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平成２９年１２月１３日判決言渡
平成２８年（行ケ）第１０２６７号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２９年１１月２９日
判決
原告Ｘ
被告特許庁長官
指定代理人恩田春香
近藤幸浩
山村浩
金子尚人
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１原告の求めた裁判
特許庁が不服２０１５－５６８８号事件について平成２８年１０月１７日にした
審決を取り消す。
第２事案の概要
本件は，特許出願拒絶査定に対する不服審判請求を不成立とした審決の取消訴訟
である。争点は，新規性及び進歩性判断の誤りの有無である。
１特許庁における手続の経緯
株式会社さいとう技術研究所は，名称を「光学的および電磁気学的効果補助層の
制御手法」とする発明につき，平成２１年８月３１日に特許出願（特願２００９－
１９９３０２。以下「本願」という。優先権主張日：平成２１年３月３０日，日本
国。甲４の１）をし，原告は，株式会社さいとう技術研究所から，平成２４年７月
１２日，本願に係る特許を受ける権利を譲り受けたが（甲６），平成２６年１２月５
日付けで拒絶査定を受けた。
原告は，平成２７年３月２５日，拒絶査定不服審判請求をし（不服２０１５－５
６８８号），同年６月１９日，手続補正（以下「本願補正」という。）をした（甲４
の２）。
特許庁は，平成２８年１０月１７日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との
審決をし，その謄本は，同年１１月２３日，原告に送達された。
２本願発明の要旨
本願補正後の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりで
ある（甲４の２。以下，本願の明細書及び図面を「本願明細書」という。）。
「半導体又は金属の少なくともどちらか一方よりなる微粒子又は島状構造を平面
内でランダムに配列させた平面構造が，母材中に間隔を保って複数積層された構造
体であって，
該母材が半導体であることを特徴とする構造体。」
３審決の理由の要点
本願発明は，特開２００９－１６７１０号公報（甲１。以下「引用例１」という。）
に記載された発明（以下「引用発明１」という。）と同一であり，又は引用発明１に
対して慣用手段及び周知技術を適用して，当業者が容易に発明をすることができた
ものであるから，特許法２９条１項３号又は同条２項により特許を受けることがで
きず，また，特開平８－８４８８号公報（甲２－１。以下「引用例２」という。）に
記載された発明（以下「引用発明２」という。）に基づいて当業者が容易に発明をす
ることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けること
ができない。
(1)引用発明１について
ア引用発明１の認定
引用発明１は，次のとおりである。
「ＧａＡｓ(３１１)Ａ基板上に，ＧａＡｓバッファー層を成長させて表面を平坦
化させたのち，ＡｌＧａＡｓクラッド層（高Ａｌ組成）を成長させた後，活性層と
なる，ＡｌＧａＡｓ層（低Ａｌ組成）を成長させ，その中に液滴エピタキシー法に
より作製したＧａＡｓ量子ドットを２層埋め込み，続いて，上部のＡｌＧａＡｓク
ラッド層（高Ａｌ組成）を成長させて製造されるレーザ素子であって，
上記液滴エピタキシー法は，化合物半導体の量子ドットを作製する手法で，基板
上にガリウムのみを供給してガリウムの液体金属微粒子を作製し，続いて砒素を分
子線照射により供給してその液滴をガリウム砒素に結晶化する事により，ＧａＡｓ
量子ドットを作製し，
一つの液滴が一つの量子ドットとなり，
顕微鏡像において，量子ドットがランダムに配列しており，
量子ドットレーザ素子の構造模式図において，ＧａＡｓ量子ドットは，ＡｌＧａ
Ａｓ層（低Ａｌ組成）において，平面内に配列され，当該ＡｌＧａＡｓ層を介して
積層されている，量子ドットレーザ素子。」
イ一致点の認定
本願発明と引用発明１とを対比すると，両者は，次の点で一致する。
