戻る

平成１５年（行ケ）第２５６号　審決取消請求事件
平成１６年４月１２日口頭弁論終結
　　　　　判　　　　決
原　告　シャープ株式会社
　訴訟代理人弁理士　深見久郎，森田俊雄，堀井豊
　被　告　特許庁長官　今井康夫
　指定代理人　畑井順一，平井良憲，高橋泰史，林栄二，大橋信彦
　　　　　主　　　　文
　原告の請求を棄却する。
　訴訟費用は原告の負担とする。
　　　　　事実及び理由
第１　原告の求めた裁判
　「特許庁が不服２００１－２２５２９号事件について平成１５年４月３０日にし
た審決を取り消す。」との判決。
第２　事案の概要
　本件は，原告が，後記本願発明の特許出願をしたところ，拒絶査定を受け，これ
を不服として審判請求をしたところ，審判の請求は成り立たないとの審決がされた
ため，同審決の取消しを求めた事案である。
　１　特許庁における手続の経緯
　(1)　本願発明
　出願人：シャープ株式会社（原告）
　発明の名称：「ｐｎ接合型発光ダイオード」
　出願番号：特願平３－１６４６２２号
　出願日：平成３年７月４日
　(2)　本件手続
　手続補正：平成９年１０月６日
　手続補正：平成１１年１０月４日
　手続補正：平成１３年６月２５日
　拒絶査定日：平成１３年１１月１２日
　審判請求日：平成１３年１２月１７日（不服２００１－２２５２９号）
　手続補正：平成１３年１２月１７日
　審決日：平成１５年４月３０日
　審決の結論：「本件審判の請求は，成り立たない。」
　審決謄本送達日：平成１５年５月２０日（原告に対し）
　２　本願発明の要旨（前記各手続補正後のもの。請求項は１から５まであるが，
請求項１のみを記載。以下「本願発明」という。）
【請求項１】光透過性の基板上に，ｎ型半導体層及びｐ型半導体層が形成されたｐ
ｎ接合型発光ダイオードであって，前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層は気相
成長により形成されており，かつ，前記基板と反対側の表面を構成するいずれかの
前記半導体層表面に，光透過性を有する金属膜からなるオーム性電極が形成されて
いることを特徴とするｐｎ接合型発光ダイオード。
　３　審決の理由の要点
　(1)　審決は，引用例として１ないし３を摘示した。引用例１は特開昭５６－８１
９８６号公報（本訴甲３），引用例２は特開平２－２１５１６９公報（本訴甲
４），引用例３は特開平１－２６８１２１公報（本訴甲５）である（引用例１記載
に係る発明を「引用発明１」という。）。
　(2)　審決は，本願発明と引用発明１とを対比し，一致点を次のとおり認定した。
　「引用例１の『ｐ形ＧａＡｓ基板１１』『ｐ形Ｇａ1-ｘＡｌｘＡｓ発光層１２』
『ｎ形Ｇａ1-ｙＡｌｙＡｓ窓層１３』が，それぞれ本願発明の『基板』『ｎ型半導体
層』『ｐ型半導体層』に相当することは明らかである。
　引用例１のものは，『ｐｎ接合面１５』を有するものであるから，引用例１の
『面発光ダイオード』は，本願発明の『ｐｎ接合型発光ダイオード』に相当する。
　引用例１には，ｐ形ＧａＡｓ基板１１の反対側の表面を構成するｎ形Ｇａ1-ｙＡｌ
ｙＡｓ窓層１３に『ｐｎ接合１５からの発光を吸収することなく透過させる厚さ』
の『オーム性の良好な電極金属』である『合金薄層１７』を形成することが記載さ
れており，これが本願発明の『光透過性を有する金属膜』に相当する。
　よって，両者は，『基板上に，ｎ型半導体層及びｐ型半導体層が形成されたｐｎ
接合型発光ダイオードであって，前記基板と反対側の表面を構成するいずれかの前
記半導体層表面に，光透過性を有する金属膜からなるオーム性電極が形成されてい
るｐｎ接合型発光ダイオード』である点で一致する。」
　(3)　審決は，本願発明と引用発明１との相違点を次のとおり認定した。
　「相違点１：本願発明は，『前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層は気相成長
により形成されて』いるのに対し，引用例１には，ｎ型半導体層及びｐ型半導体層
を気相成長で形成するとの記載がない点。
　相違点２：『基板』が，本願発明は，『光透過性』であるのに対し，引用例１に
は，それが光透過性との記載がない点。」
　(4)　審決は，上記相違点につき，次のとおり判断した。
　(a)「相違点１について：引用例１には，『なお以下の実施例においてはＧａＡｌ
