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平成１７年（行ケ）第１０１４２号　特許取消決定取消請求事件
（旧事件番号　東京高裁平成１７年（行ケ）第４１号）
口頭弁論終結日　平成１７年７月１９日
　　　　　　　　　　判　　　　　　　　　　　決
　　　
　　　　　　　原　　　　　　告　　　京セラ株式会社
　　　　　　　訴訟代理人弁理士　　　竹口幸宏
　　　　　　　同　　　　　　　　　　多田一彦
　　　　　　　被　　　　　　告　　　特許庁長官　小川　洋
　　　　　　　指定代理人　　　城所　宏
　　　　　　　同　　　　　　　　　　市川裕司
　　　　　　　同　　　　　　　　　　立川　功
　　　　　　　同　　　　　　　　　　高木　彰
　　　　　　　同　　　　　　　　　　伊藤三男
　　　　　　　　　　主　　　　　　　　　　　文
　　　　１　特許庁が異議２００３－７１０２８号事件について平成１６年１２月
１３日にした決定を取り消す。
　　　　２　訴訟費用は各自の負担とする。
　　　　　　　　　　事実及び理由
１　原告は，主文第１項と同旨の判決を求め，請求原因として別紙のとおり述べ
た。
２　被告は，請求棄却の判決を求め，請求原因は争わないと述べた。
　　上記争いのない事実によれば，原告の本訴請求は理由があるからこれを認容
し，訴訟費用については，本訴の経緯にかんがみ，これを各自に負担させるのを相
当と認め，主文のとおり判決する。
　　　　　知的財産高等裁判所第２部
　　　　　　　　　裁判長裁判官　中野哲弘
　　　　裁判官　岡本　岳
　　　　裁判官　上田卓哉
･
（別紙）
請求原因
１　原告は，発明の名称を「半導体素子実装基板」とする特許第３３３６２４０号
発明（平成９年１１月２８日出願，平成１４年８月２日設定登録。以下「本件特
許」という。）に係る特許権者であり，その設定登録時の特許請求の範囲は，請求
項が１ないし３から成る別紙１のとおりである。
２　その後，本件特許のうち請求項１，２につき特許異議の申立てがされ，異議２
００３－７１０２８号事件として特許庁に係属したところ，原告は，平成１６年８
月２日，本件特許の特許請求の範囲等の訂正（以下「第１次訂正」という。）を請
求した。第１次訂正に係る特許請求の範囲は別紙２のとおりである。特許庁は，同
事件につき審理した上，平成１６年１２月１３日，「訂正を認める。特許第３３３
６２４０号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。」との決定（以下「本件決
定」という。）をし，その決定謄本は平成１７年１月５日原告に送達された。
３　原告は，平成１７年２月２日，本件決定の取消しを求める本訴を提起し，その
係属中の平成１７年４月５日，特許庁に対し，本件特許の特許請求の範囲等につき
訂正審判の請求をした（以下「第２次訂正」という。）。第２次訂正に係る特許請
求の範囲は別紙３のとおりであるが，特許庁は，同請求を訂正２００５－３９０５
９号事件として審理した上，同年５月３１日，訂正を認める旨の審決（以下「本件
訂正審決」という。）をし，その審決謄本は同年６月９日原告に送達された。
４　第２次訂正によって特許請求の範囲が減縮されたことは明らかであり，本件訂
正審決の確定により，本件決定が前提とする発明の要旨の認定は誤りに帰したこと
になるので，本件決定の取消しを求める。
･
（別紙１）
特許請求の範囲（設定登録時のもの）
【請求項１】４０℃から４００℃における熱膨張係数が８～２５ｐｐｍ／℃，ヤン
グ率が２００ＧＰａ以下の絶縁基板の表面にメタライズ配線層を被着形成してなる
配線基板の表面に，接続用電極を具備する半導体素子を熱硬化性樹脂により接着固
定し，前記メタライズ配線層と前記接続用電極とを導電性接続部材によって接続し
てなる半導体素子実装基板において，前記固定用の熱硬化性樹脂の－４０℃～２５
℃における熱膨張係数が１０～４０ｐｐｍ／℃であり，かつ前記温度範囲における
ヤング率が５～１０ＧＰａであることを特徴とする半導体素子実装基板。
【請求項２】前記熱硬化性樹脂が，フェノールノボラック型エポキシ樹脂，クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂のいずれかである請求項１記載の半導体素子実装
基板。
【請求項３】前記半導体素子の面積が前記配線基板の面積の８０％以上であること
を特徴とする請求項１記載の半導体素子実装基板。
･
（別紙２）
特許請求の範囲（第１次訂正後のもの。訂正部分を下線で示す。）
【請求項１】４０℃から４００℃における熱膨張係数が８～２５ｐｐｍ／℃，ヤン
グ率が２００ＧＰａ以下の絶縁基板の表面にメタライズ配線層を被着形成してなる
配線基板の表面に，接続用電極を具備する半導体素子を熱硬化性樹脂により接着固
定し，前記メタライズ配線層と前記接続用電極とを導電性接続部材によって接続し
てなり，前記絶縁基板の底面に接続パッドが形成されてなる表面実装型の半導体素
子実装基板において，前記固定用の熱硬化性樹脂の－４０℃～２５℃における熱膨
張係数が１０～４０ｐｐｍ／℃であり，かつ前記温度範囲におけるヤング率が５～
１０ＧＰａであることを特徴とする半導体素子実装基板。
【請求項２】前記熱硬化性樹脂が，フェノールノボラック型エポキシ樹脂，クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂のいずれかである請求項１記載の半導体素子実装基
板。
【請求項３】前記半導体素子の面積が前記配線基板の面積の８０％以上であること
を特徴とする請求項１記載の半導体素子実装基板。
（別紙３）
特許請求の範囲（第２次訂正後のもの。訂正部分を下線で示す。なお，２重下線部
分は，第１次訂正時との相違部分である。）
【請求項１】４０℃から４００℃における熱膨張係数が８～２５ｐｐｍ／℃，ヤン
グ率が２００ＧＰａ以下の絶縁基板の表面にメタライズ
配線層を被着形成してなる配線基板の表面に，接続用電極を具備する半導体素子を
熱硬化性樹脂により接着固定し，前記メタライズ配線層と前記接続用電極とを導電
性接続部材によって接続してなり，前記絶縁基板の底面に接続パッドが形成されて
なる表面実装型の半導体素子実装基板において，前記固定用の熱硬化性樹脂の－４
０℃～２５℃における熱膨張係数が１０～４０ｐｐｍ／℃であり，かつ前記温度範
囲におけるヤング率が５～１０ＧＰａであることを特徴とする半導体素子実装基
板。
【請求項２】前記熱硬化性樹脂が，フェノールノボラック型エポキシ樹脂，クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂のいずれかである請求項１記載の半導体素子実装
基板。
【請求項３】前記半導体素子の面積が前記配線基板の面積の８０％以上であること
を特徴とする請求項１記載の半導体素子実装基板。

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