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平成３０年３月２６日判決言渡
平成２９年（行ケ）第１００６２号取消決定取消請求事件
口頭弁論終結日平成３０年２月１９日
判決
原告ローム株式会社
同訴訟代理人弁理士豊岡静男
廣瀬文雄
被告特許庁長官
同指定代理人深沢正志
飯田清司
須藤竜也
富澤哲生
真鍋伸行
主文
１特許庁が異議２０１６－７００４３３号事件について平成２９
年１月３０日にした異議決定中，特許第５８１８９５９号の請求
項１及び３に係る部分を取り消す。
２訴訟費用は被告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
主文第１項と同旨
第２事案の概要
１特許庁における手続の経緯等
(1)原告は，平成２６年１０月３１日，発明の名称を「半導体デバイス」とする
特許出願（特願２０１０－１２１３７５号の分割出願である特願２０１３－２３７
０３５号の分割出願）をし，平成２７年１０月９日，その設定登録（特許第５８１
８９５９号。請求項数１０。以下「本件特許」という。）を受けた（甲９）。
(2)Ａは，平成２８年５月１６日，本件特許の請求項１ないし１０に対して特許
異議の申立てをし，特許庁は，これを異議２０１６－７００４３３号事件として審
理した。原告は，同年９月９日，請求項２，４，５の削除を含む本件特許の請求の
範囲の訂正を請求した（甲１０。以下「本件訂正」という。）。
(3)特許庁は，平成２９年１月３０日，本件訂正を認めた上，「特許第５８１８
９５９号の請求項１，３に係る特許を取り消す。同請求項６ないし１０に係る特許
を維持する。同請求項２，４及び５に係る特許についての特許異議の申立てを却下
する。」との別紙決定書（写し）記載の決定（以下「本件決定」という。）をし，
その謄本は，同年２月９日，原告に送達された。
(4)原告は，同年３月１０日，上記決定のうち，特許第５８１８９５９号の請求
項１及び３に係る部分の取消しを求めて本件訴えを提起した。
２特許請求の範囲の記載
本件訂正後の特許請求の範囲請求項１及び３の記載は，以下のとおりである。以
下，請求項１に記載された発明を「本件発明１」，請求項３に記載された発明を「本
件発明３」といい，本件発明１及び本件発明３を併せて「本件発明」という。また，
その明細書（甲９）を，図面を含めて「本件明細書」という。なお，「／」は，原
文の改行箇所を示す（以下同じ。）。
【請求項１】ＳｉＣを主とする半導体材料で作成され，ＰＮ接合ダイオードを含
むＳｉＣＭＯＳＦＥＴと，／前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，前記ＰＮ
接合ダイオードよりも動作電圧が低く，２つの端子を有するショットキーバリアダ
イオードと，／前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオード
に接続された出力線と，／前記ＰＮ接合ダイオードのアノードを前記ショットキー
バリアダイオードのアノードに接続する第１のワイヤと，／前記ショットキーバリ
アダイオードの前記アノードを前記出力線に接続する第２のワイヤとを含み，／前
記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視におい
て両ワイヤのなす角度が鈍角である，半導体デバイス。
【請求項３】前記ショットキーバリアダイオードと前記出力線との間のインダク
タンスにより生じる逆起電力が２．０Ｖ以上である，請求項１に記載の半導体デバ
イス。
３本件決定の理由の要旨
(1)本件決定の理由は，別紙異議の決定書（写し）記載のとおりである。要する
に，本件発明は，下記引用例に記載された発明（以下「引用発明」という。）に基
づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって，特許法２９条２項の
規定により特許を受けることができないものであるから，取り消すべきものである，
というものである。
引用例：特開２０１０－２７８１４号公報（甲１）
(2)本件決定が認定した引用発明，本件発明と引用発明との一致点，本件発明１
と引用発明との相違点，本件発明３と引用発明との相違点は，以下のとおりである。
ア引用発明
ＳｉＣを半導体材料とするＳｉＣＭＯＳＦＥＴと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に
接続された２つの電極を有するＳｉＣショットキーダイオードと，ＳｉＣＭＯＳＦ
ＥＴおよびＳｉＣショットキーダイオードに接続された第２の配線パターンと，Ｓ
ｉＣＭＯＳＦＥＴの一の電極とＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極と第２
の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの一の電極とＳｉ
Ｃショットキーダイオードの一方の電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分と，ＳｉＣ
ショットキーダイオードの一方の電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボン
ドの部分のなす角度が平面視において鈍角である，電力用半導体装置。
イ本件発明との一致点
ＳｉＣを主とする半導体材料で作成され，ＰＮ接合ダイオードを含むＳｉＣＭＯ
ＳＦＥＴと，／前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，前記ＰＮ接合ダイオー
ドよりも動作電圧が低く，２つの端子を有するショットキーバリアダイオードと，
／前記ＳｉＣＭＯＳＦＥＴおよび前記ショットキーバリアダイオードに接続された
出力線と，／前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極を前記ショットキーバリアダイオ
ードの一方の電極に接続する第１のワイヤと，／前記ショットキーバリアダイオー
ドの前記一方の電極を前記出力線に接続する第２のワイヤとを含み，／前記第１の
ワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ平面視において両ワイ
ヤのなす角度が鈍角である，半導体デバイス。
ウ本件発明１との相違点
本件発明１においては，「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」がアノードであ
り，かつ「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がアノードであるの
に対し，引用発明においては「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及び「前記ショ
ットキーバリアダイオードの一方の電極」がアノードかカソードか不明である点（相
違点１）。
エ本件発明３との相違点
(ア)相違点１
上記ウに同じ。
(イ)相違点２
本件発明３においては「前記ショットキーバリアダイオードと前記出力線との間
のインダクタンスにより生じる逆起電力が２．０Ｖ以上である」のに対し，引用発
明においては前記逆起電力の値が不明である点。
４取消事由
(1)本件発明１の容易想到性の判断の誤り（取消事由１）
ア引用発明の認定の誤り
イ本件発明１との相違点１の認定・判断の誤り
ウ本件発明の課題及び効果の判断の遺脱
(2)本件発明３の容易想到性の判断の誤り（取消事由２）
第３当事者の主張
１取消事由１（本件発明１の容易想到性の判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)引用発明の認定の誤り
ア引用例には，ＩＧＢＴ４とＩＧＢＴ４に逆並列に接続されたダイオード５と
をワイヤーボンドにより配線パターンに接続する構成は記載されているが（【００
１３】，【００１４】，【００２５】），ＭＯＳＦＥＴとＭＯＳＦＥＴに並列に接
続されたショットキーダイオードの構成は記載されていないし，ＩＧＢＴ４とダイ
オード５との組合せを他の構成に変更した場合の具体的な構成は記載されていない。
【００３２】では，電力用半導体素子として，ＩＧＢＴ４とダイオード５の組合せ
が用いられているが，ＩＧＢＴ４は還流ダイオードと共に使用しなければならない
ため，ダイオード５との組合せで使用される。したがって，ＩＧＢＴ４とダイオー
ド５の組合せが「電力用半導体素子」（【００３２】）に該当し，「電力用半導体
素子は…ＭＯＳＦＥＴやショットキーダイオードでもよく」（【００３２】）とは，
