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平成２１年３月６日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２０年（ワ）第１４８５８号特許権侵害差止請求事件
口頭弁論終結日平成２１年１月２３日
判決
コリア〈以下略〉
原告三星電子株式会社
訴訟代理人弁護士大野聖二
同井上義隆
訴訟代理人弁理士片山健一
同津田理
大阪市〈以下略〉
被告シャープ株式会社
訴訟代理人弁護士永島孝明
同安國忠彦
同明石幸二郎
訴訟代理人弁理士深見久郎
同森田俊雄
同吉田昌司
同荒川伸夫
補佐人弁理士磯田志郎
同和田吉樹
主文
１被告は，別紙イ号物件目録記載の製品を生産し，譲渡し，貸し渡
し，輸出若しくは輸入し，又はその譲渡若しくは貸渡しの申出（譲
渡若しくは貸渡しのための展示を含む。）をしてはならない。
２被告は，被告の占有にかかる前項の製品を廃棄せよ。
３訴訟費用は被告の負担とする。
４この判決の第１項は，仮に執行することができる。
事実及び理由
第１請求
主文第１，２項と同旨
第２事案の概要
１事案の要旨
本件は，発明の名称を「液晶表示装置の製造方法」とする特許番号第３６
２５５９８号の特許（以下，この特許を「本件特許」，この特許権を「本件
特許権」という。）の特許権者である原告が，被告が別紙イ号物件目録記載
の製品の製造，販売又はその販売の申出等をする行為が，本件特許権の侵害
に当たる旨主張して，被告に対し，特許法１００条１項，２項に基づき，上
記製品の生産，譲渡，輸出等の差止め及び廃棄を求めた事案である。
２争いのない事実
(1)当事者
ア原告は，半導体，携帯電話，液晶モニター等の製造，販売を業とする
韓国法人である。
イ被告は，液晶テレビ等電気機械器具の製造，販売等を業とする株式会
社である。
(2)原告の特許権
ア原告は，平成８年１２月２７日，発明の名称を「液晶表示装置の製造
方法」とする発明につき特許出願（優先権主張平成７年１２月３０日・
平成８年１０月５日，特願平８−３５１４５６号。以下「本件出願」と
いう。）をし，平成１６年１２月１０日，本件特許権の設定登録（請求
項の数４）を受けた。
イ本件特許に係る願書に添付した明細書（以下，図面を含めて「本件明
細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１ないし４の記載は，次の
とおりである（以下，請求項１に係る発明を「本件発明１」，請求項２
に係る発明を「本件発明２」，請求項３に係る発明を「本件発明３」，
請求項４に係る発明を「本件発明４」という。）。
「【請求項１】薄膜トランジスタ部及びパッド部を有する液晶表示装
置の製造方法において，基板上に第１金属膜及び第２金属膜を順番に
積層した後，１次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部及びパッド部
にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成する段階と，前記ゲー
ト電極及びゲートパッドの形成された基板の全面に絶縁膜及び半導体
膜を順番に形成する段階と，前記半導体膜を２次写真蝕刻して前記薄
膜トランジスタ部に半導体膜パターンを形成する段階と，前記半導体
膜パターンの形成された基板の全面に第３金属膜を形成する段階と，
前記第３金属膜を３次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部にソース
電極及びドレイン電極を形成する段階と，前記ソース電極及びドレイ
ン電極の形成された基板の全面に保護膜を形成する段階と，前記保護
膜及び絶縁膜を４次写真蝕刻して前記ドレイン電極の表面と，前記ゲ
ートパッドの表面を露出させるコンタクトホールを形成し，前記ゲー
トパッドより内側にオープンされるように前記保護膜及び絶縁膜を蝕
刻する段階と，前記コンタクトホールの形成された基板の全面に透明
導電膜を形成する段階と，前記透明導電膜を５次写真蝕刻して，前記
ドレイン電極と接続される第１画素電極パターンと，ゲートパッドと
接続される第２画素電極パターンとを形成する段階と，を含み，前記
半導体膜パターンを形成する段階及びソース電極及びドレイン電極を
形成する段階のうち，少なくとも何れか一段階は，前記パッド部に形
成されるコンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上に，前記半導体
膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れか一つが残る段階からな
ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
「【請求項２】前記第１金属膜はアルミニウムあるいはアルミニウム
合金から形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置
の製造方法。」
「【請求項３】前記第２金属膜は耐火金属から形成されることを特徴
とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。」
「【請求項４】前記画素電極パターンを形成する段階は，前記画素電
極パターンは前記パッド部の保護膜及び絶縁膜のオープンされた部分
より大きく形成する段階からなることを特徴とする請求項１に記載の
液晶表示装置の製造方法。」
ウ(ア)本件発明１を構成要件に分説すると，次のとおりである。
Ａ薄膜トランジスタ部及びパッド部を有する液晶表示装置の製造方
法において，
Ｂ基板上に第１金属膜及び第２金属膜を順番に積層した後，１次写
真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部及びパッド部にゲート電極及び
ゲートパッドをそれぞれ形成する段階と，
Ｃ前記ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板の全面に絶縁
膜及び半導体膜を順番に形成する段階と，
Ｄ前記半導体膜を２次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部に半導
体膜パターンを形成する段階と，
Ｅ前記半導体膜パターンの形成された基板の全面に第３金属膜を形
成する段階と，
Ｆ前記第３金属膜を３次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部にソ
ース電極及びドレイン電極を形成する段階と，
Ｇ前記ソース電極及びドレイン電極の形成された基板の全面に保護
膜を形成する段階と，
Ｈ前記保護膜及び絶縁膜を４次写真蝕刻して前記ドレイン電極の表
面と，前記ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホールを形
成し，前記ゲートパッドより内側にオープンされるように前記保護
膜及び絶縁膜を蝕刻する段階と，
Ｉ前記コンタクトホールの形成された基板の全面に透明導電膜を形
成する段階と，
Ｊ前記透明導電膜を５次写真蝕刻して，前記ドレイン電極と接続さ
れる第１画素電極パターンと，ゲートパッドと接続される第２画素
電極パターンとを形成する段階と，を含み，
Ｋ前記半導体膜パターンを形成する段階及びソース電極及びドレイ
ン電極を形成する段階のうち，少なくとも何れか一段階は，前記パ
ッド部に形成されるコンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上
に，前記半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れか一つ
が残る段階からなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
(イ)本件発明２を構成要件に分説すると，次のとおりである。
Ａ∼Ｋ（前記(ア)のとおり）
Ｌ前記第１金属膜はアルミニウムあるいはアルミニウム合金から形
成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
(ウ)本件発明３を構成要件に分説すると，次のとおりである。
Ａ∼Ｋ（前記(ア)のとおり）
Ｍ前記第２金属膜は耐火金属から形成されることを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。
(エ)本件発明４を構成要件に分説すると，次のとおりである。
Ａ∼Ｋ（前記(ア)のとおり）
Ｎ前記画素電極パターンを形成する段階は，前記画素電極パターン
は前記パッド部の保護膜及び絶縁膜のオープンされた部分より大き
く形成する段階からなることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
(3)被告の行為
被告は，別紙イ号物件目録記載の製品（以下，同製品を「イ号液晶テレ
ビ」といい，同製品に搭載された液晶モジュールを「イ号液晶モジュー
ル」という。）を製造し，販売し，販売の申出をしている。
３争点
本件の争点は，イ号液晶モジュールの製造方法が本件発明１ないし４の構
成要件を充足し，その技術的範囲に属するか否か（争点１），本件特許に無
効理由があり，原告の本件特許権の行使が特許法１０４条の３第１項により
制限されるかどうか（争点２）である。
第３争点に関する当事者の主張
１争点１（イ号液晶モジュールの製造方法の本件発明１ないし４の技術的範
囲の属否）
(1)原告の主張
ア本件発明１の「薄膜トランジスタ部」，「パッド部」及び「ゲートパ
ッド」の意義
(ア)本件発明１の「薄膜トランジスタ部」とは，本件明細書（甲３）
の図９，１１に図示されているように（図中の左側部分の「ＴＦＴ
部」），画素領域に設けられ，ソース，ドレイン，ゲートにより構成
される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びドレイン電極の表面を露出さ
せる「コンタクトホール」が形成された領域をいう。
(イ)本件発明１の「ゲートパッド」とは，液晶表示装置の画素領域
外（基板の周辺）の領域において，ゲートラインの一端（末端）に形
成される電極をいい（本件明細書の段落【００３７】，図６），ゲー
ト電極を構成する「第１金属膜」，「第２金属膜」により形成され
る。
そして，本件発明１の「パッド部」は，本件明細書の図９，１１に
図示されているように（図中の右側部分の「パッド部」），上記「ゲ
ートパッド」と「第２画素電極パターン」との接続が行われる領域を
いう。この「パッド部」において行われる「ゲートパッド」と「第２
画素電極パターン」の接続は，「ゲートパッドの表面を露出させるコ
ンタクトホール」（請求項１）を介して行われる。
イイ号液晶モジュールの構造
イ号液晶モジュールは，次のように，「薄膜トランジスタ部」と「パ
ッド部」を有している。
(ア)薄膜トランジスタ部
ａイ号液晶モジュールの「薄膜トランジスタ部」（ＴＦＴ部）にお
いては，薄膜トランジスタのドレイン電極は，ゲート電極・ソース
電極の交点付近から右斜上方に向かって伸びるように形成されてお
り，その端部にはコンタクトホールが形成されている。
ｂイ号液晶モジュールの薄膜トランジスタ部の構造の概要は，別紙
１(1)のとおりである（甲５の写真５−６，甲６の写真５−６，５−
１２等）。
すなわち，基板（ａ）上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「
アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及び「チタ
ン」を含む金属膜（ｄ）が基板側から順番に積層されて，その側壁
が基板（ａ）に対して傾くようにゲート電極が形成され，このゲー
ト電極上に絶縁膜（ｅ）が設けられている。
絶縁膜（ｅ）の上には，第１の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜（
ｆ）及び第２の非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜（ｇ）が順次積層さ
れてパターニングされ，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上に，「
チタン」を含む金属膜（ｈ）と「アルミニウム合金膜」ないし「ア
ルミニウム膜」（ｉ）を積層してなるソース電極及びドレイン電極
が形成されている。
上記パターニングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）全体の下
部表面は第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面と当接しており，第
２の非晶質シリコン膜（ｇ）パターンの一部が第１の非晶質シリコ
ン膜パターン（ｆ）と接触している。
そして，ソース電極，ドレイン電極及びソース−ドレイン電極間
に形成されるチャネル領域（第２の非晶質シリコン膜（ｇ）が除去
されることで露出する第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面）は，
保護膜（ｊ）より被覆されている。
ｃイ号液晶モジュールの薄膜トランジスタ部のコンタクトホール部
の構造の概要は，別紙１(2)のとおりである（甲５の写真７−５
等）。
すなわち，基板（ａ）上に絶縁膜（ｅ）が設けられており，この
絶縁膜（ｅ）の上には，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の
非晶質シリコン膜（ｇ）が順次積層されてパターニングされてい
る。
第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上には，「チタン」を含む金属
膜（ｈ）と「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（
ｉ）を積層してなるドレイン電極（の端部）が形成されており，当
該ドレイン電極の一部を露出するように保護膜（ｊ）が形成され，
ドレイン電極のうちの「チタン」を含む金属膜（ｈ）の一部が，透
明導電膜（ｋ）に電気的に接続している。
なお，「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）
の上には保護膜（ｊ）が形成されており，透明導電膜（ｋ）とは接
していない。
(イ)パッド部
ａイ号液晶モジュールには，画素領域外の基板周辺部に，「ゲート
−パッド連結部１」及び「ゲート−パッド連結部２」が形成され，
それぞれにおいて「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」と
の接続部である「パッド部」が形成されている。
すなわち，イ号液晶モジュールにおいて，画素領域外の基板周辺
部に形成されたゲートラインは，「ゲート電極」の末端部分であ
り，「ゲートパッド」に相当する。そして，「ゲート−パッド連結
部１」及び「ゲート−パッド連結部２」において，それぞれ上記「
ゲートパッド」と「画素電極」である透明導電膜（ｋ）との接続が
行われていることから，「ゲート−パッド連結部１」及び「ゲート
−パッド連結部２」は，いずれも「パッド部」に該当する。
ｂ「ゲート−パッド連結部１」の概要は，別紙１(3)のとおりであ
る（甲５の写真８−１４等）。
すなわち，基板（ａ）上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「
アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及び「チタ
ン」を含む金属膜（ｄ）が基板側から順番に積層されて「ゲートパ
ッド」が形成されている。
このゲートパッド上には，コンタクトホールにより，ゲートパッ
ドの一部が開口されるように絶縁膜（ｅ）が設けられ，当該絶縁
膜（ｅ）の上には，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶
質シリコン膜（ｇ）が順次積層されており，第２の非晶質シリコン
膜（ｇ）の上には，「チタン」を含む金属膜（ｈ），「アルミニウ
ム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）及び保護膜（ｊ）が設
けられている。
なお，保護膜（ｊ）は，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「ア
ルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」の一部を露出するよ
うに形成されている。また，コンタクトホールの縁の「チタン」を
含む金属膜（ｄ）の上には，第１及び第２の非晶質シリコン膜（
ｆ，ｇ）及び「チタン」を含む金属膜（ｈ）が残存している。
そして，当該領域の全面に透明導電膜（ｋ）が形成され，保護
膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）が一部除去されることにより形成された
コンタクトホールを介して，ゲートパッドを構成する第２金属膜と
しての「チタン」を含む金属膜（ｄ）と透明導電膜（ｋ）とが電気
的に接続し，「パッド部」を形成している。
ｃ「ゲート−パッド連結部２」の概要は，別紙１(4)のとおりであ
る（甲５の写真８−１７等）。
すなわち，基板（ａ）上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「
アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及び「チタ
ン」を含む金属膜（ｄ）が順番に積層されてゲートパッドが形成さ
れている。
このゲートパッド上には，その一部が開口されるように絶縁膜（
ｅ）が設けられ，当該絶縁膜（ｅ）の上には，第１の非晶質シリコ
ン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）が順次積層されてお
り，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上には，「チタン」を含む金
属膜（ｈ）が設けられている。
なお，コンタクトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の
上には，第１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ）及び「チタ
ン」を含む金属膜（ｈ）が残存している。
そして，当該領域の全面に透明導電膜（ｋ）が形成され，絶縁
膜（ｅ）の開口部のコンタクトホールを介して，ゲートパッドを構
成する第２金属膜としての「チタン」を含む金属膜（ｄ）と透明導
電膜（ｋ）とが電気的に接続し，「パッド部」を形成している。
ウイ号液晶モジュールの製造方法
前記イのイ号液晶モジュールの構造によれば，イ号液晶モジュール
は，次のような工程１ないし１２を経て製造されたものである。
(ア)工程１
別紙２①のとおり，基板（ａ）上に，「チタン」を含む金属膜（
ｂ），「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及
び「チタン」を含む金属膜（ｄ）を順番に積層した後，フォトリソグ
ラフィー工程（１次写真蝕刻）により，薄膜トランジスタ部及びパッ
ド部にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成する工程。
(イ)工程２
別紙２②のとおり，ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板
の全面に絶縁膜（ｅ）を形成する工程。
(ウ)工程３
別紙２③のとおり，絶縁膜（ｅ）の上に，第１の非晶質シリコン
膜（ｆ）及びドーピングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を形成
する工程。
(エ)工程４
別紙２④のとおり，半導体膜（第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び
第２の非晶質シリコン膜（ｇ））を，フォトリソグラフィー工程（２
次写真蝕刻）により，薄膜トランジスタ部に半導体膜パターンを形成
する工程。
なお，当該工程において，パッド部にも半導体膜パターンが形成さ
れる。パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の「チタン」を含
む金属膜（ｄ）の上に，図中に矢印で示したように第１及び第２の非
晶質シリコン膜（ｆ，ｇ）が残っている。
(オ)工程５
別紙２⑤のとおり，半導体膜パターンの形成された基板（ａ）の全
面に，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」な
いし「アルミニウム膜」（ｉ）を形成する工程。
(カ)工程６
別紙２⑥のとおり，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニ
ウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を，フォトリソグラフ
ィー工程（３次写真蝕刻）により，薄膜トランジスタ部にソース電極
及びドレイン電極を形成する工程の前段。
なお，パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の「チタン」を
含む金属膜（ｄ）の上に，図中に矢印で示したように第１及び第２の
非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ）及びパッド電極を構成する金属膜（ｈ，
ｉ）が残っている。
(キ)工程７
別紙２⑦のとおり，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニ
ウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）をマスクとして，ソー
ス電極とドレイン電極間に位置する第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を
除去する工程（ソース電極及びドレイン電極を形成する工程の後
段）。
なお，当該工程において，パッド部にも半導体膜パターンが形成さ
れる。パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の「チタン」を含
む金属膜（ｄ）の上に，図中に矢印で示したように第１及び第２の非
晶質シリコン膜（ｆ，ｇ）が残っている。
(ク)工程８
別紙２⑧のとおり，ソース電極及びドレイン電極の形成された基
板（ａ）の全面に保護膜（ｊ）を形成する工程。
(ケ)工程９
別紙２⑨のとおり，保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）をフォトリソグ
ラフィー工程（４次写真蝕刻）により，ドレイン電極（の端部）の表
面と，ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホールを形成し，
ゲートパッドより内側にオープンされるように保護膜（ｊ）及び絶縁
膜（ｅ）を蝕刻する工程。
(コ)工程１０
別紙２⑩のとおり，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニ
ウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）のうち，コンタクトホ
ールにより露出されている部分の「アルミニウム合金膜」ないし「ア
ルミニウム膜」（ｉ）を除去する工程。
(サ)工程１１
別紙２⑪のとおり，コンタクトホールの形成された基板（ａ）の全
面に透明導電膜（ｋ）を形成する工程。
(シ)工程１２
別紙２⑫のとおり，フォトリソグラフィー工程（５次写真蝕刻）に
より透明導電膜（ｋ）を蝕刻して，ドレイン電極と接続される第１画
素電極パターンと，ゲートパッドと接続される第２画素電極パターン
とを形成する工程。
エ本件発明１の構成要件充足性
イ号液晶モジュールは，前記イのとおり，「薄膜トランジスタ部及び
パッド部を有する液晶表示装置」（構成要件Ａ）であり，かつ，イ号液
晶モジュールの製造方法は，以下のとおり，本件発明１の構成要件Ｂな
いしＫをすべて充足するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件
発明１の技術的範囲に属する。
(ア)構成要件Ｂ
ａ本件発明１の「ゲート電極」は，「第１金属膜及び第２金属膜を
順番に積層した後，１次写真蝕刻して」形成されるものであるか
ら，「薄膜トランジスタ部」の基板上には，（少なくとも）二つの
金属膜が形成され，これら金属膜のうち，基板側の金属膜が「第１
金属膜」であり，当該「第１金属膜」の上に積層される金属膜が「
第２金属膜」である。
ｂそして，工程１において，基板（ａ）上に「第１金属膜」に相当
する「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及
び「第２金属膜」に相当する「チタン」を含む金属膜（ｄ）を順番
に積層した後，フォトリソグラフィー工程（１次写真蝕刻）によ
り，薄膜トランジスタ部及びパッド部にゲート電極及びゲートパッ
ドをそれぞれ形成するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構
成要件Ｂを充足する。
