガラスに実施させたこと
はなく，これらの会社が１０３号発明を実施したか否かは，被告には関係が
ない。
⑹４６９号発明
被告は，４６９号発明を，トプコンに実施させたことはなく，また，同社
が４６９号発明を実施したか否かは，被告には関係がない。
⑺８４９号発明
被告は，８４９号発明を，トプコンに実施させたことはなく，また，同社
が８４９号発明を実施したか否かは，被告には関係がない。
⑻７６２号発明
被告は，７６２号発明を，トプコン及び旭テクノガラスに実施させたこと
はなく，また，これらの会社が７６２号発明を実施したか否かは，被告には
関係がない。
⑼２４７号発明
被告は，２４７号発明を実施していない。
なお，被告は，平成９（１９９７）年１月７日，２４７号特許権を放棄し
た。
(10)２８６号発明
ア被告は，２８６号発明を実施していない。
イ甲３９文献の記載内容について
(ア)甲３９文献には，組成及び熱膨張係数以外の２８６号発明の構成は，
記載されていない。
すなわち，２８６号発明には，「電解質液体中にモル分極率が１から
２．５の前記ガラス成分と異なるイオンを分散」させるという要件が存
在するが，甲３９文献には，この点の記載はない。また，２８６号発明
は，「電気泳動によつて半導体デバイスの表面に前記ガラスを付着さ
せ」，「前記ガラスの流動点以上の温度で流動化及び固化し，徐冷」す
るとの要件があるが，甲３９文献には，「電気泳動法でＳｉ表面へガラ
ス粉末を付着させ，加熱」することしか記載されていない。さらに，甲
３９文献の表１のガラスのうち，(3)及び(4)のものは，「ＺｎＯ，Ｓｉ
Ｏ，ＢＯを必須成分とする」との要件を満たしていない。２２３
また，甲３９文献には，電気泳動法で付着させるガラス微粉末が同文
献の表１の(1)又は⑵のガラスであるとの記載はなく，むしろこれらのガ
ラスが他者から販売されていることが明示されている。そもそも，甲３
９文献は，整流素子の被覆膜を，電気泳動法以外の方法で形成すること
も記載されており，一方で，その表１には，４種類のガラスが記載され
ているから，電気泳動法で付着させるガラス粉末が，甲３９文献の表１
(1)及び(2)のガラスであると断定することはできない。
さらに，原告は，甲３９文献のガラスの組成や図面と，２８６号発明
の実施例のガラスの組成や図面とが，類似していると主張する。しかし
ながら，２８６号発明は，半導体デバイスの製造方法に関するものであ
り，ガラスの組成のみで発明が特定されているわけではないから，ガラ
スの組成の類似をもって，甲３９文献が，２８６号発明に関するもので
あるということはできない。また，同様に，２８６号発明は，半導体デ
バイスの製造方法に関するものであるところ，原告が指摘する前記各図
面は，それぞれ，トライアックペレット，半導体デバイスの断面構造を
示す図にすぎず，その構造の類似をもって，２８６号発明の構成要件の
すべてが開示されていることにはならない。
(イ)加えて，２８６号特許の出願前である昭和５１年８月１７日に公開
された特開昭５１−９３８７３公報（乙３５。以下「８７３公報」とい
う。）には，ＺｎＯ，ＢＯ，ＳｉＯ系ガラスであるＧＥ−３５１につ２３２
き，熱膨張係数が４４×１０／℃であるガラスが明示されており，甲−７
３９文献には，これと同程度の記載しかされていない。
(ウ)したがって，甲３９文献は，２８６号発明と無関係な文献であり，
原告が指摘する他の文献も，２８６号発明に言及したものはない。
ウ論文の発表について
被告における論文発表の社内審査は，機密事項の漏洩防止等の目的で行
っているものであり，発明の実施とは無関係である（乙３４）。そして，
前記のとおり，甲３９文献には，既に公開されていた８７３公報に記載さ
れている程度の内容が開示されているにすぎないから，社外発表が許可さ
れたものであって，これが２８６号発明の実施を示した論文ではないこと
は，明らかである。
原告は，甲３９文献が●（省略）●と判断されたことを指摘するが，単
なる技術説明であっても，●（省略）●であることは十分にあり得るから，
そのことと被告が２８６号発明を実施していることとは，関係がない。
エ特許の審査請求について
原告は，甲６３依頼書を根拠に，被告においては，原則として，●（省
略）●のものでなければ，出願した特許の審査請求をすることは認められ
なかったと主張する。
しかしながら，２８６号特許の審査請求に当たって，甲６３依頼書が用
いられたという証拠はない。そもそも，甲６３依頼書は，平成元年の申請
に用いられたものであり，２８６号特許の出願の審査請求時である昭和５
９年当時の被告の運用を示したものではない。また，出願公告は審査請求
より後にされるものであるところ，甲６３依頼書に出願公告の番号が記載
されているのは，極めて不自然である。
そして，審査請求がされた特許出願に係る発明であれば必ず●（省略）
●されているというものではないことは，常識である。被告においても，
審査請求をするか否かは，特許施策や予算配分の多寡等により決まってく
るのであって，自社又は他社における実施の有無を確認しているわけでは
ない。
被告においては，審査請求は，特許部門のイニシアティブによる社内手
続によることが原則であるが，発明者等が審査請求を希望する場合がある。
そのような場合に，技術部門から特許部門への審査請求の依頼という形で
審査請求手続を進めるための書類が甲６３依頼書であり，その濫請求を防
ぐために，実施を必要とするとの断り書を入れているのであって，すべて
の審査請求に甲６３依頼書の書式が用いられたわけではない。
オ被告の原告に対する実績補償の支払については，原告から強い要求があ
ったことから，担当者において事を荒立てたくない等と考え，平成１４年
度ないし同１６年度の３年分を，Ｄ級（通常の実施。すなわち，顕著な価
値を認めるべき実施に該当しない実施。）と評価して支払ったものである。
また，平成５年度分ないし同８年度分の実績補償については，所管部門の
申告どおりに支払うという被告の運用の下に支払われたものであって，実
施を確認した上で支払ったものではない。
カ被告において，平成９年以降の製品を確認したところ，被告のトライア
ックペレット，ダイオード製品で２８６号発明を実施した製品はなかった。
なお，被告が平成９年以降の製品を確認したのは，それ以前については，
補償金支払請求権が時効により消滅しているからであり，それまでは実施
していたことを含意するものではない。
(11)５３４号発明
ア被告は，５３４号発明を実施しておらず，５３４号特許が基本特許とも
いえない。
なお，原告が挙げる各製品のうち，１Ｍ−ＤＲＡＭ（Ｃ−ＭＯＳ）のサ
ンプル出荷は，５３４号特許の出願に先立つ昭和６０年３月であり，昭和
６２年４月の時点では，被告は，月産１２０万個の１Ｍ−ＤＲＡＭを生産
していた（乙２９，３０）。
イバイポーラについて
(ア)被告は，甲２７図面に基づくバイポーラを検討はしたが，現実に製
造はしていない（乙３１）。
そして，原告は，この図面を引用する以外には，何ら５３４−１発明
の実施について，具体的な主張をしていない。
(イ)モル分極率の算定について
ａ⒜ＢＰＳＧ膜のモル分極率は，２．９４以上であり，「モル分極率
が１．０以下」の要件を満たさない。
ＢＰＳＧ膜は，Ｂ，Ｐ，Ｓｉ，Ｏを含み，それぞれのモル分極率
は，Ｓｉが０．５２，Ｂが０．０３，Ｐが０．７３，Ｏが１．２１
である（乙２１（シャノン論文））。そして，ＢＰＳＧのモル分極
率は，ＳｉＯ，ＢＯ，ＰＯの加重平均で求められ，その下限は，２２３２５
純粋なＳｉＯのモル分極率である２．９４（＝０．５２＋１．２１２
×２）となる。
⒝全分極率は，電子分極率，イオン分極率，双極子分極率（配向分
極率）及び界面分極率の総和である。しかしながら，ＬＳＩ製造レ
ベルに制御されたＳｉ酸化膜系層間絶縁膜では，界面分極はそれほ
ど支配的ではないため，これを無視しても構わず，また，双極子分
極率（配向分極率）も，大きく見積もっても１０％以下と考えられ
る（乙３９）から，これも簡略化のために省略すれば，全分極率は，
電子分極率とイオン分極率の合計となる。そして，全分極率は，印
加される電界の周波数によって変化し，赤外線の周波数（３ＴＨ
ｚ）より低い周波数の領域では電子分極とイオン分極が，赤外線の
周波数より高い周波数の領域では電子分極のみが関係する。
シャノン論文は，周波数１ｋＨｚ（１０Ｈｚ）∼１０ＭＨｚ（１３
０Ｈｚ）の領域（赤外線より低周波数の領域）で分極率の測定を行７
っており，その数値は，電子分極とイオン分極の双方を考慮した分
極率である。
そして，半導体の層間絶縁膜の評価特性として考慮すべき周波数
帯は１ＧＨｚ程度であり，赤外線の周波数（３×１０ＧＨｚ）より３
も３桁も低く，そのモル分極率を評価するに当たっては，電子分極
とイオン分極の双方を考慮する必要があるから，５３４号発明にお
けるモル分極率も，イオン分極と電子分極の双方を考慮する必要が
ある。
したがって，全分極率は，シャノン論文の記載された領域と１Ｇ
Ｈｚの周波数領域においては，ほぼ同じ値であるから，シャノン論
文に記載されたモル分極率の数値を，５３４号発明のモル分極率の
計算に用いることができる。
なお，原告の意見書（甲１１３）でも，イオン分極は１０以下１３
の，電子分極は１０以下の周波数で生じると記載されている。１４
また，原告は，シャノン論文で測定に用いたと思われる化合物は
多結晶又は単結晶であるとか，シャノン論文は圧電材料に関する調
査が目的であったと主張するが，シャノン論文には，どこにも多結
晶又は単結晶とは記載されていないし，圧電材料に関する調査とも
述べられていない。
以上のことから，ＵＬＳＩ材料として必要な１ＧＨｚの領域では，
シャノン論文の表の数値をモル分極率の算定に用いるべきである。
そして，クラウジウス・モソッティの式によって，ＳｉＯの６５２
ＧＨｚにおけるモル分極率を計算すると，３．２６㎤／molとなり，
シャノン論文の数値を用いて計算したＳｉＯのモル分極率２．９４２
㎤／molと１０％の誤差でほぼ一致することからも，ＵＬＳＩ材料と
して必要な１ＧＨｚの領域では，シャノン論文の表の数値をモル分
極率の算定に用いることができることが，例証される。
ｂ原告は，甲５６論文を根拠に，ＢＰＳＧのモル分極率を０．０６２
∼０．０７２と主張する。
⒜甲５６論文の数値は，ブァン・ブレック論文中の「原子とイオン
のモル分極率と反磁性磁化率」と題する表（２４１頁）に記載され
た数値に基づき計算されたものであるところ，ブァン・ブレック論
文の当該表の数値は，ポーリング論文のデータを基にしたものであ
る。しかしながら，ポーリング論文のデータは，モル屈折率に関す
るものであって，ブァン・ブレックが，これをモル分極率と誤って
記載し，甲５６論文は，この記載に依拠して，モル屈折率の値をモ
ル分極率として掲載したものであって，技術的にみて誤っている。
原告は，ポーリング論文は，モル分極率を計算しつつ，誤って
「MoleRefraction」と表示したものであると主張するが，そのデー
タは，数値の点からしても，モル分極率とは異なっている（乙２１
参照）。また，原告は，クラウジウス・モソッティの式等を引用し
て主張するが，原告の主張は，半導体装置の層間絶縁膜の評価特性
として考慮すべき周波数帯で寄与する分極についての誤った認識に
基づくものであり，失当である。
⒝また，ポーリング論文のデータは，光（赤外線よりも短波長，高
周波）の周波数を問題にしているから，主として電子分極を考慮し
た値であり，イオン分極は考慮してない。
したがって，ブァン・ブレック論文の表，更にはこれに依拠する
甲５６論文も，主として電子分極を考慮した値であり，イオン分極
は考慮していないことになり，ＵＬＳＩ材料として必要な１ＧＨｚ
の領域のものとはかけ離れた，極めて小さな値であり，ＵＬＳＩ材
料として必要な１ＧＨｚの領域において，これを用いるべきではな
い。
原告が，ブァン・ブレック論文の表を利用することができる根拠
とする文献は，いずれも原告が執筆者又は起案者となっているもの
であり，客観的なものとは言い難い。
⒞さらに，モル分極率の計算に当たっては，陰イオンの分極率を考
ｉｉＳｉ４＋慮すべきところ，原告の計算（Ｐｍ＝ΣＰｍ＝０．０８４ｍ
＋０．００７６ｍ＋０．０５４ｍ）では，これを除外していＢ３＋Ｐ５＋
る。陰イオンは＋電極側に，陽イオンは逆方向に変位するものであ
るから，符号の異なるものが逆方向に変位すれば，分極の計算にお
いては，これを加算することになり，陰イオンの影響を加味しても，
分極率はより低下するとの原告の主張は，技術常識に反する。
ｃＢＰＳＧ膜は，モル分極率との関係では，ＳｉＯの一部がＢＯや２２３
ＰＯに置き換わったものと考えることができるから，加重平均で計２５
算することは十分に合理的である。シャノン論文でも，モル分極率は
加重平均で求められることを前提に，個々の原子のモル分極率が最適
化され，物性値として抽出されており，また，原告が発明者である特
許出願明細書（甲４８）でも，加重平均でモル分極率を求めている。
なお，原告は，アルコキシド基の影響を考慮すべきであると主張す
るが，半導体装置における層間絶縁膜においては，アルコシキド基の
影響は，無視できる程度である。
したがって，ＢＰＳＧ膜のモル分極率を求めるのに，加重平均をす
ることは，合理的である。
(ウ)ＢＰＳＧ膜を第２の絶縁膜に含めることについて
ＢＰＳＧ膜を第２の絶縁膜に含める場合には，５３４−１特許の有効
性を維持することは困難であるので，これを含ませるように解釈するこ
とはできない。
すなわち，５３４号特許の出願日より前である昭和６２年１２月７日
に公開された特開昭６２−２８１３５０公報（乙２４）の第２図及び昭
和６２年９月９日に公開された特開昭６２−２０４５４５公報（乙２
５）の第３図には，多層構造の配線を有する半導体装置において，各配
線層間に介在する絶縁膜が，酸化膜からなる第１の絶縁層とＢＰＳＧ層
とを含むようにしたことを特徴とする半導体装置が開示されており，５
３４−１発明の第２の絶縁膜にＢＰＳＧ膜が含まれるとすれば，５３４
−１発明は，これらの公報記載の発明と一致する。
ウＤＲＡＭについて
(ア)甲２８図面について
甲２８図面に基づく１Ｍ−ＤＲＡＭは，被告において，試作はされた
