戻る

平成１７年(行ケ)第１０２１９号　特許取消決定取消請求事件
平成１７年６月８日口頭弁論終結
　　　　判決
　　原　　　　　　告　株式会社　ニ　コ　ン
訴訟代理人弁護士　飯田秀郷
同　　　栗宇一樹
同　　　　早稲本和徳
同　七字賢彦
同　鈴木英之
同　隈部泰正
同　大友良浩
同　戸谷由布子
被告　　特許庁長官　小川洋
指定代理人　　　　　林茂樹
　　同　　　　　　西川惠雄
　　同　　　岡田孝博
　　同　　　宮下正之
　　　　　主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
　　　　事実及び理由
第１　当事者の求める裁判
１　原告
(1)　特許庁が異議２００３－７０７１８号事件について平成１６年７月２８日
にした決定中「特許第３３２６４４３号の請求項１ないし１６に係る特許を取り消
す。」との部分を取り消す。
(2)　訴訟費用は被告の負担とする。
２　被告
　主文同旨
第２　当事者間に争いのない事実等
１　特許庁における手続の経緯
　原告は，発明の名称を「ウエハ研磨方法及びその装置」とする特許第３３２
６４４３号の特許（平成５年８月１０日出願。平成１４年７月１２日設定登録。以
下「本件特許」という。設定登録時の請求項の数は２７，後記訂正後の請求項の数
は１６である。）の特許権者である。本件特許に対して特許異議の申立てがされ，
特許庁は，これを異議２００３－７０７１８号事件として審理した。その過程にお
いて，原告は，平成１６年４月２０日，願書に添付した明細書の訂正（特許請求の
範囲の訂正を含む。以下「本件訂正」という。）の請求をした（以下，この訂正後
の明細書及び図面を「本件明細書」という。）。特許庁は，審理の結果，平成１６
年７月２８日，「訂正を認める。特許第３３２６４４３号の請求項１ないし１６に
係る特許を取り消す。」との決定をし，同年８月１６日，決定の謄本を原告に送達
した。
２　特許請求の範囲（本件訂正後）
「【請求項１】　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，ウエハ支持板
により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて膜を研磨する際に，定盤及
び研磨布の回転中心と周縁との間に設けられた，透明窓材を有する窓を通して，前
記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で，研磨中のウエハ上の膜面
の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させることなく膜の研磨終了
点を判定することを特徴とするウエハ研磨方法。【請求項２】　回転する定盤の研
磨布が張り付けられた面に，ウエハ支持板により支持した膜付きウエハを回転させ
つつ押し付けて膜を研磨する際に，定盤及び研磨布の回転中心と周縁との間に設け
られた，透明窓材を有する窓から，前記透明窓材及びウエハの間に形成される研磨
液の膜を通して，前記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で，研磨
中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させるこ
となく膜の研磨終了点を判定することを特徴とするウエハ研磨方法。
【請求項３】　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，ウエハ支持板
により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて膜を研磨する際に，定盤及
び研磨布の回転中心と周縁との間に設けられた，透明窓材を有する窓を通して，前
記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で，研磨中のウエハ上の膜面
の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させることなく予め求めてお
いた研磨終了時の光反射状態の特徴と研磨中にモニタして得られた光反射状態の特
徴が一致した時点を研磨終了点と判定することを特徴とするウエハ研磨方法。
【請求項４】　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，研磨液を供給
しながら，ウエハ支持板により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて膜
を研磨する際に，定盤及び研磨布の回転中心と周縁との間に設けられた窓であっ
て，前記研磨布から露出して，かつ研磨中にウエハ研磨面と接触しないよう配置さ
れた透明窓材を有する窓から，前記透明窓材及びウエハの間に形成される研磨液の
膜を通して，前記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で，研磨中の
ウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させることな
く膜の研磨終了点を判定することを特徴とするウエハ研磨方法。
【請求項５】　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，ウエハ支持板
により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて膜を研磨する際に，定盤及
び研磨布の回転中心と周縁との間に設けられた，透明窓材を有する窓を通して，前
記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で，研磨中のウエハ上の膜面
の光反射状態を分光反射率によりモニタして，途中ウエハの回転を停止させること
なく膜の研磨終了点を判定することを特徴とするウエハ研磨方法。
【請求項６】　請求項５記載のウエハ研磨方法において，予め求めておいた
