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平成１８年（行ケ）第１０５２４号審決取消請求事件
平成１９年１１月２２日判決言渡，平成１９年１０月２５日口頭弁論終結
判決
原告アドヴァンスドレーザーセパレイションインターナショナルベ
ーヴェー
訴訟代理人弁理士杉村興作，藤谷史朗，来間清志，藤原英治，澤田達也，冨田
和幸，箱守英史，竹内直樹，野田裕子，岩佐義幸，英貢，徳永博
被告特許庁長官肥塚雅博
指定代理人野村亨，加藤昌人，森川元嗣，森山啓
主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は，原告の負担とする。
この判決に対する上告及び上告受理の申立てのための付加期間を３０日と定める。
事実及び理由
第１原告の求めた裁判
「特許庁が不服２００４−１７７５号事件について平成１８年７月２５日にした
審決を取り消す。」との判決
第２事案の概要
本件は，「フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャッ
プ」が後記特許出願（以下「本願」という。）をし，その後，「コーニンクレッカ
フィリップスエレクトロニクスエヌヴィ」を出願人とする出願人名義変更
届が，次いで，原告を出願人とする出願人名義変更届がそれぞれ提出された後，本
願に対し拒絶査定がされたため，原告が，これを不服として審判請求をしたところ，
同請求は成り立たないとの審決がされたため，その取消しを求める事案である。
１特許庁における手続の経緯
(1)本願
当初出願人：「フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシ
ャップ」
発明の名称：「半導体材料のウエファに形成された半導体素子のレーザ分割方
法」
出願番号：平成９年特許願第５２８３２１号
国際出願日：１９９７（平成９）年１月１７日（パリ条約による優先権主張：１
９９６（平成８）年２月９日，オランダ国）
「コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ」を出願人
とする出願人名義変更届の提出：平成１２年８月１７日
原告を出願人とする出願人名義変更届の提出：平成１４年５月１５日
手続補正日：平成１５年９月３日（以下「本件補正」という。）
拒絶査定日：平成１５年１０月１７日
(2)審判請求手続等
審判請求日：平成１６年１月２６日（不服２００４−１７７５号）
審決日：平成１８年７月２５日
審決の結論：「本件審判の請求は，成り立たない。」
審決謄本送達日：平成１８年８月８日
２発明の要旨
審決が対象とした本件補正後の請求項１の記載は，次のとおりである（以下，こ
の請求項に係る発明を「本願発明」という。）。
「レーザ放射を光学系により半導体ウエファに照射するとともにウエファをこの
レーザ放射と相対的に形成すべき切込み溝に追従するパスに沿って移動させ，過熱
によりハードウエア材料を局部的に蒸発させてウエファの表面に切込み溝を形成し，
半導体材料のウエファに形成された半導体素子を分割する方法であって，レーザ放
射をウエファに少なくとも２つのビームの形で照射するとともに，ウエファをこれ
らのビームと相対的に，これらのビームが同一のパス上を次々に走行するよう移動
させる半導体素子の分割方法において，前記同一のパスを走行する少なくとも２つ
のビーム間に，少なくとも，ウエファから前記パスにおいて蒸発された半導体材料
の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間隔を与えることを特徴とする半導
体素子の分割方法。」
３審決の要点
審決は，本願発明は，後記の引用発明及び従来周知の技術的事項に基づいて当業
者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定によ
り特許をすることができないとした。
(1)実願昭５０−４０６９５号（実開昭５１−１２１５９２号）のマイクロフ
ィルム（甲３。以下「引用例」という。）に記載された発明（以下「引用発明」と
いう。）
「レーザ光線２を組合せレンズ２０により被加工物４であるウェハに照射するとともにウェ
ハをこのレーザ光線２と相対的に形成すべき溝に追従するパスに沿って移動させ，過熱により
ハードウエア材料を局部的に蒸発させてウェハの表面に溝を形成し，シリコン又はゲルマニウ
ムのウェハに形成された半導体素子を分割する方法であって，レーザ光線２をウェハに４つの
ビームの形で照射するとともに，ウェハをこれらのビームと相対的に，これらのビームが同一
のパス上を次々に走行するよう移動させる半導体素子の分割方法。」
(2)本願発明と引用発明との対比
ア一致点
「レーザ放射を光学系により半導体ウエファに照射するとともにウエファをこのレーザ放射
と相対的に形成すべき切込み溝に追従するパスに沿って移動させ，過熱によりハードウエア材
料を局部的に蒸発させてウエファの表面に切込み溝を形成し，半導体材料のウエファに形成さ
れた半導体素子を分割する方法であって，レーザ放射をウエファに４つのビームの形で照射す
るとともに，ウエファをこれらのビームと相対的に，これらのビームが同一のパス上を次々に
走行するよう移動させる半導体素子の分割方法。」
イ相違点
「本願発明では，同一のパスを走行する４つのビーム間に，少なくとも，ウエファから前記
パスにおいて蒸発された半導体材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間隔を与え
ているのに対し，引用発明では，そのような時間間隔を与えているのか明らかではない点。」
(3)相違点についての判断
「上記相違している点について検討する。
まず，半導体ウエファの表面に切込み溝を形成するためのレーザ放射について，従来技術を
みてみると，本件明細書に実施例として記載されているＱスイッチＹＡＧレーザを用いること
は，例えば，特開昭５１−７８１６９号公報（甲４。以下「周知例１」という。）及び特公平
１−４５２２５号公報（甲５。以下「周知例２」という。）等に記載されているように従来周
知であり，また，ＱスイッチＹＡＧレーザを用いるときに，１∼５０ｋＨｚの範囲のパルスレ
ーザとすることは，例えば，上記各周知例，特公平７−３８９９号公報（甲６。以下「周知例
３」という。）及び原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第９４／２９０６９号パンフレ
ット（甲７。以下「周知例４」という。）等に記載されているように普通に行われるものと認
められる。
そうすると，引用発明におけるレーザ放射に，上記周知のＱスイッチＹＡＧレーザを採用し，
発生するレーザを１∼５０ｋＨｚの範囲のパルスレーザとすることに何ら困難性は見当たらな
いというべきところ，かかるパルスレーザを用いる場合，パルス間の時間間隔の範囲は２０∼
１０００μｓとなり，ウエファを４つのビームに対し，これらビームが同一パスを上記範囲の
時間間隔で走行するように移動させることになると解される。
ところで，請求項２に記載の事項及び本件明細書２頁末行∼３頁３行に記載の事項によれば，
