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平成２２年６月２３日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成１８年（ワ）第２３５５０号職務発明譲渡対価等請求事件
口頭弁論終結日平成２２年３月１７日
判決
静岡県菊川市＜以下略＞
原告Ｐ１
同訴訟代理人弁護士升永英俊
同江口雄一郎
同柳沢知樹
東京都千代田区＜以下略＞
被告株式会社日立製作所
同訴訟代理人弁護士城山康文
同岩瀬吉和
同山本健策
同池田孝宏
主文
１被告は，原告に対し，６３０２万６１３６円及び別紙認容金額内訳表の金額
欄記載の各金額に対する同認容金額内訳表の起算日欄記載の各日からそれぞれ
支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
２原告のその余の請求をいずれも棄却する。
３訴訟費用は，これを１０分し，その９を原告の負担とし，その余を被告の負
担とする。
４この判決は，第１項に限り，仮に執行することができる。
事実及び理由
第１請求
１被告は，原告に対し，６億円及び別紙請求金額内訳表の金額欄記載の各内金
額（ただし，同請求金額内訳表の起算日欄記載の日の早いものから順次６億円
に満つるまで。）に対する同請求金額内訳表の起算日欄記載の各日からそれぞ
れ支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
２仮執行宣言
第２事案の概要
本件は，被告の従業員であった原告が，被告に在職中に行った発明に係る日
本国特許６件，アメリカ合衆国（以下「米国」という。）特許１７件及び大韓
民国（以下「韓国」という。）特許５件についての特許を受ける権利を被告に
承継させたことによる相当の対価として，平成１６年法律第７９号附則２条１
項，同法による改正前の特許法３５条３項及び４項に基づき，１５億８７９９
万５４７３円の一部である６億円及び別紙請求金額内訳表の金額欄記載の各内
金額（ただし，同請求金額内訳表の起算日欄記載の日の早いものから順次６億
円に満つるまで。）に対する同請求金額内訳表の起算日欄記載の各日からそれ
ぞれ支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求める事
案である。
１争いのない事実等（争いのない事実以外は証拠等を末尾に記載する。）
(1)当事者等
ア原告は，昭和５２年４月に被告に入社し，平成１４年６月に被告を退職
した。
イ被告は，半導体，家電，重電を含む総合電機メーカーである。
ウ株式会社ルネサステクノロジ（以下「ルネサス」という。）は，被告と
三菱電機株式会社（以下「三菱電機」という。）が，それぞれの半導体事
業部門につき，共同して新設分割をすることにより，平成１５年４月１日
に設立された株式会社である（弁論の全趣旨）。
⑵特許を受ける権利の譲渡
原告は，被告に在籍中，被告の業務範囲に属し，かつ，原告の職務に属す
る，後記(3)の各特許に係る発明（以下，これを「本件発明」と総称する。）
を行い，被告に対し，本件発明に関するすべての権利を譲渡した。
(3)本件各特許等
ア被告は，本件発明につき，日本，米国及び韓国において，別紙特許目録
記載の各特許の出願又は分割出願をし，それぞれ特許を受けた（特許番号
及び登録日を除き，甲２ないし４（各枝番を含む。）。以下，同特許目録
記載の各特許，各特許に係る特許権及び各特許に係る発明を，それぞれ特
許された国及び登録番号の末尾３桁により特定し（例えば，「日本９６７
号特許」，「日本９６７号特許権」及び「日本９６７号発明」といい，同
様に「米国４１７号特許」，「韓国７９６号特許」等という。），これら
の各特許，各特許権及び各特許に係る発明を総称して，それぞれ「本件各
特許」，「本件各特許権」及び「本件各特許発明」と，日本国特許を総称
して「日本各特許」と，米国特許を総称して「米国各特許」と，韓国特許
を総称して「韓国各特許」という。）。
イ日本７４８号特許，同７４９号特許，同４７７号特許，同０５２号特許
及び同４６８号特許は，いずれも，日本９６７号特許の出願（特願昭６３
−２９５３５０）から分割出願されたものである。
ウ米国各特許及び韓国各特許は，いずれも日本９６７号特許の出願（特願
昭６３−２９５３５０）につき優先権を主張するものである。
エ米国４１７号特許は，再発行特許ＲＥ３５３１５の登録により，放棄さ
れたものとみなされた。当該再発行特許の期間満了日は，２００９年１１
月１６日である。（以上，弁論の全趣旨）
オ本件各特許権を含む被告の半導体部門が管理する特許権等（一部を除
く。）に関する一切の権利義務は，前記(1)ウの新設分割により，被告から
ルネサスに承継された。しかしながら，被告の従業員であった発明者であ
って，前記(1)ウの分割期日（平成１５年４月１日）より前に退職した者等
に対する特許を受ける権利の譲渡対価支払債務は，ルネサスと被告との間
の合意により，被告がこれを負担すること，ルネサスは，被告に対し，ル
ネサスが発明者に対する支払として十分であると認める金額を補償するこ
ととされた。これにより，本件発明についての特許を受ける権利の譲渡対
価支払債務は，ルネサス設立後においても，被告が負担することとなった。
（以上，弁論の全趣旨）
(4)実績報奨金の支払
被告は，原告に対し，日本９６７号特許の実績報奨金として，次のとおり，
支払った。なお，年度とは，４月１日から翌年３月３１日までをいう（以下
同じ。）
支払年実績年度（４月１日∼３月31日）実績報奨金の額
平成１４（２００２）年平成１２（２０００）年１６０万円
平成１５（２００３）年平成１３（２００１）年４００万円
平成１６（２００４）年平成１４（２００２）年４２０万円
平成１７（２００５）年平成１５（２００３）年５００万円
平成１８（２００６）年平成１６（２００４）年７４３万０９３２円
合計２２２３万０９３２円
(5)日本各特許発明に係る特許を受ける権利の譲渡は，いずれも平成１６年法
律第７９号の施行（平成１７年４月１日）前にされたものであるから，当該
譲渡に係る対価については，同法附則２条１項により，同法による改正前の
特許法（以下「旧特許法」という。）３５条３項及び４項が適用される。
また，米国各特許発明及び韓国各特許発明に係る特許を受ける権利の譲渡
に係る対価についても，旧特許法３５条３項及び４項が類推適用されると解
される（最高裁平成１６年(受)第７８１号同１８年１０月１７日第三小法廷
判決・民集６０巻８号２８５３頁）。
なお，旧特許法３５条３項及び４項の規定は，次のとおりである。
第３５条（略）
２（略）
３従業者等は，契約，勤務規則その他の定により，職務発明について使用
者等に特許を受ける権利若しくは特許権を承継させ，又は使用者等のため
専用実施権を設定したときは，相当の対価の支払を受ける権利を有する。
４前項の対価の額は，その発明により使用者等が受けるべき利益の額及び
その発明がされるについて使用者等が貢献した程度を考慮して定めなけれ
ばならない。
２争点
(1)本件発明により被告が受けるべき利益の額
ア本件各特許発明の技術的範囲
イ被告が包括クロスライセンス契約において本件各特許により得た利益の
額
⑵本件発明がされるについて被告が貢献した程度
(3)本件発明の相当の対価の額
(4)消滅時効の成否
第３争点についての当事者の主張
１争点(1)ア（本件各特許発明の技術的範囲）について
（原告の主張）
(1)原告の主張の骨子
本件各特許は，ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた半導体集積回路
の製造方法を含み，光の波長を下回るパターンのウエハ上での形成を可能と
する半導体集積回路の製造方法の基本特許である。
⑵日本９６７号特許の明細書の記載等
ア日本９６７号特許の請求項１の構成要件の分説
日本９６７号特許の請求項１は，次のとおり，構成要件に分説される
（以下，各構成要件を，それぞれ「構成要件Ａ」等という。）。
Ａ：マスク基板の一主面上に形成された回路パターンを，集積回路が形成
されるべき半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に縮小投影露光装置によ
り露光する集積回路装置の製造方法であって，
Ｂ：（ａ）第１光透過領域及びその第１光透過領域と境界を接する第２光
透過領域よりなる回路パターンを有する上記マスク基板を上記縮小投影
露光装置の所定の部位に配置する工程，
Ｃ：（ｂ）上記フォトレジスト膜が形成された上記半導体ウエハを上記縮
小投影露光装置の所定の部位に配置する工程，
Ｄ：（ｃ）上記所定の部位に配置した上記マスク基板に所定の波長を有す
る露光光を照射し上記第１光透過領域及び上記第２光透過領域のいずれ
か一方に設置された位相シフト手段により上記露光光の内，上記第１光
透過領域と上記第２光透過領域を透過した光の位相が相互に反転するよ
うにして透過させる工程，
Ｅ：（ｄ）上記マスク基板を透過した上記露光光を上記縮小投影露光装置
により集光し，上記マスク基板上の回路パターンの実像を上記第１光透
過領域の上記第２光透過領域側において上記実像の端部が鮮明になるよ
うに上記所定の部位に配置した上記半導体ウエハ上のフォトレジスト膜
に投影し，露光する工程よりなること
Ｆ：を特徴とする集積回路装置の製造方法。
イポリメチルメタアクリレートを用いた透明膜について
(ア)日本９６７号特許の明細書（以下「日本９６７号明細書」とい
う。）には，「（日本９６７号発明の位相シフト手段の透明膜は，）ポ
リメチルメタクリレートなどでも良い」と記載されている（２０欄３５
行∼３８行）。そして，ポリメチルメタアクリレートは，有機高分子膜
であり，露光光の波長によって，透過率が著しく変わるものであって，
現在，縮小投影露光装置として広く実用化されている（すなわち，日本
９６７号発明がなされた当時，当業界の専門家の間で検討されてい
た。）ＡｒＦエキシマレーザ露光装置（波長１９３ｎｍ）についていえ
ば，ポリメチルメタアクリレートを用いた透明膜は，光透過率が１％程
度になる。これは，ハーフトーン型位相シフト膜の通常の光透過率（５
∼６％）を下回る。
また，金属膜や完全遮光する遮光領域は，日本９６７号特許の請求項
１の構成要件ではない。
したがって，日本９６７号特許の請求項１は，ハーフトーン型位相シ
フトマスクを用いた縮小投影露光法の集積回路製造方法を含むと解され
る。
(イ)被告は，ポリメチルメタアクリレートは，透明膜の一例として挙げ
られていることをもって，これをハーフトーン型位相シフト膜として利
用することは開示されていないと主張する。
これは，透過領域は透明膜を用いたものでなければならず，そこにお
ける透明膜は，光透過率がほぼ１００％のものに限られることを前提と
するものと解される。
しかしながら，そもそも，日本９６７号特許の請求項１は，「第１光
透過領域」と「第２光透過領域」のいずれについても，その光透過率に
ついて何らの制限も加えていないから，その光透過率が何％であっても，
位相が反転した光が干渉しあい，端部が鮮明になるという効果を奏する
ものであれば，日本９６７号発明の技術的範囲に含まれると合理的に考
えられる。
また，透明膜という文言は，日本９６７号特許の請求項１では用いら
れておらず，実施例の中の説明文，図面の中で用いられているにすぎな
い。
したがって，被告の前記主張は，第１に，そもそも透明膜はほぼ１０
０％の光透過率である必要はないという点において，また，第２に，仮
に，透明膜とはほぼ１００％の光透過率を有するものを意味するとして
も，そもそも日本９６７号特許の請求項１においては，透明膜とは一切
記載されていない点で，誤っている。
(ウ)また，被告は，「新規ＡｒＦレジスト用光酸発生剤の設計とその性
能」と題する論文（乙２５。以下「乙２５論文」という。）を根拠に，
波長１９３ｎｍの光を用いたとしても，ポリメチルメタアクリレートの
光透過率は，１００％に近いと主張する。
しかしながら，乙２５論文は，平成１３（２００１）年発表の論文で
あるところ，ポリメチルメタアクリレートの光透過率を向上させること
は，かなり以前から研究されてきており，その光透過率は１０年程度の
間に飛躍的に向上してきた。したがって，乙２５論文は，この成果を反
映させたものであって，日本９６７号特許の出願時における当業者の認
識とは異なる。
他方で，１９８８年１２月６日に出願された米国特許５００８１５６
号（甲６０。以下「甲６０公報」という。）のＦｉｇ．４によれば，ポ
リメチルメタアクリレート（膜厚０．８５μｍ（８５０ｎｍ））の光透
過率は，波長が２５０ｎｍから２２０ｎｍにかけて，１０％程度まで急
激に低下しており，これを見た当業者は，１９３ｎｍの波長において，
光透過度が１００％近くになるとは考えない。また，「有機物の紫外線
吸収と分解」（“Ultravioletlaserablationanddecompositionof
organicmaterials”）と題する論文（甲６４。以下「甲６４論文」とい
う。）も，波長１９３∼２２０ｎｍにかけて，ポリメチルメタアクリレ
ートの紫外線の吸収が格段に低下（光透過率が格段に増加）するもので
はないことを示している。
もっとも，透明膜の透過度は，日本９６７号発明の特許請求の範囲の
構成要件として掲げられておらず，また，透過度に基づく限定解釈は不
要であるから，ポリメチルメタアクリレートの透過度は，本件において
は，重要な問題ではない。
ウＣｒ層について
(ア)日本９６７号特許の特許公報（以下「日本９６７号公報」とい
う。）の第３図には，次のことが開示されている。
①透過領域内において，マスク透過光の位相を反転させて，境界を接
する部分において，当該第３図の（ｄ）に示す光強度の暗部（実像の
端部が鮮明になる部分）が生じる。
②ウエハに像が形成されるのは，当該第３図の（ｄ）の光強度の山が
ある部分である。
③遮光膜３（「金属層３」とも記載されている。）と位相シフト膜４
ａ（「透明膜４ａ」とも記載されている。）を含んだ領域が実効的な
遮光領域を形成する層（例えば，光透過率数％の層）になる。
(イ)前記(ア)③の「実効的な遮光領域を形成する層」は，日本９６７号
明細書によれば，次のとおりである。
①「実効的な遮光領域を形成する層」のない窓部（前記第３図のＢの
部分）の透過光の位相と遮光体の一部（前記第３図の４ａの両端部
分）からの透過光の位相が，両者の境界において，互いに反転する
（前記第３図の（ｂ）参照）。
②「実効的な遮光領域を形成する層」の一部を透過する光が，ウエハ
上のレジストを感光しないように制御することが可能である。
③「実効的な遮光領域を形成する層」の一部を構成する金属層３につ
いて，日本９６７号明細書には，「例えば，厚さ５００∼３０００Å
（注：５０∼３００ｎｍ）の金属層３が所定の形状にパターン形成さ
れている。金属層３は，例えば，Ｃｒ層から，あるいはＣｒ層の上に
酸化Ｃｒ層が積層され構成されて」いる（９欄７行∼１０行）と記載
されており，「Ｃｒ層に酸化Ｃｒ層を積層した全体の層の厚さが，５
０ｎｍであること」が開示されている。また，酸化Ｃｒ層の厚さは，
通常約２０ｎｍであるから，ここに開示されているＣｒ層（金属層）
の厚さは，３０ｎｍということができる。
そして，Ｃｒ層（金属層）の厚さが３０ｎｍの場合に，露光光とし
て実施例に記載された紫外線領域のｉ線（波長３６５ｎｍ）を用いた
ときは，当該Ｃｒ層は，３％程度の光を透過する（甲３７）。逆に言
えば，実施例で示す３０ｎｍのＣｒ層は，９７％の光を遮光するので，
正に，被告が主張するハーフトーンである。
(ウ)したがって，日本９６７号公報（第３図及び発明の詳細な説明９欄
７行∼１０行）は，薄い厚さのＣｒ層と酸化Ｃｒ層（透明媒質層）との
積層構造によって，ハーフトーン型位相シフトマスクを構成し得ること
を開示している。
エ被告の主張について①（日本９６７号発明は，３領域で構成されること
を必須とするか。）
(ア)ａ被告は，日本９６７号発明で使用される位相シフトマスクは，第
１光透過領域と第２光透過領域とから成る透過領域と遮光領域との３
領域で構成される回路パターンを有するものであって，位相を反転さ
せない光透過領域と光をわずかに透過するとともにその透過光の位相
を反転させる遮光領域の２領域で構成されるハーフトーン型位相シフ
トマスクを使用する集積回路の製造方法は，同発明の技術的範囲には
含まれないと主張する。
ｂしかしながら，日本９６７号特許の請求項１は，「第１光透過領
域」と「第２光透過領域」とは別に，「遮光領域」なる領域があるこ
とを構成要件とはしていない。また，第１光透過領域及び第２光透過
領域のいずれについても，その光透過率は構成要件とされておらず，
それらが透明膜であることも構成要件とはされていない。
そして，日本９６７号発明の本質は，①境界を接する第１光透過領
域と第２光透過領域において，②光の位相を相互に反転させ，③縮小
投影露光をすることにより，④「端部が鮮明」になるということであ
って，これが同発明の技術的思想である。このような同発明の効果を
奏するためには，遮光領域を設ける必要はなく，また，透過領域の光
透過率がほぼ１００％である必要もない。そして，所定の構成を採る
ことにより，端部が鮮明になるという効果を奏する以上，ハーフトー
ン型位相シフトマスクを除く理由はない。
また，日本９６７号公報の第１６図は，第１光透過領域と第２光透
過領域の境界で，光の位相が相互に反転することを明瞭に図示してお
り，被告が主張する「完全なる遮光膜」の存在が，光の位相を第１光
透過領域と第２光透過領域との境界で相互に反転させ，端部を鮮明に
するという日本９６７号発明の効果を生じさせるために必要であるこ
となど，一切図示していない。
ｃそもそも，ハーフトーン型位相シフトマスクは２領域でなければな
らないという被告の主張は，誤りである。
すなわち，ハーフトーン型位相シフトマスクとは，端部が鮮明にな
る等の技術的効果を狙って，光透過率が低い（例えば，１∼２０％）
位相シフト膜を用いるものをいい，ハーフトーン型位相シフトマスク
であっても，必要に応じて遮光領域を設けることは，単なる設計事項
にすぎない。実際，特許第３０３７９４１号の特許公報（甲６１。以
下「甲６１公報」という。）には，ハーフトーン型位相シフトマスク
につき，透光部と半透光部（「半」であっても光を透過する領域であ
る。）を有し，更に遮光膜を設けるものが開示されており，また，１
９９６年１１月の時点で，遮光膜，ハーフトーン膜及び石英ガラス基
板の３領域から成る２層構造のハーフトーン型位相シフトマスクが商
業的に実施されていた（甲８６）。
したがって，２領域であること及びそのためにパターン形成が１回
で済むことをハーフトーン型位相シフトマスクの要件とする被告の主
張は，根拠を欠くものである。
ｄ以上のことから，前記ａの被告の主張は，誤りである。
(イ)遮光領域の存在について
ａ日本９６７号明細書の実施例の記載に基づき遮光領域が必要である
との被告の主張は，日本９６７号発明の技術的範囲は，実施例に限定
されると主張するに等しく，相当ではない。
ｂまた，被告は，日本９６７号明細書の作用欄の記載（「本発明の集
積回路装置の製造方法によれば，露光の際，一つの透過領域内におい
て，透明膜，あるいは位相シフト溝を透過した光と，これらが形成さ
れていない部分を透過した光とが，透過領域と遮光領域との境界部分，
または遮光領域の端部において弱めあうように干渉させることにより，
マスク上のパターンの転写精度を向上させる」（８欄２９行∼３６
行））を根拠に，遮光領域が必要であると主張する。
この作用欄の記載は，遮光領域と透過領域との境界付近において端
部が鮮明になるとの記載であるが，実際に端部が鮮明になるのは，透
過領域の中の第１光透過領域と第２光透過領域との境界であると記載
すべきであった。そして，この記載が誤記であることは，日本９６７
号特許の請求項１における，「回路パターンの実像を上記第１光透過
領域の上記第２光透過領域側において上記実像の端部が鮮明になる」
との記載や，端部が鮮明になることを示した図である，日本９６７号
公報の図３や図１６の記載からも明らかである。
したがって，前記作用欄の記載をもって，遮光領域の存在が必須で
あるということはできない。
ｃさらに，被告は，遮光領域を設けずに，２つの光透過領域のみで回
路パターンを形成した場合には，目的とする回路パターンを得ること
ができないと主張するが，これは，２つの光透過領域の光透過率を１
００％であると仮定した上での主張であって，その前提を欠く以上，
無意味な主張である。
ｄ以上のことから，日本９６７号発明が遮光領域の存在を前提として
いるということはできない。
(ウ)光透過領域の意義について
被告は，日本９６７号特許の特許請求の範囲の「光透過領域」とは，
少なくともフォトレジスト膜を感光する程度の光透過率を有する領域を
意味すると主張する。
しかしながら，前記のとおり，日本９６７号特許の請求項１は，「第
１光透過領域」と「第２光透過領域」のいずれについても，その光透過
率について何らの制限も加えておらず，その光透過率が何％であっても，
位相が反転した光が干渉しあい，端部が鮮明になるという効果を奏する
ものであれば，日本９６７号発明の技術的範囲に含まれると合理的に考
えられるから，被告の前記主張は，失当である。
オ被告の主張について②（日本９６７号特許はエッジ強調型位相シフトマ
スクに関するものか。）
被告は，日本９６７号特許は，エッジ強調型位相シフトマスクに関する
ものであると主張する。
しかしながら，被告の主張によれば，エッジ強調型位相シフトマスクは，
完全遮光する遮光領域を有するものであるが，前記エのとおり，日本９６
７号特許の請求項１は，完全遮光する遮光領域をその構成要件の中に含ん
でいない。
また，被告は，「エッジ強調型位相シフトマスクは，開口（光透過）領
域内の周辺部に補助的な透明シフタ領域（透過率９０％以上）を配置した
ものである。」と主張するところ，日本９６７号公報の第１６図には，開
口（光透過）領域内の周辺部に補助的な透明シフタ領域（透過率９０％以
上）を配置しない技術を開示しており，また，日本９６７号特許の請求項
１は，「開口（光透過）領域内の周辺部に補助的な透明シフタ領域（透過
率９０％以上）を配置すること」をその構成要件の中に含んでいない。
さらに，後記(3)のとおり，被告の平成９（１９９７）年１２月２６日付
けの戦略特許取得速報（甲２７。以下「被告戦略特許取得速報」とい
う。）において，日本９６７号特許がハーフトーン型位相シフトマスクを
カバーすることを自認している。
したがって，被告の前記主張は，誤りである。
(3)被告戦略特許取得速報の記載
ア日本９６７号特許の取得につき，●(省略)●被告特許部が，平成９（１
９９７）年当時，当該特許がハーフトーン型位相シフト技術をカバーして
いると判断していたことを示している。
イまた，●(省略)●
ウしたがって，ハーフトーン型位相シフトマスクを含まないとの被告の主
張は，被告戦略特許取得速報の記載と矛盾する。
(4)Ｐ２特許その他の特許との比較
アＰ２特許について
(ア)日本９６７号発明は，縮小投影露光法（縮小投影露光装置を用いて，
集積回路の回路パターンを形成する集積回路装置の製造方法）に関する
ものであって（構成要件Ａ及びＣ），「上記マスク基板上の回路パター
ンの実像を上記第１光透過領域の上記第２光透過領域側において上記実
像の端部が鮮明になる」（構成要件Ｅ）との効果を得るように，「第１
光透過領域と第２光透過領域を透過する光の位相を相互に反転」させる
こと（構成要件Ｄ）を規定しており，商用活用レベルで，光の波長を下
回る微細な寸法の回路パターンの作成を可能とするものである。
他方で，被告が指摘するＰ２論文（Ｐ２「Useofapi-phaseshifti
ngx-raymasktoincreasetheintensityslopeatfeatureedges」
（乙１１）をいう。以下同じ。）に開示されている露光法は，近接等倍
率露光法である。この近接等倍率露光法は，反影ボケによる光学像の劣
化現象を伴う技術であるから，Ｐ２論文は，日本９６７号発明のように，
縮小投影露光装置を用いて，回路パターンの実像の端部を，第１光透過
領域の第２光透過領域側において鮮明にするという技術を開示・示唆す
るものではない。したがって，Ｐ２論文が開示する近接等倍率露光法に
よっては，光の波長を下回る微細な寸法の回路パターンを作成すること
は，不可能である。
このように，日本９６７号発明の露光法とＰ２論文の露光法とが異な
ることは，①Ｐ２論文における露光光の波長は３６５ｎｍ，露光によっ
て形成されるパターン寸法は１００μｍであり，日本９６７号発明にお
いて焼き付けられるパターン寸法は，これより３桁も小さいこと，②被
告は，この近接等倍率露光と縮小投影露光とが異なる露光法であること
を認め，日本９６７号特許の特許出願をし，また，出願したすべての国
（日本，米国及び韓国）の特許庁の審査により，近接等倍率露光法と縮
小投影露光法との技術の違いが確認され，特許登録されたこと，③Ｐ２
論文は，近接等倍率露光法における，フレネル回折による光強度のボケ
の改善法を開示したものであるのに対し，日本９６７号発明は，縮小投
影露光法におけるフラウンホーファー回折による光強度のボケの改善法
を提示したものであること等から，根拠付けられる。
(イ)被告は，Ｐ２論文に，ハーフトーン型位相シフトマスクの縮小投影
露光法への適用が開示されていると主張する。
しかしながら，被告がその主張の根拠とするＰ２論文の記載中，「op
ticalprojection（光投影）」という用語自体，マスクを透過した光を
ウエハに投影するということを意味するにすぎない一般的な用語であっ
て，縮小投影法を意味するものではない。被告は，Ｐ２論文中，「opti
calprojection（光投影）」という用語が用いられている他の部分の引
用論文をもって，縮小投影露光装置を意味するものと主張するが，両者
は別の項に記載されたものであって，これを同義に解する必然性はない。
また，被告は，Ｐ２論文が「マスク」と「レチクル」という用語を使
い分けていることも，その主張の根拠とするが，「レチクル」という用
語が，必然的に縮小投影露光法を意味するという科学常識は存在しない
（甲６２参照）。
そもそも，Ｐ２論文は，Ｘ線を用いた技術をテーマとした論文である
ところ，Ｘ線を縮小投影することを可能とするレンズは，いまだ存在し
ないから，同論文が，Ｘ線ＰＴＰＳ法（ハーフトーン型位相シフト法）
に縮小投影法を適用することを開示していると解することはできない。
以上のとおり，Ｐ２論文に，ハーフトーン型位相シフトマスクの縮小
投影露光法への適用が開示されているということはできない。
(ウ)このようにＰ２論文に記載された発明と日本９６７号発明とは異な
っている。そして，前記(ア)のとおり，Ｐ２論文に記載された発明に係
るＰ２特許（後記被告の主張(1)オ(ア)参照）は，近接等倍率露光に適し
たマスク特許でしかなく，縮小投影露光装置を用いた集積回路の製造方
法に係る記載は全くないから，ハーフトーン型位相シフトマスクを用い
た半導体集積回路の製造方法を含む半導体集積回路の製造方法の基本特
許ではない。
イＰ３特許について
後記被告の主張(1)オ(イ)のＰ３特許は，日本９６７号特許及びＰ２特許
の双方が公開された後に出願された後発の特許でしかなく，また，その米
国特許出願については，被告は，Ｐ２特許の存在により，これを放棄して
いる。
したがって，Ｐ３特許は，ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた光
の波長を下回る寸法の回路パターンのウエハ上の焼付けを可能とする集積
回路製造方法の基本特許ではない。
ウ他方で，日本９６７号特許の出願並びにこれに対応する複数の米国及び
韓国での特許出願は，Ｐ２論文の発表後の出願であるにもかかわらず，ハ
ーフトーン型を含む位相シフトマスクを用いた集積回路の製造方法の特許
として，特許登録されている。そして，前記アのとおり，Ｐ２論文は，近
接等倍率露光法を開示しているだけであるのに対し，日本９６７号特許は，
縮小投影露光法を用いることが明記されている。
したがって，日本９６７号特許は，ハーフトーン型を含む位相シフトマ
スクを用いた光の波長を下回る寸法の回路パターンのウエハ上の焼付けを
可能とする半導体集積回路製造方法の基本特許である。
(5)小括
以上のとおり，ハーフトーン型位相シフトマスクは，日本９６７号発明の
技術的範囲に含まれるものであって，日本９６７号特許は，ハーフトーン型
を含む位相シフトマスクを用いた光の波長を下回る寸法の回路パターンのウ
エハ上の焼付けを可能とする半導体集積回路製造方法の基本特許である。
（被告の主張）
(1)位相シフトマスクの歴史について
本件発明は，位相シフトマスクに関するものであるところ，位相シフトマ
スクの歴史は，次のとおりである。
ア位相シフトマスク以前（バイナリマスク）
位相シフトマスクが登場する以前の光リソグラフィ用マスクは，ガラス
基板上に遮光領域を構成する遮光材料（金属クロム）で被膜し，これにマ
スク上の回路パターンに応じて開口領域を加工し，完全遮光（光透過率が
０．１％程度）された被膜領域（遮光領域）と光を透過する開口領域とに
より回路パターンを構成するバイナリマスクが用いられた。しかしながら，
回路パターンが微細化して開口（光透過）領域が近接してくると，通常の
露光法では，それぞれの開口（光透過）領域からの光が周囲に広がってし
まい，ウエハ上では開口（光透過）領域を分離することができなくなると
いう問題があった。
イレベンソン型位相シフトマスク
このようなバイナリマスクの問題を解決したのが，位相シフトマスクで
あり，位相シフトマスクの歴史は，レベンソン型位相シフトマスクと呼ば
れるものに始まる。
レベンソン型位相シフトマスクは，バイナリマスクと同じく，完全遮光
された遮光領域と光を透過する開口領域とで回路パターンを構成しながら，
隣接する開口（光透過）領域の一方の位相を一様に反転させることにより，
位相の異なる隣り合った開口（光透過）領域の中間では，必ず暗部が形成
され，隣り合った開口（光透過）領域は分離されることとなって，バイナ
リマスクの課題を解決するものである。レベンソン型位相シフトマスクに
係る発明（以下「レベンソン発明」という。）は，日本でも昭和５８年１
０月１２日に公開され（特開昭５８−１７３７４４。乙１の１），昭和６
２年１２月１０日に公告された（特公昭６２−５９２９６。乙１の２）。
また，レベンソン発明は，１９８２年１２月に「TheInstituteofElect
ricalandElectronicsEngineers」で論文発表された（乙２）。
同様の発明は，日本光学工業株式会社のＰ４においてもなされ，同人の
発明（以下「Ｐ４発明」という。）に基づく特許出願は，昭和５７年４月
１４日に公開され（特開昭５７−６２０５２。乙３の１），昭和６２年１
０月２７日に公告され（特公昭６２−５０８１１。乙３の２），特許第１
４４１７８９号として登録された。
ウＰ５発明（補助開口型位相シフトマスク）
(ア)被告においては，レベンソン発明及びＰ４発明が公開された昭和５
０年代末より，位相シフトマスクの改良及び実用化に向けた研究開発活
動を開始し，被告の中央研究所（以下「被告中央研究所」という。）の
Ｐ５らは，光を透過する開口領域の周辺に位相が反転した補助開口部を
設けることで開口領域の解像を改善することを特徴とする発明（以下
「Ｐ５発明」という。）をした。このＰ５発明は，昭和６０年９月２０
日に特許出願，昭和６２年３月２７日に公開（特開昭６２−６７５１４。
乙４の１），平成６年１１月１４日に公告（特公平６−９０５０６。乙
４の２）がそれぞれされ，特許第２１２８１６６号として登録された。
なお，日本９６７号明細書（甲２の１）中の実施例３を示す第８図と
して，Ｐ５発明と同一の位相シフトマスクが記載されている。また，同
明細書中の実施例４も，位相を反転させる手段が異なるだけであり，前
記実施例３と同じく，Ｐ５発明の公開時の特許請求の範囲に含まれる。
(イ)Ｐ５発明は，一般に，補助開口型位相シフトマスクと呼ばれている。
Ｐ５発明は，完全遮光された遮光領域と光を透過する開口領域とで回
路パターンを構成するという構成を維持している点では，バイナリマス
クやレベンソン型位相シフトマスクと同じであるところ，このマスクの
利点は，レベンソン型位相シフトマスクが適用できない孤立した開口領
域や複雑な回路パターンにも適用できるところにあった。しかしながら，
Ｐ５発明は，微細な補助領域の加工が隘路となり，商業化されなかった。
エＰ６発明及び本件発明（エッジ強調型位相シフトマスク）
(ア)続いて，完全遮光する遮光領域と光を透過する開口領域との境界領
域に位相を反転する透明膜又は溝を設けて，解像度の向上効果を得る位
相シフトマスクが発明され，エッジ強調型位相シフトマスクと呼ばれて
いる。これは，東芝のＰ６らと原告とがそれぞれ独立して，同様の発明
をしたものである。
ａＰ６らの第１の発明は，平成元（１９８９）年２月１３日に特許出
願され（特願平１−３１０８４），平成２（１９９０）年８月２２日
に公開された（特開平２−２１１４５１。乙５）。さらに，Ｐ６らの
第２の発明（以下，このＰ６らの第２の発明を「Ｐ６発明」とい
う。）は，平成元（１９８９）年７月１３日に特許出願され（特願平
１−１８０９２０），平成３（１９９１）年２月２７日に公開され
（特開平３−４５９５１。乙６の１），平成１０（１９９８）年１２
月４日に特許第２８５９８９４号として登録された（乙６の２）。ま
た，Ｐ６発明は，平成元（１９８９）年１２月に国際電子デバイス会
議（ＩＥＤＭ）で発表された（乙７）。
Ｐ６発明の公開時の特許請求の範囲は，次のとおりである。
「透光性基板と，前記透光性基板上に配設された遮光性材料からなる
マスクパターンと，前記マスクパターン上に，前記マスクパターンよ
りも開口部に張り出すように大きく形成され，かつ該マスクパターン
の開口部を透過するリソグラフィ光に対して位相をシフトするように
構成された位相シフタ層とを具備したことを特徴とする露光用マス
ク。」
ｂ他方で，日本９６７号発明は，前記争いのない事実等(3)のとおり，
昭和６３（１９８８）年１１月２２日に特許出願されているが，出願
時の特許請求の範囲は，次のとおりである（乙８）。
「遮光領域，及び透過領域を備え，少なくとも部分的にコヒーレント
な光の照射によって所定パターンを転写するマスクであって，前記透
過領域の一部に透明膜を形成し，前記透明膜を透過した光と，前記透
明膜が形成されていない透過領域を透過した光との間に位相差が生じ，
前記光の干渉光が，前記透過領域と遮光領域との境界部分において弱
め合うように，前記透明膜を配置したことを特徴とするマスク。」
この発明は，露光の際，１つの透過領域内において，透明膜を透過
した光と，これらが形成されていない部分を透過した光とが，透過領