研磨終了時の分光反射率特性の特徴と，研磨中にモニタして得られた分光反射率特
性の特徴が一致した時点を研磨終了点と判定することを特徴とするウエハ研磨方
法。
【請求項７】　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，ウエハ支持板
により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて膜を研磨する際に，定盤及
び研磨布の回転中心と周縁との間に設けられた，透明窓材を有する窓を通して，前
記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で，研磨中のウエハ上の膜面
の特定場所の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させることなく膜
の研磨終了点を判定することを特徴とするウエハ研磨方法。
【請求項８】　請求項７記載のウエハ研磨方法において，前記特定場所が前
記ウエハの中心部分であることを特徴とするウエハ研磨方法。
【請求項９】　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，ウエハ支持板
により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて研磨するウエハ研磨装置に
おいて，前記定盤及び研磨布の回転中心と周縁との間に透明窓材を有する窓が設け
られ，該窓を通して，前記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で研
磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させる
ことなく膜の研磨終了点を判定するモニタ装置を有することを特徴とするウエハ研
磨装置。
【請求項１０】　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，ウエハ支持
板により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて研磨するウエハ研磨装置
において，前記定盤及び研磨布の回転中心と周縁との間に透明窓材を有する窓が設
けられ，前記透明窓材及びウエハの間に形成される研磨液の膜を通して，前記定盤
及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で研磨中のウエハ上の膜面の光反射
状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させることなく膜の研磨終了点を判定
するモニタ装置を有することを特徴とするウエハ研磨装置。
【請求項１１】　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，ウエハ支持
板により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて研磨するウエハ研磨装置
において，前記定盤及び研磨布の回転中心と周縁との間に透明窓材を有する窓が設
けられ，該窓を通して，前記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で
研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させ
ることなく予め求めておいた研磨終了時の光反射状態の特徴と，研磨中にモニタし
て得られた光反射状態の特徴が一致した時点を膜の研磨終了点と判定するモニタ装
置を有することを特徴とするウエハ研磨装置。
【請求項１２】　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，研磨液を供
給しながら，ウエハ支持板により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて
研磨するウエハ研磨装置において，定盤及び研磨布の回転中心と周縁との間に設け
られた窓であり，前記研磨布から露出して，かつ研磨中にウエハ研磨面と接触しな
いよう配置された透明窓材を有する窓から，前記透明窓材及びウエハの間に形成さ
れる研磨液の膜を通して，前記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態
で研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止さ
せることなく膜の研磨終了点を判定するモニタ装置を有することを特徴とするウエ
ハ研磨装置。
【請求項１３】　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，ウエハ支持
板により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて研磨するウエハ研磨装置
において，前記定盤及び研磨布の回転中心と周縁との間に透明窓材を有する窓が設
けられ，該窓を通して，前記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で
研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させ
ることなく膜の研磨終了点を判定するモニタ装置を有し，該モニタ装置が少なくと
も分光反射率測定装置を有することを特徴とするウエハ研磨装置。
【請求項１４】　請求項１３記載のウエハ研磨装置において，前記モニタ装
置は，予め求めておいた研磨終了時の分光反射率特性の特徴と，研磨中にモニタし
て得られた分光反射率特性の特徴が一致した時点を研磨終了点と判定することを特
徴とするウエハ研磨装置。
【請求項１５】　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，ウエハ支持
