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令和２年３月１７日判決言渡
平成３１年（行ケ）第１００６３号審決取消請求事件（第１事件）
平成３１年（行ケ）第１００６１号審決取消請求事件（第２事件）
口頭弁論終結日令和２年１月２８日
判決
第１事件原告・第２事件被告株式会社アプトデイト
（以下「原告」という。）
同訴訟代理人弁護士根本浩
濱田慧
同訴訟代理人弁理士赤堀龍吾
遠田利明
第１事件被告・第２事件原告湖北工業株式会社
（以下「被告」という。）
同訴訟代理人弁護士宮嶋学
高田泰彦
柏延之
砂山麗
白井徹
同訴訟代理人弁理士永井浩之
中村行孝
浅野真理
主文
１原告及び被告の請求をいずれも棄却する。
２訴訟費用は，第１事件及び第２事件を通じてこれを２分し，そ
の１を原告の，その余を被告の各負担とする。
事実及び理由
第１請求
（第１事件）
特許庁が無効２０１６－８００１１０号事件について平成３１年３月１３日
にした審決のうち，特許第４７３２１８１号の請求項１０，１２～１４に係る
部分を取り消す。
（第２事件）
特許庁が無効２０１６－８００１１０号事件について平成３１年３月１３日
にした審決のうち，特許第４７３２１８１号の請求項１～４及び９に係る部分
を取り消す。
第２事案の概要（後掲証拠及び弁論の全趣旨から認められる事実）
１特許庁における手続の経緯等
(1)被告は，名称を「タブ端子の製造方法およびその方法により得られるタブ
端子」とする発明に係る特許権（特許第４７３２１８１号。平成１８年２月
１５日出願（以下「本件出願日」という。），平成２３年４月２８日設定登
録。請求項の数１４。以下，同特許権に係る特許を「本件特許」という。）
の特許権者である（甲５２）。
(2)原告は，平成２８年９月１６日に特許庁に，本件特許に関し，請求項１～
４，９～１４に係る特許を無効とすることを求めて無効審判請求をし，特許
庁は上記請求を無効２０１６－８００１１０号事件として審理した。被告は，
平成３０年４月１０日付けで訂正請求（以下「本件訂正」という。）をした
（甲７２）。
(3)特許庁は，平成３１年３月１３日，「平成３０年４月１０日付け訂正請求
において，特許第４７３２１８１号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付さ
れた訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１０－１４〕について
訂正することを認める。特許第４７３２１８１号の請求項１ないし４，９に
係る発明についての特許を無効とする。特許第４７３２１８１号の請求項１
０，１２ないし１４に係る発明についての審判の請求は，成り立たない。特
許第４７３２１８１号の請求項１１についての審判の請求を却下する。」と
の審決（以下「審決」という。）をし，その謄本は，同月２６日，原告及び
被告に送達された。
(4)原告は平成３１年４月２５日に，被告は同月２４日に，審決の取消しを求
めて，それぞれ第１事件及び第２事件に係る本件訴訟を提起した。
２特許請求の範囲の記載
(1)訂正前の特許請求の範囲の記載
本件訂正前の本件特許の特許請求の範囲の記載は，次のとおりである。以
下，次の各請求項に記載の発明を，請求項の番号に従って「本件発明１」な
どといい，本件発明１～１４を「本件発明」と総称する。また，願書に添付
した明細書を，図面を含めて「本件明細書」という。
【請求項１】芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部
に，圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子を製造する方法で
あって，
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に，アルミ
芯線を溶接し，該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程，お
よび
前記タブ端子を，リン系溶剤で洗浄する工程，
を含んでなり，
前記リン系溶剤が，リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムを含ん
でなる洗浄剤であることを特徴とする，方法。
【請求項２】前記洗浄工程を，前記洗浄剤の曇点以上の温度で行う，請求項
１に記載の方法。
【請求項３】前記洗浄工程を，７０～１００℃の温度で行う，請求項２に記
載の方法。
【請求項４】前記洗浄工程を，５～３０分間行う，請求項１～３のいずれか
一項に記載の方法。
【請求項５】前記タブ端子の溶接部分に，イオン注入を行う工程をさらに含
んでなる，請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】前記イオン注入のイオン源がリンである，請求項５に記載の方
法。
【請求項７】前記イオン注入工程を，前記洗浄工程の後に行う，請求項５ま
たは６に記載の方法。
【請求項８】イオン注入量が，１．０×１０５
～１．０×１０２０
ｃｍ－２
であ
る，請求項５～７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】前記タブ端子が，アルミ電解コンデンサに使用されるものであ
る，請求項１～８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端
部に，圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子であって，
前記溶接部分の少なくとも一部に，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からな
る皮膜が形成されてなることを特徴とする，タブ端子。
【請求項１１】スズが存在する部分において，スズ表面にＰＯｘ（ｘは２～４
を表す）からなる皮膜が形成されてなる，請求項１０に記載のタブ端子。
【請求項１２】前記ＳｎＰＯｘ皮膜またはスズ表面ＰＯｘ皮膜の厚みが，Ｓｉ
Ｏ２換算で２０ｎｍ以上である，請求項１０に記載のタブ端子。
【請求項１３】針状のウィスカが実質的に存在しない，請求項１０～１２の
いずれか一項に記載のタブ端子。
【請求項１４】タブ端子表面に発生したウィスカの形状が，螺旋状または帯
状である，請求項１３に記載のタブ端子。
(2)訂正後の特許請求の範囲の記載
本件訂正後の本件特許の特許請求の範囲の記載は，次のとおりである。以
下，各請求項に記載の発明を，請求項の番号に従って「本件訂正発明１」な
どという。下線部分は本件訂正による訂正箇所である（甲７２）。
【請求項１】芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部
に，圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子を製造する方法で
あって，
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に，アルミ
芯線を溶接し，該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程，お
よび
前記タブ端子を，リン系溶剤で洗浄して，前記溶接部分の少なくとも一部
に，ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）か
らなる皮膜を形成する工程，
を含んでなり，
前記リン系溶剤が，リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムを含ん
でなる洗浄剤であることを特徴とする，方法。
【請求項２】前記洗浄工程を，前記洗浄剤の曇点以上の温度で行う，請求項
１に記載の方法。
【請求項３】前記洗浄工程を，７０～１００℃の温度で行う，請求項２に記
載の方法。
【請求項４】前記洗浄工程を，５～３０分間行う，請求項１～３のいずれか
一項に記載の方法。
【請求項５】前記タブ端子の溶接部分に，イオン注入を行う工程をさらに含
んでなる，請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】前記イオン注入のイオン源がリンである，請求項５に記載の方
法。
【請求項７】前記イオン注入工程を，前記洗浄工程の後に行う，請求項５ま
たは６に記載の方法。
【請求項８】イオン注入量が，１．０×１０５
～１．０×１０２０
ｃｍ－２
であ
る，請求項５～７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】前記タブ端子が，アルミ電解コンデンサに使用されるものであ
る，請求項１～８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端
部に，圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子であって，
前記溶接部分の少なくとも一部に，ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，Ｓ
ｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜が形成されてなることを特徴とす
る，タブ端子。
【請求項１１】（削除）
【請求項１２】芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端
部に，圧扁部を有するアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子であって，
前記溶接部分の少なくとも一部に，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からな
る皮膜が形成され，
スズが存在する部分において，スズ表面にＰＯｘ（ｘは２～４を表す）から
なる皮膜が形成され，
前記ＳｎＰＯｘ皮膜またはスズ表面ＰＯｘ皮膜の厚みが，ＳｉＯ２換算で２０
ｎｍ以上であることを特徴とする，タブ端子。
【請求項１３】針状のウィスカが実質的に存在しない，請求項１０または１
２に記載のタブ端子。
【請求項１４】タブ端子表面に発生したウィスカの形状が，螺旋状または帯
状である，請求項１３に記載のタブ端子。
３審決の理由の要旨
(1)原告は，①特開２０００－２７７３９８号公報（甲１。以下「甲１文献」
という。）記載の発明に基づく新規性欠如又は進歩性欠如（本件発明１～４，
９～１１，１３）（無効理由１－１及び１－２），②実施可能要件違反（本
件発明１０～１４）（無効理由２），③サポート要件違反（本件発明１０～
１４）（無効理由３），④明確性要件違反（本件発明２，１０～１２，１４）
（無効理由４）を主張した。
審決の理由は，別紙審決書（写し）記載のとおりであり，要するに，本件
訂正のうち請求項１～９からなる一群の請求項に係る訂正については，特許
法１３４条の２第９項，１２６条５項の規定に適合しないとして訂正を認め
ず，請求項１０～１４からなる一群の請求項に係る訂正については訂正を認
め，これを前提に，①本件発明１～４，９は甲１文献及び技術常識に基づき
進歩性を欠くが，本件訂正発明１０，１３は新規性及び進歩性を欠如すると
はいえず，②本件訂正発明１０，１２～１４は実施可能要件に適合し，③本
件訂正発明１０，１２～１４はサポート要件に適合し，④本件発明２は明確
性要件に適合しないが，本件訂正発明１０，１２～１４は明確性要件に適合
し（なお，本件訂正に伴って主張された本件訂正発明１３の明確性要件違反
の無効理由については職権で審理された。），⑤本件訂正により請求項１１
は削除されたから請求項１１に係る請求は却下すべきであるというものであ
る。
審決の判断のうち，請求項１０～１４に係る本件訂正が訂正要件を満たす
とした判断及び本件発明１～４，９が進歩性を欠如するとした判断について
は，争いがない。
(2)審決が認定した甲１文献記載の発明と本件訂正発明１０との一致点及び相
違点
ア甲１文献記載の発明（引用発明２）
甲１文献には，次の引用発明２が記載されている。
「すずめっきされた銅線１０の端部に，アルミニウム線１１が溶接された
コンデンサ用リード線１。」
イ引用発明２と本件訂正発明１０は次の［一致点］で一致し，［相違点１］
～［相違点３］で相違する。
［一致点］
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に，アル
ミ芯線が溶接されてなるタブ端子。
［相違点１］
本件訂正発明１０のアルミ芯線は「圧扁部」を有しているのに対して，
引用発明２のアルミニウム線１１が圧扁部を有するか不明である点。
［相違点２］
本件訂正発明１０の部品は「タブ端子」であるのに対して，引用発明
２は「コンデンサ用リード線」である点。
［相違点３］
本件訂正発明１０は，「溶接部分の少なくとも一部に，ＳｉＯ２換算で
厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜が形
成されてなる」のに対して，引用発明２の溶接部分にそのような皮膜が
形成されているか不明である点。
４取消事由
（第１事件）
取消事由１：新規性欠如（本件訂正発明１０，１３）についての判断の誤り（無
効理由１－１）
取消事由２：進歩性欠如（本件訂正発明１０，１３）についての判断の誤り（無
効理由１－２）
取消事由３：実施可能要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）について
の判断の誤り（無効理由２）
取消事由４：サポート要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）について
の判断の誤り（無効理由３）
取消事由５：明確性要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）についての
判断の誤り（無効理由４）
（第２事件）
取消事由６：訂正要件違反（請求項１～９）についての判断の誤り
取消事由７：明確性要件適合性（本件発明２）についての判断の誤り
第３原告主張の取消事由
１取消事由１（新規性欠如（本件訂正発明１０，１３）についての判断の誤り）
について
(1)審決は，本件訂正発明１０，１３について新規性を欠如するとはいえない
と判断したが，誤りである。
(2)本件訂正発明１０について
ア相違点１について
(ｱ)甲３（特開平９－２１３５９２号公報。【０００６】，図１等），甲
４（特開平９－１３９３２６号公報。【０００５】，図１等）によれば，
リード線端部にアルミ芯線が溶接されてなるタブ端子に圧扁部を設ける
ことは，出願当時における技術常識を参酌することにより当業者が導き
出せる事項である。
(ｲ)したがって，相違点１に係る構成は，甲１文献に記載されているに等
しい事項である。
イ相違点２について
(ｱ)甲２（特開平９－４５５７９号公報。請求項１，【００１３】，【０
０３２】等），甲４（図１，【０００５】等）によれば，アルミニウム
線と銅線等が溶接されたコンデンサ用リード線を「タブ端子」として用
いることは，出願当時における技術常識を参酌することにより当業者が
導き出せる事項である。
(ｲ)したがって，相違点２に係る構成は，甲１文献に記載されているに等
しい事項である。
ウ相違点３について
(ｱ)「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」という化合物が，一般に知られ
ていない化合物であるとはいうことはできないとする審決の判断は誤り
であるから，新規性を判断するに当たっては，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４
を表す）からなる皮膜」は「リン酸スズからなる皮膜」を意味するもの
と解すべきである。
ａ本件明細書の実施例１のタブ端子と，甲１文献に記載されたコンデ
ンサ用リード線における洗浄溶剤，処理温度，処理時間等は類似して
いるから，本件明細書の実施例１に「リン酸スズからなる皮膜」が形
成されているならば，甲１文献の洗浄処理によっても当然，「リン酸
スズからなる皮膜」が形成されている。
ｂ甲８（特開平１１－３１４３１１号公報。請求項１，【０００１】，
【００１８】，【００１９】等），甲９（特開平７－２８６２８５号
公報。【００２６】，【００２７】），甲１２（１０６頁「５．３洗
浄処理によるＳｎウィスカ抑制効果」）によれば，スズメッキをリン
酸塩を含む溶液によって９０℃～９９℃約１２分間処理することによ
りリン酸スズが形成されることは，出願当時の技術常識である。そう
すると，甲１文献のとおり，コンデンサ用リード線をリン酸塩を含む
ファインクリーナ３１５を用いて温度９０℃～９９℃で約１２分間洗
浄することにより，溶接部分にリン酸スズが形成されることは，出願
当時における技術常識を参酌することにより当業者が導き出せる事項
である。したがって，甲１文献に記載されているに等しい事項である。
(ｲ)また，被告は，被告が提起した特許権侵害差止等請求事件及び同控訴
事件（東京地方裁判所平成２７年（ワ）第１９６６１号及び知的財産高
等裁判所平成２９年（ネ）第１０００３号）（以下「別件侵害訴訟」と
もいう。）において，原告の製品（リン系化合物の濃度０．５～０．８％
