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平成２６年８月７日判決言渡
平成２５年（行ケ）第１０１７１号審決取消請求事件
平成２６年６月２６日口頭弁論終結
判決
原告株式会社シンクロン
訴訟代理人弁護士服部昌明
同池田和郎
同西川久貴
同山本和彦
同北畑亮
同田中伸英
訴訟代理人弁理士秋山敦
同城田百合子
同上西浩史
同大倉宏一郎
被告株式会社オプトラン
訴訟代理人弁護士升永英俊
訴訟代理人弁理士佐藤睦
同大石幸雄
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が無効２０１２－８００１０９号事件について平成２５年５月１３日に
した審決のうち「特許第４８２３２９３号の請求項１，８に記載された発明につい
ての特許を無効とする。」との部分を取り消す。
第２前提事実
１特許庁における手続の経緯等（争いがない。）
原告は，平成２０年１０月３１日に出願され，平成２３年９月１６日に設定登
録された，発明の名称を「成膜方法及び成膜装置」とする特許第４８２３２９３
号（以下「本件特許」という。）の特許権者である。
被告は，平成２４年６月２６日，特許庁に対し，本件特許の請求項１，８を無
効にすることを求めて審判の請求をした。特許庁は，上記請求を無効２０１２－
８００１０９号事件（以下「本件無効審判請求事件」という。）として審理をし
た結果，平成２５年５月１３日，「特許第４８２３２９３号の請求項１，８に記
載された発明についての特許を無効とする。」との審決をし，その謄本を，同月
２３日，原告に送達した。
２特許請求の範囲の記載（甲１６，１８）
本件特許の特許請求の範囲（請求項の数は９である。）の請求項１，８は本件無
効審判請求事件における訂正請求により，審決において訂正が認められた。訂正後
の請求項１，８の記載は，以下のとおりである（以下，同請求項１に記載された発
明を「本件特許発明１」，同請求項８に記載された発明を「本件特許発明２」とい
う。また，本件特許の明細書及び図面をまとめて「本件明細書」という。）。
「【請求項１】
基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前記基
体保持面に保持され回転している複数の基体のすべてに対して前記成膜材料を連続
して供給するとともに，
前記基体保持面の一部の領域に向けてイオン照射可能となる成膜アシスト手段を
用い，回転している前記基体保持面に対して前記イオンを連続して照射することに
よって，前記基体保持面の回転に伴って移動している前記基体のそれぞれにイオン
が照射されているときと照射されていないときが確保されるように前記イオンを照
射し，前記基体のそれぞれに対して前記イオンを照射することによるイオンアシス
ト効果を与えながら，すべての基体の表面に薄膜を堆積させることを特徴とする成
膜方法。
【請求項８】
真空容器内に回転可能に配設され，複数の基体を保持するための基体保持手段と，
前記基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前
記基体保持面に保持され回転している複数の基体のすべてに対して前記成膜材料を
連続して供給可能となるような配置及び向きで前記真空容器内に設置された成膜手
段と，
イオンを前記基体保持面の一部の領域に向けて照射可能であり，回転している前
記基体保持面に対して前記イオンを連続して照射することによって，前記基体保持
面の回転に伴って移動している前記基体のそれぞれにイオンが照射されているとき
と照射されていないときが確保されるように前記イオンを照射可能となるような構
成，配置及び／又は向きで前記真空容器内に設置された成膜アシスト手段とを，有
する成膜装置。」
３審決の理由
審決の理由は，別紙審決書写しのとおりである。その要旨は，（１）本件特許発
明１は，HyunJuChoandChangKwonHwangbo,"Opticalinhomogeneityand
microstructureofZrO2thinfilmspreparedbyion-assisteddeposition",Applied
Optics,1October1996,Vol.35,No.28,p.5545-5552（甲１。以下「甲１論文」
という。）に記載された本件特許発明１に対応する発明（以下「引用発明１」とい
う。）と実質的な相違点はなく，甲１論文に記載された発明であり，特許法２９条
１項３号に該当し特許を受けることができない，（２）本件特許発明２は，甲１論
文に記載された本件特許発明２に対応する発明（以下「引用発明２」といい，引用
発明１と引用発明２を併せて「引用発明」という。）と実質的な相違点はなく，甲
１論文に記載された発明であり，特許法２９条１項３号に該当し特許を受けること
ができない，というものである。
審決が認定した引用発明１の内容，本件特許発明１と引用発明１との一致点及び
相違点，引用発明２の内容，本件特許発明２と引用発明２との一致点及び相違点は
以下のとおりである。
(1)引用発明１の内容
「ドームの内周面の全域に向けＺｒＯ２を供給することによって前記内周面に保
持されている複数の基板のすべてに対して前記ＺｒＯ２を供給するとともに，
前記内周面に向けてイオン照射可能となる熱陰極型カウフマンイオン源を用い，
前記内周面に対して前記イオンを照射することによって，前記基板に対してイオン
を照射することによるイオンアシスト効果を与えながら，前記基板に膜厚およそ５
００ｎｍのＺｒＯ２を成膜する方法。」
(2)本件特許発明１と引用発明１との一致点
「基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって前記
基体保持面に保持されている複数の基体のすべてに対して前記成膜材料を供給する
とともに，
前記基体保持面に向けてイオン照射可能となる成膜アシスト手段を用い，前記基
体保持面に対して前記イオンを照射することによって，前記基体に対して前記イオ
ンを照射することによるイオンアシスト効果を与えながら，前記基体の表面に薄膜
を堆積させる成膜方法。」である点。
(3)本件特許発明１と引用発明１との相違点
ア相違点１：本件特許発明１は，「成膜材料を連続して供給する」のに対し，
引用発明１は，成膜材料が連続して供給されるのか不明である点。
イ相違点２：本件特許発明１は，「基体保持手段の基体保持面に保持されてい
る複数の基体」が回転しているのに対し，引用発明１は，「基体保持手段の基体保
持面に保持されている複数の基体」が回転しているのか不明である点。
ウ相違点３：本件特許発明１は，「回転している基体保持面の一部の領域に対
してイオンを連続して照射することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動
している前記基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないと
きが確保されるように前記イオンを照射し，前記基体のそれぞれに対して前記イオ
ンを照射することによるイオンアシスト効果を与えながら，すべての基体の表面に
薄膜を堆積させる」のに対し，引用発明１は，イオン照射の態様が不明である点。
(4)引用発明２の内容
「基本真空度がおよそ８×１０－７
Ｔｏｒｒである箱形成膜装置内に配設され，
複数の基板を保持するためのドームと，
前記ドームの内周面の全域に向けＺｒＯ２を供給することによって前記内周面に
保持されている複数の基板のすべてに対して前記ＺｒＯ２を供給可能となるような
配置及び向きで前記箱形成膜装置内に設置された，基板に対してＺｒＯ２を供給す
る手段と，
イオンを前記内周面に対し照射可能となるような，構成，配置及び／又は向き
で前記箱形成膜装置内に設置された熱陰極型カウフマンイオン源とを，有する成膜
装置。」
(5)本件特許発明２と引用発明２との一致点
「真空容器内に配設され，複数の基体を保持するための基体保持手段と，
前記基体保持手段の基体保持面の全域に向け成膜材料を供給することによって
前記基体保持面に保持されている複数の基体のすべてに対して前記成膜材料を供給
可能となるような配置及び向きで前記真空容器内に設置された成膜手段と，
イオンを前記基体保持面に対し照射可能となるような構成，配置及び／又は向き
で前記真空容器内に設置された成膜アシスト手段とを，有する成膜装置。」である
点。
(6)本件特許発明２と引用発明２との相違点
ア相違点４：本件特許発明２は，「成膜手段が成膜材料を連続して供給可能」
であるのに対し，引用発明２は，成膜手段が成膜材料を連続して供給可能であるの
か不明である点。
イ相違点５：本件特許発明２は，「基体保持手段」が「回転可能に配設され」
ているのに対し，引用発明２は，基体保持手段が回転可能に配設されているのか不
明である点。
ウ相違点６：本件特許発明２は，「成膜アシスト手段」が「イオンを基体保持
面の一部の領域に向けて照射可能であり，回転している前記基体保持面に対して前
記イオンを連続して照射することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動し
ている基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確
保されるように前記イオンを照射可能となるような構成，配置及び／又は向きで真
空容器内に設置され」ているのに対し，引用発明２は，成膜アシスト手段がどのよ