域と遮光領域との境界部分において弱め合うように干渉させることに
より，マスク上のパターンの転写精度を向上させることができるもの
である。
(イ)平成２（１９９０）年から平成３（１９９１）年ごろにかけて，各
社でエッジ強調型位相シフトマスクの研究がなされた。この事実に基づ
いて，被告においてもエッジ強調型位相シフトマスク技術が重要である
と評価され，本件発明が戦略特許賞「金賞」に認定された。
このエッジ強調型位相シフトマスクは，バイナリマスクやレベンソン
型位相シフトマスク，Ｐ５発明と同じく，完全遮光する遮光領域と光を
透過する開口領域とで回路パターンを構成するものであり，回路パター
ンの解像を向上させるため，開口（光透過）領域内の周辺部に補助的な
透明シフタ領域（光透過率９０％以上）を配置したものであるが，エッ
ジ強調型位相シフトマスクには，レベンソン型位相シフトマスクのよう
な各開口部への複雑な位相割当てが不要であるという利点がある。
しかしながら，エッジ強調型位相シフトマスクは，補助開口型位相シ
フトマスクと同様に，微細な補助的な透明シフタ領域の加工が隘路とな
り，商業化されなかった。
オハーフトーン型位相シフトマスク
(ア)Ｐ２発明
マサチューセッツ工科大学のＰ２は，１９８８年１月に発表したＰ２
論文（乙１１）に，Ｘ線リソグラフィ及び光リソグラフィのマスクにお
いて，ハーフトーン型位相シフト法を採用した発明（以下「Ｐ２発明」
という。）を記載した。なお，Ｐ２発明については，１９８７年２月２
５日に特許出願され，米国特許第４８９０３０９号として成立している
（乙１２。以下，この特許を「Ｐ２特許」という。）。
ハーフトーン型位相シフトマスクは，遮光領域自体を位相シフト領域
として，遮光特性を維持しつつ，わずかな光を反転透過させることで，
遮光領域と開口（光透過）領域とで構成された回路パターンの解像を向
上させるものである。これは，バイナリマスクや前記各位相シフトマス
クとは異なり，回路パターンを構成するためには完全遮光する領域が必
須であるという従来の光リソグラフィ用マスクの固定観念を廃し，遮光
領域において１０％程度光を透過させたとしても，ウエハ上のフォトレ
ジストは感光せず，また，その透過光の位相が反転していれば，わずか
に透過した反転光により回路パターンの解像度が向上することに着目し
た点で，画期的なものであった。
このハーフトーン型位相シフトマスクは，前記各位相シフトマスクの
商業化に当たって隘路となった微細加工を必要とせず，バイナリマスク
と同様に，遮光領域と開口領域のみで回路パターンを構成できる（パタ
ーン形成が１回で済む。）ところに，最大の利点がある。
(イ)Ｐ３発明
被告中央研究所では，前記Ｐ５らの研究開発に触発され，Ｐ３らが中
心となって，位相シフトマスクの研究開発活動が積極的に続けられた。
Ｐ３らは，Ｐ２発明を知らずに，平成２（１９９０）年９月２８日，ハ
ーフトーン型位相シフトマスクについて特許出願し，平成４（１９９
２）年５月１１日に公開され（特開平４−１３６８５４。乙１３の１），
平成１２（２０００）年９月１日に特許第３１０５２３４号として登録
された（乙１３の２。以下，これを「Ｐ３特許」といい，当該特許に係
る発明を「Ｐ３発明」という。）。
Ｐ３発明の公開時の請求項１は，次のとおりである。
「透明基板上に，露光光に対して半透明な領域と，透明な領域とを少な
くとも有し，該半透明な領域と，該透明な領域とをそれぞれ透過する光
の位相差が実質的に１８０°となる構成とし，該透明な領域のパタンは，
単一なホール，ドット，スペース又はラインのパタンであることを特徴
とするホトマスク。」
カ以上のとおり，ハーフトーン型位相シフトマスクは，バイナリマスクと
同様，遮光領域と透過領域の２領域からなる単純な構造であるため，その
製作も，バイナリマスクと同様，パターン形成が１回で済む。
これに対し，レベンソン型，補助開口型及びエッジ強調型の各位相シフ
トマスクは，いずれも，遮光領域と，位相を互いに反転させた２つの透過
領域との，合計三領域で構成されているため，バイナリマスクやハーフト
ーン型位相シフトマスクと比較すると，明らかに複雑な構造となっており，
パターンレイアウトが複雑となる。そして，マスク製作過程においては，
遮光領域と透過領域とを設ける１回目のパターン形成をした後に，透過領
域の一部に位相を反転させた領域を設ける２回目のパターン形成をするこ
とが必須となる。
そのため，商業的には，レベンソン型位相シフトマスクが一部用いられ
たほかは，ハーフトーン型位相シフトマスクのみが実施されることとなっ
た。そして，商業的に実施されたハーフトーン型位相シフトマスクは，光
透過率がわずか５％ないし６％の遮光領域と光透過領域とで回路パターン
を構成し，それらの領域をそれぞれ透過する光の位相が反転する構成とな
っている。
⑵レベンソン型位相シフトマスクと本件発明について
本件発明は，レベンソン型位相シフトマスクが刊行物等により公知となっ
た後になされ，かつ，特許出願されたものであるから，本件発明が，その技
術的範囲にレベンソン型位相シフトマスクを含むことはあり得ない。
(3)ハーフトーン型位相シフトマスクと本件発明について
ア被告への譲渡対象として原告が特定した発明の内容
原告は，本件発明を被告に譲渡するに当たり，出願依頼書兼譲渡証（乙
１６。以下「本件出願依頼書」といい，本件出願依頼書に記載された発明
を「本件当初発明」という。）を提出したが，そこで，譲渡対象である発
明について，自ら次のとおり特定し，完全遮光するクロム等の遮光膜が回
路パターンの構成に必須であることを明らかにしている。
●(省略)●
そして，日本９６７号特許の出願時の特許請求の範囲の請求項１も，前
記(1)エ(ア)ｂのとおり，「遮光領域，及び透過領域を備え，少なくとも部
分的にコヒーレントな光の照射によって所定パターンを転写するマスクで
あって，前記透過領域の一部に透明膜を形成し，前記透明膜を透過した光
と，前記透明膜が形成されていない透過領域を透過した光との間に位相差
が生じ，前記光の干渉光が，前記透過領域と遮光領域との境界部分におい
て弱め合うように，前記透明膜を配置したことを特徴とするマスク。」と
いうものであって，遮光領域と透過領域とで回路パターンを構成し，透過
領域の一部（境界領域）の位相を変化させることが明記されていた。
また，日本９６７号特許の出願の願書に添附された明細書（乙８。以下
「本件出願時明細書」という。）にも，回路パターンの描画方法につき，
「遮光領域Ａと透過領域Ｂとによって集積回路パターンの原画が構成され
ている。」（１４頁３行∼５行）と記載され，また，マスク構造と直接関
係のない第６図を除くすべての図面に金属層３（遮光膜）が明記されてい
る。さらに，同明細書の作用欄には，「上記した請求項１，３，６または
７記載の手段によれば，露光の際，一つの透過領域内において，透明膜，
あるいは位相シフト溝を透過した光と，これらが形成されていない部分を
透過した光とが，透過領域と遮光領域との境界部分，または遮光領域の端
部において弱め合うように干渉させることにより，マスク上のパターンの
転写精度を向上させる」（１１頁１３行∼末行）と記載されており，回路
パターンの描画される領域における遮光領域の存在を当然の前提としてい
る。
以上によれば，原告が被告に対して特許を受ける権利を譲渡した発明は，
レベンソン型位相シフトマスクやＰ５発明の位相シフトマスクと同じく，
遮光領域を必須の構成要素とし，遮光領域と透過領域とで構成される回路
パターンを有するものであって，そのうちの透過領域の一部（境界領域）
の位相を反転させるものであることは明らかである。
したがって，遮光領域をわずかに透過する光の位相を反転させるハーフ
トーン型位相シフトマスクは，譲渡対象として原告が特定した発明の技術
的範囲には含まれない。
イＰ２発明の公開との先後関係
(ア)本件発明がなされ，特許庁に出願されたのは，光リソグラフィ用ハ
ーフトーン型位相シフトマスクの基本発明であるＰ２論文が発行された
後であるから，本件発明が，その技術的範囲に当該論文に開示されたハ
ーフトーン型位相シフトマスクを含むことは，あり得ない。
(イ)ａ原告は，Ｐ２論文には近接等倍率露光法が開示されているのみで
あって，日本９６７号特許が対象とする縮小投影露光法は開示されて
いないとして，両者が異なるものと主張する。
しかしながら，Ｐ２論文には，「ＰＴＰＳ法（注：ハーフトーン型
位相シフト法）が光学投影システムへも応用可能であることはおそら
く特筆に値する」と記載されている（乙１１の１５２頁右欄３２∼３
３行（訳文７頁１５行））。そして，ここでいう「光学投影システ
ム」とは，この用語がＰ２論文で用いられた他の部分についての引用
論文等をみれば，縮小投影露光装置（ＧＣＡＭａｎｎ４８００）を
意味するものと理解される。
なお，原告は，Ｐ２論文の前記記載部分は，Ｘ線ＰＴＰＳ法につい
て述べるものであって，Ｘ線ＰＴＰＳ法は縮小投影露光法には適用で
きないことから，等倍投影露光法に限られると主張する。
しかしながら，そもそも，同記載部分は，Ｘ線ＰＴＰＳ法について
述べたものと解する理由はなく，また，Ｘ線ＰＴＰＳ法を等倍投影露
光法に適用することは，何ら光学投影システムへの応用ではないこと
から，原告の主張は，失当である。
そして，Ｐ２論文では，Ｘ線等倍露光への適用を論じる場合には，
「マスク」という用語を用いているのに対し，光学投影システムへの
適用を論じる際には，マスクの中でも，特に縮小投影露光法に用いる
光リソグラフィ用マスクを意味する「レチクル」という用語を用いて，
両者を使い分けている（乙２８，３８）。
また，Ｐ２論文が発表された１９８８年当時，微細加工を行うには
縮小投影露光法が既に一般に用いられていた（乙２４）から，位相シ
フト法を用いるほどの微細加工を行う場合における「光学投影システ
ム」とは，当業者にとって，縮小投影露光法を意味したものというべ
きである。
ｂ原告が露光法の違いの根拠として主張する線幅の違いについても，
Ｐ２論文は，線幅１００μｍの回路パターンを形成する技術のみを開
示するものではなく，線幅１００μｍの回路パターンでの「実験的モ
デリング」により，線幅０．２５μｍ（２５０ｎｍ）の線幅の回路パ
ターンへの適用が可能であることを示しているから，この線幅の違い
をもって，Ｐ２論文と日本９６７号発明が異なるということはできな
い。
また，回折の相違についても，ハーフトーン型位相シフトマスクを
近接等倍率露光法に用いる場合には，フレネル回折から生じる問題を
改善でき，これを縮小投影露光法に用いる場合には，フラウンホーフ
ァー回折から生じる問題を改善できるというだけであって，Ｐ２論文
に，ハーフトーン型位相シフトマスクとその縮小投影露光法への適用
が開示されているということと矛盾するものではない。
ｃ以上のとおり，Ｐ２論文には，ハーフトーン型位相シフトマスクを
縮小投影露光法に適用することが開示されているから，原告の主張は，
失当である。
ウ特許請求の範囲の解釈等について
(ア)遮光領域の存在
ａ本件各特許の特許請求の範囲のほとんどの請求項は，「遮光領域」
の語を明示的に含んでいる（日本９６７号特許の請求項７∼１７及び
同特許を除く他の日本各特許のすべての請求項）。そして，「遮光領
域」との語を明示的には含まない請求項においても，「第２光透過領
域はその幅が…その独立したパターンを…転写しないように第１光透
過領域の幅よりも狭くされている回路パターン」（日本９６７号特許
の請求項４∼６），「第１光透過領域及びその第１光透過領域と境界
を接する第２光透過領域よりなる回路パターン」（同特許の請求項１
∼３）というように，回路パターンが描画される領域においては，第
１光透過領域及び第２光透過領域の輪郭の外の領域（遮光領域）が存
在することを前提としている。
ｂまた，日本９６７号明細書には，①回路パターンの描画方法につい
て，「遮光領域Ａと透過領域Ｂとによって集積回路パターンの原画が
構成されている。」（９欄１２行∼１４行）と記載され，マスク構造
と直接関係のない第６図以外のすべての図面に遮光膜が記載されてお
り，かつ，②課題を解決するための手段欄に，請求項１と同じ集積回
路装置の製造方法を記載した後（８欄２行∼２８行），作用欄に，
「上記した本発明の集積回路装置の製造方法によれば，露光の際，一
つの透過領域内において，透明膜，あるいは位相シフト溝を透過した
光と，これらが形成されていない部分を透過した光とが，透過領域と
遮光領域との境界部分，または遮光領域の端部において弱め合うよう
に干渉させることにより，マスク上のパターンの転写精度を向上させ
る」（８欄２９行∼３６行）と記載されていることから，請求項１の
集積回路装置の製造方法においても，回路パターンの描画される領域
における遮光領域の存在を前提としていることが明らかである。
さらに，遮光領域を設けずに，２つの光透過領域のみで回路パター
ンを形成した場合には，いずれの透過領域を透過した光も半導体ウエ
ハ上のフォトレジスト膜を感光させてしまうため，目的とする回路パ
ターンを得ることができない。
したがって，日本９６７号発明が遮光領域の存在を前提としている
ことは，明らかである。
ｃなお，原告は，前記作用欄中の「遮光領域」の記載は，誤記である
と主張する。
しかしながら，日本９６７号明細書の実施例の作用・効果において
も，透明膜又は位相シフト溝を透過した光と通常の透過領域を透過し
た光とが，透過領域と遮光領域との境界部分において弱め合うため，
ウエハ上に投影される遮光領域の端部のぼけが大幅に改善される旨の
記載がされている（実施例１につき，１１欄１行∼１０行，同欄４２
∼４９行。実施例２につき，１４欄４８行∼１５欄７行，同欄２７行
∼３４行。）。また，発明の効果欄においても，「一つの透過領域内
において，透明膜，あるいは位相シフト溝を透過した光と，これらが
形成されていない部分を透過した光とが，透過領域と遮光領域との境
界部分，または遮光領域の端部において弱め合うように干渉させるこ
とによりマスク上のパターンの転写精度を向上させる」（２１欄１行
∼８行）との記載がされている。さらに，これらの各記載は，ぞれぞ
れ図面とも対応している。
このように，日本９６７号明細書には，一貫して，端部の鮮明化は，
透過領域と遮光領域との境界部分又は遮光領域の端部に生ずる旨開示
されており，前記作用欄の記載が誤記であるということはできない。
(イ)光透過領域の意義について
ａ日本９６７号明細書には，「一つの透過領域Ｂは，透明膜４ａに被
膜された部分と透明膜４ａの形成されていない部分とにより構成され
ている」（９欄１９行∼２１行）と記載されている。そして，日本９
６７号公報の第３図（ｂ）（マスク透過直後の光の振幅のグラフ）は，
この透過領域中の第１光透過領域と第２光透過領域とで，マスク透過
直後の光の振幅がプラスマイナス反対方向ではあってもほぼ同じ高さ
となっており，第１光透過領域と第２光透過領域のいずれも光透過率
がほぼ１００％であることを示している。
また，同明細書では，第１光透過領域又は第２光透過領域のいずれ
かに配置される位相シフタを「透明膜」と呼んでいる。通常の用語例
及び日本９６７号発明の目的とに照らして解釈すれば，「透明」とい
えるためには，少なくとも，透過光がフォトレジスト膜を感光する程
度の光透過率を有することを必須とするものと解される。なお，同明
細書の実施例２では，透明膜ではなく，基板に溝を掘り込むことで位
相を反転させる技術が開示されているが（第４図参照），この位相シ
フト溝は，光透過率を低下させるものではないから，この実施例２に
おける光透過領域の光透過率は，いずれも１００％である。
したがって，日本９６７号特許の特許請求の範囲の「光透過領域」
とは，少なくともフォトレジスト膜を感光する程度の光透過率を有す
る領域を意味し，当該特許請求の範囲は，回路パターンが，このよう
な光透過率を有する２つの領域（「第１光透過領域」及び「第２光透
過領域」）を有することを構成要件としているものと解釈される。
ｂなお，原告は，日本９６７号特許の特許請求の範囲には，「透明
膜」との記載はなく，また，光透過領域の光透過率にも制限を加えて
いないから，透明膜の光透過率は問われないと主張する。
しかしながら，日本９６７号明細書に開示されているのは，光透過
領域がほぼ１００％の第１光透過領域及び第２光透過領域のみである。
また，仮に，原告が主張するように，同明細書において，レジスト感
度以下の光透過率しか有しない光透過領域が開示されているとすると，
特許法３６条４項１号又は同６項１号に違反することになる。
(ウ)日本９６７号明細書の実施例をみても，これに開示されているのは，
次に述べるとおり，すべて３領域から成るエッジ強調型又は補助開口型
の位相シフトマスクであって，回路パターンが２領域から成る位相シフ
トマスクは，開示も示唆もされていない。
ａ実施例１
実施例１の構造は，回路パターンが完全遮光領域，第１光透過領域
及び第２光透過領域の３領域から成るエッジ強調型位相シフトマスク
であることは明らかである（９欄及び第１図参照）。
また，その製作工程も，遮光領域と透過領域を設ける１回目のパタ
ーン形成（１０欄３行∼６行）の後に，透明膜を設け（１０欄８行∼
１２行），所定部分をエッチングして除去することにより２つの透過
領域を設ける２回目のパターン形成（１０欄３０行∼３４行）が必要
であることが記載されている。
さらに，その作用についても，金属膜で被膜された遮光領域は，完
全に遮光され，他方で，透過領域は，位相シフタが設けられている領
域及びこれが設けられていない領域のいずれも，ほぼ１００％の光を
透過させている（日本９６７号公報第３図参照）。
なお，実施例１の別態様（同第１６図参照）も，３領域で構成され
ること，２回のパターン形成が必要であること及び金属層は完全に遮
光し，２つの光透過領域はほぼ１００％の光透過率を有することは同
様である。
したがって，実施例１は，いずれの態様も，エッジ強調型位相シフ
トマスクである。
ｂ実施例２
実施例２は，実施例１が透明膜を用いて位相を反転させたのに対し，
ガラス基板を掘り込んで位相を反転させたものであるが，回路パター
ンは，３領域から成り，製造工程においても，２回のパターン形成が
必要であり，作用としても，２つの光透過領域の光透過率がほぼ１０
０％であるから，エッジ強調型位相シフトマスクである。
ｃ実施例３及び４
実施例３及び４は，いずれも，回路パターンが３領域から成る補助
開口型位相シフトマスクである。
(エ)以上のとおり，日本９６７号発明で使用される位相シフトマスクは，
第１光透過領域と第２光透過領域とから成る透過領域と遮光領域の３領
域で構成される回路パターンを有し，第１，第２の各光透過領域の光透
過率は，いずれもほぼ１００％であり，そのいずれか一方の透過光の位
相を反転させるものであって，エッジ強調型位相シフトマスクであるこ
とは明らかである。
これに対し，ハーフトーン型位相シフトマスクは，透過光の位相を反
転させない光透過領域と，光をわずかに透過するとともにその透過光の
位相を反転させる遮光領域の２領域で構成される回路パターンであって，
かつ，ハーフトーン遮光膜で被膜した領域は，５∼６％の光透過率しか
有しておらず，２つの光透過領域を有していない。
したがって，ハーフトーン型位相シフトマスクを使用する集積回路装
置の製造方法は，日本９６７号発明の技術的範囲には含まれない。
(オ)日本９６７号明細書に関するその他の原告の主張について
ａ原告は，位相シフタとして用いる透明膜の材料の一例として記載さ
れたポリメチルメタアクリレートが，波長１９３ｎｍの紫外線（Ａｒ
Ｆ）では，光透過率が１％程度であるということをもって，日本９６
７号明細書には，ハーフトーン型位相シフトマスクが開示されている
と主張する。
しかしながら，同明細書において，ポリメチルメタアクリレートは，
あくまでも透明膜の一例として挙げられているにすぎない（２０欄３
５行∼３８行）。
また，同明細書には，出願当時に一般的であったｉ線（波長３６５
ｎｍ）を用いることが明記されており（９欄３３行∼３４行），波長
１９３ｎｍの光を用いることは，開示も示唆もされていない。そして，
ｉ線を用いた場合には，ポリメチルメタアクリレートの光透過率は，
ほぼ１００％である。
仮に，波長１９３ｎｍの光を用いたとしても，ポリメチルメタアク
リレートの光透過率は１００％に近い（乙２５。なお，これが，日本
９６７号特許の出願後の光透過率向上の成果を反映させたもので，当
該出願時の当業者の認識を示すものではないとの原告の主張は，ポリ
メチルメタアクリレートが単一の化学物質であって，その光透過率を
向上させるということ自体，論理的に矛盾しており，失当である。）。
原告の主張が依拠する証拠（甲５３）は，厚さ２㎜の場合の透過率
を示すものであり，膜厚２００ｎｍ弱の位相シフタとは，その厚さが
１万倍も異なる。また，ポリメチルメタアクリレート等の飽和脂肪族
系の樹脂は，樹脂中に芳香環（ベンゼン環）構造を有していないから，
「樹脂中の芳香環（ベンゼン環）構造はＡｒＦエキシマレーザー光の
波長付近に極めて大きな吸収極大を持（つ）」（甲５３添付書類２の
５欄９行∼１１行）ものではない。
そして，甲６０公報のＦｉｇ．４も，透過率は異なるが，波長２２
０ｎｍ∼３００ｎｍ付近の曲線の変化は，乙２５論文と同等であって，
これは，膜厚の違いによるものと推測される（原告が主張する膜厚
（８５０ｎｍ）は，甲６０公報には明示されておらず，その根拠が不
明である。）。また，同Ｆｉｇ．４には，波長２２０ｎｍ以下は示さ
れていないが，乙２５論文から明らかなとおり，波長２２０ｎｍ以下
では透過率が再び上昇する。したがって，同Ｆｉｇ．４も，原告の主
張を裏付けるものではない。
また，甲６４論文の図１も，そこに示された波長１９３ｎｍのとき
の吸収係数を基に，膜圧を２００ｎｍとして計算すれば，透過率は９
１％となるから，これも原告の主張を裏付けるものではない。
ｂ原告は，日本９６７号明細書には，厚さ３０ｎｍのＣｒ層（金属
層）が開示されており，その場合に，露光光としてｉ線（波長３６５
ｎｍ）を用いたときは，当該Ｃｒ層は，３％程度の光を透過するとし
て，このＣｒ層がハーフトーンであると主張する。
しかしながら，同明細書に記載された金属膜の膜圧は，すべて５０
０∼３０００Å（５０∼３００ｎｍ）であり，膜圧３０ｎｍの金属ク
ロム層は，記載されていない。
また，金属クロム層は，あくまで遮光領域を形成するものとされて
おり，第３図等では，遮光領域における光の振幅は０であるから，こ
れが完全遮光することが示されている。
ｃ原告は，甲６１公報や「２層構造ＨＴ−ＰＳＭの実用化について」
と題する書面（甲８６。以下「甲８６書面」という。）を挙げて，ハ
ーフトーン型位相シフトマスクは２領域のものでなければならないと
いう技術常識はないと主張する。
しかしながら，被告が主張するのは，半導体業界において実用化さ
れたハーフトーン型位相シフトマスクは，透過領域と遮光領域の２領
域から構成される回路パターンを有するということであって，実際に，
３領域から成るハーフトーン型位相シフトマスクは実用化されていな
い。また，甲８６書面に記載された３領域から成るハーフトーン型位
相シフトマスクとは，チップの最外周のみを完全遮光領域としたもの
であって，当該領域が回路パターンを構成するものではない。
エ無効理由の存在
(ア)Ｐ２論文に基づく新規性又は進歩性の欠如
前記イのとおり，本件各特許の出願前に発行されたＰ２論文は，光リ
ソグラフィに用いるマスクとして，完全遮光膜を有するマスクに代えて，
光をわずかに透過させ位相を反転させた遮光領域を有するマスクを開示
している。したがって，日本９６７号発明がハーフトーン型位相シフト
マスクを含むとすれば，当該発明とＰ２発明とは同一となって，新規性
を欠くことになる。
(イ)記載要件違反
日本９６７号明細書には，第１光透過領域と第２光透過領域のみから
成り回路パターンの領域に遮光領域が存在しないマスクは，一切記載さ
れていない。また，そのようなマスクで回路パターンの転写を行うため
には，第２光透過領域の光透過率が５∼６％程度であってレジスト感度
以下となることが不可欠であるが，日本９６７号明細書には，そのよう
な発明の実施に不可欠な情報が全く記載されておらず，むしろ，反対に，
第２光透過領域の位相シフト膜も透明でなければならない旨が随所に記
載されている。
したがって，仮に，日本９６７号発明が，遮光領域を有しない２領域
から成る位相シフトマスクや，ハーフトーン型位相シフトマスクを含む
ものとすれば，特許法第３６条６項１号及び同条４項に違反することに
なる。
(ウ)これらのことからしても，ハーフトーン型位相シフトマスクは，日
本９６７号発明の技術的範囲から除外されるものと解される。
オ原告のその他の主張について
原告は，被告戦略特許取得速報の記載をもって，被告が，日本９６７号
発明の技術的範囲にハーフトーン型位相シフトマスクが含まれることを自
認していると主張する。
同速報が作成された平成９（１９９７）年当時，その作成者である被告
担当者らが，日本９６７号発明の技術的範囲にハーフトーン型位相シフト
マスクが含まれ得るとの認識又は願望を有していたことは否定しない。し
かしながら，客観的に検討すれば，同発明の技術的範囲にはハーフトーン
型位相シフトマスクは含まれないものであって，前記認識又は願望は誤り
である。なお，被告においては，日本９６７号特許の出願時や，平成３
（１９９１）年夏に日本９６７号特許につき戦略特許賞の推薦が被告社内
でなされた時点では，日本９６７号発明は，あくまでもエッジ強調型位相
シフトマスクの発明と認識されていた（甲３５の３参照）。
そして，特許発明の技術的範囲は，特許請求の範囲，明細書及び図面の
記載に基づいて客観的に行うべきであり，被告の過去における誤った認識
や願望を斟酌すべきでないことは明らかであるから，原告の前記主張は誤
りである。
(4)小括
以上のとおり，本件各特許発明の技術的範囲には，商業的に実施された位
相シフトマスクは含まれず，仮に，それらを含むとすると，本件各特許は無
効といわざるを得なくなる。
したがって，本件各特許発明は，商業的に実施された位相シフトマスクを，
その技術的範囲に含むということはできない。
２争点(1)イ（被告が包括クロスライセンス契約において本件各特許により得た
利益の額）について
（原告の主張）
(1)被告が包括クロスライセンス契約により得た実施料収入及び本件各特許に
より得た利益の額について
ア算定方法について
(ア)本件各特許は，前記１のとおり，ハーフトーン型位相シフトマスク
をカバーするから，被告が本件各特許によって得た利益の額は，被告が，
本件訴訟が提起される前に，本件各特許がハーフトーン型位相シフトマ
スクをカバーする可能性があることを前提として，自ら本件各特許に配
分していた額によって算定する以外に，合理的な算定方法は存在しない。
(イ)被告の主張について
ａ被告は，本件各特許の寄与は，特許ポートフォリオにおける本件各
特許の割合にすぎないと主張する。
しかしながら，このような被告の主張は，本件各特許がハーフトー
ン型位相シフトマスクをカバーしないことを前提とするものであって，
その前提において誤っている。
ｂまた，被告は，ルネサス分社化後の平成１５（２００３）年４月１
日以降は，被告の受けるべき利益は，被告が有するルネサスの株式の
保有割合である５５％に応じて減額されるべきであると主張する。
しかしながら，このような被告の主張は，①被告は，ルネサス全体
の利益につき，５５％の配当を受けるのであって，本件各特許がルネ
サス全体の利益の５５％の配当を得る地位を享受し得たことに寄与し
た場合には，株式保有割合に応じて減額されるべきではないこと，②
前記争いのない事実等(3)オの被告とルネサスとの間の合意内容に照ら
して，従業員等が行った発明により使用者等が受けるべき利益の額に
つき，株式保有割合に応じて減額することは，合意されておらず，平
成１７（２００５）年度支払分の実績報奨金明細書（甲１９）にも，
ルネサスの報奨金制度に基づいて算定された額を満額支払うことが記
載されていること，③被告の主張によれば，ルネサスに転籍した者は
１００％の額の支払を受けるのに対し，その余の者は５５％の額に減
額されるという，いわれなき差別を受けることになってしまうこと等
から，理由がない。
仮に，被告がルネサスの株式保有割合に応じた支払義務を負うとし
ても，被告がそのような主張を行うことは，被告が１００％の金額を
支払っても，その支払額はルネサスから補償されること（前記争いの
ない事実等(3)オ参照），前記③のとおり，ルネサスへの転籍者とそれ
以外の者とで区別する合理的な理由はないこと等から，信義則に違反
し，また，権利の濫用であって，許されない。
(ウ)そこで，以下，被告が自ら本件各特許に配分していた額によって，
被告が本件各特許によって得た利益額を算定する。
イ平成１２（２０００）年度及び平成１３（２００１）年度分について
(ア)被告は，平成１２（２０００）年度及び平成１３（２００１）年度
に，特許料収入として●(省略)●円，クロス効果として●(省略)●円の
合計●(省略)●円を得て，このうち，●(省略)●円を本件各特許に対し
て配分している，
したがって，被告は，平成１２（２０００）年度及び平成１３（２０
０１）年度の２年間に，本件各特許により●(省略)●円の利益を得てい
る。
(イ)被告は，原告に対し，実績報奨金として，平成１２（２０００）年
度に得た利益から１６０万円を，平成１３（２００１）年度に得た利益
から４００万円をそれぞれ支払っていることからすれば，被告が平成１
２（２０００）年度及び平成１３（２００１）年度に本件各特許から得
た利益●(省略)●円のうち，平成１２（２０００）年度に被告が本件各
特許から得た利益は，●(省略)●円×１６０万円÷（１６０万円＋４０
０万円）＝●(省略)●円であると合理的に推定される。
これと同様に，平成１３（２００１）年度に被告が本件各特許から得
た利益は，●(省略)●円×４００万円÷（１６０万円＋４００万円）＝
●(省略)●円であると合理的に推定される。
ウ平成１４（２００２）年度∼平成１６（２００４）年度分について
(ア)被告又はルネサスは，平成１４（２００２）年度∼平成１６（２０
０４）年度に，①本件各特許の提示・議論がされた相手方との契約によ
る特許料収入として●(省略)●円，クロス効果として●(省略)●円の合
計●(省略)●円を得て，このうち，●(省略)●円を本件各特許に対して
配分し，②本件各特許の提示・議論がされなかった相手方との契約によ
る特許料収入として●(省略)●円，クロス効果として●(省略)●円の合
計●(省略)●円を得て，このうち，●(省略)●円を本件各特許に配分し
ている。
したがって，被告又はルネサスは，平成１４（２００２）年度∼平成
１６（２００４）年度の３年間に，本件各特許により，この配分額の合
計●(省略)●円の利益を得ている。
(イ)被告又はルネサスは，原告に対し，実績報奨金として，平成１４
（２００２）年度に得た利益から４２０万円を，平成１５（２００３）
年度に得た利益から５００万円を，平成１６（２００４）年度に得た利
益から７４３万０９３２円をそれぞれ支払っていることからすれば，被
告又はルネサスが平成１４（２００２）年度∼平成１６（２００４）年
度に本件各特許から得た利益●(省略)●円のうち，平成１４（２００
２）年度に被告が本件各特許から得た利益は，●(省略)●円×４２０万
円÷（４２０万円＋５００万円＋７４３万０９３２円）＝●(省略)●円
であると合理的に推定される。
同じく，平成１５（２００３）年度に被告又はルネサスが本件各特許
から得た利益は，●(省略)●円×５００万円÷（４２０万円＋５００万
円＋７４３万０９３２円）＝●(省略)●円であり，平成１６（２００
４）年度に被告又はルネサスが本件各特許から得た利益は，●(省略)●
円×７４３万０９３２円÷（４２０万円＋５００万円＋７４３万０９３
２円）＝●(省略)●円と合理的に推定される。
エ平成１７（２００５）年４月１日∼平成２０（２００８）年１１月２１
日の分
日本９６７号特許の特許期間満了日は，平成２０（２００８）年１１月
２２日である。そして，当該特許以外の本件各特許には，同日以降も有効
な特許が存在するが，原告は，日本９６７号特許の満了日の前日である平
成２０（２００８）年１１月２１日までの期間に対応して被告又はルネサ
スが得たと認められる利益に基づき，相当対価の額を主張する。
(ア)特許料収入額
被告又はルネサスは，原告に支払った実績報奨金の算出の基礎とした
ライセンス契約に基づき，①平成１７（２００５）年度に●(省略)●円
及び●(省略)●米ドル，②平成１８（２００６）年度に●(省略)●円及
び●(省略)●米ドル，③平成１９（２００７）年度に●(省略)●円及び
●(省略)●米ドル，④平成２０（２００８）年度の前半（平成２０（２
００８）年４月１日∼同年９月３０日）に●(省略)●円及び●(省略)●
米ドルの実施料の支払を受けた。
そして，平成２０（２００８）年度の後半（平成２０（２００８）年
１０年１日∼平成２１（２００９）年３月３１日）に被告又はルネサス
が支払を受けた実施料の額のうち，平成２０（２００８）年度前半の売
上げに対応する実施料として支払われた分（Ｆ社分）及び平成２０（２
００８）年１１月２１日を跨ぐ期間に対応する実施料として固定額で支
払われた分（Ｃ社及びＧ社分）から，同日以前の分を日割り計算により
算定した額とを合算すると，●(省略)●円及び●(省略)●米ドルとなる。
このうち，被告又はルネサスが米ドルにより受領した額については，
被告が「３月期決算短信補足資料」で公表した為替レート（平成１７
（２００５）年度分は１ドル１１４円，平成１８（２００６）年度分は
１ドル１１７円，平成１９（２００７）年度分は１ドル１１４円，平成
２０（２００８）年度前半分は１ドル１０１円）で日本円に換算して合
計すれば，被告らが現実に支払を受けた実施料の額は，①平成１７（２
００５）年度分が●(省略)●円，②平成１８（２００６）年度分が●(省
略)●円，③平成１９（２００７）年度分が●(省略)●円，④平成２０
（２００８）年４月１日∼同年１１月２１日分が●(省略)●円となり，
その合計額は，●(省略)●円となる。
(イ)クロス効果の額
ａ前記ウのとおり，被告又はルネサスが，平成１４（２００２）年度
∼平成１６（２００４）年度に，特許料収入として●(省略)●円を得，
クロス効果として●(省略)●円を得ている。すなわち，被告又はルネ
サスは，平成１４（２００２）年度∼平成１６（２００４）年度にお
いて，当該期間に得た特許料収入の●(省略)●倍（≒●(省略)●円÷
●(省略)●円）に相当するクロス効果を得たと算定している。
そして，これと同様に，平成１７（２００５）年４月１日∼平成２
０（２００８）年１１月２１日におけるクロス効果についても，特許
料収入の●(省略)●倍に相当する額を得ているというべきであるから，