の洗浄液で洗浄したタブ端子。）に，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）か
らなる皮膜が形成され，その厚さがＳｉＯ２換算２０ｎｍ以上であると主
張した。この主張を前提とすれば，縮合リン酸塩の濃度が０．７５～０．
９０重量％程度の溶剤を用いて洗浄処理した甲１文献にも，同様の皮膜
が形成されているはずである。そうすると，相違点３に係る構成は，出
願当時における技術常識を参酌することにより当業者が導き出せる事項
である。したがって，甲１文献に記載されているに等しい事項である。
エ以上のとおり，相違点１～３は実質的相違点ではないから，本件訂正発
明１０は，甲１文献に基づき新規性を有しない。
(3)本件訂正発明１３について
ア本件訂正発明１３は本件訂正発明１０の発明特定事項を全て含むところ，
この部分については上記(2)に述べたところが妥当する。
本件訂正発明１３の「針状のウィスカが実質的に存在しない」という発
明特定事項について，甲１文献の記載（【０００２】，図３）には，溶接部
分における繊維状，すなわち，「針状」のウィスカの発生を防止することが
開示されているから，甲１文献のコンデンサ用リード線はその溶接部分に
「針状のウィスカが実質的に存在しない」ものである。
イ以上によれば，本件訂正発明１３は，甲１文献に基づき新規性を有しな
い。
(4)まとめ
審決の本件訂正発明１０，１３の新規性欠如の判断には誤りがあり，その
誤りは審決の結論に影響を及ぼすものであるから，審決は取り消されるべき
である。
２取消事由２（進歩性欠如（本件訂正発明１０，１３）についての判断の誤り）
について
(1)審決は，相違点３に係る構成は容易に想到し得なかったとして，本件訂正
発明１０，１３は進歩性を欠如するとはいえないと判断したが，誤りである。
(2)本件訂正発明１０について
ア審決は，相違点３について，引用発明２につき「ＳｉＯ２換算による厚さ
が２０ｎｍ以上の」皮膜が形成されているということはできないとして容
易想到性を否定したが，誤りである。
イ甲１文献のコンデンサ用リード線は，溶接部分にウィスカが発生するの
を防止することを目的とするから，溶接部分にウィスカが発生しないよう
に，洗浄溶剤，処理温度，処理時間を適宜変更することにより，溶接部分
に「ＳｉＯ２換算による厚さが２０ｎｍ以上のＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表
す）からなる皮膜」を形成することに，困難性は認められない。
ウ本件明細書上，皮膜の厚さが２０ｎｍ未満の場合との効果の違いが明ら
かではなく，「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の」という数値範囲に臨界
的意義があるとはいえないから，「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の」皮
膜により，当業者が予期し得ない格別顕著な効果を奏するものであるとは
認められない。
エ以上によれば，出願当時の当業者において，引用発明２に相違点１～３
に係る構成を適用することは，容易に想到し得たものであり，本件訂正発
明１０は進歩性を欠く。
(3)本件訂正発明１３について
前記１(3)及び上記(2)に主張したところによれば，本件訂正発明１３は進
歩性を欠く。
(4)まとめ
審決の本件訂正発明１０，１３の進歩性の判断には誤りがあり，その誤り
は審決の結論に影響を及ぼすものであるから，審決は取り消されるべきであ
る。
３取消事由３（実施可能要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）につい
ての判断の誤り）について
(1)審決は，本件訂正発明１０，１２～１４について，実施可能要件に適合す
ると判断したが，誤りである。
(2)本件訂正発明１０について
ア「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」という化合物が，一般に知られてい
ない化合物であるとはいうことはできないとする審決の判断は誤りである。
甲７，乙１２～１４，１６には「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」のうち，
ｘが３．５と４である場合が記載されているに過ぎないから，本件明細書
には，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」のうち，例えば，ｘが２以上３
未満である化合物からなる皮膜がどのようにすれば得られるのかについて
記載や示唆はない。これによれば，本件訂正発明１０は，当業者に期待し
うる程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を必要とするものであるか
ら，実施可能要件を充足しない。また，本件明細書には，そのような皮膜
を形成すると本件発明における課題が解決されることも具体的に示されて
おらず，溶接部分に「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」を２
０ｎｍ以上の厚さで形成すると本件訂正発明１０の作用効果を奏するのか
も明らかでない。
なお，本件訂正発明１０において皮膜が非晶質であるとの特定はなく，
非晶質であることを前提とする解釈は誤りである。また，本件明細書の【０
０３７】の「形成されたＳｎＰＯｘは，ｘが２．５～３であることが好まし
く」との記載からすれば，リン酸塩は単離できる化合物であるようにも思
われる。
イリン酸スズとしては，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」の組成比でな
いものが複数存在するが，本件明細書には，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表
す）からなる皮膜」を選択的に形成する方法について記載も示唆もない。
また，本件明細書には，「ＳｎＰＯｘ」がどのような化合物であり，ｘがど
のような値をとるのか，「ＳｎＰＯｘ」の化学構造についての定義や説明が
ない。
これによれば，本件訂正発明１０に係るタブ端子の溶接部分の少なくと
も一部に，どのようにすれば，他のリン酸スズではなく，ＳｎＰＯｘ（ｘは
２～４を表す）のみからなる皮膜を２０ｎｍ以上の厚さで選択的に形成で
きるのか不明である。
なお，本件明細書について「からなる」を「含む」と拡大して解釈する
と，「ＳｉＯ２換算による厚さが２０ｎｍ以上のＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を
表す）からなる皮膜」により課題が解決されたのかがより不明瞭になるか
ら，「からなる」は「のみからなる」と解すべきである。
ウ本件明細書の実施例には，皮膜の厚さの記載はなく，「ＳｉＯ２換算で２
０ｎｍ以上」に関して記載された本件明細書の【００４８】は形式的なも
のであって，実施可能要件適合性の根拠にはなり得ない。
エ本件明細書の【００５０】の「３０重量％のトリポリリン酸ナトリウム
を含む溶剤中」の記載からは残りの７０重量％の成分が不明であるところ，
洗浄剤の種類によっては，トリポリリン酸ナトリウムと化学的に反応し，
その溶剤としての機能を損なうことがあり得るし，また，どのような溶剤
を選択すれば，本件訂正発明１０の所期の課題を解決できるかを導くこと
は，当業者が期待しうる程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を要す
る。
オ本件明細書には，ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上のＳｎＰＯｘ（ｘは２
～４を表す）のみからなる皮膜の同定方法が記載されておらず，当業者に
期待しうる程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を要する。被告が提
示した分析結果（甲１８，３７及び３８）からも，分析専門機関において
すらｘを同定することが難しいことが理解できる。
カ本件訂正のうち請求項１～９に係る部分の訂正要件適合性に関する審決
の判断によれば，本件特許の所期の課題を解決するためには，少なくとも
特定の洗浄処理とその後の特定のイオン注入が必須条件であると考えられ
る。これに対し，本件訂正発明１０はイオン注入の工程を発明特定事項と
して含んでおらず，イオン注入以外の工程により所定の組成比及び厚さの
皮膜が形成される態様を包含している。これによれば，審決の訂正要件適
合性に関する判断と本件訂正発明１０の内容は整合しておらず，この点に
おいて，審決の内容は誤りである。
キ以上によれば，本件訂正発明１０は，当業者に期待しうる程度を超える
試行錯誤や複雑高度な実験等を必要とするものであるから，実施可能要件
に適合しない。
(3)本件訂正発明１２について
ア「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」，「ＳｉＯ２換算で２
０ｎｍ以上」に係る部分は本件訂正発明１０と共通するから，上記(2)にお
いて述べたところが妥当する。
イ「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」についても，ｘが２及び３
の場合が知られていたとしても，それ以外の，例えば２を超えて３未満で
ある化合物や，３を超えて４以下の化合物まで一般に知られているとはい
えないから，「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」が全体として一般に知られて
いるとはいえず，上記(2)アに述べたところが妥当する。
ウ①リン酸としては，「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」の組成比でないもの
が複数存在するのに，本件明細書に，「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からな
る皮膜」を選択的に形成する方法について記載も示唆もないこと，②本件
明細書に，「ＰＯｘ」がどのような化合物であり，ｘがどのような値をとる
のか，「ＰＯｘ」の化学構造についての定義や説明がないこと，③本件明細
書には，ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）皮膜の分析方法については記載がない
ことについても，上記(2)と同様である。
エ本件訂正発明１２は，当業者に期待しうる程度を超える試行錯誤や複雑
高度な実験等を必要とするものであるから，実施可能要件に適合しない。
(4)本件訂正発明１３，１４について
本件訂正発明１３，１４は，直接又は間接に本件訂正発明１０及び１２を
引用するものであるから，上記(2)(3)に述べたところが妥当する。
(5)まとめ
審決の本件訂正発明１０，１２～１４の実施可能要件適合性の判断には誤
りがあり，その誤りは審決の結論に影響を及ぼすものであるから，審決は取
り消されるべきである。
４取消事由４（サポート要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）につい
ての判断の誤り）について
(1)審決は，本件訂正発明１０，１２～１４について，サポート要件に適合す
ると判断したが，誤りである。
(2)本件訂正発明１０について
ア前記３(2)アのとおり，ｘが３．５と４である場合が知られているに過ぎ
ず，例えば，ｘが２以上３未満である化合物は知られていないから，この
ような化合物からなる皮膜を形成することにより課題が解決されることは
具体的に示されていない。「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」
を形成すると本件訂正発明１０の課題を解決できるかが明らかでなく，本
件訂正発明１０の全体の範囲まで，発明の詳細な説明に開示された内容を
拡張ないし一般化できるとはいえないから，サポート要件に適合しない。
イ前記３(2)イに述べたとおり，本件明細書には「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４
を表す）からなる皮膜」を選択的に形成する方法について記載や示唆がな
く，本件明細書には，「ＳｎＰＯｘ」がどのような化合物であり，ｘがどの
ような値をとるのか，「ＳｎＰＯｘ」の化学構造についての定義や説明がな
い。これによれば，このような皮膜を形成することで課題を解決できるか
が不明でありサポート要件に適合しない。
ウ前記３(2)カのとおり，訂正要件適合性に関する判断と，本件訂正発明１
０の内容が整合しておらず，この点において審決の内容は誤りである。
エ本件明細書の記載からは，「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上」の厚さのＳｎ
ＰＯｘ（ｘは２～４）からなる皮膜が形成されたからウィスカが抑制された
のか，その他構造や物性の変化によりウィスカが抑制されたのか不明であ
る。
すなわち，本件明細書記載の特定の溶剤処理及びイオン注入処理以外の
処理がされた，「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上の厚さのＳｎＰＯｘ（ｘは２
～４）からなる皮膜」によってウィスカの抑制という課題が解決されたこ
との記載はない。そうすると，「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上の厚さのＳｎ
ＰＯｘ（ｘは２～４）からなる皮膜」により課題が解決されたのか，本件明
細書記載の特定の溶剤処理及びイオン注入処理により生じたその他の構造
や物性の変化によって課題が解決されたのかが不明である。
例えば，本件明細書の【００３６】には，溶接部分の内部に残留応力が
残ることで，針状のウィスカが現れると推定されることが記載されている。
そして，本件明細書に記載された特定の洗浄処理及びイオン注入処理によ
り溶接部分の内部の残留応力が緩和されるから，これこそが課題解決の原
因であって，「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上の厚さのＳｎＰＯｘ（ｘは２～
４）からなる皮膜」と課題の解決とは関連がないとも考えられる。
また，本件明細書記載の特定の溶剤処理及びイオン注入処理により形成
される皮膜には，「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上の厚さのＳｎＰＯｘ（ｘは
２～４）からなる皮膜」のみならず，その他のリン酸スズも形成されると
考えるのが自然である。そうすると，上記のような処理によりウィスカの
抑制ができるのは，「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上の厚さのＳｎＰＯｘ（ｘ
は２～４）からなる皮膜」が形成されたからなのか，それともそれ以外の
リン酸スズの皮膜が形成されたからなのか不明である。
特に発明の構成と効果（解決課題の達成）との関係，言い換えれば，発
明の構成により所定の効果が得られることの作用機序を特定するのが困難
な化学分野においては，複数の異なる発明の構成で同様に効果を奏するこ
とを示す種々の異なる実施例があってこそ，その異なる発明の範囲内にお
いて，発明の構成と効果との間で深い関連性があると認められるべきであ
るが，本件明細書の実施例の記載（【００４９】～【００５９】）には，
特定の溶剤処理とイオン注入処理以外の方法によって「ＳｉＯ２換算で２０
ｎｍ以上の厚さのＳｎＰＯｘ（ｘは２～４）からなる皮膜」が形成され，そ
れによりウィスカが抑制されたことについて記載や示唆がない。これによ
れば，課題を解決するためには，特定の溶剤処理とイオン注入処理をする
ことが必須条件であるというべきであり，このような特定の溶剤処理とイ
オン注入処理を発明特定事項としない本件訂正発明１０ではウィスカを抑
制するという課題を解決できると認識できる範囲のものであるとはいえな
い。
オ以上によれば，本件訂正発明１０についてサポート要件に適合するとは
いえない。
(3)本件訂正発明１２について
ア本件訂正発明１２のうち，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮
膜」に係る部分は本件訂正発明１０と共通するから，上記(2)において述べ
たところが妥当する。
イＰＯ２やＰＯ３が知られているとしても，「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」
に含まれるＰＯ４という化合物からなる皮膜が安定に存在するか否かは不明
であるし，ｘが２と３及び３と４の間の数値が一般に知られているともい
えないから，上記(2)アと同様に，サポート要件適合性は認められない。ま
た，「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」について「ＳｎＰＯｘ（ｘ
は２～４を表す）からなる皮膜」についての上記(2)のその余の点が妥当す
る。
ウ以上によれば，本件訂正発明１２についてサポート要件に適合するとは
いえない。
(4)本件訂正発明１３，１４について
本件訂正発明１３，１４は，直接又は間接に本件訂正発明１０及び１２を
引用するものであるから，上記(2)(3)に述べたところが妥当し，サポート要