この１次写真蝕刻工程時に用いられるマスクパターンは，別紙３(
1)の「第１マスクパターン」のとおりである。
(イ)構成要件Ｃ
工程２において，ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板（
ａ）の全面に絶縁膜（ｅ）を形成し，工程３において，絶縁膜（ｅ）
の上に，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及びドーピングされた第２の
非晶質シリコン膜（ｇ）を形成するから，イ号液晶モジュールの製造
方法は，構成要件Ｃを充足する。
(ウ)構成要件Ｄ
工程４において，半導体膜（第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第
２の非晶質シリコン膜（ｇ））を，フォトリソグラフィー工程（２次
写真蝕刻）により，薄膜トランジスタ部に半導体膜パターンを形成す
るから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｄを充足する。
この２次写真蝕刻工程時に用いられるマスクパターンは，別紙３(2)
の「第２マスクパターン」のとおりである。
そして，２次写真蝕刻工程において，パッド部にも半導体膜パター
ンが形成され，パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の「チタ
ン」を含む金属膜（ｄ）の上に，半導体膜（ｆ，ｇ）が残される。
(エ)構成要件Ｅ
工程５において，半導体膜パターンの形成された基板（ａ）の全面
に「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ない
し「アルミニウム膜」（ｉ）が形成され，これらの金属膜（ｈ，ｉ）
は本件発明１の「第３金属膜」に相当するから，イ号液晶モジュール
の製造方法は，構成要件Ｅを充足する。
(オ)構成要件Ｆ
工程６において，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウ
ム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を，フォトリソグラフィ
ー工程（３次写真蝕刻）により，薄膜トランジスタ部にソース電極及
びドレイン電極を形成し，工程７において，「チタン」を含む金属
膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（
ｉ）をマスクとして，ソース電極−ドレイン電極間に位置する第２の
非晶質シリコン膜（ｇ）を除去しているから，イ号液晶モジュールの
製造方法は，構成要件Ｆを充足する。
この３次写真蝕刻工程時に用いられるマスクパターンは，別紙３(3)
の「第３マスクパターン」のとおりである。
そして，３次写真蝕刻工程において，パッド部に形成されるコンタ
クトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上に，半導体膜（
ｆ，ｇ）及び第３金属膜（ｈ，ｉ）が残されている。
(カ)構成要件Ｇ
工程８において，ソース電極及びドレイン電極の形成された基板（
ａ）の全面に保護膜（ｊ）を形成するから，イ号液晶モジュールの製
造方法は，構成要件Ｇを充足する。
(キ)構成要件Ｈ
ａ工程９において，保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）をフォトリソグ
ラフィー工程（４次写真蝕刻）により，ドレイン電極（の端部）の
表面と，ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホールを形成
し，ゲートパッドより内側にオープンされるように保護膜（ｊ）及
び絶縁膜（ｅ）を蝕刻し，工程１０において，「チタン」を含む金
属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム
膜」（ｉ）のうち，コンタクトホールにより露出されている部分
の「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を除去
しているから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件Ｈを充
足する。
この４次写真蝕刻工程時に用いられるマスクパターンは，別紙３(
4)の「第４マスクパターン」のとおりであり，パッド部に形成され
た保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）は，同一のマスクパターンにより
同一の蝕刻工程により行われ，絶縁膜（ｅ）の除去は，パッド部に
形成されたコンタクトホールの縁に残された半導体膜（ｆ，ｇ）を
マスクとしており，絶縁膜（ｅ）の除去に別途のフォトリソグラフ
ィー工程が加えられているわけではない。
ｂ被告は，イ号液晶モジュールのゲート−パッド連結部１は，接続
面積が極めて小さく，導電粒子による電気的接続は期待できず，外
部電極と接続される部分ではないから，構成要件Ｋの「パッド部」
に該当せず，ゲート−パッド連結部１に形成されたコンタクトホー
ルは，「ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホール」（構
成要件Ｈ）にも，「前記パッド部に形成されるコンタクトホー
ル」（構成要件Ｋ）にも該当しない旨主張する。
しかし，イ号液晶モジュールのゲート−パッド連結部１は，別紙
写真１の青色部分において「ゲートパッド」と透明導電膜（「画素
電極」）が電気的に連結しており，同連結部の大きさが極めて小さ
くとも，電気信号が伝達されることは技術常識であるから，同連結
部が「パッド部」に該当することは明らかである。また，ゲート−
パッド連結部１では，別紙写真１の青色部分及び赤色部分（「パッ
ド電極」と「透明導電膜」の連結部）を覆うように広く透明導電膜
が形成されており（甲４の写真９−２），「赤色」部分と「青色」
部分における導電粒子の存在確率を問題とする意味はない。
したがって，被告の上記主張は失当である。
ｃ被告は，本件発明１の「ゲートパッドの表面を露出させるコンタ
クトホール」（構成要件Ｈ）は，保護膜及び絶縁膜の「双方」が「
ゲートパッドより内側にオープンされる」構成のものであるが，イ
号液晶モジュールのゲート−パッド連結部２においては，保護膜（
ｊ）が全て除去され，ゲート−パッド連結部２の保護膜（ｊ）はゲ
ートパッドよりも外側まで開口されているから，ゲート−パッド連
結部２に形成されたコンタクトホールは，「ゲートパッドの表面を
露出させるコンタクトホール」（構成要件Ｈ）に該当しない旨主張
する。
しかし，構成要件Ｈの「ゲートパッドより内側にオープンされる
ように前記保護膜及び絶縁膜を蝕刻する」との文言は，「保護膜の
蝕刻領域はゲートパッドの内側である」と規定したものではなく，
あくまでも，「ゲートパッドより内側にオープンされるように前記
保護膜及び絶縁膜を蝕刻する」と規定したにすぎないのであり，被
告が主張するような保護膜及び絶縁膜の「双方」が「ゲートパッド
より内側にオープンされる」との限定解釈を行うべき理由はない。
また，イ号液晶モジュールのゲート−パッド連結部２の保護膜（
ｊ）上には，画素電極が形成されている箇所もある。
したがって，被告の上記主張は失当である。
(ク)構成要件Ｉ
工程１１において，コンタクトホールの形成された基板（ａ）の全
面に透明導電膜（ｋ）を形成するから，イ号液晶モジュールの製造方
法は，構成要件Ｉを充足する。
(ケ)構成要件Ｊ
工程１２において，フォトリソグラフィー工程（５次写真蝕刻）に
より透明導電膜（ｋ）を蝕刻して，ドレイン電極と接続される第１画
素電極パターンと，ゲートパッドとパッド電極と接続される第２画素
電極パターンとを形成するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，
工程１２により，構成要件Ｊを充足する。
この５次写真蝕刻工程時に用いられるマスクパターンは，別紙３(5)
の「第５マスクパターン」のとおりである。
(コ)構成要件Ｋ
工程４の２次写真蝕刻工程において，パッド部にも半導体膜パター
ンが形成され，パッド部に形成されるコンタクトホール（ゲート−パ
ッド連結部１及びゲート−パッド連結部２にそれぞれ形成されるコン
タクトホール）の縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上に，半導体
膜（ｆ，ｇ）が残されており，また，工程６の３次写真蝕刻工程にお
いて，パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の「チタン」を含
む金属膜（ｄ）の上に，半導体膜（ｆ，ｇ）及び第３金属膜（ｈ，
ｉ）が残されているから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要
件Ｋを充足する。
オ本件発明２の構成要件充足性
イ号液晶モジュールの製造方法は，以下のとおり，本件発明２の構成
要件ＡないしＬをすべて充足するから，本件発明２の技術的範囲に属す
る。
(ア)構成要件ＡないしＫ
前記エのとおりである。
(イ)構成要件Ｌ
前記エ(ア)ｂのとおり，工程１において基板（ａ）上に積層され
た「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）は，「第
１金属膜」に相当するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件
発明２の構成要件Ｌ（「前記第１金属膜はアルミニウムあるいはアル
ミニウム合金から形成される」との構成）を充足する。
カ本件発明３の構成要件充足性
イ号液晶モジュールの製造方法は，以下のとおり，本件発明３の構成
要件ＡないしＫ，Ｍをすべて充足するから，本件発明３の技術的範囲に
属する。
(ア)構成要件ＡないしＫ
前記エのとおりである。
(イ)構成要件Ｍ
前記エ(ア)ｂのとおり，工程１において基板（ａ）上に積層され
た「チタン」を含む金属膜（ｄ）は「第２金属膜」に相当するから，
イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明３の構成要件Ｍ（「前記
第２金属膜は耐火金属から形成される」との構成）を充足する。
キ本件発明４の構成要件充足性
イ号液晶モジュールの製造方法は，以下のとおり，本件発明４の構成
要件ＡないしＫ，Ｎをすべて充足するから，本件発明４の技術的範囲に
属する。
(ア)構成要件ＡないしＫ
前記エのとおりである。
(イ)構成要件Ｎ
別紙２⑫に示すように，工程１２により得られる第２画素電極パタ
ーンは，パッド部の保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）のオープンされた
部分より大きく形成されているから，イ号液晶モジュールは，本件発
明４の構成要件Ｎ（「前記画素電極パターンを形成する段階は，前記
画素電極パターンはパッド部の保護膜及び絶縁膜のオープンされた部
分より大きく形成する段階」）を充足する。
クまとめ
以上のとおり，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明１ないし
４の技術的範囲に属するから，被告によるイ号液晶モジュールを搭載す
るイ号液晶テレビの製造，販売及び販売の申出は，本件特許権の侵害に
当たる。
(2)被告の反論
ア本件発明１ないし４の構成要件充足性の主張に対し
イ号液晶モジュールが原告主張の構造（前記(1)イ）を有することは，
否認する。したがって，イ号液晶モジュールが原告主張の構造を有する
ことを前提に，イ号液晶モジュールの製造方法が本件発明１ないし４の
構成要件を充足するとの原告の主張は，理由がない。
また，仮にイ号液晶モジュールが原告主張の構造を有するとしても，
イ号液晶モジュールの製造方法は，以下のとおり，少なくとも本件発明
１の構成要件Ｂ，Ｅ，Ｆ，Ｈ及びＫを満たしていないので，本件発明１
の技術的範囲に属さない。したがって，イ号液晶モジュールの製造方法
は，請求項１を引用する本件発明２ないし４の技術的範囲にも属さな
い。
(ア)構成要件Ｂの非充足
ａ本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）の記載中の「基板上に
第１金属膜及び第２金属膜を順番に積層した後，１次写真蝕刻して
前記薄膜トランジスタ部及びパッド部にゲート電極及びゲートパッ
ドをそれぞれ形成する段階」との記載（構成要件Ｂ）は，ゲート電
極及びゲートパッドを形成する工程として，基板の上に最初に第１
金属膜を形成し，続けて第１金属膜の上に第２金属膜を形成して２
層の金属膜からなる積層構造を成膜した後，この２層の積層構造を
写真蝕刻して，ゲート電極及びゲートパッドを形成することを明確
に示すものであり，また，「第３金属膜」との記載（構成要件Ｅ）
は，「第３金属膜」が形成される前には，「第１金属膜」及び「第
２金属膜」の２層しか金属膜が形成されないことを明確に示すもの
である。
したがって，本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）の記載に
よれば，本件発明１の「ゲート電極及びゲートパッド」（構成要件
Ｂ）は，２層の金属膜からなる積層構造のものに限定されると解す
べきである。
また，本件明細書（甲３）の「発明の詳細な説明」においても，
本件発明１の唯一の実施例について，「図１１を参照すると，ゲー
ト電極が耐火金属／アルミニウム（あるいはアルミニウム合金）の
二重構造から形成され，パッド部に位置するゲートパッドパターン
の境界内で絶縁膜及び保護膜がオープンされるようにパターニング
される。」（段落【００４９】）との記載があり，上記記載は，「
ゲート電極及びゲートパッド」は「第１金属膜」及び「第２金属
膜」の「二重構造」のものに限定されることを示すものである。本
件明細書の段落【００１６】，【００２０】，【００４６】，【０
０５８】にも，これと同様の記載がある。
ｂそして，原告の主張によれば，イ号液晶モジュールの「ゲート電
極及びゲートパッド」は，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「アル
ミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及び「チタン」
を含む金属膜（ｄ）の３層構造であって，２層の積層構造のもので
はないから，「第１金属膜」及び「第２金属膜」を備えておらず，
イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明１の構成要件Ｂを充足
しない。
(イ)構成要件Ｅ，Ｆ，Ｋの非充足
ａ本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）の記載中には，「第３
金属膜」について，「前記半導体膜パターンの形成された基板の全
面に第３金属膜を形成する段階」（構成要件Ｅ），「前記第３金属
膜を３次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部にソース電極及びド
レイン電極を形成する段階」（構成要件Ｆ），「・・・ソース電極
及びドレイン電極を形成する段階・・・は，前記パッド部に形成さ
れるコンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上に・・・第３金属
膜・・・が残る段階」（構成要件Ｋ）との記載があり，また，第３
金属膜によって形成されるドレイン電極についても，ドレイン電極
の表面を露出させるコンタクトホールが形成され，第１画素電極パ
ターンと接続される旨の記載（構成要件ＨないしＪ）がある。
そして，本件明細書（甲３）の「発明の詳細な説明」には，「パ
ッド部に形成されるパッド電極を耐火金属／アルミニウム（あるい
はアルミニウム合金）の構造から形成する場合，図５に示したよう
に‘Ａ’部分でアルミニウムとＩＴＯとが直接接触するようにな
る。このようにアルミニウムとＩＴＯが接触すると，ＩＴＯをパタ
ーニングするための写真工程時に現像液による電池反応のためにＩ
ＴＯが現像液に解けたり，ＬＣＤ駆動時に駆動電流により酸化膜が
形成される問題点がある。」（段落【００２４】），「パッド電極
を・・・アルミニウム（あるいはアルミニウム合金）／耐火金属の
構造から形成する場合，保護膜及び絶縁膜を蝕刻した後にパッド電
極上部のアルミニウム（あるいは合金）を蝕刻すると図５の‘Ｂ’
部位でアルミニウムとＩＴＯとが接触するようになる。」（段落【
００２５】），「パッド部でのアルミニウムとＩＴＯとの接触を防
止して素子の信頼性を向上させ得る液晶表示装置の製造方法を提供
すること」（段落【００２９】）との記載があり，また，図５の「
Ａ」部分も「Ｂ」部分も，コンタクトホール内におけるアルミニウ
ム膜の側面における画素電極との接触を問題としている。
他方で，本件明細書の「発明の詳細な説明」には，第３金属膜と
して「クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはチタン（Ｔ
ｉ）など」（段落【００４３】）が記載されているだけであり，第
３金属膜の材質として，これら以外の金属を選択することができる
旨の記載は全くない。
以上の本件明細書の記載からすれば，本件発明１の「第３金属
膜」は，ドレイン電極となり，第１画素電極パターンとコンタクト
ホールにおいて接続され，構成要件Ｋの段階（工程）で残されて第
２画素電極パターンと接触する可能性のあるものであるから，第３
金属膜にアルミニウムが含まれるとすると，アルミニウムとＩＴ
Ｏ（「透明導電膜」に相当。以下同じ。）とが直接接触することと
なり，「アルミニウムとＩＴＯとの接触を防止する」という発明の
課題及び効果を得ることができない。
したがって，本件発明１の「第３金属膜」（構成要件Ｅ，Ｆ，
Ｋ）の材質にはアルミニウムが含まれないと解すべきである。
ｂそして，原告の主張によれば，工程５において，半導体膜パター
ンの形成された基板（ａ）の全面に形成された，「チタン」を含む
金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム
膜」（ｉ）という２層構造をもって，「第３金属膜」に相当すると
いうのであるが，本件発明１の「第３金属膜」の材質にはアルミニ
ウムが含まれないので，上記２層構造のものは本件発明１の「第３
金属膜」に該当するものではなく，イ号液晶モジュールの製造方法
は，本件発明１の構成要件Ｅ，Ｆ，Ｋを充足しない。
(ウ)構成要件Ｈ，Ｋの非充足
ａ本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）の記載中には，パッド
部に形成されるコンタクトホールについて，「前記保護膜及び絶縁
膜を４次写真蝕刻して・・・前記ゲートパッドの表面を露出させる
コンタクトホールを形成し，前記ゲートパッドより内側にオープン
されるように前記保護膜及び絶縁膜を蝕刻する段階」（構成要件
Ｈ），「前記パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の前記第
２金属膜の上に，前記半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくと
も何れか一つが残る」（構成要件Ｋ）との記載がある。
また，本件明細書の段落【００３７】には，「図６を参照する
と，横方向に複数のゲートライン１が形成されており，各ゲートラ
イン１の一端には複数のゲートパッド２が設けられている。」との
記載があり，図６には，画素部を取り巻くように外周部に周辺配置
され，ゲートライン１の終端部に設けられた幅広の領域にゲートパ
ッド２の符号が付されており，データライン３の終端部にはデータ
パッド４が設けられている。
ｂ(ａ)ところで，乙８（１９９５年１１月２０日発行の「ＪＩＳ
工業用語大辞典第４版」）によれば，「パッド」とは「表面実
装部品を搭載するためのランド」（１５０３頁）を意味し，「ラ
ンド」とは「部品の取付け及び接続に用いる導体パターン」（１
９８４頁）を意味するから，結局，「パッド」とは，「表面実装
部品を搭載するための取付け及び接続に用いる導体パターン」を
意味する。そうすると，当業者は「パッド部」とは液晶表示装置
における「パッド」が設けられる部分を指し，「ゲートパッド」
とはゲート電極における「パッド」を指すと理解する。
したがって，本件発明１の「ゲートパッド」とは，ゲート電極
における「表面実装部品を搭載するための取付け及び接続に用い
る導体パターン」を指し，「パッド部」とは，液晶表示装置にお
ける「ゲートパッド」が設けられる部分を指すと解すべきであ
る。
(ｂ)原告は，本件発明１の「パッド部」とは，「ゲートパッド」
と「第２画素電極パターン」との接続が行われる領域をいい，イ
号液晶モジュールの「パッド部」は，ゲート−パッド連結部１及
びゲート−パッド連結部２により構成されている旨主張する。
しかし，原告の主張するゲート−パッド連結部１は，極めて小
さく，形式的にも実質的にも外部端子との接続に寄与していない
から，「表面実装部品を搭載するための取付け及び接続に用いる
導体パターン」である「ゲートパッド」が設けられている部分と
いうことはできず，本件発明１の「パッド部」に該当しない。
すなわち，乙１０（「ＣＯＦ出力用高精細対応異方導電フィル
ムアニソルムＡＣ−４７１３」と題する論文）には，①液晶表
示モジュールと外部端子とは，一般的に，異方導電フィルムを利
用して行われること，「異方導電フィルム（アニソルム）は，接
着剤中に，金めっきプラスチック粒子やニッケル粒子などの導電
粒子を均一に分散させたフィルム」であり，「導電粒子」によっ
て液晶表示モジュールの電極と外部端子との間の電気的接続を行
う機能と，接着剤によって電極間を接着しさらに隣接電極間の絶
縁性を保持する機能とを同時に発現すること（２５頁左欄１行∼
７行），②異方導電フィルムによる電気的接続は，接着剤中に分
散した導電粒子によるものであるため，接続面積が小さいと導通
不良が発生すること（２６頁の図２），標準的な異方導電フィル
ムの導電粒子径は４μｍ，粒子密度は５，３００個／ｍｍであ２
り，この異方導電フィルムの最小接続面積は１５，０００μｍで２
あること（２６頁左欄１０行∼１３行）が開示されている。
これに対し原告主張のゲート−パッド連結部１は，別紙写真１
に示すように，接続面積は赤色部分でわずか４５μｍ，青色部分２
で１４３μｍと極めて小さく，標準的な異方導電フィルムの最小２
接続面積（１５，０００μｍ）に比べて１００分の１以下にすぎ２
ず，導電粒子による電気的接続は全く期待できない。
したがって，原告の主張するゲート−パッド連結部１は，外部
電極と接続される部分ではなく，本件発明１の「パッド部」に該
当せず，ゲート−パッド連結部１に形成されたコンタクトホール
は，「ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホール」（構
成要件Ｈ）にも，「前記パッド部に形成されるコンタクトホー
ル」（構成要件Ｋ）にも該当しない。
ｃ(ａ)次に，本件発明１において，「パッド部に形成されるコンタ
クトホール」（構成要件Ｋ）は，構成要件Ｈに記載のとおり，保
護膜及び絶縁膜を写真蝕刻して形成され，「ゲートパッドより内
側にオープンされるように前記保護膜及び絶縁膜を蝕刻する」と
限定されている。この限定の記載によれば，コンタクトホール
は，保護膜及び絶縁膜の「双方」がゲートパッドより内側にオー
プンされる構成となる。
そして，本件発明１の実施例を示す図１０には，絶縁膜及び保
護膜を蝕刻して画素電極とパッド電極とを連結するコンタクトホ
ールを形成するためのマスクパターン「Ｐ２」は，パッド電極を
形成するためのマスクパターン「Ｐ１」よりも内側に形成されて
いることが示されており，保護膜に形成される開口も，絶縁膜に
形成される開口も，いずれもゲートパッドより内側に形成される
態様が開示されている。また，本件明細書によれば，本件発明１
において，パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の第２金
属膜の上に，半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れ
か一つが残る段階は，「保護膜及び絶縁膜が蝕刻される部位にお
けるＩＴＯ膜のステップカバレージを改善する」（段落【００４
９】）ためであり，かかる効果を得るためには，保護膜の上に画
素電極が形成されることが前提となる。つまり，パッド部に形成
されるコンタクトホールは，少なくとも保護膜の上に画素電極が
形成されないと，ステップカバレージを改善させるという点にお
いて技術的に全く意味がない。
以上によれば，本件発明１の「ゲートパッドの表面を露出させ
るコンタクトホール」（構成要件Ｈ）は，保護膜及び絶縁膜の「
双方」がゲートパッドより内側にオープンされる構成であると解
すべきである。
(ｂ)しかるに，原告主張のゲート−パッド連結部２においては，
保護膜が全て除去され，ゲート−パッド連結部２の保護膜はゲー
トパッドよりも外側まで開口されているから，ゲート−パッド連
結部２に形成されたコンタクトホールは，「ゲートパッドの表面
を露出させるコンタクトホール」（構成要件Ｈ）に該当しない。
ｄ以上のとおり，イ号液晶モジュールは，「ゲートパッドの表面を
露出させるコンタクトホール」（構成要件Ｈ）及び「前記パッド部
