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平成１１年（ワ）第２８９６３号　特許権侵害差止請求事件
口頭弁論終結日　平成１３年２月２６日
　　　　　　　　　　判　　　　　　　　　決
　　　　　　原　　　　　告　　　　　　　　　日亜化学工業株式会社
　　　　　　同訴訟代理人弁護士　　　　　品　　　川　　　澄　　　雄
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　山　　　上　　　和　　　則
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　吉　　　利　　　靖　　　雄
　　　　　　同補佐人弁理士　　　　　青　　　山　　　　　　　葆
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　河　　　宮　　　　　　　治
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　石　　　井　　　久　　　夫
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　北　　　原　　　康　　　廣
　　被　　　　　告　　　　　　　　　住友商事株式会社
　　　　　　同訴訟代理人弁護士　　　　　灘　　　波　　　修　　　一
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　内　　　藤　　　順　　　也
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　鳥　　　養　　　雅　　　夫
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　岩　　　波　　　　　　　修
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　西　　　山　　　哲　　　宏
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　村　　　田　　　哲　　　哉
　　　　　　同補佐人弁理士　　　　　長　谷　川　　　芳　　　樹
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　近　　　藤　　　伊　知　良
　　被告補助参加人　　　　　クリー・インク
　　　　　　同訴訟代理人弁護士　　　　　升　　　永　　　英　　　俊
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　大　　　島　　　崇　　　志
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　大　　　岩　　　直　　　子
　　　　　　同補佐人弁理士　　　　　谷　　　　　　　義　　　一
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　加　　　藤　　　信　　　之
　　　　　　同　　　　　　　　　　　　　　　南　　　条　　　雅　　　裕
　　　　　　　　　　主　　　　　　　　　文
　　　　　　　　原告の請求をいずれも棄却する。
　　　　　　　　訴訟費用は原告の負担とする。
　　　　　　　　　　事　実　及　び　理　由
第１　原告の請求
１　被告は，別紙「物件目録」記載の青色発光ダイオードチップ（青色半導体発
光素子）を販売してはならない。
２　被告は，その所有に係る前項記載の青色発光ダイオードチップ（青色半導体
発光素子）を廃棄せよ。
第２　事案の概要
　本件は，窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の特許権を有する原告が被告
に対し，被告補助参加人が製造し，被告が販売している別紙「物件目録」記載の青
色発光ダイオードチップ（以下「被告製品」という。）は，原告の上記特許権に係
る発明（請求項１，３）の各技術的範囲に属するものであり，その販売が原告の上
記特許権の侵害に当たると主張して，上記特許権に基づき，被告製品の販売の差止
め及び廃棄を求めている事案である。
１　争いのない事実
(1)　原告は，下記の特許権（以下「本件特許権」という。）を有している。
　　　　　　　　　　　　記
　特許番号　　　　第２９１８１３９号
　発明の名称　　　　窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
　出願日　　　　平成５年６月１７日