件に適合しない。
(5)まとめ
審決の本件訂正発明１０，１２～１４のサポート要件適合性の判断には誤
りがあり，その誤りは審決の結論に影響を及ぼすものであるから，審決は取
り消されるべきである。
５取消事由５（明確性要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）について
の判断の誤り）について
(1)審決は，本件訂正発明１０，１２～１４について，明確性要件に適合する
と判断したが，誤りである。
(2)本件訂正発明１０について
ア前記３(2)アと同様に，甲７，乙１２～１４，１６には「ＳｎＰＯｘ（ｘ
は２～４を表す）」のうちの，ｘが３．５又は４である場合が記載されて
いるに過ぎないから，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」はその全体につ
いて一般に知られていないものである。実際に測定した組成比におけるＯ
の数値がある程度の幅を有することが明らかであるとの審決の判断の根拠
は不明であり，さらに実際に測定した組成比におけるＯの数値がある程度
の幅を有していたとしても，例えばｘが２や３の場合に対するｘが３．５
や４の場合でも「ある程度の幅」であるとはいえない。
このように，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」という化合物は，全体
としては一般に知られていない化合物であるところ，本件明細書には，例
えば，ｘが２以上３未満である化合物からなる皮膜がどのようにすれば得
られるのかについて記載や示唆がなく，そのような皮膜を形成すると課題
が解決されることも具体的に示されていない。
なお，本件訂正発明１０において皮膜が非晶質であるとの特定はなく，
非晶質であることを前提とする解釈は誤りである。また，本件明細書の【０
０３７】の「形成されたＳｎＰＯｘは，ｘが２．５～３であることが好まし
く」との記載からすれば，リン酸塩は単離できる化合物であるようにも思
われる。
よって，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」は不明瞭であ
る。
イ前記３(2)イに述べたとおり，本件明細書には「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４
を表す）からなる皮膜」を選択的に形成する方法について何ら記載や示唆
がない。また，本件明細書には，「ＳｎＰＯｘ」がどのような化合物であり，
ｘがどのような値をとるのか，「ＳｎＰＯｘ」の化学構造についての定義や
説明がない。これによれば，このような皮膜を形成することで課題を解決
できるかが不明であり明確性要件に適合しない。そうすると，本件訂正発
明１０のタブ端子の溶接部分の少なくとも一部に形成されたリン酸スズが
「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」であるか不明であるし，その皮膜にＳ
ｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）だけでなく，このＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を
表す）と異なるリン酸スズが含まれていないともいえない。
本件明細書について「からなる」を「含む」と拡大して解釈すると，「Ｓ
ｉＯ２換算による厚さが２０ｎｍ以上のＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）か
らなる皮膜」により課題が解決されたのかがより不明瞭になるから，「か
らなる」は「のみからなる」と解すべきである。
したがって，本件訂正発明１０に係るタブ端子の溶接部分の少なくとも
一部に，どのようなリン酸スズが形成されているか判然とせず，「ＳｎＰ
Ｏｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」との記載は明確であるとはいえな
い。
ウ前記３(2)カのとおり，本件訂正のうち請求項１～９に係る部分の訂正要
件適合性に関する審決の判断によれば，本件発明の所期の課題を解決する
ためには，少なくとも特定の洗浄処理とその後の特定のイオン注入が必須
条件であると考えられる。これに対し，本件訂正発明１０はイオン注入の
工程を発明特定事項として含んでおらず，イオン注入以外の工程により所
定の組成比及び厚さの皮膜が形成される態様を包含している。これによれ
ば，審決の訂正要件適合性に関する判断と本件訂正発明１０の内容は整合
しておらず，この点において，審決の内容は誤りである。
また，本件明細書の実施例の記載には，皮膜の組成比及び厚さについて
の結果が記載されておらず，本件特許明細書等は不明瞭である。
エ以上によれば，本件訂正発明１０について明確性要件に適合するとはい
えない。
(3)本件訂正発明１２について
ア「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」，「ＳｉＯ２換算で２
０ｎｍ以上」が不明確であることについては上記(2)に述べたところが妥当
する。
イＰＯ２，ＰＯ３が一般に知られているとしても，ＰＯ4からなる皮膜が安定
に存在するか否かは不明であって，「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」という
化合物は全体としては一般に知られていない化合物である。そうすると，
「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」が明確であるといえないこと
は，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」について述べたところと同様であ
る。
ウ本件明細書には，「ＰＯｘ」がどのような化合物であり，ｘがどのような
値をとるのか，「ＰＯｘ」の化学構造についての定義や説明がなく，本件明
細書からは，本件訂正発明１２に係るタブ端子の溶接部分の少なくとも一
部に，どのようにすれば，他のリン酸ではなく，ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）
からなる皮膜を選択的に形成できるのか不明であり，この観点からも，本
件訂正発明１２は不明確である。
エ本件明細書の実施例では，皮膜の厚さが確認されておらず，実施例以外
のどのようなリン系溶剤を用いて，どのような条件で洗浄処理を行えば，
タブ端子のどの部分に「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の皮膜」が形成さ
れるのかという点を理解することができない。
「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上」とすることについての本件明細書の【０
０４８】にも洗浄処理についての記載はなく，上記のとおり実施例では皮
膜の厚さを確認していないのであるから，【００４８】の記載を考慮して
も「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上」は不明確である。また，本件明細書の【０
０３７】には，ＰＯｘ皮膜の組成比と厚さの同定方法の記載がない以上，本
件訂正発明１２は明確ではない。
そうすると，発明の詳細な説明に当業者が認識できる程度に記載も示唆
もされていないといわざるを得ず，本件訂正発明１２は明確ではない。
(4)本件訂正発明１３について
本件訂正発明１３は，本件訂正発明１０及び１２を引用するものであるか
ら，上記(2)及び(3)に述べたところが妥当し，明確性要件に適合しない。
(5)本件訂正発明１４について
ア本件訂正発明１４についても，本件訂正発明１０及び１２を間接に引用
するものであるから，上記(2)及び(3)に述べたところが妥当し，明確性要
件に適合しない。
イまた，「ウィスカの形状が，螺旋状または帯状である」について，本件
訂正発明１３の「針状のウィスカが実質的に存在しない」における「針状」
と「帯状」との相違が不明である。具体的には，「針」も「帯」も，長細
い形状を有することを観念するものである点は共通しており，この長細い
形状がより具体的にはどのような形状であれば，例えば長さ方向と径方向
の比がどのような比であれば，あるいは，断面形状がどのような形状であ
れば，その断面形状が矩形である場合にどの程度のアスベクト比（長辺と
短辺の比率）であれば，「針」又は「帯」に属するのか，あるいはその両
方に属するのか判然としない。また，「螺旋状」においても，「螺旋」の
先端が針状である場合には，このような形状が「螺旋状」又は「針状」の
いずれに属するのか，あるいはその両方に属するのか全く理解できない。
本件明細書には，「螺旋状」，「帯状」，「針状のウィスカが実質的に存
在しない」ことについての説明がなく，「螺旋状又は帯状」の意味が明確
ではあるとはいえない。
ウ以上によれば，本件訂正発明１４について明確性要件に適合するとはい
えない。
(6)まとめ
審決の本件訂正発明１０，１２～１４の明確性要件適合性の判断には誤り
があり，その誤りは審決の結論に影響を及ぼすものであるから，審決は取り
消されるべきである。
第４被告の反論
１取消事由１（新規性欠如（本件訂正発明１０，１３）についての判断の誤り）
について
(1)本件訂正発明１０について
ア相違点１及び２についての原告の主張は，甲１文献以外の他の公知文献
を参酌することによりこれらの構成が導き出されるというものである。こ
れは，新規性ではなく進歩性として議論されるべきものであり，これらを
混同している点において原告の主張は失当である。
イ原告は，相違点３における「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４）」は一般的な「リ
ン酸スズ」を意味するとして新規性欠如の主張をするが，審決の認定と異
なる相違点を前提とする主張である。
また，甲１文献の溶剤の濃度は本件明細書と異なるし，別件侵害訴訟に
おける原告の製品と甲１文献は処理工程が異なる。
ウ以上によれば，本件訂正発明１０の新規性についての審決の判断に誤り
はない。
(2)本件訂正発明１３について
上記(1)によれば，本件訂正発明１３の新規性についての審決の判断にも誤
りはない。
２取消事由２（進歩性欠如（本件訂正発明１０，１３）についての判断の誤り）
について
(1)本件訂正発明１０について
ア本件発明は，タブ端子の溶接部から発生するスズウィスカが，スズ金属
単体からのものと確認し，溶接部分にリン酸化合物の皮膜を形成すること
により，金属スズの結晶であるウィスカを抑制できるとの知見を得て，ウ
ィスカ成長の抑制のため，タブ端子をリン系溶剤洗浄するなどして，十分
なリン化合物の皮膜を形成するという技術思想の発明である。
これに対し，甲１文献はウィスカの発生防止は洗浄ではなく乾燥工程で
行うことを解決手段とするもので，リード線のアルミニウム線の脱脂や溶
接時に発生したカーボン除去のために使用する「洗浄液」である非エッチ
ング型弱アルカリクリーナーの具体例としてリン酸塩を含むファインクリ
ーナ３１５を例示するに過ぎず，リン酸ナトリウム又はポリリン酸ナトリ
ウムを含んでなる洗浄剤でタブ端子を洗浄することによりタブ端子の溶接
部分にＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜を形成することを意図
していないのは明らかである。
また，甲１文献のほか原告が引用する公知文献にも，「ＳｉＯ２換算によ
る厚さが２０ｎｍ以上のＳｎＰＯｘ（ｘは２～４）からなる皮膜」を形成す
るための条件についての記載はない。
イ仮に，相違点３に係る構成に想到し得たとしても，本件明細書の実施例
２の結果は顕著な作用効果の裏付けと十分なり得るものである。進歩性に
おいて数値範囲の臨界的意義が必ずしも求められるものではなく，そのよ
うな構成を採用することに基づく顕著な作用効果が明細書の記載から読み
取れれば足りるものであり，本件明細書の記載から十分に読み取れる。
ウ以上によれば，本件訂正発明１０の進歩性についての審決の判断に誤り
はない。
(2)本件訂正発明１３について
上記(1)によれば，本件訂正発明１３の進歩性についての審決の判断にも誤
りはない。
３取消事由３（実施可能要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）につい
ての判断の誤り）について
(1)本件訂正発明１０について
ア原告は，ｘが２以上３未満という化合物が一般に知られているとはいえ
ないと，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」をあたかも単離できる物質に
限られるものとして主張する。しかし，溶接部表面にできたＳｎ膜に含ま
れる様なリン酸塩は単離できるような化合物に限られず，単離できる形で
一般に知られていない化合物でも，膜の中であれば存在することができる。
また，このような方法で出来た膜は，アモルファス（非結晶性の）構造と
なることが一般的であるし，また，リン（Ｐ）と酸素（Ｏ）の比率は整数
比にならないことの方が一般的であり，ｘが２以上３未満とか３以上４未
満のような値を採ることは往々にしてあることである。
また，化学量論的に「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」のうちｘが２以
上３．５未満ということは無理なく考えられる。すなわち，本件出願日以
前に公開された乙２１（公開日について乙６３）にはｘ＝５のものが，乙
５７には，ｘ＝２，３，３．５のものが記載されている。さらに，本件出
願日後に公開されたものではあるが，乙１８（特開２０１１－２４９６４
１号公報）にはｘ＝２．８に相当するものが，乙１７（特開２０１８－２
４８９号公報）にはｘ＝３に相当するものが記載されている。
イ本件明細書の【００３７】には，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４）のリン酸化合
物が形成されていることが記載され，その手段として，リン系溶剤による
洗浄やイオン注入等が具体的に開示され，そのための好ましい条件につい
ても本件明細書に明確に記載されており（【００１５】～【００２１】），
実施例においてこのような皮膜を形成することにより現にウィスカの抑制
が図られていることが明確に読み取れる（【００４９】～【００５６】）
のであるから，本件訂正発明１０は実施可能要件に適合する。
なお，乙１８（特開２０１１－２４９６４１号公報。【００２３】）は
本件出願日後の文献ではあるが，本件明細書と同様のイオン注入工程によ
り，ｘの値が２．８であったことが確認され。上記を裏付けるものである。
ウ原告は，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」を「ＳｎＰＯ
ｘ（ｘは２～４を表す）のみからなる皮膜」と解し，その皮膜にＳｎＰＯｘ
（ｘは２～４を表す）以外のリン酸スズが含まれていないことが記載され
ていないと主張する。しかし，「からなる」という文言は，基本的には「含
む」と同様に他の成分が含まれることを許容する趣旨と解される。本件明
細書に他の成分を含む場合を排除する記載は存在せず，技術常識からして
も，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」以外のものが含まれたからといっ
てその効果が阻害されるとも考え難い。
エ原告は，溶剤中における残りの７０重量％が特定されておらず，洗浄剤
の種類によっては，トリポリリン酸ナトリウムと化学的に反応し溶剤とし
ての機能を損なうとか，実施例で用いた特定の溶剤以外にどのような溶剤
を用いてどのような条件で洗浄処理を行えば，溶接部に「ＳｉＯ２換算で厚
さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」が形成
されるのかが明らかでないなどと主張するが，スズメッキされたタブ端子
にリン酸スズを形成する反応に必要な成分がトリポリリン酸ナトリウムで
あることは自明なので，他の成分について規定する必要はない。また，本
件発明の趣旨からして，わざわざトリポリリン酸ナトリウムと何らかの化
学的に作用し溶剤として用いることが出来なくなるようなものを避けるの
は当然であるから，その意味においても原告の主張は失当である。また，
溶剤の選択については，本件明細書の【００４０】に従って種類と濃度を
選択し，【００４１】及び【００４２】の記載に従って洗浄処理をすれば
よい。
オ本件明細書の【表１】によれば，イオン注入を行わない実施例１におい
ても溶剤処理を行わない比較例１と比較して相当程度のウィスカ抑制効果
が認められており，実施例２のようにイオン注入によりＳｎＰＯｘ（ｘは２
～４を表す）からなる皮膜の厚みを増すことによってウィスカ抑制効果が
増大している。原告の主張するように，イオン注入による変化というリン
酸皮膜形成以外の変化が原因であるとすれば，イオン注入を行わない実施
例１においては比較例１と同様にウィスカを抑制できないはずである。
減圧下でスズのウィスカの成長が抑制されることが知られているように，
スズのウィスカの成長には酸素の存在が必要であるから，「ＳｎＰＯｘ（ｘ
は２～４を表す）からなる皮膜」は，Ｓｎ膜に還元作用のあるリン酸塩（Ｐ
