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平成１７年（行ケ）第１０７４０号審決取消請求事件
平成１８年９月１４日口頭弁論終結
判決
原告スパンションエルエルシー
訴訟代理人弁理士片山修平
同横山照夫
同高林芳孝
同八田俊之
同菊池挙人
被告特許庁長官中嶋誠
指定代理人辻徹二
同末政清滋
同岡田孝博
同大場義則
主文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
３この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を
３０日と定める。
事実及び理由
第１請求
特許庁が不服２００２－１９１４８号事件について平成１７年６月７日にし
た審決を取り消す。
第２当事者間に争いのない事実
１特許庁における手続の経緯
訴外アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド及び訴
外富士通株式会社（以下，両者をあわせて，「当初出願人」という。）は，平
成１１年（１９９９年）３月２日（優先権主張：１９９８年３月１８日，米
国），発明の名称を「二重フィールド酸化プロセスにおけるステッパー・アラ
イメントマークの形成」とする特許協力条約に基づく国際特許出願（特願２０
００－５３７２６１（国際出願番号ＰＣＴ／ＵＳ９９／０４６１６，指定国に
日本国を含む。），以下「本願」という。）をしたところ，平成１４年７月１
８日付の拒絶査定を受けたので，これを不服として審判を請求し，同請求は不
服２００２－１９１４８号事件として特許庁に係属した。
その後，原告は，当初出願人から本願に関し特許を受ける権利の譲渡を受け，
平成１６年６月２５日，出願人名義変更届を特許庁長官に提出して出願人の地
位を承継したが，平成１６年１０月２２日付けの拒絶理由通知（同年１１月１
６日発送）を受けたので，平成１７年２月１６日付けで手続補正（以下「本件
補正」といい，この補正後の本願に係る明細書及び図面を「本願明細書」とい
う。）をした。
特許庁は，審理の結果，平成１７年６月７日，「本件審判の請求は成り立た
ない。」との審決（附加期間９０日）をし，同月２１日，その謄本を原告に送
達した。
２特許請求の範囲（本件補正後の請求項４。以下「本願請求項４」といい，こ
の発明を「本願発明」という。）
「【請求項４】少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域をパターニング
するために主要な第１マスク部を構成する工程と，少なくとも１つのアラ
イメント・マーク領域をパターニングするために副の第１マスク部を構成
する工程とを含む，半導体基板の上に配置される第１マスク部材を構成す
る工程であって，前記主要な第１マスク部は，半導体基板のコア領域の上
の少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域の形成を促進し，前記副の
第１マスク部は，少なくとも１つのアライメント・マーカの形成を促進す
る工程と，
少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域をパターニングするために
相当する主要な第２マスク部を構成する工程と，前記少なくとも１つで形
成されたアライメント・マーカを被覆して保持するために相当する副の第
２マスク部を構成する工程とを含む，半導体基板の上に配置される第２マ
スク部材を構成する工程であって，前記主要な第２マスク部は半導体基板
の周辺領域の上の前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成
を促進し，前記相当する副の第２マスク部は，前記少なくとも１つの第２
フィールド酸化物領域の形成の間に，前記少なくとも１つの形成されたア
ライメント・マークを被覆して保持する工程とを有し，前記第１マスク部
材と前記第２マスク部材は，２つのフォトマスクセットからなることを特
徴とする，半導体装置の製造におけるアライメント・マーカを完全な状態
に保持するための方法。」
３審決の理由
別紙審決書の写しのとおりである。要するに，本願発明は，本件優先権主張
日前に頒布された刊行物である特開平３－４９２１２号公報（甲５。以下「引
用例」という。）に記載された発明（以下「引用発明」という。）及び周知手
段に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２
９条２項の規定により特許を受けることができない，としたものである。
審決が，上記判断をするに当たり認定した引用発明の内容，本願発明と引用
発明との一致点・相違点は，それぞれ次のとおりである。
（引用発明）
「半導体基板の上面全域に保護酸化膜およびＳｉＮ膜を形成し，この上に３４
レジストを塗布し，露光を行い，素子領域および位置合わせマーク領域のレ
ジストパターンを形成し，レジストパターンをＳｉＮ膜に転写し，これに３４
より保護酸化膜の上にＳｉＮ膜のパターンを形成し，ＳｉＮ膜のパター３４３４
ンをマスクとして選択酸化を行い，素子領域および露光パターン用位置合わ
せマークを形成し，さらに，位置合わせマーク領域のみにカバーパターンを
作成し，再び選択酸化を行い，素子領域に十分な厚さの選択酸化膜を形成し，
カバーパターン及びＳｉＮ膜パターンを除去することによって素子領域お３４
よび露光パターン用位置合わせマークを形成する方法」
（一致点）
「少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域をパターニングするために主
要な第１マスク部を構成する工程と，少なくとも１つのアライメント・マー
ク領域をパターニングするために副の第１マスク部を構成する工程とを含む，
半導体基板の上に配置される第１マスク部材を構成する工程であって，前記
主要な第１マスク部は，半導体基板のコア領域の上の少なくとも１つの第１
フィールド酸化物領域の形成を促進し，前記副の第１マスク部は，少なくと
も１つのアライメント・マーカの形成を促進する工程と，
酸化物領域の形成の間に，前記少なくとも１つの形成されたアライメント
・マークを被覆して保持する工程とを有する，
半導体装置の製造におけるアライメント・マーカを完全な状態に保持する
ための方法」である点。
（相違点）
(1)本願発明は，少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域をパターニン
