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平成１２年（行ケ）第３９７号　特許取消決定取消請求事件（平成１４年１０月２
８日口頭弁論終結）
　　　　　　　　　　判　　　　　　　　　決
　　　　　　　原　　　　　　告　　　東京エレクトロン株式会社
訴訟代理人弁理士　　　住　　　吉　　　多　喜　男
　　　　　　　被　　　　　　告　　　特許庁長官　太　田　信一郎
　　　　　　　指定代理人　　　　　　沼　　　澤　　　幸　　　雄
同　　　　　　　　　　小　　　林　　　　　　　明
同森　　　田　　　ひ　と　み
同　　　　　　　　　　一　　　色　　　由　美　子
同　　　　　　　　　　宮　　　川　　　久　　　成
　　　　　　　　　　主　　　　　　　　　文
　　　　　　特許庁が平成１１年異議第７００３４号事件について平成１２年８月
３１日にした決定中、特許第２７７３０７８号の請求項３、４、６及び７に係る特
許を取り消した部分を取り消す。
　　　　　　訴訟費用は被告の負担とする。
　　　　　　　　　　事実及び理由
第１　当事者の求めた裁判
　１　原告
　　　主文と同旨
　２　被告
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
第２　当事者間に争いのない事実
　１　特許庁における手続の経緯
　　　原告は、発明の名称を「処理装置及びその洗浄方法」とする特許第２７７３
０７８号（昭和６３年３月１１日出願、平成１０年４月２４日設定登録。以下、こ
の発明を「本件発明」といい、その特許を「本件特許」という。）の特許権者であ
る。その後、本件特許につき特許異議の申立てがされ、この申立ては、平成１１年
異議第７００３４号事件として特許庁に係属した。原告は、平成１１年６月１８
日、本件特許出願の願書に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）の特許
請求の範囲等の訂正（以下「本件訂正」という。）を請求し、平成１２年３月７
日、本件訂正の訂正書の補正（以下「本件補正」という。）をした。特許庁は、上
記事件につき審理した結果、同年８月３１日、「特許第２７７３０７８号の請求項
１～７に係る特許を取り消す。」との決定（以下「本件決定」という。）をし、そ
の謄本は、同年９月２０日、原告に送達された。
　２　本件明細書の特許請求の範囲【請求項３】、【請求項４】、【請求項６】及
び【請求項７】に係る発明（以下、これら請求項に係る発明を、順次「本件発明
３」、「本件発明４」、「本件発明６」及び「本件発明７」という。）の要旨
【請求項３】処理室と、それに接続されたガス供給系及びガス排気系とを備え
た処理装置の洗浄方法において、
前記ガス排気系に直接に三フッ化塩素ガスを供給する工程と、
前記三フッ化塩素ガスにより前記ガス排気系内をドライエッチングして洗浄す
る工程と、
を有することを特徴とする処理装置の洗浄方法。
【請求項４】請求項３において、
前記ガス排気系の途中に接続されるガス配管を流れる前記三フッ化塩素ガスを
加熱しながら、前記三フッ化塩素ガスを前記ガスを排気系に直接に供給することを
特徴とする処理装置の洗浄方法。
【請求項６】被処理体を処理する処理室と、
前記処理室内にプロセス時に用いられるガスを導入するガス供給系と、
前記処理室よりガスを排気するガス排気系と、
を有する処理装置において、
三フッ化塩素ガス（ClＦ３）の供給源と、
前記ガス排気系と前記供給源とを直接接続するガス配管と、
前記ガス配管途中に設けられ、前記ガス排気系の洗浄時に開放駆動されるバル
ブと、
を有することを特徴とする処理装置。
【請求項７】請求項６に記載の処理装置において、
前記ガス配管を流れる前記三フッ化塩素ガスを加熱する加熱部をさらに設けた
ことを特徴とする処理装置。
　３　本件決定の理由
　　　本件決定は、別添決定謄本写し記載のとおり、本件補正は、訂正請求書の要
旨を変更するものであり、特許法１２０条の４第３項において準用する同法１３１
条２項に違反するから採用できず、本件訂正に係る明細書の特許請求の範囲の【請
求項１】の発明は、特公昭４６－１９００８号公報（以下「刊行物１」とい