に形成されるコンタクトホール」（構成要件Ｋ）を備えていないか
ら，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明１の構成要件Ｈ，
Ｋを充足しない。
イまとめ
以上のとおり，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明１ないし
４の技術的範囲に属さないから，被告によるイ号液晶テレビの製造，販
売の申出及び販売が本件特許権の侵害に当たる旨の原告の主張は，理由
がない。
２争点２（本件特許権に基づく権利行使の制限の成否）
(1)被告の主張
本件特許には，以下のとおり無効理由があり，特許無効審判により無効
とされるべきものであるから，特許法１０４条の３第１項の規定により，
原告は，被告に対し，本件特許権を行使することができない。
ア無効理由１（未完成発明）
(ア)本件発明１ないし４の技術内容は，当業者が反復実施して効果を
上げることができる程度にまで具体的・客観的なものとして構成され
ていないため，発明として未完成のものであり，特許法２９条１項柱
書の「発明」に該当しないから，本件特許には，同項柱書の規定に違
反する無効理由（同法１２３条１項２号）がある。
(イ)本件出願の審査経過は，以下のとおりである。
原告は，本件出願につき平成１２年１月２８日付け手続補正書（乙
１の３）により明細書の補正をした後，平成１５年１月２０日付け
で，上記補正後の請求項１ないし４（以下，この補正後の請求項１
を「旧請求項１」という。）に係る発明は特許法２９条２項の規定に
より特許を受けることができないことなどを理由とする拒絶理由通
知（乙１の４）を受けた。
そこで，原告は，同年４月２４日付け意見書（乙１の５）を提出し
たが，同年９月３日付けで拒絶査定（乙１の７）を受けたため，同年
１２月８日，これに対する不服審判請求（乙１の８）をした。
その後，原告は，平成１６年１月７日付け手続補正書（乙１の９）
により旧請求項１について「前記半導体膜パターンを形成する段階及
びソース電極及びドレイン電極を形成する段階のうち，少なくとも何
れか一段階は，前記パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の前
記第２金属膜の上に，前記半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なく
とも何れか一つが残る段階からなる」（構成要件Ｋ）との構成を追加
して現行の請求項１とすることなどを内容とする明細書の補正をする
とともに，同日付け手続補正書（方式）（乙１の１０）により上記不
服審判請求の審判請求書の補正をした。
上記手続補正書（方式）（乙１の１０）には，旧請求項１におい
て，構成要件Ｋに特定したことで，「画素電極のステップカバレージ
が向上すると［い］う作用を有するものであります」（３頁３２行∼
３６行）との記載がある。その後，請求項１については拒絶されるこ
となく，本件特許権の設定登録がされた。
本件特許の上記審査経過によれば，本件発明１は，旧請求項１に構
成要件Ｋを補正により追加して，構成要件Ｋに基づく「画素電極のス
テップカバレージが向上する」という効果を主張することによって特
許されたものであるから，かかる技術効果を上げることが，本件発明
１において必要不可欠であることは明らかである。
(ウ)本件明細書（甲３）には，「パッド部で保護膜及び絶縁膜が同時
にパターニングされる部位に半導体膜あるいはソース／ドレイン電極
用の金属膜を形成すること」が，「画素電極用のＩＴＯ膜のステップ
カバレージが向上される」という効果を得るための技術手段であるこ
とが記載されている（段落【００８１】）。また，蝕刻された部分が
基板とほとんど垂直に形成されるので，ステップカバレージが不良に
なるという従来技術における問題点の記載（段落【００２７】）か
ら，本件明細書において，「ステップカバレージを向上させる」と
は，「蝕刻された部分が基板と垂直ではなくすこと」を意味すると解
すべきである。
そして，乙２（書籍「半導体デバイスの信頼性技術」）において，
ステップカバレージの問題について，「段差部の形状を危険なひさし
形状ではなく，テーパー形状となるよう設計的に改善する必要があ
る」（１３２頁１２行∼１３行）と記載されているように，「垂直で
はなくす」とは，蝕刻された部分をテーパー形状とすることである。
しかるに，本件明細書には，「パッド部で保護膜及び絶縁膜が同時
にパターニングされる部位に半導体膜あるいはソース／ドレイン電極
用の金属膜を形成すること」という技術手段を採用することによっ
て，いかなる原理又は作用に基づいて，「蝕刻された部分をテーパー
形状として，画素電極用のＩＴＯ膜のステップカバレージを向上させ
る」という効果を得ることができるかについての記載がない。そもそ
も，本件発明１の実施例は，図１０及び図１１に示された構造だけで
あり，実施例に関する記載は，段落【００４７】∼【００４９】の３
段落しかなく，これらの段落中には，具体的な構成としては，わずか
に，ゲート電極が耐火金属／アルミニウム（あるいはアルミニウム合
金）の二重構造であること，ソース電極８２ａ及びドレイン電極８２
ｂがクロム膜であることしか開示されていない。したがって，本件明
細書の記載からは，「蝕刻された部分をテーパー形状として，画素電
極用のＩＴＯ膜のステップカバレージを向上させる」という効果が得
られる原理又は作用を理解することができない。
なお，本件明細書の第１参考例における製造方法の記載（段落【０
０４１】∼【００４５】）が，本件発明１の実施例においても適用さ
れると解しても，具体的な構成としては，ゲート電極及び第３金属膜
を蒸着により形成すること，半導体膜の材料が非晶質シリコン膜７８
及び不純物のドーピングされた非晶質シリコン膜８０であること，絶
縁膜７６及び保護膜８４として窒化膜を蒸着して形成することが記載
されているだけである。そして，これらの構成を参酌しても，上記効
果がなぜ得られるのかについて理解することはできない。
(エ)かえって，本件出願当時の技術常識に照らすならば，「パッド部
で保護膜及び絶縁膜が同時にパターニングされる部位に半導体膜ある
いはソース／ドレイン電極用の金属膜を形成すること」により，蝕刻
された部分が逆テーパー（ひさし）形となるため，画素電極用のＩＴ
Ｏ膜のステップカバレージが悪化するものと予想される。
すなわち，本件明細書には，絶縁膜７６及び保護膜８４を窒化膜で
形成し，半導体膜をシリコン膜で形成することが記載されているた
め，本件発明１の構成要件Ｋにおいて，半導体膜を残した場合は，絶
縁膜７６である窒化膜の上に，半導体膜としてシリコン膜が形成され
た構造となり，半導体膜を残さなかった場合は，絶縁膜７６である窒
化膜の上に，保護膜８４である窒化膜が形成された構造となる。
一般的に窒化膜をエッチング（蝕刻）する条件では，シリコン（Ｓ
ｉ）に比べて，窒化膜（ＳｉＮ）のエッチング速度が大きくなる（３４
すなわち，選択比が高くなる）。乙３（書籍「集積回路プロセス技術
シリーズ半導体プラズマプロセス技術」）の表３．２．２には，実
用レベルでの選択比が示されているが，ＣＦ＋Ｈガスを利用した場４２
合，窒化膜（ＳｉＮ）とシリコン（Ｓｉ）の選択比が１０：１であ３４
ることが示されている（２２０頁の同表最下行右欄）。このようにシ
リコン（Ｓｉ）に比べて，窒化膜（ＳｉＮ）のエッチング速度は１３４
０倍も大きい。このため，本件発明１の構成要件Ｋにおいて，半導体
膜を残した場合は，エッチング速度が大きい窒化膜の上に，エッチン
グ速度が小さいシリコン膜が形成された構造となる。
そして，乙２には，「Ａｌのステップカバレージが悪くなるのは，
チップ上の素子表面が，１∼２μｍの凹凸を有している場合に，段差
によるシャドウイング効果（shadowingeffect）により，段差部が均
一な厚さで被覆されないためである。・・・図５．１４（Ａ）の矢印
部分のアルミ配線膜でクレバス［断線のこと］が起こりやすい。この
ような逆テーパー形状は，ＣＶＤ・・・膜形成後のＨＣｌテンパー工
程のエッチングレートがＮＳＧ（non-doped-silicateglass）に比較
してＰＳＧ（phospho-silicateglass）が早いために逆テーパー（ひ
さし）形状となる。工程改善やＣＶＤ膜の変更により，図５．１４（
Ｂ）のような均一なＡｌ配線膜厚を確保することができる。」（１３
２頁９行∼１９行）との記載がある。また，乙２の図５．１４（Ａ）
に示すとおり，最上層のＮＳＧ膜はエッチングレート（エッチング速
度）が小さく，エッチングされ難いのに対し，その下層のＰＳＧ膜は
エッチングレートが大きいため，最上層のＮＳＧ膜よりも下層のＰＳ
Ｇ膜の方が横方向に深くエッチングされてしまい，最上層のＮＳＧ膜
が張り出した逆テーパー（ひさし）状となるため，その後に形成され
るＡｌ膜は，張り出したＮＳＧ膜の影になる領域では形成され難く，
ステップカバレージが悪化する。なお，乙２は，アルミニウムについ
て記載されているが，アルミニウムではなくＩＴＯ膜であっても同様
に，段差が逆テーパー（ひさし）状となった場合は，ステップカバレ
ージが悪化することは当業者にとって明らかである。したがって，半
導体膜を残した場合，エッチング速度が大きい窒化膜の上に，エッチ
ング速度が小さいシリコン膜が形成された構造となり，乙２の図５．
１４（Ａ）に示されているように，上層のシリコン膜からなる半導体
膜に比べて，その下層の絶縁膜である窒化膜の方が１０倍もエッチン
グ速度が大きいため，半導体膜と絶縁膜の蝕刻された部分は，垂直ど
ころか逆テーパー（ひさし）形となる可能性が極めて高い。
他方で，半導体膜を残さなかった場合は，絶縁膜７６及び保護膜８
４としていずれも窒化膜を利用しており，窒化膜からなる絶縁膜７６
及び保護膜８４を蝕刻することになり，同一材料からなる絶縁膜７６
及び保護膜８４のエッチングレートはほぼ同じであると考えられるか
ら，段差部の上方では，下方に比べてエッチングガスに接触する機会
が多いため，一般的に，蝕刻された部分は，テーパー形状となりやす
い。
(オ)本件発明１が「画素電極のステップカバレージが向上する」とい
う技術効果を上げることができないことは，乙９の実験結果からも明
らかである。
(カ)以上のとおり，本件発明１の構成要件Ｋ（請求項１）を採用する
と，蝕刻された部分が逆テーパー（ひさし）形となり，構成要件Ｋを
採用しない場合に比べて，画素電極用のＩＴＯ膜のステップカバレー
ジが悪化することが予想されるので，本件発明１は，「画素電極のス
テップカバレージが向上する」という技術効果を上げることができな
いものであって，発明として未完成であり，特許法２９条１項柱書
の「発明」に該当しない。
そして，本件発明２ないし４（請求項２ないし４）は，いずれも請
求項１を引用するものであって，上記技術効果を上げることができな
いものであるから，本件発明１と同様の理由により，特許法２９条１
項柱書の「発明」に該当しない。
イ無効理由２（実施可能要件違反）
(ア)本件明細書の「発明の詳細な説明」は，当業者が「その実施をす
ることができる程度に明確かつ十分に」記載されていないため，本件
明細書は，平成１１年法律第１６０号による改正前の特許法３６条４
項（以下，単に「特許法３６条４項」という。）に規定する要件（い
わゆる実施可能要件）を満たしておらず，本件特許は，同項の要件を
満たしていない特許出願に対してされた無効理由（平成１４年法律第
２４号附則２条１項の規定によりなお従前の例によるものとされた同
法による改正前の特許法１２３条１項４号（以下，単に「特許法１２
３条１項４号」という。））がある。
(イ)前記ア(ウ)のとおり，本件明細書には，本件発明１ないし４
は，「パッド部で保護膜及び絶縁膜が同時にパターニングされる部位
に半導体膜あるいはソース／ドレイン電極用の金属膜を形成するこ
と」によって，蝕刻された部分をテーパー形状にして，画素電極用の
ＩＴＯ膜のステップカバレージを向上させるという効果が得られると
記載されているのであるから（段落【００８１】），画素電極用のＩ
ＴＯ膜のステップカバレージを向上させるための手段として，蝕刻さ
れた部分をテーパー形状にする蝕刻条件等についての技術的事項が，
発明の詳細な説明において，当業者がその実施をすることができる程
度に明確かつ十分に記載されている必要がある。
しかし，前記ア(ウ)のとおり，本件発明１の実施例は，図１０及び
図１１に示された構造だけであり，実施例に関する記載は，段落【０
０４７】∼【００４９】の３段落しか存在せず，具体的な製造方法は
ほとんど記載されていない。また，第１参考例における製造方法の記
載（段落【００４１】∼【００４５】）が，本件発明１の実施例にお
いても適用されると解しても，一部の構造しか具体的に記載されてい
ない。このように本件明細書には，具体的な成膜条件，蝕刻条件等の
製造方法は，全く開示されておらず，本件明細書の記載によっては本
件発明１ないし４を具体的に実施することができない。
さらに，本件発明１（請求項１）は，構成要件Ｋにおいて「半導体
膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れか一つ」の膜が「パッド
部に形成されるコンタクトホールの縁の第２金属膜の上」に残るとい
う条件を特定しているが，本件明細書では，「コンタクトホールの
縁」という条件について，その定義がされていない。
(ウ)以上のとおり，本件明細書の「発明の詳細な説明」の記載は，当
業者が発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものであると
はいえないから，本件明細書は，特許法３６条４項に適合しない。
ウ無効理由３（サポート要件違反・明確性要件違反）
(ア)本件発明１ないし４の特許請求の範囲（請求項１ないし４）の記
載は，「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したも
のであること」（平成１４年法律第２４号による改正前の特許法３６
条６項（以下，単に「特許法３６条６項」という。）１号）の要件（
いわゆるサポート要件）に適合せず，また，不明瞭なものであっ
て，「特許を受けようとする発明が明確であること」（同項２号）の
要件（いわゆる明確性要件）に適合しないから，本件特許は，同項１
号，２号の要件を満たしていない特許出願に対してされた無効理由（
特許法１２３条１項４号）がある。
(イ)ａ本件発明１は，液晶表示装置の製造方法に関するものであり，
その特許請求の範囲（請求項１）では，構成要件ＢないしＪにおい
て時系列に各製造工程の段階を特定しているところ，構成要件Ｋの
段階で残した膜（「半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも
何れか一つ」）について，それ以外の構成要件に記載されていない
ため，請求項１の記載からは，構成要件Ｋと構成要件Ｈ及び構成要
件Ｉとの関連が不明確である。
換言すれば，請求項１の記載によれば，本件発明１は，構成要件
Ｋの段階で残した膜が，構成要件Ｈや構成要件Ｉの各段階と全く関
連しない構成，例えば構成要件Ｈや構成要件Ｉに至る前に除去され
る構成も含むこととなり，請求項１の記載において特許を受けよう
とする発明が明確であるとはいえない。
ｂ本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）には，第１ないし第３
金属膜の材質が特定されていないので，本件発明１では，第１ない
し第３金属膜の材質としてあらゆる金属を選択することができるこ
ととなる。しかし，本件明細書の「発明の詳細な説明」には，第１
金属膜として「アルミニウムあるいはアルミニウム合金」（段落【
００４１】，【００４９】），第２金属膜として「耐火金属」（段
落【００４１】，【００４９】）及び第３金属膜として「クロム（
Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはチタン（Ｔｉ）など」（段落
【００４３】）が記載されているだけであり，第１ないし第３金属
膜の材質として，これら以外の金属を選択することができる旨の記
載は全くない。
したがって，本件明細書においては，特許を受けようとする発明
が発明の詳細な説明に記載されたものであるとはいえない。
ｃ本件明細書には，発明の解決すべき課題として，「パッド部での
アルミニウムとＩＴＯとの接触を防止して素子の信頼性を向上させ
得る液晶表示装置の製造方法を提供すること」（段落【００２９
】）との記載があるから，本件発明は，構成要件Ｋに基づく「画素
電極のステップカバレージが向上する」という効果とは別に，上記
課題を解決するため，構成要件ＡないしＪに基づいて「パッド部で
のアルミニウムとＩＴＯとの接触を防止する」という効果も得られ
るものでなければならない。
しかるに，本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）では，前記
ｂのとおり，第３金属膜の材質を特定していないため，第３金属膜
としてアルミニウムが選択された場合，構成要件Ｋにおいて，第３
金属膜を残すと，ＩＴＯとアルミニウムとが接触する構造となる
が，このような構造では，「パッド部でのアルミニウムとＩＴＯと
の接触を防止する」という発明の課題及び効果と矛盾することとな
る。このように請求項１は，「パッド部でのアルミニウムとＩＴＯ
との接触を防止する」という発明の課題及び効果と矛盾する構造を
包含するものであり，発明として明確なものとはいえない。
また，本件発明２ないし４の特許請求の範囲（請求項２ないし
４）においても，第３金属膜の材質を特定していないため，上記と
同様に，発明として明確なものとはいえない。
ｄ本件発明１ないし３の特許請求の範囲（請求項１ないし３）で
は，「第２画素電極パターン」の大きさを限定していないのに対
し，本件発明４の特許請求の範囲（請求項４）において，「［第２
］画素電極パターンは前記パッド部の保護膜及び絶縁膜のオープン
された部分より大きく形成する」こととの限定がされていることか
らすると，何ら限定のない請求項１ないし３は，第２画素電極パタ
ーンがパッド部の保護膜及び絶縁膜のオープンされた部分より小さ
く形成する構造を含むこととなる。
しかし，かかる構造は，画素電極パターンが，オープンされた部
分の内側だけに形成され，コンタクトホールの段差を覆っていない
ため，「画素電極のステップカバレージが向上する」という効果を
利用しないものであり，このように請求項１ないし３は，「画素電
極のステップカバレージが向上する」という効果を利用しない構造
も含むものであり，発明として明確なものとはいえない。
(ウ)以上のとおり，本件発明１ないし４の特許請求の範囲（請求項１
ないし４）の記載は，特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明
に記載したものでないか，不明瞭なものであるから，特許法３６条６
項１号，２号に適合しない。
エ無効理由４（進歩性の欠如）
(ア)本件発明１ないし４は，本件出願の優先権主張日前に頒布された
刊行物である特開平５−１６５０５９号公報（乙４）に記載された発
明（以下「乙４記載発明」という。），米国特許第５１６６０８６号
公報（乙５）に記載された発明（以下「乙５記載発明」という。）及
び周知技術に基づいて当業者が容易に想到することができたものであ
るから，本件特許には，特許法２９条２項に違反する無効理由（同法
１２３条１項２号）がある。
(イ)本件発明１の進歩性の欠如①（乙４を主たる刊行物とするもの）
ａ本件発明１と乙４記載発明との対比
特開平５−１６５０５９号公報（乙４）の段落【００３２】，【
００４６】ないし【００４９】，【００５７】ないし【００６０
】，図２（ｆ），（ｈ）及び図３を総合すると，乙４記載の「薄膜
トランジスタ部分」，「ゲートライン端子部ＧＬａ」，「アクティ
ブマトリックス液晶表示素子に用いるＴＦＴパネル」，「ゲート用
金属膜１１」，「下層膜１１」，「ゲート絶縁膜１２」，「ｉ型半
導体層１３およびｎ型半導体層１４」，「トランジスタ素子領域の
外形」，「ソース，ドレイン用金属膜１６」，「保護絶縁膜１
７」，「コンタクト孔１７ａ，開口１７ａ及び開口１２ａ」，「画
素電極２０」及び「上層膜」は，本件発明１の「薄膜トランジスタ
部」，「パッド部」，「液晶表示装置」，「第１金属膜及び第２金
属膜」，「ゲートパッド」，「絶縁膜」，「半導体膜」，「半導体
膜パターン」，「第３金属膜」，「保護膜」，「コンタクトホー
ル」，「第１画素電極パターン」及び「第２画素電極パターン」に
それぞれ相当するというべきである。
したがって，本件発明１と乙４記載発明とは，以下の相違点１，
２においてのみ相違し，その余の点は一致している。
（相違点１）
本件発明１は，構成要件Ｂにおいて，第１金属膜及び第２金属膜
を順番に積層しているのに対し，乙４には，ゲート用金属膜１１の
材質として「ＡｌまたはＡｌ合金等」（段落【００３７】）としか
記載されていない点。
（相違点２）
乙４には，本件発明１の構成要件Ｋが開示されていない点。
ｂ相違点１に係る本件発明１の構成の容易想到性
乙６（平成６年３月１日発行の書籍「ディスプレイ技術シリーズ
カラー液晶ディスプレイ」）には，「ゲート電極材料にはＣｒと
Ｔａ系金属が使われることが多い。・・・ただＴａは比抵抗が大き
いため，ＬＣＤが大きくなるほどゲート配線遅延によって画質が低
下する。これを改善するため，ＡｌやＣｕなどをＴａ配線に積層し
て形成し低抵抗化する研究が進んでいる。」（１５７頁１６行∼２
１行）との記載がある。
また，特開平６−２８１９５４号公報（乙７）には，「アルミを
単独で使用した場合，ゲート絶縁膜は基板温度が３００℃以上で形
成されるため，基板との熱膨脹率の差に起因すると考えられる熱応
力によりアルミヒロックが発生し，層間絶縁性が著しく損なわれ
る。このようにアルミをアドレス配線電極として使用するには，高
融点金属で完全に被覆する積層構造が必要である」（段落【０００
７】），「アドレス配線電極［ゲート配線電極］・・・は基板上に
形成されたＡｌまたはＡｌ合金からなる第１の金属とこの第１の金
属の上に積層された高融点金属およびその合金，例えばＴａまたは
Ｔａ合金からなる第２の金属とからなり，前記第１の金属の前記デ
ータ配線電極に平行な方向の幅は前記第２の金属の幅よりも大きい
液晶表示装置」（段落【０００８】），「プラズマＣＶＤ法により
ガラス基板２１上にＳｉＯｘを成膜する。この上に，スパッタ法に
より，Ａｌ膜２２およびＭｏとＴａとの合金膜２３をそれぞれ１０
０ｎｍおよび２００ｎｍの膜厚に連続的に堆積させる。このとき，
Ａｌ膜はＡｌ合金，例えば，Ｃｕ１原子％，Ｓｉ０．５原子％
を含むＡｌ合金膜でも可能である。」（段落【００１４】）との記
載がある。
乙６，７の上記記載によれば，液晶表示装置の技術分野におい
て，低抵抗化のため又はアルミのヒロックを防止するために，「ゲ
ート電極材料として，第１の金属及び第２の金属を積層させて形成
すること」及び「第１の金属としてＡｌ膜又はＡｌ合金を使用し，
第２の金属としてＴａ等の高融点金属を使用すること」は，本件出
願の優先権主張日当時，周知であったというべきである。
したがって，当業者であれば，乙４記載発明において，上記周知
技術を適用して，ゲート用金属膜１１として，第１の金属及び第２
の金属を積層させて形成し，それらをフォトリソグラフィ法により
パターニングしてゲート電極Ｇ及び下層膜１１をそれぞれ形成する
こと（相違点１に係る本件発明１の構成）は容易に想到することが
できたものである。
ｃ相違点２に係る本件発明１の構成の容易想到性
米国特許第５１６６０８６号公報（乙５）の図７ｂ，７ｃか
ら，「工程４」（図７ｂ）における半導体層５のエッチングによっ
て，ゲート電極２上とゲート端子３上の２箇所にそれぞれ半導体層
５のパターンが形成され，ゲート端子３上の半導体層５のパターン
が，ゲート端子を露出させる開口（図７ｃ参照）の周囲に残ってい
ることを確認することができるから，乙５には，相違点２に係る本
件発明１の構成（構成要件Ｋに相当する構成）が開示されている。
ところで，一般的に液晶表示装置に使用される薄膜トランジスタ
として，チャネルの上にチャネル保護膜を形成してチャネル領域を
保護するチャネル保護膜型と，ｎ型半導体層をエッチングしてチャ
ネル領域を形成するチャネルエッチ型とが知られている。乙４で製
造されるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）は，チャネル領域にチャネル
保護膜を形成しない点において，チャネルエッチ型に類似する構造
であるが，乙５で製造されるＴＦＴは，チャネルの上に保護絶縁層
６を形成するチャネル保護膜型である。
乙４には，従来技術の欄において，ｉ型半導体層４の「チャンネ
ル領域」の上にＳｉＮ等からなる「ブロッキング層８」が形成され
るチャネル保護膜型のＴＦＴ（段落【０００８】）を製造する［工
程１］ないし［工程１１］（段落【００１０】∼【００２３】）の
記載がある。また，乙４には，「ｉ型半導体層５のチャンネル領域
の上にゲート絶縁膜４と同系の絶縁材（ＳiＮ等）からなるブロッキ
ング層８を設けているため，薄膜トランジスタ３の製造工程におい
て上記ブロッキング層８をパターニングする際に，ｉ型半導体層５
の下のゲート絶縁膜４にピンホール等の欠陥を発生させてしまうこ
とがあった。」（段落【００２４】），「本発明の目的は，ｉ型半
導体層の上にブロッキング層を設けることなく，しかもｉ型半導体
層のチャンネル領域にダメージを与えることなくｎ型半導体層を電