グするために相当する主要な第２マスク部を構成する工程と，前記少なく
とも１つで形成されたアライメント・マーカを被覆して保持するために相
当する副の第２マスク部を構成する工程とを含む，半導体基板の上に配置
される第２マスク部材を構成する工程であって，前記主要な第２マスク部
は半導体基板の周辺領域の上の前記少なくとも１つの第２フィールド酸化
物領域の形成を促進し，前記相当する副の第２マスク部は，前記少なくと
も１つの第２フィールド酸化物領域の形成の間に，前記少なくとも１つの
形成されたアライメント・マークを被覆して保持する工程とを有するのに
対し，引用発明は，酸化物領域の形成の間に，少なくとも１つの形成され
たアライメント・マークを被覆して保持する工程とを有するものの，上記
第２フィールド酸化物領域を形成する工程を有していない点（以下「相違
点１」という。）。
(2)本願発明は，第１マスク部材と前記第２マスク部材は，２つのフォトマ
スクセットからなる構成を有するのに対し，引用発明は，その旨の記載が
ない点（以下「相違点２」という。）。
第３原告主張の取消事由の要点
審決は，一致点の認定を誤って相違点を看過し，周知手段の認定を誤り，相
違点１の判断を誤り，本願発明の顕著な作用効果を看過した結果，本願発明が
引用発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたもの
との誤った結論に至ったものであるから，違法として取り消されるべきである。
なお，審決における引用発明の認定並びに相違点２の認定及び判断について
は，認める。
１取消事由１（一致点認定の誤り・相違点の看過）
審決は，「酸化物領域の形成の間に，前記少なくとも１つの形成されたアラ
イメント・マークを被覆して保持する工程とを有する」との点を一致点とした
が，誤りである。本願発明と引用発明とは，下記(1)のとおり課題を異にするこ
とから，下記(2)，(3)のとおりその構成を異にするものである。
(1)引用発明は，半導体基板上の保護酸化膜上に形成されたＳｉＮ膜パター３４
ンをマスクに厚い選択酸化膜を形成する場合に，位置合わせマークである酸
化膜が横方向に大きく食い込むこと（この現象は「バーズビーク」と呼ばれ
る。）により，鮮明な位置合わせマークの形成が難しくなるという課題を解
決しようとするものである。
これに対し，本願発明は，第１フィールド酸化物領域とは異なる第２フィ
ールド酸化物領域を形成する場合に，アライメント・マークが認識し難くな
という課題を解決しようとするものである。
(2)本願発明と引用発明とは，審決が認定した一致点のうち「酸化物領域の形
成の間に」との点に対応するのが，本願発明では「１回目の選択酸化と異な
るマスクを用い異なる領域に酸化物領域を形成する間に」であるのに対し，
引用発明では「１回目の選択酸化と同じマスクを用い同じ領域に酸化物領域
を形成する間に」である点（以下「相違点③」という。）で相違する。
審決が，「酸化物領域の形成の間に」との点を一致点としたのは，相違点
③を看過したものであり，誤りである。
(3)本願発明と引用発明とは，審決が認定した一致点のうち「前記少なくとも
１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持する工程」との点に
対応するのが，本願発明では「前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物
領域の形成を促進し，前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マー
クを被覆して保持する工程」であるのに対し，引用発明では「前記少なくと
も１つの形成されたアライメント・マークのみを被覆して保持する工程」で
ある点（以下「相違点④」という。）で相違する。
審決が，「前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆
して保持する工程」との点を一致点としたのは，相違点④を看過したもので
あり，誤りである。
２取消事由２（周知手段認定の誤り）
審決は，特開平３－１８７２２４号公報（甲６）を例示し，「２種の酸化物
領域からなる二重フィールド酸化膜領域を形成することは，半導体装置におけ
る周知手段」であると認定したが，誤りである。
(1)ア甲７（半導体用語大辞典，日刊工業新聞社１９９９年３月２０日発行）
に，「バーズビークの発生は，半導体素子の活性領域の面積を小さくし，
トランジスタのドレイン電流を減少させるために微細化を妨げる要因の一
つとなる。ＬＳＩの高集積化に伴い分離幅は，比例縮小則に従ってスケー
リングされるが，バーズビーク長は，スケーリング則からはずれるために，
バーズビークの素子占有率は大きくなり，バーズビークの低減は重要な課
題である。」（８５１頁１３行～２２行）と記載されているように，フィ
ールド酸化膜領域を形成する場合には，集積化のためバーズビークを小さ
くすることが課題である。
イこのため，審決が周知手段を示すものとして例示した甲６では，「集積
化が要求されるメモリ部では，バーズビーク４ａ，４ｂの横方向への延び
を低減することができるポリバッファＬＯＣＯＳ法による酸化膜４が形成
され，寄生トランジスタ発生防止のため厚い酸化膜が要求される周辺回路
部２００では，ＬＯＣＯＳ法により厚い酸化膜１４が形成される。したが
って，メモリ回路部１００では集積化をさらに促進することができ，その
一方周辺回路部２００では，寄生トランジスタの発生防止を強化すること
ができる。」（３頁左下欄１５行～右下欄４行）と記載されているように，
メモリ部（コア領域）の酸化膜４（第１フィールド酸化物領域の酸化膜）
の膜厚が周辺回路部（周辺領域）の酸化膜１４（第２フィールド酸化物領
域の酸化膜）の膜厚より小さくなるように，二重フィールド酸化膜領域を
形成している。
ウなお，本願明細書においては，「メモリ製品の製造において，ダイの中
心部は，メモリ回路素子の製造に使用され，周辺部は，論理回路に使用さ
れる。……周辺部では高い電圧が使用されるため，ダイの中心部よりも厚
いＦＯＸ（フィールド酸化物）を使用しなければならない」（段落【００
０２】）と記載されているように，周辺部（周辺領域）はダイの中心部
（コア領域）よりもフィールド酸化膜を厚くしている。
エ上記アないしウのとおり，コア領域および周辺領域を有する半導体装置
においては，周辺領域では高い電圧に耐え又は寄生トランジスタの発生を
防止するためフィールド酸化膜の膜厚を厚くし，コア領域では集積化のた
