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平成１７年（行ケ）第１０８３５号審決取消請求事件
平成１８年７月１１日口頭弁論終結
判決
原告長瀬産業株式会社
原告株式会社平間理化研究所
原告ナガセケムテックス株式会社
原告ら訴訟代理人弁護士吉武賢次
同宮嶋学
同高田泰彦
同訴訟代理人弁理士永井浩之
同勝沼宏仁
同岡田淳平
被告株式会社ケミテック
訴訟代理人弁理士廣江武典
同武川隆宣
同高荒新一
同中村繁元
同西尾務
主文
１原告らの請求を棄却する。
２訴訟費用は原告らの負担とする。
事実及び理由
第１当事者の求めた裁判
１原告ら
(1)特許庁が無効２００５－８０１００号事件について平成１７年１０月３１
日にした審決を取り消す。
(2)訴訟費用は被告の負担とする。
２被告
主文同旨
第２当事者間に争いのない事実
１特許庁における手続の経緯
原告らは，発明の名称を「現像原液の希釈装置」とする特許第２０９０３６
６号の特許（昭和６２年２月１０日出願，平成８年９月１８日設定登録。以下
「本件特許」という。発明の数は１である。）の特許権者である。
被告は，平成１７年３月３１日，本件特許を無効とすることについて審判を
請求した。特許庁は，この請求を無効２００５－８０１００号事件として審理
し，平成１７年１０月３１日，「特許第２０９０３６６号の請求項１に係る発
明についての特許を無効とする。」との審決をし，同年１１月１０日，その謄
本は原告らに送達された。
２特許請求の範囲
本件特許に係る明細書（以下「本件明細書」という。）の特許請求の範囲の
記載は，次のとおりである（以下，特許請求の範囲第１項に係る発明を「本件
発明」という。）。
「１ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃度
の現像液を送給するための現像原液の希釈装置であって，
アルカリ系現像原液と純水とを混合する混合手段と，
この混合手段からの混合液を受け入れ，所定時間強制攪拌する攪拌槽と，
この攪拌槽内の混合液の一部を連続的に抜き出しその導電率を測定したのち
攪拌槽内に戻す導電率測定手段と，
前記導電率測定手段で測定した導電率に対して温度補償を行って基準温度に
おける前記混合液の導電率を演算する温度補償手段と，
前記温度補償手段からの出力信号にもとづき前記混合手段に供給されるアル
カリ系現像原液または純水のいずれか一方の流量を制御する制御手段と，
前記攪拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前に
受け入れ貯留する貯留槽と，
を備えたことを特徴とする現像原液の希釈装置。
２前記混合手段がラインミキサである特許請求の範囲第１項に記載の現像原
液の希釈装置。
３前記攪拌槽は外筒と内筒とを備え，槽内の混合液を内外筒間に強制循環さ
せるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の現像原液の
希釈装置。
４前記導電率測定手段には被測定液を一定温度にする温度調整手段が付設さ
れたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の現像原液の希釈装
置。」
３審決の理由
別紙審決書の写しのとおりである。要するに，本件発明は，本件特許の出願
前（以下「本件出願前」という。）に頒布された刊行物である特開昭６２－１
１５２０号公報（甲１〔審決における「甲１」〕。以下「引用例」という。），
実願昭５９－１８２７０９号（実開昭６１－９８５２７号）のマイクロフィル
ム（甲３〔審決における「甲３」〕），実公昭５９－２９９４０号公報（甲４
〔審決における「甲４」〕），内藤正編「工業計測法ハンドブック」株式会社
朝倉書店昭和５１年９月３０日発行（甲５〔審決における「甲５」〕）の４８
０頁～４８１頁，工業計測技術大系編集委員会「工業計測技術大系７工業分
析（下）」日刊工業新聞社昭和４０年１月３０日発行（甲６（乙８も同じ。以
下，甲６のみを摘示する。）〔審決における「甲６」〕）の４５頁～５３頁に
記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた，というも
のである。
審決は，上記結論を導くに当たり，引用例記載の発明（以下「引用発明」と
いう。）の内容並びに本件発明と引用発明との一致点及び相違点を，次のとお
り認定した。
(1)引用発明
「半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウエハ表
面洗浄などの湿式処理工程の処理槽に管路を介して所定濃度の薬液を送給す
るための薬液調合装置であって，半導体素子製造において極めて広く使われ
ているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の薬品原液と純水と
を導入して調合を行う調合槽と，該調合槽の中の薬液を循環ろ過する薬液循
環ろ過手段と，該薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した薬液またはその各成
分の濃度をモニタする導電率濃度計と，該導電率濃度計による測定結果に基
づき，薬液濃度が所定濃度の薬液になるように薬品原液または純水のいずれ
か一方を調合槽に補充する手段と，を備えた薬液調合装置」
(2)一致点
「槽と，この槽内の混合液の一部を抜き出しその導電率を測定したのち槽
内に戻す導電率測定手段と，を備えたことを特徴とする原液の希釈装置」で
ある点。
(3)相違点
(イ)本件発明では，原液が「アルカリ系現像原液」であり，希釈装置が
「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃
度の現像液を送給するための現像原液の希釈装置」であるのに対して，引
用発明では，原液が「半導体素子製造において極めて広く使われているエ
ッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程の薬品原液」であり，希釈
装置が「半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウ
エハ表面洗浄などの湿式処理工程の処理槽に管路を介して所定濃度の薬液