気的に分離して，層間短絡のない薄膜トランジスタを歩留よく製造
することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにあ
る。」（段落【００２９】）との記載があり，上記記載は，チャネ
ル保護膜型のＴＦＴに対し，乙４の製造方法を適用することを示唆
している。また，乙４の従来技術において記載されたチャネル保護
膜型のＴＦＴの製造工程１∼７（段落【００１１】∼【００１８
】）は，乙５記載のチャネル保護膜型の製造工程とほぼ同じであ
る。
そして，乙４と乙５は，いずれも液晶表示装置の製造方法に関す
るもので，同一の技術分野に属するものであるところ，液晶表示装
置の製造方法において，各膜のパターン形状を変更することは，マ
スクを変更することによって容易に実施できるものであり，公知の
パターンを採用することは当業者が適宜なし得る設計変更にすぎな
い。
したがって，当業者であれば，乙４記載の「ｉ型半導体層１３お
よびｎ型半導体層１４をフォトリソグラフィ法によって，トランジ
スタ素子領域の外形にパターニングする工程」において，乙５に開
示された「半導体膜５のパターンを形成する工程において，ゲート
端子３を露出させる開口の周囲のゲート絶縁膜４の上に，半導体層
５を残す」という膜パターンを採用して，ゲートライン端子部ＧＬ
ａの下層膜１１の上に，ｉ型半導体層１３及びｎ型半導体層１４を
残すこと（相違点２に係る本件発明１の構成）は容易に想到するこ
とができたものである。
ｄ小括
以上によれば，本件発明１は，乙４記載発明と周知技術及び乙５
に基づいて，当業者が容易に想到することができたものである。
(ウ)本件発明１の進歩性の欠如②（乙５を主たる刊行物とするもの）
ａ本件発明１と乙５記載発明との対比
①米国特許第５１６６０８６号公報（乙５）の各記載（１欄１４
行∼１７行，２欄２０行∼２４行，２欄５３行∼３欄５行，３欄６
５行∼６８行，４欄２２∼６７行，図６ないし１０），②前記(イ)
ｃのとおり，乙５には，「工程４」（図７ｂ）における半導体層５
のエッチングによって，ゲート電極２上とゲート端子３上の２箇所
にそれぞれ半導体層５のパターンが形成され，ゲート端子３上の半
導体層５のパターンは，ゲート端子を露出させる開口（図７ｃ参
照）の周囲に残っている構成が開示されていることを総合すると，
乙５記載の「薄膜トランジスタが形成される領域」，「ゲート端子
３が形成される領域」，「アクティブマトリクス型液晶表示装置の
薄膜トランジスタアレイ」，「ゲート端子３」，「ゲート絶縁膜
４」，「半導体層５」，「半導体層５のパターン」，「バリア金属
層８並びにソース及びドレイン金属層」，「透明導電膜」，「透明
画素電極１０」は，本件発明１の「薄膜トランジスタ部」，「パッ
ド部」，「液晶表示装置」，「ゲートパッド」，「絶縁膜」，「半
導体膜」，「半導体膜パターン」，「第３金属膜」，「透明導電
膜」，「第１画素電極パターン」にそれぞれ相当するというべきで
ある。
したがって，本件発明１と乙５記載発明とは，以下の相違点イな
いしハにおいてのみ相違し，その余の点は一致している。
（相違点イ）
本件発明１では，構成要件Ｂにおいて，第１金属膜及び第２金属
膜を順番に積層しているのに対し，乙５には，金属膜の材質につい
て記載されていない点。
（相違点ロ）
本件発明１では，構成要件Ｇにおいて，保護膜が形成され，構成
要件Ｈにおいて，前記保護膜及び絶縁膜を写真蝕刻してコンタクト
ホールを形成しているのに対し，乙５では，保護膜が形成されず，
ゲート絶縁膜４を除去してゲート端子３の開口を形成している点。
（相違点ハ）
本件発明１では，構成要件Ｊにおいて，ゲートパッドと接続され
る第２画素電極パターンを形成するのに対し，乙５では，ゲート端
子３と透明導電膜とが接触しない点。
ｂ相違点イに係る本件発明１の構成の容易想到性
相違点イは，乙４記載発明と本件発明１との相違点１と同じ内容
であるところ，前記(イ)ｂのとおり，本件出願の優先権主張日当
時，「ゲート電極材料として，第１の金属及び第２の金属を積層さ
せて形成すること」は周知であったから，当業者であれば，乙５記
載発明において，金属膜として，「第１の金属」及び「第２の金
属」を積層させて形成し，それらをパターニングしてゲート電極２
及びゲート端子３をそれぞれ形成すること（相違点イに係る本件発
明１の構成）は容易に想到することができたものである。
ｃ相違点ロ，ハに係る本件発明１の構成の容易想到性
乙４には，相違点ロに係る本件発明１の構成（「構成要件Ｇにお
いて，保護膜が形成され，構成要件Ｈにおいて，前記保護膜及び絶
縁膜を写真蝕刻してコンタクトホールを形成している」構成）及び
相違点ハに係る本件発明１の構成（「構成要件Ｊにおいて，ゲート
パッドと接続される第２画素電極パターンを形成する」構成）がい
ずれも開示されている。
そして，前記(イ)ｃのとおり，乙４には，チャネル保護膜型のＴ
ＦＴに対し，乙４の製造方法を適用する示唆が存在するから，当業
者であれば，乙５記載のチャネル保護膜型のＴＦＴを製造するため
に，乙４の示唆に従って，相違点ロ，ハに係る本件発明１の構成を
適用することは容易に想到することができたものである。
ｄ小括
以上によれば，本件発明１は，乙５記載発明と周知技術及び乙４
に基づいて，当業者が容易に想到することができたものである。
(エ)本件発明２ないし４の進歩性の欠如
本件発明２の構成要件Ｌ，本件発明３の構成要件Ｍ及び本件発明４
の構成要件Ｎは，乙４に記載されているか，あるいは周知技術である
ので，本件発明２ないし４も，乙４，５及び周知技術に基づいて，当
業者が容易に想到することができたものである。
(2)原告の反論
ア無効理由１（未完成発明）に対し
(ア)本件明細書の段落【００４９】には，「パッド部の保護膜及び絶
縁膜が蝕刻される部位の絶縁膜上にステップカバレージを改善するた
めの第１物質層８８が形成されている。前記第１物質層８８は半導体
膜をパターニングする時，保護膜及び絶縁膜が蝕刻される境界部位に
半導体膜が残るようにパターニングしたり，ソース電極８２ａ及びド
レイン電極８２ｂをパターニングする時，クロム膜が残るようにパタ
ーニングすることにより形成される。従って，別途の写真工程を加え
なくても画素電極用のＩＴＯのステップカバレージを向上させ得
る。」との記載があり，本件発明１の構成要件Ｋは，上記記載に基づ
いて，「前記半導体膜パターンを形成する段階及びソース電極及びド
レイン電極を形成する段階のうち，少なくとも何れか一段階は，前記
パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上
に，前記半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れか一つが
残る段階からなる」と規定されているものである。
そして，当業者が本件明細書の上記記載に接すれば，構成要件Ｋの
技術的意義を理解することが十分可能である。しかも，「前記パッド
部に形成されるコンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上に，前記
半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れか一つが残る」構
成とすることにより，「別途の写真工程を加えなくても画素電極用の
ＩＴＯのステップカバレージを向上させ得る」こととなるのであるか
ら，本件発明１ないし４の技術内容は，当業者が反復実施して効果を
上げることができる程度にまで具体的・客観的なものとして構成され
ていることは明らかである。
(イ)被告が根拠として挙げる乙２の図５．１４（Ａ）では，上側ＮＳ
Ｇ膜及びその下のＰＳＧ膜の部分が「逆テーパー形状」となっている
が，下側ＮＳＧ膜及び熱酸化膜の部分においては「テーパー形状」と
なっている。
また，被告が本来問題とすべき構造は，窒化膜（絶縁膜）の上にシ
リコン膜（半導体膜）が形成される構造であるべきところ，ＮＳＧ膜
とＰＳＧ膜は何れも絶縁膜であって半導体膜ではない。
さらに，被告は，「パッド部で保護膜及び絶縁膜が同時にパターニ
ングされる部位に半導体膜あるいはソース／ドレイン電極用の金属膜
を形成すること」により，蝕刻された部分が逆テーパー（ひさし）形
となるため，画素電極用のＩＴＯ膜のステップカバレージが悪化する
ものと予想されると主張するが，上記主張は，被告が独自に試みた定
性的段差部形状評価の結果に基づくものにすぎない。乙２にも，膜の
積層構造を同じくする図５．１４（Ａ）と図５．１４（Ｂ）を比較し
て，「工程改善やＣＶＤ膜の変更により，図５．１４（Ｂ）のような
均一なＡｌ配線膜厚を確保することができる。」（１３２頁１８行∼
１９行）との記載があることに照らすならば，当業者であればなし得
るであろう「工程改善」の余地等について何ら配慮することなくされ
た定性的段差部形状評価は，本件発明１ないし４が発明として未完成
であることの客観的根拠たり得ない。
さらに，イ号液晶モジュールにおいても，絶縁膜と保護膜のエッチ
ングは同一工程（工程９）で行われているが，被告が提出した実験結
果（乙９）のような逆テーパー形状となっていない。
(ウ)以上のとおり，本件発明１ないし４の技術内容は，当業者が反復
実施して効果を上げることができる程度にまで具体的・客観的なもの
として構成されていないため，特許法２９条１項柱書の「発明」に該
当しないとの被告の主張は，失当である。
イ無効理由２（実施可能要件違反）に対し
(ア)被告は，本件明細書には，具体的な成膜条件，蝕刻条件等の製造
方法は，全く開示されておらず，明細書の記載によっては本件発明１
ないし４を具体的に実施することができない旨主張する。
しかし，前記ア(イ)のとおり，乙２にも，膜の積層構造を同じくす
る図５．１４（Ａ）と図５．１４（Ｂ）を比較して，「工程改善やＣ
ＶＤ膜の変更により，図５．１４（Ｂ）のような均一なＡｌ配線膜厚
を確保することができる。」（１３２頁１８行∼１９行）との記載が
あるように，半導体プロセス技術分野における技術的進歩に鑑みれ
ば，この程度の「工程改善」は，当業者にとっては容易に実施できる
程度の事項でしかない。
(イ)被告は，請求項１において唯一特定した「コンタクトホールの
縁」という条件についても，その定義がされておらず，本件明細書
の「発明の詳細な説明」において，当業者がその実施をすることがで
きる程度に明確かつ十分に記載されていない旨主張する。
しかし，本件明細書の段落【００４９】には，「図１１を参照する
と，・・・パッド部の保護膜及び絶縁膜が蝕刻される部位の絶縁膜上
にステップカバレージを改善するための第１物質層８８が形成されて
いる。前記第１物質層８８は半導体膜をパターニングする時，保護膜
及び絶縁膜が蝕刻される境界部位に半導体膜が残るようにパターニン
グしたり，ソース電極８２ａ及びドレイン電極８２ｂをパターニング
する時，クロム膜が残るようにパターニングすることにより形成され
る。従って，別途の写真工程を加えなくても画素電極用のＩＴＯのス
テップカバレージを向上させ得る。」などと記載されており，構成要
件Ｋにおける「コンタクトホールの縁」がパッド部の保護膜及び絶縁
膜が蝕刻される部位（境界部位）を意味する程度のことは，本件明細
書に接した当業者にとって容易に理解され得る事項である。
(ウ)以上のとおり，本件明細書は，特許法３６条４項に適合しないと
の被告の主張は，失当である。
ウ無効理由３（サポート要件違反・明確性要件違反）に対し
(ア)被告は，請求項１の記載によれば，本件発明１は，構成要件Ｋで
残した膜が，構成要件Ｈや構成要件Ｉの各段階と全く関連しない構
成，例えば構成要件Ｈや構成要件Ｉに至る前に除去される構成も含む
こととなり，請求項１の記載において特許を受けようとする発明が明
確であるとはいえない旨主張する。
しかし，発明を特定するための事項の意味内容の解釈に当たって
は，特許請求の範囲の記載のみでなく，明細書及び図面の記載並びに
特許出願時の技術常識をも考慮されるものであるところ，本件明細書
に接した当業者であれば，特許請求の範囲（請求項１）の記載から本
件発明１を明確に把握することが可能であることは明らかであり，本
件発明１が「例えば構成要件Ｈや構成要件Ｉに至る前に除去される構
成」でもあり得るなどと理解する当業者を想定することそのものに何
ら意味はない。
(イ)被告は，本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）には，第１な
いし第３金属膜の材質が特定されていないので，第３金属膜としてア
ルミニウムが選択された場合，構成要件Ｋにおいて，第３金属膜を残
すと，ＩＴＯとアルミニウムとが接触する構造となるが，このような
構造では，「パッド部でのアルミニウムとＩＴＯとの接触を防止す
る」という発明の課題及び効果と矛盾することとなり，請求項１
は，「パッド部でのアルミニウムとＩＴＯとの接触を防止する」とい
う発明の課題及び効果と矛盾する構造を包含するものであり，発明と
して明確なものとはいえない旨主張する。
しかし，当業者であれば，「パッド部でのアルミニウムとＩＴＯと
の接触を防止する」発明において，第２画素電極パターンと接触する
部分のゲートパッドをアルミニウムとしたり，構成要件ＫにおいてＩ
ＴＯと接触するような態様の第３金属膜としてアルミニウムを選択す
るなどということが技術的に無意味な選択であることは容易に理解し
得る事項である。
(ウ)被告は，本件発明１ないし３の特許請求の範囲（請求項１ないし
３）では，「第２画素電極パターン」の大きさが特定されておらず，
第２画素電極パターンがパッド部の保護膜及び絶縁膜のオープンされ
た部分より小さく形成する構造を含むこととなるから，「画素電極の
ステップカバレージが向上する」という効果を利用しない構造も含む
ものであり，発明として明確なものとはいえない旨主張する。
しかし，本件明細書には，「画素電極は前記保護膜及び絶縁膜の蝕
刻された部分より大きく形成されるので，ＩＴＯにより第２金属膜が
保護され得る」（段落【００３９】），「なお，パッド部に形成され
る画素電極を前記保護膜及び絶縁膜がオープンされる部位より大きく
形成されるようにパターニングすることにより，第２金属膜はＩＴＯ
膜により保護される」（段落【００４６】）との記載があり，これら
の記載に照らせば，本件発明４（請求項４）の「前記画素電極パター
ンは前記パッド部の保護膜及び絶縁膜のオープンされた部分より大き
く形成する段階からなる」との要件は，第２金属膜をＩＴＯにより保
護する旨を規定したものであることは明らかであり，「前記パッド部
に形成されるコンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上に，前記半
導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れか一つが残る」構
成（構成要件Ｋ）とすることによってＩＴＯ膜形成時に当該領域にお
けるステップカバレージが向上することとは，技術的思想としては区
別して観念される。
加えて，ゲートパッドと電気的に接続する第２画素電極パターンは
外部のデバイスや配線と接続される電極としても機能するのであるか
ら，当該第２画素電極パターンを外部デバイス等と接続可能な程度の
大きさとすることは当業者であれば当然に理解し，設計する事項であ
る。
(エ)以上によれば，本件発明１ないし４の特許請求の範囲（請求項１
ないし４）の記載は，特許法３６条６項１号，２号に適合しないとの
被告の主張は，失当である。
エ無効理由４（進歩性の欠如）に対し
(ア)本件発明１の進歩性の欠如①（乙４を主たる刊行物とするもの）
に対し
被告は，乙４記載の「ｉ型半導体層１３およびｎ型半導体層１４を
フォトリソグラフィ法によって，トランジスタ素子領域の外形にパタ
ーニングする工程」において，乙５に開示された「半導体膜５のパタ
ーンを形成する工程においてゲート端子を露出させる開口の周囲のゲ
ート端子３の上に，半導体層５を残す」という膜パターンを採用し
て，ゲートライン端子部ＧＬａの下層膜１１の上に，ｉ型半導体層１
３及びｎ型半導体層１４を残すことは，当業者が容易に想到すること
ができた旨主張する。
しかし，被告の主張は，以下のとおり理由がない。
ａ乙５を精査しても，ゲート端子３領域についての記載はほとんど
認められず，わずかに，「ゲート端子３の上の部分のゲート絶縁膜
４を除去する」工程（工程５）が図７ｃ（及び図２ｇ）に図示され
ているにすぎず，図中に示されたゲート端子３上の半導体層５がど
のような目的で設けられ，いかなる役割を果たすこととなるのか，
また，半導体層５をどのようなマスクワークにより形成するのかさ
え，全く不明である。乙５には，「写真工程の数」（マスクワーク
数）を減らすことを前提とした上で，構成要件Ｋにより画素電極用
のＩＴＯのステップカバレージを向上させ得ることとした本件発明
１の技術的思想（本件明細書の段落【００４９】）は，一切開示さ
れていない。
ｂまた，本件発明１では，コンタクトホールの縁の半導体膜部分又
は第３金属膜部分は，半導体膜パターンを形成する段階又はソース
・ドレイン電極を形成する段階において残され，保護膜を形成する
段階は，半導体膜パターンを形成する段階及びソース・ドレイン電
極を形成する段階の後に設けられているのに対し，乙５では，「ゲ
ート端子３を露出させる開口の周囲」の半導体層５の部分は，保護
絶縁層６を形成した後であって，かつ，ソース及びドレイン電極（
９ａ，９ｂ）を形成する前に「残される」ものである。つまり，乙
５の半導体層５は，保護絶縁層６を形成する以前にはパターニング
されることはなく，半導体膜５のパターンは保護絶縁層６の形成前
には活性領域にもパッド領域にも存在しない。
このような乙５に，たまたま，「工程４（図７ｂ）における半導
体層５のエッチングによって，ゲート電極２上とゲート端子３上の
２箇所にそれぞれ半導体層５のパターンが形成され，ゲート端子３
上のパターンが，ゲート端子を露出させる開口（図７ｃ参照）の周
囲に残ることが示されて」いるからといって，乙５において，本件
発明１の構成要件Ｋに相当する構成が開示されていると結論付ける
ことはできない。
そもそも，乙５では，ゲート端子３上の半導体層５は，ゲート端
子３を露出させるために絶縁膜４を除去するためのマスクとして保
護絶縁層６を用いることとした結果，たまたま当該保護絶縁層６の
下にある半導体層５が残ることとなったという程度のものでしかな
く，しかも，乙５の図２ｄを参照すると，ゲート電極２の直上に
は，ゲート絶縁膜４及び半導体層５が設けられ，不純物が添加され
た半導体層７は，保護絶縁層６を介して，半導体層５上に形成され
ているのであるから，当該保護絶縁層６は，乙４において「ブロッ
キング層」（段落【００２４】）とされているものに対応付けられ
るべき層である。
そして，乙４記載発明は，「従来の薄膜トランジスタ３は，ｉ型
半導体層５のチャンネル領域の上にゲート絶縁膜４と同系の絶縁
材（ＳiＮ等）からなるブロッキング層８を設けているため，薄膜ト
ランジスタ３の製造工程において上記ブロッキング層８をパターニ
ングする際に，ｉ型半導体層５の下のゲート絶縁膜４にピンホール
等の欠陥を発生させてしまうことがあった」ため（乙４の段落【０
０２４】），このような不都合をもたらす「ブロッキング層８」を
必要とすることなく薄膜トランジスタを製造することを目的とする
ものであるから（段落【００２９】），乙４と乙５とを組み合わせ
ることには阻害要因があるというべきである。
ｃ以上のとおり，相違点２に係る本件発明１の構成は，乙４と乙５
とを組み合わせることにより容易に想到することができる旨の被告
の主張は，失当である。
(イ)本件発明１の進歩性の欠如②（乙５を主たる刊行物とするもの）
に対し
被告は，乙４には，チャネル保護膜型のＴＦＴに対し，乙４の製造
方法を適用する示唆が存在することを前提に，本件発明１は，乙５と
乙４とを組み合わせることにより当業者が容易に想到することができ
た旨主張する。
しかし，前記(ア)ａのとおり，乙５記載発明は，マスクワーク数を
減らすことを目的としたものでも，画素電極用のＩＴＯのステップカ
バレージを向上させ得ることを目的としたものでもなく，乙５の図中
に示されているゲート端子３上の半導体層５がどのような目的で設け
られ，いかなる役割を果たすこととなるのか，半導体層５をどのよう
なマスクワークにより形成するのかも全く不明なのであって，本件発
明１に関連する技術的思想は一切，開示も示唆もされていない。
加えて，乙５を乙４と組み合わせることには，阻害要因があること
は，前記(ア)ｂのとおりである。
したがって，被告の上記主張は，理由がない。
(ウ)小括
以上によれば，本件発明１は，乙４，５及び周知技術に基づいて当
業者が容易に想到することができたとの被告の主張は，理由がない。
したがって，本件発明１（請求項１）を引用する本件発明２ないし
４（請求項２ないし４）の進歩性の欠如をいう被告の主張も理由がな
い。
第４当裁判所の判断
１争点１（イ号液晶モジュールの製造方法の本件発明１ないし４の技術的範
囲の属否）について
(1)イ号液晶モジュールの構造及び製造方法
アイ号液晶モジュールの構造
証拠（甲４ないし６）及び弁論の全趣旨を総合すれば，イ号液晶モジ
ュールは，次のような構造を有することが認められ，これに反する証拠
はない。
(ア)イ号液晶テレビに搭載されたイ号液晶モジュールは，液晶パネ
ル（以下「イ号液晶パネル」という。）及びバックライトユニット等
が金属ベゼルによって一体化されて構成されている。イ号液晶パネル
の周辺部（端部）には，半導体チップが搭載されたＣＯＦ（ChipOnF
ilm）が複数接続されている（甲４の写真３−３，４−１，４−２）。
イ号液晶パネルの上側に設けられたＣＯＦはプリント基板（ＰＣＢ）
に接続され，当該ＰＣＢはイ号液晶テレビ内に設けられた回路基板に
接続されている。
(イ)イ号液晶モジュールは，基板（ａ）の画素領域に，別紙１(1)，(2
)のような，ソース，ドレイン，ゲートにより構成される薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ），ドレイン電極の一部と透明導電膜が当接するコンタ
クトホールが形成された領域（原告主張の「薄膜トランジスタ部」）
と，画素領域外（基板の周辺）の領域に，別紙１(3)のような構造の領
域（原告主張の「ゲート−パッド連結部１」）及び別紙１(4)のような
構造の領域（原告主張の「ゲート−パッド連結部２」）とを有する。
(ウ)イ号液晶モジュールの「薄膜トランジスタ部」（ＴＦＴ部）で
は，別紙１(1)のように，基板（ａ）の上に，「チタン」を含む金属
膜（ｂ），「アルミニウム」を含む金属膜（ｃ），「チタン」を含む
金属膜（ｄ）が基板側からこの順番で積層され，パターニングされて
ゲート電極を形成している。
ゲート電極の上には，絶縁膜（ｅ），第１の非晶質シリコン膜（
ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）がこの順番で積層され，第１
の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）がパタ
ーニングされて半導体膜パターン（ｆ，ｇ）を形成している。
そして，パターニングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上
に，「チタン」を含む金属膜（ｈ）と「アルミニウム合金膜」ない
し「アルミニウム膜」（ｉ）がこの順番で積層され，これらの金属
膜（ｈ，ｉ）がパターニングされてソース電極及びドレイン電極を形
成している。上記パターニングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）
全体の下部表面は，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面と当接して
いる。また，ソース電極とドレイン電極との間では，第２の非晶質シ
リコン膜（ｇ）が除去されて第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面が
露出するチャネル領域が形成されている。
ソース電極，ドレイン電極，上記チャネル領域及び絶縁膜（ｅ）（
一部）の上には，保護膜（ｊ）が積層され，パターニングされて保護
膜（ｊ）パターンを形成している。この保護膜（ｊ）パターンは，上
記チャネル領域に位置する第１の非晶質シリコン膜（ｆ）パターンの
上面と接触している。
一方で，保護膜（ｊ）の上記パターニングにより，別紙１(2)のよう
に，ドレイン電極の一部を露出させるコンタクトホールが形成されて
いる。
そして，別紙１(2)のように，上記コンタクトホール，ソース電極，
ドレイン電極及び保護膜（ｊ）パターンの上に，ＩＴＯ（IndiumTin
Oxide）により組成される透明導電膜（ｋ）が積層され，この透明導電
膜（ｋ）は，パターニングされてドレイン電極のうち「チタン」を含
む金属膜（ｈ）と接する画素電極パターンを形成している。なお，ド
レイン電極のうち，「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム
膜」（ｉ）の上には保護膜（ｊ）パターンが形成されており，透明導
電膜（ｋ）とは接していない。
(エ)ａイ号液晶モジュールの「ゲート−パッド連結部１」及び「ゲー
ト−パッド連結部２」では，別紙１(3)，(4)のように，基板（ａ）
の上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「アルミニウム」を含む
