戻る

令和２年６月３日判決言渡
令和元年（行ケ）第１００９６号特許取消決定取消請求事件
口頭弁論終結日令和２年２月５日
判決
原告日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社
同訴訟代理人弁理士長谷川芳樹
吉住和之
平野裕之
水木佐綾子
沖田英樹
被告特許庁長官
同指定代理人橋本栄和
大熊幸治
井上猛
原賢一
豊田純一
主文
１特許庁が異議２０１８－７０００９５号事件について令和元年５月
３０日にした異議の決定のうち，特許第６１７２１３９号の請求項２，
９及び１０に係る部分を取り消す。
２原告のその余の請求を棄却する。
３訴訟費用は，これを２分し，その１を原告の負担とし，その１を被
告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が異議２０１８－７０００９５号事件について令和元年５月３０日にした
異議の決定のうち，特許第６１７２１３９号の請求項１～４及び６～１９に係る部
分を取り消す。
第２事案の概要
本件は，特許異議審判請求を認容した異議の決定に対する取消訴訟である。争点
は，進歩性の有無（一致点及び相違点の認定，相違点に係る判断の当否）である。
１特許庁における手続の概要等
原告は，発明の名称を「樹脂組成物，及びこれを用いたポリイミド樹脂膜，ディ
スプレイ基板とその製造方法」とする発明に係る特許権（特許第６１７２１３９
号。以下，「本件特許権」といい，本件特許権に係る特許を「本件特許」，本件特許
権の明細書及び図面を「本件明細書」という。）の特許権者であり，平成２５年２月
１５日に特許出願（特願２０１４－５００９０７号）を行い（特願２０１２－３７
３６９号。優先権主張：平成２４年２月２３日〔以下，「本件優先日」という。〕，
日本国），平成２９年７月１４日に特許権の設定登録を受けた（甲８）。
本件特許について，平成３０年２月２日付けで特許異議の申立てがあり（甲９），
特許庁はこれを異議２０１８－７０００９５号事件として審理（以下，「本件異議手
続」という。）し，原告は同年１２月１７日付けで訂正請求をした（甲１６。以下，
訂正後の請求項１～１９に係る各発明につき，「本件発明１」～「本件発明１９」
といい，これらを併せて「本件発明」と総称することがある。）。
特許庁は，上記訂正請求を認めた上で，令和元年５月３０日，「特許第６１７２１
３９号の請求項１～４及び６～１９に係る特許を取り消す。特許第６１７２１３９
号の請求項５に係る特許に対する本件特許異議の申立てを却下する。」との決定（以
下，「本件決定」という。）をし，その謄本は，同年６月７日，原告に送達された。
２本件特許の訂正後の特許請求の範囲（甲１７）
【請求項１】（本件発明１）
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウ
レイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノ
プロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フ
ェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノ
プロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミ
ノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－
アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシ
ラン化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）
成分に対して０．２～２質量％である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布，加熱し，１～５０μｍの
膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記ポリイミド樹脂膜上に半導
体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体
から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造方法に用いられる，樹脂組成
物。
【化１１】
（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環を
有する４価の有機基を示す。）
【請求項２】（本件発明２）
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウ
レイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノ
プロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン及び
フェニルトリメトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン
化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成
分に対して０．２～２質量％である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布，加熱し，１～５０μｍの
膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記ポリイミド樹脂膜上に半導
体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体
から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造方法に用いられる，樹脂組成
物。
【化１】
（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環を
有する４価の有機基を示す。）
【請求項３】（本件発明３）
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウ
レイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノ
プロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フ
ェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノ
プロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミ
ノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－
アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシ
ラン化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）
成分に対して０．２～２質量％である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布，加熱し，１～５０μｍの
膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記ポリイミド樹脂膜上に半導
体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体
から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造方法に用いられる，樹脂組成
物。
【化１２】
（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は下記式（７）
で表される４価の有機基を示す。）
【化１３】
【請求項４】（本件発明４）
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウ
レイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノ
プロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フ
ェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノ
プロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミ
ノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－
アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシ
ラン化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）
成分に対して０．２～１質量％である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布，加熱し，１～５０μｍの
膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記ポリイミド樹脂膜上に半導
体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体
から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造方法に用いられる，樹脂組成
物。
【化１４】
（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環を
有する４価の有機基を示す。）
【請求項６】（本件発明６）
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウ
レイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノ
プロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フ
ェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノ
プロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミ
ノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－
アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシ
ラン化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）
成分に対して０．２～２質量％であり，前記（ａ）成分の重量平均分子量が１５，
０００～２００，０００である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布，加熱し，１～５０μｍの
膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記ポリイミド樹脂膜上に半導
体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体
から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造方法に用いられる，樹脂組成
物。
【化１５】
（一般式（１）中，Ｒ１
は下記式（３）で表される２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香
族環を有する４価の有機基を示す。）
【化１６】
【請求項７】（本件発明７）
請求項１に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
【請求項８】（本件発明８）
請求項７に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
【請求項９】（本件発明９）
請求項２に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
【請求項１０】（本件発明１０）
請求項９に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
【請求項１１】（本件発明１１）
請求項３に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
【請求項１２】（本件発明１２）
請求項１１に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
【請求項１３】（本件発明１３）
請求項４に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
【請求項１４】（本件発明１４）
請求項１３に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
【請求項１５】（本件発明１５）
請求項６に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
【請求項１６】（本件発明１６）
請求項１５に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
【請求項１７】（本件発明１７）
（ａ）－般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウ
レイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノ
プロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フ
ェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノ
プロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミ
ノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－
アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシ
ラン化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）
成分に対して０．２～２質量％である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布，加熱し，１～５０μｍの
膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記ポリイミド樹脂膜上に半導
体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体
から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造方法に用いられる，樹脂組成
物。
【化１７】
（一般式（１）中，Ｒ１
は下記式（３）で表される２価の有機基を示し，Ｒ２
は下記
式（７）で表される４価の有機基を示す。）
【化１８】
【請求項１８】（本件発明１８）
請求項１７に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。
【請求項１９】（本件発明１９）
請求項１８に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
３本件決定の理由の要旨
(1)本件発明１～４及び６～１９は，いずれも，甲１（特開２０１０－２０２
７２９号公報）に記載された発明（以下，「甲１発明」という。）に基づいて，当
業者が容易に発明をすることができたものである。
(2)本件発明１について
ア甲１発明について
甲１には，
「液状の樹脂組成物をキャリア基板上に塗布成膜して固体状の樹脂膜を形成する
工程，前記樹脂膜上に回路を形成する工程，前記回路が表面に形成された固体状の
樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程，の各工程を含む，表示デバイスであ
るフレキシブルデバイスの製造法に用いられる，フレキシブルデバイス基板となる
前記液状の樹脂組成物であって，下記一般式（１）で表される構造を有する重量平
均分子量が１５，０００から２００，０００のポリイミド前駆体と有機溶媒とを含
有してなるフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物。
【化１】
（一般式（１）中，Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し，Ｒ１
は
【化２】
から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり，ア
ルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよい），Ｒ２
は
【化３】
から選択される四価の有機基であり，ｎは繰り返し数を表す正の整数である。）」
に係る発明（以下，「甲１発明１」という。），
「甲１発明１のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物を
キャリア基板上に塗布成膜してなる固体状のポリイミド樹脂膜。」
に係る発明（以下，「甲１発明２」という。）及び
「甲１発明１のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物を
キャリア基板上に塗布成膜して甲１発明２の固体状のポリイミド樹脂膜を形成する
工程，前記樹脂膜上に回路を形成する工程，前記回路が表面に形成された固体状の
樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程の各工程を含む製造方法により製造さ
れたディスプレイである表示デバイス。」
に係る発明（以下，「甲１発明３」という。）がそれぞれ記載されている。
イ本件発明１と甲１発明１の一致点及び相違点
(ｱ)一致点
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｃ）有機溶
剤と，を含有する樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１１】
（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環を
有する４価の有機基を示す。）
(ｲ)相違点１
本件発明１では「（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－
ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピル
トリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピ
ルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエ
チルトリエトキシシラン，γ－アミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチ
ルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチ
ルトリエトキシシラン，γ－アミノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチル
トリプロポキシシラン，及びγ－アミノブチルトリブトキシシランからなる群から
選択される１以上のアルコキシシラン化合物と，・・・を含有し，前記（ｂ）成分
の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２～２質量％である」のに対して，甲１発
明１では「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有すること及びその含有量につき
特定されていない点
(ｳ)相違点２
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明１では「シリコン基板
又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹
脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するととも
に「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
ウ検討
(ｱ)相違点２について
甲１には，甲１発明１の固体の樹脂膜の形成におけるキャリア基板につき，ガラ
ス基板を使用すること又はシリコン基板を使用することがそれぞれ開示されている
とともに，当該樹脂膜として，膜厚１～２０μｍの範囲が好適であり，実施例とし
て膜厚３μｍの樹脂膜としたことも開示されている。そうすると，甲１発明１にお
ける固体の樹脂膜の形成において，ガラス基板又はシリコン基板を用いること及び
形成する固体の樹脂膜の膜厚を１～２０μｍを含む１～５０μｍとすることは，い
ずれも実質的な相違点であるとはいえないか，甲１発明１において，当業者が適宜
なし得ることである。
(ｲ)相違点１について
甲１には，甲１発明１のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成
物において，キャリア基板などの被塗布体との接着性向上のために，γ－アミノプ
ロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシランなどのシラン
カップリング剤等のカップリング剤を添加することができることが記載され，また，
その使用量がポリイミド前駆体（樹脂分）に対して，０．１質量％以上，３質量％
以下が好適であることが記載されている（段落【００１９】）ところ，甲１発明１
のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物においても，ガラス基
板又はシリコン基板などの被塗布体の表面に塗布成膜しポリイミド樹脂膜として他
表面に回路形成を行った後，被塗布体から剥離することによりフレキシブルデバイ
ス基板とするものであって，甲１発明１において，シランカップリング剤の適量の
添加使用により被塗布体に対する接着性を改善するとしても，被塗布体からの剥離
性につき許容される範囲内で行うことを前提とするものであるから，甲１発明１に
おいて，ガラス基板又はシリコンウエハなどの被塗布体に対する接着性向上を意図
して，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシ
シランなどのシランカップリング剤などのアルコキシシラン化合物をポリイミド前
駆体（樹脂分）に対して，「０．１質量％以上，３質量％以下」なる範囲のうちの
０．２～２質量％の範囲で添加使用することは，当業者が適宜なし得ることである。
したがって，相違点１は，当業者が適宜なし得ることである。
(ｳ)本件発明１の効果について
本件発明１において，アルコキシシラン化合物を使用しない場合（比較例１，２，
６及び７）は，剥離性については極めて優れるものの，剥離強度で表される密着性
（段落【００５２】）は明らかに劣り，アルコキシシラン化合物を多量に使用した
場合（比較例５）又は支持体であるウエハの表面をあらかじめアルコキシシラン化
合物で処理しておいた場合（比較例３及び４）は，剥離強度で表される密着性につ
いては極めて優れるものの，剥離性は明らかに劣るのに対して，本件発明１に係る
実施例１～２２の場合には，剥離性につき優れると評価される範囲（Ａ評価又はＢ
評価）内において，剥離強度で表される密着性が改善されているものと看取するこ
とができる。
しかし，甲１発明１のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物
においては，ガラス基板又はシリコン基板などの被塗布体の表面に塗布成膜し，ポ
リイミド樹脂膜として他表面に回路形成を行った後，被塗布体から剥離することに
よりフレキシブルデバイス基板とするものであって，甲１には，被塗布体から剥離
する際の方法として特に制限がなく，レーザ照射による剥離並びに単に物理的剥離
でもいずれも可能であることが開示されている（段落【００２２】）から，甲１発
明１において，シランカップリング剤の適量の添加使用により被塗布体に対する接
着性を改善するとしても，剥離方法につき限定がない被塗布体からの剥離性につき
許容される範囲内で行うことを前提とするものである。そうすると，本件発明１の
上記効果は，甲１発明１において，被塗布体に対する接着性向上を意図してシラン
カップリング剤の適量の添加使用を行うこと，その際，剥離性をも重視するのであ
れば，上記「０．１質量％以上，３質量％以下」の範囲のうち，少量の範囲である
「０．２～２質量％」で使用することにより，「密着性（接着性）」と「剥離性」
との両立なる効果を奏するであろうことは，当業者が予期し得る範囲のものという
ことができ，格別顕著な効果であるものということはできない。
(ｴ)以上から，本件発明１は，甲１発明１に基づいて，当業者が容易に発
明をすることができたものである。
エ原告は，密着性と剥離性は要求される場面が異なり，完全なトレードオ
フ関係であるとはいえず，ある程度の独立性は認められるべき物性であり，本件発
明１は，高価な装置を用い，基板裏面からレーザーを照射するという危険を伴う操
作を行うことなく，半導体素子形成工程において要求される密着性とポリイミド樹
脂膜剥離工程で要求される剥離性の両特性とを同時に達成することができるもので
ある旨主張する。
しかし，塗布成膜に使用する塗料の技術分野において，「（塗膜の）密着性」と
は，「接着性」又は「付着性」ともいい，塗膜が被塗物表面によくついてはがれに
くい性質であるのに対して，「（塗膜の）剥離性」は，その文意からみて塗膜が被
塗物表面に対してはがれやすい性質であるものと解するのが自然であって，完全な
トレードオフの関係ではないにしても，独立した物性ではなく，相互に関連し，少
なくとも相反する傾向を示す又は負の相関関係を有する物性であることは，当業者
において一般的な技術常識であるということができるとともに，本件明細書の発明
の詳細な説明の実施例（比較例）における「密着性」の評価方法及び「剥離性」の
評価方法は，いずれも「付着力試験」の測定方法と略同一の手法（「プルオフ法」
及び「ピーリング法」）であって，「付着力」に相当する「剥離強度」（定量的手
法の場合）又は「剥離性」（定性的手法の場合）に係る測定結果が得られるもので
あることからみても，本件発明における「密着性」と「剥離性」とは独立した物性
ではなく，相互に関連し，少なくとも相反する傾向を示す又は負の相関関係を有す
る物性であると解するのが自然である。
甲１には，甲１発明１の解決課題として「ガラス基板等のキャリア基板上に塗布
することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜を形成し，その樹脂薄膜上に回路やディス
プレイ層等を形成できるとともに，耐熱性に優れ，熱膨張係数の低いポリイミド膜
となって，回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそ
りを生じさせず，回路等のはがれなどの欠陥も生じず，そしてその後，キャリア基
板から欠陥を生じずにきれいに剥離ができる，液状のフレキシブルデバイス基板形
成用ポリイミド前駆体樹脂組成物」の提供にあることが明示されており，上記「剥
離」の方法につき，「剥離方法に特に制限はなく，例えばキャリア基板側からレー
ザー等を照射することで剥離を行っても良い。本発明により得られるポリイミド樹
脂膜は，高い靭性を有するので，キャリア基板（支持体）と単に物理的に剥離する
ことも可能である」ことも開示されている（段落【００２２】参照）から，甲１発
明１のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物においても，シリ
コンウエハなどの被塗布体の表面に塗布成膜しポリイミド樹脂膜として他表面に回
路形成を行った後，被塗布体から剥離することによりフレキシブルデバイス基板と
するものであって，レーザー照射による剥離のみならず，単なる物理的な剥離によ
る場合を含む剥離性については担保しつつ，剥離工程前の回路等の形成過程などに
おけるポリイミド膜のキャリア基板層からのはがれや回路等のはがれなどの不具合
を防止する程度の被塗布材に対する十分な密着性（接着性）を有することが要求さ
れることは自明であって，剥離性につき許容できる範囲において密着性（接着性）
を改善するために，アルコキシシラン化合物の量を調節しつつ使用することにつき，
当業者は容易に想到し得ることと認めるのが相当である。
そうすると，「基板裏面からレーザーを照射する操作を行わずに剥離することが
できる」との点は，甲１発明１に対して，何らの技術的優位性を有する事項ではな
い。
オ原告は，甲１発明１は，ポリイミド樹脂膜の耐熱性と熱膨張特性を重視
した発明であることなどから，甲１において，あえて耐熱性が下がるリスクを冒し
てまで，ポリイミド樹脂組成物中にシランカップリング剤を積極的に添加する動機
はなく，仮に，甲１の段落【００１９】の教示により樹脂組成物中にシランカップ
リング剤を添加しようとする場合でも，「０．２～２質量％」の特定量を選択する
動機はないこと，半導体素子形成工程では支持体との十分な密着性を担保しつつ，
ポリイミド樹脂膜剥離工程では，レーザーを用いずに，簡易に，かつ綺麗に樹脂膜
を剥離できるという効果は甲１から予期できないこと，本件発明１の樹脂膜の熱膨
張特性及び破断伸び特性の低下が抑えられ，同成分を添加しない場合の性能をほぼ
維持できるという効果は，甲１発明１から全く予期できないことを主張する。
しかし，甲１には，「本発明は，液晶ディスプレイ，有機ＥＬディスプレイ，電
子ペーパー等の表示デバイス，太陽電池の受光デバイスであるフレキシブルデバイ
スにおいて，ガラス基板等のキャリア基板上に塗布することで簡単にかつ所望の膜
厚の薄膜を形成し，その樹脂薄膜上に回路やディスプレイ層等を形成できるととも
に，耐熱性に優れ，熱膨張係数の低いポリイミド膜となって，回路等の形成過程で
キャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず，回路等のはが
れなどの欠陥も生じず，そしてその後，キャリア基板から欠陥を生じずに剥離がで
きる，液状のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物，これ
を用いたフレキシブルデバイス及びその製造方法を提供する」（段落【０００４】）
ことが記載されているから，その文意からみて，甲１発明１の樹脂組成物は，キャ
リア基板上に塗布できポリイミド樹脂膜を形成できること，ポリイミド樹脂膜を形
成した後の回路等の形成過程においてキャリア基板層又は回路等とのはがれを防止
できる程度の十分な接着性（密着性）を有すること及び回路を形成した後のポリイ
ミド樹脂膜がキャリア基板から剥離する際に当該樹脂膜に欠陥が生じない程度の十
分な剥離性を有することが，いずれも達成すべき主要事項であることが明らかであ
る。
また，甲１には，シランカップリング剤の使用につき「本発明のフレキシブルデ
バイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物には，被塗布体との接着性向上のため，
シランカップリング剤・・・を添加することができる。上記カップリング剤として
は，例えば，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメ
トキシシラン，・・・などが挙げられ・・・る。・・・このときの使用量は，ポリ
イミド前駆体（樹脂分）に対して，０．１質量％以上，３質量％以下が好ましい。」
と記載されているところ，「被塗布体との接着性」が「向上」されて高すぎる場合，
ポリイミド樹脂膜をキャリア基板から剥離する際の剥離性に影響する（剥離しにく
くなる）であろうことが当業者に自明であるから，上記「被塗布体との接着性向上
のため」とは，「回路等の形成過程における被塗布体であるキャリア基板とポリイ
ミド樹脂膜との接着性（密着性）を向上させるため」ということを意味するものと
解するのが自然である。
原告は，シランカップリング剤をポリイミド樹脂組成物に添加することによるポ
リイミド樹脂膜の熱膨張特性や破断伸び特性の悪化を主張するが，ポリイミド樹脂
に対してシランカップリング剤を単に後添加するような場合であるならば格別，シ
ランカップリング剤がキャリア基板又はポリイミド前駆体（ポリアミド酸）に対し
て化学反応を生起するような成膜時の加熱処理を行う甲１発明１のポリイミド前駆
体及び有機溶剤を含む樹脂組成物において，更にシランカップリング剤を添加する
ことにより，加熱処理後の樹脂膜が熱膨張しやすくなること及び加熱処理後の樹脂
膜においてシランカップリング剤が異物として作用し破断しやすくなることを想起
し得る当業者の技術常識が存するものとは認められず，当該主張は，その技術的根
拠を欠くものである。
(3)本件発明２について
ア本件発明２と甲１発明１の一致点及び相違点
(ｱ)一致点
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｃ）有機溶
剤と，を含有する樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１１】
（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環を
有する４価の有機基を示す。）
(ｲ)相違点３
本件発明２では「（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－
ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシランからなる群から選択さ
れる１以上のアルコキシシラン化合物と，・・・を含有し，前記（ｂ）成分の含有
量が前記（ａ）成分に対して「０．２～２質量％である」のに対して，甲１発明１
では「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有すること及びその含有量につき特定
されていない点
(ｳ)相違点２ａ
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明２では「シリコン基板
又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹
脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するととも
に「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
イ検討
(ｱ)相違点２ａについて
相違点２ａに係る事項は，相違点２に係る事項と同一であるから，前記(2)ウ(ｱ)
で説示した理由と同一の理由により，相違点２ａは，実質的な相違点であるとはい
えないか，甲１発明１において当業者が適宜なし得ることである。
(ｲ)相違点３について
甲１には，甲１発明１のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成
物において，キャリア基板などの被塗布体との接着性向上のために，γ－アミノプ
ロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシランなどのシラン
カップリング剤等のカップリング剤を添加することができることが記載され，また，
その使用量がポリイミド前駆体（樹脂分）に対して，０．１質量％以上，３質量％
以下が好適であることが記載されている（段落【００１９】）ところ，甲１発明１
のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物においても，ガラス基
板又はシリコン基板などの被塗布体の表面に塗布成膜し，ポリイミド樹脂膜として
他表面に回路形成を行った後，被塗布体から剥離することによりフレキシブルデバ
イス基板とするものであって，甲１発明１において，シランカップリング剤の適量
の添加使用により被塗布体に対する接着性を改善するとしても，被塗布体からの剥
離性につき許容される範囲内で行うことを前提とするものであるから，甲１発明１
において，ガラス基板又はシリコンウエハなどの被塗布体に対する接着性向上を意
図して，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキ
シシランなどのシランカップリング剤などのアルコキシシラン化合物をポリイミド
前駆体（樹脂分）に対して，「０．１質量％以上，３質量％以下」なる範囲のうち
の０．２～２質量％の範囲で添加使用することは，当業者が適宜なし得ることであ