ウエファが２つ以上のビームに対し，これらビームが同一パスを１０μｓよりも長い時間間隔
で走行するように移動すれば，パスにおいて蒸発された半導体材料の本質的に完全な消失を可
とするに十分な時間間隔が与えられていると解されるところ，上記周知のパルスレーザを用い
た場合のパルス間の時間間隔の範囲は，１０μｓよりも長いのであるから，上記周知のパルス
レーザを引用発明におけるレーザ放射に用いた場合には，同一のパスを走行する４つのビーム
間に，少なくとも，ウエファから前記パスにおいて蒸発された半導体材料の本質的に完全な消
失を可とするに十分な時間間隔を与えることになると解するのが妥当である。
そうすると，上記相違している点は，上記周知のＱスイッチＹＡＧレーザを，普通に使用さ
れている１∼５０ｋＨｚの範囲のパルスレーザとして用いることによって，当業者が容易にな
し得たものというべきである。
また，本願発明の奏する効果も，客観的に見れば，引用発明及び上記従来周知の事項から当
業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。」
(4)むすび
「したがって，本願発明は，引用発明及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発
明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許をすることができ
ない。」
第３審決取消事由（相違点についての判断の誤り）の要点
審決は，以下のとおり，相違点についての判断を誤った結果，本願発明が特許法
２９条２項の規定により特許をすることができないと判断したものであるから，取
り消されるべきである。
１審決は，相違点について，「そうすると，引用発明におけるレーザ放射に，
上記周知のＱスイッチＹＡＧレーザを採用し，発生するレーザを１∼５０ｋＨｚの
範囲のパルスレーザとすることに何ら困難性は見当たらないというべきところ，か
かるパルスレーザを用いる場合，パルス間の時間間隔の範囲は２０∼１０００μｓ
となり，ウエファを４つのビームに対し，これらビームが同一パスを上記範囲の時
間間隔で走行するように移動させることになると解される。」と判断したが，以下
のとおり，この判断は誤りである。
(1)審決の上記判断の内容からすると，審決が，「パルス間の時間間隔」を
「パルス周期」として理解していることは明らかであるところ（１∼５０ｋＨｚの
周波数に対応する周期は，２０∼１０００μｓである。），「パルス間の時間間
隔」は，本願発明の「同一のパスを走行する少なくとも２つのビーム間に与えられ
た時間間隔」（以下「ビーム間の時間間隔」という。）とは異なるものであり，た
とえ，「パルス間の時間間隔」が２０∼１０００μｓであるとしても，「ビーム間
の時間間隔」が，同様に２０∼１０００μｓとなるとはいえない。
すなわち，「パルス間の時間間隔」（「パルス周期」）が，Ｑスイッチの特性に
より与えられるものであるのに対し，「ビーム間の時間間隔」は，ビームとウエフ
ァとの間の相対的移動速度やビーム間の物理的距離を調整することによって変更す
ることができるものである（「パルス間の時間間隔」が２０∼１０００μｓである
場合に，「ビーム間の時間間隔」を１０μｓに設定することも可能である。）。こ
のように，「パルス間の時間間隔」と「ビーム間の時間間隔」とは，互いに独立し
たものであり，「パルス間の時間間隔」が定まったからといって，「ビーム間の時
間間隔」が一義的に定まるものではない。
したがって，審決は，「パルス間の時間間隔」が定まれば，「ビーム間の時間間
隔」が「パルス間の時間間隔」と同一となるように一義的に定まるとの誤った判断
をしたものといえる。
(2)被告は，「パルス間の時間間隔」が「ビーム間の時間間隔」にほぼ一致す
る旨主張するが，両者がほぼ一致するのは，ウエファ上の同一点を第１のビームの
パルスで照射し，続いてほぼ１パルス周期後に，第２のビームのパルスで照射して
深い切込み溝を形成する場合のみである。
しかし，同一点に第１のビームと第２のビームを照射し，深い切込み溝を形成す
るには，「ビーム間の時間間隔」をほぼ１パルス周期（「ビーム間の時間間隔」の
下限）に限定する必要はなく，これをほぼｎパルス周期（ｎは２以上の整数）にし
てもよいのであるから，被告の上記主張は誤りである。
２審決は，上記１のとおりの誤った判断を前提にして，「・・・上記周知のパ
ルスレーザを用いた場合のパルス間の時間間隔の範囲は，１０μｓよりも長いので
あるから，上記周知のパルスレーザを引用発明におけるレーザ放射に用いた場合に
は，同一のパスを走行する４つのビーム間に，少なくとも，ウエファから前記パス
において蒸発された半導体材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間隔
を与えることになると解するのが妥当である。」と判断したが，例えば，ビームと
ウエファとの間の相対的移動速度やビーム間の物理的距離を調整することによって，
「ビーム間の時間間隔」を８μｓに選択した場合，「パルス間の時間間隔」が２０
∼１０００μｓである周知のパルスレーザを用いても，「ウエファから前記パスに
おいて蒸発された半導体材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間隔を
与えること」にはならないから，審決の上記判断は誤りである。
３審決は，上記１及び２のとおりの誤った判断に基づいて，「そうすると，上
記相違している点は，上記周知のＱスイッチＹＡＧレーザを，普通に使用されてい
る１∼５０ｋＨｚの範囲のパルスレーザとして用いることによって，当業者が容易
になし得たものというべきである。」と判断したが，１∼５０ｋＨｚの範囲のパル
スレーザを用いても，「ビーム間の時間間隔」は一義的に定まらないのであるし，
また，「蒸発生成物により切込み溝内に形成されるガスクッションの問題」や「ビ
ーム間の時間間隔」については，引用例に何ら触れられておらず，相違点に係る本
願発明の構成を採用する動機付けは存在しないのであるから，相違点に係る本願発
明の構成を当業者が容易に採用し得たとすることはできない。したがって，審決の
相違点についての上記判断は誤りである。
４審決は，「また，本願発明の奏する効果も，客観的に見れば，引用発明及び
上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のもの
ではない。」と判断したが，以下のとおり，この判断も誤りである。
(1)たとえＱスイッチＹＡＧレーザを普通に使用されている１∼５０ｋＨｚの
範囲のパルスレーザとして用いることが周知であったとしても，「蒸発生成物によ
り切込み溝内に形成されるガスクッションの問題」については，引用例に何ら言及
されておらず（引用例に言及されているのは，溝の中に残留した溶解物により生ず
る問題である。），したがって，本願発明が奏する「各新しい照射ステップにおい
て蒸発を無妨害で開始することができる。」との効果や，「パルス発振レーザ及び
連続発振レーザのいずれにも使用することができるほか，パルス発振レーザの場合