Ｏｘ）を含ませることによりウィスカの成長を抑制することが理解される。
また，リン酸皮膜は厚い方がウィスカの抑制効果が大きくなると考えられ，
原子のサイズは半径０．１ｎｍのオーダーであるから，２０ｎｍの深さが
あれば，酸素捕捉に伴うウィスカの抑制効果が相当程度得られるはずであ
る。これによれば，「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上のＳｎＰＯｘ（ｘは
２～４を表す）からなる皮膜」を形成することによるウィスカ抑制効果が
合理的に説明できる。
カ以上によれば，本件訂正発明１０の実施可能要件についての審決の判断
に誤りはない。
(2)本件訂正発明１２について
ア本件訂正発明１２についても上記(1)において述べたところが妥当する。
イ「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」に関しても，例えば，乙５
８，５９等多くの文献からＰＯ４が安定に存在し得ることは明らかであるし，
「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」と同様，「ＰＯｘ（ｘは
２～４を表す）からなる皮膜」についても非晶質の構造を採るため，ｘの
値は整数に限らず，２を超えて３未満の場合や，３を超えて４未満の場合
もあり得ることは自明である。
ウイオン注入によれば，注入されたイオンがＳｎの結合を切って金属の間
に侵入しＳｎＰＯｘとなるが，イオンは対象の構成原子と衝突する際に様々
な方向に散乱されるため，Ｓｎ表面にＰＯｘからなるリン系化合物の皮膜も
形成されるから，多くの場合ＳｎＰＯｘの部分とＰＯｘの部分が溶接部分に
混在し，Ｓｎ表面上にＰＯｘからなるリン系化合物の皮膜が形成される。
エ以上によれば，本件訂正発明１２の実施可能要件についての審決の判断
に誤りはない。
(3)本件訂正発明１３，１４について
上記(1)，(2)によれば，本件訂正発明１３，１４についても，実施可能要
件に適合するから，審決の判断に誤りはない。
４取消事由４（サポート要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）につい
ての判断の誤り）について
(1)本件訂正発明１０について
ア前記３(1)アイによれば，本件訂正発明１０がサポート要件に適合するこ
とは明らかであり，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」の，例えばｘが２
以上３未満である場合に課題が解決されることが具体的に示されていない
との原告の主張に理由がないことは明らかである。
イ本件明細書の【００４８】，【００５３】によれば，実施例２のリン系
化合物皮膜が「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上」であることを読み取ることが
でき，課題が解決されていることが理解できる。本件訂正発明１０は物の
発明であり，特定の洗浄処理とイオン注入処理によるタブ端子を排除して
いないから，少なくともこれらの方法によって製造されたものによって本
件訂正発明１０の課題が解決できるのであれば，何らサポート要件に欠け
るところはない。当業者であれば，本件明細書の記載その他技術常識を基
に，本件訂正発明１０の構成に基づいてその課題解決が図られていると理
解できることは明らかである。
ウ原告は，本件発明の構成と作用効果との関係に関し，「ＳｉＯ２換算で厚
さ２０ｎｍ以上のＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」を形成し
たことによってウィスカが抑制できているのか，それともイオン注入に伴
うそれ以外の変化によってウィスカが抑制できているのかその因果関係が
明らかでないから，イオン注入を必須としない本件訂正発明１０は課題を
解決できないという趣旨の主張もするが，本件明細書の【表１】によれば，
「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上のＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）から
なる皮膜」を形成することによるウィスカ抑制効果が合理的に説明できる
ことは前記３(1)オのとおりである。
エ以上によれば，本件訂正発明１０のサポート要件についての審決の判断
に誤りはない。
(2)本件訂正発明１２について
ア前記３(2)イウによれば，本件訂正発明１２についてサポート要件に適合
することは明らかである。
本件明細書の【００３８】，【００４８】，【００５３】によれば，実施
例の２においてＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上のＰＯｘ皮膜が形成されている
と考えるのが合理的であり，課題が解決されていることが理解できる。
イ以上によれば，本件訂正発明１２のサポート要件についての審決の判断
に誤りはない。
(3)本件訂正発明１３，１４について
上記(1)，(2)によれば，本件訂正発明１３，１４についても，サポート要
件に適合するから，審決の判断に誤りはない。
５取消事由５（明確性要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）について
の判断の誤り）について
(1)本件訂正発明１０について
ア前記３(1)アによれば，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」の意義は明
確であるし，「からなる」とは他の成分が含まれることを許容する趣旨と
解される。また，ＡＥＳ分析等の深さ方向分析において，「ＳｉＯ２換算」
で厚みを表すことは周知である。
原告の主張するその余の点は明確性要件とは関わりがない。
イ以上によれば，本件訂正発明１０の明確性要件についての審決の判断に
誤りはない。
(2)本件訂正発明１２について
前記３(2)及び上記(1)によれば，本件訂正発明１２の明確性要件について
の審決の判断に誤りはない。
(3)本件訂正発明１３について
上記(1)，(2)によれば，本件訂正発明１３の明確性要件についての審決の
判断に誤りはない。
(4)本件訂正発明１４について
ア「螺旋」及び「帯」の一般的な意味を勘案すれば，「螺旋状」及び「帯
状」という形状がどのような形状であるのかは，明確に観念し得るもので
おり，また，本件明細書の【００４５】の「針状にウィスカが成長すると，
隣接するタブ端子やコンデンサ容器に接触してショート等のトラブルを発
生するが，螺旋状または帯状に成長することにより隣接したタブ端子やや
コンデンサ容器に接触することが無くなり，ショートを有効に防止できる」
という記載から，その形状や技術的意味は十分に理解できる。したがって，
本件訂正発明１４の「タブ端子表面に発生したウィスカの形状が，螺旋状
または帯状である」との規定は明確である。
イ以上によれば，本件訂正発明１４の明確性要件についての審決の判断に
誤りはない。
第５被告主張の取消事由
１取消事由６（訂正要件違反（請求項１～９）についての判断の誤り）につい
て
(1)審決は，本件訂正のうち，訂正前の請求項１に「リン系溶剤で洗浄する工
程」とあるのを，「リン系溶剤で洗浄して，前記溶接部分の少なくとも一部
に，ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）か
らなる皮膜を形成する工程」とする訂正（以下「訂正事項１」という。）に
ついて，訂正要件に適合しないと判断したが，誤りである。
(2)訂正要件に適合することについて
ア本件明細書には，リン系溶剤による洗浄のみで「ＳｉＯ２換算で厚さ２０
ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」を形成すると
いう明示的な記載は存在しない。しかし，新規事項の追加に該当するか否
かについては，訂正により特許請求の範囲に付加された文言と明細書等の
記載とを形式的に対比するのではなく，明細書，特許請求の範囲又は図面
のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項を考慮しつつ，
新たな技術的事項を導入したものと解されない場合であるか否かを判断す
べきである。
イ本件明細書の記載について
(ｱ)本件明細書の，タブ端子の洗浄によって形成される皮膜に関する説明
箇所である【００３８】の記載は，【００２５】の「好ましい態様とし
て，ＳｎＰＯｘ皮膜またはスズ表面ＰＯｘ皮膜の厚みが，ＳｉＯ２換算で２
０ｎｍ以上である」という記載にも対応するものであり，【００２５】
の記載は，【００３８】に記載の皮膜の好ましい厚さについても説明し
ているものと理解するのが自然である。
【００４８】は，イオン注入を行う場合にＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上
とするのに好ましいイオン注入量を説明しているが，イオン注入を行わ
ない場合のＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上とすることを否定する記載ではな
い。【００４８】のイオン注入量の記載は【００２１】及び【００２２】
に対応するものであるが，イオン注入に関する【００２１】及び【００
２２】と皮膜の厚さに関する【００２５】の間には，他の事項の記載が
あり，【００２１】及び【００２２】と【００２５】との間に対応関係
はない。したがって，【００２５】に記載された皮膜の厚さの範囲は，
洗浄のみかこれに加えてイオン注入を行うかを問わず，「好ましい態様」
を示すものと解釈するほかない。
(ｲ)同じくタブ端子をリン系溶剤によって洗浄することによって形成され
る皮膜に関する説明箇所である【００４０】～【００４２】から，好ま
しいとされているリン系溶剤（リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナト
リウム）を用い，濃度，洗浄温度及び洗浄時間を記載の範囲で適宜調整
することにより，スズウィスカの発生を防止するのにより好ましい皮膜
を形成できることが理解できる。これらの段落における「効果的に形成」，
「十分なリン化合物の皮膜形成」，「皮膜形成が十分」は，これらを皮
膜の厚さの観点で表現した【００２５】の「好ましい態様」（皮膜の厚
さが「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上である」）に対応することを容易に理
解できる。
(ｳ)本件明細書の実施例の記載（【００４９】～【００５９】）によれば，
洗浄処理のみがされた実施例１においても，実施例２と遜色ない結果が
得られており，イオン注入を行わなくともウィスカ発生を抑制できるこ
とが理解される。仮に，実施例１において「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上
の厚みのＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」が形成されてい
るとまでいえないとしても，好ましい温度と時間で洗浄処理をすること
で更に皮膜の性能を向上できると理解される。したがって，実施例１及
び２の記載からも，イオン注入を行わなくとも洗浄の条件を調整して「Ｓ
ｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）から
なる皮膜」を形成することが実質的に記載されていると理解することが
できる。
(ｴ)本件訂正発明においては，厚みがＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上のＳｎ
ＰＯｘ皮膜を形成することによってウィスカの発生を抑制することに，こ
れまでの発明にない新規な技術的特徴があるのであって，イオン注入や
溶剤処理は，その構成を採用するための手段（解決手段のための手段）
に過ぎず，それ自体が課題解決手段となるものではない。
(ｵ)本件訂正発明１は，リン酸系溶剤での洗浄に付随してイオン注入等他
の処理を行うことは何ら排除していないのであるから，そもそも洗浄の
みでそのようなリン酸皮膜が形成できるか否か議論する必要性もない。
ウ以上によれば，本件明細書の記載等を総合することにより，イオン注入
を行わなくともリン系溶剤による洗浄の条件を調整し，ＳｉＯ２換算で厚さ
２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜を形成する
ことが実質的に記載されていると理解できる。
(3)まとめ
以上のとおり，審決における訂正事項１の訂正要件適合性の判断には誤り
があり，その結果，進歩性判断において引用発明と対比すべき発明の認定を
誤ったことになるから，上記判断の誤りは審決の結論に影響するものであり，
審決は取り消されるべきである。
２取消事由７（明確性要件適合性（本件発明２）についての判断の誤り）につ
いて
(1)「洗浄剤の曇点」について
本件発明で用いられているようなアルカリ洗浄剤において，非イオン界面
活性剤を含有することは技術常識である（乙５０）。代表的なアルカリリン
酸系洗浄剤であるファインクリーナーＦＣ３１５は界面活性剤としてノニオ
ン界面活性剤（非イオン界面活性剤）に該当する「ポリオキシエチレンノニ
ルフェニルエーテル」を含む（甲５，乙５１）。
これによれば，「洗浄剤の曇点」の「点」とは，ある特定の温度を指し，
「曇点以上の温度」とは，透明であった洗浄剤が，温度を上昇させていった
ときに曇りが生ずる温度（点）以上の温度を意味すると解される。
なお，仮にリン系洗浄剤の種類や組成によって曇点と言える温度が見出せ
ないものがあるとしても，そのような洗浄剤による洗浄工程については，「前
記洗浄剤の曇点以上の温度で行う」という規定を充足しないものとして非侵
害と判断されるだけのことであるから，本件発明２の明確性要件とは関係が
ない。
(2)まとめ
以上のとおり，本件発明２の規定は明確であり，審決の判断は誤りであっ
て，かかる誤りは審決の結論に影響するものであり，審決は取り消されるべ
きである。
第６原告の反論
１取消事由６（訂正要件違反（請求項１～９）についての判断の誤り）につい
て
(1)本件訂正について
ア本件明細書の【００４８】において，イオン注入により皮膜の厚みを「Ｓ
ｉＯ２換算で２０ｎｍ以上」とすることが記載されているのであるから，【０
０２５】における「また，好ましい態様として，ＳｎＰＯｘ皮膜またはスズ
表面ＰＯｘ皮膜の厚みが，ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上である。」との記載
は，イオン注入を行うことで得られる皮膜の厚みを記載していることは明
らかである。【００３８】において，イオン注入を行わない場合に，どの
ような温度・時間・方法で処理すれば，ＳｎＰＯｘからなる皮膜の厚みを「Ｓ
ｉＯ２換算で２０ｎｍ以上」とすることができるかという点について一切説
明がないのであるから，【００２５】の記載が【００３８】に記載の皮膜
の好ましい厚さについて説明しているとは理解できない。
本件明細書の【００４０】にはリン系溶剤濃度の範囲が，【００４１】
には洗浄処理温度の範囲が，【００４２】には洗浄処理時間の範囲がそれ
ぞれ記載されてはいるが，それらの範囲内で溶剤処理を行った場合に形成
される皮膜の具体的な厚みや厚みの範囲については，実施例も含めて，何
ら具体的な記載がない。
イ本件明細書の記載によれば，少なくとも特定の洗浄処理とその後の特定
のイオン注入が必須条件と考えられるところ，本件発明１～４，９には，
リン系溶剤の洗浄のみでＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘ
は２～４を表す）からなる皮膜が形成されることが規定されており，発明
特定事項として「イオン注入により，溶接部分の少なくとも一部に，Ｓｉ
Ｏ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる
皮膜を形成する」ことについては何ら特定されていないのであるから，本
件訂正は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事
項の範囲内のものであるとはいえない。
(2)以上によれば，審決における本件訂正の請求項１～９に係る部分の訂正要
件の適合性の判断に誤りはない。
２取消事由７（明確性要件適合性（本件発明２）についての判断の誤り）につ
いて
(1)「洗浄剤の曇点」について
本件発明２において，洗浄剤が界面活性剤を必須成分として含むことは何
ら特定されておらず，また，本件明細書には，洗浄剤が非イオン界面活性剤
を含むことや，洗浄剤中に含まれていてもよい非イオン界面活性剤の種類に
ついて記載がなく，洗浄剤が油脂および石油製品であることについても記載
がない。さらに，本件明細書には，「洗浄剤の曇点」についての特段の定義・
測定方法に関する記載もない。
これによれば，非イオン界面活性剤を含まないものも包含する本件発明２
に規定の洗浄剤について，その「洗浄剤の曇点」とはどのようなものである
か不明であるから，本件発明２は不明確であることに何ら変わりはない。
(2)以上によれば，本件発明２の明確性要件適合性についての審決の判断に誤
りはない。