め酸化膜の膜厚を小さくするように，二重フィールド酸化膜領域が形成さ
れる。
そうすると，周知手段ということができるのは「コア領域の第１フィー
ルド酸化物の酸化膜が周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜より薄く
なるように二重フィールド酸化膜領域を形成すること」にとどまるという
べきであり，これを上位概念化して「２種の酸化物領域からなる二重フィ
ールド酸化物領域を形成することは，半導体装置における周知手段」であ
るとすることは，誤りである。
(2)ア被告は，コア及び周辺領域の酸化膜の厚さの大小については，本願明細
書の特許請求の範囲には記載されておらず，本願発明の構成ではない事項
であるから，そもそも本願発明と引用発明の対比との対象外であると主張
する。
しかし，原告は，引用発明に周知手段である「コア領域の第１フィール
ド酸化物の酸化膜が周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜より薄くな
るように二重フィールド酸化膜を形成すること」を付加することは不可能
であることを指摘している（後記３）のであるから，被告の主張は当を得
ないものである。
イ被告は，「２種の酸化物領域からなる二重フィールド酸化膜領域を形成
すること」が半導体装置における周知手段であることは，甲６の記載から
自明であり，また，乙１（特開平１－２７４４５７号公報）及び乙２（特
開平３－２２０７６６号公報）の各記載からも明らかである旨主張するが，
いずれも誤りである。
(ア)被告は，甲６の「それぞれの素子に要求される分離特性に応じた酸
化膜が形成される。」（３頁左上欄１２行～１４行）との記載から，そ
の上位概念として「２種の酸化物領域からなる二重フィールド酸化膜領
域を形成すること」が含まれていることは自明である旨主張する。
しかし，甲６に前記(1)イで引用した記載及び「半導体装置の周辺回路
部２００では，寄生トランジスタの発生防止のために厚い酸化膜が要求
される。」（２頁左下欄１７行～１９行）との記載があることに照らせ
ば，被告の指摘する上記記載は，「周辺領域の第２フィールド酸化膜の
膜厚をコア領域の第１フィールド酸化膜の膜厚より厚く形成すること」
を意味するにすぎず，その上位概念である「２種の酸化物領域からなる
二重フィールド酸化膜領域を形成すること」を含んでいるということは
できない。
(イ)甲８（半導体用語大辞典，日刊工業新聞社１９９９年３月２０日発
行）における「フィールド酸化膜とは，図に示すように素子間領域の結
晶表面に形成された数千Åの酸化膜のことである。」（９３６頁右欄下
から４行～下から２行）との記載及び「フィールド酸化膜」の説明図
（９３７頁左上）に示されるように，フィールド酸化膜は，ゲートの下
の酸化膜（すなわちゲート酸化膜）とは異なり，厚い酸化膜である。
そして，乙２における「前述のアクセス・トランジスタのゲート電極
は素子分離領域３（フィールド酸化膜）で囲まれた，半導体基板１表面
部に設けられた基板と反対導電型の拡散層（ｎ＋拡散層５）上に前述の
アクセス・トランジスタのゲート酸化膜９より薄いゲート酸化膜１０」
（２頁左下欄１５行～２０行）との記載，及びアクセス・トランジスタ
のゲート酸化膜９が素子分離領域３（フィールド酸化膜）の間に設けら
れていることを示す図１（ｂ）に示されるように，ゲート酸化膜はフィ
ールド酸化膜とは異なるものである。
なお，本願発明は，フィールド酸化膜が数千Åと厚いために生じるア
ライメント・マークが不鮮明になるという課題を解決するものである。
したがって，乙２の「本発明は，メモリセル部のアクセス・トランジ
スタのゲート絶縁膜厚を周辺回路部のＭＯＳトランジスタのそれより厚
くする」（３頁左下欄７行～９行）との記載における「絶縁膜」がフィ
ールド酸化物の酸化膜に相当するから，メモリセル部の絶縁膜厚が周辺
回路の絶縁膜厚より厚くなるようにしたことが開示されているとの被告
の主張は，誤りである。
(ウ)甲６及び乙２がいずれも審決が認定した周知手段の根拠とならない
ことは，上記のとおりであり，乙１のみをもって，「２種の酸化物領域
からなる二重フィールド酸化物領域を形成することは，半導体装置にお
ける周知手段」とすることはできない。
(エ)乙１における「まず，半導体基板１を熱酸化し，ＰＡＤ酸化膜２を
形成する（第１図（ａ））。次にＣＶＤ法により窒化膜３を堆積し，フ
ォトリソグラフ工程によりＬＯＣＯＳパターンを形成する（第１図
（ｂ））。これを１０００℃程度の高温アンモニアガス雰囲気中でアニ
ールを行い，ＰＡＤ酸化膜表面を熱窒化シリコン酸化膜４に組成変換さ
せる（第１図（ｃ））。さらに膜厚の厚いフィールド酸化膜を必要とす
る領域の熱窒化シリコン酸化膜４をフォトリソグラフ工程によりエッチ
ングして取り除く（第１図（ｄ））。最後にこれを熱酸化して厚い膜厚
のフィールド酸化膜５と薄い膜厚のフィールド酸化膜６を同時に形成す
る（第１図（ｅ））」（２頁右上欄１３行～左下欄７行）との記載及び
図１（ｂ），（ｅ）によれば，乙１記載のものは，フィールド酸化膜を
形成する選択酸化のためのマスク（ＣＶＤ窒化膜３）をメモリセルと周
辺回路とで同時に形成するものであり，フィールド酸化膜を形成するた
めの選択酸化をメモリセルと周辺回路とで同時に行っているものである。
そうすると，乙１には，２種類の酸化物領域からなる二重フィールド
酸化物領域を同じマスクを用い同時に形成することが記載されているに
とどまるから，２つの異なるマスクを用い異なる領域に２回の選択酸化
を行い酸化物領域を形成する場合の課題を解決しようとする本願発明と
対比の対象となるものではない。
また，乙１記載のものは，選択酸化を１回しか行わないから，これを
引用発明に適用することは不可能である。
ウ被告は，甲６の記載から，二重フィールド酸化膜領域を形成する方法と
して，「第１のマスク部材によりコア領域の第１フィールド酸化物の酸化
膜を形成し，第２のマスク部材により周辺領域の第２フィールド酸化物の
酸化膜を形成する方法」も周知であることが明らかであると主張する。
しかし，甲６記載のものは，前記イ(ア)で検討した点のほか，「第１の
マスク部材によりコア領域の第１フィールド酸化物の酸化膜を形成し，第
２のマスク部材により，コア領域の第１フィールド酸化物の酸化膜を被覆
し，周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜を形成する方法」（３頁左
