戻る

平成３０年３月２６日判決言渡
平成２９年（行ケ）第１００８５号特許取消決定取消請求事件
口頭弁論終結日平成３０年２月５日
判決
原告ダイキン工業株式会社
同訴訟代理人弁護士北山元章
植松祐二
橋本裕幸
同弁理士前田弘
岩下嗣也
被告特許庁長官
同指定代理人山田正文
山澤宏
富澤哲生
真鍋伸行
千葉輝久
主文
１特許庁が異議２０１６－７００１５３号事件について平成２９
年３月１４日にした決定を取り消す。
２訴訟費用は被告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
主文同旨
第２事案の概要
１特許庁における手続の経緯等
(1)原告は，平成２０年１月３１日，発明の名称を「電力変換装置」とする特許
出願をし，平成２７年７月３日，設定の登録（特許第５７７０４１２号）を受け，
同年８月２６日，特許掲載公報が発行された（請求項の数６。以下，この特許を「本
件特許」という。甲５。）
(2)本件特許について，平成２８年２月２４日，特許異議の申立てがされ，特許
庁は，これを異議２０１６－７００１５３号事件として審理した。
(3)原告は，平成２８年１２月１９日，本件特許の明細書及び特許請求の範囲に
ついて訂正を請求した（以下「本件訂正」という。甲１４）。
(4)特許庁は，平成２９年３月１４日，本件訂正を認めず，「特許第５７７０４
１２号の請求項１ないし６に係る特許を取り消す。」との別紙異議の決定書（写し）
記載の決定（以下「本件決定」という。）をし，その謄本は，同月２７日，原告に
送達された。
(5)原告は，平成２９年４月２６日，本件決定の取消しを求める本件訴訟を提起
した。
２特許請求の範囲の記載
(1)本件訂正前の特許請求の範囲請求項１ないし６の記載は，次のとおりである
（甲５）。「／」は，原文の改行部分を示す（以下同じ。）。以下，本件訂正前の
請求項１ないし６に係る発明を「本件発明１」などといい，本件発明１ないし６を
併せて「本件各発明」という。また，本件訂正前の明細書（甲５）を図面も含めて
「本件明細書」といい，さらに特許請求の範囲を含めて「本件明細書等」という。
【請求項１】スイッチング素子（１３０）によって同期整流を行うように構成さ
れた電力変換装置であって，／上記スイッチング素子（１３０）は，ワイドバンド
ギャップ半導体を用いたユニポーラ素子によって構成されており，／上記ユニポー
ラ素子内の寄生ダイオード（１３１）を還流ダイオードとして用い，／上記寄生ダ
イオード（１３１）は，該寄生ダイオード（１３１）の順方向電圧が，該寄生ダイ
オード（１３１）の立ち上がり電圧を超えるまでは導通しないものであり，該立ち
上がり電圧は，上記ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高く，／上記ワイドバン
ドギャップ半導体としてＳｉＣを用いる／ことを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】請求項１において，／上記還流ダイオードとして用いる寄生ダイオ
ード（１３１）に逆方向電流が流れる際に上記ユニポーラ素子をオンにし上記ユニ
ポーラ素子側に逆方向電流を流すことにより同期整流を行う，／ことを特徴とする
電力変換装置。
【請求項３】請求項１または２において，／上記電力変換装置は空気調和機に使
用されるものである，／ことを特徴とする電力変換装置。
【請求項４】請求項３において，／上記空気調和機の暖房中間負荷条件における
上記スイッチング素子（１３０）の電流実効値（Ｉｒｍｓ）とオン抵抗（Ｒｏｎ）
との関係が，／Ｉｒｍｓ＜０．９／Ｒｏｎ／になるように構成されている，／こと
を特徴とする電力変換装置。
【請求項５】請求項１～４のいずれか１つにおいて，／上記ユニポーラ素子はＭ
ＯＳＦＥＴである，／ことを特徴とする電力変換装置。
【請求項６】請求項１～５のいずれか１つにおいて，／上記スイッチング素子（１
３０）によって同期整流を行うように構成されたインバータ（１２０），コンバー
タ（１１０），マトリクスコンバータ（７００），昇圧チョッパ（１１１）の少な
くとも１つを備える，／ことを特徴とする電力変換装置。
(2)本件訂正後の特許請求の範囲請求項１の記載は，次のとおりである（甲１４。
訂正箇所に下線を付した。）。
【請求項１】スイッチング素子（１３０）によって同期整流を行うように構成さ
れた電力変換装置であって，／上記スイッチング素子（１３０）は，ワイドバンド
ギャップ半導体を用いたユニポーラ素子によって構成されており，／上記ユニポー
ラ素子内の寄生ダイオード（１３１）を還流ダイオードとして用い，／上記寄生ダ
イオード（１３１）は，該寄生ダイオード（１３１）の順方向電圧が，該寄生ダイ
オード（１３１）の立ち上がり電圧を超えるまでは導通しないものであり，該立ち
上がり電圧よりも，上記ユニポーラ素子本体のオン電圧の方が全使用範囲において
低く，／上記ワイドバンドギャップ半導体としてＳｉＣを用いる／ことを特徴とす
る電力変換装置。
３本件決定の理由の要旨
(1)本件決定の理由は，別紙異議の決定書（写し）のとおりである。要するに，
①本件訂正は，本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではなく，
特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条５項の規定に違反するから，認
められない，②本件各発明は，明確ではなく，その特許請求の範囲の記載は，同法
３６条６項２号に規定する要件（以下「明確性要件」という。）に適合するもので
はないから，本件各発明に係る本件特許は，同法１１３条４号に該当する，③本件
発明１は，下記アの引用例に記載された発明（以下「引用発明」という。），並び
に，下記イの周知例１及び下記ウの周知例２から認められる周知技術に基づいて，
当業者が容易に発明をすることができたものであり，本件発明２，３，５及び６は，
引用発明及び上記周知技術等に基づいて，当業者が容易に発明をすることができた
ものであるから，本件発明１ないし３，５及び６に係る本件特許は，同法２９条２
項の規定に違反してされたものであり，同法１１３条２号に該当する，などという
ものである。
ア引用例：特開２００６－３２０１３４号公報（甲１）
イ周知例１：特開２００７－８２３５１号公報（甲２）
ウ周知例２：稲葉保「パワーＭＯＳＦＥＴ活用の基礎と実際」ＣＱ出版株式会
社（２００４年１１月１日発行）１０５頁（甲３）
(2)本件発明１と引用発明との対比
本件決定は，引用発明並びに本件発明１と引用発明との一致点及び相違点を以下
のとおり認定した。
ア引用発明
同期モータに対して電力を供給するモータ駆動回路は，整流部６，平滑コンデン
サＣ１，Ｃ２，インバータ７Ｕ，７Ｖ，７Ｗ，及びＰＷＭ制御部８を有し，／イン
バータ７Ｕ，７Ｖ，７Ｗは三相ブリッジ回路で，三対のパワートランジスタの直列
接続７Ｕ，７Ｖ，７Ｗを含み，各直列接続７Ｕ，７Ｖ，７Ｗは二つのパワートラン
ジスタＱＨ，ＱＬを含むものであり，／ハイサイドパワートランジスタＱＨのドレ
インは整流部６の高電位側出力端子６Ｈに接続され，ソースはローサイドパワート
ランジスタＱＬのドレインに接続され，ローサイドパワートランジスタＱＬのソー
スは，整流部６の低電位側出力端子６Ｌに接続され，パワートランジスタ６Ｈ，６
Ｌ間の接続点ＪＵ，ＪＶ，ＪＷはモータ３の三つの駆動端子Ｕ，Ｖ，Ｗに接続され，
／パワートランジスタＱＨ，ＱＬはＭＯＳＦＥＴであり，ワイドバンドギャップ半
導体から構成され，ワイドバンドギャップ半導体は好ましくは，シリコンカーバイ
ド（ＳｉＣ）であり，／パワートランジスタＱＨ（又はＱＬ）はＭＯＳＦＥＴであ
るので，ボディダイオードＤＨ（又はＤＬ）を含み，ボディダイオードＤＨ，ＤＬ
は帰還ダイオードとして利用され，／ＰＷＭ制御部８は駆動信号ＳＤに基づき，パ
ワートランジスタＱＨ，ＱＬのゲートに対して制御信号ＳＨ，ＳＬを印加し，それ
により，各パワートランジスタＱＨ，ＱＬのオン状態とオフ状態とが個別に切り換
えられ，／ＰＷＭ制御では更に，パワートランジスタＱＨ，ＱＬの直列接続７Ｕ，
７Ｖ，７Ｗのそれぞれについて，一方のパワートランジスタＱＨ（又はＱＬ）に対
する制御信号ＳＨ（又はＳＬ）の立ち下がりから他方のパワートランジスタＱＬ（又
はＱＨ）に対する制御信号ＳＬ（又はＳＨ）の立ち上がりまでの間に，デッドタイ
ムＴｄが設定され，それにより，二つのパワートランジスタＱＨ，ＱＬ間ではオン