板により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて研磨するウエハ研磨装置
において，前記定盤及び研磨布の回転中心と周縁との間に透明窓材を有する窓が設
けられ，該窓を通して，前記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で
研磨中のウエハ上の膜面の特定場所の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転
を停止させることなく膜の研磨終了点を判定するモニタ装置を有することを特徴と
するウエハ研磨装置。
【請求項１６】　請求項１５記載のウエハ研磨装置において，前記特定場所
が前記ウエハの中心部分であることを特徴とするウエハ研磨装置。」
（以下，順に「本件発明１」，「本件発明２」などという。）
３　決定の理由
　別紙決定書の写しのとおりである。要するに，本件訂正を認めた上で，本件
発明１ないし１６は，特開平３－２３４４６７号公報（以下，決定と同様「刊行物
１」という。）に記載された発明（以下「引用発明１」という。）と特開昭６０－
２４６６３７号公報（以下，決定と同様「刊行物２」という。）に記載された発明
（以下「引用発明２」という。）あるいはこれらの発明と周知技術に基づいて当業
者が容易に発明をすることができたものである，とするものである（なお，決定
は，本件発明１についての認定判断を，本件発明２ないし１６についての各判断に
いずれも援用している。）。
　決定が上記結論を導くに当たり認定した引用発明１の構成，本件発明１と引
用発明１との一致点・相違点は，次のとおりである。
（引用発明１の構成）
「回転する研磨定盤６の研磨クロス５が張り付けられた面に，研磨ホルダ７
により支持した保護盤２に被着されたスタンパ１を回転させつつ押し付けてスタン
パ１を研磨する際に，研磨定盤６及び研磨クロス５の回転中心と周縁との間に設け
られた，ガラス板４を有する取付孔６ｂを通して，前記研磨定盤６及び前記スタン
パ１が共に回転している状態で，研磨中の，保護盤２上の測定面２ａの変位量の測
定値を常時演算して求め，途中スタンパ１の回転を停止させることなくスタンパ１
の研磨終了点を判定するスタンパ１の研磨方法。」
（一致点）
　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，支持板により支持した研磨
対象物を回転させつつ押し付けて研磨対象物を研磨する際に，定盤及び研磨布の回
転中心と周縁との間に設けられた，透明窓材を有する窓を通して，前記定盤及び前
記研磨対象物が共に回転している状態で，途中研磨対象物の回転を停止させること
なく研磨対象物の研磨終了点を判定する研磨対象物研磨方法である点。
（相違点）
　研磨対象物及びその研磨終了点の判定について，本件発明１は「膜付きウ
エハ」であり，「研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタ」しているのに対
し，引用発明１は「スタンパ１」であって，スタンパ１を被着している保護盤２上
の測定面２ａの変位量の測定値を常時演算し，間接的に研磨加工量を検出している
点。
第３　原告主張の取消事由の要点
　決定は，引用発明１の認定を誤ったことによって本件発明１と引用発明１と
の一致点・相違点の認定を誤り（取消事由１），引用発明２の認定を誤り，顕著な
効果を看過するなどした結果，本件発明１の容易想到性についての判断を誤った
（取消事由２）ものである。そして本件発明２ないし１６についても，この本件発
明１についての誤った判断を前提にした判断をしているのである（取消事由３）。
これらの誤りが決定の結論に影響を及ぼすことは明らかであるから，取り消される
べきである。
１　取消事由１（一致点・相違点の認定の誤り）
(1)　決定は，引用発明１を前記第２の３（引用発明１の構成）のように認定し
ているが，次のように正確に認定されるべきである（下線部は，付加した部分，
は改めた部分）。
「回転する研磨定盤６の研磨クロスが貼り付けられた面に，研磨ホルダ７に
より支持された保護盤２２に接着剤で，又は保護盤２に電着により接合された金属
を介して被着されたスタンパ２１（スタンパ１，以下「スタンパ」という）を回転
させつつその金型取付面を押しつけて当該スタンパを研磨する際に，定盤６及び研
磨クロスの回転中心と周縁との間でスタンパの周縁よりも外側の位置に設けられた
ガラス板４を有する取付孔６ｂを通して，前記研磨定盤６及び前記スタンパが共に
回転している状態で，
途中スタンパの回転を中止させることなくスタンパの研磨終了点を判定するスタン
パの研磨方法」
(2)　本件発明１と引用発明１の一致点と相違点は，次のように認定されるべき
である。（下線部は，決定の認定と異なる部分である。）
（一致点）
ア　回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，支持板により支持した
支持物を回転させつつ押し付けて支持物の対抗面を研磨するものである点
イ　定盤及び研磨布の回転中心と周縁との間に透明窓材を有する窓が設け
られている点
ウ　上記研磨をする際，上記窓を通して光学式測定器による測定により，
前記定盤及び前記支持物が共に回転している状態で，途中支持物の回転を停止させ
ることなく支持物の研磨対象の研磨終了点を判定する支持物の研磨対象の研磨方法
である点
（相違点）
ア　本件発明１の支持板により支持された支持物は「ウエハ」であり，そ
の研磨対象は，「膜付きウエハの膜」であるのに対し，刊行物１のそれは，いずれ
も「スタンパ」である点
イ　本件発明１の研磨の終了点の判定は，「研磨中のウエハ上の膜面の光
反射状態をモニタ」し，直接的に研磨終了点の判定（一例として研磨対象の膜付き
ウエハの研磨加工量の検出）をしているのに対し，刊行物１発明の研磨の終了点の
判定は，スタンパを被着している保護盤（支持板）上の外周に設けられた測定面の