う。）、特開昭６１－２６９３０９号公報（以下「刊行物３」という。）、特開昭
５８－１８６９４１号公報（以下「刊行物４」という。）、特開昭６３－１５２５
５号公報（以下「刊行物５」という。）、特開昭６１－１６１７１１号公報、特開
昭６２－１１３４１９号公報及び特開昭６１－２３２１号公報に記載された発明に
基づいて、当業者が容易に発明をすることができたというべきであるから、本件訂
正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則６条１項の
規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年法律第４１号による改正前の
特許法１２６条３項に適合しないので、本件訂正は認められないとし、本件発明の
要旨を本件訂正前の本件明細書の特許請求の範囲の記載のとおり認定した上、本件
発明は、いずれも刊行物１及び３～５に基づいて、当業者が容易に発明をすること
ができたものであり、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない
から、本件発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされ
たものと認められ、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附
則１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を
定める政令（平成７年政令第２０５号）４条２項の規定により、取り消されるべき
ものとした。
第３　原告主張の決定取消事由
　１　本件決定の理由中、「１．手続の経緯」及び「２．訂正の適否」は認める。
「３．特許異議申立てについて」中、本件発明３、４、６及び７に係る部分は争
い、その余は認める。「４．むすび」は争う。
　　　本件決定は、本件発明３と刊行物１記載の発明（以下「刊行物１発明」とい
う。）の相違点の判断を誤った（取消事由）結果、本件発明３が、刊行物１及び３
～５記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができ、特許法２９条２
項の規定により特許を受けることができないとの誤った判断をし、ひいては、本件
発明４、６及び７も特許を受けることができないとの誤った判断をしたものである
から、違法として取り消されるべきである。
　２　取消事由（相違点の判断の誤り）
　　(1)　本件決定は、「本件発明３は、『処理装置のガス排気系』を洗浄の対象と
し、その排気系に直接三フッ化塩素ガスを供給するものである」（決定謄本７頁３
８行目～末行）とした上、「刊行物１発明も『系内の洗浄』を目的とするものであ
り、三フッ化塩素ガスによって系内の洗浄が可能であることは明らかであるから、
三フッ化塩素ガスによって、この系の一つであるガス排気系の洗浄を行うこと、そ
して排気ガス系（注、「ガス排気系」の誤記と認める。）に直接にガスを供給する
ことは、当業者ならば容易に想到し得たことというべきである。してみれば、本件
発明３は、上記刊行物１、３～５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明
をすることができたものというべきである」（同８頁１行目～７行目）と判断する
が、誤りである。
　　　　すなわち、刊行物１（甲第７号証）には、反応室を経由した三フッ化塩素
ガスの洗浄能力が低下してしまうことや、洗浄の結果として生ずる腐食反応生成物
が堆積物としてガス排気系に再付着することについての記載がなく、このことを示
唆する記載もないので、当業者にとって、刊行物１発明において三フッ化塩素ガス
をガス排気系に直接に供給することにより、高い洗浄能力で、かつ、堆積物を再付
着させずにガス排気系を洗浄するという発想を生ずることはないから、上記のよう
な三フッ化塩素ガスの供給は、当業者が容易に想到し得るものではない。また、刊
行物３～５のいずれにも、反応室から排出される反応生成物を含んだガスがガス排
気系に堆積物を析出すること、これを防ぐためにガス排気系に直接に三フッ化塩素