を送給するための薬液調合装置」である点（以下「相違点(イ)」とい
う。）。
(ロ)本件発明では，「アルカリ系現像原液と純水とを混合する混合手段」
を備え，槽が「混合手段からの混合液を受け入れ，所定時間強制攪拌する
攪拌槽」であるのに対して，引用発明では，「混合手段」については開示
されておらず，槽が「原液と純水とを導入して調合を行う調合槽」である
点（以下「相違点(ロ)」という。）。
(ハ)本件発明では，「導電率測定手段で測定した導電率に対して温度補償
を行って基準温度における混合液の導電率を演算する温度補償手段」を備
え，制御手段が「温度補償手段からの出力信号にもとづき混合手段に供給
されるアルカリ系現像原液または純水のいずれか一方の流量を制御する制
御手段」であるのに対して，引用発明では，温度補償手段が開示されてお
らず，制御手段が「導電率濃度計による測定結果に基づき，薬液濃度が所
定濃度の薬液になるように薬品原液または純水のいずれか一方を調合槽に
補充する手段」である点（以下「相違点(ハ)」という。）。
(ニ)本件発明では，「攪拌槽からの混合液を加工用設備に管路を介して送
給する前に受け入れ貯留する貯留槽」を備えているのに対して，引用発明
では，その点が開示されていない点（以下「相違点(ニ)」という。）。
第３原告ら主張の取消事由の要点
審決は，本件発明と引用発明との相違点(イ)及び(ニ)についての各判断を誤
り，その結果，本件発明の進歩性を誤って否定したものであるから，違法とし
て取り消されるべきである。なお，引用発明の内容及び本件発明と引用発明と
の一致点・相違点の各認定並びに相違点(ロ)及び(ハ)の各判断は認める。
１取消事由１（相違点(イ)の判断の誤り）
審決は，相違点(イ)に関し，引用例に開示されている湿式処理工程における
技術思想を本件発明の「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備」に
転用し，ホトレジスト用アルカリ系現像原液を使用側で希釈して使用すること
は当業者なら誰しも推考し得るものである旨判断したが，誤りである。
(1)転用の困難性
ア引用発明における湿式処理工程は，具体的には，半導体素子製造工程に
おけるエッチングやウエハ表面洗浄であり，用いられるエッチング液の薬
液やウエハ洗浄液の成分は小数点以下１桁で濃度管理される（例えば，ウ
エハ洗浄液として用いられるＳＣ－１（アンモニア／過酸化水素水溶液）
は，アンモニア１±０．１５％，過酸化水素５±０．３０％，水９４±１．
５％の組成であり，エッチング液として用いられるＢＨＦ（フッ酸／フッ
化アンモニウム水溶液）は，フッ化アンモニウム２５±０．３％，フッ酸
３±０．３％，水７２±１％の組成であると一般的にはいわれている。）。
これに対し，本件発明によりアルカリ系現像原液を希釈することにより
製造されるアルカリ系現像液（以下「ホトレジスト現像液」という。）は，
半導体素子製造工程におけるポジレジスト現像に供されるものであるが，
小数点以下３桁の濃度管理が必要であり（例えば，ホトレジスト現像液と
して多用されるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡ
Ｈ）水溶液の濃度は，２．３８０±０．００５％レベルの精度で管理する
ことが要求される。），ウエハ洗浄液やエッチング液より１０倍以上精確
な濃度管理を要求されるものである。
上記のレベルでの濃度管理が要求されるのは，下記(ア)～(ウ)の理由に
より，ホトレジスト現像液の濃度が，半導体素子製品の良否にきわめて緊
密な関係を有するからである。
(ア)一般にパターン幅が小さいほど露光量を多く必要とし，大きいほど
露光量が少なくて済むので，細いパターンは露光不足のため所望のパタ
ーンが得られなかったり，太いパターンは露光過剰のため必要以上にパ
ターンが除去されたりすることがある。また，ホトレジストの膜厚が厚
い部分は膜厚の薄い部分よりも形成したパターンが太くなるという問題
がある。これらパターン幅，膜厚によるパターン寸法への影響は，ホト
レジスト現像液の濃度によって敏感に左右される。
(イ)縮小投影露光法では，露光部と未露光部の明暗のコントラストが低
くなるため，低いコントラストの露光部でも十分に選択的に露光される
必要がある（露光選択性）が，この露光選択性は，ホトレジスト現像液
の濃度の極めて微少な変化によって変化する。
(ウ)レジストパターンは側面がほぼ垂直に切り立った形状のものが要求
されるが，このレジストパターンの側面形状は，ホトレジスト現像液の
濃度の極めて微少な変化によって変化する
イ本件出願前は，導電率測定手段は，粗い濃度の測定にしか用いられてお
らず，濃度を小数点以下３桁まで管理しなければならないホトレジスト現
像液に適用するには，下記(ア)～(ウ)のとおり，十分な信頼性がないと考
えられていた。このため，本件出願前は，ホトレジスト現像液の濃度管理
は，導電率測定手段ではなく，時間と手間がかかるが，信頼性が高いと考
えられていた中和滴定により行われていた。
(ア)目標の溶質以外に電離した溶質があれば，目標以外の溶質の濃度が
加わった濃度が測定されてしまい，逆に，目標の溶質が１００％電離し
なければ，実際の溶質の濃度より少なく測定されてしまう。
(イ)ホトレジスト現像液の濡れ性を得るために，従来から現像液に界面
活性剤などの添加剤が加えられる場合があったが，これら界面活性剤が
わずかでも電離すれば，導電率による濃度の測定は不正確な結果を生ず
る。
(ウ)レジストの水溶性化のメカニズムは，現在でも完全には解明されて
おらず，経験的に導電率によってホトレジスト現像液の濃度管理を行う
ことにより，結果として所期の寸法パターンを得ることが知られている
程度であるから，上記メカニズムが現在以上に不明であった本件出願前
には，ホトレジスト現像の寸法精度と現像液の導電率とを結びつけるこ
とができなかった。
(2)本件発明を実現した実験に基づく知見
本件発明は，ホトレジスト現像液の技術分野における従来技術である中和
滴定を改良すべく案出されたものであり，実験によって確認した下記①～④
の点が組み合わされて，ホトレジスト現像液の濃度管理に導電率測定手段を
適用することができるという知見を得て，実現されたものである。