期間が確実に重複しないので，パワートランジスタＱＨ，ＱＬが貫通電流による破
壊から保護され，デッドタイムＴｄでは，オフ状態に維持されたパワートランジス
タＱＨ（又はＱＬ）のボディダイオードＤＨ（又はＤＬ）が導通し，順方向電流を
流すものである，／インバータ７Ｕ，７Ｖ，７Ｗ。
イ本件発明１と引用発明との一致点及び相違点
(ア)一致点
スイッチング素子（１３０）によって構成された電力変換装置であって，／上記
スイッチング素子（１３０）は，ワイドバンドギャップ半導体を用いたユニポーラ
素子によって構成されており，／上記ユニポーラ素子内の寄生ダイオード（１３１）
を還流ダイオードとして用い，／上記寄生ダイオード（１３１）は，該寄生ダイオ
ード（１３１）の順方向電圧が，該寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧を
超えるまでは導通しないものであり，／上記ワイドバンドギャップ半導体としてＳ
ｉＣを用いる／電力変換装置。
(イ)相違点１
本件発明１では，「電力変換装置」は「同期整流を行うように」構成されている
のに対し，引用発明は，そのように構成されているとはされていない点。
(ウ)相違点２
本件発明１は，「寄生ダイオード」の「立ち上がり電圧は，上記ユニポーラ素子
本体のオン電圧よりも高」いのに対し，引用発明は，「ボディダイオード」の「立
ち上がり電圧」と「パワートランジスタ」の「オン電圧」との関係は不明である点。
４取消事由
(1)本件訂正が新規事項の追加に当たるとした判断の誤り（取消事由１）
(2)明確性要件の判断の誤り（取消事由２）
(3)進歩性の判断の誤り（取消事由３）
第３当事者の主張
１取消事由１（本件訂正が新規事項の追加に当たるとした判断の誤り）
〔原告の主張〕
(1)本件決定は，「（寄生ダイオード（１３１）の）該立ち上がり電圧よりも，
上記ユニポーラ素子本体のオン電圧の方が全使用範囲において低く」という構成は，
本件明細書等に記載されていない，などと判断した。
(2)しかし，本件明細書等には，「全使用範囲において低く」という文言は明示
的に記載されていないものの，本件明細書等の全ての記載を総合すれば，当業者に
とって本件訂正に係る構成は自明である。
すなわち，本件明細書等の【図４】において，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ（１３０）
のラインと寄生ダイオード（１３１）のラインとが交叉していないから，寄生ダイ
オードの立ち上がり電圧よりも，ユニポーラ素子のオン電圧の方が全使用範囲にお
いて低いという構成を導き出すことができる。【図４】は，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ
に参照符号である「（１３０）」が付されており，単に一般的なＳｉＣ－ＭＯＳＦ
ＥＴの特性を示すものではなく，本件特許の実施形態として使用するＳｉＣ－ＭＯ
ＳＦＥＴについて説明するものである。そして，【図４】の特性図においては，あ
えてＭＯＳＦＥＴのオン電圧が寄生ダイオードの立ち上がり電圧を超えない範囲の
みが図示される一方で，本件明細書等には，【図４】が，そのＳｉＣ－ＭＯＳＦＥ
Ｔの使用範囲の一部のみを表すことを説明する記載はない。【００２５】【００２
７】によれば，【図４】が定格負荷や重負荷の範囲までカバーする図であることが
明示されており，【図４】が全使用範囲を図示したものであることは明らかである。
【図４】について「電圧－電流特性の概略」（【００２４】）と表現されているの
は，その表示が単純化されていることを指すにすぎない。
また，本件明細書等の【請求項１】【０００５】には，「（寄生ダイオードの）
該立ち上がり電圧は，上記ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高く」と記載され
ており，ユニポーラ素子本体のオン電圧の方が寄生ダイオードの立ち上がり電圧よ
りも全使用範囲において低い，という構成は当業者にとって自明である。
そもそも，後記３〔原告の主張〕(3)アのとおり，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴにおいて，
ＶＦ劣化が当業者にとって周知の課題であったことからすれば，ユニポーラ素子本
体のオン電圧の方が寄生ダイオードの立ち上がり電圧よりも高くなる構成が実用に
耐えないことは技術常識であり，「全使用範囲においてユニポーラ素子本体のオン
電圧の方が寄生ダイオードの立ち上がり電圧よりも低い」という構成が本件特許の
当然の前提となっていたものである。
これに対し，本件明細書等の【００１８】，【図２】の⒝破線矢印の記載をもっ
て，「全使用範囲においてユニポーラ素子本体のオン電圧の方が寄生ダイオードの
立ち上がり電圧よりも低い」という電圧相互の関係が，一部の局面に限定される旨
記載されているということはできない。また，このような電圧相互の関係にするた
めに，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードの立ち上がり電圧（約３Ｖ）を下回
るようにユニポーラ素子のオン抵抗値が設計上採用されるべきことは，【請求項４】
【００２６】以下の記載から明白である。
(3)このように，本件訂正に係る構成は，本件明細書等に記載されているから，
本件訂正は，新規事項を追加するものではない。
〔被告の主張〕
(1)本件明細書等において，ユニポーラ素子本体のオン電圧の方が寄生ダイオー
ドの立ち上がり電圧よりも一時的に高くなるものを排除しているか否かを特定する
ことはできない。本件明細書等の【００２７】～【００２９】は，【００２６】記
載の構成を前提とするものであり，常にユニポーラ素子のオン電圧が寄生ダイオー
ドの立ち上がり電圧を下回るようなユニポーラ素子のオン抵抗値が設計上採用され
るべきことが，自明であるとはいえない。
本件明細書等【図４】には，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴに参照符号である「（１３０）」
が付されているものの，参照符号の付記によって【図４】の理解が変わるものでは
ない。【図４】のグラフにＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴの使用範囲を示す意図があれば，
その旨の断り書きがあるべきところ，本件明細書等にはそのような記載はなく，従
来構成に比べて本実施形態の構成の方が軽負荷での運転状態に適していることを説
明するにすぎないものである。
また，仮にＶＦ劣化が当業者にとって周知の課題であるとしても，本件明細書等
【００１８】【０００７】には，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのオン電圧が寄生ダイオー
ドの立ち上がり電圧を超える状態の可能性が示唆されており，実用に耐えるユニポ
ーラ素子本体のオン電圧の範囲の境界が寄生ダイオードの立ち上がり電圧であるこ
とが技術常識であるとは考えられない。
(2)このように，本件訂正に係る「（寄生ダイオード（１３１）の）該立ち上が
り電圧よりも，上記ユニポーラ素子本体のオン電圧の方が全使用範囲において低く」
という構成は，本件明細書等に記載されていないから，本件訂正は，新規事項を追
加するものである。
２取消事由２（明確性要件の判断の誤り）
〔原告の主張〕
(1)本件決定は，本件発明１の特許請求の範囲には「寄生ダイオード（１３１）
の立ち上がり電圧」は「上記ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高」い旨記載さ
れているところ，「ユニポーラ素子本体のオン電圧」は，ユニポーラ素子を流れる
電流（負荷電流）により変化するものであるから，上記記載は，いかなる電流が流
れる場合に「寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧」は「上記ユニポーラ素
子本体のオン電圧よりも高」いことを表したものであるのか不明である，などと判
断した。
(2)しかし，単に「ユニポーラ素子本体のオン電圧」と記載した場合，「負荷電
流による変化を問わず，ユニポーラ素子が導通（オン）状態となっている間の電圧」
を意味するものと解するのが自然である。
そして，「該立ち上がり電圧は，上記ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高く」