うに真空容器内に設置されているのか不明である点。
第３原告主張の取消事由
１取消事由１（相違点３に係る新規性判断の誤り）について
(1)正規化イオン運動量Ｐの技術的意義と甲１論文記載のイオンの照射態様
甲１論文のイオンの照射態様は，正規化イオン運動量Ｐの技術的意義に基づい
て定められるべきである。正規化イオン運動量Ｐは，最終的には，イオンエネルギ
ーとイオン電流密度だけで決まる値である。
すなわち，正規化イオン運動量Ｐの算出式（P=γ(2miEi)1/2
）において，γ（イ
オンの到達率Ｃ／蒸着粒子の到達率Ｄ）を算出するための蒸着粒子の到達率Ｄは，
単位時間内に単位面積上に堆積する蒸着粒子の数であり，蒸着粒子の成膜レート
Ｂの測定値に依存している。イオンの到達率Ｃは，単位時間内に単位面積に照射
されるイオン粒子の数であり，イオン電流密度Ａの測定値に依存している。した
がって，γの値はイオン電流密度Ａの測定値に依存するイオン到達率Ｃに比例し
ている。Ｐ値はγとイオンエネルギー量Ｅiの積であり，ｍｉは定数であることか
ら，結局のところ，Ｐ値は，最終的にイオンエネルギーＥｉとイオン電流密度Ａだ
けで決まる。
甲１論文の実験においては，イオン電流密度及びイオンエネルギーが甲１論文
に記載された最大値（イオン電流密度２５μＡ／ｃｍ２
，アルゴンイオンのエネル
ギー７．５０Ｅ-４
（ＭｅＶ））のときに，正規化イオン運動量Ｐが甲１論文に記載
された最大値（１．４２ＭｅＶ／ｃ）になるため，基体に到着した蒸着粒子が，次
の理由により，常時イオン照射を受けていることを意味している。
甲１論文には，Ｐ値について，「成長中の膜に移行される運動量」との記載があ
る。すなわち，成長中の膜の全てに移行される運動量を意味している。蒸着粒子が
イオン照射を受けていない期間も膜として見れば成長中（蒸着粒子が堆積している）
であることには変わりはなく，したがってイオン照射を受けていない期間もＰ値に
影響を与えている。したがって，成膜中の膜について，イオン照射を受ける期間と
受けない期間が交互に現れる場合には，イオン照射を受ける期間におけるＰ値の算
出には，イオン照射を受けない期間における蒸着粒子の到達分も考慮する必要が生
じ，γの算出におけるＤの値が増加するから，成膜中の膜にイオンが常時照射され
る場合よりもＰの計算値は必然的に小さくなるのである。その結果，「イオンが照
射されているときと照射されていないときが確保される」場合には，そもそも，Ｐ
値が１．４２を達成できないので，審決のように「Ｐの最大値が１．４２となった
としても，この数値は，蒸着粒子がイオン照射を受けているときの正規化イオン運
動量の最大値と考えられる」（審決書２３頁１０行～１２行）との仮定が成り立つ
ことがない。
そもそも，甲１論文においては，「従来の方法」＝「イオン照射を行わない方法」
の時を「Ｐ＝０」と定義している以上，成膜中に少しでも（仮に，部分照射であっ
たとしても），イオン照射を行った場合には「Ｐ＝０」となることはあり得ず，審
決が認定するような一回の成膜工程中にＰの値が０から１．４２ＭｅＶ／ｃの範囲
で変化するということはあり得ない。
正規化イオン運動量Ｐ値の計算式中のγ値の算出方法について説明した甲３３，
３４号証では，イオンの照射時間と蒸着分子の堆積時間という時間の要素を算出式
に含めているが，甲１論文ではγは「蒸着粒子の到達率に対するアルゴンイオンの
到達率の比である。」とし，算出式に時間の概念はない。このことも，甲１論文は
蒸着粒子が「つねにイオン照射を受ける」場合のみを念頭に置いていることを示し
ている。
(2)ドームの回転を認める限りは複数基板への常時照射とされるべきこと
甲１論文はその全体を通じて，様々な観点で，得られたＺｒＯ２薄膜の「膜物性」
を評価している。しかし甲１論文の実験において仮に成膜時のドームの回転が肯定
される場合，基板に対してイオンが照射されるときとされないときがあるとすれば，
ドームの回転数（ｒｐｍ）の設定値いかんでイオンが照射されていない期間に堆積
する蒸着粒子の量（膜厚）が変わってしまう。それにもかかわらず，甲１論文には，
ドームの回転数（ｒｐｍ）は明示されていない。
そうすると，「膜物性」の評価を研究目的とする甲１論文の実験においては，ド
ーム回転数（ｒｐｍ）の設定値いかんで，その「膜物性」の評価に影響を与えるイ
オン照射の態様（イオンが照射されるときと照射されないときがあるような態様）
の存在は否定されなければならない。
したがって，甲１論文の実験において成膜時のドームの回転の存在を肯定する
のであれば，イオンビームがドーム内周面の一部領域に照射される態様は否定され
なければならない。
(3)カウフマンイオン源のビームの広狭についてHAMacleod,"Thin-Film
OpticalFilters",ThirdEdition,InstituteofPhysicsPublishing,2001,p.
410-412（甲２。以下「甲２論文」という。）の解釈に誤りがあること
審決は，カウフマンイオン源のビームは必ずしも幅広でないとし，甲２論文に
おける「この目的のために最も一般的なタイプのイオンソースは，抽出グリッドを
備えることの多い，広いビームである。以前に公表された研究及び報告された成功
の多くは，カウフマン型またはグリッド型のイオン銃を使用した。」との記載は，
ＩＡＤのためのイオン源として，抽出グリッドを備えることの多い，広いビームの
イオン源が一般的であることと，成功例の多くが，カウフマン型又はグリッド型で
あることを個別に記載したものと解されるとする（審決書２２頁下から４行ないし
末行）。しかし，甲２論文は広いビームのイオン源と成功例を個別に記載したもの
ではなく，成功例は広いビームのイオン源の成功例として記載されているものであ
る。審決は，甲２論文についての誤った認定に基づいて，カウフマンソースの照射
範囲が狭いことを技術常識としたものであって，誤っている。
(4)審決の判断は，新規性の判断において許されない「推測ないし類推」に基
づいたものであること
公知発明の内容を説明する刊行物の記載ないし説明部分に，当該発明の構成要
件の全てが示されていない場合に，刊行物の記載からの推測ないし類推をすること
によってはじめて構成要件が充足されると認識又は理解される発明は，特許法２９
条１項所定の文献に記載された発明ということはできない。
本件特許発明１の課題は，常時イオン照射により，基板１４表面に堆積された蒸
着分子が，基板１４の安定サイトに静止する前に再度励起され，薄膜の緻密が阻害
されることを改善し，緻密で良質な薄膜を得ることにある。
これに対し，引用発明１の課題は，従来型（ＩＡＤなし）の薄膜の微構造を修正
し，ＺｒＯ２薄膜の屈折率の不均質性を制御することにあるから，発明の解決課題
及び解決手段における技術思想が異なる。
審決は，このような事情を無視し，推測ないし類推を積み重ねて，相違点３は
実質的相違点ではないとした点において誤りがある。
したがって，相違点３に係る事項が甲１論文に記載されているとする審決の判
断は誤りである。
２取消事由２（相違点２に係る新規性判断の誤り）について
(1)甲１論文には成膜工程においてドーム及び基板が回転していることについ
て記載がないこと
甲１論文の主題であるＩＡＤによる膜質の変化においては，イオンが連続的
（常時）照射なのか，間欠照射なのかは，主題に関する重要な項目であり，
回転に関する直接的な記載がない場合には，ドーム及び基板は回転していないもの
と解するのが相当である。
取消事由１の(2)で述べたとおり，甲１論文にはドーム回転数の記載がないから，
膜物性の評価を研究の目的とする甲１論文の実験において，イオンビームがドーム
内周面の一部領域に照射されることを肯定するのであれば，膜物性の評価に支障を
生じるイオン照射の態様とならないよう，成膜時のドームの回転の存在は否定され
なければならない。
審決は，甲１論文の図１のドーム上の軸の周囲に描かれた矢印を本件特許発明１
の特徴的要件に恣意的に当てはめ，無理のある認定に至っているのである。
(2)甲１論文におけるドーム及び基板の回転を否定する記載
ア甲１論文においては，スライドガラスとシリコンウエハーが隣接しており，
蒸着条件を同一にするために回転するものでもないこと
甲１論文の５５４６頁には，「物性測定用基板としてスライドガラスとシリコン
ウエハーを選んだ。」「ＺｒＯ２の薄膜のouterとinnerの屈折率を計算するために，
分光光度反射率と透過率を測定した。」「ＳＥ分析に用いたこれらのＺｒＯ２薄膜は，
コーティングチャンバのスライドガラスに隣接して配置したシリコンウエハー上に
成膜した。」「従って，これらの薄膜は，分光光度計で測定したものと同じである。」
との記載がある。
分光光度計では透過を測定するため，基板は透明である必要があり，スライド
ガラスとシリコンウエハーのうち，透明であるのはスライドガラスであるため，分
光光度計で測定しているのはスライドガラスであり，シリコンウエハーはスライド
ガラスに隣接して蒸着条件を同一にしている。
甲１論文では，基板を隣接させることでシリコンウエハーとスライドガラスの
膜の蒸着条件を同じにしており，上記の「これらの薄膜は，分光光度計で測定した
ものと同じである。」とは，隣接したシリコンウエハー上のＺｒＯ２薄膜とスライ
ドガラス上のＺｒＯ２薄膜が同じ条件で成膜されていることを意味している。
甲１論文における調査対象は，隣接して配置されたスライドガラスとシリコンウ
エハーであり，隣接されたスライドガラスとシリコンウエハーについて成膜条件を