変位量を光学式変位計の測定値により間欠的に演算し，間接的に研磨対象のスタン
パの研磨加工量を検出している点
２　取消事由２（本件発明１の容易想到性についての判断の誤り）
　決定は，まず判断の前提たる引用発明２の認定を誤り，さらに引用発明１と
引用発明２の組み合せに関する判断を誤り，本件発明１から生ずる顕著な効果を看
過することにより，本件発明１の容易想到性の判断を誤ったものである。
(1)　引用発明２の認定の誤り
　決定は，引用発明２について，「刊行物２には，膜付きウエハを研磨対象
物とし，研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転を
停止させることなく膜の研磨終了点を判定することが記載されている（上記摘記事
項(2)イ参照）。」（決定書１２頁４～６行）としている。
ア　決定の摘記事項(2)イには，ウエハが回転していることを示す記載は全く
ない。引用発明２においては，膜厚測定装置は固定されているから，特定部位の絶
縁膜の膜厚を測定するために，支持板（不図示）及びこれに載置された膜付きウエ
ハは固定されていると解するのが通常であり，これが回転していると解する根拠は
ない。したがって，引用発明２において，膜付きウエハが回転しているという決定
の認定は誤りである。
イ　また，引用発明２では，研磨対象物（本来の研磨対象は，あくまでもエ
ビタキシヤル単結晶層であるが）である膜付きウエハ上の絶縁膜の特定の位置の光
反射状態を当該特定位置に対する研磨を停止して測定しているが，本件発明１のよ
うに研磨を停止することなく膜付きウエハの膜面の任意の位置を測定してその光反
射状態（例えば膜の分光反射率や反射光強度等）を観測しているわけではない。
引用発明２における膜の研磨終了点を測定する方法は，「グラインダで
研磨するたびにその都度研磨を一旦停止して特定の絶縁膜位置の光反射状態を測定
し，絶縁膜が所望の膜厚に達したか否かを判断して，達していないときは再びグラ
インダで研磨をすることを繰り返して本来の研磨対象であるエビタキシヤル単結晶
層の平坦化が達成できたか否かの判断をし，間接的に研磨終了点を測定する」とい
うものである。
　したがって，引用発明２においては，「研磨中のウエハ上の膜面の光反
射状態をモニタ」していると認定することはできない。したがって，決定が，刊行
物２には，研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタしている記載があると認
定している点は誤りである。
(2)　引用発明１と引用発明２の組み合せについて
ア　決定は，引用発明２について上記(1)のような誤った認定を前提として，
これを引用発明１に採用して相違点に関する判断をしているのであり，適切な認定
を前提とした判断を遺脱しているものである。
イ　仮に，決定の判断が，上記１(2)相違点イを前提に，引用発明１の窓を介
した任意の測定面に対する間接的な測定を研磨中の研磨対象物の任意の膜面の直接
的な測定に置き換えるとともに，引用発明１の研磨定盤に埋め込まれた光学変位計
を引用発明２の膜厚測定装置に置き換えるというものであったとしても，このよう
な置き換えは不可能である。引用発明２は，絶縁膜の膜厚を測定することによって
本来の研磨対象であるエビタキシヤル単結晶層が平坦化する研磨終了点を間接的に
測定するものであり，またその膜厚の測定をする絶縁膜は特定の位置のものである
が，膜付きウエハが回転しているときに，その特定の位置の膜厚を測定する技術は
全く開示していないからである。
　すなわち，引用発明２に基づく固定している膜付きウエハの特定の位置
の絶縁膜の光反射状態の測定方法を引用発明１と組み合せても，回転している膜付
きウエハの任意の位置の膜面の光反射状態の測定をする本件発明１に至らない。そ
して，引用発明２の発明事項である固定している膜付きウエハの特定位置の膜面の
測定を回転する膜付きウエハの任意の位置の測定方法にまで変化させるためには解
決すべき技術的課題が存する，つまり技術的障害があるのである。
　仮に，引用発明２が，ウエハが回転するものであると解すると，この置
き換えによっては，そのように回転するウエハ上の特定の絶縁膜の位置を研磨する
たびに測定しなければならないから，ウエハの回転と定盤（窓）との回転を同期せ
ざるを得なくなるが，この場合，ウエハの研磨を行う定盤上研磨布の同一部分によ
る研磨が周期的に繰り返されることとなり，膜面の均一的な研磨を行うという引用
発明２の要請に反することとなる。
ウ　決定は，引用発明１のスタンパ（またはベアウエハ）の研磨は，鏡面に
仕上げるための工程であって，その研磨精度は前記のとおり２～４μｍの仕上がり
精度である。これに対して，これよりも研磨糖度が２桁も高い，すなわち研磨糖度
が０．０２μｍであることが要求される本件発明１のような膜付きウエハの研磨方
法に至るために，引用発明１はそもそも考慮される対象ではなく，ましてや引用発
明１に引用発明２のような膜付きウエハの膜厚測定方法を組み合せることに当業者
は想到しないというべきである。
(3)　顕著な効果の看過について
　決定は，本件発明１の採用する事項によってもたらされる効果が，引用発
明１及び刊行物２記載の事項から予想することができる程度であると認定するが誤
りである。前記のように，引用発明１では，その研磨精度は２～４μｍである。そ
して，刊行物２記載の研磨方法でどの程度の精度が出せるかは記載がないから不明
であるが，研磨工具であるグラインダを研磨面から離して研磨を停止しなければ，
特定位置の絶縁膜の膜厚の測定ができないことは前記のとおりであり，グラインダ
による研磨の停止により，研磨が非定常状態となり，本件発明のような定常状態に
よる研磨（測定時に研磨を停止させない研磨）と研磨条件が異なることになる。し
たがって，刊行物２記載の研磨方法とその研磨終了点の測定によっては，本件発明
１のような精度の研磨加工量が得られず研磨制御性が悪化する。これに対して，本