との記載は，「想定されるいかなる条件下においても，該寄生ダイオードの立ち上
がり電圧の方がユニポーラ素子が導通（オン）状態となっている間の電圧よりも高
い」という関係が成り立つような構成，すなわち，常にユニポーラ素子のオン電圧
が寄生ダイオードの立ち上がり電圧を下回るようなユニポーラ素子のオン抵抗値が
設計上採用されるべきことを意味しており，それ以外の構成を含まないことは明ら
かである。
そして，本件明細書【００１８】【０００７】の記載は，同期整流に関する一般
論を述べたものにすぎず，本件発明１の構成を述べたものではない。「同期整流」
の結果として，①「逆方向電流が比較的小さく，寄生ダイオードが導通せずＳｉＣ
ＭＯＳＦＥＴのみに電流が流れる」状態と，②「寄生ダイオードも導通する状態」
とが含まれるが，本件発明１の構成は「（寄生ダイオードの）該立ち上がり電圧は，
上記ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高く」との要件を特定することで，②の
状態を排除し，①の状態に限定していることは，当業者にとって十分に明確である。
(3)このように，「寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧」は「上記ユニ
ポーラ素子本体のオン電圧よりも高」いとの本件発明１の特許請求の範囲の記載は
明確であり，明確性要件に適合する。
〔被告の主張〕
(1)本件明細書【図４】によれば，「ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ（１３０）」のオン
電圧は，寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧よりも低い状態を取り得ると
いえるが，これをもって，本件発明１の技術的範囲を特定するものとはいえない。
一方，本件明細書【００１８】【０００７】の記載は，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴのオ
ン電圧が寄生ダイオードの立ち上がり電圧を超える状態の可能性を示唆する。
そうすると，本件発明１の技術的範囲が，例えば，寄生ダイオードの立ち上がり
電圧がユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高い状態に対応する負荷電流のみなら
ず，一時的に当該状態から外れた状態で使用される「電力変換装置」も含まれるの
か，あるいは，寄生ダイオードの立ち上がり電圧がユニポーラ素子本体のオン電圧
よりも高い状態となる負荷電流のみで使用される「電力変換装置」にとどまるのか，
といった，種々想定できるもののうちのいずれであるのかを特定することができな
い。前者が事実上存在し得ないとか，本件明細書の記載において除外されていると
かいう事情はない。
そうすると，「寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧」は「上記ユニポー
ラ素子本体のオン電圧よりも高く」との記載に関し，どのような負荷電流が流れた
場合に寄生ダイオードの立ち上がり電圧がユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高
いという状態となるか，本件明細書の記載を参酌しても不明確である。
(2)このように，「寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧」は「上記ユニ
ポーラ素子本体のオン電圧よりも高」いとの本件発明１の特許請求の範囲の記載は
明確ではなく，明確性要件に適合しない。
３取消事由３（進歩性の判断の誤り）
〔原告の主張〕
(1)本件決定は，周知例１及び２に基づき，「ＭＯＳＦＥＴをオンにし，寄生ダ
イオード側に電流を流さず，ＭＯＳＦＥＴ側に逆方向電流を流す同期整流により，
発熱損失を低減することができること」は，周知技術であると認定し（以下「本件
周知技術」という。），本件発明１は，引用発明に本件周知技術を適用して，当業
者が容易に発明をすることができたものであると判断した。
(2)周知技術の認定
ア周知例１及び２に基づき，「寄生ダイオード側に電流を流さず」との構成を
含む周知技術を認定することはできない。そして，「寄生ダイオード側に電流を流
さず」との構成を含まない周知技術を，引用発明に適用しても，相違点２に係る本
件発明１の構成には至らない。
イすなわち，周知例１及び２は，寄生ダイオード側に一切電流を流さないこと
を前提とするものではない。周知例１及び２に記載された同期整流の技術において
は，同期整流中に寄生ダイオードが導通することが完全に排除されているわけでは
なく，寄生ダイオードの立ち上がり電圧が同期整流中のスイッチング素子本体のオ
ン電圧よりも高いという関係が常に成り立つわけではない。なお，「同期整流」と
は，「還流ダイオードとして使用される寄生ダイオードに電流が流れる期間に，Ｍ
ＯＳＦＥＴをオンにすることにより，ＭＯＳＦＥＴ側に電流を流す」ことをいい，
この間，寄生ダイオード側に一切電流を流さないことまで包含する概念ではない。
同期整流とは，寄生ダイオードに流れる電流をＭＯＳＦＥＴ側に振り分けることで，
寄生ダイオードを含むＭＯＳＦＥＴ全体としての発熱損失を減少させる技術である。
ダイオードの電流状態は「同期整流」の結果として定まるものである。
周知例１及び２に記載された「同期整流」に，「ＭＯＳＦＥＴをオンにし，寄生
ダイオード側に電流を流さず，ＭＯＳＦＥＴ側に逆方向電流を流す」状態が含まれ
得るものの，周知例１及び２は，Ｓｉをスイッチング素子の材料とすることが想定
される。そして，Ｓｉ－ＭＯＳＦＥＴの場合，寄生ダイオードの立ち上がり電圧が
概ね０．６～１Ｖと低く，この範囲でのみ同期整流を行おうとすると使用範囲が著
しく制限されるから，周知例１及び２においては，寄生ダイオードが導通しない範
囲でのみ同期整流を行おうという発想自体がなかった。周知例１【図５】及び周知
例２【図４－Ｄ】のグラフの図示範囲によれば，ＭＯＳＦＥＴと寄生ダイオードの
双方が導通した状態での同期整流は排除されていない。周知例１及び２を全体とし
てみた場合，そこで開示されている周知技術が「寄生ダイオード側に電流を流さず，
ＭＯＳＦＥＴ側に逆方向電流を流す」形態での同期整流とは評価し得ないことは，
明らかである。
(3)周知技術の適用
ア本件特許の出願日以前は，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴにおいては，寄生ダイオー
ドが導通することに伴い順方向電圧（ＶＦ）が上がるというＳｉＣ特有の問題，い
わゆるＶＦ劣化の問題が存在するから，寄生ダイオードを還流ダイオードとして利
用することはできないとの理解が一般的であり，ＳｉＣ－ＳＢＤ等の外付けの還流
ダイオードを利用する方法が主流であった。これに対し，本件発明１は，同期整流
の技術において，寄生ダイオードが導通しないような条件，すなわち，寄生ダイオ
ードの立ち上がり電圧の方がユニポーラ素子のオン電圧よりも高いという条件を付
加することで，ＳｉＣのＶＦ劣化を実用化可能なレベルまで低減できることを見い
だしたものである。
これに対し，引用発明は，ＳｉＣをスイッチング素子の材料とするところ，Ｓｉ
Ｃを材料とするスイッチング素子において，（寄生ダイオード側に電流を流さない）
同期整流によって発熱損失を低減することは，周知例１及び２には何ら記載がない。
周知例１及び２に記載された周知技術としての同期整流の目的は，Ｓｉ－ＭＯＳＦ
ＥＴにおいて，専ら，寄生ダイオードの導通に伴うＭＯＳＦＥＴ全体としての発熱
損失を低減することにある。
周知例１において，同期整流による発熱損失低減の対象となっているのは，ＭＯ
ＳＦＥＴ６２１・６２２であり，ＳｉＣ等を用いるワイドバンドギャップ半導体に
よって構成されるスイッチング素子等とは別のものである。そして，ＭＯＳＦＥＴ
６２１・６２２の素材は明記されていないものの，駆動回路に引加される電圧の大
きさから，Ｓｉ－ＭＯＳＦＥＴを想定したものと解される。したがって，周知例１
は，専ら発熱損失の低減のために同期整流の技術を用いるものであり，ＳｉＣのＶ
Ｆ劣化の低減という発想とは無関係である。
周知例２には，同期整流の意義を述べた部分は僅かしかなく，専ら発熱損失の低
減のために同期整流の技術を用いることについて論じたものである。また，周知例