同一にすれば足りるため，複数の基体を回転させる必要はない。
むしろ，甲１論文には，物性測定用基板として選んだスライドガラスとシリコン
ウエハーの各基板間の成膜条件を均一にするための具体的手段として，成膜中にド
ームを回転させずに隣接させることが明確に読み取れるものというべきである。
イ甲１論文の図１のドームは回転不能な仕組みであること
甲１論文の図１に示される「水晶膜厚計」はチャンバに固定してあり，かつ，
ドームの外側から内側に挿入されている。同様に，同図の「熱電対」もチャンバに
固定してあり，ドームの外側から内側に挿入されている。以上により，甲１論文の
ドームは回転不能な仕組みを持つことが明らかである。
ウ甲１論文の図１における半楕円状の領域は基板ではないこと
仮に，甲１論文の図１のドーム両端に描かれた半楕円状の領域が基板であると
すれば，甲１論文で選ばれているスライドガラスとシリコンウエハーは平板である
ため，半楕円形部分の上部は直線となるはずである。しかしながら，図１では直線
ではなく曲線で示されていることから，半楕円形部分は基板ではない。よって，半
楕円形部分が基板であるという被告の主張は失当である。
(3)ChangKwonHWANGBOandHyunJuCHO,"IonAssistedDepositionof
TiO2ThinFilmsbyKaufmanandGridlessIonSources",TheReviewofLaser
EngineeringAppliedOptics,Vol.24,No.1,p.103-109(甲１２。以下「甲１
２論文」という。)からもドームの回転が否定されること
甲１２論文は，甲１論文と同著者の論文であることから，甲１２論文の図面の
意味を検討する。
甲１２論文においては，蒸着粒子及び衝突イオンの入射角度はそれぞれ２０°，
２９°と記載されていることから，蒸着粒子及び衝突イオンの入射角度は固定され
ている。ドームが回転し，かつ，蒸発源，イオン源のレイアウトがオフセットして
いる場合には，蒸着粒子及び衝突イオンの入射角度は回転に伴い変化することにな
る。よって，蒸着粒子及び衝突イオンの入射角度が固定されており，蒸発源，イオ
ン源のレイアウトがオフセットされていることから，ドームが成膜中に回転するこ
とはあり得ない。
(4)審決の認定は新規性の判断において許されない「推測ないし類推」に基づ
くこと
甲１論文には，以上のとおり，成膜工程において，ドームが回転していること
の開示も示唆もないにもかかわらず，審決は，甲１論文の図１のドーム上の軸の周
囲に描かれた矢印を，本件特許発明１の特徴的要件に恣意的に当てはめたものであ
る。
本件特許出願前の文献（特開平５－１０６０４０号公報，甲１９号証。以下
「甲１９公報」という。）において，従来技術として，光学膜厚モニタが駆動軸を
有し，回転機構を有していることが記載されていることに照らせば，甲１論文の矢
印が示しているのはドームを支える軸部の回転ではなく，「opticalthickness
monitor」（光学膜厚モニタ）の回転機構の回転を示しているものとみるべきである。
３取消事由３（相違点６に係る新規性判断の誤り）
取消事由１と同様の理由により，甲１には「成膜アシスト手段」について，イ
オンが基体保持面の一部の領域に向けて照射可能であり，回転している前記基体保
持面に対して前記イオンを連続して照射することによって，前記基体保持面の回転
に伴って移動している基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されて
いないときとが確保されるように前記イオンを照射可能となるような構成，配置及
び／又は向きで真空容器内に設置されることが記載されているといえるとする審決
の認定は，事実誤認であり，審決は特許法２９条１項３号を誤って適用したもので
ある。
４取消事由４（相違点５に係る新規性判断の誤り）
取消事由２と同様の理由により，甲１論文には，成膜工程において複数の基体
が回転していることについて開示も示唆もなく，むしろ，甲１論文は，成膜工程に
おいて複数の基体が回転していることを否定する記載を含むものであるから，甲１
論文の図１のドーム上の軸の周囲に描かれた矢印のみをもって，引用発明２におい
て，基体保持手段は回転可能に配設されており，その回転により，基体保持手段の
基体保持面に保持されている複数の基体は回転していると解するのが合理的である
とする審決の認定は，事実誤認に基づくものであり，審決は特許法２９条１項３号
を誤って適用したものである。
第４被告の反論
１取消事由１（相違点３に係る新規性判断の誤り）について
(1)正規化イオン運動量Ｐの技術的意義と甲１論文記載のイオンの照射態様に
ついて
甲１論文には，「イオンエネルギーとイオン電流密度は，それぞれ250-750eV及
び0－25μA/cm２
の範囲で変動させた。」との記載がある。甲１論文の実験において，
イオンソースを制御するパラメータは，「イオンエネルギー」と「イオン密度」の
２つである。この２つのパラメータの値は，成膜材料や基板とは何ら関係なく，単
に，イオンソースから射出されるイオンビームの特徴を示すものである。すなわち，
イオンが基板に照射されているかどうかとは関係なく，成膜工程中においてイオン
エネルギー及びイオン密度は，イオンソースにおいて設定された値に保持される。
甲１論文の５５４６頁左欄１～４行には，「正規化されたアルゴンイオン運動
量・・・は，成長中の膜に移行される。」との記載があるが，これは，正規化され
たアルゴンイオン運動量Ｐが，ある基板について，イオンが照射されている際に，
イオンからその基板上の成膜材料に移行される運動量を，イオンソースの２つのパ
ラメータ（イオンエネルギー及びイオン電流密度）の値に基づいて計算したもので
あることを示している。このように，イオン電流密度Ａの測定に依存するイオン到
達率Ｃは，基板に向けてイオンが照射されている状態での値であるから，成膜処理
中にイオン電流密度Ａが一定であっても，基板に向けてイオンが照射されていない
状態ではイオン到達率Ｃは当然にゼロとなる。したがって，正規化イオン運動量Ｐ
が，イオンエネルギーとイオン電流密度だけで決まる値であるとする原告の主張は
失当である。
甲１論文に示された正規化されたアルゴンイオン運動量Ｐの値（０～１．４２
MeV/c）は，イオンソースのイオンエネルギー及びイオン電流密度を，それぞれ
250-750eV及び0-25μA/cm2
の範囲で変動させた場合における，イオンが基板に照
射されている際の値であり，ある基板について，イオンが照射されていない時は，
イオンからその基板上の成膜材料に移行される運動量は存在し得ないから，正規化
されたアルゴンイオン量Ｐはゼロとなる。
正規化イオン運動量Ｐは，イオンが基板に照射されている際の値にすぎず，イ
オン電流密度Ａ及びアルゴンイオンのエネルギーＥiが甲１論文に記載された最大
値である場合において，イオンが基板に照射されている際に，正規化イオン運動量
Ｐが１．４２MeV/cであることを示すにすぎないから，イオンが基板に照射されて
いなときを考慮して，最大量１．４２MeV/cを実現するためには，イオンの照射態
様は，基体に到達した蒸着粒子に，常時イオン照射される態様に限定されるとする
原告の主張は失当である。
(2)ドームの回転を認める限りは一部照射は否定されるべきとの主張について
原告は，甲１論文の研究目的が膜物性の評価であることから，ドームの回転数
の設定値いかんで膜物性の評価に影響を与えるイオン照射の態様は否定されるべき
であると主張する。しかし，甲１論文の図１に「光学膜厚モニタ」や「水晶膜厚モ
ニタ」が記載されていることから明らかなとおり，甲１論文の実験において，成膜
を終了させるタイミングは，これらのモニタによって測定された膜厚が目標とする
膜厚に到達したときであり，原告の主張には理由がない。
(3)カウフマンイオンビームの広狭についての甲２論文の解釈について
原告が挙げる甲２論文の記載は，最も一般的なタイプのイオンソースのイオン
ビームの照射範囲が広いことを示しているにすぎず，カウフマンソースのイオンビ
ームの照射範囲が広いことを示すものではない。仮に，甲２論文の記載がカウフマ
ンソースのイオンビームの照射範囲が狭いことを示すものであったとしても，甲２
論文の記載には比較対象が示されておらず，広さの程度は不明である。
他方，W.T.Pawlewiczetal.,"Low-energyhigh-fluxreactiveion
assisteddepositionofoxideopticalcoatings:performance,durability,
stabilityandscalability",Proc.SPIE,TheInternationalSocietyfor
OpticalEngineering,1994,Vol.2262,p.2-13（甲３号証（４頁の表３））及び
甲１２論文の記載によれば，本件特許出願の出願時において，カウフマン型イオン
ソースによるイオンビームの照射範囲が，エンドホールイオンソースによるイオン
ビームの照射範囲に比較して狭い（鉛筆のようなものである）ことは，技術常識で
ある。
甲１論文には，イオンビームの照射範囲がドーム内周面の一部領域であること
が記載され,カウフマン型イオンソースが用いられたことが記載されている。
かかる甲１論文の記載及び技術常識に鑑みれば，甲１論文の図１の記載に接し
た当業者は，甲１論文に記載の実験（ＩＡＤ）において，イオンビームの照射範囲
が，ドームの内周面の一部領域であると理解する。