Ａｓ系赤色発光ダイオードを例にとって説明するが，本発明はこの実施例に限ら
ず，他の種々の素材を用いた面発光ダイオードに適用されるものである。』と記載
されるように，素材に依存しないことすなわち他の材料を用いた発光ダイオードと
の技術の共通性が示唆されている。また，引用例３にも記載されるように，半導体
層を気相成長により形成することは周知のことでしかない。してみれば，上記相違
点１の技術的事項とすることは，周知技術に基づき当業者が任意に設計し得る事項
である。」
　(b)「相違点２について：発光ダイオードの基板を透光性のもので構成すること
は，周知のことにすぎないから，この点は周知技術に基づき当業者が任意に設計し
得る事項である。」
　(c)「本願発明が奏する効果も，引用発明１及び周知技術から予想し得る程度のも
のである。」
　(5)　審決は，次のとおり結論付けた。
　「本願発明は，引用発明１及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすること
ができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができ
ない。」
第３　原告の主張（審決取消事由）の要点
　１　前提となる事情
　半導体材料による半導体プロセスを用いる構造の構築は，その過程がある種の化
学的，物性的性格を有する。半導体装置の構造の発明の特許性の考察に当たって
は，化学的，物性的性格に由来する困難性を考慮する必要がある。化学的，物性的
性格はある種の「実験の科学」の性格を有し，試してみるまで実現性が予測できな
いことが多いからである。
　気相成長による半導体層の形成は，任意に選ばれた基板材料と任意に選ばれた半
導体材料の間で常に実現できるとは限らない。また，半導体層表面上の光透過性の
金属膜のオーム性電極の形成も，任意に選ばれた半導体材料と任意に選ばれた金属
材料の間で任意の形成方法が常に実現できるとは限らない。
　半導体装置の構造の発明の新規性及び進歩性を２以上の引用例の組合せにより否
定するためには，各引用例に特定された半導体材料間で前記の形成条件が整うこと
の論証，立証が原則として必須であり，半導体装置の積層構造自体が公知技術と構
成，作用効果において進歩性の相違を含まないことの論証，立証が必須である。
　前記のような半導体分野の知見，技術常識に基づけば，本願発明の要旨の認定を
本願発明の特許請求の範囲の記載に基づいてなすとき，特許請求の範囲の記載が一
義的に明確に理解できる（本願発明の要旨認定において，特許請求の範囲に記載の
技術的意義が一義的に明確に理解することができない「特段の事情」があるから，
明細書の発明の詳細な説明の記載を参照することが許されるべきであるとの点は，
取消事由の主張とはしない〔第１回弁論準備手続調書参照〕。）。このようにして
要旨が認定された本願発明は，引用例１ないし３の組合せによって，新規性，進歩
性が失われることはない。
　２　取消事由１（相違点１についての判断の誤り）
　(1)　審決は，前記第２，３(4)(a)のとおり判断する。
　確かに，一般的に，半導体分野で「気相成長」の語自体は周知である。しかしな
がら，審決は，ある半導体材料がある基板に常に気相成長が可能であるとは限らな
いという化学的，物性的性格を看過している。特定材料の基板に特定半導体材料が
気相成長できるかの知識は技術の発展に伴って増えるけれども，必ずしも当初から
予測できるものではない。
　「気相成長」の語が半導体分野で周知であることのみの理由で引用例１の半導体
材料における「気相成長」の可能性の論証も立証もなく，引用例１の半導体材料に
おける「気相成長」のために引用例３の半導体材料の「気相成長」の技術をそのま
ま適用できる立証もなく，相違点１を設計事項と断じるのは根本的な誤りである。
　(2)　引用例３は，ＳｉＣ基板へのＳｉＣ半導体層の気相成長を開示するものであ
る。したがって，仮に引用例３の気相成長を引用例１のＧａＡｓ基板に適用した場
合，引用例１のＧａＡｓ基板の上に引用例３のＳｉＣ半導体層を気相成長すること
になるが，かかる成長が可能であるとは材料の相性の点から直ちには理解できな
い。さらに，ＧａＡｓ基板へのＳｉＣ半導体層の気相成長ではＧａＡｓの融
点（1238℃）よりもＳｉＣ半導体層の気相成長のときの基板温度（1400℃～