が，販売はされていない。すなわち，甲２８図面は，１Ｍ−ＤＲＡＭ
（ＮＭＯＳ）に関する資料であるところ，被告においては，１Ｍ−ＤＲ
ＡＭ(ＮＭＯＳ)と１Ｍ−ＤＲＡＭ(ＣＭＯＳ)の２種類の開発を行ったが，
１Ｍ−ＤＲＡＭ（ＣＭＯＳ）のみを製造することとし，１Ｍ−ＤＲＡＭ
（ＮＭＯＳ）は，商品化されることはなかった（乙２６，３１）。
原告は，甲２８図面は例示にすぎないと主張するが，それ以外には，
被告が，どの製品に５３４号発明を実施しているか，具体的に主張して
いない。
(イ)水酸基濃度について
原告は，甲２８図面のプラズマＳｉＯ膜が「水酸基（ＯＨ基）濃度が２
８００ｐｐｍ以下である第２の絶縁層」に該当すると主張する。
ａこれについて，原告は，水酸基濃度が８００ｐｐｍを超えると，層
間絶縁膜としての使用に耐えなくなると主張するが，原告がその根拠
とする甲５８論文には，そのような記載はなく，８００ｐｐｍという
数値の技術的意義にも触れられていない。
ｂ仮に，甲２８図面のプラズマＳｉＯ膜が５３４−２特許の第２の絶２
縁膜に当たるとすると，５３４号特許の出願日前である昭和６３年４
月１６日に公開された特開昭６３−８６５４８公報（乙２７）の第１
図⒣及び昭和６０年３月２６日に公開された特開昭６０−５３０５１
公報（乙２８）の第２図⒡には，多層構造の配線を有する半導体装置
において，各配線層間に介在する層間絶縁膜が，酸化膜からなる絶縁
層とプラズマＳｉＯ膜とを含むようにしたことを特徴とする半導体装２
置が開示されており，５３４−２発明と一致するから，その有効性を
維持することは困難である。
したがって，プラズマＳｉＯ膜が「水酸基（ＯＨ基）濃度が８００２
ｐｐｍ以下である第２の絶縁層」に該当すると解釈することはできな
い。
ｃ５３４−２発明は，「水酸基（ＯＨ基）濃度が８００ｐｐｍ以下で
ある第２の絶縁層」を要件とする。しかしながら，現実の半導体製品
において，複数の配線層に挟まれた厚さ数μｍの極めて薄い層間絶縁
膜の水酸基濃度を測定することは困難であり，被告も，その測定方法
を見つけていない。
したがって，このような立証可能性の低い要件を含む５３４−２特
許の価値は，ゼロである。
原告が水酸基濃度の測定ができることの根拠として挙げる文献も，
現実の半導体製品についての特定の絶縁膜の水酸基濃度を測定したも
のはない。
すなわち，均質な硝子の塊について水酸基（ＯＨ基）の定量ができ
るかどうかと，現実の製品について特定の絶縁膜の水酸基（ＯＨ基）
濃度を測定することができるかどうかとは，異なる次元の問題である。
現実の半導体装置においては，複数の配線層が積層されており，これ
らの配線層に挟まれて，厚さ数μｍの極めて薄い層間絶縁膜が存在す
るにすぎず，これのみを取り出して，かつ，空気中の水蒸気の影響な
くして，赤外線吸収スペクトル測定をすることは，極めて困難である。
エ原告は，会議開催通知（甲２６の１ないし９）をもって，５３４号発明
の実施の根拠とするが，これは，５３４号発明とは無関係である。これら
の会議では，ホウ素(Ｂ)の濃度振りが検討されているが，モル分極率や水
酸基濃度は，ホウ素の濃度振りとは無関係であり，当該通知のどこにも
「モル分極率」や「水酸基（ＯＨ基）濃度」に関する記載は，存在しない。
また，原告が出席していたからといって，原告の発明に関する技術移転会
議になるわけではなく，大半の会議に出席している者は，ほかにも複数い
る。
オ原告は，５３４号発明が特許となっていることや，原告の論文等がクレ
ームを受けたことはないこと等を主張するが，それらのことと被告が５３
４号発明を実施していることとは，次元を異にする。
(12)２８８号発明
被告は，原告が主張する期間において，原告が主張する製品には，２８８
号発明を実施していない。２８８号特許の特許公報に記載された実施例につ
いても，同様である。
そして，被告が実施していることが審査請求の前提となるわけではないこ
とは，前記(10)エのとおりである。
また，２８８号特許は，２層のパッシべーション膜の応力の大小が要件と
なっているから，これを充足しない限り，実施しているとはいえないのであ
って，多層構造の半導体デバイスの大部分がこの特許に抵触することが，２
８８号特許の請求項の記載から一目瞭然であるとはいえない。
(13)８４４号発明
ア被告は，原告が主張する期間において，原告が主張する製品には，８４
４号発明を実施していない。
イ原告は，被告による実施の根拠として甲１０９カタログの記載を挙げる
が，当該カタログは，東芝硝子のものであるし，また，被告は，当該カタ
ログに記載されたガラスを「個別素子」の「保護膜」として用いたことは
ない。
また，甲１３１ないし１３３の論文には，いずれも，その成分のガラス
が被告製品に使用されてきたことは，何ら記載されていない。
さらに，原告の論文が被告の社内審査を通ったことや，特許査定を受け
たことは，被告による８４４号発明の実施とは無関係である。
(14)３００号発明
ア被告は，原告が主張する期間において，原告が主張する製品には，３０
０号発明を実施していない。
イ３００号特許には，「ターゲット材の潜傷を除去した後」，「層間絶縁
膜をスパッター法で形成」するという要件があり，被告は，その双方を満
たす製造方法を用いていない。
原告が実施の根拠とする甲９８は，「電極形成」に「スパッタ装置」が
用いられることが記載されているにすぎず，「層間絶縁膜」を「スパッタ
装置」で形成するとは記載されていない。また，甲１０９カタログは，東
芝硝子のカタログであり，被告が，これに記載されたガラスを「個別半導
体」の製造に利用したことはない。
ウ被告は，３００号特許の請求項２について，水酸基の濃度の測定が可能
である旨主張するが，３００号特許では，水酸基の濃度は問題になってい
ないから，そもそも，そのことを議論すること自体，失当である。
(15)７２４号発明
被告は，原告が主張する期間において，原告が主張する製品には，７２４
号発明を実施していない。
７２４号特許は，ターゲットガラスのイオン含有量の数値限定，研磨加工，
エッチング処理等の各種工程が限定されているが，これらの点は，原告が指
摘する甲５５や甲１１６には記載されていない。そもそも，なぜ，７２４号
特許の出願日より前に発行されたこれらの文献で説明されている事項が，被
告による７２４号発明の実施の根拠になるのか，不明である。
そして，７２４号特許は，３００号特許に包含されるという原告の主張に
よる限り，被告が３００号発明を実施していない以上，７２４号発明も実施
していない。
(16)８０５号発明
被告は，原告が主張する期間において，原告が主張する製品には，８０５
号発明を実施していない。
原告は，実用化されている方法として甲１１０の論文を挙げる。しかしな
がら，この論文には，８０５号特許の特許請求の範囲に記載されいてる「バ
イアススパッターガラス膜」についての記載はない。そもそも，甲１１０の
論文は，プラズマＣＶＤの説明にすぎない。
(17)１２７号発明
ア被告は，原告が主張する期間において，原告が主張する製品には，１２
７号発明を実施していない。
１２７号特許は，メトキシル基，エトキシル基，プロポキシル基のうち
少なくとも２種以上の官能基を１ｐｐｍから０．５％含有したアルコシキ
ドガラス層を含むことが要件とされているところ，被告は，このような発
明を，原告が主張する製品に，実施していない。
イ原告が被告による実施の根拠として挙げる文献のうち，甲２９の文献に
は，アルコキシドガラスを広汎に使用しているとは記載されておらず，
「減圧ＴＥＯＳ系を１６ＭＤＲＡＭから採用」と記載されているだけであ
って，１２７号特許の要件に関する要素は開示されていないに等しい。ま
た，甲１２及び甲４３は，いずれも原告の憶測に基づくメモにすぎない。
２争点(2)（被告が原告に対して支払うべき相当の対価の額）について
（原告の主張）
(1)計算方法について
ア本件各発明を実施した者が被告の場合には，実施した期間における実施
品の売上高最小推定額に超過収益率を乗じた額を被告が受けた利益とする。
そして，超過収益率は，本件各発明の重要性にかんがみ，２０％を下回る
ことはない。
イ本件各発明を実施した者が被告以外の者である場合には，本件各特許の
実施許諾料が被告の利益となるが，これは前記アと同様の計算方法による
額（実施した期間における実施品の売上高最小推定額に超過収益率を乗じ
た額）と同程度と推定する。
ウ原告の貢献度は，本件各発明の技術的貢献度に照らして，被告の利益額
の１０％を下回ることはない。ただし，５３４号特許は，売上高が極端に
大きいので，５％とする。
(2)９９９号発明
ア東芝ライテックが，昭和５３（１９７８）年から平成８（１９９６）年
（少なくとも，昭和６２（１９８７）年）までの間，９９９号発明を実施
して，産業用大型放電灯を製品化して販売したことにより，被告が得た実
施料は，少なくとも１億０８００万円（＝５億４０００万円×０．２）で
あるから，原告が受けるべき対価相当額は，１０８０万円（＝１億０８０
０万円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，実績賞として，合計２７万５０００円の対価の支払
を受けた。
ウアの額からイの支払額を控除した残額１０５３万５０００円（注：原告
が主張する額。ただし，正確には，１０５２万５０００円である。）のう
ち，１００万円を請求する。
(3)３２１号発明
ア東芝ライテックが，昭和５４（１９７９）年から平成元（１９８９）年
までの間，３２１号発明を実施して，ハロゲンランプを製品化して販売し
たことにより，被告が得た実施料は，少なくとも２０００万円（＝１億円
×０．２）であるから，原告が受けるべき対価相当額は，２００万円（＝
２０００万円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，実績賞として，合計１６万円の対価の支払を受けた。
ウアの額からイの支払額を控除した残額１８４万円のうち，１００万円を
請求する。
(4)３５９号発明
ア東芝ライテックが，昭和５３（１９７８）年から平成８（１９９６）年
（少なくとも，昭和６２（１９８７）年）までの間，３５９号発明を実施
して，産業用大型放電灯を製品化して販売したことにより被告が得た実施
料は，少なくとも１億０８００万円（＝５億４０００万円×０．２）であ
るから，原告が受けるべき対価相当額は，１０８０万円（＝１億０８００
万円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，実績賞として，合計５万４０００円の対価の支払を
受けた。
ウアの額からイの支払額を控除した残額１０７４万６０００円のうち，１
００万円を請求する。
(5)３８７号発明
ア被告が，昭和５３（１９７８）年から平成８（１９９６）年（少なくと
も，昭和６２（１９８７）年）までの間，３８７号発明を実施して，産業
用大型放電灯を製品化して販売したことにより同発明から得た利益及び東
芝ライテックにこれを実施させたことにより得た実施料は，少なくとも１
億０８００万円（＝５億４０００万円×０．２）であるから，原告が受け
るべき対価相当額は，１０８０万円（＝１億０８００万円×０．１）を下
らない。
イ原告は，被告から，実績賞として，合計１８万円の対価の支払を受けた。
ウアの額からイの支払額を控除した残額１０６２万円のうち，１００万円
を請求する。
⑹１０３号発明
アトプコン及び旭テクノグラスが，１０３号発明を実施して，眼鏡レンズ
（実施期間は，昭和５３（１９７８）年から昭和６３（１９８８）年まで。
商品名「TAF-LUX」及び「TAF-BROWN」。）及び時計用ガラス（実施期間は，
昭和５３（１９７８）年から昭和５８（１９８３）年まで）を製品化して
販売したことにより，被告が得た実施料は，少なくとも６０００万円（＝
３億円×０．２）であるから，原告が受けるべき対価相当額は，６００万
円（＝６０００万円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，実績賞として，合計５万円の対価の支払を受けた。
ウアの額からイの支払額を控除した残額５９５万円のうち，１００万円を
請求する。
⑺４６９号発明
アトプコンが，昭和５５（１９８０）年から昭和６３（１９８８）年まで
の間，４６９号発明を実施して，眼鏡レンズを製品化して販売したことに
より，被告が得た実施料は，少なくとも７０００万円（＝３億５０００万
円×０．２）であるから，原告が受けるべき対価相当額は，７００万円
（＝７０００万円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，実績賞として，合計４万円の対価の支払を受けた。
ウアの額からイの支払額を控除した残額６９６万円のうち，１００万円を
請求する。
⑻８４９号発明
アトプコンが，昭和５４（１９７９）年から昭和６３（１９８８）年まで
の間，８４９号発明を実施して，眼鏡レンズを製品化して販売したことに
より，被告が得た実施料は，少なくとも７０００万円（＝３億５０００万
円×０．２）であるから，原告が受けるべき対価相当額は，７００万円
（＝７０００万円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，実績賞として，合計４万５０００円の対価の支払を
受けた。
ウアの額からイの支払額を控除した残額６９５万５０００円のうち，１０
０万円を請求する。
⑼７６２号発明
アトプコン及び旭テクノグラスが，昭和５６（１９８１）年から平成２
（１９９０）年までの間，７６２号発明を実施して，眼鏡レンズ及び時計
用ガラスを製品化して販売したことにより，被告が得た実施料は，少なく
とも５４００万円（＝２億７０００万円×０．２）であるから，原告が受
けるべき対価相当額は，５４０万円（＝５４０万円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，実績賞として，合計４万５０００円の対価の支払を
受けた。
ウアの額からイの支払額を控除した残額５３５万５０００円のうち，１０
０万円を請求する。
(10)２４７号発明
ア被告が，昭和５７（１９８２）年から平成１４（２００２）年までの間，