被告又はルネサスが当該期間において得たクロス効果の額は，当該期
間における特許料収入の●(省略)●倍の額である●(省略)●円（＝●
(省略)●円×●(省略)●）と合理的に算定される。
ｂ被告が当該期間のクロス効果の額の根拠とする平成２１年第１３１
号実施料配分表に関する事実実験公正証書（乙４６）の基礎となった
平成１８（２００６）年度∼平成２０（２００８）年度の各年度の実
施料配分表は，いずれも本件訴訟提起後に作成された文書であり，そ
のデータの入力行為も本件訴訟提起後にされたものであるから，信用
性を欠く。
(ウ)本件各特許に配分すべき額（本件各特許の寄与度）
前記ウのとおり，被告又はルネサスが平成１４（２００２）年度∼平
成１６（２００４）年度に得た特許料収入及びクロス効果の合計額であ
る●(省略)●円のうち，本件各特許から得た利益額は●(省略)●円であ
ることからすれば，被告又はルネサスが平成１４（２００２）年度∼平
成１６（２００４）年度に得た利益のうち，本件各特許からの利益が占
める割合（すなわち，本件各特許の寄与度）は，●(省略)●％（＝●(省
略)●円÷●(省略)●円）である。
そして，被告又はルネサスが平成１７（２００５）年４月１日∼平成
２０（２００８）年１１月２１日に得た利益に対する本件各特許の寄与
度が，その直前の時期である平成１４（２００２）年度∼平成１６（２
００４）年度に被告又はルネサスが得た利益に対する本件各特許の寄与
度よりも低いと評価しなければならない合理的根拠はない。
したがって，被告又はルネサスが平成１７（２００５）年４月１日∼
平成２０（２００８）年１１月２１日に得た利益に対する本件各特許の
寄与度は，●(省略)●％と解するのが相当であるから，被告又はルネサ
スが当該期間に本件各特許により得た利益の額は，●(省略)●円（＝
（●(省略)●円＋●(省略)●円）×●(省略)●％）である。
オ平成９（１９９７）年１０月２４日∼平成１２（２０００）年３月３１
日の分
日本９６７号特許の登録日は平成９（１９９７）年１０月２４日である。
そして，当該特許以外の本件各特許については，同日以前に登録がされた
特許が存在するが，原告は，日本９６７号特許の登録日である同日以降の
期間に対応して被告が支払を受けたと認められる利益に基づき，相当対価
の額を主張する。
(ア)特許料収入額
被告は，原告に支払った実績報奨金の算出の基礎としたライセンス契
約に基づき，①平成９（１９９７）年度の後半（平成９（１９９７）年
１０月１日∼平成１０（１９９８）年３月３１日）に●(省略)●円及び
●(省略)●米ドル，②平成１０（１９９８）年度に●(省略)●円及び●
(省略)●米ドル，③平成１１（１９９９）年度に●(省略)●円及び●(省
略)●米ドルの実施料の支払を受けた。
そして，前記①の平成９（１９９７）年度の後半に被告が支払を受け
た実施料の額のうち，平成９（１９９７）年１０月２４日（日本９６７
号特許の登録日）より前の期間の売上げに対応する実施料として支払わ
れた分（Ｅ社及びＦ社分）を除外し，更に同日を跨ぐ一定期間の実施料
として固定額で支払われた分（Ａ社，Ｃ社，Ｇ社，Ｈ社及びＩ社分。Ｈ
社の頭金分は含めない。）につき日割り計算により同日以降の分を算定
すると，●(省略)●円及び●(省略)●米ドルとなる。
このうち，被告が米ドルにより受領した額については，被告が米国Ｓ
ＥＣに提出した「Ｆｏｒｍ２０−Ｆ」に記載している通年の平均為替
レート（平成９（１９９７）年度は１ドル１２３．５７円，平成１０
（１９９８）年度は１ドル１２８．１０円，平成１１（１９９９）年度
は１ドル１１０．０２円）で日本円に換算して合計すれば，被告が現実
に支払を受けた実施料の額は，①平成９（１９９７）年１０月２４日∼
平成１０（１９９８）年３月３１日分が●(省略)●円，②平成１０（１
９９８）年度分が●(省略)●円，③平成１１（１９９９）年度分が●(省
略)●円であり，その合計額は，●(省略)●円となる。
(イ)クロス効果の額
前記イのとおり，被告は，平成１２（２０００）年度及び平成１３
（２００１）年度に，特許料収入として●(省略)●円，クロス効果とし
て●(省略)●円を得ており，被告は，平成１２（２０００）年度及び平
成１３（２００１）年度に，同時期に得た特許料収入の●(省略)●倍
（≒●(省略)●円÷●(省略)●円）に相当するクロス効果を得たと算定
している。
そして，平成９（１９９７）年１０月２４日∼平成１２（２０００）
年３月３１日の期間におけるクロス効果についても，平成１２（２００
０）年度及び平成１３（２００１）年度の特許料収入とクロス効果の割
合である特許料収入の●(省略)●倍に相当する額を得ているというべき
であるから，被告が当該期間に得たクロス効果の額は，①平成９（１９
９７）年１０月２４日∼平成１０（１９９８）年３月３１日分が●(省
略)●円（＝●(省略)●円×●(省略)●），②平成１０（１９９８）年度
分が●(省略)●円（＝●(省略)●×●(省略)●），③平成１１（１９９
９）年度分が●(省略)●円（＝●(省略)●円×●(省略)●）であると合
理的に算定され，その合計額は，●(省略)●円となる。
(ウ)本件各特許に配分すべき額（本件各特許の寄与度）
前記イのとおり，被告が平成１２（２０００）年度及び平成１３（２
００１）年度に得た特許料収入及びクロス効果の合計額である●(省略)
●円のうち，本件各特許から得た利益の額は●(省略)●円であることか
らすれば，被告が平成１２（２０００）年度及び平成１３（２００１）
年度に得た利益のうち，本件各特許からの利益が占める割合（本件各特
許の寄与度）は，●(省略)●％（＝●(省略)●円÷●(省略)●円）であ
る。
そして，本件各特許は，①被告が「交渉材料として用いた特許」であ
るか，又は，②従前締結済みの包括クロスライセンス契約が継続してお
り，契約更新の交渉をする機会がなかった場合か若しくは契約更新に際
して特許を提示する機会がなかった場合において，被告が「交渉したな
らば交渉材料としたであろうと評価した特許」であって，平成９（１９
９７）年１０月２４日∼平成１２（２０００）年３月３１日の間に被告
が得た利益に対する本件各特許の寄与度が，その直後の時期である平成
１２（２０００）年度及び平成１３（２００１）年度に被告が得た利益
に対する本件各特許の寄与度よりも低いと評価しなければならない合理
的根拠はない。
したがって，被告が平成９（１９９７）年１０月２４日∼平成１２
（２０００）年３月３１日の間に得た利益に対する本件各特許の寄与度
は，●(省略)●％と解するのが相当であるから，被告が当該期間に本件
各特許から得た利益の額は，●(省略)●円（＝（●(省略)●円＋●(省
略)●円）×●(省略)●％）である。
⑵被告が得た実施料収入に対する本件各特許の寄与を基礎付ける事実
ア●(省略)●
イ●(省略)●
ウ●(省略)●
エ被告は，原告に対し，前記争いのない事実等(4)のとおり，実績報奨金を
支払っている。そして，●(省略)●，被告が日本９６７号特許により多額
の実施料を得ていることを裏付けている。
●(省略)●
オ原告は，被告の平成３年度戦略特許賞「金賞」を，代表で受賞した（甲
３５の１ないし３，３６）。
(ア)●(省略)●
したがって，原告が戦略特許賞「金賞」の代表であることを否認する
被告の主張は，事実でない。
(イ)●(省略)●
(3)被告の主張について
ア特許を受ける権利を譲り受けたことによる利益について
被告は，①ハーフトーン型位相シフトマスクが本件各特許発明の技術的
範囲に含まれないこと，又は②Ｐ２論文はハーフトーン型位相シフトマス
クの縮小投影露光法への適用を開示していたことのいずれか一方又は双方
が認められれば，直ちに，被告が本件発明について特許を受ける権利を譲
り受けたことによる利益は存在しないことを意味すると主張する。
(ア)しかしながら，前記１のとおり，①ハーフトーン型位相シフトマス
クは本件各特許発明の技術的範囲に含まれるし，また，②Ｐ２論文はハ
ーフトーン型位相シフトマスクの縮小投影露光法への適用を開示してい
ない。
(イ)仮に，これらのいずれか一方又は双方が認められるとしても，その
ことから直ちに，被告が本件発明に係る特許を受ける権利を譲り受けた
ことによる利益は存在しないということにはならない。
すなわち，旧特許法３５条３項に照らせば，相当対価請求権は，職務
発明の承継があったことのみをもって発生し，また，同条４項には，
「特許権による法律上の排他的地位にあったこと」を要件とする文言が
存在しないから，同条３項の相当対価請求権は，特許権による法律上の
排他的地位にあったことにより使用者等が利益を受けることを要件とし
ていないと解される。
したがって，他社技術が当該職務発明に係る特許権に抵触するか否か，
また，当該特許権に無効原因があるか否かにかかわらず，使用者等が承
継した発明により事実上の排他的利益を得たのであれば，当該使用者等
は，当該事実上の排他的利益のうち，旧特許法３５条４項を考慮して算
出される従業員発明者への分配額を従業員発明者に支払わなければなら
ないと解される。
よって，被告の前記主張は，失当である。
(ウ)以上のことからすれば，実施料分についての相当の対価の請求の場
合にあっては，ライセンス契約締結時に，相手方が，被告の特許に無効
事由があると主張し，又は，相手方製品は非侵害であると主張したため
に，実施料が減額又はゼロとなったというような事情がない限り，この
ような主張がされたことのみをもって，相当の対価の減額事由とする必
要はない。
また，使用者が無効事由を対価請求訴訟において初めて主張した場合
には，特許無効が確定するまでに当該特許により獲得した超過利益を誰
にも返還する義務を負わないのであるから，当該無効事由の存在により，
相当の対価を減額し，又はゼロとすべきではない。
(エ)被告が日本９６７号特許に無効原因があると主張することは，信義
則に違反する。
すなわち，被告は，譲渡を受けた発明に基づいて特許を得た後，その
特許年金を支払ってこれを維持し，明白な特許無効事由がないことによ
り，特許の対世的な排他的独占力を享受している。さらに，被告は，当
該特許に基づいてライセンシーから実施料という超過利益を得，かつ，
原告に，日本９６７号特許につき，実績報奨金を支払っている。
他方で，被告は，譲渡を受けた発明の「相当の対価」の支払が問題に
なると，当該特許には無効原因等があること及び公知例等の存在により
クレームは縮小解釈されるべきであることを理由の１つとして，発明の
譲渡の相当の対価額はゼロである旨主張する。
このような被告の主張は，信義則に反するものであって，許されるべ
きではない。
イ包括クロスライセンス契約の実施料について
被告は，相手方がライセンス交渉で提示された特許以外の特許に対して
も脅威を感じて実施料の支払に応じることがあると主張する。
しかしながら，ライセンス交渉の相手方が被告の特許を実施していなけ
れば，被告は，実施料を得ることはできない。また，当該相手方が被告の
特許を実施していることが推測の域にある特許については，被告が，相手
方が同特許を実施していることを実証し，又は相手方が同特許を実施せざ
るを得ないことを示さない限り，相手方が，同特許につき脅威を感じて実
施料の支払に応じるということはあり得ない。
他方で，相手方が被告の特許を実施している場合には，被告が，その特
許を特定して交渉相手に提示し，「同特許に代替手段がなく，相手方は，
同特許を実施せざるを得ないこと」を立証しなければ，相手方から同特許
についての実施料を得られない。
したがって，相手方から特許の実施料を獲得するために必要なことは，
被告の所有する特許が２万件に上るといった特許の数の大小の問題ではな
く，①交渉相手が被告の特定の特許を実施しているか否か，②同特許に代
替手段がないか否か，③同特許が有効であるか否かの３つである。
そして，現に，被告は，実施料獲得のために，特許ライセンスの交渉材
料として，日本９６７号特許を用い，相手方は，同特許のライセンスを受
け，実施料を支払っている。
また，被告は，ライセンス交渉の相手方から，ハーフトーン型位相シフ
トマスクは本件各特許の権利範囲に含まれないとの主張や，日本９６７号
特許は無効であるとの主張がされたと主張するが，現に，同特許がこれま
で無効審判や侵害訴訟等で無効と判断され，取得した実施料を返還したわ
けではなく，また，被告が，当該相手方の主張を認めて，実施料を減額し，
又はゼロとしたというわけでもないから，被告は，同特許により実施料の
支払を受けて，独占の利益を得ているのであり，この支払を受けた実施料
を相当対価算定の基礎とすべきであって，前記の相手方の主張があったこ
とのみをもって，減額事由と解すべきではない。
ウハーフトーン型位相シフトマスクの商業的実施について
被告は，平成９（１９９７）年１０月２４日∼平成１２（２０００）年
３月３１日の期間においては，ハーフトーン型位相シフトマスクは商業的
に実施されていなかったと主張する。
しかしながら，大日本印刷株式会社は，平成８（１９９６）年１０月の
時点で，半導体メーカーからハーフトーン型位相シフトマスクを受注し，
出荷していたこと（甲８５），同年１１月の時点で，３領域から成る２層
構造のハーフトーン型位相シフトマスクが商業的に実施されていたこと
（甲８６）から，原告の主張は，失当である。
（被告の主張）
(1)本件発明により被告が受けた利益又は受けるべき利益について
ア被告が受けた利益又は受けるべき利益は存在しないこと。
(ア)旧特許法３５条４項の「その発明により使用者等が受けるべき利益
の額」とは，使用者等が当該発明を実施する権利を排他的に独占するこ
とによって得られる利益（独占の利益）の額であると解される。そうす
ると，何人によっても当該発明が実施されておらず，かつ，当該不実施
が当該発明に係る特許の禁止権に基づくものでない場合には，使用者等
に独占の利益は認められないことになる。
そして，前記１のとおり，これまで商業的に実施された位相シフトマ
スクは，レベンソン型位相シフトマスクが一部用いられたほかは，ハー
フトーン型位相シフトマスクのみである。
しかしながら，前記１のとおり，レベンソン型位相シフトマスクは，
本件各特許発明の技術的範囲には含まれない。また，ハーフトーン型位
相シフトマスクも，本件各特許発明の技術的範囲に含まれず，公知のＰ
２論文は，ハーフトーン型位相シフトマスクとその縮小投影露光法への
適用を開示しており，ハーフトーン型位相シフトマスクが本件各特許発
明の技術的範囲に含まれるとすれば，日本９６７号特許は無効となって
しまう。
以上のとおり，被告も，第三者も，本件各特許発明を実施しておらず，
また，今後実施する見込みもない。また，本件各特許発明が実施されて
いないのは，エッジ強調型位相シフトマスクよりも，ハーフトーン型位
相シフトマスクの方が実用的であるとの理由に基づくものであるから，
本件各特許による禁止権とは何の関連性もない。
したがって，被告が本件発明について特許を受ける権利を譲り受けた
ことにより，これまで受けた独占の利益又は今後受けるべき独占の利益
は存在しないということができる。
(イ)原告は，事実上の排他的利益を得た限り，旧特許法３５条４項を考
慮して算出される従業員発明者への分配額を従業員発明者に支払わなけ
ればならないと主張する。
しかしながら，旧特許法３５条３項は，法的権利である「特許を受け
る権利若しくは特許権」を承継させたことの対価であると定めており，
「事実上の排他的利益」の対価の支払を義務付けた規定であると解釈す
る根拠はない。また，法律上の排他的地位があるからこそ，事実上の排
他的地位を実現できるのであって，法律上の排他的地位なしに，事実上
の排他的地位を確立することはできない。更には，形式的に特許登録が
あれば，無効原因の有無や実施の有無にかかわらず，事実上の排他的地
位があるとする原告の主張は，論外である。
実際に，本件各特許発明は，被告によっても，第三者によっても実施
されたことはない。そして，使用者等に承継された権利に係る発明が実
施されなかった場合には，「使用者等が受けるべき利益」は，存在しな
い。
また，ライセンス交渉において，その相手方から，本件各特許発明を
実施していないことや，無効原因を具体的に主張されたのであるから，
被告が締結した包括クロスライセンス契約による実施料の受領に対する
本件各特許の寄与を観念する余地はなく，日本９６７号特許の登録と包
括クロスライセンス契約締結による利益との間に因果関係はない。
したがって，被告は，本件各特許の法律上の排他的地位により利益を
受けていないのみならず，事実上の排他的地位による利益も受けていな
い。
イ包括クロスライセンス契約の締結について
(ア)被告は，その半導体グループが管理する約２万件の特許（本件各特
許を含む。）のすべてを包括して，ルネサスはその保有する約４万件の
特許（本件各特許を含む。）のすべてを包括して，それぞれ国内外の半
導体メーカーに対するライセンス供与を行ってきており，個別の特許を
実施許諾の対象としたことはない。
(イ)そもそも，包括ライセンス契約に基づく実施料は，法的にも，実質
的にも，その対象とされた約２万件のすべての特許の実施許諾に対する
対価として支払われるものであって，契約交渉の交渉材料として権利者
が提示した特許の実施許諾のみに対する対価として支払われるのではな
い。そして，数万件の特許権のすべてについて，その実施の有無を検証
し，特許発明との抵触を回避することは，ほぼ不可能であるから，相手
方から交渉材料として提示された特許以外の特許に対して脅威を感じ，
そのために実施料の支払に応じることもしばしばである。これが，数万
件の特許権からなるポートフォリオの持つ力であり，ポートフォリオを
構成する個々の特許権の価値の合計を超えた独自の価値をもつ。だから
こそ，大手電機メーカー各社は，このポートフォリオを育成・維持する
ことにしのぎを削っているのであって，それに成功して初めて，個別特
許の特許議論に多大な時間を費やすことなく，ライセンス契約の締結に
至ることができる。
そして，このような包括ライセンス契約の交渉において，ライセンス
の対象となる特許１件ごとにライセンス料を定め，それを積み上げて実
施料総額を定めるということは行っておらず，約２万件の特許から構成
されるポートフォリオを対象として，その価値を適正に評価すべく当事
者間で交渉が行われるのである。そして，このようなライセンス契約に
より実施料の授受があったとしても，ポートフォリオを構成する個々の
特許の存在と実施料の授受との間に直接の因果関係を認めることはでき
ないし，相手方に提示され，相手方からも代表特許として認められたも
のを除いては，個々の特許について，実施料の取得に対する寄与を直接
認めることは，著しく困難である。ライセンス交渉において，１件の特
許発明の不実施又は無効が明らかになったにもかかわらず，実施料が減
額されたり，実施料の返還を求められることがなかったという事実は，
当該不実施又は無効の主張が成り立たなかったからではなく，むしろ，
当該特許権が包括ライセンス契約締結及び当該契約に基づく実施料の授
受に直接には寄与していないことを意味する。
(ウ)被告は，包括ライセンス契約締結の交渉に当たって，本件各特許を
交渉材料の１つとして用いたことがある。
しかしながら，本件各特許を提示特許としたのは，当該特許の評価に
関する被告の誤解に基づくものであり，このような被告の評価は，これ
を斟酌すべきではない。
また，ライセンス交渉の中で，本件各特許が議論の対象となった際，
一部の相手方からは，微細プロセスは使用しないので位相シフトマスク
は実施していない旨の主張がされ，その他の相手方からは，ハーフトー
ン型位相シフトマスクは本件各特許の権利範囲に含まれない旨の主張が
された。後者の相手方からは，①本件各特許の特許請求の範囲にハーフ
トーン型位相シフトマスクを含むものと仮定すると，本件各特許発明は，
Ｐ２論文に基づき新規性又は進歩性を欠くこと，②本件各特許の特許請
求の範囲がハーフトーン型位相シフトマスクを含むものと仮定すると，
明細書の記載は特許法所定の記載要件に違反することを理由に，本件各
特許は無効である旨の主張もされた。したがって，これらの交渉の相手
方は，本件各特許を脅威に感じていなかったことは明らかであって，提
示特許とされたことをもって，ライセンス契約に対する貢献であると認
めることはできない。
さらに，その他の場合には，本件各特許は議論の対象にすらなってお
らず，結局，本件各特許は，被告のライセンス収入に対して一切寄与し
ていなかった。
ウ原告に対する実績報奨金の支払について
(ア)包括ライセンス契約の対象に含まれる全２万件にも及ぶ特許に対し
て，内規により実績報奨金の支払を決定するに際して，対象とされた各
特許発明のそれぞれについて，商業的に実施されている技術との関係や
公知例との関係等を厳密かつ客観的に検証することは，時間，手間及び
コストのいずれの観点からも非現実的であり，この厳密な検証を行うこ
とが合理的であるとは認められないため，実際行っていない。また，そ
の結果として，旧特許法３５条４項に定める相当な対価を超過する金額
を自主的に支払うことになったとしても，発明意欲の鼓舞という目的に
反することはない。
そのため，被告の内規による実績報奨の半導体分野における運用とし
て，約２万件の特許のうち，相手方との交渉材料として用いた特許につ
いては，その事実を評価し，その後に非侵害や無効が明白になったとい
う事情のない限り，実績報奨の対象としている。また，既に締結済みの
包括ライセンス契約に関しても，特許が登録され，かつ，相手方の実施
が推認されるようになった時点で，その時点で契約交渉をしたならば同
様に交渉材料として用いるであろうという相手方からの収入については，
実際には交渉していない場合でも，実績として考慮している。
(イ)本件各特許に対する実績報奨について
ａ平成１３（２００１）年度支払分の実績報奨
被告では，平成１１（１９９９）年１１月から平成１２（２００
０）年６月ころにかけて，相手方との包括ライセンス契約の交渉材料
の候補の１つとして，本件各特許を選んだ。そこで，被告は，前記
(ア)の運用に従い，本件各特許を実施している可能性があると思われ
た包括ライセンス契約締結済みの相手方との関係でも，交渉したなら
ば交渉材料としたであろうと認められる特許であると本件各特許を評
価し，本件各特許に対する平成１３（２００１）年度支払分の実績報
奨金として，１６０万円を支払った。
●(省略)●
ｂ平成１４（２００２）年度支払分の実績報奨
被告は，平成１３（２００１）年１０月，相手方とのライセンス交
渉を開始し，交渉材料として選択した２０ファミリ以上の特許群の１
つとして，本件各特許を実際に用いたところ，相手方からの非侵害及
び特許無効の主張を受けた。しかしながら，その時点では，非侵害や
無効が明白になったという事情が判明せず，平成１４（２００２）年
度支払分も，前年度の方針が踏襲され，本件各特許に関し，原告に対
する実績報奨金の支払がされた。
ｃ平成１５（２００３）年度ないし平成１７（２００５）年度の各年
度支払分の実績報奨
被告において交渉を担当していた担当者が他部へと異動になったり，
ルネサスが設立され，特許部門の組織が変更されたこともあって，そ
の後も，前記ｂの相手方からの主張を厳密に検討することはなかった。
また，独自に精査して客観的な判断をすることもなかった。そのため，
平成１５（２００３）年度ないし平成１７（２００５）年度の各年度
支払分も，平成１４（２００２）年度支払分と同様に評価して，本件
各特許に関し原告に対する実績報奨金の支払がされた。
ｄ客観的評価
本件訴訟の提起を受けて，被告において，厳密かつ客観的に検討し
た結果，前記１のとおり，本件各特許は，ハーフトーン型位相シフト
マスクをカバーしていないことが明らかとなり，かつ，少なくとも原
告が被告に譲渡対象とした発明には，ハーフトーン型位相シフトマス
クが含まれていなかったことも明らかとなった。
したがって，被告の原告に対する実績報奨金の支払は，検討が十分
になされなかったことに基づくものであり，誤りであった。
エ原告の主張について
(ア)「（半）（デセ）特許評価責任者説明会」と題する資料（甲３０）
について
●(省略)●また，同資料自体，厳密な検討に基づく正確な記載がされ
たものではなく，日本９６７号特許が，平成１１（１９９９）年１１月
から平成１２（２０００）年６月にかけて，包括ライセンス契約の交渉
材料の候補の１つとして選ばれ，その後，厳密な検討に基づく見直しが
されたことがなかったために，「主要活用特許」であるとの誤解に基づ
き，記載されたものにすぎない。
(イ)本件特許リストの記載について
本件特許リスト作成当時，被告は，本件各特許発明の技術的範囲にハ
ーフトーン型位相シフトマスクが含まれると誤信していたところ，●(省
略)●
(ウ)●(省略)●
(エ)戦略特許賞「金賞」受賞について
ａ日本９６７号特許につき戦略特許賞「金賞」が与えられ，また，仮
に，それが，原告の主張するような意味での「代表」しての受賞であ
ったとしても，それは，ハーフトーン型位相シフトマスクが商業的に
利用されるようになる以前は，業界全体が日本９６７号特許に係るエ
ッジ強調型位相シフトマスクを有望な技術であると考えていたためで
ある。そして，同特許の発明者は，原告のみとされているのであるか
ら，原告が「代表」として選定されるのは，むしろ当然である。
ｂ戦略特許賞推せん説明書兼決済伺書（甲３５の３）は，ハーフトー
ン型位相シフトマスクがまだ商業的に利用されていなかった時点で作
成されたものである。そして，ハーフトーン型位相シフトマスクが登
場する以前は，日本９６７号特許に係るエッジ強調型位相シフトマス
クは有望な技術であると考えられていたのであるから，そのような時
期に，被告が，同特許につき，●(省略)●との認識を有していたこと
や，他社にライセンスするなど，事業戦略のために活用する予定であ
ったことはそのとおりである。しかしながら，同特許に係るエッジ強
調型位相シフトマスクは，結局商業的に実施されたことはなかったの
であって，ハーフトーン型位相シフトマスクが一般的になっている現
時点から振り返ってみれば，被告を含む業界全体が当時有していた予
測がはずれたことになる。
したがって，戦略特許賞推せん説明書兼決済伺書（甲３５の３）に
基づく原告の主張は，誤りである。
ｃなお，職務発明の承継による相当の対価は，本来，特許を受ける権
利の承継時に定められるべきものであるところ，実際上は，承継時に
使用者が受けるべき利益の額を算定することは極めて困難であること
から，承継後の事情を参考資料として，その上で使用者利益を算定す
ることが一般的である。
これは，承継時に職務発明の評価を正確に行うことは極めて困難で
あり，使用者等が当初行った発明の評価に誤りがあることも珍しくな
いことを端的に示すものであって，だからこそ，使用者等が当初行っ
た発明の評価に誤りがあり，実際よりも低く評価してしまった場合に
は，発明者は裁判所が認定した相当の対価との差額を請求できるので
ある。
そして，これとは逆に，使用者等が当初は実際よりも高く評価して
しまう場合も十分にあり得，その場合に，後の精査によって使用者等
が行った当初の高い評価が誤りであることが判明した場合であっても，
使用者等は当初の誤った判断に拘束されなければならないとすれば，
著しく正義に反することは明らかである。
本件においても，前記のとおり，被告は，日本９６７号特許に対し
て戦略特許賞「金賞」を授与した当時は，当時の技術水準に基づき，
日本９６７号発明が将来有望であると評価し，その後も本件各特許に
ついて厳密な検討による再評価を行うことなく，原告に対する高い評
価を維持してしまったものであって，このような誤った評価に被告が
拘束され続けなければならない理由はない。
オ小括
以上のとおりであるから，被告が本件発明から得た利益はゼロであるか，
せいぜい本件各特許を含む包括ライセンス契約により得られた実施料収入
の２万分の２８（平成１４（２００２）年度まで）又は４万分の２８（平
成１５（２００３）年度以降）とするべきである。
したがって，原告が本件発明について特許を受ける権利を被告に承継さ
せたことに対する相当な対価は，仮にこれが認められるとしても，既に被
告が原告に支払った額を超えるものではない。
⑵本件発明により被告が得た利益の額について
ア平成９（１９９７）年１０月２４日∼平成１２（２０００）年３月３１
日の分
本件各特許発明が対象とするエッジ強調型位相シフトマスクは，商業的
に実施されたことがなく，また，当該期間においては，ハーフトーン型位
相シフトマスクについても，商業的に実施されていないことから，当該期
間に本件発明から被告が受けた利益はない。
なお，原告は，「ハーフトーン位相シフトレチクル状況御報告」と題す
る書面（甲８５。以下「甲８５書面」という。）及び甲８６書面をもって，
当該期間においても，ハーフトーン型位相シフトマスクが商業的に実施さ
れていたと主張する。しかしながら，甲８５書面は，その記載内容等に照
らして，ハーフトーン型位相シフトマスクの実用化に向けた検討段階のも
のであって，被告は，その実用化のために必要な評価のために，ハーフト
ーン型位相シフトマスクを発注していたにすぎない。また，甲８６書面も，
「準備進行中」等の記載が随所にあることから，商業的に実施されていな
かったことを示すものである。したがって，原告の主張は，誤りである。
イ平成１２（２０００）年度及び平成１３（２００１）年度分
本件各特許発明は，ハーフトーン型位相シフトマスクを含んでおらず，
商業的に実施されていないから，本件発明により被告が受けた又は受ける
べき利益は存在しない。
なお，被告が誤解により本件各特許発明はハーフトーン型位相シフトマ
スクをカバーする可能性があると誤信していたことにかんがみ，仮に，ハ
ーフトーン型位相シフトマスクが商業的に実施されるようになったことを
評価するとしても，被告の特許ポートフォリオに対する割合的な貢献（２
８（本件各特許の件数）／２万件（被告の特許ポートフォリオの件数））
程度にすぎない。
ウ平成１４（２００２）年４月１日∼平成２０（２００８）年１１月２１
日の分
(ア)原告が主張する当該期間における被告又はルネサスが包括クロスラ
イセンス契約により得た利益のうち，平成１７（２００５）年４月１日
∼平成２０（２００８）年１１月２１日の間において，ルネサスが，ラ
イセンス契約の相手方からのクロス効果の額として取り扱っていたのは，
●(省略)●円である（乙４８）。
(イ)本件各特許発明は，ハーフトーン型位相シフトマスクを含んでおら
ず，商業的に実施されていないから，本件発明により被告又はルネサス
が受けた又は受けるべき利益は存在しない。
前記イと同様，仮に，ハーフトーン型位相シフトマスクが商業的に実
施されるようになったことを評価するとしても，被告の特許ポートフォ
リオに対する割合的な貢献（２８（本件各特許の件数）／２万件（被告
の特許ポートフォリオの件数））程度にすぎない。
また，仮に，ライセンス契約の交渉時において，本件各特許が相手方
に提示され，又はそれに基づいて議論がなされたことを考慮するとすれ
ば，ライセンス契約の交渉時に本件各特許が提示又は議論された相手方
からの収入に対する寄与度は，それ以外の相手方からの収入に対する寄
与度よりも大きい可能性がある（もっとも，その割合は１％を超えるも
のではない。）。
なお，ルネサス分社化後の平成１５（２００３）年４月１日以降は，
被告の受けるべき利益額は，被告のルネサスに対する株式の保有割合
（５５％）に応じて減額されるべきである。すなわち，会社分割により
本件各特許はルネサスに承継され，本件各特許を対象に含む包括クロス
ライセンス契約に基づく実施料（実収入及びクロス効果）も，ルネサス
が受領しているところ，このようなルネサスが受領した実施料を間接的
な被告の「利益」として考慮しようとすれば，その「利益」は，被告が
ルネサスの株主として享受する利益の額として算定するのが最も合理的
である。したがって，本件各特許がルネサスに承継された後においては，
ルネサスが実施料を受領したことによって被告が受けるべき利益の額は，
被告のルネサスに対する株式の保有割合に応じて算定されるべきである。
原告の主張のうち，被告とルネサスとの間の合意に基づくものは，本件
訴訟において原告が請求する旧特許法３５条３項に基づく支払義務と，
被告とルネサスとの間の合意に基づく支払義務とを混同するものであり，
失当である。
(3)結論
したがって，被告が原告から本件発明について特許を受ける権利を譲り受
けたことにより被告が受けた利益又は今後受けるべき利益は，一切存在しな
い。
３争点⑵（被告が貢献した程度）について
（原告の主張）
(1)原告の貢献度の基礎となる事実
①本件発明当時，被告においては，●(省略)●原告は，新しいマスク構造
の技術開発を目的とするような組織には所属しておらず，工場の現場で半
導体のマスク製造のための技術サポートを担当していた。そして，原告は，
研究者ではなく，工場の現場での製造業務に従事する技術者として，そも
そも発明することをその業務内容とする地位にはなかった。
②原告は，平成３（１９９１）年に，平成３年度戦略特許賞「金賞」を複
数の関係発明者の「代表」として受賞した。
③前記１のとおり，本件各特許は，基本特許であり，かつ，基本発明であ
る。
④本件発明は，原告の所属グループの研究開発テーマではなかった。本件
発明時，被告社内では，更なるマスク技術開発を打ち切り，原告の所属グ
ループを消滅させる計画があった。そのため，原告の所属グループは，原
告を含めて，マスク技術開発に関し，実験を確認するための設備，研究費
が使えなかった。
⑤原告は，被告から本件発明に係る企画を示されることなく，本件発明に
つき，上司からのヒントも，同僚，部下からのアシストもなく，全くの個
人的努力により，本件発明を成し遂げた。●(省略)●。
⑥原告は，被告に対し，何度も技術開発のための設備導入を提案し続けた
が，被告はこれを拒絶した。また，原告は，本件発明の完成のために，被
告の実験装置・設備，研究費，業務時間を一切使用していない。
⑦原告は，後記のとおり，本件発明の権利化に貢献した。
以下，被告の主張に対する反論も交えて，個別に主張する。
(2)本件発明がされるについての被告の貢献
ア本件発明がされる以前における位相シフトマスクに関する原告の提案
(ア)原告が，位相をシフトさせることにより，転写パターンの解像度を
向上させることができると着想したのは，大学時代の卒業研究において，
「位相を利用すると振幅歪が改善するということ」を研究していたこと
にさかのぼる。
そして，原告は，本件発明以前である昭和５８（１９８３）年１１月
に，位相シフトマスクに関する発明（以下「本件旧発明」という。）を
行い，所属部門の上司等の評価を受けていた（甲４０）。しかしながら，
本件旧発明は，被告の特許関係部門により●(省略)●（出願しない方が
よいレベル）と評価され，結局，特許出願はされなかった。
なお，本件旧発明は，原告と，当時，被告においてマスクレジストの