第７当裁判所の判断
事案に鑑み，後記２以下において，取消事由６，取消事由７，取消事由１，
取消事由２，取消事由５，取消事由３，取消事由４の順に判断する。
１本件発明について
(1)特許請求の範囲の記載
本件訂正前後の特許請求の範囲の記載は上記第２の２に記載のとおりであ
る。
(2)本件明細書の記載
本件明細書には以下の記載がある（甲５２）。本件訂正に伴う明細書の訂
正はない。
ア技術分野
【０００１】本発明は，アルミ電解コンデンサ等に使用されるタブ端子の
製造方法に関し，特に，鉛フリーのスズメッキが施されたタブ端子の製造
方法およびその方法によって得られるタブ端子に関する。
イ従来技術
【０００２】電解コンデンサは，タンタル，アルミニウム等の弁作用金属
からなる陽極電極箔と陰極電極箔とをセパレータを介して巻回してなるコ
ンデンサ素子を形成し，このコンデンサ素子に，液状電解質または固体電
解質を保持させて外装ケース内に収納して構成されている。このような電
解コンデンサにおいて，陽極電極箔と陰極電極箔とには，それぞれの電極
を外部に接続するためのタブ端子が，ステッチ，超音波溶接等の公知の手
段により接続されている。
【０００３】当該タブ端子は，扁平部，丸棒部，およびリード線部の三つ
の部分から構成されている。すなわち，電極箔に接合される部分は，巻回
型のコンデンサ素子内に巻き込まれる関係から扁平部とされ，外装ケース
を密封する封口体に貫通挿入される部分は，封口体との間のシール性と機
械的強度を確保するために丸棒部とされている。また，回路基板に実装さ
れる引出し部分は，実装時の取扱性を確保するために柔軟性を持つリード
線部とされている。
【０００４】このような三つの部分から構成されるタブ端子は，２種類の
部材を溶接することによって作製されるのが通常である。すなわち，アル
ミ材等からなる芯線を用いて扁平部と丸棒部とを形成し，当該丸棒部にリ
ード線を溶接することによって作製される。また，電解コンデンサは回路
基板にはんだ付けで実装されることから，当該リード線は，はんだ付け特
性の向上のため，その表面にスズや鉛を含有するスズでメッキが施された
ものが使用されている。
【０００５】一方，近年，環境問題に配慮して，電子部品の電極端子の無
鉛化や電子部品の接合に無鉛はんだを使用する技術の開発がなされ始めて
いる。電子部材として用いるリード線においても，従来の鉛含有スズメッ
キに替わり，鉛を用いない，いわゆる鉛フリーのスズメッキが使用され始
めている。このような鉛フリーのスズメッキが施されたリード線を用いた
タブ端子では，アルミ丸棒部とリード線部との溶接部分にスズのウィスカ
が発生するという問題がある。該ウィスカは経時的に成長するため，タブ
端子製造後にウィスカを除去しても，その後に徐々にウィスカが成長する。
従って，電解コンデンサを回路基板に実装した後に，陽極側のリード線か
ら発生したウィスカと陰極側のリード線から発生したウィスカとが互いに
接合したり，あるいは，リード線部に発生したウィスカが回路基板の表面
またはコンデンサ容器にまで達して，ひいては電解コンデンサの漏れ電流
を増大させたり，ショートを発生させ，ウィスカ事故につながる恐れもあ
る。
【００１２】さらに，鉛フリーのスズメッキされたリード線を用いたタブ
端子は，溶接部分のみにウィスカが発生するだけでなく，端子部分（リー
ド線）を折り曲げるたりすると〔判決注：原文のまま〕，その折り曲げ部
分からもウィスカが発生することも，最近報告されている。
ウ発明が解決しようとする課題
【００１３】本発明者らは，今般，鉛フリーのタブ端子において，スズメ
ッキさた〔判決注：原文のまま〕リード線の表面にリン（Ｐ）を含む層を
形成することにより，ウィスカの発生が抑制できるとの知見を得た。本発
明はかかる知見によるものである。
【００１４】したがって，本発明の目的は，線材メーカー等から入手でき
る，鉛フリーのスズメッキが施されたリード線を，そのままタブ端子に使
用した場合であっても，溶接部分からのスズウィスカが発生しない，タブ
端子を製造する方法を提供することにある。
エ課題を解決するための手段
【００１５】本発明によるタブ端子の製造方法は，芯材表面にスズからな
る金属層が形成されてなるリード線端部に，圧扁部を有するアルミ芯線が
溶接されてなるタブ端子を製造する方法であって，
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に，アル
ミ芯線を溶接し，該アルミ芯線の端部を圧扁してタブ端子を準備する工程，
および
前記タブ端子を，リン系溶剤で洗浄する工程，
を含んでなることを特徴とするものである。
【００１６】このように，溶接後にタブ端子をリン系溶剤で洗浄すること
により，溶接部分の表面にリン化合物膜が形成され，当該溶接部分からス
ズウィスカの発生を抑制することができる。また，端子部分を折り曲げた
際にも，その折り曲げ部分からのウィスカの発生を抑制することができる。
【００１７】また，本発明においては，上記のリン系溶剤として，リン酸
ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムを含んでなる洗浄剤を用いること
が好ましい。このようなリン系溶剤を使用することにより，より確実に溶
接部分にリン化合物の皮膜を形成することができる。リン系溶剤による洗
浄は，溶剤（洗浄剤）の曇点以上の温度で行うことが好ましい。このよう
な温度で洗浄を行うことにより，タブ端子の表面にリン化合物の皮膜を効
果的に形成することができる。
【００１８】また，上記のリン系溶剤による洗浄は，溶剤の曇点以上の温
度で行うことが好ましい。この範囲で洗浄を行うことにより，十分なリン
化合物の皮膜形成を行うことができる。
【００１９】また，本発明の好ましい態様としては，タブ端子の溶接部分
に，イオン注入を行う。上記イオン注入のイオン源はリンであることが好
ましい。このように，リンイオンをタブ端子の溶接部分に注入することに
より，より一層，スズウィスカの発生を抑制することができる。
【００２０】上記イオン注入は，リン系溶剤による洗浄工程の後に行うこ
とが好ましい。
【００２１】また，タブ端子の溶接部分に注入するイオン量としては，１．
０×１０５
～１．０×１０２０
ｃｍ－２
であることが好ましい。
【００２２】このようにして製造されるタブ端子は，アルミ電解コンデン
サ等に好適に使用される。
【００２３】本発明の別の態様としてのタブ端子は，芯材表面にスズから
なる金属層が形成されてなるリード線端部に，圧扁部を有するアルミ芯線
が溶接されてなるタブ端子であって，
前記溶接部分の少なくとも一部に，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）から
なる皮膜が形成されてなることを特徴とするものである。
【００２４】また，好ましい態様として，スズが存在する部分において，
スズ表面にＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜が形成されてなるもの
である。
【００２５】また，好ましい態様として，ＳｎＰＯｘ皮膜またはスズ表面Ｐ
Ｏｘ皮膜の厚みが，ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上である。
【００２６】さらに，本発明によるタブ端子は，針状のウィスカが実質的
に存在せず，タブ端子表面に発生したウィスカの形状は螺旋状または帯状
である。
オ発明を実施するための最良の形態
【００２７】以下，本発明の実施形態の一例によるタブ端子の製造方法に
ついて説明する。
本発明のタブ端子の製造方法は，芯材表面にスズからなる金属層が形成
されてなるリード線端部に，アルミ芯線を溶接し，該アルミ芯線の端部を
圧扁してタブ端子を準備する工程，および前記タブ端子をリン系溶剤で洗
浄する工程，を含んでなる。
【００２８】タブ端子の準備工程は，通常の溶接加工および圧扁加工によ
り行うことができる。溶接工程において，銅，鉄等からなる芯線にスズメ
ッキされたリード線とアルミ芯線とを溶接によって接合する。例えば，火
花放電等によって高温状態を形成し，アルミ芯線とリード線との両端を溶
解して接合する方法等により両者を接合することができる。
【００２９】その後，リード線に接合されたアルミ芯線の一端部を扁平状
に圧扁することにより，アルミ圧扁部を形成する。かかる圧扁部は従来技
術により形成することができる。例えば，アルミ芯線をプレス加工し所定
形状に切断することにより，所定形状の圧扁部を有するアルミ芯線を作製
することができる。圧扁部を所定形状に切断する工程は，プレス加工と同
時に行うこともできる。
【００３０】本発明に使用されるリード線は，市販の鉛フリーのスズメッ
キが施されたＣＰ線（引き込み線）や，鉛フリーのスズメッキが施された
銅線等を使用することができる。また，リード線の太さや長さも特に限定
されるものではなく，使用する電解コンデンサ等の要求特性に応じて種々
のＣＰ線や銅線等を使用することができる。例えば，リード線の外径は，
概ね０．３～１．２ｍｍのものを好適に使用できる。なお，ＣＰ線は，導
電特性の観点から，鉄の周囲に銅が形成されたものが通常用いられる。
【００３１】スズメッキの厚さは，概ね８～１４μｍ程度である。なお，
スズメッキが厚くなるほどウィスカが発生し易い傾向にある。
【００３２】本発明のタブ端子を構成するアルミ芯線も，従来のタブ端子
に使用されているものを使用することができる。当該アルミ芯線も市販の
ものを用いることができる。また，アルミ芯線は電解コンデンサの電極と
して機能するものである。
【００３３】アルミ芯線は，外形が概ね０．５～２．５ｍｍのものを使用
できるが，リード線よりも外径の大きいものを使用することが好ましい。
なお，アルミ芯線の外径とリード線の外径との差が大きいほどウィスカが
発生し易い傾向にある。
【００３４】次いで，このようにして得られたタブ端子を，リン系溶剤に
て洗浄する。リン系溶剤によって洗浄することによりスズウィスカの発生
が抑制されるのは，以下のように考えられる。
【００３５】本発明者らは，タブ端子の溶接部分付近から発生するウィス
カが，スズ金属単体からなるものであることを確認し，溶接部分にリン酸
化合物の皮膜を形成することにより，この金属スズ結晶であるウィスカを
抑制できるとの知見を得た。すなわち，本願発明は，ウィスカ発生原因に
着目し，タブ端子の処理方法とウィスカ発生との関係について鋭意検討を
した結果，導き出されたものである。
【００３６】本発明者らの知見によれば，当該ウィスカはスズからなる単
体金属で構成されており，リード線表面に設けられたスズメッキに由来す
るものと推定されるが，リード線全体にウィスカが発生することはなく，
リード線とアルミ芯線との溶接部分に集中してウィスカは発生する。その
理由は以下のように考えられる。すなわち，アルミ芯線とリード線との接
合部分では，溶接時の残留応力が残されたままアルミ，銅およびスズ等の
金属が固化する。しかしながら，アルミや銅と異なり，スズは融点が低く
（２３２℃），また，低温（数十℃）において結晶変態をし得る。このよ
うな残留応力（ひずみ）が残されている状態においては，常温においても
スズの結晶変態が進み，針状のウィスカとなって溶接部分から現れるもの
と推定される。この針状ウィスカは，溶接部分の表面を突き破るように内
部から成長する。当該ウィスカの成長は，数ヶ月のオーダーで徐々に進行
するため，タブ端子製造直後にウィスカ除去を行っても，根本的な解決に
はならないことに留意されるべきである。すなわち，本発明者らの知見に
よれば，ウィスカの成長自体を抑制する必要があるということである。特
に，タブ端子を使用する際に応力が加わる場合，例えば，タブ端子を折り
曲げて使用するような場合，応力によってウィスカの成長が助長される傾
向にあるが，本発明においては，タブ端子に応力が加わる状況下であって
も，ウィスカの発生および成長が有効に抑制できる。
【００３７】本発明においては，スズの結晶成長を抑制するために，ウィ
スカ発生場所である溶接部分の表面に，リン酸系化合物の皮膜を形成し，
その皮膜によってウィスカの発生を抑制するものである。溶接部分に形成
されたリン系化合物は，溶接部分に存在するスズおよび周囲雰囲気に存在
する酸素と反応し，リン酸化合物を形成する。本発明者らがＡＥＳスペク
トル分析等によって分析したところ，溶接部分の表面にはＳｎＰＯｘ（ｘは
２～４）のリン酸化合物が形成されていることを確認した。このように，
溶接部分の表面にリン酸系化合物の皮膜を形成することで，溶接部分の合
金中に存在するスズがディスロケーションによって結晶成長し，ウィスカ
として成長するのを効果的に抑制できることは予想外のことであった。形
成されたＳｎＰＯｘは，ｘが２．５～３であることが好ましく，この範囲で
あればよりウィスカ発生を抑制できる。
【００３８】また，本発明による方法によれば，タブ端子の少なくとも一
部分に，リン系化合物としてＳｎＰＯｘが形成されるだけでなく，ＳｎＰＯ
ｘが形成されていない部分，すなわちＳｎが存在している部分においても，
そのＳｎ表面状〔判決注：原文のまま〕にＰＯｘからなるリン系化合物の皮
膜が形成される。
【００３９】本発明においては，リン酸系化合物の皮膜を溶接部分に形成
するために，タブ端子をリン系溶剤によって洗浄する。この洗浄によって，
リン系化合物がタブ端子表面に付着する。空気雰囲気中でタブ端子が置か
れることにより，このリン系化合物が酸化してリン酸系化合物を形成する。
【００４０】リン系溶剤としては，リン酸ナトリウムまたはリン酸カリウ
ム，もしくはポリリン酸ナトリウムまたはポリリン酸カリウム等を含んで
なる洗浄剤を好適に使用できるが，これらの中でも，リン酸ナトリウムま
たはポリリン酸ナトリウムを含むことが好ましい。ポリリン酸ナトリウム
としては，トリポリリン酸ナトリウム，テトラポリリン酸ナトリウム，ペ
ンタポリリン酸ナトリウム等を挙げることができるが，これらの中でも，
特にトリポリリン酸ナトリウムが好ましい。このようなリン系溶剤を使用
することにより，より確実に溶接部分にリン化合物の皮膜を形成すること
ができる。リン酸ナトリウムまたはポリリン酸ナトリウムは，溶剤中に，
１～５０重量％，好ましくは１０～４０重量％，特に２５～３０重量％含
まれてなることが好ましい。このような洗浄剤としては，具体的には，ニ
ュークリーナー，ライオミックスシリーズ，サンウォッシュシリーズ（い
ずれもライオン株式会社製）等を挙げることができる。
【００４１】リン酸系化合物の酸化を促進するため，洗浄工程は，溶剤（洗
浄剤）の曇点以上の温度で行うことが好ましい。このような温度で洗浄を
行うことにより，タブ端子の表面にリン化合物の皮膜を効果的に形成する
ことができる。洗浄温度は７０～１００℃，より好ましくは９０～９８℃
の温度で行う。
【００４２】また，上記のリン系溶剤による洗浄は，５～３０分間が好ま
しく，より好ましくは８～１６分間，さらに好ましくは９～１２分間行う。
この範囲で洗浄を行うことにより，十分なリン化合物の皮膜形成を行うこ
とができる。５分未満の洗浄では，リン化合物の皮膜形成が十分ではなく，
一方，３０分以上洗浄を行うと，タブ端子の表面，特にアルミ表面が過剰
にエッチングされるため好ましくない。
【００４３】スズウィスカは，溶接直後から成長を始めるため，タブ端子
を準備した後洗浄工程に付すまでに長時間を要する場合，ある程度ウィス
カが成長してしまう。しかしながら本発明による方法にあっては，例えウ
ィスカが既に成長している場合であっても，洗浄工程に付すことで，発生
したウィスカの大部分を除去できる。
【００４４】本発明の好ましい態様においては，上記の洗浄工程の後，タ
ブ端子の溶接部分にイオン注入を行う。イオン注入により，より一層ウィ
スカの成長を抑制することができる。イオン注入源としてはリンイオンが
好ましい。このようなイオン注入によってスズウィスカの成長が抑制され
る理由は定かではないが，以下のように考えられる。すなわち，溶接部分
にイオン注入を行うことにより，アルミ／リン，または銅／リン等の固溶
体が形成される。その結果，溶接部分の表面自由エネルギーが低下する。
そのため，空気雰囲気中の酸素とリンとが結合し易くなり，溶接部分の表
面にリン酸塩等のリン酸化合物が形成される。このリン酸化合物によって，
スズの結晶成長を抑制することができると考えられる。
【００４５】また，イオン注入した場合，例えウィスカが成長したとして
も，針状のスズ結晶が成長することはなく，螺旋状または帯状に成長する。
すなわち，本発明によるタブ端子は，実質的に針状のウィスカが形成され
ない。このように針状のウィスカではなく，螺旋状または帯状のウィスカ
が形成されることは驚くべきことであった。針状にウィスカが成長すると，
隣接するタブ端子やコンデンサ容器に接触してショート等のトラブルを発
生するが，螺旋状または帯状に成長することにより隣接したタブ端子やや
〔判決注：原文のまま〕コンデンサ容器に接触することが無くなり，ショ
ートを有効に防止できる。
【００４６】このようにイオン注入によって，ウィスカが発生した場合で
も螺旋状または帯状に成長する理由は定かではないが，イオン注入方向に
よっては，溶接部分のリン酸化合物皮膜の形成に斑が生じるため，ウィス
カの成長が早い部分と成長の遅い部分が混在して不均一となり，螺旋状ま
たは帯状にウィスカが成長していくものと考えられる。