には，深い切込み溝の形成の効率に影響することなしに，いかなる周波数のもの
（１００ｋＨｚよりも更に大きい１ＭＨｚのものも含む。）をも使用することがで
きる。」との効果（これは，ガスクッションの問題が解決されることにより可能と
なる。）は，引用発明及び上記従来周知の事項から当業者が容易に予測することが
できるものではない。
(2)被告は，「引用発明においても，ガスクッションによるレーザ放射の吸収
を防ぐようにパルス周期等が考慮されているとみることができ，引用例の『従って
この溝は４回照射されることになり，第１図に示したような従来の方法での照射を
４回実施したものと同様の効果が生じることになる。』との記載は，本願発明と同
様に『各新しい照射ステップにおいて蒸発を無妨害で開始』していることを裏付け
ているといえる。」と主張する。
しかしながら，引用例の３頁２行∼４頁８行の記載に照らせば，被告が引用する
引用例の記載は，「第１図に示したような従来の方法での照射を４回実施したもの
と同様の深さの大なる溝を刻むことができる。」という意味であって，被告が主張
するように，本願発明と同様に「各新しいステップにおいて蒸発を無妨害で開始」
していることを裏付けるものではないから，引用発明においてもガスクッションに
よるレーザ放射の吸収を防ぐようにパルス周期等が考慮されているとみることがで
きるとの被告の主張は失当である。
(3)被告が主張するように「レーザが照射されたことによって発生した蒸発生
成物がガスクッションとなってレーザ放射を吸収するため，このガスクッションを
排除しなければならない」という課題自体が周知の事項であることは争わないが，
被告が引用する周知例に示されているのは，本願発明のような「レーザ放射をウエ
ファに少なくとも２つのビームの形で照射するとともに，ウエファをこれらのビー
ムと相対的に，これらのビームが同一のパス上を次々に走行するよう移動させる半
導体素子の分割方法」におけるガスクッションの問題ではない。
第４被告の反論の骨子
以下のとおり，相違点についての審決の判断に誤りはない。
１原告の主張１∼３に対して
(1)レーザには連続発振レーザとパルス発振レーザとが存在するところ，本願
発明の要旨によれば，本願発明の「レーザ」がいずれを採用するものか特定されて
いないのであるから，本願発明の「レーザ」は，双方を含むものである。
そして，パルス発振レーザにおいては，ビームとウエファとの間の相対移動やビ
ーム間の物理的距離にかかわらず，「パルス間の時間間隔」が「ビーム間の時間間
隔」とほぼ一致する。なぜなら，レーザ放射が分割され，同期してビームがウエフ
ァに照射される限り，パルス発振とパルス発振との間の時間帯は，ウエファにビー
ムが照射されておらず，これが「ビーム間の時間間隔」にほぼ一致するからである
（厳密には，「パルス間の時間間隔」から「パルス幅」（１つのパルス放射の時
間）を除いた時間が「ビーム間の時間間隔」に相当するが，一般に，パルス発振レ
ーザの場合，パルス幅は「パルス間の時間間隔」に比してかなり短いことが多く，
とりわけ，ＱスイッチＹＡＧレーザにおいては，パルス幅の割合が特に小さい（例
えば，周知例２∼４参照）から，パルス発振レーザの場合，「ビーム間の時間間
隔」は，「パルス間の時間間隔」とほぼ同程度となるものである。）。
(2)これを引用発明に採用した場合を考えると，レーザ放射の分割された複数
のパルスビームが同一点を照射するように，レーザの放射されない時間内にウエフ
ァを移動することとなり，複数のビームのパルスが同期しているのであるから，
「パルス間の時間間隔」は「ビーム間の時間間隔」にほぼ一致することになる（ウ
エファの移動を「パルス間の時間間隔」に同期させない場合には，「ビーム間の時
間間隔」がより長くなる。）。そして，１∼５０ｋＨｚの範囲のパルス発振レーザ
の場合，「パルス間の時間間隔」が２０∼１０００μｓとなり，これは，「蒸発さ
れた半導体材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間隔」であると原告
が主張する１０μｓ以上の時間間隔となる。
(3)また，引用発明において，例えば，ウエファの送り速度を１００ｍｍ／ｓ，
ＱスイッチＹＡＧレーザのパルスの周波数を２０ｋＨｚ（周期は５０μｓ），形成
される溝幅を２５μｍ（「増補版続・レーザ加工」と題する文献（乙４。以下「乙
４文献」という。）参照），ビーム間の距離を５ｍｍ（特開昭５９−６６９９０号
公報（乙５）参照）とそれぞれ仮定すると，ウエファが５μｍ移動するごとにレー
ザが照射されて２５μｍの直径を有する孔が形成され，これらが重なり合うことに
より，連続的な溝が形成されるが（なお，一般に，パルス発振レーザにおける「パ
ルス幅」は「パルス間の時間間隔」に比して通常極めて短い（１／１０以下）ので，
「パルス幅」に相当する時間にウエファが移動する距離はわずかであるから，１回
のパルス発振によってレーザが照射される範囲は，ほぼ円形であると考えて差し支
えない。），レーザが照射されるのは５０μｓごとの十分短い時間α秒のみであり，
パルス発振とパルス発振との合間の時間である「パルス間の時間間隔」の間，すな
わち，ほぼ５０μｓの間は，レーザの照射が休止され，これは，「蒸発された半導
体材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間隔」であると原告が主張す
る１０μｓよりも十分に長い。また，ビーム間の距離を５ｍｍとすると，これは，
パルス発振とパルス発振との間にウエファが移動する距離５μｍに比して十分大き
いから，後続のレーザの照射が，既に照射された先行するレーザの照射位置に，１
０μｓ以内に重なることはあり得ない。
このように，通常の１∼５０ｋＨｚの範囲のパルスレーザにおいては，結局，原
告が主張する１０μｓよりも十分に長いほぼ２０μｓ以上のレーザ照射の休止時間
が存在し，また，ビーム間の距離を５ｍｍ以上空ければ，分割したレーザの後方の
レーザによる照射が，先行するレーザによって照射された範囲を１０μｓ以内に再
び照射することはあり得ないのであるから，引用発明においても，「蒸発された半
導体材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間隔」が確保されているも
のである。
(4)原告は，「パルス間の時間間隔」が２０∼１０００μｓであっても，「ビ
ーム間の時間間隔」をその範囲外である１０μｓに設定することができる旨主張す
るが，本願に係る特許請求の範囲にも，明細書（本件補正後のもの。以下「本願明
細書」という。）及び図面（甲１，２）にも，そのための実現手段が記載されてお
らず，これについての示唆もされていないから，原告の上記主張は失当である。
なお，原告が主張するように「ビーム間の時間間隔」が１０μｓ以下となるのは，
レーザを高周波（ほぼ１００ｋＨｚ以上）のものとした場合であって，そのような
場合には，「蒸発された半導体材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間
間隔」であると原告が主張する１０μｓ以上を確保するため，ウエファの移動速度