　登録日　　　　平成１１年４月２３日
(2)　本件特許権に係る明細書（以下「本件明細書」という。本判決末尾添付の
特許公報（甲２）参照）の特許請求の範囲請求項１の記載は，次のとおりである
（以下，この発明を「本件発明１」という。なお，「半導体発光素子」とは，電流
を流すことによって発光する半導体素子のことであり，発光ダイオードとも呼ばれ
る。「ドーパント」とは，半導体の性質を制御するために添加される，半導体結晶
を構成する元素以外の元素からなる不純物のことであって，ＧａＮ，ＧａＡｓのよ
うなⅢ－Ⅴ族化合物半導体に対しては，ｐ型のドーパントとして，Ⅱ族元素である
Ｂｅ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃｄがあり，ｎ型ドーパントとしては，Ⅵ族元素であるＳｅ，
ＴｅやⅣ族元素であるＳｉがある。）。
「ｎ型Ｇａ１－ＹＡｌＹＮ（０＜Ｙ＜１）層とｐ型Ｇａ１－ＺＡｌＺＮ（０＜Ｚ＜
１）層との間に，ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型Ｇａ１－Ｘ
ＡｌＸＮ（０≦Ｘ＜１，Ｘ＜Ｙ，Ｘ＜Ｚ）層を発光層として具備することを特徴と
する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
(3)　本件明細書の特許請求の範囲請求項３の記載は，次のとおりである（以
下，この発明を「本件発明２」といい，本件発明１と併せて「本件発明」と総称す
る。なお，「コンタクト層」とは，電極と半導体との電気接続を行う半導体層のこ
とである。）。
「前記ｐ型Ｇａ１－ＺＡｌＺＮの上に，さらにコンタクト層としてｐ型ＧａＮ
層が積層されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子。」
(4)　本件発明１の構成要件を分説すれば，次のＡ１及び２，Ｂ並びにＣ記載の
とおりであり，本件発明２の構成要件を分説すれば，次のＡ１及び２，Ｂ，Ｃ並び
にＤ記載のとおりである（以下，分説した各構成要件をその符号に従い「構成要件
Ａ１」などのように表記する。）。
Ａ１　ｎ型Ｇａ１－ＹＡｌＹＮ（０＜Ｙ＜１）層と
　２　ｐ型Ｇａ１－ＺＡｌＺＮ（０＜Ｚ＜１）層とを有すること
Ｂ　上記両層の間にｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型
Ｇａ１－ＸＡｌＸＮ（０≦Ｘ＜１，Ｘ＜Ｙ，Ｘ＜Ｚ）層を発光層として具備すること
Ｃ　窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であること
Ｄ　上記ｐ型Ｇａ１－ＺＡｌＺＮの上に，さらにコンタクト層としてｐ型Ｇａ
Ｎ層が積層されていること
(5)　本件発明は，次のような作用効果を有する。
ア　従来のＭＩＳ構造（半導体表面に絶縁膜を挟んで金属電極を対向させた
構造）の発光素子に比して，格段に発光出力が向上する。
イ　ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層の上にコンタクト層としてｐ型Ｇａ
Ｎ層を形成することにより，正電極とｐ型コンタクト層とのオーミック接触（オー
ミックとはオームの法則に従うという意味で，その接触部分に整流性がないことを
意味する。）が得られやすくなり，発光素子にかかる順方向電圧を下げ，発光効率
を向上させることができる。
ウ　ＳｉＣ，ＭＩＳ構造ＧａＮしか利用されていなかった従来の青色発光素
子にとって替わり，本件発明の発光素子が十分に実用可能となり，平面ディスプレ
イ，フルカラー発光ダイオード等が実現できる。
(6)　被告補助参加人は，被告製品（その構成は，別紙「物件目録」記載のとお
りである。）を日本国外で製造して被告に販売し，被告は，これを日本国内で販売
している。
(7)被告製品は，構成要件Ａ２，Ｃ及びＤを充足する（被告製品の層６０が構
成要件Ａ２の「ｐ型ＧａＡｌＮ層」に，層７０が構成要件Ｄの「ｐ型ＧａＮ層」に
それぞれ該当する。）。
２　争点
　被告製品が構成要件Ａ１及びＢを充足し，本件発明の技術的範囲に属するか
どうか。
　殊に，本件発明の技術的範囲がいわゆるダブルへテロ構造（活性層ないし発
光層と呼ばれるバンドギャップの小さな層を，クラッド層と呼ばれるバンドギャッ
プの大きなｐ型及びｎ型の層で両側から挟んだ接合構造）の半導体発光素子に限定
され，構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」と構成要件Ａ２の「ｐ型ＧａＡｌＮ