ガスを供給してガス排気系を洗浄することは、記載されていない。
　　　　したがって、本件発明３が、刊行物１及び３～５に記載された発明に基づ
いて当業者が容易に発明をすることができたとする理由はない。
　　(2)　被告は、特開昭６０－１１９７１４号公報（乙第７号証）及び特開昭５７
－１２０６７６号公報（乙第８号証）を挙げて反論するが、失当である。
　　　　本件決定は、上記(1)のとおり判断するが、ガス排気系に直接に洗浄ガスを
供給することが本件特許出願前に周知の技術であったことをその根拠としておら
ず、上記周知の技術及び乙第７、第８号証に基づく主張は、本件決定の判断してい
ない事実に係るものであって、それ自体理由がない。
　　　　また、乙第７、第８号証のいずれにも、ガス排気系に直接に三フッ化塩素
ガスを供給する工程、三フッ化塩素ガスによりガス排気系内をドライエッチングし
て洗浄する工程については何ら記載がなく、これらを示唆する記載もないので、こ
れら乙号証を考慮しても、本件発明３は、刊行物１及び３～５に記載された発明に
基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。
　　(3)　本件決定は、本件発明４、６及び７についても、刊行物１及び３～５に記
載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたと判断するが、本
件発明４は本件発明３を引用するもの、本件発明６は、そのガス供給路の開閉駆動
バルブを除き、本件発明３の方法の発明を装置的に表現しただけのもの、本件発明
７は本件発明６を引用するものであって、本件発明３と同様、刊行物１及び３～５
に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということは
できない。
第４　被告の反論
　１　本件決定の認定判断は正当であり、原告主張の本件決定取消事由は理由がな
い。
　２　取消事由（相違点の判断の誤り）について
　　(1)　一般的な「半導体材料の処理装置」のガス排気系において、反応生成物の
付着という大きな問題が発生することは、周知の事項である。また、ガス排気系の
付着物を洗浄する方法として、その系に直接に洗浄ガスを供給して洗浄すること
は、特開昭６０－１１９７１４号公報（乙第７号証）及び特開昭５７－１２０６７
６号公報（乙第８号証）に見られるように、周知の技術である。特に、乙第８号証
について補足すれば、ここには「本エッチング装置は、塩素を含んだ四塩化炭素
（ＣCl４）などの腐食性ガスを使用してもエッチング室の反応生成物除去が自動化
できる」（２頁左下欄１３行目～１５行目）と記載されて、水蒸気ガスに代えて腐
食性ガスを使用してもよいとされている。
　　　　一方、本件決定が説示するように、「刊行物１には、『ガス供給系を備え
た半導体材料のエピタキシャル成長装置におけるガス供給系の途中に接続されるガ
ス配管によって三フッ化塩素ガスをエピタキシャル反応室に供給して、耐熱炉板及
び他の化学的不活性物体を洗浄する方法』・・・が記載されている」（決定謄本４
頁末行～５頁４行目）のであり、しかも、この半導体材料のエピタキシャル成長装
置がガス排気系を有することは自明のことである。そして、上記のとおり、一般的
な「半導体材料の処理装置」のガス排気系においても、反応生成物の付着という大
きな問題が発生し、この問題を解決する手段としてガス排気系に直接に洗浄ガスを
供給することは、本件特許出願前に周知の技術であるから、刊行物１発明に接した
当業者は、そのガス排気系においても反応生成物が反応炉内と同様に付着している
ことを容易に理解することができ、このような排気系の問題のために、上記の周知
技術を適用することは、容易に想到し得るものである。
(2)　原告は、上記周知技術の主張が本件決定の判断していない事実に係るもの
であると主張するが、失当である。周知の技術は、当業者ならば当然知っているは
ずの事項であり、本件決定は、このことを前提に、ガス排気系に直接に三フッ化塩
素ガスを供給することは当業者ならば容易に想到し得ると判断したものである。
　　(3)　原告は、本件発明３が刊行物１及び３～５に記載された発明に基づいて当