ＩＧＢＴ４とダイオード５の組合せを，ＭＯＳＦＥＴやショットキーダイオードに
置き換えてもよいことを意味する。そして，「ＭＯＳＦＥＴの場合は，ダイオード
が逆並列に接続されていなくても良い。」（【００３２】）との記載から，当業者
は，電力用半導体素子としてＭＯＳＦＥＴを採用した場合にはこれを単独で用い，
ダイオード５は不要である（例えば，甲１９のようにＭＯＳＦＥＴだけを電力用半
導体素子として使用すること）と理解する。ＭＯＳＦＥＴとダイオードが逆並列に
接続されることは自明な事項ではないし，引用例には，そのようにすることを必要
とする課題等の記載はない。
また，引用例には，三端子素子と二端子素子を組み合わせて用いるべき理由の記
載もなく，組み合わせて用いるべき特段の事情も見当たらない。
さらに，シリコンＩＧＢＴは耐圧２００Ｖ以上で使用されるのに対し，シリコン
ショットキーダイオードは１５０Ｖ程度までしか使用できないこと（甲１２，１３）
からも，シリコンＩＧＢＴとシリコンショットキーダイオードを組み合わせること
はできないし，シリコンダイオードを還流ダイオードとして用いる場合には，シリ
コンＭＯＳＦＥＴとシリコンダイオードとの組合せを用いることはできない（甲４）。
以上によれば，引用発明に「ＩＧＢＴとダイオードのうちＩＧＢＴをＭＯＳＦＥ
Ｔに置き換えたものやダイオードをショットキーダイオードに置き換えたものを含
む」との認定は誤りである。
イ仮に引用発明として，ＩＧＢＴ４をＭＯＳＦＥＴに，ダイオード５をショッ
トキーダイオードにそれぞれ置き換えたものを想到できたとしても，ＩＧＢＴ４と
ダイオード５との組合せをＭＯＳＦＥＴとショットキーダイオードの組合せに置換
し，さらに，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとＳｉＣショットキーダイオードの組合せに置換
した場合，その接続態様がそのまま採用できるとはいえない。
シリコンＩＧＢＴ，シリコンＭＯＳＦＥＴ，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴでは各々扱う耐
圧，電流量，スイッチング速度などが異なり，また，チップの大きさも異なる。さ
らに，シリコンダイオード，シリコンＳＢＤ，ＳｉＣＳＢＤでも耐圧などが異なる。
電力用半導体素子の組合せを変更した場合には，それに合わせて接続方法も変わる
と考えられる。また，チップサイズが変わればそれに合わせてレイアウトも変わり，
ワイヤーボンディングで接続する場合はその角度も変わる。
引用発明における接続態様等は任意であり，少なくとも，実施の形態ごとに任意
に選択できることは明らかで，ＭＯＳＦＥＴの場合には，オン抵抗の低減やインダ
クタンスの低減のために，金属線（ボンディングワイヤ）に代わり，金属板（スト
ラップ）又はリボンによる接続が一般に使用されている。
したがって，仮に，引用発明として，ＩＧＢＴをＭＯＳＦＥＴ，さらにＳｉＣＭ
ＯＳＦＥＴに置き換え，ダイオードをショットキーダイオード，さらにＳｉＣショ
ットキーダイオードに置き換えたものを想到できたとしても，電力用半導体素子と
してＳｉＣＭＯＳＦＥＴとＳｉＣショットキーダイオードを用いた場合にどのよう
に接続されるのかについて認定することはできないから，本件決定の認定は誤りで
ある。
ウ仮に，引用発明として，図１，図２のＩＧＢＴ４をＳｉＣＭＯＳＦＥＴに，
ダイオード５をＳｉＣショットキーダイオードに，それぞれ置き換えたものを認定
できるとしても，「ＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とに
電気的に接続された第２の配線パターン３ｂ」（【００１４】）との記載によれば，
「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とＳｉＣショットキーダイオードのカソード電
極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンド」と認定すべきである。
引用例図９のＩＧＢＴがｎチャネルであることは，実施の形態１（【００１４】）
のＩＧＢＴをｎチャネルと認定する理由とはならず，むしろ，これがｐチャネルで
あることを許容する記載である。【００１４】の記載は，ｐチャネルＩＧＢＴに関
するものと考えれば，何ら矛盾なく解釈できるから，誤記の可能性を議論する余地
はなく，【００１４】の記載は，ｐチャネルＩＧＢＴに関するものと解釈する他は
ない。
ｐチャネルＩＧＢＴをＭＯＳＦＥＴに置き換えることを考えた場合，同じくｐ
チャネルＭＯＳＦＥＴと置き換えるはずであるから，「その寄生ダイオードが上面
となり」というのは誤りである。ｐチャネルＭＯＳＦＥＴにおいては，寄生ダイオ
ードはソース側がカソードとなっているのであるから，引用発明は，「ＳｉＣＭＯ
ＳＦＥＴのソース電極（ＰＮ接合ダイオードのカソード電極）とＳｉＣショットキ
ーダイオードのカソード電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンド」と認
定すべきである。
(2)本件発明１との相違点１の認定・判断の誤り
ア本件決定は，引用発明においては「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及
び「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がアノードかカソードか不
明である点を相違点と認定した。
しかし，引用例には，ＩＧＢＴ４のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極
とに電気的に接続された第１の配線パターン３ａには，第１の筒状外部端子連通部
８ａが接合され，主回路であるＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソー
ド電極とに電気的に接続された第２の配線パターン３ｂには，第２の筒状外部端子
連通部８ｂが接続されるとの記載（【００１４】）があり，本件決定は，引用発明
として「ＩＧＢＴとダイオードの双方をＭＯＳＦＥＴとショットキーダイオードに
置き換えたもの」を認定しているから，ダイオードと置き換えたショットキーダイ
オードは，アノードが下面に，カソードが上面に位置したものと解され，「ＳｉＣ
ショットキーダイオードの一方の電極」はカソードと認定すべきである。
そして，引用発明においては「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」
がカソードである点を，相違点と正しく認定した場合，ＩＧＢＴと置き換えたＳｉ
ＣＭＯＳＦＥＴはｐチャネルであることになるから，カソードをアノードに変更す
べき理由はなく，相違点の判断も誤りである。
イ本件決定は，技術常識によりＭＯＳＦＥＴのソース電極側が寄生ダイオード
のアノードとなることを前提として，還流を流す際に，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソー
ス電極と並列に接続したＳｉＣショットキーダイオードのアノード電極とを接続す
ることは，当業者が容易になし得ると判断した。
しかし，ｐチャネル型のＳｉＣＭＯＳＦＥＴでは，ソース電極側が寄生ダイオー
ドのカソードになるから，かかる技術常識は誤りである。
仮に，本件決定による相違点１の認定が正しいとした場合，引用発明は，ＳｉＣ
ＭＯＳＦＥＴとＳｉＣショットキーダイオードとの接続関係は不明ということにな
るところ，引用例には，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとＳｉＣショットキーダイオードとの
組合せは記載されておらず，この組合せを採用した場合にどのように配置して接続
するのかも記載されていないから，ＳｉＣショットキーダイオードをＳｉＣＭＯＳ
ＦＥＴと並列に接続して還流用に使用することが記載ないし示唆されているとはい
えず，引用発明のＳｉＣショットキーダイオードが還流を流すものであることを前
提に，相違点を判断したことは誤りである。
(3)本件発明の課題及び効果の判断の遺脱
引用例には，ｐｎ接合ダイオードに電流を流さないとの本件発明の課題及び作用
効果について何ら記載されておらず，本件発明と引用発明との課題及び技術思想は
大きく異なる。
ＳｉＣＭＯＳＦＥＴでは，寄生ｐｎ接合ダイオードに電流が流れるとオン抵抗が
増大するという課題があり，ショットキーバリアダイオードを並列接続してもｐｎ
接合ダイオードに電流が流れてしまう現象が生じていたが，本件発明１の構成を採