る。
また，本件発明２で使用されるアルコキシシラン化合物のうち，３－ウレイドプ
ロピルトリエトキシシラン及び３－グリシドキシプロピルトリメトキシシランは，
いずれもγ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキ
シシランなどと同様に汎用のシランカップリング剤であり，その点につき，本件明
細書の発明の詳細な説明の記載を参酌しても，本件発明２に係るいずれかのアルコ
キシシラン化合物を使用した場合に，他のアルコキシシラン化合物を使用した場合
に比して特異な効果を奏するものとは認識することができず，本件発明２において，
上記特定のアルコキシシラン化合物を使用することにより，特有の効果を奏してい
るものとも認められない。
したがって，相違点３は，当業者が適宜なし得ることである。
(ｳ)本件発明２の効果について
本件発明２において，特定のアルコキシシラン化合物を使用することにより，特
有の効果を奏しているものとも認められず，その余については，前記(2)ウ(ｳ)で示
した本件発明１に係る効果と同様であるから，本件発明２の効果についても，甲１
発明１のものに比して，当業者が予期し得ない程度の格別顕著なものということは
できない。
ウ以上から，本件発明２は，甲１発明１に基づいて，当業者が容易に発明
をすることができたものである。
(4)本件発明３について
ア本件発明３と甲１発明１の一致点及び相違点
(ｱ)一致点
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｃ）有機溶
剤と，を含有する樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１１】
（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は下記式（７）
で表される４価の有機基を示す。）
【化１３】
(ｲ)相違点１ａ
本件発明３では「（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－
ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピル
トリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピ
ルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエ
チルトリエトキシシラン，γ－アミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチ
ルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチ
ルトリエトキシシラン，γ－アミノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチル
トリプロポキシシラン，及びγ－アミノブチルトリブトキシシランからなる群から
選択される１以上のアルコキシシラン化合物と，・・・を含有し，前記（ｂ）成分
の含有量が前記（ａ）成分に対して「０．２～２質量％である」のに対して，甲１
発明１では「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有すること及びその含有量につ
き特定されていない点
(ｳ)相違点２ｂ
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明３では「シリコン基板
又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹
脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するととも
に「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
イ検討
(ｱ)相違点２ｂについて
相違点２ｂに係る事項は，相違点２に係る事項と同一であるから，前記(2)ウ(ｱ)
で説示した理由と同一の理由により，相違点２ｂは，実質的な相違点であるとはい
えないか，甲１発明１において当業者が適宜なし得ることである。
(ｲ)相違点１ａについて
相違点１ａに係る事項は，相違点１に係る事項と同一であるから，前記(2)ウ(ｲ)
で説示した理由と同一の理由により，相違点１ａは，甲１発明１において当業者が
適宜なし得ることである。
(ｳ)本件発明３の効果について
本件発明３の効果につき本件明細書の発明の詳細な説明の記載に基づき検討して
も，前記(2)ウ(ｳ)で検討した本件発明１のものに比して特異な効果を奏するものと
はいえないから，本件発明３の効果についても，前記(2)ウ(ｳ)で説示した理由と同
一の理由により，甲１発明１のものに比して，当業者が予期し得ない程度の格別顕
著なものということはできない。
ウ以上から，本件発明３は，甲１発明１に基づいて，当業者が容易に発明
をすることができたものである。
(5)本件発明４について
ア本件発明４と甲１発明１の一致点及び相違点
(ｱ)一致点
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｃ）有機溶
剤と，を含有する樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１１】
（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環を
有する４価の有機基を示す。）
(ｲ)相違点１ｂ
本件発明４では「（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－
ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピル
トリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピ
ルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエ
チルトリエトキシシラン，γ－アミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチ
ルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチ
ルトリエトキシシラン，γ－アミノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチル
トリプロポキシシラン，及びγ－アミノブチルトリブトキシシランからなる群から
選択される１以上のアルコキシシラン化合物と，・・・を含有し，前記（ｂ）成分
の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２～１質量％である」のに対して，甲１発
明１では「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有すること及びその含有量につき
特定されていない点
(ｳ)相違点２ｃ
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明４では「シリコン基板
又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹
脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するととも
に「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
イ検討
(ｱ)相違点２ｃについて
相違点２ｃに係る事項は，相違点２に係る事項と同一であるから，前記(2)ウ(ｱ)
で説示した理由と同一の理由により，相違点２ｃは，実質的な相違点であるとはい
えないか，甲１発明１において当業者が適宜なし得ることである。
(ｲ)相違点１ｂについて
相違点１ｂに係る事項は，相違点１に係る事項と同一であるから，前記(2)ウ(ｲ)
で説示した理由と同一の理由により，相違点１ｂは，甲１発明１において当業者が
適宜なし得ることである。
(ｳ)本件発明４の効果について
本件発明４の効果につき本件明細書の発明の詳細な説明の記載に基づき検討して
も，前記(2)ウ(ｳ)で検討した本件発明１のものに比して特異な効果を奏するものと
はいえないから，本件発明４の効果についても，前記(2)ウ(ｳ)で説示した理由と同
一の理由により，甲１発明１のものに比して，当業者が予期し得ない程度の格別顕
著なものということはできない。
ウ以上から，本件発明４は，甲１発明１に基づいて，当業者が容易に発明
をすることができたものである。
(6)本件発明６について
ア本件発明６と甲１発明１の一致点及び相違点について
(ｱ)一致点
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｃ）有機溶
剤と，を含有する樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１１】
（一般式（１）中，Ｒ１
は下記式（３）で表される２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香
族環を有する４価の有機基を示す。）
【化１６】
(ｲ)相違点１ｃ
本件発明６では「（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－
ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシ
プロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピル
トリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピ
ルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエ
チルトリエトキシシラン，γ－アミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチ
ルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチ
ルトリエトキシシラン，γ－アミノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチル
トリプロポキシシラン，及びγ－アミノブチルトリブトキシシランからなる群から
選択される１以上のアルコキシシラン化合物と，・・を含有し，前記（ｂ）成分の
含有量が前記（ａ）成分に対して「０．２～２質量％である」のに対して，甲１発
明１では「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有すること及びその含有量につき
特定されていない点
(ｳ)相違点２ｄ
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明６では「シリコン基板
又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹
脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するととも
に「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
イ検討
(ｱ)相違点２ｄについて
相違点２ｄに係る事項は，相違点２に係る事項と同一であるから，前記(2)ウ(ｱ)
で説示した理由と同一の理由により，相違点２ｄは，実質的な相違点であるとはい
えないか，甲１発明１において当業者が適宜なし得ることである。
(ｲ)相違点１ｃについて
相違点１ｃに係る事項は，相違点１に係る事項と同一であるから，前記(2)ウ(ｲ)
で説示した理由と同一の理由により，相違点１ｃは，甲１発明１において当業者が
適宜なし得ることである。
(ｳ)本件発明６の効果について
本件発明６の効果につき本件明細書の発明の詳細な説明の記載に基づき検討して
も，前記(2)ウ(ｳ)で検討した本件発明１のものに比して特異な効果を奏するものと
はいえないから，本件発明６の効果についても，前記(2)ウ(ｳ)で説示した理由と同
一の理由により，甲１発明１のものに比して，当業者が予期し得ない程度の格別顕
著なものということはできない。
ウ以上から，本件発明６は，甲１発明１に基づいて，当業者が容易に発明
をすることができたものである。
(7)本件発明１７について
ア本件発明１７と甲１発明１の一致点及び相違点
(ｱ)一致点
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｃ）有機溶
剤と，を含有する樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１１】
（一般式（１）中，Ｒ１
は下記式（３）で表される２価の有機基を示し，Ｒ２
は下記
式（７）で表される４価の有機基を示す。）
【化１８】
(ｲ)相違点１ｄ
本件発明１７では「（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２
－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピ
ルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロ
ピルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノ
エチルトリエトキシシラン，γ－アミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエ
チルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブ
チルトリエトキシシラン，γ－アミノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチ
ルトリプロポキシシラン，及びγ－アミノブチルトリブトキシシランからなる群か
ら選択される１以上のアルコキシシラン化合物と，・・・を含有し，前記（ｂ）成
分の含有量が前記（ａ）成分に対して「０．２～２質量％である」のに対して，甲
１発明１では「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有すること及びその含有量に
つき特定されていない点
(ｳ)相違点２ｅ
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明１７では「シリコン基
板又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド
樹脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するとと
もに「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
イ検討
(ｱ)相違点２ｅについて
相違点２ｅに係る事項は，相違点２に係る事項と同一であるから，前記(2)ウ(ｱ)
で説示した理由と同一の理由により，相違点２ｅは，実質的な相違点であるとはい
えないか，甲１発明１において当業者が適宜なし得ることである。
(ｲ)相違点１ｄについて
相違点１ｄに係る事項は，相違点１に係る事項と同一であるから，前記(2)ウ(ｲ)
で説示した理由と同一の理由により，相違点１ｄは，甲１発明１において当業者が
適宜なし得ることである。
(ｳ)本件発明１７の効果について
本件発明１７の効果につき本件明細書の発明の詳細な説明の記載に基づき検討し
ても，前記(2)ウ(ｳ)検討した本件発明１のものに比して特異な効果を奏するものと
はいえないから，本件発明１７の効果についても，前記(2)ウ(ｳ)で説示した理由と
同一の理由により，甲１発明１のものに比して，当業者が予期し得ない程度の格別
顕著なものということはできない。
ウ以上によると，本件発明１７は，甲１発明１に基づいて，当業者が容易
に発明をすることができたものである。
(8)本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８について
ア本件発明１を引用する本件発明７，本件発明２を引用する本件発明９，
本件発明３を引用する本件発明１１，本件発明４を引用する本件発明１３，本件発
明６を引用する本件発明１５及び本件発明１７を引用する本件発明１８と甲１発明
２とをそれぞれ対比すると，本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８と甲１発
明２とは，下記の点でのみ相違し，その余で一致しているものと認められる。
相違点４
「樹脂組成物」につき，本件発明７では「請求項１に記載された樹脂組成物」，本
件発明９では「請求項２に記載された樹脂組成物」，本件発明１１では「請求項３
に記載された樹脂組成物」，本件発明１３では「請求項４に記載された樹脂組成物」，
本件発明１５では「請求項６に記載された樹脂組成物」及び本件発明１８では「請
求項１７に記載された樹脂組成物」であるのに対して，甲１発明２では「甲１発明
１のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物」である点
イ検討
本件発明１～４，６及び１７は，前記(2)～(7)でそれぞれ説示した理由により，
甲１発明１に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，
相違点４についても，甲１発明２において，当業者が適宜なし得ることである。
ウ以上から，本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８は，いずれも，
甲１発明２に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
(9)本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９について
ア本件発明７を引用する本件発明８，本件発明９を引用する本件発明１０，
本件発明１１を引用する本件発明１２，本件発明１３を引用する本件発明１４，本
件発明１５を引用する本件発明１６及び本件発明１８を引用する本件発明１９と甲
１発明３とをそれぞれ対比すると，本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９
と甲１発明３とは，下記の点でのみ相違し，その余で一致しているものと認められ
る。
相違点５
本件発明８では「請求項７に記載のポリイミド樹脂膜」，本件発明１０では「請
求項９に記載のポリイミド樹脂膜」，本件発明１２では「請求項１１に記載のポリ
イミド樹脂膜」，本件発明１４では「請求項１３に記載のポリイミド樹脂膜」，本
件発明１６では「請求項１５に記載のポリイミド樹脂膜」及び本件発明１９では「請
求項１８に記載のポリイミド樹脂膜」であるのに対して，甲１発明３では「甲１発
明２の固体状のポリイミド樹脂膜」である点
イ検討
本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８は，いずれも，前記(8)でそれぞれ説
示した理由により，甲１発明２に基づいて，当業者が容易に発明をすることができ
たものであるから，同様に，相違点５についても，甲１発明３において，当業者が
適宜なし得ることである。
ウ以上から，本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９は，いずれも，
甲１発明３に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
第３原告が主張する審決取消事由
１取消事由１－１（本件発明１について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)ポリアミド酸の構造の相違について
ア本件決定は，本件発明１と甲１発明１の対比において，ポリアミド酸の
構造の相違を看過している。
すなわち，本件発明１におけるポリアミド酸は，下記の一般式（１）（以下，「本
件一般式（１）」という。）で表される構造単位を有するものであり，当該構造単位
では，４価の有機基Ｒ２
に二のカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）が結合し，かつ，Ｒ１
及びＲ２
が芳香族環を有する有機基である。
「
（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環を
有する４価の有機基を示す。）」
一方，甲１発明１を構成するポリイミド前駆体は，下記の一般式（１）（以下，「甲
１一般式（１）」という。）で表される構造を有する。
「
（一般式（１）中，Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し，・・・Ｒ２は
から選択される四価の有機基であり，・・・」
甲１一般式（１）に表されるように，甲１発明１におけるポリアミド酸では，４
価の有機基Ｒ２に二の「－ＣＯＯＲ」が結合しているが，二の「－ＣＯＯＲ」の両方
がカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）である構造に特定されていない。また，４価の有
機基Ｒ２は芳香族環を有するものに特定されていないし，その選択肢のうちの二つ
は，芳香族環を有するものではない。
少なくとも，甲１発明１では，ポリイミド前駆体の構造単位が，４価の有機基Ｒ
２に結合した二のカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）と，芳香族環を有する４価の有機基
Ｒ２との組み合わせを含むものに特定されていない。
イ被告は，甲１には，甲１発明１式（１）において，Ｒ２として４価の芳香
族基を有し，Ｒとして水素原子を有する構造を有するポリイミド前駆体であるポリ
アミド酸が具体的に記載されているものといえ，本件発明１における「二のカルボ
キシル基を有する・・・ポリアミド酸」と実質的に相違するものではないと主張す
る。
しかし，本件決定で認定されているのは，あくまで甲１発明１であり，甲１一般
式（１）に上記のポリイミド前駆体であるポリアミド酸も記載されているか否かは，
本件発明１と甲１発明１とが相違するか否かとは関係がない。被告は，本件発明１
と甲１発明１とを対比せずに，別の発明とを対比しており，失当である。
(2)本件発明の技術的意義
ア本件発明が解決する技術的な課題は，「良好な機械特性及び耐熱性」を
有するのと同時に，「支持体と十分な密着性」を有し，かつ，「物理的な方法で綺
麗に剥離すること」が可能なポリイミド樹脂膜を形成することが可能な樹脂組成物
を提供することであり（段落【０００７】），本件発明における「良好な剥離性」
とは，「支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，物理的な方法で綺麗に剥離
することが可能」なことをいい，「十分な密着性」とは，「良好な剥離性」を損な
わない範囲での「十分な密着性」のことをいう。
イ本件特許の発明の詳細な説明によると，ポリイミド前駆体溶液自体から
得られるポリイミド樹脂膜には，機械特性及び耐熱性があるが密着性はなく，また，
ポリイミド前駆体及びそれに対しアルコキシシラン化合物を２質量％より多く含有
する溶液から得られるポリイミド樹脂膜は，機械特性，耐熱性及び剥離性に劣るも
のである。そのような中で，本件発明は，発明者が，「従来の使用方法に反し，（ａ）
ポリイミド前駆体に，シランカップリング剤の中でも特定の（ｂ）アルコキシシラ
ン化合物を少量配合することで，適度な密着強度を発現することを見出し」（段落
【０００８】）て完成されたものである。
本件優先日当時の技術水準として，単に接着性が向上したポリイミド樹脂膜を得
るだけであれば，当業者は，各種のカップリング剤を配合する方法のほか，例えば，
「無機層（支持体）とプラスチック基板であるポリイミド層との間にシランカップ
リング層を設ける」（本件明細書の段落【０００６】），モノカルボン酸化合物の
添加（甲２３，１頁【要約】），有機ジルコニウム化合物の添加（甲２４，１頁【要
約】）のような種々の手法を選択することが可能であった。しかし，本件発明では，
単に接着性向上のためではなく，「良好な機械特性及び耐熱性」を有するのと同時
に，「支持体と十分な密着性」を有し，かつ，「物理的な方法で綺麗に剥離するこ
と」が可能なポリイミド樹脂膜を形成することが可能な樹脂組成物を提供するとい
う課題を解決するために，二のカルボキシル基を有する本件一般式（１）で表され
る構造単位を有するポリアミド酸に，「３－ウレイドプロピルトリエトキシシラ
ン・・・からなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物」を上記のポ
リアミド酸に対して「０．２～２質量％」の含有量で組み合わせることによって，
上記の課題を同時に解決したものであり（段落【００１４】，【００２６】），両
者は一体不可分の技術的手段である。
ウ(ｱ)被告は，ＴＦＴを形成する際等に必要な耐熱性及び寸法安定性（並び
にディスプレイ基板として適当な機械的特性）は，パリレンを含むプラスチック層
で達成されているとともに，ポリイミド層でも達成されていると主張する。
しかし，本件特許の発明の詳細な説明の段落【０００４】及び【０００６】には，
そのような記載はなく，かえって，これらの段落には，パリレンを含むプラスチッ
ク層の形成はプロセスが煩雑であるという問題があり，「プラスチック基板をレー
ザーにより剥離する必要があったため，エキシマレーザー装置などが必要であった」
ので，「無機層（支持体）とプラスチック基板であるポリイミド層との間にシラン
カップリング層を設ける方法が提案され」，その「方法では，剥離工程においてレ
ーザーを必要とせず，物理的に支持体からポリイミド樹脂膜を剥離する」ことが記
載されている。
(ｲ)被告は，本件発明１記載のアルコキシシラン化合物の含有量が２質
量％を超える多量に使用すると，ポリイミド前駆体量の相対的な減少により，耐熱
性及び機械特性に優れるとの効果が低下する傾向にあることをいうものと理解する
のが自然であると主張する。
しかし，本件特許明細書の記載からは，本件発明１記載のアルコキシシラン化合
物を使用することで，耐熱性及び機械特性が低下する傾向にあることは読み取れな
いし，被告の同主張の当否は，本件発明が所期の目的（段落【０００７】）を達成
し，所期の効果（段落【００１１】）を奏していることとは全く関係がない。
(3)以上によると，本件発明１と甲１発明１の正しい一致点及び相違点は次の
とおりとなる。
ア一致点
（ａ）ポリアミド酸と，（ｃ）有機溶剤と，を含有する樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
イ相違点１’
本件発明１では，（ａ）二のカルボキシル基を有する「一般式（１）で表される構
造単位（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香
族環を有する４価の基を示す）を有するポリアミド酸」に，「（ｂ）３－ウレイドプ
ロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピル
トリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニルト
リメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピル
トリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロ
ピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－アミノエチ
ルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチ
ルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミノブチル
トリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－アミノブ
チルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合
物」を組み合わせ，その上で「前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して
０．２～２質量％である」としているのに対して，甲１発明１では，ポリイミド前
駆体の構造単位が，４価の有機基Ｒ２に結合した二のカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）
と，芳香族環を有する４価の有機基Ｒ２との組み合わせを含むものに特定されてお
らず，さらに「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有すること及びその含有量につ
き特定されていない点
ウ相違点２
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明１では「シリコン基板
又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹
脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するととも
に「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
(4)以上のとおり，本件発明１と甲１発明１の一致点及び相違点に関する本
件決定の認定には誤りがある。
２取消事由１－２（本件発明１について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点１’について
ア本件発明１は，「良好な機械特性及び耐熱性」を有するのと同時に，「支
持体と十分な密着性」を有し，かつ，「物理的な方法で綺麗に剥離すること」が可
能なポリイミド樹脂膜を形成することが可能な樹脂組成物を提供するという課題を
解決するものである。
これに対し，甲１には，シランカップリング剤の作用として「被塗布体との接着
性向上」が言及されているにすぎない（段落【００１９】）。また，当該シランカ
ップリング剤も添加剤の一種であるが，添加剤がポリイミドの熱的及び機械的特性
に影響する（低下させる）のは当業者の技術常識である（甲３０〔山田保治他「添
加剤によるポリイミドの低誘電率化」高分子論文集Vol.54，No.9，pp.537-543，１
９９７年９月〕）。
甲１には，「ポリイミド樹脂膜は，高い靭性を有するので，キャリア基板（支持
体）と単に物理的に剥離することも可能」（段落【００２２】）とされているが，
添加剤である当該シランカップリング剤は，被塗布体との接着性を向上させる一方，
技術常識（甲３０）を有する当業者には「靭性」を低下させるものと推論されるの
で，当業者は，甲１発明１にカップリング剤を添加すると，「耐熱性，低熱膨張，
靭性に優れ，きれいに剥離できる」というポリイミド膜の物性は維持されない（低
下する）と推論する。
そうすると，甲１一般式（１）で表される構造を有するポリイミド前駆体のうち，
特にＲが水素原子，Ｒ２が芳香族環を有する４価の有機基であるものを採用した場
合において，「良好な機械特性及び耐熱性」を有するのと同時に，「支持体と十分
な密着性」を有し，かつ，「物理的な方法で綺麗に剥離すること」が可能なポリイ
ミド樹脂膜を形成することが可能な樹脂組成物を提供しようとする当業者が，甲１
の段落【００１９】に記載されたシランカップリング剤に着目することはない。
また，当該カップリング剤に着目し得たとしても，甲１には，単にカップリング
剤が列挙されているだけで，耐熱性，低熱膨張，靭性に優れ，きれいに剥離できる
というポリイミド樹脂膜の物性が維持され，さらに，被塗布体との接着性を向上さ
せるカップリング剤がどれであるのか，その質量％がどのくらいの範囲にあればこ
れらの特性が同時に両立できるのかについて全く記載がないのであるから，当業者
には，好適なシランカップリング剤の採用やその添加量の設定を行う動機も全くな
い。
被告は，甲２（特公平６－５１８０３号公報）及び甲３（特開２００５－６８３
４７号公報）に基づいて，「添加剤が一般に（ポリイミドの）熱的及び機械的特性
を低下させることが技術常識である」とはいえないと主張する。
しかし，添加剤が「一つ又はそれ以上の性質を改良又は改質するために重合体に
添加するいずれかの物質狭義では，用語の添加剤は少量添加する成分のみを含む」
（甲３１）ものであり，「ブロッキング防止剤，消泡剤，着色剤，カップリング剤，
硬化剤，難燃剤，熱安定化剤，表面滑剤，滑剤，離型剤，芳香剤，可塑剤，紫外線
安定化剤，ウレタン触媒，そして粘度調節剤など」（甲３２）であって，「物性を
改善するためあるいはコスト低減のためにポリマーシステムに添加する固体として
分類」（甲３２）され，「強さ，耐久性，作業特性又はその他の性質を改質するた
め，又は価格を引き下げるためにプラスチックに加える比較的不活性な固体材料」
（甲３１）である「充てん材」とは異なるものであることは，本件優先日当時，当
業者の技術常識である。
しかも，甲２及び甲３並びに甲４（特表２０１１－５１４２６６号公報），甲５
（特開２０１１－２２５６７５号公報）及び甲６（特開２０１１－４６９１８号公
報）を参照しても，フレキシブルデバイス基板それ自体に用いるポリイミドに充て
ん材を添加することが当業界において通常行われていたようにはみえない。
そうすると，甲１の記載に接した当業者は，甲１でいう「添加剤」とは，「少量
添加する」「一つ又はそれ以上の性質を改良又は改質するために重合体に添加する
いずれかの物質」であり，充てん材とは異なるものであると理解する。
そして，甲２に記載された金属酸化物及び甲３に記載された最大粒径が１００ｎ
ｍ以下のシリカは，甲１でいう「添加剤」ではない。
かえって，甲３０には，添加剤の増加に伴ってポリイミドの平均分子量が低下す
ることや添加剤分子の構造（剛直性）に起因して，添加剤がポリイミドの熱的，機
械的特性を低下させていることが記載されており，甲３２に挙げられた添加剤は総
じてポリイミドと比べて耐熱性及び剛直性の小さい有機物が主であるので，甲３０
からは，添加剤が一般にポリイミドの熱的及び機械的特性を低下させることが技術
常識であることは十分にうかがわれる。
イ本件決定が認定する相違点１が存在するとしても，上記アと同様の理由
により，当業者が適宜なし得たこととはいえない。
(2)相違点２について
ア本件発明１でいう「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド膜」と甲１
発明１の固体状の樹脂膜は，そもそも樹脂組成物の組成自体が相違している（相違
点１’）以上，当然相違する。
イ甲１発明１の被塗布体である「キャリア基板」は，「自立性を持つ硬質
なものであって，耐熱性があれば良い。つまり製造工程上必要とされる高温にさら
されても変形しない素材を用いていれば良い。」（段落【００２１】）というもの
であるが，上位概念である甲１発明の「キャリア基板」は，本件発明１でいう下位
概念の「シリコン基板又はガラス基板」には当然相当しない。
また，添加剤がポリイミドの熱的特性に影響する（低下させる）のは当業者の技
術常識である（甲３０）から，当業者は，甲１に添加することができるとされた添
加剤の一つであるシランカップリング剤もポリイミド樹脂のフィルムの熱膨張率に
影響すると当然推論する。
しかし，甲１には，甲１一般式（１）で表される構造を有するポリイミド前駆体
のうち，特にＲが水素原子，Ｒ２
が芳香族環を有する４価の有機基であるものを採用
し，シランカップリング剤を添加した場合の被塗布体である「キャリア基板」とし
て「シリコン基板又はガラス基板」を採用することは記載されておらず，この場合
に，被塗布体である「キャリア基板」として「シリコン基板又はガラス基板」を使
用することが本件優先日当時，当業者に知られていたこともうかがわれない。
ウ甲１には，ポリイミド樹脂膜の厚さについて，「１～２０μｍであるこ
とが望ましい。これは，厚さが１μｍに満たない場合にポリイミドフィルムが十分
な耐性を保持できず」（段落【００２０】）と記載されているが，添加剤がポリイ
ミドの機械的特性に影響する（低下させる）のは当業者の技術常識である（甲３０）
から，当業者は，甲１に添加することができるとされた添加剤の一つであるシラン
カップリング剤もポリイミド樹脂のフィルムの耐性に影響すると当然推論する。
しかし，甲１には，甲１一般式（１）で表される構造を有するポリイミド前駆体
のうち，特にＲが水素原子，Ｒ２
が芳香族環を有する４価の有機基であるものを採用
し，シランカップリング剤を添加した場合のポリイミドフィルムの膜厚は記載され
ておらず，この場合の当該膜厚が本件優先日当時，当業者に知られていたこともう
かがわれない。
そうすると，被塗布体であるキャリア基板として「シリコン基板又はガラス基板」