業者が容易に発明をすることができたとの判断が誤りであることを前提に、本件発
明４、６及び７も当業者が容易に発明をすることができたとする理由はないと主張
するが、本件発明３に係る本件決定の上記判断が誤りでない以上、原告の本件発明
４、６及び７についての主張も理由がない。
第５　当裁判所の判断
　１　取消事由（相違点の判断の誤り）について
　　(1)　原告は、本件決定の「刊行物１発明も『系内の洗浄』を目的とするもので
あり、三フッ化塩素ガスによって系内の洗浄が可能であることは明らかであるか
ら、三フッ化塩素ガスによって、この系の一つであるガス排気系の洗浄を行うこ
と、そして排気ガス系（注、「ガス排気系」の誤記と認める。）に直接にガスを供
給することは、当業者ならば容易に想到し得たことというべきである。してみれ
ば、本件発明３は、上記刊行物１、３～５に記載された発明に基づいて当業者が容
易に発明をすることができたものというべきである」（決定謄本８頁１行目～７行
目）との判断が誤りであると主張する。
　　　　ところで、本件発明３の要旨は、上記第２の２記載のとおりであるから、
原告の主張する取消事由は、要するに、刊行物１発明に対し、本件発明３に係る、
処理室に接続されたガス排気系に直接に三フッ化塩素ガスを供給する工程と、三フ
ッ化塩素ガスにより上記ガス排気系内をドライエッチングして洗浄する工程を適用
することが、当業者にとって、容易に想到し得るものではないとの趣旨に解され
る。
　　(2)　そこで、この主張の当否について判断する。
　　　ア　本件決定の「刊行物１には、『ガス供給系を備えた半導体材料のエピタ
キシャル成長装置におけるガス供給系の途中に接続されるガス配管によって三フッ
化塩素ガスをエピタキシャル反応室に供給して、耐熱炉板及び他の化学的不活性物
体を洗浄する方法』・・・が記載されている」（決定謄本４頁末行～５頁４行目）
との認定については、当事者間に争いはない。
　　　イ　刊行物１（甲第７号証）には、以下の記載がある。
　　　　(ア)「本発明の他の目的は、たとえばエピタキシャル成長炉内に使用する
耐火板を洗浄するための低温気相腐食処理方法を得んとするにある。かかる耐火板
を塩酸を用いて高温度で腐食洗浄することは既知であるが、この場合高価な耐塩酸
炉を使用せねばならない。しかし、ハロゲンフッ化物類を低温度で使用すると、洗
浄速度又は洗浄効率を犠牲にすることなく安価な装置を使用することができる」
（２欄３１行目～３欄１行目）
　　　　(イ)「本発明は次ぎの態様で実施することができる。・・・耐熱炉板及び
他の化学的不活性物体をフッ素のハロゲン間化合物と接触させて洗浄する方法」
（８欄２３行目～３７行目）
　　　　(ウ)「第１図に示す系は、代表的な石英製の反応室１１と本発明を実施す
る際に用いる種々の処理ガス流を取扱うための適当な装置とを組合せてなる」（４
欄４２行目～４４行目）
　　　　(エ)「腐食反応生成物は揮発性であるので、この生成物を反応室を通る水
素希釈剤により排気孔２９を通して除去する」（５欄４０行目～４２行目）
　　　ウ　上記イの(ア)及び(イ)の記載によると、刊行物１（甲第７号証）には、
耐熱炉板を塩酸を用いて洗浄すると高価なエピタキシャル成長炉を使用しなければ
ならないとして、耐熱炉板をエピタキシャル成長炉内に配備させた状態で洗浄する
ことを前提とした従来技術に問題点があること、刊行物１発明では、エピタキシャ
ル成長炉を安価なものにし得ることが記載されているから、刊行物１発明における
耐熱炉板及び他の化学的不活性物体は、これらを洗浄する際には、エピタキシャル
反応室内に存在していると認められる。
　　　エ　次に、上記イの(ウ)及び(エ)の記載によると、刊行物１発明（甲第７号
証）において、そのエピタキシャル反応室には排気孔が形成されていると認めら
れ、また、上記排気孔に接続されたガス排気系の構成を設ける必要のあることは自
明であるから、刊行物１には、刊行物１発明がガス排気系を有するものとして記載
されているということができる。
　　　オ　そうすると、刊行物１発明は、「ガス供給系を備えた半導体材料のエピ
タキシャル成長装置におけるガス供給系の途中に接続されるガス配管によって三フ
