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平成１２年(行ケ)第３９０号審決取消請求事件
平成１４年１２月１２日口頭弁論終結
判決
　　原　　　　　　　告三菱電機株式会社
訴訟代理人弁理士高瀬彌平
　　　　　　訴訟復代理人弁理士　　　永　　　井　　　　　　　豊
　　被　　　　　　　告特許庁長官　太　田　信一郎
指定代理人内野春喜
同　　　　　　　　橋本武
　　　　　　同　　　　　　　　　　　小　　　林　　　信　　　雄
　　　　　　同　　　　　　　　　　　大　　　橋　　　良　　　三
　　　　　　同　　　　　　　　　　　高　　　橋　　　泰　　　史
　　　　　　同　　　　　　　　　　　涌　　　井　　　幸　　　一
主文
　原告の請求を棄却する。
　訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１　当事者の求めた裁判
１　原告
　　特許庁が平成１１年審判第１２４０２号事件について平成１２年８月９日に
した審決を取り消す。
　　訴訟費用は被告の負担とする。
２　被告
　　主文と同旨
第２　当事者間に争いのない事実
１　特許庁における手続の経緯
　　原告は，平成４年１１月１６日，発明の名称を「半導体装置およびその製造
方法」とする発明について特許出願（平成４年特許願第３０５２８９号，以下「本
願出願」といい，その願書に添付された明細書及び図面を併せて「本件明細書」と
いう。）をしたが，平成１１年６月１日，拒絶査定を受けたので，平成１１年７月
２９日，これを不服とする審判の請求を行った。特許庁は，これを平成１１年審判
第１２４０２号事件として審理し，その結果，平成１２年８月９日，「本件審判の
請求は，成り立たない。」との審決をし，平成１２年９月１３日，その謄本を原告
に送達した。
２　特許請求の範囲請求項４（以下，請求項４に係る発明を「本願発明」とい
う。別紙図面(1)参照）
　「半導体基板の主表面上にゲート絶縁膜とゲート電極を形成する工程と，
　前記半導体基板の主表面の少なくとも一部と前記ゲート絶縁膜の少なくとも
　一部に窒素をイオン注入する工程と，
　前記半導体基板の主表面にソースドレイン領域を形成する工程と，
　窒素をイオン注入された前記半導体基板の主表面上でかつ前記ソースドレイ
　ン領域上にサイドウォールを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法｡｣
３　審決の理由
　　別紙審決書の写しのとおりである。要するに，本願発明は，特開平４－１１
６８６９号公報（以下「引用刊行物１」という）に記載された技術（以下「引用発
明」という。別紙図面(2)参照）と同一であるから，特許法２９条１項３号に該当
し，特許を受けることができない，とするものである。
　　審決の認定した本願発明と引用発明との一致点・相違点は，次のとおりであ
る。
　（一致点）
「半導体基板の主表面上にゲート絶縁膜とゲート電極を形成する工程と，
前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部に窒素をイオン注入する工程と，前記半導体基
板の主表面にソースドレイン領域を形成する工程，とを含む半導体装置の製造方
法。」である点
（相違点）
①　本願発明が「前記半導体基板の主表面の少なくとも一部に窒素をイオン
注入する工程」を有するのに対して，引用例１には，半導体基板の主表面の一部に
窒素をイオン注入すると明記されていない点（相違点１）
②　本願発明が「窒素をイオン注入された前記半導体基板の主表面上でかつ
前記ソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程」を有するのに対し
て，引用例１には，サイドウォールの形成について記載がない点（相違点２）
第３　原告主張の取消事由の要点
　　審決の理由中，１（本願の経緯および本願発明の要旨）を認め，２（引用刊
行物記載の発明）のうち，引用発明に，「ゲート絶縁膜１３の両側でＰ型シリコン
基板１２の表面に、ソース領域１５とドレイン領域１６とを形成する工程」（２頁
末行～３頁１行）が記載されているとの部分を争い，その余を認める。３（対比）
のうち，両者が「前記半導体基板の主表面にソースドレイン領域を形成する工程
と，」との構成において一致するとした部分を争い，その余を認める。４（当審の
判断）を争う（ただし，一部認めるところがある。）。５（むすび）を争う。
１　取消事由１（相違点の看過）
(1)本願発明の要旨認定の誤り
　　サイドウォール（側壁）を形成するのは，基板に形成したｎ－
層（Ｎ－
層）
