弁護士法人ITJ法律事務所

裁判例


戻る

平成15年(行ケ)第233号 特許取消決定取消請求事件
口頭弁論終結日 平成16年1月15日
判    決
原   告      株式会社半導体エネルギー研究所
訴訟代理人弁理士   福 田 賢 三
    同      福 田 伸 一
    同      加 藤 恭 介
    被   告      特許庁長官 今井康夫
    指定代理人      町 田 光 信
    同      平 井 良 憲
    同      大 野 克 人
    同      涌 井 幸 一
主    文
1 特許庁が異議2002-70682号事件について平成15年4月16
日にした決定を取り消す。
2 訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
1 原告の請求
(1)主文1項と同旨。
(2)訴訟費用は被告の負担とする。
2 当事者間に争いのない事実
(1)特許庁における手続の経緯
原告は,発明の名称を「アクティブ型表示装置およびビデオカメラ」とする
特許第3222446号の特許(平成3年2月16日に出願された特願平3-77
317号の一部を平成12年1月24日に新たな特許出願としたものである。平成
13年8月17日設定登録,以下「本件特許」という。登録時の請求項の数は19
である。)の特許権者である。
本件特許に対し,請求項1ないし19のすべてにつき,特許異議の申立てが
あり,特許庁は,この申立てを,異議2002-70682号事件として審理し
た。原告は,この審理の過程で,平成14年9月17日,本件特許の出願に係る願
書に添付した明細書の訂正の請求をした。特許庁は,上記事件につき審理し,その
結果,平成15年4月16日,この訂正を認めた上で(以下「本件第1訂正」とい
う。本件第1訂正により,請求項の数が13となった。),「特許第322244
6号の請求項1ないし13に係る特許を取り消す。」(取り消された請求項に係る
発明をまとめて「本件発明」という。)との決定をし,同年5月6日にその謄本を
原告に送達した。
(2)決定の理由
要するに,本件発明は,いずれも公知技術及び周知技術に基づいて当業者が
容易に発明をすることができたものであるから,特許法29条2項の規定に該当す
る,したがって,本件特許は,請求項1ないし13のいずれについても,この規定
に違反して登録されたものである,ということである。
(3)訂正審判の確定
  原告は,本訴係属中に,本件特許の出願に係る願書に添付した明細書の訂正
をすることについて審判を請求した。特許庁は,これを訂正2003-39166
号事件として審理し,その結果,平成15年10月30日に訂正(以下「本件第2
訂正」という。)をすることを認める旨の審決(以下「本件訂正審決」という。)
をし,これが確定した。
3 本件第1訂正後の本件特許の特許請求の範囲
「【請求項1】ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域がゲイト電極の下
に設けられた薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜
および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画
素電極を有し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に形
成された第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続
され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に形成さ
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され,
 前記第2のコンタクトホールは,前記第1のコンタクトホールに重ならない
ことを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項2】ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域がゲイト電極の下に
設けられた薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜お
よび前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素
電極を有し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に形
成された第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続
され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に形成さ
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され,
 前記第2のコンタクトホールは,前記第1のコンタクトホールに重ならず,
 前記平坦化膜の上面から前記第2のコンタクトホールの内面にかけて湾曲し
た面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項3】ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域がゲイト電極の下に
設けられた薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜お
よび前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素
電極を有し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に設
けられた第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続
され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に設けら
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され,
 前記第2のコンタクトホールは,前記第1のコンタクトホールに重ならず,
 前記平坦化膜の上面から前記第2のコンタクトホールの内面にかけて前記第
2のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり,かつ,湾曲した面を有するこ
とを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項4】請求項1乃至請求項3のいずれか一において,前記層間絶縁物は
酸化珪素膜であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項5】請求項1乃至請求項4のいずれか一において,前記平坦化膜は有
機樹脂からなることを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項6】請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載のアクティブ型表示装
置は,アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項7】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであ
って,前記アクティブ型表示装置は,
 ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた
薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄
膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有
し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に形
成された第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続
され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に形成さ
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され,
 前記第2のコンタクトホールは,前記第1のコンタクトホールに重ならない
ことを特徴とするカメラ。
【請求項8】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであ
って,前記アクティブ型表示装置は,
 ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた
薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄
膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有
し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に設
けられた第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続
され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に設けら
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され,
 前記第2のコンタクトホールは,前記第1のコンタクトホールに重ならず,
 前記平坦化膜の上面から前記第2のコンタクトホールの内面にかけて湾曲し
た面を有することを特徴とするカメラ。
【請求項9】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであ
って,前記アクティブ型表示装置は,
 ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた
薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄
膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有
し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に設
けられた第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに接続
され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に設けら
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に接続され,
 前記第2のコンタクトホールは,前記第1のコンタクトホールに重ならず,
 前記平坦化膜の上面から前記第2のコンタクトホールの内面にかけて前記第
2のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり,かつ,湾曲した面を有するこ
とを特徴とするカメラ。 
【請求項10】請求項7乃至請求項9のいずれか一において,前記層間絶縁物
は酸化珪素膜であることを特徴とするカメラ。
【請求項11】請求項7乃至請求項10のいずれか一において,前記平坦化膜
は有機樹脂からなることを特徴とするカメラ。
【請求項12】請求項7乃至請求項11のいずれか一に記載のアクティブ型表
示装置は,アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするカメラ。
【請求項13】請求項7乃至請求項12のいずれか一に記載のカメラは,ビデ
オカメラであることを特徴とするカメラ。」
4 本件第2訂正後の本件特許の特許請求の範囲(下線部が本件第1訂正後のもの
と比較した場合の訂正箇所である。)
【請求項1】ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域がゲイト電極の下に
設けられた薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜お
よび前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素
電極を有し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に形
成された第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接
接続され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に形成さ
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され,
 前記第2のコンタクトホールは,前記層間絶縁物の上に位置し,且つ,前記
第1のコンタクトホールに重ならないことを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項2】ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域がゲイト電極の下に
設けられた薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜お
よび前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素
電極を有し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に形
成された第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接
接続され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に形成さ
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され,
 前記第2のコンタクトホールは,前記層間絶縁物の上に位置し,且つ前記第
1のコンタクトホールに重ならず,
 前記平坦化膜の上面から前記第2のコンタクトホールの内面にかけて湾曲し
た面を有することを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項3】ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域がゲイト電極の下に
設けられた薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜お
よび前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素
電極を有し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に設
けられた第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接
接続され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に設けら
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され,
 前記第2のコンタクトホールは,前記層間絶縁物の上に位置し,且つ,前記
第1のコンタクトホールに重ならず,
 前記平坦化膜の上面から前記第2のコンタクトホールの内面にかけて前記第
2のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり,かつ,湾曲した面を有するこ
とを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項4】請求項1乃至請求項3のいずれか一において,前記層間絶縁物は
酸化珪素膜であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項5】請求項1乃至請求項4のいずれか一において,前記平坦化膜は有
機樹脂からなることを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項6】請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載のアクティブ型表示装
置は,アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするアクティブ型表示装置。
【請求項7】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであ
って,前記アクティブ型表示装置は,ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域
がゲイト電極の下に設けられた薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形
成された平坦化膜および前記薄膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透
明導電膜でなる画素電極を有し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に形
成された第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接
接続され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に形成さ
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され,
 前記第2のコンタクトホールは,前記層間絶縁物の上に位置し,且つ,前記
第1のコンタクトホールに重ならないことを特徴とするカメラ。
【請求項8】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであ
って,前記アクティブ型表示装置は,
 ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた
薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄
膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有
し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に設
けられた第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接
接続され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に設けら
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され,
 前記第2のコンタクトホールは,前記層間絶縁物の上に位置し,且つ,前記
第1のコンタクトホールに重ならず,
 前記平坦化膜の上面から前記第2のコンタクトホールの内面にかけて湾曲し
た面を有することを特徴とするカメラ。
【請求項9】アクティブ型表示装置をビューファインダーに用いたカメラであ
って,前記アクティブ型表示装置は,
 ガラス基板上に形成され,チャネル形成領域がゲイト電極の下に設けられた
薄膜トランジスタ,前記薄膜トランジスタの上に形成された平坦化膜および前記薄
膜トランジスタのドレイン電極にコンタクトした透明導電膜でなる画素電極を有
し,
 前記ドレイン電極は,層間絶縁物の上に設けられ,且つ,該層間絶縁物に設
けられた第1のコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレインに直接
接続され,
 前記画素電極は,前記平坦化膜の上に設けられ,且つ,該平坦化膜に設けら
れた第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に直接接続され,
前記第2のコンタクトホールは,前記層間絶縁物の上に位置し,且つ,前記第
1のコンタクトホールに重ならず,
前記平坦化膜の上面から前記第2のコンタクトホールの内面にかけて前記第2
のコンタクトホールの直径が連続的に小さくなり,かつ,湾曲した面を有すること
を特徴とするカメラ。 
【請求項10】請求項7乃至請求項9のいずれか一において,前記層間絶縁物
は酸化珪素膜であることを特徴とするカメラ。
【請求項11】請求項7乃至請求項10のいずれか一において,前記平坦化膜
は有機樹脂からなることを特徴とするカメラ。
【請求項12】請求項7乃至請求項11のいずれか一に記載のアクティブ型表
示装置は,アクティブ型液晶表示装置であることを特徴とするカメラ。
【請求項13】請求項7乃至請求項12のいずれか一に記載のカメラは,ビデ
オカメラであることを特徴とするカメラ。」
5 当裁判所の判断
上記当事者間に争いのない事実によれば,本件第2訂正前の特許の請求の範囲
(本件第1訂正後の特許請求の範囲)請求項1ないし13の記載に基づき,その発
明を認定し,これを前提に,特許法29条2項の規定に違反して登録された特許で
あることを理由に,請求項1ないし13のすべてにつき本件特許を取り消した決定
の取消しを求める訴訟の係属中に,当該特許に係る特許請求の範囲の減縮を含む訂
正の審判が請求され,特許庁は,これを認める審決(本件訂正審決)をし,これが
確定したということができる。
決定は,これにより,結果として,上記請求項1ないし13のすべてについて
判断の対象となるべき発明の要旨の認定を誤ったことになり,この誤りが上記各請
求項のいずれについても決定の結論に影響を及ぼすことは明らかである。したがっ
て,決定は,上記各請求項のすべてにつき,取消しを免れない。
6 以上によれば,本訴請求は理由がある。そこで,これを認容し,訴訟費用の負
担については,原告に負担させるのを相当と認め,行政事件訴訟法7条,民事訴訟
法62条を適用して,主文のとおり判決する。
東京高等裁判所第6民事部
裁判長裁判官  山  下  和  明
裁判官  設  樂  隆  一
裁判官  高  瀬  順  久