層」がいずれもクラッド層であることを要し，また，構成要件Ｂの「上記両層の間
に」という構成がｎ型ＧａＡｌＮ層とｐ型ＧａＡｌＮ層の双方に発光層が直接に接
触していることを要するものかどうか。
３　原告の主張
(1)　被告及び被告補助参加人（以下「被告ら」という。）は，本件発明がいわ
ゆるダブルへテロ構造の半導体発光素子に限定され，構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡ
ｌＮ層」と構成要件Ａ２の「ｐ型ＧａＡｌＮ層」がいずれもクラッド層であるこ
と，構成要件Ｂの「上記両層の間に」という構成がｎ型ＧａＡｌＮ層とｐ型ＧａＡ
ｌＮ層の双方に発光層が直接に接触していることを要すると主張する。
　しかし，そもそも本件発明の本質は，従来のＭＩＳ構造の発光素子ではｉ
型層にＺｎとＳｉとをドープしても発光色を変え得るのみであり，発光素子として
は実用できないことから，発光層にｐ型ドーパントのＺｎとｎ型ドーパントのＳｉ
とを共にドープしｎ型とすることによって，発光層の電子キャリア濃度を調節し
て，発光素子の発光出力を向上させるという点にあり（本件明細書の段落【００１
１】の記載参照。構成要件Ａ１及びＡ２の機能は，電子がｎ型Ｇａ１－ＹＡｌＹＮ
（０＜Ｙ＜１）層から，正孔がｐ型Ｇａ１－ＺＡｌＺＮ（０＜Ｚ＜１）層からそれぞ
れ発光層に供給されることにあり，構成要件Ａ１及びＡ２は，本件発明の外延を示
すにすぎない。この点は，甲第７号証（本件発明の発明者である丁Ⅰ作成の陳述
書）の記載からも明らかである。），このような作用効果は，ダブルへテロ構造に
限らず，いわゆるシングルへテロ構造（活性層ないし発光層と呼ばれるバンドギャ
ップの小さな層と，クラッド層と呼ばれるバンドギャップの大きな一つの層が接合
している構造）の発光素子においても奏し得るものである。本件明細書の「特許請
求の範囲」欄には，本件発明をダブルへテロ構造に限定する旨の記載はなく，「発
明の詳細な説明」欄を含めても，本件発明からシングルへテロ構造のものを除外す
るような記載は一切存在しない。本件明細書のｎ型ＧａＡｌＮ層を発光層としたダ
ブルへテロ構造の発光素子についての記載は，単にベストモードを示したものにす
ぎず（本件明細書の段落【００１０】の記載参照），ベストモードたるダブルへテ
ロ構造が開示されていれば，その発光素子をダブルへテロ構造よりも発光出力にお
いて劣るシングルヘテロ構造にしたとしても，ＭＩＳ構造の発光素子よりも発光出
力が優れた発光素子が得られることは当然である。本件明細書の「発明の詳細な説
明」欄のクラッド層についての記載も，あくまで電子及び正孔を発光層内に閉じ込
める効果が最も高い，ベストモードのダブルへテロ構造を開示しているにすぎず，
本件発明は，クラッド層の存在を必須とするものではない。
　したがって，被告らの主張は失当である。
(2)　仮に，構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」及び構成要件Ａ２の「ｐ型Ｇ
ａＡｌＮ層」がクラッド層であることを要するとしても，そもそもクラッド層と
は，レーザーダイオードにおいて光を増幅する機能を持つ活性層（発光層）の周囲
に隣接若しくは近接して存在する屈折率が低くバンドギャップエネルギーが高い半
導体層であり（甲第４号証「半導体用語大辞典」３７６頁参照），せき止め機能
（電子と正孔をせき止める機能）及び窓機能（ｐ型層やｎ型層が一種の窓として働
き，発光層で発生した光の自己吸収が少なく，効率よく光を取り出せる機能）を有
しているものを意味し（甲第９号証参照），必ずしも発光層に隣接することを要す
るものではない。本件明細書においても，実施態様としてクラッド層が発光層に直
に接している例が記載されているにすぎず，ｎ型ＧａＡｌＮ層が発光層に直に接し
ていなければならないとは記載されていない。
(3)　被告製品は，層３０が構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」に，層５０が
構成要件Ｂの「ｎ型ＧａＡｌＮ層」にそれぞれ該当し，構成要件Ａ１及びＢを充足
する。そして，ＺｎとＳｉがドープされてキャリア濃度が調整された発光層５０
に，ｎ型ＡｌＧａＮ組成傾斜層３０側から電子を，ｐ型ＡｌＧａＮ層６０側から正
孔を供給し，その結果ドナーアクセプタのペア発光を生ぜしめて発光出力を向上さ
せるものであり，本件発明の作用効果を奏している。
仮に構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」及び構成要件Ａ２の「ｐ型Ｇａ