上であることは，本願出願時において技術常識であったことが明らかである（甲第
１０～１３号証参照）。このことは，例えば，甲第１０号証において，ＬＤＤ（Ｌ
ｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）トランジスタの製造ステップを図示した
ものに，ステップ（ｃ）で形成したＮ－
層上にサイドウォールがステップ（ｄ），
（ｅ）で形成されることが記載されていること（１頁のＦｉｇ２），甲第１１号証
において，ＬＤＤトランジスタの作製工程を図示したものに，工程（ａ）で形成さ
れたｎ－
層上にサイドウォールが工程（ｂ），（ｃ）により形成されることが記載さ
れていること（６３頁の図３．２２）などから明らかである。
　　上記技術常識を参酌するならば，本願発明の「前記半導体基板の主表面に
ソースドレイン領域を形成する工程」との記載は，「前記半導体基板の主表面に低
濃度Ｎ－
ソースドレイン領域を形成する工程」という技術内容を意味しているものと
解すべきである。
(2)引用発明の認定の誤り
　　ＳＤ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｄｒａｉｎ）構造トランジスタのソースドレイン領
域は，高濃度に不純物が添加されたｎ＋
層であることが技術常識である。このこと
は，例えば，甲第７号証において，ＳＤトランジスタ構造が図示され，そのソース
ドレイン領域がｎ＋
層であることが示されていること（２３頁の図１．１４の１），
甲第９号証において，シングルドレインとＬＤＤの不純物濃度を示すものが図示さ
れ，左側の図には，シングルドレインのソースドレイン領域の不純物濃度が１０２０
/ｃｍ－３
であることが記載されていること（６頁の図１．１０）などから明らかであ
る。
　　そうであるならば，ＳＤ構造トランジスタである引用発明のソースドレイ
ン領域も，高濃度に不純物が添加されたｎ＋
層であると理解すべきである。
(3)上述したとおり，本願発明のソースドレイン領域が低濃度Ｎ－
ソースドレイ
ン領域であるのに対し，引用発明のソースドレイン領域は，高濃度ｎ＋
ソースドレイ
ン領域であるから，両者は，この点で相違する（第３の相違点）。そして，この構
成上の差異により，本願発明では，低濃度Ｎ－
ドレインにより，ドレインの電界を緩
和してホットキャリアを抑制できる効果を奏するのに対し，引用発明では，そのよ
うな効果を奏し得ないという効果上の差異がもたらされるのである。
２　取消事由２（相違点１についての判断の誤り）
(1)審決は，引用発明について，「前記窒素イオンの注入は，Ｐ型シリコン基
板１２に対しておよそ４５°の方向よりするとあるから，前記ゲートバーズピーク
１３ａ，１３ｂへの窒素イオンの注入は，ゲート電極１４の表面（側面）に形成さ
れた酸化シリコン膜１７（１７ａ）を通過して，ゲートバーズピーク１３ａ，１３
ｂに窒素イオンが到達するような態様で行われていることは明らかである。」と認
定した上，この認定を前提に，「前記窒素イオンは，厚く形成されたゲート電極１
４の表面の酸化シリコン膜１７（１７ａ）を通過してその背後にあるゲートバーズ
ピーク１３ａ，１３ｂに達するのであるから，前記ゲートバーズピーク１３ａ，１
３ｂへの窒素イオンの注入に際して，前記窒素イオンが，ゲート電極１４の表面の
酸化シリコン膜１７（１７ａ）よりも薄く形成されたＰ型シリコン基板１２の表面
の酸化シリコン膜１７（１７ｂ）を通過して，その下のＰ型シリコン基板１２の表
面にも注入されることは明らかである。」との結論を導いた。
　　しかし，審決の上記認定は誤りであり，したがって，これを前提として導
かれた上記結論も誤りである。
　　一般に，熱酸化処理によって形成される酸化膜は，ゲート電極上，シリコ
ン基板上，ゲート絶縁膜（側面）上の順に厚く形成される（甲第５号証，第６号
証）。すなわち，ゲート絶縁膜（側面）上に形成される酸化膜の膜厚は，ゲート電
極上に形成される酸化膜及びシリコン基板上の露出した表面上に形成される酸化膜
のいずれよりも薄くなる。そのため，引用発明におけるように角度４５°で窒素イ
オンを注入する場合には，最も薄く形成されているゲート絶縁膜（側面）上の酸化
膜を通過してゲートバーズピーク１３ａ，１３ｂに窒素イオンを注入できるから，
審決認定のようにゲート電極１４上の酸化膜１７（１７ａ）を通過する，というこ
とはなく，ゲート電極上の酸化膜１７ａより薄いとはいえ，ゲート絶縁膜（側面）
上の酸化膜より厚い酸化膜１７ｂで覆われたシリコン基板１２にも，窒素イオンが
到達するとは限らず，窒素イオンがゲートバーズピーク１３ａ，１３ｂには注入さ
れるがシリコン基板１２には注入されないことも十分にあり得る。