を上げて，先行するレーザの照射により形成される孔を不連続のものとしなければ
ならなくなるところ，本願発明は，「ウエファの表面に切込み溝を形成」するもの
であって，このような不連続の孔を「切込み溝」と称することはできないから，レ
ーザを上記のように高周波のものとすることには問題がある。
(5)以上のとおり，引用発明において，レーザがパルス発振レーザである場合
には，レーザ放射の分割されたビームがウエファの同じ位置に照射されるまでには，
「蒸発された半導体材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間隔」を経
過したものとなることが明らかであり，審決の判断に誤りはない。
２原告の主張４に対して
(1)レーザが照射されたことによって発生した蒸発生成物がガスクッションと
なってレーザ放射を吸収するため，このガスクッションを排除しなければならない
という課題自体は，例えば，特開昭６４−２２４９６号公報（乙１。以下「乙１公
報」という。），特開昭６１−２７６７９５号公報（乙２。以下「乙２公報」とい
う。），実願昭５５−６２６４２号（実開昭５６−１６５５８９号）のマイクロフ
ィルム（乙３。以下「乙３公報」という。）にそれぞれ記載があるように，周知の
事項である。
(2)そして，引用発明においても，ガスクッションによるレーザ放射の吸収を
防ぐようにパルス周期等が考慮されているとみることができ，引用例の「従ってこ
の溝は４回照射されることになり，第１図に示したような従来の方法での照射を４
回実施したものと同様の効果が生じることになる。」との記載（引用例５頁１８行
∼６頁１行）は，本願発明と同様に「各新しい照射ステップにおいて蒸発を無妨害
で開始」していることを裏付けているといえる（このことは，上記１(3)において
主張したところから明らかである。）。
(3)してみると，審決の「また，本願発明の奏する効果も，客観的に見れば，
引用発明及び上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであっ
て格別のものではない。」との判断に誤りはない。
第５当裁判所の判断（相違点についての判断の誤りについて）
１本願前（優先日前をいう。以下同じ。）に頒布された刊行物に記載された本
願発明が属する技術分野における技術事項
(1)ＱスイッチＹＡＧレーザの利用と適用周波数等
ア「半導体装置の製造方法」と称する発明に関する周知例１（昭和５０年３月
２４日付け手続補正書による補正後のもの）の記載
「この発明はプレーナ型半導体ウエーハをレーザースクライブしてペレットに分割する方法
に関するものである。」（１頁左欄９∼１１行）
「・・・現在ではレーザービームを該ダイヤモンド刃の代りに使用するレーザースクライブ
法により行なわれている。このレーザースクライブ法は，固体レーザーの断続して発射される
高エネルギービームを，半導体ウエーハの割り溝を形成すべき部分に投射し，該部分を焼き切
つて行なうものである。」（１頁左欄１８行∼右欄５行）
「そして，レーザースクライブに用いられる装置は，例えば次の様に構成されている。第１
図はＹＡＧレーザースクライバの構成例であつて，(1)はネオジウムを添加したＹＡＧロッド
・・・，(2)は（０．６∼０．８）μの波長の光を発生するクリプトンランプ，(3)は１００％
の反射鏡，(4)は９０％の反射鏡，(5)はプリズム，(6)は集光レンズ，(7)はレーザースクライ
ブされる半導体ウエーハ，(8)は超音波Ｑスイッチである。」（１頁右欄９∼１７行）
「・・・超音波Ｑスイッチを働かせた時は，・・・誘導放射は起こらない。そして，レーザ
ービームが出て行かないので，ネオジウム原子は次々とポンピングされて，十分エネルギーが
貯えられる。そこで，超音波Ｑスイッチを切つて，瞬間的に共振状態におき，一挙にエネルギ
ーを放射させて，単一巨大パルスを発生させるのである。なお，この装置においては超音波Ｑ
スイッチの開閉を１０∼２０ｋＨｚで行つている。」（２頁右上欄１８行∼左下欄８行）
イ「レーザスクライブ装置」と称する発明に関する周知例２の記載
「本発明は，たとえば半導体ウエハの熱影響層の形成を抑制しながら幅の狭いかつ溝の深い
スクライブができるレーザスクライブ装置に関する。
従来，半導体ウエハ上にチツプを形成する場合，同ウエハ上に設けられたスクライブ線に沿
つてレーザビームを照射して溝を形成し，この溝により同ウエハを分割してチツプを得ていた。
この用途に用いられるレーザとしては，ＹＡＧロツドを連続的に励起するとともに，超音波式
Ｑスイツチを利用してピーク出力を高めた連続励起ＱスイツチパルスＹＡＧレーザが一般的で
ある。」（１頁１欄２６行∼２欄１０行）
「・・・第３図ａは従来の連続励起ＱスイツチＹＡＧレーザのパルスレーザ光の出力波形図
であり，周期Ｔでピーク出力がを有するパルスレーザが出力され，前記ピーク出力２Pcwp
を平均したものが平均出力である。」（４頁７欄２８∼３２行）PcwpPav
ウ「パルスレーザ発振方法及びその装置」と称する発明に関する周知例３の記
載
「・・・第１表は固体レーザの一種であるＹＡＧレーザの発振形態を分類して示したもので
ある。」（２頁３欄１８，１９行）
「ＹＡＧレーザのパルス発振方式は・・・２つに大別されるが，第１表に示したように得ら
れるパルスの特性（パルスエネルギー，パルス幅，周波数）も異なるために，それぞれ異なる
1050kw100加工分野に応用されている。即ち，高いパルスピーク値（∼）と短いパルス幅（
∼）が得られるＱスイッチパルスはスクライビング，トリミング等の高速除去加工に用500ns
いられるのに対し，比較的ピーク値が低く（∼），長いパルス幅（∼）が得ら10kw0.120ms
れるノーマルパルスは溶接，穴開け等の溶融加工に使用される。」（２頁３欄３７∼４６行）
また，第１表には，「Ｑスイッチ発振」欄中の「パルス幅」欄に「１００∼５０
０ｎｓ」との，「繰返し周波数」欄に「最高５０ｋＨｚ」との，「主な用途」欄に
「スクライビングトリミング」との各記載がある。
エ「レーザ加工装置及びレーザ加工方法並びに液晶パネル」と称する発明に関
する周知例４の記載
「背景技術
レーザ加工装置としては，ＣＯレーザを使った金属板の切断・穴あけ加工や，レーザ２YAG
による金属薄板の精密加工が広く知られている。とくに，小型でメンテナンス性が良く，直径
数μｍの集光スポットが容易に得られるという理由から，レーザは各種の精密加工に10YAG
適している。」（１頁７∼１１行）
「加工品質の観点からは，Ｑスイッチ周波数を低くして，ビームのピーク強度を高めること
が望ましい。・・・しかし，これらの加工方法には，生産性の点に問題がある。なぜならば，
Ｑスイッチ周波数を下げることは，そのぶんだけ，ステージの送り速度を遅らせることにつな
がり，その結果として，加工速度が著しく低下するからである。
他方，加工速度の観点からは，Ｑスイッチ周波数を高くして，ステージをすばやく移動させ
ることが望ましい。しかし，Ｑスイッチ周波数を高くすると，ピークパワーが低下し，パルス
幅が広がる。このために，液晶パネルの電極をパターンニングする時に，電極基板であるガラ