ＡｌＮ層」がクラッド層であることを要するとしても，被告製品のｐ型ＡｌＧａＮ
層６０はクラッド層であり，ｎ型ＡｌＧａＮ組成傾斜層３０も，発光層５０より屈
折率が低く，バンドギャップエネルギーが高い層であり，発光層５０に隣接しては
いないもののそれに近接して存在しており，層３０と層４０との間の電位障壁によ
るせき止め機能（甲第６号証参照。なお，層４０自身は，クラッド層として機能し
ない。）と共に，窓機能を有しているから，クラッド層に当たり，構成要件Ａ１の
「ｎ型ＧａＡｌＮ層」に該当する。
　したがって，被告製品は，構成要件Ａ１及びＢを充足し，本件発明の技術
的範囲に属する。
４　被告らの主張
(1)　本件発明は，本件明細書の「発明の詳細な説明」欄の記載（段落【０００
１】，同【０００６】，同【００１０】，同【００１３】ないし同【００１５】及
び同【００３４】等）から明らかなように，ダブルへテロ構造の半導体発光素子に
関するものであり，シングルへテロ構造の半導体発光素子を対象とするものではな
い（本件明細書には，シングルへテロ構造のものであっても従来技術によっては解
決できなかった技術的課題を解決できる旨の記載はなく，その示唆もない。）。こ
の点は，本件発明の発明者である丁Ⅱが，本件発明の特許出願時においてそのよう
な認識であったことからも明らかである（丁Ⅱ作成の陳述書（丙５）参照）。そし
て，クラッド層とは，発光層（活性層）を被覆する層であって，発光層（活性層）
の小さいバンドギャップと比べて，そのバンドギャップがより大きな層であり，発
光層とヘテロ接合すること，すなわち，介在層なしに直接に接合することにより，
発光層の境界において電位障壁を設けるように機能するものを意味し，ダブルへテ
ロ構造の半導体発光素子における発光層（活性層）は，ｐ型クラッド層とｎ型クラ
ッド層によって直接接触した状態において挟まれているものである。
　したがって，構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」と構成要件Ａ２の「ｐ
型ＧａＡｌＮ層」は，いずれもクラッド層であることを要し（このことは，本件明
細書の段落【０００７】及び同【０００９】の記載からも明らかである。），構成
要件Ｂにいう「上記両層の間に」とは，構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」と構
成要件Ａ２の「ｐ型ＧａＡｌＮ層」の双方に直接に接触する態様において発光層を
具備すること，すなわち，ｎ型ＧａＡｌＮ層と発光層との間，ｐ型ＧａＡｌＮ層と
発光層との間に，いずれも他の層が何ら介在しないことを要するというべきであ
る。
(2)　被告製品において，Ｍｇドープｐ型ＧａＡｌＮ層６０は，クラッド層であ
る。しかし，Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ組成傾斜層３０は，発光層５０と直接に接
触する態様のものではなく，バッファ層を形成するものであって，発光層との関係
においてクラッド層としての役割を果たしていない。また，発光層５０と直接に接
触するＳｉドープｎ型ＧａＮ層４０は，クラッド層として発光層に電子及び正孔を
閉じ込める働きをするものではない。そもそも，被告製品においては，発光層５０
の膜厚が約４０００オングストロームであるため，ｐ型ＡｌＧａＮ層６０から注入
された正孔が発光層５０の内部で再結合し，発光層の片側においてクラッド層によ
って電子及び正孔をせき止める必要が全くない。被告製品においては，Ｓｉドープ
ＧａＮ層４０がバッファ層から発光層までの転移層として機能し，これによって発
光層の結晶構造が良くなり，その結果発光輝度が向上するものである。
　以上のとおり，被告製品は，ｎ型ドーパントのＳｉとｐ型ドーパントのＺ
ｎとがドープされたｎ型ＧａＮ層５０を発光層として具備することを特徴とするシ
ングルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であり，構成要件Ａ１及
びＢを充足せず，本件発明の技術的範囲に属しない。
第３　当裁判所の判断
１(1)まず，本件発明の技術的範囲がダブルへテロ構造の半導体発光素子に限定
され，構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」と構成要件Ａ２の「ｐ型ＧａＡｌＮ
層」がいずれもクラッド層であることを要するものかどうかについて検討する。
(2)確かに，本件明細書の「特許請求の範囲」には，本件発明がダブルへテロ