①ホトレジスト現像液の濡れ性を向上させるために通常加えられる添加剤
は，溶液中では電離しない。
②ホトレジスト現像液の溶媒（水）中には，溶液の導電率に影響を与える
イオンがほとんど存在しない。
③ホトレジスト現像液の実用の濃度帯域では，ホトレジスト現像液の濃度
と導電率の間に線形の関係があり，導電率から現像液の濃度を容易に算出
することができる。
④ホトレジスト現像液の濃度測定の温度帯域では，現像液の濃度と導電率
の間に線形の関係があり，導電率から現像液の濃度を容易に算出すること
ができる。
上記の点は，実験してみなければ判明しなかったことであり，上記①～④
のすべてが都合よく組み合わされて，ホトレジスト現像液の濃度管理に導電
率測定手段を適用することができるということは，当業者が予測できなかっ
たことである。
(3)本件発明の効果
本件発明によって，導電率でホトレジスト現像液の濃度を所定値に管理す
ることにより，成分濃度で濃度管理するよりも，高品質な現像を行えるとい
う，予測することができなかった効果を得ることができた。
本件発明によれば，従来の中和滴定の方法よりも，正確にホトレジスト現
像液の濃度の有効成分の濃度を測定することができる。すなわち，ＴＭＡＨ
水溶液や水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液などは，空気中の炭酸ガスを吸収
すると，ホトレジスト現像液としては作用しない炭酸塩を生成することから，
従来の中和滴定の方法では，滴定に用いる標準液（塩酸）と炭酸塩が反応し
てしまうため，ホトレジスト現像液として作用しない炭酸塩の濃度を含む濃
度を測定してしまい，ホトレジスト現像液の活性濃度（現像液として実際に
作用することができる成分の濃度）を測定することができなかった。これに
対し，導電率測定手段を用いる本件発明によれば，炭酸塩は溶解してもほと
んど電離しないので，ホトレジスト現像液として作用しない炭酸塩の濃度を
除いた活性濃度を測定することができるものである。
また，本件発明によれば，煩雑な作業を要する従来の中和滴定の方法より
も，効率よくホトレジスト現像液の濃度を測定できる。
(4)まとめ
以上のとおり，引用例にエッチング液やウエハ洗浄液の測定用に導電率測
定手段を使用することが開示されているからといって，これをホトレジスト
現像液に適用し，本件発明に到達することが容易であるということはできな
い。
２取消事由２（相違点(ニ)の判断の誤り）
審決は，相違点(ニ)に関し，薬液を希釈した後，貯蔵しておく希釈薬液貯蔵
タンクを設けることは，本件出願前の周知事項であるから，貯留槽を設けるこ
とに格別のことはない旨判断したが，誤りである。
本件発明において，貯留槽は，撹拌槽における溶液濃度のハンチングを平準
化するという技術的意義を有する。
すなわち，本件発明における貯留槽は，呼称が「貯留」槽になっているが，
単に使用前に薬液を貯蔵するものではなく，ホトレジスト現像液の濃度の平準
化を行うものである。例えば，アルカリ系現像液として多用されるＴＭＡＨ現
像液において，撹拌槽では，２．３８０±０．０１０％程度のハンチング（濃
度のばらつき）を示す場合があるが，貯留槽によって，２．３８０±０．００
３％程度の微小なハンチングに平準化することができる。
撹拌槽で撹拌を行った後に，別の槽で貯留静置することにより，溶液の濃度
がある程度平準化されることは当業者が予測できることであるが，撹拌槽にお
ける濃度のハンチングの幅が貯留槽が存在していない場合の３０分の１にも抑
制されるという効果は，当業者が予測することができない顕著な効果である。
本件発明の貯留槽は，撹拌槽からホトレジスト加工設備に現像液が供給され
る間に現像液の濃度のばらつきを吸収して平準化するものである。
このように，本件発明の貯留槽は，撹拌槽における濃度のハンチングを平準
化するものであり，その平準化の効果は小数点以下４桁のレベルという当業者
が予測し得なかった効果を奏するという技術的意義を有するものであるところ，
審決はこれを看過したものである。
第４被告の反論の要点
審決の認定判断に誤りはなく，原告ら主張の取消事由は理由がない。
１取消事由１（相違点(イ)の判断の誤り）について
(1)転用の困難性について
ア原告らは，ポジレジスト現像液の濃度誤差の許容範囲が引用発明のエッ
チング液等の濃度誤差の許容範囲に比べて格段に小さく，引用発明の導電
率測定手段を本件発明に用いることは容易想到ではないと主張し，具体的
な濃度管理の値として，２．３８０±０．００５％レベルの精度を挙げる。
しかし，本件明細書にはもともとかかる濃度誤差の許容範囲の具体的な
記載はなく，その他原告らの上記主張を裏付ける根拠はない。
イ原告らは，中和滴定に比べて導電率測定手段に十分な信頼性がないと考
えられていた旨主張するが，具体的な信頼性の対比がなく，その主張を認
めることはできない。
また，原告らは，導電率測定手段に十分な信頼性がないと考えられてい
た理由として，溶液中の他の電離溶質や添加物の影響等を挙げるが，かか
る主張は，本件明細書における「純水の導電率は周知のようにきわめて小
さく，また，必要に応じて添加される各種添加剤の量も現像原液の量に比
べて無視できる程度に少ないので，現像液の濃度と導電率との関係は，純
水の性状や添加剤の種類，添加量には実用上無関係に一義的に定まる。こ
のため，本実施例装置によって製造した現像液の濃度は信頼性が高い。」
（甲１０の１，３頁６欄２０行～２６行）との記載と矛盾するものであっ
て，失当である。
なお，原告らは，ポジレジスト現像液がレジストと反応して水溶性にす
るメカニズムについても述べているが，かかる主張を裏付ける根拠は示さ
れていない。
(2)本件発明を実現した実験に基づく知見について
原告らは，実験によって得た①～④の知見について述べるが，これらの知
見は，本件明細書に記載されておらず，また，被告が無効審判において立証
した公知技術にすぎない。
例えば，西野治著「工業電子計測」株式会社コロナ社昭和４１年６月３０
日発行（乙１〔審決における「甲１１」〕）の１４８頁～１４９頁には，
「９・２電気抵抗濃度計」と題して，本件明細書にいう導電率測定手段で
測定可能な溶液の濃度と導電率の関係を示す「図９・１濃度と導電率の関