スに熱的損傷を与え，微小なクラックやくぼみを発生させる。」（２頁１∼１１行）
「加工条件とガラス基板への損傷について調べるために，・・・Ｑスイッチ周波数を変えて
１本の開溝を加工する実験を繰り返した。その結果，Ｑスイッチ周波数を以下に設定10kHz
すれば，膜及び下地のガラス基板にダメージを与えることなく，開溝を形成できることがITO
判明した。」（１５頁７∼１０行）
「図５(a)(b)に，それぞれ，Ｑスイッチ周波数がとの時のレーザ出力と時間10kHz30kHz
の関係を示した。加工時のピークパワーをとすると，Ｑスイッチ周波数がの時150W10kHz
のパルス幅とパルスエネルギーは，それぞれ，，μＪである。他方，Ｑスイッチ周150nsec23
波数がの時のパルス幅とパルスエネルギーは，それぞれ，，μＪである。30kHz300nsec45
ITO10kHzこれらのレーザ発振条件でガラス基板上の膜を加工すると，Ｑスイッチ周波数が
の条件では損傷は生じなかったが，の条件では溝周縁部ならびにガラス基板表面に微細30kHz
な損傷が発生した。の時に損傷が発生した理由は，パルス幅が広がり，過剰のエネルギ30kHz
ーが投入されたからである。すなわち，ピークパワーが加工閾値に達している場合でも，Ｑス
イッチ周波数から決まるパルス幅が許容値以上に広がっていると，加工時の損傷が避けられな
いのである。このような場合には，損傷を避けることを目的として，パルスエネルギーを小さ
くすることは効果がない。なぜならば，ピークパワーが加工閾値を超えなくなり，加工できな
くなるからである。
以上の結果をふまえ，ビームの分岐数及び加工速度に配慮して，２台のレーザ発振器のＱス
イッチ周波数を，定格平均出力をに定めた。この時のパルス幅は，ピーク10kHz8K150nsec
パワーは定格出力時のである。そして，Ｑスイッチコントローラ１１０３から制御信5.3KW
号を送り，それぞれのＱスイッチドライバをμづつ位相をずらして駆動することにし50sec
10kHzた。・・・２台の発振器を位相をずらして交互に駆動することにより，個々の発振器は
で発振しながら，実効的には，で駆動した時と同じ加工速度が得られることになる。」20kHz
（１５頁１３行∼１６頁１行）
「・・・加工に適したＱスイッチ周波数はレーザ発振器の特性に依存し，本実施例において
引用したに限るものではない。使用するレーザ発振器の特性ならびに被加工物の特性10kHz
に合わせて，最適なＱスイッチ周波数を決定しなければならない。」（１７頁７∼１０行）
また，第５図には，Ｑスイッチ周波数が１０ｋＨｚ，パルス幅が１５０ｎｓｅｃ
である場合（同図の(a)）及びＱスイッチ周波数が３０ｋＨｚ，パルス幅が３００
ｎｓｅｃである場合（同図の(b)）の各パルス波の様子が示されている。
オ昭和５７年８月２０日開発社発行の「増補版続・レーザ加工」と題する乙４
文献の記載
「レーザを加工物に照射し，微小量ずつ除去して行う加工として，スクライビング，トリミ
ング，・・・などの方法があり，レーザの特徴を生かした加工法として利用範囲がひろがって
いる。」（８５頁２∼５行）
5.1スクライビング「
レーザを用いたスクライビングは，シリコン，ガラス，セラミック，サファイヤなど特に硬
い材料を分割したり，整形したりするのに有効な方法である。・・・セラミックにはＣＯ，２
シリコンにはＹＡＧレーザが主として使われる。」（８５頁６∼１１行）
5.1.1シリコンのスクライビング「
トランジスタ，ダイオード，あるいはＩＣやＬＳＩなどの集積回路を製造するとき，数多く
の素子を大きなウェハの上に作ることは，生産コストを大幅に引き下げるのに役立つ有効な方
法である。
そこでウェハ上に作られた沢山の素子を，各単体の素子に分割する工程が必要であり，これ
がスクライビングと呼ばれている。」（８５頁１７∼２２行）
「は半導体工場で実用されているＹＡＧレーザスクライバ装置の一例である。・・・図5.1
レーザ光はＱスイッチによりパルス化されており，くり返しは１∼５０ｋＨｚの範囲で可変で
ある。」（８７頁３∼７行）
「この装置を用いて，Ｓｉウェハを加工した時，ウェハ送り速度とみぞ深さとの関係を求め
た一例がである。・・・たとえば，Ｓｉウェハに１００μｍの深さのみぞを切る必要が図5.2
ある場合には，ウェハ送り速度を１００ｍｍ／ｓとし，Ｑスイッチのくり返しパルスを１５∼
２５ｋＨｚの範囲に選べばよいことがわかる。なおみぞ幅はこの条件の範囲では，２５∼３０
μｍでほぼ一定である。」（８７頁９∼１５行）
「現在アメリカでは，０．２５∼０．５０ｍｍ厚のＳｉウェハに対し，ピーク出力５００Ｗ
の（Ｙ）ＡＧレーザを３５ｋＨｚ，パルス幅を３００ｎｓの条件で用い，みぞ幅２５μｍ，オ
ーバラップ８０％，スクライブ速度１５０∼２００ｍｍ／ｓが標準的な値のようである。」
（８８頁１５∼１８行）
また，図５・２には，Ｑスイッチのくり返しパルスを６ｋＨｚから３５ｋＨｚま
での範囲で，ウェハ送り速度を１０ｍｍ／ｓ程度から２００ｍｍ／ｓまでの範囲で
実験（それぞれの場合の「みぞ深さ（μｍ）」を測定するもの）を行った結果がグ
ラフ化されて示されている。
(2)いわゆるガスクッションの発生
ア「レーザ加工方法」と称する発明に関する乙１公報の記載
「〔産業上の利用分野〕
この発明は，被加工物表面のレーザ加工方法，さらに詳しく言えば，レーザビームを被加工
物に向けて照射し，被加工物表面を加熱，溶融，蒸発させて被加工物表面にマーキングを施す
レーザ加工方法に関する。」（１頁左欄１３∼１８行）
「レーザ加工においては，第３図(a)に示すように，まず，レーザビームｌが結像レンズ６
を通過して被加工物表面７ａに照射される。すると第３図(b)に示すように，レーザビームの
エネルギにより被加工物７の一部が蒸発し蒸発物１１となり，この蒸発物１１とレーザビーム
ｌが衝突して一種のプラズマ状の火玉を発生する。このとき，レーザビームｌのエネルギの一
部は火玉に吸収され，効率よく被加工物表面７ａには到達していない。このため第３図(c)に
示すように被加工表面７ａには完全に蒸発していない炭化した残留物１２を生じることになる。
本発明は上記のプラズマ状の火玉がレーザビームｌのエネルギの一部を吸収してしまうという
点に着目したもので，被加工物表面７ａのレーザビーム照射部分にガスを吹きつけることによ
り，発生する火玉を瞬時に除去し，レーザビームｌのエネルギを効率よく被加工物表面７ａに
到達させるものである。すなわち，本発明によるレーザ加工においては，第４図(a)に示すよ
うに，結像レンズ６を通してレーザビーム１を被加工物表面７ａに照射するとともに，ガスノ
ズル９によりエアガス１０を被加工物表面７ａのレーザビーム照射部分に吹きつけるようにし
てある。このため，第４図(b)に示すように，蒸発物１１は瞬時に吹き飛ばされ火玉が除去さ
れるのでレーザビーム１のエネルギは効率よく被加工物表面７ａに到達することになり，小さ
なレーザ出力あるいはレーザ発振条件が最適でない場合でも第４図(c)に示すように，被加工
物表面７ａのレーザビーム照射部分には均一な溝８が形成される。」（３頁左上欄１９行∼左
下欄８行）
「〔実施例〕
以下，第１図に例示するところに従って本発明のレーザ加工方法を説明する。・・・すなわ