用することによりこの課題を解決したものである。すなわち，第２のワイヤに寄生
するインダクタンスによって，ｐｎ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上の
逆起電力が発生しても，ｐｎ接合ダイオードに電流は流れないという作用効果を奏
するのである。また，本件発明３においては，設計の自由度を高めることができる
作用効果を奏するとの技術的意義を有する。
本件発明は，新規な課題を解決したものであり，その作用効果は顕著なものであ
るところ，本件決定は，本件発明の課題及び作用効果についての判断を遺脱してお
り，この判断遺脱が本件決定の結論に影響を及ぼすことは明らかである。
〔被告の主張〕
(1)引用発明の認定の誤り
ア本件決定の引用発明の認定は，主として，引用例図１等に示されているＩＧ
ＢＴ４とＩＧＢＴ４に逆並列に接続されたダイオード５とをワイヤーボンドにより
配線パターンに接続する構成において，【００３２】の記載に基づき，ＩＧＢＴ及
びダイオードをＭＯＳＦＥＴ及びショットキーダイオードに置き換えるものとして
認定したものである。
【００３２】には，「本実施の形態では，電力用半導体素子に，ＩＧＢＴ４とダ
イオード５が用いられているが，電力用半導体素子は，これに限定されるものでは
なく，例えば，ＭＯＳＦＥＴやショットキーダイオードでもよく」と記載されてお
り，その後に「本実施の形態では，各電力用半導体素子間や電力用半導体素子と配
線パターンとの間の接続，すなわち，配線手段にワイヤーボンド７を用いている」
と記載されている。当該記載は総じて「電力用半導体素子」についての記載であり，
ＩＧＢＴ４とダイオード５とを個別に「各電力用半導体素子」と呼んでいるのであ
るから，「電力用半導体素子は」「ＭＯＳＦＥＴやショットキーダイオードでもよ
く」とは，ＩＧＢＴ４とダイオード５とで構成された回路全体を個別の電力用半導
体素子であるＭＯＳＦＥＴに置き換える等の意味ではなく，ＩＧＢＴ４をＭＯＳＦ
ＥＴで置き換えてもよいし，ダイオード５をショットキーダイオードで置き換えて
もよい，という意味に解するのが自然である。
また，「ＭＯＳＦＥＴの場合は，ダイオードが逆並列に接続されていなくても良
い。」との記載（【００３２】）から，ＩＧＢＴ４をＭＯＳＦＥＴで置き換えた場
合は，ダイオード５又はダイオード５を置き換えたショットキーダイオードがＭＯ
ＳＦＥＴに対して逆並列に接続されたものとなるところ，これを前提に「ダイオー
ドが逆並列に接続されていなくても良い」のであって，ＭＯＳＦＥＴの場合は，ダ
イオード５又はショットキーダイオードが接続されていてもいなくても良いことが
記載されているものと解するのが，自然な理解である。
【００１３】，【００３２】の記載に加え，トランジスタと逆並列に接続された
ダイオードが還流を流すものであることは技術常識であるから（乙１），ＩＧＢＴ
４とダイオード５との組合せがダイオード５に還流を流すためであることは，自明
である。したがって，本件決定で，ＩＧＢＴ４とダイオード５を組み合わせて用い
ることが記載されていることを前提として，ＩＧＢＴとＭＯＳＦＥＴとがスイッチ
ングを行う三端子素子である点で共通し，ダイオードとショットキーダイオードが
二端子素子である点で共通していることに鑑み，【００３２】の記載が，ＩＧＢＴ
とダイオードのうちＩＧＢＴをＭＯＳＦＥＴに置き換えたものやダイオードをショ
ットキーダイオードに置き換えたものを含むと解した上，引用発明を認定したこと
に誤りはない。
本件発明１の「前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，
かつ平面視において両ワイヤのなす角度が鈍角である」に関し，本件明細書には，
その技術的意義の記載はない。
他方で，引用発明は，金属回路基板上における，電力用半導体素子，配線パター
ン，外部端子との接続手段といった「電力用半導体装置」を構成する各要素の配置
や構造に特徴を有するものであるといえるから，電力用半導体素子が「ＭＯＳＦＥ
Ｔやショットキーダイオード」（【００３２】）でもよい旨の記載は，電力用半導
体素子を置き換えても，技術的意義が損なわれないように，元の配置や構造を維持
することを前提とし，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せをＳｉＣＭＯＳＦＥＴ
とＳｉＣショットキーダイオードの組合せに置換した場合，元の接続態様（ワイヤ
での接続，連続的に接続，鈍角など）をそのまま採用する趣旨である。
イ「電力用半導体素子の材料としては，一般的なシリコンのほかに，炭化珪素
（ＳｉＣ）等のワイドバンドギャップ半導体でも良い。」（【００３２】）との記
載についても，電力用半導体素子の材料を当該記載に従って変更しても元の配置や
構造を維持することを前提としている。
他方で，電力用半導体素子の材料をＳｉＣに変更することで，チップサイズが比
較的小さくなることに伴い，ワイヤーボンドの配置を多少変化させることはあり得
るとしても，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの一の電極とＳｉＣショットキーダイオードの
一方の電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分と，ＳｉＣショットキーダイオードの一
方の電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分のなす角度のなす角
度が平面視において鈍角である」ことを回避すべき（角度を鋭角等にすべき）事情
は見当たらないから，チップサイズは，引用発明の認定を左右するものではない。
「配線手段にワイヤーボンド７を用いているが，この方法に限定されるものでは
ない。」（【００３２】）との記載は，電力用半導体素子をＭＯＳＦＥＴやショッ
トキーダイオードとする場合でも，配線手段にワイヤーボンド７を用いることを基
本としつつ，それに限定されないとする趣旨であると解するのが自然である。した
がって，本件決定が，「ワイヤーボンド」を含むものとして引用発明を認定したこ
とに誤りはない。
ウ「逆並列」（【００１３】，【００３２】）とは，並列に接続されたトラン
ジスタとダイオードを流れる電流の向きが互いに逆向きということである。引用例
図９でも，ＩＧＢＴのエミッタの矢印から，逆並列に接続されていることが理解で
きる。
一方，トランジスタとダイオードを電流の向きが同じになるように並列に接続す
ると，トランジスタのオンオフにかかわらず，ダイオードを経由して電流が流れ続
けることになり，回路として機能しなくなるので，引用例において，「逆並列」の
他に「電流の向きが同じ並列」の接続が想定されていると理解することはできない。
引用例には，「ＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とに電
気的に接続」して，これらを上面電極としてワイヤーボンド７で接続することが記
載されている（【００１４】）ところ，ＩＧＢＴのコレクタからエミッタの向きに
電流が流れることを前提とすると，ＩＧＢＴの電流の向きとダイオードの電流の向
きが同じことを意味することとなり，この接続では回路として機能しない上，「逆
並列」という記載や図９と矛盾する。なお，一般にＩＧＢＴのゲート電極とエミッ
タ電極は上面に配置されることから，上記記載において，ＩＧＢＴ４のエミッタ電
極を上面電極とすることは正しいと考えられる一方，【００１４】のダイオードの
「カソード電極」／「アノード電極」は，「アノード電極」／「カソード電極」の
誤記と考えられる。
【００１４】の記載が誤記であるにせよ，本件決定の引用発明の認定においては，
ダイオードの極性を，アノード，カソードのいずれとも認定していないから，その
妥当性が左右されるものではなく，引用発明の認定に誤りはない。
(2)本件発明１との相違点１の認定・判断の誤り
引用例には，ＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とを第２
の配線パターン３ｂに電気的に接続することが記載されており（【００１４】，図
２），ＩＧＢＴ４とダイオード５をそれぞれＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーダ
イオードに置き換えた場合に，両者の電極を電気的に接続することが維持されるこ
とが明らかであるから，両者の電極の間には関連があるが，引用例の記載からはそ
れらの極性を特定することはできないため，本件決定は，引用発明の認定において，
ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの電極を「一の電極」とし，これに関連させてショットキーダ
イオードの電極を「一方の電極」としたものである。
他方で，引用例の「実施の形態１」の技術的意義は，電力用半導体素子の極性に
依存するものではないから，引用例の図２に，ダイオード５のカソードが上面に位
置するものが示されているからといって，ダイオード５をＳｉＣショットキーダイ
オードに置き換えたものにおける上面に位置する「一方の電極」が必然的にカソー
ドであることにはならないし，引用例にＳｉＣショットキーダイオードの配線手段
等が記載されていないからといって，当該「一方の電極」をアノードとすることが
困難であることにもならない。
相違点１の認定に関し，カソードとアノードを入れ替えることは，ＳｉＣショッ
トキーダイオードを裏返すだけで実現できることを考慮すると，引用発明のＳｉＣ
ショットキーダイオードの「一方の電極」を「カソード電極」と認定したところで，
ショットキーバリアダイオードのアノードに接続することは容易に導出されること
であって，容易想到という結論において変わるところはない。
また，ＳｉＣショットキーダイオードの上面がカソードであろうとアノードであ
ろうと，効果の点で変わりはない。
引用例には「ＩＧＢＴ４に逆並列に接続されたダイオード５」（【００１３】）
及び「ＭＯＳＦＥＴの場合は，ダイオードが逆並列に接続されていなくても良い」
（【００３２】）と記載されており，また，トランジスタと逆並列に接続されたダ
イオードが還流を流すものであることは技術常識であるから，引用発明の「ＳｉＣ
ＭＯＳＦＥＴに並列に接続された２つの電極を有するＳｉＣショットキーダイオー
ド」が還流を流すものであることは，自明である。
したがって，本件決定が，相違点１について，引用発明のＳｉＣショットキーダ
イオードが還流を流すものであることを前提に，引用発明に，甲４発明の「ＭＯＳ
ＦＥＴとショットキーバリアダイオードを並列に接続して還流を流す際に，ＭＯＳ
ＦＥＴのソースとショットキーバリアダイオードのアノードを接続すること」を適
用することは当業者が容易になし得るものと判断したことに誤りはない。
また，ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴが存在するとしても，甲３にはｎチャネル・
パワーＭＯＳＦＥＴが示されているから，ゲート電極とソース電極を上面に設ける
甲３周知技術を採用することは容易とした上で，甲３と同じｎチャネル型のＳｉＣ
ＭＯＳＦＥＴについて，ソース電極とゲート電極を上面に設けたＭＯＳＦＥＴを参
酌して，ＭＯＳＦＥＴのソース電極側が寄生ダイオードのアノードになるとした本
件決定の判断に矛盾や誤りがあるとはいえない。そもそも，電力用のＭＯＳＦＥＴ
ではｎチャネル型が用いられるから（乙１），当業者は，「電力用半導体装置」で
ある引用発明のＳｉＣＭＯＳＦＥＴとしてはｎチャネル型を想定するはずである。
(3)本件発明の課題及び効果の判断の遺脱
ア特許法２９条２項の要件判断において，出願に係る発明の発明者を基準とし
て容易かどうかの判断が求められているものではないから，発明者が発見した課題
を考慮し，発明者が発明に至った思考過程を後追いして，それが容易かどうか判断
する必要は必ずしもない。
本件決定は，引用発明から出発して引用例に記載された示唆及び「還流を流す」
という機能を実現するために，甲４発明を採用すれば本件発明１が容易に導出でき
ることを論理付けた上で，その結果，本件発明１と同じ構成が容易に得られるもの
と判断し，効果については，引用発明に，本件明細書に記載されている本件発明１
の課題を解決できる効果が内在するものと解されることから「当業者が予測しうる
ものである」と判断したのであり，判断遺脱はない。
イ引用発明のＳｉＣＭＯＳＦＥＴは実質的に寄生ダイオードを含むものである。
引用発明のＳｉＣショットキーダイオードは還流を流すものであるところ，Ｓｉ
Ｃショットキーバリアダイオードのオン開始電圧は，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの寄生ダ
イオードのオン開始電圧よりも低いから，ＳｉＣショットキーバリアダイオードに
印加される電圧がそのオン開始電圧に達して還流が流れる条件が成立しても，Ｓｉ
ＣＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードは，それに印加される電圧がそのオン開始電圧を
下回る限りはオフしたままであって電流が流れない。したがって，その間，ＳｉＣ
ＭＯＳＦＥＴの一の電極とＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極とを繋ぐワ
イヤーボンドの部分には電流が流れず，当該電流により発生するワイヤのインダク
タンス分の逆起電力は発生しないから，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとＳｉＣショットキー
ダイオードには等しくＳｉＣショットキーダイオードのオン開始電圧が印加される
だけである。
そして，このような，寄生ダイオードに電流が流れない状態は，ＳｉＣショット
キーダイオードの一方の電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分
のインダクタンスによってどの程度の逆起電力が発生するかにかかわらず維持され
る。
上記事項は，ＳｉＣショットキーダイオードの極性に関わらず成り立つものであ
って，ＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極をカソードとしてもアノードと
しても，何ら変わるところがない。
以上によれば，ワイヤーボンドのインダクタンスによる逆起電力にかかわらずｐ
ｎ接合ダイオードに電流は流れないという作用効果は，引用発明に内在するもので
ある。
２取消事由２（本件発明３の容易想到性の判断の誤り）について
〔原告の主張〕
引用例では，インダクタンスにより生じる逆起電力をどの程度にするかは何ら問
題となっておらず，起電力が２．０Ｖ以上になっても，ｐｎ接合ダイオードに電流
が流れるのを抑制できるとの知見についての記載もない。よって，仮に，ＭＯＳＦ
ＥＴに寄生するｐｎ接合ダイオードに電流が流れないようにしようとすると，起電
力が２．０Ｖ以下となるようにするはずである。本件決定は，本件発明３の技術的
意義を考慮することなく相違点２の判断を行っており，誤りである。
〔被告の主張〕
本件明細書には，「インダクタンスにより生じる起電力が２．０Ｖ以上の場合に，
この発明による実質的な効果が得られる」旨の記載があり（【００１３】），「前
記ショットキーバリアダイオードと前記出力線との間のインダクタンスにより生じ
る逆起電力が２．０Ｖ以上」であることの技術的意義は，「ショットキーバリアダ
イオードと前記出力線との間のインダクタンスにより生じる逆起電力」を，ｐｎ接
合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上とすることであるものと解される。
しかしながら，「ユニポーラデバイスと出力線との間のインダクタンス」を「イ
ンダクタンスＬ４」や「インダクタンスＬ６」として含む電力回路において，「全
てのＭＯＳＦＥＴ１１～１４がオフ状態」である際に「第２のＰＮ接合ダイオード
１２ａ」等に「電流が流れない」とされているものの，当該回路の電流経路には「電
源１５」や「負荷１６」といった他の電圧源（負荷については，そのインダクタン
スにより生じる逆起電力）も存在するから，「第２のＰＮ接合ダイオード１２ａ」
等に電流が流れるか否かは，「ショットキーバリアダイオードと前記出力線との間
のインダクタンスにより生じる逆起電力」のみで決まるものではない。
したがって，「ユニポーラデバイスと出力線との間のインダクタンスにより生じ
る起電力」が「ＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧」以上の場合に，「こ
の発明による実質的な効果が得られる」とは必ずしもいえないから，本件発明３の
「ショットキーバリアダイオードと前記出力線との間のインダクタンスにより生じ
る逆起電力」の下限値である「２．０Ｖ」に，臨界的意義はないものと解される。
引用例には電源や負荷についての明記はないものの，引用発明の電力用半導体装
置が適用される電力回路は，当然，電源や負荷が接続されるものと解され，また，
