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平成１５年（行ケ）第２７３号　審決取消請求事件（平成１６年２月４日口頭弁論
終結）
　　　　　　　　　　判　　　　決
　　　　　　　原　　　告　　　　　　株式会社サムコインターナショナル研究所
訴訟代理人弁理士　　　小　林　良　平
　　　　　　　被　　　告　　　　　　特許庁長官　今井康夫
　　　　　　　指定代理人　　　　　　池　田　正　人
　　　　　　　同　　　　　　　　　　影　山　秀　一
同　　　　　　　　　　三　崎　　　仁
同　　　　　　　　　　高　橋　泰　史
同　　　　　　　　　　伊　藤　三　男
　　　　　　　　　　主　　　　文
　特許庁が不服２００２－４２７５号事件について平成１５年５月６日
にした審決を取り消す。
　訴訟費用は被告の負担とする。
　　　　　　　　　　事実及び理由
第１　請求
　主文と同旨
第２　当事者間に争いのない事実
１　特許庁における手続の経緯
　原告は，平成５年８月１９日，発明の名称を「セルフバイアス・プラズマコ
ーティング法」（後に「セルフバイアス・プラズマＣＶＤコーティング法及び装
置」と変更）とする特許出願（特願平５－２２８２３７号，以下「本件特許出願」
という。）をし，平成１３年１１月２日，本件特許出願の願書に添付した明細書の
特許請求の範囲の記載等を補正したが，平成１４年２月１３日，本件特許出願につ
き拒絶の査定を受けたので，同年３月１２日，これに対する不服の審判の請求を
し，さらに，同年４月２日，上記明細書の特許請求の範囲の記載等を補正した（以
下，この補正に係る明細書を，願書に添付した図面と併せて「本件明細書」とい
う。）。
　特許庁は，上記請求を，不服２００２－４２７５号事件として審理した結
果，平成１５年５月６日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，
その謄本は，同月２８日，原告に送達された。
２　本件明細書の特許請求の範囲の記載
【請求項１】ａ）反応室内で上部電極及び下部電極を略平行に設け，
ｂ）上部電極を接地し，下部電極に整合回路を介して高周波電源を接続し，
ｃ）反応室内にモノシランを含む原料ガスを導入し，
ｄ）下部電極の近傍に被コーティング物を配置し，
ｅ）下部電極を加熱することなく下部電極より高周波電力を投入する，
ことにより，被コーティング物を加熱することなく被コーティング物の表面に
窒化シリコン又は酸化シリコンの皮膜を堆積するセルフバイアス・プラズマＣＶＤ
コーティング法。
【請求項２】ａ）反応室内の下部に略水平に設けられ，整合回路を介して高周
波電源に接続され，冷却装置を備えた，被コーティング物を載置する下部電極と，
ｂ）反応室内の上部に，下部電極に略並行に設けられ，電気的に接地された上
部電極と，
ｃ）反応室内にモノシランを含む原料ガスを導入するための原料ガス導入管
と，を備えることを特徴とする，被コーティング物の表面に窒化シリコン又は酸化
シリコンの皮膜を堆積するためのセルフバイアス・プラズマＣＶＤコーティング装
置。
【請求項３】ａ）電気的に接地された反応室と，
ｂ）反応室内の下部に設けられ，略水平部分を有し，整合回路を介して高周波
電源に接続され，冷却装置を備えた下部電極と，
ｃ）テープ状の被コーティング物を下部電極の上記略水平部分の直上に掛け渡
して走行させるべく設けられた１対のローラと，
ｄ）反応室内にモノシランを含む原料ガスを導入するための原料ガス導入管
と，を備えることを特徴とする，テープ状の被コーティング物の表面に窒化シリコ
ン又は酸化シリコンの皮膜を連続的に堆積するためのセルフバイアス・プラズマＣ
ＶＤコーティング装置。
（以下，上記【請求項１】～【請求項３】に記載された発明を，それぞれ「本
願発明１」～「本願発明３」という。）
３　審決の理由
審決は，別添審決謄本写し記載のとおり，本願発明１は，特開平４－２３４
１２１号公報（甲１２，以下「引用例１」という。）に記載された発明（以下「引
用発明１」という。）及び特開平１－１８９１２８号公報（甲１３，以下「引用例
２」という。）に記載された発明（以下「引用発明２」という。）に基づいて当業
者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定によ