　　したがって，「前記半導体基板の主表面の少なくとも一部に窒素をイオン
注入する工程」を引用発明が具備するとした審決の判断は誤りである。
(2)被告は，引用発明において，角度４５°で窒素イオンを注入してそれがゲ
ートバーズピークに達するのであれば，その窒素イオンは，酸化シリコン膜１７ｂ
を突き抜けてシリコン基板１２の表面にまで注入されることが明らかであると主張
する。しかし，引用刊行物１には，ゲートバーズピーク１３ａ，１３ｂの奥にまで
窒素イオンを注入することが必要であるとの記載はないから，被告の上記主張は，
前提において既に誤っている。
　　引用刊行物１には，上記の点について，「なお窒素イオンの注入では，ゲ
ートバーズピーク１３ａ，１３ｂより内部のゲート絶縁膜１３に達しないように，
イオン注入装置のイオン加速電圧が調整される。」（甲第４号証４頁右上欄２行～
５行）との記載があって，窒素イオンがゲートバーズピーク１３ａ，１３ｂを突き
抜けないようイオン加速電圧が抑制されることが明記されていることを忘れるべき
ではない。
３　取消事由３（相違点２についての判断の誤り）
(1)審決は，「半導体装置の製造方法において，ソースドレイン領域上にサイ
ドウォールを形成する工程は慣用されているから，引用例１に記載された発明に，
ソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程を付加することは，慣用技
術の付加にすぎない。」と認定判断した。
　　しかしながら，サイドウォール形成工程は，ＬＤＤ構造ＭＯＳＦＥＴに特
有の工程として慣用されていたことが明らかである。また，ＬＤＤ構造ＭＯＳＦＥ
Ｔの構造的特徴としては，サイドウォールを有すること以外にドレインが低濃度の
ｎ－
部分と高濃度のｎ＋
部分の２段階に形成されていることが挙げられる（甲第７～
１３号証参照）。
　　ところが，引用刊行物１に記載されている事項は，ＳＤ構造のトランジス
タであるから，引用発明に付加することのできる慣用技術は，ＳＤ構造のトランジ
スタにおけるものに限られる。ＬＤＤ構造トランジスタに特有な慣用技術であるサ
イドウォール形成工程を付加の対象とすることはできない。
(2)審決は，「引用例１に記載された発明への，窒素をイオン注入された半導
体基板の主表面上でかつソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程の
付加に格別の意義も認められない。」と判断した。しかし，審決のこの判断は誤り
である。
　　本願発明は，「窒素をイオン注入された前記半導体基板の主表面上でかつ
前記ソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程」を有し，これによ
り，半導体基板のソースドレイン領域とサイドウォールの界面付近に窒素が導入さ
れるので不飽和シリコン原子の生成を抑制できるという格別の効果を奏するもので
ある（甲第３号証６頁第４１段落参照）。そして，不飽和シリコン原子の生成を抑
制できるので界面準位の発生を少なくできるという格別の効果を奏するものである
（甲第３号証５頁第３９段落参照）。
第４　被告の反論の要点
１　取消事由１（相違点の看過）について
　　本願発明の「ソースドレイン領域」は，文字どおり「ソースドレイン領域」
であって，「低濃度Ｎ－
ソースドレイン領域」に限定されるものではない。このこと
は，本願発明の特許請求の範囲の記載から明らかである。
　　審決の認定したもの以外にも相違点があるとの原告の主張は，前提において
誤っている。
２　取消事由２（相違点１についての判断の誤り）について
(1)原告は，甲第５号証，第６号証を提出して，ゲート絶縁膜の側面に形成さ
れる熱酸化膜は，ゲート電極上，シリコン基板上に形成される熱酸化物よりも薄い
と主張する。
　　しかしながら，甲第５号証，第６号証におけるように，単にシリコン表面
に形成される酸化膜の厚さを比較する場合には原告主張のようにいい得るとして
も，引用発明におけるように，シリコン基板上に薄いゲート絶縁膜を介して厚い多
結晶シリコンから成るゲート電極が積層された構造に，これをそのまま適用するこ
とはできない。このような構造においては，ゲート絶縁膜が薄いため，上層の厚い
多結晶シリコン（ゲート電極板）上及び下層のシリコン（シリコン基板）上に形成
される酸化膜が成長して覆ってくるので，中央の一部にもともとは薄い部分がある
としても，最終的には，全体としては多結晶シリコンから成るゲート電極上の酸化
膜の厚さと同程度のものとなっているとみるのが相当である。引用刊行物１の第２
図において，酸化シリコン膜１７ａがゲート電極の表面全部で同じ厚さに示されて