引用例には，引用発明の「ＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極と第２の配
線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分」のインダクタンスをどの程度とすべき
かについて記載されていないものの，ワイヤーボンドの長さを確保する観点から，
ある程度大きな値とすることが許容されるものと解される。「インダクタンスによ
り生じる逆起電力」は電流変化量に依存し，電流変化量は電力用半導体装置が適用
される電力回路（電源や負荷）にも依存する（乙１）から，電源や負荷に関しての
限定がない引用発明の動作について，ワイヤーボンドのインダクタンスが比較的大
きいことから，逆起電力が「２．０Ｖ」といった特定の数値以上になることも想定
できる。
以上によれば，「ショットキーバリアダイオードと前記出力線との間のインダク
タンスにより生じる逆起電力」の下限値を「２．０Ｖ」とすることは，当業者が適
宜なし得たものである。
第４当裁判所の判断
１本件発明について
本件発明の特徴は，以下のとおりである（本文中に引用する本件明細書の図面は，
別紙１本件明細書図面目録記載のとおりである。）。
(1)利用分野
この発明は，インバータ回路，コンバータ回路等の電子回路に用いられる半導体
デバイスに関する。(【０００１】)
(2)従来の技術及び課題
従来，ＭＯＳＦＥＴに寄生するＰＮ接合ダイオード（ボディダイオード）に電流
が流れるのを防止するために，動作電圧がＰＮ接合ダイオードより低いショットキ
ーバリアダイオードを，ＰＮ接合ダイオードに並列接続する回路構成が提案されて
いる。(【０００３】，【０００４】)
しかし，この回路構成においても，ショットキーバリアダイオードに電流が流れ
始めると，ショットキーバリアダイオードを通る電流経路の寄生インダクタンスに
より逆起電力が発生し，この逆起電力がショットキーバリアダイオードに並列接続
されているＰＮ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧に達すると，このＰＮ接合
ダイオードに電流が流れてしまうという現象が生じる問題があった。（【０００６】）
この発明の目的は，ＰＮ接合ダイオードに電流が流れるのを抑制できるように構
成された半導体デバイスを提供することである。(【０００７】)
(3)課題を解決するための手段
この発明の第１の半導体デバイスは，ＰＮ接合ダイオードを含むＭＯＳＦＥＴと，
前記ＭＯＳＦＥＴに並列に接続され，前記ＰＮ接合ダイオードよりも動作電圧が低
く，２つの端子を有するユニポーラデバイスと，前記ＭＯＳＦＥＴおよび前記ユニ
ポーラデバイスに接続された出力線と，前記ＰＮ接合ダイオードのアノードを前記
ユニポーラデバイスの一方の端子に接続する第１のワイヤと，前記ユニポーラデバ
イスの前記一方の端子を前記出力線に接続する第２のワイヤとを含んでいる。そし
て，前記第１のワイヤと前記第２のワイヤとが連続的に繋がっており，かつ両ワイ
ヤのなす角度が鈍角である。(【０００８】)
(4)作用及び効果
ユニポーラデバイスに電流が流れると，ユニポーラデバイスの一方の端子と出力
線との間のインダクタンスによって，逆起電力が発生する。しかし，ＰＮ接合ダイ
オードのアノードは第１のワイヤによってユニポーラデバイスの一方の端子に接続
されているため，ＰＮ接合ダイオード（ＭＯＳＦＥＴ）には，ユニポーラデバイス
の動作電圧に相当する電圧がバイポーラデバイスにかかるに過ぎない。ＰＮ接合ダ
イオードの動作電圧は，ユニポーラデバイスの動作電圧より低いので，ＰＮ接合ダ
イオードに電流は流れない。このため，ＰＮ接合ダイオード（ＭＯＳＦＥＴ）に結
晶欠陥部が存在していたとしても，結晶欠陥部が拡大するのを抑制できる。(【００
１０】)
(5)実施形態
図１は，本発明の第１の実施形態に係るインバータ回路１を示す電気回路図であ
る。インバータ回路１は，第１のモジュール２と第２のモジュール３とを含み，第
１のモジュール２は，第１電源端子４１と，第２電源端子４３と，２つのゲート端
子４４，４５，と，出力端子４２とを備え，モジュール２の第１電源端子４１は第
１出力線１７を介して電源１５（直流電源）の正極端子に接続され，モジュール２
の出力端子４２は第２出力線１８を介して誘導性の負荷１６が接続され，モジュー
ル２の第２電源端子４３は第３出力線１９を介して電源１５の負極端子に接続され，
モジュール２のゲート端子４４，４５には制御ユニットが接続される。（【００２
４】）
第１のモジュール２は，ハイサイドの第１のＭＯＳＦＥＴ１１と，それに直列に
接続されたローサイドの第２のＭＯＳＦＥＴ１２とを含み，ＭＯＳＦＥＴ１１，１
２は，第１のＰＮ接合ダイオード（ボディダイオード）１１ａおよび第２のＰＮ接
合ダイオード１２ａをそれぞれ内蔵している。各ＰＮ接合ダイオード１１ａ，１２
ａのアノードは対応するＭＯＳＦＥＴ１１，１２のソースに電気的に接続され，そ
のカソードは対応するＭＯＳＦＥＴ１１，１２のドレインに電気的に接続されてい
る。（【００２５】）
ＭＯＳＦＥＴ１１，１２には，ユニポーラデバイスである第１のショットキーバ
リアダイオード２１および第２のショットキーバリアダイオード２２がそれぞれ並
列に接続されている。つまり，バイポーラデバイスであるＰＮ接合ダイオード１１
ａ，１２ａに，ユニポーラデバイスであるショットキーバリアダイオード２１，２
２が並列に接続されている。（【００２６】）
第１のＭＯＳＦＥＴ１１のドレインは第１のモジュール２の第１電源端子４１に
接続され，第１のショットキーバリアダイオード２１のカソードは第１のＭＯＳＦ
ＥＴ１１のドレイン（第１のＰＮ接合ダイオード１１ａのカソード）に接続され，
第１のＭＯＳＦＥＴ１１のソース（第１のＰＮ接合ダイオード１１ａのアノード）
は，接続金属部材３１を介して，第１のショットキーバリアダイオード２１のアノ
ードに接続され，第１のショットキーバリアダイオード２１のアノードは，別の接
続金属部材３２を介して，第１のモジュール２の出力端子４２に接続されている。
つまり，第１のショットキーバリアダイオード２１のアノードは，接続金属部材３
２を介して，第２出力線１８に接続されている。接続金属部材３１，３２には，イ
ンダクタンスＬ１，Ｌ２がそれぞれ寄生している。（【００２７】）
第１～第４のＭＯＳＦＥＴ１１～１４は，たとえば，ＳｉＣデバイスである。各
ショットキーバリアダイオード２１～２４の順方向立ち上がり電圧Ｖｆ１は，各Ｐ
Ｎ接合ダイオード１１ａ～１４ａの順方向立ち上がり電圧Ｖｆ２より低く，各ＰＮ
接合ダイオード１１ａ～１４ａの順方向立ち上がり電圧Ｖｆ２はたとえば２．０Ｖ
であり，各ショットキーバリアダイオード２１～２４の順方向立ち上がり電圧Ｖｆ
１はたとえば１．０Ｖである。（【００３２】）
２取消事由１（本件発明１の容易想到性の判断の誤り）について
(1)引用発明の認定の誤りについて
ア引用例の記載
引用例には，おおむね，以下の事項が開示されている（本文中に引用する図面は，
別紙２引用例図面目録記載のとおりである。）。
(ア)技術分野
本発明は，生産性に優れたトランスファーモールドによる樹脂封止型の電力用半
導体装置に関し，特に，小型で大電流化を実現するとともに，信頼性に優れたトラ
ンスファーモールドによる樹脂封止型の電力用半導体装置に関する。（【０００１】）
(イ)背景技術
大電流，高電圧で動作するとともに，動作に伴う発熱を外部に効率良く逃がす電
力用半導体装置として，放熱板となる金属板に絶縁層としてのセラミック板を介し
て配線パターンが形成された基板に電力用半導体素子を搭載し，シリコーンゲルを
介して熱硬化性樹脂で注型された電力用半導体装置がある。（【０００２】）
(ウ)実施の形態１
図１は，本発明の実施の形態１に係る電力用半導体装置における回路基板上のト
ランスファーモールド樹脂を除いた状態の平面模式図である。
図２は，図１に示す電力用半導体装置において回路基板上にトランスファーモー
ルド樹脂がある状態でのＡ－Ａ断面の模式図である。
図１と図２とに示すように，本実施の形態の電力用半導体装置１００は，金属放
熱板１の一方の面に樹脂絶縁層２を設け，この樹脂絶縁層２における金属放熱板１
が接合された面と対向する面に配線パターンを設けて形成した金属回路基板が用い
られている。配線パターン上には，電力用半導体素子である，ＩＧＢＴ４とＩＧＢ
Ｔ４に逆並列に接続されたダイオード５とが搭載され，配線パターンとはんだ６等
により電気的に接続されている。また，ＩＧＢＴ４とダイオード５との上面電極は，
配線手段であるワイヤーボンド７により，対応する配線パターンと電気的に接続さ
れている。（【００１３】）