り，特許を受けることができないとし，さらに，本願発明２及び３についても，引
用発明１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるか
ら，同項の規定により特許を受けることができないとした。
第３　原告主張の審決取消事由
　審決は，本願発明１と引用発明２との一致点の認定を誤った（取消事由１）
結果，本願発明１は引用発明１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることが
できたものであるとの誤った判断をし，さらに，その誤った認定判断を前提に，本
願発明２及び３の進歩性に関する判断をも誤った（取消事由２）ものであるから，
違法として取り消されるべきである。
１　取消事由（本願発明１と引用発明２との一致点の認定の誤り）
(1)　審決は，本願発明１と引用発明２との一致点として，「反応室内で上部電極
及び下部電極を略平行に設け，上部電極を接地し，下部電極に高周波電源を接続
し，反応室内にモノシランを含む原料ガスを導入し，下部電極の近傍に被コーティ
ング物を配置し，下部電極より高周波電力を投入する，ことにより，被コーティン
グ物の表面に窒化シリコン又は酸化シリコンの皮膜を堆積するプラズマＣＶＤコー
ティング法，の点」（審決謄本７頁第２段落）を認定したが，上記のうち，「上部
電極を接地し，下部電極に高周波電源を接続」するとの点を一致点として認定した
ことは誤りである。
(2)　本願発明１～３に係るプラズマＣＶＤ装置では，下部電極に高周波電源を接
続し，下部電極より高周波電力が投入され，上部電極が接地される。これにより両
電極間にプラズマが生成されるのであるが，プラズマは両電極間に均一に生成され
るのではなく，高周波電力が投入される電極の方に主に生成される。この点につい
て，平成１２年８月２５日オーム社発行「インターユニバーシティ　プラズマエレ
クトロニクス」（甲１４）には，高周波放電によるプラズマの生成について，「圧
力が高くなるにつれて中心部が暗くなってきて二つの電極の近くだけが光るように
なる。・・・ＲＦ（注，高周波）を加える電極Ｋには直流の負電圧（自己バイアス
という）が発生し，そのシースによって加速されて正イオンが電極Ｋに衝突する。
このようなイオン衝撃が望ましいプロセスでは，基板を電極Ｋの上に置き，それを
避けたいプロセスでは接地電極Ａの上に基板を置く」（１０６頁）と記載され，さ
らに，図６・４（ｂ）（１０７頁）には，電位分布が，高周波電極Ｋ側で高く，接
地電極Ａ側で低いことが明りょうに示されている。
　本願発明１～３に係るプラズマＣＶＤ装置においては，高周波電極側に被
処理物を置くため，堆積速度が速く，例えば，セルフバイアス電圧を５００Ｖとす
ることにより従来の倍以上の１００nm/min，７００Vとすることにより従来の３倍以
上の１５０nm/minという高速の成膜速度が得られるものである（甲２の４頁，図
３）。
　これに対し，引用例２（甲１３）における実施例（３頁左上欄最終段落～
同左下欄第１段落，第１図）及び従来技術（２頁左上欄第２段落～同右上欄第１段
落，第４図）では，下部電極を接地し，上部電極に高周波電源を接続し，上部電極
より高周波電力を投入している。この場合，プラズマ密度は上部電極近傍で高く，
そこで生成されたイオンが飛行して下部電極上に載置した試料に衝突することによ
り堆積が行われる。そのため，堆積に寄与するプラズマの密度も低く，プラズマ温
度も低い。これにより，引用例２に記載の装置では，試料を「６０℃」程度の温度
に保持するために，加熱装置が必要となる。引用例２には，下部電極に高周波を投
入する例は全く記載されていない。
(3)　以上のとおり，本願発明１～３に係るプラズマＣＶＤ装置と引用例２に記載
の装置では，その構成が異なることにより，その成膜原理（作用）が全く異なり，
それによる効果の相違も非常に大きい。このように，高周波投入電極を上部電極，
下部電極のいずれとするかは，上記(2)のとおり，プラズマ処理の作用，効果におい
て大きな差異があるため，任意に変更可能なものではなく，本件特許出願当時，目
的に応じて明確な使い分けがされていたものである。
　審決は，本願発明１と引用発明２との間における高周波電源の接続方向に