また，「基体保持手段の基体保持面に保持されている複数の基体が回転している
こと」は，相違点２に関する主張で述べるとおり，甲１論文に記載されているに等
しい事項である。新規性の判断において，「刊行物に記載された発明」とは，刊行
物に記載されている事項のみならず，出願時の技術常識を参酌することにより刊行
物に記載されているに等しいと認められる事項を含むものである。
そうすると，イオンビームの照射範囲がドーム内周面の一部の領域であり，か
つ，成膜時にドームが回転するということは，ドーム内周面に保持されている基板
にイオンが照射されているときと照射されていないときが確保されるようにイオン
が照射されることになり，相違点３に係る構成は甲１に記載されているに等しい事
項である。
２取消事由２（相違点２に係る新規性判断の誤り）について
(1)甲１論文には成膜工程においてドーム及び基板を回転させることの記載が
ないとの主張について
甲１論文の図１には，ドームを支える軸部が回転することを示す矢印が記載さ
れている。また，甲１論文の図１には，「基板」（substrate）と示された楕円状の
領域と，半楕円状の領域とが記載されている。また，甲１論文には，「複数」のス
ライドガラスと「複数」のシリコンウエハーが物性測定用基板として選ばれたこと
が記載されている。
特開２００６－４５６３２号公報（乙２）及び特開２００７－２４８８２８号
公報（乙３）から明らかなように，本件特許出願の出願時において，ドーム状の基
板ホルダに複数の基板を保持させること及び各基板の成膜条件が均一となるように
基板ホルダを回転させることは技術常識である。
以上に照らすと，ドーム状の基板ホルダに複数の基板を保持させることが技術
常識であったから，甲１論文における「基板」と示された楕円状の領域及び半楕円
状の領域が示されていることの記載，及び，「複数」のスライドガラスと「複数」
のシリコンウエハーが物性測定用基板として選ばれたことの記載に接した当業者は，
甲１論文記載のドーム内周面には，複数の基板が保持されていると理解する。
また，各基板の成膜条件が均一となるように基板ホルダを回転させることが技
術常識であったから，甲１論文における，ドームを支える軸部が回転することを示
す矢印の記載に接した当業者は，甲１論文に記載のドームは成膜時に回転されると
理解する。
したがって，相違点２に係る構成「『基体保持手段の基体保持面に保持されてい
る複数の基体』が回転していること」は，甲１論文に記載されているに等しい事項
である。
(2)甲１論文におけるドームの回転を否定する記載について
ア蒸着条件を同一にするために回転するものではないとの主張について
原告は，甲１論文の「これらの薄膜」は，シリコンウエハー上のＺｒＯ２薄膜と
分光光度計で測定したスライドガラス上のＺｒＯ２薄膜を指すものであると主張し
ている。
しかし，甲１論文の「これらの薄膜」とは，シリコンウエハー上のＺｒＯ２薄膜
を指すものである。甲１論文の「これらの薄膜」の一つ前の文「ＳＥ分析に用いた
これらのＺｒＯ２薄膜は，コーティングチャンバのスライドガラスに隣接して配置
したシリコンウエハー上に成膜した。」（訳文３頁４行～６行）において「薄膜」と
して記載されているのは，「これらのＺｒＯ２薄膜」のみである。仮に，原告の主
張に従うと，甲１論文における「これらの薄膜は，分光光度計で測定したものと同
じである。」（訳文３頁６～７行）との記載は，「Ａシリコンウエハー上のＺｒＯ
２薄膜と，Ｂ分光光度計で測定したスライドガラス上のＺｒＯ２薄膜は，分光光
度計で測定したものと同じである。」となり，分光光度計で測定したものが分光光
度計で測定したものと同じであるという意味不明の記載になる。したがって，甲１
の上記記載に接した当業者は，「これらの薄膜」は，「シリコンウエハー上のＺｒＯ
２薄膜」であると理解する。
したがって，原告の主張はその前提を誤っている。
イドームは回転不能な仕組みを持つとの主張について
甲１論文の図１及び本文には，水晶膜厚計や熱電対がドームに挿入されている
ことを示す記載はないし，ドームに穴が開いていることや，ドームに水晶膜厚計及
び熱電対が挿入されていることを示す記載もない。甲１論文の図１には，ドームが
回転するのであるから，水晶膜厚計及び熱電対がドームの回転を妨げない位置に設
けられていることは当然である。
平成７年３月１０日に刊行された特開平７－６３９０３号公報（乙４）及び平成
１７年１月２０日に刊行された特開２００５－１７２１１号公報（乙５）に開示さ
れているように，回転する基板保持手段（ドーム）に挿入されずに，基板保持手段
の外周縁に近接する位置に水晶膜厚計が設けられた構成は，本件特許の出願時にお
いて技術常識である。
また，平成１４年１０月３日に刊行された特開２００２－２８６９３７号公報
（乙６。以下「乙６公報」という。）及び平成２０年８月１４日に刊行された特開
２００８－１８４６２８号公報（乙７。以下「乙７公報」という。）に開示されて
いるように，回転する基板保持手段（ドーム）に挿入されずに，成膜材料の蒸発源
から見て基板保持手段の反対側に熱電対が設けられた構成は，本件特許の出願時に
おける技術常識である。
したがって，甲１論文の図１に接した当業者は，水晶膜厚計及び熱電対が，ドー
ムに挿入されずに，その外側に設けられていると合理的に理解する。
ウ甲１論文の図１における半楕円状の領域は基板ではないとの主張について
甲１論文のドームに記載されている１つの楕円及び２つの半楕円がいずれも基板
の設置位置を示すことは，甲１論文の著者であるチャン・クオン・ホワンボン教授
の陳述書（乙８）から明らかである。
(3)甲１２論文からもドームの回転が否定されるとの主張について
原告は，甲１２論文において蒸着粒子及び衝突イオンの入射角度がそれぞれ２
０°及び２９°であることが記載されていることを根拠に，甲１２論文の実験では，
蒸着粒子及び衝突イオンの入射角度は固定されており，ドームは成膜中に回転して
いないと主張する。
しかし，甲１２論文の図１には，甲１論文の図１と同様に，「ドームを支える軸
部が回転することを示す矢印」が明示されている。
さらに，イオンビームの照射範囲がドーム内周面の一部領域（１つの基板が保持
された領域）であることが示されていることからすれば，甲１２論文の入射角度に
ついての記載は，ドームが回転している状態で，かつ，イオンビームが照射されて
いる状態におけるものであると解される。ドームが回転している状態で，かつイオ
ンビームが基板に照射されていない状態においては，そもそも衝突イオンの入射角
度は存在しないのであるから，当然である。
(4)審決の判断は推測ないし類推に基づくものであるとの主張について
上記(1)で述べたとおり，相違点２に係る構成「『基体保持手段の基体保持面に保
持されている複数の基体』が回転していること」は，甲１論文に記載されているに
等しい事項であり，推測ないし類推に基づくものではない。
甲１９公報の図１に示されるように，甲１９公報において，回転機構であるス
テッピングモータ３３は，ドーム３２の外側に設けられたモニター基板２１を回転
させるためのものであり，ドーム３２の中心軸からはずれた位置に設けられ，その
回転軸はドーム３２に連結されるものではない。他方，甲１論文の図１における軸
部は，ドームの中心軸上に設けられ，ドームに連結され，ドームを貫通している。
甲１９公報の回転機構の軸部と甲１論文の図１における軸部は，ドームとの位置関
係が明らかに異なっており，甲１９公報の回転機構が甲１論文の回転機構と同様の
ものであるとはいえない。
原告は，甲１９公報の記載に基づいて，甲１論文の矢印が示しているのはドー
ムを支える軸部の回転ではなく，光学膜厚モニタの回転機構の回転を示していると
主張するが，甲１９公報でステッピングモータ３３が回転させているのは，膜厚モ
ニタ全体ではなく，膜厚モニタ内のモニタ基板２１のみである。したがって，甲１
９公報の記載が，甲１論文の図１の軸部が膜厚モニタ全体を回転させていることの
根拠とはならない。また，甲１論文の図１において，軸部が膜厚モニタ全体を回転
させているのであれば，そもそも，その回転自体が全く技術的な意味を有しない。
３取消事由４（相違点５に係る新規性判断の誤り）について
取消事由２についての主張と同様，審決における相違点５に係る新規性判断に
誤りはない。
４取消事由３（相違点６に係る新規性判断の誤り）について
取消事由１についての主張と同様，審決における相違点６に係る新規性判断に
誤りはない。
第５当裁判所の判断
事案の内容に鑑み，取消事由２から判断する。
１取消事由２（相違点２に係る新規性判断の誤り）について
(1)甲１論文におけるドーム及び基体の回転の有無について
原告は，イオンが常時照射か間欠照射かは主題に関する重要な項目であるから，
回転に関する直接的な記載がない場合には，ドーム及び基板は回転していないもの
と解するのが相当であると主張する。
ア甲１論文の記載内容
甲１論文は，本件特許の出願日より前の平成８年１０月に刊行された，「イオン
アシスト蒸着により作製したＺｒＯ２薄膜の光学的不均質性と微細構造」と題する
論文である（以下の訳文は甲４号証による。）。
甲１論文には以下の記載がある。
「一般的に，光学薄膜は材料融点に比べて比較的低い基板温度で成膜し，蒸発粒
子が基板上で凝縮するとき熱力学的に不安定である。低い熱エネルギーをもった到
達粒子の移動度は，緻密な膜構造を達成するには不十分である。その結果，その光
学薄膜は多孔質であり，柱と空隙からなる柱状微細構造を有する。この柱状微細構