「半導体よりなる微粒子をランダムに配列させた構造が，
母材中に間隔を保って複数積層された構造体であって，
該母材が半導体である構造体」
ウ相違点の認定
本願発明と引用発明１とを対比すると，両者は，次の点で相違する（以下「相違
点１」という。）。
微粒子を配列させた構造について，本願発明では，微粒子を「平面内」でランダ
ムに配列させた「平面構造」であるのに対し，引用発明１では，「顕微鏡像において，
量子ドットがランダムに配列しており，量子ドットレーザの構造模式図において，
ＧａＡｓ量子ドットは，ＡｌＧａＡｓ層（低Ａｌ組成）において，平面内に配列さ
れ」ているものの，本願発明のような特定はなされていない点
エ相違点１についての判断
(ｱ)一般に，半導体レーザ素子において，レーザ発振を実現するために，
活性層の結晶性を良好にすることを目的とし，活性層の直下の層の表面を平坦なも
のとすることは普通に知られた慣用手段であるものと認められる。また，引用発明
１は，「ＧａＡｓバッファー
層」の「表面を平坦化させたの
ち」，クラッド層，活性層を成長
させたものであり（【図１０】参
照），引用例１の図１を勘案する
と，引用例１には，ＧａＡｓ量子
ドットの直下のＡｌＧａＡｓ層
（低Ａｌ組成）の表面が，平坦な
ものであることが示唆されてい
ると認められる。そうすると，引
用発明１は，本願
発明の「微粒子を
『平面内』でラ
ンダムに配列
させた『平面構
造』」という構
【図１０】
【図１】
成を実質的に備えているといえる。
したがって，本願発明の構成は全て引用例１に示されているから，本願発明は，
引用発明１と同一である。
(ｲ)仮に，相違点１が実質的なものであったとしても，特開平３－１１６
８２２号公報（乙１４），引用例２によれば，量子ドットを有する構造体において，
量子ドットの下地層を平坦な平面を持つものとすることは周知技術であり，一般に，
半導体レーザ素子において，レーザ発振を実現するために，活性層の結晶性を良好
にすることを目的として，活性層の直下の層の表面を平坦なものとすることは普通
に知られた慣用手段であるものと認められる。そうすると，引用発明１において，
上記慣用手段及び周知技術に基づき，「ＡｌＧａＡｓクラッド層（高Ａｌ組成）」の
表面並びにその上の成長させた活性層の１層目及び２層目の「ＡｌＧａＡｓ層（低
Ａｌ組成）」の表面のいずれもを平坦なものとすることは，当業者であれば適宜なし
得たことである。そして，引用発明１は，「上記液滴エピタキシー法は，化合物半導
体の量子ドットを作製する手法で，基板上にガリウムのみを供給してガリウムの液
体金属微粒子を作製し，続いて砒素を分子線照射により供給してその液滴をガリウ
ム砒素に結晶化する事により，ＧａＡｓ量子ドットを作製し，一つの液滴が一つの
量子ドットとな」るものである。そのため，引用発明１において，活性層の１層目
及び２層目の「ＡｌＧａＡｓ層（低Ａｌ組成）」の表面を平坦なものとするならば，
ＧａＡｓ量子ドットを配列させた構造が，「平面内」に配列させた「平面構造」とな
ることは明らかである。そうすると，引用発明１において，上記慣用手段及び周知
技術に基づき，相違点１に係る本願発明の構成を採用することは，当業者であれば
容易になし得たことである。
したがって，仮に相違点１が実質的なものであったとしても，本願発明は，引用
発明１並びに慣用手段及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることがで
きたものである。
(2)引用発明２について
ア引用発明２の認定
引用発明２は，次のとおりである。
「平坦な面を有する，表面にステップの無い（００１）ｎ－Ｓｉエピ基板１５１
と，
その上に成長したＳｉバッファ層１５２と，
その上にエピタキシャル成長した厚み２ｎｍのＧａＡｓドット結晶１５３と厚み
１０ｎｍのＳｉ単結晶薄膜１５４を交互に成長してえられるペア数１０の多重量子
ドット層１５５と，
その上に成長したｐ－Ｓｉクラッド層１５６と，
絶縁膜１５７と，ｐ側電極１５８と，ｎ側電極１５９とを有する半導体レーザで
あって，
ＭＢＥ法を用いてＧａＡｓドット１５３とＳｉ薄膜が成長され，