下欄３行～１３行）との構成を含むから，その上位概念である「第１のマ
スク部材によりコア領域の第１フィールド酸化物の酸化膜を形成し，第２
のマスク部材により周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜を形成する
方法」とする被告の主張は誤りである。
エ被告は，引用発明に周知手段を適用して本願発明とすることに何ら困難
性がなく，その際，アライメント・マークを被覆するマスクと周辺領域の
フィールド酸化物の形成を促進するマスクを一体に作ることは，単なる設
計事項にすぎないと主張する。
しかし，引用発明においては「同じマスク部材」を用い２回目の選択酸
化を行うのであって，甲６記載のもののように「第１のマスク部材」と異
なる「第２のマスク部材」を用いることは不可能である。
また，仮に「第２のマスク部材」を用いたとしても，引用発明に対して，
甲６記載のものの構成に含まれる「コア領域の第１フィールド酸化物の酸
化膜が，周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜より薄くなるように形
成する方法」を適用することは不可能である。
さらに，引用発明においては，第２のマスク部材が，コア領域の第１フ
ィールド酸化物の酸化膜を被覆せず，第２のマスク部材によりコア領域の
第１フィールド酸化物の酸化膜上に酸化膜が形成される。甲６記載のもの
は「第２のマスク部材により，コア領域の第１フィールド酸化物の酸化膜
を被覆し，周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜を形成する方法」で
あり，引用発明に甲６記載のものを適用することは不可能である。
加えて，引用発明における２回目の選択酸化は，「位置合わせマークの
みを被覆」することである。よって，そもそも，引用発明に「２回目の選
択酸化において周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜を形成するこ
と」を適用することは不可能である。
３取消事由３（相違点１の判断の誤り）
審決は，引用発明に周知手段を付加し，半導体基板の周辺領域の上の少なく
とも１つの第２フィールド酸化物領域を形成することに困難性は認められず，
また，その際に，アライメント・マークを被覆して保持する工程に用いるマス
クを，二重フィールド酸化物領域を形成する工程に用いるマスクと一つのマス
クとする程度のことは当業者が容易に想到できたことにすぎないと判断したが，
誤りである。
(1)前記１のとおり，本願発明と引用発明とは，相違点③及び④においても相
違する。したがって，引用発明に周知技術を組み合わせても，カバーパター
ンは，位置合わせマーク（アライメント・マーク）のみを被覆することとな
り，カバーパターン（第２マスク部）として周辺領域の第２フィールド酸化
物領域の形成を促進するマスクを形成することはできない。
(2)仮に，相違点③，④がそれぞれ一致点とされ，周知技術の認定が審決のと
おりであったとしても，相違点③，④に係る本願発明の構成を同時に備える
構成は得られない。
相違点④に係る構成を含む引用発明に，「２種の酸化物領域からなる二重
フィールド酸化物領域を形成する」という周知手段を付加しても，カバーパ
ターンは，位置合わせマーク（アライメント・マーク）のみを被覆すること
となるから，カバーパターン（第２マスク部）として周辺領域の第２フィー
ルド酸化物領域の形成を促進するマスクを形成することはできない。
相違点③に係る構成を含む引用発明に，「２種の酸化物領域からなる二重
フィールド酸化物領域を形成する」技術を付加しても，コア領域の選択酸化
膜（第１フィールド酸化物領域）は１回目と２回目の選択酸化で形成され，
周辺領域の第２フィールド酸化物領域は２回目の選択酸化のみで形成される
結果，コア領域の第１フィールド酸化物の酸化膜は周辺領域の第２フィール
ド酸化物の酸化膜より厚くなるから，周知手段である「コア領域の第１フィ
ールド酸化物の酸化膜が周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜より薄く
なるように二重フィールド酸化膜領域を形成すること」にはならない。
４取消事由４（顕著な作用効果の看過）
(1)本願発明は，「１回目の選択酸化と異なるマスクを用い異なる領域に酸化
物領域を形成する間に，前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マ
ークを被覆して保持する工程」を行うことで，「２枚のマスクを用い異なる
領域に異なるフィールド酸化膜を形成することができ，かつアライメント・
マークおよびアライメント・マーク周辺の障壁酸化物層に酸化物が成長し一
体となることを防止する」という作用効果を有する。これに対して，引用発
明は，「１回目の選択酸化と同じマスクを用い同じ領域に酸化物領域を形成
する間に，前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マークのみを被
覆して保持する工程」を行うことで，「バーズビークに起因し位置合わせマ
ークが横方向に広がることを防止し，鮮明な位置合わせマークを形成するこ
とができる」という作用効果を有する。
このように，本願発明作用効果は，引用発明のそれとは異なるものであり，
引用発明及び周知手段から当業者が予想できる範囲のものではない。
(2)被告は，本願発明と引用発明において，酸化膜で形成されたアライメント
・マークをカバーで保護し，アライメント・マークを次の酸化膜形成工程に
おいてアライメント・マークに酸化膜が形成されないようにするという発明
の骨子において軌を一にするものであると主張するが，本願発明と引用発明
とは，解決しようとする課題，具体的な構成が異なるから，両者は発明の骨
子において軌を一とするものではない。
第４被告の反論の要点
審決の事実認定及び判断に誤りはなく，原告主張の取消事由は理由がない。
本願発明は，引用発明及び周知手段に基づいて当業者が容易に発明をすること
ができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができ
ない，と判断した審決に誤りはない。
１取消事由１（一致点認定の誤り・相違点の看過）について
(1)引用発明は，選択酸化により形成した位置合わせマークが，再び選択酸化
を行って位置合わせマーク以外の素子領域に選択酸化膜を形成する際に選択
酸化されると不鮮明になることから，これを防止するために，再び選択酸化
