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平成２６年９月２５日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２３年(ワ)第３４２３７号特許権侵害差止等請求事件
（口頭弁論の終結の日平成２６年７月１７日）
判決
徳島県阿南市〈以下略〉
原告日亜化学工業株式会社
同訴訟代理人弁護士古城春実
同牧野知彦
同堀籠佳典
同加治梓子
同補佐人弁理士蟹田昌之
大阪府守口市〈以下略〉
被告三洋電機株式会社
同訴訟代理人弁護士尾崎英男
同鷹見雅和
同日野英一郎
同上野潤一
同今田瞳
主文
原告の請求をいずれも棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
１被告は別紙物件目録記載の製品（以下「被告製品」という。）を生産し，
譲渡し，輸出若しくは輸入し，又は譲渡の申出をしてはならない。
２被告は，その占有する被告製品を廃棄せよ。
３被告は，原告に対し，１億円及びこれに対する平成２３年１０月２８日か
ら支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２事案の概要
本件は，発明の名称を「窒化物半導体素子」とする特許権を有する原告が，
被告による被告製品の生産，譲渡等が上記特許権の侵害に当たる旨主張して，
特許法１００条１項及び２項に基づき，被告製品の生産，譲渡等の差止め及
び廃棄を求めるとともに，特許権侵害に基づく損害賠償金の支払（一部請
求）を求める事案である。
１争いのない事実
(1)当事者
原告は，半導体及び関連材料，部品，応用製品の製造，販売並びに研究
開発等を業とする株式会社である。
被告は，各種電子機器器具，通信機械器具及び電子部品等の製造販売等
を業とする株式会社である。
(2)原告の特許権
ア原告は，次の特許権（以下「本件特許権」といい，その特許を「本件特
許」という。）の特許権者である。
特許番号第４３１４８８７号
出願日平成１５年５月２６日(特願２００３－１４８３５９。以下，
この出願を「本件出願」という。）
原出願日平成１０年５月１５日（特願平１０－１３２８３１。以
下，この出願を「本件原出願」という。）
優先日平成９年１１月２６日（特願平９－３２４９９７）
登録日平成２１年５月２９日
イ本件特許権に係る特許請求の範囲の請求項１（ただし，平成２６年４
月３日に確定した審決による訂正後のもの）の記載は，次のとおりであ
る（以下，この発明を「本件発明」という。）。
「厚みが５０μｍ以上であり，少なくとも下面から厚さ方向に５μｍより
も上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下である，ハライド
気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含有するＧａＮ
基板と，前記ＧａＮ基板の上に積層された，活性層を含む窒化物半導体層
と，前記窒化物半導体層に形成されたリッジストライプと，該リッジスト
ライプ上に形成されたｐ電極と，前記ＧａＮ基板の下面に形成されたｎ電
極と，を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。」
ウ本件発明は，以下の構成要件に分説される（以下，それぞれの構成要件
を「構成要件Ａ」などという。）。
Ａ厚みが５０μｍ以上であり，少なくとも下面から厚さ方向に５μｍ
よりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下である，
ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成されたｎ型不純物を含
有するＧａＮ基板と，
Ｂ前記ＧａＮ基板の上に積層された，活性層を含む窒化物半導体層と，
Ｃ前記窒化物半導体層に形成されたリッジストライプと，該リッジス
トライプ上に形成されたｐ電極と，
Ｄ前記ＧａＮ基板の下面に形成されたｎ電極と，
Ｅを備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
(3)本件特許の出願経過
ア原告は，平成１５年５月２６日，本件原出願（その特許出願の願書に
添付された明細書及び図面（乙１）を「本件当初明細書」という。）か