を用い，ポリイミド樹脂膜の厚さを１～５０μｍとすることは，当業者が想到し得
ないことである。
エ被告は，甲１の段落【００２１】【００２０】【００３２】の記載を
摘記して，甲１の「ガラス基板」と本件発明１における「基板」とが相違するもの
と解することはできず，甲１に記載されたポリイミド樹脂膜の膜厚が，本件発明１
のポリイミド樹脂膜の膜厚と相違するものとも解することはできないと主張するが，
この主張の当否は，本件発明１と「液状の樹脂組成物をキャリア基板上に塗布製膜
して・・・前記キャリア基板から剥離する工程，・・・樹脂組成物。」と本件決定
で認定された甲１発明１との相違点２が本件優先日当時，当業者に容易想到であっ
たか否かとは関係がない。ここでも被告は，本件発明１と甲１発明１とを対比せず
に，それとは別の発明とを対比している。
(3)本件発明の効果について
ア本件発明１と甲１発明１の効果を比較すると，本件発明の効果（本件明
細書の段落【００１１】）は，少なくとも「支持体と十分な密着性を有」するとい
う点で，甲１発明１の効果（甲１の段落【０００９】）よりも顕著に優れている。
イ甲１には，「被塗布体との接着性向上のため，シランカップリング剤，
チタンカップリング剤等のカップリング剤を添加することができる」（段落【００
１９】）とあるものの，添加剤がポリイミドの熱的及び機械的特性に影響する（低
下させる）のは当業者の技術常識である（甲３０）から，仮に，添加剤の一つであ
るシランカップリング剤を添加し得たならば，当業者は，甲１発明１のポリイミド
樹脂膜の熱的及び機械的特性（熱膨張率，破断点応力，弾性率，伸び）は低下する
と予測する。
また，ポリイミド樹脂膜をキャリア基板（支持体）から単に物理的に剥離するこ
とを可能とするのは「高い靭性」であるから（甲１の段落【００２２】），仮に，
添加剤の一つであるシランカップリング剤を添加し得たならば，技術常識（甲３０）
を有する当業者は，甲１発明１のポリイミド樹脂膜の靭性は低下し，単に物理的に
剥離するのがより困難になると予測する。
これに対し，本件一般式（１）を有するポリアミド酸と，特定のアルコキシシラ
ン化合物とを組み合わせ，アルコキシシラン化合物の含有量を「０．２～２質量％」
とした構成を含む本件発明１は，支持体と十分な密着性を有するばかりでなく，当
業者の予測に反し，「支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，物理的な方法
で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）」であり，さらに「機械特性及び耐
熱性に優れ」ているのである。「支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，物
理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）」であるとの点は，甲１
発明に対して技術的優位性を有する事項である。したがって，本件発明１の効果は
甲１の記載から予測し得るものではない。
甲１には，甲１発明１の課題を解決し，所期の効果を奏し，さらに被塗布体との
密着性を向上させるカップリング剤がどれであるのか，その質量％がどのくらいの
範囲にあればこれらの特性が同時に両立できるのかについて全く記載がない。
(4)本件決定の判断について
ア本件決定は，本件発明における「密着性」と「剥離性」とは独立した物
性ではなく，相互に関連し，少なくとも相反する傾向を示す又は負の相関関係を有
する物性であると解するのが自然であるとしている。
しかし，本件発明の課題ないし効果の一つは，「支持体と十分な密着性を有し，
かつ，支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，物理的な方法で綺麗に剥離す
ることが可能（剥離性が良好）」（段落【０００７】，【００１１】）というもの
であり，本件発明における「良好な剥離性」とは「支持体から剥離する際にレーザ
ーを用いずに，物理的な方法で綺麗に剥離することが可能」なことをいい，「十分
な密着性」とは，「良好な剥離性」を損なわない範囲での「十分な密着性」のこと
であるから，「密着性」自体と「剥離性」自体とが「独立した物性ではなく，相互
に関連し，少なくとも相反する傾向を示す又は負の相関関係を有する物性である」
か否かを論じる意味は全くない。
イ本件決定では，「被塗布体との接着性向上のため」とは，「回路等の形
成過程における被塗布体であるキャリア基板とポリイミド膜との接着性（密着性）
を向上させるため」ということを意味するものと解するのが自然であるとしている。
しかし，添加剤がポリイミドの熱的及び機械的特性に影響する（低下させる）の
は当業者の技術常識であって（甲３０），シランカップリング剤の添加によって，
「被塗布体との接着性」が「向上」されて高すぎるものとなると同時に，密着性及
び物理的剥離にも影響を与えるポリイミド膜の耐熱性及び機械的特性は低下するこ
とが当業者に自明であるから，「被塗布体との接着性向上のため」とは，「回路等
の形成過程における被塗布体であるキャリア基板とポリイミド膜との接着性（密着
性）を向上させるため」ということを意味するものと解することはできない。
したがって，本件決定の判断には誤りがある。
ウ本件決定は，「シランカップリング剤を添加することにより，加熱処理
後の樹脂膜が熱膨張しやすくなること及び加熱処理後の樹脂膜においてシランカッ
プリング剤が異物として作用し破断しやすくなることを想起し得る当業者の技術常
識が存するものとは認められず」としているが，構成の容易想到性に関しては審判
合議体が立証責任を負うところ，本件決定には，「更にシランカップリング剤を添
加することにより，加熱処理後の樹脂膜が熱膨張」しないし，「加熱処理後の樹脂
膜においてシランカップリング剤が異物として作用」せず「破断」もしないと当業
者が推論する根拠となる「当業者の技術常識」は全く示されていない。
そして，「更にシランカップリング剤を添加することにより，加熱処理後の樹脂
膜が熱膨張しやすくなること及び加熱処理後の樹脂膜においてシランカップリング
剤が異物として作用し破断しやすくなることを想起し得る当業者の技術常識」とし
て，「添加剤がポリイミドの熱的及び機械的特性に影響する（低下させる）」とい
う技術常識（甲３０）が存在するから，本件決定の認定には誤りがある。
(5)以上のとおり，本件発明１が甲１に記載された発明に基づいて，当業者が
容易に発明をすることができたものであるとした本件決定の判断は誤りである。
３取消事由２－１（本件発明２について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)本件決定は，本件発明２と甲１発明１の対比において，前記１(1)と同一
の理由から，ポリアミド酸の構造の相違を看過している。
(2)本件発明２と甲１発明１の正しい一致点及び相違点は次のとおりである。
ア一致点
（ａ）ポリアミド酸と，（ｃ）有機溶剤と，を含有する樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
イ相違点３’
本件発明２では，「（ａ）一般式（１）で表される構造単位（一般式（１）中，
Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環を有する４価の基を示
す）を有する）ポリアミド酸」に，「（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシ
ラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，
３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン及びフェニルトリメトキシシランか
らなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物」を組み合わせ，その上
で「前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２～２質量％である」
としているのに対して，甲１発明１では，ポリイミド前駆体の構造単位が，４価の
有機基Ｒ２に結合した二のカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）と，芳香族環を有する４価
の有機基Ｒ２との組み合わせを含むものに特定されておらず，さらに「（ｂ）アルコ
キシシラン化合物」を含有すること及びその含有量につき特定されていない点
ウ相違点２ａ
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明２では「シリコン基板
又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹
脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するととも
に「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
(3)以上のとおり，本件発明２と甲１発明１の一致点及び相違点に関する本
件決定の認定には誤りがある。
４取消事由２－２（本件発明２について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点３’について
ア相違点１’に関して前記２(1)で述べたところは，相違点３’についても
いうことができるが，さらに，甲１には，シランカップリング剤として，「（ｂ）
３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，・・・選択される１以上のアルコキシ
シラン化合物」自体記載されておらず，その示唆もない。
また，甲２～６を参照しても，甲１一般式（１）で表される構造を有するポリイ
ミド前駆体のうち，特にＲが水素原子，Ｒ２が芳香族環を有する４価の有機基である
ものを採用した場合において，「良好な機械特性及び耐熱性」を有するのと同時に，
「支持体と十分な密着性」を有し，かつ，「物理的な方法で綺麗に剥離すること」
が可能なポリイミド樹脂膜を形成するために，本件発明２記載のアルコキシシラン
化合物を使用することが，本件優先日当時，当業者に知られていたことはうかがわ
れないし，甲１に記載されたカップリング剤に求められている機能，作用と，甲２
～６に記載された「３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，・・・フェニルト
リメトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物」の
機能，作用とは異なっている。
したがって，甲１発明１に，甲１の段落【００１９】に列挙されたシランカップ
リング剤ではなく，「（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，・・・フ
ェニルトリメトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化
合物」を添加する動機付けはない。
イ本件決定が認定する相違点１が存在するとしても，上記アと同様の理由
により，当業者が適宜なし得たこととはいえない。
(2)相違点２ａについて
前記２(2)のとおり，被塗布体であるキャリア基板として「シリコン基板又はガラ
ス基板」を用い，ポリイミド樹脂膜の厚さを１～５０μｍとすることは，当業者が
想到し得ないことである。
(3)本件発明２の効果について
前記２(3)のとおり，本件発明２は，「ＴＦＴなどの半導体素子を形成する際に，
支持体と十分な密着性を有し，かつ，支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，
物理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）なポリイミド樹脂膜（プ
ラスチック基板）を形成することが可能な樹脂組成物」であって，「半導体素子を
形成する際に，高温に曝されても，熱膨張が小さいポリイミド樹脂膜を形成するこ
とが可能な樹脂組成物を提供することができる」（段落【００１１】）し，本件発
明の「樹脂組成物を用いたポリイミド樹脂膜は，機械特性及び耐熱性に優れ」（段
落【００１１】）ているという顕著な効果を奏するものである。
そして，前記２(3)と同一の理由から，本件発明２の効果は甲１の記載から予測し
得るものではない。
被告は，他のアルコキシシラン化合物を使用した場合に比して本件発明２の特定
のアルコキシシラン化合物を使用することにより，特有の効果を奏することが確認
できないと主張するが，本件発明２の効果と対比すべきはあくまで甲１発明１の効
果であるから，被告の上記主張は，本件発明２が甲１発明１と比較して顕著で予測
し得ない効果を奏しているか否かとは関係がない。
(4)以上のとおり，本件発明２が甲１に記載された発明に基づいて，当業者が
容易に発明をすることができたものであるとした本件決定の判断は誤りである。
５取消事由３－１（本件発明３について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)本件決定は，本件発明３と甲１発明１の対比において，ポリアミド酸の構
造の相違を看過している。甲１一般式（１）において，Ｒ２は本件発明３における式
（７）で表される４価の有機基には特定されていない。また，二の「－ＣＯＯＲ」
の両方がカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）である構造も特定されていない。少なくと
も，甲１発明１では，ポリイミド前駆体の構造単位が，４価の有機基Ｒ２に結合した
二のカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）と，本件発明３の式（７）で表される４価の有
機基Ｒ２との組み合わせを含むものに特定されていない。
そして，本件発明３における，「一般式（１）で表される構造単位を有するポリ
アミド酸」に，「３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン・・・からなる群から
選択される１以上のアルコキシシラン化合物」を上記のポリアミド酸に対して「０．
２～２質量％」の含有量で組み合わせることは，一体不可分の技術的手段である。
被告は，甲１には，甲１発明１式（１）において，Ｒ２として４価の芳香族基を有
し，Ｒとして水素原子を有する構造を有するポリイミド前駆体であるポリアミド酸
が具体的に記載されているものといえ，本件発明３における「二のカルボキシル基
を有する・・・ポリアミド酸」と実質的に相違するものではないと主張するが，本
件決定で認定されているのは，あくまで甲１発明１であり，甲１発明１式（１）に
上記のポリイミド前駆体であるポリアミド酸も記載されているか否かは，本件発明
３と甲１発明１とが相違するか否かとは関係がない。被告は，本件発明３と甲１発
明１とを対比せずに，別の発明とを対比しており，失当である。
(2)そうすると，本件発明３と甲１発明１の正しい一致点及び相違点は，次の
とおりとなる。
ア一致点
（ａ）ポリアミド酸と，（ｃ）有機溶剤と，を含有する樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
イ相違点１ａ’
本件発明３では，「（ａ）二のカルボキシル基を有する一般式（１）で表される
構造単位（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は式
（７）で表される４価の基を示す）を有する）ポリアミド酸」に，「（ｂ）３－ウ
レイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノ
プロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フ
ェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノ
プロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミ
ノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－
アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシ
ラン化合物」を組み合わせ，その上で「前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分
に対して０．２～２質量％である」としているのに対して，甲１発明１では，ポリ
イミド前駆体の構造単位が，４価の有機基Ｒ２に結合した二のカルボキシル基（－Ｃ
ＯＯＨ）と，本件発明３の式（７）で表される４価の有機基Ｒ２との組み合わせを含
むものに特定されておらず，さらに「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有する
こと及びその含有量につき特定されていない点
ウ相違点２ｂ
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明３では「シリコン基板
又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹
脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するととも
に「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
(3)以上のとおり，本件発明３と甲１発明１の一致点及び相違点に関する本
件決定の認定には誤りがある。
６取消事由３－２（本件発明３について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点１ａ’について
前記２(1)と同一の理由から，甲１発明１において，相違点１ａ’に係る本件発明
３の構成に想到することは，当業者が適宜なし得たこととはいえない。
本件決定が認定する相違点１ａが存在するとしても，同様に，当業者が適宜なし
得たこととはいえない。
(2)相違点２ｂについて
前記２(2)のとおり，被塗布体であるキャリア基板として「シリコン基板又はガラ
ス基板」を用い，ポリイミド樹脂膜の厚さを１～５０μｍとすることは，当業者が
想到し得ないことである。
(3)本件発明３の効果について
前記２(3)のとおり，本件発明３は，「ＴＦＴなどの半導体素子を形成する際に，
支持体と十分な密着性を有し，かつ，支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，
物理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）なポリイミド樹脂膜（プ
ラスチック基板）を形成することが可能な樹脂組成物」であって，「半導体素子を
形成する際に，高温に曝されても，熱膨張が小さいポリイミド樹脂膜を形成するこ
とが可能な樹脂組成物を提供することができる」（段落【００１１】）し，本件発
明の「樹脂組成物を用いたポリイミド樹脂膜は，機械特性及び耐熱性に優れ」（段
落【００１１】）ているという顕著な効果を奏するものである。
そして，前記２(3)と同一の理由から，本件発明３の効果は甲１の記載から予測し
得るものではない。
(4)以上のとおり，本件発明３が甲１発明１に基づいて，当業者が容易に発明
をすることができたものであるとした本件決定の判断は誤りである。
７取消事由４－１（本件発明４について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)本件決定は，本件発明４と甲１発明１の対比において，前記２(1)と同一
の理由から，ポリアミド酸の構造の相違を看過している。
(2)本件発明４と甲１発明１の正しい一致点及び相違点は，次のとおりであ
る。
ア一致点
（ａ）ポリアミド酸と，（ｃ）有機溶剤と，を含有する樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
イ相違点１ｂ’
本件発明４では，「（ａ）二のカルボキシル基を有する一般式（１）で表される
構造単位（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳
香族環を有する４価の基を示す）を有する）ポリアミド酸」に，「（ｂ）３－ウレ
イドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプ
ロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フェ
ニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプ
ロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－アミ
ノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－アミ
ノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－アミ
ノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミノ
ブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－ア
ミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラ
ン化合物」を組み合わせ，その上で「前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に
対して０．２～１質量％である」としているのに対して，甲１発明１では，ポリイ
ミド前駆体の構造単位が，４価の有機基Ｒ２に結合した二のカルボキシル基（－ＣＯ
ＯＨ）と，芳香族環を有する４価の有機基Ｒ２との組み合わせを含むものに特定され
ておらず，さらに「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有すること及びその含有
量につき特定されていない点
ウ相違点２ｃ
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明４では「シリコン基板
又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹
脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するととも
に「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
(3)以上のとおり，本件発明４と甲１発明１の一致点及び相違点に関する本
件決定の認定には誤りがある。
８取消事由４－２（本件発明４について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点１ｂ’について
前記２(1)と，アルコキシシラン化合物を「０．２～１質量％」に置き換えること
以外は同一の理由から，甲１発明１において，相違点１ｂ’に係る本件発明４の構
成に想到することは，当業者が適宜なし得たこととはいえない。
本件決定が認定する相違点１ｂが存在するとしても，同様に，当業者が適宜なし
得たこととはいえない。
(2)相違点２ｃについて
前記２(2)のとおり，被塗布体であるキャリア基板として「シリコン基板又はガラ
ス基板」を用い，ポリイミド樹脂膜の厚さを１～５０μｍとすることは，当業者が
想到し得ないことである。
(3)本件発明４の効果について
前記２(3)のとおり，本件発明４は，「ＴＦＴなどの半導体素子を形成する際に，
支持体と十分な密着性を有し，かつ，支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，
物理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）なポリイミド樹脂膜（プ
ラスチック基板）を形成することが可能な樹脂組成物」であって，「半導体素子を
形成する際に，高温に曝されても，熱膨張が小さいポリイミド樹脂膜を形成するこ
とが可能な樹脂組成物を提供することができる」（段落【００１１】）し，本件発
明の「樹脂組成物を用いたポリイミド樹脂膜は，機械特性及び耐熱性に優れ」（段
落【００１１】）ているという顕著な効果を奏するものである。
そして，前記２(3)と同一の理由から，本件発明４の効果は甲１の記載から予測し
得るものではない。
(4)以上のとおり，本件発明４が，甲１に記載された発明に基づいて，当業者
が容易に発明をすることができたものであるとした本件決定の判断は誤りである。
９取消事由５－１（本件発明６について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)ア本件決定は，本件発明６と甲１発明１の対比において，ポリアミド酸の
構造の相違を看過している。甲１一般式（１）において，Ｒ１は本件発明６における
式（３）で表される４価の有機基には特定されていない。また，二の「－ＣＯＯＲ」
の両方がカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）である構造も特定されていない。少なくと
も，甲１発明１では，ポリイミド前駆体の構造単位が，本件発明６の式（３）で表
される２価の有機基Ｒ１と，４価の有機基Ｒ２に結合した二のカルボキシル基（－Ｃ
ＯＯＨ）との組み合わせを含むものに特定されていない。
そして，本件発明６における，「（ａ）二のカルボキシル基を有する一般式（１）
で表される構造単位を有するポリアミド酸」に，「（ｂ）３－ウレイドプロピルト
リエトキシシラン・・・からなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合
物」を上記のポリアミド酸に対して「０．２～２質量％」の含有量で組み合わせる
ことは，一体不可分の技術的手段である。
また，本件決定は本件発明６における（ａ）成分の重量平均分子量の点も看過し
ている。
イ被告は，甲１には，甲１発明１式（１）において，Ｒ２として４価の芳香
族基を有し，Ｒとして水素原子を有する構造を有するポリイミド前駆体であるポリ
アミド酸が具体的に記載されているものといえ，本件発明６における「二のカルボ
キシル基を有する・・・ポリアミド酸」と実質的に相違するものではないと主張す
るが，本件決定で認定されているのは，あくまで甲１発明１であり，甲１発明１式
（１）に上記のポリイミド前駆体であるポリアミド酸も記載されているか否かは，
本件発明６と甲１発明１とが相違するか否かとは関係がない。被告は，本件発明６
と甲１発明１とを対比せずに，別の発明とを対比しており，失当である。
(2)そうすると，本件発明６と甲１発明１の正しい一致点及び相違点は次の
とおりとなる。
ア一致点
（ａ）ポリアミド酸と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，（ａ）成分の重量平均分
子量が１５，０００～２００，０００である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
イ相違点１ｃ’
本件発明６では，「（ａ）二のカルボキシル基を有する一般式（１）で表される
構造単位（一般式（１）中，Ｒ１
は式（３）で表される２価の有機基を示し，Ｒ２
は
芳香族環を有する４価の基を示す）を有する）ポリアミド酸」に，「（ｂ）３－ウ
レイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノ
プロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フ
ェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノ
プロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－ア
ミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミ
ノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－
アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシ
ラン化合物」を組み合わせ，その上で「前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分
に対して０．２～２質量％である」としているのに対して，甲１発明１では，ポリ
イミド前駆体の構造単位が，本件発明６の式（３）で表される２価の有機基Ｒ１と，
４価の有機基Ｒ２に結合した二のカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）との組み合わせを含
むものに特定されておらず，さらに「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有する
こと及びその含有量につき特定されていない点
ウ相違点２ｄ
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明６では「シリコン基板
又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹
脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するととも
に「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
(3)以上のとおり，本件発明６と甲１発明１の一致点及び相違点に関する本
件決定の認定には誤りがある。
１０取消事由５－２（本件発明６について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点１ｃ’について
前記２(1)と同一の理由から，甲１発明１において，相違点１ｃ’に係る本件発明
６の構成に想到することは，当業者が適宜なし得たこととはいえない。
本件決定が認定する相違点１ｃが存在するとしても，同様に，当業者が適宜なし
得たこととはいえない。
(2)相違点２ｄについて
前記２(2)のとおり，被塗布体であるキャリア基板として「シリコン基板又はガラ
ス基板」を用い，ポリイミド樹脂膜の厚さを１～５０μｍとすることは，当業者が
想到し得ないことである。
(3)本件発明６の効果について
前記２(3)のとおり，本件発明６は，「ＴＦＴなどの半導体素子を形成する際に，
支持体と十分な密着性を有し，かつ，支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，
物理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）なポリイミド樹脂膜（プ
ラスチック基板）を形成することが可能な樹脂組成物」であって，「半導体素子を
形成する際に，高温に曝されても，熱膨張が小さいポリイミド樹脂膜を形成するこ
とが可能な樹脂組成物を提供することができる」（段落【００１１】）し，本件発
明の「樹脂組成物を用いたポリイミド樹脂膜は，機械特性及び耐熱性に優れ」（段
落【００１１】）ているという顕著な効果を奏するものである。
そして，前記２(3)と同一の理由から，本件発明６の効果は甲１の記載から予測し
得るものでもない。
(4)以上のとおり，本件発明６が甲１に記載された発明に基づいて，当業者が
容易に発明をすることができたものであるとした本件決定の判断は誤りである。
１１取消事由６－１（本件発明１７について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)ア本件決定は，本件発明１７と甲１発明１の対比において，ポリアミド酸
の構造の相違を看過している。甲１一般式（１）において，Ｒ１は本件発明１７の式
（３）で表される２価の有機基には特定されておらず，Ｒ２は本件発明１７の式（７）
で表される４価の有機基には特定されていない。また，二の「－ＣＯＯＲ」の両方
がカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）である構造も特定されていない。少なくとも，甲
１発明１では，ポリイミド前駆体の構造単位が，４価の有機基Ｒ２に結合した二のカ
ルボキシル基（－ＣＯＯＨ）と，本件発明１７の式（３）で表される２価の有機基
Ｒ１と，式（７）で表される４価の有機基Ｒ２との組み合わせを含むものに特定され
ていない。
そして，本件発明１７における，「（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有
するポリアミド酸」に，「（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン・・・
からなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物」を上記のポリアミド
酸に対して「０．２～２質量％」の含有量で組み合わせることは，一体不可分の技
術的手段である。
イ被告は，甲１には，甲１発明１式（１）において，Ｒ２として４価の芳香
族基を有し，Ｒとして水素原子を有する構造を有するポリイミド前駆体であるポリ
アミド酸が具体的に記載されているものといえ，本件発明６における「二のカルボ
キシル基を有する・・・ポリアミド酸」と実質的に相違するものではないと主張す
るが，本件決定で認定されているのは，あくまで甲１発明１であり，甲１発明１式
（１）に上記のポリイミド前駆体であるポリアミド酸も記載されているか否かは，
本件発明１７と甲１発明１とが相違するか否かとは関係がない。被告は，本件発明
１７と甲１発明１とを対比せずに，別の発明とを対比しており，失当である。
(2)そうすると，本件発明１７と甲１発明１の正しい一致点及び相違点は次
のとおりとなる。
ア一致点
（ａ）ポリアミド酸と，（ｃ）有機溶剤と，を含有する樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
イ相違点１ｄ’
本件発明６では，「（ａ）二のカルボキシル基を有する一般式（１）で表される
構造単位（一般式（１）中，Ｒ１
は式（３）で表される２価の有機基を示し，Ｒ２は
式（７）で表される４価の基を示す）を有する）ポリアミド酸」に，「（ｂ）３－
ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミ
ノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，
フェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミ
ノプロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－
アミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－
アミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－
アミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－ア
ミノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ
－アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシ
シラン化合物」を組み合わせ，その上で「前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成
分に対して０．２～２質量％である」としているのに対して，甲１発明１では，ポ
リイミド前駆体の構造単位が，本件発明１７の式（４）で表される２価の有機基Ｒ
１と，４価の有機基Ｒ２に結合した二のカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）と，式（７）
で表される４価の有機基Ｒ２との組み合わせを含むものに特定されておらず，さら
に「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を含有すること及びその含有量につき特定さ
れていない点
ウ相違点２ｅ
「ポリイミド樹脂膜を形成する工程」において，本件発明１７では「シリコン基
板又はガラス基板」を使用するとともに「１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド
樹脂膜」を形成するのに対して，甲１発明１では「キャリア基板」を使用するとと
もに「固体の樹脂膜」の膜厚につき特定されていない点
(3)以上のとおり，本件発明１７と甲１発明１の一致点及び相違点に関する
本件決定の認定には誤りがある。
１２取消事由６－２（本件発明１７について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点１ｄ’について