構造の半導体発光素子に限定され，構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」と構成要
件Ａ２の「ｐ型ＧａＡｌＮ層」がいずれもクラッド層であることを要する旨の明文
の記載はない。
　しかし，本件明細書の「発明の詳細な説明」欄には，次の記載がある（甲
第２号証によって認められる。）。
ア　「【産業上の利用分野】本発明は窒化ガリウム系化合物半導体を用いた
発光素子に係り，特にｐ－ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子に関する。」（段落【０００１】）
イ　「【発明が解決しようとする課題】‥‥ｐ型ドーパントであるＺｎをド
ープし，さらにｎ型ドーパントであるＳｉをドープして高抵抗なｉ型ＧａＡｌＮ層
を発光層とするＭＩＳ構造の発光素子は輝度，発光出力共低く，発光素子として実
用化するには未だ不十分であった。」（段落【０００４】）
ウ　「【課題を解決するための手段】我々は，ＧａＡｌＮを従来のように高
抵抗なｉ型の発光層とせず，低抵抗なｎ型とし，新たにこのｎ型ＧａＡｌＮ層を発
光層としたｐ－ｎ接合ダブルヘテロ構造の発光素子を実現することにより上記課題
を解決するに至った。即ち，本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子はｎ型
Ｇａ１－ＹＡｌＹＮ（０＜Ｙ＜１）層とｐ型Ｇａ１－ＺＡｌＺＮ（０＜Ｚ＜１）層との間
に，ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型Ｇａ１－ＸＡｌＸＮ（０
≦Ｘ＜１，Ｘ＜Ｙ，Ｘ＜Ｚ）層を発光層として具備することを特徴とする。」（段
落【０００６】）
エ　「本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において，クラッド層
であるｎ型Ｇａ１－ＹＡｌＹＮ層（以下，ｎクラッド層という。）とは，ＧａＡｌＮ
に例えばＳｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ等のｎ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示す
ように成長させた層をいう。」（段落【０００７】）
オ　「同じくクラッド層であるｐ型Ｇａ１－ＺＡｌＺＮ層（以下，ｐクラッド
層という。）とは，ＧａＡｌＮにＺｎ，Ｍｇ，Ｃｄ，Ｂｅ，Ｃａ等のｐ型ドーパン
トをドープして，ｐ型特性を示すように成長した層をいう。」（段落【０００
９】）
カ　「【作用】‥‥ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントをドープしたｎ発光層
を具備するダブルへテロ構造窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の場合，ｎ発光
層の電子キャリア濃度により発光素子の発光出力が変化する。発光出力はｎ発光層
の電子キャリア濃度が１０１５
／cm３
　付近より急激に増加し，およそ１×１０１９
～１
０２０
／cm３
　付近で最大となり，それを超えると再び急激に減少する傾向にある。現
在実用化されているｎ型ＧａＮとｉ型ＧａＮよりなるＭＩＳ構造の発光素子の発光
出力は，本発明の発光素子の最大値の発光出力のおよそ１／１００以下でしかな
く，また実用範囲を考慮した結果，電子キャリア濃度は１×１０１７
／cm３
　～５×１
０２２
／cm３
　の範囲が好ましい。〈中略〉電子キャリア濃度を調整することにより発
光出力が変化するのは，ｐ型ドーパントであるＺｎの発光中心がドナー不純物とペ
アを作って発光するＤ－Ａペア発光の可能性を示唆しているが，詳細なメカニズム
はよくわからない。重要なことは，ある程度の電子キャリアを作るドナー不純物
（例えばｎ型ドーパント，ノンドープＧａＡｌＮ）と，アクセプター不純物である
ｐ型ドーパントとが両方存在するｎ型ＧａＡｌＮでは，ダブルヘテロ構造の発光素
子において，発光中心の強度が明らかに増大するということである。」（段落【０
０１４】，【００１５】）
キ　「【発明の効果】‥‥本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
は，ｐ型ドーパントおよびｎ型ドーパントをドープしたｎ型Ｇａ１－ＸＡｌＸＮ層を
発光層とするダブルヘテロ構造としているため，従来のＭＩＳ構造の発光素子に比
して，格段に発光出力が増大する。」（段落【００３４】）