いるのは，これを裏付けるものというべきである。
(2)引用刊行物１の第２図によれば，ゲートバーズピーク１３ａ，１３ｂは，
ゲート電極１４の側面よりも内側に形成されているから，ゲートバーズピーク１３
ａ，１３ｂの横方向の酸化シリコン膜の厚みは，少なくとも，ゲート電極１４の側
面に形成される酸化シリコン膜１７ａの厚みと同程度以上となっている。
　　そして，引用発明では，窒素イオンを角度４５゜で注入して，この厚いゲ
ートバーズピーク１３ａ．１３ｂの奥まで窒素イオンを注入する必要がある。この
場合，窒素イオンは，ゲートバーズピーク１３ａ．１３ｂの横方向の酸化シリコン
膜の厚さよりも薄い酸化シリコン膜１７ｂを突き抜けて，シリコン基板１２の表面
に注入されることは明らかである。
(3)引用発明におけるように角度４５°で窒素イオンを注入してこれがゲート
バーズピークに達する場合には，注入された窒素イオンは，酸化シリコン膜１７ａ
中を角度４５°で通過する必要がある。そして，酸化シリコン膜１７ｂの厚さは，
酸化シリコン膜１７ａのものよりも薄い。そうすると，引用発明において，窒素イ
オンが，角度４５°で注入されてゲートバーズピークに達するのであれば，窒素イ
オンが酸化シリコン膜１７ｂを突き抜けてシリコン１２の表面に注入されることに
なることは明らかである。
　　しかも，引用刊行物１には，酸化シリコン膜１７ｂが形成されたシリコン
基板を窒素イオンの注入から保護するといった格別の記載もない。一般に，注入さ
れたイオンは，深さ方向に正規分布するのであるから，酸化シリコン膜１７ｂを突
き抜けてシリコン基板１２の表面に注入される窒素イオンがあることは，明らかで
ある。
(4)一般に，明細書記載の効果を奏するために所定量の窒素イオンの注入が必
須であるならば，本願発明の構成に欠くことのできない技術事項として特許請求の
範囲に記載されるべきものである。ところが，本願発明には窒素イオンの注入量に
ついて特段の限定がなされていないのであるから，本願発明の構成上では窒素イオ
ンの注入が多少なりともあればよいことになる。
　　引用発明においても，上記のとおり，窒素イオンの注入がなされているの
であるから，この点において両者に差異はない。
　　上記のとおり，本願発明と引用発明とは，構成上，共に「半導体基板の主
表面の少なくとも一部とゲート絶縁膜の少なくとも一部に窒素イオンを注入する工
程」を備えているのであり，この点において両発明の構成に相違はない。
３　取消事由３（相違点２についての判断の誤り）について
(1)本願出願以前に，「半導体基板の主表面にソースドレイン領域を形成する
工程と，前記半導体基板の主表面上でかつ前記ソースドレイン領域上にサイドウォ
ールを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法」は，当業者にとって慣用技術
となっていた（乙第１号証～第４号証）。
　　本願出願以前に，サイドウォールを形成する工程は，ＬＤＤ構造のトラン
ジスタのみならずＳＤ構造のトランジスタにも広く採用されていた（乙第１～第４
号証）。
　　そうである以上，引用発明にソースドレイン領域上にサイドウォールを形
成する工程を付加することは，慣用技術の付加にすぎないとした審決には，何らの
誤りもない。
(2)原告は，平成１１年８月１７日付けの手続補正書によって，発明の詳細な
説明中に，「次に半導体基板１において将来ドレイン領域が形成されるべき部分に
窒素を導入することによって，ホットキャリアに起因するトランジスタの信頼性の
低下を防ぐことができる。窒素は燐や砒素と同様にドナー不純物であるため，ドナ
ーで形成されたドレイン領域に窒素を導入することによって，半導体基板１の上面
に平行な方向の不純物分布をなだらかにし，ドレイン領域における電界を緩和する
からである。」（第５５段落）との記載を加え，この記載を前提に，ホットキャリ
アに起因するトランジスタの信頼性の低下を防ぐことができるとの効果を主張して
いるようである。
　　しかしながら，上記効果は，ドナーで形成されたドレイン領域，すなわ
ち，ｎ型ドレイン領域の構成を前提とした効果である。ところが，本願発明では，
「ドレイン領域」は，ｎ型ドレイン領域に限定されているものではない。したがっ
て，「ホットキャリアに起因するトランジスタの信頼性の低下を防ぐことができ
る」とする効果を，本願発明の効果ということはできない。
第５　当裁判所の判断
１　取消事由１（相違点の看過）について
(1)原告は，本願発明の「前記半導体基板の主表面にソースドレイン領域を形
成する工程」との記載は，「前記半導体基板の主表面に低濃度Ｎ－
ソースドレイン領