係」，また，温度補償が必要な点が記載されている。この図９・１によれば，
導電率測定手段によって，本件明細書で現像液として記載されているＮａＯ
Ｈ，ＫＯＨの濃度測定が可能であることが理解できる。また，同図では，特
に濃度の小さい部分では，導電率と濃度との間に直線関係があり，導電率か
ら希望する現像液の濃度が正確に測定できることが理解できる。
したがって，原告ら主張の①～④の知見をもって，原告らの実験によって
得られたものということはできない。
(3)本件発明の効果について
原告らは，ＴＭＡＨ現像液と炭酸ガスとの反応の結果，中和滴定の方法に
比べ，導電率測定手段が優れている旨主張する。
しかし，平野四蔵編「化学分析法ハンドブック」産業図書株式会社昭和３
６年９月１５日発行の８４頁～８５頁（乙２〔審決における「甲１０」〕）
には，「１０・４ＮａＣＯおよびＮａＯＨ混合物の両者の定量」と題し２３
て，ＮａＯＨ水溶液に含まれるＮａＯＨ（ポジレジストの現像液の一つとし
て本件明細書に記載されている。），ＮａＣＯ（炭酸塩）を中和滴定で定２３
量する方法が記載されている。
したがって，原告らの上記主張は誤りである。
(4)まとめ
以上のとおり，原告らの主張はいずれも失当であり，審決の相違点(イ)の
判断に誤りはない。
２取消事由２（相違点(ニ)の判断の誤り）について
原告らは，本件発明における貯留槽の格別の効果を主張するが，本件明細書
には，この貯留槽について，もともと以下の記載があったのみである。
「撹拝槽１８内の混合液は管路５８からポンプ６０によって，現像液タンク
２２に送られ，この現像液タンク内で一旦，貯留されたのち，管路６２から半
導体製造工程などの使用側に送給される。」（甲１０の１，２頁４欄４１行～
４５行）
「この濃度を一定にした混合液は現像液タンク２２に貯留されたのち，現像
液として使用される。」（甲１０の１，３頁５欄４３行～４５行）
本件明細書の上記記載から原告らの上記主張の効果を読み取ることはできな
いから，原告らの上記主張は失当である。
第５当裁判所の判断
１取消事由１（相違点(イ)の判断の誤り）について
(1)転用の困難性について
ア原告らは，本件発明に用いられるホトレジスト現像液はエッチング液や
洗浄液と異なり，小数点以下３桁の濃度管理が要求される旨主張する。
(ア)本件明細書（甲１０の１，２）の記載について，検討する。
特許請求の範囲（甲１０の２，左欄２行～２７行）には，「アルカリ
系現像原液」との記載があるが，その具体的な成分や濃度について，独
立項である第１項はもとより，実施態様項である第２項ないし第４項を
含めても，何らこれを特定する記載はない。
発明の詳細な説明には，「従来の技術」の項に，「ポジレジストの現
像液材料としてはリン酸ソーダ，カ性ソーダ〔判決注：水酸化ナトリウ
ム（ＮａＯＨ）のこと。〕，ケイ酸ソーダ，またはその他の無機アルカ
リ等との混合物から成る無機アルカリ水溶液や，アルカリメタルの汚染
が心配される場合にはメタルを含まないアミン系の有機アルカリ水溶液，
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）〔判決注：
以下「ＴＭＡＨ」という。〕水溶液，トリメチルモノエタノールアンモ
ニウムハイドロオキサイド（コリン）〔判決注：以下「ＴＨＡＨ」とい
う。〕水溶液等が用いられる。これら現像液は使用するポジレジストに
合わせ，最高の解像力，画像のきれ，安定性を得るためにその組成及び
濃度を厳密に管理しなければならない。特に，近年の半導体の高集積化
に伴い，パターン幅の微細化が要求され，ホトレジストの実効感度のば
らつきを小さくするために，現像液濃度の精度向上が強く望まれている。
ところで，従来においては，現像液は半導体製造工場で組成や濃度を調
整した上で用いることは設備，運転コストの面ばかりでなく，組成及び
濃度を十分に管理することがきわめて困難であるという基本的問題があ
るため，まったく行われていないのが実情であった。」（甲１０の１，
２頁３欄２行～２１行）との記載，「従来，液体の濃度管理を行う技術
としては，例えば，装置の腐食防止のためにボイラプラント等の水質の
ＰＨ値を一定にするために注入するアンモニアの自動希釈装置がある
（実公昭６１－７７８６）。このアンモニア自動希釈装置は，攪拌装置
を有するアンモニア希釈タンクからアンモニア水循環系により一部のア
ンモニアを抜き出して電気伝導率測定装置でその導電率を測定し，測定
結果に基づいて純水供給系及びアンモニア供給系を制御器で制御するも
のである。しかしながら，ホトレジスト微細加工の場合，現像により形
成されるレジストパターンの寸法は小さいものでは０．３５μｍ程度，
大きなものでも１０μｍ程度であり，現像に使用される現像液の微小な
濃度変化による現像過多或いは現像不足は，レジストパターンの寸法に
大きな影響を与える。このことから，アンモニアの自動希釈装置のよう
な従来の液体の濃度管理の技術は，装置の腐食防止のために水質のＰＨ
をアルカリ側に管理すれば良い程度のラフなものであり，半導体製造工
程でのホトレジストを用いた微細加工用の現像液の濃度管理には適用で
きなかった。」（甲１０の２，左欄２８行～右欄１３行）との記載〔判
決注：出願公告後の補正で加入されたもの。〕，及び，「従って，半導
体製造工場などの使用側（以下，使用側という。）では，もっぱら現像
液メーカ（以下，供給側という。）で組成及び濃度を調整した現像液を
使用せざるを得なかった。供給側では所定の組成に調合した現像原液を
純水で希釈し，所望の濃度に調整した現像液を容器に充填し，使用側に
供給する。現像原液の希釈倍率は，液組成及び原液濃度，ポジレジスト
の種類，使用目的によて区々に異なることは当然であるが，通常は５～
１０倍前後である。このため，供給側で調整した現像液の量は希釈倍率
に応じて大幅に増大し，この現像液を使用側へ運搬するための容器の準
備，容器への充填作業，運搬コストは膨大となり，これらの諸経費が結
果として現像液コストの相当な割合を占めるという問題点があった。」
（甲１０の１，２頁３欄２２行～３４行）との記載があることが認めら
れるが，ホトレジスト現像液の濃度について，小数点以下３桁の精度が
要求される旨の記載は存在しない。
(イ)本件出願前の技術水準について，検討する。
①特開昭５９－２１９７４３号公報（乙３）には，次の記載がある。