２は，そもそも半導体としてＳｉＣを用いるものを想定しておらず，順方向電圧が
０．６～１Ｖと記載されていることからすれば，Ｓｉを想定しているものといえる。
周知例２は，ＶＦ劣化について考慮したものではない。
イまた，引用発明は，発熱損失を積極的に利用する発明であるから，これに，
発熱損失の低減のために同期整流の技術を用いた周知技術を適用することはできな
い。
引用発明の装置は，「小型化と省電力化とをいずれも阻むことなく，回生制動の
効果を更に向上」させるという課題（【００１２】）を解決するために，ワイドバ
ンドギャップ半導体スイッチ素子において「ボディダイオードの順方向電圧降下が
高い」ことを利用して，ボディダイオード（寄生ダイオード）で回生電力を消費さ
せ（【００１５】），回生電力を熱に変えるものである。引用例では，「小型化と
省電力化とをいずれも阻むことなく」という要件を課しているから，回生電流を流
す対象は，（順方向電圧降下が低い）外付けダイオード，過大な容量の平滑コンデ
ンサ，放電回路等ではなく，順方向電圧降下が高いボディダイオードであることが
必須である。
一方，周知例１及び２の装置は，ボディダイオードを含むＭＯＳＦＥＴの発熱を
抑えることを目的としており，ボディダイオードを積極的に発熱させる引用発明と
は，全く逆の技術思想の下に構成されたものである。引用発明に，本件周知技術を
適用すると，引用発明の技術的な前提要件が破綻する。
これに対し，被告は，引用発明における「力行モード」においては，ボディダイ
オードの導通による損失の更なる低減を図る課題がある旨主張する。しかし，当業
者は，「回生モード」と「力行モード」という双方の運転モードの存在を考慮して，
モータに電力を供給する電力変換装置等を設計する必要がある。したがって，たと
え，「力行モード」において有用な技術があったとしても，当該技術が「回生モー
ド」において不利に働くものであれば，当業者がこれを採用することはない。しか
も，引用発明は，回生電力の消費能力を更に向上させることを課題とするものであ
るから，なおさら引用発明に本件周知技術を採用することはない。
(4)顕著な効果
本件発明１は，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードを還流ダイオードとして
使用することで，ＳｉＣ－ＳＢＤ等の外付けの還流ダイオードを不要としつつ，寄
生ダイオード側に電流を流さない条件下で同期整流の技術を用いることにより，寄
生ダイオードが還流ダイオードとして機能する局面を必要最小限に抑え，寄生ダイ
オードの導通に伴うＳｉＣのＶＦ劣化を抑制するものである。本件発明１による効
果は，当業者が予測し得ない顕著なものである。
(5)小括
以上によれば，本件発明１は，引用発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易
に発明をすることができたものではない。そして，本件発明１に従属する本件発明
２，３，５及び６も，同様に当業者が容易に発明をすることができたものではない。
〔被告の主張〕
(1)周知技術の認定
ア周知例１の【００６６】【図５】から，周知例１の「同期整流」は，内臓ダ
イオード側に電流を流さず，ＭＯＳＦＥＴ側に逆方向電流を流す状態を含むもので
ある。また，周知例２の１０５頁の記載から，周知例２の「同期整流」は，ボディ
ダイオード側に電流を流さず，パワーＭＯＳ側に逆方向電流を流す状態を含むもの
である。よって，周知例１及び２から，本件周知技術が認められる。
なお，本件明細書等には，「同期整流」の定義が明確に記載されていないものの，
【０００３】【００１７】【００１８】の記載によれば，本件発明１における「同
期整流」は，①少なくとも「逆方向電流が比較的小さく，寄生ダイオードが導通せ
ずＳｉＣＭＯＳＦＥＴのみに電流が流れる」状態とするものであることを示すも
のと理解することができる。一方で，本件発明１における「同期整流」は，②「寄
生ダイオードも導通する状態」を含むか否かは判然としない。そして，本件決定は，
①の場合の同期整流についてのみ検討したものである。
イそして，「寄生ダイオード側に電流を流さず，ＭＯＳＦＥＴ側に逆方向電流
を流す」同期整流である本件周知技術では，当然に「寄生ダイオード」の「立ち上
がり電圧」は「同期整流中のユニポーラ素子本体のオン電圧」よりも高いものと認
められる。また，本件明細書【図４】と同様の「寄生ダイオード」と「ユニポーラ
素子本体」の電圧電流特性が，周知例１【図５】に示されている。
したがって，引用発明１に，本件周知技術を適用すれば，相違点２に係る本件発
明１の構成に至る。
(2)周知技術の適用
ア引用発明において，発熱損失を低減した方が望ましいことは当然のことであ
るから，引用発明に本件周知技術を適用することは，当業者が容易になし得たこと
である。
イ引用例１【００１６】からは，引用例１が開示するモータ駆動回路の動作モ
ードには，「回生モード」とは，別の動作モードとして「力行モード」があり，当
該モードではボディダイオードの「順方向電流」による導通損失を抑制すべきであ
ること，及び，パワートランジスタがワイドバンドギャップ半導体であることによ
りボディダイオードの導通時間が短くなることから，導通損失が抑えられることが
理解できる。「力行モード」においても，ボディダイオードに「順方向電流」が流
れることには変わりはなく，また，【０００６】には「モータの力行モードでは，
モータの動力として消費される電力以外の電力，すなわちインバータの損失ができ
るだけ削減されねばならない。」などと記載されている。「力行モード」において，
ボディダイオードの「順方向電流」の導通による損失の更なる低減を図る課題があ
ることは当業者にとって明らかである。
そして，周知例１及び２に示されている，半導体の種類が不明であってＳｉＣと
は限らないＭＯＳＦＥＴにおいて，寄生ダイオードの立ち上がり電圧が，ＭＯＳＦ
ＥＴに所定の逆方向電流が流れる際のオン電圧よりも高い状態を取り得るならば，
「好ましくは，シリコンカーバイド（ＳｉＣ）」である引用発明のＭＯＳＦＥＴで
も，当然，寄生ダイオードの立ち上がり電圧が当該ＭＯＳＦＥＴの所定のオン電圧
よりも高い状態を取り得ることになる。
これに対し，本件発明１においてＳｉＣのＶＦ劣化を抑制できることは，本件明
細書に何らの記載もなく，示唆もない。また，引用発明における「力行モード」に
おいては，ボディダイオードの導通による損失の更なる低減を図る課題があるから，
「回生モード」のみに着目して，引用発明に本件周知技術を適用することができな
いというのは失当である。
(3)顕著な効果
本件発明１の効果のうち，スイッチング素子の寄生ダイオードを還流ダイオード
として用いるためにコストを抑えられる効果については，引用発明も，ボディダイ
オードの他に還流ダイオードを別途設けるものではないから，引用発明から当然に
得られるものである。
また，本件発明１の効果のうち，同期整流をすることで，スイッチング素子に逆
方向電流が流れ，寄生ダイオード単体よりも導通損を抑えられる効果については，
引用発明に本件周知技術を適用することで，発熱損失を低減できるから，本件周知
技術を適用した引用発明から予測し得るものである。
(4)小括
以上のとおり，本件発明１は，引用発明及び本件周知技術に基づいて，当業者が
容易に発明をすることができたものである。
第４当裁判所の判断
１本件発明１について
本件発明１に係る特許請求の範囲は，前記第２の２(1)【請求項１】のとおりであ
るところ，本件明細書（甲５）によれば，本件発明１の特徴は，以下のとおりであ
る。なお，本件明細書には，別紙１本件明細書図面目録のとおり，図面【図１】【図
４】が記載されている。
(1)技術分野
本件発明１は，ワイドバンドギャップ半導体を用いたユニポーラ素子によって構
成されたスイッチング素子を有する電力変換装置に関するものである。（【０００
１】）
(2)課題
電力変換装置のスイッチング素子の材料として，Ｓｉが広く利用されているが，
その理論限界を超える材料として，超低損失，高速・高温動作という特徴を有する
ワイドバンドギャップ半導体を利用する開発が進められている。そして，ワイドバ
ンドギャップ半導体として，ＳｉＣを利用する，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴが有力視さ
れている。（【０００２】）
そして，インバータなどでは，スイッチング素子に対して並列に還流ダイオード
を接続し，これに，還流電流（還流ダイオードにとっての順方向電流）を流させる