域を形成する工程」という技術内容を意味しているものと解すべきである，と主張
する。
　　しかしながら，本願発明の特許請求の範囲の「前記半導体基板の主表面に
ソースドレイン領域を形成する工程」との記載中の「ソースドレイン領域」の語
は，通常の用語方法に従えば，低濃度Ｎ－
のソースドレインも低濃度Ｎ－
でないソー
スドレインも含む意味であることが明らかである。そうである以上，本願発明にお
ける「ソースドレイン領域」を「低濃度Ｎ－
ソースドレイン領域」に限定して解釈す
ることに合理性が認められるためには，そのように解釈すべき特段の事情が見いだ
されなければならない，というべきである。
　　原告は，この点につき，サイドウォール（側壁）を形成するのは基板に形
成したＮ－
層上であることは，本件出願時において技術常識であったと主張し，これ
を裏付けるものとして，甲第１０号証ないし第１３号証を挙げる。しかし，これら
の証拠から明らかになるのは，サイドウォールがＮ－
層上に形成されることがあると
いう限度であり，それを超えて，サイドウォールが形成されるのはＮ－
層上のみであ
ることも，それが技術常識であることも，認めることはできない。
　　上記特段の事情は，その他，特許請求の範囲の「ソースドレイン領域」以
外の記載を中心に，本願明細書の記載全体（甲第２号証，第３号証，第１４号証）
を始め，本件全資料を検討しても，見いだすことができない。
　　本願発明の「ソースドレイン領域」を「低濃度Ｎ－
ソースドレイン領域」に
限定する原告の主張は，失当である。
(2)原告は，引用発明のソースドレイン領域が高濃度ｎ＋
ソースドレイン領域で
ある点で，本願発明と相違すると主張する。しかし，前述したとおり，本願発明の
誤った要旨認定を前提とするものであり，採用することができない。
２　取消事由２（相違点１についての判断の誤り）について
(1)引用刊行物１には，「次に，上記半導体素子１１の製造方法を第２図①な
いし⑤に示す工程断面図により説明する。第２図①に示す工程では，前述の従来の
技術中第４図（ｉ）ないし（iii）で説明したと同様に，Ｐ型シリコン基板１２上に
熱酸化法によって酸化シリコン膜を形成し，この酸化シリコン膜上に多結晶シリコ
ン膜を形成する。この多結晶シリコン膜には，Ｎ型不純物のリンイオン（Ｐ＋
）が注
入される。そしてホトリソグラフィー技術とエッチング技術とによって，酸化シリ
コン膜でゲート絶縁膜１３を形成し，多結晶シリコン膜でゲート電極１４を形成す
る。その後熱酸化処理を行って，ゲート電極１４の表面とＰ型シリコン基板１２の
表面に酸化シリコン膜１７を形成する。この時，ゲート電極１３（判決注・ゲート
電極１４の誤記と認める。）が多結晶シリコン膜で形成されているために，ゲート
電極１４の表面に形成される酸化シリコン膜１７（１７ａ）はＰ型シリコン基板１
２の表面に形成される酸化シリコン膜１７（１７ｂ）より厚く形成される。またこ
の熱酸化処理によって，ゲート絶縁膜１３の両側部にはゲートバーズピーク１３
ａ，１３ｂが生じる。
　　そしてイオン注入装置を用いて，第２図②に示す如く，このゲートバーズ
ピーク１３ａ，１３ｂに窒素イオン（Ｎ＋
）を斜め（Ｐ型シリコン基板１２に対して
およそ４５°）方向より注入する。この時，酸化シリコン膜１７にも窒素イオンが
注入される。なお，窒素イオンの注入では，ゲートバーズピーク１３ａ，１３ｂよ
り内部のゲート絶縁膜１３に達しないように，イオン注入装置のイオン加速電圧が
調整される。・・・次に第２図③に示す如く，ゲート電極１４上に形成された酸化
シリコン膜１７ａをイオン注入用マスクにして，ゲート絶縁膜１３の両側でＰ型シ
リコン基板１２の表面にＮ型不純物のヒ素イオン（Ａｓ＋
）を注入し，ソース領域１
５とドレイン領域１６とを形成する。」（３頁右下欄第１５行～第４頁右上欄第１
６行）との記載があり，第２図②には，上記記載に沿って，Ｐ型シリコン基板１２
に対して約４５°の角度で，ゲート電極１４の表面及びＰ型シリコン基板１２の表
面に向って，窒素イオン（Ｎ＋
）を注入しているところが示されている（甲第４号
証）。
　　引用刊行物１の上記記載，特に，「ゲート電極１４の表面に形成される酸
化シリコン膜１７（１７ａ）はＰ型シリコン基板１２の表面に形成される酸化シリ
コン膜１７（１７ｂ）より厚く形成される。」，「このゲートバーズピーク１３
ａ，１３ｂに窒素イオン（Ｎ＋
）を斜め（Ｐ型シリコン基板１２に対しておよそ４５
°）方向より注入する。この時，酸化シリコン膜１７にも窒素イオンが注入され
る。」，「窒素イオンの注入では，ゲートバーズピーク１３ａ，１３ｂより内部の
ゲート絶縁膜１３に達しないように，イオン注入装置のイオン加速電圧が調整され