「(1)テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド，トリアルキル（ヒ
ドロキシアルキル）アンモニウムヒドロキシド及び水とを含有するポ
ジ型レジスト現像液」（１頁左下欄５行～８行）
「(2)テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド〔判決注：ＴＭＡ
Ｈ〕及びトリアルキル（ヒドロキシアルキル）アンモニウムヒドロキ
シドがそれぞれテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリメチ
ル（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド〔判決注：ＴＨＡ
Ｈ〕であり，現像液中にテトラメチルアンモニウムヒドロキシドが０．
５～３．０重量％，トリメチル（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒ
ドロキシドが１．０～４．０重量％含有されている特許請求の範囲第
(1)項記載のポジ型レジスト現像液」（１頁左下欄９行～１８行）
「本発明の現像液は，現像液として特性の異なったＴＭＡＨ水溶液
とＴＨＡＨ水溶液とを混合することによって，全く新しい特性，すな
わちレジスト感度及び未露光部分に対する溶解量の現像液温度依存性
をなくしたポジ型レジスト現像液である。」（２頁右下欄１７行～３
頁左上欄２行）
「実施例１テトラメチルアンモニウムヒドロキシド〔判決注：Ｔ
ＭＡＨ〕１．４重量％，トリメチル（ヒドロキシエチル）アンモニウ
ムヒドロキシド〔判決注：ＴＨＡＨ〕２．１重量％を含有する水溶液
を調製し，現像液とした。」（３頁右下欄１４行～１８行）
②特開昭６１－２３２４５３号公報（乙４）には，次の記載がある。
「１(A)金属イオンを含まないアルカリ，(B)第四級アンモニウム
塩型陽イオン性界面活性剤及び(C)一価アルコールを含有して成るポジ
型ホトレジスト用現像液」（１頁左下欄５行～８行）
「２金属イオンを含まないアルカリ化合物がテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド（判決注：ＴＭＡＨ）及びトリメチル（２－ヒド
ロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド（判決注：ＴＨＡＨ）の中
から選ばれた少なくとも１種である特許請求の範囲第１項記載の現像
液。」（１頁左下欄９行～１３行）
「(A)成分の金属イオンを含まないアルカリを溶質として水媒体中に
１～１０重量％……となるように溶解」（４頁右上欄１行～４行）
「本発明の現像液は，……露光部と非露光部に対する溶解選択性が
著しく優れており，……薄膜残りやスカム残りを抑制する特性を有し
ている。」（４頁右上欄２０行～左下欄１３行）
また，実施例について，「ＴＭＡＨ２．８」，「ＴＭＡＨ２．
６５」，「ＴＨＡＨ５．０」，「ＴＭＡＨ２．０＋ＴＨＡＨ２．
５」，「ＴＨＡＨ２．８０」，「ＴＭＡＨ３．００」（いずれも
重量％）との記載がある。（５頁下欄～６頁上欄の表）
③特開昭６２－３５３４９号公報（乙５，昭和６０年８月９日出願，
昭和６２年２月１６日公開）には，次の記載がある。
「現像液，例えば２～５重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド（判決注：ＴＭＡＨ）やコリン（判決注：ＴＨＡＨ）の水溶液
を用いて現像する」（４頁左上欄１５行～１８行）
「テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（判決注：ＴＭＡＨ）２．
３８重量％水溶液により２３℃で３０秒間現像した。」（４頁左下欄
１４行～１６行）
④特開昭６２－３２４５１号公報（乙６，昭和６０年８月６日出願，
昭和６２年２月１２日公開）には，次の記載がある。
「(1)金属イオンを含まない有機塩基を主剤とするポジ型ホトレジス
ト用現像液に，非イオン性のフッ素系界面活性剤を５０～５０００ｐ
ｐｍ添加することを特徴とするポジ型ホトレジスト用現像液」（１頁
左下欄５行～８行）
「(3)金属イオンを含まない有機塩基がテトラアルキルアンモニウム
ヒドロキシド（判決注：ＴＭＡＨ）およびコリン（判決注：ＴＨＡ
Ｈ）から選ばれた少なくとも１種である特許請求の範囲第(1)項～第
(2)項記載のポジ型ホトレジスト用現像液」（１頁右下欄５行～９行）
「実施例１～７……金属イオンを含まない有機塩基としてテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２．３８％およびコリン
４．２％をそれぞれ水に溶解してポジ型ホトレジスト用現像液とし，
このそれぞれに第１表に示す非イオン性フッ素系界面活性剤を添加し
て本発明のポジ型ホトレジスト用現像液とした。」（４頁左下欄１８
行～右下欄５行，５頁下欄の第１表）
「実施例８金属イオンを含まない有機塩基としてテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２．３８％を水に溶解してポジ
型ホトレジスト用現像液とし，これに非イオン性のフッ素系界面活性
剤……を５００ｐｐｍ添加した。」（６頁左上欄１行～９行）
「本発明の現像液はポジ型ホトレジスト膜の現像の均一性が良好で
あり，……現像時間も非イオン性のフッ素系界面活性剤を添加しない
従来のものに比べて半分の時間……でも良好なレジスト画像が得られ
た。さらに現像液の温度依存性は，特にテトラアルキルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液の場合には界面活性剤を添加しない従来のものに
比べて著しく減少し……た。」（６頁左上欄１８行～右上欄９行）
⑤特開昭６２－３５４５２号公報（乙７，昭和６０年８月６日出願，
昭和６２年２月１２日公開）には，次の記載がある。
「(1)金属イオンを含まない有機塩基を主剤とするポジ型ホトレジ
スト用現像液に陰イオン性のフッ素系界面活性剤を５０～５０００ｐ
ｐｍ添加することを特徴とするポジ型ホトレジスト用現像液」（１頁
左下欄５行～８行）
「(3)金属イオンを含まない有機塩基がテトラアルキルアンモニウ