1500℃）の方が高いから，ＳｉＣ半導体層の気相成長でＧａＡｓ基板が融解し，も
はやＳｉＣ半導体層の成長は期待できない。
　上記の理由で，一般に，ＧａＡｓ基板の上にＳｉＣ半導体層を気相成長すること
は困難であるとするのが通常の理解である。したがって，化学的，物性的性格に由
来する困難性の点で，引用例３の気相成長を引用例１の基板に適用するには別途の
検証が必要となり，両者の組合せには阻害要因が存在する。
　なお，引用例１も引用例３も本願発明の作用効果を有していないので，この点で
も引用例１と引用例３との組合せに阻害要因がある。
　(3)　本願発明は，①光透過性基板にｎ型半導体層及びｐ型半導体層を気相成長に
より形成すること（「第１の形成」），並びに②前記半導体層表面に光透過性を有
する金属膜からなるオーム性電極を形成すること（「第２の形成」）を構成要件と
する。第１の形成（気相成長）及び第２の形成（金属膜のオーム性電極の形成）
は，同一ダイオード素子内において一連一体に実現される。したがって，第１の形
成において「光透過性基板」と当該基板に半導体層を気相成長可能な「半導体材
料」の組合せが限定されるべきであり，第２の形成において「半導体材料」，とり
わけｐｎ接合層の「半導体材料」を前提条件として，当該半導体層に光透過性金属
膜のオーム性電極を形成可能な「金属材料」の組合せがさらに限定されなければな
らない。すなわち，第２の形成は，任意の半導体層へのオーム性電極の形成ではな
く，第１の形成の前提条件を充足する半導体層へのオーム性電極の形成である。第
１の形成による前提条件の充足が第２の形成の実現を困難にするのであって，第１
の形成と第２の形成の一連一体の実現の阻害要因となる。
　(4)　被告は，あたかも乙５の文献（米津宏雄著「光通信素子工学」工学図書株式
会社刊，昭和５９年初版）に照らして引用例１の実施例のＧａＡｌＡｓがいかなる
半導体材料の基板に対しても常に気相成長による形成が可能かのような主張をして
いる。
　しかしながら，乙５における教示は，せいぜい引用例２のＧａＡｌＡｓが引用例
１の基板ＧａＡｓに気相成長できることを示すにすぎない。引用例１の基板ＧａＡ
ｓは，不透明であって，本願発明にとっておよそ関連のないものである。
　また，乙５及び乙２（特公昭６１－３４２７６号公報）は，気相成長法を開示す
るにとどまり，本願発明の作用効果を有していない。
　乙５及び２は，引用例１ないし３の組合せの阻害要因に影響するものでない。
　(5)　被告は，また，引用例１の「なお以下の実施例においてはＧａＡｌＡｓ系赤
色発光ダイオードを例にとって説明するが，本発明はこの実施例に限らず，他の種
々の素材を用いた面発光ダイオードにも適用されるものである。」との記載を引用
して反論するが，この記載は，化学的，物性的考慮の必要な半導体の分野では，全
く妥当しない。実験，データなどによる推量でない記載を，半導体分野の化学的，
物性的考慮の必要な発明に，容易推考性の根拠とすることは明らかに誤りである。
　３　取消事由２（相違点２についての判断の誤り）
　(1)　審決は，基板の光透過性は引用例２，３で周知であるとして，引用例１の教
示との寄せ集めを設計事項と認定している。
　審決は，ここでも光透過性のある基板にある半導体材料が常に気相成長可能であ
るとは限らないことを看過している。「光透過性」の基板が周知であることのみの
理由で，引用例２，３の基板材料が引用例１のｐ型，ｎ型半導体層の基板材料とし
て置換可能で，かつ，気相成長が可能であることの論証も立証もなく，相違点２を
設計事項と断じることもまた根本的な誤りである。
　(2)　引用例２は，光透過性基板（ＡｌＧａＡｓ）を開示しているが，この基板
は，その上に半導体層（ＡｌＧａＡｓ）を液相成長させるためのものでもある。し
たがって，仮に，引用例２を引用例１に適用した場合，引用例２の光透過性基板の
上に半導体層が液相成長法により形成され，その上に引用例１の合金薄層（ＡｕＧ
ｅ）が形成されることになる。しかしながら，この場合に液相成長層の平坦度から
その合金薄層が良質の薄層として得られるかは直ちには理解できない。
　液相成長法により形成された半導体層の上に光透過性のオーム性電極を形成する
場合には，当該半導体層の表面の平坦性が悪いため，薄い金属膜を均質に被着する
ことができず，あるいは欠損のある金属膜になる。そのような金属膜は，光透過性