造は光学特性の変化，真空－空気スペクトルシフト，異方性，及び低充填密度のよ
うな多くの好ましくない影響をもたらす。従って，薄膜の光学的特性及び機械的特
性は，対応するバルク材料に比べて劣る。ＺｒＯ２は硬く，耐久性があり，電子ビ
ーム照射により容易に蒸発させることができるので，光学多層膜の高屈折材料とし
てよく用いられる。しかし，ＺｒＯ２薄膜の光学的特性は，基板温度，蒸着速度，
酸素分圧，及び薄膜作製方法のような蒸着条件に依存する。また，ＺｒＯ２薄膜の
屈折率は薄膜の成長とともに不均質になる。即ち，空気に隣接した薄膜の屈折率が
基板周辺より小さくなること，が知られている。」（訳文１頁２０行～３０行（空白
行を含む。以下同じ。））
「イオンアシスト蒸着（ＩＡＤ）法は，付加的なイオン源からの高エネルギーイ
オンビームを基板上に成長する薄膜に衝突させる成膜法である。ＩＡＤ法は薄膜の
柱状構造を崩壊し，金属酸化物薄膜の光学的，機械的特性を向上させる方法として
広く用いられてきた。この研究動機はＩＡＤであり，それは薄膜の微構造を修正す
るものであり，ＺｒＯ２薄膜の屈折率の不均質性の制御に利用できるものである。
本論文の目的は，ＺｒＯ２薄膜の屈折率と微構造に於ける不均質性に於いてアルゴ
ンイオン衝撃の効果を研究することである。ＺｒＯ２薄膜の光学的及び構造的特性
は，正規化されたアルゴンイオン運動量の見地から述べられ，これは成長中の膜に
移行される運動量である。」（訳文１頁３７行～４４行）
「２．実験
ＺｒＯ２（錠剤形状，Ｍｅｒｃｋ社製）は，図１に示されるように，クライオポ
ンプを備える７００ｍｍの箱形成膜装置の中で電子ビームによって蒸着した。基本
真空度はおよそ８×１０－７
Ｔｏｒｒであった。蒸着速度は０．３ｎｍ／秒，基板
温度は１２０℃，膜厚はおよそ５００ｎｍであった。物性測定用基板としてスライ
ドガラスとシリコンウエハーを選んだ。
ＩＡＤに於いて，口径５ｃｍの熱陰極型カウフマンイオン源（ＩｏｎＴｅｃｈ
社製）を用いた。３ＳＣＣＭ（ＳＣＣＭとは，標準状態における１分当たりの立方
センチで表したガス流量を意味する）のアルゴンガスを衝撃用ガス種として放電チ
ャンバーに導入し，基板表面が陽イオンによって帯電するのを防ぐために４ＳＣＣ
Ｍのアルゴンガスをプラズマブリッジ中和装置に導入した。アルゴンイオンによる
膜中酸素の優先スパッタによる膜中酸素欠損を補償するため，３０ＳＣＣＭの酸素
ガスをチャンバーに導入した。イオンエネルギーとイオン電流密度は，それぞれ２
５０－７５０ｅＶ及び０－２５μＡ／ｃｍ２
の範囲で変動させた。成膜基板は成膜
直前に，５００ｅＶ，４０μＡ／ｃｍ２
でアルゴンイオンビームにより５分間スパ
ッタクリーニングした。
ＩＡＤ法による薄膜の光学的，構造的特性は，イオンエネルギーやイオン電流密
度のようなイオンビームの主要パラメータに依存する。イオン衝撃による光学薄膜
の緻密化は，衝突イオンから基板に到達する粒子への運動量の移行と，粒子の前方
カスケード散乱のためである。この意味で，イオン衝突の効果は正規化イオンの運
動量Ｐの関数として表され，以下式で定義される。
Ｐ＝γ（２ｍｉＥｉ）１／２
,（１）
ここで，γは蒸発粒子に対するアルゴンイオンの到達割合の比率，ｍｉはアルゴ
ンイオンの質量，Ｅｉはアルゴンイオンのエネルギーである。本実験では，Ｐが０
から１．４２ＭｅＶ／ｃの範囲で変化させた。ここで，ｃは真空中の光の速さであ
る。従来の方法による薄膜では，Ｐが０である。
ＺｒＯ２薄膜のouterとinnerの屈折率を計算するために，分光光度反射率と透
過率を測定した。膜中の空隙量を調べるために，分光エリプソメトリーを用いた。
単層膜と多層バンドパスフィルターの真空－空気スペクトルシフトは光学マルチチ
ャネル検出器を用いて測定した。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて断面を調べ
た。Ｘ線回折法（ＸＲＤ）を用いて，薄膜の結晶相と応力を調べた。Ｘ線光電子分
光法（ＸＰＳ）と原子間力顕微鏡法（ＡＦＭ）を用いて，それぞれ薄膜の化学的特
性と表面粗さを調べた。」（訳文１頁下から５行～２頁２６行）
「Ｂ．分光エリプソメトリー
ＳＥ分析においては，三種の薄膜，即ち，従来の方法による薄膜１種とＰ＝０．
７８ＭｅＶ／ｃとＰ＝１．２５ＭｅＶ／ｃでのＩＡＤ法による薄膜２種をそれぞれ
選んだ。図３に示すように，選択したＩＡＤ法による薄膜の平均屈折率は従来の方
法による薄膜より大きく，図４に示すようにその不均質性比はそれぞれほぼゼロか
正であることが，選択の理由である。ＳＥ分析に用いたこれらのＺｒＯ２薄膜は，
コーティングチャンバのスライドガラスに隣接して配置したシリコンウエハー上に
成膜した。従って，これらの薄膜は，分光光度計で測定したものと同じである。」
（訳文２頁末行～３頁７行）
イ引用発明の内容
上記アの記載によれば，引用発明は，イオンアシスト蒸着（ＩＡＤ）法に関す
るものであり，以下の内容を有する。
イオンアシスト蒸着（ＩＡＤ）法は，付加的なイオン源からの高エネルギーイ
オンビームを基板上に成長する薄膜に衝突させる成膜法である。ＩＡＤ法は薄膜の
柱状構造を崩壊し，金属酸化物薄膜の光学的，機械的特性を向上させる方法として
広く用いられてきた。
実験は，図１に示されるクライオポンプを備えた７００ｍｍの箱形成膜装置を
用いて行った。ＺｒＯ２（錠剤形状，Ｍｅｒｃｋ社製）を電子ビームによって蒸着
させ，基板に供給する。基本真空度はおよそ８×１０－７
Ｔｏｒｒ，成膜速度は０．
３ｎｍ／秒，基板温度は１２０℃，膜厚はおよそ５００ｎｍであった。物性測定用
基板としてスライドガラスとシリコンウエハーを選んだ。
アルゴンイオン照射用のイオン源には，口径５ｃｍの熱陰極型カウフマンイオ
ン源（ＩｏｎＴｅｃｈ社製）を用いた。３ＳＣＣＭのアルゴンガスを衝撃用ガス
種として放電チャンバーに導入し，イオンエネルギーとイオン電流密度は，それぞ
れ２５０－７５０ｅＶ及び０－２５μＡ／ｃｍ２
の範囲で変動させた。
イオン衝突の効果は上記の正規化イオンの運動量Ｐの関数として表され，以下
式で定義される。
Ｐ＝γ（２ｍｉＥｉ）１／２
,（１）
ここで，γは蒸発粒子に対するアルゴンイオンの到達割合の比率，ｍｉはアルゴ
ンイオンの質量，Ｅｉはアルゴンイオンのエネルギーである。本実験では，Ｐが０
から１．４２ＭｅＶ／ｃの範囲で変化させた。ここで，ｃは真空中の光の速さであ
る。従来の方法による薄膜では，Ｐが０である。
ウ上記イの引用発明の内容中には，ドーム内周面の「全域に向けてＺｒＯ２を
供給することによって前記内周面に保持されている複数の基板のすべてに対してＺ
ｒＯ２を供給する」ことは明記されていないが，甲１論文の図１（別紙参照）にお
いては，電子ビーム照射によって蒸発したＺｒＯ２がドーム全域に拡がる様子が矢
印を付した丸印で示されており，また，その拡がる範囲を示すものと理解される２
本の直線が，電子銃の発射口のほぼ両端とドームの両端を結ぶ線で示されており，
これらによれば，ドーム内周面の全域に向けてＺｒＯ２が供給されており，複数の
基板はすべてドーム内に存在するように描かれているから，ＺｒＯ２はドーム内周
面の全域に向けて供給され，これによってＺｒＯ２はドーム内周面に保持されてい
る複数の基板のすべてに対して供給されているものと認められる。
以上によれば，甲１論文には，本件特許発明１中の「基体保持手段の基体保持面
の全域に向け成膜材料を供給することによって前記基体保持面に保持され回転して
いる複数の基体のすべてに対して前記成膜材料を連続して供給するとともに，前記
イオンを照射することによるイオンアシスト効果を与えながら，すべての基体の表
面に薄膜を堆積させることを特徴とする成膜方法」に対応するものとして，「ドー
ムの内周面に向けＺｒＯ２を供給することによって前記内周面に保持されている複
数の基板に対して前記ＺｒＯ２を供給するとともに，前記内周面に向けてイオン照
射可能となる熱陰極型カウフマンイオン源を用い，前記内周面に対して前記イオン
を照射することによって，前記基板に対してイオンを照射することによるイオンア
シスト効果を与えながら，前記基板に膜厚およそ５００ｎｍのＺｒＯ２膜を成膜す
る方法。」（引用発明１うちの対応部分）が記載されている。
そうすると，引用発明１と本件特許発明１との相違点２は審決が認定するとお
り，「本件特許発明１は，『基体保持手段の基体保持面に保持されている複数の基体』
が回転しているのに対し，引用発明１は，『基体保持手段の基体保持面に保持され
ている複数の基体』が回転しているのか不明である点。」と把握される。
エ審決が認定した上記相違点２について，原告は，甲１論文には成膜工程にお
いてドーム及び基体が回転していることが記載されていないから，ドーム及び基体
は回転していないものと認定すべきであり，審決が引用発明は複数の基体が回転し
ているか不明であると認定したのは誤りであると主張する。
ところで，甲１論文の図１にはドームとつながる軸の周囲に，軸の回転を示す
と解される軸周りを囲む円形状の矢印が左回りに描かれており，原告は，これを，
ドームの回転軸の回転を示すものではなく，光学膜厚モニタの回転機構の回転を示
すものであると主張する。
そこで，甲１論文の図１に記載された矢印が本件特許出願当時において，当業者
にどのように理解されるかについて検討する。
(ア)本件特許出願前の平成１８年２月１６日に刊行された特開２００６－４５
６３２号公報（乙２）には，以下の記載がある。
「【０００１】