(3)本件発明は，ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型Ｇａ
１－ＸＡｌＸＮ層，ｎ型Ｇａ１－ＹＡｌＹＮ層及びｐ型Ｇａ１－ＺＡｌＺＮ層について，
「Ｘ＜Ｙ」，「Ｘ＜Ｚ」の関係をその構成要件としている。そもそも，ダブルへテ
ロ構造とは，活性層ないし発光層と呼ばれるバンドギャップの小さな層を，クラッ
ド層と呼ばれるバンドギャップの大きなｐ型及びｎ型の層で両側から挟んだ接合構
造であり，このような構造の発光素子においては，発光層とクラッド層との間にギ
ャップ差に基づく電位障壁が生じ，それによって電子及び正孔がせき止められる。
そして，その結果，通常，電子及び正孔が活性層外に拡散できずに発光層内に閉じ
こめられ（ｎ型クラッド層から発光層に供給された電子がｐ型クラッド層へ拡散し
にくく，ｐ型クラッド層から発光層に供給された正孔がｎ型クラッド層へ拡散しに
くい。），発光層内の電子及び正孔の密度が上がり，わずかな電流でも高い輝度の
発光が得られることになる（甲第３号証，丙第１，第３，第５号証及び弁論の全趣
旨によって認められる。）。また，バンドギャップの大きさは，それぞれの物質に
よって決まっており，ＧａＡｌＮにおいては，Ａｌの混晶比が大きくなるほどバン
ドギャップも大きくなる（弁論の全趣旨によって認められる。）。そうすると，本
件発明がｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型Ｇａ１－ＸＡｌＸＮ
層，ｎ型Ｇａ１－ＹＡｌＹＮ層及びｐ型Ｇａ１－ＺＡｌＺＮ層について，Ｘ＜Ｙ，Ｘ＜Ｚ
の関係を要求しているのは，ｎ型Ｇａ１－ＹＡｌＹＮ層及びｐ型Ｇａ１－ＺＡｌＺＮ層の
バンドギャップを，ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされたｎ型Ｇａ１－
ＸＡｌＸＮ層のバンドギャップよりも大きくすることを企図しているものといわざる
を得ない。
　仮に，本件発明がシングルへテロ構造のものも含むとした場合には，本件
発明がｎ型ＧａＡｌＮ層の存在や，上記のようなＡｌの混晶比の関係をその構成要
件としている理由について，説明が困難である。
(4)前記(2)認定の本件明細書の「発明の詳細な説明」欄の記載に上記(3)の
点を併せ考えれば，本件発明は，ダブルへテロ構造の半導体発光素子に限定され，
構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」及び構成要件Ａ２の「ｐ型ＧａＡｌＮ層」
が，いずれもクラッド層であることを要するというべきである。
(5)原告は，本件発明の本質について，従来のＭＩＳ構造の発光素子ではｉ層
にＺｎとＳｉとをドープしても発光色を変え得るのみであり，発光素子としては実
用できないことから，発光層にｐ型ドーパントのＺｎとｎ型ドーパントのＳｉとを
共にドープしｎ型とすることによって，発光層の電子キャリア濃度を調節して，発
光素子の発光出力を向上させるという点にあり，本件発明は，クラッド層を必須と
するものではない旨を主張する。
　しかし，本件明細書においては，前記(2)認定のとおり，発光出力を向上
させるという作用効果に関し，ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントをドープしたｎ型
ＧａＮ層を発光層としたことのみならず，ダブルへテロ構造としたことと併せて渾
然一体に記載されており，ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントをドープしたｎ型Ｇａ
Ｎ層を発光層とするという構成を採用したことによる作用効果と，ダブルへテロ構
造を採用したことによる作用効果とが，別々に評価されているものではない。した
がって，ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントをドープしたｎ型ＧａＮ層を発光層とし
たことだけを本件発明の本質ととらえることはできず，また，本件明細書に，シン
グルへテロ構造の発光素子において，ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントをドープし
たｎ型ＧａＮ層を発光層とすれば，本件発明の作用効果を奏し得ることが開示され
ているということもできない。
２　次に，構成要件Ｂの「上記両層の間に」という構成が，構成要件Ａ１の「ｎ
型ＧａＡｌＮ層」と構成要件Ａ２の「ｐ型ＧａＡｌＮ層」の双方に発光層が直接に
接触していることを要するものかどうかについて検討する。
　前判示のとおり，本件発明は，ダブルへテロ構造の半導体発光素子に限定さ