２４７号発明を実施して，産業用大型放電灯を製品化して販売したことに
よる売上高は，少なくとも５５００万円であり，２４７号発明により被告
が得た利益は，少なくとも１１００万円（＝５５００万円×０．２）であ
るから，原告が受けるべき対価相当額は，１１０万円（＝１１００万円×
０．２）を下らない。
イ原告は，被告から，実績賞として，合計１０万円の対価の支払を受けた。
ウアの額からイの支払額を控除した残額１００万円を請求する。
(11)２８６号発明
ア被告が，昭和５９（１９８４）年から平成１６（２００４）年までの間，
２８６号発明を実施して，電子デバイス全般を製品化して販売したことに
よる売上高は，少なくとも３億５０００万円であり，２８６号発明により
被告が得た利益は，少なくとも７０００万円（＝３億５０００万円×０．
２）であるから，原告が受けるべき対価相当額は，７００万円（＝７００
０万円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，実績賞として，合計１０万円の対価の支払を受けた。
ウアの額からイの支払額を控除した残額６９０万円のうち，１００万円を
請求する。
(12)５３４号発明
ア被告が，昭和６３（１９８８）年から平成１５（２００３）年までの間，
５３４号発明を実施して，Ｄ−ＲＡＭ，Ｓ−ＲＡＭ，ＥＰ−ＲＯＭ，フラ
ッシュメモリー，バイポーラその他のすべての半導体を製品化して販売し
たことによる売上高は，少なくとも５００億円であり，５３４号発明によ
り被告が得た利益は，少なくとも１００億円（＝５００億円×０．２）で
あるから，原告が受けるべき対価相当額は，５億円（＝１００億円×０．
０５）を下らない。
イ原告は，被告から，実績賞として，合計８万９９９５円の対価の支払を
受けた。
ウアの額からイの支払額を控除した残額４億９９９１万０００５円のうち，
９０００万円を請求する。
(13)２８８号発明
ア被告が，昭和５９（１９８４）年から平成１６（２００４）年までの間，
２８８号発明を実施して，Ｄ−ＲＡＭ等を製造・販売したことによる売上
高は，少なくとも５億４０００万円であり，２８８号発明により被告が得
た利益は，少なくとも１億０８００万円（＝５億４０００万円×０．２）
であるから，原告が受けるべき対価相当額は，１０８０万円（＝１億０８
００万円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，提案賞として３０００円，登録賞５０００円の支払
を受けた。
ウ原告は，アの額うち，５４０万円を請求する。
(14)８４４号発明
ア被告が，昭和５７（１９８２）年から平成１４（２００２）年までの間，
８４４号発明を実施して，各種個別素子を自ら製造したことにより同発明
から得た利益及び東芝コンポーネンツにこれを実施させたことにより得た
実施料は，少なくとも６０００万円（＝３億円×０．２）であるから，原
告が受けるべき対価相当額は，６００万円（＝６０００万円×０．１）を
下らない。
イ原告は，被告から，提案賞として３０００円，登録賞５０００円の支払
を受けた。
ウ原告は，アの額うち，３００万円を請求する。
(15)３００号発明
ア被告が，昭和６３（１９８８）年から平成７（１９９５）年までの間，
３００号発明を実施して，高速バイポーラ等を製造したことによる売上高
は，少なくとも５億４０００万円であり，３００号発明により被告が得た
利益は，少なくとも１億０８００万円（＝５億４０００万円×０．２）で
あるから，原告が受けるべき対価相当額は，１０８０万円（＝１億０８０
０万円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，提案賞として３０００円，登録賞５０００円の支払
を受けた。
ウ原告は，アの額うち，５４０万円を請求する。
(16)７２４号発明
ア被告が，平成元（１９８９）年から平成８（１９９６）年までの間，７
２４号発明を実施して，高速バイポーラ等を製造したことによる売上高は，
少なくとも５億４０００万円であり，７２４号発明により被告が得た利益
は，少なくとも１億０８００万円（＝５億４０００万円×０．２）である
から，原告が受けるべき対価相当額は，１０８０万円（＝１億０８００万
円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，提案賞として３０００円，登録賞５０００円の支払
を受けた。
ウ原告は，アの額うち，５４０万円を請求する。
(17)８０５号発明
ア被告が，平成２（１９９０）年から平成２０（２００８）年までの間，
８０５号発明を実施して，電子デバイスを製造したことによる売上高は，
少なくとも５億４０００万円であり，８０５号発明により被告が得た利益
は，少なくとも１億０８００万円（＝５億４０００万円×０．２）である
から，原告が受けるべき対価相当額は，１０８０万円（＝１億０８００万
円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，提案賞として３０００円，登録賞５０００円の支払
を受けた。
ウ原告は，アの額うち，５４０万円を請求する。
(18)１２７号発明
ア被告が，平成４（１９９２）年から平成２０（２００８）年までの間，
１２７号発明を実施して，Ｄ−ＲＡＭ等を製造したことによる売上高は，
少なくとも５億４０００万円であり，１２７号発明により被告が得た利益
は，少なくとも１億０８００万円（＝５億４０００万円×０．２）である
から，原告が受けるべき対価相当額は，１０８０万円（＝１億０８００万
円×０．１）を下らない。
イ原告は，被告から，提案賞として３０００円，登録賞５０００円の支払
を受けた。
ウ原告は，アの額うち，５４０万円を請求する。
(19)以上のとおり，原告は，被告に対し，９９９号発明，３２１発明，３５
９発明，３８７号発明，１０３号発明，４６９号発明，８４９号発明，７６
２号発明，２４７号発明，２８６号発明及び５３４号発明の対価相当額の内
金１億円及びこれに対する訴状送達の日の翌日である平成２０年４月１日か
ら支払済みまで年５分の割合による遅延損害金の支払を求めるとともに，２
８８号発明，８４４号発明，３００号発明，７２４号発明，８０５発明及び
１２７号発明の対価相当額の内金３０００万円及び訴えの変更申立書の送達
の日の翌日である平成２１年２月１１日から支払済みまで年５分の割合によ
る遅延損害金の支払を求める。
（被告の主張）
(1)総論
被告が特許を受ける権利を承継したことによって受けるべき利益は，特許
権の取得により有する通常実施権を超えて発明を実施する権利を独占するこ
とによって得られる利益であるところ，被告は，本件各発明によって独占的
利益を取得していない。
したがって，原告は，被告に対し，本件各特許権に係る職務発明の対価を
請求する権利を有しない。
(2)９９９号発明
ア対価相当額は，争う。
イ被告は，原告に対し，昭和５７（１９８２）年度から昭和６２（１９８
７）年度まで，９９９号特許の実績補償として，合計１２万円を支払った。
(3)３２１号発明
ア対価相当額は，争う。
イ被告は，原告に対し，昭和５９（１９８４）年度及び昭和６０（１９８
５）年度に，３２１号特許の実績補償として，合計５万円を支払った。
(4)３５９号発明
ア対価相当額は，争う。
イ被告は，原告に対し，昭和５９（１９８４）年度から昭和６２（１９８
７）年度まで，３５９号特許の実績補償として，合計１万８０００円を支
払った。
(5)３８７号発明
ア対価相当額は，争う。
イ被告は，原告に対し，昭和６０（１９８５）年度から昭和６２（１９８
７）年度まで，３８７号特許の実績補償として，合計７万円を支払った。
⑹１０３号発明
ア対価相当額は，争う。
イ被告は，原告に対し，昭和６３（１９８８）年度に，１０３号特許の実
績補償として，１万円を支払った。
⑺４６９号発明
ア対価相当額は，争う。
イ被告が，原告に対して，４６９号特許の実績補償を支払った記録はない。
⑻８４９号発明
ア対価相当額は，争う。
イ被告が，原告に対して，８４９号特許の実績補償を支払った記録はない。
⑼７６２号発明
ア対価相当額は，争う。
イ被告が，原告に対して，７６２号特許の実績補償を支払った記録はない。
(10)２４７号発明
ア対価相当額は，争う。
イ被告が，原告に対して，２４７号特許の実績補償を支払った記録はない。
(11)２８６号発明
ア対価相当額は，争う。
イ被告は，平成５（１９９３）年度から平成８（１９９６）年度まで及び
平成１４（２００２）年度から平成１６（２００４）年度まで（平成１５
年１０月に３年分をまとめて支払った。），２８６号特許の実績補償とし
て，合計７万円を支払ったが，被告は，２８６号発明を実施していないか
ら，本来支払うべきものではなかった。
(12)５３４号発明
ア対価相当額は，争う。被告は，５３４号発明を実施しておらず，仮に，
ＢＰＳＧを第２の絶縁膜とすることをもって５３４−１発明を実施してい
るとすれば，前記１（被告の主張）(11)のとおり，５３４−１特許は有効
性を維持できないから，「被告が受けるべき利益」は，ゼロである。
イ被告は，平成８（１９９６）年度から平成１６（２００４）年度まで，
５３４号特許の実績補償として合計９万円（平成８（１９９６）年度ない
し平成１３（２００１）年度分については平成１６年１０月にまとめて６
万円，平成１４（２００２）年度ないし平成１６（２００４）年度分につ
いては平成１５年１０月にまとめて３万円）を支払ったが，被告は，５３
４号発明を実施していないから，本来支払うべきものではなかった。
ウ被告が，２８６号特許及び５３４号特許につき，実績補償を支払った経
緯
被告は，平成１４年９月，原告から特許の実績補償について，問い合わ
せがあったことから，同年１０月１８日，１２月２６日，平成１５年２月
２６日に，原告と面談を行った。この際，被告は，２８６号発明及び５３
４号発明が実施されていない旨を主張したが，原告が実施を認めるよう強
く迫った。そこで，被告セミコンダクター社知的財産部グループ長であっ
たＢは，事を荒立てることは好ましくないと考え，Ｄ級評価を提案し，過
去に遡って実績補償をすることとして，平成１５年１０月，平成１４年度
ないし同１６年度の３年度分として，５３４号発明及び２８６号発明につ
き各３万円，合計６万円を一括で支払をした（甲９）。さらに，５３４号
発明については，平成８年度分ないし同１３年度分に遡って，Ｄ級の評価
に基づき実績補償を行うこととしたが，手続が遅れたため，翌年の実績補
償金の支払時期である平成１６年１０月に，合計６万円を支払った（甲１
０）。
しかしながら，自社や他社を相手方とする職務発明対価請求訴訟を契機
に，被告は，実施していない特許発明について実績補償をするリスクに敏
感となり，５３４号発明について，平成１７年度分以降の支払を停止する
こととした。
(13)２８８号発明以下について
原告の主張(13)ないし(18)は，すべて否認し，争う。被告は，原告が原告
の主張(13)ないし(18)において主張する各期間において，原告が主張する各
製品に，原告が主張する各発明を実施していないから，支払うべき「相当の
対価」はゼロである。
３争点(3)（対価請求権についての消滅時効の成否）について
（被告の主張）
(1)消滅時効の起算点
ア対価請求権の消滅時効の起算点は，勤務規則等に相当の対価の支払時期
に関する条項がある場合は，その支払時期となる（最高裁平成１３年(受)
第１２５６号同１５年４月２２日第三小法廷判決・民集５７巻４号４７７
頁）。そして，就業規則等において，相当対価の分割払として，一定の期
間ごとに特許発明の実績に応じた額を支払う旨の定めがある場合には，分
割された各期間における特許発明の実施に対する分ごとに，当該支払時期
から消滅時効が進行する。
原告が被告に在職する間は消滅時効は進行しないとの原告の主張は，理
由がない。
イ被告の従業員発明考案取扱規程（乙１３の１ないし９。以下「被告取扱
規程」という。)及び実績補償細則（乙１４の１ないし６。以下「被告補償
細則」という。）によれば，各年度（４月１日から３月３１日まで）ごと
に実績補償を支払うものとされている。
そして，被告における実績補償の支払時期は，昭和５７年度から昭和６
１年度までは翌年９月の給与支払日，昭和６２年度から平成８年度までは
翌年１０月の給与支払日とされている（乙１５，１６）。その具体的な支
払日は，別紙「消滅時効の起算日及び満了日」の「支払日（時効期間起算
日）」欄記載のとおりであり，これらの支払日が，消滅時効の起算日とな
るから，時効完成日は，別紙「消滅時効の起算日及び満了日」の「時効期
間満了日」欄記載のとおりとなる。
また，平成９（１９９７）年度以降も１０月分のいずれかの給与支払日
（注：４級以下の評価の発明については給与と一緒に支払っていたため。
乙１５）までに支払を完了しており，これらの支払日が，消滅時効の起算
日となる。
したがって，①９９９号特許，３５９号特許及び３８７号特許について
は，被告が東芝ライテックに当該特許権又はその持分を譲渡する（平成元
年２月１日）までの間の対価請求権，並びに②３２１号特許，１０３号特
許，４６９号特許，８４９号特許及び７６２号特許については，原告が主
張する期間に対応した対価請求権は，すべて１０年間の時効期間が満了し
ている。
そして，２４７号特許については，原告が実施を主張する期間中，平成
８年度（平成９年３月３１日）以前についての対価請求権は，時効期間が
満了し，平成９年度以降については，平成９年１月７日に特許権が放棄さ
れたから，対価請求権は生じない。
また，２８６号特許及び５３４号特許は，原告が実施を主張する期間中，
平成９（１９９７）年４月１日以降の分を除く期間については，時効期間
が満了している。
(2)被告は，消滅時効を援用する。
(3)原告の消滅時効援用の権利濫用の主張について
原告は，被告による消滅時効の援用が権利濫用であると主張する。
しかしながら，被告取扱規程（乙１３の１ないし９)及び被告補償細則（乙
１４の１ないし６）は，従業員に周知させることになっており，補償金の支
払根拠について知りたいと思えば，各部門の知的財産部に問い合わせて，そ
の内容を知ることができた。