前記２(1)と同一の理由から，甲１発明１において，相違点１ｄ’に係る本件発明
１７の構成に想到することは，当業者が適宜なし得たこととはいえない。
本件決定が認定する相違点１ｄが存在するとしても，同様に，当業者が適宜なし
得たこととはいえない。
(2)相違点２ｅについて
前記２(2)のとおり，被塗布体であるキャリア基板として「シリコン基板又はガラ
ス基板」を用い，ポリイミド樹脂膜の厚さを１～５０μｍとすることは，当業者が
想到し得ないことである。
(3)本件発明１７の効果について
前記２(3)のとおり，本件発明１７は，「ＴＦＴなどの半導体素子を形成する際に，
支持体と十分な密着性を有し，かつ，支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，
物理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）なポリイミド樹脂膜（プ
ラスチック基板）を形成することが可能な樹脂組成物」であって，「半導体素子を
形成する際に，高温に曝されても，熱膨張が小さいポリイミド樹脂膜を形成するこ
とが可能な樹脂組成物を提供することができる」（段落【００１１】）し，本件発
明の「樹脂組成物を用いたポリイミド樹脂膜は，機械特性及び耐熱性に優れ」（段
落【００１１】）ているという顕著な効果を奏するものである。
そして，前記２(3)と同一の理由から，本件発明１７の効果は甲１の記載から予測
し得るものでもない。
(4)以上のとおり，本件発明１７が甲１に記載された発明に基づいて，当業者
が容易に発明をすることができたものであるとした本件決定の判断は誤りである。
１３取消事由７－１（本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８について：一
致点及び相違点の認定の誤り）
(1)本件決定は，本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８と甲１発明２の
対比において，本件発明７については本件発明１，本件発明９については本件発明
２，本件発明１１については本件発明３，本件発明１３については本件発明４，本
件発明１５については本件発明６，本件発明１８については本件発明１７と，甲１
発明１との対比と同様に，ポリアミド酸の構造の相違を看過しているから，本件決
定の一致点，相違点の認定は誤りである。
(2)以上のとおり，本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８と甲１発明２
の一致点及び相違点に関する本件決定の認定には誤りがある。
１４取消事由７－２（本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８について：相
違点の判断の誤り）
本件決定は，本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８について，それぞれ，
前記２，４，６，８，１０及び１２と同一の理由から，相違点の判断に誤りがある。
１５取消事由８－１（本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９について：
一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)本件決定は，本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９と甲１発明３
の対比において，本件発明８については本件発明１，本件発明１０については本件
発明２，本件発明１２については本件発明３，本件発明１４については本件発明４，
本件発明１６については本件発明６，本件発明１９については本件発明１７と，甲
１発明１との対比と同様に，ポリアミド酸の構造の相違を看過しているから，本件
決定の一致点，相違点の認定は誤りである。
(2)以上のとおり，本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９と甲１発明
３の一致点及び相違点に関する本件決定の認定には誤りがある。
１６取消事由８－２（本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９について：
相違点の判断の誤り）
本件決定は，本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９について，それぞれ，
前記２，４，６，８，１０及び１２と同一の理由から，相違点の判断にも誤りがあ
る。
第４被告の主張
１取消事由１－１（本件発明１について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)原告は，本件一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸に，
本件発明１記載のアルコキシシラン化合物を「０．２～２質量％」の含有量で組み
合わせることが一体不可分の技術的手段であると主張する。
アしかし，本件明細書の記載によると，ＴＦＴを形成する際等に必要な耐
熱性及び寸法安定性（並びにディスプレイ基板として適当な機械的特性）は，パリ
レンを含むプラスチック層で達成されているとともに，ポリイミド層でも達成され
ているが，無機層（支持体）とプラスチック基板であるポリイミド層との間にシラ
ンカップリング層を設ける方法では，シランカップリング層とポリイミド層を２層
形成する必要があり，工程が煩雑であったため，ポリイミド前駆体に，シランカッ
プリング剤の中でも特定のアルコキシシラン化合物を少量配合することで，適度な
密着強度を発現する本件発明を完成したものであるから，本件発明は，ポリイミド
層を用いていることで，ＴＦＴを形成する際等に必要な耐熱性及び寸法安定性（並
びにディスプレイ基板として適当な機械的特性）は得られており，さらに，ポリイ
ミド前駆体に，シランカップリング剤の中でも特定のアルコキシシラン化合物を少
量配合することで，適度な密着強度と良好な剥離性を発現させているものであると
理解するのが自然である。
この理解は，本件明細書において，耐熱性及び機械的特性の指標としているポリ
イミド樹脂膜の熱膨張率について，「３０×１０－６／Ｋ以下であることがより好
ましく」（段落【００４５】），ポリイミド樹脂膜の破断伸びについて，「１５％
以上であることがさらに好ましい」，ポリイミド樹脂の弾性率（引っ張り弾性率）
について，「２ＧＰａ以上であることがさらに好ましい」（段落【００４６】）と
されているところ，実施例及び比較例は，全て本件発明の範囲に含まれるポリイミ
ド前駆体を用いているが，その全ての例で，上記の指標を満足していること，アル
コキシシラン化合物を含有しない比較例１～３に関する記載（段落【００８７】）
でも，密着性及び剥離性に関する言及はあるものの，耐熱性及び機械的特性につい
て，全く言及がないことと整合している。
イさらに，本件明細書の記載からすると，次の（Ａ），（Ｂ）が開示され
ているということができる。
（Ａ）本件発明の樹脂組成物は，（ａ）ポリイミド前駆体を含有することで，耐熱
性及び機械特性に優れたポリイミド樹脂膜を形成することが可能であって，耐熱性，
機械特性の観点から，一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸であ
ることが好ましく，（ａ）ポリイミド前駆体の重量平均分子量は，硬化膜の伸び及
び溶媒への溶解性の観点から，重量平均分子量で，５，０００～３００,０００が好
ましい（段落【００１４】，【００２０】～【００２４】）。
（Ｂ）本件発明の樹脂組成物は，（ａ）ポリイミド前駆体に対して（ｂ）アルコキ
シシラン化合物を０．０１～２質量％含有することで，ＴＦＴなどの半導体素子を
形成する際に，支持体と十分な密着性を有し，かつ，支持体から剥離する際にレー
ザーを用いずに，物理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）なポ
リイミド樹脂膜（プラスチック基板）を形成することが可能な樹脂組成物を提供す
ることができるのであって，（ｂ）アルコキシシラン化合物の含有量が０．０１質
量％以上であることで，良好な支持体との十分な密着性を付与することができ，ま
た，（ｂ）アルコキシシラン化合物の含有量が２質量％以下であることで，良好な
剥離性を付与し，さらに，ポリイミド樹脂膜に良好な耐熱性と機械特性を付与する
ことができる(段落【００２６】)。
ウ上記（Ａ）及び（Ｂ）の各開示をそれぞれ検討すると，上記（Ａ）の開
示から，一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸を（ａ）ポリイミ
ド前駆体として使用することにより，本件発明の樹脂組成物につき耐熱性及び機械
特性に優れたポリイミド樹脂膜を形成することという効果を得るとともに，上記（Ｂ）
の開示から，（ａ）ポリイミド前駆体に対して（ｂ）アルコキシシラン化合物を０．
０１～２質量％含有することで，本件発明の樹脂組成物につきＴＦＴなどの半導体
素子を形成する際に，支持体と十分な密着性を有し，かつ，支持体から剥離する際
にレーザーを用いずに，物理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）
なポリイミド樹脂膜（プラスチック基板）を形成することが可能となるという効果
を得ており，（ｂ）アルコキシシラン化合物の含有量が２質量％を超える多量に使
用すると，上記一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸を（ａ）ポ
リイミド前駆体として使用することにより得られた耐熱性及び機械特性に優れると
の効果が，ポリイミド前駆体量の相対的な減少により，低下する傾向にあることを
いうものと理解するのが自然であって，（ｂ）アルコキシシラン化合物を使用する
ことにより，耐熱性及び機械特性につき更に改善されたものとなるとは理解するこ
とができない。
エしたがって，本件発明に係る樹脂組成物において，当該樹脂組成物から
なるポリイミド樹脂膜が「良好な機械特性及び耐熱性」を有するという課題は，請
求項１に記載されたポリイミド前駆体であるポリアミド酸の使用により達成されて
いるものと評価するのが自然であり，本件発明に係るポリイミド樹脂膜が「支持体
と十分な密着性」を有し，かつ，「物理的な方法で綺麗に剥離すること」が可能で
あるという課題は，シラン化合物の特定量使用により達成されているものと評価す
るのが自然であって，本件発明では，それら両課題の同時解決に当たり，上記独立
した二つの技術的手段を単に相加的に採用して両課題を同時に解決したものと評価
すべきであり，両技術的手段を一体不可分のものと評価，理解するのは不適当であ
る。
(2)原告の主張する一致点及び相違点について
ア上記(1)によると，独立した二つの技術的手段を一体化した相違点１’を
認定することは不適当である。
イ本件決定における甲１発明１のポリイミド前駆体（ポリアミド酸）の種
別につき甲１の記載を確認すると，以下の①及び②が確認できる。
①甲１一般式（１）におけるＲ２は，４種の基に限定されているところ（下図参
照），そのうち２種はピロメリト酸残基（下図左端）及びｓ－ビフェニルテトラカル
ボン酸残基（下図右から２番目）という４価の芳香族基であり，甲１発明１におけ
るＲ２に係る４種の選択肢の２種として４価の芳香族基を有する態様を具体的に包
含することは明らかである。また，甲１には，甲１発明１の実施例１～５として，
専らｓ－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を少なくとも一部として使用したも
ののみが記載されている。
②甲１一般式（１）におけるＣＯＯＲのＲは，「各々独立に水素原子又は一価の
有機基を示し，」と規定され，「ＣＯＯＨ」基となっている態様を包含することが明
らかであるところ，ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物とを反応させてポ
リイミド前駆体であるポリアミド酸を製造した場合，上記「ＣＯＯＲ」は専ら遊離
のカルボキシル基，すなわち「ＣＯＯＨ」基になることが当業者の技術常識（乙１）
である。また，甲１には，甲１発明１の実施例１～５として，芳香族基を有するも
のである場合を含むジアミン化合物と芳香族基を有するｓ－ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物を使用した場合のみが専ら記載さ
れている。
そうすると，上記①及び②からみて，甲１には，甲１一般式（１）において，専
ら，Ｒ２として４価の芳香族基を有し，Ｒとして水素原子を有する構造を有するポリ
イミド前駆体であるポリアミド酸が具体的に記載されているものといえ，本件発明
１における二のカルボキシル基を有する「一般式（１）で表される構造単位（一般
式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環を有する
４価の基を示す）を有するポリアミド酸」と実質的に相違するものではない。
したがって，本件決定において，上記の点につき一致点とし，相違点を相違点１
及び２であるとした点に誤りはない。
２取消事由１－２（本件発明１について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点１及び１’について
ア相違点１’について
(ｱ)仮に相違点１’が存在するとしても，甲１発明１のポリアミド酸は，
本件発明１における二のカルボキシル基を有するポリアミド酸と実質的に相違する
ものではなく，さらに，甲１には，甲１発明１の実施例１～５として，芳香族基を
有するものである場合を含むジアミン化合物と芳香族基を有するｓ－ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物を使用した場合のみが専
ら記載されているから，甲１発明１のポリアミド酸として，本件発明１における二
のカルボキシル基を有するポリアミド酸を用いることは，当業者が適宜なし得るこ
とといえる。
(ｲ)また，添加物がポリイミドの熱的及び機械的特性に影響するとの原
告の主張は，甲２（１０欄「［作用］」の項）及び甲３（段落【０００２】）に開
示されているとおり，本件発明で使用するアルコキシシラン化合物とは異なる添加
剤であるシリカ，テトラアルコキシシラン縮合物である金属酸化物などがポリイミ
ドフィルムの耐熱性，寸法安定性の改善剤として使用されていることからみて，根
拠を欠くものである。甲３０に開示された技術は，本件発明で使用する特定のアル
コキシシラン化合物を添加剤とした場合につき開示するものではないから，特定の
アルコキシシラン化合物を含む添加剤が一般にポリイミドの熱的及び機械的特性を
低下させることが技術常識であることを立証するものでもない。
したがって，甲１発明１の樹脂組成物において，当業者がアルコキシシラン化合
物を添加剤として使用することを阻害又は困難化されることはない。甲１発明１の
フレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物において，ポリイミド前
駆体であるポリアミド酸に対して，キャリア基板などの被塗布体との接着性向上の
ために，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキ
シシランなどのシランカップリング剤等のカップリング剤を，ポリイミド前駆体（樹
脂分）に対して，０．１質量％以上３質量％以下の範囲で添加すること(段落【００
１９】)は，当業者が適宜なし得ることというべきである。
(ｳ)さらに，甲１には，甲１発明１のフレキシブルデバイス基板用ポリイ
ミド前駆体樹脂組成物は，キャリア基板などの被塗布体表面に塗布製膜しポリイミ
ド樹脂膜とし，他表面に回路形成した後，被塗布体から剥離することによりフレキ
シブルデバイス基板とするものであって，被塗布体から剥離する際の方法として特
に制限がなく，レーザー照射による剥離並びに単なる物理的剥離のいずれも可能で
あることが開示されている（段落【００２２】）ことからすると，甲１発明１にお
けるアルコキシシラン化合物の添加使用による被塗布体に対する接着性の改善は，
被塗布体からの剥離性につき許容される範囲内で行うことを前提とするものであっ
て，甲１に記載されたポリイミド前駆体（樹脂分）に対して，「０．１質量％以上，
３質量％以下」なる範囲のうち，アルコキシシラン化合物の増量による被塗布体に
対する接着性（密着性）の改善と被塗布体からの剥離性の維持の両立を意図して，
０．２～２質量％の範囲で添加使用することについても，当業者が適宜なし得るこ
とというべきである。
(ｴ)以上によると，原告が主張する相違点１’は，甲１発明１において当
業者が適宜なし得ることである。
イ相違点１について
甲１発明１のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物において，
ポリイミド前駆体であるポリアミド酸に対して，キャリア基板などの被塗布体との
接着性向上のために，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピ
ルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤等のカップリング剤を，ポリイ
ミド前駆体（樹脂分）に対して，０．１質量％以上３質量％以下の範囲で添加する
ことは，当業者が適宜なし得ることというべきであって，さらに，その使用量につ
き，支持体との剥離性をも維持することを意図して，ポリイミド前駆体（樹脂分）
に対して，「０．１質量％以上，３質量％以下」なる範囲のうちの０．２～２質量％
の範囲で添加使用することについても，当業者が適宜なし得ることというべきであ
るから，本件決定における相違点１に係る判断は相当である。
(2)相違点２について
ア本件明細書の「支持体」についての記載（段落【００３８】）や「ポリ
イミド樹脂膜の厚さ」についての記載（段落【００４０】）によると，本件発明１
は，特定のポリイミド前駆体を採用し，特定のアルコキシシラン化合物を添加した
場合に特化して，特別の「支持体」（基板）を使用するとともに，特別のポリイミ
ド樹脂膜の膜厚を設定したものと理解すべきではない。
そして，甲１の「キャリア基板（例えばガラス基板）」についての記載（段落【０
０２０】，【００２１】，【００３２】）によると，甲１に記載されたポリイミド
樹脂膜の膜厚が，本件発明１のポリイミド樹脂膜の膜厚と相違するものとも解する
ことはできない。
したがって，上記相違点２に係る原告の主張は，甲１の記載に基づかない主張で
あるか，根拠を欠くものである。
イ甲１には，甲１発明１に係る固体の樹脂膜の形成におけるキャリア基板
につき，ガラス基板を使用すること（段落【００２１】，【００２９】，【００３
２】）又はシリコン基板を使用すること（段落【００２３】～【００２８】，【０
０３０】，【００３１】）がそれぞれ開示されているとともに，当該樹脂膜として，
膜厚１～２０μｍの範囲が好適であり（段落【００２０】），実施例として膜厚３
μｍの樹脂膜としたこと（段落【００３２】）も開示されているのであって，甲１
発明１における固体の樹脂膜の形成において，ガラス基板又はシリコン基板を用い
ること及び形成する固体の樹脂膜の膜厚を１～２０μｍを含む１～５０μｍとする
ことは，いずれも実質的な相違点であるとはいえないか，甲１発明１において当業
者が適宜なし得ることであるから，本件決定における相違点２に係る判断は相当で
ある。
(3)本件発明１の効果について
原告は，添加剤の一つであるシランカップリング剤を添加し得たならば，当業者
は，甲１発明１のポリイミド樹脂膜の熱的及び機械的特性（熱膨張率，破断点応力，
弾性率，伸び）及び靭性は低下し，単に物理的に剥離するのがより困難になると予
測すると主張するが，シランカップリング剤の添加が上記のような効果を有するこ
とが当業者の技術常識であるということはできないのであるから，当業者がその技
術常識に照らして，上記「予測」をすることはない。
そして，本件発明１と甲１発明１の効果を比較すると，前者は少なくとも「支持
体と十分な密着性を有」するという点で，後者よりも優れているものであるところ，
甲１には，「被塗布体との接着性向上のため，シランカップリング剤，チタンカッ
プリング剤等のカップリング剤を添加することができる」（段落【００１９】）と
記載されているのであるから，甲１発明１の樹脂組成物において，支持体からの剥
離性を極端に低下させることのない量比範囲でアルコキシシラン化合物などのシラ
ンカップリング剤を添加使用した場合，支持体との密着性が改善されるであろうこ
とは，当業者が予期し得る効果であるといえる。
また，本件発明１の樹脂組成物からなるポリイミド樹脂膜の熱的及び機械的特性
は，ポリイミド前駆体であるポリアミド酸の使用により発現するものであり，ポリ
アミド酸に対してアルコキシシラン化合物を添加使用することにより発現するもの
ではないから，ポリアミド酸の種別の点で本件発明１に係るものと実質的な相違点
がなく，甲１において，発明の効果として「また，ガラス基板等のキャリア基板上
に薄く塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜として成膜でき，その上に回路
やディスプレイ層等を形成できるとともに，耐熱性に優れ，熱膨張係数の低いポリ
イミド膜となって，回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基
板層のそりを生じさせず，回路等のはがれなどの欠陥も生じない上，その後キャリ
ア基板から剥がす際には，ポリイミド膜自体にも，その上に形成された回路等にも
欠陥を生じることがなく，きれいに剥がせるものである。」（段落【０００９】）
とされる甲１発明１の樹脂組成物からなるポリイミド樹脂膜であっても，略同等の
熱的及び機械的特性を有するものと当業者が理解するのが自然であって，甲１にお
ける実施例に係る記載に照らして，熱的特性（ガラス転移温度，熱分解温度，熱膨
張率）及び機械的特性（破断点応力，弾性率，伸び）の点で略同等であることが看
取できるところである。
そうすると，本件発明１が，甲１発明１においてシランカップリング剤を添加使
用した場合に比して，当業者が予期し得ない程度の顕著な効果を奏しているものと
評価すべきものではない。
なお，仮に，添加剤が添加されるのに伴って，ポリアミド酸から得られるポリイ
ミド樹脂膜の熱的及び機械的特性の低下が予想されるとしても，その低下は，甲１
において，発明の効果として上記の効果を有する（段落【０００９】）とされる甲
１発明１に係るポリイミド樹脂膜が，「耐熱性に優れ，熱膨張係数が低い」熱的特
性及び「キャリア基板から剥がす際には，ポリイミド膜自体にも，その上に形成さ
れた回路等にも欠陥を生じることがなく，きれいに剥がせる」との機械的特性を維
持できる範囲内にあるものと当業者は理解するのが自然であるから，甲１発明１の
樹脂組成物にアルコキシシラン化合物を添加使用したとしても，原告が主張するよ
うに，ポリイミド樹脂膜の物理的剥離が困難になる程度の熱的及び機械的特性の低
下が生起すると当業者が予測することはない。
３取消事由２－１（本件発明２について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)前記１(2)アと同様の理由により，独立した二つの技術的手段を一体化し
た相違点３’を認定することは不適当である。
(2)また，前記１(2)イと同様の理由により，甲１には，甲１一般式（１）に
おいて，専ら，Ｒ２として４価の芳香族基を有し，Ｒとして水素原子を有する構造を
有するポリイミド前駆体であるポリアミド酸が具体的に記載されているものといえ
るから，本件発明２における「二のカルボキシル基を有する一般式（１）で表され
る構造単位（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は
芳香族環を有する４価の基を示す）を有するポリアミド酸」と実質的に相違するも
のではない。
したがって，本件決定の一致点及び相違点の判断に誤りはない。
４取消事由２－２（本件発明２について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点３’について
仮に，相違点３’が存在するとしても，相違点３’は，アルコキシシラン化合物
の種別の点を除き，原告が示した相違点１’と同一の事項である。
しかるに，本件発明２における「３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビ
ス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシランからなる群か
ら選択される１以上のアルコキシシラン化合物」は，いずれも，甲１に記載された
γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン
などと同様に，シランカップリング剤（接着促進剤）として汎用のもの（甲２２「便
覧ゴム・プラスティック配合薬品」２００３年１２月）であるとともに，他の基
材に対する接着性改善のためにポリイミド樹脂（前駆体）に対して添加されるシラ
ン化合物としても，当業者に少なくとも公知なものである（甲２～６）から，甲１
発明１の樹脂組成物において，キャリア基板などの被塗布体との接着性向上のため
のシランカップリング剤として，「３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビ
ス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシランからなる群か
ら選択される１以上のアルコキシシラン化合物」を使用することは，当業者が適宜
なし得ることであるというべきであって，本件明細書の記載を確認しても，他のア
ルコキシシラン化合物を使用した場合に比して，本件発明２に係る「３－ウレイド
プロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピ
ルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニル
トリメトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物」
を使用した場合に特有の効果を奏することも確認することができない。
そして，相違点３’に係るその余の点については，前記２(1)アの理由により，当
業者が適宜なし得ることである。
そうすると，相違点３’についても，甲１発明１において，当業者の周知技術（甲
２～６，２２）を組み合わせることにより，当業者が適宜なし得ることということ
ができる。
(2)相違点２ａについて
相違点２ａは，相違点２と同一の事項であるから，前記２(2)の理由により，相違
点２ａに係る原告の主張は，甲１の記載に基づかない主張であるか，根拠を欠くも
のである。
(3)本件発明２の効果について
本件発明２において，特定のアルコキシシラン化合物を使用することにより，特
有の効果を奏することが確認できず，その余については，前記２(3)で示した本件発
明１に係る効果と同様であるから，本件発明２の効果についても，甲１発明１のも
のに比して，当業者が予期し得ない程度の格別顕著な効果を奏しているものと評価
すべきものではない。
５取消事由３－１（本件発明３について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)前記１(2)アと同様の理由により，独立した二つの技術的手段を一体化し
た相違点１ａ’を認定することは不適当である。
(2)また，本件決定における甲１発明１のポリイミド前駆体（ポリアミド酸）
の種別につき甲１の記載を確認すると，以下の①及び②が確認できる。
①甲１一般式（１）におけるＲ２は，４種の基に限定されているところ（下図参
照），そのうち１種はｓ－ビフェニルテトラカルボン酸残基（下図右から２番目）と
いう４価の芳香族基であり，甲１発明１におけるＲ２に係る４種の選択肢の１種と
してｓ－ビフェニルテトラカルボン酸残基という４価の芳香族基を有する態様を具
体的に包含することは明らかであって，さらに，甲１には，甲１発明１の実施例１
～５として，専らｓ－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を少なくとも一部とし
て使用したもののみが記載されている。
②甲１発明１の式（１）におけるＣＯＯＲのＲは，「各々独立に水素原子又は一
価の有機基を示し，」と規定され，「ＣＯＯＨ」基となっている態様を包含すること
が明らかであるところ，ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物とを反応させ
てポリイミド前駆体であるポリアミド酸を製造した場合，上記「ＣＯＯＲ」は専ら
遊離のカルボキシル基，すなわち「ＣＯＯＨ」基になることが当業者の技術常識（乙
１）であって，さらに，甲１には，甲１発明１の実施例１～５として，芳香族基を
有するものである場合を含むジアミン化合物と芳香族基を有するｓ－ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物を使用した場合のみが専
ら記載されている。
そうすると，上記①及び②からみて，甲１には，甲１一般式（１）において，専
ら，Ｒ２としてｓ－ビフェニルテトラカルボン酸残基（３，３’，４，４’－ビフェ
ニレン基）（本件発明３における式（７）で表される４価の有機基である。）という
４価の芳香族基を有し，Ｒとして水素原子を有する構造を有するポリイミド前駆体
であるポリアミド酸が具体的に記載されているものといえ，本件発明３における「二
のカルボキシル基を有する一般式（１）で表される構造単位（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は式（７）で表される４価の有機基を
示す）を有するポリアミド酸」と実質的に相違するものではない。
したがって，本件決定の一致点及び相違点の認定に誤りはない。
６取消事由３－２（本件発明３について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点１ａ’について
仮に，相違点１ａ’が存在するとしても，相違点１ａ’は，ポリアミド酸の種別
の点を除き，原告が示した相違点１’と同一の事項である。
しかるに，前記５(2)のとおり，本件発明３におけるポリアミド酸と甲１発明１に
おけるポリアミド酸とは，実質的に相違するものではなく，ポリアミド酸の種別の
点は新たな相違点ではない。
そして，相違点１ａ’に係るその余の点については，前記２(1)アの理由により，
当業者が適宜なし得ることである。
そうすると，相違点１ａ’についても，甲１発明１において，当業者が適宜なし
得ることということができる。
(2)相違点２ｂについて
相違点２ｂは，相違点２と同一の事項であるから，前記２(2)の理由により，相違
点２ｂに係る原告の主張は，甲１の記載に基づかないものである。
(3)本件発明３の効果について
本件発明３の効果は，本件明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌しても，前記
２(3)で示した本件発明１に係る効果と同様であり，本件発明３の場合に特異な効
果を奏しているものとは認められないから，本件発明３の効果についても，甲１発
明１のものに比して，当業者が予期し得ない程度の格別顕著な効果を奏しているも
のと評価すべきものではない。
７取消事由４－１（本件発明４について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)前記１(2)アと同様の理由により，独立した二つの技術的手段を一体化し
た相違点１ｂ’を認定することは不適当である。
(2)前記１(2)イと同様の理由により，甲１には，甲１一般式（１）において，
専ら，Ｒ２として４価の芳香族基を有し，Ｒとして水素原子を有する構造を有するポ
リイミド前駆体であるポリアミド酸が具体的に記載されているものといえ，本件発
明４における「二のカルボキシル基を有する一般式（１）で表される構造単位（一
般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環を有す
る４価の基を示す）を有するポリアミド酸」と実質的に相違するものではない。
したがって，本件決定の一致点及び相違点の判断に誤りはない。
８取消事由４－２（本件発明４について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点１ｂ’について
仮に，相違点１ｂ’が存在するとしても，相違点１ｂ’は，アルコキシシラン化
合物の使用量範囲の点を除き，原告が示した相違点１’と同一の事項である。
しかるに，本件明細書の記載を確認しても，アルコキシシラン化合物を使用量に
つき，本件発明１に係る「０．２～２質量％」の範囲とした場合に比して，本件発
明４に係る「０．２～１質量％」の範囲とした場合に特有の効果を奏することを確
認することができない。
そして，相違点１ｂ’に係るその余の点については，前記２(1)アの理由により，
当業者が適宜なし得ることである。
そうすると，相違点１ｂ’についても，甲１発明１において，当業者が適宜なし
得ることということができる。
(2)相違点２ｃについて
相違点２ｃは，相違点２と同一の事項であるから，前記２(2)の理由により，相違
点２ｃに係る原告の主張は，甲１の記載に基づかないものである。
(3)本件発明４の効果について
本件発明４の効果について，本件明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌しても，
前記２(3)で示した本件発明１に係る効果と同様であり，本件発明４の場合に特異
な効果を奏しているものとは認められないから，本件発明４の効果についても，甲
１発明１のものに比して，当業者が予期し得ない程度の格別顕著な効果を奏してい
るものと評価すべきものではない。
９取消事由５－１（本件発明６について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)前記１(2)アと同様の理由により，独立した二つの技術的手段を一体化し
た相違点１ｃ’を認定することは不適当である。
(2)また，甲１発明１のポリイミド前駆体（ポリアミド酸）の種別につき甲１
の記載を確認すると，以下の①及び②が確認できる。
①甲１一般式（１）におけるＲ１は，４種の２価の芳香族基に限定されている(下
図参照)ところ，そのうち１種はフェニレン基(下図左端)という２価の芳香族基であ
り，甲１発明１におけるＲ１
に係る４種の選択肢の１種としてフェニレン基という
２価の芳香族基を有する態様を具体的に包含することは明らかであって，さらに，
甲１には，甲１発明１の実施例１及び２として，（ｐ－）フェニレンジアミンをジア
ミン化合物の少なくとも一部として使用したものが記載されている。
②甲１一般式（１）におけるＣＯＯＲのＲは，「各々独立に水素原子又は一価の
有機基を示し，」と規定され，「ＣＯＯＨ」基となっている態様を包含することが明
らかであるところ，ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物とを反応させてポ
リイミド前駆体であるポリアミド酸を製造した場合，上記「ＣＯＯＲ」は専ら遊離
のカルボキシル基，すなわち「ＣＯＯＨ」基になることが当業者の技術常識（乙１）
であって，さらに，甲１には，甲１発明１の実施例１及び２として，芳香族基を有
する（ｐ－）フェニレンジアミンを含むジアミン化合物と芳香族基を有するｓ－ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物を使用した場
合が記載されている。
そうすると，前記①及び②からみて，甲１には，甲１発明１の式（１）において，
Ｒ１として（ｐ－）フェニレン基（本件発明６の式（３）で表される２価の有機基で
ある。）という２価の芳香族基を有し，Ｒとして水素原子を有する構造を有するポリ
イミド前駆体であるポリアミド酸が具体的に記載されているものといえ，本件発明
６における「二のカルボキシル基を有する一般式（１）で表される構造単位（一般
式（１）中，Ｒ１
は式（３）で表される２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環基を有
する４価の有機基を示す）を有するポリアミド酸」と実質的に相違するものではな
い。
したがって，本件決定の一致点及び相違点の判断に誤りはない。
１０取消事由５－２（本件発明６について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点１ｃ’について
仮に，相違点１ｃ’が存在するとしても，相違点１ｃ’は，ポリアミド酸の種別
の点を除き，原告が示した相違点１’と同一の事項である。
しかるに，前記９(2)のとおり，本件発明６におけるポリアミド酸と甲１発明１に
おけるポリアミド酸とは，実質的に相違するものではなく，ポリアミド酸の種別の
点は新たな相違点ではない。
そして，相違点１ｃ’に係るその余の点については，前記２(1)アの理由により，