らの分割出願として，本件出願（その特許出願の願書に添付された明細
書及び図面（乙８）を「本件分割時明細書」という。）をした。
イ原告は，平成１７年４月１８日受付の手続補正書（乙９）において，
特許請求の範囲並びに発明の詳細な説明を補正した（以下，この補正を
「本件補正」という。）。
ウ本件特許は，平成２１年５月２９日に登録され，その後，上記(2)イの
とおり訂正された（以下，訂正後の明細書及び図面（甲２，１１の１の
２）を「本件明細書」という。）。
(4)被告の行為
ア被告は，平成２１年５月２９日以降，被告製品を製造，販売，輸出して
いる。
イ被告製品中には，次の構成（以下，それぞれの構成を「構成ａ」などと
いう。）を備える製品（以下「被告製品１」という。）と，これを備えな
い製品（具体的には，構成ａ中の結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
を超
える部分があるもの。以下「被告製品２」という。）が含まれている。
ａ結晶欠陥の数が，ＧａＮ基板の厚さ方向において略均一で８×１０６
個／ｃｍ２
以下である，ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ）を用いて形成
されたｎ型不純物を含有するＧａＮ基板を有する。
ｂ前記ＧａＮ基板の上に積層された，活性層を含む窒化物半導体層を
有する。
ｃ前記窒化物半導体層に形成されたリッジストライプと，該リッジス
トライプ上に形成されたｐ電極を有する。
ｄ前記ＧａＮ基板の裏面に形成されたｎ電極を有する。
ｅ以上を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
２争点
原告は，被告製品２が本件発明の構成要件Ａを充足しないことを認めてい
る。他方，被告は，被告製品１が構成要件Ａ中の「少なくとも下面から厚さ
方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下で
ある……ＧａＮ基板」を充足することを争い，その余の構成要件の充足を認
めている。したがって，本件の争点は，次のように整理することができる。
(1)被告製品１の構成要件Ａの充足性
(2)被告製品中に被告製品１が占める割合
(3)差止請求等の当否
(4)損害論
３争点に関する当事者の主張
(1)被告製品１の構成要件Ａの充足性
（原告の主張）
構成要件Ａ及びＤの「下面」は，「下の面」を意味し，構成要件Ｂ～Ｄ
には，「ＧａＮ基板の上に積層された……半導体層と，……ｐ電極と」と
の記載に続いて「下面に形成されたｎ電極」と記載されているのであるか
ら，「下面」は「半導体層を積層する面とは反対のｎ電極を形成する面」
を意味するものと解すべきである。本件発明を結晶欠陥の多い領域に直接
ｎ電極を設ける構成に限定すべきではないことは，①構成要件Ａは，Ｇａ
Ｎ基板の結晶欠陥の数について，「少なくとも下面から厚さ方向に５μｍ
よりも上の領域では」と記載するにとどまり，それより下の領域の結晶欠
陥の数を特定していないこと，②本件明細書の発明の詳細な説明には，
「下地層が除去される場合，結晶欠陥が多い領域の第２の窒化物半導体層
にｎ電極が形成されてなることが望ましい。」と記載されており（段落
【００１４】），結晶欠陥の数の多い高キャリア濃度領域にｎ電極を形成
する形態に発明の範囲を限定していないこと，③本件当初明細書には，ｎ
電極を設ける層として，第２の窒化物半導体層の結晶欠陥の多い領域を使
用すること（段落【００４４】）と，Ｓｉ等のｎ型不純物をドープしてキ
ャリア濃度を高めた層を使用すること（段落【００１５】）が等価の技術
であることが記載されており，結晶欠陥の少ない領域に直接ｎ電極を設け
る構成が開示されているものと理解できることからも明らかである。
（被告の主張）
下面から厚さ方向の全体にわたって結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下のＧａＮ基板を使用する素子は，本件当初明細書にも本件明細書にも
開示されていない。本件明細書には，「結晶欠陥が多い領域の第２の窒化
物半導体層にｎ電極が形成されてなることが望ましい。」として，結晶欠
陥の多い領域にｎ電極を設けることによる作用効果を記載しているのであ
るから，ｎ電極が形成される基板の「下面」近傍は，結晶欠陥の数が多い
領域として特定されている。したがって，構成要件ＡのＧａＮ基板の「下