ッ化塩素ガスをエピタキシャル反応室に供給して、該反応室内に存在している耐熱
炉板及び他の化学的不活性物体を洗浄すると共に、上記反応室に形成された排気孔
２９に接続して設けられたガス排気系から排気する方法」であると認められる。し
かしながら、刊行物１には、上記ガス排気系に直接に三フッ化塩素ガスを供給し当
該三フッ化塩素ガスによりガス排気系内をドライエッチングして洗浄する工程（以
下「本件工程」という。）が記載されているとは認められない。
　　(3)　被告は、本件工程について、一般的な「半導体材料の処理装置」のガス排
気系において、反応生成物の付着という大きな問題が発生し、この問題を解決する
手段としてガス排気系に直接に洗浄ガスを供給することが本件特許出願前に周知の
技術であって、刊行物１発明に本件工程を設けることは当業者にとって容易に想到
し得ると主張し、上記周知の技術を立証するものとして、特開昭６０－１１９７１
４号公報（乙第７号証）及び特開昭５７－１２０６７６号公報（乙第８号証）を提
出するので、この点について判断する。
　　　ア　特開昭６０－１１９７１４号公報（乙第７号証）には、以下の記載があ
る。
　　　　(ア)「本発明は、排気装置によって排気された反応チャンバー内で基体上
にシリコン堆積膜を形成するシリコン堆積膜作成装置に関するもので、特に、この
ようなシリコン堆積膜作成装置においてシリコン堆積膜作成中に発生するポリシラ
ン粉末の処理に関するものである。シリコン堆積膜作成装置として、排気装置によ
って排気された反応チャンバー内で・・・シリコン堆積膜を形成する装置等がある
が、このような装置においてはシリコン堆積膜作成によりポリシラン、ポリシリコ
ンの粉末が生じこれが排気装置の吸入力により排気装置内に引き込まれて、排気装
置の排気力の低下を来たし、或いは排気装置の動作を阻害する傾向がある。特に
SiＨ４ガスをグロー放電により分解して形成される水素を含む非晶質シリコン薄膜
は太陽電池、薄膜トランジスタ、電子写真感光体、光センサー等の応用が考えら
れ、実用化された製品も市場にではじめているが、グロー放電法で非晶質シリコン
薄膜を形成する過程において多量のポリシラン粉末が発生する」（１頁左下欄１６
行目～右下欄１９行目）
　　　　(イ)「本発明によるシリコン堆積膜作成装置の特徴は、排気装置によって
排気された反応チャンバー内で基体上にシリコン堆積膜を形成するシリコン堆積膜
作成装置において、反応チャンバーと排気装置との間に、シリコン堆積膜作成に伴
って生ずる微粉末を捕獲するメッシュフィルターと該メッシュフィルターにエッチ
ングガスを導入しプラズマを発生させることにより該メッシュフィルターをクリー
ニングするクリーニング装置とより成る微粉末除去トラップを配設したことにあ
る」（２頁右上欄１８行目～左下欄７行目）
　　　イ　特開昭５７－１２０６７６号公報（乙第８号証）には、以下の記載があ
る。
　　　　(ア)「半導体集積回路のアルミニウム配線を形成するため、三塩化ホウ素
（ＢCl３）、四塩化炭素（ＣCl４）、四塩化硅素（SiCl４）のガスプラズマによるド
ライエッチング装置が用いられる。しかしこの装置は、エッチング後の反応室内に
アルミニウムと反応ガスとの反応生成物、たとえば塩化アルミニウム（AlCl３）が
付着する。こうした反応生成物が付着し続けることで、エッチング反応の遅れ、エ
ッチング反応の不均一性、半導体集積回路上への付着などの支障をきたす。・・・
本発明はかかる欠点を除去したもので、その目的は付着した反応生成物の除去の自
動化および使用者に有害なガスを吸気させないことにある」（１頁左下欄１７行目
～右下欄１４行目）
　　　　(イ)「第２図においてエッチング１（注、「エッチング室１」の誤記と認
める。）は上ブタ２により密閉され、高周波電極３と対向電極４が内装され排気口
６はスロツトルバルブ１１を介して液体窒素トラップ７に接続され、さらにバルブ
１３を介して油拡散ポンプ８、油回転ポンプ９へ接続されている」（１頁右下欄１
７行目～２頁左上欄２行目）
　　　　(ウ)「液体窒素トラップ７の内壁にトラツプされた反応生成物２０、水分
の除去について述べる。バルブ１３、スロツトルバルブ１１を閉じ加熱された水ま