ことにより，誘導負荷を駆動する。スイッチング素子としてＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ
を用いたインバータでは，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴに並列に接続したＳｉＣ－ＳＢＤ
（ショットキーバリアダイオード）を還流ダイオードとして使用する構成が検討さ
れている。このような構成は，還流ダイオードでの損失を低減できるが，ＳｉＣ－
ＳＢＤが必要になるから，装置の大型化，コストアップを招くという課題がある。
（【０００３】【０００４】）
(3)課題解決手段
本件発明１は，上記課題を解決するために，ワイドバンドギャップ半導体を用い
たユニポーラ素子によって構成したスイッチング素子（１３０）において，①ユニ
ポーラ素子内の寄生ダイオード（１３１）を還流ダイオードとして用いた電力変換
装置である。また，本件発明１においては，②還流電流（還流ダイオードにとって
の順方向電流）が流れる際に同期整流を行うように構成され，寄生ダイオード（１
３１）の立ち上がり電圧が，ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高い。さらに，
本件発明１は，③ワイドバンドギャップ半導体としてＳｉＣを用いるものである。
（【０００５】）
(4)効果
アユニポーラ素子内の寄生ダイオード（１３１）を還流ダイオードとして用い
た効果
ユニポーラ素子内の寄生ダイオード（１３１）を還流ダイオードとして用いるこ
とで，還流ダイオードを別途設ける必要がなく，コストを抑えることができる。（【０
００７】【００１３】【００２２】）
また，定格条件，重負荷といった，大きな電流を流す運転状態ではＳｉＣ－ＳＢ
Ｄを使用した従来構成の方が，損失が小さく効率がよいが，軽負荷では，ＳｉＣ－
ＭＯＳＦＥＴのみの本件発明１の方が，損失が小さく効率がよい。空調用途では軽
負荷での運転時間が長いから，本件発明１の電力変換装置は，空気調和機等に適用
すれば有用である。（【００２５】【００２７】【００３４】）
イ還流電流が流れる際に同期整流を行うように構成した効果
同期整流をすることで，スイッチング素子（１３０）が通電し，寄生ダイオード
（１３１）単体よりも導通損を抑えることができる。特に軽負荷では，ＳｉＣ－Ｓ
ＢＤを使うよりも損失を抑えることができる。（【０００７】【００１３】【００
１７】【００２２】）
ウワイドバンドギャップ半導体としてＳｉＣを用いた効果
Ｓｉ－ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードを還流ダイオードとして使用する場合より
も，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ（１３０）の寄生ダイオード（１３１）を還流ダイオー
ドとして使用する方が，同期整流の効果は大きくなる。すなわち，Ｓｉ－ＭＯＳＦ
ＥＴの寄生ダイオードを還流ダイオードとして使用した場合には，同寄生ダイオー
ドの立ち上がり電圧が低いため（約０．７Ｖ），同期整流をしても，すぐに寄生ダ
イオードが導通するから，同期整流の効果は小さい。これに対して，ＳｉＣ－ＭＯ
ＳＦＥＴの寄生ダイオードを還流ダイオードとして使用した場合には，同寄生ダイ
オードの立ち上がり電圧が高いため（約３Ｖ），同期整流をすると，電流が大きく
ならなければ寄生ダイオード（１３１）が導通しないから，同期整流の効果が大き
くなる。（【００１８】）
また，ＳｉＣ－ｐｎダイオードのリカバリ電流は小さく，Ｓｉ－ｐｎダイオード
よりもスイッチング損失が桁違いに小さくなるから，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ（１３
０）の寄生ダイオード（１３１）を還流ダイオードとして使用する方が，Ｓｉ－Ｍ
ＯＳＦＥＴの寄生ダイオードを還流ダイオードとして使用する場合よりも，リカバ
リ電流，スイッチング損失を大幅に低減できる。（【００１９】【００２１】）
２取消事由１（本件訂正が新規事項の追加に当たるとした判断の誤り）につい
て
(1)特許請求の範囲の訂正は，願書に添付した「明細書，特許請求の範囲又は図
面」に記載した範囲内においてしなければならないところ（特許法１３４条の２第
９項において準用する同法１２６条５項），「明細書，特許請求の範囲又は図面」
に記載した範囲内とは，当該訂正が，当業者によって，明細書，特許請求の範囲又
は図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，
新たな技術的事項を導入しないものであることをいう。
本件決定は，本件発明１に係る請求項１のうち，「（寄生ダイオード（１３１）
の）該立ち上がり電圧は，上記ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高く」との発
明特定事項を，「（寄生ダイオード（１３１）の）該立ち上がり電圧よりも，上記
ユニポーラ素子本体のオン電圧の方が全使用範囲において低く」との発明特定事項
に訂正する本件訂正について，新規事項の追加に当たると判断した。
(2)新規事項の追加の有無
ア本件訂正後の請求項１に記載された技術的事項は，本件発明１に係る電力変
換装置の全使用範囲において，ユニポーラ素子本体のオン電圧が，寄生ダイオード
（１３１）の立ち上がり電圧よりも低いというものである。そして，ユニポーラ素
子本体のオン電圧と寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧との比較は，誘導
負荷を駆動するに当たっての還流電流が，ユニポーラ素子本体のみ，寄生ダイオー
ド（１３１）のみ，又は，寄生ダイオード（１３１）及びユニポーラ素子本体の双
方を流れる際に問題となるものである。そうすると，本件訂正は，本件発明１に係
る電力変換装置は，還流電流が，寄生ダイオード（１３１）を立ち上げない電流領
域においてのみ使用されるという技術的事項を導入するものということができる。
イしかし，そもそも本件明細書等には，還流電流の大きさと，本件発明１に係
る電力変換装置の使用領域とを関連付ける記載はない。
ウかえって，請求項１に，「上記ユニポーラ素子内の寄生ダイオード（１３１）
を還流ダイオードとして用い」と記載されていることからすれば，本件明細書等に
記載された技術的事項は，寄生ダイオード（１３１）に，還流電流が流れ得ること，
すなわち，還流電流が寄生ダイオード（１３１）を立ち上げる電流領域においても，
電力変換装置が使用されることを前提とするものである。
エさらに，本件明細書には，前記１(4)のとおり，本件発明１の効果が記載され
ている。
まず，本件発明１の効果のうち，還流ダイオードを別途設ける必要がないとの効
果は，還流電流の大きさに関する技術的事項とは無関係な効果である。
次に，本件明細書には，本件発明１の効果として，同期整流をすることで，寄生
ダイオード（１３１）のみに還流電流を流すよりも導通損を抑えることができ，特
に軽負荷では，ＳｉＣ－ＳＢＤに還流電流を流すよりも損失を抑えることができる
という効果が記載されている。ここで，前者の効果は，ユニポーラ素子本体のみに
還流電流を流す場合（寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧がユニポーラ素
子本体のオン電圧よりも高い場合）はもとより，ユニポーラ素子本体に加え寄生ダ
イオード（１３１）に還流電流を流す場合（寄生ダイオード（１３１）の立ち上が
り電圧がユニポーラ素子本体のオン電圧よりも低い場合）であっても，還流電流が
分流することから奏せられるものである。一方，後者の効果は，ユニポーラ素子の
端子間電圧が０．９Ｖ未満の範囲に限って得られる効果であり（【００２９】），
ユニポーラ素子の端子間電圧と，ワイドバンドギャップ半導体としてＳｉＣを用い
た場合の寄生ダイオードの立ち上がり電圧（約３Ｖ）との比較によって生じる効果
ではない。
さらに，本件明細書には，本件発明１の効果として，Ｓｉ－ＭＯＳＦＥＴの寄生
ダイオードを還流ダイオードとして使用する場合よりも，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ（１
３０）の寄生ダイオード（１３１）を還流ダイオードとして使用する方が，同期整