関する差異を看過し，上記のとおり，これを一致点として誤って認定したものであ
るから，この誤りが審決の結論に影響を及ぼすことは明らかである。
２　取消事由２（本願発明２及び３の進歩性の判断の誤り）
　審決は，本願発明１に関する引用発明２との一致点及び相違点の認定判断を
前提にして，本願発明２及び３に固有の構成に係る容易想到性についてのみ検討を
加え，その進歩性を否定した（審決謄本１０頁第４段落～１１頁第２段落）が，上
記１のとおり，本願発明１と引用発明２との一致点の認定に誤りがある以上，この
誤った認定を前提とする本願発明２及び３の進歩性に関する判断も誤りである。
第４　被告の反論
　審決の認定判断は正当であり，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。
１　取消事由１（本願発明１と引用発明２との一致点の認定の誤り）について
(1)　確かに，引用例２（甲１３）に記載された実施例で用いられるプラズマＣＶ
Ｄ装置では，上部電極に高周波電力が供給されているが，引用発明２は，本来，高
周波電源の接続方向につき上下の限定をしていないから，審決は，同発明の実施例
のみを念頭に置いていた点で一部に瑕疵があるとしても，原告主張に係る一致点の
認定の誤りないし相違点の看過はないというべきである。
(2)　プラズマコーティング方法においては，上部電極に高周波電源を接続するタ
イプと同じく，下部電極に高周波電源を接続するタイプの装置も，本件特許出願当
時から周知であり（甲１２，乙１～４），これら二つのタイプの平行平板型プラズ
マ装置は，プラズマ堆積用装置として相互に共通するものである。
　引用発明２は，冷却を含む，試料の温度制御に着目したＣＶＤ方法の発明
であることからして，高周波電源の接続方向について特定の接続タイプのプラズマ
ＣＶＤ装置を用いることを必須の構成要件とするものではないし，引用発明２に用
いるプラズマＣＶＤ装置として，いずれか一方の接続タイプの特定のプラズマ装置
に限定すべき理由もない。引用例２には，実施例で用いられた，上部電極に高周波
電源を接続した特定のタイプの堆積装置を必須とすることの記載は見られず，下部
電極に高周波電源を接続するタイプの堆積装置を用いた場合は，当該発明の所期の
効果を奏しないとする記載も見当たらない。
　以上のような，本件特許出願当時の技術水準及び引用発明２の本質からす
れば，引用発明２のプラズマＣＶＤ法においては，その実施例に示された上部電極
に高周波電源を接続するタイプの装置に限定されるものではなく，下部電極に高周
波電極を接続するタイプの装置を用いることをも適宜選択し得るものというべきで
あるから，審決が，「上部電極を接地し，下部電極に高周波電源を接続」するとの
点を，本願発明１と引用発明２の一致点として認定したことに実質的な誤りはな
い。
(3)　原告は，引用例２に記載の装置では，試料を「６０℃」程度の温度に保持す
るため加熱装置が必要となると主張するが，引用例２発明が，「樹脂材料など耐熱
性の乏しい材料」へのプラズマＣＶＤを課題としてされたものであることから，試
料の温度は実施例の「６０℃」に限定されず，それ以下の温度をも対象とした発明
であることは明らかである。また，そもそも，本願発明１は，試料温度を特定した
発明ではないから，試料温度の相違に関する原告の主張は，本願発明１の構成に基
づかない主張である。
(4)　原告が本願発明１の効果として主張する成膜速度は，実施例における特定の
処理条件下で，約２００Ｖ以上のセルフバイアス電圧（甲２の段落【００１１】）
という特定のセルフバイアス値を与えた場合に得られる成膜速度である。しかしな
がら，本件明細書の特許請求の範囲の【請求項１】には，上記効果を奏するために
必要な処理条件に係る特定はされていないから，原告の主張は，特許請求の範囲に
記載された本願発明１の構成に基づくものではなく，失当である。
(5)　原告は，本件特許出願当時，当業者の間では，平行平板型プラズマ装置にお
いて高周波投入電極を上部電極，下部電極のいずれとするかは，目的に応じて明確
な使い分けがされていた旨主張する。
　しかし，引用例１（甲１２）においては，下部電極に高周波電源を接続し
た図６（チャンバ２２）の場合と，上部電極に高周波電源を接続した図８（チャン