に劣り，あるいは自身の電気抵抗が増大して電極からの電流を充分に拡げる効果に
おいて劣る。
　したがって，化学的，物性的性格に由来する困難性の点で，引用例２の光透過性
基板を引用例１の透明電極に適用するには，別途の検証が必要となり，両者の組合
せには阻害要因が存在する。
　なお，引用例１も引用例２も本願発明の作用効果を有していないので，この点で
も引用例１と引用例２との組合せに阻害要因がある。
　(3)　被告は，乙３の文献（今井哲二ほか編著「化合物半導体デバイスⅡ」工業調
査会刊，昭和６０年初版）を引用して，あらゆる材料からなるｐｎ接合型発光ダイ
オードのための基板を光透過性の材料からなるもので構成することに何ら困難性が
ないと主張する。
　しかし，乙３は，透明のＳｉＣ基板に一般的表現のｐｎ接合半導体層が積層され
た（半導体プロセスは不明）構造を示すにすぎない。いかなる半導体材料，半導体
プロセスでＳｉＣ基板にｐｎ接合半導体層が気相成長可能なのか，何ら記載してい
ない。乙３に基づいて，直ちにｐｎ接合半導体に対する光透過性基板を何ら困難性
なく組み合わせることが可能と断じるのは，半導体分野の発明の特許性の考察を，
発明の構成要件としてでなく，半導体材料，半導体プロセスの組合せの考察なし
に，単なる「用語」の寄せ集めとして行うに等しく，誤りである。
　４　取消事由３（相違点の看過）
　(1)　本願発明は，「光透過性の基板と上面の光透過性を有する金属膜からなるオ
ーム性電極」の両者を同時に用いることを主要構成要件とするが，引用例１はこの
点を欠如するものであり，審決は，この相違点を看過したものである。
　(2)　引用例１は，基板が不透明であり，入射光のほとんどを吸収するので，上向
きに導出光が導出されるにすぎない。また，引用例１は，ｐｎ接合型発光ダイオー
ドの気相成長が開示されていない。
　引用例２は，基板が光透過性であり，コンタクト層も光透過性であるが，厚いコ
ンタクト層が多重反射の間に光を大量に吸収する。また，引用例２は，ｐｎ型発光
ダイオードが気相成長されない。
　これに対して，本願発明は，引用例１及び引用例２に対し，導出光が大幅に増大
する。このような本願発明のｐｎ接合型発光ダイオードにおける発光効率の改善の
特有の効果は，基板を光透過性にするとともに上表面に光透過性の金属膜のオーム
性電極を設けたことにより，発光の基板と金属膜による多重反射光を金属膜が大き
く吸収することなく外部に効果的に導出することによって，達成される。このよう
に本願発明では光透過性の金属膜のオーム性電極が多重反射光を有効に利用するた
めに用いられるが，光透過性の金属膜のオーム性電極のこのような利用は，いずれ
の引用例にも教示も示唆もない。
　また，本願発明は，透過性基板にｐ型半導体層及びｎ型半導体層を気相成長させ
ることで，ｐｎ接合型発光ダイオード層を形成する。その結果，表面の平坦度が改
善され，低平坦度に起因する問題が生じなくなり，また，光透過性の金属膜からな
るオーム性電極表面の平坦度の改善により反射率の制御性が改善し，結果的に，安
定して発光効率に優れたｐｎ接合型発光ダイオードが実現できる。
　本願発明は，以上のような新しい効果を奏するものである。
　審決は，上記相違点の構成とそれによって奏される新しい特有の効果を看過する
点で誤っている。
　(3)　被告は，引用例１に記載されていない「基板が光透過性である点」を相違点
として判断しているのであるから，相違点の判断に誤りはなく，原告が看過したと
主張する相違点の効果は，明細書に記載されていないと主張する。
　しかし，被告は，半導体分野の発明での化学的，物性的考慮の必要性を看過して
いる。本願発明の主題は，半導体装置の構造の改良であり，その構造を発明として
保護を求めるものであって，一度改良された構造が教示されれば，その特有の効果
は，当業者が論理的に又は実験的に検証することができる。明細書に直接その記載
がないとの論難は当たらない。
第４　被告の主張の要点
　１　原告は，本願発明があたかも特定の材料から形成されるかのように主張して
いるが，本願発明は，特許請求の範囲請求項１に記載されているとおり，光透過性
の基板，ｎ型半導体層及びｐ型半導体層が特定の材料により形成されることを規定
するものではない。原告の主張は，本願発明の構成に基づかない主張であるので，