ムヒドロキシド（判決注：ＴＭＡＨ）およびコリン（判決注：ＴＨＡ
Ｈ）から選ばれた少なくとも１種である特許請求の範囲第(1)～第(2)
項記載のポジ型ホトレジスト用現像液」（１頁左下欄２０行～右下欄
４行）
「実施例１～１２……金属イオンを含まない有機塩基としてテトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２．３８％およびコリ
ン４．２％をそれぞれ水に溶解してポジ型ホトレジスト用現像液とし，
このそれぞれに第１表に示す陰イオン性フッ素系界面活性剤を添加し
て本発明のポジ型ホトレジスト用現像液とした。」（４頁左下欄８行
～１５行，５頁上欄の第１表）」
「実施例１３金属イオンを含まない有機塩基としてテトラメチル
アンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２．３８％を水に溶解してポ
ジ型ホトレジスト用現像液とし，これに陰イオン性フッ素系界面活性
剤……を……添加した。」（５頁下左欄１行～７行）
「本発明の現像液はポジ型ホトレジスト膜の現像の均一性が良好で
あり，……現像時間も陰イオン性フッ素系界面活性剤を添加しない従
来のものに比べて半分の時間……でも良好なレジスト画像が得られた。
さらに現像液の温度依存性は特にテトラアルキルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液の場合には界面活性剤を添加しない従来のものに比べて
著しく減少し……た。」（５頁左下欄１５行～右上欄６行）
乙３～７（なお，乙５～７は，本件出願前に頒布された刊行物ではな
いが，本件出願前に出願された特許出願が本件出願後に公開された公開
特許公報であり，本件出願前の技術水準を認定するための資料として参
酌することはできる。）の上記①～⑤の各記載によれば，ホトレジスト
現像液としてＴＭＡＨ水溶液やＴＨＡＨ水溶液などが周知であり，濃度
管理が必要なことが認められるが，濃度精度の要求水準について格別の
記載はない。そして，乙３，４，６，７に「実施例」として具体的に記
載されているものには，ＴＭＡＨやＴＨＡＨの濃度が小数点以下１桁ま
での表示がされているものがあり，このようなものについて小数点以下
３桁の濃度管理が必要であったとは認められない。
(ウ)以上によれば，本件発明に用いられるホトレジスト現像液について
小数点以下３桁の濃度管理が要求されるという原告らの主張は，その根
拠を欠くものというべきであって，採用することができない。
イ原告らは，導電率測定手段は，濃度％が小数点以下３桁まで管理しなけ
ればならないホトレジスト現像液に適用するには十分な信頼性がないと考
えられていたと主張し，具体的な事情として，前記第３，１(1)ア(ア)～
(ウ)のとおり主張する。
しかし，原告らの主張は，ホトレジスト現像液がその濃度を小数点以下
３桁まで管理しなければならないものであるという，その前提において誤
っていることは，上記アにおいて説示したとおりであるから，採用するこ
とができない。
なお，念のため，原告らの前記第３，１(1)ア(ア)～(ウ)の主張について
検討してみても，次のとおり，いずれも失当である。
(ア)原告らは，目標の溶質以外に電離した溶質があれば，目標以外の溶
質の濃度が加わった濃度が測定されてしまい，逆に，目標の溶質が１０
０％電離しなければ，実際の溶質の濃度より少なく測定されてしまう旨
主張する。
しかし，本件明細書には，「ポジレジスト用の現像液を必要とする半
導体製造工場などにおいては多量の純水を必要とするので，純水製造装
置は必置とされる。従って，本発明において必要な希釈用の純水は，比
較的容易に入手できる。」（甲１０の１，３頁６欄１７行～２０行）と
の記載があり，乙３～７及び弁論の全趣旨によれば，ホトレジスト現像
液は，半導体素子製造工程におけるポジレジスト現像に供されるもので
あって，ポジレジストを用いて微細加工を行う際に，ポジレジストの露
光部分を選択的に溶解除去するために用いるアルカリ性水溶液であるか
ら，ホトレジスト現像液の溶媒としての水には，極力，不純物やイオン
を含まない純水を用いることは，当業者が当然に考慮する事項であると
いうべきであり，本件記録中にこれに反する証拠は認められない。
また，前記ア(ア)で検討した本件明細書の記載によれば，本件発明に
より調製されるホトレジスト現像液は，ＴＭＡＨ水溶液や水酸化ナトリ
ウム水溶液であってもよいところ，ＴＭＡＨや水酸化ナトリウムが強ア
ルカリであって，ほぼ完全に電離することは，当裁判所に顕著な事実で
ある（当庁平成１７年（行ケ）第１０５５８号・平成１８年４月２５日
判決参照）。
したがって，原告らの上記主張は採用することができない。
(イ)原告らは，ホトレジスト現像液の濡れ性を得るために，従来から現
像液に界面活性剤などの添加剤が加えられる場合があったが，これら界
面活性剤がわずかでも電離すれば，導電率による濃度の測定は不正確な
結果を生ずる旨主張する。
しかし，本件明細書（甲１０の１，２）によれば，特許請求の範囲に
添加剤の記載はなく（甲１０の２，左欄２行～２７行），本件発明は添
加剤を用いない場合をも含むことは明らかである上，発明の詳細な説明
には，「必要に応じて添加される各種添加剤」（甲１０の１，３頁６欄
２１行～２２行）との記載があり，これによれば，添加剤がホトレジス
ト現像液の必須成分ではないことも明らかである。
さらに，乙４，６～７によれば，ホトレジスト現像液に界面活性剤な
どの添加剤を加えている例があることが認められるが，他方，乙３，５
によれば，添加剤を加えない例もあり，本件出願前に，ホトレジスト現
像液には必ず添加剤を加えるという認識が当業者の間に存在したもので
ないと認められる。
そうすると，添加剤が導電率の測定に影響を与えるか否かは，直ちに，
導電率測定手段をホトレジスト現像液の濃度管理に適用することを妨げ
る理由とはならないものというべきである（本件記録を検討しても，本
件出願前，添加剤の影響により導電率ではホトレジスト現像液の濃度を
精確に測定することができないと認識されていたことを裏付ける証拠は
見いだせない。）。
したがって，原告らの上記主張は採用することができない。
(ウ)原告らは，レジストの水溶性化のメカニズムは，現在でも完全には