【００４７】イオン注入されたリン原子は，雰囲気中の水または酸素と反
応してリン酸化合物を形成する。このリン酸化合物の形成によって，ウィ
スカ自体もより発生し難くなると考えられる。
【００４８】イオン注入においては，通常のイオンビーム成膜等に使用さ
れるプラズマフィラメントイオン源やＥＣＲバケット型イオン源等を好適
に使用できる。また，イオンビーム成膜装置としては，シングルイオン源
型であってもデュアルイオン源型であってもよい。例えば，ＵＬＶＡＣ社
製のＩＭＸ－３５００やＩＨ－８００ＵＰ等のイオン注入装置を使用でき
る。イオン注入時のエネルギーは，１０ｋｅＶ程度である。イオン注入量
は，注入時間や印可エネルギー等によって調整できるが，１．０×１０５
～
１．０×１０２０
ｃｍ－２
程度が好ましい範囲である。この程度のイオン注入
量とすることにより，溶接部分の表面に形成されたＳｎＰＯｘのリン系化合
物皮膜またはＳｎ表面状に〔判決注：原文のまま〕形成されたＰＯｘ皮膜の
厚みを，ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上とすることができ，このような厚みの
リン系化合物皮膜が形成されることにより，タブ端子の溶接部分でのウィ
スカ発生を抑制することができる。
カ実施例
【００４９】
実施例１
リード線としてスズ１００％のメッキを施した（メッキ厚１２μｍ），
鉄／銅からなる引き込み線（ＣＰ線）とアルミ芯線とを，それぞれ所定の
長さに切断し，切断されたリード線とアルミ芯線とをアーク放電にて溶接
した後，アルミ芯線部分をプレス加工により圧扁することによりタブ端子
を準備した。このタブ端子をパラフィン系溶剤により脱脂洗浄処理を行い，
８０℃×１２分，熱風乾燥を行った。
【００５０】次に，上記のタブ端子を，３０重量％のトリポリリン酸ナト
リウムを含む溶剤（商品名：サンウォッシュＬＨ－１，ライオン株式会社
製）中に８５℃で１０分間浸漬して洗浄処理を行った。
【００５１】得られたタブ端子について，６０℃×９０％ＲＨの条件にお
いて２０００時間の加速試験を行った。加速試験後，タブ端子の溶接部分
に発生したウィスカの数およびその長さを測定した。ウィスカの数量は，
タブ端子の溶接部分の電子顕微鏡写真（５００倍）を用いて，２４０μｍ
×１９０μｍ（４５６００μｍ２
）中に存在するウィスカの数を数えること
によって評価した。また，ウィスカの長さについても，電子顕微鏡写真を
用いて測定した。また，比較として，洗浄しなかったタブ端子についても，
上記と同様に加速試験を行い，発生したウィスカの数およびその長さを測
定した。
【００５２】結果は，表１に示される通りであった。
【００５３】
実施例２
上記でられた〔判決注：原文のまま〕タブ端子を用い，ＩＭＸ－３５０
０（ＵＬＶＡＣ社製）を用いてイオン注入を行った。イオン注入源として
リンを用いた。１０ｋｅＶの条件下でリンのイオン注入を行い，注入量は
１×１０１６
ｃｍ－２
とした。
【００５４】得られたタブ端子について，上記と同様に加速試験を行い，
発生したウィスカの数および長さを測定した。結果は表１に示される通り，
針状のウィスカは全く発生せず，螺旋状に丸まったウィスカのみが確認さ
れた。
【００５５】
実施例３
上記で得られたタブ端子のリード線部分をほぼ直角になるように折り曲
げた。その後，３０重量％のトリポリリン酸ナトリウムを含む溶剤（商品
名：サンウォッシュＬＨ－１，ライオン株式会社製）中に８５℃で１０分
間浸漬して洗浄処理を行った。
【００５６】得られたタブ端子について，６０℃×９０％ＲＨの条件にお
いて２０００時間の加速試験を行った。加速試験後，タブ端子の溶接部分
に発生したウィスカの数およびその長さを測定した。ウィスカの数量は，
タブ端子の溶接部分の電子顕微鏡写真（５００倍）を用いて，２４０μｍ
×１９０μｍ（４５６００μｍ２
）中に存在するウィスカの数を数えること
によって評価した。また，ウィスカの長さについても，電子顕微鏡写真を
用いて測定した。また，比較として，洗浄しなかったタブ端子についても，
上記と同様に加速試験を行い，発生したウィスカの数およびその長さを測
定した。
【００５７】結果は，表１に示される通りであった。
【００５８】
実施例４
実施例３と同様のリード線部分をほぼ直角になるように折り曲げたタブ
端子について，リード線部分にＩＭＸ－３５００（ＵＬＶＡＣ社製）を用
いてイオン注入を行った。イオン注入源としてリンを用いた。１０ｋｅＶ
の条件下でリンのイオン注入を行い，注入量は１×１０１６
ｃｍ－２
とした。
【００５９】得られたタブ端子について，上記と同様に加速試験を行い，
発生したウィスカの数および長さを測定した。結果は表１に示される通り，
針状のウィスカ発生は１本のみであり，それ以外は螺旋状に丸まったウィ
スカが確認された。
【表１】
(3)発明の特徴
ア「本発明」は，アルミ電解コンデンサ等に使用されるタブ端子の製造方
法に関し，特に，鉛フリーのスズメッキが施されたタブ端子の製造方法お
よびその方法によって得られるタブ端子に関する（【０００１】）。
イ電解コンデンサに使用されるタブ端子は，扁平部，丸棒部，およびリー
ド線部の三つの部分から構成されている。当該タブ端子は，アルミ材等か
らなる芯線を用いて扁平部と丸棒部とを形成し，当該丸棒部にリード線を
溶接することによって作製される。当該リード線は，はんだ付け特性の向
上のため，その表面にスズや鉛を含有するスズでメッキが施されたものが
使用されているが，近年，環境問題に配慮して，リード線においても，い
わゆる鉛フリーのスズメッキが使用され始めている。このような鉛フリー
のスズメッキが施されたリード線を用いたタブ端子では，アルミ丸棒部と
リード線部との溶接部分にスズのウィスカが発生するという問題がある（【０
００２】～【０００５】）。
ウ「本発明」の目的は，線材メーカー等から入手できる，鉛フリーのスズ
メッキが施されたリード線を，そのままタブ端子に使用した場合であって
も，溶接部分からのスズウィスカが発生しないタブ端子を製造する方法を
提供することにある（【００１４】）。
エ「本発明」は，スズの結晶成長を抑制するために，ウィスカ発生場所で
ある溶接部分の表面に，リン酸系化合物の皮膜を形成し，その皮膜によっ
てウィスカの発生を抑制するものである。（【００３７】）
「本発明」のタブ端子の製造方法は，芯材表面にスズからなる金属層が
形成されてなるリード線端部に，アルミ芯線を溶接し，該アルミ芯線の端
部を圧扁してタブ端子を準備する工程，および，前記タブ端子を，リン系
溶剤で洗浄する工程を含んでなることを特徴とし，溶接後にタブ端子をリ
ン系溶剤で洗浄することにより，溶接部分の表面にリン化合物膜が形成さ
れ，当該溶接部分からスズウィスカの発生を抑制することができる（【０
０１５】，【００１６】）ようにしたものである。「本発明」の好ましい
態様としては，タブ端子の溶接部分に，リンをイオン源とするイオン注入
を行うことにより，より一層，スズウィスカの発生を抑制することができ
る（【００１９】）。
また，「本発明」のタブ端子は，溶接部分の少なくとも一部に，ＳｎＰ
Ｏｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜が形成されてなることを特徴とし（【０
０２３】），また，好ましい態様として，スズが存在する部分において，
スズ表面にＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜が形成され（【００２
４】），ＳｎＰＯｘ皮膜又はスズ表面ＰＯｘ皮膜の厚みが，ＳｉＯ２換算で２
０ｎｍ以上（【００２５】）であり，さらに，針状のウィスカが実質的に
存在せず，タブ端子表面に発生したウィスカの形状が螺旋状又は帯状であ
る（【００２６】）ものである。
２取消事由６（訂正要件違反（請求項１～９）についての判断の誤り）につい
て
(1)訂正要件について
訂正が，当業者によって，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図
面（以下「明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導か
れる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであ
るときは，当該訂正は，特許法１３４条の２第９項の準用する同法１２６条
５項における「願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面…に記載し
た事項の範囲内において」するものということができる。また，特許請求の
範囲の減縮を目的として，特許請求の範囲に限定を付加する訂正を行う場合
において，付加される訂正事項が明細書等に明示的に記載されている場合や，
その記載から自明である事項である場合には，そのような訂正は，特段の事
情のない限り，新たな技術的事項を導入しないものであると認められ，「願
書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面…に記載した事項の範囲内に
おいて」するものということができる。
(2)本件明細書の記載
ア訂正事項１に関し，明細書等には，リン系溶剤による洗浄のみで「Ｓｉ
Ｏ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる
皮膜」を形成するという明示的な記載は存在せず，このことは被告も争っ
ていない。
イ本件明細書の【００２０】，【００４４】には，イオン注入はリン系溶
剤による洗浄工程の後に行うことが記載されている。そして，イオン注入
により形成される皮膜についての，「この程度のイオン注入量とすること
により，溶接部分の表面に形成されたＳｎＰＯxのリン系化合物皮膜または
Ｓｎ表面上に形成されたＰＯx皮膜の厚みをＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上と
することができ，」との記載（【００４８】）に照らせば，「ＳｉＯ２換算
で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」を
形成する方法は，リン系溶剤による洗浄工程の後にイオン注入を行うこと
であると理解することができる。本件明細書のその余の記載によっても，
リン系溶剤による洗浄工程のみによって「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上
の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」を形成するという事項
が明細書等の記載から自明であると解すべき根拠もない。
ウ以上によれば，訂正事項１は，「願書に添付した明細書，特許請求の範
囲又は図面…に記載した事項の範囲内において」するものということはで
きず，特許法１３４条の２第９項の準用する同法１２６条５項に適合しな
い。
(3)被告の主張について
ア被告は，本件明細書の【００２５】，【００３８】，【００４０】～【０
０４２】及び実施例の記載などから，イオン注入を行わなくともリン系溶
剤による洗浄の条件を調整し，ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰ
Ｏｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜を形成することが明細書等に実質的
に記載されていると理解できると主張する。しかし，本件明細書の記載に
ついての判断は上記(2)イのとおりであり，本件明細書の【００３８】の洗
浄により形成される皮膜に関する記載や，【００４０】～【００４２】に
おけるリン系溶剤による洗浄方法の調整に関する記載及び実施例に関する
記載によっても，イオン注入を行うことなしに，【００２５】に記載され
た「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上」の厚さの皮膜が形成されることが記載さ
れていると理解することはできない。
イ被告は，厚さがＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上のＳｎＰＯｘ皮膜を形成する
ことによってウィスカの発生を抑制することに，これまでの発明にない新
規な技術的特徴があるのであって，イオン注入や溶剤処理はその構成を採
用するための手段（解決手段のための手段）に過ぎず，それ自体が課題解
決手段となるものではないと主張する。しかし，請求項１に係る発明は製
造方法の発明であるから，その製造方法を特定する，イオン注入や溶剤処
理について課題解決手段ではないということはできず，被告の主張は採用
できない。
ウ被告は，訂正後の請求項１に係る製造方法は，洗浄に付随してイオン注
入等他の処理を行うことは何ら排除していないと主張する。しかし，請求
項１に係る発明は製造方法の発明であり，リン系溶剤による洗浄工程のみ
によって「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を
表す）からなる皮膜」を形成することが含まれている以上，新たな技術的
事項を導入しないものとはいえないのは，上記(2)に説示したとおりであり，
被告の主張する点は，この判断を左右するものではない。
(4)以上のとおり，訂正事項１は訂正要件に適合しないから，本件訂正のうち
請求項１～９に係る部分について訂正要件に適合しないとした審決の判断に
誤りはなく，取消事由６は理由がない。
３取消事由７（明確性要件適合性（本件発明２）についての判断の誤り）につ
いて
(1)取消事由７と審決の結論について
上記２のとおり，本件訂正のうち請求項１～９に係る部分を認めないとし
た審決の判断に誤りはない。そして，本件発明１～４，９について進歩性を
有しないとした審決の判断については当事者間に争いはないから，本件発明
２の明確性要件適合性の判断の誤りをいう取消事由７は，その当否を判断す
るまでもなく，本件発明２についての特許を無効とした審決の結論に影響を
及ぼすものではない。
(2)以上のとおり，取消事由７は審決の結論に影響を及ぼさないことが明らか
であるから，取消事由７について判断する必要はない。
４取消事由１（新規性欠如（本件訂正発明１０，１３）についての判断の誤り）
について
(1)甲１文献記載の発明と本件訂正発明１０の対比
ア甲１文献の記載
(ｱ)甲１文献には，次の記載がある。
【０００７】以下，図面を参照して，本発明の実施形態についてさらに
詳しく説明する。図１は，コンデンサ用リード線の一部を省略して示す
図であり，図２は，リード線製造装置の概略構成図である。コンデンサ
用リード線１は，図１に示すように，極めて純度の高いすずがめっきさ
れた銅線１０とアルミニウム線１１とを溶接部１２で溶接したものであ
る。また，リード線製造装置２は，図２に示すように，洗浄装置２０と，
液回収装置２１と，水洗装置２２と，遠心分離器２３と，エアブロー２
４と，乾燥装置２５と，冷却装置２６と，搬送装置２７とを備えている。
【図１】
(ｲ)甲１文献には，本発明は，すずめっきされた銅線とアルミニウム線と
が溶接されたコンデンサ用リード線の製造方法に関し（【０００１】），
①本発明の実施形態では，コンデンサ用リード線１をアルカリ性の洗浄
液で洗浄し，洗浄液を除去した後に加熱すること，具体的には，アルカ
リ性の洗浄液で洗浄した後に，コンデンサ用リード線１を温度約１５０°
Ｃで約２１分間加熱することにより，溶接部１２にウィスカが発生する
のを防止することができること（【００１２】）や，②本発明の実施形
態では，温度９０°Ｃ～９９°Ｃのアルカリ性の洗浄液でコンデンサ用
リード線１を約１２分間洗浄するので，アルミニウム線１１を脱脂でき
るとともに，このアルミニウム線１１に溶接時に付着したカーボンを除
去することができること（【００１３】）などが記載されているが，コ
ンデンサ用リード線の溶接部分に形成される皮膜の組成比や厚さについ
ての記載はなく，製造方法に関してイオン注入を行う工程の記載もない。
イ以上によれば，甲１文献には前記第２の３(2)アのとおりの引用発明２が
記載されていることが認められる。
これによれば，引用発明２と本件訂正発明１０の一致点は，次の［一致
点´］のとおりであり，相違点は同イの［相違点１］～［相違点３］のと
おりである。
［一致点´］
芯材表面にスズからなる金属層が形成されてなるリード線端部に，アル
ミ芯線が溶接されてなる部品。
ウ原告の主張について
(ｱ)原告は，相違点１（本件訂正発明１０のアルミ芯線は「圧扁部」を有
しているのに対して，引用発明２のアルミニウム線１１が圧扁部を有す
るか不明である点。）及び相違点２（本件訂正発明１０の部品は「タブ
端子」であるのに対して，引用発明２は「コンデンサ用リード線」であ
る点。）は，出願当時の技術常識を参酌すれば，甲１文献に記載されて
いるに等しい事項であると主張する。
しかし，原告の指摘する甲２～４に記載の圧扁部を有するタブ端子が
周知のものであったとしても，引用発明２がコンデンサ用リード線であ
るというだけで，必ずしもそのような周知の圧扁部を有するタブ端子と
して構成されたものということはできず，また，そのように解すべき根
拠となる記載もないから，相違点１及び相違点２に係る構成が甲１文献
に記載されているに等しいということはできない。