当業者が適宜なし得ることである。
そうすると，相違点１ｃ’についても，甲１発明１において，当業者が適宜なし
得ることということができる。
(2)相違点２ｄについて
相違点２ｄは，相違点２と同一の事項であるから，前記２(2)の理由により，相違
点２ｄに係る原告の主張は，甲１の記載に基づかないものである。
(3)本件発明６の効果について
本件発明６の効果について，本件明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌しても，
前記２(3)で示した本件発明１に係る効果と同様であり，本件発明６の場合に特異
な効果を奏しているものとは認められないから，本件発明６の効果についても，甲
１発明１のものに比して，当業者が予期し得ない程度の格別顕著な効果を奏してい
るものと評価すべきものではない。
１１取消事由６－１（本件発明１７について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)前記１(2)アと同様の理由により，独立した二つの技術的手段を一体化し
た相違点１ｄ’を認定することは不適当である。
(2)また，本件決定における甲１発明１のポリイミド前駆体（ポリアミド酸）
の種別につき甲１の記載を確認すると，以下の①及び②が確認できる。
①甲１発明１の式（１）におけるＲ１は，４種の基に限定され(下図上段参照)，
そのうち１種はフェニレン基(下図上段左端)という２価の芳香族基であり，Ｒ２は，
４種の基に限定され(下図下段参照)，そのうち１種はｓ－ビフェニルテトラカルボ
ン酸残基(下図下段右から２番目)という４価の芳香族基であるから，甲１発明１に
おけるＲ１及びＲ２に係るそれぞれ４種の選択肢のうち各１種として「フェニレン基」
なる２価の芳香族基と「ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸残基」なる４価の芳香族
基とを併せて有する態様を具体的に包含することは明らかであって，さらに，甲１
には，甲１発明１の実施例１及び２として，（ｐ－）フェニレンジアミンをジアミン
化合物の少なくとも一部として使用し，ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
をテトラカルボン酸二無水物として使用して組み合わせたものが記載されている。
②甲１発明１の式（１）におけるＣＯＯＲのＲは，「各々独立に水素原子又は一
価の有機基を示し，」と規定され，「ＣＯＯＨ」基となっている態様を包含すること
が明らかであるところ，ジアミン化合物とテトラカルボン酸二無水物とを反応させ
てポリイミド前駆体であるポリアミド酸を製造した場合，上記「ＣＯＯＲ」は専ら
遊離のカルボキシル基，すなわち「ＣＯＯＨ」基になることが当業者の技術常識（乙
１）であって，さらに，甲１には，甲１発明１の実施例１及び２として，芳香族基
を有する（ｐ－）フェニレンジアミンを含むジアミン化合物と芳香族基を有するｓ
－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を含むテトラカルボン酸二無水物を使用し
た場合が記載されている。
そうすると，前記①及び②からみて，甲１には，甲１発明１の式（１）において，
Ｒ１として（ｐ－）フェニレン基（本件発明１７の式（３）で表される２価の有機基
である。）という２価の芳香族基を有し，Ｒ２としてｓ－ビフェニルテトラカルボン
酸残基（３，３’，４，４’－ビフェニレン基）（本件発明１７の式（７）で表され
る４価の有機基である。）という４価の芳香族基を有し，さらに，Ｒとして水素原子
を有する構造を有するポリイミド前駆体であるポリアミド酸が具体的に記載されて
いるものといえ，本件発明１７における「二のカルボキシル基を有する一般式（１）
で表される構造単位（一般式（１）中，Ｒ１
は式（３）で表される２価の有機基を示
し，Ｒ２
は式（７）で表される４価の有機基を示す）を有するポリアミド酸」と実質
的に相違するものではない。
したがって，本件決定の一致点及び相違点の判断に誤りはない。
１２取消事由６－２（本件発明１７について：相違点の判断の誤り）
(1)相違点１ｄ’について
仮に，相違点１ｄ’が存在するとしても，相違点１ｄ’は，ポリアミド酸の種別
の点を除き，原告が示した相違点１’と同一の事項である。
しかるに，前記１１(2)のとおり，本件発明１７におけるポリアミド酸と甲１発明
１におけるポリアミド酸とは，実質的に相違するものではなく，ポリアミド酸の種
別の点は新たな相違点ではない。
そして，相違点１ｄ’に係るその余の点については，前記２(1)アの理由により，
当業者が適宜なし得ることである。
そうすると，相違点１ｄ’についても，甲１発明１において，当業者が適宜なし
得ることということができる。
(2)相違点２ｅについて
相違点２ｅは，相違点２と同一の事項であるから，前記２(2)の理由により，相違
点２ｅに係る原告の主張は，甲１の記載に基づかないものである。
(3)本件発明１７の効果について
本件発明１７の効果について，本件明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌して
も，前記２(3)で示した本件発明１に係る効果と同様であり，本件発明１７の場合に
特異な効果を奏しているものとは認められないから，本件発明１７の効果について
も，甲１発明１のものに比して，当業者が予期し得ない程度の格別顕著な効果を奏
しているものと評価すべきものではない。
１３取消事由７－１（本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８について：一
致点及び相違点の認定の誤り）
前記１，３，５，７，９及び１１のとおり，本件発明１～４，６及び１７と甲１
発明１との各対比において，一致点及び相違点の認定に誤りはないから，当該認定
に基づく本件決定における本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８と甲１発明
２との各対比においても，原告が主張する一致点及び相違点の認定に誤りはない。
１４取消事由７－２（本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８について：相
違点の判断の誤り）
前記２，４，６，８，１０及び１２のとおり，本件決定における本件発明７，９，
１１，１３，１５及び１８に係る相違点の判断に誤りはない。
１５取消事由８－１（本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９について：
一致点及び相違点の認定の誤り）
前記１３のとおり，本件発明１～４，６及び１７と甲１発明１との各対比におい
て，一致点及び相違点の認定に誤りはなく，当該認定に基づく本件決定における本
件発明７，９，１１，１３，１５及び１８と甲１発明２との各対比においても，一
致点及び相違点の認定に誤りはないから，本件発明７，９，１１，１３，１５及び
１８をそれぞれ引用する本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９と甲１発明
２を引用する甲１発明３との各対比においても，一致点及び相違点の認定に誤りは
ない。
１６取消事由８－２（本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９について：
相違点の判断の誤り）
前記１４のとおり，本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８に係る相違点の
判断の誤りはないから，当該本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８をそれぞ
れ引用する本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９に係る相違点の判断に誤
りはない。
第５当裁判所の判断
１本件発明について
(1)本件特許の訂正後の特許請求の範囲は，前記第２の２のとおりであるほ
か，本件明細書（甲８）には，次の記載がある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，適度な密着性と良好な剥離性を併せ持つ，樹脂組成物に関する。また，
本発明の樹脂組成物を用いたポリイミド樹脂膜，ディスプレイ基板とその製造方法
に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年，スマートフォンやタブレット端末に代表される中小型ディスプレイが市場
規模を広げている。これらの中小型ディスプレイに用いられるディスプレイ基板は，
ガラス基板の上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等を形成することで得ることができ
る。しかし，ガラス基板は耐熱性や寸法安定性に優れる一方，軽量化及び薄型化を
すると，強度が低下するという問題を抱えている。
そこで，ガラス基板に代わる基板として，プラスチック基板が提案されている。
プラスチック基板は成形が容易で，高い靭性を有し折り曲げに強いことから，半導
体素子の軽量化や薄型化に適しており，さらにフレキシブルな基材として有用であ
る。
薄型化したプラスチック基板を用いてディスプレイ基板を製造する方法は，支持
体の上にプラスチック基板を形成する工程と，該プラスチック基板上にＴＦＴなど
の半導体素子を形成する工程と，プラスチック基板を支持体から剥離する工程を含
む。
【０００３】
例えば，特許文献１には，硬質キャリア基板（支持体）の上に剥離層を介してプ
ラスチック基板を設け，この上に画素回路及びディスプレイ層を形成した後，前記
硬質キャリア基板からレーザーによって剥離するというディスプレイ基板の製造法
が記載されている。・・・
【０００４】
・・・特許文献１に記載のディスプレイ基板の製造方法では，プラスチック基板
をレーザーにより剥離する必要があったため，エキシマレーザー装置などが必要で
あった。
【先行技術文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７－５１２５６８号公報
【特許文献２】特開２０１１－１１４５５号公報
【発明の概要】
【０００６】
そこで，無機層（支持体）とプラスチック基板であるポリイミド層との間にシラ
ンカップリング層を設ける方法が提案されている（例えば特許文献２）。特許文献２
の方法では，剥離工程においてレーザーを必要とせず，物理的に支持体からポリイ
ミド樹脂膜を剥離する。
【０００７】
しかし特許文献２の製造方法では，シランカップリング層とポリイミド層を２層
形成する必要があったため，工程が煩雑であった。
そこで本発明では，ＴＦＴなどの半導体素子を形成する際に，支持体と十分な密
着性を有し，かつ，支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，物理的な方法で
綺麗に剥離することが可能なポリイミド樹脂膜（プラスチック基板）を形成するこ
とが可能な樹脂組成物を提供することを目的とする。また良好な機械特性及び耐熱
性を有するポリイミド樹脂膜を形成することが可能な樹脂組成物を提供することを
目的とする。
また本発明は，該樹脂組成物を用いたポリイミド樹脂膜と，ディスプレイ基板の
製造方法を提供することを目的とする。さらに，本発明は該製造方法により形成さ
れるディスプレイ基板を提供することを目的とする。
【０００８】
一般に，シランカップリング剤は，それを配合した組成物を被着体に塗布して，
組成物の層や膜を形成した場合，形成した層や膜と被着体の密着強度が著しく増加
し，接着性を高くする傾向にある。そして，接着力を高めるには，シランカップリ
ング剤の配合量を，ある程度多くする必要があり，層や膜を被着体から剥がす目的
には使用されてこなかった。本発明は，従来の使用方法に反し，（ａ）ポリイミド前
駆体に，シランカップリング剤の中でも特定の（ｂ）アルコキシシラン化合物を少
量配合することで，適度な密着強度を発現することを見出し本発明に達したもので
ある。・・・
【００１１】
本発明によれば，ＴＦＴなどの半導体素子を形成する際に，支持体と十分な密着
性を有し，かつ，支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，物理的な方法で綺
麗に剥離することが可能（剥離性が良好）なポリイミド樹脂膜（プラスチック基板）
を形成することが可能な樹脂組成物を提供することができる。また半導体素子を形
成する際に，高温に曝されても，熱膨張が小さいポリイミド樹脂膜を形成すること
が可能な樹脂組成物を提供することができる。ポリイミド樹脂膜の熱膨張が小さい
と，ＴＦＴなどの半導体素子を形成する際に，寸法ずれを抑制することができる。
また，本発明の樹脂組成物を用いたポリイミド樹脂膜は，機械特性及び耐熱性に優
れる。
また，本発明は，該樹脂組成物を用いたディスプレイ基板の製造方法を提供する
ができる。さらに，本発明は，該製造方法により形成されるディスプレイ基板を提
供するができる。
【００１３】
（樹脂組成物）
本発明の樹脂組成物は，（ａ）ポリイミド前駆体と，（ｂ）アルコキシシラン化合
物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有する樹脂組成物であり，（ｂ）の含有量が（ａ）ポ
リイミド前駆体に対して０．０１～２質量％である。・・・
【００１４】
（（ａ）ポリイミド前駆体）
本発明の樹脂組成物は，（ａ）ポリイミド前駆体を含有する。ポリイミド前駆体を
含有することで，耐熱性及び機械特性に優れたポリイミド樹脂膜を形成することが
可能である。
（ａ）ポリイミド前駆体は，耐熱性，機械特性の観点から，一般式（１）で表さ
れる構造単位を有するポリアミド酸であることが好ましい。
【００１５】
【化３】
（一般式（１）中，Ｒ１
は芳香族環を有する２価の有機基，Ｒ２
は芳香族環を有する
４価の有機基を示す。）
【００１６】
（ａ）ポリイミド前駆体は，一般にテトラカルボン酸二無水物とジアミンとを重
合することにより得られる。この重合は両者を有機溶媒中で混合することにより行
うことができる。
【００１７】
（ａ）ポリイミド前駆体を合成するために用いるテトラカルボン酸二無水物とし
ては，ピロメリット酸二無水物，シクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物，３，
３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物，３，３´，４，４´−ビシ
クロヘキシルテトラカルボン酸二無水物，４，４´−オキシジフタル酸二無水物，
３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物，１，２，５，６−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物，１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物，４，４´−スルフォニルジフタル酸二無水物，２，２−ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物等が挙げられ，また，これらは２種以上
を併用してもよい。
【００１８】
（ａ）ポリイミド前駆体を合成するために用いるジアミンとしては，ｐ－フェニ
レンジアミン，ｍ－フェニレンジアミン，ベンジジン，３，３´－ジメチル－４，
４´－ジアミノビフェニル，２，２´－ジメチル－４，４´－ジアミノビフェニル，
３，３´－ジエチル－４，４´－ジアミノビフェニル，２，２´－ジエチル－４，
４´－ジアミノビフェニル，ｐ－キシリレンジアミン，ｍ－キシリレンジアミン，
１，５－ジアミノナフタレン，３，３´－ジメトキシベンジジン，４，４´－（又
は３，４´－，３，３´－，２，４´－）ジアミノジフェニルメタン，４，４´－
（又は３，４´－，３，３´－，２，４´－）ジアミノジフェニルエーテル，４，
４´－（又は３，４´－，３，３´－，２，４´－）ジアミノジフェニルスルフォ
ン，４，４´－（又は３，４´－，３，３´－，２，４´－）ジアミノジフェニル
スルフィド，４，４´－ベンゾフェノンジアミン，３，３´－ベンゾフェノンジア
ミン，４，４´－ジ（４－アミノフェノキシ）フェニルスルフォン，４，４´－ビ
ス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル，１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）
ベンゼン，１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン，１，１，１，３，３，
３－ヘキサフルオロ－２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン，２，２´－
ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン，２，２－ビス［４－（４－アミノフェノ
キシ）フェニル］プロパン，３，３－ジメチル－４，４´－ジアミノジフェニルメ
タン，３，３´，５，５´－テトラメチル－４，４´－ジアミノジフェニルメタン，
４，４´－ジ（３－アミノフェノキシ）フェニルスルホン，３，３´－ジアミノジ
フェニルスルホン，２，２´－ビス（４－アミノフェニル）プロパン，５，５´－
メチレン－ビス－（アントラニル酸），３，５－ジアミノ安息香酸，３，３´－ジヒ
ドロキシ－４，４´－ジアミノビフェニル，３，３´－ジメチル－４，４´－ジア
ミノビフェニル－６，６´－ジスルホン酸等の芳香族ジアミン，２，６－ジアミノ
ピリジン，２，４－ジアミノピリジン，２，４－ジアミノ－ｓ－トリアジン，２，
７－ジアミノベンゾフラン，２，７－ジアミノカルバゾール，３，７－ジアミノフ
ェノチアジン，２，５－ジアミノ－１，３，４－チアジアゾール，２，４－ジアミ
ノ－６－フェニル－ｓ－トリアジン等の複素環式ジアミン，トリメチレンジアミン，
テトラメチレンジアミン，ヘキサメチレンジアミン，２，２－ジメチルプロピレン
ジアミン，１，４－シクロヘキサンジアミン等が挙げられ，また，これらは２種以
上を併用して用いてもよい。
【００２０】
（ａ）ポリイミド前駆体の重量平均分子量は，硬化膜の伸び及び溶媒への溶解性
への観点から，重量平均分子量で，５，０００～３００，０００が好ましく，１０，
０００～３００，０００がより好ましく，１５，０００～２００，０００が特に好
ましい。重量平均分子量は，ゲルパーミエ－ションマトグラフィー法により測定し，
標準ポリスチレン検量線により換算し算出することができる。
【００２１】
また，一般式（１）で表されるポリイミド前駆体は，芳香族環を有する２価の有
機基であり，上記ジアミンの残基（ジアミンから二つのアミノ基を除いたもの）で
あるＲ１
が，下記構造式（４）〜（６）のいずれかで表される２価の有機基であるこ
とが好ましい。
【００２２】
【化４】
（一般式（４），（５）中，Ｒ’は，各々独立に１価のアルキル基を示す。また，Ｒ’
はアルキル基中の水素原子の一部または全部がハロゲン原子（フッ素，塩素，臭素，
ヨウ素）で置換されていてもよい。）
一般式（１）のＲ１
が，構造式（３）〜（６）のいずれかで表される２価の有機基
である場合，機械特性や耐熱性に優れ，また，熱膨張係数を低くすることができる。
ここで，１価のアルキル基を示す一般式（４），（５）中のＲ’としては，炭素原
子数１〜３のアルキル基であることが好ましい。また，そのアルキル基の水素原子
の一部または全部がハロゲン原子で置換されていてもよい。・・・
【００２３】
また，一般式（１）で表される構造単位において，芳香族環を有する４価の有機
基を示すＲ２
は，下記構造式（７）又は（８）で表される４価の有機基であることが
好ましい。
【００２４】
【化５】
Ｒ２
が，上記のいずれかの基である場合，機械特性や耐熱性に優れ，また，熱膨張
係数を低くすることができる。
一般式（１）のＲ２
が，構造式（７）又は（８）で表される４価の有機基である場
合，（ａ）ポリイミド前駆体の合成で用いられるテトラカルボン酸二無水物としては，
ピロメリット酸二無水物，３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物，が挙げられる。これらのテトラカルボン酸二無水物は，（ａ）ポリイミド前駆体
の合成で用いられるテトラカルボン酸二無水物の総量に対して，４０質量％以上用
いることが好ましく，６０％質量以上用いることがより好ましく，８０〜１００質
量％用いることがさらに好ましい。
【００２５】
（ａ）ポリイミド前駆体は，樹脂組成物全体に対して，５〜１００質量％含有す
ることが好ましい。
【００２６】
（（ｂ）アルコキシシラン化合物）
本発明の樹脂組成物は，（ａ）ポリイミド前駆体に対して（ｂ）アルコキシシラン
化合物を０．０１〜２質量％含有する。
（ｂ）アルコキシシラン化合物を０．０１〜２質量％含有することで，ＴＦＴな
どの半導体素子を形成する際に，支持体と十分な密着性を有し，かつ，支持体から
剥離する際にレーザーを用いずに，物理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥
離性が良好）なポリイミド樹脂膜（プラスチック基板）を形成することが可能な樹
脂組成物を提供することができる。
（ｂ）アルコキシシラン化合物の含有量が０．０１質量％以上であることで，良
好な支持体との十分な密着性を付与することができ，また（ｂ）アルコキシシラン
化合物の含有量が２質量％以下であることで，良好な剥離性を付与し，さらにポリ
イミド樹脂膜に良好な耐熱性と機械特性を付与することができる。（ｂ）アルコキシ
シラン化合物の含有量は，（ａ）ポリイミド前駆体に対して，０．０２〜２質量％で
あることが好ましく，０．０５〜１質量％であることはより好ましく，０．０５〜
０．５質量％であることがさらに好ましく，０．１〜０．５質量％であることが特
に好ましい。・・・
【００２７】
（ｂ）アルコキシシラン化合物としては，一般式(２)又は（３）で表されるいずれ
かの化合物を用いることが好ましい。
【００２８】
【化６】
（一般式（２），（３）中，Ｒ１
及びＲ２
は各々独立に１価の有機基を示す）
【００２９】
一般式（２）又は（３）で表される化合物としては，３−ウレイドプロピルトリエ
トキシシラン，ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン，３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラ
ン，γ−アミノプロピルトリエトキシシラン，γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン，γ−アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ−アミノプロピルトリブトキシシ
ラン，γ−アミノエチルトリエトキシシラン，γ−アミノエチルトリメトキシシラン，
γ−アミノエチルトリプロポキシシラン，γ−アミノエチルトリブトキシシラン，γ
−アミノブチルトリエトキシシラン，γ−アミノブチルトリメトキシシラン，γ−ア
ミノブチルトリプロポキシシラン，γ−アミノブチルトリブトキシシラン，等が挙
げられ，また，これらは２種以上を併用して用いてもよい。これらの中でも，支持
体と十分な密着性を有し，かつ，支持体から剥離する際に剥離性が良好なポリイミ
ド樹脂膜を与える観点から，３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２−
ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン，３−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシランのいずれかを用いること
が好ましく，３−ウレイドプロピルトリエトキシシランを用いることが最も好まし
い。
【００３０】
（（ｃ）有機溶剤）
本発明の樹脂組成物は，（ｃ）有機溶剤を含有する。（ｃ）有機溶剤を含有するこ
とで，支持体上への塗布性及び，ポリイミド樹脂膜の均一性が向上する。・・・
【００３５】
本発明の樹脂組成物は，該樹脂組成物を支持体に塗布，加熱しポリイミド樹脂膜
を形成する工程と，該ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，該半導
体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディス
プレイ基板の製造方法に用いることが好ましい。
本発明のポリイミド樹脂膜は，支持体と良好な密着性を有する（例えば５０〜９
５０ｋｇ/ｃｍ２
，スタッドプル評価法）ため，ポリイミド樹脂膜上に簡単にＴＦＴ
などの半導体素子を形成することができる。また，本発明のポリイミド樹脂膜は，
低い熱膨張係数（例えば１００〜２００℃における熱膨張係数が１５×１０−６
／Ｋ
以下）であり，またガラス転移温度が高いため（例えば，２５０℃以上），ＴＦＴな
どの半導体素子を形成する際に，高温に曝されても，寸法ずれを抑制することがで
きる。
【００３６】
（ポリイミド樹脂膜）
本発明のポリイミド樹脂膜は，本発明の樹脂組成物を加熱することで形成できる。
加熱により，樹脂組成物中のポリイミド前駆体がポリイミドになり，ポリイミド樹
脂膜に良好な機械特性及び耐熱性を付与することができる。
本発明のポリイミド樹脂膜は，いわゆるプラスチック基板である。
【００３７】
（ディスプレイ基板の製造方法）
本発明のディスプレイ基板の製造方法は，本発明の樹脂組成物を支持体に塗布，
加熱しポリイミド樹脂膜を形成する工程と，該ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を
形成する工程と，該半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離す
る工程の各工程とを含む。
本明細書において，ディスプレイ基板とは，特に制限はないが，プラスチック基
板（本発明の場合，ポリイミド樹脂膜）上にＴＦＴなどの半導体素子が形成された，
基板のことをいう。
【００３８】
本発明の樹脂組成物を支持体に塗布する工程は，支持体に均一な厚みを形成でき
る方法であれば，特に限定はされないが，例えば，ダイコーティングやスピンコー
ティング，スクリーン印刷による塗布が可能である。・・・
【００３９】
樹脂組成物を支持体に塗布する工程で形成された樹脂組成物膜は，次に，乾燥工
程を行うことが好ましい。・・・
樹脂組成物膜を加熱することでポリイミド樹脂膜を形成することができる。この
加熱工程により，樹脂組成物中のポリイミド前駆体のイミド環が閉環し，ポリイミ
ド樹脂膜に良好な機械特性及び耐熱性を与える。加熱工程は昇温速度及び硬化中の
雰囲気のコントロールが可能で，一定時間，特定の温度を保持することが可能な装
置であれば良い。加熱工程における温度は１００〜５００℃であることが好まし
く，・・・また加熱時間は，１分〜６時間であることが好ましく，・・・１５分〜２
時間であることがさらに好ましい。
【００４０】
本発明におけるポリイミド樹脂膜の厚さは，１〜５０μｍであることが望ましい。
厚さが１μｍ以上であることで，ポリイミド樹脂膜は良好な機械特性を有し，支持
体からの剥離工程でポリイミド樹脂膜に欠陥が生じることを抑制できる。また，５
０μｍ以下であることで，乾燥中に溶媒が均一に気化しないことにより発生するポ
リイミド膜表面荒れを抑制することができる。ポリイミド樹脂膜の厚さは，３～４
０ｕｍであることがより好ましく，５～３０μｍであることがさらに好ましい。
【００４１】
本発明のディスプレイ基板の製造方法は，ポリイミド樹脂膜上にＴＦＴなどの半
導体素子を形成する工程を含む。・・・
【００４２】
ポリイミド樹脂膜は，半導体素子を形成した後，支持体から剥離する。剥離方法
に特に制限はないが，本発明の樹脂組成物を用いたポリイミド樹脂膜は，良好な剥
離性と機械特性を有するため，物理的な方法で綺麗に剥離することが可能である。
また，支持体側からレーザー等を照射して剥離を行なっても良い。
【００４３】
本発明における，ディスプレイ基板としては，フレキシブル配線版，液晶素子，
電子ペーパーを挙げることが出来る。特に，薄型化かつフレキシブル性を付与した
いデバイスへの適用に最適である。
【００４５】
本発明のポリイミド樹脂膜の熱膨張率は，１００〜２００℃の範囲において５０
×１０−６
／Ｋ以下であることが好ましく，３０×１０−６
／Ｋ以下であることがより
好ましく，支持体（例えばガラス基板）と同程度の熱膨張率であることがさらに好
ましい。支持体の熱膨張率とポリイミド樹脂膜との熱膨張率が同程度であるほど，
半導体素子形成のプロセス中に，支持体とポリイミド膜の剥離やそり，寸法ずれが
起こりにくく，信頼性の高いディスプレイ基板を与えることができる。・・・
【００４６】
ポリイミド樹脂膜の破断伸びは，５％以上が好ましく（２５℃），１０％以上がよ
り好ましく，１５％以上であることがさらに好ましい。・・・破断伸びが５％以上で
あると，折り曲げても尤度（ゆうど）があるためよりフレキシブル性を付加できる
傾向がある。
ポリイミド樹脂の弾性率（引っ張り弾性率）は，１ＧＰａ以上であることが好ま
しく（２５℃），１．５ＧＰａ以上であることがより好ましく，２Ｇｐａ以上である
ことがさらに好ましい。・・・弾性率が１ＧＰａ以上であると，熱膨張係数が小さく
なる傾向にあるため，高温曝露時の変形が小さくなる，つまり寸法ずれが生じにく
くなり，本発明のポリイミド樹脂を用いた各種装置の信頼性が向上する傾向がある。
さらに形成されるポリイミド樹脂と基盤との密着力（スタッドプル評価法？）は，
５０ｋｇ／ｃｍ２
以上，９５０ｋｇ／ｃｍ２
以下，より好ましくは，３００ｋｇ／ｃ
ｍ２
以下であることが望ましい。この範囲より密着力が弱い場合，半導体素子を形
成，積層中に支持体との剥離が生じやすくなり，またこの範囲を超える密着力であ
る場合は，支持体から剥離するときにポリイミド樹脂膜や半導体阻止にダメージを
与える可能性がある。
【実施例】
【００４７】
（合成例１：ポリイミド前駆体溶液Ａの合成）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに，ｐ−フェニレンジアミン６．９９ｇとＮ−
メチルピロリドン１７４ｇを仕込み，１５分間，４０℃で加熱攪拌しモノマーを溶
解させた。その後ｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（２，３，３´，４´−
ビフェニルテトラカルボン酸２，３：３´，４´−二無水物）１９．０１ｇを加え，
さらに３０分間攪拌し，粘度１１００ｍＰａ・ｓ（２５℃）のポリイミド前駆体溶
液Ａを得た。このポリイミド前駆体の重量平均分子量は７０，０００であった。得
られたポリイミド前駆体溶液Ａ中，ポリイミド前駆体の含有量は１３質量％であっ
た。
【００４８】
（合成例２：ポリイミド前駆体溶液Ｂの合成）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに，ｐ−フェニレンジアミン１０．８５ｇ，ジ
アミノジフェニルエーテル０．１０ｇ，Ｎ−メチルピロリドン１６４ｇを仕込み，１
５分間，４０℃で加熱攪拌しモノマーを溶解させた。その後ｓ−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物１１．８８ｇとピロメリット酸二無水物１３．２１ｇを加え，
さらに３０分間攪拌し，粘度１２００ｍＰａ・ｓ（２５℃）のポリイミド前駆体溶
液Ｂを得た。このポリイミド前駆体溶液Ｂの重量平均分子量は６５，０００であっ
た。得られたポリイミド前駆体溶液Ｂ中，ポリイミド前駆体の含有量は１８質量％
であった。
【００４９】
（合成例３：ポリイミド前駆体溶液Ｃの合成）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに，ｐ−フェニレンジアミン７．２２ｇ，ジア
ミノジフェニルエーテル０．０７ｇ，Ｎ−メチルピロリドン１７３ｇを仕込み，１５
分間，４０℃で加熱攪拌しモノマーを溶解させた。その後ｓ−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物１９．６４ｇとピロメリット酸二無水物０．０７ｇを加え，さら
に３０分間攪拌し，粘度１３０００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体
Ｃを得た。このポリイミド前駆体の重量平均分子量は７２，０００であった。ポリ
イミド前駆体の含有量は１３質量％であった。
【００５０】
（合成例４：ポリイミド前駆体溶液Ｄの合成）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに，ｐ−フェニレンジアミン１１．３３ｇ，ジ
アミノジフェニルエーテル０．１１ｇ，Ｎ−メチルピロリドン１６４ｇを仕込み，１
５分間，４０℃で加熱攪拌しモノマーを溶解させた。その後ｓ−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物６．２０ｇとピロメリット酸二無水物１８．３７ｇを加え，さ
らに３０分間攪拌し，粘度１２００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体
Ｄを得た。このポリイミド前駆体の重量平均分子量は６０，０００であった。ポリ
イミド前駆体の含有量は１８質量％であった。
【００５１】
（実施例１）
ポリイミド前駆体溶液Ａ１００ｇに，ＵＣＴ—８０１（３−ウレイドプロピルトリ
エトキシシランの５０％メタノール溶液：以下同様）を０．０１３ｇ添加後，３時
間攪拌し，樹脂組成物１を得た。なお，（ａ）ポリイミド前駆体に対してアルコキシ
シラン化合物の含有量は０．０５質量％である。
得られた樹脂組成物１を６インチシリコンウエハ上にスピンコートで塗布した後
１３０℃のホットプレートで２分間ベーク（乾燥）し，厚さ１８μｍになるように
製膜した。次いで，硬化炉を用い２００℃で３０分間，さらに４５０℃で６０分間
加熱硬化して，樹脂組成物中のポリイミド前駆体をイミド化し，ポリイミド樹脂膜
を得た。加熱硬化後のポリイミド樹脂膜の膜厚は１０μｍであった。このポリイミ
ド樹脂膜について，シリコン基板との密着性，熱特性，機械特性を測定し，その結
果をまとめて表１に示した。
【００５２】
（密着性の評価）
密着性は，ＱｕａｄＧｒｏｕｐ社製ロミュラス（薄膜密着強度測定機）を用い
たスタッドプル評価法（スタッド引っ張り剥離強度測定）で測定した。具体的には，
前記の方法でポリイミド樹脂膜を形成したシリコン基板を１ｃｍ角に切断したサン
プル片を作製し，その中央にエポキシ樹脂付きスタッドピンを立てクリップで固定
し，１５０℃のオーブンで１時間加熱硬化させエポキシ樹脂付きスタッドピンをポ
リイミド樹脂膜に固定し評価用サンプルを作製した。この評価用サンプルをロミュ
ラスにセットし，５ｋｇ／ｍｉｎの割合で荷重を増加させ垂直方向に引っ張りの負
荷を掛け，ポリイミド樹脂膜がシリコン基板から剥離するときの強度を剥離強度と
した。
【００５３】
（剥離性の評価）
シリコン基板上に形成したポリイミド樹脂膜にカミソリで切れ目を入れ，物理的
な剥離を試み，以下に示すＡ〜Ｄで評価した。
「Ａ」：剥離性に優れており，カミソリで切れ目を入れると，そこから自然剥離する。
「Ｂ」：剥離性が良好（ピンセットで容易に剥離が可能）であるが，カミソリで切れ
目を入れても自然剥離はしない。
「Ｃ」：剥離（ピンセットで剥離）できるが，ポリイミド樹脂膜に負担（伸びや変形，
一部千切れ）が生じる膜に負担がかかる。
「Ｄ」：剥離できなかった。
【００５４】
（耐熱性（熱膨張率及び１％質量減少温度）の評価）
熱特性は，株式会社リガク製サーマルメカニカルアナライザーを用い，５ｍｍ×
１５ｍｍに切り出したポリイミド樹脂膜について２５℃から４５０℃まで，毎分
５℃ずつ昇温したときの，１００〜２００℃の範囲の熱膨張係数及び１％質量減少
温度を測定した。
【００５５】
（機械特性（破断伸び及び弾性率）の評価）
機械特性は，１０ｍｍ×６０ｍｍに切り出したポリイミド樹脂膜について株式会
社島津製作所製オートグラフを用い，破断伸びと弾性率（引っ張りに対するヤング
率，引っ張り弾性率）を測定した。
【００５６】
（実施例２）
ポリイミド前駆体溶液Ａ１００ｇに，ＵＣＴ—８０１を０．０５２ｇ添加後，３時
間攪拌し，樹脂組成物２を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液
Ａ中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は０．２
質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００５７】
（実施例３）
ポリイミド前駆体溶液Ａ１００ｇに，ＵＣＴ—８０１を０．１３ｇ添加後，３時間
攪拌し，樹脂組成物３得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液Ａ中
のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は０．５質量％
である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００５８】
（実施例４）
ポリイミド前駆体溶液Ａ１００ｇに，ＵＣＴ—８０１を０．２６ｇ添加後，３時間
攪拌し，樹脂組成物４を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液Ａ
中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，１．０
質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００５９】
（実施例５）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＵＣＴ—８０１を０．０１８ｇ添加後，３時
間攪拌し，樹脂組成物５を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液
Ｂ中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，０．
０５質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００６０】
（実施例６）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＵＣＴ—８０１を０．０７２ｇ添加後，３時
間攪拌し，樹脂組成物６を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液
Ｂ中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，０．
２質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００６１】
（実施例７）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＵＣＴ—８０１を０．１８ｇ添加後，３時間
攪拌し，樹脂組成物７を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液Ｂ
中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，０．５
質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表２に示した。
【００６２】
（実施例８）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＳＩＢ１１４０．０（ビス（２−ヒドロキシ
エチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランの５０％メタノール溶液）を０．
０７２ｇ添加後，３時間攪拌し，樹脂組成物８を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポ
リイミド前駆体溶液Ｂ中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合
物の含有量は，０．２質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表２に示した。
【００６３】
（実施例９）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＳＩＢ−１１４０を０．１８ｇ添加後，３時
間攪拌し，樹脂組成物９を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液
Ｂ中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，０．
５質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表２に示した。
【００６４】
（実施例１０）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＳＩＢ−１１４０を０．３６ｇ添加後，３時
間攪拌し，樹脂組成物１０を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶
液Ｂ中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，１．
０質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表２に示した。
【００６５】
（実施例１１）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＫＢＭ-１０３（フェニルトリメトキシシラ
ン）を０．０７２ｇ添加後，３時間攪拌し，樹脂組成物１１を得た。なお，ポリイ
ミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液Ｂ中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコ
キシシラン化合物の含有量は，０．４質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表２に示した。
【００６６】
（実施例１２）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＫＢＭ-１０３を０．１８ｇ添加後，３時間
攪拌し，樹脂組成物１２を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液
Ｂ中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，１．
０質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表２に示した。
【００６７】
（実施例１３）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＫＢＭ-１０３を０．３６ｇ添加後，３時間
攪拌し，樹脂組成物１３を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液
Ｂ中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，２．
０質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表２に示した。
【００６８】
（実施例１４）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＫＢＭ-４０３（３−グリシドキシプロピル
トリエトキシシラン）を０．０７２ｇ添加後，３時間攪拌し，樹脂組成物１４を得
た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液Ｂ中のポリイミド前駆体成分）
に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，０．４質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表２に示した。
【００６９】
（実施例１５）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＫＢＭ-４０３を０．１８ｇ添加後，３時間
攪拌し，樹脂組成物１５を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液
Ｂ中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，１．
０質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミドフィルムについて，密着性，熱特
性，機械特性を評価し，その結果を纏めて表３に示した。
【００７０】
（実施例１６）
ポリイミド前駆体溶液Ｂ１００ｇに，ＫＢＭ-４０３を０．３６ｇ添加後，３時間
攪拌し，樹脂組成物１６を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液
Ｂ中のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，２．
０質量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表３に示した。
【００７１】
（実施例１７）
液状ポリイミド前駆体Ｃ１００ｇに，ＵＣＴ−８０１を０．１４ｇ添加後，３時間
攪拌し，液状ポリイミド前駆体樹脂組成物１７を得た。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミドフィルムについて，密着性，熱特
性，機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００７２】
（実施例１８）
液状ポリイミド前駆体Ｃ１００ｇに，ＵＣＴ−８０１を０．２７ｇ添加後，３時間
攪拌し，液状ポリイミド前駆体樹脂組成物１８を得た。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミドフィルムについて，密着性，熱特
性，機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００７３】
（実施例１９）
液状ポリイミド前駆体Ｃ１００ｇに，ＵＣＴ−８０１を０．５４ｇ添加後，３時間
攪拌し，液状ポリイミド前駆体樹脂組成物１９を得た。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミドフィルムについて，密着性，熱特
性，機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００７４】
（実施例２０）
液状ポリイミド前駆体Ｄ１００ｇに，ＵＣＴ−８０１を０．１８ｇ添加後，３時間
攪拌し，液状ポリイミド前駆体樹脂組成物２０を得た。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミドフィルムについて，密着性，熱特
性，機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００７５】
（実施例２１）
液状ポリイミド前駆体Ｄ１００ｇに，ＵＣＴ−８０１を０．３６ｇ添加後，３時間
攪拌し，液状ポリイミド前駆体樹脂組成物２１を得た。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミドフィルムについて，密着性，熱特
性，機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００７６】
（実施例２２）
液状ポリイミド前駆体Ｄ１００ｇに，ＵＣＴ−８０１を０．５４ｇ添加後，３時間
攪拌し，液状ポリイミド前駆体樹脂組成物２２を得た。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミドフィルムについて，密着性，熱特
性，機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００７７】
（比較例１）
ポリイミド前駆体溶液Ａを，実施例１に記載の方法で成膜し，得られたポリイミ
ド樹脂膜について，密着性，熱特性，機械特性を評価し，その結果を纏めて表３に
示した。
【００７８】
（比較例２）
ポリイミド前駆体溶液Ｂを，実施例１に記載の方法で成膜し，得られたポリイミ
ド樹脂膜について，密着性，熱特性，機械特性を評価し，その結果を纏めて表３に
示した。
【００７９】
（比較例３）
ポリイミド前駆体溶液Ａを，シランカップリング剤で前処理（３−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン０．１質量％の１−メトキシ−２−プロパノール溶液を６イン
チシリコンウエハ上にスピンコート後，１３０℃でベークし溶剤を除去することで，
３−アミノプロピルトリエトキシシランの単層膜を形成する）した６インチのシリ
コンウエハ上にスピンコートで塗布した後，１３０℃のホットプレートで２分間ベ
ークし，厚さ１８μｍになるように製膜した。次いで，硬化炉を用い２００℃で３
０分間，さらに４５０℃で６０分間加熱硬化してイミド化し，ポリイミド樹脂膜を
得た。イミド化後の膜厚は１０μｍであった。
得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，機械特性を評価し，その
結果を纏めて表３に示した。
【００８０】
（比較例４）
ポリイミド前駆体溶液Ｂを，シランカップリング剤で前処理した６インチシリコ
ンウエハ上にスピンコートで塗布した後，１３０℃のホットプレートで２分間ベー
クし，厚さ１８μｍになるように製膜した。次いで，硬化炉を用い２００℃で３０
分間，さらに４５０℃で６０分間加熱硬化してイミド化し，ポリイミド樹脂フィル
ムからなる樹脂膜を得た。イミド化後の膜厚は１０μｍであった。
得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，機械特性を評価し，その
結果を纏めて表３に示した。
【００８１】
（比較例５）
ポリイミド前駆体溶液Ａ１００ｇに，ＵＣＴ—８０１を０．７８ｇ添加後，３時間
攪拌し，樹脂組成物を得た。なお，ポリイミド前駆体（ポリイミド前駆体溶液Ａ中
のポリイミド前駆体成分）に対してアルコキシシラン化合物の含有量は，３．０質
量％である。
実施例１と同様に成膜し，得られたポリイミド樹脂膜について，密着性，熱特性，
機械特性を評価し，その結果を纏めて表１に示した。
【００８２】
（比較例６）
液状ポリイミド前駆体Ｃを，実施例１に記載の方法で成膜し，得られたポリイミ
ドフィルムについて，密着性，熱特性，機械特性を評価し，その結果を纏めて表１
に示した。
【００８３】
（比較例７）
液状ポリイミド前駆体Ｄを，実施例１に記載の方法で成膜し，得られたポリイミ
ドフィルムについて，密着性，熱特性，機械特性を評価し，その結果を纏めて表１
に示した。
【００８４】
【表１】
※（ｂ）アルコキシシラン化合物の含有量は（ａ）ポリイミド前駆体溶液中のポリ
イミド前駆体成分（固形分）に対する（ｂ）成分の固形分の含有量（質量％）を示
す。
【００８５】
【表２】
【００８６】
【表３】
【００８７】
実施例１〜２３に示したように，アルコキシシラン化合物を０．０１〜２質量％
含有する樹脂組成物を用いた樹脂膜は，密着性，剥離性，耐熱性（熱膨張率，１％
質量減少温度）及び，機械特性（破断伸び，及び弾性率）に優れることが分かった。
実施例１〜１７のようなポリイミド樹脂膜は，１０μｍの薄膜であっても，ＴＦＴ
などの半導体素子を容易に形成することが可能であり，また，支持体から簡単に剥
離することができる。
一方，シランカップリング剤を含有しない樹脂組成物を用いた比較例１及び２で
は，密着性が低下した。また，シランカップリング剤を含有する樹脂組成物を用い
る代わりに，ウェハをシランカップリング剤で前処理した比較例３及び４では剥離
性が悪かった。また，シランカップリング剤を３質量％用いた比較例５では，剥離
性が悪かった。
(2)上記(1)によると，本件発明は次のとおりのものであると認めることがで
きる。
ガラス基板に代わる基板として提案されているプラスチック基板は成形が容易で，
高い靭性を有し，折り曲げに強いことから，半導体素子の軽量化や薄型化に適し，
フレキシブルな基材として有用である。薄型化したプラスチック基板を用いてディ
スプレイ基板を製造する方法は，支持体の上にプラスチック基板を形成する工程と，
該プラスチック基板上にＴＦＴなどの半導体素子を形成する工程と，プラスチック
基板を支持体から剥離する工程を含む。（段落【０００２】）
本件発明では，ＴＦＴなどの半導体素子を形成する際に，支持体と十分な密着性
を有し，かつ，支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，物理的な方法で綺麗
に剥離することが可能なポリイミド樹脂膜（プラスチック基板）を形成することが
可能な樹脂組成物を提供することを目的とする。また，良好な機械特性及び耐熱性
を有するポリイミド樹脂膜を形成することが可能な樹脂組成物を提供することを目
的とする。さらに，本件発明は，該樹脂組成物を用いたポリイミド樹脂膜と，ディ
スプレイ基板の製造方法を提供すること及び当該製造方法により形成されるディス
プレイ基板を提供することを目的とする。（段落【０００７】）
一般に，シランカップリング剤は，それを配合した組成物を被着体に塗布して，
組成物の層や膜を形成した場合，形成した層や膜と被着体の密着強度が著しく増加
し，接着性を高くする傾向にある。本件発明は，従来の使用方法に反し，一般式（１）
で表される構造単位を有するポリアミド酸である「（ａ）ポリイミド前駆体」に，シ
ランカップリング剤の中でも特定の「（ｂ）アルコキシシラン化合物」を少量配合す
ることで，適度な密着強度を発現することを見いだし本件発明に達したものである。
（段落【０００８】）
本件発明の樹脂組成物は，ポリイミド前駆体が，一般式（１）で表される構造単
位を有するポリアミド酸である「（ａ）ポリイミド前駆体」に対して「（ｂ）アルコ
キシシラン化合物」を０．０１〜２質量％含有することで，ＴＦＴなどの半導体素
子を形成する際に，支持体と十分な密着性を有し，かつ，支持体から剥離する際に
レーザーを用いずに，物理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）
なポリイミド樹脂膜（プラスチック基板）を形成することが可能な樹脂組成物を提
供することができる。（段落【００２６】）
本件発明に用いるアルコキシシラン化合物としては，３−ウレイドプロピルトリ
エトキシシラン，ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン，３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン，γ−アミノプロピルトリメトキシシラン，
γ−アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ−アミノプロピルトリブトキシシラン，
γ−アミノエチルトリエトキシシラン，γ−アミノエチルトリメトキシシラン，γ−ア
ミノエチルトリプロポキシシラン，γ−アミノエチルトリブトキシシラン，γ−アミ
ノブチルトリエトキシシラン，γ−アミノブチルトリメトキシシラン，γ−アミノブ
チルトリプロポキシシラン，γ−アミノブチルトリブトキシシラン等が挙げられる。
これらの中でも，支持体と十分な密着性を有し，かつ，支持体から剥離する際に剥
離性が良好なポリイミド樹脂膜を与える観点から，３−ウレイドプロピルトリエト
キシシラン，ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン，
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシランのい
ずれかを用いることが好ましく，３−ウレイドプロピルトリエトキシシランを用い
ることが最も好ましい。（段落【００２９】）
２取消事由１－１（本件発明１について：一致点及び相違点の認定の誤り）に
ついて
(1)ア甲１には次の記載がある。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液状の樹脂組成物をキャリア基板上に塗布成膜して固体状の樹脂膜を形成する工
程，前記樹脂膜上に回路を形成する工程，前記回路が表面に形成された固体状の樹
脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程，の各工程を含む，表示デバイス又は受
光デバイスであるフレキシブルデバイスの製造法に用いられる，フレキシブルデバ
イス基板となる前記液状の樹脂組成物であって，一般式（１）
【化１】
（一般式（１）中，Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し，Ｒ１は
【化２】
から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり，ア
ルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されても良い），Ｒ２は
【化３】
から選択される四価の有機基であり，ｎは繰り返し数を表す正の整数である）で表
される構造を有するポリイミド前駆体と有機溶媒とを含有してなるフレキシブルデ
バイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物。
【請求項２】
ポリイミド前駆体の重量平均分子量が，１５，０００から２００，０００である
請求項１に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂
組成物をキャリア基板上に塗布成膜して固体状のポリイミド樹脂膜を形成する工程，
前記樹脂膜上に回路を形成する工程，前記回路が表面に形成された固体状の樹脂膜
を前記キャリア基板から剥離する工程の各工程を含む，表示デバイス又は受光デバ
イスであるフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項４】
ポリイミド樹脂膜の厚さが，１～２０μｍである請求項３に記載のフレキシブル
デバイスの製造方法。
【請求項５】
ポリイミド樹脂膜のガラス転移温度が，３００℃以上である請求項３又は４に記
載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項６】
ポリイミド樹脂膜の１００℃～２００℃の範囲における熱膨張係数が，２０ｐｐ
ｍ／Ｋ以下である請求項３から５のいずれかに記載のフレキシブルデバイスの製造
方法。
【請求項７】
請求項３から６のいずれかに記載されたフレキシブルデバイスの製造方法により
製造された表示デバイス又は受光デバイスであるフレキシブルデバイス。
【請求項８】
フレキシブルデバイスが，電子ペーパー，ディスプレイ又は太陽電池の受光素子
である請求項７に記載のフレキシブルデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，低熱膨張，高耐熱性，靭性に優れる，各種フレキシブルデバイスにお
いて，液晶ディスプレイ用基板，有機ＥＬディスプレイ用基板，電子ペーパー用基
板等の表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板，薄膜太陽電池等の受光デ
バイスとしてのフレキシブルデバイス基板等のフレキシブルデバイス基板用である
ポリイミド前駆体樹脂組成物に関し，特にフレキシブルディスプレイ用基板として
有用であるポリイミド前駆体樹脂組成物に関する。また，本発明は前記ポリイミド
前駆体樹脂組成物を用いるフレキシブルデバイスの製造方法及び前記製造方法によ
り得られるフレキシブルデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在，各種ディスプレイにはガラス基板が用いられているが，ガラス基板は軽量
化，薄型化すると強度が低下する問題を抱えている。そこでガラス基板の代替品と
して，軽量かつ成型加工が容易であるゆえに薄型化可能なプラスチック基板の採用
が求められている。ガラス基板よりも高い靭性を持つプラスチック基板の採用は，
曲げたり丸めたりすることが可能なフレキシブルディスプレイパネルの実現を可能
とする。・・・
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら，液晶ディスプレイ用基板，有機ＥＬディスプレイ用基板，電子ペ
ーパー用基板等の表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板，薄膜太陽電池
等の受光デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板等のフレキシブルデバイス基
板用としては，簡易な工程に適用でき，かつ，要求特性を高度に満足するものは知
られていない。即ち，前記フレキシブルデバイス基板用としては，さらなる薄膜化
の要求がなされ，また，工程上一旦キャリア基板上に薄膜を形成した状態でその上
に各種回路を形成し，その後に剥離することができる液状樹脂組成物が要求される
が，このような工程に用いることができ，かつ，高度な要求特性を有する液状樹脂
組成物は知られていない。
本発明は，液晶ディスプレイ，有機ＥＬディスプレイ，電子ペーパー等の表示デ
バイス，太陽電池の受光デバイスであるフレキシブルデバイスにおいて，ガラス基
板等のキャリア基板上に塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜を形成し，そ
の樹脂薄膜上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに，耐熱性に優れ，熱
膨張係数の低いポリイミド膜となって，回路等の形成過程でキャリア基板層からの
はがれやキャリア基板層のそりを生じさせず，回路等のはがれなどの欠陥も生じず，
そしてその後，キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができる，液状のフレキシブ
ルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物，これを用いたフレキシブルデ
バイス及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は次の各項に関する。
（１）液状の樹脂組成物をキャリア基板上に塗布成膜して固体状の樹脂膜を形成
する工程，前記樹脂膜上に回路を形成する工程，前記回路が表面に形成された固体
状の樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程，の各工程を含む，表示デバイス
又は受光デバイスであるフレキシブルデバイスの製造法に用いられる，フレキシブ
ルデバイス基板となる前記液状の樹脂組成物であって，一般式（１）
【０００６】
【化１】
（一般式（１）中，Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し，Ｒ１は
【０００７】
【化２】
から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり，ア
ルキル基の水素原子はハロゲンで置換されても良い），Ｒ２は
【０００８】
【化３】
から選択される四価の有機基であり，ｎは繰り返し数を表す正の整数である）で表
される構造を有するポリイミド前駆体と有機溶媒とを含有してなるフレキシブルデ
バイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物。
（２）ポリイミド前駆体の重量平均分子量が，１５，０００から２００，０００
である前記（１）に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂
組成物
（３）前記（１）又は（２）に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミ
ド前駆体樹脂組成物をキャリア基板上に塗布成膜して固体状のポリイミド樹脂膜を
形成する工程，前記樹脂膜上に回路を形成する工程，前記回路が表面に形成された
固体状の樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程の各工程を含む，表示デバイ
ス又は受光デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法。・・・
【発明の効果】
【０００９】
本発明における液状のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組
成物は，低熱膨張，高耐熱性，高靭性に優れ，表示デバイス又は受光デバイスの基
板として適したポリイミド薄膜を形成できる。
また，現在の主流である，ベースフィルムとしてすでにフィルムとして成型され
ている，厚さの決まったものを用いるのではなく，デバイスの製造に即して塗布成
膜する液状の組成物を使用するため，スピンコートやスクリーン印刷などによりガ
ラス基板などのキャリア基板上に塗布できる。この時，塗布膜厚を変化させること
により，樹脂膜（ベースフィルム）の厚さを所望の厚さ，特に薄膜に調整すること
も可能となり，したがってフレキシブルデバイスのさらなる薄型化も可能となる。
これにより，最終製品の小型化，軽量化も可能となる。
また，ガラス基板等のキャリア基板上に薄く塗布することで簡単にかつ所望の膜
厚の薄膜として成膜でき，その上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに，
耐熱性に優れ，熱膨張係数の低いポリイミド膜となって，回路等の形成過程でキャ
リア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず，回路等のはがれな
どの欠陥も生じない上，その後キャリア基板から剥がす際には，ポリイミド膜自体
にも，その上に形成された回路等にも欠陥を生じることがなく，きれいに剥がせる
ものである。従って，これを用いた表示デバイス又は受光デバイスとなるフレキシ
ブルデバイスの製造方法は，キャリア基板上に形成されたベースフィルムに直接回
路を形成し，その後剥離することが可能となるため，再転写の製造工程を省略する
ことができる。そして得られるフレキシブルデバイスは，薄くても靱性が高く，耐
熱性にも優れるものとなる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の液状のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物は，キ
ャリア基板上に塗布，乾燥，成膜し，次いで，好ましくは加熱等の手段により，脱
水閉環させて，固体状のポリイミド樹脂膜を形成する工程，その上に回路を形成す
る工程，前記回路が表面に形成された固体状の樹脂膜を前記キャリア基板から剥離
する工程，の各工程を含む，フレキシブルデバイスの製造方法に用いられるもので
ある。この方法によれば，前述のように直接固体状のポリイミド樹脂膜（ベースフ
ィルム）へ回路を形成することが可能となり，再転写の製造工程を省略することが
できる。
本発明における液状のポリイミド前駆体樹脂組成物は，以下の一般式（１）で表
される構造を有するポリイミド前駆体と有機溶媒を含む。
一般式（１）
【００１２】
【化４】
（一般式（１）中，Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し，Ｒ１は
【００１３】
【化５】
（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり，アルキル基の水素原子はハロゲンで置
換されても良い）から選択される２価の有機基であり，Ｒ２は
【００１４】
【化６】
から選択される四価の有機基であり，ｎは繰り返し数を表す正の整数である）
一般式（１）において，Ｒは，各々独立に水素又は１価の有機基を示し，１価の
有機基として，炭素原子数１〜２０のものが好ましく，例えば，メチル基，エチル
基，プロピル基，イソプロピル基，ブチル基などが挙げられる。Ｒ１におけるＲとし
ては，炭素原子数１〜３のアルキル基等の炭化水素基が挙げられ，そのアルキル基
の水素原子の一部または全部がハロゲン原子（フッ素，塩素，臭素，ヨウ素）で置
換されていても良い。
ポリイミド前駆体は，一般に１つのテトラカルボン酸残基と１つのジアミン残基
から形成される構造単位（括弧でくくられた構造単位）が繰り返し単位となって形
成されるが，本発明においては一般式（１）で示される括弧でくくられた構造単位
が，全構造単位中４０％以上であることが好ましく，６０％以上であることがより
好ましく，８０〜１００％であることが特に好ましい。
ポリイミド前駆体は，一般にテトラカルボン酸二無水物とジアミンとを重合する
ことにより得られる。この重合は両者を有機溶媒中で混合することにより行うこと
ができる。
【００１５】
前記一般式（１）で示される構造を形成するために用いられるテトラカルボン酸
二無水物としては，ピロメリット酸二無水物，シクロヘキシルテトラカルボン酸二
無水物，３，３，４，４−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物，３，３，４，４−
ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。その他のテトラカルボ
ン酸二無水物を併用することもでき，その例としては，４，４−オキシジフタル酸二
無水物，３，３，４，４−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物，１，２，５，
６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物，１，４，５，８−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物，４，４−スルフォニルジフタル酸二無水物，２，２−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物などが挙げられる。一般式（１）で示さ
れる構造を形成するテトラカルボン酸二無水物の使用量は，テトラカルボン酸二無
水物の総量に対して，４０％以上であることが好ましく，６０％以上であることが
より好ましく，８０〜１００％であることが特に好ましい。
【００１６】
また，前記一般式（１）で示される構造単位を形成するために用いられるジアミ
ンとしては，ｐ−フェニレンジアミン，ｍ−フェニレンジアミン，ベンジジン，３，
３−ジメチル−４，４−ジアミノビフェニル，２，２−ジメチル−４，４−ジアミノビフ
ェニル，３，３−ジエチル−４，４−ジアミノビフェニル，２，２−ジエチル−４，４−
ジアミノビフェニル等が挙げられる。・・・
【００１７】
重合に使用する有機溶媒は，例えば，Ｎ－メチル－２－ピロリドン，Ｎ，Ｎ－ジ
メチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド，γ－ブチロラクトン，ε－
カプロラクトン，γ－カプロラクトン，γ－バレロラクトン，ジメチルスルホキシ
ド，１，４－ジオキサン，シクロヘキサノンなどが挙げられ，また，これらは２種
以上を併用してもよい。ポリイミド前駆体樹脂組成物を生成後，粘度を調整するた
めに，プロピレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールモノエチ
ルエーテル，プロピレングリコールモノメチルアセテート，プロピレングリコール
モノエチルアセテート，エチルセロソルブ，ブチルセロソルブ，トルエン，キシレ
ン，エタノール，イソプロピルアルコール，ｎ－ブタノールなどを用いても良く，
これらは２種以上を併用してもよい。ポリイミド前駆体樹脂組成物におけるポリイ
ミド前駆体／有機溶媒の質量割合としては，良好な薄膜を形成できる塗布性等の観
点から，ポリイミド前駆体／有機溶媒で，５／９５～９５／５が好ましい。
製造されるポリイミド前駆体の分子量としては，硬化膜の伸び及び溶媒への溶解
性の観点から，重量平均分子量で，５０００～３０００００が好ましく，１０００
０～３０００００がより好ましく，１５，０００～２００，０００が特に好ましい。
重量平均分子量は，ゲルパーミエ-ションクロマトグラフィー法により測定し，標準
ポリスチレン検量線により換算して算出することができる。
【００１９】
さらに，本発明のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物には，
被塗布体との接着性向上のため，シランカップリング剤，チタンカップリング剤等
のカップリング剤を添加することができる。上記カップリング剤としては，例えば，
γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン，
γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロピルトリブトキシシラ
ン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－アミノエチルトリメトキシシラン，
γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチルトリブトキシシラン，
γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミノブチルトリメトキシシラン，γ
－アミノブチルトリプロポキシシラン，γ－アミノブチルトリブトキシシラン，な
どが挙げられ，また上記チタンカップリング剤としては，例えば，γ－アミノプロ