失当である。
　２　取消事由１（相違点１についての判断の誤り）に対して
　審決は，ＳｉＣ層をエピタキシャル成長させる点を引用例３により引用したもの
ではない。審決は，「半導体層を気相成長により形成することは周知のこと」と判
断した上で，単に例示として引用例３を示したにすぎない。
　そして，本願発明は，ｎ型半導体層及びｐ型半導体層が特定の材料により形成し
たものではなく，適宜の半導体層を気相成長により形成するものとして把握できる
が，これは，乙５，２によれば極めて周知の事項であって，引用例３によるまでも
ないことである。なお，乙５には，引用例１の実施例に記載されたＧａＡｌＡｓを
気相成長により形成することも記載されている。
　そして，引用例１には，「なお以下の実施例においてはＧａＡｌＡｓ系赤色発光
ダイオードを例にとって説明するが，本発明はこの実施例に限らず，他の種々の素
材を用いた面発光ダイオードにも適用されるものである。」と記載されるように，
素材に依存しないこと，すなわち他の材料を用いた発光ダイオードにも適用される
ことが示唆されており，そのような種々の材料からなる半導体層を気相成長により
形成することは，上記のように周知の技術にすぎないのであるから，この周知技術
を引用例１に適用することにより，相違点１の構成とすることに何ら困難性はな
い。
　３　取消事由２（相違点２についての判断の誤り）に対して
　原告は，「光透過性のある基板にある半導体材料が常に気相成長可能であるとは
限らないことを看過している。」と主張するが，光透過性のある基板にある半導体
材料を気相成長することが予測困難であることの根拠は，何ら示されていないし，
本願発明は特定の基板や特定の半導体材料を限定するものでもないから，失当であ
る。
　また，ｐｎ接合型発光ダイオードの基板を光透過性の材料からなるもので構成す
る点については，引用例２，引用例３のみならず，本件出願前に公知である乙３に
も記載されており，乙３には，ＳｉＣ基板にｎ型半導体層及びｐ型半導体層を形成
したものが記載されている。そして，乙３には，本願発明と同様に，光透過性の材
料上のｐ型，ｎ型半導体が特定の材料でなければならないことは記載されていな
い。したがって，ｐｎ接合型発光ダイオードの基板を光透過性の材料からなるもの
で構成することに何ら困難性のないことがわかる。
　４　取消事由３（相違点の看過）に対して
　審決は，本願発明には「光透過性の基板」と，「上面の光透過性を有する金属膜
からなるオーム性電極」とが共存することを前提に，作用効果を考慮しつつ本願発
明と引用発明１とを対比し，引用例１に記載されていない「基板が光透過性である
点」を相違点２として判断しているのであるから，相違点の認定に誤りはない。
　また，原告は，本願発明の効果について主張するが，原告が主張するような，両
者が共存するとの事項及びその効果は，明細書に記載された事項ではない。本願明
細書において，光透過性の基板については，従来技術の説明として説明があるのみ
であって，本願発明に関する説明には，基板が透過性であることや光透過性の基板
が入射光のほとんどを反射すること及びその効果に関する説明はない（その効果等
につき補正しようとすれば要旨変更となるおそれがある。）。よって，明細書の記
載事項からその関連する効果を判断することはできない。
　もし，原告の主張が，明細書に明確な記載はなくとも潜在した効果を判断すべき
であるというのであれば，それは，特許請求の範囲にも明細書の記載事項にも基づ
かない主張であるから，当を得ないものである。
第５　当裁判所の判断
　１　取消事由１（相違点１についての判断の誤り）について
　(1)　相違点１の判断につき，審決は，引用例１にＧａＡｌＡｓ系以外の素材を用
いた面発光ダイオードに適用される旨の記載があって，ＧａＡｌＡｓ系以外の材料
を用いた発光ダイオードとの技術の共通性が示唆されていることを示した上，半導
体層を気相成長により形成することの周知例として引用例３を挙げて，「相違点１
の技術的事項とすることは，周知技術に基づき当業者が任意に設計し得る事項であ
る。」としたものである。
　(2)　検討するに，上記判断は是認し得るものである。
　(a)　まず，乙５（奥書によれば，本件特許出願前である昭和５９年２月１５日に
初版として発行された文献であると認められる。）には，次のような記載がある。