を行う際には，位置合わせマークが選択酸化されないようにカバーパターン
を設けたというものである。
引用発明において選択酸化により選択酸化膜を形成することは，本願発明
においてフィールド酸化物領域の形成を促進することに相当し，位置合わせ
マークにカバーパターンを設けることは，アライメント・マークを被覆する
ことに相当する。
引用発明は酸化物領域形成の促進を２回行うものであるところ，本願発明
も酸化物領域は異なるが（審決は，本願発明において酸化物領域形成の促進
を２回行う際，酸化物領域が異なる点を，相違点１としている。），酸化物
領域形成の促進を２回行うものである点は同じであり，審決のいう「酸化物
領域の形成の間に」とは，１回目と２回目の両酸化物領域形成の促進の間を
意味する。
したがって，審決が「酸化物領域の形成の間に，前記少なくとも１つの形
成されたアライメント・マークを被覆して保持する工程とを有する」との点
を一致点としたことに，誤りはない。
(2)審決は，原告の主張する相違点③，④を相違点１において実質的に認定，
判断しているから，相違点の看過があるとはいえない。
(3)原告は，本願発明と引用発明とは課題を異にする旨主張するが，本願発明
と引用発明とは，選択酸化により形成したアライメント・マークが更に選択
酸化されて不鮮明になることを防止するため，さらに選択酸化を行う際にア
ライメント・マークが選択酸化されないようにカバーパターンを設ける点に
おいて共通するものであって，課題に格別の差異はなく，構成上の相違にも
なっていない。
２取消事由２（周知手段認定の誤り）について
(1)コア及び周辺領域の酸化膜の厚さの大小については，特許請求の範囲に記
載されておらず，本願発明の構成に含まれる事項ではないから，そもそも，
本願発明と引用発明の対比との対象外である。コア及び周辺領域の酸化膜の
厚さの大小に係る原告の主張は，失当である。
(2)甲６における「本実施例では，集積化が要求されるメモリ部では，バーズ
ビーク４ａ，４ｂの横方向への延びを低減することができるポリバッファＬ
ＯＣＯＳ法による酸化膜４が形成され，寄生トランジスタ発生防止のため厚
い酸化膜が要求される周辺回路部２００では，ＬＯＣＯＳ法により厚い酸化
膜１４が形成される。」（３頁左下欄１５行～右下欄１行）との記載は，コ
ア領域の第１フィールド酸化物の酸化膜が周辺領域の第２フィールド酸化物
の酸化膜より薄くなるように二重フィールド酸化膜領域を形成することを意
味する。
また，甲６には，「それぞれの素子に要求される分離特性に応じた酸化膜
が形成される」（３頁左上欄１２行～同欄１４行）との記載がある。
そうすると，その上位概念として，「２種の酸化物領域からなる二重フィ
ールド酸化膜領域を形成すること」が含まれていることは，自明である。
(3)「２種の酸化物領域からなる二重フィールド酸化膜領域を形成すること」
が半導体装置における周知手段であることは，乙１，２の各記載からも明ら
かであり，この点からも審決の認定には誤りはないというべきである。
ア乙１には，「本発明は，たとえば低電圧系のメモリ素子駆動用周辺回路
の中に高電圧系のメモリアレイを組み込むことができるようにしたもので
あり，メモリセルとしては素子分離用酸化物（フィールド酸化膜）を厚く
して高電圧に対処する必要がある一方，周辺回路では集積化のためフィー
ルド酸化膜を薄くした方が望ましい高集積半導体不揮発性メモリに関す
る。」（１頁右欄２行～９行）との記載があり，周辺回路の中に組み込ま
れたメモリセル（当該「周辺回路の中に組み込まれたメモリセル」とは，
メモリセルが周辺回路に囲まれた形態であることは第１図（ｅ）から明ら
かである。）のフィールド酸化膜が，周辺回路のフィールド酸化膜より厚
くなるようにしたことが開示されている。
イ乙２には，「本発明は，メモリセル部のアクセス・トランジスタのゲー
ト絶縁膜厚を周辺回路部のＭＯＳトランジスタのそれより厚くする」（３
頁左下欄７行～９行）との記載があり，当該絶縁膜はフィールド酸化物の
酸化膜に相当するから，メモリセル部の絶縁膜厚が周辺回路の絶縁膜厚よ
り厚くなるようにしたことが開示されている。
(4)甲６の記載から，「第１のマスク部材によりコア領域の第１フィールド酸
化物の酸化膜を形成し，第２のマスク部材により周辺領域の第２フィールド
酸化物の酸化膜を形成する方法」も周知であることが明らかである。
すなわち，甲６には，「第１図ないし第２Ｇ図を参照して，製造プロセス
について説明する。まず，第２Ａ図に示すように，シリコン基板１上のメモ
リ部１００および周辺回路部２００に下敷酸化膜２を形成する。下敷酸化膜
２上にポリシリコン５を形成する。ポリシリコン５上に窒化膜３を形成する。
次に，第２Ｂ図に示すように，窒化膜３上にパターニングし，メモリ部１０
０の酸化膜が形成される領域の窒化膜３をエッチングする。その後，第２Ｃ
図に示すように，熱酸化を行ないメモリ部１００に酸化膜４を形成する。第
２Ｄ図に示すように，窒化膜３およびポリシリコン５ならびに下敷酸化膜２
を除去して酸化膜４が形成される。このフィールド酸化膜４を形成する方法
は従来のポリバッファＬＯＣＯＳ法と同様である。したがってメモリ部１０
０には，幅の狭い酸化膜４が形成される。次に，第２Ｅ図に示すように，酸
化膜４が形成されたメモリ部１００および周辺回路部２００のシリコン基板
１上に下敷酸化膜１２を形成する。下敷酸化膜１２上に窒化膜１３を形成す
る。第２Ｆ図に示すように，窒化膜１３上にパターニングし，周辺回路部２
００の酸化膜が形成される領域の窒化膜１３をエッチングする。第２Ｇ図に
示すように，熱酸化を行ない酸化膜１４が形成される。この後，最終的に下
敷酸化膜１２および窒化膜１３が除去されて第１図に示すような酸化膜１４
が完成される。この酸化膜１４を形成する方法は従来のＬＯＣＯＳ法と同様
である。」（３頁右上欄７行～左下欄１４行）との記載がある。
上記「メモリ部１００の酸化膜が形成される領域の窒化膜３をエッチング
する。その後，第２Ｃ図に示すように，熱酸化を行ないメモリ部１００に酸
化膜４を形成する」ことは，「第１のマスク部材によりコア領域の第１フィ
ールド酸化物の酸化膜を形成」することに相当し，また，「窒化膜１３上に
パターニングし，周辺回路部２００の酸化膜が形成される領域の窒化膜１３
をエッチングする。第２Ｇ図に示すように，熱酸化を行ない酸化膜１４が形
成される」ことは，「第２のマスク部材により周辺領域の第２フィールド酸
化物の酸化膜を形成する」ことに相当する。