流の効果は大きくなるという効果が記載されている。しかし，かかる効果は，寄生
ダイオードの立ち上がり電圧の相違（Ｓｉを材料とする場合は０．７Ｖ，ＳｉＣを
材料とする場合は３Ｖ）から得られる効果であり，寄生ダイオードの立ち上がり電
圧とユニポーラ素子本体のオン電圧とに高低を設けることによって得られる効果で
はない。
このように，本件明細書に記載された本件発明１の効果は，いずれも，本件発明
１に係る電力変換装置において，還流電流が，寄生ダイオード（１３１）を立ち上
げない電流領域においてのみ使用されるか否かという技術的事項によって，相違が
生じるものではない。
オ以上のとおり，①本件明細書等には，還流電流の大きさと，本件発明１に係
る電力変換装置の使用領域とを関連付ける記載がないだけではなく，②本件明細書
等に記載された技術的事項は，還流電流が寄生ダイオード（１３１）を立ち上げる
電流領域においても，電力変換装置が使用されることを前提とするものであって，
③本件明細書に記載された本件発明１の効果も，還流電流が，寄生ダイオード（１
３１）を立ち上げない電流領域においてのみ使用されるか否かという技術的事項に
よって，相違が生じるものではない。そうすると，本件明細書等には，本件発明１
に係る電力変換装置を，還流電流が，寄生ダイオード（１３１）を立ち上げない電
流領域においてのみ使用するという技術的事項は記載されていないというべきであ
る。
したがって，寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧よりも，ユニポーラ素
子本体のオン電圧の方が，全使用範囲において低いという技術的事項は，本件明細
書等の全ての記載を総合しても導くことができない。
(3)原告の主張について
ア原告は，本件明細書等の【図４】において，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ（１３０）
のラインと寄生ダイオード（１３１）のラインとが交叉していないから，寄生ダイ
オードの立ち上がり電圧よりも，ユニポーラ素子のオン電圧の方が全使用範囲にお
いて低いという構成を導き出すことができる旨主張する。
しかし，本件明細書等において，【図４】は，ＳｉＣ－ＳＢＤを還流ダイオード
として用いる従来技術との比較のために参照されている（【００２４】【００２７】）。
そして，本件特許に係る発明は，この従来技術に比較して，ＳｉＣ－ＳＢＤの立ち
上がり電圧である１Ｖ近傍以下において，消費電力の観点で有利であることが説明
されている（【００２５】）。そうすると，【図４】は，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴと
ＳｉＣ－ＳＢＤの電圧電流特性を比較するためのものということができる。一方，
本件明細書等には，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオード（１３１）の立ち上が
り電圧は約３Ｖである旨説明されるのみであり（【００２４】），ＳｉＣ－ＭＯＳ
ＦＥＴと寄生ダイオード（１３１）の電圧電流特性を比較する説明はない。【図４】
に記載された範囲が，本件特許に係る発明が，ＳｉＣ－ＳＢＤを還流ダイオードと
して用いる従来技術と比較して消費電力の観点で有利であるとされる軽負荷の範囲
を超えて，定格負荷や重負荷の範囲（全使用範囲）までを含むものであることを説
明する記載もない。
そうすると，【図４】の電圧電流特性の概略図において，寄生ダイオード（１３
１）の立ち上がり電圧よりも，ユニポーラ素子本体のオン電圧の方が，低い範囲し
か記載されていないことをもって，寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧よ
りも，ユニポーラ素子本体のオン電圧の方が，全使用範囲において低いという技術
的事項を導くことはできない。
イ原告は，請求項１などには，寄生ダイオード（１３１）の「立ち上がり電圧
は，上記ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高く」と記載されており，寄生ダイ
オードの立ち上がり電圧よりも，ユニポーラ素子のオン電圧の方が全使用範囲にお
いて低いという構成は自明であると主張する。
しかし，請求項１において，寄生ダイオード（１３１）の「立ち上がり電圧は，
上記ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高く」と特定されているのは，本件発明
１の構成として，同期整流を行う際，寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧
を，ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高くするという技術的事項を採用した旨
特定するにすぎないものである。本件発明１の電力変換装置が使用される還流電流
の全電流領域を限定するものではない。
したがって，寄生ダイオード（１３１）の「立ち上がり電圧は，上記ユニポーラ
素子本体のオン電圧よりも高く」と記載されていることをもって，寄生ダイオード
（１３１）の立ち上がり電圧よりも，ユニポーラ素子本体のオン電圧の方が，全使
用範囲において低いという技術的事項を導くことはできない。
ウ原告は，ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴにおいては，寄生ダイオードが導通すること
に伴い順方向電圧（ＶＦ）が上がるという周知の課題（ＶＦ劣化）が存するから，
ユニポーラ素子本体のオン電圧の方が寄生ダイオードの立ち上がり電圧よりも高く
なる構成が実用に耐えないことは技術常識であり，全使用範囲においてユニポーラ
素子本体のオン電圧の方が寄生ダイオードの立ち上がり電圧よりも低いという構成
は，本件特許の当然の前提となっていたと主張する。
しかし，本件明細書等にはＶＦ劣化については何ら記載されていないから，ＶＦ
劣化が周知の課題であることを前提に，本件明細書等の記載を解釈することはでき
ない。また，本件明細書等においては，本件特許に係る発明が，ＳｉＣを用いるも
のの同期整流を行わない従来技術とも比較されており（【０００７】【００１３】
【００２２】），そこでは，寄生ダイオードに加えて，ユニポーラ素子本体に還流
電流を流すか否かが問題となるのであるから，ＶＦ劣化を前提に寄生ダイオードに
還流電流を流さない技術的事項が，本件明細書等において当然の前提になっていた
ということはできない。
したがって，ＶＦ劣化という課題をもって，寄生ダイオード（１３１）に還流電
流を流さないという技術的事項，すなわち，寄生ダイオード（１３１）の立ち上が
り電圧よりも，ユニポーラ素子本体のオン電圧の方が，全使用範囲において低いと
いう技術的事項を導くことはできない。
エ原告は，【請求項４】【００２６】以下の記載において，全使用範囲におい
てユニポーラ素子本体のオン電圧の方が寄生ダイオードの立ち上がり電圧よりも低
いという電圧相互の関係にするために，ユニポーラ素子のオン抵抗値が設計されて
いると主張する。
しかし，本件明細書等の【請求項４】【００２８】【００２９】は，暖房中間負
荷条件という特定の使用範囲におけるスイッチング素子の選定について記載された
ものである。また，本件明細書等の【００２６】は，還流電流を寄生ダイオードに
流す場合と，ＳｉＣ－ＳＢＤに流す場合とを比較したものである。
このように，全使用範囲においてユニポーラ素子本体のオン電圧の方が寄生ダイ
オードの立ち上がり電圧よりも低いという電圧相互の関係にするために，ユニポー
ラ素子のオン抵抗値が設計されていることをうかがわせる記載は，本件明細書等に
はない。
(4)小括
以上のとおり，本件訂正は，当業者によって，本件明細書等の全ての記載を総合
することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入す
るものであるから，新規事項を追加するものというべきである。したがって，本件
訂正は認められない。
よって，取消事由１は理由がない。
３取消事由２（明確性要件の判断の誤り）について
(1)特許を受けようとする発明が明確であるか否かは，特許請求の範囲の記載だ
けではなく，願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮し，また，当業者の出願
当時における技術常識を基礎として，特許請求の範囲の記載が，第三者の利益が不