る。」との記載によれば，少なくとも，窒素イオン（Ｎ＋
）が，酸化シリコン膜１７
ａを突き抜けて，ゲートバーズピーク１３ａ．１３ｂに到達する場合があることを
否定することはできず，したがって，酸化シリコン膜１７ａより薄い１７ｂを突き
抜けて，内側のＰ型シリコン基板１２にまで達する場合が生じることも否定するこ
とができないというべきである。
(2)原告は，一般に，熱酸化処理によって形成される酸化膜は，ゲート電極
上，シリコン基板上，ゲート絶縁膜上の順に厚く形成されるから，引用発明におい
ても，ゲート絶縁膜（側面）上において最も薄く，したがって，引用発明において
角度４５゜で窒素イオンを注入する場合には，最も薄く形成されているゲート絶縁
膜上の酸化膜を通過してゲートバーズピーク１３ａ．１３ｂに窒素イオンを注入で
きるとして，これを前提に，ゲート絶縁膜上の酸化膜より厚い酸化膜１７ｂで覆わ
れたシリコン基板１２には窒素イオンが到達するとは限らず，窒素イオンがゲート
バーズピーク１３ａ，１３ｂには注入されても，シリコン基板１２にまで注入され
ないことも十分あり得る，と主張する。
　　しかしながら，引用刊行物１の第２図において，酸化シリコン膜１７ａが
ゲート電極の表面全部で同じ厚さに示されていることなどに照らすと，引用発明の
ように，シリコン基板上に薄いゲート絶縁膜を介して厚い多結晶のシリコンから成
るゲート電極が積層された構造のものに，原告が前提とするところが当てはまると
は，簡単に考えることができない。のみならず，原告の主張自体によっても，窒素
イオン（Ｎ＋
）がシリコン基板１２に注入される場合があることを否定することがで
きない。原告自身が，その可能性があることを認めているものである。
　　このように，窒素イオン（Ｎ＋
）がシリコン基板１２に注入される場合があ
る以上，引用発明には，本願発明の「前記半導体基板の主表面の少なくとも一部に
窒素をイオン注入する工程」も記載されているものというべきである。
　　原告は，引用刊行物１には，「なお窒素イオンの注入では，ゲートバーズ
ピーク１３ａ，１３ｂより内部のゲート絶縁膜１３に達しないように，イオン注入
装置のイオン加速電圧が調整される。」（甲第４号証４頁右上欄２－５行）と記載
され，窒素イオンがゲートバーズピーク１３ａ，１３ｂを突き抜けないようイオン
加速電圧が抑制される事が明記されている，と主張する。
　　しかしながら，ゲートバーズピーク１３ａ，１３ｂを突き抜けないようイ
オン加速電圧が抑制されるからといって，酸化シリコン膜１７ｂを突き抜けてシリ
コン基板１２にまで達しないことになるわけではないことは，当然である。
　　その他にも，引用発明において，窒素イオン（Ｎ＋
）がシリコン基板１２に
まで達しないようにすべきものとされていることは，引用刊行物１の記載全体を検
討しても見いだすことができない（甲第４号証）。
３　取消事由３（相違点２についての判断の誤り）について
(1)１９８９年（平成元年）４月２５日株式会社培風館発行「ＣＭＯＳ超ＬＳ
Ｉの設計」には，「ＬＤＤは基本的に，従来のポリシリコンゲート／セルファライ
ンのソースドレインイオン注入にゲートに対してオフセットをしたイオン注入を組
み合わせたものである。そのプロセスを図３．２２に示す。まずゲート電極をパタ
ーニングした後にＰをイオン注入する。その後ＣＶＤ－ＳｉＯ２膜を形成した後に
エッチバックする。この結果ゲート電極の側壁にＣＶＤ－ＳｉＯ２膜の側壁が残
る。これをサイドウォールという。」（６３頁１３行～６４頁１行）との記載があ
り，図３．２２には，「ＬＤＤトランジスタの作製工程　（ａ）ポリシリコンゲー
トをマスクに用いてｎ－
層が形成される，（ｂ）ＣＶＤ－ＳｉＯ２層が堆積され
る，(c)側壁がＲＩＥにより形成される，（ｄ）ｎ＋
層が形成された後の最終的デバ
イス構造」との説明とともに，サイドウォール形成（ゲート電極の側壁に残ったＣ
ＶＤ－ＳｉＯ２膜の側壁）の形成工程が図示されている（甲第１１号証）。
　　１９８７年（昭和６２年）８月１５日株式会社工業調査会発行「超ＬＳＩ
技術　１１　デバイスとプロセス」には，「この製造工程を図４．２８に示す。ま
ずポリシリコンゲート電極をマスクとしてｎ－イオン注入を行う。つぎにデバイス
全体にＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を被着させ，この膜を異方性エッチングする。こ
の時，ポリシリコン電極側壁には厚い膜が堆積されているために，ゲート電極側壁
にはＣＶＤＳｉＯ２膜が残る。つまり，ＣＶＤ酸化膜スペーサが形成される。つぎ
にこれをマスクとしてｎ＋
イオン注入が行われる。」（９６頁右欄１０行～１７行）