したがって，上記二重フィールド酸化膜領域を形成する方法として，「第
１のマスク部材によりコア領域の第１フィールド酸化物の酸化膜を形成し，
第２のマスク部材により周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜を形成す
る方法」が周知であることは明らかである。
(5)引用発明に対し上記検討した周知手段を適用して，本願発明とすることに
何ら困難性がないものであり，その際，アライメント・マークを被覆するマ
スクと周辺領域のフィールド酸化物の形成を促進するマスクを一体に作るこ
とは，単なる設計事項にすぎない。
３取消事由４（相違点１の判断の誤り）について
原告は，相違点③，④に係る構成を含む引用発明に周知手段を付加したとき
の本願発明に対する想到困難性，相違点③又は④が一致点であるときの本願発
明に対する想到困難性を予備的に主張しているが，前記１のとおり，原告が主
張する相違点③，④は，審決において相違点１として認定，判断されているか
ら，原告の主張はその前提を欠く。
また，コア及び周辺領域の酸化膜の厚さの大小に係る原告の主張は，前記２
(1)のとおり，本願発明の構成ではない事項であるから，失当である。
４取消事由４（顕著な作用効果の看過）について
原告は，本願発明の作用効果と引用発明の作用効果が異なるものである旨主
張するが，両者は，酸化膜で形成されたアライメント・マークをカバーで保護
し，アライメント・マークに次の酸化膜形成工程において酸化膜が形成されな
いようにするという発明の骨子において軌を一にするものであり，本願発明の
作用効果についても，引用発明から予測し得るものにすぎない。原告の主張は
失当であり，審決に誤りはない。
そもそも，本願発明は，本願明細書に記載されているように，従来技術から
みれば，アライメント・マークを２回酸化させないため，２回目の酸化膜形成
工程においてアライメント・マークにカバーを設けたにすぎず，その発明思想
は，引用発明および周知手段から十分予測可能なものである。
第５当裁判所の判断
１取消事由１（一致点認定の誤り・相違点の看過）について
原告は，審決が「酸化物領域の形成の間に，前記少なくとも１つの形成され
たアライメント・マークを被覆して保持する工程とを有する」との点を一致点
としたことは誤りであり，相違点を看過したものである旨主張する。
(1)原告の主張は，審決が認定した一致点のうち「酸化物領域の形成の間に」，
「前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持す
る工程」との点に対応する構成が，本願発明及び引用発明にそれぞれ存在す
ること自体を争うものではなく，当該構成が，具体的には，本願発明では
「１回目の選択酸化と異なるマスクを用い異なる領域に酸化物領域を形成す
る間に」，「前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成を促進
し，前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持
する工程」であるのに対し，引用発明では「１回目の選択酸化と同じマスク
を用い同じ領域に酸化物領域を形成する間に」，「前記少なくとも１つの形
成されたアライメント・マークのみを被覆して保持する工程」であることを
主張し，審決がこれらの点を相違点として認定することなく，一致点を認定
したことが，誤りであるというものと解される。
審決が，本願発明と引用発明の各構成に共通する事項について，「酸化物
領域の形成の間に，前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マーク
を被覆して保持する工程とを有する」という上位概念をもって表現したこと
それ自体を誤りということはできないから，審決における一致点の認定それ
自体に誤りがあるとはいえない。
そこで，審決が相違点を看過したものであるか否か検討する。
(2)原告は，審決が認定した一致点のうち「酸化物領域の形成の間に，前記少
なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持する工程と
を有する」との点に対応する本願発明の具体的構成が，「１回目の選択酸化
と異なるマスクを用い異なる領域に酸化物領域を形成する間に」，「前記少
なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成を促進し，前記少なくとも
１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持する工程」である旨
主張する。
ア審決が認定した相違点１に係る本願発明の構成は，「少なくとも１つの
第２フィールド酸化物領域をパターニングするために相当する主要な第２
マスク部を構成する工程と，前記少なくとも１つで形成されたアライメン
ト・マーカを被覆して保持するために相当する副の第２マスク部を構成す
る工程とを含む，半導体基板の上に配置される第２マスク部材を構成する
工程であって，前記主要な第２マスク部は半導体基板の周辺領域の上の前
記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成を促進し，前記相当
する副の第２マスク部は，前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領
域の形成の間に，前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マーク
を被覆して保持する工程とを有する」というものである。
上記構成が，原告が相違点④に係る本願発明の構成である旨主張する
「前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成を促進し，前記
少なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持する工
程」を含むものであることは，明らかである。
イ上記相違点１に係る本願発明の構成は「第２マスク部材」を用いるもの
であるから，上記構成中の「前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物
領域の形成の間に」との点についても，「第２マスク部材」が用いられて
いることは明らかである。
原告は，本願発明の構成のうち，「少なくとも１つの第１フィールド酸
化物領域をパターニングするために主要な第１マスク部を構成する工程と，