本発明は蒸着装置に係り，特に真空槽内で原料を加熱して生じた原料蒸発物を
基体に付着させて薄膜を形成させる蒸着装置に関する。
【０００２】
薄膜，例えば光学薄膜を形成する技術として，イオンビームアシスト蒸着法
（以下，「ＩＡＤ」という。）や，イオンプレーティング法（以下，「ＩＰ」という。）
が知られている。
【０００３】
ＩＡＤは，イオン銃を用いてイオンを基体へ向けて照射しながら，真空槽の底
面に配置された蒸着源から薄膜の原料物質を蒸発させ，この蒸発物を基板へ堆積さ
せる蒸着方法である（例えば，特許文献１）。ＩＡＤでは，比較的高い圧力の真空
状態でイオンを発生させて，このイオンを比較的低い圧力の成膜室に導き出してい
るため，成膜室を低い圧力に維持した状態で蒸着を行うことができる。
【０００４】
ＩＰは，例えば蒸着源と基板との間にプラズマを発生させる励起手段（高周波
コイル）を設けて，この励起手段によってプラズマを発生させながら蒸着を行う
（例えば，特許文献２）。ＩＰでは，低いエネルギーで高密度のイオンを利用して
蒸着を行うことができる。
【０００５】
また，図９に示すように，ＩＡＤ，ＩＰいずれの場合でも，従来の蒸着装置で
は，成膜の効率化のために，蒸着源１２０から離れた位置に設置された円盤状（あ
るいはドーム状）の基体ホルダ１１３に，多数の基板Ｓを保持させて，これらの多
数の基板Ｓに対して同時に膜形成を行うようにしているのが一般的である。このと
き，蒸着源１２０から発生する蒸発物を，各基板Ｓに対して満遍なく堆積させる必
要があるために，基体ホルダ１１３を回転させながら蒸着を行うとともに，基体ホ
ルダ１１３と蒸着源１２０との距離をある程度離間させた状態で蒸着を行っていた。
すなわち，従来の蒸着装置では，基体ホルダ１１３と蒸着源１２０との距離をｈ，
基体ホルダ１１３の直径をｄとすると，ｈ／ｄの値が１以上となるような位置関係
で，基体ホルダ１１３と蒸着源１２０が設けられていた。また，同じく蒸着源１２
０から発生する蒸発物を各基板Ｓに対して満遍なく堆積させるために，基体ホルダ
１１３を１０～１００ｒｐｍの回転速度で回転させて，基板を公転させながら蒸着
を行っていた。」
(イ)本件特許出願前に刊行された特開２００７－２４８８２８号公報（乙３。
以下「乙３公報」という。）には，以下の記載がある。
「【００２０】
図１は本発明の一実施例である光学薄膜形成装置の概念図である。この図で符
号１０は真空容器であり，図示しない排気手段によって所定の圧力（例えば３×１
０－２
～１０－４
Ｐａの程度）に排気される。この真空容器は縦置き円筒状であり，そ
の内部の上方には球面状のステンレス製の基板ホルダ１２が垂直軸回りに回動可能
に保持されている。この基板ホルダ１２の下面には多数の基板１４が薄膜形成面を
下向きにして固定されている。基板１４は形状が板状あるいはレンズなどに加工さ
れたガラスや樹脂である。
【００２１】
基板ホルダ１２の中心に設けた開口には光学モニタ１６および水晶モニタ１８
が配設されている。光学モニタ１６は基板１４と同じ材料で作られた透明な板であ
り，真空容器１０の上方に設けたミラーユニット２０によって，投光器２２から供
給される光を光学モニタ１６に導き，この光学モニタ１６の反射光をミラーユニッ
ト２０を介して分光器２４に導き，一定波長の光強度から膜厚検出部２６で光学膜
厚を検出するものである。また水晶モニタ１８は，その表面に薄膜が付着すること
による共振周波数の変化から物理膜厚を膜厚検出部２６で検出する。膜厚の検出結
果は，コントローラ２８に送られる。
【００２２】
基板ホルダ１２の上方には電気ヒータ３０が配設されている。基板ホルダ１２
の温度は熱電対などの温度センサ３２で検出され，その結果はコントローラ２８に
送られる。コントローラ２８はこの温度センサ３２の出力を用いて電気ヒータ３０
を制御して基板１４の温度を適切に管理する。
【００２３】
真空容器１０の内部の下方には，高屈折率物質（ＴｉＯ２）蒸発手段である蒸発
源３４，低屈折率物質（ＳｉＯ２）の蒸発手段である蒸発源３６，イオン銃３８が
配設されている。蒸発源３４，３６は電子ビーム加熱方式によって高屈折率物質や
低屈折率物質を加熱し蒸発させる。イオン銃３８は反応性ガス（Ｏ２など）や希ガ
ス（Ａｒなど）のプラズマから帯電したイオン（Ｏ２
＋
，Ａｒ＋
）を引出し加速電圧
により加速して基板１４に向けて射出する。」
「【００２６】
・・・真空容器１０内に基板１４を固定した基板ホルダ１２をセットし，真空容
器１０内を所定圧力まで排気する。その後電気ヒータ３０を発熱させ，基板ホルダ
ー１２を低速で回転させる。この回転によって多数の基板１４の温度と膜形成条件
とを均一化する。」
(ウ)以上の各公報（乙２，３）の記載によれば，本件特許の出願当時において，
イオンアシスト蒸着法（ＩＡＤ）は技術常識であり，また，イオンアシスト蒸着法
又はこれに近接する技術であるイオンプレーティング法において，基板ホルダ（本
件特許発明１の「ドーム」に相当する。）に保持された複数の基板を基板ホルダを
回転させることによって回転させ，膜形成条件を均一化する技術もまた，技術常識
であったと認められる。
原告は，甲１９公報の記載を挙げて，甲１論文の図１に示された矢印はドーム
の回転軸の回転を示すものではなく，光学膜厚モニタの回転機構の回転を示すもの
であると主張する。しかし，甲１９公報において原告が光学膜厚モニタの回転機構
の回転軸であるとするステッピングモータにつながる回転軸は，モニタ基板を支持
するものであって，ドームを支持するものではない。したがって，甲１９公報と同
一の技術が甲１論文に採用されているものとみることはできない。甲１論文におい
て矢印が付された軸は，ドームの中心線上に位置するものであり，他にドームを支
える軸が図示されていない以上，ドームを支える軸であり，これが回転することに
よってドームが回転することを示しているものとみるのが相当である。
原告は，また，膜物性の評価を研究目的とする甲１論文の実験において，イオ
ンビームがドームの内周面の一部領域に照射されることを肯定するのであれば，膜
物性の評価に影響するイオン照射の態様とならないよう成膜時のドームの回転は否
定されなければならないと主張する。しかし，甲１論文の研究目的に応じて，膜物
性の評価に支障を生じないようなドームの回転数を定めることは当業者が技術的に
当然のこととして理解できるものと解されるから（例えば，薄膜の膜質改善のため
にイオンビームによるイオンアシスト効果をもたらす本件特許発明の明細書におい
ても，イオン照射は一部の領域にしかされないにもかかわらず，基体保持面の回転
数については明細書に記載がない。），甲１論文の実験目的から，直ちにドームの回
転が否定されるべきものではない。
(2)その他の原告の主張について
ア甲１論文においては，スライドガラスとシリコンウエハーが隣接しており，
成膜条件を同一にするために回転するものではないとの主張について
原告は，甲１論文における「ＺｒＯ２の薄膜は，コーティングチャンバのスライ
ドガラスに隣接して配置したシリコンウエハーの上に成膜した。」等の記載から，
スライドガラスとシリコンウエハーは基板を隣接することで成膜条件を同一にして
おり，基板の回転により成膜条件を同一にする必要はないから，基板を保持するド
ームが成膜中に回転しないことが明確に読み取れると主張する。
しかし，甲１論文の「ＳＥ分析に用いたこれらのＺｒＯ２薄膜は，コーティング
チャンバのスライドガラスに隣接して配置したシリコンウエハー上に成膜した。」
（訳文３頁４～６行）との記載から明らかなとおり，ＳＥ分析においては，スライ
ドガラス上ではなく，シリコンウエハー上の薄膜が分析対象とされている。これに
対し，分光光度法においては，基板として透明のスライドガラスを使用しているも
のと理解される。甲１論文における「従って，これらの薄膜は，分光光度計で測定
したものと同じである。」（訳文３頁６～７行）との記載は，分光光度法で測定した
スライドガラス上の薄膜とＳＥ分析法で測定したシリコンウエハー上の薄膜が，両
基板が隣接していることにより同一の成膜条件で成膜されたことを記載しているも
のと解される。したがって，少なくとも，ＳＥ分析に用いられたシリコンウエハー
と分光分析に用いられたスライドガラスは隣接しているから，それらに関する限り
は，蒸着条件を同一にするために回転する必要はないといえる。しかし，複数の基
板が相互に一定の距離をもって離れている場合があることは甲１論文の図１から明
らかであるから，後に取消事由１で判断するとおり，イオン照射の範囲が限定され
ていることに照らせば，蒸着条件を同一にするためにドーム及び基板を回転するこ
とは合理的であると認められ，特定の測定法の対象としてスライドガラスとシリコ
ンウエハーが隣接していたからといって，基板全体が回転しないことまでを意味す
るものではないというべきである。原告の主張を採用することはできない。
イ回転不能な仕組みとの主張について
甲１論文の図１は，装置を側面から見た場合の概略図であって，水晶膜厚計及
び熱電対がドーム付近に設置されていることを示すにとどまり，その正確な配置関
係まで記載したものとは解されない。したがって，同図１からは，水晶膜厚計及び
熱電対がドームの上部付近に固定されていることを読み取ることはできるとしても，
原告が主張するように，水晶膜厚計や熱電対がドームに挿入されていることまで読
み取ることはできない。むしろ，プラスチック製光学部品の光学薄膜およびその成
膜方法に係る特開平７－６３９０３号公報（平成７年３月１０日公開，乙４）及び