件発明１では，研磨工具に設けた窓を通して研磨中の研磨対象付置（ウエハ上の任
意の膜面）を計測しており，計測位置及び周辺の研磨対象部位に対する研磨を中断
することなく定常状態で研磨できるので，研磨の高精度な制御が効率よくできる。
引用発明２にはない顕著な効果を本件発明１は奏することができるのである。
３　取消事由３（本件発明２ないし１６についての認定判断の誤り）
　本件発明２ないし１６について，決定は，本件発明１と引用発明１の相違点
と同様の相違点があるとして判断している。この相違点に関する判断は上記のよう
に誤りであることが明らかである以上，他の相違点に関する点について論じるまで
もなく，決定の判断は誤りであり，その誤りは結論に影響を及ぼすことが明らかで
あるから，取り消されるべきである。
第４　被告の反論の要点
１　取消事由１（一致点・相違点の認定の誤り）に対して
　原告は，引用発明１の認定に誤りがあるとした上で，本件発明１と引用発明
１の一致点及び相違点の認定に誤りがあると主張する。しかしながら，その誤った
認定がどのように誤った結論を導いたのかについては，何ら主張していない。引用
発明１は，刊行物１から本件発明１との対比の限度で必要な事項のみを抽出して認
定すればよいのであって，原告主張のように認定する必要はない。そして，原告が
主張する相違点は，決定が認定した相違点と実質的な差異はない。
２　取消事由２（本件発明１の容易想到性についての判断の誤り）に対して
(1)　引用発明２の認定の誤りについて
ア　原告は，決定の摘記事項(2)イには，「膜付きウエハが回転している」こ
とを示す記載は全くないと主張している。確かに，刊行物２には，「膜付きウエハ
が回転している」ことが明記されていないが，逆に，膜付きウエハが回転しないも
のとも記載されていない。ところで，本件特許の出願時において，膜付きウエハの
研磨の際に膜付きウエハを回転させながら研磨することは技術常識というべきもの
である。そうすると，当該技術常識を踏まえて，決定が，「刊行物２には，・・・
途中ウエハの回転を停止させることなく・・・」と認定したことに誤りはない。
イ　原告は，決定中で，「研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタし
て，膜の研磨終了点を判定することも刊行物２記載の事項のとおりである」と認定
しているのは誤りであると主張している。
　しかし，刊行物２には，「この発明は，・・・膜厚測定装置により半導
体基板上の絶縁膜の膜厚を測定しながら，単結晶層及び絶縁膜の表面研磨を行い，
所要の絶縁膜厚になったところで研磨をやめるようにし，・・・」と記載されてい
る。してみると，決定が「研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして，膜
の研磨終了点を判定することも刊行物２記載の事項のとおりである」と認定した点
に誤りはない。
(2)　引用発明１と引用発明２の組み合せについて
ア　決定が認定した相違点と原告が主張する相違点とに実質的な差異はな
く，また，決定の引用発明２の認定も誤りはないのであるから，決定が相違点につ
いてした判断に誤りはない。
イ　原告は，本件発明１が，ウエハの任意位置の膜面の光反射状態を測定す
るものであり，また，刊行物２記載の事項は，ウエハの特定位置の絶縁膜を測定す
るものという前提で主張している。
　しかしながら，本件発明１が任意位置の膜面の光反射状態を測定するも
のであるとする点は，特許請求の範囲の記載に基づく主張でないので，失当であ
る。また，刊行物２記載の事項が，ウエハの特定位置の絶縁膜を測定するものであ
るという事項は，刊行物２に記載されていないので，刊行物２記載の事項がウエハ
の特定位置の絶縁膜を測定するものであるという誤った前提に基づくものであるか
ら失当である。
ウ　求められる研磨精度が，刊行物１記載のスタンパと，本件発明１及び刊
行物２記載の膜付きウエハとで異なるとしても，その相違は，技術上の問題ではな
く研磨対象によって適宜選択した結果によるものであり，さらに，膜付きウエハの
研磨において研磨精度が１００分の１μｍのオーダーであることは周知である。そ
して，引用発明１と刊行物２記載の事項とは，決定中の「相違点１についての検
討」に記載したように共通の技術であり，さらに，刊行物１記載の研磨対象物は，
スタンパに限られたものでなくシリコンウエハを対象とするものであるから，両者
を組み合せることに格別の困難性はない。
(3)　顕著な効果の看過について
　原告の主張中の「刊行物２には・・・研磨工具であるグラインダを研磨面
から離して研磨を停止しなければ・・・」との前提そのものが誤りである。してみ
ると，誤った前提に基づく原告の主張も誤りというべきである。また，研磨精度の
点については，上記のとおりである。
　いずれにしても，格別に顕著な効果があるものとはいえない。
３　取消事由３（本件発明２ないし１６についての認定判断の誤り）に対して
　本件発明１に関する認定判断に誤りがないのであるから，原告の主張は失当
である。
第５　当裁判所の判断
１　取消事由１（一致点・相違点の認定の誤り）について
　原告は，まず引用発明１の認定の誤りを主張し，これに基づく一致点・相違
点の認定の誤りを主張している。しかしながら，これらの誤りがいかなる意味で決
定の取消事由，すなわち決定の結論に影響を及ぼすべき違法に結びつくのかについ
ては必ずしも明確ではない。そこでまず，相違点の看過に結びつくと思われる相違
点の認定の誤りについての主張を検討する。
(1)　本件発明１と引用発明１の相違点について，原告は，次のア及びイのよう
に認定すべきであると主張する。
ア　本件発明１の支持板により支持された支持物は「ウエハ」であり，その
研磨対象は，「膜付きウエハの膜」であるのに対し，刊行物１のそれは，いずれも
「スタンパ」である点（以下「相違点ア」という。）
イ　本件発明１の研磨の終了点の判定は，「研磨中のウエハ上の膜面の光反
射状態をモニタ」し，直接的に研磨終了点の判定（一例として研磨対象の膜付きウ