少なくとも１つのアライメント・マーク領域をパターニングするために副
の第１マスク部を構成する工程とを含む，半導体基板の上に配置される第
１マスク部材を構成する工程であって，前記主要な第１マスク部は，半導
体基板のコア領域の上の少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域の形
成を促進し，前記副の第１マスク部は，少なくとも１つのアライメント・
マーカの形成を促進する工程」を「１回目の選択酸化」と呼んでいるもの
と解されるから，原告のいう「１回目の選択酸化」とは，「第１マスク部
材」を用い，「少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域を形成」する
ものであるということになる。そして，本願明細書の特許請求の範囲の請
求項４には，「前記第１マスク部材と前記第２マスク部材は，２つのフォ
トマスクセットからなる」との記載がある（甲４）から，「第１マスク部
材」と「第２マスク部材」とは，異なるマスクであることが明らかである。
また，本願明細書の特許請求の範囲の請求項４には，「半導体基板のコ
ア領域の上の少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域」，「半導体基
板の周辺領域の上の前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域」と
の記載があり，「コア領域」と「周辺領域」とが異なる領域であることは
明かであるから，「第１フィールド酸化物領域」と「第２フィールド酸化
物領域」が異なる領域であることも明らかである。そうすると，相違点１
に係る本願発明の構成中の「前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物
領域の形成の間に」との点は，「１回目の選択酸化」が行われる領域であ
る「前記少なくとも１つの第１フィールド酸化物領域」とは異なる領域で
ある「前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域」に酸化物領域を
形成する間であるということになる。
したがって，審決が認定した相違点１に係る本願発明の構成中の「前記
少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成の間に」との点は，原
告がいう「１回目の選択酸化と異なるマスクを用い異なる領域に酸化物領
域を形成する間に」との意味を有するものというべきである。
ウ上記検討したところによれば，本願発明についての原告の主張を前提と
する限り，原告の主張する相違点③，④に係る本願発明の構成は，審決が
認定した相違点１において，実質的に認定されているものというべきであ
る。
(3)原告は，審決が認定した一致点のうち「酸化物領域の形成の間に，前記少
なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持する工程と
を有する」との点に対応する引用発明の具体的構成が，「１回目の選択酸化
と同じマスクを用い同じ領域に酸化物領域を形成する間に」，「前記少なく
とも１つの形成されたアライメント・マークのみを被覆して保持する工程」
である旨主張する。
審決が認定した相違点１に係る引用発明の構成は，「酸化物領域の形成の
間に，少なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆して保持す
る工程とを有するものの，上記第２フィールド酸化物領域を形成する工程を
有していない」というものであり，「上記第２フィールド酸化物領域を形成
する工程」とは，相違点１に係る本願発明の構成のうち，上記(2)において検
討した「前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成を促進」な
いしは「前記少なくとも１つの第２フィールド酸化物領域の形成」する工程
のことであることは，審決の説示から明らかである。
そうすると，審決が認定した相違点１に係る引用発明の構成は，「１回目
の選択酸化と異なるマスクを用い異なる領域に酸化物領域を形成する」もの
ではなく，「前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マークを被覆
して保持する」ものではあるが，「前記少なくとも１つの第２フィールド酸
化物領域の形成を促進」するものではないということになるから，結局，
「１回目の選択酸化と同じマスクを用い同じ領域に酸化物領域を形成する」
ものであって，「前記少なくとも１つの形成されたアライメント・マークの
みを被覆して保持する工程」であるということになる。
したがって，原告の主張する相違点③，④に係る引用発明の構成について
も，審決が認定した相違点１において，実質的に認定されているものという
べきである。
(4)以上によれば，審決の一致点の認定に誤りはなく，また，原告の主張する
相違点③，④を看過したということもできない。原告主張の取消事由１は理
由がない。
なお，原告は本願発明と引用発明とは課題が異なる旨主張する。上記のと
おり，審決の一致点の認定は誤りがなく，相違点を看過したということもで
きないから，仮に課題が相違していたとしても審決の結論に影響しないとい
うべきであるが，念のためこの点についての判断を示す。引用例（甲５）の
記載によれば，引用発明は１回目の選択酸化により形成された位置合わせマ
ークが再び選択酸化されて不鮮明になることを防止するために，２回目の選
択酸化を行う前に位置合わせマークをカバーパターンで覆うものである。一
方，本願明細書（甲２，４）の記載によれば，本願発明は第１のマスキング
工程で形成されたアライメント・マークの上に第２のマスキング工程で第２
の酸化物材料層を作成しないようにして，その可視性を高めることを目的と
するものであるから，両者は選択酸化により形成したアライメント・マーク
が更に選択酸化されて不鮮明になることを防止することを課題としている点
において共通しているというべきである。
２取消事由２（周知手段認定の誤り）について
原告は，周知手段ということができるのは「コア領域の第１フィールド酸化
物の酸化膜が周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜より薄くなるように二
重フィールド酸化膜領域を形成すること」にとどまり，これを上位概念化して