当に害されるほどに不明確であるか否かという観点から判断されるべきである。
本件決定は，本件発明１の特許請求の範囲のうち「寄生ダイオード（１３１）の
立ち上がり電圧」は「上記ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高」いとの記載が，
いかなる電流が流れる場合のことを表したものであるか不明であるから，明確性要
件に適合しないと判断した。
(2)前記２(3)イのとおり，請求項１において，寄生ダイオード（１３１）の「立
ち上がり電圧は，上記ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高く」と特定されてい
るのは，本件発明１の構成として，同期整流を行う際，寄生ダイオード（１３１）
の立ち上がり電圧を，ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高くするという技術的
事項を採用する旨特定するものである。
そして，本件発明１に係る電力変換装置において使用される還流電流の程度が限
定されていないことと，同期整流を行う際には，常に，寄生ダイオード（１３１）
の立ち上がり電圧を，ユニポーラ素子本体のオン電圧よりも高くすることとは，関
係がない。
(3)したがって，「寄生ダイオード（１３１）の立ち上がり電圧」は「上記ユニ
ポーラ素子本体のオン電圧よりも高」いとの本件発明１の特許請求の範囲の記載が，
第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるということはできない。同記載
が明確ではないから，本件各発明の特許請求の範囲の記載は，明確性要件に適合し
ないとする本件決定の判断は誤りである。
よって，取消事由２は理由がある。
４取消事由３（進歩性の判断の誤り）について
(1)引用発明
引用例（甲１）に，前記第２の３(2)アの引用発明が記載されていることは，当事
者間に争いがない。そして，引用例には，別紙２引用例等図面目録引用例のとおり，
引用発明の実施例として【図２】が，背景技術として【図９】が記載されるととも
に，引用発明に関し，以下の点が開示されているものと認められる。
ア技術分野
引用発明は，モータ駆動回路に関し，特に，同期モータの可変速駆動を制御する
回路に関するものである。（【０００１】）
イ背景技術
動作制御の迅速化の要求を満たすためには，動力源であるモータに対する可変速
駆動制御を，効率良く，かつ高い応答速度で行わなければならない。この要求は，
輸送機器に限らず，例えば洗濯機や食洗機等，家電製品に搭載されるモータに対し
ても及ぶ。（【０００２】）
互いに直列に接続される二つのパワートランジスタＱＨ，ＱＬでは，一方のター
ンオフ動作の開始から他方のターンオン動作の開始までの間に，パワードランジス
タＱＨ，ＱＬを貫通電流による破壊から保護するために，必ず，一定時間以上，両
方のパワートランジスタがオフされるデッドタイムが設定される。デッドタイムに
は，ボディダイオードＤＨ（ＤＬ）が導通し，パワートランジスタＱＨ，ＱＬに対
する過大な逆バイアスの印加が回避され，これらの素子破壊が保護される。パワー
トランジスタがＭＯＳＦＥＴである場合，デッドタイムを短縮することができる。
（【０００５】）
モータの力行モードでは，モータの動力として消費される電力以外の電力，すな
わちインバータにおける電力損失（パワートランジスタの導通損失，スイッチング
損失，帰還ダイオードの導通損失）ができるだけ削減されなければならない。パワ
ートランジスタと帰還ダイオードとをＳｉＣなどを材料とするワイドバンドギャッ
プ半導体で構成すれば，パワートランジスタの導通損失とスイッチング損失が少な
い。一方，パワートランジスタがＭＯＳＦＥＴである場合，ボディダイオードを帰
還ダイオードとして利用できるところ，ＭＯＳＦＥＴのボディダイオードでは，順
方向電圧降下が比較的大きく，帰還ダイオードの導通損失を削減しにくい。ワイド
バンドギャップ半導体スイッチ素子では，順方向電圧降下がより大きいから，モー
タの力行モードでは，帰還ダイオードの導通損失の削減に不利である。（【０００
６】【０００７】）
モータの回生モードを利用した回生制動の方法として，平滑コンデンサＣ１，Ｃ
２に回生電力を供給する方法と，回生電力を主にステータ巻線１０３Ｕ，１０３Ｖ，
１０３Ｗの抵抗で消費する方法とがある。（【０００９】）
ウ発明が解決しようとする課題
モータの力行モードにおいて，インバータの損失を低下させるためには，ワイド
ギャップ半導体を用いることが望まれるが，そのボディダイオードは順方向電圧降
下が大きいから，帰還ダイオードの損失が大きくなるという課題があり，高速整流
ダイオードを外付けしなければならず，小型化等が阻まれる。（【００１１】）
また，モータに対する可変速駆動制御の応答速度を更に高めるためには，回生電
力の消費能力を更に高めることが望ましい。しかし，平滑コンデンサの容量を増大
等することは，モータ駆動回路の更なる小型化を阻む。ステータ巻線の抵抗値を増
大させることは，同期モータの力行モードにおいて，ステータ巻線の導通損失を増
大させる。（【００１１】）
引用発明は，小型化と省電力化とをいずれも阻むことなく，回生制動の効果を更
に向上させ得るモータ駆動回路の提供を目的とする。（【００１２】）
エ課題を解決するための手段
引用発明に係るモータ駆動回路は，ワイドバンドギャップ半導体から成り，ボデ
ィダイオードを含む二つのパワートランジスタと，これら二つのパワートランジス
タに対してオンオフ制御を行い，特に同期モータの回生モードでは，パワートラン
ジスタに，そのボディダイオードの順方向に沿った電流を流すべきとき，そのパワ
ートランジスタをオフ状態に維持するものである。（【００１４】）
引用発明のパワートランジスタは，ワイドバンドギャップ半導体製であって，特
に低オン抵抗でかつ高耐圧であるから，小型化を阻むことなく，導通損失を低減さ
せ得る。また，スイッチング動作が速いので，スイッチング損失が低減できる。（【０
０１５】）
引用発明に係るモータ駆動回路の力行モードにおいては，互いに直列に接続され
た二つのパワートランジスタ間のデッドタイムに，それらのボディダイオードのい
ずれかを順方向電流が流れる。パワートランジスタはワイドバンドギャップ半導体
製であるから，スイッチングが速く，デッドタイムを容易に短縮できる。それによ
り，ボディダイオードの導通状態を維持すべき時間が短縮されるから，ボディダイ
オードの導通損失が十分に抑えられる。したがって，高速整流ダイオードを外付け
することなく，力行モードでも損失を充分低減できる。【００１６】
引用発明に係るモータ駆動回路の回生モードにおいては，一部のパワートランジ
スタに，そのボディダイオードの順方向に沿った電流が流れる。その際，そのパワ
ートランジスタがオフにされるので，当該電流はそのパワートランジスタのボディ
ダイオードを順方向に流れる。ワイドバンドギャップ半導体スイッチ素子ではボデ
ィダイオードの順方向電圧降下が高いので，回生電力はボディダイオードで十分に
消費され得る。それにより，回生電力を消費するための回路素子，例えば過大な容
量の平滑コンデンサや放電回路がなくても，回生制動の効果が十分に高い。（【０
０１５】）
オ発明の効果
引用発明に係るモータ駆動回路では，パワートランジスタとしてワイドバンドギ
ャップ半導体スイッチ素子が採用されているから，パワートランジスタの導通損失
とスイッチング損失とが低い。その上，従来の駆動回路とは異なり，ワイドバンド
ギャップ半導体スイッチ素子のボディダイオードを帰還ダイオードとして積極的に
利用することにより，その順方向電圧降下で回生電力を十分に消費し，回生制動の
効果を向上させ得る。（【００１７】）
(2)本件発明１と引用発明との対比
本件発明１と引用発明との相違点は，前記第２の３(2)イの相違点１及び２のとお
りであることは，当事者間に争いがない。
(3)周知技術
ア周知例１
周知例１には，スイッチング素子にＭＯＳＦＥＴを用いた電力変換装置において，
ＭＯＳＦＥＴをオンすることにより，発熱損失の大きいＭＯＳＦＥＴの内蔵ダイオ
ードに電流を流さず，同期整流をすることにより，発熱損失を低減することができ
る技術が示されている（【００６１】【００６６】【図１】【図５】。別紙２引用
例等図面目録周知例１のとおり。）。
イ周知例２
周知例２には，スイッチング素子にＭＯＳＦＥＴを用いた電力変換装置において，