また，補償金の支払に当たっては，補償金明細書を発明者に交付しており，
これには，対象となった権利，金額，補償金の種類について記載されていた。
さらに，補償金の決定に当たっては，発明者本人が実績調査をした上で，
社内実績・権利放棄調査書を作成し，これを資料としており，原告本人も，
これを自ら作成して，担当者に提出している（乙３３）。
したがって，原告が，被告が補償金についてどのような決定をしているか
についての情報を一切与えられていないということはない。
よって，被告による消滅時効の援用を権利の濫用とする原告の主張は，理
由がない。
(4)原告の時効の中断の主張について
原告が，９９９号特許，３２１号特許，３５９号特許，３８７号特許，１
０３号特許，４６９号特許，８４９号特許，７６２号特許，２８６号特許及
び５３４号特許について，２００７（平成１９）年６月２６日に調停の申立
てをしたことは認めるが，２４７号特許については，否認する。
当該調停の申立てにより時効中断の効力が生ずるのは，２８６号特許及び
５３４号特許の平成８年度分の対価請求権のみであり，他の年度分の対価請
求権についての消滅時効には，影響がない。
（原告の主張）
(1)消滅時効の起算点について
被告取扱規程及び被告補償細則に，被告の主張する内容の記載があること
は認める。
しかしながら，原告は，補償金に関する被告の社内規定を知らず，評価の
方法・基準，実施の有無，実施による被告の利益の内容・調査方法等につい
て一切知り得ない状況にあり，また，対価の有無を，いつ，誰が，どのよう
にして算定するのかを知り得ない状況にあることから，「権利の上に眠る
者」とは評価されない。したがって，補償金額が確定し，確定した事実を従
業員に告知されるまでは，対価請求権の消滅時効は進行しないというべきで
あり，名称いかんにかかわらず，何らかの支払がされている場合には，それ
に関する最後の支払がされるまで，相当の対価の全額について，消滅時効は
進行しないというべきである。
また，対価の一部又は全部の支払がされていない場合でも，将来において
被告が発明の実施により超過収益を得る蓋然性が存在する間は，消滅時効は
進行しないというべきである。
さらに，原告が，被告に在職している間は，被告に原告の生殺与奪の権が
あり，被告に対し，訴訟を提起することはできなかったのであるから，どん
なに早くとも，原告が被告に在職する間は，消滅時効は進行しない。
以上のことからすれば，消滅時効の起算点は，早くても，原告が被告を退
職した日の翌日である平成１１（１９９８）年６月１日となる。
(2)被告による消滅時効の援用の権利濫用
仮に，消滅時効が進行するとしても，被告による消滅時効の援用は，(1)で
述べたような事実に照らして，権利濫用である。
(3)時効の中断
原告は，９９９号特許，３２１号特許，３５９号特許，３８７号特許，１
０３号特許，４６９号特許，８４９号特許，７６２号特許，２４７号特許，
２８６号特許及び５３４号特許に係る対価請求権については，平成１９（２
００７）年６月２６日に調停の申立てをしており，平成２０（２００８）年
３月１２日に不調となった後に本件訴訟を提起しているから，当該調停の申
立てにより，時効が中断している。
第４争点に対する判断
１争点(3)（対価請求権についての消滅時効の成否）について
事案の性質にかんがみ，まず，本訴請求に係る対価請求権の消滅時効の成否
について検討する。
(1)消滅時効の起算点
ア(ア)職務発明について，勤務規則等により特許を受ける権利等を使用者
等に承継させたことにより従業者等が取得する相当の対価の支払を受け
る権利（旧特許法３５条３項参照。以下「対価請求権」という。）につ
き，勤務規則等に対価の支払時期が定められているときは，勤務規則等
の定めによる支払時期が到来するまでの間は，対価請求権の行使につき
法律上の障害があるものとして，その支払を求めることができないとい
うべきである。そうすると，勤務規則等に，使用者等が従業者等に対し
て支払うべき対価の支払時期に関する条項がある場合には，その支払時
期が対価請求権の消滅時効の起算点となると解するのが相当である（最
高裁平成１３年（受）第１２５６号同１５年４月２２日第三小法廷判決
・民集５７巻４号４７７頁参照）。
そして，勤務規則等において，相当の対価につき，特許権の存続期間
中，一定の期間ごとに特許発明の実施の実績や当該特許発明につき締結
したライセンス契約により受領した実施料に応じた額（以下「実績補償
金」という。）を使用者等から従業者等に支払う旨の定めがされている
場合には，相当の対価のうち，各期間における特許発明の実施・受領し
た実施料に対応する分については，それぞれ当該期間の実績補償金の支
払時期が到来するまでその支払を求めることができないのであるから，
各期間の実績補償金の支払時期が，対価請求権のうち，当該期間におけ
る特許発明の実施・ライセンス料の受領に対応する分の消滅時効の起算
点となると解するのが相当である。
(イ)これに対し，原告は，消滅時効の起算点は，早くとも，原告が被告
を退職した日の翌日である平成１１（１９９８）年６月１日であるとし，
そのように解すべき根拠として，まず，補償金額が確定し，確定した事
実が従業員に告知されるまでは，その内容を知り得ないから，それまで
は消滅時効は進行しないと主張する。
しかしながら，勤務規則等において，特許権の存続期間中，一定の期
間ごとに実績補償金を使用者等から従業者等に支払う旨の定めがされて
いる場合には，会社が当該勤務規則等に基づき支払う当該期間における
実績補償金の有無は，当該勤務規則等に定められた支払時期に支払がさ
れ，又はされないことによって明らかになり，かつ，被告においては，
実績補償金の支払の際に補償金明細書を発明者に送付し（乙３２），原
告もこれを受領していたこと（甲９１）から，遅くとも，各年度ごとの
実績補償金の支払時期においては，勤務規則等に基づく実績補償金の支
払の有無及びその額が確定し，かつ，そのことを従業員が知り得たと認
められる。したがって，原告の主張は，その前提を欠くことになり，失
当である。
また，原告は，将来における特許発明の実施により超過収益を得る蓋
然性が存在する間は，消滅時効は進行しないと主張する。
しかしながら，特許権の存続期間中，一定の期間ごとに実績補償金を
使用者等から従業者等に支払う旨の定めがされている場合には，将来に
おける特許発明の実施による超過収入の額は，過去における特許発明の
実施等の実績に応じて具体的に算定することが可能であり，かつ，既に
支払時期が到来した過去の一定期間における実績補償金に何ら影響しな
いことは明らかであるから，原告の主張は，失当である。
さらに，原告は，原告が被告に在職している間は，被告に生殺与奪の
権があるから，訴訟提起することはできず，消滅時効も進行しないと主
張する。
しかしながら，消滅時効の起算点である「権利を行使することができ
る時」（民法１６６条１項）とは，権利を行使するにつき法律上の障害
がなくなった時をいうと解されるところ，原告が主張する事由は，主観
的又は事実上の障害にすぎず，従業者等が在職中その使用者等に対して
訴訟を提起することにつき，法律上の障害があるということはできない
から，原告の主張は，失当である。
このほか，原告は，消滅時効の起算点に関して，主張を変遷させると
ともに，縷々主張するが，いずれも独自の見解であって，当裁判所が採
用するところではない。
よって，消滅時効の起算点に関する原告の主張は，いずれも採用する
ことができない。
イ(ア)本件についてみると，証拠（乙１３ないし１９（いずれも，枝番を
含む。））及び弁論の全趣旨によれば，被告においては，被告取扱規程
及び被告補償細則において，実績補償金の支払及び支払時期につき，次
のとおり，規定していたと認められる。
①被告は，従業員から発明等を承継したときは，被告取扱規程又は別
に定める基準により，譲渡補償（出願時等に行う補償），実績補償
（特許権等について，社内で実施したときに行う補償）及びライセン
ス補償（第三者に実施を許諾し，実施料収入を得たとき等に行う補
償）を行うこと。
②譲渡補償は，出願時及び登録時（又は出願時若しくは登録時）に行
うこと。
③実績補償及びライセンス補償は，登録後各年度（４月１日から翌年
３月３１日まで。以下同じ。）ごと（クロスライセンス契約に対し行
う補償については，●（省略）●に行うこと。
④実績補償の支払は，遅くとも，実績調査対象年度の翌年９月末まで
に行うことが望ましいこと（平成１０年以降は，原則として実績調査
対象年度の翌年１０月末までに行うことと改正されている。）。
(イ)そして，証拠（乙１５，１６の１ないし１５，１９）及び弁論の全
趣旨によれば，被告は，前記のような被告取扱規程及び被告補償細則の
定めに基づき，昭和５７年度から同６１年度まではそれぞれ翌年度の９
月の給与支払日，昭和６２年度から平成８年度まではそれぞれ翌年度の
１０月の給与支払日に実績補償を支払っていたこと，具体的には，別紙
「消滅時効の起算日及び満了日」の「支払対象年度」欄記載の各年度に
つき，それぞれ「支払日（時効期間起算日）」欄記載の日に，各年度の
実績補償を支払っていたことが認められる。
なお，昭和５６年度分以前及び平成９年度以降の実績補償についての
具体的な支払日については，証拠上明らかではない。しかしながら，昭
和５６年度分以前については，証拠（乙１４の１）によれば，前記(ア)
の「実績補償の支払は，遅くとも翌年の９月末までに行うことが望まし
い」旨の被告補償細則の定めは，昭和５０年４月１日から施行されたも
のであることに照らして，昭和５６年度分以前の実績補償も，翌年度の
９月の給与支払日（遅くとも，９月末日であると推認することができ
る。）に支払っていたものと推認される。また，平成９年度分以降の実
績補償についても，証拠（乙１８）によれば，実績補償の支払は「原則
として実績調査対象年度の翌年１０月末までに行う」旨被告補償細則に
定めれていることに照らして，遅くとも，各年度につき，それぞれ翌年
度の１０月末日までに実績補償を支払っていたものと推認される。
そして，ライセンス補償の支払についても，証拠（乙１６の１ないし
１５，１８）によれば，実績補償と同様の規程に基づき，同様の運用が
されていたものと推認される。
(ウ)以上のような，被告取扱規程及び被告補償細則の規定等に加えて，
被告における長期間にわたる運用も考慮すれば，被告においては，実績
補償金につき，使用者等が従業者等に対して支払うべき対価の支払時期
に関する条項が定められており，その支払時期は，昭和６１年度分まで
はそれぞれ翌年度の９月の給与支払日，昭和６２年度分から平成８年度
分まではそれぞれ翌年度の１０月の給与支払日，平成９年度分以降につ
いては翌年度の１０月末日であると認めるのが相当である。
したがって，本件における実績補償金の消滅時効の起算点は，昭和５
６年度以前の分については翌年度の９月末日，昭和５７年度から平成８
年度までの分については，別紙「消滅時効の起算日及び満了日」の「支
払対象年度」欄記載の各年度分につき，それぞれ「支払日（時効期間起
算日）」欄記載の日，平成９年度以降については翌年度の１０月末日で
ある（いずれも，初日は不参入。）と認められる。
⑵本件各特許に係る対価請求権についての消滅時効の完成の有無について
（時効の中断を含む。）
ア前記第２，１(4)のとおり，原告は，平成１９年６月２６日，被告に対し，
９９９号特許，３２１号特許，３５９号特許，３８７号特許，１０３号特
許，４６９号特許，８４９号特許，７６２号特許，２８６号特許及び５３
４号特許に係る特許を受ける権利を承継したことの対価の支払を求めて，
東京簡易裁判所に調停の申立てをしたが，同２０年３月１２日，不成立と
なり，その１か月以内である同月２５日，本件訴えを提起していることか
ら，当該調停の申立ては，時効中断事由となり得る（民法１５１条）。
そこで，以下，当該調停の申立てにより，消滅時効の中断の効力が生じ
るかについて，本件各特許に係る対価請求権についての消滅時効の完成時
期と併せて，検討する。
イ９９９号特許，３５９号特許及び３８７号特許について
被告は，平成元年２月１日に，東芝ライテックに対し，９９９号特許権，
３５９号特許権の持分及び３８７号特許権を譲渡している（前記第２，１
(3)ア，ウ及びエ参照）。したがって，被告において，これらの特許に係る
発明を実施し，又はこれらの特許発明の実施を第三者に許諾してライセン
ス料を受領したことに基づいて，原告に対し実績補償金を支払う可能性が
あったのは，当該譲渡時までであると認められることから，原告が被告か
ら受領する可能性があったこれらの各特許に係る実績補償金の最終の支払
日は，前記(1)イのとおり，被告において実施する可能性があった最終の年
度である昭和６３年度分の実績補償金の支払日である平成元年１０月２５
日と認められる。
したがって，これらの各特許に係る対価請求権は，平成１１年１０月２
５日の経過により，消滅時効が完成したと認められる。
そして，原告による調停の申立ては，平成１９年６月２６日であって，
消滅時効完成後であることから，これによって，前記消滅時効の完成が妨
げられることはないと認められる。
ウ３２１号特許，１０３号特許，４６９号特許，８４９号特許及び７６２
号特許について
原告は，３２１号発明については平成元年まで，１０３号発明，４６９
号発明及び８４９号発明については昭和６３年まで，７６２号特許につい
ては平成２年まで，それぞれ各特許発明の実施を主張しているところ，前
記(1)イのとおり，それぞれその実施を主張する最終年度における実施に係
る実績補償金の支払日は，３２１号特許については平成２年１０月２５日，
１０３号特許，４６９号特許及び８４９号特許については平成元年１０月
２５日，７６２号特許については平成３年１０月２５日と認められる。
したがって，原告がこれらの各特許発明の実施を主張する期間について
の実績補償金は，それぞれ，平成１２年１０月２５日，平成１１年１０月
２５日及び平成１３年１０月２５日の経過により，そのすべてにつき消滅
時効が完成したと認められる。
そして，原告による調停の申立ては，平成１９年６月２６日であって，