配線パターンには筒状外部端子連通部が，配線パターンに対して略垂直に接合さ
れている。
具体的には，主回路であるＩＧＢＴ４のコレクタ電極とダイオード５のアノード
電極とに電気的に接続された第１の配線パターン３ａには，第１の筒状外部端子連
通部８ａが接合され，主回路であるＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカ
ソード電極とに電気的に接続された第２の配線パターン３ｂには，第２の筒状外部
端子連通部８ｂが接続され，制御回路であるＩＧＢＴ４のゲート電極に電気的に接
続された第３の配線パターン３ｃには，第３の筒状外部端子連通部８ｃが接合され，
制御回路であるＩＧＢＴ４のエミッタ電極のみと電気的に接続された第４の配線パ
ターン３ｄには，第４の筒状外部端子連通部８ｄが接合されている。（【００１４】）
次に，配線パターン上の所定の場所に設けられた素子搭載部に電力用半導体素子
であるＩＧＢＴ４およびダイオード５を，そして，配線パターン上の所定の場所に
設けられる筒状外部端子連通部接合部に筒状外部端子連通部を，各々はんだ６を用
いて接合する。具体的には，ＩＧＢＴ４とダイオード５と第１の筒状外部端子連通
部８ａとは第１の配線パターン３ａに，第２の筒状外部端子連通部８ｂは第２の配
線パターン３ｂに，各々接合する。そして，制御回路につながる第３の筒状外部端
子連通部８ｃと第４の筒状外部端子連通部８ｄとは，各々第３の配線パターン３ｃ
と第４の配線パターン３ｄとに接合する。（【００２４】）
そして，配線パターンとＩＧＢＴ４との間，ＩＧＢＴ４とダイオード５との間，
ダイオード５と配線パターンとの間，の各間の導通が必要な箇所をアルミニウムの
ワイヤーボンド７で接続する。
次に，ワイヤーボンディングされた電力用半導体素子と筒状外部端子連通部とを
搭載した金属回路基板は，金型にセットされ，トランスファーモールド法により，
例えば，シリカ粉末が充填されたエポキシ樹脂系トランスファーモールド樹脂９で
封止して，電力用半導体装置を完成する。（【００２５】）
本実施の形態では，電力用半導体素子に，ＩＧＢＴ４とダイオード５が用いられ
ているが，電力用半導体素子は，これに限定されるものではなく，例えば，ＭＯＳ
ＦＥＴやショットキーダイオードでもよく，またＭＯＳＦＥＴの場合は，ダイオー
ドが逆並列に接続されていなくても良い。また，電力用半導体素子の材料としては，
一般的なシリコンのほかに，炭化珪素（ＳｉＣ）等のワイドバンドギャップ半導体
でも良い。
また，本実施の形態では，各電力用半導体素子間や電力用半導体素子と配線パタ
ーンとの間の接続，すなわち，配線手段にワイヤーボンド７を用いているが，この
方法に限定されるものではない。
また，本実施の形態では，金属回路基板を用いているが，例えば，高熱伝導絶縁
層であるセラミック板と，セラミック板の一方の面に設けられた銅箔の配線パター
ンと，セラミック板の他方の面に設けられた銅箔の金属放熱板からなるセラミック
基板を用いても良い。（【００３２】）
図１及び図２には，ＩＧＢＴ４の上面電極及びダイオード５の上面電極が，ワイ
ヤーボンド７を介して，第２の配線パターン３ｂに電気的に接続されていることが
記載されていると認められる。
図１には，ＩＧＢＴ４の上面電極とダイオード５の上面電極とを繋ぐワイヤーボ
ンド７の部分と，ダイオード５の上面電極と第２の配線パターン３ｂとを繋ぐワイ
ヤーボンド７の部分のなす角度が平面視において鈍角であることが記載されている
と認められる。
イ引用発明の認定について
(ア)引用例【００３２】の「ＭＯＳＦＥＴの場合は，ダイオードが逆並列に接
続されていなくても良い」との記載から，ＭＯＳＦＥＴとダイオードとが逆並列に
接続されている構成が排除されると読むことはできず，引用例にはかかる構成を排
除するとの記載や示唆はない。よって，引用発明において，ＭＯＳＦＥＴとダイオ
ードとが逆並列に接続されている構成も許容されると解される。
そして，ＩＧＢＴとＳｉＣＭＯＳＦＥＴとは，スイッチングを行う三端子素子で
ある点で共通しており，ダイオードとショットキーバリアダイオードは二端子素子
である点で共通していることに照らせば，【００３２】には，ＩＧＢＴとダイオー
ドを用いた電力用半導体素子の他に，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴを用いたもの，ショット
キーバリアダイオードを用いたもの，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダ
イオードとを用いたものなどの形態についても，記載されていると認められる。
(イ)もっとも，引用例には，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せに換えて，
ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとの組合せとする際に，ＩＧ
ＢＴのどの電極とＳｉＣＭＯＳＦＥＴのどの電極とを対応付け，ダイオードのどの
電極とショットキーバリアダイオードのどの電極とを対応付けて置換するかについ
ては明記されていない。
しかし，引用例におけるＩＧＢＴ４及びダイオード５の組合せは，「ＩＧＢＴ４
のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極とに電気的に接続された第１の配線
パターン３ａ」がＩＧＢＴ４とダイオード５の下面にあり，「ＩＧＢＴ４のエミッ
タ電極とダイオード５のカソード電極とに電気的に接続された第２の配線パターン
３ｂ」が，ＩＧＢＴ４とダイオード５の上面をつなぐワイヤーボンド７と接続して
いることから（【００１３】，【００１４】，図１，２），ＩＧＢＴの上面に配置
される電極がゲート電極とエミッタ電極で，下面に配置される電極がコレクタ電極
であり，上面に配置されるダイオードの電極がカソード電極で，下面に配置される
電極がアノード電極であると認められる。
また，ＩＧＢＴ４とダイオード５は逆並列に接続され（【００１４】），ダイオ
ードに流れる順電流の向きは，下面に配置されたアノード電極から上面に配置され
たカソード電極への向きであることは，当事者間に争いがない。このことに鑑みる
と，ＩＧＢＴ４に流れる電流の方向は，上面に配置されたエミッタ電極から下面に
配置されたコレクタ電極の向きであると認められる。このように，エミッタ電極か
らコレクタ電極に向かって電流が流れるＩＧＢＴは，ｐチャネル型のＩＧＢＴであ
るから，引用例のＩＧＢＴ４は，ｐチャネル型のＩＧＢＴであると解される。
引用例１では，ＩＧＢＴ４の上面のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極
とに電気的に接続された第２の配線パターン３ｂから，ワイヤーボンド７を介して，
ＩＧＢＴ４の下面のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極とに電気的に接続
された第１の配線パターン３ａに流れる電流を，制御回路であるＩＧＢＴ４のゲー
ト電極に電気的に接続された第３の配線パターン３ｃに入力された信号に基づいて
スイッチングする動作が行われる（【００１４】，【００２４】，【００２５】）。
そして，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せを，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショット
キーバリアダイオードとの組合せに置き換える場合に，動作を異ならせる理由はな
いから，ＩＧＢＴ４については，上面にゲート電極とソース電極が配置され，下面
にドレイン電極が配置されるｐチャネル型のＳｉＣＭＯＳＦＥＴで置き換え，ダイ
オード５については，上面にカソード電極が配置され，下面にアノード電極が配置
されるショットキーバリアダイオードで置き換えるようにすると考えられる。
ｐチャネル型のＳｉＣＭＯＳＦＥＴにおける電流の流れる向きは，ソース電極か
らドレイン電極への向きであるから，このＳｉＣＭＯＳＦＥＴに寄生するｐｎ接合
ダイオードとＳｉＣＭＯＳＦＥＴとの接続は，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極と
ｐｎ接合ダイオードのカソード電極とが接続され，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのドレイン
電極とｐｎ接合ダイオードのアノード電極とが接続されることになる。
したがって，このような置換えが行われる場合，第１のワイヤが接続されるｐｎ