エハの研磨加工量の検出）をしているのに対し，刊行物１発明の研磨の終了点の判
定は，スタンパを被着している保護盤（支持板）上の外周に設けられた測定面の変
位量を光学式変位計の測定値により間欠的に演算し，間接的に研磨対象のスタンパ
の研磨加工量を検出している点（以下「相違点イ」という。）
　まず，上記相違点アについて検討するに，前記争いのない事実のとおり，
本件明細書には，本件発明１について「ウエハ支持板により支持した膜付きウエハ
を回転させつつ押し付けて膜を研磨する際に」「研磨中のウエハ上の膜面の光反射
状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させることなく膜の研磨終了点を判定
する」という記載があることが明らかであり，これによれば，決定が「研磨対象
物」としているものについても「支持物」と「研磨対象」に分けることが可能であ
って，そのような認定をする方が研磨対象物をより明確にすることができる。しか
しながら，決定は，相違点１の検討において，「刊行物２には，膜付きウエハを研
磨対象物とし，研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして，途中ウエハの
回転を停止させることなく膜の研磨終了点を判定することが記載されている（上記
摘記事項(2)イ参照）。刊行物１記載の発明と刊行物２記載のものは，研磨を停止さ
せることなく研磨終了点を判定する技術の分野で共通し，また，刊行物１記載の発
明の研磨対象物は，スタンパ１に限られたものでもない（上記摘記事項(1)エ参
照）。してみると，刊行物１記載の発明の研磨対象物を膜付きウエハとすることに
格別の想到困難性はなく，研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして，膜
の研磨終了点を判定することも刊行物２記載の事項のとおりであるから，刊行物１
記載の発明に刊行物２記載の事項を採用し，上記相違点１に係る本件発明１の構成
とすることは，当業者であれば容易になし得たことである。」（甲１号証１２頁４
～１６行）と判断していることが認められ，これによれば，本件発明１における
「支持物」である「膜付きウエハ」と「研磨対象」である「膜付きウエハの膜」と
を実質的に区別して検討していることが明らかである。
　そうすると，決定が相違点アのように認定していない点が明確さを欠くも
のであったとしても，そのことは審決の結論に影響を及ぼすものではない。
　次に原告は，相違点イのように，①本件発明１においては「直接的に研磨
終了点の判定（一例として研磨対象の膜付きウエハの研磨加工量の検出）をしてい
る」との構成に，②引用発明１においては「保護盤（支持板）上の外周に設けられ
た測定面の変位量を光学式変位計の測定値により演算する」という構成に，それぞ
れ認定すべきであると主張し，さらに③引用発明１について決定が「常時演算し
て」と認定した部分を「間欠的に演算して」と認定すべきである旨主張している。
　しかしながら，その①については本件発明１の請求項に記載されているも
のではなく，また，②の点に対応する本件発明１の構成も，やはり請求項に記載さ
れているものではない。したがって，相違点をこれら原告が主張するようなものに
認定する必要はない。また，刊行物１には，「演算部３ｂは，前記センサ３ａの測
定信号に基づいて・・・変位量の測定値を常時演算して求め，」（第３頁右下欄第
１３～１６行，第４頁左上欄第２０行～右上欄第３行）と「常時演算して」が明記
されていることからすると，③の決定における認定（「常時演算して」との部分）
に誤りはない。
(2)　原告が引用発明１の認定に誤りがあると主張する部分のうち，上記相違点
の認定にも影響しない部分については，これが決定の結論に影響を及ぼすものであ
ると認めることは困難である。したがって，各点について検討するまでもなく理由
がない。
２　取消事由２（本件発明１の容易想到性についての判断の誤り）について
(1)　引用発明２の認定の誤りについて
ア　刊行物２（甲３号証の６）には「膜付きウエハが回転していること」に
ついて何らの記載がないことは原告の主張するとおりである。そして，決定は，
「刊行物２には，膜付きウエハを研磨対象物とし，研磨中のウエハ上の膜面の光反
射状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させることなく膜の研磨終了点を判
定することが記載されている」（決定書１２頁４～６行）と認定しており，この認
定によれば，刊行物２の膜付きウエハは回転しているかのようであり，その意味で
決定のかかる認定は相当とはいえない。
　しかしながら，決定が認定した本件発明１と引用発明１との一致点に
は，「前記定盤及び前記研磨対象物が共に回転している状態で，途中研磨対象物の
回転を停止させることなく研磨対象物の研磨終了点を判定する研磨対象物研磨方
法」である点が含まれているのである。したがって，研磨対象物たる膜付きウエハ
が回転していること，その回転を停止させることなく研磨終了点を判定することと
いう構成については，本件発明１と主引用例たる引用発明１においてともに備わっ
ているのであり，引用発明２を適用することによって得られる構成ではない。
　この点について決定は，「刊行物１記載の発明の研磨対象物を膜付きウ
エハとすることに格別の想到困難性はなく，研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態
をモニタして，膜の研磨終了点を判定することも刊行物２記載の事項のとおりであ
るから，刊行物１記載の発明に刊行物２記載の事項を採用し，上記相違点１に係る
本件発明１の構成とすることは，当業者であれば容易になし得たことである。」
（決定書１２頁１１～１６行）と判断しているのであって，引用発明２において研
磨対象物が「膜付きウエハ」であることと，研磨終了点の判定を「研磨を停止させ