消滅時効完成後であることから，これによって，前記消滅時効の完成が妨
げられることはないと認められる。
エ２４７号特許について
被告は，２４７号特許について，平成９年１月７日に特許権を放棄して
いる（前記第２，１(3)ケ参照）から，放棄するまでの実施に係る実績補償
金の最終の支払日は，前記⑴イのとおり，平成８年度分の実績補償金の支
払日である平成９年１０月２４日であると認められる（なお，特許権の放
棄後に関しては，原則として，当該特許権の実施に基づく職務発明の対価
請求を認める余地はないものと解される。）。
したがって，２４７号特許に係る実績補償金は，平成１９年１０月２４
日の経過により，消滅時効が完成したと認められる。
そして，原告は，２４７号特許に係る実績補償金については，調停の対
象とはしていないことから，当該調停の申立てにより，２４７号特許に係
る実績補償金の消滅時効が中断されたと認めることはできない。
オ２８６号特許及び５３４号特許について
(ア)２８６号特許及び５３４号特許に係る実績補償金のうち，平成７年
度（平成７年４月１日から平成８年３月３１日まで）分の実績補償金の
支払日は，前記(1)イのとおり，平成８年１０月２５日である。したがっ
て，平成１８年１０月２５日の経過により，消滅時効が完成したと認め
られるから，平成７年度以前の実績補償金については，すべて消滅時効
が完成したと認められる。
そして，原告による調停の申立ては，平成１９年６月２６日であって，
消滅時効完成後であることから，これによって，前記消滅時効の完成が
妨げられることはないと認められる。
(イ)他方で，２８６号特許及び５３４号特許に係る実績補償金のうち，
平成８年度（平成８年４月１日から平成９年３月３１日まで）分の実績
補償金の支払日は，前記(1)イのとおり，平成９年１０月２４日と認めら
れるところ，原告は，２８６号特許及び５３４号特許に係る実績補償金
につき，平成８年度分の実績補償金の消滅時効が完成する平成１９年１
０月２４日より前である平成１９年６月２６日に調停の申立てを行い，
同２０年３月１２日に不成立になった後，その１か月以内である同月２
５日に本件訴えを提起していることから，当該調停の申立てにより，消
滅時効の中断の効力が生じている（民法１５１条）と認められる。
また，平成９年度分以降の実績補償金についても，平成８年度分と同
様に，消滅時効の中断の効力が生じていると認められる。
したがって，２８６号特許及び５３４号特許に係る実績補償金のうち，
平成８年度以降の実施に係る分については，いまだ消滅時効が完成して
いないと認められる。
カなお，被告は，２８８号特許，８４４号特許，３００号特許，７２４号
特許，８０５号特許及び１２７号特許に係る対価請求権について，消滅時
効の主張をしていないので，これらの対価請求権の消滅時効の成否は，本
件の争点ではなく，その判断を要しない。
(3)消滅時効の援用及び当該援用の権利濫用について
ア被告は，平成２０年７月２日の本件口頭弁論期日において，消滅時効の
援用をした（顕著な事実）。
イ原告は，被告による消滅時効の援用は，権利濫用であると主張する。
しかしながら，原告の権利濫用の主張は，消滅時効の起算点に関する主
張と同一の内容にすぎないところ，消滅時効の起算点に関する原告の主張
を採用することができないものであることは，前記(1)のとおりであるから，
これと同一の内容を権利濫用の主張として構成したところで，前記(1)と同
様の理由により，これを採用し得るところではない。
そして，本件各証拠に照らしても，他に，被告による消滅時効の援用が
権利濫用であると認めるに足る事情があるとは，認められない。
よって，前記原告の主張は，採用することができない。
(4)小括
以上のとおり，９９９号特許，３２１号特許，３５９号特許，３８７号特
許，１０３号特許，４６９号特許，８４９号特許，７６２号特許及び２４７
号特許に係る実績補償金並びに２８６号特許及び５３４号特許に係る実績補
償金請求権のうち平成７年度（平成７年４月１日から平成８年３月３１日ま
で）分以前のものについては，いずれも消滅時効により消滅したものと認め
られる。
したがって，２以下においては，２８６号特許及び５３４号特許に係る実
績補償金のうち平成８年度分（平成８年４月１日）以降のもの並びに２８８
号特許，８４４号特許，３００号特許，７２４号特許，８０５号特許及び１
２７号特許に係る対価請求権の有無について，検討する。
２争点(1)（本件各発明の実施）中，２８６号発明の実施について
(1)構成要件の分説
２８６号発明は，前記第２，１(3)コの特許請求の範囲に記載されたもので
あるところ，これを構成要件に分説すれば，次のとおりである。
ＡＺｎＯ，ＳｉＯ，ＢＯを必須成分とするガラスの熱膨張系数が４０×２２３
１０／ｃから５０×１０／ｃの範囲にあるガラス粉末を，−７−７
Ｂ電解質液体の中に懸濁させると共に
Ｃ前記電解質液体中にモル分極率が１から２．５の前記ガラス成分と異な
るイオンを分散させて
Ｄ電気泳動によつて半導体デバイスの表面に前記ガラスを付着させた後，
Ｅ前記ガラスの流動点以上の温度で流動化及び固化し，徐冷した
Ｆことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
⑵甲３９文献について
ア原告は，甲３９文献において，２８６号発明の被告製品への実施例が示
されているとして，その記載をもって，被告が２８６号発明を実施してい
ると主張するので，以下検討する。
(ア)原告は，甲３９文献の図７のガラス被覆Ｓｉ整流器のうち，ガラス
が通常の薄い膜である場合に，２８６号発明が実施されていると主張す
る。
しかしながら，図７のガラス被覆Ｓｉ整流器の製造方法につき，甲３
９文献は，「これは図７に示したような整流素子をガラスで被覆したも
のでパッシべーションの一種というべきものである。但し，この場合ガ
ラスの厚さが数㎜と非常に厚い。したがって通常のＣＶＤ法によって，
パッシべーションを形成するのではなく，ガラス微粉末を水でスラリー
状にしたものを用いる。これを遠心回転法により，素子に塗付し，乾燥
後７００℃位で加熱固化させて被覆する。」と記載されているのみであ
って，前記の２８６号発明に係る記載はない。
なお，原告自身，原告本人尋問において，当該図７のガラス被覆Ｓｉ
整流器は，「電着法」（電気泳動法）によって製造されたものではない
ことを認めている（原告本人尋問調書２５頁）。
したがって，前記原告の主張は，採用することができない。
(イ)ａ原告は，甲３９文献の図８のトライアックペレットにつき，２８
６号発明が実施されており，そのガラスの組成及び物性は，甲３９文
献の表１及び表２に示されており，そのうち，ガラスNo.(1)及び⑵は，
２８６号発明に含まれると主張するところ，甲３９文献には，トライ
アックペレット及びガラスの組成について，次の記載がある（甲３
９）。
⒜「４．２トライアックペレット（中略）ガラスの膜付けはガラ
スの微粉末を溶媒中へ懸濁させて，電気泳動法でＳｉ表面へガラス
粉末を付着させ，加熱してパッシべーションとする。（中略）これ
らのガラスは日本電気硝子，イノテック社などから販売されてい
る。」
⒝「４．４低温封止用ガラス前述したようなパッケージ封止用
ガラス，個別素子，整流素子用には低温封止用の各種半導体用ガラ
スが必要である。東芝において，最近発表された二，三のガラスに
ついてその組成とガラスの特性について述べる。表１に低温封止用
ガラスの代表的なものを示した。（中略）またこれらの低温封止用
ガラスの諸特性を表２に示した。」
⒞表１及び表２によれば，ガラスNo.(1)の組成は，ＺｎＯ５８ｗｔ
％，ＰＯ５ｗｔ％，ＢＯ２４ｗｔ％，ＰｂＯ３ｗｔ％，ＳｉＯ２５２３
１０ｗｔ％であり，α／℃は４５×１０である。また，ガラスN２
−７
o.⑵の組成は，ＺｎＯ１５ｗｔ％，ＺｎＦ１ｗｔ％，ＡｌＯ３ｗ２２３
ｔ％，ＢＯ５５ｗｔ％，ＰｂＯ１０ｗｔ％，ＳｉＯ１６ｗｔ％で２３２
あり，α／℃は５０×１０である。−７
ｂ以上の甲３９文献の記載に照らして，甲３９文献には，前記の２８
６号発明の構成要件Ｂ，Ｄ及びＥについては，開示されていると認め
られる。
しかしながら，甲３９文献には，構成要件Ｃの「前記電解質液体中
にモル分極率が１から２．５の前記ガラス成分と異なるイオンを分散
させて」いるかどうかについては，何らの記載もない。
また，①甲３９文献の表１及び表２に記載された低温封止用ガラス
が，トライアックペレットに利用されているかどうかは，甲３９文献
の記載からは明らかではないこと，②トライアックペレットに利用さ
れているガラスは「日本電気硝子，イノテック社などから販売されて
いる」と記載されているのに対し，表１及び表２に記載された低温封
止用ガラスは，必ずしも明確ではないものの，「東芝において，最近
発表されたガラス」であると理解することができ，仮にそうであると
すると，トライアックペレットに利用されているガラスと表１及び表
２に記載されたガラスが同一であるとはいえないことからすれば，表
１及び表２に記載されたガラスが，甲３９文献に記載されたトライア
ックペレットに利用されていたと認めることはできない。
したがって，甲３９文献のトライアックペレットに関する記載には，
２８６号発明の構成要件Ａ及びＣに関する開示がされているとは認め
られないことから，この記載をもって，被告が２８６号発明を実施し
ていたと認めることはできない。
ｃこれに対し，原告は，甲３９文献は，記述の全体やデータ，図面か
ら，２８６号発明を用いた製品が含まれていると理解されれば足り，
また，甲３９文献の図８が，２８６号特許の明細書の第１図に該当す
ることをもって，甲３９文献には，２８６号発明を実施した製品が示
されていると主張する。
しかしながら，前記ｂのとおり，甲３９文献のトライアックペレッ
トに関する記載には，２８６号発明の構成要件Ａ及びＣに関する開示
がされていない以上，これをもって２８６号発明を用いた製品が含ま
れていると理解することはできない。また，２８６号発明は，特許請
求の範囲の記載に照らし，物の製造方法の特許であることは明らかで
あるから，単にトライアックペレットの構造を示した甲３９文献の図
８と２８６号特許の明細書の第１図が同一又は類似するとしても，そ
のことをもって，甲３９文献記載のトライアックペレットが，２８６
号発明を実施して（２８６号発明の製造方法によって）製造されたも
のであるといえないことは，明らかである。
ｄ他に，甲３９文献中に，被告が，２８６号発明を実施していること
をうかがわせる記載があるとは，認められない。
イまた，原告は，甲３９文献の公表を被告が承認していることをもって，
２８６号発明の実施があったことの根拠であると主張する。
証拠（甲３９，乙３４）及び弁論の全趣旨によれば，被告においては，
技術論文等を従業員が社外に発表する場合には，事前に承認を得なければ
ならないところ，甲３９文献が公表された昭和６１（１９８６）年６月こ
ろの時点において被告で適用されていた，論文等の社外発表承認願の審査
のチェックポイントは，「●（省略）●」であると認められる。
このように，社外発表の審査に当たって，特許発明の実施の有無は，チ
ェックポイントとされていないのであるから，被告の審査により論文を発
表することが承認されたからといって，そのことが，当該特許発明が実施
されていることの根拠になるものではない。
また，被告が当該論文を公表することが●（省略）●であると判断した
としても，●（省略）●と特許発明の実施の有無とは無関係であるから，
そのことが，被告が当該論文等に記載された特許発明等を実施しているこ
との根拠となるものでもない。
したがって，被告が甲３９文献の公表を承認したことをもって，被告が
２８６号発明を実施していると認めることはできない。
ウ他に，甲３９文献の記載や同文献の公表をもって，被告が２８６号発明
を実施していると認めるに足る客観的な証拠はないから，これに関する原
告の主張は，いずれも採用することができない。
(3)原告が執筆した論文（甲６４ないし６６）の記載について
原告が提出した証拠（甲６４ないし６６）は，いずれも原告が作成した英
語による研究論文であるところ，原告がその「取調べを求める部分」として
訳文（民事訴訟規則１３８条１項）を提出した部分には，２８６号発明を被
告が実施していたことを認めるに足る記載はない。
また，原告は，これらの論文には，２８６号特許の組成を満たす物が記載
されていると主張するが，２８６号特許は物の製造方法の特許であるから，
物の組成が同一であるからとって，それが２８６号発明を実施していること
を示すものといえないことは，明らかである。
さらに，被告が論文の公表を承諾したことが，被告が当該論文に記載され
た技術（発明）を実施していることの根拠となると認められないことは，前
記⑵イのとおりである。
したがって，原告が執筆した論文（甲６４ないし６６）を根拠として，被
告が２８６号発明を実施していたとする原告の主張は，採用することができ
ない。
(4)被告が，２８６号特許の出願につき審査請求をしていることについて
ア原告は，甲６３依頼書の記載等をもって，被告においては，出願した特
許の審査請求をするのは，原則として，●（省略）●のものであり，２８
６号発明は，他社実施も共願先もないから，２８６号発明につき審査請求
がされたのは，●（省略）●に該当する以外に考えられないと主張する。
イ確かに，証拠（甲６３）によれば，甲６３依頼書には，「原則として，
１(a)・２(a)・３(a)の各れかに該当する発明が審査請求の対象となりま
す。」と記載されており，１(a)として，自社実施状況につき「●（省略）
●」であること，２(a)として，他社実施状況につき「●（省略）●」であ
ること，３(a)として，共願先の希望，●（省略）●ことが，記載されてい
る。
しかしながら，２８６号特許の出願につき審査請求をするに当たって，
甲６３依頼書が使用されたと認めるに足る客観的証拠はない。また，甲６
３依頼書には，「原則として，１(a)・２(a)・３(a)の各れかに該当する発
明が審査請求の対象となります。」と記載されているものの，それに続い
て，「それ以外で審査請求を希望する発明は具体的理由を記入願いま
す。」と記載されているとおり，審査請求の対象となる発明として，「１