「２種の酸化物領域からなる二重フィールド酸化物領域を形成することは，半
導体装置における周知手段」であるとすることは，誤りである旨主張する。
しかし，「コア領域の第１フィールド酸化物の酸化膜が周辺領域の第２フィ
ールド酸化物の酸化膜より薄くなるように二重フィールド酸化膜領域を形成す
ること」が行われている場合には，とりもなおさず，「２種の酸化物領域から
なる二重フィールド酸化物領域を形成すること」が当然に行われているという
べきである。前者が周知手段であることについては原告も認めるところである
から，後者を周知手段であるとした審決の認定に誤りがあるということはでき
ない。原告主張の取消事由２は理由がない。
３取消事由３（相違点１の判断の誤り）について
審決は，引用発明に周知手段を付加し，半導体基板の周辺領域の上の少なく
とも１つの第２フィールド酸化物領域を形成することに困難性は認められず，
また，その際に，アライメント・マークを被覆して保持する工程に用いるマス
クを，二重フィールド酸化物領域を形成する工程に用いるマスクと一つのマス
クとする程度のことは当業者が容易に想到できたことにすぎないとしたが，原
告は，審決の上記判断は誤りである旨主張する。
(1)ア引用発明は，半導体基板の周辺領域の上の少なくとも１つの第２フィー
ルド酸化物領域を形成するものではない。
しかし，前記のとおり，「コア領域の第１フィールド酸化物の酸化膜が
周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜より薄くなるように二重フィー
ルド酸化膜領域を形成すること」が半導体装置における周知手段であるこ
とは，原告も認めるところである。
そうすると，引用発明に上記周知手段を適用することにより，選択酸化
を行って半導体基板のコア領域に素子領域を形成するとともに露光パター
ン用位置合わせマークを形成した後，「位置合わせマーク領域のみにカバ
ーパターンを作成し，再び選択酸化を行い，素子領域に十分な厚さの選択
酸化膜を形成」することに代えて，半導体基板の周辺領域に酸化物領域を
形成することとし，その際，位置合わせマーク領域を被覆して保持するよ
うにすることは，当業者であれば容易に想到することができたというべき
である。
イ製造工程を減らすことはこの種の製造方法において普遍的な課題である
から，引用発明に上記周知手段を適用するに際して，位置合わせマーク領
域を被覆するマスクと，半導体基板の周辺領域に酸化物領域の形成を促進
するマスクとを一体に作ることは，当業者であれば容易に想到し得ること
というべきである。
(2)原告は，引用発明に上記周知手段を適用しても，①カバーパターンは，位
置合わせマーク（アライメント・マーク）のみを被覆することとなり，カバ
ーパターン（第２マスク部）として周辺領域の第２フィールド酸化物領域の
形成を促進するマスクを形成することはできない，②コア領域の選択酸化膜
（第１フィールド酸化物領域）は１回目と２回目の選択酸化で形成され，周
辺領域の第２フィールド酸化物領域は２回目の選択酸化のみで形成される結
果，コア領域の第１フィールド酸化物の酸化膜は周辺領域の第２フィールド
酸化物の酸化膜より厚くなるから，周知手段である「コア領域の第１フィー
ルド酸化物の酸化膜が周辺領域の第２フィールド酸化物の酸化膜より薄くな
るように二重フィールド酸化膜領域を形成すること」にはならないなどと主
張する。
しかし，引用発明に上記周知手段を適用するに際して，位置合わせマーク
領域を被覆するマスクと半導体基板の周辺領域に酸化物領域の形成を促進す
るマスクとを一体に作ることが，当業者であれば容易に想到し得るものであ
ることは，上記(1)イにおいて検討したとおりであり，原告の上記①の主張は
採用することができない。
また，原告の上記②の主張は，要するに，引用発明では，厚い選択酸化膜
を形成する一方，位置合わせマーク領域は薄い選択酸化膜を形成するにとど
めるため，選択酸化を２段階で行うこととし，前者は２回，後者は１回の選
択酸化をしており，上記周知技術を適用するに当たり，引用発明の上記構成
をそのまま維持することを念頭に置いたものと解される。
しかし，「コア領域の第１フィールド酸化物の酸化膜が周辺領域の第２フ
ィールド酸化物の酸化膜より薄くなるように二重フィールド酸化膜領域を形
成すること」が周知手段であることは，原告も認めるとおりである。これを
引用発明に適用し，コア領域に薄い選択酸化膜を形成することとする場合に
は，コア領域に２回の選択酸化をする必要はなく，２回目の選択酸化を周辺
領域についてのみ行うこととすることは妨げられないというべきであるから，
原告の上記②の主張も採用することができない。
(3)以上検討したとおり，審決における相違点１の判断に誤りはなく，原告主
張の取消事由３は理由がない。
４取消事由４（顕著な作用効果の看過）について
原告は，本願発明は「２枚のマスクを用い異なる領域に異なるフィールド酸
化膜を形成することができ，かつアライメント・マークおよびアライメント・
マーク周辺の障壁酸化物層に酸化物が成長し一体となることを防止する」とい
う顕著な作用効果を奏するところ，本願発明と引用発明とは，解決しようとす
る課題，具体的な構成，作用効果が異なるから，本願発明の作用効果は，引用
発明及び周知手段から当業者が予想できる範囲のものではない旨主張する。
しかし，２枚のマスクを用い異なる領域に異なるフィールド酸化膜を形成す
ることができるとの点は，周知手段を適用することにより構成上当然に奏され
る効果にすぎないし，アライメント・マークおよびアライメント・マーク周辺
の障壁酸化物層に酸化物が成長し一体となることを防止するとの点は，引用発
明の構成から当然に予測される効果にすぎない。
したがって，本願発明の作用効果が，引用発明及び周知手段から当業者が予
想できるものであるとした審決の判断に誤りはなく，原告主張の取消事由４は
理由がない。
５結論
以上によれば，原告主張の取消事由はいずれも理由がなく，その他，審決に，
これを取り消すべき誤りがあるとは認められない。
よって，原告の本訴請求は理由がないから，これを棄却することとし，主文
のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第３部
裁判長裁判官三村量一
裁判官古閑裕二
裁判官嶋末和秀
（平成１８年９月２８日付け更正決定により，上記判決の「第２当事者間に争い
のない事実」の表記を一部訂正）

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