技術開発を行っていたＰ７との共同提案となっている。これは，原告が，
本件旧発明の出願依頼書兼譲渡証（甲４０。以下「本件旧発明出願依頼
書」という。）を作成する１週間ほど前に，Ｐ７からその著書の謹呈を
受けたことから，将来，Ｐ７と円滑に仕事を進めたいという気持ちがあ
って，Ｐ７を共同発明者として記載したものである。現に，原告は，本
件旧発明出願依頼書提出後，Ｐ７と共同していくつかの仕事を行ってい
る。
(イ)被告は，本件旧発明出願依頼書と本件出願依頼書がほぼ同一の内容
であって，本件旧発明がＰ７との共同発明である以上，本件当初発明も
同様であり，仮に，本件当初発明が原告の単独発明であるとしても，Ｐ
７，ひいては被告の貢献が大きいと主張する。
しかしながら，本件出願依頼書には，●(省略)●本件旧発明出願依頼
書には，そのようなアイディアはなく，また，本件当初発明は，縮小投
影露光により，透過領域の位相シフタの境界（エッジ）部の影が形成さ
れることを逆に利用して，転写パターンの像を鮮明にするものであるが，
本件旧発明には，このようなアイディアは含まれていない等，本件旧発
明と本件当初発明とは，ほぼ同じではない。
また，Ｐ７は，本件発明の完成より１年以上前に日立を退職しており，
本件発明の完成において，原告とＰ７との共同開発の実体は皆無である。
さらに，本件旧発明自体，そもそも，原告の単独発明であることは，
前記(ア)のとおりである。被告は，これを不自然であると主張するが，
職務発明制度についての一般の認識も高くなかった本件旧発明がされた
当時においては，何ら不自然なことではなかった。
イ本件発明に至る経緯
(ア)ａ原告は，昭和６３（１９８８）年春ころ，Ｍ−６８０用論理ＬＳ
Ｉ生産のためのマスク生産技術サポートに追われながら，次期大型計
算機（Ｊ−１０）用マスク技術の検討のため多忙であった。また，原
告は，昭和６３（１９８８）年当時，ＦＩＢ装置及びホストコンピュ
ータによるネットワークシステムの提案に関するテーマに取り組んで
おり（完成は，同年８月末），そのことが理由の１つとなって，多忙
であった。
したがって，被告が主張するように，原告の上司であるＰ８から，
ルーチンワークのほかは，すべての時間を位相シフトマスクの検討に
費やして構わない等の指示を受けたことはない。
また，Ｐ８との間の位相シフトマスクに関するやりとりも，被告中
央研究所で位相シフトマスクの研究を行っているとの教示が，本件出
願依頼書の提出日である昭和６３（１９８８）年５月１７日の１，２
日前にされたにすぎず，位相シフトマスクの調査，検討及び特許出願
の指示を受けたことはない。仮に，被告が主張するとおり，昭和６３
（１９８８）年春ころにそのような指示があったとしても（もっとも，
Ｐ３らの研究報告第１８０３８号（乙１７。以下「Ｐ３研究報告」と
いう。）の発表が，昭和６３（１９８８）年５月１３日であることか
らすれば，Ｐ８から原告に話がされた時期は，同月とみるのが合理的
である。），１か月前後で本件発明を完成させることはできないから，
これをもって，本件発明への被告の貢献があるとはいえない。
さらに，原告は，昭和５８（１９８３）年以来，本件旧発明につき，
本来業務のかたわら時間を見つけてアイディアを進化させて，本件発
明の完成に至ったものであり，遅かれ早かれ出願依頼書を提出する予
定であったから，Ｐ８が，埋没していた本件旧発明を発見したという
ものでもない。
ｂ被告は，原告が，ＦＩＢ設備試作プロジェクトを通じて得た知識を
本件発明に活かしているとし，その根拠として，日本９６７号公報中
の図面が特願昭６３−１７２７２２に添付された図面と同じであるこ
とを挙げる。
しかしながら，同図面は，原告が作成した仕様書に基づき，米国マ
イクリオン社が作成したものである。また，日本９６７号明細書には，
位相シフト溝を形成する工程でＦＩＢ装置を用いることが記載されて
いるが，位相シフト溝自体，当業者において既に周知のものであり，
当該ＦＩＢ装置の構成図を記載することが，本件発明の記述に必須で
あったものではないから，原告がＦＩＢ設備試作プロジェクトを通じ
て得た知識を本件発明に活かしているという事情は，存在しない。
(イ)被告は，本件発明の発端は，Ｐ９が被告中央研究所における位相シ
フトマスクに関する最新の研究成果を聴取してきたことにあると主張す
る。しかしながら，●(省略)●からすれば，Ｐ９が，位相シフトマスク
を用いる縮小投影露光技術の重要性を認識し，開発を進めることを判断
したのは，同月以降であるということができる。いかに予算措置を講ず
る前に熟慮を要するとしても，●(省略)●のは不可解である。
また，原告の担当業務が，平成元（１９８９）年８月に，被告のデバ
イス開発センタ内で，マスク技術担当から電子ビーム直接描画技術担当
に変わったことは，Ｐ９又はＰ８が，この時点において，原告が位相シ
フトマスクも含むマスク技術を担当することが重要であるとは考えてい
なかったことを示している。
そして，このことは，Ｐ９又はＰ８が，昭和６３（１９８８）年の時
点で，位相シフトマスクの開発が重要であると認識して，原告に位相シ
フトマスクの開発を命じたり，示唆したことなどあり得ないことを裏付
けている。
(ウ)被告は，原告が，本件出願依頼書提出前に，Ｐ３に会ったと主張す
るが，そのような事実はない。
本件出願依頼書に●(省略)●と記載したのは，同依頼書提出の１，２
日前に，Ｐ８から，被告中央研究所で位相シフトマスクの研究が進めら
れていることを聞き，このような記載をして被告中央研究所の顔を立て
ておけば，被告中央研究所から消極的な意見が出て，本件発明の特許出
願が見送られることはないと政治的に考えたことによる。
そして，被告が指摘するＰ３研究報告の報告日は，昭和６３（１９８
８）年５月１３日であって，校正等を経て印刷物が被告社内に配布され
るまで約１か月を要するから，原告が，同研究報告の印刷版に関する資
料の写しを入手したのは，同研究報告の報告日から約１月後の昭和６３
（１９８８）年６月１３日以降であると合理的に推察される。仮に，そ
の発表直後に同研究報告の内容を入手していたとしても，本件出願依頼
書を提出した同年５月１７日までの間に，それを基に本件発明を完成さ
せることは不可能である。
また，仮に，被告が主張するように，Ｐ８の指示でＰ３と面談して，
その結果，本件発明が生まれたとしたら，当時の被告社内の特許出願事
務の慣行によれば，本件発明は，当然，原告とＰ３との共同発明となっ
ていたはずである。それにもかかわらず，本件発明は，原告の単独発明
とされていることからすれば，原告が本件出願依頼書の提出前に，Ｐ３
に会ったという事実はないということができる。
したがって，本件発明は，原告の単独発明であり，Ｐ８の指示によっ
て行われたものではないことは明らかである。
ウ原告は，日本９６７号明細書の原稿（乙１８。以下「本件明細書原稿」
という。）の作成につき，被告中央研究所の成果に依拠していない。
そもそも，本件明細書原稿の作成に当たっては，被告の知財部スタッフ
はほとんど関与せず，特許事務所の弁理士もほとんど造作を加えておらず，
この点に関する原告の貢献を軽視すべきではない。
(ア)被告は，本件明細書原稿において，Ｐ３研究報告中の図をコピーし
ていること等を主張する。
しかしながら，原告が，昭和６３（１９８８）年６月にＰ３に会った
際，Ｐ３からＰ３研究報告に関する資料の写しを受け取り，これに記載
された図と実質的に同一の図が，公開済みのレベンソン特許の明細書に
既に記載されていることから，それを本件明細書原稿に利用しても問題
ないことを確認した上で，これを利用したものである。そもそも，公知
の図面を従来技術の説明図として用いることが，被告の本件発明につい
ての貢献ということ自体，無理がある。
他方で，同研究報告中，非公開の図面については，本件出願時明細書
には記載しなかったから，日本９６７号特許の出願に同研究報告を利用
していない。
そもそも，従業員発明者は，その所属する会社のために明細書原稿を
作成しているのであるから，当該会社の立場・視点から，明細書に用い
ることに問題があるか否かという基準により，会社に関係する図面を用
いるかどうかを検討すれば足りるのであり，原告が被告の図面を無断借
用しているという被告の主張自体が，的外れである。
(イ)また，被告は，本件明細書原稿中，Ｐ５発明に係る公開特許公報の
特許請求の範囲に記載された発明に含まれる記載があると主張する。
しかしながら，Ｐ５発明は，公開情報である以上，これを使用したこ
とをもって，被告が本件発明に貢献したというのは，論理の飛躍がある。
(ウ)日本９６７号明細書は，原告が，被告中央研究所の大型電子計算機
を利用して得たデータ等を一切記載することなく，原告が手計算によっ
て確認し，思索によって確証を得たことのみを記載している。
なお，前記アのとおり，原告が位相シフトマスクについて個人的に研
究していたのは，被告中央研究所が位相シフトマスクの研究開発に着手
する前であるし，本件発明は，その発明時において，被告中央研究所の
研究成果にないものである。
(エ)したがって，原告は，本件明細書原稿の作成において，被告中央研
究所の研究成果に依拠していない。
エ発明の変更について
(ア)被告は，本件当初発明についての評価を担当したＰ１０が●(省略)
●とコメントしていることをもって，被告の貢献と主張する。
しかしながら，原告は，●(省略)●論理的には可能であるが，実務的
には，技術的な問題やコストの点で，採用される可能性は乏しいと自発
的に考え，これを本件明細書原稿や日本９６７号明細書等の中には，記
載しなかった。そして，この問題は，本件発明の多くの実施例のうちの
１つの問題でしかなく，これ以外にも多くの実施例が存在し，当該実施
例が必須なものであったわけではないから，被告の前記主張は，論理の
飛躍がある。
(イ)また，被告は，原告が，本件明細書原稿を作成した時点で，位相シ
フト法に関する基本的な光学原理を誤解していたと主張する。
ａしかしながら，被告が指摘する本件明細書原稿の●(省略)●これを
もって，被告の貢献度が大きいということはできない。
また，●(省略)●本件発明の原理である，位相を反転させて光の強
度がゼロになるように設計することでエッジを鮮明するという技術内
容を有するものではなく，本件発明の原理に合わないということによ
るものであって，光学原理の誤解に気付いたからではない。
ｂまた，仮に，原告が光学原理を誤解していたことに気付いたのであ
れば，原告は，●(省略)●しかしながら，原告は，前記ａのとおり，
●(省略)●このことは，被告の主張と整合しない。
ｃ被告が主張する「ウェーハ上振幅の波が水平基準線を跨ぐ箇所でウ
ェーハ上光強度はゼロになるはずである。」という光学上の原理は，
露光光が理想的な単色光（波長と位相が均一である。）を用いて結像
する場合に，初めて成り立つ現象である。
しかしながら，実際は，集積回路の製造の場合の縮小投影露光光は，
理想的な単色光ではなく，部分的な単色光（波長と位相が少し異なる
光も含む。）を用いている。日本９６７号明細書では，実際の露光で
用いられている露光光が部分的な単色光である状況でも，関係図が光
学上間違いであると言われないようにするために，特許出願において，
あえて，被告が光学原理上誤りであると指摘する図を維持した。
したがって，被告の前記主張は，集積回路製造における縮小投影露
光技術の業界での現状に照らすと，的外れである。
(ウ)被告は，原告が被告中央研究所の研究報告を借用したことをもって，
本件発明に対する被告の貢献と主張する。しかしながら，当該借用の日
は，本件明細書原稿を被告特許部に提出した日より後である。また，●
(省略)●原告は，この被告中央研究所の研究にかかわりなく，当該現象
を手計算と思索によって確証を得て，この現象を利用する具体的手法を，
これらの研究報告を借り受ける前に本件明細書原稿に記載しているから，
前記被告の主張は，論理の飛躍がある。
(3)特許出願後の被告の貢献について
ア本件発明に対する被告特許部門の評価は，当初は●(省略)●であったが，
特許出願後に●(省略)●に変更されている（甲３８及び乙１６の各「特許
部門総合評価」欄参照）。
このように，被告は，本件出願依頼書の時点で，特許部門の総合評価と
して●(省略)●と判定している以上，日本９６７号特許につき，被告の特
許部の貢献は，乏しかったといわざるを得ない。
イ被告は，本件発明をマスクの発明から集積回路装置製造方法の発明に変
更したことをもって，本件発明に対する被告の貢献と主張する。
しかしながら，原告は，本件発明に含まれる技術内容と実施される可能
性が高い技術内容とを鋭意検討する等して，「外国出願要否検討依頼の
件」と題する書面（甲５０）の日付である平成元（１９８９）年２月７日
の時点では，本件発明を，マスク製造法に限定することなく，半導体デバ
イスに適用する微細加工方式をカバーするように広く権利化すべきである
と考えており，被告特許部の担当者に対し，その旨を強く主張していた。
現に，原告は，前記「外国出願要否検討依頼の件」において，●(省略)●
と記載し，本件発明がマスク又はその製造方法に限らず，集積回路の製造
方法をカバーしていることを指摘している。
そして，平成３（１９９１）年から平成７（１９９５）年１１月までの
間に，米国において，本件発明に関して，集積回路の製造方法の請求項を
含む多数の特許が成立したのは，原告が，被告の特許担当者に対し，集積
回路の製造方法として権利化することを強く要求した結果である。日本９
６７号特許の審査請求は，既に成立していた米国特許の請求項を日本語に
書き直すだけの作業にすぎない。
仮に，集積回路の製造方法の請求項とすることが被告特許部の発意によ
るものであったとしても，必要に応じて発明の主題を変更することは，特
許権利化の実務においては常道であり，重大な貢献であるとはいえず，全
体の数％として考慮されるようなものではない。
ウ被告は，位相シフトマスクの改良及び実用化を進めた被告中央研究所の
研究成果をもって，被告の貢献であると主張する。しかしながら，原告が，
外国出願の必要性をアピールしたからこそ，本件発明につき外国出願がさ
れたのであるから，原告の貢献度の方がはるかに高いということができる。
(4)ライセンス契約締結段階での貢献について
被告は，ライセンス交渉の専門部隊の育成等を行ったことをもって，被告
の貢献であると主張するが，このような被告の主張は，一般論でしかなく，
被告の顕著な貢献とする事情ではない。
また，ライセンス契約には，ライセンス交渉部隊が，特許の技術的内容を
把握することが前提であり，それには特許に関連した発明者のサポートが不
可欠である。現に，原告は，平成１２（２０００）年及び平成１３（２００
１）年の２年連続で，半導体のマスク露光に関連する特許ライセンスへの貢
献として，被告の半導体事業部門の最高責任者より，特別に表彰を受けてお
り（甲８７，８８），このことに照らしても，原告の半導体のマスク露光に
関連する特許ライセンスへの貢献が多大であったということができる。
(5)その他の被告の主張について
被告が摘示する事項は，被告の優秀な人材から原告が学んだ，被告の設備
から原告が学んだ，特許出願や権利取得を被告のコストで行った，被告が原
告の誤解を正したということにすぎない。そして，仮に，被告の主張が正し
く，かつ，これらの「被告の貢献」に要した被告のコストが数値化して把握
することができるものであったとしても，このようなコストは，被告が受け
た利益を計算する際に，既に参酌されていると考えるべきであり，このよう
なコストを超えた特別の貢献でなければ，相当の対価額を減額すべき事由と
なるべきではない。また，仮に，このような事情によって何らかの被告の貢
献度による減額をするとしても，「著しい貢献」と評価し得るものではない。
したがって，被告の主張する事情をもって，「被告の貢献が著しく大き
い」ということはできない。
(6)小括
以上に述べたところからすれば，本件発明に対する原告の貢献度は，２０
％を下ることはないと解される。
（被告の主張）
(1)本件発明がされるについての被告の貢献
ア原告の技術習得等について
職務発明と一言で言っても，発明をなすために必要な知識及び経験を既
に身につけた従業者を使用者等が採用して職務に従事させた場合と，そう
ではなく，使用者等により与えられた職務を通じて従業者が発明をするた
めに必要な知識及び経験を身につけた場合とでは，使用者等の貢献の程度
には，差異がある。
原告は，大学及び大学院での学習及び研究では，縮小投影露光法，光リ
ソグラフィ用マスクを含む半導体マスクやその他の描画装置との接点を何
ら有していなかった。
しかしながら，原告は，被告に入社した当初から，コンピュータ事業本
部デバイス開発センタの試作部に配属されてマスク業務を担当し，デバイ
ス開発センタ試作部内に設置されたマスクグループに所属し，その職務を
通じて，縮小投影露光法及び光リソグラフィ用マスクの基本技術を習得し，
ユーザーのニーズ及び技術課題を知り，技術開発の動向についての最新情
報に触れ，上司及び同僚と議論し，試行錯誤を行うことにより，本件発明
に必要な基本技術や最新情報を習得することができた。したがって，原告
は，被告に入社しなければ，本件発明を行う可能性は皆無であったといえ，
それを可能にしたのは，原告を取り巻く被告における環境であるから，被
告の貢献度は大きい。
イ本件発明に至る経緯
(ア)昭和６３（１９８８）年春，被告のデバイス開発センタプロセス開
発部ＭＯＳプロセスグループ主任技師（当時）のＰ９は，被告中央研究
所における位相シフトマスクに関する最新の研究成果を聴取し，同開発
部マスク技術グループ主任技師のＰ８に対し，位相シフトマスクの検討
をするように勧めた。これを受けて，Ｐ８は，その部下であって，当時
取り組むべき検討テーマを持っていなかった原告に対して，被告中央研
究所の研究者らにコンタクトする等して情報を収集し，デバイス開発セ
ンタ開発部のマスク技術グループとしても位相シフトマスクの検討を開
始するよう，具体的な指示をした。Ｐ８は，原告に対し，ルーチンワー
クのほかは，すべての時間を位相シフトマスクの検討に費やして構わな
いこと，また，成果については特許出願を心がけることを指示した。
そして，その後約１月以上の期間を費やして，原告は本件出願依頼書
を提出した。その間，原告は，少なくとも被告中央研究所のＰ３と面談
し，また，Ｐ３研究報告（「位相シフト法を用いた０．３μｍフォトリ
ソグラフィの検討」）に関する資料の写しを入手している。原告自身，
本件出願依頼書において，●(省略)●として，●(省略)●として，被告
中央研究所の成果に言及している。
このように，本件発明につき特許出願する契機を作り，また，被告中
央研究所において，位相シフトマスクに関する研究成果を蓄積していた
被告の貢献は大きい。
(イ)原告の主張について
ａ原告は，本件発明がされた昭和６３（１９８８）年当時，ＦＩＢ設
備試作プロジェクトやホストコンピュータによるネットワークシステ
ムの提案に関するテーマに取り組んでおり，多忙であった旨主張する。
●(省略)●したがって，原告が，昭和６３（１９８８）年当時，Ｆ
ＩＢ（集束イオンビーム）装置及びホストコンピュータによるネット
ワークシステムの提案に関するテーマで多忙であったという原告の主
張は誇張である。
また，日本９６７号明細書では，実施例２及び４において，マスク
上に位相シフト溝を形成する工程でＦＩＢ装置を用いることが記載さ
れており，その製造方法は，マスク全体の製造時間をより短縮する発
展的な技術として，日本９６７号特許の中に位置付けられていること
から，位相シフト溝を形成する工程は，位相シフトマスクの製造工程
において重要な工程といえる。したがって，ＦＩＢ装置が日本９６７
号特許において果たす貢献度は大きい。そして，日本９６７号公報の
第６図で図示されたＦＩＢ装置は，日本９６７号特許出願時には未公
開であった被告がした特許出願（特願昭６３−１７２７２２。原告も
共同発明者の一人。）に添付された図面と同じである。したがって，
原告は，ＦＩＢ設備施設プロジェクトを通じて得た知識を，本件発明
に活かしている。
ｂ仮に，原告が主張するとおり，Ｐ８らから原告に対して，本件出願
依頼書の内容面に関する指示がなかったとしても，原告は，本件旧発
明につき本件旧発明出願依頼書を作成・提出した昭和５８（１９８
３）年から，それとほぼ同一内容の本件出願依頼書を提出した昭和６
３（１９８８）年までの約５年間にわたり，自発的に本件旧発明のア
イディアを進化又は具体化させることなく，放置していた（だからこ
そ，Ｐ８の指示があってから，１か月程度で，本件出願依頼書を提出
することができた。）のであるから，本件出願依頼書が提出されるに
至ったきっかけは，Ｐ９の被告中央研究所での見聞及びＰ８からの調
査・検討の指示であって，被告中央研究所，Ｐ９及びＰ８らの貢献，
すなわち，被告の貢献度は極めて大きいといえる。
ｃ原告は，位相シフトマスク技術関連の装置の導入時期に基づき，Ｐ
９が，位相シフトマスクを用いる縮小投影露光技術の重要性を認識し，
開発を進めることを判断したのは，平成３（１９９１）年１０月以降
であると主張する。
しかしながら，実際に装置を導入する決断をする相当以前から，予
算を投じるに値する技術であるか否かの検討を行った上で予算措置を
講ずるのが大企業における研究開発の常識であるから，装置の導入時
期が●(省略)●であることは，Ｐ９が昭和６３（１９８８）年春に被
告中央研究所の成果を聞き，位相シフトマスクに興味をもったことと，
何ら矛盾するものではない。
ｄ原告は，本件出願依頼書に被告中央研究所におけるＰ３らの研究に
言及したことについて，被告中央研究所の顔を立てておけば，被告中
央研究所から消極的な意見が出て，本件発明の特許出願が見送られる
ことはないと政治的に考えたことによると主張する。
しかしながら，昭和６３（１９８８）年当時，被告デバイス開発セ
ンタの研究者から提出された出願依頼書について，被告中央研究所か
らクレーム等が出されて，それを理由として出願が見送られたという
ことはない。そもそも，被告デバイス開発センタの研究者から提出さ
れた出願依頼書について，被告中央研究所の研究者や被告中央研究所
を担当している知財担当者が，評価をしたり，レビューをしたりする
機会はないから，原告の説明は不自然かつ不合理である。
かえって，本件出願依頼書の記載内容からすれば，原告がその作成
に先立ち，被告中央研究所におけるＰ３らの研究データを入手し，検
討したと考えるのが，自然かつ合理的である。
ウ明細書原稿の作成について
(ア)原告は，本件明細書原稿の作成に際しても，被告中央研究所の成果
に大きく依拠している。
ａ本件明細書原稿中の図面の幾つかは，Ｐ３研究報告中の図をコピー
し，そのまま又は一部修正して貼り付けたものである。
ｂ本件明細書原稿中，「遮光領域内位相シフト」として記載されたも
のは，Ｐ５発明に係る公開特許公報（乙４の１）の特許請求の範囲に
記載された発明に含まれるものである。
(イ)原告の主張について
ａ原告は，引用した図面につき，公開されている図面と実質的に同一
であると確認したものは，そのまま引用し，非公開のものは，削除し
たと主張する。
しかしながら，公開された図面があるのであれば，Ｐ３研究報告を
引用する必要はない。また，非公開の図面を最終的に削除したとして
も，その図面が，発明の完成と明細書の作成に寄与したことは，明ら
かである。
そして，原告が，何のはばかりもなく，Ｐ３研究報告の図面を引用
することができる環境にあったこと自体，被告の貢献ということがで
きる。
ｂ原告は，Ｐ５発明は公開情報であったと主張する。しかしながら，
原告は，被告従業員であったからこそ，Ｐ５発明へのアクセスが格段
に容易であったといえる。また，原告は，本件明細書原稿提出後に，
Ｐ５らが作成した研究報告を借り出し（後記エ(ウ)参照），遅くとも
そのときにその内容を知りながら，補助開口型位相シフトマスクを自
分の発明のように記載したまま，特許出願をしている。
エ発明の変更について
(ア)●(省略)●
しかしながら，この図面の構成を採用すると，開口部の中心部に位相
シフト層の端部（位相の反転する領域とそうでない透明領域との境界
部）が位置することとなり，当該端部（境界部）の光がゼロになって暗
部になり，本来一体でなければならない開口領域が，分離されてしまう。
この問題点については，本件出願依頼書にも，被告の半導体事業部武蔵
工場製造部マスク製作グループの主任技師であり，本件当初発明につい
ての評価を担当したＰ１０により，●(省略)●とコメントされている。
原告は，この問題について，本件出願依頼書では，●(省略)●
(イ)また，原告は，本件明細書原稿においても，いまだ，この未解決の
問題点を包含する発明を記載していた。原告は，●(省略)●このことは，
原告が，本件明細書原稿を作成した時点で，位相シフト法に関する基本
的な光学原理を誤解していたことを如実に示している。
(ウ)その後，原告は，被告中央研究所の研究報告を借り出し，自らの誤
解に気付き，昭和６３年１０月１３日になされた筒井国際特許事務所の
担当者との打ち合わせにおいて，●(省略)●そして，最終的に，本件発
明は，関係する請求項及び図面その他の記載を削除し（乙８），特許出
願がされるに至った。
(エ)そもそも，本件当初発明は，互いに位相を反転させて隣接する２つ
の光透過領域の境界を暗部にする発明ではなく，位相シフト層の端部に
テーパを設けることで，光透過領域中に暗部が生じることのないこと，
すなわち，２つの光透過領域の間に設けられた遮光膜部に暗部を設ける
ことが企図されていた。また，本件明細書原稿においても，●(省略)●
と記載されており，この点で，当該発明は，遮光膜を挟む一対の透過光
のうち，一方の位相を１８０°ずらすレベンソン型位相シフトマスクと
発想が同一である。
●(省略)●原告は，この研究報告書（乙２０）を借り出し，その後に，
本件明細書原稿の前記記載を大幅に書き換え，軌道修正を図ったのであ
るから，被告中央研究所の貢献が大きいことは明らかである。
(オ)原告の主張について
ａ●(省略)●
ｂまた，原告は，実際は，集積回路を製造する場合の縮小投影露光光
は，理想的な単色光ではなく，部分的な単色光（波長と位相が少し異
なる光も含む。）を用いているとするが，前記第２図のように，開口
領域の幅と位相シフタの幅を同じにした場合には，光強度のピークが
２つでき，その結果，その谷間の部分で光強度がゼロになって，暗部
が形成される。
ｃさらに，原告は，被告中央研究所の研究報告は，現象の発見にとど
まると主張する。
しかしながら，現象を具体化するためには，数多くの実験を行い，
多種多様な数式データを集めることが不可欠であり，そのような実験
データを提供した被告の貢献度が大きいことは明らかである。
(2)特許出願後の被告の貢献
アマスクの発明から集積回路装置製造方法の発明への変更
(ア)本件発明は，出願時には，発明の名称を「マスクおよびその製造方
法」とし，特許請求の範囲は，すべて「マスク」又は「マスクの製造方
法」についてのものであった（乙８）。しかしながら，本件発明につい
て審査請求がされた平成７年１１月２１日に，発明の名称とすべての特
許請求の範囲とが，「集積回路装置の製造方法」に補正され，同時に，
日本４７７号特許，日本７４８号特許及び日本７４９号特許の分割出願
がされた。
この補正・分割を提案し，補正・分割の特許請求の範囲を作成・主導
したのは，原告ではなく，被告の知財担当者らである。被告の知財担当
者らは，その経験から，マスク及びその製造方法についての発明では，
マスクメーカーに対しては権利行使ができるものの，半導体集積回路の
生産販売に対して権利行使をすることが著しく困難な場合があるという
ことを懸念し，本件発明のマスクを利用した半導体集積回路装置の製造
方法を対象とすべく特許請求の範囲を大幅に書き直し，請求項を増やし，
かつ，分割出願することで，権利行使が少しでも容易になるように創意
工夫を行った。
そして，このような創意工夫が可能となったのは，そもそも被告がマ
スクの製造のみではなく，半導体の設計・生産までを広く手がけていた
ことも大きな要因である。
(イ)原告の主張について
原告は，「外国出願要否検討依頼の件」と題する書面（甲５０）に●
(省略)●と記載していたことをもって，原告が集積回路の製造方法をカ
バーするように考えており，被告の特許担当者に対し，その旨要求した
と主張する。
しかしながら，この記載は，●(省略)●を意味しているにすぎず，こ
れをもって集積回路の製造方法をカバーする発明であると原告が考えて
いたということは，論理の飛躍がある。
また，原告は，被告の特許担当者に対し，集積回路の製造方法を含め
るように要求したことの証拠を示しておらず，仮に，そのように要求し
ていたとしても，原告の当該要求の有無にかかわらず，被告の特許担当
者間では，集積回路の製造方法を含めるように補正をする方針を固めて
いたから，原告の要求と当該補正との間に因果関係はない。
したがって，当該補正に対する原告の貢献はない。
イ戦略特許賞「金賞」受賞と出願戦略
本件発明は，当時有望と考えられたエッジ強調型位相シフトマスクをカ
バーする発明として，被告社内において高く評価され，平成３（１９９
１）年に，被告の社内表彰として戦略特許賞「金賞」を受賞した。そのた
め，被告の知財担当者らは，これらに注力することを求められたのであっ
て，そのことと日本９６７号特許がハーフトーン型位相シフトマスクをカ
バーしていないこととの間には，何らの関係もない。
また，日本９６７号特許が対象とするエッジ強調型位相シフトマスクは
実施されていないから，被告が得た利益と，原告が戦略特許賞「金賞」を
受賞したこととの間には，論理的な関連性はない。
ウ本件発明の利用価値
本件発明の利用価値が認識されたのは，本件発明後に，位相シフトマス
クの重要性が認識されるようになったからである。そして，位相シフトマ
スクの改良及び実用化に当たっては，被告中央研究所におけるＰ５やＰ３
らの研究成果によるところが大きかったから，これをもって，被告の貢献
があったというべきである。
エハーフトーン型位相シフトマスクをカバーしようとした被告の努力
平成６（１９９４）年前後から，被告の知財担当者の間で，本件発明に
ついて，ハーフトーン型位相シフトマスクをカバーしていないことが懸念
されるようになり，ハーフトーン型位相シフトマスクをカバーするように，
継続出願や分割出願を行っていく必要性が認識され，ハーフトーン型位相
シフトマスクをカバーするための検討が行われた。そして，その検討結果
に基づき，国内外の特許出願が進められた。このような検討や出願は，被
告の知財担当者を中心に進められたものであるから，仮に，日本９６７号
特許がライセンス契約交渉で相手方に提示された事実を評価するとすれば，
このような被告の検討・努力による貢献度は大きい。
(3)ライセンス契約締結段階での被告の貢献
アライセンス部隊の活動
国内外の大企業を含むライセンシーとの間で被告に優位にライセンス交
渉を進めるには，膨大な知識に関する資質及び高度の交渉技術を持った多
数の優秀な人材が不可欠であるところ，被告においては，ライセンス交渉
の専門部隊を設け，その育成，ノウハウの蓄積を図っている。そして，被
告は，そのために，これまで多大な人的・金銭的な投資を行っており，こ
の点は，ライセンス契約締結段階での被告の貢献として多大な影響を有す
る。
イ膨大な特許ポートフォリオを有していること。
前記２（被告の主張）(1)のとおり，被告半導体部門は約２万件の，ルネ
サスは約４万件の特許を保有しており，その特許ポートフォリオの力で，
有利な条件で契約締結に至ることができたのであって，被告は，このポー
トフォリオの育成・維持のために，莫大な研究開発費及び特許出願・維持
費用を費やしてきたのであって，被告が膨大な特許ポートフォリオを有し
ていることは，ライセンス契約締結段階での被告の貢献として多大に評価
されるべきである。
ウ原告の主張について
原告は，他社特許対策賞（甲８７）及びグループ長知的所有権賞（甲８
８）を受賞したことに基づき，原告のライセンスへの貢献が多大であると
主張するが，他社特許対策賞（甲８７）は，本件各特許とは関係がなく，
グループ長知的所有権賞（甲８８）も，表彰の対象となった代表特許は，
Ｐ５らの発明であって，原告は共同発明者ですらないから，原告の主張は
失当である。
(4)その他の原告の主張について
ア本件旧発明について
(ア)本件旧発明出願依頼書の内容は，本件出願依頼書の内容とほぼ同一
である。そして，本件旧発明出願依頼書には，Ｐ７が共同発明者として
記載されているところ，Ｐ７を共同発明者として記載した理由に関する
原告の主張は，明らかに不自然であるから，本件旧発明は，原告とＰ７
との共同発明であるということができる。
これらのことに照らせば，仮に，本件当初発明が，原告が単独で本件
旧発明を改良したものであったとしても，本件当初発明に対するＰ７の
貢献が多大であることは明らかであり，本件出願依頼書においても，Ｐ
７を共同発明者として記載すべきであった。
そして，このことは，Ｐ７のような有用な人的資源を抱え，発明への
寄与を許した被告の多大な貢献を示すものである。
(イ)原告は，本件当初発明と本件旧発明とは，異なるものであると主張
する。
しかしながら，原告が相違点として主張するもののうち，本件当初発
明では，●(省略)●を提案しているとの点については，そもそも，前記
(1)エのとおり，Ｐ１０の指摘により追記されたものにすぎず，また，原
告自身が認めるとおり，技術的な問題等で採用される可能性は乏しいも
のであって，重要性は乏しく，日本９６７号発明の構成要件ともなって
いないものである。
また，原告が相違点として主張する，本件当初発明は，縮小投影露光
により，透過領域の位相シフタの境界（エッジ）部の影が形成されるこ
とを逆に利用して，転写パターンの像を鮮明にするものであるが，本件
旧発明には，このようなアイディアは含まれていないという点について
も，そもそも，本件出願依頼書には，そのような記載は何らされていな
いものである。
以上のことに加えて，本件出願依頼書と本件旧発明出願依頼書の各
「発明の要旨」欄の記載は，ほぼ同一であることからすれば，本件当初
発明と本件旧発明の相違点は，本質的な差異とはいえない。
イ本件発明に対する評価の変更について
原告は，被告が本件発明の評価を●(省略)●に変更したことをもって，
被告の貢献が乏しかったと主張する。しかしながら，評価を引き上げたこ
とは，権利化手続に際して，被告がより注力するようにしたことを意味し
ており，本件発明に関する被告の貢献がむしろ高かったことを示す。
また，そもそも，本件出願依頼書が提出された時点における知財部門の
総合評価が，被告の知財部門ではなく，外部の特許事務所のサポートによ
り出願する必要があることを意味する●(省略)●であったとしても，外部
の特許事務所は，被告の委託を受けて業務を行う以上，特許事務所のサポ