れ，構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」と構成要件Ａ２の「ｐ型ＧａＡｌＮ層」
がいずれもクラッド層であることを要するが，ここでクラッド層とは，ダブルへテ
ロ構造の技術的意義に照らせば，発光層のバンドギャップよりもバンドギャップが
大きく，そのギャップ差に基づく電位障壁によって電子及び正孔をせき止める機能
を有する半導体層を意味するものというべきである。
　被告らは，クラッド層について，発光層と介在層なしに直接に接合すること
により，発光層との境界においてて電位障壁を設けるように機能するものを意味す
る旨を主張するが，一般にクラッド層が発光層と介在層なしに直接に接合し，電位
障壁が発光層との境界においてのみ生じなければならないことを示す証拠はなく，
かえって，甲第４，第６号証，丙第６，第７，第１２，第１３号証には，発光層と
直接に接合していないものであってもクラッド層に該当し得ることが示されてい
る。本件明細書においても，構成要件Ａ１及びＡ２の各ＧａＡｌＮ層がいずれも発
光層に直接接触していなければならない旨が記載されているものではない。
　したがって，本件発明において，構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」と構
成要件Ａ２の「ｐ型ＧａＡｌＮ層」は，いずれも発光層に直接接触している必要は
なく，両層が発光層を両側から挟んで前記のようなせき止め機能を発揮するのであ
れば，発光層との間に他の層が介在しても，上記ｎ型ＧａＡｌＮ層，ｐ型ＧａＡｌ
Ｎ層及び発光層は，構成要件Ａ１，Ａ２及びＢ所定の各層に該当するというべきで
ある。
３　前記１及び２を前提に，被告製品のＳｉドープｎ型ＧａＡｌＮ組成傾斜層３
０がクラッド層に当たり，構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」に該当するかどう
か，すなわち，被告製品がダブルへテロ構造の半導体発光素子であるかどうかにつ
いて検討する（なお，被告製品のＭｇドープｐ型ＧａＡｌＮ層６０がクラッド層で
あり，構成要件Ａ２の「ｐ型ＧａＡｌＮ層」に該当することに争いはない。また，
原告は，ｎ型ＧａＮ層４０がクラッド層に当たると主張するものではない。）。
　前記のように，クラッド層とは，発光層のバンドギャップよりもバンドギャ
ップが大きく，そのギャップ差に基づく電位障壁によって電子及び正孔をせき止め
る機能を有する半導体層を意味するというべきである。したがって，被告製品のｎ
型ＧａＡｌＮ組成傾斜層３０がクラッド層であり，構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌ
Ｎ層」に該当するかどうかは，ｎ型ＧａＮ層４０がクラッド層として機能しない以
上（この点については争いがない。），層３０が層４０との間に生じた電位障壁に
よって正孔をせき止める機能を有しているかどうかによって判断されるべきもので
あるが，このような正孔をせき止める機能は，正孔の拡散長や層の厚さによって異
なる（甲第３号証，丙第１，第５ないし第７，第１２，第１３号証及び弁論の全趣
旨によって認められる。）。
　甲第６号証（丁Ⅲ教授作成の鑑定書）には，ｎ型ＧａＡｌＮ層と発光層の間
に介在する層（介在層）が発光層と同じバンドギャップの窒化ガリウム系化合物半
導体層である場合には，介在層と発光層との間に電位障壁が生じるものでなく，介
在層とｎ型ＧａＡｌＮ層との間の電位障壁によって正孔がせき止められるとして，
被告製品のように，ｎ型Ｇａ１－ＹＡｌＹＮ（０＜Ｙ＜１）層とｐ型Ｇａ１－ＺＡｌＺＮ
（０＜Ｚ＜１）層とが，ｎ型Ｇａ１－ＸＡｌＸＮ（０≦Ｘ＜１，Ｘ＜Ｙ，Ｘ＜Ｚ）発
光層に隣接していないものも，本件発明の技術的範囲に属すると考えられる旨の記
載がある。しかし，甲第６号証は，ｎ型ＧａＡｌＮ層と発光層の間に介在する層の
バンドギャップと発光層のバンドギャップの大小のみを問題にしたものであり，発
光層５０，ｎ型ＧａＮ層４０及びｎ型ＧａＡｌＮ組成傾斜層３０それぞれの厚さ
や，正孔の拡散長を何ら考慮していない。この点に照らせば，甲第６号証は，被告
製品の層３０が構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」に該当することを認めるに足
りるものではない。
　また，甲第５号証（丁Ⅳ教授作成の鑑定書）には，正孔の拡散長を特定する
ことは，現在のところ不可能である旨が記載されている。しかし，そうであるなら