ＧａＡｓドット１５３の高さが２ｎｍ程度と低いことと，Ｓｉ結晶がＧａＡｓド
ット１５３上に成長しにくいためにＧａＡｓドット１５３が平坦に埋め込まれたた
め，ＧａＡｓドット１５３を成長した後，Ｓｉ結晶１５４を１０ｎｍ成長すること
で平坦面が得られた，半導体レーザ。」
イ一致点の認定
本願発明と引用発明２とを対比すると，両者は，次の点で一致する。
「半導体よりなる微粒子を配列させた構造が，
母材中に間隔を保って複数積層された構造体であって，
該母材が半導体である構造体」
ウ相違点の認定
本願発明と引用発明２とを対比すると，両者は，次の点で相違する（以下「相違
点２」という。）。
微粒子を配列させた構造について，本願発明では，「微粒子を平面内でランダムに
配列させた平面構造」であるのに対し，引用発明２では，「エピタキシャル成長した
厚み２ｎｍのＧａＡｓドット結晶１５３」について，本願発明のような特定はなさ
れていない点
エ相違点２についての判断
引用発明２は，「ＭＢＥ法を用いてＧａＡｓドット１５３とＳｉ薄膜が成長され，
ＧａＡｓドット１５３の高さが２ｎｍ程度と低いことと，Ｓｉ結晶がＧａＡｓドッ
ト１５３上に成長しにくいためにＧａＡｓドット１５３が平坦に埋め込まれたため，
ＧａＡｓドット１５３を成長した後，Ｓｉ結晶１５４を１０ｎｍ成長することで平
坦面が得られた」，「半導体レーザ」である。また，引用例２の【００８２】には，
「Ｓｉ基板１４１表面にはステップの無い（００１）面を持つ。ステップが無いた
めに結晶は結晶平面にランダムに結晶成長し，均一なＧａＡｓ結晶の核生成が実現
される。」，同【００８３】には，「結晶成長はＭＢＥで７５０度にて行っており，成
長温度が比較的高いために基板表面での原子の移動速度が大きくなり，均一なドッ
ト１４３の形成が実現される。（中略）ドットとドットは融合してはならず，かつド
ットの間は５ｎｍ以上離れている必要がある」と記載されている。そして，引用例
２において，量子ドットを利用した半導体レーザについての記載箇所（【００７９】
ないし【００９０】）には，ＧａＡｓドットが整列して配列するように特段の制御を
行うことは記載されていない。そのため，引用発明２において，「Ｓｉ結晶１５４」
は「平坦面が得られた」ものであることに加え，上記で指摘した事項を勘案すると，
引用発明２においても，ＧａＡｓドット１５３の成長の際に，基板表面での原子の
移動速度は大きくなり，均一なドット１５３の形成が実現されるものと認められる。
そうすると，引用発明２にいうＧａＡｓドット１５３は，下地のＳｉ結晶が「平
坦面が得られた」ものであり，かつ，ＭＢＥ法を用いた成長の際に，「原子の移動速
度は大きく」なるものであり，また，引用例２には，ＧａＡｓドットが整列して配
列するように特段の制御を行うことは記載されていないから，引用発明２において，
「ＧａＡｓドット結晶１５３」が，「ＧａＡｓドットを平面内でランダムに配列させ
た平面構造」をなすことは明らかである。
したがって，引用発明２において，相違点２に係る本願発明の構成を採用するこ
とは，当業者であれば容易になし得たことであるから，本願発明は，引用発明２に
基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第３原告主張の審決取消事由
原告主張の審決取消事由は多岐にわたるところ，弁論準備手続による主張整理の
結果，訴状記載の取消事由１ないし３は，直接の審決取消理由としてではなく，そ
の事情として主張するものであるとして整理され（第１回弁論準備手続調書参照），
同取消事由４（相違点１の判断の誤り）を取消事由１
とし，同取消事由５（相違点２の判断の誤り）を
取消事由２とすることとされた。
１取消事由１（相違点１の判断の誤り）
本願発明は，本願明細書の図６のとおり，微粒
子を平面内でランダムに配列させた平面構造が間
隔を保って複数積層された形態を採用している
（甲４－１【０００６】【図６】参照）。すなわち，
基板の面内方向をＸ及びＹ，基板面に垂直な方向
をＺとすると，本願発明はＸ及びＹ方向ではラン
ダムな配列であり，Ｚ方向では規則的配列になっ
ているものである。このような「平面構造」を複数