ートも，被告の知財部門のサポートも，被告の貢献という点では同じであ
る。
(5)小括
以上のとおり，本件発明がされるについても，本件発明の権利化について
も，被告の貢献は莫大であるから，エッジ強調型位相シフトマスクを技術的
範囲とする本件発明についての被告の貢献は，９９％を下回ることはない。
被告は，エッジ強調型位相シフトマスクの発明についての原告の貢献をす
べて否定するものではないが，エッジ強調型位相シフトマスクは，被告にお
いても，ライセンス契約の相手方である半導体装置メーカーにおいても，商
業的に実施されることは一切なかった。
これに対し，仮に，本件各特許発明が，本件各特許の特許請求の範囲の文
言上，エッジ強調型位相シフトマスク以外の方式の位相シフトマスクをも，
その技術的範囲に含むのであれば，それは，公知のレベンソン発明，Ｐ４発
明，Ｐ５発明及びＰ２発明並びに被告中央研究所の各研究報告及びそれらを
生んだ研究者の努力等に代表される被告の貢献にそのすべてを負うものであ
って，その範囲についての原告の貢献は，一切認められない。
４争点(3)（本件発明の相当の対価の額）について
（原告の主張）
(1)相当の対価額の算定
以上のことからすれば，本件発明の譲渡に伴う相当の対価額は，次のとお
りとなる。
ア平成９（１９９７）年１０月２４日（日本９６７号特許の登録日）∼平
成１２（２０００）年３月３１日の間に被告が本件発明から得た利益に基
づく相当の対価額
(ア)平成９（１９９７）年１０月２４日∼平成１０（１９９８）年３月
３１日の間に被告が本件発明から得た利益に基づく相当の対価額
＝●(省略)●円
（計算式）（●(省略)●円＋●(省略)●米ドル×123.57円）×（１＋●
(省略)●）×●(省略)●％×20％
(イ)平成１０（１９９８）年度に被告が本件発明から得た利益に基づく
相当の対価額
＝●(省略)●円
（計算式）（●(省略)●円＋●(省略)●米ドル×128.10円）×（１＋●
(省略)●）×●(省略)●％×20％
(ウ)平成１１（１９９９）年度に被告が本件発明から得た利益に基づく
相当の対価額
＝●(省略)●円
（計算式）（●(省略)●円＋●(省略)●米ドル×110.02円）×（１＋●
(省略)●）×●(省略)●％×20％
イ平成１２（２０００）年度及び平成１３（２００１）年度に被告が本件
発明から得た利益に基づく相当の対価額
(ア)平成１２（２０００）年度に被告が本件発明から得た利益に基づく
相当の対価額
＝●(省略)●円（ただし，既払の１６０万円を含む。）
（計算式）●(省略)●円×160万円÷（160万円＋400万円）×20％
(イ)平成１３（２００１）年度に被告が本件発明から得た利益に基づく
相当の対価額
＝●(省略)●円（ただし，既払の４００万円を含む。）
（計算式）●(省略)●円×400万円÷（160万円＋400万円）×20％
ウ平成１４（２００２）年度∼平成１６（２００４）年度の間に被告又は
ルネサスが本件発明から得た利益に基づく相当の対価
(ア)平成１４（２００２）年度に被告又はルネサスが本件発明から得た
利益に基づく相当の対価額
＝●(省略)●円（ただし，既払の４２０万円を含む。）
（計算式）●(省略)●円×420万円÷（420万円＋500万円＋743万0932
円）×20％
(イ)平成１５（２００３）年度に被告又はルネサスが本件発明から得た
利益に基づく相当の対価額
＝●(省略)●円（ただし，既払の５００万円を含む。）
（計算式）●(省略)●円×500万円÷（420万円＋500万円＋743万0932
円）×20％
(ウ)平成１６（２００４）年度に被告又はルネサスが本件発明から得た
利益に基づく相当の対価額
＝●(省略)●円（ただし，既払の７４３万０９３２円を含む。）
（計算式）●(省略)●円×743万0932円÷（420万円＋500万円＋743万09
32円）×20％
エ平成１７（２００５）年４月１日∼平成２０（２００８）年１１月２１
日（日本９６７号特許の満了日の前日）の間に被告又はルネサスが本件発
明から得た利益に基づく相当の対価額
(ア)平成１７（２００５）年度に被告又はルネサスが本件発明から得た
利益に基づく相当の対価額
＝●(省略)●円
（計算式）（●(省略)●円＋●(省略)●米ドル×114円）×（１＋●(省
略)●）×●(省略)●％×20％
(イ)平成１８（２００６）年度に被告又はルネサスが本件発明から得た
利益に基づく相当の対価額
＝●(省略)●円
（計算式）（●(省略)●円＋●(省略)●米ドル×117円）×（１＋●(省
略)●）×●(省略)●％×20％
(ウ)平成１９（２００７）年度に被告又はルネサスが本件発明から得た
利益に基づく相当の対価額
＝●(省略)●円
（計算式）（●(省略)●円＋●(省略)●米ドル×114円）×（１＋●(省
略)●）×●(省略)●％×20％
(エ)平成２０（２００８）年４月１日∼同年１１月２１日の間に被告又
はルネサスが本件発明から得た利益に基づく相当の対価額
＝●(省略)●円
（計算式）｛●(省略)●円＋●(省略)●円＋（●(省略)●米ドル＋●(省
略)●米ドル）×101円｝×（１＋●(省略)●）×●(省略)●％×20
％
オ以上合計１６億１０２２万６４０５円（ただし，既払額２２２３万０
９３２円を含む。）
⑵遅延損害金について
被告は，原告に対し，前年度の利益に基づく報奨金を翌年度の１月末日ま
でに支払ってきたことからすれば，各年度の利益に基づく相当の対価額に対
する遅延損害金は，その翌年度の２月１日から起算するのが，相当である。
ただし，平成１６（２００４）年度分については，実際の報奨金の支払時期
に準じて，平成１８（２００６）年６月１日から起算する。その詳細は，別
紙請求金額内訳表記載のとおりである。
(3)小括
よって，原告は，被告に対し，(1)オの合計額から既払金を控除した残額で
ある金１５億８７９９万５４７３円の内金６億円及び別紙請求金額内訳表の
金額欄記載の各内金額（ただし，同請求金額内訳表の起算日欄記載の日の早
いものから順次６億円に満つるまで。）に対する同請求金額内訳表の起算日
欄記載の各日からそれぞれ支払済みまで，民法所定の年５分の割合による遅
延損害金の支払を求める。
（被告の主張）
(1)原告が主張する各期間における相当対価の額について
ア平成９（１９９７）年１０月２４日∼平成１２（２０００）年３月３１
日の分
前記２のとおり，本件発明により被告が受けた又は受けるべき利益は存
在しないから，相当対価額は，０である。
イ平成１２（２０００）年度及び平成１３（２００１）年度分
前記２のとおり，本件発明により被告が受けた又は受けるべき利益は存
在しないから，相当対価額は，０である。
仮に，特許ポートフォリオに対する割合的貢献を考慮して相当の対価額
を試算すると，当該期間における相当の対価額は，●(省略)●円である。
（計算式）●(省略)●円（特許料収入及びクロス効果額の合計額）×28／
２万（本件各特許の寄与度）×１％（原告の貢献度の最大割合）
ウ平成１４（２００２）年度∼平成１６（２００４）年度分
前記２のとおり，本件発明により被告が受けた又は受けるべき利益は存
在しないから，相当対価額は，０である。
仮に，特許ポートフォリオに対する割合的貢献や，ライセンス交渉時に
相手方に提示されて，又はそれに基づいて議論されたことを考慮して相当
の対価額を試算すると，次のとおりである。なお，試算に当たって，被告
のルネサスに対する株式の保有割合（５５％）に応じて減額することとし，
３年度分の平均である７０％（＝（１００％＋５５％＋５５％）÷３）を
乗じる。また，特許ポートフォリオの割合的貢献として，３年度分の平均
である２８／３３３３３（＝（２８／２万（被告の特許ポートフォリオの
件数）＋２８／４万（ルネサスの特許ポートフォリオの件数）＋２８／４
万）÷３）を乗じる。
(ア)本件各特許の提示・議論がされたライセンス契約の相手方
＝●(省略)●円
（計算式）●(省略)●円（特許料収入及びクロス効果額の合計額）×１
％（本件各特許の寄与度）×１％（原告の貢献度の最大割合）×70
％（ルネサス分社化前後の平均値）
(イ)(ア)の相手方以外のライセンス契約の相手方
＝●(省略)●円
（計算式）●(省略)●円（特許料収入及びクロス効果額の合計額）×
（28／33333）（本件各特許の寄与度）×１％（原告の貢献度の最大
割合）×70％（ルネサス分社化前後の平均値）
エ平成１７（２００５）年４月１日∼平成２０（２００８）年１１月２１
日の分
前記２のとおり，本件発明により被告が受けた又は受けるべき利益は存
在しないから，相当対価額は，０である。
仮に，特許ポートフォリオに対する割合的貢献や，ライセンス交渉時に
相手方に提示されて，又はそれに基づいて議論されたことを考慮して相当
の対価額を試算すると，次のとおりである
(ア)本件各特許の提示・議論がされたライセンス契約の相手方
＝●(省略)●円
（計算式）（●(省略)●円（これらの相手方から受領した実収入額の合
計額）＋●(省略)●円（これらの相手方からのクロス効果額の合計
額］）×１％（本件各特許の寄与度）×１％（原告の貢献度の最大
割合）×55％（ルネサス分社化後の被告の保有株式割合）
(イ)(ア)の相手方以外のライセンス契約の相手方
＝●(省略)●円
（計算式）（●(省略)●円（これらの相手方から受領した実収入額の合
計額）＋●(省略)●円（これらの相手方からのクロス効果額の合計
額））×28／４万（本件特許の寄与度）×１％（原告の貢献度の最
大割合）×55％（ルネサス分社化後の被告の保有株式割合）
⑵小括
したがって，仮に，特許ポートフォリオに対する割合的貢献や，ライセン
ス交渉時に相手方に提示されて，又はそれに基づいて議論されたことを考慮
したとしても，相当の対価額は，合計で１４７万７９３７円を超えることは
ない。
そして，被告は，原告に対して，既に２２２３万０９３２円を支払ってい
るから，原告に支払うべき相当の対価はない。
５争点(4)（消滅時効の成否）について
（被告の主張）
(1)仮に，原告が主張する遅延損害金請求権が発生するとしても，当該遅延損
害金請求権は，遅くとも，原告に対する実績報奨金の履行期である別紙請求
金額内訳表記載の「起算日」の翌日から，それぞれその消滅時効の進行を開
始する。
したがって，同別紙記載の「起算日」を平成１１年２月１日とする金●(省
略)●円及び「起算日」を平成１２年２月１日とする金●(省略)●円の各内金
額に対応する遅延損害金請求権は，それぞれ平成２１年１月３１日及び平成
２２年１月３１日の経過により，それぞれ時効期間が満了した。
⑵被告は，消滅時効を援用する。
（原告の主張）
原告は，本件において，当初から，訴状送達日の翌日（平成１８年１１月８
日）からの遅延損害金の請求をしていたのであるから，本件のように事実関係
が複雑で元本債務が遅滞になる時期が不明瞭な事案にあっては，それより前の
遅延損害金債権についても裁判上の催告（民法１５３条参照）をしていたとい
える。そして，本件における訴えの変更申立書の提出によって確定的に時効中
断の効力が生じた（知財高裁平成２１年２月２６日判決・判例時報２０５３号
７４頁参照）。
したがって，いまだ時効期間は満了していない。
第４争点に対する判断
１争点(1)ア（本件各特許発明の技術的範囲）について
(1)判断の順序
原告は，本件各特許が，ハーフトーン型位相シフトマスクを用いた半導体
集積回路の製造方法を含み，光の波長を下回るパターンのウエハ上での形成
を可能とする半導体集積回路の製造方法の基本特許であることを前提として，
本件各特許により被告が得た利益は大きい旨主張することから，まず，本件
各特許発明の技術的範囲を検討する。そして，本件各特許発明の技術的範囲
を検討するに当たっては，まず，日本各特許につき分割出願の基となったも
のであり，また，米国各特許及び韓国各特許につき優先権主張がされている
日本９６７号発明中，原告及び被告の双方が主としてその主張の対象として
いる請求項１に係る発明（以下「日本９６７−１発明」という。）の技術的
範囲について検討する。
(2)日本９６７−１発明の技術的範囲について
ア日本９６７号明細書の記載等
(ア)特許発明の技術的範囲は，特許請求の範囲の記載に基づき定めなけ
ればならず，特許請求の範囲に記載された用語の意義は，明細書の記載
及び図面を考慮して解釈すべきである（特許法７０条１項及び２項参
照）ところ，日本９６７号特許の請求項１は，次のとおりである（前記
争いのない事実等(3)ア参照）
「【請求項１】マスク基板の一主面上に形成された回路パターンを，集
積回路が形成されるべき半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に縮小投影
露光装置により露光する集積回路装置の製造方法であって，
（ａ）第１光透過領域及びその第１光透過領域と境界を接する第２光透
過領域よりなる回路パターンを有する上記マスク基板を上記縮小投影露
光装置の所定の部位に配置する工程，
（ｂ）上記フォトレジスト膜が形成された上記半導体ウエハを上記縮小
投影露光装置の所定の部位に配置する工程，
（ｃ）上記所定の部位に配置した上記マスク基板に所定の波長を有する
露光光を照射し上記第１光透過領域及び上記第２光透過領域のいずれか
一方に設置された位相シフト手段により上記露光光の内，上記第１光透
過領域と上記第２光透過領域を透過した光の位相が相互に反転するよう
にして透過させる工程，
（ｄ）上記マスク基板を透過した上記露光光を上記縮小投影露光装置に
より集光し，上記マスク基板上の回路パターンの実像を上記第１光透過
領域の上記第２光透過領域側において上記実像の端部が鮮明になるよう
に上記所定の部位に配置した上記半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に
投影し，露光する工程よりなることを特徴とする集積回路装置の製造方
法。」
(イ)また，日本９６７号明細書（甲２の１）には，日本９６７−１発明
における「遮光領域」や「光透過領域」の意義に関して，次のような記
載がある。なお，実施例３及び４は，第１光透過領域と第２光透過領域
とが境界を接するものではないから，日本９６７−１発明の実施例であ
るとは認められない。
ａ〔従来の技術〕欄
「位相推移マスクについては，例えば，特公昭６２−５９２９６号公
報に記載があり，上記公報には，遮光領域と透過領域とを備えたマス
クにおいて，遮光領域を挟む一対の透過領域の少なくとも一方に透明
材料を設け，露光の際に各々の透過領域を透過した光の間に位相差を
生じさせ，これらの光がウエハ上の本来遮光領域となる領域において
干渉して強め合わないようにしたマスク構造について説明されてい
る。」（６欄４５行∼７欄２行）
ｂ〔発明が解決しようとする課題〕欄
「従来の技術においては，一対の透過領域の各々を透過した光の間に
位相差が生じるように透明材料を配置させるため，言い換えると，一
対の透過領域の一方に透明材料を配置すると他方には透明材料を配置
できないため，実際の集積回路パターンのようにパターン形状が複雑
な場合，部分的に充分な解像度が得られないパターンが生じてしまう。
（中略）このため，複雑な集積回路パターンの形成されたマスク基板
上に透明材料を配置するには，上記した透明材料の配置の制約を考慮
しながら，透明材料用の特別なパターンを設計，図面化せねばならな
いため，そのパターンの設計が非常に困難である。
したがって，透明材料が設けられたマスクの製造に多大な時間を要
してしまう。」（７欄２４行∼４１行）
ｃ〔作用〕欄
「本発明の集積回路装置の製造方法によれば，露光の際，一つの透過
領域内において，透明膜，あるいは位相シフト溝を透過した光と，こ
れらが形成されていない部分を透過した光とが，透過領域と遮光領域
との境界部分，または遮光領域の端部において弱め合うように干渉さ
せることにより，マスク上のパターンの転写精度を向上させるため，
すなわち，個々の透過領域を透過した光のなかで位相差を生じさせ，
パターン転写精度を向上させるため，マスクに形成されたパターンが
複雑であっても，それに対応して透明膜，あるいは位相シフト溝を形
成することができる。このため，マスク上のパターンが複雑であって
も，そのパターン全ての転写精度を向上させることができる。」（８
欄３０行∼４２行）
ｄ〔実施例１〕欄
⒜実施例１の構成
「マスク１ａを構成する透明なマスク基板（以下，単に基板とい
う）２は，例えば，屈折率１．４７の合成石英ガラスからなり，そ
の主面上には，例えば，厚さ５００∼３０００Åの金属層３が所定
の形状にパターン形成されている。
金属層３は，例えば，Ｃｒ層から，あるいはＣｒ層の上に酸化Ｃ
ｒ層が積層され構成されており，露光の際には，遮光領域Ａとなる。
また，金属層３が除去されている部分は，露光の際，透過領域Ｂと
なる。そして，これら遮光領域Ａと透過領域Ｂとによって集積回路
パターンの原画が構成されている。
本実施例１においては，上記した金属層３のパターン幅よりも僅
かに幅広となるようにパターン形成された透明膜４ａが配置されて
いる。すなわち，マスク１ａには，各々の金属層３の輪郭部から透
過領域Ｂに一部はみ出した透明膜４ａがパターン形成されている。
言い換えると，一つの透過領域Ｂは，透明膜４ａに被覆された部分
と透明膜４ａの形成されていない部分とにより構成されている。」
（９欄５行∼２１行）
⒝実施例１の作用
「次に，本実施例１の作用を第３図（ａ）∼（ｄ）により説明する。
第３図（ａ）に示す本実施例１のマスク１ａにおいては，マスク
１ａ上の所定の集積回路パターンの原画を縮小露光法などによりウ
エハ上に転写する際，マスク１ａの各々の透過領域Ｂにおいて，透
明膜４ａを透過した光と，通常の透過領域Ｂを透過した光との間に
は１８０度の位相差が生じる（第３図（ｂ），（ｃ））。
そして，透明膜４ａは，各金属層３の端部に配置されているため，
一つの透過領域Ｂを透過した光のうち，透明膜４ａを透過した光と
通常の透過領域Ｂを透過した光とが，透過領域Ｂと隣接する遮光領
域Ａ，Ａとの境界部分において弱め合う。
したがって，ウエハ上の光強度分布のモジュレーション（ｍｏｄ
ｕｌａｔｉｏｎ）が大幅に改善される（第３図（ｄ））。特に，ウ
エハ上に投影される各々の遮光領域Ａの端部のぼけが大幅に低減さ
れ，パターン転写精度を大幅に向上させることができる。
なお，光強度は，光の振幅の２乗となるため，ウエハ上における
光振幅の負側の波形は，第３図（ｄ）に示すように，正側に反転さ
れる。」（１０欄４３行∼１１欄１３行）
「本実施例１のマスク１ａにおいては，一つの透過領域を透過した
光のなかで位相差を生じさせ，パターン転写精度を向上させる技術
であるため，マスク１ａに形成されたパターンが複雑であっても，
それに対応して透明膜４ａを配置できる。」（１１欄３１行∼３５
行）
⒞実施例１の効果
「このように本実施例によれば以下の効果を得ることができる。
（１）．マスク１ａの各々の透過領域Ｂにおいて，透明膜４ａを透
過した光と，通常の透過領域Ｂを透過した光との間に１８０度の位
相差が生じ，これらの光が遮光領域Ａと透過領域Ｂとの境界部分に
おいて弱め合うため，ウエハ上の光強度分布のモジュレーションが
大幅に改善される。特に，ウエハ上に投影される遮光領域Ａのパタ
ーン像の端部のぼけが大幅に低減され，パターン転写精度を大幅に
向上させることができる。
（２）．上記（１）により，マスク上に形成されたパターンが，微
細，かつ複雑な集積回路パターンであっても，部分的にパターン転
写精度が低下することがなく，パターン全ての転写精度を向上させ
ることができる。
（３）．位相をシフトさせる透明膜４ａは，一つの透過領域Ｂを透
過した光の位相差のみを考慮する技術であるため，複雑な集積回路
パターンであっても，その配置が容易となる。」（１１欄４０行∼
１２欄７行）
ｅ〔実施例２〕欄
⒜実施例２の構成
「第４図に示す本実施例２のマスク１ｂにおいては，露光の際に透
過領域Ｂを透過した光に位相差を生じさせる手段として，実施例１
の透明膜４ａに代えて，露光の際，透過領域Ｂとなる基板２に位相
シフト溝７ａが形成されている。
位相シフト溝７ａは，露光の際，遮光領域Ａとなる金属層３の端
部に沿って，すなわち，金属層３の輪郭部に沿って形成されてい
る。」（１２欄２４行∼３１行）
⒝実施例２の作用
「次に，本実施例２のマスク１ｂの作用を第７図（ａ）∼（ｄ）に
より説明する。
第７図（ａ）に示すマスク１ｂ上の所定の集積回路パターンの原
画を転写する露光工程の際，マスク１ｂの各々の透過領域Ｂにおい
て，位相シフト溝７ａを透過した光と，通常の透過領域Ｂを透過し
た光との間には，１８０度の位相差が生じる（第７図（ｂ），
（ｃ））。
そして，位相シフト溝７ａは，各金属層３の端部に配置されてい
るため，一つの透過領域Ｂを透過した光のうち，位相シフト溝７ａ
を透過した光と通常の透過領域Ｂを透過した光とが，透過領域Ｂに
隣接する遮光領域Ａ，Ａとの境界部分において弱め合う。
したがって，ウエハ上の光強度分布のモジュレーションが大幅に
改善される（第７図（ｄ））。特に，ウエハ上に投影される各々の
遮光領域Ａの端部のぼけが大幅に低減され，ウエハ上に投影される
パターンの転写精度が大幅に向上する。
なお，光強度は，光の振幅の２乗となるため，ウエハ上における
光振幅の負側の波形は，第７図（ｄ）に示すように，正側に反転さ
れる。
また，本実施例２のマスク１ｂにおいても，実施例１と同じよう
に，一つの透過領域Ｂを透過した光における位相差のみを考慮する
技術であるため，マスク１ｂ上に複雑な集積回路パターンが形成さ
れていても，位相シフト溝７ａの配置が容易であり，位相シフト溝
７ａのパターンデータを集積回路パターンを構成する遮光領域Ａ，
または透過領域Ｂのパターンデータに基づいて自動的に作成するこ
とが可能となる。」（１４欄４１行∼１５欄１８行）
⒞実施例２の効果
「このように実施例２によれば以下の効果を得ることができる。
（１）．マスク１ｂの各々の透過領域Ｂにおいて，位相シフト溝７
ａを透過した光と，通常の透過領域Ｂを透過した光との間に１８０
度の位相差が生じ，これら光が遮光領域Ａと透過領域Ｂとの境界部
分において弱め合うため，ウエハ上の光強度分布のモジュレーショ
ンが大幅に改善される。特に，ウエハ上に投影される遮光領域Ａの
パターン像の端部のぼけが大幅に低減され，パターン転写精度を大
幅に向上させることができる。
（２）．上記（１）により，マスク上に形成されたパターンが，微
細，かつ複雑な集積回路パターンであっても，部分的にパターン像
の転写精度が低下することがなく，パターン全ての転写精度を向上
させることができる。
（３）．位相シフト溝７ａは，一つの透過領域Ｂを透過した光の位
相差のみを考慮する技術であるため，複雑な集積回路パターンであ
っても，その配置が容易である。」（１５欄２５行∼４２行）
ｆ実施例１及び２の変更例
「例えば，実施例１のマスクにおいては，位相をシフトさせる透明膜
を金属層の輪郭部から透過領域に一部はみ出すように配置させた場合
について説明したが，これに限定されるものではなく，例えば，第１
４図に示すマスク１ｅのように，透過領域Ｂの中央付近に透明膜４ｃ
を配置しても良い。
この場合においても，第１６図（ａ）∼（ｄ）で示すように，マス
ク１ｅ（第１６図（ａ））の各々の透過領域Ｂ，Ｂにおいて，透明膜
４ｃを透過した光と，通常の透過領域Ｂを透過した光との間には１８
０度の位相差が生じ（第１６図（ｂ），（ｃ）），一つの透過領域Ｂ
を透過した光のうち，透明膜４ｃを透過した光と通常の透過領域Ｂを
透過した光とが，透過領域Ｂと隣接する遮光領域Ａ，Ａとの境界部分
において弱め合うため，ウエハ上の光強度分布のモジュレーション
（ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）が大幅に改善される（第１６図（ｄ））。
（中略）
また，実施例２のマスクにおいては，位相シフト溝を金属層の端部
に沿って配置した場合について説明したが，これに限定されるもので
はなく，例えば，第１５図に示すマスク１ｆのように，透過領域Ｂの
中央付近に位相シフト溝７ｃを形成，配置しても良い。この場合も，
第１６図（ｂ）∼（ｄ）で示した作用と同じ作用が得られる。」（１
９欄４４行∼２０欄１９行）
ｇ〔発明の効果〕欄
「上記した本発明の集積回路装置の製造方法によれば，露光の際，一
つの透過領域内において，透明膜，あるいは位相シフト溝を透過した
光と，これらが形成されていない部分を透過した光とが，透過領域と
遮光領域との境界部分，または遮光領域の端部において弱め合うよう
に干渉させることによりマスク上のパターンの転写精度を向上させる
ため，すなわち，個々の透過領域を透過した光のなかで位相差を生じ
させ，パターン転写精度を向上させるため，マスクに形成されたパタ
ーンが複雑であっても，それに対応して透明膜，あるいは位相シフト
溝を形成することができる。
このため，マスク上のパターンが複雑であっても，そのパターン全
ての転写精度を向上させることができる。」（２０欄５０行∼２１欄
１２行）
イ遮光領域の存在について
(ア)日本９６７−１発明における遮光領域の存在及びその意義について
ａ日本９６７−１発明における遮光領域の要否
前記アの日本９６７号明細書の記載から明らかなとおり，日本９６
７−１発明によるマスクは，従来技術である「一対の透過領域の各々
を透過した光の間に位相差を生じさせる位相推移マスク」（遮光領域
を挟んで「二つの透過領域」が隣接することから，レベンソン型位相
シフトマスクをいうものと解される。）では，パターン形状が複雑な
場合に部分的に充分な解像度が得られないパターンが生じてしまうと
いうことを技術課題とし，これを解決するために，「一つの透過領
域」を境界を接する「第１光透過領域」と「第２光透過領域」とによ
って構成し，そのいずれか一方に位相シフト手段を設けることとし，
「一つの透過領域」である第１光透過領域及び第２光透過領域を透過
した光の位相を相互に反転させ，位相の反転した光を，遮光領域の端
部付近であって，第１光透過領域と第２光透過領域の境界部分におい
て弱め合うように干渉させるという構成を採用することにより，マス
ク上のパターンが複雑であっても，その転写精度を向上させるという
作用・効果を有するものであると解される。
そして，このような「第１光透過領域」及び「第２光透過領域」か
ら成る「一つの透過領域」という構成を採用した上で，複雑な回路パ
ターンを形成しようとすれば，当該「一つの透過領域」と「他の透過
領域」とを分離するための領域として，遮光領域が存在することが必
要であると認められる。
また，前記アで認定したとおり，日本９６７号明細書の作用欄，発
明の効果欄の記載においては，遮光領域が存在することが明記されて
おり，各実施例においても，金属層が配置された遮光領域が開示され
ている。他方で，日本９６７号明細書の発明の詳細な説明の記載中に
は，特許請求の範囲の請求項１と同様の記載がされた課題を解決する
ための手段欄以外に，日本９６７−１発明における位相シフトマスク
につき遮光領域が存在しないことを前提とする記載はない。
したがって，日本９６７−１発明における位相シフトマスクにおい
ては，遮光領域が存在することが必要であると認められる。
ｂなお，原告は，特許請求の範囲に遮光領域の存在が記載されておら
ず，また，端部が鮮明になるのは第１光透過領域と第２光透過領域の
境界であって，透過領域と遮光領域の境界において端部が鮮明になる
との前記日本９６７号明細書の作用欄の記載は誤記であるとして，日
本９６７−１発明は，遮光領域の存在を要件としていないと主張する。
しかしながら，平成２年法律第３０号による改正前の特許法３６条
４項２号の規定にかかわらず，特許発明の構成要件の解釈に当たって，
明細書等の記載に基づき，特許請求の範囲に記載されていない事項の
存在を前提に解釈することも許容されると解されるから，特許請求の
範囲に遮光領域の存在が記載されていないからといって，当該特許発
明において当然にその存在が要件とならないわけではない。そして，
前記ａのとおり，日本９６７号明細書の記載によれば，遮光領域の存
在を前提として発明の作用・効果が説明され，実施例が開示されてお
り，また，遮光領域が存在することは，技術的に他の記載とも整合す
ることから，日本９６７−１発明においては，遮光領域の存在が不可
欠であると解される。したがって，作用欄の記載を誤記であるとして，
遮光領域の存在は要件としていないとする原告の主張は，到底採用す
ることができない。
(イ)遮光領域の存在とハーフトーン型位相シフトマスクとの関係
ａ証拠（甲１０，６１，乙１１∼１３）及び弁論の全趣旨によれば，
ハーフトーン型位相シフトマスクとは，マスクを透過する露光光間に
位相差を生じさせることにより，転写パターンの解像度を向上させる
位相シフトマスクの一種であり，透光領域と，遮光部として，実質的
に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に透過光の位相をシ
フトさせる半透光領域とを有し，両者を透過した光がその境界部分に
おいて互いに打ち消し合うことにより，境界部の解像度を向上させる
ものをいうと認められる。
もっとも，証拠（甲６１，８６）によれば，透光領域及び半透光領
域に加えて，遮光領域を有するハーフトーン型位相シフトマスクも技
術的に可能であると認められることから，遮光領域が存在するからと
いって，当然にハーフトーン型位相シフトマスクではないということ
はできない。したがって，ハーフトーン型位相シフトマスクとは，こ
の透光領域と半透光領域の２領域から成るものであって，遮光領域を
含む３領域から成るものは，ハーフトーン型位相シフトマスクに含ま
れないとの被告の主張は，その限りにおいて採用することができない。
ｂしかしながら，ハーフトーン型位相シフトマスクは，遮光部として，
「実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に透過光の
位相をシフトさせる半透光領域」を用いるものであって，遮光領域の
存在は，必ずしも必要ではない。遮光領域が存在するハーフトーン型
位相シフトマスクを特許発明として開示する甲６１公報も，透光部と
半透光部の２領域から成るハーフトーン型位相シフトマスクの「欠点
である露光光の漏れをほぼ完全に防止する」ために遮光膜を設けるも
のであり（４欄３１行∼３２行），ハーフトーン型位相シフトマスク
一般について，遮光膜の存在が必ず必要であるとするものではない。
(ウ)小括
したがって，日本９６７−１発明における位相シフトマスクは，遮光
領域が存在することを必要とし，当該遮光領域によって区分される「一
つの透過領域内」に位相シフト手段を設ける点で，位相シフト手段を設
けた部分（半透光領域）を遮光部とし，別途の遮光領域を要しないハー
フトーン型位相シフトマスクとは異なると認められる。
ウ半透光領域の開示の有無
(ア)「第１光透過領域」及び「第２光透過領域」の意義（これらが半透
光領域を含むものといえるか。）
ａ前記イ(イ)のとおり，ハーフトーン型位相シフトマスクには，「実
質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に透過光の位相
をシフトさせる半透光領域」が存在することが必要である。
しかしながら，日本９６７号明細書には，日本９６７−１発明にい
う「第１光透過領域」及び「第２光透過領域」について，これらのい
ずれかが，ハーフトーン型位相シフトマスクであれば必要とされる
「実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に透過光の
位相をシフトさせる半透光領域」であることを示唆する記載は，全く
ない。
かえって，第１の実施例のマスクの透過領域を透過した光の振幅及
び強度を示す第３図の（ｂ）及び第２の実施例のマスクの透過領域を
透過した光の振幅及び強度を示す第７図の（ｂ）では，マスクの透過
領域を透過した直後の光の振幅は，位相を反転させた光と位相を反転
させない光とでほぼ同等に記載されている（甲２の１）。
したがって，日本９６７−１発明にいう第１光透過領域又は第２光
透過領域のいずれかが，ハーフトーン型位相シフトマスクに必要な半
透光領域であることを含むものであると認めることはできない。
ｂ「第１光透過領域」及び「第２光透過領域」に関する原告の主張に
ついて
⒜これに対し，原告は，特許請求の範囲には第１光透過領域及び第
２光透過領域のいずれについても，その光透過率の記載はないから，
光透過率が何％であっても，相互の透過光の干渉により端部が鮮明
になるのであれば，ハーフトーン型位相シフトマスクを含めて，日
本９６７−１発明の技術的範囲に含まれると主張する。
確かに，日本９６７特許の請求項１には，第１光透過領域及び第
２光透過領域の光透過率についての記載はない。しかしながら，発
明とは，自然法則を利用した技術的思想の創作である（特許法２条
１項）ところ，前記のとおり，日本９６７号明細書には，実質的に
露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に透過光の位相をシ
フトさせるという半透光領域に関する技術的思想は，全く開示され
ていない。
したがって，特許請求の範囲に第１光透過領域及び第２光透過領
域の光透過率の記載がないからといって，日本９６７−１発明にハ
ーフトーン型位相シフトマスクが含まれると解することはできず，
ましてや，光透過率いかんにかかわらず，端部が鮮明になるような
位相シフトマスクでありさえすれば，日本９６７−１発明の技術的
範囲に含まれるということもできないから，原告の前記主張は理由
がない。
⒝また，原告は，日本９６７号明細書には，位相シフト手段である
透明膜をポリメチルメタアクリレートとすることが記載されており，
これを用いた透明膜は，現在，広く実用化されているＡｒＦエキシ
マレーザ露光装置（波長１９３ｎｍ）においては，光透過率が１％
程度になることを理由として，日本９６７−１発明にハーフトーン
型位相シフトマスクが含まれると主張する。
しかしながら，日本９６７号明細書は，露光の際に照射される光
としてｉ線（波長３６５ｎｍ）を用いることが例示されているのみ
であって（９欄３３行∼３４行，１２欄４２行，１６欄３５行，１
８欄３０行），ＡｒＦエキシマレーザを用いることを前提として，
透明膜をポリメチルメタアクリレートとすることを開示していると
は認められない。そして，日本９６７号明細書では，ポリメチルメ
タアクリレートを透明膜として用いることが記載されており，他方
で，同明細書には，「実質的に露光に寄与しない強度の光を透過さ
せると同時に透過光の位相をシフトさせるという半透光領域」を形
成するために透明膜を用いることを示唆する記載は存在しない。
以上のことからすれば，日本９６７−１発明において，ポリメチ
ルメタアクリレートをハーフトーン型位相シフトマスクにおけるハ
ーフトーン膜として用いることは想定されておらず，かつ，そのこ