(ｲ)原告は，審決が，「「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」という化合
物が，一般に知られていない化合物であるとはいうことはできない」と
の前提に立って，相違点３（本件訂正発明１０は，「溶接部分の少なく
とも一部に，ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～
４を表す）からなる皮膜が形成されてなる」のに対して，引用発明２の
溶接部分にそのような皮膜が形成されているか不明である点）を認定し
たのは誤りであると主張する。しかし，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」
という化合物が一般に知られている化合物であるか否かに関わらず，上
記相違点３に係る構成が甲１文献に記載されていないことには変わりが
ないから，原告の上記主張は採用できない。
本件の出願当時，甲１文献に記載された洗浄工程により「ＳｉＯ２換算
で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」
が形成されるとの技術常識があることを裏付ける的確な証拠はないから，
相違点３に係る構成が甲１文献に記載されているに等しい事項であると
はいえない。
(2)本件訂正発明１０について
ア上記(1)のとおり，本件訂正発明１０と引用発明２とは相違点１～３にお
いて相違するから，本件訂正発明１０が新規性を欠如するとはいえない。
イしたがって，審決の一致点の認定には誤りがあるが，相違点の認定に誤
りはなく，本件訂正発明１０について新規性を欠くとはいえないとの審決
の判断に誤りはない。
(3)本件訂正発明１３について
本件訂正発明１３は本件訂正発明１０を引用するものであり，本件訂正発
明１３と引用発明２は，相違点１～３において相違するから，本件訂正発明
１３について新規性を欠くとはいえない。
(4)以上のとおり，本件訂正発明１０，１３の新規性についての審決の判断に
は誤りはないから，取消事由１は理由がない。
５取消事由２（進歩性欠如（本件訂正発明１０，１３）についての判断の誤り）
について
(1)本件訂正発明１０について
ア相違点３の認定についての判断は，上記４(1)のとおりである。
原告は，甲１文献に記載の製造方法における洗浄工程が本件明細書に示
された洗浄工程に関する条件を満たすから，当業者は，洗浄工程における
条件を適宜変更することにより，引用発明２において相違点３に係る構成
を採用することは容易に想到し得たと主張する。しかし，本件の出願当時，
甲１文献に記載された洗浄工程における条件を適宜変更することにより，
「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）か
らなる皮膜」が形成されるとの技術常識ないし周知技術が存在したことを
裏付ける的確な証拠はない。
イこれによれば，当業者において，甲１文献及び周知技術に基づいて，引
用発明２において，相違点３に係る構成を採用することを容易に想到し得
たということはできない。
ウしたがって，特別顕著な効果の有無を判断するまでもなく，本件訂正発
明１０について，進歩性を欠くとはいえない。
(2)本件訂正発明１３について
本件訂正発明１３は本件訂正発明１０を引用するものであるから，上記(1)
に説示したところに照らし，本件訂正発明１３について進歩性を欠くとはい
えない。
(3)以上のとおり，本件訂正発明１０，１３の進歩性についての審決の判断に
誤りはないから，取消事由２は理由がない。
６取消事由５（明確性要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）について
の判断の誤り）について
(1)明確性要件について
特許法３６条６項２号は，特許請求の範囲の記載に関し，特許を受けよう
とする発明が明確でなければならない旨規定する。同号がこのように規定し
た趣旨は，特許請求の範囲に記載された発明が明確でない場合には，特許が
付与された発明の技術的範囲が不明確となり，権利者がどの範囲において独
占権を有するのかについて予測可能性を奪うなど第三者の利益が不当に害さ
れることがあり得るので，そのような不都合な結果を防止することにある。
そして，特許を受けようとする発明が明確であるか否かは，特許請求の範囲
の記載だけではなく，願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮し，また，
当業者の出願当時における技術常識を基礎として，特許請求の範囲の記載が，
第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるか否かという観点から判
断されるべきである。
(2)本件訂正発明１０について
ア「溶接部分の少なくとも一部に，ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，Ｓ
ｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜が形成されてなる」について
(ｱ)技術常識
ａ非晶質とは結晶格子（原子の周期的配列）がほとんど認められない
固体の状態を示すものであり，非晶質である化合物をその組成比で表
現することは本件の出願当時普通に行われていたものといえる（乙１
２・【００２６】，乙１３・【００１６】，乙１４・【００４９】，乙
２０の１，２）。
ｂタブ端子の溶接部分の表面にできたＳｎ皮膜には，単離できる形で
は一般に知られていない化合物でも存在し得るから，皮膜に含まれる
リン酸塩は単離できるものに限られない。また，皮膜に含まれるリン
酸スズは，非晶質構造となるのが一般的であり，非晶質は原子の周期
的配列を有しないから，ＰとＯの比率は整数比にならないことの方が
一般的である（乙５４）。
ｃＳｎＰＯｘについて，出願当時，リン酸スズとして，ｘ＝３．５，４
の化合物が知られ，ＳｎＰＯ3.5と表記できるピロリン酸スズ（Ⅱ）［Ｓ
ｎ２Ｐ２Ｏ７］は非晶質としての性質を有するものである（甲７，乙１５，
１６，乙２０の１，２，）。
(ｲ)また，本件明細書には，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる
皮膜」に関し，ＡＥＳスペクトル分析によりＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表
す）のリン酸化合物が形成されていることを確認したことが記載されて
いる（【００３７】）。
以上によれば，特許請求の範囲の記載について，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２
～４を表す）」との記載は，非晶質を含むリン酸スズの化合物について
元素の組成比を用いて表現するものであり，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を
表す）からなる皮膜」とは，皮膜を分析して検出されたリン酸スズの化
合物で，小数点以下の数値を含む元素の組成比を用いて表現されたもの
が「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」に該当することを意味することが
理解できる。
また，ＡＥＳスペクトル分析等の深さ方向分析において「ＳｉＯ２換算」
で厚みを表すことは周知の方法であり（弁論の全趣旨），「ＳｉＯ２換算
で厚さ２０ｎｍ以上」との記載は，形成された皮膜の厚さを広く知られ
た表現方法によって特定したにすぎない。
さらに，「溶接部分の少なくとも一部に，・・・皮膜が形成されてな
る」との記載は，溶接部分の少なくとも一部に，所定の皮膜が形成され
ていることを示すことが明らかである。
イ以上のとおりであるから，本件訂正発明１０の「溶接部分の少なくとも
一部に，ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表
す）からなる皮膜が形成されてなる」との記載は，本件明細書の記載及び
当業者の出願当時における技術常識を基礎とすれば，第三者の利益を不当
に害するような不明確なものではなく，明確性要件に適合するというべき
である。
ウ原告の主張について
(ｱ)「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」は，ｘが３．５や４である場合
が知られているにすぎず，全体としては一般に知られていない化合物で
あるところ，本件明細書には，例えば，ｘが２以上３未満である化合物
からなる皮膜がどのようにすれば得られるのかについて記載や示唆がな
く，そのような皮膜を形成すると課題が解決されることも具体的に示さ
れていないから，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」は不
明瞭であると主張する。しかし，特許請求の範囲の記載と技術常識によ
れば「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」の意義が明確であ
るのは上記イのとおりであり，原告の主張する点は，特許請求の範囲の
記載の明確性とは関わりがない。
原告は，本件訂正発明１０において皮膜が非晶質であることを特定し
ていないから非晶質であることを前提とすることはできないと主張する
が，本件訂正発明１０には非晶質を除外するような限定はなく，上記ア
(ｱ)のとおり皮膜に含まれるリン酸スズは非晶質構造となるのが一般的で
あることに照らし，原告の主張は採用できない。また，本件明細書の【０
０３７】の「形成されたＳｎＰＯｘは，ｘが２．５～３であることが好ま
しく」との記載からすれば，リン酸塩は単離できる化合物であるように
も思われると主張するが，同様に採用できない。
(ｲ)原告は，本件明細書に「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮
膜」を選択的に形成する方法について何ら記載や示唆がなく，本件明細
書に「ＳｎＰＯｘ」のｘの値や化学構造についての定義や説明がないこと
から，このような皮膜を形成することで課題を解決できるかが不明であ
り明確性要件に適合しないと主張する。しかし，課題を解決できるかと
いう点は，特許請求の範囲の明確性とは関わりがない。
また，原告は，本件訂正発明１０に係るタブ端子の溶接部分の少なく
とも一部に，どのようなリン酸スズが形成されているか判然とせず，「Ｓ
ｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」との記載は明確であるとは
いえないと主張する。しかし，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からな
る皮膜」の意義は上記ア(ｲ)に判断したとおりである。
(ｳ)原告は，「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上」に関し，課題を解決す
るためには少なくとも特定の洗浄処理とその後の特定のイオン注入が必
須条件であると考えられるのに，本件訂正発明１０はイオン注入以外の
工程により「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上」の皮膜が形成される態様
を包含しているから，審決の判断と本件訂正発明１０との内容が整合し
ていないと主張する。しかし，本件訂正発明１０は物の発明であり，「Ｓ
ｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上」であることの意義が明確であるのは上記
アのとおりであるから，原告の主張は採用できない。
また，原告は，本件明細書の実施例の記載には，皮膜の組成比及び厚
さについての結果が記載されておらず，分析方法及び結果が記載されて
いない本件特許明細書等は不明瞭であると主張するが，特許請求の範囲
の記載が明確であるといえるのは上記イのとおりであり，本件明細書の
記載に関する原告の主張はこれを左右するものではない。
原告の主張するその他の点も上記判断を左右するものではない。
(3)本件訂正発明１２について
ア「スズが存在する部分において，スズ表面にＰＯｘ（ｘは２～４を表す）
からなる皮膜が形成され」について
前記(2)ア(ｱ)に加え，出願当時の技術常識として，①ＰＯｘ（ｘは２～４
を表す）につき，出願当時ｘ＝２，３，４のものが知られていること（甲
１１，乙５４，５８，６０，弁論の全趣旨），②リン酸系の皮膜は非晶質
構造となるのが一般的であり，ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）においても，Ｐ
とＯの比率は整数比にならないことの方が一般的であること（乙５４）が
認められる。
そうすると，「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」との記載は，非晶質を含む
リン酸の化合物について元素の組成比を用いて表現するものであり，「Ｐ
Ｏｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」とは，皮膜を分析して検出された
リン酸の化合物で，小数点以下の数値を含む元素の組成比を用いて表現さ
れたものが「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」に該当することを意味すること
が理解できる。
イ本件訂正発明１２のその余の点については，上記(2)に説示したところが
妥当する。
したがって，本件訂正発明１２の特許請求の範囲の記載について，本件
明細書の記載及び当業者の出願当時における技術常識を基礎とすれば，第
三者の利益が不当に害されるということはなく，明確性要件に適合すると
いうべきである。
ウ原告の主張は，上記(2)に説示したところに照らし，採用できず，上記イ
の判断を左右するものではない。
(4)本件訂正発明１３について
ア本件訂正発明１３の「針状のウィスカが実質的に存在しない」のうち，
「針状」について，本件明細書には定義の記載がないから，その一般的な
意義により解すべきである。広辞苑（第７版）によれば，針とは「縫い，
刺し，引っ掛け，液を注ぎ等するのに用いる，細長くとがった道具の総称」
であり，「針状」とは上記の意義を有する「針」のような形状であること
が理解できる。
イ本件訂正発明１３が引用する本件訂正発明１０及び１２については，上
記(2)，(3)において説示したとおりであるから，本件訂正発明１３は，明
確性要件に適合する。
(5)本件訂正発明１４について
ア本件訂正発明１４のウィスカの形状についての「螺旋状または帯状」に
ついて，本件明細書には定義の記載がないから，その一般的な意義により
解すべきである。そして，広辞苑（第７版）によれば，螺旋とは「螺の貝
殻の線のように旋回した筋。」，帯とは「着物の上から腰に巻いて結ぶ細
長い布。・・・そのかたちをしたもの。」とするのが一般的な語義であり，
これによれば，「螺旋状または帯状」は上記の意義を有する「螺旋」又は
「帯」のような形状であるという意義であることが理解され，その意義が
不明確であって第三者の利益が不当に害されるということはない。
本件訂正発明１４が引用する本件訂正発明１３については，上記(4)にお
いて説示したとおりであるから，本件訂正発明１４は，明確性要件に適合
するというべきである。
イ原告は，本件訂正発明１４の「螺旋状または帯状」が，その引用する本
件訂正発明１３の「針状」との関係で不明確であると主張するが，前記(4)
ア及び上記アに説示したところによれば，「螺旋状または帯状」と「針状」
の違いは明確であり，第三者の利益が不当に害されるということはないと
いうべきである。
(6)以上のとおり，本件訂正発明１０，１２～１４の明確性要件適合性につい
ての審決の判断に誤りはないから，取消事由５は理由がない。
７取消事由３（実施可能要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）につい
ての判断の誤り）について
(1)実施可能要件について
特許法３６条４項１号は，発明の詳細な説明の記載は，その発明の属する
技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程
度に明確かつ十分に記載したものでなければならないことを規定するもので
あり，同号の要件を充足するためには，明細書の発明の詳細な説明に，当業
者が，明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願当時の技術常識に基づいて，
過度の試行錯誤を要することなく，その発明を実施することができる程度に
発明の構成等の記載があることを要する。
(2)本件訂正発明１０について
ア本件訂正発明１０の「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘ
は２～４を表す）からなる皮膜」について，本件明細書には，①溶接部分
に形成されたリン系化合物はリン酸化合物を形成し，ＡＥＳスペクトル分
析等によって分析したところ，溶接部分の表面にはＳｎＰＯｘ（ｘは２～４）
のリン酸化合物が形成されていること（【００３７】），②リン酸系化合
物の皮膜を溶接部分に形成するためにタブ端子をリン系溶剤によって洗浄