解明されておらず，経験的に導電率によってホトレジスト現像液の濃度
管理を行うことにより，結果として所期の寸法パターンを得ることが知
られている程度であるから，上記メカニズムが現在以上に不明であった
本件出願前には，ホトレジスト現像の寸法精度と現像液の導電率とを結
びつけることができなかった旨主張する。
しかし，レジストの水溶性化のメカニズムが解明されていないことは，
導電率測定手段をホトレジスト現像液の濃度管理に適用することを妨げ
る理由とはならないものというべきである（本件記録を検討しても，原
告らの主張を裏付ける証拠は見いだせない。）。
なお，導電率によってホトレジスト現像液の濃度管理を行うことに格
別の支障があるとは認められないことは，下記(エ)及び(オ)に説示する
とおりである。
(エ)乙１には，「特定の溶液については濃度と導電率の間に一定の関係
がある。図９・１にその例を示す。したがって液を一定の容器に入れて
電気抵抗を測定すれば濃度を求めることができる。」（１４８頁３行～
５行）との記載，「温度補償溶液の抵抗は０．０２／度程度の大きな
温度係数を持っているので濃度で目盛るためには温度補償が必要である．
図９・４はその補償回路の例である。」（１４９頁１５～１８行）との
記載があり，また，「図９・１濃度と導電率の関係」（１４８頁）に
は，塩化カリウム（ＫＣｌ），水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ），水酸化
カリウム（ＫＯＨ），塩酸（ＨＣｌ），硫酸（ＨＳＯ），硝酸（ＨＮ２４
Ｏ）について，横軸に濃度〔％〕，縦軸に導電率〔Ω／ｃｍ〕（判決注３
：ΩはΩの誤記と認める。）をとったグラフが示され，水酸化ナトリ－１
ウム（ＮａＯＨ）は，濃度５～１０％では，濃度と導電率がほぼ比例す
ることが示されている。
甲６には，「現在もっとも広い応用分野としては，溶液の濃度と導電
率の関係が，温度が一定であれば精密に対応することを利用した工業的
溶液濃度の測定，あるいは成分の検出方法として用いられている。たと
えば化学工業におけるＨＳＯ，ＨＣｌ，ＮａＯＨなどの濃度の測定，２４
発電所，工場におけるボイラの給水，復水の水質測定，純水製造装置の
純水の純度測定などのように導電率測定は現在ｐＨ測定と同様に広く普
及し，プロセスの計装上必要欠くべからざるものとなっている。」（４
５頁下から３行～４６頁３行）との記載，「一般に電解質溶液は希薄な
濃度においては，濃度が増しても電解質のイオンへの解離度がかわらな
いので，したがってイオンの数も濃度に比例して増加するから，導電率
は直線的に増加する。」（４９頁下から１１行～下から９行）との記載，
「図３．３は工業的に導電率測定が行われている代表的な溶液の１８℃
における濃度と導電率の関係を示したものである。低濃度においてはい
ずれも導電率が濃度に対し比例して増加している」（５０頁１行～４
行）との記載，「導電率は溶液の濃度が一定であっても，その温度の上
昇に伴って，一般に約２％の温度係数をもって増加する。」（５１頁下
から８行～下から７行）との記載，「同じ種類の電解質であっても，そ
の濃度によって温度係数は多少異なり，表３．１に示したような値とな
っている。」（５１頁下から６行～下から４行）との記載があり，また，
「図３．３溶液の濃度と導電率の関係（ただしＮａＯＨは１５℃にお
ける値を示す）」（５０頁）には，炭酸ナトリウム（ＮａＣＯ），塩２３
化ナトリウム（ＮａＣｌ），水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ），塩酸（Ｈ
Ｃｌ），硫酸（ＨＳＯ），硝酸（ＨＮＯ）について，横軸に溶液濃度２４３
（重量％），縦軸に導電率（Ω／ｃｍ）（判決注：甲６に用いられて－１
いる逆Ωの代わりに，同義のΩで表示した。）をとったグラフが示さ－１
れ，水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）は，濃度０～１０％では，濃度と導
電率がほぼ比例することが示され，「表３．１各種溶液の導電率とそ
の温度係数（％／℃）」（５０～５１頁）には，Δκ（判決注：温度係
数）が，水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）（１５℃）では，濃度５％で２．
０１％／℃，濃度１０％で２．１７％／℃であることが示されている。
前記ア(ア)で認定した本件明細書の記載によれば，本件発明により調
製されるホトレジスト現像液は，水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液
であってもよいところ，乙１，甲６の上記記載によれば，水酸化ナトリ
ウム水溶液は，室温，濃度０～１０％において，濃度と導電率にほぼ線
形の対応関係があることが認められる。
そうすると，本件出願前に，ホトレジスト現像液の実用濃度領域にお
いて，導電率と濃度が検出可能な傾きで線形的に対応している例が知ら
れていたというべきである（なお，本件記録を検討しても，本件出願前，
ホトレジスト現像液の実用濃度領域で，導電率と濃度が検出可能な傾き
で線形的に対応すると考えられていなかったことを裏付ける証拠は見い
だせない。）。
(オ)上記のとおり，本件発明により調製されるホトレジスト現像液は，
水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液であってもよいところ，乙１，甲
６の上記記載によれば，水酸化ナトリウム水溶液は，水溶液では，室温，
濃度０～１０％において，濃度と導電率にほぼ線形の対応関係があり，
導電率の温度係数が約２％／℃であることが認められる。
そして，ホトレジスト現像液の調製を室温から相当に離れた高温また
は低温で行うものとは考えられないから，ホトレジスト現像液の実用温
度帯域において，導電率によって濃度測定をすることができなかったと
いうことはできない（なお，本件記録を検討しても，本件出願前，ホト
レジスト現像液の実用温度帯域で導電率によってホトレジスト現像液の
濃度を精確に測定することができないと認識されていたことを裏付ける
証拠は見いだせない。）。
(2)本件発明を実現した実験に基づく知見について