との開示もされていないと認められる。
したがって，日本９６７号明細書に透明膜をポリメチルメタアク
リレートとすることが記載されていることをもって，日本９６７−
１発明がハーフトーン型位相シフトマスクを含むと認めることはで
きず，原告の前記主張は理由がない。
⒞そして，仮に，原告が主張するとおり，日本９６７−１発明にお
ける第１光透過領域又は第２光透過領域のいずれかがハーフトーン
膜が存在する領域であるとした場合には，「一つの透過領域」内に
ハーフトーン膜が存在することになって，「一つの透過領域」と
「他の透過領域」とを分離する領域が存在しないことになり，回路
パターンを形成することができなくなる。なお，原告は，ハーフト
ーン膜が存在する領域をもって，「一つの透過領域」と「他の透過
領域」とを分離する領域であると主張するものとも解されるが，そ
うであれば，「第１光透過領域」と「第２光透過領域」により「一
つの透過領域」を構成するという日本９６７号明細書の作用欄や発
明の効果欄の記載と矛盾することになり，いずれにしても，原告の
主張を採用する余地はない。
ｃ小括
したがって，日本９６７−１発明の「第１光透過領域」又は「第２
光透過領域」が，ハーフトーン型位相シフトマスクにおける「半透光
領域」を含むものと認めることはできない。
(イ)他の領域における半透光領域の開示の有無
このほか，原告は，日本９６７号明細書には，遮光領域として３０ｎ
ｍのＣｒ層と２０ｎｍの酸化Ｃｒ層から成る金属層が記載されており，
露光光としてｉ線を用いた場合におけるこの金属層の光透過率は３％程
度であるとして，同明細書には，ハーフトーン型位相シフトマスクが開
示されていると主張する。
しかしながら，同明細書には，当該金属層は，「遮光領域」となるも
のとして記載されており，当該「遮光領域」が光を透過させることを示
唆する記載はないこと，また，当該金属層を透過する光と「透過領域」
を透過した光とを相互に干渉させることを示唆する記載もないことから，
当該金属層は，光を透過させない層として記載されているものと認めら
れる。また，そもそも，日本９６７号明細書には，位相シフトマスクに
「実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に透過光の位
相をシフトさせるという半透光領域」を形成することを示唆する記載は
ない。
したがって，原告の前記主張は，理由がない。
エ本件出願時明細書との関係
後記３(2)イ(イ)のとおり，本件出願時明細書に記載された発明は，エッ
ジ強調型位相シフトマスク及び補助開口型位相シフトマスクに関するもの
であって，ハーフトーン型位相シフトマスクはこれに含まれないものと認
められる。そして，後記３(2)ウのとおり，日本９６７号特許の請求項１は，
出願後の補正により現在の内容になったものであるところ，仮に，日本９
６７−１発明にハーフトーン型位相シフトマスクが含まれるとすると，当
該補正は，本件出願時明細書の要旨を変更するものとなってしまう（平成
５年法律第２６号附則２条２項，同法律による改正前の特許法４０条参
照）。
オその他の原告の主張について
原告は，所定の構成を採ることにより端部が鮮明であるという効果を奏
する以上，ハーフトーン型位相シフトマスクを除く理由はないと主張する。
しかしながら，前記イ及びウのとおり，遮光領域の存在を必要とし，
「一つの透過領域」内に位相シフト手段を設ける点及び半透光領域を設け
る構成が開示されていない点において，日本９６７−１発明の構成は，ハ
ーフトーン型位相シフトマスクの構成とは異なることから，ともに端部が
鮮明であるという効果を奏するからといって，日本９６７−１発明がハー
フトーン型位相シフトマスクを含むものではないことは，明らかである。
カ小括
以上のことからすれば，原告が縷々主張するその他の点を判断するまで
もなく，日本９６７−１発明の技術的範囲に，ハーフトーン型位相シフト
マスクが含まれると認めることはできない。
そして，日本９６７−１発明の技術的範囲に含まれる位相シフトマスク
は，前記イのとおり，「第１光透過領域」と「第２光透過領域」とで構成
される「一つの透過領域」及び「遮光領域」とから成り，「一つの透過領
域」である第１光透過領域及び第２光透過領域を透過した光が，遮光領域
の端部付近であって，第１光透過領域と第２光透過領域の境界部分におい
て弱め合うように干渉させることによりマスク上のパターンの転写精度を
向上させるという作用・効果を有するものとされていることからすれば，
エッジ強調型位相シフトマスクであると認められる。
(3)その余の本件各特許発明について
日本９６７号発明中の請求項１以外の請求項に係る各発明は，その特許請
求の範囲の記載に照らして，前記⑵のとおり，同請求項１に係る発明にハー
フトーン型位相シフトマスクが含まれるとは認められない以上，その技術的
範囲にハーフトーン型位相シフトマスクが含まれると認めることはできない。
そして，日本９６７号発明以外の日本各特許発明，米国各特許発明及び韓
国各特許発明についても，同様であって，他に，これらの特許発明の技術的
範囲にハーフトーン型位相シフトマスクが含まれると認めるに足りる証拠は
ない。
したがって，日本９６７−１発明以外の本件各特許発明の技術的範囲に，
ハーフトーン型位相シフトマスクが含まれると認めることはできない。
(4)小括
以上のとおり，本件各特許発明の技術的範囲にハーフトーン型位相シフト
マスクが含まれると認めることはできない。
そして，弁論の全趣旨によれば，光の波長を下回るパターンのウエハ上で
の形成を可能とする半導体集積回路の製造方法において商業的に実用化され
た位相シフトマスクは，レベンソン型位相シフトマスクとハーフトーン型位
相シフトマスクであると認められ，また，エッジ強調型位相シフトマスク及
び補助開口型位相シフトマスクが商業的に成功しなかったことは当事者間に
争いがないから，本件各特許が，当該製造方法における基本特許であると認
めることはできず，また，本件各特許が被告又は半導体メーカー等の第三者
において実施されていたと認めることもできない。
２争点(1)イ（被告が包括クロスライセンス契約において本件各特許により得た
利益の額）について
(1)旧特許法３５条４項の「その発明により使用者等が受けるべき利益の額」
の意義
使用者等は，職務発明について特許を受ける権利又は特許権を承継するこ
とがなくとも，当該発明について特許法３５条１項が規定する通常実施権を
無償で有することにかんがみれば，旧特許法３４条４項にいう「その発明に
より使用者等が受けるべき利益の額」とは，使用者等が当該特許発明を実施
することによって得られる利益の額ではなく，当該特許発明を独占的に実施
することができることによる利益の額（第三者に対する実施許諾をすること
によって得ることができる実施料収入等の利益の額を含む。以下同じ。）で
あると解すべきである。
そして，その利益の額は，本来，職務発明についての特許を受ける権利の
承継時において，当該権利を取得した使用者等が当該発明の実施を独占する
ことによって得られると客観的に見込まれる利益の額をいうと解されるが，
特許を受ける権利自体が，将来特許登録されるか否か不確実な権利である上，
当該発明により使用者等が将来得ることができる利益を，その承継時におい
て算定することは，極めて困難であることにかんがみれば，その発明により
使用者等が実際に受けた利益の額に基づいて，「その発明により使用者等が
受けるべき利益の額」を事後的に算定することは，「利益の額」の合理的な
算定方法の１つであり，同項の解釈として当然許容し得るところというべき
である。
以上説示したところは，職務発明として，旧特許法３５条３項及び４項が
類推適用されるべき外国の特許を受ける権利を使用者等に譲渡した場合の対
価請求においても，妥当するものといえる。
(2)被告が包括クロスライセンス契約により得た額
ア本件において，被告が，半導体メーカ各社との間で，本件各特許もその
対象として，包括クロスライセンス契約を締結していたことは，当事者間
に争いがない。
そして，包括クロスライセンス契約は，当事者双方が多数の特許発明等
の実施を相互に許諾し合う契約であるから，当該契約において，一方当事
者が自己の保有する特許発明等の実施を相手方に許諾することによって得
るべき利益とは，それによって相手方から現実に支払を受ける実施料及び
相手方が保有する複数の特許発明等を無償で実施することができることに
よる利益，すなわち，相手方に本来支払うべきであった実施料の支払義務
を免れることによる利益であると解することができる。もっとも，営利企
業が包括クロスライセンス契約を締結する場合には，相互に支払うべき実
施料の総額が均衡すると考えて契約条件を定めたものと解するのが合理的
であるから，「相手方に本来支払うべきであった実施料の支払義務を免れ
ることによる利益」に代えて，相手方が自己の特許発明を実施することに
より，本来，相手方から支払を受けるべきであった実施料を基準として算
定することも，合理的である。
イ証拠（乙３９，４０，４６∼４８）及び弁論の全趣旨によれば，被告又
はルネサスは，半導体メーカ各社との間で締結した包括クロスライセンス
契約により，以下の利益額を得たと認められる。
(ア)平成９（１９９７）年１０月２４日∼平成１０（１９９８）年３月
３１日
ａ支払を受けた実施料●(省略)●円
弁論の全趣旨によれば，被告が，当該期間の売上げに対応する実施
料として支払を受けた額は，日本円で●(省略)●円及び米ドルで●(省
略)●ドル（被告が米国ＳＥＣに提出した「Ｆｏｒｍ２０−Ｆ」に記載
している平成９（１９９７）年度の平均為替レートである１ドル１２
３．５７円で計算すると，●(省略)●円（四捨五入。以下同じ。）と
なる。）の合計●(省略)●円であると認められる（なお，原告が主張
する額は，●(省略)●円であるが，違算と認められる。）。
ｂクロス効果の額（被告又はルネサスが包括クロスライセンス契約を
締結したことにより，被告又はルネサスが相手方メーカに支払わずに
済んだ財産的効果を金銭的に評価したもの。以下同じ。）●(省略)
●円
弁論の全趣旨によれば，当該期間に被告が得たクロス効果の額は，
●(省略)●円と認められる。
ｃａ及びｂの合計額●(省略)●円
(イ)平成１０（１９９８）年度
ａ支払を受けた実施料●(省略)●円
弁論の全趣旨によれば，被告が，平成１０（１９９８）年度の売上
げに対応する実施料として支払を受けた額は，日本円で●(省略)●円
及び米ドルで●(省略)●ドル（被告が米国ＳＥＣに提出した「Ｆｏｒ
ｍ２０−Ｆ」に記載している平成１０（１９９８）年度の平均為替レ
ートである１ドル１２８．１０円で計算すると，●(省略)●円とな
る。）の合計●(省略)●円であると認められる。
ｂクロス効果の額●(省略)●円
弁論の全趣旨によれば，平成１０（１９９８）年度における被告が
得たクロス効果の額は，●(省略)●円と認められる。
ｃａ及びｂの合計額●(省略)●円
(ウ)平成１１（１９９９）年度
ａ支払を受けた実施料●(省略)●円
弁論の全趣旨によれば，被告が，平成１１（１９９９）年度の売上
げに対応する実施料として支払を受けた額は，日本円で●(省略)●円
及び米ドルで●(省略)●ドル（被告が米国ＳＥＣに提出した「Ｆｏｒ
ｍ２０−Ｆ」に記載している平成１１（１９９９）年度の平均為替レ
ートである１ドル１１０．０２円で計算すると，●(省略)●円とな
る。）の合計●(省略)●円であると認められる。
ｂクロス効果の額●(省略)●円
弁論の全趣旨によれば，平成１１（１９９９）年度における被告が
得たクロス効果の額は，●(省略)●円と認められる。
ｃａ及びｂの合計●(省略)●円
(エ)平成１２（２０００）年度及び平成１３（２００１）年度
ａ支払を受けた実施料●(省略)●円
被告が，受領した実施料及びクロス効果の額を日本９６７号特許に
配分をした包括クロスライセンス契約によって，この２年間に支払を
受けた実施料の額は，合計●(省略)●円であると認められる（乙３９，
４０）。
ｂクロス効果の額●(省略)●円
被告が得た，ａの包括クロスライセンス契約による，この２年間の
クロス効果の額は，合計●(省略)●円であると認められる（乙３９，
４０）。
ｃａ及びｂの合計●(省略)●円
(オ)平成１４（２００２）年度∼平成１６（２００４）年度
被告又はルネサスが，受領した実施料及びクロス効果の額を日本９６
７号特許に配分をした包括クロスライセンス契約によって，当該期間に
支払を受けた実施料及びクロス効果の額は，次のとおりである。
ａ支払を受けた実施料●(省略)●円
⒜Ａ社，Ｂ社，Ｃ社及びＤ社から受領した実施料
被告又はルネサスが，当該期間に，これらの各社から支払を受け
た実施料の合計額は，●(省略)●円であると認められる（乙３９）。
⒝その余の包括クロスライセンス契約の相手方から受領した実施料
被告又はルネサスが，当該期間に，これらの相手方から支払を受
けた実施料の合計額は，合計●(省略)●円であると認められる（乙
３９）。
ｂクロス効果の額●(省略)●円
⒜Ａ社，Ｂ社，Ｃ社及びＤ社に対するクロス効果の額
当該期間におけるＡ社ないしＤ社に対するクロス効果の額は，合
計●(省略)●円であると認められる（乙３９）。
⒝その余のライセンス契約の相手方に対するクロス効果の額
当該期間におけるこれらの相手方に対するクロス効果の額は，合
計●(省略)●円であると認められる。
ｃａ及びｂの合計●(省略)●万円
(カ)平成１７（２００５）年４月１日∼平成２０（２００８）年１１月
２１日
ａ支払を受けた実施料●(省略)●円
(ａ)平成１７（２００５）年度●(省略)●円
弁論の全趣旨によれば，ルネサスが，平成１７（２００５）年度
の売上げに対応する実施料として支払を受けた額は，日本円で●(省
略)●円及び米ドルで●(省略)●ドル（被告が３月期決算短信補足資
料で公表した平成１７（２００５）年度の為替レートである１ドル
１１４円で計算すると，●(省略)●円となる。）の合計●(省略)●
円であると認められる。
このうち，受領した実施料及びクロス効果の額を日本９６７号特
許に配分をした包括クロスライセンス契約によるものは，●(省略)
●円である（乙４６）。
⒝平成１８（２００６）年度●(省略)●円
弁論の全趣旨によれば，ルネサスが，平成１８（２００６）年度
の売上げに対応する実施料として支払を受けた額は，日本円で●(省
略)●円及び米ドルで●(省略)●ドル（被告が３月期決算短信補足資
料で公表した平成１８（２００６）年度の為替レートである１ドル
１１７円で計算すると，●(省略)●円となる。）の合計●(省略)●
円であると認められる。
⒞平成１９（２００７）年度●(省略)●円
弁論の全趣旨によれば，ルネサスが，平成１９（２００７）年度
の売上げに対応する実施料として支払を受けた額は，日本円で●(省
略)●円及び米ドルで●(省略)●ドル（被告が３月期決算短信補足資
料で公表した平成１９（２００７）年度の為替レートである１ドル
１１４円で計算すると，●(省略)●円となる。）の合計●(省略)●
円であると認められる。
⒟平成２０（２００８）年４月１日∼平成２０（２００８）年１１
月２１日●(省略)●円
弁論の全趣旨によれば，ルネサスが当該期間中に支払を受けた実
施料の額につき，同日までの日割りで計算した額は，日本円で●(省
略)●円及び米ドルで●(省略)●ドル（被告が３月期決算短信補足資
料で公表した平成２０（２００８）年度の為替レートである１ドル
１０１円で計算すると，●(省略)●円となる。）の合計●(省略)●
円であると認められる（なお，原告が主張する額は，●(省略)●円
であるが，違算と認められる。）。
ｂクロス効果の額●(省略)●円
証拠（乙４６，４８）によれば，平成１７（２００５）年度におい
てルネサスが支払を受けた実施料及びクロス効果の額を日本９６７号
特許に配分をした包括クロスライセンス契約によってルネサスが得た
クロス効果の額は，●(省略)●円であること，この額を含めて，ルネ
サスが平成１７（２００５）年４月１日から平成２０（２００８）年
１１月２１日までの間に得たクロス効果の額は●(省略)●円（平成１
７（２００５）年度分を除くと●(省略)●円）であり，うち，Ａ社な
いしＤ社との間の包括クロスライセンス契約によって得た額は●(省
略)●円であることが認められる。
なお，原告は，クロス効果の額は，平成１４（２００２）年度ない
し平成１６（２００４）年度におけるクロス効果の額の，被告又はル
ネサスが同期間において支払を受けた実施料の額に対する割合によっ
て計算すべきであると主張し，事実実験公正証書（乙４６，４８）の
基礎となった実施料配分表は，本件訴訟提起後に作成されたもので，
信用性を欠くと主張する。
しかしながら，証拠（乙４６∼４８）及び弁論の全趣旨によれば，
当該事実実験公正証書（乙４６，４８）に記載されたクロス効果の額
は，ルネサスのコンピュータサーバ内に保存されていたライセンス契
約等に係る客観的データに基づくものであって，その算定に当たり，
何らかの作為が加えられたことを疑わせる具体的事情があるとは認め
られないから，原告の主張は理由がない。
ｃａ及びｂの合計額●(省略)●円
（内訳）平成１７（２００５）度分●(省略)●円
平成１８（２００６）年４月１日∼平成２０（２００８）年
１１月２１日分●(省略)●円
(3)被告が包括クロスライセンス契約により得た利益の額のうち，本件各特許
が寄与した割合
ア弁論の全趣旨によれば，被告又はルネサスが半導体メーカー各社と締結
した包括クロスライセンス契約において，被告は自己が保有する約２万件
の特許をその対象としていたこと，ルネサスはその保有する約４万件の特
許をその対象としていたことが認められる。
このような包括クロスライセンス契約の締結交渉において，多数の特許
のすべてについて，逐一，その技術的価値や相手方による実施の有無等を
相互に評価し合うことは現実的に不可能であるから，相手方が実施してい
る可能性が高いと推測している特許や技術的意義が高いと認識している基
本特許を，相互に一定件数の範囲内で相手方に提示し，それらの特許に相
手方の製品が抵触するか否か，当該特許の技術的価値の程度及び実施して
いると認められた製品の売上高等について具体的に協議し，相手方の製品
との抵触性及び技術的価値が確認された特定の特許と対象となる製品の売
上高を重視した上で，互いに保有する特許の件数，出願中の特許の件数も
比較考慮することにより，包括クロスライセンス契約の諸条件が決定され
ているものと認められる（以下，単に相手方に提示された特許を「提示特
許」といい，提示特許のうち，相手方製品との抵触性及びその技術的価値
が確認された特定の特許を「代表特許」という。）。
そうすると，多数の特許が対象となる包括クロスライセンス契約におい
ては，相手方への提示特許又は代表特許として認められた特許以外の個別
の対象特許（以下「ライセンス対象特許」という。）については，多数の
特許のうちの１つとして，その他の多数の特許とともに厳密な検討を経る
ことなく当該ライセンス契約の対象とされていたものというべきである。
したがって，ライセンス対象特許については，包括クロスライセンス契約
の対象特許である以上，同契約締結に対する何らかの寄与度は認められる
ものの，それは，提示特許又は代表特許による寄与度を除いた残余の寄与
度にすぎないと解される。そして，提示特許又は代表特許が包括クロスラ
イセンス契約締結に対する寄与度の相当部分を占めるものと評価すべき場
合が多いと考えられること，及び，ライセンス対象特許の数が前記のとお
り極めて多いことからすれば，ライセンス対象特許は，多数の特許群を構
成するものとしてのみその価値を評価すべきものであって，包括クロスラ
イセンス契約に対する特段の寄与度を認める必要はないものというべきで
ある。
ただし，代表特許又は提示特許と扱われたものでないライセンス対象特
許であっても，包括クロスライセンス契約締結当時において相手方が実施
していたこと又は実施せざるを得ないことが認められるような特許につい
ては，当該ライセンス契約締結時にその存在が相手方に認識されていた可
能性があり，また，特許権者が包括クロスライセンス契約の締結を通じて
禁止権を行使しているものということができることから，代表特許又は提
示特許に準じるものとして，当該ライセンス契約締結に対する一定の寄与
度を認めるべきである。
そして，被告又はルネサスにおいて，本件各特許に対する実績報奨金を
支払う際に認定した本件各特許の寄与率又は本件各特許への配分額は，被
告又はルネサスが，原告と被告との間で職務発明に係る相当の対価請求に
ついて争いが生じる以前に，他の配分の対象となった特許の内容，交渉の
経過等を総合的に考慮して客観的に算定したものであると認められるから，
本件各特許の寄与率を判断するに当たり，これを参考にし得るものという
ことができる。もっとも，参考にするに当たっては，その認定に明らかな
誤りがないか否か，明らかに不公正又は偏った認定となっていないか否か
等の認定に関する具体的事情を考慮すべきであり，認定に関する具体的事
情いかんによっては，これを直ちに参考にすることが相当でない場合もあ
るというべきである。
そこで，以下，被告又はルネサスが認定した本件各特許の寄与度及び本
件各特許への配分額の算定の基礎となる具体的事情を検討する。
イ本件各特許の寄与度の算定の基礎となる具体的事情
(ア)被告又はルネサスにおける支払を受けた実施料及びクロス効果の額
についての日本９６７号特許への配分額及び包括クロスライセンス契約
における経過
証拠（乙３９，４０，４５ないし４８）及び弁論の全趣旨によれば，
次の事実が認められる。
なお，平成１９年第３５５号実施料配分表に関する事実実験公正証書
（乙３９）には，実施料配分表に記載された配分額は，日本９６７号特
許及びその関連特許に対するものであるとの記載があるが，これを裏付
ける証拠はないことから，その配分額は，日本９６７号特許に対するも
のと認めるのが相当である。
ａ平成９（１９９７）年度から平成１１（１９９９）年度まで
被告は，平成９（１９９７）年度においては●(省略)●個の特許に，
平成１０（１９９８）年度においては●(省略)●個の特許に，平成１
１（１９９９）年度においては●(省略)●個の特許に，支払を受けた
実施料及びクロス効果の額を配分したが，これらの配分を受けた特許
には，本件各特許は含まれていない（乙４６）。
また，当該期間の包括クロスライセンス契約において，本件各特許
が代表特許又は提示特許とされたと認めるに足りる証拠はない。
ｂ平成１２（２０００）年度及び平成１３（２００１）年度について
⒜被告は，日本９６７号特許に対し，前記(2)イ(エ)の当該各年度に
支払を受けた実施料及びクロス効果の額の合計●(省略)●円のうち，
●(省略)●円（実施料及びクロス効果の額の全体の●(省略)●％
（小数点２位未満切り捨て。以下同じ。））を配分した。なお，被
告においては，平成１２（２０００）年度においては●(省略)●個
の特許に，平成１３（２００１）年度においては●(省略)●個の特
許に，実施料及びクロス効果の額を配分した（乙３９）。
⒝被告は，包括クロスライセンス契約の相手方であるＡ社に対して，
日本９６７号特許を含む●(省略)●件の特許を提示したが，Ａ社か
ら，位相シフトマスクを実施していないとの反論を受けたため，Ａ
社から支払を受けた実施料額及びクロス効果の額については，日本
９６７号特許に配分しなかった（乙３９）。
ｃ平成１４（２００２）年度ないし平成１６（２００４）年度につい
て
証拠（乙３９）によれば，当該期間における包括クロスライセンス
契約の相手方のうち，①Ａ社との間では，新たな契約締結や契約更新
の交渉は行われなかったが，交渉材料として用いられたことを評価す
るというルネサスの運用に従い，Ａ社との関係でも，日本９６７号特
許に対し，実施料及びクロス効果の額を配分することとなったこと，
②Ｂ社との間での契約交渉において，Ｂ社に対して，日本９６７号特
許を含む●(省略)●件の特許が提示されたが，Ｂ社から，日本９６７
号特許については非抵触及び無効であるとの反論がされたこと，③Ｃ
社との間での契約交渉において，Ｃ社に対して，日本９６７号特許を
含む●(省略)●件の特許が提示されたが，Ｃ社から，位相シフトマス
クを実施していないとの反論がされたこと，④Ｄ社との間の契約交渉
において，Ｄ社に対して，日本９６７号特許を含む●(省略)●件の特
許が提示されたが，いずれについても具体的な議論の機会が持たれな
かったこと，⑤被告又はルネサスは，日本９６７号特許に，前記(2)イ
(オ)のＡ社ないしＤ社から支払を受けた実施料及びクロス効果の額の
合計●(省略)●円のうち●(省略)●円（Ａ社ないしＤ社からの実施料
及びクロス効果の額の●(省略)●％）を，前記(2)イ(オ)のその余の包
括クロスライセンス契約の相手方から支払を受けた実施料及びクロス
効果の額の合計●(省略)●円のうち●(省略)●円（当該相手方からの
実施料及びクロス効果の額の●(省略)●％）をそれぞれ配分したこと
（配分額の合計額は●(省略)●円で，実施料額及びクロス効果の額の
合計●(省略)●円の●(省略)●％である。）が認められる。
なお，証拠（乙３９）によれば，被告又はルネサスにおいては，平
成１４（２００２）度においては●(省略)●個の特許に，平成１５
（２００３）年度においては●(省略)●個の特許に，平成１６（２０
０４）年度においては●(省略)●個の特許に，支払を受けた実施料及
びクロス効果の額を配分したことが認められる。
ｄ平成１７（２００５）年度ないし平成２０（２００８）年度につい
て
証拠（乙４６）によれば，①ルネサスは，前記(2)イ(カ)の支払を受
けた実施料及びクロス効果の額につき，平成１７（２００５）年度に
おいては●(省略)●個の特許にこれを配分し，日本９６７号特許に対
しては，●(省略)●円（平成１７（２００５）年度の支払を受けた実
施料及びクロス効果の額の合計●(省略)●円の●(省略)●％）を配分
したこと（乙４６には，「２００６年度」に配分された額として記載
されているが，その前後の文脈に照らして，平成１７（２００５）年
度の誤記と認められる。），②ルネサスは，平成１８（２００６）年
度においては●(省略)●個の特許に，平成１９（２００７）年度にお
いては●(省略)●個の特許に，支払を受けた実施料及びクロス効果の
額を配分したが，本件各特許についてはこれらを配分しなかったこと
が認められる。
(イ)被告又はルネサス内部における本件各特許に対する評価
証拠（甲１，２３，３０，３１，３６）及び弁論の全趣旨によれば，
①日本９６７号特許が，平成３年度における被告の社内表彰である戦略
特許賞「金賞」を受賞したこと（甲３６），②平成１１（１９９９）年
６月８日付けの被告「半２Ｇ」作成の本件特許リストにおいて，日本９
６７号特許につき，●(省略)●と記載されていること（甲３１），③平
成１４（２００２）年９月１８日付けの被告の「（知本）半導体特許開
発センタ」作成の特許評価責任者説明会資料に，●(省略)●③●(省略)
●が認められる。
(ウ)ルネサスが設立された平成１５年４月１日まで，包括クロスライセ
ンス契約の対象となった特許は，約２万件であり，ルネサスが設立され
た後は約４万件である。なお，ルネサスにおける被告の出資割合は，５
５％である（いずれも弁論の全趣旨）。
(エ)前記１のとおり，本件各特許発明の技術的範囲には，ハーフトーン
型位相シフトマスクは含まれず，本件各特許発明が対象とする位相シフ
トマスクは，商業的には実用化されなかったことから，本件各特許を包
括クロスライセンス契約の相手方が実施していたとは認められない。
ウ前記イ(ア)の日本９６７号特許に対する配分額及び配分率並びに前記イ
(ア)及び(イ)の各事実からすれば，被告内部においては，本件各特許は，
被告の特許戦略上，重要なものとされており，平成１２（２０００）年度
以降のライセンス契約締結の際の交渉において，提示特許とされる等して，
ライセンス交渉に寄与するものとして高い評価を受けていたと認められる。
他方で，①このような高い評価は，本件各特許発明の技術的範囲にハー
フトーン型位相シフトマスクが含まれるとの被告又はルネサスの認識（又
は被告若しくはルネサスにおいて，意図的にそのようなものとして取り扱
ったこと）に基づくものと認められるところ，客観的には，本件各特許発
明の技術的範囲にハーフトーン型位相シフトマスクが含まれると認められ
ないことは前記１のとおりであること，②日本９６７号特許は，包括クロ
スライセンス契約の契約交渉において，提示特許とされているが，包括ク
ロスライセンス契約の相手方が，日本９６７号発明の技術的範囲にハーフ
トーン型位相シフトマスクが含まれる等その価値を高く評価して，包括ク
ロスライセンス契約を締結したと認めるに足りる証拠はないこと，③現に，
包括クロスライセンス契約の交渉相手から，日本９６７号発明の技術的範
囲にハーフトーン型位相シフトマスクが含まれることに疑義が示されてい
る例もあることが認められる。
以上の具体的事情（特に前記①の事情）からすれば，前記イ(ア)の被告
又はルネサスが認定した本件各特許の寄与率又は配分額は，本件各特許の
寄与率を認定するに当たり，一定程度参考にし得るものといえるものの，
これをそのまま認定することは相当でないと認められる。
以下，前記で認定した本件各特許の寄与度の算定の基礎となる具体的事
情を基に，本件各特許の寄与率を検討する。
(ア)平成９（１９９７）年度から平成１１（１９９９）年度まで０．
００７％
前記イ(ア)ａのとおり，被告は，当該期間においては，支払を受けた
実施料及びクロス効果の額を本件各特許に配分しておらず，本件各特許
が代表特許又は提示特許とされた等の本件各特許の寄与率を高く評価す
べき事情も認められない。なお，前記イ(イ)のとおり，平成１１（１９
９９）年６月８日付けの本件特許リストにおいて，日本９６７号特許に
つき，●(省略)●と記載されているが，●(省略)●という記載の趣旨自
体，必ずしもライセンス交渉に当たって交渉材料に用いたこと等を意味
するとは認められないから，この記載のみをもって，本件各特許の寄与
率が高いと認めることはできない。
したがって，平成９（１９９７）年度から平成１１（１９９９）年度
までの間は，本件各特許は，多数の特許群の一部を構成するものとして
のみ価値が認められるにすぎず，その寄与率は極めて小さいといわざる
を得ない。
そして，被告が支払を受けた実施料及びクロス効果の額に対して代表
特許又は提示特許以外の特許群が貢献した割合は，５％を上回ることは
ないとみるのが相当であるから，本件各特許に配分すべき割合は，２８
（本件各特許の数）÷２万件（包括クロスライセンスライセンスに供さ
れた特許の数）×５％＝０．００７％とみるのが，相当である。
(イ)平成１２（２０００）年度及び平成１３（２００１）年度２％
前記イ(ア)ｂのとおり，被告が日本９６７号特許に配分した割合は●
(省略)●％であるが，これをそのまま認定することが相当でないことは，
前記のとおりである。
もっとも，被告は，日本９６７号特許に対し，相当に高率の配分をし
ていることに照らして，Ａ社のみならず，他社との関係でも代表特許又
は提示特許としていることが推測されること，Ａ社に対しては●(省略)
●個の特許が提示されており，他社についても，同数程度の特許が提示
されていると推測されること（特許１個当たり，平均で約●(省略)●％
の配分率となる。以下，特許１個当たりの平均の配分率を「１個平均」
という。），被告が実施料及びクロス効果の額を配分した特許の数は，
平成１２（２０００）年度においては●(省略)●個（１個平均●(省略)
●％），平成１３（２００１）年度においては●(省略)●個（１個平均
●(省略)●％）であることに加えて，このような特許１個当たりの平均
的な配分率に比して，被告は，日本９６７号特許に高率の配分をしてい
たことも考慮すれば，平成１２（２０００）年度及び平成１３（２００
１）年度における日本９６７号特許の寄与率は，２％とするのが相当で
ある。そして，同特許以外の本件各特許の寄与率は，極めて小さく，ほ
ぼ無視し得ることからすれば，日本９６７号特許の寄与率に包含される
とするのが相当である（以下，(ウ)及び(エ)において同じ。）。
(ウ)平成１４（２００２）年度ないし平成１６（２００４）年度３％
前記イ(ア)ｃのとおり，当該期間において被告又はルネサスが日本９
６７号特許に配分した割合は●(省略)●％（Ａ社ないしＤ社については
●(省略)●％，その余の相手方については●(省略)●％）であるが，こ
れをそのまま認定することが相当でないことは，前記のとおりである。
しかしながら，被告又はルネサスは，当該期間においては，他の期間
と比べて，日本９６７号特許に対し，高率の配分をしていたということ
ができる。そして，Ａ社との間では，新たな契約締結や更新の交渉は行
われなかったこと，Ｂ社に対しては，日本９６７号特許を含む●(省略)
●件の特許が提示されたこと（１個平均●(省略)●％），Ｃ社に対して
は，日本９６７号特許を含む●(省略)●件の特許が提示されたこと（１
個平均●(省略)●％），Ｄ社に対しては，日本９６７号特許を含む●(省
略)●件の特許が提示されたこと（１個平均●(省略)●％），被告又はル
ネサスが受領した実施料及びクロス効果の額を配分した特許の数は，平
成１４（２００２）度が●(省略)●個（１個平均●(省略)●％），平成
１５（２００３）年度が●(省略)●個（１個平均●(省略)●％），平成
１６（２００４）年度が●(省略)●個（１個平均●(省略)●％）である
ことも考慮すれば，当該期間における，他の●(省略)●件を含む本件各
特許の寄与率は，３％とするのが相当である。
(エ)平成１７（２００５）年度ないし平成２０（２００８）年度２％
ａ平成１７（２００５）年度について
前記イ(ア)ｄのとおり，ルネサスが平成１７（２００５）年度に日
本９６７号特許に配分した割合は●(省略)●％であるが，これをその
まま認定することが相当でないことは，前記のとおりである。
しかしながら，ルネサスが受領した実施料及びクロス効果の額を配
分した特許の数は●(省略)●個（１個平均●(省略)●％）であって，
ルネサスは，日本９６７号特許に対し，高率の配分をしていたこと，
他の期間における日本９６７号特許に対する配分率等を考慮すれば，
平成１７（２００５）年度における，他の２７件を含む本件各特許の
寄与率は，２％とするのが相当である。
ｂ平成１８（２００６）年度及び平成１９（２００７）年度
前記イ(ア)ｄのとおり，ルネサスは，当該期間においては，日本９
６７号特許に対して受領した実施料及びクロス効果の額を配分してい
ないが，平成１８（２００６）年度及び平成１９（２００７）年度に
おいて，平成１７（２００５）年度の配分率を変更する特段の事情が
あるとは認められないこと（本件訴訟の提起は，平成１８年（２００
６年）１０月であることからすれば，この日本９６７号特許への配分
額の変更は，原告による本件訴訟の提起を理由とするものと推認され