金属膜（ｃ），「チタン」を含む金属膜（ｄ）が基板側からこの順
番に積層され，パターニングされてゲートパッドを形成している。
ゲートパッドの上に，絶縁膜（ｅ）が積層され，絶縁膜（ｅ）のパ
ターニングによりゲートパッドの表面を一部露出させるコンタクト
ホールが別紙１(3)，(4)のようにそれぞれ形成されている。このパ
ターニングされた絶縁膜（ｅ）の上に，第１の非晶質シリコン膜（
ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）がこの順番で積層され，さ
らに第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上には，「チタン」を含む金
属膜（ｈ）がこの順番に積層され，積層された各膜（ｆ，ｇ，ｈ）
は，いずれもパターニングされている。
ｂイ号液晶モジュールの「ゲート−パッド連結部１」では，別紙１(
3)のように，パターニングされた保護膜（ｊ）が，「チタン」を含
む金属膜（ｈ）の一部を露出するように積層されており，また，前
記ａのコンタクトホールの縁の「チタン」を含む金属膜（ｄ）の上
には，絶縁膜（ｅ），第１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，
ｇ），「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」
ないし「アルミニウム膜」（ｉ）が残存している。
そして，上記コンタクトホール，上記残存する絶縁膜（ｅ），第
１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ），「チタン」を含む金属
膜（ｈ）及び保護膜（ｊ）パターンの上に，ＩＴＯにより組成され
る透明導電膜（ｋ）が積層され，この透明導電膜（ｋ）は，「チタ
ン」を含む金属膜（ｈ）及び絶縁膜（ｅ）の開口部においてゲート
パッドを構成する「チタン」を含む金属膜（ｄ）とそれぞれ接する
画素電極パターンを形成している。なお，「チタン」を含む金属
膜（ｈ）の上に積層された「アルミニウム合金膜」ないし「アルミ
ニウム膜」（ｉ）上には保護膜（ｊ）パターンが形成されており，
透明導電膜（ｋ）とは接していない。
ｃイ号液晶モジュールの「ゲート−パッド連結部２」では，別紙１(
4)のように，前記ａのコンタクトホールの縁の「チタン」を含む金
属膜（ｄ）の上には，絶縁膜（ｅ），第１及び第２の非晶質シリコ
ン膜（ｆ，ｇ）及び「チタン」を含む金属膜（ｈ）が残存してい
る。
そして，上記コンタクトホール，上記残存する絶縁膜（ｅ），第
１及び第２の非晶質シリコン膜（ｆ，ｇ），「チタン」を含む金属
膜（ｈ）の上に，ＩＴＯにより組成される透明導電膜（ｋ）が積層
され，この透明導電膜（ｋ）は，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及
び絶縁膜（ｅ）の開口部においてゲートパッドを構成する「チタ
ン」を含む金属膜（ｄ）とそれぞれ接する画素電極パターンを形成
している。
イイ号液晶モジュールの製造方法
前記アの認定事実と証拠（甲４ないし６）及び弁論の全趣旨を総合す
れば，イ号液晶モジュールは，次のような工程１ないし１２（以下，各
工程を「本件工程１」，「本件工程２」などという。）を順に経て製造
されたことが認められ，これに反する証拠はない。
(ア)本件工程１
別紙２①のように，基板（ａ）の上に，「チタン」を含む金属膜（
ｂ），「アルミニウム」を含む金属膜（ｃ），「チタン」を含む金属
膜（ｄ）を基板側からこの順番で積層した後，フォトリソグラフィー
工程（１次写真蝕刻）により，ゲート電極及びゲートパッドをそれぞ
れ形成する工程。
(イ)本件工程２
別紙２②のように，ゲート電極及びゲートパッドの形成された基
板（ａ）の全面に絶縁膜（ｅ）を積層する工程。
(ウ)本件工程３
別紙２③のように，絶縁膜（ｅ）の上に，第１の非晶質シリコン
膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）をこの順番に積層する工
程。
(エ)本件工程４
別紙２④のように，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶
質シリコン膜（ｇ）を，フォトリソグラフィー工程（２次写真蝕刻）
により半導体膜パターンに形成する工程。
(オ)本件工程５
別紙２⑤のように，半導体膜パターン（ｆ，ｇ）の形成された基
板（ａ）の全面に，「チタン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウ
ム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）をこの順番に積層する工
程。
(カ)本件工程６
別紙２⑥のように，フォトリソグラフィー工程（３次写真蝕刻）に
より，「チタン」を含む金属膜（ｈ），「アルミニウム合金膜」ない
し「アルミニウム膜」（ｉ）をパターニングし，薄膜トランジスタ部
にソース電極及びドレイン電極を形成する工程。
(キ)本件工程７
別紙２⑦のように，「チタン」を含む金属膜（ｈ），「アルミニウ
ム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）をマスクとして，半導体
膜パターン（ｆ，ｇ）を蝕刻し，ソース電極とドレイン電極間に位置
する第２の非晶質シリコン膜（ｇ）を除去する工程。
(ク)本件工程８
別紙２⑧のように，ソース電極及びドレイン電極の形成された基
板（ａ）の全面に保護膜（ｊ）を積層する工程。
(ケ)本件工程９
別紙２⑨のように，フォトリソグラフィー工程（４次写真蝕刻）に
より，保護膜（ｊ）及び絶縁膜（ｅ）をパターニングし，ドレイン電
極（の端部）の表面と，ゲートパッドの表面を露出させるコンタクト
ホールを形成する工程。
(コ)本件工程１０
別紙２⑩のように，保護膜（ｊ）の蝕刻により露出されている部分
の「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を除去す
る工程。
(サ)本件工程１１
別紙２⑪のように，コンタクトホールの形成された基板（ａ）の全
面に透明導電膜（ｋ）を積層する工程。
(シ)本件工程１２
別紙２⑫のように，フォトリソグラフィー工程（５次写真蝕刻）に
より，透明導電膜（ｋ）をパターニングして，薄膜トランジスタ部で
は「チタン」を含む金属膜（ｈ）と接続する画素電極パターンを，「
ゲート−パッド連結部１」及び「ゲート−パッド連結部２」では，「
チタン」を含む金属膜（ｄ）及び「チタン」を含む金属膜（ｈ）とそ
れぞれ接続する画素電極パターンを形成する工程。
(2)イ号液晶モジュールの製造方法の本件発明１の構成要件充足性
ア被告は，原告の主張するイ号液晶モジュールの製造方法を前提として
も，少なくとも，イ号液晶モジュールは本件発明１の「第１金属膜」及
び「第２金属膜」（構成要件Ｂ），「第３金属膜」（構成要件Ｅ，Ｆ，
Ｋ），「ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホール」（構成要
件Ｈ）及び「前記パッド部に形成されるコンタクトホール」（構成要件
Ｋ）を備えていないので，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明
１の構成要件Ｂ，Ｅ，Ｆ，Ｈ，Ｋをいずれも充足しない旨主張する。
そこで，まず，被告の主張する諸点について順次判断することとす
る。
イ「第１金属膜」及び「第２金属膜」（構成要件Ｂ）について
原告は，イ号液晶モジュールのチタンを含む金属膜（ｂ），アルミニ
ウムを含む金属膜（ｃ）及びチタンを含む金属膜（ｄ）のうち，アルミ
ニウムを含む金属膜（ｃ）が構成要件Ｂの「第１金属膜」に，チタンを
含む金属膜（ｄ）が構成要件Ｂの「第２金属膜」に該当する旨主張す
る。
これに対し被告は，構成要件Ｂの「ゲート電極及びゲートパッド」
は「第１金属膜」及び「第２金属膜」の２層の金属膜からなる積層構造
のものに限定されると解すべきであるから，３層構造のイ号液晶モジュ
ールは，「第１金属膜」及び「第２金属膜」を備えていない旨主張す
る。
そこで，イ号液晶モジュールにおけるアルミニウムを含む金属膜（
ｃ）及びチタンを含む金属膜（ｄ）が，それぞれ構成要件Ｂの「第１金
属膜」及び「第２金属膜」に該当するかどうかについて判断する。
(ア)特許請求の範囲の記載
本件発明１の構成要件Ｂは，「基板上に第１金属膜及び第２金属膜
を順番に積層した後，１次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部及び
パッド部にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成する段階」と
いうものである。上記構成要件Ｂの文言によれば，基板上に積層され
た「第１金属膜」及び「第２金属膜」により「ゲート電極」及び「ゲ
ートパッド」が形成されることが理解される。
一方で，本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）の記載中に
は，「ゲート電極」及び「ゲートパッド」が「第１金属膜」及び「第
２金属膜」の２層の積層構造のものに限定するものとし，この２層に
他の層を付加してはならないことを明示した記載はなく，また，「第
１金属膜」及び「第２金属膜」の材質を規定する記載もない。
(イ)本件明細書の記載事項
ａ本件明細書（甲３）の「発明の詳細な説明」には，次のような記
載がある。
(ａ)「本発明は・・・特に写真工程の段階を省き素子の信頼性を向
上させ得る薄膜トランジスタの液晶表示装置の製造方法に関す
る。」（段落【０００１】）
(ｂ)「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は一般トランジスタに比べて非
常に薄いため，その製造工程は一般トランジスタの製造工程に比
べて，更に複雑で生産性に劣り高コストである。従って，ＴＦＴ
の生産性を高め，低コストにするため・・・特に，製造工程に用
いられるマスクの数を減らすための方法が広く研究されてい
る。」（段落【０００４】）
(ｃ)「前記従来の液晶表示装置の製造方法によると，ゲート電極を
パターニングするための１次写真蝕刻，陽極酸化膜を形成するた
めの２次写真蝕刻，半導体膜パターンを形成するための３次写真
蝕刻，コンタクトホールを形成するための４次写真蝕刻，ソース
電極及びドレイン電極をパターニングするための５次写真蝕刻，
画素電極用のコンタクトホールを形成するための６次写真蝕刻，
画素電極をパターニングするための７次写真蝕刻など最小限に７
回の写真蝕刻工程が要求される。従って，製造に長時間がかかり
必要なマスクの数が多すぎるため，高コストとなり製造収率も落
ちる短所がある。」（段落【００１２】），「かつ，ゲート電極
を形成する物質として純粋アルミニウムを用いるため，ゲート電
極の形成後，窒化膜，非晶質シリコン層及び不純物のドーピング
された非晶質シリコン層の３層膜を形成するための高温熱処理中
にゲート電極にヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋ）が発生する可能性が
増大する。」（段落【００１３】）
(ｄ)「前記問題点を解決するために，アルミニウム合金をゲート電
極に採用しゲート電極の上部あるいは下部に耐火金属を用いてキ
ャッピング金属膜を形成し，保護膜の形成工程とコンタクトホー
ルの形成工程を同時に施すことにより，マスクの数を従来の７枚
から５枚に減らせる方法を提案してある。」（段落【００１４
】）
(ｅ)「図３は５枚のマスクを用いるＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法の一
例を説明するための断面図であり，韓国特許出願９５−４２６１
８号に開示されている。」（段落【００１５】），「図３を参照
すると，ＴＦＴ部及びパッド部に形成されたゲート電極はアルミ
ニウムあるいはアルミニウム−ネオジウム（Ａｌ−Ｎｄ）あるい
はアルミニウム−タンタル（Ａｌ−Ｔａ）のようなアルミニウム
合金からなる第１金属膜３２と，クロム（Ｃｒ），モリブデン（
Ｍｏ）あるいはチタン（Ｔｉ）のような耐火金属からなる第２金
属膜３４が順次に積層された二重構造からなっている。」（段落
【００１６】），「かつ，ＴＦＴ部では保護膜４４が蝕刻され形
成されたコンタクトホールを通じて画素電極４６とドレイン電極
４２ｂとが連結されている。パッド部では，第２金属膜３４の上
に形成された保護膜４４及び絶縁膜３６が同時に蝕刻され第２金
属膜３４の一部を露出させるコンタクトホールが形成されてお
り，前記コンタクトホールを通じてゲート電極（３２＋３４）と
ＩＴＯからなる画素電極４６とが連結されている。」（段落【０
０１７】），「前記方法によると，アルミニウムあるいはアルミ
ニウム合金からなる第１金属膜３２の上にキャッピング膜として
第２金属膜３４を形成することにより陽極酸化膜の形成工程を省
くことができ，絶縁膜３６及び保護膜４４を同時に蝕刻すること
により写真工程の数を減らすことができる。」（段落【００１８
】）
(ｆ)「図４は・・・５枚のマスクを用いたＴＦＴ−ＬＣＤ製造方法
の他の例を説明するための断面図であり，韓国特許出願９５−６
２１７０号に開示されている。」（段落【００１９】），「図４
を参照すると，ＴＦＴ部及びパッド部に形成されたゲート電極が
クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはチタン（Ｔｉ）の
ような耐火金属からなる第１金属膜５１と，アルミニウムあるい
はアルミニウム合金からなる第２金属膜５３が順番に積層された
二重構造からなっている。」（段落【００２０】），「ＴＦＴ部
では保護膜６３が蝕刻され形成されたコンタクトホールを通じて
画素電極６７とドレイン電極６１ｂとが連結され，パッド部では
第１金属膜５１及び第２金属膜５３からなるゲート電極とパッド
電極６１ｃとが画素電極６７を通じて連結されている。前記パッ
ド部に形成されたゲート電極は画素電極６７と接触する部分の第
２金属膜５３が蝕刻されている。」（段落【００２１】）
(ｇ)「前記方法によるとマスクの数を減らすことができ，耐火性金
属膜とその上部に積層されるアルミニウム膜の二重膜にてゲート
電極を形成することによりアルミニウム膜のヒロック成長を抑制
することができる。かつ，パッド部に画素電極を形成する前にゲ
ート電極を構成するアルミニウム膜を蝕刻することにより後続工
程で形成される画素電極とアルミニウム膜の間の接触抵抗を減ら
すことができる。」（段落【００２２】）
(ｈ)「しかしながら，前記二つの方法は次のような問題点を有して
おり，次の図５を通して説明する・・・」（段落【００２３
】），「第１，前記第１方法のようにパッド部に形成されるパッ
ド電極を耐火金属／アルミニウム（あるいはアルミニウム合金）
の構造から形成する場合，図５に示したように‘Ａ’部分でアル
ミニウムとＩＴＯとが直接接触するようになる。このようにアル
ミニウムとＩＴＯが接触すると，ＩＴＯをパターニングするため
の写真工程時に現像液による電池反応のためにＩＴＯが現像液に
解けたり，ＬＣＤ駆動時に駆動電流により酸化膜が形成される問
題点がある。」（段落【００２４】），「第２，パッド電極を前
記第２方法のようにアルミニウム（あるいはアルミニウム合金）
／耐火金属の構造から形成する場合，保護膜及び絶縁膜を蝕刻し
た後にパッド電極上部のアルミニウム（あるいは合金）を蝕刻す
ると図５の‘Ｂ’部位でアルミニウムとＩＴＯとが接触するよう
になる。」（段落【００２５】），「第４，パッド部のゲート電
極とパッド電極とを連結するために絶縁膜と保護膜を同時に蝕刻
するため，絶縁膜及び保護膜の蝕刻された部分が基板とほとんど
垂直に形成されるので，後続工程でＩＴＯ膜を蒸着する時ステッ
プカバレージが不良になる。」（段落【００２７】），「第５，
保護膜及び絶縁膜が数個のパッドにかけて一つの箱状にオープン
されるため，保護膜及び絶縁膜を乾式蝕刻する際にパッドの間の
基板が蝕刻される恐れがある。」（段落【００２８】）
(ｉ)「本発明は前記のような問題点を解決するために案出されたも
のであり，パッド部でのアルミニウムとＩＴＯとの接触を防止し
て素子の信頼性を向上させ得る液晶表示装置の製造方法を提供す
ることにその目的がある。」（段落【００２９】），「かつ，本
発明の他の目的は写真工程の数を更に減らし得る液晶表示装置の
製造方法を提供することである。」（段落【００３０】）
(ｊ)「本発明によると，ゲート電極の構造とパッド部のパターンを
変更することにより，写真工程の数を減らし，かつアルミニウム
とＩＴＯの間の接触を防止し素子の信頼性を向上させることがで
きる。」（段落【００３４】）
(ｋ)「図７を参照すると，パッド部の保護膜及び絶縁膜はゲートパ
ッドパターンより内側で蝕刻されるようにレイアウトされてい
る。従って，アルミニウム膜が露出されることにより発生するア
ルミニウム膜とＩＴＯ膜との接触を防止することができる。か
つ，画素電極は前記保護膜及び絶縁膜の蝕刻された部分より大き
く形成されるので，ＩＴＯにより第２金属膜が保護され得
る。」（段落【００３９】），「図８Ａを参照すると，まず透明
な基板７０上にアルミニウムあるいはアルミニウム合金を蒸着し
て第１金属膜７２を形成した後，前記第１金属膜７２上に耐火性
金属を蒸着して第２金属膜７４を順次に形成する。次いで，前記
第２金属膜７４及び第１金属膜７２を１次写真蝕刻してＴＦＴ部
及びパッド部の基板上にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ
形成する。」（段落【００４１】），「図９Ｃを参照すると，半
導体膜パターン（７８＋８０）の形成された前記基板７０の全面
にクロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはチタン（Ｔｉ）
などの金属を蒸着して第３金属膜を形成した後，前記第３金属膜
を３次写真蝕刻してＴＦＴ部にソース電極８２ａ及びドレイン電
極８２ｂを形成する。この際，ＴＦＴのチャンネルの形成される
領域の不純物がドーピングされた非晶質シリコン膜８０も蝕刻さ
れて前記非晶質シリコン膜７８の一部が露出される。」（段落【
００４３】），「前述した本発明の第１参考例によると，ゲート
電極を耐火金属／アルミニウム（あるいはアルミニウム合金）の
二重構造から形成することにより，マスクの数を減らすと共に，
アルミニウム膜のヒロック成長を抑制することができる。かつ，
絶縁膜及び保護膜を同時に蝕刻して画素電極とゲートパッドとを
連結するためのコンタクトホールを形成する時，ゲートパッドパ
ターンの境界内で絶縁膜と保護膜をオープンさせることによりア
ルミニウムとＩＴＯの間の接触を防止することができる。なお，
パッド部に形成される画素電極を前記保護膜及び絶縁膜がオープ
ンされる部位より大きく形成されるようにパターニングすること
により，第２金属膜はＩＴＯ膜により保護される。」（段落【０
０４６】）
(ｌ)「図１０は本発明の実施例による液晶表示装置を製造するため
の概略平面図であり，図１１は本発明の実施例による液晶表示装
置の製造方法を説明するための断面図である。」（段落【００４
７】），「図１０のＰ４は保護膜及び絶縁膜が蝕刻される部分の
ステップカバレージを改善させるための第１物質層の形成された
部分を限るマスクパターンである。」（段落【００４８】），「
図１１を参照すると，ゲート電極が耐火金属／アルミニウム（あ
るいはアルミニウム合金）の二重構造から形成され，パッド部に
位置するゲートパッドパターンの境界内で絶縁膜及び保護膜がオ
ープンされるようにパターニングされる。かつ，パッド部の保護
膜及び絶縁膜が蝕刻される部位の絶縁膜上にステップカバレージ
を改善するための第１物質層８８が形成されている。前記第１物
質層８８は半導体膜をパターニングする時，保護膜及び絶縁膜が
蝕刻される境界部位に半導体膜が残るようにパターニングした
り，ソース電極８２ａ及びドレイン電極８２ｂをパターニングす
る時，クロム膜が残るようにパターニングすることにより形成さ
れる。従って，別途の写真工程を加えなくても画素電極用のＩＴ
Ｏのステップカバレージを向上させ得る。」（段落【００４９
】）
(ｍ)「なお，本発明は以上説明した実施例に限定されるものではな
く，多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の
知識を有する者により可能であることは明白である。」（段落【
００７７】）
(ｎ)「本発明による液晶表示装置の製造方法によると，ゲート電極
をアルミニウムあるいはアルミニウム合金と耐火金属膜を用いた
二重構造から形成することにより，写真工程段階を５回に省くこ
とができ，耐火金属膜のストレス弛緩作用によりアルミニウム膜
のヒロック成長を抑制することができる。」（段落【００７８
】），「かつ，パッド部のパターンを変更してアルミニウムとＩ
ＴＯ間の接触を最小化することにより，画素電極用のＩＴＯ膜を
パターニングする時に現像液による電池反応を効率よく防止する
ことができる。」（段落【００７９】），「また，パッド部で保
護膜及び絶縁膜が同時にパターニングされる部位に半導体膜ある
いはソース／ドレイン電極用の金属膜を形成することにより，後
続工程で画素電極用のＩＴＯ膜のステップカバレージが向上され
る。」（段落【００８１】）
ｂ上記各記載と図面（甲３）を総合すれば，本件明細書には，①従
来の技術による液晶表示装置の製造方法では，「ゲート電極をパタ
ーニングするための１次写真蝕刻，陽極酸化膜を形成するための２
次写真蝕刻，半導体膜パターンを形成するための３次写真蝕刻，コ
ンタクトホールを形成するための４次写真蝕刻，ソース電極及びド
レイン電極をパターニングするための５次写真蝕刻，画素電極用の
コンタクトホールを形成するための６次写真蝕刻，画素電極をパタ
ーニングするための７次写真蝕刻など最小限に７回の写真蝕刻工
程」が必要とされ，かつ，ゲート電極を形成する物質として「純粋
アルミニウム」が用いられていたため，ゲート電極の形成後に「３
層膜を形成するための高温熱処理中にゲート電極にヒロック（ｈｉ
ｌｌｏｃｋ）が発生する可能性が増大」するという問題点があった
こと（上記ａ(ｃ)），②このような問題点を解決する方法とし
て，「アルミニウム合金をゲート電極に採用しゲート電極の上部あ
るいは下部に耐火金属を用いてキャッピング金属膜を形成」し，保
護膜の形成工程とコンタクトホールの形成工程を同時に施すことが
本件出願前に公知であり，この方法を採用することにより，「陽極
酸化膜の形成工程」（２次写真蝕刻）を省くとともに，絶縁膜３６
及び保護膜４４が同時に蝕刻されるため「写真工程」（写真蝕刻）
を減らすことができ，また，アルミニウム膜のヒロック成長を抑制
することができること（上記ａ(ｄ)ないし(ｇ)），③しかし，上記
②の方法においても，パッド部でアルミニウムとＩＴＯとが直接接
触し，ＩＴＯをパターニングするための写真工程時に現像液による
電池反応のためにＩＴＯが現像液に解けたり，ＬＣＤ駆動時に駆動
電流により酸化膜が形成される，絶縁膜と保護膜を同時に蝕刻する
ため絶縁膜及び保護膜の蝕刻された部分が基板とほとんど垂直に形
成され，後続工程でＩＴＯ膜を蒸着する時ステップカバレージが不
良になるなどの問題点があったため，「本発明」は，このような問
題点を解決するため，ゲート電極の構造とパッド部のパターンを変
更したこと（上記ａ(ｈ)ないし(ｊ)），④「本発明の実施例」とし
て，ゲート電極が「アルミニウムあるいはアルミニウム合金」から
なる「第１金属膜７２」及びその上に蒸着した「耐火性金属」から
なる「第２金属膜７４」の「二重構造」（２層の積層構造）から形
成され，パッド部に位置するゲートパッドパターンの境界内で絶縁
膜及び保護膜がオープンされるようにパターニングされ，かつ，パ
ッド部の保護膜及び絶縁膜が蝕刻される部位の絶縁膜上に第１物質
層８８が形成された工程を含む液晶表示の製造方法（図１１，上記
ａ(ｋ)，(ｌ)，(ｎ)）が記載されていることが認められる。
(ウ)判断
ａ(ａ)本件明細書に記載された「本発明の実施例」は，前記(イ)ｂ
④のとおり，ゲート電極が「アルミニウムあるいはアルミニウム
合金」からなる「第１金属膜７２」及びその上に蒸着した「耐火
性金属」からなる「第２金属膜７４」の２層の積層構造のもの（
図１１）である。
しかし，一方で，前記(ア)のとおり，本件発明１（請求項１）
では，基板上に積層された「第１金属膜」及び「第２金属膜」に
より「ゲート電極」及び「ゲートパッド」が形成される（構成要
件Ｂ）が，請求項１において，「ゲート電極」及び「ゲートパッ
ド」が「第１金属膜」及び「第２金属膜」の２層の積層構造のも
のに限定するものとし，この２層に他の層を付加してはならない
ことを明示した記載はない。また，本件明細書にも，「本発明は
以上説明した実施例に限定されるものではなく，多くの変形が本
発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者によ
り可能である」（段落【００７７】。前記(イ)ａ(ｍ)）との記載
がある。
加えて，本件明細書には，「アルミニウム合金をゲート電極に
採用しゲート電極の上部あるいは下部に耐火金属を用いてキャッ
ピング金属膜を形成」することにより，アルミニウム膜のヒロッ
ク成長を抑制することができることが本件出願前に公知であった
こと（前記(イ)ｂ②），「アルミニウム膜のヒロック成長」の抑