多色式光学膜厚計測装置及び方法に係る特開２００５－１７２１１号公報（平成１
７年１月２０日公開，乙５。以下「乙５公報」という。）によれば，光学薄膜形成
のためにドームを使用する装置において，ドーム近傍のドームの回転を妨げない位
置に蒸発レートや成膜速度を検出する水晶モニタが設けられていること（乙４，５
の各図１），乙５公報の水晶センサーにおいては電子ビームの蒸発源のコントロー
ラーに検出信号をフィードバックし，成膜速度を一定に制御していること（【００
０７】）が認められる。また，光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法と誘電体膜成
膜装置に係る乙６公報及び薄膜形成装置及び薄膜形成方法に係る乙７公報によれば，
真空チャンバー内の回転ドームに光ファイバの端部をセットして，ファイバ端面に
誘電体膜を成膜する技術，ドーム状の部材で構成することも可能な基板ホルダ上の
基板（特にプラスチック基板）に薄膜を形成する技術において，ドーム近傍のドー
ムの回転を妨げない位置に熱電対又は温度計が設けられていること（乙６，７の各
図１），乙６公報の熱電対においては，その測定結果に基づいてヒータ電源を制御
する温度コントローラが設けられていること（【００１３】）が認められる。これら
によれば，薄膜形成装置において，ドーム近傍のドームの回転を妨げない位置に膜
厚測定装置及び熱電対を設置し，その測定結果を基に制御装置によって成膜速度や
温度を制御することは技術常識であったと認められるから，甲１論文の図１に接し
た当業者は，水晶膜厚計や熱電対がドームの回転を妨げない位置に設けられている
と理解するものと認められる。
よって，甲１論文の図１におけるドームが回転不能の仕組みになっているとい
う原告の主張を採用することはできない。
ウドームに描かれた半楕円形の部分が基板であるかについて
甲１論文の図１にはドームの中央部に楕円形状の部分が図示され，これについ
ては「基板」であると明示されていること，ドームの両端における半楕円形の部分
は，上記のとおり「基板」と明示された楕円形状の部分といずれもドームの上端及
び下端からの位置がほぼ同一でありその縦幅がほぼ同一であること，図１の記載か
らみれば，半楕円形で描かれた部分は側面図であるためその横半分が描かれたもの
であり，半楕円形で描かれているものの全体の形状は楕円形であって，その横幅も
「基板」と明示された楕円形状の部分と大きく異ならないと理解できることに照ら
せば，ドームに描かれた半楕円形の部分は基板であると解される。
原告は，半楕円形部分の上部が直線ではなく曲線で示されていることから，半
楕円形部分は基板ではないと主張するが，甲１論文の図１は，基板の保持される位
置が分かれば足りる程度の概略図であると理解され，基板の正確な形状まで考慮し
て記載されたものとは解されないから，半楕円形部分の上部が直線でないからとい
って，基板ではないとはいえない。原告の上記主張を採用することはできない。
エ甲１２論文について
原告は，甲１論文の図１と同一の著者の論文である甲１２論文には，蒸着粒子及
び衝突イオンの入射角度がそれぞれ２０°，２９°と記載されており，入射角度が
固定され，イオン源のレイアウトがオフセットされていることから，ドームが回転
すれば入射角度は回転に伴い変化することになり，したがって，ドームが成膜中に
回転することはあり得ないと主張する。
しかし，甲１２論文においては，入射角度の測定方法等が明らかにされておら
ず，したがって入射角度が固定されていること等についても明らかではないから，
甲１２論文を根拠とする原告の主張は理由がない。
(3)以上によれば，甲１論文におけるドームを支える軸の周囲に描かれた円形
状の矢印をみた当業者は，本件特許出願当時の技術水準に従って，軸の回転に伴っ
てドームが回転し，ひいてはドームに載置された複数の基板も回転すると理解する
ものと解される。
したがって，相違点２は実質的相違点でないとした審決の判断に誤りはない。
２取消事由１（相違点３に係る新規性判断の誤り）について
(1)前記１(1)イで認定した引用発明の内容によれば，本件特許発明１は，「回
転している基体保持面の一部の領域に対してイオンを連続して照射することによっ
て，前記基体保持面の回転に伴って移動している前記基体のそれぞれにイオンが照
射されているときと照射されていないときが確保されるように前記イオンを照射し，
前記基体のそれぞれに対して前記イオンを照射することによるイオンアシスト効果
を与えながら，すべての基体の表面に薄膜を堆積させる」のに対し，引用発明１は，
イオン照射の態様が不明であるといえるから，審決の相違点３の認定に誤りはない。
原告は，相違点３は実質的相違点ではないとした審決の判断は誤りであると主張
するので，以下，検討する。
(2)原告は，甲１論文の実験においてイオン電流密度及びイオンエネルギーが
甲１論文に記載された最大値のときに，正規化イオン運動量Ｐが甲１論文に記載さ
れた最大値になるから，甲１論文における正規化イオン運動量Ｐは，イオン電流密
度及びイオンエネルギーが変動しないこと，すなわち常時イオン照射を受けている
ことを前提として計算されていると主張する。
原告は，上記主張の根拠として，正規化イオン運動量Ｐが経時的に算出されるも
のであり，イオン照射を受ける期間と受けない期間があるときには，イオン照射を
受けない期間における蒸着粒子の到達分を考慮する必要が生じ，正規化イオン運動
量Ｐは１．４２を達成できないと主張する。
しかし，甲１論文において，正規化イオン運動量Ｐが経時的に算出されていると
する根拠はない。
甲１論文の実験の目的は，「ＺｒＯ２薄膜の屈折率と微構造に於ける不均質性に
於いてアルゴンイオン衝撃の効果を研究すること」（訳文１頁下から１０行～９行）
であり，実験の結果として，「アルゴンイオンの運動量の増加に伴い以下の事実が
観測された。・平均屈折率は従来法の薄膜より大きくなる。・屈折率の不均質性の符
号は負から正に反転する。・最上層の空隙率は最下層より小さくなる。・単層膜と多
層膜は如何なるスペクトルシフトを示さない。これらの結果は，アルゴンイオン衝
撃効果により充填密度が増大することに起因する。」（訳文５頁下から１６行～１１
行）としている。
そして，このような結果を導くための検査方法として，次のものが示されている。
分光光度法においては，従来の方法による薄膜（Ｐ＝０）とＰを約０．２から１．
４の範囲で変化させたそれぞれの薄膜の不均質性比を検討している。Ｐ値の間隔は
約０．２ＭｅＶ／ｃごとである（図３，図４）。
分光エリプソメトリーのＳＥ分析においては，従来の方法による薄膜１種とＰ＝
０．７８ＭｅＶ／ｃとＰ＝１．２５ＭｅＶ／ｃでのＩＡＤ法による薄膜２種を比較
している（図５）。
真空－空気スペクトルシフトでは，従来の方法による薄膜とＩＡＤ法のＰ値０．
７８ＭｅＶ／ｃによる薄膜の真空－空気スペクトルシフトを比較している（図６）。
走査型電子顕微鏡では，従来の方法による薄膜とＩＡＤ法によるＰ＝１．２５
ＭｅＶ／ｃの薄膜とを比較している（図７）。
Ｘ線回折分析では，従来の方法による薄膜とＰ値が０．２３ＭｅＶ／ｃ，０．
７８ＭｅＶ／ｃ及び１．２５ＭｅＶ／ｃのＩＡＤ法による薄膜とを比較している
（図８）。
化学的特性では，従来の方法とＩＡＤ法によるＺｒＯ２の化学組成の変化を調べ，
両者が同じ位置にＺｒ３ｄのピークとＯｌｓのピークを示すことから，ＩＡＤ法に
よるＺｒＯ２薄膜の不均質性と結晶相の変化は化学組成とは無関係のように思われ
るとの結論を導いている（図１０）。
表面粗さにおいては，従来の方法による薄膜の二乗平均表面粗さは２３Åであ
ったが，Ｐ＝０．２３ＭｅＶ／ｃとＰ＝０．７８ＭｅＶ／ｃでのＩＡＤ法による薄
膜の二乗平均表面粗さは，それぞれ１９Å，１７Åであって，Ｐの増加と共に表面
粗さは低下する傾向があるとされ，ＩＡＤ法による薄膜の平滑度の増大は，外側領
域での空隙の減少と関係する可能性があるとの結論が導かれている（図１１）。
以上の実験の目的とそのための検討内容をみると，最もＰ値の数値間隔が狭い
分光光度法における検討においても，Ｐ値の数値間隔は約０．２ＭｅＶ／ｃごとで
あり，他の検査方法においてはＰ値の数値間隔はより広い。
甲１論文の実験の目的は，前記のとおり，「ＺｒＯ２薄膜の屈折率と微構造に於
ける不均質性に於いてアルゴンイオン衝撃の効果を研究すること」であるが，その
検査対象として選択されているのは，Ｐ＝０の従来の方法による薄膜と一定の数値
間隔をもったＰ値により生成された薄膜であり，検査の目的は，主に従来方法（Ｐ
＝０）との比較であり，Ｐ値の中でどの程度の数値の場合が効果的であるかという
検証ではないと解される。もしＰ値の数値のレベルごとの効果の検証であれば，比
較対象とするＰ値を各検査事項に共通する数値として選定して，各検査事項ごとに
選定されたＰ値の検査結果を比較検討する必要があるが，そのような検討はされて
いない。
そうすると，甲１論文の目的に沿った検討を行うために，Ｐ値を算出するに当た
って，イオン照射を受けない期間における蒸着粒子の到達分を含めて細かい補正値
を求める必要があるとは認められないし，そのような補正の作業がされたことを甲
１論文の記載内容からもうかがうことはできない。
したがって，Ｐ値の最高値である１．４２ＭｅＶ／ｃは，イオン電流密度及びイ
オンエネルギーが最大値の場合のＰ値を示しているものと解され，そのようなＰ値
がイオンの照射態様によって変動するものとは解されないから，Ｐ値の最高値が１．