戻る



採用情報


弁護士 求人 採用
弁護士募集(経験者 司法修習生)
激動の時代に
今後の弁護士業界はどうなっていくのでしょうか。 もはや、東京では弁護士が過剰であり、すでに仕事がない弁護士が多数います。
ベテランで優秀な弁護士も、営業が苦手な先生は食べていけない、そういう時代が既に到来しています。
「コツコツ真面目に仕事をすれば、お客が来る。」といった考え方は残念ながら通用しません。
仕事がない弁護士は無力です。
弁護士は仕事がなければ経験もできず、能力も発揮できないからです。
ではどうしたらよいのでしょうか。
答えは、弁護士業もサービス業であるという原点に立ち返ることです。
我々は、クライアントの信頼に応えることが最重要と考え、そのために努力していきたいと思います。 弁護士数の増加、市民のニーズの多様化に応えるべく、従来の法律事務所と違ったアプローチを模索しております。
今まで培ったノウハウを共有し、さらなる発展をともに目指したいと思います。
興味がおありの弁護士の方、司法修習生の方、お気軽にご連絡下さい。 事務所を見学頂き、ゆっくりお話ししましょう。

応募資格
司法修習生
すでに経験を有する弁護士
なお、地方での勤務を希望する先生も歓迎します。
また、勤務弁護士ではなく、経費共同も可能です。

学歴、年齢、性別、成績等で評価はしません。
従いまして、司法試験での成績、司法研修所での成績等の書類は不要です。

詳細は、面談の上、決定させてください。

独立支援
独立を考えている弁護士を支援します。
条件は以下のとおりです。
お気軽にお問い合わせ下さい。
◎1年目の経費無料(場所代、コピー代、ファックス代等)
◎秘書等の支援可能
◎事務所の名称は自由に選択可能
◎業務に関する質問等可能
◎事務所事件の共同受任可

応募方法
メールまたはお電話でご連絡ください。
残り応募人数(2019年5月1日現在)
採用は2名
独立支援は3名

連絡先
〒108-0023 東京都港区芝浦4-16-23アクアシティ芝浦9階
ITJ法律事務所 採用担当宛
email:[email protected]

71期修習生 72期修習生 求人
修習生の事務所訪問歓迎しております。

ITJではアルバイトを募集しております。
職種 事務職
時給 当社規定による
勤務地 〒108-0023 東京都港区芝浦4-16-23アクアシティ芝浦9階
その他 明るく楽しい職場です。
シフトは週40時間以上
ロースクール生歓迎
経験不問です。

応募方法
写真付きの履歴書を以下の住所までお送り下さい。
履歴書の返送はいたしませんのであしからずご了承下さい。
〒108-0023 東京都港区芝浦4-16-23アクアシティ芝浦9階
ITJ法律事務所
[email protected]
採用担当宛