る。），ルネサスが受領した実施料及びクロス効果の額を配分した特
許の数は，平成１８（２００６）年度が●(省略)●個（１個平均●(省
略)●％），平成１９（２００７）年度が●(省略)●個（１個平均●
(省略)●％）であることからすれば，当該期間における，他の２７件
を含む本件各特許の寄与率は，平成１７（２００５）年度と同等の２
％とするのが相当である。
ｃ平成２０（２００８）年４月１日から同年１１月２１日まで
当該期間における日本９６７号特許に対する配分額や，ルネサスが
当該期間において受領した実施料及びクロス効果の額を配分した特許
の数は明らかではないが，前年度における配分率を変更する特段の事
情もないことからすれば，平成１８（２００６）年度及び平成１９
（２００７）年度と同様に，当該期間における他の２７件を含む本件
各特許の寄与率は，２％とするのが相当である。
エ被告の主張について
(ア)被告は，本件各特許発明の技術的範囲にハーフトーン型位相シフト
マスクが含まれていないこと及びレベンソン型位相シフトマスクとハー
フトーン型位相シフトマスク以外の位相シフトマスクは商業的には実用
化されておらず，被告及び第三者が本件各特許発明を実施していないこ
とや，本件各特許のライセンス契約に対する貢献はないことを主張して，
被告が本件各特許発明により受けた利益はゼロであると主張する。
しかしながら，前記イ及びウのとおり，被告又はルネサスは，他社と
の包括クロスライセンス契約交渉において，当該交渉を有利に進めるた
めに日本９６７号特許を交渉材料として用いており，現に包括クロスラ
イセンス契約によって得た実施料及びクロス効果の額の一部を日本９６
７号特許に対して配分していたのであるから，自社又は他社における実
施の有無にかかわらず，被告が当該ライセンス契約において本件各特許
発明により受けた利益がゼロということはできず，前記ウのとおりの寄
与率を認めるのが相当である。
したがって，被告の前記主張は，採用することができない。
(イ)被告は，平成１５年４月１日にルネサスを分社化した後は，本件各
特許の寄与率も，被告の出資比率５５％を乗じた割合によるべきである
と主張する。
しかしながら，①前記イ(ア)のとおり，ルネサスを分社化したことに
より，包括クロスライセンス契約の対象となる特許が約４万件と増加し
た後も，日本９６７号特許への配分額は，減少していないこと，②日本
９６７号特許の寄与率自体を，包括クロスライセンス契約の対象となる
特許数が増加した全特許数を基準に算定しながら，更に被告の出資割合
に応じて減額することは相当ではないことから，被告の前記主張を採用
することはできない。
(4)小括
以上のとおり，被告は，本件各特許（本件発明）により，前記⑵の額につ
き前記(3)の寄与率を乗じた額の利益を得たものと認められる（なお，額の算
定は，職務発明に係る相当の対価額の算定を行う際に，まとめて行うことと
する。）。
３争点⑵（被告が貢献した程度）について
(1)被告が貢献した程度を認定するに当たって考慮することができる事情
旧特許法３５条３項及び４項の規定は，職務発明に係る特許を受ける権利
等が使用者等に承継される場合に，当該発明をした従業者等と使用者等とが
対等の立場で取引をすることが困難であることにかんがみ，その承継時にお
いて，当該権利を取得した使用者等が当該発明の実施を独占することによっ
て得られると客観的に見込まれる利益のうち，同条４項所定の基準（その発
明により使用者等が受けるべき利益の額及びその発明がされるについて使用
者等が貢献した程度）に従って定められる一定範囲の金額について，これを
当該発明をした従業者等において確保できるようにして，当該発明をした従
業者等を保護し，もって発明を奨励し，産業の発展に寄与するという特許法
の目的を実現することを趣旨とするものであって，従業者等と使用者等の利
害関係を調整する規定であると解するのが相当である。
このように，旧特許法３５条３項及び４項が従業者等と使用者等の利害関
係を調整する規定であることや，「その発明により使用者等が受けるべき利
益の額」の算定に当たってその発明により使用者等が実際に受けた利益の額
に基づいて事後的に算出することが許容されること（前記２(1)参照）との均
衡からすれば，「使用者等が貢献した程度」を認定するに当たっては，使用
者等が「その発明がされるについて」貢献した事情のほか，特許の取得・維
持やライセンス契約の締結に要した労力や費用，特許発明の実施品に係る事
業が成功するに至った一切の要因・事情等を，使用者等がその発明により利
益を受けるについて貢献した事情として考慮すべきものと解するのが相当で
ある。
そこで，以下，被告が本件発明により利益を受けるについて貢献した事情
を検討する。
⑵被告の貢献度の基礎となるべき具体的事情について
ア発明に至る経緯
証拠（甲１，３８，４０，５２，乙１６，１７，２３）及び弁論の全趣
旨によれば，以下の事実が認められる。
(ア)ａ原告は，被告に入社以来，マスクの製造・開発を行う部門に所属
し，昭和５８（１９８３）年１１月ころ，本件旧発明を行い，原告を
代表発明者，Ｐ７を共同発明者として，本件旧発明出願依頼書を作成
・提出した（甲４０）。
●(省略)●
しかしながら，当該記載及び本件旧発明出願依頼書中の図面に照ら
して，本件旧発明は，透過領域内部の透明膜とそれが設けられていな
い部分の境界部分で正位相光と逆位相光による光の干渉が生じ，当該
部分においてフォトレジストが露光しない領域が発生してしまうとい
う重大な問題があったと認められる。
そして，本件旧発明出願依頼書のコメント欄における部長又は関係
先意見として記載されているように，●(省略)●との評価を受け，結
局，本件旧発明は，特許出願には至らなかった。
ｂ被告は，本件旧発明につき，Ｐ７が共同発明者とされていることを
もって，被告の貢献であるとするが，本件旧発明が前記のような問題
を含む内容であることや，仮に，Ｐ７が真実共同発明者であるとする
と，後記のように本件旧発明出願依頼書とほぼ同一の内容を有する本
件出願依頼書において，Ｐ７が共同発明者とされていないことは不自
然であること等から，Ｐ７が，共同発明者であったと認めることはで
きない。
(イ)ａ本件当初発明について本件出願依頼書が作成された昭和６３（１
９８８）年ころ，被告中央研究所において，Ｐ３らが位相シフトマス
クに関する研究をしており，昭和６３年５月１３日に，被告社内にお
いて，Ｐ３らの研究成果が報告された。
原告は，昭和６３年３月ころ，上司であるＰ８から，このような被
告中央研究所における研究動向を伝えられるとともに，位相シフトマ
スクについて検討するように指示を受けたことを契機として，本件当
初発明を行い，昭和６３年５月１７日に，本件出願依頼書を作成・提
出した（甲３８，乙１６）。
●(省略)●
この本件当初発明に対して，本件当初発明の評価担当者であったＰ
１０は，●(省略)●と本件出願依頼書にコメントを記載した。この指
摘を受けて，原告は，●(省略)●
このような本件出願依頼書の記載内容に照らして，本件当初発明は，
本件旧発明とほぼ同一のものと認められる。もっとも，原告は，本件
出願依頼書作成時には，前記(ア)の本件旧発明の問題点を認識してい
たものと認められ，当初は，現像条件等を最適化することで対応しよ
うとしていたところ，Ｐ１０の指摘を受けたことから，●(省略)●を
提案したと認められる。なお，原告は，本件当初発明は，本件旧発明
とは異なると主張する。しかしながら，原告が相違点として主張する
もののうち，●(省略)●という点は，前記のとおりＰ１０の指摘を受
けて修正したものであって，当初から，そのような案が提案されてい
たものではない。また，透過領域の位相シフタの境界部の影が形成さ
れることを利用して転写パターンの像を鮮明にするという点は，本件
出願依頼書の記載からは，本件当初発明がそのような内容を含むもの
と認めることはできない。かえって，前記効果が得られる理由の記載
（●(省略)●との記載）からすれば，本件当初発明は，遮光領域を挟
んで隣り合った１対の透過領域の一方の位相を反転させ，１対の透過
領域の相互の透過光を干渉させることにより，パターン精度を向上さ
せるというレベンソン発明（乙１の１参照）と同様の技術思想に基づ
くものと認められ，日本９６７−１発明の作用である，１つの透過領
域を形成する第１光透過領域と第２光透過領域を透過した光を互いに
干渉させることにより，パターン転写精度を向上させるということを
含むものではないと認められる。
また，本件出願依頼書には，本件当初発明にハーフトーン型位相シ
フトマスクが含まれることをうかがわせる記載もない。
ｂ原告は，Ｐ８から被告中央研究所の研究動向を聞いたのは，本件出
願依頼書提出直前であり，Ｐ８から位相シフトマスクの検討の指示を
受けたことはないと主張する。
しかしながら，原告は，本件出願依頼書の●(省略)●の欄に，●(省
略)●と記載し，また，Ｐ８も，●(省略)●に●(省略)●と記載してい
ることに照らして，Ｐ８から被告中央研究所の研究動向を伝えられた
のは，昭和６３年３月ころであると認められる。
そして，原告は，前記ａのとおり，本件旧発明の問題点について●
(省略)●で対応しようとしている点を除き，本件旧発明とほぼ同一内
容の本件当初発明に係る本件出願依頼書を，Ｐ８から位相シフトマス
クに関する話があった後に提出していることからすると，本件旧発明
が特許出願に至らなかった後，他から指示を受けることなく自主的に
検討を続けて，改めて出願しようと思っていたという原告の主張は，
不自然であり，Ｐ８から位相シフトマスクを検討するように指示がさ
れたものとみるのが合理的である。
したがって，Ｐ８から位相シフトマスクの検討の指示を受けたこと
はないとの原告の前記主張は，採用することができない。
イ本件出願依頼書提出後特許出願まで
証拠（甲１，乙４，８，９，１６ないし２２（枝番を含む。））及び弁
論の全趣旨によれば，以下の事実が認められる。
(ア)本件明細書原稿の作成
ａ本件当初発明は，本件出願依頼書を提出した当初は，●(省略)●で
あったことから，原告が自ら明細書原稿を作成することとなり，昭和
６３年６月３０日付けで，本件明細書原稿を作成した（乙１８）。
そして，本件明細書原稿には，次のような記載がある。
⒜「特許（実用新案登録）請求の範囲」欄
「１．遮光膜パターンが基板本体上に形成されたマスクにおいて，
近接した透過領域間で双方の透過光が干渉して本来遮光領域となる
領域で強め合うことがないように双方の透過領域を通過した光に位
相差が生じるよう上記遮光膜パターンと同一の透明膜パターンをＸ
Ｙ両方向に上記近接した透過領域距離の約１／２だけシフトさせて
重ねたマスク。」
「４．遮光領域内に露光により転写されない程度の大きさの微少な
透過領域が複数追加してあって，本来の転写を目的とする透過領域
を通過した光が上記微少な透過領域光と干渉して，遮光領域端で弱
まるように，本来の透過領域と微少な透過領域とを通過した光の間
に位相差が生じるようこれらの一方に透明膜を付けるか又は基板本
体に溝を掘ったマスク。」
「６．透過領域にあって，その周辺部に露光によって転写の影響を
受けない程度の微小幅の領域とこれ以外の中央領域に分け，周辺領
域と中央領域を通過した光が干渉して，周辺領域と中央領域との境
界で弱まるように，周辺領域と中央領域とを通過した光との間に位
相差が生じるようこれらの一方に透明膜を付けるか又は基板本体に
溝を掘ったマスク。」
「８．透過領域が近接し，かつそれらが繰り返している場合は，交
互に透過領域の基板本体を深さｄ，材料の屈折率ｎ，露光波長λが，
ｄ＝λ／２（ｎ−１）の関係を有するように基板本体に溝を掘った
マスク。」
「９．位相推移マスクの製法に関して，位相推移のためのパターン
は，遮光膜のマスクパターンと同一，パターン幅を太らせる，ポジ
ネガ反転させて細らせる又は太らせる，パターンエッヂのみ取り出
し，くり返し部の抜き出し等の簡単なデータ変換したパターンデー
タを使用して，作成したマスク。」
「10．上記特許請求範囲第１項から第９項に記載したマスクを用い
て，微細Ｌｓｉパターンの露光を行う方法および製作したＬｓ
ｉ。」
●(省略)●
ｂこのような本件明細書原稿の記載に照らして，本件明細書原稿には，
本件当初発明（請求項１，実施例(1)及び⑵），補助開口型位相シフト
マスク（請求項４，実施例(3)及び(4)），エッジ強調型位相シフトマ
スク（請求項６，実施例(5)ないし⑻），レベンソン型位相シフトマス
ク（請求項８，実施例⑼）が記載されていると認められる。
しかしながら，本件当初発明と同一の内容である請求項１に係る発
明に関しては，前記アの本件旧発明及び本件当初発明の問題点に対す
る対応手段は，●(省略)●と記載するのみであって，前記のＰ１０か
ら指摘を受ける前の本件出願依頼書の当初の記載内容と同様の記載を
するのみであって，他の対応手段は，●(省略)●ことを含めて，何ら
記載されていない。
また，補助開口型位相シフトマスクは，昭和６２年３月２７日に公
開されたＰ５発明に係る公開特許公報（特開昭６２−６７５１４。乙
４−１。）に開示されている発明（特許請求の範囲は，「透明基板上
に遮光膜を設け，その遮光膜を部分的に除去した開口パタンを形成し
たホトマスクにおいて，第１の開口パタンの周辺部分に微細な第２の
開口パタンを形成し，上記第１の開口パタン，上記第２の開口パタン
のどちらか一方に位相シフト層を設けたことを特徴とするホトマス
ク。」）とほぼ同一の内容であり，Ｐ５発明を参考にしたものと強く
推認される。
さらに，本件明細書原稿の図１は，社外秘であるＰ３研究報告（乙
１７）中の図２．１（４頁）と同一であり，本件明細書原稿の図４も，
同研究報告中の図３．１（５頁）に手書きで書き加えをしたものであ
ると認められることからすれば，原告は，本件明細書原稿を作成する
に当たって，同研究報告を参考にしたものと認められる。
他方で，エッジ強調型位相シフトマスクについては，原告が，Ｐ５
発明やＰ３研究報告等を参考にしつつ，独自に発想するに至ったもの
と認められる。
なお，本件明細書原稿には，ハーフトーン型位相シフトマスクに関
するものと認めるに足りる記載はない。
(イ)特許出願に至るまで
原告は，本件明細書原稿を提出した後，社外秘であるＰ５らの研究報
告第１７５８２号（乙１９）及び同第１７９３６号（乙２０）を借り出
す（乙２２の１及び２）などして検討を加えて，出願に当たっての特許
事務所の担当者との打合せ時に，本件当初発明を説明する本件明細書原
稿中の第２図の左側の図につき，「原理的におかしいので特許提案から
のぞく」としてこれを削除することとした（乙２２）。そして，本件当
初発明やレベンソン型位相シフトマスクに係る特許請求の範囲の記載や
実施例の記載等を削除した上で，昭和６３年１１月２２日，本件発明に
つき特許出願するに至った（乙８。以下，この出願を「本件特許出願」
という。）。
なお，本件出願時明細書に記載された発明の名称は，「マスクおよび
その製造方法」というものであり，また，その特許請求の範囲には，次
のような記載がある。
「１．遮光領域，及び透過領域を備え，少なくとも部分的にコヒーレン
トな光の照射によって所定パターンを転写するマスクであって，前記透
過領域の一部に透明膜を形成し，前記透明膜を透過した光と，前記透明
膜が形成されていない透過領域を透過した光との間に位相差が生じ，前
記光の干渉光が，前記透過領域と遮光領域との境界部分において弱め合
うように，前記透明膜を配置したことを特徴とするマスク。」
「３．遮光領域，及び透過領域を備え，少なくとも部分的にコヒーレン
トな光の照射によって所定パターンを転写するマスクであって，前記透
過領域の一部に位相シフト溝を形成し，前記位相シフト溝を透過した光
と，前記位相シフト溝が形成されていない透過領域を透過した光との間
に位相差が生じ，前記光の干渉光が，前記透過領域と遮光領域との境界
部分において弱め合うように，前記位相シフト溝を配置したことを特徴
とするマスク。」
「６．遮光領域，及び透過領域をマスク基板に備え，少なくとも部分的
にコヒーレントな光の照射によって所定パターンを転写するマスクであ
って，前記遮光領域の一部に，前記マスク基板の主面に達する溝を形成
するとともに，前記溝を透過した光と前記透過領域を透過した光との間
に位相差が生じ，前記光の干渉光が，前記遮光領域の端部において弱め
合うように，前記溝の上方に透明膜を設けたことを特徴とするマス
ク。」
このような特許請求の範囲の記載に照らして，本件出願時明細書に記
載された発明は，エッジ強調型位相シフトマスク及び補助開口型位相シ
フトマスクに関するものであることは明らかであると認められ，本件出
願時明細書の発明の詳細な説明欄の記載に照らしても，本件出願時明細
書に記載されていた発明にハーフトーン型位相シフトマスクが含まれる
と認めることはできない。
ウ本件特許出願後特許査定に至るまで
前記争いのない事実等，証拠（甲１，２７，５０，乙８，９）及び弁論
の全趣旨によれば，次の事実が認められる。
(ア)被告は，平成７（１９９５）年１１月２１日，手続補正書を提出し，
発明の名称を「集積回路装置の製造方法」に変更するとともに，特許請
求の範囲につき，その請求項１を日本９６７号特許の請求項１と同一の
内容のものに変更し，他の請求項についても「マスク」の発明ではなく
「集積回路の製造方法」の発明とする等の補正を行い（乙９），平成９
（１９９７）年１０月２４日に特許登録を受けた。
また，被告は，本件特許出願につき分割出願をするとともに，本件特
許出願につき優先権を主張して米国及び韓国に特許出願等を行い，日本
９６７号特許以外の日本各特許，米国各特許及び韓国各特許の特許登録
を受けた。
(イ)被告が前記(ア)のように本件出願時明細書の特許請求の範囲の記載
を補正したことにつき，原告の関与を認めるに足りる証拠はない。
他方で，被告の「中研知本許３半導体第１Ｇｒ．」が提出元として平
成９年１２月２０日ころに作成した被告戦略特許取得速報には，●(省
略)●，また，被告は，前記２(3)のとおり，日本９６７号発明にハーフ
トーン型位相シフトマスクが含まれるとしてライセンス交渉を行ってい
るところ，このように特許請求の範囲を補正して，「遮光領域」等の文
言を削除し，ハーフトーン型位相シフトマスクが含まれるかのようにも
解される特許請求の範囲の記載を作成したのは，被告（その知的財産権
担当者）であると認められる。
なお，原告は，「外国出願要否検討依頼の件」（甲５０）中の●(省
略)●との記載をもって，本件発明が集積回路の製造方法をカバーしてい
ることを指摘していると主張する。
確かに，前記イ(ア)のとおり，本件明細書原稿の特許請求の範囲には，
「10．上記特許請求範囲第１項から第９項に記載したマスクを用いて，
微細Ｌｓｉパターンの露光を行う方法および製作したＬｓｉ。」との記
載があることから，原告においても，日本９６７号発明の技術的範囲に，
集積回路の製造方法まで含めることを検討していたと認めることはでき
るが，前記のとおり，ハーフトーン型位相シフトマスクが含まれている
かのような特許請求の範囲に補正したことにつき，原告の貢献があると
認めるに足りる証拠はないから，原告が集積回路の製造方法まで含める
ことを検討していたことをもって，原告の貢献が大きいということはで
きない（原告自身，これが重大な貢献となるものではないことを自認し
ている。）。
エライセンス交渉について
(ア)前記２(3)のとおり，被告は，他社との間の包括クロスライセンス契
約の締結に当たっての交渉において，日本９６７号特許にはハーフトー
ン型位相シフトマスクが含まれるものとして，これを提示特許として用
いたこと，一部の交渉相手から日本９６７号特許は無効である等の指摘
を受けたことはあったものの，結果として，日本９６７号特許に対し，
被告又はルネサスが支払を受けた実施料及びクロス効果の額につき比較
的高い割合で配分を行っていることに照らして，本件各特許により被告
が前記２の利益を得ることができたのは，客観的にはハーフトーン型位
相シフトマスクを含まないと認められる日本９６７号特許を，それを含
むものと主張して交渉を進めた被告のライセンス契約交渉担当者の貢献
によるところが大きいものと認められる。
(イ)なお，原告は，原告が「他社特許対策賞」（甲８７）及び「グルー
プ長知的所有権賞」（甲８８）を受賞したことをもって，ライセンス契
約への原告の貢献が多大であると主張する。
しかしながら，これらの受賞が，どの特許のどのような点が評価され
た結果によるものかは明らかではない。そして，仮に，これらの賞が本
件各特許に基づくものであったとしても，被告内部における本件各特許
に対する高い評価は，本件各特許にハーフトーン型位相シフトマスクが
含まれることを前提としたものであって，そのことについての原告の貢
献が認められないことは前記ウのとおりである。
このほか，ライセンス交渉において，原告が具体的にいかなる貢献を
したのかを認めるに足りる証拠もない。
したがって，原告の前記主張は，採用することができない。
オその他の原告の主張について
(ア)原告は，日本９６７号特許が，戦略特許賞「金賞」を受賞したこと
をもって，原告の貢献は大きいと主張する。
しかしながら，証拠（甲３５の３）及び弁論の全趣旨によれば，日本
９６７号特許に係る出願が戦略特許賞「金賞」を受賞したのは，これが
エッジ強調型位相シフトマスクに係る発明であることが評価されたこと
によると認められるところ，エッジ強調型位相シフトマスクは，結局は，
商業的に実用化されておらず，その後，被告社内において日本９６７号
特許が高く評価されたのは，これがハーフトーン型位相シフトマスクを
含むものと考えられたことによるから，戦略特許賞「金賞」を受賞した
ことをもって，原告の貢献を大きく評価することはできないというべき
である。
(イ)また，原告は，本件発明につき，上司からのヒント等はなく，●(省
略)●と主張する。
しかしながら，被告社内において上司等から本件当初発明の問題点の
指摘がされていること，本件当初発明がされた当時，被告中央研究所に
おいて位相シフトマスクの研究が行われており，原告もこれを参考にし
たと認められることは，前記ア，イのとおりであるから，原告の前記主
張は，採用することができない。
(ウ)その他，原告は，原告の貢献として縷々主張するが，いずれも被告
の受けた利益に対する原告の貢献として認めるに足りる有意的な事情と
認めることはできない。
(3)検討
以上のとおり，本件発明自体は，原告の研究開発によりなされたものと認
められるが，これにより被告が前記２の利益を得ることができたのは，日本
９６７号発明にハーフトーン型位相シフトマスクが含まれ得るかのように特
許請求の範囲を補正し，かつ，日本９６７号発明にハーフトーン型位相シフ
トマスクが含まれることを前提にライセンス交渉が行われたことによるとこ
ろが大きいものと認められる。そして，前記⑵のとおり，このような補正を
行い，かつ，ハーフトーン型位相シフトマスクが含まれるものとしてライセ
ンス交渉において積極的に活用したのは，被告の貢献によるところであるの
に対し，他方で，これらの点における原告の貢献は，そのような補正及び活
用の基礎となる本件発明をしたという限度にとどまるものと認められる。
これに加えて，前記⑵のとおり，原告が行った本件当初発明は問題点を包
含しており，これを解消するに当たっての被告内部における問題点の指摘や，
被告内部において進められていた位相シフトマスクに関する研究成果の蓄積
を無視することはできないこと，結局は，本件当初発明に係る請求項は，補
正により削除されるに至っていること，原告が行った発明には，ハーフトー
ン型位相シフトマスクは含まれていないこと等の本件発明が特許を取得する
に至る経緯及び日本９６７号発明の本来の技術的範囲等その他の一切の事情
を考慮すれば，本件発明により受けるべき利益の額及び本件発明がされるに
ついて，被告が貢献した程度は，９６％とするのが相当である。
４争点(3)（本件発明の相当の対価の額）について
(1)各年度における相当の対価の額
前記２及び３で述べたところに基づき，原告が請求する各期間における相
当の対価の額を算出し，その額から被告が原告に対し支払った実績報奨金の
額（前記争いのないの事実(4)参照）を控除した額は，次のとおりであると認
められる。
なお，各年度中，複数年度の実施料及びクロス効果の額の合計額のみを認
定している年度であって，被告が原告に対し実績報奨金を支払った年度は，
実績報奨金の額（前記争いのない事実等(4)参照）に応じて按分して，各年度
の相当の対価の額を算出する。また，実績報奨金の支払がない平成１８（２
００６）年度ないし平成２０（２００８）年度の各年度におけるクロス効果
の額は，被告が支払を受けた実施料の額に応じて按分して算出する（いずれ
においても，小数点以下は，四捨五入する。）。
ア平成９（１９９７）年１０月２４日∼平成１０（１９９８）年３月３１
日●(省略)●円
（計算式）
相当の対価額：●(省略)●円×0.007％×（100−96）％＝●(省略)●円
イ平成１０（１９９８）年度●(省略)●円
（計算式）
相当の対価額：●(省略)●円×0.007％×（100−96）％＝●(省略)●円
ウ平成１１（１９９９）年度●(省略)●円
（計算式）
相当の対価額：●(省略)●円×0.007％×（100−96）％＝●(省略)●円
エ平成１２（２０００）年度●(省略)●円
（計算式）
相当の対価額：●(省略)●円×160万円/(160万円＋400万円)×２％×
（100−96）％＝●(省略)●円
既払金の控除：●(省略)●円−160万円＝●(省略)●円
オ平成１３（２００１）年度●(省略)●円
（計算式）
相当の対価額：●(省略)●円×400万円/(160万円＋400万円)×２％×
（100−96）％＝●(省略)●円
既払金の控除：●(省略)●円−400万円＝●(省略)●円
カ平成１４（２００２）年度●(省略)●円
（計算式）
相当の対価額：●(省略)●円×420万円/(420万円＋500万円＋743万0932
円）×３％×（100−96）％＝●(省略)●円
既払金の控除：●(省略)●円−420万円＝●(省略)●円
キ平成１５（２００３）年度●(省略)●円
（計算式）
相当の対価額：●(省略)●円×500万円/(420万円＋500万円＋743万0932
円）×３％×（100−96）％＝●(省略)●円
既払金の控除：●(省略)●円−500万円＝●(省略)●円
ク平成１６（２００４）年度●(省略)●円
なお，被告は，原告に対し，同年度分の実績報奨金として，日本９６７
号特許を対象とした７４３万０９３２円のほか，米国２１３号特許を対象
として，１４万円を支払っている（甲１９）。
●(省略)●
仮に，被告の主張が正しいとしても，米国２１３号特許を提示した包括
クロスライセンス契約によってルネサスが得た利益の額及び当該特許への
配分額等は，平成１９年第３５５号実施料配分表に関する事実実験公正証
書（乙３９）その他の本件各証拠に照らしても明らかではないこととの均
衡，及び，被告においても，この米国２１３号特許に対する実績報奨金の
支払を既払額としては主張していないことに照らして，当該支払の額は，
相当の対価額からは，控除しないこととするのが相当である。
（計算式）
相当の対価額：●(省略)●円×743万0932円/(420万円＋500万円＋743万
0932円）×３％×（100−96）％＝●(省略)●円
既払金の控除：●(省略)●円−743万0932円＝●(省略)●円
ケ平成１７（２００５）年度●(省略)●円
（計算式）●(省略)●円×２％×（100−96）％＝●(省略)●円
コ平成１８（２００６）年度●(省略)●円
（計算式）｛●(省略)●円＋●(省略)●円×●(省略)●円／（●(省略)●
円＋●(省略)●円＋●(省略)●円）｝×２％×（100−96）％＝●
(省略)●円
サ平成１９（２００７）年度●(省略)●円
（計算式）｛●(省略)●円＋●(省略)●円×●(省略)●円／（●(省略)●
円＋●(省略)●円＋●(省略)●円）｝×２％×（100−96）％＝●
(省略)●円
シ平成２０（２００８）年４月１日∼同年１１月２１日
●(省略)●円
（計算式）｛●(省略)●円＋●(省略)●円×●(省略)●円／（●(省略)●
円＋●(省略)●円＋●(省略)●円）｝×２％×（100−96）％＝●
(省略)●円
スアないしシの合計額６３０２万６１３６円
⑵小括
よって，原告は，被告に対し，合計６３０２万６１３６円の対価請求権を
有している。
５争点(4)（消滅時効の成否）について
(1)消滅時効期間の完成について
ア弁論の全趣旨によれば，原告が請求する対価請求権の支払期日は，各年
度ごとに別紙請求金額内訳表の起算日欄記載の日の前日と認められる。
このうち，平成１１（１９９９）年１月３１日を支払期日とする平成９
（１９９７）年１０月２４日ないし平成１０（１９９８）年３月３１日の
間に被告が得た利益に基づく対価請求についての遅延損害金，及び，平成
１２年１月３１日を支払期日とする平成１０（１９９８）年度に被告が得
た利益に基づく対価請求についての遅延損害金のうち，原告が訴えの変更
申立書を当裁判所に提出して別紙請求金額内訳表の起算日欄記載の日から
の遅延損害金の支払につき裁判上の請求を拡張した時である平成２２（２
０１０）年３月１２日までに，その支払期日から１０年が経過している平
成１２（２０００）年３月１１日（同月１２日午前０時から時効期間が進
行するから，平成２２（２０１０）年３月１１日の経過により，消滅時効
が完成する。）以前の分は，消滅時効が完成していると認められる。
イ原告は，知財高裁平成２１年２月２６日判決・判例時報２０５３号７４
頁を根拠に，当初から訴状送達日の翌日以降の遅延損害金の請求をしてい
たことをもって，それ以前に発生した遅延損害金についても裁判上の催告
をしていたものと解されるとして，訴えの変更申立書の提出により確定的
に時効中断の効力が生じると主張する。
しかしながら，本件訴訟における請求は，訴え提起当初から一部請求と
してされたものであって，時効中断の効果は，その一部の範囲についての
み生じ，残部には及ばないと解される（最高裁昭和３１年(オ)第３８８号
同３４年２月２０日第二小法廷判決・民集１３巻２号２０９頁参照）から，
本件訴訟提起時にはその請求の対象とはされなかった訴状送達日（平成１
８（２００６）年１１月７日）以前の遅延損害金について，裁判上の催告
がされていたとみることはできない。また，前記知財高裁平成２１年判決
は，「事実関係が複雑で元本債務が遅滞になる時期が不明瞭な事案」であ
ることを前提としたものであるのに対し，本件は，前記争いのない事実等
(4)のとおり，原告は，平成１２（２０００）年度分以降，各年度の実績報
奨金を受け取っていたことを前提に，本件訴訟を提起していることからす
れば，実績報奨金の支払時期は明瞭であって，原告も支払時期を認識して
いたというべきであるから，「元本債務が遅滞になる時期が不明瞭な事
案」であるということはできず，本件とは事案を異にする。
したがって，本件においては，訴状送達日以前の遅延損害金債権につい
て裁判上の催告がされていたということはできないから，原告の前記主張
は，採用することができない。
⑵消滅時効の援用
被告は，平成２２（２０１０）年３月１７日の本件口頭弁論期日において，
消滅時効を援用した（顕著な事実）。
(3)小括
よって，平成９（１９９７）年１０月２４日ないし平成１０（１９９８）
年３月３１日の間に被告が得た利益に基づく対価請求及び平成１０（１９９
８）年度に被告が得た利益に基づく対価請求についての各遅延損害金のうち，
平成１２（２０００）年３月１１日以前の分は，消滅時効により消滅したと
認められる。
６結論
よって，原告の請求は，６３０２万６１３６円及び別紙認容金額内訳表の各
金額欄記載の各金額に対する同認容金額内訳表の起算日欄記載の各日からそれ
ぞれ支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求める範
囲で理由があるから，その限度でこれを認容し，その余の請求はいずれも理由
がないからこれを棄却することとして，主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第２９部
裁判長裁判官清水節
裁判官坂本三郎
裁判官岩崎慎
（別紙）
認容金額内訳表
金額起算日備考
●(省略)●円平成12（2000）年３月12日平成９（1997）年10月24日∼平成10（199
8）年３月31日に被告が本件発明から得た
利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成12（2000）年３月12日平成10（1998）年度に被告が本件発明から
得た利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成13（2001）年２月１日平成11（1999）年度に被告が本件発明から
得た利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成14（2002）年２月１日平成12（2000）年度に被告が本件発明から
得た利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成15（2003）年２月１日平成13（2001）年度に被告が本件発明から
得た利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成16（2004）年２月１日平成14（2002）年度に被告が本件発明から
得た利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成17（2005）年２月１日平成15（2003）年度に株式会社ルネサステ
クノロジが本件発明から得た利益に基づく
相当対価として
●(省略)●円平成18（2006）年６月１日平成16（2004）年度に株式会社ルネサステ
クノロジが本件発明から得た利益に基づく
相当対価として
●(省略)●円平成19（2007）年２月１日平成17（2005）年度に株式会社ルネサステ
クノロジが本件発明から得た利益に基づく
相当対価として
●(省略)●円平成20（2008）年２月１日平成18（2006）年度に株式会社ルネサステ
クノロジが本件発明から得た利益に基づく
相当対価として
●(省略)●円平成21（2009）年２月１日平成19（2007）年度に株式会社ルネサステ
クノロジが本件発明から得た利益に基づく
相当対価として
●(省略)●円平成22（2010）年２月１日平成20（2008）年４月１日∼同年11月21日
に株式会社ルネサステクノロジが本件発明
から得た利益に基づく相当対価として
（注）「年度」とは，４月１日から翌年３月３１日までをいう。
（別紙）
請求金額内訳表
金額起算日備考
●(省略)●円平成11（1999）年２月１日平成９（1997）年10月24日∼平成10（199
8）年３月31日に被告が本件発明から得た