ち，このレーザ加工装置はパルスＹＡＧレーザ発振器２から発振した１ショットのレーザビー
ム１を，エキスパンダレンズ３，凸形シリンドリカルレンズ４，ステンシル５，結像レンズ６
からなる集光手段１３により集光し被加工物表面７ａのマーキングを施そうとする部分に照射
するとともに，ガスノズル９によりエアガス１０を被加工物表面７ａのレーザビーム照射部分
に吹きつけながらレーザマーキングを施すものである。」（３頁左下欄９行∼右下欄５行）
また，第３図（従来のレーザ加工の説明図）(b)には，レーザビーム１が蒸発物
１１と衝突する様子が示されている。
イ「混成集積回路装置のレーザスクライブ方法」と称する発明に関する乙２公
報の記載
「〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路装置の製造方法，特に，基板分離をするためのレーザスクライブ方法
に関する。」（１頁左欄１０∼１３行）
「〔従来の技術〕
従来レーザスクライブとしてはＹＡＧおよびＣＯレーザスクライブにて混成集積回路基板２
・・・に所望の溝を形成する方法がある。」（１頁左欄１４∼１８行）
「〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが前記した従来のレーザスクライブ方法では第２図に示すように，混成集積回路基板
２の溝３の付近に，レーザ光線１によるスクライブ時に溶融するガス７および湯玉６が基板の
一部に冷却し付着するため，分割するときのゴミの発生要因となる。又溶融時基板の一部が蒸
発しガス状になるためレーザ光線の効率低下原因になっている。」（１頁左欄１９行∼右欄６
行）
「第１図は本発明の実施例を図示したもので，レーザ光線１を混成集積回路基板２の所定部
に照射すると共に，前記照射部に高圧酸素５をノズル４より吹き付けることにより，溶融時に
発生するガスおよび湯玉（溶融後固った基板の一部）を除去してスクライブ用溝３を形成す
る。」（２頁左欄１∼６行）
また，第２図（従来の一実施例の側面図）には，レーザ光線１がガス７と衝突す
る様子が示されている。
ウ「レーザビーム加工用ノズル」と称する考案に関する乙３公報の記載
「本案は，レーザビームで金属，非金属材料を加工する方法に係り，特に加工中に被加工物
溶融面から発生する蒸発ガスを除去するためのレーザビーム加工用ノズルに関する。加工中に
発生する蒸発ガスは，ビームの吸収，反射等によるビーム出力の減衰・・・などを誘発するた
め，これを完全に除去することが必要である。」（１頁１０∼１６行）
「従来のレーザビーム加工用ノズルの形状は，第１図に示すように補助ガス入口３から供給
された補助ガス５によつて，加工溶融物や蒸発ガスを吹き飛ばしていた。」（２頁２∼５行）
「本案は，レーザビーム加工用ノズル先端に，排煙用チツプを設け加工溶融中に発生する蒸
発ガスを，発生源に最も近いところで吸引除去するようにしたものである。」（２頁１５∼１
８行）
２引用例に記載された技術事項
(1)引用例には，審決が認定したとおりの引用発明が記載されているものと認
められるところ，原告も，この認定を争うものではない。
そして，これによれば，引用発明は，４つのビームの形でレーザ光線をそれぞれ
ウエファに照射し，過熱によりハードウエア材料を蒸発させるとともに，ウエファ
を移動させ，これらの工程により，ウエファの表面に溝を形成することを内容とす
るものである。
(2)さらに，引用例には，以下の各記載が存在する。
「本考案は，例えば半導体のウェハ（薄板）をスクライビングするレーザ加工装置に係り，
特にウェハの製作を短時間で簡単にできるようにしたレーザ加工装置に関する。」（１頁１０
∼１３行）
「このウェハを製作する際，その各々を分離する為にレーザによって縦横に傷をつけること
をレーザスクライビングと言う。このレーザスクライビングは，レーザ発振器から発振された
レーザ光線を集光レンズを通過せしめて被加工物上に収束照射するようにして行なわれる。
すなわち，第１図は従来の集光レンズを使用したレーザスクライビング加工を示す説明図で
あり，符号１はレーザ発振器を示す。このレーザ発振器１から発振されたレーザ光線２は集光
レンズ３を通過して被加工物４の表面上に収束するようになっている。
上記被加工物４は駆動テーブル５上に載置され，この駆動テーブル５は基盤６上を前後左右
に摺動しうるようになっている。しかして，上記駆動テーブル５を往復運動させれば被加工物
の表面には一条の溝が形成される。」（２頁５行∼３頁１行）
「本考案は，・・・上記集光レンズ３の代わりに所要形状を有し，一定の曲率を与えたレン
ズ単位体を複数個設け，これら各単位体の側縁を接着させた組合せレンズを使用することによ
って，加工面に短時間で幅が狭くしかも深さの大なる溝を刻むことのできるレーザ加工装置を
提供することを目的とする。」（４頁２∼８行）
「レーザ発振器から発振されたレーザ光線２は上記組合せレンズ２０の各単位体２１を通っ
てそれらの焦点距離近傍に位置する被加工物４の表面上に別個に収束し，各単位体２１の数だ
けのスポット２ａ，２ｂ…を作る。
しかして，上記組合せレンズの各単位体２１はその焦点距離が等しくなるように一定の曲率
が与えられているので，上記被加工物４の表面上の各スポットは第７図に示す如く同一の大き
さを有し，且つ，駆動テーブル５が摺動しうる方向に一直線に並んでいる。
今，駆動テーブル５の位置を調整して被加工物４の左端をスポット２ｄに合わせた後，駆動
テーブル５を左側へ一定の速度で摺動させると被加工物４の表面には先ず，上記スポット２ｄ
によって照射された一条の溝ができ，次いでこの溝は順にスポット２ｃ，２ｂ，２ａによって
照射され，その深さを増していく。従ってこの溝は４回照射されることになり，第１図に示し
たような従来の方法での照射を４回実施したものと同様の効果が生じることになる。」（５頁
１行∼６頁１行）
また，第６図（本考案のレーザ加工装置の要部説明図）には，組合せレンズ２０
の４つの各単位体２１を通ったレーザ光線２が被加工物４の表面の４箇所に収束照
射され，被加工物４が駆動テーブル５によって図中の左右方向に摺動する様子が，
第７図（スポットの位置関係を示す説明図）には，被加工物４の表面に同一の大き
さを有する円形の４つのスポット２ａないし２ｄが同一直線上に存在し（なお，隣
接するスポット間の距離は，スポットの直径より十分大きい。），これらを通る一
条の溝ができていく様子がそれぞれ示されている。
３引用発明への周知技術の適用
(1)前記１(1)の各記載及び図示によれば，半導体ウエファの表面に切込み溝を
形成するためのレーザ放射に係る技術において，ＱスイッチＹＡＧレーザ（これは，
パルス発振レーザである。）を用いることが本願前から周知であり，また，同レー
ザを用いるときに，１∼５０ｋＨｚの範囲の周波数とすることが本願前から普通に
行われていたことが認められる（なお，審決も，これと同旨の認定をするところ，
原告も，これを争うものではない。）。
そうすると，引用発明におけるレーザ放射に，周波数１∼５０ｋＨｚの範囲のＱ
スイッチＹＡＧレーザを採用することは，当業者であれば，格別の困難性はないと