(a)・２(a)・３(a)」のいずれかに該当する発明以外の発明を排除するもの
ではないし，被告が甲６３依頼書の提出された発明についてのみ審査請求
をした（被告が甲６３依頼書の提出されていない特許出願について審査請
求を全くしていない。）と認めるに足る客観的証拠もないから，甲６３依
頼書の前記の記載は，被告が審査請求をした発明が自社実施，他社実施等
がされていることを裏付ける決定的なものということはできない。
そもそも，一般に，企業が，自社内等で行った発明につき，特許出願を
して，当該発明の内容を公開して特許を取得することの理由は，業として
特許発明を実施する権利を専有し（特許法６８条），自らこれを実施する
ことができることのみならず，他者による実施行為を禁止することができ
ることにもあると解されるから，企業が特許出願をし，かつ，審査請求を
した発明が，すべて当該企業において実施中であるか，又は実施が決定さ
れたものであるということはできない。そして，前記のとおり，被告が甲
６３依頼書の提出された発明についてのみ審査請求をした（被告が甲６３
依頼書の提出されていない特許出願について審査請求を全くしていな
い。）と認めるに足る客観的証拠もないことからすると，被告において，
自社又は他社において「●（省略）●」である発明のみに限って審査請求
をしていたものではないと推認するのが合理的というべきである。
以上のことからすれば，甲６３依頼書の記載等をもって，被告が２８６
号発明を実施していたという原告の前記主張は，採用することができない。
(5)被告が，原告に対し，２８６号特許につき実績補償を支払ったことについ
て
ア証拠（甲９，１０，乙１９，２０）及び弁論の全趣旨によれば，被告は，
原告に対し，①２８６号特許つき，平成５年度ないし平成８年度の実績補
償として合計４万円を支払い，平成１４年度ないし平成１６年度の実績補
償として，平成１５年１０月に一括して３万円を支払っていること，②同
月に，５３４号特許につき，平成１４年度ないし平成１６年度の実績補償
として合計３万円を，翌平成１６年１０月に平成８年度ないし平成１３年
度の実績補償として合計６万円を，それぞれ一括して支払っていることが
認められる。
イそして，証拠（甲１１，１２，４２，７８，乙１９，２０，原告本人）
及び弁論の全趣旨によれば，平成１４年ころ，原告から，被告に対し，原
告の発明に係る特許の実施状況について問合せがあり，原告と被告担当者
との間で，複数回にわたり，かつ，各回とも長時間にわたって協議がされ
たが，議論が平行線のままであったこと，このような協議がされた過程に
おいて，前記アのとおり，平成１５年１０月及び平成１６年１０月に，過
去分も含めて，一括して実績補償が支払われたことが認められる（被告が，
当該議論において，原告が主張する特許発明の実施を認めたわけではない
ことは，原告も認めるところである。）。このような経緯及び支払われた
金額等に照らして，「事を荒立てたくない」と考えて，実績補償を支払っ
たという被告の主張も，あながち不合理ではなく，少なくとも，被告が，
議論の対象となった特許発明の実施を認めた上で，平成１５年１０月及び
平成１６年１０月に実績補償を支払ったわけではないことは明らかである。
したがって，平成１５年１０月に２８６号特許につき実績補償が支払わ
れていることをもって，被告が，２８６号発明を実施していたと認めるこ
とはできない。
ウ他方で，平成５年度ないし平成８年度においても，２８６号発明につき
実績補償を支払っていることについて，被告は，所管部門の申告どおりに
支払うという運用に基づき支払われたものであって，実施を確認した上で
支払ったものではないと主張し，被告セミコンダクター社の知的財産部知
的財産担当のグループ長であったＢの陳述書（乙１９）にも，同旨の記載
がある。
このような被告の主張及びＢの陳述書の記載自体，客観的証拠により裏
付けられるものではないが，他方で，他に被告による２８６号発明の実施
を基礎付ける客観的証拠もないことから，被告が，原告に対し，２８６号
発明につき前記の実績補償４万円を支払ったことをもって，被告において，
原告が当該発明を実施していたと主張する各製品について，２８６号発明
を実施していたと認めることもできない。
(6)その他
ア以上のほか，原告は，原告本人尋問において，被告の工場で２８６号発
明を実施してトライアックペレットを製造しているのを見た旨供述する
（原告本人尋問調書２６頁以下）。
しかしながら，原告の供述によっても，原告が見たと供述するトライア
ックペレットの製造方法が，具体的にどのようなものであり，かつ，当該
製造方法が，前記⑴の２８６号発明の構成要件をすべて充足するかどうか
（特に，前記(1)の構成要件Ｃを充足するかどうか）は明らかではなく，他
に，原告の供述を裏付ける客観的な証拠もないことから，原告の当該供述
をもって，被告の工場で，２８６号発明を実施してトライアックペレット
が製造されていたと認めることはできない。
イまた，原告は，原告本人尋問において，甲２４に記載されている「個別
半導体素子に使われている流動点が７００℃のＺｎＯ系，ＰｂＯ系パッシ
べーション用ガラス（中略）の開発を行い，実用化された。」との記載に
基づき，２８６号発明が実施されたと供述する（原告本人尋問調書４６
頁）。
しかしながら，仮に，原告が供述するとおり，原告の研究業績が示され
た甲２４に記載された個別半導体素子のパッシべーションが，電気泳動法
によって製造されたものであるとしても，当該記載には，当該ガラスの熱
膨張係数（構成要件Ａ）や電解質液体中のガラス成分とは異なるイオン
（構成要件Ｃ）に関する記載はないから，これをもって，２８６号発明が
実施されたと認めることはできない。
⑺小括
他に，被告が２８６号発明を実施していたと認めるに足る客観的な証拠は
ないから，被告が，２８６号発明を実施していたと認めることはできない。
３争点(1)（本件各発明の実施）中，５３４号発明の実施について
(1)構成要件の分説
５３４号発明は，前記第２，１(3)サの特許請求の範囲に記載されたもので
あるところ，これを構成要件に分説すれば，次のとおりである。
ア５３４−１発明
１−Ａ多層構造の配線を有する半導体装置において，
１−Ｂ各配線層間に介在する層間絶縁膜が
１−Ｃ酸化膜からなる第１の絶縁層と，
１−Ｄモル分極率が１．０以下である第２の絶縁層を含むようにした
１−Ｅことを特徴とする半導体装置。
イ５３４−２発明
２−Ａ多層構造の配線を有する半導体装置において，
２−Ｂ各配線層間に介在する層間絶縁膜が
２−Ｃ酸化膜からなる第１の絶縁層と，
２−Ｄ水酸基（ＯＨ基）濃度が８００ｐｐｍ以下である第２の絶縁層を
含むようにした
２−Ｅことを特徴とする半導体装置。
⑵被告が製造するバイポーラについて
ア原告は，被告が甲２７図面に記載されたバイポーラを製造しており，同
図面中のＬＰ−ＢＰＳＧ及び●（省略）●が５３４−１発明の構成要件１
−Ｄを充足するから，被告が，５３４−１発明を実施していたと主張する。
しかしながら，被告が甲２７図面に記載されたバイポーラを製造したと
認めるに足る証拠はなく，原告自身，原告本人尋問において，甲２７図面
に記載されたバイポーラを製造していたかどうかは分からない旨供述する
（原告本人尋問調書３０頁）。
したがって，被告が甲２７図面に記載されたバイポーラを製造していた
と認めることはできないから，当該図面中のＬＰ−ＢＰＳＧ及び●（省
略）●が５３４−１発明の構成要件１−Ｄを充足するか否かを検討するま
でもなく，甲２７図面をもって，被告が，５３４−１発明を実施していた
と認めることはできない。
イなお，原告は，甲２７図面は例示にすぎず，同図面に記載された製品が
販売されていなかったとしても，５３４−１発明の実施を否定することに
はならないと主張する。
しかしながら，被告が対価請求の対象となる発明を実施していたかどう
かは，原告が証明責任を負うべきものであって，原告において，被告が当
該発明を実施していたことを証明できなければ，被告による当該発明の実
施を理由とする対価請求は認められないから，原告の前記主張は，理由が
ない。
また，原告は，特許の実施に関する直接的証拠はすべて被告が持ってお
り，被告を退職した原告がこれを取得することは困難であるから，実施に
ついて一応の証明がされたならば，被告の側で実施していないことの証明
責任を負うと解すべきであると主張する。
しかしながら，原告が，自己の見解の根拠として挙げる，最高裁昭和６
０年（行ツ）第１３３号平成４年１０月２９日第一小法廷判決・民集４６
巻７号１１７４頁は，原子炉設置許可処分の取消訴訟についての判示であ
り，職務発明に対する対価の支払を求める本件訴訟とは，事案を異にする。
この点を措いても，被告が，ある特定の発明を実施しているか否かは，本
来，原告において主張・立証すべきものであり，物の発明にあっては，被
告が製造・販売する製品を分析・調査することにより，また，方法の発明
にあっては，被告が当該方法を用いていると推認される合理的な根拠を示
した上で，被告に対し，被告が利用する方法の開示を求めること等により，
特許の実施に関する証拠を取得することは可能であることから，原告が既
に被告を退職しており，被告が所持する特許の実施に関する資料等を取得
することが困難であるとしても，そのことは，原告の証明責任を転換すべ
き理由にはならないと解される。したがって，原告の前記主張は，理由が
ない。
(3)被告が製造するＤＲＡＭについて
ア原告は，甲２８図面に基づき，同図面に記載された１Ｍ−ＤＲＡＭが被
告において製造されており，当該ＤＲＡＭ中のＳｉＯ膜が第１の絶縁膜，２
ＢＰＳＧガラスの膜が第２の絶縁膜に該当し，ＢＰＳＧガラスの膜は，５
３４−１発明の構成要件１−Ｄを充足するとともに，同図面中のプラズマ
ＳｉＯ膜は，５３４−２発明の構成要件２−Ｄを充足するとして，被告が２
５３４号発明を実施していたと主張する。
しかしながら，証拠（乙２６の１及び２，３１）によれば，被告におい
ては，甲２８図面に記載された１Ｍ−ＤＲＡＭ（ＮＭＯＳ）は，試作され
ただけで，商品化はされなかったと認められ，原告も，原告本人尋問にお
いて，そのことを認めている（原告本人尋問調書３２頁以下）。
したがって，被告が甲２８図面に記載された１Ｍ−ＤＲＡＭを製造して
いたと認めることはできないから，当該図面中のＢＰＳＧガラスの膜が５
３４−１発明の構成要件１−Ｄに充足するか否か，また，同図面中のプラ
ズマＳｉＯ膜が５３４−２発明の構成要件２−Ｄを充足するか否かを検討２
するまでもなく，甲２８図面をもって，被告が，５３４−１発明及び５３
４−２発明を実施していたと認めることはできない。
イなお，原告は，甲２８図面についても，これは例示にすぎず，当該図面
による製品が販売されていなかったとしても，５３４−１発明及び５３４
−２発明の実施を否定することにはならないと主張する。
しかしながら，被告が，対価請求の対象となる発明を実施していたかど
うかは，原告が証明責任を負うべきものであるから，原告の前記主張に理
由がないことは，前記⑵イと同様である。
(4)甲２６に基づく５３４号発明の実施の主張について
ア原告は，甲２６に基づき，技術移転会議においてＢＰＳＧの濃度振りや
●（省略）●が検討されていることや，原告が，当該会議に，１回を除い
て全部出席していることをもって，当該会議において，５３４号発明の技
術移転が議論され，かつ，５３４号発明が被告製品において実施されてい
たと主張する。
イ確かに，証拠（甲２６の１ないし９，原告本人）によれば，平成元年３
月１７日から同２年１月１９日にかけて，「次世代メルト・シャロージャ
ンクション」又は「次世代メルト・●（省略）●・シャロージャンクショ
ン」に関する会議が開催され，ＢＰＳＧの濃度振り等が議事事項とされて
おり，原告も，これらの会議にすべて出席していたこと，平成４年１２月
２１日に「●（省略）●」が開催され，「●（省略）●」，「●（省略）
●」等が議題とされたことが認められる。
しかしながら，他方で，証拠（甲２６の１ないし９，原告本人）によれ
ば，「次世代メルト・シャロージャンクション」又は「次世代メルト・●
（省略）●・シャロージャンクション」に関する会議において，「ＢＰＳ
Ｇの濃度振り」や「●（省略）●」が議論された際の発表担当者は，原告
が所属していた基礎プロセスグループ（甲２６の１ないし９では，「ＫＰ
Ｇ」と表示されている。）ではなく，他のグループであったこと，「●
（省略）●」には原告は出席していなかったことが認められる。そして，
原告が主張するように，これらの会議が５３４号発明の技術移転会議であ
ったのであれば，発明者である原告が発表を担当せず，しかも，当該会議
に原告が出席していないということは，不自然といわざるを得ない。
また，甲２６の１ないし９の各議事の記載内容に照らして，これらの会
議において，ＢＰＳＧを利用した層間絶縁膜について議論されたことは推
認されるものの，そのような議論が行われたからといって，直ちに，５３
４号発明に関する議論が行われたと認めることはできず，ましてや，この
ような議論が行われたことをもって，被告が５３４号発明を実施していた
と認めることもできない。
そして，他に，これらの会議において，５３４号発明の実施に関する議
論がされたと認めるに足る証拠もない。
ウ以上のことからすれば，これらの会議において５３４号発明の技術移転
や実施に関する議論がされたと認めることはできず，したがって，甲２６
に基づいて２８６号発明の実施を主張する原告の前記主張は，採用するこ
とができない。
(5)甲２９について
原告は，外部雑誌（甲２９）の解説も，被告製品に５３４号発明が実施さ
れていることを裏付けていると主張する。
甲２９は，業界雑誌である「ＮＩＫＫＥＩＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳ」
の１９９１年８月号であり，その表１及び表２には，被告において，１６Ｍ
−ＤＲＡＭの層間膜として，減圧ＴＥＯＳ−ＢＰＳＧ，プラズマＴＥＯＳ−
ＳｉＯを使用しており，また，６４Ｍ−ＤＲＡＭの層間膜として，減圧ＴＥ
ＯＳ−ＢＰＳＧ，Ｏ＋ＴＥＯＳ−ＳｉＯ系を候補としている旨の記載がある。３