面」は，「下面から厚さ方向に５μｍよりも上の結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下の領域に比べて，結晶欠陥の多い領域に形成されている面」
を意味するものと解すべきである。また，構成要件Ａの「ＧａＮ基板」は，
下面から厚さ方向に５μｍまでの領域における結晶欠陥の数が１×１０７
個
／ｃｍ２
よりも多いものをいうと解すべきである。本件当初明細書及び本件
分割時明細書には，下面から厚さ方向に５μｍまでの領域の結晶欠陥の数
が少ない素子は記載されておらず，原告の主張する解釈を採ると，本件補
正は新規事項を追加する違法なものとなるから，そのような解釈を採るべ
きではない。
被告製品１のＧａＮ基板の結晶欠陥の数は，厚さ方向において略均一で
８×１０６
個／ｃｍ２
以下であるから（構成ａ），構成要件Ａ中の「少なく
とも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０
７
個／ｃｍ２
以下である……ＧａＮ基板」を充足しない。
(2)被告製品中に被告製品１が占める割合
（原告の主張）
被告製品には，①日立電線株式会社製又は②住友電気工業株式会社製の
ＧａＮ基板が使用されているところ，①のＧａＮ基板を使用した被告製品
は全て被告製品１である。他方，②のＧａＮ基板ウエハは，４００μｍの
周期で結晶欠陥の数が多いストライプ型コアが存在し，その近傍領域の結
晶欠陥の数は１×１０７
個／ｃｍ２
を超えている。被告は４００μｍ周期の
コアの間を２分割又は３分割して素子を切り出しているから，被告製品中
に被告製品１が占める割合は，素子の幅が約２００μｍ（２分割）の製品
については半分以上，素子の幅が約１３３μｍ（３分割）の製品について
は３分の２以上と認められるべきである。
（被告の主張）
争う。
(3)差止請求等の当否
（原告の主張）
前記(1)（原告の主張）のとおり，被告製品１は本件発明の技術的範囲に
属するところ，被告は，被告製品を業として生産し，譲渡し，輸出若しく
は輸入し，かつ譲渡の申出をしている。これらの行為は，本件特許権の侵
害に当たるから，原告は，被告に対し，特許法１００条１項及び２項に基
づき，被告製品の生産等の差止め及び廃棄を求める。
（被告の主張）
争う。
(4)損害論
（原告の主張）
平成２１年５月２９日以降本件訴えの提起（平成２３年１０月２０日）
までの被告製品の販売額は，５８億円を下らない。本件発明の実施料率は
３％を下回らないから，原告の損害額又は損失額は１億７４００万円を下
らない。よって，原告は，被告に対し，不法行為による損害賠償請求権又
は不当利得返還請求権に基づき，その一部請求として１億円及び訴状送達
日の翌日である平成２３年１０月２８日から支払済みまで民法所定の年５
分の割合による遅延損害金の支払を求める。
（被告の主張）
争う。
第３当裁判所の判断
１争点(1)（被告製品１の構成要件Ａの充足性）について
(1)本件特許の特許請求の範囲及び本件明細書の発明の詳細な説明の記載並
びに本件特許の出願経過によれば，構成要件Ａの「少なくとも下面から厚
さ方向に５μｍよりも上の領域では結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以
下である……ＧａＮ基板」については，次のように解釈することが相当で
ある。
ア本件特許の特許請求の範囲には，「下面から厚さ方向に５μｍより上
の領域」（構成要件Ａ），「前記ＧａＮ基板の上」（構成要件Ｂ）及び
「前記ＧａＮ基板の下面」（構成要件Ｄ）という，ＧａＮ基板に上下方
向が存在することを前提とする記載がある。これによれば，本件発明は，
ＧａＮ基板それ自体に上下方向ないし上面及び下面を特徴付ける属性が
存在すること並びにこれにより特定された上面に窒化物半導体層等を積
層し下面にｎ電極を形成することを必須の構成としていることが明らか
である。したがって，このような属性を持たず上下方向を特定すること
のできないＧａＮ基板や，上記属性により特定された上面又は下面に窒
化物半導体層等の積層及びｎ電極の形成がされていないＧａＮ基板は，
特許請求の範囲の文言と相いれないと解される。
このように，本件発明に係るＧａＮ基板は，それ自体に上下方向を特
定することができる属性を備えたものであることを要するところ，構成