接合ダイオードの一の電極及びショットキーバリアダイオードの一方の電極はいず
れもカソード電極となると解される。
(ウ)以上によれば，引用例には，「ＳｉＣを半導体材料とするＳｉＣＭＯＳＦ
ＥＴと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴに並列に接続された２つの電極を有するＳｉＣショッ
トキーダイオードと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ及びＳｉＣショットキーダイオードに接
続された第２の配線パターンと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とＳｉＣショッ
トキーダイオードのカソード電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドと
を含み，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極とＳｉＣショットキーダイオードのカソ
ード電極とを繋ぐワイヤーボンドの部分と，ＳｉＣショットキーダイオードのカソ
ード電極と第２の配線パターンとを繋ぐワイヤーボンドの部分のなす角度が平面視
において鈍角である，電力用半導体装置。」との発明（以下「引用発明Ａ」という。）
が記載されているものと認められる。よって，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの一の電極とＳ
ｉＣショットキーダイオードの一方の電極がいずれも不明であるとした本件決定の
認定には，誤りがあるというべきである。
ウ被告の主張について
被告は，「ＩＧＢＴ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極とに電気的
に接続」して，これらを上面電極としてワイヤーボンド７で接続する（【００１４】）
との記載について，一般にＩＧＢＴのゲート電極とエミッタ電極は上面に配置され
ることから，ＩＧＢＴ４のエミッタ電極を上面電極とすることは正しいと考えられ
る一方，「ダイオード５のカソード電極」の「カソード電極」は「アノード電極」
の誤記と考えられ，「カソード電極」と認定することはできず，ＩＧＢＴ４とダイ
オード５を置き換えたＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーダイオードの電極の極性
は，引用例の記載から特定できない旨主張する。
しかし，①特開２００４－６５２０号（甲２９）の，実施例２のｎチャネルＩＧ
ＢＴ，実施例４のｐチャネルＩＧＢＴが，いずれも，「ＭＯＳに比べ動作周波数は
低いものの高耐圧，大電流領域で使用される為，低オン電圧，低スイッチング損失
による素子寿命向上が可能となる」（【００２９】，【００３５】，図３，５）と
の記載，②特開平４－３０４７６号（甲３０）の「以上の実施例はｎチャネルＩＧ
ＢＴについて述べたが，導電型を入れ換えたｐチャネルＩＧＢＴでも同様に実施で
き，同様の効果を得ることができる」（３頁右下欄１０～１３行目）との記載，③
特開平６－６９５０９号（甲３１）の「前述の実施例では，Ｎチャネル型ＩＧＢＴ
について説明したが，本発明ではＰチャネルを用いることもできる」（【００３１】）
との記載，④特開平１０－５０９９３号（甲３２）の「同実施形態にあっては，こ
の発明にかかる電流検出機能付き半導体装置をｎチャネルＩＧＢＴに適用した場合
について示したが，ｐチャネルＩＧＢＴについても同様に適用できることは云うま
でもない」（【００４０】）との記載にも照らすなら，ＩＧＢＴには，コレクタ電
極からエミッタ電極に電流が流れるｎチャネル型だけではなく，エミッタ電極から
コレクタ電極に電流が流れるｐチャネル型も存在することが認められる。そうする
と，ＩＧＢＴ４のコレクタ電極とダイオード５のアノード電極が接続され，ＩＧＢ
Ｔ４のエミッタ電極とダイオード５のカソード電極が接続される構成も存在する以
上，「ダイオード５のカソード電極」（【００１４】）の「カソード電極」を「ア
ノード電極」の誤記と解することはできず，他に誤記と解すべき根拠はない。
そして，ダイオード５の極性がカソード電極である以上，ＩＧＢＴ４とダイオー
ド５を置き換えたＳｉＣＭＯＳＦＥＴとショットキーダイオードの電極の極性は認
定できるから，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの一の電極とＳｉＣショットキーダイオードの
一方の電極が不明であるとはいえず，被告の主張は採用できない。
(2)本件発明１と引用発明Ａとの一致点及び相違点について
本件発明１と前記認定の引用発明Ａとを対比すると，本件決定の認定した，本件
発明１と引用発明との一致点（前記第２の３(2)イ）と同様の点において一致すると
ともに，以下の点において，相違する。
本件発明１においては，「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」がアノードであ
り，かつ「前記ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がアノードであるの
に対し，引用発明Ａにおいては「前記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及び「前記
ショットキーバリアダイオードの一方の電極」がカソードである点（相違点１’）。
(3)本件発明１の容易想到性について
ア容易想到性の判断
(ア)引用発明Ａでは，第１のワイヤが接続されるｐｎ接合ダイオードの一の電
極及びショットキーバリアダイオードの一方の電極は，いずれもカソード電極とな
る。
そして，引用例には，ＩＧＢＴ４とダイオード５との組合せを，ＳｉＣＭＯＳＦ
ＥＴとショットキーバリアダイオードとの組合せに置き換える場合，置換えの前後
で動作を異ならせる旨の記載や示唆はない。
また，引用発明Ａは，「トランスファーモールド樹脂で封止した電力用半導体装
置には，主端子に大電流を流すことができるブスバーの外部配線が，ねじ止めやは
んだ付けで固定されるため，電力用半導体装置の組み立て時において，主端子部に
おおきな応力が働き，この応力により，主端子の外側面とトランスファーモールド
樹脂との接着面に隙間が発生したり，トランスファーモールド樹脂本体に微細なク
ラックが発生する等の不具合を主端子部に生じ，電力用半導体装置の歩留まりが低
くなり生産性が低下するとともに，信頼性も低下する」ことを課題とし，「トラン
スファーモールド樹脂により封止された電力用半導体装置であって，主回路に接続
される主端子に大電流を流すことのできる外部配線を接続しても，外部配線の接続
により主端子部に発生する不良を低減でき，歩留まりが高く生産性に優れるととも
に，信頼性の高い電力用半導体装置を提供すること」を目的とする発明であって（【０
００７】，【０００８】），この目的を達成することと，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの型
や並列接続するショットキーバリアダイオードの接続方向を変更することは，無関
係である。
したがって，当業者が，引用発明Ａにおいて，上記目的を達成するために，「前
記ＰＮ接合ダイオードの一の電極」及び「前記ショットキーバリアダイオードの一
方の電極」をカソード電極からアノード電極に変更する動機付けがあるとはいえな
いから，相違点１’に係る本件発明１の構成を当事者が容易に想到できたものであ
るとは認められない。
(イ)さらに，本件発明は，ＭＯＳＦＥＴに寄生しているｐｎ接合ダイオードに
電流が流れると，ＭＯＳＦＥＴの結晶欠陥が拡大してデバイス特性が劣化し，特に，
ＳｉＣＭＯＳＦＥＴでは，寄生ｐｎ接合ダイオードに電流が流れると，オン抵抗が
増大するという課題があったが，ショットキーバリアダイオードを並列接続しても
ｐｎ接合ダイオードに電流が流れてしまう現象が生じていることから（【０００２】
～【０００４】，【０００６】），本件発明１の構成を採用し，第２のワイヤに寄
生するインダクタンスによって，ｐｎ接合ダイオードの順方向立ち上がり電圧以上
の逆起電力が発生しても，ｐｎ接合ダイオードに電流が流れないようにする（【０
０１４】）との作用効果を奏するものである。
しかし，引用発明Ａの課題及び目的は，前記(ア)のとおりであり，引用例には，
ダイオード５やワイヤーボンド７にインダクタンスが寄生することについての記載
や示唆はないことから，引用例に接した当業者が，引用発明Ａに本件発明の作用効
果が期待されることを予想できたとはいえない。