ピルトリエトキシチタン，γ－アミノプロピルトリメトキシチタン，γ－アミノプ
ロピルトリプロポキシチタン，γ－アミノプロピルトリブトキシチタン，γ－アミ
ノエチルトリエトキシチタン，γ－アミノエチルトリメトキシチタン，γ－アミノ
エチルトリプロポキシチタン，γ－アミノエチルトリブトキシチタン，γ－アミノ
ブチルトリエトキシチタン，γ－アミノブチルトリメトキシチタン，γ－アミノブ
チルトリプロポキシチタン，γ－アミノブチルトリブトキシチタン，などが挙げら
れる。これらは２種以上を併用してもよい。このときの使用量は，ポリイミド前駆
体（樹脂分）に対して，０．１質量％以上，３質量％以下が好ましい。
その他，必要に応じて，各種添加剤を配合することも可能である。
【００２０】
本発明の液状のポリイミド前駆体樹脂組成物の塗布は，キャリア基板（支持体）
に均一な厚みを形成できる方法であれば，種類を問わず適用できる。例として，ダ
イコーティングやスピンコーティング，スクリーン印刷による塗布が可能である。
本発明における液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布，乾燥，イミド閉環して
得られるポリイミド樹脂膜の厚さは，１～２０μｍであることが望ましい。これは，
厚さが１μｍに満たない場合にポリイミドフィルムが十分な耐性を保持できず，フ
レキシブルデバイスとして使用したとき応力に耐え切れず破壊されるためである。
また，２０μｍを超えて厚くなると，フレキシブルデバイスの薄型化が困難となっ
てしまう。したがって，フレキシブルデバイスとして十分な耐性を保持しながらよ
り薄膜化するには，２～１０μｍの厚みであることが最も望ましい。
【００２１】
本発明のフレキシブルデバイスの製造方法において，ポリイミド前駆体樹脂組成
物を塗布するキャリア基板（支持体）は，自立性を持つ硬質なものであって，耐熱
性があれば良い。つまり製造工程上必要とされる高温にさらされても変形しない素
材を用いていれば良い。具体的には，一般に２００℃以上，好ましくは２５０℃以
上のガラス転移温度を持つ素材を用いるのが望ましく，このようなものとしてはガ
ラスが挙げられる。キャリア基板の厚さは，０．３ｍｍから５．０ｍｍが好ましく，
０．５ｍｍから３．０ｍｍがより好ましく，０．７ｍｍから１．５ｍｍであるもの
がさらに好ましい。・・・
【００２２】
本発明のフレキシブルデバイスの製造方法においては，以上のようにして形成し
たポリイミド膜の上に，表示デバイス，受光デバイスに必要な回路を形成する工程
を含む。・・・本発明において得られるポリイミド樹脂膜は耐熱性，靱性等各種特
性に優れるので，回路等を形成する手法は特に制限されない。
以上のようにして，回路等が表面に形成された固体状のポリイミド樹脂膜を前記
キャリア基板から剥離する。剥離方法に特に制限はなく，例えばキャリア基板側か
らレーザー等を照射することで剥離を行っても良い。本発明により得られるポリイ
ミド樹脂膜は，高い靭性を有するので，キャリア基板（支持体）と単に物理的に剥
離することも可能である。
本発明における，フレキシブルデバイスとしては，液晶ディスプレイ，有機ＥＬ
ディスプレイ，電子ペーパーといった表示デバイス，太陽電池，ＣＭＯＳなどの受
光デバイスを挙げることが出来る。特に，薄型化かつフレキシブル性を付与したい
デバイスへの適用に最適である。
【実施例】
【００２３】
（実施例１）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに，ｐ－フェニレンジアミン５．４１ｇとＮ
－メチルピロリドン１８１．０３ｇを仕込み，１５分間，４０℃で加熱攪拌しモノ
マーを溶解させた。その後ｓ－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１４．７１ｇ
を加え，さらに３０分間攪拌し，粘度１１００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイ
ミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体の重量平均分子量は７０００
０であった。
得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン
基板上にスピンコートで塗布した後，１３０℃のホットプレートで２分間ベークし，
厚さ５μｍになるように製膜した。次いで，硬化炉を用い２００℃で３０分間，さ
らに３５０℃で６０分間加熱硬化してイミド化し，ポリイミド樹脂フィルムからな
る樹脂膜を得た。イミド化後の膜厚は３μｍであった。この樹脂フィルムをシリコ
ン基板より剥離し，熱特性，機械特性を測定し，その結果を纏めて表１に示した。
【００２４】
測定条件は，次の通り。
ガラス転移温度：サーマルメカニカルアナライザー（株式会社リガク製，測定温
度範囲２５～４５０℃，試料サイズ５ｍｍ×１５ｍｍ）
熱分解温度：サーマルメカニカルアナライザー（株式会社リガク製，測定温度範
囲２５～４５０℃，試料サイズ５ｍｍ×１５ｍｍ）
熱膨張率：サーマルメカニカルアナライザー（株式会社リガク製，測定温度範囲
２５～４５０℃，試料サイズ５ｍｍ×１５ｍｍ）
破断点応力：オートグラフ（株式会社島津製作所製，試料サイズ１０ｍｍ×６０
ｍｍ）
弾性率：オートグラフ（株式会社島津製作所製，試料サイズ１０ｍｍ×６０ｍｍ）
伸び：オートグラフ（株式会社島津製作所製，試料サイズ１０ｍｍ×６０ｍｍ）
重量平均分子量：ゲルパーミエーションクロマトグラフ（株式会社島津製作所製）
【００２５】
（実施例２）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに，p-フェニレンジアミン３．８６ｇと１，
３-ビス（３-アミノプロピル）-１，１，３，３-テトラメチルジシロキサン０．１
８ｇ，Ｎ-メチルピロリドン８５ｇを仕込み，１５分間，４０℃で加熱攪拌しモノマ
ーを溶解させた。その後ｓ-ビフェニルテトラカルボン酸無水物１０．１９ｇと１，
３-ビス（３，４-ジカルボキシフェニル酸無水物）-１，１，３，３-テトラメチル
ジシロキサンを０．７８ｇ加え，さらに３０分間攪拌し，粘度２０００ｍＰａ・ｓ
（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂
の重量平均分子量は８００００であった。
得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン
基板上にスピンコートで塗布した後，１３０℃のホットプレートで４５秒間，次い
で１６０℃のホットプレートで４５秒間ベークし，厚さ８μｍになるように製膜し
た。次いで，実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し，ポリイミド樹脂フ
ィルムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は５μｍであった。この樹脂フィルムをシ
リコン基板より剥離し，熱特性，機械特性を測定し，その結果を纏めて表１に示し
た。・・・
【００２６】
（実施例３）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに２，２-ビス（トリフルオロメチル）ベンジ
ジン１１．９９ｇとＮ-メチルピロリドン７７ｇを仕込み，室温（２５℃）で１５分
間攪拌しモノマーを溶解した。その後ｓ-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１
１．０１ｇを加えさらに室温で３０分間攪拌し，粘度７２００ｍＰａ・ｓ（２５℃）
の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の重量平均
分子量は７２４００であった。
得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン
基板上にスピンコートで塗布した後，１００℃のホットプレートで２分間，次いで
１３０℃のホットプレートで２分間ベークし，厚さ１３μｍになるように製膜した。
次いで，実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し，ポリイミド樹脂フィル
ムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は９μｍであった。この樹脂フィルムをシリコ
ン基板より剥離し，熱特性，機械特性を測定し，その結果を纏めて表１に示した。・・・
【００２７】
（実施例４）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに，１，４-ジアミノシクロヘキサン５．５９
ｇをＮ-メチルピロリドン８０ｇを仕込み，７０℃で１５分間加熱攪拌しモノマー
を溶解した。その後ｓ-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１４．４１ｇを加え８
０℃で３０分間攪拌後，自然冷却し粘度９２００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリ
イミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の重量平均分子量は５
３０００であった。
得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン
基板上にスピンコートで塗布した後，１００℃のホットプレートで２分間，次いで
１３０℃のホットプレートで２分間ベークし，厚さ１５μｍになるように製膜した。
次いで，実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し，ポリイミド樹脂フィル
ムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は１０μｍであった。この樹脂フィルムをシリ
コン基板より剥離し，熱特性，機械特性を測定し，その結果を纏めて表１に示し
た。・・・
【００２８】
（実施例５）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに，２，２-ビス（トリフルオロメチル）ベン
ジジン１．４９ｇと１，４-ジアミノシクロヘキサン４．７８ｇ，Ｎ-メチルピロリ
ドン８０ｇを仕込み，７０℃で１５分間加熱攪拌しモノマーを溶解した。その後ｓ
-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１３．０１ｇと３，３，４，４-ビシクロヘ
キシルテトラカルボン酸二無水物０．７１ｇを加え８０℃で３０分間加熱攪拌後，
自然冷却し液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の
重量平均分子量は８７９００であった。
得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン
基板上にスピンコートで塗布した後，１００℃のホットプレートで２分間，次いで
１３０℃のホットプレートで２分間ベークし，厚さ１５μｍになるように製膜した。
次いで，実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し，ポリイミド樹脂フィル
ムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は１０μｍであった。この樹脂フィルムをシリ
コン基板より剥離し，熱特性，機械特性を測定し，その結果を纏めて表１に示し
た。・・・
【００２９】
（比較例１）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに，４，４-ジアミノジフェニルエーテル６．
０３ｇと１，３-ビス（３-アミノプロピル）-１，１，３，３-テトラメチルジシロ
キサン０．３９ｇ，Ｎ-メチルピロリドン８５ｇを仕込み，室温で１５分間攪拌し
モノマーを溶解させた。その後ピロメリット酸二無水物３．４６ｇと３，３，４，
４'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物５．１１ｇを加え，さらに２４時間
攪拌した。その後８０℃の加熱攪拌で粘度調整を行い，粘度１１００ｍＰａ・ｓ（２
５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の重
量平均分子量は７６０００であった。
得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物をガラス基板上にスピンコートで塗布
した後，１４０℃のホットプレートで１分間ベークし，厚さ８μｍになるように製
膜した。次いで，実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し，ポリイミド樹
脂フィルムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は４μｍであった。この樹脂フィルム
をシリコン基板より剥離し，熱特性，機械特性を測定し，その結果を纏めて表１に
示した。・・・
【００３０】
（比較例２）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに，２，２-ビス［４-(４-アミノフェノキシ）
フェニル］プロパン８．０７ｇと１，３-ビス（３-アミノプロピル）-１，１，３，
３-テトラメチルジシロキサン０．２６ｇ，Ｎ-メチルピロリドン６８ｇ，ジイソブ
チルケトン１７ｇを仕込み，１５分間攪拌した。その後３，３'，４，４'-ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物６．６７ｇを加えさらに３０分間攪拌し，粘度１
１００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリ
イミド前駆体樹脂の重量平均分子量は８１０００であった。
得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン
基板上にスピンコートで塗布した後，１２０℃のホットプレートで３分間ベークし，
厚さ１４μｍになるように製膜した。次いで，実施例１に記載の条件で加熱硬化し
てイミド化し，ポリイミド樹脂フィルムからなる樹脂膜を得た。この膜厚は８μｍ
であった。この樹脂フィルムをシリコン基板より剥離し，熱特性，機械特性を測定
し，その結果を纏めて表１に示した。・・・
【００３１】
（比較例３）
窒素雰囲気下の２００ｍｌフラスコに，ビス［４-（３-アミノフェノキシ）フェ
ニル］スルホン８．９３ｇとＮ-メチルピロリドン８５ｇを仕込み，室温で１５分間
攪拌しモノマーを溶解した。その後ｓ-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物６．０
７ｇを加えさらに３０分間攪拌し，粘度５００ｍＰａ・ｓ（２５℃）の液状ポリイ
ミド前駆体樹脂組成物を得た。このポリイミド前駆体樹脂の重量平均分子量は７８
１００であった。
得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を厚さ６２５μｍの６インチシリコン
基板上にスピンコートで塗布した後，８０℃のホットプレートで２分間，次いで１
２０℃のホットプレートで２分間ベークし，厚さ７μｍになるように製膜した。次
いで，実施例１に記載の条件で加熱硬化してイミド化し，ポリイミド樹脂フィルム
からなる樹脂膜を得た。この膜厚は３μｍであった。この樹脂フィルムをシリコン
基板より剥離し，熱特性，機械特性を測定し，その結果を纏めて表１に示した。・・・
【００３２】
ディスプレイデバイスの製造例
上記実施例１～５及び比較例１～３で得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物
を用いたフレキシブル液晶ディスプレイの製造例を示す。
図１に示すようにキャリア基板としてガラス基板を用い，ガラス基板上に各液状
ポリイミド前駆体樹脂組成物を，スピンコートで塗布した後，１３０℃のホットプ
レートで２分間ベークし，厚さ約５μｍになるように製膜した。次いで，硬化炉を
用い２００℃で３０分間，さらに３５０℃で６０分間加熱硬化してイミド化し，固
体状の樹脂膜であるポリイミド樹脂フィルムを形成した。この膜厚は３μｍである。
このポリイミド膜上に，既知の方法に従って図２に示すようにＴＦＴ電極を形成す
ることができる，さらにその上に既知の方法に従って，図３に示すように液晶表示
素子，カバーフィルムの層を形成することができる。その後，図４に示すようにガ
ラス基板から，フレキシブルデバイスを剥離することができる。
このようにして得られる，実施例のフレキシブル液晶ディスプレイは良好な性能
を示すが，比較例のものはポリイミド膜物性が劣るため，信頼性に優れるフレキシ
ブル液晶ディスプレイは得られない。
【００３３】
【表１】
表１に示したように，本発明の一般式（１）で表される構成単位を有するポリイ
ミド前駆体を用いた樹脂膜は，ガラス転移温度，熱分解温度，熱膨張率などの熱特
性，破断点応力，弾性率，伸びなどの機械特性に優れる。これに対し，一般式（１）
で表される構成単位を有さない比較例１～３は，熱特性，機械特性に劣る。また，
実施例のポリイミド前駆体は，薄膜の樹脂膜にもかかわらず，その上に形成した各
種回路（ＴＦＴ電極，液晶表示素子）にはがれなどの欠陥を生じさせることなくキ
ャリア基板からの剥離性に優れる。
【図１】
イ甲１に記載された発明
上記アによると，甲１には，前記第２の３(2)ア記載の甲１発明１～３が記載され
ていると認められる。
(2)本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点について
ア前記１及び２(1)によると，本件発明１と甲１発明１の一致点及び相違
点は，前記第２の３(2)イのとおりと認められる。
イ(ｱ)原告は，本件決定は，本件発明１と甲１発明１の対比において，本件
一般式（１）と甲１一般式（１）におけるポリアミド酸の構造の相違を看過してい
ると主張する。
本件発明１におけるポリイミド前駆体は，本件一般式（１）で表される構造単位
を有するものであるところ，その構造と，甲１発明１におけるポリイミド前駆体が
有する構造（甲１一般式（１））は，表記上，①本件一般式（１）には，Ｒ２に二の
カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）が結合することが示されているのに対し，甲１一般
式（１）中の本件一般式（１）のＲ２に対応する基には，二の「－ＣＯＯＲ」が結合
し，Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示すとされ，二の「－ＣＯＯＲ」
の両方がカルボキシル基（－ＣＯＯＨ）が結合したものには限定されていない点，
②本件一般式（１）のＲ２は，芳香族環を有する４価の有機基を示すのに対し，甲１
一般式（１）中の本件一般式（１）のＲ２に対応する基は，芳香族環ではないものを
含む選択肢から選択される四価の有機基とされており，芳香族環を有するものには
限定されていない点の２点で一致していない点があることが認められる。
(ｲ)乙１，３（日本ポリイミド・芳香族系高分子研究会編「新訂最新ポ
リイミド－基礎と応用－」平成２２年８月２５日発行）には，次の記載がある。
ａポリイミドは，イミド結合（－Ｏ＝Ｃ－Ｎ－Ｃ＝Ｏ－）を主鎖に持
つポリマーの総称であり，その代表は，一般に「ｋａｐｔｏｎ」として知られてい
る高耐熱性プラスチックである芳香族ポリイミド，ポリ－４，４’－オキシジフェ
ニレンピロメリトイミド（式１）である。
ｂ「ｋａｐｔｏｎ」は，剛直な主鎖構造ゆえに有機溶媒には溶けず，
しかも溶融しないため，あらかじめ溶液重合によって合成したポリアミド酸（ポリ
イミドの前駆体）の状態で成形加工し，ポリイミドに転化されているが，ほとんど
のポリイミドは，「ｋａｐｔｏｎ」同様，有機溶媒に不溶であり，溶融しないため，
その合成には，有機溶媒に可溶なポリアミド酸を経由する（式２）二段階合成法が
用いられている。
ｃ二段階合成法の第一段目の反応（アミノ基による開環重付加反応）
は，ジアミン２をＮ－メチル－２－ピロリジノン（ＮＭＰ）やジメチルアセトアミ
ド（ＤＭＡｃ）のような極性溶媒に溶かした後，この溶液に固体のテトラカルボン
酸二無水物１を加えて室温下で攪拌することにより行われ，ポリアミド酸３の溶液
が得られる。この反応は，式３の環状酸無水物５のカルボニル炭素へのアミン６の
窒素の求核付加による環状四面体中間体７の生成と，引き続く四面体中間体からの
カルボン酸の分子内での離脱によるアミド酸構造の開環付加体８への生成であり，
アミノ基の無水フタル酸部への求核置換アシル化反応である。この反応により，芳
香族環であるＡｒに２個の－ＣＯＯＨが結合した構造を有する式２におけるポリア
ミド酸３の溶液が得られる。
式２
ｄ無色透明性，低誘電率特性を併せもつポリイミドの開発のために脂
肪族ジアミンや脂肪族テトラカルボン酸無水物が用いられることはあるが，一般に，
芳香族ジアミン，芳香族テトラカルボン酸二無水物がポリイミドの合成，製造に用
いられる。
(ｳ)上記(ｲ)によると，本件優先日におけるプラスチックの分野の技術常
識として，以下の事実が認められる。
ａポリイミドの合成，製造には，一般に，芳香族ジアミン，芳香族テ
トラカルボン酸二無水物が用いられる。
ｂ「ｋａｐｔｏｎ」として知られている芳香族ポリイミドに代表され
るように，ポリイミドは，剛直な主鎖構造ゆえに有機溶媒には溶けず，しかも溶融
しないため，あらかじめ溶液重合によって合成したポリアミド酸であるポリイミド
前駆体の状態で成形加工し，ポリイミドに転化されている。
ｃほとんどのポリイミドの合成には二段階合成法が用いられており，
第一段目の反応であるアミノ基による開環重合付加反応によって，芳香族環である
Ａｒに２個の－ＣＯＯＨが結合した構造を有するポリアミド酸の溶液が得られる。
(ｴ)前記(ｱ)①について
ａ甲１では，甲１発明１におけるポリイミド前駆体は，一般にテトラ
カルボン酸二無水物とジアミンとを重合することにより得られるとされており（段
落【００１４】），上記(ｳ)の本件優先日当時の技術常識も併せ考慮すると，甲１発
明１のポリイミド前駆体は，甲１一般式（１）中の４価の有機基Ｒ２に２個の－ＣＯ
ＯＨ（カルボキシル基）が結合したものであると理解される。
したがって，前記(ｱ)①は，実質的な相違点ではないと認められる。
ｂなお，証拠（甲３４，３５）によると，本件優先日前に，ポリアミ
ド酸として，Ｒが１価の有機基である－ＣＯＯＲを有するものが存在し，甲３４（特
開２００９－２４２５３９号公報）及び甲３５（国際公開第００／４３４３９号公
報）には，そのようなポリアミド酸が記載されていることが認められるが，上記ａ
のとおり，甲１の記載及び技術常識からみて，甲１発明１におけるポリイミド前駆
体は，カルボキシル基を有するポリアミド酸であると理解されるのであって，Ｒが
１価の有機基である－ＣＯＯＲを有するポリイミド前駆体が記載された公報である
甲３４及び３５が本件優先日前に頒布されていたことをもって，甲１発明１におけ
るポリイミド前駆体が，Ｒが１価の有機基である－ＣＯＯＲを有するものを指すと
いうことはできない。
したがって，甲１発明１におけるポリイミド前駆体は，甲１一般式（１）中の４
価の有機基Ｒ２に２個の－ＣＯＯＨが結合したものであると理解される。
(ｵ)前記(ｱ)②について
甲１一般式（１）中の本件一般式（１）のＲ２に対応する基は，芳香環でないもの
が選択肢に含まれているが，芳香環を有する基も選択肢に含まれている上，甲１に
記載された実施例におけるポリイミド前駆体は，いずれも，Ｒ２が芳香族環である構
造単位を含んでいるから，前記(ｱ)②も実質的な相違点ではないということができ
る。
(ｶ)以上によると，本件発明１の本件一般式（１）の構造と，甲１発明１
の甲１一般式（１）の構造には相違がないことが認められる。原告の主張を採用す
ることはできない。
ウ原告は，本件発明では，単に接着性向上のためではなく，「良好な機械
特性及び耐熱性」を有するのと同時に，「支持体と十分な密着性」を有し，かつ，
「物理的な方法で綺麗に剥離すること」が可能なポリイミド樹脂膜を形成すること
が可能な樹脂組成物を提供するという課題を解決するために，二のカルボキシル基
を有する本件一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸に，「３－ウ
レイドプロピルトリエトキシシラン・・・からなる群から選択される１以上のアル
コキシシラン化合物」を上記のポリアミド酸に対して「０．２～２質量％」の含有
量で組み合わせることによって，上記の課題を同時に解決したものであり，両者は
一体不可分の技術的手段であると主張する。
本件明細書の記載によると，本件発明１は，本件一般式（１）の構造単位を有す
るポリアミド酸に，特定のアルコキシシラン化合物を０．２～２質量％の含有量で
含むことにより，良好な機械特性及び耐熱性を有するのと同時に，支持体と十分な
密着性を有し，かつ，支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，物理的な方法
で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）なポリイミド樹脂膜（プラスチック
基板）を形成することが可能な樹脂組成物となるものであるから，「（ａ）本件一
般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸」を含有する組成物において，
「（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン・・・からなる群から選択され
る１以上のアルコキシシラン化合物」を上記のポリアミド酸に対して「０．２～２
質量％」の含有量で組み合わせることを，ひとまとまりのものとしてとらえること
には合理性があるといえる。
しかし，前記イのとおり，本件発明１と甲１発明１において，本件一般式（１）
と甲１一般式（１）の構造に実質的な相違がないのであるから，本件発明１と甲１
発明１は，「（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸」を含
有する点及び「（ｃ）有機溶剤」を含有する樹脂組成物である点が一致点となる。
そして，本件発明１は，上記（ａ）及び（ｃ）の他，「（ｂ）３－ウレイドプロ
ピルトリエトキシシラン・・・からなる群から選択される１以上のアルコキシシラ
ン化合物と，・・・」を含有し，「前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対
して０．２～２質量％である」のに対して，甲１発明１では上記の「（ｂ）アルコ
キシシラン化合物」を含有すること及びその含有量につき特定されていない点で相
違があるから，この点を相違点とすることができるのであり，本件決定の一致点及
び相違点の認定が誤りであるということはできない。
(3)以上によると，取消事由１－１は理由がない。
３取消事由１－２（本件発明１について：相違点の判断の誤り）について
(1)相違点１について
ア本件発明１は，「良好な機械特性及び耐熱性」を有するのと同時に，「支
持体と十分な密着性」を有し，かつ，「物理的な方法で綺麗に剥離すること」が可能
なポリイミド樹脂膜を形成することが可能な樹脂組成物を提供するという課題を解
決するものであるところ，証拠（甲２３～２８）によると，本件優先日当時，ポリ
イミド樹脂膜が，耐熱性及び機械特性を有しているとされていることが認められる。
そして，本件発明１における「密着性」と「剥離性」の関係については，本件発
明１では，密着性は，ポリイミド樹脂膜を形成したシリコン基板を１ｃｍ角に切断
したサンプル片を作製し，これを加熱した後，ＱｕａｄＧｒｏｕｐ社製ロミュラ
ス（薄膜密着強度測定機）を用いて，５ｋｇ／ｍｉｎの割合で荷重を増加させ垂直
方向に引っ張りの負荷を掛け，ポリイミド樹脂膜がシリコン基板から剥離するとき
の強度を剥離強度とするスタッドプル評価法（スタッド引っ張り剥離強度測定）で
測定し（段落【００５２】），剥離性は，シリコン基板上に形成したポリイミド樹脂
膜にカミソリで切れ目を入れ，物理的な剥離を試み，「Ａ：剥離性に優れており，カ
ミソリで切れ目を入れると，そこから自然剥離する」，「Ｂ：剥離性が良好（ピンセ
ットで容易に剥離が可能）であるが，カミソリで切れ目を入れても自然剥離はしな
い」，「Ｃ：剥離（ピンセットで剥離）できるが，ポリイミド樹脂膜に負担（伸びや
変形，一部千切れ）が生じる膜に負担がかかる」，「Ｄ：剥離できなかった」の４段
階で評価している（段落【００５３】）こと，本件明細書の表１の実施例１～４，実
施例５～７，実施例８～１０をそれぞれ比較すると，密着性が上がると，剥離性が
下がるという傾向がみられることが認められることからすると，本件発明１におけ
る密着性と剥離性は，完全なトレードオフの関係ではないにしても，独立した物性
ではなく，相互に関連し，少なくとも相反する傾向を示す又は負の相関関係を有す
る物性を示すものであると認められる。
イ甲１に記載された発明は，前記２(1)のとおり，フレキシブルデバイス基
板用のポリイミド前駆体組成物等に関するものであり，キャリア基板上に塗布，乾
燥，成膜し，次いで，好ましくは加熱等の手段により，脱水閉環させて，固体状の
ポリイミド樹脂膜を形成する工程，その上に回路を形成する工程，前記回路が表面
に形成された固体状の樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程の各工程を含む，
フレキシブルデバイスの製造方法に用いられるものである（段落【００１１】）。甲
１において，フレキシブルデバイス基板は，液晶ディスプレイ，有機ＥＬディスプ
レイ，電子ペーパー等の表示デバイス，太陽電池の受光デバイスであるフレキシブ
ルデバイスに用いるものが想定されている（段落【０００４】）から，その回路の形
成には高い精度が求められ，キャリア基板上に形成されたポリイミド樹脂膜の上に
回路を形成する工程を行うために，ポリイミド樹脂膜がキャリア基板に十分な密着
性を有することが必要であると理解でき，そのためには，キャリア基板に塗布した
ポリイミド前駆体組成物に高い接着性が求められることは明らかである。そして，
甲１には，「さらに，本発明のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組
成物には，被塗布体との接着性向上のため，シランカップリング剤，チタンカップ
リング剤等のカップリング剤を添加することができる。上記カップリング剤として
は，例えば，γ−アミノプロピルトリエトキシシラン，γ−アミノプロピルトリメト
キシシラン，γ−アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ−アミノプロピルトリブ
トキシシラン，γ−アミノエチルトリエトキシシラン，γ−アミノエチルトリメトキ
シシラン，γ−アミノエチルトリプロポキシシラン，γ−アミノエチルトリブトキシ
シラン，γ−アミノブチルトリエトキシシラン，γ−アミノブチルトリメトキシシラ
ン，γ−アミノブチルトリプロポキシシラン，γ−アミノブチルトリブトキシシラン，
などが挙げられ，また上記チタンカップリング剤としては，例えば，γ−アミノプロ
ピルトリエトキシチタン，γ−アミノプロピルトリメトキシチタン，γ−アミノプロ
ピルトリプロポキシチタン，γ−アミノプロピルトリブトキシチタン，γ−アミノエ
チルトリエトキシチタン，γ−アミノエチルトリメトキシチタン，γ−アミノエチル
トリプロポキシチタン，γ−アミノエチルトリブトキシチタン，γ−アミノブチルト
リエトキシチタン，γ−アミノブチルトリメトキシチタン，γ−アミノブチルトリプ
ロポキシチタン，γ−アミノブチルトリブトキシチタン，などが挙げられる。これら
は２種以上を併用してもよい。このときの使用量は，ポリイミド前駆体（樹脂分）
に対して，０．１質量％以上，３質量％以下が好ましい。」（段落【００１９】）と記
載されている。
そうすると，耐熱性及び機械特性を有しているポリイミド樹脂膜がキャリア基板
に十分な密着性を付与するために，甲１に記載されたこれらのカップリング剤を，
その好ましい使用量として記載された，ポリイミド前駆体（樹脂分）に対して０．
１質量％以上３質量％以下の範囲内の量で添加することに対する動機付けがある。
また，本件発明１記載のアルコキシシラン化合物は，甲１において，シランカッ
プリング剤として挙げられたものを含んでおり，十分な密着性と共に，これと相互
に関連し，少なくとも相反する傾向を示す又は負の相関関係を有する物性である剥
離性を十分に得させるために，これらのシランカップリング剤の添加量の決定に，
多少の試行錯誤を要するとしても，甲１に記載された０．１質量％以上３質量％以
下の範囲から，０．２～２重量％の添加量を見いだすことは当業者が容易になし得
たことであるといえる。
ウ原告は，添加剤がポリイミドの熱的及び機械的特性に影響する（低下さ
せる）ことは技術常識であるから，当業者は，添加物の一種であるシランカップリ
ング剤がポリイミド樹脂膜の靭性を低下させるものと推論するので，当業者が甲１
の段落【００１９】に記載されたシランカップリング剤に着目することはないと主
張する。
甲３０には，ポリイミドには優れた熱的化学的及び機械的特性があるが，フッ素
及びケイ素を含む３種のビスイミド化合物（ＢｉｓＡＴＡＦ－ＰＡ〔化合物（Ａ）〕，
ＢＰＤＡ－ＡＢＦ〔化合物（Ｂ）〕及びＧＡＰＤ－ＰＡ〔化合物（Ｃ）〕）を合成し，
ポリイミドへの添加による熱的及び機械的特性への添加効果を検討したところ，熱
的，機械的特性は，添加量の増加とともに低下したことが記載されている。
しかし，甲３０は，特定の３種のビスイミドをポリイミドに添加した際の影響を
調べたものであり，添加物が一般的にポリイミドの熱的，機械的特性を低下させる
ことを述べたものではないし，上記の添加物はいずれもアルコキシシラン化合物で
はない。
また，甲３６（特開２００４－３５８２５号公報）には，従来，ポリイミドの導
電性を改良する方法として，一般に，カーボン，グラファイトなどの導電性物質で
被覆することにより導電性を付与された物質等の導電性充填剤（フィラー）を混合
する方法が知られているが，溶液製膜法により製造される樹脂フィルム中に多量の
フィラーを混合させる場合，フィラーの分散性を改良する目的で使用される分散剤
がフィルム特性を悪化させることが多かった（段落【０００２】）との記載，分散
剤には公知のあらゆる分散剤，分散助剤，増粘剤，界面活性剤，合成樹脂の可塑剤
等の各種薬剤及び／又は添加剤を混合して用いることもできるが，これら各種薬剤
及び／又は添加剤の量が一定の範囲を上回ると，ポリアミドフィルムの機械的特性
が低下するなどの現象が見られやすくなる（段落【００２７】）との記載のほか，
イミド化を化学キュア法により行う場合，化学的転化剤と触媒を含む硬化剤を併用
する，化学的転化剤の量が一定の範囲を上回ると，得られるポリイミドフィルムの
機械的特性が悪化したりすることがある（段落【００２３】）との記載がある。
しかし，分散剤がフィルム特性を悪化させるとの記載や，添加剤の量が一定の範
囲を上回ると得られるポリイミドフィルムの機械的特性が悪化することがあるとい
った記載から，添加剤が一般的にポリイミドのフィルム特性を悪化させると認める
ことはできない。
したがって，甲３０及び３６によっても，原告が主張する，添加剤がポリイミド
の熱的，機械的特性に影響する（低下させる）との技術常識の存在は認められない。
その他，当業者が，シランカップリング剤がポリイミド樹脂膜の靭性を低下させる
ものと推論する根拠となるような技術常識の存在を認めることができる証拠はない
から，当業者が，甲１の段落【００１９】に記載されたシランカップリング剤に着
目することがないということはできない。
エ以上より，相違点１は，甲１の記載から，当業者が容易に想到し得たも
のと認められる。
(2)相違点２について
ア甲１には，前記第２の３(2)ア記載の甲１発明１が記載されており，甲１
には，キャリア基板としてガラス基板やシリコン基板を用いることが記載されてい
る（段落【０００４】，【０００９】，【００２１】，【００２３】～【００３２】）から，
甲１発明１の組成物は，キャリア基板としてのガラス基板やシリコン基板に塗布す
るものであると理解できる。
また，甲１には，「本発明における液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布，乾燥，
イミド閉環して得られるポリイミド樹脂膜の厚さは，１〜２０μｍであることが望
ましい。これは，厚さが１μｍに満たない場合にポリイミドフィルムが十分な耐性
を保持できず，フレキシブルデバイスとして使用したとき応力に耐え切れず破壊さ
れるためである。また，２０μｍを超えて厚くなると，フレキシブルデバイスの薄
型化が困難となってしまう。」（段落【００２０】）と記載されているから，甲１発明
１の組成物から得られるポリイミド樹脂膜としては，１〜２０μｍのものが想定さ
れていることが理解できる。そして，本件発明１におけるポリイミド樹脂膜の厚さ