ないで，研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして」行うことという構成
を引用発明１に適用するとしているのである。したがって，上記のような相当とは
いえない認定があったとしても，そのことが結論に影響を及ぼすものではないこと
が明らかである。
イ　引用発明２の研磨終了点の測定に関する認定の誤りをいう原告の主張
は，引用発明２においては，①膜付きウエハ上の絶縁膜の特定の位置を測定してい
るのであって，任意の位置を測定しているものではなく，②研磨を一旦停止して測
定しているのであって，研磨を中断しないで測定しているのではなく，③間接的に
研磨終了点を測定しており，直接的に測定しているのではないのであるから，決定
が刊行物２には研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタしている記載がある
と認定している点は誤りであるというものである。
そこで，刊行物２（甲３号証の６）には次の記載がある。
(ア)「従来の方法では，単結晶層(3)の研磨量の制御が時間設定によってお
り，研磨量の多過ぎや不足の場合ができていた。これに対処し，少量宛研磨し，研
磨ごとに単結晶層(3)の表面の凹凸を測定し，凹凸がなくなるまで研磨を繰返す方法
もあるが手間がかかり過ぎ生産性を阻害し，実用的ではない。」（２頁左上欄３～
９行）
(イ)「〔発明の概要〕
　この発明は，上記従来の方法の欠点をなくするためになされたもの
で，膜厚測定装置により半導体基板上の絶縁膜の膜厚を測定しながら，単結晶層及
び絶縁膜の表面研磨を行い，所要の絶縁膜厚になったところで研磨をやめるように
し，研磨の制御性がよく，所要の厚さで表面平たんな単結晶層が得られる，半導体
装置の製造方法を提供することを目的としている。」（２頁左上欄１０～１８行）
(ウ)「〔発明の実施例〕
　以下，この発明の一実施例による半導体装置の製造方法を，第３図に
示すシリコン基板部の要部断面図により説明する。(4)は光学的に薄膜の厚さを測る
膜厚測定装置で，シリコン基板(1)上面の絶縁膜(2)の厚さを測定する。」（２頁左
上欄１９行～右上欄４行）
(エ)「膜厚測定装置(4)により絶縁膜(2)の膜厚を測定しながら，絶縁膜(2)
及び単結晶層(3)の表面を研磨し，実線で示すように所要の絶縁膜(2)厚さになった
ところで，研磨をやめる。このときは，始めは絶縁膜(2)から突出していた単結晶
層(3)の表面は，絶縁膜(2)面と同一に平たんに研磨されてある。このように，膜厚
測定装置(4)により絶縁膜(2)厚を測定しながら，所要厚さに至るまで研磨すること
により，単結晶層(3)の表面は絶縁膜(2)と同一面になっており，研磨が過ぎること
も不足することもなく，適量に研磨でき，単結晶層(3)の表面が精度よく平たんにさ
れる。」（２頁右上欄７～１８行）
(オ)「〔発明の効果〕
　以上のように，この発明の方法によれば，膜厚測定装置により半導体
基板上の絶縁膜の膜厚を測定しながら，絶縁膜及び単結晶層の表面研磨を行ない，
所要の絶縁膜に至ったところで研磨をやめるようにしたので，精度よく研磨の制御
ができ，所要の厚さで表面平たんな単結晶層が得られる。」（２頁左下欄１１～１
７行）
(カ)　刊行物２の第３図は別添のとおりであり，膜厚測定装置(4)で，シリ
コン基板(1)上面の右から２番目に位置する絶縁膜(2)の厚さを測定していること，
及び，実線により全ての絶縁膜(2)面と全ての単結晶層(3)面が同一に平たんに研磨
されていることが図示されている。
　まず，上記(ア)(イ)(エ)(オ)の記載によれば，研磨を中断することなく
測定することを含んでいることが明らかであるところ，第３図によれば，絶縁膜と
単結晶層とが同一平面になるよう研磨されることが示されている。この絶縁膜と単
結晶層とは，ウエハ上で同一面のパターンを形成するものであり，ここに光が照射
されて測定するものであるから，任意の位置で直接的に膜厚を測定することが可能
な構成であると解することができる。そして，上記(エ)の「所要の絶縁膜(2)厚さに
なったところで，研磨をやめる。」「膜厚測定装置(4)により絶縁膜(2)厚を測定し
ながら，所要厚さに至るまで研磨する」との記載，(オ)の「絶縁膜及び単結晶層の
表面研磨を行ない，所要の絶縁膜に至ったところで研磨をやめるようにした」との
記載などによれば，刊行物２には研磨中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタし
ていることを前提としていることが明らかである。したがって，この点に関する決
定の認定に誤りはない。なお，以上のうち，測定する位置が任意なものか特定のも
のかという点については，本件発明１においても，請求項１の記載上は任意の位置
に限っているものではないことが明らかである。したがって，仮に，引用発明２の
構成が「任意の位置」で測定するものではないとしても，そのことが本件発明１の
発明事項ではないから，結局決定の結論には影響を及ぼさないことになる。
(2)　引用発明１と引用発明２の組み合せについて
ア　まず，原告が引用発明２の認定の誤りを前提にして判断の誤りを主張す
る点は，前示のとおり，その前提を欠くことになるので採用の限りではない。
イ　原告は，引用発明２を引用発明１に適用することが困難であると主張す
る。
　　しかしながら，原告の主張は，刊行物２には研磨中の研磨対象物の任意
の位置を直接的に測定することが開示されていないことを前提にするものであっ
て，刊行物２にはそのような構成が開示され，原告の主張は前提を欠くものである
ことは前示のとおりである。
また，原告は，引用発明２には膜付きウエハが回転しているときに膜厚
を測定する技術は開示されていないというが，そもそも本件発明１は，本件訂正前
の特許請求の範囲が「回転する定盤の研磨布が張り付けられた面に，ウエハ支持板
により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて膜を研磨する際に，定盤及