原告らは，本件発明は，当業者の予想に反して実験によって前記第３，１
(2)①～④を確認することにより，発明されたものであると主張するが，上記
(1)１イの認定に照らせば，上記①～④が当業者の予測に反する新たな知見と
いうことはできない。
したがって，原告らの主張は採用することができない。
(3)本件発明の効果について
原告らは，本件発明によれば，従来の中和滴定の方法よりも，正確にホト
レジスト現像液の濃度の有効成分の濃度を測定することができる旨主張する
が，その趣旨は，要するに，ホトレジスト現像液としてＴＭＡＨ水溶液や水
酸化カリウム水溶液を用いる場合に，空気中の炭酸ガスを吸収してホトレジ
スト現像液として作用しない炭酸塩が生成するところ，この炭酸塩は溶解し
てもほとんど電離しないから，ホトレジスト現像液として作用しない炭酸塩
を除いた活性濃度を測定することができるというものである。しかし，そも
そも本件発明におけるホトレジスト用アルカリ系現像原液がＴＭＡＨ水溶液
や水酸化カリウム水溶液に限定されているわけではないし，この点をひとま
ず措くとしても，導電率測定手段を用いる場合に，電離しない成分の濃度が
測定されないことは，当業者にとって自明の事項であるから，結局，原告ら
の主張する効果は，導電率測定手段を用いたことによる当然の効果にすぎず，
格別顕著なものとは認められない。
なお，原告らは，本件発明によれば，煩雑な作業を要する従来の中和滴定
の方法よりも，効率よくホトレジスト現像液の濃度を測定できるとも主張す
るが，導電率測定手段をホトレジスト現像液の濃度管理に適用することが容
易であることはすでに説示したとおりであり，中和滴定の方法と比較した効
率のよさは，導電率測定手段を用いたことによる当然の効果にすぎず，格別
顕著なものとは認められない。
(4)小括
引用発明と本件発明は，半導体ウエハに液体で働きかけ，また半導体素子
製造工程のうちの一工程であるという点で共通していることは明らかであり，
引用例に開示されている湿式処理工程における技術思想を，本件発明の「ホ
トレジストを用いて微細加工を行う加工用設備」に転用することは，これを
妨げる特段の事情がない限り，当業者であれば容易になし得たものというべ
きであるところ，以上検討したところによれば，転用を妨げるべき事情とし
て原告らが主張するところはいずれも失当であり，原告らが実験により確認
したという点も当業者の予測に反する新たな知見ということはできず，本件
発明の効果が格別顕著なものということもできない。
したがって，審決の相違点(イ)の判断に原告ら主張の誤りがあるとはいえ
ず，原告ら主張の取消事由１は理由がない。
２取消事由２（相違点(ニ)の判断の誤り）について
原告らは，本件発明の貯留槽は，単に使用前に薬液を貯蔵するものではなく，
撹拌槽における濃度のハンチングを平準化するものであり，その平準化の効果
は小数点以下４桁のレベルという当業者が予測し得なかった効果を奏するとい
う技術的意義を有するものである旨主張する。
しかし，甲３及び弁論の全趣旨によれば，使用前に希釈した薬液を貯留する
貯留槽を設けることは周知の事項であり，また，撹拌槽で撹拌を行った後に，
別の槽で貯留静置することにより，溶液の濃度がある程度平準化されることを
当業者が予測できることは，原告らも認めるところである。
そして，本件明細書（甲１０の１，２）には，貯留槽に関し，「前記攪拌槽
からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前に受け入れ貯留
する貯留槽」（甲１０の２，左欄１６行～１７行（特許請求の範囲），右欄２
７行～２８行）との記載，「撹拌槽１８内の混合液は管路５８からポンプ６０
によって，現像液タンク２２に送られ，この現像液タンク内で一旦，貯留され
たのち，管路６２から半導体製造工程などの使用側に送給される。」（甲１０
の１，２頁４欄４１行～４５行）との記載，及び，「混合液の導電率を一定
（目標値）に維持することによって，混合液の濃度を一定にすることができる。
この濃度を一定にした混合液は現像液タンク２２に貯留されたのち，現像液と
して使用される。」（甲１０の１，３頁５欄４１行～４５行）との記載がある
にとどまり，貯留槽がホトレジスト現像液の濃度の平準化を行う旨の記載はな
く，また，本件記録を精査しても，本件発明の貯留槽が撹拌槽における濃度の
ハンチングを平準化するものであり，その平準化の効果は小数点以下４桁のレ
ベルであるという原告らの主張を裏付ける証拠は見当たらない。
したがって，審決の相違点(ニ)の判断に原告ら主張の誤りがあるということ
はできず，原告ら主張の取消事由２は理由がない。
３結論
以上によれば，原告ら主張の取消事由はいずれも理由がなく，その他，審決
にこれを取り消すべき誤りは認められない。
したがって，原告らの本訴請求は理由がないから，これを棄却することとし，
主文のとおり判決する。
なお，原告らは，本訴提起の日から９０日以内である平成１７年１２月２０
日，本件特許の特許請求の範囲の記載における「アルカリ系現像原液」及び
「現像原液」を「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像原液」と，
「現像液」を「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド現像液」と，そ
れぞれ訂正すること等を要旨とする訂正審判を請求し，平成１８年１月１７日，
当裁判所に対し，事件を審判官に差し戻すため特許法１８１条２項の規定によ
り審決を取り消すよう求めた。当裁判所は，被告の意見を聴いた上，上記訂正
審判請求の内容を検討したが，テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
水溶液はホトレジスト現像液として多用されるものであり，現像液の希釈装置
の発明である本件発明の構成を実質的に限定するものとは認められないから，
前記説示したところに照らし，本件特許を無効とすることについて特許無効審
判においてさらに審理させることが相当であるということはできない。
知的財産高等裁判所第３部
三村量一裁判長裁判官
古閑裕二裁判官
嶋末和秀裁判官

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