である１～５０μｍは，甲１発明１について想定されている１〜２０μｍの範囲を
全て包含する。
したがって，相違点２も容易想到であると認められる。
イこれに対し，原告は，①添加剤がポリイミドの熱的及び機械的特性に影
響する（低下させる）のは技術常識である（甲３０）から，添加剤の一種であるシ
ランカップリング剤はポリイミド樹脂の熱膨張率や耐性に影響すること及び②甲１
一般式（１）で表される構造を有するポリイミド前駆体のうち，特にＲが水素原子，
Ｒ２
が芳香族環を有する４価の有機基であるものを採用した場合の「キャリア基板」
やポリイミドフィルムの膜厚が甲１に記載されていないことを理由に，相違点２は
容易想到ではないと主張する。
しかし，添加剤がポリイミドの熱的及び機械的特性に影響する（低下させる）と
の技術常識が存在すると認められないことは，前記(1)ウのとおりであるし，前記２
(2)イのとおり，本件発明の本件一般式（１）と甲１発明１の甲１一般式（１）には
相違点がないから，原告の主張を採用することはできない。
ウ以上より，相違点２は，甲１の記載から，当業者が容易に想到し得たも
のと認められる。
(3)本件発明１の効果について
ア原告は，本件発明１と甲１発明１の効果を比較すると，本件発明１は，
少なくとも「支持体と十分な密着性を有」するという点で，甲１発明１よりも顕著
な効果があると主張する。
甲１には，ポリイミド前駆体樹脂組成物の被塗布体である支持体への接着性向上
のためにシランカップリング剤を添加できることが記載されており（段落【００１
９】），甲１発明１の前駆体樹脂組成物は，前駆体樹脂を支持体に塗布した状態で加
熱してポリイミド樹脂膜にするものである（段落【００２１】，【００２３】，【００
２６】～【００３２】）から，支持体とポリイミド前駆体組成物の接着性を向上させ
ることにより，支持体とポリイミド樹脂膜の密着性も向上することは当業者に明ら
かである。
そうすると，ポリイミド前駆体にシランカップリング剤を添加するという本件発
明１の構成によって，甲１発明と同様に，「支持体と十分な密着性を有」するとの効
果が得られることは当業者が予測し得ることであるから，これをもって当業者が予
測することができない顕著な効果であると認めることはできない。
イ原告は，添加剤はポリイミドの熱的及び機械的特性に影響することは技
術常識であるから，「支持体から剥離する際にレーザーを用いずに，物理的な方法
で綺麗に剥離することが可能（剥離性が良好）」であり，さらに耐熱性及び機械特
性に優れている本件発明１の効果は，甲１の記載から予測し得ないものであると主
張する。
しかし，添加剤がポリイミドの熱的及び機械的特性に影響するとの技術常識が存
在すると認められないことは，前記(1)ウのとおりである。
また，甲１の段落【００２２】には，「本発明のフレキシブルデバイスの製造方法
においては，以上のようにして形成したポリイミド膜の上に，表示デバイス，受光
デバイスに必要な回路を形成する工程を含む。・・・本発明において得られるポリイ
ミド樹脂膜は耐熱性，靱性等各種特性に優れるので，回路等を形成する手法は特に
制限されない。以上のようにして，回路等が表面に形成された固体状のポリイミド
樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する。剥離方法に特に制限はなく，例えばキャ
リア基板側からレーザー等を照射することで剥離を行っても良い。本発明により得
られるポリイミド樹脂膜は，高い靭性を有するので，キャリア基板（支持体）と単
に物理的に剥離することも可能である。」と記載されているから，「支持体から剥離
する際にレーザーを用いずに，物理的な方法で綺麗に剥離することが可能（剥離性
が良好）」であり，さらに，「熱的及び機械特性に優れ」ているとの本件発明１の
効果が，本件発明１の構成から当業者が予測することができた範囲の効果を超える
顕著なものであると認めることはできないというべきである。
ウしたがって，本件発明１が，当業者が予測することができない顕著な効
果を有するということはできない。
(4)以上によると，本件発明１は，甲１から容易に発明をすることができたと
認められるから，取消事由１－２には理由がない。
４取消事由２－１（本件発明２について：一致点及び相違点の認定の誤り）に
ついて
(1)前記１及び２(1)によると，本件発明２と甲１発明１の一致点及び相違点
は，前記第２の３(3)アのとおりと認められる。
(2)原告は，本件発明１についてと同様の主張をするが，原告の主張を採用す
ることができないことは，前記２のとおりである。
(3)したがって取消事由２－１は理由がない。
５取消事由２－２（本件発明２について：相違点の判断の誤り）について
(1)本件発明２と甲１発明１には，相違点３及び相違点２ａが存在するとこ
ろ，相違点２ａは，相違点２と同様の相違点であるため，前記３(2)のとおり，容易
想到であると認められる。
(2)相違点３について
ア甲１には，甲１発明１において，ポリイミド樹脂膜の支持体への密着性
を向上させることができるカップリング剤として，本件発明２記載のアルコキシシ
ラン化合物は記載されていない。また，本件発明２記載のアルコキシシラン化合物
がキャリア基板に形成したポリイミド樹脂膜上に回路を形成後，キャリア基板から
剥離するフレキシブルデバイス基板形成用のポリアミド樹脂組成物から形成した樹
脂膜のキャリア基板への密着性を向上させるのに適するものであることが本件優先
日の当業者の技術常識であったことを認めることができる証拠はない。
そうすると，甲１に接した当業者が，本件発明２に記載されたアルコキシシラン
化合物を選択する動機付けがあるとは認められないから，相違点３が容易想到であ
ると認めることはできない。
イ(ｱ)これに対し，被告は，甲２２の記載によると，本件発明２記載のアル
コキシシラン化合物は，いずれも，甲１に記載されたγ－アミノプロピルトリエト
キシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシランなどと同様に，シランカップ
リング剤（接着促進剤）として汎用のものであるとともに，甲２～６の記載から，
他の基材に対する接着性改善のためにポリイミド樹脂（前駆体）に対して添加され
るシラン化合物として当業者に公知なものであるから，甲１発明１の樹脂組成物に
おいて，キャリア基板などの被塗布体との接着性向上のためのシランカップリング
剤として，本件発明２記載のアルコキシシラン化合物を使用することは，当業者が
適宜なし得ることであると主張する。
(ｲ)甲２２について
ａ甲２２には，以下の記載がある。
２１．カップリング剤（接着促進剤）
・・・
◆（１２）γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン・・・
〔特性〕分子量２３６，比重１．０６，屈折率１．４２７，沸点２９０℃／７６０
ｍｍ。水に溶け，ｐＨ３．０～４．５で完全に溶解する。多くの有機溶剤に可溶。
ポリエステル，エポキシ樹脂，メラミン樹脂，ポリエチレン，ポリカーボネート，
ＡＢＳ，塩ビ樹脂，ポリウレタンに有用。・・・シリカ入りの硫黄加硫ＳＢＲ，ＥＰ
ＤＭに添加すると物性が大幅に増大する。
◆（１９）γ－アミノプロピルトリエトキシシラン・・・
〔特性〕分子量２２１，比重０．９４，屈折率１．４２０，沸点２１７℃／７６０
ｍｍ。水に可溶。とくに塩ビ樹脂に有効で，エポキシ樹脂，メラミン樹脂，フェノ
ール樹脂，ポリプロピレン，ポリカーボネート，ナイロン樹脂，ＥＰＭ，ＥＰＤＭ
その他の硫黄加硫ゴム，ポリウレタン，多硫化ゴムにも利用できる。
◆（２０）３－アミノプロピルトリメトキシシラン・・・
〔特性〕分子量１７９．３，比重１．０１（２５℃），屈折率１．４２２，沸点２１
５℃。
◆（２１）Ｎ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン・・・
〔特性〕分子量２５５．４，比重１．０７，屈折率１．５０４，沸点３１２℃／７
６０ｍｍ。ポリイミド，エポキシ樹脂，フェノール樹脂，メラミン樹脂に有用。
◆（２７）γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン・・・
〔特性〕分子量２６４，比重０．９１，屈折率１．３８６，水に溶ける。エポキシ
樹脂，メラミン樹脂，フェノール樹脂などの複合材に卓効がある。
（以上につき，３９３頁１行～３９８頁２５行）
ｂ甲２２によると，本件優先日時点において，プラスチックに添加す
るシランカップリング剤として，甲１の段落【００１９】に記載されたγ－アミノ
プロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシランと，本件発
明２における３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，３－ウレイドプロピ
ルトリエトキシシランが知られていたと認められる。そして，甲２２には，甲１に
記載されたγ－アミノプロピルトリエトキシシランの特性として，「とくに塩ビ樹
脂に有効で，エポキシ樹脂，メラミン樹脂，フェノール樹脂，ポリプロピレン，ポ
リカーボネート，ナイロン樹脂，ＥＰＭ，ＥＰＤＭその他の硫黄加硫ゴム，ポリウ
レタン，多硫化ゴムにも利用できる。」と記載され（同じく甲１に記載されたγ－ア
ミノプロピルトリメトキシシランの特性は，甲２２には記載されていない。），本件
発明２に記載された３－グリシドキシプロピルトリメトキシシランであるγ－グリ
シドキシプロピルトリメトキシシランについては，「ポリエステル，エポキシ樹脂，
メラミン樹脂，ポリエチレン，ポリカーボネート，ＡＢＳ，塩ビ樹脂，ポリウレタ
ンに有用。」，「シリカ入りの硫黄加硫ＳＢＲ，ＥＰＤＭに添加すると物性が大幅に増
大する。」，３－ウレイドプロピルトリエトキシシランであるγ－ウレイドプロピル
トリエトキシシランについては，「エポキシ樹脂，メラミン樹脂，フェノール樹脂な
どの複合材に卓効がある。」とそれぞれ記載されている。
しかし，甲２２に記載されたシランカップリング剤のうち，ポリイミドへの添加
について言及されているのは，（２１）のＮ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメ
トキシシランのみであり，甲２２には，甲１や本件発明２に記載された上記のアル
コキシシラン化合物が，ポリイミドに添加されるシランカップリング剤であるとの
記載はない。
そうすると，甲２２を根拠に，本件発明２記載のアルコキシシラン化合物をポリ
イミドに添加することが容易想到であると認めることはできない。
(ｳ)甲２～６について
ａ甲２には，次の記載がある。
「本発明は，金属酸化物が均一に配合されてなる金属酸化物含有ポリイミド系重
合体成形物に関するものである。」（２欄３行～４行）
「ポリイミド系重合体は，その前駆体であるポリアミック酸系重合体に含まれる
シランカップリング剤は，重合体に配合される金属アルコキシド，その他の物質の
分散性，混合性を向上せしめるのに有用であって，組成物からの成形物においてそ
れを含まない成形物に比して熱膨張率などの特性にもとづく寸法安定性が著しく改
善される。」（５欄１４行〔化学式を除く。以下において同じ〕～２０行）。
「かかるシランカップリング剤としては，１個以上のアミノ基，特に第１級およ
び／あるいは第２級のアミノ基を有する例えばγ－アミノプロピルトリメトキシシ
ラン，γ－アニリノプロピルトリメトキシシラン，１個以上のグリシジル基を有す
る例えばγ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン・・・などが好適なものと
して挙げられる。その他，フェニルトリメトキシシランの如きフェニル系シランカ
ップリング剤・・・なども使用しうるものとして例示できる。これらシランカップ
リング剤において，特にポリイミド系重合体あるいは，その前駆体であるポリアミ
ック酸系重合体の官能基，例えば-COOH，-NH2，などと反応性を有するようなシラ
ンカップリング剤を用いた場合は効果が著しい。」（６欄５行～７欄２行）。
「本発明におけるシランカップリング剤を含むポリイミド系重合体あるいはポリ
アミック酸系重合体と金属アルコシドとよりなる組成物を例えば，キャスト成形し
てなる組成物が高耐熱性，高強度，寸法安定性に優れることに関する作用機構につ
いては必ずしも明確ではないが，金属アルコキシドがモノマー状態または部分縮合
物の形態でポリイミド成分と混合されるための成形時の加熱処理による縮合によっ
て生成される金属酸化物が極めて均一な状態で分散され，しかもこの際シランカッ
プリング剤を含むことから，金属酸化物がポリイミド成分との間の何らかの相互作
用や化学的結合などを促進させることなどによるものと推測される。」（１０欄１９
行～３０行）
ｂ甲３には，次の記載がある。
「本発明は，透明性を損なわずに，寸法安定性に優れ，かつ無機化合物基板との
密着性が高いシリカ粒子が分散してなる新規なポリイミド組成物およびその製造方
法を提供することにある。」（段落【０００６】）
「・・・アルコキシシラン及び／またはその部分加水分解重縮合化合物（Ａ）と，
アミノ基含有アルコキシシラン，水素結合性又はイオン結合性官能基を含有するア
ミノ化合物から選ばれる１種以上の化合物（Ｂ）とを，ポリイミド溶液中，加水分
解・重縮合を行うことで，上記目的にかなう材料になることを見出し，本発明に至
った。」（段落【０００７】）。
「本発明のポリイミド組成物の製造方法で使用するのはアルコキシシラン及び／
またはその部分加水分解重縮合化合物（Ａ）としては，・・・フェニルトリメトキシ
シラン，・・・３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン・・・等のアルコキシ
シラン類が挙げられ，部分加水分解重縮合物はこれらの１種以上のアルコキシシラ
ン類に酸またはアルカリ化合物を触媒として加水分解，重縮合することにより得ら
れるものである。寸法安定性，即ち線膨張率の低減効果が大きいことから，テトラ
メトキシシラン，又はテトラエトキシシランを用いることが好ましい。」（段落【０
０１９】）
「本発明の製造方法で使用される，アミノ基を有するアルコキシシランとしては，
例として３－アミノプロピルトリメトキシシラン，３－アミノプロピルトリエトキ
シシラン・・・等をあげることができるが，これらに限定されるものではなく，こ
れらの中から選ばれる１種以上のアミノ基を含有するアルコキシシランが使用され
ることが好ましい。寸法安定性や密着性への効果が大きいことから，３－アミノプ
ロピルトリメトキシシラン，３－アミノプロピルトリエトキシシランを用いること
がより好ましい。」（段落【００２０】）
ｃ甲４には，次の記載がある。
「本発明は，・・・ポリイミド銅張積層板に関する。」（段落【０００１】）
「・・・本発明は，シランカップリング剤を含むポリイミド積層板を提供する。
本発明の積層板は中間の接着剤層を全く含有せず，ポリイミド層は，表面粗さの低
い銅箔に対する強い接着性，高透明度，良好な機械的特性，ならびに十分な寸法安
定性および熱安定性の各長所を兼ね備える。」（段落【００１４】）
「・・・このポリイミド積層板は，シランカップリング剤を含有するポリイミド
層と，銅箔の層とを含み，この場合，ポリイミド層は，ジアミンモノマーと，二無
水物モノマーと，有機溶媒と，１種または複数種の有機官能基を有するシランカッ
プリング剤とを含む前駆体から形成され，銅箔の表面粗さは０．７μｍ未満である。」
（段落【００１５】）
「ポリイミド層と銅箔との間の接着性を高めるために，接着促進剤としての特定
のシランカップリング剤がポリイミド前駆体コーティング溶液中に直接組み込まれ
る。このように利用する場合，シランカップリング剤は，最終的に硬化した状態の
ポリイミド層に対する銅箔の接着性を高める一方で前駆体コーティング溶液の特性
（例えば，分子量，粘度，安定性）をあまり下げないように，注意深く選択されな
ければならない。・・・この観点から，しばしばポリイミドと共に使用される，典型
的な第１級アミノ官能性シランおよび第２級アミノ官能性シラン（例えば，γ－ア
ミノプロピルトリエトキシシラン）は好ましくなく，なぜなら，これらの官能性シ
ランは（例えば，ポリマー前駆体のカルボン酸基との塩の形成，またはアミド結合
を有するポリマー前駆体からの芳香族アミンの置換を介して）ポリマー前駆体の骨
格と直接反応し，その結果，粘度不安定性および／またはポリマー分子量の損失が
生じ得るからである。」（段落【００１６】）
「本発明に好ましいシランカップリング剤は，尿素基またはカルバメート基を含
有する。最も好ましいシランカップリング剤は，γ－ウレイドプロピルトリメトキ
シシランまたはγ－ウレイドプロピルトリエトキシシランである。」（段落【００１
８】）
ｄ甲５には次の記載がある。
「本発明は，熱伝導性接着樹脂組成物・・・に関する。」（段落【０００１】）
「特に樹脂と無機フィラーとを含む樹脂組成物では，樹脂と無機フィラーの相溶
性が低いと，無機フィラーの周囲に樹脂に覆われない部分，即ちボイド（空隙）を
生じる。」（段落【０００５】）
「本発明は，・・・ポリイミド樹脂と無機フィラーを含む樹脂組成物の，熱伝導性
の向上と，接着性の向上とを両立させること，好ましくはさらに耐熱性の向上を実
現すること，を目的とする。」（段落【０００６】）
「本発明者らは，ポリイミド樹脂と無機フィラーの相溶性を高めることによって，
無機フィラーの周囲をポリイミド樹脂が隙間なく覆い，ボイドを抑制すること，そ
れにより少ない無機フィラー含量でも高い熱伝導性が得られることを見出した。」
（段落【０００７】）
「本発明の第１は，熱伝導性接着樹脂組成物に関する。
［１］ポリイミド樹脂（Ａ）と，２５～６０体積％の無機フィラー（Ｂ）とを含
む熱伝導性接着樹脂組成物であって，前記ポリイミド樹脂（Ａ）は，テトラカルボ
ン酸二無水物とジアミンの重縮合ユニットを含み，前記テトラカルボン酸二無水物
と前記ジアミンの合計のうち，イミド環を構成するカルボニル基以外のカルボニル
基を有する芳香族テトラカルボン酸二無水物（α１）と，カルボニル基を有する芳
香族ジアミン（β１）との合計割合が１．０モル％以上２９．０モル％以下であり，
かつ前記イミド環を構成するカルボニル基以外のカルボニル基は，ケト基，オキシ
カルボニル基，ジオキシカルボニル基またはアミド基（ただし，アミド基に含まれ
る窒素原子は，イミド環を構成する窒素原子である）を構成し，
前記ポリイミド樹脂（Ａ）を構成するテトラカルボン酸二無水物が，前記芳香族
テトラカルボン酸二無水物（α１）とともに式（１）で表されるテトラカルボン酸
二無水物をさらに含むか，または前記ポリイミド樹脂（Ａ）を構成するジアミンが，
前記芳香族ジアミン（β１）とともに式（２）で表されるジアミンをさらに含む，
熱伝導性接着樹脂組成物。
【化１】
〔式（１）のｍ及び式（２）のｎは，それぞれ０以上の整数である〕」（段落【０
０１０】）
「本発明の接着樹脂組成物は，ポリイミド樹脂（Ａ）と，無機フィラー（Ｂ）以
外の任意の成分を含んでもよい。任意の成分の例には，表面改質剤を含有していて
もよく，表面改質剤の例にはシランカップリング剤（Ｃ）が含まれる。表面改質剤
は，無機フィラーの表面を処理するために用いられてもよい。」（段落【００５５】）
「シランカップリング剤（Ｃ）の例には，・・・３-アミノプロピルトリメトキシ
シラン，３-アミノプロピルトリエトキシシラン・・・３-グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン・・・３-ウレイドプロピルトリエトキシシラン・・・などが含ま
れる。」（段落【００５６】）
「・・・本発明の接着樹脂組成物は，それに含まれる無機フィラー（Ｂ）の含量
が比較的低いにもかかわらず，熱伝導に寄与する無機フィラー（Ｂ）の割合が高く，
熱伝導率が高いことを特徴とする。そのため，接着性や耐熱性や可撓性に優れてお
り，かつ十分な熱伝導性を有する樹脂組成物となる。」（段落【００５８】）
「本発明の接着樹脂組成物は，無機フィラー（Ｂ）の含量が比較的低いにもかか
わらず，熱伝導性が高いのは，ポリイミド樹脂（Ａ）と無機フィラー（Ｂ）の相溶
性が高く，無機フィラー（Ｂ）周囲をポリイミド樹脂（Ａ）が隙間なく覆い，ボイ
ドを抑制できるからである。」（段落【００５９】）。
ｅ甲６には，次の記載がある。
「本発明は，電子部品の絶縁膜又は表面保護膜用樹脂組成物，パターン硬化膜の
製造方法及び電子部品に関するものであり，さらに詳しくは，耐熱性を有する電子
部品の絶縁膜又は表面保護膜用樹脂組成物，該樹脂組成物を用いたレリーフパター
ンの製造方法，並びに当該レリーフパターンを表面保護膜，層間絶縁膜等として備
える電子部品に関する。」（段落【０００１】）
「ポリイミド樹脂は耐熱性に優れるという性質を有しているため，半導体素子等
の分野で幅広く使用されている。特にポリイミド樹脂は，層間絶縁膜，及び封止剤
と半導体チップとの間に設けられる表面保護膜（バッファーコート）として用いら
れている。」（段落【０００２】）
「ここで，表面保護膜とは，前工程で形成されたアルミ薄膜回路及び酸化膜が，
後工程の作業中にダメージを受けたり，半導体チップ実装後，封止剤とシリコンと
の熱膨張係数の違いによってクラックが生じたりするのを防ぐ役割を果たす膜であ
る。」（段落【０００３】）
「・・・従来のポリイミド樹脂及びポリベンゾオキサゾール樹脂では，現像後に
形成されたレリーフパターンが最終加熱時において膜が溶融し開口パターンの寸法
が小さくなる又は開口パターンが消失する（以下，「メルト」という）という問題が
あった。」（段落【０００６】）。
「本発明の目的は，最終加熱時においてメルトを起こすことなく，また，最終加
熱以降の加熱においても架橋成分等の昇華及びガス成分の発生が少ない層間絶縁膜
又は表面保護膜を成膜可能な樹脂組成物を提供することである。」（段落【００１１】）。
「本発明によれば，以下の樹脂組成物等が提供される。
１．（Ａ）下記式（Ｉ）で表される構造単位を有し，酸性官能基若しくはその誘導基
を両末端に有する重合体，
【化１】
（式中，Ｘ１は，２～８価の有機基である。Ｙ１は，２～８価の有機基である。Ｒ１は
水素原子又は炭素数１～２０の有機基である。Ｒ２は水素原子又は１価の有機基で
ある。Ｒ１又はＲ２が複数あるとき，複数のＲ１又はＲ２は同一でも異なってもよい。
ｐ及びｑは，それぞれ０～４の整数である。ｌ及びｍは，それぞれ０～２の整数で
ある。ｎは重合体中の構造単位の数を示す２以上の整数である。）
（Ｂ）溶媒，及び
（Ｃ）下記式（ＩＩ）で表される化合物
【化２】
（式中，Ｒ３は，１価の有機基である。）
を含んでなる電子部品の絶縁膜又は表面保護膜用樹脂組成物」（段落【００１３】）
「本発明の樹脂組成物が含む（Ｃ）成分は，下記式（ＩＩ）で表される化合物で
ある。
【化６】
（式中，Ｒ３は，１価の有機基である。）
この化合物は，（Ａ）成分の前記酸性官能基又はその誘導基である末端基と反応す
ると推定される。それにより本発明の優れた効果が得られると推定される。」（段落
【００５５】）
「Ｒ３がアルコキシシリル基を官能基として有する有機基である式（ＩＩ）で表さ
れる化合物としては，例えばウレイドメチルトリメトキシシラン，・・・３－ウレイ
ドプロピルトリエトキシシラン・・・等が挙げられる。」（段落【００５７】）
「本発明の組成物は，上記（Ａ）～（Ｄ）成分の他に，シリコン基板に対する接
着性増強剤としてシランカップリング剤（但し前記（Ｃ）成分を除く）を含むこと
ができる。
上記シランカップリング剤としては，反応性の点からアルコキシシラン類が好ま
しい。
アルコキシシラン類としては，例えば，・・・３－アミノプロピルトリメトキシシ
ラン，・・・３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，・・・ビス（２－ヒド
ロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン・・・等が挙げられる。」
（段落【００６９】）
ｆ上記ａ～ｅによると，甲２～６について，以下のようにいうことが
できる。
甲２において，シランカップリング剤は，金属アルコキシドやその他の物質のポ
リイミド系重合体の前駆体であるポリアミック酸系重合体への分散性，混合性を向
上させ，熱膨張率などの特性にもとづく寸法安定性を改善することを目的とするも
のであり，本件発明２のように，「支持体と十分な密着性」を有し，かつ，「物理的
な方法で綺麗に剥離する」というものではないから，本件発明２とは異なる目的の
ために配合されている。
甲３において，アルコキシシラン化合物は，透明性を損なわずに，寸法安定性に
優れ，かつ無機化合物基板との密着性が高いシリカ粒子が分散してなる新規なポリ
イミド組成物及びその製造方法を提供するために，ポリイミド溶液に添加し，ポリ
イミド溶液において水の存在下で反応させるものであり，本件発明２において，ア
ルコキシシランが，ポリイミド前駆体であるポリアミド酸の組成物に配合されるの
とは，配合対象が異なっている上，本件発明２のように，「支持体と十分な密着性」
を有し，かつ，「物理的な方法で綺麗に剥離する」というものではないから，本件発
明２とは異なる目的のために配合されている。
甲４は，ポリイミド銅張積層板のポリイミド層と銅箔との間の接着性を高めるた
めに，ポリイミド前駆体コーティング溶液中に，アルコキシシランを組み込むとい
うもので，本件発明２のように，「支持体と十分な密着性」を有し，かつ，「物理的
な方法で綺麗に剥離する」というものではないから，本件発明２とは異なる目的の
ために配合されている。
甲５は，良好な熱伝導性と接着性を有し，さらに，良好な耐熱性を有する樹脂組
成物を提供することを目的とするものであるが，（Ｃ）成分の例として，３－ウレイ
ドプロピルトリエトキシシランを含む組成物が，ポリイミド樹脂と無機フィラーの
相溶性を高め，ボイド（空隙）を抑制し，少ない無機フィラー含量でも高い熱伝導
性が得られると記載されており，本件発明２のように，「支持体と十分な密着性」を
有し，かつ，「物理的な方法で綺麗に剥離する」というものではないから，本件発明
２とは異なる目的のために配合されている。
甲６は，電子部品の絶縁膜又は表面保護膜用樹脂組成物，パターン硬化膜の製造
方法及び電子部品に関するものであり，最終加熱時においてメルトを起こすことな
く，最終加熱以降の加熱においても架橋成分等の昇華及びガス成分の発生が少ない
層間絶縁膜又は表面保護膜を製造するために，３－ウレイドプロピルトリエトキシ
シランを添加することができる（段落【００５７】）というものであり，シリコン基
板に対する接着性増強剤として３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，ビ
ス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシランなどのアル
コキシシラン化合物を含むことができる（段落【００６９】）との記載があるが，「支
持体と十分な密着性」を有し，かつ，「物理的な方法で綺麗に剥離すること」が可能
なポリイミド樹脂膜を形成することが可能な樹脂組成物を提供するという本件発明
２とは添加目的が異なっている。
ｇ以上によると，甲２～６によって，甲２～６にされたアルコキシシ
ラン化合物を本件発明２のために用いるという動機付けがあるとは認められないか
ら，相違点３が容易想到であると認めることはできない。
なお，甲２～６には，ポリイミド前駆体に添加するシランカップリング剤として，
本件発明２における４種のアルコキシシラン化合物のうちの少なくとも１種と甲１
記載の他種のものが並列的に列挙されているとしても，甲２～６は，アルコキシシ
ラン化合物を使用する目的や対象が本件発明２とは異なるから，本件発明２におい
て，甲２～６に記載するアルコキシシラン化合物を用いることが容易想到であると
は認められない。
(3)以上によると，本件発明２は，当業者が容易に発明をすることができたも
のと認めることはできないから，効果の点について判断するまでもなく，取消事由
２－２は理由がある。
６取消事由３－１（本件発明３について：一致点及び相違点の認定の誤り）に
ついて
前記１及び２(1)によると，本件発明３と甲１発明１の一致点及び相違点は，前記
第２の３(4)アのとおりと認められる。
原告は，本件発明３と甲１発明１の相違点について，本件発明１についてと同様
の主張をするが，原告の主張を採用することができないことは，前記２のとおりで
ある。
したがって，取消事由３－１は理由がない。
７取消事由３－２（本件発明３について：相違点の判断の誤り）について
本件発明３と甲１発明１には，相違点１ａと相違点２ｂが存在するところ，相違
点１ａについては，前記３(1)のとおりであり，相違点２ｂについては，前記３(2)
のとおりであり，いずれも，容易想到である。また，本件発明３の効果については，
前記３(3)のとおりである。
したがって，取消事由３－２は理由がない。
８取消事由４－１（本件発明４について：一致点及び相違点の認定の誤り）
前記１及び２(1)によると，本件発明４と甲１発明１の一致点及び相違点は，前記
第２の３(5)アのとおりと認められる。
原告は，本件発明４と甲１発明１の相違点について，本件発明１についてと同様
の主張をするが，原告の上記主張を採用することができないことは，前記２のとお
りである。
したがって，取消事由４－１は理由がない。
９取消事由４－２（本件発明４について：相違点の判断の誤り）
本件発明４と甲１発明１には，相違点１ｂと相違点２ｃが存在するところ，相違
点１ｂについては，（ｂ）成分の含有量が（ａ）成分に対して０．２～１質量％であ
るからといって，前記３(1)の判断が変わるものではないから，前記３(1)のとおり
であり，相違点２ｃについては，前記３(2)のとおりであり，いずれも容易想到であ
る。また，本件発明４の効果については，前記３(3)のとおりである。
したがって，取消事由４－２は理由がない。
１０取消事由５－１（本件発明６について：一致点及び相違点の認定の誤り）
(1)前記１及び２(1)によると，本件発明６と甲１発明１の一致点は，次の(2)
のとおりであり，相違点は，前記第２の３(6)ア(ｲ)及び(ｳ)のとおりと認められる。
本件発明６には（ａ）成分の重量平均分子量が１５，０００～２００，０００とさ
れており，これは，甲１の請求項２や段落【００１７】と同じ内容であるから，（ａ）
成分の重量平均分子量が上記のように特定されていることは，一致点とするべきで
ある。
他方，原告は，本件発明６と甲１発明１において，本件発明１と甲１発明１の対
比と同様に，ポリアミド酸の構造の相違を看過していると主張するが，原告の主張
を採用することができないことは，前記２のとおりである。
(2)一致点
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｃ）有機溶
剤と，を含有し，（ａ）成分の重量平均分子量が１５，０００～２００，０００で
ある樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物を基板に塗布，加熱し，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前
記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成され
たポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造
方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１５】
（一般式一般式（１）中，Ｒ１
は下記式（３）で表される２価の有機基を示し，Ｒ２
は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）
【化１６】
(3)もっとも，本件決定の相違点の認定には誤りがないため，一致点の認定の
誤りが本件決定の結論に影響すると認めることはできない。
したがって，取消事由５－１は理由がない。
１１取消事由５－２（本件発明６について：相違点の判断の誤り）
本件発明６と甲１発明１には，相違点１ｃと相違点２ｄが存在するところ，相違
点１ｃについては，前記３(1)のとおりであり，相違点２ｄについては，前記３(2)
のとおりであり，いずれも，容易想到である。また，本件発明６の効果については，
前記３(3)のとおりである。
したがって，取消事由５－２は理由がない。
１２取消事由６－１（本件発明１７について：一致点及び相違点の認定の誤り）
前記１及び２(1)によると，本件発明１７と甲１発明１の一致点及び相違点は，前
記第２の３(7)アのとおりと認められる。
原告は，本件発明１７と甲１発明１において，本件発明１についてと同様の主張
をするが，原告の主張を採用することができないことは，前記２のとおりである。
したがって，取消事由６－１は理由がない。
１３取消事由６－２（本件発明１７について：相違点の判断の誤り）
本件発明１７と甲１発明１には，相違点１ｄと相違点２ｅが存在するところ，相
違点１ｄについては，前記３(1)のとおりであり，相違点２ｅについては，前記３(2)
のとおりであり，いずれも，容易想到である。また，本件発明１７の効果について
は，前記３(3)のとおりである。
したがって，取消事由６－２は理由がない。
１４取消事由７－１（本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８について：一
致点及び相違点の認定の誤り）について
本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８は，それぞれ本件発明１，２，３，
４，６及び１７の樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜に係る発明であ
るところ，本件発明１，２，３，４，６及び１７と甲１発明１の相違点の認定に誤
りがない以上，本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８についても，甲１発明
２との相違点の認定に誤りはない。
したがって，取消事由７－１は理由がない。
１５取消事由７－２（本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８について：相
違点の判断の誤り）について
本件発明９は，請求項２に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド
樹脂膜に係る発明であるところ，本件発明２が容易想到でないことからすると，本
件発明９も容易想到でないことになる。
他方，本件発明７，１１，１３，１５及び１８は，それぞれ本件発明１，３，４，
６及び１７の樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜に係る発明であると
ころ，本件発明１，３，４，６及び１７が，いずれも，甲１発明１から容易想到で
あったのであるから，これらも甲１発明２に基づき容易想到であることになる。
したがって，取消事由７－２については，本件発明９に係る部分には理由がある
が，その余は理由がないことになる。
１６取消事由８－１（本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９について：
一致点及び相違点の認定の誤り）について
本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９は，それぞれ本件発明７，９，１
１，１３，１５及び１８のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板に係る発明で
あるところ，本件発明７，９，１１，１３，１５及び１８と甲１発明１の相違点の
認定に誤りがない以上，本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９についても，
甲１発明３との相違点の認定に誤りはない。
したがって，取消事由８－１は理由がない。
１７取消事由８－２（本件発明８，１０，１２，１４，１６及び１９について：
相違点の判断の誤り）について
本件発明１０は，請求項９に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板に
係る発明であるところ，本件発明９が容易想到でないことからすると，本件発明１
０も容易想到でないことになる。
他方，本件発明８，１２，１４，１６及び１９は，それぞれ本件発明７，１１，
１３，１５及び１８のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板に係る発明である
ところ，本件発明７，１１，１３，１５及び１８が，いずれも，甲１発明２から容
易想到であったのであるから，これらも甲１発明３に基づき容易想到であることに
なる。
したがって，取消事由８－２については，本件発明１０に係る部分には理由があ
るが，その余は理由がないことになる。
第６結論
以上によると，原告の請求のうち，本件発明２，９及び１０に係る請求には理由
があるが，その余の請求には理由がない。よって，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
森義之
裁判官
眞鍋美穂子
裁判官
佐野信

戻る