しかしながら，当該雑誌には，被告が，層間膜を「第１の絶縁層」と「第
２の絶縁層」の２層の積層構造としていることをうかがわせる記載はない
（なお，前記表１及び表２には，被告が，表面保護膜として「プラズマＴＥ
ＯＳ−ＳｉＯ／プラズマＳｉＮ」を使用しているとの記載があるが，これは
「表面保護膜」の記載であって，「層間膜」の記載ではない。）。したがっ
て，仮に，これらの層間膜が，原告が主張するとおり，５３４−１発明の構
成要件１−Ｄ又は２−Ｄを充足するとしても，甲２９には，構成要件１−Ｃ
及び２−Ｃに関する記載はないことから，甲２９の記載をもって，被告が５
３４号発明を実施していたと認めることはできない。
(6)小括
他に，被告が５３４号発明を実施していたと認めるに足る客観的な証拠は
ないことから，被告が，５３４号発明を実施していたと認めることはできな
い。
４争点(1)（本件各発明の実施）中，２８８号発明の実施について
(1)構成要件の分説
２８８号発明は，前記第２，１(3)シの特許請求の範囲に記載されたもので
あるところ，これを構成要件に分説すれば，次のとおりである。
ア請求項１に係る発明
１−Ａ所定の素子領域の形成された基板の表面を覆う第１のガラス層か
らなる第１のパツシベーシヨン膜と，
１−Ｂ前記第１のパツシベーシヨン膜上に形成され，コンタクトホール
を介して前記素子領域にコンタクトする配線層と，
１−Ｃ前記配線層の上層に形成され，前記第１のガラス層よりも発生応
力の大なる第２のガラス層からなる第２のパツシベーシヨン膜
１−Ｄとを具備したことを特徴とする半導体装置。
イ請求項２に係る発明
２−Ａ前記配線層は，その一部にスリツト状の凹部を具備している
２−Ｂことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
ウ請求項３に係る発明
３−Ａ前記第１のガラス層はガラス構造の網目修飾イオンの位置にイオ
ンを導入した構造をなすとともに，
３−Ｂ熱膨張係数が第２のガラス層よりも大きい
３−Ｃことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
エ請求項４に係る発明
４−Ａ所定の素子領域の形成された基板上に表面を覆うようにガラス構
造の網目修飾イオンの位置にイオンを導入した構造をなす第１のガラス
層からなる第１のパツシベーシヨン膜を形成する第１のパツシベーシヨ
ン膜形成工程と，
４−Ｂ前記第１のパツシベーシヨン膜上に，コンタクトホールを介して
前記素子領域にコンタクトする配線層を形成する配線層形成工程と，
４−Ｃ前記配線層の上層に，前記第１のガラス層よりも発生応力の大な
る第２のガラス層からなる第２のパツシベーシヨン膜を形成する第２の
パツシベーシヨン膜形成工程と，
４−Ｄ熱処理により少なくとも前記第１のガラス層を流動化させる流動
化工程
４−Ｅとを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
⑵原告が主張する被告による実施の根拠について
ア原告は，●（省略）●等であることを前提に審査請求がされたと主張す
るが，この前提を認めるに足る客観的証拠はなく，また，被告が，特許出
願につき審査請求をしたことをもって，当該出願に係る特許発明を実施し
ていると認められないことは，前記２(4)のとおりである。
イそして，前記⑴のとおり，２８８号特許の特許請求の範囲第１項ないし
第３項に係る半導体装置は，いずれも，第１のガラス層からなるパッシべ
ーション膜（構成要件１−Ａ，３−Ａ及びＣ）と，「第１のガラス層より
も発生応力の大なる第２のガラス層からなる第２のパツシベーシヨン膜」
（構成要件１−Ｃ，２−Ｂ及び３−Ｃ）とを具備したことを要件とし，ま
た，同第４項に係る半導体装置の製造方法は，「所定の素子領域の形成さ
れた基板上に表面を覆うようにガラス構造の網目修飾イオンの位置にイオ
ンを導入した構造をなす第１のガラス層からなる第１のパツシベーシヨン
膜を形成する第１のパツシベーシヨン膜形成工程」（構成要件４−Ａ）と
「第１のガラス層よりも発生応力の大なる第２のガラス層からなる第２の
パツシベーシヨン膜を形成する第２のパツシベーシヨン膜形成工程」（構
成要件４−Ｃ）があることを要件とする。
しかしながら，原告が指摘する各文献（甲３９，７９，１１０）におい
ては，被告が，これらの構成要件を満たす半導体を製造し，又は，半導体
の製造方法を行っていると認めるに足る記載はない。
なお，原告が指摘する文献のうち，甲３９文献中の原告が指摘する部分
の記載（原告は，甲３９の７０頁の右段落に，２８８号発明の請求項と同
じ内容に関する説明があるとする。）は，フォトマスクガラスに関する記
載であり，２８８号発明が対象とする半導体装置及びその製造方法に関す
る記載ではないから，これをもって，被告が２８８号発明を実施している
ということはできない。
(3)小括
そして，他に，被告が，２８８号発明を実施していたと認めるに足る客観
的な証拠はないことから，被告が，２８８号発明を実施していたと認めるこ
とはできない。
５争点(1)（本件各発明の実施）中，８４４号発明の実施について
(1)構成要件の分説
８４４号発明は，前記第２，１(3)スの特許請求の範囲に記載されたもので
あるところ，これを構成要件に分説すれば，次のとおりである。
ＡＳｉ，Ｂ，Ｇｅから選ばれる少なくとも１種以上のイオンと４＋３＋４＋
ＢＢｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｐｂから選ばれる少なくとも１種５＋４＋２＋２＋２＋
以上のイオンを含有し，
Ｃ且つモル分極率Ｐ＝ΣＰｍ（Ｐは前記イオンのモル分極率，ｍはこｍｉｉｉｉ
のイオンのモル％）が０．００７から１．００の範囲内にある
Ｄことを特徴とする非晶質又は結晶質の低分極性薄膜。
⑵原告が主張する被告による実施の根拠について
原告は，被告又は東芝コンポーネンツが８４４号発明を実施している根拠
として，甲３９文献，甲１０９カタログ及び甲１３１ないし甲１３３の論文
の各記載を挙げるので，これらの記載をもって，被告又は東芝コンポーネン
ツが８４４号発明を実施していたといえるか否か，以下検討する。
ア甲３９文献について
甲３９文献には，「東芝において，最近発表された二，三のガラスにつ
いてその組成とガラスの特性について述べる。表１に低温封止用ガラスの
代表的なものを示した。」と記載されており（甲３９），表１記載のガラ
スが含有するイオンは，前記⑴の構成要件Ａ及びＢを充足するものと認め
られる（モル分極率に関する構成要件Ｃについての検討は，ここでは措い
ておく。）。
しかしながら，この甲３９文献の記載から，甲３９文献の表１に記載さ
れたガラスは，「低温封止用ガラスの代表的なもの」であることは明らか
であるものの，それが，「東芝において最近発表された二，三のガラス」
に関するものか否かは，必ずしも明らかではない。また，仮に，甲３９文
献の表１に記載されたガラスが「東芝において，最近発表された二，三の
ガラス」に関するものであるとしても，甲３９文献の記載自体は，「東芝
が最近発表したガラス」に関する記載であって，被告又は東芝コンポーネ
ンツが当該ガラスを使用していると記載するものではなく，ましてや，被
告又は東芝コンポーネンツが，ダイオードやトライアックペレット等の個
別素子において，当該ガラスを使用していると記載するものでもない。
したがって，甲３９文献の記載をもって，被告又は東芝コンポーネンツ
が８４４号発明を実施していたと認めることはできない。
イ甲１０９カタログについて
甲１０９カタログは，東芝硝子のものであって，前記⑴の構成要件Ａ及
びＢ（構成要件Ｃについては，ひとまず措いておく。）を充足するガラス
を同社が販売していたこと（甲１０９中の「東芝ソルダーガラスの特性」
と題する表参照），ソルダーガラスの応用例として，これをターゲットガ
ラスとして用いたスパッタリング法により薄膜を形成することが記載され
ていると認められる（甲１０９）。
しかしながら，甲１０９カタログは，被告又は東芝コンポーネンツのも
のではないことから，被告又は東芝コンポーネンツがこれに記載されたガ
ラスを販売していたことを示すものではない。また，甲１０９カタログに，
被告又は東芝コンポーネンツが，当該カタログに記載されたソルダーガラ
スを使用していたことを示す記載は認められない。
さらに，甲１０９カタログの記載に照らしても，甲１０９カタログ中に
記載されたスパッタリング法による薄膜形成のために，同カタログの「東
芝ソルダーガラスの特性」中に特性が示されたソルダーガラスのいずれが
用いられるのか，また，仮に，被告又は東芝コンポーネンツが東芝硝子が
販売するソルダーガラスを使用しているとしても，そのいずれを使用して
いるのかは，明らかではない。
したがって，甲１０９カタログの記載をもって，被告又は東芝コンポー
ネンツが８４４号発明を実施していたと認めることはできない。
ウ甲１３１ないし１３３の論文について
甲１３１ないし１３３の論文は，いずれも原告が作成した英語の研究論
文であるところ，原告がその「取調べを求める部分」として訳文（民事訴
訟規則１３８条１項）を提出した部分には，被告又は東芝コンポーネンツ
が，８４４号特許の請求項の範囲に含まれるガラスを使用していることを
うかがわせる記載はない。
したがって，これらの論文をもって，被告又は東芝コンポーネンツが，
８４４号発明を実施していたと認めることはできない。
エこのほか，原告は，原告本人尋問において，甲２４に記載されている
「個別半導体素子に使われている流動点が７００℃のＺｎＯ系，ＰｂＯ系
パッシべーション用ガラス（中略）の開発を行い，実用化された。」との
記載に基づき，８４４号発明が実施されたと供述する（原告本人尋問調書
４６頁）。
しかしながら，甲２４の記載からは，これに記載されたガラスが，「Ｓ
ｉ，Ｂ，Ｇｅから選ばれる少なくとも１種以上のイオン」（構成要４＋３＋４＋
件Ａ）を含むか否かは明らかではなく，また，ガラスの組成も明らかでは
ないので，そのモル分極率（構成要件Ｃ）も明らかではないから，これを
もって，被告又は東芝コンポーネンツが８４４号発明を実施していると認
めることはできない。
(3)小括
他に，被告又は東芝コンポーネンツが，８４４号発明を実施していたと認
めるに足る客観的な証拠はないから，被告又は東芝コンポーネンツが，８４
４号発明を実施していたと認めることはできない。
６争点(1)（本件各発明の実施）中，３００号発明の実施について
(1)構成要件の分説
３００号発明は，前記第２，１(3)セの特許請求の範囲に記載されたもので
あるところ，これを構成要件に分説すれば，次のとおりである。
ア請求項１に係る発明
１−Ａターゲット材の潜傷を除去した後，
１−Ｂこれをターゲット材として用い，半導体装置の層間絶縁膜をスパ
ッター法で形成した後，
１−Ｃその上部に配線を形成した
１−Ｄことを特徴とする半導体装置の製造方法。
イ請求項２に係る発明
２−Ａ配線を，絶縁膜の点欠陥又は不純物が５００ｐｐｍ以下とした層
間絶縁膜上に形成した
２−Ｂことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
⑵原告が主張する被告による実施の根拠について
原告は，被告が３００号発明を実施している根拠として，甲９８及び甲１
０９カタログの各記載を挙げるので，これらの記載をもって，被告が３００
号発明を実施していたといえるか否か，以下検討する。
ア甲９８について
被告作成の「東芝半導体」のカタログ（甲９８）には，被告における半
導体の製造工程，製造装置・材料，製造事業部・関係会社が記載されてお
り，「電極形成」の工程において「スパッタ装置」が用いられていること
が記載されている。
しかしながら，スパッタ法は，３００号発明において，層間絶縁膜の形
成のために用いられている（構成要件１−Ｂ，２−Ｂ）ところ，甲９８の
「電極形成」の中に，層間絶縁膜の形成が含まれると認めるに足る証拠は
なく，他に，甲９８には，「層間絶縁膜」の形成に関する記載はない。ま
た，甲９８には，前記(1)の構成要件１−Ａ（ターゲット材の潜傷の除去）
及び同２−Ａ（絶縁膜の点欠陥や不純物）に関する記載もない。
したがって，甲９８の記載をもって，被告が，３００号発明を実施して
いると認めることはできない。なお，原告自身，原告本人尋問において，
甲９８に記載された「電極形成」には，ガラスが使われておらず，また，
甲９８には，ターゲットガラスを使ってスパッタ法で電極形成しているこ
とは記載されていないことを認めている（原告本人尋問調書４２頁以下）。
イ甲１０９カタログについて
(ア)前記５⑵イのとおり，甲１０９カタログは，東芝硝子のものであっ
て，ソルダーガラスの応用例として，これをターゲットガラスとして用
いたスパッタリング法により薄膜を形成することが記載されている。
そして，甲１０９カタログには，「薄膜形成は図のようなスパッタリ
ング法で行われ」ること，これが「薄膜絶縁層の形成にはきわめて有
効」であること，「高密度ＬＳＩの多層配線などにおける絶縁被膜の形
成（平坦化）に適してい」ること，「これに使われるガラスは，アルカ
リ含有量を２０ｐｐｍ以下に押えた高純度ガラスで」あること及び「ス
パッタリングによる薄膜形成」の図が記載されていることが認められる
（甲１０９）。
しかしながら，甲１０９カタログには，ターゲット材の潜傷の除去
（構成要件１−Ａ）に関する記載はない。
また，甲１０９カタログは，被告のものではないことから，被告がこ
れに記載されたスパッタリング法を使用していたことを示すものではな
い。なお，原告は，ガラスの製造者が被告でないことが，当該ガラスを
被告が使用していない根拠にはならないと主張するが，被告が使用して
いない根拠には直ちになり得ないのと同様に，被告が使用している根拠
にも直ちにはなり得ないのであり，前記３⑵イで述べたとおり，被告が
３００号発明を実施していることの証明責任は，原告が負うべきもので
あるから，原告の前記主張は，失当である。
(イ)したがって，甲１０９カタログをもって，被告が，３００号特許の
請求項１に係る発明を実施していると認めることはできない。