バ２３）の場合について，「単一のチャンバのみを用いて両堆積を行うこともでき
る」（段落【００４０】）と記載されており，チャンバ２２とチャンバ２３の二つ
のチャンバは，いずれもプラズマ堆積層の形成に用いられるものであり，しかも相
互に互換性を有するものとされている。このことからも明らかなとおり，下部電極
に高周波電源を接続するタイプと上部電極に高周波電源を接続するタイプの二つの
平行平板型プラズマ装置は，プラズマ堆積用の装置として，相互に共通し，当業者
が必要に応じ適宜置き換え得るものであって，その使い分けは明確なものとはいえ
ない。
２　取消事由２（本願発明２及び３の進歩性の判断の誤り）について
　上記１のとおり，審決における本願発明１と引用発明２との一致点の認定に
誤りはないから，本願発明２及び３の進歩性に関する審決の判断に誤りはない。
第５　当裁判所の判断
１　取消事由１（本願発明１と引用発明２との一致点の認定の誤り）について
(1)　審決は，本願発明１と引用発明２との一致点として，「反応室内で上部電極
及び下部電極を略平行に設け，上部電極を接地し，下部電極に高周波電源を接続
し，反応室内にモノシランを含む原料ガスを導入し，下部電極の近傍に被コーティ
ング物を配置し，下部電極より高周波電力を投入する，ことにより，被コーティン
グ物の表面に窒化シリコン又は酸化シリコンの皮膜を堆積するプラズマＣＶＤコー
ティング法，の点」（審決謄本７頁第２段落）を認定しているところ，原告は，上
記認定のうち，「上部電極を接地し，下部電極に高周波電源を接続」するとの点を
一致点として認定した部分は誤りである旨主張する。
(2)　そこで，まず，本件明細書（甲２，１０）の記載についてみると，「従来の
平行平板電極形プラズマＣＶＤ装置を図９により説明する。密閉室から成る反応室
５１内に下部電極５２と上部電極５３を平行に配置する。上部電極５３には整合回
路５７を介して高周波電源５９を接続する。下部電極５２は接地すると共に，被コ
ーティング物を加熱するためのヒータ５４を設ける。・・・コーティングを行なう
ときは，被コーティング物５８を下部電極５２上に置き，反応室５１を密閉した
後，ガス導入路５５から原料ガスを反応室５１内に導入し，上部電極５３より１
３．５６MHzの高周波電力を投入する」（段落【０００３】），「上記従来のプラズ
マＣＶＤ法では，プラズマを使用しない場合よりは低温でよいが，それでも被コー
ティング物５８を３００℃程度に加熱しなければならない。このため，装置にはヒ
ータ５４を備えなければならず，また，高温に加熱すると変質する被コーティング
物５８（例えば，プラスチック等）に対してはコーティングを行なうことができな
かった」（段落【０００４】），「本発明はこのような課題を解決するために成さ
れたものであり，その目的とするところは，被コーティング物を加熱することなく
窒化シリコン及び酸化シリコンをコーティングすることのできる方法を提供するこ
とにある」（段落【０００５】），「上記課題を解決するために成された本発明に
係るセルフバイアス・プラズマＣＶＤコーティング法は，ａ）反応室内で上部電極
及び下部電極を略平行に設け，ｂ）上部電極を接地し，下部電極に整合回路を介し
て高周波電源を接続し，ｃ）反応室内にモノシランを含む原料ガスを導入し，ｄ）
下部電極の近傍に被コーティング物を配置し，ｅ）下部電極を加熱することなく下
部電極より高周波電力を投入する，ことにより，被コーティング物を加熱すること
なく被コーティング物の表面に窒化シリコン又は酸化シリコンの皮膜を堆積するこ
とを特徴とする」（段落【０００６】），「従来の方法と異なり，本発明に係る方
法では下部電極を電気的に浮遊状態として上下電極間にプラズマを生成するため，
下部電極が負となるセルフバイアスが生成されるとともに，下部電極（カソード）
近傍にイオンシースが生成される。これによりプラズマ中のシリコンイオンが加速
され，下部電極近傍に置いた被コーティング物の表面で，原料ガスとしてモノシラ
ン及びアンモニアを用いた場合には窒化シリコン，モノシランと酸素，Ｎ2Ｏを用い
た場合には酸化シリコンの皮膜が生成される」（段落【０００７】）との記載があ
る。
　以上の記載によれば，本願発明１は，上部電極に整合回路を介して高周波