　「気相成長法　ハロゲン化合物または水素化合物を用いる通常の気相成長法（…
略してＭＨ－ＣＶＤ）と有機化合物の熱分解による気相成長法（…略してＭＯ－Ｃ
ＶＤ）とがある。」（８８頁下から３行～８９頁１行）
　「ｂ．ＭＯ－ＣＶＤ　ＡｌｙＧａ1-ｙＡｓ/ＡｌｘＧａ1-ｘＡｓダブルへテロ接合を成
長させるための装置概念図の１例が図2.29に示されている。トリメチルアルミニウ
ム（Ａｌ(ＣＨ3)3）およびトリメチルガリウム（Ｇａ(ＣＨ3)3）が，Ｈ2ガスで反応
管内に運ばれて熱分解し，ＡｓＨ3と次式の反応をしてＡｌＧａＡｓが得られる。
　Ａｌ(ＣＨ3)3＋Ｇａ(ＣＨ3)3＋ＡｓＨ3→ＡｌｘＧａ1-ｘＡｓ＋ＣＨ4(2.104)
　一般に，ダブルヘテロ接合用の多層成長は，ガス流量の切り替えによって制御さ
れる。ｎ形およびｐ形不純物の添加には，Ｈ２Ｓなどの水素化合物またはＺｎ(Ｃ2Ｈ
5)2などの有機化合物が用いられる。」（９０頁３～１１行）
　そして，図2.29「ＡｌＧａＡｓダブルヘテロ接合用ＭＯ－ＣＶＤ装置概念図」に
は，ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓダブルヘテロ接合を成長させることが示されて
いる。
　ちなみに，甲９（特開昭６１－１７００８０号公報）においても，次のような記
載がある。
　「ＤＨ構造（第４図）はより高効率かつ高速応答性を計ったもので，Ｐ型ＧａＡ
ｓ基板１１上に液層成長法により…Ｇａ1-vＡｌvＡｓ…を成長させ，その上へＰ型Ｇ
ａ1-wＡｌwＡｓ，クラッド層１３（…），アンドープＧａ1-ｘＡｌｘＡｓ活性層１４
（…），ｎ型Ｇａ1-yＡｌyＡｓクラッド層１５（…），ｎ型Ｇａ1-zＡｌzＡｓキャッ
プ層１６（…）を形成後，ＧａＡｓ基板１１をエッチングにより全面的に除去す
る。」（２頁右上欄２～１１行）
　「ＤＨ構造ＧａＡｌＡｓ素子に関しては，…成長方式を従来の液相成長法によら
ず，近年レーザ素子等の分野において開発が進んでいるＭＯＣＶＤ法等を導入した
場合においても…」（２頁左下欄末行～右下欄１１行）
　そうすると，本件特許出願当時，ＭＯ－ＣＶＤ法によりＧａＡｓ基板上にＧａＡ
ｌＡｓダブルヘテロ接合を成長させることは周知であったものと認められる。
　(b)　そして，甲１０（光通信ハンドブック，昭和５９年８月１０日第２刷発行）
によれば，一般に気相成長法は，液相成長法と比較して，エピタキシャル結晶表面
の平滑性がすぐれているという利点があることが認められる（１４５頁下から７～
５行）。
　(c)　引用例１には，ＧａＡｓ基板上にＧａＡｌＡｓのｐｎ接合を形成するＧａＡ
ｌＡｓ系面発光ダイオードを成長させることが開示されているところ，上記認定し
たところによれば，引用発明１において，上記成長方式として，エピタキシャル結
晶表面の平滑性を改善すべく，従来周知の気相成長法を適用することに何ら阻害要
因はなく，これを適用する動機もあるというべきである。
　よって，審決の相違点１の判断に誤りはない。
　(3)　原告は，前記のとおり，引用例１の半導体材料における気相成長の可能性の
論証も立証もなく，引用例３の半導体材料の気相成長の技術をそのまま適用して，
相違点１を設計事項と断じるのは誤りであること，引用例３の気相成長を引用例１
のＧａＡｓ基板に適用した場合，ＧａＡｓ基板の上に引用例３のＳｉＣ半導体層を
気相成長することになるが，かかる成長は期待できず，引用例３の気相成長を引用
例１の基板に適用するには阻害要因が存在することなどを主張する。
　しかし，審決は，前記(1)のとおり説示しているのであって，引用例３の気相成長
技術を引用例１の基板に適用することが設計事項に該当すると判断しているのでは
ない。審決は，半導体層を気相成長により形成することの周知例として引用例３を
挙げたにすぎず，ＧａＡｓ基板の上にＳｉＣ半導体層を気相成長することが可能で
あることを前提とした判断をしたのではない。
　原告の主張は，失当というほかない。
　(4)　原告は，本願発明は，前記のような第１の形成及び第２の形成が一連一体に
実現されるものであり，第１の形成において「光透過性基板」と当該基板に半導体
層を気相成長可能な「半導体材料」の組合せが限定されるべきであり，第２の形成
において「半導体材料」を前提条件として光透過性金属膜のオーム性電極を形成可