ＭＯＳＦＥＴをオンすることにより，ソースからドレインに向かって流れる電流を
ボディダイオードに経由させない同期整流とし，これにより，損失を，ＭＯＳＦＥ
Ｔ本体のオン抵抗とドレイン電流の積だけに低減させる技術が示されている（１０
５頁，【図４－Ｃ】【図４－Ｄ】。別紙２引用例等図面目録周知例２のとおり。）。
ウ周知技術の認定
前記のとおり，周知例１及び２の記載によれば，本件決定が認定したとおり，周
知例１及び２から，「ＭＯＳＦＥＴをオンにし，寄生ダイオード側に電流を流さず，
ＭＯＳＦＥＴ側に逆方向電流を流す同期整流により，発熱損失を低減することがで
きること」という周知技術（本件周知技術）を認めることができる。
エ原告の主張について
原告は，周知例１及び２に記載された同期整流の技術においては，同期整流中に
寄生ダイオードが導通することが完全に排除されているわけではないなどと主張す
る。
しかし，前記アのとおり，周知例１【００６６】には，「ＭＯＳＦＥＴ６２２を
オンすることにより，発熱損失の大きいＭＯＳＦＥＴ６２２の内臓ダイオードに電
流を流さず」との記載がある。また，前記イのとおり，周知例２には，「パワーＭ
ＯＳを導通させて，低オン抵抗の状態にします。こうすることにより，ソースから
ドレインに向かって流れる電流は内蔵のボディ・ダイオードを経由せず」との記載
がある。これらの記載によれば，周知例１及び２には，ＭＯＳＦＥＴ本体に電流を
流し，寄生ダイオード（内臓ダイオード，ボディダイオード）に電流を流さないス
イッチング素子に関する技術が記載されていることは明らかである。
このことは，「同期整流」の意義自体に，寄生ダイオード側に電流を流さないと
いう概念が包含されないことや，周知例１及び２のスイッチング素子がＳｉ－ＭＯ
ＳＦＥＴであって，その立ち上がり電圧が低く，寄生ダイオードに電流を流さない
場合の使用範囲が小さいことによって，左右されるものではない。
したがって，「寄生ダイオード側に電流を流さず」という構成を含む周知技術を
認定することはできないとの原告の主張は採用できない。
(4)周知技術を適用する動機付け
ア引用発明は，モータの回生モードにおいて，回生電力の消費能力を高めると
いう課題に対して，順方向電圧降下が高いボディダイオードに電流を流し，回生電
力を消費させるというものである。
このように，引用発明は，モータの回生モードにおいて，ボディダイオードに電
流を流し，ボディダイオードにおいて回生電力を損失させるという課題解決手段を
採用したものである。一方，本件周知技術は，寄生ダイオード側に電流を流さず，
発熱損失を低減させるというものであるから，引用発明の課題解決手段と正反対の
技術思想を有するものである。したがって，当業者は，引用発明におけるモータの
回生モードにおいて，正反対の技術思想を有する本件周知技術を適用することはな
い。
そして，引用例には，引用発明の電力変換装置において，力行モードを回生モー
ドから切り離し，力行モードの動作のみを変更することを示唆するような記載はな
いから，当業者は，力行モードにおける動作のみを変更することを容易に想到する
ことはない。
したがって，引用発明に本件周知技術を適用する動機付けはないというべきであ
る。
イまた，仮に，当業者が，引用発明の電力変換装置のうち，モータの力行モー
ドにおける動作のみを変更することを想到し得たとしても，引用発明は，モータの
力行モードにおいて，ワイドギャップ半導体を用いた場合に生じるボディダイオー
ドの導通損失が大きくなるという課題に対して，ワイドバンドギャップ半導体のス
イッチングが速いという特性を用いて，パワートランジスタＱＨとパワートランジ
スタＱＬのいずれもがオフ状態になっているデッドタイムを極力減らすことにより，
ボディダイオードの導通状態の時間を短縮し，ボディダイオードにおける導通損失
を抑えるというものである。そうすると，引用発明は，モータの力行モードにおい
て，ボディダイオードの導通損失を低減させるという課題を有するものの，ワイド
バンドギャップ半導体の特性に基づくデッドタイムの短縮化により，これを解決し
ているものである。
そもそも，本件周知技術は，ＭＯＳＦＥＴをオンにし，寄生ダイオード側に電流
を流さないという同期整流の技術である。一方，引用発明におけるモータの力行モ
ードは，省電力化の観点から，パワートランジスタＱＨ及びＱＬは二相変調による
オンオフ制御が有利であるとされている（【００３２】【図６】）。そして，引用
発明は，パワートランジスタＱＨ及びＱＬのいずれもがオフされる時間であるデッ
ドタイムを，パワートランジスタＱＨ及びＱＬのターンオフ時間より十分に長く設
定することにより，パワートランジスタＱＨ及びＱＬが貫通電流により破壊される
のを防止するという構成を有するものである（【０００５】）。このように，力行
モードにおいて二相変調によるオンオフ制御を行う引用発明では，パワートランジ
スタＱＨ（又はＱＬ）がオフ状態であるデッドタイムにおいて，パワートランジス
タＱＬ（又はＱＨ）はターンオフの途中であり，まだ導通している。そして，この
ような状態の引用発明において，パワートランジスタＱＨ（又はＱＬ）を同期整流
によりオンにすることは，貫通電流が流れることになるから，パワートランジスタ
ＱＨ及びＱＬの破壊につながる。そうすると，引用発明における力行モードにおい
て，同期整流によりパワートランジスタをオンにする余地はないから，当業者は，
引用発明に，本件周知技術を適用しようと考えるものではない。
したがって，モータの力行モードを前提にした場合であっても，引用発明に本件
周知技術を適用する動機付けはないというべきである。
ウよって，引用発明に本件周知技術を適用する動機付けはないから，引用発明
に本件周知技術を適用することにより，相違点１及び２に係る本件発明１の構成を
採用することを，当業者が容易に想到することができたということはできない。
エ被告の主張について
被告は，引用発明におけるモータの力行モードにおいては，ボディダイオードの
導通による損失の更なる低減を図る課題がある旨主張する。
しかし，そもそも，当業者は，引用発明の電力変換装置のうち，力行モードにお
ける動作のみを変更することを容易に想到することはないから，引用発明において，
力行モードにおける上記課題の解決のために，回生モードにおける動作の際に採用
することが否定される寄生ダイオード側に電流を流さないという技術を採用するこ
とを，容易に想到し得ない。
また，引用発明は，モータの力行モードにおいて，ボディダイオードの導通によ
る損失を，ワイドバンドギャップ半導体の特性に基づくデッドタイムの短縮化によ
り，これを解決しているものである。引用発明において，さらに，ボディダイオー
ドの導通による損失の低減を図る課題があったとしても，それは，直列につないだ
パワートランジスタのいずれもがオフ状態になっていることを前提とする課題であ
って，パワートランジスタをオンにする本件周知技術は，引用発明の課題を解決す
るようなものではない。引用発明と本件周知技術の課題とは，ボディダイオード（寄
生ダイオード）の損失を低減するという点で抽象的には共通するものの，課題の生
じる局面が異なるものである。
したがって，課題の共通性をもって，引用発明に本件周知技術を適用する動機付
けがあるという被告の主張は，採用できない。
(5)小括
以上のとおり，引用発明に本件周知技術を適用する動機付けはないから，当業者
は，引用発明に本件周知技術を適用することにより，相違点１及び２に係る本件発
明１の構成を容易に想到することはできない。
したがって，本件発明１は，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をするこ
とができたということはできない。また，本件発明２，３，５及び６は，本件発明
１の発明特定事項を全て含み，さらに他の限定を付加したものであるから，当業者
が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたということはできない。
よって，取消事由３は理由がある。
５結論
以上のとおり，原告主張の取消事由のうち，取消事由２及び３は理由があるから，
原告の請求を認容することとし，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官髙部眞規子
裁判官山門優
裁判官片瀬亮
別紙１
本件明細書図面目録
【図１】
【図４】
別紙２
引用例等図面目録
引用例
【図２】
【図９】
周知例１
【図１】【図５】
周知例２

戻る