認めるのが相当であるから（なお，この点についても，審決は，これと同旨の判断
をし，原告も，これを争うものではない。），以下，引用発明におけるレーザ放射
に，周波数１∼５０ｋＨｚの範囲のＱスイッチＹＡＧレーザを適用した場合につい
て考察する。
(2)上記２のとおり，引用発明においては，被加工物の表面上に，レーザ光線
が収束照射された部位であるスポット２ａないし２ｄを通る一条の溝が形成される
ところ，このように一条の溝を形成するという構成を維持するためには，Ｑスイッ
チＹＡＧレーザがパルス発振レーザであって，レーザ光線が照射される時間帯と照
射されない時間帯が存在することを考慮しなければならない。
すなわち，駆動テーブルを引用例の第７図中の右方向から左方向に移動させるこ
とにより被加工物上に一条の溝を形成しようとする場合，被加工物には，まず，ス
ポット２ｄにおいてレーザ光線が照射され，過熱により，円形の穴が形成される
（なお，この円形の穴は，被加工物の表面における形状であり，穴全体を立体的に
みれば，円錐（引用例の第２図及び第３図参照）形状である。ただし，レーザ光線
が連続して照射されている時間は，パルス幅に相当する時間（以下，単に「パルス
幅」という。）であり，その間にも被加工物は，わずかではあるが左方向に移動す
るのであるから，厳密には，当該穴は略円錐であり，被加工物の表面に形成される
形状も略円形である。）。そして，ＱスイッチＹＡＧレーザには，レーザ光線が照
射される時間帯と照射されない時間帯があるから，最初に被加工物上に上記略円形
の穴が形成された後，スポット２ｄに次のレーザ光線の照射があるまでの間（パル
ス周期からパルス幅を控除した時間），上記円形（レーザ光線が連続して照射され
ている間の被加工物の移動を考慮しないもの）の直径に相当する長さを超える程度
にまで被加工物が左方向に移動してしまうと，次の照射により形成される穴と前の
照射により形成された穴が不連続となってしまい，被加工物上に「一条の溝」を形
成することができないことになる。そこで，被加工物の移動速度には，Ｑスイッチ
ＹＡＧレーザの周波数（パルス周期）やパルス幅により，自ずから限界があること
になる。
なお，上記２のとおり，引用発明においては，隣接するスポット間の距離は，ス
ポットの直径より十分大きいのであるから，上記重なり合いを生じさせるために，
隣接するスポット（上記の例では，スポット２ｃ）によるレーザ光線の照射を考慮
することはできない。
(3)そこで，レーザ光線の照射により被加工物上に「一条の溝」を形成可能と
する関係を，被加工物の移動速度をｖ（ｍ／ｓ），上記円形（レーザ光線が連続し
て照射されている間の被加工物の移動を考慮しないもの）の半径をｒ（ｍ），パル
ス周期をＴ（ｓ），パルス幅をｔ（ｓ）として式で表すと，次のとおりとなる。
ｖ（Ｔ−ｔ）≦２ｒ・・・①
ここで，上記のとおり，隣接するスポット間（各スポットの中心点の間。以下同
じ。）の距離は，スポットの直径より十分大きいから，隣接するスポット間の距離
をＬ（ｍ），隣接するスポット間を被加工物が移動する時間をＵ（ｓ）とすると，
①式は，次のように書き換えられる。
ｖ（Ｔ−ｔ）≪Ｌ
Ｌ／ｖ≫Ｔ−ｔ
Ｕ≫Ｔ−ｔ・・・②
また，上記のとおり，ＱスイッチＹＡＧレーザを用いるときに，１∼５０ｋＨｚ
の範囲の周波数とすることが普通に行われるものであり，これによれば，パルス周
期は以下のとおりとなるところ，周知例３及び４並びに乙４文献に記載されたパル
ス幅は以下のとおりであるから，パルス幅ｔはパルス周期Ｔに比して著しく小さい
といえることに加え，②式によれば，隣接するスポット間を被加工物が移動する時
間Ｕはパルス周期Ｔからパルス幅ｔを減じた時間に比して十分大きいことをも併せ
考慮すると，②式において「−ｔ」の項を無視しても，有意な差は現れないものと
認められる。
パルス周期（ｓ）：０．００００２∼
０．００１（２０∼１０００μｓ）
パルス幅（ｓ）：０．００００００１∼
０．００００００５（１００∼５００ｎｓ）（周知例３）
０．００００００１５（１５０ｎｓ）（周知例４）
０．００００００３（３００ｎｓ）（周知例４及び乙４文
献）
そうすると，②式は，次のとおり書き換えられるものと認められる。
Ｕ≫Ｔ・・・③
(4)上記③式によれば，引用発明に上記のとおり周知のＱスイッチＹＡＧレー
ザを普通の周波数で適用した場合，隣接するスポット間を被加工物が移動する時間
（原告が主張する「ビーム間の時間間隔」）は，パルス周期（原告が主張する「パ
ルス間の時間間隔」）より十分大きいことになる。
そして，本願明細書に，「ウエファは２以上のビームに対し，これらのビームが
同一パスを少なくとも１０μｓの時間間隔で走行するように移動させるのが好まし
い。切込み溝の形成を妨げるガスクッションは少なくとも１０μｓの時間後に消失
すること明らかであるので，各新しい照射ステップにおいて蒸発を無妨害で開始す
ることができる。」との記載（２頁２９行∼３頁３行）があるところ，被告も，特
段，その内容の正確性を争っておらず，また，上記のとおり，ＱスイッチＹＡＧレ
ーザにおいて普通に使用されるパルス周期は２０∼１０００μｓであるから，これ
らを上記③式に当てはめると，引用発明に上記パルス周期のＱスイッチＹＡＧレー
ザを適用した場合，原告が主張する「ビーム間の時間間隔」は，必然的に２０μｓ
を上回ることとなり，したがって，必然的に，原告が主張する「蒸発された半導体
材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間隔」が得られることとなる。
なお，念のため，同一のスポット（上記の例では，スポット２ｄ）に繰り返し照
射されるレーザ光線についてみても，これが照射されない時間帯（Ｔ−ｔ）が，上
記(3)によれば，最小でも１９．５μｓ（２０μｓ−５００ｎｓ）程度は存在する
というのであるから，特定のスポットに対するレーザ光線の照射が終了してから，
当該スポットに対する次のレーザ光線の照射が開始されるまでの間には，原告が主
張する「蒸発された半導体材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間
隔」が確保されることとなる。
(5)そうすると，「上記相違している点は，上記周知のＱスイッチＹＡＧレー
ザを，普通に使用されている１∼５０ｋＨｚの範囲のパルスレーザとして用いるこ
とによって，当業者が容易になし得たものというべきである。」との審決の判断に
誤りはないというべきである。
４原告の主張１及び２について
原告は，「『パルス間の時間間隔』（『パルス周期』）が，Ｑスイッチの特性に
より与えられるものであるのに対し，『ビーム間の時間間隔』は，ビームとウエフ
ァとの間の相対的移動速度やビーム間の物理的距離を調整することによって変更す
ることができるものである（『パルス間の時間間隔』が２０∼１０００μｓである
場合に，『ビーム間の時間間隔』を１０μｓに設定することも可能である。）。こ
のように，『パルス間の時間間隔』と『ビーム間の時間間隔』とは，互いに独立し
たものであり，『パルス間の時間間隔』が定まったからといって，『ビーム間の時
間間隔』が一義的に定まるものではない」，「例えば，ビームとウエファとの間の