能な「金属材料」の組合せがさらに限定されなければならないと主張する。
　しかし，引用例１において，光透過性を有する金属膜からなるオーム性電極が形
成されていることは明らかであり（原告もこの点は争わない。），引用例１のＧａ
Ａｓ基板上に気相成長法によりＧａＡｌＡｓを成長させることを容易に想到し得る
ことは前判示のとおりであるところ，この場合には，材料の変更はないので，引用
例１において第２の形成が可能であることは自明であり，原告のいう一連一体の成
長を実現することになる。そして，半導体材料の化学的，物性的性格を考慮して
も，相違点１についての審決の判断に誤りがあるとはいえない。よって，原告の主
張は，採用の限りではない。
　なお，相違点１（この認定自体は原告も争わない。）においては，基板の透明性
は問題とならないのであり，引用発明１において，基板を光透過性とすることが容
易か否かは相違点２に関する事項であるから，この点は後に触れることとする。
　(5)　原告は，ＧａＡｌＡｓが引用発明の基板ＧａＡｓに気相成長できても，引用
例１の基板ＧａＡｓは不透明であるから，本願発明にとっておよそ関連がないとも
主張するが，前判示のとおり，相違点１においては，基板の透明性は問題とならな
い（基板の透明性の点は，相違点２に関連して後に触れる。）。
　(6)　原告は，引用例１のＧａＡｌＡｓ系以外の面発光ダイオードにも適用される
との記載は，実験，データなどによる根拠を有するものではないから，他の材料を
用いた発光ダイオードにも適用されることを示唆するものではないと主張する。
　しかし，前判示のとおり，引用例１のＧａＡｓ基板上にＧａＡｌＡｓを成長させ
る方式として，気相成長法を適用することに何ら阻害要因はなく，適用することの
動機もあるのであるから，原告主張の事情をもって直ちに相違点１に関する上記判
断が左右されるものではない。
　２　取消事由２（相違点２についての判断の誤り）について
　(1)　相違点２についての審決の判断は，以下のとおり是認し得るものである。
　(a)　引用例２には，次のような記載がある。
　「発光ダイオードの中で赤色発光ダイオードとして一般的なものは，ＧａＡｓ単
結晶基板上にＡｌＧａＡｓ単結晶層が形成されたものである。しかし，ＧａＡｓ基
板は発光光に対して禁制帯幅が小さいため光吸収体となり，その分発光効率が低
い。そのため，例えば発光ダイオードの高輝度化を図るために，ＧａＡｓ基板上に
発光光に対して透明であるように所定の禁制帯幅を持つＡｌＧａＡｓ単結晶層を約
２００μｍと厚く成長させた基板を一旦形成したのち，更にその上に発光ダイオー
ドの層構造を形成する。その後，ＧａＡｓ基板部分を除去した構造が提案されてい
る。…第６図に上記構造の半導体装置の一例を示す。図中，６１はｐ型ＡｌzＧａ1-z
Ａｓ基板（０．４≦z≦０．６），６２はｐ型Ａｌ0.8Ｇａ0.2Ａｓクラッド層，６３は
アンドープＡｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ活性層，６４はｎ型Ａｌ0.8Ｇａ0.2Ａｓクラッド層，
６５はｎ型Ａｌ0.65Ｇａ0.35Ａｓキャップ層，６６と６７は電極である。」（１頁右
下欄６行～２頁左上欄６行）
　(b)　また，甲９には，前記の事項に加え，次の記載がある。
　「従来のＳＨ構造ＧａＡｌＡｓ素子に関しては，ｐ-ｎ接合及びｐ層内において発
光した光のうち，基板側へ向うものがＧａＡｓにより１００％吸収されて言うまで
もなく外部効率の点で不利である。」（２頁左下欄５～９行）
　「本発明による素子構造，即ち光吸収体である基板を除去した広禁制帯幅材料に
よるｐ－ｎ接合素子構造とすることにより，従来素子に比し，素子の製造コストを
上げることなく高効率化を計ることができ…」（３頁右下欄５～９行）
　(c)　以上によれば，引用発明１のような上面から光を導出するＧａＡｌＡｓ系面
発光ダイオードにおいて，ＧａＡｓ基板が光を吸収するため発光効率が低くなるこ
と，及び高効率化を図るために基板を光透過性にすることは，周知の事項であった
ものと認められる。
　(d)　そうすると，引用発明１においても，発光効率を改善すべく基板を光透過性
のものとすることは，当業者が当然に想到することにすぎないというべきである。
　その具体的方法につき，本件証拠に示された範囲でみても，次のような示唆がう