積層することによって，高い効果が得られるので
ある。これに対し，引用発明１には，配列に関する
説明が存在しないところ，引用発明１のように平
坦な基板上に微粒子や量子ドットを形成すること
は，微粒子が微粒子の上に積み重なる状態（以下，
この状態を「雪だるま状態」という。）になること
本願明細書【図６】
引用例１【図６】
があり，現に，引用例１の図６等によれば，３次元的に量子ドットが雪だるま状態
になっていることは明らかである。そうすると，引用発明１は，本願発明にいう平
面構造を有するものではない。
そして，引用発明１は，量子ドットが低密度の状態では実現できず，高密度であ
ることを要するため，本願発明のように，３次元的な配列に比べて低密度になる平
面構造を敢えて選択する意味はない。そうすると，引用発明１に接した当業者が，
より低密度になる量子ドットの平面構造を複数層利用することを想到するものとは
いえない。
したがって，引用発明１が本願発明にいう「平面構造」を実質的に備えていると
した審決の認定には誤りがあり，また，当業者が引用発明１に対し慣用手段及び周
知技術を適用して本願発明を容易に想到することができたとした審決の判断には誤
りがある。
２取消事由２（相違点２の判断の誤り）
本願発明は，上記のとおり，微粒子を平面内でランダムに配列させた平面構造が
間隔を保って複数積層された形態を採用している。これに対し，引用発明２は，引
用例２の図１４のとおり，量子ドットの配列は，ランダムではない。
仮に，引用発明２においてＧａＡｓ量
子ドット（極性分子）がランダムに配列
されているとすれば，ランダムな格子不
整合が粗密に生じ，転位が制御できてい
ない状態になる。この状態は，引用発明２
で解決しようとしている転位の抑制（甲
２－１【０００４】，【００１７】）という
課題と矛盾することになる。
したがって，引用発明２の量子ドットの配列がランダムなものであることを前提
として，当業者が引用発明２に基づいて本願発明を容易に想到することができたと
引用例２
した審決の判断には誤りがある。
第４被告の反論
１取消事由１（相違点１の判断の誤り）
原告は，引用発明１の量
子ドットは雪だるま状態
になっており，本願発明に
いう平面構造を有するも
のではないなどと主張す
る。
しかしながら，本願発明
にいう平面構造が雪だる
ま状態を含まないと解す
る根拠がない上，引用例１
の【０００７】には，図１
０に示す形態につき，「Ｇ
ａＡｓ量子ドットを２層
埋め込んだ」と明示的に記載されているのであるから，引用発明１の量子ドットは
雪だるま状態になっていないことは明らかである。そして，量子ドットを有する構
造体において量子ドットの下地層を平坦な平面を持つものとする周知技術などに照
らせば，引用発明１の「ＡｌＧａＡｓ層（低Ａｌ組成）」の表面の形状を「ＧａＡｓ
量子ドット」のサイズに比べて十分に小さい程度の平坦さとすることは，当業者が
容易に想到することができる。
したがって，引用発明１が本願発明にいう「平面構造」を実質的に備えていると
した審決の認定には誤りはなく，また，当業者が引用発明１に対し慣用手段及び周
知技術を適用して本願発明を容易に想到することができたとした審決の判断にも誤
【図１０】
りはなく，原告の主張はいずれも理由がない。
２取消事由２（相違点２の判断の誤り）
原告は，引用例２の図１４によれば，引用発明２における量子ドットの配列はラ
ンダムではないなどと主張する。しかしながら，審決は，引用発明２につき，引
用例２の実施例１３の半導体レーザに基づいて認定しているのであって，量子ドッ
トの配列を図１４から認定するものではない。そして，引用例２には，ＧａＡｓド
ットが整列して配列するように特段の制御を行うとは記載されていないし，引用発
明２の半導体レーザにおいて，ＧａＡｓドットが整列して配列するような特段の制
御を行わないようにした場合には，ＧａＡｓ結晶の結晶成長開始ポイントに位置的
な規則性が存在しないことになるから，当業者は，ＧａＡｓドットをランダムに配
列させる構成を容易に得ることになる。
したがって，当業者が引用発明２に基づいて本願発明を容易に想到することがで
きたとした審決の判断には誤りはなく，原告の主張は理由がない。