要件Ａには「少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では
結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下である」との記載があり，かつ，
本件特許の特許請求の範囲にはこの記載以外にＧａＮ基板の上下方向を
特定する属性に関する記載は存在しない。そうすると，本件発明に係る
ＧａＮ基板は，ある特定の面から５μｍ隔たったＧａＮ基板の内部に仮
想的な面（以下「基準面」という。）を想定し，上記特定の面を「下
面」，それとは反対側の面を「上面」とした場合に，基準面より上の領
域における結晶欠陥の数が１×１０７
個／ｃｍ２
以下であり，この領域と
基準面より下の領域との間で結晶欠陥の数の偏在が認められることによ
り上下方向が特定されるようなＧａＮ基板をいうものと解するのが相当
である。
そうすると，厚さ方向に結晶欠陥の数の偏在が認められず，その偏在
により上下方向を特定することのできないＧａＮ基板は，構成要件Ａに
いう「ＧａＮ基板」を充足せず，本件発明の技術的範囲に属しないもの
と解すべきである。もっとも，特許請求の範囲には，基準面より上の領
域における結晶欠陥の数のみが明記され，その下の領域における結晶欠
陥の数についていかに解すべきであるかが定かでないので，発明の詳細
な説明の記載を検討することとする。
イ本件明細書の発明の詳細な説明には，【課題を解決するための手段】
欄に，①本件発明の窒化物半導体素子は，下地層（第１の窒化物半導体
層及び保護膜）に接近した側に結晶欠陥が多い領域と，下地層より離れ
た側に結晶欠陥が少ない領域とを有する第２の窒化物半導体層を有し，
その第２の窒化物半導体層の上に活性層を含む複数の窒化物半導体層が
成長されてなることが望ましいこと（段落【００１１】），②下地層が
除去されて素子構造とされる場合，第２の窒化物半導体層の厚さが５０
μｍ以上の膜厚であると，結晶欠陥の少ない領域が更に多くなって望ま
しいこと（段落【００１３】），③下地層が除去される場合，第２の窒
化物半導体層が同一組成で結晶欠陥の少ない低キャリア濃度領域と，結
晶欠陥の多い高キャリア濃度領域とを有しており，この高キャリア濃度
領域にｎ電極を設けることにより，効率の良い素子を作製することがで
きることから，結晶欠陥が多い領域の第２の窒化物半導体層にｎ電極が
形成されてなることが望ましいこと（段落【００１４】），④本件発明
の素子では，第２の窒化物半導体層の結晶欠陥の多い領域と少ない領域
とが窒化物半導体積層方向に対してほぼ同じ方向にあれば，その成長方
法は特に限定されないこと（段落【００１６】）が記載されており，ま
た，【実施例】の欄に，①第１の窒化物半導体層の界面からおよそ５μ
ｍ程度までの領域は結晶欠陥の数が多く（１０８
個／ｃｍ２
以上），５μ
ｍよりも上の領域では結晶欠陥が少なく（１０６
個／ｃｍ２
以下），十分
に窒化物半導体基板として使用できるもの（段落【００３１】），②第
２の窒化物半導体層と第１の窒化物半導体層の界面からおよそ５μｍ程
度までの領域は結晶欠陥の数が多く，５μｍよりも上の領域では結晶欠
陥が少なく（１０７
個／ｃｍ２
以下），十分に窒化物半導体基板として使
用できるもの（段落【００５３】）が得られたことが記載されている
（甲２，１１の１の２）。
このように，本件発明は，基準面より下の領域は結晶欠陥の数が多く，
それより上の領域は結晶欠陥の数が少ないＧａＮ基板を用い，結晶欠陥
の数が多い高キャリア濃度領域にｎ電極を設けることにより，効率の良
い素子を作製するところに技術的意義があるものと解される。そうする
と，構成要件Ａの「ＧａＮ基板」は，単に，基準面より上の領域の結晶
欠陥の数が所定の数（１×１０７
個／ｃｍ２
）以下であり，基準面より下
の領域との間で結晶欠陥の数の偏在があるというだけでは足りず，後者
の数が前者の数よりも相対的に多いものとして特定されるＧａＮ基板を
意味するものと解するのが相当である。
ウさらに，この点を，本件特許の出願経過に即して検討する。
(ア)前記争いのない事実に証拠（甲２，乙１，８，９）を総合すると，
次の事実が認められる。
ａ本件原出願及び本件出願においては，特許請求の範囲に下記(ａ)
の記載があり，本件当初明細書及び本件分割時明細書の発明の詳細
な説明には下記(ｂ)の記載があった（乙１，８）。
(ａ)特許請求の範囲の記載
本件原出願及び本件出願における特許請求の範囲は，窒化物半