(ウ)以上によれば，本件発明１を当業者が容易に想到できたとは認められない。
イ被告の主張について
(ア)被告は，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴの制御電極であるゲート電極と同じ面にある
電極をワイヤーボンドで繋ぐとの引用例の示唆や，「パワーＭＯＳＦＥＴの構造と
応用分野」との文献（甲３）に記載された周知技術を考慮して，引用発明のＭＯＳ
ＦＥＴのソース電極とＳｉＣショットキーダイオードの一方の電極と第２の配線パ
ターンとを繋ぐことは当業者が容易になし得るとした本件決定に誤りはない旨主張
する。
甲３文献の図２－１及び図２－２には，パワーＭＯＳＦＥＴにおいて，ソース電
極とゲート電極を上面に設けることが記載されており，「ソース電極とゲート電極
を上面に設けたＭＯＳＦＥＴ」は，周知技術であると認められる（以下「甲３周知
技術」という。）。また，甲３文献には，ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴの開示があ
る。
しかしながら，甲３文献によっては，ゲート電極とソース電極とを上面に設ける
構造のＭＯＳＦＥＴがｎチャネル型であることに限定されるとはいえないから，ソ
ース電極をゲート電極とともに上面に設ける構造のｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴが
否定されるものではない。
そして，前記の引用発明Ａの課題及び目的（引用例【０００７】，【０００８】）
に照らすなら，引用発明Ａの技術的意義は電力用半導体素子の極性に直接依存する
ものではないから，引用発明ＡのＳｉＣＭＯＳＦＥＴをゲート電極とソース電極と
を上面に設ける構造のｎチャネル型のものとすることについての記載や示唆がある
とはいえない。
したがって，引用例に甲３周知技術を考慮しても，引用発明ＡのＳｉＣＭＯＳＦ
ＥＴをゲート電極とソース電極とを上面に設ける構造のｎチャネル型のものに変更
すべき動機付けはないから，被告の主張は採用できない。
(イ)被告は，引用発明のＳｉＣＭＯＳＦＥＴとＳｉＣショットキーダイオード
は並列に接続して還流を流すものであるから，技術常識と特開２００９－１８３１
１５号公報（甲４）に開示された発明に基づき，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極
とＳｉＣショットキーダイオードのアノード電極を接続することは当業者が容易に
なし得るとした本件決定に誤りはない旨主張する。
甲４文献には，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴをスイッチング素子として使用する場合は，
図３に示すように，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（１３０）に並列にＳｉＣＳＢＤ（１３２）
を接続して還流ダイオードとして使用する構成が検討されている。」（【００１９】）
との記載があり，図３には，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ１３０のソースとＳｉＣＳＢＤ
１３２のアノードを接続すること」が記載されており，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴとＳ
ｉＣショットキーバリアダイオードを並列に接続して還流ダイオードとして使用す
る場合に，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソースとＳｉＣショットキーバリアダイオードの
アノードを接続すること。」との発明（以下「甲４発明」という。）が記載されて
いることが認められる。
また，①甲４文献には，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（１３０）の寄生ダイオード（１
３１）を還流ダイオードとして使用」（【００１６】）すること，「ＳｉＣＭＯＳ
ＦＥＴ（１３０）の寄生ダイオード（１３１）と同じ構造のＳｉＣｐｎダイオード」
（【００２０】），「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ１３０のソース電極側が寄生ダイオード
１３１のアノードとなること」（図２）の記載があること，②特開２００８－０１
７２３７号公報（甲６）には，「ＳｉＣ－ＦＥＴに内在するダイオード（ボディダ
イオード）を還流ダイオードとして用いると，ボディダイオードによるバイポーラ
動作によりＳｉＣ半導体装置の結晶劣化が進行する」（【０００２】），「ＳｉＣ
－ＦＥＴ１のボディダイオード２」，「ＰＮ接合ダイオードに関するショックレー
モデル…及び電荷制御モデル…からＳｉＣ－ＦＥＴ１のボディダイオード２のＯＮ
開始電圧ＶＢＤ＿ｔｈを以下の式で示すことが出来る」（【００１１】），ＳｉＣ-ＦＥ
Ｔ１のソース電極側がボディダイオード２のアノードとなること（図１）の記載が
あることによれば，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴはｐｎ接合ダイオードを寄生ダイオード
として含み，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソース電極側が寄生ダイオードのアノードとな
るＳｉＣＭＯＳＦＥＴがあること」は，技術常識と認められる（以下「技術常識１’」
という。）。
しかしながら，ＭＯＳＦＥＴの構成が，ゲート電極とソース電極とを上面に設け
る構造に限定されることや，ＭＯＳＦＥＴがｎチャネル型に限定されることの根拠
はないことは前記のとおりである。そうすると，ｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴに寄
生するｐｎ接合ダイオードは，ＭＯＳＦＥＴのソース電極側がｐｎ接合ダイオード
のカソード電極となるから，技術常識１’における「ＭＯＳＦＥＴのソース電極側
が寄生ダイオードのアノードとなる」との事項は，ＭＯＳＦＥＴの型を問わず妥当
するものとは解されない。
また，引用発明ＡのＳｉＣＭＯＳＦＥＴはｐチャネル型であるところ，ｐチャネ
ル型のＭＯＳＦＥＴではソース電極からドレイン電極の方向に電流が流れるから，
還流を流すためのショットキーバリアダイオードとＳｉＣＭＯＳＦＥＴとの接続は，
ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソースとショットキーバリアダイオードのカソードとの接続
となる。そうすると，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴがｐチャネル型である引用発明Ａにおい
て，ＭＯＳＦＥＴのソースとショットキーバリアダイオードのアノードとを接続す
ることで，ＭＯＳＦＥＴと並列に接続したショットキーバリアダイオードに還流を
流すとの甲４発明の構成を適用する動機付けはないから，ＳｉＣＭＯＳＦＥＴのソ
ース電極とショットキーバリアダイオードのアノード電極とを接続することを，当
業者が容易に想到することができたものとは認められない。
よって，被告の主張は採用できない。
(4)小括
以上によれば，本件発明１には進歩性が認められるから，取消事由１は理由があ
る。
３取消事由２（本件発明２の容易想到性の判断の誤り）について
(1)本件発明３と引用発明Ａとの一致点及び相違点について
本件発明３と前記認定の引用発明Ａとを対比すると，本件決定の認定した本件発
明３と引用発明との一致点（前記第２の３(2)イ）と同様の点において一致し，相違
点２（前記第２の３(2)エ(イ)）と同様の点において相違するとともに，相違点１’
（前記２(2)）において相違する。
(2)本件発明３の容易想到性について
前記２(3)のとおり，相違点１’に係る構成が容易に想到できない以上，相違点２
について検討するまでもなく，本件発明３には進歩性が認められるから，取消事由
２は理由がある。
４結論
以上のとおり，原告主張の取消事由１及び２はいずれも理由があるから，本件決
定のうち，特許第５８１８９５９号の請求項１及び３に係る部分は，取消しを免れ
ない。
よって，原告の請求を認容することとし，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官髙部眞規子
裁判官古河謙一
裁判官関根澄子
別紙１本件明細書図面目録
別紙２引用例図面目録

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