電源を接続し，下部電極を接地するタイプの従来のプラズマＣＶＤ装置においては
３００℃程度の加熱が必要なため，高温で変質する材料に対してコーティングがで
きないという課題があったところ，この課題を解決するため，上部電極を接地し，
下部電極に整合回路を介して高周波電源を接続し，下部電極より高周波電力を投入
することで，被コーティング物を加熱することなくコーティングが行えるようにし
たものであることが認められる。
(3)　他方，引用例２（甲１３）には，「従来のプラズマＣＶＤ方法に使用するプ
ラズマＣＶＤ装置を第４図に基づいて説明する。・・・試料４はアース接地された
試料保持手段である試料台８に載置され，試料台８に搭載された加熱手段であるヒ
ータ９により加熱される。さらに，試料台８に対向して電極１０が設けられてお
り，電極１０は高周波電源１１より高周波電力が供給されて真空容器１の内部に低
温プラズマを発生する」（２頁左上欄第２段落），「一般にプラズマＣＶＤ方法で
形成する膜は，・・・・いずれもＳｉＨ４を化合物ガスとして使うことが多く，し
たがって形成されたプラズマＣＶＤ膜中に水素を多少混合しており，これがプラズ
マＣＶＤ膜の性質を大きく左右している」（２頁右上欄第２段落～同左下欄第１段
落），「しかしながら上記のような従来の方法では，試料４を３００℃程度に加熱
するため，樹脂材料など耐熱性の乏しい材料にプラズマＣＶＤ膜を形成することが
できないという問題点があった。また，単に加熱温度を下げてプラズマＣＶＤ膜を
形成すると，水素を多く含有したプラズマＣＶＤ膜となり，高温で形成するプラズ
マＣＶＤ膜と異なった性質を示し，特に，パッシべーション膜として用いられる場
合においては水素の混入はプラズマＣＶＤ膜のパッシべーション性能を著るしく劣
化させてしまうという問題があった」（同第２段落），「本発明は上記問題を解決
するものであり，耐熱性の乏しい材料にもプラズマＣＶＤ膜の形成が可能で，かつ
優れたパッシべーション性能を有するプラズマＣＶＤ膜を形成可能なプラズマＣＶ
Ｄ方法を提供することを目的とするものである」（同第３段落），「上記問題を解
決するため本発明のプラズマＣＶＤ方法は，反応ガスおよび供給と真空排気が可能
な真空容器と，前記真空容器内に低温プラズマを発生させるプラズマ発生手段と，
プラズマＣＶＤ膜を堆積させる試料を保持する試料保持手段と，前記試料を加熱す
る加熱手段とを備えたプラズマＣＶＤ装置を用いて，前記加熱手段により前記試料
を１００℃以下の温度に加熱し，前記プラズマ発生手段によりプラズマパワー密度
が３００mW／cm２
以上の低温プラズマを発生させて前記試料上にプラズマＣＶＤ膜を
形成する方法である。さらに加熱手段の他に，試料を冷却する冷却手段と，試料の
温度を一定に保つように冷却手段および加熱手段を制御する温度制御手段を加え，
このプラズマＣＶＤ装置を用いて，試料を冷却手段により強制冷却しつつ加熱手段
により１００℃以下の温度に加熱制御し，プラズマ発生手段によりプラズマパワー
密度が３００mW／cm２
以上の低温プラズマを発生させて試料上にプラズマＣＶＤ膜を
形成する方法である」（同最終段落～同頁右下欄第２段落），「上記構成により，
１００℃以下に加熱することで耐熱性の乏しい材料にプラズマＣＶＤ膜の形成が可
能となり，プラズマパワー密度を３００mW／cm２
以上とすることで，プラズマＣＶＤ
膜に取り込まれる水素の量を抑え，パッシべーション膜に適したプラズマＣＶＤ膜
が形成される。さらに，試料を冷却手段により強制冷却しつつ加熱手段により１０
０℃以下の温度に加熱制御することにより，試料上に成膜を繰り返す場合にプラズ
マによって発生する試料台の発熱により起る試料の温度上昇を抑え，かつプラズマ
パワー密度を３００mW／cm２
以上とすることにより，パッシべーション膜に適した水
素含有量のプラズマＣＶＤ膜が耐熱性の乏しい材料上にも再現性よく形成される」
（３頁左上欄第１段落～第２段落），「第１図に本発明のプラズマＣＶＤ方法に使
用するプラズマＣＶＤ装置の概略断面図を示す。以下従来の第４図のプラズマＣＶ
Ｄ装置と同一構成には同一の符号を付して説明を省略する。第１図において，１３
は試料台８の内部に設けられた試料４の冷却手段としての冷却水路であり，冷却水