導体の成長方法の発明である請求項１を除き，請求項２～９の全
てが窒化物半導体素子の発明であり，下記の請求項７を含め請求
項３～９は全て請求項２の従属項であった。そして，請求項２は，
下記のとおり，下地層に接近した側に結晶欠陥が多い領域と，下
地層より離れた側に結晶欠陥が少ない領域とを有する第２の窒化
物半導体層を有することを必須の構成としていた。
【請求項２】窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に成
長された第１の窒化物半導体層と，その第１の窒化物半導体層の
上に部分的に形成され，表面に窒化物半導体が成長しにくい性質
を有する保護膜とからなる下地層の上に，下地層に接近した側に
結晶欠陥が多い領域と，下地層より離れた側に結晶欠陥が少ない
領域とを有する第２の窒化物半導体層を有し，その第２の窒化物
半導体層の上に活性層を含む複数の窒化物半導体層が成長されて
なることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項７】前記下地層が除去されて，結晶欠陥が多い領域側の第
２の窒化物半導体層にｎ電極が形成されてなることを特徴とする
請求項２に記載の窒化物半導体素子。
(ｂ)発明の詳細な説明の記載
本件当初明細書及び本件分割時明細書の発明の詳細な説明には，
次の３か所において，次のとおり，いずれも文末の部分が「……
が望ましい。」ではなく「……を特徴とする。」と記載されてい
た。
【０００９】本件発明の窒化物半導体素子は，……下地層に接近し
た側に結晶欠陥が多い領域と，下地層より離れた側に結晶欠陥が
少ない領域とを有する第２の窒化物半導体層を有し，その第２の
窒化物半導体層の上に活性層を含む複数の窒化物半導体層が成長
されてなることを特徴とする。
【００１１】また前記下地層が残されて素子構造とされる場合，第
２の窒化物半導体層の上に成長されｎ型不純物がドープされた窒
化物半導体よりなるｎ側コンタクト層にｎ電極が形成されてなる
ことを特徴とする。
【００１４】また，下地層が除去される場合，結晶欠陥が多い領域
の第２の窒化物半導体層にｎ電極が形成されてなることを特徴と
する。
ｂ原告は，本件補正において，特許請求の範囲を下記(ａ)のとおり
補正するとともに，本件分割時明細書の発明の詳細な説明の記載を
下記(ｂ)のとおり補正した（乙９）。
(ａ)特許請求の範囲の記載
原告は，特許請求の範囲を次のとおり補正した。
【請求項１】本件発明の請求項に同じ（ただし，冒頭の「厚みが５
０μｍ以上であり，」を欠くもの。）。
【請求項２】前記ＧａＮ基板は，結晶欠陥が少ない領域と結晶欠陥
が多い領域とを有する請求項１に記載の窒化物半導体素子。
(ｂ)発明の詳細な説明の記載
原告は，前記ａ(ｂ)の各記載中，段落【０００９】を【００１
１】，段落【００１１】を【００１２】とそれぞれ改めた上，
「……を特徴とする。」とある部分をいずれも「……が望まし
い。」と補正した（段落【００１１】，【００１２】，【００１
４】）。なお，本件補正書におけるこれらの補正箇所には，特許
法施行規則（平成１７年経済産業省令第９６号による改正前のも
の）様式１３備考番号６で補正により変更した個所に引くべきこ
ととされている下線が引かれていなかった。
ｃ本件発明の請求項の記載及び本件明細書の発明の詳細な説明の記
載（段落【００１１】，【００１２】，【００１４】）は，いずれ
も上記ｂの各記載を引き継いだものである（甲２，１１の１の２）。
(イ)上記認定事実によれば，本件原出願及びこれからの分割出願であ
る本件出願においては，窒化物半導体素子の発明は，いずれも，下地
層に接近した側に結晶欠陥が多い領域と，下地層より離れた側に結晶
欠陥が少ない領域とを有する第２の窒化物半導体層を備えることを必
須の構成としていたことが明らかであり，基準面より上の領域と比較
してそれより下の領域の結晶欠陥の数が少ないものや，両者が同数の
ものは，特許請求の範囲及び発明の詳細な説明に記載されていなかっ
たものと認められる。そうすると，原告において本件補正に当たり新
規事項を追加する意思ではなかったと解されるから（特許法（平成１
８年法律第５５号による改正前のもの）１７条の２第３項参照），本
件発明の構成要件Ａの「ＧａＮ基板」は基準面より下の領域の結晶欠
陥の数が上の領域のそれよりも相対的に多いものとして特定されるＧ