制は「耐火金属膜のストレス弛緩作用」によること（段落【００
７８】。前記(イ)ａ(ｎ)）との記載がある。上記記載によれ
ば，「アルミニウム膜」の上部又は下部のいずれに「耐火金属」
からなる「キャッピング金属膜」を設けてもアルミニウム膜のヒ
ロック成長を抑制することができるのであるから，アルミニウム
膜の上部及び下部の両方に「キャッピング金属膜」を設けた場合
であっても，アルミニウム膜のヒロック成長を抑制することがで
きることを理解できる。
さらに，請求項１を引用した本件発明２（請求項２）では，「
前記第１金属膜はアルミニウムあるいはアルミニウム合金から形
成されることを特徴とする」との限定をし，また，請求項１を引
用した本件発明３（請求項３）では，「前記第２金属膜は耐火金
属から形成されることを特徴とする」との限定をしている。
以上を総合すると，本件明細書に記載された実施例は，ゲート
電極が「アルミニウムあるいはアルミニウム合金」からなる「第
１金属膜７２」及びその上に「耐火性金属」からなる「第２金属
膜７４」を積層した２層の積層構造のものではあるが，本件発明
１（請求項１）における「ゲート電極」は，上記実施例の構造の
ものに限られるものではなく，アルミニウム膜の上部及び下部の
両方に耐火性金属からなる「キャッピング金属膜」を設ける構
成，すなわちアルミニウム膜の上下に耐火性金属からなる「キャ
ッピング金属膜」を設けた，３層の積層構造のものを除外するも
のではないと解するのが相当である。
(ｂ)これに対し被告は，①本件発明１の構成要件Ｂに，ゲート電
極及びゲートパッドを形成する工程として，基板の上に最初に第
１金属膜を形成し，続けて第１金属膜の上に第２金属膜を形成し
て２層の金属膜からなる積層構造を成膜した後，この２層の積層
構造を写真蝕刻して，ゲート電極及びゲートパッドを形成するこ
とを明確に示し，また，構成要件Ｅの「第３金属膜」との記載
は，「第３金属膜」が形成される前には，「第１金属膜」及び「
第２金属膜」の２層しか金属膜が形成されないことを明確に示し
ていること，②本件明細書の段落【００４９】は，「ゲート電極
及びゲートパッド」は「第１金属膜」及び「第２金属膜」の「二
重構造」のものに限定されることを示し，本件明細書の段落【０
０１６】，【００２０】，【００４６】，【００５８】にも，こ
れと同様の記載があることを根拠として挙げて，本件発明１の「
ゲート電極及びゲートパッド」（構成要件Ｂ）は，「第１の金属
膜」及び「第２の金属膜」の２層の金属膜からなる積層構造のも
のに限定されると解すべきである旨主張する。
しかし，前記(ア)のとおり，請求項１には，「ゲート電極」及
び「ゲートパッド」が「第１金属膜」及び「第２金属膜」の２層
の積層構造のものに限定するものとし，この２層に他の層を付加
してはならないことを明示した記載はなく，また，構成要件Ｅ
の「第３金属膜」との記載は，「第１金属膜」及び「第２金属
膜」が形成された後に形成される金属膜が「第３金属膜」である
ことを意味するものにすぎず，「第３金属膜」が形成される前に
は「第１金属膜」及び「第２金属膜」の２層しか金属膜が形成さ
れないことを意味するものと解することはできない。
また，本件明細書記載の実施例は，ゲート電極が「アルミニウ
ムあるいはアルミニウム合金」からなる「第１金属膜７２」及び
その上に蒸着した「耐火性金属」からなる「第２金属膜７４」
の「二重構造」（２層の積層構造）のものであるが，本件発明
１（請求項１）における「ゲート電極」は，上記実施例の構造の
ものに限られるものではないことは，前記(ａ)のとおりであり，
被告が指摘する本件明細書の各段落の記載を考慮しても，２層構
造のものに限定解釈すべき理由はない。
したがって，被告の上記主張は採用することができない。
ｂそして，イ号液晶モジュールの「ゲート電極」及び「ゲートパッ
ド」は，基板（ａ）の上に積層されたチタンを含む金属膜（ｂ），
アルミニウムを含む金属膜（ｃ）及びチタンを含む金属膜（ｄ）を
フォトリソグラフィー工程（１次写真蝕刻）により形成されたもの
であること（前記(1)イ(ア)の本件工程１），チタンは「耐火金属」
であること（前記(イ)ａ(ｅ)，(ｆ)）に照らすならば，原告が主張
するとおり，イ号液晶モジュールの上記３層の金属膜（ｂ，ｃ，
ｄ）のうち，アルミニウムを含む金属膜（ｃ）が構成要件Ｂの「第
１金属膜」に，チタンを含む金属膜（ｄ）が構成要件Ｂの「第２金
属膜」に該当するものと認められる。
ウ「第３金属膜」（構成要件Ｅ，Ｆ，Ｋ）について
原告は，半導体膜パターンの形成された基板（ａ）の全面に「チタ
ン」を含む金属膜（ｈ）及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニ
ウム膜」（ｉ）が形成され，これらの金属膜（ｈ，ｉ）は本件発明１
の「第３金属膜」（構成要件Ｅ）に該当する旨主張する。
これに対し被告は，本件発明１の「第３金属膜」の材質にはアルミニ
ウムが含まれないので，上記２層構造のものは本件発明１の「第３金属
膜」（構成要件Ｅ，Ｆ，Ｋ）に該当しない旨主張する。
そこで，イ号液晶モジュールにおける「チタン」を含む金属膜（ｈ）
及び「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）が，構成
要件Ｅの「第３金属膜」に該当するかどうかについて判断する。
(ア)特許請求の範囲の記載
本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）には，①「基板上に第１
金属膜及び第２金属膜を順番に積層した後，１次写真蝕刻して前記薄
膜トランジスタ部及びパッド部にゲート電極及びゲートパッドをそれ
ぞれ形成する段階」（構成要件Ｂ），「前記ゲート電極及びゲートパ
ッドの形成された基板の全面に絶縁膜及び半導体膜を順番に形成する
段階」（構成要件Ｃ），「前記半導体膜を２次写真蝕刻して前記薄膜
トランジスタ部に半導体膜パターンを形成する段階」（構成要件Ｄ）
を順に経た上で，構成要件Ｅにおいて「第３金属膜」が「前記半導体
膜パターンの形成された基板の全面に形成」されること，②その上
で，「前記第３金属膜を３次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部に
ソース電極及びドレイン電極を形成する段階」（構成要件Ｆ），「前
記ソース電極及びドレイン電極の形成された基板の全面に保護膜を形
成する段階」（構成要件Ｇ），「前記保護膜及び絶縁膜を４次写真蝕
刻して前記ドレイン電極の表面と，前記ゲートパッドの表面を露出さ
せるコンタクトホールを形成し，前記ゲートパッドより内側にオープ
ンされるように前記保護膜及び絶縁膜を蝕刻する段階」（構成要件
Ｈ），「前記コンタクトホールの形成された基板の全面に透明導電膜
を形成する段階」（構成要件Ｉ），「前記透明導電膜を５次写真蝕刻
して，前記ドレイン電極と接続される第１画素電極パターンと，ゲー
トパッドと接続される第２画素電極パターンとを形成する段階」（構
成要件Ｊ）を順に経て液晶表示装置を製造すること，③「前記半導体
膜パターンを形成する段階」（構成要件Ｄ）及び「ソース電極及びド
レイン電極を形成する段階」（構成要件Ｆ）のうち，「少なくとも何
れか一段階は，前記パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の前
記第２金属膜の上に，前記半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なく
とも何れか一つが残る段階」からなること（構成要件Ｋ）が開示され
ている。
上記①ないし③によれば，本件発明１の「第３金属膜」は，「前記
半導体膜パターンの形成された基板の全面に形成」され，「第３金属
膜」の写真蝕刻（「３次写真蝕刻」）により「前記薄膜トランジスタ
部にソース電極及びドレイン電極」を形成し，「第３金属膜」により
形成された「ドレイン電極」は，透明導電膜を写真蝕刻（「５次写真
蝕刻」）して形成された「第１画素電極パターン」と接続され，「前
記パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上
に」，前記半導体膜あるいは「第３金属膜」のうち少なくとも何れか
一つが残る段階があることが理解される。
一方で，本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）の記載中に
は，「第３金属膜」の材質を規定する記載はない。
(イ)本件明細書の記載事項
本件明細書（甲３）の「発明の詳細な説明」には，「・・・半導体
膜パターン（７８＋８０）の形成された前記基板７０の全面にクロ
ム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはチタン（Ｔｉ）などの金属
を蒸着して第３金属膜を形成した後，前記第３金属膜を３次写真蝕刻
してＴＦＴ部にソース電極８２ａ及びドレイン電極８２ｂを形成す
る。」（段落【００４３】。前記イ(イ)ａ(ｋ)）との記載があり，ま
た，「本発明の実施例」を示した図１１には，「ソース電極８２ａ」
及び「ドレイン電極８２ｂ」が図示されている。
このように本件明細書には，「第３金属膜」として「クロム（Ｃ
ｒ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはチタン（Ｔｉ）」が例示され，「
本発明の実施例」における「第３金属膜」は，上記例示されたもので
あることが理解される。
しかし，一方で，本件明細書には，「第３金属膜」を上記例示のも
のに限定する趣旨の記載はない。
(ウ)本件出願の優先権主張日前に頒布された刊行物の記載事項
ａ特開平５−１６５０５９号公報（乙４）には，「上記ゲート電極
Ｇおよびゲートラインとドレイン電極Ｄおよびデータラインは，Ａ
ｌ（アルミニウム）またはＡｌ金等で形成されている。」（段落【
０００７】），「この画素電極２はＩＴＯ等からなる透明導電膜で
形成されており，その端部は，保護絶縁膜９に設けたコンタクト孔
９ａにおいて薄膜トランジスタ３のソース電極Ｓに接続されてい
る。」（段落【０００９】）との記載がある。上記記載は，ソース
及びドレイン電極をアルミニウム又はアルミニウム合金等で形成
し，ソース電極にＩＴＯからなる画素電極を接続する構成を開示し
ている。
ｂ乙６（平成６年３月１日発行の書籍「ディスプレイ技術シリーズ
カラー液晶ディスプレイ」）には，「ゲート電極材料にはＣｒと
Ｔａ系金属が使われることが多い。・・・ただＴａは比抵抗が大き
いため，ＬＣＤが大きくなるほどゲート配線遅延によって画質が低
下する。これを改善するため，ＡｌやＣｕなどをＴａ配線に積層し
て形成し低抵抗化する研究が進んでいる。」（１５７頁１６行∼２
１行），「ソースおよびドレイン電極には，比抵抗が小さく，ｎ型
ａ−Ｓｉ薄膜やＩＴＯから低温でオーミックコンタクトをとりやす
いＡｌ／ＣｒやＴｉなどが使われる。」（１５７頁２９行∼末行）
との記載がある。上記記載は，「Ａｌ」には比抵抗が小さいという
利点があることを示し，また，「ソースおよびドレイン電極」に「
Ａｌ／Ｃｒ」が使われることを例示するものである。
(エ)判断
ａ(ａ)前記のとおり，本件明細書には，「第３金属膜」として「ク
ロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはチタン（Ｔｉ）」が
例示されているが，「第３金属膜」を上記例示のものに限定する
趣旨の記載はないこと（前記(イ)），乙４には，ソース及びドレ
イン電極をアルミニウム又はアルミニウム合金等で形成し，ソー
ス電極にＩＴＯからなる画素電極を接続する構成が開示されてい
ること（前記(ウ)ａ），乙６には，「Ａｌ」には比抵抗が小さい
という利点があり，また，「ソースおよびドレイン電極」に「Ａ
ｌ／Ｃｒ」が使われることが例示されていること（前記(ウ)ｂ）
に照らすならば，アルミニウムには比抵抗が小さいという利点が
あるので，ソース電極及びドレイン電極を形成する金属膜として
アルミニウムを使用することができないものとは一概にはいえな
いから，本件発明１の「第３金属膜」には，アルミニウムが含ま
れないと解することはできない。
(ｂ)これに対し被告は，本件発明１の目的は「パッド部でのアル
ミニウムとＩＴＯとの接触を防止して素子の信頼性を向上させ得
る液晶表示装置の製造方法を提供すること」（本件明細書の段落
【００２９】）にあるところ，第３金属膜にアルミニウムが含ま
れるとすると，アルミニウムとＩＴＯとが直接接触してしまうた
め，「アルミニウムとＩＴＯとの接触を防止する」という発明の
課題及び効果を得ることができないし，また，本件明細書には，
第３金属膜として「クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）あるい
はチタン（Ｔｉ）など」（段落【００４３】）を用いる例しか記
載されていないことを理由に，本件発明１の第３金属膜の材質に
はアルミニウムが含まれない旨主張する。
しかし，本件発明１の「パッド部」とは，「第１金属膜」及
び「第２金属膜」から成る「ゲートパッド」が形成される領域を
いい（構成要件Ｂ），「第３金属膜」は「ゲートパッド」を構成
するものではないから，本件明細書記載の「パッド部でのアルミ
ニウムとＩＴＯとの接触を防止」するとの目的から直ちに「第３
金属膜」にアルミニウムが含まれないと解することはできない
し，また，本件明細書には，第３金属膜に「クロム（Ｃｒ），モ
リブデン（Ｍｏ）あるいはチタン（Ｔｉ）など」（段落【００４
３】）を用いるとの記載があるものの，本件発明１の「第３金属
膜」を上記例示のものに限定して解釈すべき理由はない。
ｂ以上によれば，イ号液晶モジュールのチタンを含む金属膜（ｈ）
及びアルミニウム（合金）膜（ｉ）は，原告の主張するとおり，本
件発明１の「第３金属膜」に該当する。
エ「コンタクトホール」（構成要件Ｈ，Ｋ）について
原告は，本件発明１の「パッド部」は，画素領域外の領域まで延伸し
たゲート電極である「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」との
接続が行われる領域をいい，イ号液晶モジュールのゲート−パッド連結
部１及びゲート−パッド連結部２はいずれも「パッド部」に該当し，ゲ
ート−パッド連結部１及びゲート−パッド連結部２において「ゲートパ
ッドの表面が露出されるコンタクトホールを形成し，前記ゲートパッド
より内側にオープンされるように前記保護膜及び絶縁膜が蝕刻」（構成
要件Ｈ）されているので，ゲート−パッド連結部１及びゲート−パッド
連結部２にそれぞれ形成されたコンタクトホールは，「ゲートパッドの
表面を露出させるコンタクトホール」（構成要件Ｈ）及び「前記パッド
部に形成されるコンタクトホール」（構成要件Ｋ）に該当する旨主張す
る。
これに対し被告は，①原告主張のゲート−パッド連結部１は，外部電
極と接続される部分ではないから，本件発明１の「パッド部」に該当せ
ず，ゲート−パッド連結部１に形成されたコンタクトホールは，「ゲー
トパッドの表面を露出させるコンタクトホール」（構成要件Ｈ）に
も，「前記パッド部に形成されるコンタクトホール」（構成要件Ｋ）に
も該当しない，②本件発明１の「ゲートパッドの表面を露出させるコン
タクトホール」（構成要件Ｈ）は，保護膜及び絶縁膜の「双方」がゲー
トパッドより内側にオープンされる構成であると解すべきであるが，原
告主張のゲート−パッド連結部２においては，保護膜が全て除去され，
ゲート−パッド連結部２の保護膜はゲートパッドよりも外側まで開口さ
れているから，ゲート−パッド連結部２に形成されたコンタクトホール
は「ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホール」（構成要件
Ｈ）に該当しない旨主張する。
ところで，被告は，ゲート−パッド連結部２が外部電極と接続される
部分であることを認めているので（被告第１準備書面１１頁１行ないし
５行），ゲート−パッド連結部２が本件発明１の「パッド部」に該当
し，イ号液晶モジュールのゲート−パッド連結部２に形成されたコンタ
クトホールが「前記パッド部に形成されるコンタクトホール」（構成要
件Ｋ）に該当することを争っていないものと解される。
そこで，イ号液晶モジュールのゲート−パッド連結部２に形成された
コンタクトホールが「ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホー
ル」（構成要件Ｈ）に該当するかどうかについて判断する。
(ア)特許請求の範囲の記載
本件発明１（請求項１）の構成要件Ｈは，「前記保護膜及び絶縁膜
を４次写真蝕刻して前記ドレイン電極の表面と，前記ゲートパッドの
表面を露出させるコンタクトホールを形成し，前記ゲートパッドより
内側にオープンされるように前記保護膜及び絶縁膜を蝕刻する段階
と」というものである。上記構成要件Ｈの文言によれば，「ゲートパ
ッドの表面を露出させるコンタクトホール」は，「前記保護膜及び絶
縁膜」の「４次写真蝕刻」の工程において形成され，コンタクトホー
ルの開口部は「前記ゲートパッドより内側にオープン」されているこ
とを理解できる。
一方で，上記構成要件Ｈの文言からは，コンタクトホールの開口部
が保護膜及び絶縁膜の「双方」がゲートパッドより内側にオープンさ
れる構成であることを明示したものとまではいえない。
(イ)本件明細書の記載事項
本件明細書（甲３）には，「本発明は前記のような問題点を解決す
るために案出されたものであり，パッド部でのアルミニウムとＩＴＯ
との接触を防止して素子の信頼性を向上させ得る液晶表示装置の製造
方法を提供することにその目的がある。」（段落【００２９】。前記
イ(イ)ａ(ｉ)），「図７は本発明の第１参考例による液晶表示装置の
製造方法を説明するための概略平面図であり，パッド部を示す。参照
符号Ｐ１はパッド電極を形成するためのマスクパターンを，Ｐ２は絶
縁膜及び保護膜を蝕刻して画素電極とパッド電極とを連結するコンタ
クトホールを形成するためのマスクパターンを，Ｐ３は画素電極をパ
ターニングするためのマスクパターンをそれぞれ示す。」（段落【０
０３８】），「図７を参照すると，パッド部の保護膜及び絶縁膜はゲ
ートパッドパターンより内側で蝕刻されるようにレイアウトされてい
る。従って，アルミニウム膜が露出されることにより発生するアルミ
ニウム膜とＩＴＯ膜との接触を防止することができる。」（段落【０
０３９】。前記イ(イ)ａ(ｋ)），「図１１を参照すると，ゲート電極
が耐火金属／アルミニウム（あるいはアルミニウム合金）の二重構造
から形成され，パッド部に位置するゲートパッドパターンの境界内で
絶縁膜及び保護膜がオープンされるようにパターニングされる。」（
段落【００４９】。前記イ(イ)ａ(ｌ)）との記載がある。また，本件
明細書の図７には，Ｐ１（パッド電極を形成するためのマスクパター
ン）の内側にＰ２（絶縁膜及び保護膜を蝕刻してコンタクトホールを
形成するためのマスクパターン）が配置されることが示され，図１０
におけるＰ１とＰ２の位置関係もこれと同様である。
上記記載及び図面（甲３）を総合すると，本件明細書には，「パッ
ド部の保護膜及び絶縁膜はゲートパッドパターンより内側で蝕刻され
るようにレイアウト」（段落【００３９】）したのは，ゲートパッド
パターンの外側まで蝕刻すると，ゲートパッドパターンを構成するア
ルミニウム膜の側面が露出され，このアルミニウム膜とＩＴＯ膜とが
接触することになるので，これを防止しようとしたものであることが
開示されているものと認められる。
(ウ)判断
ａ(ａ)上記(イ)に照らすならば，ＩＴＯ膜とゲートパッドを構成す
るアルミニウム膜の側面との接触を防止するためには，ゲートパ
ッドの表面の露出がゲートパッドよりも内側に形成されているこ
とが必要であるが，保護膜及び絶縁膜の「双方」がゲートパッド
より内側にオープンされることは必ずしも必要ではないものと解
される。なぜなら，ゲートパッドの上に直接形成されている絶縁
膜をゲートパッドの外側まで除去すると，ゲートパッドを構成す
るアルミニウム膜の側面が露出するので，その蝕刻範囲はゲート
パッドの内側にすることを要するのに対し，保護膜については，
その蝕刻領域がゲートパッドの外側に及んだとしても，保護膜の
下にゲートパッドの表面の露出がゲートパッドよりも内側に形成
されるように絶縁膜が残されていれば，ゲートパッドを構成する
アルミニウム膜の側面がＩＴＯ膜と接触することにはならないの
で，そのような場合には保護膜の蝕刻領域をゲートパッドの内側
とすることを要しないからである。
したがって，本件発明１の構成要件Ｈの「ゲートパッドの表面
を露出させるコンタクトホール」は，その開口部が「前記ゲート
パッドより内側にオープン」されていればよく，「ゲートパッド
より内側にオープンされるように前記保護膜及び絶縁膜を蝕刻す
る段階」とは，絶縁膜の開口がゲートパッドの内側に形成される
ように，保護膜及び絶縁膜を蝕刻する段階も含むものと解するの
が相当である。
(ｂ)これに対し被告は，本件発明１において，「パッド部に形成
されるコンタクトホール」（構成要件Ｋ）は，構成要件Ｈに記載
のとおり，保護膜及び絶縁膜を写真蝕刻して形成され，「ゲート
パッドより内側にオープンされるように前記保護膜及び絶縁膜を
蝕刻する」と限定されているから，保護膜及び絶縁膜の双方がゲ
ートパッドより内側にオープンされる構成であり，また，本件発
明１において「保護膜及び絶縁膜が蝕刻される部位におけるＩＴ
Ｏ膜のステップカバレージを改善する」（段落【００４９】）と
いう効果を得るためには，保護膜の上に画素電極が形成されるこ
とが前提となるから，本件発明１の「ゲートパッドの表面を露出
させるコンタクトホール」（構成要件Ｈ）は，保護膜及び絶縁膜
の「双方」がゲートパッドより内側にオープンされる構成である
と解すべきである旨主張する。
しかし，前記(ア)のとおり，構成要件Ｈの文言からは，コンタ
クトホールの開口部が保護膜及び絶縁膜の「双方」がゲートパッ
ドより内側にオープンされる構成であることを明示したものとま
ではいえない。
また，本件明細書においても，ステップカバレージを改善する
ために保護膜の上に画素電極が形成されることを要するとの記載
はない。
加えて，前記(ａ)のとおり，ＩＴＯ膜とゲートパッドを構成す
るアルミニウム膜の側面との接触を防止するためには，ゲートパ
ッドの表面の露出がゲートパッドよりも内側に形成されているこ
とが必要であるが，保護膜及び絶縁膜の「双方」がゲートパッド
より内側にオープンされることは必ずしも必要ではない。
以上によれば，被告の上記主張は採用することができない。
ｂそして，イ号液晶モジュールのゲート−パッド連結部２では，保
護膜及び絶縁膜が蝕刻され，絶縁膜の開口部がゲートパッドより内
側に形成され，ゲートパッドの表面を露出させているから（本件工
程９），イ号液晶モジュールのゲート−パッド連結部２に形成され
たコンタクトホールは「ゲートパッドの表面を露出させるコンタク
トホール」（構成要件Ｈ）及び「前記パッド部に形成されるコンタ
クトホール」（構成要件Ｋ）に該当するものと認められる。
オ構成要件充足の有無
前記アないしエの認定事実と本件工程１ないし１２（前記(1)イ）を総
合すれば，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件ＡないしＫをす
べて充足するものと認められる。
(3)イ号液晶モジュールの製造方法の本件発明２ないし４の構成要件充足性
ア前記(2)イ(ウ)ｂのとおり，イ号液晶モジュールのアルミニウムを含む
金属膜（ｃ）は「第１金属膜」に，チタンを含む金属膜（ｄ）は「第２
金属膜」にそれぞれ該当するから，イ号液晶モジュールの製造方法は，
構成要件Ｌ，Ｍを充足する。
イａ次に，本件発明４の構成要件Ｎの「前記画素電極パターンを形成す
る段階は，前記画素電極パターンは前記パッド部の保護膜及び絶縁膜
のオープンされた部分より大きく形成する段階からなることを特徴と
する」というものである。本件発明４の特許請求の範囲（請求項４）
の記載によれば，構成要件Ｎの「前記画素電極パターンを形成する段
階」とは，請求項１の「前記透明導電膜を５次写真蝕刻して，前記ド
レイン電極と接続される第１画素電極パターンと，ゲートパッドと接
続される第２画素電極パターンとを形成する段階」（構成要件Ｊ）を
意味するものと理解される。そして，請求項１によれば，構成要件Ｊ
の段階は，「前記保護膜及び絶縁膜を４次写真蝕刻して前記ドレイン
電極の表面と，前記ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホー
ルを形成し，前記ゲートパッドより内側にオープンされるように前記
保護膜及び絶縁膜を蝕刻する段階」（構成要件Ｈ），「前記コンタク
トホールの形成された基板の全面に透明導電膜を形成する段階」（構
成要件Ｉ）を順次経た後の段階である。
一方で，本件明細書には，「なお，パッド部に形成される画素電極
を前記保護膜及び絶縁膜がオープンされる部位より大きく形成される
ようにパターニングすることにより，第２金属膜はＩＴＯ膜により保
護される。」（段落【００４６】。前記(2)イ(イ)ａ(ｋ)），「・・・
前記保護膜及び絶縁膜がオープンされる部位より大きく画素電極を形
成することによりオープン部位のゲートパッドが保護される。」（段
落【００５８】）との記載があることに照らすならば，構成要件Ｎに
おいて「前記画素電極パターン」を「オープンされた部分」よりも大
きく形成するのは，ゲートパッドの露出部分を「前記画素電極パター