第５当裁判所の判断
１認定事実
(1)本願発明について
本願明細書（甲４の１）によれば，本願発明は，次のとおりのものと認められる。
ア本願発明は，発光素子，光電変換素子，センサなどの光学的あるいは電
磁気的素子の効果，効率の向上に関するものである（【０００１】）。量子ドットの利
用は，光学的あるいは電磁気的デバイスの高効率化に有効であるが，量子ドットの
製造は，難易度が高く，安価には製造できないという問題があった（【０００５】）。
イ本願発明は，スパッ
タリング等により作製した図１
に示されるような微粒子が平面
的に配列された構造を，図６に
おける断面図のように積層する
ことで，作製難易度の高い量子
ドットの効果を利用することが
できるようにしたものである
（【０００６】）。これらの構造体を，光電変換
素子，発光素子などに付加することで，特性の
向上を図ることができる（【００１６】）。本願
発明は，スパッタリングなどのごく一般的な手
法を用い，材料も比較的ありふれたものを利用
するため，費用対効果が高いものである（【０
０１４】【００４３】）。
(2)引用発明１について
引用例１（甲１）によれば，引用発明１の内容は，次のとおりのものと認められ
る。
ア引用発明１は，基板上に活性層を形成してなるレーザ発振素子に関する
ものである（【０００１】）。量子ドットはそのサイズが変化すると，量子閉じ込めエ
ネルギーが変化するため発光する波長（エネルギー）が変化する。そのため，サイ
ズの揺らぎが大きい量子ドット群の発光特性は，幅広い波長（エネルギー）にわた
って広がり，その半値幅は広くなる。量子ドットの半導体レーザ等の応用のために
は，なるべくサイズ揺らぎの少ない量子ドットを高密度に作製することが望まれて
いる（【０００２】）。引用発明１は，このような実情に鑑み，従来にはないナローな
発光をする量子ドットを用いて，安定したレーザ発振を可能としたレーザ発振素子
【図１】
【図６】
を提供することを目的とするものである（【０００４】）。
引用発明１のレーザ発振素子は，その活性層は，２×１０１０
／ｃｍ２
～１×１０１
１
／ｃｍ２
の密度，かつ，５Ｋにおける発光の半値幅５０ｍｅＶ以下でＧａＡｓ（３
１１）Ａ基板上に量子ドットを形成してなることを特徴とする（【０００５】）。
イ図１０に示す形態の製造手順は，次のとおりである（【０００７】）。
ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上
に，４００ｎｍの厚さを持つ
ＧａＡｓバッファー層を成長
させて表面を平坦化させた
後，１３００ｎｍのＡｌＧａ
Ａｓクラッド層（高Ａｌ組成）
を成長させた。その後，活性層
となるＡｌＧａＡｓ層（低Ａ
ｌ組成）を２２０ｎｍ成長さ
せ，その中に液滴エピタキシ
ー法（図１）により作製したＧ
ａＡｓ量子ドットを２層埋め
込んだ。続いて，
１３００ｎｍの
上部のＡｌＧａ
Ａｓクラッド層
（高Ａｌ組成）
を成長させ，最後に表面を保護するため２０ｎｍのＧａＡｓを成長させた。
液滴エピタキシー法は，化合物半導体の量子ドットを作製する手法で，図１を参
照して，ガリウム砒素量子ドットの作製を説明すると，基板上にガリウムのみを供
給してガリウムの液体金属微粒子を作製し，続いて砒素を供給してその液滴をガリ
【図１０】
【図１】
ウム砒素に結晶化することにより，量子ドットを作製する（【０００９】）。
ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板を用いることにより，温度範囲の全域で密度が増加し，
最大で１×１０１１
／ｃｍ２
という，高密度の液滴が形成可能となった。なお，図１
の説明で述べたように，この液滴は結晶化することにより，一つの液滴が一つの量
子ドットとなることから，この密度はそのまま形成される量子ドットの密度と考え
ることができる（【００１１】）。
２取消事由に対する判断
(1)取消事由１
ア前記１(2)の認定事実及び証拠（乙６〔訳文２頁８行目から１７行目まで〕）
によれば，引用発明１における液滴エピタキシー法は，基板上にガリウムのみを供
給してガリウムの液体金属微粒子である液滴を作製した後，砒素を供給して当該液