そして，３００号特許の請求項２は，請求項１を引用していることか
ら，被告が，３００号特許の請求項１を実施しているとは認められない
以上，請求項２を実施しているとは認められない。
(3)小括
他に，被告が３００号発明を実施していたと認めるに足る客観的な証拠は
ないから，被告が，３００号発明を実施していたと認めることはできない。
７争点(1)（本件各発明の実施）中，７２４号発明の実施について
(1)構成要件の分説
７２４号発明は，前記第２，１(3)ソの特許請求の範囲に記載されたもので
あるところ，これを構成要件に分説すれば，次のとおりである。
ア請求項１に係る発明
１−Ａ所望の素子が形成された半導体基板上に第１層配線を形成し，こ
の上に層間絶縁膜を形成して第２層配線を形成する工程を有する半導体
装置の製造方法において，
１−Ｂ前記層間絶縁膜を形成する工程は，アルカリイオン含有量が５ｐ
ｐｍ以下，
１−Ｃかつ遷移金属イオン含有量が１ｐｐｍ以下であるターゲットガラ
スを，
１−Ｄ研磨加工した後にその表面をエッチング処理して用いて，
１−Ｅスパッタ法によりガラス絶縁膜を形成する工程を有する
１−Ｆことを特徴とする半導体装置の製造方法。
イ請求項２に係る発明
２−Ａ所望の素子が形成された半導体基板上に第１層配線を形成し，こ
の上に積層構造の層間絶縁膜を形成して第２層配線を形成する工程を有
する半導体装置の製造方法において，
２−Ｂ前記積層構造の層間絶縁膜の少なくとも一方を形成する工程は，
アルカリイオン含有量が５ｐｐｍ以下，
２−Ｃかつ遷移金属イオン含有量が１ｐｐｍ以下であるターゲットガラ
スを，
２−Ｄ研磨加工した後にその表面をエッチング処理して用いて，
２−Ｅスパッタ法によりガラス絶縁膜を形成する
２−Ｆことを特徴とする半導体装置の製造方法。
ウ請求項３に係る発明
３−Ａターゲットガラスは常磁性欠陥濃度が１ｐｐｍ以下である
３−Ｂことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
⑵原告が主張する被告による実施の根拠について
ア３００号発明に包含されているという原告の主張について
(ア)原告は，７２４号発明は，３００号発明に包含されると主張すると
ころ，３００号特許の請求項１と７２４号特許の請求項１ないし３を比
較すれば，原告が主張するとおり，７２４号発明は，ターゲットガラス
を研磨加工した後にその表面をエッチング処理して用いて，スパッタ法
により層間絶縁膜を形成する工程において，それぞれ，ターゲットガラ
スにつき，アルカリイオン含有量及び遷移金属イオン含有量又は常磁性
欠陥濃度を限定したものと認められる。
したがって，前記６のとおり，被告が３００号発明を実施していると
は認められない以上，７２４号発明を実施しているとも認めることはで
きない。
(イ)そして，原告が，被告が３００号発明を実施している根拠として挙
げた甲９８及び甲１０９カタログのいずれにも，ターゲットガラスを
「研磨加工した後にその表面をエッチング処理」すること（構成要件１
−Ｄ，２−Ｄ，３−Ｂ）は，記載されていない。
また，甲９８には，層間絶縁膜の形成にスパッタ法を用いていると記
載されていないことは，前記６⑵アのとおりである。
さらに，甲１０９カタログに，「これに使われるガラスは，アルカリ
含有量を２０ｐｐｍ以下に押えた高純度ガラス」である旨の記載がある
ことは前記６⑵イのとおりであるが，当該ガラスが「アルカリイオン含
有量が５ｐｐｍ以下，かつ遷移金属イオン含有量が１ｐｐｍ以下」（構
成要件１−Ｂ，１−Ｃ，２−Ｂ，２−Ｃ及び３−Ｂ）であること及び
「常磁性欠陥濃度が１ｐｐｍ以下であること」（構成要件３−Ａ）の記
載はない。加えて，甲１０９カタログは，被告のものではないことから，
被告がこれに記載されたスパッタリング法を使用していたことを示すも
のではないことも，前記６⑵イのとおりである。
イこのほか，原告は，デバイスとして使用する場合には，７２４号発明の
条件が必要であるとして，その根拠として甲５５及び甲１１６を挙げる。
しかしながら，甲５５及び甲１１６のいずれにも，７２４号発明の構成
要件を満たすことが半導体装置の製造に必須であることを示す記載はなく，
ましてや，被告が７２４号発明を実施していたことを示す記載もない。
(3)小括
他に，被告が７２４号発明を実施していたと認めるに足る客観的な証拠は
ないから，被告が，７２４号発明を実施していたと認めることはできない。
８争点(1)（本件各発明の実施）中，８０５号発明の実施について
(1)構成要件の分説
８０５号発明は，前記第２，１(3)タの特許請求の範囲に記載されたもので
あるところ，これを構成要件に分説すれば，次のとおりである。
ア請求項１に係る発明
１−Ａ半導体素子が形成された基体と，この基体上に形成された第１層
配線と，この第１層配線上に層間絶縁膜を介して形成された第２層配線
とを備えた半導体装置において，
１−Ｂ前記層間絶縁膜はバイアススパッターガラス膜とプラズマ絶縁膜
の積層膜である
１−Ｃ事を特徴とする半導体装置。
イ請求項２に係る発明
２−Ａ前記バイアススパッターガラス膜の膜厚をＬと前記プラズマ絶縁ｓ
膜の膜厚をＬとした場合，Ｌ／Ｌの範囲が１／３∼５であるｐｓｐ
２−Ｂ事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
ウ請求項３に係る発明
３−Ａ半導体基体上に第１層配線をパターン形成する工程と，
３−Ｂ前記半導体基体及び第１層配線上に，バイアススパッターにより
バイアススパッターガラス膜及びプラズマ堆積によりプラズマ絶縁膜を
作成し，層間絶縁膜を形成する工程と，
３−Ｃ熱処理を行い前記層間絶縁膜を平坦化する工程と，
３−Ｄ前記平坦化された層間絶縁膜上に第２層配線を形成する
３−Ｅ事を特徴とする半導体装置の製造方法。
⑵原告が主張する被告による実施の根拠について
ア原告は，バイアススパッターガラス膜とプラズマ絶縁膜の積層膜の作り
方とそのメリットは，甲３８にも述べられているが，実用化されている方
法としては，甲１１０の論文に図解入りで記載されていると主張する。
しかしながら，甲３８は，７２４号特許の特許公報であり，その記載を
もって，被告が８０５号発明を実施していると認めることはできない。
また，甲１１０の論文は，ＣＶＤ法による絶縁膜の形成に関して説明す
るものであって，８０５号特許の各請求項で要件とされている「バイアス
スパッターガラス膜」（構成要件１−Ｂ，２−Ａ及び３−Ｂ）の形成方法
であるバイアススパッター法（ＰＶＤ法）に関する記載はなく，また，層
間絶縁膜として「バイアススパッターガラス膜とプラズマ絶縁膜の積層
膜」を形成することの記載もない（甲１１０）。
したがって，甲３８及び甲１１０をもって，被告が，８０５号発明を実
施していたと認めることはできない。
イまた，被告は，バイアススパッターガラスの使用について，被告社内で
実施されていたことは，甲７７の文献にも明記されていると主張する。
しかしながら，甲７７の論文は，被告半導体事業部に所属する従業員に
よって作成されたものであるが，その内容は，「バイアス・スパッタ・ク
ォーツ（ＢＳＱ）とＰ−ＳｉＯの積層層間膜を用いた三層配線構造を試作
し，デバイスへの適応のポイントである層間膜のリーク特性について報告
する」ものであって，被告が，これを製品に実施したことに関する記載は
ない。また，甲７７の論文には，「半導体素子が形成された基体（中略）
を備えた半導体装置」（構成要件１−Ａ）に関する記載もない。
したがって，甲７７の論文の記載をもって，被告が，８０５号発明を実
施していたと認めることはできない。
(3)小括
他に，被告が８０５号発明を実施していたと認めるに足る客観的な証拠は
ないから，被告が，８０５号発明を実施していたと認めることはできない。
９争点(1)（本件各発明の実施）中，１２７号発明の実施について
(1)構成要件の分説
１２７号発明は，前記第２，１(3)チの特許請求の範囲に記載されたもので
あるところ，これを構成要件に分説すれば，次のとおりである。
ア請求項１に係る発明
１−Ａメトキシル基（ＣＨＯ），エトキシル基（ＣＨＯ），プロポ３２５
−−
キシル基（ＣＨＯ）のうち少なくとも２種以上の官能基を１ｐｐｍ∼３７
−
０．５％含有したアルコキシドガラス層を含む
１−Ｂことを特徴とする半導体装置。
イ請求項２に係る発明
２−Ａ前記アルコキシドガラス層は，式
０．１≦ＣＨＯ／（ＣＨＯ＋ＣＨＯ＋ＣＨＯ）≦２０２５３２５３７
−−−−
を満たすものである
２−Ｂことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
⑵原告が主張する被告による実施の根拠について
ア原告は，被告がアルコキシドガラスを使用し，１２７号発明を実施して
いた根拠として，甲２９及び甲６０を挙げるので，これらをもって，被告
がアルコキシドガラスを使用し，１２７号発明を実施していたといえるか
否か，以下検討する。
(ア)前記３(5)のとおり，業界雑誌である甲２９には，被告において，１
６Ｍ−ＤＲＡＭの層間膜として，減圧ＴＥＯＳ−ＢＰＳＧ，プラズマＴ
ＥＯＳ−ＳｉＯを使用しており，また，６４Ｍ−ＤＲＡＭの層間膜とし
て，減圧ＴＥＯＳ−ＢＰＳＧ，Ｏ＋ＴＥＯＳ−ＳｉＯを候補としている３
３２５旨の記載はあるが，メトキシル基（ＣＨＯ），エトキシル基（ＣＨ−
Ｏ）及びプロポキシル基（ＣＨＯ）の含有量（構成要件１−Ａ）に−−
３７
関する記載はない。
(イ)また，甲６０は，原告が作成した英語による研究論文であるところ，
原告がその「取調べを求める部分」として訳文（民事訴訟規則１３８条
１項）を提出した部分には，メトキシル基（ＣＨＯ），エトキシル基３
−
（ＣＨＯ）及びプロポキシル基（ＣＨＯ）の含有量（構成要件１２５３７
−−
−Ａ）に関する記載はなく，また，１２７号発明を被告が実施していた
ことを認めるに足る記載もない。
(ウ)したがって，甲２９及び甲６０の記載をもって，被告が１２７号特
許の請求項１に係る発明を実施していたと認めることはできない。そし
て，同特許の請求項２に係る発明は，請求項１を引用する発明であるこ
とから，請求項１に係る発明の実施が認められない以上，同特許の請求
項２に係る発明の実施も認めることはできない。
イさらに，１２７号特許の特許公報の実施例３及び５におけるガラス成分
と同じ絶縁膜が，被告製品に利用されていたことの根拠として挙げる甲１
２及び甲４３は，いずれも原告自身の意見を記載する書面であって，これ
を裏付ける客観的な証拠はない。
(3)小括
他に，被告が１２７号発明を実施していたと認めるに足る客観的証拠はな
いから，被告が，１２７号発明を実施していたと認めることはできない。
１０争点(1)（本件各発明の実施）に関するその他の原告の主張について
このほか，原告は，本件各発明は，いずれも被告の事業部からの依頼による
ものであり，事業化を前提として行われたものであると主張し，原告本人尋問
においても，これに沿った内容の供述をする（原告本人尋問調書５頁以下）が，
これを裏付けるに足る客観的な証拠はない。しかも，仮に，事業化が前提とさ
れていたとしても，このことと研究開発された発明が実際に実施されることと
は，別異の事柄である。
また，原告は，被告の事業部が，その費用を負担し，「●（省略）●」の場
合に限って，本件各特許の出願につき審査請求をしたものであると主張する。
しかしながら，特許出願につき審査請求をしたものが，「●（省略）●」の場
合に限られるものではないと認められることは，前記２(4)のとおりである。
したがって，これらの原告の主張は，いずれも採用することができない。
１１争点(1)（本件各発明の実施）についての結論
以上のとおり，原告の請求のうち，原告の請求に係る対価請求権のすべてが
消滅時効により消滅したと認められる特許発明（前記１）以外の特許発明につ
いて，被告がこれを実施し（２８６号発明，５３４号発明，２８８号発明，８
４４号発明，３００号発明，７２４号発明，８０５号発明及び１２７号発明），
又は東芝コンポーネンツに実施を許諾していた（８４４号発明）と認めること
はできない。
１２結論
よって，その余の点について判断するまでもなく，原告の請求はいずれも理
由がないから，これを棄却することとし，主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第２９部
裁判長裁判官清水節
裁判官坂本三郎
裁判官岩崎慎
（別紙）
消滅時効の起算日及び満了日
支払対象年度
（各年４月１日から支払日（時効期間起算日）時効期間満了日
翌年３月31日まで）
昭和57（1982）年度昭和58（1983）年９月22日平成５（1993）年９月22日
昭和58（1983）年度昭和59（1984）年９月25日平成６（1994）年９月25日
昭和59（1984）年度昭和60（1985）年９月25日平成７（1995）年９月25日
昭和60（1985）年度昭和61（1986）年９月25日平成８（1996）年９月25日
昭和61（1986）年度昭和62（1987）年９月25日平成９（1997）年９月25日
昭和62（1987）年度昭和63（1988）年10月25日平成10（1998）年10月25日
昭和63（1988）年度平成元（1989）年10月25日平成11（1999）年10月25日
平成元（1989）年度平成２（1990）年10月25日平成12（2000）年10月25日
平成２（1990）年度平成３（1991）年10月25日平成13（2001）年10月25日
平成３（1991）年度平成４（1992）年10月23日平成14（2002）年10月23日
平成４（1992）年度平成５（1993）年10月25日平成15（2003）年10月25日
平成５（1993）年度平成６（1994）年10月25日平成16（2004）年10月25日
平成６（1994）年度平成７（1995）年10月25日平成17（2005）年10月25日
平成７（1995）年度平成８（1996）年10月25日平成18（2006）年10月25日
平成８（1996）年度平成９（1997）年10月24日平成19（2007）年10月24日

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