利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成12（2000）年２月１日平成10（1998）年度に被告が本件発明から
得た利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成13（2001）年２月１日平成11（1999）年度に被告が本件発明から
得た利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成14（2002）年２月１日平成12（2000）年度に被告が本件発明から
得た利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成15（2003）年２月１日平成13（2001）年度に被告が本件発明から
得た利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成16（2004）年２月１日平成14（2002）年度に被告が本件発明から
得た利益に基づく相当対価として
●(省略)●円平成17（2005）年２月１日平成15（2003）年度に被告及び株式会社ル
ネサステクノロジが本件発明から得た利益
に基づく相当対価として
●(省略)●円平成18（2006）年６月１日平成16（2004）年度に被告及び株式会社ル
ネサステクノロジが本件発明から得た利益
に基づく相当対価として
●(省略)●円平成19（2007）年２月１日平成17（2005）年度に被告及び株式会社ル
ネサステクノロジが本件発明から得た利益
に基づく相当対価として
●(省略)●円平成20（2008）年２月１日平成18（2006）年度に被告及び株式会社ル
ネサステクノロジが本件発明から得た利益
に基づく相当対価として
●(省略)●円平成21（2009）年２月１日平成19（2007）年度に被告及び株式会社ル
ネサステクノロジが本件発明から得た利益
に基づく相当対価として
●(省略)●円平成22（2010）年２月１日平成20（2008）年４月１日∼同年11月21日
に被告及び株式会社ルネサステクノロジが
本件発明から得た利益に基づく相当対価と
して
（注）「年度」とは，４月１日から翌年３月３１日までをいう。
（別紙）
特許目録
第１日本国特許
１特許番号第２７１０９６７号
出願日昭和６３（１９８８）年１１月２２日
出願番号特願昭６３−２９５３５０
登録日平成９（１９９７）年１０月２４日
発明者原告
特許権者被告
発明の名称集積回路装置の製造方法
特許請求の範囲
【請求項１】マスク基板の一主面上に形成された回路パターンを，集積回路
が形成されるべき半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に縮小投影露光装置
により露光する集積回路装置の製造方法であって，
（ａ）第１光透過領域及びその第１光透過領域と境界を接する第２光透過
領域よりなる回路パターンを有する上記マスク基板を上記縮小投影露光装
置の所定の部位に配置する工程，
（ｂ）上記フォトレジスト膜が形成された上記半導体ウエハを上記縮小投
影露光装置の所定の部位に配置する工程，
（ｃ）上記所定の部位に配置した上記マスク基板に所定の波長を有する露
光光を照射し上記第１光透過領域及び上記第２光透過領域のいずれか一方
に設置された位相シフト手段により上記露光光の内，上記第１光透過領域
と上記第２光透過領域を透過した光の位相が相互に反転するようにして透
過させる工程，
（ｄ）上記マスク基板を透過した上記露光光を上記縮小投影露光装置によ
り集光し，上記マスク基板上の回路パターンの実像を上記第１光透過領域
の上記第２光透過領域側において上記実像の端部が鮮明になるように上記
所定の部位に配置した上記半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に投影し，
露光する工程よりなることを特徴とする集積回路装置の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の集積回路装置の製造方法において，上記位相シ
フト手段は上記第１光透過領域と上記第２光透過領域のいずれか一方の全
面に設置された所定の厚さを有する位相シフト膜であることを特徴とする
集積回路装置の製造方法。
【請求項３】請求項１記載の集積回路装置の製造方法において，上記位相シ
フト手段は上記第１光透過領域と上記第２光透過領域のいずれか一方に設
置された所定の厚さを有する位相シフト溝であることを特徴とする集積回
路装置の製造方法。
【請求項４】マスク基板の一主面上に形成された回路パターンを，集積回路
が形成されるべき半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に縮小投影露光装置
により露光する集積回路装置の製造方法であって，
（ａ）第１光透過領域及びその第１光透過領域と境界を接する第２光透過
領域より成り，その第２光透過領域はその幅が上記フォトレジスト膜上に
その独立したパターンを上記半導体ウエハ上に転写しないように上記第１
光透過領域の幅よりも狭くされている回路パターンを有する上記マスク基
板を上記縮小投影露光装置の所定の部位に配置する工程，
（ｂ）上記フォトレジスト膜が形成された上記半導体ウエハを上記縮小投
影露光装置の所定の部位に配置する工程，
（ｃ）上記所定の部位に配置した上記マスク基板に所定の波長を有する露
光光を照射し，上記第１光透過領域及び上記第２光透過領域のいずれか一
方に設置された位相シフト手段により上記露光光の内，上記第１光透過領
域と上記第２光透過領域を透過した光の位相が相互に反転するようにして
透過させる工程，
（ｄ）上記マスク基板を透過した上記露光光を上記縮小投影露光装置によ
り集光し，上記マスク基板上の回路パターンの実像を上記第１光透過領域
の上記第２光透過領域側において上記実像の端部が鮮明になるように上記
所定の部位に配置した上記半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に投影し，
露光する工程よりなることを特徴とする集積回路装置の製造方法。
【請求項５】請求項４記載の集積回路装置の製造方法において，上記位相シ
フト手段は上記第１光透過領域と上記第２光透過領域のいずれか一方の全
面に設置された所定の厚さを有する透明膜であることを特徴とする集積回
路装置の製造方法。
【請求項６】請求項４の集積回路装置の製造方法において，上記位相シフト
手段は上記第１光透過領域と上記第２光透過領域のいずれか一方に設置さ
れた所定の深さを有する位相シフト溝であることを特徴とする集積回路装
置の製造方法。
【請求項７】マスク基板の一主面上に形成された回路パターンを，集積回路
が形成されるべき半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に縮小投影露光装置
により露光する集積回路装置の製造方法であって，
（ａ）金属層よりなる光遮蔽領域と，第１光透過領域及びその第１光透過
領域と境界を接する第２光透過領域よりなる回路パターンを有する上記マ
スク基板を上記縮小投影露光装置の所定の部位に配置する工程，
（ｂ）上記フォトレジスト膜が形成された上記半導体ウエハを上記縮小投
影露光装置の所定の部位に配置する工程，
（ｃ）上記所定の部位に配置した上記マスク基板に所定の波長を有する露
光光を照射し上記第１光透過領域及び上記第２光透過領域のいずれか一方
に設置された位相シフト手段により上記露光光の内，上記第１光透過領域
と上記第２光透過領域を透過した光の位相が相互に反転するようにして透
過させる工程，
（ｄ）上記マスク基板を透過した上記露光光を上記縮小投影露光装置によ
り集光し，上記マスク基板上の回路パターンの実像を上記第１光透過領域
の上記第２光透過領域側において上記実像の端部が鮮明になるように上記
所定の部位に配置した上記半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に投影し，
露光する工程よりなり，これらにより上記マスク基板上の回路パターンを
上記半導体ウエハ上に上記フォトレジスト膜のパターンとして転写するこ
とを特徴とする集積回路装置の製造方法。
【請求項８】請求項７記載の集積回路装置の製造方法において，上記位相シ
フト手段は上記第１光透過領域と上記第２光透過領域のいずれか一方の全
面に設置された所定の厚さを有する位相シフト膜であることを特徴とする
集積回路装置の製造方法。
【請求項９】請求項７記載の集積回路装置の製造方法において，上記位相シ
フト手段は上記第１光透過領域と上記第２光透過領域のいずれか一方に設
置された所定の厚さを有する位相シフト溝であることを特徴とする集積回
路装置の製造方法。
【請求項１０】マスク基板の一主面上に形成された回路パターンを，集積回
路が形成されるべき半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に縮小投影露光装
置により露光する集積回路装置の製造方法であって，
（ａ）金属層よりなる光遮蔽領域と，第１光透過領域及びその第１光透過
領域と境界を接する第２光透過領域より成り，その第２光透過領域はその
幅が上記フォトレジスト膜上にその独立したパターンを上記半導体ウエハ
上に転写しないように上記第１光透過領域の幅よりも狭くされている回路
パターンを有する上記マスク基板を上記縮小投影露光装置の所定の部位に
配置する工程，
（ｂ）上記フォトレジスト膜が形成された上記半導体ウエハを上記縮小投
影露光装置の所定の部位に配置する工程，
（ｃ）上記所定の部位に配置した上記マスク基板に所定の波長を有する露
光光を照射し，上記第１光透過領域及び上記第２光透過領域のいずれか一
方に設置された位相シフト手段により上記露光光の内，上記第１光透過領
域と上記第２光透過領域を透過した光の位相が相互に反転するようにして
透過させる工程，
（ｄ）上記マスク基板を透過した上記露光光を上記縮小投影露光装置によ
り集光し，上記マスク基板上の回路パターンの実像を上記第１光透過領域
の上記第２光透過領域側において上記実像の端部が鮮明になるように上記
所定の部位に配置した上記半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に投影し，
露光する工程よりなることを特徴とする集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】請求項１０記載の集積回路装置の製造方法において，上記位
相シフト手段は上記第１光透過領域と上記第２光透過領域のいずれか一方
の面に設置された所定の厚さを有する透明膜であることを特徴とする集積
回路装置の製造方法。
【請求項１２】請求項１０記載の集積回路装置の製造方法において，上記位
相シフト手段は上記第１光透過領域と上記第２光透過領域のいずれか一方
に設置された所定の厚さを有する位相シフト溝であることを特徴とする集
積回路装置の製造方法。
【請求項１３】マスク基板の一主面上に形成された回路パターンを，集積回
路が形成されるべき半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に縮小投影露光装
置により露光する集積回路装置の製造方法であって，
（ａ）金属層よりなる光遮蔽領域と，第１光透過領域及びその第１光透過
領域と境界を接する第２光透過領域より成り，その第２光透過領域はその
幅が上記フォトレジスト膜上にその独立したパターンを上記半導体ウエハ
上に転写しないように上記第１光透過領域の幅よりも狭くされ，上記光遮
蔽領域は上記第２光透過領域に関して上記第１光透過領域の反対側にて上
記第２光透過領域と境界を接するように配置されて成る回路パターンを有
する上記マスク基板を上記縮小投影露光装置の所定の部位に配置する工程，
（ｂ）上記フォトレジスト膜が形成された上記半導体ウエハを上記縮小投
影露光装置の所定の部位に配置する工程，
（ｃ）上記所定の部位に配置した上記マスク基板に所定の波長を有する露
光光を照射し，上記第１光透過領域及び上記第２光透過領域のいずれか一
方に設置された位相シフト手段により上記露光光の内，上記第１光透過領
域と上記第２光透過領域を透過した光の位相が相互に反転するようにして
透過させる工程，
（ｄ）上記マスク基板を透過した上記露光光を上記縮小投影露光装置によ
り集光し，上記マスク基板上の回路パターンの実像を上記第１光透過領域
の上記第２光透過領域側において上記実像の端部が鮮明になるように上記
所定の部位に配置した上記半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に投影し，
露光する工程よりなることを特徴とする集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】請求項１３記載の集積回路装置の製造方法において，上記位
相シフト手段は上記第１光透過領域と上記第２光透過領域のいずれか一方
の面に設置された所定の厚さを有する位相シフト膜であることを特徴とす
る集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】請求項１３記載の集積回路装置の製造方法において，上記位
相シフト手段は上記第２光透過領域上に形成されていることを特徴とする
集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】請求項１３記載の集積回路装置の製造方法において，上記位
相シフト手段は上記第１光透過領域と上記第２光透過領域のいずれか一方
の面に設置された所定の深さを有する位相シフト溝であることを特徴とす
る集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】請求項１６記載の集積回路装置の製造方法において，上記位
相シフト溝は上記第１光透過領域の面に設けられたことを特徴とする集積
回路装置の製造方法。
２特許番号第２７０３７４８号
出願日昭和６３（１９８８）年１１月２２日
出願番号特願平７−３０３１１６
分割の表示特願昭６３−２９５３５０の分割
登録日平成９（１９９７）年１０月３日
発明者原告
特許権者被告
発明の名称光学マスクの製造方法
特許請求の範囲
【請求項１】主面を有するマスク基板と，上記マスク基板の上記主面側に設
置された金属層よりなる光遮蔽領域，第１光透過領域及び上記第１光透過
領域に接するか近接して設置されたその透過光の位相が上記第１光透過領
域を透過した透過光の位相と比較して反転するようにした第２光透過領域
を含む回路パターンを有し，上記回路パターンを縮小投影露光装置により
所定の波長を有する露光光で露光して集積回路を形成すべき半導体ウエハ
上のフォトレジスト膜に上記第１及び第２光透過領域を透過した各々の透
過光間の相互干渉により上記回路パターンの鮮明な実像を縮小投影結像す
ることでもって，上記半導体ウエハ上に上記マスク基板上の回路パターン
を上記フォトレジスト膜のパターンを介して縮小して転写する縮小投影露
光のための位相シフトパターンを有する光学マスクの製造方法であって，
（ａ）上記第１光透過領域及び第２光透過領域のいずれか一つの光遮蔽膜
開口パターンデータに所定の演算処理をすることでもって上記第１光透過
領域及び第２光透過領域の内のいずれか一つの領域上に形成されるべき位
相シフトパターンのパターンデータを含む位相シフトパターンデータを自
動的に生成する位相シフトパターンデータ生成工程，（ｂ）少なくとも上
記位相シフトパターンデータに基づいて上記マスク基板に位相シフトパタ
ーンを形成する工程よりなることを特徴とする光学マスクの製造方法。
【請求項２】主面を有するマスク基板と，上記マスク基板の上記主面側に設
置された金属層よりなる光遮蔽領域，第１光透過領域及び上記第１光透過
領域に近接して設置されたその透過光の位相が上記第１光透過領域を透過
した透過光の位相と比較して反転するようにされ，それ自体の独立したパ
ターンを転写しない程度に小さい寸法を有する第２光透過領域を含む回路
パターンを有し，上記回路パターンを縮小投影露光装置により所定の波長
を有する露光光で露光して集積回路を形成すべき半導体ウエハ上のフォト
レジスト膜に上記第１及び第２光透過領域を透過した各々の透過光間の相
互干渉により上記回路パターンの鮮明な実像を縮小投影結像することでも
って，上記半導体ウエハ上に上記マスク基板上の回路パターンを上記フォ
トレジスト膜のパターンを介して縮小して転写する縮小投影露光のための
位相シフトパターンを有する光学マスクの製造方法であって，（ａ）上記
第１光透過領域に対応する光遮蔽膜開口パターンデータに所定の演算処理
をすることでもって，上記第２光透過領域に対応するパターンデータを含
むマスク加工用光遮蔽膜開口パターンデータを自動的に生成する光遮蔽膜
開口パターンデータ生成工程，（ｂ）上記マスク加工用光遮蔽膜開口パタ
ーンデータに基づいて上記マスク基板の上記第１の主面上の光遮蔽膜をパ
ターニング加工して上記第１光透過領域，及び第２光透過領域を形成する
回路パターン形成工程よりなることを特徴とする光学マスクの製造方法。
【請求項３】主面を有するマスク基板と，上記マスク基板の上記主面上に設
置された金属層よりなる光遮蔽領域，半導体ウエハ上のフォトレジスト膜
に結像される第１光透過領域に対応する実像の内，光の干渉により光量が
不足する部分に対応するマスク上の上記第１光透過領域の対応する部分の
近傍にそれ自体の独立したパターンを転写しない程度に小さい寸法を有し，
その透過光の位相が上記第１光透過領域を透過した透過光と同一であるよ
うにした第１補助光透過領域を含む回路パターンを有する光学マスクの上
記回路パターンを縮小投影露光装置により所定の波長を有する露光光で露
光して集積回路を形成すべき半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に上記第
１光透過領域及び第１補助光透過領域を透過したそれぞれの透過光により
上記回路パターンの鮮明な実像を縮小投影結像することでもって上記半導
体ウエハ上に転写する縮小投影露光のための光学マスクの製造方法であっ
て，（ａ）上記第１光透過領域に対応する光遮蔽膜開口パターンデータに
所定の演算処理をすることでもって上記第１補助光透過領域に対応するパ
ターンデータを含むマスク加工用光遮蔽膜開口パターンデータを自動的に
生成する光遮蔽膜開口パターンデータ生成工程，（ｂ）上記マスク加工用
光遮蔽膜開口パターンデータに基づいて上記マスク基板の上記主面上の光
遮蔽膜をパターニング加工して，上記第１光透過領域及び上記第１補助光
透過領域を形成する回路パターン形成工程を包含することを特徴とする光
学マスクの製造方法。
【請求項４】相互に近接する第１開口パターンとそれと位相が反転した第２
開口パターンとそれらを規定する遮蔽パターンよりなる実マスクパターン
と，上記第２開口パターンの全域を覆いその周辺の上記遮蔽パターンにわ
たって形成された上記第２開口パターンの位相を反転させるための位相シ
フトパターンを有し，縮小投影露光により半導体ウエハ上に回路パターン
を形成するための位相シフトパターンを有する光学マスクの製造方法にお
いて，（ａ）上記実マスクパターンに対応する実マスクパターンデータを
作成する実マスクパターンデータ作成工程，（ｂ）上記実マスクパターン
データの内，上記第１及び第２開口パターンの一方の開口パターンに対応
する実マスクパターンデータを当該実マスクパターンを覆うように拡大す
ることでもって上記位相シフトパターンを形成するためのフォトレジスト
パターンに対応するフォトレジストパターンデータを自動的に作成するフ
ォトレジストパターンデータ自動作成工程，（ｃ）上記実マスクパターン
データに基づいてマスク基板の主面上に上記実マスクパターンを形成する
実マスクパターン形成工程，（ｄ）上記フォトレジストパターンデータに
基づいて上記フォトレジストパターンを形成し，それを使用して上記位相
シフトパターンを形成する位相シフトパターン形成工程よりなることを特
徴とする光学マスクの製造方法。
３特許番号第２７０３７４９号
出願日昭和６３（１９８８）年１１月２２日
出願番号特願平７−３０３１１７
分割の表示特願昭６３−２９５３５０の分割
登録日平成９（１９９７）年１０月３日
発明者原告
特許権者被告
発明の名称光学マスク加工方法
特許請求の範囲
【請求項１】主面を有するマスク基板と，上記マスク基板の上記主面に設置
された金属層よりなる光遮蔽領域，第１光透過領域及び上記第１光透過領
域に接するか近接して設置された，その透過光の位相が上記第１光透過領
域を透過した透過光の位相と比較して反転するようにした第２光透過領域
を包含する回路パターンとを有し，上記回路パターンを縮小投影露光装置
により所定の波長を有する露光光で露光して集積回路を形成すべき半導体
ウエハ上のフォトレジスト膜に上記第１及び第２光透過領域を透過した各
々の透過光間の相互干渉により上記回路パターンの鮮明な実像を結像する
ことによって上記半導体ウエハ上に上記マスク基板上の回路パターンを上
記フォトレジスト膜のパターンとして転写する位相シフト縮小投影露光の
ための光学マスク加工方法であって，上記マスク基板の上記主面から所定
の箇所にイオンビームを作用させることでもって上記主面に平坦な底面を
有する凹部を形成する工程を具備することを特徴とする光学マスク加工方
法。
４特許番号第２９２８４７７号
出願日昭和６３（１９８８）年１１月２２日
出願番号特願平７−３０３１１８
分割の表示特願昭６３−２９５３５０の分割
登録日平成１１（１９９９）年５月１４日
発明者原告
特許権者被告
発明の名称半導体装置の製造方法
特許請求の範囲
【請求項１】マスク基板に形成された光遮蔽領域と，第１の辺および該第１
の辺と交わる第２の辺を有する第１光透過領域と，上記第１の辺に近接し
て配置され透過光の位相が上記第１光透過領域を透過した透過光の位相に
対して反転するようにした第２光透過領域と，上記第２の辺に近接して配
置され透過光の位相が上記第１光透過領域を透過した光の位相に対して反
転するようにした第３光透過領域とを有する光学マスクのパターンを，縮
小投影露光装置により所定の波長を有する露光光を照射して，集積回路を
形成すべき半導体ウエハ上のフォトレジスト膜に上記パターンを露光する
半導体装置の製造方法であって，上記半導体ウエハ上のフォトレジスト膜
に結像される上記第１光透過領域に対応する実像の内，光の干渉により光
量が不足する上記二辺により形成される角部に対応するマスク上の領域の
近傍であって上記第２光透過領域と第３光透過領域とに近接する位置に，
それ自体の独立した実像を結像しない程度に小さな寸法を有し透過光の位
相が上記第１光透過領域を透過した光の位相と同相であるようにした補助
光透過領域と，上記第１光透過領域と，上記第２光透過領域と，上記第３
光透過領域とを透過した露光光により上記半導体ウエハ上のフォトレジス
ト膜にパターンを露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置の製造方法において，上記第１光透
過領域の角部と，上記補助光透過領域の角部とが接していることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
５特許番号第３３０６０５２号
出願日昭和６３（１９８８）年１１月２２日
出願番号特願２０００−３１４２０８
分割の表示特願平１０−７０９９２の分割
登録日平成１４（２００２）年５月１０日
発明者原告
特許権者被告
発明の名称位相シフトマスクの製造方法
特許請求の範囲
【請求項１】マスク基板を準備する工程と，前記マスク基板上に，集積回路
パターンおよび位相シフタパターンを形成する際の位置合わせに用いる位
置合わせマークを有する遮光膜を形成する工程と，前記遮光膜を有する前
記マスク基板上にレジスト膜を形成する工程と，前記遮光膜に設けられた
前記位置合わせマークを用いて位相シフタパターンの位置合わせを行う工
程と，前記レジスト膜をパターニングする工程と，前記レジスト膜をマス
クとして，前記マスク基板を掘り込んで位相シフタパターンを形成する工
程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
６特許番号第３４３９４６８号
出願日昭和６３（１９８８）年１１月２２日
出願番号特願２００２−１４４９２
分割の表示特願２０００−３１４２０８の分割
登録日平成１５（２００３）年６月１３日
発明者原告
特許権者被告
発明の名称位相シフトマスクの製造方法
特許請求の範囲
【請求項１】マスク基板を準備する工程と，前記マスク基板上に，集積回路
パターンおよび位相シフタパターンを形成する際の位置合わせに用いる位
置合わせマークを有する遮光膜を形成する工程と，前記遮光膜に設けられ
た前記位置合わせマークに基づいて，前記マスク基板にイオンビームを照
射することにより前記マスク基板を掘り込んで前記位相シフタパターンを
形成する工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
第２アメリカ合衆国特許
１特許番号第５０４５４１７号
出願日１９８９年１１月１６日
出願番号４７３２６８
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日１９９１年９月３日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
２特許番号第５３０６５８５号
出願日１９９３年４月２３日
出願番号５１５５２
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日１９９４年４月２６日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
３特許番号第５３５０６４９号
出願日１９９３年４月２３日
出願番号５１３５１
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日１９９４年９月２７日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
４特許番号第５３５２５５０号
出願日１９９３年４月２３日
出願番号５１２３８
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日１９９４年１０月４日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
５特許番号第５３５８８０７号
出願日１９９３年７月７日
出願番号８７０７４
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
１９８９年１０月２日，日本，特願平１−２５７２２６
特許付与日１９９４年１０月２５日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
６特許番号第５４８４６７１号
出願日１９９４年８月１１日
出願番号２８８９０５
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
１９８９年１０月２日，日本，特願平１−２５７２２６
特許付与日１９９６年１月１６日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
７特許番号第５６３１１０８号
出願日１９９５年５月２５日
出願番号４４９９２６
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
１９８９年１０月２日，日本，特願平１−２５７２２６
特許付与日１９９７年５月２０日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
８特許番号第５６４３６９８号
出願日１９９６年４月１２日
出願番号６３１０００
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
１９８９年１０月２日，日本，特願平１−２５７２２６
特許付与日１９９７年７月１日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
９特許番号第５８３０６０６号
出願日１９９７年３月３１日
出願番号８２９２３３
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
１９８９年１０月２日，日本，特願平１−２５７２２６
特許付与日１９９８年１１月３日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
10特許番号第５９４８５７４号
出願日１９９８年６月１８日
出願番号０９／０９９３３２
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日１９９９年９月７日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
11特許番号第６１０６９８１号
出願日１９９９年４月６日
出願番号０９／２８７５６１
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日２０００年８月２２日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
12特許番号第６２８４４１４Ｂ１号
出願日２０００年５月３０日
出願番号０９／５８０４２４
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日２００１年９月４日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
13特許番号第６４２００７５Ｂ１号
出願日２００１年１２月１３日
出願番号１０／０１３８６１
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日２００２年７月１６日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
14特許番号第６４５８４９７Ｂ２号
出願日２００１年８月１４日
出願番号０９／９２８４０３
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日２００２年１０月１日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
15特許番号第６５４８２１３Ｂ２号
出願日２００２年６月１４日
出願番号１０／１７０３５０
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日２００３年４月１５日
発明者原告
譲受人被告
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
16特許番号第６７３３９３３Ｂ２号
出願日２００３年２月１１日
出願番号１０／３６１６９９
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日２００４年５月１１日
発明者原告
譲受人株式会社ルネサステクノロジ
発明の名称半導体集積回路デバイス用マスク及びその製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
17特許番号第７００８７３６Ｂ２号
出願日２００３年１２月２２日
出願番号１０／７４０６１４
外国出願優先日
１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許付与日２００６年３月７日
発明者原告
譲受人株式会社ルネサステクノロジ
発明の名称位相シフト膜を備えたマスクを用いた半導体集積回路デバイス
の製法
請求項別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
第３大韓民国特許
１特許番号第１０６７９６号
出願日１９８９年１１月２１日
出願番号８９−１６９３１
優先権主張１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
特許公告日１９９６年５月２３日
発明者原告
出願人被告
発明の名称直接回路装置の製造方法及びそれに使用される光学マスク
特許請求の範囲別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
２特許番号第１０６８１９号
出願日１９９４年８月３０日
出願番号９４−２１６４６
優先権主張１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
分割出願特許願８９−１６９３１の分割
変更出願特許願９２−１８２０１の再分割
特許公告日１９９６年５月２３日
発明者原告
出願人被告
発明の名称位相のシフト光学マスクの製造方法及びそれを使用した半導体
直接回路装置の露光方法
特許請求の範囲別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
３特許番号第１０６８３４号
出願日１９９２年１０月５日
出願番号９２−１８２０２
優先権主張１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
分割出願特許願８９−１６９３１の分割
特許公告日１９９６年５月２３日
発明者原告
出願人被告
発明の名称直接回路装置の製造方法及びそれに使用される光学マスク
特許請求の範囲別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
４特許番号第１０６８３５号
出願日１９９２年１０月５日
出願番号特１９９２−１８２０１
優先権主張１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
原出願特許特１９８９−１６９３１
特許公告日１９９６年５月２３日
発明者原告
出願人被告
発明の名称光学マスク加工方法
特許請求の範囲別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。
５特許番号第１１８８１１号
出願日１９９４年８月３０日
出願番号９４−２１６４７
優先権主張１９８８年１１月２２日，日本，特願昭６３−２９５３５０
分割出願特許願８９−１６９３１の分割
特許公告日１９９７年２月１３日
発明者原告
出願人被告
発明の名称位相のシフト光学マスクの製造方法
特許請求の範囲別紙当該特許の特許公報（抄訳）記載のとおり。

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