滴をガリウム砒素に結晶化させ，一つの液滴が量子ドットとなるように量子ドット
を作製する手法であって，これらのガリウム及び砒素は，分子線照射により基板に
供給されるものである。そうすると，液滴エピタキシー法においては，ガリウムの
液滴が生じる場所を制御することはできないため，最終的に生じるガリウム砒素結
晶からなる量子ドットは，基板上において，水平方向にはランダムに配列している
といえる。そして，前記１(2)の認定事実によれば，引用発明１においては，このよ
うな量子ドットが設けられている層は，２層存在するものと認められる。
これらの事実によれば，引用発明１は，ランダムに配列された量子ドットの平面
層が２層設けられているのであるから，本願発明における「微粒子が平面内でラン
ダムに配列した平面構造が複数積層された構造体」に該当するものと認められる。
したがって，相違点１は，引用発明１に開示されているといえるから，本願発明
は引用発明１と同一であると認定した審決の判断に誤りはない。
イこれに対し，原告は，上記にいう平面層の重なりにつき，基板の面内方
向をＸ及びＹ，基板面に垂直な方向をＺとすると，本願発明の微粒子の配列は，Ｘ
及びＹ方向ではランダムな配列であり，Ｚ方向では，本願明細書の図６のように，
規則的配列になっているにもかかわらず，引用発
明１の量子ドットは，Ｚ方向では規則的配列にな
っていないため，本願発明と引用発明は，この点に
おいて相違するなどと主張する。
そこで検討するに，本願明細書の【００１０】に
は，「スパッタリングなどの真空成膜技術を用い，
島状あるいは微粒子状の平面構造を作り，それを
積層することで，垂直方向には規則的で，水平方向
にはランダムな図６のような微粒子層が得られる。」と記載され，垂直方向には規則
的であると記載されている。この点につき，上記にいう「規則的」の意味について，
上記図６のように，ある平面上の量子ドットの直上に，異なる平面上の量子ドット
が配置されている構成をいうものと解する場合には，本願の特許請求の範囲ではこ
のような特定がなされていない上，本願明細書にいうスパッタリングなどの真空成
膜技術は，引用発明１にいう液滴エピタキシー法では量子ドットを形成するガリウ
ムの液滴の場所を平面上制御することができないのと同様に，微粒子の場所を平面
上制御することができないものと認められるから，上記構成を実現することは，そ
もそも困難である。
そうすると，上記構成をいう原告の主張は，結局のところ，本願の特許請求の範
囲及び本願明細書の記載を正解しないものであり，失当というほかない。
前記アのとおり，上記にいう「規則的」の意味については，微粒子等がランダム
に配列された平面構造が垂直方向には規則的に複数が積層されていく構成をいうに
とどまると解するのが自然であり，このように解する場合には，本願の特許請求の
範囲の記載と整合する上，当該構成は引用発明１も有する構成であるから，相違点
１は引用発明１に開示されているといえることは，上記に説示したとおりである。
したがって，原告の主張は，本願の特許請求の範囲及び本願明細書の記載を正解
しないものに帰し，採用することができない。
本願明細書【図６】
(2)小括
以上によれば，本願発明は，取消事由２について判断するまでもなく，特許法２
９条１項３号により特許を受けることができないものと認められる。その他に事情
として整理された取消事由などを含めて改めて十分検討しても，原告の主張は，上
記にいう「規則的」の意味について，本願の特許請求の範囲の記載等とは異なる独
自の見解に立って審決を論難するものであり，いずれも上記判断を左右するもので
はない。
第６結論
以上によれば，原告の主張する取消事由１には理由がないから，取消事由２につ
いて判断するまでもなく，審決に取り消されるべき違法はない。よって，本件請求
は理由がないから，これを棄却することとして，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第１部
裁判長裁判官
清水節
裁判官
中島基至
裁判官
岡田慎吾

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