４２ＭｅＶ／ｃであることを根拠として常時イオン照射が行われているとする原告
の主張を採用することはできない。
なお，原告は，成膜中に少しでもイオン照射を行った場合にはＰ＝０となること
はあり得ないと主張する。しかし，Ｐ＝０の場合とは従来の方法による薄膜の形成
であって，イオン照射を行わずに薄膜を形成した場合であり，甲１論文における
「Ｐが０から１．４２ＭｅＶ／ｃの範囲で変化させた。」とは，従来の方法で成膜
した場合はＰが０であり，その他の場合は，各Ｐ値で成膜したことを示すものであ
ると解される。
(3)次に，甲１論文の図１におけるイオンビームの照射範囲について検討する。
甲１論文の本文中の記載には，蒸着源からのＺｒＯ２の照射範囲及びイオンビー
ムの照射範囲については記載がない。しかし，甲１論文の図１には，蒸着源からの
ＺｒＯ２の照射範囲を示すものとみられる２本の直線が示されており，ＺｒＯ２は，
ドーム内周面に保持された全ての基板上に供給されているものと解するのが相当で
ある。
一方，イオンビームの照射範囲については，甲１論文の著者がドーム全体にイオ
ンビームを照射することを意図していたならば，ＺｒＯ２の照射範囲と同様に，イ
オンビームの照射範囲をドームの両端まで延長した線として描いたはずである。実
際，乙３公報の図１及び乙６公報の図１には，イオンビームの照射範囲をドームの
両端までとした図が描かれている。しかし，甲１論文の図１ではイオンビームの照
射範囲について，ドームの両端まで延長された線は描かれていない。
むしろ，甲１論文の図１においては，イオンビームは，ドーム全体ではなく,ド
ームの中央部に描かれた楕円形状の基板へ向かう３本の線として描かれており，こ
の図の記載からみて，イオンビームは，ドームの内周面の一部の領域に照射されて
いるものと認めるのが相当である。
原告は，膜物性の評価を研究目的とする甲１論文の実験において，成膜時のド
ームの回転の存在を肯定するのであれば，膜物性の評価に影響するイオン照射の態
様とならないよう，イオンビームがドーム内周面の一部領域に照射される態様は否
定されなければならないと主張する。
しかし，膜物性の評価に支障を生じないようなイオン照射及びドーム回転数の
調整をすることは技術的に可能であると解されるから，原告の主張には理由がない。
また，取消事由２で判断したとおり，引用発明１においては，内周面に複数の
基板が保持されているドームは回転している。
さらに，イオン源に対しては，３ＳＣＣＭのアルゴンガスが連続的に供給され
ているものと判断され，イオン源の照射口付近にはイオンの照射を遮るシャッター
等の手段も設置されていないから，イオン源からはアルゴンイオンが連続的に照射
されているといえる（審決は相違点１として，「本件特許発明１は『成膜材料を連
続して供給する』のに対し，引用発明１は，成膜材料が連続して供給されるのか不
明である点」を挙げ，この点は実質的相違点でないと判断しているが，この点につ
いて当事者は争っていない。）。
そうすると，引用発明１は，「前記基体保持面の一部の領域に向けてイオン照射
可能となる成膜アシスト手段を用い，回転している前記基体保持面に対して前記イ
オンを連続して照射することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動してい
る前記基体のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確
保されるように前記イオンを照射し，前記基体のそれぞれに対して前記イオンを照
射することによるイオンアシスト効果を与えながら，すべての基体の表面に薄膜を
堆積させることを特徴とする成膜方法。」といえるから，引用発明との相違点３は
実質的相違点でなく，これを実質的相違点でないとした審決の判断に誤りはない。
(4)原告のその他の主張について
アカウフマンイオン源の広狭に関する甲２論文の解釈について
原告は，カウフマンイオンの照射範囲について主張するが，熱陰極型カウフマン
イオン源のイオン照射範囲を拡げること自体は技術的に可能であるとしても，上記
(3)で検討したとおり，引用発明１では，熱陰極型カウフマンイオン源を前提とし
て，そのイオンの照射範囲は３本の矢印で示された範囲に限定されると解するのが
相当であるから，原告の主張には理由がない。
イ発明の解決課題及び解決手段の技術思想が異なるとの主張について
原告は，本件特許発明１の課題は，緻密で良質な薄膜を得ることにあるのに対し,
甲１論文の課題はＺｒＯ２薄膜の屈折率の不均質性を制御することにあるから，発
明の解決課題や解決手段における技術思想が異なると主張する。
しかし，本件特許発明１の新規性を判断するに際しては，引用発明１が本件特
許発明１の構成を全て備えているかについて判断を行えば足り，引用発明１が本件
特許発明１の構成を全て備えていると判断されれば，本件特許発明１の新規性は否
定されることになる。
相違点２，３が実質的相違点でないことは前記のとおりであり，また，相違点
１が実質的相違点ではないことについて，当事者間に争いないから，引用発明１は
本件特許発明１の構成の全てを備えており，本件特許発明１の新規性を否定した審
決の判断に誤りはない。
３取消事由３（相違点６に係る新規性判断の誤り）について
甲１論文には，前記１の(1)イのとおり，「ＺｒＯ２（錠剤形状，Ｍｅｒｃｋ社
製）は，図１に示されるように，クライオポンプを備える７００ｍｍの箱形成膜装
置の中で電子ビームによって蒸着した。基本真空度はおよそ８×１０－７
Ｔｏｒｒ
であった。」との記載があり，また，図１には，ドームが箱形成膜装置内に配設さ
れるように描かれており，ドーム中央に描かれた楕円形状部分とドーム両端部に描
かれた半楕円形状部分は，いずれもドーム内周面に保持された基板を意味すると考
えられるから，甲１論文に記載された成膜装置は，「基本真空度がおよそ８×１０
－７
Ｔｏｒｒである箱形成膜装置内に配設され，複数の基板を保持するためのドー
ム」を備えている。
また，甲１論文の図１においては，電子ビーム照射によって蒸発したＺｒＯ２が
照射される範囲がドーム全域となるように２本の直線が描かれているから，甲１論
文に記載された成膜装置は，「前記ドームの内周面の全域に向けＺｒＯ２を供給す
ることによって前記内周面に保持されている複数の基板のすべてに対して前記Ｚｒ
Ｏ２を供給可能となるような配置及び向きで前記箱形成膜装置内に設置された，基
板に対してＺｒＯ２を供給する手段」を備えている。
さらに，甲１論文には，前記１の(1)イのとおり，アルゴンイオン照射用のイオ
ン源として「熱陰極型カウフマンイオン源」を用いたことが記載されており，図１
の記載から，このイオン源が，アルゴンイオンがドーム内周面に保持された基板に
対して照射されるような配置及び／又は向きに設置されているといえるから，甲１
論文に記載された成膜装置は，「イオンを前記内周面に対し照射可能となるよう
な，構成，配置及び／又は向きで前記箱形成膜装置内に設置された熱陰極型カウフ
マンイオン源」を備えている。
以上によれば，引用発明２を「基本真空度がおよそ８×１０－７
Ｔｏｒｒである
箱形成膜装置内に配設され，複数の基板を保持するためのドームと，前記ドームの
内周面の全域に向けＺｒＯ２を供給することによって前記内周面に保持されている
複数の基板のすべてに対して前記ＺｒＯ２を供給可能となるような配置及び向きで
前記箱形成膜装置内に設置された，基板に対してＺｒＯ２を供給する手段と，イオ
ンを前記内周面に対し照射可能となるような，構成，配置及び／又は向きで前記箱
形成膜装置内に設置された熱陰極型カウフマンイオン源とを，有する成膜装置。」
と認定した審決の判断に誤りはない。
したがって，本件特許発明２と引用発明２の相違点６は，審決が認定するとお
り，「本件特許発明２は，『成膜アシスト手段』が『イオンを基体保持面の一部の
領域に向けて照射可能であり，回転している前記基体保持面に対して前記イオンを
連続して照射することによって，前記基体保持面の回転に伴って移動している基体
のそれぞれにイオンが照射されているときと照射されていないときが確保されるよ
うに前記イオンを照射可能となるような構成，配置及び／又は向きで真空容器内に
設置され』ているのに対し，引用発明２は，成膜アシスト手段がどのように真空容
器内に設置されているのか不明である点。」となる。
そして，上記相違点６が実質的相違点といえないことは，取消事由１で判断し
たとおりであるから，審決の判断に誤りはない。
４取消事由４（相違点５に係る新規性判断の誤り）について
「本件特許発明２は，『基体保持手段』が『回転可能に配設され』ているのに
対し，引用発明２は，基体保持手段が回転可能に配設されているのか不明である
点。」を相違点５とした審決の判断に誤りはない。
そして，上記相違点５が実質的相違点といえないことは，取消事由２で判断した
とおりであるから，審決の判断に誤りはない。
相違点４が実質的相違点でないとした審決の判断に誤りがないことについては
当事者間に争いがない。
５まとめ
以上のとおり，原告主張の各取消事由はいずれも理由がない。また，他に審決に
取り消すべき違法もない。
第６結論
よって，原告の請求は理由がないからこれを棄却することとし，主文のとおり判
決する。
知的財産高等裁判所第１部
裁判長裁判官設樂一
裁判官大須賀滋
裁判官小田真治は転補のため署名押印することができない。
裁判長裁判官設樂一

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