ば，層３０が層４０との間に生じた電位障壁によって正孔をせき止める機能を有し
ているかどうかを判断し得ないことになり，被告製品の層３０が構成要件Ａ１の
「ｎ型ＧａＡｌＮ層」に該当することを認めることもできないというべきである。
　他方，丙第６号証（丁Ⅴ教授作成の鑑定書），第７号証（丁Ⅵ教授作成の鑑
定書）及び第１３号証（丁Ⅴ教授作成の鑑定書２）には，被告製品の層６０から発
光層５０に注入された正孔の拡散長は，約１０００オングストローム程度であると
考えられ，それゆえに厚さ３６００ないし４０００オングストロームの発光層５０
内で，実質的に正孔のすべてが再結合するものであり，また，更にその下層に厚さ
５０００ないし７０００オングストロームの層４０があるので，正孔が層４０を超
えて層３０に到達することはない，あるいは到達するとしても無視できるほどわず
かな数である旨の記載がある。また，丙第７号証及び第１２号証（丁Ⅵ教授作成の
鑑定書２）には，被告製品の発光層５０における正孔の拡散長が２０００ないし３
０００オングストロームであったとしても，層３０に到達する正孔の数はきわめて
わずかである旨の記載がある。上記各丙号証の記載に照らせば，被告製品の層３０
は，層４０との界面のバンドギャップによって正孔をせき止める機能を有するもの
ではなく，かえって，被告製品は，シングルへテロ構造の半導体発光素子であると
認められる余地が大きい（なお，甲第８号証は，被告製品の発光層５０における正
孔の拡散長が９０００オングストロームであることを認めるに足りるものではな
い。）。
　したがって，被告製品の層３０が構成要件Ａ１の「ｎ型ＧａＡｌＮ層」に該
当すると認めることはできない。
４　以上によれば，被告製品は，構成要件Ａ１を充足せず，本件発明の技術的範
囲に属するとはいえない。
　よって，原告の請求は，その余の点について判断するまでもなく理由がな
い。
　　東京地方裁判所民事第４６部
　　　　　　裁判長裁判官　　　三村量一
　　　　　　　　裁判官　　村越啓悦
　裁判官中吉徹郎は，転任のため署名押印できない。
　　　　　　裁判長裁判官　　　三村量一
　　　　　　　　　物件目録
　青色発光ダイオードチップ
１　構成の説明
　図面に示す青色発光ダイオードチップは，ｎ型炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶から
なる基板１０の上に，Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＡｌＮ層２０，ｎ型ＧａＮ層４
０に近づくに従って，ＧａＡｌＮのＡｌ組成比が小さくなるように組成傾斜された
Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３０，Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＮ層４０，ｐ型ド
ーパントであるＺｎ並びにｎ型ドーパントであるＳｉがドープされたｎ型ＧａＮか
らなる発光層５０，Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＡｌＮ層６０，Ｍｇがドープされ
たｐ型ＧａＮからなるコンタクト層７０とが順次積層されている。
　基板１０の裏面にはｎ電極９０が形成されており，さらにコンタクト層７０の
表面にはｐ電極８０が形成され，ｎ電極９０とｐ電極８０との間に電流を流すこと
により４３０ｎｍ付近の青色を発光する。
２　図面符号の説明
　図面の示す構成部分は，以下のとおりである。
　１０‥‥ＳｉＣ単結晶からなる基板
　２０‥‥Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＡｌＮ層
　３０‥‥Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＡｌＮ組成傾斜層
　４０‥‥Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＮ層
　５０‥‥Ｚｎ及びＳｉがドープされたｎ型ＧａＮからなる発光層
　６０‥‥Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＡｌＮ層
　７０‥‥Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮからなるコンタクト層
　８０‥‥ｐ電極
　９０‥‥ｎ電極
　　図面（平面図）　図面（断面図）

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