し，その際のリン系溶剤としてはリン酸ナトリウム又はポリリン酸ナトリ
ウム，特にトリポリリン酸ナトリウムが好ましく，溶剤中に，１～５０重
量％，好ましくは１０～４０重量％，特に２５～３０重量％含まれてなる
ことが好ましいこと（【００３９】，【００４０】），③洗浄温度は７０
～１００℃，より好ましくは９０～９８℃の温度であること（【００４１】），
④上記のリン系溶剤による洗浄は，５～３０分間が好ましく，より好まし
くは８～１６分間，さらに好ましくは９～１２分間行うこと（【００４２】），
⑤洗浄後，タブ端子の溶接部分にイオン注入を行い，そのエネルギーは１
０ｋｅＶ程度，イオン注入量は１．０×１０５
～１．０×１０２０
ｃｍ－２
程
度が好ましい範囲で，この程度のイオン注入量とすることにより，溶接部
分の表面に形成されたＳｎＰＯｘのリン系化合物皮膜又はＳｎ表面上に形成
されたＰＯｘ皮膜の厚みを，ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上とすることができ，
このような厚みのリン系化合物皮膜が形成されること（【００４４】，【０
０４８】）の記載がある。
これによれば，溶接部分の表面に，ＡＥＳスペクトル分析等によって分
析されるＳｎＰＯｘ（ｘは２～４）のリン酸化合物を形成する方法として，
リン酸ナトリウム又はポリリン酸ナトリウムを上記②の重量割合で含むリ
ン系溶剤を用いて上記③④の温度及び時間で洗浄し，その洗浄工程の後，
上記⑤のエネルギー及び注入量でのイオン注入工程を行うことにより，Ｓ
ｎＰＯｘの皮膜の厚みをＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上とすることができるこ
とが理解できる。
イこのような本件明細書の記載及び技術常識（前記６(2)ア(ｱ)や同(3)ア）
に照らせば，本件訂正発明１０については，本件明細書の発明の詳細な説
明に，当業者が，その記載及び出願当時の技術常識に基づいて，過度の試
行錯誤を要することなく，その発明を実施することができる程度に発明の
構成等の記載があるものと認められる。
ウ原告の主張について
(ｱ)原告は，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」に関し，ｘが３．５や
４の化合物しか知られていないということを前提に，例えば，ｘが２以
上３未満である化合物からなる皮膜をどのようにして得るのかについて
本件明細書に記載や示唆が認められないと主張する。しかし，本件明細
書には，上記アのとおり，一定の条件の下で洗浄工程及びイオン注入工
程を行うことにより，ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘ
は２～４を表す）からなる皮膜が形成されることが記載されている。そ
して，前記６(2)ア(ｱ)の技術常識によれば，溶接部分の皮膜は単離でき
ない化合物をも非晶質の形態で含むものであるということができ，Ｏの
組成比にはある程度の幅があり，溶接部分の皮膜において「ＳｎＰＯｘ（ｘ
は２～４を表す）」が存在することが理解できる。なお，このことは，
本件出願日の前後を問わなければ，単離できるものや単離できないもの
として，ｘ＝２，２．８，３，５というものが報告されている（乙１８，
５４）ことからも裏付けられる。原告の主張は採用できない。
(ｲ)原告は，本件明細書には，他のリン酸スズではなく，ＳｎＰＯｘ（ｘ
は２～４を表す）のみからなる皮膜を選択的に形成する方法についての
記載や示唆がないと主張する。しかし，本件訂正発明１０は，「ＳｎＰ
Ｏｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」が溶接部分の少なくとも一部に
形成されることを規定するもので，溶接部分におけるｘが２～４以外の
皮膜の有無を特定しているわけではないから，本件訂正発明１０の実施
のために，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）のみからなる皮膜を選択的に
形成することが必要となるものではない。
(ｳ)原告は，本件明細書の実施例では皮膜の厚みが確認されていない旨主
張する。しかし，実施例２では上記ア⑤に記載された条件によりイオン
注入が行われているので，本件明細書に接した当業者は，実施例２にお
いてもＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上の厚みの皮膜が得られていると理解す
るといえるから，原告の主張は，上記イの判断を左右するものではない。
また，原告は，本件明細書には，イオン注入工程によりＳｎＰＯｘから
なる皮膜の厚みを「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上」とすることしか記載さ
れていないと主張するが，本件明細書から理解できる事項は上記アのと
おりであり，原告の主張は上記イの判断を左右するものではない。
原告の主張するその他の点は，本件訂正発明１０の実施可能要件適合
性とは関わりのない点であって，上記イの判断を左右するものではない。
(3)本件訂正発明１２について
ア本件明細書には，上記(2)ア①～⑤のとおりの記載に加え，「ＰＯｘ（ｘ
は２～４を表す）」について，本発明による方法によれば，タブ端子の少
なくとも一部分に，リン系化合物としてＳｎＰＯｘが形成されるだけでなく，
ＳｎＰＯｘが形成されていない部分，すなわちＳｎが存在している部分にお
いても，そのＳｎ表面上にＰＯｘからなるリン系化合物の皮膜が形成される
（【００３８】）ことも記載されている。
イこれによれば，「ＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」についても上記(2)アと
同様のことがいえるから，本件訂正発明１２についても，本件明細書の発
明の詳細な説明に，当業者が，その記載及び出願当時の技術常識に基づい
て，過度の試行錯誤を要することなく，その発明を実施することができる
程度に発明の構成等の記載があるものと認められる。
(4)本件訂正発明１３，１４について
本件明細書には，上記(2)ア①～⑤，(3)アのとおりの記載に加え，本件明
細書の実施例２において，針状のウィスカは全く発生せず螺旋状に丸まった
ウィスカのみが確認されたことが（【００５４】）記載されている。これに
よれば，本件訂正発明１３，１４についても，本件明細書の発明の詳細な説
明に，当業者が，その記載及び出願当時の技術常識に基づいて，過度の試行
錯誤を要することなく，その発明を実施することができる程度に発明の構成
等の記載があるものと認められる。
(5)以上のとおり，本件訂正発明１０，１２～１４の実施可能要件適合性につ
いての審決の判断に誤りはないから，取消事由３は理由がない。
８取消事由４（サポート要件適合性（本件訂正発明１０，１２～１４）につい
ての判断の誤り）について
(1)サポート要件について
特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するか否かについては，特許
請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に
記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説
明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識で
きる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出
願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のも
のであるか否かを検討して判断すべきものと解される。
(2)本件訂正発明１０について
ア本件訂正発明１０の特許請求の範囲の記載について，「芯材表面にスズ
からなる金属層が形成されてなるリード線端部に，圧扁部を有するアルミ
芯線が溶接されてなるタブ端子」，「前記溶接部分の少なくとも一部に，
ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上の，ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）から
なる皮膜が形成されてなることを特徴とする，（タブ端子。）」は，それ
ぞれ本件明細書の【００２３】，【００２５】に記載されたものである。
イ本件明細書には，前記７(2)ア①～⑤のとおりの記載に加え，同②記載の
重量割合のトリポリリン酸ナトリウムを含むリン系溶剤を用いて同③④の
温度及び時間で洗浄した実施例１及び３と，このような洗浄工程の後，同
⑤のエネルギー及び注入量でのイオン注入処理を行った実施例２及び４が
記載されている。そして，洗浄処理のみを行った実施例１及び３は，比較
例１及び２よりはウィスカの発生が抑制されているが，イオン注入工程を
行った実施例２及び４は，実施例１及び３に比して，さらにウィスカの発
生の抑制が図られていることが記載されている（以上につき【００４９】
～【００５９】）。
また，本件明細書によれば，ウィスカはスズからなる単体金属で構成さ
れるもので，リード線表面に設けられたスズメッキに由来するものと推定
されるところ，スズの結晶成長を抑制するために，ウィスカ発生場所であ
る溶接部分の表面に，リン酸系化合物の皮膜を形成し，その皮膜によって
ウィスカの発生を抑制するという技術思想が読み取れる（【００３６】，
【００３７】）。
そして，前記２(2)に説示したところに照らせば，本件明細書からは，洗
浄処理により「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」が形成され，
イオン注入処理により「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上のＳｎＰＯｘ（ｘ
は２～４を表す）からなる皮膜」が形成されることが理解でき，これによ
れば，上記実施例の記載は，「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上のＳｎＰＯ
ｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜」が形成された実施例２及び４と，皮
膜が「ＳｉＯ２換算で厚さ２０ｎｍ以上」でない例（本件明細書にいう「実
施例１及び３」）と，リン酸スズの皮膜が形成されていない例（本件明細
書にいう「比較例１及び２」）を示すものである。そして，少なくとも，
実施例２及び４においては，本件訂正発明１０の課題が達成されているこ
とは前述したところから明らかである。そうすると，このような実施例の
記載によれば，本件訂正発明１０は，当業者が，前記１(3)ウ記載の発明の
課題（線材メーカー等から入手できる，鉛フリーのスズメッキが施された
リード線を，そのままタブ端子に使用した場合であっても，溶接部分から
のスズウィスカが発生しない，タブ端子を製造する方法を提供する）を解
決できると認識できるというべきである。
ウ以上によれば，本件訂正発明１０は，発明の詳細な説明に記載された発
明で，当業者が，発明の詳細な説明の記載及び示唆並びに出願時の技術常
識に照らし，当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである
ということができる。
エ原告の主張について
(ｱ)原告は，「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」に関し，ｘが３．５や
４の化合物しか知られていないということを前提に，本件明細書には，
「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）」に含まれる化合物のうち，例えば，
ｘが２以上３未満である化合物からなる皮膜を形成すると課題が解決さ
れることは具体的に示されていないから，溶接部分に「ＳｎＰＯｘ（ｘは
２～４を表す）からなる皮膜」を形成すると本件訂正発明１０の課題を
解決できるか否かが明らかでなく，サポート要件に適合しないと主張す
る。しかし，前記７(2)ア及び上記イのとおり，本件明細書には，ＡＥＳ
スペクトル分析等による分析により，溶接部分の表面に形成が確認され
たＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）のリン酸化合物により，効果的にウィ
スカの発生が抑制されることが開示され，前記６(2)ア(ｱ)のとおりの技
術常識からしても，ｘが２以上３未満の場合にウィスカの発生を抑制で
きないことはうかわがれないから，ｘが２以上３未満である化合物から
なる皮膜を形成する場合に特化した実施例が示されていないことをもっ
て，上記イの判断を左右するものではない。
(ｲ)原告は，本件明細書には「ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる
皮膜」を選択的に形成する方法について記載や示唆がないとか，本件明
細書には，「ＳｎＰＯｘ」のｘの値や化学構造についての定義や説明がな
いから，このような皮膜を形成することで課題を解決できるかが不明で
ありサポート要件に適合しないと主張する。しかし，「ＳｎＰＯｘ（ｘは
２～４を表す）からなる皮膜」の意義や皮膜の形成については前記６及
び７において判断したとおりであり，原告の主張する点はサポート要件
についての判断を左右するものではない。
(ｳ)原告は，本件明細書の記載からは，「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上」
の厚さのＳｎＰＯｘ（ｘは２～４）からなる皮膜が形成されたからウィス
カが抑制されたのか，その他構造や物性の変化によりウィスカが抑制さ
れたのかが不明であるなどと主張するが，上記イに説示したところによ
れば，「ＳｉＯ２換算で２０ｎｍ以上」の皮膜との構成は，課題を解決で
きると認識できる範囲のものであるということができる。
原告は，本件明細書に，特定の溶剤処理及びイオン注入処理以外の処
理による皮膜によって課題を解決したことの記載がないことから，課題
を解決するためには当該特定の溶剤処理及びイオン注入処理をすること
が必須条件であり，このような特定の溶剤処理及びイオン注入処理を発
明特定事項としない本件訂正発明１０はウィスカを抑制するという課題
を解決できるとは認められないと主張するが，上記アの本件明細書の記
載からは，特定の具体的な溶剤処理及びイオン注入処理によらなければ
課題が解決できないとは解し得ず，原告の主張は採用できない。
(3)本件訂正発明１２について
ア本件訂正発明１２の特許請求の範囲の記載について，「芯材表面にスズ
からなる金属層が形成されてなるリード線端部に，圧扁部を有するアルミ
芯線が溶接されてなるタブ端子」，「前記溶接部分の少なくとも一部に，
ＳｎＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜が形成され，」「スズが存在
する部分において，スズ表面にＰＯｘ（ｘは２～４を表す）からなる皮膜が
形成され，」「前記ＳｎＰＯｘ皮膜またはスズ表面ＰＯｘ皮膜の厚みが，Ｓ
ｉＯ２換算で２０ｎｍ以上であることを特徴とする，（タブ端子）。」は，
それぞれ本件明細書の【００２３】～【００２５】に記載されたものであ
る。
また，本件明細書には，上記(2)アに指摘した記載に加え，前記７(3)ア
の記載（【００３８】）がある。
イこのような本件明細書の記載に加え，上記(2)に説示したところに照らせ
ば，本件訂正発明１２は，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の
詳細な説明の記載又はその示唆により，当業者が，上記(2)イ記載のとおり
の発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるということがで
きる。
(4)本件訂正発明１３，１４について
ア本件訂正発明１３，１４の特許請求の範囲の「針状のウィスカが実質的
に存在しない」及び「タブ端子表面に発生したウィスカの形状が，螺旋状
または帯状である」ことについては，本件明細書の【００２６】【００４
５】に記載があり，実施例２にも記載がある（【００５４】）。
イこのような本件明細書の記載に加え，上記(2)(3)に説示したところに照
らせば，本件訂正発明１３，１４は，発明の詳細な説明に記載された発明
で，発明の詳細な説明の記載又はその示唆により，当業者が，上記(2)イ記
載のとおりの発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるとい
うことができる。
(5)以上のとおり，本件訂正発明１０，１２～１４のサポート要件適合性につ
いての審決の判断に誤りはないから，取消事由４は理由がない。
９結論
以上のとおり，原告及び被告の主張する取消事由はいずれも理由がない。
よって，原告及び被告の請求は理由がないから，これらをいずれも棄却する
こととして，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第３部
裁判長裁判官
鶴岡稔彦
裁判官
山門優
裁判官
高橋彩

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