び研磨布の回転中心と周縁との間に設けられた，透明窓材を有する窓から，研磨中
のウエハ研磨面の光反射状態をモニタして，膜の研磨終了点を判定することを特徴
とするウエハ研磨方法」であったのを，「回転する定盤の研磨布が張り付けられた
面に，ウエハ支持板により支持した膜付きウエハを回転させつつ押し付けて膜を研
磨する際に，定盤及び研磨布の回転中心と周縁との間に設けられた，透明窓材を有
する窓を通して，前記定盤及び前記膜付きウエハが共に回転している状態で，研磨
中のウエハ上の膜面の光反射状態をモニタして，途中ウエハの回転を停止させるこ
となく膜の研磨終了点を判定することを特徴とするウエハ研磨方法」に訂正するこ
とを請求し（下線部分が訂正に係る部分），特許請求の範囲の減縮を目的とするも
の，又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって，新規事項の追加に
該当せず，かつ，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではないとし
て，訂正が認められたものである。上記訂正前の本件発明１においては，「研磨状
態の判定は，研磨中に行っても，研磨を一時中断して行ってもよい。」とされてい
たものを（本件明細書【００１４】。なお，この記載は，本件訂正後においても残
置されている。），上記のとおり，ウエハの回転を停止することなく判定する内容
に変更したものである。仮に，ウエハの回転を停止することなく膜厚を測定するた
めには，そうでない状態（研磨中又は研磨を一時中断した状態）で膜厚を測定する
方法とは異なる新たな技術事項を要するとすれば，そもそも本件発明１についての
本件訂正は，単なる特許請求の範囲の減縮又は明りょうでない記載の釈明というこ
とはできず，実質上特許請求の範囲を変更するものに該当するものとして許されな
いはずである。原告は，本件発明１における特許請求の範囲のうち，本件訂正によ
り追加された記載部分に係る本件発明１と引用発明１との相違部分について，上記
のように主張するが，原告の当該主張は，本件発明１について本件訂正が許された
ことに反するものであり，また，本件訂正請求を特許請求の範囲の減縮又は明りょ
うでない記載の釈明に該当するものとした審判手続における自らの主張とも矛盾す
るものであって，採用の限りでない。
　　したがって，研磨を停止させることなく研磨終了点を判定するという技
術分野において共通することは明らかである。そうすると，当業者が引用発明１に
引用発明２の構成を組み合せるに至る動機付けは十分に存在し，しかもその組み合
せを阻害する事由が存在することを認めることもできない。
ウ　原告は，引用発明１のスタンパと引用発明２の膜付きウエハの研磨精度
の違いをもって，その組み合せを想到することは困難であると主張する。
　まず，刊行物１（甲３号証の２）には「なお，第１および第２実施例で
は，スタンパの代りにガラス板やシリコンウエハー等を研磨することも可能であ
り，同様の仕上寸法精度が確保できる。」（５頁左上欄１９行～右上欄２行）との
記載が，そして本件明細書には「【０００２】【従来の技術】半導体ウエハ研磨で
は，上面に研磨布が張り付けられた定盤を回転させ，研磨布上に研磨液を滴下しな
がら，研磨布にウエハ支持板に固定したウエハを，ウエハ支持板により回転させつ
つ押し付けて，ウエハと研磨布との摩擦により研磨を進行させる方法が広く用いら
れている。この方法において，研磨加工量は通常，定盤の回転速度，研磨荷重，研
磨液の供給量及びその温度，ウエハの回転及び揺動，等が厳しく管理された条件下
で，研磨時間によって調節される。」「【０００４】膜付きウエハにもこの研磨方
法が適用される。通常のウエハの研磨と比較すると，研磨加工量の変動の許容幅が
小さいので，研磨時間で加工量を制御しようとすれば，加工速度のわずかな変動も
許さないような厳しい工程管理が必要となる。この種の研磨では膜の厚さの調節が
その主な目的であって，研磨加工量の制御はその手段に過ぎない。・・・」との記
載がある。
　これらの記載によれば，引用発明１は，スタンパだけではなく，少なく
ともウエハの研磨にも適用することができることが明記され，本件発明以前の従来
技術において，通常のウエハの研磨方法は，膜付きウエハの研磨にも適用されてい
たことが明記されていることが明らかである。
　そうすると，研磨精度の違いがあったとしても，スタンパの研磨だけで
はなく，ウエハ研磨にも適用される引用発明１に膜付きウエハの研磨方法である引
用発明２を適用することを想到することに困難はないものというべきである。
(3)　効果について
　引用発明１に引用発明２を適用して本件発明１の構成を想到することが容
易であることは前示のとおりである。そして，そのような構成を採ることによって
本件発明１の効果を奏することは通常予測しうることである。原告が主張する効果
は，そのような予測を超えるようなものであるとはいえず，格別顕著なものという
ことはできない。
３　取消事由３（本件発明２ないし１６についての認定判断の誤り）について
　原告が本件発明２ないし１６について主張する取消事由は，本件発明１と引
用発明１の相違点に関する判断を援用したものであるからというものである。
　したがって，決定の本件発明１に関する判断に誤りがないことは前示のとお
りであるから，取消事由３は理由がない。
４　結論
　以上のとおりであるから，原告主張の取消事由は理由がなく，その他，決定
には，これを取り消すべき誤りはない。
よって，原告の本訴請求は理由がないから，これを棄却することとし，訴訟
費用の負担について行政事件訴訟法７条，民事訴訟法６１条を適用して，主文のと
おり判決する。
知的財産高等裁判所第３部
　　　裁判長裁判官　　　　　三　　村　　量　　一
　　　裁判官　　　　　若　　林　　辰　　繁
　　　裁判官　　　　　沖　　中　　康　　人
（別紙）
第１図、第２図、第３図

戻る