相対的移動速度やビーム間の物理的距離を調整することによって，『ビーム間の時
間間隔』を８μｓに選択した場合，『パルス間の時間間隔』が２０∼１０００μｓ
である周知のパルスレーザを用いても，『ウエファから前記パスにおいて蒸発され
た半導体材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間隔を与えること』に
はならない」などと主張するが，上記３において説示したとおり，引用発明におけ
る「一条の溝」（これは，本願発明の要旨にいう「切込み溝」に相当するものであ
る。なお，原告も，「切込み溝を形成」することが本願発明と引用発明の一致点で
あるとした審決の認定を争っていない。）を形成するとの構成を維持して周知のＱ
スイッチＹＡＧレーザを普通の周波数で適用する場合，被加工物の移動速度には，
ＱスイッチＹＡＧレーザの周波数（パルス周期）やパルス幅により，自ずから限界
があり，原告が主張する「ビーム間の時間間隔」は，必然的に，「パルス間の時間
間隔」よりも十分大きくなるのであるから，原告の上記各主張は，いずれも採用す
ることができない。
５原告の主張３について
(1)原告は，「１∼５０ｋＨｚの範囲のパルスレーザを用いても，『ビーム間
の時間間隔』は一義的に定まらないのであるし，また，『蒸発生成物により切込み
溝内に形成されるガスクッションの問題』や『ビーム間の時間間隔』については，
引用例に何ら触れられておらず，相違点に係る本願発明の構成を採用する動機付け
は存在しないのであるから，相違点に係る本願発明の構成を当業者が容易に採用し
得たとすることはできない」と主張する。
(2)しかしながら，「１∼５０ｋＨｚの範囲のパルスレーザを用いても，『ビ
ーム間の時間間隔』は一義的に定まらない」との主張を採用することができないこ
とは，前記３において説示したとおりである。
(3)また，「『蒸発生成物により切込み溝内に形成されるガスクッションの問
題』については，引用例に何ら触れられておらず，相違点に係る本願発明の構成を
採用する動機付けは存在しない」との主張については，確かに，引用例には，原告
が主張する「ガスクッションの問題」についての記載も示唆もないが，前記１(2)
の各記載及び図示によれば，レーザビーム（ＹＡＧレーザを含む。）を被加工物に
照射して加工を行う際，被加工物が溶融，蒸発してガスが生じ，これがレーザビー
ムの被加工物への照射を妨害することがあり，これを排除する必要があることは，
本願前から周知の課題として広く知られていたものと認めることができるから，こ
の点の原告の主張も，採用の限りでない。
原告は，上記課題が周知の事項であること自体は争わないものの，乙１公報ない
し乙３公報に記載されたガスクッションの問題は，「レーザ放射をウエファに少な
くとも２つのビームの形で照射するとともに，ウエファをこれらのビームと相対的
に，これらのビームが同一のパス上を次々に走行するよう移動させる半導体素子の
分割方法」である本願発明におけるガスクッションの問題とは異なる旨主張するが
（原告の主張４参照），本願明細書には，「レーザ放射による半導体材料の蒸発は
レーザ放射を吸収する蒸発生成物のガスクッションを形成することが予想され
る。」との記載（２頁１７，１８行）があるのであって，このガスクッションは，
上記各公報に記載されたものと何ら変わりはないから，原告の上記主張は失当であ
る。
(4)さらに，「『ビーム間の時間間隔』については，引用例に何ら触れられて
おらず，相違点に係る本願発明の構成を採用する動機付けは存在しない」との主張
については，確かに，引用例には，原告が主張する「ビーム間の時間間隔」（これ
は，被加工物の移動速度と隣接するスポット間の距離により定まるものである。）
をどのように定めるかについての記載も示唆もないが，前記３において説示したと
おり，引用発明における「一条の溝」を形成するとの構成を維持して周知のＱスイ
ッチＹＡＧレーザを普通の周波数で適用する場合，被加工物の移動速度には，Ｑス
イッチＹＡＧレーザの周波数（パルス周期）やパルス幅により，自ずから限界があ
り，原告が主張する「ビーム間の時間間隔」は，必然的に，「パルス間の時間間
隔」よりも十分大きくなるのであるから，この点についての原告の主張も，採用す
ることができない。
６原告の主張４について
(1)原告は，「『蒸発生成物により切込み溝内に形成されるガスクッションの
問題』については，引用例に何ら言及されておらず（引用例に言及されているのは，
溝の中に残留した溶解物により生ずる問題である。），したがって，本願発明が奏
する『各新しい照射ステップにおいて蒸発を無妨害で開始することができる。』と
の効果や，『パルス発振レーザ及び連続発振レーザのいずれにも使用することがで
きるほか，パルス発振レーザの場合には，深い切込み溝の形成の効率に影響するこ
となしに，いかなる周波数のもの（１００ｋＨｚよりも更に大きい１ＭＨｚのもの
も含む。）をも使用することができる。』との効果（これは，ガスクッションの問
題が解決されることにより可能となる。）は，引用発明及び上記従来周知の事項か
ら当業者が容易に予測することができるものではない」と主張する。
(2)しかしながら，原告が主張する「蒸発生成物により切込み溝内に形成され
るガスクッションの問題」が本願前から周知の課題として広く知られていたもので
あることは，上記５(3)において説示したとおりである。
そして，引用発明にパルス周期が２０∼１０００μｓの範囲のＱスイッチＹＡＧ
レーザを適用した場合，原告が主張する「ビーム間の時間間隔」が，必然的に２０
μｓを上回ることとなり，したがって，必然的に，原告が主張する「蒸発された半
導体材料の本質的に完全な消失を可とするに十分な時間間隔」が得られることとな
ることは，前記３において説示したとおりであるから，上記「各新しい照射ステッ
プにおいて蒸発を無妨害で開始することができる」との効果は，引用発明に上記パ
ルス周期のＱスイッチＹＡＧレーザを適用したことにより当然奏する効果であり，
これを，当業者が予測することができない格別顕著なものと評価することはできな
い。
また，上記「パルス発振レーザ及び連続発振レーザのいずれにも使用することが
できる」との効果が，上記「ガスクッションの問題」が解決されたことによるもの
と認めるに足りる証拠はなく，また，かかる効果が，当業者が予測することのでき
る範囲を超える格別顕著なものと評価するに足りる証拠もない。
さらに，上記「パルス発振レーザの場合には，・・・いかなる周波数のもの（１
００ｋＨｚよりも更に大きい１ＭＨｚのものを含む。）をも使用することができ
る」との効果は，本願明細書に全く記載がないものである。
(3)以上からすると，原告の上記主張を採用することはできないというべきで
ある。
７結論
以上によれば，審決取消事由は理由がないから，原告の請求を棄却することとし，
主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官
田中信義
裁判官
古閑裕二
裁判官
浅井憲

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