路１３に冷却水を流すことにより試料台８を介して試料４は強制冷却される。また
試料台８の内部には，試料台８を介して試料の温度を測定する温度検出手段である
温度センサ（温度計）１４が設けられており，温度センサ１４の試料温度検出信号
ａは温度制御装置１５に入力される」（３頁左上欄最終段落～同右上欄第２段落）
との記載がある。
　以上の記載によれば，引用発明２は，本件明細書で従来技術とされている
ものと同種の上部電極に高周波電源を接続し，上部電極より高周波電力を投入する
タイプのプラズマＣＶＤ装置（第４図）では，試料台に加熱手段を設けて試料を３
００℃程度に加熱するため，樹脂材料などの耐熱性の乏しい材料にプラズマＣＶＤ
膜を形成することができず，一方，単に加熱温度を下げると，化合物ガスＳｉＨ４
に起因する水素を多く含有し，高温で形成するプラズマＣＶＤ膜と異なった性質を
有する膜しか形成できないという課題があったところ，温度を１００℃以下に下げ
て加熱するとともに，プラズマパワー密度が３００mW／cm２
以上の低温プラズマを発
生するとの構成により，上記の課題を解決したというものであると認められる。
　また，引用例２には，その実施例（第１図）として，従来技術として記載
された，上部電極に高周波電源を接続し試料台にヒータ（加熱手段）を有するタイ
プのプラズマＣＶＤ装置（第４図）に，試料の温度を一定に制御するため，冷却水
路１３及び温度制御装置１５を設けた装置が記載されているが，下部電極に高周波
電源を接続するタイプのプラズマＣＶＤ装置においても，同じ課題が存在し，この
課題を同じ手段で解決できるか否かについては，何らの記載も示唆もされていな
い。
(4)　以上によれば，本願発明１と引用発明２とは，耐熱性に乏しい材料のコーテ
ィングを可能にするという目的において共通するものの，当該目的を達成するため
に，本願発明１は，「上部電極を接地し，下部電極に整合回路を介して高周波電源
を接続」するようにしたものであるのに対し，引用発明２は，温度を１００℃以下
に下げて加熱するとともに，プラズマパワー密度が３００mW／cm２
以上の低温プラズ
マを発生するようにしたものであると認められ，また，上記(3)のとおり，引用例２
においては，従来技術（第４図）としても，実施例（第１図）としても，上部電極
に高周波電源が接続されたタイプのプラズマＣＶＤ装置のみが記載されており，下
部電極に高周波電源を接続するタイプのプラズマＣＶＤ装置においても，それと同
じ課題が存在し，この課題を同じ手段で解決できるか否かについては，何らの記載
も示唆もされていないことが明らかである。
(5)　この点について，被告は，上部電極に高周波電源を接続するタイプと同じ
く，下部電極に高周波電源を接続するタイプの装置も本件特許出願当時から周知で
あり，二つのタイプの平行平板型プラズマ装置は，プラズマ堆積用装置として相互
に共通し，互換性ないし置換可能性を有するものであるとの技術水準と，引用発明
２は，冷却を含む，試料の温度制御に着目したＣＶＤ方法の発明であるという同発
明の本質からすれば，引用発明２は，上部電極に高周波電源を接続するタイプの装
置に限定されず，下部電極に高周波電極を接続するタイプの装置を用いることをも
適宜選択し得るというべきであるから，審決が，「上部電極を接地し，下部電極に
高周波電源を接続」するとの点を，本願発明１と引用発明２の一致点として認定し
たことに実質的な誤りはない旨主張する。
　しかしながら，引用発明２は，上記(3)のとおり，上部電極に高周波電源を
投入するタイプのプラズマＣＶＤ装置においては，試料台に加熱手段を設けて試料
を３００℃程度に加熱するため，樹脂材料などの耐熱性の乏しい材料にプラズマＣ
ＶＤ膜を形成することができず，一方，単に加熱温度を下げると，水素を多く含有
し，高温で形成するプラズマＣＶＤ膜と異なった性質を有する膜しか形成できない
という課題を認識し，温度を１００℃以下に下げて加熱するとともに，プラズマパ
ワー密度が３００mW／cm２
以上の低温プラズマを発生するとの構成により，上記の課
題を解決したものであって，その発明としての本質は，単に「冷却を含む，試料の
温度制御」に着目した点のみにあるのではないというべきである。また，引用例２
における「冷却を含む，試料の温度制御」は，上記のとおり，従来，３００℃程度