たは水蒸気をバルブ２１を介して液体窒素トラツプ７に噴射させることで、トラツ
プされていた反応生成物２０を洗い流し、バルブ１２より排水する」（２頁左下欄
４行目～１０行目）
　　　ウ　これらの記載によると、半導体材料を処理する室に相当する装置部材
は、特開昭６０－１１９７１４号公報（乙第７号証）には反応チャンバーとして、
また、特開昭５７－１２０６７６号公報（乙第８号証）にはエッチング室として記
載されているが、当該装置部材に接続されたガス排気系を見ると、乙第７号証に
は、微粉末除去トラップにエッチングガスを供給しプラズマを発生させ、当該トラ
ップに捕獲された微粉末を取り除くことが記載され、また、乙第８号証には、液体
窒素トラップに水蒸気ガスを供給し、当該トラップに捕獲された反応生成物を取り
除くことが記載されているから、これらの証拠によれば、半導体材料を処理する室
から排出される物質を積極的に捕獲する装置部材については、洗浄ガスを直接に供
給し洗浄する技術が本件特許出願前に公知であったと認めることができる。しかし
ながら、半導体材料を処理する室から排出される物質を積極的に捕獲する装置部材
を有しないガス排気系については、直接に洗浄ガスを供給する技術が本件特許出願
前に周知であったとの記載は見当たらず、他にこれを認めるに足りる証拠はない。
そうすると、一般的な「半導体材料の処理装置」のガス排気系において、ガス排気
系に直接に洗浄ガスを供給することが本件特許出願前に周知の技術であったという
ことはできないから、この点のみをもってしても、本件決定の「排気ガス系に直接
にガスを供給することは、当業者ならば容易に想到し得たことというべきである」
（決定謄本８頁４行目～５行目）とする判断は誤りである。
　　(4)　そもそも、刊行物１発明は、上記(2)で認定したとおり「ガス供給系を備
えた半導体材料のエピタキシャル成長装置におけるガス供給系の途中に接続される
ガス配管によって三フッ化塩素ガスをエピタキシャル反応室に供給して、該反応室
内に存在している耐熱炉板及び他の化学的不活性物体を洗浄すると共に、上記反応
室に形成された排気孔２９に接続して設けられたガス排気系から排気する方法」で
あって、この構成によれば、耐熱炉板及び他の化学的不活性物体の洗浄を確かなも
のとするなどの理由から、十分な量の三フッ化塩素ガスがエピタキシャル反応室に
供給され、その一部は変質せず洗浄能力を残したままガス排気系にまで供給され、
ガス排気系に付着した汚れも三フッ化塩素ガスによって洗浄されると考えられるか
ら、エピタキシャル反応室に十分に供給したのと同じ三フッ化塩素ガスを更にガス
排気系に直接供給をする動機は見当たらない。また、刊行物１には、ガス排気系に
汚れが付着しこれを洗浄する必要があるとの記載も示唆もない上、上記三フッ化塩
素ガスのガス排気系への直接供給が技術常識であると認めるに足りる証拠もない。
　　(5)　したがって、刊行物１発明に対し、本件発明３に係る、処理室に接続され
たガス排気系に直接に三フッ化塩素ガスを供給する工程と、三フッ化塩素ガスによ
りガス排気系内をドライエッチングして洗浄する工程を適用することは、当業者に
とって、容易に想到し得るものということはできないから、これに反する本件決定
の本件発明３に係る相違点の判断は誤りといわざるを得ず、本件発明４、６及び７
に係る判断もまた、同様に誤りというべきである。
　２　以上のとおりであるから、原告主張の決定取消事由は理由があり、この誤り
が本件発明３、４、６及び７に係る本件決定の結論に影響を及ぼすことは明らかで
あるから、本件決定中、上記部分について取消しを免れない。
　　　よって、原告の請求は理由があるからこれを認容し、訴訟費用の負担につき
行政事件訴訟法７条、民訴法６１条を適用して、主文のとおり判決する。
　　　　　東京高等裁判所第１３民事部
　　　　　　　　　裁判長裁判官　　　篠　　　原　　　勝　　　美
　　　　　　　　　　　　裁判官　　　岡　　　本　　　　　　　岳
　　　　　　　　　　　　裁判官　　　長　　　沢　　　幸　　　男

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