かがわれる。例えば，引用例２や甲９に記載されているように，ＧａＡｓ基板上に
発光光に対して透明である禁制帯幅のＡｌＧａＡｓ単結晶層を厚く成長させて基板
とし，その上に発光ダイオードの層構造を形成した後，ＧａＡｓ基板を除去すれば
よいと考えられる。このように，周知技術の適用は容易であるというべきである。
　したがって，相違点２についての審決の判断は，是認し得るものである。そし
て，半導体材料，半導体プロセスの組合せの考察をしても，相違点２についての審
決の判断に誤りがあるとはいえない。
　(e)　なお，相違点２の判断とは直接の関連はないが，気相成長が可能であるか否
かの点について検討しても，可能であるといい得る。すなわち，取消事由１に関し
て判示したとおり，ＧａＡｓ基板上に，気相成長によってＧａＡｌＡｓのｐｎ接合
を形成することは，周知である。よって，ＧａＡｓ基板上に透明なＧａＡｌＡｓを
厚く成長させて基板とし，その上にＧａＡｌＡｓ系ｐｎ接合発光ダイオードの層構
造を形成する際に気相成長法を適用し得ることも明らかである。
　(2)　原告は，引用例２は基板上にＡｌＧａＡｓを「液相成長」させることを開示
しているので，引用例２を引用例１に適用した場合，引用例２の光透過性基板上に
半導体層が「液相成長法」により形成されることになり，このような半導体層の上
に光透過性のオーム性電極を形成する場合には，欠損のある金属膜などになると主
張する。
　しかし，審決は，相違点２の判断として，発光ダイオードの基板を透光性のもの
で構成することは，周知のことにすぎないから，この点は周知技術に基づき当業者
が任意に設計し得る事項であるとして，基板を透光性のもので構成するとの周知技
術に基づき当業者が任意に設計し得るとしているのであり，引用例２，３は，周知
技術を裏付けるための参照として触れられているものであって，引用例２の光透過
性基板上にＡｌＧａＡｓが「液相成長法」により形成されることを引用例１に適用
するとしているのではない。原告の主張は，採用の限りではない。
　(3)　その他，上記判示したところに照らせば，原告が取消事由２として主張する
ところは，いずれも採用することができない。
　３　取消事由３（相違点の看過）について
　(1)　原告は，本願発明と引用発明１には，「光透過性の基板と上面の光透過性を
有する金属膜からなるオーム性電極」の共存という相違点が存在し，審決がこの相
違点を看過していると主張する。
　しかしながら，引用発明１が，「上面の光透過性を有する金属膜からなるオーム
性電極」という構成要件を具備することは明らかである（原告もこの点自体を争う
ものではない。）。そして，審決は，相違点２として，「『基板』が，本願発明
は，『光透過性』であるのに対し，引用例１には，それが光透過性との記載がない
点。」を挙げているのであるから，審決に相違点の看過があるということはできな
い。
　(2)　また，原告は，本願発明は，基板を光透過性にするとともに上表面に光透過
性の金属膜のオーム性電極を設けているため，引用例１及び引用例２よりも，導出
光が大幅に増大するという顕著な作用効果を奏すると主張する。
　しかし，既に判示したとおり，引用例１において，ＧａＡｓ基板上に透明なＧａ
ＡｌＡｓ単結晶層を厚く気相成長させて基板とし，その上に発光ダイオードの層構
造を気相成長により形成した後，ＧａＡｓ基板を除去して，面発光ダイオードとす
ることは，容易に想到し得ることであり，その際，発光ダイオード層の上には，Ａ
ｕＧｅからなる光透過性を有するオーム性電極が形成されているから，このように
形成された発光ダイオードは，本願発明のｐｎ接合型発光ダイオードと同じ構造に
なることは明らかである。そうすると，原告の主張する顕著な作用効果は，引用発
明１に周知の技術を適用したものが奏する作用効果であり，引用発明１及び周知技
術から予測可能な作用効果であることが認められる。
　(3)　原告が取消事由３として主張するところも，採用することができない。
　４　結論
　以上のとおり，原告主張の審決取消事由は理由がないので，原告の請求は棄却さ
れるべきである。
　　東京高等裁判所知的財産第４部
　　　　　　　　裁判長裁判官　　　　塚　　　原　　　朋　　　一
　　　　　　　　　　　裁判官　　　　田　　　中　　　昌　　　利
　　　　　　　　　　　裁判官　　　　佐　　　藤　　　達　　　文

戻る