のと記載があり，図４．２８には，上記記載に沿った「ＬＤＤ構造のＭＯＳＦＥＴ
の製造方法」が図示され，その中の（ｃ）には，ゲート電極側壁に残ったＣＶＤ－
ＳｉＯ２を示すのに「サイドウォール」の語が用いられている（甲第１２号証）。
　　特開平１－１０９７６６号公報には，「従来，低抵抗のソース・ドレイン
を有するＭＯＳトランジスタの製造方法には，自己整合によるシリサイド形成方法
が用いられていた。以下第２図を用いて説明する。
　　まず第２図(a)に示すように，シリコン基板１上にゲート酸化膜２を介して
多結晶シリコンからなるゲート電極３を形成したのち，イオン注入法により不純物
を導入しソース・ドレイン１０を形成する。次で全面にＣＶＤ法により酸化膜を形
成したのち異方性エッチング法により酸化膜を除去し，ゲート電極側壁部に酸化膜
からなるサイドウォール４を形成する。」（１頁右欄７行～１８行）との記載があ
り，第２図(a)には，上記記載に沿った図が示されている（乙第１号証）。
　　その他，特開昭６３－２７４１７８号公報，特開昭６２－１３６８７８号
公報にも，同様に，サイドウォールを形成する工程が記載されている（乙第２号
証，第３号証）。
　　上記認定の各刊行物の各記載を総合すると，本願出願日前に，半導体基板
の主表面にソースドレイン領域を形成するとともに，半導体基板の主表面全体に形
成された酸化膜をエッチング法により適宜除去することによって，半導体基板の表
面上（本願発明の「主表面上」であることは，明らかである｡)で，しかも，上記ソ
ースドレイン領域上に，サイドウォールを形成することは，当業者間に，周知慣用
の技術であったことが認められる。
(2)原告は，サイドウォール形成工程が慣用の工程であることは認めつつ，そ
れがＬＤＤ構造ＭＯＳＦＥＴトランジスタに特有な慣用技術であると主張する。
　　しかしながら，特開平１－１０９７６６号公報の記載によれば，一般的
に，ソース・ドレインを有するＭＯＳトランジスタにサイドウォールを形成するこ
とが，既成の技術として紹介されているものであり，そこでは，サイドウォールの
形成されるトランジスタをＬＤＤ構造ＭＯＳＦＥＴトランジスタに限定していない
（乙第１号証）。その他，上記特開昭６３－２７４１７８号公報，特開昭６２－１
３６８７８号公報においても，ＬＤＤ構造でない単純なソース・ドレインを有する
ものも含めたＭＯＳトランジスタ一般についてのものとして，サイドウォールを形
成する技術が開示されていることが明らかである（乙第２号証，第３号証）。
　　原告の主張は，失当である。
(3)そうすると，審決が，相違点２について，「半導体装置の製造方法におい
て，ソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程は慣用されているか
ら，引用例１に記載された発明に，ソースドレイン領域上にサイドウォールを形成
する工程を付加することは，慣用技術の付加にすぎない。」と判断したことに誤り
はない。
(4)原告は，本願発明は，「窒素をイオン注入された前記半導体基板の主表面
上でかつ前記ソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程」を有し，こ
れにより，半導体基板のソースドレイン領域とサイドウォールの界面付近に窒素が
導入されるので不飽和シリコン原子の生成を抑制できるという格別の効果を奏する
ものである，そして，不飽和シリコン原子の生成を抑制できるので界面準位の発生
を少なくできるという格別の効果を奏するものである，と主張する。
　　しかしながら，本願発明は，引用発明に慣用技術を付加したものにすぎな
いものであることは，既に述べたところから明らかであるから，本願発明に新規性
を認めて特許を与えることが正当化されるのは，慣用技術の付加により，慣用技術
の付加（これにより，付加されない場合に比べて，優れた効果が得られることは，
当然のことである。）などということでは説明できないほどに，予想外で大きな効
果が得られる場合に限られる，というべきである。
　　ところが，これを前提とした場合，原告主張の効果は，仮に，それらがす
べて本願発明自体の効果であるとしても，本願発明に新規性を認めるに足りるもの
でないことが，明らかであるというべきである。
(5)のみならず，原告の主張の効果は，本願発明自体の効果ということのでき
ないものである。
　　甲第２号証，第３号証（平成１１年８月１７日付け手続補正書），第１４
号証（平成９年６月２６日付手続補正書）によれば，本願明細書の発明の詳細な説
明の欄には，
「第４の発明にかかる半導体装置の製造方法では，イオン注入により半導