の高温加熱が必要とされていたことを前提に，耐熱性の乏しい材料にＣＶＤ膜を形
成できるようにするために行われるものであると理解されるところ，被告が，下部
電極に高周波電源を接続するタイプの装置が記載されているとして挙げた例（甲１
２，乙１～４）は，いずれも，被コーティング物を加熱するための特段の手段を持
たないものであると認められるから，そもそも，当該下部電極に高周波電源を接続
するタイプの装置においては，引用例２における「冷却を含む，試料の温度制御」
が前提とする，３００℃程度の高温加熱が必要とされていたと認めることはできな
い。
　そうすると，引用発明２に係る「冷却を含む，試料の温度制御」が，下部
電極に高周波電源を接続するタイプのプラズマＣＶＤ装置にも同じように適用でき
るものであるとは認められないから，引用発明２の「本質」をいう被告の上記主張
は，明らかに失当である。
　また，被告が主張するように，本件特許出願当時，下部電極に高周波電源
が接続されたタイプの装置が，上部電極に高周波電源を接続するタイプと同じく，
平行平板型プラズマ装置として周知であったとしても，単にそれだけで，上記装置
が引用例２に記載されているとはいえないことは当然である。さらに，被告主張に
係る技術水準の点についても，仮に，一般論としてみれば，上記二つのタイプの平
行平板型プラズマ装置は，プラズマ堆積用装置として相互に共通し，互換性ないし
置換可能性を有するものであるといえたとしても，上記のとおり，下部電極に高周
波電源が接続されたタイプのプラズマＣＶＤ装置については，引用発明２が前提と
する課題を備え，その解決手段に適合するものであるとは認められないから，引用
発明２を構成するプラズマＣＶＤ装置としての互換性ないし置換可能性を有すると
はいえず，被告の主張は採用の限りではない。
　したがって，従来技術（第４図）としても，実施例（第１図）としても，
上部電極に高周波電源が接続されたタイプのプラズマＣＶＤ装置のみが記載されて
いる一方，下部電極に高周波電源を接続するタイプのプラズマＣＶＤ装置において
も，それと同じ課題が存在し，この課題を同じ手段で解決できるか否かについては
何らの記載も示唆もない引用例２について，下部電極に高周波電源が接続されたタ
イプのプラズマＣＶＤ装置までもが実質的に記載されていると認める余地はないと
いうべきである。
(6)　以上によれば，本願発明１と引用発明２との間には，本願発明１に係るプラ
ズマＣＶＤ装置においては，上部電極を接地し，下部電極に高周波電源を接続する
との構成を採用しているのに対し，引用発明２に係る装置においては，上部電極を
高周波電源に接続するとの構成を採用している点において差異があると認めるのが
相当であるから，「上部電極を接地し，下部電極に高周波電源を接続」するとの構
成を一致点とした審決の認定は，誤りというべきである。そして，この誤りが，ひ
いては相違点の看過として，審決の結論に影響を及ぼすことは明らかであるから，
原告の取消事由１の主張は理由がある。
２　取消事由２（本願発明２及び３の進歩性の判断の誤り）について
　本願発明２及び３のプラズマＣＶＤコーティング装置は，いずれも，本願発
明１に係る装置と同様，上部電極を接地し，下部電極に高周波電源を接続するとの
構成を採用していると認められるところ，審決は，本願発明１に関する認定判断を
前提にして，本願発明２及び３に固有の構成に係る容易想到性についてのみ検討を
加えた上，その進歩性を否定した（審決謄本１０頁第４段落～１１頁第２段落）。
　しかしながら，上記１のとおり，本願発明１と引用発明２との一致点の認定
に誤りがある以上，この誤った認定を前提とする本願発明２及び３の進歩性に関す
る判断も誤りであるというほかはないから，原告の取消事由２の主張は理由があ
る。
３　以上によれば，原告主張の取消事由１及び２はいずれも理由があるから，審
決は，違法として取消しを免れない。
　よって，原告の請求は理由があるから認容し，主文のとおり判決する。
　　　東京高等裁判所第１３民事部
　　　　　　　裁判長裁判官　篠　　原　　勝　　美
　　裁判官　岡　　本　　　　　岳
　　　　裁判官　早　　田　　尚　　貴

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