ン」により保護するためであり，本件発明４の構成要件Ｎの「オープ
ンされた部分」とは，ゲートパッドの露出部分，すなわち「前記ゲー
トパッドの表面を露出させるコンタクトホール」（構成要件Ｈ）を指
すものと理解される。そして，「前記ゲートパッドの表面を露出させ
るコンタクトホール」は，「前記保護膜及び絶縁膜を蝕刻する段
階」（構成要件Ｈ）において形成され，保護膜の開口部分と絶縁膜の
開口部分とにより形成されるが，保護膜の開口部分が絶縁膜の開口部
分よりも大きい場合には，保護膜の開口部分と絶縁膜の開口部分とが
重なる部分以外の部分については，ゲートパッドの表面は絶縁膜によ
って被覆されており，「前記画素電極パターン」で保護する必要はな
いものと認められる。
以上を総合すると，本件発明４の構成要件Ｎの「前記パッド部の保
護膜及び絶縁膜のオープンされた部分」とは，保護膜の開口部分と絶
縁膜の開口部分とが重なる部分により形成された「前記ゲートパッド
の表面を露出させるコンタクトホール」をいうものと解するのが相当
である。
ｂそして，甲４の写真８−１，８−５ないし８−８，９−３を総合す
れば，イ号液晶モジュールのゲート−パッド連結部２においては，保
護膜（ｊ）が全面的に除去されており，かつ，絶縁膜（ｅ）が部分的
に除去されて「ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホール」
を形成していること，ＩＴＯからなる透明導電膜（ｋ）パターンが，
上記絶縁膜（ｅ）の開口部分である「ゲートパッドの表面を露出させ
るコンタクトホール」，絶縁膜（ｅ）の上の半導体膜パターン（ｆ，
ｇ）の露出部分及びチタンを含む金属膜（ｈ）の全面に形成されてい
ることが認められる。
そうすると，イ号液晶モジュールの透明導電膜（ｋ）は，構成要件
Ｎの「前記パッド部の保護膜及び絶縁膜のオープンされた部分」より
大きく形成されているから，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成
要件Ｎを充足する。
ウそして，前記(2)オのとおり，イ号液晶モジュールの製造方法は構成要
件ＡないしＫをすべて充足するから，イ号液晶モジュールの製造方法
は，本件発明２の構成要件（ＡないしＫ，Ｌ），本件発明３の構成要
件（ＡないしＫ，Ｍ）及び本件発明４の構成要件（ＡないしＫ，Ｎ）を
いずれも充足する。
(4)小括
以上のとおり，イ号液晶モジュールの製造方法は，構成要件ＡないしＮ
をすべて充足するから，本件発明１ないし４の技術的範囲に属する。
２争点２（本件特許権に基づく権利行使の制限の成否）について
(1)無効理由１（未完成発明）について
被告は，本件出願の審査経過によれば，本件発明１は，旧請求項１に構
成要件Ｋを補正により追加して，構成要件Ｋに基づく「画素電極のステッ
プカバレージが向上する」という効果を主張することによって特許された
ものであるが，本件発明１ないし４の技術内容は，当業者が反復実施して
上記効果を上げることができる程度にまで具体的・客観的なものとして構
成されていないため，発明として未完成のものであり，特許法２９条１項
柱書の「発明」に該当しないから，本件特許には，同項柱書の規定に違反
する無効理由（同法１２３条１項２号）がある旨主張する。
しかし，被告の主張は，以下のとおり理由がない。
ア本件発明１の構成要件Ｋは，上記記載に基づいて，「前記半導体膜パ
ターンを形成する段階及びソース電極及びドレイン電極を形成する段階
のうち，少なくとも何れか一段階は，前記パッド部に形成されるコンタ
クトホールの縁の前記第２金属膜の上に，前記半導体膜あるいは第３金
属膜のうち少なくとも何れか一つが残る段階からなる」というものであ
る。
本件明細書（甲３）には，「図１１を参照すると，ゲート電極が耐火
金属／アルミニウム（あるいはアルミニウム合金）の二重構造から形成
され，パッド部に位置するゲートパッドパターンの境界内で絶縁膜及び
保護膜がオープンされるようにパターニングされる。かつ，パッド部の
保護膜及び絶縁膜が蝕刻される部位の絶縁膜上にステップカバレージを
改善するための第１物質層８８が形成されている。前記第１物質層８８
は半導体膜をパターニングする時，保護膜及び絶縁膜が蝕刻される境界
部位に半導体膜が残るようにパターニングしたり，ソース電極８２ａ及
びドレイン電極８２ｂをパターニングする時，クロム膜が残るようにパ
ターニングすることにより形成される。従って，別途の写真工程を加え
なくても画素電極用のＩＴＯのステップカバレージを向上させ得
る。」（段落【００４９】。前記１(2)イ(イ)ａ(ｌ)）との記載があり，
また，「本発明の実施例」を示した図１１には，パッド部の絶縁膜７６
上に第１物質層８８が形成され，第２金属膜７４，絶縁膜７６及び第１
物質層８８の各露出部分並びに保護膜パターン８４の一部が画素電極８
６によって被覆されていることが示されている。
そして，ＩＴＯのような電極配線膜を被覆する場合においてステップ
カバレージ（段差被覆性）を良好にする必要性があることは技術常識で
あること（乙２，弁論の全趣旨）に照らすならば，本件明細書に接した
当業者であれば，「パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の前記
第２金属膜の上に，前記半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも
何れか一つが残る」構成（構成要件Ｋ）を採用することにより，本件発
明１において「別途の写真工程を加えなくても画素電極用のＩＴＯのス
テップカバレージを向上させ得る」ことを理解できるものと解される。
イ(ア)これに対し被告は，本件明細書において，「ステップカバレージ
を向上させる」とは，蝕刻された部分が基板と垂直ではなくすことを
意味し（段落【００２７】，【００８１】），「垂直ではなくす」と
は，蝕刻された部分をテーパー形状とすることを意味する（乙２）と
の解釈を前提に，本件明細書には，「パッド部で保護膜及び絶縁膜が
同時にパターニングされる部位に半導体膜あるいはソース／ドレイン
電極用の金属膜を形成すること」という技術手段（構成要件Ｋ）を採
用することにより，いかなる原理又は作用に基づいて，「蝕刻された
部分をテーパー形状として，画素電極用のＩＴＯ膜のステップカバレ
ージを向上させる」という効果を得ることができるのかについての記
載がなく，本件発明１ないし４の技術内容は，当業者が反復実施し
て「画素電極のステップカバレージが向上する」という効果を上げる
ことができる程度にまで具体的・客観的なものとして構成されていな
い旨主張する。
しかし，本件明細書の段落【００２７】，【００８１】はもとよ
り，本件明細書全体をみても，「ステップカバレージを向上させる」
とは，「蝕刻された部分が基板と垂直ではなくすこと」を意味すると
の記載はなく，また，「垂直ではなくす」とは，蝕刻された部分をテ
ーパー形状とすることを意味するとの記載もない。
もっとも，乙２（書籍「半導体デバイスの信頼性技術」）には，「
Ａｌのステップカバレージが悪くなるのは・・・段差部が均一な厚さ
で被覆されないためである。段差厚さ管理強化のみならず，段差部の
形状を危険なひさし形状ではなく，テーパー形状となるよう設計的に
改善する必要がある」（１３２頁９行∼１３行），「図５．１４（
Ａ）の矢印部分のアルミ配線膜で，クレバスが起こりやすい。このよ
うに逆テーパー形状はＣＶＤ（・・・）膜形成後のＨＣｌテンパー工
程のエッチングレートがＮＳＧ（・・・）に比較してＰＳＧ（・・
・）が早いために逆テーパー（ひさし）形状となる。工程改善やＣＶ
Ｄ膜の変更により，図５．１４（Ｂ）のような均一なＡｌ配線膜厚を
確保することができる。」（１３２頁１４行∼１９行）との記載があ
り，また，「図５．１４工程改善前後のＣＶＤ膜形状」（１３２
頁）として，「（Ａ）改善前の断面図（ひさし形状）」及び「（
Ｂ）改善後の断面図（テーパー形状）」が示されている。しかし，
乙２の上記記載は，段差部が図５．１４（Ｂ）のような逆テーパー（
ひさし）形状である場合にＡｌのステップカバレージが悪くなるの
で，工程改善によりテーパー形状とする必要があることを示したもの
にすぎず，乙２の上記記載から，「ステップカバレージを向上させ
る」とは「蝕刻された部分が基板と垂直ではなくすこと」を意味する
ものと直ちに理解することはできないし，また，乙２の上記記載か
ら，本件明細書の図１１における第１物質層８８によって形成された
段差によって「ＩＴＯのステップカバレージを向上させ得る」ことを
直ちに否定することもできない。
したがって，「ステップカバレージを向上させる」とは蝕刻された
部分をテーパー形状とすることに限定されることを前提とする被告の
上記主張は，その前提において，採用することができない。
(イ)次に，被告は，一般的に窒化膜をエッチングする条件では，シリ
コン（Ｓｉ）に比べて窒化膜（ＳｉＮ）のエッチング速度が大きく３４
なるところ（乙３の表３．２．２），「パッド部で保護膜及び絶縁膜
が同時にパターニングされる部位に半導体膜あるいはソース／ドレイ
ン電極用の金属膜を形成する」（本件発明１の構成要件Ｋ）と，エッ
チング速度が大きい窒化膜の上に，エッチング速度が小さいシリコン
膜が形成された構造となり，蝕刻された部分が逆テーパー（ひさし）
形となるため，その後に形成されるＩＴＯ膜は，張り出したシリコン
膜の影になる領域では形成され難くなり，ステップカバレージが悪化
するものと予想される旨主張する。
しかし，①乙３（書籍「集積回路プロセス技術シリーズ半導体プ
ラズマプロセス技術」）の表３．２．２（各種材料のＲＩＥ特性）に
は，ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）において，材料に特定の膜厚
の窒化膜（ＳｉＮ）を用い，ＣＦ＋Ｈガスという特定のガスを用３４４２
いた場合の「エッチング速度」，「選択比」等の数値が示されている
にすぎず（２２０頁），乙３の表３．２．２の上記数値のみをもっ
て，一般的にシリコン（Ｓｉ）に比べて窒化膜（ＳｉＮ）のエッチ３４
ング速度が大きいとまではいえないこと，②乙３の表３．２．２は，
半導体集積回路製造プロセスに用いられる各種材料のＲＩＥ特性に関
するものであるが，半導体集積回路製造プロセスは，本件発明１の液
晶表示装置の製造方法とはシリコンの結晶状態等が異なり，そのエッ
チング速度も異なることに照らすならば，本件発明１の構成要件Ｋを
採用した場合に，蝕刻された部分が逆テーパー（ひさし）形となるた
め，ステップカバレージが悪化するものと予想されるとの被告の主張
は，その前提において，採用することができない。
(ウ)さらに，被告は，乙９の実験結果からも，本件発明１において「
画素電極のステップカバレージが向上する」という技術効果を上げる
ことができないことは明らかである旨主張する。
そこで検討するに，乙９（被告作成の平成２０年１２月１９日付け
実験報告書）には，検証実験の結果の「【４】結論」として，「パッ
ド部において，半導体膜を絶縁膜上に形成したＢ側面は，半導体膜を
形成しなかったＡ側面に比べて，全体として垂直に近い側面となり，
しかも半導体膜によるひさしが形成される。このため，半導体膜を絶
縁膜上に形成しても，コンタクトホール内に形成される画素電極のス
テップカバレージはむしろ悪化し，５９８公報に記載された「ステッ
プカバレージを改善する」という発明の効果を得ることはできなかっ
た。」（７頁）との記載がある。
しかし，上記検証実験は，特定の膜厚を持つ一つのサンプルを対象
に特定のエッチング条件の下で行われたものであり（乙９の２頁∼３
頁），このように限定された条件下で行われた検証実験の結果を一般
化して，本件発明１においては「画素電極のステップカバレージが向
上する」という技術効果を上げることができないとまで認めることは
できない。
したがって，被告の上記主張は採用することができない。
ウ以上のとおり，本件発明１ないし４の技術内容は，当業者が反復実施
して「画素電極のステップカバレージが向上する」という効果を上げる
ことができる程度にまで具体的・客観的なものとして構成されていない
とはいえないから，特許法２９条１項柱書の「発明」に該当しないとの
被告の主張（無効理由１）は，その前提を欠き，理由がない。
(2)無効理由２（実施可能要件違反）について
被告は，本件明細書の「発明の詳細な説明」には，画素電極用のＩＴＯ
膜のステップカバレージを向上させるための具体的な成膜条件，蝕刻条件
等が全く開示されておらず，また，構成要件Ｋの「パッド部に形成される
コンタクトホールの縁」の定義がされていないため，本件明細書の「発明
の詳細な説明」は当業者が「その実施をすることができる程度に明確かつ
十分に」記載されたものとはいえないから，本件特許には，特許法３６条
４項の要件を満たしていない特許出願に対してされた無効理由（特許法１
２３条１項４号）がある旨主張する。
しかし，被告の主張は，以下のとおり理由がない。
ア(ア)被告は，本件明細書には，本件発明１ないし４は，「パッド部で
保護膜及び絶縁膜が同時にパターニングされる部位に半導体膜あるい
はソース／ドレイン電極用の金属膜を形成すること」によって，蝕刻
された部分をテーパー形状にして，画素電極用のＩＴＯ膜のステップ
カバレージを向上させるという効果が得られると記載されているので
あるから（段落【００８１】），画素電極用のＩＴＯ膜のステップカ
バレージを向上させるための手段として，蝕刻された部分をテーパー
形状にする蝕刻条件等についての技術的事項が，発明の詳細な説明に
おいて，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に
記載されている必要があるが，本件明細書には，具体的な成膜条件，
蝕刻条件等の製造方法は，全く開示されておらず，本件明細書の記載
によっては本件発明１ないし４を具体的に実施することができない旨
主張する。
しかし，前記(1)イ(ア)のとおり，ステップカバレージを向上させる
とは，蝕刻された部分をテーパー状とすることに限定されるものでは
ないから，被告の上記主張は，その前提において誤りがある。ま
た，「液晶表示装置の製造方法」における成膜，エッチング及びフォ
トリソグラフィー（写真蝕刻）の技術は，本件出願の優先権主張日当
時，公知であったこと（乙２ないし７，乙９の添付資料２）に照らす
ならば，本件明細書に接した当業者であれば，公知の上記技術を用い
て，成膜条件，蝕刻条件等を適宜設定し，「パッド部に形成されるコ
ンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上に，前記半導体膜あるいは
第３金属膜のうち少なくとも何れか一つが残る」構成（構成要件Ｋ）
とし，本件発明１ないし４を具体的に実施することは可能であるもの
と認められる。
したがって，被告の上記主張は採用することができない。
(イ)また，被告は，本件発明１（請求項１）は，構成要件Ｋにおい
て「半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れか一つ」の膜
が「パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の第２金属膜の上」
に残るという条件を特定しているが，本件明細書では，「コンタクト
ホールの縁」という条件の定義がされていないため，本件明細書の記
載によっては本件発明１ないし４を具体的に実施することができない
旨主張する。
しかし，本件明細書には，「図１１を参照すると，ゲート電極が耐
火金属／アルミニウム（あるいはアルミニウム合金）の二重構造から
形成され，パッド部に位置するゲートパッドパターンの境界内で絶縁
膜及び保護膜がオープンされるようにパターニングされる。かつ，パ
ッド部の保護膜及び絶縁膜が蝕刻される部位の絶縁膜上にステップカ
バレージを改善するための第１物質層８８が形成されている。前記第
１物質層８８は半導体膜をパターニングする時，保護膜及び絶縁膜が
蝕刻される境界部位に半導体膜が残るようにパターニングしたり，ソ
ース電極８２ａ及びドレイン電極８２ｂをパターニングする時，クロ
ム膜が残るようにパターニングすることにより形成される。」（段落
【００４９】。前記１(2)イ(イ)ａ(ｌ)）との記載があり，上記記載か
ら「第１物質層８８」が「保護膜及び絶縁膜が蝕刻される境界部位
に」形成されることが理解される。また，本件明細書の図１１に
は，「第１物質層８８」が，保護膜８４及び絶縁膜７６が蝕刻される
部位（境界部位）に設けられていることが示されている。
したがって，本件明細書の記載に接した当業者であれば，構成要件
Ｋにおける「パッド部に形成されるコンタクトホールの縁」が，保護
膜及び絶縁膜が蝕刻される境界部位を意味することを理解し，「パッ
ド部に形成されるコンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上に，前
記半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れか一つが残る」
構成（構成要件Ｋ）とし，本件発明１ないし４を具体的に実施するこ
とは可能であるものと認められる。
したがって，被告の上記主張は採用することができない。
イ以上によれば，被告主張の無効理由２は理由がない。
(3)無効理由３（サポート要件違反・明確性要件違反）について
被告は，本件発明１ないし４の特許請求の範囲（請求項１ないし４）の
記載は，特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したもので
ないか，不明瞭なものであるから，本件特許は，特許法３６条６項１号，
２号の要件を満たしていない特許出願に対してされた無効理由（特許法１
２３条１項４号）がある旨主張する。
しかし，被告の主張は，以下のとおり理由がない。
ア被告は，請求項１の記載によれば，本件発明１は，構成要件Ｋで残し
た膜が，構成要件Ｈや構成要件Ｉの各段階と全く関連しない構成，例え
ば構成要件Ｈや構成要件Ｉに至る前に除去される構成も含むこととな
り，構成要件Ｋと構成要件Ｈ及び構成要件Ｉとの関係が不明確であるか
ら，請求項１の記載において特許を受けようとする発明が明確であると
はいえない旨主張する。
しかし，薄膜トランジスタの液晶表示装置は，基板から上方に向かっ
て順次成膜し，あるいはエッチングで特定部分を除去するという工程を
組み合わせて製造され，先の工程で形成された膜が後のエッチング工程
で除去されることが明示されていない限り，そのまま残存していること
は技術常識であるから（乙４ないし７），本件発明１の構成要件Ｄの段
階で形成された半導体膜パターン及び構成要件Ｆの段階で写真蝕刻され
た第３金属膜は，構成要件Ｈの段階において保護膜及び絶縁膜が蝕刻さ
れる領域にあれば除去されるが，それ以外は残存し，構成要件Ｋ記載の
残された「半導体膜あるいは第３金属膜」は上記残存したものであっ
て，これが構成要件Ｉの段階で基板の全面に形成される透明導電膜に被
覆されることは，当業者にとって自明である。
したがって，本件発明１は，構成要件Ｋで残した膜が構成要件Ｈや構
成要件Ｉに至る前に除去される構成も含むことになるものではないか
ら，被告の主張は，採用することができない。
イ被告は，本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）には，第１ないし
第３金属膜の材質が特定されていないので，本件発明１では，第１ない
し第３金属膜の材質としてあらゆる金属を選択することができることと
なるが，本件明細書の「発明の詳細な説明」には，第１金属膜として「
アルミニウムあるいはアルミニウム合金」，第２金属膜として「耐火金
属」及び第３金属膜として「クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）ある
いはチタン（Ｔｉ）など」が記載されているだけであり，第１ないし第
３金属膜の材質として，これら以外の金属を選択することができる旨の
記載がないから，特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載
したものとはいえない旨主張する。
しかし，本件明細書の発明の詳細な説明には，「なお，本発明は以上
説明した実施例に限定されるものではなく，多くの変形が本発明の技術
的思想内で当分野において通常の知識を有する者により可能であること
は明白である。」（段落【００７７】。前記１(2)イ(イ)ａ(ｍ)）との記
載があることに照らすならば，第１金属膜として「アルミニウムあるい
はアルミニウム合金」，第２金属膜として「耐火金属」及び第３金属膜
として「クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）あるいはチタン（Ｔｉ）
など」（段落【００４１】，【００４３】，【００４９】）の記載は，
第１ないし第３金属膜の例示にすぎないことは明らかであり，被告の上
記主張は，採用することができない。
ウ被告は，本件明細書には，発明の解決すべき課題として，「パッド部
でのアルミニウムとＩＴＯとの接触を防止して素子の信頼性を向上させ
得る液晶表示装置の製造方法を提供すること」（段落【００２９】）と
の記載があるから，本件発明は，構成要件Ｋに基づく「画素電極のステ
ップカバレージが向上する」という効果とは別に，上記課題を解決する
ため，構成要件ＡないしＪに基づいて「パッド部でのアルミニウムとＩ
ＴＯとの接触を防止する」という効果も得られるものでなければならな
いが，本件発明１の特許請求の範囲（請求項１）では，第３金属膜の材
質を特定していないため，第３金属膜としてアルミニウムが選択された
場合，構成要件Ｋにおいて，第３金属膜を残すと，ＩＴＯとアルミニウ
ムとが接触する構造となって，「パッド部でのアルミニウムとＩＴＯと
の接触を防止する」という発明の課題及び効果と矛盾するから，本件発
明１は，発明として明確なものとはいえない旨主張する。
しかし，本件明細書の段落【００３９】の「図７を参照すると，パッ
ド部の保護膜及び絶縁膜はゲートパッドパターンより内側で蝕刻される
ようにレイアウトされている。従って，アルミニウム膜が露出されるこ
とにより発生するアルミニウム膜とＩＴＯ膜との接触を防止することが
できる。」（前記１(2)イ(イ)ａ(ｋ)）との記載に照らすならば，「パッ
ド部でのアルミニウムとＩＴＯとの接触を防止する」とは，コンタクト
ホールにより露出されたゲートパッドを構成するアルミニウム膜とＩＴ
Ｏ膜との接触を防止することを意味するものであり，ソース電極及びド
レイン電極を構成する第３金属膜の素材としてアルミニウム膜を選択し
た場合に，これがＩＴＯ膜と接触することを防止しようとしたものとは
いえないから，被告の上記主張は採用することができない。
エ被告は，本件発明１ないし３の特許請求の範囲（請求項１ないし３）
では，「第２画素電極パターン」の大きさを限定していないのに対し，
本件発明４の特許請求の範囲（請求項４）において，「［第２］画素電
極パターンは前記パッド部の保護膜及び絶縁膜のオープンされた部分よ
り大きく形成する」こととの限定がされていることからすると，何ら限
定のない請求項１ないし３は，第２画素電極パターンがパッド部の保護
膜及び絶縁膜のオープンされた部分より小さく形成する構造を含むこと
となり，このような構造は，画素電極パターンが，オープンされた部分
の内側だけに形成されコンタクトホールの段差を覆っていないものとな
るため「画素電極のステップカバレージが向上する」という効果を利用
しないものであり，このように請求項１ないし３は，「画素電極のステ
ップカバレージが向上する」という効果を利用しない構造も含むから，
発明として明確なものとはいえない旨主張する。
しかし，本件発明１ないし３は，いずれも「前記コンタクトホールの
形成された基板の全面に透明導電膜を形成する段階」（構成要件Ｉ）を
経て，「前記透明導電膜を５次写真蝕刻して，前記ドレイン電極と接続
される第１画素電極パターンと，ゲートパッドと接続される第２画素電
極パターンとを形成する段階」（構成要件Ｊ）を有するものであり，画
素電極パターンが形成される前に，基板の全面に形成する透明導電膜に
よりコンタクトホールの段差が覆われているから，被告が主張するよう
な画素電極パターンがオープンされた部分の内側だけに形成されコンタ
クトホールの段差を覆っていない構造を含むことにはならない。また，
本件発明１ないし３は，いずれも「前記半導体膜パターンを形成する段
階及びソース電極及びドレイン電極を形成する段階のうち，少なくとも
何れか一段階は，前記パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の前
記第２金属膜の上に，前記半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくと
も何れか一つが残る段階」（構成要件Ｋ）を含むものであるから，「画
素電極のステップカバレージが向上する」という効果を利用するもので
ある。
さらに，本件明細書（甲３）の段落【００３９】の「・・・かつ，画
素電極は前記保護膜及び絶縁膜の蝕刻された部分より大きく形成される
ので，ＩＴＯにより第２金属膜が保護され得る。」（前記１(2)イ(イ)ａ
(ｋ)），段落【００４６】の「・・・なお，パッド部に形成される画素
電極を前記保護膜及び絶縁膜がオープンされる部位より大きく形成され
るようにパターニングすることにより，第２金属膜はＩＴＯ膜により保
護される。」（前記１(2)イ(イ)ａ(ｋ)）との記載に照らすならば，本件
発明４の「前記画素電極パターンを形成する段階は，前記画素電極パタ