体基板とゲート絶縁膜の界面付近およびソースドレイン領域の少なくとも一方とサ
イドウォールの界面付近に窒素が導入されるので，不飽和シリコン原子の生成を抑
制する半導体装置を容易に形成することができる」（甲第３号証の第４１段落）
「第１の半導体層と・・・サイドウォールの界面付近の不飽和シリコン原
子に窒素原子が結合して，・・・界面準位の発生を少なくする」（甲第３号証の第
６８段落）
「そして，第５図に示すように，・・・次に半導体基板１において将来ド
レイン領域が形成されるべき部分に窒素を導入することによって，ホットキャリア
に起因するトランジスタの信頼性の低下を防ぐことができる。窒素は燐や砒素と同
様にドナー不純物であるため，ドナーで形成されたドレイン領域に窒素を導入する
ことによって，半導体基板１の上面に平行な方向の不純物分布をなだらかにし，ド
レイン領域における電界を緩和するからである。さらに，窒素はドレイン領域の接
合付近の微少欠陥をゲッタリングするため，接合リーク電流を減少させることがで
き，その結果トランジスタの消費電力を減少させることもできる。」（甲第１４号
証の第５５段落）
　との記載があることが認められる。
　　本願明細書の上記認定の記載によれば，原告主張の効果とは，「半導体基
板とゲート絶縁膜の界面付近およびソースドレイン領域の少なくとも一方とサイド
ウォールの界面付近に窒素が導入される」ことによる効果，半導体基板にシリコン
を使用した場合の効果，あるいは，「ドナーで形成されたドレイン領域に窒素を導
入すること」に基づく効果であることが認められる。
　　ところが，本願発明の特許請求の範囲が，「半導体基板の主表面上にゲー
ト絶縁膜とゲート電極を形成する工程と，前記半導体基板の主表面の少なくとも一
部と前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部に窒素をイオン注入する工程と，前記半導
体基板の主表面にソースドレイン領域を形成する工程と，窒素をイオン注入された
前記半導体基板の主表面上でかつ前記ソースドレイン領域上にサイドウォールを形
成する工程とを含む半導体装置の製造方法。」というものであることは，前示のと
おりである。
　　特許請求の範囲の上記記載によれば，窒素イオンは，「前記半導体基板の
主表面の少なくとも一部」及び「前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部」に注入され
るという構成であって，本願明細書の発明の詳細な説明の欄に記載されているよう
な，「半導体基板とゲート絶縁膜の界面付近およびソースドレイン領域の少なくと
も一方とサイドウォールの界面付近に窒素が導入される」，「ドナーで形成された
ドレイン領域に窒素を導入すること」などといったものでないことが，明らかであ
る。
　　また，本願発明においては，「半導体基板」は，その材質に格別の限定が
ないから，シリコンを使用するものに限定されることもない。
　　そうすると，原告の主張する効果は，本願発明の構成とは異なるものを前
提とするものであって，失当というほかない。
(6)その他，本件全証拠を検討しても，少なくとも，サイドウォールに関する
周知慣用技術の付加，換言すると，「窒素をイオン注入された前記半導体基板の主
表面上でかつ前記ソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程」とい
う，本願発明の特許請求の範囲に記載された構成を前提にする限り，付加に格別の
技術的意味を見出すことはできない。
　　審決が，「引用例１に記載された発明への，窒素をイオン注入された半導
体基板の主表面上でかつソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程の
付加に格別の意義も認められない。」と認定判断したことに誤りはない。
(7)上に述べたところによれば，引用発明には，実質上，サイドウォールに関
する周知慣用技術の部分も含めて，本願発明の構成がすべて開示されているものと
いうことができる。
４　結論
　以上によれば，原告主張の審決取消事由は，いずれも理由がないことが明ら
かであり，その他審決にはこれを取り消すべき誤りは見当たらない。そこで，原告
の本訴請求を棄却することとし，訴訟費用の負担について行政事件訴訟法７条，民
事訴訟法６１条を適用して，主文のとおり判決する。
東京高等裁判所第６民事部
　　　　裁判長裁判官山　　下　　和　　明
　裁判官阿　　部　　正　　幸
　裁判官高　　瀬　　順　　久
（別紙）
別紙図面（１）別紙図面（２）

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