ａＮ基板を意味するとの上記イの解釈は，このような出願経過からも
裏付けられるものである。
エ以上のとおり，構成要件Ａの「ＧａＮ基板」は，基準面より下の領域
の結晶欠陥の数が上の領域のそれよりも相対的に多いものであることを
要する（上記ウの出願経過に鑑みると，少なくとも原告においてこれに
反する主張をすることは許されない）と解すべきである。
(2)被告製品１のＧａＮ基板における結晶欠陥の数は，ＧａＮ基板の厚さ方
向において略均一（８×１０６
個／ｃｍ２
以下）であって（構成ａ），厚さ
方向に結晶欠陥の数の偏在がないのであるから，構成要件Ａの「ＧａＮ基
板」を充足しないものと判断することが相当である。
(3)これに対し，原告は，構成要件Ａ及びＤの「下面」とは，窒化物半導体
素子等を積層する面とは反対のｎ電極を形成する面を意味し，本件発明を
結晶欠陥の多い領域に直接ｎ電極を設ける構成に限定すべきではないと主
張し，その根拠として，①構成要件Ａは，ＧａＮ基板の結晶欠陥の数につ
いて，「少なくとも下面から厚さ方向に５μｍよりも上の領域では」とし
か記載していないこと，②本件明細書の発明の詳細な説明（段落【００１
４】）には，「下地層が除去される場合，結晶欠陥が多い領域の第２の窒
化物半導体層にｎ電極が形成されてなることが望ましい。」と記載されて
いること，③本件当初明細書には，ｎ電極を設ける層として，第２の窒化
物半導体層の結晶欠陥の多い領域を使用すること（段落【００４４】）と，
Ｓｉ等のｎ型不純物をドープしてキャリア濃度を高めた層を使用すること
（段落【００１５】）が等価の技術である旨が記載されていることを挙げ
る。
しかしながら，前記(1)アに判示したとおり，仮に原告の主張するように
「下面」が単に窒化物半導体素子等を積層する面とは反対のｎ電極を形成
する面を意味するにとどまるとすれば，本件特許の特許請求の範囲におい
ては，ＧａＮ基板それ自体の属性として上下方向があることを前提とする
記載をすることはなかったと解されるから，上記解釈を採用することはで
きない。また，上記(1)ウに判示したとおり，上記①及び②の各記載は，本
件補正時の原告の意思に照らし，基準面より下の領域の結晶欠陥の数が上
の領域のそれよりも相対的に多いことにより特定されるＧａＮ基板である
ことを必須の構成とする（少なくとも原告においてこれに反する主張をす
ることは許されない）ものと解すべきであるから，原告の主張は理由がな
い。
次に，上記③の主張について判断する。本件当初明細書の段落【００１
５】には，「下地層を除去して，その第２の窒化物半導体層の表面に電極
を形成する場合，第２の窒化物半導体層にはＳｉ，Ｇｅ等のｎ型不純物を
ドープしてキャリア濃度を，例えば１×１０１７
／ｃｍ３
～５×１０１９
／ｃｍ
３
に調整することが望ましい。」との記載がある（乙１）。これは，本件原
出願に係る窒化物半導体素子がいずれも下地層に接近した側に結晶欠陥が
多い領域と，下地層より離れた側に結晶欠陥が少ない領域とを有する第２
の窒化物半導体層を有することを必須の構成としていたこと（前記(1)ウ
(ア)ａ，(イ)）に照らせば，下地層を除去した第２の窒化物半導体層がそ
のような構成を有するＧａＮ基板であることを前提として，キャリア濃度
の不足を補うために，第２の窒化物半導体層にｎ型不純物をドープするこ
とが望ましいとする記載にすぎず，下地層に接近した側の領域の結晶欠陥
の数が下地層より離れた側の領域のそれより相対的に少なくてもよいとか，
前者の領域に結晶欠陥が存在しなくてもよいとする記載ではないと解すべ
きものである。
よって，原告の主張はいずれも採用することができない。
(4)以上のとおり，被告製品１は，構成要件Ａの「ＧａＮ基板」の構成を有
しないものであるから，本件発明の技術的範囲に属しない。
２結論
以上によれば，その余の点について判断するまでもなく，原告の請求はい
ずれも理由がないから，これを棄却することとして，主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第４６部
裁判長裁判官長谷川浩二
裁判官清野正彦
裁判官植田裕紀久
（別紙）
物件目録
波長４０５ｎｍ±１０ｎｍのレーザ光を発する窒化物半導体レーザ素子を組み込
んだ半導体レーザダイオード製品

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