ーンは前記パッド部の保護膜及び絶縁膜のオープンされた部分より大き
く形成する段階」（構成要件Ｎ）は，「画素電極のステップカバレージ
が向上する」という効果とは別に，第２金属膜をＩＴＯにより保護する
ことを目的としたものであり，構成要件Ｎは，「画素電極のステップカ
バレージが向上する」という効果と相反するものでも，矛盾するもので
はない。
したがって，被告の上記主張は理由がない。
オ以上によれば，被告主張の無効理由３は理由がない。
(4)無効理由４（進歩性の欠如）について
被告は，本件発明１ないし４は，乙４記載発明，乙５記載発明及び周知
技術に基づいて当業者が容易に想到することができたものであるから，本
件特許には，特許法２９条２項に違反する無効理由（同法１２３条１項２
号）がある旨主張する。
しかし，被告の主張は，以下のとおり理由がない。
ア本件発明１の進歩性の欠如①（乙４を主たる刊行物とするもの）につ
いて
被告は，①本件発明１と乙４記載発明は，相違点１，２においてのみ
相違し，その余の点は一致している，②相違点１に係る本件発明１の構
成は，本件出願の優先権主張日当時周知であり，乙４記載発明に上記周
知技術を適用して相違点１に係る本件発明１の構成とすることは，当業
者であれば容易に想到することができた，③乙５には，相違点２に係る
本件発明１の構成（構成要件Ｋに相当する構成）が開示されており，乙
４記載発明において，乙５の開示事項を適用して相違点２に係る本件発
明１の構成とすることは，当業者であれば容易に想到することができた
旨主張する。
しかし，被告が主張するように本件発明１と乙４記載発明は，相違点
１，２においてのみ相違するとしても，以下のとおり，乙４記載発明に
において，相違点２に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が
容易に想到することができたものとは認められない。
(ア)乙４の記載事項
ａ特開平５−１６５０５９号公報（乙４）には，次のような記載が
ある。
(ａ)「・・・ｉ型半導体層５はａ−Ｓi（アモルファスシリコン）
で形成され，ｎ型半導体層６はｎ型不純物をドープしたａ−Ｓi
で形成され，コンタクト層７はｎ型半導体層６とのオーミックコ
ンタクト性がよいＣr（クロム）等の金属で形成されており，ｎ
型半導体層６とコンタクト層７は，ｉ型半導体層５のチャンネル
領域（ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間の領域）に対応する
部分において切離し分離されている。」（段落【０００６
】），「また，上記ｉ型半導体層４のチャンネル領域の上にはＳi
Ｎ等からなるブロッキング層８が形成されている。このブロッキ
ング層８は，薄膜トランジスタ３の製造に際してｉ型半導体層５
の上に成膜したｎ型半導体層６のチャンネル領域対応部分をエッ
チングにより切離し分離するときに，ｉ型半導体層５のチャンネ
ル領域もエッチングされるのを防ぐために設けられている。」（
段落【０００８】），「・・・上記従来の薄膜トランジスタ３
は，ｉ型半導体層５のチャンネル領域の上にゲート絶縁膜４と同
系の絶縁材（ＳiＮ等）からなるブロッキング層８を設けているた
め，薄膜トランジスタ３の製造工程において上記ブロッキング層
８をパターニングする際に，ｉ型半導体層５の下のゲート絶縁膜
４にピンホール等の欠陥を発生させてしまうことがあった。」（
段落【００２４】），「・・・このｉ型半導体層５にピンホール
があると，ｉ型半導体層５の上に成膜したブロッキング層８をパ
ターニングする際に，そのエッチング液がｉ型半導体層５のピン
ホールを通ってゲート絶縁膜４に達する。そしてＳiＮ等からなる
ブロッキング層８のパターニングはＢＨＦ等の弗酸系エッチング
液を用いて行われるため，このエッチング液がゲート絶縁膜４に
達すると，このゲート絶縁膜４もエッチングされてピンホール等
の欠陥を発生する。」（段落【００２５】），「なお，ｉ型半導
体層５に欠陥がなければ，ブロッキング層８のパターニング時に
ゲート絶縁膜４をエッチングしてしまうことはないが，薄膜トラ
ンジスタの特性を上げるには，ｉ型半導体層５の層厚をできるだ
け薄くすることが望ましいため，欠陥のないｉ型半導体層５を成
膜することは困難である。」（段落【００２６】），「そして，
ｎ型半導体層６およびソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄは，上述した
ように，ブロッキング層８をパターニングした後に形成されるた
め，ゲート絶縁膜４に上記のようなピンホールが発生している
と，ゲート電極Ｇとソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄとの間に層間短
絡が発生してしまう。なお，この層間短絡は，ゲートラインとデ
ータラインとが交差する部分にも発生する。」（段落【００２７
】），「このため，上記従来の薄膜トランジスタ３は，その製造
過程で層間短絡を発生することが多く，したがって製造歩留が悪
いという問題をもっていた。」（段落【００２８】）
(ｂ)「本発明の目的は，ｉ型半導体層の上にブロッキング層を設け
ることなく，しかもｉ型半導体層のチャンネル領域にダメージを
与えることなくｎ型半導体層を電気的に分離して，層間短絡のな
い薄膜トランジスタを歩留よく製造することができる薄膜トラン
ジスタの製造方法を提供することにある。」（段落【００２９
】）
(ｃ)「【課題を解決するための手段】本発明の薄膜トランジスタの
製造方法は，基板上にゲート電極を形成する第１の工程と，前記
基板上に，ゲート絶縁膜とｉ型半導体層とｎ型半導体層とコンタ
クト層とを順次成膜する第２の工程と，前記コンタクト層とｎ型
半導体層とｉ型半導体層とを，トランジスタ素子領域の外形にパ
ターニングする第３の工程と，ソース，ドレイン用金属膜とを成
膜する第４の工程と，前記ソース，ドレイン用金属膜をパターニ
ングしてソース，ドレイン電極を形成するとともに，前記コンタ
クト層を前記ソース，ドレイン電極の形状にパターニングする第
５の工程と，前記ソース，ドレイン用金属膜およびコンタクト層
のパターニングに用いたレジストマスクを残したまま前記ｎ型半
導体層の酸化処理を行ない，このｎ型半導体層のソース，ドレイ
ン電極間の部分を酸化絶縁層とする第６の工程と，からなること
を特徴とするものである。」（段落【００３０】）
(ｄ)「［工程１］まず，図１（ａ）に示すように，ガラス等からな
る透明な基板１０上にゲート電極ＧおよびゲートラインＧＬ（図
３参照）を形成する。このゲート電極ＧおよびゲートラインＧＬ
は，基板１０上にゲート用金属膜１１を成膜し，この金属膜１１
をフォトリソグラフィ法によりパターニングして形成する。な
お，図１（ａ）において図上右端に示した金属膜１１は，ゲート
ライン端子部ＧＬａの下層膜である。」（段落【００４５】）
(ｅ)「［工程２］次に，上記図１（ａ）に示したように，上記基板
１０上に，上記ゲート電極ＧおよびゲートラインＧＬを覆って，
ゲート絶縁膜１２と，ｉ型半導体層１３と，ｎ型半導体層１４
と，コンタクト層１５とを順次成膜する。」（段落【００４６
】）
(ｆ)「［工程３］次に，図１（ｂ）に示すように，上記コンタクト
層１５とｎ型半導体層１４とｉ型半導体層１３とを，フォトリソ
グラフィ法によって，トランジスタ素子領域の外形にパターニン
グする。」（段落【００４７】）
(ｇ)「［工程４］次に，図１（ｃ）に示すように，ゲート絶縁膜１
２の上に，パターニングした各層１５，１４，１３を覆ってソー
ス，ドレイン用金属膜１６を成膜する。」（段落【００４８
】），「［工程５］次に，図１（ｄ）に示すように，上記ソー
ス，ドレイン用金属膜１６をフォトリソグラフィ法によりパター
ニングして，ソース，ドレイン電極Ｓ，ＤおよびデータラインＤ
Ｌ（図３参照）を形成するとともに，このソース，ドレイン用金
属膜１６のパターニングに用いたレジストマスク１９を利用し
て，上記コンタクト層１５をソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄの形状
にパターニングする。なお，図１（ｄ）において図上右側に示し
た金属膜１６は，データライン端子部ＤＬａの下層膜であ
る。」（段落【００４９】）
(ｈ)「［工程６］次に，上記図１（ｄ）に示したように，上記ソー
ス，ドレイン用金属膜１６およびコンタクト層１５のパターニン
グに用いたレジストマスク１９を残したまま，ｎ型半導体層１
５（判決注・「ｎ型半導体層１４」の誤り）の酸化処理を行なっ
てそのソース，ドレイン電極Ｓ，Ｄ間の部分をその層厚全体にわ
たって酸化させた酸化絶縁層１４ａとし，この酸化絶縁層１４ａ
によりｎ型半導体層１４をソース側とドレイン側とに電気的に分
離して薄膜トランジスタ３０を完成する。」（段落【００５０
】）
(ｉ)「［工程７］まず，上記レジストマスク１９を剥離し，この
後，図２（ｅ）に示すように，ゲート絶縁膜１２の上に上記薄膜
トランジスタ３０を覆って保護絶縁膜１７を成膜する。」（段落
【００５７】），「［工程８］次に，図２（ｆ）に示すように，
上記保護絶縁膜１７をフォトリソグラフィ法によりパターニング
し，上記薄膜トランジスタ３０のソース電極Ｓに対応するコンタ
クト孔１７ａと，データライン端子部ＤＬａおよびゲートライン
端子部ＧＬａに対応する開口１７ｂ，１７ｃとを形成するととも
に，ゲート絶縁膜１２にも，上記ゲートライン端子部ＧＬａに対
応する開口１２ａを形成する。」（段落【００５８】）
(ｊ)「［工程９］次に，図２（ｇ）に示すように，ＩＴＯ膜等の透
明導電膜１８を成膜する。このとき，透明導電膜１８は，上記保
護絶縁膜１７に設けたコンタクト孔１７ａと開口１７ｂ，１７ｃ
およびゲート絶縁膜１２の開口１２ａ内にも成膜され，薄膜トラ
ンジスタ３０のソース電極Ｓ上と，データライン端子部ＤＬａお
よびゲートライン端子部ＧＬａの下層膜（ソース，ドレイン用金
属膜およびゲート用金属膜）１６，１１の上に積層する。」（段
落【００５９】），「［工程１０］次に，図２（ｈ）に示すよう
に，上記透明導電膜１８をフォトリソグラフィ法により画素電極
２０とデータライン端子部ＤＬａおよびゲートライン端子部ＧＬ
ａの上層膜の形状にパターニングし，ＴＦＴパネルを完成す
る。」（段落【００６０】）
ｂ上記ａの記載及び図面（乙４）によれば，乙４には，①従来の薄
膜トランジスタの製造方法では，ｉ型半導体層５のチャンネル領域
の上にブロッキング層８を設け，ブロッキング層８をチャンネル領
域を覆う形状にパターニングした後にｎ型半導体層６及びコンタク
ト層７とを成膜することにより，ｎ型半導体層６とコンタクト層７
をチャンネル領域において切離し分離するものであったが，ブロッ
キング層８のパターニングの際にそのエッチング液がゲート絶縁膜
４に達し欠陥を発生するという問題点があったため，乙４の薄膜ト
ランジスタの製造方法は，ｉ型半導体層の上にブロッキング層を設
けることなく，ｎ型半導体層を電気的に分離して薄膜トランジスタ
を歩留まりよく製造することを目的とするものであること（上記ａ(
ａ)，(ｂ)），②乙４の薄膜トランジスタの製造方法は，上記問題点
を解決する手段として，ゲート絶縁膜１２，ｉ型半導体層１３，ｎ
型半導体層１４及びコンタクト層１５を順次成膜し（工程２），上
記コンタクト層１５とｎ型半導体層１４とｉ型半導体層１３とをパ
ターニングし（工程３），ソース，ドレイン用金属膜１６を成膜
し（工程４），次いでソース，ドレイン用金属膜１６をパターニン
グしてソース，ドレイン電極を形成した（工程５）後に，ｎ型半導
体層１４の酸化処理を行って，酸化絶縁層１４ａとし，この酸化絶
縁層１４ａによりｎ型半導体層１４をソース側とドレイン側とに電
気的に分離する（工程６）ものであること（上記ａ(ｃ)ないし(ｈ
)），すなわち，ｎ型半導体層１４をチャンネル領域においてソース
側とドレイン側に切離し分離する手段として，ブロッキング層を設
ける工程に代えて，ソース，ドレイン電極を形成した後にｎ型半導
体層１４を酸化処理する工程を加えたことが記載されていることが
認められる。
このように乙４の薄膜トランジスタの製造方法は，絶縁膜上に形
成した半導体膜をパターニングし，この半導体膜パターンの上に成
膜された金属膜をパターニングしてソース・ドレイン電極を形成し
た後に，ソース及びドレイン電極間のチャンネル領域の半導体膜を
酸化して絶縁層とする液晶表示装置の製造方法（いわゆるチャネル
エッチ型）である。
(イ)乙５の記載事項
ａ米国特許第５１６６０８６号公報（乙５）には，次のような記載
がある。
(ａ)「本発明は，アクティブマトリクス型液晶表示（ＬＣＤ）装置
の画素を駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ及び
その製造方法に関する。」（原文１欄１４行∼１７行の訳文）
(ｂ)「図１において，符号１は透明絶縁基板であり，２は基板１上
に形成されたゲート電極であり，３は基板１上に形成されたゲー
ト電極取出し端子（ゲート端子）である。」（原文２欄２０行∼
２４行の訳文）
(ｃ)「工程１図２ａに示すように，ゲート電極２が形成された絶
縁基板１上に，プラズマＣＶＤによってゲート絶縁膜４，半導体
層５及び保護絶縁層６を形成した。
工程２ポジ型レジスト膜１３を保護絶縁層６に塗布し，ゲー
ト電極２をフォトマスクとして使用するために，下側（基板１
端）からレジスト膜１３に光を照射して露光する。ゲート端子の
上方のレジスト膜１３の一部は，従来のフォトマスクによって露
光される。その後，レジスト膜１３は，図２ｂに示すような・・
・パターンを形成するために現像される。その後，図２ｃに示す
ように，パターニングされたレジスト膜１３をマスクとして使用
することによって保護絶縁層６がエッチングされ，レジスト膜１
３が除去される。」（原文２欄５３行∼３欄５行の訳文）
(ｄ)「図５において，透明画素電極１０は，ソース及びドレイン電
極９ａ及び９ｂを形成した後に，一部がゲート絶縁層の上に，一
部がドレイン電極９ｂの上に形成される。」（原文３欄６５行∼
６８行の訳文）
(ｅ)「図６のＴＦＴアレイは以下の製造工程によって製造できる。
工程１，２図１のＴＦＴアレイの工程１，２と同じである。
工程３プラズマＣＶＤによって，工程２によって形成された
製品（図２ｃ）の上に不純物が添加された半導体層７を形成し，
不純物が添加された半導体層７の上に第３金属層１１を形成す
る。・・・その後，金属層１１の上にレジスト膜１６が形成さ
れ，図７ａに示すような特定のパターンにパターニングされる。
工程４レジスト膜１６をマスクとして使用して，金属層１１
を特定のパターンにパターニングし，図７ｂに示すように，金属
層１１をマスクとして使用して，不純物が添加された半導体層７
及び半導体層５を特定のパターンにエッチングする。
工程５図７ｃに示すように，ゲート端子３の上の部分のゲー
ト絶縁膜４を除去する。
工程６工程５によって得られた製品の上に，バリア金属層８
を形成し，バリア金属層８の上にソース及びドレイン金属層を形
成する。そして，図６に示すように，ソース及びドレイン電極９
ａ及び９ｂを形成するため，形成されたこれらの層を特定のパタ
ーンにパターニングする。・・・
図１（「図６」が正しい）のＴＦＴアレイをＬＣＤを駆動する
ためのＴＦＴアレイとして使用するため，図８∼１０に示すよう
に，透明画素電極を形成する必要がある。図８∼１０に示す透明
画素電極１０に関する構造は，図３∼５に示す透明画素電極１０
の構造に対応するので，これらの説明は省略する。」（原文４欄
２２行∼６７行の訳文）
ｂ上記ａの記載及び図面（乙５）を総合すれば，乙５には，①工程
１で，ゲート電極２及びゲート端子３が形成された基板１上に，ゲ
ート絶縁膜４，半導体層５及び保護絶縁層６を順次形成した後に，
工程２で，ポジ型レジスト膜１３を保護絶縁層６に形成し，ゲート
電極２をフォトマスクとして使用して下側（基板１側）からレジス
ト膜１３に光を照射して露光すると同時に，従来のフォトマスクに
よって上からも露光して，レジスト膜１３をパターニングし（図２
ｂ），パターニングされたレジスト膜１３をマスクとして保護絶縁
層６のエッチングを行い，この保護絶縁層６のエッチングを行う
際，保護絶縁層６の一部がゲート端子３の上方の半導体層５の上に
残ること（図２ｃ），②後続の工程４で，半導体層５及びその上に
形成された不純物が添加された半導体層７を特定のパターンにエッ
チングする際に，保護絶縁層６の真下にある半導体層５のパターン
が，ゲート端子３を露出させる開口の周囲（ゲート絶縁膜４上）に
残ること（図７ｂ），③工程５で，ゲート絶縁膜４を除去してゲー
ト端子３を露出させること（図７ｃ），④工程６で，「工程５によ
って得られた製品の上に」，バリア金属層８，ソース及びドレイン
金属層を形成し，これらの金属層をパターニングして，ソース及び
ドレイン電極９ａ及び９ｂを形成すること（図６）が記載されてい
ることが認められる。
一方で，乙５には，ゲート端子３を露出させる開口の周囲に半導
体層５が残された目的，作用効果についての記載はないことに照ら
すならば，上下方向から光を照射して，パターニングされたレジス
ト膜をマスクとしてエッチングされた保護絶縁層６を残したままさ
らに半導体層５をエッチングした結果，保護絶縁層６の真下に形成
されていた半導体層５がゲート絶縁膜４上に残されたというにすぎ
ず，この半導体層５を残すことに特段の技術的意義があるものとは
認められない。
(ウ)相違点２の容易想到性
前記(イ)ｂのとおり，乙５には，半導体層５のパターンがゲート端
子３を露出させる開口の周囲（ゲート絶縁膜４上）に残る構成が示さ
れている。
他方，乙４記載発明は，前記(ア)ｂのとおり，絶縁膜上に半導体
膜，金属膜を形成し，ソース・ドレイン電極を形成した後，ソース及
びドレイン電極間の「チャンネル領域」（チャネル領域）の半導体膜
を酸化して絶縁層とするチャネルエッチ型の液晶表示装置の製造方法
である。これに対し乙５記載発明は，前記(イ)ｂのとおり，基板１上
に，ゲート絶縁膜４，半導体層５及び保護絶縁層６を形成し，ソース
及びドレイン電極間のチャネル領域にエッチングがされた保護絶縁層
を形成した後に，ソース及びドレイン電極を形成する液晶表示装置の
製造方法（いわゆるチャネル保護膜型）である。上記のように乙４記
載発明では，チャネル保護膜である保護絶縁層６を形成する構成（段
階）は存在しないのであるから，保護絶縁層６の真下に半導体層５が
残るという乙５記載の構成を組み合わせることについての契機又は動
機付けとなるものがない。
したがって，乙４記載発明に乙５の上記構成を適用する契機ないし
動機付けとなるものがないから，当業者といえども乙４記載発明に相
違点２に係る本件発明１の構成を適用することを容易に想到すること
ができたものとは認められない。
そうすると，その余の点について判断するまでもなく，当業者が乙
４記載発明に乙５記載発明及び周知技術を適用して本件発明１を容易
に想到することができたものとは認められない。
イ本件発明１の進歩性の欠如②（乙５を主たる刊行物とするもの）につ
いて
被告は，①本件発明１と乙５記載発明は，相違点イないしハにおいて
のみ相違し，その余の点は一致している，②相違点イに係る本件発明１
の構成は，本件出願の優先権主張日当時周知であり，乙４記載発明に上
記周知技術を適用して相違点イに係る本件発明１の構成とすることは，
当業者であれば容易に想到することができた，③乙４には，相違点ロ，
ハに係る本件発明１の構成が開示されており，乙５記載発明に乙４の開
示事項を適用して相違点ロ，ハに係る本件発明１の構成とすることは，
当業者であれば容易に想到することができた旨主張する。
しかし，被告の主張は，以下のとおり理由がない。
(ア)被告は，本件発明１と乙５記載発明は，相違点イないしハにおい
てのみ相違し，その余の点は一致している旨主張する。
しかし，本件発明１と乙５記載発明は，相違点イないしハのほか
に，以下の点でも相違する。
すなわち，本件発明１と乙５記載発明とは，本件発明１では，「前
記半導体膜パターンを形成する段階及びソース電極及びドレイン電極
を形成する段階のうち，少なくとも何れか一段階は，前記パッド部に
形成されるコンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上に，前記半導
体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れか一つが残る段階」（
構成要件Ｋ）を含むのに対し，乙５記載発明では，前記ア(イ)ｂのと
おり，工程２で，保護絶縁層６のエッチングを行う際，保護絶縁層６
の一部がゲート端子３の上方の半導体層５の上に残り，さらに，工程
４で，半導体層５及びその上に形成された不純物が添加された半導体
層７を特定のパターンにエッチングする際に，保護絶縁層６の真下に
ある半導体層５のパターンが，ゲート端子３を露出させる開口の周
囲（ゲート絶縁膜４上）に残るというものであり，ゲート端子３を露
出させる開口の周囲（ゲート絶縁膜４上）に残る段階が本件発明１の
段階と異なる点で相違する。
そして，前記ア(イ)ｂのとおり，乙５記載発明においてゲート端子
３を露出させる開口の周囲に半導体層５を残すことに特段の技術的意
義があるものとは認められないから，乙５記載発明の半導体層５が残
る段階を上記相違点に係る本件発明１の構成（構成要件Ｋの段階）に
変更するための契機又は動機付けとなるものがない。
したがって，乙５記載発明において，上記相違点に係る本件発明１
の構成を採用することを当業者が容易に想到することができたものと
は認められない。
(イ)次に，被告は，乙４には，相違点ロに係る本件発明１の構成（構
成要件Ｇにおいて，保護膜が形成され，構成要件Ｈにおいて，前記保
護膜及び絶縁膜を写真蝕刻してコンタクトホールを形成している構
成）及び相違点ハに係る本件発明１の構成（構成要件Ｊにおいて，ゲ
ートパッドと接続される第２画素電極パターンを形成する構成）がい
ずれも開示されており，乙４には，チャネル保護膜型のＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）に対し，乙４の製造方法を適用する示唆が存在するこ
とを前提に，本件発明１は，乙５と乙４との組合せにより当業者が容
易に発明をすることができた旨主張する。
しかし，乙４記載の薄膜トランジスタの製造方法（乙４記載発明）
は，前記ア(ア)ｂのとおり，ｉ型半導体層の上にブロッキング層を設
けることなく，薄膜トランジスタを歩留まりよく製造することを目的
とし，ｎ型半導体層１４をチャンネル領域において切離し分離する手
段として，ブロッキング層を設ける工程に代えて，ソース，ドレイン
電極をパターニングした後にｎ型半導体層１４を酸化処理する工程を
加えたものであり，チャンネル領域にブロッキング層に相当する保護
絶縁膜６を設ける乙５記載発明に，乙４記載発明を組み合わせる契機
又は動機付けとなるものがない。
また，仮に乙５記載発明に乙４記載発明を組み合わせる場合には，
乙５記載発明に設けられている保護絶縁膜６が不要となるが，保護絶
縁膜６がない場合には，ゲート端子３を露出させるためのエッチング
を行う際に保護絶縁膜６をマスクとすることはできず，半導体膜５を
残すこともできないから，乙５記載発明は，ゲート端子３を露出させ
る開口の周囲に半導体膜５を残すという構成（構成要件Ｋ）を有しな
いこととなる。
したがって，乙５記載発明において，乙４記載の構成を適用して相
違点ロ，ハに係る本件発明１の構成とすることを当業者が容易に想到
することができたものとは認められない。
(ウ)そうすると，その余の点について判断するまでもなく，当業者が
乙５記載発明に乙４記載発明及び周知技術を適用して本件発明１を容
易に想到することができたものとは認められない。
ウまとめ
以上のとおり，乙４記載発明，乙５記載発明及び周知技術に基づい
て，本件発明１を容易に想到することができたとの被告の主張は，理由
がない。そして，請求項１を引用する本件発明２ないし４を容易に想到
することができたとの被告の主張も，これと同様に理由がない。
したがって，被告主張の無効理由４は理由がない。
(5)小括
以上のとおり，被告主張の無効理由１ないし４はいずれも理由がないか
ら，特許法１０４条の３第１項の規定により本件特許権の行使が制限され
るとの被告の主張は理由がない。
３結論
(1)差止めの必要性
前記１のとおり，イ号液晶モジュールの製造方法は，本件発明１ないし
４の技術的範囲に属するから，被告によるイ号液晶モジュールを搭載する
イ号液晶テレビの製造，販売，販売の申出は，本件特許権の侵害に当た
る。
そして，被告は，イ号液晶テレビを生産し，譲渡し，貸し渡し，輸出又
は輸入し，又はその譲渡若しくは貸渡しの申出（譲渡若しくは貸渡しのた
めの展示を含む。）を行って原告の本件特許権を侵害するおそれがあるも
のと認められるから，原告は，被告に対し，上記各行為の差止めを求める
必要性がある。
また，被告が占有するイ号液晶テレビについて，原告は，被告に対し，
侵害の予防に必要な行為として廃棄を求めることができる。
(2)まとめ
以上によれば，原告の請求は，いずれも理由があるから認容することと
し，主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第４６部
裁判長裁判官大鷹一郎
裁判官関根澄子
裁判官杉浦正典
（別紙）イ号物件目録
３２Ｖ型液晶テレビ（製品型番ＬＣ−３２Ｄ１０）

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